知財求人 - 知財ポータルサイト「IP Force」
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024165435
(43)【公開日】2024-11-28
(54)【発明の名称】半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法
(51)【国際特許分類】
H01S 5/02315 20210101AFI20241121BHJP
H01S 5/02208 20210101ALI20241121BHJP
H01L 23/02 20060101ALI20241121BHJP
【ＦＩ】
H01S5/02315
H01S5/02208
H01L23/02 F
H01L23/02 B
【審査請求】未請求
【請求項の数】20
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023081641
(22)【出願日】2023-05-17
(71)【出願人】
【識別番号】000116024
【氏名又は名称】ローム株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100105957
【弁理士】
【氏名又は名称】恩田 誠
(74)【代理人】
【識別番号】100068755
【弁理士】
【氏名又は名称】恩田 博宣
(72)【発明者】
【氏名】篠田 明人
【テーマコード（参考）】
5F173
【Ｆターム（参考）】
5F173MC06
5F173MD04
5F173MD59
5F173MD83
5F173MD84
5F173ME02
5F173ME22
5F173ME64
5F173ME76
5F173ME86
(57)【要約】
【課題】基板に対するキャップのずれを抑制すること。
【解決手段】半導体発光装置１０は、基板２０と、基板２０上に実装された端面発光素子６０と、基板２０上に設けられ、平面視において端面発光素子６０を囲む枠状に形成された接着パターン３３と、Ｚ方向において接着パターン３３と対向している枠状に形成されかつ開口端面７６および内側面を含む第１～第４側壁を有し、端面発光素子６０を収容するキャップ７０と、第１～第４側壁の開口端面７６と接着パターン３３のパターン表面３３Ｓとを接着している接着剤５０と、基板２０上に設けられ、第１～第４側壁の内側面と接することによってＺ方向と交差する方向におけるキャップ７０の移動を制限する制限部材９０と、を備える。
【選択図】図３
【解決手段】半導体発光装置１０は、基板２０と、基板２０上に実装された端面発光素子６０と、基板２０上に設けられ、平面視において端面発光素子６０を囲む枠状に形成された接着パターン３３と、Ｚ方向において接着パターン３３と対向している枠状に形成されかつ開口端面７６および内側面を含む第１～第４側壁を有し、端面発光素子６０を収容するキャップ７０と、第１～第４側壁の開口端面７６と接着パターン３３のパターン表面３３Ｓとを接着している接着剤５０と、基板２０上に設けられ、第１～第４側壁の内側面と接することによってＺ方向と交差する方向におけるキャップ７０の移動を制限する制限部材９０と、を備える。
【選択図】図３
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板と、
前記基板上に実装された半導体発光素子と、
前記基板上に設けられ、前記基板の厚さ方向から視て前記半導体発光素子を囲む枠状に形成された接着パターンと、
前記厚さ方向において前記接着パターンと対向している枠状に形成されかつ開口端面および側面を含む側壁を有し、前記半導体発光素子を収容するキャップと、
前記側壁の前記開口端面と前記接着パターンのパターン表面とを接着している接着剤と、
前記基板上に設けられ、前記側壁の前記側面と接することによって前記厚さ方向と交差する方向における前記キャップの移動を制限する制限部材と、
を備える、半導体発光装置。
前記基板上に実装された半導体発光素子と、
前記基板上に設けられ、前記基板の厚さ方向から視て前記半導体発光素子を囲む枠状に形成された接着パターンと、
前記厚さ方向において前記接着パターンと対向している枠状に形成されかつ開口端面および側面を含む側壁を有し、前記半導体発光素子を収容するキャップと、
前記側壁の前記開口端面と前記接着パターンのパターン表面とを接着している接着剤と、
前記基板上に設けられ、前記側壁の前記側面と接することによって前記厚さ方向と交差する方向における前記キャップの移動を制限する制限部材と、
を備える、半導体発光装置。
【請求項2】
前記側壁は、前記半導体発光素子からの光が通過する透光面を有し、
前記制限部材は、前記厚さ方向から視て前記透光面に対して交差する方向における前記キャップの移動を制限する
請求項１に記載の半導体発光装置。
前記制限部材は、前記厚さ方向から視て前記透光面に対して交差する方向における前記キャップの移動を制限する
請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項3】
前記制限部材は、
前記厚さ方向から視て、前記側壁と重ならない位置に設けられ、前記厚さ方向と交差する方向のうち第１方向における前記キャップの移動を制限する第１制限部と、
前記厚さ方向から視て、前記側壁と重ならない位置に設けられ、前記第１方向と直交する第２方向における前記キャップの移動を制限する第２制限部と、
を含む
請求項１に記載の半導体発光装置。
前記厚さ方向から視て、前記側壁と重ならない位置に設けられ、前記厚さ方向と交差する方向のうち第１方向における前記キャップの移動を制限する第１制限部と、
前記厚さ方向から視て、前記側壁と重ならない位置に設けられ、前記第１方向と直交する第２方向における前記キャップの移動を制限する第２制限部と、
を含む
請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項4】
前記側壁は、第１コーナ部分、第２コーナ部分、第３コーナ部分、および第４コーナ部分を含む矩形枠状に形成されており、
前記制限部材は、第１部材および第２部材を含み、
前記第１部材および前記第２部材は、前記厚さ方向から視て前記側壁の前記第１～第４コーナ部分のうち対角上に配置された前記第１コーナ部分および前記第２コーナ部分と隣り合う位置に配置されることによって前記第１制限部および前記第２制限部を構成している
請求項３に記載の半導体発光装置。
前記制限部材は、第１部材および第２部材を含み、
前記第１部材および前記第２部材は、前記厚さ方向から視て前記側壁の前記第１～第４コーナ部分のうち対角上に配置された前記第１コーナ部分および前記第２コーナ部分と隣り合う位置に配置されることによって前記第１制限部および前記第２制限部を構成している
請求項３に記載の半導体発光装置。
【請求項5】
前記制限部材は、第３部材および第４部材をさらに含み、
前記第３部材および前記第４部材は、前記第１～第４コーナ部分のうち対角上に配置された前記第３コーナ部分および前記第４コーナ部分と隣り合う位置に配置されることによって前記第１制限部および前記第２制限部を構成している
請求項４に記載の半導体発光装置。
前記第３部材および前記第４部材は、前記第１～第４コーナ部分のうち対角上に配置された前記第３コーナ部分および前記第４コーナ部分と隣り合う位置に配置されることによって前記第１制限部および前記第２制限部を構成している
請求項４に記載の半導体発光装置。
【請求項6】
前記側壁は、
前記第１方向に対向する第１側壁および第２側壁と、
前記第２方向に対向する第３側壁および第４側壁と、
を含み、
前記第１コーナ部分は、前記第１側壁と前記第３側壁とによって構成され、
前記第２コーナ部分は、前記第２側壁と前記第４側壁とによって構成され、
前記第１部材は、前記厚さ方向から視て、前記第１側壁と前記第１方向に隣り合う部分と前記第３側壁と前記第２方向に隣り合う部分とを含み、
前記第２部材は、前記厚さ方向から視て、前記第２側壁と前記第１方向に隣り合う部分と前記第４側壁と前記第２方向に隣り合う部分とを含む
請求項４に記載の半導体発光装置。
前記第１方向に対向する第１側壁および第２側壁と、
前記第２方向に対向する第３側壁および第４側壁と、
を含み、
前記第１コーナ部分は、前記第１側壁と前記第３側壁とによって構成され、
前記第２コーナ部分は、前記第２側壁と前記第４側壁とによって構成され、
前記第１部材は、前記厚さ方向から視て、前記第１側壁と前記第１方向に隣り合う部分と前記第３側壁と前記第２方向に隣り合う部分とを含み、
前記第２部材は、前記厚さ方向から視て、前記第２側壁と前記第１方向に隣り合う部分と前記第４側壁と前記第２方向に隣り合う部分とを含む
請求項４に記載の半導体発光装置。
【請求項7】
前記側壁は、
前記第１方向に対向する第１側壁および第２側壁と、
前記第２方向に対向する第３側壁および第４側壁と、
を含み、
前記第３コーナ部分は、前記第１側壁と前記第４側壁とによって構成され、
前記第４コーナ部分は、前記第２側壁と前記第３側壁とによって構成され、
前記第３部材は、前記厚さ方向から視て、前記第１側壁と前記第１方向に隣り合う部分と前記第４側壁と前記第２方向に隣り合う部分とを含み、
前記第４部材は、前記厚さ方向から視て、前記第２側壁と前記第１方向に隣り合う部分と前記第３側壁と前記第２方向に隣り合う部分とを含む
請求項５に記載の半導体発光装置。
前記第１方向に対向する第１側壁および第２側壁と、
前記第２方向に対向する第３側壁および第４側壁と、
を含み、
前記第３コーナ部分は、前記第１側壁と前記第４側壁とによって構成され、
前記第４コーナ部分は、前記第２側壁と前記第３側壁とによって構成され、
前記第３部材は、前記厚さ方向から視て、前記第１側壁と前記第１方向に隣り合う部分と前記第４側壁と前記第２方向に隣り合う部分とを含み、
前記第４部材は、前記厚さ方向から視て、前記第２側壁と前記第１方向に隣り合う部分と前記第３側壁と前記第２方向に隣り合う部分とを含む
請求項５に記載の半導体発光装置。
【請求項8】
前記側壁は、前記厚さ方向から視て、矩形枠状に形成され、かつ、
前記第１方向に対向する第１側壁および第２側壁と、
前記第２方向に対向する第３側壁および第４側壁と、
前記第１側壁と前記第３側壁とによって構成された第１コーナ部分と、
前記第２側壁と前記第４側壁とによって構成された第２コーナ部分と、
前記第１側壁と前記第４側壁とによって構成された第３コーナ部分と、
前記第２側壁と前記第３側壁とによって構成された第４コーナ部分と、
を含み、
前記制限部材は、
前記第１コーナ部分において前記側壁の内側面と隣り合う第１部材と、
前記第４コーナ部分において前記側壁の前記内側面と隣り合う第２部材と、
前記第３側壁と前記第２方向に隣り合う位置において前記第３側壁の外側面と隣り合う第３部材と、
を含み、
前記第１部材および前記第２部材は、前記第１制限部を構成し、
前記第１部材、前記第２部材、および前記第３部材は、前記第２制限部を構成している
請求項３に記載の半導体発光装置。
前記第１方向に対向する第１側壁および第２側壁と、
前記第２方向に対向する第３側壁および第４側壁と、
前記第１側壁と前記第３側壁とによって構成された第１コーナ部分と、
前記第２側壁と前記第４側壁とによって構成された第２コーナ部分と、
前記第１側壁と前記第４側壁とによって構成された第３コーナ部分と、
前記第２側壁と前記第３側壁とによって構成された第４コーナ部分と、
を含み、
前記制限部材は、
前記第１コーナ部分において前記側壁の内側面と隣り合う第１部材と、
前記第４コーナ部分において前記側壁の前記内側面と隣り合う第２部材と、
前記第３側壁と前記第２方向に隣り合う位置において前記第３側壁の外側面と隣り合う第３部材と、
を含み、
前記第１部材および前記第２部材は、前記第１制限部を構成し、
前記第１部材、前記第２部材、および前記第３部材は、前記第２制限部を構成している
請求項３に記載の半導体発光装置。
【請求項9】
前記第１部材および前記第２部材は、前記第２方向が長さ方向となり、前記第１方向が幅方向となる矩形状であり、
前記第３部材は、前記第１方向が長さ方向となり、前記第２方向が幅方向となる矩形状である
請求項８に記載の半導体発光装置。
前記第３部材は、前記第１方向が長さ方向となり、前記第２方向が幅方向となる矩形状である
請求項８に記載の半導体発光装置。
【請求項10】
前記側壁は、前記厚さ方向から視て前記第１方向が長手方向となり、前記第２方向が短手方向となる矩形枠状に形成されており、
前記第３部材の長さ寸法は、前記第１部材および前記第２部材の各々の長さ寸法よりも長い
請求項９に記載の半導体発光装置。
前記第３部材の長さ寸法は、前記第１部材および前記第２部材の各々の長さ寸法よりも長い
請求項９に記載の半導体発光装置。
【請求項11】
前記半導体発光素子は、前記第２方向において前記第４側壁と隣り合う位置に配置されている
請求項８に記載の半導体発光装置。
請求項８に記載の半導体発光装置。
【請求項12】
前記制限部材は、前記厚さ方向から視て前記半導体発光素子を囲む枠状に形成されている
請求項１に記載の半導体発光装置。
請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項13】
前記制限部材は、前記厚さ方向から視て前記側壁の内側面の周方向の全体にわたり設けられている
請求項１２に記載の半導体発光装置。
請求項１２に記載の半導体発光装置。
【請求項14】
前記制限部材は、前記厚さ方向から視て前記側壁の外側面の周方向の全体にわたり設けられている
請求項１２に記載の半導体発光装置。
請求項１２に記載の半導体発光装置。
【請求項15】
前記制限部材は、絶縁材料によって形成されている
請求項１に記載の半導体発光装置。
請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項16】
前記接着パターンよりも内側に設けられ、前記半導体発光素子と電気的に接続された表面電極を備え、
前記制限部材は、前記接着パターン上および前記表面電極上の少なくとも一方に設けられている
請求項１５に記載の半導体発光装置。
前記制限部材は、前記接着パターン上および前記表面電極上の少なくとも一方に設けられている
請求項１５に記載の半導体発光装置。
【請求項17】
前記制限部材は、金属材料によって形成されている
請求項１に記載の半導体発光装置。
請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項18】
前記接着パターンよりも内側に設けられ、前記半導体発光素子と電気的に接続された表面電極を備え、
前記制限部材は、前記接着パターンまたは前記表面電極と一体に形成されている
請求項１７に記載の半導体発光装置。
前記制限部材は、前記接着パターンまたは前記表面電極と一体に形成されている
請求項１７に記載の半導体発光装置。
【請求項19】
前記半導体発光素子は、前記半導体発光素子からの光が前記側壁を介して前記半導体発光装置の外部に出射されるように構成された端面発光素子である
請求項１～１８のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
請求項１～１８のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
【請求項20】
基板に半導体発光素子を配置する工程と、
前記基板に設けられ、前記基板の厚さ方向から視て前記半導体発光素子を囲む接着パターンのパターン表面に接着剤を塗布する工程と、
前記厚さ方向において前記接着パターンと対向している枠状に形成されかつ開口端面および側面を含む側壁を有するキャップを、前記接着剤上に配置して前記半導体発光素子を収容する工程と、
前記接着剤を硬化して前記接着パターンに前記キャップを接着する工程と、
を備え、
前記基板は、前記基板上に設けられ、前記側壁の前記側面と接することによって前記厚さ方向と交差する方向における前記キャップの移動を制限する制限部材を含み、
前記接着パターンに前記キャップを接着する工程では、前記キャップに対して前記接着パターンに向けて荷重を加えた状態で前記接着剤を硬化させる
半導体発光装置の製造方法。
前記基板に設けられ、前記基板の厚さ方向から視て前記半導体発光素子を囲む接着パターンのパターン表面に接着剤を塗布する工程と、
前記厚さ方向において前記接着パターンと対向している枠状に形成されかつ開口端面および側面を含む側壁を有するキャップを、前記接着剤上に配置して前記半導体発光素子を収容する工程と、
前記接着剤を硬化して前記接着パターンに前記キャップを接着する工程と、
を備え、
前記基板は、前記基板上に設けられ、前記側壁の前記側面と接することによって前記厚さ方向と交差する方向における前記キャップの移動を制限する制限部材を含み、
前記接着パターンに前記キャップを接着する工程では、前記キャップに対して前記接着パターンに向けて荷重を加えた状態で前記接着剤を硬化させる
半導体発光装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
基板と、基板上に配置された半導体発光素子と、基板上に設けられ、半導体発光素子を収容するキャップと、を備える半導体発光装置が知られている（例えば特許文献１参照）。このような半導体発光装置では、キャップは、例えば接着剤によって基板に接着されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０２１－１７４８２０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
ところで、接着剤を硬化させるときにキャップが基板に対してずれる場合がある。
【課題を解決するための手段】
【0005】
上記課題を解決する半導体発光装置は、基板と、前記基板上に実装された半導体発光素子と、前記基板上に設けられ、前記基板の厚さ方向から視て前記半導体発光素子を囲む枠状に形成された接着パターンと、前記厚さ方向において前記接着パターンと対向している枠状に形成されかつ開口端面および側面を含む側壁を有し、前記半導体発光素子を収容するキャップと、前記側壁の前記開口端面と前記接着パターンのパターン表面とを接着している接着剤と、前記基板上に設けられ、前記側壁の前記側面と接することによって前記厚さ方向と交差する第１方向における前記キャップの移動を制限する制限部材と、を備える。
【0006】
上記課題を解決する半導体発光装置の製造方法は、基板に半導体発光素子を配置する工程と、前記基板に設けられ、前記基板の厚さ方向から視て前記半導体発光素子を囲む接着パターンのパターン表面に接着剤を塗布する工程と、前記厚さ方向において前記接着パターンと対向している枠状に形成されかつ開口端面および側面を含む側壁を有するキャップを、前記接着剤上に配置して前記半導体発光素子を収容する工程と、前記接着剤を硬化して前記接着パターンに前記キャップを接着する工程と、を備え、前記基板は、前記基板上に設けられ、前記側壁の前記側面と接することによって前記厚さ方向と交差する第１方向における前記キャップの移動を制限する制限部材を含み、前記接着パターンに前記キャップを接着する工程では、前記キャップに対して前記接着パターンに向けて荷重を加えた状態で前記接着剤を硬化させる。
【発明の効果】
【0007】
上記半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法によれば、基板に対するキャップのずれを抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【0008】
【発明を実施するための形態】
【0009】
以下、添付図面を参照して本開示の半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法のいくつかの実施形態を説明する。なお、説明を簡単かつ明確にするため、図面に示される構成要素は必ずしも一定の縮尺に描かれていない。また、理解を容易にするため、断面図では、ハッチング線が省略されている場合がある。添付の図面は、本開示の実施形態を例示するに過ぎず、本開示を制限するものとみなされるべきではない。
【0010】
以下の詳細な説明は、本開示の例示的な実施形態を具体化する装置、システム、および方法を含む。この詳細な記載は本来説明のためのものに過ぎず、本開示の実施形態またはこのような実施形態の適用および使用を制限することを意図しない。
【0011】
