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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024165434
(43)【公開日】2024-11-28
(54)【発明の名称】半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法
(51)【国際特許分類】
H01S 5/02208 20210101AFI20241121BHJP
H01L 23/02 20060101ALI20241121BHJP
【ＦＩ】
H01S5/02208
H01L23/02 F
H01L23/02 B
【審査請求】未請求
【請求項の数】20
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023081640
(22)【出願日】2023-05-17
(71)【出願人】
【識別番号】000116024
【氏名又は名称】ローム株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100105957
【弁理士】
【氏名又は名称】恩田 誠
(74)【代理人】
【識別番号】100068755
【弁理士】
【氏名又は名称】恩田 博宣
(72)【発明者】
【氏名】篠田 明人
【テーマコード（参考）】
5F173
【Ｆターム（参考）】
5F173MC30
5F173MD04
5F173MD59
5F173ME02
5F173ME64
5F173ME76
5F173ME86
(57)【要約】
【課題】基板に対するキャップの傾きを抑制すること。
【解決手段】半導体発光装置１０は、基板２０と、基板２０上に配置された端面発光素子６０と、端面発光素子６０を収容するキャップ７０と、基板２０上に設けられ、平面視において端面発光素子６０を囲むように形成された接着パターン３３と、キャップ７０と接着パターン３３のパターン表面３３Ｓとを接着している第１接着剤５１と、少なくとも接着パターン３３を平面視において側方に貫通し、キャップ７０の内部とキャップ７０の外部とを連通させる連通部９０と、連通部９０に埋められた第２接着剤５２と、を備える。
【選択図】図３
【解決手段】半導体発光装置１０は、基板２０と、基板２０上に配置された端面発光素子６０と、端面発光素子６０を収容するキャップ７０と、基板２０上に設けられ、平面視において端面発光素子６０を囲むように形成された接着パターン３３と、キャップ７０と接着パターン３３のパターン表面３３Ｓとを接着している第１接着剤５１と、少なくとも接着パターン３３を平面視において側方に貫通し、キャップ７０の内部とキャップ７０の外部とを連通させる連通部９０と、連通部９０に埋められた第２接着剤５２と、を備える。
【選択図】図３
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板と、
前記基板上に配置された半導体発光素子と、
前記半導体発光素子を収容するキャップと、
前記基板上に設けられ、前記基板の厚さ方向から視て前記半導体発光素子を囲むように形成された接着パターンと、
前記キャップと前記接着パターンのパターン表面とを接着している第１接着剤と、
少なくとも前記接着パターンを前記厚さ方向から視て側方に貫通し、前記キャップの内部と前記キャップの外部とを連通させる連通部と、
前記連通部に埋められた第２接着剤と、
を備える、半導体発光装置。
前記基板上に配置された半導体発光素子と、
前記半導体発光素子を収容するキャップと、
前記基板上に設けられ、前記基板の厚さ方向から視て前記半導体発光素子を囲むように形成された接着パターンと、
前記キャップと前記接着パターンのパターン表面とを接着している第１接着剤と、
少なくとも前記接着パターンを前記厚さ方向から視て側方に貫通し、前記キャップの内部と前記キャップの外部とを連通させる連通部と、
前記連通部に埋められた第２接着剤と、
を備える、半導体発光装置。
【請求項2】
前記接着パターンは、所定の幅を有しかつ前記幅と直交する長さ方向に延びた枠状であり、
前記連通部は、前記接着パターンをその幅方向に貫通することによって前記接着パターンの長さ方向において分離している
請求項１に記載の半導体発光装置。
前記連通部は、前記接着パターンをその幅方向に貫通することによって前記接着パターンの長さ方向において分離している
請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項3】
前記連通部の開口寸法は、前記接着パターンの幅寸法以下である
請求項１に記載の半導体発光装置。
請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項4】
前記連通部の開口寸法は、前記接着パターンの幅寸法よりも大きい
請求項１に記載の半導体発光装置。
請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項5】
前記接着パターンは、互いに対向する第１周端部および第２周端部を含み、
前記連通部は、前記第１周端部および前記第２周端部の間の領域であり、
前記開口寸法は、前記第１周端部と前記第２周端部との間の距離である
請求項３または４に記載の半導体発光装置。
前記連通部は、前記第１周端部および前記第２周端部の間の領域であり、
前記開口寸法は、前記第１周端部と前記第２周端部との間の距離である
請求項３または４に記載の半導体発光装置。
【請求項6】
前記半導体発光素子は、平面視において前記厚さ方向と交差する側方に光を出射する端面発光素子であり、
前記厚さ方向から視て、前記接着パターンは矩形枠状に形成されており、
前記キャップは、前記厚さ方向から視て前記接着パターンの一辺と対応した位置に、前記端面発光素子から出射された光が通過する透光面を含み、
前記連通部は、前記接着パターンのうち前記透光面と対応する一辺とは異なる辺に設けられている
請求項１に記載の半導体発光装置。
前記厚さ方向から視て、前記接着パターンは矩形枠状に形成されており、
前記キャップは、前記厚さ方向から視て前記接着パターンの一辺と対応した位置に、前記端面発光素子から出射された光が通過する透光面を含み、
前記連通部は、前記接着パターンのうち前記透光面と対応する一辺とは異なる辺に設けられている
請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項7】
前記接着パターンは、前記厚さ方向から視て長手方向および短手方向を有する矩形枠状に形成されており、
前記キャップは、前記接着パターンと前記厚さ方向に対向する矩形枠状の側壁を含み、
前記透光面は、前記側壁のうち前記長手方向に延びた部分に形成されており、
前記連通部は、前記接着パターンのうち前記短手方向に延びた部分に設けられている
請求項６に記載の半導体発光装置。
前記キャップは、前記接着パターンと前記厚さ方向に対向する矩形枠状の側壁を含み、
前記透光面は、前記側壁のうち前記長手方向に延びた部分に形成されており、
前記連通部は、前記接着パターンのうち前記短手方向に延びた部分に設けられている
請求項６に記載の半導体発光装置。
【請求項8】
前記接着パターンは、前記連通部を構成する第１周端部および第２周端部を含み、
前記第１周端部および前記第２周端部は、前記厚さ方向から視て、前記キャップからはみ出すはみ出しパターンを含む
請求項１に記載の半導体発光装置。
前記第１周端部および前記第２周端部は、前記厚さ方向から視て、前記キャップからはみ出すはみ出しパターンを含む
請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項9】
前記はみ出しパターンの幅寸法は、前記接着パターンの幅寸法よりも小さい
請求項８に記載の半導体発光装置。
請求項８に記載の半導体発光装置。
【請求項10】
前記基板は、前記接着パターンが設けられた基板表面を有し、
前記第２接着剤は、前記基板表面に接している
請求項１に記載の半導体発光装置。
前記第２接着剤は、前記基板表面に接している
請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項11】
前記第２接着剤は、前記第１接着剤の厚さよりも厚い厚接着部を含む
請求項１０に記載の半導体発光装置。
請求項１０に記載の半導体発光装置。
【請求項12】
前記厚接着部の厚さは、前記第１接着剤の厚さと前記接着パターンの厚さとの合計と等しい
請求項１１に記載の半導体発光装置。
請求項１１に記載の半導体発光装置。
【請求項13】
前記キャップは、枠状に形成され、開口端面を含む側壁を有し、
前記厚接着部は、前記開口端面と対向する位置において前記開口端面と接しており、
前記第２接着剤は、前記厚さ方向から視て、前記厚接着部から連続するとともに前記側壁からはみ出すはみ出し部を含む
請求項１１または１２に記載の半導体発光装置。
前記厚接着部は、前記開口端面と対向する位置において前記開口端面と接しており、
前記第２接着剤は、前記厚さ方向から視て、前記厚接着部から連続するとともに前記側壁からはみ出すはみ出し部を含む
請求項１１または１２に記載の半導体発光装置。
【請求項14】
前記第２接着剤の種類は、前記第１接着剤の種類とは異なる
請求項１に記載の半導体発光装置。
請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項15】
前記第２接着剤は、前記第１接着剤よりも粘性が低い
請求項１４に記載の半導体発光装置。
請求項１４に記載の半導体発光装置。
【請求項16】
前記第１接着剤および前記第２接着剤は、同じ種類の接着剤である
請求項１に記載の半導体発光装置。
請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項17】
基板表面を有する基板に半導体発光素子を配置する工程と、
前記基板に設けられ、前記基板の厚さ方向から視て前記半導体発光素子を囲む接着パターンに第１接着剤を塗布する工程と、
キャップを前記第１接着剤上に配置して前記半導体発光素子を収容する工程と、
前記第１接着剤を硬化して前記接着パターンに前記キャップを接着する工程と、
を備え、
前記接着パターンに前記キャップを接着する工程において、少なくとも前記接着パターンを前記厚さ方向から視て側方に貫通し、前記キャップの内部と前記キャップの外部とを連通する連通部が設けられ、
前記第１接着剤を硬化して前記接着パターンに前記キャップを接着する工程の後に実施され、前記連通部を第２接着剤で埋める工程を備える
半導体発光装置の製造方法。
前記基板に設けられ、前記基板の厚さ方向から視て前記半導体発光素子を囲む接着パターンに第１接着剤を塗布する工程と、
キャップを前記第１接着剤上に配置して前記半導体発光素子を収容する工程と、
前記第１接着剤を硬化して前記接着パターンに前記キャップを接着する工程と、
を備え、
前記接着パターンに前記キャップを接着する工程において、少なくとも前記接着パターンを前記厚さ方向から視て側方に貫通し、前記キャップの内部と前記キャップの外部とを連通する連通部が設けられ、
前記第１接着剤を硬化して前記接着パターンに前記キャップを接着する工程の後に実施され、前記連通部を第２接着剤で埋める工程を備える
半導体発光装置の製造方法。
【請求項18】
前記接着パターンは、前記厚さ方向から視て、所定の幅を有しかつ前記幅と直交する長さ方向に延びた枠状であり、
前記連通部は、前記接着パターンをその幅方向に貫通し、前記接着パターンの長さ方向において分離しており、
前記接着パターンに前記第１接着剤を塗布する工程では、前記連通部には前記第１接着剤を塗布せず、前記接着パターンのパターン表面に前記第１接着剤を塗布する
請求項１７に記載の半導体発光装置の製造方法。
前記連通部は、前記接着パターンをその幅方向に貫通し、前記接着パターンの長さ方向において分離しており、
前記接着パターンに前記第１接着剤を塗布する工程では、前記連通部には前記第１接着剤を塗布せず、前記接着パターンのパターン表面に前記第１接着剤を塗布する
請求項１７に記載の半導体発光装置の製造方法。
【請求項19】
前記接着パターンは、
前記厚さ方向から視て、第１方向において並んだ第１接着パターンおよび第２接着パターンと、
前記第１接着パターンと前記第２接着パターンとの前記第１方向の間に形成され、前記第１方向と直交する第２方向において互いに離隔するとともに前記第１方向において前記第１接着パターンと前記第２接着パターンとを連結する一対の連結部と、
を含み、
前記連通部は、
前記キャップとして前記第１接着パターンに接着される第１キャップの内部および前記第１キャップの外部を連通する第１連通部と、
前記キャップとして前記第２接着パターンに接着される第２キャップの内部および前記第２キャップの外部を連通する第２連通部と、
を含み、
前記接着パターンに前記第１接着剤を塗布する工程では、前記第１接着パターンおよび前記第２接着パターンのパターン表面に前記第１接着剤を塗布し、
前記半導体発光素子を収容する工程では、前記第１接着パターン上の前記第１接着剤上に前記第１キャップを配置し、前記第２接着パターン上の前記第１接着剤上に前記第２キャップを配置し、
前記接着パターンに前記キャップを接着する工程において、前記第１接着パターンと前記第１キャップとによって前記第１連通部が設けられ、前記第２接着パターンと前記第２キャップとによって前記第２連通部が設けられ、
前記連通部を前記第２接着剤で埋める工程では、前記一対の連結部の間の前記基板表面上に前記第２接着剤を滴下することによって前記第１連通部および前記第２連通部の双方が前記第２接着剤で埋められる
請求項１７または１８に記載の半導体発光装置の製造方法。
前記厚さ方向から視て、第１方向において並んだ第１接着パターンおよび第２接着パターンと、
前記第１接着パターンと前記第２接着パターンとの前記第１方向の間に形成され、前記第１方向と直交する第２方向において互いに離隔するとともに前記第１方向において前記第１接着パターンと前記第２接着パターンとを連結する一対の連結部と、
を含み、
前記連通部は、
前記キャップとして前記第１接着パターンに接着される第１キャップの内部および前記第１キャップの外部を連通する第１連通部と、
前記キャップとして前記第２接着パターンに接着される第２キャップの内部および前記第２キャップの外部を連通する第２連通部と、
を含み、
前記接着パターンに前記第１接着剤を塗布する工程では、前記第１接着パターンおよび前記第２接着パターンのパターン表面に前記第１接着剤を塗布し、
前記半導体発光素子を収容する工程では、前記第１接着パターン上の前記第１接着剤上に前記第１キャップを配置し、前記第２接着パターン上の前記第１接着剤上に前記第２キャップを配置し、
前記接着パターンに前記キャップを接着する工程において、前記第１接着パターンと前記第１キャップとによって前記第１連通部が設けられ、前記第２接着パターンと前記第２キャップとによって前記第２連通部が設けられ、
前記連通部を前記第２接着剤で埋める工程では、前記一対の連結部の間の前記基板表面上に前記第２接着剤を滴下することによって前記第１連通部および前記第２連通部の双方が前記第２接着剤で埋められる
請求項１７または１８に記載の半導体発光装置の製造方法。
【請求項20】
前記第２方向に沿って前記第２接着剤、前記一対の連結部、および前記基板を切断する工程をさらに備える
請求項１９に記載の半導体発光装置の製造方法。
請求項１９に記載の半導体発光装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
基板と、基板上に配置された半導体発光素子と、基板上に設けられ、半導体発光素子を収容するキャップと、を備える半導体発光装置が知られている（例えば特許文献１参照）。このような半導体発光装置では、キャップは、例えば接着剤によって基板に接着されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０２１－１７４８２０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
ところで、接着剤を硬化させるときにキャップが基板に対して傾く場合がある。
【課題を解決するための手段】
【0005】
上記課題を解決する半導体発光装置は、基板と、前記基板上に配置された半導体発光素子と、前記半導体発光素子を収容するキャップと、前記基板上に設けられ、前記基板の厚さ方向から視て前記半導体発光素子を囲むように形成された接着パターンと、前記キャップと前記接着パターンのパターン表面とを接着している第１接着剤と、少なくとも前記接着パターンを前記厚さ方向から視て側方に貫通し、前記キャップの内部と前記キャップの外部とを連通させる連通部と、前記連通部に埋められた第２接着剤と、を備える。
【0006】
上記課題を解決する半導体発光装置の製造方法は、基板表面を有する基板に半導体発光素子を配置する工程と、前記基板に設けられ、前記基板の厚さ方向から視て前記半導体発光素子を囲む接着パターンに第１接着剤を塗布する工程と、キャップを前記第１接着剤上に配置して前記半導体発光素子を収容する工程と、前記第１接着剤を硬化して前記接着パターンに前記キャップを接着する工程と、を備え、前記接着パターンに前記キャップを接着する工程において、少なくとも前記接着パターンを前記厚さ方向から視て側方に貫通し、前記キャップの内部と前記キャップの外部とを連通する連通部が設けられ、前記第１接着剤を硬化して前記接着パターンに前記キャップを接着する工程の後に実施され、前記連通部を第２接着剤で埋める工程を備える。
【発明の効果】
【0007】
