特開 2024-168213 液晶装置及び電子機器

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024168213

(43)【公開日】2024-12-05

(54)【発明の名称】液晶装置及び電子機器

(51)【国際特許分類】

   G02F 1/1333 20060101AFI20241128BHJP

   G02F 1/1343 20060101ALI20241128BHJP

【ＦＩ】

G02F1/1333 505

G02F1/1343

【審査請求】未請求

【請求項の数】5

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023084695

(22)【出願日】2023-05-23

(71)【出願人】

【識別番号】000002369

【氏名又は名称】セイコーエプソン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100149548

【弁理士】

【氏名又は名称】松沼 泰史

(74)【代理人】

【識別番号】100140774

【弁理士】

【氏名又は名称】大浪 一徳

(74)【代理人】

【識別番号】100114937

【弁理士】

【氏名又は名称】松本 裕幸

(74)【代理人】

【識別番号】100196058

【弁理士】

【氏名又は名称】佐藤 彰雄

(72)【発明者】

【氏名】杉本 陽平

【テーマコード（参考）】

2H092

2H190

【Ｆターム（参考）】

2H092HA04

2H092JA24

2H092JA25

2H092JB56

2H092JB69

2H092JB77

2H092KB23

2H092KB25

2H092QA09

2H092RA05

2H190HA03

2H190HA04

2H190HA07

2H190HA08

2H190HB03

2H190HB04

2H190HB06

2H190HD06

2H190JB02

2H190JB04

2H190KA07

2H190LA01

2H190LA11

2H190LA12

2H190LA16

2H190LA20

2H190LA22

(57)【要約】

【課題】液晶装置の平面視で画素電極と重なる領域での光の利用効率を高め、画素電極間の領域に重なって配置されている液晶の劣化を抑える。
【解決手段】本発明の液晶装置において、基板と、基板に配置される第１画素電極と、第１画素電極と並んで基板に配置される第２画素電極と、平面視で第１画素電極と第２画素電極との間に配置され、基板の厚み方向において、第１画素電極と基板との間、且つ、第２画素電極と基板との間に設けられる配線層と、基板の厚み方向において、第１画素電極と配線層との間、且つ、第２画素電極と配線層との間に配置されるとともに、平面視で配線層と第１画素電極の周辺領域と第２画素電極の周辺領域とに重なる絶縁層と、を備える。絶縁層は、配線層から高屈折率である第１絶縁層と低屈折率な第２絶縁層とが順番で積層されている。
【選択図】図５

【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板と、
前記基板に配置される第１画素電極と、
前記第１画素電極と並んで前記基板に配置される第２画素電極と、
平面視で前記第１画素電極と前記第２画素電極との間に配置され、前記基板の厚み方向において、前記第１画素電極と前記基板との間、且つ、前記第２画素電極と前記基板との間に設けられる配線層と、
前記基板の厚み方向において、前記第１画素電極と前記配線層との間、且つ、前記第２画素電極と前記配線層との間に配置されるとともに、平面視で前記配線層と前記第１画素電極の周辺領域と前記第２画素電極の周辺領域とに重なる絶縁層と、
を備え、
前記絶縁層は、前記配線層から高屈折率である第１絶縁層と低屈折率な第２絶縁層とが順番で積層されている、
液晶装置。

【請求項2】

前記第１絶縁層の厚みは前記配線層の厚みの１／３以下であり、
前記第２絶縁層の厚みは前記配線層の厚みの１／３以下である、
請求項１に記載の液晶装置。

【請求項3】

前記第１絶縁層の厚みは３０ｎｍであり、
前記第２絶縁層の厚みは３０ｎｍである、
請求項１又は２に記載の液晶装置。

【請求項4】

前記絶縁層は、平面視したときに、前記第１画素電極において、前記配線層と前記第１画素電極とが互いに重ならない領域に配置されず、前記第２画素電極において、前記配線層と前記第２画素電極とが互いに重ならない領域には配置されていない、
請求項１又は２に記載の液晶装置。

【請求項5】

請求項１又は請求項２に記載の液晶装置を備える、
電子機器。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、液晶装置及び電子機器に関する。

【背景技術】

【0002】

プロジェクター等の表示装置や電子機器には、入射する光を画像情報に応じて変調して画像光を射出する光変調装置として、液晶パネル等の液晶装置が用いられている。例えば、透過型の液晶装置では、透光性を有する画素電極を備える第１基板と、透光性を有する対向電極を備える第２基板との間に液晶層が設けられている。第２基板から入射する光は、液晶層で変調され、第１基板から射出される。その際に、入射光が画素電極の界面等で反射すると、第１基板から射出される光量が減少し、表示画像の明るさが低下する。

【0003】

例えば、特許文献１には、透過型の液晶装置において、画素電極での光の反射を抑制するとともに、画素電極を形成することによる段差の形成を抑制するために、厚み方向での画素電極と層間絶縁層との間に、第１透光層と、第２透光層と、が設けられている。第１透光層の屈折率は、第２透光層よりも高い。第２透光層の屈折率は、画素電極よりも低い。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開２０１８－１６３２８０号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

従来の透過型の液晶装置では、複数の画素の各々の液晶層で変調される入射光は、第１基板を透過して第１基板の射出面、すなわち、第１基板の液晶層に向く面とは反対側の面から射出される。しかしながら、画素電極間に設けられた配線等によって反射される反射光は、入射面、すなわち第２基板の液晶層に向く面とは反対側の面に向かって戻る。
光が入射する方向に沿って平面視したときに、画素電極間の配線等と重なる領域に配置されている液晶には、入射光と反射光の双方が照射される。そのため、画素電極間の配線等と重なる領域に配置されている液晶は、画素電極と重なる領域に配置されている液晶に比べて早く劣化する場合があった。上述の特許文献１に開示されている液晶装置では、第１透光層及び第２透光層が平面視で全体に設けられているため、画素電極間の領域に入射する光の反射を抑制することができるが、画素電極と重なる領域での光の利用効率を高めるのに限度があった。すなわち、透過型の液晶装置において、平面視で画素電極と重なる領域での光の利用効率を高め、画素電極間の領域に重なって配置されている液晶の劣化を抑える対策が求められていた。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本発明の一つの態様の液晶装置は、基板と、基板に配置される第１画素電極と、第１画素電極と並んで基板に配置される第２画素電極と、平面視で第１画素電極と第２画素電極との間に配置され、基板の厚み方向において、第１画素電極と基板との間、且つ、第２画素電極と基板との間に設けられる配線層と、基板の厚み方向において、第１画素電極と配線層との間、且つ、第２画素電極と配線層との間に配置されるとともに、平面視で配線層と第１画素電極の周辺領域と第２画素電極の周辺領域とに重なる絶縁層と、を備える。絶縁層は、配線層から高屈折率である第１絶縁層と低屈折率な第２絶縁層とが順番で積層されている。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】本発明の一実施形態の液晶装置の平面図である。

【図2】図１の液晶装置の断面図である。

【図3】図１の液晶装置の等価回路図である。

【図4A】図１の液晶装置の第１基板の平面図である。

【図4B】図４Ａの第１基板の断面図である。

【図4C】図４Ａの第１基板の断面図である。

【図4D】図４Ａの第１基板の断面図である。

【図5】図１の液晶装置の表示領域の上部構造の断面図である。

【図6A】図１の液晶装置の第１基板の製造工程を説明するための平面図である。

【図6B】図１の液晶装置の第１基板の製造工程を説明するための断面図である。

【図7A】図１の液晶装置の第１基板の製造工程を説明するための平面図である。

【図7B】図１の液晶装置の第１基板の製造工程を説明するための断面図である。

【図8A】図１の液晶装置の第１基板の製造工程を説明するための平面図である。

【図8B】図１の液晶装置の第１基板の製造工程を説明するための断面図である。

【図9】図１の液晶装置の表示領域の上部構造の断面図である。

【図10】本発明の一実施形態の電子機器の概略図である。

【発明を実施するための形態】

【0008】

以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。図面では、各々の構成要素を見やすくするため、構成要素によって寸法の縮尺が異なる場合がある。

