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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024166702
(43)【公開日】2024-11-29
(54)【発明の名称】表示装置
(51)【国際特許分類】
H10K 59/121 20230101AFI20241122BHJP
H10K 50/10 20230101ALI20241122BHJP
H10K 59/122 20230101ALI20241122BHJP
H10K 59/123 20230101ALI20241122BHJP
H10K 50/844 20230101ALI20241122BHJP
H10K 59/35 20230101ALI20241122BHJP
G09F 9/30 20060101ALI20241122BHJP
G09F 9/302 20060101ALI20241122BHJP
【ＦＩ】
H10K59/121
H10K50/10
H10K59/122
H10K59/123
H10K50/844
H10K59/35
G09F9/30 365
G09F9/30 349Z
G09F9/302 C
【審査請求】未請求
【請求項の数】12
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023082994
(22)【出願日】2023-05-19
(71)【出願人】
【識別番号】502356528
【氏名又は名称】株式会社ジャパンディスプレイ
(74)【代理人】
【識別番号】110001737
【氏名又は名称】弁理士法人スズエ国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】高橋 英幸
(72)【発明者】
【氏名】木村 裕之
(72)【発明者】
【氏名】田畠 弘志
【テーマコード（参考）】
3K107
5C094
【Ｆターム（参考）】
3K107AA01
3K107BB01
3K107CC06
3K107CC41
3K107DD89
3K107EE03
3K107EE07
3K107EE48
3K107EE49
3K107FF15
5C094CA20
5C094DA07
5C094DA20
5C094EA04
5C094EA07
5C094EC04
(57)【要約】
【課題】 透光性に優れた表示装置を提供する。
【解決手段】 実施形態に係る表示装置は、複数の副画素を含む表示領域と、導電性の下部と、前記下部の側面から突出する上部とを含み、前記複数の副画素の各々を囲う隔壁と、を備えている。前記複数の副画素の各々は、下電極と、前記下電極を覆い、電圧の印加に応じて発光する有機層と、前記有機層を覆い、前記隔壁の前記下部に接触した上電極と、を含む。前記表示領域は、隣り合う２つの前記副画素の前記下電極の間に位置する透過領域を有している。さらに、前記隔壁は、前記透過領域を囲っている。
【選択図】 図３
【解決手段】 実施形態に係る表示装置は、複数の副画素を含む表示領域と、導電性の下部と、前記下部の側面から突出する上部とを含み、前記複数の副画素の各々を囲う隔壁と、を備えている。前記複数の副画素の各々は、下電極と、前記下電極を覆い、電圧の印加に応じて発光する有機層と、前記有機層を覆い、前記隔壁の前記下部に接触した上電極と、を含む。前記表示領域は、隣り合う２つの前記副画素の前記下電極の間に位置する透過領域を有している。さらに、前記隔壁は、前記透過領域を囲っている。
【選択図】 図３
【特許請求の範囲】
【請求項1】
複数の副画素を含む表示領域と、
導電性の下部と、前記下部の側面から突出する上部とを含み、前記複数の副画素の各々を囲う隔壁と、
を備え、
前記複数の副画素の各々は、
下電極と、
前記下電極を覆い、電圧の印加に応じて発光する有機層と、
前記有機層を覆い、前記隔壁の前記下部に接触した上電極と、
を含み、
前記表示領域は、隣り合う２つの前記副画素の前記下電極の間に位置する透過領域を有し、
前記隔壁は、前記透過領域を囲っている、
表示装置。
導電性の下部と、前記下部の側面から突出する上部とを含み、前記複数の副画素の各々を囲う隔壁と、
を備え、
前記複数の副画素の各々は、
下電極と、
前記下電極を覆い、電圧の印加に応じて発光する有機層と、
前記有機層を覆い、前記隔壁の前記下部に接触した上電極と、
を含み、
前記表示領域は、隣り合う２つの前記副画素の前記下電極の間に位置する透過領域を有し、
前記隔壁は、前記透過領域を囲っている、
表示装置。
【請求項2】
前記複数の副画素は、第１色を表示する複数の第１副画素を含み、
前記透過領域は、隣り合う２つの前記第１副画素の前記下電極の間に位置している、
請求項１に記載の表示装置。
前記透過領域は、隣り合う２つの前記第１副画素の前記下電極の間に位置している、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項3】
前記複数の副画素は、前記第１色と異なる第２色を表示する複数の第２副画素と、前記第１色および前記第２色と異なる第３色を表示する複数の第３副画素と、をさらに含み、
前記第１副画素の開口率は、前記第２副画素の開口率および前記第３副画素の開口率よりも大きい、
請求項２に記載の表示装置。
前記第１副画素の開口率は、前記第２副画素の開口率および前記第３副画素の開口率よりも大きい、
請求項２に記載の表示装置。
【請求項4】
前記第１色は青色であり、前記第２色は緑色であり、前記第３色は赤色である、
請求項３に記載の表示装置。
