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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024168241
(43)【公開日】2024-12-05
(54)【発明の名称】配線回路基板、および、配線回路基板の製造方法
(51)【国際特許分類】
H05K 1/02 20060101AFI20241128BHJP
【ＦＩ】
H05K1/02 J
H05K1/02 P
H05K1/02 B
【審査請求】未請求
【請求項の数】11
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023084736
(22)【出願日】2023-05-23
(71)【出願人】
【識別番号】000003964
【氏名又は名称】日東電工株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110003812
【氏名又は名称】弁理士法人いくみ特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】田中 智章
(72)【発明者】
【氏名】高倉 隼人
(72)【発明者】
【氏名】笹岡 良介
【テーマコード（参考）】
5E338
【Ｆターム（参考）】
5E338AA01
5E338AA12
5E338AA16
5E338BB14
5E338BB25
5E338CC02
5E338CC05
5E338CC06
5E338CD03
5E338CD13
5E338EE31
(57)【要約】
【課題】シールドパターンと隣り合う配線の一部とシールドパターンと隣り合わない配線の残部との間で配線の厚みに差が生じることを抑制できる配線回路基板、および、配線回路基板の製造方法を提供する。
【解決手段】
配線回路基板１は、第１絶縁層１２と、厚み方向において第１絶縁層１２の一方側に配置され、端子１３１Ａと、端子１３１Ａに接続される配線１３３Ａとを有する配線パターン１３Ａと、厚み方向において第１絶縁層１２の一方側に配置され、配線１３３Ａの一部に対して間隔を空けて隣り合うシールドパターン１５Ａとを備える。配線１３３Ａは、第１導体層Ｍ１から作られ、シールドパターン１５Ａは、第２導体層Ｍ２から作られる。
【選択図】図１
【解決手段】
配線回路基板１は、第１絶縁層１２と、厚み方向において第１絶縁層１２の一方側に配置され、端子１３１Ａと、端子１３１Ａに接続される配線１３３Ａとを有する配線パターン１３Ａと、厚み方向において第１絶縁層１２の一方側に配置され、配線１３３Ａの一部に対して間隔を空けて隣り合うシールドパターン１５Ａとを備える。配線１３３Ａは、第１導体層Ｍ１から作られ、シールドパターン１５Ａは、第２導体層Ｍ２から作られる。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
絶縁層と、
前記絶縁層の厚み方向において前記絶縁層の一方側に配置され、端子と、前記端子に接続される配線とを有する配線パターンと、
前記厚み方向において前記絶縁層の一方側に配置され、前記配線の一部に対して間隔を空けて隣り合うシールドパターンと
を備え、
前記配線は、第１導体層から作られ、
前記シールドパターンは、第２導体層から作られる、配線回路基板。
前記絶縁層の厚み方向において前記絶縁層の一方側に配置され、端子と、前記端子に接続される配線とを有する配線パターンと、
前記厚み方向において前記絶縁層の一方側に配置され、前記配線の一部に対して間隔を空けて隣り合うシールドパターンと
を備え、
前記配線は、第１導体層から作られ、
前記シールドパターンは、第２導体層から作られる、配線回路基板。
【請求項2】
絶縁層と、
前記絶縁層の厚み方向において前記絶縁層の一方側に配置され、端子と、前記端子に接続される配線とを有する配線パターンと、
前記厚み方向において前記絶縁層の一方側に配置され、前記配線の一部に対して間隔を空けて隣り合うシールドパターンと
を備え、
前記シールドパターンは、開口を有する、配線回路基板。
前記絶縁層の厚み方向において前記絶縁層の一方側に配置され、端子と、前記端子に接続される配線とを有する配線パターンと、
前記厚み方向において前記絶縁層の一方側に配置され、前記配線の一部に対して間隔を空けて隣り合うシールドパターンと
を備え、
前記シールドパターンは、開口を有する、配線回路基板。
【請求項3】
前記配線は、第１導体層から作られ、
前記シールドパターンは、第２導体層から作られる、請求項２に記載の配線回路基板。
前記シールドパターンは、第２導体層から作られる、請求項２に記載の配線回路基板。
【請求項4】
前記端子は、
前記厚み方向において前記絶縁層の一方側に配置され、前記第１導体層から作られる第１層と、
前記厚み方向において前記第１層の一方側に配置され、前記第２導体層から作られる第２層と
を有する、請求項１または３に記載の配線回路基板。
前記厚み方向において前記絶縁層の一方側に配置され、前記第１導体層から作られる第１層と、
前記厚み方向において前記第１層の一方側に配置され、前記第２導体層から作られる第２層と
を有する、請求項１または３に記載の配線回路基板。
【請求項5】
前記端子は、
前記厚み方向において前記絶縁層の一方側に配置され、前記第２導体層から作られる第１層と、
前記厚み方向において前記第１層の一方側に配置され、前記第１導体層から作られる第２層と
を有する、請求項１または３に記載の配線回路基板。
前記厚み方向において前記絶縁層の一方側に配置され、前記第２導体層から作られる第１層と、
前記厚み方向において前記第１層の一方側に配置され、前記第１導体層から作られる第２層と
を有する、請求項１または３に記載の配線回路基板。
【請求項6】
前記第２導体層は、前記第１導体層よりも厚い、請求項１または３に記載の配線回路基板。
【請求項7】
前記第１導体層は、前記第２導体層よりも厚い、請求項１または３に記載の配線回路基板。
【請求項8】
前記配線回路基板は、
前記端子が配置されるフレーム部と、
前記フレーム部と接続され、前記フレーム部よりもフレキシブルであり、前記配線が配置されるフレキシブル部と
を有し、
前記シールドパターンは、前記フレーム部に配置され、前記フレキシブル部には配置されない、請求項１または２に記載の配線回路基板。
前記端子が配置されるフレーム部と、
前記フレーム部と接続され、前記フレーム部よりもフレキシブルであり、前記配線が配置されるフレキシブル部と
を有し、
前記シールドパターンは、前記フレーム部に配置され、前記フレキシブル部には配置されない、請求項１または２に記載の配線回路基板。
【請求項9】
前記厚み方向において前記絶縁層の他方側に配置される金属支持層をさらに備える、請求項１または２に記載の配線回路基板。
【請求項10】
前記シールドパターンは、前記金属支持層と電気的に接続される、請求項９に記載の配線回路基板。
【請求項11】
請求項１または２に記載の配線回路基板の製造方法であって、
前記厚み方向における前記絶縁層の一方側に前記配線を形成する配線形成工程と、
前記厚み方向における前記絶縁層の一方側に前記シールドパターンを形成するシールドパターン形成工程と
を含む、配線回路基板の製造方法。
前記厚み方向における前記絶縁層の一方側に前記配線を形成する配線形成工程と、
前記厚み方向における前記絶縁層の一方側に前記シールドパターンを形成するシールドパターン形成工程と
を含む、配線回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、配線回路基板、および、配線回路基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
従来、配線が配置される複数の配線体と、配線と接続される端子が配置され、複数の配線体の一端部を連結する連結体とを有する配線回路基板が知られている（例えば、下記特許文献１参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０２３－０２４３２３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
特許文献１に記載されるような配線回路基板において、配線の周りにシールドを設けたい場合がある。
【0005】