【0009】

図面には、必要に応じて、互いに直交する３つの軸として、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸が図示されている。また、Ｘ軸に沿う一方向を＋Ｘ方向と記載し、＋Ｘ方向とは反対の方向を－Ｘ方向と表記する。同様に、Ｙ軸に沿う一方向を＋Ｙ方向と表記し、＋Ｙ方向とは反対の方向を－Ｙ方向と記載する。Ｚ軸に沿う一方向を＋Ｚ方向と表記し、＋Ｚ方向とは反対の方向を－Ｚ方向と記載する。また、Ｘ軸とＹ軸とを含む面を「ＸＹ面」と記載し、ＸＹ面をＺ軸に沿って見ることを「平面視」と記載する場合がある。

【0010】

以下の説明において、例えば、基板に対して、「基板上に」という記載は、基板の上面に接して配置される場合、基板の上面に基板以外の構造物等の構成要素を介して配置される場合、基板の上面に一部が接して配置され、他の一部が基板以外の構成要素を介して配置される場合の何れかを表す。また、液晶装置の各々の構成要素の材料や膜厚は、好適な理由等が説明されている場合を除き、例示されている材料や膜厚に限定されない。

【0011】

本発明の一実施形態では、液晶装置として、画素毎にスイッチング素子としての薄膜トランジスター（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ；ＴＦＴ）を備えるアクティブ駆動型の液晶装置を例に挙げて説明する。以下では、薄膜トランジスターをＴＦＴと省略して記載する場合がある。液晶装置は、例えば、後述する電子機器としてのプロジェクターにおいて、光変調装置として好適に用いられる。

【0012】

（液晶装置の物理的な構造の概要）
図１は、本実施形態の液晶装置１００の平面図である。図２は、液晶装置１００の断面図であり、図１に示すＨ－Ｈ’線で矢視した場合の断面図である。図１及び図２に示すように、液晶装置１００は、第１基板１０と、第２基板２０と、液晶層５と、を備える。第２基板２０は、第１基板１０と対向するように配置されている。液晶層５は、Ｚ軸で第１基板１０と第２基板２０との間に挟まれており、液晶装置１００の電気光学層として機能する。液晶層５には、不図示の複数の液晶が含まれている。

【0013】

第１基板１０の素子基板１１１及び第２基板２０の対向基板１１２には、液晶装置１００に入射する色光を透過可能な材料で形成された基板が用いられ、例えば、ガラス基板、石英基板等の基板が用いられる。

【0014】

平面視したときに、第１基板１０のＸ軸上での幅及びＹ軸上での幅は、第２基板２０よりも大きい。第１基板１０と第２基板２０とは、第２基板２０の外縁に沿って配置されるシール材６を介してＺ軸において接合されている。第１基板１０と第２基板２０とシール材６によって囲まれる空間に、正又は負の誘電異方性を有する液晶が封入され、液晶層５が設けられている。

【0015】

平面視したときに、シール材６の内側には、複数の画素Ｐを含む表示領域Ｅが設けられている。複数の画素Ｐは、Ｘ軸及びＹ軸に沿ってマトリクス状に配列されている。平面視したときに、表示領域Ｅよりも外側の領域は、周辺領域Ｆである。平面視したときに、周辺領域Ｆのうちでシール材６と表示領域Ｅとの間の第１周辺領域Ｆ１には、ダミー画素ＤＰが設けられている。第１周辺領域Ｆ１は、ＸＹ面で表示領域Ｅを囲んでいる。ダミー画素ＤＰは、第１周辺領域Ｆ１において最も表示領域Ｅに近い領域に配置されている。ダミー画素ＤＰが配置されている領域は、表示に寄与しない、ダミー画素領域ＤＦである。

【0016】

平面視したときに、第１周辺領域Ｆ１に、表示領域Ｅを囲む仕切り材２３が設けられている。例えば、第１周辺領域Ｆ１のうちでＸ軸に沿って延在してＹ軸において＋Ｙ方向側に配置されている１辺のシール材６と表示領域Ｅとの間の領域に、検査回路４１が設けられている。第１周辺領域Ｆ１のうちでＸ軸に沿って延在する２辺のシール材６のそれぞれと表示領域Ｅとの間の領域に、走査線駆動回路４５が設けられている。第１周辺領域Ｆ１のうちでシール材６と検査回路４１との間の領域に、２つの走査線駆動回路４５同士を繋ぐ複数の配線４９が設けられている。

【0017】

周辺領域Ｆのうちでシール材６よりも外側の第１基板１０の第２周辺領域Ｆ２には、複数の外部接続端子４３が設けられている。複数の外部接続端子４３は、例えばＸ軸に沿って延在してＹ軸において－Ｙ方向側の第２周辺領域Ｆ２に、Ｘ軸に沿って互いに間隔をあけて配置されている。平面視したときに、第２周辺領域Ｆ２において、複数の外部接続端子４３が配置されている領域とＸ軸に沿って延在するシール材６との間に、データ線駆動回路４７が設けられている。

【0018】

配線４９は、データ線駆動回路４７及び走査線駆動回路４５に繋がっており、複数の外部接続端子４３に接続されている。なお、検査回路４１は、上述した領域、すなわちＸ軸に沿って延在してＹ軸において＋Ｙ方向側に配置されている１辺のシール材６と表示領域Ｅとの間の領域とは異なる領域に配置されてもよい。

【0019】

図２に示すように、第１基板１０の基材としての素子基板１１１において液晶層５に向く表面に、薄膜トランジスター３０と、検査回路４１と、配線４９と、配向膜１２が設けられている。薄膜トランジスター３０は、画素Ｐ毎に設けられたスイッチング素子である。配向膜１２は、画素電極１１及び薄膜トランジスター３０、配線４９を被覆している。薄膜トランジスター３０及び画素電極１１は、画素Ｐの構成要素である。第１基板１０は、素子基板１１１、画素電極１１、薄膜トランジスター３０、配線４９、及び配向膜１２を含み、これらの構成要素及び検査回路４１によって構成されている。

【0020】

第２基板２０の基材としての対向基板１１２において液晶層５に向く表面に、仕切り材２３と、絶縁層２５と、対向電極２１と、配向膜２２が設けられている。絶縁層２５は、仕切り材２３を被覆している。対向電極２１は、絶縁層２５を被覆して設けられた共通配線として配置されている。配向膜２２は、対向電極２１を被覆している。第２基板２０は、仕切り材２３、対向電極２１、及び配向膜２２を含み、これらの構成要素及び絶縁層２５によって構成されている。なお、対向電極２１は一例として第２基板２０に設けられているが、第１基板１０に設けられてもよい。例えば、薄膜トランジスター３０と、検査回路４１と、配線４９とを被覆する不図示の絶縁層が設けられ、対向電極２１は前述の不図示の絶縁層と配向膜１２との間に設けられてもよい。

【0021】

図１に示すように平面視したときに、走査線駆動回路４５及び検査回路４１は、仕切り材２３に重なっている。仕切り材２３は、遮光部として機能する。光Ｌは、不図示の光源装置から射出され、－Ｙ方向に沿って第２基板２０から液晶装置１００に入射する。仕切り材２３は、光Ｌが走査線駆動回路４５等の周辺回路に入射しないように遮光する。仕切り材２３が設けられていることによって、周辺回路の誤動作が防止される。仕切り材２３は、不要な迷光が表示領域Ｅに入射しないように遮光する。仕切り材２３が設けられていることによって、液晶装置１００におけるコントラストの低下が抑制される。

