特開 2024-168023 半導体装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024168023

(43)【公開日】2024-12-05

(54)【発明の名称】半導体装置

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/60 20060101AFI20241128BHJP

   H01L 23/48 20060101ALI20241128BHJP

【ＦＩ】

H01L21/60 321E

H01L23/48 P

【審査請求】未請求

【請求項の数】17

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023084406

(22)【出願日】2023-05-23

(71)【出願人】

【識別番号】000116024

【氏名又は名称】ローム株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100135389

【弁理士】

【氏名又は名称】臼井 尚

(74)【代理人】

【識別番号】100200609

【弁理士】

【氏名又は名称】齊藤 智和

(72)【発明者】

【氏名】中野 昂樹

(57)【要約】

【課題】 半導体素子に導通する２つの導通部材の相互位置ずれを抑制することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体装置Ａ１０は、第１導通部材２０と、第１導通部材２０に導電接合された第２導通部材３０と、第１導通部材２０および第２導通部材３０の各々に導通する半導体素子１０と、第１導通部材２０と第２導通部材３０とを導電接合する第１接合層５１とを備える。第１導通部材２０は、第１方向ｚを向く第１接合面２１１と、第１接合面２１１の周縁２１１Ａにつながる第１係合部２３とを有する。第２導通部材３０は、第１接合面２１１に対向する第２接合面３１と、第２接合面３１につながり、かつ第２導通部材３０の内方に位置する第２係合部３３とを有する。第１係合部２３は、第１方向ｚに突出しており、かつ第２係合部３３に係合している。
【選択図】 図７

【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１導通部材と、
前記第１導通部材に導電接合された第２導通部材と、
前記第１導通部材および前記第２導通部材の各々に導通する半導体素子と、
前記第１導通部材と前記第２導通部材とを導電接合する接合層と、を備え、
前記第１導通部材は、第１方向を向く第１接合面と、前記第１接合面の周縁につながる第１係合部と、を有し、
前記第２導通部材は、前記第１接合面に対向する第２接合面と、前記第２接合面につながり、かつ前記第２導通部材の内方に位置する第２係合部と、を有し、
前記第１係合部は、前記第１方向に突出しており、かつ前記第２係合部に係合している、半導体装置。

【請求項2】

前記第１方向に視て、前記第１係合部は、前記第１接合面の周縁よりも外方に位置する部分を含む、請求項１に記載の半導体装置。

【請求項3】

前記第２係合部は、前記第２接合面から前記第２導通部材を貫通している、請求項２に記載の半導体装置。

【請求項4】

前記第２係合部は、前記第２接合面から凹んでいる、請求項２に記載の半導体装置。

【請求項5】

前記接合層の一部は、前記第１接合面と前記第２接合面との間に位置する、請求項３に記載の半導体装置。

【請求項6】

前記接合層は、前記第１係合部に接している、請求項５に記載の半導体装置。

【請求項7】

前記第２導通部材は、前記第２接合面につながり、かつ前記第２係合部を規定する内周面を有し、
前記第１係合部は、前記内周面に接している、請求項５に記載の半導体装置。

【請求項8】

前記第１係合部は、前記第１方向において前記第１接合面と同じ側を向く端面を有し、
前記端面は、前記第２係合部から突出している、請求項５に記載の半導体装置。

【請求項9】

前記第１導通部材は、前記第１接合面につながり、かつ前記第１係合部を規定する周面を有し、
前記周面は、前記第１接合面に対して傾斜している、請求項８に記載の半導体装置。

【請求項10】

前記第１係合部の前記第１方向に対して直交する断面の大きさは、前記第１接合面から前記端面にかけて縮小している、請求項９に記載の半導体装置。

【請求項11】

前記第１方向に視て、前記第１係合部は、前記半導体素子と前記接合層との間に位置する、請求項８に記載の半導体装置。

【請求項12】

前記第１係合部は、前記第１方向に対して直交する方向において互いに離れた第１凸部および第２凸部を含み、
前記第２係合部は、前記第１凸部が係合する第１貫通部と、前記第２凸部が係合する第２貫通部と、を含み、
前記第２貫通部は、前記第１貫通部から離れている、請求項８に記載の半導体装置。

【請求項13】

前記第２導通部材は、前記第２接合面から突出する凸部を有し、
前記凸部は、前記第１接合面および前記接合層の各々に接している、請求項８に記載の半導体装置。

【請求項14】

前記半導体素子に導通する第３導通部材をさらに備え、
前記半導体素子は、前記第１方向において互いに反対側に位置する第１電極および第２電極を有し、
前記第２導通部材は、前記第１電極に導電接合されており、
前記第２電極は、前記第３導通部材に導電接合されている、請求項２ないし１３のいずれかに記載の半導体装置。

【請求項15】

前記第２導通部材および前記半導体素子を覆う封止樹脂をさらに備え、
前記封止樹脂は、前記第１方向に対して直交する方向を向く側面を有し、
前記第１導通部材および前記第３導通部材の各々の一部は、前記側面から突出している、請求項１４に記載の半導体装置。