また以下の説明において、「Ａ部品の幅（寸法）がＢ部品の幅（寸法）と等しい」、「Ａ部品の長さ（寸法）がＢ部品の長さ（寸法）と等しい」、および「Ａ部品の厚さ（寸法）がＢ部品の厚さ（寸法）と等しい」との記載は、Ａ部品の幅（長さ、厚さ）寸法とＢ部品の幅（長さ、厚さ）寸法との差がＡ部品の幅（長さ、厚さ）寸法の１０％以内であることを意味する。
【0012】
＜第１実施形態＞
［半導体発光装置の全体構成］
図１～図３を参照して、第１実施形態の半導体発光装置１０の全体構成について説明する。図１は、半導体発光装置１０の斜視構造を示している。図２は、半導体発光装置１０の内部の平面構造を模式的に示している。図３は、図２のＦ３－Ｆ３線で半導体発光装置１０を切断した断面構造を示している。なお、図３では、図面の理解を容易にするため、後述するワイヤＷを省略している。
［半導体発光装置の全体構成］
図１～図３を参照して、第１実施形態の半導体発光装置１０の全体構成について説明する。図１は、半導体発光装置１０の斜視構造を示している。図２は、半導体発光装置１０の内部の平面構造を模式的に示している。図３は、図２のＦ３－Ｆ３線で半導体発光装置１０を切断した断面構造を示している。なお、図３では、図面の理解を容易にするため、後述するワイヤＷを省略している。
【0013】
図１に示すように、半導体発光装置１０は、矩形平板状の基板２０と、基板２０上に設けられた端面発光素子６０（図２参照）と、基板２０上に設けられ、端面発光素子６０を収容するキャップ７０と、を備える。ここで、基板２０の厚さ方向を「Ｚ方向」とする。Ｚ方向は、半導体発光装置１０の厚さ方向であるともいえる。Ｚ方向と直交する方向のうち互いに直交する２方向をそれぞれ「Ｘ方向」および「Ｙ方向」とする。また、本明細書において、「平面視」とは、半導体発光装置１０を基板２０の厚さ方向（Ｚ方向）から視ることをいう。図１の例では、基板２０は、平面視において、Ｘ方向が長手方向となり、Ｙ方向が短手方向となる矩形状に形成されている。
【0014】
基板２０は、Ｚ方向において互いに反対側を向く基板表面２１および基板裏面２２と、基板表面２１および基板裏面２２と交差する第１～第４基板側面２３～２６と、を有する。第１実施形態では、基板表面２１および基板裏面２２の双方は、Ｚ方向と直交した平面として形成されている。一例では、第１～第４基板側面２３～２６は、基板表面２１および基板裏面２２と直交する平面である。第１基板側面２３および第２基板側面２４は基板２０のＸ方向の両端面を構成し、第３基板側面２５および第４基板側面２６は基板２０のＹ方向の両端面を構成している。
【0015】
一例では、基板２０は、ガラスエポキシ樹脂によって形成されている。なお、基板２０はセラミックを含む材料によって形成されていてもよい。セラミックを含む材料としては、例えば窒化アルミニウム（ＡｌＮ）またはアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）などが挙げられる。基板２０がセラミックを含む材料によって形成されている場合、基板２０の放熱性能が向上するため、端面発光素子６０の温度が過度に高くなることを抑制できる。
【0016】
図２に示すように、端面発光素子６０は、例えば所定の波長帯の光を出射するレーザダイオードであり、半導体発光装置１０の光源として機能する。端面発光素子６０は、端面発光型レーザ素子である。端面発光型レーザ素子としての端面発光素子６０の構成は特に限定されないが、例えばファブリ・ペロー型レーザダイオード素子が採用されてよい。一例では、端面発光素子６０は、平面視において第４基板側面２６に向けて光を出射するように構成されている。端面発光素子６０は、「半導体発光素子」に対応している。また、端面発光素子６０は、「半導体レーザ素子」に対応しているともいえる。
【0017】
半導体発光装置１０は、基板２０の基板表面２１に形成された複数（図２の例では９つ）の表面電極３０を備える。複数の表面電極３０は、互いに離隔して配置されている。複数の表面電極３０は、例えば銅箔と銅箔上に形成された金（Ａｕ）めっきによって形成されている。なお、複数の表面電極３０の材料は、銅（Ｃｕ）およびＡｕに限られず、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、パラジウム（Ｐｄ）、および銀（Ａｇ）のうち少なくとも１つを含んでいてもよい。
【0018】
複数の表面電極３０は、素子表面電極３１と、複数（図２の例では８つ）のワイヤ接続電極３２と、を含む。素子表面電極３１および複数のワイヤ接続電極３２の各々は、端面発光素子６０と電気的に接続される表面電極である。
【0019】
素子表面電極３１は、Ｙ方向において基板表面２１の中央よりも第４基板側面２６寄りに配置されている。素子表面電極３１は、Ｘ方向が長手方向となり、Ｙ方向が短手方向となる矩形状である。一例では、素子表面電極３１のＸ方向の寸法は、Ｙ方向の寸法の２倍よりも大きく４倍よりも小さい。一例では、素子表面電極３１のＸ方向の寸法は、基板表面２１のＸ方向の寸法の１／２よりも大きい。
【0020】
素子表面電極３１の周囲には、レジストパターン３４が形成されている。レジストパターン３４は、平面視においてＸ方向の両側およびＹ方向における第３基板側面２５側から素子表面電極３１を囲むＵ字状に形成されている。レジストパターン３４は、例えば絶縁材料によって形成されている。絶縁材料としては、例えばエポキシ樹脂を用いることができる。
【0021】
複数のワイヤ接続電極３２は、素子表面電極３１を囲むように配置されている。より詳細には、複数のワイヤ接続電極３２は、素子表面電極３１のＸ方向の両側、および素子表面電極３１よりも第３基板側面２５寄りに配置されている。一方、ワイヤ接続電極３２は、素子表面電極３１よりも第４基板側面２６寄りには配置されていない。複数のワイヤ接続電極３２は、端面発光素子６０を囲むように配置されているといえる。複数のワイヤ接続電極３２の詳細については後述する。
【0022】
半導体発光装置１０は、素子表面電極３１上に実装されたサブマウント基板８０を備える。一例では、サブマウント基板８０は、素子表面電極３１にダイボンディングされている。サブマウント基板８０は、端面発光素子６０を支持する基板であり、例えばセラミックを含む材料によって形成されている。セラミックを含む材料としては、例えばＡｌＮまたはＡｌ２Ｏ３などが挙げられる。サブマウント基板８０がセラミックを含む材料によって形成されている場合、サブマウント基板８０の放熱性能が向上するため、端面発光素子６０の熱がサブマウント基板８０を介して基板２０に移動しやすくなる。したがって、端面発光素子６０の温度が過度に高くなることを抑制できる。
【0023】
なお、サブマウント基板８０を構成する材料は任意に変更可能である。サブマウント基板８０は、例えば導電性および放熱性の高い金属材料によって形成されていてもよい。この金属材料としては、例えばＡｇ、Ｃｕ等が用いられてよい。一例では、サブマウント基板８０は、矩形平板状のＣｕによって形成されていてよい。また一例では、サブマウント基板８０は、シリコン（Ｓｉ）を含む材料によって形成されていてよい。
【0024】
図２および図３に示すように、サブマウント基板８０は、Ｚ方向を厚さ方向とする矩形平板状に形成されている。一例では、サブマウント基板８０は、平面視においてＸ方向が長手方向となり、Ｙ方向が短手方向となる矩形状に形成されている。一例では、平面視において、サブマウント基板８０は、素子表面電極３１よりも一回り小さい。
【0025】
図３に示すように、サブマウント基板８０の厚さは、基板２０の厚さよりも厚い。なお、サブマウント基板８０の厚さは任意に変更可能であり、例えば基板２０の厚さ以下であってもよい。
【0026】
サブマウント基板８０は、Ｚ方向において互いに反対側を向く表面８１および裏面８２を有する。図３の例では、表面８１および裏面８２の双方は、Ｚ方向と直交した平面として形成されている。表面８１は基板表面２１と同じ側を向き、裏面８２は基板裏面２２と同じ側を向いている。サブマウント基板８０の表面８１には、端面発光素子６０が実装されている。一例では、端面発光素子６０は、サブマウント基板８０の表面８１にダイボンディングされている。
【0027】
サブマウント基板８０には、その厚さ方向に貫通する貫通配線８３が設けられている。貫通配線８３は、端面発光素子６０と素子表面電極３１とを電気的に接続する配線である。貫通配線８３は、例えばＣｕを含む材料によって形成されている。なお、貫通配線８３の構成材料は、Ｃｕに限られず、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）、およびＡｌの少なくとも１つを含んでいてもよい。なお、貫通配線８３の個数は任意に変更可能である。一例では、貫通配線８３は複数設けられていてもよい。
【0028】
なお、サブマウント基板８０がＣｕ等の導電性の材料によって構成されている場合、貫通配線８３を省略することができる。つまり、端面発光素子６０と素子表面電極３１とは、導電性のサブマウント基板８０によって電気的に接続することができる。
【0029】
図２および図３に示すように、サブマウント基板８０上に実装された端面発光素子６０は、Ｚ方向を厚さ方向とする矩形平板状に形成されている。端面発光素子６０は、平面視において、Ｘ方向が長手方向となり、Ｙ方向が短手方向となる矩形状である。一例では、平面視において、端面発光素子６０は、サブマウント基板８０よりも一回り小さい。
【0030】
端面発光素子６０の厚さは、サブマウント基板８０の厚さよりも薄い。また、端面発光素子６０の厚さは、基板２０の厚さよりも薄い。なお、端面発光素子６０の厚さは任意に変更可能であり、例えば基板２０の厚さ以上であってもよいし、サブマウント基板８０の厚さ以上であってもよい。
【0031】
端面発光素子６０は、Ｚ方向において互いに反対側を向く素子表面６１および素子裏面６２を有する。図３の例では、素子表面６１および素子裏面６２の双方は、Ｚ方向と直交した平面として形成されている。端面発光素子６０は、素子表面６１に形成された複数（図３の例では８つ）の素子電極６３と、素子裏面６２を構成する裏面電極６４と、を含む。また、端面発光素子６０は、複数の素子電極６３ごとに発光部６５（図２参照）を有する。平面視において、複数の素子電極６３は、Ｘ方向に離隔して配列されている。このため、複数（図２の例では８つ）の発光部６５は、Ｘ方向に配列されている。複数の発光部６５の各々は、平面視において第４基板側面２６に向けてレーザ光を出射するように構成されている。
【0032】
複数の素子電極６３は、平面視においてＹ方向が長手方向となり、Ｘ方向が短手方向となる矩形状に形成されている。図３の例では、複数の素子電極６３は、複数の発光部６５の個別のアノード電極を構成している。裏面電極６４は、例えば端面発光素子６０の素子裏面６２の全体にわたり形成されている。図３の例では、裏面電極６４は、複数の発光部６５に対して共通のカソード電極を構成している。複数の素子電極６３および裏面電極６４は、例えばＡｕによって形成されている。なお、複数の素子電極６３および裏面電極６４の構成材料は、Ａｕに限られず、Ａｌ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ａｇ、およびＣｕのうち少なくとも１つを含んでいてもよい。
【0033】
端面発光素子６０は、図示していない導電性接合材によってサブマウント基板８０に実装されている。このため、裏面電極６４は、導電性接合材によってサブマウント基板８０（貫通配線８３）と電気的に接続されている。裏面電極６４は、貫通配線８３を介して素子表面電極３１と電気的に接続されている。なお、導電性接合材としては、例えばはんだペースト、銀ペーストが挙げられる。
【0034】
図２に示すように、半導体発光装置１０は、複数の発光部６５と複数のワイヤ接続電極３２とを個別に電気的に接続する複数のワイヤＷ１Ａ～Ｗ４Ａ，Ｗ１Ｂ～Ｗ４Ｂを備える。複数のワイヤＷ１Ａ～Ｗ４Ａ，Ｗ１Ｂ～Ｗ４Ｂは、例えばボンディングワイヤである。複数のワイヤＷ１Ａ～Ｗ４Ａ，Ｗ１Ｂ～Ｗ４Ｂは、例えばＡｕを含む材料によって形成されている。複数のワイヤＷ１Ａ～Ｗ４Ａ，Ｗ１Ｂ～Ｗ４Ｂは、Ａｕに代えて、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌの少なくとも１つを含む材料によって形成されていてもよい。
【0035】
図３に示すように、半導体発光装置１０は、基板２０の基板裏面２２に形成された複数（一例では９つ）の裏面電極４０を備える。複数の裏面電極４０は、互いに離隔し配置されている。複数の裏面電極４０の数は、例えば複数の表面電極３０（図２参照）の数に応じて設定される。複数の裏面電極４０は、例えば銅箔と銅箔上に形成されたＡｕめっきによって形成されている。なお、複数の裏面電極４０の構成材料は、ＣｕおよびＡｕに限られず、Ａｌ、Ｎｉ、Ｐｄ、およびＡｇのうち少なくとも１つを含んでいてもよい。
【0036】
図示していないが、複数の裏面電極４０は、素子裏面電極と、複数（一例では８つ）のワイヤ裏面電極と、を含む。素子裏面電極は、素子表面電極３１と電気的に接続されている。複数のワイヤ裏面電極は、基板表面２１に形成された複数のワイヤ接続電極３２（図２参照）と個別に電気的に接続されている。複数の裏面電極４０と複数の表面電極３０とは、複数の貫通配線４１（図３参照）によって個別に電気的に接続されている。各貫通配線４１は、基板２０をその厚さ方向（Ｚ方向）に貫通している。
【0037】
図２に示すように、半導体発光装置１０は、基板表面２１に形成された接着パターン３３を備える。接着パターン３３は、基板表面２１と同じ側を向くパターン表面３３Ｓを含む。一例では、接着パターン３３は、所定の幅を有しかつこの幅と直交する長さ方向に延びた枠状である。接着パターン３３は、平面視において、複数の表面電極３０を囲む枠状に形成されている。一例では、接着パターン３３は、矩形枠状に形成されている。図２の例では、接着パターン３３は、Ｘ方向が長手方向となり、Ｙ方向が短手方向となる矩形枠状である。一例では、接着パターン３３の外周縁は、基板２０の外周縁よりも一回り小さい。一例では、接着パターン３３は、全周にわたり同じの幅寸法ＷＡを有する。ここで、接着パターン３３の幅寸法ＷＡは、平面視において接着パターン３３が延びる方向（長さ方向）と直交する方向の寸法である。接着パターン３３の厚さ寸法ＴＤ（図５参照）は、例えば５０μｍ以上１００μｍ以下である。接着パターン３３の幅寸法ＷＡは、例えば５０μｍ以上５００μｍ以下である。
【0038】
接着パターン３３は、例えば金属層によって形成されている。一例では、接着パターン３３は、複数の表面電極３０と同じ材料によって形成されている。なお、接着パターン３３は、複数の表面電極３０とは異なる材料によって形成されていてもよい。一例では、接着パターン３３は、絶縁層によって形成されていてもよい。接着パターン３３は、例えばレジストパターン３４と同じ材料によって形成されていてもよい。
【0039】
このように、接着パターン３３は、金属層または絶縁層によって形成されているため、基板表面２１からＺ方向に僅かに突出して設けられている。一例では、接着パターン３３の厚さは、例えば複数の表面電極３０の厚さと等しい。なお、接着パターン３３の厚さは任意に変更可能であり、例えば複数の表面電極３０の厚さよりも厚くてもよいし、薄くてもよい。
【0040】
接着パターン３３のパターン表面３３Ｓは、例えばＺ方向に直交する平坦面によって形成されている。接着パターン３３のパターン表面３３Ｓには、接着剤５０（図３参照）が塗布されている。平面視において、接着剤５０は、例えば接着パターン３３の全周にわたり形成されている。接着パターン３３が接着剤５０の濡れ広がりを抑制するため、接着剤５０が接着パターン３３からはみ出すことを抑制できる。
【0041】
図３に示すように、接着パターン３３上には、接着剤５０によってキャップ７０が固定されている。このため、キャップ７０は、基板２０上に設けられているともいえる。キャップ７０は、基板２０に向けてＺ方向に開口する箱状に形成されている。一例では、キャップ７０は、ガラス材料によって形成されている。なお、キャップ７０は、ガラス材料に代えて、樹脂材料によって形成されていてもよい。この樹脂材料としては、例えばアクリル樹脂、エポキシ樹脂が挙げられる。また、キャップ７０は、金属およびセラミックのいずれかによって形成されていてもよい。金属としては、例えばＡｌ、鉄（Ｆｅ）、およびＣｕ等が挙げられる。セラミックとしては、例えばＡｌＮ、Ａｌ２Ｏ３等が挙げられる。
【0042】
図１に示すように、キャップ７０は、平面視において矩形枠状に形成された第１～第４側壁７１～７４と、第１～第４側壁７１～７４によって形成された開口部のＺ方向の一端を覆う上壁７５と、を有する。一例では、第１～第４側壁７１～７４と上壁７５とは一体に形成されている。第１側壁７１および第２側壁７２はキャップ７０のＸ方向の両端の側壁を構成し、第３側壁７３および第４側壁７４はキャップ７０のＹ方向の両端の側壁を構成している。第１側壁７１はキャップ７０のＸ方向の両端の側壁のうち基板２０の第１基板側面２３に近い方の側壁を構成し、第２側壁７２は基板２０の第２基板側面２４に近い方の側壁を構成している。第３側壁７３はキャップ７０のＹ方向の両端の側壁のうち基板２０の第３基板側面２５に近い方の側壁を構成し、第４側壁７４は基板２０の第４基板側面２６に近い方の側壁を構成している。第１～第４側壁７１～７４は、接着パターン３３とＺ方向に対向している。平面視における第１～第４側壁７１～７４は、平面視における接着パターン３３の形状と同じである。このため、平面視における第１～第４側壁７１～７４の形状は、Ｘ方向が長手方向となり、Ｙ方向が短手方向となる矩形状である。平面視においてＹ方向に沿って延びる第１側壁７１および第２側壁７２は、第１～第４側壁７１～７４のうち短手方向に延びた部分を構成している。平面視においてＸ方向に沿って延びる第３側壁７３および第４側壁７４は、第１～第４側壁７１～７４のうち長手方向に延びた部分を構成している。
【0043】
図３に示すように、キャップ７０は、開口端面７６を含む。開口端面７６は、第１～第４側壁７１～７４の先端面によって形成されている。開口端面７６は、例えばＺ方向に直交する方向に平行な平坦面によって形成されている。
【0044】
一例では、キャップ７０がガラス材料または樹脂材料によって形成されている場合、第１～第３側壁７１～７３および上壁７５は半透明に形成され、第４側壁７４は透明に形成されている。端面発光素子６０が出射したレーザ光は、第４側壁７４を通過して半導体発光装置１０の外部に出射される。つまり、第４側壁７４は、端面発光素子６０から出射されたレーザ光が通過する透光面を含む。ここで、第４側壁７４が接着パターン３３の一部とＺ方向に対向しているため、キャップ７０は、平面視において接着パターン３３と対応した位置に透光面を含むといえる。そして第４側壁７４が第１～第４側壁７１～７４のうち長手方向に延びた部分を構成しているため、透光面は、第１～第４側壁７１～７４のうち長手方向に延びた部分に形成されているといえる。
【0045】
また一例では、キャップ７０が金属またはセラミックで形成されている場合、第４側壁７４には開口部と、開口部を閉塞するとともに端面発光素子６０のレーザ光が通過可能とする窓部材と、が設けられている。これにより、第４側壁７４は透光面を含むといえる。
【0046】
［ワイヤ接続電極の構成］
図２を参照して、複数のワイヤ接続電極３２の詳細な構成について説明する。
図２に示すように、複数のワイヤ接続電極３２は、平面視において基板２０のＸ方向の中央であってＹ方向に沿って延びる中心仮想線ＶＬに対して線対称となるように形成されている。以下では、複数のワイヤ接続電極３２のうち中心仮想線ＶＬよりも第１基板側面２３寄りの４つのワイヤ接続電極３２をワイヤ接続電極３２ＡＡ，３２ＡＢ，３２ＡＣ，３２ＡＤとし、中心仮想線ＶＬよりも第２基板側面２４寄りの４つのワイヤ接続電極３２をワイヤ接続電極３２ＢＡ，３２ＢＢ，３２ＢＣ，３２ＢＤとする。ワイヤ接続電極３２ＡＡ～３２ＡＤは、中心仮想線ＶＬから離れる方向に向けて、すなわち中心仮想線ＶＬから第１基板側面２３に向けて、ワイヤ接続電極３２ＡＡ，３２ＡＢ，３２ＡＣ，３２ＡＤの順に配列されている。ワイヤ接続電極３２ＢＡ～３２ＢＤは、中心仮想線ＶＬから離れる方向に向けて、すなわち中心仮想線ＶＬから第２基板側面２４に向けて、ワイヤ接続電極３２ＢＡ，３２ＢＢ，３２ＢＣ，３２ＢＤの順に配列されている。
図２を参照して、複数のワイヤ接続電極３２の詳細な構成について説明する。
