(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024165953
(43)【公開日】2024-11-28
(54)【発明の名称】パワーモジュール
(51)【国際特許分類】
H02M 7/48 20070101AFI20241121BHJP
H01L 25/07 20060101ALI20241121BHJP
【FI】
H02M7/48 Z
H01L25/04 C
【審査請求】未請求
【請求項の数】11
【出願形態】OL
(21)【出願番号】P 2023082574
(22)【出願日】2023-05-18
(71)【出願人】
【識別番号】000004260
【氏名又は名称】株式会社デンソー
(74)【代理人】
【識別番号】110001519
【氏名又は名称】弁理士法人太陽国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】志賀 正和
(72)【発明者】
【氏名】鈴木 良隆
(72)【発明者】
【氏名】蛭間 淳之
【テーマコード(参考)】
5H770
【Fターム(参考)】
5H770AA05
5H770BA01
5H770DA03
5H770DA41
5H770KA05X
5H770PA22
5H770PA42
5H770QA04
5H770QA06
5H770QA08
5H770QA22
(57)【要約】
【課題】物理的なノイズ対策部品を追加することなくノイズによる影響を抑制する。
【解決手段】パワーモジュール17-1は、上アームスイッチング素子1aと、下アームスイッチング素子2aと、上アームスイッチング素子及び下アームスイッチング素子の間に設けられる第1誘電体1c、2cと、上アームスイッチング素子及び下アームスイッチング素子の間以外の箇所に設けられる第2誘電体1d、2dと、を備え、第1誘電体の浮遊容量は、第2誘電体の浮遊容量と異なる。
【選択図】
図4
【特許請求の範囲】
【請求項1】
上アームスイッチング素子(1a)と、
下アームスイッチング素子(2a)と、
前記上アームスイッチング素子及び前記下アームスイッチング素子の間に設けられる第1誘電体(1c、2c)と、
前記上アームスイッチング素子及び前記下アームスイッチング素子の間以外の箇所に設けられる第2誘電体(1d、2d)と、
を備え、
前記第1誘電体の浮遊容量は、前記第2誘電体の浮遊容量と異なる、パワーモジュール(17-1)。
【請求項2】
前記第1誘電体の浮遊容量は、前記第2誘電体の浮遊容量より高い、請求項1に記載のパワーモジュール。
【請求項3】
前記第2誘電体は、前記上アームスイッチング素子又は前記下アームスイッチング素子の前記第1誘電体側の面とは反対側の面に設けられている冷却部材(3、4)と、前記上アームスイッチング素子又は前記下アームスイッチング素子との間に設けられている、請求項2に記載のパワーモジュール。
【請求項4】
前記上アームスイッチング素子と前記下アームスイッチング素子の間には冷却部材(5)が設けられ、
前記第1誘電体は、前記上アームスイッチング素子又は前記下アームスイッチング素子と、前記冷却部材との間に設けられている、請求項2に記載のパワーモジュール。
【請求項5】
前記第2誘電体の浮遊容量は、前記第1誘電体の浮遊容量より高い、請求項1に記載のパワーモジュール。
【請求項6】
前記第2誘電体は、前記上アームスイッチング素子又は前記下アームスイッチング素子の前記第1誘電体側の面とは反対側の面に設けられている冷却部材(3、4)と、前記上アームスイッチング素子又は前記下アームスイッチング素子との間に設けられている、請求項5に記載のパワーモジュール。
【請求項7】
前記上アームスイッチング素子及び前記下アームスイッチング素子の配列方向における前記第1誘電体の厚みは、前記配列方向における前記第2誘電体の厚みより薄い、請求項2に記載のパワーモジュール。
【請求項8】
前記上アームスイッチング素子又は前記下アームスイッチング素子と対向する前記第1誘電体の表面積は、前記上アームスイッチング素子又は前記下アームスイッチング素子と対向する前記第2誘電体の表面積よりも広い、請求項2に記載のパワーモジュール。
【請求項9】
前記上アームスイッチング素子又は前記下アームスイッチング素子と対向する前記第1誘電体の表面は、前記第1誘電体を平面視して、凹凸部(1c2、2c2)を有する、請求項8に記載のパワーモジュール。
【請求項10】
前記第1誘電体は、前記上アームスイッチング素子から電力を出力する出力部(O)と、前記下アームスイッチング素子に電力を入力する入力部(A、B)との間に設けられている、請求項2に記載のパワーモジュール。
【請求項11】
前記第1誘電体に隣接して設けられて導電部材(6)を有し、
前記導電部材の導電率は、前記入力部又は前記出力部の導電率よりも低い、請求項10に記載のパワーモジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、パワーモジュールに関する。
【背景技術】
【0002】
特許文献1は、パワーモジュールで発生するコモンモードノイズを低減する技術を開示している。具体的には、特許文献1に開示される従来技術では、コレクタ面及びエミッタ面を逆にして構成することで、出力側の浮遊容量を小さくすることで、コモンモードノイズ(コモンモード電流)を抑制している(例えば特許文献1の
図4参照)。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