【請求項16】

前記封止樹脂の一部は、前記第２係合部に収容されている、請求項１５に記載の半導体装置。

【請求項17】

前記第２導通部材は、前記第１電極に対向する第３接合面と、前記第３接合面から突出する突起と、を有し、
前記第１方向に視て、前記突起は、前記第１電極に重なっている、請求項１５に記載の半導体装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、半導体装置に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１には、第１リードおよび第２リードと、第１リードおよび第２リードの各々に導電接合された半導体素子と、半導体素子を覆う封止樹脂とを具備する半導体装置の一例が開示されている。第２リードは、半導体素子を搭載している。第１リードおよび第２リードの各々の一部は、封止樹脂から露出している。封止樹脂から露出する第１リードおよび第２リードの各々の部分は、外装めっき層により覆われている。外装めっき層は、錫を含む。これにより、当該半導体装置を配線基板に実装する際、封止樹脂から露出する第１リードおよび第２リードの各々の部分に対してハンダがなじみやすくなる。これにより、ハンダに対する第１リードおよび第２リードの各々の接触面積の拡大を図ることができる。

【0003】

ここで、特許文献１に開示されている半導体装置においては、第１リードを２つの導通部材に分割することがある。２つの導通部材の一方は、半導体素子に導電接合される。あわせて、分割された２つの導通部材は、ハンダなどの接合層により導電接合される。この場合において、２つの導通部材の導電接合の際、溶融した接合層の影響により当該２つの導通部材の相互位置ずれが発生することがある。相互位置ずれの規模が大きくなると、２つの導通部材のうち、半導体素子に導電接合される導通部材に流れる電流が減少するおそれがある。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開２０１７－１６８５５３号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

本開示は先述の事情に鑑み、半導体素子に導通する２つの導通部材の相互位置ずれを抑制することが可能な半導体装置を提供することをその課題とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本開示によって提供される半導体装置は、第１導通部材と、前記第１導通部材に導電接合された第２導通部材と、前記第１導通部材および前記第２導通部材の各々に導通する半導体素子と、前記第１導通部材と前記第２導通部材とを導電接合する接合層とを備える。前記第１導通部材は、第１方向を向く第１接合面と、前記第１接合面の周縁につながる第１係合部とを有する。前記第２導通部材は、前記第１接合面に対向する第２接合面と、前記第２接合面につながり、かつ前記第２導通部材の内方に位置する第２係合部とを有する。前記第１係合部は、前記第１方向に突出しており、かつ前記第２係合部に係合している。

【発明の効果】

【0007】

本開示にかかる半導体装置が具備する構成によれば、半導体素子に導通する２つの導通部材の相互位置ずれを抑制することが可能となる。

【0008】

本開示のその他の特徴および利点は、添付図面に基づき以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。

【図面の簡単な説明】

【0009】

【図1】図１は、本開示の第１実施形態にかかる半導体装置の平面図である。

【図2】図２は、図１に対応する平面図であり、封止樹脂を透過している。

【図3】図３は、図１に示す半導体装置の正面図である。

【図4】図４は、図１に示す半導体装置の右側面図である。

【図5】図５は、図２のＶ－Ｖ線に沿う断面図である。

【図6】図６は、図２のＶＩ－ＶＩ線に沿う断面図である。

【図7】図７は、図２のＶＩＩ－ＶＩＩ線に沿う断面図である。

【図8】図８は、図２の部分拡大図である。

【図9】図９は、図８のＩＸ－ＩＸ線に沿う断面図である。

【図10】図１０は、図８のＸ－Ｘ線に沿う断面図である。

【図11】図１１は、本開示の第１実施形態の第１変形例にかかる半導体装置の部分拡大断面図である。

【図12】図１２は、本開示の第１実施形態の第２変形例にかかる半導体装置の部分拡大断面図である。

【図13】図１３は、本開示の第１実施形態の第３変形例にかかる半導体装置の部分拡大断面図である。

【図14】図１４は、本開示の第２実施形態にかかる半導体装置の部分拡大平面図であり、封止樹脂を透過している。

【図15】図１５は、図１４のＸＶ－ＸＶ線に沿う断面図である。

【図16】図１６は、本開示の第３実施形態にかかる半導体装置の部分拡大平面図であり、封止樹脂を透過している。

【図17】図１７は、図１６のＸＶＩＩ－ＸＶＩＩ線に沿う断面図である。

【図18】図１８は、本開示の第４実施形態にかかる半導体装置の部分拡大平面図であり、封止樹脂を透過している。

【図19】図１９は、図１８のＸＩＸ－ＸＩＸ線に沿う断面図である。

【図20】図２０は、本開示の第５実施形態にかかる半導体装置の平面図であり、封止樹脂を透過している。

【図21】図２１は、図２０のＸＸＩ－ＸＸＩ線に沿う断面図である。

【図22】図２２は、図２０のＸＸＩＩ－ＸＸＩＩ線に沿う断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0010】

本開示を実施するための形態について、添付図面に基づいて説明する。

【0011】

〔第１実施形態〕
図１～図１０に基づき、本開示の第１実施形態にかかる半導体装置Ａ１０について説明する。半導体装置Ａ１０は、半導体素子１０、第１導通部材２０、第２導通部材３０、第３導通部材４０、第１接合層５１、第２接合層５２、第３接合層５３、封止樹脂６０および保護層７０を備える。半導体装置Ａ１０は、配線基板に対して表面実装される樹脂パッケージ形式によるものである。ここで、図２は、理解の便宜上、封止樹脂６０を透過している。図２では、封止樹脂６０を想像線（二点鎖線）で示している。

