特開 2024-166082 電子部品及び電子部品内蔵基板

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024166082

(43)【公開日】2024-11-28

(54)【発明の名称】電子部品及び電子部品内蔵基板

(51)【国際特許分類】

   H01G 4/30 20060101AFI20241121BHJP

   H01G 2/06 20060101ALI20241121BHJP

【ＦＩ】

H01G4/30 201G

H01G4/30 201F

H01G2/06 501

H01G4/30 513

H01G4/30 516

【審査請求】未請求

【請求項の数】43

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2024042369

(22)【出願日】2024-03-18

(31)【優先権主張番号】10-2023-0064260

(32)【優先日】2023-05-18

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

(71)【出願人】

【識別番号】594023722

【氏名又は名称】サムソン エレクトロ－メカニックス カンパニーリミテッド．

(74)【代理人】

【識別番号】110000877

【氏名又は名称】弁理士法人ＲＹＵＫＡ国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】ジュン、ホ イン

(72)【発明者】

【氏名】ノー、エオン ジュ

(72)【発明者】

【氏名】セオ、ミュン ドゥク

(72)【発明者】

【氏名】キム、キョン ジュン

(72)【発明者】

【氏名】キム、キョ シク

(72)【発明者】

【氏名】リー、ダ ジョン

【テーマコード（参考）】

5E001

5E082

【Ｆターム（参考）】

5E001AB03

5E001AC09

5E001AE02

5E001AE03

5E001AF06

5E001AH03

5E001AJ03

5E082AA01

5E082AB03

5E082EE04

5E082EE23

5E082EE35

5E082FF05

5E082FG04

5E082FG26

5E082GG10

5E082GG11

5E082JJ03

5E082JJ12

(57)【要約】      （修正有）

【課題】回路基板に内蔵する際に、回路パターンとの連結性を向上する電子部品及び電子部品内蔵基板を提供する。
【解決手段】電子部品は、誘電体層１１１及び内部電極１２１、１２２を含む本体１１０及び本体に配置されて内部電極と連結され、低反射層１３１、１４１を含む外部電極１３０、１４０を含み、低反射層の表面の明度は、本体の表面の明度よりも低い。低反射層の表面のイメージで測定されたＨＳＶの明度値は４５％以下であり、該低反射層の表面の明度と本体の表面の明度は、同じ光源から照射された白色光が反射した光の強度を測定することで得られる。
【選択図】図２

【特許請求の範囲】

【請求項1】

誘電体層及び内部電極を含む本体と、
前記本体に配置されて前記内部電極と連結され、低反射層を含む外部電極と、を含み、
前記低反射層の表面の明度は前記本体の表面の明度よりも低い、電子部品。

【請求項2】

前記低反射層の表面のイメージで測定されたＨＳＶの明度値が４５％以下である、請求項１に記載の電子部品。

【請求項3】

前記低反射層の表面の明度と前記本体の表面の明度は、同じ光源から照射された白色光が反射された光の強度を測定して得られた、請求項１に記載の電子部品。

【請求項4】

前記誘電体層及び内部電極が積層される方向を第１方向とするとき、前記本体は前記第１方向に対向する第１面及び第２面を含み、
前記外部電極の一部は前記本体の第１面をカバーする、請求項３に記載の電子部品。

【請求項5】

前記本体の表面の明度は前記本体の第１面で測定され、前記低反射層の表面の明度は前記本体の第１面をカバーする領域の表面で測定された、請求項４に記載の電子部品。

【請求項6】

前記低反射層における前記本体の第１面をカバーする領域の厚さは５μｍ以上である、請求項４に記載の電子部品。

【請求項7】

前記低反射層はＮｉを含むめっき層を含む、請求項１に記載の電子部品。

【請求項8】

前記低反射層はＮｉ－Ｚｎ系物質を含む、請求項７に記載の電子部品。

【請求項9】

前記Ｎｉ－Ｚｎ系物質はＳをさらに含む、請求項８に記載の電子部品。

【請求項10】

前記めっき層は針状粒子を含む、請求項７に記載の電子部品。

【請求項11】

前記針状粒子は、Ｎａ及びＣｌのうち少なくとも一つを含む、請求項１０に記載の電子部品。

【請求項12】

前記低反射層は、金属粒子及び前記金属粒子の表面に形成された酸化膜を含む、請求項１に記載の電子部品。

【請求項13】

前記金属粒子はＮｉを含み、前記酸化膜はＮｉ_２Ｏ_３を含む、請求項１２に記載の電子部品。

【請求項14】

前記低反射層は、前記金属粒子が分散された絶縁体をさらに含む、請求項１２に記載の電子部品。

【請求項15】

前記低反射層のうち少なくとも一部の領域で前記酸化膜の一部が除去されて前記金属粒子が露出した、請求項１２に記載の電子部品。

【請求項16】

前記低反射層はＮｉスパッタリング層を含む、請求項１に記載の電子部品。

【請求項17】

前記低反射層はＮｉ－Ｚｎ合金を含む、請求項１６に記載の電子部品。

【請求項18】

前記低反射層は前記外部電極の最外側に配置された、請求項１に記載の電子部品。

【請求項19】

前記低反射層は前記内部電極と直接連結された、請求項１に記載の電子部品。

【請求項20】

前記外部電極は、前記本体と前記低反射層との間に配置されたベース層をさらに含む、請求項１に記載の電子部品。

【請求項21】

前記ベース層はＰｄ及びＣｕのうち少なくとも一つを含む、請求項２０に記載の電子部品。

【請求項22】

前記誘電体層及び内部電極が積層される方向を第１方向とするとき、前記本体は、前記第１方向に対向する第１面及び第２面と、前記第１面及び第２面の間に位置して第２方向に対向する第３面及び第４面と、前記第１面及び第２面の間に位置して第３方向に対向する第５面及び第６面とを含み、
前記内部電極は、互いに交互に配置された第１及び第２内部電極を含み、
前記外部電極は、前記第１及び第２内部電極とそれぞれ連結された第１及び第２外部電極を含む、請求項１に記載の電子部品。

【請求項23】

前記第１及び第２内部電極は前記本体の第３及び第４面にそれぞれ延長され、
前記第１及び第２外部電極は前記本体の第３面及び第４面をそれぞれカバーする、請求項２２に記載の電子部品。

