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特開2024-169109電気光学装置及び電子機器

書誌要約請求の範囲詳細な説明課題実施例実施するための形態図面の説明

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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024169109

(43)【公開日】2024-12-05

(54)【発明の名称】電気光学装置及び電子機器

(51)【国際特許分類】

H10K 50/852 20230101AFI20241128BHJP

H10K 59/35 20230101ALI20241128BHJP

H10K 59/124 20230101ALI20241128BHJP

G09F 9/30 20060101ALI20241128BHJP

【ＦＩ】

H10K50/852

H10K59/35

H10K59/124

G09F9/30 349D

G09F9/30 339Z

G09F9/30 348A

G09F9/30 365

【審査請求】未請求

【請求項の数】6

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023086312

(22)【出願日】2023-05-25

(71)【出願人】

【識別番号】000002369

【氏名又は名称】セイコーエプソン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100149548

【弁理士】

【氏名又は名称】松沼泰史

(74)【代理人】

【識別番号】100140774

【弁理士】

【氏名又は名称】大浪一徳

(74)【代理人】

【識別番号】100114937

【弁理士】

【氏名又は名称】松本裕幸

(74)【代理人】

【識別番号】100196058

【弁理士】

【氏名又は名称】佐藤彰雄

(72)【発明者】

【氏名】窪田岳彦

【テーマコード（参考）】

3K107

5C094

【Ｆターム（参考）】

3K107AA01

3K107BB01

3K107CC33

3K107DD10

3K107DD22

3K107DD27

3K107DD90

3K107EE33

3K107FF13

5C094AA08

5C094AA09

5C094BA27

5C094DA15

5C094EA04

5C094EA05

5C094EA06

5C094EA07

5C094ED11

5C094FA02

5C094HA08

(57)【要約】

【課題】電気光学装置において、色再現性の低下を抑える。
【解決手段】本発明の電気光学装置は、半透過型の第１電極と、第１反射層と、前記第１電極と前記第１反射層との間に設けられた第１画素電極と、第２反射層と、前記第１電極と前記第２反射層との間に設けられた第２画素電極と、前記第１電極と、前記第１画素電極及び前記第２画素電極と、の間に設けられた発光層と、前記第１画素電極と前記第１反射層との間に設けられた絶縁層と、を有する。前記絶縁層は、平面視で前記第１画素電極から前記第１画素電極と前記第２画素電極との間に延在する。前記絶縁層の前記発光層側の面は、平面視で前記第１画素電極と前記第２画素電極との間に、複数の段差を有する。
【選択図】図５

【特許請求の範囲】

【請求項1】

半透過型の第１電極と、
第１反射層と、
前記第１電極と前記第１反射層との間に設けられた第１画素電極と、
第２反射層と、
前記第１電極と前記第２反射層との間に設けられた第２画素電極と、
前記第１電極と、前記第１画素電極及び前記第２画素電極と、の間に設けられた発光層と、
前記第１画素電極と前記第１反射層との間に設けられた絶縁層と、
を有し、
前記絶縁層は、平面視で前記第１画素電極から前記第１画素電極と前記第２画素電極との間に延在し、
前記絶縁層の前記発光層側の面は、平面視で前記第１画素電極と前記第２画素電極との間に、複数の段差を有する、
電気光学装置。

【請求項2】

平面視で第１電極及び前記第１画素電極と重なる前記発光層は赤色光を発し、
平面視で第１電極と前記第２画素電極と重なる前記発光層は青色光を発する、
請求項１に記載の電気光学装置。

【請求項3】

前記絶縁層は、
前記第１画素電極と前記第１反射層との間に設けられ、平面視で前記第１画素電極から前記第１画素電極と前記第２画素電極との間に延在する第１領域に設けられた第１光学距離調整層と、
前記第１光学距離調整層の前記第１画素電極側に設けられ、平面視で前記第１画素電極から前記第１領域よりも前記第２画素電極側に延在する第２領域に亘って設けられた第２光学距離調整層と、
を有する、
請求項１又は２に記載の電気光学装置。

【請求項4】

前記絶縁層は、第１段差と、第２段差と、を有し、
前記第１段差は、平面視で前記第１画素電極と前記第２画素電極との中間位置よりも前記第１画素電極側に形成され、
前記第２段差は、平面視で前記中間位置よりも前記第２画素電極側に形成され、厚み方向で前記第１段差よりも前記第２反射層側に形成されている、
請求項１又は２に記載の電気光学装置。

【請求項5】

前記絶縁層は、第１段差と、第２段差と、を有し、
前記第１段差及び前記第２段差は、平面視で前記第１反射層と前記第２反射層との間に設けられている、
請求項１又は２に記載の電気光学装置。

【請求項6】

請求項１から請求項５の何れか一項に記載の電気光学装置を備える、電子機器。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、電気光学装置及び電子機器に関する。

【背景技術】

【0002】

近年、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ；ＥｌｅｃｔｒｏＬｕｍｉｎｅｃｅｎｔ）素子や発光ポリマー素子等の有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ；ＯｒｇａｎｉｃＬｉｇｈｔＥｍｉｔｔｉｎｇＤｉｏｄｅ）と呼ばれる発光素子を用いた電気光学装置の開発が進められている。特許文献１には、複数のサブ画素が設けられた電気光学装置が開示されている。特許文献１に開示されている電気光学装置では、反射層と対向電極とによって、サブ画素毎に光共振構造が形成されている。特許文献１に開示されている電気光学装置の一部の赤色光を発するサブ画素には、第１の距離調節層及び第２の距離調節層が積層されている。他の一部の緑色光を発するサブ画素には、第２の距離調整層が積層されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１９－０２９１８８号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

上述の特許文献１に開示されている電気光学装置では、赤色光を発するサブ画素と隣り合うサブ画素との間の領域において、第１の距離調節層及び第２の距離調節層とこれらの層と発光層を挟んで配置される対向電極との基板の厚み方向での間隔がサブ画素が配置されている領域での光学距離調整層と対向電極との間隔よりも局所的に減少する箇所があった。平面視において、前述のようにサブ画素の開口領域の周辺で局所的に発光層の膜厚が薄くなる箇所がある場合には、その箇所の抵抗は発光層が厚い箇所に比べて低くなり、陽極と陰極との間に電流が流れる。このことによって、サブ画素の開口領域の周辺領域で不要な周辺発光が生じる。周辺発光が発せられる箇所よりも素子基板側の領域には、当該箇所に隣り合うサブ画素の開口領域とは異なる層構造が設けられている。そのため、周辺発光の色光はサブ画素の開口領域から射出される３原色の何れかの色光とは異なる。特に、低階調の表示時では、周辺発光の量がサブ画素の開口領域に流れる電流による発光量に比べて無視できない量になると、周辺発光の色は例えば隣り合う複数のサブ画素の開口領域から射出される色同士が混ざった色になるため、電気光学装置の色再現性が低下するという課題があった。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本発明の一つの態様の電気光学装置は、半透過型の第１電極と、第１反射層と、前記第１電極と前記第１反射層との間に設けられた第１画素電極と、第２反射層と、前記第１電極と前記第２反射層との間に設けられた第２画素電極と、前記第１電極と、前記第１画素電極及び前記第２画素電極と、の間に設けられた発光層と、前記第１画素電極と前記第１反射層との間に設けられた絶縁層と、を有する。前記絶縁層は、平面視で前記第１画素電極から前記第１画素電極と前記第２画素電極との間に延在する。前記絶縁層の前記発光層側の面は、平面視で前記第１画素電極と前記第２画素電極との間に、複数の段差を有する。

【図面の簡単な説明】

【0006】

【図1】本発明の一実施形態の電気光学装置の構成を示す概略図である。

【図2】図１の電気光学装置の等価回路図である。

【図3】図１の電気光学装置の要部の平面図である。

【図4】図１の電気光学装置の要部の断面図である。

【図5】図１の電気光学装置の要部の製造工程を示す断面図である。

【図6】図１の電気光学装置の要部の製造工程を示す断面図である。

【図7】図１の電気光学装置の要部の製造工程を示す断面図である。

【図8】図１の電気光学装置の要部の製造工程を示す断面図である。

【図9】図１の電気光学装置の要部の製造工程を示す断面図である。

【図10】図１の電気光学装置の要部の製造工程を示す断面図である。

【図11】図１の電気光学装置の要部の製造工程を示す断面図である。

【図12】図１の電気光学装置の要部の製造工程を示す断面図である。

【図13】従来の電気光学装置の要部の平面図である。

【図14】従来の電気光学装置の要部の断面図である。

【図15】本発明の一実施形態の電子機器の概略図である。

【図16】本発明の一実施形態の電子機器の概略図である。

【発明を実施するための形態】

【0007】

以下、本発明の実施形態について、図面を用いて説明する。各図面では、各構成要素を見やすくするため、構成要素によって寸法の縮尺を変えている場合がある。

【0008】

［電気光学装置］
図１は、本実施形態の電気光学装置１の構成の一例を示す概略図である。図１に示すように、電気光学装置１は、複数のサブ画素Ｐｘを有する表示パネル１０と、表示パネル１０の動作を制御する制御回路２０と、を備える。サブ画素Ｐｘについては、図１に示されていないが、後に詳しく説明する。