【0012】

半導体装置Ａ１０の説明においては、便宜上、後述する第１導通部材２０の第１接合面２１１の法線方向を「第１方向ｚ」と呼ぶ。第１方向ｚに対して直交する方向を「第２方向ｘ」と呼ぶ。第１方向ｚおよび第２方向ｘの双方に対して直交する方向を「第３方向ｙ」と呼ぶ。

【0013】

封止樹脂６０は、図７に示すように、半導体素子１０および第２導通部材３０を覆っている。さらに封止樹脂６０は、第１導通部材２０および第３導通部材４０の各々の一部ずつを覆っている。封止樹脂６０は、電気絶縁性を有する。封止樹脂６０は、たとえば黒色のエポキシ樹脂を含む材料からなる。図３に示すように、封止樹脂６０は、頂面６１、底面６２、第１側面６３および第２側面６４を有する。

【0014】

図５および図７に示すように、頂面６１は、第１方向ｚにおいて後述する第３導通部材４０の第２インナ部４１の搭載面４１１と同じ側を向く。底面６２は、第１方向ｚにおいて頂面６１とは反対側を向く。

【0015】

図１および図３に示すように、第１側面６３および第２側面６４は、第２方向ｘにおいて互いに反対側を向く。第１側面６３および第２側面６４の各々は、頂面６１および底面６２につながっている。

【0016】

半導体素子１０は、図２、図５および図７に示すように、第３導通部材４０に搭載されている。半導体素子１０は、第１導通部材２０、第２導通部材３０および第３導通部材４０の各々に導通している。半導体装置Ａ１０においては、半導体素子１０は、ショットキーバリアダイオードである。この他、半導体素子１０は、ショットキーバリアダイオード以外のダイオード、あるいはトランジスタなど、種々の素子を採ることができる。

【0017】

半導体素子１０は、第１電極１１および第２電極１２を有する。第１電極１１および第２電極１２は、第１方向ｚにおいて互いに反対側に位置する。第１電極１１は、第１導通部材２０および第２導通部材３０の各々に導通している。第１電極１１は、アノードである。第１電極１１は、たとえば、アルミニウム（Ａｌ）層の上にニッケル（Ｎｉ）層、パラジウム（Ｐｄ）層の順に積層されたものである。半導体装置Ａ１０においては、半導体素子１０を構成する半導体層と、第１電極１１との間に金属薄膜が介在することによって、ショットキー障壁が形成されている。当該金属薄膜は、たとえば、モリブデン（Ｍｏ）またはチタン（Ｔｉ）からなる。第２電極１２は、第３導通部材４０に導通している。第２電極１２は、カソードである。

【0018】

第１導通部材２０、第２導通部材３０および第３導通部材４０の各々は、半導体素子１０と、半導体装置Ａ１０が実装される配線基板との導電経路をなしている。これらのうち、第１導通部材２０および第３導通部材４０は、同一のリードフレームから得られるとともに、配線基板に実装される端子に相当する。第１導通部材２０、第２導通部材３０および第３導通部材４０の各々は、銅（Ｃｕ）を含む。

【0019】

第１導通部材２０は、図１および図２に示すように、第１インナ部２１および第１アウタ部２２を有する。第１インナ部２１は、封止樹脂６０に覆われている。第１インナ部２１は、第１接合面２１１を有する。第１接合面２１１は、第１方向ｚにおいて封止樹脂６０の頂面６１と同じ側を向く。第１アウタ部２２は、第１インナ部２１につながっている。第１アウタ部２２は、封止樹脂６０の第１側面６３から突出している。図３に示すように、第１アウタ部２２には、封止樹脂６０の第１側面６３および底面６２に沿うように第３方向ｙの回りの曲げ加工が施されている。

【0020】

図６および図７に示すように、第１導通部材２０は、第１係合部２３を有する。半導体装置Ａ１０においては、第１方向ｚに視て、第１係合部２３は、半導体素子１０と第１接合層５１との間に位置する。図８に示すように、第１係合部２３は、第１接合面２１１の周縁２１１Ａにつながっている。第１方向ｚに視て、第１係合部２３は、周縁２１１Ａよりも外方に位置する部分を含む。図９に示すように、第１係合部２３は、周縁２１１Ａから第１方向ｚにおいて第１接合面２１１が向く側に突出している。第１係合部２３は、第１インナ部２１に含まれる。

【0021】

図９および図１０に示すように、第１インナ部２１は、第１接合面２１１につながる周面２３１を有する。周面２３１は、第１係合部２３を規定している。半導体装置Ａ１０においては、周面２３１は、第１方向ｚに対して直交する方向を向く。図９および図１０に示すように、第１係合部２３は、第１方向ｚにおいて第１接合面２１１と同じ側を向く端面２３２を有する。端面２３２は、第１方向ｚに対して平坦である。

【0022】

第２導通部材３０は、図５～図７に示すように、第１導通部材２０の第１インナ部２１と、半導体素子１０の第１電極１１との各々に導電接合されている。第２導通部材３０は、金属クリップである。第２導通部材３０は、第２接合面３１および第３接合面３２を有する。第２接合面３１は、第１導通部材２０の第１接合面２１１に対向している。第３接合面３２は、第１電極１１に対向している。

