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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024165567
(43)【公開日】2024-11-28
(54)【発明の名称】センサ装置、及びセンサ装置の製造方法
(51)【国際特許分類】
G01P 15/08 20060101AFI20241121BHJP
【ＦＩ】
G01P15/08 102Z
【審査請求】未請求
【請求項の数】6
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023081852
(22)【出願日】2023-05-17
(71)【出願人】
【識別番号】000006220
【氏名又は名称】ミツミ電機株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100107766
【弁理士】
【氏名又は名称】伊東 忠重
(74)【代理人】
【識別番号】100070150
【弁理士】
【氏名又は名称】伊東 忠彦
(72)【発明者】
【氏名】鈴 宗一郎
(72)【発明者】
【氏名】栗林 慧
(57)【要約】
【課題】不十分な樹脂の広がりを改善することが可能なセンサ装置を提供すること。
【解決手段】センサ装置１００は、半導体センサ素子１０と、半導体センサ素子１０を実装する基板１１と、を含み、基板１１は、センサ素子実装部１２を囲むように形成された第１レジスト部２０と、第１レジスト部２０に隣接する第１領域１４，１５と、第１領域１４，１５を挟んで第１レジスト部２０を囲むように形成された第２レジスト部３０と、第１レジスト部２０から第２レジスト部３０へ向かうように延びる第３レジスト部４０と、を有し、第１領域１４，１５は樹脂層５３に覆われている。
【選択図】図１
【解決手段】センサ装置１００は、半導体センサ素子１０と、半導体センサ素子１０を実装する基板１１と、を含み、基板１１は、センサ素子実装部１２を囲むように形成された第１レジスト部２０と、第１レジスト部２０に隣接する第１領域１４，１５と、第１領域１４，１５を挟んで第１レジスト部２０を囲むように形成された第２レジスト部３０と、第１レジスト部２０から第２レジスト部３０へ向かうように延びる第３レジスト部４０と、を有し、第１領域１４，１５は樹脂層５３に覆われている。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
半導体センサ素子と、前記半導体センサ素子を実装する基板と、を含み、
前記基板は、
前記半導体センサ素子を実装するセンサ素子実装部と、
センサ素子実装部を囲むように形成された第１レジスト部と、
前記第１レジスト部に隣接する第１領域と、
前記第１領域を挟んで前記第１レジスト部を囲むように形成された第２レジスト部と、
前記第１レジスト部から前記第２レジスト部へ向かうように延びる第３レジスト部と、を有し、
前記第１領域は樹脂層に覆われているセンサ装置。
前記基板は、
前記半導体センサ素子を実装するセンサ素子実装部と、
センサ素子実装部を囲むように形成された第１レジスト部と、
前記第１レジスト部に隣接する第１領域と、
前記第１領域を挟んで前記第１レジスト部を囲むように形成された第２レジスト部と、
前記第１レジスト部から前記第２レジスト部へ向かうように延びる第３レジスト部と、を有し、
前記第１領域は樹脂層に覆われているセンサ装置。
【請求項2】
前記第３レジスト部は、前記第１レジスト部と前記第２レジスト部とを連結するように形成されている、請求項１に記載のセンサ装置。
【請求項3】
前記第３レジスト部の前記第１レジスト部に近い方の第１幅は、前記第３レジスト部の前記第２レジスト部に近い方の第２幅よりも狭い、請求項１に記載のセンサ装置。
【請求項4】
前記第１レジスト部は、平面視において矩形状を成し、
第１方向に対向し、第２方向に延びる一対の第１片と、
第２方向に対向し、第１方向に延びる一対の第２片と、を備え、
前記第３レジスト部は、前記第１片と前記第２片とが交差する角部に連結されている、請求項２に記載のセンサ装置。
第１方向に対向し、第２方向に延びる一対の第１片と、
第２方向に対向し、第１方向に延びる一対の第２片と、を備え、
前記第３レジスト部は、前記第１片と前記第２片とが交差する角部に連結されている、請求項２に記載のセンサ装置。
【請求項5】
前記第３レジスト部は、
前記角部から前記第２方向に延び前記第２レジスト部に連結される第１部分と、
前記第１部分に連結され前記第１方向に延びる第２部分と、を有する、請求項４に記載のセンサ装置。
前記角部から前記第２方向に延び前記第２レジスト部に連結される第１部分と、
前記第１部分に連結され前記第１方向に延びる第２部分と、を有する、請求項４に記載のセンサ装置。
【請求項6】
半導体センサ素子を、基板のセンサ素子実装部に実装してセンサ装置を製造するセンサ装置の製造方法であって、
前記センサ素子実装部を囲むように第１レジスト部を形成する工程と、
第１領域を挟んで前記第１レジスト部を囲むように第２レジスト部を形成する工程と、
前記第１レジスト部から前記第２レジスト部へ向かうように延びる第３レジスト部を形成する工程と、
前記第３レジスト部の上に樹脂注入部を配置して、前記樹脂注入部から樹脂を注入して、前記第１領域を覆う樹脂層を形成する工程と、を含む、センサ装置の製造方法。
前記センサ素子実装部を囲むように第１レジスト部を形成する工程と、
第１領域を挟んで前記第１レジスト部を囲むように第２レジスト部を形成する工程と、
前記第１レジスト部から前記第２レジスト部へ向かうように延びる第３レジスト部を形成する工程と、
前記第３レジスト部の上に樹脂注入部を配置して、前記樹脂注入部から樹脂を注入して、前記第１領域を覆う樹脂層を形成する工程と、を含む、センサ装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、センサ装置、及びセンサ装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
特許文献１には、センサ装置が開示されている。センサ装置は、基部を含む基板と、基板に実装された半導体センサ素子と、半導体センサ素子とワイヤボンディングされるワイヤボンディングパッドと、基部の一部を覆うレジスト膜と、露出された基部を覆う樹脂層と、を備える。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０１２－７３２３３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