上記半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法によれば、基板に対するキャップの傾きを抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【0008】
【発明を実施するための形態】
【0009】
以下、添付図面を参照して本開示の半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法のいくつかの実施形態を説明する。なお、説明を簡単かつ明確にするため、図面に示される構成要素は必ずしも一定の縮尺に描かれていない。また、理解を容易にするため、断面図では、ハッチング線が省略されている場合がある。添付の図面は、本開示の実施形態を例示するに過ぎず、本開示を制限するものとみなされるべきではない。
【0010】
以下の詳細な説明は、本開示の例示的な実施形態を具体化する装置、システム、および方法を含む。この詳細な記載は本来説明のためのものに過ぎず、本開示の実施形態またはこのような実施形態の適用および使用を制限することを意図しない。
【0011】
また以下の説明において、「Ａ部品の幅（寸法）がＢ部品の幅（寸法）と等しい」、「Ａ部品の長さ（寸法）がＢ部品の長さ（寸法）と等しい」、および「Ａ部品の厚さ（寸法）がＢ部品の厚さ（寸法）と等しい」との記載は、Ａ部品の幅（長さ、厚さ）寸法とＢ部品の幅（長さ、厚さ）寸法との差がＡ部品の幅（長さ、厚さ）寸法の１０％以内であることを意味する。
【0012】
［半導体発光装置の全体構成］
図１～図３を参照して、一実施形態の半導体発光装置１０の全体構成について説明する。図１は、半導体発光装置１０の斜視構造を示している。図２は、半導体発光装置１０の内部の平面構造を模式的に示している。図３は、図２のＦ３－Ｆ３線で半導体発光装置１０を切断した断面構造を示している。なお、図３では、図面の理解を容易にするため、後述するワイヤＷを省略している。
図１～図３を参照して、一実施形態の半導体発光装置１０の全体構成について説明する。図１は、半導体発光装置１０の斜視構造を示している。図２は、半導体発光装置１０の内部の平面構造を模式的に示している。図３は、図２のＦ３－Ｆ３線で半導体発光装置１０を切断した断面構造を示している。なお、図３では、図面の理解を容易にするため、後述するワイヤＷを省略している。
【0013】
図１に示すように、半導体発光装置１０は、矩形平板状の基板２０と、基板２０上に設けられた端面発光素子６０（図２参照）と、基板２０上に設けられ、端面発光素子６０を収容するキャップ７０と、を備える。ここで、基板２０の厚さ方向を「Ｚ方向」とする。Ｚ方向は、半導体発光装置１０の厚さ方向であるともいえる。Ｚ方向と直交する方向のうち互いに直交する２方向をそれぞれ「Ｘ方向」および「Ｙ方向」とする。また、本明細書において、「平面視」とは、半導体発光装置１０を基板２０の厚さ方向（Ｚ方向）から視ることをいう。図１の例では、基板２０は、平面視において、Ｘ方向が長手方向となり、Ｙ方向が短手方向となる矩形状に形成されている。
【0014】
基板２０は、Ｚ方向において互いに反対側を向く基板表面２１および基板裏面２２と、基板表面２１および基板裏面２２と交差する第１～第４基板側面２３～２６と、を有する。第１実施形態では、基板表面２１および基板裏面２２の双方は、Ｚ方向と直交した平面として形成されている。一例では、第１～第４基板側面２３～２６は、基板表面２１および基板裏面２２と直交する平面である。第１基板側面２３および第２基板側面２４は基板２０のＸ方向の両端面を構成し、第３基板側面２５および第４基板側面２６は基板２０のＹ方向の両端面を構成している。
【0015】
一例では、基板２０は、ガラスエポキシ樹脂によって形成されている。なお、基板２０はセラミックを含む材料によって形成されていてもよい。セラミックを含む材料としては、例えば窒化アルミニウム（ＡｌＮ）またはアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）などが挙げられる。基板２０がセラミックを含む材料によって形成されている場合、基板２０の放熱性能が向上するため、端面発光素子６０の温度が過度に高くなることを抑制できる。
【0016】
図２に示すように、端面発光素子６０は、例えば所定の波長帯の光を出射するレーザダイオードであり、半導体発光装置１０の光源として機能する。端面発光素子６０は、端面発光型レーザ素子である。端面発光型レーザ素子としての端面発光素子６０の構成は特に限定されないが、この実施形態では、ファブリ・ペロー型レーザダイオード素子が採用されている。一例では、端面発光素子６０は、平面視において第４基板側面２６に向けて光を出射するように構成されている。端面発光素子６０は、「半導体発光素子」に対応している。また、端面発光素子６０は、「半導体レーザ素子」に対応しているともいえる。
【0017】
半導体発光装置１０は、基板２０の基板表面２１に形成された複数（図２の例では９つ）の表面電極３０を備える。複数の表面電極３０は、互いに離隔して配置されている。複数の表面電極３０は、例えば銅箔と銅箔上に形成された金（Ａｕ）めっきによって形成されている。なお、複数の表面電極３０の材料は、銅（Ｃｕ）およびＡｕに限られず、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、パラジウム（Ｐｄ）、および銀（Ａｇ）のうち少なくとも１つを含んでいてもよい。
【0018】
複数の表面電極３０は、素子表面電極３１と、複数（図２の例では８つ）のワイヤ接続電極３２と、を含む。素子表面電極３１および複数のワイヤ接続電極３２の各々は、端面発光素子６０と電気的に接続される表面電極である。
【0019】
素子表面電極３１は、Ｙ方向において基板表面２１の中央よりも第４基板側面２６寄りに配置されている。素子表面電極３１は、Ｘ方向が長手方向となり、Ｙ方向が短手方向となる矩形状である。一例では、素子表面電極３１のＸ方向の寸法は、Ｙ方向の寸法の２倍よりも大きく４倍よりも小さい。一例では、素子表面電極３１のＸ方向の寸法は、基板表面２１のＸ方向の寸法の１／２よりも大きい。
【0020】
素子表面電極３１の周囲には、レジストパターン３４が形成されている。レジストパターン３４は、平面視においてＸ方向の両側およびＹ方向における第３基板側面２５側から素子表面電極３１を囲むＵ字状に形成されている。レジストパターン３４は、例えば絶縁材料によって形成されている。絶縁材料としては、例えばエポキシ樹脂を用いることができる。
【0021】
複数のワイヤ接続電極３２は、素子表面電極３１を囲むように配置されている。より詳細には、複数のワイヤ接続電極３２は、素子表面電極３１のＸ方向の両側、および素子表面電極３１よりも第３基板側面２５寄りに配置されている。一方、ワイヤ接続電極３２は、素子表面電極３１よりも第４基板側面２６寄りには配置されていない。複数のワイヤ接続電極３２は、端面発光素子６０を囲むように配置されているといえる。複数のワイヤ接続電極３２の詳細については後述する。
【0022】
半導体発光装置１０は、素子表面電極３１上に実装されたサブマウント基板８０を備える。一例では、サブマウント基板８０は、素子表面電極３１にダイボンディングされている。サブマウント基板８０は、端面発光素子６０を支持する基板であり、例えばセラミックを含む材料によって形成されている。セラミックを含む材料としては、例えばＡｌＮ、Ａｌ２Ｏ３などが挙げられる。サブマウント基板８０がセラミックを含む材料によって形成されている場合、サブマウント基板８０の放熱性能が向上するため、端面発光素子６０の熱がサブマウント基板８０を介して基板２０に移動しやすくなる。したがって、端面発光素子６０の温度が過度に高くなることを抑制できる。
【0023】
なお、サブマウント基板８０を構成する材料は任意に変更可能である。サブマウント基板８０は、例えば導電性および放熱性の高い金属材料によって形成されていてもよい。この金属材料としては、例えばＡｇ、Ｃｕ等が用いられてよい。一例では、サブマウント基板８０は、矩形平板状のＣｕによって形成されていてよい。また一例では、サブマウント基板８０は、シリコン（Ｓｉ）を含む材料によって形成されていてよい。
【0024】
図２および図３に示すように、サブマウント基板８０は、Ｚ方向を厚さ方向とする矩形平板状に形成されている。一例では、サブマウント基板８０は、平面視においてＸ方向が長手方向となり、Ｙ方向が短手方向となる矩形状に形成されている。一例では、平面視において、サブマウント基板８０は、素子表面電極３１よりも一回り小さい。
【0025】
図３に示すように、サブマウント基板８０の厚さは、基板２０の厚さよりも厚い。なお、サブマウント基板８０の厚さは任意に変更可能であり、例えば基板２０の厚さ以下であってもよい。
【0026】
サブマウント基板８０は、Ｚ方向において互いに反対側を向く表面８１および裏面８２を有する。図３の例では、表面８１および裏面８２の双方は、Ｚ方向と直交した平面として形成されている。表面８１は基板表面２１と同じ側を向き、裏面８２は基板裏面２２と同じ側を向く。サブマウント基板８０の表面８１には、端面発光素子６０が実装されている。一例では、端面発光素子６０は、サブマウント基板８０の表面８１にダイボンディングされている。
【0027】
サブマウント基板８０には、その厚さ方向に貫通する貫通配線８３が設けられている。貫通配線８３は、端面発光素子６０と素子表面電極３１とを電気的に接続する配線である。貫通配線８３は、例えばＣｕを含む材料によって形成されている。なお、貫通配線８３の構成材料は、Ｃｕに限られず、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）、およびＡｌの少なくとも１つを含んでいてもよい。なお、貫通配線８３の個数は任意に変更可能である。一例では、貫通配線８３は複数設けられていてもよい。
【0028】
なお、サブマウント基板８０がＣｕ等の導電性の材料によって構成されている場合、貫通配線８３を省略することができる。つまり、端面発光素子６０と素子表面電極３１とは、導電性のサブマウント基板８０によって電気的に接続することができる。
【0029】
図２および図３に示すように、サブマウント基板８０上に実装された端面発光素子６０は、Ｚ方向を厚さ方向とする矩形平板状に形成されている。端面発光素子６０は、平面視において、Ｘ方向が長手方向となり、Ｙ方向が短手方向となる矩形状である。一例では、平面視において、端面発光素子６０は、サブマウント基板８０よりも一回り小さい。
【0030】
端面発光素子６０の厚さは、サブマウント基板８０の厚さよりも薄い。また、端面発光素子６０の厚さは、基板２０の厚さよりも薄い。なお、端面発光素子６０の厚さは任意に変更可能であり、例えば基板２０の厚さ以上であってもよいし、サブマウント基板８０の厚さ以上であってもよい。
【0031】
端面発光素子６０は、Ｚ方向において互いに反対側を向く素子表面６１および素子裏面６２を有する。図３の例では、素子表面６１および素子裏面６２の双方は、Ｚ方向と直交した平面として形成されている。端面発光素子６０は、素子表面６１に形成された複数（図３の例では８つ）の素子電極６３と、素子裏面６２を構成する裏面電極６４と、を含む。また、端面発光素子６０は、複数の素子電極６３ごとに発光部６５（図２参照）を有する。平面視において、複数の素子電極６３は、Ｘ方向に離隔して配列されている。このため、複数（図２の例では８つ）の発光部６５は、Ｘ方向に配列されている。複数の発光部６５の各々は、平面視において第４基板側面２６に向けてレーザ光を出射するように構成されている。
【0032】
複数の素子電極６３は、平面視においてＹ方向が長手方向となり、Ｘ方向が短手方向となる矩形状に形成されている。図３の例では、複数の素子電極６３は、複数の発光部６５の個別のアノード電極を構成している。裏面電極６４は、例えば端面発光素子６０の素子裏面６２の全体にわたり形成されている。図３の例では、裏面電極６４は、複数の発光部６５に対して共通のカソード電極を構成している。複数の素子電極６３および裏面電極６４は、例えばＡｕによって形成されている。なお、複数の素子電極６３および裏面電極６４の構成材料は、Ａｕに限られず、Ａｌ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ａｇ、およびＣｕのうち少なくとも１つを含んでいてもよい。
【0033】
端面発光素子６０は、図示していない導電性接合材によってサブマウント基板８０に実装されている。このため、裏面電極６４は、導電性接合材によってサブマウント基板８０（貫通配線８３）と電気的に接続されている。裏面電極６４は、貫通配線８３を介して素子表面電極３１と電気的に接続されている。なお、導電性接合材としては、例えばはんだペースト、銀ペーストが挙げられる。
【0034】
図２に示すように、半導体発光装置１０は、複数の発光部６５と複数のワイヤ接続電極３２とを個別に電気的に接続する複数のワイヤＷ１Ａ～Ｗ４Ａ，Ｗ１Ｂ～Ｗ４Ｂを備える。複数のワイヤＷ１Ａ～Ｗ４Ａ，Ｗ１Ｂ～Ｗ４Ｂは、例えばボンディングワイヤである。複数のワイヤＷ１Ａ～Ｗ４Ａ，Ｗ１Ｂ～Ｗ４Ｂは、例えばＡｕを含む材料によって形成されている。複数のワイヤＷ１Ａ～Ｗ４Ａ，Ｗ１Ｂ～Ｗ４Ｂは、Ａｕに代えて、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌの少なくとも１つを含む材料によって形成されていてもよい。
【0035】
図３に示すように、半導体発光装置１０は、基板２０の基板裏面２２に形成された複数（一例では９つ）の裏面電極４０を備える。複数の裏面電極４０は、互いに離隔し配置されている。複数の裏面電極４０の数は、例えば複数の表面電極３０（図２参照）の数に応じて設定される。複数の裏面電極４０は、例えば銅箔と銅箔上に形成されたＡｕめっきによって形成されている。なお、複数の裏面電極４０の構成材料は、Ａｕに限られず、Ａｌ、Ｎｉ、Ｐｄ、およびＡｇのうち少なくとも１つを含んでいてもよい。
【0036】
図示していないが、複数の裏面電極４０は、素子裏面電極と、複数（一例では８つ）のワイヤ裏面電極と、を含む。素子裏面電極は、素子表面電極３１と電気的に接続されている。複数のワイヤ裏面電極は、基板表面２１に形成された複数のワイヤ接続電極３２（図２参照）と個別に電気的に接続されている。図示していないが、複数の裏面電極４０と複数の表面電極３０とは、複数の貫通配線によって個別に電気的に接続されている。各貫通配線は、基板２０をその厚さ方向（Ｚ方向）に貫通している。
【0037】
図２に示すように、半導体発光装置１０は、基板表面２１に形成された接着パターン３３を備える。接着パターン３３は、基板表面２１と同じ側を向くパターン表面３３Ｓを含む。一例では、接着パターン３３は、所定の幅を有しかつこの幅と直交する長さ方向に延びた枠状である。接着パターン３３は、平面視において、複数の表面電極３０を囲む枠状に形成されている。一例では、接着パターン３３は、矩形枠状に形成されている。図２の例では、接着パターン３３は、Ｘ方向が長手方向となり、Ｙ方向が短手方向となる矩形枠状である。一例では、接着パターン３３の外周縁は、基板２０の外周縁よりも一回り小さい。一例では、接着パターン３３は、全周にわたり同じの幅寸法ＷＡを有する。ここで、接着パターン３３の幅寸法ＷＡは、平面視において接着パターン３３が延びる方向（長さ方向）と直交する方向の寸法である。接着パターン３３の厚さ寸法は、例えば５０μｍ以上１００μｍ以下である。接着パターン３３の幅寸法ＷＡは、例えば５０μｍ以上５００μｍ以下である。
【0038】
接着パターン３３は、例えば金属層によって形成されている。一例では、接着パターン３３は、複数の表面電極３０と同じ材料によって形成されている。なお、接着パターン３３は、複数の表面電極３０とは異なる材料によって形成されていてもよい。一例では、接着パターン３３は、絶縁層によって形成されていてもよい。接着パターン３３は、例えばレジストパターン３４と同じ材料によって形成されていてもよい。
【0039】
このように、接着パターン３３は、金属層または絶縁層によって形成されているため、基板表面２１からＺ方向に僅かに突出して設けられている。一例では、接着パターン３３の厚さは、例えば複数の表面電極３０の厚さと等しい。なお、接着パターン３３の厚さは任意に変更可能であり、例えば複数の表面電極３０の厚さよりも厚くてもよいし、薄くてもよい。
【0040】
接着パターン３３のパターン表面３３Ｓは、例えばＺ方向に直交する平坦面によって形成されている。接着パターン３３のパターン表面３３Ｓには、第１接着剤５１（図３参照）が塗布されている。平面視において、第１接着剤５１は、例えば接着パターン３３の全周にわたり形成されている。接着パターン３３が第１接着剤５１の濡れ広がりを抑制するため、第１接着剤５１が接着パターン３３からはみ出すことを抑制できる。
【0041】
図３に示すように、接着パターン３３上には、第１接着剤５１によってキャップ７０が固定されている。このため、キャップ７０は、基板２０上に設けられているともいえる。キャップ７０は、基板２０に向けてＺ方向に開口する箱状に形成されている。一例では、キャップ７０は、ガラス材料によって形成されている。なお、キャップ７０は、ガラス材料に代えて、樹脂材料によって形成されていてもよい。この樹脂材料としては、例えばアクリル樹脂、エポキシ樹脂が挙げられる。また、キャップ７０は、金属およびセラミックのいずれかによって形成されていてもよい。金属としては、例えばＡｌ、鉄（Ｆｅ）、およびＣｕ等が挙げられる。セラミックとしては、例えばＡｌＮ、Ａｌ２Ｏ３等が挙げられる。
【0042】
