技術分野
半導体装置
要約特許出願時に添付された[要約書]
【課題】トレンチ部の端部近傍においては、キャリアをより引き抜き易くすることが望ましい。
発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋
半導体基板の上面視において、フローティング領域は、例えば、ゲートトレンチ部によってその周囲を囲まれることによりゲートトレンチ部の長手方向に長辺を有する矩形領域である。ゲートトレンチ部の長手方向の端部に位置する短手部分にはＮ＋型のエミッタ領域またはＰ＋型のコンタクト領域も設けないので、ＩＧＢＴのスイッチングに伴い生じたキャリアが溜まりやすい。トレンチ部の端部近傍においては、キャリアをより引き抜き易くすることが望ましい。
課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋
本発明の第１の態様においては、半導体基板と、前記半導体基板の上に設けられた絶縁膜と、前記絶縁膜の上に設けられた金属電極と、を備える半導体装置を提供する。半導体装置において、前記半導体基板は、第１導電型のベース領域と、前記半導体基板の表面から前記ベース領域よりも深い位置まで設けられ、第１方向に長手部分を有するトレンチ部と、互いに隣接する前記長手部分の間の領域であって、第１メサ領域および第２・・・ 続きを
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この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]
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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋
【図1A】
第１実施形態における半導体装置１００の上面図である。
【図1B】
第１実施形態における半導体装置１００の変形例の上面図である。
【図2】
図１Ａおよび図１Ｂの領域Ａの拡大図である。
【図3】
図２のＢ‐Ｂ断面を示す図である。
【図4】
図２のＣ‐Ｃ断面を示す図である。
【図5】
図２のＤ‐Ｄ断面を示す図である。
【図6】
図５のＥ‐Ｅにおけるｎ型ネットドーピング濃度分布を示す図である。
【図7】
ホール濃度の時間変化のシミュレーション結果である。
【図8】
低電流ターン・オフ時におけるＶＧＥ、ＶＣＥおよびＩＣのシミュレーション結果である。
【図9】
高電流ターン・オフ時におけるＶＧＥ、ＶＣＥおよびＩＣのシミュレーション結果である。
【図10】
各距離Ｌ２におけるＩｃとＶＣＥのサージ電圧との関係を示すシミュレーション結果である。
【図11】
各距離Ｌ２におけるＩｃとＥｏｆｆとの関係を示すシミュレーション結果である。
【図12】
第２実施形態におけるトレンチ部４０の外側端部近傍を示す上面図である。
【図13】
第３実施形態におけるトレンチ部４０の外側端部近傍を示す上面図である。
【図14】
第４実施形態におけるトレンチ部４０の外側端部近傍を示す上面図である。
【図15】
図１Ａおよび図１Ｂの領域Ｂの変形例である。
【図16】
半導体装置１００を搭載した溶接機の回路２００の一部を示す図である。
１０・・半導体基板、１１・・表面、１２・・エミッタ領域、１４・・ベース領域、１６・・コンタクト領域、１７・・ウェル領域、１８・・ドリフト領域、１９・・裏面、２０・・ＦＳ層、２２・・コレクタ領域、２４・・コレクタ電極、２６・・酸化膜、２８・・層間絶縁膜、３０・・フローティング半導体領域、３１・・第１開口、３２・・第２開口、３３・・第３開口、３５・・第４開口、３７・・コンタクト領域、３８・・外側端部、４０・・トレンチ部、４２・・トレンチ絶縁膜、４３・・トレンチ導電部、４４・・トレンチ、４６・・長手部分、４７・・短手部分、５１・・ゲートランナー、５２・・エミッタ電極、５４・・開口、５５・・ゲート金属層、６０・・メサ領域、７１・・外側端部、７２・・内側端部、８０・・活性部、９０・・エッジ終端構造、９５・・パッド部、１００・・半導体装置、１１０・・交流電源、１２０・・整流器、１３０・・インバーター、１３２・・電界キャパシタ、１３５・・変圧器、１４０・・整流器、１５０・・ＬＰＦ、２００・・回路
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