【請求項24】

前記第１及び第２内部電極は前記本体の第５及び第６面にそれぞれ延長され、
前記第１及び第２外部電極は前記本体の第５面及び第６面をそれぞれカバーし、
前記本体の第２方向の長さは前記第３方向の長さよりも長い、請求項２２に記載の電子部品。

【請求項25】

前記第１内部電極は前記本体の第３面及び第４面に延長され、前記第２内部電極は前記本体の第３面及び第４面に延長され、
前記第１及び第２外部電極は、前記本体の第３面及び第４面に前記第３方向に沿って交互に配置された、請求項２２に記載の電子部品。

【請求項26】

前記第１内部電極は前記本体の第１面に延長され、前記第２内部電極は前記本体の第１面に延長され、
前記第１及び第２外部電極は前記本体の第１面をカバーする、請求項２２に記載の電子部品。

【請求項27】

前記第１外部電極は複数個備えられ、前記第３方向を基準として、前記第２外部電極は前記複数の第１外部電極の間に配置された、請求項２６に記載の電子部品。

【請求項28】

前記第１及び第２外部電極は、前記本体の第２面には形成されない、請求項２６に記載の電子部品。

【請求項29】

前記第１及び第２外部電極は、前記本体の第５面及び第６面には形成されない、請求項２８に記載の電子部品。

【請求項30】

前記第１内部電極は前記本体の第５面及び第６面に延長され、前記第２内部電極は前記本体の第３面及び第４面に延長され、
前記第１外部電極は前記本体の第５面及び第６面をカバーし、前記第２外部電極は前記本体の第３面及び第４面をカバーする、請求項２２に記載の電子部品。

【請求項31】

誘電体層及び内部電極を含む本体と、
前記本体に配置されて前記内部電極と連結され、低反射層を含む外部電極と、を含み、
前記低反射層の表面のイメージで測定されたＨＳＶの明度値は４５％以下である、電子部品。

【請求項32】

前記低反射層はＮｉを含むめっき層を含む、請求項３１に記載の電子部品。

【請求項33】

前記低反射層はＮｉ－Ｚｎ系物質を含む、請求項３２に記載の電子部品。

【請求項34】

前記Ｎｉ－Ｚｎ系物質はＳをさらに含む、請求項３３に記載の電子部品。

【請求項35】

前記めっき層は針状粒子を含む、請求項３２に記載の電子部品。

【請求項36】

前記針状粒子は、Ｎａ及びＣｌのうち少なくとも一つを含む、請求項３５に記載の電子部品。

【請求項37】

前記低反射層は、金属粒子及び前記金属粒子の表面に形成された酸化膜を含む、請求項３１に記載の電子部品。

【請求項38】

前記金属粒子はＮｉを含み、前記酸化膜はＮｉ_２Ｏ_３を含む、請求項３７に記載の電子部品。

【請求項39】

前記低反射層は、前記金属粒子が分散された絶縁体をさらに含む、請求項３７に記載の電子部品。

【請求項40】

前記低反射層のうち少なくとも一部の領域で前記酸化膜の一部が除去されて前記金属粒子が露出した、請求項３７に記載の電子部品。

【請求項41】

前記低反射層はＮｉスパッタリング層を含む、請求項３１に記載の電子部品。

【請求項42】

前記低反射層はＮｉ－Ｚｎ合金を含む、請求項４１に記載の電子部品。

【請求項43】

絶縁層と、
回路層と、
前記回路層と連結された電子部品と、を含み、
前記電子部品は、誘電体層及び内部電極を含む本体、並びに前記本体に配置されて前記内部電極と連結され、低反射層を含む外部電極を含み、前記低反射層の表面の明度は、前記本体の表面の明度よりも低い、電子部品内蔵基板。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、電子部品及び電子部品内蔵基板に関する。

【背景技術】

【0002】

キャパシタは受動電子部品の一種であり、電気を蓄えることができる素子に該当する。キャパシタの場合、基本的に２つの電極を対向させ、電圧を印加すると、各電極に電気を蓄積することができる。直流電圧を印加した場合には、電気が蓄積しつつキャパシタの内部に電流が流れるが、蓄積が完了すると、電流は流れなくなる。一方、交流電圧を印加した場合、電極の極性が交番しながら交流電流が流れるようになる。

【0003】

このようなキャパシタは、電極間に備えられる絶縁体の種類に応じて、アルミニウムで電極を構成し、上記アルミニウム電極の間に薄い酸化膜を備えるアルミニウム電解キャパシタ、電極材料としてタンタルを使用するタンタルキャパシタ、電極の間にチタンバリウムのような高誘電率の誘電体を使用するセラミックキャパシタ、電極の間に備えられる誘電体として高誘電率系セラミックを多層構造にして使用する積層セラミックキャパシタ（Ｍｕｌｔｉ－Ｌａｙｅｒ Ｃｅｒａｍｉｃ Ｃａｐａｃｉｔｏｒ、ＭＬＣＣ）、電極の間の誘電体としてポリスチレンフィルムを使用するフィルムキャパシタなど、様々な種類に区分することができる。

【0004】

一方、キャパシタなどの電子部品が回路基板に内蔵される場合、電子部品と回路パターンとは導電性ビアを介して連結されることができる。導電性ビアを形成するために、回路基板の絶縁層を貫通するビアホールを形成する場合、ビアホールを精密に形成しないと、回路パターンと電子部品との連結性が低下することがある。例えば、ビアホールが意図した規格に合わないように形成された場合、めっきのシーム（ｓｅａｍ）不良やめっきのディンプル（ｄｉｍｐｌｅ）不良などの問題が発生することがあり、これは電子部品内蔵基板の性能低下につながる可能性がある。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

本発明の目的の一つは、回路基板に内蔵する際に、回路パターンとの連結性を向上することができる電子部品を実現することである。

【0006】

本発明の目的の他の一つは、信頼性が向上した電子部品内蔵基板を実現することである。

【課題を解決するための手段】

【0007】

上述の課題を解決するための方法として、本発明は、一例を通じて電子部品の新規な構造を提案しようとし、具体的には、誘電体層及び内部電極を含む本体及び上記本体に配置されて上記内部電極と連結され、低反射層を含む外部電極を含み、上記低反射層の表面の明度は、上記本体の表面の明度よりも低い形態である。