しかしながら、従来技術は、ノーマルモードノイズ、及び、パワーモジュール以外の機器で発生するコモンモードノイズの対策が考慮されていない。このため、パワーモジュールを搭載するインバータの周辺機器が誤動作しないようにするため、追加のノイズ対策部品として、ノーマルモードノイズを抑制するXコンデンサ、コモンモードノイズを抑制するYコンデンサなどを要する場合がある。このように従来技術は、ノイズによる影響を抑制する上で改善の余地がある。
【0005】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであって、物理的なノイズ対策部品を追加することなくノイズによる影響を抑制することができるパワーモジュールを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
上記目的を達成するために、本発明のパワーモジュール(17-1)は、上アームスイッチング素子(1a)と、下アームスイッチング素子(2a)と、上アームスイッチング素子及び下アームスイッチング素子の間に設けられる第1誘電体(1c、2c)と、上アームスイッチング素子及び下アームスイッチング素子の間以外の箇所に設けられる第2誘電体(1d、2d)と、を備え、第1誘電体の浮遊容量は、第2誘電体の浮遊容量と異なる。
【0007】
本開示によれば、物理的なノイズ対策部品を追加することなく、ノーマルモードノイズを抑制することができる。さらに、完璧なノイズ対策をするために、本発明のモジュールとともに、モータ駆動回路の経路中で本パワーモジュールの外の経路に、物理的なノイズ対策部品である、XコンデンサやYコンデンサを設けてもよく、本発明はこのような態様を排除するものではない。
【図面の簡単な説明】
【0008】
【
図1】本開示のパワーモジュールを備えたモータ駆動回路の構成を示す図である。
【
図2】本開示の第1実施形態にかかるパワーモジュールの外観図である。
【
図3】第1実施形態にかかるパワーモジュールの等価回路を示す図である。
【
図4】第1実施形態にかかるパワーモジュールの断面図である。
【
図5】第1実施形態にかかるパワーモジュールを備えたモータ駆動回路の動作を説明するための図である。
【
図6】本開示の第2実施形態にかかるパワーモジュールの構成図である。
【
図7】第2実施形態にかかるパワーモジュールの等価回路を示す図である。
【
図8】第2実施形態にかかるパワーモジュールの断面図である。
【
図9】第2実施形態にかかるパワーモジュールを備えたモータ駆動回路の動作を説明するための図である。
【
図10】本開示の第3実施形態にかかるパワーモジュールの構成図である。
【
図11】第3実施形態にかかるパワーモジュールの等価回路を示す図である。
【
図12】第3実施形態にかかるパワーモジュールの断面図である。
【
図13】第3実施形態にかかるパワーモジュールを備えたモータ駆動回路の動作を説明するための図である。
【
図14】本開示の第4実施形態にかかるパワーモジュールの構成図である。
【
図15】第4実施形態にかかるパワーモジュールの等価回路を示す図である。
【
図16】第4実施形態にかかるパワーモジュールの断面図である。
【
図17】第5実施形態にかかるパワーモジュールの断面図である。
【
図18】第6実施形態にかかるパワーモジュールの断面図である。
【
図19】第7実施形態にかかるパワーモジュールの等価回路を示す図である。
【
図20】第7実施形態にかかるパワーモジュールの断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0009】
以下、本発明の一実施形態について説明する。
【0010】
(第1実施形態)
図1は、本開示のパワーモジュールを備えたモータ駆動回路の構成を示す図である。モータ駆動回路10は、ハイブリッド(HV)電源である直流電源11から供給され直流を交流に変換してモータを駆動する回路である。直流電源11には、電源インピーダンス安定化回路網(LISN:Line Impedance Stabilization Network)12が接続されている。電源インピーダンス安定化回路網12は、インバータ13から見た直流電源のインピーダンスを安定化させる。電源インピーダンス安定化回路網12には、直流母線(PN線)14を介して、インバータ13が接続されている。
【0011】
インバータ13は、電流を平滑化する平滑コンデンサ16と、直流電圧を交流電圧に変換するパワーモジュール17-1とを備える。パワーモジュール17-1は複数のスイッチング素子を備える。
【0012】
図2は、本開示の第1実施形態にかかるパワーモジュールの外観図である。パワーモジュール17-1は、第1パワーカード1、第2パワーカード2、第1ヒートシンク3、及び第2ヒートシンク4を備える。
【0013】
第1パワーカード1は、上アームスイッチング素子1aと、上アームスイッチング素子1aの周囲を覆う筐体1bと、導電性の入力部Aと、導電性の出力部Oとを備える。第1パワーカード1は、第2パワーカード2に隣接して配置される。
【0014】
第2パワーカード2は、下アームスイッチング素子2aと、下アームスイッチング素子の周囲を覆う筐体2bと、導電性の入力部Bと、導電性の出力部Oとを備える。
【0015】
第1ヒートシンク3は、第1パワーカード1に設けられる冷却部材である。第1ヒートシンク3は、第1パワーカード1の第2パワーカード2側の面とは反対側の面に配置される。第2ヒートシンク4は、第2パワーカード2に設けられる冷却部材である。第2ヒートシンク4は、第2パワーカード2の第1パワーカード1側の面とは反対側の面に配置される。第1ヒートシンク3及び第2ヒートシンク4は、アルミニウム、金属などの導電性を有する材料で構成される。
