特開 2024-165616 基板処理装置および基板処理方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024165616

(43)【公開日】2024-11-28

(54)【発明の名称】基板処理装置および基板処理方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/677 20060101AFI20241121BHJP

【ＦＩ】

H01L21/68 A

【審査請求】未請求

【請求項の数】15

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023081961

(22)【出願日】2023-05-18

(71)【出願人】

【識別番号】000207551

【氏名又は名称】株式会社ＳＣＲＥＥＮホールディングス

(74)【代理人】

【識別番号】100110847

【弁理士】

【氏名又は名称】松阪 正弘

(74)【代理人】

【識別番号】100136526

【弁理士】

【氏名又は名称】田中 勉

(74)【代理人】

【識別番号】100136755

【弁理士】

【氏名又は名称】井田 正道

(72)【発明者】

【氏名】大島 和真

(72)【発明者】

【氏名】西出 基

【テーマコード（参考）】

5F131

【Ｆターム（参考）】

5F131AA02

5F131AA03

5F131AA10

5F131AA32

5F131AA33

5F131AA34

5F131BA17

5F131BB04

5F131CA12

5F131DA32

5F131DA43

5F131DB02

5F131DB52

5F131DB62

5F131DB72

5F131DB76

5F131DC06

5F131GA14

5F131GA63

5F131GA92

5F131JA20

5F131JA23

5F131JA24

5F131JA26

5F131JA27

5F131JA32

5F131JA35

(57)【要約】

【課題】基板の搬出入時にインデクサブロック内の雰囲気が基板収納容器の内部空間に進入することを抑制する。
【解決手段】基板処理装置のインデクサブロックには、インデクサロボットが配置される。インデクサロボットは、キャリア８に対して、キャリア８の手前側の側面に設けられた容器開口８１を介して基板９の搬出入を行う。キャリア８は、ロードポート上に配置される。キャリア８は、上下方向に配列された複数の基板９を内部空間８０に収納する。ガス噴出部は、容器開口８１の幅方向の一方側において容器開口８１に隣接して設けられた噴出口７２から、容器開口８１に沿って遮蔽用ガスを噴出する。これにより、基板９の搬出入時にインデクサ空間の雰囲気がキャリア８の内部空間８０に進入することを抑制することができる。
【選択図】図５

【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板処理装置であって、
ロードポート上に配置されるとともに上下方向に配列された複数の基板を内部空間に収納する基板収納容器に対して、前記基板収納容器の手前側の側面に設けられた容器開口を介して基板の搬出入を行う第１搬送ロボットが配置されるインデクサブロックと、
基板を処理する処理ユニットおよび前記処理ユニットに対する基板の搬出入を行う第２搬送ロボットが配置される処理ブロックと、
前記容器開口の幅方向の一方側において前記容器開口に隣接して設けられた噴出口から前記容器開口に沿って遮蔽用ガスを噴出するガス噴出部と、
を備える基板処理装置。

【請求項2】

請求項１に記載の基板処理装置であって、
前記インデクサブロック内に下向きの気流が形成されている基板処理装置。

【請求項3】

請求項１に記載の基板処理装置であって、
前記基板収納容器の奥側から前記内部空間に収納用ガスが供給される基板処理装置。

【請求項4】

請求項３に記載の基板処理装置であって、
前記遮蔽用ガスと前記収納用ガスとは同じ種類のガスであり、同一のガス供給源から供給される基板処理装置。

【請求項5】

請求項１に記載の基板処理装置であって、
前記ガス噴出部は、前記遮蔽用ガスを前記容器開口に沿って水平に噴出する基板処理装置。

【請求項6】

請求項１に記載の基板処理装置であって、
前記ガス噴出部は、前記容器開口に沿うとともに前記基板収納容器から手前側に離れる方向に前記遮蔽用ガスを噴出する基板処理装置。

【請求項7】

請求項１に記載の基板処理装置であって、
前記噴出口は、前記容器開口の側縁に沿って前記容器開口の上端部から下端部まで上下方向に延びる１つの噴出口である基板処理装置。

【請求項8】

請求項１に記載の基板処理装置であって、
前記噴出口は、前記容器開口の側縁に沿って上下方向に配列される複数の噴出孔を備え、
前記複数の噴出孔はそれぞれ、前記第１搬送ロボットによって前記基板収納容器に搬出入される際の基板の上下方向の位置とは異なる位置に配置される基板処理装置。

【請求項9】

請求項１に記載の基板処理装置であって、
前記容器開口の前記幅方向の他方側において前記容器開口に隣接して設けられた排気口から排気を行うガス排出部をさらに備える基板処理装置。

【請求項10】

請求項１に記載の基板処理装置であって、
前記ガス噴出部は、前記噴出口から噴出される前記遮蔽用ガスの流量を制御する流量制御部を備える基板処理装置。

【請求項11】

請求項１０に記載の基板処理装置であって、
前記流量制御部による制御により、前記基板収納容器に対する基板の搬出入時における前記遮蔽用ガスの流量が、前記基板収納容器に対する基板の非搬出入時における前記遮蔽用ガスの流量よりも大きくされる基板処理装置。

【請求項12】

請求項１ないし１１のいずれか１つに記載の基板処理装置であって、
他の容器開口を有する他の基板収納容器が、前記基板収納容器の前記幅方向の前記一方側において前記基板収納容器に隣接して配置され、
前記ガス噴出部は、前記他の容器開口の前記幅方向の前記他方側において前記他の容器開口に隣接して設けられた他の噴出口から前記他の容器開口に沿って前記遮蔽用ガスを噴出し、
前記噴出口および前記他の噴出口はそれぞれ、前記容器開口と前記他の容器開口との間に配置された噴出要素の前記幅方向の前記他方側の側面、および、前記幅方向の前記一方側の側面に設けられる基板処理装置。

【請求項13】

請求項１２に記載の基板処理装置であって、
前記ガス噴出部は、前記噴出口から噴出される前記遮蔽用ガスの流量と、前記他の噴出口から噴出される前記遮蔽用ガスの流量とを個別に制御する流量制御部を備える基板処理装置。

【請求項14】

基板処理方法であって、
ａ）上下方向に配列された複数の基板を内部空間に収納する基板収納容器をロードポート上に載置する工程と、
ｂ）前記基板収納容器の手前側の側面に設けられた容器開口を介して前記基板収納容器から基板を搬出する工程と、
ｃ）前記容器開口を介して前記基板収納容器に前記基板を搬入する工程と、
を備え、
前記ｂ）工程および前記ｃ）工程が行われる際に、前記容器開口の幅方向の一方側において前記容器開口に隣接して設けられた噴出口から前記容器開口に沿って遮蔽用ガスが噴出される基板処理方法。

【請求項15】

請求項１４に記載の基板処理方法であって、
前記ｂ）工程と前記ｃ）工程との間において、前記基板に対する所定の処理が行われる基板処理方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、基板処理装置および基板処理方法に関する。

【背景技術】

【0002】

従来、基板を処理する基板処理装置では、ロードポート上のＦＯＵＰ(Front Opening Unified Pod）等に収納されている複数の基板が、インデクサブロックに設けられているロボットによって、ＦＯＵＰの開口を介して搬出される。ＦＯＵＰから搬出された基板は、処理ブロックにて様々な処理が施される。そして、処理済みの基板は、上記ロボットによってＦＯＵＰ等に搬入されて収納される。

【0003】

このような基板処理装置では、ＦＯＵＰ内における基板上のめっき膜の酸化等を抑制するために、ＦＯＵＰ内に窒素ガス等を充填し、インデクサ空間の雰囲気がＦＯＵＰ内に進入することを抑制している。例えば、特許文献１では、インデクサ空間に設けられたノズルから、ＦＯＵＰの開口を介してＦＯＵＰ内に向けて窒素ガスを吹き付けることにより、ＦＯＵＰ内に窒素ガスを充填することが提案されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開２００９－２９０１０２号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

