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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024169040
(43)【公開日】2024-12-05
(54)【発明の名称】電気光学装置および電子機器
(51)【国際特許分類】
G09F 9/30 20060101AFI20241128BHJP
G02B 3/00 20060101ALI20241128BHJP
G02F 1/1368 20060101ALN20241128BHJP
G02F 1/1335 20060101ALN20241128BHJP
G02F 1/1345 20060101ALN20241128BHJP
【ＦＩ】
G09F9/30 349Z
G09F9/30 338
G02B3/00 Z
G02B3/00 A
G02F1/1368
G02F1/1335
G02F1/1345
【審査請求】未請求
【請求項の数】18
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023086215
(22)【出願日】2023-05-25
(71)【出願人】
【識別番号】000002369
【氏名又は名称】セイコーエプソン株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100179475
【弁理士】
【氏名又は名称】仲井 智至
(74)【代理人】
【識別番号】100216253
【弁理士】
【氏名又は名称】松岡 宏紀
(74)【代理人】
【識別番号】100225901
【弁理士】
【氏名又は名称】今村 真之
(72)【発明者】
【氏名】八代 侑樹
【テーマコード（参考）】
2H092
2H192
2H291
5C094
【Ｆターム（参考）】
2H092GA25
2H092GA29
2H092GA35
2H092GA39
2H092GA43
2H092JA24
2H092JA46
2H092JB54
2H092JB69
2H092PA07
2H092RA05
2H192AA24
2H192BC33
2H192CB02
2H192CB53
2H192CC33
2H192CC73
2H192DA12
2H192EA04
2H192EA32
2H192FA22
2H192FA26
2H192FA35
2H192FA39
2H192FA65
2H192GD46
2H192GD72
2H192JB02
2H291FA56Y
2H291FA62Y
2H291FA64Y
2H291FD03
2H291GA19
2H291LA13
2H291LA31
2H291MA13
5C094AA43
5C094BA03
5C094BA43
5C094CA19
5C094DA13
5C094DB01
5C094DB02
5C094EA03
5C094EA04
5C094ED01
5C094FA01
5C094FA02
5C094FB02
5C094FB12
5C094HA02
5C094HA05
5C094HA08
5C094HA10
5C094JA01
5C094JA08
(57)【要約】
【課題】レンズ形成層を貫通する導電部材を介した電気的導通の信頼性を向上できる電気光学装置を提供すること。
【解決手段】電気光学装置は、画素電極１０と、周辺電極と、画素電極１０と基体９０との間のトランジスター１と、画素電極１０とトランジスター１との間の中継層３０と、周辺電極と基体９０との間の中継層１３０と、画素電極１０と中継層３０との間に設けられ、レンズ面３４ｓとコンタクトホール３３とを有するレンズ形成層３５と、周辺電極と中継層１３０との間に設けられ、レンズ面１３４ｓとコンタクトホール１３３とを有するレンズ形成層１３５と、コンタクトホール３３内に設けられ、画素電極１０と中継層３０とを電気的に接続するコンタクトプラグ３１と、コンタクトホール１３３内に設けられ、周辺電極と中継層１３０とを電気的に接続するコンタクトプラグ１３１と、を有する。
【選択図】図４
【解決手段】電気光学装置は、画素電極１０と、周辺電極と、画素電極１０と基体９０との間のトランジスター１と、画素電極１０とトランジスター１との間の中継層３０と、周辺電極と基体９０との間の中継層１３０と、画素電極１０と中継層３０との間に設けられ、レンズ面３４ｓとコンタクトホール３３とを有するレンズ形成層３５と、周辺電極と中継層１３０との間に設けられ、レンズ面１３４ｓとコンタクトホール１３３とを有するレンズ形成層１３５と、コンタクトホール３３内に設けられ、画素電極１０と中継層３０とを電気的に接続するコンタクトプラグ３１と、コンタクトホール１３３内に設けられ、周辺電極と中継層１３０とを電気的に接続するコンタクトプラグ１３１と、を有する。
【選択図】図４
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１基板と、
前記第１基板に対向する第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に設けられた電気光学層と、を備え、
前記第１基板は、
表示領域に設けられた画素電極と、
周辺領域に設けられた周辺電極と、
前記画素電極と前記第１基板との間に設けられたトランジスターと、
前記画素電極と前記トランジスターとの間に設けられた第１中継電極と、
前記周辺電極と前記第１基板との間に設けられ、前記第１中継電極と同層の第２中継電極と、
前記画素電極と前記第１中継電極との間に設けられ、第１レンズと第１コンタクトホールとを有する第１レンズ形成層と、
前記周辺電極と前記第２中継電極との間に設けられ、第２レンズと第２コンタクトホールとを有し、前記第１レンズ形成層と同層の第２レンズ形成層と、
前記第１コンタクトホール内に設けられ、前記画素電極と前記第１中継電極とを電気的に接続する第１導電部材と、
前記第２コンタクトホール内に設けられ、前記周辺電極と前記第２中継電極とを電気的に接続する第２導電部材と、を有する、
電気光学装置。
前記第１基板に対向する第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に設けられた電気光学層と、を備え、
前記第１基板は、
表示領域に設けられた画素電極と、
周辺領域に設けられた周辺電極と、
前記画素電極と前記第１基板との間に設けられたトランジスターと、
前記画素電極と前記トランジスターとの間に設けられた第１中継電極と、
前記周辺電極と前記第１基板との間に設けられ、前記第１中継電極と同層の第２中継電極と、
前記画素電極と前記第１中継電極との間に設けられ、第１レンズと第１コンタクトホールとを有する第１レンズ形成層と、
前記周辺電極と前記第２中継電極との間に設けられ、第２レンズと第２コンタクトホールとを有し、前記第１レンズ形成層と同層の第２レンズ形成層と、
前記第１コンタクトホール内に設けられ、前記画素電極と前記第１中継電極とを電気的に接続する第１導電部材と、
前記第２コンタクトホール内に設けられ、前記周辺電極と前記第２中継電極とを電気的に接続する第２導電部材と、を有する、
電気光学装置。
【請求項2】
前記第１レンズは、所定のピッチで配置され、
前記第２レンズは、前記所定のピッチで配置される、
請求項１に記載の電気光学装置。
前記第２レンズは、前記所定のピッチで配置される、
請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項3】
前記第１レンズは、所定のサイズを有し、
前記第２レンズは、前記所定のサイズを有する、
請求項１に記載の電気光学装置。
前記第２レンズは、前記所定のサイズを有する、
請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項4】
前記第１レンズは、所定の形状を有し、
前記第２レンズは、前記所定の形状を有する、
請求項１に記載の電気光学装置。
前記第２レンズは、前記所定の形状を有する、
請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項5】
前記第１導電部材は、所定のピッチで配置され、
前記第２導電部材は、前記所定のピッチで配置される、
請求項１に記載の電気光学装置。
前記第２導電部材は、前記所定のピッチで配置される、
請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項6】
前記第１コンタクトホールは、所定のアスペクト比を有し、
前記第２コンタクトホールは、前記所定のアスペクト比を有する、
請求項１に記載の電気光学装置。
前記第２コンタクトホールは、前記所定のアスペクト比を有する、
請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項7】
前記所定のアスペクト比は、３以上１３以下である、
請求項６に記載の電気光学装置。
請求項６に記載の電気光学装置。
【請求項8】
前記第１基板は、
前記周辺領域において、前記第２レンズ形成層と前記第１基板との間に設けられた光学読み取りマークと、を有し、
前記光学読み取りマークは、平面視で、前記第２レンズと重ならない、
請求項１に記載の電気光学装置。
前記周辺領域において、前記第２レンズ形成層と前記第１基板との間に設けられた光学読み取りマークと、を有し、
前記光学読み取りマークは、平面視で、前記第２レンズと重ならない、
請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項9】
前記画素電極は、平面視において、所定のサイズを有し、
前記周辺電極は、平面視において、前記所定のサイズを有する、
請求項１に記載の電気光学装置。
前記周辺電極は、平面視において、前記所定のサイズを有する、
請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項10】
前記画素電極は、平面視において、第１のサイズを有し、
前記周辺電極は、平面視において、前記第１のサイズより大きい第２のサイズを有する、
請求項１に記載の電気光学装置。
前記周辺電極は、平面視において、前記第１のサイズより大きい第２のサイズを有する、
請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項11】
前記第１中継電極は、平面視において、第３のサイズを有し、
前記第２中継電極は、平面視において、前記第３のサイズよりも大きい第４のサイズを有する、
請求項１に記載の電気光学装置。
前記第２中継電極は、平面視において、前記第３のサイズよりも大きい第４のサイズを有する、
請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項12】
前記第１導電部材と前記第２導電部材とは、タングステンまたはタングステンを含む導電材料からなる、
請求項１に記載の電気光学装置。
請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項13】
前記周辺電極は、前記第１基板と前記第２基板との間を電気的に接続する基板間導通電極である、
請求項１に記載の電気光学装置。
請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項14】
前記周辺電極は、外部端子である、
請求項１に記載の電気光学装置。
請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項15】
前記周辺電極は、検査端子である、
請求項１に記載の電気光学装置。
請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項16】
前記周辺電極は、モニター端子である、
請求項１に記載の電気光学装置。
請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項17】
第１基板と、
前記第１基板に対向する第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に設けられた電気光学層と、を備え、
前記第１基板は、
表示領域に設けられた画素電極と、
周辺領域に設けられた周辺電極と、
前記画素電極と前記第１基板との間に設けられたトランジスターと、
前記画素電極と前記トランジスターとの間に設けられた第１中継電極と、
前記周辺電極と前記第１基板との間に設けられ、前記第１中継電極と同層の第２中継電極と、
前記画素電極と前記第１中継電極との間に設けられた第３中継電極と、
前記周辺電極と前記第２中継電極との間に設けられ、前記第３中継電極と同層の第４中継電極と、
前記第３中継電極と前記第１中継電極との間に設けられ、第１レンズと第１コンタクトホールとを有する第１レンズ形成層と、
前記第４中継電極と前記第２中継電極との間に設けられ、第２レンズと第２コンタクトホールとを有し、前記第１レンズ形成層と同層の第２レンズ形成層と、
前記第１コンタクトホール内に設けられ、前記画素電極と前記第１中継電極とを電気的に接続する第１導電部材と、
前記第２コンタクトホール内に設けられ、前記周辺電極と前記第２中継電極とを電気的に接続する第２導電部材と、を有する、
電気光学装置。
前記第１基板に対向する第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に設けられた電気光学層と、を備え、
前記第１基板は、
表示領域に設けられた画素電極と、
周辺領域に設けられた周辺電極と、
前記画素電極と前記第１基板との間に設けられたトランジスターと、
前記画素電極と前記トランジスターとの間に設けられた第１中継電極と、
前記周辺電極と前記第１基板との間に設けられ、前記第１中継電極と同層の第２中継電極と、
前記画素電極と前記第１中継電極との間に設けられた第３中継電極と、
前記周辺電極と前記第２中継電極との間に設けられ、前記第３中継電極と同層の第４中継電極と、
前記第３中継電極と前記第１中継電極との間に設けられ、第１レンズと第１コンタクトホールとを有する第１レンズ形成層と、
前記第４中継電極と前記第２中継電極との間に設けられ、第２レンズと第２コンタクトホールとを有し、前記第１レンズ形成層と同層の第２レンズ形成層と、
前記第１コンタクトホール内に設けられ、前記画素電極と前記第１中継電極とを電気的に接続する第１導電部材と、
前記第２コンタクトホール内に設けられ、前記周辺電極と前記第２中継電極とを電気的に接続する第２導電部材と、を有する、
