知財求人 - 知財ポータルサイト「IP Force」
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024168678
(43)【公開日】2024-12-05
(54)【発明の名称】電子部品
(51)【国際特許分類】
H01G 4/30 20060101AFI20241128BHJP
【ＦＩ】
H01G4/30 201M
H01G4/30 201N
H01G4/30 201L
H01G4/30 201K
H01G4/30 512
H01G4/30 515
【審査請求】未請求
【請求項の数】6
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023085554
(22)【出願日】2023-05-24
(71)【出願人】
【識別番号】000006231
【氏名又は名称】株式会社村田製作所
(74)【代理人】
【識別番号】100105957
【弁理士】
【氏名又は名称】恩田 誠
(74)【代理人】
【識別番号】100068755
【弁理士】
【氏名又は名称】恩田 博宣
(72)【発明者】
【氏名】星野 悠太
(72)【発明者】
【氏名】大島 知也
(72)【発明者】
【氏名】大川 紀行
(72)【発明者】
【氏名】坪川 大将
(72)【発明者】
【氏名】中野 充
【テーマコード（参考）】
5E001
5E082
【Ｆターム（参考）】
5E001AB03
5E001AD02
5E082AA01
5E082AB03
5E082EE01
5E082FF05
5E082FG26
5E082GG10
(57)【要約】
【課題】絶縁膜の外表面が静電気を帯びやすい。
【解決手段】電子部品１０は、素体２０と、素体２０の外表面を覆う絶縁膜５０と、絶縁膜５０の外表面を覆う第１下地電極及び第２下地電極と、絶縁膜５０よりも電気伝導率が大きい帯電防止層７０と、を備えている。帯電防止層７０は、素体２０の外表面と、絶縁膜５０の内面と、の間に位置している。且つ、帯電防止層７０は、第１下地電極と第２下地電極との間で不連続になっている。
【選択図】図３
【解決手段】電子部品１０は、素体２０と、素体２０の外表面を覆う絶縁膜５０と、絶縁膜５０の外表面を覆う第１下地電極及び第２下地電極と、絶縁膜５０よりも電気伝導率が大きい帯電防止層７０と、を備えている。帯電防止層７０は、素体２０の外表面と、絶縁膜５０の内面と、の間に位置している。且つ、帯電防止層７０は、第１下地電極と第２下地電極との間で不連続になっている。
【選択図】図３
【特許請求の範囲】
【請求項1】
素体と、
前記素体の外表面を覆う絶縁膜と、
前記絶縁膜の外表面を覆う第１下地電極と、
前記第１下地電極とは離れた箇所で前記絶縁膜の外表面を覆う第２下地電極と、
前記絶縁膜よりも電気伝導率が大きい帯電防止層と、
を備え、
前記帯電防止層は、前記素体の外表面と、前記絶縁膜の内面と、の間に位置しており、且つ、前記帯電防止層は、前記第１下地電極と前記第２下地電極との間で不連続になっている
電子部品。
前記素体の外表面を覆う絶縁膜と、
前記絶縁膜の外表面を覆う第１下地電極と、
前記第１下地電極とは離れた箇所で前記絶縁膜の外表面を覆う第２下地電極と、
前記絶縁膜よりも電気伝導率が大きい帯電防止層と、
を備え、
前記帯電防止層は、前記素体の外表面と、前記絶縁膜の内面と、の間に位置しており、且つ、前記帯電防止層は、前記第１下地電極と前記第２下地電極との間で不連続になっている
電子部品。
【請求項2】
前記帯電防止層の材質は、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ａｕ、Ｐｔから選ばれる１以上の元素を含む
請求項１に記載の電子部品。
請求項１に記載の電子部品。
【請求項3】
前記帯電防止層の材質は、ＳｎＯ２、ＺｎＯ、ＩｒＯ２、ＲｕＯ２、ＴｉＯ２から選ばれる１以上を含む
請求項１に記載の電子部品。
請求項１に記載の電子部品。
【請求項4】
前記素体の外表面のうち、前記帯電防止層に覆われている部分の任意の点における当該外表面に直交する方向を、当該点における厚さ方向としたとき、
前記任意の点での前記厚さ方向において、前記絶縁膜の寸法に対する前記帯電防止層の寸法の比は、０．０５以上０．２０以下である
請求項１に記載の電子部品。
前記任意の点での前記厚さ方向において、前記絶縁膜の寸法に対する前記帯電防止層の寸法の比は、０．０５以上０．２０以下である
請求項１に記載の電子部品。
【請求項5】
前記素体の外表面のうち、前記帯電防止層に覆われている部分の任意の点における当該外表面に直交する方向を、当該点における厚さ方向としたとき、
前記任意の点での前記厚さ方向において、前記絶縁膜の寸法は１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である
請求項１に記載の電子部品。
前記任意の点での前記厚さ方向において、前記絶縁膜の寸法は１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である
請求項１に記載の電子部品。
【請求項6】
前記絶縁膜の材質は、Ａｇを含まない
請求項１に記載の電子部品。
請求項１に記載の電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、電子部品に関する。
【背景技術】
【0002】
特許文献１に記載の電子部品は、素体と、絶縁膜と、下地電極と、を備えている。絶縁膜は、第１層と、第２層と、を備えている。第１層は、素体の外表面を覆っている。第２層は、第１層の外表面を覆っている。第１層及び第２層は、いずれも絶縁性の金属酸化物を有する。下地電極は、第１下地電極と、第２下地電極と、を含む。各下地電極は、それぞれ第２層の外表面の一部分を覆っている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特許第４６８３０５２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