ところで、特許文献１の方法では、ＦＯＵＰの内部空間に吹き付けるための多量の窒素ガスが必要となる。そこで、窒素ガスの使用量を低減しつつインデクサ空間の雰囲気がＦＯＵＰ内に進入することを抑制する方法として、ＦＯＵＰの開口の上方にガス噴出部を設け、当該ガス噴出部から下方へと窒素ガスを噴出することにより、ＦＯＵＰの開口に沿って下方に流れる窒素ガスのシャワーを形成することが考えられる。しかしながら、当該窒素ガスのシャワーは、ＦＯＵＰに対して基板を搬出入する際に基板の上面に上側から衝突し、周囲のインデクサ空間の雰囲気を巻き込んで当該上面に沿ってＦＯＵＰ内へと流入するため、ＦＯＵＰ内の窒素ガス濃度が低下するおそれがある。

【0006】

本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、基板の搬出入時にインデクサブロック内の雰囲気が基板収納容器内の内部空間に進入することを抑制することを目的としている。

【課題を解決するための手段】

【0007】

本発明の態様１は、基板処理装置であって、前記基板処理装置は、ロードポート上に配置されるとともに上下方向に配列された複数の基板を内部空間に収納する基板収納容器に対して、前記基板収納容器の手前側の側面に設けられた容器開口を介して基板の搬出入を行う第１搬送ロボットが配置されるインデクサブロックと、基板を処理する処理ユニットおよび前記処理ユニットに対する基板の搬出入を行う第２搬送ロボットが配置される処理ブロックと、前記容器開口の幅方向の一方側において前記容器開口に隣接して設けられた噴出口から前記容器開口に沿って遮蔽用ガスを噴出するガス噴出部と、を備える。

【0008】

本発明の態様２は、態様１の基板処理装置であって、前記インデクサブロック内に下向きの気流が形成されている。

【0009】

本発明の態様３は、態様１（態様１または２、であってもよい。）の基板処理装置であって、前記基板収納容器の奥側から前記内部空間に収納用ガスが供給される。

【0010】

本発明の態様４は、態様３の基板処理装置であって、前記遮蔽用ガスと前記収納用ガスとは同じ種類のガスであり、同一のガス供給源から供給される。

【0011】

本発明の態様５は、態様１（態様１ないし４のいずれか１つ、であってもよい。）の基板処理装置であって、前記ガス噴出部は、前記遮蔽用ガスを前記容器開口に沿って水平に噴出する。

【0012】

本発明の態様６は、態様１（態様１ないし５のいずれか１つ、であってもよい。）の基板処理装置であって、前記ガス噴出部は、前記容器開口に沿うとともに前記基板収納容器から手前側に離れる方向に前記遮蔽用ガスを噴出する。

【0013】

本発明の態様７は、態様１（態様１ないし６のいずれか１つ、であってもよい。）の基板処理装置であって、前記噴出口は、前記容器開口の側縁に沿って前記容器開口の上端部から下端部まで上下方向に延びる１つの噴出口である。

【0014】

本発明の態様８は、態様１（態様１ないし６のいずれか１つ、であってもよい。）の基板処理装置であって、前記噴出口は、前記容器開口の側縁に沿って上下方向に配列される複数の噴出孔を備える。前記複数の噴出孔はそれぞれ、前記第１搬送ロボットによって前記基板収納容器に搬出入される際の基板の上下方向の位置とは異なる位置に配置される。

【0015】

本発明の態様９は、態様１（態様１ないし８のいずれか１つ、であってもよい。）の基板処理装置であって、前記基板処理装置は、前記容器開口の前記幅方向の他方側において前記容器開口に隣接して設けられた排気口から排気を行うガス排出部をさらに備える。

【0016】

本発明の態様１０は、態様１（態様１ないし９のいずれか１つ、であってもよい。）の基板処理装置であって、前記ガス噴出部は、前記噴出口から噴出される前記遮蔽用ガスの流量を制御する流量制御部を備える。

【0017】

本発明の態様１１は、態様１０に記載の基板処理装置であって、前記流量制御部による制御により、前記基板収納容器に対する基板の搬出入時における前記遮蔽用ガスの流量が、前記基板収納容器に対する基板の非搬出入時における前記遮蔽用ガスの流量よりも大きくされる。

【0018】

本発明の態様１２は、態様１ないし１１のいずれか１つの基板処理装置であって、他の容器開口を有する他の基板収納容器が、前記基板収納容器の前記幅方向の一方側において前記基板収納容器に隣接して配置される。前記ガス噴出部は、前記他の容器開口の前記幅方向の前記他方側において前記他の容器開口に隣接して設けられた他の噴出口から前記他の容器開口に沿って前記遮蔽用ガスを噴出する。前記噴出口および前記他の噴出口はそれぞれ、前記容器開口と前記他の容器開口との間に配置された噴出要素の前記幅方向の前記他方側の側面、および、前記幅方向の前記一方側の側面に設けられる。

【0019】

本発明の態様１３は、態様１２の基板処理装置であって、前記ガス噴出部は、前記噴出口から噴出される前記遮蔽用ガスの流量と、前記他の噴出口から噴出される前記遮蔽用ガスの流量とを個別に制御する流量制御部を備える。

【0020】

本発明の態様１４は、基板処理方法であって、ａ）上下方向に配列された複数の基板を内部空間に収納する基板収納容器をロードポート上に載置する工程と、ｂ）前記基板収納容器の手前側の側面に設けられた容器開口を介して前記基板収納容器から基板を搬出する工程と、ｃ）前記容器開口を介して前記基板収納容器に前記基板を搬入する工程と、を備える。前記ｂ）工程および前記ｃ）工程が行われる際に、前記容器開口の幅方向の一方側において前記容器開口に隣接して設けられた噴出口から前記容器開口に沿って遮蔽用ガスが噴出される。

【0021】

本発明の態様１５は、態様１４の基板処理方法であって、前記ｂ）工程と前記ｃ）工程との間において、前記基板に対する所定の処理が行われる。

【発明の効果】

【0022】

本発明では、基板の搬出入時にインデクサブロック内の雰囲気が基板収納容器内に進入することを抑制することができる。

【図面の簡単な説明】

【0023】

【図1】一の実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。

【図2】基板処理装置の内部を示す正面図である。

【図3】キャリア近傍の部位の縦断面図である。

【図4】キャリア近傍の部位の縦断面図である。

【図5】キャリア近傍の部位の側面図である。

【図6】キャリア近傍の部位の平面図である。

【図7】インデクサブロックの側壁近傍の部位を示す側面図である。

【図8】噴出口設置部の縦断面図である。

【図9】基板の処理の流れを示す図である。

【図10】キャリアおよびハンドを示す縦断面図である。

【図11】キャリアおよびハンドを示す縦断面図である。

【図12】キャリア近傍の部位の縦断面図である。

【図13】キャリアおよびハンドを示す縦断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0024】

図１は、本発明の一の実施の形態に係る基板処理装置１の平面図である。図２は、基板処理装置１を、図１のＩＩ－ＩＩ線から見た図である。なお、以下に参照する各図には、Ｚ軸方向を鉛直方向（すなわち、上下方向）とし、ＸＹ平面を水平面とするＸＹＺ直交座標系が適宜付されている。なお、図１では、基板処理装置１の内部構造も実線にて示している。また、図２では、基板処理装置１の（＋Ｘ）側の一部の図示を省略している。

【0025】

基板処理装置１は、複数の略円板状の半導体基板９（以下、単に「基板９」という。）に連続して処理を行う装置である。基板処理装置１では、例えば、ＢＥＯＬ（Back End of Line）工程における基板９に対する洗浄処理が行われる。