【0008】

一実施例において、上記低反射層の表面のイメージで測定されたＨＳＶの明度値は４５％以下であることができる。

【0009】

一実施例において、上記低反射層の表面の明度と上記本体の表面の明度は、同じ光源から照射された白色光が反射された光の強度を測定することで得られることができる。

【0010】

一実施例において、上記誘電体層及び内部電極が積層される方向を第１方向とするとき、上記本体は上記第１方向に対向する第１面及び第２面を含み、上記外部電極の一部は上記本体の第１面をカバーすることができる。

【0011】

一実施例において、上記本体の表面の明度は上記本体の第１面で測定され、上記低反射層の表面の明度は上記本体の第１面をカバーする領域の表面で測定されることができる。

【0012】

一実施例において、上記低反射層における上記本体の第１面をカバーする領域の厚さは５μｍ以上であることができる。

【0013】

一実施例において、上記低反射層はＮｉを含むめっき層を含むことができる。

【0014】

一実施例において、上記低反射層はＮｉ－Ｚｎ系物質を含むことができる。

【0015】

一実施例において、上記Ｎｉ－Ｚｎ系物質はＳをさらに含むことができる。

【0016】

一実施例において、上記めっき層は針状粒子を含むことができる。

【0017】

一実施例において、上記針状粒子はＮａ及びＣｌのうち少なくとも一つを含むことができる。

【0018】

一実施例において、上記低反射層は金属粒子及び上記金属粒子の表面に形成された酸化膜を含むことができる。

【0019】

一実施例において、上記金属粒子はＮｉを含み、上記酸化膜はＮｉ_２Ｏ_３を含むことができる。

【0020】

一実施例において、上記低反射層は上記金属粒子が分散された絶縁体をさらに含むことができる。

【0021】

一実施例において、上記低反射層のうち少なくとも一部の領域で上記酸化膜の一部が除去されて上記金属粒子が露出することができる。

【0022】

一実施例において、上記低反射層はＮｉスパッタリング層を含むことができる。

【0023】

一実施例において、上記低反射層はＮｉ－Ｚｎ合金を含むことができる。

【0024】

一実施例において、上記低反射層は上記外部電極の最外側に配置されることができる。

【0025】

一実施例において、上記低反射層は上記内部電極と直接連結されることができる。

【0026】

一実施例において、上記外部電極は、上記本体と上記低反射層との間に配置されたベース層をさらに含むことができる。

【0027】

一実施例において、上記ベース層はＰｄ及びＣｕのうち少なくとも一つを含むことができる。

【0028】

一実施例において、上記誘電体層及び内部電極が積層される方向を第１方向とするとき、上記本体は、上記第１方向に対向する第１面及び第２面と、上記第１面及び第２面の間に位置し、第２方向に対向する第３面及び第４面と、上記第１面及び第２面の間に位置し、第３方向に対向する第５面及び第６面と、を含み、上記内部電極は、互いに交互に配置された第１及び第２内部電極を含み、上記外部電極は、上記第１及び第２内部電極とそれぞれ連結された第１及び第２外部電極を含むことができる。

【0029】

一実施例において、上記第１及び第２内部電極は、上記本体の第３及び第４面にそれぞれ延長され、上記第１及び第２外部電極は、上記本体の第３面及び第４面をそれぞれカバーすることができる。

【0030】

一実施例において、上記第１及び第２内部電極は、上記本体の第５及び第６面にそれぞれ延長され、上記第１及び第２外部電極は、上記本体の第５及び第６面をそれぞれカバーし、上記本体の第２方向の長さは、上記第３方向の長さよりも長くてもよい。

【0031】

一実施例において、上記第１内部電極は、上記本体の第３面及び第４面に延長され、上記第２内部電極は、上記本体の第３面及び第４面に延長され、上記第１及び第２外部電極は、上記本体の第３面及び第４面に上記第３方向に沿って交互に配置されることができる。

【0032】

一実施例において、上記第１内部電極は、上記本体の第１面に延長され、上記第２内部電極は、上記本体の第１面に延長され、上記第１及び第２外部電極は、上記本体の第１面をカバーすることができる。

【0033】

一実施例において、上記第１外部電極は複数個備えられ、上記第３方向を基準として、上記第２外部電極は上記複数の第１外部電極の間に配置されることができる。

【0034】

一実施例において、上記第１及び第２外部電極は、上記本体の第２面には形成されなくてもよい。

【0035】

一実施例において、上記第１及び第２外部電極は上記本体の第５及び第６面に形成されなくてもよい。

【0036】

一実施例において、上記第１内部電極は、上記本体の第５面及び第６面に延長され、上記第２内部電極は、上記本体の第３面及び第４面に延長され、上記第１外部電極は、上記本体の第５面及び第６面をカバーし、上記第２外部電極は、上記本体の第３面及び第４面をカバーすることができる。

【0037】

本発明の他の実施形態に係る電子部品の場合、誘電体層及び内部電極を含む本体、並びに上記本体に配置されて上記内部電極と連結され、低反射層を含む外部電極を含み、上記低反射層の表面のイメージで測定されたＨＳＶの明度値は４５％以下である。

【0038】

一方、本発明の他の側面は、絶縁層と、回路層、及び上記回路層と連結された電子部品を含み、上記電子部品は、誘電体層及び内部電極を含む本体、並びに上記本体に配置されて上記内部電極と連結され、低反射層を含む外部電極を含み、上記低反射層の表面の明度は、上記本体の表面の明度よりも低い電子部品内蔵基板を提供する。

【発明の効果】

【0039】

本発明の一例に係る電子部品は、回路基板に内蔵するときの回路パターンとの連結性に優れることができ、このような電子部品を有する電子部品内蔵基板の信頼性を向上することができる。