電気光学装置。
【請求項18】
請求項１乃至請求項１７のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えた電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、電気光学装置および電気光学装置を備えた電子機器に関する。
【背景技術】
【0002】
従来の電気光学装置としては、例えば、特許文献１に記載されたものが知られている。
特許文献１には、素子基板の基板本体上に設けられた画素電極と、画素電極と基板本体との間に設けられたトランジスターと、画素電極とトランジスターとの間に設けられたレンズと、レンズが設けられた層を貫通して設けられ、画素電極とトランジスターとを電気的に接続する接続部材と、を備えた電気光学装置が、記載されている。
特許文献１には、素子基板の基板本体上に設けられた画素電極と、画素電極と基板本体との間に設けられたトランジスターと、画素電極とトランジスターとの間に設けられたレンズと、レンズが設けられた層を貫通して設けられ、画素電極とトランジスターとを電気的に接続する接続部材と、を備えた電気光学装置が、記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０２１－１６７８８４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
画素電極とトランジスターとの間のレンズが設けられた層が厚いため、レンズが設けられた層を貫通する接続部材を設けるためには、レンズが設けられた層に高アスペクト比のコンタクトホールを形成する必要がある。
しかし、高アスペクト比のコンタクトホールを形成する工程は、エッチングに長い時間を要するため、加工の難易度が高い、という課題がある。
しかし、高アスペクト比のコンタクトホールを形成する工程は、エッチングに長い時間を要するため、加工の難易度が高い、という課題がある。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本願の一態様に係る電気光学装置は、第１基板と、前記第１基板に対向する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に設けられた電気光学層と、を備え、前記第１基板は、表示領域に設けられた画素電極と、周辺領域に設けられた周辺電極と、前記画素電極と前記第１基板との間に設けられたトランジスターと、前記画素電極と前記トランジスターとの間に設けられた第１中継電極と、前記周辺電極と前記第１基板との間に設けられ、前記第１中継電極と同層の第２中継電極と、前記画素電極と前記第１中継電極との間に設けられ、第１レンズと第１コンタクトホールとを有する第１レンズ形成層と、前記周辺電極と前記第２中継電極との間に設けられ、第２レンズと第２コンタクトホールとを有し、前記第１レンズ形成層と同層の第２レンズ形成層と、前記第１コンタクトホール内に設けられ、前記画素電極と前記第１中継電極とを電気的に接続する第１導電部材と、前記第２コンタクトホール内に設けられ、前記周辺電極と前記第２中継電極とを電気的に接続する第２導電部材と、を有する。
【0006】
本願の一態様に係る電気光学装置は、第１基板と、前記第１基板に対向する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に設けられた電気光学層と、を備え、前記第１基板は、表示領域に設けられた画素電極と、周辺領域に設けられた周辺電極と、前記画素電極と前記第１基板との間に設けられたトランジスターと、前記画素電極と前記トランジスターとの間に設けられた第１中継電極と、前記周辺電極と前記第１基板との間に設けられ、前記第１中継電極と同層の第２中継電極と、前記画素電極と前記第１中継電極との間に設けられた第３中継電極と、前記周辺電極と前記第２中継電極との間に設けられ、前記第３中継電極と同層の第４中継電極と、前記第３中継電極と前記第１中継電極との間に設けられ、第１レンズと第１コンタクトホールとを有する第１レンズ形成層と、前記第４中継電極と前記第２中継電極との間に設けられ、第２レンズと第２コンタクトホールとを有し、前記第１レンズ形成層と同層の第２レンズ形成層と、前記第１コンタクトホール内に設けられ、前記画素電極と前記第１中継電極とを電気的に接続する第１導電部材と、前記第２コンタクトホール内に設けられ、前記周辺電極と前記第２中継電極とを電気的に接続する第２導電部材と、を有する。
【0007】
本願の一態様に係る電子機器は、上記に記載の電気光学装置を備える。
【図面の簡単な説明】
【0008】
【図1】実施形態１に係る電気光学装置の平面図。
【図3】素子基板の電気的な構成を示す等価回路図。
【図4】素子基板の表示領域の断面構造を示す説明図。
【図5】素子基板の周辺領域の断面構造を示す説明図。
【図6】素子基板の表示領域の一部を示す平面図。
【図8】変形例１に係る周辺領域の断面構造を示す説明図。
【図9】変形例２に係る周辺領域の断面構造を示す説明図。
【図11A】変形例４に係る周辺領域の断面構造を示す説明図。
【図11B】変形例５に係る周辺領域の断面構造を示す説明図。
【図11C】変形例６に係る周辺領域の断面構造を示す説明図。
【図11D】変形例７に係る周辺領域の断面構造を示す説明図。
【図12】実施形態２に係る素子基板の表示領域の断面構造を示す説明図。
【図13】実施形態２に係る素子基板の周辺領域の断面構造を示す説明図。
【図14】変形例８に係る周辺領域の断面構造を示す説明図。
【図15】実施形態３に係る電子機器の一例を示す模式図。
【発明を実施するための形態】
【0009】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。
なお、以下の各図面においては各構成要素を見やすくするため、構成要素によって寸法の縮尺を異ならせて示すことがある。
また、以下では、説明の便宜上、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸、およびＺ軸を適宜用いて説明する。また、Ｘ軸に沿う一方向をＸ１方向と表記し、Ｘ１方向とは反対の方向をＸ２方向と表記する。同様に、Ｙ軸に沿う一方向をＹ１方向と表記し、Ｙ１方向とは反対の方向をＹ２方向と表記する。Ｚ軸に沿う一方向をＺ１方向と表記し、Ｚ１方向とは反対の方向をＺ２方向と表記する。また、以下では、Ｚ１方向またはＺ２方向に見ることを「平面視」とし、Ｚ軸を含む断面に対して垂直方向から見ることを「断面視」とする。
なお、以下の各図面においては各構成要素を見やすくするため、構成要素によって寸法の縮尺を異ならせて示すことがある。
また、以下では、説明の便宜上、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸、およびＺ軸を適宜用いて説明する。また、Ｘ軸に沿う一方向をＸ１方向と表記し、Ｘ１方向とは反対の方向をＸ２方向と表記する。同様に、Ｙ軸に沿う一方向をＹ１方向と表記し、Ｙ１方向とは反対の方向をＹ２方向と表記する。Ｚ軸に沿う一方向をＺ１方向と表記し、Ｚ１方向とは反対の方向をＺ２方向と表記する。また、以下では、Ｚ１方向またはＺ２方向に見ることを「平面視」とし、Ｚ軸を含む断面に対して垂直方向から見ることを「断面視」とする。
【0010】
さらに、以下の説明において、例えば基板に対して、「基板上に」との記載は、基板の上に接して配置される場合、基板の上に他の構造物を介して配置される場合、または基板の上に一部が接して配置され、一部が他の構造物を介して配置される場合のいずれかを表すものとする。また、「基板の上面」との記載は、基板のＺ１方向側の面を示すものとする。
【0011】
１．実施形態１
本実施形態では、電気光学装置として、液晶装置の例を説明する。
液晶装置は、画素ごとにスイッチング素子としてＴＦＴ（Thin Film Transistor）を備えたアクティブ駆動型の透過型液晶装置である。この液晶装置は、例えば、後述する投射型表示装置において、光変調装置として用いられる。なお、本実施形態において、投射型表示装置は、電子機器の一例である。
本実施形態では、電気光学装置として、液晶装置の例を説明する。
液晶装置は、画素ごとにスイッチング素子としてＴＦＴ（Thin Film Transistor）を備えたアクティブ駆動型の透過型液晶装置である。この液晶装置は、例えば、後述する投射型表示装置において、光変調装置として用いられる。なお、本実施形態において、投射型表示装置は、電子機器の一例である。
【0012】
１．１．液晶装置の構造の概要
本実施形態に係る液晶装置３００の構造について、図１と図２とを参照して説明する。図１は、液晶装置３００の平面図を示す。図２は、図１のＡ－Ａ線に沿う液晶装置３００の概略的な断面構成を示す。
本実施形態に係る液晶装置３００の構造について、図１と図２とを参照して説明する。図１は、液晶装置３００の平面図を示す。図２は、図１のＡ－Ａ線に沿う液晶装置３００の概略的な断面構成を示す。
【0013】
図１および図２に示すように、液晶装置３００は、透光性を有する素子基板１００、透光性を有する対向基板２００、枠状に設けられたシール部材８、および液晶層Ｌｃを有する。なお、「透光性」とは、可視光に対する透過性を意味し、好ましくは可視光の透過率が５０％以上であることをいう。
【0014】
液晶装置３００は、画像を表示する表示領域Ａ１と、平面視において表示領域Ａ１の外側周辺に位置する周辺領域Ａ２とを有する。
表示領域Ａ１には、行列状に配列される複数の画素Ｐが設けられる。なお、図１に示す液晶装置３００の形状は、四角形であるが、他の形状、例えば円形であってもよい。
表示領域Ａ１には、行列状に配列される複数の画素Ｐが設けられる。なお、図１に示す液晶装置３００の形状は、四角形であるが、他の形状、例えば円形であってもよい。
【0015】
図２に示すように、素子基板１００と対向基板２００とは、液晶層Ｌｃを介して配置される。
本実施形態では、液晶層Ｌｃの光入射側に、対向基板２００が配置され、液晶層Ｌｃの光出射側に、素子基板１００が配置される。対向基板２００に入射した入射光ＩＬは、液晶層Ｌｃで変調されて、変調光ＭＬとして素子基板１００から射出される。
本実施形態では、液晶層Ｌｃの光入射側に、対向基板２００が配置され、液晶層Ｌｃの光出射側に、素子基板１００が配置される。対向基板２００に入射した入射光ＩＬは、液晶層Ｌｃで変調されて、変調光ＭＬとして素子基板１００から射出される。
【0016】
素子基板１００は、基体９０と層間絶縁層８２を含む複数の層間絶縁層と画素電極１０と配向膜１２とを有する。また、図示しないが、画素電極１０と層間絶縁層８２との間には、後述するレンズ層３４が設けられる。なお、本実施形態において、基体９０は、第１基板の一例である。
【0017】
基体９０は、透光性および絶縁性を有する平板である。基体９０は、例えばガラス基板または石英基板である。複数の層間絶縁層の層間には、後述するトランジスターが配置される。
画素電極１０は、透光性を有する。画素電極１０は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）、およびＦＴＯ（Fluorine-doped tin oxide）などの透明導電材料によって形成される。画素電極１０の厚さ方向は、Ｚ１方向またはＺ２方向と一致する。
配向膜１２は、透光性および絶縁性を有する。配向膜１２は、液晶層Ｌｃの液晶分子を配向させる。配向膜１２の材料としては、例えば酸化シリコン（ＳｉＯ2）またはポリイミドが挙げられる。
画素電極１０は、透光性を有する。画素電極１０は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）、およびＦＴＯ（Fluorine-doped tin oxide）などの透明導電材料によって形成される。画素電極１０の厚さ方向は、Ｚ１方向またはＺ２方向と一致する。
配向膜１２は、透光性および絶縁性を有する。配向膜１２は、液晶層Ｌｃの液晶分子を配向させる。配向膜１２の材料としては、例えば酸化シリコン（ＳｉＯ2）またはポリイミドが挙げられる。
【0018】
対向基板２００は、基体２１０、絶縁層２２０、共通電極２３０、および配向膜２４０を有する。なお、本実施形態において、基体２１０は、第２基板の一例である。
基体２１０は、透光性および絶縁性を有する平板である。基体２１０は、例えばガラス基板または石英基板である。
絶縁層２２０は、透光性および絶縁性を有する。絶縁層２２０の材料は、例えば酸化シリコンなどの無機材料である。
基体２１０は、透光性および絶縁性を有する平板である。基体２１０は、例えばガラス基板または石英基板である。
絶縁層２２０は、透光性および絶縁性を有する。絶縁層２２０の材料は、例えば酸化シリコンなどの無機材料である。
【0019】
共通電極２３０は、複数の画素電極１０に対向して配置される電極であり、対向電極と言い換えられる。共通電極２３０は、例えばＩＴＯ、ＩＺＯ、およびＦＴＯなどの透明導電材料を含む。共通電極２３０と画素電極１０とは、液晶層Ｌｃに電界を印加する。
配向膜２４０は、透光性および絶縁性を有する。
配向膜２４０は、透光性および絶縁性を有する。
【0020】
シール部材８は、素子基板１００と対向基板２００との間に配置される。シール部材８は、例えばエポキシ樹脂などの各種硬化性樹脂を含む接着剤などを用いて形成される。シール部材８は、ガラスなどの無機材料で構成されるギャップ材を含んでもよい。
【0021】
液晶層Ｌｃは、素子基板１００、対向基板２００およびシール部材８によって囲まれる領域内に配置される。液晶層Ｌｃは、画素電極１０と共通電極２３０とによって生じる電界に応じて光学的特性が変化する電気光学層である。液晶層Ｌｃは、正または負の誘電異方性を有する液晶分子を含む。液晶分子の配向は、液晶層Ｌｃに印加される電界に応じて変化する。液晶層Ｌｃは、印加される電界に応じて入射光ＩＬを変調する。
【0022】
図１に示すように、素子基板１００の周辺領域Ａ２に、複数の走査線駆動回路６、データ線駆動回路７、外部端子９、基板間導通電極１５、検査端子１６、モニター端子１７、およびアライメントマーク１８が配置される。本実施形態において、アライメントマーク１８は、光学読み取りマークの一例である。また、外部端子９、基板間導通電極１５、検査端子１６、およびモニター端子１７は、周辺電極の一例である。なお、周辺電極は、周辺領域Ａ２に設けられた電極ないし端子の総称である。
