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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024016744
(43)【公開日】2024-02-07
(54)【発明の名称】発光装置およびその製造方法
(51)【国際特許分類】
H01S 5/028 20060101AFI20240131BHJP
H01S 5/026 20060101ALI20240131BHJP
【ＦＩ】
H01S5/028
H01S5/026 610
【審査請求】未請求
【請求項の数】20
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022119077
(22)【出願日】2022-07-26
(71)【出願人】
【識別番号】316005926
【氏名又は名称】ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100120031
【弁理士】
【氏名又は名称】宮嶋 学
(72)【発明者】
【氏名】小野 章吾
【テーマコード（参考）】
5F173
【Ｆターム（参考）】
5F173AC53
5F173AD04
5F173AD20
5F173AH47
5F173AL10
5F173AL13
5F173AL14
5F173AL21
5F173AP33
5F173AP42
5F173AP91
5F173AR99
(57)【要約】
【課題】個片化後の基板を好適に保護することが可能な発光装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本開示の発光装置は、基板と、前記基板の第１面に設けられた発光素子と、前記基板の第２面に設けられたレンズと、前記基板の前記第１面と前記第２面との間の第３面に設けられた膜とを備える。
【選択図】図５
【解決手段】本開示の発光装置は、基板と、前記基板の第１面に設けられた発光素子と、前記基板の第２面に設けられたレンズと、前記基板の前記第１面と前記第２面との間の第３面に設けられた膜とを備える。
【選択図】図５
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板と、
前記基板の第１面に設けられた発光素子と、
前記基板の第２面に設けられたレンズと、
前記基板の前記第１面と前記第２面との間の第３面に設けられた膜と、
を備える発光装置。
前記基板の第１面に設けられた発光素子と、
前記基板の第２面に設けられたレンズと、
前記基板の前記第１面と前記第２面との間の第３面に設けられた膜と、
を備える発光装置。
【請求項2】
前記膜は、前記基板の前記第２面および前記第３面に設けられている、請求項１に記載の発光装置。
【請求項3】
前記膜は、前記レンズを覆っている、請求項２に記載の発光装置。
【請求項4】
前記膜は、前記発光素子に接していない、請求項１に記載の発光装置。
【請求項5】
前記膜は、反射防止膜である、請求項１に記載の発光装置。
【請求項6】
前記膜は、シリコンを含む、請求項１に記載の発光装置。
【請求項7】
前記膜は、前記基板の前記第３面に設けられた第１膜と、前記基板の前記第３面に前記第１膜を介して設けられた第２膜とを含む、請求項１に記載の発光装置。
【請求項8】
前記第１膜は、シリコンと窒素とを含み、前記第２膜は、シリコンと酸素とを含む、請求項７に記載の発光装置。
【請求項9】
前記基板は、化合物半導体基板である、請求項１に記載の発光装置。
【請求項10】
前記基板は、ガリウムとヒ素とを含む、請求項９に記載の発光装置。
【請求項11】
前記基板の前記第３面は、テーパー形状を有する、請求項１に記載の発光装置。
【請求項12】
基板の第１面に発光素子を形成し、
前記基板の第２面にレンズを形成し、
前記基板を個片化し、
前記基板の個片化後に、前記基板の前記第１面と前記第２面との間の第３面に膜を形成する、
ことを含む発光装置の製造方法。
前記基板の第２面にレンズを形成し、
前記基板を個片化し、
前記基板の個片化後に、前記基板の前記第１面と前記第２面との間の第３面に膜を形成する、
ことを含む発光装置の製造方法。
【請求項13】
前記膜は、前記基板の個片化後に、前記基板の前記第２面および前記第３面に形成される、請求項１２に記載の発光装置の製造方法。
【請求項14】
前記膜は、前記レンズを覆うように形成される、請求項１３に記載の発光装置の製造方法。
【請求項15】
前記膜は、前記発光素子に接しないように形成される、請求項１２に記載の発光装置の製造方法。
【請求項16】
前記膜は、反射防止膜である、請求項１２に記載の発光装置の製造方法。
【請求項17】
前記膜は、前記基板の前記第３面に形成された第１膜と、前記基板の前記第３面に前記第１膜を介して形成された第２膜とを含むように形成される、請求項１２に記載の発光装置の製造方法。
【請求項18】
前記基板は、化合物半導体基板である、請求項１２に記載の発光装置の製造方法。
【請求項19】
前記基板の前記第３面は、前記基板の個片化により形成される、請求項１２に記載の発光装置の製造方法。
【請求項20】
前記基板の個片化は、ドライエッチングにより行われる、請求項１２に記載の発光装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、発光装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
半導体レーザーの一種として、ＶＣＳＥＬ（Vertical Cavity Surface Emitting Laser）等の面発光レーザーが知られている。一般に、面発光レーザーを利用した発光装置では、基板の表面または裏面に複数の発光素子が２次元アレイ状に設けられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特表２００４－５２６１９４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
上記の基板を個片化すると、個片化後の基板の側面に堆積物が付着することや、個片化後の基板の側面に酸化物が生成されることが問題となる。堆積物は例えば、基板を個片化する際のドライエッチングに起因して生じる。一方、酸化物は例えば、基板の側面が酸化されることで生じる。これら堆積物や酸化物が基板の側面から脱落すると、ダストの原因となる。
【0005】
そこで、本開示は、個片化後の基板を好適に保護することが可能な発光装置およびその製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本開示の第１の側面の発光装置は、基板と、前記基板の第１面に設けられた発光素子と、前記基板の第２面に設けられたレンズと、前記基板の前記第１面と前記第２面との間の第３面に設けられた膜とを備える。これにより例えば、基板の第３面に膜を形成することで、個片化後の基板を好適に保護することが可能となる。
【0007】
また、この第１の側面において、前記膜は、前記基板の前記第２面および前記第３面に設けられていてもよい。これにより例えば、基板の第２面と第３面とにまたがる膜を形成することで、個片化後の基板を好適に保護することが可能となる。
【0008】
また、この第１の側面において、前記膜は、前記レンズを覆っていてもよい。これにより例えば、レンズ用の膜により、個片化後の基板を好適に保護することが可能となる。
【0009】
また、この第１の側面において、前記膜は、前記発光素子に接していなくてもよい。これにより例えば、発光素子用には用いられない膜により、個片化後の基板を好適に保護することが可能となる。
【0010】
また、この第１の側面において、前記膜は、反射防止膜でもよい。これにより例えば、個片化後の基板を、反射防止膜により好適に保護することが可能となる。
【0011】
