特開 2024-16558 基板乾燥装置、基板処理装置及び基板乾燥方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024016558

(43)【公開日】2024-02-07

(54)【発明の名称】基板乾燥装置、基板処理装置及び基板乾燥方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/304 20060101AFI20240131BHJP

【ＦＩ】

H01L21/304 651M

H01L21/304 651B

【審査請求】未請求

【請求項の数】6

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022118780

(22)【出願日】2022-07-26

(71)【出願人】

【識別番号】000002428

【氏名又は名称】芝浦メカトロニクス株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100081961

【弁理士】

【氏名又は名称】木内 光春

(74)【代理人】

【識別番号】100112564

【弁理士】

【氏名又は名称】大熊 考一

(74)【代理人】

【識別番号】100163500

【弁理士】

【氏名又は名称】片桐 貞典

(74)【代理人】

【識別番号】230115598

【弁護士】

【氏名又は名称】木内 加奈子

(72)【発明者】

【氏名】松下 淳

【テーマコード（参考）】

5F157

【Ｆターム（参考）】

5F157AA09

5F157AB02

5F157AB14

5F157AB33

5F157AB48

5F157AB51

5F157AB64

5F157AB90

5F157AC03

5F157AC56

5F157BB23

5F157BB45

5F157BH18

5F157CB13

5F157CB14

5F157CB22

5F157CE61

5F157CF16

5F157CF22

5F157CF34

5F157CF40

5F157CF42

5F157CF44

5F157DA21

5F157DB32

5F157DB34

(57)【要約】      （修正有）

【課題】基板の表層全体のパターン閉塞の発生を低減できる基板乾燥装置、基板処理装置及び基板乾燥方法を提供することができる。
【解決手段】実施形態の乾燥装置（基板乾燥装置）３００は、被処理面上に処理液による液膜が形成された状態の基板Ｗが搬入される乾燥室３１と、乾燥室３１に搬入された基板Ｗを支持する支持部３４と、乾燥室３１内に設けられ、基板Ｗにおける被処理面の表層を、液膜と表層との間の全体にライデンフロスト現象による気層が生じる温度以上に加熱するフラッシュランプ３２１と、フラッシュランプ３２１の加熱による気層を維持するように、加熱により表層の温度を維持する温度維持部（ハロゲンランプ３２２）と、支持部３４とともに基板Ｗを回転させることにより、表層との間に気層が生じた液膜を、基板Ｗの回転による遠心力により排出させる駆動機構３５と、を有する。
【選択図】図２

【特許請求の範囲】

【請求項1】

被処理面上に処理液による液膜が形成された状態の基板が搬入される乾燥室と、
前記乾燥室に搬入された前記基板を支持する支持部と、
前記乾燥室内に設けられ、前記基板における前記被処理面の表層を、前記液膜と前記表層との間の全体にライデンフロスト現象による気層が生じる温度以上に加熱するフラッシュランプと、
前記フラッシュランプの加熱による前記気層を維持するように、加熱により前記表層の温度を維持する温度維持部と、
前記支持部とともに前記基板を回転させることにより、前記表層との間に前記気層が生じた前記液膜を、前記基板の回転による遠心力により排出させる駆動機構と、
を有することを特徴とする基板乾燥装置。

【請求項2】

前記温度維持部は、前記フラッシュランプが発光する前に又は同時に加熱を開始することを特徴とする請求項１記載の基板乾燥装置。

【請求項3】

前記温度維持部は、前記フラッシュランプの消灯後も加熱を継続することを特徴とする請求項１記載の基板乾燥装置。

【請求項4】

前記フラッシュランプ及び前記温度維持部は、前記基板を挟んで互いに反対の側に配置されていることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。

【請求項5】

基板を回転させながら処理液を供給することにより処理する処理装置と、
処理済の前記基板を回転させながら処理液を供給することにより洗浄する洗浄装置と、
請求項１乃至４のいずれかに記載の基板乾燥装置と、
前記洗浄装置において洗浄された前記基板を、処理液による液膜が形成された状態で搬出し、前記基板乾燥装置に搬入する搬送装置と、
を有することを特徴とする基板処理装置。

【請求項6】

支持部が、被処理面上に処理液による液膜が形成された状態で乾燥室に搬入された基板を支持し、
駆動機構が、前記支持部とともに前記基板を回転させ、
フラッシュランプが、前記基板における前記被処理面の表層を、前記液膜と前記表層との間の全体にライデンフロスト現象による気層が生じる温度以上に加熱し、
温度維持部が、前記フラッシュランプの加熱による前記気層を維持するように、加熱により前記表層の温度を維持し、
前記液膜を、前記基板の回転による遠心力により排出させる、
ことを特徴とする基板乾燥方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、基板乾燥装置、基板処理装置及び基板乾燥方法に関する。

【背景技術】

【0002】

半導体や液晶パネルなどを製造する製造工程では、ウェーハや液晶基板などの基板の被処理面に処理液を供給して被処理面を処理し、処理後、被処理面を洗浄、乾燥させる基板処理装置が用いられる。この基板処理装置の乾燥工程においては、被処理面の表層に形成されたパターン同士の間隔や構造、処理液の表面張力などに起因して、例えばメモリセルやゲート周りなどの微細な凹凸のパターンが倒壊して閉塞することがある。この傾向は、近年の半導体の高集積化や高容量化に伴う微細化に伴って高くなる。

【0003】

パターン倒壊を抑制するためには、表面張力が超純水よりも小さいＩＰＡ（２－プロパノール：イソプロピルアルコール）を用いる基板乾燥方法が提案されている。この基板乾燥方法は、基板表面上のＤＩＷ（超純水）をＩＰＡとＤＩＷとの混合液に置換し、基板乾燥を行うものである。しかしながら、半導体の微細化は益々進んでおり、ＩＰＡのように揮発性が高い有機溶媒を使用する乾燥を行った場合でも、ウェーハのパターンは液体の表面張力などにより倒れることがある。

【0004】

例えば、液体が乾燥していく過程で基板表面の乾燥速度に不均一が生じ、一部のパターン間に液体が残ると、その部分の液体の表面張力によってパターンが倒壊する。詳しくは、液体が残った部分のパターン同士が、液体の表面張力による弾性変形によって倒れ、その液中にわずかに溶けた残渣が凝集する。そして、液体が完全に気化すると、倒れたパターン同士が固着する。