【0016】
次に
図3及び
図4を参照してパワーモジュール17-1の内部構成について説明する。
図3は、第1実施形態にかかるパワーモジュールの等価回路を示す図である。
図4は、第1実施形態にかかるパワーモジュールの断面図である。
【0017】
図4に示すように、第1パワーカード1は、第1誘電体1c及び第2誘電体1dを備えている。
【0018】
第1誘電体1cは、第1パワーカード1の入力部Aと、第2パワーカード2の入力部Bとの間に設けられている。第1誘電体1cは、筐体1bの一部を構成するものでもよく、筐体1bとは別の構造体でもよい。
【0019】
第2誘電体1dは、第1パワーカード1の出力部Oと、第1ヒートシンク3との間に設けられている。第2誘電体1dは、上アームスイッチング素子1a及び下アームスイッチング素子2aの間以外の箇所に設けられる誘電体と解釈してよい。
【0020】
第1誘電体1c及び第2誘電体1dは、絶縁性を有する材料を含む。絶縁性を有する材料は、有機材料であってもよく、無機材料であってもよく、両者の組み合わせであってもよい。無機材料は、酸化シリコン(SiO2)、窒化シリコン(Si3N4)、酸窒化シリコン(SiON)、酸化アルミニウム(Al2O3)、窒化アルミニウム(AlN)、シリコンカーバイト(SiC)、窒化シリコンカーバイト(SiCN)、炭素添加シリコンオキサイド(SiCO)、ホウ珪酸ガラス、石英ガラスなどである。有機材料は、ポリイミド、エポキシ樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂、ポリアミド、フェノール樹脂、フッ素樹脂、液晶ポリマー、ポリアミドイミド、ポリベンゾオキサゾール、シアネート樹脂、アラミド樹脂、ポリオレフィン、ポリエステルなどである。
【0021】
第2パワーカード2は、第1誘電体2c及び第2誘電体2dを備えている。第1誘電体2cは、第2パワーカード2の入力部Bと、第1パワーカード1の入力部Aとの間に設けられている。第2誘電体2dは、第2パワーカード2の出力部Oと、第2ヒートシンク4との間に設けられている。第2誘電体2dは、上アームスイッチング素子1a及び下アームスイッチング素子2aの間以外の箇所に設けられる誘電体と解釈してよい。第1誘電体2c及び第2誘電体2dは、第1誘電体1c及び第2誘電体1dと同様に、絶縁性を有する材料を含む。なお、第1誘電体1c及び第1誘電体2cは、一体の誘電体でもよく、別体の誘電体でもよい。
【0022】
第1ヒートシンク3は、上アームスイッチング素子1aの第1誘電体1c側の面とは反対側の面に設けられている。
【0023】
第2ヒートシンク4は、下アームスイッチング素子2aの第1誘電体2c側の面とは反対側の面に設けられている。
【0024】
入力部A及び入力部Bの間に、第1誘電体1c及び第1誘電体2cが設けられることにより、入力部A及び入力部Bの間には浮遊容量(C)が形成される。浮遊容量(C)は、下記(1)式により規定されてよい。下記(1)式のε0は真空の誘電率を表す。下記(1)式のεSは比誘電率を表す。下記(1)式のSは誘電体の表面の内、スイッチング素子との対向する部分の面積を表す。下記(1)式のdはスイッチング素子の配列方向における誘電体の厚みを表す。
C=ε0εSS/d・・・・(1)
【0025】
この浮遊容量Cにより、
図3及び
図4に示すように、入力部Aと入力部Bの間にコンデンサCxが形成される。コンデンサCxは、擬似的なXコンデンサと解釈してよい。擬似的なXコンデンサは、物理的なXコンデンサとは異なるコンデンサと解釈してよい。擬似的とは、物理的なXコンデンサとは無関係に、パワーモジュール17-1が有する誘電体により形成される静電容量によって、物理的なXコンデンサと同等の機能が発生する状態と解釈してよい。Xコンデンサは、ノーマルモードノイズを抑制するアクロス・ザ・ラインコンデンサと解釈してよい。
【0026】
なお、第1ヒートシンク3及び出力部Oの間には、第2誘電体1dが設けられているため、浮遊容量が形成されている。同様に、第2ヒートシンク4及び出力部Oの間には、第2誘電体2dが設けられているため、浮遊容量が形成される。
【0027】
パワーモジュール17-1では、第1誘電体1cの浮遊容量が、第2誘電体1dの浮遊容量と異なる。具体的には、第1誘電体1cの浮遊容量は、第2誘電体1dの浮遊容量より高い。第1誘電体1cの浮遊容量は、第1誘電体1cによって入力部A及び入力部Bの間に形成される浮遊容量と解釈してよい。第2誘電体1dの浮遊容量は、第2誘電体1dによって第1ヒートシンク3及び出力部Oの間に形成される浮遊容量と解釈してよい。
【0028】
同様に、パワーモジュール17-1では、第1誘電体2cの浮遊容量は、第2誘電体2dの浮遊容量と異なる。具体的には、第1誘電体2cの浮遊容量は、第2誘電体2dの浮遊容量より高い。第1誘電体2cの浮遊容量は、第1誘電体2cによって入力部A及び入力部Bの間に形成される浮遊容量と解釈してよい。第1誘電体2cの浮遊容量は、第2誘電体2dによって第2ヒートシンク4及び出力部Oの間に形成される浮遊容量と解釈してよい。
【0029】
図5は、第1実施形態にかかるパワーモジュールを備えたモータ駆動回路の動作を説明するための図である。