また、この第１の側面において、前記膜は、シリコンを含んでいてもよい。これにより例えば、安価に形成可能なシリコン系の膜により、個片化後の基板を好適に保護することが可能となる。
【0012】
また、この第１の側面において、前記膜は、前記基板の前記第３面に設けられた第１膜と、前記基板の前記第３面に前記第１膜を介して設けられた第２膜とを含んでいてもよい。これにより例えば、反射防止膜等として使用可能な膜により、個片化後の基板を好適に保護することが可能となる。
【0013】
また、この第１の側面において、前記第１膜は、シリコンと窒素とを含み、前記第２膜は、シリコンと酸素とを含んでいてもよい。これにより例えば、反射防止膜等として使用可能な膜により、個片化後の基板を好適に保護することが可能となる。
【0014】
また、この第１の側面において、前記基板は、化合物半導体基板でもよい。これにより例えば、もろいことや酸化されやすいことが問題となる化合物半導体基板を用いる場合でも、個片化後の基板を好適に保護することが可能となる。
【0015】
また、この第１の側面において、前記基板は、ガリウムとヒ素とを含んでいてもよい。これにより例えば、ＧａＡｓ（ガリウムヒ素）基板などの化合物半導体基板を用いる場合でも、個片化後の基板を好適に保護することが可能となる。
【0016】
また、この第１の側面において、前記基板の前記第３面は、テーパー形状を有していてもよい。これにより例えば、基板の個片化をドライエッチング等により行う場合でも、個片化後の基板を好適に保護することが可能となる。
【0017】
本開示の第２の側面の発光装置の製造方法は、基板の第１面に発光素子を形成し、前記基板の第２面にレンズを形成し、前記基板を個片化し、前記基板の個片化後に、前記基板の前記第１面と前記第２面との間の第３面に膜を形成することを含む。これにより例えば、基板の第３面に膜を形成することで、個片化後の基板を好適に保護することが可能となる。
【0018】
また、この第２の側面において、前記膜は、前記基板の個片化後に、前記基板の前記第２面および前記第３面に形成されてもよい。これにより例えば、基板の第２面と第３面とにまたがる膜を形成することで、個片化後の基板を好適に保護することが可能となる。
【0019】
また、この第２の側面において、前記膜は、前記レンズを覆うように形成されてもよい。これにより例えば、レンズ用の膜により、個片化後の基板を好適に保護することが可能となる。
【0020】
また、この第２の側面において、前記膜は、前記発光素子に接しないように形成されてもよい。これにより例えば、発光素子用には用いられない膜により、個片化後の基板を好適に保護することが可能となる。
【0021】
また、この第２の側面において、前記膜は、反射防止膜でもよい。これにより例えば、個片化後の基板を、反射防止膜により好適に保護することが可能となる。
【0022】
また、この第２の側面において、前記膜は、前記基板の前記第３面に形成された第１膜と、前記基板の前記第３面に前記第１膜を介して形成された第２膜とを含むように形成されてもよい。これにより例えば、反射防止膜等として使用可能な膜により、個片化後の基板を好適に保護することが可能となる。
【0023】
また、この第２の側面において、前記基板は、化合物半導体基板でもよい。これにより例えば、もろいことや酸化されやすいことが問題となる化合物半導体基板を用いる場合でも、個片化後の基板を好適に保護することが可能となる。
【0024】
また、この第２の側面において、前記基板の前記第３面は、前記基板の個片化により形成されてもよい。これにより例えば、個片化により生じた第３面を膜により保護することで、個片化後の基板を好適に保護することが可能となる。
【0025】
また、この第２の側面において、前記基板の個片化は、ドライエッチングにより行われてもよい。これにより例えば、ドライエッチングにより堆積物が生じる場合でも、個片化後の基板を好適に保護することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【0026】
【図1】第１実施形態の測距装置の構成例を示すブロック図である。
【図2】第１実施形態のＳＴＬ（Structured Light）方式を説明するための図である。
【図3】第１実施形態の発光装置の構造の例を示す断面図である。
【図5】第１実施形態の発光装置の構造を示す断面図と平面図である。
【図6】第１実施形態の発光装置の基板の構造を示す平面図と断面図である。
【図7】比較例の発光装置の製造方法を示す断面図(1/3)である。
【図8】比較例の発光装置の製造方法を示す断面図(2/3)である。
【図9】比較例の発光装置の製造方法を示す断面図(3/3)である。
【図10】第１実施形態の発光装置の製造方法を示す断面図(1/3)である。
【図11】第１実施形態の発光装置の製造方法を示す断面図(2/3)である。
【図12】第１実施形態の発光装置の製造方法を示す断面図(3/3)である。
【図13】第１実施形態と比較例とを比較するための断面図である。
【図14】第１実施形態の発光装置の製造方法を示す断面図(1/2)である。
【図15】第１実施形態の発光装置の製造方法を示す断面図(2/2)である。
【図16】第１実施形態の発光装置の製造方法の詳細を示す断面図である。
【図17】第１実施形態の発光装置の構造と、第１実施形態の変形例の発光装置の構造とを示す断面図である。
【図18】第１実施形態の別の変形例の発光装置の構造を示す断面図である。
【図19】第２実施形態の発光装置の基板の構造の例を示す断面図である。
【図20】第３実施形態の発光装置の基板の構造の例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0027】
以下、本開示の実施形態を、図面を参照して説明する。
【0028】
【0029】
図示のように測距装置１は、発光部２、駆動部３、電源回路４、発光側光学系５、受光側光学系６、受光部７、信号処理部８、制御部９、および温度検出部１０を備えている。
【0030】
発光部２は、複数の光源により光を発する。本例の発光部２は、各光源としてＶＣＳＥＬ（Vertical Cavity Surface Emitting LASER：垂直共振器面発光レーザ）による発光素子２ａを有しており、それら発光素子２ａが例えばマトリクス状等の所定態様により配列されて構成されている。
【0031】
駆動部３は、発光部２を駆動するための電源回路を有して構成される。
【0032】
電源回路４は、例えば測距装置１に設けられた不図示のバッテリ等からの入力電圧に基づき、駆動部３の電源電圧を生成する。駆動部３は、該電源電圧に基づいて発光部２を駆動する。
【0033】
発光部２より発せられた光は、発光側光学系５を介して測距対象としての被写体Ｓに照射される。そして、このように照射された光の被写体Ｓからの反射光は、受光側光学系６を介して受光部７の受光面に入射する。
【0034】
受光部７は、例えばＣＣＤ（Charge Coupled Device）センサやＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）センサ等の受光素子とされ、上記のように受光側光学系６を介して入射する被写体Ｓからの反射光を受光し、電気信号に変換して出力する。
【0035】
受光部７は、受光した光を光電変換して得た電気信号について、例えばＣＤＳ（Correlated Double Sampling）処理、ＡＧＣ（Automatic Gain Control）処理等を実行し、さらにＡ／Ｄ（Analog/Digital）変換処理を行う。そしてデジタルデータとしての信号を、後段の信号処理部８に出力する。
【0036】
また、本例の受光部７は、フレーム同期信号Ｆｓを駆動部３に出力する。これにより駆動部３は、発光部２における発光素子２ａを受光部７のフレーム周期に応じたタイミングで発光させることが可能とされる。
【0037】
