特開 2024-166798 チップ抵抗器

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024166798

(43)【公開日】2024-11-29

(54)【発明の名称】チップ抵抗器

(51)【国際特許分類】

   H01C 1/14 20060101AFI20241122BHJP

   H01C 1/148 20060101ALI20241122BHJP

【ＦＩ】

H01C1/14 Z

H01C1/148

【審査請求】未請求

【請求項の数】4

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023083144

(22)【出願日】2023-05-19

(71)【出願人】

【識別番号】000105350

【氏名又は名称】ＫＯＡ株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110000442

【氏名又は名称】弁理士法人武和国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】木村 太郎

【テーマコード（参考）】

5E028

【Ｆターム（参考）】

5E028AA10

5E028BA04

5E028BB01

5E028CA02

5E028DA01

5E028JA12

5E028JC02

5E028JC03

5E028JC06

5E028JC07

(57)【要約】

【課題】耐硫化性を維持しつつＴＣＲ特性の悪化を防止することができるチップ抵抗器を提供する。
【解決手段】チップ抵抗器１は、直方体形状の絶縁基板２と、絶縁基板２の表面の長手方向両端部に設けられた一対の表電極３と、絶縁基板２の裏面の長手方向両端部に設けられた一対の裏電極４と、一対の表電極３巻を導通する抵抗体５と、抵抗体５を覆うガラス層６と、ガラス層６上に積層された絶縁樹脂層（保護膜）７と、絶縁樹脂層７の両端部上に形成された導電性樹脂からなる中間導電層８と、表電極３と裏電極４間を導通する一対の端面電極９と、端面電極９を覆う一対の外部メッキ層１０とを備えており、中間導電層８は表電極３と接触しておらず、端面電極９は、表電極３に重なる第１電極部９ａと、中間導電層８に重なる第２電極部９ｂとを有している。
【選択図】図２

【特許請求の範囲】

【請求項1】

直方体形状の絶縁基板と、
前記絶縁基板の表面に所定間隔を存して形成された一対の表電極と、
一対の前記表電極間を導通するように前記絶縁基板の表面に形成された抵抗体と、
前記抵抗体を覆う樹脂材料からなる保護層と、
前記保護層の両端部に形成された導電性樹脂からなる中間導電層と、
前記絶縁基板の裏面に所定間隔を存して形成された一対の裏電極と、
前記絶縁基板の相対向する両端面に形成されて前記表電極と前記裏電極を導通する一対の端面電極と、
一対の前記端面電極を覆う一対の外部メッキ層と、
を備え、
前記中間導電層は、前記保護層の両端部における前記表電極から離間した位置に形成されており、
前記端面電極は、前記表電極に重なる第１電極部と、前記中間導電層に重なる第２電極部と、を有している
ことを特徴とするチップ抵抗器。

【請求項2】

請求項１に記載のチップ抵抗器において、
前記端面電極の前記第２電極部は、前記中間導電層の内方側の端部を除く部位に接触しており、
前記外部メッキ層は、前記端面電極の前記第２電極部を超えて前記中間導電層の内方側の端部に接触している、
ことを特徴とするチップ抵抗器。

【請求項3】

請求項１に記載のチップ抵抗器において、
前記中間導電層における前記絶縁基板の表面からの最大高さは、前記保護層における前記絶縁基板の表面からの最大高さ以上である、
ことを特徴とするチップ抵抗器。

【請求項4】

請求項３に記載のチップ抵抗器において、
前記端面電極は、前記絶縁基板の端面に向けて金属粒子をスパッタして形成された金属薄膜からなり、
前記金属薄膜は、前記表電極から前記中間導電層の内方側の端部を除く部位に亘って連続的に形成されている、
ことを特徴とするチップ抵抗器。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、チップ抵抗器に関するものである。

