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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024166554
(43)【公開日】2024-11-29
(54)【発明の名称】面発光レーザチップ
(51)【国際特許分類】
H01S 5/42 20060101AFI20241122BHJP
H01S 5/042 20060101ALI20241122BHJP
【ＦＩ】
H01S5/42
H01S5/042 612
【審査請求】未請求
【請求項の数】20
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023082726
(22)【出願日】2023-05-19
(71)【出願人】
【識別番号】000116024
【氏名又は名称】ローム株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100105957
【弁理士】
【氏名又は名称】恩田 誠
(74)【代理人】
【識別番号】100068755
【弁理士】
【氏名又は名称】恩田 博宣
(72)【発明者】
【氏名】近藤 宙太
【テーマコード（参考）】
5F173
【Ｆターム（参考）】
5F173AC00
5F173AD01
5F173AD02
5F173AK21
5F173AR12
5F173AR99
(57)【要約】
【課題】発光面からのレーザ光が反射層によって遮られにくくすること。
【解決手段】面発光レーザチップ３０は、第１チップ表面３１に形成され、レーザ光を出射するように構成された第１発光面３３Ａおよび第２発光面３３Ｂと、第１チップ表面３１に形成され、第１発光面３３Ａおよび第２発光面３３Ｂの各々から離隔した位置に形成された表面電極３４と、を含む。平面視において、第１発光面３３Ａおよび第２発光面３３Ｂは、Ｘ方向に離隔して配列されている。表面電極３４は、Ｘ方向において第１発光面３３Ａと第２発光面３３Ｂとの間に配置されている。
【選択図】図１２
【解決手段】面発光レーザチップ３０は、第１チップ表面３１に形成され、レーザ光を出射するように構成された第１発光面３３Ａおよび第２発光面３３Ｂと、第１チップ表面３１に形成され、第１発光面３３Ａおよび第２発光面３３Ｂの各々から離隔した位置に形成された表面電極３４と、を含む。平面視において、第１発光面３３Ａおよび第２発光面３３Ｂは、Ｘ方向に離隔して配列されている。表面電極３４は、Ｘ方向において第１発光面３３Ａと第２発光面３３Ｂとの間に配置されている。
【選択図】図１２
【特許請求の範囲】
【請求項1】
互いに反対側を向くチップ表面およびチップ裏面と、
前記チップ表面に形成され、レーザ光を出射するように構成された第１発光面および第２発光面と、
前記チップ表面に形成され、前記第１発光面および前記第２発光面の各々から離隔した位置に形成された電極と、
を含み、
前記チップ表面に垂直な厚さ方向から視て、前記第１発光面および前記第２発光面は、第１方向に離隔して配列されており、
前記電極は、前記第１方向において前記第１発光面と前記第２発光面との間に配置されている
面発光レーザチップ。
前記チップ表面に形成され、レーザ光を出射するように構成された第１発光面および第２発光面と、
前記チップ表面に形成され、前記第１発光面および前記第２発光面の各々から離隔した位置に形成された電極と、
を含み、
前記チップ表面に垂直な厚さ方向から視て、前記第１発光面および前記第２発光面は、第１方向に離隔して配列されており、
前記電極は、前記第１方向において前記第１発光面と前記第２発光面との間に配置されている
面発光レーザチップ。
【請求項2】
前記厚さ方向から視て、前記第２発光面の面積は、前記第１発光面の面積よりも小さい
請求項１に記載の面発光レーザチップ。
請求項１に記載の面発光レーザチップ。
【請求項3】
前記第１発光面および前記第２発光面の各々は、レーザ光を出射する発光部を含み、
前記第２発光面の前記発光部の数は、前記第１発光面の前記発光部の数よりも少ない
請求項２に記載の面発光レーザチップ。
前記第２発光面の前記発光部の数は、前記第１発光面の前記発光部の数よりも少ない
請求項２に記載の面発光レーザチップ。
【請求項4】
前記電極は、前記第１発光面の前記発光部および前記第２発光面の前記発光部の双方と電気的に接続されている
請求項３に記載の面発光レーザチップ。
請求項３に記載の面発光レーザチップ。
【請求項5】
前記厚さ方向から視て前記第１方向と直交する方向を第２方向とすると、
前記第２発光面は、前記第２方向において互いに離隔して配列された複数の発光部を含む
請求項１に記載の面発光レーザチップ。
前記第２発光面は、前記第２方向において互いに離隔して配列された複数の発光部を含む
請求項１に記載の面発光レーザチップ。
【請求項6】
前記第１発光面および前記第２発光面の各々は、レーザ光を出射する発光部を含み、
前記電極は、互いに離隔して配置された第１電極および第２電極を含み、
前記第１電極は、前記第１発光面の前記発光部と電気的に接続されており、
前記第２電極は、前記第２発光面の前記発光部と電気的に接続されている
請求項１に記載の面発光レーザチップ。
前記電極は、互いに離隔して配置された第１電極および第２電極を含み、
前記第１電極は、前記第１発光面の前記発光部と電気的に接続されており、
前記第２電極は、前記第２発光面の前記発光部と電気的に接続されている
請求項１に記載の面発光レーザチップ。
【請求項7】
前記厚さ方向から視て前記第１方向と直交する方向を第２方向とすると、
前記第１電極および前記第２電極は、前記第２方向において互いに離隔して配列されている
請求項６に記載の面発光レーザチップ。
前記第１電極および前記第２電極は、前記第２方向において互いに離隔して配列されている
請求項６に記載の面発光レーザチップ。
【請求項8】
前記厚さ方向から視て、前記第１電極の面積は、前記第２電極の面積よりも大きい
請求項６に記載の面発光レーザチップ。
請求項６に記載の面発光レーザチップ。
【請求項9】
前記第１発光面は、互いに離隔して配置された第１主発光領域および第２主発光領域を含み、
前記第２発光面は、互いに離隔して配置された第１発光領域および第２発光領域を含み、
前記電極は、互いに離隔して配置された第１電極および第２電極を含む
請求項１に記載の面発光レーザチップ。
前記第２発光面は、互いに離隔して配置された第１発光領域および第２発光領域を含み、
前記電極は、互いに離隔して配置された第１電極および第２電極を含む
請求項１に記載の面発光レーザチップ。
【請求項10】
前記第１発光領域、前記第２発光領域、前記第１主発光領域、および前記第２主発光領域の各々は、レーザ光を出射する発光部を含み、
前記第１電極は、前記第１発光領域の前記発光部および前記第１主発光領域の前記発光部の双方と電気的に接続されており、
前記第２電極は、前記第２発光領域の前記発光部および前記第２主発光領域の前記発光部の双方と電気的に接続されている
請求項９に記載の面発光レーザチップ。
前記第１電極は、前記第１発光領域の前記発光部および前記第１主発光領域の前記発光部の双方と電気的に接続されており、
前記第２電極は、前記第２発光領域の前記発光部および前記第２主発光領域の前記発光部の双方と電気的に接続されている
請求項９に記載の面発光レーザチップ。
【請求項11】
前記厚さ方向から視て前記第１方向と直交する方向を第２方向とすると、
前記第１発光領域、前記第１主発光領域、および前記第１電極は、前記第２方向において互いに同じ位置に設けられており、
前記第２発光領域、前記第２主発光領域、および前記第２電極は、前記第２方向において互いに同じ位置に設けられている
請求項９に記載の面発光レーザチップ。
前記第１発光領域、前記第１主発光領域、および前記第１電極は、前記第２方向において互いに同じ位置に設けられており、
前記第２発光領域、前記第２主発光領域、および前記第２電極は、前記第２方向において互いに同じ位置に設けられている
請求項９に記載の面発光レーザチップ。
【請求項12】
前記厚さ方向から視て、前記第１発光領域の面積は、前記第１主発光領域の面積よりも小さく、
前記厚さ方向から視て、前記第２発光領域の面積は、前記第２主発光領域の面積よりも小さい
請求項９に記載の面発光レーザチップ。
前記厚さ方向から視て、前記第２発光領域の面積は、前記第２主発光領域の面積よりも小さい
請求項９に記載の面発光レーザチップ。
【請求項13】
前記第１発光領域、前記第２発光領域、前記第１主発光領域、および前記第２主発光領域の各々は、レーザ光を出射する発光部を含み、
前記第１発光領域の前記発光部の数は、前記第１主発光領域の前記発光部の数よりも少なく、
前記第２発光領域の前記発光部の数は、前記第２主発光領域の前記発光部の数よりも少ない
請求項１２に記載の面発光レーザチップ。
前記第１発光領域の前記発光部の数は、前記第１主発光領域の前記発光部の数よりも少なく、
前記第２発光領域の前記発光部の数は、前記第２主発光領域の前記発光部の数よりも少ない
請求項１２に記載の面発光レーザチップ。
【請求項14】
前記第１発光面は、互いに離隔して配置された第３主発光領域および第４主発光領域を含み、
前記第２発光面は、互いに離隔して配置された第３発光領域および第４発光領域を含み、
前記電極は、互いに離隔して配置された第３電極および第４電極を含む
請求項９に記載の面発光レーザチップ。
前記第２発光面は、互いに離隔して配置された第３発光領域および第４発光領域を含み、
前記電極は、互いに離隔して配置された第３電極および第４電極を含む
請求項９に記載の面発光レーザチップ。
【請求項15】
前記第３発光領域、前記第４発光領域、前記第３主発光領域、および前記第４主発光領域の各々は、レーザ光を出射する発光部を含み、
前記第３電極は、前記第３発光領域の前記発光部および前記第３主発光領域の前記発光部の双方と電気的に接続されており、
前記第４電極は、前記第４発光領域の前記発光部および前記第４主発光領域の前記発光部の双方と電気的に接続されている
請求項１４に記載の面発光レーザチップ。
前記第３電極は、前記第３発光領域の前記発光部および前記第３主発光領域の前記発光部の双方と電気的に接続されており、
前記第４電極は、前記第４発光領域の前記発光部および前記第４主発光領域の前記発光部の双方と電気的に接続されている
請求項１４に記載の面発光レーザチップ。
【請求項16】
前記厚さ方向から視て、前記第３発光領域の面積は、前記第３主発光領域の面積よりも小さく、
前記厚さ方向から視て、前記第４発光領域の面積は、前記第４主発光領域の面積よりも小さい
請求項１４に記載の面発光レーザチップ。
前記厚さ方向から視て、前記第４発光領域の面積は、前記第４主発光領域の面積よりも小さい
請求項１４に記載の面発光レーザチップ。
【請求項17】
前記第３発光領域、前記第４発光領域、前記第３主発光領域、および前記第４主発光領域の各々は、レーザ光を出射する発光部を含み、
前記第３発光領域の前記発光部の数は、前記第３主発光領域の前記発光部の数よりも少なく、
前記第４発光領域の前記発光部の数は、前記第４主発光領域の前記発光部の数よりも少ない
請求項１６に記載の面発光レーザチップ。
前記第３発光領域の前記発光部の数は、前記第３主発光領域の前記発光部の数よりも少なく、
前記第４発光領域の前記発光部の数は、前記第４主発光領域の前記発光部の数よりも少ない
請求項１６に記載の面発光レーザチップ。
【請求項18】
前記厚さ方向から視て前記第１方向と直交する方向を第２方向とすると、
前記第１発光領域、前記第２発光領域、前記第３発光領域、および前記第４発光領域は、前記第２方向において互いに離隔して配列されており、
前記第１主発光領域、前記第２主発光領域、前記第３主発光領域、および前記第４主発光領域は、前記第２方向において互いに離隔して配列されており、
前記第１電極、前記第２電極、前記第３電極、および前記第４電極は、前記第２方向において互いに離隔して配列されており、
前記第３発光領域、前記第３主発光領域、および前記第３電極は、前記第２方向において互いに同じ位置に設けられており、
前記第４発光領域、前記第４主発光領域、および前記第４電極は、前記第２方向において互いに同じ位置に設けられている
請求項１４に記載の面発光レーザチップ。
前記第１発光領域、前記第２発光領域、前記第３発光領域、および前記第４発光領域は、前記第２方向において互いに離隔して配列されており、
前記第１主発光領域、前記第２主発光領域、前記第３主発光領域、および前記第４主発光領域は、前記第２方向において互いに離隔して配列されており、
前記第１電極、前記第２電極、前記第３電極、および前記第４電極は、前記第２方向において互いに離隔して配列されており、
前記第３発光領域、前記第３主発光領域、および前記第３電極は、前記第２方向において互いに同じ位置に設けられており、
前記第４発光領域、前記第４主発光領域、および前記第４電極は、前記第２方向において互いに同じ位置に設けられている
請求項１４に記載の面発光レーザチップ。
【請求項19】
前記第３発光領域および前記第４発光領域は、前記第１発光領域と前記第２発光領域との前記第２方向の間に設けられており、
前記第３主発光領域および前記第４主発光領域は、前記第１主発光領域と前記第２主発光領域との前記第２方向の間に設けられており、
前記第１方向における前記第１主発光領域および前記第２主発光領域の長さは、前記第１方向における前記第３主発光領域および前記第４主発光領域の長さよりも短い
請求項１８に記載の面発光レーザチップ。
前記第３主発光領域および前記第４主発光領域は、前記第１主発光領域と前記第２主発光領域との前記第２方向の間に設けられており、
前記第１方向における前記第１主発光領域および前記第２主発光領域の長さは、前記第１方向における前記第３主発光領域および前記第４主発光領域の長さよりも短い
請求項１８に記載の面発光レーザチップ。
【請求項20】
前記第３発光領域、前記第４発光領域、前記第３主発光領域、および前記第４主発光領域の各々は、レーザ光を出射する発光部を含み、
前記第３発光領域および前記第４発光領域は、前記第１発光領域と前記第２発光領域との前記第２方向の間に設けられており、
前記第３主発光領域および前記第４主発光領域は、前記第１主発光領域と前記第２主発光領域との前記第２方向の間に設けられており、
前記第１主発光領域および前記第２主発光領域の前記発光部の数は、前記第３主発光領域および前記第４主発光領域の前記発光部の数よりも少ない
請求項１８に記載の面発光レーザチップ。
前記第３発光領域および前記第４発光領域は、前記第１発光領域と前記第２発光領域との前記第２方向の間に設けられており、
前記第３主発光領域および前記第４主発光領域は、前記第１主発光領域と前記第２主発光領域との前記第２方向の間に設けられており、
前記第１主発光領域および前記第２主発光領域の前記発光部の数は、前記第３主発光領域および前記第４主発光領域の前記発光部の数よりも少ない
請求項１８に記載の面発光レーザチップ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、面発光レーザチップに関する。
【背景技術】
【0002】
従来、様々な電子機器に搭載される光源装置として、光源として発光ダイオード（ＬＥＤ：Light Emitting Diode）を備える半導体発光装置が知られている（例えば特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０１３－４１８６６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
ところで、半導体発光装置では、ＬＥＤチップが用いられるため、光源の高出力化に対応することが困難である。そこで、ＬＥＤチップに代えて、たとえば垂直共振器型面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ：Vertical Cavity Surface Emitting Laser）などの面発光レーザチップによって高出力化に対応することが考えられる。
【0005】
また、半導体発光装置では、ＬＥＤチップから出射される光の一部を受光する受光チップを備え、受光チップの受光量に基づいてＬＥＤチップから出射される光の強度を制御する構成の採用が進められている。
【0006】
このような半導体発光装置に対してＬＥＤチップに代えて面発光レーザチップが用いられる場合、面発光レーザチップはＬＥＤチップよりも指向角が狭いため、面発光レーザチップから出射されたレーザ光の一部を受光チップに向けて反射する必要がある。このため、例えば面発光レーザチップの発光面の一部に対向するように反射層を設ける場合がある。この場合、反射層の位置ずれ等に起因して、反射層が必要以上に発光面と対向してしまうと、面発光レーザチップが出射するレーザ光が反射層に必要以上に遮られるおそれがある。
【課題を解決するための手段】
【0007】
上記課題を解決する面発光レーザチップは、互いに反対側を向くチップ表面およびチップ裏面と、前記チップ表面に形成され、レーザ光を出射するように構成された第１発光面および第２発光面と、前記チップ表面に形成され、前記第１発光面および前記第２発光面の各々から離隔した位置に形成された電極と、を含み、前記チップ表面に垂直な厚さ方向から視て、前記第１発光面および前記第２発光面は、第１方向に離隔して配列されており、前記電極は、前記第１方向において前記第１発光面と前記第２発光面との間に配置されている。
【発明の効果】
【0008】
上記面発光レーザチップによれば、発光面からのレーザ光が反射層によって遮られにくくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【0009】
【発明を実施するための形態】
【0010】
以下、添付図面を参照して本開示における半導体発光装置のいくつかの実施形態を説明する。なお、説明を簡単かつ明確にするために、図面に示される構成要素は、必ずしも一定の縮尺で描かれていない。また、理解を容易にするために、断面図ではハッチング線が省略されている場合がある。添付の図面は、本開示の実施形態を例示するに過ぎず、本開示を制限するものとみなされるべきではない。
【0011】
以下の詳細な記載は、本開示の例示的な実施形態を具体化する装置、システム、および方法を含む。この詳細な記載は本来説明のためのものに過ぎず、本開示の実施形態またはこのような実施形態の適用および使用を限定することを意図しない。
【0012】
＜第１実施形態＞
図１～図４を参照して、第１実施形態の半導体発光装置１０について説明する。
図１は、半導体発光装置１０の概略斜視構造を示している。図２は、半導体発光装置１０から後述する封止部材５０を省略した状態の概略平面構造を示している。図３は、図２のＦ３－Ｆ３線で半導体発光装置１０を切断した概略断面構造を示している。図４は、半導体発光装置１０の概略平面構造を示している。なお、本開示において使用される「平面視」という用語は、図１に示される互いに直交するＸＹＺ軸のＺ方向に半導体発光装置１０を視ることをいう。
図１～図４を参照して、第１実施形態の半導体発光装置１０について説明する。
図１は、半導体発光装置１０の概略斜視構造を示している。図２は、半導体発光装置１０から後述する封止部材５０を省略した状態の概略平面構造を示している。図３は、図２のＦ３－Ｆ３線で半導体発光装置１０を切断した概略断面構造を示している。図４は、半導体発光装置１０の概略平面構造を示している。なお、本開示において使用される「平面視」という用語は、図１に示される互いに直交するＸＹＺ軸のＺ方向に半導体発光装置１０を視ることをいう。
【0013】
［半導体発光装置の全体構成］
図１に示すように、半導体発光装置１０は、Ｚ方向を厚さ方向とする矩形平板状に形成されている。半導体発光装置１０は、基板２０と、基板２０上に配置された面発光レーザチップ３０および受光チップ４０と、面発光レーザチップ３０および受光チップ４０を封止する封止部材５０と、を含む。
図１に示すように、半導体発光装置１０は、Ｚ方向を厚さ方向とする矩形平板状に形成されている。半導体発光装置１０は、基板２０と、基板２０上に配置された面発光レーザチップ３０および受光チップ４０と、面発光レーザチップ３０および受光チップ４０を封止する封止部材５０と、を含む。
【0014】
基板２０は、面発光レーザチップ３０および受光チップ４０を支持する部品である。基板２０は、Ｚ方向が厚さ方向となる矩形平板状に形成されている。以降の説明において、「平面視」は「基板の厚さ方向から視て」と同義である。
【0015】
図２に示すように、基板２０は、平面視においてＸ方向が長手方向となり、Ｙ方向が短手方向となる矩形状に形成されている。図１に示すように、基板２０は、基板表面２１と、Ｚ方向において基板表面２１とは反対側の基板裏面２２と、基板表面２１と基板裏面２２とを接続する第１～第４基板側面２３～２６（図２参照）と、を有する。第１基板側面２３および第２基板側面２４は基板２０のＸ方向の両端面を構成し、第３基板側面２５および第４基板側面２６は基板２０のＹ方向の両端面を構成している。なお、平面視における基板２０の形状は任意に変更可能である。
【0016】
基板２０は、例えば絶縁材料によって形成されている。絶縁材料としては、例えばエポキシ樹脂を含む材料によって形成されていてよい。その一例として、基板２０は、ガラスエポキシ樹脂によって形成されていてよい。また、絶縁材料として、例えばセラミックを含む材料によって形成されていてもよい。セラミックを含む材料としては、例えば窒化アルミニウム（ＡｌＮ）またはアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）などが挙げられる。基板２０がセラミックを含む材料によって形成されている場合、基板２０の放熱性能が向上するため、半導体発光装置１０の温度が過度に高くなることを抑制できる。
【0017】
面発光レーザチップ３０は、基板表面２１上に配置されている。面発光レーザチップ３０は、所定の波長帯の光を出射するレーザダイオードであり、半導体発光装置１０の光源として機能する。面発光レーザチップ３０の構成は特に限定されないが、第１実施形態では、垂直共振器型面発光レーザ（Vertical Cavity Surface Emitting Laser：ＶＣＳＥＬ）が用いられている。
【0018】
面発光レーザチップ３０は、Ｚ方向が厚さ方向となる矩形平板状に形成されている。一例では、図２に示すように、面発光レーザチップ３０は、平面視においてＸ方向が長手方向となり、Ｙ方向が短手方向となる矩形状に形成されている。なお、平面視における面発光レーザチップ３０の形状は任意に変更可能である。
【0019】
図１に示すように、面発光レーザチップ３０は、Ｚ方向において互いに反対側を向く第１チップ表面３１および第１チップ裏面３２を有する。第１チップ表面３１は面発光レーザチップ３０のチップ表面の一例であり、第１チップ裏面３２は面発光レーザチップ３０のチップ裏面の一例である。第１チップ表面３１は基板表面２１と同じ側を向き、第１チップ裏面３２は基板裏面２２と同じ側を向いている。第１チップ表面３１には、レーザ光を出射する発光面３３と、表面電極３４とが形成されている。表面電極３４は、面発光レーザチップ３０の電極の一例である。平面視において、発光面３３および表面電極３４は、面発光レーザチップ３０の長手方向（Ｘ方向）に並んでいる。第１チップ裏面３２には、裏面電極３５が形成されている。一例では、裏面電極３５は、第１チップ裏面３２の全体にわたり形成されている。面発光レーザチップ３０は、発光面３３からレーザ光を出射するように構成されている。発光面３３には、複数の発光部３３Ｐが設けられている。各発光部３３Ｐは、発光面３３に対して垂直な方向に向けてレーザ光を出射するように構成されている。各発光部３３Ｐが出射するレーザ光は、可視光線であってもよいし、紫外線等の可視光線よりも波長が長いレーザ光であってもよい。
【0020】
ここで、発光面３３を区画する破線枠の領域は、各発光部３３Ｐに電気的に接続された発光電極３８の外枠と同じである。つまり、平面視において、発光電極３８の外枠で囲まれた領域を発光面３３としている。発光電極３８は、表面電極３４と電気的に接続されている。より詳細には、面発光レーザチップ３０は、発光電極３８と表面電極３４とを電気的に接続する接続部３９を含む。接続部３９は、例えば配線層およびビアを含む。なお、発光電極３８は、表面電極３４と一体的に形成されていてもよい。
【0021】
受光チップ４０は、例えばフォトダイオードを含む。受光チップ４０は、面発光レーザチップ３０のレーザ光の一部を受光するために基板表面２１上に配置されている。受光チップ４０は、受光した光の強度に応じた信号を出力するように構成されている。
【0022】
受光チップ４０は、Ｚ方向が厚さ方向となる矩形平板状に形成されている。一例では、受光チップ４０は、平面視において正方形状に形成されている。図２に示す例では、受光チップ４０のＸ方向の寸法およびＹ方向の寸法は、面発光レーザチップ３０のＸ方向の寸法およびＹ方向の寸法よりも小さい。なお、平面視における受光チップ４０の形状およびサイズは任意に変更可能である。