信号処理部８は、例えばＤＳＰ（Digital Signal Processor）等により信号処理プロセッサとして構成される。信号処理部８は、受光部７から入力されるデジタル信号に対して、各種の信号処理を施す。
【0038】
制御部９は、例えばＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＲＯＭ（Read Only Memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）等を有するマイクロコンピュータ、またはＤＳＰ等の情報処理装置を備えて構成され、発光部２による発光動作を制御するための駆動部３の制御や、受光部７による受光動作に係る制御を行う。
【0039】
制御部９は、測距部９ａとしての機能を有する。測距部９ａは、信号処理部８を介して入力される信号（つまり被写体Ｓからの反射光を受光して得られる信号）に基づき、被写体Ｓまでの距離を測定する。本例の測距部９ａは、被写体Ｓの三次元形状の特定を可能とするために、被写体Ｓの各部について距離の測定を行う。
【0040】
ここで、測距装置１における具体的な測距の手法については後に改めて説明する。
【0041】
温度検出部１０は、発光部２の温度を検出する。温度検出部１０としては、例えばダイオードを用いて温度検出を行う構成を採ることができる。
【0042】
本例では、温度検出部１０により検出された温度の情報は駆動部３に供給され、これにより駆動部３は該温度の情報に基づいて発光部２の駆動を行うことが可能とされる。
【0043】
（１．２）測距手法について
測距装置１における測距手法としては、例えばＳＴＬ（Structured Light：構造化光）方式やＴｏＦ（Time of Flight：光飛行時間）方式による測距手法を採用することができる。
測距装置１における測距手法としては、例えばＳＴＬ（Structured Light：構造化光）方式やＴｏＦ（Time of Flight：光飛行時間）方式による測距手法を採用することができる。
【0044】
ＳＴＬ方式は、例えばドットパターンや格子パターン等の所定の明／暗パターンを有する光を照射された被写体Ｓの画像に基づいて距離を測定する方式である。
【0045】
図２は、第１実施形態のＳＴＬ方式を説明するための図である。
【0046】
ＳＴＬ方式では、例えば図２のＡに示すようなドットパターンによるパターン光Ｌｐを被写体Ｓに照射する。パターン光Ｌｐは、複数のブロックＢＬに分割されており、各ブロックＢＬにはそれぞれ異なるドットパターンが割当てられている（ブロックＢ間でドットパターンが重複しないようにされている）。
【0047】
図２のＢは、ＳＴＬ方式の測距原理についての説明図である。
【0048】
ここでは、壁Ｗとその前に配置された箱ＢＸとが被写体Ｓとされ、該被写体Ｓに対してパターン光Ｌｐが照射された例としている。図中の「Ｇ」は受光部７による画角を模式的に表している。
【0049】
また、図中の「ＢＬｎ」はパターン光Ｌｐにおける或るブロックＢＬの光を意味し、「ｄｎ」は受光部７による受光画像に映し出されるブロックＢＬｎのドットパターンを意味している。
【0050】
ここで、壁Ｗの前の箱ＢＸが存在しない場合、受光画像においてブロックＢＬｎのドットパターンは図中の「ｄｎ’」の位置に映し出される。すなわち、箱ＢＸが存在する場合と箱ＢＸが存在しない場合とで、受光画像においてブロックＢＬｎのパターンが映し出される位置が異なるものであり、具体的には、パターンの歪みが生じる。
【0051】
ＳＴＬ方式は、このように照射したパターンが被写体Ｓの物体形状によって歪むことを利用して被写体Ｓの形状や奥行きを求める方式となる。具体的には、パターンの歪み方から被写体Ｓの形状や奥行きを求める方式である。
【0052】
ＳＴＬ方式を採用する場合、受光部７としては、例えばグローバルシャッタ方式によるＩＲ（Infrared：赤外線）受光部が用いられる。そして、ＳＴＬ方式の場合、測距部９ａは、発光部２がパターン光を発光するように駆動部３を制御すると共に、信号処理部８を介して得られる画像信号についてパターンの歪みを検出し、パターンの歪み方に基づいて距離を計算する。
【0053】
続いて、ＴｏＦ方式は、発光部２より発された光が対象物で反射されて受光部７に到達するまでの光の飛行時間（時間差）を検出することで、対象物までの距離を測定する方式である。
【0054】
ＴｏＦ方式として、いわゆるダイレクトＴｏＦ（dToF）方式を採用する場合、受光部７としてはＳＰＡＤ（Single Photon Avalanche Diode）を用い、また発光部２はパルス駆動する。この場合、測距部９ａは、信号処理部８を介して入力される信号に基づき、発光部２より発せられ受光部７により受光される光について発光から受光までの時間差を計算し、該時間差と光の速度とに基づいて被写体Ｓの各部の距離を計算する。
【0055】
なお、ＴｏＦ方式として、いわゆるインダイレクトＴｏＦ（iToF）方式（位相差法）を採用する場合、受光部７としては例えばＩＲを受光することのできる受光部が用いられる。
【0056】
（２）第１実施形態の発光装置１ａ
図３は、第１実施形態の発光装置１ａの構造の例を示す断面図である。本実施形態の発光装置１ａは、測距装置１の一部でもよいし、測距装置１そのものでもよい。
図３は、第１実施形態の発光装置１ａの構造の例を示す断面図である。本実施形態の発光装置１ａは、測距装置１の一部でもよいし、測距装置１そのものでもよい。
【0057】
図３のＡは、本実施形態の発光装置１ａの構造の第１の例を示している。この例の発光装置１ａは、上述の発光部２を含むＬＤ（Laser Diode）チップ１１と、上述の駆動部３を含むＬＤＤ（Laser Diode Driver）基板１２と、実装基板１３と、放熱基板１４と、補正レンズ保持部１５と、１つ以上の補正レンズ１６と、配線１７とを備えている。ＬＤチップ１１は、ＶＣＳＥＬ基板とも呼ばれる。
【0058】
図３のＡは、互いに垂直なＸ軸、Ｙ軸、およびＺ軸を示している。Ｘ方向とＹ方向は横方向（水平方向）に相当し、Ｚ方向は縦方向（垂直方向）に相当する。また、＋Ｚ方向は上方向に相当し、－Ｚ方向は下方向に相当する。－Ｚ方向は、厳密に重力方向に一致していてもよいし、厳密には重力方向に一致していなくてもよい。
【0059】
ＬＤチップ１１は、放熱基板１４を介して実装基板１３上に配置され、ＬＤＤ基板１２も、実装基板１３上に配置されている。実装基板１３は、例えばプリント基板である。実装基板１３にはさらに、上述の受光部７や信号処理部８が配置されていてもよい。放熱基板１４は、例えばＡｌ２Ｏ３（酸化アルミニウム）基板やＡｌＮ（窒化アルミニウム基板）などのセラミック基板である。
【0060】
補正レンズ保持部１５は、ＬＤチップ１１を囲むように放熱基板１４上に配置されており、ＬＤチップ１１の上方に１つ以上の補正レンズ１６を保持している。これらの補正レンズ１６は、上述の発光側光学系５に含まれている。ＬＤチップ１１内の発光部２から発光された光は、これらの補正レンズ１６により補正された後、上述の被写体Ｓに照射される。図３のＡは、一例として、補正レンズ保持部１５に保持された２つの補正レンズ１６を示している。
【0061】
配線１７は、実装基板１３の表面、裏面、内部などに設けられており、ＬＤチップ１１とＬＤＤ基板１２とを電気的に接続している。配線１７は例えば、実装基板１３の表面や裏面に設けられたプリント配線や、実装基板１３を貫通するビア配線である。本実施形態の配線１７はさらに、放熱基板１４の内部または付近を通過している。
【0062】
図３のＢは、本実施形態の発光装置１ａの構造の第２の例を示している。この例の発光装置１ａは、第１の例の発光装置１ａと同じ構成要素を備えているが、配線１７の代わりにバンプ１８を備えている。
【0063】
