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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024169299
(43)【公開日】2024-12-05
(54)【発明の名称】積層セラミックキャパシタ
(51)【国際特許分類】
H01G 4/30 20060101AFI20241128BHJP
【ＦＩ】
H01G4/30 201G
H01G4/30 201F
H01G4/30 516
H01G4/30 513
【審査請求】未請求
【請求項の数】17
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2024017101
(22)【出願日】2024-02-07
(31)【優先権主張番号】10-2023-0066101
(32)【優先日】2023-05-23
(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR
(31)【優先権主張番号】10-2023-0116184
(32)【優先日】2023-09-01
(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR
(71)【出願人】
【識別番号】594023722
【氏名又は名称】サムソン エレクトロ－メカニックス カンパニーリミテッド．
(74)【代理人】
【識別番号】100108453
【弁理士】
【氏名又は名称】村山 靖彦
(74)【代理人】
【識別番号】100110364
【弁理士】
【氏名又は名称】実広 信哉
(72)【発明者】
【氏名】韓 成
(72)【発明者】
【氏名】金 省勳
(72)【発明者】
【氏名】金 美▲グム▼
(72)【発明者】
【氏名】趙 尚益
(72)【発明者】
【氏名】張 鎬勝
(72)【発明者】
【氏名】洪 奇杓
【テーマコード（参考）】
5E001
5E082
【Ｆターム（参考）】
5E001AB03
5E001AF02
5E001AH07
5E082AB03
5E082GG12
(57)【要約】 （修正有）
【課題】厚さが均一な外部電極を含み、相対的に電気的損失無く外部電極の体積を減らすことで静電容量に寄与する部分をより大きく設計する積層セラミックキャパシタを提供する。
【解決手段】積層セラミックキャパシタ１０００は、第１方向で対向する第１、第２面Ｓ１、Ｓ２、第２方向で、第１、第２面を連結する第３、第４面並びに第３方向で第１、第２面を連結する第５、第６面Ｓ５、Ｓ６を含むセラミック本体１１０、本体内部に配置される複数の第１、第２内部電極１５０、１６０、本体外部に配置され第１内部電極に連結される第１外部電極１２０及び第２内部電極に連結される第２外部電極１３０を含む。外部電極は、第１、第２面で第１、第２内部電極に電気的に接続され、第３面～第６面のうちの少なくとも一つの面まで延長する第１、第２導電性カーボン層１７１、１７３及び前記導電性カーボン層を覆う第１、第２メッキ層１８０、１９０を含む。
【選択図】図２
【解決手段】積層セラミックキャパシタ１０００は、第１方向で対向する第１、第２面Ｓ１、Ｓ２、第２方向で、第１、第２面を連結する第３、第４面並びに第３方向で第１、第２面を連結する第５、第６面Ｓ５、Ｓ６を含むセラミック本体１１０、本体内部に配置される複数の第１、第２内部電極１５０、１６０、本体外部に配置され第１内部電極に連結される第１外部電極１２０及び第２内部電極に連結される第２外部電極１３０を含む。外部電極は、第１、第２面で第１、第２内部電極に電気的に接続され、第３面～第６面のうちの少なくとも一つの面まで延長する第１、第２導電性カーボン層１７１、１７３及び前記導電性カーボン層を覆う第１、第２メッキ層１８０、１９０を含む。
【選択図】図２
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１方向で対向する第１面および第２面、第２方向で対向し前記第１面および前記第２面を連結する第３面および第４面、ならびに第３方向で対向し前記第１面および前記第２面を連結する第５面および第６面を含むセラミック本体と、
前記セラミック本体の内部に配置される複数の第１内部電極および複数の第２内部電極と、
前記セラミック本体の外部に配置され前記複数の第１内部電極に連結される第１外部電極と、
前記セラミック本体の外部に配置され前記複数の第２内部電極に連結される第２外部電極と、
を含み、
前記第１外部電極は、前記セラミック本体の前記第１面で前記複数の第１内部電極に電気的に接続され前記第３面、前記第４面、前記第５面および前記第６面のうちの少なくとも一つの面まで延長する第１導電性カーボン層と、前記第１導電性カーボン層を覆う第１メッキ層とを含み、