請求項３に記載の表示装置。
【請求項5】
前記表示領域は、複数の前記第１副画素および前記透過領域をそれぞれ含む第１列および第２列を有し、
前記第１列および前記第２列は、第１方向に並び、
前記第１列および前記第２列の各々において、前記複数の第１副画素は、前記第１方向と交差する第２方向に並び、
前記第１列の前記透過領域の位置と、前記第２列の前記透過領域の位置とが、前記第２方向においてずれている、
請求項２に記載の表示装置。
前記第１列および前記第２列は、第１方向に並び、
前記第１列および前記第２列の各々において、前記複数の第１副画素は、前記第１方向と交差する第２方向に並び、
前記第１列の前記透過領域の位置と、前記第２列の前記透過領域の位置とが、前記第２方向においてずれている、
請求項２に記載の表示装置。
【請求項6】
前記第１副画素は、前記隔壁により囲われた第１領域に配置され、
前記透過領域は、前記第１領域よりも小さい、
請求項２に記載の表示装置。
前記透過領域は、前記第１領域よりも小さい、
請求項２に記載の表示装置。
【請求項7】
第１方向における前記透過領域の幅は、前記第１方向における前記第１領域の幅と同等であり、
前記第１方向と交差する第２方向における前記透過領域の幅は、前記第２方向における前記第１領域の幅よりも小さい、
請求項６に記載の表示装置。
前記第１方向と交差する第２方向における前記透過領域の幅は、前記第２方向における前記第１領域の幅よりも小さい、
請求項６に記載の表示装置。
【請求項8】
前記第２方向における前記透過領域の幅は、前記第１領域と前記透過領域の間に位置する前記隔壁の前記第２方向における幅よりも大きい、
請求項７に記載の表示装置。
請求項７に記載の表示装置。
【請求項9】
前記複数の副画素の各々において前記下電極と重なる画素開口を有するリブをさらに有し、
前記隔壁は、前記リブの上に配置され、
前記透過領域は、前記リブと重なっている、
請求項１に記載の表示装置。
前記隔壁は、前記リブの上に配置され、
前記透過領域は、前記リブと重なっている、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項10】
前記透過領域に前記有機層および前記上電極が配置されていない、
請求項１に記載の表示装置。
請求項１に記載の表示装置。
【請求項11】
前記有機層および前記上電極を含む積層膜を覆う無機絶縁材料で形成された封止層をさらに備え、
前記透過領域に前記封止層が配置されていない、
請求項１０に記載の表示装置。
前記透過領域に前記封止層が配置されていない、
請求項１０に記載の表示装置。
【請求項12】
前記封止層を覆う樹脂層をさらに備え、
前記透過領域を囲う前記隔壁の内側の空間が前記樹脂層で満たされている、
請求項１１に記載の表示装置。
前記透過領域を囲う前記隔壁の内側の空間が前記樹脂層で満たされている、
請求項１１に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明の実施形態は、表示装置に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を適用した表示装置が実用化されている。この表示素子は、下電極と、下電極を覆う有機層と、有機層を覆う上電極とを備えている。各表示素子の上電極には、表示領域に配置された配線を通じて共通電圧が印加される。
【0003】
表示装置に透光性が求められることがある。しかしながら、上記配線が金属などの遮光性を有する材料で形成されていると、表示装置の透光性が大幅に低下し得る。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開２０００－１９５６７７号公報
【特許文献2】特開２００４－２０７２１７号公報
【特許文献3】特開２００８－１３５３２５号公報
【特許文献4】特開２００９－３２６７３号公報
【特許文献5】特開２０１０－１１８１９１号公報
【特許文献6】国際公開第２０１８／１７９３０８号
【特許文献7】米国特許出願公開第２０２２／００７７２５１号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
本発明は、透光性に優れた表示装置を提供することを目的の一つとする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
概して、実施形態に係る表示装置は、複数の副画素を含む表示領域と、導電性の下部と前記下部の側面から突出する上部とを含み、前記複数の副画素の各々を囲う隔壁と、を備えている。前記複数の副画素の各々は、下電極と、前記下電極を覆い、電圧の印加に応じて発光する有機層と、前記有機層を覆い、前記隔壁の前記下部に接触した上電極と、を含む。前記表示領域は、隣り合う２つの前記副画素の前記下電極の間に位置する透過領域を有している。さらに、前記隔壁は、前記透過領域を囲っている。
【図面の簡単な説明】
【0007】
【発明を実施するための形態】
【0008】
いくつかの実施形態について図面を参照しながら説明する。
開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一または類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。
開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一または類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。
【0009】
