知財求人 - 知財ポータルサイト「IP Force」
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024168793
(43)【公開日】2024-12-05
(54)【発明の名称】光源モジュール
(51)【国際特許分類】
G02B 26/10 20060101AFI20241128BHJP
【ＦＩ】
G02B26/10 B
【審査請求】未請求
【請求項の数】5
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023085742
(22)【出願日】2023-05-24
(71)【出願人】
【識別番号】000003562
【氏名又は名称】東芝テック株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110003708
【氏名又は名称】弁理士法人鈴榮特許綜合事務所
(72)【発明者】
【氏名】栗林 廉
【テーマコード（参考）】
2H045
【Ｆターム（参考）】
2H045AA01
2H045BA02
2H045BA22
2H045BA33
2H045CA63
2H045DA04
(57)【要約】
【課題】同一の基板に搭載された２個の半導体レーザが射出する光ビームをコリメータレンズへの入射前に合成して像面において焦点を合わせることができる光源モジュールを提供することである。
【解決手段】光源モジュールは、第１および第２の半導体レーザと、光ビーム合成素子とを有する。第１および第２の半導体レーザは、それぞれの光軸が平行となるように配置される。光ビーム合成素子は、第１および第２の半導体レーザがそれぞれ射出する第１および第２の光ビームが入射し、第１および第２の光ビームの光軸を近接させて射出する。第１の半導体レーザの第１の発光面から光ビーム合成素子の射出面までの合計距離の空気換算長と第２の半導体レーザの第２の発光面から光ビーム合成素子の射出面の合計距離の空気換算長は互いに等しい。
【選択図】 図９
【解決手段】光源モジュールは、第１および第２の半導体レーザと、光ビーム合成素子とを有する。第１および第２の半導体レーザは、それぞれの光軸が平行となるように配置される。光ビーム合成素子は、第１および第２の半導体レーザがそれぞれ射出する第１および第２の光ビームが入射し、第１および第２の光ビームの光軸を近接させて射出する。第１の半導体レーザの第１の発光面から光ビーム合成素子の射出面までの合計距離の空気換算長と第２の半導体レーザの第２の発光面から光ビーム合成素子の射出面の合計距離の空気換算長は互いに等しい。
【選択図】 図９
【特許請求の範囲】
【請求項1】
それぞれの光軸が平行となるように配置された第１および第２の半導体レーザと、
前記第１および第２の半導体レーザがそれぞれ射出する第１および第２の光ビームが入射し、前記第１および第２の光ビームの光軸を近接させて射出する光ビーム合成素子と、
を有し、
前記第１の半導体レーザの第１の発光面から前記光ビーム合成素子の射出面までの合計距離の空気換算長と前記第２の半導体レーザの第２の発光面から前記光ビーム合成素子の前記射出面までの合計距離の空気換算長とが互いに等しい、
光源モジュール。
前記第１および第２の半導体レーザがそれぞれ射出する第１および第２の光ビームが入射し、前記第１および第２の光ビームの光軸を近接させて射出する光ビーム合成素子と、
を有し、
前記第１の半導体レーザの第１の発光面から前記光ビーム合成素子の射出面までの合計距離の空気換算長と前記第２の半導体レーザの第２の発光面から前記光ビーム合成素子の前記射出面までの合計距離の空気換算長とが互いに等しい、
光源モジュール。
【請求項2】
前記光ビーム合成素子は、前記第１の光ビームが直接入射する偏光ビームスプリッタと、前記偏光ビームスプリッタに隣接して配置された前記第２の光ビームが直接入射するプリズムとを有し、前記プリズムは、前記第２の光ビームを前記偏光ビームスプリッタに向けて反射し、前記偏光ビームスプリッタは、前記第１の光ビームを透過し、前記第２の光ビームを反射する、
請求項１に記載の光源モジュール。
請求項１に記載の光源モジュール。
【請求項3】
前記第１および第２の半導体レーザは、偏光方向が一致する直線偏光の光ビームを射出し、
前記光ビーム合成素子は、前記プリズムの入射面に設けられた１／２波長板をさらに有する、
請求項２に記載の光源モジュール。
前記光ビーム合成素子は、前記プリズムの入射面に設けられた１／２波長板をさらに有する、
請求項２に記載の光源モジュール。
【請求項4】
前記第１および第２の半導体レーザは、前記偏光ビームスプリッタの接合面に対して、Ｐ偏光の光ビームを射出する、
請求項３に記載の光源モジュール。
請求項３に記載の光源モジュール。
【請求項5】
前記第１の半導体レーザの前記第１の発光面と前記第２の半導体レーザの前記第２の発光面は、同一平面上に位置する、
請求項１に記載の光源モジュール。
請求項１に記載の光源モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明の実施形態は、ワークプレイスに置かれる画像形成装置に搭載される光走査装置に使用される光源モジュールに関する。
【背景技術】
【0002】
従来、画素密度を上げるために、２個の半導体レーザを有する光源モジュールが知られている。そのような光源モジュールでは、偏光ビームスプリッタを用いて、２個の半導体レーザが射出する光ビームを合成する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開平０７－１８１４１１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
