特開 2024-168217 インプリント装置、および物品製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024168217

(43)【公開日】2024-12-05

(54)【発明の名称】インプリント装置、および物品製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/027 20060101AFI20241128BHJP

   B29C 59/02 20060101ALI20241128BHJP

【ＦＩ】

H01L21/30 502D

B29C59/02 Z

【審査請求】有

【請求項の数】12

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023084702

(22)【出願日】2023-05-23

(71)【出願人】

【識別番号】000001007

【氏名又は名称】キヤノン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110003281

【氏名又は名称】弁理士法人大塚国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】小出 博之

【テーマコード（参考）】

4F209

5F146

【Ｆターム（参考）】

4F209AA44

4F209AF01

4F209AG05

4F209AH33

4F209AR06

4F209AR12

4F209PA02

4F209PB01

4F209PN03

4F209PN13

5F146AA31

(57)【要約】

【課題】アライメント精度を向上させるために有利な技術を提供する。
【解決手段】インプリント装置は、基板の上のインプリント材を部分的に硬化させるための第１の光照射と、基板を変形させるための第２の光照射とを行う光照射部と、光照射部を制御する制御部とを有する。制御部は、型と基板とのアライメントを行うアライメント工程において、インプリント材の粘弾性および基板の変形量に基づいて、第１の光照射と第２の光照射との切り替えを行う。
【選択図】 図３

【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板の上のインプリント材に型を接触させた状態で前記基板と型とのアライメントを行うアライメント工程と、前記アライメント工程の後に前記インプリント材を光照射によって硬化させる硬化工程とを含むインプリント処理を行うインプリント装置であって、
前記インプリント材を部分的に硬化させるための第１の光照射と、前記基板を変形させるための第２の光照射とを行う光照射部と、
前記光照射部を制御する制御部と、
を有し、
前記制御部は、前記アライメント工程において、前記インプリント材の粘弾性および前記基板の変形量に基づいて、前記第１の光照射と前記第２の光照射との切り替えを行う、
ことを特徴とするインプリント装置。

【請求項2】

前記制御部は、前記アライメント工程において、前記第１の光照射の実行中に得られる前記粘弾性が第１閾値を超えたことに応じて、前記第１の光照射から前記第２の光照射への切り替えを行う、ことを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。

【請求項3】

前記制御部は、前記アライメント工程において、前記第２の光照射の実行中に得られる前記変形量が第２閾値を超えたことに応じて、前記第２の光照射から前記第１の光照射への切り替えを行う、ことを特徴とする請求項２に記載のインプリント装置。

【請求項4】

前記制御部は、前記アライメント工程において、前記切り替えを複数回繰り返し行う、ことを特徴とする請求項３に記載のインプリント装置。

【請求項5】

前記第１閾値および前記第２閾値について、各回の前記切り替えのために独立した値が設定される、ことを特徴とする請求項４に記載のインプリント装置。

【請求項6】

前記基板または前記基板を保持して搬送する基板ステージの振動量を計測する計測器を更に有し、
前記制御部は、前記計測器による計測で得られた振動量に基づいて前記粘弾性を算出する、
ことを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。

【請求項7】

前記基板の上の前記インプリント材を撮像する撮像部を更に有し、
前記制御部は、前記撮像部による撮像で得られた前記インプリント材の画像に基づいて前記粘弾性を算出する、
ことを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。

【請求項8】

前記基板に設けられたマークと前記型に設けられたマークとの相対位置を検出する検出器を更に有し、
前記制御部は、前記検出器により検出された前記相対位置に基づいて前記変形量を算出する、
ことを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。

【請求項9】

基板の上のインプリント材に型を接触させた状態で前記基板と型とのアライメントを行うアライメント工程と、前記アライメント工程の後に前記インプリント材を光照射によって硬化させる硬化工程とを含むインプリント処理を行うインプリント装置であって、
前記インプリント材を部分的に硬化させるための第１の光照射と、前記基板を変形させるための第２の光照射とを行う光照射部と、
前記光照射部を制御する制御部と、
を有し、
前記制御部は、前記アライメント工程において、前記第１の光照射の継続時間に基づいて、前記第１の光照射から前記第２の光照射への切り替えを行い、前記第２の光照射の継続時間に基づいて、前記第２の光照射から前記第１の光照射への切り替えを行う、
ことを特徴とするインプリント装置。

【請求項10】

前記光照射部は、
前記インプリント材を部分的に硬化させる第１光を発生する第１光源と、
前記アライメントのために前記基板を変形させる第２光を発生する第２光源と、
前記第１光を変調した第１変調光および前記第２光を変調した第２変調光を発生する空間光変調器と、
を含む、ことを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。

【請求項11】

前記空間光変調器は、デジタルミラーデバイスを含む、ことを特徴とする請求項１０に記載のインプリント装置。

【請求項12】

請求項１から１０のいずれか１項に記載のインプリント装置により基板の上にパターンを形成する工程と、
前記パターンが形成された前記基板を加工する工程と、
を含み、前記基板から物品を製造することを特徴とする物品製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、インプリント装置、および物品製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

基板の上のインプリント材に型を接触させ、該インプリント材を硬化させることによって、該インプリント材の硬化物からなるパターンを該基板の上に形成するインプリント装置がある。特許文献１には、型と基板とのアライメント精度を向上させるため、アライメント時に基板の上のインプリント材の少なくとも一部に光を照射してインプリント材の粘弾性を高めること（予備露光工程）が記載されている。特許文献２には、型のパターン領域と基板のパターン領域との形状の差を低減するように基板のパターン領域を加熱すること（加熱工程）が記載されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１６－０５８７３５号公報

【特許文献2】特開２０１３－１０２１３２号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

アライメント工程において、上記したような予備露光工程と加熱工程を順次に行うことが考えられる。

【0005】

しかし、予備露光工程においてインプリント材の粘弾性を最大限に高めてしまうと、基板と型との結合力が高まる。そうすると、その後に実行される加熱工程において基板のパターン領域を目標通りに変形させることができず、所望のアライメント精度を達成することが困難になりうる。

【0006】

本発明は、アライメント精度を向上させるために有利な技術を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0007】

本発明の一側面によれば、基板の上のインプリント材に型を接触させた状態で前記基板と型とのアライメントを行うアライメント工程と、前記アライメント工程の後に前記インプリント材を光照射によって硬化させる硬化工程とを含むインプリント処理を行うインプリント装置であって、前記インプリント材を部分的に硬化させるための第１の光照射と、前記基板を変形させるための第２の光照射とを行う光照射部と、前記光照射部を制御する制御部と、を有し、前記制御部は、前記アライメント工程において、前記インプリント材の粘弾性および前記基板の変形量に基づいて、前記第１の光照射と前記第２の光照射との切り替えを行う、ことを特徴とするインプリント装置が提供される。

