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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024016581
(43)【公開日】2024-02-07
(54)【発明の名称】表示装置およびその製造方法
(51)【国際特許分類】
H05B 33/04 20060101AFI20240131BHJP
H10K 59/10 20230101ALI20240131BHJP
H10K 50/10 20230101ALI20240131BHJP
H05B 33/12 20060101ALI20240131BHJP
H05B 33/22 20060101ALI20240131BHJP
H05B 33/02 20060101ALI20240131BHJP
H05B 33/10 20060101ALI20240131BHJP
G09F 9/30 20060101ALI20240131BHJP
G09F 9/00 20060101ALI20240131BHJP
【ＦＩ】
H05B33/04
H01L27/32
H05B33/14 A
H05B33/12 B
H05B33/22 Z
H05B33/02
H05B33/10
G09F9/30 365
G09F9/30 309
G09F9/00 338
G09F9/30 349Z
【審査請求】未請求
【請求項の数】20
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022118818
(22)【出願日】2022-07-26
(71)【出願人】
【識別番号】502356528
【氏名又は名称】株式会社ジャパンディスプレイ
(74)【代理人】
【識別番号】110001737
【氏名又は名称】弁理士法人スズエ国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】羽成 淳
【テーマコード（参考）】
3K107
5C094
5G435
【Ｆターム（参考）】
3K107AA01
3K107BB01
3K107CC23
3K107DD39
3K107DD88
3K107DD89
3K107DD92
3K107DD93
3K107DD96
3K107EE48
3K107EE49
3K107EE50
3K107GG06
3K107GG12
3K107GG37
5C094AA38
5C094BA03
5C094BA27
5C094CA19
5C094DA07
5C094DA13
5C094DA15
5C094DB02
5C094EA07
5C094FA01
5C094FA02
5C094FB01
5C094FB02
5C094FB15
5C094HA05
5C094HA08
5G435AA13
5G435AA14
5G435BB05
5G435CC09
5G435HH14
5G435KK05
5G435LL04
5G435LL07
5G435LL08
5G435LL17
(57)【要約】
【課題】 信頼性を向上させることが可能な表示装置を提供する。
【解決手段】 一実施形態に係る表示装置は、基板と、画素を含む表示領域において前記基板の上方に配置された下電極と、前記下電極と重なる開口を有するリブと、前記表示領域において前記リブの上に配置された隔壁と、前記下電極に対向する上電極および前記下電極と前記上電極の電位差に応じて発光する有機層を含む薄膜と、無機材料で形成され、前記薄膜および前記隔壁を覆う第１封止層と、無機材料で形成され、前記第１封止層の上に配置された第２封止層と、前記基板の端部と前記表示領域の間の周辺領域に配置された複数の凸部を含むダム構造と、を備えている。前記薄膜の端部は、前記ダム構造と前記表示領域の間に位置している。前記第２封止層は、前記薄膜の端部を覆うとともに、前記ダム構造の少なくとも一部を覆っている。
【選択図】 図８
【解決手段】 一実施形態に係る表示装置は、基板と、画素を含む表示領域において前記基板の上方に配置された下電極と、前記下電極と重なる開口を有するリブと、前記表示領域において前記リブの上に配置された隔壁と、前記下電極に対向する上電極および前記下電極と前記上電極の電位差に応じて発光する有機層を含む薄膜と、無機材料で形成され、前記薄膜および前記隔壁を覆う第１封止層と、無機材料で形成され、前記第１封止層の上に配置された第２封止層と、前記基板の端部と前記表示領域の間の周辺領域に配置された複数の凸部を含むダム構造と、を備えている。前記薄膜の端部は、前記ダム構造と前記表示領域の間に位置している。前記第２封止層は、前記薄膜の端部を覆うとともに、前記ダム構造の少なくとも一部を覆っている。
【選択図】 図８
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板と、
画素を含む表示領域において前記基板の上方に配置された下電極と、
前記下電極と重なる開口を有するリブと、
前記表示領域において前記リブの上に配置された隔壁と、
前記下電極に対向する上電極と、前記下電極と前記上電極の電位差に応じて発光する有機層とを含む薄膜と、
無機材料で形成され、前記薄膜および前記隔壁を覆う第１封止層と、
無機材料で形成され、前記第１封止層の上に配置された第２封止層と、
前記基板の端部と前記表示領域の間の周辺領域に配置された複数の凸部を含むダム構造と、
を備え、
前記薄膜は、前記表示領域および前記周辺領域に配置され、
前記周辺領域における前記薄膜の端部は、前記ダム構造と前記表示領域の間に位置し、
前記第２封止層は、前記薄膜の端部を覆うとともに、前記ダム構造の少なくとも一部を覆っている、
表示装置。
画素を含む表示領域において前記基板の上方に配置された下電極と、
前記下電極と重なる開口を有するリブと、
前記表示領域において前記リブの上に配置された隔壁と、
前記下電極に対向する上電極と、前記下電極と前記上電極の電位差に応じて発光する有機層とを含む薄膜と、
無機材料で形成され、前記薄膜および前記隔壁を覆う第１封止層と、
無機材料で形成され、前記第１封止層の上に配置された第２封止層と、
前記基板の端部と前記表示領域の間の周辺領域に配置された複数の凸部を含むダム構造と、
を備え、
前記薄膜は、前記表示領域および前記周辺領域に配置され、
前記周辺領域における前記薄膜の端部は、前記ダム構造と前記表示領域の間に位置し、
前記第２封止層は、前記薄膜の端部を覆うとともに、前記ダム構造の少なくとも一部を覆っている、
表示装置。
【請求項2】
前記第２封止層の上に配置された第１樹脂層をさらに備え、
前記薄膜の端部は、前記基板の厚さ方向において前記第１樹脂層と重なっている、
請求項１に記載の表示装置。
前記薄膜の端部は、前記基板の厚さ方向において前記第１樹脂層と重なっている、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項3】
無機材料で形成され、前記第１樹脂層の上に配置された第３封止層をさらに備え、
前記第１樹脂層の端部は、前記第２封止層および前記第３封止層で覆われている、
請求項２に記載の表示装置。
前記第１樹脂層の端部は、前記第２封止層および前記第３封止層で覆われている、
請求項２に記載の表示装置。
【請求項4】
前記第３封止層は、前記第２封止層のうち前記ダム構造を覆う部分と接触している、
請求項３に記載の表示装置。
請求項３に記載の表示装置。
【請求項5】
前記第３封止層の上に配置された第２樹脂層をさらに備え、
前記第２封止層、前記第３封止層および前記第２樹脂層の端部の位置が揃っている、
請求項３に記載の表示装置。
前記第２封止層、前記第３封止層および前記第２樹脂層の端部の位置が揃っている、
請求項３に記載の表示装置。
【請求項6】
前記ダム構造は、前記表示領域を囲っている、
請求項１乃至５のうちいずれか１項に記載の表示装置。
請求項１乃至５のうちいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項7】
前記周辺領域に配置され、前記薄膜で覆われた導電層をさらに備え、
前記隔壁および前記導電層の各々は、導電性を有する下部と、前記下部の側面から突出した上部と、を有している、
請求項１乃至５のうちいずれか１項に記載の表示装置。
前記隔壁および前記導電層の各々は、導電性を有する下部と、前記下部の側面から突出した上部と、を有している、
請求項１乃至５のうちいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項8】
前記薄膜の端部は、前記導電層の端部と前記ダム構造の間に位置し、
前記導電層の端部により前記薄膜が分断されている、
請求項７に記載の表示装置。
前記導電層の端部により前記薄膜が分断されている、
請求項７に記載の表示装置。
【請求項9】
前記薄膜の端部は、前記導電層の端部と前記表示領域の間に位置している、
請求項７に記載の表示装置。
請求項７に記載の表示装置。
【請求項10】
前記周辺領域に配置された給電線をさらに備え、
前記導電層は、前記給電線および前記隔壁と電気的に接続されている、
請求項７に記載の表示装置。
前記導電層は、前記給電線および前記隔壁と電気的に接続されている、
請求項７に記載の表示装置。
【請求項11】
前記上電極は、前記隔壁に接触し、
前記給電線は、前記導電層および前記隔壁を介して前記上電極に共通電圧を供給する、