２個の半導体レーザを有する光源モジュールでは、２個の半導体レーザの発光面から偏光ビームスプリッタまでの光路長が異なる。このため、コリメータレンズに入射する前の発散光の光ビームの段階において、光ビームを合成して像面において焦点を合わせようとすると、２個の半導体レーザの発光面の位置を異ならせる必要に迫られる。その結果、２個の半導体レーザを同一の基板に搭載することが難しい。
【0005】
本発明が解決しようとする課題は、同一の基板に搭載された２個の半導体レーザが射出する光ビームをコリメータレンズへの入射前に合成して同一の像面において焦点を合わせることができる光源モジュールを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0006】
実施形態に係る光源モジュールは、第１および第２の半導体レーザと、光ビーム合成素子とを有する。第１および第２の半導体レーザは、それぞれの光軸が平行となるように配置される。光ビーム合成素子は、第１および第２の半導体レーザがそれぞれ射出する第１および第２の光ビームが入射し、第１および第２の光ビームの光軸を近接させて射出する。第１の半導体レーザの第１の発光面から光ビーム合成素子の射出面までの合計距離の空気換算長と第２の半導体レーザの第２の発光面から光ビーム合成素子の射出面の合計距離の空気換算長は互いに等しい。
【図面の簡単な説明】
【0007】
【発明を実施するための形態】
【0008】
以下、図面を参照して、実施形態について説明する。実施形態の説明に用いる各図面は、各部の縮尺を適宜変更している場合がある。また、実施形態の説明に用いる各図面は、説明の便宜上、一部の構成および符号を省略して示している場合がある。
【0009】
（画像形成装置）
まず、図１を参照して、画像形成装置について説明する。図１は、実施形態に係る光源モジュールを有する光走査装置を搭載する画像形成装置の縦断面図である。例えば、画像形成装置は、複合機（ＭＦＰ：Multi Function Peripheral）である。
まず、図１を参照して、画像形成装置について説明する。図１は、実施形態に係る光源モジュールを有する光走査装置を搭載する画像形成装置の縦断面図である。例えば、画像形成装置は、複合機（ＭＦＰ：Multi Function Peripheral）である。
【0010】
画像形成装置１は、画像読取部１０および画像形成部２０を備える。画像読取部１０は、シート原稿およびブック原稿の画像をスキャンして読み取る。画像形成部２０は、画像読取部１０にて原稿から読み取られた画像や、外部機器から画像形成装置１に送信された画像データ等に基づいて、シートに現像剤像を形成する。
【0011】
画像読取部１０は、自動原稿搬送装置（ＡＤＦ：Automatic Document Feeder）１１を備える。画像読取部１０は、自動原稿搬送装置１１によって搬送される原稿や、原稿台に載置される原稿の画像を読み取る。画像形成部２０は、給紙カセット２１と、現像器２２、光走査装置３０と、定着器２３と、排紙トレイ２４を備える。
【0012】
画像形成部２０の動作について説明する。
【0013】
給紙カセット２１に収納されたシートは、ピックアップローラや搬送ローラによって、現像器２２に搬送される。現像器２２は、給紙カセット２１から搬送されたシートに対して、現像剤像を形成する。具体的には、まず、現像器２２に含まれる感光体が、光走査装置３０からの光によって露光されることにより、感光体の感光面上に静電潜像が形成される。
【0014】
次に、感光体に現像剤を供給することにより、静電潜像が顕像化される。感光体の感光面には現像剤像が形成され、感光面上の現像剤像は、給紙カセット２１から搬送されたシートに転写される。現像剤像が転写されたシートは、定着器２３に搬送される。定着器２３は、シートを加熱することにより、現像剤像をシートに定着する。定着器２３を通過したシートは、排紙トレイ２４に搬送される。定着器２３から搬送されるシートは、排紙トレイ２４に積載される。
【0015】
図１に示す画像形成装置１の構造は、一例であり、シートに現像剤像を形成することができる装置であれば、いかなる構造であってもよい。
【0016】
（光走査装置）
次に、図２と図３を参照して、光走査装置３０について説明する。図２は、実施形態に係る光源モジュールを有する光走査装置３０の上面図である。図３は、実施形態に係る光源モジュールを有する光走査装置３０の斜視図である。
次に、図２と図３を参照して、光走査装置３０について説明する。図２は、実施形態に係る光源モジュールを有する光走査装置３０の上面図である。図３は、実施形態に係る光源モジュールを有する光走査装置３０の斜視図である。
【0017】
光走査装置３０は、光源モジュール１００を備える。光源モジュール１００は、発散光の光ビームを射出する。光源モジュール１００の詳細については、後述する。光源モジュール１００は、光源モジュール１００の光軸周りに回転可能にハウジング４０に取り付けられ、回転角度の調整後にハウジング４０に固定される。ここで、光源モジュール１００の光軸は、光源モジュール１００から射出される光ビームの主光線に一致する軸を言う。
【0018】
また、光走査装置３０は、コリメータレンズ３１、絞り板３２、シリンドリカルレンズ３４、ポリゴンミラー３５、ｆθレンズ３７、折り返しミラー３８を備える。コリメータレンズ３１、絞り板３２、シリンドリカルレンズ３４、ポリゴンミラー３５、ｆθレンズ３７、折り返しミラー３８はいずれも、ハウジング４０に固定される。
【0019】
光源モジュール１００から射出される光ビームＬＢは、コリメータレンズ３１に入射する。コリメータレンズ３１は、光源モジュール１００から射出される発散光の光ビームを平行光の光ビームＬＢに変換する。
【0020】