特許文献１に記載されているような電子部品において、絶縁膜は、外部に露出した部分を有する。ここで、複数の電子部品の絶縁膜同士、又は電子部品の絶縁膜が他の物体と擦れることで、絶縁膜の外表面に静電気が発生し得る。そして、特許文献１の電子部品の絶縁膜は絶縁性を有することから、絶縁膜のうちの外部に露出する面に帯電した静電気は、消散しにくい。換言すると、電子部品の絶縁膜が絶縁性であるが故に、当該絶縁膜の外表面は、静電気を帯びやすい。
【課題を解決するための手段】
【0005】
上記課題を解決するため、本発明は、素体と、前記素体の外表面を覆う絶縁膜と、前記絶縁膜の外表面を覆う第１下地電極と、前記第１下地電極とは離れた箇所で前記絶縁膜の外表面を覆う第２下地電極と、前記絶縁膜よりも電気伝導率が大きい帯電防止層と、を備え、前記帯電防止層は、前記素体の外表面と、前記絶縁膜の内面と、の間に位置しており、且つ、前記帯電防止層は、前記第１下地電極と前記第２下地電極との間で不連続になっている電子部品である。
【発明の効果】
【0006】
絶縁膜の外表面に静電気が溜まることを抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【0007】
【発明を実施するための形態】
【0008】
＜電子部品の一実施形態＞
以下、電子部品の一実施形態を、図面を参照して説明する。なお、図面は、理解を容易にするために構成要素を拡大して示している場合がある。構成要素の寸法比率は実際のものと、又は別の図面中のものと異なる場合がある。
以下、電子部品の一実施形態を、図面を参照して説明する。なお、図面は、理解を容易にするために構成要素を拡大して示している場合がある。構成要素の寸法比率は実際のものと、又は別の図面中のものと異なる場合がある。
【0009】
（全体構成について）
図１に示すように、電子部品１０は、例えば、回路基板等に実装される表面実装型の積層セラミックコンデンサである。
図１に示すように、電子部品１０は、例えば、回路基板等に実装される表面実装型の積層セラミックコンデンサである。
【0010】
電子部品１０は、素体２０を備えている。素体２０は、略四角柱状であり、中心軸線ＣＡを有する。なお、以下では、中心軸線ＣＡに沿って延びる軸を第１軸Ｘとする。また、第１軸Ｘに直交する軸の１つを第２軸Ｙとする。そして、第１軸Ｘ及び第２軸Ｙに直交する軸を第３軸Ｚとする。さらに、第１軸Ｘに沿う方向の一方を第１正方向Ｘ１とし、第１軸Ｘに沿う方向のうち第１正方向Ｘ１と反対方向を第１負方向Ｘ２とする。また、第２軸Ｙに沿う方向の一方を第２正方向Ｙ１とし、第２軸Ｙに沿う方向のうち第２正方向Ｙ１と反対方向を第２負方向Ｙ２とする。さらに、第３軸Ｚに沿う方向の一方を第３正方向Ｚ１とし、第３軸Ｚに沿う方向のうち第３正方向Ｚ１と反対方向を第３負方向Ｚ２とする。
【0011】
素体２０の外表面は、６個の平面を有している。なお、ここでいう素体２０の「面」とは、素体２０全体を観察したときに面として観察できるものをいう。つまり、例えば素体２０の一部を顕微鏡等で拡大して観察しなければわからないような微小な凹凸、段差が存在しても、「平面」又は「曲面」と表現する。６個の平面は、互いに異なる方向を向いている。６個の平面は、第１正方向Ｘ１を向く第１端面２１Ａと、第１負方向Ｘ２を向く第２端面２１Ｂと、第２正方向Ｙ１を向く第１側面２１Ｃと、第２負方向Ｙ２を向く第２側面２１Ｄと、第３正方向Ｚ１を向く上面２１Ｅと、第３負方向Ｚ２を向く下面２１Ｆと、である。
【0012】
素体２０の第１軸Ｘに沿う方向の寸法は、第３軸Ｚに沿う方向の寸法よりも大きい。また、素体２０の第１軸Ｘに沿う方向の寸法は、第２軸Ｙに沿う方向の寸法よりも大きい。素体２０の材質は、誘電体セラミックである。具体的には、素体２０の材質は、ＢａＴｉＯ３を主成分とする。また、素体２０の材質は、ＣａＴｉＯ３、ＳｒＴｉＯ３、ＣａＺｒＯ３等を主成分としてもよい。また、素体２０の材質は、副成分として、Ｍｎ化合物、Ｃｏ化合物、Ｓｉ化合物または希土類化合物等を含んでいてもよい。
【0013】
図２に示すように、電子部品１０は、２つの第１内部電極４０Ａと、２つの第２内部電極４０Ｂと、を備えている。第１内部電極４０Ａ及び第２内部電極４０Ｂは、素体２０の内部に埋め込まれている。第１内部電極４０Ａの材質は、導電性の材料である。第１内部電極４０Ａの材質は、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｓｎ、Ｐｄ等の金属、又はこれらの金属を含む合金をさらに含んでいる。具体的には、第１内部電極４０Ａの材質は、Ｎｉである。第２内部電極４０Ｂの材質は、第１内部電極４０Ａの材質と同一である。
【0014】
第１内部電極４０Ａの形状は、長方形板状である。第１内部電極４０Ａの主面は、第２軸Ｙに直交している。第２内部電極４０Ｂの形状は、第１内部電極４０Ａと同じ長方形板状である。第２内部電極４０Ｂの主面は、第１内部電極４０Ａと同様に、第２軸Ｙに直交している。
【0015】
第１内部電極４０Ａの第１軸Ｘに沿う方向の寸法は、素体２０の第１軸Ｘに沿う方向の寸法より小さくなっている。また、図１に示すように、第１内部電極４０Ａの第３軸Ｚに沿う方向の寸法は、素体２０の第３軸Ｚに沿う方向の寸法の略３分の１となっている。図示は省略するが、第２内部電極４０Ｂの第３軸Ｚに沿う方向の寸法は、第１内部電極４０Ａと同じ寸法となっている。
【0016】
図２に示すように、第１内部電極４０Ａと第２内部電極４０Ｂとは、第２軸Ｙに沿う方向に互い違いに位置している。すなわち、第２正方向Ｙ１に向かって、第１内部電極４０Ａ、第２内部電極４０Ｂ、第１内部電極４０Ａ、第２内部電極４０Ｂの順に並んでいる。本実施形態では、各内部電極間の第２軸Ｙに沿う方向の距離は、等しくなっている。
