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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024166937
(43)【公開日】2024-11-29
(54)【発明の名称】積層コンデンサ及びその製造方法
(51)【国際特許分類】
H01G 4/30 20060101AFI20241122BHJP
【ＦＩ】
H01G4/30 201L
H01G4/30 311Z
H01G4/30 311D
H01G4/30 517
H01G4/30 515
【審査請求】未請求
【請求項の数】11
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023083374
(22)【出願日】2023-05-19
(71)【出願人】
【識別番号】314012076
【氏名又は名称】パナソニックＩＰマネジメント株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110004314
【氏名又は名称】弁理士法人青藍国際特許事務所
(74)【代理人】
【識別番号】100107641
【弁理士】
【氏名又は名称】鎌田 耕一
(74)【代理人】
【識別番号】100168273
【弁理士】
【氏名又は名称】古田 昌稔
(72)【発明者】
【氏名】横山 智康
(72)【発明者】
【氏名】菊地 諒介
【テーマコード（参考）】
5E001
5E082
【Ｆターム（参考）】
5E001AB03
5E001AC03
5E001AC09
5E001AD02
5E001AD03
5E082AA01
5E082AB03
5E082EE01
5E082EE19
5E082EE22
5E082FF05
5E082FG26
5E082GG10
(57)【要約】
【課題】塗布法によって合成可能な誘電体に適した構造を持つ積層コンデンサを提供する。
【解決手段】本開示の積層コンデンサ１００において、積層体２０は、複数の中間層２１と複数の誘電体層２５とを有し、中間層２１と誘電体層２５とが交互に積層されており、複数の中間層２１の各々は、内部電極層２２と、内部電極層２２の面内方向において内部電極層２２に隣接して設けられた絶縁部２３とを有し、絶縁部２３の材料の組成は、誘電体層２５の材料の組成と異なり、内部電極層２２は、第１外部電極１１又は第２外部電極１２に電気的に接続され、絶縁部２３は、第２外部電極１２と内部電極層２２との間に位置して内部電極層２２と第２外部電極１２とを絶縁している、又は、第１外部電極１１と内部電極層２２との間に位置して内部電極層２２と第１外部電極１１とを絶縁している。
【選択図】図１Ａ
【解決手段】本開示の積層コンデンサ１００において、積層体２０は、複数の中間層２１と複数の誘電体層２５とを有し、中間層２１と誘電体層２５とが交互に積層されており、複数の中間層２１の各々は、内部電極層２２と、内部電極層２２の面内方向において内部電極層２２に隣接して設けられた絶縁部２３とを有し、絶縁部２３の材料の組成は、誘電体層２５の材料の組成と異なり、内部電極層２２は、第１外部電極１１又は第２外部電極１２に電気的に接続され、絶縁部２３は、第２外部電極１２と内部電極層２２との間に位置して内部電極層２２と第２外部電極１２とを絶縁している、又は、第１外部電極１１と内部電極層２２との間に位置して内部電極層２２と第１外部電極１１とを絶縁している。
【選択図】図１Ａ
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１外部電極と、
前記第１外部電極に向かい合う第２外部電極と、
前記第１外部電極及び前記第２外部電極に接するように前記第１外部電極と前記第２外部電極との間に配置された積層体と、
を備え、
前記積層体は、複数の中間層と複数の誘電体層とを有し、前記中間層と前記誘電体層とが交互に積層されており、
前記複数の中間層の各々は、内部電極層と、前記内部電極層の面内方向において前記内部電極層に隣接して設けられた絶縁部とを有し、
前記絶縁部の材料の組成は、前記誘電体層の材料の組成と異なり、
前記内部電極層は、前記第１外部電極又は前記第２外部電極に電気的に接続され、
前記絶縁部は、前記第２外部電極と前記内部電極層との間に位置して前記内部電極層と前記第２外部電極とを絶縁している、又は、前記第１外部電極と前記内部電極層との間に位置して前記内部電極層と前記第１外部電極とを絶縁している、
積層コンデンサ。
前記第１外部電極に向かい合う第２外部電極と、
前記第１外部電極及び前記第２外部電極に接するように前記第１外部電極と前記第２外部電極との間に配置された積層体と、
を備え、
前記積層体は、複数の中間層と複数の誘電体層とを有し、前記中間層と前記誘電体層とが交互に積層されており、
前記複数の中間層の各々は、内部電極層と、前記内部電極層の面内方向において前記内部電極層に隣接して設けられた絶縁部とを有し、
前記絶縁部の材料の組成は、前記誘電体層の材料の組成と異なり、
前記内部電極層は、前記第１外部電極又は前記第２外部電極に電気的に接続され、
前記絶縁部は、前記第２外部電極と前記内部電極層との間に位置して前記内部電極層と前記第２外部電極とを絶縁している、又は、前記第１外部電極と前記内部電極層との間に位置して前記内部電極層と前記第１外部電極とを絶縁している、
積層コンデンサ。
【請求項2】
前記第１外部電極に向かい合う前記絶縁部と前記第２外部電極に向かい合う前記絶縁部とが前記積層体の厚さ方向において交互に配置されている、
請求項１に記載の積層コンデンサ。
請求項１に記載の積層コンデンサ。
【請求項3】
前記複数の中間層は、前記誘電体層を介して隣接する第１中間層及び第２中間層を有し、
前記第１中間層の前記内部電極層が前記第１外部電極に電気的に接続され、
前記第１中間層の前記絶縁部が前記第２外部電極と前記第１中間層の前記内部電極層との間に位置し、
前記第２中間層の前記内部電極層が前記第２外部電極に電気的に接続され、
前記第２中間層の前記絶縁部が前記第１外部電極と前記第２中間層の前記内部電極層との間に位置している、
請求項１に記載の積層コンデンサ。
前記第１中間層の前記内部電極層が前記第１外部電極に電気的に接続され、
前記第１中間層の前記絶縁部が前記第２外部電極と前記第１中間層の前記内部電極層との間に位置し、
前記第２中間層の前記内部電極層が前記第２外部電極に電気的に接続され、
前記第２中間層の前記絶縁部が前記第１外部電極と前記第２中間層の前記内部電極層との間に位置している、
請求項１に記載の積層コンデンサ。
【請求項4】
前記誘電体層の面積は、前記内部電極層の面積と前記絶縁部の面積との合計以下かつ前記内部電極層の面積以上である、
請求項１に記載の積層コンデンサ。
請求項１に記載の積層コンデンサ。
【請求項5】
前記誘電体層は、ハロゲン化物を含む、
請求項１に記載の積層コンデンサ。
請求項１に記載の積層コンデンサ。
【請求項6】
前記誘電体層は、１価のカチオンＡ、２価のカチオンＢ、ハロゲン元素Ｘを含み、ＡＢ2Ｘ5で表される組成を有する化合物を含む、
請求項１に記載の積層コンデンサ。
請求項１に記載の積層コンデンサ。
【請求項7】
前記絶縁部は、絶縁性の化合物を含み、
前記絶縁性の化合物は、前記内部電極層に含まれた金属を含む化合物である、
請求項１に記載の積層コンデンサ。
前記絶縁性の化合物は、前記内部電極層に含まれた金属を含む化合物である、
請求項１に記載の積層コンデンサ。