前述したように、コリメータレンズ３１は、ハウジング４０に固定される。このため、ハウジング４０は、レンズホルダ４１を有する。レンズホルダ４１は、コリメータレンズ３１の中心軸が光源モジュール１００の光軸上に位置するように、コリメータレンズ３１を保持する。
【0021】
コリメータレンズ３１を通過した光ビームＬＢは、絞り板３２に入射する。図３に示すように、絞り板３２は、光ビームＬＢの形状を整形する開口部３３を有する。絞り板３２は、コリメータレンズ３１からの光ビームＬＢのうち、開口部３３に入射する光を通し、開口部３３に入射しない光を遮断する。
【0022】
前述したように、絞り板３２は、ハウジング４０に固定される。このため、ハウジング４０は、絞りホルダ４２を有する。絞りホルダ４２は、開口部３３の中心が光源モジュール１００の光軸上に位置するように、絞り板３２を保持する。
【0023】
絞り板３２の開口部３３を通過した光ビームＬＢは、シリンドリカルレンズ３４に入射する。シリンドリカルレンズ３４は、絞り板３２からの光ビームＬＢを副走査方向に集光させる。ここで、副走査方向は、主走査方向に垂直な方向である。主走査方向は、図２の左右方向である。すなわち、副走査方向は、図２の紙面に垂直な方向である。
【0024】
前述したように、シリンドリカルレンズ３４は、ハウジング４０に固定される。このため、ハウジング４０は、レンズホルダ４３を有する。レンズホルダ４３は、シリンドリカルレンズ３４の中心が光源モジュール１００の光軸上に位置するように、シリンドリカルレンズ３４を保持する。
【0025】
絞り板３２を通過した光ビームＬＢは、ポリゴンミラー３５に入射する。ポリゴンミラー３５は、ハウジング４０に固定されている。ポリゴンミラー３５は、回転可能であり、回転軸を中心とする外周に複数の反射面を有する。ポリゴンミラー３５は、絞り板３２からの光ビームＬＢをｆθレンズ３７に向けて反射する。また、ポリゴンミラー３５は、回転することにより、光ビームＬＢを主走査方向に走査する。
【0026】
ポリゴンミラー３５により反射された光ビームＬＢは、ｆθレンズ３７に入射する。ｆθレンズ３７は、ハウジング４０に固定されている。ｆθレンズ３７は、主走査方向に延びており、ポリゴンミラー３５からの光ビームＬＢを副走査方向に集光させる。
【0027】
ｆθレンズ３７を通過した光ビームＬＢは、折り返しミラー３８によって反射され、カバーガラスを通過し、図１に示すように、現像器２２の感光体に向かう。光ビームＬＢは、シリンドリカルレンズ３４とｆθレンズ３７の集光作用により、感光体の表面に集光スポットを形成する。光ビームＬＢの集光スポットは、ポリゴンミラー３５の走査作用により、感光体の表面を主走査方向に走査される。
【0028】
（光源モジュール）
次に、図４～図９を参照して、光源モジュール１００について説明する。図４は、実施形態に係る光源モジュール１００がハウジング４０に取り付けられる前の光走査装置３０の斜視図である。図５は、図２に示すＤ－Ｄ線に沿ってハウジング４０を破断した断面図である。図６は、実施形態に係る光源モジュール１００の斜視図である。図７は、図６の反対側から見た光源モジュール１００の斜視図である。図８は、図７から基板の図示を省いた光源モジュール１００の斜視図である。図９は、図６～図８に示す光源モジュール１００の平面図である。
次に、図４～図９を参照して、光源モジュール１００について説明する。図４は、実施形態に係る光源モジュール１００がハウジング４０に取り付けられる前の光走査装置３０の斜視図である。図５は、図２に示すＤ－Ｄ線に沿ってハウジング４０を破断した断面図である。図６は、実施形態に係る光源モジュール１００の斜視図である。図７は、図６の反対側から見た光源モジュール１００の斜視図である。図８は、図７から基板の図示を省いた光源モジュール１００の斜視図である。図９は、図６～図８に示す光源モジュール１００の平面図である。
【0029】
まず、図６～図９を参照して、光源モジュール１００について詳しく説明する。光源モジュール１００の構成は、図９に最も詳しく示され、図４～図８においては、見やすさを優先して、適宜、符号の表記を省略する。図９には、光源モジュール１００に加えて、コリメータレンズ３１と像面ＩＰも図示されている。像面ＩＰは、光走査装置３０の光学系により光ビームＬＢが集光される面であり、現像器２２に含まれる感光体の表面に相当する。感光体の表面は厳密には円筒面であるが、光ビームＬＢの集光スポットは非常に小さいため、感光体の表面の曲率は実質的に無視でき、ここでは、便宜上、平面とみなす。
【0030】
ここで、説明の便宜上、図９に示すように、光源モジュール１００に対してｘｙｚ直交座標系を定義し、像面ＩＰに対してＸＹＺ直交座標系を定義する。ｘｙｚ直交座標系は、ｚｘ平面が図９の紙面に平行であり、ＸＹＺ直交座標系は、ＺＸ平面が図９の紙面に平行である。また、ｚ軸は、光軸ＬＡＡと光軸ＬＡＢに平行である。光軸ＬＡは、光走査装置３０の光学系の光軸であるが、図９には、簡略して直線として描かれている。また、光軸ＬＡは、主走査方向であるＸ軸に沿って走査されるが、図９には、像面ＩＰに垂直となる主走査の中心位置に描かれている。
【0031】
光源モジュール１００は、第１の光ビームＬＢＡを射出する第１の半導体レーザ１１０と、第２の光ビームＬＢＢを射出する第２の半導体レーザ１２０と、第１の半導体レーザ１１０と第２の半導体レーザ１２０を保持するホルダ１６０と、第１の半導体レーザ１１０と第２の半導体レーザ１２０の駆動回路等を含む基板１７０とを有する。
【0032】