図２に示すように、複数のワイヤ接続電極３２は、平面視において基板２０のＸ方向の中央であってＹ方向に沿って延びる中心仮想線ＶＬに対して線対称となるように形成されている。以下では、複数のワイヤ接続電極３２のうち中心仮想線ＶＬよりも第１基板側面２３寄りの４つのワイヤ接続電極３２をワイヤ接続電極３２ＡＡ，３２ＡＢ，３２ＡＣ，３２ＡＤとし、中心仮想線ＶＬよりも第２基板側面２４寄りの４つのワイヤ接続電極３２をワイヤ接続電極３２ＢＡ，３２ＢＢ，３２ＢＣ，３２ＢＤとする。ワイヤ接続電極３２ＡＡ～３２ＡＤは、中心仮想線ＶＬから離れる方向に向けて、すなわち中心仮想線ＶＬから第１基板側面２３に向けて、ワイヤ接続電極３２ＡＡ，３２ＡＢ，３２ＡＣ，３２ＡＤの順に配列されている。ワイヤ接続電極３２ＢＡ～３２ＢＤは、中心仮想線ＶＬから離れる方向に向けて、すなわち中心仮想線ＶＬから第２基板側面２４に向けて、ワイヤ接続電極３２ＢＡ，３２ＢＢ，３２ＢＣ，３２ＢＤの順に配列されている。
【0047】
ワイヤ接続電極３２ＡＡ～３２ＡＣ，３２ＢＡ～３２ＢＣは、Ｙ方向から視て、素子表面電極３１と重なる位置に配置されている。ワイヤ接続電極３２ＡＤ，３２ＢＤは、素子表面電極３１のＸ方向の両側に分散して配置されている。
【0048】
ワイヤ接続電極３２ＢＡ～３２ＢＤがワイヤ接続電極３２ＡＡ～３２ＡＤと中心仮想線ＶＬの線対称形状となるため、以下の説明では、ワイヤ接続電極３２ＡＡ～３２ＡＤについて説明し、ワイヤ接続電極３２ＢＡ～３２ＢＤの詳細な説明を省略する。
【0049】
ワイヤ接続電極３２ＡＡ～３２ＡＣは、Ｙ方向において互いに揃った状態でＸ方向において互いに離隔して配列されている。ワイヤ接続電極３２ＡＡ～３２ＡＣのＹ方向の寸法は互いに等しい。
【0050】
ワイヤ接続電極３２ＡＡは、平面視においてＹ方向が長手方向となり、Ｘ方向が短手方向となる矩形状に形成されている。
ワイヤ接続電極３２ＡＢのＸ方向の両端部のうちワイヤ接続電極３２ＡＣに近い方の端部には、ワイヤ接続電極３２ＡＡに向けて凹む凹部３２Ｅが形成されている。凹部３２Ｅは、底面と、底面からＹ方向に向かうにつれてワイヤ接続電極３２ＡＣから離れるように傾斜する一対の傾斜面と、を含む。一例では、凹部３２Ｅの底面は、平面視においてＹ方向に沿って延びている。一方、ワイヤ接続電極３２ＡＢのＸ方向の両端面のうちワイヤ接続電極３２ＡＡに近い方の端面は、平面視においてＹ方向に沿って延びている。なお、平面視における凹部３２Ｅの底面の形状は任意に変更可能である。一例では、平面視における凹部３２Ｅの底面の形状は、湾曲凹状に形成されていてもよい。
ワイヤ接続電極３２ＡＢのＸ方向の両端部のうちワイヤ接続電極３２ＡＣに近い方の端部には、ワイヤ接続電極３２ＡＡに向けて凹む凹部３２Ｅが形成されている。凹部３２Ｅは、底面と、底面からＹ方向に向かうにつれてワイヤ接続電極３２ＡＣから離れるように傾斜する一対の傾斜面と、を含む。一例では、凹部３２Ｅの底面は、平面視においてＹ方向に沿って延びている。一方、ワイヤ接続電極３２ＡＢのＸ方向の両端面のうちワイヤ接続電極３２ＡＡに近い方の端面は、平面視においてＹ方向に沿って延びている。なお、平面視における凹部３２Ｅの底面の形状は任意に変更可能である。一例では、平面視における凹部３２Ｅの底面の形状は、湾曲凹状に形成されていてもよい。
【0051】
ワイヤ接続電極３２ＡＣは、ワイヤ接続電極３２ＡＢの凹部３２Ｅに入り込むように突出した突出部３２Ｆと、ワイヤ接続電極３２ＡＤを避けるように切り欠かれた切欠部３２Ｇと、を含む。
【0052】
突出部３２Ｆは、Ｘ方向において凹部３２Ｅの底面と対向する先端面と、平面視において凹部３２Ｅの一対の傾斜面と平行となる一対の傾斜面と、を含む。突出部３２Ｆの一対の傾斜面は、Ｘ方向において凹部３２Ｅの一対の傾斜面と対向している。
【0053】
切欠部３２Ｇは、ワイヤ接続電極３２ＡＣのうちＸ方向におけるワイヤ接続電極３２ＡＢとは反対側かつＹ方向における素子表面電極３１寄りの部分に形成されている。切欠部３２Ｇは、Ｘ方向から視て、突出部３２Ｆと重なる部分を含む。このため、切欠部３２Ｇが形成されても突出部３２Ｆによってワイヤ接続電極３２ＡＣのＸ方向の寸法が過度に小さくなることが抑制される。
【0054】
ワイヤ接続電極３２ＡＤは、Ｙ方向に沿って延びている。ワイヤ接続電極３２ＡＤのＹ方向の寸法は、素子表面電極３１のＹ方向の寸法よりも大きい。Ｙ方向において、ワイヤ接続電極３２ＡＤのうち素子表面電極３１よりも第３基板側面２５寄りに突出した部分は、ワイヤ接続電極３２ＡＣの切欠部３２Ｇに入り込んでいる。この切欠部３２Ｇに入り込んだワイヤ接続電極３２ＡＣの部分の先端部は、切欠部３２Ｇの形状に沿って先細るように形成されている。
【0055】
次に、ワイヤ接続電極３２ＡＡ～３２ＡＤと複数の発光部６５との配置関係について説明する。
複数の発光部６５は、ワイヤ接続電極３２ＡＡ～３２ＡＤに対応する発光部６５ＡＡ～６５ＡＤと、ワイヤ接続電極３２ＢＡ～３２ＢＤに対応する発光部６５ＢＡ～６５ＢＤと、を含む。発光部６５ＡＡ～６５ＡＤは、Ｙ方向において互いに同じ位置であってＸ方向において互いに離隔して配列されている。発光部６５ＡＡ～６５ＡＤは、中心仮想線ＶＬから離れる方向に向けて、すなわち中心仮想線ＶＬから第１基板側面２３に向けて、発光部６５ＡＡ，６５ＡＢ，６５ＡＣ，６５ＡＤの順に配列されている。また、発光部６５ＢＡ～６５ＢＤは、中心仮想線ＶＬから離れる方向に向けて、すなわち中心仮想線ＶＬから第２基板側面２４に向けて、発光部６５ＢＡ，６５ＢＢ，６５ＢＣ，６５ＢＤの順に配列されている。
複数の発光部６５は、ワイヤ接続電極３２ＡＡ～３２ＡＤに対応する発光部６５ＡＡ～６５ＡＤと、ワイヤ接続電極３２ＢＡ～３２ＢＤに対応する発光部６５ＢＡ～６５ＢＤと、を含む。発光部６５ＡＡ～６５ＡＤは、Ｙ方向において互いに同じ位置であってＸ方向において互いに離隔して配列されている。発光部６５ＡＡ～６５ＡＤは、中心仮想線ＶＬから離れる方向に向けて、すなわち中心仮想線ＶＬから第１基板側面２３に向けて、発光部６５ＡＡ，６５ＡＢ，６５ＡＣ，６５ＡＤの順に配列されている。また、発光部６５ＢＡ～６５ＢＤは、中心仮想線ＶＬから離れる方向に向けて、すなわち中心仮想線ＶＬから第２基板側面２４に向けて、発光部６５ＢＡ，６５ＢＢ，６５ＢＣ，６５ＢＤの順に配列されている。
【0056】
ワイヤ接続電極３２ＡＡは、平面視において発光部６５ＡＡ，６５ＡＢとＹ方向に重なるように形成されている。
ワイヤ接続電極３２ＡＢは、平面視において発光部６５ＡＢよりも第１基板側面２３寄りに配置されている。ワイヤ接続電極３２ＡＢは、平面視において発光部６５ＡＣ，６５ＡＤとＹ方向に重なるように形成されている。
ワイヤ接続電極３２ＡＢは、平面視において発光部６５ＡＢよりも第１基板側面２３寄りに配置されている。ワイヤ接続電極３２ＡＢは、平面視において発光部６５ＡＣ，６５ＡＤとＹ方向に重なるように形成されている。
【0057】
ワイヤ接続電極３２ＡＣは、平面視において発光部６５ＡＣよりも第１基板側面２３寄りに配置されている。ワイヤ接続電極３２ＡＣは、平面視において発光部６５ＡＤよりも第１基板側面２３寄りに配置されている。
【0058】
ワイヤ接続電極３２ＡＤは、平面視において発光部６５ＡＤよりも第１基板側面２３寄りに配置されている。ワイヤ接続電極３２ＡＤは、平面視において発光部６５ＡＤとＸ方向に対向配置されている。
【0059】
次に、端面発光素子６０の複数の発光部６５とワイヤ接続電極３２ＡＡ～３２ＡＤとの複数のワイヤＷ１Ａ～Ｗ４Ａ，Ｗ１Ｂ～Ｗ４Ｂによる接続構成について説明する。
発光部６５ＡＡとワイヤ接続電極３２ＡＡとを接続するワイヤＷ１Ａは、例えばワイヤ接続電極３２ＡＡのうちそのＹ方向の中央に対して発光部６５ＡＡとは反対側の部分に接続されている。
発光部６５ＡＡとワイヤ接続電極３２ＡＡとを接続するワイヤＷ１Ａは、例えばワイヤ接続電極３２ＡＡのうちそのＹ方向の中央に対して発光部６５ＡＡとは反対側の部分に接続されている。
【0060】
発光部６５ＡＢとワイヤ接続電極３２ＡＢとを接続するワイヤＷ２Ａは、Ｙ方向において例えばワイヤ接続電極３２ＡＢのうち凹部３２Ｅの底面に対して発光部６５ＡＢとは反対側の部分に接続されている。
【0061】
発光部６５ＡＣとワイヤ接続電極３２ＡＣとを接続するワイヤＷ３Ａは、Ｙ方向において例えばワイヤ接続電極３２ＡＣのうち突出部３２Ｆの先端面と概ね同じ位置の部分に接続されている。
【0062】
発光部６５ＡＤとワイヤ接続電極３２ＡＤとを接続するワイヤＷ４Ａは、例えば平面視においてＸ方向に延びている。このように、平面視におけるワイヤＷ１Ａ～Ｗ４Ａの長さのばらつきが小さくなるように、ワイヤＷ１Ａ～Ｗ４Ａがワイヤ接続電極３２ＡＡ～３２ＡＤに接続されている。
【0063】
なお、発光部６５ＢＡとワイヤ接続電極３２ＢＡとを接続するワイヤＷ１Ｂ、発光部６５ＢＢとワイヤ接続電極３２ＢＢとを接続するワイヤＷ２Ｂ、発光部６５ＢＣとワイヤ接続電極３２ＢＣとを接続するワイヤＷ３Ｂ、および発光部６５ＢＤとワイヤ接続電極３２ＢＤとを接続するワイヤＷ４Ｂについても、ワイヤＷ１Ａ～Ｗ４Ａと同様にワイヤ接続電極３２ＢＡ～３２ＢＤに接続されている。
【0064】
［接着パターンおよびその周辺の構成］
図２～図６を参照して、接着パターン３３の詳細な構成について説明する。
図４は、図３のＦ４－Ｆ４線でキャップ７０を切断した状態における半導体発光装置１０の平面構造を示している。図５は、図３におけるキャップ７０の第１側壁７１の開口端面７６およびその周辺を拡大した断面構造を示している。図６は、図３におけるキャップ７０の第２側壁７２の開口端面７６およびその周辺を拡大した断面構造を示している。
図２～図６を参照して、接着パターン３３の詳細な構成について説明する。
図４は、図３のＦ４－Ｆ４線でキャップ７０を切断した状態における半導体発光装置１０の平面構造を示している。図５は、図３におけるキャップ７０の第１側壁７１の開口端面７６およびその周辺を拡大した断面構造を示している。図６は、図３におけるキャップ７０の第２側壁７２の開口端面７６およびその周辺を拡大した断面構造を示している。
【0065】
図２に示すように、平面視において矩形枠状に形成された接着パターン３３は、Ｘ方向に互いに離隔して配列された第１パターン３５および第２パターン３６と、Ｙ方向に互いに離隔して配列された第３パターン３７および第４パターン３８と、を含む。第１パターン３５および第２パターン３６の双方は、Ｙ方向に延びる帯状に形成されている。第３パターン３７および第４パターン３８の双方は、Ｘ方向に延びる帯状に形成されている。第１パターン３５および第２パターン３６のＹ方向の両端部に第３パターン３７および第４パターン３８が接続されることによって矩形枠状の接着パターン３３が形成されている。
【0066】
第１パターン３５は、平面視において第１基板側面２３とＸ方向に隣り合う位置に形成されている。第２パターン３６は、平面視において第２基板側面２４と隣り合う位置に形成されている。第１パターン３５は、平面視においてワイヤ接続電極３２ＡＣ，３２ＡＤと隣り合う位置に形成されている。第２パターン３６は、平面視においてワイヤ接続電極３２ＢＣ，３２ＢＤと隣り合う位置に形成されている。
【0067】
第３パターン３７は、平面視において第３基板側面２５とＹ方向に隣り合う位置に形成されている。第４パターン３８は、平面視において第４基板側面２６とＹ方向に隣り合う位置に形成されている。第３パターン３７は、平面視においてワイヤ接続電極３２ＡＡ～３２ＡＣ，３２ＢＡ～３２ＢＣとＹ方向に隣り合う位置に形成されている。第４パターン３８は、素子表面電極３１およびワイヤ接続電極３２ＡＤ，３２ＢＤとＹ方向に隣り合う位置に配置されている。このため、平面視において、端面発光素子６０は、Ｙ方向において第４パターン３８と隣り合う位置に配置されているといえる。
【0068】
図２に示す例では、第３パターン３７および第４パターン３８の双方の長さ寸法（Ｘ方向の寸法）は、第１パターン３５および第２パターン３６の双方の長さ寸法（Ｘ方向の寸法）よりも長い。つまり、第１パターン３５および第２パターン３６の双方は接着パターン３３のうち短手方向に延びた部分を構成しており、第３パターン３７および第４パターン３８の双方は接着パターン３３のうち長手方向に延びた部分を構成している。
【0069】
接着パターン３３の幅方向における内周側端部には、制限部材９０が設けられている。図２に示す例では、制限部材９０は、矩形枠状の接着パターン３３の全周にわたり設けられている。このため、平面視における制限部材９０の形状は、矩形枠状である。また、制限部材９０は、接着パターン３３の全周にわたり設けられているので、平面視において端面発光素子６０を囲む枠状に形成されているといえる。制限部材９０は、例えばエポキシ樹脂によって形成されている。一例では、制限部材９０は、レジストパターン３４と同じ材料によって形成されてよい。
【0070】
接着パターン３３は、平面視において、パターン表面３３Ｓ上に接着剤５０（図３参照）が塗布される領域である第１領域３３Ａと、制限部材９０が設けられる第２領域３３Ｂとに区画できる。この実施形態では、第１領域３３Ａおよび第２領域３３Ｂはともに、平面視において矩形枠状に形成されている。第１領域３３Ａおよび第２領域３３Ｂは、接着パターン３３の幅方向に区画されている。
【0071】
図２に示す例では、第１領域３３Ａは、平面視において接着パターン３３の外周縁を含む外周部に形成されている。第２領域３３Ｂは、平面視において接着パターン３３の内周縁を含む内周部に形成されている。
【0072】
第１領域３３Ａは、接着パターン３３の周方向の全体にわたり一定の幅を有する。第２領域３３Ｂは、接着パターン３３の周方向の全体にわたり一定の幅を有する。第１領域３３Ａの幅寸法Ｗ１は、第２領域３３Ｂの幅寸法Ｗ２よりも大きい。一例では、幅寸法Ｗ１は、幅寸法Ｗ２の２倍以上である。一例では、幅寸法Ｗ１は、幅寸法Ｗ２の４倍以下である。一例では、幅寸法Ｗ１は、キャップ７０の第１～第４側壁７１～７４の幅寸法Ｗ３（図４参照）と等しい。なお、幅寸法Ｗ１および幅寸法Ｗ２の各々の大きさは任意に変更可能である。
【0073】
制限部材９０は、第１パターン３５上に設けられた第１部材９１と、第２パターン３６上に設けられた第２部材９２と、第３パターン３７上に設けられた第３部材９３と、第４パターン３８上に設けられた第４部材９４と、を含む。第１部材９１および第２部材９２は、Ｙ方向に沿って延びている。第３部材９３および第４部材９４は、Ｘ方向に沿って延びている。第３部材９３および第４部材９４の長さ寸法（Ｘ方向の寸法）は、第１部材９１および第２部材９２の長さ寸法（Ｙ方向の寸法）よりも長い。このため、第１部材９１および第２部材９２の双方は制限部材９０のうち短手方向に延びた部分を構成しており、第３部材９３および第４部材９４の双方は制限部材９０のうち長手方向に延びた部分を構成している。
【0074】
制限部材９０は、第１～第４コーナ部分９５～９８を含む。第１コーナ部分９５は、第１部材９１と第３部材９３との接続部分によって構成されている。第２コーナ部分９６は、第２部材９２と第４部材９４との接続部分によって構成されている。第３コーナ部分９７は、第１部材９１と第４部材９４との接続部分によって構成されている。第４コーナ部分９８は、第２部材９２と第３部材９３との接続部分によって構成されている。
【0075】
図４に示すように、キャップ７０の第１～第４側壁７１～７４は、接着パターン３３の第１領域３３Ａ（ともに図２参照）に配置されている。より詳細には、第１～第４側壁７１～７４は、第１領域３３Ａに形成された接着剤５０（図３参照）上に配置されている。接着剤５０によって第１～第４側壁７１～７４は、接着パターン３３に接着されている。このように、第１～第４側壁７１～７４は、第２領域３３Ｂ（図２参照）とは異なる領域に配置されている。つまり、平面視において、制限部材９０は、第１～第４側壁７１～７４と重ならない位置に設けられている。
【0076】
矩形枠状の制限部材９０は、平面視において第１～第４側壁７１～７４の内側面７７の周方向の全体にわたり設けられている。制限部材９０は、キャップ７０の第１～第４側壁７１～７４と隣り合う位置に設けられている。より詳細には、平面視において制限部材９０の第１部材９１は第１側壁７１の内側面７７とＸ方向に隣り合う位置に配置されている。平面視において第２部材９２は第２側壁７２の内側面７７とＸ方向に隣り合う位置に配置されている。平面視において第３部材９３は第３側壁７３の内側面７７とＹ方向に隣り合う位置に配置されている。平面視において第４部材９４は第４側壁７４の内側面７７とＹ方向に隣り合う位置に配置されている。平面視において制限部材９０の第１コーナ部分９５はキャップ７０の第１コーナ部分７９ＡとＸ方向およびＹ方向に隣り合う位置に配置されている。平面視において制限部材９０の第２コーナ部分９６はキャップ７０の第２コーナ部分７９ＢとＸ方向およびＹ方向に隣り合う位置に配置されている。平面視において制限部材９０の第３コーナ部分９７はキャップ７０の第３コーナ部分７９ＣとＸ方向およびＹ方向に隣り合う位置に配置されている。平面視において制限部材９０の第４コーナ部分９８はキャップ７０の第４コーナ部分７９ＤとＸ方向およびＹ方向に隣り合う位置に配置されている。
【0077】
ここで、キャップ７０の第１コーナ部分７９Ａは、第１側壁７１と第３側壁７３との接続部分によって構成されている。第２コーナ部分７９Ｂは、第２側壁７２と第４側壁７４との接続部分によって構成されている。第３コーナ部分７９Ｃは、第１側壁７１と第４側壁７４との接続部分によって構成されている。第４コーナ部分７９Ｄは、第２側壁７２と第３側壁７３との接続部分によって構成されている。
【0078】
図５および図６に示すように、制限部材９０の厚さ寸法ＴＢは、接着剤５０の厚さ寸法ＴＡよりも大きい。なお、制限部材９０は、例えばその全周にわたり一定の厚さ寸法ＴＢを有する。つまり、第１部材９１の厚さ寸法、第２部材９２の厚さ寸法、第３部材９３の厚さ寸法、および第４部材９４の厚さ寸法は、互いに等しく、かつ厚さ寸法ＴＢである。このため、制限部材９０は、キャップ７０の第１～第４側壁７１～７４の内側面７７と対向する部分を含む。厚さ寸法ＴＢは、例えば２０μｍ程度である。
【0079】
一方、図７に示すように、制限部材９０（第４部材９４）の厚さ寸法ＴＢは、サブマウント基板８０の厚さ寸法ＴＣよりも小さい。つまり、サブマウント基板８０上に配置された端面発光素子６０は、Ｚ方向において、制限部材９０よりもキャップ７０の上壁７５寄りに配置されている。このため、端面発光素子６０からのレーザ光が制限部材９０に照射されることが回避される。
【0080】
また、制限部材９０の厚さ寸法ＴＢは、例えば基板２０の厚さ寸法よりも小さい。また、制限部材９０の厚さ寸法ＴＢは、例えば接着パターン３３の厚さ寸法ＴＤよりも小さい。なお、図３および図５～図７では、図面の理解を容易にするため、実際とは異なり、制限部材９０の厚さ寸法ＴＢが接着パターン３３の厚さ寸法ＴＤよりも大きくなるように示している。
【0081】
また、第１～第４部材９１～９４の各々の厚さ寸法は、任意に変更可能である。一例では、第１～第４部材９１～９４の厚さ寸法は、互いに異なっていてもよい。一例では、第３部材９３の厚さ寸法が第１部材９１、第２部材９２、および第４部材９４の厚さ寸法よりも大きくてもよい。また一例では、第４部材９４の厚さ寸法が第１～第３部材９１～９３の厚さ寸法よりも小さくてもよい。また、第４部材９４の厚さ寸法は、接着剤５０の厚さ寸法ＴＡよりも大きくかつサブマウント基板８０の厚さ寸法ＴＣ以下となるように設定される。
【0082】
このような制限部材９０の構成によれば、第１部材９１および第２部材９２は、キャップ７０のＸ方向の移動を制限することができる。第３部材９３および第４部材９４は、キャップ７０のＹ方向の移動を制限することができる。このため、図２に示すように、制限部材９０は、Ｘ方向におけるキャップ７０の移動を制限する第１制限部９０Ａと、Ｙ方向におけるキャップ７０の移動を制限する第２制限部９０Ｂと、を含むといえる。第１実施形態では、第１制限部９０Ａは、第１部材９１および第２部材９２によって構成されている。第２制限部９０Ｂは、第３部材９３および第４部材９４によって構成されている。
【0083】
図５に示すように、制限部材９０の第１部材９１とキャップ７０の第１側壁７１の内側面７７とが接触することによってＸ方向におけるキャップ７０の移動を制限している。この場合、図６に示すように、制限部材９０の第２部材９２とキャップ７０の第２側壁７２の内側面７７とのＸ方向の間には空隙ＧＰが形成されている。
【0084】