【0023】
外部端子９は、図示しないＦＰＣ（Flexible printed circuits）などの外部接続線が実装される実装端子である。外部端子９には、外部接続線を介して、外部から画像信号、同期信号、検査信号、共通電位、電源電位などを含む各種信号が供給される。
【0024】
基板間導通電極１５は、図示しない基板間導通部材を介して、対向基板２００の共通電極２３０に電気的に接続される。基板間導通電極１５には、共通電位が供給され、共通電位は、基板間導通部材を介して、対向基板２００に供給される。
【0025】
検査端子１６は、液晶装置３００の製造工程などにおいて、トランジスターや各種配線などの欠陥の有無を判別する際に用いられる。
モニター端子１７は、例えば、トランジスターの経時的な特性変化をモニターするために用いられる。モニターによって得られた情報は、液晶装置３００の制御などに用いる。
モニター端子１７は、例えば、トランジスターの経時的な特性変化をモニターするために用いられる。モニターによって得られた情報は、液晶装置３００の制御などに用いる。
【0026】
アライメントマーク１８は、検査パターンと称せられる格子状の形状を有する光学読み取り用マークである。アライメントマーク１８は、例えば、検査工程などにおいて、検査装置や測定装置などが素子基板１００を位置決めする際に、用いられる。
【0027】
本実施形態において、外部端子９、基板間導通電極１５、検査端子１６、およびモニター端子１７は、画素電極１０と同層に設けられ、且つ、同じ工程および材料で形成される。
【0028】
１．２．素子基板の電気的な構成
図３は、素子基板１００の電気的な構成を示す等価回路図である。
図３に示すように、素子基板１００の表示領域Ａ１には、複数のトランジスター１、ｎ本の走査線３、ｍ本のデータ線４、およびｍ本の容量線５が設けられる。ｎおよびｍはそれぞれ２以上の整数である。ｎ本の走査線３とｍ本のデータ線４との各交差に対応してトランジスター１が配置される。
図３は、素子基板１００の電気的な構成を示す等価回路図である。
図３に示すように、素子基板１００の表示領域Ａ１には、複数のトランジスター１、ｎ本の走査線３、ｍ本のデータ線４、およびｍ本の容量線５が設けられる。ｎおよびｍはそれぞれ２以上の整数である。ｎ本の走査線３とｍ本のデータ線４との各交差に対応してトランジスター１が配置される。
【0029】
ｎ本の走査線３のそれぞれはＸ１方向に延在し、ｎ本の走査線３はＹ１方向に等間隔で並ぶ。ｎ本の走査線３のそれぞれは、対応するトランジスター１のゲート電極に電気的に接続される。ｎ本の走査線３は、図１に示す走査線駆動回路６に電気的に接続される。
走査線駆動回路６は、１～ｎ本の走査線３に、走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、およびＧｎを、線順次で供給する。
走査線駆動回路６は、１～ｎ本の走査線３に、走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、およびＧｎを、線順次で供給する。
【0030】
ｍ本のデータ線４のそれぞれはＹ１方向に延在し、ｍ本のデータ線４はＸ１方向に等間隔で並ぶ。ｍ本のデータ線４のそれぞれは、対応する複数のトランジスター１のソース領域に電気的に接続される。ｍ本のデータ線４は、図１に示すデータ線駆動回路７に電気的に接続される。
データ線駆動回路７は、１～ｍ本のデータ線４に、画像信号Ｅ１、Ｅ２、…、およびＥｍを、供給する。
データ線駆動回路７は、１～ｍ本のデータ線４に、画像信号Ｅ１、Ｅ２、…、およびＥｍを、供給する。
【0031】
ｎ本の走査線３とｍ本のデータ線４とは、互いに電気的に絶縁されており、平面視において格子状に配置される。隣り合う２つの走査線３と隣り合う２つのデータ線４とで囲まれる領域が画素Ｐに対応する。
画素Ｐ毎に画素電極１０が設けられる。画素電極１０は、トランジスター１のドレイン領域に電気的に接続される。
画素Ｐ毎に画素電極１０が設けられる。画素電極１０は、トランジスター１のドレイン領域に電気的に接続される。
【0032】
ｍ本の容量線５のそれぞれはＹ１方向に延在し、ｍ本の容量線５はＸ１方向に等間隔で並ぶ。また、ｍ本の容量線５は、ｍ本のデータ線４およびｎ本の走査線３に対して電気的に絶縁されており、これらに対して間隔をもって配置される。各容量線５には、共通電位またはグランド電位などの固定電位が、外部端子９を介して印加される。
【0033】
容量素子２の一方の電極は、容量線５に電気的に接続される。容量素子２の他方の電極は、画素電極１０に電気的に接続され、画素電極１０に供給される画像信号の電位を保持する。
【0034】
１．３．素子基板の表示領域の断面構造
図４は、素子基板１００の表示領域Ａ１の断面構造を示す説明図であり、表示領域Ａ１に設けられた画素Ｐの複数画素分の断面構造を示す。
図４に示すように、表示領域Ａ１において、素子基板１００は、絶縁性または導電性の機能層または機能膜が基体９０上に積み重なった断面構造を有する。
図４は、素子基板１００の表示領域Ａ１の断面構造を示す説明図であり、表示領域Ａ１に設けられた画素Ｐの複数画素分の断面構造を示す。
図４に示すように、表示領域Ａ１において、素子基板１００は、絶縁性または導電性の機能層または機能膜が基体９０上に積み重なった断面構造を有する。
【0035】
基体９０と層間絶縁層８２との間には、遮光層８０が配置される。
遮光層８０は、遮光性を有する導電材料で形成される。なお、導電性の機能層または機能膜に、遮光性を有する導電材料を用いることで、導電性の機能層または機能膜を遮光層として機能させることができる。
遮光性を有する導電材料としては、例えば、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、鉄（Ｆｅ）、およびアルミニウム（ＡＬ）などの金属、金属窒化物ならびに金属シリサイドなどの金属材料を用いることができる。以下、同様である。なお、「遮光性」とは、可視光に対する遮光性を意味し、好ましくは、可視光の透過率が５０％未満であることをいい、より好ましくは、１０％以下であることをいう。
遮光層８０は、走査線３の一部を構成する。
遮光層８０は、遮光性を有する導電材料で形成される。なお、導電性の機能層または機能膜に、遮光性を有する導電材料を用いることで、導電性の機能層または機能膜を遮光層として機能させることができる。
遮光性を有する導電材料としては、例えば、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、鉄（Ｆｅ）、およびアルミニウム（ＡＬ）などの金属、金属窒化物ならびに金属シリサイドなどの金属材料を用いることができる。以下、同様である。なお、「遮光性」とは、可視光に対する遮光性を意味し、好ましくは、可視光の透過率が５０％未満であることをいい、より好ましくは、１０％以下であることをいう。
遮光層８０は、走査線３の一部を構成する。
【0036】
層間絶縁層８２は、透光性および絶縁性を有する。層間絶縁層８２は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ2）などの無機材料によって形成される。以下、各層間絶縁層は、層間絶縁層８２と同様の材料で形成される。
層間絶縁層８２上には、トランジスター１が設けられる。
層間絶縁層８２上には、トランジスター１が設けられる。
【0037】
トランジスター１は、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有する半導体層７０と、ゲート電極７４と、ゲート絶縁層７２とを有する。
半導体層７０上には、ゲート絶縁層７２を介して、ゲート電極７４が設けられる。ゲート電極７４は、半導体層７０のチャネル領域に重なる。
半導体層７０上には、ゲート絶縁層７２を介して、ゲート電極７４が設けられる。ゲート電極７４は、半導体層７０のチャネル領域に重なる。
【0038】
ゲート電極７４は、例えば、導電性を高める不純物がドープされたポリシリコンを用いて形成される。なお、ゲート電極７４は、金属、金属シリサイド、および金属化合物の導電性を有する材料を用いて形成されてもよい。
【0039】
ゲート絶縁層７２は、例えば、熱酸化またはＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法などで成膜される酸化シリコンで構成される。
ゲート電極７４と遮光層８０との間は、コンタクトホール８１を介して電気的に接続される。コンタクトホール８１は、ゲート絶縁層７２および層間絶縁層８２を貫通する。
ゲート電極７４と遮光層８０との間は、コンタクトホール８１を介して電気的に接続される。コンタクトホール８１は、ゲート絶縁層７２および層間絶縁層８２を貫通する。
【0040】
トランジスター１上には、層間絶縁層７６が設けられる。
層間絶縁層７６上には、導電層６０と中継層６２とが設けられる。
導電層６０と中継層６２とは、同層に設けられ、遮光性の導電材料で形成される。導電層６０と中継層６２とは、窒化チタン、アルミニウム、および窒化チタンの３層構造とすることが好ましい。
層間絶縁層７６上には、導電層６０と中継層６２とが設けられる。
導電層６０と中継層６２とは、同層に設けられ、遮光性の導電材料で形成される。導電層６０と中継層６２とは、窒化チタン、アルミニウム、および窒化チタンの３層構造とすることが好ましい。
【0041】
導電層６０は、データ線４の一部を構成する。導電層６０は、層間絶縁層７６を貫通するコンタクトホール７３を介して、半導体層７０のソース領域に電気的に接続される。
中継層６２は、層間絶縁層７６を貫通するコンタクトホール７１を介して、半導体層７０のドレイン領域に電気的に接続される。
中継層６２は、層間絶縁層７６を貫通するコンタクトホール７１を介して、半導体層７０のドレイン領域に電気的に接続される。
【0042】
層間絶縁層７６、導電層６０、および中継層６２上には、層間絶縁層６４が設けられる。
層間絶縁層６４上には、中継層５２が設けられる。中継層５２は、それぞれ遮光性の導電材料で形成される。
中継層５２は、層間絶縁層６４を貫通するコンタクトホール６１を介して、中継層６２に電気的に接続される。
層間絶縁層６４上には、中継層５２が設けられる。中継層５２は、それぞれ遮光性の導電材料で形成される。
中継層５２は、層間絶縁層６４を貫通するコンタクトホール６１を介して、中継層６２に電気的に接続される。
【0043】
層間絶縁層６４および中継層５２上には、層間絶縁層５４が設けられる。
層間絶縁層５４上には、容量素子２が設けられる。
容量素子２は、基体９０側に設けられた容量電極５０、画素電極１０側に設けられた容量電極４０、および容量電極４０と容量電極５０との間に設けられた容量絶縁膜５６を有する。容量電極４０および容量電極５０は、いずれも遮光性の導電材料で形成される。容量絶縁膜５６は、所望の誘電体材料で形成される。
層間絶縁層５４上には、容量素子２が設けられる。
容量素子２は、基体９０側に設けられた容量電極５０、画素電極１０側に設けられた容量電極４０、および容量電極４０と容量電極５０との間に設けられた容量絶縁膜５６を有する。容量電極４０および容量電極５０は、いずれも遮光性の導電材料で形成される。容量絶縁膜５６は、所望の誘電体材料で形成される。
【0044】
容量電極５０は、容量線５の一部を構成する。
容量電極４０は、層間絶縁層５４を貫通するコンタクトホール５１を介して、中継層５２に電気的に接続される。これによって、容量電極４０は、トランジスター１のドレイン領域に電気的に接続され、トランジスター１と画素電極１０とを電気的に接続する中継層として機能する。また、容量電極４０に画素電極１０に供給される画像信号が供給され、容量電極５０に容量線５から固定電位が供給されることで、容量素子２は、保持容量として機能する。
容量電極４０は、層間絶縁層５４を貫通するコンタクトホール５１を介して、中継層５２に電気的に接続される。これによって、容量電極４０は、トランジスター１のドレイン領域に電気的に接続され、トランジスター１と画素電極１０とを電気的に接続する中継層として機能する。また、容量電極４０に画素電極１０に供給される画像信号が供給され、容量電極５０に容量線５から固定電位が供給されることで、容量素子２は、保持容量として機能する。
【0045】
容量電極４０と画素電極１０との間には、レンズ形成層３５を含む光学機能層ＬＳが設けられる。なお、本実施形態において、レンズ形成層３５は、第１レンズ形成層の一例である。
光学機能層ＬＳは、光量ロスを抑制するために設けられる。具体的には、画素電極１０を通過した通過光が、データ線４や容量線５などの遮光性を有する導電材料で形成された機能層に当たってロスとならないように、通過光の光路を調整する。
光学機能層ＬＳは、透光層４２、レンズ形成層３５、透光層２２、および保護層２４を含む。
光学機能層ＬＳは、光量ロスを抑制するために設けられる。具体的には、画素電極１０を通過した通過光が、データ線４や容量線５などの遮光性を有する導電材料で形成された機能層に当たってロスとならないように、通過光の光路を調整する。
光学機能層ＬＳは、透光層４２、レンズ形成層３５、透光層２２、および保護層２４を含む。
【0046】
透光層４２は、光路長を調整するためのパス層と称せられる光路長調整層である。透光層４２は、酸化シリコンなどの無機材料によって形成される。透光層４２の上面は、ＣＭＰなどによって平坦化されている。
【0047】
レンズ形成層３５は、レンズ層３４と透光層３６とを含む。
レンズ層３４は、透光層３６と屈折率の異なる無機材料、例えば酸窒化ケイ素（ＳｉＯＮ）によって形成される。レンズ層３４は、画素電極１０側の面に、所定の形状のレンズ面３４ｓを有する。本実施形態において、所定の形状は、画素電極１０側に突出した凸形状である。レンズ面３４ｓは、レンズ層３４の上面をエッチングすることによって形成される。なお、本実施形態において、レンズ面３４ｓは、第１レンズの一例である。
レンズ層３４は、透光層３６と屈折率の異なる無機材料、例えば酸窒化ケイ素（ＳｉＯＮ）によって形成される。レンズ層３４は、画素電極１０側の面に、所定の形状のレンズ面３４ｓを有する。本実施形態において、所定の形状は、画素電極１０側に突出した凸形状である。レンズ面３４ｓは、レンズ層３４の上面をエッチングすることによって形成される。なお、本実施形態において、レンズ面３４ｓは、第１レンズの一例である。
