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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024169094
(43)【公開日】2024-12-05
(54)【発明の名称】半導体装置および車両
(51)【国際特許分類】
H01L 23/48 20060101AFI20241128BHJP
【ＦＩ】
H01L23/48 H
【審査請求】未請求
【請求項の数】18
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023086287
(22)【出願日】2023-05-25
(71)【出願人】
【識別番号】000116024
【氏名又は名称】ローム株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100135389
【弁理士】
【氏名又は名称】臼井 尚
(72)【発明者】
【氏名】中野 昂樹
(57)【要約】
【課題】 製造時における構成要素のずれをより適切に検出することが可能な半導体装置および車両を提供する。
【解決手段】 半導体装置Ａ１０は、互いに離れて配置された第１リード３および第２リード４と、第１リード３に搭載された半導体素子１と、半導体素子１および第２リード４に対して半導体素子１の厚さ方向ｚにおける第１ｚ１側に導通接合された第１接続部材６１と、を備え、第１接続部材６１は、厚さ方向ｚ周りに回転した場合に厚さ方向ｚから視た形態が変化する第１マーク７１が形成されている。
【選択図】図３
【解決手段】 半導体装置Ａ１０は、互いに離れて配置された第１リード３および第２リード４と、第１リード３に搭載された半導体素子１と、半導体素子１および第２リード４に対して半導体素子１の厚さ方向ｚにおける第１ｚ１側に導通接合された第１接続部材６１と、を備え、第１接続部材６１は、厚さ方向ｚ周りに回転した場合に厚さ方向ｚから視た形態が変化する第１マーク７１が形成されている。
【選択図】図３
【特許請求の範囲】
【請求項1】
互いに離れて配置された第１リードおよび第２リードと、
前記第１リードに搭載された半導体素子と、
前記半導体素子および前記第２リードに対して前記半導体素子の厚さ方向における第１側に導通接合された第１接続部材と、を備え、
前記第１接続部材は、前記厚さ方向周りに回転した場合に前記厚さ方向から視た形態が変化する第１マークが形成されている、半導体装置。
前記第１リードに搭載された半導体素子と、
前記半導体素子および前記第２リードに対して前記半導体素子の厚さ方向における第１側に導通接合された第１接続部材と、を備え、
前記第１接続部材は、前記厚さ方向周りに回転した場合に前記厚さ方向から視た形態が変化する第１マークが形成されている、半導体装置。
【請求項2】
前記第１接続部材は、前記半導体素子に導通接合された第１接続部と、前記第２リードに導通接合された第２接続部と、前記第１接続部および前記第２接続部のそれぞれに繋がる第１中継部と、を有する、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項3】
前記第１マークは、前記第１中継部に配置されている、請求項２に記載の半導体装置。
【請求項4】
前記第１中継部は、前記第１接続部および前記第２接続部に対して前記厚さ方向の前記第１側に位置する平坦部を含み、
前記第１マークは、前記平坦部に配置されている、請求項３に記載の半導体装置。
前記第１マークは、前記平坦部に配置されている、請求項３に記載の半導体装置。
【請求項5】
前記平坦部は、前記厚さ方向に対して直角である、請求項４に記載の半導体装置。
【請求項6】
前記第１中継部は、前記平坦部および前記第１接続部の間に介在する傾斜部と、前記平坦部および前記第２接続部の間に介在する傾斜部と、をさらに含む、請求項４に記載の半導体装置。
【請求項7】
前記第１マークは、前記第２接続部に配置されている、請求項２に記載の半導体装置。
【請求項8】
前記第２接続部は、前記厚さ方向に対して直角である、請求項７に記載の半導体装置。
【請求項9】
前記第１マークは、前記第１接続部に配置されている、請求項２に記載の半導体装置。
【請求項10】
前記第１接続部は、前記厚さ方向に対して直角である、請求項９に記載の半導体装置。
【請求項11】
前記第１リードおよび前記第２リードと離れて配置された第３リードと、
前記半導体素子および前記第３リードに対して前記厚さ方向の前記第１側に導通接合された第２接続部材と、をさらに備え、
前記第２接続部材は、前記半導体素子の厚さ方向周りに回転した場合に前記厚さ方向から視た形態が変化する第２マークが形成されている、請求項２ないし１０のいずれかに記載の半導体装置。
前記半導体素子および前記第３リードに対して前記厚さ方向の前記第１側に導通接合された第２接続部材と、をさらに備え、
前記第２接続部材は、前記半導体素子の厚さ方向周りに回転した場合に前記厚さ方向から視た形態が変化する第２マークが形成されている、請求項２ないし１０のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項12】
前記第２接続部材は、前記半導体素子に導通接合された第３接続部と、前記第３リードに導通接合された第４接続部と、前記第３接続部および前記第４接続部のそれぞれに繋がる第２中継部と、を有する、請求項１１に記載の半導体装置。
【請求項13】
前記第２マークは、前記第２中継部に配置されている、請求項１２に記載の半導体装置。
【請求項14】
前記半導体素子は、第１電極、第２電極および第３電極を有し、
前記第１電極は、前記第１リードに導通接合されており、
前記第２電極には、前記第１接続部が導通接合されており、
前記第３電極には、前記第３接続部が導通接合されている、請求項１２に記載の半導体装置。
前記第１電極は、前記第１リードに導通接合されており、
前記第２電極には、前記第１接続部が導通接合されており、
前記第３電極には、前記第３接続部が導通接合されている、請求項１２に記載の半導体装置。
【請求項15】
前記第１電極は、ドレイン電極であり、
前記第２電極は、ソース電極であり、
前記第３電極は、ゲート電極である、請求項１４に記載の半導体装置。
前記第２電極は、ソース電極であり、
前記第３電極は、ゲート電極である、請求項１４に記載の半導体装置。
【請求項16】
前記第１接続部材のうち前記第１マークが配置された部位と、前記第２接続部材のうち前記第２マークが配置された部位とは、前記厚さ方向における位置が互いに等しい、請求項１１に記載の半導体装置。
【請求項17】
前記第１リードは、前記半導体素子が搭載されたアイランドを有し、