前記第２外部電極は、前記セラミック本体の前記第２面で前記複数の第２内部電極に電気的に接続され前記第３面、前記第４面、前記第５面および前記第６面のうちの少なくとも一つの面まで延長する第２導電性カーボン層と、前記第２導電性カーボン層を覆う第２メッキ層とを含む、積層セラミックキャパシタ。
前記セラミック本体の内部に配置される複数の第１内部電極および複数の第２内部電極と、
前記セラミック本体の外部に配置され前記複数の第１内部電極に連結される第１外部電極と、
前記セラミック本体の外部に配置され前記複数の第２内部電極に連結される第２外部電極と、
を含み、
前記第１外部電極は、前記セラミック本体の前記第１面で前記複数の第１内部電極に電気的に接続され前記第３面、前記第４面、前記第５面および前記第６面のうちの少なくとも一つの面まで延長する第１導電性カーボン層と、前記第１導電性カーボン層を覆う第１メッキ層とを含み、
前記第２外部電極は、前記セラミック本体の前記第２面で前記複数の第２内部電極に電気的に接続され前記第３面、前記第４面、前記第５面および前記第６面のうちの少なくとも一つの面まで延長する第２導電性カーボン層と、前記第２導電性カーボン層を覆う第２メッキ層とを含む、積層セラミックキャパシタ。
【請求項2】
前記第１導電性カーボン層と前記第２導電性カーボン層は、黒鉛、グラフェン、カーボンナノチューブ、フラーレン、およびカーボンブラックのうちの一つ以上を含む、請求項１に記載の積層セラミックキャパシタ。
【請求項3】
前記第１メッキ層は、
前記第１導電性カーボン層を覆う第１層、
前記第１層を覆う第２層、および
前記第２層を覆う第３層
を含む、請求項１に記載の積層セラミックキャパシタ。
前記第１導電性カーボン層を覆う第１層、
前記第１層を覆う第２層、および
前記第２層を覆う第３層
を含む、請求項１に記載の積層セラミックキャパシタ。
【請求項4】
前記第１層は銅（Ｃｕ）を含み、
前記第２層はニッケル（Ｎｉ）を含み、
前記第３層はスズ（Ｓｎ）を含む、請求項３に記載の積層セラミックキャパシタ。
前記第２層はニッケル（Ｎｉ）を含み、
前記第３層はスズ（Ｓｎ）を含む、請求項３に記載の積層セラミックキャパシタ。
【請求項5】
前記第２メッキ層は、
前記第２導電性カーボン層を覆う第１層、
前記第１層を覆う第２層、および
前記第２層を覆う第３層
を含む、請求項１に記載の積層セラミックキャパシタ。
前記第２導電性カーボン層を覆う第１層、
前記第１層を覆う第２層、および
前記第２層を覆う第３層
を含む、請求項１に記載の積層セラミックキャパシタ。
【請求項6】
前記第１層は銅（Ｃｕ）を含み、
前記第２層はニッケル（Ｎｉ）を含み、
前記第３層はスズ（Ｓｎ）を含む、請求項５に記載の積層セラミックキャパシタ。
前記第２層はニッケル（Ｎｉ）を含み、
前記第３層はスズ（Ｓｎ）を含む、請求項５に記載の積層セラミックキャパシタ。
【請求項7】
前記第１導電性カーボン層の厚さは０．１μｍ以上２０μｍ以下であり、
前記第２導電性カーボン層の厚さは０．１μｍ以上２０μｍ以下である、請求項１に記載の積層セラミックキャパシタ。
前記第２導電性カーボン層の厚さは０．１μｍ以上２０μｍ以下である、請求項１に記載の積層セラミックキャパシタ。
【請求項8】
前記第１導電性カーボン層は、前記セラミック本体の前記第１面に接する部分の第１厚さ（ｔ１）、前記第５面に接する部分の第２厚さ（ｔ２）、および前記第６面に接する部分の第３厚さ（ｔ３）を有し、
０＜ｔ１≦１０＊ｔ２であり、０＜ｔ１≦１０＊ｔ３である、請求項１に記載の積層セラミックキャパシタ。
０＜ｔ１≦１０＊ｔ２であり、０＜ｔ１≦１０＊ｔ３である、請求項１に記載の積層セラミックキャパシタ。
【請求項9】
前記第２導電性カーボン層は、前記セラミック本体の前記第２面に接する部分の第１厚さ（ｔ１’）、前記第５面に接する部分の第２厚さ（ｔ２’）、および前記第６面に接する部分の第３厚さ（ｔ３’）を有し、
０＜ｔ１’≦１０＊ｔ２’であり、０＜ｔ１’≦１０＊ｔ３’である、請求項１に記載の積層セラミックキャパシタ。
０＜ｔ１’≦１０＊ｔ２’であり、０＜ｔ１’≦１０＊ｔ３’である、請求項１に記載の積層セラミックキャパシタ。
【請求項10】
第１方向で対向する第１面および第２面、第２方向で対向し前記第１面および前記第２面を連結する第３面および第４面、ならびに第３方向で対向し前記第１面および前記第２面を連結する第５面および第６面を含むセラミック本体と、
前記セラミック本体の内部に配置される複数の第１内部電極および複数の第２内部電極と、
前記セラミック本体の外部に配置され前記複数の第１内部電極に連結される第１外部電極と、
前記セラミック本体の外部に配置され前記複数の第２内部電極に連結される第２外部電極と、
を含み、
前記第１外部電極は、
前記セラミック本体の前記第１面に配置され前記複数の第１内部電極に電気的に接続される第１導電性カーボン層、および
前記セラミック本体の前記第５面に配置され前記第１面側の縁が前記第１導電性カーボン層に接する第１金属層を含み、
前記第２外部電極は、
