特開 2024-169114 電子部品

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024169114

(43)【公開日】2024-12-05

(54)【発明の名称】電子部品

(51)【国際特許分類】

   H01F 27/29 20060101AFI20241128BHJP

   H01F 17/00 20060101ALI20241128BHJP

【ＦＩ】

H01F27/29 123

H01F17/00 D

【審査請求】未請求

【請求項の数】8

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023086322

(22)【出願日】2023-05-25

(71)【出願人】

【識別番号】000003067

【氏名又は名称】ＴＤＫ株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100115738

【弁理士】

【氏名又は名称】鷲頭 光宏

(74)【代理人】

【識別番号】100121681

【弁理士】

【氏名又は名称】緒方 和文

(72)【発明者】

【氏名】橋本 祐樹

(72)【発明者】

【氏名】阿部 敏之

(72)【発明者】

【氏名】藤井 直明

(72)【発明者】

【氏名】西川 朋永

(72)【発明者】

【氏名】奥村 武史

【テーマコード（参考）】

5E070

【Ｆターム（参考）】

5E070AA01

5E070AB01

5E070BB03

5E070CB13

5E070CB17

5E070DA13

(57)【要約】

【課題】コイルパターン及びバンプ電極が磁性素体で埋め込まれた構造を有する電子部品において、バンプ電極に加わる応力を緩和しつつ、バンプ電極の抵抗値を低減する。
【解決手段】電子部品１は、磁性素体Ｍに埋め込まれ、絶縁層１０～１２を介して積層された導体層Ｃ０，Ｃ１と、磁性素体Ｍに埋め込まれ、実装面４に露出するバンプ電極Ｐ１，Ｐ２とを備える。導体層Ｃ０はコイルパターン１００を含む。導体層Ｃ１は、コイルパターン１１０と接続パターン１１１とを含む。コイルパターン１００の一端は、接続パターン１１１を介してバンプ電極Ｐ１に接続され、コイルパターン１００の他端は、コイルパターン１１０を介してバンプ電極Ｐ２に接続される。バンプ電極Ｐ１は、接続パターン１１１よりも面積が大きく、且つ、円形度が高い。
【選択図】図２

【特許請求の範囲】

【請求項1】

実装面を有する磁性素体と、
前記磁性素体に埋め込まれ、絶縁層を介して積層された複数の導体層と、
前記磁性素体に埋め込まれ、前記実装面に露出する第１のバンプ電極及び第２のバンプ電極と、
を備え、
前記複数の導体層は、第１の導体層と、前記第１の導体層と前記第１のバンプ電極及び前記第２のバンプ電極と、の間に位置する少なくとも１層の第２の導体層とを含み、
前記第１の導体層は、第１のコイルパターンを含み、
前記第２の導体層は、第２のコイルパターンと、積層方向から見て前記第１のバンプ電極と重なる接続パターンとを含み、
前記第１のコイルパターンの一端は、前記第２の導体層に含まれる前記接続パターンを介して前記第１のバンプ電極に電気的に接続され、
前記第１のコイルパターンの他端は、前記第２の導体層に含まれる前記第２のコイルパターンを介して前記第２のバンプ電極に電気的に接続され、
前記第１のバンプ電極は、積層方向から見て、前記第２の導体層に含まれる前記接続パターンよりも面積が大きく、且つ、円形度が高い、
電子部品。

【請求項2】

前記第２の導体層に含まれる前記接続パターンは、第１の方向を長手方向とし、前記第１の方向と直交または略直交する第２の方向を短手方向とする形状を有する、
請求項１に記載の電子部品。

【請求項3】

前記第２の導体層に含まれる前記接続パターンは、第１のビアを介して、前記第１のバンプ電極に接続されるとともに、第２のビアを介して、前記第１のコイルパターンの前記一端に接続され、
前記第１のビア及び前記第２のビアは、前記接続パターンの前記長手方向における異なる位置に形成されている、
請求項２に記載の電子部品。

【請求項4】

前記複数の導体層は、前記第１の導体層と、前記第１のバンプ電極及び前記第２のバンプ電極と、の間に積層された複数の前記第２の導体層を含み、
前記複数の第２の導体層にそれぞれ含まれる前記接続パターンは、第１の方向を長手方向とし、前記第１の方向と直交または略直交する第２の方向を短手方向とする形状を有する、
請求項２に記載の電子部品。