【0026】

基板処理装置１は、インデクサブロック１０と、処理ブロック２０と、載置ユニット４０と、を備える。インデクサブロック１０および処理ブロック２０はそれぞれ、インデクサセルおよび処理セルとも呼ばれる。また、インデクサブロック１０は、Equipment Front End Module（ＥＤＥＭ）ユニット等とも呼ばれる。

【0027】

インデクサブロック１０の（－Ｘ）側には、複数（例えば、４個）のロードポート１１が配置される。すなわち、図１に示す例では、（－Ｘ）側から（＋Ｘ）側に向かって、複数のロードポート１１、インデクサブロック１０、載置ユニット４０および処理ブロック２０が、この順に隣接して配置されている。

【0028】

複数のロードポート１１は、インデクサブロック１０の（－Ｘ）側の側壁１３に沿ってＹ方向に配列される。複数のロードポート１１はそれぞれ、キャリア８が載置される載置台である。キャリア８は、上下方向（すなわち、Ｚ方向）に配列された複数の円板状の基板９を内部空間８０に収納する基板収納容器である。キャリア８は、例えば、基板９を密閉空間に収納するＦＯＵＰ(Front Opening Unified Pod）である。キャリア８は、ＦＯＵＰには限定されず、例えば、ＳＭＩＦ（Standard Mechanical Inter Face）ポッド等であってもよい。また、ロードポート１１の数は、１個であってもよく、２個以上であってもよい。

【0029】

各ロードポート１１に対しては、複数の未処理の基板９（すなわち、基板処理装置１による処理が行われる前の基板９）を収納したキャリア８が、基板処理装置１の外部から、ＯＨＴ（Overhead Hoist Transfer）等により搬入されて載置される。また、処理ブロック２０における処理が終了した処理済みの基板９は、ロードポート１１に載置されたキャリア８に収納される。処理済みの基板９が収納されたキャリア８は、ＯＨＴ等によって基板処理装置１の外部に搬出される。すなわち、ロードポート１１は、未処理の基板９および処理済みの基板９を集積する基板集積部として機能する。

【0030】

図３は、一のキャリア８近傍の部位を拡大して示す縦断面図である。インデクサブロック１０の（－Ｘ）側の側壁１３には、各ロードポート１１上のキャリア８とＸ方向にて対向する位置に通過口１３１が設けられている。通過口１３１は、側壁１３に沿って上下方向に移動可能なスライドドア１３２によって開閉される。図３では、スライドドア１３２が通過口１３１よりも下方へと移動し、通過口１３１が開放されている状態を示す。Ｘ方向に沿って見た場合の通過口１３１の形状は、例えば略矩形である。

【0031】

キャリア８の（＋Ｘ）側の側面（すなわち、インデクサブロック１０とＸ方向にて対向する側面）には、通過口１３１とＸ方向にて対向する容器開口８１が設けられている。キャリア８の（＋Ｘ）側は、キャリア８のうちインデクサブロック１０に近い側であり、インデクサブロック１０側から見た場合のキャリア８の手前側である。以下の説明では、キャリア８の（＋Ｘ）側を「手前側」とも呼び、キャリア８の（－Ｘ）側（すなわち、キャリア８のうちインデクサブロック１０から遠い側）を「奥側」とも呼ぶ。

【0032】

キャリア８の容器開口８１は、図示省略の扉によって開閉される。図３では、当該扉がスライドドア１３２と共に容器開口８１および通過口１３１よりも下方へと移動し、容器開口８１が開放されている状態を示す。Ｘ方向に沿って見た場合の容器開口８１の形状は、例えば略矩形である。

【0033】

図３に示すように、通過口１３１および容器開口８１が開放されている状態では、キャリア８の内部空間８０と、インデクサブロック１０の内部空間（以下、「インデクサ空間１００」とも呼ぶ。）とが、通過口１３１および容器開口８１を介して連通している。そして、後述するインデクサロボット１２により、通過口１３１および容器開口８１を介して、キャリア８に対する基板９の搬出入が行われる。図３に示す例では、キャリア８の内部空間８０に収納される基板９の数は２５枚である。２５枚の基板９は、互いに離間しつつ上下方向に配列される。なお、図３では、キャリア８内の複数の基板９のうち、一部の基板９の図示を省略している（後述する図５、図７、図１０－１３においても同様）。

【0034】

図４は、一のキャリア８近傍の部位を示す縦断面図である。図５は、当該キャリア８近傍の部位を、上述の側壁１３よりも（＋Ｘ）側から見た側面図である。図４および図５では、キャリア８以外の構成を併せて示す。また、図４では、断面よりも（＋Ｙ）側に位置する構成の一部も併せて示す。キャリア８の内部空間８０では、各基板９は、キャリア８の内側面に設けられた基板支持部８２によって支持される。基板支持部８２は、キャリア８の（＋Ｙ）側の内側面、（－Ｘ）側の内側面、および、（－Ｙ）側の内側面において略水平に突出する略平板状の凸部であり、基板９の下面の周縁部に下側から接触して基板９を支持する。

【0035】

キャリア８の内部空間８０には、当該キャリア８が載置されているロードポート１１から収納用ガスが供給されている。図４に示す例では、キャリア８の底部の（－Ｙ）側（すなわち、奥側）に設けられた給気ポート８３から、矢印Ｒ１にて示すように、収納用ガスが上方に向けて噴出される。給気ポート８３から供給された収納用ガスは、キャリア８の内部空間８０全体に広がり、キャリア８の底部の（＋Ｙ）側（すなわち、手前側）に設けられた排気ポート８４から排出される。

【0036】

キャリア８では、給気ポート８３から継続的に収納用ガスが供給されることにより、キャリア８の内部空間８０に収納用ガスが満たされる。これにより、キャリア８の内部空間８０が、インデクサ空間１００に比べて低湿度雰囲気かつ低酸素雰囲気とされる。キャリア８に供給される遮蔽用ガスの流量は、例えば、キャリア８の内部空間８０の圧力がインデクサ空間１００の圧力よりも少し高くなるように制御される。

【0037】

収納用ガスは、インデクサ空間１００の雰囲気とは異なる特性を有するガスである。例えば、収納用ガスの湿度は、インデクサ空間１００の雰囲気の湿度よりも低い。または、収納用ガスの酸素濃度は、インデクサ空間１００の雰囲気の酸素濃度よりも低い。本実施の形態では、収納用ガスは、インデクサ空間１００の雰囲気よりも湿度および酸素濃度が低いガスである。収納用ガスとしては、例えば、クリーンドライエア（ＣＤＡ）、または、不活性ガス（例えば、窒素（Ｎ_２）ガス）が利用可能である。

【0038】

基板処理装置１は、ガス噴出部７１と、ガス排出部７６とをさらに備える。図４および図５に示す例では、ガス噴出部７１は、インデクサブロック１０の（－Ｘ）側の側壁１３において、通過口１３１の（＋Ｙ）側に隣接して設けられた噴出口７２を備える。噴出口７２は、キャリア８の容器開口８１よりも（＋Ｘ）側（すなわち、手前側）にてインデクサ空間１００に配置され、容器開口８１の（＋Ｙ）側に隣接する。

【0039】

図４および図５に示す例では、上下方向に略平行に伸びる略四角柱状の噴出要素である噴出口設置部７３が、通過口１３１の（＋Ｙ）側においてインデクサ空間１００に配置され、噴出口設置部７３の（－Ｙ）側の側面に噴出口７２が設けられる。噴出口設置部７３の（－Ｙ）側の側面に設けられる噴出口７２の数は、例えば１つであり、容器開口８１の（＋Ｙ）側の側縁に沿って容器開口８１の上端部から下端部まで上下方向に略平行に延びる。噴出口７２の上端は、容器開口８１の上端よりも上側に位置し、噴出口７２の下端は、容器開口８１の下端よりも下側に位置する。（－Ｙ）側から見た噴出口７２の形状は、例えば、上下方向に長い略長方形（すなわち、略矩形帯状）である。なお、噴出口設置部７３および噴出口７２の形状は、上記例には限定されず、適宜変更されてよい。