しかし、特許文献１に記載されるような配線回路基板では、配線体にはシールドを配置できるスペースが少ない。そのため、連結体において配線の周りにシールドを配置する一方、配線体においてシールドを配置しない場合が考えられる。
【0006】
この場合、１つの配線が、周りにシールドが配置される部分と、周りにシールドが配置されない部分とを有する。
【0007】
このように、１つの配線が周りにシールドが配置される部分と周りにシールドが配置されない部分とを有する場合、配線とシールドとを、例えば、電解メッキによって同時に形成すると、周りにシールドが配置される部分が、周りにシールドが配置されない部分よりも、薄く形成されてしまう可能性がある。
【0008】
そうすると、周りにシールドが配置される部分の厚みが設計値よりも過度に薄くなり、周りにシールドが配置されない部分の厚みが設計値よりも過度に厚くなってしまう可能性がある。
【0009】
そこで、本発明は、シールドパターンと隣り合う配線の一部とシールドパターンと隣り合わない配線の残部との間で配線の厚みに差が生じることを抑制できる配線回路基板、および、配線回路基板の製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【0010】
本発明［１］は、絶縁層と、前記絶縁層の厚み方向において前記絶縁層の一方側に配置され、端子と、前記端子に接続される配線とを有する配線パターンと、前記厚み方向において前記絶縁層の一方側に配置され、前記配線の一部に対して間隔を空けて隣り合うシールドパターンとを備え、前記配線が、第１導体層から作られ、前記シールドパターンが、第２導体層から作られる、配線回路基板を含む。
【0011】
このような構成によれば、配線が第１導体層から作られ、シールドパターンが第２導体層から作られる。
【0012】
そのため、配線とシールドパターンとを、それぞれ別の工程で形成できる。これにより、シールドパターンの形成が配線の形成に影響しない。
【0013】
その結果、シールドパターンと隣り合う配線の一部と、シールドパターンと隣り合わない配線の残部との間で厚みに差が生じることを抑制できる。
【0014】
本発明［２］は、絶縁層と、前記絶縁層の厚み方向において前記絶縁層の一方側に配置され、端子と、前記端子に接続される配線とを有する配線パターンと、前記厚み方向において前記絶縁層の一方側に配置され、前記配線の一部に対して間隔を空けて隣り合うシールドパターンとを備え、前記シールドパターンが、開口を有する、配線回路基板を含む。
【0015】
このような構成によれば、シールドパターンが開口を有する。つまり、開口の分、シールドパターンの面積を低減できる。
【0016】
そのため、シールドパターンと配線とを同時に形成した場合でも、シールドパターンの形成が配線の形成に影響することを抑制できる。
【0017】
その結果、シールドパターンと隣り合う配線の一部と、シールドパターンと隣り合わない配線の残部との間で厚みに差が生じることを抑制できる。
【0018】
本発明［３］は、前記配線が、第１導体層から作られ、前記シールドパターンが、第２導体層から作られる、上記［２］の配線回路基板を含む。
【0019】
このような構成によれば、配線とシールドパターンとを、それぞれ別の工程で、形成できる。これにより、シールドパターンの形成が配線の形成に影響しない。
【0020】
その結果、シールドパターンと隣り合う配線の一部と、シールドパターンと隣り合わない配線の残部との間で厚みに差が生じることを、より抑制できる。
【0021】
本発明［４］は、前記端子が、前記厚み方向において前記絶縁層の一方側に配置され、前記第１導体層から作られる第１層と、前記厚み方向において前記第１層の一方側に配置され、前記第２導体層から作られる第２層とを有する、上記［１］または［３］の配線回路基板を含む。
【0022】
本発明［５］は、前記端子が、前記厚み方向において前記絶縁層の一方側に配置され、前記第２導体層から作られる第１層と、前記厚み方向において前記第１層の一方側に配置され、前記第１導体層から作られる第２層とを有する、上記［１］または［３］の配線回路基板を含む。
【0023】
本発明［６］は、前記第２導体層が、前記第１導体層よりも厚い、上記［１］および［３］～［５］のいずれか１つの配線回路基板を含む。
【0024】
本発明［７］は、前記第１導体層が、前記第２導体層よりも厚い、上記［１］および［３］～［５］のいずれか１つの配線回路基板を含む。
【0025】
本発明［８］は、前記配線回路基板が、前記端子と、前記配線の前記第１端部とが配置されるフレーム部と、前記フレーム部と接続され、前記フレーム部よりもフレキシブルであり、前記配線が配置されるフレキシブル部とを有し、前記シールドパターンが、前記フレーム部に配置され、前記フレキシブル部には配置されない、上記［１］～［７］のいずれか１つの配線回路基板を含む。
【0026】
このような構成によれば、フレキシブル部の可撓性を損なうことなく、フレーム部において、配線の周りにシールドパターンを配置できる。
【0027】
本発明［９］は、前記厚み方向において前記絶縁層の他方側に配置される金属支持層をさらに備える、上記［１］～［８］のいずれか１つの配線回路基板を含む。
【0028】
このような構成によれば、金属支持層により、厚み方向における絶縁層の他方側から配線を囲むことができる。
【0029】
その結果、配線から生じたノイズが絶縁層の他方側に伝わること、および、絶縁層の他方側からのノイズが配線に伝わることを抑制できる。
【0030】
本発明［１０］は、前記シールドパターンが、前記金属支持層と電気的に接続される、上記［９］の配線回路基板を含む。
【0031】
本発明［１１］は、上記［１］～［１０］のいずれか１つの配線回路基板の製造方法であって、前記厚み方向における前記絶縁層の一方側に前記配線を形成する配線形成工程と、前記厚み方向における前記絶縁層の一方側に前記シールドパターンを形成するシールドパターン形成工程とを含む、配線回路基板の製造方法を含む。
【0032】
このような方法によれば、配線とシールドパターンとを、それぞれ別の工程で形成できる。これにより、シールドパターンの形成が配線の形成に影響しない。
【0033】
その結果、シールドパターンと隣り合う配線の一部と、シールドパターンと隣り合わない配線の残部との間で厚みに差が生じることを抑制できる。
【発明の効果】
【0034】
本発明によれば、シールドパターンと隣り合う配線の一部とシールドパターンと隣り合わない配線の残部との間で配線の厚みに差が生じることを抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【0035】
【発明を実施するための形態】
【0036】
１．配線回路基板
図１に示すように、配線回路基板１は、２つのフレーム部２Ａ，２Ｂと、複数のフレキシブル部３Ａ，３Ｂとを有する。
図１に示すように、配線回路基板１は、２つのフレーム部２Ａ，２Ｂと、複数のフレキシブル部３Ａ，３Ｂとを有する。
【0037】
フレーム部２Ｂは、第１方向において、フレーム部２Ａから離れて配置される。第１方向は、配線回路基板１の厚み方向と直交する。フレーム部２Ａ，２Ｂのそれぞれは、第２方向に延びる。第２方向は、第１方向および厚み方向の両方と直交する。
【0038】
フレキシブル部３Ａ，３Ｂは、フレーム部２Ａとフレーム部２Ｂとを繋ぐ。フレキシブル部３Ａ，３Ｂは、第１方向において、フレーム部２Ａとフレーム部２Ｂとの間に配置される。本実施形態では、フレキシブル部３Ａ，３Ｂのそれぞれは、第１方向に延びる。第１方向におけるフレキシブル部３Ａ，３Ｂのそれぞれの一端部は、フレーム部２Ａと接続される。第１方向におけるフレキシブル部３Ａ，３Ｂのそれぞれの他端部は、フレーム部２Ｂと接続される。なお、フレキシブル部３Ａ，３Ｂのそれぞれの形状は、限定されない。フレキシブル部３Ａ，３Ｂのそれぞれは、直線形状であってもよいし、湾曲していてもよい。フレキシブル部３Ａ，３Ｂは、第２方向に並ぶ。言い換えると、フレキシブル部３Ａ，３Ｂは、フレーム部２Ａが延びる方向に並ぶ。フレキシブル部３Ｂは、第２方向において、フレキシブル部３Ａから離れて配置される。
【0039】
フレキシブル部３Ａ，３Ｂのそれぞれの幅は、例えば、３００μｍ以下、好ましくは、２５０μｍ以下である。フレキシブル部３Ａ，３Ｂのそれぞれの幅は、例えば、１０μｍ以上、好ましくは、３０μｍ以上である。