【発明の効果】

【0008】

本発明によれば、アライメント精度を向上させるために有利な技術を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0009】

【図1】インプリント装置の構成を示す図。

【図2】光源ユニットの構成例を示す図。

【図3】従来のインプリント処理を説明するための図。

【図4】実施形態におけるインプリント処理を説明するための図。

【図5】インプリント材の粘弾性と基板ステージの振動量との関係を示す図。

【図6】検出器によるアライメントマーク測定方法を説明するための図。

【図7】予備露光工程におけるインプリント材の粘弾性の変化を示す図。

【図8】加熱工程における基板のパターン形成領域の熱変形量の変化を示す図。

【図9】実施形態におけるインプリント処理を説明するための図。

【図10】実施形態におけるインプリント処理を説明するための図。

【図11】実施形態における物品製造方法を説明する図。

【発明を実施するための形態】

【0010】

以下、添付図面を参照して実施形態を詳しく説明する。なお、以下の実施形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。実施形態には複数の特徴が記載されているが、これらの複数の特徴の全てが発明に必須のものとは限らず、また、複数の特徴は任意に組み合わせられてもよい。さらに、添付図面においては、同一若しくは同様の構成に同一の参照番号を付し、重複した説明は省略する。

【0011】

＜第１実施形態＞
図１には、一実施形態におけるインプリント装置１の構成が示されている。インプリント装置１は、インプリント処理を実行し、これにより基板Ｓの上にインプリント材ＩＭの硬化物からなるパターンを形成する。インプリント処理は、接触工程と、アライメント工程と、硬化工程とを含みうる。接触工程は、基板Ｓの上のインプリント材ＩＭと型Ｍとを接触させる工程である。アライメント工程は、接触工程の後に基板Ｓと型Ｍとのアライメントを行う工程である。硬化工程は、アライメント工程の後にインプリント材ＩＭを光照射によって硬化させる工程である。

【0012】

インプリント材は、光が照射されることによって硬化する光硬化性組成物である。光硬化性組成物は、少なくとも重合性化合物と光重合開始剤とを含有し、必要に応じて非重合性化合物または溶剤を更に含有してもよい。非重合性化合物は、増感剤、水素供与体、内添型離型剤、界面活性剤、酸化防止剤、ポリマー成分などの群から選択される少なくとも一種である。インプリント材は、液滴状、或いは複数の液滴が繋がってできた島状又は膜状となって基板上に配置されうる。インプリント材の粘度（２５℃における粘度）は、例えば、１ｍＰａ・ｓ以上１００ｍＰａ・ｓ以下でありうる。基板の材料としては、例えば、ガラス、セラミックス、金属、半導体、樹脂等が用いられうる。必要に応じて、基板の表面に、基板とは別の材料からなる部材が設けられてもよい。基板は、例えば、シリコンウエハ、化合物半導体ウエハ、石英ガラスである。

【0013】

本明細書および添付図面では、基板Ｓの表面に平行な方向をＸＹ平面とするＸＹＺ座標系において方向を示す。ＸＹＺ座標系におけるＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸にそれぞれ平行な方向をＸ方向、Ｙ方向、Ｚ方向とし、Ｘ軸周りの回転、Ｙ軸周りの回転、Ｚ軸周りの回転をそれぞれθＸ、θＹ、θＺとする。Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸に関する制御または駆動は、それぞれＸ軸に平行な方向、Ｙ軸に平行な方向、Ｚ軸に平行な方向に関する制御または駆動を意味する。また、θＸ軸、θＹ軸、θＺ軸に関する制御または駆動は、それぞれＸ軸に平行な軸の周りの回転、Ｙ軸に平行な軸の周りの回転、Ｚ軸に平行な軸の周りの回転に関する制御または駆動を意味する。また、位置は、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸の座標に基づいて特定されうる情報であり、姿勢は、θＸ軸、θＹ軸、θＺ軸の値で特定されうる情報である。基板Ｓまたはその領域と型Ｍまたはその領域とのアライメントは、基板Ｓおよび型Ｍの少なくとも一方の位置および／または姿勢の制御を含みうる。また、アライメントは、基板Ｓおよび型Ｍの少なくとも一方の形状を補正あるいは変更するための制御を含みうる。

【0014】

インプリント装置１は、基板Ｓを保持し駆動する基板駆動機構ＳＤ、および、基板駆動機構ＳＤを支持するベースフレームＢＦ、型Ｍを保持し駆動する型駆動機構ＭＤを備えうる。基板駆動機構ＳＤおよび型駆動機構ＭＤは、基板Ｓと型Ｍとの相対位置が調整されるように基板駆動機構ＳＤおよび型駆動機構ＭＤの少なくとも一方を駆動する駆動機構ＤＲＶを構成する。駆動機構ＤＲＶによる相対位置の調整は、基板Ｓの上のインプリント材ＩＭに対する型Ｍの接触、および、硬化したインプリント材ＩＭ（硬化物のパターン）からの型Ｍの分離のための駆動を含む。

【0015】

基板駆動機構ＳＤは、基板Ｓを保持する基板保持部ＳＨ、基板保持部ＳＨを支持する基板ステージＳＳ、および、基板ステージＳＳを駆動することによって基板Ｓを駆動する基板駆動アクチュエータＳＭを含みうる。基板駆動機構ＳＤは、基板Ｓを複数の軸（例えば、Ｘ軸、Ｙ軸、θＺ軸の３軸、好ましくは、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ軸、θＹ軸、θＺ軸の６軸）について駆動するように構成されうる。基板Ｓの位置および姿勢の制御は、計測器２９によって基板Ｓの位置および姿勢を計測し、その計測の結果に基づいてなされうる。

【0016】

型駆動機構ＭＤは、型Ｍを保持する型保持部ＭＨ、および、型保持部ＭＨを駆動することによって型Ｍを駆動する型駆動アクチュエータＭＭを含みうる。型保持部ＭＨは、型Ｍを変形させる型変形機構を含みうる。該型変形機構は、例えば、型Ｍの側面に力を加えることによって型Ｍを変形させうる。型駆動機構ＭＤは、型Ｍを複数の軸（例えば、Ｚ軸、θＸ軸、θＹ軸の３軸、好ましくは、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ軸、θＹ軸、θＺ軸の６軸）について駆動するように構成されうる。型Ｍは、インプリント処理によって基板Ｓの上のインプリント材ＩＭに転写すべきパターンが形成されたパターン領域を有する。型駆動機構ＭＤは、型Ｍの裏面側（パターン領域ＰＲの反対側）の空間ＳＰの圧力を調整することによって、型Ｍ（のパターン領域ＰＲ）を基板Ｓに向かって凸形状に変形させたり、平坦にしたりする圧力調整器ＰＣを含みうる。型Ｍを基板Ｓに向かって凸形状に変形させた状態で、基板Ｓの上のインプリント材ＩＭとパターン領域ＰＲとの接触が開始され、その後、インプリント材ＩＭとパターン領域ＰＲとの接触領域が徐々に拡大するように圧力調整器ＰＣが空間ＳＰの圧力を調整しうる。