【背景技術】

【0002】

一般的にチップ抵抗器は、直方体形状の絶縁基板と、絶縁基板の表面に所定間隔を存して対向配置された一対の表電極と、これら対をなす表電極どうしを橋絡する抵抗体と、抵抗体を覆う２層構造の保護膜（ガラス層と絶縁樹脂層）と、絶縁基板の裏面に所定間隔を存して対向配置された一対の裏電極と、対応する表電極と裏電極間を導通する一対の端面電極と、これら各電極を覆う一対の外部メッキ層等によって主に構成されている。

【0003】

この種のチップ抵抗器において、通常、表電極には比抵抗の低いＡｇ（銀）系の金属材料が用いられており、この表電極を順次覆うように端面電極と外部メッキ層が形成された構成となっているが、外部メッキ層と保護膜の境界部分となる隙間から腐食性の強い硫化ガス等が侵入しやすいため、表電極と保護膜の境界位置における表電極部分が硫化ガス等によって腐食されて抵抗値変化や断線等の不具合を招来する虞がある。

【0004】

そこで、導電性樹脂からなる補助電極を絶縁樹脂層と表電極の双方に接続するように形成すると共に、端面電極を表電極と補助電極に重なるように形成し、かつ、外部メッキ層を補助電極と端面電極の境界位置を超えて絶縁樹脂層の端部まで覆うように形成することにより、耐硫化性の向上を図るようにしたチップ抵抗器が提案されている（特許文献１参照）。

【0005】

特許文献１に開示されたチップ抵抗器では、絶縁樹脂層の両端部に表電極と接続する補助電極が形成されており、この補助電極が樹脂に導電性粒子を含有した硫化しにくい材料で形成されているため、硫化ガスが表電極に到達するのを抑制可能としている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0006】

【特許文献1】特開２００７－１２３８３２号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0007】

特許文献１に開示された従来技術のように、表電極に導通する補助電極を絶縁樹脂層の両端部に形成したチップ抵抗器においては、導電性樹脂からなる補助電極の比抵抗が表電極よりも高くなっている。そのため、低抵抗（例えば１Ω未満）のチップ抵抗器になるほど、チップ抵抗器の全体に占める電極部の抵抗値成分が大きくなり、ＴＣＲ（抵抗温度係数）が増大してしまうという課題がある。また、チップ抵抗器が自動車のエンジン周辺等の高温環境下で使用された場合、補助電極が熱膨張率を異にする表電極と絶縁樹脂層に接触しているため、補助電極が熱応力によって下地から剥離してしまい、耐硫化性が低下してしまう虞がある。

【0008】

本発明は、このような従来技術の実情に鑑みてなされたもので、その目的は、耐硫化性を維持しつつＴＣＲ特性の悪化を防止することができるチップ抵抗器を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0009】

上記の目的を達成するために、本発明によるチップ抵抗器は、直方体形状の絶縁基板と、前記絶縁基板の表面に所定間隔を存して形成された一対の表電極と、一対の前記表電極間を導通するように前記絶縁基板の表面に形成された抵抗体と、前記抵抗体を覆う樹脂材料からなる保護層と、前記保護層の両端部に形成された導電性樹脂からなる中間導電層と、前記絶縁基板の裏面に所定間隔を存して形成された一対の裏電極と、前記絶縁基板の相対向する両端面に形成されて前記表電極と前記裏電極を導通する一対の端面電極と、一対の前記端面電極を覆う一対の外部メッキ層と、を備え、前記中間導電層は、前記保護層の両端部における前記表電極から離間した位置に形成されており、前記端面電極は、前記表電極に重なる第１電極部と、前記中間導電層に重なる第２電極部と、を有していることを特徴としている。

【0010】

このように構成されたチップ抵抗器では、樹脂材料からなる保護層の両端部に導電性樹脂からなる中間導電層が形成されており、この中間導電層は表電極と接触していないため、中間導電層によって電極部の抵抗値成分が大きくなることはなく、ＴＣＲの増大を抑制することができる。また、中間導電層は樹脂に導電粒子を含有した材料からなるため、保護層に対する中間導電層の密着性を高めることができると共に、中間導電層に対する端面電極の密着性も高めることができる。