【0009】

制御回路２０には、図示略の上位装置によって、画像データＶｄｄが同期信号ＳＳに同期して供給される。画像データＶｄｄは、表示パネル１０の各々のサブ画素Ｐｘで表示されるべき階調レベルを規定するデジタルデータである。同期信号ＳＳは、垂直同期信号、水平同期信号、及びドットクロック信号等を含む信号である。制御回路２０は、同期信号ＳＳに基づいて、表示パネル１０の動作を制御するための制御信号Ｃｔｒを生成し、制御信号Ｃｔｒを表示パネル１０に対して供給する。制御回路２０は、画像データＶｄｄに基づいて、アナログの画像信号Ｖｉを生成し、画像信号Ｖｉを表示パネル１０に供給する。画像信号Ｖｉは、各々のサブ画素Ｐｘが画像データＶｄｄの指定する階調を表示するように、サブ画素Ｐｘが備える発光素子の輝度を規定する信号である。

【0010】

表示パネル１０は、走査線１３と、データ線１４と、表示部１２と、駆動回路１１と、を備える。走査線１３は、Ｍ本設けられ、例えばＸ軸に沿って延在する。データ線１４は、（３×Ｎ）本設けられ、Ｘ軸に直交するＹ軸に沿って延在する。Ｍは１以上の自然数であり、Ｎは１以上の自然数である。表示部１２は、Ｍ本の走査線１３と（３×Ｎ）本のデータ線１４との交差位置に配置され、（Ｍ×３×Ｎ）個の画素回路１００を有する。駆動回路１１は、表示部１２を駆動する。

【0011】

以下では、複数のサブ画素Ｐｘ、複数の走査線１３、及び複数のデータ線１４のそれぞれの番号を、互いに区別するために、Ｙ軸において＋Ｙ方向から－Ｙ方向に向けて順番に、第１行、第２行、・・・、第Ｍ行と称する。また、Ｘ軸において－Ｘ方向から＋Ｘ方向に向けて順番に、第１列、第２列、・・・、第３Ｎ列と称する。以下では、Ｘ軸及びＹ軸に交差するＺ軸に沿う一方の方向を＋Ｚ方向又は上方向と称し、反対の方向を－Ｚ方向又は下方向と称する。Ｚ軸に沿って見ることを、「平面視」と記載する場合がある。

【0012】

Ｘ軸及びＹ軸を含む面は、表示部１２の複数の画素回路１００が配置されている面である。平面視したときに、平面視したときに、＋Ｘ方向及び＋Ｙ方向の双方に対して互いに等しい角度で傾斜する方向を、Ｄ１方向とする。平面視したときに、－Ｘ方向及び＋Ｙ方向の双方に対して互いに等しい角度で傾斜する方向を、Ｄ２方向とする。平面視したときに、－Ｘ方向及び－Ｙ方向の双方に対して互いに等しい角度で傾斜する方向を、Ｄ３方向とする。平面視したときに、＋Ｘ方向及び－Ｙ方向の間にあり、＋Ｘ方向及び－Ｙ方向の双方に対して互いに等しい角度で傾斜する方向を、Ｄ４方向とする。

【0013】

複数の画素回路１００には、赤色を表示可能な画素回路１００Ｒと、緑色を表示可能な画素回路１００Ｇと、青色を表示可能な画素回路１００Ｂと、が含まれる。本実施形態では、ｎは、１≦ｎ≦Ｎを満たす自然数とする。例えば、第１列から第（３×Ｎ）列のうち、第（３ｎ－２）列には画素回路１００Ｒが配置され、第（３ｎ－１）列には画素回路１００Ｇが配置され、第３ｎ列には画素回路１００Ｂが配置されている。

【0014】

駆動回路１１は、走査線駆動回路１１１と、データ線駆動回路１１２と、を備える。走査線駆動回路１１１は、第１行から第Ｍ行までの走査線１３を順番に走査し、選択する。具体的には、走査線駆動回路１１１は、１フレームの期間において、第１行から第Ｍ行までの走査線１３のそれぞれに対して出力する走査信号Ｇｗ［１］～Ｇｗ［Ｍ］を、水平走査期間毎に順番に所定の選択電位に設定する。このことによって、走査線駆動回路１１１は、走査線１３を行単位で水平走査期間毎に順番に選択する。つまり、走査線駆動回路１１１は、１フレームの期間のうち、ｍ番目の水平走査期間において、第ｍ行の走査線１３に出力する走査信号Ｇｗ［ｍ］を所定の選択電位に設定することによって、第ｍ行の走査線１３を選択する。なお、１フレームの期間とは、電気光学装置１が１個の画像を表示する期間を意味する。

【0015】

データ線駆動回路１１２は、制御回路２０から供給される画像信号Ｖｉ及び制御信号Ｃｔｒに基づいて、各々の画素回路１００が表示する階調を規定するアナログのデータ信号Ｖｄ［１］～Ｖｄ［３×Ｎ］を生成する。データ線駆動回路１１２は、生成したデータ信号Ｖｄ［１］～Ｖｄ［３×Ｎ］を、水平走査期間毎に、（３×Ｎ）本のデータ線１４に対して出力する。つまり、データ線駆動回路１１２は、各水平走査期間において、第ｋ列のデータ線１４に対して、データ信号Ｖｄ［ｋ］を出力する。なお、本実施形態では、制御回路２０が出力する画像信号Ｖｉはアナログ信号であるが、制御回路２０が出力する画像信号Ｖｉはデジタル信号であってもよい。画像信号Ｖｉがデジタル信号である場合には、データ線駆動回路１１２は、画像信号Ｖｉをデジタル／アナログ変換し、アナログのデータ信号Ｖｄ［１］～Ｖｄ［３×Ｎ］を生成する。

【0016】

図２は、画素回路１００の等価回路図である。図２では、第ｍ行第ｋ列の画素回路１００について例示されている。図２に示すように、画素回路１００は、発光素子３と、発光素子３に供給する電流を出力する供給回路４０と、を備える。

【0017】

発光素子３は、画素電極３１と、発光層３２と、対向電極３３とを備える。画素電極３１は、発光層３２に正孔を供給する陽極として作用する。対向電極３３は、画素回路１００の低電位側の電源電位である電位Ｖｃｔに設定された給電線１６に電気的に接続されている。対向電極３３は、発光層３２に電子を供給する陰極として作用する。画素電極３１から供給される正孔と、対向電極３３から供給される電子とが発光層３２で結合し、発光層３２が白色に発光する。

【0018】

後述するように、画素回路１００Ｒが有する発光素子３Ｒには、平面視で赤色のカラーフィルターが重ねて配置されている。画素回路１００Ｂが有する発光素子３Ｂには、平面視で青色のカラーフィルターが重ねて配置されている。画素回路１００Ｇが有する発光素子３Ｇには、平面視で緑色のカラーフィルターが重ねて配置されている。このため、発光素子３Ｒ，３Ｇ，３Ｂによって、フルカラーの表示が実現される。

【0019】

供給回路４０は、Ｐチャネル型のトランジスター４１，４２と、保持容量４４と、を備える。なお、トランジスター４１，４２の少なくとも一方は、Ｎチャネル型のトランジスターであってもよい。本実施形態では、トランジスター４１，４２は、薄膜トランジスター（ｔｈｉｎｆｉｌｍｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ；ＴＦＴ）である。なお、トランジスター４１，４２は、ＭＯＳＦＥＴ（ｍｅｔａｌ－ｏｘｉｄｅ－ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｆｉｅｌｄ－ｅｆｆｅｃｔｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）等の電界効果トランジスターであってもよい。

【0020】

トランジスター４１のゲートは、第ｍ行の走査線１３に電気的に接続されている。トランジスター４１のソース又はドレインの一方は、第ｋ列のデータ線１４に電気的に接続されている。トランジスター４１のソース又はドレインの他方は、トランジスター４２のゲートと、保持容量４４が有する２つの電極のうち一方の電極と、に電気的に接続されている。

【0021】

トランジスター４２のゲートは、トランジスター４１のソース又はドレインの他方と、保持容量４４の一方の電極と、に電気的に接続されている。トランジスター４２のソース又はドレインの一方は、画素電極３１に電気的に接続されている。トランジスター４２のソース又はドレインの他方は、画素回路１００の高電位側の電源電位である電位Ｖｅｌに設定された給電線１５に電気的に接続されている。

【0022】

保持容量４４は、２つの電極を有する。保持容量４４の一方の電極は、トランジスター４１のソース又はドレインの他方と、トランジスター４２のゲートと、に電気的に接続されている。保持容量４４の他方の電極は、給電線１５に電気的に接続されている。保持容量４４は、トランジスター４２のゲートの電位を保持する保持容量として機能する。