【請求項8】
複数の内部電極層と複数の誘電体層とを有する積層コンデンサの製造方法であって、
前記内部電極層としての導電性基材の外周部に絶縁部を設けることと、
塗布法によって前記導電性基材の上に前記誘電体層を形成することと、
を含む、積層コンデンサの製造方法。
前記内部電極層としての導電性基材の外周部に絶縁部を設けることと、
塗布法によって前記導電性基材の上に前記誘電体層を形成することと、
を含む、積層コンデンサの製造方法。
【請求項9】
前記絶縁部が積層体の第１側面に現れる層と前記絶縁部が前記積層体の第２側面に現れる層とが前記積層体の厚さ方向において交互に配置されるように、前記導電性基材、前記絶縁部及び前記誘電体層をそれぞれ有する接合シートを積層して前記積層体を形成することと、
前記積層体の前記第１側面に第１外部電極を取り付けることと、
前記積層体の前記第２側面に第２外部電極を取り付けることと、
をさらに含む、請求項８に記載の積層コンデンサの製造方法。
前記積層体の前記第１側面に第１外部電極を取り付けることと、
前記積層体の前記第２側面に第２外部電極を取り付けることと、
をさらに含む、請求項８に記載の積層コンデンサの製造方法。
【請求項10】
前記誘電体層は、１価のカチオンＡ、２価のカチオンＢ、ハロゲン元素Ｘを含み、組成ＡＢ2Ｘ5で表される化合物を含む、
請求項８に記載の積層コンデンサの製造方法。
請求項８に記載の積層コンデンサの製造方法。
【請求項11】
前記導電性基材の陽極酸化によって前記導電性基材の前記外周部に前記絶縁部を設ける、
請求項８に記載の積層コンデンサの製造方法。
請求項８に記載の積層コンデンサの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、積層コンデンサ及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
従来の積層コンデンサには、誘電体としてセラミック材料が使用されている。
【0003】
特許文献１には、ＢａＴｉＯ3などの酸化物が含まれた誘電体層を有する積層セラミックコンデンサが記載されている。特許文献１に記載された積層セラミックコンデンサは、典型的には、セラミックチップからなる素体と、一対の外部電極とを有する。素体内には、複数の内部電極層がそれぞれ対向して配置され、各内部電極層の端部が長さ方向の両端面に交互に露出している。一対の外部電極は、内部電極層の露出した端部と導通するように、素体の両端面にそれぞれ形成される。上記構成の積層セラミックコンデンサは、典型的には、誘電体の原料粉末を含むグリーンシート上に、所定の内部電極パターンをそれぞれ印刷した後、積層、裁断及び焼成する工程を経て製造される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開２０１３－１８７２３９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
本開示は、塗布法によって合成可能な誘電体に適した構造を持つ積層コンデンサを提供する。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本開示は、
第１外部電極と、
前記第１外部電極に向かい合う第２外部電極と、
前記第１外部電極及び前記第２外部電極に接するように前記第１外部電極と前記第２外部電極との間に配置された積層体と、
を備え、
前記積層体は、複数の中間層と複数の誘電体層とを有し、前記中間層と前記誘電体層とが交互に積層されており、
前記複数の中間層の各々は、内部電極層と、前記内部電極層の面内方向において前記内部電極層に隣接して設けられた絶縁部とを有し、
前記絶縁部の材料の組成は、前記誘電体層の材料の組成と異なり、
前記内部電極層は、前記第１外部電極又は前記第２外部電極に電気的に接続され、
前記絶縁部は、前記第２外部電極と前記内部電極層との間に位置して前記内部電極層と前記第２外部電極とを絶縁している、又は、前記第１外部電極と前記内部電極層との間に位置して前記内部電極層と前記第１外部電極とを絶縁している、
積層コンデンサを提供する。
第１外部電極と、
前記第１外部電極に向かい合う第２外部電極と、
前記第１外部電極及び前記第２外部電極に接するように前記第１外部電極と前記第２外部電極との間に配置された積層体と、
を備え、
前記積層体は、複数の中間層と複数の誘電体層とを有し、前記中間層と前記誘電体層とが交互に積層されており、
前記複数の中間層の各々は、内部電極層と、前記内部電極層の面内方向において前記内部電極層に隣接して設けられた絶縁部とを有し、
前記絶縁部の材料の組成は、前記誘電体層の材料の組成と異なり、
前記内部電極層は、前記第１外部電極又は前記第２外部電極に電気的に接続され、
前記絶縁部は、前記第２外部電極と前記内部電極層との間に位置して前記内部電極層と前記第２外部電極とを絶縁している、又は、前記第１外部電極と前記内部電極層との間に位置して前記内部電極層と前記第１外部電極とを絶縁している、
積層コンデンサを提供する。
【発明の効果】
【0007】
本開示によれば、塗布法によって合成可能な誘電体に適した構造を持つ積層コンデンサを提供できる。
【図面の簡単な説明】
【0008】
【発明を実施するための形態】
【0009】
（本開示の基礎となった知見）
近年、電子機器の小型化及びその機能の向上に伴い、電子回路の小型化、電子回路の集積度の向上、及び電子回路の動作周波数の向上が進んでいる。電子回路に用いられる電子部品に関しても同様に小型化及び性能の向上が求められている。例えば、小形で高い静電容量を有するコンデンサを提供できれば、電子部品の小型化及びその性能の向上に貢献できると考えられる。静電容量はコンデンサに用いられる誘電体の比誘電率に依存し、その比誘電率が高いほど静電容量が大きくなる。高い比誘電率を示す誘電体として、酸化物誘電体を用いた積層コンデンサが広く開発されている。しかし、酸化物を合成するには５００℃以上の高温での焼成が必要であることが多い。大面積のセラミックグリーンシートを焼成すると、原料粉末が収縮することでクラックが生じやすい。そのため、小面積の積層コンデンサしか作製できず、酸化物誘電体を用いた積層コンデンサの容量の向上には限界がある。さらに、高温焼成のため積層コンデンサの製造コストが高くなりやすい。さらに、酸化物の弾性定数は小さいことが多く、粉末の加圧成形体の充填率を高めにくく、積層コンデンサの性能を高めにくい。加えて、曲げ応力に対しても酸化物は高い強度を有しにくい。
近年、電子機器の小型化及びその機能の向上に伴い、電子回路の小型化、電子回路の集積度の向上、及び電子回路の動作周波数の向上が進んでいる。電子回路に用いられる電子部品に関しても同様に小型化及び性能の向上が求められている。例えば、小形で高い静電容量を有するコンデンサを提供できれば、電子部品の小型化及びその性能の向上に貢献できると考えられる。静電容量はコンデンサに用いられる誘電体の比誘電率に依存し、その比誘電率が高いほど静電容量が大きくなる。高い比誘電率を示す誘電体として、酸化物誘電体を用いた積層コンデンサが広く開発されている。しかし、酸化物を合成するには５００℃以上の高温での焼成が必要であることが多い。大面積のセラミックグリーンシートを焼成すると、原料粉末が収縮することでクラックが生じやすい。そのため、小面積の積層コンデンサしか作製できず、酸化物誘電体を用いた積層コンデンサの容量の向上には限界がある。さらに、高温焼成のため積層コンデンサの製造コストが高くなりやすい。さらに、酸化物の弾性定数は小さいことが多く、粉末の加圧成形体の充填率を高めにくく、積層コンデンサの性能を高めにくい。加えて、曲げ応力に対しても酸化物は高い強度を有しにくい。