【請求項5】

前記複数の第２の導体層にそれぞれ含まれる前記接続パターンは、
第１のビアを介して、該接続パターンよりも積層方向において上層に位置する他の前記第２の導体層に含まれる接続パターンに接続されるか、または、該接続パターンよりも積層方向において上層に位置する前記第１のバンプ電極に電気的に接続されるとともに、
第２のビアを介して、該接続パターンよりも積層方向において下層に位置する他の前記第２の導体層に含まれる接続パターンに接続されるか、または、該接続パターンよりも積層方向において下層に位置する前記第１の導体層における前記第１のコイルパターンの前記一端に電気的に接続され、
前記第１のビア及び前記第２のビアは、対応する前記接続パターンの前記長手方向における異なる位置に形成されている、
請求項４に記載の電子部品。

【請求項6】

前記第２のバンプ電極は、積層方向から見て、前記第１のバンプ電極と同じ平面形状に形成され、
前記第１のコイルパターン及び前記第２のコイルパターンは、前記第２のバンプ電極と重なる位置において径方向におけるパターン幅が拡大する突起部を有する、
請求項１から５のいずれか一項に記載の電子部品。

【請求項7】

実装面を有する磁性素体と、
前記磁性素体に埋め込まれ、絶縁層を介して積層された複数の導体層と、
前記磁性素体に埋め込まれ、前記実装面に露出する第１のバンプ電極及び第２のバンプ電極と、
を備え、
前記複数の導体層は、第１の導体層と、前記第１の導体層と前記第１のバンプ電極及び前記第２のバンプ電極と、の間に位置する少なくとも１層の第２の導体層とを含み、
前記第１の導体層は、第１のコイルパターンを含み、
前記第２の導体層は、第２のコイルパターンと、積層方向から見て前記第１のバンプ電極と重なる接続パターンとを含み、
前記第１のコイルパターンの一端は、前記第２の導体層に含まれる前記接続パターンを介して前記第１のバンプ電極に電気的に接続され、
前記第１のコイルパターンの他端は、前記第２の導体層に含まれる前記第２のコイルパターンを介して前記第２のバンプ電極に電気的に接続され、
積層方向から平面視した前記第１のバンプ電極の面積は、積層方向から平面視した前記第２の導体層に含まれる前記接続パターンの面積よりも大きく、且つ、積層方向から平面視した前記第１のバンプ電極の形状のアスペクト比と、積層方向から平面視した前記接続パターンの形状のアスペクト比とが異なる、
電子部品。

【請求項8】

積層方向から平面視した前記第１のバンプ電極の形状のアスペクト比は、積層方向から平面視した前記接続パターンの形状のアスペクト比よりも１に近い
請求項７に記載の電子部品。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、コイルパターン及びこれに接続されたバンプ電極が磁性素体で埋め込まれた構造を有する電子部品に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１には、コイルパターン及びこれに接続されたバンプ電極が磁性素体に埋め込まれた構造を有するコイル部品が開示されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１７－１９９７９８号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

本開示においては、コイルパターン及びバンプ電極が磁性素体で埋め込まれた構造を有する電子部品において、バンプ電極に加わる応力を緩和しつつ、バンプ電極の抵抗値を低減する技術が説明される。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本開示の一側面による電子部品は、実装面を有する磁性素体と、磁性素体に埋め込まれ、絶縁層を介して積層された複数の導体層と、磁性素体に埋め込まれ、実装面に露出する第１のバンプ電極及び第２のバンプ電極とを備え、複数の導体層は、第１の導体層と、第１の導体層と第１のバンプ電極及び第２のバンプ電極と、の間に位置する少なくとも１層の第２の導体層とを含み、第１の導体層は、第１のコイルパターンを含み、第２の導体層は、第２のコイルパターンと、積層方向から見て第１のバンプ電極と重なる接続パターンとを含み、第１のコイルパターンの一端は、第２の導体層に含まれる接続パターンを介して第１のバンプ電極に電気的に接続され、第１のコイルパターンの他端は、第２の導体層に含まれる第２のコイルパターンを介して第２のバンプ電極に電気的に接続され、第１のバンプ電極は、積層方向から見て、第２の導体層に含まれる接続パターンよりも面積が大きく、且つ、円形度が高い。

【発明の効果】

【0006】

本開示によれば、コイルパターン及びバンプ電極が磁性素体で埋め込まれた構造を有する電子部品において、バンプ電極に加わる応力を緩和しつつ、バンプ電極の抵抗値を低減する技術が提供される。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】図１は、本開示の一実施形態による電子部品（コイル部品１）の外観を説明するための略斜視図である。