前記アイランドは、前記厚さ方向周りに回転した場合に前記厚さ方向から視た形態が変化する第３マークが形成されている、請求項１に記載の半導体装置。
前記アイランドは、前記厚さ方向周りに回転した場合に前記厚さ方向から視た形態が変化する第３マークが形成されている、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項18】
駆動源と、
請求項１に記載の半導体装置と、を備え、
前記半導体装置は、前記駆動源に導通している、車両。
請求項１に記載の半導体装置と、を備え、
前記半導体装置は、前記駆動源に導通している、車両。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、半導体装置および車両に関する。
【背景技術】
【0002】
従来、ダイオード、トランジスタおよびＩＣなどの半導体素子を樹脂パッケージで覆った半導体装置が知られている。特許文献１には、従来の半導体装置の一例が開示されている。特許文献１に記載の半導体装置は、半導体素子、リードおよび樹脂パッケージを備えている。この半導体装置において、半導体素子は、たとえばＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）チップである。半導体素子は、リードに接合される。リードは、半導体素子を搭載するとともに、半導体素子に導通する。樹脂パッケージは、リードの一部および半導体素子を覆っている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２００８－３００４９２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
半導体装置の製造時において、構成要素にずれが生じることは好ましくない。
【0005】
本開示は、上記事情に鑑みて考え出されたものであり、その目的は、製造時における構成要素のずれをより適切に検出することが可能な半導体装置および車両を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本開示の第１の側面によって提供される半導体装置は、互いに離れて配置された第１リードおよび第２リードと、前記第１リードに搭載された半導体素子と、前記半導体素子および前記第２リードに対して前記半導体素子の厚さ方向における第１側に導通接合された第１接続部材と、を備え、前記第１接続部材は、前記厚さ方向周りに回転した場合に前記厚さ方向から視た形態が変化する第１マークが形成されている。
【0007】
本開示の第２の側面によって提供される車両は、駆動源と、本開示の第１の側面によって提供される半導体装置と、を備え、前記半導体装置は、前記駆動源に導通している。
【発明の効果】
【0008】
本開示によれば、製造時における構成要素のずれをより適切に検出することができる。
【図面の簡単な説明】
【0009】
【発明を実施するための形態】
【0010】
本開示の半導体装置の好ましい実施の形態について、図面を参照して、以下に説明する。以下では、同一あるいは類似の構成要素に、同じ符号を付して、重複する説明を省略する。本開示における「第１」、「第２」、「第３」等の用語は、単にラベルとして用いたものであり、必ずしもそれらの対象物に順列を付することを意図していない。
【0011】
本開示において、「ある物Ａがある物Ｂに形成されている」および「ある物Ａがある物Ｂ（の）上に形成されている」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂに直接形成されていること」、および、「ある物Ａとある物Ｂとの間に他の物を介在させつつ、ある物Ａがある物Ｂに形成されていること」を含む。同様に、「ある物Ａがある物Ｂに配置されている」および「ある物Ａがある物Ｂ（の）上に配置されている」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂに直接配置されていること」、および、「ある物Ａとある物Ｂとの間に他の物を介在させつつ、ある物Ａがある物Ｂに配置されていること」を含む。同様に、「ある物Ａがある物Ｂ（の）上に位置している」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂに接して、ある物Ａがある物Ｂ（の）上に位置していること」、および、「ある物Ａとある物Ｂとの間に他の物が介在しつつ、ある物Ａがある物Ｂ（の）上に位置していること」を含む。また、「ある方向に見てある物Ａがある物Ｂに重なる」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂのすべてに重なること」、および、「ある物Ａがある物Ｂの一部に重なること」を含む。また、「ある物Ａ（の材料）がある材料Ｃを含む」とは、「ある物Ａ（の材料）がある材料Ｃからなる場合」、および、「ある物Ａ（の材料）の主成分がある材料Ｃである場合」を含む。
【0012】
図１～図６は、第１実施形態に係る半導体装置Ａ１０を示している。半導体装置Ａ１０は、半導体素子１、封止部２、第１リード３、第２リード４、第３リード５、第１接続部材６１および第２接続部材６２を備える。図示された例では、半導体装置Ａ１０は、リード挿通型のＴＯ（Transistor Outline）パッケージである。半導体装置Ａ１０のパッケージ構造は、ＴＯパッケージに限定されない。
【0013】
以下の説明では、互いに直交する厚さ方向ｚ、第１方向ｙおよび第２方向ｘを参照する。厚さ方向ｚは、半導体装置Ａ１０の半導体素子１の厚さ方向に相当する。また、「平面視」とは、厚さ方向ｚに見たときをいう。なお、第１方向ｙの第１側を第１方向ｙのｙ１側、第１方向ｙの第２側を第１方向ｙのｙ２側と称する。また、第２方向ｘの第１側を第２方向ｘのｘ１側、第２方向ｘの第２側を第２方向ｘのｘ２側と称する。また、厚さ方向ｚの第１側を厚さ方向ｚのｚ１側、厚さ方向ｚの第２側を厚さ方向ｚのｚ２側と称する。また、厚さ方向ｚのｚ１側を下方といい、厚さ方向ｚのｚ２側を上方ということがある。なお、「上」、「下」、「上方」、「下方」、「上面」および「下面」などの記載は、厚さ方向ｚにおける各部品等の相対的位置関係を示すものであり、必ずしも重力方向との関係を規定する用語ではない。
【0014】
半導体素子１は、半導体装置Ａ１０の機能中枢となるものである。半導体素子１は、第１リード３に搭載される。半導体素子１は、たとえばＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）である。この例と異なり、半導体素子１は、バイポーラトランジスタおよびＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）などの他のトランジスタであってもよいし、トランジスタではなくダイオードあるいはＩＣ（Integrated Circuit）であってもよい。半導体素子１は、たとえばケイ素（Ｓｉ）または炭化ケイ素（ＳｉＣ）を含むが、他の半導体材料（窒化ガリウムおよびダイヤモンドなど）を含んでいてもよい。