【図面の簡単な説明】

【0040】

【図1】本発明の一実施形態に係る電子部品の外観を概略的に示した斜視図である。

【図2】図１のＩ－Ｉ'線に沿った断面図である。

【図3】図１のＩＩ－ＩＩ'線に沿った断面図である。

【図4】図１の電子部品において採用可能な本体を分解して示した分解斜視図である。

【図5】図１の電子部品に白色光が照射される場合の例を示したものである。

【図6】図１の電子部品を一方向から見た平面図である。

【図7】本発明の一実施例及び比較例に係る電子部品に白色光を照射した後の明度を比較したものである。

【図8】図１の電子部品において採用可能な低反射層の一領域を拡大して示したものである。

【図9】図１の電子部品において採用可能な低反射層の一領域を拡大して示したものである。

【図10】図１の電子部品において採用可能な低反射層の一領域を拡大して示したものである。

【図11】変形された形態の外部電極を有する電子部品の断面図である。

【図12】第２形態に係る電子部品の外観を概略的に示した斜視図である。

【図13】図１２の電子部品において採用可能な本体を分解して示した分解斜視図である。

【図14】第３形態に係る電子部品の外観を概略的に示した斜視図である。

【図15】図１４の電子部品において採用可能な本体を分解して示した分解斜視図である。

【図16】第４形態に係る電子部品の外観を概略的に示した斜視図である。

【図17】図１６の電子部品において採用可能な本体を分解して示した分解斜視図である。

【図18】第５形態に係る電子部品の外観を概略的に示した斜視図である。

【図19】図１８の電子部品において採用可能な本体を分解して示した分解斜視図である。

【図20】本発明の一実施形態に係る電子部品内蔵基板を概略的に示した断面図である。

【図21】電子部品内蔵基板においてビアホールを形成する工程例を示す。

【発明を実施するための形態】

【0041】

以下、具体的な実施形態及び添付の図面を参照して本発明の実施形態について説明する。しかし、本発明の実施形態は様々な他の形態に変形することができ、本発明の範囲が以下で説明する実施形態に限定されるものではない。また、本発明の実施形態は、通常の技術者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面における要素の形状及び大きさなどは、より明確な説明のために誇張することができ、図面上の同じ符号で示される要素は同じ要素である。

【0042】

そして、図面において本発明を明確に説明するために説明と関係のない部分は省略し、複数の層及び領域を明確に表現するために、厚さを拡大して示しており、同じ思想の範囲内の機能が同一である構成要素については、同じ参照符号を用いて説明する。さらに、明細書全体において、ある部分がある構成要素を「含む」と言うとき、これは、特に反対の記載がない限り、他の構成要素を除外するのではなく、他の構成要素をさらに含み得ることを意味する。

【0043】

図１は、本発明の一実施形態に係る電子部品の外観を概略的に示した斜視図である。図２及び図３は、それぞれ図１のＩ－Ｉ'線に沿った断面図及びＩＩ－ＩＩ'線に沿った断面図である。そして、図４は、図１の電子部品において採用可能な本体を分解して示した分解斜視図である。

【0044】

図１～図４を参照すると、本発明の一実施形態に係る電子部品１００は、本体１１０と低反射層１３１、１４１とを含む外部電極１３０、１４０を主要構成として含み、ここで、低反射層１３１、１４１の表面の明度は本体１１０の表面の明度よりも低い。このような明度の相対的な比較条件に加えて、低反射層１３１、１４１の表面のイメージで測定されたＨＳＶ（Ｈｕｅ Ｓａｔｕｒａｔｉｏｎ Ｖａｌｕｅ）の明度値は４５％以下であるものと定義することもできる。本実施形態のように、外部電極１３０に低反射層１３１、１４１を採用することにより、外部電極１３０における光エネルギー反射が減少できる。このような電子部品１００を回路基板等に内蔵する場合、電子部品１００と連結されるビアホールを形成するためのレーザ加工の際、電子部品１００の光エネルギー反射によりホール加工の精度が低下するという問題を低減することができ、これにより、電子部品１００と導電性ビア（図２０の２０５）との連結性を向上することができる。低反射層１３１、１４１に関する詳細内容については後述する。一方、本実施形態では、電子部品１００として積層型キャパシタ、特に、積層型セラミックキャパシタを例に挙げているが、他にも異なる形態の部品、例えば、薄型キャパシタ、コイル部品、抵抗部品など回路基板に内蔵可能な様々な部品が使用されることができる。

【0045】

本体１１０は、誘電体層１１１及び誘電体層１１１と交互に配置される内部電極１２１、１２２を含み、ここで、内部電極１２１、１２２は、第１内部電極１２１と第２内部電極１２２とを含むことができる。本体１１０の具体的な形状に特に制限はないが、図示のように、本体１１０は六面体形状又はこれと類似の形状からなることができる。焼成過程で本体１１０に含まれたセラミック粉末の収縮により、本体１１０は完全な直線を有する六面体形状ではないが、実質的に六面体形状を有することができる。誘電体層１１１及び内部電極１２１、１２２が積層される方向を第１方向Ｄ１とするとき、本体１１０は、第１方向Ｄ１に互いに対向する第１面及び第２面Ｓ１、Ｓ２を含むことができる。また、本体１１０は、第１面Ｓ１及び第２面Ｓ２の間に位置し、第２方向Ｄ２に対向する第３面Ｓ３及び第４面Ｓ４と、第１面Ｓ１及び第２面Ｓ２の間に位置し、第３方向Ｄ３に対向する第５面Ｓ５及び第６面Ｓ６とを含むことができる。

【0046】

本体１１０を形成する複数の誘電体層１１１は焼成された状態であって、隣接する誘電体層１１１間の境界は走査電子顕微鏡（ＳＥＭ：Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）を利用せずには確認しにくいほど一体化することができる。誘電体層１１１を形成する原料は、十分な静電容量が得られる限り特に限定されない。例えば、チタン酸バリウム系材料、鉛複合ペロブスカイト系材料、又はチタン酸ストロンチウム系材料などを使用することができる。上記チタン酸バリウム系材料は、ＢａＴｉＯ_３系セラミック粉末を含むことができ、上記セラミック粉末の例示として、ＢａＴｉＯ_３、ＢａＴｉＯ_３にＣａ（カルシウム）、Ｚｒ（ジルコニウム）等が一部固溶した（Ｂａ_１－ｘＣａ_ｘ）ＴｉＯ_３（０＜ｘ＜１）、Ｂａ（Ｔｉ_１－ｙＣａ_ｙ）Ｏ_３（０＜ｙ＜１）、（Ｂａ_１－ｘＣａ_ｘ）（Ｔｉ_１－ｙＺｒ_ｙ）Ｏ_３（０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１）又はＢａ（Ｔｉ_１－ｙＺｒ_ｙ）Ｏ_３（０＜ｙ＜１）等が挙げられる。また、誘電体層１１１を形成する原料は、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）などのパウダーに、本発明の目的に応じて様々なセラミック添加剤、有機溶剤、結合剤、分散剤などを添加することができる。