図１に示すように、キャップ７０は、平面視において矩形枠状に形成された第１～第４側壁７１～７４と、第１～第４側壁７１～７４によって形成された開口部のＺ方向の一端を覆う上壁７５と、を有する。一例では、第１～第４側壁７１～７４と上壁７５とは一体に形成されている。第１側壁７１および第２側壁７２はキャップ７０のＸ方向の両端の側壁を構成し、第３側壁７３および第４側壁７４はキャップ７０のＹ方向の両端の側壁を構成している。第１側壁７１はキャップ７０のＸ方向の両端の側壁のうち基板２０の第１基板側面２３に近い方の側壁を構成し、第２側壁７２は基板２０の第２基板側面２４に近い方の側壁を構成している。第３側壁７３はキャップ７０のＹ方向の両端の側壁のうち基板２０の第３基板側面２５に近い方の側壁を構成し、第４側壁７４は基板２０の第４基板側面２６に近い方の側壁を構成している。第１～第４側壁７１～７４は、接着パターン３３とＺ方向に対向している。平面視における第１～第４側壁７１～７４は、平面視における接着パターン３３の形状と同じである。このため、平面視における第１～第４側壁７１～７４の形状は、Ｘ方向が長手方向となり、Ｙ方向が短手方向となる矩形状である。平面視においてＹ方向に沿って延びる第１側壁７１および第２側壁７２は、第１～第４側壁７１～７４のうち短手方向に延びた部分を構成している。平面視においてＸ方向に沿って延びる第３側壁７３および第４側壁７４は、第１～第４側壁７１～７４のうち長手方向に延びた部分を構成している。
【0043】
図３に示すように、キャップ７０は、開口端面７６を含む。開口端面７６は、第１～第４側壁７１～７４の先端面によって形成されている。開口端面７６は、例えばＺ方向に直交する方向に平行な平坦面によって形成されている。
【0044】
一例では、キャップ７０がガラス材料または樹脂材料によって形成されている場合、第１～第３側壁７１～７３および上壁７５は半透明に形成され、第４側壁７４は透明に形成されている。端面発光素子６０が出射したレーザ光は、第４側壁７４を通過して半導体発光装置１０の外部に出射される。つまり、第４側壁７４は、端面発光素子６０からのレーザ光が通過する透光面を含む。ここで、第４側壁７４が接着パターン３３の一部とＺ方向に対向しているため、キャップ７０は、平面視において接着パターン３３と対応した位置に透光面を含むといえる。そして第４側壁７４が第１～第４側壁７１～７４のうち長手方向に延びた部分を構成しているため、透光面は、第１～第４側壁７１～７４のうち長手方向に延びた部分に形成されているといえる。
【0045】
また一例では、キャップ７０が金属またはセラミックで形成されている場合、第４側壁７４には開口部と、開口部を閉塞するとともに端面発光素子６０のレーザ光が通過可能とする窓部材と、が設けられている。これにより、第４側壁７４は透光面を含むといえる。
【0046】
［ワイヤ接続電極の構成］
図２を参照して、複数のワイヤ接続電極３２の詳細な構成について説明する。
図２に示すように、複数のワイヤ接続電極３２は、平面視において基板２０のＸ方向の中央であってＹ方向に沿って延びる中心仮想線ＶＬに対して線対称となるように形成されている。以下では、複数のワイヤ接続電極３２のうち中心仮想線ＶＬよりも第１基板側面２３寄りの４つのワイヤ接続電極３２をワイヤ接続電極３２ＡＡ，３２ＡＢ，３２ＡＣ，３２ＡＤとし、中心仮想線ＶＬよりも第２基板側面２４寄りの４つのワイヤ接続電極３２をワイヤ接続電極３２ＢＡ，３２ＢＢ，３２ＢＣ，３２ＢＤとする。ワイヤ接続電極３２ＡＡ～３２ＡＤは、中心仮想線ＶＬから離れる方向に向けて、すなわち中心仮想線ＶＬから第１基板側面２３に向けて、ワイヤ接続電極３２ＡＡ，３２ＡＢ，３２ＡＣ，３２ＡＤの順に配列されている。ワイヤ接続電極３２ＢＡ～３２ＢＤは、中心仮想線ＶＬから離れる方向に向けて、すなわち中心仮想線ＶＬから第２基板側面２４に向けて、ワイヤ接続電極３２ＢＡ，３２ＢＢ，３２ＢＣ，３２ＢＤの順に配列されている。
図２を参照して、複数のワイヤ接続電極３２の詳細な構成について説明する。
図２に示すように、複数のワイヤ接続電極３２は、平面視において基板２０のＸ方向の中央であってＹ方向に沿って延びる中心仮想線ＶＬに対して線対称となるように形成されている。以下では、複数のワイヤ接続電極３２のうち中心仮想線ＶＬよりも第１基板側面２３寄りの４つのワイヤ接続電極３２をワイヤ接続電極３２ＡＡ，３２ＡＢ，３２ＡＣ，３２ＡＤとし、中心仮想線ＶＬよりも第２基板側面２４寄りの４つのワイヤ接続電極３２をワイヤ接続電極３２ＢＡ，３２ＢＢ，３２ＢＣ，３２ＢＤとする。ワイヤ接続電極３２ＡＡ～３２ＡＤは、中心仮想線ＶＬから離れる方向に向けて、すなわち中心仮想線ＶＬから第１基板側面２３に向けて、ワイヤ接続電極３２ＡＡ，３２ＡＢ，３２ＡＣ，３２ＡＤの順に配列されている。ワイヤ接続電極３２ＢＡ～３２ＢＤは、中心仮想線ＶＬから離れる方向に向けて、すなわち中心仮想線ＶＬから第２基板側面２４に向けて、ワイヤ接続電極３２ＢＡ，３２ＢＢ，３２ＢＣ，３２ＢＤの順に配列されている。
【0047】
ワイヤ接続電極３２ＡＡ～３２ＡＣ，３２ＢＡ～３２ＢＣは、Ｙ方向から視て、素子表面電極３１と重なる位置に配置されている。ワイヤ接続電極３２ＡＤ，３２ＢＤは、素子表面電極３１のＸ方向の両側に分散して配置されている。
【0048】
ワイヤ接続電極３２ＢＡ～３２ＢＤがワイヤ接続電極３２ＡＡ～３２ＡＤと中心仮想線ＶＬの線対称形状となるため、以下の説明では、ワイヤ接続電極３２ＡＡ～３２ＡＤについて説明し、ワイヤ接続電極３２ＢＡ～３２ＢＤの詳細な説明を省略する。
【0049】
ワイヤ接続電極３２ＡＡ～３２ＡＣは、Ｙ方向において互いに揃った状態でＸ方向において互いに離隔して配列されている。ワイヤ接続電極３２ＡＡ～３２ＡＣのＹ方向の寸法は互いに等しい。
【0050】
ワイヤ接続電極３２ＡＡは、平面視においてＹ方向が長手方向となり、Ｘ方向が短手方向となる矩形状に形成されている。
ワイヤ接続電極３２ＡＢのＸ方向の両端部のうちワイヤ接続電極３２ＡＣに近い方の端部には、ワイヤ接続電極３２ＡＡに向けて凹む凹部３２Ｅが形成されている。凹部３２Ｅは、底面と、底面からＹ方向に向かうにつれてワイヤ接続電極３２ＡＣから離れるように傾斜する一対の傾斜面と、を含む。一例では、凹部３２Ｅの底面は、平面視においてＹ方向に沿って延びている。一方、ワイヤ接続電極３２ＡＢのＸ方向の両端面のうちワイヤ接続電極３２ＡＡに近い方の端面は、平面視においてＹ方向に沿って延びている。なお、平面視における凹部３２Ｅの底面の形状は任意に変更可能である。一例では、平面視における凹部３２Ｅの底面の形状は、湾曲凹状に形成されていてもよい。
ワイヤ接続電極３２ＡＢのＸ方向の両端部のうちワイヤ接続電極３２ＡＣに近い方の端部には、ワイヤ接続電極３２ＡＡに向けて凹む凹部３２Ｅが形成されている。凹部３２Ｅは、底面と、底面からＹ方向に向かうにつれてワイヤ接続電極３２ＡＣから離れるように傾斜する一対の傾斜面と、を含む。一例では、凹部３２Ｅの底面は、平面視においてＹ方向に沿って延びている。一方、ワイヤ接続電極３２ＡＢのＸ方向の両端面のうちワイヤ接続電極３２ＡＡに近い方の端面は、平面視においてＹ方向に沿って延びている。なお、平面視における凹部３２Ｅの底面の形状は任意に変更可能である。一例では、平面視における凹部３２Ｅの底面の形状は、湾曲凹状に形成されていてもよい。
【0051】
ワイヤ接続電極３２ＡＣは、ワイヤ接続電極３２ＡＢの凹部３２Ｅに入り込むように突出した突出部３２Ｆと、ワイヤ接続電極３２ＡＤを避けるように切り欠かれた切欠部３２Ｇと、を含む。
【0052】
突出部３２Ｆは、Ｘ方向において凹部３２Ｅの底面と対向する先端面と、平面視において凹部３２Ｅの一対の傾斜面と平行となる一対の傾斜面と、を含む。突出部３２Ｆの一対の傾斜面は、Ｘ方向において凹部３２Ｅの一対の傾斜面と対向している。
【0053】
切欠部３２Ｇは、ワイヤ接続電極３２ＡＣのうちＸ方向におけるワイヤ接続電極３２ＡＢとは反対側かつＹ方向における素子表面電極３１寄りの部分に形成されている。切欠部３２Ｇは、Ｘ方向から視て、突出部３２Ｆと重なる部分を含む。このため、切欠部３２Ｇが形成されても突出部３２Ｆによってワイヤ接続電極３２ＡＣのＸ方向の寸法が過度に小さくなることが抑制される。
【0054】
ワイヤ接続電極３２ＡＤは、Ｙ方向に沿って延びている。ワイヤ接続電極３２ＡＤのＹ方向の寸法は、素子表面電極３１のＹ方向の寸法よりも大きい。Ｙ方向において、ワイヤ接続電極３２ＡＤのうち素子表面電極３１よりも第３基板側面２５寄りに突出した部分は、ワイヤ接続電極３２ＡＣの切欠部３２Ｇに入り込んでいる。この切欠部３２Ｇに入り込んだワイヤ接続電極３２ＡＣの部分の先端部は、切欠部３２Ｇの形状に沿って先細るように形成されている。
【0055】
次に、ワイヤ接続電極３２ＡＡ～３２ＡＤと複数の発光部６５との配置関係について説明する。
複数の発光部６５は、ワイヤ接続電極３２ＡＡ～３２ＡＤに対応する発光部６５ＡＡ～６５ＡＤと、ワイヤ接続電極３２ＢＡ～３２ＢＤに対応する発光部６５ＢＡ～６５ＢＤと、を含む。発光部６５ＡＡ～６５ＡＤは、Ｙ方向において互いに同じ位置であってＸ方向において互いに離隔して配列されている。発光部６５ＡＡ～６５ＡＤは、中心仮想線ＶＬから離れる方向に向けて、すなわち中心仮想線ＶＬから第１基板側面２３に向けて、発光部６５ＡＡ，６５ＡＢ，６５ＡＣ，６５ＡＤの順に配列されている。また、発光部６５ＢＡ～６５ＡＤは、中心仮想線ＶＬから離れる方向に向けて、すなわち中心仮想線ＶＬから第２基板側面２４に向けて、発光部６５ＢＡ，６５ＢＢ，６５ＢＣ，６５ＢＤの順に配列されている。
複数の発光部６５は、ワイヤ接続電極３２ＡＡ～３２ＡＤに対応する発光部６５ＡＡ～６５ＡＤと、ワイヤ接続電極３２ＢＡ～３２ＢＤに対応する発光部６５ＢＡ～６５ＢＤと、を含む。発光部６５ＡＡ～６５ＡＤは、Ｙ方向において互いに同じ位置であってＸ方向において互いに離隔して配列されている。発光部６５ＡＡ～６５ＡＤは、中心仮想線ＶＬから離れる方向に向けて、すなわち中心仮想線ＶＬから第１基板側面２３に向けて、発光部６５ＡＡ，６５ＡＢ，６５ＡＣ，６５ＡＤの順に配列されている。また、発光部６５ＢＡ～６５ＡＤは、中心仮想線ＶＬから離れる方向に向けて、すなわち中心仮想線ＶＬから第２基板側面２４に向けて、発光部６５ＢＡ，６５ＢＢ，６５ＢＣ，６５ＢＤの順に配列されている。
【0056】
ワイヤ接続電極３２ＡＡは、平面視において発光部６５ＡＡ，６５ＡＢとＹ方向に重なるように形成されている。
ワイヤ接続電極３２ＡＢは、平面視において発光部６５ＡＢよりも第１基板側面２３寄りに配置されている。ワイヤ接続電極３２ＡＢは、平面視において発光部６５ＡＣ，６５ＡＤとＹ方向に重なるように形成されている。
ワイヤ接続電極３２ＡＢは、平面視において発光部６５ＡＢよりも第１基板側面２３寄りに配置されている。ワイヤ接続電極３２ＡＢは、平面視において発光部６５ＡＣ，６５ＡＤとＹ方向に重なるように形成されている。
【0057】
ワイヤ接続電極３２ＡＣは、平面視において発光部６５ＡＣよりも第１基板側面２３寄りに配置されている。ワイヤ接続電極３２ＡＣは、平面視において発光部６５ＡＤよりも第１基板側面２３寄りに配置されている。
【0058】
ワイヤ接続電極３２ＡＤは、平面視において発光部６５ＡＤよりも第１基板側面２３寄りに配置されている。ワイヤ接続電極３２ＡＤは、平面視において発光部６５ＡＤとＸ方向に対向配置されている。
【0059】
次に、端面発光素子６０の複数の発光部６５とワイヤ接続電極３２ＡＡ～３２ＡＤとの複数のワイヤＷ１Ａ～Ｗ４Ａ，Ｗ１Ｂ～Ｗ４Ｂによる接続構成について説明する。
発光部６５ＡＡとワイヤ接続電極３２ＡＡとを接続するワイヤＷ１Ａは、例えばワイヤ接続電極３２ＡＡのうちそのＹ方向の中央に対して発光部６５ＡＡとは反対側の部分に接続されている。
発光部６５ＡＡとワイヤ接続電極３２ＡＡとを接続するワイヤＷ１Ａは、例えばワイヤ接続電極３２ＡＡのうちそのＹ方向の中央に対して発光部６５ＡＡとは反対側の部分に接続されている。
【0060】
発光部６５ＡＢとワイヤ接続電極３２ＡＢとを接続するワイヤＷ２Ａは、Ｙ方向において例えばワイヤ接続電極３２ＡＢのうち凹部３２Ｅの底面に対して発光部６５ＡＢとは反対側の部分に接続されている。
【0061】
発光部６５ＡＣとワイヤ接続電極３２ＡＣとを接続するワイヤＷ３Ａは、Ｙ方向において例えばワイヤ接続電極３２ＡＣのうち突出部３２Ｆの先端面と概ね同じ位置の部分に接続されている。
【0062】
発光部６５ＡＤとワイヤ接続電極３２ＡＤとを接続するワイヤＷ４Ａは、例えば平面視においてＸ方向に延びている。このように、平面視におけるワイヤＷ１Ａ～Ｗ４Ａの長さのばらつきが小さくなるように、ワイヤＷ１Ａ～Ｗ４Ａがワイヤ接続電極３２ＡＡ～３２ＡＤに接続されている。
【0063】
なお、発光部６５ＢＡとワイヤ接続電極３２ＢＡとを接続するワイヤＷ１Ｂ、発光部６５ＢＢとワイヤ接続電極３２ＢＢとを接続するワイヤＷ２Ｂ、発光部６５ＢＣとワイヤ接続電極３２ＢＣとを接続するワイヤＷ３Ｂ、および発光部６５ＢＤとワイヤ接続電極３２ＢＤとを接続するワイヤＷ４Ｂについても、ワイヤＷ１Ａ～Ｗ４Ａと同様にワイヤ接続電極３２ＢＡ～３２ＢＤに接続されている。
【0064】
［接着パターンの構成］
図２～図５を参照して、接着パターン３３の詳細な構成について説明する。
平面視において矩形枠状に形成された接着パターン３３は、Ｘ方向に互いに離隔して配列された第１パターン３５および第２パターン３６と、Ｙ方向に互いに離隔して配列された第３パターン３７および第４パターン３８と、を含む。第１パターン３５および第２パターン３６の双方は、Ｙ方向に延びる帯状に形成されている。第３パターン３７および第４パターン３８の双方は、Ｘ方向に延びる帯状に形成されている。第１パターン３５および第２パターン３６のＹ方向の両端部に第３パターン３７および第４パターン３８が接続されることによって矩形枠状の接着パターン３３が形成されている。
図２～図５を参照して、接着パターン３３の詳細な構成について説明する。
平面視において矩形枠状に形成された接着パターン３３は、Ｘ方向に互いに離隔して配列された第１パターン３５および第２パターン３６と、Ｙ方向に互いに離隔して配列された第３パターン３７および第４パターン３８と、を含む。第１パターン３５および第２パターン３６の双方は、Ｙ方向に延びる帯状に形成されている。第３パターン３７および第４パターン３８の双方は、Ｘ方向に延びる帯状に形成されている。第１パターン３５および第２パターン３６のＹ方向の両端部に第３パターン３７および第４パターン３８が接続されることによって矩形枠状の接着パターン３３が形成されている。
【0065】
第１パターン３５は、平面視において第１基板側面２３とＸ方向に隣り合う位置に形成されている。第２パターン３６は、平面視において第２基板側面２４と隣り合う位置に形成されている。第１パターン３５は、平面視においてワイヤ接続電極３２ＡＣ，３２ＡＤと隣り合う位置に形成されている。第２パターン３６は、平面視においてワイヤ接続電極３２ＢＣ，３２ＢＤと隣り合う位置に形成されている。
【0066】
第３パターン３７は、平面視において第３基板側面２５とＹ方向に隣り合う位置に形成されている。第４パターン３８は、平面視において第４基板側面２６とＹ方向に隣り合う位置に形成されている。第３パターン３７は、平面視においてワイヤ接続電極３２ＡＡ～３２ＡＣ，３２ＢＡ～３２ＢＣとＹ方向に隣り合う位置に形成されている。第４パターン３８は、素子表面電極３１およびワイヤ接続電極３２ＡＤ，３２ＢＤとＹ方向に隣り合う位置に配置されている。このため、平面視において、端面発光素子６０は、Ｙ方向において第４パターン３８と隣り合う位置に配置されているといえる。
【0067】
図２に示す例では、第３パターン３７および第４パターン３８の双方の長さ寸法（Ｘ方向の寸法）は、第１パターン３５および第２パターン３６の双方の長さ寸法（Ｘ方向の寸法）よりも長い。つまり、第１パターン３５および第２パターン３６の双方は接着パターン３３のうち短手方向に延びた部分を構成しており、第３パターン３７および第４パターン３８の双方は接着パターン３３のうち長手方向に延びた部分を構成している。
【0068】
図４は、第１パターン３５の一部およびその周辺を拡大して示している。
図４に示すように、接着パターン３３は、その幅方向（図４の例ではＸ方向）に貫通することによって接着パターン３３の長さ方向（図４の例ではＹ方向）において分離された部分を含む。より詳細には、第１パターン３５は、Ｙ方向において物理的に分離した第１分離パターン３５Ａおよび第２分離パターン３５Ｂを含む。
図４に示すように、接着パターン３３は、その幅方向（図４の例ではＸ方向）に貫通することによって接着パターン３３の長さ方向（図４の例ではＹ方向）において分離された部分を含む。より詳細には、第１パターン３５は、Ｙ方向において物理的に分離した第１分離パターン３５Ａおよび第２分離パターン３５Ｂを含む。
【0069】
第１分離パターン３５Ａは、第１パターン３５のうち第３パターン３７（図２参照）に接続された部分である。第２分離パターン３５Ｂは、第１パターン３５のうち第４パターン３８（図２参照）に接続された部分である。第１分離パターン３５Ａおよび第２分離パターン３５Ｂの双方は、Ｙ方向に延びている。
【0070】
一例では、第１分離パターン３５Ａの長さ寸法（Ｙ方向の寸法）と第２分離パターン３５Ｂの長さ寸法（Ｙ方向の寸法）とは互いに等しい。つまり、第１分離パターン３５Ａおよび第２分離パターン３５Ｂは、第１パターン３５のＹ方向の中央で分離している。
【0071】
第１分離パターン３５Ａの先端部および第２分離パターン３５Ｂの先端部は、Ｙ方向において互いに離隔した状態で対向している。このため、第１分離パターン３５Ａの先端部および第２分離パターン３５Ｂの先端部は、接着パターン３３の両周端部を構成しているといえる。つまり、接着パターン３３は、互いに対向する第１周端部３３Ａおよび第２周端部３３Ｂを含む。第１周端部３３Ａは、第１分離パターン３５Ａの先端部によって構成されている。第２周端部３３Ｂは、第２分離パターン３５Ｂの先端部によって構成されている。