【0022】

絶縁層２５は、例えば、光Ｌに対して透光性を有する酸化シリコン（ＳｉＯ_２）等の無機材料によって形成されている。絶縁層２５において液晶層５に接する表面は、ＸＹ面に平行な平坦面である。

【0023】

導通部材７は、平面視において、シール材６の四隅に設けられ、Ｚ軸に沿って延在している。対向電極２１は、導通部材７と電気的に接続されている。導通部材７は、後述する共通配線１８と電気的に接続されている。

【0024】

画素電極１１及び対向電極２１は、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ；ＩＴＯ）やＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ；ＩＺＯ）等の透明導電体で形成されている。配向膜１２，２２の材料は、液晶装置１００の光学設計に基づいて選定される。配向膜１２，２２の材料としては、例えば、酸化シリコン等の無機化合物、或いは、ポリイミド等の有機化合物が挙げられる。

【0025】

液晶装置１００では、ノーマリーホワイトモード或いはノーマリーブラックモードの光学設計が採用される。ノーマリーホワイトモードでは、電圧が印加されない状態での画素Ｐの透過率が電圧印加時の透過率よりも大きい。ノーマリーブラックモードでは、電圧が印加されない状態での画素Ｐの透過率が電圧印加時の透過率よりも小さい。以下では、液晶装置１００において、ノーマリーブラックモードの光学設計が採用されている場合を想定して説明する。なお、液晶装置１００の光学設計に応じて、液晶装置１００に対して光Ｌの入射側の空間及び射出側の空間のそれぞれに、不図示の偏光素子が配置されている。

【0026】

（液晶装置の電気的な構造の概要）
図３は、液晶装置１００の等価回路図である。図３に示すように、液晶装置１００では、第１基板１０の素子基板１１１上に、複数の走査線１３、複数のデータ線１６、複数の共通配線１８が設けられている。複数の走査線１３は、Ｘ軸と平行に延在している。複数のデータ線１６及び複数の共通配線１８は、Ｙ軸と平行に延在している。複数のデータ線１６は、少なくとも複数の走査線１３と交差している。すなわち、走査線１３が延在する方向とデータ線１６が延在する方向とは、互いに異なる。なお、複数の共通配線１８は必ずしもＹ軸に沿って延在している必要はなく、共通配線１８が延在する方向は特定の方向に限定されない。

【0027】

画素Ｐは、Ｘ軸に沿って延在する走査線１３と、Ｙ軸に沿って延在するデータ線１６によって、区画されている。画素Ｐには、画素電極１１、薄膜トランジスター３０及び容量素子６０が設けられている。

【0028】

走査線１３は、薄膜トランジスター３０のゲートに電気的に接続されている。データ線１６は、薄膜トランジスター３０のソースに電気的に接続されている。走査線１３は、同一行に設けられた薄膜トランジスター３０のオン、オフを一斉に制御する。画素電極１１は、薄膜トランジスター３０のドレインに電気的に接続されている。

【0029】

データ線１６は、データ線駆動回路４７に電気的に接続されており、データ線駆動回路４７から供給される画像信号Ｄ１，Ｄ２，・・・，Ｄｎを画素Ｐに供給する。走査線１３は、走査線駆動回路４５に電気的に接続されており、走査線駆動回路４５から供給される走査信号ＳＣ１，ＳＣ２，・・・，ＳＣｍを各画素Ｐに供給する。

【0030】

データ線駆動回路４７からデータ線１６に供給される画像信号Ｄ１から画像信号Ｄｎは、順次供給されてもよく、互いに隣り合う複数のデータ線１６同士のグループ毎にまとめて供給されてもよい。走査線駆動回路４５は、走査線１３に対して、走査信号ＳＣ１から走査信号ＳＣｍを、所定のタイミングでパルスとして順次供給する。

【0031】

薄膜トランジスター３０に走査信号ＳＣ１が入力されると、ＴＦＴ３０は、一定期間だけオン状態になる。このことによって、データ線１６から供給される画像信号Ｄ１は、所定のタイミングで画素電極１１に書き込まれる。画素電極１１を介して液晶層５に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｄ１は、画素電極１１と液晶層５とを介して対向配置されている対向電極２１との間で一定期間保持される。

【0032】

画素電極１１と対向電極２１との間に設けられた液晶容量に対して、容量素子６０が並列に、且つ電気的に接続されている。このことによって、液晶層５に保持された画像信号Ｄ１のリークが防止される。容量素子６０は、画素電極１１及び共通配線１８に電気的に接続している。

【0033】

図３では省略されているが、データ線１６には、検査回路４１が接続されている。そのため、液晶装置１００の製造工程において、画像信号Ｄ１，Ｄ２，・・・，Ｄｎを検出することによって、液晶装置１００の動作不具合等の確認が可能である。

【0034】

（液晶素子の電気的な構造の概要）
図４Ａは、液晶装置１００の画素Ｐの平面図である。図４Ｂは、画素Ｐの素子基板１１１から第７導電層１２７までの積層構造の断面図であり、図４Ａに示すＣ１－Ｃ１線で矢視した場合の図である。図４Ｃは、画素Ｐの素子基板１１１から第７導電層１２７までの積層構造の他の断面図であり、図４Ａに示すＣ２－Ｃ２線で矢視した場合の図である。図４Ｄは、画素Ｐの素子基板１１１から第７導電層１２７までの積層構造の他の断面図であり、図４Ａに示すＣ３－Ｃ３線で矢視した場合の図である。

【0035】

図４Ａから図４Ｄに示すように、素子基板１１１上に、第１導電層１２１、第２導電層１２２、第３導電層１２３、半導体層３１、第４導電層１２４、第５導電層１２５、第６導電層１２６、第７導電層１２７、及び画素電極１１が＋Ｚ方向に順次積層されている。

【0036】

第１導電層１２１は、容量素子６０の第２容量電極６２を含む。第２導電層１２２は、容量素子６０の第１容量電極６１を含む。第３導電層１２３は、走査線１３を含む。半導体層３１及び第４導電層１２４は、薄膜トランジスター３０を構成する。薄膜トランジスター３０には、トップゲート構造及びＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ Ｄｏｐｅｄ Ｄｒａｉｎ）構造が採用されている。半導体層３１は、第１領域ＲＡの半導体層３１Ａと、第２領域ＲＢの半導体層３１Ｂと、第３領域ＲＣの半導体層３１Ｃと、を有する。第４導電層１２４は、薄膜トランジスター３０のゲート電極３２を含む。半導体層３１と第４導電層１２４のゲート電極３２との間に、ゲート絶縁膜３３としての絶縁膜１３３が設けられている。