空隙ＧＰを形成する制限部材９０と第２側壁７２との間の距離ＤＧは、例えば第１領域３３Ａの幅寸法Ｗ１よりも小さい。距離ＤＧは、例えば第２領域３３Ｂの幅寸法Ｗ２（図２参照）よりも小さい。すなわち、距離ＤＧは、制限部材９０の幅寸法よりも小さいといえる。なお、距離ＤＧは、キャップ７０が接着剤５０に予め設定された接着強度以上で接合される範囲内において任意に変更可能である。
【0085】
［半導体発光装置の製造方法］
図８～図２１を参照して、半導体発光装置１０の製造方法の一例について説明する。
図８～図１６は、基板８２０の製造工程を示す概略断面構造を示している。図１７および図１８は、基板８２０の平面構造を示している。図１９は、接着剤５０にキャップ７０を配置する工程を示す断面構造を示している。図２０および図２１は、Ｙ方向から視た基板８２０およびキャップ７０の側面構造を示している。なお、図２０および図２１は、図面を容易に理解するため、基板８２０、接着パターン３３、接着剤５０、キャップ７０を模式的に示している。このため、図２０および図２１では、基板８２０、接着パターン３３、キャップ７０、および制限部材９０のＸ方向の長さに対する厚さの比率が例えば図３とは異なっている。
図８～図２１を参照して、半導体発光装置１０の製造方法の一例について説明する。
図８～図１６は、基板８２０の製造工程を示す概略断面構造を示している。図１７および図１８は、基板８２０の平面構造を示している。図１９は、接着剤５０にキャップ７０を配置する工程を示す断面構造を示している。図２０および図２１は、Ｙ方向から視た基板８２０およびキャップ７０の側面構造を示している。なお、図２０および図２１は、図面を容易に理解するため、基板８２０、接着パターン３３、接着剤５０、キャップ７０を模式的に示している。このため、図２０および図２１では、基板８２０、接着パターン３３、キャップ７０、および制限部材９０のＸ方向の長さに対する厚さの比率が例えば図３とは異なっている。
【0086】
【0087】
図８に示すように、基材８００を準備する。基材８００は、基材表面８０１と、基材表面８０１とは反対側の基材裏面８０２を有する。基材表面８０１には表面電極膜８３０が形成されている。基材裏面８０２には裏面電極膜８４０が形成されている。表面電極膜８３０は、例えば基材表面８０１の全体にわたり形成されている。裏面電極膜８４０は、例えば基材裏面８０２の全体にわたり形成されている。表面電極膜８３０および裏面電極膜８４０は、例えば銅箔と、銅箔上に形成された金メッキとによって形成されている。なお、表面電極膜８３０および裏面電極膜８４０は、ＣｕおよびＡｕに限られず、Ａｌ、Ｎｉ、Ｐｄ、およびＡｇのうち少なくとも１つを含んでいてもよい。
【0088】
次に、図９に示すように、レジスト８５０が表面電極膜８３０上に形成されている。レジスト８５０には、例えばパターニングによって開口部８５１が形成される。開口部８５１は、表面電極膜８３０のうち貫通配線４１（図３参照）が形成される領域を開口している。続いて、図１０に示すように、例えばエッチングによって開口部８５１から露出した表面電極膜８３０を除去する。これにより、開口部８５１から基材表面８０１が露出する。露出した基材表面８０１は、基材８００のうち貫通配線４１が形成される領域である。このように、表面電極膜８３０は、開口部８５１と連通する開口部８３１を有する。その後、レジスト８５０が除去される。
【0089】
次に、図１１に示すように、表面電極膜８３０の開口部８３１から露出した基材８００に対して、例えばレーザ加工によって基材８００をＺ方向に貫通する貫通孔８０３が形成される。これにより、貫通孔８０３から裏面電極膜８４０が露出している。
【0090】
次に、図１２に示すように、例えば無電解めっきによって貫通孔８０３に貫通配線４１を形成する。貫通配線４１は、貫通孔８０３を埋めている。貫通配線４１は、例えば表面電極膜８３０および裏面電極膜８４０と同じ材料によって形成される。貫通配線４１は、裏面電極膜８４０および表面電極膜８３０の双方に接続されている。
【0091】
次に、図１３に示すように、表面電極膜８３０上に表面レジスト８６０が形成され、裏面電極膜８４０上に裏面レジスト８７０が形成される。表面レジスト８６０は、例えばパターニングによって、表面電極膜８３０のうち表面電極３０に対応する部分および接着パターン３３（ともに図２参照）に対応する部分を覆うように形成される。裏面レジスト８７０は、例えばパターニングによって裏面電極４０に対応する部分を覆うように形成される。続いて、図１４に示すように、エッチングによって表面レジスト８６０から露出した表面電極膜８３０および裏面レジスト８７０から露出した裏面電極膜８４０が除去される。続いて、図１５に示すように、表面レジスト８６０および裏面レジスト８７０の双方が除去される。これにより、基材表面８０１に表面電極３０および接着パターン３３が形成され、基材裏面８０２に裏面電極４０が形成される。
【0092】
次に、図１６に示すように、接着パターン３３上に制限部材９０が形成される。より詳細には、例えばまず接着パターン３３のパターン表面３３Ｓの全面を覆うようにレジスト８９０が形成される。レジスト８９０は、例えばエポキシ樹脂が用いられる。続いて、レジスト８９０上にフォトマスク（図示略）を形成する。フォトマスクは、レジスト８９０のうち制限部材９０に対応する部分（接着パターン３３の幅方向の内周部）が露出する開口部を含む。続いて、フォトマスクを介して露光および現像することによってレジスト８９０のうち制限部材９０に対応する部分以外の部分が除去される。これにより、制限部材９０が形成される。
【0093】
ここで、制限部材９０が形成される工程において、レジストパターン３４が同時に形成されてもよい。より詳細には、例えば基材表面８０１上の全面にわたりレジスト８９０が形成される。続いて、レジスト８９０上にフォトマスクを形成する。このフォトマスクは、レジスト８９０のうち制限部材９０に対応する部分とレジストパターン３４に対応する部分の双方が露出する開口部を含む。続いて、フォトマスクを介して露光および現像することによってレジスト８９０のうち制限部材９０に対応する部分およびレジストパターン３４に対応する部分以外の部分が除去される。これにより、制限部材９０およびレジストパターン３４が形成される。このように、制限部材９０およびレジストパターン３４は、共通のレジスト８９０によって形成されてよい。
【0094】
図１７に示すように、制限部材９０は、接着パターン３３の内周縁を含む内周部において接着パターン３３の全周にわたり形成されている。つまり、制限部材９０は、平面視にいて矩形枠状に形成されている。レジストパターン３４は、素子表面電極３１のＸ方向の両端部およびＹ方向の接着パターン３３の第３パターン３７寄りの端部に設けられている。レジストパターン３４は、例えば接着パターン３３の第４パターン３８に向けて開口するＵ字状に形成されている。以上の工程を経て、基板８２０が製造される。
【0095】
図８～図１７に示す基板８２０を用意する工程の後、半導体発光装置１０の製造方法は、基板８２０にサブマウント基板８０を配置する工程と、サブマウント基板８０上に端面発光素子６０を配置する工程と、ワイヤＷ１Ａ～Ｗ４Ａ，Ｗ１Ｂ～Ｗ４Ｂ（図２参照）を形成する工程と、を主に備える。なお、以下の説明において、ワイヤＷ１Ａ～Ｗ４Ａ，Ｗ１Ｂ～Ｗ４Ｂを単に「ワイヤＷ」と称する。
【0096】
図１８に示すように、基板８２０にサブマウント基板８０を配置する工程では、まず各素子表面電極３１上に第１導電性接合材（図示略）を塗布する。続いて、第１導電性接合材上にサブマウント基板８０を配置する。つまり、この工程は、各素子表面電極３１上にサブマウント基板８０をダイボンディングしている。第１導電性接合材は、ダイボンディング材であり、例えばはんだペーストおよび銀ペーストのいずれかが用いられる。
【0097】
次に、サブマウント基板８０上に端面発光素子６０を配置する工程では、まず各サブマウント基板８０の表面８１に第２導電性接合材を塗布する。続いて、第２導電性接合材上に端面発光素子６０を配置する。つまり、この工程は、サブマウント基板８０上に端面発光素子６０をダイボンディングしている。第２導電性接合材は、ダイボンディング材であり、例えばはんだペーストおよび銀ペーストのいずれかが用いられる。なお、第１導電性接合材および第２導電性接合材は、互いに同じ材料が用いられてもよいし、互いに異なる材料が用いられてもよい。このように、端面発光素子６０は、基板８２０において接着パターン３３の枠内に配置されている。換言すると、平面視において、接着パターン３３は、端面発光素子６０を囲むように形成されている。
【0098】
この実施形態では、サブマウント基板８０上に端面発光素子６０を配置した後、第１導電性接合材および第２導電性接合材の双方を同時に固化させる。より詳細には、第１導電性接合材および第２導電性接合材を加熱した後、冷却することによって第１導電性接合材および第２導電性接合材の双方が固化する。これにより、第１導電性接合材が素子表面電極３１とサブマウント基板８０とを接合し、第２導電性接合材がサブマウント基板８０と端面発光素子６０とを接合する。
【0099】
なお、第１導電性接合材および第２導電性接合材は、個別に固化してもよい。一例では、基板８２０にサブマウント基板８０を配置する工程において、第１導電性接合材を固化することによって素子表面電極３１とサブマウント基板８０とを接合する。その後、サブマウント基板８０上に端面発光素子６０を配置する工程において、第２導電性接合材を固化することによってサブマウント基板８０と端面発光素子６０とを接合する。
【0100】
次に、ワイヤＷを形成する工程では、ワイヤボンディング装置によって端面発光素子６０の複数の素子電極６３と複数のワイヤ接続電極３２とを個別に接続するようにワイヤＷを形成する。これにより、複数の素子電極６３と複数のワイヤ接続電極３２とが個別に電気的に接続される。
【0101】
図１９に示すように、半導体発光装置１０の製造方法は、接着パターン３３に接着剤５０を塗布する工程と、キャップ７０を接着剤５０上に配置して端面発光素子６０を収容する工程と、接着剤５０を硬化して接着パターン３３にキャップ７０を接着する工程と、を主に備える。これらの工程は、例えばワイヤＷを形成する工程の後に実施される。
【0102】
接着パターン３３に接着剤５０を塗布する工程では、まず例えばディスペンサ装置を用いて、平面視において接着パターン３３のパターン表面３３Ｓのうち露出した部分の全体にわたり接着剤５０を塗布する。つまり、パターン表面３３Ｓのうち制限部材９０によって覆われた部分には接着剤５０が塗布されない。接着剤５０は、制限部材９０の外側面にも接している。ここで、接着剤５０の厚さ寸法ＴＡが制限部材９０の厚さ寸法ＴＢよりも小さくなるように接着剤５０が接着パターン３３のパターン表面３３Ｓに塗布される。一例では、接着剤５０は、熱硬化型接着剤が用いられる。なお、接着剤５０の種類は任意に変更可能であり、例えば紫外線硬化型接着剤が用いられてもよい。
【0103】
続いて、キャップ７０を接着剤５０上に配置して端面発光素子６０を収容する工程では、接着パターン３３上の接着剤５０上にキャップ７０が配置される。これにより、制限部材９０とキャップ７０の第１～第４側壁７１～７４の内側面７７とが、Ｚ方向と直交する方向に対向する。
【0104】
次に、図２０および図２１に示すように、接着剤５０を硬化して接着パターン３３にキャップ７０を接着する工程では、荷重接着を用いて接着パターン３３にキャップ７０を接着する。より詳細には、図２０および図２１に示すように、治具９００によってキャップ７０の上壁７５が基板８２０に向けて押される。この状態において、接着剤５０を熱硬化する。
【0105】
次に、図示していないが、半導体発光装置１０の製造方法は、基板８２０を切断することによって個片化する工程を備える。これにより、基板２０が形成される。以上の工程を経て、半導体発光装置１０が製造される。
【0106】
［作用］
第１実施形態の半導体発光装置１０の作用について説明する。
接着剤５０を硬化することによって接着パターン３３にキャップ７０を接着する際、接着剤５０から発生するアウトガス、および接着剤５０を熱硬化する場合はキャップ７０の内部の気体が膨張することに起因して、Ｚ方向においてキャップ７０が接着パターン３３から離れるように浮いてしまう場合がある。このようなキャップ７０の浮きを抑制するため、接着剤５０を硬化することによって接着パターン３３にキャップ７０を接着する工程では、治具９００によってキャップ７０を接着パターン３３に向けて荷重を加えた状態で接着剤５０を硬化させる荷重接着が行われる。このため、治具９００によって、キャップ７０の上方への移動が制限される。
第１実施形態の半導体発光装置１０の作用について説明する。
接着剤５０を硬化することによって接着パターン３３にキャップ７０を接着する際、接着剤５０から発生するアウトガス、および接着剤５０を熱硬化する場合はキャップ７０の内部の気体が膨張することに起因して、Ｚ方向においてキャップ７０が接着パターン３３から離れるように浮いてしまう場合がある。このようなキャップ７０の浮きを抑制するため、接着剤５０を硬化することによって接着パターン３３にキャップ７０を接着する工程では、治具９００によってキャップ７０を接着パターン３３に向けて荷重を加えた状態で接着剤５０を硬化させる荷重接着が行われる。このため、治具９００によって、キャップ７０の上方への移動が制限される。
【0107】
一方、荷重接着では、Ｚ方向に交差する方向のキャップ７０の移動を制限していないため、キャップ７０は、接着剤５０の硬化時においてＺ方向に交差する方向に移動することがある。
【0108】
この点、第１実施形態では、制限部材９０がキャップ７０の第１～第４側壁７１～７４のいずれかの内側面７７と接触することによって、Ｚ方向と交差する方向におけるキャップ７０の移動が制限される。したがって、Ｚ方向と交差する方向における接着パターン３３に対するキャップ７０のずれを抑制できる。
【0109】
［効果］
第１実施形態の半導体発光装置１０によれば、以下の効果が得られる。
（１－１）半導体発光装置１０は、基板２０と、基板２０上に実装された端面発光素子６０と、基板２０上に設けられ、平面視において端面発光素子６０を囲む枠状に形成された接着パターン３３と、Ｚ方向において接着パターン３３と対向している枠状に形成されかつ開口端面７６および内側面７７を含む第１～第４側壁７１～７４を有し、端面発光素子６０を収容するキャップ７０と、第１～第４側壁７１～７４の開口端面７６と接着パターン３３のパターン表面３３Ｓとを接着している接着剤５０と、基板２０上に設けられ、第１～第４側壁７１～７４の内側面７７と接することによってＺ方向と交差する方向におけるキャップ７０の移動を制限する制限部材９０と、を備える。
第１実施形態の半導体発光装置１０によれば、以下の効果が得られる。
（１－１）半導体発光装置１０は、基板２０と、基板２０上に実装された端面発光素子６０と、基板２０上に設けられ、平面視において端面発光素子６０を囲む枠状に形成された接着パターン３３と、Ｚ方向において接着パターン３３と対向している枠状に形成されかつ開口端面７６および内側面７７を含む第１～第４側壁７１～７４を有し、端面発光素子６０を収容するキャップ７０と、第１～第４側壁７１～７４の開口端面７６と接着パターン３３のパターン表面３３Ｓとを接着している接着剤５０と、基板２０上に設けられ、第１～第４側壁７１～７４の内側面７７と接することによってＺ方向と交差する方向におけるキャップ７０の移動を制限する制限部材９０と、を備える。
【0110】
この構成によれば、制限部材９０によって平面視においてＺ方向と交差する方向におけるキャップ７０の移動が制限されるため、接着剤５０を硬化させる際にキャップ７０が接着パターン３３（基板２０）に対してずれることを抑制できる。
【0111】
（１－２）第４側壁７４は、端面発光素子６０からのレーザ光が通過する透光面を含む。制限部材９０は、平面視において透光面に対して交差する方向におけるキャップ７０の移動を制限する。
【0112】
この構成によれば、制限部材９０は、平面視においてキャップ７０の第４側壁７４が端面発光素子６０に接近することを制限する。これにより、接着剤５０を硬化させる際に第４側壁７４が端面発光素子６０と接触することを抑制できる。
【0113】
（１－３）制限部材９０は、平面視において第１～第４側壁７１～７４と重ならない位置に設けられ、Ｘ方向におけるキャップ７０の移動を制限する第１制限部９０Ａと、平面視において第１～第４側壁７１～７４と重ならない位置に設けられ、Ｙ方向におけるキャップ７０の移動を制限する第２制限部９０Ｂと、を含む。
【0114】
この構成によれば、第１制限部９０Ａおよび第２制限部９０Ｂによって、キャップ７０のＸ方向およびＹ方向の移動が制限されるため、接着剤５０を硬化させる際にキャップ７０が接着パターン３３（基板２０）に対してずれることを一層抑制できる。
【0115】
（１－４）制限部材９０は、平面視において端面発光素子６０を囲む枠状に形成されている。制限部材９０は、平面視において第１～第４側壁７１～７４の内側面７７の周方向の全体にわたり設けられている。
【0116】
この構成によれば、制限部材９０は、平面視においてＺ方向と交差する全方向に対してキャップ７０の移動を制限できる。また、枠状に形成された制限部材９０は、複数の部品が互いに離隔して配置された制限部材と比較して、キャップ７０が制限部材９０に接触したときに制限部材９０が変形しにくい。したがって、接着剤５０を硬化させる際にキャップ７０が接着パターン３３（基板２０）に対してずれることを抑制できる。
【0117】
（１－５）制限部材９０は、接着パターン３３上に設けられたレジスト８９０として設けられている。
この構成によれば、接着パターン３３に対する制限部材９０の位置精度が向上する。このため、接着剤５０を硬化させる際にキャップ７０が接着パターン３３（基板２０）に対してずれることを一層抑制できる。
この構成によれば、接着パターン３３に対する制限部材９０の位置精度が向上する。このため、接着剤５０を硬化させる際にキャップ７０が接着パターン３３（基板２０）に対してずれることを一層抑制できる。
【0118】
（１－６）半導体発光装置１０の製造方法は、基板８２０に端面発光素子６０を配置する工程と、基板８２０に設けられ、平面視において端面発光素子６０を囲む接着パターン３３のパターン表面３３Ｓに接着剤５０を塗布する工程と、Ｚ方向において接着パターン３３と対向している枠状に形成されかつ開口端面７６および内側面７７を含む第１～第４側壁７１～７４を有するキャップ７０を、接着剤５０上に配置して端面発光素子６０を収容する工程と、接着剤５０を硬化して接着パターン３３にキャップ７０を接着する工程と、を備える。基板８２０は、基板８２０上に設けられ、第１～第４側壁７１～７４の内側面７７と接することによってＺ方向と交差する方向におけるキャップ７０の移動を制限する制限部材９０を含む。接着パターン３３にキャップ７０を接着する工程では、キャップ７０に対して接着パターン３３に向けて荷重を加えた状態で接着剤５０を硬化させる。
【0119】
この構成によれば、キャップ７０に対して接着パターン３３に向けて荷重を加えた状態で接着剤５０が硬化されるため、その接着剤５０が硬化する際、キャップ７０はＺ方向と交差する方向に移動しやすくなる。この点、制限部材９０によって平面視においてＺ方向と交差する方向におけるキャップ７０の移動が制限されるため、接着剤５０を硬化させる際にキャップ７０が接着パターン３３（基板２０）に対してずれることを抑制できる。
【0120】
［第１実施形態の変更例］
図２２および図２３を参照して、第１実施形態の制限部材９０の変更例について説明する。図２２は、キャップ７０および制限部材９０Ｐを省略した状態の半導体発光装置１０の平面構造を示している。図２３は、半導体発光装置１０のうちＸＹ平面でキャップ７０の第１～第４側壁７１～７４を切断した状態の半導体発光装置１０の平面構造を示している。なお、図２３の一点鎖線は、接着パターン３３の第１領域３３Ａおよび第２領域３３Ｂを便宜上、区画する境界を示している。
図２２および図２３を参照して、第１実施形態の制限部材９０の変更例について説明する。図２２は、キャップ７０および制限部材９０Ｐを省略した状態の半導体発光装置１０の平面構造を示している。図２３は、半導体発光装置１０のうちＸＹ平面でキャップ７０の第１～第４側壁７１～７４を切断した状態の半導体発光装置１０の平面構造を示している。なお、図２３の一点鎖線は、接着パターン３３の第１領域３３Ａおよび第２領域３３Ｂを便宜上、区画する境界を示している。