【0047】

一方、誘電体層１１１の平均厚さｔｄは特に限定する必要はない。例えば、誘電体層１１１の平均厚さｔｄは０．２μｍ以上２μｍ以下であってもよく、電子部品１００の高容量化及び小型化をより容易に達成するために、誘電体層１１１の平均厚さｔｄは０．３５μｍ以下であってもよい。誘電体層１１１の平均厚さｔｄは、上記第１及び第２内部電極１２１、１２２の間に配置される誘電体層１１１の平均厚さｔｄを意味することができる。誘電体層１１１の平均厚さｔｄは、本体１１０の第１方向Ｄ１－第２方向Ｄ２の断面を１万倍率の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ、Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）でイメージをスキャンして測定することができる。より具体的に、スキャンされたイメージにおいて、一つの誘電体層を長さ方向に等間隔である３０個の地点でその厚さを測定して平均値を測定することができる。上記等間隔である３０個の地点は容量形成部Ｃで指定することができる。また、このような平均値の測定を１０個の誘電体層に拡張して平均値を測定すると、誘電体層の平均厚さをさらに一般化することができる。

【0048】

図２を参照すると、本体１１０は本体１１０の内部に配置され、誘電体層１１１を挟んで交互に配置される第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２を含んで容量が形成される容量形成部Ｃと、容量形成部Ｃの第１方向Ｄ１の一面及び他面に配置されたカバー部１１２、１１３とを含むことができる。また、容量形成部Ｃは、キャパシタの容量形成に寄与する部分であって、誘電体層１１１を挟んで複数の第１及び第２内部電極１２１、１２２を繰り返し積層して形成することができる。カバー部１１２、１１３は、単一のグリーンシート又は２つ以上のグリーンシートを容量形成部Ｃの第１方向Ｄ１の一面及び他面にそれぞれ第１方向に積層して形成することができ、物理的又は化学的ストレスによる内部電極の損傷を防止する役割を果たすことができる。また、カバー部１１２、１１３は内部電極を含まず、誘電体層１１１と同じ材料を含むことができる。一方、カバー部１１２、１１３の平均厚さは特に限定する必要はない。但し、積層型電子部品の小型化及び高容量化をより容易に達成するために、カバー部１１２、１１３の平均厚さｔｃは１５μｍ以下であってもよい。カバー部１１２、１１３の平均厚さｔｃは、第１方向Ｄ１の長さを意味することができ、容量形成部Ｃの上部又は下部において等間隔の５個の地点で測定したカバー部１１２、１１３の第１方向Ｄ１の長さを平均した値であることができる。

【0049】

図３を参照すると、容量形成部Ｃの第３方向Ｄ３の一面及び他面にはマージン部１１４、１１５が配置されることができる。マージン部１１４、１１５は、図示のように、第１及び第２内部電極１２１、１２２の両端と本体１１０の境界面との間の領域を意味することができる。マージン部１１４、１１５は、基本的に物理的又は化学的ストレスによる内部電極の損傷を防止する役割を果たすことができる。マージン部１１４、１１５は、セラミックグリーンシート上にマージン部が形成される箇所を除き、導電性ペーストを塗布して内部電極を形成することにより形成されたものであってもよい。マージン部１１４、１１５の幅は特に限定する必要はない。但し、積層型電子部品の小型化及び高容量化をより容易に達成するために、マージン部１１４、１１５の平均幅は１５μｍ以下であってもよい。マージン部１１４、１１５の平均幅は、マージン部１１４、１１５の第３方向Ｄ３の長さの平均値を意味することができ、容量形成部Ｃの側面において等間隔の５個の地点で測定したマージン部１１４、１１５の第３方向の長さを平均した値であることができる。

【0050】

内部電極１２１、１２２は、誘電体層１１１と第１方向Ｄ１に交互に配置される。内部電極１２１、１２２は、第１及び第２内部電極１２１、１２２を含むことができる。第１及び第２内部電極１２１、１２２は、本体１１０を構成する誘電体層１１１を挟んで互いに対向するように交互に配置され、本体１１０の第３面及び第４面Ｓ３、Ｓ４にそれぞれ延長されることができる。具体的に、図２に示すように、第１内部電極１２１は第４面Ｓ４と離隔して第３面Ｓ３を介して露出し、第２内部電極１２２は第３面Ｓ３と離隔して第４面Ｓ４を介して露出することができる。そして、本体１１０の第３面Ｓ３には、第１外部電極１３０が配置されて第１内部電極１２１と連結され、本体の第４面Ｓ４には、第２外部電極１４０が配置されて第２内部電極１２２と連結されることができる。すなわち、第１内部電極１２１は第２外部電極１４０とは連結されずに第１外部電極１３０と連結され、第２内部電極１２２は第１外部電極１３０とは連結されずに第２外部電極１４０と連結される。したがって、第１内部電極１２１は第４面Ｓ４において一定距離離隔して形成され、第２内部電極１２２は第３面Ｓ３において一定距離離隔して形成されることができる。このとき、第１及び第２内部電極１２１、１２２は、中間に配置された誘電体層１１１によって互いに電気的に分離されてもよい。

【0051】

内部電極１２１、１２２を形成する材料は特に限定されず、電気伝導性に優れた材料を使用することができる。例えば、内部電極１２１、１２２は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、錫（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）及びそれらの合金のうち一つ以上を含むことができる。また、内部電極１２１、１２２は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、錫（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）及びそれらの合金のうち一つ以上を含む内部電極用導電性ペーストをセラミックグリーンシートに印刷して形成することができる。上記内部電極用導電性ペーストの印刷方法としては、スクリーン印刷法又はグラビア印刷法などを使用することができるが、本発明はこれに限定されるものではない。

【0052】

外部電極１３０、１４０は本体１１０に配置され、内部電極１２１、１２２とそれぞれ連結された第１及び第２外部電極１３０、１４０を含むことができる。この場合、図示の形態のように、第１及び第２内部電極１２１、１２２は、本体１１０の第３面Ｓ３及び第４面Ｓ４にそれぞれ延長され、第１及び第２ 外部電極１３０、１４０は、本体１１０の第３面Ｓ３及び第４面Ｓ４にそれぞれ配置され、本体１１０の第１面Ｓ１及び第２面Ｓ２に延長される形態であってもよい。本実施形態の場合、外部電極１３０、１４０は、従来よりも低いレベルの表面明度を有する低反射層１３１、１４１を含み、ここで、低反射層１３１、１４１は外部電極１３０、１４０の最外側に配置されることができる。従来は、レーザ等を用いて回路基板の絶縁層にビアホールを形成する場合、外部電極の光エネルギー反射により、これに隣接する絶縁層領域においてレーザエネルギーの吸収が妨げられる現象が発生し、これによりビアホールの形状 やサイズを精密に加工することが困難であった。