しかしながら、従来技術に係るセンサ装置では、基板上への樹脂の注入後、樹脂の広がりが不十分な場合があった。本発明は、不十分な樹脂の広がりを改善することが可能なセンサ装置、及びセンサ装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本開示に係るセンサ装置は、半導体センサ素子と、半導体センサ素子を実装する基板と、を含み、基板は、半導体センサ素子を実装するセンサ素子実装部と、センサ素子実装部を囲むように形成された第１レジスト部と、第１レジスト部に隣接する第１領域と、第１領域を挟んで第１レジスト部を囲むように形成された第２レジスト部と、第１レジスト部から第２レジスト部へ向かうように延びる第３レジスト部と、を有し、第１領域は樹脂層に覆われている。
【0006】
また、本開示に係るセンサ装置の製造方法は、半導体センサ素子を、基板のセンサ素子実装部に実装してセンサ装置を製造するセンサ装置の製造方法であって、センサ素子実装部を囲むように第１レジスト部を形成する工程と、第１領域を挟んで第１レジスト部を囲むように第２レジスト部を形成する工程と、第１レジスト部から第２レジスト部へ向かうように延びる第３レジスト部を形成する工程と、第３レジスト部の上に樹脂注入部を配置して、樹脂注入部から樹脂を注入して、第１領域を覆う樹脂層を形成する工程と、を含む。
【発明の効果】
【0007】
本開示は、不十分な樹脂の広がりを抑制することが可能なセンサ装置、及びセンサ装置の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0008】
【図1】第１実施形態に係るセンサ装置を示す平面図であり、半導体センサ素子が実装される前の基板を示す図である。
【図2】第１実施形態に係るセンサ装置を示す平面図である。
【図3】第３レジスト部を拡大して示す平面図である。
【図5】従来技術に係るセンサ装置を示す断面図である。
【図6】センサ装置の製造方法の手順を示す工程図である。
【図7】第２実施形態に係るセンサ装置を示す平面図である。
【図8】第３実施形態に係るセンサ装置を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【0009】
以下、実施形態に係るセンサ装置及びセンサ装置の製造方法について、添付の図面を参照しながら説明する。尚、本明細書及び図面において、実質的に同一の構成要素については、同一の符号を付することにより重複した説明を省く場合がある。
【0010】
［第１実施形態に係るセンサ装置］
図１～図３を参照して、第１実施形態に係るセンサ装置１００について説明する。図１は、第１実施形態に係るセンサ装置１００を示す平面図であり、半導体センサ素子１０が実装される前の基板１１を示す図である。図２は、第１実施形態に係るセンサ装置１００を示す平面図である。図３は、第３レジスト部４０を拡大して示す平面図である。図４は、図２のＩＶ－ＩＶ線に沿う断面図である。図１～図３には、参考のため、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸、及びＺ軸が示されている。必要に応じ、他の図においても、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸が示される。
図１～図３を参照して、第１実施形態に係るセンサ装置１００について説明する。図１は、第１実施形態に係るセンサ装置１００を示す平面図であり、半導体センサ素子１０が実装される前の基板１１を示す図である。図２は、第１実施形態に係るセンサ装置１００を示す平面図である。図３は、第３レジスト部４０を拡大して示す平面図である。図４は、図２のＩＶ－ＩＶ線に沿う断面図である。図１～図３には、参考のため、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸、及びＺ軸が示されている。必要に応じ、他の図においても、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸が示される。
【0011】
図１及び図２に示されるように、センサ装置１００は、センサ素子実装部１２を有する基板１１を備える。図２～図４に示されるように、センサ装置１００は、センサ素子実装部１２に実装された半導体センサ素子１０を備える。センサ装置１００は、半導体センサ素子１０と、半導体センサ素子１０を実装する基板１１とを含む。基板１１は、センサ素子実装部１２と、第１レジスト部２０と、第１領域１４，１５と、第２レジスト部３０と、第３レジスト部４０と、を有する。第１領域１４，１５は、樹脂層５３に覆われている。
【0012】
［センサ素子実装部］
図１に示されるように、センサ素子実装部１２は、基板１１の表面に露出した基部１３を含む。表面に露出した基部１３とは、例えばレジスト膜に覆われていないことをいう。基部１３を含むセンサ素子実装部１２は、半導体センサ素子１０及び接着樹脂に覆われる。
図１に示されるように、センサ素子実装部１２は、基板１１の表面に露出した基部１３を含む。表面に露出した基部１３とは、例えばレジスト膜に覆われていないことをいう。基部１３を含むセンサ素子実装部１２は、半導体センサ素子１０及び接着樹脂に覆われる。
【0013】
センサ素子実装部１２は、平面視において矩形状を成すように形成されている。センサ素子実装部１２は、平面視において、半導体センサ素子１０と略同じ大きさである。
【0014】
［第１レジスト部］
第１レジスト部２０は、基板１１に形成されている。第１レジスト部２０は、平面視においてセンサ素子実装部１２を囲むように形成されている。第１レジスト部２０は、平面視において矩形の枠状を成す。第１レジスト部２０は、一対の第１片２１と、一対の第２片２２とを有する。
第１レジスト部２０は、基板１１に形成されている。第１レジスト部２０は、平面視においてセンサ素子実装部１２を囲むように形成されている。第１レジスト部２０は、平面視において矩形の枠状を成す。第１レジスト部２０は、一対の第１片２１と、一対の第２片２２とを有する。
【0015】
一対の第１片２１は、Ｙ軸方向に対向し、Ｘ軸方向に延びる。一対の第２片２２は、Ｘ軸方向に対向し、Ｙ軸方向に延びる。Ｙ軸方向は、第１方向の一例であり、Ｘ軸方向は、第２方向の一例である。第１レジスト部２０は、Ｚ軸方向に所定の厚さを有する。なお、図示の例では、第１方向と第２方向とは直交するが、これには限定されず、第１方向と第２方向とは交差していればよい。