【0017】

インプリント装置１は、基板Ｓの上にインプリント材ＩＭを供給、塗布あるいは配置するディスペンサ５を備えうる。しかし、インプリント材ＩＭは、インプリント装置１の外部装置において基板Ｓの上に供給、塗布あるいは配置されてもよい。

【0018】

インプリント装置１は、硬化工程において、基板Ｓと型Ｍ（のパターン領域ＰＲ）との間のインプリント材ＩＭに対してインプリント材ＩＭを硬化させるための光９（硬化光）を光路ＬＰに照射するための光源（硬化光源）２を備えうる。光路ＬＰは、型Ｍおよびインプリント材ＩＭを介して基板Ｓに至る光路である。インプリント装置１は、更に、基板Ｓに設けられたアライメントマークおよび型Ｍに設けられたアライメントマークとの相対位置を検出する検出器１２を備えうる。検出器１２は、基板Ｓに設けられたアライメントマークおよび型Ｍに設けられたアライメントマークを検出光１５で照明し、これらのアライメントマークによって形成される像を撮像しうる。検出光１５も、光路ＬＰに照射される光として理解される。

【0019】

インプリント装置１は、更に、基板Ｓの上のインプリント材ＩＭと型Ｍ（のパターン領域ＰＲ）との接触状態、あるいは、基板Ｓとの型Ｍ（のパターン領域ＰＲ）との間の空間へのインプリント材ＩＭの充填状態を検出するための撮像部６を備えうる。撮像部６は、その他、基板Ｓと型Ｍとの間の異物を検出するためにも使用されうる。撮像部６は、基板Ｓ、インプリント材ＩＭおよび型Ｍで構成される積層構造を観測光１８で照明し、この積層構造によって形成される像を撮像しうる。観測光１８も、光路ＬＰに照射される光として理解される。

【0020】

インプリント装置１は、更に、変調光２１を光路ＬＰに照射する光源ユニット２０（光照射部）を備えうる。後述のように、光源ユニット２０は、空間光変調器を含み、この空間光変調器によって変調された光である変調光２１を光路ＬＰに照射する。変調光２１は、インプリント材ＩＭを部分的に硬化させる第１変調光および基板Ｓと型Ｍとのアライメントのために基板Ｓを変形させる第２変調光を含みうる。光路ＬＰに第１変調光が照射されるときは、光路ＬＰに第２変調光が照射されず、光路ＬＰに第２変調光が照射されるときは、光路ＬＰに第１変調光が照射されないことが好ましい。ただし、変調光２１が光路ＬＰに照射される期間における十分に短い期間であれば、第１変調光および第２変調光の双方が光路ＬＰに照射されてもよい。第１変調光および第２変調光は、波長域が互いに重複しない光である。あるいは、第１変調光および第２変調光は、互いに異なる波長にピークを有する光でありうる。

【0021】

第１変調光は、インプリント材ＩＭを硬化させる波長、換言すると、インプリント材ＩＭの粘性（粘弾性）を高める波長を有する。第１変調光は、基板Ｓのパターン形成領域の任意の箇所におけるインプリント材ＩＭの粘性を高め、これによってインプリンント材ＩＭによる基板Ｓと型Ｍとの結合力を高めるように変調された光でありうる。このような第１変調光の照射（第１光照射）は、制振露光と呼ぶことができ、アライメント工程において実行され、アライメント精度を向上させうる。インプリント材ＩＭによる基板Ｓと型Ｍとの結合力が弱い状態（第１変調光の照射前）では、基板Ｓおよび型Ｍは、外乱等によって個別に振動しうる（つまり、基板Ｓと型Ｍとの間に相対的な振動が大きい）。インプリント材ＩＭへの第１変調光の照射によりインプリント材ＩＭの粘性を部分的に高め、基板Ｓと型Ｍとの結合力を高めることによって、基板Ｓと型Ｍとの間の相対的な振動を低減し、アライメントの収束性を向上させることができる。一例において、基板Ｓと型Ｍと間の相対移動によって発生するせん断力の大きさが０．５～１．０Ｎの範囲内になるように第１変調光の照射によってインプリント材ＩＭの粘性（粘弾性）を高めることが、アライメントの収束性を向上させるために効果的である。

【0022】

第２変調光は、基板Ｓ、より詳しくは基板Ｓのパターン形成領域（ショット領域）を目標形状に変形させる光強度分布（照度分布）が基板Ｓの形成されるように変調された光でありうる。基板Ｓに対する第２変調光の照射（第２光照射）によって、基板Ｓに温度分布が形成され、この温度分布によって基板Ｓのパターン形成領域が目標形状に近づくように変形する。基板Ｓのパターン形成領域と型Ｍのパターン領域ＰＲとのアライメントが完了した時点で硬化工程（硬化光源２によってインプリント材ＩＭに硬化光が照射され、インプリント材ＩＭが硬化される工程）が実行される。第２変調光は、インプリント材ＩＭを硬化させない波長を有する光である。

【0023】

硬化光源２、検出器１２、撮像部６および光源ユニット２０のそれぞれの光軸は、光路ＬＰを共有する。これを実現するために、合成ミラー２２、ダイクロイックミラー２３、２４が設けられている。合成ミラー２２は、観測光１８を透過し、変調光２１を反射する。ダイクロイックミラー２３は、観測光１８および変調光２１を透過し、検出光１５を反射する。ダイクロイックミラー２４は、観測光１８、変調光２１および検出光１５を透過し、硬化光９を反射する。

【0024】

インプリント装置１は、更に、上記の基板駆動機構ＳＤ、型駆動機構ＭＤ、圧力調整器ＰＣ、ディスペンサ５、計測器２９、硬化光源２、検出器１２、撮像部６および光源ユニット２０等を制御する制御部７を備えうる。制御部７は、例えば、ＦＰＧＡ（ＦｉｅｌｄＰｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｇａｔｅ Ａｒｒａｙの略。）などのＰＬＤ（Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｌｏｇｉｃ Ｄｅｖｉｃｅの略。）、又は、ＡＳＩＣ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ Ｓｐｅｃｉｆｉｃ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔの略。）、又は、プログラムが組み込まれた汎用又は専用のコンピュータ、又は、これらの全部または一部の組み合わせによって構成されうる。