図３のＢでは、放熱基板１４上にＬＤＤ基板１２が配置されており、ＬＤＤ基板１２上にＬＤチップ１１が配置されている。このようにＬＤチップ１１をＬＤＤ基板１２上に配置することにより、第１の例の場合に比べて、実装基板１３のサイズを小型化することが可能となる。図３のＢでは、ＬＤチップ１１が、ＬＤＤ基板１２上にバンプ１８を介して配置されており、バンプ１８によりＬＤＤ基板１２と電気的に接続されている。バンプ１８は例えば、金（Ａｕ）などの金属で形成されている。
【0064】
以下、本実施形態の発光装置１ａについて、図３のＢに示す第２の例の構造を有しているものとして説明する。ただし、以下の説明は、第２の例に特有の構造についての説明を除き、第１の例の構造を有する発光装置１ａにも適用可能である。
【0065】
【0066】
図４は、発光装置１ａ内のＬＤチップ１１とＬＤＤ基板１２の断面を示している。図４に示すように、ＬＤチップ１１は、基板２１と、積層膜２２と、複数の発光素子２３と、複数のアノード電極２４と、カソード電極２５とを備えており、ＬＤＤ基板１２は、基板３１と、複数の接続パッド３２とを備えている。図４に示す発光素子２３は、上述の発光素子２ａの具体例となっている。なお、図４では、後述するレンズ４１および反射防止膜４２の図示が省略されている（図５を参照）。
【0067】
基板２１は例えば、ＧａＡｓ（ガリウムヒ素）基板などの化合物半導体基板である。図４は、－Ｚ方向を向いている基板２１の表面Ｓ１と、＋Ｚ方向を向いている基板２１の裏面Ｓ２とを示している。図４に示す表面Ｓ１および裏面Ｓ２は、Ｚ方向に垂直である。図４では、表面Ｓ１が基板２１の下面となっており、裏面Ｓ２が基板２１の上面となっている。基板２１の表面Ｓ１および裏面Ｓ２はそれぞれ、本開示の基板の第１面および第２面の例である。
【0068】
積層膜２２は、基板２１の表面Ｓ１に積層された複数の層を含んでいる。これらの層の例は、ｎ型半導体層、活性層、ｐ型半導体層、および光反射層や、光の射出窓を有する絶縁層などである。積層膜２２は、－Ｚ方向に突出した複数のポスト部Ｐを含んでいる。これらのポスト部Ｐの一部が、複数の発光素子２３となっている。
【0069】
発光素子２３は、積層膜２２の一部として、基板２１の表面Ｓ１に設けられている。本実施形態の発光素子２３は、ＶＣＳＥＬ構造を有し、光を＋Ｚ方向に出射する。発光素子２３から出射された光は、図４に示すように、基板２１の表面Ｓ１から裏面Ｓ２へと基板２１内を透過し、基板２１から上述の補正レンズ１６に入射する。このように、本実施形態のＬＤチップ１１は、裏面出射型のＶＣＳＥＬチップとなっている。発光素子２３は、メサ部とも呼ばれる。
【0070】
各アノード電極２４は、対応する発光素子２３の下面に形成されている。カソード電極２５は、発光素子２３以外のポスト部Ｐの下面および側面と、ポスト部Ｐ間にある積層膜２２の下面とに、連続的に形成されている。よって、本実施形態のＬＤチップ１１は、複数のアノード電極２４と、１つのカソード電極２５とを備えている。各発光素子２３は、対応するアノード電極２４と当該カソード電極２５との間に電流が流れることで光を出射する。
【0071】
上述のように、ＬＤチップ１１は、ＬＤＤ基板１２上にバンプ１８を介して配置されており、バンプ１８によりＬＤＤ基板１２と電気的に接続されている。具体的には、ＬＤＤ基板１２に含まれる基板３１上に接続パッド３２が形成され、接続パッド３２上にバンプ１８を介してポスト部Ｐが配置されている。各ポスト部Ｐは、アノード電極２４またはカソード電極２５を介してバンプ１８上に配置されている。基板３１は例えば、Ｓｉ（シリコン）基板などの半導体基板である。接続パッド３２は例えば、銅（Ｃｕ）などの金属で形成されている。
【0072】
ＬＤＤ基板１２は、上述のように、ＬＤチップ１１内の発光部２を駆動する駆動部３を含んでいる。図４は、駆動部３内の複数のスイッチＳＷを模式的に示している。各スイッチＳＷは、バンプ１８を介して、対応する発光素子２３と電気的に接続されている。本実施形態の駆動部３は、これらのスイッチＳＷを個々のスイッチＳＷごとに制御（オン・オフ）することができる。よって、駆動部３は、複数の発光素子２３を個々の発光素子２３ごとに駆動させることができる。これにより、例えば測距に必要な発光素子２３のみを発光させるなど、発光部２から出射される光を精密に制御することが可能となる。このような発光素子２３の個別制御は、ＬＤＤ基板１２をＬＤチップ１１の下方に配置することにより、各発光素子２３を対応するスイッチＳＷと電気的に接続しやすくなったことで実現可能となっている。
【0073】
図５は、第１実施形態の発光装置１ａの構造を示す断面図と平面図である。
【0074】
図５のＡは、図４と同様に、発光装置１ａ内のＬＤチップ１１とＬＤＤ基板１２の断面を示している。図５のＡに示すように、ＬＤチップ１１は、基板２１と、積層膜２２と、複数の発光素子２３と、複数のアノード電極２４と、カソード電極２５とを備えており、ＬＤＤ基板１２は、基板３１と、複数の接続パッド３２とを備えている。ただし、図５のＡでは、アノード電極２４、カソード電極２５、および接続パッド３２の図示が省略されている。
【0075】
図５のＡでは、基板２１が、－Ｚ方向を向いている表面Ｓ１と、＋Ｚ方向を向いている裏面Ｓ２と、表面Ｓ１と裏面Ｓ２との間の複数の側面Ｓ３とを有している。これらの側面Ｓ３は、図５のＡではＺ方向に平行となっているが、Ｚ方向に対し傾いていてもよい。すなわち、これらの側面Ｓ３はテーパー形状を有していてもよい。本実施形態の基板２１の形状は、直方体に近い六面体となっており、本実施形態の基板２１は、４つの側面Ｓ３を有している。基板２１の表面Ｓ１、裏面Ｓ２、および側面Ｓ３はそれぞれ、本開示の基板の第１面、第２面、および第３面の例である。
【0076】
本実施形態のＬＤチップ１１は、基板２１の表面Ｓ１に複数の発光素子２３を備えると共に、基板２１の裏面Ｓ２に複数のレンズ４１と反射防止膜（ＡＲ膜）４２とを備えている。本実施形態の反射防止膜４２は、基板２１の側面Ｓ３にも形成されており、基板２１の裏面Ｓ２および側面Ｓ３に連続的に設けられている。反射防止膜４２は、本開示の膜の例である。
【0077】
レンズ４１は、発光素子２３と同様に、２次元アレイ状に配置されている。本実施形態のレンズ４１は、発光素子２３と１対１で対応しており、レンズ４１の各々が、１つの発光素子２３の＋Ｚ方向に配置されている。また、本実施形態のレンズ４１は、図５のＡに示すように、基板２１の裏面Ｓ２に基板２１の一部として設けられている。具体的には、本実施形態のレンズ４１は凸レンズであり、基板２１の裏面Ｓ２を凸形状にエッチング加工することで、基板２１の一部として形成されている。本実施形態によれば、基板２１のエッチング加工によりレンズ４１を形成することで、レンズ４１を簡単に形成することができる。なお、凸レンズ以外のレンズ４１の例については、後述する。
【0078】
反射防止膜４２は、レンズ４１を覆うように基板２１の裏面Ｓ２に形成されている。本実施形態の反射防止膜４２は、基板２１の側面Ｓ３には形成されているが、基板２１の表面Ｓ１には形成されていない。そのため、本実施形態の反射防止膜４２は、発光素子２３に接していない。反射防止膜４２は例えば、基板２１の内部からレンズ４１に入射した光が、基板２１の内部へと反射されることを防止する機能を有している。反射防止膜４２は例えば、Ｓｉ（シリコン）元素を含む膜である。反射防止膜４２は、１つの膜のみで形成されていてもよいし、２つ以上の膜で形成されていてもよい。本実施形態の反射防止膜４２は、基板２１の裏面Ｓ２および側面Ｓ３に順に積層されたＳｉＮ膜（窒化シリコン膜）およびＳｉＯ２膜（酸化シリコン膜）を含む積層膜となっている。反射防止膜４２は、本実施形態では均一な厚さを有しているが、不均一な厚さを有していてもよい。
【0079】