【0023】

図６および図７に示すように、第２導通部材３０は、第２接合面３１につながる第２係合部３３を有する。図２に示すように、第２係合部３３は、第２導通部材３０の内方に位置する。半導体装置Ａ１０においては、第２係合部３３は、第２接合面３１から第２導通部材３０を貫通している。第１導通部材２０の第１係合部２３は、第２係合部３３に係合している。半導体装置Ａ１０においては、第１係合部２３の端面２３２は、第２係合部３３から突出している。したがって、端面２３２は、第１方向ｚにおいて第２導通部材３０を基準として第１導通部材２０の第１接合面２１１とは反対側に位置する。

【0024】

図９および図１０を示すように、第２導通部材３０は、第２接合面３１につながる内周面３３１を有する。内周面３３１は、第２係合部３３を規定している。内周面３３１は、第１導通部材２０の周面２３１に対向している。半導体装置Ａ１０においては、内周面３３１は、第１方向ｚに対して直交する方向を向く。

【0025】

図９および図１０に示すように、封止樹脂６０の一部は、第２導通部材３０の第２係合部３３に収容されている。封止樹脂６０は、第１導通部材２０の第１係合部２３に接している。

【0026】

この他、図示はしていないが、第１係合部２３の端面２３２は、第１方向ｚに向けて膨出する凸状でもよい。あるいは、第１方向ｚに視て、第１係合部２３が円形状であり、かつ第２係合部３３が矩形状としてもよい。これらの構成を採ることにより、より円滑に第２係合部３３を第１係合部２３に係合させることができる。

【0027】

図５および図７に示すように、第２導通部材３０は、第３接合面３２から突出する突起３４を有する。図２に示すように、第１方向ｚに視て、突起３４は、半導体素子１０の第１電極１１に重なっている。

【0028】

第１接合層５１は、図６および図７に示すように、第１導通部材２０と第２導通部材３０とを導電接合している。第１接合層５１は、ハンダである。第１接合層５１の一部は、第１導通部材２０の第１接合面２１１と、第２導通部材３０の第２接合面３１との間に位置する。図９に示すように、第１接合層５１は、第１導通部材２０の第１係合部２３に接している。

【0029】

第２接合層５２は、図５および図７に示すように、半導体素子１０の第１電極１１と、第２導通部材３０とを導電接合している。第２接合層５２は、ハンダである。第２接合層５２は、第１電極１１と、第２導通部材３０の突起３４との間に位置する。

【0030】

第３導通部材４０は、図１および図２に示すように、第２方向ｘにおいて第１導通部材２０から離れている。第３導通部材４０は、第２インナ部４１および第２アウタ部４２を有する。第２インナ部４１の少なくとも一部は、封止樹脂６０に覆われている。半導体装置Ａ１０においては、第２インナ部４１の全体が封止樹脂６０に覆われている。この他、第２インナ部４１の一部が封止樹脂６０の底面６２から露出する構成でもよい。第２アウタ部４２は、第２インナ部４１につながっている。第２アウタ部４２は、封止樹脂６０の第２側面６４から突出している。図３に示すように、第２アウタ部４２には、封止樹脂６０の第２側面６４および底面６２に沿うように第３方向ｙの回りの曲げ加工が施されている。

【0031】

図７に示すように、第２インナ部４１は、搭載面４１１および傾斜面４１２を有する。搭載面４１１は、半導体素子１０の第１電極１１に対向している。第１方向ｚにおいて、搭載面４１１は、第１導通部材２０の第１接合面２１１よりも底面６２の近くに位置する。半導体装置Ａ１０においては、搭載面４１１は、第１方向ｚにおいて第１接合面２１１と同じ側を向く。傾斜面４１２は、第２方向ｘにおいて搭載面４１１を基準として第１導通部材２０とは反対側に位置するとともに、搭載面４１１につながっている。傾斜面４１２は、搭載面４１１に対して傾斜している。第２方向ｘに視て、傾斜面４１２は、半導体素子１０に重なっている。図２に示すように、第２インナ部４１は、２つの開口４１３を有する。２つの開口４１３は、第３方向ｙにおいて互いに離れている。２つの開口４１３の各々は、傾斜面４１２から第２インナ部４１を貫通している。２つの開口４１３の各々の貫通方向は、傾斜面４１２の法線方向に等しい。

【0032】

第３接合層５３は、図５および図７に示すように、第３導通部材４０の第２インナ部４１と、半導体素子１０の第２電極１２とを導電接合している。第３接合層５３は、ハンダである。第２接合層５２は、第２インナ部４１の搭載面４１１と、第２電極１２との間に位置する。

【0033】

保護層７０は、第１導通部材２０の第１アウタ部２２の少なくとも一部と、第３導通部材４０の第２アウタ部４２の少なくとも一部とを覆っている。保護層７０は、導電性を有する。保護層７０は、たとえば錫（Ｓｎ）を含む金属である。

【0034】

次に、図１１に基づき、半導体装置Ａ１０の第１変形例である半導体装置Ａ１１について説明する。図１１の断面位置は、図９の断面位置に対応している。

【0035】

図１１に示すように、半導体装置Ａ１１においては、第１導通部材２０の第１係合部２３が、第２導通部材３０の第２係合部３３を規定する内周面３３１に接している。

【0036】

次に、図１２に基づき、半導体装置Ａ１０の第２変形例である半導体装置Ａ１２について説明する。図１２の断面位置は、図１０の断面位置に対応している。

【0037】

図１２に示すように、半導体装置Ａ１２においては、第１導通部材２０の第１係合部２３を規定する周面２３１は、第１導通部材２０の第１接合面２１１に対して傾斜している。第１係合部２３の第１方向ｚに対して直交する方向の断面の大きさは、第１接合面２１１から第１係合部２３の端面２３２にかけて縮小している。