【0025】

図２には、光源ユニット２０の構成例が示されている。光源ユニット２０は、第１変調光を生成するための第１波長域を有する第１光を発生する第１光源１２１と、第２変調光を生成するための第２波長域を有する第２光を発生する第２光源１２２とを含みうる。また、光源ユニット２０は、第１光を変調した第１変調光および第２光を変調した第２変調光を発生する空間光変調器としてのＤＭＤ（デジタルミラーデバイス）１３３を含みうる。また、光源ユニット２０は、第１光源１２１からの第１光および第２光源１２２からの第２光を空間光変調器としてのＤＭＤ１３３の入射させる光学系（１２５、１２６、１１１、１３２）を含みうる。

【0026】

一例において、光源ユニット２０は、照明部１２０と、変調部１３０とを光ファイバ１１０で接続して構成されうる。照明部１２０は、第１光源１２１、第２光源１２２、第１コントローラ１２３、第２コントローラ１２４、ミラー１２５、１２６を含みうる。第１光源１２１が発生する第１光の光路と第２光源１２２が発生する第２光の光路とはミラー１２５、１２６によって共通化され、光ファイバ１１０の入射部１１１に接続されている。光ファイバ１１０の射出部１１２は、変調部１３０に接続されている。

【0027】

第１コントローラ１２３は、制御部７からの指令に従って第１光源１２１を制御する。第１光源１２１の制御は、第１光源１２１の点灯および消灯の制御を含みうる。第１光源１２１の制御は、更に、第１光源１２１が発生する第１光の強度の制御を含んでもよい。例えば、第１コントローラ１２３は、制御部７からの指令値に従った電流値を有する電流を第１光源１２１に供給する定電流回路を含みうる。あるいは、第１コントローラ１２３は、指令値に従って第１光源１２１を駆動する駆動回路と、第１光源１２１が発生する第１光の一部を受光する光電変換センサとを含み、該光電変換センサの出力を該駆動回路にフィードバックする構成を有しうる。

【0028】

第２コントローラ１２４は、制御部７からの指令に従って第２光源１２２を制御する。第２光源１２２の制御は、第２光源１２２の点灯および消灯の制御を含みうる。第２光源１２２の制御は、更に、第２光源１２２が発生する第２光の強度の制御を含んでもよい。例えば、第２コントローラ１２４は、制御部７からの指令値に従った電流値を有する電流を第２光源１２２に供給する定電流回路を含みうる。あるいは、第２コントローラ１２４は、指令値に従って第２光源１２２を駆動する駆動回路と、第２光源１２２が発生する第２光の一部を受光する光電変換センサとを含み、該光電変換センサの出力を該駆動回路にフィードバックする構成を有しうる。

【0029】

制御部７は、第１光源１２１および第２光源１２２を個別に制御しうる。制御部７は、例えば、第１光源１２１および第２光源１２２の一方を点灯させるときは他方を消灯させるように第１光源１２１および第２光源１２２を制御しうる。他の観点において、第１光源１２１からの第１光および第２光源１２２からの第２光の一方が空間光変調器（ＤＭＤ１３３）に入射しているときは、第１光および第２光の他方は該空間光変調器に入射しない構成が採用されうる。これは、例えば、第１、第２コントローラ１２３、１２４による第１、第２光源１２１、１２２の制御、または、第１光および第２光の一方を選択的に遮断する機構によって実現されうる。

【0030】

ここで、硬化光９、検出光１５、観測光１８、変調光２１（第１変調光、第２変調光）に対する波長の割り当ての一例を説明する。硬化光９は、インプリント材ＩＭを硬化させる光であり、一例において、３００ｎｍ～３８０ｎｍの範囲内に任意の波長域を有しうるが、３００ｎｍ以下の波長域を有してもよい。検出光１５は、アライメントマークを検出するための光であり、一例において、５５０ｎｍ～７５０ｎｍの波長域を有する。観測光１８は、インプリント材ＩＭと型Ｍとの接触状態および基板Ｓと型Ｍとの間の空間へのインプリント材ＩＭの充填状態等を観察するための光である。観測光１８は、例えば、４００ｎｍ～４８０ｎｍの波長域から、硬化光９および検出光１５の波長域と重複しない波長域が選択されうる。変調光２１は、インプリント材ＩＭを硬化させる波長域を有する第１変調光と、インプリント材ＩＭを硬化させない波長域を有する第２変調光を含む。

【0031】

変調光２１は、観測光１８と同様の波長域、例えば、４００ｎｍ～４８０ｎｍの波長域から硬化光９および検出光１５の波長域と重複しないように選択されうる。第１変調光は、第１光源１２１が発生した第１光を変調部１３０（ＤＭＤ１３３）が変調することによって生成される。第２変調光は、第２光源１２２が発生した第２光を変調部１３０（ＤＭＤ１３３）が変調することによって生成される。インプリント材ＩＭが硬化する波長域の上限から、第１光源１２１が発生する第１光および第２光源１２２が発生する第２光の波長を決定することができる。例えば、インプリント材ＩＭが硬化する波長域の上限が４４０ｎｍであれば、第１光源１２１が発生する第１光の波長を４１０ｎｍ程度とし、第２光源１２２が発生する第２光の波長を４６０ｎｍ程度とすることができる。第１光源１２１および第２光源１２２は、波長幅が狭い単波長光を発生する光源であることが好ましく、例えば、レーザーダイオードが適している。また、レーザーダイオードは、高速に点灯、消灯を切り替えることができる点で優れている。

【0032】

光ファイバ１１０を介して変調部１３０に伝送された光は、光学系１３２を介して、空間光変調器としてのＤＭＤ１３３に入射する。光学系１３２は、例えば、集光光学系、および、該集光光学系からの光を均一化してＤＭＤ１３３を照明する照明系（例えば、マイクロレンズアレイ）を含みうる。ＤＭＤ１３３は、光を反射する複数のマイクロミラー（不図示）と、該複数のマイクロミラーをそれぞれ駆動するアクチュエータとを含む。各アクチュエータは、制御部７からの指令に従って、対応するマイクロミラーを複数のマイクロミラーの配列面に対して－１２度（ＯＮ状態）または＋１２度（ＯＦＦ状態）の角度に制御する。ＯＮ状態のマイクロミラーで反射された光は、変調光として、ＤＭＤ１３３と基板Ｓとを光学系に共役関係にする光学系１３４（投影光学系）を介して基板Ｓの上に像を形成する。ＯＦＦ状態のマイクロミラーで反射された光は、基板Ｓに到達しない方向に反射される。全てのマイクロミラーをＯＮ状態にしたときに基板Ｓに投影される領域（最大照射領域）は、基板Ｓの最大パターン形成領域のサイズより大きい。ＤＭＤ１３３に代えて、他の空間光変調器、例えば、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）が採用されてもよい。