【0040】
なお、「幅」とは、フレキシブル部が延びる方向と厚み方向との両方と直交する方向における最大の長さである。例えば、フレキシブル部３Ａの「幅」とは、フレキシブル部３Ａが延びる方向と厚み方向との両方と直交する方向における最大の長さである。本実施形態では、「幅」とは、第２方向における最大の長さである。
【0041】
フレキシブル部３Ａ，３Ｂのそれぞれの幅は、第２方向におけるフレーム部２Ａの長さよりも小さい。そのため、フレキシブル部３Ａ，３Ｂのそれぞれは、フレーム部２Ａよりもフレキシブルである。
【0042】
図１および図２Ａに示すように、配線回路基板１は、金属支持層１１と、第１絶縁層１２と、複数の配線パターン１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ，１３Ｄと、複数のグランド端子１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃ，１４Ｄ，１４Ｅと、複数のシールドパターン１５Ａ，１５Ｂ，１５Ｃ，１５Ｄ，１５Ｅ，１５Ｆと、第２絶縁層１６とを備える。
【0043】
（１）金属支持層
金属支持層１１は、フレーム部２Ａ，２Ｂおよびフレキシブル部３Ａ，３Ｂに配置される。金属支持層１１は、第１絶縁層１２、配線パターン１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ，１３Ｄ、複数のグランド端子１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃ，１４Ｄ，１４Ｅ，１４Ｆ、シールドパターン１５Ａ，１５Ｂ，１５Ｃ，１５Ｄ，１５Ｅ，１５Ｆおよび第２絶縁層１６を支持する。金属支持層１１の材料として、例えば、銅、銅合金、ステンレス、ニッケル、チタン、および４２アロイが挙げられる。金属支持層１１の材料として、好ましくは、銅合金が挙げられる。金属支持層１１は、１つの金属層から構成されてもよく、複数の金属層から構成されてもよい。好ましくは、金属支持層１１は、銅合金から作られた金属層を含む。
金属支持層１１は、フレーム部２Ａ，２Ｂおよびフレキシブル部３Ａ，３Ｂに配置される。金属支持層１１は、第１絶縁層１２、配線パターン１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ，１３Ｄ、複数のグランド端子１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃ，１４Ｄ，１４Ｅ，１４Ｆ、シールドパターン１５Ａ，１５Ｂ，１５Ｃ，１５Ｄ，１５Ｅ，１５Ｆおよび第２絶縁層１６を支持する。金属支持層１１の材料として、例えば、銅、銅合金、ステンレス、ニッケル、チタン、および４２アロイが挙げられる。金属支持層１１の材料として、好ましくは、銅合金が挙げられる。金属支持層１１は、１つの金属層から構成されてもよく、複数の金属層から構成されてもよい。好ましくは、金属支持層１１は、銅合金から作られた金属層を含む。
【0044】
（２）第１絶縁層
第１絶縁層１２は、フレーム部２Ａ，２Ｂおよびフレキシブル部３Ａ，３Ｂに配置される。第１絶縁層１２は、厚み方向において、金属支持層１１の一方側に配置される。言い換えると、金属支持層１１は、厚み方向において、第１絶縁層１２の他方側に配置される。第１絶縁層１２は、厚み方向において、金属支持層１１の一方面上に配置される。第１絶縁層１２は、金属支持層１１と配線パターン１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ，１３Ｄとの間に配置される。なお、第１絶縁層１２は、金属支持層１１とグランド端子１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃ，１４Ｄ，１４Ｅ，１４Ｆとの間、金属支持層１１とシールドパターン１５Ａ，１５Ｂ，１５Ｃ，１５Ｄ，１５Ｅ，１５Ｆとの間にも配置される。第１絶縁層１２は、配線パターン１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ，１３Ｄ、グランド端子１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃ，１４Ｄ，１４Ｅ，１４Ｆ、および、シールドパターン１５Ａ，１５Ｂ，１５Ｃ，１５Ｄ，１５Ｅ，１５Ｆを金属支持層１１から絶縁する。第１絶縁層１２は、樹脂から作られる。樹脂として、例えば、ポリイミド、マレイミド、エポキシ樹脂、ポリベンゾオキサゾール、および、ポリエステルが挙げられる。なお、第１絶縁層１２は、複数の貫通穴１２１を有する。
第１絶縁層１２は、フレーム部２Ａ，２Ｂおよびフレキシブル部３Ａ，３Ｂに配置される。第１絶縁層１２は、厚み方向において、金属支持層１１の一方側に配置される。言い換えると、金属支持層１１は、厚み方向において、第１絶縁層１２の他方側に配置される。第１絶縁層１２は、厚み方向において、金属支持層１１の一方面上に配置される。第１絶縁層１２は、金属支持層１１と配線パターン１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ，１３Ｄとの間に配置される。なお、第１絶縁層１２は、金属支持層１１とグランド端子１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃ，１４Ｄ，１４Ｅ，１４Ｆとの間、金属支持層１１とシールドパターン１５Ａ，１５Ｂ，１５Ｃ，１５Ｄ，１５Ｅ，１５Ｆとの間にも配置される。第１絶縁層１２は、配線パターン１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ，１３Ｄ、グランド端子１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃ，１４Ｄ，１４Ｅ，１４Ｆ、および、シールドパターン１５Ａ，１５Ｂ，１５Ｃ，１５Ｄ，１５Ｅ，１５Ｆを金属支持層１１から絶縁する。第１絶縁層１２は、樹脂から作られる。樹脂として、例えば、ポリイミド、マレイミド、エポキシ樹脂、ポリベンゾオキサゾール、および、ポリエステルが挙げられる。なお、第１絶縁層１２は、複数の貫通穴１２１を有する。
【0045】
（３）配線パターン
配線パターン１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ（図１参照），１３Ｄ（図１参照）は、厚み方向において、第１絶縁層１２の一方側に配置される。配線パターン１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ，１３Ｄは、厚み方向において、第１絶縁層１２の一方面上に配置される。配線パターン１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ，１３Ｄは、第１絶縁層１２により、金属支持層１１から絶縁されている。配線パターン１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ，１３Ｄは、電気信号を伝送するための信号線である。図１に示すように、配線パターン１３Ａと配線パターン１３Ｂとは、第１差動ペアＤＰ１を構成する。配線パターン１３Ｃと配線パターン１３Ｄとは、第２差動ペアＤＰ２を構成する。
配線パターン１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ（図１参照），１３Ｄ（図１参照）は、厚み方向において、第１絶縁層１２の一方側に配置される。配線パターン１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ，１３Ｄは、厚み方向において、第１絶縁層１２の一方面上に配置される。配線パターン１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ，１３Ｄは、第１絶縁層１２により、金属支持層１１から絶縁されている。配線パターン１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ，１３Ｄは、電気信号を伝送するための信号線である。図１に示すように、配線パターン１３Ａと配線パターン１３Ｂとは、第１差動ペアＤＰ１を構成する。配線パターン１３Ｃと配線パターン１３Ｄとは、第２差動ペアＤＰ２を構成する。