前記セラミック本体の前記第２面に配置され前記複数の第２内部電極に電気的に接続される第２導電性カーボン層、および
前記セラミック本体の前記第５面に配置され前記第２面側の縁が前記第２導電性カーボン層に接する第２金属層を含む、積層セラミックキャパシタ。
前記セラミック本体の内部に配置される複数の第１内部電極および複数の第２内部電極と、
前記セラミック本体の外部に配置され前記複数の第１内部電極に連結される第１外部電極と、
前記セラミック本体の外部に配置され前記複数の第２内部電極に連結される第２外部電極と、
を含み、
前記第１外部電極は、
前記セラミック本体の前記第１面に配置され前記複数の第１内部電極に電気的に接続される第１導電性カーボン層、および
前記セラミック本体の前記第５面に配置され前記第１面側の縁が前記第１導電性カーボン層に接する第１金属層を含み、
前記第２外部電極は、
前記セラミック本体の前記第２面に配置され前記複数の第２内部電極に電気的に接続される第２導電性カーボン層、および
前記セラミック本体の前記第５面に配置され前記第２面側の縁が前記第２導電性カーボン層に接する第２金属層を含む、積層セラミックキャパシタ。
【請求項11】
前記第１外部電極は、前記第１導電性カーボン層と前記第１金属層とを覆う第３メッキ層をさらに含み、
前記第２外部電極は、前記第２導電性カーボン層と前記第２金属層とを覆う第４メッキ層をさらに含む、請求項１０に記載の積層セラミックキャパシタ。
前記第２外部電極は、前記第２導電性カーボン層と前記第２金属層とを覆う第４メッキ層をさらに含む、請求項１０に記載の積層セラミックキャパシタ。
【請求項12】
前記第１外部電極は、前記セラミック本体の前記第６面に配置され前記第１面側の縁が前記第１導電性カーボン層に接する第３金属層をさらに含み、
前記第２外部電極は、前記セラミック本体の前記第６面に配置され前記第２面側の縁が前記第２導電性カーボン層に接する第４金属層をさらに含む、請求項１１に記載の積層セラミックキャパシタ。
前記第２外部電極は、前記セラミック本体の前記第６面に配置され前記第２面側の縁が前記第２導電性カーボン層に接する第４金属層をさらに含む、請求項１１に記載の積層セラミックキャパシタ。
【請求項13】
前記第３金属層は前記第３メッキ層によって覆われ、
前記第４金属層は前記第４メッキ層によって覆われる、請求項１２に記載の積層セラミックキャパシタ。
前記第４金属層は前記第４メッキ層によって覆われる、請求項１２に記載の積層セラミックキャパシタ。
【請求項14】
前記第３メッキ層は、
前記第１導電性カーボン層を覆う第１層、
前記第１層を覆う第２層、および
前記第２層を覆う第３層
を含む、請求項１１に記載の積層セラミックキャパシタ。
前記第１導電性カーボン層を覆う第１層、
前記第１層を覆う第２層、および
前記第２層を覆う第３層
を含む、請求項１１に記載の積層セラミックキャパシタ。
【請求項15】
前記第１層は銅（Ｃｕ）を含み、
前記第２層はニッケル（Ｎｉ）を含み、
前記第３層はスズ（Ｓｎ）を含む、請求項１４に記載の積層セラミックキャパシタ。
前記第２層はニッケル（Ｎｉ）を含み、
前記第３層はスズ（Ｓｎ）を含む、請求項１４に記載の積層セラミックキャパシタ。
【請求項16】
前記第４メッキ層は、
前記第２導電性カーボン層を覆う第１層、
前記第１層を覆う第２層、および
前記第２層を覆う第３層
を含む、請求項１１に記載の積層セラミックキャパシタ。
前記第２導電性カーボン層を覆う第１層、
前記第１層を覆う第２層、および
前記第２層を覆う第３層
を含む、請求項１１に記載の積層セラミックキャパシタ。
【請求項17】
前記第１層は銅（Ｃｕ）を含み、
前記第２層はニッケル（Ｎｉ）を含み、
前記第３層はスズ（Ｓｎ）を含む、請求項１６に記載の積層セラミックキャパシタ。
前記第２層はニッケル（Ｎｉ）を含み、
前記第３層はスズ（Ｓｎ）を含む、請求項１６に記載の積層セラミックキャパシタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は積層セラミックキャパシタに関するものである。
【背景技術】
【0002】
セラミック材料を使用する電子部品としてキャパシタ、インダクタ、圧電素子、バリスタまたはサーミスタなどがある。このようなセラミック電子部品のうちの積層セラミックキャパシタ（Ｍｕｌｔｉｌａｙｅｒ Ｃｅｒａｍｉｃ Ｃａｐａｃｉｔｏｒ、ＭＬＣＣ）は小型でありながら高容量が得られ実装が容易であるという長所によって多様な電子装置に使用できる。
【0003】
例えば、積層セラミックキャパシタは、液晶ディスプレイ（ｌｉｑｕｉｄ ｃｒｙｓｔａｌ ｄｉｓｐｌａｙ、ＬＣＤ）、プラズマディスプレイパネル（ｐｌａｓｍａ ｄｉｓｐｌａｙ ｐａｎｅｌ、ＰＤＰ）、有機発光ダイオード（ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ、ＯＬＥＤ）などの映像機器、コンピュータ、個人携帯用端末およびスマートフォンのような様々の電子製品の基板に装着されて電気を充電させるか放電させる役割を果たすチップ形態のコンデンサに使用できる。