なお、図面には、必要に応じて理解を容易にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を記載する。Ｘ軸に沿った方向をＸ方向と称し、Ｙ軸に沿った方向をＹ方向と称し、Ｚ軸に沿った方向をＺ方向と称する。Ｚ方向は、Ｘ方向ＸとＹ方向を含む平面に対して法線方向である。また、Ｚ方向と平行に各種要素を見ることを平面視という。
【0010】
各実施形態に係る表示装置は、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を備える有機エレクトロルミネッセンス表示装置であり、テレビ、パーソナルコンピュータ、車載機器、タブレット端末、スマートフォン、携帯電話端末、ウェアラブル端末等の各種の電子機器に搭載され得る。
【0011】
［第１実施形態］
図１は、第１実施形態に係る表示装置ＤＳＰの構成例を示す図である。表示装置ＤＳＰは、絶縁性の基板１０を備えている。基板１０は、画像を表示する表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡの周辺の周辺領域ＳＡとを有している。基板１０は、ガラスであってもよいし、可撓性を有する樹脂フィルムであってもよい。
図１は、第１実施形態に係る表示装置ＤＳＰの構成例を示す図である。表示装置ＤＳＰは、絶縁性の基板１０を備えている。基板１０は、画像を表示する表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡの周辺の周辺領域ＳＡとを有している。基板１０は、ガラスであってもよいし、可撓性を有する樹脂フィルムであってもよい。
【0012】
本実施形態においては、平面視における基板１０の形状が長方形である。ただし、基板１０の平面視における形状は長方形に限られず、正方形、円形あるいは楕円形などの他の形状であってもよい。
【0013】
表示領域ＤＡは、Ｘ方向およびＹ方向にマトリクス状に配列された複数の画素ＰＸを備えている。画素ＰＸは、異なる色を表示する複数の副画素ＳＰを含む。本実施形態においては、画素ＰＸが青色の副画素ＳＰ１と、緑色の副画素ＳＰ２と、赤色の副画素ＳＰ３とを含む場合を想定する。ここで、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３は、第１副画素、第２副画素および第３副画素の一例である。また、青色、緑色および赤色は、第１色、第２色および第３色の一例である。画素ＰＸは、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３とともに、あるいは副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のいずれかに代えて、白色などの他の色の副画素ＳＰを含んでもよい。
【0014】
副画素ＳＰは、画素回路１と、画素回路１によって駆動される表示素子ＤＥとを備えている。画素回路１は、画素スイッチ２と、駆動トランジスタ３と、キャパシタ４とを備えている。画素スイッチ２および駆動トランジスタ３は、例えば薄膜トランジスタにより構成されたスイッチング素子である。
【0015】
表示領域ＤＡには、各副画素ＳＰの画素回路１に走査信号を供給する複数の走査線Ｇと、各副画素ＳＰの画素回路１に映像信号を供給する複数の信号線Ｓと、複数の電源線ＰＬとが配置されている。図１の例においては、走査線Ｇおよび電源線ＰＬがＸ方向に延び、信号線ＳがＹ方向に延びている。
【0016】
画素スイッチ２のゲート電極は、走査線Ｇに接続されている。画素スイッチ２のソース電極およびドレイン電極の一方は信号線Ｓに接続され、他方は駆動トランジスタ３のゲート電極およびキャパシタ４に接続されている。駆動トランジスタ３において、ソース電極およびドレイン電極の一方は電源線ＰＬおよびキャパシタ４に接続され、他方は表示素子ＤＥに接続されている。
【0017】
なお、画素回路１の構成は図示した例に限られない。例えば、画素回路１は、より多くの薄膜トランジスタおよびキャパシタを備えてもよい。
【0018】
図２は、本実施形態に係る表示領域ＤＡの概略的な平面図である。表示領域ＤＡには、導電性の隔壁６が配置されている。隔壁６は、表示素子ＤＥに共通電圧を供給する配線として機能する。
【0019】
隔壁６は、Ｘ方向に延びる部分と、Ｙ方向に延びる部分とを有しており、全体として格子状である。表示領域ＤＡは、それぞれ隔壁６により囲われた第１領域Ａ１、第２領域Ａ２、第３領域Ａ３および透過領域ＴＡを有している。
【0020】
図２の例においては、複数の第１領域Ａ１および複数の透過領域ＴＡを含む列Ｃ１と、複数の第２領域Ａ２および複数の第３領域Ａ３を含む列Ｃｍとが表示領域ＤＡに形成されている。列Ｃ１と列Ｃｍは、Ｘ方向に交互に並んでいる。列Ｃ１においては、第１領域Ａ１と透過領域ＴＡがＹ方向に交互に並んでいる。列Ｃｍにおいては、第２領域Ａ２と第３領域Ａ３がＹ方向に交互に並んでいる。
【0021】
図３は、図２において鎖線枠ＩＩＩで囲った領域を拡大した概略的な平面図である。本実施形態においては、第１領域Ａ１に副画素ＳＰ１が配置され、第２領域Ａ２に副画素ＳＰ２が配置され、第３領域Ａ３に副画素ＳＰ３が配置されている。
【0022】
表示領域ＤＡには、リブ５が配置されている。隔壁６は、全体的にリブ５と重なっている。リブ５は、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３においてそれぞれ画素開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３を有している。透過領域ＴＡにおいては、リブ５に開口が設けられていない。すなわち、透過領域ＴＡは、全体的にリブ５と重なっている。