【図2】図２は、コイル部品１の模式的な断面図である。

【図3】図３は、導体層Ｃ０のパターン形状を説明するための略平面図である。

【図4】図４は、導体層Ｃ１のパターン形状を説明するための略平面図である。

【図5】図５は、導体層Ｃ２のパターン形状を説明するための略平面図である。

【図6】図６は、導体層Ｃ３のパターン形状を説明するための略平面図である。

【図7】図７は、バンプ電極Ｐ１と接続パターン１１１，１２１，１３１の形状をより詳細に説明するための透視拡大平面図である。

【発明を実施するための形態】

【0008】

以下、添付図面を参照しながら、本開示の実施形態について詳細に説明する。

【0009】

図１は、本開示の一実施形態による電子部品１の外観を説明するための略斜視図である。以下、電子部品１を、コイル部品１と記載する。

【0010】

図１に示すように、本実施形態によるコイル部品１は、Ｚ方向をコイル軸とするコイル部３が磁性素体Ｍに埋め込まれた構造を有するチップ型のコイル部品である。磁性素体Ｍは、コイル軸と直交（または略直交）しＸＹ面を構成する実装面４及び上面５を有している。実装面４と上面５は、互いに反対側に位置する。実装面４には端子電極Ｅ１，Ｅ２が設けられており、実装時においては、実装面４が回路基板と向かい合うよう、端子電極Ｅ１，Ｅ２が回路基板にハンダ付けされる。つまり、図１に示すコイル部品１の上下方向は、実装時とは１８０°異なっている。

【0011】

図２は、本実施形態によるコイル部品１の模式的な断面図である。

【0012】

図２に示すように、本実施形態によるコイル部品１は、コイル軸方向（Ｚ方向）に交互に積層された絶縁層１０～１４及び導体層Ｃ０～Ｃ３を有している。導体層Ｃ０～Ｃ３はＣｕなどからなり、コイル部３を構成する。絶縁層１０～１４は、樹脂などからなる。磁性素体Ｍは、磁性樹脂層Ｍ１，Ｍ２からなる。このうち、磁性樹脂層Ｍ１はコイル部３の内径領域、コイル部３の径方向における外側領域、並びに、コイル部３のコイル軸方向における一方側に設けられる。磁性樹脂層Ｍ２は、コイル部３のコイル軸方向における他方側に設けられる。磁性樹脂層Ｍ１，Ｍ２は、磁性フィラーとバインダー樹脂を含む複合磁性材料からなる。磁性樹脂層Ｍ１を構成する複合磁性材料と磁性樹脂層Ｍ２を構成する複合磁性材料は、互いに同じ材料であっても構わないし、互いに異なる材料であっても構わない。磁性フィラーとしては、鉄（Ｆｅ）やパーマロイ系材料などの金属磁性材料を用いることができる。バインダー樹脂としては、エポキシ樹脂を用いることができる。

【0013】

磁性樹脂層Ｍ１にはバンプ電極Ｐ１，Ｐ２が埋め込まれている。バンプ電極Ｐ１，Ｐ２はＣｕなどからなり、Ｚ方向に延在するピラー状の導体である。このうち、バンプ電極Ｐ１の一端である下面Ｂは、導体層Ｃ０～Ｃ３によって構成されるコイルの一端に接続され、バンプ電極Ｐ２の一端である下面Ｂは、導体層Ｃ０～Ｃ３によって構成されるコイルの他端に接続される。導体層Ｃ０はバンプ電極Ｐ１，Ｐ２から最も遠い最下層の導体層であり、他の導体層Ｃ１～Ｃ３は、導体層Ｃ０とバンプ電極Ｐ１，Ｐ２との間に位置する。

【0014】

バンプ電極Ｐ１，Ｐ２の他端である上面Ｔは実装面４から露出し、それぞれ端子電極Ｅ１，Ｅ２に接続される。バンプ電極Ｐ１，Ｐ２の側面Ｓ（Ｚ方向に沿った面）は、バンプ保護膜１５で覆われている。これにより、バンプ電極Ｐ１，Ｐ２と磁性素体Ｍの間にバンプ保護膜１５が介在することから、バンプ電極Ｐ１，Ｐ２と磁性素体Ｍの接触が防止され、両者の絶縁が確保される。また、バンプ電極Ｐ１，Ｐ２を有する本実施形態のコイル部品１を回路基板等に実装すると、バンプ電極Ｐ１，Ｐ２によって応力が緩和され、コイル部３へのダメージが低減される。このため、コイル部品１の実装信頼性も向上する。