【0010】
例えばハロゲン化物は、酸化物のこのようなデメリットを解消できる可能性がある。ハロゲン化物は、一般的に、水及び有機溶媒への溶解性が高いので塗布法によって合成が可能である。加えて、２００℃以下の低温でハロゲン化物を合成することができるので、積層コンデンサの面積の増加及び製造コストの低減が期待される。また、高温に対する耐久性が高くないフィルム等の基板の上にもハロゲン化物を成膜できるので、フレキシブルなコンデンサの実現が期待される。さらに、ハロゲン化物の弾性定数は概して酸化物の弾性定数よりも高いので、粉末の加圧成形体の充填率を高めやすい。しかし、ハロゲン化物のような塗布法で合成可能な誘電体の比誘電率は低いため、これまで塗布法かつ低温焼成により積層コンデンサを作製することは検討されていなかった。
【0011】
塗布法によって内部電極上に誘電体層を形成する場合、内部電極の大きさが誘電体層の大きさに一致するか、内部電極の大きさが誘電体層の大きさを上回る。誘電体層の形成後、内部電極を所定寸法に切断し、複数の内部電極を積層して積層体を作製すると、内部電極が全ての端面に露出する。積層体に１対の外部電極を取り付けると、内部電極は、１対の外部電極の両方に電気的に接続される。この場合、外部電極に電圧を印加しても内部電極間に電位差が生じず、電荷を蓄えることができない。したがって、塗布法によって作製可能な誘電体に適した構造が必要である。
【0012】
上記の知見に基づいて、本発明者らは本開示の積層コンデンサを案出した。
【0013】
以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら説明する。本開示は、以下の実施形態に限定されない。
【0014】
（実施の形態１）
図１は、本開示の実施の形態１に係る積層コンデンサの斜視図である。図１Ｂは、図１Ａに示す積層コンデンサの分解斜視図である。図１Ｃは、図１Ａに示す積層コンデンサのIC-IC線に沿って矢印方向に視た断面図である。積層コンデンサ１００は、第１外部電極１１、第２外部電極１２及び積層体２０を備えている。第１外部電極１１と第２外部電極１２とは、Ｘ方向（第１方向）において互いに向かい合っている。積層体２０は、第１外部電極１１及び第２外部電極１２に接するように第１外部電極１１と第２外部電極１２との間に配置されている。第１外部電極１１及び第２外部電極１２を介して、積層体２０に電荷が蓄積され、積層体２０から電荷が取り出される。
図１は、本開示の実施の形態１に係る積層コンデンサの斜視図である。図１Ｂは、図１Ａに示す積層コンデンサの分解斜視図である。図１Ｃは、図１Ａに示す積層コンデンサのIC-IC線に沿って矢印方向に視た断面図である。積層コンデンサ１００は、第１外部電極１１、第２外部電極１２及び積層体２０を備えている。第１外部電極１１と第２外部電極１２とは、Ｘ方向（第１方向）において互いに向かい合っている。積層体２０は、第１外部電極１１及び第２外部電極１２に接するように第１外部電極１１と第２外部電極１２との間に配置されている。第１外部電極１１及び第２外部電極１２を介して、積層体２０に電荷が蓄積され、積層体２０から電荷が取り出される。
【0015】
積層体２０は、直方体の形状を有し、平面視で矩形の形状を有する。積層体２０の縦方向、横方向及び高さ方向をそれぞれＸ方向（第１方向）、Ｙ方向（第２方向）及びＺ方向（第３方向）と定義する。第１外部電極１１及び第２外部電極１２は、Ｘ方向において互いに向かい合っている。Ｙ方向及びＺ方向に平行な積層体２０の２つの側面に第１外部電極１１及び第２外部電極１２が取り付けられている。
【0016】
積層体２０は、複数の中間層２１及び複数の誘電体層２５を有する。積層体２０において、中間層２１と誘電体層２５とは交互に積層されている。中間層２１及び誘電体層２５の積層方向はＺ方向である。複数の中間層２１の各々は、内部電極層２２及び絶縁部２３を有する。絶縁部２３は、内部電極層２２の面内方向において内部電極層２２に隣接して設けられており、第１外部電極１１又は第２外部電極１２に向かい合っている。内部電極層２２の面内方向は、例えば、Ｘ方向及びＹ方向の両方に平行な方向である。
【0017】
内部電極層２２は、第１外部電極１１又は第２外部電極１２に電気的に接続されている。絶縁部２３は、第２外部電極１２と内部電極層２２との間に位置して内部電極層２２と第２外部電極１２とを絶縁している。あるいは、絶縁部２３は、第１外部電極１１と内部電極層２２との間に位置して内部電極層２２と第１外部電極１１とを絶縁している。ただし、本実施の形態では、絶縁部２３の材料の組成が誘電体層２５の材料の組成と異なる。中間層２１に絶縁部２３を設けることで、内部電極層２２が第１外部電極１１及び第２外部電極１２の両方に同時に電気的に接続されることを阻止できる。これにより、積層コンデンサ１００が正常に機能しうる。絶縁部２３の材料の組成が誘電体層２５の材料の組成と異なるので、絶縁部２３の材料選択の余地がある。このことは、積層コンデンサ１００の設計自由度を高める。
【0018】
第１外部電極１１に向かい合う絶縁部２３と第２外部電極１２に向かい合う絶縁部２３とが積層体２０の厚さ方向（Ｚ方向）において交互に配置されている。詳細には、複数の中間層２１は、誘電体層２５を介して隣接する第１中間層２１ａ及び第２中間層２１ｂを有する。第１中間層２１ａの内部電極層２２が第１外部電極１１に電気的に接続されている。第１中間層２１ａの絶縁部２３が第２外部電極１２と第１中間層２１ａの内部電極層２２との間に位置している。第２中間層２１ｂの内部電極層２２が第２外部電極１２に電気的に接続されている。第２中間層２１ｂの絶縁部２３が第１外部電極１１と第２中間層２１ｂの内部電極層２２との間に位置している。このような構成によれば、内部電極層２２が第１外部電極１１及び第２外部電極１２の両方に同時に電気的に接続されることを阻止できる。また、積層コンデンサ１００を製造しやすい。
【0019】
図２Ａは、中間層２１の平面図である。図２Ｂは、図２Ａに示す中間層２１のIIB-IIB線に沿って矢印方向に視た部分拡大断面図である。絶縁部２３は、矩形状の中間層２１の一辺に設けられている。絶縁部２３は、矩形状の断面を有し、シート状の中間層２１において一定の幅Ｗを占めている。幅Ｗは、内部電極層２２と第１外部電極１１（又は第２外部電極１２）とを絶縁するのに十分な幅である。中間層２１を平面視したとき、内部電極層２２の面積に対する絶縁部２３の面積の比率は、例えば、０．１％から２０％の範囲にある。
【0020】
図２Ｂに示すように、中間層２１の第１主面２１ｐ及び第２主面２１ｑにおいて、内部電極層２２と絶縁部２３との間には段差がない。内部電極層２２の厚さと絶縁部２３の厚さが等しく、内部電極層２２と絶縁部２３とが面一で接している。このような構成は、積層体２０の寸法精度を高める観点で有利である。「主面」は、最も広い面積を有する面を意味する。
【0021】
図２Ｃは、図２Ｂとは別の中間層の部分拡大断面図である。図２Ｄは、図２Ｂ、図２Ｃとは更に別の中間層の部分拡大断面図である。図２Ｃに示す絶縁部２３１は、Ｕ字状の断面を有する。図２Ｄに示す絶縁部２３２は、Ｌ字状の断面を有する。絶縁部２３１及び絶縁部２３２は、内部電極層２２の表面にのみ設けられている。このような形状の絶縁部２３１及び絶縁部２３２も本開示の積層コンデンサ１００に採用可能である。