【0011】

上記構成において、端面電極の第２電極部が中間導電層の内方側の内方側の端部を除く部位に接触している。このように、端面電極が中間導電層の内方側に位置する保護層上に存在せず、外部メッキ層が端面電極の第２電極部を超えて中間導電層の内方側の端部に接触していると、端面電極が起点となって外部メッキ層が保護層から剥離してしまうことを抑制できて好ましい。

【0012】

また、上記構成において、中間導電層における絶縁基板の表面からの最大高さが、保護層における絶縁基板の表面からの最大高さ以上であると、端面電極が中間導電層の内方側へ回り込むことが抑制され、端面電極の第２電極部を中間導電層の内方側を除く部位に容易に形成することができる。

【0013】

この場合において、端面電極が絶縁基板の端面に向けて金属粒子をスパッタして形成された金属薄膜であると、金属薄膜を端面スパッタすることにより、表電極から中間導電層の内方側の端部を除く部位に亘って、第１電極部と第２電極部を容易に形成することができる。

【発明の効果】

【0014】

本発明のチップ抵抗器によれば、耐硫化性を維持しつつＴＣＲ特性の悪化を防止することができる。

【図面の簡単な説明】

【0015】

【図1】本発明の第１実施形態に係るチップ抵抗器の平面図である。

【図2】図１のII－II線に沿う断面図である。

【図3】図２のＡ部拡大図である。

【図4】該チップ抵抗器の製造工程を示す平面図である。

【図5】該チップ抵抗器の製造工程を示す平面図である。

【図6】該チップ抵抗器の製造工程を示す断面図である。

【図7】該チップ抵抗器の製造工程を示す断面図である。

【図8】該チップ抵抗器の製造工程を示すフローチャートである。

【図9】本発明の第２実施形態に係るチップ抵抗器の断面図である。

【図10】該チップ抵抗器の製造工程を示す断面図である。

【図11】該チップ抵抗器の製造工程を示す断面図である。

【図12】該チップ抵抗器の製造工程を示すフローチャートである。

【発明を実施するための形態】

【0016】

以下、発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。

【0017】

図１は本発明の第１実施形態に係るチップ抵抗器の断面図、図２は図１のII－II線に沿う断面図、図３は図２のＡ部拡大図である。

【0018】

図１～図３に示すように、第１実施形態に係るチップ抵抗器１は、直方体形状の絶縁基板２と、絶縁基板２の表面における長手方向の両端部に設けられた一対の表電極３と、絶縁基板２の裏面における長手方向の両端部に設けられた一対の裏電極４と、一対の表電極３に両端部を重ねるように設けられた平面視長方形状の抵抗体５と、表電極３と抵抗体５の接続部分を含めて抵抗体５の全体を覆うガラス層６と、ガラス層６上に積層された絶縁樹脂層（保護膜）７と、絶縁樹脂層７の両端部上に形成された中間導電層８と、絶縁基板２の両端面に延在して対応する表電極３と裏電極４間を導通する一対の端面電極９と、端面電極９を覆う一対の外部メッキ層１０と、により主として構成されている。

【0019】

絶縁基板２はセラミックス等からなり、この絶縁基板２は、後述するシート状の大判基板を縦横に延びる一次分割溝と二次分割溝に沿って分割することにより多数個取りされたものである。なお、以下の説明では、絶縁基板２の長手方向（図１の左右方向）をＸ方向、絶縁基板２の短手方向（図１の上下方向）をＹ方向とする。

【0020】

一対の表電極３は、Ｐｄを含有するＡｇ－Ｐｄ系ペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼成させたものである。これら表電極３は、絶縁基板２の表面における長手方向の両端部に平面視矩形状に形成されている。ここで、表電極３のＹ方向に沿う両端は絶縁基板２の長辺に接しておらず、表電極３のＹ方向に沿う幅寸法は絶縁基板２の幅寸法よりも短くなっている。