【0023】
図１に示すように、受光チップ４０は、Ｚ方向において互いに反対側を向く第２チップ表面４１および第２チップ裏面４２を有する。第２チップ表面４１は基板表面２１と同じ側を向き、第２チップ裏面４２は基板裏面２２と同じ側を向いている。第２チップ表面４１には表面電極４３が形成されている。第２チップ裏面４２には裏面電極４４が形成されている。第１実施形態では、第２チップ表面４１は受光面を構成している。つまり、受光チップ４０は、第２チップ表面４１に入射されるレーザ光の強度に応じた電圧信号を生成するように構成されている。
【0024】
図２に示すように、面発光レーザチップ３０および受光チップ４０は、Ｘ方向に並んで配置されている。受光チップ４０は、基板２０上において平面視で面発光レーザチップ３０からＸ方向に離隔して配置されている。一例では、面発光レーザチップ３０および受光チップ４０は、Ｙ方向において互いに揃った状態でＸ方向において互いに離隔して配列されている。面発光レーザチップ３０は、受光チップ４０に対して第２基板側面２４寄りに配置されている。一例では、面発光レーザチップ３０は、平面視において発光面３３が受光チップ４０寄りとなるように配置されている。面発光レーザチップ３０は、表面電極３４が発光面３３に対して受光チップ４０とは反対側となるように配置されているともいえる。また、面発光レーザチップ３０は、発光面３３が受光チップ４０と表面電極３４とのＸ方向の間に位置するように配置されているともいえる。ここで、Ｘ方向は「第１方向」の一例である。
【0025】
図１に示すように、封止部材５０は、基板２０上に設けられている。封止部材５０は、面発光レーザチップ３０のレーザ光が透過可能な材料によって形成されている。封止部材５０は、例えばシリコーン樹脂、エポキシ樹脂、およびアクリル樹脂の少なくとも１つを含む材料によって形成されている。一例では、封止部材５０は、シリコーン樹脂によって形成されている。
【0026】
封止部材５０は、Ｚ方向を厚さ方向とする矩形平板状に形成されている。封止部材５０は、基板表面２１と同じ側を向く封止表面５１と、封止表面５１と交差する第１～第４封止側面５３～５６と、を有する。
【0027】
封止表面５１は、基板２０の厚さ方向（Ｚ方向）と直交する平坦面である。このため、平面視とは、封止表面５１に垂直な方向から視てと言い換えることができる。第１～第４封止側面５３～５６は、例えば封止表面５１と直交している。第１封止側面５３および第２封止側面５４は封止部材５０のＸ方向の両端面を構成し、第３封止側面５５および第４封止側面５６は封止部材５０のＹ方向の両端面を構成している。第１封止側面５３は第１基板側面２３と同じ側を向き、第２封止側面５４は第２基板側面２４と同じ側を向いている。第３封止側面５５は第３基板側面２５と同じ側を向き、第４封止側面５６は第４基板側面２６と同じ側を向いている。一例では、第１封止側面５３と第１基板側面２３とは面一となるように形成され、第２封止側面５４と第２基板側面２４とは面一となるように形成されている。第３封止側面５５と第３基板側面２５とは面一になるように形成され、第４封止側面５６と第４基板側面２６とは面一になるように形成されている。面発光レーザチップ３０のレーザ光は、封止表面５１を介して封止部材５０から出射される。
【0028】
［半導体発光装置の電気的接続構成］
図２および図３に示すように、半導体発光装置１０は、基板表面２１に設けられた第１表面電極６１Ｓ、第２表面電極６２Ｓ、および第３表面電極６３Ｓと、基板裏面２２に設けられた第１裏面電極６１Ｒ、第２裏面電極６２Ｒ、および第３裏面電極６３Ｒと、基板２０内に設けられた第１ビア６７、第２ビア６８、および第３ビア（図示略）と、を含む。第１～第３表面電極６１Ｓ～６３Ｓ、第１～第３裏面電極６１Ｒ～６３Ｒ、第１ビア６７、第２ビア６８、および第３ビアは、例えばＴｉ（チタン）、ＴｉＮ（窒化チタン）、Ａｕ（金）、Ａｇ（銀）、Ｃｕ（銅）、Ａｌ（アルミニウム）、およびＷ（タングステン）のうち１つまたは複数が適宜選択されたものを含む材料によって形成されている。
図２および図３に示すように、半導体発光装置１０は、基板表面２１に設けられた第１表面電極６１Ｓ、第２表面電極６２Ｓ、および第３表面電極６３Ｓと、基板裏面２２に設けられた第１裏面電極６１Ｒ、第２裏面電極６２Ｒ、および第３裏面電極６３Ｒと、基板２０内に設けられた第１ビア６７、第２ビア６８、および第３ビア（図示略）と、を含む。第１～第３表面電極６１Ｓ～６３Ｓ、第１～第３裏面電極６１Ｒ～６３Ｒ、第１ビア６７、第２ビア６８、および第３ビアは、例えばＴｉ（チタン）、ＴｉＮ（窒化チタン）、Ａｕ（金）、Ａｇ（銀）、Ｃｕ（銅）、Ａｌ（アルミニウム）、およびＷ（タングステン）のうち１つまたは複数が適宜選択されたものを含む材料によって形成されている。
【0029】
【0030】
第２表面電極６２Ｓは、平面視においてＹ方向が長手方向となり、Ｘ方向が短手方向となる矩形状に形成されている。第２表面電極６２Ｓは、Ｘ方向において第１表面電極６１Ｓと離隔して配置されている。第２表面電極６２Ｓは、平面視において第１基板側面２３とＸ方向に隣り合う位置に配置されている。
【0031】
第３表面電極６３Ｓは、平面視においてＸ方向が長手方向となり、Ｙ方向が短手方向となる矩形状に形成されている。第３表面電極６３Ｓは、平面視において第４基板側面２６とＹ方向に隣り合う位置であって基板表面２１のＸ方向の中央よりも第２基板側面２４寄りに配置されている。第３表面電極６３Ｓは、第１表面電極６１Ｓおよび第２表面電極６２Ｓの双方と離隔して配置されている。
【0032】
面発光レーザチップ３０および受光チップ４０の双方は、第１表面電極６１Ｓ上に配置されている。より詳細には、図３に示すように、面発光レーザチップ３０および受光チップ４０の双方は、導電性接合材ＳＤによって第１表面電極６１Ｓに接合されている。導電性接合材ＳＤとしては、例えばはんだペースト、銀ペースト、金ペースト、銅ペースト等が用いられてよい。これにより、面発光レーザチップ３０の裏面電極３５および受光チップ４０の裏面電極４４の双方が導電性接合材ＳＤを介して第１表面電極６１Ｓと電気的に接続されている。
【0033】
面発光レーザチップ３０の表面電極３４には、ワイヤＷ１が形成されている。ワイヤＷ１は、第３表面電極６３Ｓに接続されている。これにより、ワイヤＷ１を介して面発光レーザチップ３０の表面電極３４と第３表面電極６３Ｓとが電気的に接続されている。図２に示す例では、ワイヤＷ１は、平面視においてＹ方向に延びるように形成されている。
【0034】
受光チップ４０の表面電極４３には、ワイヤＷ２が形成されている。ワイヤＷ２は、第２表面電極６２Ｓに接続されている。これにより、ワイヤＷ２を介して受光チップ４０の表面電極４３と第２表面電極６２Ｓとが電気的に接続されている。図２に示す例では、ワイヤＷ２は、平面視においてＸ方向に延びるように形成されている。ワイヤＷ１，Ｗ２は、ワイヤボンディング装置によって形成されたボンディングワイヤであり、例えばＡｕ、Ａｌ、Ｃｕ等を含む導体によって形成されている。
【0035】
図３に示すように、第１裏面電極６１Ｒおよび第２裏面電極６２Ｒは、Ｘ方向において互いに離隔して配列されている。また、第３裏面電極６３Ｒは、第１裏面電極６１Ｒおよび第２裏面電極６２Ｒの双方と離隔して配置されている。
【0036】
第１裏面電極６１Ｒは、基板裏面２２のＸ方向の両端部のうち第２基板側面２４に近い方の端部に形成されている。平面視において、第１裏面電極６１Ｒは、第１表面電極６１Ｓと重なる部分を含む。
【0037】
第２裏面電極６２Ｒは、基板裏面２２のＸ方向の両端部のうち第１基板側面２３に近い方の端部に形成されている。平面視において、第２裏面電極６２Ｒは、第２表面電極６２Ｓと重なる部分を含む。
【0038】
第３裏面電極６３Ｒは、基板裏面２２のＸ方向の中央よりも第２基板側面２４寄りの位置に形成されている。平面視において、第３裏面電極６３Ｒは、第３表面電極６３Ｓ（図２参照）と重なる部分を含む。
【0039】
第１ビア６７は、第１表面電極６１Ｓと第１裏面電極６１Ｒとを電気的に接続している。第２ビア６８は、第２表面電極６２Ｓと第２裏面電極６２Ｒとを電気的に接続している。図示していないが、第３ビアは、第３表面電極６３Ｓと第３裏面電極６３Ｒとを電気的に接続している。第１ビア６７、第２ビア６８、および第３ビアの各々は、基板２０をＺ方向に貫通している。なお、第１ビア６７、第２ビア６８、および第３ビアの各々は複数設けられていてもよい。
【0040】
第１裏面電極６１Ｒは、第１表面電極６１Ｓおよび第１ビア６７を介して面発光レーザチップ３０の裏面電極３５および受光チップ４０の裏面電極４４の双方と電気的に接続されている。第２裏面電極６２Ｒは、第２表面電極６２Ｓおよび第２ビア６８を介して受光チップ４０の表面電極４３と電気的に接続されている。第３裏面電極６３Ｒは、第３表面電極６３Ｓおよび第３ビアを介して面発光レーザチップ３０の表面電極３４と電気的に接続されている。このように、半導体発光装置１０は、表面実装型のパッケージ構造として構成されている。
【0041】
半導体発光装置１０は、面発光レーザチップ３０の光出力が一定となるように面発光レーザチップ３０に供給する電流を制御する、いわゆるＡＰＣ（Auto Power Control）駆動が採用されている。より詳細には、半導体発光装置１０の外部に設けられ、面発光レーザチップ３０に供給する電流を制御する制御装置は、受光チップ４０が受光した面発光レーザチップ３０のレーザ光に応じた信号を受信する。一例では、受光チップ４０の信号は、第２裏面電極６２Ｒを介して制御装置に出力される。制御装置は、第２裏面電極６２Ｒと電気的に接続されることによって、受光チップ４０の信号を受信する。そして、制御装置は、受信した信号と、予め設定された光出力となる出力設定値との差に応じて、面発光レーザチップ３０に供給する電流を制御する。一例では、制御装置は、受信した信号のレベルが出力設定値と一致するように、面発光レーザチップ３０に供給する電流を制御する。
【0042】
［反射部］
図３および図４に示すように、半導体発光装置１０は、面発光レーザチップ３０のレーザ光の一部を受光チップ４０に向けて反射する反射部７０を含む。反射部７０は、封止部材５０に設けられている。受光チップ４０は、反射部７０による反射光の少なくとも一部を受光する位置に配置されている。
図３および図４に示すように、半導体発光装置１０は、面発光レーザチップ３０のレーザ光の一部を受光チップ４０に向けて反射する反射部７０を含む。反射部７０は、封止部材５０に設けられている。受光チップ４０は、反射部７０による反射光の少なくとも一部を受光する位置に配置されている。
【0043】
第１実施形態では、反射部７０は、封止部材５０の封止表面５１の一部に形成された凹凸によって構成されている。より詳細には、図４に示すように、封止部材５０の封止表面５１は、平坦面５１Ａと、平坦面５１Ａよりも粗い粗面５１Ｂと、を含む。第１実施形態では、反射部７０は、粗面５１Ｂによって構成されている。封止部材５０は、例えばモールド成型によって形成されている。粗面５１Ｂは、封止部材５０のモールド成型時に形成される。より詳細には、モールド成型に使用される金型に粗面５１Ｂを形成するための凹凸領域が形成されている。これにより、封止部材５０のモールド成型後に金型が封止部材５０から離隔されると、粗面５１Ｂが封止部材５０に形成される。
【0044】
平面視において、反射部７０は、面発光レーザチップ３０と受光チップ４０とのＸ方向の間に形成されている。一例では、反射部７０は、平面視において受光チップ４０と重なる部分を含む。図４に示す例では、反射部７０は、平面視において、受光チップ４０のＸ方向の両端部のうち面発光レーザチップ３０に近い方の端部と重なる部分を含む。また、図４に示す例では、反射部７０は、平面視において、面発光レーザチップ３０の発光面３３とは重ならない位置に形成されている。より詳細には、反射部７０のＸ方向の両端部のうち面発光レーザチップ３０に近い方の端部は、Ｘ方向において面発光レーザチップ３０の発光面３３と隣り合う位置に配置されている。一方、反射部７０は、平面視において、面発光レーザチップ３０の第１チップ表面３１と重なる部分を含む。このように、反射部７０は、平面視において面発光レーザチップ３０と受光チップ４０とのＸ方向の間を跨ぐように設けられている。
【0045】
平面視における反射部７０の形状は、例えば矩形状である。図４に示す例では、平面視における反射部７０の形状は、Ｘ方向が短手方向となり、Ｙ方向が長手方向となる長方形状である。平面視における反射部７０の面積は、受光チップ４０の第２チップ表面４１の面積よりも大きい。一例では、図４に示すように、反射部７０のＹ方向の寸法ＬＡは、受光チップ４０の第２チップ表面４１のＹ方向の寸法ＬＢよりも大きい。また一例では、寸法ＬＡは、面発光レーザチップ３０のＹ方向の寸法ＬＣよりも大きい。なお、平面視における反射部７０の形状およびサイズは任意に変更可能である。
【0046】
［作用］
第１実施形態の半導体発光装置１０の作用について説明する。
ＶＣＳＥＬ等の面発光レーザチップ３０では、レーザ光の出力が面発光レーザチップ３０の温度に応じて変化してしまう。より詳細には、面発光レーザチップ３０のレーザ光の出力は、面発光レーザチップ３０の温度が高くなるにつれて低下する。一方、半導体発光装置１０では、レーザ光の出力が温度にかかわらず一定であることが求められる。
第１実施形態の半導体発光装置１０の作用について説明する。
ＶＣＳＥＬ等の面発光レーザチップ３０では、レーザ光の出力が面発光レーザチップ３０の温度に応じて変化してしまう。より詳細には、面発光レーザチップ３０のレーザ光の出力は、面発光レーザチップ３０の温度が高くなるにつれて低下する。一方、半導体発光装置１０では、レーザ光の出力が温度にかかわらず一定であることが求められる。
【0047】
そこで、半導体発光装置１０では、面発光レーザチップ３０から出射されたレーザ光の一部を受光チップ４０が受光することによって、面発光レーザチップ３０から出射されたレーザ光の出力を把握したうえで、予め定められたレーザ光の出力となるように面発光レーザチップ３０からのレーザ光の出力を制御する、所謂ＡＰＣ駆動が行われる。つまり、受光チップ４０が受光したレーザ光の出力と出力設定値との差分に応じて面発光レーザチップ３０に供給される電流量が制御される。
【0048】
このようなＡＰＣ駆動を行うため、半導体発光装置１０では、面発光レーザチップ３０からのレーザ光の一部を受光チップ４０に向けて反射する反射部７０が封止部材５０に設けられている。そして、受光チップ４０が反射部７０による反射光の少なくとも一部を受光する位置に配置されることによって、面発光レーザチップ３０からのレーザ光の一部を受光チップ４０が受光しやすくなる。これにより、ＡＰＣ駆動に基づいて面発光レーザチップ３０に供給する電流を制御することができる。
【0049】
［効果］
第１実施形態の半導体発光装置１０によれば、以下の効果が得られる。
（１－１）半導体発光装置１０は、発光面３３を有し、当該発光面３３からレーザ光を出射する面発光レーザチップ３０と、受光チップ４０と、レーザ光が通過可能な材料によって形成され、面発光レーザチップ３０および受光チップ４０を封止する封止部材５０と、封止部材５０に設けられ、レーザ光の一部を受光チップ４０に向けて反射する反射部７０と、を含む。受光チップ４０は、反射部７０による反射光の少なくとも一部を受光する位置に配置されている。
第１実施形態の半導体発光装置１０によれば、以下の効果が得られる。
（１－１）半導体発光装置１０は、発光面３３を有し、当該発光面３３からレーザ光を出射する面発光レーザチップ３０と、受光チップ４０と、レーザ光が通過可能な材料によって形成され、面発光レーザチップ３０および受光チップ４０を封止する封止部材５０と、封止部材５０に設けられ、レーザ光の一部を受光チップ４０に向けて反射する反射部７０と、を含む。受光チップ４０は、反射部７０による反射光の少なくとも一部を受光する位置に配置されている。
【0050】
この構成によれば、面発光レーザチップ３０からのレーザ光の一部は反射部７０によって受光チップ４０に向けて反射され、かつレーザ光の一部が反射部７０によって反射された反射光の少なくとも一部を受光する位置に受光チップ４０が配置されているため、面発光レーザチップ３０からのレーザ光の一部を受光チップ４０が受光しやすくなる。したがって、ＡＰＣ駆動で半導体発光装置１０が制御される場合には、受光チップ４０の受光量に基づいて面発光レーザチップ３０のレーザ光の出力が予め設定された値となるように制御することができる。
【0051】
加えて、面発光レーザチップ３０および受光チップ４０が封止部材５０によって封止されているので、面発光レーザチップ３０および受光チップ４０に水分や塵等の異物が付着することを抑制できる。また、例えば封止部材５０に代えて、基板２０上に設けられ、面発光レーザチップ３０および受光チップ４０を囲む側壁と、側壁の開口部を覆う透光性のキャップとによって面発光レーザチップ３０および受光チップ４０を封止する構成と比較して、製造工程が簡略化できるとともに製造コストを低減することができる。
【0052】
（１－２）反射部７０は、封止部材５０の封止表面５１の一部に形成された凹凸によって構成されている。
この構成によれば、反射部７０が封止部材５０とは別部材として設けられることなく、封止部材５０と一体に形成されているため、製造コストを低減することができる。
この構成によれば、反射部７０が封止部材５０とは別部材として設けられることなく、封止部材５０と一体に形成されているため、製造コストを低減することができる。
【0053】
（１－３）封止部材５０の封止表面５１は、平坦面５１Ａと、平坦面５１Ａよりも粗い粗面５１Ｂと、を含む。反射部７０は、粗面５１Ｂによって構成されている。
この構成によれば、面発光レーザチップ３０からのレーザ光の一部が粗面５１Ｂにおいて拡散反射（乱反射）することによって、粗面５１Ｂからの反射光の一部を受光チップ４０が受光することができる。一方、面発光レーザチップ３０から出射されるレーザ光は、平坦面５１Ａを通過するため、レーザ光の拡散を抑制することができる。したがって、面発光レーザチップ３０の指向性の低下を抑制することができる。
この構成によれば、面発光レーザチップ３０からのレーザ光の一部が粗面５１Ｂにおいて拡散反射（乱反射）することによって、粗面５１Ｂからの反射光の一部を受光チップ４０が受光することができる。一方、面発光レーザチップ３０から出射されるレーザ光は、平坦面５１Ａを通過するため、レーザ光の拡散を抑制することができる。したがって、面発光レーザチップ３０の指向性の低下を抑制することができる。
【0054】
（１－４）平面視において、面発光レーザチップ３０の発光面３３および受光チップ４０の受光面としての第２チップ表面４１はＸ方向において互いに離隔して配置されている。反射部７０は、発光面３３と第２チップ表面４１とのＸ方向の間に形成されている。
【0055】
この構成によれば、反射部７０が面発光レーザチップ３０からのレーザ光の一部を反射しやすくなる。したがって、面発光レーザチップ３０からのレーザ光の一部を受光チップ４０が受光しやすくなる。
【0056】
（１－５）反射部７０は、平面視において面発光レーザチップ３０と受光チップ４０とのＸ方向の間を跨ぐように設けられている。
この構成によれば、反射部７０が面発光レーザチップ３０からのレーザ光の一部をさらに反射しやすくなる。したがって、面発光レーザチップ３０からのレーザ光の一部を受光チップ４０がさらに受光しやすくなる。
この構成によれば、反射部７０が面発光レーザチップ３０からのレーザ光の一部をさらに反射しやすくなる。したがって、面発光レーザチップ３０からのレーザ光の一部を受光チップ４０がさらに受光しやすくなる。
【0057】
（１－６）面発光レーザチップ３０の第１チップ表面３１には、発光面３３と、平面視において発光面３３とＸ方向に離隔して形成された表面電極３４と、が形成されている。受光チップ４０は、Ｘ方向において発光面３３に対して表面電極３４とは反対側に配置されている。
【0058】
この構成によれば、Ｘ方向において面発光レーザチップ３０の発光面３３と受光チップ４０の第２チップ表面４１（受光面）との間の距離を短くすることができる。したがって、面発光レーザチップ３０からのレーザ光の一部を受光チップ４０が受光しやすくなる。
【0059】
（１－７）平面視における反射部７０の形状は、矩形状である。
この構成によれば、平面視における反射部７０の形状が円形である場合と比較して、平面視において面発光レーザチップ３０および受光チップ４０に対して反射部７０の位置がずれたとしても、面発光レーザチップ３０からのレーザ光の一部を反射しやすい。
この構成によれば、平面視における反射部７０の形状が円形である場合と比較して、平面視において面発光レーザチップ３０および受光チップ４０に対して反射部７０の位置がずれたとしても、面発光レーザチップ３０からのレーザ光の一部を反射しやすい。
【0060】
（１－８）平面視において、反射部７０のＹ方向の寸法ＬＡは、受光チップ４０のＹ方向の寸法ＬＢよりも大きい。
この構成によれば、受光チップ４０に対して反射部７０の位置がＹ方向にずれたとしても、反射部７０からの反射光が受光チップ４０の第２チップ表面４１に入射しやすくなる。
この構成によれば、受光チップ４０に対して反射部７０の位置がＹ方向にずれたとしても、反射部７０からの反射光が受光チップ４０の第２チップ表面４１に入射しやすくなる。
【0061】
（１－９）平面視において、反射部７０のＹ方向の寸法ＬＡは、面発光レーザチップ３０のＹ方向の寸法ＬＣよりも大きい。
この構成によれば、面発光レーザチップ３０に対して反射部７０の位置がＹ方向にずれたとしても、面発光レーザチップ３０からのレーザ光の一部が反射部７０によって反射することができる。
この構成によれば、面発光レーザチップ３０に対して反射部７０の位置がＹ方向にずれたとしても、面発光レーザチップ３０からのレーザ光の一部が反射部７０によって反射することができる。
【0062】
＜第２実施形態＞
図５および図６を参照して、第２実施形態の半導体発光装置１０について説明する。第２実施形態の半導体発光装置１０では、第１実施形態の半導体発光装置１０と比較して、反射部７０の構成が異なる。以下では、第１実施形態の半導体発光装置１０と異なる点について詳細に説明し、第１実施形態の半導体発光装置１０と共通する構成要素には同一符号を付し、その詳細な説明を省略する。図５は、ＸＺ平面で半導体発光装置１０を切断した概略断面構造を示している。図６は、図５の反射部７０およびその周辺を拡大した概略断面構造を示している。
図５および図６を参照して、第２実施形態の半導体発光装置１０について説明する。第２実施形態の半導体発光装置１０では、第１実施形態の半導体発光装置１０と比較して、反射部７０の構成が異なる。以下では、第１実施形態の半導体発光装置１０と異なる点について詳細に説明し、第１実施形態の半導体発光装置１０と共通する構成要素には同一符号を付し、その詳細な説明を省略する。図５は、ＸＺ平面で半導体発光装置１０を切断した概略断面構造を示している。図６は、図５の反射部７０およびその周辺を拡大した概略断面構造を示している。
【0063】
図５および図６に示すように、第２実施形態の半導体発光装置１０においては、反射部７０は、封止部材５０の粗面５１Ｂ（図３参照）に代えて、面発光レーザチップ３０のレーザ光を受光チップ４０に向けて反射する反射層７１を含む。反射層７１は、封止部材５０に設けられている。
【0064】
封止部材５０のうち反射部７０が形成される領域は、凹部５７が設けられている。凹部５７は、封止部材５０の封止表面５１の一部に形成されている。凹部５７は、封止表面５１から基板２０に向けてＺ方向に凹んでいる。図５および図６に示す例では、凹部５７の底面５７Ａは、Ｚ方向に直交する平坦面によって形成されている。つまり、底面５７Ａは、封止部材５０の封止表面５１と平行である。
【0065】
反射層７１は、凹部５７に設けられている。つまり、反射層７１は、封止部材５０とは別の部材として設けられている。反射層７１は、例えば白色の反射材が用いられてよい。この反射材としては、例えばシリコーン樹脂を含む材料によって形成されてよい。また、反射材は、反射塗料によって形成されてよい。反射層７１は、例えば凹部５７に反射材が塗布されることによって形成されている。なお、反射層７１は、例えばＡｌ等の金属膜であってもよい。この場合、反射層７１は、凹部５７に金属膜が蒸着されることによって形成される。図６に示すように、反射層７１は、封止部材５０の封止表面５１から突出するように形成されていてよい。図６に示す例では、反射層７１のＸ方向の中央が厚くなるように形成されている。より詳細には、反射層７１の表面７１ＡがＸ方向の中央に向かうにつれて封止表面５１から突出するように湾曲凸状に形成されている。
【0066】
なお、凹部５７の底面５７Ａの形状は任意に変更可能である。一例では、底面５７Ａは、Ｘ方向の中央に向かうにつれて封止表面５１に向けて湾曲凸状となるように形成されていてもよい。この場合、反射層７１は、底面５７Ａの形状に応じて湾曲凸状に形成されていてもよい。また一例では、底面５７Ａは、Ｘ方向の中央に向かうにつれて基板２０（図５参照）に向けて湾曲凹状となるように形成されていてもよい。この場合、反射層７１は、底面５７Ａの形状に応じて湾曲凹状に形成されていてもよい。