【0023】
図３の例においては、画素開口ＡＰ１が画素開口ＡＰ２よりも大きく、画素開口ＡＰ２が画素開口ＡＰ３よりも大きい。すなわち、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のうちで副画素ＳＰ１の開口率が最も大きく、副画素ＳＰ３の開口率が最も小さい。
【0024】
副画素ＳＰ１は、画素開口ＡＰ１とそれぞれ重なる下電極ＬＥ１、上電極ＵＥ１および有機層ＯＲ１を備えている。副画素ＳＰ２は、画素開口ＡＰ２とそれぞれ重なる下電極ＬＥ２、上電極ＵＥ２および有機層ＯＲ２を備えている。副画素ＳＰ３は、画素開口ＡＰ３とそれぞれ重なる下電極ＬＥ３、上電極ＵＥ３および有機層ＯＲ３を備えている。下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３、上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３および有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３の端部は、全体的にリブ５および隔壁６と重なっている。
【0025】
下電極ＬＥ１、上電極ＵＥ１および有機層ＯＲ１のうち画素開口ＡＰ１と重なる部分は、副画素ＳＰ１の表示素子ＤＥ１を構成する。下電極ＬＥ２、上電極ＵＥ２および有機層ＯＲ２のうち画素開口ＡＰ２と重なる部分は、副画素ＳＰ２の表示素子ＤＥ２を構成する。下電極ＬＥ３、上電極ＵＥ３および有機層ＯＲ３のうち画素開口ＡＰ３と重なる部分は、副画素ＳＰ３の表示素子ＤＥ３を構成する。表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３は、後述するキャップ層をさらに含んでもよい。リブ５および隔壁６は、これら表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３の各々を囲っている。
【0026】
透過領域ＴＡは、Ｙ方向に隣り合う２つの副画素ＳＰ１の下電極ＬＥ１の間に位置している。透過領域ＴＡは、下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３および隔壁６のいずれとも重なっていない。図３の例において、透過領域ＴＡは、上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３および有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３とも重なっていない。
【0027】
図３の例においては、第１領域Ａ１が第２領域Ａ２よりも大きく、第２領域Ａ２が第３領域Ａ３よりも大きい。例えば、透過領域ＴＡは、領域Ａ１，Ａ２，Ａ３のいずれよりも小さい。ただし、透過領域ＴＡが領域Ａ１，Ａ２，Ａ３のいずれかより大きくてもよい。
【0028】
図４は、図３中のＩＶ－ＩＶ線に沿う表示装置ＤＳＰの概略的な断面図である。上述の基板１０の上に回路層１１が配置されている。回路層１１は、図１に示した画素回路１、走査線Ｇ、信号線Ｓおよび電源線ＰＬなどの各種回路や配線を含む。回路層１１は、有機絶縁層１２により覆われている。有機絶縁層１２は、回路層１１により生じる凹凸を平坦化する平坦化膜として機能する。
【0029】
下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３は、有機絶縁層１２の上に配置されている。リブ５は、有機絶縁層１２および下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の上に配置されている。下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の端部は、リブ５により覆われている。図４の断面には表れていないが、下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３は、それぞれ有機絶縁層１２に設けられたコンタクトホールを通じて回路層１１の画素回路１に接続されている。
【0030】
隔壁６は、リブ５の上に配置された導電性を有する下部６１と、下部６１の上に配置された上部６２とを含む。上部６２は、下部６１よりも大きい幅を有している。これにより、上部６２の両端部が下部６１の側面よりも突出している。このような隔壁６の形状は、オーバーハング状と呼ばれる。
【0031】
図４の例において、下部６１は、リブ５の上に配置されたボトム部６３と、ボトム部６３の上に配置された軸部６４とを有している。例えば、ボトム部６３は軸部６４よりも薄く形成されているが、この例に限られない。また、図４の例においてはボトム部６３と軸部６４の側面が揃っているが、ボトム部６３の両端部が軸部６４の側面から突出してもよい。
【0032】
有機層ＯＲ１は、画素開口ＡＰ１を通じて下電極ＬＥ１を覆っている。上電極ＵＥ１は、有機層ＯＲ１を覆い、下電極ＬＥ１と対向している。有機層ＯＲ２は、画素開口ＡＰ２を通じて下電極ＬＥ２を覆っている。上電極ＵＥ２は、有機層ＯＲ２を覆い、下電極ＬＥ２と対向している。有機層ＯＲ３は、画素開口ＡＰ３を通じて下電極ＬＥ３を覆っている。上電極ＵＥ３は、有機層ＯＲ３を覆い、下電極ＬＥ３と対向している。上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３は、隔壁６の下部６１の側面に接触している。