【0033】

変調部１３０を構成している光学系は、インプリント材ＩＭを硬化させる波長の第１光（第１変調光）およびインプリント材ＩＭを硬化させない波長の第２光（第２変調光）の双方を透過させる必要がある。また、一般的なＤＭＤでは、４２０ｎｍ以下の波長では、マイクロミラーアレイに照射可能な最大光強度が低下し、更に、紫外光と可視光との境界である４００ｎｍ付近では、マイクロミラーアレイに照射可能な最大光強度が１／１０００程度に極端に低下する。そこで、波長幅が短いレーザーダイオード等を使って、インプリント材ＩＭが硬化する波長域の上限付近に第１光源１２１の波長および第２光源１２２の波長を近づけることが望ましい。

【0034】

制御部７は、例えば、基板Ｓの表面上に形成すべき光強度分布（照度分布）データに基づいて、ＤＭＤ１３３の各マイクロミラーのＯＮ状態およびＯＦＦ状態の切り替えを制御する制御データを生成しうる。光強度分布データは、例えば、各マイクロミラーをＯＮ状態にする時間に関する情報および各マイクロミラーをＯＦＦ状態にする時間に関する情報を含みうる。ＯＮ状態のマイクロミラーが多いほど、また、ＯＮ状態が長いほど、基板Ｓのパターン形成領域に大きな露光量を与えることができる。

【0035】

制御部７は、第１光を変調して第１変調光を発生するための光強度分布データと、第２光を変調して第２変調光を発生するための光強度分布データとを格納するメモリを含みうる。第１光を変調して第１変調光を発生するための光強度分布データは、基板Ｓのパターン形成領域の任意の箇所におけるインプリント材ＩＭの粘性を高めてインプリンント材ＩＭを介した基板Ｓと型Ｍとの結合力を高めるための光強度分布データを含みうる。

【0036】

変調部１３０を第１光源１２１および第２光源１２２で共有する構成は、変調部１３０あるいは光源ユニット２０を小型化すること、これによりインプリント装置１の構造を単純化するために有利である。これは、光路ＬＰの付近に変調部１３０を配置することを容易にする。照明部１２０と変調部１３０とを相互に分離した構成は、熱源となる照明部１２０をインプリント装置１の光路ＬＰから遠い位置に配置するために有利である。しかし、光ファイバ１１０を使用せず、照明部１２０と変調部１３０とを近接して配置してもよい。あるいは、変調部１３０に照明部１２０を組み込んでもよい。また、第１光源１２１と変調部１３０とを第１光ファイバで接続し、第２光源１２２と変調部１３０とを第２光ファイバで接続してもよく、この場合、第１光ファイバから出る第１光の光路と第２光ファイバから出る第２光の光路とが結合されうる。

【0037】

図３には、インプリント装置１によって実行されるインプリント処理における光源ユニット２０の従来動作例が示されている。インプリント処理は、基板Ｓの上のインプリント材ＩＭと型Ｍとを接触させる接触工程と、該接触工程の後に基板Ｓと型Ｍとのアライメントを行うアライメント工程とを含みうる。インプリント処理は、アライメント工程の後にインプリント材ＩＭを硬化させる硬化工程と、硬化したインプリント材ＩＭから型Ｍを分離させる分離工程とを更に含みうる。接触工程は、駆動機構ＤＲＶによって基板Ｓの上のインプリント材ＩＭと型Ｍ（のパターン領域ＰＲ）とを接触させる工程である。この接触工程は、例えば、基板Ｓの上のインプリント材ＩＭと凸形状に変形された型Ｍのパターン領域ＰＲとの接触の開始によって開始し、パターン領域ＰＲの全域が平坦にされることによって終了する期間でありうる。インプリント処理は、接触工程に付随する工程として、駆動機構ＤＲＶによって基板Ｓの上のインプリント材ＩＭと型Ｍとを相互に近づける駆動工程を有する。図３には、インプリント処理の各工程のタイミングが時間軸に沿って示されている。

【0038】

アライメント工程では、検出器１２によって検出される結果に基づいて、基板Ｓのパターン形成領域と型Ｍのパターン領域ＰＲとがアライメントされるように駆動機構ＤＲＶによって基板Ｓおよび型Ｍの少なくとも一方が駆動される。また、アライメント工程では、検出器１２によって検出される結果に基づいて、基板Ｓのパターン形成領域と型Ｍのパターン領域ＰＲとがアライメントされるように型駆動機構によって型Ｍが変形されうる。また、アライメント工程では、検出器１２によって検出される結果に基づいて、基板Ｓのパターン形成領域と型Ｍのパターン領域ＰＲとがアライメントされるように、後述の加熱工程が実行されうる。

【0039】

アライメント工程と並行して充填工程が進行する。充填工程では、基板Ｓと型Ｍのパターン領域ＰＲとの間のインプリント材ＩＭがパターン領域ＰＲのパターンを構成する凹部に充填され、また、基板Ｓと型Ｍのパターン領域ＰＲとの間に存在する空隙が消失する。一例において、充填工程がアライメント工程に先行して開始しうる。 図３には、更に、光源ユニット２０のＤＭＤ１３３による光変調のタイミングが示されている。ＤＭＤ１３３による光変調は、予備露光工程Ａと加熱工程Ｂとにおいて異なる態様で行われる。予備露光工程Ａでは、インプリント材ＩＭを硬化させる波長域の光である第１光を変調して生成される第１変調光が光路ＬＰに照射される。予備露光工程Ａでは、基板Ｓのパターン形成領域の所定の箇所におけるインプリント材ＩＭの粘性が高められる（制振露光）。インプリント材ＩＭの粘性が部分的に高められることで基板Ｓと型Ｍとの結合力が増す。これにより基板Ｓと型Ｍとの間の相対的な振動が低減される。加熱工程Ｂでは、インプリント材ＩＭを硬化させない波長域の光である第２光を変調して生成される第２変調光が光路ＬＰに照射される。予備露光工程Ａの期間（タイミング、時間長さ）は、所望の振動の低減度合いが得られるように適宜決定される。加熱工程Ｂでは、基板Ｓのパターン形成領域と型Ｍのパターン領域ＰＲとのアライメントのために、基板Ｓのパターン形成領域に第２変調光を照射することで基板Ｓを加熱し、基板Ｓのパターン形成領域が変形される。加熱工程Ｂの期間（タイミング、時間長さ）は、硬化工程において硬化光源２からの硬化光９によってインプリント材ＩＭを硬化させる時点において基板Ｓのパターン形成領域が目標形状になるように決定されうる。

【0040】

予備露光工程Ａにおいて、インプリント材ＩＭの粘弾性を最大限に高めてしまうと、基板Ｓと型Ｍとの結合力が過剰に高まるため、その後に実行される加熱工程Ｂにおいて、基板Ｓのパターン形成領域の変形が目標通り行われなくなる可能性がある。