【0021】

一対の裏電極４は、Ａｇ系ペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼成させたものである。これら裏電極４は、絶縁基板２の裏面における長手方向の両端部に平面視矩形状に形成されており、裏電極４のＹ方向に沿う幅寸法も絶縁基板２の幅寸法よりも短くなっている。

【0022】

抵抗体５は、酸化ルテニウム等の抵抗ペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼成させたメタルグレーズ厚膜であり、この抵抗体５のＸ方向に沿う両端部は表電極３に重なっている。なお、抵抗体５には抵抗値を調整するためのトリミング溝５ａが形成されている。

【0023】

ガラス層６は、ガラスペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼成させたものである。ガラス層６は、トリミング溝５ａを形成する前に抵抗体５の全体を覆うように形成されている。

【0024】

絶縁樹脂層７は、エポキシ樹脂やフェノール樹脂等の樹脂ペーストをスクリーン印刷して加熱硬化させたものである。絶縁樹脂層７は、トリミング溝５ａを形成した後のガラス層６の全体を覆うように形成されており、絶縁樹脂層７のＹ方向に沿う両端は絶縁基板２の長辺に接している。

【0025】

中間導電層８は、ＡｇやＮｉ、Ｃｕ、カーボン等の導電性粒子を添加したエポキシ樹脂やフェノール樹脂等の樹脂ペーストをスクリーン印刷して加熱硬化させたものであり、絶縁樹脂層７の表面における表面における両端部の湾曲状部分に表電極３と接触しないように形成されている。なお、中間導電層８と絶縁樹脂層７の樹脂材料は別々のものであっても良いが、中間導電層８と絶縁樹脂層７が同系の樹脂材料で形成されることが好ましい。

【0026】

ここで、図３に示すように、中間導電層８における絶縁基板２の表面からの最大高さをＨ１、絶縁樹脂層７における絶縁基板２の表面からの最大高さをＨ２とすると、本実施形態では、中間導電層８の最大高さＨ１は絶縁樹脂層７の最大高さＨ２以上の高さになるように設定されている（Ｈ１≧Ｈ２）。

【0027】

端面電極９は、絶縁基板２の端面に向けてＮｉ－Ｃｒ等の金属粒子をスパッタして形成されたスパッタ膜（金属薄膜）であり、この端面電極９によって絶縁基板２の端面を介して上下に離間する表電極３と裏電極４とが導通されている。端面電極９は絶縁基板２の表面において、表電極３に重なる第１電極部９ａと、第１電極部９ａから連続して中間導電層８に重なる第２電極部９ｂとを有しており、第２電極部９ｂによって中間導電層８の最大高さよりも外方側の部位（図３において、表電極３の絶縁樹脂層７に覆われていないところに近い側の部位）が覆われている。なお、中間導電層８の下端（図３において、表電極３に接する絶縁樹脂層７の端部に近い側の中間導電層８の端部）と表電極３との間から露出する絶縁樹脂層７の外側端部も第２電極部９ｂによって覆われているが、中間導電層の頂部よりも内方側の端部は第２電極部９ｂに覆われていない。

【0028】

外部メッキ層１０は、内側のバリヤー層１１と外側の外部接続層１２との２層構造からなる。バリヤー層１１は電解めっきによって形成されたＮｉメッキ層であり、このバリヤー層１１は、第１電極部９ａと第２電極部９ｂを含む端面電極９の表面全体を覆っており、かつ、第２電極部９ｂを超えて中間導電層８の内方側端部と絶縁樹脂層７の境界部分を覆っている。また、外部接続層１２は電解めっきによって形成されたＳｎメッキ層であり、この外部接続層１２はバリヤー層１１の表面全体を覆っている。

【0029】

次に、上記の如く構成されたチップ抵抗器１の製造方法について、図４～図８を参照しながら説明する。なお、図４と図５はチップ抵抗器１の製造工程を示す平面図、図６と図７はチップ抵抗器１の製造工程を示す断面図、図８はチップ抵抗器１の製造工程を示すフローチャートである。