【0023】

走査線駆動回路１１１は、走査信号Ｇｗ［ｍ］を所定の選択電位に設定し、第ｍ行の走査線１３を選択すると、第ｍ行第ｋ列のサブ画素Ｐｘ［ｍ］［ｋ］に設けられたトランジスター４１がオン状態になる。以下では、サブ画素Ｐｘ［ｍ］［ｋ］を、単にサブ画素Ｐｘと記載する場合がある。トランジスター４１がオン状態になると、第ｋ列のデータ線１４から、トランジスター４２のゲートに対して、データ信号Ｖｄ［ｋ］が供給される。この場合において、トランジスター４２は、発光素子３に対して、ゲートに供給されたデータ信号Ｖｄ［ｋ］の電位に応じた電流を供給する。データ信号Ｖｄ［ｋ］は、ゲート及びソース間の電位差に相当する。つまり、トランジスター４２は、発光素子３へ電流を供給する駆動トランジスターである。発光素子３は、トランジスター４２から供給される電流の大きさに応じた輝度、すなわち、データ信号Ｖｄ［ｋ］の電位に応じた輝度で発光する。

【0024】

続いて、走査線駆動回路１１１が第ｍ行の走査線１３の選択を解除し、トランジスター４１がオフ状態になると、トランジスター４２のゲートの電位は、保持容量４４によって保持される。発光素子３は、トランジスター４１がオフ状態になった後も、データ信号Ｖｄ［ｋ］に応じた輝度で発光する。

【0025】

図２では省略されているが、発光素子３が有する画素電極３１と供給回路４０とを電気的に接続する構成要素を、コンタクト７と称する。各々のサブ画素Ｐｘは、発光素子３と、供給回路４０と、コンタクト７が配置されるコンタクト領域ＣＡと、を備える。コンタクト領域ＣＡは、コンタクト７を配置可能な領域である。コンタクト７は、発光素子３が有する画素電極３１と供給回路４０とを電気的に接続する。以下では、赤色光を発するサブ画素ＰｘＲに設けられているコンタクト７を、コンタクト７Ｒと称する。緑色光を発するサブ画素ＰｘＧに設けられているコンタクト７を、コンタクト７Ｇと称する。青色光を発するサブ画素ＰｘＢに設けられているコンタクト７を、コンタクト７Ｂと称する場合がある。以下では、コンタクト７Ｒを配置するコンタクト領域ＣＡを、コンタクト領域ＣＲと称する。コンタクト７Ｇを配置するコンタクト領域ＣＡを、コンタクト領域ＣＧと称する。コンタクト７Ｂを配置するコンタクト領域ＣＡを、コンタクト領域ＣＢと称する。

【0026】

図３は、表示部１２の一部の平面図であり、＋Ｚ方向から平面視した場合の図である。図３では、カラーフィルターは、省略されている。図３には、表示部１２のうち、画素ＭＰｘを構成するサブ画素ＰｘＲ、サブ画素ＰｘＧ、サブ画素ＰｘＢ１、及び、サブ画素ＰｘＢ２が例示されている。サブ画素ＰｘＲは、赤色を表示可能な画素回路１００Ｒの発光素子３Ｒを含む。サブ画素ＰｘＧは、緑色を表示可能な画素回路１００Ｇの発光素子３Ｇを含む。サブ画素ＰｘＢ１は、青色を表示可能な画素回路１００Ｂの発光素子３Ｂ１を含む。サブ画素ＰｘＢ２は、画素回路１００Ｂの発光素子３Ｂ２を含む。サブ画素ＰｘＢ１，ＰｘＢ２には、互いに同一の画素回路１００Ｂに含まれる供給回路４０から電流が供給される。

【0027】

画素ＭＰｘでは、＋Ｘ方向に沿って、サブ画素ＰｘＲ，ＰｘＢ２が順次配置され、これらのサブ画素よりも－Ｙ方向側の領域において、＋Ｘ方向に沿って、サブ画素ＰｘＢ１，ＰｘＧが順次配置されている。画素ＭＰｘでは、＋Ｙ方向に沿って、サブ画素ＰｘＢ１，ＰｘＲが順次配置され、これらのサブ画素よりも＋Ｘ方向側の領域において、＋Ｙ方向に沿って、サブ画素ＰｘＧ，ＰｘＢ２が配置されている。サブ画素ＰｘＢ１は、サブ画素ＰｘＢ１から見てＤ１方向側に位置するサブ画素ＰｘＢ２と、後述する反射層５２によって接続されている。画素ＭＰｘが有する発光素子３Ｒ，３Ｇ，３Ｂ１，３Ｂ２の各々によって、＋Ｚ方向側の領域に光を射出する発光領域ＨＲ，ＨＧ，ＨＢ１，ＨＢ２の各々が形成されている。発光領域ＨＲ，ＨＧ，ＨＢ１，ＨＢ２は、画素電極３１の領域のうちで画素分離層３４によって開口されている領域である。

【0028】

平面視した場合の発光領域ＨＲ，ＨＧ，ＨＢ１，ＨＢ２の各々の形状は、矩形である。なお、発光領域ＨＲ，ＨＧ，ＨＢ１，ＨＢ２の各々の平面視での形状は、例えば８角形等であってもよい。以下では、発光領域ＨＲ，ＨＧ，ＨＢ１，ＨＢ２をまとめて、発光領域ＨＡと記載する場合がある。

【0029】

サブ画素Ｐｘが備えるコンタクト領域ＣＡは、サブ画素Ｐｘが備える発光領域ＨＡから見て、Ｄ１方向に位置する。具体的には、サブ画素ＰｘＲのコンタクト領域ＣＲは、サブ画素ＰｘＲの発光領域ＨＲのＤ１方向に位置し、Ｄ１方向において発光領域ＨＲとサブ画素ＰｘＧの発光領域ＨＧとの間に設けられている。同様に、サブ画素ＰｘＧのコンタクト領域ＣＧは、サブ画素ＰｘＧの発光領域ＨＧのＤ１方向に位置し、Ｄ１方向において発光領域ＨＧとサブ画素ＰｘＲの発光領域ＨＲとの間に設けられている。サブ画素ＰｘＢ１のコンタクト領域ＣＢ１は、サブ画素ＰｘＢ１の発光領域ＨＢ１のＤ１方向に位置し、Ｄ１方向において発光領域ＨＢ１とサブ画素ＰｘＢ２の発光領域ＨＢ２との間に設けられている。サブ画素ＰｘＢ２のコンタクト領域ＣＢ２は、サブ画素ＰｘＢ２の発光領域ＨＢ２のＤ１方向に位置し、Ｄ１方向において発光領域ＨＢ２とサブ画素ＰｘＢ１の発光領域ＨＢ１との間に設けられている。

【0030】

上述のように、複数のコンタクト領域ＣＡは、Ｄ１方向に沿って配置されている。各々のコンタクト領域ＣＢ１，ＣＢ２には、コンタクト電極７１を介して画素電極３１と反射層５２とを電気的に接続する図示略のコンタクト電極が形成されている。コンタクト領域ＣＲには、反射層５２とコンタクト電極７１とを電気的に接続する図示略のコンタクト電極と、コンタクト電極７１と画素電極３１とを電気的に接続する図示略コンタクト電極と、が個別に形成されている。同様に、コンタクト領域ＣＧには、反射層５２とコンタクト電極７１とを電気的に接続する図示略のコンタクト電極と、コンタクト電極７１と画素電極３１とを電気的に接続する図示略のコンタクト電極と、が個別に形成されている。

【0031】

図３では図示略の赤色のカラーフィルターは、発光素子３Ｒよりも＋Ｚ方向側に設けられ、平面視したときに少なくともサブ画素ＰｘＲと重なるように形成されている。図示略の緑色のカラーフィルターは、発光素子３Ｇよりも＋Ｚ方向側に設けられ、平面視したときに少なくともサブ画素ＰｘＧと重なるように形成されている。図示略の青色のカラーフィルターは、発光素子３Ｂ１よりも＋Ｚ方向側に設けられ、平面視したときに少なくともサブ画素ＰｘＢ１と重なるように形成されている。図示略の前述とは別の青色のカラーフィルターは、発光素子３Ｂ２よりも＋Ｚ方向側に設けられ、平面視したときに少なくともサブ画素ＰｘＢ２と重なるように形成されている。

【0032】

表示部１２は、Ｚ軸において、後述する素子基板５と、対向基板と、接着層と、を備える。電気光学装置１では、対向基板において接着層に接する板面とは反対側の板面から＋Ｚ方向側に光を射出するトップエミッション方式が採用されている。

【0033】

素子基板５の詳しい構造については、後述する。対向基板は、Ｚ軸において接着層を介して素子基板５よりも＋Ｚ方向側に配置されている。対向基板は、接着層の＋Ｚ方向側に配置される透明な基板である。対向基板は、対向基板よりも－Ｚ方向側に配置される各色のカラーフィルターを含む層構造を保護する。接着層は、素子基板５と対向基板とを接着するための透明な樹脂層である。接着層には、例えば、エポキシ樹脂等の透明な樹脂材料が用いられている。対向基板には、例えば、石英基板が用いられる。