【0041】

図３には、予備露光工程Ａの区間におけるインプリント材ＩＭの粘弾性の変化の例が示されている。この例では、予備露光工程Ａにおいて、インプリント材ＩＭの粘弾性が最大限まで高められるものとする。図３には、更に、加熱工程Ｂの区間における基板Ｓのパターン形成領域の熱変形量の変化の例が示されている。この例では、基板Ｓのパターン形成領域の実際の熱変形量が、目標熱変形量の５０％程度に留まることが示されている。この結果、基板Ｓのパターン形成領域と型Ｍのパターン領域ＰＲとの正確なアライメントが阻害される。

【0042】

図４には、実施形態におけるインプリント処理の例が示されている。本実施形態においては、前述したように、光源ユニット２０（光照射部）は、インプリント材を部分的に硬化させるための第１の光照射と、基板を変形させるための第２の光照射とを行うことができる。本実施形態において、制御部７は、アライメント工程において、インプリント材ＩＭの粘弾性および基板Ｓの変形量に基づいて、第１の光照射と第２の光照射との切り替えを行う。

【0043】

図４に示されるように、アライメント工程において、予備露光工程Ａが実行される。予備露光工程Ａの実行により第１変調光が照射され、インプリント材ＩＭの粘弾性は徐々に増加する。予備露光工程Ａにおいて、制御部７は、インプリント材ＩＭの粘弾性の状態を監視している。前述した通り、予備露光工程Ａで照射される第１変調光は、基板Ｓのパターン形成領域のインプリント材ＩＭの粘弾性を高め、基板Ｓと型Ｍとの間の相対的な振動を低減する。粘弾性が高まるほど、基板Ｓの振動量は小さくなる。インプリント材ＩＭの粘弾性と基板Ｓの振動量の関係の一例を図５に示す。制御部７は、基板Ｓまたは基板Ｓを保持して搬送する基板ステージＳＳの位置（振動量）を計測する計測器２９による計測の結果と、図５に示される予め得られた関係とに基づき、インプリント材ＩＭの粘弾性を算出しうる。あるいは、制御部７は、撮像部６による撮像で得られた基板Ｓ、インプリント材ＩＭおよび型Ｍの積層構造の画像に基づいて、インプリント材ＩＭの粘弾性を算出しうる。

【0044】

また、予備露光工程Ａでは、予備露光工程Ａを終了させるための判断基準として、インプリント材ＩＭの粘弾性の閾値Ｓａ（第１閾値）が設定される。閾値Ｓａは、例えば、インプリント材ＩＭの粘弾性が最大限に高まる直前の、基板Ｓと型Ｍとの結合力が比較的緩い状態の粘弾性の値に設定される。制御部７は、監視により得られたインプリント材ＩＭの粘弾性が閾値Ｓａを超えたタイミングで、予備露光工程Ａを終了し、加熱工程Ｂを開始する。すなわち、制御部７は、第１の光照射の実行中に得られるインプリント材の粘弾性が閾値を超えたことに応じて、第１の光照射から第２の光照射への切り替えを行う。加熱工程Ｂの実行により第２変調光が照射され、基板Ｓのパターン形成領域の熱変形量は徐々に増加する。加熱工程Ｂでは、制御部７は、基板Ｓのパターン形成領域の熱変形量の状態を監視している。制御部７は、基板Ｓに設けられたアライメントマークおよび型Ｍに設けられたアライメントマークとの相対位置を検出する検出器１２による計測結果に基づいて、基板Ｓのパターン形成領域の熱変形量を算出する。

【0045】

図６（ａ）には、型Ｍおよび基板Ｓのパターン形成領域それぞれの対応する四隅にアライメントマークを設けられた例が示されている。図６（ｂ）には、検出器１２が基板Ｓに設けられたアライメントマークおよび型Ｍに設けられたアライメントマークを検出することが示されている。加熱工程Ｂの実行により基板Ｓのパターン形成領域が倍率方向に熱変形が発生した場合には、図６（ｃ）の状態が検出されうる。また、加熱工程Ｂの実行により基板Ｓのパターン形成領域がシフト方向に熱変形が発生した場合には、図６（ｄ）の状態が検出されうる。図６（ｃ）、図６（ｄ）では、Ｙ方向の熱変形を測定する例を示したが、同時にＸ方向の熱変形も測定される。これらの結果に基づいて、パターン形成領域の熱変形量が算出されうる。

【0046】

加熱工程Ｂでは、加熱工程Ｂを終了させるための判断基準として、基板Ｓのパターン形成領域の熱変形量の閾値Ｓｂ（第２閾値）設定される。閾値Ｓｂは、例えば、最大変形量の９０％に設定されうる。制御部７は、基板Ｓのパターン形成領域の熱変形量が閾値Ｓｂを超えたタイミングで、加熱工程Ｂを終了し、再び予備露光工程Ａを開始する。すなわち、制御部７は、第２の光照射の実行中に得られる基板の変形量が閾値Ｓｂを超えたことに応じて、第２の光照射から第１の光照射への切り替えを行う。

【0047】

再度実行される予備露光工程Ａにおいて、インプリント材の粘弾性が最大限まで高められる。この予備露光工程中は加熱工程Ｂがオフにされるため、基板Ｓ熱変形量は減少しうる。

【0048】

２回目の予備露光工程Ａにおいてインプリント材の粘弾性が最大限にまで高められた後、予備露光工程Ａが終了し、再び加熱工程Ｂが実行される。予備露光工程Ａから加熱工程Ｂに切り替えられた時点ではインプリント材の粘弾性が最大限まで高まっているため、基板Ｓのパターン形成領域の熱変形量は目標変形量よりは小さくなるものの、最終的に生成される熱変形量の誤差を最低限に抑えることができる。

【0049】

＜第２実施形態＞
図７には、予備露光工程Ａにおける、経過時間に対するインプリント材ＩＭの粘弾性の変化の例が示されている。このような関係が既知であれば、当該関係に基づいて、粘弾性が閾値Ｓａに到達するタイミングＴａを予め求めておくことができる。この場合、図９に示すように、予備露光工程Ａが開始されてからタイミングＴａが経過した時点で予備露光工程Ａを終了し加熱工程Ｂに移行するようにしてもよい。このように、第２実施形態では、制御部７は、アライメント工程において、第１の光照射の継続時間に基づいて第１の光照射から第２の光照射への切り替えを行う。

【0050】

図８には、加熱工程Ｂにおける、経過時間に対する基板Ｓのパターン形成領域の熱変形量の変化の例が示されている。このような関係が既知であれば、当該関係に基づいて、熱変形量が閾値Ｓｂに到達するタイミングＴｂを予め求めておくことができる。この場合、図９に示すように、加熱工程Ｂが開始されてからタイミングＴｂが経過した時点で加熱工程Ｂを終了し２回目の予備露光工程Ａに移行するようにしてもよい。このように、第２実施形態では、制御部７は、アライメント工程において、第２の光照射の継続時間に基づいて、第２の光照射から第１の光照射への切り替えを行う。