【0015】
半導体素子１は、素子主面１０ａおよび素子裏面１０ｂを有する。素子主面１０ａおよび素子裏面１０ｂは、厚さ方向ｚにおいて、互いに離間する。素子主面１０ａは、厚さ方向ｚのｚ２側（厚さ方向ｚ上方）を向き、素子裏面１０ｂは、厚さ方向ｚのｚ１側（厚さ方向ｚ下方）を向く。素子裏面１０ｂは、第１リード３に対向する。半導体素子１の厚さ（厚さ方向ｚの寸法）は、何ら限定されないが、たとえば２０μｍ以上５００μｍ以下である。半導体素子１の厚さは、素子主面１０ａと素子裏面１０ｂとの厚さ方向ｚに沿う距離に相当する。
【0016】
半導体素子１は、第１電極１１、第２電極１２および第３電極１３を有する。第１電極１１は、素子裏面１０ｂに配置される。第２電極１２および第３電極１３はそれぞれ、素子主面１０ａに配置される。半導体素子１は、第３電極１３に入力される駆動信号により、第１電極１１と第２電極１２との間が導通状態と遮断状態とで切り替わる。半導体素子１がＭＯＳＦＥＴである例において、第１電極１１は、たとえばドレイン電極であり、第２電極１２は、たとえばソース電極であり、第３電極１３は、たとえばゲート電極である。
【0017】
導電性接合材１９は、半導体素子１を接合する。導電性接合材１９は、半導体素子１と第１リード３（後述のアイランド３１）との間に介在し、これらを導通接合する。本実施形態では、半導体素子１の素子裏面１０ｂと第１リード３（後述のアイランド３１）とが対向するので、導電性接合材１９は、半導体素子１の第１電極１１と第１リード３（後述のアイランド３１）とを導通させる。導電性接合材１９は、たとえばはんだである。この例と異なり、導電性接合材１９は、金属ペースト（たとえば銀ペースト）あるいは焼結金属（たとえば焼結銀）であってもよい。
【0018】
封止部２は、半導体素子１を覆う。また、封止部２は、導電性接合材１９と、第１リード３、第２リード４、第３リード５の一部ずつと、第１接続部材６１および第２接続部材６２と、を覆う。封止部２は、電気絶縁性の樹脂材料を含む。当該樹脂材料は、何ら限定されないが、たとえばエポキシ樹脂である。封止部２の形成方法は、何ら限定されないが、たとえばモールド成形（インサート成形）である。封止部２は、樹脂主面２１、樹脂裏面２２および複数の樹脂側面２３，２４を有する。
【0019】
樹脂主面２１および樹脂裏面２２は、厚さ方向ｚにおいて互いに離間する。樹脂主面２１は、厚さ方向ｚのｚ２側（厚さ方向ｚ上方）を向き、樹脂裏面２２は、厚さ方向ｚのｚ１側（厚さ方向ｚ下方）を向く。樹脂主面２１は、厚さ方向ｚにおいて、素子主面１０ａと同じ方向を向き、樹脂裏面２２は、厚さ方向ｚにおいて素子裏面１０ｂと同じ方向を向く。封止部２の厚さ（厚さ方向ｚの寸法）は、何ら限定されないが、たとえば２５０μｍ以上７ｍｍ以下である。封止部２の厚さは、樹脂主面２１と樹脂裏面２２の厚さ方向ｚに沿う距離に相当する。
【0020】
一対の樹脂側面２３は、第１方向ｙにおいて互いに離間し、且つ互いに反対側を向く。一対の樹脂側面２３は、樹脂主面２１および樹脂裏面２２に繋がる。一対の樹脂側面２３のうちの一方（第１方向ｙのｙ１側の樹脂側面２３）から、第１リード３、第２リード４および第３リード５の各々が突き出ている。
【0021】
一対の樹脂側面２４は、第２方向ｘにおいて互いに離間し、且つ互いに反対側を向く。一対の樹脂側面２４は、樹脂主面２１および樹脂裏面２２に繋がる。
【0022】
第１リード３、第２リード４および第３リード５は、半導体装置Ａ１０が実装される回路基板（図示略）と、半導体素子１との導通経路をなす。第１リード３、第２リード４および第３リード５は、たとえば、同一のリードフレームから形成される。当該リードフレームは、銅（Ｃｕ）、または銅合金を含む。このため、第１リード３、第２リード４および第３リード５の各組成は、銅を含む。第１リード３、第２リード４および第３リード５は、銅以外の金属を含むものであってもよい。は、互いに離間する。第１リード３、第２リード４および第３リード５はそれぞれ、一対の樹脂側面２３の一方（第１方向ｙのｙ１側の樹脂側面２３）から突き出る。
【0023】
第１リード３は、半導体素子１が搭載され、半導体素子１の第１電極１１に導通する。第１リード３は、図３～図６に示すように、アイランド３１、端子部３２、中継部３３および２つの延出部３４を含む。図示された例では、第１リード３において、アイランド３１、端子部３２および中継部３３は、一体的に形成されている。
【0024】
アイランド３１には、半導体素子１が搭載される。アイランド３１は、平面視において、たとえば、矩形である。
【0025】
アイランド３１は、アイランド主面３１ａおよびアイランド裏面３１ｂを有する。アイランド主面３１ａおよびアイランド裏面３１ｂは、厚さ方向ｚに互いに離間する。アイランド主面３１ａは、厚さ方向ｚのｚ２側（厚さ方向ｚ上方）を向き、アイランド裏面３１ｂは、厚さ方向ｚのｚ１側（厚さ方向ｚ下方）を向く。アイランド主面３１ａには、半導体素子１が搭載されている。アイランド裏面３１ｂは、樹脂裏面２２から露出している。図示された例では、アイランド裏面３１ｂは、樹脂裏面２２と面一である。なお、アイランド裏面３１ｂは、樹脂裏面２２から露出していなくてもよい。
【0026】
端子部３２は、封止部２から露出する。端子部３２は、半導体装置Ａ１０の端子であり、半導体装置Ａ１０を上記回路基板に実装した際、当該回路基板に接合される。端子部３２は、第１リード３のうち、封止部２の樹脂側面２３から突き出た部位である。図３に示すように、端子部３２は、アイランド３１から離間する。図示された例では、端子部３２は、アイランド３１に対して、第１方向ｙのｙ１側に位置する。端子部３２は、図５に示すように、アイランド３１に対して、厚さ方向ｚのｚ２側に位置する。
【0027】
中継部３３は、図３および図４に示すように、アイランド３１と端子部３２とに繋がる。中継部３３は、アイランド３１と端子部３２との間に介在する。中継部３３は、封止部２に覆われている。中継部３３の一部は、屈曲している。これにより、厚さ方向ｚにおいて異なる位置に配置されたアイランド３１と端子部３２とが連結される。なお、第１リード３は、中継部３３を含んでいなくてもよい。この場合、アイランド３１と端子部３２とは、図示しない導通部材（たとえば金属板あるいはボンディングワイヤ）により電気的に接続される。
【0028】