【0053】

本実施形態では、光反射度の低い低反射層１３１、１４１を有する外部電極１３０、１４０を使用することにより、回路基板の絶縁層にビアホールを加工する場合、ビアホールの加工精度を向上可能にした。このようにビアホールの加工時、光エネルギー反射を低減すべく低反射層１３１、１４１は相対的に暗い色を有するように、つまり、明度が低く形成され、具体的に、低反射層１３１、１４１の表面の明度は、本体１１０の表面の明度よりも低い。低反射層１３１、１４１と本体１１０との表面明度の差は、一般的な室内や室外環境で目視で見たときに区分可能な程度であり得る。但し、より具体的に明度を比較できる基準を提示すると、低反射層１３１、１４１の表面の明度及び本体１１０の表面の明度は、表面に白色光を照射して反射される光の強度を基準とすることができ、より具体的には、同じ光源から照射された白色光を照射して反射される光の強度を測定することによって得られることができる。この場合、図５及び図６に示す形態のように、本体１１０の表面の明度は、本体１１０の第１面Ｓ１で測定され、低反射層１３１、１４１の表面の明度は、これと同じ方向の面、すなわち、本体１１０の第１面Ｓ１に配置された領域の表面で測定されることができる。図５は、白色光を電子部品１００に向かって照射したときに本体１１０及び低反射層１３１、１４１によって反射される形態を模式的に示しているが、低反射層１３１、１４１における光エネルギーの反射が相対的に低く起こる。

【0054】

低反射層１３１、１４１と本体１１０の表面明度は、同じ光源から照射された白色光を照射して反射される光の強度を測定することで得られ、例えば、反射される光をイメージセンサで収容した後、これにより得られたイメージからＨＳＶの明度値を得ることができる。ここで、イメージのＨＳＶの明度値を得ることは、当技術分野で知られているイメージ処理又はイメージビューアプログラム、例えば、オープンソースイメージエディタであるＧＮＵ Ｉｍａｇｅ Ｍａｎｉｐｕｌａｔｉｏｎ Ｐｒｏｇｒａｍ（ＧＩＭＰ）などを使用することができる。そして、低反射層１３１、１４１と本体１１０の表面明度は、スキャン装置を介して得られることができ、例えば、電子部品１００をイメージスキャナに配置して電子部品１００から光源に向かう面、例えば、本体１１０の第１面Ｓ１と低反射層１３１、１４１で本体１１０の第１面Ｓ１に配置された領域の表面明度を測定することができる。この場合、一例として、表面明度値を補正するために、上述したＧＩＭＰにおいて、色＞レベル＞Ａ４白紙の背景を白色点として指定することができる。低反射層１３１、１４１と本体１１０の表面のうち外郭領域は、周辺の影響等により明度値が変わることがあるため、明度測定の対象領域を中心領域として特定することができる。すなわち、図６に示す形態のように、低反射層１３１、１４１の表面の明度は、低反射層１３１、１４１の表面の中心を含み、低反射層１３１、１４１の表面の横及び縦の長さのそれぞれ３０％～６０％の横及び縦の長さを有する矩形領域Ｅの平均明度であることができる。例えば、低反射層１３１、１４１の表面の明度は、低反射層１３１、１４１の表面の中心を含み、低反射層１３１、１４１の表面の横及び縦の長さのそれぞれ半分である横及び縦の長さを有する矩形領域Ｅの平均明度であることができる。同様に、本体１１０の表面の明度は、本体１１０の表面の中心を含み、本体１１０の表面の横及び縦の長さのそれぞれ半分である横及び縦の長さを有する矩形領域Ｂの平均明度であることができる。この場合、スキャナによって得られた本体１１０と低反射層１３１、１４１の表面イメージのうち、明度測定の対象となる領域をイメージエディタの選択ツールを用いて指定することができ、当該領域のヒストグラムで明度レベルを確認することができる。

【0055】

一方、低反射層１３１、１４１の低反射機能が効果的に行われるように、低反射層１３１、１４１の厚さＴを調節することができる。具体的に、低反射層１３１、１４１において本体１１０の第１面Ｓ１に配置された領域の厚さＴは５μｍ以上であることができ、ここで、低反射層１３１、１４１の厚さＴは最大厚さであることができる。

【0056】

低反射層１３１、１４１と本体１１０の表面明度値に関する具体的な例として、まず、低反射層１３１、１４１の表面のイメージで測定されたＨＳＶの明度値は４５％以下、より低い場合には４０％以下、さらには３５％以下であることができる。ここで、ＨＳＶの明度値が０％の場合は黒色、１００％の場合は白色を意味する。本体１１０の表面の明度はこれより高くてもよく、具体的に、本体１００の表面のイメージで測定されたＨＳＶの明度値は４５％より大きくてもよい。本発明の発明者らの研究によれば、低反射層１３１、１４１の表面の明度がＨＳＶの明度値を基準として４５％以下のレベルに低い場合に、電子部品１００を内蔵した回路基板のレーザ加工時の精度が従来よりも向上できた。

【0057】

図７は、本発明の一実施例（左側）と比較例（右側）に係る電子部品に白色光を照射した後の明度を比較したものである。実施例の場合、Ｎｉ－Ｚｎ－Ｓ系めっき層で低反射層１３１、１４１を形成した。比較例１の場合、Ｎｉ／Ｓｎめっき層を最外層にして外部電極３０、４０を形成し、比較例２の場合、従来の基板内蔵キャパシタの電極として使用されるＣｕ電極層を最外側にして外部電極３０、４０を形成した。このような電子部品をスキャナに投入して隣接配置した後、３００ｄｐｉで表面スキャンを行い、イメージ処理ソフトウェアであるＧＩＭＰを用いて表面イメージを得た。この場合、低反射層１３１、１４１の表面の明度は、低反射層１３１、１４１の表面の中心を含み、低反射層１３１、１４１の表面の横長の３６％、縦長の６０％を有する矩形領域Ａで測定しており、本体１１０の表面の明度は、本体１１０の表面の中心を含み、本体１１０の表面の横及び縦の長さのそれぞれ半分である横及び縦の長さを有する矩形領域Ｂで測定した。上述のように、各領域の表面明度はＨＳＶの明度値を基準とする。実施例の場合、低反射層１３１、１４１の表面イメージにおけるＨＳＶの明度値は平均して約３０．８％のレベルであり、標準偏差は１．９％であった。比較例１の場合、外部電極３０、４０の表面イメージにおけるＨＳＶの明度値は平均して約７３％のレベルであり、標準偏差は３．８％であった。比較例２の場合、外部電極３０、４０の表面イメージにおけるＨＳＶの明度値は平均して約８０．８％のレベルと最も高く、標準偏差は１．６％であった。実施例と比較例において、本体１１０、１０の表面明度には特別な差がなく、ＨＳＶの明度値は平均４８．２％～５１．５％のレベルであった。