【0121】
図２３に示すように、変更例の制限部材９０Ｐは、平面視においてキャップ７０よりも外側に配置されていてもよい。以下、制限部材９０Ｐに関連する半導体発光装置１０の構成要素について説明する。
【0122】
図２２に示すように、接着パターン３３の第２領域３３Ｂは、接着パターン３３の外周縁を含む外周側端部に形成されている。接着パターン３３の第１領域３３Ａは、接着パターン３３の内周縁を含む内周部に形成されている。なお、第１領域３３Ａの幅寸法Ｗ１および第２領域３３Ｂの幅寸法Ｗ２の関係は、例えば第１実施形態と同様である。
【0123】
図２３に示すように、第２領域３３Ｂに設けられた制限部材９０Ｐは、平面視において接着パターン３３の外周部に設けられている。このため、平面視における制限部材９０Ｐの形状は、矩形枠状である。
【0124】
制限部材９０Ｐは、第１実施形態と同様に、第１～第４部材９１～９４と、第１～第４コーナ部分９５～９８とを含む。制限部材９０Ｐは、第１実施形態と同様に、第１部材９１および第２部材９２の双方は制限部材９０のうち短手方向に延びた部分を構成しており、第３部材９３および第４部材９４の双方は制限部材９０のうち長手方向に延びた部分を構成している。第１～第４部材９１～９４の幅寸法および厚さ寸法は、例えば第１実施形態の制限部材９０と同様である。なお、制限部材９０Ｐの製造方法も第１実施形態と同様である。
【0125】
キャップ７０の第１～第４側壁７１～７４は、接着パターン３３の第１領域３３Ａに配置されている。このように、第１～第４側壁７１～７４は、第２領域３３Ｂとは異なる領域に配置されている。つまり、平面視において、制限部材９０Ｐは、第１～第４側壁７１～７４と重ならない位置に設けられている。
【0126】
矩形枠状の制限部材９０Ｐは、平面視において第１～第４側壁７１～７４の外側面７８の周方向の全体にわたり設けられている。制限部材９０Ｐは、キャップ７０の第１～第４側壁７１～７４と隣り合う位置に設けられている。より詳細には、平面視において制限部材９０Ｐの第１部材９１は第１側壁７１の外側面７８とＸ方向に隣り合う位置に配置されている。平面視において第２部材９２は第２側壁７２の外側面７８とＸ方向に隣り合う位置に配置されている。平面視において第３部材９３は第３側壁７３の外側面７８とＹ方向に隣り合う位置に配置されている。平面視において第４部材９４は第４側壁７４の外側面７８とＹ方向に隣り合う位置に配置されている。平面視において制限部材９０Ｐの第１コーナ部分９５はキャップ７０の第１コーナ部分７９ＡとＸ方向およびＹ方向に隣り合う位置に設けられている。平面視において制限部材９０Ｐの第２コーナ部分９６はキャップ７０の第２コーナ部分７９ＢとＸ方向およびＹ方向に隣り合う位置に設けられている。平面視において制限部材９０Ｐの第３コーナ部分９７はキャップ７０の第３コーナ部分７９ＣとＸ方向およびＹ方向に隣り合う位置に設けられている。平面視において制限部材９０Ｐの第４コーナ部分９８はキャップ７０の第４コーナ部分７９ＤとＸ方向およびＹ方向に隣り合う位置に設けられている。
【0127】
このような制限部材９０Ｐの構成によれば、第１部材９１および第２部材９２は、キャップ７０のＸ方向の移動を制限することができる。第３部材９３および第４部材９４は、キャップ７０のＹ方向の移動を制限することができる。このため、制限部材９０Ｐは、Ｘ方向におけるキャップ７０の移動を制限する第１制限部９０Ａと、Ｙ方向におけるキャップ７０の移動を制限する第２制限部９０Ｂと、を含むといえる。この変更例では、第１制限部９０Ａは、第１部材９１および第２部材９２によって構成されている。第２制限部９０Ｂは、第３部材９３および第４部材９４によって構成されている。
【0128】
＜第２実施形態＞
図２４および図２５を参照して、第２実施形態の半導体発光装置１０について説明する。第２実施形態の半導体発光装置１０は、第１実施形態の半導体発光装置１０と比較して、制限部材１００の構成が異なる。以下の説明において、第１実施形態と共通する構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。
図２４および図２５を参照して、第２実施形態の半導体発光装置１０について説明する。第２実施形態の半導体発光装置１０は、第１実施形態の半導体発光装置１０と比較して、制限部材１００の構成が異なる。以下の説明において、第１実施形態と共通する構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。
【0129】
図２４は、キャップ７０および制限部材１００を省略した状態の半導体発光装置１０の平面構造を示している。図２５は、半導体発光装置１０のうちＸＹ平面でキャップ７０の第１～第４側壁７１～７４を切断した状態の半導体発光装置１０の平面構造を示している。なお、図２４の一点鎖線は、接着パターン３３の第１領域３３Ａおよび第２領域３３Ｂを便宜上、区画する境界を示している。また、図面を容易に理解するため、図２４および図２５では、ワイヤＷ１Ａ～Ｗ４Ａ，Ｗ１Ｂ～Ｗ４Ｂを省略している。
【0130】
図２４に示すように、接着パターン３３は、第１～第４コーナ部分３９Ａ～３９Ｄを含む。第１コーナ部分３９Ａは第１パターン３５と第３パターン３７との接続部分である。第２コーナ部分３９Ｂは第２パターン３６と第４パターン３８との接続部分である。第３コーナ部分３９Ｃは第１パターン３５と第４パターン３８との接続部分である。第４コーナ部分３９Ｄは第２パターン３６と第３パターン３７との接続部分である。
【0131】
第２実施形態では、接着パターン３３は、第１～第４コーナ部分３９Ａ～３９Ｄにおいて第２領域３３Ｂが形成されている。このため、接着パターン３３は、平面視において矩形枠状の第１領域３３Ａと、互いに離隔して配置された４つの第２領域３３Ｂとを含む。
【0132】
第２実施形態では、４つの第２領域３３Ｂは、第１～第４コーナ部分３９Ａ～３９Ｄの内周側端部に設けられている。より詳細には、第１コーナ部分３９Ａにおける第２領域３３Ｂは、第１コーナ部分３９Ａにおける第１領域３３Ａに対してワイヤ接続電極３２ＡＣ寄りに形成されている。第２コーナ部分３９Ｂにおける第２領域３３Ｂは、第２コーナ部分３９Ｂにおける第１領域３３Ａに対してワイヤ接続電極３２ＢＤ寄りに形成されている。第３コーナ部分３９Ｃにおける第２領域３３Ｂは、第３コーナ部分３９Ｃにおける第１領域３３Ａに対してワイヤ接続電極３２ＡＤ寄りに形成されている。第４コーナ部分３９Ｄにおける第２領域３３Ｂは、第４コーナ部分３９Ｄにおける第１領域３３Ａに対してワイヤ接続電極３２ＢＣ寄りに形成されている。
【0133】
各第２領域３３Ｂは、平面視においてＬ字状に形成されている。より詳細には、各第２領域３３Ｂは、Ｘ方向に延びる第１部分と、Ｙ方向に延びる第２部分とを含む。一例では、第１部分の長さ寸法（Ｘ方向の寸法）と、第２部分の長さ寸法（Ｙ方向の寸法）とは互いに等しい。また一例では、第１部分の幅寸法（Ｙ方向の寸法）と第２部分の幅寸法（Ｘ方向の寸法）とは互いに等しい。
【0134】
なお、第１部分の長さ寸法および幅寸法と、第２部分の長さ寸法および幅寸法とはそれぞれ任意に変更可能である。一例では、第１部分の長さ寸法は、第２部分の長さ寸法よりも長くてもよい。また、一例では、第１部分の幅寸法は、第２部分の幅寸法よりも長くてもよい。
【0135】
図２５に示すように、制限部材１００は、４つの第２領域３３Ｂ（図２４参照）に対応した４つの第１～第４部材１０１～１０４を含む。このため、第１～第４部材１０１～１０４は、互いに離隔して配置されているといえる。キャップ７０は第１領域３３Ａ（図２４参照）に配置されているため、平面視において、第１～第４部材１０１～１０４は、キャップ７０の第１～第４側壁７１～７４と重ならない位置に設けられている。
【0136】
第１部材１０１は、接着パターン３３の第１コーナ部分３９Ａにおける第２領域３３Ｂ（図２４参照）上に設けられている。このため、第１部材１０１は、キャップ７０の第１～第４側壁７１～７４の第１コーナ部分７９Ａの内側面７７とＸ方向およびＹ方向に隣り合う位置に配置されている。
【0137】
第２部材１０２は、接着パターン３３の第２コーナ部分３９Ｂにおける第２領域３３Ｂ（図２４参照）上に設けられている。このため、第２部材１０２は、キャップ７０の第１～第４側壁７１～７４の第２コーナ部分７９Ｂの内側面７７とＸ方向およびＹ方向に隣り合う位置に配置されている。このように、第１部材１０１および第２部材１０２は、平面視において第１～第４側壁７１～７４の第１～第４コーナ部分７９Ａ～７９Ｄのうち対角上に配置された第１コーナ部分７９Ａおよび第２コーナ部分７９Ｂと隣り合う位置に配置されているといえる。
【0138】
第３部材１０３は、接着パターン３３の第３コーナ部分３９Ｃにおける第２領域３３Ｂ（図２４参照）上に設けられている。このため、第３部材１０３は、キャップ７０の第１～第４側壁７１～７４の第３コーナ部分７９Ｃの内側面７７とＸ方向およびＹ方向に隣り合う位置に配置されている。
【0139】
第４部材１０４は、接着パターン３３の第４コーナ部分３９Ｄにおける第２領域３３Ｂ（図２４参照）上に設けられている。このため、第４部材１０４は、キャップ７０の第１～第４側壁７１～７４の第４コーナ部分７９Ｄの内側面７７とＸ方向およびＹ方向に隣り合う位置に配置されている。このように、第３部材１０３および第４部材１０４は、平面視において第１～第４側壁７１～７４の第１～第４コーナ部分７９Ａ～７９Ｄのうち対角上に配置された第３コーナ部分７９Ｃおよび第４コーナ部分７９Ｄと隣り合う位置に配置されているといえる。
【0140】
第１～第４部材１０１～１０４の平面視における形状は、平面視における各第２領域３３Ｂに対応させてＬ字状に形成されている。このため、一例では、第１～第４部材１０１～１０４は、同一形状および同一サイズである。より詳細には、第１～第４部材１０１～１０４の各々は、Ｘ方向に延びる第１部分と、Ｙ方向に延びる第２部分とを含む。一例では、第１部分の長さ寸法（Ｘ方向の寸法）と、第２部分の長さ寸法（Ｙ方向の寸法）とは互いに等しい。一例では、第１部分の幅寸法（Ｙ方向の寸法）は、第２部分の幅寸法（Ｘ方向の寸法）とは互いに等しい。
【0141】
なお、第１部分の長さ寸法および幅寸法と、第２部分の長さ寸法および幅寸法とはそれぞれ任意に変更可能である。一例では、第１部分の長さ寸法は、第２部分の長さ寸法よりも長くてもよい。また、一例では、第１部分の幅寸法は、第２部分の幅寸法よりも長くてもよい。
【0142】
第１部材１０１の第１部分は、キャップ７０の第３側壁７３の内側面７７とＹ方向に対向している。第１部材１０１の第２部分は、第１側壁７１の内側面７７とＸ方向に対向している。第２部材１０２の第１部分は、キャップ７０の第４側壁７４の内側面７７とＹ方向に対向している。第２部材１０２の第２部分は、第２側壁７２の内側面７７とＸ方向に対向している。このような第１部材１０１および第２部材１０２の配置によって、第１部材１０１および第２部材１０２は、Ｘ方向におけるキャップ７０の移動を制限する第１制限部１００Ａと、Ｙ方向におけるキャップ７０の移動を制限する第２制限部１００Ｂとを構成している。
【0143】
第３部材１０３の第１部分は、キャップ７０の第４側壁７４の内側面７７とＹ方向に対向している。第３部材１０３の第２部分は、キャップ７０の第１側壁７１の内側面７７とＸ方向に対向している。第４部材１０４の第１部分は、キャップ７０の第３側壁７３の内側面７７とＹ方向に対向している。第４部材１０４の第２部分は、キャップ７０の第２側壁７２の内側面７７とＸ方向に対向している。このような第３部材１０３および第４部材１０４の配置によって、第３部材１０３および第４部材１０４は、Ｘ方向におけるキャップ７０の移動を制限する第１制限部１００Ａと、Ｙ方向におけるキャップ７０の移動を制限する第２制限部１００Ｂとを構成している。なお、第２実施形態の半導体発光装置１０によれば、第１実施形態と同様の効果が得られる。
【0144】
［第２実施形態の変更例］
図２６～図２８を参照して、第２実施形態の制限部材１００の第１変更例および第２変更例について説明する。図２６は、第１変更例について、キャップ７０および制限部材１００Ｐを省略した状態の半導体発光装置１０の平面構造を示している。図２７は、第１変更例について、半導体発光装置１０のうちＸＹ平面でキャップ７０の第１～第４側壁７１～７４を切断した状態の半導体発光装置１０の平面構造を示している。図２８は、第２変更例について、半導体発光装置１０のうちＸＹ平面でキャップ７０の第１～第４側壁７１～７４を切断した状態の半導体発光装置１０の平面構造を示している。なお、図２６の一点鎖線は、接着パターン３３の第１領域３３Ａおよび第２領域３３Ｂを便宜上、区画する境界を示している。また、図面を容易に理解するため、図２６～図２８では、ワイヤＷ１Ａ～Ｗ４Ａ，Ｗ１Ｂ～Ｗ４Ｂを省略している。
図２６～図２８を参照して、第２実施形態の制限部材１００の第１変更例および第２変更例について説明する。図２６は、第１変更例について、キャップ７０および制限部材１００Ｐを省略した状態の半導体発光装置１０の平面構造を示している。図２７は、第１変更例について、半導体発光装置１０のうちＸＹ平面でキャップ７０の第１～第４側壁７１～７４を切断した状態の半導体発光装置１０の平面構造を示している。図２８は、第２変更例について、半導体発光装置１０のうちＸＹ平面でキャップ７０の第１～第４側壁７１～７４を切断した状態の半導体発光装置１０の平面構造を示している。なお、図２６の一点鎖線は、接着パターン３３の第１領域３３Ａおよび第２領域３３Ｂを便宜上、区画する境界を示している。また、図面を容易に理解するため、図２６～図２８では、ワイヤＷ１Ａ～Ｗ４Ａ，Ｗ１Ｂ～Ｗ４Ｂを省略している。
【0145】
（第１変更例）
図２７に示すように、第１変更例の制限部材１００Ｐは、平面視においてキャップ７０よりも外側に配置されていてもよい。以下、制限部材１００Ｐに関連する半導体発光装置１０の構成要素について説明する。
図２７に示すように、第１変更例の制限部材１００Ｐは、平面視においてキャップ７０よりも外側に配置されていてもよい。以下、制限部材１００Ｐに関連する半導体発光装置１０の構成要素について説明する。
【0146】
図２６に示すように、接着パターン３３の４つの第２領域３３Ｂは、第１～第４コーナ部分３９Ａ～３９Ｄの外周側端部に設けられている。より詳細には、第１コーナ部分３９Ａにおける第２領域３３Ｂは、第１コーナ部分３９Ａにおける第１領域３３Ａに対して第１基板側面２３および第３基板側面２５寄りに形成されている。第２コーナ部分３９Ｂにおける第２領域３３Ｂは、第２コーナ部分３９Ｂにおける第１領域３３Ａに対して第２基板側面２４および第４基板側面２６寄りに形成されている。第３コーナ部分３９Ｃにおける第２領域３３Ｂは、第３コーナ部分３９Ｃにおける第１領域３３Ａに対して第１基板側面２３および第４基板側面２６寄りに形成されている。第４コーナ部分３９Ｄにおける第２領域３３Ｂは、第４コーナ部分３９Ｄにおける第１領域３３Ａに対して第２基板側面２４および第３基板側面２５寄りに形成されている。
【0147】
各第２領域３３Ｂは、平面視においてＬ字状に形成されている。より詳細には、各第２領域３３Ｂは、Ｘ方向に延びる第１部分と、Ｙ方向に延びる第２部分とを含む。一例では、第１部分の長さ寸法（Ｘ方向の寸法）と、第２部分の長さ寸法（Ｙ方向の寸法）とは互いに等しい。また一例では、第１部分の幅寸法（Ｙ方向の寸法）と第２部分の幅寸法（Ｘ方向の寸法）とは互いに等しい。
【0148】
なお、第１部分の長さ寸法および幅寸法と、第２部分の長さ寸法および幅寸法とはそれぞれ任意に変更可能である。一例では、第１部分の長さ寸法は、第２部分の長さ寸法よりも長くてもよい。また、一例では、第１部分の幅寸法は、第２部分の幅寸法よりも長くてもよい。
【0149】
図２７に示すように、４つの第２領域３３Ｂ（図２６参照）に設けられた制限部材１００Ｐは、平面視において接着パターン３３（図２６参照）の外周部に設けられている。キャップ７０の第１～第４側壁７１～７４は、接着パターン３３の第１領域３３Ａ（図２６参照）に配置されている。このように、第１～第４側壁７１～７４は、第２領域３３Ｂとは異なる領域に配置されている。つまり、平面視において、制限部材１００Ｐは、第１～第４側壁７１～７４と重ならない位置に設けられている。
【0150】
第１部材１０１は、キャップ７０の第１～第４側壁７１～７４の第１コーナ部分７９Ａの外側面７８とＸ方向およびＹ方向に隣り合う位置に配置されている。第２部材１０２は、キャップ７０の第１～第４側壁７１～７４の第２コーナ部分７９Ｂの外側面７８とＸ方向およびＹ方向に隣り合う位置に配置されている。このように、第１部材１０１および第２部材１０２は、平面視において第１～第４側壁７１～７４の第１～第４コーナ部分７９Ａ～７９Ｄのうち対角上に配置された第１コーナ部分７９Ａおよび第２コーナ部分７９Ｂと隣り合う位置に配置されているといえる。
【0151】
第３部材１０３は、キャップ７０の第１～第４側壁７１～７４の第３コーナ部分７９Ｃの外側面７８とＸ方向およびＹ方向に隣り合う位置に配置されている。第４部材１０４は、キャップ７０の第１～第４側壁７１～７４の第４コーナ部分７９Ｄの外側面７８とＸ方向およびＹ方向に隣り合う位置に配置されている。このように、第３部材１０３および第４部材１０４は、平面視において第１～第４側壁７１～７４の第１～第４コーナ部分７９Ａ～７９Ｄのうち対角上に配置された第３コーナ部分７９Ｃおよび第４コーナ部分７９Ｄと隣り合う位置に配置されているといえる。
【0152】
第１～第４部材１０１～１０４の平面視における形状は、平面視における各第２領域３３Ｂに対応させてＬ字状に形成されている。このため、一例では、第１～第４部材１０１～１０４は、同一形状および同一サイズである。より詳細には、第１～第４部材１０１～１０４の各々は、Ｘ方向に延びる第１部分と、Ｙ方向に延びる第２部分とを含む。一例では、第１部分の長さ寸法（Ｘ方向の寸法）と、第２部分の長さ寸法（Ｙ方向の寸法）とは互いに等しい。一例では、第１部分の幅寸法（Ｙ方向の寸法）は、第２部分の幅寸法（Ｘ方向の寸法）とは互いに等しい。
【0153】
なお、第１部分の長さ寸法および幅寸法と、第２部分の長さ寸法および幅寸法とはそれぞれ任意に変更可能である。一例では、第１部分の長さ寸法は、第２部分の長さ寸法よりも長くてもよい。また、一例では、第１部分の幅寸法は、第２部分の幅寸法よりも長くてもよい。
【0154】
第１部材１０１の第１部分は、キャップ７０の第３側壁７３の外側面７８とＹ方向に対向している。第１部材１０１の第２部分は、第１側壁７１の外側面７８とＸ方向に対向している。第２部材１０２の第１部分は、キャップ７０の第４側壁７４の外側面７８とＹ方向に対向している。第２部材１０２の第２部分は、第２側壁７２の外側面７８とＸ方向に対向している。このような第１部材１０１および第２部材１０２の配置によって、第１部材１０１および第２部材１０２は、Ｘ方向におけるキャップ７０の移動を制限する第１制限部１００Ａと、Ｙ方向におけるキャップ７０の移動を制限する第２制限部１００Ｂとを構成している。
【0155】
第３部材１０３の第１部分は、キャップ７０の第４側壁７４の外側面７８とＹ方向に対向している。第３部材１０３の第２部分は、キャップ７０の第１側壁７１の外側面７８とＸ方向に対向している。第４部材１０４の第１部分は、キャップ７０の第３側壁７３の外側面７８とＹ方向に対向している。第４部材１０４の第２部分は、キャップ７０の第２側壁７２の外側面７８とＸ方向に対向している。このような第３部材１０３および第４部材１０４の配置によって、第３部材１０３および第４部材１０４は、Ｘ方向におけるキャップ７０の移動を制限する第１制限部１００Ａと、Ｙ方向におけるキャップ７０の移動を制限する第２制限部１００Ｂとを構成している。
【0156】
（第２変更例）
図２８に示すように、第２変更例の制限部材１００Ｑでは、第２実施形態の制限部材１００と比較して、制限部材の個数が少ない。図２８に示す例では、制限部材１００Ｑは、第１部材１０１および第２部材１０２を含む。つまり、制限部材１００Ｑは、第３部材１０３および第４部材１０４（図２５参照）を含んでいない。第１部材１０１および第２部材１０２のみであっても第１制限部１００Ａおよび第２制限部１００Ｂを構成しているため、キャップ７０のＸ方向の移動およびＹ方向の移動の双方を制限することができる。なお、第２変更例の制限部材１００Ｑは、第３部材１０３および第４部材１０４を含む一方、第１部材１０１および第２部材１０２を含まない構成であってもよい。また、第１部材１０１および第２部材１０２は、図２７に示す第１変更例のように、キャップ７０の外側面７８と対向するようにキャップ７０の外部に配置されていてもよい。