【0072】
第１周端部３３Ａおよび第２周端部３３Ｂは、平面視においてキャップ７０からはみ出すはみ出しパターン３３ＡＡ，３３ＢＡを含む。
第１周端部３３Ａのはみ出しパターン３３ＡＡは、平面視において第１周端部３３Ａから第１基板側面２３に向けてＹ方向に沿って延びている。はみ出しパターン３３ＡＡは、第１周端部３３Ａから基板２０の第１基板側面２３まで延びている。第２周端部３３Ｂのはみ出しパターン３３ＢＡは、平面視において第２周端部３３Ｂから第１基板側面２３に向けてＹ方向に沿って延びている。はみ出しパターン３３ＢＡは、第２周端部３３Ｂから第１基板側面２３まで延びている。平面視において、２つのはみ出しパターン３３ＡＡ，３３ＢＡは互いに平行である。
第１周端部３３Ａのはみ出しパターン３３ＡＡは、平面視において第１周端部３３Ａから第１基板側面２３に向けてＹ方向に沿って延びている。はみ出しパターン３３ＡＡは、第１周端部３３Ａから基板２０の第１基板側面２３まで延びている。第２周端部３３Ｂのはみ出しパターン３３ＢＡは、平面視において第２周端部３３Ｂから第１基板側面２３に向けてＹ方向に沿って延びている。はみ出しパターン３３ＢＡは、第２周端部３３Ｂから第１基板側面２３まで延びている。平面視において、２つのはみ出しパターン３３ＡＡ，３３ＢＡは互いに平行である。
【0073】
図４の例では、２つのはみ出しパターン３３ＡＡ，３３ＢＡの幅寸法ＷＰ，ＷＱは、接着パターン３３の幅寸法ＷＡよりも小さい。はみ出しパターン３３ＡＡ，３３ＢＡの幅寸法ＷＰ，ＷＱは、互いに等しい。はみ出しパターン３３ＡＡ，３３ＢＡの長さ寸法ＬＰ，ＬＱは、接着パターン３３の幅寸法ＷＡよりも小さい。なお、はみ出しパターン３３ＡＡ，３３ＢＡの幅寸法ＷＰ，ＷＱおよび長さ寸法ＬＰ，ＬＱはそれぞれ任意に変更可能である。
【0074】
ここで、はみ出しパターン３３ＡＡ，３３ＢＡの幅寸法ＷＰ，ＷＱは、平面視においてはみ出しパターン３３ＡＡ，３３ＢＡが延びる方向と直交する方向の寸法である。図４に示す例では、幅寸法ＷＰ，ＷＱは、はみ出しパターン３３ＡＡ，３３ＢＡのＹ方向の寸法である。また、はみ出しパターン３３ＡＡ，３３ＢＡの長さ寸法ＬＰ，ＬＱは、平面視においてはみ出しパターン３３ＡＡ，３３ＢＡが延びる方向の寸法である。図４に示す例では、長さ寸法ＬＰ，ＬＱは、はみ出しパターン３３ＡＡ，３３ＢＡのＸ方向の寸法である。長さ寸法ＬＰ，ＬＱは、平面視における第１分離パターン３５Ａ（第２分離パターン３５Ｂ）と第１基板側面２３とのＸ方向の間の距離として定義できる。
【0075】
Ｘ方向において第１周端部３３Ａのうちはみ出しパターン３３ＡＡとは反対側のコーナ部分には、曲面部３３Ｃが形成されている。Ｘ方向において第２周端部３３Ｂのうちはみ出しパターン３３ＢＡとは反対側のコーナ部分には、曲面部３３Ｄが形成されている。なお、曲面部３３Ｃ，３３Ｄに代えて傾斜部が形成されていてもよい。また、曲面部３３Ｃ，３３Ｄが省略されていてもよい。
【0076】
平面視において、第１周端部３３Ａと第２周端部３３ＢとのＹ方向の間の部分は、接着パターン３３（第１パターン３５）が形成されていないため、基板２０の基板表面２１が露出している。基板表面２１が露出した部分となる第１周端部３３Ａと第２周端部３３Ｂとの間のＹ方向の間の距離（以下、「離間距離Ｄ」）は、例えば第１パターン３５とワイヤ接続電極３２ＡＤとのＸ方向の間の距離よりも大きい。離間距離Ｄは、例えば接着パターン３３の厚さ寸法よりも大きい。離間距離Ｄは、例えばはみ出しパターン３３ＡＡ，３３ＢＡの幅寸法ＷＰ，ＷＱよりも大きい。離間距離Ｄは、例えばはみ出しパターン３３ＡＡ，３３ＢＡの長さ寸法ＬＰ，ＬＱよりも大きい。離間距離Ｄは、例えば接着パターン３３の幅寸法ＷＡ以下である。一例では、離間距離Ｄは、接着パターン３３の幅寸法ＷＡよりも小さい。一例では、離間距離Ｄは、接着パターン３３の厚さ寸法よりも大きい。一例では、離間距離Ｄは、５０μｍ以上５００μｍ以下であってよい。なお、離間距離Ｄの大きさは任意に変更可能である。
【0077】
［半導体発光装置の側面構造］
図５は、第１接着剤５１によって接着パターン３３にキャップ７０が接着された状態において、キャップ７０の第１側壁７１から視た側面構造を示している。なお、図５では、後述する第２接着剤５２が省略された状態の側面構造を示している。
図５は、第１接着剤５１によって接着パターン３３にキャップ７０が接着された状態において、キャップ７０の第１側壁７１から視た側面構造を示している。なお、図５では、後述する第２接着剤５２が省略された状態の側面構造を示している。
【0078】
図５に示すように、半導体発光装置１０は、キャップ７０の内部とキャップ７０の外部とを連通させる連通部９０を備える。連通部９０は、少なくとも接着パターン３３を平面視で側方に貫通している。つまり、連通部９０は、少なくとも接着パターン３３を平面視で側方に貫通している貫通孔であるといえる。
【0079】
連通部９０は、接着パターン３３をその幅方向に貫通し、接着パターン３３の長さ方向において分離している。この実施形態では、連通部９０は、接着パターン３３のうち第１パターン３５に設けられている。このため、連通部９０は、第１パターン３５をその幅方向であるＸ方向に貫通し、第１パターン３５の長さ方向であるＹ方向において分離している。より詳細には、接着パターン３３の第１周端部３３Ａと第２周端部３３ＢとがＹ方向に離隔し、かつＹ方向に対向配置されていることによって、平面視において接着パターン３３が側方に貫通しているといえる。ここで、この実施形態において側方とは、第１パターン３５の幅方向であり、具体的にはＸ方向となる。このように、第１パターン３５は接着パターン３３のうち短手方向に延びた部分を構成するため、連通部９０は、接着パターン３３のうち短手方向に延びた部分に設けられているといえる。
【0080】
キャップ７０のうち第１パターン３５と対向する側壁は第１側壁７１となる。キャップ７０の透光面は第４側壁７４によって構成されているため、第１側壁７１は、透光面とは異なる。つまり、連通部９０は、キャップ７０のうち透光面とは異なる側壁（この実施形態では第１側壁７１）に設けられている。換言すると、連通部９０は、接着パターン３３のうち透光面と対応する部分とは異なる部分に設けられている。
【0081】
一例では、第１接着剤５１は、例えば第１周端部３３Ａおよび第２周端部３３Ｂにおいて互いに離隔している。つまり、第１接着剤５１は、例えばＹ方向に分離している。このように、連通部９０は、接着パターン３３の第１周端部３３Ａと第２周端部３３ＢとのＹ方向の間の基板表面２１と、この基板表面２１とＺ方向に対向配置されたキャップ７０の第１側壁７１の開口端面７６と、第１周端部３３Ａおよび第２周端部３３Ｂと、第１周端部３３Ａおよび第２周端部３３Ｂ上に設けられ、Ｙ方向に離隔している第１接着剤５１とによって構成されている。
【0082】
連通部９０の開口寸法ＨＷは、Ｘ方向から視て、連通部９０の幅方向の寸法であり、この実施形態では、接着パターン３３の第１周端部３３Ａと第２周端部３３ＢとのＹ方向の間の距離によって定義できる。つまり、連通部９０の開口寸法ＨＷは、第１周端部３３Ａおよび第２周端部３３Ｂの離間距離Ｄと等しくなる。このため、平面視において、連通部９０は、第１周端部３３Ａと第２周端部３３ＢとのＹ方向の間の領域であるといえる。また、連通部９０の開口寸法ＨＷは、この実施形態では、接着パターン３３の幅寸法ＷＡ（図２参照）よりも小さい。
【0083】
連通部９０の開口厚さ寸法ＨＴは、基板２０の基板表面２１と第１側壁７１における開口端面７６とのＺ方向の間の距離によって定義できる。このため、連通部９０の開口厚さ寸法ＨＴは、接着パターン３３の厚さ寸法よりも大きい。より詳細には、連通部９０の開口厚さ寸法ＨＴは、接着パターン３３の厚さ寸法と第１接着剤５１の厚さ寸法との合計と等しい。この実施形態では、連通部９０の開口厚さ寸法ＨＴは、開口寸法ＨＷよりも小さい。なお、連通部９０の開口寸法ＨＷおよび開口厚さ寸法ＨＴの各々は任意に変更可能である。
【0084】
図６は、図３に示す半導体発光装置１０の断面構造のうちキャップ７０の第１側壁７１およびその周辺を拡大している。
図６に示すように、連通部９０には、第２接着剤５２が充填されている。このため、連通部９０は、第２接着剤５２によって埋められているといえる。つまり、第１接着剤５１および第２接着剤５２、接着パターン３３、およびキャップ７０によって密閉空間Ｓ（図３参照）を形成している。一例では、第２接着剤５２は、第１接着剤５１とは異なる種類の接着剤が用いられてよい。この場合、第２接着剤５２は、例えば第１接着剤５１よりも粘性が低い接着剤が用いられてよい。
図６に示すように、連通部９０には、第２接着剤５２が充填されている。このため、連通部９０は、第２接着剤５２によって埋められているといえる。つまり、第１接着剤５１および第２接着剤５２、接着パターン３３、およびキャップ７０によって密閉空間Ｓ（図３参照）を形成している。一例では、第２接着剤５２は、第１接着剤５１とは異なる種類の接着剤が用いられてよい。この場合、第２接着剤５２は、例えば第１接着剤５１よりも粘性が低い接着剤が用いられてよい。
【0085】
第２接着剤５２は、連通部９０を構成する基板２０の基板表面２１と接している。第２接着剤５２は、第１接着剤５１の厚さよりも厚い厚接着部５２Ａを含む。厚接着部５２Ａは、連通部９０を埋める部分である。つまり、厚接着部５２Ａは、基板表面２１とこの基板表面２１と対向する第１側壁７１の開口端面７６とを接着する部分である。このため、厚接着部５２Ａの厚さ寸法は、連通部９０の開口厚さ寸法ＨＴと等しい。したがって、厚接着部５２Ａの厚さ寸法は、第１接着剤５１の厚さよりも厚い。また、厚接着部５２Ａの幅寸法は、連通部９０の開口寸法ＨＷ（図５参照）と等しい。このため、厚接着部５２Ａの幅寸法は、接着パターン３３の幅寸法ＷＡ（図２参照）よりも小さい。
【0086】
第２接着剤５２は、平面視において、厚接着部５２Ａから連続するとともにキャップ７０の第１側壁７１からはみ出すはみ出し部５２Ｂを含む。はみ出し部５２Ｂは、例えば接着パターン３３のはみ出しパターン３３ＡＡ，３３ＢＡ（図４参照）のＹ方向の間に形成されている。一例では、はみ出し部５２ＢのＸ方向の寸法は、はみ出しパターン３３ＡＡ，３３ＢＡのＸ方向の寸法と等しい。はみ出し部５２Ｂは、その厚さが例えば第１側壁７１からＸ方向に離れるにつれて薄くなるように形成されている。平面視において、はみ出し部５２Ｂは、Ｘ方向における第１側壁７１から第１基板側面２３までにわたり形成されている。
【0087】
［半導体発光装置の製造方法］
図７～図１３を参照して、半導体発光装置１０の製造方法の一例について説明する。
図７、図８、および図１３は、基板８２０の平面構造を示している。図９～図１２は、基板８２０をＸＺ平面で切断した端面構造を示している。なお、図９～図１２では、図面を容易に理解するため、ワイヤＷを省略している。
図７～図１３を参照して、半導体発光装置１０の製造方法の一例について説明する。
図７、図８、および図１３は、基板８２０の平面構造を示している。図９～図１２は、基板８２０をＸＺ平面で切断した端面構造を示している。なお、図９～図１２では、図面を容易に理解するため、ワイヤＷを省略している。
【0088】
図７および図８に示すように、半導体発光装置１０の製造方法は、基板８２０を用意する工程と、基板８２０にサブマウント基板８０を配置する工程と、サブマウント基板８０上に端面発光素子６０を配置する工程と、ワイヤＷ１Ａ～Ｗ４Ａ，Ｗ１Ｂ～Ｗ４Ｂ（図２参照）を形成する工程と、を主に備える。なお、以下の説明において、ワイヤＷ１Ａ～Ｗ４Ａ，Ｗ１Ｂ～Ｗ４Ｂを単に「ワイヤＷ」と称する。
【0089】
図７は、基板８２０を用意する工程において、基板８２０の平面構造を示している。
図７に示すように、基板８２０を用意する工程では、基板表面８２１および基板表面８２１とは反対側の基板裏面８２２（図９参照）を有する基板８２０を用意する。基板８２０の基板表面８２１には複数の表面電極３０、接着パターン８３３Ａ～８３３Ｄ、およびレジストパターンが形成されている。基板裏面８２２には、複数の裏面電極４０（図３参照）が形成されている。一例では、基板８２０は、４つの半導体発光装置１０が形成されるように構成されている。このため、基板８２０には、４つの接着パターン８３３Ａ～８３３Ｄが形成されている。
図７に示すように、基板８２０を用意する工程では、基板表面８２１および基板表面８２１とは反対側の基板裏面８２２（図９参照）を有する基板８２０を用意する。基板８２０の基板表面８２１には複数の表面電極３０、接着パターン８３３Ａ～８３３Ｄ、およびレジストパターンが形成されている。基板裏面８２２には、複数の裏面電極４０（図３参照）が形成されている。一例では、基板８２０は、４つの半導体発光装置１０が形成されるように構成されている。このため、基板８２０には、４つの接着パターン８３３Ａ～８３３Ｄが形成されている。
【0090】
各接着パターン８３３Ａ～８３３Ｄは、平面視において、所定の幅を有しかつ幅と直交する長さ方向に延びた枠状である。一例では、平面視において、各接着パターン８３３Ａ～８３３Ｄは、Ｘ方向が長手方向となり、Ｙ方向が短手方向となる矩形枠状に形成されている。
【0091】
接着パターン８３３Ａおよび接着パターン８３３Ｂは、Ｘ方向に並んでいる。接着パターン８３３Ｃおよび接着パターン８３３Ｄは、Ｘ方向に並んでいる。接着パターン８３３Ａ，８３３Ｂと接着パターン８３３Ｃ，８３３Ｄとは、Ｙ方向に並んでいる。より詳細には、接着パターン８３３Ａおよび接着パターン８３３Ｃは、Ｙ方向に並んでいる。接着パターン８３３Ｂおよび接着パターン８３３Ｄは、Ｙ方向に並んでいる。ここで、接着パターン８３３Ａ，８３３Ｃは「第１接着パターン」に対応し、接着パターン８３３Ｂ，８３３Ｄは「第２接着パターン」に対応している。また、Ｘ方向は「第１方向」に対応し、Ｙ方向は「第２方向」に対応している。Ｚ方向は「基板８２０の厚さ方向」に対応している。このため、平面視とは「基板８２０の厚さ方向から視て」を意味する。
【0092】
ここで、Ｘ方向に並んだ接着パターン８３３Ａ，８３３Ｂは、互いに連結されている。より詳細には、接着パターン８３３Ａ，８３３Ｂは、接着パターン８３３Ａと接着パターン８３３Ｂとの間に形成され、Ｙ方向に離間して配列された一対の連結部８３９を含む。一対の連結部８３９は、Ｘ方向において接着パターン８３３Ａと接着パターン８３３Ｂとを連結している。各連結部８３９は、Ｘ方向に延びている。各連結部８３９の幅寸法は、接着パターン８３３Ａ，８３３Ｂの幅寸法よりも小さい。ここで、各連結部８３９の幅寸法は、平面視において各連結部８３９が延びる方向と直交する方向の寸法である。この実施形態では、各連結部８３９の幅寸法は、各連結部８３９のＹ方向の寸法である。また、接着パターン８３３Ａ，８３３Ｂの幅寸法は、接着パターン３３の幅寸法ＷＡ（図２参照）と同じである。
【0093】
一対の連結部８３９は、接着パターン８３３Ａ，８３３Ｂのうち短手方向に延びた部分に形成されている。この部分は、一対の連結部８３９によってＹ方向に分離されている。一対の連結部８３９のＹ方向の間の部分は、基板８２０の基板表面８２１が露出している。このように、接着パターン８３３Ａ，８３３Ｂは、短手方向に延びた部分において側方に貫通する部分を含む。一例では、各連結部８３９の長さ寸法（Ｘ方向の寸法）は、一対の連結部８３９の間のＹ方向の寸法よりも大きい。つまり、接着パターン８３３Ａの第１パターン３５と接着パターン８３３Ｂの第２パターン３６とのＸ方向の間の距離は、一対の連結部８３９の間のＹ方向の寸法よりも大きい。
【0094】
なお、接着パターン８３３Ａ，８３３Ｂはそれぞれ、図２に示す接着パターン３３に対応するものである。したがって、接着パターン８３３Ａ，８３３Ｂはそれぞれ、第１～第４パターン３５～３８を含む。このため、一対の連結部８３９は、接着パターン８３３Ａの第１パターン３５と、接着パターン８３３Ｂの第２パターン３６とを連結するように形成されているといえる。そして、接着パターン８３３Ｂの第２パターン３６は、図２に示す第１パターン３５と同様に第１分離パターン３６Ａおよび第２分離パターン３６Ｂを含むといえる。
【0095】
なお、Ｘ方向に隣り合う接着パターン８３３Ｃ，８３３Ｄも同様に互いに接続されている。接着パターン８３３Ｃ，８３３Ｄの接続構造は、接着パターン８３３Ａ，８３３Ｂと同じであるため、その詳細な説明を省略する。
【0096】
図８に示すように、基板８２０にサブマウント基板８０を配置する工程では、まず各素子表面電極３１上に第１導電性接合材（図示略）を塗布する。続いて、第１導電性接合材上にサブマウント基板８０を配置する。つまり、この工程は、各素子表面電極３１上にサブマウント基板８０をダイボンディングしている。第１導電性接合材は、ダイボンディング材であり、例えばはんだペーストおよび銀ペーストのいずれかが用いられる。
【0097】
次に、サブマウント基板８０上に端面発光素子６０を配置する工程では、まず各サブマウント基板８０の表面８１に第２導電性接合材を塗布する。続いて、第２導電性接合材上に端面発光素子６０を配置する。つまり、この工程は、サブマウント基板８０上に端面発光素子６０をダイボンディングしている。第２導電性接合材は、ダイボンディング材であり、例えばはんだペーストおよび銀ペーストのいずれかが用いられる。なお、第１導電性接合材および第２導電性接合材は、互いに同じ材料が用いられてもよいし、互いに異なる材料が用いられてもよい。このように、端面発光素子６０は、基板８２０において各接着パターン８３３Ａ～８３３Ｄの枠内に配置されている。換言すると、平面視において、各接着パターン８３３Ａ～８３３Ｄは、対応する端面発光素子６０を囲むように形成されている。
【0098】