第１の半導体レーザ１１０は、第１のＬＤチップ１１１を有し、第２の半導体レーザ１２０は、第２のＬＤチップ１２１を有する。なお、ＬＤは、レーザダイオードの意味である。第１のＬＤチップ１１１は、第１の発光面１１２を有し、第２のＬＤチップ１２１は、第２の発光面１２２を有する。第１のＬＤチップ１１１は、第１の発光面１１２から、第１の発光面１１２に垂直に第１の光ビームＬＢＡを発し、第２のＬＤチップ１２１は、第２の発光面１２２から、第２の発光面１２２垂直に第２の光ビームＬＢＢを発する。第１の光ビームＬＢＡと第２の光ビームＬＢＢはいずれも、発散光の光ビームである。第１のＬＤチップ１１１は、第１のＣＡＮパッケージ１１８により封止され、第２のＬＤチップ１２１は、第２のＣＡＮパッケージ１２８により封止される。第１のＣＡＮパッケージ１１８からは、第１の接続端子１１９が延出し、第２のＣＡＮパッケージ１２８からは、第２の接続端子１２９が延出している。
【0033】
ホルダ１６０は、第１の半導体レーザ１１０を収容する第１の穴１６１と、第２の半導体レーザ１２０を収容する第２の穴１６２を有する。第１の半導体レーザ１１０は、第１のＣＡＮパッケージ１１８がホルダ１６０の第１の穴１６１に収容され、第２の半導体レーザ１２０は、第２のＣＡＮパッケージ１２８がホルダ１６０の第１の穴１６２に収容される。また、ホルダ１６０は、２個のスペーサ部１６４を有する。スペーサ部１６４の個数は、２個に限定されるものではなく、３個以上であってもよい。
【0034】
基板１７０は、ねじ１７１によって、ホルダ１６０のスペーサ部１６４に固定される。基板１７０は、第１の半導体レーザ１１０の第１の接続端子１１９を通す第１の貫通穴１７６と、第２の半導体レーザ１２０の第２の接続端子１２９を通す第２の貫通穴１７７を有する。第１の半導体レーザ１１０の第１の接続端子１１９は、基板１７０の第１の貫通穴１７６を貫通して延在し、第２の半導体レーザ１２０の第２の接続端子１２９は、基板１７０の第２の貫通穴１７７を貫通して延在する。第１の接続端子１１９と第２の接続端子１２９は、第１の半導体レーザ１１０と第２の半導体レーザ１２０の位置調整後に、はんだ付けによって基板１７０に電気的に接続されるとともに固定される。
【0035】
第１の半導体レーザ１１０と第２の半導体レーザ１２０は、それぞれの光軸ＬＡＡと光軸ＬＡＢが互いにほぼ平行となるように、ホルダ１６０に固定される。ここで、光軸ＬＡＡは、第１の半導体レーザ１１０の第１のＬＤチップ１１１の第１の発光面１１２にほぼ垂直であり、光軸ＬＡＢは、第２の半導体レーザ１２０の第２のＬＤチップ１２１の第２の発光面１２２にほぼ垂直である。すなわち、光軸ＬＡＡと光軸ＬＡＢはいずれも、ｚ軸にほぼ平行である。
【0036】
光ビーム合成素子１３０について説明する。光ビーム合成素子１３０は、第１の半導体レーザ１１０から射出される第１の光ビームＬＢＡと第２の半導体レーザ１２０から射出される第２の光ビームＬＢＢが入射する。光ビーム合成素子１３０は、これら第１の光ビームＬＢＡの光軸ＬＡＡと第２の光ビームＬＢＢの光軸ＬＡＢを近接させて射出する。
【0037】
光ビーム合成素子１３０は、第１の半導体レーザ１１０から射出される第１の光ビームＬＢＡが直接入射するキューブ型の偏光ビームスプリッタ１３１と、第２の半導体レーザ１２０から射出される第２の光ビームＬＢＢが直接入射するプリズム１３６とを有する。
【0038】
プリズム１３６は、第２の光ビームＬＢＢが入射する入射面１３８と、第２の光ビームＬＢＢを偏光ビームスプリッタ１３１に向けてほぼ１００％反射する反射面１３７と、第２の光ビームＬＢＢを射出する射出面１３９とを有する。反射面１３７は、全反射の条件がそろっている場合は、そのままの面であり、全反射の条件がそろっていない場合は、反射膜が施される。
【0039】
偏光ビームスプリッタ１３１は、第１の光ビームＬＢＡが入射する第１の入射面１３２と、第２の光ビームＬＢＢが入射する第２の入射面１３５と、第１の光ビームＬＢＡはほぼ１００％透過するが第２の光ビームＬＢＢはほぼ１００％反射する接合面１３４と、第１の光ビームＬＢＡと第２の光ビームＬＢＢを射出する射出面１３３とを有する。
【0040】
プリズム１３６は、偏光ビームスプリッタ１３１に隣接して配置されている。詳しくは、プリズム１３６と偏光ビームスプリッタ１３１は、プリズム１３６の射出面１３９と偏光ビームスプリッタ１３１とが面接触するように配置されている。
【0041】
また、光ビーム合成素子１３０は、プリズム１３６の入射面１３８に設けられた１／２波長板１４６と、偏光ビームスプリッタ１３１の射出面１３３に設けられた１／４波長板１４１とを有する。
【0042】
第１の半導体レーザ１１０が射出する第１の光ビームＬＢＡと第２の半導体レーザ１２０が射出する第２の光ビームＬＢＢはいずれも、直線偏光の光ビームである。第１の光ビームＬＢＡの偏光方向と第２の半導体レーザ１２０の偏光方向は、互いに一致している。例えば、第１の光ビームＬＢＡの偏光方向と第２の半導体レーザ１２０の偏光方向は、ｘ軸に平行である。すなわち、第１の半導体レーザ１１０と第２の半導体レーザ１２０はいずれも、偏光ビームスプリッタ１３１の接合面１３４に対して、Ｐ偏光の光ビームを射出する。
【0043】
１／４波長板１４１は、Ｐ偏光とＳ偏光を円偏光に変換するように、その光線軸が設定されている。すなわち、１／４波長板１４１は、その光線軸がＰ偏光とＳ偏光の偏光方向に対して４５度に設定されている。
【0044】
１／２波長板１４６は、Ｐ偏光をＳ偏光に変換するように、光線軸が設定されている。
【0045】
第１の半導体レーザ１１０から射出される発散光でＰ偏光の第１の光ビームＬＢＡは、第１の入射面１３２から偏光ビームスプリッタ１３１に入射し、接合面１３４をほぼ１００％透過し、射出面１３３から射出される。偏光ビームスプリッタ１３１から射出されるＰ偏光の第１の光ビームＬＢＡは、１／４波長板１４１を通過することにより、円偏光の光ビームに変換される。その後、発散光の第１の光ビームＬＢＡは、コリメータレンズ３１を通過することにより、概略平行光の光ビームに変換される。
【0046】