【0017】
図１に示すように、２つの第１内部電極４０Ａ及び２つの第２内部電極４０Ｂは、いずれも、第３軸Ｚに沿う方向において、素体２０の中央に位置している。その一方で、図２に示すように、第１内部電極４０Ａは、第１正方向Ｘ１に寄って位置している。第２内部電極４０Ｂは、第１負方向Ｘ２に寄って位置している。具体的には、第１内部電極４０Ａの第１正方向Ｘ１側の端は、素体２０の第１正方向Ｘ１側の端と一致している。第１内部電極４０Ａの第１負方向Ｘ２側の端は、素体２０の内部に位置しており、素体２０の第１負方向Ｘ２側の端にまで至っていない。一方で、第２内部電極４０Ｂの第１負方向Ｘ２側の端は、素体２０の第１負方向Ｘ２側の端と一致している。第２内部電極４０Ｂの第１正方向Ｘ１側の端は、素体２０の内部に位置しており、素体２０の第１正方向Ｘ１側の端にまで至っていない。
【0018】
図２に示すように、電子部品１０は、絶縁膜５０として、第１絶縁膜５１Ａと、第２絶縁膜５１Ｂと、を有している。以下では、第１絶縁膜５１Ａ及び第２絶縁膜５１Ｂを区別する必要がない場合には、単に絶縁膜５０と記載する。
【0019】
図１に示すように、第１絶縁膜５１Ａは、素体２０の外表面を部分的に覆っている。具体的には、第１絶縁膜５１Ａは、上面２１Ｅの全域を覆っている。第１絶縁膜５１Ａは、第１側面２１Ｃ、第２側面２１Ｄ、第１端面２１Ａ、及び第２端面２１Ｂにおいて、各面の第３正方向Ｚ１側の略半分の領域を覆っている。より詳細には、各面における第１絶縁膜５１Ａの端縁の形状は、第３負方向Ｚ２に向かって凸の略円弧状になっている。第１絶縁膜５１Ａの主な材質は、絶縁性のガラスである。
【0020】
第２絶縁膜５１Ｂは、素体２０の外表面を部分的に覆っている。具体的には、第２絶縁膜５１Ｂは、下面２１Ｆの全域を覆っている。第２絶縁膜５１Ｂは、第１側面２１Ｃ、第２側面２１Ｄ、第１端面２１Ａ、及び第２端面２１Ｂにおいて、各面の第３負方向Ｚ２側の略半分の領域を覆っている。より詳細には、各面における第２絶縁膜５１Ｂの端縁の形状は、第３正方向Ｚ１に向かって凸の略円弧状になっている。第２絶縁膜５１Ｂの材質は、第１絶縁膜５１Ａと同様である。すなわち、第２絶縁膜５１Ｂの主な材質は、絶縁性のガラスである。
【0021】
第２絶縁膜５１Ｂは、第１側面２１Ｃ及び第２側面２１Ｄにおいて、第１絶縁膜５１Ａの表面の一部を覆っている。具体的には、第２絶縁膜５１Ｂは、第１絶縁膜５１Ａの凸状の端縁の、先端近傍を覆っている。したがって、この部分は、第２絶縁膜５１Ｂと第１絶縁膜５１Ａとの２層構造になっている。
【0022】
第２絶縁膜５１Ｂは、第１端面２１Ａ及び第２端面２１Ｂにおいて、第１絶縁膜５１Ａに対して離れている。その結果として、第１内部電極４０Ａは、第１端面２１Ａ上において第２絶縁膜５１Ｂ及び第１絶縁膜５１Ａから露出している。また、第２内部電極４０Ｂは、第２端面２１Ｂ上において第２絶縁膜５１Ｂ及び第１絶縁膜５１Ａから露出している。
【0023】
図２に示すように、電子部品１０は、第１外部電極６０Ａと、第２外部電極６０Ｂと、を備えている。
第１外部電極６０Ａは、第１下地電極６１Ａと、第１金属層６２Ａと、を有している。第１下地電極６１Ａは、素体２０の外表面のうち、第１端面２１Ａを含む一部分において、第１絶縁膜５１Ａ及び第２絶縁膜５１Ｂの上から積層されている。具体的には、第１下地電極６１Ａは、素体２０の第１端面２１Ａの全領域を覆っている。また、第１下地電極６１Ａは、素体２０の上面２１Ｅ、下面２１Ｆ、第１側面２１Ｃ、及び第２側面２１Ｄにおいて、各面の第１正方向Ｘ１側の一部を覆っている。すなわち、第１下地電極６１Ａは５面電極である。この実施形態では、第１下地電極６１Ａの材質は、Ｃｕ及びガラスの混合物である。
第１外部電極６０Ａは、第１下地電極６１Ａと、第１金属層６２Ａと、を有している。第１下地電極６１Ａは、素体２０の外表面のうち、第１端面２１Ａを含む一部分において、第１絶縁膜５１Ａ及び第２絶縁膜５１Ｂの上から積層されている。具体的には、第１下地電極６１Ａは、素体２０の第１端面２１Ａの全領域を覆っている。また、第１下地電極６１Ａは、素体２０の上面２１Ｅ、下面２１Ｆ、第１側面２１Ｃ、及び第２側面２１Ｄにおいて、各面の第１正方向Ｘ１側の一部を覆っている。すなわち、第１下地電極６１Ａは５面電極である。この実施形態では、第１下地電極６１Ａの材質は、Ｃｕ及びガラスの混合物である。
【0024】
第１金属層６２Ａは、第１下地電極６１Ａを外部から覆っている。そのため、第１金属層６２Ａは、第１下地電極６１Ａに積層されている。図示は省略するが、第１金属層６２Ａは、第１下地電極６１Ａ側から順に、ニッケル層と、錫層と、の２層構造となっている。
【0025】
第２外部電極６０Ｂは、第２下地電極６１Ｂと、第２金属層６２Ｂと、を有している。第２下地電極６１Ｂは、第１下地電極６１Ａとは離れた箇所で、第１絶縁膜５１Ａ及び第２絶縁膜５１Ｂの外表面を覆っている。具体的には、第２下地電極６１Ｂは、素体２０の外表面のうち、第２端面２１Ｂを含む一部分において、第１絶縁膜５１Ａ及び第２絶縁膜５１Ｂの上から積層されている。第２下地電極６１Ｂは、素体２０の第２端面２１Ｂの全領域を覆っている。また、第２下地電極６１Ｂは、上面２１Ｅ、下面２１Ｆ、第１側面２１Ｃ、及び第２側面２１Ｄにおいて、各面の第１負方向Ｘ２側の一部を覆っている。すなわち、第２下地電極６１Ｂは５面電極である。この実施形態では、第２下地電極６１Ｂの材質は、第１外部電極６０Ａの材質と同一である。すなわち、第２下地電極６１Ｂの材質は、Ｃｕ及びガラスの混合物である。
【0026】
第２金属層６２Ｂは、第２下地電極６１Ｂを外部から覆っている。そのため、第２金属層６２Ｂは、第２下地電極６１Ｂに積層されている。具体的には、第２金属層６２Ｂは、第１金属層６２Ａと同様に、ニッケルめっきと、錫めっきと、の２層構造となっている。