【0004】
積層セラミックキャパシタは、セラミック本体の内部に配置される内部電極とセラミック本体の外部に配置され内部電極に連結される外部電極とを含むことができる。外部電極は、外部電極形成用ペーストにセラミック本体をディッピング（ｄｉｐｐｉｎｇ）しブロッティング（ｂｌｏｔｔｉｎｇ）して形成することができる。このような方式で外部電極を形成すると、導電性ペーストの流動学（ｒｈｅｏｌｏｇｙ）特性のため、外部電極が形成される位置によって厚さの差ができて均一度が低下するという問題が発生することがある。さらに、このような外部電極をシード（ｓｅｅｄ）にして導電性金属をメッキする場合、メッキ液浸透による信頼性問題が発生することがある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
実施形態の一側面は、厚さが均一な外部電極を含む積層セラミックキャパシタを提供しようとする。
【0006】
また、実施形態の一側面は、相対的に電気的損失無く外部電極の体積を減らすことによって静電容量に寄与する部分をより大きく設計することができる積層セラミックキャパシタを提供しようとする。
【0007】
しかし、本発明の実施形態が解決しようとする課題は上述の課題に限定されず、本発明に含まれている技術的思想の範囲で多様に拡張できる。
【課題を解決するための手段】
【0008】
一実施形態による積層セラミックキャパシタは、第１方向で対向する第１面および第２面、第２方向で対向し前記第１面および前記第２面を連結する第３面および第４面、ならびに第３方向で対向し前記第１面および前記第２面を連結する第５面および第６面を含むセラミック本体と、前記セラミック本体の内部に配置される複数の第１内部電極および複数の第２内部電極と、前記セラミック本体の外部に配置され前記複数の第１内部電極に連結される第１外部電極と、前記セラミック本体の外部に配置され前記複数の第２内部電極に連結される第２外部電極とを含み、前記第１外部電極は、前記セラミック本体の前記第１面で前記複数の第１内部電極に電気的に接続され前記第３面、前記第４面、前記第５面、および前記第６面のうちの少なくとも一つの面まで延長する第１導電性カーボン（ｃａｒｂｏｎ）層と、前記第１導電性カーボン層を覆う第１メッキ層とを含み、前記第２外部電極は、前記セラミック本体の前記第２面で前記複数の第２内部電極に電気的に接続され前記第３面、前記第４面、前記第５面、および前記第６面のうちの少なくとも一つの面まで延長する第２導電性カーボン層と、前記第２導電性カーボン層を覆う第２メッキ層とを含むことができる。
【0009】
また、前記第１導電性カーボン層と前記第２導電性カーボン層は、黒鉛（ｇｒａｐｈｉｔｅ）、グラフェン（ｇｒａｐｈｅｎｅ）、カーボンナノチューブ（ｃａｒｂｏｎ ｎａｎｏｔｕｂｅ）、フラーレン（ｆｕｌｌｅｒｅｎｅ）、およびカーボンブラック（ｃａｒｂｏｎ ｂｌａｃｋ）のうちの一つ以上を含むことができる。
【0010】
また、前記第１メッキ層は、前記第１導電性カーボン層を覆う第１層、前記第１層を覆う第２層、および前記第２層を覆う第３層を含むことができる。
【0011】
また、前記第１層は銅（Ｃｕ）を含み、前記第２層はニッケル（Ｎｉ）を含み、前記第３層はスズ（Ｓｎ）を含むことができる。
【0012】
また、前記第２メッキ層は、前記第２導電性カーボン層を覆う第１層、前記第１層を覆う第２層、および前記第２層を覆う第３層を含むことができる。
【0013】
また、前記第１層は銅（Ｃｕ）を含み、前記第２層はニッケル（Ｎｉ）を含み、前記第３層はスズ（Ｓｎ）を含むことができる。
【0014】
また、前記第１導電性カーボン層の厚さは０．１μｍ以上２０μｍ以下であり、前記第２導電性カーボン層の厚さは０．１μｍ以上２０μｍ以下であってもよい。
【0015】
また、前記第１導電性カーボン層は、前記セラミック本体の前記第１面に接する部分の第１厚さ（ｔ１）、前記第５面に接する部分の第２厚さ（ｔ２）、および前記第６面に接する部分の第３厚さ（ｔ３）を有し、０＜ｔ１≦１０＊ｔ２であり０＜ｔ１≦１０＊ｔ３であってもよい。
【0016】
また、前記第２導電性カーボン層は、前記セラミック本体の前記第２面に接する部分の第１厚さ（ｔ１’）、前記第５面に接する部分の第２厚さ（ｔ２’）、および前記第６面に接する部分の第３厚さ（ｔ３’）を有し、０＜ｔ１’≦１０＊ｔ２’であり０＜ｔ１’≦１０＊ｔ３’であってもよい。
【0017】