【0030】

まず、図８のステップＳ１に示すように、絶縁基板２が多数個取りされるシート状の大判基板２Ａを準備する。この大判基板２Ａには格子状に延びる一次分割溝と二次分割溝が形成されており、これら両分割溝で区切られたマス目の１つ１つが１個分のチップ形成領域となる。なお、図４～図７には１つのチップ形成領域が代表的に示されているが、実際には、このようなチップ形成領域が格子状に多数配列されている。

【0031】

そして、大判基板２Ａの裏面にＡｇペーストをスクリーン印刷した後、これを乾燥してから８５０℃で焼成することにより、各チップ形成領域の長手方向両端部に所定間隔を存して対向する一対の裏電極４を形成する（図８のステップＳ２）。しかる後、大判基板２Ａの表面にＡｇ－Ｐｄ系ペーストをスクリーン印刷した後、これを乾燥してから８５０℃で焼成することにより、図４（ａ）と図６（ａ）に示すように、各チップ形成領域の長手方向両端部に所定間隔を存して対向する一対の表電極３を形成する（図８のステップＳ３）。なお、表電極３と裏電極４の形成順序は上記と逆でも良く、表電極３と裏電極４を同時に形成するようにしても良い。

【0032】

次に、大判基板２Ａの表面に酸化ルテニウム等を含有した抵抗ペーストをスクリーン印刷した後、これを乾燥してから８５０℃で焼成することにより、図４（ｂ）と図６（ｂ）に示すように、両端部を表電極３に重ね合わせた長方形状の抵抗体５を形成する（図８のステップＳ４）。

【0033】

次に、抵抗体５を覆う領域にガラスペーストをスクリーン印刷した後、これを乾燥してから６００℃で焼成することにより、図４（ｃ）と図６（ｃ）に示すように、表電極３との接続端部を含めて抵抗体５の全体を被覆するガラス層６を形成する（図８のステップＳ５）。そして、このガラス層６の上からレーザー光を照射することにより、抵抗体５にトリミング溝５ａを形成して抵抗値を調整する。

【0034】

次に、ガラス層６の上からエポキシ樹脂系（またはフェノール樹脂系）ペーストをスクリーン印刷した後、これを２００℃で加熱硬化（焼付け）することにより、図４（ｄ）と図６（ｄ）に示すように、ガラス層６の全体を覆う絶縁樹脂層７を形成する（図８のステップＳ６）。

【0035】

次に、絶縁樹脂層７の上から導電性粒子（Ａｇ系、Ｃｕ系、Ｎｉ系、カーボン等）を添加したエポキシ樹脂やフェノール樹脂等の樹脂ペーストをスクリーン印刷した後、これを２００℃で加熱硬化することにより、図５（ｅ）と図７（ｅ）に示すように、絶縁樹脂層７の両端部分に中間導電層８を形成する（図８のステップＳ７）。これら中間導電層８は、表電極３と接触しないように形成されており、絶縁樹脂層７のＸ方向に沿う両端は中間導電層８に覆われていない露出部となっている。また、大判基板２Ａの表面から中間導電層８の頂部に至る最大高さは、大判基板２Ａの表面から絶縁樹脂層７の頂部に至る最大高さ以上となるように形成される。

【0036】

これまでの工程は大判基板２Ａに対する一括処理であるが、次なる工程では、図８のステップＳ８に示すように、大判基板２Ａを一次分割溝に沿って１次ブレイク（一次分割）して短冊状基板２Ｂを得る。

【0037】

しかる後、複数の短冊状基板２Ｂを上下方向に積み重ね、この状態で各短冊状基板２Ｂの分割面に向けてＮｉ－Ｃｒをスパッタすることにより、図５（ｆ）と図７（ｆ）に示すように、表電極３と裏電極４間を導通する一対の端面電極９を形成する（図８のステップＳ９）。この端面電極９によって短冊状基板２Ｂの端面と、表電極３の上面から中間導電層８に至る部分と、裏電極４の下面とが連続的に覆われた状態となり、端面電極９に、表電極３に重なる第１電極部９ａと、第１電極部９ａから連続して中間導電層８に重なる第２電極部９ｂとが形成される。