この実施形態では、サブマウント基板８０上に端面発光素子６０を配置した後、第１導電性接合材および第２導電性接合材の双方を同時に固化させる。より詳細には、第１導電性接合材および第２導電性接合材を加熱した後、冷却することによって第１導電性接合材および第２導電性接合材の双方が固化する。これにより、第１導電性接合材が素子表面電極３１とサブマウント基板８０とを接合し、第２導電性接合材がサブマウント基板８０と端面発光素子６０とを接合する。なお、第１導電性接合材および第２導電性接合材は、個別に固化してもよい。一例では、基板８２０にサブマウント基板８０を配置する工程において、第１導電性接合材を固化することによって素子表面電極３１とサブマウント基板８０とを接合する。その後、サブマウント基板８０上に端面発光素子６０を配置する工程において、第２導電性接合材を固化することによってサブマウント基板８０と端面発光素子６０とを接合する。
【0099】
次に、ワイヤＷを形成する工程では、ワイヤボンディング装置によって端面発光素子６０の複数の素子電極６３と複数のワイヤ接続電極３２とを個別に接続するようにワイヤＷを形成する。これにより、複数の素子電極６３と複数のワイヤ接続電極３２とが個別に電気的に接続される。
【0100】
図９～図１３に示すように、半導体発光装置１０の製造方法は、各接着パターン８３３Ａ～８３３Ｄに第１接着剤５１を塗布する工程と、キャップ７０を第１接着剤５１上に配置して端面発光素子６０を収容する工程と、第１接着剤５１を硬化して各接着パターン８３３Ａ～８３３Ｄにキャップ７０を接着する工程と、連通部９０を第２接着剤５２で埋める工程と、第２接着剤５２を硬化させる工程と、個片化する工程と、を主に備える。これらの工程は、例えばワイヤＷを形成する工程の後に実施される。
【0101】
図９は、接着パターン８３３Ａ，８３３Ｂに第１接着剤５１を塗布する工程と、キャップ７０を第１接着剤５１上に配置して端面発光素子６０を収容する工程とを示している。なお、図９は、図８のＦ９－Ｆ９線の端面構造を示している。
【0102】
図９に示すように、接着パターン８３３Ａ，８３３Ｂに第１接着剤５１を塗布する工程では、まず例えばディスペンサ装置を用いて、接着パターン８３３Ａ，８３３Ｂのパターン表面８３３Ｓの全体にわたり第１接着剤５１を塗布する。一例では、第１接着剤５１は、熱硬化型接着剤が用いられる。なお、第１接着剤５１は、例えば一対の連結部８３９（図７参照）のパターン表面には塗布されていない。なお、図示していないが、接着パターン８３３Ｃ，８３３Ｄのパターン表面８３３Ｓにも同様に第１接着剤５１が塗布される。
【0103】
続いて、キャップ７０を第１接着剤５１上に配置して端面発光素子６０を収容する工程では、接着パターン８３３Ａ上の第１接着剤５１上にキャップ７０を配置し、接着パターン８３３Ｂ上の第１接着剤５１上に別のキャップ７０を配置する。ここで、接着パターン８３３Ａに対応するキャップ７０は「第１キャップ」に対応し、接着パターン８３３Ｂに対応する別のキャップ７０は「第２キャップ」に対応している。
【0104】
接着パターン８３３Ａ上の第１接着剤５１上にキャップ７０が配置された状態において、第１接着剤５１および接着パターン８３３Ａが一対の連結部８３９（図８参照）においてＹ方向に分離しているため、キャップ７０の内部とキャップ７０の外部とを連通する連通部９０が形成される。つまり、連通部９０を介してキャップ７０の内部空間は、キャップ７０の外部と連通している。ここで、接着パターン８３３Ａと、接着パターン８３３Ａ上の第１接着剤５１と、第１接着剤５１上のキャップ７０と、基板表面２１とによって構成された連通部９０は「第１連通部」に対応している。以下では、便宜上、接着パターン８３３Ａに対応する連通部９０を「第１連通部９０Ａ」とする。
【0105】
接着パターン８３３Ｂ上の第１接着剤５１上にキャップ７０が配置された状態において、第１接着剤５１および接着パターン８３３Ｂが一対の連結部８３９においてＹ方向に分離しているため、キャップ７０の内部とキャップ７０の外部とを連通する連通部９０が形成される。つまり、連通部９０を介してキャップ７０の内部空間は、キャップ７０の外部と連通している。ここで、接着パターン８３３Ｂと、接着パターン８３３Ｂ上の第１接着剤５１と、第１接着剤５１上のキャップ７０と、基板表面２１とによって構成された連通部９０は「第２連通部」に対応している。以下では、便宜上、接着パターン８３３Ｂに対応する連通部９０を「第２連通部９０Ｂ」とする。
【0106】
接着パターン８３３Ａと接着パターン８３３Ｂとを連結する一対の連結部８３９のＹ方向の間に第１連通部９０Ａおよび第２連通部９０Ｂが形成されているため、第１連通部９０Ａと第２連通部９０Ｂとは、Ｙ方向において同じ位置に設けられている。また、第１連通部９０Ａの開口寸法および第２連通部９０Ｂの開口寸法は互いに等しい。また、第１連通部９０Ａの開口厚さ寸法および第２連通部９０Ｂの開口厚さ寸法は互いに等しい。ここで、第１連通部９０Ａおよび第２連通部９０Ｂの各々の開口寸法は、連通部９０の開口寸法ＨＷ（図５参照）に対応している。また、第１連通部９０Ａおよび第２連通部９０Ｂの各々の開口厚さ寸法は、連通部９０の開口厚さ寸法ＨＴ（図５参照）に対応している。
【0107】
このように、接着パターン８３３Ａ，８３３Ｂの各々にキャップ７０を接着する工程において、接着パターン８３３Ａと、接着パターン８３３Ａ上のキャップ７０とによって第１連通部９０Ａが設けられ、接着パターン８３３Ｂと、接着パターン８３３Ｂ上のキャップ７０とによって第２連通部９０Ｂが設けられている。
【0108】
ここで、図８に示す接着パターン８３３Ａの第１パターン３５と接着パターン８３３Ｂの第２パターン３６とのＸ方向の間の距離は、例えば第１連通部９０Ａの開口寸法および第２連通部９０Ｂの開口寸法の双方よりも大きい。このため、接着パターン８３３Ａに対応するキャップ７０と接着パターン８３３Ｂに対応するキャップ７０とのＸ方向の間の距離は、第１連通部９０Ａの開口寸法および第２連通部９０Ｂの開口寸法の双方よりも大きい。
【0109】
なお、図示していないが、同様に、接着パターン８３３Ｃ，８３３Ｄの第１接着剤５１上の各々にキャップ７０を配置することによって端面発光素子６０を収容している。これにより、接着パターン８３３Ｃ，８３３Ｄの各々にキャップ７０を接着する工程において、接着パターン８３３Ｃと、接着パターン８３３Ｃ上のキャップ７０とによって連通部９０（第１連通部）が設けられ、接着パターン８３３Ｄと、接着パターン８３３Ｄ上のキャップ７０とによって連通部（第２連通部）が設けられている。
【0110】
次に、図１０に示すように、第１接着剤５１を硬化して接着パターン８３３Ａ，８３３Ｂの各々にキャップ７０を接着する工程では、第１接着剤５１を熱硬化させる。これにより、接着パターン８３３Ａ，８３３Ｂの各々にキャップ７０が接着される。
【0111】
第１接着剤５１を熱硬化させる場合、例えば基板８２０を高温炉に収容させることによって基板８２０自体も加熱される。このとき、接着パターン８３３Ａ，８３３Ｂに対応するキャップ７０内の空気も加熱されることによって体積が膨張するが、第１連通部９０Ａおよび第２連通部９０Ｂによってキャップ７０内の膨張した空気はキャップ７０の外部に移動できる。このため、接着パターン８３３Ａ，８３３Ｂに対応するキャップ７０の内部の圧力が過度に高くなることを抑制できる。また、接着パターン８３３Ａ，８３３Ｂに塗布された第１接着剤５１のアウトガスが、接着パターン８３３Ａ，８３３Ｂに対応するキャップ７０の内部に溜まろうとするが、第１連通部９０Ａおよび第２連通部９０Ｂを介してキャップ７０の外部に排出される。このため、接着パターン８３３Ａ，８３３Ｂに対応するキャップ７０の内部の圧力が過度に高くなることを抑制できる。なお、図示していないが、この工程では、第１接着剤５１を硬化して接着パターン８３３Ｃ，８３３Ｄの各々にキャップ７０を接着する。
【0112】
次に、図１１に示すように、連通部９０を第２接着剤５２で埋める工程では、例えばディスペンサ装置を用いて、接着パターン８３３Ａ，８３３Ｂを連結する一対の連結部８３９（図８参照）の間の基板８２０の基板表面８２１上に第２接着剤５２を滴下する。このとき、第２接着剤５２は、一対の連結部８３９によって、接着パターン８３３Ａ，８３３Ｂの外周に沿ってＹ方向に移動しにくくなるので、一対の連結部８３９の間から第１連通部９０Ａおよび第２連通部９０Ｂの双方に入りやすい。これにより、第１連通部９０Ａと第２連通部９０Ｂとの双方が第２接着剤５２で埋められる。
【0113】
この実施形態で用いられたディスペンサ装置における第２接着剤５２を一対の連結部８３９に滴下するためのノズルの口径は、例えば１００μｍ程度である。このため、一対の連結部８３９のＹ方向の間の距離は、１００μｍ以上であることが好ましい。ここで、一対の連結部８３９のＹ方向の間の距離は、第１連通部９０Ａの開口寸法および第２連通部９０Ｂの開口寸法と等しい。第１連通部９０Ａおよび第２連通部９０Ｂの開口寸法は、連通部９０の開口寸法ＨＷに対応する。このため、この実施形態では、連通部９０の開口寸法ＨＷは、１００μｍ以上であることが好ましい。なお、連通部９０の開口寸法ＨＷは、例えばディスペンサ装置のノズルの口径に応じて変更してもよい。
【0114】
なお、図示していないが、例えばディスペンサ装置を用いて、接着パターン８３３Ｃ，８３３Ｄを連結する一対の連結部８３９の間の基板８２０の基板表面８２１上にも第２接着剤５２を滴下する。これにより、接着パターン８３３Ｃと、接着パターン８３３Ｃ上のキャップ７０とによって形成された連通部９０（第１連通部）と、接着パターン８３３Ｄと、接着パターン８３３Ｄ上のキャップ７０とによって形成された連通部９０（第２連通部）との双方が第２接着剤５２で埋められる。
【0115】
ここで、第２接着剤５２は、例えば第１接着剤５１とは異なる種類の接着剤が用いられる。一例では、第２接着剤５２は、第１接着剤５１よりも粘性が低い接着剤が用いられてよい。
【0116】
次に、図１２に示すように、第２接着剤５２を硬化させる工程は、第２接着剤５２を熱硬化させる。第２接着剤５２の熱硬化の方法は、第１接着剤５１の熱硬化の方法と同様である。このため、第２接着剤５２を熱硬化させる際、キャップ７０内の空気も加熱される。ここで、第２接着剤５２によって第１連通部９０Ａおよび第２連通部９０Ｂが埋められているため、接着パターン８３３Ａ，８３３Ｂに対応するキャップ７０の内部の圧力が高くなる。しかし、キャップ７０と接着パターン８３３Ａ，８３３Ｂ（８３３Ｃ，８３３Ｄ）とが第１接着剤５１によって接着されているため、接着パターン８３３Ａに対してキャップ７０が傾くこと、および接着パターン８３３Ｂに対してキャップ７０が傾くことがそれぞれ抑制される。
【0117】
次に、個片化する工程では、例えばダイシングブレードを用いて、図１２に示す切断線ＣＬＺに沿って基板８２０を切断する。図１３に示すように、基板８２０は、平面視において切断線ＣＬＸおよび切断線ＣＬＹに沿って切断される。切断線ＣＬＸはＸ方向に沿う切断線であり、切断線ＣＬＹはＹ方向に沿う切断線である。このため、基板８２０は、Ｘ方向に沿って切断され、かつＹ方向に沿って切断される。これにより、基板８２０から４つの基板２０が形成される。
【0118】
切断線ＣＬＹは、第２接着剤５２および一対の連結部８３９を横切っている。このため、切断線ＣＬＹに沿って基板８２０が切断されるとき、第２接着剤５２および一対の連結部８３９も切断される。これにより、第２接着剤５２のはみ出し部５２Ｂおよび一対のはみ出しパターン３３ＡＡ，３３ＢＡ（ともに図４参照）が形成される。つまり、接着パターン８３３Ａ～８３３Ｄ（図８参照）の各々から接着パターン３３（図２参照）が形成される。このように、個片化する工程は、Ｙ方向に沿って第２接着剤５２、一対の連結部８３９、および基板８２０を切断する工程を含む。
【0119】
以上の工程を経て、図１～図６に示す半導体発光装置１０が製造される。
また、図示していないが、以上の工程により、キャップ７０の第２側壁７２と基板２０との間に連通部９０（第２連通部９０Ｂ）を有するとともにその連通部９０が第２接着剤５２によって埋められた半導体発光装置１０が製造される。この半導体発光装置１０は、図２に示すはみ出しパターン３３ＡＡ，３３ＢＡが基板２０の第２基板側面２４に向けて延びている。つまり、以上の工程では、第１基板側面２３に向けて延びるはみ出しパターン３３ＡＡ，３３ＢＡを含む半導体発光装置１０と、第２基板側面２４に向けて延びるはみ出しパターン３３ＡＡ，３３ＢＡを含む半導体発光装置１０とが製造されることになる。
また、図示していないが、以上の工程により、キャップ７０の第２側壁７２と基板２０との間に連通部９０（第２連通部９０Ｂ）を有するとともにその連通部９０が第２接着剤５２によって埋められた半導体発光装置１０が製造される。この半導体発光装置１０は、図２に示すはみ出しパターン３３ＡＡ，３３ＢＡが基板２０の第２基板側面２４に向けて延びている。つまり、以上の工程では、第１基板側面２３に向けて延びるはみ出しパターン３３ＡＡ，３３ＢＡを含む半導体発光装置１０と、第２基板側面２４に向けて延びるはみ出しパターン３３ＡＡ，３３ＢＡを含む半導体発光装置１０とが製造されることになる。
【0120】
［作用］
半導体発光装置１０の作用について説明する。
接着パターン３３のパターン表面３３Ｓとキャップ７０の開口端面７６との間に介在する第１接着剤５１を熱硬化するとき、キャップ７０の内部空間の温度の上昇にともない、内部空間における空気が膨張する。一方、キャップ７０の内部とキャップ７０の外部とを連通する連通部９０が形成されているため、内部空間の膨張した空気は連通部９０を介してキャップ７０の外部に移動する。これにより、第１接着剤５１の熱硬化にともない、キャップ７０の内部の圧力が過度に高くなることを抑制できる。したがって、キャップ７０の内部の圧力が過度に高くなることに起因して、キャップ７０が基板２０の基板表面２１に対して傾くことを抑制できる。
半導体発光装置１０の作用について説明する。
接着パターン３３のパターン表面３３Ｓとキャップ７０の開口端面７６との間に介在する第１接着剤５１を熱硬化するとき、キャップ７０の内部空間の温度の上昇にともない、内部空間における空気が膨張する。一方、キャップ７０の内部とキャップ７０の外部とを連通する連通部９０が形成されているため、内部空間の膨張した空気は連通部９０を介してキャップ７０の外部に移動する。これにより、第１接着剤５１の熱硬化にともない、キャップ７０の内部の圧力が過度に高くなることを抑制できる。したがって、キャップ７０の内部の圧力が過度に高くなることに起因して、キャップ７０が基板２０の基板表面２１に対して傾くことを抑制できる。
【0121】
また、第１接着剤５１のアウトガスがキャップ７０の内部に発生することによって、キャップ７０の内部の圧力が高くなりやすい。しかし、上記連通部９０によって、キャップ７０の内部の空気は連通部９０を介してキャップ７０の外部に移動できるので、キャップ７０の内部が過度に高くなることを抑制できる。
【0122】
ところで、連通部９０が残ったままの状態では、連通部９０を介して水滴、塵等の微細な異物がキャップ７０の内部に進入してしまう。これに対して、この実施形態では、第２接着剤５２によって連通部９０を埋めている。これにより、キャップ７０の内部への異物の進入を抑制できる。一方、この第２接着剤５２を固化させるのにも熱硬化が用いられる。しかし、第１接着剤５１によってキャップ７０が接着パターン３３に接着された状態であるため、第２接着剤５２の熱硬化によってキャップ７０の内部の圧力が高くなったとしてもキャップ７０が基板表面２１に対して傾くことを抑制できる。
【0123】
［効果］
半導体発光装置１０によれば、以下の効果が得られる。
（１）半導体発光装置１０は、基板２０と、基板２０上に配置された端面発光素子６０と、端面発光素子６０を収容するキャップ７０と、基板２０上に設けられ、平面視において端面発光素子６０を囲むように形成された接着パターン３３と、キャップ７０と接着パターン３３のパターン表面３３Ｓとを接着している第１接着剤５１と、少なくとも接着パターン３３を平面視において側方に貫通し、キャップ７０の内部とキャップ７０の外部とを連通させる連通部９０と、連通部９０に埋められた第２接着剤５２と、を備える。
半導体発光装置１０によれば、以下の効果が得られる。
（１）半導体発光装置１０は、基板２０と、基板２０上に配置された端面発光素子６０と、端面発光素子６０を収容するキャップ７０と、基板２０上に設けられ、平面視において端面発光素子６０を囲むように形成された接着パターン３３と、キャップ７０と接着パターン３３のパターン表面３３Ｓとを接着している第１接着剤５１と、少なくとも接着パターン３３を平面視において側方に貫通し、キャップ７０の内部とキャップ７０の外部とを連通させる連通部９０と、連通部９０に埋められた第２接着剤５２と、を備える。
【0124】
この構成によれば、連通部９０を介してキャップ７０の内部の気体（例えば空気、第１接着剤５１のアウトガス）をキャップ７０の外部に排出できる。したがって、キャップ７０の内部の圧力が過度に高くなることによって、キャップ７０が基板２０に対して傾くことを抑制できる。また、連通部９０は第２接着剤５２によって埋められるため、キャップ７０の内部に異物が進入することを抑制できる。
【0125】
（２）接着パターン３３は、所定の幅を有しかつパターン表面３３Ｓと直交する長さ方向に延びた枠状である。連通部９０は、接着パターン３３をその幅方向に貫通し、接着パターン３３の長さ方向において接着パターン３３を分離している。
【0126】
この構成によれば、接着パターン３３がその長さ方向に分離されることによって接着パターン３３のパターン表面３３Ｓ上の第１接着剤５１も長さ方向に分離されやすくなる。このため、連通部９０が第１接着剤５１によって埋まることなく、キャップ７０の内部とキャップ７０の外部とを確実に連通することができる。