図２８に示すように、第２変更例の制限部材１００Ｑでは、第２実施形態の制限部材１００と比較して、制限部材の個数が少ない。図２８に示す例では、制限部材１００Ｑは、第１部材１０１および第２部材１０２を含む。つまり、制限部材１００Ｑは、第３部材１０３および第４部材１０４（図２５参照）を含んでいない。第１部材１０１および第２部材１０２のみであっても第１制限部１００Ａおよび第２制限部１００Ｂを構成しているため、キャップ７０のＸ方向の移動およびＹ方向の移動の双方を制限することができる。なお、第２変更例の制限部材１００Ｑは、第３部材１０３および第４部材１０４を含む一方、第１部材１０１および第２部材１０２を含まない構成であってもよい。また、第１部材１０１および第２部材１０２は、図２７に示す第１変更例のように、キャップ７０の外側面７８と対向するようにキャップ７０の外部に配置されていてもよい。
【0157】
＜第３実施形態＞
図２９および図３０を参照して、第３実施形態の半導体発光装置１０について説明する。第３実施形態の半導体発光装置１０は、第１実施形態の半導体発光装置１０と比較して、制限部材１１０の構成が異なる。以下の説明において、第１実施形態と共通する構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。
図２９および図３０を参照して、第３実施形態の半導体発光装置１０について説明する。第３実施形態の半導体発光装置１０は、第１実施形態の半導体発光装置１０と比較して、制限部材１１０の構成が異なる。以下の説明において、第１実施形態と共通する構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。
【0158】
図２９は、キャップ７０および制限部材１１０を省略した状態の半導体発光装置１０の平面構造を示している。図３０は、半導体発光装置１０のうちＸＹ平面でキャップ７０の第１～第４側壁７１～７４を切断した状態の半導体発光装置１０の平面構造を示している。なお、図２９の一点鎖線は、接着パターン３３の第１領域３３Ａおよび第２領域３３Ｂを便宜上、区画する境界を示している。また、図面を容易に理解するため、図２６～図２８では、ワイヤＷ１Ａ～Ｗ４Ａ，Ｗ１Ｂ～Ｗ４Ｂを省略している。
【0159】
図２９に示すように、第３実施形態では、接着パターン３３の第１コーナ部分３９Ａ、第４コーナ部分３９Ｄ、および第３パターン３７のＹ方向の中央部分にそれぞれ第２領域３３Ｂが形成されている。接着パターン３３の第１領域３３Ａは、第２実施形態の第１領域３３Ａと同様に矩形枠状に形成されている。
【0160】
第１コーナ部分３９Ａにおける第２領域３３Ｂおよび第４コーナ部分３９Ｄにおける第２領域３３Ｂの双方は、平面視においてＹ方向に延びる帯状に形成されている。このため、第１コーナ部分３９Ａにおける第２領域３３Ｂは、第１パターン３５と接続される部分の長さ寸法ＬＹ１（第２領域３３ＢのＹ方向の長さ）が第３パターン３７と接続される部分の長さ寸法ＬＸ１（第２領域３３ＢのＸ方向の長さ）よりも大きくなる。第４コーナ部分３９Ｄにおける第２領域３３Ｂは、第２パターン３６と接続される部分の長さ寸法ＬＹ２（第２領域３３ＢのＹ方向の長さ）が第３パターン３７と接続される部分の長さ寸法ＬＸ２（第２領域３３ＢのＸ方向の長さ）よりも大きくなる。一例では、第１コーナ部分３９Ａにおける第２領域３３Ｂと第４コーナ部分３９Ｄにおける第２領域３３Ｂとの形状およびサイズの各々は、互いに同じである。なお、第１コーナ部分３９Ａにおける第２領域３３Ｂと第４コーナ部分３９Ｄにおける第２領域３３Ｂとの形状およびサイズの各々は、任意に変更可能である。
【0161】
第３パターン３７のＹ方向の中央部分における第２領域３３Ｂは、Ｘ方向に沿って延びている。一例では、第３パターン３７のＹ方向の中央部分における第２領域３３Ｂの長さ寸法ＬＸ３は、第１コーナ部分３９Ａにおける第２領域３３Ｂの長さ寸法ＬＹ１および第４コーナ部分３９Ｄにおける第２領域３３Ｂの長さ寸法ＬＹ２よりも大きい。第３パターン３７のＹ方向の中央部分における第２領域３３Ｂの長さ寸法ＬＹ３（第２領域３３ＢのＹ方向の長さ）は、例えば第１コーナ部分３９Ａにおける第２領域３３Ｂの長さ寸法ＬＸ１および第４コーナ部分３９Ｄにおける第２領域３３Ｂの長さ寸法ＬＸ２と等しい。
【0162】
なお、第３パターン３７のＹ方向の中央部分における第２領域３３Ｂの長さ寸法ＬＹ３および長さ寸法ＬＸ３の各々は任意に変更可能である。一例では、長さ寸法ＬＹ３は、長さ寸法ＬＸ１，ＬＸ２よりも大きくてもよい。
【0163】
図３０に示すように、制限部材１１０は、３つの第２領域３３Ｂ（図２９参照）に対応した３つの第１～第３部材１１１～１１３を含む。このため、第１～第３部材１１１～１１３は、互いに離隔して配置されているといえる。キャップ７０は第１領域３３Ａに配置されているため、平面視において、第１～第３部材１１１～１１３は、キャップ７０の第１～第４側壁７１～７４と重ならない位置に設けられている。
【0164】
第１部材１１１は、接着パターン３３の第１コーナ部分３９Ａにおける第２領域３３Ｂ（図２９参照）上に設けられている。このため、第１部材１１１は、キャップ７０の第１～第４側壁７１～７４の第１コーナ部分７９Ａの内側面７７とＸ方向およびＹ方向に隣り合う位置に配置されている。
【0165】
第２部材１１２は、接着パターン３３の第４コーナ部分３９Ｄにおける第２領域３３Ｂ（図２９参照）上に設けられている。このため、第２部材１１２は、キャップ７０の第１～第４側壁７１～７４の第４コーナ部分７９Ｄの内側面７７とＸ方向およびＹ方向に隣り合う位置に配置されている。
【0166】
第３部材１１３は、接着パターン３３の第３パターン３７のＹ方向の中央部分における第２領域３３Ｂ（図２９参照）上に設けられている。このため、第３部材１１３は、キャップ７０の第１～第４側壁７１～７４の第３側壁７３の外側面７８とＹ方向に隣り合う位置に配置されている。
【0167】
第１～第３部材１１１～１１３の平面視における形状は、平面視における各第２領域３３Ｂに対応させた形状となる。すなわち、平面視において、第１部材１１１および第２部材１１２は、Ｙ方向に延びる帯状に形成されている。平面視において、第３部材１１３は、Ｘ方向に延びる帯状に形成されている。一例では、第３部材１１３の長さ寸法ＬＭ３は、第１部材１１１の長さ寸法ＬＭ１および第２部材１１２の長さ寸法ＬＭ２よりも大きい。一例では、第１部材１１１の長さ寸法ＬＭ１と第２部材１１２の長さ寸法ＬＭ２とは互いに等しい。また、一例では、第３部材１１３の幅寸法ＷＭ３は、第１部材１１１の幅寸法ＷＭ１および第２部材１１２の幅寸法ＷＭ２と等しい。
【0168】
ここで、第３部材１１３の長さ寸法ＬＭ３は、第３部材１１３のＸ方向の寸法によって定義できる。第３部材１１３の幅寸法ＷＭ３は、第３部材１１３のＹ方向の寸法によって定義できる。第１部材１１１の長さ寸法ＬＭ１は、第１部材１１１のＹ方向の寸法によって定義できる。第１部材１１１の幅寸法ＷＭ１は、第１部材１１１のＸ方向の寸法によって定義できる。第２部材１１２の長さ寸法ＬＭ２は、第２部材１１２のＹ方向の寸法によって定義できる。第２部材１１２の幅寸法ＷＭ２は、第２部材１１２のＸ方向の寸法によって定義できる。なお、第１～第３部材１１１～１１３の長さ寸法ＬＭ１～ＬＭ３および幅寸法ＷＭ１～ＷＭ３はそれぞれ任意に変更可能である。
【0169】
第１部材１１１は、キャップ７０の第１側壁７１の内側面７７とＸ方向に対向し、かつ第３側壁７３の内側面７７とＹ方向に対向している。第２部材１１２は、キャップ７０の第２側壁７２の内側面７７とＸ方向に対向し、かつ第３側壁７３の内側面７７とＹ方向に対向している。このような第１部材１１１および第２部材１１２の配置によって、第１部材１１１および第２部材１１２は、Ｘ方向におけるキャップ７０の移動を制限する第１制限部１１０Ａを構成している。
【0170】
第３部材１１３は、キャップ７０の第３側壁７３の外側面７８とＹ方向に対向している。つまり、第３側壁７３は、第１部材１１１および第２部材１１２と第３部材１１３とによってＹ方向に挟み込まれている。このような第１～第３部材１１１～１１３の配置によって、第１～第３部材１１１～１１３は、Ｙ方向におけるキャップ７０の移動を制限する第２制限部１１０Ｂを構成している。
【0171】
［効果］
第３実施形態の半導体発光装置１０によれば、以下の効果が得られる。
（３－１）制限部材１００は、キャップ７０の第１コーナ部分７９Ａの内側面７７と隣り合う第１部材１１１と、第４コーナ部分７９Ｄの内側面７７と隣り合う第２部材１１２と、第３側壁７３とＹ方向に隣り合う位置において第３側壁７３の外側面７８と隣り合う第３部材１１３と、を含む。第１～第４側壁７１～７４は、平面視においてＸ方向が長手方向となり、Ｙ方向が短手方向となる矩形枠状に形成されている。第３部材１１３の長さ寸法ＬＭ３は、第１部材１１１の長さ寸法ＬＭ１および第２部材１１２の長さ寸法ＬＭ２よりも長い。
第３実施形態の半導体発光装置１０によれば、以下の効果が得られる。
（３－１）制限部材１００は、キャップ７０の第１コーナ部分７９Ａの内側面７７と隣り合う第１部材１１１と、第４コーナ部分７９Ｄの内側面７７と隣り合う第２部材１１２と、第３側壁７３とＹ方向に隣り合う位置において第３側壁７３の外側面７８と隣り合う第３部材１１３と、を含む。第１～第４側壁７１～７４は、平面視においてＸ方向が長手方向となり、Ｙ方向が短手方向となる矩形枠状に形成されている。第３部材１１３の長さ寸法ＬＭ３は、第１部材１１１の長さ寸法ＬＭ１および第２部材１１２の長さ寸法ＬＭ２よりも長い。
【0172】
この構成によれば、第１～第４側壁７１～７４のうち長手方向に延びる第３側壁７３の移動を制限する第３部材１１３の長さ寸法ＬＭ３が長くなることによって、キャップ７０のＹ方向の移動を一層制限しやすくなる。
【0173】
＜変更例＞
上記実施形態は、以下のように変更して実施することができる。以下の各変更例は、技術的な矛盾が生じない範囲において互いに組み合わせることができる。なお、図３１～図３３、および図３５では、図面を容易に理解するため、ワイヤＷ１Ａ～Ｗ４Ａ，Ｗ１Ｂ～Ｗ４Ｂを省略している。
上記実施形態は、以下のように変更して実施することができる。以下の各変更例は、技術的な矛盾が生じない範囲において互いに組み合わせることができる。なお、図３１～図３３、および図３５では、図面を容易に理解するため、ワイヤＷ１Ａ～Ｗ４Ａ，Ｗ１Ｂ～Ｗ４Ｂを省略している。
【0174】
・第１実施形態において、制限部材９０は、矩形枠状に形成されていなくてもよい。一例では、制限部材９０から第４部材９４を省略してもよい。つまり、制限部材９０は、第１～第３部材９１～９３によって構成されていてもよい。
【0175】
・第１実施形態において、制限部材９０は、第１部材９１および第２部材９２によって構成されていてもよい。つまり、制限部材９０から第３部材９３および第４部材９４が省略されていてよい。この場合、Ｙ方向における第１部材９１および第２部材９２の両端部のいずれか一方がキャップ７０の第３側壁７３の内側面７７または第４側壁７４の内側面７７に接することによって、Ｙ方向におけるキャップ７０の移動が制限される。これにより、第１部材９１および第２部材９２の各々は、第１制限部９０Ａおよび第２制限部９０Ｂを構成している。
【0176】
・第１実施形態において、制限部材９０は、第３部材９３および第４部材９４によって構成されていてもよい。つまり、制限部材９０から第１部材９１および第２部材９２が省略されていてよい。この場合、Ｘ方向における第３部材９３および第４部材９４の両端部のいずれか一方がキャップ７０の第１側壁７１の内側面７７または第２側壁７２の内側面７７に接することによって、Ｘ方向におけるキャップ７０の移動が制限される。これにより、第３部材９３および第４部材９４の各々は、第１制限部９０Ａおよび第２制限部９０Ｂを構成している。
【0177】
・第２実施形態において、ワイヤ接続電極３２ＡＣ，３２ＡＤ，３２ＢＣ，３２ＢＤの形状は任意に変更可能である。一例では、図３１に示すように、ワイヤ接続電極３２ＡＣは、平面視においてＺ方向に交差する方向に切り欠かれた切欠部１２１を含む。切欠部１２１は、ワイヤ接続電極３２ＡＣのうち制限部材１００の第１部材１０１の近くの端部に形成されている。切欠部１２１は、平面視において第１部材１０１から離れるように形成されている。一例では、切欠部１２１は、第１基板側面２３から第２基板側面２４に向かうにつれて第３基板側面２５に向けて傾斜する傾斜面である。
【0178】
ワイヤ接続電極３２ＢＤは、平面視においてＺ方向に交差する方向に切り欠かれた切欠部１２２を含む。切欠部１２２は、ワイヤ接続電極３２ＢＤのうち第２部材１０２の近くの端部に形成されている。切欠部１２２は、平面視において第２部材１０２から離れるように形成されている。一例では、切欠部１２２は、第１基板側面２３から第２基板側面２４に向かうにつれて第３基板側面２５に向けて傾斜する傾斜面である。
【0179】
ワイヤ接続電極３２ＡＤは、平面視においてＺ方向に交差する方向に切り欠かれた切欠部１２３を含む。切欠部１２３は、ワイヤ接続電極３２ＡＤのうち第３部材１０３の近くの端部に形成されている。切欠部１２３は、平面視において第３部材１０３から離れるように形成されている。一例では、切欠部１２３は、第１基板側面２３から第２基板側面２４に向かうにつれて第４基板側面２６に向けて傾斜する傾斜面である。
【0180】
ワイヤ接続電極３２ＢＣは、平面視においてＺ方向に交差する方向に切り欠かれた切欠部１２４を含む。切欠部１２４は、ワイヤ接続電極３２ＢＣのうち第４部材１０４の近くの端部に形成されている。切欠部１２４は、平面視において第４部材１０４から離れるように形成されている。一例では、切欠部１２４は、第１基板側面２３から第２基板側面２４に向かうにつれて第４基板側面２６に向けて傾斜する傾斜面である。
【0181】
このような切欠部１２１～１２４によって平面視における接着パターン３３とワイヤ接続電極３２ＡＣ，３２ＡＤ，３２ＢＣ，３２ＢＤとの間の距離を大きくとることができる。したがって、第１～第４部材１０１～１０４に起因して接着パターン３３とワイヤ接続電極３２ＡＣ，３２ＡＤ，３２ＢＣ，３２ＢＤとが電気的に接続することを抑制できる。
【0182】
・第２実施形態において、制限部材１００における第１部材１０１と第３部材１０３とがＹ方向に連結された構成であってもよい。つまり、第１部材１０１および第３部材１０３は、第１部材１０１の第１部分と第３部材１０３の第１部分とを連結する構成であってもよい。この場合、第１部材１０１および第３部材１０３は、平面視においてキャップ７０の第１側壁７１の内側面７７のＹ方向の全体にわたりＸ方向に対向している。
【0183】
・第２実施形態において、制限部材１００における第２部材１０２と第４部材１０４とがＹ方向に連結された構成であってもよい。つまり、第２部材１０２および第４部材１０４は、第２部材１０２の第１部分と第４部材１０４の第１部分とを連結する構成であってもよい。この場合、第２部材１０２および第４部材１０４は、平面視においてキャップ７０の第２側壁７２の内側面７７のＹ方向の全体にわたりＸ方向に対向している。
【0184】
・第２実施形態において、制限部材１００における第１部材１０１と第４部材１０４とがＸ方向に連結された構成であってもよい。つまり、第１部材１０１および第４部材１０４は、第１部材１０１の第２部分と第４部材１０４の第２部分とを連結する構成であってもよい。この場合、第１部材１０１および第４部材１０４は、平面視においてキャップ７０の第３側壁７３の内側面７７のＸ方向の全体にわたりＹ方向に対向している。
【0185】
・第２実施形態において、制限部材１００における第２部材１０２と第３部材１０３とがＸ方向に連結された構成であってもよい。つまり、第２部材１０２および第３部材１０３は、第２部材１０２の第２部分と第３部材１０３の第２部分とを連結する構成であってもよい。この場合、第２部材１０２および第３部材１０３は、平面視においてキャップ７０の第４側壁７４の内側面７７のＸ方向の全体にわたりＹ方向に対向している。
【0186】
・第２実施形態において、第１～第４部材１０１～１０４は、平面視においてＬ字状に形成されていたが、これに限られない。例えば、第１～第４部材１０１～１０４は、第１部分および第２部分が互いに離隔した構成であってもよい。
【0187】
・第３実施形態において、制限部材１１０の第１部材１１１および第２部材１１２の平面視における形状は任意に変更可能である。一例では、第１部材１１１および第２部材１１２の少なくとも一方の平面視における形状はＬ字状であってもよい。第１部材１１１がＬ字状の場合、第１部材１１１は、Ｙ方向に延びる第１部分と、Ｘ方向に延びる第２部分とを含む。第１部分は、平面視においてキャップ７０の第１側壁７１の内側面７７とＸ方向に隣り合う位置に配置されている。第２部分は、平面視において第３側壁７３の内側面７７とＹ方向に隣り合う位置に配置されている。また、第２部材１１２がＬ字状の場合、第２部材１１２は、Ｙ方向に延びる第１部分と、Ｘ方向に延びる第２部分とを含む。第１部分は、平面視において第２側壁７２の内側面７７とＸ方向に隣り合う位置に配置されている。第２部分は、平面視において第３側壁７３の内側面７７とＹ方向に隣り合う位置に配置されている。
【0188】
・第３実施形態において、制限部材１１０における第１部材１１１と第２部材１１２とが連結された構成であってもよい。つまり、第１部材１１１および第２部材１１２は、第１部材１１１の第２部分と第２部材１１２の第２部分とを連結する構成であってもよい。この場合、第１部材１１１および第２部材１１２は、平面視においてキャップ７０の第３側壁７３の内側面７７のＸ方向の全体にわたりＹ方向に対向している。
【0189】
・第３実施形態において、制限部材１１０の第１～第３部材１１１～１１３の配置態様は任意に変更可能である。第１～第３部材１１１～１１３の配置態様は、例えば図３２に示す第１変更例および図３３に示す第２変更例のように変更してもよい。
【0190】
図３２に示すように、第１変更例においては、制限部材１１０の第１部材１１１は、平面視においてキャップ７０の第３コーナ部分７９Ｃの内側面７７とＸ方向およびＹ方向に隣り合う位置に配置されている。第２部材１１２は、平面視においてキャップ７０の第２コーナ部分７９Ｂの内側面７７とＸ方向およびＹ方向に隣り合う位置に配置されている。第３部材１１３は、平面視においてキャップ７０の第４側壁７４の外側面７８とＹ方向に隣り合う位置に配置されている。
【0191】
第１部材１１１は、キャップ７０の第１側壁７１の内側面７７とＸ方向に対向し、かつ第４側壁７４の内側面７７とＹ方向に対向している。第２部材１１２は、キャップ７０の第２側壁７２の内側面７７とＸ方向に対向し、かつ第４側壁７４の内側面７７とＹ方向に対向している。このような第１部材１１１および第２部材１１２の配置によって、第１部材１１１および第２部材１１２は、Ｘ方向におけるキャップ７０の移動を制限する第１制限部１１０Ａを構成している。
【0192】
第３部材１１３は、キャップ７０の第４側壁７４の外側面７８とＹ方向に対向している。つまり、第４側壁７４は、第１部材１１１および第２部材１１２と第３部材１１３とによってＹ方向に挟み込まれている。このような第１～第３部材１１１～１１３の配置によって、第１～第３部材１１１～１１３は、Ｙ方向におけるキャップ７０の移動を制限する第２制限部１１０Ｂを構成している。なお、図示していないが、このような第１～第３部材１１１～１１３の配置の変更にともない接着パターン３３の３つの第２領域３３Ｂの配置位置も変更されている。
【0193】
図３３に示すように、第２変更例においては、制限部材１１０の第１部材１１１は、平面視においてキャップ７０の第３コーナ部分７９Ｃの内側面７７とＸ方向およびＹ方向に隣り合う位置に配置されている。第２部材１１２は、平面視においてキャップ７０の第２コーナ部分７９Ｂの内側面７７とＸ方向およびＹ方向に隣り合う位置に配置されている。第３部材１１３は、平面視において第３側壁７３の内側面７７とＹ方向に隣り合う位置に配置されている。
【0194】