【0037】

半導体層３１Ａは、Ｚ軸においてゲート絶縁膜３３を介して第４導電層１２４のゲート電極３２と隣り合うように設けられている。すなわち、半導体層３１Ａは、ゲート絶縁膜３３を挟んでゲート電極３２の下方に配置されている。半導体層３１Ｂは、半導体層３１のうちで、Ｙ軸において半導体層３１Ａに隣接し、半導体層３１Ａの＋Ｙ方向側及び－Ｙ方向側に設けられている。半導体層３１Ｂには、リン（Ｐ）等の不純物が注入されている。半導体層３１Ｃは、半導体層３１のうちの半導体層３１Ａ，３１Ｂ以外の残りの部分を含み、Ｙ軸で半導体層３１Ｂに隣接し、半導体層３１Ｂよりも＋Ｙ方向側及び－Ｙ方向側に設けられている。半導体層３１Ｃには、半導体層３１Ｂと同様に、リン等の不純物が注入されている。但し、第３領域ＲＣの半導体層３１Ｃの不純物濃度は、第２領域ＲＢの半導体層３１Ｂの不純物濃度よりも高い。Ｙ軸においてゲート電極３２よりも＋Ｙ方向側に設けられている半導体層３１Ｂ，３１Ｃは、薄膜トランジスター３０のドレイン領域及びソース領域のうちの一方の領域を構成し、本実施形態ではドレイン領域３１ｄを構成する。Ｙ軸においてゲートよりも－Ｙ方向側に設けられている半導体層３１Ｂ，３１Ｃは、薄膜トランジスター３０のドレイン領域及びソース領域のうちの他方の領域を構成し、本実施形態ではソース領域３１ｓを構成する。すなわち、第３領域ＲＣの半導体層３１Ｃに薄膜トランジスター３０のドレイン領域及びソース領域として求められる所定の濃度で不純物が添加されている。第２領域ＲＢの半導体層３１Ｂには、前述のように所定の濃度よりも低濃度で不純物が添加されている。半導体層３１Ｂは、ＬＤＤ３１ｌを構成している。半導体層３１Ｂが配置されていることによって、薄膜トランジスター３０の動作時においてソース・ドレイン拡散層の不純物分布及び電界が緩和され、薄膜トランジスター３０の劣化が抑えられる。

【0038】

第５導電層１２５は、第６中継電極５０を含む。第６導電層１２６は、データ線１６を含む。第７導電層１２７は、共通配線１８を含む。

【0039】

第２容量電極６２である第１導電層１２１と第１容量電極６１である第２導電層１２２との間に、第１誘電膜６３が設けられている。第２導電層１２２と第３導電層１２３との間に、第１層間絶縁層７１が設けられている。第３導電層１２３と半導体層３１との間に、第２層間絶縁層７２が設けられている。第４導電層１２４と第５導電層１２５との間には、第３層間絶縁層７３が設けられている。第５導電層１２５と第６導電層１２６との間には、第４層間絶縁層７４が設けられている。第６導電層１２６と第７導電層１２７との間には、第５層間絶縁層７５が設けられている。

【0040】

図４Ｂに示すように、容量素子６０は、Ｚ軸において走査線１３に近い側、すなわち＋Ｚ方向側に配置されている第１容量電極６１と、Ｚ軸において第１容量電極６１よりも素子基板１１１に近い側、すなわち－Ｚ方向側に配置されている第２容量電極６２と、を有する。

【0041】

図４Ｃ及び図４Ｄに示すように、容量素子６０の第１容量電極６１は、第６導電層１２６に含まれる第１中継電極８１、及び第４導電層１２４に含まれる第２中継電極８２を介して、共通配線１８に電気的に接続されている。図４Ｃに示すように、共通配線１８と第２中継電極８２とは、第６導電層１２６に配置された第１中継電極８１を介して電気的に接続されている。図４Ｃに示すように、第２中継電極８２は、容量素子６０の第１容量電極６１の延出部６１ｔに電気的に接続されている。延出部６１ｔは、後述するように、第１容量電極６１の一部である。

【0042】

第６中継電極５０と容量素子６０の第２容量電極６２とは、画素電極１１及び薄膜トランジスター３０のドレイン領域３１ｄに電気的に接続されている。図４Ｄに示すように、画素電極１１は、第７導電層１２７に含まれる第３中継電極８３に電気的に接続されている。図４Ｃに示すように、第３中継電極８３は、第６導電層１２６に含まれる第４中継電極８４に電気的に接続されている。第４中継電極８４は、第６中継電極５０に電気的に接続されている。図４Ｂに示すように、第６中継電極５０は、第４導電層１２４に含まれる第５中継電極８５に電気的に接続されている。第５中継電極８５は、容量素子６０の第２容量電極６２に電気的に接続されている。

【0043】

走査線１３，共通配線１８等の信号配線、薄膜トランジスター３０、及び第１中継電極８１等の電極は、平面的に複数の画素Ｐを区画する遮光領域ＳＤに設けられている。遮光領域ＳＤは、Ｘ軸に沿って延在する走査線１３を含む直線状の部分と、Ｙ軸に沿って延在するデータ線１６を含む直線状の部分とを含み、平面視したときに格子状に設けられている。

【0044】

図５は、液晶装置１００の表示領域Ｅにおける第１基板１０の第５層間絶縁層７５から画素電極１１までの積層構造と液晶層５との断面図であり、図４Ａに示すＣ１０－Ｃ１１０線で矢視した場合に対応する図である。図５に示すように、Ｚ軸において、第５層間絶縁層７５と画素電極１１との間に、共通配線１８と、絶縁層１５０と、第６層間絶縁層７６が設けられている。

【0045】

画素電極１１は、Ｘ軸及びＹ軸の各々において、画素Ｐのサイズに応じた所定の寸法を有し、隣り合う画素電極１１と所定の間隔Ｇｐをあけて配置されている。例えば、Ｘ軸において、１つの画素電極１１Ａに対して、間隔Ｇｐをあけて隣り合う画素電極１１を画素電極１１Ｂとする。

【0046】

共通配線１８は、前述のようにＹ軸に沿って延在している。共通配線１８は、Ｘ軸において、少なくとも画素電極１１Ａ，１１Ｂの間の領域ＲＰと重なっている。領域ＲＰは、画素電極１１Ａ，１１Ｂの各々の周辺領域に相当する。共通配線１８は、Ｘ軸において、領域ＲＰを挟んで領域ＲＰよりも大きく形成されている。共通配線１８のＸ軸での幅Ｗ１８は、間隔Ｇｐよりも大きく、例えば間隔Ｇｐの１．２倍から１．８倍までの範囲内に設定されている。

【0047】

絶縁層１５０の少なくとも一部は、Ｚ軸において共通配線１８と画素電極１１Ａ，１１Ｂとの間に設けられ、平面視で共通配線１８と重なっている。絶縁層１５０の少なくとも一部は、平面視において、画素電極１１Ａの周辺領域及び画素電極１１Ｂの周辺領域である領域ＲＰに重なっている。絶縁層１５０は、第１絶縁層１５１と、第１絶縁層１５１に積層されている第２絶縁層１５２と、を有する。

【0048】

第１絶縁層１５１は、共通配線１８の＋Ｚ方向側の表面１８ａと、共通配線１８の側面１８ｓと、を略一定の所定の厚みで覆っている。第１絶縁層１５１は、共通配線１８が延在する方向に直交する方向において、共通配線１８の両側に、共通配線１８に隣接して所定の寸法で延在している。第１絶縁層１５１のＸ軸での幅Ｗ１５１は、共通配線１８のＸ軸での幅Ｗ１８よりも大きく、例えば幅Ｗ１８の１．２倍から１．５倍までの範囲内に設定されている。

【0049】

第２絶縁層１５２は、第１絶縁層１５１の＋Ｚ方向側の表面１５１ａを略一定の所定の厚みで覆っている。第２絶縁層１５２は、延在する方向に直交する方向において、第１絶縁層１５１と同じ幅を有する。すなわち、第２絶縁層１５２のＸ軸での幅Ｗ１５２は、共通配線１８のＸ軸での幅Ｗ１８よりも大きく、第１絶縁層１５１のＸ軸での幅Ｗ１５１と同等である。

【0050】

共通配線１８は、例えば、タングステン（Ｗ）等の導電性を有する金属によって形成されている。第１絶縁層１５１は、１．７以上の屈折率を有する絶縁材料によって形成されている。第１絶縁層１５１の絶縁材料として、例えば、酸化ハフニウム（ＨｆＯ_２）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ_２）、窒化珪素（Ｓｉ_３Ｎ_４）、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）、酸化タンタル（Ｔａ_２Ｏ_５）等が挙げられる。第２絶縁層１５２の屈折率は、少なくとも第１絶縁層１５１の屈折率よりも低い。第２絶縁層１５２は、１．６未満の屈折率を有する絶縁材料によって形成されている。第２絶縁層１５２の絶縁材料として、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）、フッ素添加酸化シリコン（ＳｉＯＦ）等が挙げられる。