【0067】
［効果］
第２実施形態の半導体発光装置１０によれば、第１実施形態の（１－１）および（１－４）～（１－９）の効果に加え、以下の効果が得られる。
第２実施形態の半導体発光装置１０によれば、第１実施形態の（１－１）および（１－４）～（１－９）の効果に加え、以下の効果が得られる。
【0068】
（２－１）封止部材５０は、レーザ光が透過する封止表面５１と、封止表面５１のうち一部が基板２０に向けて凹む凹部５７と、を含む。反射部７０は、凹部５７に設けられた反射層７１を含む。
【0069】
この構成によれば、封止部材５０とは別部材として反射層７１が設けられるため、反射層７１を構成する材料に応じてレーザ光の反射率を調整することができる。
加えて、金型によって封止部材５０が形成される際に凹部５７が同時に形成される場合、つまり金型によって凹部５７が形成される場合、封止部材５０に対する凹部５７の位置と凹部５７のＸ方向の寸法およびＹ方向の寸法との各々が高精度に設定される。このため、凹部５７に設けられる反射層７１のＸ方向の寸法およびＹ方向の寸法のばらつきを低減することができる。したがって、面発光レーザチップ３０および受光チップ４０に対する反射層７１の位置ずれを抑制することができる。
加えて、金型によって封止部材５０が形成される際に凹部５７が同時に形成される場合、つまり金型によって凹部５７が形成される場合、封止部材５０に対する凹部５７の位置と凹部５７のＸ方向の寸法およびＹ方向の寸法との各々が高精度に設定される。このため、凹部５７に設けられる反射層７１のＸ方向の寸法およびＹ方向の寸法のばらつきを低減することができる。したがって、面発光レーザチップ３０および受光チップ４０に対する反射層７１の位置ずれを抑制することができる。
【0070】
＜第３実施形態＞
図７および図８を参照して、第３実施形態の半導体発光装置１０について説明する。第３実施形態の半導体発光装置１０では、第２実施形態の半導体発光装置１０と比較して、受光チップの構成と、受光チップおよび面発光レーザチップ３０の配置態様とが主に異なる。以下では、第２実施形態の半導体発光装置１０と異なる点について詳細に説明し、第２実施形態の半導体発光装置１０と共通する構成要素には同一符号を付し、その詳細な説明を省略する。図７は、半導体発光装置１０から封止部材５０を省略した状態の概略平面構造を示している。図８は、図７のＦ８－Ｆ８線で半導体発光装置１０を切断した概略断面構造を示している。
図７および図８を参照して、第３実施形態の半導体発光装置１０について説明する。第３実施形態の半導体発光装置１０では、第２実施形態の半導体発光装置１０と比較して、受光チップの構成と、受光チップおよび面発光レーザチップ３０の配置態様とが主に異なる。以下では、第２実施形態の半導体発光装置１０と異なる点について詳細に説明し、第２実施形態の半導体発光装置１０と共通する構成要素には同一符号を付し、その詳細な説明を省略する。図７は、半導体発光装置１０から封止部材５０を省略した状態の概略平面構造を示している。図８は、図７のＦ８－Ｆ８線で半導体発光装置１０を切断した概略断面構造を示している。
【0071】
図７に示すように、第３実施形態の半導体発光装置１０は、受光チップ４０（図５参照）に代えて、受光チップ８０を含む。
図７および図８に示すように、受光チップ８０は、Ｚ方向が厚さ方向となる矩形平板状に形成されている。受光チップ８０のＸ方向の寸法およびＹ方向の寸法は、面発光レーザチップ３０のＸ方向の寸法およびＹ方向の寸法よりも大きい。受光チップ８０は、例えば導電性接合材ＳＤによって第１表面電極６１Ｓに接合されている。
図７および図８に示すように、受光チップ８０は、Ｚ方向が厚さ方向となる矩形平板状に形成されている。受光チップ８０のＸ方向の寸法およびＹ方向の寸法は、面発光レーザチップ３０のＸ方向の寸法およびＹ方向の寸法よりも大きい。受光チップ８０は、例えば導電性接合材ＳＤによって第１表面電極６１Ｓに接合されている。
【0072】
受光チップ８０は、Ｚ方向において互いに反対側を向くチップ表面８１およびチップ裏面８２（図８参照）と、チップ表面８１とチップ裏面８２とを接続する第１～第４チップ側面８３～８６と、を含む。第１チップ側面８３および第２チップ側面８４は受光チップ８０のＸ方向の両端面を構成し、第３チップ側面８５および第４チップ側面８６は受光チップ８０のＹ方向の両端面を構成している。チップ表面８１は基板表面２１と同じ側を向き、チップ裏面８２は基板裏面２２と同じ側を向いている。第１チップ側面８３は第１基板側面２３と同じ側を向き、第２チップ側面８４は第２基板側面２４と同じ側を向いている。第３チップ側面８５は第３基板側面２５と同じ側を向き、第４チップ側面８６は第４基板側面２６と同じ側を向いている。ここで、Ｚ方向は「チップ表面に垂直な方向」の一例である。このため、平面視は「チップ表面に垂直な方向から視て」という意味も含む。
【0073】
受光チップ８０は、受光素子９５、検出用受光素子９６、第１電極９１、第２電極９２、第３電極９３、および第４電極９４を含む。受光素子９５、検出用受光素子９６、および第１～第４電極９１～９４は、チップ表面８１に形成されている。
【0074】
第１電極９１は、チップ表面８１のＸ方向の中央に形成されている。第１電極９１は、面発光レーザチップ３０が実装される電極である。平面視における第１電極９１の面積は、第２～第４電極９２～９４の面積よりも大きい。
【0075】
第２電極９２は、チップ表面８１のＸ方向の両端部のうち第１チップ側面８３に近い方の端部に形成されている。第３電極９３および第４電極９４は、チップ表面８１のＸ方向の両端部のうち第２チップ側面８４に近い方の端部に形成されている。第３電極９３および第４電極９４は、Ｙ方向において互いに離隔して配列されている。第４電極９４は、受光チップ８０内において第１電極９１と電気的に接続されている。
【0076】
図８に示すように、受光素子９５は、例えばフォトダイオードによって構成されている。受光素子９５は、面発光レーザチップ３０のレーザ光が反射部７０によって反射された反射光の少なくとも一部を受光するように構成されている。受光素子９５は、Ｘ方向において第１電極９１と第２電極９２との間に形成されている。
【0077】
受光素子９５は、受光面９５Ａと、第１素子電極および第２素子電極とを含む。第１素子電極はフォトダイオードのアノードおよびカソードの一方を構成し、第２素子電極はフォトダイオードのアノードおよびカソードの他方を構成している。第２電極９２は、受光チップ８０内において受光素子９５の第１素子電極と電気的に接続されている。第４電極９４は、受光チップ８０内において受光素子９５の第２素子電極と電気的に接続されている。
【0078】
検出用受光素子９６は、例えばフォトダイオードによって構成されている。検出用受光素子９６は、面発光レーザチップ３０から出射されたレーザ光が対象物ＤＴによって反射された反射光の少なくとも一部を受光するように構成されている。検出用受光素子９６は、Ｘ方向において第１電極９１と第３電極９３および第４電極９４との間に配置されている。検出用受光素子９６は、例えばＹ方向から視て、第１電極９１よりも第３電極９３および第４電極９４寄りに配置されている。つまり、検出用受光素子９６と第１電極９１とのＸ方向の間の距離ＤＰ１は、検出用受光素子９６と第３電極９３（第４電極９４）とのＸ方向の間の距離ＤＰ２（図７参照）よりも大きい。また一例では、検出用受光素子９６と第１電極９１とのＸ方向の間の距離ＤＰ１は、受光素子９５と第１電極９１とのＸ方向の間の距離ＤＰ３よりも大きい。なお、距離ＤＰ１，ＤＰ２，ＤＰ３の各々は任意に変更可能である。
【0079】
検出用受光素子９６は、検出面９６Ａと、第１素子電極および第２素子電極とを含む。第１素子電極はフォトダイオードのアノードおよびカソードの一方を構成し、第２素子電極はフォトダイオードのアノードおよびカソードの他方を構成している。第３電極９３は、受光チップ８０内において検出用受光素子９６の第１素子電極と電気的に接続されている。第４電極９４は、受光チップ８０内において検出用受光素子９６の第２素子電極と電気的に接続されている。
【0080】
図８に示すように、面発光レーザチップ３０は、チップ表面８１に接合されている。より詳細には、面発光レーザチップ３０は、チップ表面８１に形成された第１電極９１に接合されている。面発光レーザチップ３０は、導電性接合材ＳＤによって第１電極９１に電気的に接続されている。このため、面発光レーザチップ３０の裏面電極３５は、導電性接合材ＳＤを介して第１電極９１と電気的に接続されている。
【0081】
図７に示すように、面発光レーザチップ３０は、平面視において受光素子９５とは異なる位置に配置されている。より詳細には、面発光レーザチップ３０は、受光素子９５よりも第２チップ側面８４寄りに配置されている。面発光レーザチップ３０は、平面視において、受光素子９５と検出用受光素子９６とのＸ方向の間に配置されているともいえる。換言すると、受光素子９５および検出用受光素子９６は、面発光レーザチップ３０のＸ方向の両側に分散して形成されているといえる。このため、検出用受光素子９６は、Ｘ方向において面発光レーザチップ３０に対して受光素子９５とは反対側に配置されているといえる。平面視において、面発光レーザチップ３０と受光素子９５とのＸ方向の間の距離Ｄ１は、面発光レーザチップ３０と検出用受光素子９６とのＸ方向の間の距離Ｄ２よりも小さい。
【0082】
面発光レーザチップ３０の表面電極３４は、平面視において発光面３３に対して検出用受光素子９６寄りに配置されている。このため、受光素子９５は、Ｘ方向において発光面３３に対して表面電極３４とは反対側に配置されているといえる。
【0083】
図８に示すように、面発光レーザチップ３０の発光面３３は、Ｚ方向において受光素子９５の受光面９５Ａおよび検出用受光素子９６の検出面９６Ａよりも封止表面５１寄りに配置されている。また、面発光レーザチップ３０の第１チップ裏面３２は、Ｚ方向において受光素子９５の受光面９５Ａおよび検出用受光素子９６の検出面９６Ａよりも封止表面５１寄りに配置されている。
【0084】
図７に示すように、半導体発光装置１０は、基板表面２１に形成された第１表面電極６１Ｓ、第２表面電極６２Ｓ、第３表面電極６３Ｓ、および第４表面電極６４Ｓを含む。第１表面電極６１Ｓ、第２表面電極６２Ｓ、第３表面電極６３Ｓ、および第４表面電極６４Ｓは互いに離隔して配置されている。第１表面電極６１Ｓおよび第２表面電極６２Ｓの配置態様は第１実施形態と同じである。また、第２表面電極６２Ｓの形状、およびサイズは、第１実施形態と同じである。
【0085】
第３表面電極６３Ｓおよび第４表面電極６４Ｓは、平面視において受光チップ８０よりも第４基板側面２６寄りに配置されている。第３表面電極６３Ｓおよび第４表面電極６４Ｓは、Ｙ方向において互いに同じ位置であってＸ方向において互いに離隔して配列されている。第３表面電極６３Ｓは、第４表面電極６４Ｓよりも第１基板側面２３寄りに配置されている。平面視における第３表面電極６３Ｓおよび第４表面電極６４Ｓの形状は、Ｘ方向が長手方向となり、Ｙ方向が短手方向となる矩形状である。
【0086】
面発光レーザチップ３０の表面電極３４には、ワイヤＷ１が形成されている。ワイヤＷ１は、第３表面電極６３Ｓに接続されている。これにより、ワイヤＷ１を介して面発光レーザチップ３０の表面電極３４と第３表面電極６３Ｓとが電気的に接続されている。図７に示す例では、ワイヤＷ１は、平面視においてＹ方向に延びるように形成されている。
【0087】
第２電極９２には、ワイヤＷ３が形成されている。ワイヤＷ３は、第２表面電極６２Ｓに接続されている。これにより、ワイヤＷ３および第２電極９２を介して受光素子９５の第１素子電極と第２表面電極６２Ｓとが電気的に接続されている。図７に示す例では、ワイヤＷ３は、平面視においてＸ方向に延びるように形成されている。
【0088】
第３電極９３には、ワイヤＷ４が形成されている。ワイヤＷ４は、第４表面電極６４Ｓに接続されている。これにより、ワイヤＷ４および第３電極９３を介して検出用受光素子９６の第１素子電極と第２表面電極６２Ｓとが電気的に接続されている。図７に示す例では、ワイヤＷ４は、平面視においてＸ方向に延びるように形成されている。
【0089】
第４電極９４には、ワイヤＷ５が形成されている。ワイヤＷ５は、第１表面電極６１Ｓに接続されている。これにより、ワイヤＷ５および第４電極９４を介して面発光レーザチップ３０の裏面電極３５、受光素子９５の第２素子電極、および検出用受光素子９６の第２素子電極と第１表面電極６１Ｓとが電気的に接続されている。ワイヤＷ１，Ｗ３～Ｗ５は、ワイヤボンディング装置によって形成されたボンディングワイヤであり、例えばＡｕ、Ａｌ、Ｃｕ等を含む導体によって形成されている。
【0090】
図８に示すように、半導体発光装置１０は、基板裏面２２に形成された第１裏面電極６１Ｒ、第２裏面電極６２Ｒ、第３裏面電極６３Ｒ、および第４裏面電極６４Ｒと、基板２０に形成された第１ビア６７、第２ビア６８、第３ビア、および第４ビア（ともに図示略）と、を含む。第１表面電極６１Ｓ、第２表面電極６２Ｓ、第１ビア６７、および第２ビア６８の配置態様、形状、およびサイズは、第１実施形態と同じである。
【0091】
第３裏面電極６３Ｒは、基板裏面２２のＸ方向の中央よりも第２基板側面２４寄りの位置に形成されている。平面視において、第３裏面電極６３Ｒは、第３表面電極６３Ｓ（図７参照）と重なる部分を含む。
【0092】
第４裏面電極６４Ｒは、第３裏面電極６３Ｒよりも第２基板側面２４寄りの位置に形成されている。平面視において、第４裏面電極６４Ｒは、第４表面電極６４Ｓ（図７参照）と重なる部分を含む。
【0093】
図示していないが、第３ビアは、第３表面電極６３Ｓと第３裏面電極６３Ｒとを電気的に接続している。第４ビアは、第４表面電極６４Ｓと第４裏面電極６４Ｒとを電気的に接続している。第３ビアおよび第４ビアの各々は、基板２０をＺ方向に貫通している。なお、第１ビア６７、第２ビア６８、第３ビア、および第４ビアの各々は複数設けられていてもよい。
【0094】
反射部７０は、平面視において面発光レーザチップ３０と受光素子９５とのＸ方向の間に形成されている。一例では、反射部７０は、平面視において受光素子９５と重なる部分を含む。反射部７０は、平面視において、受光素子９５のＸ方向の両端部のうち面発光レーザチップ３０に近い方の端部と重なる部分を含む。図８に示す例では、反射部７０は、平面視において、受光素子９５の大部分と重なるように形成されている。また、図８に示す例では、反射部７０は、平面視において、面発光レーザチップ３０の発光面３３とは重ならない位置に形成されている。より詳細には、反射部７０のＸ方向の両端部のうち面発光レーザチップ３０に近い方の端部は、Ｘ方向において面発光レーザチップ３０の発光面３３と隣り合う位置に配置されている。一方、反射部７０は、面発光レーザチップ３０の第１チップ表面３１のＸ方向の両端部のうち受光素子９５に近い方の端部と重なる位置に形成されている。なお、反射部７０の構成および反射部７０に関する封止部材５０の構成は第２実施形態と同様である。反射部７０は、平面視において受光素子９５の受光面９５Ａの面積よりも大きい。
【0095】
［効果］
第３実施形態の半導体発光装置１０によれば、以下の効果が得られる。
（３－１）受光チップ８０は、受光素子９５およびチップ表面８１を含む。チップ表面８１には、受光素子９５の受光面９５Ａが形成されている。面発光レーザチップ３０は、チップ表面８１に接合され、かつ平面視において受光面９５Ａとは異なる位置に配置されている。受光チップ８０は、面発光レーザチップ３０から出射されたレーザ光が対象物ＤＴによって反射された反射光を受光する検出用受光素子９６をさらに含む。検出用受光素子９６は、Ｘ方向において面発光レーザチップ３０に対して受光素子９５とは反対側に配置されている。
第３実施形態の半導体発光装置１０によれば、以下の効果が得られる。
（３－１）受光チップ８０は、受光素子９５およびチップ表面８１を含む。チップ表面８１には、受光素子９５の受光面９５Ａが形成されている。面発光レーザチップ３０は、チップ表面８１に接合され、かつ平面視において受光面９５Ａとは異なる位置に配置されている。受光チップ８０は、面発光レーザチップ３０から出射されたレーザ光が対象物ＤＴによって反射された反射光を受光する検出用受光素子９６をさらに含む。検出用受光素子９６は、Ｘ方向において面発光レーザチップ３０に対して受光素子９５とは反対側に配置されている。
【0096】
この構成によれば、半導体発光装置１０が面発光レーザチップ３０、受光素子９５、および検出用受光素子９６を含むため、例えば検出用受光素子９６が半導体発光装置１０の外部に配置された構成と比較して、部品点数を削減することができる。
【0097】
加えて、面発光レーザチップ３０が受光チップ８０のチップ表面８１に接合されているため、検出用受光素子９６が面発光レーザチップ３０から漏れ出た光を受光することを抑制できる。
【0098】
加えて、受光素子９５および検出用受光素子９６が面発光レーザチップ３０のＸ方向の両側に分散して配置されているため、面発光レーザチップ３０からのレーザ光が対象物ＤＴによって反射された反射光を受光素子９５が受光することを抑制できる。
【0099】
＜第４実施形態＞
図９を参照して、第４実施形態の半導体発光装置１０について説明する。第４実施形態の半導体発光装置１０では、第３実施形態の半導体発光装置１０と比較して、封止部材５０の形状が主に異なる。以下では、第３実施形態の半導体発光装置１０と異なる点について詳細に説明し、第３実施形態の半導体発光装置１０と共通する構成要素には同一符号を付し、その詳細な説明を省略する。図９は、ＸＺ平面で半導体発光装置１０を切断した概略断面構造を示している。
図９を参照して、第４実施形態の半導体発光装置１０について説明する。第４実施形態の半導体発光装置１０では、第３実施形態の半導体発光装置１０と比較して、封止部材５０の形状が主に異なる。以下では、第３実施形態の半導体発光装置１０と異なる点について詳細に説明し、第３実施形態の半導体発光装置１０と共通する構成要素には同一符号を付し、その詳細な説明を省略する。図９は、ＸＺ平面で半導体発光装置１０を切断した概略断面構造を示している。
【0100】
図９に示すように、封止部材５０は、スリット５８を含む。スリット５８は、封止部材５０のうちＸ方向における面発光レーザチップ３０と検出面９６Ａとの間に形成されている。図９に示す例では、スリット５８は、平面視において検出用受光素子９６よりも面発光レーザチップ３０寄りに配置されている。つまり、平面視において、スリット５８と面発光レーザチップ３０とのＸ方向の間の距離は、スリット５８と検出用受光素子９６とのＸ方向の間の距離よりも小さい。なお、スリット５８のＸ方向の位置は、面発光レーザチップ３０と検出用受光素子９６とのＸ方向の間であれば任意に変更可能である。
【0101】
スリット５８は、Ｚ方向を深さ方向とし、Ｙ方向に延びている。このため、Ｘ方向は、スリット５８の幅方向となる。スリット５８は、例えば第３封止側面５５から第４封止側面５６（ともに図４参照）までにわたり形成されていてもよい。つまり、スリット５８は、封止部材５０をＹ方向に貫通していてもよい。なお、スリット５８のＹ方向の寸法は任意に変更可能である。スリット５８のＹ方向の寸法は、封止部材５０のＹ方向の寸法よりも小さくてもよい。つまり、スリット５８は、Ｙ方向において封止部材５０に対して部分的に形成されていてもよい。一方、スリット５８のＹ方向の寸法は、面発光レーザチップ３０のＹ方向の寸法以上であってよい。
【0102】
スリット５８は、封止部材５０の封止表面５１から受光チップ８０に向けて形成されている。スリット５８の底面５８Ａは、Ｚ方向において面発光レーザチップ３０の第１チップ表面３１よりも受光チップ８０寄りに位置している。一例では、スリット５８の底面５８Ａは、Ｚ方向において面発光レーザチップ３０の第１チップ裏面３２と同じ位置に位置していてもよい。なお、スリット５８の底面５８ＡのＺ方向の位置は任意に変更可能である。一例では、スリット５８の底面５８Ａは、Ｚ方向において面発光レーザチップ３０の第１チップ裏面３２よりも受光チップ８０寄りに位置してもよい。一例では、スリット５８の底面５８Ａは、Ｚ方向において面発光レーザチップ３０の第１チップ裏面３２よりも第１チップ表面３１寄りに位置していてもよい。つまり、スリット５８の底面５８Ａは、Ｚ方向において第１チップ表面３１と第１チップ裏面３２との間に位置していてもよい。
【0103】
［効果］
第４実施形態の半導体発光装置１０によれば、以下の効果が得られる。
（４－１）封止部材５０のうちＸ方向における面発光レーザチップ３０と検出用受光素子９６の検出面９６Ａとの間には、Ｚ方向を深さ方向とし、Ｙ方向に延びるスリット５８が形成されている。
第４実施形態の半導体発光装置１０によれば、以下の効果が得られる。
（４－１）封止部材５０のうちＸ方向における面発光レーザチップ３０と検出用受光素子９６の検出面９６Ａとの間には、Ｚ方向を深さ方向とし、Ｙ方向に延びるスリット５８が形成されている。
【0104】
この構成によれば、面発光レーザチップ３０から検出用受光素子９６に向けて漏れ出た光がスリット５８によって遮断される。したがって、検出用受光素子９６が面発光レーザチップ３０から漏れ出た光を受光することを抑制できる。
【0105】
（４－２）スリット５８は、平面視において検出用受光素子９６よりも面発光レーザチップ３０寄りの位置に形成されている。
この構成によれば、面発光レーザチップ３０から検出用受光素子９６に向けて漏れ出た光がスリット５８によって遮断される効果を高めることができる。したがって、検出用受光素子９６が面発光レーザチップ３０から漏れ出た光を受光することをさらに抑制できる。
この構成によれば、面発光レーザチップ３０から検出用受光素子９６に向けて漏れ出た光がスリット５８によって遮断される効果を高めることができる。したがって、検出用受光素子９６が面発光レーザチップ３０から漏れ出た光を受光することをさらに抑制できる。
【0106】
＜第５実施形態＞
図１０を参照して、第５実施形態の半導体発光装置１０について説明する。第５実施形態の半導体発光装置１０では、第１実施形態の半導体発光装置１０と比較して、反射部７０の構成が主に異なる。以下では、第１実施形態の半導体発光装置１０と異なる点について詳細に説明し、第１実施形態の半導体発光装置１０と共通する構成要素には同一符号を付し、その詳細な説明を省略する。図１０は、ＸＺ平面で半導体発光装置１０を切断した概略断面構造を示している。
図１０を参照して、第５実施形態の半導体発光装置１０について説明する。第５実施形態の半導体発光装置１０では、第１実施形態の半導体発光装置１０と比較して、反射部７０の構成が主に異なる。以下では、第１実施形態の半導体発光装置１０と異なる点について詳細に説明し、第１実施形態の半導体発光装置１０と共通する構成要素には同一符号を付し、その詳細な説明を省略する。図１０は、ＸＺ平面で半導体発光装置１０を切断した概略断面構造を示している。
【0107】
図１０に示すように、封止部材５０は、反射部７０として光を拡散させる拡散材７２を含む。拡散材７２は、封止部材５０内の樹脂と拡散材７２との界面で光を反射（散乱）させることによって封止部材５０の内部で光を拡散させる。これにより、受光チップ４０は、面発光レーザチップ３０から出射されたレーザ光のうち封止部材５０の内部で拡散材７２によって拡散されたレーザ光の一部を受光する。加えて、拡散材７２は、面発光レーザチップ３０から出射されたレーザ光を封止部材５０の内部で拡散させて、封止部材５０から出射されるレーザ光の指向角を広げる役割を果たす。
【0108】
拡散材７２の材料は特に限定されないが、例えばシリカまたは他のガラス材料等を用いることができる。一例では、拡散材７２として球状のシリカフィラーが用いられる。拡散材７２の粒径は特に限定されないが、例えば散乱が支配的に生じるように面発光レーザチップ３０から出射されるレーザ光の波長に対して十分に小さなサイズの粒径が選択される。
【0109】
拡散材７２は、封止部材５０に微粒子として分散されている。拡散材７２は、封止部材５０に対して所定の配合比で混合されている。一例では、拡散材７２は、封止部材５０内に均等に分散されている。封止部材５０の樹脂に対する拡散材７２の配合比は特に限定されるものではなく、０％よりも大きく１００％未満であればよい。拡散材７２の配合比を大きくするほど、受光チップ４０が散乱光を受光しやすくなり、面発光レーザチップ３０のレーザ光の指向角を広げることができる。また、拡散材７２の配合比の上限を所定値に制限することによって、半導体発光装置１０のレーザ光の出力および放射強度の大きな低下を抑制することができる。
【0110】
一例では、拡散材７２として、例えば封止部材５０の樹脂よりも熱膨張係数が小さいものが選択されている。この構成では、封止部材５０が樹脂のみによって構成される場合と比較して、拡散材７２によって封止部材５０に発生する熱応力を低減することができる。これにより、封止部材５０の熱応力に起因してワイヤＷ１，Ｗ２が断線することを抑制することができる。