【0005】

これに対処するため、洗浄液を供給後、回転する基板の被処理面の表層を、ライデンフロスト現象が生じる温度まで急速加熱して、表層と洗浄液の液膜との間に気層を生じさせ、液膜を液玉化して、回転の遠心力により基板外へ排出することで、表面張力による微細なパターンの倒壊を抑制する乾燥方法が提案されている（特許文献１参照）。この乾燥方法では、加熱面と直接に接する液膜の内部に微小な気泡が発生している核沸騰状態では足りず、液体と加熱面との間に蒸気膜が介在して、加熱面から蒸気膜を通して熱が伝達することにより蒸気膜に蒸発が起こる膜沸騰状態とする必要がある。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0006】

【特許文献1】特許第６４００９１９号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0007】

上記のように、ライデンフロスト現象を利用して、液膜を液玉化して除去する乾燥においても、基板の一部にパターン閉塞する部分が発生する場合がある。これは、基板の表層に接する一部の液膜が、膜沸騰状態ではなく、核沸騰状態に留まることで、液膜が液玉化せずに、パターンの凹凸の間に残留し、最終的にその部分で表面張力が作用してパターン閉塞が発生すると考えられる。

【0008】

このような一部のパターン閉塞を防ぐために、基板の表層の全体において液膜を膜沸騰状態とするには、基板の表層全体を瞬時に高温にさせる必要がある。より具体的には、基板の表層を、これに接する液膜の沸点温度に対して１００℃を超える温度差まで瞬時に加熱する必要がある。さらに、液玉が基板上から排出されるまで、膜沸騰状態の温度を維持する必要がある。

【0009】

半導体の分野で従来から用いられている加熱源としては、フラッシュランプやハロゲンランプが存在する。しかし、フラッシュランプでは、数ミリ秒で基板の表層を瞬時に加熱することができるが、液玉が基板上から排出されるまで、膜沸騰状態の温度を維持できない。一方、ハロゲンランプは、基板の表層を加熱するまで数秒かかるため、フラッシュランプより加熱する速度は遅いが、基板の温度が一旦膜沸騰状態となった場合には、その温度を維持することは可能になる。しかし、より安定的に、液膜を液玉化させるには、ハロゲンランプが膜沸騰温度まで加熱する速度を、数ミリ秒に上げる必要があり、そのためには、膨大な出力を要する。つまり、大きな出力を出せる電源を搭載しなければならず、加熱を繰り返すことにより消費電力も過大となるので、非現実的となる。

【0010】

本発明の目的は、基板の表層全体のパターン閉塞の発生を低減できる基板乾燥装置、基板処理装置及び基板乾燥方法を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0011】

本発明の基板乾燥装置は、被処理面上に処理液による液膜が形成された状態の基板が搬入される乾燥室と、前記乾燥室に搬入された前記基板を支持する支持部と、前記乾燥室内に設けられ、前記基板における前記被処理面の表層を、前記液膜と前記表層との間の全体にライデンフロスト現象による気層が生じる温度以上に加熱するフラッシュランプと、前記フラッシュランプの加熱による前記気層を維持するように、加熱により前記表層の温度を維持する温度維持部と、前記支持部とともに前記基板を回転させることにより、前記表層との間に前記気層が生じた前記液膜を、前記基板の回転による遠心力により排出させる駆動機構と、を有する。

【0012】

本発明の基板処理装置は、基板を回転させながら処理液を供給することにより処理する処理装置と、処理済の前記基板を回転させながら処理液を供給することにより洗浄する洗浄装置と、前記基板乾燥装置と、前記洗浄装置において洗浄された基板を、前記洗浄液による液膜が形成された状態で搬出し、前記基板乾燥装置に搬入する搬送装置と、を有する。

【0013】

本発明の基板乾燥方法は、支持部が、被処理面上に処理液による液膜が形成された状態で乾燥室に搬入された基板を支持し、駆動機構が、前記支持部とともに前記基板を回転させ、フラッシュランプが、前記基板における前記被処理面の表層を、前記液膜と前記表層との間の全体にライデンフロスト現象による気層が生じる温度以上に加熱し、温度維持部が、前記フラッシュランプの加熱による前記気層を維持するように、加熱により前記表層の温度を維持し、前記液膜を、前記基板の回転による遠心力により排出させる。

【発明の効果】

【0014】

本発明は、基板の表層全体のパターン閉塞の発生を低減できる基板乾燥装置、基板処理装置及び基板乾燥方法を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0015】

【図1】実施形態の基板処理装置を示す簡略構成図である。

【図2】図１の基板処理装置の洗浄装置及び乾燥装置を示す構成図である。

【図3】乾燥装置の基板搬入時（Ａ）、膜厚測定時（Ｂ）を示す内部構成図である。

【図4】乾燥装置の洗浄液供給時（Ａ）、基板待機時（Ｂ）を示す内部構成図である。

【図5】乾燥装置の基板乾燥時（Ｃ）、基板下降時（Ｂ）を示す内部構成図である。

【図6】実施形態の基板乾燥処理の手順を示すフローチャートである。

【図7】ライデンフロスト現象を利用した乾燥処理の流れを示す説明図である。

【図8】パターン内に残留する液膜を示す説明図である。

【図9】フラッシュランプ、ハロゲンランプ及び基板の温度変化を示すグラフである。

【図10】温度維持部の変形例を示す構成図である。

【発明を実施するための形態】

【0016】

以下、本発明の実施形態を、図面を参照して説明する。
[概要］
図１に示すように、本実施形態の基板処理装置１は、各種の処理を行う装置を収容した複数のチャンバ１ａを備え、前工程でカセット（ＦＯＵＰ）１ｂに複数枚収容されて搬送されてきた基板Ｗに対して、各チャンバ１ａ内で１枚ずつ処理を行う枚葉処理の装置である。未処理の基板Ｗは、カセット１ｂから搬送ロボット１ｃによって１枚ずつ取り出され、バッファユニット１ｄに一時的に載置された後、以下に説明する各種装置により、各チャンバ１ａへの搬送及び処理が行われる。

【0017】

基板処理装置１は、処理装置１１０、洗浄装置１２０、搬送装置２００、乾燥装置３００、制御装置４００を含む。処理装置１１０は、例えば、回転する基板Ｗに、処理液（例えば、リン酸水溶液、フッ酸及び硝酸の混合液、酢酸、硫酸及び過酸化水素水の混合液（ＳＰＭ：Sulfuric hydrogen Peroxide Mixture）等）を供給することによって、不要な膜を除去して回路パターンを残すエッチング装置である。洗浄装置１２０は、エッチング装置でエッチング処理された基板Ｗを、処理液（洗浄液）により洗浄する。