【0040】

ガス噴出部７１は、噴出口７２から略（－Ｙ）方向に向けて遮蔽用ガスを噴出（すなわち、吐出）する。換言すれば、ガス噴出部７１は、噴出口７２から容器開口８１に沿って側方へと遮蔽用ガスを噴出する。

【0041】

遮蔽用ガスは、インデクサ空間１００の雰囲気とは異なる特性を有するガスである。例えば、遮蔽用ガスの湿度は、インデクサ空間１００の雰囲気の湿度よりも低い。または、遮蔽用ガスの酸素濃度は、インデクサ空間１００の雰囲気の酸素濃度よりも低い。本実施の形態では、遮蔽用ガスは、インデクサ空間１００の雰囲気よりも湿度および酸素濃度が低いガスである。遮蔽用ガスとしては、例えば、ＣＤＡまたは窒素ガス等の不活性ガスが利用可能である。遮蔽用ガスは、例えば、収納用ガスと同じ種類のガスであり、図示省略の同一のガス供給源から供給される。本実施の形態では、収納用ガスおよび遮蔽用ガスはＣＤＡである。

【0042】

あるいは、収納用ガスおよび／または遮蔽用ガスは、含有されるイオンの濃度がインデクサ空間１００の雰囲気よりも高いガスであってもよい。この場合、例えば、ガス供給源において、イオナイザ等によってイオンがガスに付与されることにより、収納用ガスおよび／または遮蔽用ガスが生成される。

【0043】

図５に示す例では、噴出口７２からの遮蔽用ガスの噴出方向は、矢印Ｒ２にて示すように略水平である。また、平面視における遮蔽用ガスの噴出方向Ｒ２は、Ｙ方向（すなわち、容器開口８１の幅方向）に略平行である。平面視における遮蔽用ガスの噴出方向Ｒ２は、容器開口８１に沿う方向であれば、図６に例示するように、噴出口７２から離れるに従ってキャリア８から手前側（すなわち、（＋Ｘ）側）に離れる方向であってもよい。図６に示す例では、噴出口７２からの遮蔽用ガスの噴出方向Ｒ２とＹ方向との間の平面視における角度θ（鋭角）は、３０°以下であることが好ましい。

【0044】

基板処理装置１では、噴出口７２からキャリア８の容器開口８１に沿って噴出された遮蔽用ガスにより、容器開口８１の（＋Ｘ）側において、略（－Ｙ）方向へと流れるガスカーテンが形成され、当該ガスカーテンにより容器開口８１が（＋Ｘ）側から遮蔽される。換言すれば、噴出口７２から噴出された遮蔽用ガスにより形成された略膜状の気流により、容器開口８１が（＋Ｘ）側から覆われる。上述のガスカーテンは、容器開口８１の（＋Ｘ）側において容器開口８１に近接して形成される。これにより、キャリア８内の収納用ガスよりも湿度および酸素濃度が高いインデクサ空間１００の雰囲気が、キャリア８の内部空間８０へと進入することが抑制される。

【0045】

図５に示す例では、ガス排出部７６は、インデクサブロック１０の（－Ｘ）側の側壁１３において、通過口１３１の（－Ｙ）側に隣接して設けられた排気口７７を備える。排気口７７は、キャリア８の容器開口８１よりも（＋Ｘ）側（すなわち、手前側）にてインデクサ空間１００に配置され、容器開口８１の（－Ｙ）側に隣接する。

【0046】

図５に示す例では、上下方向に略平行に伸びる略四角柱状の排気要素である排気口設置部７８が、通過口１３１の（－Ｙ）側においてインデクサ空間１００に配置され、排気口設置部７８の（＋Ｙ）側の側面に排気口７７が設けられる。排気口設置部７８の（＋Ｙ）側の側面に設けられる排気口７７の数は、例えば１つであり、容器開口８１の（－Ｙ）側の側縁に沿って容器開口８１の上端部から下端部まで上下方向に略平行に延びる。排気口７７の上端は、容器開口８１の上端よりも上側に位置し、排気口７７の下端は、容器開口８１の下端よりも下側に位置する。（＋Ｙ）側から見た排気口７７の形状は、例えば、上下方向に長い略長方形である。排気口７７の当該形状は、例えば、（－Ｙ）側から見た噴出口７２の形状と略同じである。なお、排気口設置部７８および排気口７７の形状は、上記例には限定されず、適宜変更されてよい。

【0047】

ガス排出部７６は、排気口７７から周囲の雰囲気を吸引して、基板処理装置１の外部へと排出する。換言すれば、ガス排出部７６は、排気口７７から排気を行う。具体的には、ガス排出部７６は、容器開口８１の（＋Ｘ）側における容器開口８１近傍の雰囲気を、排気口７７を介して吸引する。これにより、ガス噴出部７１の噴出口７２から噴出された遮蔽用ガスが、キャリア８の容器開口８１に沿って側方へと（すなわち、（－Ｙ）側へと）流れやすくなり、遮蔽用ガスのガスカーテンによる容器開口８１の遮蔽が、より好適に実現される。

【0048】

なお、基板処理装置１では、容器開口８１の（－Ｙ）側に噴出口７２が設けられ、容器開口８１の（＋Ｙ）側に排気口７７が設けられてもよい。すなわち、Ｙ方向を「幅方向」と呼ぶと、ガス噴出部７１の噴出口７２は、容器開口８１の幅方向の一方側において容器開口８１に隣接して設けられ、ガス排出部７６の排気口７７は、容器開口８１の幅方向の他方側において容器開口８１に隣接して設けられる。

【0049】

図７は、インデクサブロック１０の（－Ｘ）側の側壁１３を（＋Ｘ）側から見た側面図である。図７に示す例では、Ｙ方向に並ぶ４つのキャリア８のうち、（－Ｙ）側から１番目のキャリア８と２番目のキャリア８との間に、噴出口設置部７３が配置される。噴出口設置部７３では、（－Ｙ）側の側面および（＋Ｙ）側の側面に、上述の噴出口７２がそれぞれ設けられる。噴出口設置部７３の（－Ｙ）側の側面に設けられた噴出口７２からは、（－Ｙ）側から１番目のキャリア８の容器開口８１に沿って遮蔽用ガスが噴出される。噴出口設置部７３の（＋Ｙ）側の側面に設けられた噴出口７２からは、（－Ｙ）側から２番目のキャリア８の容器開口８１に沿って遮蔽用ガスが噴出される。

【0050】

（－Ｙ）側から１番目および２番目のキャリア８のうち、片方を単にキャリア８と呼び、もう片方を他のキャリア８と呼ぶと、他のキャリア８は、キャリア８の幅方向の一方側において当該キャリア８に隣接して配置される。噴出口設置部７３は、キャリア８と他のキャリア８との間に配置され、噴出口設置部７３の幅方向の他方側の側面には、当該キャリア８の容器開口８１に沿って遮蔽用ガスを噴出する噴出口７２が設けられる。また、噴出口設置部７３の幅方向の一方側の側面には、上記他のキャリア８の容器開口８１である他の容器開口８１に沿って遮蔽用ガスを噴出する他の噴出口７２が設けられる。当該他の噴出口７２は、他の容器開口８１の幅方向の他方側において当該他の容器開口８１に隣接して設けられる。