第２リード４は、第１接続部材６１を介して、半導体素子１の第２電極１２に導通する。第２リード４は、図３に示すように、パッド部４１、端子部４２および中継部４３を含む。第２リード４において、パッド部４１、端子部４２および中継部４３は、一体的に形成されている。
【0029】
パッド部４１は、封止部２に覆われている。パッド部４１には、第１接続部材６１が導通接合されている。第１接続部材６１は、パッド部４１の上面（厚さ方向ｚのｚ２側を向く面）に接合されている。パッド部４１は、アイランド３１よりも厚さ方向ｚのｚ２側に位置する。パッド部４１は、平面視において、アイランド３１の第１方向ｙのｙ１側に配置される。
【0030】
端子部４２は、封止部２から露出する。端子部４２は、半導体装置Ａ１０の端子であり、半導体装置Ａ１０を上記回路基板に実装した際、当該回路基板に接合される。端子部４２は、パッド部４１に対して第１方向ｙのｙ１側に延びている。厚さ方向ｚにおいて、端子部４２は、パッド部４１と同じ位置に配置されている。図示された例では、端子部４２は、端子部３２よりも第２方向ｘのｘ２側に配置されている。厚さ方向ｚにおいて、端子部４２は、端子部３２と同じ位置に配置されている。
【0031】
中継部４３は、パッド部４１と端子部４２とに繋がる。中継部４３は、パッド部４１と端子部４２との間に介在する。中継部４３は、封止部２に覆われている。
【0032】
第３リード５は、第２接続部材６２を介して、半導体素子１の第３電極１３に導通する。第３リード５は、図３および図６に示すように、パッド部５１、端子部５２および中継部５３を含む。第３リード５において、パッド部５１、端子部５２および中継部５３は、一体的に形成されている。
【0033】
パッド部５１は、封止部２に覆われている。パッド部５１には、第２接続部材６２が導通接合されている。第２接続部材６２は、パッド部５１の上面（厚さ方向ｚのｚ２側を向く面）に接合されている。パッド部５１は、アイランド３１よりも厚さ方向ｚのｚ２側に位置する。パッド部５１は、平面視において、アイランド３１の第１方向ｙのｙ１側に配置される。
【0034】
端子部５２は、封止部２から露出する。端子部５２は、半導体装置Ａ１０の端子であり、半導体装置Ａ１０を上記回路基板に実装した際、当該回路基板に接合される。端子部５２は、第３リード５のうち、封止部２の樹脂側面２３から突き出た部位である。端子部５２は、パッド部５１に対して第１方向ｙのｙ１側に延びている。厚さ方向ｚにおいて、端子部５２は、パッド部５１と同じ位置に配置されている。図示された例では、端子部５２は、端子部３２よりも第２方向ｘのｘ１側に配置されている。よって、第２方向ｘにおいて、端子部３２は、端子部４２と端子部５２との間に配置されている。なお、各端子部３２，４２，５２の第２方向ｘの並び順は、図示された例に限定されない。厚さ方向ｚにおいて、端子部５２は、端子部３２と同じ位置に配置されている。よって、厚さ方向ｚにおいて、端子部３２、端子部４２および端子部５２は、互いに同じ位置に配置されている。
【0035】
中継部５３は、パッド部５１と端子部５２とに繋がる。中継部５３は、パッド部５１と端子部５２との間に介在する。中継部５３は、封止部２に覆われている。
【0036】
第１接続部材６１、第２接続部材６２は、互いに離間する２つの部位を導通させる。第１接続部材６１は、半導体素子１と第２リード４とを導通させている。図３～図５に示すように、第１接続部材６１は、半導体素子１および第２リード４に対して半導体素子１の厚さ方向ｚにおけるｚ１側に導通接合されている。第１接続部材６１は、たとえば銅（Ｃｕ）、鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）等の金属またはこれらの合金等を含む。第１接続部材６１は、たとえば金属板材料に対して切断加工、折り曲げ加工等を施すことによって形成される。
【0037】
本実施形態の第１接続部材６１は、第１接続部６１１、第２接続部６１２および第１中継部６１３を有する。
【0038】
第１接続部６１１は、半導体素子１の第２電極１２に導通接合されている。第１接続部６１１の形状は何ら限定されず、図示された例においては、矩形状である。また、第１接続部６１１は、厚さ方向ｚに対して直角である。図示された例においては、第１接続部６１１は、導電性接合材６９によって第２電極１２に導通接合されている。導電性接合材６９は、たとえばはんだである。この例と異なり、導電性接合材６９は、金属ペースト（たとえば銀ペースト）あるいは焼結金属（たとえば焼結銀）であってもよい。
【0039】
第２接続部６１２は、第２リード４のパッド部４１に導通接合されている。第２接続部６１２の形状は何ら限定されず、図示された例においては、矩形状である。また、第２接続部６１２は、厚さ方向ｚに対して直角である。図示された例においては、第２接続部６１２は、導電性接合材６９によってパッド部４１に導通接合されている。
【0040】
第１中継部６１３は、第１接続部６１１および第２接続部６１２のそれぞれに繋がる。本実施形態においては、第１中継部６１３は、平坦部６１３１、傾斜部６１３２および傾斜部６１３３を有する。
【0041】
平坦部６１３１は、平坦な形状であり、厚さ方向ｚに対して直角である。また、平坦部６１３１は、第１接続部６１１および第２接続部６１２よりも厚さ方向ｚのｚ１側に位置する。
【0042】
傾斜部６１３２は、平坦部６１３１および第１接続部６１１の間に介在する。傾斜部６１３２は、第１方向ｙに対して傾斜している。
【0043】
傾斜部６１３２は、平坦部６１３１および第２接続部６１２の間に介在する。傾斜部６１３２は、第１方向ｙに対して傾斜している。
【0044】
第１接続部材６１は、第１マーク７１が形成されている。第１マーク７１は、第１接続部材６１が厚さ方向ｚ周りに回転した場合に厚さ方向ｚから視た形態が変化するものである。第１マーク７１の形成手法は、何ら限定されない。第１マーク７１は、たとえばレーザ加工、金型加工、エッチング、塗布、めっき等の様々な方法によって形成されうる。第１マーク７１は、第１接続部材６１の表面から凹んでいてもよいし、第１接続部材６１を厚さ方向ｚに貫通していてもよい。
【0045】
本実施形態においては、第１マーク７１は、第１中継部６１３に配置されている。さらに、本実施形態においては、第１マーク７１は、平坦部６１３１に配置されている。
【0046】
第１マーク７１の形状等は何ら限定されず、厚さ方向ｚ周りに回転した場合に厚さ方向ｚから視た形態が変化するものであればよい。図７に示すように、図示された例においては、第１マーク７１は、第１直状部７１１、第２直状部７１２および第１延出部７１５を有する。
【0047】
第１直状部７１１は、第１方向ｙに沿って延びる部分である。第２直状部７１２は、第２方向ｘに沿って延びる部分である。第１延出部７１５は、第１直状部７１１の第１方向ｙのｙ２側の先端から、第２方向ｘのｘ２側に延出した部分である。第１延出部７１５は、第１直状部７１１および第２直状部７１２よりも短く、たとえばテーパ形状である。