【0127】
（３）連通部９０の開口寸法ＨＷは、接着パターン３３の幅寸法ＷＡ以下である。
この構成によれば、連通部９０の開口寸法ＨＷが小さくなる分、接着パターン３３のパターン表面３３Ｓの面積を大きくとることができる。したがって、第１接着剤５１によるキャップ７０と接着パターン３３との接合強度を高くすることができる。
この構成によれば、連通部９０の開口寸法ＨＷが小さくなる分、接着パターン３３のパターン表面３３Ｓの面積を大きくとることができる。したがって、第１接着剤５１によるキャップ７０と接着パターン３３との接合強度を高くすることができる。
【0128】
（４）平面視において、接着パターン３３は矩形枠状に形成されている。キャップ７０は、平面視において接着パターン３３の一辺と対応した位置に透光面を含む。連通部９０は、接着パターン３３のうち透光面と対応する一辺とは異なる辺に設けられている。
【0129】
この構成によれば、連通部９０に第２接着剤５２を塗布する際、第２接着剤５２がキャップ７０の側壁（この実施形態では第１側壁７１）に付着するおそれがある。しかし、連通部９０が透光面とは異なる箇所に設けられているため、第２接着剤５２がキャップ７０の側壁に付着したとしても、第２接着剤５２が端面発光素子６０の出射光に対して影響を与えることを抑制できる。
【0130】
（５）接着パターン３３は、連通部９０を構成する第１周端部３３Ａおよび第２周端部３３Ｂを含む。第１周端部３３Ａおよび第２周端部３３Ｂは、平面視においてキャップ７０からはみ出すはみ出しパターン３３ＡＡ，３３ＢＡを含む。
【0131】
この構成によれば、連通部９０に埋められる第２接着剤５２が平面視においてキャップ７０からはみ出したとしてもはみ出しパターン３３ＡＡ，３３ＢＡによって第２接着剤５２の濡れ広がりを抑制できる。
【0132】
（６）はみ出しパターン３３ＡＡ，３３ＢＡの幅寸法ＷＰ，ＷＱは、接着パターン３３の幅寸法ＷＡよりも小さい。
この構成によれば、はみ出しパターン３３ＡＡ，３３ＢＡの幅寸法ＷＰ，ＷＱが小さいことによってキャップ７０からはみ出したはみ出しパターン３３ＡＡ，３３ＢＡが目立ちにくくなる。したがって、半導体発光装置１０の美観の向上を図ることができる。
この構成によれば、はみ出しパターン３３ＡＡ，３３ＢＡの幅寸法ＷＰ，ＷＱが小さいことによってキャップ７０からはみ出したはみ出しパターン３３ＡＡ，３３ＢＡが目立ちにくくなる。したがって、半導体発光装置１０の美観の向上を図ることができる。
【0133】
（７）半導体発光装置１０の製造方法は、基板表面８２１を有する基板８２０に端面発光素子６０を配置する工程と、基板８２０に設けられ、平面視において端面発光素子６０を囲む接着パターン３３に第１接着剤５１を塗布する工程と、キャップ７０を第１接着剤５１上に配置して端面発光素子６０を収容する工程と、第１接着剤５１を硬化して接着パターン３３にキャップ７０を接着する工程と、を備える。接着パターン３３にキャップ７０を接着する工程において、少なくとも接着パターン３３を平面視において側方に貫通し、キャップ７０の内部とキャップ７０の外部とを連通する連通部９０が設けられる。第１接着剤５１を硬化して接着パターン３３にキャップ７０を接着する工程の後に実施され、連通部９０を第２接着剤５２で埋める工程を備える。
【0134】
この構成によれば、第１接着剤５１を硬化して接着パターン３３にキャップ７０を接着する工程において、連通部９０を介してキャップ７０の内部の気体（例えば空気、第１接着剤５１のアウトガス）をキャップ７０の外部に排出できる。したがって、キャップ７０の内部の圧力が過度に高くなることによって、キャップ７０が基板２０に対して傾くことを抑制できる。その後に、連通部９０が第２接着剤５２によって埋められるため、キャップ７０の内部に異物が進入することを抑制できる。
【0135】
（８）接着パターン３３は、平面視において所定の幅を有しかつ幅と直交する長さ方向に延びた枠状である。連通部９０は、接着パターン３３をその幅方向に貫通し、接着パターン３３の長さ方向において分離している。接着パターン３３に第１接着剤５１を塗布する工程では、連通部９０には第１接着剤５１を塗布せず、接着パターン３３のパターン表面３３Ｓに第１接着剤５１を塗布する。
【0136】
この構成によれば、接着パターン３３がその長さ方向に分離されることによって接着パターン３３のパターン表面３３Ｓ上の第１接着剤５１も長さ方向に分離されやすくなる。このため、連通部９０が第１接着剤５１によって埋まることなく、キャップ７０の内部とキャップ７０の外部とを確実に連通することができる。
【0137】
（９）接着パターン３３は、平面視において、Ｘ方向において並んだ接着パターン８３３Ａ，８３３Ｂと、接着パターン８３３Ａ，８３３ＢとのＸ方向の間に形成され、Ｙ方向において互いに離隔するとともにＸ方向において接着パターン８３３Ａと接着パターン８３３Ｂとを連結する一対の連結部８３９と、を含む。連通部９０は、接着パターン８３３Ａに接着されるキャップ７０の内部およびこのキャップ７０の外部を連通する第１連通部９０Ａと、接着パターン８３３Ｂに接着されるキャップ７０の内部およびこのキャップ７０の外部を連通する第２連通部９０Ｂと、を含む。接着パターン８３３Ａ，８３３Ｂに第１接着剤５１を塗布する工程では、接着パターン８３３Ａのパターン表面８３３Ｓおよび接着パターン８３３Ｂのパターン表面８３３Ｓの各々に第１接着剤５１を塗布する。端面発光素子６０を収容する工程では、接着パターン８３３Ａ上の第１接着剤５１上にキャップ７０を配置し、接着パターン８３３Ｂ上の第１接着剤５１上にキャップ７０を配置する。接着パターン８３３Ａ，８３３Ｂにキャップ７０をそれぞれ接着する工程において、接着パターン８３３Ａとキャップ７０とによって第１連通部９０Ａが設けられ、接着パターン８３３Ｂとキャップ７０とによって第２連通部９０Ｂが設けられる。連通部９０を第２接着剤５２で埋める工程では、一対の連結部８３９の間の基板表面８２１上に第２接着剤５２を滴下することによって第１連通部９０Ａおよび第２連通部９０Ｂの双方が第２接着剤５２で埋められる。
【0138】
この構成によれば、Ｙ方向において互いに離隔した一対の連結部８３９が接着パターン８３３Ａ，８３３Ｂを連結しているため、接着パターン８３３Ａの第１接着剤５１上、および８３３Ｂの第１接着剤５１上の各々にキャップ７０が配置されることによって、第１連通部９０Ａおよび第２連通部９０Ｂが形成される。つまり、一対の連結部８３９によって２つの連通部としての第１連通部９０Ａおよび第２連通部９０Ｂを同時に形成することができる。
【0139】
加えて、連通部９０を第２接着剤５２で埋める工程において一対の連結部８３９の間の基板表面８２１上に第２接着剤５２を滴下するため、第２接着剤５２を第１連通部９０Ａおよび第２連通部９０Ｂに個別に注入する必要がなくなる。したがって、連通部９０を第２接着剤５２で埋める工程の簡素化を図ることができる。
【0140】
（１０）半導体発光装置１０の製造方法は、Ｙ方向に沿って第２接着剤５２、一対の連結部８３９、および基板８２０を切断する工程をさらに備える。一対の連結部８３９の幅寸法は、接着パターン３３の幅寸法ＷＡよりも小さい。この構成によれば、一対の連結部８３９の幅寸法が小さいことによって基板８２０とともに一対の連結部８３９を切断するときに一対の連結部８３９を切断しやすくなる。
【0141】
（１１）第２接着剤５２は、第１接着剤５１よりも粘性の低い接着剤が用いられる。
この構成によれば、第２接着剤５２の粘性が低いことによって、一対の連結部８３９に第２接着剤５２を滴下したときに第２接着剤５２が第１連通部９０Ａおよび第２連通部９０Ｂの双方に入りやすくなる。このため、第２接着剤５２によって第１連通部９０Ａおよび第２連通部９０Ｂを埋めやすくなる。
この構成によれば、第２接着剤５２の粘性が低いことによって、一対の連結部８３９に第２接着剤５２を滴下したときに第２接着剤５２が第１連通部９０Ａおよび第２連通部９０Ｂの双方に入りやすくなる。このため、第２接着剤５２によって第１連通部９０Ａおよび第２連通部９０Ｂを埋めやすくなる。
【0142】
一方、第１接着剤５１に粘性の高い接着剤を用いることによって、接着パターン８３３Ａ，８３３Ｂのパターン表面８３３Ｓから第１接着剤５１がはみ出すことを抑制できる。したがって、第１接着剤５１が第１連通部９０Ａおよび第２連通部９０Ｂを埋めてしまうおそれを低減できる。
【0143】
（１２）接着パターン３３は、平面視において長手方向および短手方向を有する矩形枠状に形成されている。キャップ７０は、接着パターン３３とＺ方向に対向する矩形枠状の第１～第４側壁７１～７４を含む。透光面は、第１～第４側壁７１～７３のうち長手方向に延びた部分である第４側壁７４に形成されている。連通部９０は、接着パターン３３のうち短手方向に延びた部分である第１パターン３５に設けられている。
【0144】
この構成によれば、連通部９０は、第１～第４側壁７１～７４のうち短手方向に延びた部分である第１側壁７１の直下に設けられている。ここで、連通部９０が第１～第４側壁７１～７４のうち長手方向に延びた部分である第３側壁７３に設けられた場合、半導体発光装置１０の製造方法において、Ｙ方向に隣り合う接着パターン上のキャップ７０の第４側壁７４と隣り合うことになる。この場合、第２接着剤５２を塗布する工程において、Ｙ方向に隣り合う接着パターン上のキャップ７０の第４側壁７４に第２接着剤５２が付着するおそれがある。一方、この実施形態では、連通部９０が第１～第４側壁７１～７４のうち長手方向に延びた部分ではなく、短手方向に延びた部分（第１側壁７１）の直下に設けられることによって、第２接着剤５２が第４側壁７４（透光面）に付着するおそれを低減できる。
【0145】
＜変更例＞
上記実施形態は、以下のように変更して実施することができる。以下の各変更例は、技術的な矛盾が生じない範囲において互いに組み合わせることができる。
上記実施形態は、以下のように変更して実施することができる。以下の各変更例は、技術的な矛盾が生じない範囲において互いに組み合わせることができる。
【0146】
・接着パターン３３における一対の第１周端部３３Ａおよび第２周端部３３Ｂの数および位置は任意に変更可能である。例えば、図１４～図１６に示す第１例～第２例のように接着パターン３３における一対の第１周端部３３Ａおよび第２周端部３３Ｂの数および位置を変更してもよい。
【0147】
図１４に示す第１例では、一対の第１周端部３３Ａおよび第２周端部３３Ｂが２つ設けられている。より詳細には、一対の第１周端部３３Ａおよび第２周端部３３Ｂは、接着パターン３３のうち第１パターン３５および第２パターン３６に設けられている。第１パターン３５に設けられた一対の第１周端部３３Ａおよび第２周端部３３Ｂの構成は上記実施形態と同様である。第２パターン３６に一対の第１周端部３３Ａおよび第２周端部３３Ｂが設けられることによって、第２パターン３６は、Ｙ方向において互いに離隔して配列された第１分離パターン３６Ａおよび第２分離パターン３６Ｂを含む。
【0148】
第１分離パターン３６Ａは、第２パターン３６のうち第３パターン３７に接続された部分である。第１分離パターン３６Ａは、第１周端部３３Ａを含む。また、第１分離パターン３６Ａは、平面視において第１周端部３３Ａから第２基板側面２４に向けて延びるはみ出しパターン３３ＡＡを含む。はみ出しパターン３３ＡＡは、第１周端部３３Ａから第２基板側面２４まで延びている。
【0149】
第２分離パターン３６Ｂは、第２パターン３６のうち第４パターン３８に接続された部分である。第２分離パターン３６Ｂは、第２周端部３３Ｂを含む。また、第２分離パターン３６Ｂは、平面視において第２周端部３３Ｂから第２基板側面２４に向けて延びるはみ出しパターン３３ＢＡを含む。はみ出しパターン３３ＢＡは、第２周端部３３Ｂから第２基板側面２４まで延びている。
【0150】
なお、第２パターン３６における第１周端部３３Ａおよび第２周端部３３Ｂの形状およびサイズは、第１パターン３５における第１周端部３３Ａおよび第２周端部３３Ｂの形状およびサイズと同じであってよい。また、第２パターン３６におけるはみ出しパターン３３ＡＡ，３３ＢＡの形状およびサイズは、第１パターン３５におけるはみ出しパターン３３ＡＡ，３３ＢＡの形状およびサイズと同じであってよい。
【0151】
この構成によれば、例えば図１３に示す基板８２０を切断線ＣＬＸ，ＣＬＹで切断することによって基板２０を製造する場合、第１基板側面２３寄りおよび第２基板側面２４寄りの双方にはみ出しパターン３３ＡＡ，３３ＢＡが形成される。このため、半導体発光装置１０の製造方法において、第１基板側面２３側のみにはみ出しパターン３３ＡＡ，３３ＢＡが形成される半導体発光装置１０と、第２基板側面２４側のみにはみ出しパターン３３ＡＡ，３３ＢＡが形成される半導体発光装置１０との２種類の半導体発光装置１０が製造されるのではなく、同じ外観の半導体発光装置１０を製造することができる。
【0152】
図１５に示す第２例では、一対の第１周端部３３Ａおよび第２周端部３３Ｂが３つ設けられている。より詳細には、一対の第１周端部３３Ａおよび第２周端部３３Ｂは、接着パターン３３のうち第１パターン３５、第２パターン３６、および第３パターン３７に設けられている。第１パターン３５および第２パターン３６に設けられた一対の第１周端部３３Ａおよび第２周端部３３Ｂの構成は、図１４に示す第１例と同じであるため、その詳細な説明を省略する。
【0153】
第３パターン３７に一対の第１周端部３３Ａおよび第２周端部３３Ｂが設けられることによって、第３パターン３７は、Ｘ方向において互いに離隔して配列された第１分離パターン３７Ａおよび第２分離パターン３７Ｂを含む。つまり、第３パターン３７に設けられた一対の第１周端部３３Ａおよび第２周端部３３Ｂは、第３パターン３７をＸ方向に分離している。
【0154】
第１分離パターン３７Ａは、第３パターン３７のうち第１パターン３５に接続された部分である。第１分離パターン３７Ａは、第１周端部３３Ａを含む。また、第１分離パターン３７Ａは、平面視において第１周端部３３Ａから第３基板側面２５に向けて延びるはみ出しパターン３３ＡＡを含む。はみ出しパターン３３ＡＡは、第１周端部３３Ａから第３基板側面２５まで延びている。はみ出しパターン３３ＡＡは、例えばＹ方向に沿って延びている。
【0155】
第２分離パターン３７Ｂは、第３パターン３７のうち第２パターン３６に接続された部分である。第２分離パターン３７Ｂは、第２周端部３３Ｂを含む。また、第２分離パターン３７Ｂは、平面視において第２周端部３３Ｂから第３基板側面２５に向けて延びるはみ出しパターン３３ＢＡを含む。はみ出しパターン３３ＢＡは、第２周端部３３Ｂから第３基板側面２５まで延びている。はみ出しパターン３３ＢＡは、例えばＹ方向に沿って延びている。
【0156】
なお、第３パターン３７における第１周端部３３Ａおよび第２周端部３３Ｂの形状およびサイズは、第１パターン３５における第１周端部３３Ａおよび第２周端部３３Ｂの形状およびサイズと同じであってよい。また、第３パターン３７におけるはみ出しパターン３３ＡＡ，３３ＢＡの形状およびサイズは、第１パターン３５におけるはみ出しパターン３３ＡＡ，３３ＢＡの形状およびサイズと同じであってよい。
【0157】
図１６に示す第３例では、一対の第１周端部３３Ａおよび第２周端部３３Ｂが１つ設けられている一方、接着パターン３３のうち一対の第１周端部３３Ａおよび第２周端部３３Ｂが設けられる箇所が上記実施形態とは異なる。より詳細には、一対の第１周端部３３Ａおよび第２周端部３３Ｂは、第３パターン３７に設けられている。第３パターン３７に設けられた一対の第１周端部３３Ａおよび第２周端部３３Ｂの構成は、図１５に示す第２例における第３パターン３７に設けられた一対の第１周端部３３Ａおよび第２周端部３３Ｂの構成と同じであるため、その詳細な説明を省略する。
【0158】
なお、一対の第１周端部３３Ａおよび第２周端部３３Ｂは、第４パターン３８に設けられていてもよい。つまり、接着パターン３３のうち少なくとも１箇所に一対の第１周端部３３Ａおよび第２周端部３３Ｂが設けられていればよい。
【0159】
・上記実施形態および図１４～図１６に示す変更例において、第１周端部３３Ａおよび第２周端部３３Ｂの接着パターン３３に対する位置は任意に変更可能である。一例では、第１パターン３５に設けられた第１周端部３３Ａおよび第２周端部３３Ｂは、第１パターン３５のＹ方向の中央に限られず、第３パターン３７寄りまたは第４パターン３８寄りに設けられていてもよい。つまり、連通部９０は、第１パターン３５のＹ方向の中央に限られず、第３パターン３７寄りに設けられていてもよいし、第４パターン３８寄りに設けられていてもよい。第２パターン３６に設けられた第１周端部３３Ａおよび第２周端部３３Ｂも同様に変更できる。このため、連通部９０は、第２パターン３６のＹ方向の中央に限られず、第３パターン３７寄りに設けられていてもよいし、第４パターン３８寄りに設けられていてもよい。第３パターン３７に設けられた第１周端部３３Ａおよび第２周端部３３Ｂは、第３パターン３７のＸ方向の中央に限られず、第１パターン３５寄りまたは第２パターン３６寄りに設けられていてもよい。つまり、連通部９０は、第３パターン３７のＸ方向の中央に限られず、第１パターン３５寄りに設けられていてもよいし、第２パターン３６寄りに設けられていてもよい。
【0160】
・平面視において、連通部９０が設けられる位置は任意に変更可能である。一例では、連通部９０は、キャップ７０の透光面（上記実施形態では第４側壁７４）と同じ位置に設けられていてもよい。つまり、接着パターン３３の第４パターン３８に第１周端部３３Ａおよび第２周端部３３Ｂが設けられていてもよい。
【0161】