【0016】
平面視において、第１レジスト部２０の内側に、センサ素子実装部１２が形成されている。第１レジスト部２０は、センサ素子実装部１２に注入された接着樹脂の流出を防止する機能を有する。センサ素子実装部１２内には、半導体センサ素子１０を接着するための接着樹脂が注入される。センサ素子実装部１２内の接着樹脂は第１レジスト部２０によって堰き止められる。
【0017】
［第１領域］
基板１１には、表面に露出した第１領域１４，１５が形成されている。第１領域１４，１５は、例えばレジスト膜に覆われていない。第１領域１４，１５は、後述するように、樹脂５２によって覆われる（図４参照）。第１領域１４，１５は、平面視において第１レジスト部２０に隣接している。一対の第１領域１４は、Ｙ軸方向に対向し、Ｘ軸方向に延びるように形成されている。一対の第１領域１５は、Ｘ軸方向に対向し、Ｙ軸方向に延びるように形成されている。
基板１１には、表面に露出した第１領域１４，１５が形成されている。第１領域１４，１５は、例えばレジスト膜に覆われていない。第１領域１４，１５は、後述するように、樹脂５２によって覆われる（図４参照）。第１領域１４，１５は、平面視において第１レジスト部２０に隣接している。一対の第１領域１４は、Ｙ軸方向に対向し、Ｘ軸方向に延びるように形成されている。一対の第１領域１５は、Ｘ軸方向に対向し、Ｙ軸方向に延びるように形成されている。
【0018】
第１領域１４は、第１片２１に隣接するように形成されている。第１領域１４は、第１片２１に対してセンサ素子実装部１２とは反対側に配置されている。換言すると、第１片２１は、Ｙ軸方向において、センサ素子実装部１２と第１領域１４との間に形成されている。第１領域１４は、Ｙ軸方向に所定の幅を有する。第１領域１４は、Ｘ軸方向に所定の長さを有する。
【0019】
第１領域１５は、第２片２２に隣接するように形成されている。第１領域１５は、第２片２２に対してセンサ素子実装部１２とは反対側に配置されている。換言すると、第２片２２は、Ｘ軸方向において、センサ素子実装部１２と第１領域１５との間に形成されている。第１領域１５は、Ｘ軸方向に所定の幅を有する。第１領域１５は、Ｙ軸方向に所定の長さを有する。
【0020】
［ワイヤボンディングパッド］
センサ装置１００は、複数のワイヤボンディングパッド１６を備える。第１領域１４，１５には、複数のワイヤボンディングパッド１６が形成されている。第１領域１４には、Ｘ軸方向に並ぶ複数のワイヤボンディングパッド１６が形成されている。第１領域１５には、Ｙ軸方向に並ぶ複数のワイヤボンディングパッド１６が形成されている。
センサ装置１００は、複数のワイヤボンディングパッド１６を備える。第１領域１４，１５には、複数のワイヤボンディングパッド１６が形成されている。第１領域１４には、Ｘ軸方向に並ぶ複数のワイヤボンディングパッド１６が形成されている。第１領域１５には、Ｙ軸方向に並ぶ複数のワイヤボンディングパッド１６が形成されている。
【0021】
ワイヤボンディングパッド１６には、配線１８が接続されている。配線１８は、基板１１の表面に形成されている。配線１８は、平面視において、半導体センサ素子１０及びセンサ素子実装部１２から離れる方向に延びる。
【0022】
［ワイヤボンディング］
図２に示されるように、半導体センサ素子１０とワイヤボンディングパッド１６とはワイヤボンディングされている。センサ装置１００は、複数のボンディングワイヤ１９を有する。ボンディングワイヤ１９は、半導体センサ素子１０とワイヤボンディングパッド１６とに接続されている。
図２に示されるように、半導体センサ素子１０とワイヤボンディングパッド１６とはワイヤボンディングされている。センサ装置１００は、複数のボンディングワイヤ１９を有する。ボンディングワイヤ１９は、半導体センサ素子１０とワイヤボンディングパッド１６とに接続されている。
【0023】
［第２レジスト部］
第２レジスト部３０は、基板１１に形成されている。第２レジスト部３０は、平面視において第１領域１４、１５を挟んで第１レジスト部２０を囲むように形成されている。第２レジスト部３０は、平面視において矩形の枠状を成す。第２レジスト部３０は、一対の第１片３１と、一対の第２片３２とを有する。
第２レジスト部３０は、基板１１に形成されている。第２レジスト部３０は、平面視において第１領域１４、１５を挟んで第１レジスト部２０を囲むように形成されている。第２レジスト部３０は、平面視において矩形の枠状を成す。第２レジスト部３０は、一対の第１片３１と、一対の第２片３２とを有する。
【0024】
一対の第１片３１は、Ｙ軸方向に対向し、Ｘ軸方向に延びる。一対の第２片３２は、Ｘ軸方向に対向し、Ｙ軸方向に延びる。第２レジスト部３０は、Ｚ軸方向に所定の厚さを有する。第２レジスト部３０の厚さは、第１レジスト部２０の厚さと同じである。なお、「同じ」は「略同じ」を含む。
【0025】
［第３レジスト部］
第３レジスト部４０は、基板１１に形成されている。第３レジスト部４０は、平面視において第１レジスト部２０から第２レジスト部３０へ向かうように延びている。なお、第１レジスト部２０から第２レジスト部３０へ向かうように延びるとは、第２レジスト部３０から第１レジスト部２０へ向かうように延びることを含む。
第３レジスト部４０は、基板１１に形成されている。第３レジスト部４０は、平面視において第１レジスト部２０から第２レジスト部３０へ向かうように延びている。なお、第１レジスト部２０から第２レジスト部３０へ向かうように延びるとは、第２レジスト部３０から第１レジスト部２０へ向かうように延びることを含む。
【0026】
第３レジスト部４０は、第１レジスト部２０と第２レジスト部３０とを連結する。図３に示されるように、第３レジスト部４０のうち、第１レジスト部２０に近い方の端部は、第１片２１と第２片２２とが交差する角部２３に接続されている。第３レジスト部４０のうち、第２レジスト部３０に近い方の端部は、第１片３１と第２片３２とが交差する角部３３に接続されている。
【0027】
第３レジスト部４０は、第１部分４１及び第２部分４２を有する。第３レジスト部４０は、平面視においてＬ字を成すように形成されている。第１部分４１は、第１片２１と第２片２２とが交差する角部２３に連結されている。第１部分４１は、Ｘ軸方向に延びる。第１部分４１は、第１片２１の長手方向に延びる。第１部分４１は、第２片３２に接続されていてもよい。第１部分４１は、Ｙ軸方向において、第１領域１４と第１領域１５との間に形成されている。第１部分４１は、Ｘ軸方向において、第１片２１と第２片３２との間に形成されている。