請求項１０に記載の表示装置。
前記給電線は、前記導電層および前記隔壁を介して前記上電極に共通電圧を供給する、
請求項１０に記載の表示装置。
【請求項12】
前記凸部は、第１有機絶縁層と、前記第１有機絶縁層を覆う第２有機絶縁層とを含む、
請求項１１に記載の表示装置。
請求項１１に記載の表示装置。
【請求項13】
前記給電線は、それぞれ金属材料で形成された第１部分および第２部分を含み、
前記第１有機絶縁層は、前記基板の厚さ方向において前記第１部分と前記第２部分の間に位置している、
請求項１２に記載の表示装置。
前記第１有機絶縁層は、前記基板の厚さ方向において前記第１部分と前記第２部分の間に位置している、
請求項１２に記載の表示装置。
【請求項14】
前記複数の凸部のうち隣り合う２つの凸部の間に配置された配線をさらに備え、
前記配線は、前記第２封止層によって覆われている、
請求項１乃至５のうちいずれか１項に記載の表示装置。
前記配線は、前記第２封止層によって覆われている、
請求項１乃至５のうちいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項15】
基板と、
画素を含む表示領域において前記基板の上方に配置された下電極と、
前記下電極と重なる開口を有するリブと、
前記表示領域において前記リブの上に配置された隔壁と、
前記下電極に対向する上電極と、前記下電極と前記上電極の電位差に応じて発光する有機層とを含む薄膜と、
無機材料で形成され、前記薄膜および前記隔壁を覆う第１封止層と、
無機材料で形成され、前記第１封止層の上に配置された第２封止層と、
を備え、
前記隔壁は、下部と、前記下部の側面から突出した上部と、を有し、
前記薄膜および前記第１封止層は、前記上部の上に位置する端部を有し、
前記第２封止層は、前記薄膜および前記第１封止層の端部を覆っている、
表示装置。
画素を含む表示領域において前記基板の上方に配置された下電極と、
前記下電極と重なる開口を有するリブと、
前記表示領域において前記リブの上に配置された隔壁と、
前記下電極に対向する上電極と、前記下電極と前記上電極の電位差に応じて発光する有機層とを含む薄膜と、
無機材料で形成され、前記薄膜および前記隔壁を覆う第１封止層と、
無機材料で形成され、前記第１封止層の上に配置された第２封止層と、
を備え、
前記隔壁は、下部と、前記下部の側面から突出した上部と、を有し、
前記薄膜および前記第１封止層は、前記上部の上に位置する端部を有し、
前記第２封止層は、前記薄膜および前記第１封止層の端部を覆っている、
表示装置。
【請求項16】
前記第２封止層は、前記上部に接触している、
請求項１５に記載の表示装置。
請求項１５に記載の表示装置。
【請求項17】
基板の端部と画素を含む表示領域との間の周辺領域に複数の凸部を含むダム構造を形成し、
前記表示領域において前記基板の上方に下電極を形成し、
前記下電極と重なる開口を有するリブを形成し、
前記表示領域において前記リブの上に隔壁を形成し、
前記下電極に対向する上電極と、前記下電極と前記上電極の電位差に応じて発光する有機層とを含み、前記ダム構造と前記表示領域の間に端部が位置する薄膜を形成し、
前記薄膜および前記隔壁を覆う第１封止層を無機材料によって形成し、
前記第１封止層、前記薄膜の端部および前記ダム構造を覆う第２封止層を無機材料によって前記基板の全体に形成する、
表示装置の製造方法。
前記表示領域において前記基板の上方に下電極を形成し、
前記下電極と重なる開口を有するリブを形成し、
前記表示領域において前記リブの上に隔壁を形成し、
前記下電極に対向する上電極と、前記下電極と前記上電極の電位差に応じて発光する有機層とを含み、前記ダム構造と前記表示領域の間に端部が位置する薄膜を形成し、
前記薄膜および前記隔壁を覆う第１封止層を無機材料によって形成し、
前記第１封止層、前記薄膜の端部および前記ダム構造を覆う第２封止層を無機材料によって前記基板の全体に形成する、
表示装置の製造方法。
【請求項18】
前記第２封止層の上に位置し、前記ダム構造によって端部が堰き止められた第１樹脂層を形成し、
前記第１樹脂層および前記第２封止層を覆う第３封止層を無機材料によって前記基板の全体に形成し、
前記第３封止層の上に位置し、前記ダム構造によって端部が堰き止められた第２樹脂層を形成する、
請求項１７に記載の表示装置の製造方法。
前記第１樹脂層および前記第２封止層を覆う第３封止層を無機材料によって前記基板の全体に形成し、
前記第３封止層の上に位置し、前記ダム構造によって端部が堰き止められた第２樹脂層を形成する、
請求項１７に記載の表示装置の製造方法。
【請求項19】
前記第２樹脂層をマスクとして、前記第２封止層および前記第３封止層のうち前記第２樹脂層から露出した部分をエッチングにより除去する、
請求項１８に記載の表示装置の製造方法。
請求項１８に記載の表示装置の製造方法。
【請求項20】
前記エッチングの前、前記複数の凸部の全てが前記第２封止層によって覆われており、
前記エッチングの後、前記複数の凸部の少なくとも１つが前記第２封止層から露出する、
請求項１９に記載の表示装置の製造方法。
前記エッチングの後、前記複数の凸部の少なくとも１つが前記第２封止層から露出する、
請求項１９に記載の表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明の実施形態は、表示装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を適用した表示装置が実用化されている。この表示素子は、下電極と、下電極を覆う有機層と、有機層を覆う上電極とを備えている。
【0003】
上記のような表示装置を製造するにあたり、信頼性を向上させる技術が必要とされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開２０００－１９５６７７号公報
【特許文献2】特開２００４－２０７２１７号公報
【特許文献3】特開２００８－１３５３２５号公報
【特許文献4】特開２００９－３２６７３号公報
【特許文献5】特開２０１０－１１８１９１号公報
【特許文献6】国際公開第２０１８／１７９３０８号
【特許文献7】米国特許出願公開第２０２２／００７７２５１号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
本発明の目的は、信頼性を向上させることが可能な表示装置およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0006】
実施形態に係る表示装置は、基板と、画素を含む表示領域において前記基板の上方に配置された下電極と、前記下電極と重なる開口を有するリブと、前記表示領域において前記リブの上に配置された隔壁と、前記下電極に対向する上電極および前記下電極と前記上電極の電位差に応じて発光する有機層を含む薄膜と、無機材料で形成され、前記薄膜および前記隔壁を覆う第１封止層と、無機材料で形成され、前記第１封止層の上に配置された第２封止層と、前記基板の端部と前記表示領域の間の周辺領域に配置された複数の凸部を含むダム構造と、を備えている。前記薄膜は、前記表示領域および前記周辺領域に配置されている。前記周辺領域における前記薄膜の端部は、前記ダム構造と前記表示領域の間に位置している。前記第２封止層は、前記薄膜の端部を覆うとともに、前記ダム構造の少なくとも一部を覆っている。
【0007】
実施形態の他の観点によれば、表示装置は、基板と、画素を含む表示領域において前記基板の上方に配置された下電極と、前記下電極と重なる開口を有するリブと、前記表示領域において前記リブの上に配置された隔壁と、前記下電極に対向する上電極および前記下電極と前記上電極の電位差に応じて発光する有機層を含む薄膜と、無機材料で形成され、前記薄膜および前記隔壁を覆う第１封止層と、無機材料で形成され、前記第１封止層の上に配置された第２封止層と、を備えている。前記隔壁は、下部と、前記下部の側面から突出した上部と、を有している。前記薄膜および前記第１封止層は、前記上部の上に位置する端部を有している。前記第２封止層は、前記薄膜および前記第１封止層の端部を覆っている。
【0008】
実施形態に係る表示装置の製造方法においては、基板の端部と画素を含む表示領域との間の周辺領域に複数の凸部を含むダム構造を形成し、前記表示領域において前記基板の上方に下電極を形成し、前記下電極と重なる開口を有するリブを形成し、前記表示領域において前記リブの上に隔壁を形成し、前記下電極に対向する上電極と、前記下電極と前記上電極の電位差に応じて発光する有機層とを含み、前記ダム構造と前記表示領域の間に端部が位置する薄膜を形成し、前記薄膜および前記隔壁を覆う第１封止層を無機材料によって形成し、前記第１封止層、前記薄膜の端部および前記ダム構造を覆う第２封止層を無機材料によって前記基板の全体に形成する。
【図面の簡単な説明】
【0009】
【発明を実施するための形態】
【0010】
いくつかの実施形態について図面を参照しながら説明する。
開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一または類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。