【0027】
第２外部電極６０Ｂは、第１側面２１Ｃ、第２側面２１Ｄ、上面２１Ｅ、下面２１Ｆにおいて、第１外部電極６０Ａにまでは至っておらず、第１外部電極６０Ａに対して第１軸Ｘに沿う方向に離れて配置されている。そして、素体２０の第１側面２１Ｃ、第２側面２１Ｄ、上面２１Ｅ、下面２１Ｆにおいて、第１軸Ｘに沿う方向の中央部分は、第１外部電極６０Ａ及び第２外部電極６０Ｂが積層されておらず、絶縁膜５０が露出している。なお、図１及び図２では、第１外部電極６０Ａ及び第２外部電極６０Ｂは、二点鎖線で図示している。
【0028】
（帯電防止層について）
図３に示すように、電子部品１０は、帯電防止層７０を備えている。なお、図２では、帯電防止層７０の図示を省略している。また、図３において、第１絶縁膜５１Ａ及び第２絶縁膜５１Ｂを区別せずに、両者を一体的な絶縁膜５０として図示している。帯電防止層７０は、素体２０の外表面と、絶縁膜５０の内面と、の間に位置している。後述するように、帯電防止層７０は、いわゆるインクジェット印刷法による半導体等の製造に用いられる機能材料インクを、素体２０に塗布することで形成される。帯電防止層７０は、素体２０の外表面の略全体に亘って、水玉模様状になっている。したがって、帯電防止層７０は、第１下地電極６１Ａと第２下地電極６１Ｂとの間で不連続になっている。なお、不連続とは、次のようにして確認する。まず、透過型電子顕微鏡により、素体２０の外表面に直交する方向の断面について、撮像又は観察を行う。そして、帯電防止層７０が、５ｎｍ以上の間隔を空けて２以上に分離されていることを確認する。同様にして、帯電防止層７０が分離されている断面が３以上存在している場合、帯電防止層７０は不連続である。
図３に示すように、電子部品１０は、帯電防止層７０を備えている。なお、図２では、帯電防止層７０の図示を省略している。また、図３において、第１絶縁膜５１Ａ及び第２絶縁膜５１Ｂを区別せずに、両者を一体的な絶縁膜５０として図示している。帯電防止層７０は、素体２０の外表面と、絶縁膜５０の内面と、の間に位置している。後述するように、帯電防止層７０は、いわゆるインクジェット印刷法による半導体等の製造に用いられる機能材料インクを、素体２０に塗布することで形成される。帯電防止層７０は、素体２０の外表面の略全体に亘って、水玉模様状になっている。したがって、帯電防止層７０は、第１下地電極６１Ａと第２下地電極６１Ｂとの間で不連続になっている。なお、不連続とは、次のようにして確認する。まず、透過型電子顕微鏡により、素体２０の外表面に直交する方向の断面について、撮像又は観察を行う。そして、帯電防止層７０が、５ｎｍ以上の間隔を空けて２以上に分離されていることを確認する。同様にして、帯電防止層７０が分離されている断面が３以上存在している場合、帯電防止層７０は不連続である。
【0029】
また、帯電防止層７０の材質は、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ａｕ、Ｐｔから選ばれる１以上の元素を含んでいる。本実施形態において、帯電防止層７０は、Ａｇの粉末を含む機能材料インクから形成されたものである。したがって、帯電防止層７０の材質は、Ａｇを主成分とする。また、絶縁膜５０の材質がガラスであることから、帯電防止層７０は、絶縁膜５０よりも電気伝導率が大きい。これにより、絶縁膜５０及び帯電防止層７０を含めた素体２０の外表面を覆う被膜全体の体積抵抗率は、帯電防止層７０の主成分であるＡｇの体積抵抗率よりもはるかに高い。また、このことからも、帯電防止層７０は不連続であるといえる。
【0030】
ここで、絶縁膜５０の外表面のうち、帯電防止層７０に覆われている部分の任意の点Ｐにおける、当該外表面に直交する方向を、当該点Ｐにおける厚さ方向Ｔｄとする。任意の点Ｐでの厚さ方向Ｔｄにおいて、絶縁膜５０の寸法ＴＧに対する帯電防止層７０の寸法ＴＡの比は、０．０５以上０．２０以下である。具体的には、図３において、任意の点Ｐでの厚さ方向Ｔｄにおいて、絶縁膜５０の寸法ＴＧに対する帯電防止層７０の寸法ＴＡの比は、０．１５である。また、任意の点Ｐでの厚さ方向Ｔｄにおいて、絶縁膜５０の寸法ＴＧは１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。具体的には、絶縁膜５０の全体において寸法ＴＧの最小値は、９０．４ｎｍである。絶縁膜５０の寸法ＴＧの最大値は、１７６．８ｎｍである。
【0031】
（電子部品の製造方法について）
図４に示すように、電子部品１０の製造方法は、素体準備工程Ｓ１と、帯電防止層印刷工程Ｓ２と、第１被覆体塗布工程Ｓ３と、第２被覆体塗布工程Ｓ４と、を備える。また、電子部品１０の製造方法は、導電体塗布工程Ｓ５と、硬化工程Ｓ６と、めっき工程Ｓ７と、を備える。
図４に示すように、電子部品１０の製造方法は、素体準備工程Ｓ１と、帯電防止層印刷工程Ｓ２と、第１被覆体塗布工程Ｓ３と、第２被覆体塗布工程Ｓ４と、を備える。また、電子部品１０の製造方法は、導電体塗布工程Ｓ５と、硬化工程Ｓ６と、めっき工程Ｓ７と、を備える。
【0032】
先ず、素体２０を形成するにあたって、素体準備工程Ｓ１では、６つの平面を有する直方体状の素体２０を準備する。例えば、先ず、素体２０となる複数のセラミックスのシートを準備する。当該シートは、薄い板状である。当該シート上に、第１内部電極４０Ａとなる導電性ペーストを積層する。当該積層ペースト上に、素体２０となるセラミックスのシートを積層する。当該シート上に、第２内部電極４０Ｂとなる導電性ペーストを積層する。このように、セラミックスのシートと導電性ペーストとを積層する。そして、所定のサイズにカットすることで、未焼成の積層体を形成する。その後、未焼成の積層体を高温で焼成することで、素体２０を成形する。
【0033】