【0028】
第２部分４２は、第１部分４１に連結されＹ軸方向に延びる。第２部分４２は、第２片３２の長手方向に沿うように延びている。第２部分４２は、第１片３１と第２片３２とが交差する角部３３に連結されている。第２部分４２は、Ｘ軸方向において、第１領域１４と第２片３２との間に形成されている。第２部分４２は、Ｙ軸方向において、第１片３１と第１領域１５との間に配置されている。第２部分４２は、Ｙ軸方向において、第１片３１と第１部分４１との間に形成されている。
【0029】
第３レジスト部４０は、矩形状を成す第１レジスト部２０の全ての角部２３に対応して配置されている。第３レジスト部４０のＺ軸方向における厚さは、第１レジスト部２０の厚さと同じでもよい。第３レジスト部４０のＺ軸方向における厚さは、第２レジスト部３０の厚さと同じでもよい。
【0030】
［第２領域］
図２及び図４に示されるように、基板１１には、表面に露出した第２領域６５が形成されている。第２領域６５は、平面視において、第２レジスト部３０を囲むように形成されている。第２領域６５は、矩形の枠状に形成されている。
図２及び図４に示されるように、基板１１には、表面に露出した第２領域６５が形成されている。第２領域６５は、平面視において、第２レジスト部３０を囲むように形成されている。第２領域６５は、矩形の枠状に形成されている。
【0031】
［第４レジスト部］
第４レジスト部６０は、基板１１に形成されている。第４レジスト部６０は、平面視において第２領域６５を挟んで第２レジスト部３０を囲むように形成されていてもよい。第４レジスト部６０は、平面視において矩形状を成すように形成されていてもよい。平面視において、第２レジスト部３０と第４レジスト部６０との間に、第２領域６５が配置されている。
第４レジスト部６０は、基板１１に形成されている。第４レジスト部６０は、平面視において第２領域６５を挟んで第２レジスト部３０を囲むように形成されていてもよい。第４レジスト部６０は、平面視において矩形状を成すように形成されていてもよい。平面視において、第２レジスト部３０と第４レジスト部６０との間に、第２領域６５が配置されている。
【0032】
［パッケージ］
図４に示されるように、センサ装置１００は、パッケージ５０を備える。パッケージ５０は、例えば接着樹脂を介して、第２レジスト部３０及び第４レジスト部６０に接着されている。パッケージ５０は、平面視において、第２レジスト部３０の外周部にかかるように配置されている。パッケージ５０は、基板１１の表面に露出する第２領域６５に接着されていてもよい。パッケージ５０は、センサ装置１００のハウジングでもよい。例えば、エポキシ樹脂を接着剤として、パッケージ５０を基板１１に接着することができる。
図４に示されるように、センサ装置１００は、パッケージ５０を備える。パッケージ５０は、例えば接着樹脂を介して、第２レジスト部３０及び第４レジスト部６０に接着されている。パッケージ５０は、平面視において、第２レジスト部３０の外周部にかかるように配置されている。パッケージ５０は、基板１１の表面に露出する第２領域６５に接着されていてもよい。パッケージ５０は、センサ装置１００のハウジングでもよい。例えば、エポキシ樹脂を接着剤として、パッケージ５０を基板１１に接着することができる。
【0033】
［半導体センサ素子］
半導体センサ素子１０は、例えば半導体圧力センサ素子でもよい。半導体センサ素子１０は、半導体圧力センサ素子に限定されない。半導体センサ素子１０は、例えば、温度センサでもよく、湿度センサでもよく、その他のセンサ素子でもよい。半導体センサ素子１０は、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）センサチップと、ガラス基板とを有していてもよい。
半導体センサ素子１０は、例えば半導体圧力センサ素子でもよい。半導体センサ素子１０は、半導体圧力センサ素子に限定されない。半導体センサ素子１０は、例えば、温度センサでもよく、湿度センサでもよく、その他のセンサ素子でもよい。半導体センサ素子１０は、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）センサチップと、ガラス基板とを有していてもよい。
【0034】
半導体センサ素子１０は、上述したように、センサ素子実装部１２に実装されている。半導体センサ素子１０は、接着樹脂を用いて基板１１のセンサ素子実装部１２に接着されている。半導体センサ素子１０は、互いに対向する第１面１０ａ及び第２面１０ｂを有する。第１面１０ａは、基板１１とは反対側に配置されている。第１面１０ａは、後述する樹脂５２によって被覆されていない。第１面１０ａは、センサ装置１００の外部に対して露出する露出面の一例である。なお、第１面１０ａのうち全てが外部に対して露出していてもよく、第１面１０ａのうちの一部が外部に対して露出していてもよい。
【0035】
第２面１０ｂは、Ｚ軸方向において基板１１と対向する面を含む。第２面１０ｂは、基板１１に対して接着される。例えば、シリコン樹脂等のダイボンド樹脂を接着剤として、半導体センサ素子１０を接着することができる。
【0036】
［樹脂］
センサ装置１００は、樹脂５２を含む樹脂層５３を備える。樹脂５２が充填されることにより、樹脂層５３が形成されている。樹脂層５３は、パッケージ５０と半導体センサ素子１０との間を埋めるように配置されている。樹脂層５３は、図２に示される第１レジスト部２０、第１領域１４，１５、第２レジスト部３０、及び第３レジスト部４０を覆うように形成されている。
センサ装置１００は、樹脂５２を含む樹脂層５３を備える。樹脂５２が充填されることにより、樹脂層５３が形成されている。樹脂層５３は、パッケージ５０と半導体センサ素子１０との間を埋めるように配置されている。樹脂層５３は、図２に示される第１レジスト部２０、第１領域１４，１５、第２レジスト部３０、及び第３レジスト部４０を覆うように形成されている。
【0037】
基板１１上に樹脂５２を注入する際には、例えば、ニードル５１を用いて、樹脂５２が注入される。ニードル５１は、樹脂注入部の一例である。樹脂注入部は、樹脂を吐出するノズルを含む。樹脂５２を注入する樹脂注入装置は、ニードル５１を備える。ニードル５１は、例えば、第３レジスト部４０の上方に配置された状態で、樹脂５２を注入する。ニードル５１は、第１部分４１の上方に配置されていてもよく、第２部分４２の上方に配置されていてもよい。