【0058】

図８～図１０を参照して、構造的な観点から低反射層の具体的な例について説明する。図８～図１０は、図１の電子部品において採用可能な低反射層の一領域を拡大して示したものである。白色光に対して相対的に低い反射度を有するために、低反射層１３１、１４１はＮｉを含むめっき層を含むことができ、より具体的な例として、低反射層１３１、１４１はＮｉ－Ｚｎ系物質を含むことができる。また、上記Ｎｉ－Ｚｎ系物質はＳ（Ｓｕｌｆｕｒ）をさらに含むことができる。Ｎｉ、Ｚｎ、Ｓの成分等を含むめっき液を用いてめっきする場合、低反射層１３１、１４１は硫化ニッケル（Ｎｉｃｋｅｌ Ｓｕｌｆｉｄｅ）、Ｎｉ金属、Ｚｎ金属などを含むことができ、相対的に暗い色、例えば、黒色又は黒色に近い色を呈することができる。他の例として、図８に示す形態のように、低反射層１３１、１４１に含まれた上記めっき層は針状粒子１５０を含むことができる。ここで、針状とは、粒子の短軸の長さよりも長軸の長さがより長い形態であり、例えば、長軸の長さが短軸の長さの２倍以上である形状を意味することができる。低反射層１３１、１４１が針状粒子１５０を含む場合、一側から入射した光は光源方向に反射されるのではなく、ランダムな方向に広がり、これによって低反射層１３１、１４１の表面明度が低くなり得る。本発明者らの研究によれば、針状粒子１５０は、Ｎｉめっき時に構造的な変化を起こすことにより得られることができ、例えば、ＮｉＣｌめっき液にＮａＣｌを添加した後、めっきを実行すると、針状粒子１５０が得られることができる。これにより、めっき液成分中にＮａ及びＣｌなどが微量でも残存することがあるが、この場合、針状粒子１５０はＮａ及びＣｌのうち少なくとも一つを含むことができる。

【0059】

他の例として、図９に示す形態のように、低反射層１３１、１４１は、金属粒子１６０及び金属粒子１６０の表面に形成された酸化膜１６１を含むことができる。金属粒子１６０の表面に形成された酸化膜１６１は、高い表面粗さを有し、相対的に光反射度が低いため、暗い色を呈することができる。この場合、金属粒子１６０はＮｉを含み、酸化膜１６１はＮｉ_２Ｏ_３を含むことができる。また、金属粒子１６０の他にも、低反射層１３１、１４１は、金属粒子１６０が分散された絶縁体１６２をさらに含むことができ、ここで、絶縁体１６２は樹脂成分を含むことができる。この場合、低反射層１３１、１４１は、酸化膜１６１を有する金属粒子１６０をエポキシ樹脂等の絶縁体１６２に分散してペースト状にした後、これを乾燥及び硬化する方法により形成することができる。その他にも、金属粒子１６０をめっき等の方法により形成した後、その表面を酸化処理して酸化膜１６１を実現することもできる。図示の形態のように、金属粒子１６０のサイズに比べて酸化膜１６１は薄い厚さに形成されるため、低反射層１３１、１４１の電気伝導性に大きな影響を与えない可能性がある。但し、実施形態に応じて、図１０に示す形態のように、低反射層１３１、１４１のうち少なくとも一部の領域で酸化膜１６１の一部が除去されて金属粒子１６０が露出することができ、これにより低反射層１３１、１４１の電気伝導性が向上することができる。この場合、酸化膜１６１は、上述したビアホール加工工程（図２１参照）中にレーザ等の照射により発生する熱によって除去されることができる。

【0060】

上述の構造や方法の他にも、低反射層１３１、１４１はスパッタリング工程によって実現することもできる。具体的な例として、低反射層１３１、１４１はＮｉスパッタリング層を含むことができ、ここで、上記Ｎｉスパッタリング層はＮｉ－Ｚｎ合金を含むことができる。スパッタリング工程で得られた低反射層１３１、１４１は、高い表面粗さを有し、相対的に光反射度が低いため、暗い色を呈することができる。

【0061】

一方、低反射層１３１、１４１は、図２に示す形態のように内部電極１２１、１２２と直接連結されることができる。すなわち、本体１１０と低反射層１３１、１４１との間に他の電極層が存在しなくてもよい。これとは異なり、図１１の変形例のように、外部電極１３０、１４０は、本体１１０と低反射層１３１、１４１との間に配置されたベース層１３２、１４２をさらに含むことができる。この場合、ベース層１３２、１４２は、Ｐｄ及びＣｕのうち少なくとも一つを含むことができる。ベース層１３２、１４２は、低反射層１３１、１４１を形成するためのシード層として機能することができ、特に、Ｐｄを用いてベース層１３２、１４２を形成する場合、ベース層１３２、１４２は薄いながらも高い電気伝導性を有することができる。図１１の変形例は、以下の実施形態においても採用することができる。

【0062】

図１２～図１９を参照し、様々な形態の電子部品について、前述の実施形態とは異なる部分を中心にして説明する。以下の実施形態においても、外部電極１３０、１４０は、相対的に表面の明度が低い低反射層１３１、１４１を含み、これに関する重複説明は省略する。まず、図１２及び図１３を参照すると、第２実施形態に係る電子部品１００Ａの場合、第１及び第２内部電極１２１、１２２は、本体１１０の第５面Ｓ５及び第６面Ｓ６にそれぞれ延長され、第１及び第２外部電極１３０、１４０は、本体１１０の第５面Ｓ５及び第６面Ｓ６にそれぞれ配置される。ここで、前述の実施形態とは異なり、本体１１０の第２方向の長さＬ２は、第３方向の長さＬ３よりも長い。このような構造は、いわゆるＬＩＣＣ（Ｌｏｗ Ｉｎｄｕｃｔａｎｃｅ Ｃｈｉｐ Ｃａｐａｃｉｔｏｒ）に該当する。