素体準備工程Ｓ１の後に、帯電防止層印刷工程Ｓ２を行う。帯電防止層印刷工程Ｓ２では、素体準備工程Ｓ１で成形した素体２０の外表面に、帯電防止層７０の原料として、金属粉末を含む機能材料インクを印刷する。機能材料インクを印刷する方法は、いわゆるインクジェット印刷法である。また、機能材料インクに含まれる材料は、例えば特開２０２１－０２４９９２号公報に記載されているような、公知の製造方法に準じて決定できる。具体的には、機能材料インクは、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ａｕ、Ｐｔから選ばれる１以上の元素を含んでいる。本実施形態においては、機能材料インクは、Ａｇを主成分とする。帯電防止層印刷工程Ｓ２では、帯電防止層７０が、５ｎｍ以上の間隔を空けてドット状に、素体２０の外表面の略全体に亘って塗布される。
【0034】
次に、第１被覆体塗布工程Ｓ３を行う。図５に示すように、第１被覆体塗布工程Ｓ３では、素体２０の第３正方向Ｚ１側に、金属アルコキシドを含む被覆体８２を塗布する。被覆体８２は、溶液状態のゾルである。そのため、被覆体８２を乾燥させると、ゾルよりも粘度の高い状態のゲルとなる。ゲルをさらに乾燥させると、固形化する。
【0035】
第１被覆体塗布工程Ｓ３では、まず、反応容器８１内に、被覆体８２を準備する。そして、素体２０の第３負方向Ｚ２側に粘着板を張り付けることで、素体２０を保持する。なお、図５では、粘着板の記載を省略している。次に、素体２０の第３正方向Ｚ１側が、反応容器８１内の被覆体８２を向くように姿勢を合わせる。素体２０の第３正方向Ｚ１側の略３分の１だけ、被覆体８２の中に浸漬する。これにより、被覆体８２は、素体２０の第１端面２１Ａ、第２端面２１Ｂ、第１側面２１Ｃ、第２側面２１Ｄの各面において、当該被覆体８２の端縁が略円弧状となるように塗布される。より具体的には、被覆体８２は、素体２０の角から遠い部分ほど、第３正方向Ｚ１側に凸の形状となるように塗布される。また、第１端面２１Ａ及び第２端面２１Ｂにおける被覆体８２が覆っている範囲の端縁は、第３軸Ｚに沿う方向において、素体２０の中央よりも第３正方向Ｚ１側に位置する。第１側面２１Ｃ及び第２側面２１Ｄにおける被覆体８２が覆っている範囲の端縁は、第３軸Ｚに沿う方向において、素体２０の中央よりも第３負方向Ｚ２側に位置する。その後、素体２０に塗布された被覆体８２を乾燥させる。
【0036】
次に、第２被覆体塗布工程Ｓ４を行う。図６に示すように、第２被覆体塗布工程Ｓ４では、素体２０の第３負方向Ｚ２側に、金属アルコキシドを含む被覆体８２を塗布する。具体的には、素体２０の第３正方向Ｚ１側に粘着板を張り付けることで、素体２０を保持する。なお、図６では、粘着板の記載を省略している。次に、素体２０の第３負方向Ｚ２側が、反応容器８１内の被覆体８２を向くように姿勢を合わせる。なお、第２被覆体塗布工程Ｓ４における反応容器８１及び被覆体８２は、第１被覆体塗布工程Ｓ３で使用した反応容器８１及び被覆体８２である。素体２０の第３正方向Ｚ１側の略３分の１だけ、被覆体８２の中に没入させる。被覆体８２は、素体２０の第１端面２１Ａ、第２端面２１Ｂ、第１側面２１Ｃ、第２側面２１Ｄの各面において、当該被覆体８２の端縁が略円弧状となるように塗布される。より具体的には、被覆体８２は、素体２０の角から遠い部分ほど、第３負方向Ｚ２側に凸の形状となるように塗布される。また、第１端面２１Ａ及び第２端面２１Ｂにおける被覆体８２が覆っている範囲の端縁は、第３軸Ｚに沿う方向において、素体２０の中央よりも第３負方向Ｚ２側に位置する。第１側面２１Ｃ及び第２側面２１Ｄにおける被覆体８２が覆っている範囲の端縁は、第３軸Ｚに沿う方向において、素体２０の中央よりも第３正方向Ｚ１側に位置する。その後、素体２０に塗布された被覆体８２を乾燥させる。なお、この結果として、図１に示すように、素体２０、第１内部電極４０Ａ、及び第２内部電極４０Ｂの一部分は、外面に露出している。
【0037】
次に、導電体塗布工程Ｓ５を行う。導電体塗布工程Ｓ５では、まず、第１端面２１Ａの全領域を含む素体２０の第１正方向Ｘ１側の一部分に対して、金属アルコキシドを含む導電体ペーストを塗布する。導電体ペーストは、ゾル状である。そして、素体２０に塗布された導電体ペーストを乾燥させる。次に、第２端面２１Ｂの全領域を含む、素体２０の第２負方向Ｙ２側の一部分に対して、導電体ペーストを塗布する。そして、素体２０に塗布された導電体ペーストを乾燥させる。これにより、第１端面２１Ａ及び第２端面２１Ｂに塗布されたゾル状の導電体ペーストは、ゲル状になる。
【0038】
次に、硬化工程Ｓ６を行う。具体的には、硬化工程Ｓ６では、被覆体８２及び導電体ペーストを塗布した素体２０を加熱する。本実施形態では、窒素雰囲気において、導電体ペーストが塗布された素体２０を加熱する。これにより、ゲル状の被覆体８２から水及びポリマーが気化することで、素体２０の外表面の一部分を覆う被覆体８２が硬化する。すなわち、絶縁膜５０としてガラス膜が焼成される。さらに、素体２０の外表面に塗布された導電体ペーストが硬化する。すなわち、第１下地電極６１Ａ及び第２下地電極６１Ｂが焼成される。
【0039】
次に、めっき工程Ｓ７を行う。めっき工程Ｓ７では、第１下地電極６１Ａ及び第２下地電極６１Ｂの部分をめっき液に浸して、電気めっきを行う。めっき工程Ｓ７により、第１下地電極６１Ａの表面に第１金属層６２Ａが形成される。また、めっき工程Ｓ７により、第２下地電極６１Ｂの表面に第２金属層６２Ｂが形成される。図示は省略するが、第１金属層６２Ａ及び第２金属層６２Ｂは、ニッケル、錫の２種類で電気めっきされることで、２層構造となる。このようにして、電子部品１０が形成される。
【0040】
（本実施形態の効果について）