【0033】
表示素子ＤＥ１は、上電極ＵＥ１の上に配置されたキャップ層ＣＰ１を含む。表示素子ＤＥ２は、上電極ＵＥ２の上に配置されたキャップ層ＣＰ２を含む。表示素子ＤＥ３は、上電極ＵＥ３の上に配置されたキャップ層ＣＰ３を含む。キャップ層ＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３は、それぞれ有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３が発する光の取り出し効率を向上させる光学調整層としての役割を有している。
【0034】
以下の説明においては、有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１およびキャップ層ＣＰ１を含む多層体を積層膜ＦＬ１と呼び、有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２およびキャップ層ＣＰ２を含む多層体を積層膜ＦＬ２と呼び、有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３およびキャップ層ＣＰ３を含む多層体を積層膜ＦＬ３と呼ぶ。
【0035】
積層膜ＦＬ１の一部は、上部６２の上に位置している。当該一部は、積層膜ＦＬ１のうち隔壁６の下に位置する部分（表示素子ＤＥ１を構成する部分）と離間している。同様に、積層膜ＦＬ２の一部は上部６２の上に位置し、当該一部は積層膜ＦＬ２のうち隔壁６の下に位置する部分（表示素子ＤＥ２を構成する部分）と離間している。さらに、積層膜ＦＬ３の一部は上部６２の上に位置し、当該一部は積層膜ＦＬ３のうち隔壁６の下に位置する部分（表示素子ＤＥ３を構成する部分）と離間している。
【0036】
副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３には、それぞれ封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３が配置されている。封止層ＳＥ１は、積層膜ＦＬ１や副画素ＳＰ１の周囲の隔壁６を連続的に覆っている。封止層ＳＥ２は、積層膜ＦＬ２や副画素ＳＰ２の周囲の隔壁６を連続的に覆っている。封止層ＳＥ３は、積層膜ＦＬ３や副画素ＳＰ３の周囲の隔壁６を連続的に覆っている。
【0037】
図４の例においては、副画素ＳＰ１，ＳＰ２の間の隔壁６上の積層膜ＦＬ１および封止層ＳＥ１が、当該隔壁６上の積層膜ＦＬ２および封止層ＳＥ２と離間している。また、副画素ＳＰ１，ＳＰ３の間の隔壁６上の積層膜ＦＬ１および封止層ＳＥ１が、当該隔壁６上の積層膜ＦＬ３および封止層ＳＥ３と離間している。
【0038】
隔壁６は、上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３に給電するための配線としての役割を有するとともに、表示装置ＤＳＰの製造時に蒸着で形成される積層膜ＦＬ１，ＦＬ２，ＦＬ３を分断する役割も有している。このように積層膜ＦＬ１，ＦＬ２，ＦＬ３を分断することで、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３により個別に封止された表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３を得ることができる。
【0039】
封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、樹脂層１３により覆われている。樹脂層１３は、封止層１４により覆われている。封止層１４は、樹脂層１５により覆われている。樹脂層１３，１５および封止層１４は、少なくとも表示領域ＤＡの全体に連続的に設けられ、その一部が周辺領域ＳＡにも及んでいる。
【0040】
偏光板、タッチパネル、保護フィルムまたはカバーガラスなどのカバー部材が樹脂層１５の上方にさらに配置されてもよい。このようなカバー部材は、例えばＯＣＡ（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｃｌｅａｒ Ａｄｈｅｓｉｖｅ）などの接着層を介して樹脂層１５に接着されてもよい。
【0041】
有機絶縁層１２は、ポリイミドなどの有機絶縁材料で形成されている。リブ５および封止層１４，ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）または酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）などの無機絶縁材料で形成されている。一例では、リブ５がシリコン酸窒化物で形成され、封止層１４，ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３がシリコン窒化物で形成されている。樹脂層１３，１５は、例えばエポキシ樹脂やアクリル樹脂などの樹脂材料（有機絶縁材料）で形成されている。
【0042】
下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３は、例えば銀（Ａｇ）で形成された反射層と、この反射層の上面および下面をそれぞれ覆う一対の導電性酸化物層とを有している。各導電性酸化物層は、例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）またはＩＧＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｇａｌｌｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）などの透明な導電性酸化物で形成することができる。