上記複数の発光素子２３から出射された光は、基板２１の表面Ｓ１から裏面Ｓ２へと基板２１内を透過し、上記複数のレンズ４１に入射する。本実施形態では、各発光素子２３から出射された光が、対応する１つのレンズ４１に入射する。これにより、上記複数の発光素子２３から出射された光を、個々のレンズ４１ごとに成形することが可能となる。上記複数のレンズ４１を通過した光は、補正レンズ１６（図３）を通過して、被写体Ｓ（図１）に照射される。なお、発光素子２３とレンズ４１が１対１に対応しない場合の例については、後述する。
【0080】
本実施形態の基板２１の側面Ｓ３は、基板２１の個片化により形成される。例えば、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）などのドライエッチングにより基板２１を個片化すると、テーパー形状の側面Ｓ３が形成されるのが一般的である。基板２１を個片化すると、基板２１の側面Ｓ３に堆積物が付着するおそれや、基板２１の側面Ｓ３に酸化物が生成されるおそれがある。これら堆積物や酸化物が基板２１の側面Ｓ３から脱落すると、ダストの原因となるおそれがある。そこで、本実施形態の反射防止膜４２は、基板２１の個片化後に基板２１の裏面Ｓ２および側面Ｓ３を覆うように形成される。これにより、堆積物を反射防止膜４２で覆うことで堆積物の脱落を抑制することや、側面Ｓ３を酸化前に反射防止膜４２で覆うことで酸化物の生成を抑制することが可能となる。このような効果のさらなる詳細については、後述する。
【0081】
図５のＢは、基板２１の裏面Ｓ２におけるレンズ４１のレイアウトを示している。図５のＡは、図５のＢに示すＡ－Ａ’線に沿った断面を示している。図５のＢでは、レンズ４１が、基板２１の裏面Ｓ２に２次元アレイ状に配置されており、具体的には、正方格子状に配置されている。なお、レンズ４１は、正方格子状の配置以外の態様で配置されていてもよいし、２次元アレイ状の配置以外の態様で配置されていてもよい。
【0082】
図６は、第１実施形態の発光装置１ａの基板２１の構造を示す平面図と断面図である。図６のＡは、ダイシング（個片化）される前の基板２１の構造を示す平面図であり、図６のＢは、図６のＡに示すＡ－Ａ’線に沿った断面図である。
【0083】
本実施形態の基板２１は、図６のＡおよびＢに示すように、複数のチップ領域５１と、スクライブ領域（ダイシング領域）５２とを備えている。各チップ領域５１は、基板２１のダイシング後に１つのＬＤチップ１１となる領域である。スクライブ領域５２は、基板２１のダイシング時にカットされる領域である。本実施形態の基板２１は、スクライブ領域５２においてカットされることで、複数のチップ領域５１に分割される。その結果、各ＬＤチップ１１にて基板２１の側面Ｓ３が形成される。
【0084】
各チップ領域５１は、長方形（または正方形）の平面形状を有しており、レンズ領域５１ａと、周辺領域５１ｂとを含んでいる。レンズ領域５１ａは、２次元アレイ状に配置された複数のレンズ４１を含んでいる（図６のＢ）。周辺領域５１ｂは、レンズ領域５１ａを環状に包囲している。
【0085】
スクライブ領域５２は、上記複数のチップ領域５１を個々のチップ領域５１ごとに環状に包囲する平面形状を有しており、Ｘ方向に延びる複数のスクライブライン（ダイシングライン）５２ａと、Ｙ方向に延びる複数のスクライブライン５２ｂとを含んでいる。本実施形態の基板２１は、これらのスクライブライン５２ａ、５２ｂをドライエッチング（またはダイサー）によりカットすることで、複数のチップ領域５１に分割される。その後、基板２１の裏面Ｓ２および側面Ｓ３に反射防止膜４２（図５を参照）が形成される。符号Ｌは、スクライブライン５２ｂを通過する平面を示している。
【0086】
（３）第１実施形態と比較例との比較
次に、図７～図１３を参照して、第１実施形態の発光装置１ａと比較例の発光装置１ａとを比較する。比較例の発光装置１ａの説明では、本実施形態の発光装置１ａの説明で使用した符号と同じ符号を使用する。
次に、図７～図１３を参照して、第１実施形態の発光装置１ａと比較例の発光装置１ａとを比較する。比較例の発光装置１ａの説明では、本実施形態の発光装置１ａの説明で使用した符号と同じ符号を使用する。
【0087】
【0088】
まず、ＬＤチップ１１用の基板２１を用意し、基板２１の表面Ｓ１に積層膜２２、複数の発光素子２３、複数のアノード電極２４、およびカソード電極２５（図示せず）を形成し、基板２１の裏面Ｓ２に複数のレンズ４１を形成する（図７のＡ）。この工程では、これらの発光素子２３を含む複数のポスト部Ｐが、基板２１の表面Ｓ１に形成される。次に、支持基板６１上に接着層６２を介して基板２１を載置する（図７のＡ）。その結果、基板２１が接着層６２により支持基板６１に接着される。図７のＡでは、基板２１の表面Ｓ１が支持基板６１側を向き、基板２１の裏面Ｓ２が支持基板６１の反対側を向いている。
【0089】
次に、基板２１の裏面Ｓ２に反射防止膜４２を形成する（図７のＢ）。その結果、レンズ４１が反射防止膜４２により覆われる。図７のＢでは、発光素子２３が接着層６２により覆われているため、反射防止膜４２が発光素子２３に接していない。
【0090】
次に、基板２１の裏面Ｓ２に、反射防止膜４２を介してレジスト膜６３を形成する（図７のＣ）。レジスト膜６３は、反射防止膜４２にフォトレジスト材料を塗布することで形成される。
【0091】
次に、フォトマスク６４を用いてレジスト膜６３を露光する（図８のＡ）。その結果、レジスト膜６３内に複数の非露光領域６３ａおよび露光領域６３ｂが形成される。非露光領域６３ａはチップ領域５１を形成するために形成され、露光領域６３ｂはスクライブ領域５２を形成するために形成される。
【0092】
次に、レジスト膜６３を現像する（図８のＢ）。その結果、露光領域６３ｂが除去され、非露光領域６３ａが残存する。すなわち、レジスト膜６３が、非露光領域６３ａの形状にパターニングされる。
【0093】
次に、レジスト膜６３を用いて、ＲＩＥなどのドライエッチングにより、反射防止膜４２、基板２１、および積層膜２２を加工する（図８のＣ）。その結果、溝Ｔが、反射防止膜４２、基板２１、および積層膜２２を貫通するように形成され、基板２１から複数のＬＤチップ１１が形成される。さらには、各ＬＤチップ１１にて基板２１の側面Ｓ３が形成される。図８のＣでは、基板２１のドライエッチングに起因して、側面Ｓ３がテーパー形状となっている。よって、表面Ｓ１付近の溝Ｔの幅は、裏面Ｓ２付近の溝Ｔの幅よりも狭くなっている。
【0094】
図８のＣに示すドライエッチングにより、基板２１が複数のＬＤチップ１１に個片化される。ただし、これらのＬＤチップ１１はまだ、支持基板６１を介して互いに連結されている。基板２１からこれらのＬＤチップ１１への個片化は、図９のＡ～図９のＣに示す工程を経て完了する。
【0095】
次に、レジスト膜６３を除去する（図９のＡ）その結果、反射防止膜４２が大気中に露出する。
【0096】
次に、接着層６６が設けられたダイシングテープ６５を用意し、ダイシングテープ６５を接着層６６と反射防止膜４２とを介して基板２１に貼りつける（図９のＢ）。その結果、基板２１が接着層６６によりダイシングテープ６５に接着される。この工程をテープマウントと呼ぶ。図９のＢでは、基板２１の裏面Ｓ２がダイシングテープ６５側を向き、基板２１の表面Ｓ１がダイシングテープ６５の反対側を向いている。
【0097】
次に、基板２１およびダイシングテープ６５を支持基板６１から剥がし、基板２１およびダイシングテープ６５の向きを上下方向に反転させ、ダイシングテープ６５を引っ張って延ばす（図９のＣ）。その結果、基板２１から複数のＬＤチップ１１への個片化が完了する。この工程をデボンドと呼ぶ。
【0098】
その後、これらのＬＤチップ１１がダイシングテープ６５から剥がされ、各ＬＤチップ１１がＬＤＤ基板１２上に搭載される。このようにして、比較例の発光装置１ａが製造される。
【0099】
【0100】