【0051】

図７に示す例では、Ｙ方向に並ぶ４つのキャリア８のうち、（－Ｙ）側から３番目のキャリア８と４番目のキャリア８との間にも、上述の噴出口設置部７３が配置される。噴出口設置部７３では、（－Ｙ）側の側面および（＋Ｙ）側の側面に、上述の噴出口７２がそれぞれ設けられる。噴出口設置部７３の（－Ｙ）側の側面に設けられた噴出口７２からは、（－Ｙ）側から３番目のキャリア８の容器開口８１に沿って遮蔽用ガスが噴出される。噴出口設置部７３の（＋Ｙ）側の側面に設けられた噴出口７２からは、（－Ｙ）側から４番目のキャリア８の容器開口８１に沿って収納用ガスが噴出される。

【0052】

図７に示す例では、Ｙ方向に並ぶ４つのキャリア８のうち、（－Ｙ）側から２番目のキャリア８と３番目のキャリア８の間に、排気口設置部７８が配置される。排気口設置部７８では、（－Ｙ）側の側面および（＋Ｙ）側の側面に、上述の排気口７７がそれぞれ設けられる。排気口設置部７８の（－Ｙ）側の側面に設けられた排気口７７からは、（－Ｙ）側から２番目のキャリア８の容器開口８１の（＋Ｘ）側における当該容器開口８１近傍の雰囲気が排気される。排気口設置部７８の（＋Ｙ）側の側面に設けられた排気口７７からは、（－Ｙ）側から３番目のキャリア８の容器開口８１の（＋Ｘ）側における当該容器開口８１近傍の雰囲気が排気される。

【0053】

図７に示す例では、Ｙ方向に並ぶ４つのキャリア８のうち、（－Ｙ）側から１番目のキャリア８の（－Ｙ）側にも、排気口設置部７８が配置される。当該排気口設置部７８では、（＋Ｙ）側の側面に上述の排気口７７が設けられ、（－Ｙ）側から１番目のキャリア８の容器開口８１の（＋Ｘ）側における当該容器開口８１近傍の雰囲気が、当該排気口７７から排気される。また、Ｙ方向に並ぶ４つのキャリア８のうち、（－Ｙ）側から４番目のキャリア８の（＋Ｙ）側にも、排気口設置部７８が配置される。当該排気口設置部７８では、（－Ｙ）側の側面に上述の排気口７７が設けられ、（－Ｙ）側から４番目のキャリア８の容器開口８１の（＋Ｘ）側における当該容器開口８１近傍の雰囲気が、当該排気口７７から排気される。

【0054】

図８は、一の噴出口設置部７３を拡大して示す縦断面図である。噴出口設置部７３では、上下方向に略平行に伸びる略直方体状の本体部７３１の内部に、Ｙ方向にて隣接する２つのバッファ空間７３２が設けられる。２つのバッファ空間７３２は、それぞれ上下方向に略平行に伸びる略直方体状の空間であり、隔壁７３３によって互いに独立している。本体部７３１の（－Ｙ）側の側壁および（＋Ｙ）側の側壁にはそれぞれ、上述の噴出口７２が設けられる。図８中の（－Ｙ）側の噴出口７２は、２つのバッファ空間７３２のうち（－Ｙ）側のバッファ空間７３２と連通しており、（＋Ｙ）側の噴出口７２は（＋Ｙ）側のバッファ空間７３２と連通している。

【0055】

各バッファ空間７３２は、配管７３４およびバルブ７３５を介してガス供給源７３６に接続される。ガス供給源７３６から送出された遮蔽用ガスは、配管７３４およびバルブ７３５を介してバッファ空間７３２に供給され、噴出口７２から噴出される。なお、上述のように、遮蔽用ガスと収納用ガスとが同じ種類である場合、ガス供給源７３６から送出されたガスは、上述の給気ポート８３を介して、収納用ガスとしてキャリア８の内部空間８０に供給されてもよい。この場合、ガス供給源７３６は、例えばロードポート１１の内部に設けられてもよい。

【0056】

噴出口設置部７３では、２つのバルブ７３５の開閉および開度の調節は、独立して行うことが可能である。２つのバルブ７３５が流量制御部７３７によって個別に制御されることにより、（－Ｙ）側の噴出口７２から噴出される遮蔽用ガスの流量と、（＋Ｙ）側の噴出口７２から噴出される遮蔽用ガスの流量とが、個別に制御される。流量制御部７３７としては、例えば、ＣＰＵ、ＲＯＭ、ＲＡＭ、固定ディスク、ディスプレイ、入力部、読取装置、通信部およびバス等を含む一般的なコンピュータシステムが利用可能である。また、流量制御部７３７の機能の全部または一部は、専用の電気回路により実現されてもよく、複数のコンピュータにより実現されてもよい。

【0057】

図１および図２に示す基板処理装置１では、未処理の基板９が、キャリア８からインデクサブロック１０および載置ユニット４０を経由して処理ブロック２０に受け渡される。また、処理ブロック２０にて処理された処理済みの基板９は、載置ユニット４０およびインデクサブロック１０を経由してキャリア８へと受け渡される。インデクサブロック１０のインデクサ空間１００には、キャリア８への基板９の搬出入を行うインデクサロボット１２が配置される。

【0058】

インデクサロボット１２は、搬送アーム１２１と、ベース１２２と、アーム支持部１２３と、移動機構１２４とを備える。図２に示す例では、インデクサロボット１２は５本の搬送アーム１２１を備える。５本の搬送アーム１２１は、上下方向に離間しつつ配列された状態でベース１２２上に取り付けられる。ベース１２２は、アーム支持部１２３に取り付けられる。アーム支持部１２３には、ベース１２２を上下方向を向く回転軸を中心として回転させる回転機構（図示省略）が設けられる。当該回転機構は、例えばモータを備える。移動機構１２４は、アーム支持部１２３をＹ方向（すなわち、複数のキャリア８が配列される方向）、および、Ｚ方向（すなわち、上下方向）に移動する機構である。移動機構１２４は、例えば、モータにより駆動されるボールねじ機構を備える。

【0059】

各搬送アーム１２１の先端には、平面視において略Ｕ字状のハンドが設けられる。当該ハンドは、例えば、幅方向に広がる基部と、当該基部の幅方向両端部から幅方向に垂直な長手方向に略平行に延びる２本の爪部とを備える。各搬送アーム１２１は、ハンドにより１枚の基板９の下面を支持する。各搬送アーム１２１は、ベース１２２に設けられた駆動機構（図示省略）によって、水平方向に沿って移動する。換言すれば、ハンドは、進退自在、昇降自在かつ回転自在にインデクサロボット１２に設けられる。インデクサロボット１２では、複数の搬送アーム１２１は、互いに独立して移動可能であってもよく、複数の搬送アーム１２１のうち、一部または全部の搬送アーム１２１が、互いに独立することなく、まとめて移動されてもよい。また、搬送アーム１２１の数は、１つであってもよく、２つ以上であってもよい。

【0060】

インデクサロボット１２は、ハンドにより基板９を保持する搬送アーム１２１を、ロードポート１１に載置されたキャリア８にアクセスさせることにより、キャリア８に対する基板９の搬出入を行う第１搬送ロボットである。また、インデクサロボット１２は、キャリア８と載置ユニット４０との間で基板９の受け渡しを行う。第１搬送ロボットである。インデクサロボット１２において各構成を移動させる機構は、上述の例には限定されず、様々に変更されてよい。

【0061】

インデクサブロック１０の天蓋部には、インデクサ空間１００にガスを供給して下向きに流れる気流（いわゆる、ダウンフロー）を形成する気流形成部１０２が設けられる。これにより、インデクサ空間１００におけるパーティクルの巻き上げ等が抑制される。気流形成部１０２としては、例えば、ＦＦＵ（ファン・フィルタ・ユニット）が利用される。

【0062】

載置ユニット４０は、インデクサブロック１０と処理ブロック２０との接続部に設けられる。載置ユニット４０には、インデクサブロック１０から処理ブロック２０へと受け渡される未処理の基板９が、一時的に載置される。また、載置ユニット４０には、処理ブロック２０からインデクサブロック１０へと受け渡される処理済みの基板９が、一時的に載置される。