【0051】

＜第３実施形態＞
予備露光工程Ａと加熱工程Ｂの切り替え、すなわち第１の光照射と第２の光照射との切り替え、が繰り返し行われる回数は特定の回数に限定されない。制御部７は、アライメント工程において、予備露光工程Ａと加熱工程Ｂとの切り替えを複数回繰り返し行うことができる。図１０には、予備露光工程Ａと加熱工程Ｂが３回以上繰り返される工程図が示されている。また、図１０に示されるように、予備露光工程Ａより先に加熱工程Ｂが実行されてもよい。さらに、粘弾性の閾値Ｓａ（第１閾値）および熱変形量の閾値Ｓｂ（第２閾値）については、各回の予備露光工程Ａおよび加熱工程Ｂの切り替えのために、独立した値が設定されてもよい。例えば、各回の予備露光工程Ａから加熱工程Ｂへの切り替えのために閾値Ｓａ１、Ｓａ２、．．．、ＳａＮが設定され、各回の加熱工程Ｂから予備露光工程Ａへの切り替えのために閾値Ｓｂ１、Ｓｂ２、．．．、ＳｂＭが設定されうる（Ｎ，Ｍは、任意の自然数）。それらの閾値に基づいて、予備露光工程Ａと加熱工程Ｂの切り替えが行われうる。

【0052】

＜物品製造方法の実施形態＞
インプリント装置を用いて形成した硬化物のパターンは、各種物品の少なくとも一部に恒久的に、或いは各種物品を製造する際に一時的に、用いられる。物品とは、電気回路素子、光学素子、ＭＥＭＳ、記録素子、センサ、或いは、型等である。電気回路素子としては、ＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ、フラッシュメモリ、ＭＲＡＭのような、揮発性或いは不揮発性の半導体メモリや、ＬＳＩ、ＣＣＤ、イメージセンサ、ＦＰＧＡのような半導体素子等が挙げられる。型としては、インプリント用のモールド等が挙げられる。

【0053】

硬化物のパターンは、上記物品の少なくとも一部の構成部材として、そのまま用いられるか、或いは、レジストマスクとして一時的に用いられる。基板の加工工程においてエッチング又はイオン注入等が行われた後、レジストマスクは除去される。

【0054】

次に、図１１を参照して、物品製造方法について説明する。工程ＳＡでは、絶縁体等の被加工材２ｚが表面に形成されたシリコン基板等の基板１ｚを用意し、続いて、インクジェット法等により、被加工材２ｚの表面にインプリント材３ｚを付与する。ここでは、複数の液滴状になったインプリント材３ｚが基板上に付与された様子を示している。

【0055】

工程ＳＢでは、インプリント用の型４ｚを、その凹凸パターンが形成された側を基板上のインプリント材３ｚに向け、対向させる。工程ＳＣでは、インプリント材３ｚが付与された基板１ｚと型４ｚとを接触させ、圧力を加える。インプリント材３ｚは型４ｚと被加工材２ｚとの隙間に充填される。この状態で硬化用のエネルギーとして光を型４ｚを介して照射すると、インプリント材３ｚは硬化する。

【0056】

工程ＳＤでは、インプリント材３ｚを硬化させた後、型４ｚと基板１ｚを引き離すと、基板１ｚ上にインプリント材３ｚの硬化物のパターンが形成される。この硬化物のパターンは、型の凹部が硬化物の凸部に、型の凸部が硬化物の凹部に対応した形状になっており、即ち、インプリント材３ｚに型４ｚの凹凸パターンが転写されたことになる。

【0057】

工程ＳＥでは、硬化物のパターンを耐エッチングマスクとしてエッチングを行うと、被加工材２ｚの表面のうち、硬化物が無いか或いは薄く残存した部分が除去され、溝５ｚとなる。工程ＳＦでは、硬化物のパターンを除去すると、被加工材２ｚの表面に溝５ｚが形成された物品を得ることができる。ここでは硬化物のパターンを除去したが、加工後も除去せずに、例えば、半導体素子等に含まれる層間絶縁用の膜、つまり、物品の構成部材として利用してもよい。

【0058】

本明細書の開示は、少なくとも以下のインプリント装置、および物品製造方法を含む。
（項目１）
基板の上のインプリント材に型を接触させた状態で前記基板と型とのアライメントを行うアライメント工程と、前記アライメント工程の後に前記インプリント材を光照射によって硬化させる硬化工程とを含むインプリント処理を行うインプリント装置であって、
前記インプリント材を部分的に硬化させるための第１の光照射と、前記基板を変形させるための第２の光照射とを行う光照射部と、
前記光照射部を制御する制御部と、
を有し、
前記制御部は、前記アライメント工程において、前記インプリント材の粘弾性および前記基板の変形量に基づいて、前記第１の光照射と前記第２の光照射との切り替えを行う、
ことを特徴とするインプリント装置。
（項目２）
前記制御部は、前記アライメント工程において、前記第１の光照射の実行中に得られる前記粘弾性が第１閾値を超えたことに応じて、前記第１の光照射から前記第２の光照射への切り替えを行う、ことを特徴とする項目１に記載のインプリント装置。
（項目３）
前記制御部は、前記アライメント工程において、前記第２の光照射の実行中に得られる前記変形量が第２閾値を超えたことに応じて、前記第２の光照射から前記第１の光照射への切り替えを行う、ことを特徴とする項目２に記載のインプリント装置。
（項目４）
前記制御部は、前記アライメント工程において、前記切り替えを複数回繰り返し行う、ことを特徴とする項目３に記載のインプリント装置。
（項目５）
前記第１閾値および前記第２閾値について、各回の前記切り替えのために独立した値が設定される、ことを特徴とする項目４に記載のインプリント装置。
（項目６）
前記基板または前記基板を保持して搬送する基板ステージの振動量を計測する計測器を更に有し、
前記制御部は、前記計測器による計測で得られた振動量に基づいて前記粘弾性を算出する、
ことを特徴とする項目１から５のいずれか１項目に記載のインプリント装置。
（項目７）
前記基板の上の前記インプリント材を撮像する撮像部を更に有し、
前記制御部は、前記撮像部による撮像で得られた前記インプリント材の画像に基づいて前記粘弾性を算出する、
ことを特徴とする項目１から５のいずれか１項目に記載のインプリント装置。
（項目８）
前記基板に設けられたマークと前記型に設けられたマークとの相対位置を検出する検出器を更に有し、
前記制御部は、前記検出器により検出された前記相対位置に基づいて前記変形量を算出する、
ことを特徴とする項目１から７のいずれか１項目に記載のインプリント装置。
（項目９）
基板の上のインプリント材に型を接触させた状態で前記基板と型とのアライメントを行うアライメント工程と、前記アライメント工程の後に前記インプリント材を光照射によって硬化させる硬化工程とを含むインプリント処理を行うインプリント装置であって、
前記インプリント材を部分的に硬化させるための第１の光照射と、前記基板を変形させるための第２の光照射とを行う光照射部と、
前記光照射部を制御する制御部と、
を有し、
前記制御部は、前記アライメント工程において、前記第１の光照射の継続時間に基づいて、前記第１の光照射から前記第２の光照射への切り替えを行い、前記第２の光照射の継続時間に基づいて、前記第２の光照射から前記第１の光照射への切り替えを行う、
ことを特徴とするインプリント装置。
（項目１０）
前記光照射部は、
前記インプリント材を部分的に硬化させる第１光を発生する第１光源と、
前記アライメントのために前記基板を変形させる第２光を発生する第２光源と、
前記第１光を変調した第１変調光および前記第２光を変調した第２変調光を発生する空間光変調器と、
を含む、ことを特徴とする項目１から９のいずれか１項目に記載のインプリント装置。
（項目１１）
前記空間光変調器は、デジタルミラーデバイスを含む、ことを特徴とする項目１０に記載のインプリント装置。
（項目１２）
項目１から１０のいずれか１項目に記載のインプリント装置により基板の上にパターンを形成する工程と、
前記パターンが形成された前記基板を加工する工程と、
を含み、前記基板から物品を製造することを特徴とする物品製造方法。