【0018】

搬送装置２００は、バッファユニット１ｄと各チャンバ１ａとの間、各チャンバ１ａの間で基板Ｗを搬送する。例えば、搬送装置２００は、処理装置１１０において処理済の基板Ｗを洗浄装置１２０に搬送し、洗浄装置１２０において洗浄された基板Ｗを乾燥装置３００に搬送する。乾燥装置（基板乾燥装置）３００は、洗浄液により洗浄された基板Ｗを回転させながら加熱することにより、乾燥処理を行う。制御装置４００は、上記の各装置を制御する。

【0019】

なお、本実施形態により処理される基板Ｗは、例えば、半導体ウェーハである。以下、基板Ｗのパターン等が形成された面を被処理面とする。また、基板の被処理面において、処理液による液膜に接しているパターンの最表面を、表層とする。

【0020】

洗浄処理のための処理液である洗浄液としては、アルカリ洗浄液（ＡＰＭ）、超純水（ＤＩＷ）、揮発性溶剤（ＩＰＡ）を使用する。АＰＭは、アンモニア水と過酸化水素水を混合した薬液であり、残留有機物を除去するために使用する。ＤＩＷは、ＡＰＭ処理後、基板Ｗの被処理面上に残留するＡＰＭを洗い流すために使用する。ＩＰＡは、表面張力がＤＩＷよりも小さく、揮発性が高いため、ＤＩＷを置換して表面張力によるパターン倒壊を低減するために使用する。

【0021】

［洗浄装置］
洗浄装置１２０は、図２に示すように、内部で洗浄処理を行う容器である洗浄室１１、基板Ｗを支持する支持部１２、支持部１２を回転させる回転機構１３、飛散する洗浄液Ｌを基板Ｗの周囲から受けるカップ１４、洗浄液Ｌを供給する供給部１５を有する。供給部１５は、洗浄液Ｌを滴下するノズル１５ａ、ノズル１５ａを移動させる移動機構１５ｂが設けられている。

【0022】

支持部１２に支持され、回転機構１３により回転する基板Ｗの被処理面に、ノズル１５ａから洗浄液Ｌを供給することにより、洗浄処理が行われる。洗浄処理は、処理装置１１０でエッチング処理された基板Ｗの被処理面にＡＰＭを供給してＡＰＭ洗浄を行い、ＡＰＭ洗浄後に、ＤＩＷによる純水リンス処理を行うことにより、基板Ｗの被処理面に残留していたＡＰＭを純水により洗い流す。これにより、基板Ｗの被処理面はＤＩＷの洗浄液Ｌにより液盛りされる。さらに、ＤＩＷからＩＰＡに最終的に置換される。洗浄室１１には、基板Ｗを搬出入する開口１１ａが設けられ、開口１１ａは扉１１ｂによって開閉可能に構成されている。

【0023】

［搬送装置］
搬送装置２００は、ハンドリング装置２０を有する。ハンドリング装置２０は、基板Ｗを把持するロボットハンド２１と、移動機構２２を有する。ロボットハンド２１は、基板Ｗを把持する。移動機構２２は、ロボットハンド２１を移動させる。搬送装置２００は、バッファユニット１ｄと各種装置との間、各種装置の間で、基板Ｗを搬送する。例えば、エッチング処理を終えた基板Ｗを処理装置１１０から搬出して、基板Ｗの被処理面上に洗浄液Ｌの液膜が形成された状態で、洗浄装置１２０へ搬入する。

【0024】

また、移動機構２２は、ハンドリング装置２０及びロボットハンド２１を移動させることにより、洗浄を終えた基板Ｗを洗浄装置１２０から搬出してし、基板Ｗの被処理面上に洗浄液Ｌの液膜が形成された状態で、乾燥装置３００へ搬入する。なお、基板Ｗの被処理面上に洗浄液Ｌの液膜が形成された状態で搬送するのは、基板Ｗの搬送中に、基板Ｗの被処理面にパーティクルが付着するのを防止するためである。

【0025】

［乾燥装置］
図１に示すように、乾燥装置３００は、乾燥室３１、加熱部３２、窓部３３、支持部３４、駆動機構３５、カップ３６、測定部３７、供給部３８を有する。乾燥室３１は、内部において基板Ｗを乾燥処理するための容器である。乾燥室３１には、被処理面上に処理液による液膜が形成された状態の基板Ｗが搬入される。乾燥室３１は、例えば直方体や立方体などの箱形状である。乾燥室３１の内壁には、防塵性を高めるために、シリカによりコーティングされている。乾燥室３１には、基板Ｗを搬出入させるための開口３１ａが設けられている。開口３１ａは、扉３１ｂによって開閉可能に設けられている。

【0026】

また、乾燥室３１には、導入口３１ｃ、排気口３１ｄが設けられている。導入口３１ｃには、配管、吸気弁及び清浄なガス（Ｎ_２等）を供給する給気装置を含む給気部３１ｅが接続されている。排気口３１ｄには、配管、排気弁及びガスを排気する排気装置を含む排気部３１ｆが接続されている。導入口３１ｃから清浄なガスを乾燥室３１内に供給することで、乾燥室３１内を清浄な雰囲気にすることができる。また、導入口３１ｃからガスを乾燥室３１内に供給し、排気口３１ｄから乾燥室３１内のガスを排出する構成を作ることで、乾燥室３１内の気体の流れを作るようにしている。これにより、基板Ｗを加熱する際に発生する処理液の蒸気が乾燥室３１内に充満することなく、乾燥室３１から排出できる構成になっている。なお、排気部３１ｆには、後述するフラッシュランプ３２１から発する閃光で、急速に膨張する雰囲気による圧力を下げる急速排気弁が設けられていてもよい。

【0027】

加熱部３２は、基板Ｗを加熱する装置である。加熱部３２は、乾燥室３１内の上部に設けられている。加熱部３２は、フラッシュランプ３２１、ハロゲンランプ３２２を有する。なお、フラッシュランプ３２１とハロゲンランプ３２２との間には、石英等の板状体である仕切り窓３２ａが設けられている。フラッシュランプ３２１は、直管形であり、水平状態で平行に複数本が配置されている。フラッシュランプ３２１には、図示しない電源及びコンデンサが接続されており、コンデンサへの蓄電によるエネルギーによって、瞬時に発光して高温に加熱可能となる。本実施形態のフラッシュランプ３２１は、基板Ｗの表層を、液膜と表層との間の全体にライデンフロスト現象による気層が生じる温度（以下、ライデンフロスト温度とする）以上に加熱する。なお、ライデンフロスト温度は、液膜の種類、厚さに応じて異なる幅を有する温度範囲である。