【0043】
上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３は、例えばマグネシウムと銀の合金（ＭｇＡｇ）などの金属材料で形成されている。例えば、下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３はアノードに相当し、上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３はカソードに相当する。
【0044】
有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３は、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロッキング層、発光層、正孔ブロッキング層、電子輸送層および電子注入層の積層構造を有している。有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３は、複数の発光層を含むいわゆるタンデム構造を有してもよい。
【0045】
キャップ層ＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３は、例えば透明な複数の薄膜が重ねられた積層構造を有している。当該複数の薄膜は、無機材料によって形成された薄膜および有機材料によって形成された薄膜を含んでもよい。また、当該複数の薄膜は、互いに異なる屈折率を有している。例えば、これら薄膜の屈折率は、上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３の屈折率および封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３の屈折率と異なる。なお、キャップ層ＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３の少なくとも１つが省略されてもよい。
【0046】
隔壁６のボトム部６３および軸部６４は、金属材料によって形成されている。ボトム部６３の金属材料としては、例えばモリブデン（Ｍｏ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、モリブデン－タングステン合金（ＭｏＷ）またはモリブデン－ニオブ合金（ＭｏＮｂ）を用いることができる。軸部６４の金属材料としては、例えばアルミニウム、アルミニウム－ネオジム合金（ＡｌＮｄ）、アルミニウム－イットリウム合金（ＡｌＹ）またはアルミニウム－シリコン合金（ＡｌＳｉ）を用いることができる。なお、軸部６４が絶縁性の材料で形成されてもよい。
【0047】
例えば、隔壁６の上部６２は、金属材料で形成された下層と、導電性酸化物で形成された上層との積層構造を有している。下層を形成する金属材料としては、例えばチタン、窒化チタン、モリブデン、タングステン、モリブデン－タングステン合金またはモリブデン－ニオブ合金を用いることができる。上層を形成する導電性酸化物としては、例えばＩＴＯまたはＩＺＯを用いることができる。なお、上部６２は、金属材料の単層構造を有してもよい。さらに、上部６２は、絶縁材料で形成された層を含んでもよい。
【0048】
隔壁６には、共通電圧が供給されている。この共通電圧は、下部６１の側面に接触した上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３にそれぞれ供給される。下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３には、それぞれ副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３の画素回路１を通じて信号線Ｓの映像信号に応じた画素電圧が供給される。
【0049】
有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３は、電圧の印加に応じて発光する。具体的には、下電極ＬＥ１と上電極ＵＥ１の間に電位差が形成されると、有機層ＯＲ１の発光層が青色の波長域の光を放つ。下電極ＬＥ２と上電極ＵＥ２の間に電位差が形成されると、有機層ＯＲ２の発光層が緑色の波長域の光を放つ。下電極ＬＥ３と上電極ＵＥ３の間に電位差が形成されると、有機層ＯＲ３の発光層が赤色の波長域の光を放つ。
【0050】
他の例として、有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３の発光層が同一色（例えば白色）の光を放ってもよい。この場合において、表示装置ＤＳＰは、発光層が放つ光を副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３に対応する色の光に変換するカラーフィルタを備えてもよい。また、表示装置ＤＳＰは、発光層が放つ光により励起して副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３に応じた色の光を生成する量子ドットを含んだ層を備えてもよい。
【0051】
【0052】
上述のとおり、透過領域ＴＡにおいてはリブ５に開口が設けられていない。また、透過領域ＴＡには積層膜ＦＬ１および封止層ＳＥ１が配置されていない。透過領域ＴＡを囲う隔壁６の内側の空間は、樹脂層１３で満たされている。すなわち、透過領域ＴＡにおいては、樹脂層１３がリブ５と接触している。
【0053】