【0022】
図１Ｂから理解できるように、本実施の形態において、誘電体層２５の面積は、中間層２１の面積に等しい。つまり、誘電体層２５の面積は、内部電極層２２の面積と絶縁部２３の面積との合計に等しい。絶縁部２３に重なる部分には電荷が殆ど蓄積されないので、誘電体層２５の面積は、中間層２１の面積より小さく、内部電極層２２の面積以上であってもよい。このような構成によれば、積層コンデンサ１００の容量を最大限に確保することができる。
【0023】
本実施の形態では、第１外部電極１１及び第２外部電極１２が取り付けられていない積層体２０の２つの側面に内部電極層２２が露出している。これらの側面は、例えば、樹脂などの絶縁物で被覆されていてもよい。
【0024】
中間層２１の厚さは特に限定されない。中間層２１が薄い場合、積層コンデンサ１００の積層数を増やして容量を増やすことができる。中間層２１の厚さは、例えば、０．１μｍから１００μｍの範囲にある。内部電極層２２と内部電極層２２との間の絶縁性を確保できる限りにおいて、誘電体層２５の厚さも特に限定されない。誘電体層２５の厚さは、例えば、５ｎｍから１００μｍの範囲にある。
【0025】
次に、第１外部電極１１、第２外部電極１２及び積層体２０のそれぞれの材料について説明する。
【0026】
第１外部電極１１及び第２外部電極１２をなす材料は、特定の材料に限定されない。第１外部電極１１及び第２外部電極１２のそれぞれは、例えば、金属を含んでいる。第１外部電極１１及び第２外部電極１２のそれぞれは、例えば弁金属を含んでいる。弁金属の例は、Ａｌ、Ｔａ、Ｎｂ、及びＢｉである。第１外部電極１１及び第２外部電極１２のそれぞれは、例えば、弁金属として、Ｔａ、Ｎｂ、及びＢｉからなる群より選択される少なくとも１つを含んでいる。第１外部電極１１及び第２外部電極１２のそれぞれは、金、白金などの貴金属を含んでいてもよいし、ニッケルを含んでいてもよいし、１３族、１４族、又は１５族の金属元素を含んでいてもよい。
【0027】
積層体２０の中間層２１において、内部電極層２２をなす材料は、特定の材料に限定されない。内部電極層２２は、例えば、金属を含んでいる。内部電極層２２は、例えば弁金属を含んでいる。弁金属の例は、Ａｌ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｓｎ、Ｐｂ及びＢｉである。内部電極層２２は、例えば、弁金属として、Ｔａ、Ｎｂ、及びＢｉからなる群より選択される少なくとも１つを含んでいる。内部電極層２２は、金、白金などの貴金属を含んでいてもよいし、ニッケルを含んでいてもよいし、１３族、１４族、又は１５族の金属元素を含んでいてもよい。
【0028】
内部電極層２２をなす金属材料、第１外部電極１１をなす金属材料及び第２外部電極１２をなす金属材料は、同じ金属材料であってもよい。
【0029】
内部電極層２２は金属シート又は金属箔によって構成されていてもよい。内部電極層２２は、導電性を有する樹脂フィルムによって構成されていてもよい。
【0030】
積層体２０の中間層２１において、絶縁部２３は、絶縁性の化合物を含む。絶縁性の化合物は、有機化合物であってもよく、無機化合物であってもよい。絶縁性の化合物は、例えば、内部電極層２２に含まれた金属を含む化合物である。このような構成によれば、内部電極層２２としての金属シート又は金属箔の一部に絶縁性を付与することによって、絶縁部２３を形成することができる。
【0031】
絶縁部２３をなす材料は、内部電極層２２に含まれる金属の酸化物、窒化物、硫化物、又はハロゲン化物であってもよい。酸化物の例としては、Ａｌ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5、Ｎｂ2Ｏ5、ＳｎＯ2、ＰｂＯ、Ｂｉ2Ｏ3などが挙げられる。窒化物の例としては、ＡｌＮが挙げられる。ハロゲン化物の例としては、ＡｌＦ3、ＴａＦ5、ＮｂＦ5、ＳｎＦ2、ＰｂＦ2、ＢｉＦ3などが挙げられる。
【0032】
絶縁部２３をなす材料は、内部電極層２２に含まれる材料と異なっていてもよい。絶縁部２３は誘電体で構成されていてもよい。絶縁部２３を構成する誘電体は、例えば、誘電体層２５の比誘電率より高い比誘電率を有する。絶縁部２３を構成する誘電体は、ＢａＴｉＯ3、ＰｂＴｉＯ3、ＳｒＴｉＯ3などのペロブスカイト化合物であってもよいし、層状ペロブスカイト化合物であってもよい。絶縁部２３を構成する誘電体は、Ruddlesden-Popper化合物、Dion-Jacobson化合物、タングステンブロンズ化合物、及びパイロクロア化合物からなる群より選ばれる少なくとも１つを含んでいてもよい。
【0033】
絶縁部２３をなす材料は高分子であってもよい。高分子の例としては、ポリエチレンオキシド、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳなどが挙げられる。ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳは、ポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＯＴ）とポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）とを含む複合材料である。
【0034】
誘電体層２５は、塗布法で合成できる化合物を含むことが望ましい。塗布法で合成できる化合物を誘電体層２５が含むことにより、積層コンデンサ１００の製造コストの低減及び積層コンデンサ１００の大面積化が容易になる。
【0035】
誘電体層２５は、例えばハロゲン化物を含む。本発明者らの知見によれば、高い比誘電率を有するハロゲン化物誘電体を塗布法で合成することができる。そのようなハロゲン化物誘電体は、誘電体層２５に適した材料である。
【0036】
誘電体層２５の材料としてのハロゲン化物は、ＡＢ2Ｘ5で表される組成を有していてもよい。この組成において、Ａは１価のカチオンを表す。Ｂは２価のカチオンを表す。Ｘはハロゲン元素である。当該ハロゲン化物は、塗布法で合成でき、かつ、高い比誘電率を有するので、誘電体層２５に適した材料である。
【0037】
上記の組成におけるＢは、Ｓｎ又はＰｂであってもよい。Ｓｎ又はＰｂは、孤立電子対を有している。孤立電子対は、特定の原子に属する２個の電子が対となって入ってつくられた電子対であり他の原子と共有されていないものである。例えば、Ｓｎ2+イオンは、孤立電子対を有する。Ｓｎ2+イオンではＳｎから電子が２個奪われており、最外殻のｓ軌道を満たす２つの電子が孤立電子対をなす。孤立電子対をなす電子は、周りのイオンと結合を生じさせにくく、不安定な電子状態又は特殊な結晶構造を生じさせうる。このため、ハロゲン化物におけるスズイオンが孤立電子対を有していると、ハロゲン化物の比誘電率が高くなりやすい。一方、スズのイオンとして、Ｓｎ2+イオン以外にＳｎ4+イオンも存在しうる。Ｓｎ4+イオンでは、Ｓｎから電子が４個奪われ、最外殻のｓ軌道は空になっている。このため、Ｓｎ4+イオンは、孤立電子対を有しない。この場合、低配位数の結晶構造が形成されやすく、材料の比誘電率が高くなりにくい。
【0038】
上記の組成におけるＢの全てが孤立電子対を有していてもよいし、ＡＢ2Ｘ5におけるＢの一部のみが孤立電子対を有していてもよい。
【0039】