・連通部９０の開口寸法ＨＷは任意に変更可能である。一例では、連通部９０の開口寸法ＨＷは、接着パターン３３の幅寸法ＷＡよりも大きくてもよい。
この構成によれば、連通部９０の開口寸法ＨＷが大きいことによって、接着パターン３３が分離された部分、すなわち連通部９０を構成する部分に第１接着剤５１がはみ出したとしても、第１接着剤５１によって連通部９０が埋まることが抑制できる。
この構成によれば、連通部９０の開口寸法ＨＷが大きいことによって、接着パターン３３が分離された部分、すなわち連通部９０を構成する部分に第１接着剤５１がはみ出したとしても、第１接着剤５１によって連通部９０が埋まることが抑制できる。
【0162】
・第１接着剤５１は、接着パターン３３の第１周端部３３Ａと第２周端部３３Ｂとの間を跨いで形成されていてもよい。この場合、連通部９０は、第１接着剤５１と、基板表面２１と、第１周端部３３Ａおよび第２周端部３３Ｂとによって構成されている。つまり、連通部９０は、少なくとも接着パターン３３を平面視で側方に貫通することによってキャップ７０の内部とキャップ７０の外部とを連通させるように構成されていればよい。またこの場合、第２接着剤５２の厚接着部５２Ａの厚さは、基板表面２１とキャップ７０の開口端面７６とのＺ方向の間の距離よりも薄くなる。
【0163】
・表面電極３０の構成は、例えば端面発光素子６０の構成に応じて任意に変更可能である。一例では、図１７に示すように、端面発光素子６０は、４つの発光部６５（素子電極６３）を含む。ワイヤ接続電極３２の数は、例えば発光部６５（素子電極６３）の数に応じて設定される。このため、図１７に示す例では、表面電極３０は、４つのワイヤ接続電極３２を含む。各ワイヤ接続電極３２は、平面視においてＹ方向が長手方向となり、Ｘ方向が短手方向となる矩形状に形成されている。４つのワイヤ接続電極３２は、Ｙ方向において互いに同じ位置であってＸ方向において互いに離隔して配列されている。
【0164】
・はみ出しパターン３３ＡＡ，３３ＢＡの幅寸法ＷＰ，ＷＱは、任意に変更可能である。一例では、はみ出しパターン３３ＡＡ，３３ＢＡの幅寸法ＷＰ，ＷＱは、接着パターン３３の幅寸法ＷＡ以上であってもよい。また、幅寸法ＷＰと幅寸法ＷＱとは互いに異なっていてもよい。
【0165】
・はみ出しパターン３３ＡＡ，３３ＢＡを省略してもよい。この場合、半導体発光装置１０の製造方法における基板８２０の一対の連結部８３９も省略されてよい。
・第２接着剤５２の種類は任意に変更可能である。一例では、第２接着剤５２は、第１接着剤５１と同じ種類の接着剤が用いられてよい。この構成によれば、第１接着剤５１および第２接着剤５２が異なる種類の場合と比較して、接着剤を容易に管理することができる。
・第２接着剤５２の種類は任意に変更可能である。一例では、第２接着剤５２は、第１接着剤５１と同じ種類の接着剤が用いられてよい。この構成によれば、第１接着剤５１および第２接着剤５２が異なる種類の場合と比較して、接着剤を容易に管理することができる。
【0166】
・第１接着剤５１および第２接着剤５２は、熱硬化型接着剤に限られず、任意に変更可能である。一例では、第１接着剤５１および第２接着剤５２の少なくとも一方は、例えば紫外線硬化型接着剤が用いられてもよい。第１接着剤５１に紫外線硬化型接着剤が用いられた場合、第１接着剤５１を硬化して接着パターン３３にキャップ７０を接着する工程では、キャップ７０の上壁７５側から第１接着剤５１に紫外線を照射する。キャップ７０は、紫外線を透過する材料によって形成されている。これにより、キャップ７０を透過した紫外線が第１接着剤５１に照射されることによって第１接着剤５１が硬化する。第２接着剤５２に紫外線硬化型接着剤が用いられた場合、第２接着剤５２を固化する工程では、連通部９０の第２接着剤５２に直接的に紫外線を照射してもよいし、キャップ７０の上壁７５側から第２接着剤５２に紫外線を照射してもよい。
【0167】
・平面視における接着パターン３３の形状は任意に変更可能である。一例では、平面視における接着パターン３３は、正方枠状であってもよい。一例では、平面視における接着パターン３３は、矩形状に限られず、長円の枠状（トラック形状）、楕円の枠状、および円形の枠状のいずれかであってもよい。
【0168】
・平面視における連通部９０が接着パターン３３を貫通する方向は任意に変更可能である。第２接着剤５２によって連通部９０が埋められる前の状態において、連通部９０はキャップ７０の内部とキャップ７０の外部とを連通するように構成されていればよい。このため、連通部９０は、平面視において接着パターン３３をＸ方向およびＹ方向の双方と交差する方向（例えば平面視においてＸ方向およびＹ方向の双方に対して４５°傾く方向）に貫通していてもよい。
【0169】
・半導体発光素子として端面発光素子６０が用いられたが、半導体発光素子の構成はこれに限られない。半導体発光素子として、面発光素子が用いられてもよい。面発光素子の一例として、垂直共振器型面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ：Vertical Cavity Surface Emitting Laser）が用いられてもよい。この場合、キャップ７０は、上壁７５が透光面となるように構成されていてもよい。一方、キャップ７０の第４側壁７４は第１～第３側壁７１～７３と同様に半透明となるように構成されていてもよい。また、半導体発光素子として、発光ダイオード（ＬＥＤ：Light Emitting Diode）が用いられてもよい。
【0170】
・上記実施形態では、基板２０は絶縁材料によって形成されたが、これに限られない。基板２０は、Ｃｕ、Ａｌ等の金属材料によって形成されてもよい。この場合、Ｃｕ、Ａｌ等によって構成された平板状のフレーム（例えばメタルコア）の表面および裏面には絶縁層が形成されている。フレームの表面に形成された絶縁層（基板表面２１）上には複数の表面電極３０および接着パターン３３が形成されている。フレームの裏面に形成された絶縁層（基板裏面２２）上には複数の裏面電極４０が形成されている。複数の裏面電極４０と複数の表面電極３０とを個別に電気的に接続する複数の貫通配線は、フレームをその厚さ方向（Ｚ方向）に貫通している。この場合、フレームに形成された貫通孔を構成する内面には絶縁層が形成されている。貫通配線は、例えば絶縁層に形成された空間を埋めるように形成されている。
【0171】
・上記実施形態において、基板２０、複数の表面電極３０、複数の裏面電極４０、および複数の貫通配線の構成は任意に変更可能である。一例では、半導体発光装置１０は、複数の表面電極３０、複数の裏面電極４０、および複数の貫通配線に代えて、表面電極３０、裏面電極４０、および貫通配線が一体化されたフレームと、このフレームを支持する絶縁材料によって形成された基板と、を備えていてもよい。この場合、フレームは、複数の表面電極３０（複数の裏面電極４０）に応じて複数設けられている。基板は、絶縁材料として例えばエポキシ樹脂によって形成されている。複数のフレームは、基板をＺ方向に貫通するように設けられている。このため、基板の基板表面から露出した複数のフレームは複数の表面電極３０を構成し、基板裏面から露出した複数のフレームは複数の裏面電極４０を構成している。ここで、接着パターン３３は、基板をＺ方向に貫通するフレームとして形成されてもよいし、基板表面上の金属層として形成されてもよい。接着パターン３３を構成するフレームは、表面電極３０、裏面電極４０、および貫通配線が一体化されたフレームと同じフレームによって形成されていてもよいし、異なるフレームとして形成されていてもよい。
【0172】
本明細書に記載の様々な例のうち１つまたは複数を、技術的に矛盾しない範囲で組み合わせることができる。
本明細書において、「ＡおよびＢのうち少なくとも１つ」とは、「Ａのみ、または、Ｂのみ、またはＡおよびＢの両方」を意味するものとして理解されるべきである。
本明細書において、「ＡおよびＢのうち少なくとも１つ」とは、「Ａのみ、または、Ｂのみ、またはＡおよびＢの両方」を意味するものとして理解されるべきである。
【0173】
本開示で使用される「～上に」という用語は、文脈によって明らかにそうでないことが示されない限り、「～上に」と「～の上方に」の意味を含む。したがって、例えば「第１要素が第２要素上に配置される」という表現は、或る実施形態では第１要素が第２要素に接触して第２要素上に直接配置され得るが、他の実施形態では第１要素が第２要素に接触することなく第２要素の上方に配置され得ることが意図される。すなわち、「～上に」という用語は、第１要素と第２要素との間に他の要素が形成される構造を排除しない。
【0174】
本開示で使用されるＺ方向は必ずしも鉛直方向である必要はなく、鉛直方向に完全に一致している必要もない。したがって、本開示による種々の構造は、本明細書で説明されるＺ方向の「上」および「下」が鉛直方向の「上」および「下」であることに限定されない。例えばＸ方向が鉛直方向であってもよく、またはＹ方向が鉛直方向であってもよい。
【0175】
＜付記＞
上記実施形態および各変更例から把握できる技術的思想を以下に記載する。なお、各付記に記載された構成要素に対応する実施形態の構成要素の符号を括弧書きで示す。符号は、理解の補助のために例として示すものであり、各付記に記載された構成要素は、符号で示される構成要素に限定されるべきではない。
上記実施形態および各変更例から把握できる技術的思想を以下に記載する。なお、各付記に記載された構成要素に対応する実施形態の構成要素の符号を括弧書きで示す。符号は、理解の補助のために例として示すものであり、各付記に記載された構成要素は、符号で示される構成要素に限定されるべきではない。
【0176】
［付記１］
基板（２０）と、
前記基板（２０）上に配置された半導体発光素子（６０）と、
前記半導体発光素子（６０）を収容するキャップ（７０）と、
前記基板（２０）上に設けられ、前記基板（２０）の厚さ方向（Ｚ方向）から視て前記半導体発光素子（６０）を囲むように形成された接着パターン（３３）と、
前記キャップ（７０）と前記接着パターン（３３）のパターン表面（３３Ｓ）とを接着している第１接着剤（５１）と、
少なくとも前記接着パターン（３３）を前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て側方に貫通し、前記キャップ（７０）の内部と前記キャップ（７０）の外部とを連通させる連通部（９０）と、
前記連通部（９０）に埋められた第２接着剤（５２）と、
を備える、半導体発光装置（１０）。
基板（２０）と、
前記基板（２０）上に配置された半導体発光素子（６０）と、
前記半導体発光素子（６０）を収容するキャップ（７０）と、
前記基板（２０）上に設けられ、前記基板（２０）の厚さ方向（Ｚ方向）から視て前記半導体発光素子（６０）を囲むように形成された接着パターン（３３）と、
前記キャップ（７０）と前記接着パターン（３３）のパターン表面（３３Ｓ）とを接着している第１接着剤（５１）と、
少なくとも前記接着パターン（３３）を前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て側方に貫通し、前記キャップ（７０）の内部と前記キャップ（７０）の外部とを連通させる連通部（９０）と、
前記連通部（９０）に埋められた第２接着剤（５２）と、
を備える、半導体発光装置（１０）。
【0177】
［付記２］
前記接着パターン（３３）は、所定の幅を有しかつ前記幅と直交する長さ方向に延びた枠状であり、
前記連通部（９０）は、前記接着パターン（３３）をその幅方向に貫通することによって前記接着パターン（３３）の長さ方向において分離している
付記１に記載の半導体発光装置。
前記接着パターン（３３）は、所定の幅を有しかつ前記幅と直交する長さ方向に延びた枠状であり、
前記連通部（９０）は、前記接着パターン（３３）をその幅方向に貫通することによって前記接着パターン（３３）の長さ方向において分離している
付記１に記載の半導体発光装置。
【0178】
［付記３］
前記連通部（９０）の開口寸法（ＨＷ）は、前記接着パターン（３３）の幅寸法（ＷＡ）以下である
付記１または２に記載の半導体発光装置。
前記連通部（９０）の開口寸法（ＨＷ）は、前記接着パターン（３３）の幅寸法（ＷＡ）以下である
付記１または２に記載の半導体発光装置。
【0179】
［付記４］
前記連通部（９０）の開口寸法（ＨＷ）は、前記接着パターン（３３）の幅寸法（ＷＡ）よりも大きい
付記１または２に記載の半導体発光装置。
前記連通部（９０）の開口寸法（ＨＷ）は、前記接着パターン（３３）の幅寸法（ＷＡ）よりも大きい
付記１または２に記載の半導体発光装置。
【0180】
［付記５］
前記接着パターン（３３）は、互いに対向する第１周端部（３３Ａ）および第２周端部（３３Ｂ）を含み、
前記連通部（９０）は、前記第１周端部（３３Ａ）および前記第２周端部（３３Ｂ）の間の領域であり、
前記開口寸法（ＨＷ）は、前記第１周端部（３３Ａ）と前記第２周端部（３３Ｂ）との間の距離である
付記３または４に記載の半導体発光装置。
前記接着パターン（３３）は、互いに対向する第１周端部（３３Ａ）および第２周端部（３３Ｂ）を含み、
前記連通部（９０）は、前記第１周端部（３３Ａ）および前記第２周端部（３３Ｂ）の間の領域であり、
前記開口寸法（ＨＷ）は、前記第１周端部（３３Ａ）と前記第２周端部（３３Ｂ）との間の距離である
付記３または４に記載の半導体発光装置。
【0181】
［付記６］
前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て、前記接着パターン（３３）は矩形枠状に形成されており、
前記キャップ（７０）は、前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て前記接着パターン（３３）の一辺（３８）と対応した位置に透光面（７４）を含み、
前記連通部（９０）は、前記接着パターン（３３）のうち前記透光面（７４）と対応する一辺（３８）とは異なる辺（３５）に設けられている
付記１～５のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て、前記接着パターン（３３）は矩形枠状に形成されており、
前記キャップ（７０）は、前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て前記接着パターン（３３）の一辺（３８）と対応した位置に透光面（７４）を含み、
前記連通部（９０）は、前記接着パターン（３３）のうち前記透光面（７４）と対応する一辺（３８）とは異なる辺（３５）に設けられている
付記１～５のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
【0182】
［付記７］
前記接着パターン（３３）は、前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て長手方向および短手方向を有する矩形枠状に形成されており、
前記キャップ（７０）は、前記接着パターン（３３）と前記厚さ方向（Ｚ方向）に対向する矩形枠状の側壁（７１～７４）を含み、
前記透光面は、前記側壁（７１～７４）のうち前記長手方向に延びた部分（７４）に形成されており、
前記連通部（９０）は、前記接着パターン（３３）のうち前記短手方向に延びた部分（３５）に設けられている
付記６に記載の半導体発光装置。
前記接着パターン（３３）は、前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て長手方向および短手方向を有する矩形枠状に形成されており、
前記キャップ（７０）は、前記接着パターン（３３）と前記厚さ方向（Ｚ方向）に対向する矩形枠状の側壁（７１～７４）を含み、
前記透光面は、前記側壁（７１～７４）のうち前記長手方向に延びた部分（７４）に形成されており、
前記連通部（９０）は、前記接着パターン（３３）のうち前記短手方向に延びた部分（３５）に設けられている
付記６に記載の半導体発光装置。
【0183】
［付記８］
前記接着パターン（３３）は、前記連通部（９０）を構成する第１周端部（３３Ａ）および第２周端部（３３Ｂ）を含み、
前記第１周端部（３３Ａ）および前記第２周端部（３３Ｂ）は、前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て、前記キャップ（７０）からはみ出すはみ出しパターン（３３ＡＡ，３３ＢＡ）を含む
付記１～７のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
前記接着パターン（３３）は、前記連通部（９０）を構成する第１周端部（３３Ａ）および第２周端部（３３Ｂ）を含み、
前記第１周端部（３３Ａ）および前記第２周端部（３３Ｂ）は、前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て、前記キャップ（７０）からはみ出すはみ出しパターン（３３ＡＡ，３３ＢＡ）を含む
付記１～７のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
【0184】
［付記９］
前記はみ出しパターン（３３ＡＡ，３３ＢＡ）の幅寸法（ＷＰ，ＷＱ）は、前記接着パターン（３３）の幅寸法（ＷＡ）よりも小さい
付記８に記載の半導体発光装置。
前記はみ出しパターン（３３ＡＡ，３３ＢＡ）の幅寸法（ＷＰ，ＷＱ）は、前記接着パターン（３３）の幅寸法（ＷＡ）よりも小さい
付記８に記載の半導体発光装置。
【0185】
［付記１０］
前記基板（２０）は、前記接着パターン（３３）が設けられた基板表面（２１）を有し、
前記第２接着剤（５２）は、前記基板表面（２１）に接している