【0034】

素子基板５は、基板と、回路層と、層間絶縁層５１と、導電層１５１と、導電層１５２と、絶縁層１５３と、絶縁層１５４と、絶縁層１５５と、絶縁層１５７と、絶縁層１５８と、導電層１３１と、導電層１３２と、導電層１３３と、絶縁層１３４と、封止層６０と、カラーフィルター層と、を有する。

【0035】

前述の基板は、各種配線及び各種回路を実装可能な基板である。基板の種類は、特に限定されない。基板は、例えば、シリコン基板、石英基板、又は、ガラス基板等である。回路層は、前述の基板の＋Ｚ方向側に形成されている。回路層は、走査線１３やデータ線１４等の各種配線と、薄膜トランジスター等のスイッチング素子と、駆動回路１１及び画素回路１００等の各種回路と、形成されている。層間絶縁層５１は、回路層の＋Ｚ方向側に積層されている。

【0036】

図４は、表示部１２の一部の断面図であり、図３に示すＣ１－Ｃ１線で矢視した場合の図である。図３においてＣ１－Ｃ１線で矢視される領域は、Ｘ軸において互いに隣り合う赤色光の発光領域ＨＲの＋Ｘ方向側の端部及び青色光の発光領域ＨＢ２の－Ｘ方向側の端部と、発光領域ＨＲ，ＨＢ２の間の境界をなす周辺領域ＲＨと、を含む。図４では、表示部１２のＺ軸に沿った構造のうち、層間絶縁層５１から絶縁層１６３までの積層構造が示されている。

【0037】

層間絶縁層５１の材料は、例えば酸化シリコン（ＳｉＯ_２）である。導電層１５１は、層間絶縁層５１の＋Ｚ方向側に積層され、図４に示す領域の略全体に形成されている。導電層１５２は、導電層１５１の＋Ｚ方向側に積層され、図４に示す領域の略全体に形成されている。導電層１５１，１５２は、平面視でサブ画素Ｐｘ毎に個別に島状に形成され、発光層３２の発光素子３から射出される光に対して反射性を有する。導電層１５１は、例えばチタン（Ｔｉ）膜で形成されている。導電層１５２は、例えばチタン（Ｔｉ）膜と、その膜上に積層されたアルミニウム（Ａｌ）と銅（Ｃｕ）との合金（ＡｌＣｕ）膜との複合膜で形成されている。導電層１５１，１５２からなる積層構造は、反射層５２を構成し、発光層３２に含まれる発光素子３から射出される光のうちで－Ｚ方向側に射出される光を＋Ｚ方向側に反射する。

【0038】

絶縁層１５３は、導電層１５１の＋Ｚ方向側に積層され、図４に示す領域の略全体に形成されている。絶縁層１５３は、増反射層５３を構成し、反射層５２による光の反射特性を高めるために設けられ、光透過性を有する絶縁材料で形成されている。光透過性を有する絶縁材料として、例えば酸化シリコンが挙げられる。

【0039】

絶縁層１５４は、絶縁層１５３のＸ軸及びＹ軸に平行な表面とホールＨＬ５２の側壁面及び底壁面とを覆うように形成されている。ホールＨＬ５２は、Ｘ軸の発光領域ＨＲと発光領域ＨＢ２との間に形成され、Ｚ軸において導電層１５１，１５２及び絶縁層１５３を貫通している。すなわち、絶縁層１５４には、ホールＨＬ５２に沿う凹部が形成されている。ホールＨＬ５２の側壁には、導電層１５１，１５２及び絶縁層１５３が接している。ホールＨＬ５２の底には、層間絶縁層５１が接している。絶縁層１５４は、例えば窒化シリコン（ＳｉＮ）膜で形成されている。

【0040】

絶縁層１５６は、ホールＨＬ５２に前述のように形成された絶縁層１５４の凹部に埋設されている。絶縁層１５６のＸ軸及びＹ軸に平行な表面は、絶縁層１５５は、絶縁層１５４のＸ軸及びＹ軸に平行な表面と面一である。絶縁層１５６は、例えば酸化シリコンで形成されている。

【0041】

絶縁層１５５は、図４に示す領域の略全体に、絶縁層１５４のＸ軸及びＹ軸に平行な表面と絶縁層１５６のＸ軸及びＹ軸に平行な表面とを覆うように形成されている。絶縁層１５４は、例えば窒化シリコン膜で形成されている。

【0042】

絶縁層１５７は、少なくとも発光領域ＨＲに形成され、発光領域ＨＲにおける絶縁層１５５のＸ軸及びＹ軸に平行な表面に形成されている。絶縁層１５７は、発光領域ＨＲの周辺領域ＲＡにおける絶縁層１５５のＸ軸及びＹ軸に平行な表面にもさらに形成され、発光領域ＨＲの絶縁層１５７と一体に形成されている。周辺領域ＲＡは、発光領域ＨＲと発光領域ＨＢ１，ＨＢ２との境界領域ＲＨのうちで、平面視において発光領域ＨＲに近い側の領域である。平面視したときに、周辺領域ＲＡにおける発光領域ＨＢ２側の端、すなわち絶縁層１５７における発光領域ＨＢ２側の端は、周辺領域ＲＨのＸ軸での中間位置ＣＨよりも発光領域ＨＲ側に配置され、ホールＨＬ５２に埋設されている絶縁層１５４或いは絶縁層１５６と重なっている。絶縁層１５７は、少なくとも発光領域ＨＢ１，ＨＢ２には形成されていない。絶縁層１５７は、例えば酸化シリコンで形成されている。

【0043】

絶縁層１５８は、少なくとも発光領域ＨＲ，ＨＧに形成され、発光領域ＨＲにおける絶縁層１５７のＸ軸及びＹ軸に平行な表面、及び発光領域ＨＧにおける絶縁層１５５のＸ軸及びＹ軸に平行な表面に形成されている。絶縁層１５８は、発光領域ＨＲ及び周辺領域ＲＡにおいて絶縁層１５７を覆い、周辺領域ＲＢにおける絶縁層１５５，１５７のＸ軸及びＹ軸に平行な表面にもさらに形成され、発光領域ＨＲの絶縁層１５８と一体に形成されている。絶縁層１５８は、発光領域ＨＧにおいて絶縁層１５５を覆い、周辺領域ＲＢにおける絶縁層１５５のＸ軸及びＹ軸に平行な表面にもさらに形成され、発光領域ＨＧの絶縁層１５８と一体に形成されている。周辺領域ＲＢは、境界領域ＲＨのうちで平面視において発光領域ＨＢ１，ＨＢ２に近い側の領域であり、発光領域ＨＲ側では周辺領域ＲＡと重なり、平面視で周辺領域ＲＡよりも発光領域ＨＢ１，ＨＢ２側に延びる領域である。平面視したときに、周辺領域ＲＢにおける発光領域ＨＢ２側の端、すなわち絶縁層１５７における発光領域ＨＢ２側の端は、周辺領域ＲＨのＸ軸での中間位置ＣＨよりも発光領域ＨＢ２側に配置され、ホールＨＬ５２に埋設されている絶縁層１５４或いは絶縁層１５６と重なっている。絶縁層１５８は、少なくとも発光領域ＨＢ１，ＨＢ２には形成されていない。絶縁層１５８は、絶縁層１５７と同じ絶縁材料で形成され、例えば酸化シリコンで形成されている。

【0044】

導電層１３１は、少なくとも、発光領域ＨＲ，ＨＧと平面視で重なる領域の絶縁層１５８のＸ軸及びＹ軸に平行な表面に形成され、発光領域ＨＢ１，ＨＢ２と平面視で重なる領域の絶縁層１５５のＸ軸及びＹ軸に平行な表面に形成されている。導電層１３１は、周辺領域ＲＣにおける絶縁層１５８のＸ軸及びＹ軸に平行な表面にもさらに形成され、発光領域ＨＲ，ＨＧの導電層１３１と一体に形成されている。周辺領域ＲＣは、境界領域ＲＨのうちで平面視において発光領域ＨＲ，ＨＧに近い側の領域であり、周辺領域ＲＡと重なり、平面視で周辺領域ＲＡのうちで発光領域ＨＲ，ＨＧ側に近い領域である。導電層１３１は、周辺領域ＲＤにおける絶縁層１５５のＸ軸及びＹ軸に平行な表面にもさらに形成され、発光領域ＨＢ１，ＨＢ２の導電層１３１と一体に形成されている。周辺領域ＲＤは、境界領域Ｒのうちで平面視において発光領域ＨＢ１，ＨＢ２に近い側の領域であり、平面視で周辺領域ＲＢとは離れている領域である。周辺領域ＲＤのＸ軸又はＹ軸での幅は、周辺領域ＲＣのＸ軸又はＹ軸での幅と同等である。導電層１３１は、導電性の透明材料で形成され、例えば、ＩＴＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ）で形成されている。導電層１３１は、表示部１２における画素電極３１を構成している。