開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一または類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。
【0011】
なお、図面には、必要に応じて理解を容易にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を記載する。Ｘ軸に沿った方向を第１方向Ｘと称し、Ｙ軸に沿った方向を第２方向Ｙと称し、Ｚ軸に沿った方向を第３方向Ｚと称する。第３方向Ｚは、第１方向Ｘと第２方向Ｙを含む平面に対して法線方向である。また、第１方向Ｘと第２方向Ｙを含む平面と平行に各種要素を見ることを平面視という。
【0012】
各実施形態に係る表示装置は、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を備える有機エレクトロルミネッセンス表示装置であり、テレビ、パーソナルコンピュータ、車載機器、タブレット端末、スマートフォン、携帯電話端末等に搭載され得る。
【0013】
［第１実施形態］
図１は、第１実施形態に係る表示装置ＤＳＰの構成例を示す図である。表示装置ＤＳＰは、絶縁性の基板１０の上に、画像を表示する表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡの周辺の周辺領域ＳＡとを有している。基板１０は、ガラスであってもよいし、可撓性を有する樹脂フィルムであってもよい。
図１は、第１実施形態に係る表示装置ＤＳＰの構成例を示す図である。表示装置ＤＳＰは、絶縁性の基板１０の上に、画像を表示する表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡの周辺の周辺領域ＳＡとを有している。基板１０は、ガラスであってもよいし、可撓性を有する樹脂フィルムであってもよい。
【0014】
本実施形態においては、平面視における基板１０の形状が長方形である。ただし、基板１０の平面視における形状は長方形に限らず、正方形、円形あるいは楕円形などの他の形状であってもよい。
【0015】
表示領域ＤＡは、第１方向Ｘおよび第２方向Ｙにマトリクス状に配列された複数の画素ＰＸを備えている。画素ＰＸは、複数の副画素ＳＰを含む。一例では、画素ＰＸは、赤色の副画素ＳＰ１、緑色の副画素ＳＰ２および青色の副画素ＳＰ３を含む。なお、画素ＰＸは、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３とともに、あるいは副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のいずれかに代えて、白色などの他の色の副画素ＳＰを含んでもよい。
【0016】
副画素ＳＰは、画素回路１と、画素回路１によって駆動される表示素子ＤＥとを備えている。画素回路１は、画素スイッチ２と、駆動トランジスタ３と、キャパシタ４とを備えている。画素スイッチ２および駆動トランジスタ３は、例えば薄膜トランジスタにより構成されたスイッチング素子である。
【0017】
画素スイッチ２のゲート電極は、走査線ＧＬに接続されている。画素スイッチ２のソース電極およびドレイン電極の一方は信号線ＳＬに接続され、他方は駆動トランジスタ３のゲート電極およびキャパシタ４に接続されている。駆動トランジスタ３において、ソース電極およびドレイン電極の一方は電源線ＰＬおよびキャパシタ４に接続され、他方は表示素子ＤＥに接続されている。
【0018】
表示素子ＤＥは、発光素子としての有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）である。例えば、副画素ＳＰ１は赤色の波長域の光を放つ表示素子ＤＥを備え、副画素ＳＰ２は緑色の波長域の光を放つ表示素子ＤＥを備え、副画素ＳＰ３は青色の波長域の光を放つ表示素子ＤＥを備えている。
【0019】
なお、画素回路１の構成は図示した例に限らない。例えば、画素回路１は、より多くの薄膜トランジスタおよびキャパシタを備えてもよい。
【0020】
図２は、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のレイアウトの一例を示す図である。図２の例においては、副画素ＳＰ１と副画素ＳＰ２が第２方向Ｙに並んでいる。さらに、副画素ＳＰ１，ＳＰ２がそれぞれ副画素ＳＰ３と第１方向Ｘに並んでいる。
【0021】
副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３がこのようなレイアウトである場合、表示領域ＤＡには、副画素ＳＰ１，ＳＰ２が第２方向Ｙに交互に配置された列と、複数の副画素ＳＰ３が第２方向Ｙに繰り返し配置された列とが形成される。これらの列は、第１方向Ｘに交互に並ぶ。
【0022】
なお、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のレイアウトは図２の例に限られない。他の一例として、各画素ＰＸにおける副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３が第１方向Ｘに順に並んでいてもよい。
【0023】
表示領域ＤＡには、リブ５および隔壁６が配置されている。リブ５は、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３においてそれぞれ画素開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３を有している。図２の例においては、画素開口ＡＰ２が画素開口ＡＰ１よりも大きく、画素開口ＡＰ３が画素開口ＡＰ２よりも大きい。
【0024】
隔壁６は、隣り合う副画素ＳＰの境界に配置され、平面視においてリブ５と重なっている。隔壁６は、第１方向Ｘに延びる複数の第１隔壁６ｘと、第２方向Ｙに延びる複数の第２隔壁６ｙとを有している。複数の第１隔壁６ｘは、第２方向Ｙに隣り合う画素開口ＡＰ１，ＡＰ２の間、および、第２方向Ｙに隣り合う２つの画素開口ＡＰ３の間にそれぞれ配置されている。第２隔壁６ｙは、第１方向Ｘに隣り合う画素開口ＡＰ１，ＡＰ３の間、および、第１方向Ｘに隣り合う画素開口ＡＰ２，ＡＰ３の間にそれぞれ配置されている。
【0025】
図２の例においては、第１隔壁６ｘおよび第２隔壁６ｙが互いに接続されている。これにより、隔壁６は全体として画素開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３を囲う格子状である。隔壁６は、リブ５と同様に副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３において開口を有するということもできる。
【0026】
副画素ＳＰ１は、画素開口ＡＰ１とそれぞれ重なる下電極ＬＥ１、上電極ＵＥ１および有機層ＯＲ１を備えている。副画素ＳＰ２は、画素開口ＡＰ２とそれぞれ重なる下電極ＬＥ２、上電極ＵＥ２および有機層ＯＲ２を備えている。副画素ＳＰ３は、画素開口ＡＰ３とそれぞれ重なる下電極ＬＥ３、上電極ＵＥ３および有機層ＯＲ３を備えている。図２の例においては、上電極ＵＥ１および有機層ＯＲ１の外形が一致し、上電極ＵＥ２および有機層ＯＲ２の外形が一致し、上電極ＵＥ３および有機層ＯＲ３の外形が一致している。
【0027】
下電極ＬＥ１、上電極ＵＥ１および有機層ＯＲ１は、副画素ＳＰ１の表示素子ＤＥ１を構成する。下電極ＬＥ２、上電極ＵＥ２および有機層ＯＲ２は、副画素ＳＰ２の表示素子ＤＥ２を構成する。下電極ＬＥ３、上電極ＵＥ３および有機層ＯＲ３は、副画素ＳＰ３の表示素子ＤＥ３を構成する。
【0028】
下電極ＬＥ１は、コンタクトホールＣＨ１を通じて副画素ＳＰ１の画素回路１（図１参照）に接続されている。下電極ＬＥ２は、コンタクトホールＣＨ２を通じて副画素ＳＰ２の画素回路１に接続されている。下電極ＬＥ３は、コンタクトホールＣＨ３を通じて副画素ＳＰ３の画素回路１に接続されている。
【0029】
図２の例において、コンタクトホールＣＨ１，ＣＨ２は、第２方向Ｙに隣り合う画素開口ＡＰ１，ＡＰ２の間の第１隔壁６ｘと全体的に重なっている。コンタクトホールＣＨ３は、第２方向Ｙに隣り合う２つの画素開口ＡＰ３の間の第１隔壁６ｘと全体的に重なっている。他の例として、コンタクトホールＣＨ１，ＣＨ２，ＣＨ３の少なくとも一部が第１隔壁６ｘと重なっていなくてもよい。
【0030】
図３は、図２中のIII－III線に沿う表示装置ＤＳＰの概略的な断面図である。上述の基板１０の上に回路層１１が配置されている。回路層１１は、図１に示した画素回路１、走査線ＧＬ、信号線ＳＬおよび電源線ＰＬなどの各種回路や配線を含む。詳しくは後述するが、回路層１１は、第１有機絶縁層３４（図８参照）も含む。
【0031】
回路層１１は、第２有機絶縁層１２により覆われている。第２有機絶縁層１２は、回路層１１により生じる凹凸を平坦化する平坦化膜として機能する。図３の断面には表れていないが、上述のコンタクトホールＣＨ１，ＣＨ２，ＣＨ３は第２有機絶縁層１２に設けられている。
【0032】