【0048】
第２接続部材６２は、半導体素子１と第３リード５とを導通させている。図３および図６に示すように、第２接続部材６２は、半導体素子１および第３リード５に対して半導体素子１の厚さ方向ｚにおけるｚ１側に導通接合されている。第２接続部材６２は、たとえば銅（Ｃｕ）、鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）等の金属またはこれらの合金等を含む。第２接続部材６２は、たとえば金属板材料に対して切断加工、折り曲げ加工等を施すことによって形成される。
【0049】
本実施形態の第２接続部材６２は、第３接続部６２１、第４接続部６２２および第２中継部６２３を有する。
【0050】
第３接続部６２１は、半導体素子１の第３電極１３に導通接合されている。第３接続部６２１の形状は何ら限定されず、図示された例においては、矩形状である。また、第３接続部６２１は、厚さ方向ｚに対して直角である。図示された例においては、第３接続部６２１は、導電性接合材６９によって第３電極１３に導通接合されている。
【0051】
第４接続部６２２は、第３リード５のパッド部５１に導通接合されている。第４接続部６２２の形状は何ら限定されず、図示された例においては、矩形状である。また、第４接続部６２２は、厚さ方向ｚに対して直角である。図示された例においては、第４接続部６２２は、導電性接合材６９によってパッド部５１に導通接合されている。
【0052】
第２中継部６２３は、第３接続部６２１および第４接続部６２２のそれぞれに繋がる。本実施形態においては、第２中継部６２３は、平坦部６２３１、傾斜部６２３２および傾斜部６２３３を有する。
【0053】
平坦部６２３１は、平坦な形状であり、厚さ方向ｚに対して直角である。また、平坦部６２３１は、第３接続部６２１および第４接続部６２２よりも厚さ方向ｚのｚ１側に位置する。図示された例においては、平坦部６２３１の厚さ方向ｚにおける位置は、平坦部６１３１の厚さ方向ｚにおける位置と同じである。
【0054】
傾斜部６２３２は、平坦部６２３１および第３接続部６２１の間に介在する。傾斜部６２３２は、第１方向ｙに対して傾斜している。
【0055】
傾斜部６２３２は、平坦部６２３１および第４接続部６２２の間に介在する。傾斜部６２３２は、第１方向ｙに対して傾斜している。
【0056】
第２接続部材６２は、第２マーク７２が形成されている。第２マーク７２は、第２接続部材６２が厚さ方向ｚ周りに回転した場合に厚さ方向ｚから視た形態が変化するものである。第２マーク７２の形成手法は、何ら限定されない。第２マーク７２は、たとえばレーザ加工、金型加工、エッチング、塗布、めっき等の様々な方法によって形成されうる。第２マーク７２は、第２接続部材６２の表面から凹んでいてもよいし、第２接続部材６２を厚さ方向ｚに貫通していてもよい。
【0057】
本実施形態においては、第２マーク７２は、第２中継部６２３に配置されている。さらに、本実施形態においては、第２マーク７２は、平坦部６２３１に配置されている。
【0058】
第２マーク７２の形状等は何ら限定されず、厚さ方向ｚ周りに回転した場合に厚さ方向ｚから視た形態が変化するものであればよい。図７に示すように、図示された例においては、第２マーク７２は、第１マーク７１と同様の形状であり、第３直状部７２１、第４直状部７２２および第２延出部７２５を有する。
【0059】
第３直状部７２１は、第１方向ｙに沿って延びる部分である。第４直状部７２２は、第２方向ｘに沿って延びる部分である。第２延出部７２５は、第３直状部７２１の第１方向ｙのｙ２側の先端から、第２方向ｘのｘ２側に延出した部分である。第２延出部７２５は、第３直状部７２１および第４直状部７２２よりも短く、たとえばテーパ形状である。
【0060】
次に、図８に基づき、半導体装置Ａ１０を備える車両Ｖについて説明する。車両Ｖは、たとえば電気自動車（ＥＶ：Electric Vehicle）である。
【0061】
図８に示すように、車両Ｖは、車載充電器９１、蓄電池９２および駆動系統９３を備える。車載充電器９１には、屋外に設置された給電施設（図示略）から無線により電力が供給される。この他、給電施設から車載充電器９１への電力の供給手段は、有線でもよい。車載充電器９１には、昇圧型のＤＣ－ＤＣコンバータが構成されている。図８に示すように、半導体装置Ａ１０は、車載充電器９１の一部であり、たとえば先述のＤＣ－ＤＣコンバータに用いられる。車載充電器９１に供給された電力の電圧は、当該コンバータにより昇圧された後、蓄電池９２に給電される。昇圧された電圧は、たとえば６００Ｖである。
【0062】
駆動系統９３は、車両Ｖを駆動する。駆動系統９３は、インバータ９３１および駆動源９３２を有する。蓄電池９２に蓄えられた電力は、インバータ９３１に給電される。蓄電池９２からインバータ９３１に給電される電力は、直流電力である。この他、図８に示す電力系統とは異なり、蓄電池９２とインバータ９３１との間に昇圧型のＤＣ－ＤＣコンバータをさらに設けてもよい。インバータ９３１は、直流電力を交流電力に変換する。インバータ９３１は、駆動源９３２に導通している。駆動源９３２は、交流モータおよび変速機を有する。インバータ９３１によって変換された交流電力が駆動源９３２に供給されると、交流モータが回転するとともに、その回転が変速機に伝達される。変速機は、交流モータから伝達された回転数を適宜減じた上で、車両Ｖの駆動軸を回転させる。これにより、車両Ｖが駆動する。車両Ｖの駆動にあたっては、アクセルペダルの変動量などの情報に基づき交流モータの回転数を自在に操作する必要がある。そこで、インバータ９３１は、要求される交流モータの回転数に対応させるべく、周波数が適宜変化された交流電力を出力するために必要である。
【0063】
半導体装置Ａ１０の作用および効果は、次の通りである。
【0064】
半導体装置Ａ１０の製造において、導電性接合材６９を形成するためのはんだペースト等を介して半導体素子１および第２リード４上に第１接続部材６１を載置した後、導電性接合材６９による第１接続部材６１の導通接合が完了するまでの間において、第１接続部材６１が厚さ方向ｚ周りに不当に回転する場合がある。図３に示すように、第１接続部材６１には、第１マーク７１が形成されている。第１マーク７１は、第１接続部材６１が厚さ方向ｚ周りに回転した場合に、厚さ方向ｚから見た形態が変化するものである。このため、画像解析等によって第１マーク７１を検出することにより、第１接続部材６１の厚さ方向ｚ周りの回転の有無や回転の大きさを把握することが可能である。
【0065】