【0048】
透光層３６は、レンズ層３４上に形成される。透光層３６は、透光層４２と同様に、酸化シリコンなどの無機材料によって形成される。酸化シリコンをレンズ面３４ｓ上に成膜した後、ＣＭＰなどによって平坦化することで、透光層３６が形成される。
【0049】
透光層２２は、透光層３６上に設けられる。
透光層２２は、光路長調整層であり、透光層４２と同様に酸化シリコンなどの無機材料によって形成される。
透光層２２は、光路長調整層であり、透光層４２と同様に酸化シリコンなどの無機材料によって形成される。
【0050】
保護層２４は、透光層２２上に設けられる。保護層２４は、例えば、ＢＳＧ（Borosilicate Glass）などの透光性および吸湿性を有する無機材料で構成される。
保護層２４上に、画素電極１０が設けられる。画素電極１０上には、配向膜１２が設けられる。
保護層２４上に、画素電極１０が設けられる。画素電極１０上には、配向膜１２が設けられる。
【0051】
画素電極１０と容量電極４０とは、コンタクトプラグ２１、中継層２０、コンタクトプラグ３１、中継層３０、およびコンタクトプラグ４１を介して、電気的に接続される。これによって、画素電極１０は、容量電極４０を介して、トランジスター１のドレイン領域に電気的に接続される。なお、本実施形態において、中継層３０は、第１中継電極の一例である。また、コンタクトプラグ３１は、第１導電部材の一例である。また、中継層２０は、第３中継電極の一例である。
【0052】
画素電極１０と中継層２０との間には、保護層２４および透光層２２を貫通するコンタクトホール２３が設けられる。
コンタクトホール２３は、画素電極１０とコンタクトプラグ３１とを電気的に接続するために設けられる。コンタクトホール２３内には、画素コンタクトプラグと称される導電部材としてのコンタクトプラグ２１が設けられる。コンタクトプラグ２１は、タングステンなどの遮光性の導電材料によって形成される。
コンタクトホール２３は、画素電極１０とコンタクトプラグ３１とを電気的に接続するために設けられる。コンタクトホール２３内には、画素コンタクトプラグと称される導電部材としてのコンタクトプラグ２１が設けられる。コンタクトプラグ２１は、タングステンなどの遮光性の導電材料によって形成される。
【0053】
中継層２０は、透光層２２と透光層３６との間に設けられる。コンタクトプラグ２１にタングステンを用いる場合、中継層２０は、タングステンと良好な導通が取れる材料、例えば、窒化チタンなどで形成することが好ましい。
【0054】
コンタクトプラグ３１は、レンズ形成層３５を貫通するコンタクトホール３３内に設けられる。換言すると、レンズ形成層３５は、コンタクトホール３３を有する。なお、本実施形態において、コンタクトホール３３は、第１コンタクトホールの一例である。
【0055】
長さＬ１は、コンタクトホール３３の深さ、もしくは、レンズ形成層３５の層厚を示す。また、長さＤ１は、コンタクトホール３３の内径を示し、画素電極１０寄りの位置での内径を示す。
【0056】
コンタクトプラグ３１は、コンタクトプラグ２１と中継層３０とを電気的に接続する。コンタクトプラグ３１は、遮光性の導電材料によって形成される。本実施形態において、コンタクトプラグ３１は、タングステンまたはタングステンを含む導電材料によって形成される。
【0057】
タングステンは、他の導電材料に比べて、高アスペクト比で微細な構造のコンタクトプラグを形成するのに適している。したがって、コンタクトプラグ３１の材料にタングステンまたはタングステンを含む導電材料を用いることで、コンタクトプラグ３１の加工の難易度を下げることができる。
【0058】
中継層３０は、透光層４２とレンズ層３４との間に設けられる。中継層３０は、コンタクトプラグ３１の材料としてタングステンを用いる場合、タングステンと良好な導通が取れる材料、例えば、窒化チタンなどによって形成することが好ましい。
【0059】
中継層３０と容量電極４０との間には、透光層４２を貫通するコンタクトホール４３が設けられる。
コンタクトホール４３は、中継層３０と容量電極４０とを電気的に接続するために設けられ、コンタクトホール４３内には、導電部材としてのコンタクトプラグ４１が設けられる。コンタクトプラグ４１は、タングステンなどの遮光性の導電材料によって形成される。
コンタクトホール４３は、中継層３０と容量電極４０とを電気的に接続するために設けられ、コンタクトホール４３内には、導電部材としてのコンタクトプラグ４１が設けられる。コンタクトプラグ４１は、タングステンなどの遮光性の導電材料によって形成される。
【0060】
１．４．素子基板の周辺領域の断面構造
図５は、素子基板１００の周辺領域Ａ２の断面構造を示す説明図であり、特に、周辺領域Ａ２に設けられた基板間導通電極１５の断面構造を示す。
図５に示すように、周辺領域Ａ２において、素子基板１００は、表示領域Ａ１と同様に、絶縁性または導電性の機能層または機能膜が基体９０上に積み重なった断面構造を有する。
図５は、素子基板１００の周辺領域Ａ２の断面構造を示す説明図であり、特に、周辺領域Ａ２に設けられた基板間導通電極１５の断面構造を示す。
図５に示すように、周辺領域Ａ２において、素子基板１００は、表示領域Ａ１と同様に、絶縁性または導電性の機能層または機能膜が基体９０上に積み重なった断面構造を有する。
【0061】
基体９０上には、遮光層１８０が設けられる。
遮光層１８０は、表示領域Ａ１の遮光層８０と同層に設けられ、且つ、同じ工程および同一ないし同様の材料で形成される。
遮光層１８０は、表示領域Ａ１の遮光層８０と同層に設けられ、且つ、同じ工程および同一ないし同様の材料で形成される。
【0062】
同様に、周辺領域Ａ２の各構成は、表示領域Ａ１の対応する構成と同層に設けられ、且つ、同じ工程および同一ないし同様の材料で形成される。
具体的には、層間絶縁層１８２および層間絶縁層８２、ゲート絶縁層１７２およびゲート絶縁層７２、層間絶縁層１７６および層間絶縁層７６、層間絶縁層１６４および層間絶縁層６４、ならびに層間絶縁層１５４および層間絶縁層５４は、それぞれ同層に設けられ、且つ、同一ないし同様の材料および同じ工程で形成される。また、透光層１４２および透光層４２、レンズ層１３４およびレンズ層３４、透光層１３６および透光層３６、透光層１２２および透光層２２、ならびに保護層１２４および保護層２４は、それぞれ同層に設けられ、且つ、同一ないし同様の材料および同じ工程で形成される。
具体的には、層間絶縁層１８２および層間絶縁層８２、ゲート絶縁層１７２およびゲート絶縁層７２、層間絶縁層１７６および層間絶縁層７６、層間絶縁層１６４および層間絶縁層６４、ならびに層間絶縁層１５４および層間絶縁層５４は、それぞれ同層に設けられ、且つ、同一ないし同様の材料および同じ工程で形成される。また、透光層１４２および透光層４２、レンズ層１３４およびレンズ層３４、透光層１３６および透光層３６、透光層１２２および透光層２２、ならびに保護層１２４および保護層２４は、それぞれ同層に設けられ、且つ、同一ないし同様の材料および同じ工程で形成される。
【0063】
ここで、光学機能層ＬＳは、周辺領域Ａ２において、透光層１４２、レンズ形成層１３５、透光層１２２、および保護層１２４を含み、レンズ形成層１３５は、レンズ面１３４ｓを有するレンズ層１３４と透光層１３６とを含む。レンズ面１３４ｓは、レンズ面３４ｓと同じ所定の形状を有する。なお、本実施形態において、レンズ形成層１３５は、第２レンズ形成層の一例であり、レンズ面１３４ｓは、第２レンズの一例である。
【0064】
また、導電層１６０および導電層６０、中継層１５２および中継層５２、導電層１５０および容量電極５０、絶縁膜１５６および容量絶縁膜５６、中継層１４０および容量電極４０、中継層１３０および中継層３０、中継層１２０および中継層２０、ならびに基板間導通電極１５および画素電極１０は、それぞれ同層に設けられ、且つ、同一ないし同様の材料および同じ工程で形成される。なお、本実施形態において、中継層１３０は、第２中継電極の一例である。また、中継層１２０は、第４中継電極の一例である。
【0065】
本実施形態において、基板間導通電極１５および画素電極１０、中継層１２０および中継層２０、中継層１３０および中継層３０、中継層１４０および容量電極４０、絶縁膜１５６および容量絶縁膜５６、導電層１５０および容量電極５０、ならびに中継層１５２および中継層５２は、それぞれ同一ないし同様の形および同一ないし同様の大きさに形成される。また、導電層１６０は、連続して設けられる。
【0066】
また、コンタクトホール１２３およびコンタクトホール２３、コンタクトホール１３３およびコンタクトホール３３、コンタクトホール１４３およびコンタクトホール４３、コンタクトホール１５１およびコンタクトホール５１、ならびにコンタクトホール１６１およびコンタクトホール６１は、それぞれ同層、同一ないし同様の径、および同一ないし同様の深さに設けられ、且つ、同じ工程で形成される。なお、本実施形態において、コンタクトホール１３３は、第２コンタクトホールの一例である。
【0067】
また、長さＬ２は、コンタクトホール１３３の深さ、もしくは、レンズ形成層１３５の層厚を示す。長さＬ２は、長さＬ１と同一ないし同様の値である。
また、長さＤ２は、コンタクトホール１３３の内径を示し、基板間導通電極１５寄りの位置での内径を示す。長さＤ２は、長さＤ１と同一ないし同様の値である。
また、長さＤ２は、コンタクトホール１３３の内径を示し、基板間導通電極１５寄りの位置での内径を示す。長さＤ２は、長さＤ１と同一ないし同様の値である。
【0068】
また、コンタクトプラグ１２１およびコンタクトプラグ２１、コンタクトプラグ１３１およびコンタクトプラグ３１、ならびにコンタクトプラグ１４１およびコンタクトプラグ４１は、それぞれ同層に設けられ、且つ、同一ないし同様の材料および同じ工程で形成される。なお、本実施形態において、コンタクトプラグ１３１は、第２導電部材の一例である。
【0069】
基板間導通電極１５と導電層１６０とは、コンタクトプラグ１２１、中継層１２０、コンタクトプラグ１３１、中継層１３０、コンタクトプラグ１４１、中継層１４０、コンタクトホール１５１、中継層１５２、およびコンタクトホール１６１を介して、電気的に接続される。また、導電層１６０は、図示しない導電層および導通部材を介して、外部端子９に電気的に接続され、共通電位またはグランド電位などの固定電位が印加される。
【0070】
本実施形態において、基板間導通電極１５と平面視で重なる領域に、トランジスター１が設けられていないが、トランジスター１を設けてもよい。
また、外部端子９、検査端子１６、およびモニター端子１７も、基板間導通電極１５と同様に形成される。すなわち、外部端子９、検査端子１６、およびモニター端子１７と、基体９０と、の間には、レンズ面１３４ｓを有するレンズ層１３４を含むレンズ形成層１３５が設けられる。
また、外部端子９、検査端子１６、およびモニター端子１７も、基板間導通電極１５と同様に形成される。すなわち、外部端子９、検査端子１６、およびモニター端子１７と、基体９０と、の間には、レンズ面１３４ｓを有するレンズ層１３４を含むレンズ形成層１３５が設けられる。
【0071】
１．５．素子基板の表示領域の平面構造
図６は、素子基板１００の表示領域Ａ１の一部を示す平面図であり、素子基板１００の表示領域Ａ１を、液晶層Ｌｃ側からＺ２方向に平面視した際の表示領域Ａ１の平面構造を示す。なお、詳しくは後述するが、周辺領域Ａ２において、基板間導通電極１５などの周辺電極が設けられる領域も同様の平面構造を有する。
図６は、素子基板１００の表示領域Ａ１の一部を示す平面図であり、素子基板１００の表示領域Ａ１を、液晶層Ｌｃ側からＺ２方向に平面視した際の表示領域Ａ１の平面構造を示す。なお、詳しくは後述するが、周辺領域Ａ２において、基板間導通電極１５などの周辺電極が設けられる領域も同様の平面構造を有する。
【0072】
図６では、画素電極１０の外縁を実線で示し、画素電極１０よりも基体９０側に設けられた光学機能層ＬＳに含まれる構成の外縁を破線で示した。また、レンズ面３４ｓの曲面形状を二点鎖線の２重円で示し、隣り合う２つのレンズ面３４ｓ同士が接する境界を境界線３４ｂで示した。
【0073】
図６に示すように、画素電極１０は、所定のサイズを有し、形状は、正方形である。また、画素電極１０は、Ｘ軸およびＹ軸に沿って所定のピッチでマトリクス状に配置される。
本実施形態において、画素電極１０の所定のサイズは、縦横の長さがそれぞれ約６μｍであり、所定のピッチは、約７μｍである。なお、前述した画素電極１０の所定のサイズおよび所定のピッチは、例示であって、適宜、変更してもよい。また、画素電極１０の所定のサイズは、第１のサイズに対応する。
本実施形態において、画素電極１０の所定のサイズは、縦横の長さがそれぞれ約６μｍであり、所定のピッチは、約７μｍである。なお、前述した画素電極１０の所定のサイズおよび所定のピッチは、例示であって、適宜、変更してもよい。また、画素電極１０の所定のサイズは、第１のサイズに対応する。
【0074】
レンズ面３４ｓは、画素電極１０毎に設けられる。レンズ面３４ｓは、所定のサイズを有し、画素電極１０と同一ないし同様の所定のピッチで設けられる。
本実施形態において、レンズ面３４ｓの所定のサイズは、縦横の長さがそれぞれ約７μｍであり、所定のピッチは、約７μｍである。なお、前述したレンズ面３４ｓの所定のサイズおよび所定のピッチは、例示であって、適宜、変更してもよい。
本実施形態において、レンズ面３４ｓの所定のサイズは、縦横の長さがそれぞれ約７μｍであり、所定のピッチは、約７μｍである。なお、前述したレンズ面３４ｓの所定のサイズおよび所定のピッチは、例示であって、適宜、変更してもよい。
【0075】
隣り合う画素電極１０の間は、遮光領域であり、画素電極１０の中心側は、光が透過する開口領域である。遮光領域には、コンタクトプラグ２１、コンタクトプラグ３１、中継層３０、容量電極４０が設けられる。また、遮光領域には、図示しないトランジスター１、ゲート電極７４、走査線３、データ線４、および容量線５などが設けられている。
【0076】
コンタクトプラグ２１は、画素電極１０と重なる位置、本実施形態では画素電極１０の四隅のうちの図面左下の角と重なる位置に設けられる。
コンタクトホール２３は、平面視において、コンタクトホール３３と重ならない位置に設けられる。このようにコンタクトホール２３をコンタクトホール３３と重ならない位置に設けた場合、コンタクトホール２３を、コンタクトホール３３と重なる位置に設けた場合よりも、コンタクトホール２３上の画素電極１０の成膜性を向上させることができる。