【0015】

磁性素体Ｍの実装面４及び上面５は、それぞれカバー絶縁膜２１，２２で覆われている。このうち、カバー絶縁膜２２については上面５のほぼ全面を覆うのに対し、カバー絶縁膜２１にはバンプ電極Ｐ１，Ｐ２をそれぞれ露出させる開口２１ａ，２１ｂが設けられている。これにより、バンプ電極Ｐ１，Ｐ２の上面Ｔ（ＸＹ面）は、カバー絶縁膜２１の開口２１ａ，２１ｂからそれぞれ露出する。開口２１ａ，２１ｂから露出するバンプ電極Ｐ１，Ｐ２の上面Ｔには、それぞれ端子電極Ｅ１，Ｅ２が設けられる。端子電極Ｅ１，Ｅ２の一部は、カバー絶縁膜２１の表面上に位置していても構わない。端子電極Ｅ１，Ｅ２は、例えば、Ａｇなどからなる金属粉とバインダー樹脂を含む導電性樹脂材料からなる導体層３１と、導体層３１の表面に形成された金属からなる導体層３２によって構成される。したがって、導体層３２を構成する導電材料は、導体層３１を構成する導電材料よりも抵抗値が低い。

【0016】

導体層３２は、複数の金属の積層膜、例えばＮｉとＳｎの積層膜であっても構わない。ＮｉとＳｎの積層膜は、銀ペーストなどの導電性樹脂材料よりも十分に低抵抗であるとともに、ハンダに対する高い耐熱性と高い濡れ性を有している。一方、下層に位置する導体層３１は、上層に位置する導体層３２と比べ、カバー絶縁膜２１に対して高い密着性を得ることができるとともに、導電性樹脂の持つ高い柔軟性によって熱衝撃や外部応力を緩和することができるため、信頼性が高められる。

【0017】

このように、磁性素体Ｍの実装面４がカバー絶縁膜２１で覆われていることから、端子電極Ｅ１，Ｅ２と磁性素体Ｍの接触が防止され、これにより製品の信頼性が高められる。バンプ電極Ｐ１，Ｐ２の上面Ｔについては、カバー絶縁膜２１で覆われることなく、その全面がそれぞれ端子電極Ｅ１，Ｅ２で覆われていても構わない。バンプ電極Ｐ１，Ｐ２の上面Ｔは、カバー絶縁膜２１の表面と同一又は略同一の平面を構成していても構わない。このような構成によれば、バンプ電極Ｐ１，Ｐ２と端子電極Ｅ１，Ｅ２の接触面積が増大するため、両者間における接触抵抗を低減することが可能となる。しかも、バンプ電極Ｐ１，Ｐ２の上面Ｔがカバー絶縁膜２１で覆われていない場合、全体の高さも低背化される。また、バンプ保護膜１５の端面についても、実装面４から露出しても構わない。バンプ保護膜１５は、カバー絶縁膜２１と接触するとともに、その上端面は、バンプ電極Ｐ１，Ｐ２の上面Ｔ及びカバー絶縁膜２１の表面と同一又は略同一の平面を構成しても構わない。これによれば、バンプ電極Ｐ１，Ｐ２の側面Ｓがバンプ保護膜１５によって確実に保護される。また、磁性素体Ｍの上面５については、カバー絶縁膜２２で覆われていることから、製品の信頼性が高められるとともに、上面５に方向性マークなどを設けることが可能となる。

【0018】

図３～図６は、それぞれ導体層Ｃ０～Ｃ３のパターン形状を説明するための略平面図である。図３～図６に示すＡ－Ａ線は、図２に示す断面位置を示している。

【0019】

図３に示すように、導体層Ｃ０にはコイルパターン１００が設けられる。コイルパターン１００は約１ターン周回するパターンであり、その両端は、絶縁層１１に設けられたビア１１ａ，１１ｂを介して導体層Ｃ１に接続される。

【0020】

図４に示すように、導体層Ｃ１にはコイルパターン１１０及び接続パターン１１１が設けられる。コイルパターン１１０は約１ターン周回するパターンであり、その一端は、絶縁層１１に設けられたビア１１ｂを介して導体層Ｃ０のコイルパターン１００の他端に接続されるとともに、その他端は、絶縁層１２に設けられたビア１２ｂを介して導体層Ｃ２に接続される。接続パターン１１１は、導体層Ｃ０に設けられたコイルパターン１００の一端と重なる位置に設けられており、絶縁層１１に設けられたビア１１ａを介して導体層Ｃ０のコイルパターン１００の一端に接続されるとともに、絶縁層１２に設けられたビア１２ａを介して導体層Ｃ２に接続される。