図３および図５に示すように、第１領域Ａ１は、Ｙ方向において幅Ｗｙ１を有している。透過領域ＴＡは、Ｙ方向において幅Ｗｙ２を有している。また、第１領域Ａ１と透過領域ＴＡの間に位置する隔壁６は、Ｙ方向において幅Ｗｙ３を有している。幅Ｗｙ１は、Ｙ方向において第１領域Ａ１の両側に位置する隔壁６の上部６２の端部間の距離に相当する。幅Ｗｙ２は、Ｙ方向において透過領域ＴＡの両側に位置する隔壁６の上部６２の端部間の距離に相当する。幅Ｗｙ３は、第１領域Ａ１と透過領域ＴＡの間に位置する隔壁６の上部６２の幅に相当する。
【0054】
本実施形態においては、幅Ｗｙ２が幅Ｗｙ１よりも小さい（Ｗｙ２＜Ｗｙ１）。また、幅Ｗｙ２は、幅Ｗｙ３よりも大きい（Ｗｙ３＜Ｗｙ２）。一例として、幅Ｗｙ２は１０μｍであり、幅Ｗｙ３は７μｍである。
【0055】
図３の例においては、第１領域Ａ１および透過領域ＴＡがＸ方向において同等の幅Ｗｘを有している。幅Ｗｘは、Ｘ方向において第１領域Ａ１または透過領域ＴＡの両側に位置する隔壁６の上部６２の端部間の距離に相当する。なお、第１領域Ａ１および透過領域ＴＡのＸ方向における幅が互いに異なってもよい。
【0056】
ここで、本実施形態が奏する効果の一例について説明する。
表示装置ＤＳＰが搭載される電子機器は、外光を検知する照度センサなどの光学センサを備えることがある。このような光学センサが表示装置ＤＳＰの裏面側に配置される場合には、表示装置ＤＳＰに透光性が求められる。
表示装置ＤＳＰが搭載される電子機器は、外光を検知する照度センサなどの光学センサを備えることがある。このような光学センサが表示装置ＤＳＰの裏面側に配置される場合には、表示装置ＤＳＰに透光性が求められる。
【0057】
しかしながら、下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３は、いずれも上述の反射層を含む。また、少なくとも一部が金属材料で形成された隔壁６は、遮光性を有している。そのため、仮に表示領域ＤＡの全体に下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３および隔壁６が形成されていると、表示装置ＤＳＰの表示面に入射する殆どの光が裏面側に透過することなく反射または遮光され得る。
【0058】
これに対し、本実施形態においては、図３および図５に示した透過領域ＴＡが表示領域ＤＡに形成されている。透過領域ＴＡには下電極ＬＥ１および隔壁６が配置されていない。したがって、図５に示すように透過領域ＴＡに入射する外光Ｌは、下電極ＬＥ１および隔壁６によって遮られることなく表示装置ＤＳＰの下方へと透過することが可能である。これにより、表示装置ＤＳＰの透光性を高めることができる。
【0059】
また、本実施形態においては、透過領域ＴＡに積層膜ＦＬ１，ＦＬ２，ＦＬ３が配置されていない。これにより、透過領域ＴＡの透光性を一層高めることができる。
【0060】
透過領域ＴＡのサイズをある程度大きく確保しなければ、隔壁６のパターニングの際に透過領域ＴＡに相当する開口を設けることが困難である。一方で、透過領域ＴＡを大きくすると、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３の開口率が低下し得る。この点に関し、本実施形態においては、隣り合う２つの副画素ＳＰ１の間に透過領域ＴＡが配置されている。上述のとおり、副画素ＳＰ１の開口率は、副画素ＳＰ２，ＳＰ３の開口率よりも大きい。そのため、透過領域ＴＡを配置したことにより副画素ＳＰ１を小さくする必要が生じても、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３の開口率のバランスを保ちやすく、表示品位に与える影響を抑制することが可能である。
【0061】
本実施形態にて開示した構成は、種々の態様に変形し得る。以下の第２および第３実施形態においては、隔壁６に適用し得る構成の他の例を開示する。これらの実施形態において、特に言及しない構成および効果は第１実施形態と同様である。
【0062】
【0063】
具体的には、複数の列Ｃ１のそれぞれにおいて、２つの第１領域Ａ１に対して１つの割合で透過領域ＴＡが配置されている。他の観点から言えば、Ｙ方向に隣り合う２つの透過領域ＴＡの間に２つの第１領域Ａ１（副画素ＳＰ１）が配置されている。このように透過領域ＴＡの数を減らした場合には、副画素ＳＰ１のサイズを大きくできるので、第１実施形態に比べ副画素ＳＰ１の開口率を高めることが可能である。
【0064】
また、図６の例においては、ある列Ｃ１（第１列）の透過領域ＴＡの位置と、この列Ｃ１の隣の列Ｃ１（第２列）の透過領域ＴＡの位置とが、Ｙ方向においてずれている。このような構成であれば、表示領域ＤＡにおける透過領域ＴＡの位置が分散される。したがって、透過領域ＴＡを囲う隔壁６の反射による見栄えを表示領域ＤＡにおいて均一化することが可能である。
【0065】
透過領域ＴＡの配置態様は、第１および第２実施形態にて例示したものに限られない。例えば、透過領域ＴＡは、３つ以上の副画素ＳＰ１に対して１つの割合で配置されてもよい。また、透過領域ＴＡは、副画素ＳＰ２，ＳＰ３の間に配置されてもよい。
【0066】
［第３実施形態］
図７は、第３実施形態に係る表示装置ＤＳＰの表示領域ＤＡの概略的な平面図である。上述の各実施形態と同じく、表示領域ＤＡは、第１領域Ａ１、第２領域Ａ２、第３領域Ａ３および透過領域ＴＡを有している。
図７は、第３実施形態に係る表示装置ＤＳＰの表示領域ＤＡの概略的な平面図である。上述の各実施形態と同じく、表示領域ＤＡは、第１領域Ａ１、第２領域Ａ２、第３領域Ａ３および透過領域ＴＡを有している。