【0046】
配線パターン１３Ａは、端子１３１Ａと、端子１３２Ａと、配線１３３Ａとを有する。配線パターン１３Ｂは、端子１３１Ｂと、端子１３２Ｂと、配線１３３Ｂとを有する。配線パターン１３Ｃは、端子１３１Ｃと、端子１３２Ｃと、配線１３３Ｃとを有する。配線パターン１３Ｄは、端子１３１Ｄと、端子１３２Ｄと、配線１３３Ｄとを有する。
【0047】
（３－１）端子１３１Ａ，１３１Ｂ，１３１Ｃ，１３１Ｄ
端子１３１Ａ，１３１Ｂ，１３１Ｃ，１３１Ｄは、フレーム部２Ａに配置される。配線回路基板１のフレーム部２Ａに第１電子素子、または、配線回路基板１とは別の第１配線回路基板が実装された状態で、端子１３１Ａ，１３１Ｂ，１３１Ｃ，１３１Ｄのそれぞれは、第１電子素子または第１配線回路基板と接続される。本実施形態では、端子１３１Ａ，１３１Ｂ，１３１Ｃ，１３１Ｄは、第２方向に並ぶ。端子１３１Ａ，１３１Ｂ，１３１Ｃ，１３１Ｄのそれぞれは、角ランド形状を有する。なお、端子１３１Ａ，１３１Ｂ，１３１Ｃ，１３１Ｄが並ぶ方向、および、端子１３１Ａ，１３１Ｂ，１３１Ｃ，１３１Ｄのそれぞれの形状は、限定されない。
端子１３１Ａ，１３１Ｂ，１３１Ｃ，１３１Ｄは、フレーム部２Ａに配置される。配線回路基板１のフレーム部２Ａに第１電子素子、または、配線回路基板１とは別の第１配線回路基板が実装された状態で、端子１３１Ａ，１３１Ｂ，１３１Ｃ，１３１Ｄのそれぞれは、第１電子素子または第１配線回路基板と接続される。本実施形態では、端子１３１Ａ，１３１Ｂ，１３１Ｃ，１３１Ｄは、第２方向に並ぶ。端子１３１Ａ，１３１Ｂ，１３１Ｃ，１３１Ｄのそれぞれは、角ランド形状を有する。なお、端子１３１Ａ，１３１Ｂ，１３１Ｃ，１３１Ｄが並ぶ方向、および、端子１３１Ａ，１３１Ｂ，１３１Ｃ，１３１Ｄのそれぞれの形状は、限定されない。
【0048】
図２Ｂに示すように、端子１３１Ａは、第１層１３１１と、第２層１３１２とを有する。
【0049】
第１層１３１１は、厚み方向において、第１絶縁層１２の一方側に配置される。第１層１３１１は、厚み方向において、第１絶縁層１２の一方面上に配置される。第１層１３１１の材料として、金属が挙げられる。金属として、例えば、銅、銀、金、鉄、アルミニウム、クロム、および、それらの合金が挙げられる。良好な電気特性を得る観点から、好ましくは、銅が挙げられる。
【0050】
第２層１３１２は、厚み方向において、第１層１３１１の一方側に配置される。第２層１３１２は、厚み方向において、第１層１３１１の一方面上に配置される。第２層１３１２は、第１層１３１１よりも厚い。第２層１３１２の材料として、第１層１３１１の材料と同じ金属が挙げられる。第２層１３１２は、好ましくは、第１層１３１１と同じ金属から作られる。
【0051】
端子１３１Ｂ，１３１Ｃ，１３１Ｄは、端子１３１Ａと同じ層構造を有する。そのため、端子１３１Ｂ，１３１Ｃ，１３１Ｄのぞれぞれの層構造についての説明は、省略される。
【0052】
（３－２）端子１３２Ａ，１３２Ｂ，１３２Ｃ，１３２Ｄ
図１に示すように、端子１３２Ａ，１３２Ｂ，１３２Ｃ，１３２Ｄは、フレーム部２Ｂに配置される。配線回路基板１のフレーム部２Ｂに第２電子素子、または、配線回路基板１とは別の第２配線回路基板が実装された状態で、端子１３２Ａ，１３２Ｂ，１３２Ｃ，１３２Ｄのそれぞれは、第２電子素子または第２配線回路基板と接続される。本実施形態では、端子１３２Ａ，１３２Ｂ，１３２Ｃ，１３２Ｄは、第２方向に並ぶ。端子１３２Ａ，１３２Ｂ，１３２Ｃ，１３２Ｄのそれぞれは、角ランド形状を有する。なお、端子１３２Ａ，１３２Ｂ，１３２Ｃ，１３２Ｄが並ぶ方向、および、端子１３２Ａ，１３２Ｂ，１３２Ｃ，１３２Ｄのそれぞれの形状は、限定されない。
図１に示すように、端子１３２Ａ，１３２Ｂ，１３２Ｃ，１３２Ｄは、フレーム部２Ｂに配置される。配線回路基板１のフレーム部２Ｂに第２電子素子、または、配線回路基板１とは別の第２配線回路基板が実装された状態で、端子１３２Ａ，１３２Ｂ，１３２Ｃ，１３２Ｄのそれぞれは、第２電子素子または第２配線回路基板と接続される。本実施形態では、端子１３２Ａ，１３２Ｂ，１３２Ｃ，１３２Ｄは、第２方向に並ぶ。端子１３２Ａ，１３２Ｂ，１３２Ｃ，１３２Ｄのそれぞれは、角ランド形状を有する。なお、端子１３２Ａ，１３２Ｂ，１３２Ｃ，１３２Ｄが並ぶ方向、および、端子１３２Ａ，１３２Ｂ，１３２Ｃ，１３２Ｄのそれぞれの形状は、限定されない。
【0053】
端子１３２Ａ，１３２Ｂ，１３２Ｃ，１３２Ｄは、端子１３１Ａと同じ層構造を有する。そのため、端子１３２Ａ，１３２Ｂ，１３２Ｃ，１３２Ｄのぞれぞれの層構造についての説明は、省略される。
【0054】
（３－３）配線１３３Ａ，１３３Ｂ，１３３Ｃ，１３３Ｄ
配線１３３Ａの一端部は、フレーム部２Ａに配置される。配線１３３Ａの一端部は、端子１３１Ａに接続される。配線１３３Ａの他端部は、フレーム部２Ｂに配置される。配線１３３Ａの他端部は、端子１３２Ａに接続される。端子１３１Ａは、配線１３３Ａを介して端子１３２Ａと電気的に接続される。配線１３３Ａは、フレーム部２Ａとフレーム部２Ｂとの間において、フレキシブル部３Ａに配置される。
配線１３３Ａの一端部は、フレーム部２Ａに配置される。配線１３３Ａの一端部は、端子１３１Ａに接続される。配線１３３Ａの他端部は、フレーム部２Ｂに配置される。配線１３３Ａの他端部は、端子１３２Ａに接続される。端子１３１Ａは、配線１３３Ａを介して端子１３２Ａと電気的に接続される。配線１３３Ａは、フレーム部２Ａとフレーム部２Ｂとの間において、フレキシブル部３Ａに配置される。
【0055】
配線１３３Ｂの一端部は、フレーム部２Ａに配置される。配線１３３Ｂの一端部は、端子１３１Ｂに接続される。配線１３３Ｂの他端部は、フレーム部２Ｂに配置される。配線１３３Ｂの他端部は、端子１３２Ｂに接続される。端子１３１Ｂは、配線１３３Ｂを介して端子１３２Ｂと電気的に接続される。配線１３３Ｂは、フレーム部２Ａとフレーム部２Ｂとの間において、フレキシブル部３Ａに配置される。配線１３３Ｂは、配線１３３Ａと平行に延びる。配線１３３Ｂの長さは、好ましくは、配線１３３Ａの長さと同じである。
【0056】
配線１３３Ｃの一端部は、フレーム部２Ａに配置される。配線１３３Ｃの一端部は、端子１３１Ｃに接続される。配線１３３Ｃの他端部は、フレーム部２Ｂに配置される。配線１３３Ｃの他端部は、端子１３２Ｃに接続される。端子１３１Ｃは、配線１３３Ｃを介して端子１３２Ｃと電気的に接続される。配線１３３Ｃは、フレーム部２Ａとフレーム部２Ｂとの間において、フレキシブル部３Ｂに配置される。
【0057】
配線１３３Ｄの一端部は、フレーム部２Ａに配置される。配線１３３Ｄの一端部は、端子１３１Ｄに接続される。配線１３３Ｄの他端部は、フレーム部２Ｂに配置される。配線１３３Ｄの他端部は、端子１３２Ｄに接続される。端子１３１Ｄは、配線１３３Ｄを介して端子１３２Ｄと電気的に接続される。配線１３３Ｄは、フレーム部２Ａとフレーム部２Ｂとの間において、フレキシブル部３Ｂに配置される。配線１３３Ｄは、配線１３３Ｃと平行に延びる。配線１３３Ｄの長さは、好ましくは、配線１３３Ｃの長さと同じである。
【0058】
配線１３３Ａ，１３３Ｂ，１３３Ｃ，１３３Ｄは、端子１３１Ａの第１層１３１１と同じ金属から作られる。
【0059】
（４）グランド端子
図１に示すように、グランド端子１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃは、フレーム部２Ａに配置される。グランド端子１４Ｄ，１４Ｅ，１４Ｆは、フレーム部２Ｂに配置される。グランド端子１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃ，１４Ｄ，１４Ｅ，１４Ｆは、配線パターン１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ，１３Ｄから独立している。グランド端子１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃ，１４Ｄ，１４Ｅ，１４Ｆは、配線パターン１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ，１３Ｄと接続されていない。配線回路基板１のフレーム部２Ａに第１電子素子、または、配線回路基板１とは別の第１配線回路基板が実装された状態で、グランド端子１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃのそれぞれは、第１電子素子または第１配線回路基板と接続される。また、配線回路基板１のフレーム部２Ｂに第２電子素子、または、配線回路基板１とは別の第２配線回路基板が実装された状態で、グランド端子１４Ｄ，１４Ｅ，１４Ｆのそれぞれは、第２電子素子または第２配線回路基板と接続される。