【0038】

次に、図１３に基づき、半導体装置Ａ１０の第３変形例である半導体装置Ａ１３について説明する。図１３の断面位置は、図９の断面位置に対応している。

【0039】

図１３に示すように、第１導通部材２０の第１係合部２３の端面２３２は、第２導通部材３０の第２係合部３３に収容されている。

【0040】

次に、半導体装置Ａ１０の作用効果について説明する。

【0041】

半導体装置Ａ１０は、半導体素子１０、第１導通部材２０、第２導通部材３０および第１接合層５１を備える。半導体素子１０は、第１導通部材２０および第２導通部材３０の各々に導通している。第１接合層５１は、第１導通部材２０と第２導通部材３０とを導電接合している。第１導通部材２０は、第１接合面２１１の周縁２１１Ａにつながる第１係合部２３を有する。第２導通部材３０は、第２接合面３１につながり、かつ第２導通部材３０の内方に位置する第２係合部３３を有する。第１係合部２３は、第１方向ｚに突出しており、かつ第２係合部３３に係合している。本構成をとることにより、第１接合層５１を介して第２導通部材３０を第１導通部材２０に導電接合する際、第１導通部材２０に対して第２導通部材３０が第１方向ｚに対して直交する方向に位置ずれようとすると、第２係合部３３が第１係合部２３に接触する（図１１参照）。これにより、第１導通部材２０に対する第２導通部材３０の位置ずれが規制される。したがって、本構成によれば、半導体装置Ａ１０においては、半導体素子１０に導通する第１導通部材２０および第２導通部材３０の相互位置ずれを抑制することが可能となる。

【0042】

第２導通部材３０の第２係合部３３は、第２接合面３１から第２導通部材３０を貫通している。さらに、第１接合層５１の一部は、第１導通部材２０の第１接合面２１１と、第２接合面３１との間に位置する。本構成をとることにより、第２係合部３３を第１導通部材２０の第１係合部２３に係合させることと同時に、第１接合面２１１と第２接合面３１との間に第１接合層５１の材料の一部を容易に介在させることができる。これにより、第１導通部材２０に対する第２導通部材３０の接合面積が適正に確保される。

【0043】

半導体装置Ａ１０においては、第１導通部材２０の第１係合部２３の端面２３２は、第２導通部材３０の第２係合部３３から突出している。本構成をとることにより、第１接合層５１を介して第２導通部材３０を第１導通部材２０に導電接合する際、第１導通部材２０に対して第２導通部材３０が第１方向ｚに対して直交する方向に位置ずれようとすると、第２係合部３３が第１係合部２３により確実に接触する。さらに、第１方向ｚに対して直交する方向の回りの第２導通部材３０の回転が、第１係合部２３によって規制されやすくなる。

【0044】

第１接合層５１は、第１導通部材２０の第１係合部２３に接している。本構成をとることにより、第１導通部材２０の第１接合面２１１の上において第１接合層５１の過度な濡れ拡がりが第１係合部２３により規制される。さらに、第１方向ｚに視て、第１係合部２３は、半導体素子１０と第１接合層５１との間に位置する。本構成ととることにより、第１接合層５１の半導体素子１０への橋渡しが第１係合部２３により防止できる。

【0045】

半導体装置Ａ１２においては、第１導通部材２０の第１係合部２３を規定する周面２３１は、第１導通部材２０の第１接合面２１１に対して傾斜している。さらに、第１係合部２３の第１方向ｚに対して直交する方向の断面の大きさは、第１接合面２１１から端面２３２にかけて縮小している。本構成をとることにより、第１接合層５１を介して第２導通部材３０を第１導通部材２０に導電接合する際、第２導通部材３０の第２係合部３３を第１係合部２３に円滑に係合させることが可能である。

【0046】

半導体装置Ａ１０は、半導体素子１０および第２導通部材３０を覆う封止樹脂６０をさらに備える。第２導通部材３０は、半導体素子１０の第１電極１１に対向する第３接合面３２と、第３接合面３２から突出する突起３４とを有する。第１方向ｚに視て、突起３４は、第１電極１１に重なっている。本構成をとることにより、第２導通部材３０を第１電極１１に導電接合する際、第２導通部材３０において第１電極１１との導電接合に寄与する部分を突起３４に限定することができる。これにより、半導体素子１０と第３接合面３２との間に、封止樹脂６０の一部が位置するようになる。したがって、半導体装置Ａ１０の絶縁耐圧の低下を抑制することが可能となる。

【0047】

封止樹脂６０の一部は、第１導通部材２０の第１係合部２３に収容されている。本構成をとることにより、封止樹脂６０には、第１導通部材２０に対して投錨効果（アンカー効果）が発現する。これにより、第１導通部材２０から封止樹脂６０が剥離することを抑止できる。

【0048】

半導体装置Ａ１０は、第１導通部材２０の第１アウタ部２２の少なくとも一部と、第３導通部材４０の第２アウタ部４２の少なくとも一部とを覆う保護層７０をさらに備える。保護層７０は、導電性を有する。本構成をとることにより、半導体装置Ａ１０を配線基板に実装する際、第１アウタ部２２および第２アウタ部４２の各々に対するハンダの濡れ性を改善することができる。これにより、配線基板に対する半導体装置Ａ１０の接合強度の向上を図ることが可能となる。