（１）上記実施形態において、帯電防止層７０は、素体２０の外表面と、絶縁膜５０のうち外部に露出している部分の内面と、の間に位置している。これにより、絶縁膜５０の材質がガラスであるために電気抵抗値が高くても、絶縁膜５０及び各帯電防止層７０を含めた素体２０の外表面を覆う被膜全体の電気抵抗値は、静電気が拡散し得る程度の電気抵抗値になる。これにより、複数の電子部品１０の絶縁膜５０同士、又は電子部品１０の絶縁膜５０と他の物体とが擦れたとしても、絶縁膜５０の外表面に静電気が溜まりにくい。
（１）上記実施形態において、帯電防止層７０は、素体２０の外表面と、絶縁膜５０のうち外部に露出している部分の内面と、の間に位置している。これにより、絶縁膜５０の材質がガラスであるために電気抵抗値が高くても、絶縁膜５０及び各帯電防止層７０を含めた素体２０の外表面を覆う被膜全体の電気抵抗値は、静電気が拡散し得る程度の電気抵抗値になる。これにより、複数の電子部品１０の絶縁膜５０同士、又は電子部品１０の絶縁膜５０と他の物体とが擦れたとしても、絶縁膜５０の外表面に静電気が溜まりにくい。
【0041】
（２）上記実施形態において、帯電防止層７０は、第１下地電極６１Ａと第２下地電極６１Ｂとの間で不連続になっている。これにより、一部の帯電防止層７０が各下地電極又は各内部電極に接触していたとしても、第１下地電極６１Ａと第２下地電極６１Ｂとの間で短絡してしまうことを防げる。
【0042】
（３）上記実施形態において、帯電防止層７０の材質は、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ａｕ、Ｐｔから選ばれる１以上を含む。これらの金属は、静電気の発生を抑制させる帯電防止層７０の材質として好適である。
【0043】
（４）上記実施形態によれば、素体２０の外表面のうち帯電防止層７０に覆われている部分の任意の点Ｐにおいて、絶縁膜５０の厚さ方向Ｔｄの寸法ＴＧに対する、帯電防止層７０の厚さ方向Ｔｄの寸法ＴＡの比は、０．０５以上０．２０以下である。上記比が当該数値範囲内にあることで、絶縁膜５０の表面に帯電した静電気が帯電防止層７０へと至りやすい。その一方で、絶縁膜５０及び帯電防止層７０を含めた素体２０の外表面を覆う被膜全体の電気抵抗値が小さくなりすぎることを抑制できる。つまり、素体２０の外表面を覆う被膜全体として十分な絶縁性を確保できる。
【0044】
（５）上記実施形態において、素体２０の外表面のうち、帯電防止層７０に覆われている部分の任意の点Ｐにおいて、帯電防止層７０を覆う絶縁膜５０の寸法ＴＧは、１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。絶縁膜５０の寸法ＴＧが１０ｎｍ未満の場合、物理的な衝撃から素体２０を保護しにくい。絶縁膜５０の寸法ＴＧ５００ｎｍより大きい場合、外表面から帯電防止層７０までの距離が大きくなり、静電気の発生を抑制しにくい。したがって、絶縁膜５０の寸法ＴＧが上記数値範囲内にあることで、素体２０を物理的な衝撃から保護しつつ、絶縁膜５０の外部に露出する部分において、静電気が溜まることを抑制しやすい。
【0045】
（６）上記実施形態では、絶縁膜５０はＡｇを含まない。そのため、第１外部電極６０Ａ及び第２外部電極６０Ｂ間に電圧を印加した場合でも、絶縁膜５０中の金属成分がマイグレーションすることはない。つまり、絶縁膜５０の表面に金属が異常析出してしまうことを防げる。
【0046】
＜変更例＞
上記実施形態及び以下の変更例は、技術的に矛盾しない範囲で互いに組み合わせて実施することができる。
上記実施形態及び以下の変更例は、技術的に矛盾しない範囲で互いに組み合わせて実施することができる。
【0047】
（全体構成の変更例について）
・電子部品１０は、積層セラミックコンデンサに限られない。例えば、負特性サーミスタ部品やインダクタ部品であってもよい。
・電子部品１０は、積層セラミックコンデンサに限られない。例えば、負特性サーミスタ部品やインダクタ部品であってもよい。
【0048】
・素体２０の材質は、上記実施形態の例に限られない。素体２０の材質は、樹脂と金属粉体とのコンポジット体であってもよい。
・素体２０の形状は、上記実施形態の例に限られない。例えば、素体２０は、中心軸線ＣＡを有する四角形柱状以外の多角形柱状であってもよい。また、素体２０は、巻線型のインダクタ部品のコアであってもよい。例えば、コアは、いわゆるドラムコア形状であってもよい。具体的には、コアは、柱状の巻芯部と、巻芯部の各端部に設けられた鍔部とを有していてもよい。
・素体２０の形状は、上記実施形態の例に限られない。例えば、素体２０は、中心軸線ＣＡを有する四角形柱状以外の多角形柱状であってもよい。また、素体２０は、巻線型のインダクタ部品のコアであってもよい。例えば、コアは、いわゆるドラムコア形状であってもよい。具体的には、コアは、柱状の巻芯部と、巻芯部の各端部に設けられた鍔部とを有していてもよい。
【0049】
・第１内部電極４０Ａの材質及び形状等の構成、及び第２内部電極４０Ｂの材質及び形状等の構成は、それぞれに対応する第１外部電極６０Ａ及び第２外部電極６０Ｂとの電気的導通を確保できれば、上記実施形態の例に限られない。また、第１内部電極４０Ａ及び第２内部電極４０Ｂの数は問わず、内部電極の数が１つであってもよいし、３つ以上であってもよい。つまり、電子部品１０として求められる性能等に応じて、内部電極の構成は適宜に変更できる。
【0050】
・第１下地電極６１Ａの構成は、上記実施形態の例に限られない。具体的には、めっき工程Ｓ７において、第１下地電極６１Ａに第１金属層６２Ａが積層されるような材質であればよい。例えば、第１下地電極６１Ａは、銀のみでもよいし、銅を含んでいてもよい。例えば、第１下地電極６１Ａの材質は、樹脂と金属の混合体であってもよい。また、第１下地電極６１Ａと第２下地電極６１Ｂとの材質が異なっていてもよい。この点、第２下地電極６１Ｂについても同様である。
【0051】
・第１外部電極６０Ａの構成は、上記実施形態の例に限られない。例えば、第１金属層６２Ａは、２層構造でなくてもよい。さらに、第１外部電極６０Ａは、第１下地電極６１Ａのみで構成されていてもよい。この点、第２外部電極６０Ｂについても同様である。