図１に示すように、グランド端子１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃは、フレーム部２Ａに配置される。グランド端子１４Ｄ，１４Ｅ，１４Ｆは、フレーム部２Ｂに配置される。グランド端子１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃ，１４Ｄ，１４Ｅ，１４Ｆは、配線パターン１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ，１３Ｄから独立している。グランド端子１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃ，１４Ｄ，１４Ｅ，１４Ｆは、配線パターン１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ，１３Ｄと接続されていない。配線回路基板１のフレーム部２Ａに第１電子素子、または、配線回路基板１とは別の第１配線回路基板が実装された状態で、グランド端子１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃのそれぞれは、第１電子素子または第１配線回路基板と接続される。また、配線回路基板１のフレーム部２Ｂに第２電子素子、または、配線回路基板１とは別の第２配線回路基板が実装された状態で、グランド端子１４Ｄ，１４Ｅ，１４Ｆのそれぞれは、第２電子素子または第２配線回路基板と接続される。
【0060】
グランド端子１４Ａは、第２方向において、端子１３１Ａに対して、間隔を空けて隣り合う。グランド端子１４Ａは、第２方向において、端子１３１Ａの一方側に配置される。グランド端子１４Ａは、第２方向において、端子１３１Ａに対して端子１３１Ｂの反対側に配置される。
【0061】
グランド端子１４Ａは、配線１３３Ａとは隣り合っていない。グランド端子１４Ａと配線１３３Ａとの距離は、グランド端子１４Ａと端子１３１Ａとの距離よりも長い。グランド端子１４Ａと配線１３３Ａとの距離は、第１部分１４１と配線１３３Ａとの距離よりも長い。
【0062】
本実施形態では、グランド端子１４Ａは、角ランド形状を有する。グランド端子１４Ａは、第１層１４１と、第２層１４２と、複数のグランドビア１４３とを有する。
【0063】
第１層１４１は、端子１３１Ａの第１層１３１１と同じ金属から作られる。
【0064】
第２層１４２は、端子１３１Ａの第２層１３１２と同じ金属から作られる。つまり、グランド端子１４Ａは、端子１３１Ａと同じ層構造を有する。グランド端子１４Ａの形状および層構造は、限定されない。
【0065】
グランドビア１４３は、第１絶縁層１２の図示しない貫通穴を通って金属支持層１１と接触する。これにより、グランド端子１４Ａは、金属支持層１１と電気的に接続される。
【0066】
グランド端子１４Ｂは、第２方向において、端子１３１Ｂに対して、間隔を空けて隣り合う。グランド端子１４Ｂは、第２方向において、端子１３１Ｂの他方側に配置される。グランド端子１４Ｂは、第２方向において、端子１３１Ｂに対して端子１３１Ａの反対側に配置される。
【0067】
また、グランド端子１４Ｂは、第２方向において、端子１３１Ｃの一方側に配置される。つまり、グランド端子１４Ｂは、第２方向において、端子１３１Ｂと端子１３１Ｃとの間に配置される。グランド端子１４Ｂは、第２方向において、端子１３１Ｃに対して端子１３１Ｄの反対側に配置される。
【0068】
グランド端子１４Ｃは、第２方向において、端子１３１Ｄに対して、間隔を空けて隣り合う。グランド端子１４Ｃは、第２方向において、端子１３１Ｄの他方側に配置される。グランド端子１４Ｃは、第２方向において、端子１３１Ｄに対して端子１３１Ｃの反対側に配置される。
【0069】
グランド端子１４Ｄは、第２方向において、端子１３２Ａに対して、間隔を空けて隣り合う。グランド端子１４Ｄは、第２方向において、端子１３２Ａの一方側に配置される。グランド端子１４Ｄは、第２方向において、端子１３２Ａに対して端子１３２Ｂの反対側に配置される。
【0070】
グランド端子１４Ｅは、第２方向において、端子１３２Ｂに対して、間隔を空けて隣り合う。グランド端子１４Ｅは、第２方向において、端子１３２Ｂの他方側に配置される。グランド端子１４Ｅは、第２方向において、端子１３２Ｂに対して端子１３２Ａの反対側に配置される。
【0071】
また、グランド端子１４Ｅは、第２方向において、端子１３２Ｃの一方側に配置される。つまり、グランド端子１４Ｅは、第２方向において、端子１３２Ｂと端子１３２Ｃとの間に配置される。グランド端子１４Ｅは、第２方向において、端子１３２Ｃに対して端子１３２Ｄの反対側に配置される。
【0072】
グランド端子１４Ｆは、第２方向において、端子１３２Ｄに対して、間隔を空けて隣り合う。グランド端子１４Ｆは、第２方向において、端子１３２Ｄの他方側に配置される。グランド端子１４Ｆは、第２方向において、端子１３２Ｄに対して端子１３２Ｃの反対側に配置される。
【0073】
本実施形態では、グランド端子１４Ｂ，１４Ｃ，１４Ｄ，１４Ｅ，１４Ｆのそれぞれは、グランド端子１４Ａと同じ形状および層構造を有する。グランド端子１４Ｂ，１４Ｃ，１４Ｄ，１４Ｅ，１４Ｆのそれぞれは、グランド端子１４Ａと異なる形状および層構造を有してもよい。
【0074】
（５）シールドパターン
シールドパターン１５Ａ，１５Ｂ，１５Ｄ，１５Ｅは、配線パターン１３Ａ，１３Ｂ（第１差動ペアＤＰ１）から生じたノイズが外部（例えば、配線パターン１３Ｃ，１３Ｄ（第２差動ペアＤＰ２））に伝わること、および、外部（例えば、配線パターン１３Ｃ，１３Ｄ（第２差動ペアＤＰ２））からのノイズが配線パターン１３Ａ，１３Ｂに伝わることを抑制する。また、シールドパターン１５Ｂ，１５Ｃ，１５Ｅ，１５Ｆは、配線パターン１３Ｃ，１３Ｄ（第２差動ペアＤＰ２）から生じたノイズが外部（例えば、配線パターン１３Ａ，１３Ａ（第１差動ペアＤＰ１））に伝わること、および、外部（例えば、配線パターン１３Ａ，１３Ｂ（第１差動ペアＤＰ１））からのノイズが配線パターン１３Ｃ，１３Ｄに伝わることを抑制する。
シールドパターン１５Ａ，１５Ｂ，１５Ｄ，１５Ｅは、配線パターン１３Ａ，１３Ｂ（第１差動ペアＤＰ１）から生じたノイズが外部（例えば、配線パターン１３Ｃ，１３Ｄ（第２差動ペアＤＰ２））に伝わること、および、外部（例えば、配線パターン１３Ｃ，１３Ｄ（第２差動ペアＤＰ２））からのノイズが配線パターン１３Ａ，１３Ｂに伝わることを抑制する。また、シールドパターン１５Ｂ，１５Ｃ，１５Ｅ，１５Ｆは、配線パターン１３Ｃ，１３Ｄ（第２差動ペアＤＰ２）から生じたノイズが外部（例えば、配線パターン１３Ａ，１３Ａ（第１差動ペアＤＰ１））に伝わること、および、外部（例えば、配線パターン１３Ａ，１３Ｂ（第１差動ペアＤＰ１））からのノイズが配線パターン１３Ｃ，１３Ｄに伝わることを抑制する。
【0075】
図１に示すように、シールドパターン１５Ａ，１５Ｂ，１５Ｃは、フレーム部２Ａに配置される。シールドパターン１５Ａ，１５Ｂ，１５Ｃは、配線パターン１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ，１３Ｄから独立している。シールドパターン１５Ａ，１５Ｂ，１５Ｃは、配線パターン１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ，１３Ｄと接続されていない。
【0076】
シールドパターン１５Ａおよびシールドパターン１５Ｂは、グランド端子１４Ａおよびグランド端子１４Ｂとともに、第１差動ペアＤＰ１の一端部を囲む。第１差動ペアＤＰ１の一端部は、第２方向において、グランド端子１４Ａとグランド端子１４Ｂとの間、および、シールドパターン１５Ａとシールドパターン１５Ｂとの間に配置される。
【0077】