図5に示す通り、入力部Aと入力部Bの間にはコンデンサCxが形成されている。コンデンサCxが形成されているモータ駆動回路10のスイッチング素子がスイッチング動作することで、直流電源11から供給される直流電圧は、交流電圧に変換されて、交流モータ15に印加される。
【0030】
ここで、コンデンサCxのインピーダンスは、高周波領域で低い値となる。またコンデンサCxを形成する第1誘電体1c及び第1誘電体2cの浮遊容量は、第2誘電体1d及び第2誘電体2dの浮遊容量より高いため、入力部Aと入力部Bの間には、高周波ノイズであるノーマルモードノイズの経路が形成される。つまり、コンデンサCxは、高周波ノイズを入力部Aから入力部Bにバイパスする経路、又は、高周波ノイズを入力部Bから入力部Aにバイパスする経路となる。
【0031】
これによりスイッチング素子で発生したノーマルモードノイズの一部は、破線の矢印で示すように、コンデンサCxに流れ込むことでパワーモジュール17-1内に回収される。パワーモジュール17-1内に回収したノーマルモードノイズは、パワーモジュール17-1内の抵抗成分により減衰する。
【0032】
従って、ノイズ対策部品として物理的なXコンデンサを追加することなく、ノーマルモードノイズを抑制することができる。その結果、インバータ13の周辺機器の誤動作を抑制することができる。また、物理的なXコンデンサが不要になるため、モータ駆動回路10の構成が簡素化され、モータ駆動回路10の製造時における歩留まりが向上し得る。またモータ駆動回路10の構成が簡素化されることで、モータ駆動回路10の信頼性が向上し得る。
【0033】
(第2実施形態)
第2実施形態は、基本的な構成は第1実施形態と同様であるため、相違点について以下に説明する。第1実施形態と同じ符号は、同一の構成を示すものであって、先行する説明を参照する。
【0034】
図6は、本開示の第2実施形態にかかるパワーモジュールの構成図である。第2実施形態にかかるパワーモジュール17-2は、第1実施形態の構成に加え第3ヒートシンク5を備える。第3ヒートシンク5は、第1パワーカード1及び第2パワーカード2の間に設けられる冷却部材である。より具体的には、第3ヒートシンクは、上アームスイッチング素子1a及び下アームスイッチング素子2aの間に設けられる冷却部材である。
【0035】
次に
図7及び
図8を参照して第2実施形態にかかるパワーモジュールの内部構成について説明する。
図7は、第2実施形態にかかるパワーモジュールの等価回路を示す図である。
図8は、第2実施形態にかかるパワーモジュールの断面図である。
【0036】
図8に示すように、第3ヒートシンク5は、第1誘電体1c及び第1誘電体2cの間に設けられている。第3ヒートシンク5は、上アームスイッチング素子1aと下アームスイッチング素子2aの間に設けられている冷却部材と解釈してよい。第3ヒートシンク5は、アルミニウム、金属などの導電性を有する材料で構成される。
【0037】
第1誘電体1cは、上アームスイッチング素子1aと、第3ヒートシンク5との間に設けられている。第1誘電体2cは、下アームスイッチング素子2aと、第3ヒートシンク5との間に設けられている。
【0038】
パワーモジュール17-2では、第1誘電体1cの浮遊容量が、第2誘電体1dの浮遊容量より高い。第1誘電体1cの浮遊容量は、第1誘電体1cによって第3ヒートシンク5及び入力部Aの間に形成される浮遊容量と解釈してよい。同様に、パワーモジュール17-2では、第1誘電体2cの浮遊容量は、第2誘電体2dの浮遊容量より高い。第1誘電体2cの浮遊容量は、第1誘電体2cによって第3ヒートシンク5及び入力部Bの間に形成される浮遊容量と解釈してよい。
【0039】
これらの浮遊容量は、前述した(1)式により規定されてよい。またこれらの浮遊容量により、
図7に示すように、入力部A及びグランド(GND)間にコンデンサCyが形成され、さらに入力部B及びグランド間にコンデンサCyが形成される。これらのコンデンサCyは、擬似的なYコンデンサと解釈してよい。擬似的なYコンデンサは、物理的なYコンデンサとは異なるコンデンサと解釈してよい。擬似的とは、物理的なYコンデンサとは無関係に、パワーモジュール17-2が有する誘電体により形成される静電容量によって、物理的なYコンデンサと同等の機能が発生する状態と解釈してよい。Yコンデンサは、コモンモードノイズを抑制するライン・バイパス・コンデンサと解釈してよい。
【0040】
図9は、第2実施形態にかかるパワーモジュールを備えたモータ駆動回路の動作を説明するための図である。
図9に示す通り、入力部A及びグランド間にコンデンサCyが形成されている。また入力部B及びグランド間にコンデンサCyが形成される。コンデンサCyが形成されているモータ駆動回路10のスイッチング素子がスイッチング動作することで、直流電源11から供給される直流電圧は、交流電圧に変換されて、交流モータ15に印加される。
【0041】
ここで、コンデンサCyのインピーダンスは、高周波領域で低い値となる。また前述の通り、コンデンサCyを形成する第1誘電体1c及び第1誘電体2cの浮遊容量は、第2誘電体1d及び第2誘電体2dの浮遊容量より高いため、入力部A及びグランド間には、高周波ノイズであるコモンモードノイズの経路が形成される。さらに入力部B及びグランド間にもコモンモードノイズの経路が形成される。つまり、コンデンサCyは、高周波ノイズを、グランドから入力部Aにバイパスする経路、又は、グランドから入力部Bにバイパスする経路となる。なお、グランドは、ヒートシンクの接地電位と解釈してよく、インバータ13の筐体の接地電位と解釈してもよい。
【0042】