【0052】
・第１外部電極６０Ａの配置箇所は、上記実施形態の例に限られない。例えば、第１外部電極６０Ａが第１端面２１Ａと上面２１Ｅとにのみ配置されていてもよい。この点、第２外部電極６０Ｂについても同様である。
【0053】
・絶縁膜５０の構成は、上記実施形態の例に限られない。例えば、素体２０の形状、第１外部電極６０Ａ及び第２外部電極６０Ｂの位置等に併せて、第１絶縁膜５１Ａ及び第２絶縁膜５１Ｂが覆う範囲を適宜変更してもよい。
【0054】
・第１絶縁膜５１Ａの形状等の構成は、上記実施形態の例に限られない。例えば、第１絶縁膜５１Ａの端縁の形状は、直線状であってもよい。第１絶縁膜５１Ａの端縁がどのような形状になるのかは、被覆体８２の物性、絶縁膜５０を素体２０に塗布する方法等によって変わり得る。この点、第２絶縁膜５１Ｂについても同様である。
【0055】
・第１絶縁膜５１Ａ及び第２絶縁膜５１Ｂが覆っている範囲は、上記実施形態の例に限られない。例えば、第２絶縁膜５１Ｂは、第１側面２１Ｃ及び第２側面２１Ｄにおいて第１絶縁膜５１Ａの端縁近傍を覆っていなくてもよい。
【0056】
・絶縁膜５０のうち第１下地電極６１Ａに覆われている部分について、絶縁膜５０に含まれるガラスが、第１下地電極６１Ａに拡散することで、絶縁膜５０及び第１下地電極６１Ａが一体化していることもある。この点、第２下地電極６１Ｂについても同様である。
【0057】
・絶縁膜５０の材質は、上記実施形態の例に限られない。例えば、ガラスは、二酸化ケイ素のみに限られず、Ｂ－Ｓｉ系、Ｓｉ－Ｚｎ系、Ｚｒ－Ｓｉ系、Ａｌ－Ｓｉ系の酸化物のように、Ｓｉを含む多成分系の酸化物であってもよい。また、ガラスは、Ａｌ－Ｓｉ系、Ｎａ－Ｓｉ系、Ｌｉ－Ｓｉ系の酸化物のように、アルカリ金属とＳｉを含む多成分系の酸化物であってもよい。さらに、ガラスは、Ｍｇ－Ｓｉ系、Ｃａ－Ｓｉ系、Ｂａ－Ｓｉ系、Ｓｒ－Ｓｉ系のようにアルカリ土類金属とＳｉを含む多成分系の酸化物であってもよい。また、絶縁膜５０は、ガラスでなくてもよい。例えば、絶縁膜５０の材質は、無機酸化物、セラミック等であってもよい。また、第１絶縁膜５１Ａと第２絶縁膜５１Ｂとの材質が異なっていてもよい。
【0058】
・第１下地電極６１Ａの材質は、上記実施形態の例に限られない。例えば、第１下地電極６１Ａの材質は、樹脂と金属の混合体であってもよい。この点、第２下地電極６１Ｂにおいても同様である。また、第１下地電極６１Ａと第２下地電極６１Ｂとの材質が異なっていてもよい。
【0059】
（帯電防止層の変更例について）
・帯電防止層７０の材質は、上記実施形態の例に限られない。例えば、帯電防止層７０の材質は、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ａｕ、Ｐｔから選ばれる１以上の元素を含んでいなくてもよい。帯電防止層７０の材質がこれらの元素を含んでいなくても、帯電防止層７０電気伝導率が絶縁膜５０よりも大きければ、（１）に記載の効果が得られる。また、帯電防止層７０の材質は、上記元素を含む錯体、及び金属塩などの前駆体でもよい。例えば上記実施形態において、帯電防止層７０は、Ａｇを含む錯体又は金属塩を材質とする機能材料インクであってもよい。
・帯電防止層７０の材質は、上記実施形態の例に限られない。例えば、帯電防止層７０の材質は、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ａｕ、Ｐｔから選ばれる１以上の元素を含んでいなくてもよい。帯電防止層７０の材質がこれらの元素を含んでいなくても、帯電防止層７０電気伝導率が絶縁膜５０よりも大きければ、（１）に記載の効果が得られる。また、帯電防止層７０の材質は、上記元素を含む錯体、及び金属塩などの前駆体でもよい。例えば上記実施形態において、帯電防止層７０は、Ａｇを含む錯体又は金属塩を材質とする機能材料インクであってもよい。
【0060】
また、帯電防止層７０の材質は、ＳｎＯ２、ＺｎＯ、ＩｒＯ２、ＲｕＯ２、ＴｉＯ２から選ばれる１以上の金属酸化物を含んでいてもよい。この場合においても、（２）に記載の効果と同様の効果が得られる。
【0061】
・各帯電防止層７０の形状は問わない。第１下地電極６１Ａと第２下地電極６１Ｂとの間で帯電防止層７０が不連続になっていれば、各帯電防止層７０の形状はどのような形状であってもよい。さらに、各帯電防止層７０の形状が揃っている必要はない。例えば、帯電防止層７０毎の形状がランダムに異なっていてもよい。
【0062】
・上記実施形態において、任意の点Ｐでの厚さ方向Ｔｄにおいて、絶縁膜５０の寸法ＴＧに対する帯電防止層７０の寸法ＴＡの比は、０．０５より小さくてもよいし、０．２０より大きくてもよい。この場合においても、絶縁膜５０の表面において、静電気の発生を抑制し得る。
【0063】
・上記実施形態において、任意の点Ｐでの厚さ方向Ｔｄにおいて、絶縁膜５０の寸法ＴＧは１０ｎｍ未満でもよいし、５００ｎｍより大きくてもよい。これらの場合であっても、当該任意の点Ｐでの厚さ方向Ｔｄにおける帯電防止層７０の寸法ＴＡを調整することにより、静電気の発生を抑制し得る。
【0064】
（製造方法の変更例について）
・帯電防止層印刷工程Ｓ２において、帯電防止層７０を形成する方法は、上記実施形態の例に限られない。製造後において、第１下地電極６１Ａと第２下地電極６１Ｂとの間で帯電防止層７０が不連続になっていればよい。
・帯電防止層印刷工程Ｓ２において、帯電防止層７０を形成する方法は、上記実施形態の例に限られない。製造後において、第１下地電極６１Ａと第２下地電極６１Ｂとの間で帯電防止層７０が不連続になっていればよい。
【0065】