シールドパターン１５Ａは、第２方向において、第１差動ペアＤＰ１の一方側に配置される。シールドパターン１５Ａは、第２方向において、配線１３３Ａに対して配線１３３Ｂの反対側に配置される。シールドパターン１５Ａは、第２方向において、配線１３３Ａの一部に対して、間隔を空けて隣り合う。本実施形態では、シールドパターン１５Ａは、略矩形の平板形状を有する。シールドパターン１５Ａの形状は、限定されない。シールドパターン１５Ａは、グランド端子１４Ａと接続される。
【0078】
シールドパターン１５Ｂは、第２方向において、シールドパターン１５Ａから離れて配置される。シールドパターン１５Ｂは、第２方向において、第１差動ペアＤＰ１の他方側に配置される。シールドパターン１５Ｂは、第２方向において、配線１３３Ｂに対して配線１３３Ａの反対側に配置される。シールドパターン１５Ｂは、グランド端子１４Ｂと接続される。
【0079】
また、シールドパターン１５Ｂは、第２方向において、第２差動ペアＤＰ２の一方側に配置される。シールドパターン１５Ｂは、第２方向において、配線１３３Ｃに対して配線１３３Ｄの反対側に配置される。
【0080】
シールドパターン１５Ｂとシールドパターン１５Ｃとは、グランド端子１４Ｂおよびグランド端子１４Ｃとともに、第２差動ペアＤＰ２の一端部を囲む。第２差動ペアＤＰ２の一端部は、第２方向において、グランド端子１４Ｂとグランド端子１４Ｃとの間、および、シールドパターン１５Ｂとシールドパターン１５Ｃとの間に配置される。
【0081】
シールドパターン１５Ｃは、第２方向において、シールドパターン１５Ｂから離れて配置される。シールドパターン１５Ｃは、第２方向において、第２差動ペアＤＰ２の他方側に配置される。シールドパターン１５Ｃは、第２方向において、配線１３３Ｄに対して配線１３３Ｃの反対側に配置される。シールドパターン１５Ｃは、グランド端子１４Ｃと接続される。
【0082】
シールドパターン１５Ｄ，１５Ｅ，１５Ｆは、フレーム部２Ｂに配置される。フレキシブル部３Ａ，３Ｂには、シールドパターンは配置されていない。シールドパターン１５Ｄ，１５Ｅ，１５Ｆは、配線パターン１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ，１３Ｄから独立している。シールドパターン１５Ｄ，１５Ｅ，１５Ｆは、配線パターン１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ，１３Ｄと接続されていない。
【0083】
シールドパターン１５Ｄとシールドパターン１５Ｅとは、グランド端子１４Ｄおよびグランド端子１４Ｅとともに、第１差動ペアＤＰ１の他端部を囲む。第１差動ペアＤＰ１の他端部は、第２方向において、グランド端子１４Ｄとグランド端子１４Ｅとの間、および、シールドパターン１５Ｄとシールドパターン１５Ｅとの間に配置される。
【0084】
シールドパターン１５Ｄは、第２方向において、第１差動ペアＤＰ１の一方側に配置される。シールドパターン１５Ｄは、第２方向において、配線１３３Ａに対して配線１３３Ｂの反対側に配置される。シールドパターン１５Ｄは、グランド端子１４Ｄと接続される。
【0085】
シールドパターン１５Ｅは、第２方向において、シールドパターン１５Ｄから離れて配置される。シールドパターン１５Ｅは、第２方向において、第１差動ペアＤＰ１の他方側に配置される。シールドパターン１５Ｅは、第２方向において、配線１３３Ｂに対して配線１３３Ａの反対側に配置される。シールドパターン１５Ｅは、グランド端子１４Ｅと接続される。
【0086】
また、シールドパターン１５Ｅは、第２方向において、第２差動ペアＤＰ２の一方側に配置される。シールドパターン１５Ｅは、第２方向において、配線１３３Ｃに対して配線１３３Ｄの反対側に配置される。
【0087】
シールドパターン１５Ｅとシールドパターン１５Ｆとは、グランド端子１４Ｅおよびグランド端子１４Ｆとともに、第２差動ペアＤＰ２の他端部を囲む。第２差動ペアＤＰ２の他端部は、第２方向において、グランド端子１４Ｅとグランド端子１４Ｆとの間、および、シールドパターン１５Ｅとシールドパターン１５Ｆとの間に配置される。
【0088】
シールドパターン１５Ｆは、第２方向において、シールドパターン１５Ｅから離れて配置される。シールドパターン１５Ｆは、第２方向において、第２差動ペアＤＰ２の他方側に配置される。シールドパターン１５Ｆは、第２方向において、配線１３３Ｄに対して配線１３３Ｃの反対側に配置される。シールドパターン１５Ｆは、グランド端子１４Ｆと接続される。
【0089】
本実施形態では、シールドパターン１５Ｂ，１５Ｃ，１５Ｄ，１５Ｅ，１５Ｆのそれぞれは、シールドパターン１５Ａと同じ形状を有する。シールドパターン１５Ｂ，１５Ｃ，１５Ｄ，１５Ｅ，１５Ｆのそれぞれは、シールドパターン１５Ａと異なる形状を有してもよい。
【0090】
図２Ａに示すように、シールドパターン１５Ａ，１５Ｂ，１５Ｃ，１５Ｄ，１５Ｅ，１５Ｆは、厚み方向において、第１絶縁層１２の一方側に配置される。シールドパターン１５Ａ，１５Ｂ，１５Ｃ，１５Ｄ，１５Ｅ，１５Ｆは、厚み方向において、第１絶縁層１２の一方面上に配置される。シールドパターン１５Ａ，１５Ｂ，１５Ｃ，１５Ｄ，１５Ｅ，１５Ｆのそれぞれは、複数のシールドビア１５３を有する。シールドビア１５３は、第１絶縁層１２の貫通穴１２１を通って金属支持層１１と接触する。これにより、シールドパターン１５Ａ，１５Ｂ，１５Ｃ，１５Ｄ，１５Ｅ，１５Ｆのそれぞれは、金属支持層１１と電気的に接続される。
【0091】
（５）第２絶縁層
図２Ａに示すように、第２絶縁層１６は、全ての配線１３３Ａ，１３３Ｂ，１３３Ｃ，１３３Ｄ、および、全てのシールドパターン１５Ａ，１５Ｂ，１５Ｃ，１５Ｄ，１５Ｅ，１５Ｆを覆う。第２絶縁層１６は、厚み方向において、第１絶縁層１２の一方面上に配置される。なお、第２絶縁層１６は、図２Ｂに示すように、端子１３１Ａ，１３１Ｂ，１３１Ｃ，１３１Ｄ、端子１３２Ａ，１３２Ｂ，１３２Ｃ，１３２Ｄ、および、グランド端子１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃ，１４Ｄ，１４Ｅ，１４Ｆを覆わない。第２絶縁層１６は、樹脂から作られる。樹脂としては、例えば、ポリイミド、マレイミド、エポキシ樹脂、ポリベンゾオキサゾール、および、ポリエステルが挙げられる。
図２Ａに示すように、第２絶縁層１６は、全ての配線１３３Ａ，１３３Ｂ，１３３Ｃ，１３３Ｄ、および、全てのシールドパターン１５Ａ，１５Ｂ，１５Ｃ，１５Ｄ，１５Ｅ，１５Ｆを覆う。第２絶縁層１６は、厚み方向において、第１絶縁層１２の一方面上に配置される。なお、第２絶縁層１６は、図２Ｂに示すように、端子１３１Ａ，１３１Ｂ，１３１Ｃ，１３１Ｄ、端子１３２Ａ，１３２Ｂ，１３２Ｃ，１３２Ｄ、および、グランド端子１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃ，１４Ｄ，１４Ｅ，１４Ｆを覆わない。第２絶縁層１６は、樹脂から作られる。樹脂としては、例えば、ポリイミド、マレイミド、エポキシ樹脂、ポリベンゾオキサゾール、および、ポリエステルが挙げられる。
【0092】
２．配線回路基板１の製造方法
配線回路基板１の製造方法は、第１絶縁層形成工程（図３Ａ参照）と、配線形成工程（図３Ｂ参照）と、シールドパターン形成工程（図３Ｃ参照）と、第２絶縁層形成工程と、外形加工工程とを含む。
配線回路基板１の製造方法は、第１絶縁層形成工程（図３Ａ参照）と、配線形成工程（図３Ｂ参照）と、シールドパターン形成工程（図３Ｃ参照）と、第２絶縁層形成工程と、外形加工工程とを含む。
【0093】
（１）第１絶縁層形成工程
図３Ａに示すように、第１絶縁層形成工程では、厚み方向における基材Ｓの一方側に、第１絶縁層１２を形成する。基材Ｓは、金属箔のロールから引き出された金属箔である。基材Ｓの材料は、金属支持層１１（図２Ａ参照）の材料と同じである。第１絶縁層形成工程では、厚み方向における基材Ｓの一方面上に、第１絶縁層１２を形成する。
図３Ａに示すように、第１絶縁層形成工程では、厚み方向における基材Ｓの一方側に、第１絶縁層１２を形成する。基材Ｓは、金属箔のロールから引き出された金属箔である。基材Ｓの材料は、金属支持層１１（図２Ａ参照）の材料と同じである。第１絶縁層形成工程では、厚み方向における基材Ｓの一方面上に、第１絶縁層１２を形成する。
【0094】