コンタクトホール２３は、平面視において、コンタクトホール３３と重ならない位置に設けられる。このようにコンタクトホール２３をコンタクトホール３３と重ならない位置に設けた場合、コンタクトホール２３を、コンタクトホール３３と重なる位置に設けた場合よりも、コンタクトホール２３上の画素電極１０の成膜性を向上させることができる。
【0077】
コンタクトホール３３およびコンタクトプラグ３１は、平面視において、隣り合う４つの画素電極１０の各角に囲まれた隙間に設けられる。
複数のコンタクトプラグ３１は、所定のピッチで配置される。本実施形態において、所定のピッチは、約７μｍである。なお、前述したコンタクトプラグ３１の所定のピッチは、例示であって、適宜、変更してもよい。
複数のコンタクトプラグ３１は、所定のピッチで配置される。本実施形態において、所定のピッチは、約７μｍである。なお、前述したコンタクトプラグ３１の所定のピッチは、例示であって、適宜、変更してもよい。
【0078】
中継層３０は、平面視において、コンタクトホール３３およびコンタクトプラグ３１と重なる位置に設けられる。中継層３０は、所定のサイズを有し、形状は、正方形である。
本実施形態において、中継層３０のサイズは、縦横の長さが約２μｍである。なお、前述した中継層３０の所定のサイズは、例示であって、適宜、変更してもよい。また、中継層３０の所定のサイズは、第３のサイズに対応する。
本実施形態において、中継層３０のサイズは、縦横の長さが約２μｍである。なお、前述した中継層３０の所定のサイズは、例示であって、適宜、変更してもよい。また、中継層３０の所定のサイズは、第３のサイズに対応する。
【0079】
コンタクトプラグ４１は、コンタクトホール３３およびコンタクトプラグ３１と重なる位置に設けられる。本実施形態において、コンタクトプラグ４１は、コンタクトプラグ３１と、平面視において、ほとんど全部が重なる。
【0080】
容量電極４０は、平面視において、中継層３０、コンタクトプラグ４１、コンタクトホール４３、コンタクトプラグ３１、コンタクトホール３３、コンタクトプラグ２１、およびコンタクトホール２３と重なる位置に設けられる。
容量電極４０は、幅広部４０ｗと、幅広部４０ｗからＹ１方向に沿って突出する突出部４０ａと、幅広部４０ｗからＸ１方向に沿って突出する突出部４０ｂと、を有する。幅広部４０ｗは、平面視において、中継層３０の全部と重なる大きさおよび形状を有する。
容量電極４０は、幅広部４０ｗと、幅広部４０ｗからＹ１方向に沿って突出する突出部４０ａと、幅広部４０ｗからＸ１方向に沿って突出する突出部４０ｂと、を有する。幅広部４０ｗは、平面視において、中継層３０の全部と重なる大きさおよび形状を有する。
【0081】
本実施形態において、コンタクトホール２３、コンタクトホール３３、およびコンタクトホール４３と、コンタクトプラグ２１、コンタクトプラグ３１、およびコンタクトプラグ４１との形状を、平面視において、それぞれ矩形としたが、これに限定されず、例えば円形であってもよい。
【0082】
１．６．素子基板の周辺領域の平面構造
周辺領域Ａ２において、周辺電極が設けられる領域は、図６と同様の平面構造を有する。換言すると、図６の表示領域Ａ１の構成の符号を周辺領域Ａ２の対応する構成の符号に置き換えると、周辺領域Ａ２の周辺電極が設けられる領域の平面図となる。
周辺領域Ａ２において、周辺電極が設けられる領域は、図６と同様の平面構造を有する。換言すると、図６の表示領域Ａ１の構成の符号を周辺領域Ａ２の対応する構成の符号に置き換えると、周辺領域Ａ２の周辺電極が設けられる領域の平面図となる。
【0083】
具体的には、画素電極１０は、基板間導通電極１５、外部端子９、検査端子１６、またはモニター端子１７、に置き換えればよい。
また、同様に、中継層２０は中継層１２０に、中継層３０は中継層１３０に、および容量電極４０は中継層１４０に、それぞれ置き換えればよい。また、コンタクトプラグ２１はコンタクトプラグ１２１に、コンタクトプラグ３１はコンタクトプラグ１３１に、およびコンタクトプラグ４１はコンタクトプラグ１４１に、それぞれ置き換えればよい。また、コンタクトホール２３はコンタクトホール１２３に、コンタクトホール３３はコンタクトホール１３３に、およびコンタクトホール４３はコンタクトホール１４３に、それぞれ置き換えればよい。また、レンズ面３４ｓは、レンズ面１３４ｓに、置き換えればよい。
また、同様に、中継層２０は中継層１２０に、中継層３０は中継層１３０に、および容量電極４０は中継層１４０に、それぞれ置き換えればよい。また、コンタクトプラグ２１はコンタクトプラグ１２１に、コンタクトプラグ３１はコンタクトプラグ１３１に、およびコンタクトプラグ４１はコンタクトプラグ１４１に、それぞれ置き換えればよい。また、コンタクトホール２３はコンタクトホール１２３に、コンタクトホール３３はコンタクトホール１３３に、およびコンタクトホール４３はコンタクトホール１４３に、それぞれ置き換えればよい。また、レンズ面３４ｓは、レンズ面１３４ｓに、置き換えればよい。
【0084】
基板間導通電極１５は、画素電極１０と同様に所定のサイズを有し、形状も同様に正方形である。また、基板間導通電極１５は、画素電極１０と同様に、Ｘ軸およびＹ軸に沿って所定のピッチでマトリクス状に配置される。
本実施形態において、基板間導通電極１５の所定のサイズは、縦横の長さがそれぞれ約６μｍであり、所定のピッチは、約７μｍである。なお、前述した基板間導通電極１５の所定のサイズおよび所定のピッチは、例示であって、適宜、変更してもよい。
本実施形態において、基板間導通電極１５の所定のサイズは、縦横の長さがそれぞれ約６μｍであり、所定のピッチは、約７μｍである。なお、前述した基板間導通電極１５の所定のサイズおよび所定のピッチは、例示であって、適宜、変更してもよい。
【0085】
コンタクトホール１３３およびコンタクトプラグ１３１は、コンタクトホール３３およびコンタクトプラグ３１と同様に、平面視において、隣り合う４つの基板間導通電極１５の各角に囲まれた隙間に設けられる。
【0086】
複数のコンタクトプラグ１３１は、複数のコンタクトプラグ３１と同様に、所定のピッチで配置される。
本実施形態において、複数のコンタクトプラグ１３１の所定のピッチは、複数のコンタクトプラグ３１の所定のピッチと同様に、約７μｍである。なお、前述したコンタクトプラグ１３１の所定のピッチは、例示であって、適宜、変更してもよい。
本実施形態において、複数のコンタクトプラグ１３１の所定のピッチは、複数のコンタクトプラグ３１の所定のピッチと同様に、約７μｍである。なお、前述したコンタクトプラグ１３１の所定のピッチは、例示であって、適宜、変更してもよい。
【0087】
外部端子９、検査端子１６、およびモニター端子１７も、前述した基板間導通電極１５と同様に構成される。
【0088】
【0089】
透光層２２および保護層２４との合計の層厚は、約０．３μｍから約１μｍであり、好適には、約０．５μｍである。
コンタクトホール２３は、逆四角錐台の形状を有し、透光層２２および保護層２４を貫通して、コンタクトホール２３の底に、中継層２０を露出する。
コンタクトホール２３は、逆四角錐台の形状を有し、透光層２２および保護層２４を貫通して、コンタクトホール２３の底に、中継層２０を露出する。
【0090】
コンタクトホール２３の内径は、約１μｍである。コンタクトホール２３の深さは、透光層２２および保護層２４との合計の層厚と同様に、約０．３μｍから約１μｍであり、好適には、約０．５μｍである。
したがって、コンタクトホール２３のアスペクト比＝深さ／内径は、約０．３以上約１以下であり、好適には、約０．５である。
したがって、コンタクトホール２３のアスペクト比＝深さ／内径は、約０．３以上約１以下であり、好適には、約０．５である。
【0091】
レンズ形成層３５の層厚Ｌ１は、約３μｍから約１３μｍであり、好適には、約７μｍである。
コンタクトホール３３は、逆四角錐台の形状を有し、レンズ形成層３５を貫通して、コンタクトホール３３の底に、中継層３０を露出する。
コンタクトホール３３は、逆四角錐台の形状を有し、レンズ形成層３５を貫通して、コンタクトホール３３の底に、中継層３０を露出する。
【0092】
コンタクトホール３３の内径Ｄ１は、約１μｍである。また、コンタクトホール３３の深さＬ１は、レンズ形成層３５と同様に、約３μｍから約１３μｍであり、好適には、約７μｍである。
したがって、コンタクトホール３３のアスペクト比＝深さＬ１／内径Ｄ１は、約３以上約１３以下であり、好適には、約７である。本実施形態において、コンタクトホール３３のアスペクト比が、所定のアスペクト比に対応する。
したがって、コンタクトホール３３のアスペクト比＝深さＬ１／内径Ｄ１は、約３以上約１３以下であり、好適には、約７である。本実施形態において、コンタクトホール３３のアスペクト比が、所定のアスペクト比に対応する。
【0093】
透光層４２の層厚は、約３μｍから約１０μｍであり、好適には、約５μｍである。
コンタクトホール４３は逆四角錐台の形状を有し、透光層４２を貫通して、コンタクトホール４３の底に、容量電極４０を露出する。
コンタクトホール４３は逆四角錐台の形状を有し、透光層４２を貫通して、コンタクトホール４３の底に、容量電極４０を露出する。
【0094】
コンタクトホール４３の内径は、約１μｍである。また、コンタクトホール４３の深さは、透光層４２と同様に、約３μｍから約１０μｍであり、好適には、約５μｍである。
したがって、コンタクトホール４３のアスペクト比＝深さ／内径は、約３以上約１０以下であり、好適には、約５である。
したがって、コンタクトホール４３のアスペクト比＝深さ／内径は、約３以上約１０以下であり、好適には、約５である。
【0095】
本実施形態において、レンズ形成層３５は、透光層４２以上の層厚を有するように形成される。また、レンズ形成層３５の層厚は、他の層間絶縁層よりも厚い。
したがって、コンタクトホール３３は、他の層に設けられたコンタクトホールと比べて、最も高アスペクト比のコンタクトホールである。
したがって、コンタクトホール３３は、他の層に設けられたコンタクトホールと比べて、最も高アスペクト比のコンタクトホールである。
【0096】
１．８．素子基板の周辺領域の光学機能層の断面構造
周辺領域Ａ２において、周辺電極が設けられる領域は、図７と同様の断面構造を有する。換言すると、図７の表示領域Ａ１の構成の符号を周辺領域Ａ２の対応する構成の符号に置き換えると、周辺領域Ａ２の周辺電極が設けられる領域の断面図となる。
周辺領域Ａ２において、周辺電極が設けられる領域は、図７と同様の断面構造を有する。換言すると、図７の表示領域Ａ１の構成の符号を周辺領域Ａ２の対応する構成の符号に置き換えると、周辺領域Ａ２の周辺電極が設けられる領域の断面図となる。
【0097】
具体的には、透光層４２は透光層１４２に、レンズ層３４はレンズ層１３４に、透光層３６は透光層１３６に、透光層２２は透光層１２２に、および保護層２４は保護層１２４に、それぞれ置き換えればよい。
【0098】
透光層１２２および保護層１２４の合計の層厚は、透光層２２および保護層２４と同様である。
コンタクトホール１２３の形状は、コンタクトホール２３と同様に、逆四角錐台である。
コンタクトホール１２３の形状は、コンタクトホール２３と同様に、逆四角錐台である。
【0099】
コンタクトホール１２３の内径は、コンタクトホール２３と同様に、約１μｍである。また、コンタクトホール１２３の深さは、コンタクトホール２３と同様に、約０．３μｍから約１μｍである。
したがって、コンタクトホール１２３のアスペクト比＝深さ／内径は、コンタクトホール２３と同様に、約０．３以上約１以下であり、好適には、約０．５である。
したがって、コンタクトホール１２３のアスペクト比＝深さ／内径は、コンタクトホール２３と同様に、約０．３以上約１以下であり、好適には、約０．５である。
【0100】
レンズ形成層１３５の層厚Ｌ２は、レンズ形成層３５と同様に、約３μｍから約１３μｍであり、好適には、約７μｍである。
コンタクトホール１３３の形状は、コンタクトホール３３と同様に、逆四角錐台である。
コンタクトホール１３３の形状は、コンタクトホール３３と同様に、逆四角錐台である。
【0101】
コンタクトホール１３３の内径Ｄ２は、コンタクトホール３３の内径Ｄ１と同様に、約１μｍである。また、コンタクトホール１３３の深さＬ２は、コンタクトホール３３の深さＬ１と同様に、約３μｍから約１３μｍであり、好適には、約７μｍである。
したがって、コンタクトホール１３３のアスペクト比＝深さＬ２／内径Ｄ２は、コンタクトホール３３と同様に、約３以上約１３以下であり、好適には、約７である。本実施形態において、コンタクトホール１３３のアスペクト比が、所定のアスペクト比に対応する。
したがって、コンタクトホール１３３のアスペクト比＝深さＬ２／内径Ｄ２は、コンタクトホール３３と同様に、約３以上約１３以下であり、好適には、約７である。本実施形態において、コンタクトホール１３３のアスペクト比が、所定のアスペクト比に対応する。
【0102】
透光層１４２の層厚は、透光層４２と同様に、約３μｍから約１０μｍであり、好適には、約５μｍである。
コンタクトホール１４３の形状は、コンタクトホール４３と同様に、逆四角錐台である。
コンタクトホール１４３の形状は、コンタクトホール４３と同様に、逆四角錐台である。
【0103】
コンタクトホール１４３の内径は、コンタクトホール４３と同様に、約１μｍである。また、コンタクトホール１４３の深さは、コンタクトホール４３と同様に、約３μｍから約１０μｍであり、好適には、約５μｍである。
したがって、コンタクトホール１４３のアスペクト比＝深さ／内径は、コンタクトホール４３と同様に、約３以上約１０以下であり、好適には、約５である。
したがって、コンタクトホール１４３のアスペクト比＝深さ／内径は、コンタクトホール４３と同様に、約３以上約１０以下であり、好適には、約５である。
【0104】
本実施形態において、レンズ形成層１３５は、レンズ形成層３５と同様に、透光層１４２以上の層厚を有するように形成される。また、レンズ形成層１３５の層厚は、レンズ形成層３５と同様に、他の層間絶縁層よりも厚い。
したがって、コンタクトホール１３３は、コンタクトホール３３と同様に、他の層に設けられたコンタクトホールと比べて、最も高アスペクト比のコンタクトホールである。