【0049】

〔第２実施形態〕
図１４および図１５に基づき、本開示の第２実施形態にかかる半導体装置Ａ２０について説明する。これらの図において、先述した半導体装置Ａ１０と同一または類似の要素には同一の符号を付して、重複する説明を省略する。ここで、図１４は、理解の便宜上、封止樹脂６０を透過している。図１４では、封止樹脂６０を想像線で示している。

【0050】

半導体装置Ａ２０においては、第１導通部材２０の第１係合部２３、および第２導通部材３０の第２係合部３３の構成が、半導体装置Ａ１０の当該構成と異なる。

【0051】

図１４および図１５に示すように、第１導通部材２０の第１係合部２３は、第１方向ｚに対して直交する方向において互いに離れた第１凸部２３Ａおよび第２凸部２３Ｂを含む。半導体装置Ａ２０においては、第１凸部２３Ａおよび第２凸部２３Ｂは、第３方向ｙにおいて互いに離れている。第２導通部材３０の第２係合部３３は、第１凸部２３Ａが係合する第１貫通部３３Ａと、第２凸部２３Ｂが係合する第２貫通部３３Ｂとを含む。第２貫通部３３Ｂは、第１貫通部３３Ａから離れている。

【0052】

次に、半導体装置Ａ２０の作用効果について説明する。

【0053】

半導体装置Ａ２０は、半導体素子１０、第１導通部材２０、第２導通部材３０および第１接合層５１を備える。半導体素子１０は、第１導通部材２０および第２導通部材３０の各々に導通している。第１接合層５１は、第１導通部材２０と第２導通部材３０とを導電接合している。第１導通部材２０は、第１接合面２１１の周縁２１１Ａにつながる第１係合部２３を有する。第２導通部材３０は、第２接合面３１につながり、かつ第２導通部材３０の内方に位置する第２係合部３３を有する。第１係合部２３は、第１方向ｚに突出しており、かつ第２係合部３３に係合している。したがって、本構成によれば、半導体装置Ａ２０においても、半導体素子１０に導通する第１導通部材２０および第２導通部材３０の相互位置ずれを抑制することが可能となる。さらに半導体装置Ａ２０においては、半導体装置Ａ１０と共通する構成を具備することにより、半導体装置Ａ１０と同等の作用効果を奏する。

【0054】

半導体装置Ａ２０においては、第１導通部材２０の第１係合部２３は、第１凸部２３Ａおよび第２凸部２３Ｂを含む。第２導通部材３０の第２係合部３３は、第１凸部２３Ａが係合する第１貫通部３３Ａと、第２凸部２３Ｂが係合する第２貫通部３３Ｂとを含む。第２貫通部３３Ｂは、第１貫通部３３Ａから離れている。本構成をとることにより、第１接合層５１を介して第２導通部材３０を第１導通部材２０に導電接合する際、第１凸部２３Ａ、第２凸部２３Ｂ、第１貫通部３３Ａおよび第２貫通部３３Ｂが、第１導通部材２０に対する第２導通部材３０の第１方向ｚの回りの回転を規制する。これにより、第１導通部材２０に対する第２導通部材３０の回転変位を抑制することが可能となる。

【0055】

〔第３実施形態〕
図１６および図１７に基づき、本開示の第３実施形態にかかる半導体装置Ａ３０について説明する。これらの図において、先述した半導体装置Ａ１０と同一または類似の要素には同一の符号を付して、重複する説明を省略する。ここで、図１６は、理解の便宜上、封止樹脂６０を透過している。図１６では、封止樹脂６０を想像線で示している。

【0056】

半導体装置Ａ３０においては、第２導通部材３０の構成が、半導体装置Ａ１０の当該構成と異なる。

【0057】

図１７に示すように、第２導通部材３０は、第２接合面３１から突出する凸部３５を有する。凸部３５は、第１導通部材２０の第１接合面２１１、および第１接合層５１の各々に接している。図１６に示すように、凸部３５は、第２方向ｘにおいて第２導通部材３０の第２係合部３３の隣に位置する。凸部３５の第１方向ｚの寸法は、第２係合部３３の第１方向ｚの寸法よりも小さい。

【0058】

次に、半導体装置Ａ３０の作用効果について説明する。

【0059】

半導体装置Ａ３０は、半導体素子１０、第１導通部材２０、第２導通部材３０および第１接合層５１を備える。半導体素子１０は、第１導通部材２０および第２導通部材３０の各々に導通している。第１接合層５１は、第１導通部材２０と第２導通部材３０とを導電接合している。第１導通部材２０は、第１接合面２１１の周縁２１１Ａにつながる第１係合部２３を有する。第２導通部材３０は、第２接合面３１につながり、かつ第２導通部材３０の内方に位置する第２係合部３３を有する。第１係合部２３は、第１方向ｚに突出しており、かつ第２係合部３３に係合している。したがって、本構成によれば、半導体装置Ａ３０においても、半導体素子１０に導通する第１導通部材２０および第２導通部材３０の相互位置ずれを抑制することが可能となる。さらに半導体装置Ａ３０においては、半導体装置Ａ１０と共通する構成を具備することにより、半導体装置Ａ１０と同等の作用効果を奏する。