第２の半導体レーザ１２０から射出される発散光でＰ偏光の第２の光ビームＬＢＢは、１／２波長板１４６に入射し、１／２波長板１４６を通過することにより、Ｓ偏光の光ビームに変換される。その後、第２の光ビームＬＢＢは、入射面１３８からプリズム１３６に入射し、反射面１３７によってほぼ１００％反射され、射出面１３９から射出される。プリズム１３６から射出されるＳ偏光の第２の光ビームＬＢＢは、第２の入射面１３５から偏光ビームスプリッタ１３１に入射し、接合面１３４によってほぼ１００％反射され、射出面１３３から射出される。偏光ビームスプリッタ１３１から射出されるＳ偏光の第２の光ビームＬＢＢは、１／４波長板１４１を通過することにより、円偏光の光ビームに変換される。その後、発散光の第２の光ビームＬＢＢは、コリメータレンズ３１を通過することにより、概略平行光の光ビームに変換される。
【0047】
なお、１／４波長板１４１により、Ｐ偏光の第１の光ビームＬＢＡを円偏光の光ビームに変換し、Ｓ偏光の第２の光ビームＬＢＢを円偏光の光ビームに変換するのは、これより下流の光走査装置３０の光学系の光学部品（ポリゴンミラー３５、ｆθレンズ３７、折り返しミラー３８、カバーガラス）における第１の光ビームＬＢＡと第２の光ビームＬＢＢの透過と反射の特性を均一にするためである。
【0048】
第１の光ビームＬＢＡと第２の光ビームＬＢＢは、偏光ビームスプリッタ１３１の接合面１３４によって合成され、その後、コリメータレンズ３１を通過することにより、平行光の光ビームＬＢとなる。光ビームＬＢは、光走査装置３０の光学系の光軸ＬＡに沿って進行し、有限焦点の像面ＩＰに集光される。像面ＩＰは、現像器２２に含まれる感光体の表面である。図９には、便宜上、光走査装置３０の光学系の光軸ＬＡは、直線で描かれている。
【0049】
（空気換算長）
続いて、図９を参照して、光源モジュール１００について、さらに詳しく説明する。光源モジュール１００において、第１の半導体レーザ１１０の第１のＬＤチップ１１１の第１の発光面１１２と、第２の半導体レーザ１２０の第２のＬＤチップ１２１の第２の発光面１２２は共に、同一の平面ＥＰ上にほぼ位置する。
続いて、図９を参照して、光源モジュール１００について、さらに詳しく説明する。光源モジュール１００において、第１の半導体レーザ１１０の第１のＬＤチップ１１１の第１の発光面１１２と、第２の半導体レーザ１２０の第２のＬＤチップ１２１の第２の発光面１２２は共に、同一の平面ＥＰ上にほぼ位置する。
【0050】
このように第１の発光面１１２と第２の発光面１２２が同一の平面ＥＰ上にほぼ位置するように第１の半導体レーザ１１０と第２の半導体レーザ１２０が配置される構成において、偏光ビームスプリッタ１３１までが同一の媒体（例えば空気）である場合、コリメータレンズ３１のバックフォーカス位置が、第１の半導体レーザ１１０と第２の半導体レーザ１２０とで大きく異なるため、同一の像面ＩＰで結像しないという不具合が起こる。
【0051】
この不具合を避けるため、実施形態では、第１の発光面１１２と第２の発光面１２２が同一の平面ＥＰ上にほぼ位置するように第１の半導体レーザ１１０と第２の半導体レーザ１２０が配置された状態において、コリメータレンズ３１のバックフォーカス位置を第１の半導体レーザ１１０と第２の半導体レーザ１２０とで揃える。
【0052】
このため、光源モジュール１００においては、第１の半導体レーザ１１０の第１のＬＤチップ１１１の第１の発光面１１２から光ビーム合成素子１３０の射出面１３３までの合計距離の空気換算長と、第２の半導体レーザ１２０の第２のＬＤチップ１２１の第２の発光面１２２から光ビーム合成素子１３０の射出面１３３の合計距離の空気換算長は、互いに等しい。以下、詳しく説明する。
【0053】
図９に示すように、第１の半導体レーザ１１０の発光面１１２から光ビーム合成素子１３０の偏光ビームスプリッタ１３１の第１の入射面１３２までの距離をＬａとする。偏光ビームスプリッタ１３１の第１の入射面１３２から接合面１３４までの光軸ＬＡＡ上における距離をＬｆとする。また、接合面１３４から偏光ビームスプリッタ１３１の射出面１３３までの光軸ＬＡＡ上における距離をＬｆとする。１／４波長板１４１の厚さをＬｇとする。
【0054】
また、第２の半導体レーザ１２０の発光面１１２から光ビーム合成素子１３０の１／２波長板１４６の入射面１４７までの距離をＬｂとする。１／２波長板１４６の厚さをＬｃとする。光ビーム合成素子１３０のプリズム１３６の入射面１３８から反射面１３７までの光軸ＬＡＢ上における距離をＬｄとする。プリズム１３６の反射面１３７から射出面１３９までの光軸ＬＡＢ上における距離をＬｅとする。なお、光軸ＬＡＢは、反射面１３７によって９０度折り曲げられている。また、プリズム１３６の射出面１３９は、光ビーム合成素子１３０の偏光ビームスプリッタ１３１の第２の入射面１３５と一致する。偏光ビームスプリッタ１３１の第２の入射面１３５から接合面１３４までの光軸ＬＡＢ上における距離をＬｆとする。
【0055】
さらに、１／２波長板１４６と１／４波長板１４１の屈折率をｎａ、プリズム１３６の屈折率をｎｂ、偏光ビームスプリッタ１３１の屈折率をｎｃとする。
【0056】
１／２波長板１４６による焦点ずれΔαは、下記の式（１）となる。
【0057】
Δα＝Ｌｃ×（１－１／ｎａ）・・・（１）
プリズム１３６による焦点ずれΔβは、下記の式（２）となる。
プリズム１３６による焦点ずれΔβは、下記の式（２）となる。
【0058】
Δβ＝（Ｌｄ＋Ｌｅ）×（１－１／ｎｂ）・・・（２）
第１の半導体レーザ１１０の第１の発光面１１２と第２の半導体レーザ１２０の第２の発光面１２２が、同一の平面ＥＰ上にほぼ位置する条件は、下記の式（３）と式（４）となる。
第１の半導体レーザ１１０の第１の発光面１１２と第２の半導体レーザ１２０の第２の発光面１２２が、同一の平面ＥＰ上にほぼ位置する条件は、下記の式（３）と式（４）となる。
【0059】