【0045】

絶縁層１３４は、平面視で周辺領域ＲＨに形成されている。絶縁層１３４は、周辺領域ＲＣの導電層１３１と、周辺領域ＲＣよりも発光領域ＨＢ１，ＨＢ２側の周辺領域ＲＢの絶縁層１５８と、平面視で周辺領域ＲＢと周辺領域ＲＤとの間の領域の絶縁層１５５と、周辺領域ＲＤの導電層１３１と、の各々のＸ軸及びＹ軸に平行な表面に形成され、これらの表面を＋Ｚ方向側から覆っている。絶縁層１３４は、例えば酸化シリコンで形成されている。絶縁層１３４は、平面視において、発光領域ＨＲ，ＨＧ，ＨＢ１，ＨＢ２同士を区画し、サブ画素Ｐｘを分離し、表示部１２における画素分離層３４を構成している。

【0046】

Ｚ軸において、発光領域ＨＢ１，ＨＢ２に設けられる導電層１３１は、発光領域ＨＲ，ＨＧ及び周辺領域ＲＡに設けられる絶縁層１５７、及び平面視で周辺領域ＲＡとは重ならない周辺領域ＲＢに設けられる絶縁層１５８と同じ位置に形成されている。平面視において、絶縁層１５７の周縁は、発光領域ＨＲ，ＨＧに形成される導電層１３１の周縁よりも、外側すなわち発光領域ＨＢ１，ＨＢ２側に配置されている。Ｚ軸で絶縁層１５７と発光領域ＨＲ，ＨＧに形成される導電層１３１との間に配置される絶縁層１５８の周縁は、絶縁層１５７の周縁よりも、さらに外側に配置されている。そのため、絶縁層１５８は、平面視で絶縁層１５７の周縁、すなわち周辺領域ＲＡにおける発光領域ＨＢ１，ＨＢ２側の端と平面視で重なる位置において、－Ｚ方向側に降下する段差ＳＴ１を含む。絶縁層１５８は、平面視で最も発光領域ＨＢ２に近い側の端によって段差ＳＴ２を含む。

【0047】

周辺領域ＲＡのうちで平面視で周辺領域ＲＣよりも発光領域ＨＢ１，ＨＢ２側の領域での絶縁層１３４のＸ軸及びＹ軸に平行な表面のＺ軸での位置は、周辺領域ＲＣでの絶縁層１３４のＸ軸及びＹ軸に平行な表面のＺ軸での位置よりも、発光領域ＨＲ，ＨＧの導電層１３１の厚みに相当するＺ軸での高さの分だけ－Ｚ方向側に移動する。周辺領域ＲＢのうちで平面視で周辺領域ＲＡよりも発光領域ＨＢ１，ＨＢ２側の領域での絶縁層１３４のＸ軸及びＹ軸に平行な表面のＺ軸での位置は、周辺領域ＲＡのうちで平面視で周辺領域ＲＣよりも発光領域ＨＢ１，ＨＢ２側の領域での絶縁層１３４のＸ軸及びＹ軸に平行な表面のＺ軸での位置よりも、発光領域ＨＲ，ＨＧ及び周辺領域ＲＡの絶縁層１５８の厚みに相当するＺ軸での高さの分だけ－Ｚ方向側に移動する。周辺領域ＲＨのうちで平面視で周辺領域ＲＢよりも発光領域ＨＢ１，ＨＢ２側の領域での絶縁層１３４のＸ軸及びＹ軸に平行な表面のＺ軸での位置は、一定である。

【0048】

周辺領域ＲＨにおいて、絶縁層１３４は、平面視で発光領域ＨＲ，ＨＧに形成される絶縁層１５７の周縁、すなわち周辺領域ＲＣにおける発光領域ＨＢ１，ＨＢ２側の端と平面視で重なる位置において、－Ｚ方向側に降下する段差ＳＴ１１を含む。絶縁層１３４は、平面視で段差ＳＴ１と重なる位置において、－Ｚ方向側に降下する段差ＳＴ１２を含む。

【0049】

導電層１３２は、図４に示す領域の略全体に、発光領域ＨＲ，ＨＧ，ＨＢ１，ＨＢ２の各々の領域に設けられる導電層１３１のＸ軸及びＹ軸に平行な表面と、周辺領域ＲＨの絶縁層１３４のＸ軸及びＹ軸に平行な表面と、を覆うように形成されている。導電層１３２は、複数のサブ画素Ｐxに跨るように配置されている。導電層１３２は、図示略の正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、及び電子輸送層を含み、正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、及び電子輸送層が＋Ｚ方向に順次積層された積層構造を有する。導電層１３２は、表示部１２における発光層３２を構成している。導電層１３２に含まれる正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、及び電子輸送層の各々の厚みは、個別に所定の厚みに設定されている。発光層３２には、画素電極３１のうちで画素分離層３４によって覆われていない部分から正孔が供給される。その結果、発光層３２は、白色光を発する。白色光は、赤色光と、緑色光と、青色光と、を含む。

【0050】

発光領域ＨＲ，ＨＧに設けられる導電層１３１のＸ軸及びＹ軸に平行な表面と、周辺領域ＲＨの絶縁層１３４のＸ軸及びＹ軸に平行な表面と、発光領域ＨＢ１，ＨＢ２に設けられる導電層１３１のＸ軸及びＹ軸に平行な表面と、は、互いに面一ではない。例えば、発光領域ＨＲの導電層１３１から、平面視で発光領域ＨＲ側の絶縁層１３４の端部にかけて、＋Ｚ方向側に上昇する段差ＳＴ２１が生じている。発光領域ＨＢ１の導電層１３１から、平面視で発光領域ＨＢ１側の絶縁層１３４の端部にかけて、＋Ｚ方向側に上昇する段差ＳＴ２２が生じている。Ｘ軸において、段差ＳＴ２１と段差ＳＴ２２との間に、絶縁層１３４の段差ＳＴ１１，ＳＴ１２が生じている。導電層１３２が前述のように複数の層の積層構造を有し、Ｘ軸及びＹ軸に平行な面内で各層が平坦ではない導電層１３１上及び絶縁層１３４上に成膜及び形成される。そのため、導電層１３２の－Ｚ方向側の底面及び＋Ｚ方向側側の表面１３２ａは、段差ＳＴ１，ＳＴ２，ＳＴ１１，ＳＴ１２，ＳＴ２１，ＳＴ２２に起因する複数の段差を有し、Ｘ軸及びＹ軸に平行な面内で平坦ではない。

【0051】

具体的には、導電層１３２の表面１３２ａは、例えば３つの段差ＳＴ３１，ＳＴ３２，ＳＴ３３を有する。段差ＳＴ３１では、導電層１３２の表面１３２ａは、発光領域ＨＲ，ＨＧから発光領域ＨＢ１，ＨＢ２に向けて＋Ｘ方向側に進むにしたがって、段差ＳＴ２１に沿って、＋Ｚ方向側に上昇する。段差ＳＴ３２では、導電層１３２の表面１３２ａは、段差ＳＴ３１と、絶縁層１３４の段差ＳＴ１１に沿って、－Ｚ方向側に下降する。段差ＳＴ３３では、導電層１３２の表面１３２ａは、絶縁層１５８の段差ＳＴ１及び絶縁層１３４の段差ＳＴ１２に沿って、－Ｚ方向側に下降する。

【0052】

導電層１３３は、図４に示す領域の略全体に、発光領域ＨＲ，ＨＧ，ＨＢ１，ＨＢ２及び周辺領域ＲＨに亘って設けられる導電層１３２の＋Ｚ方向側の表面を覆うように形成されている。導電層１３３は、導電層１３２と同様に、ＳＴ１，ＳＴ１１，ＳＴ１２，ＳＴ２１，ＳＴ２２に起因する複数の段差を有し、Ｘ軸及びＹ軸に平行な面内で平坦ではない。

【0053】

導電層１３３は、光透過性及び光反射性を有し、白色光に対して半透明である。導電層１３３は、例えばマグネシウム（Ｍｇ）及び銀（Ａｇ）を含む半透明の導電層で形成されている。導電層１３３は、表示部１２における対向電極３３を構成している。ここで、半透明とは、光透過性及び光反射性の両方の特性が共存することを意味する。導電層１３３に入射する光の透過率や反射率は、特定値に限定されない。一例として、導電層１３３の透過率は、４０％以上７０％以下である。

【0054】

図４では省略されているが、発光領域ＨＲ，ＨＧ，ＨＢ１，ＨＢ２の各々の領域の平面視での所定の位置に、コンタクト電極が形成されている。コンタクト電極は、各々の領域において、導電層１３１からなる画素電極３１と導電層１５１，１５２からなる反射層５２とを電気的に接続する。

【0055】

発光層３２は、不図示の発光素子３Ｒ，３Ｇ，３Ｂを含む。以下では、発光素子３Ｒ，３Ｇ，３Ｂをまとめて発光素子３と記載する場合がある。発光素子３は、＋Ｚ方向側及び－Ｚ方向側に光を射出する。

【0056】

表示部１２では、平面視において、発光領域ＨＲ，ＨＧ，ＨＢ１，ＨＢ２の各々の領域、及び各発光領域に対応するコンタクト領域ＣＡに含まれる積層構造は、サブ画素Ｐｘに相当する。