【0038】
ニードル５１から流出した樹脂５２は落下し、第３レジスト部４０の上に注入される。例えば、注入された樹脂５２は、第３レジスト部４０の上を、パッケージ５０から半導体センサ素子１０に向かうように流れる。樹脂５２の一部は、第２レジスト部３０から第１レジスト部２０へ近づく方向に流れる。樹脂５２の一部は、その他の方向に流れてもよい。
【0039】
樹脂５２は、例えば、第２部分４２の上に注入されてもよい。第２部分４２の上に注入された樹脂５２は、第２部分４２から第１部分４１の上に流れて、半導体センサ素子１０の側面１０ｃに到達する。
【0040】
第３レジスト部４０の上に注入された樹脂５２の一部は、第２レジスト部３０の上を流れて広がる。樹脂５２は、パッケージ５０の側面５０ｃに接する。第３レジスト部４０の上に注入された樹脂５２の一部は、第１レジスト部２０の上に流れ込む。樹脂５２の一部は、第１レジスト部２０の上を流れて広がる。
【0041】
第３レジスト部４０の上の樹脂５２の一部は、第１領域１４，１５の上に流れ込む。第２レジスト部３０の上の樹脂５２の一部は、第１領域１４，１５の上に流れ込む。第１レジスト部２０の上の樹脂５２の一部は、第１領域１４，１５の上に流れ込む。
【0042】
第１レジスト部２０、第２レジスト部３０、第３レジスト部４０、及び第１領域１４，１５は、樹脂５２によって覆われて保護される。第１領域１４，１５に形成されたワイヤボンディングパッド１６は、樹脂５２によって覆われて保護される。樹脂層５３は、第１レジスト部２０、第２レジスト部３０、第３レジスト部４０、及び第１領域１４，１５を覆う。樹脂層５３は、ワイヤボンディングパッド１６、及びボンディングワイヤ１９の一部を覆う。
【0043】
［従来技術の課題］
次に、従来技術の課題について説明する。図５は、従来技術に係るセンサ装置１を示す断面図である。従来技術に係るセンサ装置１は、半導体センサ素子１０、基板１１、第１レジスト部２０、第２レジスト部３０、第４レジスト部６０、及びパッケージ５０を備える。従来技術に係るセンサ装置１は、第３レジスト部４０を備えていない。センサ装置１では、Ｙ軸方向に第１領域１５が長く、第１領域１４とつながっている。
次に、従来技術の課題について説明する。図５は、従来技術に係るセンサ装置１を示す断面図である。従来技術に係るセンサ装置１は、半導体センサ素子１０、基板１１、第１レジスト部２０、第２レジスト部３０、第４レジスト部６０、及びパッケージ５０を備える。従来技術に係るセンサ装置１は、第３レジスト部４０を備えていない。センサ装置１では、Ｙ軸方向に第１領域１５が長く、第１領域１４とつながっている。
【0044】
センサ装置１では、ニードル５１から流出した樹脂２は、第２レジスト部３０及び第１領域１５の上に供給される。この場合、第１領域１５の上の樹脂２は、第１レジスト部２０に堰き止められることがある。第１レジスト部２０は、レジスト膜が形成されていない第１領域１５の基部に対して段差となる。第１領域１５の樹脂２は、段差である第１レジスト部２０に引っかかり、第１レジスト部２０の上に流れ込みにくい。そのため、従来技術では、樹脂２の広がりが十分ではない場合があった。これを改善するために、補修を行うと、生産効率の低下につながる。また、補修の際に、半導体センサ素子１０を破損させてしまうおそれがあった。
【0045】
樹脂２によって保護されない部分が多い場合には、信頼性が低く、製品として使用できない。また、段差をなくすために、第１レジスト部２０を取り除くと、半導体センサ素子１０を実装する際に、半導体センサ素子１０を接着するための樹脂が広範囲に広がってしまうという問題が生じる。
【0046】
［第１実施形態に係るセンサ装置の作用効果］
第１実施形態に係るセンサ装置１００は、外部に対して露出する第１面１０ａを有する半導体センサ素子１０と、半導体センサ素子１０を実装するセンサ素子実装部１２を有する基板１１と、を含む。基板１１は、平面視においてセンサ素子実装部１２を囲むように形成された第１レジスト部２０と、平面視において第１レジスト部２０に隣接する第１領域１４，１５と、平面視において第１領域１４，１５を挟んで第１レジスト部２０を囲むように形成された第２レジスト部３０と、平面視において第１レジスト部２０から第２レジスト部３０へ向かうように延びる第３レジスト部４０と、を有する。第１領域１４，１５は樹脂５２を含む樹脂層５３に覆われている。
第１実施形態に係るセンサ装置１００は、外部に対して露出する第１面１０ａを有する半導体センサ素子１０と、半導体センサ素子１０を実装するセンサ素子実装部１２を有する基板１１と、を含む。基板１１は、平面視においてセンサ素子実装部１２を囲むように形成された第１レジスト部２０と、平面視において第１レジスト部２０に隣接する第１領域１４，１５と、平面視において第１領域１４，１５を挟んで第１レジスト部２０を囲むように形成された第２レジスト部３０と、平面視において第１レジスト部２０から第２レジスト部３０へ向かうように延びる第３レジスト部４０と、を有する。第１領域１４，１５は樹脂５２を含む樹脂層５３に覆われている。
【0047】
このようなセンサ装置１００では、製造時において、第３レジスト部４０の上に樹脂５２を注入することができるので、第３レジスト部４０を伝って樹脂５２を広げることができる。第３レジスト部４０の上の樹脂５２が、第１領域１４，１５に流れ込む。第３レジスト部４０の上の樹脂５２が、第２レジスト部３０及び第３レジスト部４０の上に流れ込む。第２レジスト部３０及び第３レジスト部４０の上の樹脂５２が、第１領域１４，１５の上に流れ込む。このように、センサ装置１００では、樹脂５２を十分に広げることができる。センサ装置１００では、不十分な樹脂の広がりを改善することができる。
【0048】
センサ装置１００では、樹脂５２を十分に広げることができるので、製造時における歩留まりを改善できる。センサ装置１００では、樹脂５２の補修の頻度を減らすことができる。センサ装置１００では、樹脂５２の補修の際に、半導体センサ素子１０を破損させるおそれが低減される。
【0049】
センサ装置１００では、樹脂５２を十分に広げることにより、第１レジスト部２０、第２レジスト部３０、第１領域１４，１５、第３レジスト部４０、ワイヤボンディングパッド１６、及びボンディングワイヤ１９を覆うことができ、センサ装置１００の信頼性の向上を図ることができる。
【0050】