下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３は、第２有機絶縁層１２の上に配置されている。リブ５は、第２有機絶縁層１２および下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の上に配置されている。下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の端部は、リブ５により覆われている。
【0033】
隔壁６は、リブ５の上に配置された導電性を有する下部６１と、下部６１の上に配置された上部６２とを含む。上部６２は、下部６１よりも大きい幅を有している。これにより、図３においては上部６２の両端部が下部６１の側面よりも突出している。このような隔壁６の形状は、オーバーハング状ということもできる。
【0034】
有機層ＯＲ１は、画素開口ＡＰ１を通じて下電極ＬＥ１を覆っている。上電極ＵＥ１は、有機層ＯＲ１を覆い、下電極ＬＥ１と対向している。有機層ＯＲ２は、画素開口ＡＰ２を通じて下電極ＬＥ２を覆っている。上電極ＵＥ２は、有機層ＯＲ２を覆い、下電極ＬＥ２と対向している。有機層ＯＲ３は、画素開口ＡＰ３を通じて下電極ＬＥ３を覆っている。上電極ＵＥ３は、有機層ＯＲ３を覆い、下電極ＬＥ３と対向している。
【0035】
図３の例においては、有機層ＯＲ１の上にキャップ層ＣＰ１が配置され、有機層ＯＲ２の上にキャップ層ＣＰ２が配置され、有機層ＯＲ３の上にキャップ層ＣＰ３が配置されている。キャップ層ＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３は、それぞれ有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３が発する光の光学特性を調整する。
【0036】
有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１およびキャップ層ＣＰ１の一部は、上部６２の上に位置している。当該一部は、有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１およびキャップ層ＣＰ１の他の部分と離間している。同様に、有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２およびキャップ層ＣＰ２の一部は上部６２の上に位置し、当該一部は有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２およびキャップ層ＣＰ２の他の部分と離間している。さらに、有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３およびキャップ層ＣＰ３の一部は上部６２の上に位置し、当該一部は有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３およびキャップ層ＣＰ３の他の部分と離間している。
【0037】
以下の説明においては、有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１およびキャップ層ＣＰ１を含む積層体を薄膜ＦＬ１と呼び、有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２およびキャップ層ＣＰ２を含む積層体を薄膜ＦＬ２と呼び、有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３およびキャップ層ＣＰ３を含む積層体を薄膜ＦＬ３と呼ぶことがある。
【0038】
副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３には、第１封止層ＳＥ１１，ＳＥ１２，ＳＥ１３がそれぞれ配置されている。第１封止層ＳＥ１１は、キャップ層ＣＰ１や副画素ＳＰ１の周囲の隔壁６を連続的に覆っている。第１封止層ＳＥ１２は、キャップ層ＣＰ２や副画素ＳＰ２の周囲の隔壁６を連続的に覆っている。第１封止層ＳＥ１３は、キャップ層ＣＰ３や副画素ＳＰ３の周囲の隔壁６を連続的に覆っている。
【0039】
図３の例においては、副画素ＳＰ１，ＳＰ３の間の隔壁６上の有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、キャップ層ＣＰ１および第１封止層ＳＥ１１と、当該隔壁６上の有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３、キャップ層ＣＰ３および第１封止層ＳＥ１３とが離間している。また、副画素ＳＰ２，ＳＰ３の間の隔壁６上の有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２、キャップ層ＣＰ２および第１封止層ＳＥ１２と、当該隔壁６上の有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３、キャップ層ＣＰ３および第１封止層ＳＥ１３とが離間している。
【0040】
第１封止層ＳＥ１１，ＳＥ１２，ＳＥ１３は、第２封止層ＳＥ２により覆われている。第２封止層ＳＥ２は、第１樹脂層ＲＳ１により覆われている。第１樹脂層ＲＳ１は、第３封止層ＳＥ３により覆われている。さらに、第３封止層ＳＥ３は、第２樹脂層ＲＳ２により覆われている。第２封止層ＳＥ２、第３封止層ＳＥ３、第１樹脂層ＲＳ１および第２樹脂層ＲＳ２は、少なくとも表示領域ＤＡの全体に連続的に設けられ、その一部が周辺領域ＳＡにも及んでいる。
【0041】
表示装置ＤＳＰは、第２樹脂層ＲＳ２の上に配置された偏光板などの光学素子やカバーガラスをさらに備えてもよい。これら光学素子やカバーガラスは、例えば透明な接着材によって第２樹脂層ＲＳ２に接着される。
【0042】
第１有機絶縁層３４および第２有機絶縁層１２は、有機絶縁材料で形成されている。リブ５、第１封止層ＳＥ１１，ＳＥ１２，ＳＥ１３、第２封止層ＳＥ２および第３封止層ＳＥ３は、例えばシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）などの無機材料で形成されている。リブ５、第１封止層ＳＥ１１，ＳＥ１２，ＳＥ１３、第２封止層ＳＥ２および第３封止層ＳＥ３は、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）やシリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）で形成されてもよし、シリコン窒化物層、シリコン酸化物層およびシリコン酸窒化物層のうちの少なくとも２つの積層体であってもよい。第１樹脂層ＲＳ１および第２樹脂層ＲＳ２は、例えばアクリル樹脂などの樹脂材料（有機絶縁材料）で形成されている。
【0043】
下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３は、例えば銀（Ａｇ）で形成された中間層と、この中間層の上面および下面をそれぞれ覆う一対の導電性酸化物層とを有している。各導電性酸化物層は、例えばＩＴＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（ＩｎｄｉｕｍＺｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）またはＩＧＺＯ（ＩｎｄｉｕｍＧａｌｌｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）などの透明な導電性酸化物で形成することができる。
【0044】
上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３は、例えばマグネシウムと銀の合金（ＭｇＡｇ）などの金属材料で形成されている。例えば、下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３はアノードに相当し、上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３はカソードに相当する。
【0045】
有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３は、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロッキング層、発光層、正孔ブロッキング層、電子輸送層および電子注入層の積層構造を有している。有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３は、複数の発光層を含むいわゆるタンデム構造を有してもよい。
【0046】
キャップ層ＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３は、例えば、透明な複数の薄膜の多層体によって形成されている。多層体は、複数の薄膜として、無機材料によって形成された薄膜および有機材料によって形成された薄膜を含んでもよい。また、これらの複数の薄膜は、互いに異なる屈折率を有している。多層体を構成する薄膜の材料は、上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３の材料とは異なり、また、第１封止層ＳＥ１１，ＳＥ１２，ＳＥ１３の材料とも異なる。なお、キャップ層ＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３は省略されてもよい。
【0047】