【0057】

絶縁層１５７及び絶縁層１５８は、サブ画素ＰｘＲ，ＰｘＧ，ＰｘＢ毎に、すなわち発光領域ＨＲ，ＨＧ毎及び発光領域ＨＢ１，ＨＢ２毎に、対向電極３３と反射層５２との間のＺ軸での色光の光学的距離を調整するための距離調整層を構成している。絶縁層１５７は、第１光学距離調整層５７に相当する。絶縁層１５８は、第２光学距離調整層５８に相当する。絶縁層１５８からなる第２光学距離調整層５８の厚みｔ５８は、絶縁層１５７からなる第１光学距離調整層５７の厚みｔ５７と略同等であり、厚みｔ５７よりも小さくてもよい。サブ画素ＰｘＲすなわち発光領域ＨＲの対向電極３３と反射層５２との間のＺ軸での光学的距離と、サブ画素ＰｘＢすなわち発光領域ＨＢ１，ＨＢ２の対向電極３３と反射層５２との間のＺ軸での光学的距離との差は、第１光学距離調整層５７のＺ軸での厚みと第２光学距離調整層５８のＺ軸での厚みとの和に依存する光学的距離に相当する。サブ画素ＰｘＲすなわち発光領域ＨＲの対向電極３３と反射層５２との間のＺ軸での光学的距離と、サブ画素ＰｘＧすなわち発光領域ＨＧの対向電極３３と反射層５２との間のＺ軸での光学的距離との差は、第１光学距離調整層５７のＺ軸での厚みに依存する光学的距離に相当する。サブ画素ＰｘＧすなわち発光領域ＨＧの対向電極３３と反射層５２との間のＺ軸での光学的距離と、サブ画素ＰｘＢすなわち発光領域ＨＢ１，ＨＢ２の対向電極３３と反射層５２との間のＺ軸での光学的距離との差は、第２光学距離調整層５８のＺ軸での厚みに依存する光学的距離に相当する。

【0058】

封止層６０は、絶縁層１６１と、絶縁層１６２と、絶縁層１６３と、を有する。絶縁層１６１は、図４に示す領域の略全体に、発光領域ＨＲ，ＨＧ，ＨＢ１，ＨＢ２及び周辺領域ＲＨに亘って設けられる導電層１３３の＋Ｚ方向側の表面に形成されている。絶縁層１６２は、絶縁層１６１上に積層されている。絶縁層１６３は、絶縁層１６２上に積層されている。封止層６０のうちの絶縁層１６１，１６３は、水分や酸素等の発光層３２への侵入を抑止するために設けられている。絶縁層１６２は、＋Ｚ方向側にＸ軸及びＹ軸に平行な平坦面を有する。絶縁層１６１，１６３は、例えば酸化窒化シリコン（ＳｉＯＮ）で形成されている。絶縁層１６２は、例えばエポキシ樹脂等の無機材料で形成されている。

【0059】

カラーフィルター層は、赤色、緑色或いは青色のカラーフィルターを含み、封止層６０の絶対層１６３上に形成されている。

【0060】

表示部１２では、反射層５２と対向電極３３とによって、光共振構造が形成されている。光共振構造が良好に作用するように、第１光学距離調整層５７の厚みｔ５７及び第２光学距離調整層５８の厚みｔ５８は、赤色光、緑色光及び青色光の各々の光のピーク波長及び前述の光学的距離等に基づいて適切に調整されている。発光層３２から射出される光は、反射層５２と対向電極３３との間で繰り返し反射される。反射層５２と対向電極３３との間の光学的距離に対応する波長の光の強度が強められる。強められた光は、対向電極３３から、封止層６０及びカラーフィルター層よりもさらに＋Ｚ方向側に配置されている不図示の対向基板を介して＋Ｚ方向側に射出される。

【0061】

次に、図５から図１２を参照し、表示部１２のＺ軸における絶縁層１５７から導電層１３３までの積層構造が示されている。図５から図１２までの各図は、Ｚ軸における絶縁層１５７から導電層１３３までの積層構造の製造工程を説明するための断面図であり、図３に示すＣ１－Ｃ１線で矢視したときに対応する図である。

【0062】

図５に示すように、酸化シリコン等の絶縁材料からなる絶縁層１５５の＋Ｚ方向側の面全体に、同じく酸化シリコン等の絶縁材料をデポジットし、絶縁層１５５上に厚みｔ５７を有する絶縁層１５７を積層する。

【0063】

次に、平面視で発光領域ＨＲ及び周辺領域ＲＡに亘る領域の絶縁層１５７上、及び周辺領域ＲＡから＋Ｘ方向側すなわち発光領域ＨＢ２側に適当な間隔をあけた箇所から平面視で発光領域ＨＢ２に亘る領域の絶縁層１５７上に、不図示のレジスト膜を設ける。続いて、パターニングによって、レジスト膜に覆われずに＋Ｚ方向側に露出している絶縁層１５７を削除する。図６に示すように、絶縁層１５７の＋Ｚ方向側の面に、平面視で発光領域ＨＲ及び周辺領域ＲＡの絶縁層１５７と、それに対してＸ軸で離間して発光領域ＨＢ２の絶縁層１５７と、を形成する。

【0064】

次に、図７に示すように、＋Ｚ方向側に露出している絶縁層１５５，１５７の各々のＸ軸及びＹ軸に平行な面に、酸化シリコン等の絶縁材料をデポジットし、絶縁層１５８を形成する。続いて、発光領域ＨＲ及び周辺領域ＲＢに亘る領域の絶縁層１５７上に、不図示のレジスト膜を設ける。続いて、パターニングによって、レジスト膜に覆われずに＋Ｚ方向側に露出している絶縁層１５７，１５８を削除する。図８に示すように、平面視において、発光領域ＨＲ及び周辺領域ＲＡに亘る領域の絶縁層１５７と、発光領域ＨＲ及び周辺領域ＲＢに亘る絶縁層１５８と、を形成する。

【0065】

次に、図９に示すように、平面視において発光領域ＨＲ及び周辺領域ＲＣに重なる絶縁層１５８上、及び発光領域ＨＢ２及び周辺領域ＲＣに重なる絶縁層１５５上に、ＩＴＯ等からなる導電層１３１を形成する。本工程では、各領域に導電層１３１を直接形成してもよく、或いは図８に示す発光領域ＨＲ，ＨＢ２及び周辺領域ＲＨの全体に亘って導電層１３１を積層した後に、平面視で周辺領域ＲＣ，ＲＤ間の二点鎖線で示されている部分の導電層１３１を除去してもよい。

【0066】

次に、図１０に示すように、平面視において周辺領域ＲＨの導電層１３１上、絶縁層１５８上、及び絶縁層１５５上に、酸化シリコン等からなる絶縁層１３４を形成する。
本工程では、周辺領域ＲＨの各層上に絶縁層１３４を直接形成してもよく、或いは図９に示す発光領域ＨＲ，ＨＢ２及び周辺領域ＲＨの全体に亘って絶縁層１３４を積層した後に、平面視で発光領域ＨＲ，ＨＢ２の二点鎖線で示されている部分の絶縁層１３４を除去してもよい。

【0067】

次に、図１１に示すように、発光領域ＨＲ，ＨＢ１の各々の導電層１３１上と、周辺領域ＲＨの絶縁層１３４上に、図示略の正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、及び電子輸送層を順次、所定の厚みで成膜することによって、導電層１３２を形成する。導電層１３２に含まれる各層の＋Ｚ方向側の表面、及び導電層１３２の＋Ｚ方向側の表面には、絶縁層１５８の段差及び絶縁層１３４の段差に応じて、複数の段差が形成される。

【0068】

次に、図１２に示すように、発光領域ＨＲ，ＨＢ１及び周辺領域ＲＨの各々の導電層１３２上に、マグネシウム及び銀を含む半透明の導電材料を所定の厚みで積層し、導電層１３３を形成する。その後、発光領域ＨＲ，ＨＢ１及び周辺領域ＲＨの各々の導電層１３２上に封止層６０を積層することによって、図４に示す表示部１２の素子基板５の構造が清掃される。

【0069】

以上説明した本実施形態の電気光学装置１は、第１電極２０１と、第１反射層２０２と、第１画素電極２１１と、第２反射層２０３と、第２画素電極２１２と、発光層３２と、絶縁層２５０と、を備える。電気光学装置１において、対向電極３３は、第１電極２０１に相当し、赤色光、緑色光及び青色光を含む可視光に対して半透明である。平面視で発光領域ＨＲに重なる増反射層５３は、第１反射層２０２上に設けられる。平面視で発光領域ＨＲに重なる画素電極３１は、第１画素電極２１１に相当し、Ｚ軸において第１電極２０１と第１反射層２０２との間に設けられている。平面視で発光領域ＨＢ２に重なる増反射層５３は、第２反射層２０３上に設けられる。平面視で発光領域ＨＢ１に重なる画素電極３１は、第２画素電極２１２に相当し、Ｚ軸において第１電極２０１と第２反射層２０３との間に設けられている。発光層３２は、Ｚ軸において対向電極３３からなる第１電極２０１と、発光領域ＨＲの画素電極３１からなる第１画素電極２１１、及び発光領域ＨＢ１の画素電極３１からなる第２画素電極２１２との間に設けられている。絶縁層２５０は、例えば絶縁層１５７からなる第１光学距離調整層５７と絶縁層１５８からなる第２光学距離調整層５８との絶縁性の積層構造であり、Ｚ軸において第１画素電極２１１と第１反射層２０２との間に設けられている。絶縁層２５０は、平面視で発光領域ＨＲ及び周辺領域ＲＣに設けられている第１画素電極２１１から第１画素電極２１１と周辺領域ＲＤ及び発光領域ＨＢ１に設けられている第２画素電極２１２との間に延在している。絶縁層２５０の＋Ｚ方向側の表面２５０ａ、すなわち発光層３２側の面は、平面視で第１画素電極２１１と第２画素電極２１２との間、すなわち領域ＲＣ，ＲＤの間に、複数の段差ＳＴ１，ＳＴ２を有する。