平面視における第１部材１１１および第２部材１１２の各々の形状は、図３２の第１変更例の第１部材１１１および第２部材１１２と同じである。このような第１部材１１１および第２部材１１２の配置によって、第１部材１１１および第２部材１１２は、Ｘ方向におけるキャップ７０の移動を制限する第１制限部１１０Ａを構成している。
【0195】
第３部材１１３は、キャップ７０の第３側壁７３の内側面７７とＹ方向に対向している。このような第１～第３部材１１１～１１３の配置によって、第１～第３部材１１１～１１３は、Ｙ方向におけるキャップ７０の移動を制限する第２制限部１１０Ｂを構成している。
【0196】
図３３に示す第２変更例の制限部材１１０によれば、第１～第３部材１１１～１１３がキャップ７０の内部に収容されているため、半導体発光装置１０の美観の向上を図ることができる。
【0197】
・第３実施形態において、制限部材１１０から第１部材１１１および第２部材１１２の少なくとも一方を省略してもよい。例えば制限部材１１０から第１部材１１１および第２部材１１２の双方が省略された場合、第３部材１１３によって平面視においてキャップ７０が第３基板側面２５に向けて移動することを制限できる。これにより、キャップ７０の第４側壁７４と端面発光素子６０とが接触することを抑制できる。
【0198】
・各実施形態において、制限部材９０，１００，１１０は、接着パターン３３上に設けられていたが、これに限られない。制限部材９０，１００，１１０の構成は、次の第１変更例および第２変更例のように変更してもよい。
【0199】
第１変更例では、制限部材９０は、接着パターン３３とは別に設けられていてよい。つまり、制限部材９０は、平面視において接着パターン３３から離隔して設けられていてよい。一例では、図３４に示すように、制限部材９０は、基板２０の基板表面２１に接している。つまり、制限部材９０は、基板２０の基板表面２１上に設けられている。図３４に示す例では、制限部材９０は、接着パターン３３とワイヤ接続電極３２ＡＤとのＸ方向の間に配置されている。制限部材９０は、接着パターン３３およびワイヤ接続電極３２ＡＤの双方とＸ方向に離隔されている。つまり、制限部材９０は、接着パターン３３および表面電極３０の双方と離隔している。制限部材９０の厚さ寸法ＴＢは、接着パターン３３の厚さ寸法ＴＤと接着剤５０の厚さ寸法ＴＡとの合計よりも大きい。これにより、制限部材９０は、キャップ７０の第１～第４側壁７１～７４の内側面７７と対向する。
【0200】
第１変更例の制限部材９０は、例えば絶縁材料によって形成されている。絶縁材料は、例えばエポキシ樹脂が用いられてよい。また、第１変更例の制限部材９０は、金属材料によって形成されてよい。この場合、制限部材９０は、例えば接着パターン３３と同じ材料で形成されてもよい。また制限部材９０は、例えば表面電極３０と同じ材料によって形成されてもよい。
【0201】
第２変更例では、制限部材１００は、表面電極３０上に設けられてよい。一例では、図３５に示すように、第１部材１０１は、ワイヤ接続電極３２ＡＣ上に設けられている。第２部材１０２は、ワイヤ接続電極３２ＢＤ上に設けられている。第３部材１０３は、ワイヤ接続電極３２ＡＤ上に設けられている。第４部材１０４は、ワイヤ接続電極３２ＢＣ上に設けられている。
【0202】
なお、制限部材１００は、接着パターン３３上および表面電極３０上の少なくとも一方に設けられていてよい。一例では、第１部材１０１がワイヤ接続電極３２ＡＣ上に設けられており、第２部材１０２がワイヤ接続電極３２ＢＤ上に設けられている。一方、第３部材１０３および第４部材１０４は、接着パターン３３上に設けられている。
【0203】
・各実施形態において、制限部材９０，１００，１１０の材料は任意に変更可能である。一例では、制限部材９０，１００，１１０は金属材料によって形成されていてもよい。この場合、制限部材９０，１００，１１０は、接着パターン３３とは異なる材料によって形成されていてもよい。また、制限部材９０，１００，１１０は、接着パターン３３または表面電極３０と同じ材料によって形成されていてもよい。この場合、制限部材９０，１００，１１０は、接着パターン３３または表面電極３０と一体に形成されていてもよい。
【0204】
・各実施形態において、表面電極３０の構成は、例えば端面発光素子６０の構成に応じて任意に変更可能である。一例では、図３６に示すように、端面発光素子６０は、４つの発光部６５（素子電極６３）を含む。ワイヤ接続電極３２の数は、例えば発光部６５（素子電極６３）の数に応じて設定される。このため、図３６に示す例では、表面電極３０は、４つのワイヤ接続電極３２を含む。各ワイヤ接続電極３２は、平面視においてＹ方向が長手方向となり、Ｘ方向が短手方向となる矩形状に形成されている。４つのワイヤ接続電極３２は、Ｙ方向において互いに同じ位置であってＸ方向において互いに離隔して配列されている。
【0205】
・半導体発光素子として端面発光素子６０が用いられたが、半導体発光素子の構成はこれに限られない。半導体発光素子として、面発光素子が用いられてもよい。面発光素子の一例として、垂直共振器型面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ：Vertical Cavity Surface Emitting Laser）が用いられてもよい。この場合、キャップ７０は、上壁７５が透光面となるように構成されていてもよい。一方、キャップ７０の第４側壁７４は第１～第３側壁７１～７３と同様に半透明となるように構成されていてもよい。また、半導体発光素子として、発光ダイオード（ＬＥＤ：Light Emitting Diode）が用いられてもよい。
【0206】
・上記実施形態では、基板２０は絶縁材料によって形成されたが、これに限られない。基板２０は、Ｃｕ、Ａｌ等の金属材料によって形成されてもよい。この場合、Ｃｕ、Ａｌ等によって構成された平板状のフレーム（例えばメタルコア）の表面および裏面には絶縁層が形成されている。フレームの表面に形成された絶縁層（基板表面２１）上には複数の表面電極３０および接着パターン３３が形成されている。フレームの裏面に形成された絶縁層（基板裏面２２）上には複数の裏面電極４０が形成されている。複数の裏面電極４０と複数の表面電極３０とを個別に電気的に接続する複数の貫通配線は、フレームをその厚さ方向（Ｚ方向）に貫通している。この場合、フレームに形成された貫通孔を構成する内面には絶縁層が形成されている。貫通配線は、例えば絶縁層に形成された空間を埋めるように形成されている。
【0207】
・上記実施形態において、基板２０、複数の表面電極３０、複数の裏面電極４０、および複数の貫通配線の構成は任意に変更可能である。一例では、半導体発光装置１０は、複数の表面電極３０、複数の裏面電極４０、および複数の貫通配線に代えて、表面電極３０、裏面電極４０、および貫通配線が一体化されたフレームと、このフレームを支持する絶縁材料によって形成された基板と、を備えていてもよい。この場合、フレームは、複数の表面電極３０（複数の裏面電極４０）に応じて複数設けられている。基板は、絶縁材料として例えばエポキシ樹脂によって形成されている。複数のフレームは、基板をＺ方向に貫通するように設けられている。このため、基板の基板表面から露出した複数のフレームは複数の表面電極３０を構成し、基板裏面から露出した複数のフレームは複数の裏面電極４０を構成している。ここで、接着パターン３３は、基板をＺ方向に貫通するフレームとして形成されてもよいし、基板表面上の金属層として形成されてもよい。接着パターン３３を構成するフレームは、表面電極３０、裏面電極４０、および貫通配線が一体化されたフレームと同じフレームによって形成されていてもよいし、異なるフレームとして形成されていてもよい。
【0208】
本明細書に記載の様々な例のうち１つまたは複数を、技術的に矛盾しない範囲で組み合わせることができる。
本明細書において、「ＡおよびＢのうち少なくとも１つ」とは、「Ａのみ、または、Ｂのみ、またはＡおよびＢの両方」を意味するものとして理解されるべきである。
本明細書において、「ＡおよびＢのうち少なくとも１つ」とは、「Ａのみ、または、Ｂのみ、またはＡおよびＢの両方」を意味するものとして理解されるべきである。
【0209】
本開示における「第１」、「第２」、「第３」等の用語は、単に対象物を区別するために用いられており、対象物を順位付けするものではない。
本開示で使用される「～上に」という用語は、文脈によって明らかにそうでないことが示されない限り、「～上に」と「～の上方に」の意味を含む。したがって、例えば「第１要素が第２要素上に配置される」という表現は、或る実施形態では第１要素が第２要素に接触して第２要素上に直接配置され得るが、他の実施形態では第１要素が第２要素に接触することなく第２要素の上方に配置され得ることが意図される。すなわち、「～上に」という用語は、第１要素と第２要素との間に他の要素が形成される構造を排除しない。
本開示で使用される「～上に」という用語は、文脈によって明らかにそうでないことが示されない限り、「～上に」と「～の上方に」の意味を含む。したがって、例えば「第１要素が第２要素上に配置される」という表現は、或る実施形態では第１要素が第２要素に接触して第２要素上に直接配置され得るが、他の実施形態では第１要素が第２要素に接触することなく第２要素の上方に配置され得ることが意図される。すなわち、「～上に」という用語は、第１要素と第２要素との間に他の要素が形成される構造を排除しない。
【0210】
本開示で使用されるＺ方向は必ずしも鉛直方向である必要はなく、鉛直方向に完全に一致している必要もない。したがって、本開示による種々の構造は、本明細書で説明されるＺ方向の「上」および「下」が鉛直方向の「上」および「下」であることに限定されない。例えばＸ方向が鉛直方向であってもよく、またはＹ方向が鉛直方向であってもよい。
【0211】
＜付記＞
上記各実施形態および各変更例から把握できる技術的思想を以下に記載する。なお、各付記に記載された構成要素に対応する実施形態の構成要素の符号を括弧書きで示す。符号は、理解の補助のために例として示すものであり、各付記に記載された構成要素は、符号で示される構成要素に限定されるべきではない。
上記各実施形態および各変更例から把握できる技術的思想を以下に記載する。なお、各付記に記載された構成要素に対応する実施形態の構成要素の符号を括弧書きで示す。符号は、理解の補助のために例として示すものであり、各付記に記載された構成要素は、符号で示される構成要素に限定されるべきではない。
【0212】
［付記１］
基板（２０）と、
前記基板（２０）上に実装された半導体発光素子（６０）と、
前記基板（２０）上に設けられ、前記基板（２０）の厚さ方向（Ｚ方向）から視て前記半導体発光素子（６０）を囲む枠状に形成された接着パターン（３３）と、
前記厚さ方向（Ｚ方向）において前記接着パターン（３３）と対向している枠状に形成されかつ開口端面（７６）および側面（７７，７８）を含む側壁（７１～７４）を有し、前記半導体発光素子（６０）を収容するキャップ（７０）と、
前記側壁（７１～７４）の前記開口端面（７６）と前記接着パターン（３３）のパターン表面（３３Ｓ）とを接着している接着剤（５０）と、
前記基板（２０）上に設けられ、前記側壁（７１～７４）の前記側面（７７／７８）と接することによって前記厚さ方向（Ｚ方向）と交差する方向（Ｘ方向／Ｙ方向）における前記キャップ（７０）の移動を制限する制限部材（９０）と、
を備える、半導体発光装置（１０）。
基板（２０）と、
前記基板（２０）上に実装された半導体発光素子（６０）と、
前記基板（２０）上に設けられ、前記基板（２０）の厚さ方向（Ｚ方向）から視て前記半導体発光素子（６０）を囲む枠状に形成された接着パターン（３３）と、
前記厚さ方向（Ｚ方向）において前記接着パターン（３３）と対向している枠状に形成されかつ開口端面（７６）および側面（７７，７８）を含む側壁（７１～７４）を有し、前記半導体発光素子（６０）を収容するキャップ（７０）と、
前記側壁（７１～７４）の前記開口端面（７６）と前記接着パターン（３３）のパターン表面（３３Ｓ）とを接着している接着剤（５０）と、
前記基板（２０）上に設けられ、前記側壁（７１～７４）の前記側面（７７／７８）と接することによって前記厚さ方向（Ｚ方向）と交差する方向（Ｘ方向／Ｙ方向）における前記キャップ（７０）の移動を制限する制限部材（９０）と、
を備える、半導体発光装置（１０）。
【0213】
［付記２］
前記側壁（７４）は、前記半導体発光素子（６０）からの光が通過する透光面を有し、
前記制限部材（９０）は、前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て前記透光面に対して交差する方向（Ｙ方向）における前記キャップ（７０）の移動を制限する
付記１に記載の半導体発光装置。
前記側壁（７４）は、前記半導体発光素子（６０）からの光が通過する透光面を有し、
前記制限部材（９０）は、前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て前記透光面に対して交差する方向（Ｙ方向）における前記キャップ（７０）の移動を制限する
付記１に記載の半導体発光装置。
【0214】
［付記３］
前記制限部材（９０）は、
前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て、前記側壁（７１～７４）と重ならない位置に設けられ、前記厚さ方向（Ｚ方向）と交差する方向のうち第１方向（Ｘ方向）における前記キャップ（７０）の移動を制限する第１制限部（９０Ａ）と、
前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て、前記側壁（７１～７４）と重ならない位置に設けられ、前記第１方向（Ｘ方向）と直交する第２方向（Ｙ方向）における前記キャップ（７０）の移動を制限する第２制限部（９０Ｂ）と、
を含む
付記１または２に記載の半導体発光装置。
前記制限部材（９０）は、
前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て、前記側壁（７１～７４）と重ならない位置に設けられ、前記厚さ方向（Ｚ方向）と交差する方向のうち第１方向（Ｘ方向）における前記キャップ（７０）の移動を制限する第１制限部（９０Ａ）と、
前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て、前記側壁（７１～７４）と重ならない位置に設けられ、前記第１方向（Ｘ方向）と直交する第２方向（Ｙ方向）における前記キャップ（７０）の移動を制限する第２制限部（９０Ｂ）と、
を含む
付記１または２に記載の半導体発光装置。
【0215】
［付記４］
前記側壁（７１～７４）は、第１コーナ部分（７９Ａ）、第２コーナ部分（７９Ｂ）、第３コーナ部分（７９Ｃ）、および第４コーナ部分（７９Ｄ）を含む矩形枠状に形成されており、
前記制限部材（１００／１００Ｑ）は、第１部材（１０１）および第２部材（１０２）を含み、
前記第１部材（１０１）および前記第２部材（１０２）は、前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て前記側壁（７１～７４）の前記第１～第４コーナ部分（７９Ａ～７９Ｄ）のうち対角上に配置された前記第１コーナ部分（７９Ａ）および前記第２コーナ部分（７９Ｂ）と隣り合う位置に配置されることによって前記第１制限部（１００Ａ）および前記第２制限部（１００Ｂ）を構成している
付記３に記載の半導体発光装置。
前記側壁（７１～７４）は、第１コーナ部分（７９Ａ）、第２コーナ部分（７９Ｂ）、第３コーナ部分（７９Ｃ）、および第４コーナ部分（７９Ｄ）を含む矩形枠状に形成されており、
前記制限部材（１００／１００Ｑ）は、第１部材（１０１）および第２部材（１０２）を含み、
前記第１部材（１０１）および前記第２部材（１０２）は、前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て前記側壁（７１～７４）の前記第１～第４コーナ部分（７９Ａ～７９Ｄ）のうち対角上に配置された前記第１コーナ部分（７９Ａ）および前記第２コーナ部分（７９Ｂ）と隣り合う位置に配置されることによって前記第１制限部（１００Ａ）および前記第２制限部（１００Ｂ）を構成している
付記３に記載の半導体発光装置。
【0216】
［付記５］
前記制限部材（１００）は、第３部材（１０３）および第４部材（１０４）をさらに含み、
前記第３部材（１０３）および前記第４部材（１０４）は、前記第１～第４コーナ部分（７９Ａ～７９Ｄ）のうち対角上に配置された前記第３コーナ部分（７９Ｃ）および前記第４コーナ部分（７９Ｄ）と隣り合う位置に配置されることによって前記第１制限部（１００Ａ）および前記第２制限部（１００Ｂ）を構成している
付記４に記載の半導体発光装置。
前記制限部材（１００）は、第３部材（１０３）および第４部材（１０４）をさらに含み、
前記第３部材（１０３）および前記第４部材（１０４）は、前記第１～第４コーナ部分（７９Ａ～７９Ｄ）のうち対角上に配置された前記第３コーナ部分（７９Ｃ）および前記第４コーナ部分（７９Ｄ）と隣り合う位置に配置されることによって前記第１制限部（１００Ａ）および前記第２制限部（１００Ｂ）を構成している
付記４に記載の半導体発光装置。
【0217】
［付記６］
前記側壁（７１～７４）は、
前記第１方向（Ｘ方向）に対向する第１側壁（７１）および第２側壁（７２）と、
前記第２方向（Ｙ方向）に対向する第３側壁（７３）および第４側壁（７４）と、
を含み、
前記第１コーナ部分（７９Ａ）は、前記第１側壁（７１）と前記第３側壁（７３）とによって構成され、
前記第２コーナ部分（７９Ｂ）は、前記第２側壁（７２）と前記第４側壁（７４）とによって構成され、
前記第１部材（１０１）は、前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て前記第１側壁（７１）と前記第１方向（Ｘ方向）に隣り合う部分と前記第３側壁（７３）と前記第２方向（Ｙ方向）に隣り合う部分とを含み、
前記第２部材（１０２）は、前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て前記第２側壁（７２）と前記第１方向（Ｘ方向）に隣り合う部分と前記第４側壁（７４）と前記第２方向（Ｙ方向）に隣り合う部分とを含む
付記４に記載の半導体発光装置。
前記側壁（７１～７４）は、
前記第１方向（Ｘ方向）に対向する第１側壁（７１）および第２側壁（７２）と、
前記第２方向（Ｙ方向）に対向する第３側壁（７３）および第４側壁（７４）と、
を含み、
前記第１コーナ部分（７９Ａ）は、前記第１側壁（７１）と前記第３側壁（７３）とによって構成され、
前記第２コーナ部分（７９Ｂ）は、前記第２側壁（７２）と前記第４側壁（７４）とによって構成され、
前記第１部材（１０１）は、前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て前記第１側壁（７１）と前記第１方向（Ｘ方向）に隣り合う部分と前記第３側壁（７３）と前記第２方向（Ｙ方向）に隣り合う部分とを含み、
前記第２部材（１０２）は、前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て前記第２側壁（７２）と前記第１方向（Ｘ方向）に隣り合う部分と前記第４側壁（７４）と前記第２方向（Ｙ方向）に隣り合う部分とを含む
付記４に記載の半導体発光装置。
【0218】
［付記７］
前記側壁（７１～７４）は、
前記第１方向（Ｘ方向）に対向する第１側壁（７１）および第２側壁（７２）と、
前記第２方向（Ｙ方向）に対向する第３側壁（７３）および第４側壁（７４）と、
を含み、
前記第３コーナ部分（７９Ｃ）は、前記第１側壁（７１）と前記第４側壁（７４）とによって構成され、
前記第４コーナ部分（７９Ｄ）は、前記第２側壁（７２）と前記第３側壁（７３）とによって構成され、
前記第３部材（１０３）は、前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て、前記第１側壁（７１）と前記第１方向（Ｘ方向）に隣り合う部分と前記第４側壁（７４）と前記第２方向（Ｙ方向）に隣り合う部分とを含み、
前記第４部材（１０４）は、前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て、前記第２側壁（７２）と前記第１方向（Ｘ方向）に隣り合う部分と前記第３側壁（７３）と前記第２方向（Ｙ方向）に隣り合う部分とを含む
付記５に記載の半導体発光装置。