これにより、インバータ13の駆動時に、交流モータ15の浮遊容量Caを介して、インバータ13の筐体、ヒートシンクなどに伝達するコモンモードノイズの一部は、破線の矢印で示すように、コンデンサCyに流れ込むことで、パワーモジュール17-2内に回収される。パワーモジュール17-2内に回収したコモンモードノイズは、パワーモジュール17-2内の抵抗成分により減衰する。
【0043】
従って、ノイズ対策部品として物理的なYコンデンサを追加することなく、コモンモードノイズを抑制することができる。その結果、インバータ13の周辺機器の誤動作を抑制することができる。
【0044】
また、物理的なYコンデンサが不要になるため、モータ駆動回路10の構成が簡素化され、モータ駆動回路10の製造時における歩留まりが向上し得る。またモータ駆動回路10の構成が簡素化されることで、モータ駆動回路10の信頼性が向上し得る。
【0045】
また、パワーモジュールの冷却性を高めるためにパワーモジュールとヒートシンクを近接させた場合、パワーモジュールとヒートシンクの間に浮遊容量が発生し、コモンモードノイズの伝搬経路になり得る。パワーモジュール17-2ではこのようなコモンモードノイズを効果に抑制し得る。
【0046】
(第3実施形態)
第3実施形態は、基本的な構成は第1実施形態と同様であるため、相違点について以下に説明する。第1実施形態と同じ符号は、同一の構成を示すものであって、先行する説明を参照する。
【0047】
図10は、本開示の第3実施形態にかかるパワーモジュールの構成図である。第3実施形態にかかるパワーモジュール17-3は、上下面を反転した第1パワーカード1を備える。また、パワーモジュール17-3の第1パワーカード1及び第2パワーカード2は、それぞれの入力部A及び出力部Oの位置が第1実施形態と異なる。
【0048】
次に
図11及び
図12を参照して第3実施形態にかかるパワーモジュールの内部構成について説明する。
図11は、第3実施形態にかかるパワーモジュールの等価回路を示す図である。
図12は、第3実施形態にかかるパワーモジュールの断面図である。
【0049】
図12に示すように、第1誘電体1c及び第1誘電体2cは、上アームスイッチング素子1aの出力部Oと、下アームスイッチング素子2aの入力部Bとの間に設けられている。具体的には、第1誘電体1cは、上アームスイッチング素子1aの出力部Oと、第2パワーカード2との間に設けられている。また、第1誘電体2cは、下アームスイッチング素子2aの入力部Bと、第1パワーカード1との間に設けられている。
【0050】
パワーモジュール17-3では、第1実施形態と同様に、第1誘電体1cの浮遊容量が、第2誘電体1dの浮遊容量より高い。第1誘電体1cの浮遊容量は、第1誘電体1cによって第1パワーカード1の出力部Oと、第2パワーカード2の入力部Bとの間に形成される浮遊容量と解釈してよい。第1誘電体1cの浮遊容量は、第1誘電体1cによって第1パワーカード1のエミッタE1と、第2パワーカード2のエミッタE2との間に形成される浮遊容量と解釈してもよい。
【0051】
この浮遊容量は、前述した(1)式により規定されてよい。この浮遊容量により、
図11に示すように、出力部Oとグランド間にコンデンサC1が形成される。コンデンサC1は、擬似的なスナバコンデンサと解釈してよい。擬似的なスナバコンデンサは、物理的なスナバコンデンサとは異なるコンデンサと解釈してよい。
【0052】
擬似的とは、パワーモジュール17-3が有する誘電体により形成される静電容量によって、物理的なスナバコンデンサと同等の機能が発生する状態と解釈してよい。スナバコンデンサは、スイッチング素子のオンオフが切り替わる際に発生する高周波ノイズを吸収するためのコンデンサと解釈してよい。
【0053】
図13は、第3実施形態にかかるパワーモジュールを備えたモータ駆動回路の動作を説明するための図である。
図13に示す通り、出力部Oとグランド間にコンデンサC1が形成されている。コンデンサC1が形成されているモータ駆動回路10のスイッチング素子がスイッチング動作することで、直流電源11から供給される直流電圧は、交流電圧に変換されて、交流モータ15に印加される。
【0054】
ここで、コンデンサC1を形成する第1誘電体1c及び第1誘電体2cの浮遊容量は、第2誘電体1d及び第2誘電体2dの浮遊容量より高いため、出力部Oとグランド間には、高周波ノイズの経路が形成される。つまりコンデンサC1は、高周波ノイズを出力部Oとグランド間にバイパスする経路となる。
【0055】
これによりスイッチング素子で発生したノイズの一部は、破線の矢印で示すように、コンデンサC1に流れ込むことでパワーモジュール17-3内に回収される。パワーモジュール17-3内に回収したノイズは、パワーモジュール17-3内で減衰する。また高周波ノイズを吸収したコンデンサC1の損失により、高周波ノイズが減衰する。
【0056】
従って、ノイズ対策部品として物理的なスナバコンデンサを追加することなく、スイッチング素子の動作時に発生したノイズを抑制することができる。その結果、インバータ13の周辺機器の誤動作を抑制することができる。
【0057】
また、物理的なスナバコンデンサが不要になるため、モータ駆動回路10の構成が簡素化され、モータ駆動回路10の製造時における歩留まりが向上し得る。またモータ駆動回路10の構成が簡素化されることで、モータ駆動回路10の信頼性が向上し得る。
【0058】