上記の組成におけるＸは、例えば、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩからなる群より選ばれる少なくとも１つを含んでいる。この場合、ハロゲン化物が高い比誘電率をより有しやすい。
【0040】
上記の組成におけるＡは、Ｌｉ+、Ｎａ+、Ｋ+、Ｒｂ+、Ｃｓ+、Ｃｕ+、Ａｇ+、Ｉｎ+、Ｔｌ+など１価のカチオン群より選ばれてもよい。この場合、ハロゲン化物が高い比誘電率をより有しやすい。
【0041】
上記の組成におけるＡは、分子性カチオンを有していてもよい。分子性カチオンであるＡは、窒素原子及び水素原子のみを有していてもよいし、炭素原子をさらに有していてもよい。この場合、ハロゲン化物が高い比誘電率をより有しやすい。
【0042】
上記の組成におけるＡは、例えば、下記式（Ｉ）で表されるアンモニウムイオンである。式（Ｉ）において、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、及びＲ4のそれぞれは、水素原子、アルキル基、アリール基、又はＮＨ2である。この場合、分子イオンであるカチオンが所望の分極性を有しやすく、ハロゲン化物が高い比誘電率をより有しやすい。
【0043】
【化1】
【0044】
ハロゲン化物は、例えば、逆ペロブスカイト型構造を有する。このような構成によれば、ハロゲン化物が高い比誘電率をより有しやすい。
【0045】
逆ペロブスカイト型構造は、通常のペロブスカイト型の化合物におけるカチオン及びアニオンの配置が入れ替わった構造である。換言すると、ペロブスカイト型の化合物の中で特定のサイトを占めるイオンが有する電荷の正負と、逆ペロブスカイト型構造の化合物の中でその特定のサイトを占めるイオンが有する電荷の正負とが逆になっている。
【0046】
図３Ａ及び図３Ｂは、ＣｓＳｎＣｌ3の結晶構造を示す図である。図３Ｂは、図３Ａに示す結晶構造をｃ軸負方向に沿って見た図である。ＣｓＳｎＣｌ3はペロブスカイト型構造を有する。図４Ａ、図４Ｂ、及び図４Ｃは、ＣｓＳｎ2Ｃｌ5の結晶構造を示す図である。図４Ａは、カチオンを中心とする配位多面体によって表したＣｓＳｎ2Ｃｌ5の結晶構造を示す図である。図４Ｂは、アニオンを中心とする配位多面体によって表したＣｓＳｎ2Ｃｌ5の結晶構造を示す図である。図４Ｃは、図４Ｂに示す結晶構造をｃ軸負方向に沿って見た図である。ＣｓＳｎ2Ｃｌ5は逆ペロブスカイト型構造を有する。図３Ａに示す通り、ＣｓＳｎＣｌ3では、ペロブスカイト型構造のＡサイトにＣｓが配置され、ＢサイトにＳｎが配置され、ＸサイトにＣｌが配置されている。一方、図４Ｂに示す通り、ＣｓＳｎ2Ｃｌ5では、ペロブスカイト型構造のＡサイトに相当するサイトにＣｌ4が配置され、Ｂサイトに相当するサイトにＣｌが配置され、Ｘサイトに相当するサイトにＣｓ又はＳｎが配置されている。換言すると、ＣｓＳｎ2Ｃｌ5は、ＡＢＸ3の表記では（Ｃｌ4）Ｃｌ（ＣｓＳｎ2）と表される。第一原理計算によると、ＣｓＳｎＣｌ3の比誘電率は３９．４と算出され、ＣｓＳｎ2Ｃｌ5の比誘電率は７９．５と算出された。
【0047】
図４Ｂに示す通り、ＣｓＳｎ2Ｃｌ5は、頂点共有の複数の八面体の頂点にカチオンであるＣｓ+又はＳｎ2+が配置され、かつ、その八面体の中心にアニオンであるＣｌ-が配置されている部位を有する。このため、頂点共有の複数の八面体の頂点にカチオンが配置され、かつ、その八面体の中心にアニオンが配置されている部位を有する逆ペロブスカイト型構造の化合物は、ペロブスカイト型構造の化合物よりも高い比誘電率を有することが期待される。本発明者らの検討によれば、逆ペロブスカイト型構造の化合物がこのような部位を有することにより、逆ペロブスカイト型構造においてイオンが直線に沿って並びやすく、分極が大きくなりやすいと考えられる。このため、ハロゲン化物が高い比誘電率を有しやすく、ハロゲン化物を誘電体層２５に用いた積層コンデンサ１００の静電容量が高くなりやすい。
【0048】
図４Ｄは、（ＮＨ4）Ｓｎ2Ｃｌ5の結晶構造を示す図である。（ＮＨ4）Ｓｎ2Ｃｌ5も逆ペロブスカイト型構造を有する。
【0049】
ＡＢ2Ｘ5の組成を有するハロゲン化物が有する逆ペロブスカイト型構造は、特定の構造に限定されない。逆ペロブスカイト型構造は、ＮＨ4Ｐｂ2Ｂｒ5型構造であってもよいし、Ｃｓ3ＣｏＣｌ5型構造であってもよいし、Ｌａ2ＣｕＳｂＳ5型構造であってもよいし、Ｌａ4ＦｅＳｂ2Ｓ10型構造であってもよいし、Ｂａ4Ｉｎ2Ｔｅ2Ｓ5型構造であってもよいし、Ｙ2ＨｆＳ5型構造であってもよいし、ＴｌＰｂ2Ｃｌ5型構造であってもよい。
【0050】
ハロゲン化物の比誘電率は特定の値に限定されない。ハロゲン化物の室温における比誘電率は、例えば、１ＭＨｚにおいて、４０より高くてもよいし、４５以上、５０以上、６０以上、７０以上、８０以上、９０以上、又は１００以上であってもよい。室温は、例えば、２０℃から２５℃の範囲における特定の温度である。ハロゲン化物の室温における比誘電率は、例えば、１ＭＨｚにおいて、１００００以下である。換言すると、ハロゲン化物の室温における比誘電率は、例えば、１ＭＨｚにおいて、４０以上１００００以下である。
【0051】
次に、積層コンデンサ１００の製造方法を説明する。図５は、本開示の積層コンデンサの製造方法を示す工程図である。
【0052】
図５（ａ）に示すように、内部電極層２２として金属シート２２１などの導電性基材を準備する。
【0053】
次に、図５（ｂ）に示すように、導電性基材の外周部に絶縁部２３を設ける。これにより、内部電極層２２及び絶縁部２３を有する中間層２１が得られる。例えば、導電性基材の一辺に絶縁処理を施すことによって絶縁部２３を設けることができる。絶縁処理としては、絶縁性の被膜で導電性基材の一部を被覆すること、化成処理によって導電性基材の一部に絶縁性の被膜を形成すること、電気化学的な処理によって導電性基材の一部の電気的性質を導電性から絶縁性に変化させることなどが挙げられる。
【0054】
図６は、絶縁部２３の作製方法の一例を示す図である。例えば、導電性基材が金属シートである場合、上記の絶縁処理として、陽極酸化を採用できる。導電性基材の陽極酸化によって導電性基材の外周部に絶縁部２３を設けることができる。例えば、図６に示すように、金属シート２２１の一部を希硫酸などの電解液に浸漬させ、金属シート２２１と対極２２２とを電気的に接続する。対極２２２は、例えば、炭素板又は白金板である。金属シート２２１と対極２２２との間に電圧を印加する。これにより、電解液に浸漬した金属シート２２１の一部が酸化され、絶縁部２３が形成される。
【0055】
陽極酸化によると耐電圧に優れた酸化被膜を絶縁部２３として形成できる。その結果、絶縁部２３によって、第１中間層２１ａの内部電極層２２が第２外部電極１２に導通すること、又は、第２中間層２１ｂの内部電極層２２が第１外部電極１１に導通することを阻止できる。また、陽極酸化によると、図２Ａから図２Ｃを参照して説明したように、内部電極層２２と絶縁部２３との間に段差が生じることを回避できる。つまり、均一な厚さの中間層２１を形成できる。
【0056】
絶縁性の被膜で導電性基材の一部を被覆する方法としては、ポリエチレンオキシドなどの高分子を含む溶液に導電性基材の一部を浸漬して高分子の被膜を形成することが挙げられる。導電性基材の種類にも依存するが、化成処理によって絶縁性の被膜を形成する方法としては、リン酸塩処理などが挙げられる。
【0057】
次に、図５（ｃ）に示すように、塗布法によって中間層２１としての導電性基材の上に誘電体層２５を形成する。中間層２１は予め絶縁部２３を有するので、塗布法によって誘電体層２５を形成するのに適している。塗布法によれば、大面積の誘電体層２５を比較的容易に形成できる。