前記側壁（７１～７４）は、
前記第１方向（Ｘ方向）に対向する第１側壁（７１）および第２側壁（７２）と、
前記第２方向（Ｙ方向）に対向する第３側壁（７３）および第４側壁（７４）と、
を含み、
前記第３コーナ部分（７９Ｃ）は、前記第１側壁（７１）と前記第４側壁（７４）とによって構成され、
前記第４コーナ部分（７９Ｄ）は、前記第２側壁（７２）と前記第３側壁（７３）とによって構成され、
前記第３部材（１０３）は、前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て、前記第１側壁（７１）と前記第１方向（Ｘ方向）に隣り合う部分と前記第４側壁（７４）と前記第２方向（Ｙ方向）に隣り合う部分とを含み、
前記第４部材（１０４）は、前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て、前記第２側壁（７２）と前記第１方向（Ｘ方向）に隣り合う部分と前記第３側壁（７３）と前記第２方向（Ｙ方向）に隣り合う部分とを含む
付記５に記載の半導体発光装置。
【0219】
［付記８］
前記側壁（７１～７４）は、前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て矩形枠状に形成され、かつ、
前記第１方向（Ｘ方向）に対向する第１側壁（７１）および第２側壁（７２）と、
前記第２方向（Ｙ方向）に対向する第３側壁（７３）および第４側壁（７４）と、
前記第１側壁（７１）と前記第３側壁（７３）とによって構成された第１コーナ部分（７９Ａ）と、
前記第２側壁（７２）と前記第４側壁（７４）とによって構成された第２コーナ部分（７９Ｂ）と、
前記第１側壁（７１）と前記第４側壁（７４）とによって構成された第３コーナ部分（７９Ｃ）と、
前記第２側壁（７２）と前記第３側壁（７３）とによって構成された第４コーナ部分（７９Ｄ）と、
を含み、
前記制限部材（１１０）は、
前記第１コーナ部分（７９Ａ）において前記側壁（７１～７４）の内側面（７７）と隣り合う第１部材（１１１）と、
前記第４コーナ部分（７９Ｄ）において前記側壁（７１～７４）の前記内側面（７７）と隣り合う第２部材（１１２）と、
前記第３側壁（７３）と前記第２方向（Ｙ方向）に隣り合う位置において前記第３側壁（７３）の外側面（７８）と隣り合う第３部材（１１３）と、
を含み、
前記第１部材（１１１）および前記第２部材（１１２）は、前記第１制限部（１１０Ａ）を構成し、
前記第１部材（１１１）、前記第２部材（１１２）、および前記第３部材（１１３）は、前記第２制限部（１１０Ｂ）を構成している
付記３に記載の半導体発光装置。
前記側壁（７１～７４）は、前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て矩形枠状に形成され、かつ、
前記第１方向（Ｘ方向）に対向する第１側壁（７１）および第２側壁（７２）と、
前記第２方向（Ｙ方向）に対向する第３側壁（７３）および第４側壁（７４）と、
前記第１側壁（７１）と前記第３側壁（７３）とによって構成された第１コーナ部分（７９Ａ）と、
前記第２側壁（７２）と前記第４側壁（７４）とによって構成された第２コーナ部分（７９Ｂ）と、
前記第１側壁（７１）と前記第４側壁（７４）とによって構成された第３コーナ部分（７９Ｃ）と、
前記第２側壁（７２）と前記第３側壁（７３）とによって構成された第４コーナ部分（７９Ｄ）と、
を含み、
前記制限部材（１１０）は、
前記第１コーナ部分（７９Ａ）において前記側壁（７１～７４）の内側面（７７）と隣り合う第１部材（１１１）と、
前記第４コーナ部分（７９Ｄ）において前記側壁（７１～７４）の前記内側面（７７）と隣り合う第２部材（１１２）と、
前記第３側壁（７３）と前記第２方向（Ｙ方向）に隣り合う位置において前記第３側壁（７３）の外側面（７８）と隣り合う第３部材（１１３）と、
を含み、
前記第１部材（１１１）および前記第２部材（１１２）は、前記第１制限部（１１０Ａ）を構成し、
前記第１部材（１１１）、前記第２部材（１１２）、および前記第３部材（１１３）は、前記第２制限部（１１０Ｂ）を構成している
付記３に記載の半導体発光装置。
【0220】
［付記９］
前記第１部材（１１１）および前記第２部材（１１２）は、前記第２方向（Ｙ方向）が長さ方向となり、前記第１方向（Ｘ方向）が幅方向となる矩形状であり、
前記第３部材（１１３）は、前記第１方向（Ｘ方向）が長さ方向となり、前記第２方向（Ｙ方向）が幅方向となる矩形状である
付記８に記載の半導体発光装置。
前記第１部材（１１１）および前記第２部材（１１２）は、前記第２方向（Ｙ方向）が長さ方向となり、前記第１方向（Ｘ方向）が幅方向となる矩形状であり、
前記第３部材（１１３）は、前記第１方向（Ｘ方向）が長さ方向となり、前記第２方向（Ｙ方向）が幅方向となる矩形状である
付記８に記載の半導体発光装置。
【0221】
［付記１０］
前記側壁（７１～７４）は、前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て前記第１方向（Ｘ方向）が長手方向となり、前記第２方向（Ｙ方向）が短手方向となる矩形枠状に形成されており、
前記第３部材（１１３）の長さ寸法（ＬＭ３）は、前記第１部材（１１１）および前記第２部材（１１２）の各々の長さ寸法（ＬＭ１，ＬＭ２）よりも長い
付記９に記載の半導体発光装置。
前記側壁（７１～７４）は、前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て前記第１方向（Ｘ方向）が長手方向となり、前記第２方向（Ｙ方向）が短手方向となる矩形枠状に形成されており、
前記第３部材（１１３）の長さ寸法（ＬＭ３）は、前記第１部材（１１１）および前記第２部材（１１２）の各々の長さ寸法（ＬＭ１，ＬＭ２）よりも長い
付記９に記載の半導体発光装置。
【0222】
［付記１１］
前記半導体発光素子（６０）は、前記第２方向（Ｙ方向）において前記第４側壁（７４）と隣り合う位置に配置されている
付記８～１０のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
前記半導体発光素子（６０）は、前記第２方向（Ｙ方向）において前記第４側壁（７４）と隣り合う位置に配置されている
付記８～１０のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
【0223】
［付記１２］
前記制限部材（９０）は、前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て前記半導体発光素子（６０）を囲む枠状に形成されている
付記１に記載の半導体発光装置。
前記制限部材（９０）は、前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て前記半導体発光素子（６０）を囲む枠状に形成されている
付記１に記載の半導体発光装置。
【0224】
［付記１３］
前記制限部材（９０）は、前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て前記側壁（７１～７４）の内側面（７７）の周方向の全体にわたり設けられている
付記１２に記載の半導体発光装置。
前記制限部材（９０）は、前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て前記側壁（７１～７４）の内側面（７７）の周方向の全体にわたり設けられている
付記１２に記載の半導体発光装置。
【0225】
［付記１４］
前記制限部材（９０Ｐ）は、前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て前記側壁（７１～７４）の外側面（７８）の周方向の全体にわたり設けられている
付記１２に記載の半導体発光装置。
前記制限部材（９０Ｐ）は、前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て前記側壁（７１～７４）の外側面（７８）の周方向の全体にわたり設けられている
付記１２に記載の半導体発光装置。
【0226】
［付記１５］
前記制限部材（９０／１００／１１０）は、絶縁材料によって形成されている
付記１～１４のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
前記制限部材（９０／１００／１１０）は、絶縁材料によって形成されている
付記１～１４のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
【0227】
［付記１６］
前記接着パターン（３３）よりも内側に設けられ、前記半導体発光素子（６０）と電気的に接続された表面電極（３０）を備え、
前記制限部材（１００／１１０）は、前記接着パターン（３３）上および前記表面電極（３０）上の少なくとも一方に設けられている
付記１５に記載の半導体発光装置。
前記接着パターン（３３）よりも内側に設けられ、前記半導体発光素子（６０）と電気的に接続された表面電極（３０）を備え、
前記制限部材（１００／１１０）は、前記接着パターン（３３）上および前記表面電極（３０）上の少なくとも一方に設けられている
付記１５に記載の半導体発光装置。
【0228】
［付記１７］
前記制限部材（９０／１００／１１０）は、金属材料によって形成されている
付記１～１４のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
前記制限部材（９０／１００／１１０）は、金属材料によって形成されている
付記１～１４のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
【0229】
［付記１８］
前記接着パターン（３３）よりも内側に設けられ、前記半導体発光素子（６０）と電気的に接続された表面電極（３０）を備え、
前記制限部材（１００／１１０）は、前記接着パターン（３３）または前記表面電極（３０）と一体に形成されている
付記１７に記載の半導体発光装置。
前記接着パターン（３３）よりも内側に設けられ、前記半導体発光素子（６０）と電気的に接続された表面電極（３０）を備え、
前記制限部材（１００／１１０）は、前記接着パターン（３３）または前記表面電極（３０）と一体に形成されている
付記１７に記載の半導体発光装置。
【0230】
［付記１９］
前記半導体発光素子（６０）は、前記半導体発光素子（６０）からの光が前記側壁（７４）を介して前記半導体発光装置（１０）の外部に出射されるように構成された端面発光素子である
付記１～１８のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
前記半導体発光素子（６０）は、前記半導体発光素子（６０）からの光が前記側壁（７４）を介して前記半導体発光装置（１０）の外部に出射されるように構成された端面発光素子である
付記１～１８のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
【0231】
［付記２０］
基板（８２０）に半導体発光素子（６０）を配置する工程と、
前記基板（８２０）に設けられ、前記基板（８２０）の厚さ方向（Ｚ方向）から視て前記半導体発光素子（６０）を囲む接着パターン（３３）のパターン表面（３３Ｓ）に接着剤（５０）を塗布する工程と、
前記厚さ方向（Ｚ方向）において前記接着パターン（３３）と対向している枠状に形成されかつ開口端面（７６）および側面（７７，７８）を含む側壁（７１～７４）を有するキャップ（７０）を、前記接着剤（５０）上に配置して前記半導体発光素子（６０）を収容する工程と、
前記接着剤（５０）を硬化して前記接着パターン（３３）に前記キャップ（７０）を接着する工程と、
を備え、
前記基板（８２０）は、前記基板（８２０）上に設けられ、前記側壁（７１～７４）の前記側面（７７／７８）と接することによって前記厚さ方向（Ｚ方向）と交差する方向（Ｘ方向／Ｙ方向）における前記キャップ（７０）の移動を制限する制限部材（９０）を含み、
前記接着パターン（３３）に前記キャップ（７０）を接着する工程では、前記キャップ（７０）に対して前記接着パターン（３３）に向けて荷重を加えた状態で前記接着剤（５０）を硬化させる
半導体発光装置（１０）の製造方法。
基板（８２０）に半導体発光素子（６０）を配置する工程と、
前記基板（８２０）に設けられ、前記基板（８２０）の厚さ方向（Ｚ方向）から視て前記半導体発光素子（６０）を囲む接着パターン（３３）のパターン表面（３３Ｓ）に接着剤（５０）を塗布する工程と、
前記厚さ方向（Ｚ方向）において前記接着パターン（３３）と対向している枠状に形成されかつ開口端面（７６）および側面（７７，７８）を含む側壁（７１～７４）を有するキャップ（７０）を、前記接着剤（５０）上に配置して前記半導体発光素子（６０）を収容する工程と、
前記接着剤（５０）を硬化して前記接着パターン（３３）に前記キャップ（７０）を接着する工程と、
を備え、
前記基板（８２０）は、前記基板（８２０）上に設けられ、前記側壁（７１～７４）の前記側面（７７／７８）と接することによって前記厚さ方向（Ｚ方向）と交差する方向（Ｘ方向／Ｙ方向）における前記キャップ（７０）の移動を制限する制限部材（９０）を含み、
前記接着パターン（３３）に前記キャップ（７０）を接着する工程では、前記キャップ（７０）に対して前記接着パターン（３３）に向けて荷重を加えた状態で前記接着剤（５０）を硬化させる
半導体発光装置（１０）の製造方法。
【0232】
［付記２１］
前記制限部材（９０，１００，１１０）は、前記接着パターン（３３）の前記パターン表面（３３Ｓ）に形成されたレジスト（８９０）によって構成されている
付記２０に記載の半導体発光装置の製造方法。
前記制限部材（９０，１００，１１０）は、前記接着パターン（３３）の前記パターン表面（３３Ｓ）に形成されたレジスト（８９０）によって構成されている
付記２０に記載の半導体発光装置の製造方法。
【0233】
［付記２２］
前記基板（８２０）には、前記半導体発光素子（６０）が配置される素子表面電極（３１）と、前記基板（８２０）の厚さ方向（Ｚ方向）から視て前記半導体発光素子（６０）を囲うように前記素子表面電極（３１）上に形成されたレジストパターン（３４）と、が形成され、
前記制限部材（９０）および前記レジストパターン（３４）は、共通の工程で形成される
付記２１に記載の半導体発光装置の製造方法。
前記基板（８２０）には、前記半導体発光素子（６０）が配置される素子表面電極（３１）と、前記基板（８２０）の厚さ方向（Ｚ方向）から視て前記半導体発光素子（６０）を囲うように前記素子表面電極（３１）上に形成されたレジストパターン（３４）と、が形成され、
前記制限部材（９０）および前記レジストパターン（３４）は、共通の工程で形成される
付記２１に記載の半導体発光装置の製造方法。
【0234】
［付記２３］
前記制限部材（９０）および前記レジストパターン（３４）は、共通のレジスト（８９０）によって形成される
付記２２に記載の半導体発光装置の製造方法。
前記制限部材（９０）および前記レジストパターン（３４）は、共通のレジスト（８９０）によって形成される
付記２２に記載の半導体発光装置の製造方法。
【0235】
以上の説明は単に例示である。本開示の技術を説明する目的のために列挙された構成要素および方法（製造プロセス）以外に、より多くの考えられる組み合わせおよび置換が可能であることを当業者は認識し得る。本開示は、特許請求の範囲を含む本開示の範囲内に含まれるすべての代替、変形、および変更を包含することが意図される。
【符号の説明】
【0236】
１０…半導体発光装置
２０…基板
２１…基板表面
２２…基板裏面
２３～２６…第１～第４基板側面
３０…表面電極
３１…素子表面電極
３２，３２ＡＡ～３２ＡＤ，３２ＢＡ～３２ＢＤ…ワイヤ接続電極
３２Ｅ…凹部
３２Ｆ…突出部
３２Ｇ…切欠部
３３…接着パターン
３３Ａ…第１領域
３３Ｂ…第２領域
３３Ｓ…パターン表面
３４…レジストパターン
３５…第１パターン
３６…第２パターン
３７…第３パターン
３８…第４パターン
３９Ａ～３９Ｄ…第１～第４コーナ部分
４０…裏面電極
４１…貫通配線
５０…接着剤
６０…端面発光素子
６１…素子表面
６２…素子裏面
６３…素子電極
６４…裏面電極
６５，６５ＡＡ～６５ＡＤ，６５ＢＡ～６５ＢＤ…発光部
７０…キャップ
７１～７４…第１～第４側壁
７５…上壁
７６…開口端面
７７…内側面
７８…外側面
７９Ａ～７９Ｄ…第１～第４コーナ部分
８０…サブマウント基板
８１…表面
８２…裏面
８３…貫通配線
９０，９０Ｐ…制限部材
９０Ａ…第１制限部
９０Ｂ…第２制限部
９１…第１部材
９２…第２部材
９３…第３部材
９４…第４部材
９５～９８…第１～第４コーナ部分
１００，１００Ｐ，１００Ｑ…制限部材
１００Ａ…第１制限部
１００Ｂ…第２制限部
１０１～１０４…第１～第４部材
１１０…制限部材
１１０Ａ…第１制限部
１１０Ｂ…第２制限部
１１１～１１３…第１～第３部材
１２１～１２４…切欠部
８００…基材
８０１…基材表面
８０２…基材裏面
８０３…貫通孔
８２０…基板
８３０…表面電極膜
８３１…開口部
８４０…裏面電極膜
８５０…レジスト
８５１…開口部
８６０…表面レジスト
８７０…裏面レジスト
８９０…レジスト層
Ｗ１Ａ～Ｗ４Ａ，Ｗ１Ｂ～Ｗ４Ｂ…ワイヤ
ＧＰ…空隙
ＶＬ…中心仮想線
ＷＡ…接着パターンの幅寸法
Ｗ１…第１領域の幅寸法
Ｗ２…第２領域の幅寸法
Ｗ３…第１～第４側壁の幅寸法
ＬＸ１～ＬＸ３…第２領域のＸ方向の長さ寸法
ＬＹ１～ＬＹ３…第２領域のＹ方向の長さ寸法
ＬＭ１…第１部材の長さ寸法
ＬＭ２…第２部材の長さ寸法
ＬＭ３…第３部材の長さ寸法
ＷＭ１…第１部材の幅寸法
ＷＭ２…第２部材の幅寸法
ＷＭ３…第３部材の幅寸法
ＴＡ…接着剤の厚さ寸法
ＴＢ…制限部材の厚さ寸法
ＴＣ…サブマウント基板の厚さ寸法
ＴＤ…接着パターンの厚さ寸法
ＤＧ…空隙を形成する制限部材と第２側壁との間の距離
２０…基板
２１…基板表面
２２…基板裏面
２３～２６…第１～第４基板側面
３０…表面電極
３１…素子表面電極
３２，３２ＡＡ～３２ＡＤ，３２ＢＡ～３２ＢＤ…ワイヤ接続電極
３２Ｅ…凹部
３２Ｆ…突出部
３２Ｇ…切欠部
３３…接着パターン
３３Ａ…第１領域
３３Ｂ…第２領域
３３Ｓ…パターン表面
３４…レジストパターン
３５…第１パターン
３６…第２パターン
３７…第３パターン
３８…第４パターン
３９Ａ～３９Ｄ…第１～第４コーナ部分
４０…裏面電極
４１…貫通配線
５０…接着剤
６０…端面発光素子
６１…素子表面
６２…素子裏面
６３…素子電極
６４…裏面電極
６５，６５ＡＡ～６５ＡＤ，６５ＢＡ～６５ＢＤ…発光部
７０…キャップ
７１～７４…第１～第４側壁
７５…上壁
７６…開口端面
７７…内側面
７８…外側面
７９Ａ～７９Ｄ…第１～第４コーナ部分
８０…サブマウント基板
８１…表面
８２…裏面
８３…貫通配線
９０，９０Ｐ…制限部材
９０Ａ…第１制限部
９０Ｂ…第２制限部
９１…第１部材
９２…第２部材
９３…第３部材
９４…第４部材
９５～９８…第１～第４コーナ部分
１００，１００Ｐ，１００Ｑ…制限部材
１００Ａ…第１制限部
１００Ｂ…第２制限部
１０１～１０４…第１～第４部材
１１０…制限部材
１１０Ａ…第１制限部
１１０Ｂ…第２制限部
１１１～１１３…第１～第３部材
１２１～１２４…切欠部
８００…基材
８０１…基材表面
８０２…基材裏面
８０３…貫通孔
８２０…基板
８３０…表面電極膜
８３１…開口部
８４０…裏面電極膜
８５０…レジスト
８５１…開口部
８６０…表面レジスト
８７０…裏面レジスト
８９０…レジスト層
Ｗ１Ａ～Ｗ４Ａ，Ｗ１Ｂ～Ｗ４Ｂ…ワイヤ
ＧＰ…空隙
ＶＬ…中心仮想線
ＷＡ…接着パターンの幅寸法
Ｗ１…第１領域の幅寸法
Ｗ２…第２領域の幅寸法
Ｗ３…第１～第４側壁の幅寸法
ＬＸ１～ＬＸ３…第２領域のＸ方向の長さ寸法
ＬＹ１～ＬＹ３…第２領域のＹ方向の長さ寸法
ＬＭ１…第１部材の長さ寸法
ＬＭ２…第２部材の長さ寸法
ＬＭ３…第３部材の長さ寸法
ＷＭ１…第１部材の幅寸法
ＷＭ２…第２部材の幅寸法
ＷＭ３…第３部材の幅寸法
ＴＡ…接着剤の厚さ寸法
ＴＢ…制限部材の厚さ寸法
ＴＣ…サブマウント基板の厚さ寸法
ＴＤ…接着パターンの厚さ寸法
ＤＧ…空隙を形成する制限部材と第２側壁との間の距離
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】
【図28】
【図29】
【図30】
【図31】
【図32】
【図33】
【図34】
【図35】
【図36】