【0028】

ハロゲンランプ３２２は、フラッシュランプ３２１の加熱による気層を維持するように、加熱により表層の温度を維持する温度維持部である。ハロゲンランプ３２２は、直管形であり、フラッシュランプ３２１の上段に、フラッシュランプ３２１と直交する方向に水平状態で複数本が配置されている。ハロゲンランプ３２２には、図示しない電源が接続されている。なお、フラッシュランプ３２１、ハロゲンランプ３２２ともに、電源は２００Ｖ以下の一般的な工場用の電源を利用できる。

【0029】

フラッシュランプ３２１とハロゲンランプ３２２の方向は直交しているため、全体として格子状となっている。フラッシュランプ３２１、ハロゲンランプ３２２は、洗浄液Ｌそのものよりも、基板Ｗの表層自体が加熱され易い波長の電磁波（赤外線）を用いることにより、基板Ｗの熱による気層の発生を促進する。

【0030】

より具体的には、ＩＰＡの液膜が存在する基板Ｗの表層の全体を、数ミリ秒以内に２００℃以上に加熱する。これにより、液膜は膜沸騰状態となり、液膜の基板Ｗとの接触部分を瞬時に均一に気化させて気層を生じさせて、液膜を浮上させることができる。そして、フラッシュランプ３２１は長時間点灯できないので、ハロゲンランプ３２２によって基板Ｗの表層を加熱して、基板Ｗの近傍の浮上した液を気化させ続けることで、基板Ｗの表層への再付着を防ぎ、表面張力を作用させることなく液膜を除去できる。

【0031】

窓部３３は、加熱部３２からの電磁波を透過する部材である。窓部３３としては、たとえば、石英等の板状体を用いることができる。窓部３３は、乾燥室３１内の加熱部３２の直下に設けられ、加熱部３２と支持部３４との間を仕切ることにより、フラッシュランプ３２１、ハロゲンランプ３２２の点灯の繰り返しによって、コネクタ部の部材の伸縮が起こることで発生するパーティクルが、上部から基板Ｗへ付着して金属汚染が発生することを防止している。

【0032】

支持部３４は、乾燥室３１に搬入された基板Ｗを支持する。支持部３４は、回転テーブル３４ａ、複数の保持部材３４ｂ、回転軸３４ｃを有する。回転テーブル３４ａは、基板Ｗよりも大きな径の円筒形状であり、上面が平坦な円形となっている。複数の保持部材３４ｂは、基板Ｗの外周に沿う位置に等間隔で配置され、基板Ｗと回転テーブル３４ａの上面との間に間隔を空けて、基板Ｗを水平状態に保持する。複数の保持部材３４ｂは、図示しない開閉機構によって、基板Ｗの縁部に接する閉位置と、基板Ｗの縁部から離れる開位置との間を移動可能に設けられている。回転軸３４ｃは、回転テーブル３４ａを下方から支持し、回転の中心となる鉛直方向の軸である。

【0033】

駆動機構３５は、支持部３４に支持された基板Ｗを回転させるとともに、昇降させる機構である。駆動機構３５は、回転部３５ａと昇降部３５ｂを有する。回転部３５ａは、モータ等の駆動源を有し、回転軸３４ｃを介して支持部３４を回転させる。昇降部３５ｂは、モータにより回動するボールねじにより、スライダが昇降する機構を有し、回転部３５ａともに、支持部３４を上下動させる。

【0034】

本実施形態においては、駆動機構３５により変化する支持部３４の位置として、待機位置Ｄと乾燥位置Ｕが設定されている。待機位置Ｄは、洗浄液Ｌによる液膜が形成された状態で、乾燥室３１に搬入された基板Ｗを、加熱部３２から離隔して受け取る位置である。

【0035】

より具体的には、待機位置Ｄは、後述する検出部３７ａ、ノズル３８ａよりも低い位置である。このように、基板Ｗを加熱部３２から離隔した位置で受け取って支持するのは、以下の理由による。つまり、乾燥処理時のみに加熱部３２により加熱（ランプ点灯）したとしても、加熱部３２によって発せられる熱によって窓部３３が蓄熱する。特に、窓部３３は、加熱部３２が設置される直下にあることと、材質が石英のため熱伝導率が悪いので、さらに蓄熱しやすい。このため、乾燥処理が繰り返し行われることで、窓部３３の蓄熱が進行してしまう。

【0036】

このような環境下で洗浄液Ｌの液膜が形成された基板Ｗを搬入すると、蓄熱した窓部３３からの輻射熱によって基板Ｗ上の液膜の蒸発が開始してしまう。但し、液膜の全体が瞬時に蒸発するわけではなく、一部が蒸発する不均一な乾燥状態となり、残留する洗浄液Ｌの表面張力によって、パターン閉塞が発生する。このため、加熱部３２から離隔した位置に支持することにより、このような輻射熱の影響を受けないようにする必要がある。

【0037】

したがって、待機位置Ｄは、基板Ｗの被処理面上に液盛された処理液（乾燥室３１に搬入された時点の処理液）が、加熱部３２によって繰り返し加熱されて蓄熱される窓部３３の輻射熱によって、蒸発する恐れがない（熱による影響が少ない）状態となるまで、窓部３３と離れている位置である。乾燥位置Ｕは、加熱部３２に接近して、加熱部３２により加熱された基板Ｗが、液膜との間に気層を生じさせる位置である。本実施形態の待機位置Ｄは、開口３１ａの上縁Ｅよりも下方であり、乾燥位置Ｕは、開口３１ａの上縁Ｅよりも上方である。

【0038】

カップ３６は、支持部３４を周囲から囲むように円筒形状に形成されている（図２参照）。カップ３６の周壁の上部は、径方向の内側に向かって傾斜し、支持部３４上の基板Ｗが露出するように開口している。カップ３６は、回転する基板Ｗから飛散した洗浄液Ｌを受けて、下方に流す。カップ３６の底面には、流れ落ちる洗浄液Ｌを排出するための排出口（不図示）が形成されている。なお、カップ３６は、駆動機構３５に接続され、支持部３４とともに昇降可能に設けられている。