【0021】

図５に示すように、導体層Ｃ２にはコイルパターン１２０及び接続パターン１２１が設けられる。コイルパターン１２０は約１ターン周回するパターンであり、その一端は、絶縁層１２に設けられたビア１２ｂを介して導体層Ｃ１のコイルパターン１１０の他端に接続されるとともに、その他端は、絶縁層１３に設けられたビア１３ｂを介して導体層Ｃ３に接続される。接続パターン１２１は、導体層Ｃ１に設けられた接続パターン１１１と重なる位置に設けられており、絶縁層１２に設けられたビア１２ａを介して導体層Ｃ１の接続パターン１１１に接続されるとともに、絶縁層１３に設けられたビア１３ａを介して導体層Ｃ３に接続される。

【0022】

図６に示すように、導体層Ｃ３にはコイルパターン１３０及び接続パターン１３１が設けられる。コイルパターン１３０は約０．５ターン周回するパターンであり、その一端は、絶縁層１３に設けられたビア１３ｂを介して導体層Ｃ２のコイルパターン１２０の他端に接続されるとともに、その他端は、絶縁層１４に設けられたビア１４ｂを介してバンプ電極Ｐ２に接続される。接続パターン１３１は、導体層Ｃ２に設けられた接続パターン１２１と重なる位置に設けられており、絶縁層１３に設けられたビア１３ａを介して導体層Ｃ２の接続パターン１２１に接続されるとともに、絶縁層１４に設けられたビア１４ａを介してバンプ電極Ｐ１に接続される。ビア１４ａ，１４ｂの平面位置は、それぞれバンプ電極Ｐ１，Ｐ２の中心位置であっても構わないし、それぞれバンプ電極Ｐ１，Ｐ２の中心からオフセットした位置であっても構わない。

【0023】

これにより、最下層に位置するコイルパターン１００の一端は、導体層Ｃ１～Ｃ３に含まれる接続パターン１１１，１２１，１３１を介してバンプ電極Ｐ１に接続される。コイルパターン１００の他端は、導体層Ｃ１～Ｃ３に含まれるコイルパターン１１０，１２０，１３０を介してバンプ電極Ｐ２に接続される。その結果、端子電極Ｅ１，Ｅ２間には、コイルパターン１００，１１０，１２０，１３０が直列に接続され、合計で約３．５ターンのコイルが形成される。本実施形態によるコイル部品１は、絶縁層１０～１４と導体層Ｃ０～Ｃ３が交互に積層されてなるコイル部３が磁性素体Ｍに埋め込まれた構造を有する埋め込み型のコイル部品であり、セラミックなどからなる磁性シートとコイルパターンが交互に積層されてなる積層型のコイル部品とは構造が異なる。例えば、積層型のコイル部品においては、積層方向に隣接するコイルパターン間に磁性シートが介在するが、本実施形態によるコイル部品１は、積層方向に隣接するコイルパターンが絶縁層によって絶縁されており、両者間に磁性素体Ｍは介在しない。また、プリント基板上にコイルパターンを形成したタイプのシートコイルとも構造が異なる。

【0024】

図７は、バンプ電極Ｐ１と接続パターン１１１，１２１，１３１の形状をより詳細に説明するための透視拡大平面図である。

【0025】

図７に示すように、積層方向であるＺ方向から見た平面視で、バンプ電極Ｐ１がほぼ真円形状であるのに対し、接続パターン１１１，１２１，１３１は、Ｙ方向を長手方向とし、Ｘ方向を短手方向とする非円形状であり、楕円に近い平面形状を有している。バンプ電極Ｐ１の平面形状が真円である必要はないが、少なくとも接続パターン１１１，１２１，１３１よりも円形度が高い。これにより、バンプ電極Ｐ１と素体１０の熱膨張係数の差によって両者の界面に生じる応力が緩和され、バンプ電極Ｐ１と磁性素体Ｍとの間に剥離などが生じにくくなる。バンプ電極Ｐ１の平面形状の円形度が比較的高い場合、バンプ電極Ｐ１の平面形状は、円に近い形状となることから、応力が集中する箇所が低減される。このため、例えば、応力の集中による剥離が生じにくくなる。バンプ電極Ｐ２についても、バンプ電極Ｐ１と同じサイズ及び同じ平面形状を有していても構わない。

【0026】

また、図７に示すように、積層方向であるＺ方向から見た平面視で、バンプ電極Ｐ１の面積は、接続パターン１１１，１２１，１３１のそれぞれの面積よりも大きい。これにより、バンプ電極Ｐ１の抵抗値が低減されるとともに、機械的強度を十分に確保できる。これに対し、接続パターン１１１，１２１，１３１についてはバンプ電極Ｐ１よりも面積が小さいことから、コイルパターン１１０，１２０，１３０の径や導体幅を十分に確保することが可能となる。ここで、バンプ電極Ｐ１の径をＤとし、接続パターン１１１，１２１，１３１の長手方向におけるサイズをＬ１、短手方向におけるサイズをＬ２とした場合、本実施形態においては、Ｄ＞Ｌ２を満たしている。つまり、接続パターン１１１，１２１，１３１の短手方向におけるサイズＬ２は、バンプ電極Ｐ１の径Ｄよりも小さい。接続パターン１１１，１２１，１３１の長手方向におけるサイズＬ１については、バンプ電極Ｐ１の径Ｄとほぼ同じであっても構わない。