【0111】
［効果］
第５実施形態の半導体発光装置１０によれば、以下の効果が得られる。
（５－１）反射部７０は、封止部材５０内に設けられ、面発光レーザチップ３０からのレーザ光を拡散させる複数の拡散材７２を含む。この構成によれば、面発光レーザチップ３０からのレーザ光が複数の拡散材７２によって拡散されることによって、レーザ光の一部が受光チップ４０に向けて拡散される。したがって、面発光レーザチップ３０からのレーザ光の一部を受光チップ４０が受光しやすくなる。
第５実施形態の半導体発光装置１０によれば、以下の効果が得られる。
（５－１）反射部７０は、封止部材５０内に設けられ、面発光レーザチップ３０からのレーザ光を拡散させる複数の拡散材７２を含む。この構成によれば、面発光レーザチップ３０からのレーザ光が複数の拡散材７２によって拡散されることによって、レーザ光の一部が受光チップ４０に向けて拡散される。したがって、面発光レーザチップ３０からのレーザ光の一部を受光チップ４０が受光しやすくなる。
【0112】
＜第６実施形態＞
図１１および図１２を参照して、第６実施形態の半導体発光装置１０について説明する。第６実施形態の半導体発光装置１０では、第１実施形態の半導体発光装置１０と比較して、面発光レーザチップ３０の構成が主に異なる。以下では、第１実施形態の半導体発光装置１０と異なる点について詳細に説明し、第１実施形態の半導体発光装置１０と共通する構成要素には同一符号を付し、その詳細な説明を省略する。図１１は、ＸＺ平面で半導体発光装置１０を切断した概略断面構造を示している。図１２は、面発光レーザチップ３０の概略平面構造を示している。
図１１および図１２を参照して、第６実施形態の半導体発光装置１０について説明する。第６実施形態の半導体発光装置１０では、第１実施形態の半導体発光装置１０と比較して、面発光レーザチップ３０の構成が主に異なる。以下では、第１実施形態の半導体発光装置１０と異なる点について詳細に説明し、第１実施形態の半導体発光装置１０と共通する構成要素には同一符号を付し、その詳細な説明を省略する。図１１は、ＸＺ平面で半導体発光装置１０を切断した概略断面構造を示している。図１２は、面発光レーザチップ３０の概略平面構造を示している。
【0113】
図１１および図１２に示すように、面発光レーザチップ３０は、発光面３３として第１発光面３３Ａおよび第２発光面３３Ｂを含む。第１発光面３３Ａおよび第２発光面３３Ｂは、第１チップ表面３１に形成されている。第１発光面３３Ａおよび第２発光面３３Ｂは、平面視において互いに異なる位置に形成されている。図１２に示す例では、第１発光面３３Ａおよび第２発光面３３Ｂは、Ｘ方向において互いに離隔して形成されている。
【0114】
第１発光面３３Ａは、例えば対象物ＤＴ（図８参照）に向けてレーザ光を出射するための発光面である。図１２に示すように、第１発光面３３Ａは、平面視においてＸ方向が短手方向となり、Ｙ方向が長手方向となる形状に形成されている。一例では、平面視における第１発光面３３Ａは、矩形状である。第１発光面３３Ａは、複数の発光部３３Ｐを含む。複数の発光部３３Ｐは、平面視においてＸ方向およびＹ方向に互いに離隔して配列されている。なお、平面視における第１発光面３３Ａの形状は任意に変更可能である。
【0115】
ここで、第１発光面３３Ａを区画する破線枠の領域は、各発光部３３Ｐに電気的に接続された第１発光電極３８Ａの外枠と同じである。つまり、平面視において、第１発光電極３８Ａの外枠で囲まれた領域を第１発光面３３Ａとしている。
【0116】
第２発光面３３Ｂは、例えば反射部７０に向けてレーザ光を出射するための発光面である。第２発光面３３Ｂは、平面視においてＸ方向が短手方向となり、Ｙ方向が長手方向となる形状に形成されている。一例では、平面視における第２発光面３３Ｂは、矩形状である。第２発光面３３ＢのＹ方向の寸法は、例えば第１発光面３３ＡのＹ方向の寸法と等しい。第２発光面３３ＢのＸ方向の寸法は、例えば第１発光面３３ＡのＸ方向の寸法よりも小さい。このため、第２発光面３３Ｂの面積は、第１発光面３３Ａの面積よりも小さい。なお、平面視における第２発光面３３Ｂの形状は任意に変更可能である。
【0117】
第２発光面３３Ｂは、複数の発光部３３Ｐを含む。第２発光面３３Ｂの面積が第１発光面３３Ａの面積よりも小さいため、第２発光面３３Ｂの発光部３３Ｐの数は、第１発光面３３Ａの発光部３３Ｐの数よりも少ない。第２発光面３３Ｂにおける複数の発光部３３Ｐは、Ｘ方向において互いに同じ位置でＹ方向において互いに離隔して配列されている。
【0118】
ここで、第２発光面３３Ｂを区画する破線枠の領域は、各発光部３３Ｐに電気的に接続された第２発光電極３８Ｂの外枠と同じである。つまり、平面視において、第２発光電極３８Ｂの外枠で囲まれた領域を第２発光面３３Ｂとしている。
【0119】
面発光レーザチップ３０は、第１発光面３３Ａと第２発光面３３ＢとのＸ方向の間に形成された表面電極３４を含む。第１発光面３３Ａの面積が第２発光面３３Ｂの面積よりも大きいため、表面電極３４は、Ｘ方向において面発光レーザチップ３０の中央に対して偏った位置に形成されている。ここで、表面電極３４は、面発光レーザチップ３０の電極の一例である。
【0120】
表面電極３４は、第１発光面３３Ａの複数の発光部３３Ｐと電気的に接続されている。また、表面電極３４は、第２発光面３３Ｂの複数の発光部３３Ｐと電気的に接続されている。より詳細には、面発光レーザチップ３０は、第１発光面３３Ａの複数の発光部３３Ｐと表面電極３４とを電気的に接続する第１接続部３６と、第２発光面３３Ｂの複数の発光部３３Ｐと表面電極３４とを電気的に接続する第２接続部３７と、を含む。このため、第１発光面３３Ａの複数の発光部３３Ｐおよび第２発光面３３Ｂの複数の発光部３３Ｐとは同時にレーザ光を出射するように構成されている。
【0121】
第１接続部３６は、第１発光面３３Ａを構成する第１発光電極３８Ａに接続されている。これにより、第１接続部３６は、第１発光電極３８Ａを介して第１発光面３３Ａの複数の発光部３３Ｐと電気的に接続されている。第２接続部３７は、第２発光面３３Ｂを構成する第２発光電極３８Ｂに接続されている。これにより、第２接続部３７は、第２発光電極３８Ｂを介して第２発光面３３Ｂの複数の発光部３３Ｐと電気的に接続されている。第１接続部３６および第２接続部３７は、例えば配線層およびビアを含んでいてよい。
【0122】
図１１に示すように、受光チップ４０は、第１実施形態と同様に、面発光レーザチップ３０に対して第１基板側面２３寄りに配置されている。受光チップ４０は、第２発光面３３Ｂに対して第１発光面３３Ａとは反対側に配置されている。つまり、受光チップ４０は、Ｘ方向において第１発光面３３Ａよりも第２発光面３３Ｂの近くに配置されている。
【0123】
反射部７０は、平面視において面発光レーザチップ３０と受光チップ４０とのＸ方向の間に形成されている。一例では、反射部７０は、平面視において受光チップ４０と重なる部分を含む。図１１に示す例では、反射部７０は、平面視において、受光チップ４０のＸ方向の両端部のうち面発光レーザチップ３０に近い方の端部と重なる部分を含む。また一例では、反射部７０は、平面視において、面発光レーザチップ３０とは重なる部分を含む。より詳細には、反射部７０は、平面視において第２発光面３３Ｂと重なる位置に形成されている。反射部７０は、Ｚ方向において第２発光面３３Ｂの全体と対向するように形成されていてもよい。反射部７０は、平面視において表面電極３４と重なる部分を含んでいてもよい。一方、反射部７０は、平面視において第１発光面３３Ａよりも受光チップ４０寄りに位置するように形成されている。なお、反射部７０の構成および反射部７０に関する封止部材５０の構成は第２実施形態と同様である。
【0124】
［作用］
第６実施形態の作用について説明する。
半導体発光装置１０に対してＡＰＣ駆動が行われる場合、面発光レーザチップ３０のレーザ光の一部を受光チップ４０に向けて反射させる必要があるため、半導体発光装置１０は、反射部７０を含む。反射部７０は、例えば面発光レーザチップ３０の発光面３３の一部に対向するように設けられる場合がある。この場合、反射部７０の位置ずれ等に起因して、反射部７０が必要以上に発光面３３と対向してしまうと、面発光レーザチップ３０が出射するレーザ光が反射部７０に必要以上に遮られるため、半導体発光装置１０から出射するレーザ光の出力が低下してしまう。つまり、反射部７０が例えば第１発光面３３Ａを覆ってしまうと、半導体発光装置１０から出射するレーザ光が反射部７０によって遮られてしまうので、半導体発光装置１０から出射するレーザ光の出力が低下してしまう。
第６実施形態の作用について説明する。
半導体発光装置１０に対してＡＰＣ駆動が行われる場合、面発光レーザチップ３０のレーザ光の一部を受光チップ４０に向けて反射させる必要があるため、半導体発光装置１０は、反射部７０を含む。反射部７０は、例えば面発光レーザチップ３０の発光面３３の一部に対向するように設けられる場合がある。この場合、反射部７０の位置ずれ等に起因して、反射部７０が必要以上に発光面３３と対向してしまうと、面発光レーザチップ３０が出射するレーザ光が反射部７０に必要以上に遮られるため、半導体発光装置１０から出射するレーザ光の出力が低下してしまう。つまり、反射部７０が例えば第１発光面３３Ａを覆ってしまうと、半導体発光装置１０から出射するレーザ光が反射部７０によって遮られてしまうので、半導体発光装置１０から出射するレーザ光の出力が低下してしまう。
【0125】
第６実施形態では、面発光レーザチップ３０は、第１発光面３３Ａと第２発光面３３ＢとのＸ方向の間に設けられた表面電極３４を含む。これにより、例えば第２発光面３３Ｂに反射部７０が対向した場合に反射部７０がＸ方向において位置ずれしたとしても反射部７０は表面電極３４を覆う一方、第１発光面３３Ａを覆うことを抑制できる。つまり、表面電極３４が形成される領域が反射部７０のＸ方向の位置ずれを許容する領域となる。したがって、面発光レーザチップ３０からのレーザ光が反射部７０によって必要以上に遮られることを抑制できる。そして、反射部７０の位置ずれに起因する出力低下を抑制できる。
【0126】
［効果］
第６実施形態によれば、以下の効果が得られる。
（６－１）面発光レーザチップ３０は、互いに反対側を向く第１チップ表面３１および第１チップ裏面３２と、第１チップ表面３１に形成され、レーザ光を出射するように構成された第１発光面３３Ａおよび第２発光面３３Ｂと、第１チップ表面３１に形成され、第１発光面３３Ａおよび第２発光面３３Ｂの各々から離隔した位置に形成された表面電極３４と、を含む。平面視において、第１発光面３３Ａおよび第２発光面３３Ｂは、Ｘ方向に離隔して配列されている。表面電極３４は、Ｘ方向において第１発光面３３Ａと第２発光面３３Ｂとの間に配置されている。
第６実施形態によれば、以下の効果が得られる。
（６－１）面発光レーザチップ３０は、互いに反対側を向く第１チップ表面３１および第１チップ裏面３２と、第１チップ表面３１に形成され、レーザ光を出射するように構成された第１発光面３３Ａおよび第２発光面３３Ｂと、第１チップ表面３１に形成され、第１発光面３３Ａおよび第２発光面３３Ｂの各々から離隔した位置に形成された表面電極３４と、を含む。平面視において、第１発光面３３Ａおよび第２発光面３３Ｂは、Ｘ方向に離隔して配列されている。表面電極３４は、Ｘ方向において第１発光面３３Ａと第２発光面３３Ｂとの間に配置されている。
【0127】
この構成によれば、例えば面発光レーザチップ３０の第２発光面３３Ｂの一部に対向するように反射部７０が設けられる場合に反射部７０がＸ方向の位置ずれしたとしても反射部７０が第１発光面３３Ａを覆うことを抑制できる。したがって、面発光レーザチップ３０からのレーザ光が反射部７０に必要以上に遮られることを抑制できる。そして、反射部７０の位置ずれに起因する出力低下を抑制できる。
【0128】
（６－２）平面視において、第２発光面３３Ｂの面積は、第１発光面３３Ａの面積よりも小さい。
この構成によれば、第２発光面３３Ｂからのレーザ光の出力は第１発光面３３Ａからのレーザ光の出力よりも小さくなる。このため、例えば第２発光面３３Ｂからのレーザ光は反射部７０によって反射して受光チップ４０が受光するようなレーザ光の出力が小さい用途に適用することができる。また、第１発光面３３Ａからのレーザ光は半導体発光装置１０から出射するといったレーザ光の出力が大きい用途に適用することができる。
この構成によれば、第２発光面３３Ｂからのレーザ光の出力は第１発光面３３Ａからのレーザ光の出力よりも小さくなる。このため、例えば第２発光面３３Ｂからのレーザ光は反射部７０によって反射して受光チップ４０が受光するようなレーザ光の出力が小さい用途に適用することができる。また、第１発光面３３Ａからのレーザ光は半導体発光装置１０から出射するといったレーザ光の出力が大きい用途に適用することができる。
【0129】
（６－３）第１発光面３３Ａおよび第２発光面３３Ｂの各々は、レーザ光を出射する発光部３３Ｐを含む。第２発光面３３Ｂの発光部３３Ｐの数は、第１発光面３３Ａの発光部３３Ｐの数よりも少ない。
【0130】
この構成によれば、第２発光面３３Ｂからのレーザ光の出力は第１発光面３３Ａからのレーザ光の出力よりも小さくなる。このため、例えば第２発光面３３Ｂからのレーザ光は反射部７０によって反射して受光チップ４０が受光するようなレーザ光の出力が小さい用途に適用することができる。また、第１発光面３３Ａからのレーザ光は半導体発光装置１０から出射するといったレーザ光の出力が大きい用途に適用することができる。
【0131】
（６－４）表面電極３４は、第１発光面３３Ａの発光部３３Ｐおよび第２発光面３３Ｂの発光部３３Ｐの双方と電気的に接続されている。
この構成によれば、第１発光面３３Ａの発光部３３Ｐと第２発光面３３Ｂの発光部３３Ｐとが同時にレーザ光を出射することができる。加えて、表面電極３４は、第１発光面３３Ａの発光部３３Ｐと第２発光面３３Ｂの発光部３３Ｐとに対して共通の電極となるため、面発光レーザチップ３０の構成の簡略化を図ることができる。
この構成によれば、第１発光面３３Ａの発光部３３Ｐと第２発光面３３Ｂの発光部３３Ｐとが同時にレーザ光を出射することができる。加えて、表面電極３４は、第１発光面３３Ａの発光部３３Ｐと第２発光面３３Ｂの発光部３３Ｐとに対して共通の電極となるため、面発光レーザチップ３０の構成の簡略化を図ることができる。
【0132】
＜第７実施形態＞
図１３および図１４を参照して、第７実施形態の半導体発光装置１０について説明する。第７実施形態の半導体発光装置１０では、第６実施形態の半導体発光装置１０と比較して、面発光レーザチップ３０の構成が主に異なる。以下では、第６実施形態の半導体発光装置１０と異なる点について詳細に説明し、第６実施形態の半導体発光装置１０と共通する構成要素には同一符号を付し、その詳細な説明を省略する。図１３は第７実施形態の面発光レーザチップ３０の概略平面構造を示している。図１４は、図１３の面発光レーザチップ３０を備える半導体発光装置１０の概略平面構造を示している。なお、図１４では、図面を容易に理解するため、封止部材５０および反射部７０を省略している。
図１３および図１４を参照して、第７実施形態の半導体発光装置１０について説明する。第７実施形態の半導体発光装置１０では、第６実施形態の半導体発光装置１０と比較して、面発光レーザチップ３０の構成が主に異なる。以下では、第６実施形態の半導体発光装置１０と異なる点について詳細に説明し、第６実施形態の半導体発光装置１０と共通する構成要素には同一符号を付し、その詳細な説明を省略する。図１３は第７実施形態の面発光レーザチップ３０の概略平面構造を示している。図１４は、図１３の面発光レーザチップ３０を備える半導体発光装置１０の概略平面構造を示している。なお、図１４では、図面を容易に理解するため、封止部材５０および反射部７０を省略している。
【0133】
図１３に示すように、第７実施形態の面発光レーザチップ３０では、第６実施形態の面発光レーザチップ３０と比較して、表面電極３４の構成が主に異なる。より詳細には、表面電極３４は、互いに離隔して配置された第１電極３４Ａおよび第２電極３４Ｂを含む。図１３に示す例では、第１電極３４Ａおよび第２電極３４Ｂは、Ｘ方向において互いに同じ位置であってＹ方向において互いに離隔して配列されている。また、平面視における第１電極３４Ａの面積は、平面視における第２電極３４Ｂの面積よりも大きい。
【0134】
第１電極３４Ａは、第１発光面３３Ａの複数の発光部３３Ｐと電気的に接続されている。第２電極３４Ｂは、第２発光面３３Ｂの複数の発光部３３Ｐと電気的に接続されている。より詳細には、面発光レーザチップ３０は、第１電極３４Ａと第１発光面３３Ａの複数の発光部３３Ｐとを電気的に接続する第１接続部３６と、第２電極３４Ｂと第２発光面３３Ｂの複数の発光部３３Ｐとを電気的に接続する第２接続部３７と、を含む。このため、第１発光面３３Ａの複数の発光部３３Ｐおよび第２発光面３３Ｂの複数の発光部３３Ｐとは個別にレーザ光を出射するように構成されている。第１接続部３６および第２接続部３７の構成は、例えば第６実施形態と同じであってよい。
【0135】
図１４に示すように、半導体発光装置１０は、基板表面２１に形成された第１表面電極６１Ｓ、第２表面電極６２Ｓ、第３表面電極６３Ｓ、および第４表面電極６４Ｓを含む。第１表面電極６１Ｓおよび第２表面電極６２Ｓの配置態様、形状、およびサイズは、第１実施形態と同じである。
【0136】
第３表面電極６３Ｓおよび第４表面電極６４Ｓは、平面視において面発光レーザチップ３０のＹ方向の両側に分散して配置されている。第３表面電極６３Ｓおよび第４表面電極６４Ｓは、Ｘ方向において互いに同じ位置に配置されている。第３表面電極６３Ｓは、面発光レーザチップ３０よりも第３基板側面２５寄りに配置されている。第４表面電極６４Ｓは、面発光レーザチップ３０よりも第４基板側面２６寄りに配置されている。第３表面電極６３Ｓおよび第４表面電極６４Ｓは、受光チップ４０よりも第２基板側面２４寄りに配置されている。平面視における第３表面電極６３Ｓおよび第４表面電極６４Ｓの形状は、Ｘ方向が長手方向となり、Ｙ方向が短手方向となる矩形状である。
【0137】
第１電極３４Ａおよび第３表面電極６３Ｓは、ワイヤＷ１Ａによって電気的に接続されている。第２電極３４Ｂおよび第４表面電極６４Ｓは、ワイヤＷ１Ｂによって電気的に接続されている。ワイヤＷ１Ａ，Ｗ１Ｂは、例えばワイヤＷ１（図１１参照）と同じ材料によって形成されている。このように、第１電極３４Ａおよび第２電極３４Ｂが個別の表面電極（第３表面電極６３Ｓおよび第４表面電極６４Ｓ）に電気的に接続されることによって、第１発光面３３Ａの複数の発光部３３Ｐおよび第２発光面３３Ｂの複数の発光部３３Ｐが個別にレーザ光を出射するように構成することができる。
【0138】
図１４に示す例では、ワイヤＷ１Ａ，Ｗ１Ｂはそれぞれ１本ずつであるが、ワイヤＷ１Ａ，Ｗ１Ｂの本数は任意に変更可能である。一例では、ワイヤＷ１Ａを２本としてもよい。つまり、ワイヤＷ１Ａの本数は、ワイヤＷ１Ｂの本数よりも多くてもよい。ワイヤＷ１ＡおよびワイヤＷ１Ｂの本数は、例えば第１発光面３３Ａの発光部３３Ｐの数および第２発光面３３Ｂの発光部３３Ｐの数に応じて設定されていてもよい。
【0139】
図示していないが、半導体発光装置１０は、基板裏面２２に形成された第１裏面電極６１Ｒ、第２裏面電極６２Ｒ、第３裏面電極、および第４裏面電極と、基板２０に形成された第１ビア６７、第２ビア６８、第３ビア、および第４ビアと、を含む。第１表面電極６１Ｓ、第２表面電極６２Ｓ、第１ビア６７、および第２ビア６８の配置態様、形状、およびサイズは、第１実施形態と同じである。
【0140】
第３裏面電極は、基板裏面２２のＹ方向の中央よりも第３基板側面２５寄りの位置に形成されている。平面視において、第３裏面電極は、第３表面電極６３Ｓ（図１３参照）と重なる部分を含む。
【0141】
第４裏面電極は、基板裏面２２のＹ方向の中央よりも第４基板側面２６寄りの位置に形成されている。平面視において、第４裏面電極は、第４表面電極６４Ｓ（図１４参照）と重なる部分を含む。
【0142】
第３ビアは、第３表面電極６３Ｓと第３裏面電極とを電気的に接続している。第４ビアは、第４表面電極６４Ｓと第４裏面電極とを電気的に接続している。第３ビアおよび第４ビアの各々は、基板２０をＺ方向に貫通している。なお、第１ビア６７、第２ビア６８、第３ビア、および第４ビアの各々は複数設けられていてもよい。
【0143】
図示していないが、半導体発光装置１０は、反射部７０（図３参照）を含む。反射部７０と面発光レーザチップ３０および受光チップ４０との位置関係は、第１実施形態と同様である。また、反射部７０の構成および反射部７０に関する封止部材５０の構成は第１実施形態と同様である。
【0144】
［効果］
第７実施形態によれば、以下の効果が得られる。
（７－１）表面電極３４は、互いに離隔して配置された第１電極３４Ａおよび第２電極３４Ｂを含む。第１電極３４Ａは、第１発光面３３Ａの発光部３３Ｐと電気的に接続されている。第２電極３４Ｂは、第２発光面３３Ｂの発光部３３Ｐと電気的に接続されている。
第７実施形態によれば、以下の効果が得られる。
（７－１）表面電極３４は、互いに離隔して配置された第１電極３４Ａおよび第２電極３４Ｂを含む。第１電極３４Ａは、第１発光面３３Ａの発光部３３Ｐと電気的に接続されている。第２電極３４Ｂは、第２発光面３３Ｂの発光部３３Ｐと電気的に接続されている。
【0145】
この構成によれば、第１電極３４Ａおよび第２電極３４Ｂを用いて、第１発光面３３Ａの発光部３３Ｐと第２発光面３３Ｂの発光部３３Ｐとにおいて個別にレーザ光を出射させることができる。
【0146】
＜第８実施形態＞
図１５および図１６を参照して、第８実施形態の半導体発光装置１０について説明する。第８実施形態の半導体発光装置１０では、第６実施形態の半導体発光装置１０と比較して、面発光レーザチップ３０の構成が主に異なる。以下では、第６実施形態の半導体発光装置１０と異なる点について詳細に説明し、第６実施形態の半導体発光装置１０と共通する構成要素には同一符号を付し、その詳細な説明を省略する。図１５は第８実施形態の面発光レーザチップ３０の概略平面構造を示している。図１６は、図１５の面発光レーザチップ３０を備える半導体発光装置１０の概略平面構造を示している。なお、図１６では、図面を容易に理解するため、封止部材５０および反射部７０を省略している。
図１５および図１６を参照して、第８実施形態の半導体発光装置１０について説明する。第８実施形態の半導体発光装置１０では、第６実施形態の半導体発光装置１０と比較して、面発光レーザチップ３０の構成が主に異なる。以下では、第６実施形態の半導体発光装置１０と異なる点について詳細に説明し、第６実施形態の半導体発光装置１０と共通する構成要素には同一符号を付し、その詳細な説明を省略する。図１５は第８実施形態の面発光レーザチップ３０の概略平面構造を示している。図１６は、図１５の面発光レーザチップ３０を備える半導体発光装置１０の概略平面構造を示している。なお、図１６では、図面を容易に理解するため、封止部材５０および反射部７０を省略している。
【0147】
図１５に示すように、第８実施形態の面発光レーザチップ３０では、第６実施形態の面発光レーザチップ３０と比較して、第１発光面３３Ａ、第２発光面３３Ｂ、および表面電極３４の構成が主に異なる。
【0148】
第１発光面３３Ａは、４つの発光領域として第１主発光領域３３ＡＡ、第２主発光領域３３ＡＢ、第３主発光領域３３ＡＣ、および第４主発光領域３３ＡＤを含む。第１主発光領域３３ＡＡ、第２主発光領域３３ＡＢ、第３主発光領域３３ＡＣ、および第４主発光領域３３ＡＤは、Ｙ方向において互いに離隔して配列されている。図１５の例では、第１主発光領域３３ＡＡ、第２主発光領域３３ＡＢ、第３主発光領域３３ＡＣ、および第４主発光領域３３ＡＤにおけるＸ方向の中央は、Ｘ方向において同じ位置である。
【0149】
第１主発光領域３３ＡＡおよび第２主発光領域３３ＡＢは、第１発光面３３ＡのＹ方向の端部を構成している。第３主発光領域３３ＡＣおよび第４主発光領域３３ＡＤは、第１主発光領域３３ＡＡと第２主発光領域３３ＡＢとのＹ方向の間に配置されている。第３主発光領域３３ＡＣは、第２主発光領域３３ＡＢよりも第１主発光領域３３ＡＡ寄りに配置されている。第４主発光領域３３ＡＤは、第１主発光領域３３ＡＡよりも第２主発光領域３３ＡＢ寄りに配置されている。つまり、第３主発光領域３３ＡＣは、第１主発光領域３３ＡＡと第４主発光領域３３ＡＤとのＹ方向の間に配置されている。第４主発光領域３３ＡＤは、第２主発光領域３３ＡＢと第３主発光領域３３ＡＣとのＹ方向の間に配置されている。
【0150】
第１～第４主発光領域３３ＡＡ～３３ＡＤの各々は、平面視においてＸ方向が長手方向となり、Ｙ方向が短手方向となる矩形状に形成されている。Ｘ方向における第１主発光領域３３ＡＡおよび第２主発光領域３３ＡＢの長さは、Ｘ方向における第３主発光領域３３ＡＣおよび第４主発光領域３３ＡＤの長さよりも短い。またＹ方向における第１主発光領域３３ＡＡおよび第２主発光領域３３ＡＢの長さは、Ｙ方向における第３主発光領域３３ＡＣおよび第４主発光領域３３ＡＤの長さと等しい。つまり、平面視における第１主発光領域３３ＡＡおよび第２主発光領域３３ＡＢの面積は、平面視における第３主発光領域３３ＡＣおよび第４主発光領域３３ＡＤの面積よりも小さい。