また物理的なスナバコンデンサをインバータ13に設けた場合、当該スナバコンデンサがインバータ13の熱抵抗となり得るため、スナバコンデンサの放熱対策が必要になり得る。パワーモジュール17-3に擬似的なスナバコンデンサを設けることで、パワーモジュール17-3のヒートシンクで放熱できるため、物理的なスナバコンデンサ用の熱対策が不要になり、モータ駆動回路10の構成を簡素化し得る。
【0059】
なおコンデンサC1は、上アームスイッチング素子1aに形成してもよい。つまり、コンデンサC1は、上アームスイッチング素子1aを備える第1パワーカード1の入力部A及び出力部Oの間に設けてもよい。
【0060】
(第4実施形態)
第4実施形態は、基本的な構成は第1実施形態と同様であるため、相違点について以下に説明する。第1実施形態と同じ符号は、同一の構成を示すものであって、先行する説明を参照する。
図14は、本開示の第4実施形態にかかるパワーモジュールの構成図である。第4実施形態にかかるパワーモジュール17-4は、上下面を反転した第1パワーカード1と、上下面を反転した第2パワーカード2とを備える。
【0061】
次に
図15及び
図16を参照して第4実施形態にかかるパワーモジュールの内部構成について説明する。
図15は、第4実施形態にかかるパワーモジュールの等価回路を示す図である。
図16は、第4実施形態にかかるパワーモジュールの断面図である。
【0062】
第1実施形態と異なる点は、第2誘電体1dが、第1ヒートシンク3と上アームスイッチング素子1aの入力部Aとの間に設けられ、さらに、第2誘電体2dが、第2ヒートシンク4と下アームスイッチング素子2aの入力部Bとの間に設けられていることである。
【0063】
また第1実施形態と異なる点は、第4実施形態にかかるパワーモジュール17-4では、第2誘電体1dの浮遊容量が第1誘電体1cの浮遊容量より高く、さらに、第2誘電体2dの浮遊容量が第1誘電体2cの浮遊容量より高いことである。
【0064】
この浮遊容量は、前述した(1)式により規定されてよい。この浮遊容量により、
図16に示すように、第1ヒートシンク3及び入力部Aの間にコンデンサCyが形成され、第2ヒートシンク4及び入力部Bの間にコンデンサCyが形成される。これらのコンデンサCyは、第2実施形態と同様に擬似的なYコンデンサと解釈してよい。
【0065】
このようにパワーモジュール17-4によれば、第3ヒートシンク5を備えていない場合でも、第1ヒートシンク3及び第2ヒートシンク4を利用して擬似的なYコンデンサが形成される。従って、第2実施形態と同様の効果を得ることができると共に、モータ駆動回路10の構成を簡素化することができる。またモータ駆動回路10の構成が簡素化されることで、モータ駆動回路10の信頼性が向上し得る。
【0066】
(第5実施形態)
第5実施形態は、基本的な構成は第1実施形態と同様であるため、相違点について以下に説明する。第1実施形態と同じ符号は、同一の構成を示すものであって、先行する説明を参照する。
【0067】
図17は、第5実施形態にかかるパワーモジュールの断面図である。第1実施形態と異なる点は、第5実施形態にかかるパワーモジュール17-5では、上アームスイッチング素子1a及び下アームスイッチング素子2aの配列方向における第1誘電体の厚みが、当該配列方向における第2誘電体の厚みより薄いことである。
【0068】
具体的には、第1誘電体1cの厚みは、当該配列方向における第2誘電体1dの厚みより薄い。また第1誘電体2cの厚みは、当該配列方向における第2誘電体2dの厚みより薄い。
【0069】
より具体的には、第1誘電体1c及び第2誘電体1dの上アームスイッチング素子1a側の面の表面積が互いに等しく、第1誘電体1c及び第2誘電体1dの比誘電率εSが互いに等しい場合において、第1誘電体1cの厚みは、第2誘電体1dの厚みより薄い。
【0070】
また、第1誘電体2c及び第2誘電体2dの下アームスイッチング素子2a側の面の表面積が互いに等しく、かつ、第1誘電体2c及び第2誘電体2dの比誘電率εSが互いに等しい場合において、第1誘電体2cの厚みは、第2誘電体2dの厚みより薄い。
【0071】
前述した(1)式に示すように、誘電体の浮遊容量(C)は「C=ε0εSS/d」により規定されるため、第1誘電体1cの厚み(d)が薄くなるほど、第1誘電体1cの浮遊容量(C)は大きくなる。第1誘電体2cも同様である。
【0072】
このように、第1誘電体1c及び第1誘電体2cの厚みを薄くすることで、パワーモジュール17-5では、
図17に示すように、入力部Aと入力部Bの間にコンデンサCxが形成される。コンデンサCxは、擬似的なXコンデンサと解釈してよい。
【0073】
このようにコンデンサCxを設けることにより、スイッチング素子で発生したノーマルモードノイズの一部が、コンデンサCxに流れ込むことでパワーモジュール17-5内に回収される。パワーモジュール17-5内に回収したノーマルモードノイズは、パワーモジュール17-5内の抵抗成分により減衰する。
【0074】
従って、ノイズ対策部品として物理的なXコンデンサを追加することなく、ノーマルモードノイズを抑制することができる。その結果、インバータ13の周辺機器の誤動作を抑制することができる。また、物理的なXコンデンサが不要になるため、モータ駆動回路10の構成が簡素化され、モータ駆動回路10の製造時における歩留まりが向上し得る。またモータ駆動回路10の構成が簡素化されることで、モータ駆動回路10の信頼性が向上し得る。
【0075】