【0070】

本実施形態の電気光学装置１では、赤色光が射出される発光領域ＨＲに第１光学距離調整層５７及び第２光学距離調整層５８の積層構造からなる光学距離調整層が設けられている。第１光学距離調整層５７の厚みｔ５７及び第２光学距離調整層５８の厚みｔ５８は、発光領域ＨＲにおける反射層５２と対向電極３３による赤色光の光共振構造が良好に機能し、光共振構造内の効率良く赤色光が取り出されるように、適切に調整されている。一方で、赤色光よりも波長の短い青色光が射出される発光領域Ｂ２には、光学距離調整層が設けられていない。平面視において、絶縁層２５０のうちの第１光学距離調整層５７は、発光領域ＨＲと、発光領域ＨＲと発光領域ＨＢ２との間の周辺領域ＲＨのうちの周辺領域ＲＡと、に設けられている。絶縁層２５０のうちの第２光学距離調整層５８は、発光領域ＨＲと、周辺領域ＲＨのうちの周辺領域ＲＢに延出している。平面視において、周辺領域ＲＢは、発光領域ＨＲから周辺領域ＲＡよりも発光領域ＨＢ１側に延出する領域である。絶縁層２５０の＋Ｚ方向側の面、すなわち表面２５０ａは、平面視で領域ＲＡの発光領域ＨＢ１側の端の段差ＳＴ１と、平面視で領域ＲＢの発光領域ＨＢ１側の端の段差ＳＴ２と、を有する。

【0071】

本実施形態の電気光学装置１では、絶縁層１３４は、周辺領域ＲＨにおいて、第１光学距離調整層５７及び第２光学距離調整層５８を覆い、これらの光学距離調整層と発光層３２との間に介在する絶縁層１３４の表面１３４ａは、段差ＳＴ１１，ＳＴ１２を有する。本実施形態の電気光学装置１では、絶縁層１３４の表面１３４ａが例えば２つの段差ＳＴ１１，ＳＴ１２を有し、絶縁層１３４の表面１３４ａが１つの段差のみを有する場合や段差を有していない場合に比べて、周辺領域ＲＨにおける発光層３２の厚みｔ３２の変化が緩やかである。すなわち、平面視で発光領域ＨＲから発光領域ＨＢ１に向けてＸ軸に沿って移動する際に、発光層３２の厚みｔ３２が複数の段階を経て変化する。

【0072】

本実施形態の電気光学装置１によれば、前述のように周辺領域ＲＨの発光層３２の厚みｔ３２が複数の段階を経て変化し、発光領域ＨＲ，ＨＢ１の発光層３２の厚みｔ３２に比べて局所的に薄くならない。このことによって、周辺領域ＲＨの発光層３２において抵抗が低くなり難く、周辺領域ＲＨにおいて陽極をなす画素電極３１と陰極をなす対向電極３３との間に意図しない電流が流れることを防止することができる。その結果、本実施形態の電気光学装置１によれば、サブ画素Ｐｘの周辺領域ＲＨで不要な周辺発光が生じることを防止することができる。そのため、本実施形態の電気光学装置１によれば、電気光学装置１の色再現性の低下を抑えることができる。

【0073】

図示していないが、平面視で第１光学距離調整層５７と第２画素電極２１２との間に設けられている絶縁層１３４の表面１３４ａに、絶縁層２５０の表面２５０ａの段差ＳＴ２による段差が形成されていてもよい。

【0074】

なお、絶縁層１３４は、第１画素電極２１１と第２画素電極２１２との平面視での間隔が近い場合に、電極間の絶縁性を確実に確保するために設けられているが、省略されてもよい。絶縁層１３４が設けられていない場合、発光層３２の厚みｔ３２は、平面視で第１画素電極２１１と第２画素電極２１２との間で、絶縁層２５０の表面２５０ａの段差ＳＴ１，ＳＴ２によって緩やかに変化する。その結果、本実施形態の電気光学装置１によれば、サブ画素Ｐｘの周辺領域ＲＨで不要な周辺発光が生じることを防止することができる。Ｘ軸における段差ＳＴ１，ＳＴ２の位置を適宜調節することによって、発光層３２の厚みｔ３２を複数の段階を経て緩やかに変化させることができる。

【0075】

図１３は、従来の電気光学装置の表示部１２の平面図である。図１４は、従来の電気光学装置の表示部１２の素子基板５の一部の断面図であり、図３に示すＣ１－Ｃ１線で矢視した場合に対応する図である。図１３及び図１４に示すように、従来の電気光学装置の表示部では、絶縁層１５７からなる第１光学距離調整層５７と絶縁層１５８からなる第２光学距離調整層５８は、発光領域ＨＲ及び周辺領域ＲＢに設けられ、平面視で互いに重なるように形成されている。すなわち、第１光学距離調整層５７の発光領域Ｂ２側の端と第２光学距離調整層５８の発光領域Ｂ２側の端とは、平面視で互いに重なっている。絶縁層２５０は、１つの段差ＳＴ１のみを有する。従来の電気光学装置の構成では、発光層３２の厚みｔ３２が段差ＳＴ１において平面視で周囲よりも局所的に小さい。そのため、段差ＳＴ１の近傍で抵抗が低下し、陽極をなす部分と陰極をなす部分との間に電流が回り込み、周辺領域ＲＨに電流が流れる。このことによって、サブ画素の開口領域、すなわち発光領域ＨＲ，ＨＢ１の周辺領域ＲＨで、赤色光或いは青色光とは異なる波長を有する不要な周辺発光が生じる。その結果、従来の電気光学装置では、色再現性が低下する。

【0076】

本実施形態の電気光学装置１において、平面視で導電層１３３からなる第１電極２０１、及び発光領域ＨＲに設けられる画素電極３１からなる第１画素電極２１１と重なる発光層３２は、赤色光を発する。平面視で第１電極２０１、及び発光領域ＨＢ１に設けられる画素電極３１からなる第２画素電極２１２と重なる発光層３２は、青色光を発する。

【0077】

３原色の色光に関して、赤色光のピーク波長と青色光のピーク波長との差が緑色光のピーク波長と赤色光又は青色光のピーク波長との差よりも大きい。本実施形態の電気光学装置１では、発光領域ＨＲにおける光共振構造の赤色光の光学距離と発光領域ＨＢ１における光共振構造の青色光の光学距離との距離差に応じて、１層の光学距離調整層ではなく、第１光学距離調整層５７及び第２光学距離調整層５８との少なくとも２層を含む積層構造からなる光学距離調整層が発光領域ＨＲ及び周辺領域ＲＨの一部の周辺領域ＲＡに設けられている。第２光学距離調整層５８は、周辺領域ＲＡよりも平面視で発光領域ＨＢ１に近い側、すなわち第２画素電極２１２側の周辺領域ＲＢにも設けられている。本実施形態の電気光学装置１によれば、青色光を発する発光層３２に対して赤色光を発する発光層３２のＺ軸での位置、すなわち表示部１２における高さを、第１光学距離調整層５７及び第２光学距離調整層５８との積層構造によって容易に調整することができる。赤色光のピーク波長と青色光のピーク波長とを考慮して、第１光学距離調整層５７の厚みｔ５７お及び第２光学距離調整層５８の厚みｔ５８を適切に設定し、赤色光の発光領域ＨＲにおける共振器長と青色光の発光領域ＨＢ１における共振器長との光学距離差を容易に調節することができる。そのため、電気光学装置１の色再現性の低下を抑えることができる。