第１絶縁層１２を形成するには、まず、基材Ｓの上に感光性樹脂の溶液（ワニス）を塗布して乾燥し、感光性樹脂の塗膜を形成する。次に、感光性樹脂の塗膜を露光および現像する。これにより、第１絶縁層１２が、基材Ｓの上に、所定のパターンで形成される。
【0095】
（２）配線形成工程
次に、図３Ｂに示すように、配線形成工程では、厚み方向における第１絶縁層１２の一方側に、配線１３３Ａ，１３３Ｂ，１３３Ｃ，１３３Ｄを形成する。詳しくは、配線形成工程では、電解メッキにより、厚み方向における第１絶縁層１２の一方側に、第１導体層Ｍ１を形成する。
次に、図３Ｂに示すように、配線形成工程では、厚み方向における第１絶縁層１２の一方側に、配線１３３Ａ，１３３Ｂ，１３３Ｃ，１３３Ｄを形成する。詳しくは、配線形成工程では、電解メッキにより、厚み方向における第１絶縁層１２の一方側に、第１導体層Ｍ１を形成する。
【0096】
図４に示すように、第１導体層Ｍ１は、上記した端子１３１Ａ，１３１Ｂ，１３１Ｃ，１３１Ｄ，１３２Ａ，１３２Ｂ，１３２Ｃ，１３２Ｄのそれぞれの第１層１３１１と、上記したグランド端子１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃ，１４Ｄ，１４Ｅ，１４Ｆのそれぞれの第１層１４１と、配線１３３Ａ，１３３Ｂ，１３３Ｃ，１３３Ｄとを含む。言い換えると、端子１３１Ａ，１３１Ｂ，１３１Ｃ，１３１Ｄ，１３２Ａ，１３２Ｂ，１３２Ｃ，１３２Ｄのそれぞれの第１層１３１１、および、配線１３３Ａ，１３３Ｂ，１３３Ｃ，１３３Ｄは、第１導体層Ｍ１から作られる。
【0097】
第１導体層Ｍ１を形成するには、まず、第１絶縁層１２および基材Ｓの表面にシード層を形成する。シード層は、例えば、スパッタリングにより形成される。シード層の材料としては、例えば、クロム、銅、ニッケル、チタン、および、これらの合金が挙げられる。
【0098】
次に、シード層が形成された第１絶縁層１２および基材Ｓの上に、メッキレジストを貼り合わせて、第１導体層Ｍ１が形成される部分を遮光した状態で、メッキレジストを露光する。
【0099】
次に、露光されたメッキレジストを現像する。すると、遮光された部分のメッキレジストが除去され、第１導体層Ｍ１が形成される部分にシード層が露出する。なお、露光された部分、すなわち、第１導体層Ｍ１が形成されない部分のメッキレジストは、残る。
【0100】
次に、露出したシード層の上に、電解メッキにより、第１導体層Ｍ１を形成する。
【0101】
電解メッキが終了した後、メッキレジストは、剥離される。
【0102】
（３）シールドパターン形成工程
次に、図３Ｃに示すように、シールドパターン形成工程では、厚み方向における第１絶縁層１２の一方側に、シールドパターン１５Ａ，１５Ｂ，１５Ｃ，１５Ｄ，１５Ｅ，１５Ｆを形成する。詳しくは、シールドパターン形成工程では、電解メッキにより、厚み方向における第１絶縁層１２の一方側に、第２導体層Ｍ２を形成する。
次に、図３Ｃに示すように、シールドパターン形成工程では、厚み方向における第１絶縁層１２の一方側に、シールドパターン１５Ａ，１５Ｂ，１５Ｃ，１５Ｄ，１５Ｅ，１５Ｆを形成する。詳しくは、シールドパターン形成工程では、電解メッキにより、厚み方向における第１絶縁層１２の一方側に、第２導体層Ｍ２を形成する。
【0103】
図１に示すように、第２導体層Ｍ２は、上記した端子１３１Ａ，１３１Ｂ，１３１Ｃ，１３１Ｄ，１３２Ａ，１３２Ｂ，１３２Ｃ，１３２Ｄのそれぞれの第２層１３１２と、上記したグランド端子１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃ，１４Ｄ，１４Ｅ，１４Ｆのそれぞれの第２層１４２と、上記したシールドパターン１５Ａ，１５Ｂ，１５Ｃ，１５Ｄ，１５Ｅ，１５Ｆとを含む。言い換えると、端子１３１Ａ，１３１Ｂ，１３１Ｃ，１３１Ｄ，１３２Ａ，１３２Ｂ，１３２Ｃ，１３２Ｄのそれぞれの第２層１３１２、および、シールドパターン１５Ａ，１５Ｂ，１５Ｃ，１５Ｄ，１５Ｅ，１５Ｆは、第２導体層Ｍ２から作られる。つまり、シールドパターン１５Ａは、配線１３３Ａと異なる導体層（第２導体層Ｍ２）から作られる。第２導体層Ｍ２は、第１導体層Ｍ１よりも厚い。
【0104】
第２導体層Ｍ２を形成するには、まず、第１絶縁層１２、基材Ｓおよび第１導体層Ｍ１の上に、メッキレジストを貼り合わせて、第２導体層Ｍ２が形成される部分を遮光した状態で、メッキレジストを露光する。
【0105】
次に、露光されたメッキレジストを現像する。すると、遮光された部分のメッキレジストが除去され、第２導体層Ｍ２が形成される部分に、シード層または第１導体層Ｍ１が露出する。なお、露光された部分、すなわち、第２導体層Ｍ２が形成されない部分のメッキレジストは、残る。
【0106】
次に、露出したシード層または第１導体層Ｍ１の上に、電解メッキにより、第２導体層Ｍ２を形成する。
【0107】
電解メッキが終了した後、メッキレジストは、剥離される。その後、メッキレジストによって覆われていたシード層を、エッチングにより除去する。
【0108】
（４）第２絶縁層形成工程
次に、図２Ａに示すように、第２絶縁層形成工程では、第１絶縁層１２、配線パターン１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ，１３Ｄ、および、シールドパターン１５Ａ，１５Ｂ，１５Ｃ，１５Ｄ，１５Ｅ，１５Ｆの上に、第１絶縁層１２と同様にして、第２絶縁層１６を形成する。
次に、図２Ａに示すように、第２絶縁層形成工程では、第１絶縁層１２、配線パターン１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ，１３Ｄ、および、シールドパターン１５Ａ，１５Ｂ，１５Ｃ，１５Ｄ，１５Ｅ，１５Ｆの上に、第１絶縁層１２と同様にして、第２絶縁層１６を形成する。
【0109】
（５）外形加工工程
次に、例えば、金属支持層１１をエッチングすることにより、配線回路基板１の外形を形成する。これにより、配線回路基板１を得る。
次に、例えば、金属支持層１１をエッチングすることにより、配線回路基板１の外形を形成する。これにより、配線回路基板１を得る。
【0110】
【0111】
そのため、配線１３３Ａとシールドパターン１５Ａとを、それぞれ別の工程で形成できる。詳しくは、図３Ｂおよび図４に示すように、配線１３３Ａを配線形成工程で形成し、図３Ｃおよび図１に示すように、シールドパターン１５Ａを、シールドパターン形成工程で形成できる。そのため、シールドパターン１５Ａの形成が配線１３３Ａの形成に影響しない。
【0112】
その結果、フレーム部２Ａに配置され、シールドパターン１５Ａと隣り合う配線１３３Ａの一部と、フレキシブル部３Ａに配置され、シールドパターン１５Ａと隣り合わない配線１３３Ａの残部との間で厚みに差が生じることを抑制できる。
【0113】
（２）配線回路基板１によれば、図１に示すように、シールドパターン１５Ａ，１５Ｂ，１５Ｃ，１５Ｄ，１５Ｅ，１５Ｆは、フレーム部２Ａまたはフレーム部２Ｂに配置され、フレキシブル部３Ａ，３Ｂには配置されない。
【0114】
そのため、フレキシブル部３Ａ，３Ｂの可撓性を損なうことなく、フレーム部２Ａ，２Ｂにおいて、配線１３３Ａ，１３３Ｂ，１３３Ｃ，１３３Ｄの周りにシールドパターン１５Ａ，１５Ｂ，１５Ｃ，１５Ｄ，１５Ｅ，１５Ｆを配置できる。
【0115】
（３）配線回路基板１によれば、図２Ａに示すように、金属支持層１１が、厚み方向において第１絶縁層１２の他方側に配置される。
【0116】
そのため、金属支持層１１により、厚み方向における第１絶縁層１２の他方側から配線１３３Ａ，１３３Ｂを囲むことができる。
【0117】
その結果、配線１３３Ａ，１３３Ｂから生じたノイズが第１絶縁層１２の他方側に伝わること、および、第１絶縁層１２の他方側からのノイズが配線１３３Ａ，１３３Ｂに伝わることを抑制できる。
【0118】
（４）配線回路基板１によれば、厚み方向における第１絶縁層１２の一方側に配線１３３Ａを形成する配線形成工程（図３Ｂおよび図４参照）と、厚み方向における第１絶縁層１２の一方側にシールドパターン１５Ａを形成するシールドパターン形成工程（図３Ｃおよび図１参照）とを含む。
【0119】
そのため、配線１３３Ａとシールドパターン１５Ａとを、それぞれ別の工程で形成できる。これにより、シールドパターン１５Ａの形成が、配線１３３Ａの形成に影響しない。
【0120】