【0039】

測定部３７は、乾燥室３１に搬入され、待機位置Ｄにある基板Ｗ上の液膜の膜厚を測定する。測定部３７は、検出部３７ａ、揺動アーム３７ｂ、揺動機構３７ｃを有する。検出部３７ａとしては、例えば、レーザ変位計やカメラなどを用いる。揺動アーム３７ｂは、先端に検出部３７ａが設けられ、検出部３７ａを、支持部３４上の基板Ｗの被処理面の中心と外周縁との間の中央付近に対向させる測定位置と、その測定位置から退避して基板Ｗの搬入や搬出を可能とする待機位置とに移動させる。揺動機構３７ｃは、揺動アーム３７ｂを揺動させる機構である。

【0040】

測定部３７による膜厚測定法としては、例えば、光干渉原理を用いることができる。なお、別の例として、支持部３４内に重量計を用いることが可能である。この重量計を用いる場合には、基板Ｗ上の液膜の重量（液膜の重量＝液膜を含む基板の重さ－基板の重さ）を理論的あるいは実験的に液膜の厚さに換算する。

【0041】

供給部３８は、乾燥室３１に搬入され、待機位置Ｄにある基板Ｗ上に洗浄液Ｌを供給する。供給部３８は、ノズル３８ａ、揺動アーム３８ｂ、揺動機構３８ｃを有する。ノズル３８ａは、基板Ｗの被処理面の中心付近に向けて洗浄液Ｌを供給する。ノズル３８ａには、乾燥室３１外の貯留部から配管（いずれも不図示）などを介して洗浄液Ｌが供給される。

【0042】

供給部３８が供給する洗浄液Ｌの種類は、洗浄装置１２０における洗浄処理において、アルカリ洗浄後のリンス処理で、最終的に基板Ｗ上に液盛される液種によって決まる。つまり、ＤＩＷでリンス処理が終了する場合は、ＤＩＷで液盛された状態で、洗浄装置１２０から乾燥装置３００に搬入される。ＤＩＷの場合、供給部３８はＤＩＷを供給する。ＤＩＷからＩＰＡに最終的に置換される場合は、ＩＰＡで液盛された状態で、洗浄装置１２０から乾燥装置３００に搬入される。ＩＰＡの場合、供給部３８は、搬送途中で揮発してしまったり、搬送途中で大気中の水分を吸収してしまうために、ＩＰＡを新たに供給する。

【0043】

揺動アーム３８ｂは、先端にノズル３８ａが設けられ、ノズル３８ａを、支持部３４上の基板Ｗの被処理面の中心付近に対向する供給位置と、その供給位置から退避して基板Ｗの搬入や搬出を可能とする退避位置とに移動させる。揺動機構３８ｃは、揺動アーム３８ｂを揺動させる機構である。なお、乾燥位置Ｕは、洗浄液Ｌを基板Ｗに供給する供給位置にある供給部３８よりも上方にある。

【0044】

［制御装置］
制御装置４００は、基板処理装置１の各部を制御するコンピュータである。制御装置４００は、プログラムを実行するプロセッサと、プログラムや動作条件などの各種情報を記憶するメモリ、各要素を駆動する駆動回路を有する。つまり、制御装置４００は、処理装置１１０、洗浄装置１２０、搬送装置２００、乾燥装置３００を制御する。なお、制御装置４００は、情報を入力する入力装置、情報を表示する表示装置を有している。

【0045】

制御装置４００は、機構制御部４１と、膜厚解析部４２と、加熱制御部４３を有する。機構制御部４１は、各部の機構を制御する。例えば、機構制御部４１は、駆動機構３５の回転部３５ａを制御することにより、支持部３４の回転速度、回転開始及び回転停止のタイミングを制御する。また、機構制御部４１は、駆動機構３５の昇降部３５ｂを制御することにより、支持部３４に対する加熱部３２との距離（ギャップ）を制御する。

【0046】

より具体的には、制御装置４００は、待機位置Ｄにて基板Ｗを支持部３４に保持した後、基板Ｗの被処理面に液盛された洗浄液Ｌの液膜の膜厚調整を行い、基板Ｗを回転させながら乾燥位置Ｕまで上昇させ、フラッシュランプ３２１、ハロゲンランプ３２２を点灯させて所定時間乾燥させる。その後、基板Ｗの回転を維持しながら、待機位置Ｄまで下降させる。また、ノズル３８ａの揺動及び洗浄液Ｌの吐出、検出部３７ａの揺動及び測定などの動作を制御する。

【0047】

膜厚解析部４２は、測定部３７により測定された洗浄液Ｌの液膜の厚さを解析する。膜厚解析部４２は、測定部３７により測定された洗浄液Ｌの液膜の厚さ（液膜厚値）が、所定のしきい値の範囲内にあるか否かを判定する。そして、膜厚解析部４２は、測定された液膜の厚さが所定のしきい値の範囲内にあると判定した場合、液膜の厚さが適切であるとして、基板Ｗの回転と上昇を許可する許可信号を機構制御部４１に送信する。機構制御部４１は、許可信号を受信すると、駆動機構３５に支持部３４に回転と上昇を命令する信号を送信する。

【0048】

なお、適切な膜厚は、ＤＩＷの場合、例えば１０μｍ以下であり、ＩＰＡの場合、例えば１００μｍ以下である。これらの膜厚は、加熱部３２に近接する時（窓部３３に近づく時）に、基板Ｗから蒸発しない程度の液膜厚さであり、かつ、ライデンフロスト現象による乾燥処理を行う上で、良好に乾燥できる液膜厚である。但し、これらの数値は例示であり、実際には、予め実験等で適切な液膜厚を求めることができる。また、基板Ｗの回転速度は、例えば、２００～３００ｒｐｍ程度であり、液膜調整されても、このような回転速度の範囲では、液膜厚が所定の厚さに維持できる。

【0049】

加熱制御部４３は機構制御部４１の命令に応じて、加熱部３２を制御する。加熱制御部４３は、支持部３４が乾燥位置Ｕに来て停止した時に、機構制御部４１から出力される命令信号を受信すると、支持部３４上の基板Ｗの被処理面に対する加熱部３２による加熱を実行させる。