【0058】
塗布法によって誘電体層２５を形成するために、誘電体の原料又は誘電体を含む溶液を調製する。例えば、誘電体がＮＨ4Ｐｂ2Ｂｒ5である場合、ＮＨ4ＢｒとＰｂＢｒ2とをジメチルスルホキシドなどの溶媒に溶解させて溶液を調製する。この溶液を中間層２１に塗布して塗布膜を形成する。塗布膜を１００℃から２００℃の温度で焼成する。これにより、溶媒が揮発し、中間層２１の上に誘電体層２５が形成される。
【0059】
誘電体層２５を形成するための塗布法としては、スピンコーティング、インクジェット、ダイコーティング、ロールコーティング、バーコーティング、ラングミュア・ブロジェット、ディップコーティング、スプレーコーティングなどが挙げられる。
【0060】
中間層２１への溶液の塗布は、ロールツーロール方式によって行ってもよい。すなわち、繰り出しロールから巻取りロールへと長尺の中間層２１を搬送しながら、中間層２１への溶液の塗布、及び、塗布膜の焼成を行うことができる。このような方法は、生産性に優れる。
【0061】
誘電体層２５を形成したのち、中間層２１を誘電体層２５とともに所定寸法に切断する。これにより、中間層２１及び誘電体層２５を有する所定寸法の電極－誘電体接合シート３０が得られる。例えば、長尺の導電性基材を用いて電極－誘電体接合シート３０を作製する場合、図１Ａに示すＸ－Ｚ平面に平行な側面が切断面となる。
【0062】
次に、図５（ｄ）に示すように、複数の電極－誘電体接合シート３０を積層して積層体２０を形成する。具体的には、絶縁部２３が積層体２０の第１側面２０ｒに現れる層と絶縁部２３が積層体２０の第２側面２０ｓに現れる層とが積層体２０の厚さ方向（Ｚ方向）において交互に配置されるように、複数の電極－誘電体接合シート３０を積層する。第１側面２０ｒ及び第２側面２０ｓは、図１Ａに示すＹ－Ｚ平面に平行な側面である。
【0063】
電極－誘電体接合シート３０の積層数は特に限定されず、目的とする容量に応じて適宜設定される。１０層以上１００層以下の電極－誘電体接合シート３０が積層されてもよい。積層された複数の電極－誘電体接合シート３０は、熱圧着法、静水圧プレス法などの加圧方法によって加圧されて一体化される。これにより、積層体２０が作製される。
【0064】
次に、図５（ｅ）に示すように、積層体２０の第１側面２０ｒに第１外部電極１１を取り付け、積層体２０の第２側面２０ｓに第２外部電極１２を取り付ける。これにより、本開示の積層コンデンサ１００が得られる。例えば、ニッケルなどの卑金属材料を含む導電ペーストを積層体２０の第１側面２０ｒ及び第２側面２０ｓに塗布して塗布層を形成する。塗布層を乾燥させることによって、第１外部電極１１及び第２外部電極１２が形成される。第１外部電極１１及び第２外部電極１２の表面に半田めっきが施されてもよい。
【0065】
（実施の形態２）
図７Ａは、実施の形態２に係る積層体の分解斜視図である。図７Ｂは、図７Ａに示す積層体に用いられた中間層の平面図である。積層体２０１は、複数の中間層２１１及び複数の誘電体層２５を有する。図１Ａに示す積層コンデンサ１００において、積層体２０に代えて、積層体２０１を用いることができる。
図７Ａは、実施の形態２に係る積層体の分解斜視図である。図７Ｂは、図７Ａに示す積層体に用いられた中間層の平面図である。積層体２０１は、複数の中間層２１１及び複数の誘電体層２５を有する。図１Ａに示す積層コンデンサ１００において、積層体２０に代えて、積層体２０１を用いることができる。
【0066】
中間層２１１は、内部電極層２２及び絶縁部２３を有する。矩形状の中間層２１１の１対の向かい合う辺に絶縁部２３が設けられている。詳細には、絶縁部２３は、第１外部電極１１及び第２外部電極１２に接する１対の辺から選ばれる一辺に設けられた第１部分２３ｊと、第２外部電極１２及び第１外部電極１１に接する１対の辺から選ばれる他の一辺に設けられた第２部分２３ｋとを含む。第１部分２３ｊは、中間層２１１の一辺の全部に設けられているので、第１部分２３ｊは、内部電極層２２と第１外部電極１１（又は第２外部電極１２）とを絶縁する。第２部分２３ｋは、中間層２１１の他の一辺の一部にのみ設けられているので、第２部分２３ｋが設けられていない部分を介して内部電極層２２と第２外部電極１２（又は第１外部電極１１）とが導通する。このような構成によれば、仮に、ある中間層２１１の絶縁部２３ｊが劣化して絶縁性が低下したとしても、その中間層２１１の上下に位置した中間層２１１の絶縁部２３ｋによって内部電極層２２１同士が短絡することを防ぐことができる。
【0067】
図７Ａに示す４つの中間層２１１は、同一の構造を有する。ただし、積層体２０１において、４つの中間層２１１の向きは互いに異なる。積層体２０１の厚さ方向において絶縁部２３の第１部分２３ｊが千鳥状に配置されるように、各中間層２１１の向きが定められている。４つの中間層２１１及び４つの誘電体層２５によって、１周期の繰り返し構造が形成されている。
【0068】
（実施の形態３）
図８Ａは、実施の形態３に係る積層体の分解斜視図である。図８Ｂは、図８Ａに示す積層体に用いられた中間層の平面図である。積層体２０３は、複数の中間層２１３及び複数の誘電体層２５を有する。図１Ａに示す積層コンデンサ１００において、積層体２０に代えて、積層体２０３を用いることができる。
図８Ａは、実施の形態３に係る積層体の分解斜視図である。図８Ｂは、図８Ａに示す積層体に用いられた中間層の平面図である。積層体２０３は、複数の中間層２１３及び複数の誘電体層２５を有する。図１Ａに示す積層コンデンサ１００において、積層体２０に代えて、積層体２０３を用いることができる。
【0069】
中間層２１３は、内部電極層２２及び絶縁部２３を有する。本実施の形態において、絶縁部２３は、矩形状の中間層２１３の３つの辺に設けられている。中間層２１３を平面視したとき、内部電極層２２がＵ字状の絶縁部２３によって囲まれており、一辺のみにおいて内部電極層２２が中間層２１３の側面に露出している。絶縁部２３が設けられていない一辺において、内部電極層２２が第１外部電極１１又は第２外部電極１２に電気的に接続される。このような構成によれば、内部電極層２２が積層コンデンサ１００の側面に露出しない。
【0070】
（実施の形態４）
図９Ａは、実施の形態４に係る積層体の分解斜視図である。図９Ｂは、図９Ａに示す積層体に用いられた中間層の平面図である。積層体２０５は、複数の中間層２１５及び複数の誘電体層２５を有する。図１Ａに示す積層コンデンサ１００において、積層体２０に代えて、積層体２０５を用いることができる。
図９Ａは、実施の形態４に係る積層体の分解斜視図である。図９Ｂは、図９Ａに示す積層体に用いられた中間層の平面図である。積層体２０５は、複数の中間層２１５及び複数の誘電体層２５を有する。図１Ａに示す積層コンデンサ１００において、積層体２０に代えて、積層体２０５を用いることができる。
【0071】
中間層２１５は、内部電極層２２及び絶縁部２３を有する。本実施の形態において、絶縁部２３は、矩形状の中間層２１５の４つの辺に設けられている。ただし、絶縁部２３は、中間層２１５の一辺において一部にのみ設けられ、残りの３つの辺の全部に設けられている。絶縁部２３が設けられていない一辺において、内部電極層２２が第１外部電極１１又は第２外部電極１２に電気的に接続される。つまり、本実施の形態における中間層２１５は、実施の形態２の中間層２１１（図７Ｂ）と実施の形態３の中間層２１３（図８Ｂ）との組み合わせである。そのため、本実施の形態によれば、実施の形態２及び実施の形態３の両方の利益が得られる。