第１マーク７１は、平坦部６１３１に配置されている。平坦部６１３１は、平坦な形状であり、厚さ方向ｚに対して直角である。これにより、厚さ方向ｚのｚ１側に配置されたカメラ等によって、第１マーク７１をより鮮明に撮影することが可能であり、画像解析の精度を高めることができる。
【0066】
第１マーク７１が第１直状部７１１および第２直状部７１２を有することにより、第１方向ｙおよび第２方向ｘに対する第１マーク７１の回転をより正確に検出することができる。第１マーク７１が第１延出部７１５を有することにより、第１マーク７１が画像の殆どを占める大きさで第１マーク７１が撮影された場合であっても、第１延出部７１５によって第１方向ｙのｙ１側およびｙ２側、および第２方向ｘのｘ１側およびｘ２側を的確に把握することが可能である。
【0067】
第２接続部材６２に第２マーク７２が形成されていることにより、半導体装置Ａ１０の製造時における第２接続部材６２の厚さ方向ｚ周りの回転をより適切に検出することができる。
【0068】
第２マーク７２は、平坦部６２３１に配置されている。平坦部６２３１は、平坦な形状であり、厚さ方向ｚに対して直角である。これにより、厚さ方向ｚのｚ１側に配置されたカメラ等によって、第２マーク７２をより鮮明に撮影することが可能であり、画像解析の精度を高めることができる。
【0069】
平坦部６１３１と平坦部６２３１とは、厚さ方向ｚにおける位置が互いに同じである。これにより、１つのカメラによって第１マーク７１および第２マーク７２の双方にピントを合わせた状態で、第１マーク７１および第２マーク７２を一括して撮影することが可能である。これは、画像解析の精度向上および効率向上に好ましい。
【0070】
以下に、本開示の半導体装置の他の実施形態および変形例について、説明する。各実施形態および各変形例における各部の構成は、技術的な矛盾が生じない範囲において相互に組み合わせ可能である。
【0071】
図９（ａ）～（ｅ）は、第１マーク７１の変形例を示している。なお、第２マーク７２についても、これらの変形例と同様の変形例が存在する。
【0072】
同図（ａ）に示す第１マーク７１は、第１直状部７１１および第２直状部７１２を有しており、図７に示す例の第１延出部７１５を有していない。
【0073】
同図（ｂ）に示す第１マーク７１は、第１直状部７１１および第２直状部７１２を有する。第１直状部７１１と第２直状部７１２とは、第１方向ｙおよび第２方向ｘに対して傾いており、互いに直交している。第１直状部７１１および第２直状部７１２が第１方向ｙまたは第２方向ｘとなす角度は、たとえば４５°である。
【0074】
同図（ｃ）に示す第１マーク７１は、第１直状部７１１および第２直状部７１２を有する。第２直状部７１２は、第１直状部７１１の第１方向ｙのｙ１側の端部に繋がっている。
【0075】
同図（ｄ）に示す第１マーク７１は、円弧部７１６および凹部７１７を有する。円弧部７１６は、円形の一部であり、たとえば中心角が２７０°である。凹部７１７は、円弧部７１６から中心に向かって凹んでいる。凹部７１７は、たとえば９０°をなす二辺によって構成されている。
【0076】
同図（ｅ）に示す第１マーク７１は、複数の点状部７１９を含む。３つの点状部７１９は、第１方向ｙに沿って配列されている。３つの点状部７１９は、第２方向ｘに沿って配列されている。各点状部７１９の形状は、何ら限定されず、たとえば円形、多角形等である。
【0077】
図１０は、本開示の第２実施形態に係る半導体装置Ａ２０を示している。半導体装置Ａ２０では、第１マーク７１が第２接続部６１２に配置されている。また、第２マーク７２が第４接続部６２２に配置されている。
【0078】
第２接続部６１２および第４接続部６２２は、平坦な形状であり、厚さ方向ｚに対して直角である。また、第２接続部６１２および第４接続部６２２は、厚さ方向ｚにおける位置が互いに等しい。
【0079】
本実施形態によっても、半導体装置Ａ２０の製造時における構成要素のずれをより適切に検出することができる。また、第２接続部６１２および第４接続部６２２は、第１接続部６１１および第３接続部６２１と比べて、導電性接合材６９による接合強度の向上等を目的とした凹凸形状の加工が施されにくい。したがって、第１マーク７１および第２マーク７２を設けるための領域を確保しやすい。
【0080】
図１１は、本開示の第３実施形態に係る半導体装置Ａ３０を示している。半導体装置Ａ３０では、第１マーク７１が第１接続部６１１に配置されている。また、第２マーク７２が第３接続部６２１に配置されている。第１接続部６１１および第３接続部６２１は、厚さ方向ｚにおける位置が互いに等しい。
【0081】
本実施形態によっても、半導体装置Ａ３０の製造時における構成要素のずれをより適切に検出することができる。また、第１接続部６１１および第３接続部６２１の一部に対して厚さ方向ｚのｚ２側に押圧加工を施すことにより、第１マーク７１および第２マーク７２を形成してもよい。この場合、第１接続部６１１および第３接続部６２１の一部が、厚さ方向ｚのｚ２側に突出した形状となる。これにより、第１接続部６１１と第２電極１２との間により確実に隙間を確保することが可能であり、導電性接合材６９の厚さを安定させることができる。また同様に、第３接続部６２１と第３電極１３との間の導電性接合材６９の厚さを安定させることができる。
【0082】
図１２は、本開示の第４実施形態に係る半導体装置Ａ４０を示している。半導体装置Ａ４０では、第１リード３のアイランド３１に、第３マーク８１が形成されている。
【0083】
第３マーク８１は、第１リード３が厚さ方向ｚ周りに回転した場合に厚さ方向ｚから視た形態が変化するものである。第３マーク８１の形状等は何ら限定されず、第１マーク７１および第２マーク７２と同様の形状等であってもよいし、異なっていてもよい。図示された例においては、第３マーク８１は、図９（ａ）に示す第１マーク７１と同様の形状である。
【0084】
本実施形態によっても、半導体装置Ａ４０の製造時における構成要素のずれをより適切に検出することができる。また、第１リード３のアイランド３１に第３マーク８１が形成されていることにより、半導体装置Ａ４０の製造時において、第１マーク７１および第２マーク７２を対象とした画像解析を行う際に、第３マーク８１を位置および厚さ方向ｚ周りの回転角度の基準として用いることができる。このため、仮に、製造装置に対して第１リード３が厚さ方向ｚ周りに若干回転して設置された場合であっても、かかる状態の第１リード３の姿勢を基準として第１マーク７１および第２マーク７２を対象とした画像解析を行うことが可能である。
【0085】