他の実施形態による積層セラミックキャパシタは、第１方向で対向する第１面および第２面、第２方向で対向し前記第１面および前記第２面を連結する第３面および第４面、ならびに第３方向で対向し前記第１面および前記第２面を連結する第５面および第６面を含むセラミック本体と、前記セラミック本体の内部に配置される複数の第１内部電極および複数の第２内部電極と、前記セラミック本体の外部に配置され前記複数の第１内部電極に連結される第１外部電極と、前記セラミック本体の外部に配置され前記複数の第２内部電極に連結される第２外部電極とを含み、前記第１外部電極は、前記セラミック本体の前記第１面に配置され前記複数の第１内部電極に電気的に接続される第１導電性カーボン（ｃａｒｂｏｎ）層、および前記セラミック本体の前記第５面に配置され前記第１面側の縁が前記第１導電性カーボン層に接する第１金属層を含み、前記第２外部電極は、前記セラミック本体の前記第２面に配置され前記複数の第２内部電極に電気的に接続される第２導電性カーボン層、および前記セラミック本体の前記第５面に配置され前記第２面側の縁が前記第２導電性カーボン層に接する第２金属層を含むことができる。
【0018】
また、前記第１外部電極は、前記第１導電性カーボン層と前記第１金属層とを覆う第３メッキ層をさらに含み、前記第２外部電極は、前記第２導電性カーボン層と前記第２金属層とを覆う第４メッキ層をさらに含むことができる。
【0019】
また、前記第１外部電極は、前記セラミック本体の前記第６面に配置され前記第１面側の縁が前記第１導電性カーボン層に接する第３金属層をさらに含み、前記第２外部電極は、前記セラミック本体の前記第６面に配置され前記第２面側の縁が前記第２導電性カーボン層に接する第４金属層をさらに含むことができる。
【0020】
また、前記第３金属層は前記第３メッキ層によって覆われ、前記第４金属層は前記第４メッキ層によって覆われてもよい。
【0021】
また、前記第３メッキ層は、前記第１導電性カーボン層を覆う第１層、前記第１層を覆う第２層、および前記第２層を覆う第３層を含むことができる。
【0022】
また、前記第１層は銅（Ｃｕ）を含み、前記第２層はニッケル（Ｎｉ）を含み、前記第３層はスズ（Ｓｎ）を含むことができる。
【0023】
また、前記第４メッキ層は、前記第２導電性カーボン層を覆う第１層、前記第１層を覆う第２層、および前記第２層を覆う第３層を含むことができる。
【0024】
また、前記第１層は銅（Ｃｕ）を含み、前記第２層はニッケル（Ｎｉ）を含み、前記第３層はスズ（Ｓｎ）を含むことができる。
【発明の効果】
【0025】
実施形態による積層セラミックキャパシタによれば、外部電極が均一な厚さで形成されて縁（ｅｄｇｅ）やコーナー（ｃｏｒｎｅｒ）部の金属電極の均一度（ｃｏｖｅｒａｇｅ）が改善できる。
【0026】
また、実施形態による積層セラミックキャパシタによれば、相対的に電気的損失無く外部電極の体積を減らすことによって静電容量に寄与する部分をさらに大きくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【0027】
【発明を実施するための形態】
【0028】
以下、添付した図面を参照して本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施することができるように本発明の実施例を詳しく説明する。図面で本発明を明確に説明するために説明上不必要な部分は省略し、明細書全体にわたって同一または類似の構成要素については同一の参照符号を付けた。また、添付図面において一部構成要素は誇張されるか省略されるかまたは概略的に図示され、各構成要素の大きさは実際の大きさを全て反映するものではない。
【0029】
添付された図面は本明細書に開示された実施形態を容易に理解することができるようにするためのものに過ぎず、添付された図面によって本明細書に開示された技術的思想が限定されず、本発明の思想および技術範囲に含まれる全ての変更、均等物乃至代替物を含むと理解されなければならない。
【0030】
第１、第２などのように序数を含む用語は多様な構成要素を説明するのに使用できるが、前記構成要素は前記用語によって限定されない。前記用語は一つの構成要素を他の構成要素から区別する目的にのみ使用される。
【0031】
また、層、膜、領域、板などの部分が他の部分“の上に”または“上に”あるという時、これは他の部分“の直上に”ある場合だけでなく、その中間にまた他の部分がある場合も含む。逆に、ある部分が他の部分“の直上に”あるという時には中間に他の部分がないことを意味する。また、基準となる部分“の上に”または“上に”あるというのは基準となる部分の上または下に位置することであり、必ずしも重力反対方向側に“の上に”または“上に”位置することを意味するのではない。
【0032】
明細書全体で、“含む”または“有する”などの用語は明細書上に記載された特徴、数字、段階、動作、構成要素、部品またはこれらを組み合わせたものが存在することを指定しようとするのであり、一つまたはそれ以上の他の特徴や数字、段階、動作、構成要素、部品またはこれらを組み合わせたものの存在または付加可能性を予め排除しないと理解されなければならない。したがって、ある部分がある構成要素を“含む”という時、これは特に反対の記載がない限り他の構成要素を除くのではなく他の構成要素をさらに含むことができることを意味する。