付記１～９のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
前記基板（２０）は、前記接着パターン（３３）が設けられた基板表面（２１）を有し、
前記第２接着剤（５２）は、前記基板表面（２１）に接している
付記１～９のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
【0186】
［付記１１］
前記第２接着剤（５２）は、前記第１接着剤（５１）の厚さよりも厚い厚接着部（５２Ａ）を含む
付記１０に記載の半導体発光装置。
前記第２接着剤（５２）は、前記第１接着剤（５１）の厚さよりも厚い厚接着部（５２Ａ）を含む
付記１０に記載の半導体発光装置。
【0187】
［付記１２］
前記厚接着部（５２Ａ）の厚さは、前記第１接着剤（５１）の厚さと前記接着パターン（３３）の厚さとの合計と等しい
付記１１に記載の半導体発光装置。
前記厚接着部（５２Ａ）の厚さは、前記第１接着剤（５１）の厚さと前記接着パターン（３３）の厚さとの合計と等しい
付記１１に記載の半導体発光装置。
【0188】
［付記１３］
前記キャップ（７０）は、枠状に形成され、開口端面（７６）を含む側壁（７１～７４）を有し、
前記厚接着部（５２Ａ）は、前記開口端面（７６）と対向する位置において前記開口端面（７６）と接しており、
前記第２接着剤（５２）は、前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て、前記厚接着部（５２Ａ）から連続するとともに前記側壁（７１～７４）からはみ出すはみ出し部（５２Ｂ）を含む
付記１１または１２に記載の半導体発光装置。
前記キャップ（７０）は、枠状に形成され、開口端面（７６）を含む側壁（７１～７４）を有し、
前記厚接着部（５２Ａ）は、前記開口端面（７６）と対向する位置において前記開口端面（７６）と接しており、
前記第２接着剤（５２）は、前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て、前記厚接着部（５２Ａ）から連続するとともに前記側壁（７１～７４）からはみ出すはみ出し部（５２Ｂ）を含む
付記１１または１２に記載の半導体発光装置。
【0189】
［付記１４］
前記第２接着剤（５２）の種類は、前記第１接着剤（５１）の種類とは異なる
付記１～１３のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
前記第２接着剤（５２）の種類は、前記第１接着剤（５１）の種類とは異なる
付記１～１３のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
【0190】
［付記１５］
前記第２接着剤（５２）は、前記第１接着剤（５１）よりも粘性が低い
付記１４に記載の半導体発光装置。
前記第２接着剤（５２）は、前記第１接着剤（５１）よりも粘性が低い
付記１４に記載の半導体発光装置。
【0191】
［付記１６］
前記第１接着剤（５１）および前記第２接着剤（５２）は、同じ種類の接着剤である
付記１～１３のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
前記第１接着剤（５１）および前記第２接着剤（５２）は、同じ種類の接着剤である
付記１～１３のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
【0192】
［付記１７］
基板表面（８２１）を有する基板（８２０）に半導体発光素子（６０）を配置する工程と、
前記基板（８２０）に設けられ、前記基板（８２０）の厚さ方向（Ｚ方向）から視て前記半導体発光素子（６０）を囲む接着パターン（３３）に第１接着剤（５１）を塗布する工程と、
キャップ（７０）を前記第１接着剤（５１）上に配置して前記半導体発光素子（６０）を収容する工程と、
前記第１接着剤（５１）を硬化して前記接着パターン（３３）に前記キャップ（７０）を接着する工程と、
を備え、
前記接着パターン（３３）に前記キャップ（７０）を接着する工程において、少なくとも前記接着パターン（３３）を前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て側方に貫通し、前記キャップ（７０）の内部と前記キャップ（７０）の外部とを連通する連通部（９０）が設けられ、
前記第１接着剤（５１）を硬化して前記接着パターン（５３）に前記キャップ（７０）を接着する工程の後に実施され、前記連通部（９０）を第２接着剤（５２）で埋める工程を備える
半導体発光装置（１０）の製造方法。
基板表面（８２１）を有する基板（８２０）に半導体発光素子（６０）を配置する工程と、
前記基板（８２０）に設けられ、前記基板（８２０）の厚さ方向（Ｚ方向）から視て前記半導体発光素子（６０）を囲む接着パターン（３３）に第１接着剤（５１）を塗布する工程と、
キャップ（７０）を前記第１接着剤（５１）上に配置して前記半導体発光素子（６０）を収容する工程と、
前記第１接着剤（５１）を硬化して前記接着パターン（３３）に前記キャップ（７０）を接着する工程と、
を備え、
前記接着パターン（３３）に前記キャップ（７０）を接着する工程において、少なくとも前記接着パターン（３３）を前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て側方に貫通し、前記キャップ（７０）の内部と前記キャップ（７０）の外部とを連通する連通部（９０）が設けられ、
前記第１接着剤（５１）を硬化して前記接着パターン（５３）に前記キャップ（７０）を接着する工程の後に実施され、前記連通部（９０）を第２接着剤（５２）で埋める工程を備える
半導体発光装置（１０）の製造方法。
【0193】
［付記１８］
前記接着パターン（３３）は、前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て、所定の幅を有しかつ前記幅と直交する長さ方向に延びた枠状であり、
前記連通部（９０）は、前記接着パターン（３３）をその幅方向に貫通し、前記接着パターン（３３）の長さ方向において分離しており、
前記接着パターン（３３）に前記第１接着剤（５１）を塗布する工程では、前記連通部（９０）には前記第１接着剤（５１）を塗布せず、前記接着パターン（３３）のパターン表面（３３Ｓ）に前記第１接着剤（５１）を塗布する
付記１７に記載の半導体発光装置の製造方法。
前記接着パターン（３３）は、前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て、所定の幅を有しかつ前記幅と直交する長さ方向に延びた枠状であり、
前記連通部（９０）は、前記接着パターン（３３）をその幅方向に貫通し、前記接着パターン（３３）の長さ方向において分離しており、
前記接着パターン（３３）に前記第１接着剤（５１）を塗布する工程では、前記連通部（９０）には前記第１接着剤（５１）を塗布せず、前記接着パターン（３３）のパターン表面（３３Ｓ）に前記第１接着剤（５１）を塗布する
付記１７に記載の半導体発光装置の製造方法。
【0194】
［付記１９］
前記接着パターン（３３）は、
前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て、第１方向（Ｘ方向）において並んだ第１接着パターン（８３３Ａ）および第２接着パターン（８３３Ｂ）と、
前記第１接着パターン（８３３Ａ）と前記第２接着パターン（８３３Ｂ）との前記第１方向（Ｘ方向）の間に形成され、前記第１方向（Ｘ方向）と直交する第２方向（Ｙ方向）において互いに離隔するとともに前記第１方向（Ｘ方向）において前記第１接着パターン（８３３Ａ）と前記第２接着パターン（８３３Ｂ）とを連結する一対の連結部（８３９）と、
を含み、
前記連通部（９０）は、
前記キャップとして前記第１接着パターン（８３３Ａ）に接着される第１キャップ（７０）の内部および前記第１キャップ（７０）の外部を連通する第１連通部（９０Ａ）と、
前記キャップとして前記第２接着パターン（８３３Ｂ）に接着される第２キャップ（７０）の内部および前記第２キャップ（７０）の外部を連通する第２連通部（９０Ｂ）と、
を含み、
前記接着パターン（８３３Ａ，８３３Ｂ）に前記第１接着剤（５１）を塗布する工程では、前記第１接着パターン（８３３Ａ）および前記第２接着パターン（８３３Ｂ）のパターン表面（８３３Ｓ）に前記第１接着剤（５１）を塗布し、
前記半導体発光素子（６０）を収容する工程では、前記第１接着パターン（８３３Ａ）上の前記第１接着剤（５１）上に前記第１キャップ（７０）を配置し、前記第２接着パターン（８３３Ｂ）上の前記第１接着剤（５１）上に前記第２キャップ（７０）を配置し、
前記接着パターン（８３３Ａ，８３３Ｂ）に前記キャップ（７０）を接着する工程において、前記第１接着パターン（８３３Ａ）と前記第１キャップ（７０）とによって前記第１連通部（９０Ａ）が設けられ、前記第２接着パターン（８３３Ｂ）と前記第２キャップ（７０）とによって前記第２連通部（９０Ｂ）が設けられ、
前記連通部（９０）を前記第２接着剤（５２）で埋める工程では、前記一対の連結部（８３９）の間の前記基板表面（８２１）上に前記第２接着剤（５２）を滴下することによって前記第１連通部（９０Ａ）および前記第２連通部（９０Ｂ）の双方が前記第２接着剤（５２）で埋められる
付記１７または１８に記載の半導体発光装置の製造方法。
前記接着パターン（３３）は、
前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て、第１方向（Ｘ方向）において並んだ第１接着パターン（８３３Ａ）および第２接着パターン（８３３Ｂ）と、
前記第１接着パターン（８３３Ａ）と前記第２接着パターン（８３３Ｂ）との前記第１方向（Ｘ方向）の間に形成され、前記第１方向（Ｘ方向）と直交する第２方向（Ｙ方向）において互いに離隔するとともに前記第１方向（Ｘ方向）において前記第１接着パターン（８３３Ａ）と前記第２接着パターン（８３３Ｂ）とを連結する一対の連結部（８３９）と、
を含み、
前記連通部（９０）は、
前記キャップとして前記第１接着パターン（８３３Ａ）に接着される第１キャップ（７０）の内部および前記第１キャップ（７０）の外部を連通する第１連通部（９０Ａ）と、
前記キャップとして前記第２接着パターン（８３３Ｂ）に接着される第２キャップ（７０）の内部および前記第２キャップ（７０）の外部を連通する第２連通部（９０Ｂ）と、
を含み、
前記接着パターン（８３３Ａ，８３３Ｂ）に前記第１接着剤（５１）を塗布する工程では、前記第１接着パターン（８３３Ａ）および前記第２接着パターン（８３３Ｂ）のパターン表面（８３３Ｓ）に前記第１接着剤（５１）を塗布し、
前記半導体発光素子（６０）を収容する工程では、前記第１接着パターン（８３３Ａ）上の前記第１接着剤（５１）上に前記第１キャップ（７０）を配置し、前記第２接着パターン（８３３Ｂ）上の前記第１接着剤（５１）上に前記第２キャップ（７０）を配置し、
前記接着パターン（８３３Ａ，８３３Ｂ）に前記キャップ（７０）を接着する工程において、前記第１接着パターン（８３３Ａ）と前記第１キャップ（７０）とによって前記第１連通部（９０Ａ）が設けられ、前記第２接着パターン（８３３Ｂ）と前記第２キャップ（７０）とによって前記第２連通部（９０Ｂ）が設けられ、
前記連通部（９０）を前記第２接着剤（５２）で埋める工程では、前記一対の連結部（８３９）の間の前記基板表面（８２１）上に前記第２接着剤（５２）を滴下することによって前記第１連通部（９０Ａ）および前記第２連通部（９０Ｂ）の双方が前記第２接着剤（５２）で埋められる
付記１７または１８に記載の半導体発光装置の製造方法。
【0195】
［付記２０］
前記第２方向（Ｙ方向）に沿って前記第２接着剤（５２）、前記一対の連結部（８３９）、および前記基板（８２０）を切断する工程をさらに備える
付記１９に記載の半導体発光装置の製造方法。
前記第２方向（Ｙ方向）に沿って前記第２接着剤（５２）、前記一対の連結部（８３９）、および前記基板（８２０）を切断する工程をさらに備える
付記１９に記載の半導体発光装置の製造方法。
【0196】
［付記２１］
前記第１接着剤（５１）を硬化して前記接着パターン（８３３Ａ，８３３Ｂ）に前記キャップ（７０）を接着する工程では、前記第１接着剤（５１）を熱硬化させる
付記１７～２０のいずれか１つに記載の半導体発光装置の製造方法。
前記第１接着剤（５１）を硬化して前記接着パターン（８３３Ａ，８３３Ｂ）に前記キャップ（７０）を接着する工程では、前記第１接着剤（５１）を熱硬化させる
付記１７～２０のいずれか１つに記載の半導体発光装置の製造方法。
【0197】
［付記２２］
前記第１接着剤（５１）を硬化して前記接着パターン（８３３Ａ，８３３Ｂ）に前記キャップ（７０）を接着する工程では、前記第１接着剤（５１）を紫外線硬化させる
付記１７～２０のいずれか１つに記載の半導体発光装置の製造方法。
前記第１接着剤（５１）を硬化して前記接着パターン（８３３Ａ，８３３Ｂ）に前記キャップ（７０）を接着する工程では、前記第１接着剤（５１）を紫外線硬化させる
付記１７～２０のいずれか１つに記載の半導体発光装置の製造方法。
【0198】
［付記２３］
前記第２接着剤（５２）を熱硬化させる工程をさらに備える
付記１７～２２のいずれか１つに記載の半導体発光装置の製造方法。
前記第２接着剤（５２）を熱硬化させる工程をさらに備える
付記１７～２２のいずれか１つに記載の半導体発光装置の製造方法。
【0199】
［付記２４］
前記第２接着剤（５２）を紫外線硬化させる工程をさらに備える
付記１７～２２のいずれか１つに記載の半導体発光装置の製造方法。
前記第２接着剤（５２）を紫外線硬化させる工程をさらに備える
付記１７～２２のいずれか１つに記載の半導体発光装置の製造方法。
【0200】
以上の説明は単に例示である。本開示の技術を説明する目的のために列挙された構成要素および方法（製造プロセス）以外に、より多くの考えられる組み合わせおよび置換が可能であることを当業者は認識し得る。本開示は、特許請求の範囲を含む本開示の範囲内に含まれるすべての代替、変形、および変更を包含することが意図される。
【符号の説明】
【0201】
１０…半導体発光装置
２０…基板
２１…基板表面
２２…基板裏面
２３～２６…第１～第４基板側面
３０…表面電極
３１…素子表面電極
３２，３２ＡＡ～３２ＡＤ，３２ＢＡ～３２ＢＤ…ワイヤ接続電極
３２Ｅ…凹部
３２Ｆ…突出部
３２Ｇ…切欠部
３３…接着パターン
３３Ａ…第１周端部
３３Ｂ…第２周端部
３３Ｃ，３３Ｄ…曲面部
３３Ｓ…パターン表面
３３ＡＡ，３３ＢＡ…はみ出しパターン
３４…レジストパターン
３５…第１パターン
３５Ａ…第１分離パターン
３５Ｂ…第２分離パターン
３６…第２パターン
３６Ａ…第１分離パターン
３６Ｂ…第２分離パターン
３７…第３パターン
３７Ａ…第１分離パターン
３７Ｂ…第２分離パターン
３８…第４パターン
４０…裏面電極
５１…第１接着剤
５２…第２接着剤
５２Ａ…厚接着部
５２Ｂ…はみ出し部
６０…端面発光素子
６１…素子表面
６２…素子裏面
６３…素子電極
６４…裏面電極
６５，６５ＡＡ～６５ＡＤ，６５ＢＡ～６５ＢＤ…発光部
７０…キャップ
７１～７４…第１～第４側壁
７５…上壁
７６…開口端面
８０…サブマウント基板
８１…表面
８２…裏面
８３…貫通配線
９０…連通部
９０Ａ…第１連通部
９０Ｂ…第２連通部
８２０…基板
８２１…基板表面
８２２…基板裏面
８３３…接着パターン
８３３Ａ，８３３Ｃ…接着パターン（第１接着パターン）
８３３Ｂ，８３３Ｄ…接着パターン（第２接着パターン）
８３３Ｓ…パターン表面
８３９…連結部
Ｄ…離間距離
Ｗ，Ｗ１Ａ～Ｗ４Ａ，Ｗ１Ｂ～Ｗ４Ｂ…ワイヤ
ＶＬ…中心仮想線
ＷＡ…接着パターンの幅寸法
ＷＰ，ＷＱ…はみ出しパターンの幅寸法
ＬＰ，ＬＱ…はみ出しパターンの長さ寸法
ＨＷ…連通部の開口寸法
ＨＴ…連通部の開口厚さ寸法
Ｓ…密閉空間
ＣＬＸ，ＣＬＹ，ＣＬＺ…切断線
２０…基板
２１…基板表面
２２…基板裏面
２３～２６…第１～第４基板側面
３０…表面電極
３１…素子表面電極
３２，３２ＡＡ～３２ＡＤ，３２ＢＡ～３２ＢＤ…ワイヤ接続電極
３２Ｅ…凹部
３２Ｆ…突出部
３２Ｇ…切欠部
３３…接着パターン
３３Ａ…第１周端部
３３Ｂ…第２周端部
３３Ｃ，３３Ｄ…曲面部
３３Ｓ…パターン表面
３３ＡＡ，３３ＢＡ…はみ出しパターン
３４…レジストパターン
３５…第１パターン
３５Ａ…第１分離パターン
３５Ｂ…第２分離パターン
３６…第２パターン
３６Ａ…第１分離パターン
３６Ｂ…第２分離パターン
３７…第３パターン
３７Ａ…第１分離パターン
３７Ｂ…第２分離パターン
３８…第４パターン
４０…裏面電極
５１…第１接着剤
５２…第２接着剤
５２Ａ…厚接着部
５２Ｂ…はみ出し部
６０…端面発光素子
６１…素子表面
６２…素子裏面
６３…素子電極
６４…裏面電極
６５，６５ＡＡ～６５ＡＤ，６５ＢＡ～６５ＢＤ…発光部
７０…キャップ
７１～７４…第１～第４側壁
７５…上壁
７６…開口端面
８０…サブマウント基板
８１…表面
８２…裏面
８３…貫通配線
９０…連通部
９０Ａ…第１連通部
９０Ｂ…第２連通部
８２０…基板
８２１…基板表面
８２２…基板裏面
８３３…接着パターン
８３３Ａ，８３３Ｃ…接着パターン（第１接着パターン）
８３３Ｂ，８３３Ｄ…接着パターン（第２接着パターン）
８３３Ｓ…パターン表面
８３９…連結部
Ｄ…離間距離
Ｗ，Ｗ１Ａ～Ｗ４Ａ，Ｗ１Ｂ～Ｗ４Ｂ…ワイヤ
ＶＬ…中心仮想線
ＷＡ…接着パターンの幅寸法
ＷＰ，ＷＱ…はみ出しパターンの幅寸法
ＬＰ，ＬＱ…はみ出しパターンの長さ寸法
ＨＷ…連通部の開口寸法
ＨＴ…連通部の開口厚さ寸法
Ｓ…密閉空間
ＣＬＸ，ＣＬＹ，ＣＬＺ…切断線
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】