【0151】
第１～第４主発光領域３３ＡＡ～３３ＡＤの各々は、複数の発光部３３Ｐを含む。第１～第４主発光領域３３ＡＡ～３３ＡＤの各々における複数の発光部３３Ｐは、Ｙ方向において互いに同じ位置であってＸ方向において互いに離隔して配列されている。つまり、第１～第４主発光領域３３ＡＡ～３３ＡＤの各々における複数の発光部３３Ｐは、Ｘ方向において一列に並べられている。
【0152】
一例では、第１主発光領域３３ＡＡおよび第２主発光領域３３ＡＢにおける発光部３３Ｐの数は、第３主発光領域３３ＡＣおよび第４主発光領域３３ＡＤにおける発光部３３Ｐの数よりも少ない。図１５に示す例では、第１主発光領域３３ＡＡの発光部３３Ｐの数は、第２主発光領域３３ＡＢの発光部３３Ｐの数と同じである。第３主発光領域３３ＡＣの発光部３３Ｐの数は、第４主発光領域３３ＡＤの発光部３３Ｐの数と同じである。このように、第１発光面３３Ａは、平面視において円形（図１５の二点鎖線）である。換言すると、第１～第４主発光領域３３ＡＡ～３３ＡＤの複数の発光部３３Ｐのうち外周部に配置された複数の発光部３３Ｐは、平面視において円形となるように配置されている。このため、第１～第４主発光領域３３ＡＡ～３３ＡＤの複数の発光部３３Ｐによって平面視において円形のレーザ光が出射されるように構成されている。
【0153】
ここで、第１～第４主発光領域３３ＡＡ～３３ＡＤを区画する破線枠の領域は、各発光部３３Ｐに電気的に接続された第１～第４発光電極３８ＡＡ～３８ＡＤの外枠と同じである。つまり、平面視において、第１発光電極３８ＡＡの外枠で囲まれた領域を第１主発光領域３３ＡＡとし、第２発光電極３８ＡＢの外枠で囲まれた領域を第２主発光領域３３ＡＢとし、第３発光電極３８ＡＣの外枠で囲まれた領域を第３主発光領域３３ＡＣとし、第４発光電極３８ＡＤの外枠で囲まれた領域を第４主発光領域３３ＡＤとしている。
【0154】
第２発光面３３Ｂは、４つの発光領域として第１発光領域３３ＢＡ、第２発光領域３３ＢＢ、第３発光領域３３ＢＣ、および第４発光領域３３ＢＤを含む。第１発光領域３３ＢＡ、第２発光領域３３ＢＢ、第３発光領域３３ＢＣ、および第４発光領域３３ＢＤは、Ｘ方向において互いに同じ位置であってＹ方向において互いに離隔して配列されている。
【0155】
第１発光領域３３ＢＡおよび第２発光領域３３ＢＢは、第２発光面３３ＢのＹ方向の端部を構成している。第３発光領域３３ＢＣおよび第４発光領域３３ＢＤは、第１発光領域３３ＢＡと第２発光領域３３ＢＢとのＹ方向の間に配置されている。第３発光領域３３ＢＣは、第２発光領域３３ＢＢよりも第１発光領域３３ＢＡ寄りに配置されている。第４発光領域３３ＢＤは、第１発光領域３３ＢＡよりも第２発光領域３３ＢＢ寄りに配置されている。第３発光領域３３ＢＣは、第１発光領域３３ＢＡと第４発光領域３３ＢＤとのＹ方向の間に配置されている。第４発光領域３３ＢＤは、第２発光領域３３ＢＢと第３発光領域３３ＢＣとのＹ方向の間に配置されている。
【0156】
第１発光領域３３ＢＡは、Ｙ方向において第１主発光領域３３ＡＡと同じ位置に配置されている。平面視において、第１発光領域３３ＢＡの面積は、第１主発光領域３３ＡＡの面積よりも小さい。より詳細には、第１発光領域３３ＢＡのＸ方向の長さは、第１主発光領域３３ＡＡのＸ方向の長さよりも短い。第１発光領域３３ＢＡのＹ方向の長さは、第１主発光領域３３ＡＡのＹ方向の長さと等しい。
【0157】
第１発光領域３３ＢＡは、発光部３３Ｐを含む。第１発光領域３３ＢＡの発光部３３Ｐの数は、第１主発光領域３３ＡＡの発光部３３Ｐの数よりも少ない。図１５に示す例では、第１発光領域３３ＢＡは、１つの発光部３３Ｐを含む。
【0158】
第２発光領域３３ＢＢは、Ｙ方向において第２主発光領域３３ＡＢと同じ位置に配置されている。平面視において、第２発光領域３３ＢＢの面積は、第２主発光領域３３ＡＢの面積よりも小さい。より詳細には、第２発光領域３３ＢＢのＸ方向の長さは、第２主発光領域３３ＡＢのＸ方向の長さよりも短い。第２発光領域３３ＢＢのＹ方向の長さは、第２主発光領域３３ＡＢのＹ方向の長さと等しい。
【0159】
第２発光領域３３ＢＢは、発光部３３Ｐを含む。第２発光領域３３ＢＢの発光部３３Ｐの数は、第２主発光領域３３ＡＢの発光部３３Ｐの数よりも少ない。図１５に示す例では、第２発光領域３３ＢＢは、１つの発光部３３Ｐを含む。
【0160】
第３発光領域３３ＢＣは、Ｙ方向において第３主発光領域３３ＡＣと同じ位置に配置されている。平面視において、第３発光領域３３ＢＣの面積は、第３主発光領域３３ＡＣの面積よりも小さい。より詳細には、第３発光領域３３ＢＣのＸ方向の長さは、第３主発光領域３３ＡＣのＸ方向の長さよりも短い。第３発光領域３３ＢＣのＹ方向の長さは、第３主発光領域３３ＡＣのＹ方向の長さと等しい。
【0161】
第３発光領域３３ＢＣは、発光部３３Ｐを含む。第３発光領域３３ＢＣの発光部３３Ｐの数は、第３主発光領域３３ＡＣの発光部３３Ｐの数よりも少ない。図１５に示す例では、第３発光領域３３ＢＣは、１つの発光部３３Ｐを含む。
【0162】
第４発光領域３３ＢＤは、Ｙ方向において第４主発光領域３３ＡＤと同じ位置に配置されている。平面視において、第４発光領域３３ＢＤの面積は、第４主発光領域３３ＡＤの面積よりも小さい。より詳細には、第４発光領域３３ＢＤのＸ方向の長さは、第４主発光領域３３ＡＤのＸ方向の長さよりも短い。第４発光領域３３ＢＤのＹ方向の長さは、第４主発光領域３３ＡＤのＹ方向の長さと等しい。
【0163】
第４発光領域３３ＢＤは、発光部３３Ｐを含む。第４発光領域３３ＢＤの発光部３３Ｐの数は、第４主発光領域３３ＡＤの発光部３３Ｐの数よりも少ない。図１５に示す例では、第４発光領域３３ＢＤは、１つの発光部３３Ｐを含む。
【0164】
このように、第１～第４発光領域３３ＢＡ～３３ＢＤの発光部３３Ｐの数は互いに等しい。また、平面視における第１～第４発光領域３３ＢＡ～３３ＢＤの面積は互いに等しい。なお、第１～第４発光領域３３ＢＡ～３３ＢＤの発光部３３Ｐの数は個別に変更可能である。また、第１～第４発光領域３３ＢＡ～３３ＢＤの発光部３３Ｐの数に応じて、平面視における第１～第４発光領域３３ＢＡ～３３ＢＤの面積は個別に変更可能である。
【0165】
ここで、第１～第４発光領域３３ＢＡ～３３ＢＤを区画する破線枠の領域は、各発光部３３Ｐに電気的に接続された第１～第４発光電極３８ＢＡ～３８ＢＤの外枠と同じである。つまり、平面視において、第１発光電極３８ＢＡの外枠で囲まれた領域を第１発光領域３３ＢＡとし、第２発光電極３８ＢＢの外枠で囲まれた領域を第２発光領域３３ＢＢとし、第３発光電極３８ＢＣの外枠で囲まれた領域を第３発光領域３３ＢＣとし、第４発光電極３８ＢＤの外枠で囲まれた領域を第４発光領域３３ＢＤとしている。
【0166】
表面電極３４は、４つの電極として第１電極３４Ａ、第２電極３４Ｂ、第３電極３４Ｃ、および第４電極３４Ｄを含む。第１電極３４Ａ、第２電極３４Ｂ、第３電極３４Ｃ、および第４電極３４Ｄは、Ｘ方向において互いに同じ位置であってＹ方向において互いに離隔して配列されている。平面視において、第１～第４電極３４Ａ～３４Ｄは、Ｘ方向が長手方向となり、Ｙ方向が短手方向となる矩形状に形成されている。
【0167】
第１電極３４Ａは、Ｙ方向において第１主発光領域３３ＡＡおよび第１発光領域３３ＢＡと同じ位置に配置されている。第１電極３４Ａは、第１発光領域３３ＢＡの発光部３３Ｐおよび第１主発光領域３３ＡＡの複数の発光部３３Ｐと電気的に接続されている。より詳細には、面発光レーザチップ３０は、第１電極３４Ａと第１主発光領域３３ＡＡの複数の発光部３３Ｐとを電気的に接続する第１接続部３６Ａと、第１電極３４Ａと第１発光領域３３ＢＡの発光部３３Ｐとを電気的に接続する第２接続部３７Ａと、を含む。このため、第１電極３４Ａ、第１接続部３６Ａ、および第２接続部３７Ａを介して第１主発光領域３３ＡＡの複数の発光部３３Ｐと第１発光領域３３ＢＡの発光部３３Ｐに同時に電流が供給される。つまり、面発光レーザチップ３０は、第１主発光領域３３ＡＡの複数の発光部３３Ｐと第１発光領域３３ＢＡの発光部３３Ｐが同時にレーザ光を出射するように構成されている。第１接続部３６Ａは、第１主発光領域３３ＡＡを構成する第１発光電極３８ＡＡに接続されている。第２接続部３７Ａは、第１発光領域３３ＢＡを構成する第１発光電極３８ＢＡに接続されている。
【0168】
第２電極３４Ｂは、Ｙ方向において第２主発光領域３３ＡＢおよび第２発光領域３３ＢＢと同じ位置に配置されている。第２電極３４Ｂは、第２発光領域３３ＢＢの発光部３３Ｐおよび第２主発光領域３３ＡＢの複数の発光部３３Ｐと電気的に接続されている。より詳細には、面発光レーザチップ３０は、第２電極３４Ｂと第２主発光領域３３ＡＢの複数の発光部３３Ｐとを電気的に接続する第１接続部３６Ｂと、第２電極３４Ｂと第２発光領域３３ＢＢの発光部３３Ｐとを電気的に接続する第２接続部３７Ｂと、を含む。このため、第２電極３４Ｂ、第１接続部３６Ｂ、および第２接続部３７Ｂを介して第２主発光領域３３ＡＢの複数の発光部３３Ｐと第２発光領域３３ＢＢの発光部３３Ｐに同時に電流が供給される。つまり、面発光レーザチップ３０は、第２主発光領域３３ＡＢの複数の発光部３３Ｐと第２発光領域３３ＢＢの発光部３３Ｐが同時にレーザ光を出射するように構成されている。第１接続部３６Ｂは、第２主発光領域３３ＡＢを構成する第２発光電極３８ＡＢに接続されている。第２接続部３７Ｂは、第２発光領域３３ＢＢを構成する第２発光電極３８ＢＢに接続されている。
【0169】
第３電極３４Ｃは、Ｙ方向において第３主発光領域３３ＡＣおよび第３発光領域３３ＢＣと同じ位置に配置されている。第３電極３４Ｃは、第３発光領域３３ＢＣの発光部３３Ｐおよび第３主発光領域３３ＡＣの複数の発光部３３Ｐと電気的に接続されている。より詳細には、面発光レーザチップ３０は、第３電極３４Ｃと第３主発光領域３３ＡＣの複数の発光部３３Ｐとを電気的に接続する第１接続部３６Ｃと、第３電極３４Ｃと第３発光領域３３ＢＣの発光部３３Ｐとを電気的に接続する第２接続部３７Ｃと、を含む。このため、第３電極３４Ｃ、第１接続部３６Ｃ、および第２接続部３７Ｃを介して第３主発光領域３３ＡＣの複数の発光部３３Ｐと第３発光領域３３ＢＣの発光部３３Ｐに同時に電流が供給される。つまり、面発光レーザチップ３０は、第３主発光領域３３ＡＣの複数の発光部３３Ｐと第３発光領域３３ＢＣの発光部３３Ｐが同時にレーザ光を出射するように構成されている。第１接続部３６Ｃは、第３主発光領域３３ＡＣを構成する第３発光電極３８ＡＣに接続されている。第２接続部３７Ｃは、第３発光領域３３ＢＣを構成する第３発光電極３８ＢＣに接続されている。
【0170】
第４電極３４Ｄは、Ｙ方向において第４主発光領域３３ＡＤおよび第４発光領域３３ＢＤと同じ位置に配置されている。第４電極３４Ｄは、第４発光領域３３ＢＤの発光部３３Ｐおよび第４主発光領域３３ＡＤの複数の発光部３３Ｐと電気的に接続されている。より詳細には、面発光レーザチップ３０は、第４電極３４Ｄと第４主発光領域３３ＡＤの複数の発光部３３Ｐとを電気的に接続する第１接続部３６Ｄと、第４電極３４Ｄと第４発光領域３３ＢＤの発光部３３Ｐとを電気的に接続する第２接続部３７Ｄと、を含む。このため、第４電極３４Ｄ、第１接続部３６Ｄ、および第２接続部３７Ｄを介して第４主発光領域３３ＡＤの複数の発光部３３Ｐと第４発光領域３３ＢＤの発光部３３Ｐに同時に電流が供給される。つまり、面発光レーザチップ３０は、第４主発光領域３３ＡＤの複数の発光部３３Ｐと第４発光領域３３ＢＤの発光部３３Ｐが同時にレーザ光を出射するように構成されている。第１接続部３６Ｄは、第４主発光領域３３ＡＤを構成する第４発光電極３８ＡＤに接続されている。第２接続部３７Ｄは、第４発光領域３３ＢＤを構成する第４発光電極３８ＢＤに接続されている。第１接続部３６Ａ～３６Ｄおよび第２接続部３７Ａ～３７Ｄの各々は、例えば配線層およびビアを含む。
【0171】
第１電極３４Ａと第１主発光領域３３ＡＡとのＸ方向の間の距離および第２電極３４Ｂと第２主発光領域３３ＡＢとのＸ方向の間の距離の各々は、第３電極３４Ｃと第３主発光領域３３ＡＣとのＸ方向の間の距離および第４電極３４Ｄと第４主発光領域３３ＡＤとのＸ方向の間の距離よりも大きい。
【0172】
図１６に示すように、図１５に示す面発光レーザチップ３０を備える半導体発光装置１０は、基板表面２１上に形成された第１表面電極６１Ｓ、第２表面電極６２Ｓ、第３表面電極６３Ｓ、第４表面電極６４Ｓ、第５表面電極６５Ｓ、および第６表面電極６６Ｓを含む。第１表面電極６１Ｓ、第２表面電極６２Ｓ、第３表面電極６３Ｓ、第４表面電極６４Ｓ、第５表面電極６５Ｓ、および第６表面電極６６Ｓは互いに離隔して配置されている。第１表面電極６１Ｓおよび第２表面電極６２Ｓの配置態様、形状、およびサイズは第１実施形態と同じである。
【0173】
第３～第６表面電極６３Ｓ～６６Ｓは、平面視において面発光レーザチップ３０のＹ方向の両側に２つずつ分散して配置されている。より詳細には、第３表面電極６３Ｓおよび第５表面電極６５Ｓは、面発光レーザチップ３０よりも第３基板側面２５寄りに配置されている。第４表面電極６４Ｓおよび第６表面電極６６Ｓは、面発光レーザチップ３０よりも第４基板側面２６寄りに配置されている。第３表面電極６３Ｓおよび第５表面電極６５Ｓは、Ｙ方向において互いに同じ位置であってＸ方向において互いに離隔して配列されている。第３表面電極６３Ｓは、第５表面電極６５Ｓよりも第１基板側面２３寄りに配置されている。第４表面電極６４Ｓおよび第６表面電極６６Ｓは、Ｙ方向において互いに同じ位置であってＸ方向において互いに離隔して配列されている。第４表面電極６４Ｓは、第６表面電極６６Ｓよりも第１基板側面２３寄りに配置されている。
【0174】
また図示していないが、半導体発光装置１０は、第１裏面電極６１Ｒ、第２裏面電極６２Ｒ、第３裏面電極、第４裏面電極、第５裏面電極、および第６裏面電極と、第１ビア６７、第２ビア６８、第３ビア、第４ビア、第５ビア、および第６ビアと、を含む。第１裏面電極６１Ｒ、第２裏面電極６２Ｒ、第１ビア６７、および第２ビア６８の配置態様、形状、およびサイズは、第１実施形態と同じである。
【0175】
第３～第５裏面電極は、第１裏面電極６１Ｒおよび第２裏面電極６２Ｒ（図１１参照）の双方と離隔して配置されている。また、第３裏面電極、第４裏面電極、および第５裏面電極は、互いに離隔して配置されている。第３裏面電極は、平面視において第３表面電極６３Ｓと重なる部分を含む。第４裏面電極は、平面視において第４表面電極６４Ｓと重なる部分を含む。第５裏面電極は、平面視において第５表面電極６５Ｓと重なる部分を含む。第６裏面電極は、平面視において第６表面電極６６Ｓと重なる部分を含む。
【0176】
第３裏面電極は、第３ビアを介して第３表面電極６３Ｓと電気的に接続されている。第４裏面電極は、第４ビアを介して第４表面電極６４Ｓと電気的に接続されている。第５裏面電極は、第５ビアを介して第５表面電極６５Ｓと電気的に接続されている。第６裏面電極は、第６ビアを介して第６表面電極６６Ｓと電気的に接続されている。
【0177】
第３～第６ビアの各々は、基板２０をＺ方向に貫通している。第３ビアは、第３裏面電極および第３表面電極６３Ｓの双方と接している。第４ビアは、第４裏面電極および第４表面電極６４Ｓの双方と接している。第５ビアは、第５裏面電極および第５表面電極６５Ｓの双方と接している。第６ビアは、第６裏面電極および第６表面電極６６Ｓの双方と接している。
【0178】
第１電極３４Ａおよび第３表面電極６３Ｓは、ワイヤＷ１Ａによって電気的に接続されている。第２電極３４Ｂおよび第４表面電極６４Ｓは、ワイヤＷ１Ｂによって電気的に接続されている。第３電極３４Ｃおよび第５表面電極６５Ｓは、ワイヤＷ１Ｃによって電気的に接続されている。第４電極３４Ｄおよび第６表面電極６６Ｓは、ワイヤＷ１Ｄによって電気的に接続されている。ワイヤＷ１Ａ～Ｗ１Ｄは、例えばワイヤＷ１（図１１参照）と同じ材料によって形成されている。
【0179】
このように、第１～第４電極３４Ａ～３４Ｄが個別の表面電極（第３～第６表面電極６３Ｓ～６６Ｓ）に電気的に接続されることによって、第１主発光領域３３ＡＡの複数の発光部３３Ｐおよび第１発光領域３３ＢＡの発光部３３Ｐの組と、第２主発光領域３３ＡＢの複数の発光部３３Ｐおよび第２発光領域３３ＢＢの発光部３３Ｐの組と、第３主発光領域３３ＡＣの複数の発光部３３Ｐおよび第３発光領域３３ＢＣの発光部３３Ｐの組と、第４主発光領域３３ＡＤの複数の発光部３３Ｐおよび第４発光領域３３ＢＤの発光部３３Ｐの組とが個別にレーザ光を出射するように構成することができる。
【0180】
また、第１電極３４Ａと第１主発光領域３３ＡＡとのＸ方向の間の距離が大きいため、ワイヤＷ１Ｃは、平面視において第１主発光領域３３ＡＡよりも第１電極３４Ａ寄りに形成することができる。第２電極３４Ｂと第２主発光領域３３ＡＢとのＸ方向の間の距離が大きいため、ワイヤＷ１Ｄは、平面視において第２主発光領域３３ＡＢよりも第２電極３４Ｂ寄りに形成することができる。
【0181】
図示していないが、半導体発光装置１０は、反射部７０（図３参照）を含む。反射部７０と面発光レーザチップ３０および受光チップ４０との位置関係は、第１実施形態と同様である。また、反射部７０の構成および反射部７０に関する封止部材５０の構成は第１実施形態と同様である。
【0182】
［効果］
第８実施形態によれば、以下の効果が得られる。
（８－１）第１～第４発光領域３３ＢＡ～３３ＢＤおよび第１～第４主発光領域３３ＡＡ～３３ＡＤの各々は、レーザ光を出射する発光部３３Ｐを含む。第１電極３４Ａは、第１発光領域３３ＢＡの発光部３３Ｐおよび第１主発光領域３３ＡＡの複数の発光部３３Ｐの双方と電気的に接続されている。第２電極３４Ｂは、第２発光領域３３ＢＢの発光部３３Ｐおよび第２主発光領域３３ＡＢの複数の発光部３３Ｐの双方と電気的に接続されている。第３電極３４Ｃは、第３発光領域３３ＢＣの発光部３３Ｐおよび第３主発光領域３３ＡＣの複数の発光部３３Ｐの双方と電気的に接続されている。第４電極３４Ｄは、第４発光領域３３ＢＤの発光部３３Ｐおよび第４主発光領域３３ＡＤの複数の発光部３３Ｐの双方と電気的に接続されている。
第８実施形態によれば、以下の効果が得られる。
（８－１）第１～第４発光領域３３ＢＡ～３３ＢＤおよび第１～第４主発光領域３３ＡＡ～３３ＡＤの各々は、レーザ光を出射する発光部３３Ｐを含む。第１電極３４Ａは、第１発光領域３３ＢＡの発光部３３Ｐおよび第１主発光領域３３ＡＡの複数の発光部３３Ｐの双方と電気的に接続されている。第２電極３４Ｂは、第２発光領域３３ＢＢの発光部３３Ｐおよび第２主発光領域３３ＡＢの複数の発光部３３Ｐの双方と電気的に接続されている。第３電極３４Ｃは、第３発光領域３３ＢＣの発光部３３Ｐおよび第３主発光領域３３ＡＣの複数の発光部３３Ｐの双方と電気的に接続されている。第４電極３４Ｄは、第４発光領域３３ＢＤの発光部３３Ｐおよび第４主発光領域３３ＡＤの複数の発光部３３Ｐの双方と電気的に接続されている。
【0183】
この構成によれば、第１主発光領域３３ＡＡの複数の発光部３３Ｐおよび第１発光領域３３ＢＡの発光部３３Ｐの組と、第２主発光領域３３ＡＢの複数の発光部３３Ｐおよび第２発光領域３３ＢＢの発光部３３Ｐの組と、第３主発光領域３３ＡＣの複数の発光部３３Ｐおよび第３発光領域３３ＢＣの発光部３３Ｐの組と、第４主発光領域３３ＡＤの複数の発光部３３Ｐおよび第４発光領域３３ＢＤの発光部３３Ｐの組とが個別にレーザ光を出射するように構成することができる。これにより、第１発光領域３３ＢＡからのレーザ光が反射部７０によって反射された反射光の少なくとも一部を受光チップ４０が受光した受光量に基づいて第１主発光領域３３ＡＡの複数の発光部３３Ｐのレーザ光の出力を制御することができる。また、第２～第４主発光領域３３ＡＢ～３３ＡＤにおける複数の発光部３３Ｐのレーザ光の出力も同様に制御することができる。このように、第１主発光領域３３ＡＡの複数の発光部３３Ｐ、第２主発光領域３３ＡＢの複数の発光部３３Ｐ、第３主発光領域３３ＡＣの複数の発光部３３Ｐ、および第４主発光領域３３ＡＤの複数の発光部３３Ｐからのレーザ光の出力を個別に制御することができる。
【0184】
（８－２）平面視において、第１発光領域３３ＢＡの面積は、第１主発光領域３３ＡＡの面積よりも小さい。平面視において、第２発光領域３３ＢＢの面積は、第２主発光領域３３ＡＢの面積よりも小さい。平面視において、第３発光領域３３ＢＣの面積は、第３主発光領域３３ＡＣの面積よりも小さい。平面視において、第４発光領域３３ＢＤの面積は、第４主発光領域３３ＡＤの面積よりも小さい。
【0185】
この構成によれば、第１～第４発光領域３３ＢＡ～３３ＢＤからのレーザ光の出力は第１～第４主発光領域３３ＡＡ～３３ＡＤからのレーザ光の出力よりも小さくなる。このため、例えば第１～第４発光領域３３ＢＡ～３３ＢＤからのレーザ光は反射部７０によって反射して受光チップ４０が受光するようなレーザ光の出力が小さい用途に適用することができる。また、第１～第４主発光領域３３ＡＡ～３３ＡＤからのレーザ光は半導体発光装置１０から出射するといったレーザ光の出力が大きい用途に適用することができる。
【0186】
（８－３）第１～第４発光領域３３ＢＡ～３３ＢＤおよび第１～第４主発光領域３３ＡＡ～３３ＡＤの各々は、レーザ光を出射する発光部３３Ｐを含む。第１発光領域３３ＢＡの発光部３３Ｐの数は、第１主発光領域３３ＡＡの発光部３３Ｐの数よりも少ない。第２発光領域３３ＢＢの発光部３３Ｐの数は、第２主発光領域３３ＡＢの発光部３３Ｐの数よりも少ない。第３発光領域３３ＢＣの発光部３３Ｐの数は、第３主発光領域３３ＡＣの発光部３３Ｐの数よりも少ない。第４発光領域３３ＢＤの発光部３３Ｐの数は、第４主発光領域３３ＡＤの発光部３３Ｐの数よりも少ない。
【0187】
この構成によれば、第１～第４発光領域３３ＢＡ～３３ＢＤからのレーザ光の出力は第１～第４主発光領域３３ＡＡ～３３ＡＤからのレーザ光の出力よりも小さくなる。このため、例えば第１～第４発光領域３３ＢＡ～３３ＢＤからのレーザ光は反射部７０によって反射して受光チップ４０が受光するようなレーザ光の出力が小さい用途に適用することができる。また、第１～第４主発光領域３３ＡＡ～３３ＡＤからのレーザ光は半導体発光装置１０から出射するといったレーザ光の出力が大きい用途に適用することができる。
【0188】
（８－４）平面視における第１発光面３３Ａの形状は、円形である。
この構成によれば、例えば第３電極３４Ｃおよび第４電極３４Ｄに接合されたワイヤＷ１Ｃ，Ｗ１Ｄが平面視においてＸ方向およびＹ方向の双方と交差する斜め方向に形成されたとしても、平面視においてワイヤＷ１Ｃ，Ｗ１Ｄが第１発光面３３Ａの発光部３３Ｐと重なることを抑制できる。加えて、第１発光面３３Ａからのレーザ光が平面視において円形となるため、レンズ等の光学系の部材に対して効率よくレーザ光を利用できる。例えばレンズを用いてレーザ光を集光する場合にその集光効率を高めることができる。
この構成によれば、例えば第３電極３４Ｃおよび第４電極３４Ｄに接合されたワイヤＷ１Ｃ，Ｗ１Ｄが平面視においてＸ方向およびＹ方向の双方と交差する斜め方向に形成されたとしても、平面視においてワイヤＷ１Ｃ，Ｗ１Ｄが第１発光面３３Ａの発光部３３Ｐと重なることを抑制できる。加えて、第１発光面３３Ａからのレーザ光が平面視において円形となるため、レンズ等の光学系の部材に対して効率よくレーザ光を利用できる。例えばレンズを用いてレーザ光を集光する場合にその集光効率を高めることができる。
【0189】
＜変更例＞
上記各実施形態は、以下のように変更して実施することができる。また、上記各実施形態および以下の各変更例は、技術的に矛盾しない範囲で互いに組み合わせて実施することができる。
上記各実施形態は、以下のように変更して実施することができる。また、上記各実施形態および以下の各変更例は、技術的に矛盾しない範囲で互いに組み合わせて実施することができる。
【0190】
第１～第８実施形態は、技術的に矛盾しない範囲で互いに組み合わせることができる。以下に第１～第８実施形態の組み合わせを例示する。
・第３および第４実施形態の反射部７０は、第１実施形態の反射部７０に変更してもよい。
・第３および第４実施形態の反射部７０は、第１実施形態の反射部７０に変更してもよい。
【0191】
・第６～第８実施形態の反射部７０は、第２実施形態の反射部７０に変更してもよい。
・第３、第４、および第６～第８実施形態の反射部７０は、第５実施形態の反射部７０（拡散材７２）に変更してもよい。
・第３、第４、および第６～第８実施形態の反射部７０は、第５実施形態の反射部７０（拡散材７２）に変更してもよい。
【0192】
・第３、第４、および第６～第８実施形態の半導体発光装置１０は、封止部材５０の封止表面５１に形成された第１実施形態または第２実施形態の反射部７０と、第５実施形態の拡散材７２とを含んでいてもよい。
【0193】
・第１、第３～第５実施形態の面発光レーザチップ３０は、第６～第８実施形態の面発光レーザチップ３０のいずれかに変更してもよい。
・第５実施形態の半導体発光装置１０は、反射部７０としての拡散材７２と、封止部材５０の封止表面５１に形成された第１実施形態または第２実施形態の反射部７０とを含んでいてもよい。