また、パワーモジュール17-5では、第1誘電体2cの厚みを、第2誘電体2dの厚みと異ならせることで、擬似的なXコンデンサを設けることができる。このため、特定の比誘電率εSを有する材料を用いて、第1誘電体1c、第1誘電体2c、第2誘電体1d、及び第2誘電体2dを設ける場合に特に有用である。
【0076】
(第6実施形態)
第6実施形態は、基本的な構成は第2実施形態と同様であるため、相違点について以下に説明する。第2実施形態と同じ符号は、同一の構成を示すものであって、先行する説明を参照する。
【0077】
図18は、第6実施形態にかかるパワーモジュールの断面図である。第2実施形態と異なる点は、第6実施形態にかかるパワーモジュール17-6では、上アームスイッチング素子1a又は下アームスイッチング素子2aと対向する第1誘電体の表面積が、上アームスイッチング素子1a又は下アームスイッチング素子2aと対向する第2誘電体の表面積よりも広いことである。
【0078】
具体的には、第1誘電体1cの対向面1c1には、第1誘電体1cを平面視して、凹凸部1c2が形成されている。対向面1c1は、第1誘電体1cの表面の内、上アームスイッチング素子1aと対向する面と解釈してよく、入力部Aと対向する面と解釈してもよい。凹凸部1c2は、第1誘電体1cに複数の溝を形成することで構成してよく、第1誘電体1cに複数の突起を形成することにより構成してもよい。
【0079】
同様に、第1誘電体2cの対向面2c1には、第1誘電体2cを平面視して、凹凸部2c2が形成されている。対向面2c1は、第1誘電体2cの表面の内、下アームスイッチング素子2aと対向する面と解釈してよく、入力部Bと対向する面と解釈してもよい。凹凸部2c2は、第1誘電体2cに複数の溝を形成することで構成してよく、第1誘電体2cに複数の突起を形成することにより構成してもよい。
【0080】
なお、第1誘電体1cには、第3ヒートシンク5と対向する対向面に、凹凸部を形成してもよい。同様に、第1誘電体2cには、第3ヒートシンク5と対向する対向面に、凹凸部を形成してもよい。
【0081】
前述した(1)式に示すように、誘電体の浮遊容量(C)は「C=ε0εSS/d」により規定されるため、第1誘電体1cの対向面1c1の面積(S)が広くなるほど、第1誘電体1cの浮遊容量(C)は大きくなる。第1誘電体2cも同様である。
【0082】
このように、第1誘電体1cの対向面1c1及び第1誘電体2cの対向面2c1の面積を広くすることで、パワーモジュール17-6では、
図18に示すコンデンサCyの容量を大きくすることができる。従って、第2実施形態と同様の効果を得ることができ、さらに、コモンモードノイズによる周辺機器への影響をより一層軽減し得る。
【0083】
また、第1誘電体1c及び第1誘電体2cの凹凸形状を変更、つまり第1誘電体1c及び第1誘電体2cの面積を調整することで、コモンモードノイズの周波数帯に応じて、最適な浮遊容量を設定することができる。従って、パワーモジュール17-6を様々な機器に適用することができる。
【0084】
(第7実施形態)
第7実施形態は、基本的な構成は第3実施形態と同様であるため、相違点について以下に説明する。第3実施形態と同じ符号は、同一の構成を示すものであって、先行する説明を参照する。
【0085】
図19は、第7実施形態にかかるパワーモジュールの等価回路を示す図である。
図20は、第7実施形態にかかるパワーモジュールの断面図である。第3実施形態と異なる点は、第7実施形態にかかるパワーモジュール17-7では、スナバコンデンサであるコンデンサC1に、擬似的な抵抗Rが直列接続されていることである。
【0086】
図20に示すように、擬似的な抵抗Rは、上アームスイッチング素子1aと下アームスイッチング素子2aの間に設けられる導電部材6により形成される。擬似的な抵抗Rは、物理的なスナバ抵抗とは異なる抵抗と解釈してよい。
【0087】
擬似的とは、パワーモジュール17-3が有する誘電体により形成される静電容量によって、物理的なスナバ抵抗と同等の機能が発生する状態と解釈してよい。スナバ抵抗は、スイッチング素子のオンオフが切り替わる際に発生する高周波ノイズを吸収するための抵抗と解釈してよい。
【0088】
導電部材6は、第1誘電体1c及び第1誘電体2cに隣接して設けられている。具体的には、導電部材6は、第1誘電体1c及び第1誘電体2cの間に設けられている。導電部材6の導電率は、入力部A、入力部B、又は出力部Oの導電率よりも低い。具体的には、入力部A、入力部B、又は出力部Oの材料は、銅、金、銀などを例示できる。導電部材6の材料は、青銅、クロム、ステンレス、鉛などを例示できる。
【0089】
第7実施形態にかかるパワーモジュール17-7によれば、スイッチング素子で発生したノイズの一部が、コンデンサC1及び抵抗Rに流れ込むことでパワーモジュール17-7内に回収され、抵抗Rによりパワーモジュール17-7内で減衰する。抵抗Rの損失により、高周波ノイズが減衰する。
【0090】
従って、ノイズ対策部品として物理的なスナバ抵抗を追加することなく、スイッチング素子の動作時に発生したノイズを抑制することができる。その結果、インバータ13の周辺機器の誤動作をより一層抑制することができる。
【0091】
また、物理的なスナバ抵抗が不要になるため、モータ駆動回路10の構成が簡素化され、モータ駆動回路10の製造時における歩留まりが向上し得る。またモータ駆動回路10の構成が簡素化されることで、モータ駆動回路10の信頼性が向上し得る。
【0092】