図１３は、本開示の第５実施形態に係る半導体装置Ａ５０を示している。半導体装置Ａ５０では、第１接続部材６１に第１マーク７１が設けられており、第２接続部材６２には第２マーク７２が設けられていない。本実施形態の第２接続部材６２は、たとえば金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）等の金属を含むワイヤである。
【0086】
本実施形態によっても、半導体装置Ａ５０の製造時における構成要素のずれをより適切に検出することができる。また、第２接続部材６２がワイヤによって構成されていることにより、第３電極１３のサイズが小さくても、第２接続部材６２を適切に第３電極１３に接続することができる。また、本実施形態から理解されるように、本開示の半導体装置は、第１マーク７１および第２マーク７２の双方を備える構成に限定されない。
【0087】
本開示に係る半導体装置は、上記した実施形態に限定されるものではない。本開示の半導体装置の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。たとえば、本開示の半導体装置は、以下の付記に関する実施形態を含む。
〔付記１〕
互いに離れて配置された第１リード（３）および第２リード（４）と、
前記第１リード（３）に搭載された半導体素子（１）と、
前記半導体素子（１）および前記第２リード（４）に対して前記半導体素子（１）の厚さ方向（ｚ）における第１（ｚ１）側に導通接合された第１接続部材（６１）と、を備え、
前記第１接続部材（６１）は、前記厚さ方向（ｚ）周りに回転した場合に前記厚さ方向（ｚ）から視た形態が変化する第１マーク（７１）が形成されている、
半導体装置（Ａ１０）。
〔付記２〕
前記第１接続部材（６１）は、前記半導体素子（１）に導通接合された第１接続部（６１１）と、前記第２リード（４）に導通接合された第２接続部（６１２）と、前記第１接続部（６１１）および前記第２接続部（６１２）のそれぞれに繋がる第１中継部（６１３）と、を有する、付記１に記載の半導体装置（Ａ１０）。
〔付記３〕
前記第１マーク（７１）は、前記第１中継部（６１３）に配置されている、付記２に記載の半導体装置（Ａ１０）。
〔付記４〕
前記第１中継部（６１３）は、前記第１接続部（６１１）および前記第２接続部（６１２）に対して前記厚さ方向（ｚ）の前記第１（ｚ１）側に位置する平坦部（６１３１）を含み、
前記第１マーク（７１）は、前記平坦部（６１３１）に配置されている、付記３に記載の半導体装置。
〔付記５〕
前記平坦部（６１３１）は、前記厚さ方向（ｚ）に対して直角である、付記４に記載の半導体装置（Ａ１０）。
〔付記６〕
前記第１中継部（６１３）は、前記平坦部（６１３１）および前記第１接続部（６１１）の間に介在する傾斜部（６１３２）と、前記平坦部（６１３１）および前記第２接続部（６１２）の間に介在する傾斜部（６１３３）と、をさらに含む、付記４または５に記載の半導体装置（Ａ１０）。
〔付記７〕
前記第１マーク（７１）は、前記第２接続部（６１２）に配置されている、付記２に記載の半導体装置（Ａ１０）。
〔付記８〕
前記第２接続部（６１２）は、前記厚さ方向（ｚ）に対して直角である、付記７に記載の半導体装置。
〔付記９〕
前記第１マーク（７１）は、前記第１接続部（６１１）に配置されている、付記２に記載の半導体装置（Ａ１０）。
〔付記１０〕
前記第１接続部（６１１）は、前記厚さ方向（ｚ）に対して直角である、付記９に記載の半導体装置。
〔付記１１〕
前記第１リード（３）および前記第２リード（４）と離れて配置された第３リード（５）と、
前記半導体素子（１）および前記第３リード（５）に対して前記厚さ方向（ｚ）の前記第１（ｚ１）側に導通接合された第２接続部材（６２）と、をさらに備え、
前記第２接続部材（６２）は、前記半導体素子（１）の厚さ方向（ｚ）周りに回転した場合に前記厚さ方向（ｚ）から視た形態が変化する第２マーク（７２）が形成されている、付記２ないし１０のいずれかに記載の半導体装置。
〔付記１２〕
前記第２接続部材（６２）は、前記半導体素子（１）に導通接合された第３接続部（６２１）と、前記第３リード（５）に導通接合された第４接続部（６２２）と、前記第３接続部（６２１）および前記第４接続部（６２２）のそれぞれに繋がる第２中継部（６２３）と、を有する、付記１１に記載の半導体装置（Ａ１０）。
〔付記１３〕
前記第２マーク（７２）は、前記第２中継部（６２３）に配置されている、付記１２に記載の半導体装置（Ａ１０）。
〔付記１４〕
前記半導体素子（１）は、第１電極（１１）、第２電極（１２）および第３電極（１３）を有し、
前記第１電極（１１）は、前記第１リード（３）に導通接合されており、
前記第２電極（１２）には、前記第１接続部（６１１）が導通接合されており、
前記第３電極（１３）には、前記第３接続部（６２１）が導通接合されている、付記１２または１３に記載の半導体装置（Ａ１０）。
〔付記１５〕
前記第１電極（１１）は、ドレイン電極であり、
前記第２電極（１２）は、ソース電極であり、
前記第３電極（１３）は、ゲート電極である、付記１４に記載の半導体装置（Ａ１０）。
〔付記１６〕
前記第１接続部材（６１）のうち前記第１マーク（７１）が配置された部位と、前記第２接続部材（６２）のうち前記第２マーク（７２）が配置された部位とは、前記厚さ方向（ｚ）における位置が互いに等しい、付記１１ないし１５のいずれかに記載の半導体装置（Ａ１０）。
〔付記１７〕
前記第１リード（３）は、前記半導体素子（１）が搭載されたアイランド（３１）を有し、
前記アイランド（３１）は、前記厚さ方向（ｚ）周りに回転した場合に前記厚さ方向（ｚ）から視た形態が変化する第３マーク（７３）が形成されている、付記１ないし１６のいずれかに半導体装置（Ａ１０）。
〔付記１８〕
駆動源（９３２）と、
付記１ないし１７のいずれかに記載の半導体装置（Ａ１０）と、を備え、
前記半導体装置（Ａ１０）は、前記駆動源（９３２）に導通している、車両（Ｖ）。
〔付記１〕
互いに離れて配置された第１リード（３）および第２リード（４）と、
前記第１リード（３）に搭載された半導体素子（１）と、
前記半導体素子（１）および前記第２リード（４）に対して前記半導体素子（１）の厚さ方向（ｚ）における第１（ｚ１）側に導通接合された第１接続部材（６１）と、を備え、
前記第１接続部材（６１）は、前記厚さ方向（ｚ）周りに回転した場合に前記厚さ方向（ｚ）から視た形態が変化する第１マーク（７１）が形成されている、
半導体装置（Ａ１０）。
〔付記２〕
前記第１接続部材（６１）は、前記半導体素子（１）に導通接合された第１接続部（６１１）と、前記第２リード（４）に導通接合された第２接続部（６１２）と、前記第１接続部（６１１）および前記第２接続部（６１２）のそれぞれに繋がる第１中継部（６１３）と、を有する、付記１に記載の半導体装置（Ａ１０）。
〔付記３〕
前記第１マーク（７１）は、前記第１中継部（６１３）に配置されている、付記２に記載の半導体装置（Ａ１０）。