【0063】

処理ブロック２０には、基板９の搬送に利用される搬送路２３と、搬送路２３の周囲に配置される複数の処理ユニット２１とが設けられる。図１に示す例では、搬送路２３は、処理ブロック２０のＹ方向の中央にてＸ方向に延びる。搬送路２３の内部空間２３０には、各処理ユニット２１に対する基板９の搬出入を行う第２搬送ロボットであるセンターロボット２２が配置される。搬送路２３の周囲には、例えば、１２個の処理ユニット２１が配置される。各処理ユニット２１は、１枚の基板９に対して所定の処理（例えば、エッチング処理）を行う枚様式の処理装置である。なお、処理ユニット２１において基板９に対して行われる処理は、様々に変更されてよい。

【0064】

次に、図９を参照しつつ、基板処理装置１における基板９の処理の流れの一例について説明する。基板９の処理が行われる際には、まず、複数のキャリア８が複数のロードポート１１上にそれぞれ載置される（ステップＳ１１）。各キャリア８の内部空間８０には、複数の未処理の基板９が上述のように収納されている。キャリア８の容器開口８１は、上述の扉によって閉鎖されている。ロードポート１１上に載置されたキャリア８の内部空間８０には、給気ポート８３から収納用ガスが継続的に供給される。

【0065】

続いて、キャリア８の上記扉、および、インデクサブロック１０のスライドドア１３２が開放され、図４および図５に示すように、インデクサ空間１００とキャリア８の内部空間８０とが、通過口１３１および容器開口８１を介して連通する。また、ガス噴出部７１の噴出口７２から遮蔽用ガスの噴出が開始され、容器開口８１の（＋Ｘ）側に遮蔽用ガスのガスカーテンが形成される（ステップＳ１２）。これにより、インデクサ空間１００の雰囲気がキャリア８の内部空間８０に進入することが抑制される。噴出口７２から噴出される遮蔽用ガスの流量は、流量制御部７３７（図８参照）によって所定の第１流量に調節されている。基板処理装置１では、容器開口８１が開放されている間、噴出口７２からの遮蔽用ガスの噴出が継続される。また、基板処理装置１では、遮蔽用ガスの噴出開始と並行して、ガス排出部７６の排気口７７からの排気が開始される。排気口７７からの排気は、噴出口７２からの遮蔽用ガスの噴出が継続される間、同調に継続される。

【0066】

次に、図１０に示すように、インデクサロボット１２の５つのハンド１２５が（－Ｘ）方向へと移動し、通過口１３１および容器開口８１を介してキャリア８の内部空間８０に挿入され、５枚の未処理の基板９の下面にそれぞれ接触する。そして、５つのハンド１２５が上昇することにより、５枚の基板９が基板支持部８２から上方へと離間し、インデクサロボット１２によって保持される。その後、５つのハンド１２５が（＋Ｘ）方向へと移動することにより、図１１に示すように、インデクサロボット１２によって保持された５枚の基板９が、容器開口８１および通過口１３１を介してキャリア８から搬出される（ステップＳ１３）。なお、図１１では、キャリア８から搬出される前の基板９のキャリア８内における位置を二点鎖線にて示す。容器開口８１および通過口１３１を通過する際の基板９の上下方向の位置は、キャリア８内にて保持された状態の基板９の位置よりも上側にずれている。

【0067】

基板処理装置１では、噴出口７２から噴出された遮蔽用ガスが容器開口８１の（＋Ｘ）側にて側方へと流れているため、遮蔽用ガスが容器開口８１の上側から下方へと流れる場合に比べて、基板９の搬出時における遮蔽用ガスとハンド１２５および基板９との衝突が抑制される。これにより、遮蔽用ガスが基板９の主面等に沿ってキャリア８の内部空間８０へと流入することが抑制され、インデクサ空間１００の雰囲気が遮蔽用ガスと共にキャリア８の内部空間８０に進入することが抑制される。

【0068】

基板処理装置１では、キャリア８からの基板９の搬出が行われる際に、噴出口７２から噴出される遮蔽用ガスの流量が流量制御部７３７（図８参照）によって増大され、上述の第１流量よりも多い第２流量とされる。具体的には、例えば、（－Ｘ）方向へと移動するハンド１２５の先端が噴出口７２の側方（すなわち、Ｘ方向における噴出口７２と略同じ位置）を通過する際に、上述の遮蔽用ガスの流量が第１流量から第２流量へと変更され、第２流量にて維持される。そして、基板９を保持したハンド１２５が（＋Ｘ）方向へと移動し、基板９の（－Ｘ）側の端部が噴出口７２の側方を通過した後、遮蔽用ガスの流量が第２流量から第１流量へと変更される。

【0069】

キャリア８から搬出された未処理の基板９は、インデクサロボット１２により、図１および図２に示す載置ユニット４０に搬入され、載置ユニット４０内に載置される。載置ユニット４０内の未処理の基板９は、センターロボット２２によって載置ユニット４０から搬出され、処理ユニット２１に１枚ずつ搬入される。処理ユニット２１では、基板９に対する所定の処理が行われる（ステップＳ１４）。

【0070】

処理済みの基板９は、センターロボット２２によって処理ユニット２１から搬出され、載置ユニット４０に搬入されて載置ユニット４０内に載置される。載置ユニット４０内の処理済みの基板９は、インデクサロボット１２によって載置ユニット４０から搬出され、通過口１３１および容器開口８１を介してキャリア８内に搬入される（ステップＳ１５）。基板９のキャリア８内への搬入時における基板９およびインデクサロボット１２の移動経路は、キャリア８からの基板９の搬出時における当該移動経路と略同じであり、移動方向は反対である。

【0071】

具体的には、５枚の処理済みの基板９を図１１と略同様に保持するインデクサロボット１２の５つのハンド１２５が、（－Ｘ）方向へと移動し、通過口１３１および容器開口８１を介してキャリア８の内部空間８０に挿入される。そして、５つのハンド１２５が下降することにより、図１０と略同様に、５枚の基板９の下面の周縁部が、キャリア８の基板支持部８２に接触し、キャリア８によって保持される。その後、５枚の基板９からそれぞれ下方に離間した５つのハンド１２５は、（＋Ｘ）方向へと移動し、容器開口８１および通過口１３１を介して、キャリア８の外部へと退避する。

【0072】

基板処理装置１では、基板９の搬入時においても、基板９の搬出時と略同様に、遮蔽用ガスとハンド１２５および基板９との衝突が抑制されるため、インデクサ空間１００の雰囲気が遮蔽用ガスと共にキャリア８の内部空間８０に進入することが抑制される。

【0073】

基板処理装置１では、キャリア８に対する基板９の搬入が行われる際に、噴出口７２から噴出される遮蔽用ガスの流量が流量制御部７３７（図８参照）によって増大され、上述の第１流量よりも多い第３流量とされる。具体的には、例えば、（－Ｘ）方向へと移動する基板９の（－Ｘ）側の端部が噴出口７２の側方を通過する際に、遮蔽用ガスの流量が第１流量から第３流量へと変更され、第３流量にて維持される。そして、基板９をキャリア８内に載置したハンド１２５が（＋Ｘ）方向へと移動し、ハンド１２５の先端がが噴出口７２の側方を通過した後、遮蔽用ガスの流量が第３流量から第１流量へと変更される。

【0074】

上述のように、基板処理装置１では、キャリア８に対する基板９の搬出入時における遮蔽用ガスの流量（すなわち、第２流量および第３流量）が、キャリア８に対する基板９の非搬出入時における遮蔽用ガスの流量（すなわち、第１流量）よりも多くされる。これにより、容器開口８１近傍における基板９の移動に伴う気流等の影響により、インデクサ空間１００の雰囲気が容器開口８１に到達することを好適に抑制することができる。その結果、キャリア８に対する基板９の搬出入時に、インデクサ空間１００の雰囲気がキャリア８の内部空間８０に進入することを好適に抑制することができる。