【0060】

半導体装置Ａ３０においては、第２導通部材３０は、第２接合面３１から突出する凸部３５を有する。凸部３５は、第１導通部材２０の第１接合面２１１、および第１接合層５１の各々に接している。本構成をとることにより、第１接合層５１を介して第２導通部材３０を第１導通部材２０に導電接合する際、第２導通部材３０が第１方向ｚに対して傾斜することを抑制できる。さらに、第１接合面２１１と第２接合面３１との間に位置する第１接合層５１の部分の第１方向ｚの寸法をより拡大させることができる。

【0061】

〔第４実施形態〕
図１８および図１９に基づき、本開示の第４実施形態にかかる半導体装置Ａ４０について説明する。これらの図において、先述した半導体装置Ａ１０と同一または類似の要素には同一の符号を付して、重複する説明を省略する。ここで、図１８は、理解の便宜上、封止樹脂６０を透過している。図１８では、封止樹脂６０を想像線で示している。

【0062】

半導体装置Ａ４０においては、第１導通部材２０の第１係合部２３、および第２導通部材３０の第２係合部３３の構成が、半導体装置Ａ１０の当該構成と異なる。

【0063】

図１８および図１９に示すように、第２導通部材３０の第２係合部３３は、第２接合面３１から凹んでいる。したがって、第２係合部３３は、第２接合面３１から第２導通部材３０を貫通していない。第１導通部材２０の第１係合部２３の端面２３２は、第２導通部材３０のうち第２係合部３３を規定する領域に接している。

【0064】

次に、半導体装置Ａ４０の作用効果について説明する。

【0065】

半導体装置Ａ４０は、半導体素子１０、第１導通部材２０、第２導通部材３０および第１接合層５１を備える。半導体素子１０は、第１導通部材２０および第２導通部材３０の各々に導通している。第１接合層５１は、第１導通部材２０と第２導通部材３０とを導電接合している。第１導通部材２０は、第１接合面２１１の周縁２１１Ａにつながる第１係合部２３を有する。第２導通部材３０は、第２接合面３１につながり、かつ第２導通部材３０の内方に位置する第２係合部３３を有する。第１係合部２３は、第１方向ｚに突出しており、かつ第２係合部３３に係合している。したがって、本構成によれば、半導体装置Ａ４０においても、半導体素子１０に導通する第１導通部材２０および第２導通部材３０の相互位置ずれを抑制することが可能となる。さらに半導体装置Ａ４０においては、半導体装置Ａ１０と共通する構成を具備することにより、半導体装置Ａ１０と同等の作用効果を奏する。

【0066】

〔第５実施形態〕
図２０～図２２に基づき、本開示の第５実施形態にかかる半導体装置Ａ５０について説明する。これらの図において、先述した半導体装置Ａ１０と同一または類似の要素には同一の符号を付して、重複する説明を省略する。ここで、図２０は、理解の便宜上、封止樹脂６０を透過している。図２０では、封止樹脂６０を想像線で示している。

【0067】

半導体装置Ａ５０においては、第１導通部材２０および第２導通部材３０の構成が、半導体装置Ａ１０の当該構成と異なる。

【0068】

図２０～図２２に示すように、半導体装置Ａ５０においては、半導体装置Ａ１０の構成に対して、第１導通部材２０および第２導通部材３０の配置が逆になっている。すなわち、第１導通部材２０は、半導体素子１０の第１電極１１と、第２導通部材３０との各々に導電接合される金属クリップである。第２導通部材３０は、第３導通部材４０と同じく、配線基板に実装される端子に相当する。第２導通部材３０の一部は、封止樹脂６０の第１側面６３から突出している。第１側面６３から突出する第２導通部材３０の部分の少なくとも一部は、保護層７０に覆われている。

【0069】

図２１および図２２に示すように、第１導通部材２０の第１接合面２１１は、第１方向ｚにおいて封止樹脂６０の頂面６１とは反対側を向く。第１導通部材２０は、第２接合層５２を介して半導体素子１０の第１電極１１に導電接合されている。第１方向ｚに視て、第１導通部材２０の第１係合部２３は、第１接合層５１を基準として半導体素子１０とは反対側に位置する。

【0070】

次に、半導体装置Ａ５０の作用効果について説明する。

【0071】

半導体装置Ａ５０は、半導体素子１０、第１導通部材２０、第２導通部材３０および第１接合層５１を備える。半導体素子１０は、第１導通部材２０および第２導通部材３０の各々に導通している。第１接合層５１は、第１導通部材２０と第２導通部材３０とを導電接合している。第１導通部材２０は、第１接合面２１１の周縁２１１Ａにつながる第１係合部２３を有する。第２導通部材３０は、第２接合面３１につながり、かつ第２導通部材３０の内方に位置する第２係合部３３を有する。第１係合部２３は、第１方向ｚに突出しており、かつ第２係合部３３に係合している。したがって、本構成によれば、半導体装置Ａ５０においても、半導体素子１０に導通する第１導通部材２０および第２導通部材３０の相互位置ずれを抑制することが可能となる。さらに半導体装置Ａ５０においては、半導体装置Ａ１０と共通する構成を具備することにより、半導体装置Ａ１０と同等の作用効果を奏する。