その結果、フレーム部２Ａに配置され、シールドパターン１５Ａと隣り合う配線１３３Ａの一部と、フレキシブル部３Ａに配置され、シールドパターン１５Ａと隣り合わない配線１３３Ａの残部との間で厚みに差が生じることを抑制できる。
【0121】
４．変形例
以下、変形例について説明する。変形例において、上記した実施形態と同様の部材には同じ符号を付し、説明を省略する。
以下、変形例について説明する。変形例において、上記した実施形態と同様の部材には同じ符号を付し、説明を省略する。
【0122】
（１）配線パターンは、信号線に限定されない。図５に示すように、配線回路基板２０は、電源線としての配線パターン２１Ａ，２１Ｂを備えてもよい。
【0123】
配線パターン２１Ａは、端子２１１Ａと、端子２１２Ａと、配線２１３Ａとを有する。配線パターン２１Ｂは、端子２１１Ｂと、端子２１２Ｂと、配線２１３Ｂとを有する。
【0124】
端子２１１Ａ，２１１Ｂは、フレーム部２Ａに配置される。端子２１１Ａ，２１１Ｂは、第２方向に並ぶ。端子２１１Ａ，２１１Ｂのそれぞれは、角ランド形状を有する。なお、端子２１１Ａ，２１１Ｂが並ぶ方向、および、端子２１１Ａ，２１１Ｂのそれぞれの形状は、限定されない。
【0125】
端子２１１Ａは、第１層２１１１と、第２層２１１２とを有する。
【0126】
第１層２１１１は、厚み方向において、第１絶縁層１２の一方側に配置される。第１層２１１１は、厚み方向において、第１絶縁層１２の一方面上に配置される。
【0127】
第２層２１１２は、厚み方向において、第１層２１１１の一方側に配置される。第２層２１１２は、厚み方向において、第１層２１１１の一方面上に配置される。
【0128】
端子２１２Ａ，２１２Ｂは、フレーム部２Ｂに配置される。端子２１２Ａ，２１２Ｂは、第２方向に並ぶ。端子２１２Ａ，２１２Ｂのそれぞれは、角ランド形状を有する。端子２１２Ａ，２１２Ｂが並ぶ方向、および、端子２１２Ａ，２１２Ｂのそれぞれの形状は、限定されない。
【0129】
端子２１１Ｂ，２１２Ａ，２１２Ｂは、端子２１１Ａと同じ層構造を有する。そのため、端子２１１Ｂ，２１２Ａ，２１２Ｂのぞれぞれの層構造についての説明は、省略される。
【0130】
配線２１３Ａの一端部は、フレーム部２Ａに配置される。配線２１３Ａの一端部は、端子２１１Ａに接続される。配線２１３Ａの他端部は、フレーム部２Ｂに配置される。配線２１３Ａの他端部は、端子２１２Ａに接続される。端子２１１Ａは、配線２１３Ａを介して端子２１２Ａと電気的に接続される。配線２１３Ａは、フレーム部２Ａとフレーム部２Ｂとの間において、フレキシブル部３Ａに配置される。
【0131】
配線２１３Ｂの一端部は、フレーム部２Ａに配置される。配線２１３Ｂの一端部は、端子２１１Ｂに接続される。配線２１３Ｂの他端部は、フレーム部２Ｂに配置される。配線２１３Ｂの他端部は、端子２１２Ｂに接続される。端子２１１Ｂは、配線２１３Ｂを介して端子２１２Ｂと電気的に接続される。配線２１３Ｂは、フレーム部２Ａとフレーム部２Ｂとの間において、フレキシブル部３Ｂに配置される。
【0132】
【0133】
詳しくは、図６に示すように、シールドパターン形成工程では、厚み方向における第１絶縁層１２の一方側に、シールドパターン１５Ａ，１５Ｂ，１５Ｃ，１５Ｄ，１５Ｅ，１５Ｆを形成する。詳しくは、シールドパターン形成工程では、電解メッキにより、厚み方向における第１絶縁層１２の一方側に、第２導体層Ｍ２を形成する。
【0134】
第２導体層Ｍ２は、上記した端子２１１Ａ，２１１Ｂ，２１２Ａ，２１２Ｂのそれぞれの第１層２１１１と、上記したグランド端子１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃ，１４Ｄ，１４Ｅ，１４Ｆのそれぞれの第１層１４１と、上記したシールドパターン１５Ａ，１５Ｂ，１５Ｃ，１５Ｄ，１５Ｅ，１５Ｆとを含む。言い換えると、端子２１１Ａ，２１１Ｂ，２１２Ａ，２１２Ｂのそれぞれの第１層２１１１は、第２導体層Ｍ２から作られる。つまり、この変形例では、端子２１１Ａ，２１１Ｂ，２１２Ａ，２１２Ｂのそれぞれの第１層２１１１は、シールドパターン１５Ａ，１５Ｂ，１５Ｃ，１５Ｄ，１５Ｅ，１５Ｆと同じ導体層（第２導体層Ｍ２）から作られる。
【0135】
次に、図５に示すように、配線形成工程では、厚み方向における第１絶縁層１２の一方側に、配線２１３Ａ，２１３Ｂを形成する。詳しくは、配線形成工程では、電解メッキにより、厚み方向における第１絶縁層１２の一方側に、第１導体層Ｍ１を形成する。
【0136】
第１導体層Ｍ１は、上記した端子２１１Ａ，２１１Ｂ，２１２Ａ，２１２Ｂのそれぞれの第２層２１１２と、配線２１３Ａ，２１３Ｂと、上記したグランド端子１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃ，１４Ｄ，１４Ｅ，１４Ｆのそれぞれの第２層１４２とを含む。言い換えると、端子２１１Ａ，２１１Ｂ，２１２Ａ，２１２Ｂのそれぞれの第２層２１１２は、第１導体層Ｍ１から作られる。つまり、この変形例では、端子２１１Ａ，２１１Ｂ，２１２Ａ，２１２Ｂのそれぞれの第２層２１１２は、配線２１３Ａ，２１３Ｂと同じ導体層（第１導体層Ｍ１）から作られる。また、この変形例でも、シールドパターン１５Ａ，１５Ｂ，１５Ｃ，１５Ｄ，１５Ｅ，１５Ｆは、配線２１３Ａ，２１３Ｂと異なる導体層（第２導体層Ｍ２）から作られる。
【0137】
図７に示すように、この変形例では、第１導体層Ｍ１は、第２導体層Ｍ２よりも厚い。
【0138】
（２）図８に示すように、シールドパターン１５Ａ，１５Ｂ，１５Ｃ，１５Ｄ，１５Ｅ，１５Ｆは、配線１３３Ａ，１３３Ｂ，１３３Ｃ，１３３Ｄと同じ第１導体層Ｍ１から形成されてもよい。この場合、シールドパターン１５Ａ，１５Ｂ，１５Ｃ，１５Ｄ，１５Ｅ，１５Ｆは、開口３０を有する。
【0139】
この変形例によれば、シールドパターン１５Ａが開口３０を有する。つまり、開口３０の分、シールドパターン１５Ａの面積を低減できる。
【0140】
そのため、シールドパターン１５Ａと配線１３３Ａとを同時に形成した場合でも、シールドパターン１５Ａの形成が配線１３３Ａの形成に影響することを抑制できる。
【0141】
その結果、シールドパターン１５Ａと隣り合う配線１３３Ａの一部と、シールドパターン１５Ａと隣り合わない配線１３３Ａの残部との間で厚みに差が生じることを抑制できる。
【0142】
（３）なお、図９に示すように、シールドパターン１５Ａ，１５Ｂ，１５Ｃ，１５Ｄ，１５Ｅ，１５Ｆは、複数の開口３０を有してもよい。開口３０の形状は、限定されない。
【0143】
（４）また、図１０に示すように、シールドパターン１５Ａ，１５Ｂ，１５Ｃ，１５Ｄ，１５Ｅ，１５Ｆが開口３０を有する場合でも、シールドパターン１５Ａ，１５Ｂ，１５Ｃ，１５Ｄ，１５Ｅ，１５Ｆを、配線１３３Ａ，１３３Ｂ，１３３Ｃ，１３３Ｄを形成する第１導体層Ｍ１と異なる第２導体層Ｍ２から形成してもよい。
【0144】
（５）シールドパターン１５Ａ，１５Ｂ，１５Ｃ，１５Ｄ，１５Ｅ，１５Ｆは、グランド端子１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃ，１４Ｄ，１４Ｅ，１４Ｆから独立していてもよい。シールドパターン１５Ａ，１５Ｂ，１５Ｃ，１５Ｄ，１５Ｅ，１５Ｆは、グランド端子１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃ，１４Ｄ，１４Ｅ，１４Ｆと接続されていなくてもよい。
【0145】
（６）変形例（１）から（５）でも、上記した実施形態と同様の作用効果を得ることができる。
【符号の説明】
【0146】
１ 配線回路基板
２Ａ フレーム部
３Ａ フレキシブル部
１１ 金属支持層
１２ 第１絶縁層（絶縁層の一例）
１３Ａ 配線パターン
１３１Ａ 端子
１３１１ 第１層
１３１２ 第２層
１３３Ａ 配線
１５Ａ シールドパターン
３０ 開口
Ｍ１ 第１導体層
Ｍ２ 第２導体層
２Ａ フレーム部
３Ａ フレキシブル部
１１ 金属支持層
１２ 第１絶縁層（絶縁層の一例）
１３Ａ 配線パターン
１３１Ａ 端子
１３１１ 第１層
１３１２ 第２層
１３３Ａ 配線
１５Ａ シールドパターン
３０ 開口
Ｍ１ 第１導体層
Ｍ２ 第２導体層
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】