【0072】
（他の実施の形態）
図１０Ａは、本開示の電気回路の一例を模式的に示す図である。電気回路３は、積層コンデンサ１００を備えている。電気回路３は、能動回路であってもよいし、受動回路であってもよい。電気回路３は、放電回路であってもよいし、平滑回路であってもよいし、デカップリング回路であってもよいし、カップリング回路であってもよい。電気回路３が積層コンデンサ１００を備えているので、電気回路３が所望の性能を発揮しやすい。例えば、電気回路３において積層コンデンサ１００によりノイズが低減されやすい。
図１０Ａは、本開示の電気回路の一例を模式的に示す図である。電気回路３は、積層コンデンサ１００を備えている。電気回路３は、能動回路であってもよいし、受動回路であってもよい。電気回路３は、放電回路であってもよいし、平滑回路であってもよいし、デカップリング回路であってもよいし、カップリング回路であってもよい。電気回路３が積層コンデンサ１００を備えているので、電気回路３が所望の性能を発揮しやすい。例えば、電気回路３において積層コンデンサ１００によりノイズが低減されやすい。
【0073】
図１０Ｂは、本開示の回路基板の一例を模式的に示す図である。図１０Ｂに示す通り、回路基板５は積層コンデンサ１００を備えている。例えば、回路基板５において、積層コンデンサ１００を含む電気回路３が形成されている。回路基板５は、組み込みボードであってもよいし、マザーボードであってもよい。
【0074】
図１０Ｃは、本開示の機器の一例を模式的に示す図である。図１０Ｃに示す通り、機器７は、例えば、積層コンデンサ１００を備えている。機器７は、例えば、積層コンデンサ１００を含む回路基板５を備えている。機器７は、積層コンデンサ１００を備えているので、機器７が所望の性能を発揮しやすい。機器７は、電子機器であってもよいし、通信機器であってもよいし、信号処理装置であってもよいし、電源装置であってもよい。機器７は、サーバーであってもよいし、ＡＣアダプタであってもよいし、アクセラレータであってもよいし、液晶表示装置（ＬＣＤ）などのフラットパネルディスプレイであってもよい。機器７は、ＵＳＢ充電器であってもよいし、ソリッドステートドライブ（ＳＳＤ）であってもよいし、ＰＣ、スマートフォン、タブレットＰＣなどの情報端末であってもよいし、イーサーネットスイッチであってもよい。
【0075】
（付記）
以上の記載より、下記の技術が開示される。
以上の記載より、下記の技術が開示される。
【0076】
（技術１）
第１外部電極と、
前記第１外部電極に向かい合う第２外部電極と、
前記第１外部電極及び前記第２外部電極に接するように前記第１外部電極と前記第２外部電極との間に配置された積層体と、
を備え、
前記積層体は、複数の中間層と複数の誘電体層とを有し、前記中間層と前記誘電体層とが交互に積層されており、
前記複数の中間層の各々は、内部電極層と、前記内部電極層の面内方向において前記内部電極層に隣接して設けられた絶縁部とを有し、
前記絶縁部の材料の組成は、前記誘電体層の材料の組成と異なり、
前記内部電極層は、前記第１外部電極又は前記第２外部電極に電気的に接続され、
前記絶縁部は、前記第２外部電極と前記内部電極層との間に位置して前記内部電極層と前記第２外部電極とを絶縁している、又は、前記第１外部電極と前記内部電極層との間に位置して前記内部電極層と前記第１外部電極とを絶縁している、
積層コンデンサ。
第１外部電極と、
前記第１外部電極に向かい合う第２外部電極と、
前記第１外部電極及び前記第２外部電極に接するように前記第１外部電極と前記第２外部電極との間に配置された積層体と、
を備え、
前記積層体は、複数の中間層と複数の誘電体層とを有し、前記中間層と前記誘電体層とが交互に積層されており、
前記複数の中間層の各々は、内部電極層と、前記内部電極層の面内方向において前記内部電極層に隣接して設けられた絶縁部とを有し、
前記絶縁部の材料の組成は、前記誘電体層の材料の組成と異なり、
前記内部電極層は、前記第１外部電極又は前記第２外部電極に電気的に接続され、
前記絶縁部は、前記第２外部電極と前記内部電極層との間に位置して前記内部電極層と前記第２外部電極とを絶縁している、又は、前記第１外部電極と前記内部電極層との間に位置して前記内部電極層と前記第１外部電極とを絶縁している、
積層コンデンサ。
【0077】
技術１によれば、塗布法によって合成可能な誘電体に適した構造を持つ積層コンデンサを提供できる。
【0078】
（技術２）
前記第１外部電極に向かい合う前記絶縁部と前記第２外部電極に向かい合う前記絶縁部とが前記積層体の厚さ方向において交互に配置されている、技術１に記載の積層コンデンサ。
前記第１外部電極に向かい合う前記絶縁部と前記第２外部電極に向かい合う前記絶縁部とが前記積層体の厚さ方向において交互に配置されている、技術１に記載の積層コンデンサ。
【0079】
（技術３）
前記複数の中間層は、前記誘電体層を介して隣接する第１中間層及び第２中間層を有し、前記第１中間層の前記内部電極層が前記第１外部電極に電気的に接続され、前記第１中間層の前記絶縁部が前記第２外部電極と前記第１中間層の前記内部電極層との間に位置し、前記第２中間層の前記内部電極層が前記第２外部電極に電気的に接続され、前記第２中間層の前記絶縁部が前記第１外部電極と前記第２中間層の前記内部電極層との間に位置している、技術１又は２に記載の積層コンデンサ。
前記複数の中間層は、前記誘電体層を介して隣接する第１中間層及び第２中間層を有し、前記第１中間層の前記内部電極層が前記第１外部電極に電気的に接続され、前記第１中間層の前記絶縁部が前記第２外部電極と前記第１中間層の前記内部電極層との間に位置し、前記第２中間層の前記内部電極層が前記第２外部電極に電気的に接続され、前記第２中間層の前記絶縁部が前記第１外部電極と前記第２中間層の前記内部電極層との間に位置している、技術１又は２に記載の積層コンデンサ。
【0080】
技術２及び技術３によれば、内部電極層が第１外部電極及び第２外部電極の両方に同時に電気的に接続されることを阻止できる。また、積層コンデンサを製造しやすい。
【0081】
（技術４）
前記誘電体層の面積は、前記内部電極層の面積と前記絶縁部の面積との合計以下かつ前記内部電極層の面積以上である、技術１から３のいずれか１項に記載の積層コンデンサ。このような構成によれば、積層コンデンサの容量を最大限に確保することができる。
前記誘電体層の面積は、前記内部電極層の面積と前記絶縁部の面積との合計以下かつ前記内部電極層の面積以上である、技術１から３のいずれか１項に記載の積層コンデンサ。このような構成によれば、積層コンデンサの容量を最大限に確保することができる。
【0082】
（技術５）
前記誘電体層は、ハロゲン化物を含む、技術１から４のいずれか１項に記載の積層コンデンサ。ハロゲン化物は、塗布法で形成される誘電体層に適した材料である。
前記誘電体層は、ハロゲン化物を含む、技術１から４のいずれか１項に記載の積層コンデンサ。ハロゲン化物は、塗布法で形成される誘電体層に適した材料である。
【0083】
（技術６）
前記誘電体層は、１価のカチオンＡ、２価のカチオンＢ、ハロゲン元素Ｘを含み、ＡＢ2Ｘ5で表される組成を有する化合物を含む、技術１から４のいずれか１項に記載の積層コンデンサ。当該ハロゲン化物は、塗布法で合成でき、かつ、高い比誘電率を有するので、誘電体層に適した材料である。