センサ装置１００において、第３レジスト部４０は、第１レジスト部２０と第２レジスト部３０とを連結するように形成されている。この場合、センサ装置１００の製造時において、第３レジスト部４０の上の樹脂５２は、第１レジスト部２０の上に流れやすい。同様に、第３レジスト部４０の上の樹脂５２は、第２レジスト部３０の上に流れやすい。第１領域１４，１５から第１レジスト部２０の上に、樹脂５２が流れ込まなくても、第３レジスト部４０の上から第１レジスト部２０の上に樹脂５２を流すことができる。
【0051】
センサ装置１００において、第１レジスト部２０は、平面視において矩形状を成し、第１方向であるＹ軸方向に対向し、第２方向であるＸ軸に延びる一対の第１片２１と、Ｘ軸方向に対向し、Ｙ軸方向に延びる一対の第２片２２と、を備える。第３レジスト部４０は、第１片２１と第２片２２とが交差する角部２３に連結されている。この構成のセンサ装置１００によれば、センサ装置１００の製造時において、第３レジスト部４０の樹脂５２を第１レジスト部２０の角部２３から第１レジスト部２０の上に流し込むことができる。
【0052】
センサ装置１００において、第３レジスト部４０は、角部２３からＸ軸方向に延び第２レジスト部３０に連結される第１部分４１と、第１部分４１に連結されＹ軸方向に延びる第２部分４２と、を有する。この構成のセンサ装置１００によれば、製造時において、第１部分４１の上の樹脂を、Ｘ軸方向に流すことができる。センサ装置１００によれば、第２部分４２の上の樹脂を、Ｙ軸方向に流すことができる。センサ装置１００では、樹脂５２を十分に広げることができる。
【0053】
［センサ装置の製造方法］
次に、実施形態に係るセンサ装置１００の製造方法の一例について説明する。図６は、センサ装置１００の製造方法の手順を示す工程図である。センサ装置１００の製造方法は、ワイヤボンディングパッド１６を形成する工程Ｓ１１と、第１レジスト部２０を形成する工程Ｓ１２と、第２レジスト部３０を形成する工程Ｓ１３と、第３レジスト部４０を形成する工程Ｓ１４と、半導体センサ素子１０を実装する工程Ｓ１５と、樹脂層５３を形成する工程Ｓ１６とを含む。センサ装置１００の製造方法は、その他の工程を含んでもよい。また、センサ装置１００の製造方法は、各工程の順番を入れ替えて実施してもよく、同時に実施してもよい。
次に、実施形態に係るセンサ装置１００の製造方法の一例について説明する。図６は、センサ装置１００の製造方法の手順を示す工程図である。センサ装置１００の製造方法は、ワイヤボンディングパッド１６を形成する工程Ｓ１１と、第１レジスト部２０を形成する工程Ｓ１２と、第２レジスト部３０を形成する工程Ｓ１３と、第３レジスト部４０を形成する工程Ｓ１４と、半導体センサ素子１０を実装する工程Ｓ１５と、樹脂層５３を形成する工程Ｓ１６とを含む。センサ装置１００の製造方法は、その他の工程を含んでもよい。また、センサ装置１００の製造方法は、各工程の順番を入れ替えて実施してもよく、同時に実施してもよい。
【0054】
センサ装置１００の製造方法では、ワイヤボンディングパッド１６を形成する工程Ｓ１１を実施する。工程Ｓ１１では、基板１１の第１領域１４，１５にワイヤボンディングパッド１６を形成する。工程Ｓ１１では、ワイヤボンディングパッド１６及び配線１８を基板１１に成膜する。第１領域１４，１５は、上述したように、センサ素子実装部１２の外側の領域である。
【0055】
センサ装置１００の製造方法では、第１レジスト部２０を形成する工程Ｓ１２を実施する。工程Ｓ１２では、平面視においてワイヤボンディングパッド１６とセンサ素子実装部１２との間で、センサ素子実装部１２を囲むように第１レジスト部２０を形成する。工程Ｓ１２では、所定の位置にレジスト膜を形成することにより、第１レジスト部２０を形成する。
【0056】
センサ装置１００の製造方法では、第２レジスト部３０を形成する工程Ｓ１３を実施する。工程Ｓ１３では、平面視において第１領域１４，１５を挟んで第１レジスト部２０を囲むように第２レジスト部３０を形成する。工程Ｓ１３では、所定の位置にレジスト膜を形成することにより、第２レジスト部３０を形成する。
【0057】
センサ装置１００の製造方法では、第３レジスト部４０を形成する工程Ｓ１４を実施する。工程Ｓ１４では、平面視において第１レジスト部２０から第２レジスト部３０へ向かうように延びる第３レジスト部４０を形成する。工程Ｓ１４では、所定の位置にレジスト膜を形成することにより、第３レジスト部４０を形成する。なお、センサ装置１００の製造方法において、工程Ｓ１２～工程Ｓ１４を、同時に実施してもよい。
【0058】
センサ装置１００の製造方法では、半導体センサ素子１０を実装する工程Ｓ１５を実施する。工程Ｓ１５では、センサ素子実装部１２に半導体センサ素子１０を実装する。例えば、工程Ｓ１５では、第１レジスト部２０によって囲まれたセンサ素子実装部１２に、接着樹脂を注入する。工程Ｓ１５では、センサ素子実装部１２に注入された接着樹脂を用いて、半導体センサ素子１０をセンサ素子実装部１２に接着する。
【0059】
センサ装置１００の製造方法では、樹脂層５３を形成する工程Ｓ１６を実施する。工程Ｓ１６では、上述したように、第３レジスト部４０の上にニードル５１を配置して、ニードル５１から樹脂５２を注入する。工程Ｓ１６では、第１領域１４，１５及びワイヤボンディングパッド１６の上に樹脂５２を流し、樹脂５２を硬化して、樹脂層５３を形成する。
【0060】
このようなセンサ装置１００の製造方法によれば、第３レジスト部４０の上に樹脂５２を注入することができるので、第３レジスト部４０を伝って樹脂５２を広げることができる。第３レジスト部４０の上の樹脂５２が、第１領域１４，１５に流れ込む。第３レジスト部４０の上の樹脂５２が、第２レジスト部３０及び第３レジスト部４０の上に流れ込む。第２レジスト部３０及び第３レジスト部４０の上の樹脂５２が、第１領域１４，１５の上に流れ込む。このように、センサ装置１００では、樹脂５２を十分に広げることができる。センサ装置１００では、不十分な樹脂の広がりを改善することができる。
【0061】
［第２実施形態に係るセンサ装置］
次に図７を参照して第２実施形態に係るセンサ装置１００Ｂについて説明する。図７は、第２実施形態に係るセンサ装置１００Ｂを示す平面図である。図７に示される第２実施形態に係るセンサ装置１００Ｂが、第１実施形態に係るセンサ装置１００と違う点は、第３レジスト部４０に代えて、第３レジスト部４０とは形状が異なる第３レジスト部４０Ｂを備える点である。センサ装置１００Ｂでは、センサ装置１００の第１領域１４，１５とは異なる形状の第１領域１４Ｂ，１５Ｂが形成されている。なお、第２実施形態に係るセンサ装置１００Ｂの説明では、第１実施形態に係るセンサ装置１００と同様の説明は省略する。