【0038】

この場合において、絶縁樹脂層７の両端部側に形成された一対の中間導電層８の最大高さが絶縁樹脂層７の最大高さ以上となっているため、これら一対の中間導電層８の頂部が上段に重なる短冊状基板２Ｂの下面に当接した状態でスパッタされる。その結果、端面電極９は中間導電層８の内方側まで回り込まず、中間導電層８の外方側の部位と絶縁樹脂層７の露出部を覆うように第２電極部９ｂが形成される。

【0039】

次に、図８のステップＳ１０に示すように、短冊状基板２Ｂを二次分割溝に沿って２次ブレイク（二次分割）して、チップ抵抗器１と同等の大きさのチップ単体２Ｃを得る。

【0040】

しかる後、個片化されたチップ単体２Ｃに対して電解Ｎｉめっきを施すことにより、第１電極部９ａと第２電極部９ｂを含む端面電極９の表面全体を被覆するバリヤー層１１を形成する。このバリヤー層１１は、第２電極部９ｂを超えて中間導電層８の内方側端部と絶縁樹脂層７の境界部分を覆う位置まで形成される。次いで、チップ単体２Ｃに対して電解Ｓｎめっきを施すことにより、バリヤー層１１の全体を被覆する外部接続層１２を形成する。これにより、図５（ｇ）と図７（ｇ）に示すように、バリヤー層１１と外部接続層１２からなる２層構造の外部メッキ層１０が形成され（図８のステップＳ１２）、図１と図２に示すチップ抵抗器１が完成する。

【0041】

以上説明したように、第１実施形態に係るチップ抵抗器１は、導電性樹脂からなる中間導電層８が絶縁樹脂層（保護膜）７の両端部に形成されており、この中間導電層８は表電極３と接触していないため、中間導電層８によってチップ抵抗器１に占める電極部の抵抗値成分が大きくなることはなく、ＴＣＲの増大を抑制することができる。また、中間導電層８の絶縁樹脂層７に対する密着性が高く、端面電極９の中間導電層８に対する密着性も高いため、高温環境下においても中間導電層８の剥離を防止することができる。したがって、外部メッキ層１０と絶縁樹脂層７の境界部分から硫化ガスが侵入しようとしても、硫化ガスは中間導電層８に遮られて表電極３まで到達しなくなり、耐硫化性を維持することができる。

【0042】

しかも、外部メッキ層１０が端面電極９の第２電極部９ｂを超えて中間導電層８の内方側の端部まで延びているため、絶縁樹脂層７との密着性に劣る端面電極９が絶縁樹脂層７上に存在しなくなり、外部メッキ層１０が端面電極９を起点として絶縁樹脂層７から剥離してしまうことを防止できる。

【0043】

また、第１実施形態に係るチップ抵抗器１は、中間導電層８における絶縁基板２の表面からの最大高さＨ１が、絶縁樹脂層７における絶縁基板２の表面からの最大高さＨ２以上に設定されているため、端面電極９の第２電極部９ｂを中間導電層８の頂部より外方側の部位に容易に形成することができる。

【0044】

その際に、複数の短冊状基板２Ｂを上下方向に積み重ねた状態で、各短冊状基板２Ｂの端面に向けてＮｉ－Ｃｒ等の金属粒子をスパッタして端面電極９を形成するため、端面電極９が中間導電層８の頂部を超えて内方側まで回り込んでしまうことはなく、中間導電層８の外方側の部位を覆うように端面電極９の第２電極部９ｂを形成することができる。