前記誘電体層は、１価のカチオンＡ、２価のカチオンＢ、ハロゲン元素Ｘを含み、ＡＢ2Ｘ5で表される組成を有する化合物を含む、技術１から４のいずれか１項に記載の積層コンデンサ。当該ハロゲン化物は、塗布法で合成でき、かつ、高い比誘電率を有するので、誘電体層に適した材料である。
【0084】
（技術７）
前記絶縁部は、絶縁性の化合物を含み、前記絶縁性の化合物は、前記内部電極層に含まれた金属を含む化合物である、技術１から６のいずれか１項に記載の積層コンデンサ。このような構成によれば、内部電極層としての金属シート又は金属箔の一部に絶縁性を付与することによって、絶縁部を形成することができる。
前記絶縁部は、絶縁性の化合物を含み、前記絶縁性の化合物は、前記内部電極層に含まれた金属を含む化合物である、技術１から６のいずれか１項に記載の積層コンデンサ。このような構成によれば、内部電極層としての金属シート又は金属箔の一部に絶縁性を付与することによって、絶縁部を形成することができる。
【0085】
（技術８）
複数の内部電極層と複数の誘電体層とを有する積層コンデンサの製造方法であって、
前記内部電極層としての導電性基材の外周部に絶縁部を設けることと、
塗布法によって前記導電性基材の上に前記誘電体層を形成することと、
を含む、積層コンデンサの製造方法。
複数の内部電極層と複数の誘電体層とを有する積層コンデンサの製造方法であって、
前記内部電極層としての導電性基材の外周部に絶縁部を設けることと、
塗布法によって前記導電性基材の上に前記誘電体層を形成することと、
を含む、積層コンデンサの製造方法。
【0086】
塗布法によれば、大面積の誘電体層を比較的容易に形成できる。
【0087】
（技術９）
前記絶縁部が積層体の第１側面に現れる層と前記絶縁部が前記積層体の第２側面に現れる層とが前記積層体の厚さ方向において交互に配置されるように、前記導電性基材、前記絶縁部及び前記誘電体層をそれぞれ有する接合シートを積層して前記積層体を形成することと、前記積層体の前記第１側面に第１外部電極を取り付けることと、前記積層体の前記第２側面に第２外部電極を取り付けることと、をさらに含む、技術８に記載の積層コンデンサの製造方法。これにより、本開示の積層コンデンサが得られる。
前記絶縁部が積層体の第１側面に現れる層と前記絶縁部が前記積層体の第２側面に現れる層とが前記積層体の厚さ方向において交互に配置されるように、前記導電性基材、前記絶縁部及び前記誘電体層をそれぞれ有する接合シートを積層して前記積層体を形成することと、前記積層体の前記第１側面に第１外部電極を取り付けることと、前記積層体の前記第２側面に第２外部電極を取り付けることと、をさらに含む、技術８に記載の積層コンデンサの製造方法。これにより、本開示の積層コンデンサが得られる。
【0088】
（技術１０）
前記誘電体層は、１価のカチオンＡ、２価のカチオンＢ、ハロゲン元素Ｘを含み、組成ＡＢ2Ｘ5で表される化合物を含む、技術８又は９に記載の積層コンデンサの製造方法。当該ハロゲン化物は、塗布法で合成でき、かつ、高い比誘電率を有するので、誘電体層に適した材料である。
前記誘電体層は、１価のカチオンＡ、２価のカチオンＢ、ハロゲン元素Ｘを含み、組成ＡＢ2Ｘ5で表される化合物を含む、技術８又は９に記載の積層コンデンサの製造方法。当該ハロゲン化物は、塗布法で合成でき、かつ、高い比誘電率を有するので、誘電体層に適した材料である。
【0089】
（技術１１）
前記導電性基材の陽極酸化によって前記導電性基材の前記外周部に前記絶縁部を設ける、技術８から１０のいずれか１項に記載の積層コンデンサの製造方法。陽極酸化によると耐電圧に優れた酸化被膜を絶縁部として形成できる。
前記導電性基材の陽極酸化によって前記導電性基材の前記外周部に前記絶縁部を設ける、技術８から１０のいずれか１項に記載の積層コンデンサの製造方法。陽極酸化によると耐電圧に優れた酸化被膜を絶縁部として形成できる。
【実施例0090】
アセトンで満たされた容器に内部電極層であるスズ箔（２０ｍｍ角、厚み０．１ｍｍ）を浸した状態で超音波洗浄を１０分間行い、スズ箔の表面を洗浄した。その後、スズ箔の表面に付着したアセトンを蒸発させ、純水でスズ箔の表面を洗浄した。その後、スズ箔を大気中で乾燥させた。
【0091】
Ｈ3ＰＯ4が加えられた水溶液中において、スズ箔と、対極としての白金箔とを所定の間隔で配置した。スズ箔は、水面から５ｍｍの位置に固定し浸水させた。水溶液に浸されていないスズ箔の部分を電源装置の正極に接続し、水溶液に浸されていない白金箔の部分を電源装置の負極に接続した。定電圧で電源装置から電流を流し、スズ箔と対極との間に６４Ｖの電圧を３０分間印加した。陽極であるスズ箔の表面において電気化学反応を生じさせ、スズ箔の一辺に絶縁部（酸化スズ）を形成した。絶縁部が形成されたスズ箔を水溶液中から取り出し、純水で洗浄して大気中で乾燥させた。
【0092】
次に、０．５ｍｍｏｌのＮＨ4Ｂｒ及び１ｍｍｏｌのＰｂＢｒ2をＤＭＳＯ及びＤＭＦの混合溶媒１ｍｌに添加し、混合溶液を得た。混合溶媒におけるＤＭＳＯ：ＤＭＦの体積比は、１：４であった。
【0093】
グローブボックス内で、混合溶液（８０μＬ）をスピンコート法によりスズ箔に滴下し、塗布膜を得た。グローブボックスの内部はＮ2で満たされており、その酸素濃度は０．１ｐｐｍ以下であった。
【0094】
次に、塗布膜を摂氏８０度に維持されたホットプレート上で３０分間焼成した。このようにして、誘電体層を形成した。誘電体層は、組成式ＮＨ4Ｐｂ2Ｂｒ5の逆ペロブスカイト化合物を主成分として含有していた。
【0095】
誘電体層が製膜された３枚のスズ箔を絶縁部が互い違いになるように積層し、２ＭＰａの圧力を加えて積層体を得た。
【0096】
最後に、積層体の２つの側面にＡｇペーストを塗布し、乾燥させることで第１外部電極及び第２外部電極を形成した。これにより、内部電極層が金属スズで形成され、誘電体層が組成式ＮＨ4Ｐｂ2Ｂｒ5の逆ペロブスカイト化合物で形成された積層コンデンサを得た。
【産業上の利用可能性】
【0097】
本開示にかかる積層コンデンサは、大面積化が容易であり、高い静電容量を有しやすく有用である。
【符号の説明】
【0098】
３ 電気回路
５ 回路基板
７ 機器
１１ 第１外部電極
１２ 第２外部電極
２０，２０１，２０３，２０５ 積層体
２０ｒ 第１側面
２０ｓ 第２側面
２１，２１１，２１３，２１５ 中間層
２１ａ 第１中間層
２１ｂ 第２中間層
２１ｐ 第１主面
２１ｑ 第２主面
２２ 内部電極層
２２１ 金属シート
２３，２３１，２３２ 絶縁部
２３ｊ 第１部分
２３ｋ 第２部分
２５ 誘電体層
３０ 電極－誘電体接合シート
１００ 積層コンデンサ
５ 回路基板
７ 機器
１１ 第１外部電極
１２ 第２外部電極
２０，２０１，２０３，２０５ 積層体
２０ｒ 第１側面
２０ｓ 第２側面
２１，２１１，２１３，２１５ 中間層
２１ａ 第１中間層
２１ｂ 第２中間層
２１ｐ 第１主面
２１ｑ 第２主面
２２ 内部電極層
２２１ 金属シート
２３，２３１，２３２ 絶縁部
２３ｊ 第１部分
２３ｋ 第２部分
２５ 誘電体層
３０ 電極－誘電体接合シート
１００ 積層コンデンサ
【図1A】
【図1B】
【図1C】
【図2A】
【図2B】
【図2C】
【図2D】
【図3A】
【図3B】
【図4A】
【図4B】
【図4C】
【図4D】
【図5】
【図6】
【図7A】
【図7B】
【図8A】
【図8B】
【図9A】
【図9B】
【図10A】
【図10B】
【図10C】