・第５実施形態の半導体発光装置１０は、反射部７０としての拡散材７２と、封止部材５０の封止表面５１に形成された第１実施形態または第２実施形態の反射部７０とを含んでいてもよい。
【0194】
・第１実施形態において、図１７に示すように、反射部７０としての粗面５１Ｂ上に遮光層１００が形成されていてもよい。遮光層１００は、例えば遮光性を有する樹脂材料によって形成されていてもよい。遮光性を有する樹脂材料としては、例えば黒色のエポキシ樹脂が用いられる。また、遮光層１００は、例えば金属膜によって形成されていてもよい。また、遮光層１００は、反射防止膜（Anti-Reflection coating：ＡＲコート）によって形成されていてもよい。
【0195】
・第１および第２実施形態において、図１８に示すように、半導体発光装置１０は、封止部材５０の封止表面５１のうち平面視において受光面としての第２チップ表面４１と重なる部分に形成された遮光層１００を含んでいてもよい。図１８に示す例では、遮光層１００は、第２チップ表面４１（受光面）の全体を覆っている。なお、遮光層１００は、第２チップ表面４１（受光面）を覆っていれば、例えば反射部７０の少なくとも一部を覆っていなくてもよい。
【0196】
・各実施形態において、封止部材５０を構成する材料は任意に変更可能である。一例では、封止部材５０は、可視光線を遮断し、可視光線とは異なる特定波長のレーザ光を透過する材料によって形成されていてよい。特定波長のレーザ光は、例えば紫外線レーザである。封止部材５０を構成する材料としては、例えば可視光遮蔽シリコーン封止材が用いられてよい。この封止材は、例えばＡＩＲ－７０５１－Ａ／Ｂ（信越化学工業株式会社製）が用いられてよい。この場合、面発光レーザチップ３０は、特定波長のレーザ光を出射するように構成されている。反射部７０は、特定波長のレーザ光を反射するように構成されている。
【0197】
・第１～第５実施形態において、平面視における反射部７０の位置は任意に変更可能である。一例では、反射部７０は、平面視において面発光レーザチップ３０の発光面３３の一部と重なる位置に配置されていてもよい。
【0198】
・第１、第２、および第５～第８実施形態において、面発光レーザチップ３０および受光チップ４０の配置態様は任意に変更可能である。一例では、面発光レーザチップ３０および受光チップ４０は、Ｙ方向において互いにずれて配置されていてもよい。
【0199】
・第１、第２、および第６～第８実施形態において、半導体発光装置１０は、面発光レーザチップ３０から出射されたレーザ光が対象物ＤＴによって反射された反射光を受光する検出用受光チップ１１０を含んでいてもよい。一例では、図１９に示すように、検出用受光チップ１１０は、Ｘ方向において面発光レーザチップ３０に対して受光チップ４０とは反対側に配置されている。検出用受光チップ１１０は、例えばフォトダイオードを含む。
【0200】
検出用受光チップ１１０は、Ｚ方向において互いに反対側を向く第３チップ表面１１１および第３チップ裏面１１２を含む。第３チップ表面１１１は基板表面２１と同じ側を向き、第３チップ裏面１１２は基板裏面２２と同じ側を向いている。第３チップ表面１１１には受光面１１３が形成されている。受光面１１３上には、表面電極１１４が形成されている。第３チップ裏面１１２には裏面電極１１５が形成されている。
【0201】
検出用受光チップ１１０は、導電性接合材ＳＤによって第１表面電極６１Ｓに接合されている。これにより、検出用受光チップ１１０の裏面電極１１５は、導電性接合材ＳＤを介して第１表面電極６１Ｓと電気的に接続されている。
【0202】
検出用受光チップ１１０の表面電極１１４には、ワイヤＷ６が形成されている。ワイヤＷ６は、第２表面電極６２Ｓに接続されている。これにより、表面電極１１４は、ワイヤＷ６を介して第２表面電極６２Ｓと電気的に接続されている。
【0203】
・図１９に示す変更例において、面発光レーザチップ３０の配置態様は任意に変更可能である。一例では、図２０に示すように、半導体発光装置１０は、Ｚ方向において基板２０と面発光レーザチップ３０との間に介在するサブマウント基板１２０を含んでいてもよい。
【0204】
サブマウント基板１２０は、Ｚ方向を厚さ方向とする矩形平板状に形成されている。サブマウント基板１２０は、例えば導電材料によって形成されている。導電材料としては、例えばＣｕ、Ａｌ等が用いられる。一例では、サブマウント基板１２０は、Ｃｕによって形成されている。
【0205】
サブマウント基板１２０は、導電性接合材ＳＤによって第１表面電極６１Ｓに接合されている。面発光レーザチップ３０は、導電性接合材ＳＤによってサブマウント基板１２０に接合されている。これにより、面発光レーザチップ３０の裏面電極３５は、サブマウント基板１２０および導電性接合材ＳＤを介して第１表面電極６１Ｓに電気的に接続されている。
【0206】
図２０に示す例では、面発光レーザチップ３０の発光面３３は、面発光レーザチップ３０の第１チップ裏面３２は、検出用受光チップ１１０の受光面１１３よりも封止表面５１寄りに配置されている。なお、サブマウント基板１２０の厚さを調整することによって、面発光レーザチップ３０の第１チップ裏面３２が検出用受光チップ１１０の受光面１１３よりも基板２０寄りに配置されていてもよい。
【0207】
図２０に示す変更例の構成によれば、面発光レーザチップ３０の熱がサブマウント基板１２０を介して基板２０に移動しやすくなる。したがって、面発光レーザチップ３０の温度が過度に高くなることを抑制できる。
【0208】
なお、サブマウント基板１２０は、絶縁材料を含む材料によって形成されていてもよい。絶縁材料としては、セラミック、樹脂材料等が挙げられる。セラミックとしては、ＡｌＮ、Ａｌ２Ｏ３を用いることができる。この場合、サブマウント基板１２０は、サブマウント基板１２０をＺ方向に貫通する１または複数の貫通配線を含む。１または複数の貫通配線を介して面発光レーザチップ３０の裏面電極３５と第１表面電極６１Ｓとが電気的に接続されている。サブマウント基板１２０の絶縁材料としてセラミックが用いられた場合、面発光レーザチップ３０の熱がサブマウント基板１２０を介して基板２０に移動しやすくなる。したがって、面発光レーザチップ３０の温度が過度に高くなることを抑制できる。なお、サブマウント基板１２０は、シリコン（Ｓｉ）などの半導体材料によって形成されていてもよい。この場合においてもサブマウント基板１２０は、サブマウント基板１２０をＺ方向に貫通する１または複数の貫通配線を含む。
【0209】
・図１９および図２０に示す変更例において、封止部材５０のうちＸ方向における面発光レーザチップ３０と検出用受光チップ１１０との間には、Ｚ方向を深さ方向とし、Ｙ方向に延びるスリットが形成されていてよい。このスリットは、例えば第４実施形態のスリット５８と同じであってよい。
【0210】
・第６および第７実施形態において、面発光レーザチップ３０における第１発光面３３Ａの面積および第２発光面３３Ｂの面積の関係は任意に変更可能である。一例では、第１発光面３３Ａの面積と第２発光面３３Ｂの面積とは互いに等しくてもよい。
【0211】
・第６および第７実施形態において、面発光レーザチップ３０における第１発光面３３Ａの発光部３３Ｐの数および第２発光面３３Ｂの発光部３３Ｐの数の関係は任意に変更可能である。一例では、第１発光面３３Ａの発光部３３Ｐの数と第２発光面３３Ｂの発光部３３Ｐの数とは互いに等しくてもよい。
【0212】
・第７実施形態において、第１電極３４Ａおよび第２電極３４Ｂの配置態様は任意に変更可能である。一例では、第１電極３４Ａおよび第２電極３４Ｂは、Ｘ方向において互いに離隔して配列されていてもよい。また一例では、第２電極３４Ｂは、第１発光面３３Ａと第２発光面３３ＢとのＸ方向の間に配置される一方、第１電極３４Ａは、Ｘ方向において第１発光面３３Ａに対して第２発光面３３Ｂとは反対側に配置されていてもよい。
【0213】
・第７実施形態において、平面視において、第１電極３４Ａの面積および第２電極３４Ｂの面積の関係は任意に変更可能である。一例では、第１電極３４Ａの面積と第２電極３４Ｂの面積とは互いに等しくてもよい。
【0214】
・第８実施形態において、第１発光面３３Ａの第１～第４主発光領域３３ＡＡ～３３ＡＤの面積の関係は任意に変更可能である。一例では、第１～第４主発光領域３３ＡＡ～３３ＡＤの面積は互いに等しくてもよい。
【0215】
・第８実施形態において、第１発光面３３Ａの第１～第４主発光領域３３ＡＡ～３３ＡＤのＸ方向の長さは任意に変更可能である。一例では、第１～第４主発光領域３３ＡＡ～３３ＡＤのＸ方向の長さは互いに等しくてもよい。
【0216】
・第８実施形態において、第１発光面３３Ａの第１～第４主発光領域３３ＡＡ～３３ＡＤの発光部３３Ｐの数の関係は任意に変更可能である。一例では、第１～第４主発光領域３３ＡＡ～３３ＡＤの発光部３３Ｐの数は同じであってもよい。
【0217】
・第８実施形態において、第１発光面３３Ａの第１～第４主発光領域３３ＡＡ～３３ＡＤの面積と第２発光面３３Ｂの第１～第４発光領域３３ＢＡ～３３ＢＤの面積との関係は任意に変更可能である。一例では、第１主発光領域３３ＡＡの面積と第１発光領域３３ＢＡの面積とは互いに等しくてもよい。一例では、第２主発光領域３３ＡＢの面積と第２発光領域３３ＢＢの面積とは互いに等しくてもよい。一例では、第３主発光領域３３ＡＣの面積と第３発光領域３３ＢＣの面積とは互いに等しくてもよい。一例では、第４主発光領域３３ＡＤの面積と第４発光領域３３ＢＤの面積とは互いに等しくてもよい。
【0218】
・第８実施形態において、第１発光面３３Ａの第１～第４主発光領域３３ＡＡ～３３ＡＤの発光部３３Ｐの数と第２発光面３３Ｂの第１～第４発光領域３３ＢＡ～３３ＢＤの発光部３３Ｐの数との関係は任意に変更可能である。一例では、第１主発光領域３３ＡＡの発光部３３Ｐの数と第１発光領域３３ＢＡの発光部３３Ｐの数とは同じであってもよい。一例では、第２主発光領域３３ＡＢの発光部３３Ｐの数と第２発光領域３３ＢＢの発光部３３Ｐの数とは同じであってもよい。一例では、第３主発光領域３３ＡＣの発光部３３Ｐの数と第３発光領域３３ＢＣの発光部３３Ｐの数とは同じであってもよい。一例では、第４主発光領域３３ＡＤの発光部３３Ｐの数と第４発光領域３３ＢＤの発光部３３Ｐの数とは同じであってもよい。
【0219】
・第８実施形態において、第２発光面３３Ｂの第１～第４発光領域３３ＢＡ～３３ＢＤの配置態様は任意に変更可能である。一例では、第１～第４発光領域３３ＢＡ～３３ＢＤは、Ｘ方向およびＹ方向の双方において互いに離隔して配置されていてもよい。つまり、第１～第４発光領域３３ＢＡ～３３ＢＤは、平面視において格子状に配置されていてもよい。
【0220】
・第８実施形態において、第１発光面３３Ａの第１～第４主発光領域３３ＡＡ～３３ＡＤ、第２発光面３３Ｂの第１～第４発光領域３３ＢＡ～３３ＢＤ、および第１～第４電極３４Ａ～３４Ｄの配置態様は任意に変更可能である。一例では、第１主発光領域３３ＡＡ、第１発光領域３３ＢＡ、および第１電極３４Ａは、Ｙ方向において互いにずれた位置に配置されていてもよい。一例では、第２主発光領域３３ＡＢ、第２発光領域３３ＢＢ、および第２電極３４Ｂは、Ｙ方向において互いにずれた位置に配置されていてもよい。一例では、第３主発光領域３３ＡＣ、第３発光領域３３ＢＣ、および第３電極３４Ｃは、Ｙ方向において互いにずれた位置に配置されていてもよい。一例では、第４主発光領域３３ＡＤ、第４発光領域３３ＢＤ、および第４電極３４Ｄは、Ｙ方向において互いにずれた位置に配置されていてもよい。
【0221】
・第８実施形態の面発光レーザチップ３０において、第１発光面３３Ａおよび第２発光面３３Ｂの発光領域の数は任意に変更可能である。一例では、図２１に示すように、第１発光面３３Ａおよび第２発光面３３Ｂの各々は、２つの発光領域を含んでいてもよい。つまり、第１発光面３３Ａは、互いに離隔して配置された第１主発光領域３３ＡＡおよび第２主発光領域３３ＡＢを含んでいてもよい。第２発光面３３Ｂは、互いに離隔して配置された第１発光領域３３ＢＡおよび第２発光領域３３ＢＢを含んでいてもよい。この場合、表面電極３４は、互いに離隔して配置された第１電極３４Ａおよび第２電極３４Ｂを含んでいてもよい。
【0222】
図２１に示す例では、第１主発光領域３３ＡＡおよび第２主発光領域３３ＡＢは、Ｘ方向において互いに同じ位置であってＹ方向において互いに離隔して配列されている。第１発光領域３３ＢＡおよび第２発光領域３３ＢＢは、Ｘ方向において互いに同じ位置であってＹ方向において互いに離隔して配列されている。第１発光領域３３ＢＡは、Ｙ方向において第１主発光領域３３ＡＡと同じ位置に配置されている。第２発光領域３３ＢＢは、Ｙ方向において第２主発光領域３３ＡＢと同じ位置に配置されている。
【0223】
平面視において、第１発光領域３３ＢＡの面積は、第１主発光領域３３ＡＡの面積よりも小さい。より詳細には、第１発光領域３３ＢＡのＸ方向の長さは、第１主発光領域３３ＡＡのＸ方向の長さよりも短い。第１発光領域３３ＢＡのＹ方向の長さは、第１主発光領域３３ＡＡのＹ方向の長さと等しい。第１発光領域３３ＢＡおよび第１主発光領域３３ＡＡの双方は、複数の発光部３３Ｐを含む。第１発光領域３３ＢＡの発光部３３Ｐの数は、第１主発光領域３３ＡＡの発光部３３Ｐの数よりも少ない。第１発光領域３３ＢＡの複数の発光部３３Ｐは、Ｘ方向において互いに同じ位置であってＹ方向において互いに離隔して配列されている。つまり、第１発光領域３３ＢＡの複数の発光部３３Ｐは、Ｙ方向に１列に並べられている。第１主発光領域３３ＡＡの複数の発光部３３Ｐは、Ｘ方向およびＹ方向の双方において互いに離隔して配列されている。
【0224】
平面視において、第２発光領域３３ＢＢの面積は、第２主発光領域３３ＡＢの面積よりも小さい。より詳細には、第２発光領域３３ＢＢのＸ方向の長さは、第２主発光領域３３ＡＢのＸ方向の長さよりも短い。第２発光領域３３ＢＢのＹ方向の長さは、第２主発光領域３３ＡＢのＹ方向の長さと等しい。
【0225】
第２発光領域３３ＢＢおよび第２主発光領域３３ＡＢの双方は、複数の発光部３３Ｐを含む。第２発光領域３３ＢＢの発光部３３Ｐの数は、第２主発光領域３３ＡＢの発光部３３Ｐの数よりも少ない。第２発光領域３３ＢＢの複数の発光部３３Ｐは、Ｘ方向において互いに同じ位置であってＹ方向において互いに離隔して配列されている。つまり、第２発光領域３３ＢＢの複数の発光部３３Ｐは、Ｙ方向に１列に並べられている。第２主発光領域３３ＡＢの複数の発光部３３Ｐは、Ｘ方向およびＹ方向の双方において互いに離隔して配列されている。一例では、第２主発光領域３３ＡＢの発光部３３Ｐの数は、第１主発光領域３３ＡＡの発光部３３Ｐの数と同じである。一例では、第２発光領域３３ＢＢの発光部３３Ｐの数は、第１発光領域３３ＢＡの発光部３３Ｐの数と同じである。
【0226】
ここで、第１主発光領域３３ＡＡおよび第２主発光領域３３ＡＢを区画する破線枠の領域は、各発光部３３Ｐに電気的に接続された第１発光電極３８ＡＡおよび第２発光電極３８ＡＢの外枠と同じである。つまり、平面視において、第１発光電極３８ＡＡの外枠で囲まれた領域を第１主発光領域３３ＡＡとし、第２発光電極３８ＡＢの外枠で囲まれた領域を第２主発光領域３３ＡＢとしている。
【0227】
また、第１発光領域３３ＢＡおよび第２発光領域３３ＢＢを区画する破線枠の領域は、各発光部３３Ｐに電気的に接続された第１発光電極３８ＢＡおよび第２発光電極３８ＢＢの外枠と同じである。つまり、平面視において、第１発光電極３８ＢＡの外枠で囲まれた領域を第１発光領域３３ＢＡとし、第２発光電極３８ＢＢの外枠で囲まれた領域を第２発光領域３３ＢＢとしている。
【0228】
なお、第１主発光領域３３ＡＡ、第２主発光領域３３ＡＢ、第１発光領域３３ＢＡ、および第２発光領域３３ＢＢにおける面積および発光部３３Ｐの数は、任意に変更可能である。
【0229】
第１電極３４Ａおよび第２電極３４Ｂは、Ｘ方向において互いに同じ位置であってＹ方向において互いに離隔して配列されている。第１電極３４Ａは、Ｙ方向において第１主発光領域３３ＡＡおよび第１発光領域３３ＢＡと同じ位置には配置されている。第２電極３４Ｂは、Ｙ方向において第２主発光領域３３ＡＢおよび第２発光領域３３ＢＢと同じ位置に配置されている。
【0230】
第１電極３４Ａは、第１主発光領域３３ＡＡの複数の発光部３３Ｐおよび第１発光領域３３ＢＡの複数の発光部３３Ｐと電気的に接続されている。より詳細には、面発光レーザチップ３０は、第１電極３４Ａと第１主発光領域３３ＡＡの複数の発光部３３Ｐとを電気的に接続する第１接続部３６Ａと、第１電極３４Ａと第１発光領域３３ＢＡの複数の発光部３３Ｐとを電気的に接続する第２接続部３７Ａと、を含む。このため、面発光レーザチップ３０は、第１電極３４Ａ、第１接続部３６Ａ、および第２接続部３７Ａを介して第１主発光領域３３ＡＡの複数の発光部３３Ｐと第１発光領域３３ＢＡの複数の発光部３３Ｐが同時にレーザ光を出射するように構成されている。
【0231】
第２電極３４Ｂは、第２主発光領域３３ＡＢの複数の発光部３３Ｐおよび第２発光領域３３ＢＢの複数の発光部３３Ｐと電気的に接続されている。より詳細には、面発光レーザチップ３０は、第２電極３４Ｂと第２主発光領域３３ＡＢの複数の発光部３３Ｐとを電気的に接続する第１接続部３６Ｂと、第２電極３４Ｂと第２発光領域３３ＢＢの複数の発光部３３Ｐとを電気的に接続する第２接続部３７Ｂと、を含む。このため、面発光レーザチップ３０は、第２電極３４Ｂ、第１接続部３６Ｂ、および第２接続部３７Ｂを介して第２主発光領域３３ＡＢの複数の発光部３３Ｐと第２発光領域３３ＢＢの複数の発光部３３Ｐが同時にレーザ光を出射するように構成されている。
【0232】
・第２実施形態において、封止部材５０から凹部５７を省略してもよい。この場合、図２２に示すように、反射部７０の反射層７１は、封止表面５１に形成されている。
・各実施形態において、反射部７０は、面発光レーザチップ３０と受光チップ４０とのＸ方向の間に形成されていてもよい。つまり、平面視において、反射部７０は、面発光レーザチップ３０の第１チップ表面３１よりも受光チップ４０寄りに面発光レーザチップ３０に対してＸ方向に離隔して配置されていてもよい。平面視において、反射部７０は、受光チップ４０に対して面発光レーザチップ３０寄りにＸ方向に離隔して配置されていてもよい。
・各実施形態において、反射部７０は、面発光レーザチップ３０と受光チップ４０とのＸ方向の間に形成されていてもよい。つまり、平面視において、反射部７０は、面発光レーザチップ３０の第１チップ表面３１よりも受光チップ４０寄りに面発光レーザチップ３０に対してＸ方向に離隔して配置されていてもよい。平面視において、反射部７０は、受光チップ４０に対して面発光レーザチップ３０寄りにＸ方向に離隔して配置されていてもよい。
【0233】
本明細書に記載の様々な例のうち１つまたは複数を、技術的に矛盾しない範囲で組み合わせることができる。
本開示における「第１」、「第２」、「第３」等の用語は、単に対象物を区別するために用いられており、対象物を順位づけするものではない。
本開示における「第１」、「第２」、「第３」等の用語は、単に対象物を区別するために用いられており、対象物を順位づけするものではない。
【0234】
本明細書において、「ＡおよびＢのうち少なくとも１つ」とは、「Ａのみ、または、Ｂのみ、またはＡおよびＢの両方」を意味するものとして理解されるべきである。
本開示で使用される「～上に」という用語は、文脈によって明らかにそうでないことが示されない限り、「～上に」と「～の上方に」の意味を含む。したがって、例えば「第１要素が第２要素上に配置される」という表現は、或る実施形態では第１要素が第２要素に接触して第２要素上に直接配置され得るが、他の実施形態では第１要素が第２要素に接触することなく第２要素の上方に配置され得ることが意図される。すなわち、「～上に」という用語は、第１要素と第２要素との間に他の要素が形成される構造を排除しない。
本開示で使用される「～上に」という用語は、文脈によって明らかにそうでないことが示されない限り、「～上に」と「～の上方に」の意味を含む。したがって、例えば「第１要素が第２要素上に配置される」という表現は、或る実施形態では第１要素が第２要素に接触して第２要素上に直接配置され得るが、他の実施形態では第１要素が第２要素に接触することなく第２要素の上方に配置され得ることが意図される。すなわち、「～上に」という用語は、第１要素と第２要素との間に他の要素が形成される構造を排除しない。
【0235】
本開示で使用されるＺ方向は必ずしも鉛直方向である必要はなく、鉛直方向に完全に一致している必要もない。したがって、本開示による種々の構造は、本明細書で説明されるＺ方向の「上」および「下」が鉛直方向の「上」および「下」であることに限定されない。例えばＸ方向が鉛直方向であってもよく、またはＹ方向が鉛直方向であってもよい。
【0236】
＜付記＞
本開示から把握できる技術的思想を以下に記載する。なお、限定する意図ではなく理解の補助のため、付記に記載される構成要素には、上記実施形態中の対応する構成要素の参照符号が付されている。参照符号は、理解の補助のために例として示すものであり、各付記に記載された構成要素は、参照符号で示される構成要素に限定されるべきではない。
本開示から把握できる技術的思想を以下に記載する。なお、限定する意図ではなく理解の補助のため、付記に記載される構成要素には、上記実施形態中の対応する構成要素の参照符号が付されている。参照符号は、理解の補助のために例として示すものであり、各付記に記載された構成要素は、参照符号で示される構成要素に限定されるべきではない。
【0237】
［付記Ａ１］
発光面（３３）を有し、当該発光面（３３）からレーザ光を出射する面発光レーザチップ（３０）と、
受光チップ（４０）と、
前記レーザ光が通過可能な材料によって形成され、前記面発光レーザチップ（３０）および前記受光チップ（４０）を封止する封止部材（５０）と、
前記封止部材（５０）に設けられ、前記レーザ光の一部を前記受光チップ（４０）に向けて反射する反射部（７０）と、
を含み、
前記受光チップ（４０）は、前記反射部（７０）による反射光の少なくとも一部を受光する位置に配置されている
半導体発光装置（１０）。
発光面（３３）を有し、当該発光面（３３）からレーザ光を出射する面発光レーザチップ（３０）と、
受光チップ（４０）と、
前記レーザ光が通過可能な材料によって形成され、前記面発光レーザチップ（３０）および前記受光チップ（４０）を封止する封止部材（５０）と、
前記封止部材（５０）に設けられ、前記レーザ光の一部を前記受光チップ（４０）に向けて反射する反射部（７０）と、
を含み、
前記受光チップ（４０）は、前記反射部（７０）による反射光の少なくとも一部を受光する位置に配置されている
半導体発光装置（１０）。
【0238】
［付記Ａ２］
前記反射部（７０）は、前記封止部材（５０）の封止表面（５１）の一部に形成された凹凸によって構成されている
付記Ａ１に記載の半導体発光装置。
前記反射部（７０）は、前記封止部材（５０）の封止表面（５１）の一部に形成された凹凸によって構成されている
付記Ａ１に記載の半導体発光装置。
【0239】
［付記Ａ３］
前記封止部材（５０）の前記封止表面（５１）は、平坦面（５１Ａ）と、前記平坦面（５１Ａ）よりも粗い粗面（５１Ｂ）と、を含み、
前記反射部（７０）は、前記粗面（５１Ｂ）によって構成されている
付記Ａ２に記載の半導体発光装置。
前記封止部材（５０）の前記封止表面（５１）は、平坦面（５１Ａ）と、前記平坦面（５１Ａ）よりも粗い粗面（５１Ｂ）と、を含み、
前記反射部（７０）は、前記粗面（５１Ｂ）によって構成されている
付記Ａ２に記載の半導体発光装置。
【0240】
［付記Ａ４］
前記反射部（７０）は、前記封止部材（５０）の封止表面（５１）上に形成された反射層（７１）を含む
付記Ａ１に記載の半導体発光装置。
前記反射部（７０）は、前記封止部材（５０）の封止表面（５１）上に形成された反射層（７１）を含む
付記Ａ１に記載の半導体発光装置。
【0241】
［付記Ａ５］
前記封止部材（５０）は、前記レーザ光が透過する封止表面（５１）と、前記封止表面（５１）のうち一部に形成された凹部（５７）と、を含み、
前記反射部（７０）は、前記凹部（５７）に設けられた反射層（７１）を含む
付記Ａ１に記載の半導体発光装置。
前記封止部材（５０）は、前記レーザ光が透過する封止表面（５１）と、前記封止表面（５１）のうち一部に形成された凹部（５７）と、を含み、
前記反射部（７０）は、前記凹部（５７）に設けられた反射層（７１）を含む
付記Ａ１に記載の半導体発光装置。
【0242】
［付記Ａ６］
前記封止部材（５０）の封止表面（５１）のうち前記封止表面（５１）に垂直な方向（Ｚ方向）から視て前記受光チップ（４０）と重なる部分に形成された遮光層（１００）を含む
付記Ａ１～Ａ５のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
前記封止部材（５０）の封止表面（５１）のうち前記封止表面（５１）に垂直な方向（Ｚ方向）から視て前記受光チップ（４０）と重なる部分に形成された遮光層（１００）を含む
付記Ａ１～Ａ５のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