・第１被覆体塗布工程Ｓ３及び第２被覆体塗布工程Ｓ４において、金属アルコキシドに代えて、金属アルコキシドを生成するための前駆体を含む溶液を使用してもよい。例えば、金属アルコキシド前駆体である金属錯体や酢酸塩を使用してもよい。金属錯体としては、例えば、リチウムアセチルアセトナート、チタン（ＩＶ）オキシアセチルアセトナート、チタンジイソプロポキシドビス（アセチルアセトナート）、ジルコニウム（ＩＶ）トリフルオロアセチルアセトナート、ジルコニウム（ＩＶ）アセチルアセトナート、アセチルアセトン酸アルミニウム、アルミニウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート、カルシウム（ＩＩ）アセチルアセトナート、亜鉛（ＩＩ）アセチルアセトナートのようなアセチルアセトナートが挙げられる。また例えば、酢酸塩としては、酢酸ジルコニウム、酢酸水酸化ジルコニウム（ＩＶ）、塩基性酢酸アルミニウムが挙げられる。
【0066】
・第１被覆体塗布工程Ｓ３及び第２被覆体塗布工程Ｓ４において、被覆体８２を塗布する方法は、上記実施形態の例に限られない。例えば、印刷、スピンコート等によって、被覆体８２を素体２０の表面に積層させてもよい。この点、導電体塗布工程Ｓ５において導電体ペーストを塗布する方法についても同様である。
【0067】
・硬化工程Ｓ６は、絶縁膜５０と導電体ペーストとを同時に硬化させる工程に限られない。例えば、導電体ペーストが紫外線照射によって硬化される材料であるならば、絶縁膜５０を硬化させる工程として加熱を行い、導電体ペーストを硬化させる工程として紫外線照射をしてもよい。
【0068】
＜付記＞
上記実施形態及び変更例から導き出せる技術思想を以下に記載する。
［１］
素体と、
前記素体の外表面を覆う絶縁膜と、
前記絶縁膜の外表面を覆う第１下地電極と、
前記第１下地電極とは離れた箇所で前記絶縁膜の外表面を覆う第２下地電極と、
前記絶縁膜よりも電気伝導率が大きい帯電防止層と、
を備え、
前記帯電防止層は、前記素体の外表面と、前記絶縁膜の内面と、の間に位置しており、且つ、前記帯電防止層は、前記第１下地電極と前記第２下地電極との間で不連続になっている電子部品。
上記実施形態及び変更例から導き出せる技術思想を以下に記載する。
［１］
素体と、
前記素体の外表面を覆う絶縁膜と、
前記絶縁膜の外表面を覆う第１下地電極と、
前記第１下地電極とは離れた箇所で前記絶縁膜の外表面を覆う第２下地電極と、
前記絶縁膜よりも電気伝導率が大きい帯電防止層と、
を備え、
前記帯電防止層は、前記素体の外表面と、前記絶縁膜の内面と、の間に位置しており、且つ、前記帯電防止層は、前記第１下地電極と前記第２下地電極との間で不連続になっている電子部品。
【0069】
［２］
前記帯電防止層の材質は、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ａｕ、Ｐｔから選ばれる１以上の元素を含む［１］に記載の電子部品。
前記帯電防止層の材質は、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ａｕ、Ｐｔから選ばれる１以上の元素を含む［１］に記載の電子部品。
【0070】
［３］
前記帯電防止層の材質は、ＳｎＯ２、ＺｎＯ、ＩｒＯ２、ＲｕＯ２、ＴｉＯ２から選ばれる１以上を含む［１］又は［２］に記載の電子部品。
前記帯電防止層の材質は、ＳｎＯ２、ＺｎＯ、ＩｒＯ２、ＲｕＯ２、ＴｉＯ２から選ばれる１以上を含む［１］又は［２］に記載の電子部品。
【0071】
［４］
前記素体の外表面のうち、前記帯電防止層に覆われている部分の任意の点における当該外表面に直交する方向を、当該点における厚さ方向としたとき、
前記任意の点での前記厚さ方向において、前記絶縁膜の寸法に対する前記帯電防止層の寸法の比は、０．０５以上０．２０以下である［１］～［３］のいずれか１つに記載の電子部品。
前記素体の外表面のうち、前記帯電防止層に覆われている部分の任意の点における当該外表面に直交する方向を、当該点における厚さ方向としたとき、
前記任意の点での前記厚さ方向において、前記絶縁膜の寸法に対する前記帯電防止層の寸法の比は、０．０５以上０．２０以下である［１］～［３］のいずれか１つに記載の電子部品。
【0072】
［５］
前記素体の外表面のうち、前記帯電防止層に覆われている部分の任意の点における当該外表面に直交する方向を、当該点における厚さ方向としたとき、
前記任意の点での前記厚さ方向において、前記絶縁膜の寸法は１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である［１］～［４］のいずれか１つに記載の電子部品。
前記素体の外表面のうち、前記帯電防止層に覆われている部分の任意の点における当該外表面に直交する方向を、当該点における厚さ方向としたとき、
前記任意の点での前記厚さ方向において、前記絶縁膜の寸法は１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である［１］～［４］のいずれか１つに記載の電子部品。
【0073】
［６］
前記絶縁膜の材質は、Ａｇを含まない［１］～［５］のいずれか１つに記載の電子部品。
前記絶縁膜の材質は、Ａｇを含まない［１］～［５］のいずれか１つに記載の電子部品。
【符号の説明】
【0074】
１０ …電子部品
２０ …素体
４０Ａ…第１内部電極
４０Ｂ…第２内部電極
５０ …絶縁膜
５１Ａ…第１絶縁膜
５１Ｂ…第２絶縁膜
６１Ａ…第１下地電極
６１Ｂ…第２下地電極
７０ …帯電防止層
７１ …導電性物質
Ｐ …点
Ｔｄ …厚さ方向
ＴＧ …寸法
ＴＡ …寸法
２０ …素体
４０Ａ…第１内部電極
４０Ｂ…第２内部電極
５０ …絶縁膜
５１Ａ…第１絶縁膜
５１Ｂ…第２絶縁膜
６１Ａ…第１下地電極
６１Ｂ…第２下地電極
７０ …帯電防止層
７１ …導電性物質
Ｐ …点
Ｔｄ …厚さ方向
ＴＧ …寸法
ＴＡ …寸法
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】