【0051】

第１絶縁層１５１のＺ軸での厚みｔ１５１、及び第２絶縁層１５２のＺ軸での厚みｔ１５２は、前述の第１絶縁層１５１の所定の波長における屈折率、及び第２絶縁層１５２の所定の波長における屈折率と共通配線１８の所定の波長における反射率及びＺ軸での厚みｔ１８に応じて、設定されている。所定の波長は、可視波長域の波長であり、光Ｌの＋Ｚ方向側への反射を考慮する際に基準とする波長を意味する。所定の波長は、例えば、緑色光のピーク波長であり、５５０ｎｍである。

【0052】

第１絶縁層１５１のＺ軸での厚みｔ１５１は、共通配線１８のＺ軸での厚みｔ１８の１／３以下であることが好ましい。共通配線１８の厚みｔ１８が９０ｎｍに設定されている場合には、第１絶縁層１５１の厚みｔ１５１は、例えば、３０ｎｍに設定されている。
第２絶縁層１５２のＺ軸での厚みｔ１５２は、共通配線１８のＺ軸での厚みｔ１８の１／３以下であることが好ましい。共通配線１８の厚みｔ１８が９０ｎｍに設定されている場合には、第２絶縁層１５２の厚みｔ１５２は、例えば、３０ｎｍに設定されている。厚みｔ１５１，ｔ１５２が前述のように設定されていることによって、光ＬがＺ軸において画素電極１１側から、すなわち＋Ｚ方向側から絶縁層１５０に入射し、絶縁層１５０の第２絶縁層１５２の＋Ｚ方向側の面、第１絶縁層１５１の＋Ｚ方向側の面、及び共通配線１８の＋Ｚ方向の面の各々で反射する反射光の位相が互いに打ち消される。

【0053】

第６層間絶縁層７６は、Ｚ軸において、絶縁層１５０を覆い、第５層間絶縁層７５と画素電極１１との間に設けられ、領域ＲＰについては共通配線１８及び絶縁層１５０と後述する配向膜１２との間に設けられている。第６層間絶縁層７６の＋Ｚ方向側の面、すなわち、液晶層５側に向く表面は、ＸＹ面に平行であり、平坦である。第６層間絶縁層７６は、例えば、酸化シリコンで形成されている。

【0054】

配向膜１２は、画素電極１１の＋Ｚ方向側の表面、すなわち、液晶層５側に向く表面と、側面と、領域ＲＰの第６層間絶縁層７６の＋Ｚ方向側の表面と、を覆っている。配向膜１２は、第１配向膜１６１と、第１配向膜１６１に積層されている第２配向膜１６２と、を有する。

【0055】

第１配向膜１６１は、画素電極１１の＋Ｚ方向側の表面、すなわち、液晶層５側に向く表面と、側面と、領域ＲＰの第６層間絶縁層７６の＋Ｚ方向側の表面に積層されている。第２配向膜１６２は、第１配向膜１６１の＋Ｚ方向側の表面に積層されている。第１配向膜１６１及び第２配向膜１６２は、斜方蒸着膜からなる無機配向膜である。具体的には、第１配向膜１６１及び第２配向膜１６２の各々は、無機化合物からなる図示略の複数の柱状体からなる。複数の柱状体は、ＸＹ面に沿って並び、ＸＹ面で互いに隣接している。複数の柱状体の軸線及び延伸方向は、Ｚ軸に対して所定の傾斜角度をなし、平面視したときに互いに同じ方向に傾斜している。第１配向膜１６１及び第２配向膜１６２を構成する無機化合物は、例えば、酸化シリコン、酸化チタン（ＴｉＯ_２）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化アルミニウム等である。

【0056】

液晶層５には、複数の液晶分子２００が含まれる。液晶装置１００はノーマリブラックのＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モードで作動する。液晶分子２００は、例えば、負の誘電異方性を備えたネマチック液晶分子である。第１配向膜１６１及び第２配向膜１６２の複数の柱状体は、第１基板１０の素子基板１１１の＋Ｚ方向側の表面、及び作動前の複数の液晶分子２００の軸線に対して傾斜した状態で配向されている。

【0057】

液晶装置１００では、Ｚ軸において、第２基板２０側から、すなわち、図５の紙面の上方から、液晶層５を通って－Ｚ方向に進み、第１基板１０に入射する光Ｌの少なくとも一部は、Ｚ軸において、互いに隣接するとともに光Ｌのピーク波長において互いに異なる屈折率を有する材料及び層構造同士の界面で反射される。これらの反射光は、互いに異なる光路を経て反射する。そのため、第１基板１０を透過して第１基板１０の素子基板１１１から－Ｚ方向に射出される光Ｌの強度は、前述の反射光の強度及び各層構造をなす材料の光Ｌに対する反射率に依存する。

【0058】

平面視において、画素電極１１が配置されている画素Ｐの領域では、－Ｚ方向に沿って第１基板１０に入射する光Ｌは、配向膜１２の第２配向膜１６２、第１配向膜１６１と、画素電極１１と、第６層間絶縁層７６と、を順次通り、さらに第５層間絶縁層７５を通って、第５層間絶縁層７５よりも－Ｚ方向側の第１基板１０の積層構造に入射する。第５層間絶縁層７５を透過する光Ｌは、概ね第１基板１０の素子基板１１１から－Ｚ方向側に射出される。画素Ｐの領域では、画素電極１１よりも－Ｚ方向側に、画素電極１１と第６層間絶縁層７６とがＺ軸で互いに接して配置され、第６層間絶縁層７６と第５層間絶縁層７５とがＺ軸で互いに接して配置されている。第５層間絶縁層７５と、第６層間絶縁層７６と、配向膜１２の第１配向膜１６１及び第２配向膜１６２とは、酸化シリコン等の互いに同様の材料で形成され、互いに同等の屈折率を有する。－Ｚ方向側から第１基板１０の配向膜１２に入射する光Ｌの＋Ｚ方向側への反射は、Ｚ軸において、共通配線１８の位置までに、画素電極１１と配向膜１２の第１配向膜１６１との界面での反射、及び画素電極１１と第６層間絶縁層７６との界面での反射に因る。画素Ｐの領域では、Ｚ軸での配向膜１２から第５層間絶縁層７５までの光Ｌの＋Ｚ方向側への反射が極力抑えられ、光Ｌの利用効率が向上する。

【0059】

第５層間絶縁層７５と、第６層間絶縁層７６と、配向膜１２の第１配向膜１６１及び第２配向膜１６２の各々の屈折率は、画素電極１１の屈折率に相対的に近い方が好ましい。第５層間絶縁層７５と、第６層間絶縁層７６と、配向膜１２の第１配向膜１６１及び第２配向膜１６２の各々の屈折率と画素電極１１の屈折率が互いに近い程、画素電極１１と配向膜１２の第１配向膜１６１との界面での光Ｌの＋Ｚ方向側への反射、及び画素電極１１と第６層間絶縁層７６との界面での光Ｌの＋Ｚ方向側への反射が抑えられ、光Ｌの利用効率のさらなる向上が図られる。