【0243】
［付記Ａ７］
前記遮光層（１００）は、前記反射部（７０）を覆っている
付記Ａ６に記載の半導体発光装置。
前記遮光層（１００）は、前記反射部（７０）を覆っている
付記Ａ６に記載の半導体発光装置。
【0244】
［付記Ａ８］
前記封止部材（５０）の封止表面（５１）に垂直な方向（Ｚ方向）から視て、前記面発光レーザチップ（３０）の前記発光面（３３）および前記受光チップ（４０）の受光面（４１）は第１方向（Ｘ方向）において互いに離隔して配置されており、
前記反射部（７０）は、前記封止表面（５１）に垂直な方向（Ｚ方向）から視て前記発光面（３３）と前記受光面（４１）との前記第１方向（Ｘ方向）の間に形成されている
付記Ａ１～Ａ７のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
前記封止部材（５０）の封止表面（５１）に垂直な方向（Ｚ方向）から視て、前記面発光レーザチップ（３０）の前記発光面（３３）および前記受光チップ（４０）の受光面（４１）は第１方向（Ｘ方向）において互いに離隔して配置されており、
前記反射部（７０）は、前記封止表面（５１）に垂直な方向（Ｚ方向）から視て前記発光面（３３）と前記受光面（４１）との前記第１方向（Ｘ方向）の間に形成されている
付記Ａ１～Ａ７のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
【0245】
［付記Ａ９］
前記反射部（７０）は、前記封止表面（５１）に垂直な方向（Ｚ方向）から視て前記面発光レーザチップ（３０）と前記受光チップ（４０）との前記第１方向（Ｘ方向）の間を跨ぐように設けられている
付記Ａ８に記載の半導体発光装置。
前記反射部（７０）は、前記封止表面（５１）に垂直な方向（Ｚ方向）から視て前記面発光レーザチップ（３０）と前記受光チップ（４０）との前記第１方向（Ｘ方向）の間を跨ぐように設けられている
付記Ａ８に記載の半導体発光装置。
【0246】
［付記Ａ１０］
前記面発光レーザチップ（３０）のチップ表面（３１）には、前記発光面（３３）と、前記チップ表面（３１）に垂直な方向（Ｚ方向）から視て前記発光面（３３）と第１方向（Ｘ方向）に離隔して形成された電極（３４）と、が形成されており、
前記受光チップ（４０）は、前記第１方向（Ｘ方向）において前記発光面（３３）に対して前記電極（３４）とは反対側に配置されている
付記Ａ１～Ａ９のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
前記面発光レーザチップ（３０）のチップ表面（３１）には、前記発光面（３３）と、前記チップ表面（３１）に垂直な方向（Ｚ方向）から視て前記発光面（３３）と第１方向（Ｘ方向）に離隔して形成された電極（３４）と、が形成されており、
前記受光チップ（４０）は、前記第１方向（Ｘ方向）において前記発光面（３３）に対して前記電極（３４）とは反対側に配置されている
付記Ａ１～Ａ９のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
【0247】
［付記Ａ１１］
基板（２０）を備え、
前記面発光レーザチップ（３０）は、前記基板（２０）上に配置され、
前記受光チップ（４０）は、前記基板（２０）上において前記基板（２０）の厚さ方向（Ｚ方向）から視て前記面発光レーザチップ（３０）から第１方向（Ｘ方向）に離隔して配置されている
付記Ａ１～Ａ１０のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
基板（２０）を備え、
前記面発光レーザチップ（３０）は、前記基板（２０）上に配置され、
前記受光チップ（４０）は、前記基板（２０）上において前記基板（２０）の厚さ方向（Ｚ方向）から視て前記面発光レーザチップ（３０）から第１方向（Ｘ方向）に離隔して配置されている
付記Ａ１～Ａ１０のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
【0248】
［付記Ａ１２］
前記基板（２０）上に配置され、前記面発光レーザチップ（３０）から出射された前記レーザ光が対象物（ＤＴ）によって反射された反射光を受光する検出用受光チップ（１１０）をさらに含み、
前記検出用受光チップ（１１０）は、前記第１方向（Ｘ方向）において前記面発光レーザチップ（３０）に対して前記受光チップ（４０）とは反対側に配置されている
付記Ａ１１に記載の半導体発光装置。
前記基板（２０）上に配置され、前記面発光レーザチップ（３０）から出射された前記レーザ光が対象物（ＤＴ）によって反射された反射光を受光する検出用受光チップ（１１０）をさらに含み、
前記検出用受光チップ（１１０）は、前記第１方向（Ｘ方向）において前記面発光レーザチップ（３０）に対して前記受光チップ（４０）とは反対側に配置されている
付記Ａ１１に記載の半導体発光装置。
【0249】
［付記Ａ１３］
前記基板（２０）の厚さ方向（Ｚ方向）において前記基板（２０）と前記面発光レーザチップ（３０）との間に介在するサブマウント基板（１２０）を含む
付記Ａ１１に記載の半導体発光装置。
前記基板（２０）の厚さ方向（Ｚ方向）において前記基板（２０）と前記面発光レーザチップ（３０）との間に介在するサブマウント基板（１２０）を含む
付記Ａ１１に記載の半導体発光装置。
【0250】
［付記Ａ１４］
前記基板（２０）上に配置され、前記面発光レーザチップ（３０）から出射された前記レーザ光が対象物（ＤＴ）によって反射された反射光を受光する検出用受光チップ（１１０）をさらに含み、
前記面発光レーザチップ（３０）は、前記厚さ方向（Ｚ方向）において前記発光面（３３）とは反対側のチップ裏面（３２）を含み、
前記検出用受光チップ（１１０）は、前記厚さ方向（Ｚ方向）において前記チップ裏面（３２）よりも前記基板（２０）寄りに配置されている
付記Ａ１３に記載の半導体発光装置。
前記基板（２０）上に配置され、前記面発光レーザチップ（３０）から出射された前記レーザ光が対象物（ＤＴ）によって反射された反射光を受光する検出用受光チップ（１１０）をさらに含み、
前記面発光レーザチップ（３０）は、前記厚さ方向（Ｚ方向）において前記発光面（３３）とは反対側のチップ裏面（３２）を含み、
前記検出用受光チップ（１１０）は、前記厚さ方向（Ｚ方向）において前記チップ裏面（３２）よりも前記基板（２０）寄りに配置されている
付記Ａ１３に記載の半導体発光装置。
【0251】
［付記Ａ１５］
前記受光チップ（８０）は、受光素子（９５）およびチップ表面（８１）を含み、
前記チップ表面（８１）には、前記受光素子（９５）の受光面（９５Ａ）が形成されており、
前記面発光レーザチップ（３０）は、前記受光チップ（８０）の前記チップ表面（８１）に接合され、かつ前記チップ表面（８１）に垂直な方向（Ｚ方向）から視て前記受光素子（９５）の前記受光面（９５Ａ）とは異なる位置に配置されている
付記Ａ１～Ａ１０のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
前記受光チップ（８０）は、受光素子（９５）およびチップ表面（８１）を含み、
前記チップ表面（８１）には、前記受光素子（９５）の受光面（９５Ａ）が形成されており、
前記面発光レーザチップ（３０）は、前記受光チップ（８０）の前記チップ表面（８１）に接合され、かつ前記チップ表面（８１）に垂直な方向（Ｚ方向）から視て前記受光素子（９５）の前記受光面（９５Ａ）とは異なる位置に配置されている
付記Ａ１～Ａ１０のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
【0252】
［付記Ａ１６］
前記受光チップ（８０）は、前記面発光レーザチップ（３０）から出射された前記レーザ光が対象物（ＤＴ）によって反射された反射光を受光する検出用受光素子（９６）をさらに含み、
前記検出用受光素子（９６）は、前記チップ表面（８１）に垂直な方向（Ｚ方向）から視て前記受光チップ（８０）のうち第１方向（Ｘ方向）において前記面発光レーザチップ（３０）に対して前記受光素子（９５）とは反対側に形成されている
付記Ａ１５に記載の半導体発光装置。
前記受光チップ（８０）は、前記面発光レーザチップ（３０）から出射された前記レーザ光が対象物（ＤＴ）によって反射された反射光を受光する検出用受光素子（９６）をさらに含み、
前記検出用受光素子（９６）は、前記チップ表面（８１）に垂直な方向（Ｚ方向）から視て前記受光チップ（８０）のうち第１方向（Ｘ方向）において前記面発光レーザチップ（３０）に対して前記受光素子（９５）とは反対側に形成されている
付記Ａ１５に記載の半導体発光装置。
【0253】
［付記Ａ１７］
前記チップ表面（８１）に垂直な方向（Ｚ方向）から視て前記第１方向（Ｘ方向）と直交する方向を第２方向（Ｙ方向）として、
前記封止部材（５０）のうち前記第１方向（Ｘ方向）における前記面発光レーザチップ（３０）と前記検出用受光素子（９６）の検出面（９６Ａ）との間には、前記チップ表面（８１）に垂直な方向（Ｚ方向）を深さ方向とし、前記第２方向（Ｙ方向）に延びるスリット（５８）が形成されている
付記Ａ１６に記載の半導体発光装置。
前記チップ表面（８１）に垂直な方向（Ｚ方向）から視て前記第１方向（Ｘ方向）と直交する方向を第２方向（Ｙ方向）として、
前記封止部材（５０）のうち前記第１方向（Ｘ方向）における前記面発光レーザチップ（３０）と前記検出用受光素子（９６）の検出面（９６Ａ）との間には、前記チップ表面（８１）に垂直な方向（Ｚ方向）を深さ方向とし、前記第２方向（Ｙ方向）に延びるスリット（５８）が形成されている
付記Ａ１６に記載の半導体発光装置。
【0254】
［付記Ａ１８］
前記反射部（７０）は、前記封止部材（５０）内に設けられ、前記レーザ光を拡散させる複数の拡散材（７２）を含む
付記Ａ１～Ａ１７のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
前記反射部（７０）は、前記封止部材（５０）内に設けられ、前記レーザ光を拡散させる複数の拡散材（７２）を含む
付記Ａ１～Ａ１７のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
【0255】
［付記Ａ１９］
前記受光チップ（４０）は、フォトダイオードを含む
付記Ａ１～Ａ１４のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
前記受光チップ（４０）は、フォトダイオードを含む
付記Ａ１～Ａ１４のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
【0256】
［付記Ａ２０］
前記面発光レーザチップ（３０）は、可視光線とは異なる特定波長のレーザ光を出射するように構成され、
前記封止部材（５０）は、前記可視光線を遮断し、前記特定波長のレーザ光を透過する材料によって形成されている
付記Ａ１～Ａ１９のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
前記面発光レーザチップ（３０）は、可視光線とは異なる特定波長のレーザ光を出射するように構成され、
前記封止部材（５０）は、前記可視光線を遮断し、前記特定波長のレーザ光を透過する材料によって形成されている
付記Ａ１～Ａ１９のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
【0257】
［付記Ａ２１］
前記反射部（７０）は、前記封止部材（５０）の封止表面（５１）に垂直な方向（Ｚ方向）から視て前記受光チップ（４０）の受光面（４１）の面積よりも大きい
付記Ａ１～Ａ１４のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
前記反射部（７０）は、前記封止部材（５０）の封止表面（５１）に垂直な方向（Ｚ方向）から視て前記受光チップ（４０）の受光面（４１）の面積よりも大きい
付記Ａ１～Ａ１４のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
【0258】
［付記Ａ２２］
前記封止部材（５０）の封止表面（５１）に垂直な方向（Ｚ方向）から視た前記反射部（７０）の形状は、矩形状である
付記Ａ１～Ａ１４のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
前記封止部材（５０）の封止表面（５１）に垂直な方向（Ｚ方向）から視た前記反射部（７０）の形状は、矩形状である
付記Ａ１～Ａ１４のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
【0259】
［付記Ａ２３］
前記封止部材（５０）の封止表面（５１）に垂直な方向（Ｚ方向）から視て前記第１方向（Ｘ方向）と直交する方向を第２方向（Ｙ方向）として、
前記封止部材（５０）の封止表面（５１）に垂直な方向（Ｚ方向）から視た前記反射部（７０）の前記第２方向（Ｙ方向）の長さ（ＬＡ）は、前記封止部材（５０）の封止表面（５１）に垂直な方向（Ｚ方向）から視た前記受光チップ（４０）の前記受光面（４１）の第２方向（Ｙ方向）の長さ（ＬＢ）よりも長い
付記Ａ２２に記載の半導体発光装置。
前記封止部材（５０）の封止表面（５１）に垂直な方向（Ｚ方向）から視て前記第１方向（Ｘ方向）と直交する方向を第２方向（Ｙ方向）として、
前記封止部材（５０）の封止表面（５１）に垂直な方向（Ｚ方向）から視た前記反射部（７０）の前記第２方向（Ｙ方向）の長さ（ＬＡ）は、前記封止部材（５０）の封止表面（５１）に垂直な方向（Ｚ方向）から視た前記受光チップ（４０）の前記受光面（４１）の第２方向（Ｙ方向）の長さ（ＬＢ）よりも長い
付記Ａ２２に記載の半導体発光装置。
【0260】
［付記Ａ２４］
前記面発光レーザチップ（３０）は、チップ表面（３１）に、前記発光面（３３）としてそれぞれ複数の発光部（３３Ｐ）を含む第１発光面（３３Ａ）および第２発光面（３３Ｂ）を含み、
前記第１発光面（３３Ａ）および前記第２発光面（３３Ｂ）は、前記発光面（３３）に垂直な方向（Ｚ方向）から視て互いに異なる位置に形成され、
前記反射部（７０）は、前記第２発光面（３３Ｂ）の前記発光部（３３Ｐ）から出射された光を反射するように配置されている
付記Ａ１～Ａ２３のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
前記面発光レーザチップ（３０）は、チップ表面（３１）に、前記発光面（３３）としてそれぞれ複数の発光部（３３Ｐ）を含む第１発光面（３３Ａ）および第２発光面（３３Ｂ）を含み、
前記第１発光面（３３Ａ）および前記第２発光面（３３Ｂ）は、前記発光面（３３）に垂直な方向（Ｚ方向）から視て互いに異なる位置に形成され、
前記反射部（７０）は、前記第２発光面（３３Ｂ）の前記発光部（３３Ｐ）から出射された光を反射するように配置されている
付記Ａ１～Ａ２３のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
【0261】
［付記Ａ２５］
前記第１発光面（３３Ａ）および前記第２発光面（３３Ｂ）は、前記発光面（３３）に垂直な方向（Ｚ方向）から視て前記第１方向（Ｘ方向）に互いに離隔して形成されている
付記Ａ２４に記載の半導体発光装置。
前記第１発光面（３３Ａ）および前記第２発光面（３３Ｂ）は、前記発光面（３３）に垂直な方向（Ｚ方向）から視て前記第１方向（Ｘ方向）に互いに離隔して形成されている
付記Ａ２４に記載の半導体発光装置。
【0262】
［付記Ａ２６］
前記面発光レーザチップ（３０）は、前記第１発光面（３３Ａ）と前記第２発光面（３３Ｂ）との前記第１方向（Ｘ方向）の間に形成された電極（３４）を含む
付記Ａ２５に記載の半導体発光装置。
前記面発光レーザチップ（３０）は、前記第１発光面（３３Ａ）と前記第２発光面（３３Ｂ）との前記第１方向（Ｘ方向）の間に形成された電極（３４）を含む
付記Ａ２５に記載の半導体発光装置。
【0263】
［付記Ａ２７］
前記発光面（３３）に垂直な方向（Ｚ方向）から視て、前記受光チップ（４０）は、前記第２発光面（３３Ｂ）に対して前記第１発光面（３３Ａ）とは反対側に配置されている
付記Ａ２４～Ａ２６のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
前記発光面（３３）に垂直な方向（Ｚ方向）から視て、前記受光チップ（４０）は、前記第２発光面（３３Ｂ）に対して前記第１発光面（３３Ａ）とは反対側に配置されている
付記Ａ２４～Ａ２６のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
【0264】
［付記Ａ２８］
前記第２発光面（３３Ｂ）の面積は、前記第１発光面（３３Ａ）の面積よりも小さい
付記Ａ２４～Ａ２７のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
前記第２発光面（３３Ｂ）の面積は、前記第１発光面（３３Ａ）の面積よりも小さい
付記Ａ２４～Ａ２７のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
【0265】
［付記Ａ２９］
前記第２発光面（３３Ｂ）に含まれる前記発光部（３３Ｐ）の数は、前記第１発光面（３３Ａ）に含まれる前記発光部（３３Ｐ）の数よりも少ない
付記Ａ２８に記載の半導体発光装置。
前記第２発光面（３３Ｂ）に含まれる前記発光部（３３Ｐ）の数は、前記第１発光面（３３Ａ）に含まれる前記発光部（３３Ｐ）の数よりも少ない
付記Ａ２８に記載の半導体発光装置。
【0266】
［付記Ａ３０］
前記反射部（７０）は、前記発光面（３３）に垂直な方向（Ｚ方向）から視て前記第２発光面（３３Ｂ）と重なる位置に形成されている
付記Ａ２４～２９のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
前記反射部（７０）は、前記発光面（３３）に垂直な方向（Ｚ方向）から視て前記第２発光面（３３Ｂ）と重なる位置に形成されている
付記Ａ２４～２９のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
【0267】
［付記Ａ３１］
前記受光素子（９５）は、フォトダイオードを含む
付記Ａ１５～Ａ１７のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
前記受光素子（９５）は、フォトダイオードを含む
付記Ａ１５～Ａ１７のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
【0268】
［付記Ａ３２］
前記反射部（７０）は、前記封止部材（５０）の封止表面（５１）に垂直な方向（Ｚ方向）から視て前記受光素子（９５）の受光面（９５Ａ）の面積よりも大きい
付記Ａ１５～Ａ１７のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
前記反射部（７０）は、前記封止部材（５０）の封止表面（５１）に垂直な方向（Ｚ方向）から視て前記受光素子（９５）の受光面（９５Ａ）の面積よりも大きい
付記Ａ１５～Ａ１７のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
【0269】
［付記Ａ３３］
前記封止部材（５０）の封止表面（５１）に垂直な方向（Ｚ方向）から視た前記反射部（７０）の形状は、矩形状である
付記Ａ１５～Ａ１７のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
前記封止部材（５０）の封止表面（５１）に垂直な方向（Ｚ方向）から視た前記反射部（７０）の形状は、矩形状である
付記Ａ１５～Ａ１７のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
【0270】
［付記Ａ３４］
前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て前記第１方向（Ｘ方向）と直交する方向を第２方向（Ｙ方向）として、
前記封止部材（５０）のうち前記第１方向（Ｘ方向）における前記面発光レーザチップ（３０）と前記検出用受光チップ（１１０）との間には、前記厚さ方向（Ｚ方向）を深さ方向とし、前記第２方向（Ｙ方向）に延びるスリット（５８）が形成されている
付記Ａ１２～Ａ１４のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て前記第１方向（Ｘ方向）と直交する方向を第２方向（Ｙ方向）として、
前記封止部材（５０）のうち前記第１方向（Ｘ方向）における前記面発光レーザチップ（３０）と前記検出用受光チップ（１１０）との間には、前記厚さ方向（Ｚ方向）を深さ方向とし、前記第２方向（Ｙ方向）に延びるスリット（５８）が形成されている
付記Ａ１２～Ａ１４のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
【0271】
［付記Ｂ１］
互いに反対側を向くチップ表面（３１）およびチップ裏面（３２）と、
前記チップ表面（３１）に形成され、レーザ光を出射するように構成された第１発光面（３３Ａ）および第２発光面（３３Ｂ）と、
前記チップ表面（３１）に形成され、前記第１発光面（３３Ａ）および前記第２発光面（３３Ｂ）の各々から離隔した位置に形成された電極（３４）と、
を含み、
前記チップ表面（３１）に垂直な厚さ方向（Ｚ方向）から視て、前記第１発光面（３３Ａ）および前記第２発光面（３３Ｂ）は、第１方向（Ｘ方向）に離隔して配列されており、
前記電極（２４）は、前記第１方向（Ｘ方向）において前記第１発光面（３３Ａ）と前記第２発光面（３３Ｂ）との間に配置されている
面発光レーザチップ（３０）。
互いに反対側を向くチップ表面（３１）およびチップ裏面（３２）と、
前記チップ表面（３１）に形成され、レーザ光を出射するように構成された第１発光面（３３Ａ）および第２発光面（３３Ｂ）と、
前記チップ表面（３１）に形成され、前記第１発光面（３３Ａ）および前記第２発光面（３３Ｂ）の各々から離隔した位置に形成された電極（３４）と、
を含み、
前記チップ表面（３１）に垂直な厚さ方向（Ｚ方向）から視て、前記第１発光面（３３Ａ）および前記第２発光面（３３Ｂ）は、第１方向（Ｘ方向）に離隔して配列されており、
前記電極（２４）は、前記第１方向（Ｘ方向）において前記第１発光面（３３Ａ）と前記第２発光面（３３Ｂ）との間に配置されている
面発光レーザチップ（３０）。
【0272】
［付記Ｂ２］
前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て、前記第２発光面（３３Ｂ）の面積は、前記第１発光面（３３Ａ）の面積よりも小さい
付記Ｂ１に記載の面発光レーザチップ。
前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て、前記第２発光面（３３Ｂ）の面積は、前記第１発光面（３３Ａ）の面積よりも小さい
付記Ｂ１に記載の面発光レーザチップ。
【0273】
［付記Ｂ３］
前記第１発光面（３３Ａ）および前記第２発光面（３３Ｂ）の各々は、レーザ光を出射する発光部（３３Ｐ）を含み、
前記第２発光面（３３Ｂ）の前記発光部（３３Ｐ）の数は、前記第１発光面（３３Ａ）の前記発光部（３３Ｐ）の数よりも少ない
付記Ｂ２に記載の面発光レーザチップ。
前記第１発光面（３３Ａ）および前記第２発光面（３３Ｂ）の各々は、レーザ光を出射する発光部（３３Ｐ）を含み、
前記第２発光面（３３Ｂ）の前記発光部（３３Ｐ）の数は、前記第１発光面（３３Ａ）の前記発光部（３３Ｐ）の数よりも少ない
付記Ｂ２に記載の面発光レーザチップ。
【0274】
［付記Ｂ４］
前記電極（３４）は、前記第１発光面（３３Ａ）の前記発光部（３３Ｐ）および前記第２発光面（３３Ｂ）の前記発光部（３３Ｐ）の双方と電気的に接続されている
付記Ｂ３に記載の面発光レーザチップ。
前記電極（３４）は、前記第１発光面（３３Ａ）の前記発光部（３３Ｐ）および前記第２発光面（３３Ｂ）の前記発光部（３３Ｐ）の双方と電気的に接続されている
付記Ｂ３に記載の面発光レーザチップ。
【0275】
［付記Ｂ５］
前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て前記第１方向（Ｘ方向）と直交する方向を第２方向（Ｙ方向）とすると、
前記第２発光面（３３Ｂ）は、前記第２方向（Ｙ方向）において互いに離隔して配列された複数の発光部（３３Ｐ）を含む
付記Ｂ１～Ｂ４のいずれか１つに記載の面発光レーザチップ。
前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て前記第１方向（Ｘ方向）と直交する方向を第２方向（Ｙ方向）とすると、
前記第２発光面（３３Ｂ）は、前記第２方向（Ｙ方向）において互いに離隔して配列された複数の発光部（３３Ｐ）を含む
付記Ｂ１～Ｂ４のいずれか１つに記載の面発光レーザチップ。
【0276】
［付記Ｂ６］
前記第１発光面（３３Ａ）および前記第２発光面（３３Ｂ）の各々は、レーザ光を出射する発光部（３３Ｐ）を含み、
前記電極（３４）は、互いに離隔して配置された第１電極（３４Ａ）および第２電極（３４Ｂ）を含み、