【0027】

さらに、断面図である図２に示すように、接続パターン１１１，１２１，１３１にそれぞれ割り当てられた２つのビアは、平面位置が長手方向に異なっている。例えば、接続パターン１１１に着目すると、接続パターン１１１よりも下層に位置するコイルパターン１００に接続するためのビア１１ａについてはＹ方向における一方側に配置され、接続パターン１１１よりも上層に位置する接続パターン１２１に接続するためのビア１２ａについてはＹ方向における他方側に配置されている。また、接続パターン１２１に着目すると、接続パターン１２１よりも下層に位置する接続パターン１１１に接続するためのビア１２ａについてはＹ方向における他方側に配置され、接続パターン１２１よりも上層に位置する接続パターン１３１に接続するためのビア１３ａについてはＹ方向における一方側に配置されている。さらに、接続パターン１３１に着目すると、接続パターン１３１よりも下層に位置する接続パターン１２１に接続するためのビア１３ａについてはＹ方向における一方側に配置され、接続パターン１３１よりも上層に位置するバンプ電極Ｐ１に接続するためのビア１４ａについてはＹ方向における他方側に配置されている。このような構成により、同じ接続パターンに割り当てられた２つのビアが上下に一直線に並ばないことから、バンプ電極Ｐ１を介して外部から加わる応力が緩和されるとともに、導体層Ｃ１～Ｃ３を構成するＣｕなどからなる金属材料と絶縁層１０～１４を構成する樹脂材料との熱膨張係数の差に起因する応力が緩和されることから、ビアの接続信頼性が高められる。

【0028】

また、図３～図６に示すように、コイルパターン１００，１１０，１２０，１３０は、Ｚ方向から見た平面視でバンプ電極Ｐ２と重なる位置において径方向におけるパターン幅が拡大する突起部１０２，１１２，１２２，１３２を有している。これにより、バンプ電極Ｐ２を形成する際、下地となる面の平坦性が確保されることから、バンプ電極Ｐ２を設計通りの形状に形成することが可能となる。

【0029】

さらに、本実施形態においては、コイル部３を構成するコイルパターン１００，１１０，１２０，１３０や接続パターン１１１，１２１，１３１については絶縁層１０～１４によって磁性素体Ｍから絶縁され、バンプ電極Ｐ１，Ｐ２についてはバンプ保護膜１５によって磁性素体Ｍから絶縁され、端子電極Ｅ１，Ｅ２についてはカバー絶縁膜２１によって磁性素体Ｍから絶縁される。これにより、全ての導体パターンが磁性素体Ｍから絶縁されることから、高い絶縁特性を得ることが可能となる。

【0030】

ここで、絶縁層１０～１４、バンプ保護膜１５及びカバー絶縁膜２１，２２を構成する具体的な材料については特に限定されないが、バンプ保護膜１５とカバー絶縁膜２１，２２が互いに異なる絶縁材料からなるものであっても構わない。これは、バンプ保護膜１５については、磁性素体Ｍに埋め込まれるとともに、バンプ電極Ｐ１，Ｐ２と接触するのに対し、カバー絶縁膜２１，２２については、コイル部品１の最表層を構成することから、製品の信頼性を高めるために求められる諸特性が異なるからである。

【0031】

具体的には、バンプ保護膜１５については、シリカなどの無機材料からなるフィラーを含有する熱膨張係数の低い絶縁材料を選択することにより、バンプ電極Ｐ１，Ｐ２の材料であるＣｕとの熱膨張係数差を低減することができる。これに対し、カバー絶縁膜２１，２２については、ヤング率の低い樹脂材料を用いることにより、実装面４及び上面５における磁性素体Ｍの物理的な保護特性が高められる。したがって、バンプ保護膜１５としては、カバー絶縁膜２１，２２よりも熱膨張係数の低い絶縁材料を選択し、カバー絶縁膜２１，２２については、バンプ保護膜１５よりもヤング率よりも低い絶縁材料を選択すればよい。また、求められる特性に応じ、カバー絶縁膜２１，２２を構成する絶縁材料にフィラーを添加しても構わない。例えば、カバー絶縁膜２１，２２を構成する絶縁材料に磁性フィラーを添加すれば、インダクタンスをより高めることも可能である。