まず、ＬＤチップ１１用の基板２１を用意し、基板２１の表面Ｓ１に積層膜２２、複数の発光素子２３、複数のアノード電極２４、およびカソード電極２５（図示せず）を形成し、基板２１の裏面Ｓ２に複数のレンズ４１を形成する（図１０のＡ）。この工程では、これらの発光素子２３を含む複数のポスト部Ｐが、基板２１の表面Ｓ１に形成される。レンズ４１は例えば、平面視で５μｍの直径を有する凸レンズである。次に、支持基板６１上に接着層６２を介して基板２１を載置する（図１０のＡ）。その結果、基板２１が接着層６２により支持基板６１に接着される。図１０のＡでは、基板２１の表面Ｓ１が支持基板６１側を向き、基板２１の裏面Ｓ２が支持基板６１の反対側を向いている。
【0101】
次に、基板２１の裏面Ｓ２に、レジスト膜６３を形成する（図１０のＢ）。レジスト膜６３は例えば、基板２１の裏面Ｓ２に、スピンコートによりフォトレジスト材料を塗布することで形成される。
【0102】
次に、フォトマスク６４を用いてレジスト膜６３を露光する（図１０のＣ）。その結果、レジスト膜６３内に複数の非露光領域６３ａおよび露光領域６３ｂが形成される。非露光領域６３ａはチップ領域５１を形成するために形成され、露光領域６３ｂはスクライブ領域５２を形成するために形成される。露光領域６３ｂの幅は、例えば４０μｍである。
【0103】
次に、レジスト膜６３を現像する（図１１のＡ）。その結果、露光領域６３ｂが除去され、非露光領域６３ａが残存する。すなわち、レジスト膜６３が、非露光領域６３ａの形状にパターニングされる。
【0104】
次に、レジスト膜６３を用いて、ＲＩＥなどのドライエッチングにより、基板２１および積層膜２２を加工する（図１１のＢ）。その結果、溝Ｔが、基板２１および積層膜２２を貫通するように形成され、基板２１から複数のＬＤチップ１１が形成される。さらには、各ＬＤチップ１１にて基板２１の側面Ｓ３が形成される。図１１のＢでは、基板２１のドライエッチングに起因して、側面Ｓ３がテーパー形状となっている。よって、表面Ｓ１付近の溝Ｔの幅は、裏面Ｓ２付近の溝Ｔの幅よりも狭くなっている。本実施形態では、基板２１および積層膜２２をプラズマエッチングにより加工することで、所定の深さの溝Ｔを形成する。本実施形態の基板２１は、厚さ１００μｍのＧａＡｓ基板である。
【0105】
図１１のＢに示すドライエッチングにより、基板２１が複数のＬＤチップ１１に個片化される。ただし、これらのＬＤチップ１１はまだ、支持基板６１を介して互いに連結されている。基板２１からこれらのＬＤチップ１１への個片化は、図１１のＣ～図１２のＣに示す工程を経て完了する。
【0106】
次に、レジスト膜６３を除去する（図１１のＣ）その結果、基板２１の裏面Ｓ２が大気中に露出する。レジスト膜６３は例えば、薬液洗浄により除去される。
【0107】
次に、基板２１の裏面Ｓ２に反射防止膜４２を形成する（図１２のＡ）。その結果、レンズ４１が反射防止膜４２により覆われる。図１２のＡでは、発光素子２３が接着層６２により覆われているため、反射防止膜４２が発光素子２３に接していない。一方、各ＬＤチップ１１の基板２１の側面Ｓ３は露出しているため、本実施形態の反射防止膜４２は、各ＬＤチップ１１の基板２１の側面Ｓ３にも形成され、さらには、各ＬＤチップ１１の積層膜２２の側面や、溝Ｔ内の接着層６２の上面にも形成される。本実施形態の反射防止膜４２は、ＳｉＮ膜およびＳｉＯ２膜を順に含む積層膜であり、スパッタリングにより各ＬＤチップ１１の基板２１の裏面Ｓ２および側面Ｓ３に連続的に形成される。
【0108】
次に、接着層６６が設けられたダイシングテープ６５を用意し、ダイシングテープ６５を接着層６６と反射防止膜４２とを介して基板２１に貼りつける（図１２のＢ）。その結果、基板２１が接着層６６によりダイシングテープ６５に接着される。この工程をテープマウントと呼ぶ。図１２のＢでは、基板２１の裏面Ｓ２がダイシングテープ６５側を向き、基板２１の表面Ｓ１がダイシングテープ６５の反対側を向いている。
【0109】
次に、基板２１およびダイシングテープ６５を支持基板６１から剥がし、基板２１およびダイシングテープ６５の向きを上下方向に反転させ、ダイシングテープ６５を引っ張って延ばす（図１２のＣ）。その結果、基板２１から複数のＬＤチップ１１への個片化が完了する。この工程をデボンドと呼ぶ。各ＬＤチップ１１に付着した接着剤（接着層６２、６６）は例えば、薬液洗浄により除去される。
【0110】
その後、これらのＬＤチップ１１がダイシングテープ６５から剥がされ、各ＬＤチップ１１がＬＤＤ基板１２上に搭載される。このようにして、本実施形態の発光装置１ａが製造される。
【0111】
図１３は、第１実施形態と比較例とを比較するための断面図である。
【0112】
図１３のＡは、比較例の発光装置１ａの製造方法を示しており、具体的には、図９のＡに示す工程を示している。基板２１を個片化すると、基板２１の側面Ｓ３に堆積物６７が付着するおそれや、基板２１の側面Ｓ３に酸化物６８が生成されるおそれがある。堆積物６７は例えば、基板２１を個片化する際のドライエッチングに起因して生じる。一方、酸化物６８は例えば、基板２１の側面が酸化されることで生じる。基板２１がＧａＡｓ基板の場合、酸化物６８は例えば、ＧａＡｓ基板中のＡｓ原子が酸化して生成されるＡｓ酸化物である。堆積物６７や酸化物６８が基板２１の側面Ｓ３から脱落すると、ダストの原因となるおそれがある。なお、図１３のＡに示す基板２１の側面Ｓ３は、非テーパー形状となっているが、テーパー形状となっていてもよい。
【0113】
図１３のＢは、本実施形態の発光装置１ａの製造方法を示しており、具体的には、図１２のＡに示す工程を示している。本実施形態の反射防止膜４２は、基板２１の個片化後に基板２１の裏面Ｓ２および側面Ｓ３を覆うように形成される。そのため、基板２１の側面Ｓ３に堆積物６７が付着しても、付着した堆積物６７が反射防止膜４２で覆われる。これにより、付着した堆積物６７が脱落することを抑制することが可能となる。さらに、基板２１の側面Ｓ３は、酸化前に反射防止膜４２で覆われる。これにより、基板２１の側面Ｓ３に酸化物６８が生成されることを抑制することが可能となり、その結果、酸化物６８の脱落を抑制することが可能となる。なお、基板２１の側面Ｓ３に酸化物６８が生成された場合には、酸化物６８が反射防止膜４２で覆われることで、酸化物６８の脱落を抑制することが可能となる。このように、本実施形態によれば、個片化後の基板２１を好適に保護することが可能となる。
【0114】
【0115】
図１４のＡは、図１２のＣに示す工程と同じ工程を示している。まず、各ＬＤチップ１１をダイシングテープ６５からピックアップする（図１４のＢ）。その結果、各ＬＤチップ１１がダイシングテープ６５から剥がされる。次に、ピックアップされたＬＤチップ１１の向きを上下方向に反転させ、ＬＤチップ１１をＬＤＤ基板１２へと搬送する（図１４のＣ）。図１４のＣに示すＬＤＤ基板１２は、基板３１と、基板３１の上面に設けられた複数の接続パッド３２と、基板３１の上面に設けられた複数のボンディングパッド７１とを含んでいる。図１４のＣはさらに、これら接続パッド３２上に設けられた複数のバンプ１８を示している。
【0116】
次に、ＬＤチップ１１をＬＤＤ基板１２上に搭載し、ＬＤチップ１１の各アノード電極２４を、ＬＤＤ基板１２の対応する接続パッド３２に、バンプ１８により電気的に接続する（図１５のＡ）。同様に、ＬＤチップ１１のカソード電極２５（図示せず）が、ＬＤＤ基板１２の対応する接続パッド３２に、バンプ１８により電気的に接続される。
【0117】
次に、ＬＤチップ１１とＬＤＤ基板１２との間の隙間に、アンダーフィル材７２を埋め込む（図１５のＢ）。その結果、バンプ１８、アノード電極２４、カソード電極２５、接続パッド３２などが、アンダーフィル材７２により保護される。図１５のＢに示すアンダーフィル材７２は、反射防止膜４２を介して基板２１の側面Ｓ３や積層膜２２の側面にも形成されており、反射防止膜４２に接している。アンダーフィル材７２は例えば、樹脂膜などの絶縁膜である。
【0118】