したがって、コンタクトホール１３３は、コンタクトホール３３と同様に、他の層に設けられたコンタクトホールと比べて、最も高アスペクト比のコンタクトホールである。
【0105】
１．９．変形例
前述した素子基板１００の周辺領域Ａ２の断面構造の実施形態は多様に変形され得る。具体的な変形の態様を、以下に例示する。
前述した素子基板１００の周辺領域Ａ２の断面構造の実施形態は多様に変形され得る。具体的な変形の態様を、以下に例示する。
【0106】
１．９．１．変形例１
図８は、変形例１に係る周辺領域Ａ２の断面構造を示す説明図であり、図５に示した素子基板１００の周辺領域Ａ２の断面構造の変形例を示す。図８は、特に、基板間導通電極１５の断面構造を示す。
変形例１では、基板間導通電極１５とそれと重なる各導電層の形状が、図５に示した例と異なる。
図８は、変形例１に係る周辺領域Ａ２の断面構造を示す説明図であり、図５に示した素子基板１００の周辺領域Ａ２の断面構造の変形例を示す。図８は、特に、基板間導通電極１５の断面構造を示す。
変形例１では、基板間導通電極１５とそれと重なる各導電層の形状が、図５に示した例と異なる。
【0107】
変形例１において、基板間導通電極１５は、連続して設けられる。具体的には、図５に示した基板間導通電極１５が、複数個繋がって１つの基板間導通電極１５を形成する。換言すると、変形例１において、基板間導通電極１５は、画素電極１０の平面視の大きさを第１のサイズとすると、第１のサイズよりも大きい第２のサイズを有する。
変形例１において、第２のサイズは、各対角線の長さが約６００μｍの多角形である。なお、前述した基板間導通電極１５の第２のサイズは、例示であって、適宜、変更してもよい。
変形例１において、第２のサイズは、各対角線の長さが約６００μｍの多角形である。なお、前述した基板間導通電極１５の第２のサイズは、例示であって、適宜、変更してもよい。
【0108】
同様に、中継層１２０、中継層１３０、中継層１４０、導電層１５０、中継層１５２、導電層１６０、および絶縁膜１５６も連続して設けられる。
変形例１において、中継層１３０は、中継層３０の平面視の大きさを第３のサイズとすると、第３のサイズよりも大きい第４のサイズを有する。変形例１において、第４のサイズは、上述した基板間導通電極１５の第２のサイズとほぼ同じである。
変形例１において、中継層１３０は、中継層３０の平面視の大きさを第３のサイズとすると、第３のサイズよりも大きい第４のサイズを有する。変形例１において、第４のサイズは、上述した基板間導通電極１５の第２のサイズとほぼ同じである。
【0109】
変形例１において、外部端子９、検査端子１６、およびモニター端子１７などの他の周辺電極における断面構造も同様に構成される。
具体的には、外部端子９は、連続して設けられる。換言すると、変形例１において、外部端子９は、画素電極１０の平面視の大きさを第１のサイズとすると、第１のサイズよりも大きい第２のサイズを有する。
変形例１において、外部端子９の第２のサイズは、縦の長さが約５００μｍ、横の長さが４０μｍの矩形である。なお、前述した外部端子９の第２のサイズは、例示であって、適宜、変更してもよい。
具体的には、外部端子９は、連続して設けられる。換言すると、変形例１において、外部端子９は、画素電極１０の平面視の大きさを第１のサイズとすると、第１のサイズよりも大きい第２のサイズを有する。
変形例１において、外部端子９の第２のサイズは、縦の長さが約５００μｍ、横の長さが４０μｍの矩形である。なお、前述した外部端子９の第２のサイズは、例示であって、適宜、変更してもよい。
【0110】
検査端子１６は、連続して設けられる。換言すると、変形例１において、検査端子１６は、画素電極１０の平面視の大きさを第１のサイズとすると、第１のサイズよりも大きい第２のサイズを有する。
変形例１において、検査端子１６の第２のサイズは、縦横の長さがそれぞれ約１５０μｍの矩形である。なお、前述した検査端子１６の第２のサイズは、例示であって、適宜、変更してもよい。
変形例１において、検査端子１６の第２のサイズは、縦横の長さがそれぞれ約１５０μｍの矩形である。なお、前述した検査端子１６の第２のサイズは、例示であって、適宜、変更してもよい。
【0111】
モニター端子１７は、連続して設けられる。換言すると、変形例１において、モニター端子１７は、画素電極１０の平面視の大きさを第１のサイズとすると、第１のサイズよりも大きい第２のサイズを有する。
変形例１において、モニター端子１７の第２のサイズは、縦横の長さがそれぞれ約１００μｍの矩形である。なお、前述したモニター端子１７の第２のサイズは、例示であって、適宜、変更してもよい。
変形例１において、モニター端子１７の第２のサイズは、縦横の長さがそれぞれ約１００μｍの矩形である。なお、前述したモニター端子１７の第２のサイズは、例示であって、適宜、変更してもよい。
【0112】
１．９．２．変形例２
図９は、変形例２に係る断面構造を示す説明図であり、図５に示した素子基板１００の周辺領域Ａ２の断面構造の変形例を示す。図９は、特に、基板間導通電極１５の断面構造を示す。
変形例２では、レンズ形成層１３５の構成が、図８に示した変形例１の断面構造と異なる。
図９は、変形例２に係る断面構造を示す説明図であり、図５に示した素子基板１００の周辺領域Ａ２の断面構造の変形例を示す。図９は、特に、基板間導通電極１５の断面構造を示す。
変形例２では、レンズ形成層１３５の構成が、図８に示した変形例１の断面構造と異なる。
【0113】
変形例２において、レンズ形成層１３５は、基体９０側に設けられた透光層１３２と透光層１３２上に設けられたレンズ層１３４とを含む。
変形例２において、レンズ層１３４は、基板間導通電極１５側の面に、中央が凹んだ凹形状のレンズ面１３４ｓを有する。なお、図示しないが、変形例２では、表示領域Ａ１のレンズ形成層３５も同様の断面構造を有する。
変形例２において、レンズ層１３４は、基板間導通電極１５側の面に、中央が凹んだ凹形状のレンズ面１３４ｓを有する。なお、図示しないが、変形例２では、表示領域Ａ１のレンズ形成層３５も同様の断面構造を有する。
【0114】
変形例２において、基板間導通電極１５、中継層１３０、中継層１４０などは、変形例１と同様に、連続して設けられる。なお、基板間導通電極１５、中継層１３０、中継層１４０などは、図５の例と同様に画素毎に分割された構造であってもよい。
【0115】
【0116】
アライメントマーク１８は、導電層１６０と同層に設けられ、導電層１６０と同一ないし同様の材料および同じ工程で形成される。本実施形態において、アライメントマーク１８は、窒化チタン、アルミニウム、および窒化チタンの３層構造とすることが好ましい。
【0117】
アライメントマーク１８と平面視で重なるレンズ形成層１３５は、レンズ面１３４ｓを有さない。したがって、レンズ面１３４ｓが設けられている場合よりも、アライメントマーク１８の読み取りの確実性を向上させることができる。
【0118】
変形例３では、アライメントマーク１８と平面視で重なるレンズ層１３４は、凹部１３４ｃを有する。
【0119】
【0120】
変形例４は、変形例３と、アライメントマーク１８と平面視で重なるレンズ形成層１３５に、レンズ面１３４ｓを有する点で異なる。
変形例４の構成は、アライメントマーク１８の読み取りの確実性が変形例３よりも低下する。しかし、レンズ形成層１３５の全域にレンズ面１３４ｓが形成されるため、表示領域Ａ１と周辺領域Ａ２とにおいて、レンズ形成層３５とレンズ形成層１３５とを同一ないし同様の構造とすることができる。したがって、コンタクトホール３３とコンタクトホール１３３との加工の難易度を下げることができる。
変形例４の構成は、アライメントマーク１８の読み取りの確実性が変形例３よりも低下する。しかし、レンズ形成層１３５の全域にレンズ面１３４ｓが形成されるため、表示領域Ａ１と周辺領域Ａ２とにおいて、レンズ形成層３５とレンズ形成層１３５とを同一ないし同様の構造とすることができる。したがって、コンタクトホール３３とコンタクトホール１３３との加工の難易度を下げることができる。
【0121】
【0122】
変形例５は、変形例３と同様に、アライメントマーク１８と平面視で重なるレンズ形成層１３５に、レンズ面１３４ｓを有さないが、アライメントマーク１８と平面視で重なるレンズ形成層１３５に、凹部１３４ｃを有さない点で異なる。
【0123】
【0124】
変形例６は、特に、周辺領域Ａ２のレンズ形成層１３５において、基板間導通電極１５と平面視で重なる領域のみにレンズ面１３４ｓを設けている点、および、アライメントマーク１８と平面視で重なるレンズ形成層１３５に、凹部１３４ｃを有さない点で異なる。
【0125】
図示しないが、変形例６において、レンズ面１３４ｓは、基板間導通電極１５、外部端子９、検査端子１６、またはモニター端子１７などのその他の周辺電極と平面視で重なる領域のみに設けられる。
【0126】
【0127】
変形例７は、図１１Ｃに示した変形例６と同様に、特に、周辺領域Ａ２のレンズ形成層１３５において、基板間導通電極１５と平面視で重なる領域のみにレンズ面１３４ｓが設けられている点で、変形例３と異なる。なお、変形例７では、レンズ層１３４は、アライメントマーク１８と平面視で重なる領域に、凹部１３４ｃを有する。
【0128】
以上、述べたとおり、本実施形態の電気光学装置としての液晶装置３００によれば、以下の効果を得ることができる。
本実施形態の液晶装置３００は、第１基板としての基体９０と、基体９０に対向する第２基板としての基体２１０と、基体９０と基体２１０との間に設けられた電気光学層としての液晶層Ｌｃと、を備え、基体９０は、表示領域Ａ１に設けられた画素電極１０と、周辺領域Ａ２に設けられた周辺電極としての基板間導通電極１５、外部端子９、検査端子１６、またはモニター端子１７と、画素電極１０と基体９０との間に設けられたトランジスター１と、画素電極１０とトランジスター１との間に設けられた第１中継電極としての中継層３０と、基板間導通電極１５、外部端子９、検査端子１６、またはモニター端子１７と基体９０との間に設けられ、中継層３０と同層の第２中継電極としての中継層１３０と、画素電極１０と中継層３０との間に設けられ、第１レンズとしてのレンズ面３４ｓと第１コンタクトホールとしてのコンタクトホール３３とを有する第１レンズ形成層としてのレンズ形成層３５と、基板間導通電極１５、外部端子９、検査端子１６、またはモニター端子１７と中継層１３０との間に設けられ、第２レンズとしてのレンズ面１３４ｓと第２コンタクトホールとしてのコンタクトホール１３３とを有し、レンズ形成層３５と同層の第２レンズ形成層としてのレンズ形成層１３５と、コンタクトホール３３内に設けられ、画素電極１０と中継層３０とを電気的に接続する第１導電部材としてのコンタクトプラグ３１と、コンタクトホール１３３内に設けられ、基板間導通電極１５、外部端子９、検査端子１６、またはモニター端子１７と中継層１３０とを電気的に接続する第２導電部材としてのコンタクトプラグ１３１と、を有する。
本実施形態の液晶装置３００は、第１基板としての基体９０と、基体９０に対向する第２基板としての基体２１０と、基体９０と基体２１０との間に設けられた電気光学層としての液晶層Ｌｃと、を備え、基体９０は、表示領域Ａ１に設けられた画素電極１０と、周辺領域Ａ２に設けられた周辺電極としての基板間導通電極１５、外部端子９、検査端子１６、またはモニター端子１７と、画素電極１０と基体９０との間に設けられたトランジスター１と、画素電極１０とトランジスター１との間に設けられた第１中継電極としての中継層３０と、基板間導通電極１５、外部端子９、検査端子１６、またはモニター端子１７と基体９０との間に設けられ、中継層３０と同層の第２中継電極としての中継層１３０と、画素電極１０と中継層３０との間に設けられ、第１レンズとしてのレンズ面３４ｓと第１コンタクトホールとしてのコンタクトホール３３とを有する第１レンズ形成層としてのレンズ形成層３５と、基板間導通電極１５、外部端子９、検査端子１６、またはモニター端子１７と中継層１３０との間に設けられ、第２レンズとしてのレンズ面１３４ｓと第２コンタクトホールとしてのコンタクトホール１３３とを有し、レンズ形成層３５と同層の第２レンズ形成層としてのレンズ形成層１３５と、コンタクトホール３３内に設けられ、画素電極１０と中継層３０とを電気的に接続する第１導電部材としてのコンタクトプラグ３１と、コンタクトホール１３３内に設けられ、基板間導通電極１５、外部端子９、検査端子１６、またはモニター端子１７と中継層１３０とを電気的に接続する第２導電部材としてのコンタクトプラグ１３１と、を有する。
【0129】
このように、表示領域Ａ１の画素電極１０と中継層３０との間において、レンズ形成層３５は、レンズ面３４ｓを有し、周辺領域Ａ２の基板間導通電極１５、外部端子９、検査端子１６、またはモニター端子１７と中継層１３０との間において、レンズ形成層１３５は、レンズ面１３４ｓを有する。換言すると、平面視において、画素電極１０と重なるレンズ形成層３５の構造と、基板間導通電極１５、外部端子９、検査端子１６、またはモニター端子１７と重なるレンズ形成層１３５の構造と、を同一ないし同様の構造とすることができる。
【0130】
したがって、コンタクトホール３３とコンタクトホール１３３との加工の難易度を下げることができる。換言すると、コンタクトホール３３とコンタクトホール１３３とのプロセスウィンドウが確保しやすくなる。
【0131】
よって、画素電極１０と中継層３０との間の電気的導通の信頼性と、基板間導通電極１５、外部端子９、検査端子１６、またはモニター端子１７などの周辺電極と中継層１３０との間の電気的導通の信頼性と、を両立することができる。
さらには、表示領域Ａ１と周辺領域Ａ２とにおけるグローバル段差が緩和される。したがって、画素電極１０、基板間導通電極１５、外部端子９、検査端子１６、およびモニター端子１７などの各電極の高さが揃うため、検査工程などで、電極にプローブを接触させる制御が容易になり、検査工程の効率化や信頼性を向上させることができる。
さらには、表示領域Ａ１と周辺領域Ａ２とにおけるグローバル段差が緩和される。したがって、画素電極１０、基板間導通電極１５、外部端子９、検査端子１６、およびモニター端子１７などの各電極の高さが揃うため、検査工程などで、電極にプローブを接触させる制御が容易になり、検査工程の効率化や信頼性を向上させることができる。
【0132】