前記第１電極（３４Ａ）は、前記第１発光面（３３Ａ）の前記発光部（３３Ｐ）と電気的に接続されており、
前記第２電極（３４Ｂ）は、前記第２発光面（３３Ｂ）の前記発光部（３３Ｐ）と電気的に接続されている
付記Ｂ１に記載の面発光レーザチップ。
前記第１発光面（３３Ａ）および前記第２発光面（３３Ｂ）の各々は、レーザ光を出射する発光部（３３Ｐ）を含み、
前記電極（３４）は、互いに離隔して配置された第１電極（３４Ａ）および第２電極（３４Ｂ）を含み、
前記第１電極（３４Ａ）は、前記第１発光面（３３Ａ）の前記発光部（３３Ｐ）と電気的に接続されており、
前記第２電極（３４Ｂ）は、前記第２発光面（３３Ｂ）の前記発光部（３３Ｐ）と電気的に接続されている
付記Ｂ１に記載の面発光レーザチップ。
【0277】
［付記Ｂ７］
前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て前記第１方向（Ｘ方向）と直交する方向を第２方向（Ｙ方向）とすると、
前記第１電極（３４Ａ）および前記第２電極（３４Ｂ）は、前記第２方向（Ｙ方向）において互いに離隔して配列されている
付記Ｂ６に記載の面発光レーザチップ。
前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て前記第１方向（Ｘ方向）と直交する方向を第２方向（Ｙ方向）とすると、
前記第１電極（３４Ａ）および前記第２電極（３４Ｂ）は、前記第２方向（Ｙ方向）において互いに離隔して配列されている
付記Ｂ６に記載の面発光レーザチップ。
【0278】
［付記Ｂ８］
前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て、前記第１電極（３４Ａ）の面積は、前記第２電極（３４Ｂ）の面積よりも大きい
付記Ｂ６またはＢ７に記載の面発光レーザチップ。
前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て、前記第１電極（３４Ａ）の面積は、前記第２電極（３４Ｂ）の面積よりも大きい
付記Ｂ６またはＢ７に記載の面発光レーザチップ。
【0279】
［付記Ｂ９］
前記第１発光面（３３Ａ）は、互いに離隔して配置された第１主発光領域（３３ＡＡ）および第２主発光領域（３３ＡＢ）を含み、
前記第２発光面（３３Ｂ）は、互いに離隔して配置された第１発光領域（３３ＢＡ）および第２発光領域（３３ＢＢ）を含み、
前記電極（３４）は、互いに離隔して配置された第１電極（３４Ａ）および第２電極（３４Ｂ）を含む
付記Ｂ１に記載の面発光レーザチップ。
前記第１発光面（３３Ａ）は、互いに離隔して配置された第１主発光領域（３３ＡＡ）および第２主発光領域（３３ＡＢ）を含み、
前記第２発光面（３３Ｂ）は、互いに離隔して配置された第１発光領域（３３ＢＡ）および第２発光領域（３３ＢＢ）を含み、
前記電極（３４）は、互いに離隔して配置された第１電極（３４Ａ）および第２電極（３４Ｂ）を含む
付記Ｂ１に記載の面発光レーザチップ。
【0280】
［付記Ｂ１０］
前記第１発光領域（３３ＢＡ）、前記第２発光領域（３３ＢＢ）、前記第１主発光領域（３３ＡＡ）、および前記第２主発光領域（３３ＡＢ）の各々は、レーザ光を出射する発光部（３３Ｐ）を含み、
前記第１電極（３４Ａ）は、前記第１発光領域（３３ＢＡ）の前記発光部（３３Ｐ）および前記第１主発光領域（３３ＡＡ）の前記発光部（３３Ｐ）の双方と電気的に接続されており、
前記第２電極（３４Ｂ）は、前記第２発光領域（３３ＢＢ）の前記発光部（３３Ｐ）および前記第２主発光領域（３３ＡＢ）の前記発光部（３３Ｐ）の双方と電気的に接続されている
付記Ｂ９に記載の面発光レーザチップ。
前記第１発光領域（３３ＢＡ）、前記第２発光領域（３３ＢＢ）、前記第１主発光領域（３３ＡＡ）、および前記第２主発光領域（３３ＡＢ）の各々は、レーザ光を出射する発光部（３３Ｐ）を含み、
前記第１電極（３４Ａ）は、前記第１発光領域（３３ＢＡ）の前記発光部（３３Ｐ）および前記第１主発光領域（３３ＡＡ）の前記発光部（３３Ｐ）の双方と電気的に接続されており、
前記第２電極（３４Ｂ）は、前記第２発光領域（３３ＢＢ）の前記発光部（３３Ｐ）および前記第２主発光領域（３３ＡＢ）の前記発光部（３３Ｐ）の双方と電気的に接続されている
付記Ｂ９に記載の面発光レーザチップ。
【0281】
［付記Ｂ１１］
前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て前記第１方向（Ｘ方向）と直交する方向を第２方向（Ｙ方向）とすると、
前記第１発光領域（３３ＢＡ）、前記第１主発光領域（３３ＡＡ）、および前記第１電極（３４Ａ）は、前記第２方向（Ｙ方向）において互いに同じ位置に設けられており、
前記第２発光領域（３３ＢＢ）、前記第２主発光領域（３３ＡＢ）、および前記第２電極（３４Ｂ）は、前記第２方向（Ｙ方向）において互いに同じ位置に設けられている
付記Ｂ９またはＢ１０に記載の面発光レーザチップ。
前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て前記第１方向（Ｘ方向）と直交する方向を第２方向（Ｙ方向）とすると、
前記第１発光領域（３３ＢＡ）、前記第１主発光領域（３３ＡＡ）、および前記第１電極（３４Ａ）は、前記第２方向（Ｙ方向）において互いに同じ位置に設けられており、
前記第２発光領域（３３ＢＢ）、前記第２主発光領域（３３ＡＢ）、および前記第２電極（３４Ｂ）は、前記第２方向（Ｙ方向）において互いに同じ位置に設けられている
付記Ｂ９またはＢ１０に記載の面発光レーザチップ。
【0282】
［付記Ｂ１２］
前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て、前記第１発光領域（３３ＢＡ）の面積は、前記第１主発光領域（３３ＡＡ）の面積よりも小さく、
前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て、前記第２発光領域（３３ＢＢ）の面積は、前記第２主発光領域（３３ＡＢ）の面積よりも小さい
付記Ｂ９～Ｂ１１のいずれか１つに記載の面発光レーザチップ。
前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て、前記第１発光領域（３３ＢＡ）の面積は、前記第１主発光領域（３３ＡＡ）の面積よりも小さく、
前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て、前記第２発光領域（３３ＢＢ）の面積は、前記第２主発光領域（３３ＡＢ）の面積よりも小さい
付記Ｂ９～Ｂ１１のいずれか１つに記載の面発光レーザチップ。
【0283】
［付記Ｂ１３］
前記第１発光領域（３３ＢＡ）、前記第２発光領域（３３ＢＢ）、前記第１主発光領域（３３ＡＡ）、および前記第２主発光領域（３３ＡＢ）の各々は、レーザ光を出射する発光部（３３Ｐ）を含み、
前記第１発光領域（３３ＢＡ）の前記発光部（３３Ｐ）の数は、前記第１主発光領域（３３ＡＡ）の前記発光部（３３Ｐ）の数よりも少なく、
前記第２発光領域（３３ＢＢ）の前記発光部（３３Ｐ）の数は、前記第２主発光領域（３３ＡＢ）の前記発光部（３３Ｐ）の数よりも少ない
付記Ｂ１２に記載の面発光レーザチップ。
前記第１発光領域（３３ＢＡ）、前記第２発光領域（３３ＢＢ）、前記第１主発光領域（３３ＡＡ）、および前記第２主発光領域（３３ＡＢ）の各々は、レーザ光を出射する発光部（３３Ｐ）を含み、
前記第１発光領域（３３ＢＡ）の前記発光部（３３Ｐ）の数は、前記第１主発光領域（３３ＡＡ）の前記発光部（３３Ｐ）の数よりも少なく、
前記第２発光領域（３３ＢＢ）の前記発光部（３３Ｐ）の数は、前記第２主発光領域（３３ＡＢ）の前記発光部（３３Ｐ）の数よりも少ない
付記Ｂ１２に記載の面発光レーザチップ。
【0284】
［付記Ｂ１４］
前記第１発光面（３３Ａ）は、互いに離隔して配置された第３主発光領域（３３ＡＣ）および第４主発光領域（３３ＡＤ）を含み、
前記第２発光面（３３Ｂ）は、互いに離隔して配置された第３発光領域（３３ＢＣ）および第４発光領域（３３ＢＤ）を含み、
前記電極（３４）は、互いに離隔して配置された第３電極（３４Ｃ）および第４電極（３４Ｄ）を含む
付記Ｂ９～Ｂ１３のいずれか１つに記載の面発光レーザチップ。
前記第１発光面（３３Ａ）は、互いに離隔して配置された第３主発光領域（３３ＡＣ）および第４主発光領域（３３ＡＤ）を含み、
前記第２発光面（３３Ｂ）は、互いに離隔して配置された第３発光領域（３３ＢＣ）および第４発光領域（３３ＢＤ）を含み、
前記電極（３４）は、互いに離隔して配置された第３電極（３４Ｃ）および第４電極（３４Ｄ）を含む
付記Ｂ９～Ｂ１３のいずれか１つに記載の面発光レーザチップ。
【0285】
［付記Ｂ１５］
前記第３発光領域（３３ＢＣ）、前記第４発光領域（３３ＢＤ）、前記第３主発光領域（３３ＡＣ）、および前記第４主発光領域（３３ＡＤ）の各々は、レーザ光を出射する発光部（３３Ｐ）を含み、
前記第３電極（３４Ｃ）は、前記第３発光領域（３３ＢＣ）の前記発光部（３３Ｐ）および前記第３主発光領域（３３ＡＣ）の前記発光部（３３Ｐ）の双方と電気的に接続されており、
前記第４電極（３４Ｄ）は、前記第４発光領域（３３ＢＤ）の前記発光部（３３Ｐ）および前記第４主発光領域（３３ＡＤ）の前記発光部（３３Ｐ）の双方と電気的に接続されている
付記Ｂ１４に記載の面発光レーザチップ。
前記第３発光領域（３３ＢＣ）、前記第４発光領域（３３ＢＤ）、前記第３主発光領域（３３ＡＣ）、および前記第４主発光領域（３３ＡＤ）の各々は、レーザ光を出射する発光部（３３Ｐ）を含み、
前記第３電極（３４Ｃ）は、前記第３発光領域（３３ＢＣ）の前記発光部（３３Ｐ）および前記第３主発光領域（３３ＡＣ）の前記発光部（３３Ｐ）の双方と電気的に接続されており、
前記第４電極（３４Ｄ）は、前記第４発光領域（３３ＢＤ）の前記発光部（３３Ｐ）および前記第４主発光領域（３３ＡＤ）の前記発光部（３３Ｐ）の双方と電気的に接続されている
付記Ｂ１４に記載の面発光レーザチップ。
【0286】
［付記Ｂ１６］
前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て、前記第３発光領域（３３ＢＣ）の面積は、前記第３主発光領域（３３ＡＣ）の面積よりも小さく、
前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て、前記第４発光領域（３３ＢＤ）の面積は、前記第４主発光領域（３３ＡＤ）の面積よりも小さい
付記Ｂ１４またはＢ１５に記載の面発光レーザチップ。
前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て、前記第３発光領域（３３ＢＣ）の面積は、前記第３主発光領域（３３ＡＣ）の面積よりも小さく、
前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て、前記第４発光領域（３３ＢＤ）の面積は、前記第４主発光領域（３３ＡＤ）の面積よりも小さい
付記Ｂ１４またはＢ１５に記載の面発光レーザチップ。
【0287】
［付記Ｂ１７］
前記第３発光領域（３３ＢＣ）、前記第４発光領域（３３ＢＤ）、前記第３主発光領域（３３ＡＣ）、および前記第４主発光領域（３３ＡＤ）の各々は、レーザ光を出射する発光部（３３Ｐ）を含み、
前記第３発光領域（３３ＢＣ）の前記発光部（３３Ｐ）の数は、前記第３主発光領域（３３ＡＣ）の前記発光部（３３Ｐ）の数よりも少なく、
前記第４発光領域（３３ＢＤ）の前記発光部（３３Ｐ）の数は、前記第４主発光領域（３３ＡＤ）の前記発光部（３３Ｐ）の数よりも少ない
付記Ｂ１６に記載の面発光レーザチップ。
前記第３発光領域（３３ＢＣ）、前記第４発光領域（３３ＢＤ）、前記第３主発光領域（３３ＡＣ）、および前記第４主発光領域（３３ＡＤ）の各々は、レーザ光を出射する発光部（３３Ｐ）を含み、
前記第３発光領域（３３ＢＣ）の前記発光部（３３Ｐ）の数は、前記第３主発光領域（３３ＡＣ）の前記発光部（３３Ｐ）の数よりも少なく、
前記第４発光領域（３３ＢＤ）の前記発光部（３３Ｐ）の数は、前記第４主発光領域（３３ＡＤ）の前記発光部（３３Ｐ）の数よりも少ない
付記Ｂ１６に記載の面発光レーザチップ。
【0288】
［付記Ｂ１８］
前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て前記第１方向（Ｘ方向）と直交する方向を第２方向（Ｙ方向）とすると、
前記第１発光領域（３３ＢＡ）、前記第２発光領域（３３ＢＢ）、前記第３発光領域（３３ＢＣ）、および前記第４発光領域（３３ＢＤ）は、前記第２方向（Ｙ方向）において互いに離隔して配列されており、
前記第１主発光領域（３３ＡＡ）、前記第２主発光領域（３３ＡＢ）、前記第３主発光領域（３３ＡＣ）、および前記第４主発光領域（３３ＡＤ）は、前記第２方向（Ｙ方向）において互いに離隔して配列されており、
前記第１電極（３４Ａ）、前記第２電極（３４Ｂ）、前記第３電極（３４Ｃ）、および前記第４電極（３４Ｄ）は、前記第２方向（Ｙ方向）において互いに離隔して配列されており、
前記第３発光領域（３３ＢＣ）、前記第３主発光領域（３３ＡＣ）、および前記第３電極（３４Ｃ）は、前記第２方向（Ｙ方向）において互いに同じ位置に設けられており、
前記第４発光領域（３３ＢＤ）、前記第４主発光領域（３３ＡＤ）、および前記第４電極（３４Ｄ）は、前記第２方向（Ｙ方向）において互いに同じ位置に設けられている
付記Ｂ１４～Ｂ１７のいずれか１つに記載の面発光レーザチップ。
前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て前記第１方向（Ｘ方向）と直交する方向を第２方向（Ｙ方向）とすると、
前記第１発光領域（３３ＢＡ）、前記第２発光領域（３３ＢＢ）、前記第３発光領域（３３ＢＣ）、および前記第４発光領域（３３ＢＤ）は、前記第２方向（Ｙ方向）において互いに離隔して配列されており、
前記第１主発光領域（３３ＡＡ）、前記第２主発光領域（３３ＡＢ）、前記第３主発光領域（３３ＡＣ）、および前記第４主発光領域（３３ＡＤ）は、前記第２方向（Ｙ方向）において互いに離隔して配列されており、
前記第１電極（３４Ａ）、前記第２電極（３４Ｂ）、前記第３電極（３４Ｃ）、および前記第４電極（３４Ｄ）は、前記第２方向（Ｙ方向）において互いに離隔して配列されており、
前記第３発光領域（３３ＢＣ）、前記第３主発光領域（３３ＡＣ）、および前記第３電極（３４Ｃ）は、前記第２方向（Ｙ方向）において互いに同じ位置に設けられており、
前記第４発光領域（３３ＢＤ）、前記第４主発光領域（３３ＡＤ）、および前記第４電極（３４Ｄ）は、前記第２方向（Ｙ方向）において互いに同じ位置に設けられている
付記Ｂ１４～Ｂ１７のいずれか１つに記載の面発光レーザチップ。
【0289】
［付記Ｂ１９］
前記第３発光領域（３３ＢＣ）および前記第４発光領域（３３ＢＤ）は、前記第１発光領域（３３ＢＡ）と前記第２発光領域（３３ＢＢ）との前記第２方向（Ｙ方向）の間に設けられており、
前記第３主発光領域（３３ＡＣ）および前記第４主発光領域（３３ＡＤ）は、前記第１主発光領域（３３ＡＡ）と前記第２主発光領域（３３ＡＢ）との前記第２方向（Ｙ方向）の間に設けられており、
前記第１方向（Ｘ方向）における前記第１主発光領域（３３ＡＡ）および前記第２主発光領域（３３ＡＢ）の長さは、前記第１方向（Ｘ方向）における前記第３主発光領域（３３ＡＣ）および前記第４主発光領域（３３ＡＤ）の長さよりも短い
付記Ｂ１８に記載の面発光レーザチップ。
前記第３発光領域（３３ＢＣ）および前記第４発光領域（３３ＢＤ）は、前記第１発光領域（３３ＢＡ）と前記第２発光領域（３３ＢＢ）との前記第２方向（Ｙ方向）の間に設けられており、
前記第３主発光領域（３３ＡＣ）および前記第４主発光領域（３３ＡＤ）は、前記第１主発光領域（３３ＡＡ）と前記第２主発光領域（３３ＡＢ）との前記第２方向（Ｙ方向）の間に設けられており、
前記第１方向（Ｘ方向）における前記第１主発光領域（３３ＡＡ）および前記第２主発光領域（３３ＡＢ）の長さは、前記第１方向（Ｘ方向）における前記第３主発光領域（３３ＡＣ）および前記第４主発光領域（３３ＡＤ）の長さよりも短い
付記Ｂ１８に記載の面発光レーザチップ。
【0290】
［付記Ｂ２０］
前記第３発光領域（３３ＢＣ）、前記第４発光領域（３３ＢＤ）、前記第３主発光領域（３３ＡＣ）、および前記第４主発光領域（３３ＡＤ）の各々は、レーザ光を出射する発光部（３３Ｐ）を含み、
前記第３発光領域（３３ＢＣ）および前記第４発光領域（３３ＢＤ）は、前記第１発光領域（３３ＢＡ）と前記第２発光領域（３３ＢＢ）との前記第２方向（Ｙ方向）の間に設けられており、
前記第３主発光領域（３３ＡＣ）および前記第４主発光領域（３３ＡＤ）は、前記第１主発光領域（３３ＡＡ）と前記第２主発光領域（３３ＡＢ）との前記第２方向（Ｙ方向）の間に設けられており、
前記第１主発光領域（３３ＡＡ）および前記第２主発光領域（３３ＡＢ）の前記発光部（３３Ｐ）の数は、前記第３主発光領域（３３ＡＣ）および前記第４主発光領域（３３ＡＤ）の前記発光部（３３Ｐ）の数よりも少ない
付記Ｂ１８またはＢ１９に記載の面発光レーザチップ。
前記第３発光領域（３３ＢＣ）、前記第４発光領域（３３ＢＤ）、前記第３主発光領域（３３ＡＣ）、および前記第４主発光領域（３３ＡＤ）の各々は、レーザ光を出射する発光部（３３Ｐ）を含み、
前記第３発光領域（３３ＢＣ）および前記第４発光領域（３３ＢＤ）は、前記第１発光領域（３３ＢＡ）と前記第２発光領域（３３ＢＢ）との前記第２方向（Ｙ方向）の間に設けられており、
前記第３主発光領域（３３ＡＣ）および前記第４主発光領域（３３ＡＤ）は、前記第１主発光領域（３３ＡＡ）と前記第２主発光領域（３３ＡＢ）との前記第２方向（Ｙ方向）の間に設けられており、
前記第１主発光領域（３３ＡＡ）および前記第２主発光領域（３３ＡＢ）の前記発光部（３３Ｐ）の数は、前記第３主発光領域（３３ＡＣ）および前記第４主発光領域（３３ＡＤ）の前記発光部（３３Ｐ）の数よりも少ない
付記Ｂ１８またはＢ１９に記載の面発光レーザチップ。
【0291】
［付記Ｂ２１］
前記第１方向（Ｘ方向）における前記第１主発光領域（３３ＡＡ）の長さは、前記第１方向（Ｘ方向）における前記第２主発光領域（３３ＡＢ）の長さと等しく、
前記第１方向（Ｘ方向）における前記第３主発光領域（３３ＡＣ）の長さは、前記第１方向（Ｘ方向）における前記第４主発光領域（３３ＡＤ）の長さと等しい
付記Ｂ１４に記載の面発光レーザチップ。
前記第１方向（Ｘ方向）における前記第１主発光領域（３３ＡＡ）の長さは、前記第１方向（Ｘ方向）における前記第２主発光領域（３３ＡＢ）の長さと等しく、
前記第１方向（Ｘ方向）における前記第３主発光領域（３３ＡＣ）の長さは、前記第１方向（Ｘ方向）における前記第４主発光領域（３３ＡＤ）の長さと等しい
付記Ｂ１４に記載の面発光レーザチップ。
【0292】
［付記Ｂ２２］
前記第１主発光領域（３３ＡＡ）、前記第２主発光領域（３３ＡＢ）、前記第３主発光領域（３３ＡＣ）、および前記第４主発光領域（３３ＡＤ）における前記第１方向（Ｘ方向）の中央は、前記第１方向（Ｘ方向）において同じ位置である
付記Ｂ２１に記載の面発光レーザチップ。
前記第１主発光領域（３３ＡＡ）、前記第２主発光領域（３３ＡＢ）、前記第３主発光領域（３３ＡＣ）、および前記第４主発光領域（３３ＡＤ）における前記第１方向（Ｘ方向）の中央は、前記第１方向（Ｘ方向）において同じ位置である
付記Ｂ２１に記載の面発光レーザチップ。
【0293】
［付記Ｂ２３］
前記第１発光面（３３Ａ）は、前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て円形である
付記Ｂ２２に記載の面発光レーザチップ。
前記第１発光面（３３Ａ）は、前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て円形である
付記Ｂ２２に記載の面発光レーザチップ。
【0294】
以上の説明は単に例示である。本開示の技術を説明する目的のために列挙された構成要素および方法（製造プロセス）以外に、より多くの考えられる組み合わせおよび置換が可能であることを当業者は認識し得る。本開示は、特許請求の範囲を含む本開示の範囲内に含まれる全ての代替、変形、および変更を包含することが意図される。
【符号の説明】
【0295】
１０…半導体発光装置
２０…基板
２１…基板表面
２２…基板裏面
２３～２６…第１～第４基板側面
３０…面発光レーザチップ
３１…第１チップ表面
３２…第１チップ裏面
３３…発光面
３３Ａ…第１発光面
３３ＡＡ…第１主発光領域
３３ＡＢ…第２主発光領域
３３ＡＣ…第３主発光領域
３３ＡＤ…第４主発光領域
３３Ｂ…第２発光面
３３ＢＡ…第１発光領域
３３ＢＢ…第２発光領域
３３ＢＣ…第３発光領域
３３ＢＤ…第４発光領域
３３Ｐ…発光部
３４…表面電極
３４Ａ～３４Ｄ…第１～第４電極
３５…裏面電極
３６，３６Ａ～３６Ｄ…第１接続部
３７，３７Ａ～３７Ｄ…第２接続部
３８…発光電極
３８Ａ，３８ＡＡ，３８ＢＡ…第１発光電極
３８Ｂ，３８ＡＢ，３８ＢＡ…第２発光電極
３８ＡＣ，３８ＢＣ…第３発光電極
３８ＡＤ，３８ＢＤ…第４発光電極
３９…接続部
４０…受光チップ
４１…第２チップ表面
４２…第２チップ裏面
４３…表面電極
４４…裏面電極
５０…封止部材
５１…封止表面
５１Ａ…平坦面
５１Ｂ…粗面
５３～５６…第１～第４封止側面
５７…凹部
５７Ａ…底面
５８…スリット
５８Ａ…底面
６１Ｓ…第１表面電極
６２Ｓ…第２表面電極
６３Ｓ…第３表面電極
６４Ｓ…第４表面電極
６５Ｓ…第５表面電極
６６Ｓ…第６表面電極
６１Ｒ…第１裏面電極
６２Ｒ…第２裏面電極
６３Ｒ…第３裏面電極
６４Ｒ…第４裏面電極
６７…第１ビア
６８…第２ビア
７０…反射部
７１…反射層
７１Ａ…表面
７２…拡散材
８０…受光チップ
８１…チップ表面
８２…チップ裏面
８３～８６…第１～第４チップ側面
９１…第１電極
９２…第２電極
９３…第３電極
９４…第４電極
９５…受光素子
９５Ａ…受光面
９６…検出用受光素子
９６Ａ…検出面
１００…遮光層
１１０…検出用受光チップ
１１１…第３チップ表面
１１２…第３チップ裏面
１１３…受光面
１１４…表面電極
１１５…裏面電極
１２０…サブマウント基板
Ｗ１～Ｗ６，Ｗ１Ａ～Ｗ１Ｄ…ワイヤ
ＳＤ…導電性接合材
ＬＡ…反射部のＹ方向の寸法
ＬＢ…受光チップのＹ方向の寸法
ＬＣ…面発光レーザチップのＹ方向の寸法
ＤＴ…対象物
Ｄ１…面発光レーザチップと受光部とのＸ方向の間の距離
Ｄ２…面発光レーザチップと検出部とのＸ方向の間の距離
ＤＰ１…検出部と第１電極とのＸ方向の間の距離
ＤＰ２…検出部と第３電極（第４電極）とのＸ方向の間の距離
ＤＰ３…受光部と第１電極とのＸ方向の間の距離
２０…基板
２１…基板表面
２２…基板裏面
２３～２６…第１～第４基板側面
３０…面発光レーザチップ
３１…第１チップ表面
３２…第１チップ裏面
３３…発光面
３３Ａ…第１発光面
３３ＡＡ…第１主発光領域
３３ＡＢ…第２主発光領域
３３ＡＣ…第３主発光領域
３３ＡＤ…第４主発光領域
３３Ｂ…第２発光面
３３ＢＡ…第１発光領域
３３ＢＢ…第２発光領域
３３ＢＣ…第３発光領域
３３ＢＤ…第４発光領域
３３Ｐ…発光部
３４…表面電極
３４Ａ～３４Ｄ…第１～第４電極
３５…裏面電極
３６，３６Ａ～３６Ｄ…第１接続部
３７，３７Ａ～３７Ｄ…第２接続部
３８…発光電極
３８Ａ，３８ＡＡ，３８ＢＡ…第１発光電極
３８Ｂ，３８ＡＢ，３８ＢＡ…第２発光電極
３８ＡＣ，３８ＢＣ…第３発光電極
３８ＡＤ，３８ＢＤ…第４発光電極
３９…接続部
４０…受光チップ
４１…第２チップ表面
４２…第２チップ裏面
４３…表面電極
４４…裏面電極
５０…封止部材
５１…封止表面
５１Ａ…平坦面
５１Ｂ…粗面
５３～５６…第１～第４封止側面
５７…凹部
５７Ａ…底面
５８…スリット
５８Ａ…底面
６１Ｓ…第１表面電極
６２Ｓ…第２表面電極
６３Ｓ…第３表面電極
６４Ｓ…第４表面電極
６５Ｓ…第５表面電極
６６Ｓ…第６表面電極
６１Ｒ…第１裏面電極
６２Ｒ…第２裏面電極
６３Ｒ…第３裏面電極
６４Ｒ…第４裏面電極
６７…第１ビア
６８…第２ビア
７０…反射部
７１…反射層
７１Ａ…表面
７２…拡散材
８０…受光チップ
８１…チップ表面
８２…チップ裏面
８３～８６…第１～第４チップ側面
９１…第１電極
９２…第２電極
９３…第３電極
９４…第４電極
９５…受光素子
９５Ａ…受光面
９６…検出用受光素子
９６Ａ…検出面
１００…遮光層
１１０…検出用受光チップ
１１１…第３チップ表面
１１２…第３チップ裏面
１１３…受光面
１１４…表面電極
１１５…裏面電極
１２０…サブマウント基板
Ｗ１～Ｗ６，Ｗ１Ａ～Ｗ１Ｄ…ワイヤ
ＳＤ…導電性接合材
ＬＡ…反射部のＹ方向の寸法
ＬＢ…受光チップのＹ方向の寸法
ＬＣ…面発光レーザチップのＹ方向の寸法
ＤＴ…対象物
Ｄ１…面発光レーザチップと受光部とのＸ方向の間の距離
Ｄ２…面発光レーザチップと検出部とのＸ方向の間の距離
ＤＰ１…検出部と第１電極とのＸ方向の間の距離
ＤＰ２…検出部と第３電極（第４電極）とのＸ方向の間の距離
ＤＰ３…受光部と第１電極とのＸ方向の間の距離
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】