次に、各ボンディングパッド７１に、半田７３によりボンディングワイヤ７４を電気的に接続する（図１５のＣ）。ボンディングワイヤ７４は例えば、本実施形態の発光装置１ａを他の装置と電気的に接続するために使用される。このようにして、本実施形態の発光装置１ａが製造される。
【0119】
図１６は、第１実施形態の発光装置１ａの製造方法の詳細を示す断面図である。
【0120】
図１６のＡは、図１５のＣに示す工程と同じ工程を示している。図１６のＡは、ＬＤＤ基板１２上に生じた異物７５を示している。異物７５は例えば、基板２１を加工する際に生じた基板２１の破片である。このような異物７５が、ある導体（または半導体）と別の導体（または半導体）とに接すると、これらの導体をショートさせてしまう。例えば、異物７５が基板２１と半田７３とに接すると、基板２１と半田７３とをショートさせてしまう。しかしながら、本実施形態の基板２１の裏面Ｓ２および側面Ｓ３は、反射防止膜４２で覆われている。よって、基板２１と半田７３などの導体（または半導体）とのショートを、反射防止膜４２により抑制することが可能となる（図１６のＡを参照）。
【0121】
図１６のＢは、図１４のＡに示す工程と同じ工程を示している。図１６のＢは、反射防止膜４２の一部である「ばり７６」を示している。ばり７６は例えば、図１２のＡに示す工程で接着層６２の上面に形成された反射防止膜４２に起因して生じる。ばり７６は、図１４のＣに示す工程でばり７６を純水で洗浄することで、各ＬＤチップ１１から除去することが可能である。この場合、図１２のＣに示す工程では、接着剤を除去するための薬液洗浄と、ばり７６を除去するための純水洗浄とが行われる。
【0122】
【0123】
本実施形態の反射防止膜４２は、図１７のＡに示すように、基板２１の裏面Ｓ２および側面Ｓ３に形成された膜４２ａと、基板２１の裏面Ｓ２および側面Ｓ３に膜４２ａを介して形成された膜４２ｂとを含んでいる。膜４２ａは例えば、ＳｉＮ膜である。膜４２ｂは例えば、ＳｉＯ２膜である。一方、基板２１は例えば、ＧａＡｓ基板である。本実施形態では、基板２１は非Ｓｉ系の基板であるが、反射防止膜４２はＳｉ系の膜である。膜４２ａおよび膜４２ｂはそれぞれ、本開示の第１膜および第２膜の例である。
【0124】
反射防止膜４２は例えば、基板２１の内部からレンズ４１に入射した光が、基板２１の内部へと反射されることを防止する機能を有している。反射防止膜４２は、本実施形態ではＳｉＮおよびＳｉＯ２により形成されているが、その他の材料により形成されていてもよい。
【0125】
図１７のＢは、第１実施形態の変形例の発光装置１ａの構造を示している。本変形例の発光装置１ａは、基板２１の裏面Ｓ２を覆う反射防止膜４２と、基板２１の側面Ｓ３を覆う別の膜７７とを備えている。本変形例の反射防止膜４２は例えば、ＳｉＮ膜およびＳｉＯ２膜を含む積層膜である。一方、膜７７は、反射防止膜として機能してもよいし、反射防止膜としては機能しなくてもよい。また、膜７７の膜厚Ｔ２は、反射防止膜４２の膜厚Ｔ１と同じでもよいし、反射防止膜４２の膜厚Ｔ１と異なっていてもよい。膜７７は例えば、ＳｉＯ２膜などの絶縁膜、またはＳｉ膜などの半導体膜である。本変化例の反射防止膜４２および膜７７は、本開示の膜の例である。
【0126】
膜７７は、基板２１の個片化後に形成される。一方、本変形例の反射防止膜４２は、基板２１の個片化前に形成されてもよいし、基板２１の個片化後に形成されてもよい。さらに、本変形例の反射防止膜４２は、膜７７の形成前に形成されてもよいし、膜７７の形成後に形成されてもよい。
【0127】
本変形例によれば、基板２１の側面Ｓ３を膜７７で覆うことで、堆積物の脱落や酸化物の生成を抑制することが可能となる。このように、基板２１の側面Ｓ３は、反射防止膜４２により保護してもよいし、別の膜７７により保護してもよい。ただし、基板２１の側面Ｓ３を反射防止膜４２により保護することには、膜７７を形成する工程を省略できるという利点がある。一方、基板２１の側面Ｓ３を膜７７により保護することには、膜７７の材料を自由に選択できるという利点がある。
【0128】
図１８は、第１実施形態の別の変形例の発光装置１ａの構造を示す断面図である。
【0129】
本変形例の発光装置１ａは、本実施形態の発光装置１ａの構成要素に加えて、半導体層８１を備えている。半導体層８１は、基板２１の裏面Ｓ２に形成されている。本変形例の発光素子２３およびレンズ４１はそれぞれ、基板２１の表面Ｓ１および裏面Ｓ２に形成されているが、本変形例のレンズ４１は、基板２１の一部ではなく、半導体層８１の一部として形成されている。また、本変形例の反射防止膜４２は、半導体層８１の上面、半導体層８１の側面、基板２１の側面Ｓ３、および積層膜２２の側面に形成されており、レンズ４１を覆っている。半導体層８１は例えば、Ｓｉ層である。
【0130】
以上のように、本実施形態の発光装置１ａは、基板２１の側面Ｓ３に設けられた反射防止膜４２を備えている。よって、本実施形態によれば、個片化後の基板２１を反射防止膜４２により好適に保護することが可能となる。例えば、基板２１の側面Ｓ３を反射防止膜４２で覆うことで、基板２１の側面Ｓ３からの堆積物の脱落や、基板２１の側面Ｓ３での酸化物の生成を抑制することが可能となる。
【0131】
（第２実施形態）
図１９は、第２実施形態の発光装置１ａの基板２１の構造の例を示す断面図である。図１９のＡ～図１９のＤの各々は、図５のＡと同様に、発光装置１ａの基板２１等の断面を示しているが、反射防止膜４２等の図示は省略されている。
図１９は、第２実施形態の発光装置１ａの基板２１の構造の例を示す断面図である。図１９のＡ～図１９のＤの各々は、図５のＡと同様に、発光装置１ａの基板２１等の断面を示しているが、反射防止膜４２等の図示は省略されている。
【0132】
図１９のＡの基板２１は、図５のＡの基板２１と同様に、発光素子２３と１対１で対応する凸レンズである複数のレンズ４１を備えている。同様に、図１９のＢ～図１９のＤの各々の基板２１は、発光素子２３と１対１で対応する複数のレンズ４１を備えている。ただし、図１９のＢの基板２１は、凹レンズを備えており、図１９のＣの基板２１は、互いに形状（曲率）の異なる凸レンズを備えており、図１９のＤの基板２１は、凸レンズと凹レンズの両方を備えている。このように、本実施形態の各レンズ４１は、凸レンズでも凹レンズでもよい。また、本実施形態の各レンズ４１は、後述する第３実施形態のように、凸レンズ以外の態様で凸型の形状を有するレンズでもよいし、凹レンズ以外の態様で凹型の形状を有するレンズでもよい。
【0133】
（第３実施形態）
図２０は、第３実施形態の発光装置１ａの基板２１の構造の例を示す断面図である。図２０のＡ～図２０のＤの各々は、図５のＡと同様に、発光装置１ａの基板２１等の断面を示しているが、反射防止膜４２等の図示は省略されている。
図２０は、第３実施形態の発光装置１ａの基板２１の構造の例を示す断面図である。図２０のＡ～図２０のＤの各々は、図５のＡと同様に、発光装置１ａの基板２１等の断面を示しているが、反射防止膜４２等の図示は省略されている。
【0134】
図２０のＡの基板２１では、発光素子２３とレンズ４１がＮ：１で対応している（Ｎは２以上の整数）。よって、図２０のＡでは、Ｎ個の発光素子２３から出射された光が、１個のレンズ４１に入射する。一方、図２０のＢの基板２１では、発光素子２３とレンズ４１が１：Ｎで対応している。よって、図２０のＢでは、１個の発光素子２３から出射された光が、Ｎ個のレンズ４１に入射する。このように、本実施形態の各レンズ４１は、発光素子２３と１：１で対応していなくてもよい。
【0135】
図２０のＣの基板２１では、発光素子２３とレンズ４１が１：１で対応している。ただし、図２０のＣの基板２１は、凸型の形状のフレネルレンズを備えている。また、図２０のＤの基板２１では、発光素子２３とレンズ４１が１：１で対応している。ただし、図２０のＤの基板２１は、凸型の形状のバイナリレンズと、フラットレンズとを備えている。このように、本実施形態の各レンズ４１は、凸レンズや凹レンズ以外のレンズでもよい。