【0067】
図７に示す表示領域ＤＡには、複数の列Ｃ１と、複数の列Ｃ２と、複数の列Ｃ３とが形成されている。列Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３は、Ｘ方向において交互に並んでいる。列Ｃ１は、Ｙ方向に交互に並ぶ複数の第１領域Ａ１および複数の透過領域ＴＡを含む。列Ｃ２は、Ｙ方向に並ぶ複数の第２領域Ａ２を含む。列Ｃ３は、Ｙ方向に並ぶ複数の第３領域Ａ３を含む。
【0068】
図８は、図７において鎖線枠ＶＩＩＩで囲った領域を拡大した概略的な平面図である。第１実施形態と同じく、第１領域Ａ１に副画素ＳＰ１が配置され、第２領域Ａ２に副画素ＳＰ２が配置され、第３領域Ａ３に副画素ＳＰ３が配置されている。
【0069】
図８の例においては、Ｘ方向における画素開口ＡＰ１の幅が、Ｘ方向における画素開口ＡＰ２の幅およびＸ方向における画素開口ＡＰ３の幅のいずれよりも大きい。一方で、Ｙ方向における画素開口ＡＰ１の幅が、Ｙ方向における画素開口ＡＰ２の幅およびＹ方向における画素開口ＡＰ３の幅のいずれよりも小さい。例えば、副画素ＳＰ１の開口率は、副画素ＳＰ２，ＳＰ３の開口率よりも大きい。領域Ａ１，Ａ２，Ａ３のサイズの関係は、画素開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３のサイズの関係と同様である。
【0070】
第１実施形態と同じく、透過領域ＴＡは、Ｙ方向に隣り合う２つの副画素ＳＰ１の下電極ＬＥ１の間に位置している。図８の例において、透過領域ＴＡは、領域Ａ１，Ａ２，Ａ３のいずれよりも小さい。ただし、透過領域ＴＡが領域Ａ１，Ａ２，Ａ３のいずれかより大きくてもよい。
【0071】
図８の例においては、透過領域ＴＡを介して隣り合う２つの副画素ＳＰ１の積層膜ＦＬ１（有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１およびキャップ層ＣＰ１）が離間している。一方で、積層膜ＦＬ２（有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２およびキャップ層ＣＰ２）は、Ｙ方向に並ぶ複数の副画素ＳＰ２にわたって延びている。同様に、積層膜ＦＬ３（有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３およびキャップ層ＣＰ３）は、Ｙ方向に並ぶ複数の副画素ＳＰ３にわたって延びている。なお、これら積層膜ＦＬ２，ＦＬ３は、オーバーハング状の隔壁６によって分断されている。
【0072】
本実施形態の構成においても、透過領域ＴＡを設けたことによって第１実施形態と同様の効果を得ることができる。第２実施形態と同じく、複数の第１領域Ａ１に対して１つの割合で透過領域ＴＡが配置されてもよい。この場合において、２つの列Ｃ１（第１列および第２列）の透過領域ＴＡの位置がＹ方向においてずれていてもよい。
【0073】
また、本実施形態の構成において、透過領域ＴＡがＹ方向に隣り合う２つの副画素ＳＰ２の間や、Ｙ方向に隣り合う２つの副画素ＳＰ３の間に配置されてもよい。
【0074】
表示領域ＤＡにおける隔壁６の形状と副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３の配置は、以上の第１乃至第３実施形態の他にも種々の態様に変形し得る。
【0075】
以上、本発明の実施形態として説明した表示装置を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての表示装置も、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に属する。
【0076】
本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変形例に想到し得るものであり、それら変形例についても本発明の範囲に属するものと解される。例えば、上述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除、もしくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
【0077】
また、上述の各実施形態において述べた態様によりもたらされる他の作用効果について、本明細書の記載から明らかなもの、または当業者において適宜想到し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。
【符号の説明】
【0078】
ＤＳＰ…表示装置、ＤＡ…表示領域、ＳＡ…周辺領域、ＰＸ…画素、ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３…副画素、ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３…下電極、ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３…有機層、ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３…上電極、ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３…封止層、Ａ１，Ａ２，Ａ３…第１乃至第３領域、ＴＡ…透過領域、１…画素回路、５…リブ、６…隔壁、６１…下部、６２…上部。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】