本実施形態の液晶装置３００は、さらに、第１レンズとしてのレンズ面３４ｓと第２レンズとしてのレンズ面１３４ｓとは、それぞれ所定のピッチで配置される。換言すると、レンズ面１３４ｓは、レンズ面３４ｓと同一ないし同様のピッチで配置される。
【0133】
したがって、表示領域Ａ１と周辺領域Ａ２とにおいて、レンズ形成層３５とレンズ形成層１３５とを同一ないし同様の構造とすることができるため、コンタクトホール３３とコンタクトホール１３３との加工の難易度を下げることができる。
【0134】
よって、画素電極１０と中継層３０との間の電気的導通の信頼性と、基板間導通電極１５、外部端子９、検査端子１６、またはモニター端子１７などの周辺電極と中継層１３０との間の電気的導通の信頼性と、を両立することができる。
さらには、表示領域Ａ１と周辺領域Ａ２とにおけるグローバル段差が緩和される。
さらには、表示領域Ａ１と周辺領域Ａ２とにおけるグローバル段差が緩和される。
【0135】
本実施形態の液晶装置３００は、さらに、第１レンズとしてのレンズ面３４ｓと第２レンズとしてのレンズ面１３４ｓとは、それぞれ所定のサイズを有する。換言すると、レンズ面１３４ｓは、レンズ面３４ｓと同一ないし同様のサイズを有する。
【0136】
したがって、表示領域Ａ１と周辺領域Ａ２とにおいて、レンズ形成層３５とレンズ形成層１３５とを同一ないし同様の構造とすることができるため、コンタクトホール３３とコンタクトホール１３３との加工の難易度を下げることができる。
【0137】
よって、画素電極１０と中継層３０との間の電気的導通の信頼性と、基板間導通電極１５、外部端子９、検査端子１６、またはモニター端子１７などの周辺電極と中継層１３０との間の電気的導通の信頼性と、を両立することができる。
さらには、表示領域Ａ１と周辺領域Ａ２とにおけるグローバル段差が緩和される。
さらには、表示領域Ａ１と周辺領域Ａ２とにおけるグローバル段差が緩和される。
【0138】
本実施形態の液晶装置３００は、さらに、第１レンズとしてのレンズ面３４ｓと第２レンズとしてのレンズ面１３４ｓとは、所定の形状を有する。換言すると、レンズ面１３４ｓは、レンズ面３４ｓと同一ないし同様のサイズを有する。
【0139】
したがって、表示領域Ａ１と周辺領域Ａ２とにおいて、レンズ形成層３５とレンズ形成層１３５とを同一ないし同様の構造とすることができるため、コンタクトホール３３とコンタクトホール１３３との加工の難易度を下げることができる。
【0140】
よって、画素電極１０と中継層３０との間の電気的導通の信頼性と、基板間導通電極１５、外部端子９、検査端子１６、またはモニター端子１７などの周辺電極と中継層１３０との間の電気的導通の信頼性と、を両立することができる。
さらには、表示領域Ａ１と周辺領域Ａ２とにおけるグローバル段差が緩和される。
さらには、表示領域Ａ１と周辺領域Ａ２とにおけるグローバル段差が緩和される。
【0141】
本実施形態の液晶装置３００は、さらに、第１導電部材としてのコンタクトプラグ３１と第２導電部材としてのコンタクトプラグ１３１とは、それぞれ所定のピッチで配置される。換言すると、コンタクトプラグ１３１は、コンタクトプラグ３１と同一ないし同様のピッチで配置される。
【0142】
したがって、表示領域Ａ１と周辺領域Ａ２とにおいて、レンズ形成層３５とレンズ形成層１３５とを同一ないし同様の構造とすることができるため、コンタクトホール３３とコンタクトホール１３３との加工の難易度を下げることができる。
【0143】
よって、画素電極１０と中継層３０との間の電気的導通の信頼性と、基板間導通電極１５、外部端子９、検査端子１６、またはモニター端子１７などの周辺電極と中継層１３０との間の電気的導通の信頼性と、を両立することができる。
さらには、表示領域Ａ１と周辺領域Ａ２とにおけるグローバル段差が緩和される。
さらには、表示領域Ａ１と周辺領域Ａ２とにおけるグローバル段差が緩和される。
【0144】
本実施形態の液晶装置３００は、さらに、第１コンタクトホールとしてのコンタクトホール３３と第２コンタクトホールとしてのコンタクトホール１３３とは、それぞれ所定のアスペクト比を有する。換言すると、コンタクトホール１３３は、コンタクトホール３３と同一ないし同様の所定のアスペクト比を有する。
【0145】
したがって、表示領域Ａ１と周辺領域Ａ２とにおいて、レンズ形成層３５とレンズ形成層１３５とを同一ないし同様の構造とすることができるため、コンタクトホール３３とコンタクトホール１３３との加工の難易度を下げることができる。
【0146】
よって、画素電極１０と中継層３０との間の電気的導通の信頼性と、基板間導通電極１５、外部端子９、検査端子１６、またはモニター端子１７などの周辺電極と中継層１３０との間の電気的導通の信頼性と、を両立することができる。
さらには、表示領域Ａ１と周辺領域Ａ２とにおけるグローバル段差が緩和される。
さらには、表示領域Ａ１と周辺領域Ａ２とにおけるグローバル段差が緩和される。
【0147】
本実施形態の液晶装置３００は、さらに、所定のアスペクト比は、３以上１３以下である。
【0148】
したがって、それぞれが同一ないし同様の高アスペクト比を有するコンタクトホール３３とコンタクトホール１３３との加工の難易度を下げることができる。
【0149】
よって、画素電極１０と中継層３０との間の電気的導通の信頼性と、基板間導通電極１５、外部端子９、検査端子１６、またはモニター端子１７などの周辺電極と中継層１３０との間の電気的導通の信頼性と、を両立することができる。
さらには、表示領域Ａ１と周辺領域Ａ２とにおけるグローバル段差が緩和される。
さらには、表示領域Ａ１と周辺領域Ａ２とにおけるグローバル段差が緩和される。
【0150】
本実施形態の液晶装置３００は、さらに、第１基板としての基体９０は、周辺領域Ａ２において、第２レンズ形成層としてのレンズ形成層１３５と基体９０との間に設けられた光学読み取りマークとしてのアライメントマーク１８と、を有し、アライメントマーク１８は、平面視で、第２レンズとしてのレンズ面１３４ｓと重ならない。
【0151】
したがって、アライメントマーク１８の読み取りが容易となり、検査工程しやすくなる。コンタクトホール３３とコンタクトホール１３３との加工の難易度をさらに下げることができる。
【0152】
よって、画素電極１０と中継層３０との間の電気的導通の信頼性と、基板間導通電極１５、外部端子９、検査端子１６、またはモニター端子１７などの周辺電極と中継層１３０との間の電気的導通の信頼性と、を両立することができる。
【0153】
本実施形態の液晶装置３００は、さらに、画素電極１０は、平面視において、所定のサイズを有し、基板間導通電極１５、外部端子９、検査端子１６、またはモニター端子１７などの周辺電極は、平面視において、画素電極１０と同一ないし同様の所定のサイズを有する。
【0154】
したがって、表示領域Ａ１と周辺領域Ａ２とを同一ないし同様の構造とすることができるため、コンタクトホール３３とコンタクトホール１３３との加工の難易度を下げることができる。
【0155】
よって、画素電極１０と中継層３０との間の電気的導通の信頼性と、基板間導通電極１５、外部端子９、検査端子１６、またはモニター端子１７などの周辺電極と中継層１３０との間の電気的導通の信頼性と、を両立することができる。
さらには、表示領域Ａ１と周辺領域Ａ２とにおけるグローバル段差が緩和される。
さらには、表示領域Ａ１と周辺領域Ａ２とにおけるグローバル段差が緩和される。
【0156】
本実施形態の液晶装置３００において、さらに、画素電極１０は、平面視において、第１のサイズを有し、周辺電極としての基板間導通電極１５、外部端子９、検査端子１６、またはモニター端子１７は、平面視において、第１のサイズより大きい第２のサイズを有する。
【0157】
したがって、画素電極１０と中継層３０との間の電気的導通の信頼性と、基板間導通電極１５、外部端子９、検査端子１６、またはモニター端子１７などの周辺電極と中継層１３０との間の電気的導通の信頼性と、を両立することができる。
【0158】
本実施形態の液晶装置３００において、さらに、第１中継電極としての中継層３０は、平面視において、第３のサイズを有し、第２中継電極としての中継層１３０は、平面視において、第３のサイズよりも大きい第４のサイズを有する。
【0159】
したがって、画素電極１０と中継層３０との間の電気的導通の信頼性と、基板間導通電極１５、外部端子９、検査端子１６、またはモニター端子１７などの周辺電極と中継層１３０との間の電気的導通の信頼性と、を両立することができる。
【0160】
本実施形態の液晶装置３００は、さらに、第１導電部材としてのコンタクトプラグ３１と第２導電部材としてのコンタクトプラグ１３１とは、タングステンまたはタングステンを含む導電材料からなる。
【0161】
タングステンは、他の導電材料に比べて、高アスペクト比で微細な構造のコンタクトプラグを形成するのに適している。したがって、コンタクトプラグ３１とコンタクトプラグ１３１とに、タングステンまたはタングステンを含む導電材料を用いることで、コンタクトプラグ３１とコンタクトプラグ１３１との加工の難易度を下げることができる。
【0162】
よって、画素電極１０と中継層３０との間の電気的導通の信頼性と、基板間導通電極１５、外部端子９、検査端子１６、またはモニター端子１７などの周辺電極と中継層１３０との間の電気的導通の信頼性と、を両立することができる。
【0163】
本実施形態の液晶装置３００は、さらに、周辺電極は、第１基板としての基体９０と第２基板としての基体２１０との間を電気的に接続する基板間導通電極１５である。
したがって、画素電極１０と中継層３０との間の電気的導通の信頼性と、基板間導通電極１５と中継層１３０との間の電気的導通の信頼性と、を両立することができる。
したがって、画素電極１０と中継層３０との間の電気的導通の信頼性と、基板間導通電極１５と中継層１３０との間の電気的導通の信頼性と、を両立することができる。
【0164】
本実施形態の液晶装置３００は、さらに、周辺電極は、外部端子９である。
したがって、画素電極１０と中継層３０との間の電気的導通の信頼性と、外部端子９と中継層１３０との間の電気的導通の信頼性と、を両立することができる。
したがって、画素電極１０と中継層３０との間の電気的導通の信頼性と、外部端子９と中継層１３０との間の電気的導通の信頼性と、を両立することができる。
【0165】
本実施形態の液晶装置３００は、さらに、周辺電極は、検査端子１６である。
したがって、画素電極１０と中継層３０との間の電気的導通の信頼性と、検査端子１６と中継層１３０との間の電気的導通の信頼性と、を両立することができる。
したがって、画素電極１０と中継層３０との間の電気的導通の信頼性と、検査端子１６と中継層１３０との間の電気的導通の信頼性と、を両立することができる。
【0166】
本実施形態の液晶装置３００は、さらに、周辺電極は、モニター端子１７である。
したがって、画素電極１０と中継層３０との間の電気的導通の信頼性と、モニター端子１７と中継層１３０との間の電気的導通の信頼性と、を両立することができる。
したがって、画素電極１０と中継層３０との間の電気的導通の信頼性と、モニター端子１７と中継層１３０との間の電気的導通の信頼性と、を両立することができる。
【0167】
本実施形態の液晶装置３００は、第１基板としての基体９０と、基体９０に対向する第２基板としての基体２１０と、基体９０と基体２１０との間に設けられた電気光学層としての液晶層Ｌｃと、を備え、基体９０は、表示領域Ａ１に設けられた画素電極１０と、周辺領域Ａ２に設けられた周辺電極としての基板間導通電極１５、外部端子９、検査端子１６、またはモニター端子１７と、画素電極１０と基体９０との間に設けられたトランジスター１と、画素電極１０とトランジスター１との間に設けられた第１中継電極としての中継層３０と、基板間導通電極１５、外部端子９、検査端子１６、またはモニター端子１７と基体９０との間に設けられ、中継層３０と同層の第２中継電極としての中継層１３０と、画素電極１０と中継層３０との間に設けられた第３中継電極としての中継層２０と、基板間導通電極１５、外部端子９、検査端子１６、またはモニター端子１７と中継層１３０との間に設けられ、中継層２０と同層の第４中継電極としての中継層１２０と、中継層２０と中継層３０との間に設けられ、第１レンズとしてのレンズ面３４ｓと第１コンタクトホールとしてのコンタクトホール３３とを有する第１レンズ形成層としてのレンズ形成層３５と、中継層１２０と中継層１３０との間に設けられ、第２レンズとしてのレンズ面１３４ｓと第２コンタクトホールとしてのコンタクトホール１３３とを有し、レンズ形成層３５と同層の第２レンズ形成層としてのレンズ形成層１３５と、コンタクトホール３３内に設けられ、画素電極１０と中継層３０とを電気的に接続する第１導電部材としてのコンタクトプラグ３１と、コンタクトホール１３３内に設けられ、基板間導通電極１５、外部端子９、検査端子１６、またはモニター端子１７と中継層１３０とを電気的に接続する第２導電部材としてのコンタクトプラグ１３１と、を有する。
【0168】
このように、表示領域Ａ１の中継層２０と中継層３０との間において、レンズ形成層３５は、レンズ面３４ｓを有し、周辺領域Ａ２の中継層１２０と中継層１３０との間において、レンズ形成層１３５は、レンズ面１３４ｓを有する。換言すると、平面視において、画素電極１０と重なるレンズ形成層３５の構造と、基板間導通電極１５、外部端子９、検査端子１６、またはモニター端子１７と重なるレンズ形成層１３５の構造と、を同一ないし同様の構造とすることができる。
【0169】
したがって、コンタクトホール３３とコンタクトホール１３３との加工の難易度を下げることができる。換言すると、コンタクトホール３３とコンタクトホール１３３とのプロセスウィンドウが確保しやすくなる。
【0170】
よって、画素電極１０と中継層３０との間の電気的導通の信頼性と、基板間導通電極１５、外部端子９、検査端子１６、またはモニター端子１７などの周辺電極と中継層１３０との間の電気的導通の信頼性と、を両立することができる。
さらには、表示領域Ａ１と周辺領域Ａ２とにおけるグローバル段差が緩和される。
さらには、表示領域Ａ１と周辺領域Ａ２とにおけるグローバル段差が緩和される。
【0171】
２．実施形態２
実施形態２に係る電気光学装置としての液晶装置３００の概略構成について、図１２および図１３を参照して説明する。