【0136】
なお、第１～第３実施形態の発光装置１ａは、測距装置１の光源として使用されているが、その他の態様にて使用されてもよい。例えば、これらの実施形態の発光装置１ａは、プリンタなどの光学機器の光源として使用されてもよいし、照明装置として使用されてもよい。
【0137】
以上、本開示の実施形態について説明したが、これらの実施形態は、本開示の要旨を逸脱しない範囲内で、種々の変更を加えて実施してもよい。例えば、２つ以上の実施形態を組み合わせて実施してもよい。
【0138】
なお、本開示は、以下のような構成を取ることもできる。
【0139】
（１）
基板と、
前記基板の第１面に設けられた発光素子と、
前記基板の第２面に設けられたレンズと、
前記基板の前記第１面と前記第２面との間の第３面に設けられた膜と、
を備える発光装置。
基板と、
前記基板の第１面に設けられた発光素子と、
前記基板の第２面に設けられたレンズと、
前記基板の前記第１面と前記第２面との間の第３面に設けられた膜と、
を備える発光装置。
【0140】
（２）
前記膜は、前記基板の前記第２面および前記第３面に設けられている、（１）に記載の発光装置。
前記膜は、前記基板の前記第２面および前記第３面に設けられている、（１）に記載の発光装置。
【0141】
（３）
前記膜は、前記レンズを覆っている、（２）に記載の発光装置。
前記膜は、前記レンズを覆っている、（２）に記載の発光装置。
【0142】
（４）
前記膜は、前記発光素子に接していない、（１）に記載の発光装置。
前記膜は、前記発光素子に接していない、（１）に記載の発光装置。
【0143】
（５）
前記膜は、反射防止膜である、（１）に記載の発光装置。
前記膜は、反射防止膜である、（１）に記載の発光装置。
【0144】
（６）
前記膜は、シリコンを含む、（１）に記載の発光装置。
前記膜は、シリコンを含む、（１）に記載の発光装置。
【0145】
（７）
前記膜は、前記基板の前記第３面に設けられた第１膜と、前記基板の前記第３面に前記第１膜を介して設けられた第２膜とを含む、（１）に記載の発光装置。
前記膜は、前記基板の前記第３面に設けられた第１膜と、前記基板の前記第３面に前記第１膜を介して設けられた第２膜とを含む、（１）に記載の発光装置。
【0146】
（８）
前記第１膜は、シリコンと窒素とを含み、前記第２膜は、シリコンと酸素とを含む、（７）に記載の発光装置。
前記第１膜は、シリコンと窒素とを含み、前記第２膜は、シリコンと酸素とを含む、（７）に記載の発光装置。
【0147】
（９）
前記基板は、化合物半導体基板である、（１）に記載の発光装置。
前記基板は、化合物半導体基板である、（１）に記載の発光装置。
【0148】
（１０）
前記基板は、ガリウムとヒ素とを含む、（９）に記載の発光装置。
前記基板は、ガリウムとヒ素とを含む、（９）に記載の発光装置。
【0149】
（１１）
前記基板の前記第３面は、テーパー形状を有する、（１）に記載の発光装置。
前記基板の前記第３面は、テーパー形状を有する、（１）に記載の発光装置。
【0150】
（１２）
基板の第１面に発光素子を形成し、
前記基板の第２面にレンズを形成し、
前記基板を個片化し、
前記基板の個片化後に、前記基板の前記第１面と前記第２面との間の第３面に膜を形成する、
ことを含む発光装置の製造方法。
基板の第１面に発光素子を形成し、
前記基板の第２面にレンズを形成し、
前記基板を個片化し、
前記基板の個片化後に、前記基板の前記第１面と前記第２面との間の第３面に膜を形成する、
ことを含む発光装置の製造方法。
【0151】
（１３）
前記膜は、前記基板の個片化後に、前記基板の前記第２面および前記第３面に形成される、（１２）に記載の発光装置の製造方法。
前記膜は、前記基板の個片化後に、前記基板の前記第２面および前記第３面に形成される、（１２）に記載の発光装置の製造方法。
【0152】
（１４）
前記膜は、前記レンズを覆うように形成される、（１３）に記載の発光装置の製造方法。
前記膜は、前記レンズを覆うように形成される、（１３）に記載の発光装置の製造方法。
【0153】
（１５）
前記膜は、前記発光素子に接しないように形成される、（１２）に記載の発光装置の製造方法。
前記膜は、前記発光素子に接しないように形成される、（１２）に記載の発光装置の製造方法。
【0154】
（１６）
前記膜は、反射防止膜である、（１２）に記載の発光装置の製造方法。
前記膜は、反射防止膜である、（１２）に記載の発光装置の製造方法。
【0155】
（１７）
前記膜は、前記基板の前記第３面に形成された第１膜と、前記基板の前記第３面に前記第１膜を介して形成された第２膜とを含むように形成される、（１２）に記載の発光装置の製造方法。
前記膜は、前記基板の前記第３面に形成された第１膜と、前記基板の前記第３面に前記第１膜を介して形成された第２膜とを含むように形成される、（１２）に記載の発光装置の製造方法。
【0156】
（１８）
前記基板は、化合物半導体基板である、（１２）に記載の発光装置の製造方法。
前記基板は、化合物半導体基板である、（１２）に記載の発光装置の製造方法。
【0157】
（１９）
前記基板の前記第３面は、前記基板の個片化により形成される、（１２）に記載の発光装置の製造方法。
前記基板の前記第３面は、前記基板の個片化により形成される、（１２）に記載の発光装置の製造方法。
【0158】
（２０）
前記基板の個片化は、ドライエッチングにより行われる、（１２）に記載の発光装置の製造方法。
前記基板の個片化は、ドライエッチングにより行われる、（１２）に記載の発光装置の製造方法。
【符号の説明】
【0159】
１：測距装置、１ａ：発光装置、２：発光部、２ａ：発光素子、３：駆動部、
４：電源回路、５：発光側光学系、６：受光側光学系、７：受光部、
８：信号処理部、９：制御部、９ａ：測距部、１０：温度検出部、
１１：ＬＤチップ、１２：ＬＤＤ基板、１３：実装基板、１４：放熱基板、
１５：補正レンズ保持部、１６：補正レンズ、１７：配線、１８：バンプ、
２１：基板、２２：積層膜、２３：発光素子、
２４：アノード電極、２５：カソード電極、
３１：基板、３２：接続パッド、
４１：レンズ、４２：反射防止膜、４２ａ：膜、４２ｂ：膜、
５１：チップ領域、５１ａ：レンズ領域、５１ｂ：周辺領域、
５２：スクライブ領域、５２ａ：スクライブライン、５２ｂ：スクライブライン、
６１：支持基板、６２：接着層、６３：レジスト膜、
６３ａ：非露光領域、６３ｂ：露光領域、６４：フォトマスク、
６５：ダイシングテープ、６６：接着層、６７：堆積物、６８：酸化物、
７１：ボンディングパッド、７２：アンダーフィル材、７３：半田、
７４：ボンディングワイヤ、７５：異物、７６：ばり、７７：膜、
８１：半導体層
４：電源回路、５：発光側光学系、６：受光側光学系、７：受光部、
８：信号処理部、９：制御部、９ａ：測距部、１０：温度検出部、
１１：ＬＤチップ、１２：ＬＤＤ基板、１３：実装基板、１４：放熱基板、
１５：補正レンズ保持部、１６：補正レンズ、１７：配線、１８：バンプ、
２１：基板、２２：積層膜、２３：発光素子、
２４：アノード電極、２５：カソード電極、
３１：基板、３２：接続パッド、
４１：レンズ、４２：反射防止膜、４２ａ：膜、４２ｂ：膜、
５１：チップ領域、５１ａ：レンズ領域、５１ｂ：周辺領域、
５２：スクライブ領域、５２ａ：スクライブライン、５２ｂ：スクライブライン、
６１：支持基板、６２：接着層、６３：レジスト膜、
６３ａ：非露光領域、６３ｂ：露光領域、６４：フォトマスク、
６５：ダイシングテープ、６６：接着層、６７：堆積物、６８：酸化物、
７１：ボンディングパッド、７２：アンダーフィル材、７３：半田、
７４：ボンディングワイヤ、７５：異物、７６：ばり、７７：膜、
８１：半導体層
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】