【0060】

平面視において、領域ＲＰでは、－Ｚ方向に沿って第１基板１０に入射する光Ｌは、配向膜１２の第２配向膜１６２、第１配向膜１６１と、画素電極１１と、第６層間絶縁層７６と、絶縁層１５０の第２絶縁層１５２、第１絶縁層１５１を順次通り、共通配線１８の＋Ｚ方向側の表面に照射される。共通配線１８に照射される光Ｌは、＋Ｚ方向に反射され、絶縁層１５０の第１絶縁層１５１、第２絶縁層１５２に入射する。上述説明したように、第２絶縁層１５２の屈折率が第１絶縁層１５１の屈折率よりも低く、第１絶縁層１５１の厚みｔ１５１及び第２絶縁層１５２の厚みｔ１５２が共通配線１８の表面１８ａ、第１絶縁層１５１の表面１５１ａ、及び第２絶縁層１５２の＋Ｚ方向側の表面１５２ａで反射される光Ｌの位相を互いに反転させ、反射光同士を打ち消すように設定されている。そのため、絶縁層１５０は共通配線１８から＋Ｚ方向に反射される光Ｌに対して反射防止層として作用する。そのため、共通配線１８から＋Ｚ方向側に反射される光Ｌは、第１絶縁層１５１及び第２絶縁層１５２で多重反射し、減衰する。光Ｌは、－Ｚ方向側から領域ＲＰの液晶層５に、殆ど照射されない。

【0061】

（液晶装置の製造方法の概要）
次に、液晶装置１００の製造方法のうちで第１基板１０のＺ軸における画素電極１１から配向膜１２までの積層構造を説明する。

【0062】

図６Ａは、液晶装置１００の表示領域Ｅの上部構造の平面図である。図６Ｂは、液晶装置１００の表示領域Ｅの上部構造を製造する工程を説明するための断面図であり、図６Ａに示すＣ１５－Ｃ１５線で矢視した時の断面図である。図６Ａ及び図６Ｂに示すように、第５層間絶縁層７５の＋Ｚ方向側のＸＹ面に平行な表面７５ａに、Ｙ軸に沿って延在する複数の第７導電層１２７を、Ｘ軸において画素Ｐの寸法に応じた間隔をあけて形成する。

【0063】

図７Ａは、液晶装置１００の表示領域Ｅの上部構造の平面図である。図７Ｂは、液晶装置１００の表示領域Ｅの上部構造を製造する工程を説明するための断面図であり、図７Ａに示すＣ１５－Ｃ１５線で矢視した時の断面図である。続いて、共通配線１８を構成する第７導電層１２７の＋Ｚ方向側の表面１２７ａ上と、第７導電層１２７の側面１２７ｓ上と、第７導電層１２７が設けられていない領域の第５層間絶縁層７５の表面７５ａ上と、に第１絶縁層１５１を厚みｔ１５１で形成する。その後、第１絶縁層１５１の＋Ｚ方向側の表面１５１ａに、第２絶縁層１５２を厚みｔ１５２で積層する。

【0064】

続いて、図７Ａ及び図７Ｂに示すように、ＸＹ面において各々の共通配線１８或いは領域ＲＰを含んで幅Ｗ１５１，Ｗ１５２の領域の第２絶縁層１５２の表面１５２ａ上に、レジスト層２１０を形成する。レジスト層２１０をマスクとして、＋Ｚ方向側からエッチングを行い、Ｘ軸において幅Ｗ１５１，Ｗ１５２の領域以外の領域に設けられている第１絶縁層１５１及び第２絶縁層１５２を削除する。その後、レジスト層２１０を除去する。

【0065】

図８Ａは、液晶装置１００の表示領域Ｅの上部構造の平面図である。図８Ｂは、液晶装置１００の表示領域Ｅの上部構造を製造する工程を説明するための断面図であり、図８Ａに示すＣ１５－Ｃ１５線で矢視した時の断面図である。続いて、絶縁層１５０の第２絶縁層１５２及び第５層間絶縁層７５を覆うように第６層間絶縁層７６を積層する。第６層間絶縁層７６の＋Ｚ方向側の表面７６ａを、ＸＹ面に平行に平坦化する。その後、平面視において画素Ｐに相当する領域の第６層間絶縁層７６の表面７６ａに、ＩＴＯからなる導電層１２８を積層し、画素電極１１を形成する。さらに、導電層１２８の＋Ｚ方向側の表面１２８ａ上及び側面１２８ｓ上と、第６層間絶縁層７６のうちで導電層１２８に覆われていない領域の表面７６ａ上と、に酸化シリコン等の配向膜１５０の材料を斜方蒸着する。斜方蒸着は、例えば、第６層間絶縁層７６の表面７６ａ及び導電層１２８の表面１２８ａをＺ軸に対して所定の傾斜角度をなすように傾けた状態で、積層構造全体を不図示の支持台等に固定し、行う。

【0066】

上述の工程を経て、図５に示す液晶装置１００の表示領域Ｅの上部構造が製造される。

【0067】

以上説明した本実施形態の液晶装置１００は、第１基板１０の素子基板１１１と、第１画素電極である画素電極１１Ａと、第２画素電極である画素電極１１Ｂと、配線層である共通配線１８と、絶縁層１５０と、を備える。画素電極１１Ａは、素子基板１１１に配置されている。画素電極１１Ｂは、ＸＹ面で画素電極１１Ａと並んで素子基板１１１に配置されている。共通配線１８は、平面視で画素電極１１Ａと画素電極１１Ｂとの間に配置されている。共通配線１８は、素子基板１１１の厚み方向、すなわちＺ軸において、画素電極１１Ａと素子基板１１１との間、且つ、画素電極１１Ｂと素子基板１１１との間に設けられている。絶縁層１５０は、素子基板１１１の厚み方向において、画素電極１１Ａ，１１Ｂと共通配線１８との間に配置されている。絶縁層１５０は、素子基板１１１の厚み方向、すなわちＺ軸において、画素電極１１Ａと共通配線１８との間、且つ、画素電極１１Ｂと共通配線１８との間に設けられている。絶縁層１５０は、平面視で共通配線１８と、画素電極１１Ａ，１１Ｂの周辺領域とに重なっている。本実施形態の液晶装置１００において、絶縁層１５０は、共通配線１８から相対的に高い屈折率を有する第１絶縁層１５１と低屈折率の第２絶縁層１５２とが順番に積層されている。

【0068】

本実施形態の液晶装置１００は、透過型の液晶装置であり、平面視で互いに隣り合う画素電極１１Ａ，１１Ｂ間に配置されている共通配線１８と、平面視で共通配線１８と重なるとともに画素Ｐの開口領域の全体とは重ならない位置の領域ＲＰに配置されている絶縁層１５０と、を備える。絶縁層１５０は、高屈折率層である第１絶縁層１５１と、低屈折率層である第２絶縁層１５２と、を有し、反射防止層として作用する。このことによって、平面視で画素電極１１Ａ，１１Ｂ間に＋Ｚ方向側から－Ｚ方向に侵入する光Ｌは、共通配線１８によって反射され、＋Ｚ方向側、すなわち液晶層５側に進むが、絶縁層１５０によって減じられる。本実施形態の液晶装置１００によれば、平面視で領域ＲＰに重なって配置されている液晶層５の液晶分子２００の劣化が画素Ｐの開口領域に配置されている液晶層５の液晶分子２００よりも進むことを抑えられる。また、本実施形態の液晶装置１００によれば、画素電極１１と重なる画素Ｐの開口領域の全体に、絶縁層１５０を配置しない。画素電極１１と重なる画素Ｐの開口領域では、配向膜１６０と、第６層間絶縁層７６、及び第５層間絶縁層７５の屈折率が互いに同等である場合、配向膜１６０から共通配線１８とＺ軸で同じ位置の第６層間絶縁層７６までのＺ軸での範囲内で、光Ｌの＋Ｚ方向側への反射を抑え、光Ｌの利用効率を高めることができる。

【0069】

本実施形態の液晶装置１００では、第１絶縁層１５１の厚みｔ１５１は、共通配線１８の厚みｔ１８の１／３以下である。第２絶縁層１５２の厚みｔ１５２は、共通配線１８の厚みｔ１８の１／３以下である。