【0033】
また、明細書全体で、“平面上”という時、これは対象部分を上から見た時を意味し、“断面上”という時、これは対象部分を垂直に切断した断面を横から見た時を意味する。
【0034】
また、明細書全体で、“連結される”という時、これは二つ以上の構成要素が直接的に連結されることのみを意味するのではなく、二つ以上の構成要素が他の構成要素を通じて間接的に連結されること、物理的に連結されることだけでなく電気的に連結されること、または位置や機能によって異なる名称で称されたが、一体であることを意味することができる。
【0035】
図１は一実施形態による積層セラミックキャパシタを概略的に示した斜視図であり、図２は図１のＩＩ－ＩＩ’線による断面図であり、図３は図１の積層セラミックキャパシタで内部電極の積層構造を示した分離斜視図である。
【0036】
図１、図２および図３を参照すれば、本実施形態による積層セラミックキャパシタ１０００は、セラミック本体１１０、第１外部電極１２０、第２外部電極１３０、複数の第１内部電極１５０、および複数の第２内部電極１６０を含む。
【0037】
まず、本実施形態を明確に説明するために方向を定義すると、図面に表示されたＬ軸、Ｗ軸、およびＴ軸はそれぞれ積層セラミックキャパシタ１０００の長さ方向、幅方向、および厚さ方向を示す軸を指す。
【0038】
厚さ方向（Ｔ軸方向）は、シート（ｓｈｅｅｔ）形状を有する構成要素の広い面（主面）に垂直な方向であってもよい。例えば、厚さ方向（Ｔ軸方向）は、誘電体層１４０が積層される方向と同一な概念として使用できる。
【0039】
長さ方向（Ｌ軸方向）は、シート形状を有する構成要素の広い面（主面）に平行な方向であって厚さ方向（Ｔ軸方向）と交差（または直交）する方向であってもよい。例えば、長さ方向（Ｌ軸方向）は、第１外部電極１２０と第２外部電極１３０が互いに対向する方向であってもよい。
【0040】
幅方向（Ｗ軸方向）は、シート形状を有する構成要素の広い面（主面）に平行な方向であって厚さ方向（Ｔ軸方向）および長さ方向（Ｌ軸方向）と同時に交差（または直交）する方向であってもよい。
【0041】
セラミック本体１１０は大略六面体形状に形成できるが、本実施形態はこれに限定されない。焼成（ｓｉｎｔｅｒｉｎｇ）時、収縮によって、セラミック本体１１０は完全な六面体形状ではないが、実質的に六面体形状を有することができる。例えば、セラミック本体１１０は大略直六面体形状であるが、角や頂点に該当する部分が丸い形状を有することができる。
【0042】
本実施形態では、説明の便宜のために、長さ方向（Ｌ軸方向）で互いに対向する面を第１面Ｓ１および第２面Ｓ２と定義し、幅方向（Ｗ軸方向）で互いに対向して第１面Ｓ１と第２面Ｓ２とを連結する面を第３面Ｓ３および第４面Ｓ４と定義し、厚さ方向（Ｔ軸方向）で互いに対向して第１面Ｓ１と第２面Ｓ２とを連結する面を第５面Ｓ５および第６面Ｓ６と定義することにする。
【0043】
したがって、第１面Ｓ１と第２面Ｓ２が対向する方向である第１方向は長さ方向（Ｌ軸方向）であり、第１方向に垂直であり互いに垂直な第２方向および第３方向はそれぞれ厚さ方向（Ｔ軸方向）および幅方向（Ｗ軸方向）または幅方向（Ｗ軸方向）および厚さ方向（Ｔ軸方向）であり得る。
【0044】
セラミック本体１１０の長さは、セラミック本体１１０の幅方向（Ｗ軸方向）中央部での長さ方向（Ｌ軸方向）－厚さ方向（Ｔ軸方向）断面（ｃｒｏｓｓ ｓｅｃｔｉｏｎ）に対する光学顕微鏡または走査電子顕微鏡（ＳＥＭ、Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）写真を基準にして、前述の断面写真に示されたセラミック本体１１０の長さ方向（Ｌ軸方向）に対向する２つの最外側境界線をそれぞれ連結し長さ方向（Ｌ軸方向）と平行な複数の線分の長さのうちの最大値を意味することができる。一方、セラミック本体１１０の長さは、前述の断面写真に示されたセラミック本体１１０の長さ方向（Ｌ軸方向）に対向する２つの最外側境界線をそれぞれ連結し長さ方向（Ｌ軸方向）と平行な複数の線分の長さのうちの最小値を意味することができる。他方、セラミック本体１１０の長さは、前述の断面写真に示されたセラミック本体１１０の長さ方向（Ｌ軸方向）に対向する２つの最外側境界線をそれぞれ連結し長さ方向（Ｌ軸方向）と平行な複数の線分のうちの少なくとも２つの線分の長さの算術平均値を意味することができる。
【0045】