【0032】

絶縁層１０～１４については、磁性素体Ｍに埋め込まれるとともに、コイルパターン１００，１１０，１２０，１３０や接続パターン１１１，１２１，１３１と接触することから、バンプ保護膜１５と同じ絶縁材料を用いても構わない。絶縁層１０～１４とバンプ保護膜１５に同じ絶縁材料を用いれば、材料コストを低減することが可能となる。

【0033】

以上、本開示に係る技術の実施形態について説明したが、本開示に係る技術は、上記の実施形態に限定されることなく、その主旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能であり、それらも本開示に係る技術の範囲内に包含されるものであることはいうまでもない。

【0034】

例えば、上記実施形態では、コイル部３が４層の導体層Ｃ０～Ｃ３によって構成されているが、コイル部に含まれる導体層の層数については特に限定されない。また、上記実施形態では、各導体層Ｃ０～Ｃ２に設けられたコイルパターン１００，１１０，１２０のターン数が約１ターンであるが、各導体層に設けられるコイルパターンのターン数については特に限定されない。

【0035】

また、バンプ電極（Ｐ１、Ｐ２）の平面形状は、非円形状であってよく、例えば、矩形や、角が丸められた矩形であってもよい。接続パターン（１１１，１２１，１３１）の平面形状も、例えば、矩形や、角が丸められた矩形であってもよい。この場合において、バンプ電極の平面形状のアスペクト比は、接続パターンのアスペクト比と異なっていてよい。バンプ電極の平面形状のアスペクト比は、例えば、バンプ電極の平面形状のＹ方向の最大幅を、Ｘ方向の最大幅により除算する（平面形状のＹ方向の最大幅／Ｘ方向の最大幅）ことにより算出されてよい。バンプ電極の平面形状のＹ方向の最大幅と、Ｘ方向の最大幅とが等しい場合、アスペクト比は「１」と計算される。同様に、接続パターンの平面形状のアスペクト比は、例えば、接続パターンの平面形状のＹ方向の最大幅をＸ方向の最大幅により除算することにより算出されてよい。接続パターンの平面形状のＹ方向の最大幅と、Ｘ方向の最大幅とが等しい場合、アスペクト比は「１」と計算される。

【0036】

例えば、バンプ電極の平面形状のアスペクト比が、接続パターンの平面形状のアスペクト比よりも「１」に近くなるように、バンプ電極の平面形状と、接続パターンの平面形状とが形成されてもよい。この場合、バンプ電極の平面形状よりも、接続パターンの平面形状の方が、Ｘ方向に横長（Ｘ方向が長軸方向）か、Ｙ方向に縦長（Ｙ方向が長軸方向）な形状となる。接続パターンがこのように形成されることで、例えば、当該接続パターンに接続されるビア導体を、当該接続パターンの長軸方向における異なる位置に形成することができる。

【0037】

本開示に係る技術には、以下の構成例が含まれるが、これに限定されるものではない。

【0038】

本開示の一側面による電子部品は、実装面を有する磁性素体と、磁性素体に埋め込まれ、絶縁層を介して積層された複数の導体層と、磁性素体に埋め込まれ、実装面に露出する第１のバンプ電極及び第２のバンプ電極とを備え、複数の導体層は、第１の導体層と、第１の導体層と第１のバンプ電極及び第２のバンプ電極と、の間に位置する少なくとも１層の第２の導体層とを含み、第１の導体層は、第１のコイルパターンを含み、第２の導体層は、第２のコイルパターンと、積層方向から見て第１のバンプ電極と重なる接続パターンとを含み、第１のコイルパターンの一端は、第２の導体層に含まれる接続パターンを介して第１のバンプ電極に電気的に接続され、第１のコイルパターンの他端は、第２の導体層に含まれる第２のコイルパターンを介して第２のバンプ電極に電気的に接続され、第１のバンプ電極は、積層方向から見て、第２の導体層に含まれる接続パターンよりも面積が大きく、且つ、円形度が高い。これによれば、第１のバンプ電極と磁性素体との間に剥離などが生じにくくなる。

【0039】

上記の電子部品において、第２の導体層に含まれる接続パターンは、第１の方向を長手方向とし、第１の方向と直交または略直交する第２の方向を短手方向とするものであっても構わない。これによれば、接続パターンに接続されるビアの形成位置についての自由度が高められる。