隔壁６の下部６１は、例えばアルミニウム（Ａｌ）によって形成されている。下部６１は、アルミニウム－ネオジム（ＡｌＮｄ）などのアルミニウム合金によって形成されてもよいし、アルミニウム層とアルミニウム合金層の積層構造を有してもよい。さらに、下部６１は、アルミニウム層またはアルミニウム合金層の下に、アルミニウムやアルミニウム合金とは異なる金属材料で形成された薄膜を有してもよい。このような薄膜は、例えばモリブデン（Ｍｏ）によって形成することができる。
【0048】
隔壁６の上部６２は、例えばチタン（Ｔｉ）などの金属材料で形成された薄膜と、ＩＴＯなどの導電性酸化物で形成された薄膜との積層構造を有している。上部６２は、チタンなどの金属材料の単層構造を有してもよい。また、上部６２は、第１封止層ＳＥ１１，ＳＥ１２，ＳＥ１３とは異なる無機材料の単層構造を有してもよい。
【0049】
隔壁６には、共通電圧が供給されている。この共通電圧は、下部６１の側面に接触した上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３にそれぞれ供給される。下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３には、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３がそれぞれ有する画素回路１を通じて画素電圧が供給される。
【0050】
下電極ＬＥ１と上電極ＵＥ１の間に電位差が形成されると、有機層ＯＲ１の発光層が赤色の波長域の光を放つ。下電極ＬＥ２と上電極ＵＥ２の間に電位差が形成されると、有機層ＯＲ２の発光層が緑色の波長域の光を放つ。下電極ＬＥ３と上電極ＵＥ３の間に電位差が形成されると、有機層ＯＲ３の発光層が青色の波長域の光を放つ。
【0051】
図４は、副画素ＳＰ１，ＳＰ３の境界に配置された隔壁６とその近傍を拡大した概略的な断面図である。この図においては、基板１０、回路層１１、第１樹脂層ＲＳ１、第３封止層ＳＥ３および第２樹脂層ＲＳ２を省略している。
【0052】
有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１およびキャップ層ＣＰ１は、蒸着によって形成され、第１封止層ＳＥ１１とともにパターニングされている。有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１およびキャップ層ＣＰ１を含む薄膜ＦＬ１の端部ＦＬ１ａは、上部６２の上に位置している。第１封止層ＳＥ１１の端部ＳＥ１１ａも上部６２の上に位置している。端部ＦＬ１ａは、第１封止層ＳＥ１１によって覆われていない。
【0053】
同様に、有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３およびキャップ層ＣＰ３は、蒸着によって形成され、第１封止層ＳＥ１３とともにパターニングされている。有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３およびキャップ層ＣＰ３を含む薄膜ＦＬ３の端部ＦＬ３ａは、上部６２の上に位置している。第１封止層ＳＥ１３の端部ＳＥ１３ａも上部６２の上に位置している。端部ＦＬ３ａは、第１封止層ＳＥ１３によって覆われていない。
【0054】
端部ＦＬ１ａと端部ＦＬ３ａは、隙間を介して離間している。端部ＳＥ１１ａと端部ＳＥ１３ａは、隙間を介して離間している。第２封止層ＳＥ２は、表示領域ＤＡの全体に連続的に設けられており、端部ＦＬ１ａ，ＦＬ３ａ，ＳＥ１１ａ，ＳＥ１３ａを覆っている。さらに、第２封止層ＳＥ２は、端部ＦＬ１ａと端部ＦＬ３ａの間の隙間、および、端部ＳＥ１１ａと端部ＳＥ１３ａの間の隙間を満たし、上部６２に接触している。
【0055】
なお、副画素ＳＰ１，ＳＰ２の間の隔壁６とその近傍の構成や、副画素ＳＰ２，ＳＰ３の間の隔壁６とその近傍の構成は、図４の例と同様である。
【0056】
続いて、周辺領域ＳＡに適用し得る構造につき説明する。
図５は、表示装置ＤＳＰの概略的な平面図である。表示装置ＤＳＰは、周辺領域ＳＡに配置される要素として、第１ゲート駆動回路ＧＤ１、第２ゲート駆動回路ＧＤ２、セレクタ回路ＳＴおよび端子部Ｔを備えている。第１ゲート駆動回路ＧＤ１、第２ゲート駆動回路ＧＤ２およびセレクタ回路ＳＴは、それぞれ画素回路１に信号を供給する駆動回路の一例であり、図３に示した回路層１１に含まれる。
図５は、表示装置ＤＳＰの概略的な平面図である。表示装置ＤＳＰは、周辺領域ＳＡに配置される要素として、第１ゲート駆動回路ＧＤ１、第２ゲート駆動回路ＧＤ２、セレクタ回路ＳＴおよび端子部Ｔを備えている。第１ゲート駆動回路ＧＤ１、第２ゲート駆動回路ＧＤ２およびセレクタ回路ＳＴは、それぞれ画素回路１に信号を供給する駆動回路の一例であり、図３に示した回路層１１に含まれる。
【0057】
第１ゲート駆動回路ＧＤ１および第２ゲート駆動回路ＧＤ２は、図１に示した走査線ＧＬに走査信号を供給する。端子部Ｔには、例えばフレキシブル回路基板が接続される。セレクタ回路ＳＴは、このフレキシブル回路基板から入力される映像信号を図１に示した信号線ＳＬに供給する。
【0058】
基板１０は、端部１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄを有している。端部１０ａ，１０ｂは、第２方向Ｙと平行に延びている。端部１０ｃ，１０ｄは、第１方向Ｘと平行に延びている。
【0059】
図５の例においては、第１ゲート駆動回路ＧＤ１が表示領域ＤＡと端部１０ａの間に配置され、第２ゲート駆動回路ＧＤ２が表示領域ＤＡと端部１０ｂの間に配置され、セレクタ回路ＳＴおよび端子部Ｔが表示領域ＤＡと端部１０ｃの間に配置されている。
【0060】
さらに、表示装置ＤＳＰは、周辺領域ＳＡに配置された導電層ＣＬ（ドット模様を付した部分）およびダム構造ＤＳ（斜線模様を付した部分）を備えている。図５の例においては、導電層ＣＬが表示領域ＤＡを囲っている。また、ダム構造ＤＳが表示領域ＤＡおよび導電層ＣＬを囲っている。導電層ＣＬおよびダム構造ＤＳは、部分的に重なっている。例えば、ダム構造ＤＳは、図２に示した第１樹脂層ＲＳ１および第２樹脂層ＲＳ２を堰き止める役割を担う。
【0061】
導電層ＣＬは、表示領域ＤＡに配置された隔壁６と接続されている。導電層ＣＬは、第１ゲート駆動回路ＧＤ１、第２ゲート駆動回路ＧＤ２およびセレクタ回路ＳＴと平面視において重なっている。
【0062】
導電層ＣＬは、必ずしも表示領域ＤＡを囲う形状を有する必要はない。例えば、表示領域ＤＡと端部１０ｃの間や、表示領域ＤＡと端部１０ｄの間に導電層ＣＬが配置されていなくてもよい。
【0063】
周辺領域ＳＡには、有機層ＯＲｓ、上電極ＵＥｓ、キャップ層ＣＰｓおよび第１封止層ＳＥ１が配置されている。有機層ＯＲｓは、有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３のいずれかと同じ材料で同じプロセスにより形成されている。上電極ＵＥｓは、上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３のいずれかと同じ材料で同じプロセスにより形成されている。キャップ層ＣＰｓは、キャップ層ＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３のいずれかと同じ材料で同じプロセスにより形成されている。第１封止層ＳＥ１は、封止層ＳＥ１１，ＳＥ１２，ＳＥ１３のいずれかと同じ材料で同じプロセスにより形成されている。一例では、有機層ＯＲｓ、上電極ＵＥｓ、キャップ層ＣＰｓおよび第１封止層ＳＥ１は、それぞれ有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、キャップ層ＣＰ１および第１封止層ＳＥ１１と同じ材料で同じプロセスにより形成されている。
【0064】
図５の例において、有機層ＯＲｓ、上電極ＵＥｓ、キャップ層ＣＰｓおよび第１封止層ＳＥ１は、平面視において導電層ＣＬと重なっている。一方で、有機層ＯＲｓ、上電極ＵＥｓ、キャップ層ＣＰｓおよび第１封止層ＳＥ１は、平面視においてダム構造ＤＳとは重なっていない。
【0065】
図６は、周辺領域ＳＡに配置される他の要素を示す概略的な平面図である。周辺領域ＳＡには、給電線ＰＷ（斜線模様を付した部分）および中継配線ＲＬ（ドット模様を付した部分）が配置されている。
【0066】
図６においては給電線ＰＷおよび中継配線ＲＬが表示領域ＤＡを囲っているが、この例に限られない。給電線ＰＷおよび中継配線ＲＬは、部分的に重なっている。
【0067】
給電線ＰＷは、端部１０ｃの近傍に位置する一対のパッドＰＤを有している。これらパッドＰＤは、端子部Ｔと電気的に接続されている。給電線ＰＷには、端子部Ｔおよび各パッドＰＤを通じて共通電圧が供給される。さらに、給電線ＰＷの共通電圧は、中継配線ＲＬに供給される。
【0068】
図７は、図５において鎖線枠VIIで囲った領域の拡大図である。図８は、図７におけるXIII－XIII線に沿う表示装置ＤＳＰの概略的な断面図である。図７においてドット模様を付した領域が導電層ＣＬおよび隔壁６（第１隔壁６ｘおよび第２隔壁６ｙ）に相当する。導電層ＣＬおよび隔壁６は、同じ材料で同じ製造プロセスにより一体的に形成されている。
【0069】