Ｌｂ＋Ｌｃ＋Ｌｄ＋Ｌｅ＝Ｌａ＋Δα＋Δβ・・・（３）
Ｌａ＋Ｌｆ＝Ｌｂ＋Ｌｃ＋Ｌｄ・・・（４）
式（１）と式（２）と式（３）と式（４）より、下記の式（５）を得る。
Ｌａ＋Ｌｆ＝Ｌｂ＋Ｌｃ＋Ｌｄ・・・（４）
式（１）と式（２）と式（３）と式（４）より、下記の式（５）を得る。
【0060】
Ｌｄ＝（Ｌｆ－Ｌｃ（１－１／ｎａ）＋Ｌｅ／ｎｂ）／（１－１／ｎｂ）・・・（５）
また、式（４）を変形して、下記の式（６）式を得る。
また、式（４）を変形して、下記の式（６）式を得る。
【0061】
Ｌｂ＝Ｌａ＋Ｌｆ－Ｌｃ－Ｌｄ・・・（６）
Ｌａは、Ｌｂが正となるように設定される。
Ｌａは、Ｌｂが正となるように設定される。
【0062】
計算例として、Ｌａ＝１２、Ｌｃ＝０．５、Ｌｅ＝３．５、Ｌｆ＝５、ｎａ＝１．５２、ｎｂ＝１．８３とすると、Ｌｄ＝１４．８６４、Ｌｂ＝１．６３６を得る。
【0063】
上記条件となるように、パラメータを設定することによって、第１の発光面１１２と第２の発光面１２２が同一の平面ＥＰ上にほぼ位置するように第１の半導体レーザ１１０と第２の半導体レーザ１２０が配置される構成においても、第１の発光面１１２から発せられる第１の光ビームＬＢＡと第２の発光面１２２から発せられる第２の光ビームＬＢＢが、光ビーム合成素子１３０によって合成されたのちに、共通のコリメータレンズ３１の透過後に、同一の像面ＩＰに結像するようにすることができる。
【0064】
一方で、空気換算長＝（厚さ）／（その厚さにおける屈折率）を定義する。第１の半導体レーザ１１０の第１の発光面１１２から光ビーム合成素子１３０の１／４波長板１４１の射出面１４３までの空気換算長を第１の半導体レーザ１１０側の空気換算長Ｓ１とする。また、第２の半導体レーザ１２０の第２の発光面１２２から光ビーム合成素子１３０の１／４波長板１４１の射出面１４３までの空気換算長を第２の半導体レーザ１２０側の空気換算長Ｓ２とする。またＬｇ＝０．５、ｎｃ＝１．５２とする。
【0065】
第１の半導体レーザ１１０側の空気換算長Ｓ１は、下記の式（７）で表される。
【0066】
Ｓ１＝Ｌａ／１＋Ｌｆ／ｎｃ＋Ｌｆ／ｎｃ＋Ｌｇ／ｎａ・・・（７）
第２の半導体レーザ１２０側の空気換算長Ｓ２は、下記の式（８）で表される。
第２の半導体レーザ１２０側の空気換算長Ｓ２は、下記の式（８）で表される。
【0067】
Ｓ２＝Ｌｂ／１＋Ｌｃ／ｎａ＋Ｌｄ／ｎｂ＋Ｌｅ／ｎｂ＋Ｌｆ／ｎｃ＋Ｌｆ／ｎｃ＋Ｌｇ／ｎａ・・（８）
式（７）に、上記の計算例の数値を代入すると、Ｓ１＝１８．９０７が得られる。
式（７）に、上記の計算例の数値を代入すると、Ｓ１＝１８．９０７が得られる。
【0068】
式（８）に、上記の計算例の数値を代入すると、Ｓ２＝１８．９０７が得られる。
【0069】
このように、Ｓ１＝Ｓ２となる。すなわち、第１の半導体レーザ１１０の第１の発光面１１２から光ビーム合成素子１３０の１／４波長板１４１の射出面１４３までの空気換算長Ｓ１と、第２の半導体レーザ１２０の第２の発光面１２２から光ビーム合成素子１３０の１／４波長板１４１の射出面１４３までの空気換算長Ｓ２とを、互いに等しくすることによって、「第１の発光面１１２と第２の発光面１２２が同一の平面ＥＰ上にほぼ位置するように第１の半導体レーザ１１０と第２の半導体レーザ１２０が配置される構成においても、第１の発光面１１２から発せられる第１の光ビームＬＢＡと第２の発光面１２２から発せられる第２の光ビームＬＢＢが、光ビーム合成素子１３０によって合成されたのちに、共通のコリメータレンズ３１の透過後に、同一の像面ＩＰに結像するようにすることができる」と言い換えることができる。
【0070】
また、式（７）－式（８）により、下記の関係式（９）を導くことができる。
【0071】
Ｓ１－Ｓ２＝Ｌａ－Ｌｂ－Ｌｃ／ｎａ－Ｌｄ／ｎｂ－Ｌｅ／ｎｂ・・・（９）
式（９）に、式（５）と式（６）を代入すると、下記の式（１０）が得られる。
式（９）に、式（５）と式（６）を代入すると、下記の式（１０）が得られる。
【0072】
Ｓ１－Ｓ２＝０・・・（１０）
すなわち、Ｓ１＝Ｓ２である。なお、式（９）の導出と式（１０）の算出には、Mathematica（登録商標）等の数式処理ソフトを使用した。
すなわち、Ｓ１＝Ｓ２である。なお、式（９）の導出と式（１０）の算出には、Mathematica（登録商標）等の数式処理ソフトを使用した。
【0073】
【0074】
図１０Ａ～図１０Ｃは、第１の実施例に係る光源モジュール１００を模式的に示す図である。半導体レーザ１１０、１２０のＬＤチップ１１１、１２１が２ビームアレイを有する例である。図１０Ａには、第１のＬＤチップ１１１のＡ方向視、図１０Ｂには第２のＬＤチップ１２１のＢ方向視が描かれている。図１０Ｃは図１０Ａの第１のＬＤチップ１１１、図１０Ｂの第２のＬＤチップ１２１を光軸ＬＡＡ、ＬＡＢで重ね合わせた図である。図１０Ｄは、図９と同様、光走査装置３０の光学系が簡略して描かれている。第１のＬＤチップ１１１とコリメータレンズ３１、第２のＬＤチップ１２１とコリメータレンズ３１間の光路は、空気換算長に換算した状態で描かれている。図１０Ｅは、図１０Ｃに示す２個のＬＤチップ１１１、１２１が発する光ビームによって像面ＩＰに形成される４個の集光スポット１１５、１１６、１２５、１２６を示す平面図である。
【0075】
第１の実施例に係る光源モジュール１００おいては、第１のＬＤチップ１１１の２個の発光部１１３、１１４は、ｘ軸に平行に一直線上に並んでおり、第２のＬＤチップ１２１の２個の発光部１２３、１２４も、ｘ軸に平行に一直線上に並んでいる。第１のＬＤチップ１１１の２個の発光部１１３、１１４のｘ軸に沿った間隔と、第２のＬＤチップ１２１の２個の発光部１２３、１２４のｘ軸に沿った間隔はいずれも、Ｐａである。さらに、第１のＬＤチップ１１１の内側の発光部１１３と第２のＬＤチップ１２１の内側の発光部１２３のｘ軸に沿った間隔も、Ｐａである。すなわち、ｘ方向に関しては、２個のＬＤチップ１１１、１２１の４個の発光部１１３、１１４、１２３、１２４は、等しい間隔Ｐａで並んでいる。