【0059】

発明は上記実施形態に制限されるものではなく、発明の精神及び範囲から離脱することなく、様々な変更及び変形が可能である。従って、発明の範囲を公にするために請求項を添付する。

【符号の説明】

【0060】

１：インプリント装置、２０：光源ユニット、Ｍ：型、Ｓ：基板、ＩＭ：インプリント材、１２１：第１光源、１２２：第２光源、１３３：ＤＭＤ、１３０：変調部

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【手続補正書】

【提出日】2024-02-13

【手続補正1】

【補正対象書類名】特許請求の範囲

【補正対象項目名】全文

【補正方法】変更

【補正の内容】

【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板上のインプリント材に型を接触させた状態で前記基板と前記型とのアライメントを行った後に前記インプリント材を光照射によって硬化させるインプリント装置であって、
前記インプリント材を部分的に硬化させるための第１の光照射と、前記基板を変形させるための第２の光照射とを行う光照射部と、
前記光照射部を制御する制御部と、
を有し、
前記制御部は、前記アライメントにおいて、前記インプリント材の粘弾性又は前記基板の変形量に基づいて前記第１の光照射と前記第２の光照射との切り替えを行う、
ことを特徴とするインプリント装置。

【請求項2】

前記制御部は、前記アライメントにおいて、前記第１の光照射の実行中に得られる前記粘弾性が第１閾値を超えたことに応じて、前記第１の光照射から前記第２の光照射への切り替えを行う、ことを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。

【請求項3】

前記制御部は、前記アライメントにおいて、前記第２の光照射の実行中に得られる前記変形量が第２閾値を超えたことに応じて、前記第２の光照射から前記第１の光照射への切り替えを行う、ことを特徴とする請求項２に記載のインプリント装置。

【請求項4】

前記制御部は、前記アライメントにおいて、前記切り替えを複数回行う、ことを特徴とする請求項３に記載のインプリント装置。

【請求項5】

前記第１閾値と前記第２閾値は、各回の前記切り替え毎に値が設定されている、ことを特徴とする請求項４に記載のインプリント装置。

【請求項6】

前記基板または前記基板を保持して搬送する基板ステージの振動量を計測する計測器を更に有し、
前記制御部は、前記振動量に基づいて前記粘弾性を算出する、
ことを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。

【請求項7】

前記インプリント材を撮像する撮像部を更に有し、
前記制御部は、前記撮像部による撮像で得られた前記インプリント材の画像に基づいて前記粘弾性を算出する、
ことを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。

【請求項8】

前記基板に設けられたマークと前記型に設けられたマークとの相対位置を検出する検出器を更に有し、
前記制御部は、前記検出器により検出された前記相対位置に基づいて前記変形量を算出する、
ことを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。

【請求項9】

基板上のインプリント材に型を接触させた状態で前記基板と前記型とのアライメントを行った後に前記インプリント材を光照射によって硬化させるインプリント装置であって、
前記インプリント材を部分的に硬化させるための第１の光照射と、前記基板を変形させるための第２の光照射とを行う光照射部と、
前記光照射部を制御する制御部と、
を有し、
前記制御部は、前記アライメントにおいて、前記第１の光照射の継続時間に基づいて、前記第１の光照射から前記第２の光照射への切り替えを行い、前記第２の光照射の継続時間に基づいて、前記第２の光照射から前記第１の光照射への切り替えを行う、
ことを特徴とするインプリント装置。

【請求項10】

前記光照射部は、
前記インプリント材を部分的に硬化させる第１光を発生する第１光源と、
前記アライメントのために前記基板を変形させる第２光を発生する第２光源と、
前記第１光を変調した第１変調光および前記第２光を変調した第２変調光を発生する空間光変調器と、
を含む、ことを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。

【請求項11】

前記空間光変調器は、デジタルミラーデバイスを含む、ことを特徴とする請求項１０に記載のインプリント装置。

【請求項12】

基板上のインプリント材に型を接触させた状態で前記基板と前記型とのアライメントを行うアライメント工程と、
前記アライメント工程の後に前記インプリント材を光照射によって硬化させて前記基板にパターンを形成する形成工程と、
前記パターンが形成された前記基板を加工する加工工程と、
を含み、
前記アライメント工程において、前記インプリント材を部分的に硬化させるための第１の光照射と、前記基板を変形させるための第２の光照射とを行い、
前記第１の光照射の継続時間に基づいて前記第１の光照射から前記第２の光照射への切り替えを行い、前記第２の光照射の継続時間に基づいて前記第２の光照射から前記第１の光照射への切り替えを行う、ことを特徴とする物品製造方法。

【手続補正2】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０００７

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0007】

本発明の一側面によれば、基板上のインプリント材に型を接触させた状態で前記基板と前記型とのアライメントを行った後に前記インプリント材を光照射によって硬化させるインプリント装置であって、前記インプリント材を部分的に硬化させるための第１の光照射と、前記基板を変形させるための第２の光照射とを行う光照射部と、前記光照射部を制御する制御部と、を有し、前記制御部は、前記アライメントにおいて、前記インプリント材の粘弾性又は前記基板の変形量に基づいて前記第１の光照射と前記第２の光照射との切り替えを行う、ことを特徴とするインプリント装置が提供される。