【0040】

上記の電子部品において、第２の導体層に含まれる接続パターンは、第１のビアを介して、第１のバンプ電極に接続されるとともに、第２のビアを介して、第１のコイルパターンの一端に接続され、第１のビア及び第２のビアは、対応する接続パターンの長手方向における位置が互いに異なっても構わない。これによれば、第１のバンプ電極を介して外部から加わる応力が緩和されるとともに、熱膨張係数の差に起因する応力が緩和されることから、ビアの接続信頼性が高められる。

【0041】

上記の電子部品において、複数の導体層は、第１の導体層と、第１のバンプ電極及び第２のバンプ電極と、の間に積層された複数の第２の導体層を含み、複数の第２の導体層にそれぞれ含まれる接続パターンは、第１の方向を長手方向とし、第１の方向と直交または略直交する第２の方向を短手方向とする形状を有していても構わない。これによれば、より高いインダクタンスを得ることが可能となる。

【0042】

上記の電子部品において、複数の第２の導体層にそれぞれ含まれる接続パターンは、第１のビアを介して、該接続パターンよりも積層方向において上層に位置する他の第２の導体層に含まれる接続パターンに接続されるか、または、該接続パターンよりも積層方向において上層に位置する第１のバンプ電極に電気的に接続されるとともに、第２のビアを介して、該接続パターンよりも積層方向において下層に位置する他の第２の導体層に含まれる接続パターンに接続されるか、または、該接続パターンよりも積層方向において下層に位置する第１の導体層における第１のコイルパターンの一端に電気的に接続され、第１のビア及び第２のビアは、対応する接続パターンの長手方向における異なる位置に形成されていても構わない。これによれば、第１のバンプ電極を介して外部から加わる応力が緩和されるとともに、熱膨張係数の差に起因する応力が緩和されることから、ビアの接続信頼性が高められる。

【0043】

上記の電子部品において、第２のバンプ電極は、積層方向から見て、第１のバンプ電極と同じ平面形状に形成され、第１のコイルパターン及び第２のコイルパターンは、第２のバンプ電極と重なる位置において径方向におけるパターン幅が拡大する突起部を有していても構わない。これによれば、第２のバンプ電極を形成する際の下地となる面の平坦性を確保することができる。

【0044】

本開示の他の側面による電子部品は、実装面を有する磁性素体と、磁性素体に埋め込まれ、絶縁層を介して積層された複数の導体層と、磁性素体に埋め込まれ、実装面に露出する第１のバンプ電極及び第２のバンプ電極とを備え、複数の導体層は、第１の導体層と、第１の導体層と第１のバンプ電極及び第２のバンプ電極と、の間に位置する少なくとも１層の第２の導体層とを含み、第１の導体層は、第１のコイルパターンを含み、第２の導体層は、第２のコイルパターンと、積層方向から見て第１のバンプ電極と重なる接続パターンとを含み、第１のコイルパターンの一端は、第２の導体層に含まれる接続パターンを介して第１のバンプ電極に電気的に接続され、第１のコイルパターンの他端は、第２の導体層に含まれる第２のコイルパターンを介して第２のバンプ電極に電気的に接続され、積層方向から平面視した第１のバンプ電極の面積は、積層方向から平面視した第２の導体層に含まれる接続パターンの面積よりも大きく、且つ、積層方向から平面視した第１のバンプ電極の形状のアスペクト比と、積層方向から平面視した接続パターンの形状のアスペクト比とが異なる。これによれば、設計の自由度が高められる。

【0045】

上記の電子部品において、積層方向から平面視した第１のバンプ電極の形状のアスペクト比は、積層方向から平面視した接続パターンの形状のアスペクト比よりも１に近くても構わない。これによれば、第１のバンプ電極と磁性素体との間に剥離などが生じにくくなる。

【符号の説明】

【0046】

１ コイル部品（電子部品）
３ コイル部
４ 実装面
５ 上面
１０ 素体
１０～１４ 絶縁層
１１ａ，１１ｂ，１２ａ，１２ｂ，１３ａ，１３ｂ，１４ａ，１４ｂ ビア
１５ バンプ保護膜
２１，２２ カバー絶縁膜
２１ａ，２１ｂ 開口
３１，３２ 導体層
１００，１１０，１２０，１３０ コイルパターン
１０２，１１２，１２２，１３２ 突起部
１１１，１２１，１３１ 接続パターン
Ｂ 下面
Ｃ０～Ｃ３ 導体層
Ｅ１，Ｅ２ 端子電極
Ｍ 磁性素体
Ｍ１，Ｍ２ 磁性樹脂層
Ｐ１，Ｐ２ バンプ電極
Ｓ 側面
Ｔ 上面

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】