次に図７を参照して第２実施形態に係るセンサ装置１００Ｂについて説明する。図７は、第２実施形態に係るセンサ装置１００Ｂを示す平面図である。図７に示される第２実施形態に係るセンサ装置１００Ｂが、第１実施形態に係るセンサ装置１００と違う点は、第３レジスト部４０に代えて、第３レジスト部４０とは形状が異なる第３レジスト部４０Ｂを備える点である。センサ装置１００Ｂでは、センサ装置１００の第１領域１４，１５とは異なる形状の第１領域１４Ｂ，１５Ｂが形成されている。なお、第２実施形態に係るセンサ装置１００Ｂの説明では、第１実施形態に係るセンサ装置１００と同様の説明は省略する。
【0062】
［第１領域］
第１領域１４Ｂ，１５Ｂは、平面視において、台形状を成すように形成されている。一対の第１領域１４Ｂは、Ｙ軸方向において、第１レジスト部２０の両側に配置されている。一対の第１領域１５Ｂは、Ｘ軸方向において、第１レジスト部２０の両側に配置されている。なお、図７では図示していないが、第１領域１４Ｂ，１５Ｂには、ワイヤボンディングパッド１６が形成されている。
第１領域１４Ｂ，１５Ｂは、平面視において、台形状を成すように形成されている。一対の第１領域１４Ｂは、Ｙ軸方向において、第１レジスト部２０の両側に配置されている。一対の第１領域１５Ｂは、Ｘ軸方向において、第１レジスト部２０の両側に配置されている。なお、図７では図示していないが、第１領域１４Ｂ，１５Ｂには、ワイヤボンディングパッド１６が形成されている。
【0063】
［第３レジスト部］
センサ装置１００Ｂは、第３レジスト部４０Ｂを備える。第３レジスト部４０Ｂは、平面視において第１レジスト部２０から第２レジスト部３０へ向かうように延びている。第３レジスト部４０Ｂは、第１レジスト部２０と第２レジスト部３０とを連結する。第３レジスト部４０Ｂのうち、第１レジスト部２０に近い方の端部４３は、角部２３に接続されている。第３レジスト部４０Ｂのうち、第２レジスト部３０に近い方の端部４４は、角部３３に接続されている。
センサ装置１００Ｂは、第３レジスト部４０Ｂを備える。第３レジスト部４０Ｂは、平面視において第１レジスト部２０から第２レジスト部３０へ向かうように延びている。第３レジスト部４０Ｂは、第１レジスト部２０と第２レジスト部３０とを連結する。第３レジスト部４０Ｂのうち、第１レジスト部２０に近い方の端部４３は、角部２３に接続されている。第３レジスト部４０Ｂのうち、第２レジスト部３０に近い方の端部４４は、角部３３に接続されている。
【0064】
第３レジスト部４０Ｂは、所定の長さを有する。第３レジスト部４０Ｂの幅は、第３レジスト部４０Ｂの長手方向において異なる。第３レジスト部４０Ｂの幅は、第３レジスト部４０Ｂの長手方向に交差する方向の幅である。第３レジスト部４０Ｂの第１レジスト部２０に近い方の幅（第１幅）は、第３レジスト部４０Ｂの第２レジスト部３０に近い方の幅（第２幅）よりも狭い。第１レジスト部２０に近い方の端部４３の幅は、第２レジスト部３０に近い方の端部４４の幅よりも狭い。端部４３の幅は、端部４４の幅の例えば５０％以上８０％以下でもよい。
【0065】
第３レジスト部４０Ｂの幅方向に対向する辺４５，４６は、例えば直線である。辺４５，４６は、平面視において、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に対して傾いている。
【0066】
［第２実施形態に係るセンサ装置の作用効果］
第２実施形態に係るセンサ装置１００Ｂは、上記の第１実施形態に係るセンサ装置１００と同様の作用効果を奏する。センサ装置１００Ｂでは、第３レジスト部４０Ｂの第１レジスト部２０に近い方の幅は、第３レジスト部４０Ｂの第２レジスト部３０に近い方の幅よりも狭い。
第２実施形態に係るセンサ装置１００Ｂは、上記の第１実施形態に係るセンサ装置１００と同様の作用効果を奏する。センサ装置１００Ｂでは、第３レジスト部４０Ｂの第１レジスト部２０に近い方の幅は、第３レジスト部４０Ｂの第２レジスト部３０に近い方の幅よりも狭い。
【0067】
このような第２実施形態に係るセンサ装置１００Ｂにおいても、上記の第１実施形態に係るセンサ装置１００の製造方法と同様の方法により、製造することができる。
【0068】
第３レジスト部４０Ｂの上に注入された樹脂５２は、第１レジスト部２０に近い方の端部４３に向かって流れる。第３レジスト部４０Ｂの上を流れる樹脂５２の流速は、第３レジスト部４０Ｂの幅が狭い方が、幅が広い場合と比較して速い。第３レジスト部４０Ｂにおいて、端部４３の幅が最も狭い。第３レジスト部４０Ｂの上を流れる樹脂５２の流速は、第１レジスト部２０に近づくほど速くなる。センサ装置１００Ｂでは、製造時において、第３レジスト部４０の上の流れる樹脂５２は、第１レジスト部２０の上に流れ込みやすい。そのため、センサ装置１００Ｂでは、樹脂５２の広がりを促進することができる。センサ装置１００Ｂでは、製造時において、不十分な樹脂５２の広がりを改善することができる。
【0069】
［第３実施形態に係るセンサ装置］
次に図８を参照して第３実施形態に係るセンサ装置１００Ｃについて説明する。図８は、第３実施形態に係るセンサ装置１００Ｃを示す平面図である。図８に示される第３実施形態に係るセンサ装置１００Ｃが、第１実施形態に係るセンサ装置１００と違う点は、第３レジスト部４０に代えて、第３レジスト部４０とは形状が異なる第３レジスト部４０Ｃを備える点である。センサ装置１００Ｃでは、センサ装置１００の第１領域１４，１５とは異なる形状の第１領域１４Ｃが形成されている。なお、第３実施形態に係るセンサ装置１００Ｃの説明では、第１実施形態に係るセンサ装置１００と同様の説明は省略する。
次に図８を参照して第３実施形態に係るセンサ装置１００Ｃについて説明する。図８は、第３実施形態に係るセンサ装置１００Ｃを示す平面図である。図８に示される第３実施形態に係るセンサ装置１００Ｃが、第１実施形態に係るセンサ装置１００と違う点は、第３レジスト部４０に代えて、第３レジスト部４０とは形状が異なる第３レジスト部４０Ｃを備える点である。センサ装置１００Ｃでは、センサ装置１００の第１領域１４，１５とは異なる形状の第１領域１４Ｃが形成されている。なお、第３実施形態に係るセンサ装置１００Ｃの説明では、第１実施形態に係るセンサ装置１００と同様の説明は省略する。
【0070】