セラミック本体１１０の厚さは、セラミック本体１１０の幅方向（Ｗ軸方向）中央部での長さ方向（Ｌ軸方向）－厚さ方向（Ｔ軸方向）断面（ｃｒｏｓｓ ｓｅｃｔｉｏｎ）に対する光学顕微鏡または走査電子顕微鏡（ＳＥＭ、Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）写真を基準にして、前述の断面写真に示されたセラミック本体１１０の厚さ方向（Ｔ軸方向）に対向する２つの最外側境界線をそれぞれ連結し厚さ方向（Ｔ軸方向）と平行な複数の線分の長さのうちの最大値を意味することができる。一方、セラミック本体１１０の厚さは、前述の断面写真に示されたセラミック本体１１０の厚さ方向（Ｔ軸方向）に対向する２つの最外側境界線をそれぞれ連結し厚さ方向（Ｔ軸方向）と平行な複数の線分の長さのうちの最小値を意味することができる。他方、セラミック本体１１０の厚さは、前述の断面写真に示されたセラミック本体１１０の厚さ方向（Ｔ軸方向）に対向する２つの最外側境界線をそれぞれ連結し厚さ方向（Ｔ軸方向）と平行な複数の線分のうちの少なくとも２つの線分の長さの算術平均値を意味することができる。
【0046】
セラミック本体１１０の幅は、セラミック本体１１０の厚さ方向（Ｔ軸方向）中央部での長さ方向（Ｌ軸方向）－幅方向（Ｗ軸方向）断面（ｃｒｏｓｓ ｓｅｃｔｉｏｎ）に対する光学顕微鏡または走査電子顕微鏡（ＳＥＭ、Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）写真を基準にして、前述の断面写真に示されたセラミック本体１１０の幅方向（Ｗ軸方向）に対向する２つの最外側境界線をそれぞれ連結し幅方向（Ｗ軸方向）と平行な複数の線分の長さのうちの最大値を意味することができる。一方、セラミック本体１１０の幅は、前述の断面写真に示されたセラミック本体１１０の幅方向（Ｗ軸方向）に対向する２つの最外側境界線をそれぞれ連結し幅方向（Ｗ軸方向）と平行な複数の線分の長さのうちの最小値を意味することができる。他方、セラミック本体１１０の幅は、前述の断面写真に示されたセラミック本体１１０の幅方向（Ｗ軸方向）に対向する２つの最外側境界線をそれぞれ連結し幅方向（Ｗ軸方向）と平行な複数の線分のうちの少なくとも２個の線分の長さの算術平均値を意味することができる。
【0047】
セラミック本体１１０は、厚さ方向（Ｔ軸方向）に積層された複数の誘電体層１４０を含むことができる。誘電体層１４０の間の境界は不明確であってもよい。例えば、誘電体層１４０の間の境界は走査電子顕微鏡（ＳＥＭ、Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）を用いなければ確認しにくい程度であり、複数の誘電体層１４０は一体型構造体に見えることもある。
【0048】
第１内部電極１５０と第２内部電極１６０は誘電体層１４０を挟んで交互に積層されてもよい。このような積層構造はセラミック本体１１０内で繰り返され、セラミック本体１１０の第５面Ｓ５と第６面Ｓ６に最も近い内部電極は第１内部電極１５０であってもよく第２内部電極１６０であってもよい。
【0049】
第１内部電極１５０と第２内部電極１６０は互いに異なる極性を有し、その間に配置された誘電体層１４０によって互いに電気的に絶縁できる。
【0050】
第１内部電極１５０および第２内部電極１６０は誘電体層１４０を挟んで互いに長さ方向（Ｌ軸方向）にずれるように配置できる。第１内部電極１５０の片側端部はセラミック本体１１０の第１面Ｓ１を通じて露出され、第２内部電極１６０の片側端部はセラミック本体１１０の第２面Ｓ２を通じて露出できる。セラミック本体１１０の第１面Ｓ１から露出された第１内部電極１５０の端部は第１外部電極１２０に接続できる。セラミック本体１１０の第２面Ｓ２から露出された第２内部電極１６０の端部は第２外部電極１３０に接続できる。
【0051】
第１内部電極１５０および第２内部電極１６０は、導電性金属を含む導電性ペーストを誘電体層１４０表面に印刷して形成することができる。例えば、ニッケル（Ｎｉ）またはニッケル（Ｎｉ）合金を含む導電性ペーストをスクリーン印刷法（ｓｃｒｅｅｎ ｐｒｉｎｔｉｎｇ）やグラビア印刷法（ｇｒａｖｕｒｅ ｐｒｉｎｔｉｎｇ）で誘電体層表面に印刷して内部電極を形成することができる。但し、本実施形態はこれに限定されない。
【0052】
一例として、第１内部電極１５０および第２内部電極１６０の平均厚さは大略０．１μｍ以上２μｍ以下であってもよい。
【0053】
前述のような構成により、第１外部電極１２０および第２外部電極１３０に電圧を印加すると、互いに対向する第１内部電極１５０および第２内部電極１６０の間に電荷が蓄積される。即ち、第１外部電極１２０に電気的に連結された第１内部電極１５０と第２外部電極１３０に電気的に連結された第２内部電極１６０の間で静電容量を得ることができる。積層セラミックキャパシタ１０００の静電容量は厚さ方向（Ｔ軸方向）に沿って互いに重畳する第１内部電極１５０と第２内部電極１６０の重畳した面積に比例する。
【0054】
言い換えれば、積層セラミックキャパシタ１０００は、アクティブ（ａｃｔｉｖｅ）領域とマージン（ｍａｒｇｉｎ）領域を含むことができる。アクティブ領域は第１内部電極１５０と第２内部電極１６０が厚さ方向（Ｔ軸方向）に沿って重畳する領域を指し、マージン領域はアクティブ領域とセラミック本体１１０の第１面Ｓ１との間の領域およびアクティブ領域とセラミック本体１１０の第２面Ｓ２との間の領域を指すことができる。