【0050】

加熱制御部４３は、フラッシュランプ３２１及びハロゲンランプ３２２を同時に発光させる。すると、フラッシュランプ３２１の発光によって、基板Ｗの被処理面の液膜と表層との間の全体が、ライデンフロスト温度以上に急速に加熱される。例えば、２００℃以上の温度で加熱されることにより、数ミリ秒以内に、基板Ｗの表層全体が、液膜が膜沸騰状態となる温度以上に加熱される。なお、ハロゲンランプ３２２の発光は、フラッシュランプ３２１の発光の前であってもよい。つまり、温度維持部は、フラッシュランプ３２１が発光する前に加熱を開始してもよい。

【0051】

そして、発光し続けるハロゲンランプ３２２の温度が上昇することにより、基板Ｗの表層が、ライデンフロスト温度以上に維持され、膜沸騰状態が維持される。これにより、基板Ｗの被処理面の表層上の洗浄液Ｌが液玉になる。

【0052】

膜厚解析部４２は、測定された洗浄液Ｌの液膜の厚さが、所定のしきい値の範囲の下限よりも薄いと判定した場合、液膜が薄過ぎるとして、機構制御部４１から供給部３８に処理液（洗浄液Ｌ）の供給指示が出力される。これにより、ノズル３８ａから洗浄液Ｌが基板Ｗの被処理面に所定量（所定時間）供給され、液膜の厚さを所定のしきい値の範囲内とする。その後は、上記のように、基板Ｗの回転と上昇による乾燥を行う。洗浄液Ｌの補充時に基板Ｗを回転させずに停止させても良いが、基板Ｗを回転させるようにしても良い。

【0053】

膜厚解析部４２は、測定された洗浄液Ｌの液膜の厚さが、所定のしきい値の範囲の上限よりも厚いと判定した場合、液膜が厚過ぎるとして、機構制御部４１から駆動機構３５に支持部３４の回転指示が出力される。これにより、支持部３４とともに回転する基板Ｗの洗浄液Ｌを、遠心力により飛散させて、液膜の厚さを所定のしきい値の範囲内とする。その後は、上記のように、基板Ｗの回転と上昇による乾燥を行う。

【0054】

［動作］
以上のような本実施形態の基板処理装置１の動作を、上記の図１及び図２に加えて、図３～図５の説明図、図６のフローチャート、図７の説明図を参照して説明する。なお、以下のような手順により基板Ｗを製造する基板製造方法、基板Ｗを乾燥させる基板Ｗ乾燥方法、基板Ｗを処理する基板処理方法も、本実施形態の一態様である。また、図３～図５においては、カップ３６の図示を省略している。

【0055】

図２に示すように、処理装置１１０においてエッチング処理後の基板Ｗは、搬送装置２００により洗浄装置１２０に搬入される。洗浄装置１２０においては、基板Ｗを保持した支持部１２が回転しながら、供給部１５が基板Ｗの被処理面にＡＰＭを供給してアルカリ洗浄を行った後、ＤＩＷを供給することによる純水洗浄を行う。また、純水洗浄を終了した後、基板Ｗの被処理面にＩＰＡを供給する。

【0056】

これにより、基板Ｗの回転による遠心力によって、ＩＰＡが基板Ｗの被処理面の全域に行き渡り、基板Ｗの被処理面上に液盛されたＤＩＷがＩＰＡに置換されるアルコールリンス処理が行われる。なお、ここでは、ＤＩＷよりも表面張力が低いＩＰＡに置換されるため、基板Ｗの被処理面上に形成されるパターンの間に働く表面張力が低減される。

【0057】

搬送装置２００は、洗浄後の基板Ｗを洗浄装置１２０から搬出し、乾燥装置３００に搬入する。なお、純水洗浄が終了した後、ＤＩＷが液盛された基板Ｗの被処理面に対して、ＩＰＡに置換することは必ず行うとは限らない。つまり、ＤＩＷによる純水洗浄のみで洗浄処理を完了してもよい。

【0058】

図３（Ａ）に示すように、被処理面に洗浄液Ｌによる液膜（ＩＰＡ）が形成された状態で、乾燥装置３００の乾燥室３１の開口３１ａから搬入された基板Ｗを、待機位置Ｄにある支持部３４の保持部材３４ｂが保持する（ステップＳ０１）。図３（Ｂ）に示すように、測定部３７の検出部３７ａは、基板Ｗ上の膜厚を測定する（ステップＳ０２）。

【0059】

膜厚が薄い場合には（ステップＳ０３の所定範囲未満）、図４（Ａ）に示すように、供給部３８が基板Ｗの液膜にさらに洗浄液Ｌを供給することにより膜厚を調整する（ステップＳ０４）。膜厚が厚い場合には（ステップＳ０３の所定範囲超）、支持部３４が回転することにより、回転する基板Ｗから洗浄液Ｌを飛ばして膜厚を調整する（ステップＳ０５）。

【0060】

膜厚が適切である場合又は調整後に膜厚が適切となった場合には（ステップＳ０３の所定範囲内）、図４（Ｂ）に示すように、支持部３４が基板Ｗを回転させながら（ステップＳ０６）、図５（Ａ）に示すように、乾燥位置Ｕまで上昇することにより、基板Ｗを加熱部３２に接近させる（ステップＳ０７）。基板Ｗを、加熱部３２により加熱される前に回転させることにより、基板Ｗとともに基板Ｗの被処理面上の洗浄液Ｌの液膜を回転させておき、加熱部３２により加熱され、基板Ｗの被処理面との間に気層が発生した後においても、慣性力により洗浄液Ｌの液膜が回転を継続して遠心力が働くようにする。

【0061】

加熱部３２のフラッシュランプ３２１及びハロゲンランプ３２２が同時に発光して基板Ｗの表層を加熱する（ステップＳ０８）。このとき、フラッシュランプ３２１は、数ミリ秒発光して、基板Ｗの表層全体を、ライデンフロスト温度以上に急速に加熱させて、ライデンフロスト現象によって、基板Ｗの表層と液膜との界面に発生する気層を介して、表層から液膜を浮上させる。ハロゲンランプ３２２は、発光を数秒継続してから消灯することにより、フラッシュランプ３２１が消灯した後にも基板Ｗの表層全体を、ライデンフロスト温度以上を維持するように加熱する。