図７および図８に示すように、ダム構造ＤＳは、複数の凸部Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４を有している。例えば、凸部Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４は、図５に示したダム構造ＤＳの平面形状に沿って形成された枠状である。すなわち、凸部Ｒ１は表示領域ＤＡを囲い、凸部Ｒ２は凸部Ｒ１を囲い、凸部Ｒ３は凸部Ｒ２を囲い、凸部Ｒ４は凸部Ｒ３を囲う。なお、ダム構造ＤＳが有する凸部の数は４つに限定されず、３つ以下または５つ以上であってもよい。
【0070】
例えば、凸部Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４のうち隣り合う２つの間隔は、凸部Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４のそれぞれの幅よりも大きい。一例として、凸部Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４のそれぞれの幅は１５～２５μｍであり、凸部Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４のうち隣り合う２つの間隔は２５～３５μｍである。また、凸部Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４のそれぞれの高さは３～４μｍである。
【0071】
図８の例において、回路層１１は、無機絶縁層３１，３２，３３と、上述の第１有機絶縁層３４と、金属層４１，４２，４３とを備えている。無機絶縁層３１は、基板１０を覆っている。金属層４１は、無機絶縁層３１の上に配置され、無機絶縁層３２により覆われている。金属層４２は、無機絶縁層３２の上に配置され、無機絶縁層３３により覆われている。第１有機絶縁層３４は、無機絶縁層３３の上に配置されている。金属層４３は、第１有機絶縁層３４の上に配置され、第２有機絶縁層１２により覆われている。
【0072】
無機絶縁層３１，３２，３３は、例えばシリコン窒化物およびシリコン酸化物などの無機材料で形成されている。金属層４１，４２，４３は、例えばモリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、モリブデンタングステン合金（ＭｏＷ）、アルミニウム（Ａｌ）および銅（Ｃｕ）などの金属材料の単層構造または積層構造を有している。
【0073】
第１ゲート駆動回路ＧＤ１は、金属層４１，４２，４３や半導体層によって形成されている。図５に示した第２ゲート駆動回路ＧＤ２およびセレクタ回路ＳＴや、図１に示した画素回路１も同様に、金属層４１，４２，４３や半導体層によって形成されている。また、図１に示した走査線ＧＬは金属層４１によって形成され、図１に示した信号線ＳＬは金属層４２によって形成されている。
【0074】
凸部Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４は、無機絶縁層３３の上に配置されている。リブ５は、周辺領域ＳＡにも配置されている。図８の例においては、ダム構造ＤＳにリブ５が配置されていない。
【0075】
図８の例において、凸部Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４は、第１有機絶縁層３４で形成された部分と、第２有機絶縁層１２で形成された部分とを含む。第２有機絶縁層１２で形成された部分は、第１有機絶縁層３４で形成された部分を覆っている。このように、２つの有機絶縁層で凸部Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４を形成することにより、１つの有機絶縁層で形成する場合に比べて凸部Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４の高さを増すことができる。
【0076】
【0077】
【0078】
図８の例において、給電線ＰＷは、金属層４２によって形成された第１部分Ｐ１と、金属層４３によって形成された第２部分Ｐ２とを有している。第２部分Ｐ２は、第１部分Ｐ１に接触している。例えば、図６に示した給電線ＰＷのうち、パッドＰＤは第１部分Ｐ１によって形成され、表示領域ＤＡを囲う部分は少なくとも第２部分Ｐ２によって形成されている。
【0079】
第１部分Ｐ１は、凸部Ｒ１の第１有機絶縁層３４の下方に位置している。第２部分Ｐ２は、凸部Ｒ１の第１有機絶縁層３４の上に位置し、第２有機絶縁層１２によって覆われている。すなわち、第３方向Ｚ（基板１０の厚さ方向、あるいは基板１０に対して法線方向）において、凸部Ｒ１の第１有機絶縁層３４は、第１部分Ｐ１と第２部分Ｐ２の間に位置している。
【0080】
中継配線ＲＬは、大部分が第２有機絶縁層１２の上に配置され、リブ５によって覆われている。例えば、中継配線ＲＬは、下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３と同じ材料で同じ製造プロセスにより形成されている。
【0081】
中継配線ＲＬは、第１コンタクト部ＣＮ１において給電線ＰＷに接続され、第２コンタクト部ＣＮ２において導電層ＣＬに接続されている。これにより、導電層ＣＬには、中継配線ＲＬを介して給電線ＰＷの共通電圧が供給される。さらに、導電層ＣＬの共通電圧は表示領域ＤＡの隔壁６および上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３に供給される。
【0082】
第１コンタクト部ＣＮ１は、凸部Ｒ１の近傍に設けられている。第１コンタクト部ＣＮ１においては、中継配線ＲＬが給電線ＰＷの第２部分Ｐ２に接触している。第１コンタクト部ＣＮ１は、例えば図６の平面図において給電線ＰＷと中継配線ＲＬが重なった領域に相当し、表示領域ＤＡを囲っている。ただし、第１コンタクト部ＣＮ１は、表示領域ＤＡの周囲の少なくとも１か所において途切れていてもよい。
【0083】
図８に示すように、第２コンタクト部ＣＮ２においては、リブ５に開口が形成されている。導電層ＣＬは、当該開口を通じて中継配線ＲＬに接触している。リブ５の開口は、図７に示す第２コンタクト部ＣＮ２の全域に及んでもよい。また、第２コンタクト部ＣＮ２においてリブ５に複数の開口が分散して設けられてもよい。
【0084】
図７に示すように、第２コンタクト部ＣＮ２は、平面視において第１コンタクト部ＣＮ１と表示領域ＤＡの間に位置している。導電層ＣＬの端部ＣＬａは、平面視において第１コンタクト部ＣＮ１と第２コンタクト部ＣＮ２の間に位置している。
【0085】
図７においては、有機層ＯＲｓ、上電極ＵＥｓ、キャップ層ＣＰｓおよび第１封止層ＳＥ１が配置される領域を鎖線で示している。また、図８においては有機層ＯＲｓ、上電極ＵＥｓおよびキャップ層ＣＰｓを含む積層体を薄膜ＦＬとして示している。実際には上電極ＵＥｓが有機層ＯＲｓを覆い、キャップ層ＣＰｓが上電極ＵＥｓを覆っている。第１封止層ＳＥ１は、薄膜ＦＬを覆っている。
【0086】
図８に示すように、薄膜ＦＬは、導電層ＣＬを覆っている。図７に示すように、薄膜ＦＬの端部ＦＬａおよび第１封止層ＳＥ１の端部ＳＥ１ａの平面視における位置は、略一致している。端部ＦＬａ，ＳＥ１ａは、ダム構造ＤＳと表示領域ＤＡの間に位置している。また、端部ＦＬａ，ＳＥ１ａは、導電層ＣＬの端部ＣＬａとダム構造ＤＳの間に位置している。端部ＦＬａ，ＳＥ１ａは、例えば第１コンタクト部ＣＮ１と平面視において重なっている。
【0087】
図８に示すように、周辺領域ＳＡにも第２封止層ＳＥ２、第３封止層ＳＥ３、第１樹脂層ＲＳ１および第２樹脂層ＲＳ２が形成されている。第２封止層ＳＥ２は、薄膜ＦＬの端部ＦＬａおよび第１封止層ＳＥ１の端部ＳＥ１ａを覆っている。
【0088】
さらに、第２封止層ＳＥ２は、ダム構造ＤＳの一部を覆っている。具体的には、図８の例においては、第２封止層ＳＥ２が凸部Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３を覆い、凸部Ｒ４を覆っていない。第２封止層ＳＥ２の端部ＳＥ２ａは、凸部Ｒ３の上に位置している。第２封止層ＳＥ２は、凸部Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３の第２有機絶縁層１２、給電線ＰＷの第２部分Ｐ２のうち凸部Ｒ１，Ｒ２の間に位置する部分、および、無機絶縁層３３のうち凸部Ｒ２，Ｒ３の間に位置する部分と接触している。
【0089】
第１樹脂層ＲＳ１の端部ＲＳ１ａは、薄膜ＦＬの端部ＦＬａおよび１封止層ＳＥ１の端部ＳＥ１ａよりも基板１０の端部１０ａ寄りに位置している。図８の例においては、端部ＲＳ１ａが凸部Ｒ１付近に位置している。端部ＦＬａ，ＳＥ１ａ，ＣＬａは、第３方向Ｚ（基板１０の厚さ方向、あるいは基板１０に対して法線方向）において第１樹脂層ＲＳ１と重なっている。
【0090】
第３封止層ＳＥ３は、第１樹脂層ＲＳ１を全体的に覆っている。さらに、第３封止層ＳＥ３は、第２封止層ＳＥ２のうちダム構造ＤＳを覆う部分と接触している。このような構成においては、第１樹脂層ＲＳ１の端部ＲＳ１ａが第２封止層ＳＥ２および第３封止層ＳＥ３で覆われる。第３封止層ＳＥ３の端部ＳＥ３ａの位置は、第２封止層ＳＥ２の端部ＳＥ２ａの位置と略一致している。