【0072】

半導体装置Ａ５０においては、半導体装置Ａ１０の構成に対して、第１導通部材２０および第２導通部材３０の配置が逆になっている。しかし、本構成においても、半導体装置Ａ１０の構成に対応しているため、半導体装置Ａ１０と同等の作用効果を奏することが可能である。

【0073】

本開示は、先述した実施形態に限定されるものではない。本開示の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。

【0074】

本開示は、以下の付記に記載した実施形態を含む。
［付記１］
第１導通部材と、
前記第１導通部材に導電接合された第２導通部材と、
前記第１導通部材および前記第２導通部材の各々に導通する半導体素子と、
前記第１導通部材と前記第２導通部材とを導電接合する接合層と、を備え、
前記第１導通部材は、第１方向を向く第１接合面と、前記第１接合面の周縁につながる第１係合部と、を有し、
前記第２導通部材は、前記第１接合面に対向する第２接合面と、前記第２接合面につながり、かつ前記第２導通部材の内方に位置する第２係合部と、を有し、
前記第１係合部は、前記第１方向に突出しており、かつ前記第２係合部に係合している、半導体装置。
［付記２］
前記第１方向に視て、前記第１係合部は、前記第１接合面の周縁よりも外方に位置する部分を含む、付記１に記載の半導体装置。
［付記３］
前記第２係合部は、前記第２接合面から前記第２導通部材を貫通している、付記２に記載の半導体装置。
［付記４］
前記第２係合部は、前記第２接合面から凹んでいる、付記２に記載の半導体装置。
［付記５］
前記接合層の一部は、前記第１接合面と前記第２接合面との間に位置する、付記３に記載の半導体装置。
［付記６］
前記接合層は、前記第１係合部に接している、付記５に記載の半導体装置。
［付記７］
前記第２導通部材は、前記第２接合面につながり、かつ前記第２係合部を規定する内周面を有し、
前記第１係合部は、前記内周面に接している、付記５に記載の半導体装置。
［付記８］
前記第１係合部は、前記第１方向において前記第１接合面と同じ側を向く端面を有し、
前記端面は、前記第２係合部から突出している、付記５に記載の半導体装置。
［付記９］
前記第１導通部材は、前記第１接合面につながり、かつ前記第１係合部を規定する周面を有し、
前記周面は、前記第１接合面に対して傾斜している、付記８に記載の半導体装置。
［付記１０］
前記第１係合部の前記第１方向に対して直交する断面の大きさは、前記第１接合面から前記端面にかけて縮小している、付記９に記載の半導体装置。
［付記１１］
前記第１方向に視て、前記第１係合部は、前記半導体素子と前記接合層との間に位置する、付記８に記載の半導体装置。
［付記１２］
前記第１係合部は、前記第１方向に対して直交する方向において互いに離れた第１凸部および第２凸部を含み、
前記第２係合部は、前記第１凸部が係合する第１貫通部と、前記第２凸部が係合する第２貫通部と、を含み、
前記第２貫通部は、前記第１貫通部から離れている、付記８に記載の半導体装置。
［付記１３］
前記第２導通部材は、前記第２接合面から突出する凸部を有し、
前記凸部は、前記第１接合面および前記接合層の各々に接している、付記８に記載の半導体装置。
［付記１４］
前記半導体素子に導通する第３導通部材をさらに備え、
前記半導体素子は、前記第１方向において互いに反対側に位置する第１電極および第２電極を有し、
前記第２導通部材は、前記第１電極に導電接合されており、
前記第２電極は、前記第３導通部材に導電接合されている、付記２ないし１３のいずれかに記載の半導体装置。
［付記１５］
前記第２導通部材および前記半導体素子を覆う封止樹脂をさらに備え、
前記封止樹脂は、前記第１方向に対して直交する方向を向く側面を有し、
前記第１導通部材および前記第３導通部材の各々の一部は、前記側面から突出している、付記１４に記載の半導体装置。
［付記１６］
前記封止樹脂の一部は、前記第２係合部に収容されている、付記１５に記載の半導体装置。
［付記１７］
前記第２導通部材は、前記第１電極に対向する第３接合面と、前記第３接合面から突出する突起と、を有し、
前記第１方向に視て、前記突起は、前記第１電極に重なっている、付記１５に記載の半導体装置。

【符号の説明】

【0075】

Ａ１０，Ａ２０，Ａ３０，Ａ４０，Ａ５０：半導体装置
１０：半導体素子
１１：第１電極
１２：第２電極
２０：第１導通部材
２１：第１インナ部
２１１：第１接合面
２１１Ａ：周縁
２２：第１アウタ部
２３：第１係合部
２３Ａ：第１凸部
２３Ｂ：第２凸部
２３１：周面
２３２：端面
３０：第２導通部材
３１：第２接合面
３２：第３接合面
３３：第２係合部
３３Ａ：第１貫通部
３３Ｂ：第２貫通部
３３１：内周面
３４：突起
３５：凸部
４０：第３導通部材
４１：第２インナ部
４１１：搭載面
４１２：傾斜面
４１３：開口
４２：第２アウタ部
５１：第１接合層
５２：第２接合層
５３：第３接合層
６０：封止樹脂
６１：頂面
６２：底面
６３：第１側面
６４：第２側面
７０：保護層
ｚ：第１方向
ｘ：第２方向
ｙ：第３方向

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】

【図20】

【図21】

【図22】