【0045】

図９は本発明の第２実施形態に係るチップ抵抗器２０の断面図であり、図１と図２に対応する部分には同一符号を付すことで重複する説明を省略する。

【0046】

第２実施形態に係るチップ抵抗器２０が第１実施形態に係るチップ抵抗器１と相違する点は、中間導電層８における絶縁基板２の表面からの最大高さＨ１が、絶縁樹脂層７における絶縁基板２の表面からの最大高さＨ２よりも低いこと（Ｈ１＜Ｈ２）にあり、それ以外の構成は基本的に同じである。すなわち、中間導電層８は、絶縁樹脂層７の両端部の湾曲状部分に表電極３と接触しないように形成されているが、中間導電層８の頂部は絶縁樹脂層７の頂部を超えていない。また、端面電極９の第２電極部９ｂは中間導電層８の頂部よりも外方側の部位を覆っており、外部メッキ層１０は中間導電層８の頂部を超えて絶縁樹脂層７の上面まで延びている。

【0047】

次に、上記の如く構成されたチップ抵抗器２０の製造方法について、図１０～図１２を参照しながら説明する。なお、図１０と図１１はチップ抵抗器２０の製造工程を示す断面図、図１２はチップ抵抗器２０の製造工程を示すフローチャートである。

【0048】

まず、図１２のステップＳ１に示すように、絶縁基板２が多数個取りされるシート状の大判基板２０Ａを準備する。この大判基板２０Ａには格子状に延びる一次分割溝と二次分割溝が形成されており、これら両分割溝で区切られたマス目の１つ１つが１個分のチップ形成領域となる。

【0049】

そして、大判基板２０Ａの裏面にＡｇペーストをスクリーン印刷した後、これを乾燥してから８５０℃で焼成することにより、各チップ形成領域の長手方向両端部に所定間隔を存して対向する一対の裏電極４を形成する（図１２のステップＳ２）。しかる後、大判基板２０Ａの表面にＡｇ－Ｐｄ系ペーストをスクリーン印刷した後、これを乾燥してから８５０℃で焼成することにより、図１０（ａ）に示すように、各チップ形成領域の長手方向両端部に所定間隔を存して対向する一対の表電極３を形成する（図１２のステップＳ３）。なお、表電極３と裏電極４の形成順序は上記と逆でも良く、表電極３と裏電極４を同時に形成するようにしても良い。

【0050】

次に、大判基板２０Ａの表面に酸化ルテニウム等を含有した抵抗ペーストをスクリーン印刷した後、これを乾燥してから８５０℃で焼成することにより、図１０（ｂ）に示すように、両端部を表電極３に重ね合わせた平面視長方形状の抵抗体５を形成する（図１２のステップＳ４）。

【0051】

次に、抵抗体５を覆う領域にガラスペーストをスクリーン印刷した後、これを乾燥してから６００℃で焼成することにより、図１０（ｃ）に示すように、表電極３との接続端部を含めて抵抗体５の全体を被覆するガラス層６を形成する（図１２のステップＳ５）。そして、このガラス層６の上からレーザー光を照射することにより、抵抗体５にトリミング溝５ａを形成して抵抗値を調整する。

【0052】

次に、ガラス層６の上からエポキシ樹脂系（またはフェノール樹脂系）ペーストをスクリーン印刷した後、これを２００℃で加熱硬化（焼付け）することにより、図１０（ｄ）に示すように、ガラス層６の全体を覆う絶縁樹脂層７を形成する（図１２のステップＳ６）。

【0053】

次に、絶縁樹脂層７の上から導電性粒子（Ａｇ系、Ｃｕ系、Ｎｉ系、カーボン等）を添加したエポキシ樹脂やフェノール樹脂等の樹脂ペーストをスクリーン印刷した後、これを２００℃で加熱硬化することにより、図１１（ｅ）に示すように、絶縁樹脂層７の両端部分に中間導電層８を形成する（図１２のステップＳ７）。この中間導電層８は、表電極３と接触しないように形成されており、絶縁樹脂層７の両端は中間導電層８に覆われていない露出部となっている。ただし、大判基板２０Ａの表面から中間導電層８の頂部に至る最大高さは、大判基板２０Ａの表面から絶縁樹脂層７の頂部に至る最大高さよりも低くなっている。