【0063】

次に、図１４及び図１５を参照すると、第３実施形態に係る電子部品１００Ｂの場合、８端子構造に該当する。具体的に、第１内部電極１２１は、本体１１０の第３面Ｓ３及び第４面Ｓ４に延長され、第２内部電極１２２は、本体１１０の第３面Ｓ３及び第４面Ｓ４に延長され、第１及び第２外部電極１３０、１４０は、本体１１０の第３面Ｓ３及び第４面Ｓ４に第３方向Ｄ３に沿って交互に配置された形態である。この場合、第１内部電極１２１は、第１リードＲ１を介して第１外部電極１３０と連結され、第２内部電極１２２は、第２リードＲ２を介して第２外部電極１４０と連結されることができる。

【0064】

次に、図１６及び図１７を参照すると、第４実施形態に係る電子部品１００Ｃの場合、外部電極１３０、１４０が配置された本体１１０の第３面Ｓ３及び第４面Ｓ４に対して内部電極１２１、１２２が垂直方向に配置された垂直積層型キャパシタ（Ｖｅｒｔｉｃａｌｌｙ Ｌａｍｉｎａｔｅｄ Ｃａｐａｃｉｔｏｒ）に該当する。具体的に、第１内部電極１２１は、本体１１０の第３面Ｓ３に延長され、第２内部電極１２２は、本体１１０の第３面Ｓ３に延長され、ここで、第１及び第２外部電極１３０、１４０は、本体１１０の第３面Ｓ３に配置された形態である。そして、第１外部電極１３０は複数個備えられ、第３方向Ｄ３を基準として第２外部電極１４０は複数の第１外部電極１３０の間に配置されることができる。この場合、第１内部電極１２１は、第１リードＲ１を介して第１外部電極１３０と連結され、第２内部電極１２２は、第２リードＲ２を介して第２外部電極１４０と連結されることができる。また、図示の形態のように、第１及び第２外部電極１３０、１４０は、本体１１０の第４面Ｓ４には形成されなくてもよい。さらには、第１及び第２外部電極１３０、１４０は、本体１１０の第５面Ｓ５及び第６面Ｓ６には形成されなくてもよい。

【0065】

次に、図１８及び図１９を参照すると、第５実施形態に係る電子部品１００Ｄの場合、第１内部電極１２１は、本体１１０の第５面Ｓ５及び第６面Ｓ６に延長され、第２内部電極１２２は、本体１１０の第３面Ｓ３及び第４面Ｓ４に延長される形態である。そして、第１外部電極１３０は、本体１１０の第５面Ｓ５及び第６面Ｓ６に配置され、第２外部電極１４０は、本体１１０の第３面Ｓ３及び第４面Ｓ４に配置される。電子部品１００Ｄを回路基板に配置する場合、第１外部電極１３０は信号ラインと連結されることができ、これにより電子部品１００Ｄは３端子キャパシタとして機能することができる。

【0066】

図２０及び図２１を参照して電子部品内蔵基板について説明する。図２０は、本発明の一実施形態に係る電子部品内蔵基板を概略的に示した断面図であり、図２１は、電子部品内蔵基板においてビアホールを形成する工程例を示す。図２０を参照すると、電子部品内蔵基板２００は、絶縁層２０１、回路層２０２、及び回路層２０２と連結された電子部品１００を含む。ここで、電子部品１００は、前述した実施形態に係る電子部品を採用することができ、図２０では、図２の電子部品１００を示している。電子部品１００は、誘電体層１１１及び内部電極１２１、１２２を含む本体１１０及び本体１１０に配置されて内部電極１２１、１２２と連結され、低反射層１３１、１４１を含む外部電極１３０、１４０を含み、低反射層１３１、１４１の表面の明度は本体１１０の表面の明度よりも低い。また、電子部品内蔵基板２００は、絶縁層２０１を少なくとも一部貫通して電子部品１００と回路層２０２とを連結する導電性ビア２０５をさらに含むことができる。導電性ビア２０５の直径Ｄは５０～８０μｍであることができ、ここで、直径Ｄは最大直径であることができる。具体的に、導電性ビア２０５の直径Ｄは、第２方向Ｄ２の最大長さであることができる。その他にも、電子部品１００の上部及び下部に配置された回路層２０２を連結する貫通ビア２０３や、互いに異なるレベルに配置された回路層２０２を連結する導電性ビア２０４をさらに含むことができる。

【0067】

電子部品１００の外部電極１３０、１４０は、表面の明度が相対的に低い低反射層１３１、１４１を含み、これにより導電性ビア２０５と電子部品１００の連結性が向上できる。図２１を参照すると、レーザ加工により絶縁層２０１にビアホールＨを形成する場合、低反射層１３１、１４１は、絶縁層２０１がレーザエネルギーを吸収することを妨げないため、ビアホールＨの加工精度が向上できる。一方、図２０及び図２１の実施形態では、回路層２０２と電子部品１００とが一側でのみ連結されているが、連結経路は変わり得る。例えば、図２０を基準として、電子部品１００の下面を介して回路層２０２と連結されてもよく、そのために導電性ビア２０３をさらに備えてもよい。

【0068】

本発明は、上述した実施形態及び添付の図面によって限定されるものではなく、添付の特許請求の範囲によって限定される。したがって、特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想から逸脱しない範囲内で様々な形態の置換、変形及び変更が可能であることは、当技術分野における通常の知識を有する者には自明であり、これも添付の特許請求の範囲に記載された技術的思想に属するといえる。

【符号の説明】

【0069】

１００：電子部品
１１０：本体
１１１：誘電体層
１１２、１１３：カバー部
１１４、１１５：マージン部
１２１、１２２：内部電極
１３０、１４０：外部電極
１３１、１４１：低反射層
１３２、１４２：ベース層
２００：電子部品内蔵基板
２０１：絶縁層
２０２：回路層
２０３：貫通ビア
２０４、２０５：導電性ビア

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】

【図20】

【図21】