【0078】

本実施形態の電気光学装置１において、絶縁層２５０は、絶縁層１５７からなる第１光学距離調整層５７と、絶縁層１５８からなる第２光学距離絶縁層５８と、を有する。第１光学距離調整層５７は、Ｚ軸において第１画素電極２１１と第１反射層２０２との間に設けられ、平面視で第１画素電極２１１から周辺領域ＲＡにもさらに設けられている。周辺領域ＲＡは、平面視で少なくとも第１画素電極２１１と第２画素電極２１２との間に延在し、具体的には周辺領域ＲＨのうちで発光領域ＨＲと発光領域ＨＢ２との間の発光領域ＨＲ側の領域である。第２光学距離調整層５８は、Ｚ軸において第１光学距離調整層５７の第１画素電極２１１側に設けられ、具体的には第１光学距離調整層５７と第１画素電極２１１との間に設けられている。第２光学距離調整層５８は、平面視で第１画素電極２１１から周辺領域ＲＡよりも第２画素電極２１２側に延在する周辺領域ＲＢに亘って設けられている。第１光学距離調整層５７と第２光学距離調整層５８との積層構造からなる絶縁層２５０は、第１光学距離調整層５７において平面視で第２画素電極２１２側の端部を覆う第２光学距離調整層５８で形成される段差ＳＴ１と、第２光学距離調整層５８の平面視で第２画素電極２１２側の端部で形成される段差ＳＴ２と、を有する。

【0079】

本実施形態の電気光学装置１によれば、第１光学距離調整層５７の平面視で第２画素電極２１２側の端の周辺領域ＲＨにおける位置と、第２光学距離調整層５８の平面視で第２画素電極２１２側の端の周辺領域ＲＨにおける位置と、を調整し、発光層３２の厚みｔ３２を複数の段階を経て、緩やかに且つ容易に変化させることができる。そのため、電気光学装置１の色再現性の低下を抑えることができる。

【0080】

なお、絶縁層２５０は、上述のように第１光学距離調整層５７と第２光学距離調整層５８との積層構造に限定されず、Ｚ軸及び厚み方向で１つの絶縁層で構成され、１つの絶縁層の発光層３２側の面すなわち＋Ｚ方向側の表面に複数の段差を有していてもよい。

【0081】

本実施形態の電気光学装置１において、絶縁層２５０は、第１段差として段差ＳＴ１と、第２段差として段差ＳＴ２と、を有する。段差ＳＴ１は、平面視で第１画素電極２１１と第２画素電極との中間位置よりも第１画素電極２１１側に形成されている。平面視において、第１画素電極２１１と第２画素電極との中間位置は、例えば電気光学装置１の表示部１２の発光領域ＨＲと発光領域ＨＢ２との中間位置ＣＨと同様の位置に配置されている。段差ＳＴ２は、平面視で第１画素電極２１１と第２画素電極との中間位置よりも第２画素電極側に形成され、Ｚ軸に平行な厚み方向で段差ＳＴ１よりも第２反射層２０３側すなわち－Ｚ方向側に形成されている。

【0082】

本実施形態の電気光学装置１によれば、Ｘ軸において中間位置ＣＨを挟んで段差ＳＴ１を第１画素電極２１１側と段差ＳＴ２を第２画素電極２１２側とに配置し、Ｘ軸における第１画素電極２１１から第２画素電極２１２までの間の発光層３２の厚みｔ３２を緩やかに変化させることができる。そのため、電気光学装置１の色再現性の低下を抑えることができる。

【0083】

本実施形態の電気光学装置１において、絶縁層２５０は、第１段差として段差ＳＴ１と、第２段差として段差ＳＴ２と、を有する。段差ＳＴ１，ＳＴ２は、平面視及びＸ軸で第１反射層２０２と第２反射層２０３との間に設けられ、具体的には平面視及びＸ軸で第１反射層２０２と第２反射層２０３との間に形成されるホールＨＬ５２内の絶縁層１５４，１５６と重なっている。

【0084】

本実施形態の電気光学装置１によれば、絶縁層２５０の段差ＳＴ１，ＳＴ２によって周辺領域ＲＨにおいて発光層３２の厚みｔ３２が周囲よりも局所的ではなくとも、小さい部分が生じた場合であっても、そのような発光層３２の厚みｔ３２が小さい部分の－Ｚ方向側には第１反射層２０２又は第２反射層２０３が重ならない。そのため、発光層３２の厚みｔ３２が小さい部分から仮に周辺発光が僅かに生じても、＋Ｚ方向側には射出され難い。そのため、電気光学装置１の色再現性の低下を抑えることができる。

【0085】

［電子機器］
次いで、本実施形態の電子機器について説明する。図１５は、本実施形態の電子機器の一例であるヘッドマウントディスプレイ３００の概略図である。ヘッドマウントディスプレイ３００は、テンプル３１０と、ブリッジ３２０と、左眼用の投射光学系３０１Ｌと、右眼用の投射光学系３０１Ｒと、を備える。投射光学系３０１Ｌには、不図示の左眼用の電気光学素子１が設けられている。投射光学系３０１Ｒには、不図示の左眼用の電気光学素子１が設けられている。

【0086】

図１６は、本実施形態の電子機器の別の例であるパーソナルコンピューター４００の概略図である。パーソナルコンピューター４００は、所望各種の画像を表示するディスプレイ４０１と、ディスプレイ４０１の入力装置及び各種処理回路が本体４０２と、を備える。本体４０２は、入力装置として、キーボード４１２や、タッチパネル４１４と、を備える。

【0087】

本実施形態の電子機器のさらに別の例として、例えば不図示のスマートフォン、テレビ、電子手帳、或いは電子ペーパー等が挙げられる。上述の電気光学装置１は、例えばプリンター、スキャナー、複写機、或いはビデオプレーヤー等の電子機器に適用することができる。

【0088】

本実施形態のヘッドマウントディスプレイ３００を含む電子機器によれば、上述の電子光学装置１を備えるため、電子光学装置１における周辺発光を抑え、色再現性の低下を抑えることができる。

【0089】

以上、本発明の好ましい実施形態について詳述したが、本発明は係る特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲内に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形及び変更が可能である。

【0090】

［本開示のまとめ］
以下、本開示のまとめを付記する。
（付記１）半透過型の第１電極と、第１反射層と、前記第１電極と前記第１反射層との間に設けられた第１画素電極と、第２反射層と、前記第１電極と前記第２反射層との間に設けられた第２画素電極と、前記第１電極と、前記第１画素電極及び前記第２画素電極と、の間に設けられた発光層と、前記第１画素電極と前記第１反射層との間に設けられた絶縁層と、を有し、前記絶縁層は、平面視で前記第１画素電極から前記第１画素電極と前記第２画素電極との間に延在し、前記絶縁層の前記発光層側の面は、平面視で前記第１画素電極と前記第２画素電極との間に、複数の段差を有する、電気光学装置。

【0091】

付記１の構成により、絶縁層の発光層側の面が１つの段差のみを有する場合や段差を有していない場合に比べて、第１画素電極の周辺領域の発光層の厚みの変化を複数の段階を経て緩やかに変化させることができる。付記１の構成により、電気光学装置の色再現性の低下を抑えることができる。

【0092】

（付記２）平面視で第１電極及び前記第１画素電極と重なる前記発光層は赤色光を発し、平面視で第１電極と前記第２画素電極と重なる前記発光層は青色光を発する、付記１の電気光学装置。

【0093】

付記２の構成により、赤色の発光領域における光共振構造の共振器長と青色の発光領域における光共振構造の共振器長との差に応じて、絶縁層の厚みを適切に、且つ余裕を以って設定し、絶縁層の発光層側の面に複数の段差を形成することができる。

【0094】

（付記３）前記絶縁層は、前記第１画素電極と前記第１反射層との間に設けられ、平面視で前記第１画素電極から前記第１画素電極と前記第２画素電極との間に延在する第１領域に設けられた第１光学距離調整層と、前記第１光学距離調整層の前記第１画素電極側に設けられ、平面視で前記第１画素電極から前記第１領域よりも前記第２画素電極側に延在する第２領域に亘って設けられた第２光学距離調整層と、を有する、付記１又は２の電気光学装置。

【0095】

付記３の構成により、平面視で第１光学距離調整層の第２画素電極側の端と第２光学距離調整層の第２画素電極側の端によって絶縁層の発光層側の面に少なくとも２つの段差を形成することができる。

【0096】

（付記４）前記絶縁層は、第１段差と、第２段差と、を有し、前記第１段差は、平面視で前記第１画素電極と前記第２画素電極との中間位置よりも前記第１画素電極側に形成され、前記第２段差は、平面視で前記中間位置よりも前記第２画素電極側に形成され、厚み方向で前記第１段差よりも前記第２反射層側に形成されている、付記１から３の何れか１つの電気光学装置。

【0097】

付記４の構成により、平面視で第１画素電極と第２画素電極との間で絶縁層の発光層側の面に適度な間隔をあけて第１段差及び第２段差を形成することができる。

【0098】

（付記５）前記絶縁層は、第１段差と、第２段差と、を有し、前記第１段差及び前記第２段差は、平面視で前記第１反射層と前記第２反射層との間に設けられている、付記１から４の何れか１つの電気光学装置。

【0099】

付記５の構成により、第１画素電極の周辺領域の発光層の薄い部分で仮に周辺発光が僅かに発生した場合でも、周辺発光が第１反射層又は第２反射層で反射されずに、対向電極側に光が射出されずに済む。

【0100】

（付記６）付記１から５の何れかの電気光学装置を備える、電子機器。

【0101】

付記５の構成により、電子機器の電子光学装置における周辺発光を抑え、色再現性の低下を抑えることができる。

【符号の説明】

【0102】