【0054】

次に、絶縁樹脂層７の上からエポキシ樹脂系やフェノール樹脂系等からなる可溶性のマスキングをスクリーン印刷した後、これを１００～１５０℃で加熱硬化することにより、図１１（ｆ）に示すように、絶縁樹脂層７上にマスキング樹脂層２１を形成する（図１２のステップＳ８）。このマスキング樹脂層２１により、一対の中間導電層８間に位置する絶縁樹脂層７の上面と、一対の中間導電層８の頂部よりも内方側の部位がそれぞれ覆われる。

【0055】

次に、マスキング樹脂層２１の上方から大判基板２０Ａの表面に向けてＮｉ－Ｃｒを面スパッタすることにより、表電極３と中間導電層８および絶縁樹脂層７を覆うスパッタ膜を形成する（図１２のステップＳ９）。

【0056】

これまでの工程は大判基板２０Ａに対する一括処理であるが、次なる工程では、図１２のステップＳ１０に示すように、大判基板２０Ａを一次分割溝に沿って１次ブレイク（一次分割）して短冊状基板２０Ｂを得る。

【0057】

しかる後、複数の短冊状基板２０Ｂを上下方向に積み重ね、この状態で各短冊状基板２Ｂの分割面に向けてＮｉ－Ｃｒをスパッタすることにより、このスパッタ膜を図１２のステップＳ９で形成されたスパッタ膜に重ねる。これにより、図１１（ｇ）に示すように、表電極３と裏電極４とを導通する一対の端面電極９が形成される（図１２のステップＳ１１）。

【0058】

次に、図１２のステップＳ１２に示すように、短冊状基板２０Ｂを二次分割溝に沿って２次ブレイク（二次分割）して、チップ抵抗器２０と同等の大きさのチップ単体２０Ｃを得る。

【0059】

次に、チップ単体２０Ｃを絶縁樹脂層７が溶解せず、マスキング樹脂層２１だけが溶解する溶液に浸漬することにより、マスキング樹脂層２１を除去する（図１２のステップＳ１３）。これにより、一対の中間導電層８の頂部よりも内方側の部位と、一対の中間導電層８間に位置する絶縁樹脂層７の上面がそれぞれ露出する。

【0060】

しかる後、個片化されたチップ単体２０Ｃに対して電解Ｎｉめっきを施すことにより、端面電極９の表面全体を被覆するバリヤー層１１を形成する。このバリヤー層１１は、端面電極９を超えて中間導電層８の内方側端部と絶縁樹脂層７の境界部分を覆う位置まで形成される。次いで、チップ単体２０Ｃに対して電解Ｓｎめっきを施すことにより、バリヤー層１１の全体を被覆する外部接続層１２を形成する。これにより、図１１（ｈ）に示すように、バリヤー層１１と外部接続層１２からなる２層構造の外部メッキ層１０が形成され（図１２のステップＳ１３）、図９に示すチップ抵抗器２０が完成する。

【0061】

このように構成された第２実施形態に係るチップ抵抗器２０においても、絶縁樹脂層７の頂部に対する中間導電層８の頂部の高さが異なるだけで、第１実施形態と同様の効果を奏する。

【0062】

なお、本発明は上記実施形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変形が可能であり、特許請求の範囲に記載された技術思想に含まれる技術的事項の全てが本発明の対象となる。上記実施形態は、好適な例を示したものであるが、当業者ならば、本明細書に開示の内容から、各種の代替例、修正例、変形例あるいは改良例を実現することができ、これらは添付の特許請求の範囲に記載された技術的範囲に含まれる。

【符号の説明】

【0063】

１，２０ チップ抵抗器
２ 絶縁基板
２Ａ，２０Ａ 大判基板
２Ｂ，２０Ｂ 短冊状基板
２Ｃ，２０Ｃ チップ単体
３ 表電極
４ 裏電極
５ 抵抗体
５ａ トリミング溝
６ ガラス層
７ 絶縁樹脂層（保護膜）
８ 中間導電層
９ 端面電極
９ａ 第１電極部
９ｂ 第２電極部９ｂ
１０ 外部メッキ層
１１ バリヤー層
１２ 外部接続層
２１ マスキング樹脂層

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】