〔付記４〕
前記第１中継部（６１３）は、前記第１接続部（６１１）および前記第２接続部（６１２）に対して前記厚さ方向（ｚ）の前記第１（ｚ１）側に位置する平坦部（６１３１）を含み、
前記第１マーク（７１）は、前記平坦部（６１３１）に配置されている、付記３に記載の半導体装置。
〔付記５〕
前記平坦部（６１３１）は、前記厚さ方向（ｚ）に対して直角である、付記４に記載の半導体装置（Ａ１０）。
〔付記６〕
前記第１中継部（６１３）は、前記平坦部（６１３１）および前記第１接続部（６１１）の間に介在する傾斜部（６１３２）と、前記平坦部（６１３１）および前記第２接続部（６１２）の間に介在する傾斜部（６１３３）と、をさらに含む、付記４または５に記載の半導体装置（Ａ１０）。
〔付記７〕
前記第１マーク（７１）は、前記第２接続部（６１２）に配置されている、付記２に記載の半導体装置（Ａ１０）。
〔付記８〕
前記第２接続部（６１２）は、前記厚さ方向（ｚ）に対して直角である、付記７に記載の半導体装置。
〔付記９〕
前記第１マーク（７１）は、前記第１接続部（６１１）に配置されている、付記２に記載の半導体装置（Ａ１０）。
〔付記１０〕
前記第１接続部（６１１）は、前記厚さ方向（ｚ）に対して直角である、付記９に記載の半導体装置。
〔付記１１〕
前記第１リード（３）および前記第２リード（４）と離れて配置された第３リード（５）と、
前記半導体素子（１）および前記第３リード（５）に対して前記厚さ方向（ｚ）の前記第１（ｚ１）側に導通接合された第２接続部材（６２）と、をさらに備え、
前記第２接続部材（６２）は、前記半導体素子（１）の厚さ方向（ｚ）周りに回転した場合に前記厚さ方向（ｚ）から視た形態が変化する第２マーク（７２）が形成されている、付記２ないし１０のいずれかに記載の半導体装置。
〔付記１２〕
前記第２接続部材（６２）は、前記半導体素子（１）に導通接合された第３接続部（６２１）と、前記第３リード（５）に導通接合された第４接続部（６２２）と、前記第３接続部（６２１）および前記第４接続部（６２２）のそれぞれに繋がる第２中継部（６２３）と、を有する、付記１１に記載の半導体装置（Ａ１０）。
〔付記１３〕
前記第２マーク（７２）は、前記第２中継部（６２３）に配置されている、付記１２に記載の半導体装置（Ａ１０）。
〔付記１４〕
前記半導体素子（１）は、第１電極（１１）、第２電極（１２）および第３電極（１３）を有し、
前記第１電極（１１）は、前記第１リード（３）に導通接合されており、
前記第２電極（１２）には、前記第１接続部（６１１）が導通接合されており、
前記第３電極（１３）には、前記第３接続部（６２１）が導通接合されている、付記１２または１３に記載の半導体装置（Ａ１０）。
〔付記１５〕
前記第１電極（１１）は、ドレイン電極であり、
前記第２電極（１２）は、ソース電極であり、
前記第３電極（１３）は、ゲート電極である、付記１４に記載の半導体装置（Ａ１０）。
〔付記１６〕
前記第１接続部材（６１）のうち前記第１マーク（７１）が配置された部位と、前記第２接続部材（６２）のうち前記第２マーク（７２）が配置された部位とは、前記厚さ方向（ｚ）における位置が互いに等しい、付記１１ないし１５のいずれかに記載の半導体装置（Ａ１０）。
〔付記１７〕
前記第１リード（３）は、前記半導体素子（１）が搭載されたアイランド（３１）を有し、
前記アイランド（３１）は、前記厚さ方向（ｚ）周りに回転した場合に前記厚さ方向（ｚ）から視た形態が変化する第３マーク（７３）が形成されている、付記１ないし１６のいずれかに半導体装置（Ａ１０）。
〔付記１８〕
駆動源（９３２）と、
付記１ないし１７のいずれかに記載の半導体装置（Ａ１０）と、を備え、
前記半導体装置（Ａ１０）は、前記駆動源（９３２）に導通している、車両（Ｖ）。
【符号の説明】
【0088】
Ａ１０，Ａ２０，Ａ３０，Ａ４０，Ａ５０：半導体装置
１ ：半導体素子
２ ：封止部
３ ：第１リード
４ ：第２リード
５ ：第３リード
１０ａ ：素子主面
１０ｂ ：素子裏面
１１ ：第１電極
１２ ：第２電極
１３ ：第３電極
１９ ：導電性接合材
２１ ：樹脂主面
２２ ：樹脂裏面
２３ ：樹脂側面
２４ ：樹脂側面
３１ ：アイランド
３１ａ ：アイランド主面
３１ｂ ：アイランド裏面
３２ ：端子部
３３ ：中継部
３４ ：延出部
４１ ：パッド部
４２ ：端子部
４３ ：中継部
５１ ：パッド部
５２ ：端子部
５３ ：中継部
６１ ：第１接続部材
６２ ：第２接続部材
６９ ：導電性接合材
７１ ：第１マーク
７２ ：第２マーク
８１ ：第３マーク
９１ ：車載充電器
９２ ：蓄電池
９３ ：駆動系統
６１１ ：第１接続部
６１２ ：第２接続部
６１３ ：第１中継部
６２１ ：第３接続部
６２２ ：第４接続部
６２３ ：第２中継部
７１１ ：第１直状部
７１２ ：第２直状部
７１５ ：第１延出部
７１６ ：円弧部
７１７ ：凹部
７１９ ：点状部
７２１ ：第３直状部
７２２ ：第４直状部
７２５ ：第２延出部
９３１ ：インバータ
９３２ ：駆動源
６１３１ ：平坦部
６１３２ ：傾斜部
６１３３ ：傾斜部
６２３１ ：平坦部
６２３２ ：傾斜部
６２３３ ：傾斜部
Ｖ ：車両
ｘ ：第２方向
ｙ ：第１方向
ｚ ：厚さ方向
１ ：半導体素子
２ ：封止部
３ ：第１リード
４ ：第２リード
５ ：第３リード
１０ａ ：素子主面
１０ｂ ：素子裏面
１１ ：第１電極
１２ ：第２電極
１３ ：第３電極
１９ ：導電性接合材
２１ ：樹脂主面
２２ ：樹脂裏面
２３ ：樹脂側面
２４ ：樹脂側面
３１ ：アイランド
３１ａ ：アイランド主面
３１ｂ ：アイランド裏面
３２ ：端子部
３３ ：中継部
３４ ：延出部
４１ ：パッド部
４２ ：端子部
４３ ：中継部
５１ ：パッド部
５２ ：端子部
５３ ：中継部
６１ ：第１接続部材
６２ ：第２接続部材
６９ ：導電性接合材
７１ ：第１マーク
７２ ：第２マーク
８１ ：第３マーク
９１ ：車載充電器
９２ ：蓄電池
９３ ：駆動系統
６１１ ：第１接続部
６１２ ：第２接続部
６１３ ：第１中継部
６２１ ：第３接続部
６２２ ：第４接続部
６２３ ：第２中継部
７１１ ：第１直状部
７１２ ：第２直状部
７１５ ：第１延出部
７１６ ：円弧部
７１７ ：凹部
７１９ ：点状部
７２１ ：第３直状部
７２２ ：第４直状部
７２５ ：第２延出部
９３１ ：インバータ
９３２ ：駆動源
６１３１ ：平坦部
６１３２ ：傾斜部
６１３３ ：傾斜部
６２３１ ：平坦部
６２３２ ：傾斜部
６２３３ ：傾斜部
Ｖ ：車両
ｘ ：第２方向
ｙ ：第１方向
ｚ ：厚さ方向
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】