【0062】

これにより、基板Ｗの表層全体からの液膜の浮上状態が維持されて、液玉となり、遠心力により洗浄液Ｌを飛ばされて乾燥される（ステップＳ０９）。つまり、図７（Ａ）に示すように、基板Ｗの被処理面上のパターンＰに接触している洗浄液Ｌは、図７（Ｂ）に示すように、フラッシュランプ３２１の点灯により基板Ｗだけが瞬時に加熱されることにより、基板Ｗの表層と洗浄液Ｌとの接する界面が他の部分の洗浄液Ｌよりも早く気化を始めるため、パターンＰの周囲に、液体（洗浄液Ｌ）が気化したガスの層、すなわち気層Ｇが生成される。そして、ハロゲンランプ３２２の点灯が維持されることにより、基板Ｗの表層の温度が維持されるので、気層Ｇが維持される。なお、図７（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）では、基板ＷのパターンＰに細かい斜線によるハッチングを入れることによって、基板Ｗが急速に加熱され、それが維持されていることを示している。

【0063】

図７（Ｃ）に示すように、隣り合うパターンＰ間の液体（洗浄液Ｌ）は気層Ｇによって瞬時にパターンＰ間から浮き上がり、図７（Ｄ）に示すように、ライデンフロスト現象により直ちに液玉化する（ライデンフロスト現象）。図中、黒塗りの矢印で示すように、洗浄液Ｌには回転による遠心力がかかっており、生成された各液玉は遠心力によって、基板Ｗ上から飛ばされるので、図７（Ｅ）に示すように、基板Ｗの被処理面は乾燥する。

【0064】

このようにして、パターンＰ間に存在する洗浄液Ｌを、パターンＰ間から浮き上がらせることを基板Ｗの被処理面全体で発生させ、再付着を防止することで、一部のパターンＰ間に洗浄液Ｌが残留することを抑えることができ、基板Ｗの被処理面における液体の乾燥速度が均一となるため、残留した液体による倒壊力（例えば、表面張力など）によってパターンＰが倒壊することを抑えることができる。

【0065】

なお、液膜厚が足りずに、ライデンフロスト現象の発生の前に、通常乾燥により液膜が乾燥してしまうと、図８に示すように、一部のパターンＰ間に残留した洗浄液Ｌに働く表面張力で、パターン倒壊が発生する。本実施形態では、基板Ｗの被処理面上の洗浄液Ｌの液膜厚が適切な厚さに調整されているため、ライデンフロスト現象が発生している間は液膜が維持され、気層により浮上した液膜が、遠心力によりパターンＰ間から排除されるので、表面張力によるパターン倒壊が防止される。

【0066】

その後、図５（Ｂ）に示すように、支持部３４は、基板Ｗの回転を維持しながら、待機位置Ｄまで下降する（ステップＳ１０）。支持部３４が基板Ｗの回転を停止した後（ステップＳ１１）、搬送装置２００が基板Ｗを開口３１ａから搬出する（ステップＳ１２）。

【0067】

［効果］
（１）以上のような本実施形態の乾燥装置（基板乾燥装置）３００は、被処理面上に処理液による液膜が形成された状態の基板Ｗが搬入される乾燥室３１と、乾燥室３１に搬入された基板Ｗを支持する支持部３４と、乾燥室３１内に設けられ、基板Ｗにおける被処理面の表層を、液膜と表層との間の全体にライデンフロスト現象による気層が生じる温度以上に加熱するフラッシュランプ３２１と、フラッシュランプ３２１の加熱による気層を維持するように、加熱により表層の温度を維持する温度維持部（ハロゲンランプ３２２）と、支持部３４とともに基板Ｗを回転させることにより、表層との間に気層が生じた液膜を、基板Ｗの回転による遠心力により排出させる駆動機構３５と、を有する。

【0068】

本実施形態の基板処理装置１は、基板Ｗを回転させながら処理液を供給することにより処理装置１１０と、処理済の基板を回転させながら処理液を供給することにより洗浄する洗浄装置１２０と、洗浄装置１２０において洗浄された基板Ｗを、処理液による液膜が形成された状態で搬出し、乾燥装置３００に搬入する搬送装置２００と、を有する。

【0069】

本実施形態の基板乾燥方法は、支持部３４が、被処理面上に処理液による液膜が形成された状態で乾燥室３１に搬入された基板Ｗを支持し、駆動機構３５が、支持部３４とともに基板Ｗを回転させ、フラッシュランプ３２１が、基板Ｗにおける被処理面の表層を、液膜と表層との間の全体にライデンフロスト現象による気層が生じる温度以上に瞬時に加熱し、温度維持部（ハロゲンランプ３２２）が、フラッシュランプ３２１の加熱による気層を維持するように、加熱により表層の温度を維持し、液膜を、基板Ｗの回転による遠心力により排出させる。

【0070】

このように、短時間しか発光できないが瞬時に高温加熱が可能なフラッシュランプ３２１により、基板Ｗの表層をライデンフロスト温度以上に加熱して液膜を浮上させ、温度維持部（ハロゲンランプ３２２）によってライデンフロスト温度を維持させることができるので、気層により浮上した液膜が表層に再付着せずに、基板Ｗ上から排除でき、残留した液体によるパターン倒壊を防ぐことができる。また、ハロゲンランプ３２２のみによって膜沸騰状態にする場合に比べて、膨大な電力を使用することなく、液膜を安定的に膜沸騰状態にして液玉化することができる。

【0071】

図９に、横軸を時間、縦軸を温度としたグラフに、フラッシュランプ３２１、ハロゲンランプ３２２及び基板Ｗの温度変化を模式的に示す。フラッシュランプ３２１のみの加熱の場合、図中の破線に示すように、基板の表層を、ライデンフロスト温度（図中、２点鎖線）以上に瞬時に加熱することができるが、液玉が排出されるまで膜沸騰状態の温度を維持できない。一方、ハロゲンランプ３２２のみの加熱では、図中の１点鎖線に示すように、フラッシュランプ３２１よりも昇温に時間を要するため、瞬時に表層全体をライデンフロスト温度以上にすることができず、液玉の表層への再付着等が発生してしまう。

【0072】

本実施形態では、フラッシュランプ３２１が消灯した後にも、ハロゲンランプ３２２の加熱が継続することにより、図中、実線で示すように、基板Ｗの平均温度を、ライデンフロスト温度以上に維持することができる。つまり、瞬時に液膜を膜沸騰状態の温度にした後、その温度を維持することが可能となる。ここでいう瞬時、つまり膜沸騰状態となるまでの時間は、３ｍｓｅｃ以下であることが好ましい。これにより、ごく僅かの時間で液膜の表層のみを膜沸騰状態にすることができる。このように、基板Ｗの表面全体の液膜の表層が、核沸騰状態にとどまることなく、瞬時に膜沸騰状態になるので、液膜が液玉化しやすくなる。また、瞬時に膜沸騰状態とした後に、その膜沸騰状態を維持できる。より具体的には、基板Ｗの温度をライデンフロスト温度よりも高い温度（例えば、１００℃以上）にすることにより、基板Ｗの全面にある液膜を、安定的に膜沸騰状態に維持できる。このため、図中、αの領域において、液膜が表層に付着した状態から、ライデンフロスト現象により液膜が表層から浮上したβの領域に遷移した後は、液膜の再付着が防止される。従って、フラッシュランプ３２１の消灯による基板Ｗの温度低下を防ぎつつ、ハロゲンランプ３２２を極度に高温とする必要もなく、ライデンフロスト現象による乾燥処理を実現できる。