【0075】

なお、第３流量は、第２流量と同じであってもよく、第２流量よりも多くても少なくてもよい。本実施の形態では、第３流量は第２流量よりも多くされる。これにより、基板９のキャリア８への搬入時において、インデクサ空間１００の雰囲気が、（－Ｘ）方向に向かって移動する基板９およびハンド１２５と共にキャリア８の内部空間８０へと押し込まれることを好適に抑制することができる。

【0076】

基板処理装置１では、収納予定の全ての処理済みの基板９がキャリア８に搬入されると、キャリア８の上記扉、および、インデクサブロック１０のスライドドア１３２が閉鎖される。また、ガス噴出部７１の噴出口７２から遮蔽用ガスの噴出が停止される（ステップＳ１６）。また、ガス排出部７６の排気口７７からの排気も停止される。

【0077】

以上に説明したように、基板処理装置１は、インデクサブロック１０と、処理ブロック２０と、ガス噴出部７１とを備える。インデクサブロック１０には、第１搬送ロボット（すなわち、インデクサロボット１２）が配置される。インデクサロボット１２は、基板収納容器（すなわち、キャリア８）に対して、キャリア８の手前側（上記例では、（＋Ｘ）側）の側面に設けられた容器開口８１を介して基板９の搬出入を行う。キャリア８は、ロードポート１１上に配置される。キャリア８は、上下方向に配列された複数の基板９を内部空間８０に収納する。処理ブロック２０には、基板９を処理する処理ユニット２１、および、処理ユニット２１に対する基板９の搬出入を行う第２搬送ロボット（すなわち、センターロボット２２）が配置される。

【0078】

ガス噴出部７１は、容器開口８１の幅方向（上記例では、Ｙ方向）の一方側において容器開口８１に隣接して設けられた噴出口７２から、容器開口８１に沿って遮蔽用ガスを噴出する。これにより、上述のように、基板９のキャリア８に対する搬出入時に、遮蔽用ガスと基板９との衝突が抑制されるため、インデクサ空間１００の雰囲気がキャリア８の内部空間８０に進入することを抑制することができる。これにより、キャリア８の内部空間８０を所望の雰囲気（例えば、インデクサ空間１００の雰囲気よりも低湿度雰囲気かつ低酸素雰囲気）に維持することができる。

【0079】

基板処理装置１では、好ましくは、インデクサブロック１０内に下向きの気流が形成されている。当該下向きの気流（すなわち、ダウンフロー）は、キャリア８に対する基板９の搬出入時に、基板９の上面に衝突して当該上面に沿ってキャリア８に向かって流れる。したがって、基板９のキャリア８に対する搬出入時にインデクサ空間１００の雰囲気がキャリア８の内部空間８０に進入することを抑制することができる基板処理装置１の構造は、上記ダウンフローがインデクサブロック１０内に形成される場合に特に適している。

【0080】

基板処理装置１では、キャリア８の奥側（上記例では、（－Ｘ）側）から内部空間８０に収納用ガスが供給されることが好ましい。上述のように、基板処理装置１では、インデクサ空間１００の雰囲気がキャリア８の内部空間８０に進入することを抑制することができるため、キャリア８の内部空間８０における収納用ガス雰囲気を好適に維持することができる。

【0081】

より好ましくは、遮蔽用ガスと収納用ガスとは同じ種類のガスであり、同一のガス供給源から供給される。これにより、基板処理装置１の構造を簡素化することができる。

【0082】

上述のように、ガス噴出部７１は、遮蔽用ガスを容器開口８１に沿って水平に噴出することが好ましい。これにより、噴出された遮蔽用ガスが、搬出入時の基板９の主面に衝突することがさらに抑制され、基板９の主面に沿って側方へと滑らかに流れる。その結果、インデクサ空間１００の雰囲気がキャリア８の内部空間８０に進入することを好適に抑制することができる。

【0083】

上述のように、ガス噴出部７１は、容器開口８１に沿うとともにキャリア８から手前側に離れる方向に遮蔽用ガスを噴出することが好ましい。これにより、インデクサ空間１００からキャリア８に向かって流れる雰囲気が、噴出口７２から噴出された遮蔽用ガスによって押し戻される。その結果、インデクサ空間１００の雰囲気がキャリア８の内部空間８０に進入することを好適に抑制することができる。

【0084】

上述のように、噴出口７２は、容器開口８１の側縁に沿って容器開口８１の上端部から下端部まで上下方向に延びる１つの噴出口であることが好ましい。これにより、容器開口８１の上下方向のいずれの位置においても、遮蔽用ガスの略均等な流れを実現することができる。その結果、インデクサ空間１００の雰囲気がキャリア８の内部空間８０に進入することを好適に抑制することができる。なお、上述の例では、Ｙ方向から見た噴出口７２の形状は略長方形であるが、例えば、容器開口８１の上端部から下端部まで上下方向に延びる１つのスリット状であってもよい。あるいは、噴出口７２は、それぞれが容器開口８１の上端部から下端部まで上下方向に延びるとともに、Ｘ方向に互いに離間しつつ配列された複数のスリット状の開口を備えていてもよい。

【0085】

上述のように、基板処理装置１は、容器開口８１の幅方向の他方側において容器開口８１に隣接して設けられた排気口７７から排気を行うガス排出部７６をさらに備えることが好ましい。これにより、噴出口７２から噴出された遮蔽用ガスが、キャリア８の容器開口８１に沿って側方へと流れやすくなる。その結果、インデクサ空間１００の雰囲気がキャリア８の内部空間８０に進入することを好適に抑制することができる。

【0086】

上述のように、ガス噴出部７１は、噴出口７２から噴出される遮蔽用ガスの流量を制御する流量制御部７３７を備えることが好ましい。これにより、遮蔽用ガスの流量を状況に合わせて適切な量とすることができるため、遮蔽用ガスの使用量を低減しつつ、インデクサ空間１００の雰囲気がキャリア８の内部空間８０に進入することを好適に抑制することができる。

【0087】

好ましくは、流量制御部７３７による制御により、キャリア８に対する基板９の搬出入時における遮蔽用ガスの流量（上記例では、第２流量および第３流量）が、キャリア８に対する基板９の非搬出入時における遮蔽用ガスの流量（上記例では、第１流量）よりも大きくされる。これにより、遮蔽用ガスの使用量を好適に低減しつつ、インデクサ空間１００の雰囲気がキャリア８の内部空間８０に進入することを好適に抑制することができる。

【0088】

基板処理装置１では、上述のように、他の容器開口８１を有する他のキャリア８が、キャリア８の幅方向の一方側において当該キャリア８に隣接して配置される。ガス噴出部７１は、当該他の容器開口８１の幅方向の他方側において当該他の容器開口８１に隣接して設けられた他の噴出口７２から、当該他の容器開口８１に沿って遮蔽用ガスを噴出することが好ましい。また、噴出口７２および当該他の噴出口７２はそれぞれ、容器開口８１と他の容器開口８１との間に配置された噴出要素（すなわち、噴出口設置部７３）の幅方向の他方側の側面、および、幅方向の一方側の側面に設けられることが好ましい。これにより、ガス噴出部７１の構造を簡素化することができる。

【0089】

より好ましくは、ガス噴出部７１は、噴出口７２から噴出される遮蔽用ガスの流量と、上記他の噴出口７２から噴出される遮蔽用ガスの流量とを個別に制御する流量制御部７３７を備える。これにより、複数のキャリア８のそれぞれにおける基板９の搬出入の状況等に合わせて、遮蔽用ガスの流量を適切に制御することができる。その結果、遮蔽用ガスの使用量を好適に低減しつつ、インデクサ空間１００の雰囲気がキャリア８の内部空間８０に進入することを好適に抑制することができる。