図１２は、実施形態２に係る液晶装置３００において、素子基板１００の表示領域Ａ１の断面構造を示す説明図である。図１３は、実施形態２に係る液晶装置３００において、素子基板１００の周辺領域Ａ２の断面構造を示す説明図である。
実施形態２に係る電気光学装置としての液晶装置３００の概略構成について、図１２および図１３を参照して説明する。
図１２は、実施形態２に係る液晶装置３００において、素子基板１００の表示領域Ａ１の断面構造を示す説明図である。図１３は、実施形態２に係る液晶装置３００において、素子基板１００の周辺領域Ａ２の断面構造を示す説明図である。
【0172】
実施形態２は、光学機能層ＬＳに中継層２０および中継層１２０ならびに中継層３０および中継層１３０を有さない点で実施形態１と異なる。なお、実施形態１と同一ないし同様の構成には、同じ符号を付して、説明を省略する。
【0173】
２．１．素子基板の表示領域の断面構造
図１２に示すように、実施形態２は、光学機能層ＬＳに中継層２０および中継層３０を有さない。したがって、コンタクトホール３３は、保護層２４、透光層２２、透光層３６、レンズ層３４、および透光層４２を貫通し、コンタクトホール３３の底に、容量電極４０を露出する。
図１２に示すように、実施形態２は、光学機能層ＬＳに中継層２０および中継層３０を有さない。したがって、コンタクトホール３３は、保護層２４、透光層２２、透光層３６、レンズ層３４、および透光層４２を貫通し、コンタクトホール３３の底に、容量電極４０を露出する。
【0174】
実施形態２において、容量電極４０は、第１中継電極の一例である。また、コンタクトホール３３は、第１コンタクトホールの一例である。また、レンズ形成層３５は、第１レンズ形成層の一例である。
【0175】
実施形態２において、コンタクトホール３３の深さＬ３は、約３．３～２１μｍであり、好適には、１２．５μｍである。また、コンタクトホール３３の内径Ｄ３は、約１μｍである。したがって、コンタクトホール３３のアスペクト比＝深さＬ３／内径Ｄ３は、約３.３～２１であり、好適には、１２．５である。
【0176】
２．２．素子基板の周辺領域の断面構造
図１３に示すように、実施形態２では、光学機能層ＬＳに中継層１２０および中継層１３０を有さない。したがって、コンタクトホール１３３は、保護層１２４、透光層１２２、透光層１３６、レンズ層１３４、および透光層１４２を貫通し、コンタクトホール１３３の底に、中継層１４０を露出する。
図１３に示すように、実施形態２では、光学機能層ＬＳに中継層１２０および中継層１３０を有さない。したがって、コンタクトホール１３３は、保護層１２４、透光層１２２、透光層１３６、レンズ層１３４、および透光層１４２を貫通し、コンタクトホール１３３の底に、中継層１４０を露出する。
【0177】
実施形態２において、中継層１４０は、第２中継電極の一例である。コンタクトホール１３３は、第２コンタクトホールの一例である。レンズ形成層１３５は、第２レンズ形成層の一例である。
【0178】
実施形態２において、コンタクトホール１３３の深さＬ４は、コンタクトホール３３の深さＬ３と同様に、約３．３～２１μｍであり、好適には、１２．５μｍである。また、コンタクトホール１３３の内径Ｄ４は、コンタクトホール３３の内径Ｄ４と同様に、約１μｍである。
したがって、コンタクトホール１３３のアスペクト比＝深さＬ４／内径Ｄ４は、コンタクトホール３３のアスペクト比と同様に、約３.３～２１であり、好適には、１２．５である。
したがって、コンタクトホール１３３のアスペクト比＝深さＬ４／内径Ｄ４は、コンタクトホール３３のアスペクト比と同様に、約３.３～２１であり、好適には、１２．５である。
【0179】
図１３では、基板間導通電極１５における断面構造を示したが、外部端子９、検査端子１６、およびモニター端子１７などの他の周辺電極における断面構造も同様に構成される。
【0180】
２．３．変形例
実施形態２において、素子基板１００の周辺領域Ａ２の断面構造の形態は、多様に変形され得る。具体的な変形の態様を、以下に例示する。
実施形態２において、素子基板１００の周辺領域Ａ２の断面構造の形態は、多様に変形され得る。具体的な変形の態様を、以下に例示する。
【0181】
【0182】
変形例８において、基板間導通電極１５は、連続して設けられる。具体的には、図１３に示した基板間導通電極１５が、複数個繋がって１つの基板間導通電極１５を形成する。換言すると、変形例８において、基板間導通電極１５は、画素電極１０の平面視の大きさを第１のサイズとすると、第１のサイズよりも大きい第２のサイズを有する。
【0183】
同様に、中継層１４０、導電層１５０、中継層１５２、導電層１６０、および絶縁膜１５６も連続して設けられる。
変形例８において、中継層１４０は、容量電極４０の平面視の大きさを第３のサイズとすると、第３のサイズよりも大きい第４のサイズを有する。変形例８において、第４のサイズは、上述した第２のサイズとほぼ同じである。
変形例８において、中継層１４０は、容量電極４０の平面視の大きさを第３のサイズとすると、第３のサイズよりも大きい第４のサイズを有する。変形例８において、第４のサイズは、上述した第２のサイズとほぼ同じである。
【0184】
変形例８において、外部端子９、検査端子１６、およびモニター端子１７などの他の周辺電極における断面構造も同様に構成される。
【0185】
２．３．２．変形例９
上述した実施形態１，２において、基板間導通電極１５、外部端子９、検査端子１６、またはモニター端子１７などの周辺電極と画素電極１０とは、それぞれ光学機能層ＬＳ上に設けられる。
変形例９では、当該光学機能層ＬＳの構成を表示領域Ａ１と周辺領域Ａ２とで、一部、異ならせる。
上述した実施形態１，２において、基板間導通電極１５、外部端子９、検査端子１６、またはモニター端子１７などの周辺電極と画素電極１０とは、それぞれ光学機能層ＬＳ上に設けられる。
変形例９では、当該光学機能層ＬＳの構成を表示領域Ａ１と周辺領域Ａ２とで、一部、異ならせる。
【0186】
具体的には、周辺領域Ａ２は、基板間導通電極１５、外部端子９、検査端子１６、またはモニター端子１７などの周辺電極と透光層１３６との間に、透光層１２２を有さない構成とする。この構成は、例えば、透光層２２および透光層１２２を成膜した後、周辺領域Ａ２の透光層１２２のみを取り除くことで、実現できる。
【0187】
透光層１２２および透光層２２の層厚は、レンズ形成層３５およびレンズ形成層１３５に比べて薄い。したがって、このような構成としても、上述した実施形態と同様の効果を得ることができる。
【0188】
以上、述べたとおり、実施形態２の電気光学装置としての液晶装置３００によれば、実施形態１の効果に加え、以下の効果を得ることができる。
【0189】
実施形態２の液晶装置３００は、第１基板としての基体９０と、基体９０に対向する第２基板としての基体２１０と、基体９０と基体２１０との間に設けられた電気光学層としての液晶層Ｌｃと、を備え、基体９０は、表示領域Ａ１に設けられた画素電極１０と、周辺領域Ａ２に設けられた周辺電極としての基板間導通電極１５、外部端子９、検査端子１６、またはモニター端子１７と、画素電極１０と基体９０との間に設けられたトランジスター１と、画素電極１０とトランジスター１との間に設けられた第１中継電極としての容量電極４０と、基板間導通電極１５、外部端子９、検査端子１６、またはモニター端子１７と基体９０との間に設けられ、容量電極４０と同層の第２中継電極としての中継層１４０と、画素電極１０と容量電極４０との間に設けられ、第１レンズとしてのレンズ面３４ｓと第１コンタクトホールとしてのコンタクトホール３３とを有する第１レンズ形成層としてのレンズ形成層３５と、基板間導通電極１５、外部端子９、検査端子１６、またはモニター端子１７と中継層１４０との間に設けられ、第２レンズとしてのレンズ面１３４ｓと第２コンタクトホールとしてのコンタクトホール１３３とを有し、レンズ形成層３５と同層の第２レンズ形成層としてのレンズ形成層１３５と、コンタクトホール３３内に設けられ、画素電極１０と容量電極４０とを電気的に接続する第１導電部材としてのコンタクトプラグ３１と、コンタクトホール１３３内に設けられ、基板間導通電極１５、外部端子９、検査端子１６、またはモニター端子１７と中継層１４０とを電気的に接続する第２導電部材としてのコンタクトプラグ１３１と、を有する。
【0190】
このように、表示領域Ａ１の画素電極１０と容量電極４０との間において、レンズ形成層３５は、レンズ面３４ｓを有し、周辺領域Ａ２の基板間導通電極１５、外部端子９、検査端子１６、またはモニター端子１７と中継層１４０との間において、レンズ形成層１３５は、レンズ面１３４ｓを有する。換言すると、平面視において、画素電極１０と重なるレンズ形成層３５の構造と、基板間導通電極１５、外部端子９、検査端子１６、またはモニター端子１７と重なるレンズ形成層１３５の構造と、を同一ないし同様の構造とすることができる。
【0191】
したがって、コンタクトホール３３とコンタクトホール１３３との加工の難易度を下げることができる。換言すると、コンタクトホール３３とコンタクトホール１３３とのプロセスウィンドウが確保しやすくなる。
【0192】
よって、画素電極１０と容量電極４０との間の電気的導通の信頼性と、基板間導通電極１５、外部端子９、検査端子１６、またはモニター端子１７などの周辺電極と中継層１４０との間の電気的導通の信頼性と、を両立することができる。
さらには、表示領域Ａ１と周辺領域Ａ２とにおけるグローバル段差が緩和される。
さらには、表示領域Ａ１と周辺領域Ａ２とにおけるグローバル段差が緩和される。
【0193】
３．実施形態３
図１５は、電子機器の一例を示す模式図であり、電子機器としての投射型表示装置１０００の概略構成を示す模式図である。
投射型表示装置１０００は、例えば、上述した液晶装置３００を３枚備えた３板式のプロジェクターである。液晶装置３００Ｒは赤色の表示色に対応し、液晶装置３００Ｇは緑色の表示色に対応し、液晶装置３００Ｂは青色の表示色に対応する。制御部１００５は、例えばプロセッサーおよびメモリーを含み、液晶装置３００Ｒ，３００Ｇ，３００Ｂの動作を制御する。
図１５は、電子機器の一例を示す模式図であり、電子機器としての投射型表示装置１０００の概略構成を示す模式図である。
投射型表示装置１０００は、例えば、上述した液晶装置３００を３枚備えた３板式のプロジェクターである。液晶装置３００Ｒは赤色の表示色に対応し、液晶装置３００Ｇは緑色の表示色に対応し、液晶装置３００Ｂは青色の表示色に対応する。制御部１００５は、例えばプロセッサーおよびメモリーを含み、液晶装置３００Ｒ，３００Ｇ，３００Ｂの動作を制御する。
【0194】
照明光学系１００１は、光源である照明装置１００２からの出射光のうち赤色成分ＲＬを液晶装置３００Ｒに供給し、緑色成分ＧＬを液晶装置３００Ｇに供給し、青色成分ＢＬを液晶装置３００Ｂに供給する。各液晶装置３００Ｒ，３００Ｇ，３００Ｂは、照明光学系１００１から供給される各色光ＲＬ，ＧＬ，ＢＬを表示画像に応じて変調する光変調装置として機能する。
投射光学系１００３は、液晶装置３００Ｒ、液晶装置３００Ｇ、および液晶装置３００Ｂからの出射光を合成してスクリーン１００４に投射する。
投射光学系１００３は、液晶装置３００Ｒ、液晶装置３００Ｇ、および液晶装置３００Ｂからの出射光を合成してスクリーン１００４に投射する。
【0195】
以上、述べたとおり、本実施形態の電子機器としての投射型表示装置１０００は、上述した液晶装置３００を備える。
よって、電気的な信頼性の高い液晶装置３００を採用することで、投射型表示装置１０００の性能を向上させることができる。
よって、電気的な信頼性の高い液晶装置３００を採用することで、投射型表示装置１０００の性能を向上させることができる。
【0196】
なお、電子機器は、例示した３板式のプロジェクターに限定されない。例えば、単板式、２板式、または、４枚以上の液晶装置３００を備えたプロジェクターであってもよい。また、電子機器は、スマートフォン、ＰＤＡ（Personal Digital Assistants）、カメラ、テレビ、カーナビゲーション装置、パソコン、ディスプレイ、電子ペーパー、電卓、テレビ電話、およびＰＯＳ（Point of sale）、プリンター、スキャナー、複写機、ビデオプレーヤー、またはタッチパネルを備えた機器などであってもよい。
【0197】
以上、好適な実施形態について説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されない。また、本発明の各部の構成は、上述の実施形態の同様の機能を発揮する任意の構成に置換でき、また、任意の構成を付加できる。
【符号の説明】
【0198】
１…トランジスター、２…容量素子、３…走査線、４…データ線、５…容量線、６…走査線駆動回路、７…データ線駆動回路、８…シール部材、９…外部端子、１０…画素電極、１２…配向膜、１５…基板間導通電極、１６…検査端子、１７…モニター端子、１８…アライメントマーク、２０，３０…中継層、２１，３１，４１…コンタクトプラグ、２２，３６，４２…透光層、２３，３３，４３，５１，６１，７１，７３，８１…コンタクトホール、２４…保護層、３４…レンズ層、３４ｂ…境界線、３４ｓ…レンズ面、３５…レンズ形成層、４０，５０…容量電極、４０ａ，４０ｂ…突出部、４０ｗ…幅広部、５２，６２…中継層、５４，６４，７６，８２…層間絶縁層、５６…容量絶縁膜、６０…導電層、７０…半導体層、７２…ゲート絶縁層、７４…ゲート電極、８０…遮光層、９０…基体、１００…素子基板、１２０，１３０，１４０，１５２…中継層、１２１，１３１，１４１…コンタクトプラグ、１２２，１３６，１４２…透光層、１２３，１３３，１４３，１５１，１６１…コンタクトホール、１２４…保護層、１３４…レンズ層、１３４ｃ…凹部、１３４ｓ…レンズ面、１３５…レンズ形成層、１５０…導電層、１５４，１６４，１７６，１８２…層間絶縁層、１５６…絶縁膜、１６０…導電層、１７２…ゲート絶縁層、１８０…遮光層、２００…対向基板、２１０…基体、２２０…絶縁層、２３０…共通電極、２４０…配向膜、３００，３００Ｂ，３００Ｇ，３００Ｒ…液晶装置、１０００…投射型表示装置、１００１…照明光学系、１００２…照明装置、１００３…投射光学系、１００４…スクリーン、１００５…制御部、Ａ１…表示領域、Ａ２…周辺領域、Ｅ１…画像信号、Ｇ１…走査信号、ＬＳ…光学機能層、Ｌｃ…液晶層、ＩＬ…入射光、ＭＬ…変調光
【図1】
【図2】
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