【0073】

なお、フラッシュランプ３２１は、１秒未満の間に、約３００℃程度の温度まで基板Ｗを加熱できれば、基板Ｗの表層にある液膜が核沸騰状態を経て（核沸騰状態にとどまることなく）、すぐに膜沸騰状態となることができる。また、図９に基づくと、フラッシュランプ３２１の加熱温度の最高値を、ライデンフロスト温度に対して、約２倍～約３倍の温度になるように設定すれば、基板Ｗの表層にある液膜が核沸騰状態にとどまることなく、膜沸騰状態となることができる。

【0074】

ここで、フラッシュランプ３２１は、ライデンフロスト温度まで瞬時に加熱する必要があるため、高いエネルギーが必要となる。この状態を作り出す場合、パルス幅を小さくすることで、瞬時に高いエネルギーで発光させることができる。

【0075】

図９に示すように、ハロゲンランプ３２２の加熱温度の立ち上がりは、約１秒でライデンフロスト温度に達する。つまり、フラッシュランプ３２１の発光終了後、基板平均温度が下降するが、ハロゲンランプ３２２が約１秒でライデンフロスト温度に達するため、基板平均温度はライデンフロスト温度を維持することができる。

【0076】

（２）温度維持部（ハロゲンランプ３２２）は、フラッシュランプ３２１が発光する前に又は同時に加熱を開始する。このため、温度維持部の温度上昇が遅くても、フラッシュランプ３２１の消灯時には、ライデンフロスト温度以上の加熱が可能となる。

【0077】

（３）温度維持部（ハロゲンランプ３２２）は、フラッシュランプ３２１の消灯後も加熱を継続する。このため、フラッシュランプ３２１の消灯による冷却を防ぎ、ライデンフロスト温度を維持できる。

【0078】

（変形例）
（１）フラッシュランプ３２１及び温度維持部は、基板Ｗを挟んで互いに反対の側に配置されてもよい。例えば、図１０に示すように、フラッシュランプ３２１を乾燥室３１の天井側に設け、基板Ｗを挟んで、ハロゲンランプ３２２を床側に設けてもよい。この態様では、ハロゲンランプ３２２は、支持台３２２ａに固定支持されている。乾燥室３１の床には、円環状の中空モータ３４１が設置されている。中空モータ３４１の固定側は、コイルによるステータ３４１ａが構成され、回転側は磁石によるロータ３４１ｂが設けられている。

【0079】

ロータ３４１ｂには、複数の保持部材３４ｂが設けられている。これにより、保持部材３４ｂに保持された基板Ｗは、支持台３２２ａ上に離隔して配置され、ロータ３４１ｂの回転とともに回転する。基板Ｗの被処理面はフラッシュランプ３２１に対向する。

【0080】

乾燥時には、上記と同様に、中空モータ３４１により回転する基板Ｗに、フラッシュランプ３２１とハロゲンランプ３２２を発光させることにより加熱する。このように、基板Ｗの一方の面と他方の面をそれぞれ加熱することにより、両面に加わる応力の差を縮めることができるので、基板Ｗに熱膨張が生じて過大な応力が加わり、割れ等が生じることを防止できる。

【0081】

（２）温度維持部は、ハロゲンランプ３２２には限定されない。赤外線ランプであってもよい。温度維持部の加熱速度が遅い場合には、フラッシュランプ３２１の発光以前から加熱を開始してもよい。また、温度維持部の加熱速度が速い場合には、フラッシュランプ３２１の発光後から加熱を開始してもよい。余熱による温度維持が可能であれば、温度維持部として用いるランプの発光を、フラッシュランプ３２１の発光とともに停止してもよい。

【0082】

（３）処理装置１１０の処理は、最終的に洗浄と乾燥が必要となる処理であれば、処理の内容及び処理液は、上記で例示したものには限定されない。処理対象となる基板Ｗ及び処理液についても、上記で例示したものには限定されない。洗浄装置１２０において洗浄後、基板Ｗに液盛りされる洗浄液Ｌは、ＩＰＡには限定されない。例えば、ＤＩＷによって液盛りされていてもよい。

【0083】

［他の実施形態］
以上、本発明の実施形態及び各部の変形例を説明したが、この実施形態や各部の変形例は、一例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。上述したこれら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明に含まれる。

【符号の説明】

【0084】

１ 基板処理装置
１ａ チャンバ
１ｂ カセット
１ｃ 搬送ロボット
１ｄ バッファユニット
１１ 洗浄室
１１ａ 開口
１１ｂ 扉
１２ 支持部
１３ 回転機構
１４ カップ
１５ 供給部
１５ａ ノズル
１５ｂ 移動機構
２０ ハンドリング装置
２１ ロボットハンド
２２ 移動機構
３１ 乾燥室
３１ａ 開口
３１ｂ 扉
３１ｃ 導入口
３１ｄ 排気口
３１ｅ 給気部
３１ｆ 排気部
３２ 加熱部
３２ａ 仕切り窓
３３ 窓部
３４ 支持部
３４ａ 回転テーブル
３４ｂ 保持部材
３４ｃ 回転軸
３５ 駆動機構
３５ａ 回転部
３５ｂ 昇降部
３６ カップ
３７ 測定部
３７ａ 検出部
３７ｂ 揺動アーム
３７ｃ 揺動機構
３８ 供給部
３８ａ ノズル
３８ｂ 揺動アーム
３８ｃ 揺動機構
４１ 機構制御部
４２ 膜厚解析部
４３ 加熱制御部
１１０ 処理装置
１２０ 洗浄装置
２００ 搬送装置
３００ 乾燥装置
３２１ フラッシュランプ
３２２ ハロゲンランプ
３２２ａ 支持台
３４１ 中空モータ
３４１ａ ステータ
３４１ｂ ロータ
４００ 制御装置

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】