【0091】
第２樹脂層ＲＳ２は、第３封止層ＳＥ３を全体的に覆っている。第２樹脂層ＲＳ２の端部ＲＳ２ａの位置は、第３封止層ＳＥ３の端部ＳＥ３ａの位置と略一致している。このように、図８の例においては、端部ＳＥ２ａ、端部ＳＥ３ａおよび端部ＲＳ２ａの位置が揃っている。
【0092】
【0093】
端部ＣＬａにおいて、上部６２は、下部６１の側面よりも突出している。すなわち、端部ＣＬａにおける導電層ＣＬの形状は、隔壁６と同じくオーバーハング状である。
【0094】
このような形状の導電層ＣＬの上に薄膜ＦＬ（有機層ＯＲｓ、上電極ＵＥｓおよびキャップ層ＣＰｓ）を形成すると、図９に示すように、端部ＣＬａにおいて薄膜ＦＬが分断される。第１封止層ＳＥ１は、導電層ＣＬの上下にそれぞれ位置する有機層ＯＲｓ、上電極ＵＥｓおよびキャップ層ＣＰｓを覆うとともに、下部６１の側面も覆っている。
【0095】
なお、図７および図８においては表示領域ＤＡと基板１０の端部１０ａの間の構造に着目したが、表示領域ＤＡと端部１０ｂの間、表示領域ＤＡと端部１０ｃの間、および、表示領域ＤＡと端部１０ｄの間にも同様の構造を適用できる。
【0096】
続いて、表示装置ＤＳＰの製造方法について説明する。
図１０乃至図１５は、表示装置ＤＳＰの製造工程の一部を示す概略的な断面図である。表示装置ＤＳＰの製造に際しては、先ず基板１０の上に画素回路１、ゲート駆動回路ＧＤ１，ＧＤ２、セレクタ回路ＳＴおよび給電線ＰＷを含む回路層１１が形成される。回路層１１の形成の後、第２有機絶縁層１２が回路層１１の上に形成される。
図１０乃至図１５は、表示装置ＤＳＰの製造工程の一部を示す概略的な断面図である。表示装置ＤＳＰの製造に際しては、先ず基板１０の上に画素回路１、ゲート駆動回路ＧＤ１，ＧＤ２、セレクタ回路ＳＴおよび給電線ＰＷを含む回路層１１が形成される。回路層１１の形成の後、第２有機絶縁層１２が回路層１１の上に形成される。
【0097】
第２有機絶縁層１２および回路層１１の第１有機絶縁層３４を形成する際に、これら有機絶縁層１２，３４がそれぞれパターニングされて、図１０に示すように凸部Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４を含むダム構造ＤＳが周辺領域ＳＡに形成される。
【0098】
【0099】
次に、副画素ＳＰ１に有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１およびキャップ層ＣＰ１を含む薄膜ＦＬ１と第１封止層ＳＥ１１が形成され、副画素ＳＰ２に有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２およびキャップ層ＣＰ２を含む薄膜ＦＬ２と第１封止層ＳＥ１２が形成され、副画素ＳＰ３に有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３およびキャップ層ＣＰ３を含む薄膜ＦＬ３と第１封止層ＳＥ１３が形成される。薄膜ＦＬ１，ＦＬ２，ＦＬ３の形成順は特に限定されないが、一例では薄膜ＦＬ３が最初に形成され、薄膜ＦＬ２が次に形成され、薄膜ＦＬ１が最後に形成される。
【0100】
図１０に示す薄膜ＦＬ（有機層ＯＲｓ、上電極ＵＥｓ、キャップ層ＣＰｓ）および第１封止層ＳＥ１は、例えば最後に形成される薄膜ＦＬ１および第１封止層ＳＥ１１と同じ材料で同じプロセスにより形成される。薄膜ＦＬ１および第１封止層ＳＥ１は、同一のマスクを用いてドライエッチングやウェットエッチングによりパターニングされる。そのため、図１０に示すように薄膜ＦＬの端部ＦＬａと第１封止層ＳＥ１の端部ＳＥ１ａとが揃う。
【0101】
薄膜ＦＬ，ＦＬ１，ＦＬ２，ＦＬ３を構成する各層（有機層、上電極およびキャップ層）は、蒸着によって形成される。第１封止層ＳＥ１，ＳＥ１１，ＳＥ１２，ＳＥ１３は、例えばＣＶＤ（ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）によって形成される。
【0102】
薄膜ＦＬおよび第１封止層ＳＥ１の形成の後、図１１に示すように、薄膜ＦＬの端部ＦＬａを覆う第２封止層ＳＥ２が形成される。この時点において、第２封止層ＳＥ２は基板１０の全体に形成されており、ダム構造ＤＳの凸部Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４を全て覆っている。
【0103】
第１封止層ＳＥ１の形成の後、図１２に示すように第１樹脂層ＲＳ１が形成される。第１樹脂層ＲＳ１は、例えばインクジェット方式により形成される。凸部Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４により生じる第２封止層ＳＥ２の凹凸によって、硬化前の第１樹脂層ＲＳ１の拡がりが抑制される。図１２においては、第１樹脂層ＲＳ１の端部ＲＳ１ａが凸部Ｒ１によって堰き止められている。
【0104】
第１樹脂層ＲＳ１の形成の後、図１３に示すように第１樹脂層ＲＳ１を覆う第３封止層ＳＥ３が形成される。この時点において、第３封止層ＳＥ３は基板１０の全体に形成されており、第１樹脂層ＲＳ１から露出した第２封止層ＳＥ２も覆っている。
【0105】
第３封止層ＳＥ３の形成の後、図１４に示すように第２樹脂層ＲＳ２が形成される。第２樹脂層ＲＳ２は、例えば第１樹脂層ＲＳ１と同じくインクジェット方式により形成される。凸部Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４により生じる第３封止層ＳＥ３の凹凸によって、硬化前の第２樹脂層ＲＳ２の拡がりが抑制される。図１４においては、第２樹脂層ＲＳ２の端部ＲＳ２ａが凸部Ｒ３によって堰き止められている。
【0106】
次に、図１５に示すように、第２封止層ＳＥ２および第３封止層ＳＥ３のうち第２樹脂層ＲＳ２から露出した部分がエッチングにより除去される。これにより、図８に示した構造の表示装置ＤＳＰを得ることができる。当該エッチングは、例えばドライエッチングであり、第２樹脂層ＲＳ２がマスクとして利用される。
【0107】
当該エッチングにより、第２封止層ＳＥ２の端部ＳＥ２ａおよび第３封止層ＳＥ３の端部ＳＥ３ａがそれぞれ第２樹脂層ＲＳ２の端部ＲＳ２ａと揃う。当該エッチング前には図１４に示すように全ての凸部Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４が第２封止層ＳＥ２および第３封止層ＳＥ３によって覆われていたが、当該エッチングの後には図１５に示すように凸部Ｒ３の一部や凸部Ｒ４が第２封止層ＳＥ２および第３封止層ＳＥ３から露出する。
【0108】
以上の本実施形態においては、周辺領域ＳＡに配置された薄膜ＦＬの端部ＦＬａがダム構造ＤＳと表示領域ＤＡの間に位置している。さらに、第２封止層ＳＥ２が端部ＦＬａを覆うとともに、ダム構造ＤＳ（凸部Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４）を直接覆っている。
【0109】
薄膜ＦＬは蒸着によって形成されるため、下地と良好な密着性を発揮しない可能性がある。そのため、仮に薄膜ＦＬがダム構造ＤＳに及んでいる場合、表示装置ＤＳＰの周縁部の密着強度が低下し得る。また、薄膜ＦＬがダム構造ＤＳに及んでいると、薄膜ＦＬの端部ＦＬａを通じて水分が浸入する可能性もある。この水分がゲート駆動回路ＧＤ１，ＧＤ２、セレクタ回路ＳＴ、給電線ＰＷ、画素回路１および表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３などに到達すると、表示装置ＤＳＰの動作不良が生じ得る。
【0110】
これに対し、本実施形態においては、薄膜ＦＬがダム構造ＤＳに及んでいないため、第２封止層ＳＥ２がダム構造ＤＳと接触する。第２封止層ＳＥ２は、例えばＣＶＤによって形成され、蒸着で形成される薄膜ＦＬよりも下地との密着性に優れる。そのため、表示装置ＤＳＰの周縁部の密着強度が向上する。また、本実施形態においては薄膜ＦＬの端部ＦＬａが第２封止層ＳＥ２によって覆われているため、薄膜ＦＬを通じた水分浸入を抑制することができる。このように、本実施形態に係る表示装置ＤＳＰの構成によれば、表示装置ＤＳＰの信頼性を高めることができる。
【0111】
図４に示したように、第２封止層ＳＥ２は、表示領域ＤＡにおいても薄膜ＦＬ１，ＦＬ２，ＦＬ３の端部や隔壁６を覆っている。これにより、表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３や画素回路１への水分浸入を一層良好に抑制することが可能である。
【0112】
本実施形態においては、第１樹脂層ＲＳ１の上に第３封止層ＳＥ３が配置され、第１樹脂層ＲＳ１の端部ＲＳ１ａが第２封止層ＳＥ２および第３封止層ＳＥ３で覆われている。このような構成であれば、第１樹脂層ＲＳ１が全体的に無機材料で形成された第２封止層ＳＥ２および第３封止層ＳＥ３で覆われ、第１樹脂層ＲＳ１への水分浸入を抑制することができる。さらに、第３封止層ＳＥ３は第２封止層ＳＥ２のうちダム構造ＤＳを覆う部分と接触している。第３封止層ＳＥ３は、例えばＣＶＤによって形成されるため、第２封止層ＳＥ２との密着性に優れている。これにより、表示装置ＤＳＰの周縁部の密着強度がさらに向上する。
【0113】