また物理的なスナバ抵抗をインバータ13に設けた場合、当該スナバ抵抗がインバータ13の熱抵抗となり得るため、スナバ抵抗の放熱対策が必要になり得る。パワーモジュール17-7に擬似的な抵抗Rを設けることで、パワーモジュール17-7のヒートシンクで放熱できるため、物理的なスナバ抵抗用の熱対策が不要になり、モータ駆動回路10の構成を簡素化し得る。
【0093】
なお本開示では、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)である上アームスイッチング素子1a及び下アームスイッチング素子2aを例示したが、上アームスイッチング素子1a及び下アームスイッチング素子2aはIGBT以外のトランジスタでもよい。
【0094】
なお上記の各実施形態にかかるパワーモジュールは、スイッチング速度が比較的高いインバータ、例えばEV(Electric Vehicle)、鉄道車両などに設けられているインバータに適用可能である。また、上記の各実施形態にかかるパワーモジュールは、インバータ以外の電力変換装置、例えば昇降圧コンバータ、順方向放電コンバータ(FDC:Forward Discharge Converter)などにも適用可能である。
【0095】
なお上記の各実施形態にかかるパワーモジュールは、複数のパワーカードを積層した構造に限定されるものではない。例えば、各パワーカードが備えている誘電体、スイッチング素子が、1または複数の平面上に設けられている構造を、上記の各実施形態にかかるパワーモジュールに適用可能である。
【0096】
<付記>
本発明の特徴を以下の通り示す。
(付記1)
上アームスイッチング素子(1a)と、下アームスイッチング素子(2a)と、前記上アームスイッチング素子及び前記下アームスイッチング素子の間に設けられる第1誘電体(1c、2c)と、前記上アームスイッチング素子及び前記下アームスイッチング素子の間以外の箇所に設けられる第2誘電体(1d、2d)と、を備え、前記第1誘電体の浮遊容量は、前記第2誘電体の浮遊容量と異なる、パワーモジュール(17-1)。
(付記2)
前記第1誘電体の浮遊容量は、前記第2誘電体の浮遊容量より高い、付記1に記載のパワーモジュール。
(付記3)
前記第2誘電体は、前記上アームスイッチング素子又は前記下アームスイッチング素子の前記第1誘電体側の面とは反対側の面に設けられている冷却部材(3、4)と、前記上アームスイッチング素子又は前記下アームスイッチング素子との間に設けられている、付記1又は2に記載のパワーモジュール。
(付記4)
前記上アームスイッチング素子と前記下アームスイッチング素子の間には冷却部材(5)が設けられ、前記第1誘電体は、前記上アームスイッチング素子又は前記下アームスイッチング素子と、前記冷却部材との間に設けられている、付記1から3の何れ一つに記載のパワーモジュール。
(付記5)
前記第2誘電体の浮遊容量は、前記第1誘電体の浮遊容量より高い、付記1から4の何れ一つに記載のパワーモジュール。
(付記6)
前記第2誘電体は、前記上アームスイッチング素子又は前記下アームスイッチング素子の前記第1誘電体側の面とは反対側の面に設けられている冷却部材(3、4)と、前記上アームスイッチング素子又は前記下アームスイッチング素子との間に設けられている、付記1から5の何れ一つに記載のパワーモジュール。
(付記7)
前記上アームスイッチング素子及び前記下アームスイッチング素子の配列方向における前記第1誘電体の厚みは、前記配列方向における前記第2誘電体の厚みより薄い、付記1から6の何れ一つに記載のパワーモジュール。
(付記8)
前記上アームスイッチング素子又は前記下アームスイッチング素子と対向する前記第1誘電体の表面積は、前記上アームスイッチング素子又は前記下アームスイッチング素子と対向する前記第2誘電体の表面積よりも広い、付記1から7の何れ一つに記載のパワーモジュール。
(付記9)
前記上アームスイッチング素子又は前記下アームスイッチング素子と対向する前記第1誘電体の表面は、前記第1誘電体を平面視して、凹凸部(1c2、2c2)を有する、付記1から8の何れ一つに記載のパワーモジュール。
(付記10)
前記第1誘電体は、前記上アームスイッチング素子から電力を出力する出力部(O)と、前記下アームスイッチング素子に電力を入力する入力部(A、B)との間に設けられている、付記1から9の何れ一つに記載のパワーモジュール。
(付記11)
前記第1誘電体に隣接して設けられて導電部材(6)を有し、前記導電部材の導電率は、前記入力部又は前記出力部の導電率よりも低い、付記1から10の何れ一つに記載のパワーモジュール。
【0097】
以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明は、上記に限定されるものでなく、上記以外にも、その主旨を逸脱しない範囲内において種々変形して実施可能であることは勿論である。
【符号の説明】
【0098】
1 第1パワーカード、1a 上アームスイッチング素子、1b 筐体、1c 第1誘電体、1c1 対向面、1c2 凹凸部、1d 第2誘電体、2 第2パワーカード、2a 下アームスイッチング素子、2b 筐体、2c 第1誘電体、2c2 凹凸部、2c1 対向面、2d 第2誘電体、3 第1ヒートシンク、4 第2ヒートシンク、5 第3ヒートシンク、6 導電部材、10 モータ駆動回路、11 直流電源、12 電源インピーダンス安定化回路網、13 インバータ、15 交流モータ、16 平滑コンデンサ、17-1 パワーモジュール、17-2 パワーモジュール、17-3 パワーモジュール、17-4 パワーモジュール、17-5 パワーモジュール、17-6 パワーモジュール、17-7 パワーモジュール。