［第３レジスト部］
センサ装置１００Ｃは、第３レジスト部４０Ｃを備える。第３レジスト部４０Ｃは、平面視において第１レジスト部２０から第２レジスト部３０へ向かうように延びている。第３レジスト部４０Ｃは、第１レジスト部２０と第２レジスト部３０とを連結する。
センサ装置１００Ｃは、第３レジスト部４０Ｃを備える。第３レジスト部４０Ｃは、平面視において第１レジスト部２０から第２レジスト部３０へ向かうように延びている。第３レジスト部４０Ｃは、第１レジスト部２０と第２レジスト部３０とを連結する。
【0071】
第３レジスト部４０Ｃは、Ｘ軸方向に延びる一対の第３レジスト部４０Ｃと、Ｙ軸方向に延びる一対の第３レジスト部４０Ｃと、を含む。Ｘ軸方向に延びる第３レジスト部４０Ｃの一方の端部４３は、第１レジスト部２０の第２片２２に接続され、他方の端部４４は、第２レジスト部３０の第２片３２に接続されている。Ｘ軸方向に延びる第３レジスト部４０Ｃの端部４３は、第２片２２の長手方向における中央部に接続されている。Ｘ軸方向に延びる第３レジスト部４０Ｃの端部４４は、第２片３２の長手方向における中央部に接続されている。
【0072】
Ｙ軸方向に延びる第３レジスト部４０Ｃの一方の端部は、第１レジスト部２０の第１片２１に接続され、他方の端部４４は、第２レジスト部３０の第１片３１に接続されている。Ｙ軸方向に延びる第３レジスト部４０Ｃの端部４３は、第１片２１の長手方向における中央部に接続されている。Ｙ軸方向に延びる第３レジスト部４０Ｃの端部４４は、第１片３１の長手方向における中央部に接続されている。
【0073】
第３レジスト部４０Ｃの幅は、例えば均一である。「幅」は、長手方向に交差する幅である。第３レジスト部４０Ｃの第１レジスト部２０に近い方の端部４３における幅は、第３レジスト部４０Ｃの第２レジスト部３０に近い方の端部４４における幅より狭くてもよい。
【0074】
［第１領域］
第１領域１４Ｃは、平面視において、例えばＬ字形を成すように形成されている。第１領域１４Ｃは、Ｘ軸方向に延びる部分と、Ｙ軸方向に延びる部分とを含む。なお、図８では図示していないが、第１領域１４Ｃには、ワイヤボンディングパッド１６が形成されている。
第１領域１４Ｃは、平面視において、例えばＬ字形を成すように形成されている。第１領域１４Ｃは、Ｘ軸方向に延びる部分と、Ｙ軸方向に延びる部分とを含む。なお、図８では図示していないが、第１領域１４Ｃには、ワイヤボンディングパッド１６が形成されている。
【0075】
［第３実施形態に係るセンサ装置の作用効果］
第３実施形態に係るセンサ装置１００Ｃは、上記の第１実施形態に係るセンサ装置１００と同様の作用効果を奏する。センサ装置１００Ｃにおいて、Ｘ軸方向に延びる第３レジスト部４０Ｃは、第２片２２の中央部及び第２片３２の中央部に接続されている。センサ装置１００Ｃにおいて、Ｙ軸方向に延びる第３レジスト部４０Ｃは、第１片２１の中央部及び第１片３１の中央部に接続されている。このように第３レジスト部４０Ｃは、角部２３，３３に接続されていなくてもよい。第３レジスト部４０Ｃは、第１レジスト部２０及び第２レジスト部３０の直線部分に接続されていてもよい。
第３実施形態に係るセンサ装置１００Ｃは、上記の第１実施形態に係るセンサ装置１００と同様の作用効果を奏する。センサ装置１００Ｃにおいて、Ｘ軸方向に延びる第３レジスト部４０Ｃは、第２片２２の中央部及び第２片３２の中央部に接続されている。センサ装置１００Ｃにおいて、Ｙ軸方向に延びる第３レジスト部４０Ｃは、第１片２１の中央部及び第１片３１の中央部に接続されている。このように第３レジスト部４０Ｃは、角部２３，３３に接続されていなくてもよい。第３レジスト部４０Ｃは、第１レジスト部２０及び第２レジスト部３０の直線部分に接続されていてもよい。
【0076】
センサ装置１００Ｃを製造する場合、第３レジスト部４０Ｃの上にニードル５１を配置して、樹脂５２を流し込むことができる。第３レジスト部４０Ｃの上の樹脂５２は、第３レジスト部４０Ｃを伝って流れ、第１レジスト部２０の上に流れ込みやすい。そのため、樹脂５２を十分に広げることができる。
【0077】
尚、上記実施形態に挙げた構成等に対し、その他の構成要素が組み合わされるなどした他の実施形態であってもよく、ここで示した構成に本発明が何等限定されるものではない。この点に関しては、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で変更することが可能であり、その応用形態に応じて適切に定めることができる。
【0078】
上記の実施形態では、第３レジスト部４０が、第１レジスト部２０及び第２レジスト部３０に連結されている場合について説明しているが、第３レジスト部４０は、第１レジスト部２０のみに連結されていてもよく、第２レジスト部３０のみに連結されていてもよく、第１レジスト部２０及び第２レジスト部３０に連結されていなくてもよい。
【0079】
上記の第２実施形態では、第３レジスト部４０Ｂの第１レジスト部２０に近い方の幅が、第３レジスト部４０Ｂの第２レジスト部３０に近い方の幅よりも狭い場合について、説明しているが、第３レジスト部４０Ｂの幅はこれに限定されない。第３レジスト部４０Ｂの幅は、第１レジスト部２０に近い方の幅が、第２レジスト部３０に近い方の幅よりも太くてもよい。
【0080】
また、第３レジスト部４０の形状は、特に限定されず、曲線を含むものでもよく、円形を含むでもよく、台形状でもよく、その他の形状でもよい。第３レジスト部４０の平面視における形状は、Ｌ字形でもよく、Ｉ字形でもよく、Ｙ字形でもよい。
【0081】
また、上記の実施形態では、第１領域１４，１５にワイヤボンディングパッド１６が形成されている場合について説明しているが、第１領域１４，１５にワイヤボンディングパッド１６が形成されていなくてもよい。
【符号の説明】
【0082】
１００，１００Ｂ，１００Ｃ：センサ装置、１０：半導体センサ素子、１０ａ：第１面（露出面）、１１：基板、１２：センサ素子実装部、１３：基部、１４，１４Ｂ，１４Ｃ：第１領域、１５，１５Ｂ：第１領域、１６：ワイヤボンディングパッド、２０：第１レジスト部、２１：第１片、２２：第２片、２３：角部、３０：第２レジスト部、４０，４０Ｂ，４０Ｃ：第３レジスト部、４１：第１部分、４２：第２部分、５１：ニードル（樹脂注入部）、５２：樹脂、５３：樹脂層、Ｘ：Ｘ軸方向（第２方向）、Ｙ：Ｙ軸方向（第１方向）、Ｚ：Ｚ軸方向。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】