【0070】

本実施形態の液晶装置１００では、厚みｔ１５１，ｔ１５２が上述のように適切に設定されているため、Ｚ軸における共通配線１８と第１絶縁層１５１との界面、第１絶縁層１５１と第２絶縁層１５２との界面、及び第２絶縁層１５２と第６層間絶縁層７６との界面の各々で反射される反射光同士の位相が打ち消される。そのため、平面視で領域ＲＰに重なって配置されている液晶層５の液晶分子２００への反射光の照射を極力抑え、領域ＲＰに重なって配置されている液晶層５の液晶分子２００の劣化を画素Ｐの開口領域に配置されている液晶層５の液晶分子２００よりも進むことを抑えられる。

【0071】

本実施形態の液晶装置１００では、第１絶縁層１５１の厚みｔ１５１は３０ｎｍであり、第２絶縁層１５２の厚みｔ１５２は３０ｎｍである。

【0072】

本実施形態の液晶装置１００では、共通配線１８の厚みｔ１８が例えば、９０ｎｍに設定されている場合には、厚みｔ１５１，ｔ１５２が上述のように適切に設定されている。そのため、Ｚ軸における共通配線１８と第１絶縁層１５１との界面、第１絶縁層１５１と第２絶縁層１５２との界面、及び第２絶縁層１５２と第６層間絶縁層７６との界面の各々で反射される反射光同士の位相が打ち消される。そのため、平面視で領域ＲＰに重なって配置されている液晶層５の液晶分子２００への反射光の照射を極力抑え、領域ＲＰに重なって配置されている液晶層５の液晶分子２００の劣化を画素Ｐの開口領域に配置されている液晶層５の液晶分子２００よりも進むことを抑えられる。

【0073】

図９は、上述の実施形態の変形例の液晶装置１００の表示領域Ｅにおける第１基板１０の第５層間絶縁層７５から画素電極１１までの積層構造と液晶層５との断面図であり、図４Ａに示すＣ１０－Ｃ１１０線で矢視した場合に対応する図である。本変形例の第１基板１０の積層構造に関しては、上述の本実施形態の液晶装置１００の第１基板１０の積層構造と異なる内容について説明し、液晶装置１００の第１基板１０の積層構造と共通する内容の説明を省略する。

【0074】

図９に示すように、本変形例では、絶縁層１５０は、共通配線１８をなす第７導電層１２７の＋Ｚ方向側の面、すなわち共通配線１８の表面１８ａのみに積層されている。第１絶縁層１５１は、共通配線１８の表面１８ａを覆い、側面１８ｓは覆っていない。第２絶縁層１５２は、第１絶縁層１５１の表面を覆っている。第１絶縁層１５１の幅Ｗ１５１は、共通配線１８の幅Ｗ１８と同等である。第２絶縁層１５２の幅Ｗ１５２は、第１絶縁層１５１の幅Ｗ１５１及び共通配線１８の幅Ｗ１８と同等である。

【0075】

本実施形態の液晶装置１００の変形例において、絶縁層１５０は、平面視したときに、画素電極１１Ａにおいて、共通配線１８と画素電極１１Ａとが重ならない領域には配置されていない。絶縁層１５０は、平面視したときに、画素電極１１Ｂにおいて、共通配線１８と画素電極１１Ｂとが重ならない領域には配置されていない。

【0076】

本実施形態の液晶装置１００の変形例では、平面視において、画素電極１１Ａ，１１Ｂの各々において共通配線１８と重なっていない画素Ｐの開口領域に、絶縁層１５０が延出していない。そのため、画素電極１１Ａ，１１Ｂの各々において共通配線１８と重なっていない領域全体で、絶縁層１５０と第５層間絶縁層７５或いは第６層間絶縁層７６との界面での光Ｌの反射を抑えることができる。その結果、光Ｌの＋Ｚ方向側への反射を抑え、光Ｌの利用効率を高めることができる。

【0077】

前述のように、画素電極１１Ａ，１１Ｂの各々において共通配線１８と重なっていない画素Ｐの開口領域における光Ｌの利用効率をより高めるために、共通配線１８の幅Ｗ１８と、第１絶縁層１５１の幅Ｗ１５１と、第２絶縁層１５２の幅Ｗ１５２とは、周辺領域ＲＰの間隔Ｇｐに近い寸法に設定されていることが好ましい。例えば、液晶装置１００の製造時に生じ得る製造誤差をＭｐと表すと、共通配線１８の幅Ｗ１８、第１絶縁層１５１の幅Ｗ１５１、及び、第２絶縁層１５２の幅Ｗ１５２は、例えば、（Ｇｐ＋２×Ｍｐ）に設定されていてもよい。このように設定されている場合に、平面視したときに、共通配線１８及び絶縁層１５０が周辺領域ＲＰと重なり、Ｘ軸において周辺領域ＲＰよりも－Ｘ方向側及び＋Ｘ方向側に製造誤差Ｍｐだけ大きく形成される。このことによって、平面視において画素電極１１Ａ，１１Ｂの各々に含まれる画素Ｐの開口領域が最大限に確保され、画素Ｐの開口領域における光Ｌの利用効率が最大限に高められる。

【0078】

（電子機器）
次に、本実施形態の電子機器について、説明する。本実施形態では、電子機器として、液晶装置１００を備えたプロジェクター１０００を例に挙げて説明する。図１０は、プロジェクター１０００の概略図である。図１０に示すように、プロジェクター１０００は、光源装置１００１と、ダイクロイックミラー１０１１，１０１２と、液晶装置１００Ｂ，１００Ｇ，１００Ｒと、反射ミラー１１１１，１１１２，１１１３と、リレーレンズ１１２１，１１２２，１１２３と、クロスダイクロイックプリズム１１３０と、投射レンズ１１４０と、を備える。

【0079】

光源装置１００１は、白色光Ｗを射出する。光源装置１００１は、例えば、放電型のランプユニットであるが、発光ダイオード、レーザー等であってもよく、青色光を射出する発光体と発光体から発せられる青色光の一部を黄色光に変換して射出する蛍光体とを組み合わせた装置であってもよく、特定の光源装置に限定されない。

【0080】

光源装置１００１から射出される白色光Ｗは、２個のダイクロイックミラー１０１１，１０１２によって、互いに異なる波長域の３色の色光に分離される。３色の色光は、赤色光Ｒと、緑色光Ｇと、青色光Ｂと、を含む。ダイクロイックミラー１０１１は、赤色光Ｒを透過し、赤色光Ｒよりも波長が短い緑色光Ｇ及び青色光Ｂを反射する。ダイクロイックミラー１０１１を透過する赤色光Ｒは、反射ミラー１１１１で反射され、液晶装置１００Ｒに入射する。ダイクロイックミラー１０１１で反射される緑色光Ｇは、ダイクロイックミラー１０１２によって反射された後、液晶装置１００Ｇに入射する。ダイクロイックミラー１０１１で反射される青色光Ｂは、ダイクロイックミラー１０１２を透過し、リレーレンズ系１１２０へ射出される。

【0081】

リレーレンズ系１１２０は、リレーレンズ１１２１，１１２２，１１２３と、反射ミラー１１１２，１１１３と、を有する。ダイクロイックミラー１０１１から液晶装置１００Ｂまでの青色光Ｂの光路は、ダイクロイックミラー１０１１から液晶装置１００Ｇまでの緑色光Ｇの光路や、ダイクロイックミラー１０１１から液晶装置１００Ｒまでの赤色光Ｒの光路と比べて長い。そのため、青色光Ｂの光束は、緑色光Ｇや赤色光Ｒの光束よりも大きくなり易い。リレーレンズ１１２２が用いられることによって、青色光Ｂの光束の拡大が抑えられている。リレーレンズ系１１２０に入射する青色光Ｂは、反射ミラー１１１２で反射され、リレーレンズ１１２１によってリレーレンズ１１２２の近傍で収束する。青色光Ｂは、反射ミラー１１１３及びリレーレンズ１１２３を経て、液晶装置１００Ｂに入射する。