【0076】
第１のＬＤチップ１１１の光軸ＬＡＡは、発光部１１３と発光部１１４の中心を通る直線と、第１のＬＤチップ１１１の内側の発光部１１３の中心と第２のＬＤチップ１２１の内側の発光部１２３の中心とのｘ方向の間隔を二分するｙ軸に平行な直線との交点を通る。第２のＬＤチップ１２１の光軸ＬＡＢは、発光部１２３と発光部１２４の中心を通る直線と、第１のＬＤチップ１１１の内側の発光部１１３の中心と第２のＬＤチップ１２１の内側の発光部１２３の中心とのｘ方向の間隔を二分するｙ軸に平行な直線との交点を通る。
【0077】
２個のＬＤチップ１１１、１２１から発せられる４本の光ビームは、コリメータレンズ３１を含む光走査装置３０の光学系によって像面ＩＰに集光され、４個の集光スポット１１５、１１６、１２５、１２６を形成する。４個の集光スポット１１５、１１６、１２５、１２６は、Ｘ軸に平行に一直線上に並んでいる。４個の集光スポット１１５、１１６、１２５、１２６のＸ軸に沿った間隔はいずれもＰｅである。光軸ＬＡは、集光スポット１１５と集光スポット１２５の中心の間隔を二分する点を通る。言い換えれば、光軸ＬＡは、４個の集光スポット１１５、１１６、１２５、１２６の重心を通る。
【0078】
図１１は、角度調整後にハウジング４０に固定された第１の実施例に係る光源モジュール１００が射出する２本の光ビームＬＢＡ、ＬＢＢによって像面ＩＰに実際に形成される４個の集光スポット１１５、１１６、１２５、１２６を示す平面図である。４個の集光スポット１１５、１１６、１２５、１２６の間隔はいずれもＰｆである。ここで、ＰｆがＰｅと一致しないのは走査光学系の場合、主走査方向（Ｘ方向）と副走査方向（Ｙ方向）とで光学系の倍率が異なる場合があるからである。
【0079】
光源モジュール１００は、ハウジング４０に固定する際に、光軸ＬＡＡの周りに角度調整される。４個の集光スポット１１５、１１６、１２５、１２６の中心を通る直線は、主走査方向すなわちＸ方向に対してθｂの角度を成すように調整される。一例では、θｂは副走査方向に所望の解像度を得るため、隣接する４個の集光スポット１１５、１１６、１２５、１２６がＹ方向にＰｓずれる角度である。Ｐｓは６００ｄｐｉの時は４２．３μｍ、１２００ｄｐｉの時は２１．２μｍ、２４００ｄｐｉの時は１０．６μｍである。
このような集光スポット１１５、１１６、１２５、１２６の配置を得るため、光源モジュール１００をハウジング４０に固定する際、図１１に示す集光スポット１１５、１１６、１２５、１２６の配置が得られるように、光源モジュール１００の光軸回りの角度が調整された後に、接着やねじ止め等の手段によって、ハウジング４０に固定される。
このような集光スポット１１５、１１６、１２５、１２６の配置を得るため、光源モジュール１００をハウジング４０に固定する際、図１１に示す集光スポット１１５、１１６、１２５、１２６の配置が得られるように、光源モジュール１００の光軸回りの角度が調整された後に、接着やねじ止め等の手段によって、ハウジング４０に固定される。
【0080】
（第２の実施例）
次に、図１２Ａ～図１２Ｅと図１３を参照して、第２の実施例に係る光源モジュール１００について説明する。第２の実施例は、第１の実施例と同様、第１の半導体レーザ１１０の第１のＬＤチップ１１１と第２の半導体レーザ１２０の第２のＬＤチップ１２１のｘｙ平面上におけるレイアウトを変形したものである。
次に、図１２Ａ～図１２Ｅと図１３を参照して、第２の実施例に係る光源モジュール１００について説明する。第２の実施例は、第１の実施例と同様、第１の半導体レーザ１１０の第１のＬＤチップ１１１と第２の半導体レーザ１２０の第２のＬＤチップ１２１のｘｙ平面上におけるレイアウトを変形したものである。
【0081】
第２の実施例に係る図１２Ａ～図１２Ｅと図１３は、それぞれ、第１の実施例に係る図１０Ａ～図１０Ｅと図１１に対応している。従って、図１２Ａ～図１２Ｅと図１３の意味合いは、それぞれ、図１０Ａ～図１０Ｅと図１１の意味合いと同様である。以下では、冗長な説明を避けるため、第１の実施例との相違部分に重点をおいて説明する。
【0082】
第２の実施例に係る光源モジュール１００おいては、第１のＬＤチップ１１１の２個の発光部１１３、１１４は、ｘ軸に平行に一直線上に並んでおり、第２のＬＤチップ１２１の２個の発光部１２３、１２４も、ｘ軸に平行に一直線上に並んでいる。第１のＬＤチップ１１１の２個の発光部１１３、１１４のｘ軸に沿った間隔と、第２のＬＤチップ１２１の２個の発光部１２３、１２４のｘ軸に沿った間隔はいずれも、Ｐａである。以上は、第１の実施例に係る光源モジュール１００と同様である。
【0083】
第２の実施例に係る光源モジュール１００おいては、第１のＬＤチップ１１１の内側の発光部１１３は、ｘ方向に関して、第２のＬＤチップ１２１の２個の発光部１２３の中心の間隔を二分する位置に配置されている。また、第２のＬＤチップ１２１の内側の発光部１２３は、ｘ方向に関して、第１のＬＤチップ１１１の２個の発光部１１３、１１４の中心の間隔を二分する位置に配置されている。すなわち、２個のＬＤチップ１１１、１２１の４個の発光部１１３、１１４、１２３、１２４は、ｘ軸に沿って、等しい間隔Ｐａ／２で並んでいる。
【0084】
第１のＬＤチップ１１１の光軸ＬＡＡは、発光部１１３と発光部１１４の中心を通る直線と第１のＬＤチップ１１１の内側の発光部１１３の中心と第２のＬＤチップ１２１の内側の発光部１２３の中心とのｘ方向の間隔を二分するｙ軸に平行な直線との交点を通る。第２のＬＤチップ１２１の光軸ＬＡＢは、発光部１２３と発光部１２４の中心を通る直線と、第１のＬＤチップ１１１の内側の発光部１１３の中心と第２のＬＤチップ１２１の内側の発光部１２３の中心とのｘ方向の間隔を二分するｙ軸に平行な直線との交点を通る。