本実施形態においては、第３封止層ＳＥ３が第２樹脂層ＲＳ２によって覆われている。これにより、無機材料で形成された第３封止層ＳＥ３が保護される。さらに、表示装置ＤＳＰの上面を平坦化することができる。
【0114】
さらに、本実施形態に係る表示装置ＤＳＰの製造方法においては、第２樹脂層ＲＳ２をマスクとして第２封止層ＳＥ２および第３封止層ＳＥ３の一部が除去される。これにより、エッチングのためのマスクをレジストで形成する場合に比べ、表示装置ＤＳＰの製造工程数を低減することが可能である。
【0115】
なお、図８においては第１樹脂層ＲＳ１が凸部Ｒ１によって堰き止められ、第２樹脂層ＲＳ２が凸部Ｒ３によって堰き止められる構成を例示した。しかしながら、以下の図１６および図１７に示すように、第１樹脂層ＲＳ１の端部ＲＳ１ａおよび第２樹脂層ＲＳ２の端部ＲＳ２ａの位置は、図８の例に限られない。
【0116】
図１６は、第１実施形態に係る表示装置ＤＳＰに適用し得る第１変形例を示す概略的な断面図である。図１６の例においては、第１樹脂層ＲＳ１が凸部Ｒ１を超えて凸部Ｒ２に達している。第１樹脂層ＲＳ１の端部ＲＳ１ａは、凸部Ｒ２付近に位置している。
【0117】
図１７は、第１実施形態に係る表示装置ＤＳＰに適用し得る第２変形例を示す概略的な断面図である。図１７の例においては、第２樹脂層ＲＳ２が凸部Ｒ３を超えて凸部Ｒ４に達している。第２樹脂層ＲＳ２の端部ＲＳ２ａは、凸部Ｒ４付近に位置している。
【0118】
表示装置ＤＳＰは、必ずしも周辺領域ＳＡの全体にわたり図８、図１６および図１７のいずれかの構成を備える必要はない。例えば、表示装置ＤＳＰは、図８、図１６および図１７のいずれかの構成を有する部分と、図８、図１６および図１７の他のいずれかの構成を有する部分とを備えてもよい。
【0119】
［第２実施形態］
第２実施形態について説明する。特に言及しない構成は第１実施形態と同様である。
図１８は、第２実施形態に係る表示装置ＤＳＰの概略的な断面図である。本実施形態において、表示装置ＤＳＰは、ダム構造ＤＳに配置された配線ＬＮを備えている。
第２実施形態について説明する。特に言及しない構成は第１実施形態と同様である。
図１８は、第２実施形態に係る表示装置ＤＳＰの概略的な断面図である。本実施形態において、表示装置ＤＳＰは、ダム構造ＤＳに配置された配線ＬＮを備えている。
【0120】
図１８の例においては、凸部Ｒ２，Ｒ３の間に２本の配線ＬＮが配置されている。例えば、これら配線ＬＮの一方は表示装置ＤＳＰの各部に高電源電圧（Ｐｖｄｄ）を供給する電源線であり、他方は各部に低電源電圧（Ｐｖｓｓ）を供給する電源線である。ただし、配線ＬＮの種類は電源線に限られない。また、配線ＬＮの数は２本に限られない。
【0121】
配線ＬＮは、例えば金属層４２によって形成され、無機絶縁層３３、第２封止層ＳＥ２、第３封止層ＳＥ３および第２樹脂層ＲＳ２によって覆われている。配線ＬＮは、金属層４１によって形成されてもよいし、金属層４３によって形成されてもよい。また、配線ＬＮは、金属層４１，４２，４３のうち少なくとも２つを含む積層構造を有してもよい。
【0122】
なお、図１８においては第１樹脂層ＲＳ１が凸部Ｒ１によって堰き止められ、第２樹脂層ＲＳ２が凸部Ｒ３によって堰き止められている。ただし、第１樹脂層ＲＳ１の端部ＲＳ１ａおよび第２樹脂層ＲＳ２の端部ＲＳ２ａの位置は、図１８の例に限られない。
【0123】
図１９は、第２実施形態に係る表示装置ＤＳＰに適用し得る第１変形例を示す概略的な断面図である。図１９の例においては、第１樹脂層ＲＳ１が凸部Ｒ１を超えて凸部Ｒ２に達している。第１樹脂層ＲＳ１の端部ＲＳ１ａは、凸部Ｒ２付近に位置している。
【0124】
図２０は、第２実施形態に係る表示装置ＤＳＰに適用し得る第２変形例を示す概略的な断面図である。図２０の例においては、第２樹脂層ＲＳ２が凸部Ｒ３を超えて凸部Ｒ４に達している。第２樹脂層ＲＳ２の端部ＲＳ２ａは、凸部Ｒ４付近に位置している。図２０の構成において、複数の配線ＬＮの少なくとも１本が凸部Ｒ３，Ｒ４の間に配置されてもよい。
【0125】
本実施形態のようにダム構造ＤＳに配線ＬＮを設けることで、ダム構造ＤＳを有効に活用することができる。これにより、配線ＬＮをダム構造ＤＳと重ならない位置に設ける場合に比べ、周辺領域ＳＡを小さくすることが可能である。
【0126】
［第３実施形態］
第３実施形態について説明する。特に言及しない構成は第１実施形態と同様である。
図２１は、第３実施形態に係る表示装置ＤＳＰの概略的な平面図である。図２２は、図２１において鎖線枠XXIIで囲った領域の拡大図である。図２３は、図２２におけるXXIII－XXIII線に沿う表示装置ＤＳＰの概略的な断面図である。
第３実施形態について説明する。特に言及しない構成は第１実施形態と同様である。
図２１は、第３実施形態に係る表示装置ＤＳＰの概略的な平面図である。図２２は、図２１において鎖線枠XXIIで囲った領域の拡大図である。図２３は、図２２におけるXXIII－XXIII線に沿う表示装置ＤＳＰの概略的な断面図である。
【0127】
図２１に示すように、本実施形態においては薄膜ＦＬ（有機層ＯＲｓ、上電極ＵＥｓおよびキャップ層ＣＰｓ）の端部ＦＬａおよび第１封止層ＳＥ１の端部ＳＥ１ａが導電層ＣＬと平面視において重なっている。すなわち、端部ＦＬａ，ＳＥ１ａは、導電層ＣＬの端部ＣＬａと表示領域ＤＡの間に位置している。図２１の例においては、端部ＦＬａ，ＳＥ１ａが全周にわたり導電層ＣＬと重なっているが、端部ＦＬａ，ＳＥ１ａと導電層ＣＬが重ならない部分が存在してもよい。
【0128】
図２２に示すように、端部ＦＬａ，ＳＥ１ａは、導電層ＣＬの端部ＣＬａと第２コンタクト部ＣＮ２の間に位置している。端部ＦＬａ，ＳＥ１ａは、第２コンタクト部ＣＮ２と表示領域ＤＡの間に位置してもよい。
【0129】
図２３に示すように、端部ＦＬａ，ＳＥ１ａは、導電層ＣＬの上に位置している。上述の各実施形態と同様に、端部ＦＬａ，ＳＥ１ａは、第１樹脂層ＲＳ１の下方に位置し、第２封止層ＳＥ２によって覆われている。
【0130】
図２３の例においては、第１樹脂層ＲＳ１の端部ＲＳ１ａが凸部Ｒ１によって堰き止められ、第２樹脂層ＲＳ２の端部ＲＳ２ａが凸部Ｒ３によって堰き止められている。端部ＲＳ１ａは、図１６の例と同じく凸部Ｒ２によって堰き止められてもよい。端部ＲＳ２ａは、図１７の例と同じく凸部Ｒ４によって堰き止められてもよい。また、図１８に示した配線ＬＮがダム構造ＤＳに配置されてもよい。
【0131】
本実施形態の構成であっても、上述の各実施形態と同様の効果を得ることができる。また、本実施形態においては、導電層ＣＬとダム構造ＤＳの間の領域で全体的に第２封止層ＳＥ２がリブ５に接触する。これにより、第２封止層ＳＥ２とリブ５の密着性を高めることができる。
【0132】
以上、本発明の実施形態として説明した表示装置を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての表示装置も、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に属する。
【0133】
本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変形例に想到し得るものであり、それら変形例についても本発明の範囲に属するものと解される。例えば、上述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除、もしくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
【0134】
また、上述の各実施形態において述べた態様によりもたらされる他の作用効果について、本明細書の記載から明らかなもの、または当業者において適宜想到し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。
【符号の説明】
【0135】
ＤＳＰ…表示装置、ＤＡ…表示領域、ＳＡ…周辺領域、ＰＸ…画素、ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３…副画素、ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３…下電極、ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３，ＵＥｓ…上電極、ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３，ＯＲｓ…有機層、ＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３，ＣＰｓ…キャップ層、ＳＥ１１，ＳＥ１２，ＳＥ１３，ＳＥ１…第１封止層、ＳＥ２…第２封止層、ＳＥ３…第３封止層、ＲＳ１…第１樹脂層、ＲＳ２…第２樹脂層、ＣＬ…導電層、ＰＷ…給電線、ＲＬ…中継配線、ＤＳ…ダム構造、Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４…凸部、ＣＮ１…第１コンタクト部、ＣＮ２…第２コンタクト部、１…画素回路、５…リブ、６…隔壁、１０…基板、１２…有機絶縁層、６１…隔壁の下部、６２…隔壁の上部。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】