【0090】

上述の基板処理方法は、上下方向に配列された複数の基板９を内部空間８０に収納する基板収納容器（すなわち、キャリア８）をロードポート１１上に載置する工程（ステップＳ１１）と、キャリア８の手前側（上記例では、（＋Ｘ）側）の側面に設けられた容器開口８１を介してキャリア８から基板９を搬出する工程（ステップＳ１３）と、容器開口８１を介してキャリア８に基板９を搬入する工程（ステップＳ１５）と、を備える。そして、ステップＳ１３およびステップＳ１５が行われる際に、容器開口８１の幅方向の一方側において容器開口８１に隣接して設けられた噴出口７２から容器開口８１に沿って遮蔽用ガスが噴出される。これにより、上述のように、基板９のキャリア８に対する搬出入時に、インデクサ空間１００の雰囲気がキャリア８の内部空間８０に進入することを抑制することができる。

【0091】

上述の基板処理方法では、ステップＳ１３とステップＳ１５との間において、基板９に対する所定の処理が行われる（ステップＳ１４）。これにより、キャリア８内の未処理の基板９および処理済みの基板９に、インデクサ空間１００の雰囲気によるめっき膜の酸化等の悪影響が生じることを抑制することができる。

【0092】

上述のように、ガス噴出部７１では、噴出口７２の形状は様々に変更されてよい。例えば、図１２に示す噴出口７２ａは、容器開口８１の側縁に沿って上下方向に略平行に配列される複数の噴出孔７２１を備える。複数の噴出孔７２１は、互いに離間しており、略等間隔に配置される。Ｙ方向から見た各噴出孔７２１の形状は、例えば略円形である。噴出孔７２１の当該形状は、様々に変更されてよい。

【0093】

基板処理装置１では、複数の噴出孔７２１からキャリア８の容器開口８１に沿って噴出された遮蔽用ガスにより、容器開口８１の（＋Ｘ）側において側方に流れるガスカーテンが形成され、当該ガスカーテンにより容器開口８１が（＋Ｘ）側から遮蔽される。これにより、上記と略同様に、基板９のキャリア８に対する搬出入時に、遮蔽用ガスと基板９との衝突が抑制されるため、インデクサ空間１００の雰囲気がキャリア８の内部空間８０に進入することを抑制することができる。

【0094】

図１３は、キャリア８に対して搬出入される際の基板９と噴出口７２ａの複数の噴出孔７２１との位置関係を示す図である。複数の噴出孔７２１の上下方向（すなわち、Ｚ方向）の位置はそれぞれ、５つのハンド１２５に保持された５枚の基板９の上下方向の位置と異なる。図１３に示す例では、Ｙ方向から見た場合の当該５枚の基板９は、複数の噴出孔７２１のいずれとも重なっておらず、当該５枚の基板９が位置する上下方向の領域では、基板９と噴出孔７２１とが１つずつ交互に上下方向に並ぶ。これにより、基板９の搬出入時における遮蔽用ガスと基板９との衝突がさらに抑制される。なお、５つのハンド１２５に保持された５枚の基板９の上下方向の位置は、二点鎖線にて示すキャリア８によって保持される際の当該５枚の基板９の上下方向の位置よりも上側である。

【0095】

以上に説明したように、図１２および図１３に示す例では、噴出口７２ａは、容器開口８１の側縁に沿って上下方向に配列される複数の噴出孔７２１を備える。そして、複数の噴出孔７２１はそれぞれ、第１搬送ロボット（すなわち、インデクサロボット１２）によって基板収納容器（すなわち、キャリア８）に搬出入される際の基板９の上下方向の位置とは異なる位置に配置される。これにより、基板９のキャリア８に対する搬出入時に、遮蔽用ガスと基板９との衝突がさらに抑制される。その結果、インデクサ空間１００の雰囲気がキャリア８の内部空間８０に進入することをさらに抑制することができる。

【0096】

上述の基板処理装置１および基板処理方法では、様々な変更が可能である。

【0097】

例えば、図８に示す噴出口設置部７３では、（＋Ｙ）側の噴出口７２から噴出される遮蔽用ガスの流量と、（－Ｙ）側の噴出口７２から噴出される遮蔽用ガスの流量とは、個別に制御される必要はなく、これら２つの流量は常に略同じであってもよい。噴出口設置部７３に上述の複数の噴出孔７２１（図１２および図１３参照）が設けられる場合についても同様である。

【0098】

基板処理装置１では、噴出口７２から噴出される遮蔽用ガスの流量は、キャリア８に対する基板９の搬出入時と非搬出入時とで同じであってもよい。この場合、流量制御部７３７は省略されてもよい。噴出口７２ａについても同様である。

【0099】

基板処理装置１では、キャリア８に対する基板９の搬入時以外（すなわち、基板９の非搬出入時）は、噴出口７２，７２ａからの遮蔽用ガスの噴出は停止されてもよい。

【0100】

基板処理装置１では、必ずしも、（＋Ｙ）側および（－Ｙ）側に噴出口７２，７２ａを有する噴出口設置部７３が設けられる必要はない。例えば、各キャリア８について、容器開口８１の（＋Ｙ）側に、当該容器開口８１に沿って遮蔽用ガスを噴出する噴出口７２または噴出口７２ａが設けられ、容器開口８１の（－Ｙ）側に排気口７７が設けられてもよい。

【0101】

基板処理装置１では、排気口７７およびガス排出部７６は必ずしも設けられる必要はなく、省略されてもよい。

【0102】

噴出口７２からの遮蔽用ガスの噴出方向は、必ずしも水平である必要はなく、水平面に対して斜め上または斜め下に少し傾斜していてもよい。例えば、Ｘ方向から見た場合、噴出口７２からの遮蔽用ガスの噴出方向とＹ方向との間の角度（鋭角）は、３０°以下であることが好ましい。噴出口７２ａについても同様である。

【0103】

基板処理装置１では、収納用ガスと遮蔽用ガスとは同一のガス供給源から供給される必要はなく、異なるガス供給源から供給されてもよい。収納用ガスと遮蔽用ガスとは必ずしも同じ種類のガスである必要はなく、異なる種類のガスであってもよい。

【0104】

キャリア８の内部空間８０に対する収納用ガスの供給は、必ずしも行われる必要はなく、省略されてもよい。

【0105】

インデクサブロック１０では、インデクサ空間１００におけるダウンフローの形成は、必ずしも行われる必要はなく、省略されてもよい。

【0106】

処理ユニット２１は、複数の基板９に対して同時に処理を行うバッチ式の処理装置であってもよい。

【0107】

上述の基板処理装置１は、半導体基板以外に、液晶表示装置または有機ＥＬ（Electro Luminescence）表示装置等の平面表示装置（Flat Panel Display）に使用されるガラス基板、あるいは、他の表示装置に使用されるガラス基板の処理に利用されてもよい。また、上述の基板処理装置１は、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板および太陽電池用基板等の処理に利用されてもよい。

【0108】

上記実施の形態および各変形例における構成は、相互に矛盾しない限り適宜組み合わされてよい。

【符号の説明】

【0109】

１ 基板処理装置
８ キャリア
９ 基板
１０ インデクサブロック
１１ ロードポート
１２ インデクサロボット
２０ 処理ブロック
２１ 処理ユニット
２２ センターロボット
７１ ガス噴出部
７２，７２ａ 噴出口
７３ 噴出口設置部
７６ ガス排出部
７７ 排気口
８０ （キャリアの）内部空間
８１ 容器開口
７２１ 噴出孔
７３６ ガス供給源
７３７ 流量制御部
Ｓ１１～Ｓ１６ ステップ

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】