【0082】

液晶装置１００Ｒ，１００Ｇ，１００Ｂは、プロジェクター１０００における光変調装置である。液晶装置１００Ｒ，１００Ｇ，１００Ｂには、上述した液晶装置としての液晶装置１００が適用されている。

【0083】

液晶装置１００Ｒ，１００Ｇ，１００Ｂのそれぞれは、プロジェクター１０００の外部制御装置に電気的に接続されている。赤色光Ｒ、緑色光Ｇ、青色光Ｂのそれぞれの階調レベルを指定する画像信号は、それぞれの色光の外部制御装置から供給され、液晶装置１００Ｒ，１００Ｇ，１００Ｂのそれぞれに付属する集積回路で処理される。液晶装置１００Ｒ，１００Ｇ，１００Ｂは、それぞれの集積回路から受信する画像信号に従って駆動される。液晶装置１００Ｒは、入射する赤色光Ｒを変調する。液晶装置１００Ｇは、入射する緑色光Ｇを変調する。液晶装置１００Ｂは、入射する青色光Ｂを変調する。

【0084】

液晶装置１００Ｒ，１００Ｇ，１００Ｂによって変調された赤色光Ｒ、緑色光Ｇ、青色光Ｂは、クロスダイクロイックプリズム１１３０に３方向から入射する。クロスダイクロイックプリズム１１３０は、プロジェクター１０００における色合成光学系であり、入射する赤色光Ｒ、緑色光Ｇ、青色光Ｂを合成する。クロスダイクロイックプリズム１１３０において、赤色光Ｒ及び青色光Ｂはそれぞれの入射方向に対して９０度反射され、緑色光Ｇは透過する。その結果、互いに合成される赤色光Ｒ、緑色光Ｇ、青色光Ｂは、同じ方向に射出される。赤色光Ｒ、緑色光Ｇ、青色光Ｂは、カラー画像を表示する表示光として合成され、クロスダイクロイックプリズム１１３０から投射レンズ１１４０に向かって射出される。

【0085】

投射レンズ１１４０は、プロジェクター１０００の外側を向いて配置されている。表示光は、投射レンズ１１４０を介して拡大されて射出され、投射対象であるスクリーンＳＣＲに投射される。

【0086】

以上説明した本実施形態のプロジェクター１０００は、光変調装置として上述した本実施形態の液晶装置１００を備え、赤色光Ｒに対応する液晶装置１００Ｒと、緑色光Ｇに対応する液晶装置１００Ｇと、青色光Ｂに対応する液晶装置１００Ｂと、を備える。

【0087】

本実施形態のプロジェクター１０００では、色光を変調して画像光に変換する光変調装置として、液晶装置１００が用いられる。本実施形態のプロジェクター１０００によれば、液晶装置１００を備えるため、平面視で画素電極１１と重なる画素Ｐの開口領域において色光の利用効率が向上させ、平面視で画素電極１１間の周辺領域での不要な発光及び液晶層５に含まれる液晶分子２００の劣化を抑えることができる。

【0088】

以上、本発明の好ましい実施形態について詳述したが、本発明は係る特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲内に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形及び変更が可能である。

【0089】

例えば、上述の実施形態では、電子機器としてプロジェクターを例示したが、電子機器は、プロジェクターに限定されない。上述の液晶装置を備える電子機器は、例えば光造形装置であってもよく、プロジェクターや光造形装置以外で液晶装置によって変換される画像光を活用する装置であってもよい。

【0090】

［本開示のまとめ］
以下、本開示のまとめを付記する。
（付記１）基板と、前記基板に配置される第１画素電極と、前記第１画素電極と並んで前記基板に配置される第２画素電極と、平面視で前記第１画素電極と前記第２画素電極との間に配置され、前記基板の厚み方向において、前記第１画素電極と前記基板との間、且つ、前記第２画素電極と前記基板との間に設けられる配線層と、前記基板の厚み方向において、前記第１画素電極と前記配線層との間、且つ、前記第２画素電極と前記配線層との間に配置されるとともに、平面視で前記配線層と前記第１画素電極の周辺領域と前記第２画素電極の周辺領域とに重なる絶縁層と、を備え、前記絶縁層は、前記配線層から高屈折率である第１絶縁層と低屈折率な第２絶縁層とが順番で積層されている、液晶装置。

【0091】

付記１の構成によれば、平面視で第１画素電極及び第２画素電極と重なる各々の画素の開口領域において、入射する光の利用効率を高めることができる。付記１の構成によれば、平面視で第１画素電極と第２画素電極との間の周辺領域に重なって配置されている液晶層に含まれる液晶分子の劣化を抑えることができる。

【0092】

（付記２）前記第１絶縁層の厚みは前記配線層の厚みの１／３以下であり、前記第２絶縁層の厚みは前記配線層の厚みの１／３以下である、付記１の液晶装置。

【0093】

付記２の構成では、配線層の厚み等を考慮して第１絶縁層及び第２絶縁層の各々の厚みが適切に設定され、平面視で画素電極間の周辺領域において配線層での反射光の位相が互いに反転し、反射光同士が良好に打ち消される。付記２の構成によれば、画素電極間の周辺領域に重なって配置されている液晶層の液晶分子への反射光の照射を極力抑え、画素電極間の周辺領域に配置されている液晶分子の劣化を抑えることができる。

【0094】

（付記３）前記第１絶縁層の厚みは３０ｎｍであり、前記第２絶縁層の厚みは３０ｎｍである、付記１又は付記２の液晶装置。

【0095】

付記３の構成では、平面視で画素電極間の周辺領域において配線層での反射光の位相が互いに反転し、反射光同士が良好に打ち消される。付記３の構成によれば、画素電極間の周辺領域に重なって配置されている液晶層の液晶分子への反射光の照射を極力抑え、画素電極間の周辺領域に配置されている液晶分子の劣化を抑えることができる。

【0096】

（付記４）前記絶縁層は、平面視したときに、前記第１画素電極において、前記配線層と前記第１画素電極とが互いに重ならない領域に配置されず、前記第２画素電極において、前記配線層と前記第２画素電極とが互いに重ならない領域には配置されていない、付記１から付記３の何れかの液晶装置。

【0097】

付記４の構成によれば、第１画素電極及び第２画素電極の各々の画素電極において平面視で配線層と重ならない領域に絶縁層が配置されないため、各々の画素電極において平面視で配線層と重ならない領域での絶縁層とＺ軸で隣接する層間絶縁層との界面での反射光を想定する必要がなく、入射する光の利用効率を高めることができる。

【0098】

（付記５）付記１から付記４の何れか液晶装置を備える、電子機器。

【0099】

付記５の構成によれば、光変調装置として用いられる液晶装置の画素の開口領域での光の利用効率を高め、画素の開口領域の周辺領域での液晶の劣化を抑えることができる。

【符号の説明】

【0100】

１１Ａ…画素電極（第１画素電極）、１１Ｂ…画素電極（第２画素電極）、１００…液晶装置、１１１…素子基板（基板）、１５０…絶縁層、１５１…第１絶縁層、１５２…第２絶縁層、１０００…プロジェクター（電子機器）、Ｐ…画素。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4A】

【図4B】

【図4C】

【図4D】

【図5】

【図6A】

【図6B】

【図7A】

【図7B】

【図8A】

【図8B】

【図9】

【図10】