【0085】
第１の実施例と同様、２個のＬＤチップ１１１、１２１から発せられる４本の光ビームは、コリメータレンズ３１を含む光走査装置３０の光学系によって像面ＩＰに集光され、４個の集光スポット１１５、１１６、１２５、１２６を形成する。４個の集光スポット１１５、１１６、１２５、１２６は、Ｘ軸に平行に一直線上に並んでいる。ただし、第２の実施例では、４個の集光スポット１１５、１１６、１２５、１２６のＸ軸に沿った間隔はいずれもＰｅ／２である。光軸ＬＡは、集光スポット１１５と集光スポット１２５の中心の間隔を二分する点を通る。言い換えれば、光軸ＬＡは、４個の集光スポット１１５、１１６、１２５、１２６の重心を通る。
【0086】
図１３は、角度調整後にハウジング４０に固定された第２の実施例に係る光源モジュール１００が射出する２本の光ビームＬＢＡ、ＬＢＢによって像面ＩＰに実際に形成される４個の集光スポット１１５、１１６、１２５、１２６を示す平面図である。これは、図１１に相当するものである。４個の集光スポット１１５、１１６、１２５、１２６の間隔はいずれもＰｉである。Ｐｉは、概ね、Ｐｆ／２である。
【0087】
前述したように、光源モジュール１００は、ハウジング４０に固定する際に、光軸ＬＡＡの周りに角度調整される。４個の集光スポット１１５、１１６、１２５、１２６の中心を通る直線は、主走査方向すなわちＸ方向に対してθｃの角度を成すように調整される。副走査方向の解像度と、隣接する２個の集光スポット１１５、１１６、１２５、１２６のＹ方向のずれ量は、第１の実施例と同様である。
【0088】
第２の実施例においては、図１２Ｃに示すように、４個の発光部１１３、１１４、１２３、１２４は、ｘ方向に関して、第１の実施例の半分の間隔Ｐｅ／２で並んでいる。このため、図１１と図１３に比較して分かるように、同じ副走査方向の解像度を得るために光源モジュール１００を回転させる角度θｃは、概ね角度θｂの２倍である。このため、第２の実施例は第１の実施例と比較して、光源モジュール１００の角度の調整の感度を低い。これにより、副走査方向の解像度の調整が行い易い。言い換えれば、少しの角度で副走査方向の解像度が大きくずれることが抑えられる。
【0089】
（効果）
実施形態に係る光源モジュール１００は、第１の半導体レーザ１１０の第１のＬＤチップ１１１の第１の発光面１１２から光ビーム合成素子１３０の１／４波長板１４１の射出面１４３までの合計距離の空気換算長と、第２の半導体レーザ１２０の第２のＬＤチップ１２１の第２の発光面１２２から光ビーム合成素子１３０の１／４波長板１４１の射出面１４３までの合計距離の空気換算長とが互いに等しい。このため、光源モジュール１００は、第１の半導体レーザ１１０と第２の半導体レーザ１２０を同一の基板１７０に搭載し、かつ、第１の半導体レーザ１１０が射出する光ビームＬＢＡと第２の半導体レーザ１２０が射出する光ビームＬＢＢとを、コリメータレンズ３１への入射前に合成し、同一の像面ＩＰにおいて焦点を合わせることができる。
実施形態に係る光源モジュール１００は、第１の半導体レーザ１１０の第１のＬＤチップ１１１の第１の発光面１１２から光ビーム合成素子１３０の１／４波長板１４１の射出面１４３までの合計距離の空気換算長と、第２の半導体レーザ１２０の第２のＬＤチップ１２１の第２の発光面１２２から光ビーム合成素子１３０の１／４波長板１４１の射出面１４３までの合計距離の空気換算長とが互いに等しい。このため、光源モジュール１００は、第１の半導体レーザ１１０と第２の半導体レーザ１２０を同一の基板１７０に搭載し、かつ、第１の半導体レーザ１１０が射出する光ビームＬＢＡと第２の半導体レーザ１２０が射出する光ビームＬＢＢとを、コリメータレンズ３１への入射前に合成し、同一の像面ＩＰにおいて焦点を合わせることができる。
【0090】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【0091】
１…画像形成装置、１０…画像読取部、１１…自動原稿搬送装置、２０…画像形成部、２１…給紙カセット、２２…現像器、２３…定着器、２４…排紙トレイ、３０…光走査装置、３１…コリメータレンズ、３２…絞り板、３３…開口部、３４…シリンドリカルレンズ、３５…ポリゴンミラー、３７…ｆθレンズ、３８…折り返しミラー、４０…ハウジング、４１…レンズホルダ、４２…絞りホルダ、４３…レンズホルダ、４８…軸受、１００…光源モジュール、１１０…第１の半導体レーザ、１１１…第１のＬＤチップ、１１２…第１の発光面、１１３、１１４…発光部、１１５、１１６…集光スポット、１１８…第１のＣＡＮパッケージ、１１９…第１の接続端子、１２０…第２の半導体レーザ、１２１…第２のＬＤチップ、１２２…第２の発光面、１２３、１２４…発光部、１２５、１２６…集光スポット、１２８…第２のＣＡＮパッケージ、１２９…第２の接続端子、１３０…光ビーム合成素子、１３１…偏光ビームスプリッタ、１３２…第１の入射面、１３３…射出面、１３４…接合面、１３５…第２の入射面、１３６…プリズム、１３７…反射面、１３８…入射面、１３９…射出面、１４１…１／４波長板、１４３…射出面、１４６…１／２波長板、１４７…入射面、１６０…ホルダ、１６１…第１の穴、１６２…第２の穴、１６４…スペーサ部、１６６…回転軸、１７０…基板、１７１…ねじ、１７６…第１の貫通穴、１７７…第２の貫通穴、Ｓ１…第１の半導体レーザ側の空気換算長、Ｓ２…第２の半導体レーザ側の空気換算長。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10A】
【図10B】
【図10C】
【図10D】
【図10E】
【図11】
【図12A】
【図12B】
【図12C】
【図12D】
【図12E】
【図13】