【0055】
積層セラミックキャパシタ１０００はその長さと幅を基準にして分類される。したがって、同一な長さや幅を有する積層セラミックキャパシタでも外部電極の厚さによってセラミック本体の大きさが変わることがある。即ち、より薄い外部電極を有する積層セラミックキャパシタはより厚い外部電極を有する積層セラミックキャパシタに比べてより大きいセラミック本体を有することができる。セラミック本体がより大きいということは、前述のアクティブ領域がより大きいということを意味し、延いては静電容量がより大きいということを意味することができる。結局、積層セラミックキャパシタの外部電極が薄くなるほど静電容量が大きくなり得る。本実施形態では、積層セラミックキャパシタの外部電極を形成する時、導電性カーボン層をメッキ成長用シード層として用いることによって外部電極の厚さを薄くすることができ、それによる有利な効果を得ることができる。これについては以下でさらに詳しく説明する。
【0056】
アクティブ領域の厚さ方向（Ｔ軸方向）外側には第１カバー層１４３および第２カバー層１４５が配置されることができる。
【0057】
第１カバー層１４３は、セラミック本体１１０の第５面Ｓ５とそれに最も近い内部電極との間に配置される。第２カバー層１４５はセラミック本体１１０の第６面Ｓ６とそれに最も近い内部電極との間に配置される。
【0058】
即ち、セラミック本体１１０内で最上部にある内部電極の上部に第１カバー層１４３が配置され、最下部にある内部電極の下部に第２カバー層１４５が配置されることができる。第１カバー層１４３および第２カバー層１４５は誘電体層１４０と同一の組成を有することができる。最も上側の内部電極の外表面と最も下側の内部電極の外表面に誘電体層をそれぞれ１つ以上積層して第１カバー層１４３および第２カバー層１４５を形成することができる。
【0059】
第１カバー層１４３および第２カバー層１４５は、物理的または化学的ストレスによる第１内部電極１５０および第２内部電極１６０の損傷を防止する役割を果たすことができる。
【0060】
誘電体層１４０は、高誘電率のセラミック材料を含むことができる。例えば、セラミック材料はＢａＴｉＯ３、ＣａＴｉＯ３、ＳｒＴｉＯ３、またはＣａＺｒＯ３などの成分を含む誘電体セラミックを含むことができる。また、これらの成分にマンガン（Ｍｎ）化合物、鉄（Ｆｅ）化合物、クロム（Ｃｒ）化合物、コバルト（Ｃｏ）化合物、ニッケル（Ｎｉ）化合物などの補助成分をさらに含むことができる。例えば、誘電体層はＢａＴｉＯ３にカルシウム（Ｃａ）、ジルコニウム（Ｚｒ）などが一部固溶された（Ｂａ１－ｘＣａｘ）ＴｉＯ３、Ｂａ（Ｔｉ１－ｙＣａｙ）Ｏ３、（Ｂａ１－ｘＣａｘ）（Ｔｉ１－ｙＺｒｙ）Ｏ３またはＢａ（Ｔｉ１－ｙＺｒｙ）Ｏ３などがあるが、本発明はこれに限定されない。
【0061】
また、誘電体層１４０にはセラミック添加剤、有機溶剤、可塑剤、結合剤および分散剤のうちの一つ以上がさらに含まれてもよい。セラミック添加剤は、例えば、遷移金属酸化物または炭化物、希土類元素、マグネシウム（Ｍｇ）またはアルミニウム（Ａｌ）などであってもよい。
【0062】
一例として、誘電体層１４０の平均厚さは０．１μｍ～１０μｍであってもよいが、本実施形態はこれに限定されない。
【0063】
第１外部電極１２０および第２外部電極１３０は、セラミック本体１１０の外部に備えられる。
【0064】
第１外部電極１２０は、セラミック本体１１０の第１面Ｓ１に配置され第３面Ｓ３、第４面Ｓ４、第５面Ｓ５、および第６面Ｓ６まで延長することができる。第２外部電極１３０は、セラミック本体１１０の第２面Ｓ２に配置され第３面Ｓ３、第４面Ｓ４、第５面Ｓ５、および第６面Ｓ６まで延長することができる。他の実施形態で、第１外部電極１２０および第２外部電極１３０は、第５面Ｓ５および第６面Ｓ６のうちの少なくとも一つの面の一部まで延長することができる。
【0065】
第１外部電極１２０は、第１接続部１２１、第１バンド部１２３および第１角部１２５を含む。
【0066】
第１接続部１２１は、セラミック本体１１０の第１面Ｓ１を覆い、複数の第１内部電極１５０の露出された端部と接続されて電気的に連結される部分である。
【0067】
他の実施形態で、第１接続部１２１は、セラミック本体１１０の第１面Ｓ１の一部分を覆うことができる。
【0068】
第１バンド部１２３は、第１接続部１２１から延長してセラミック本体１１０の第３面Ｓ３、第４面Ｓ４、第５面Ｓ５、および第６面Ｓ６の少なくとも一部を覆う。第１バンド部１２３は、第１外部電極１２０がセラミック本体１１０にさらに強く固着されるようにすることができる。
【0069】
第１角部１２５は、第１接続部１２１と第１バンド部１２３とを連結する部分であってもよい。
【0070】
第２外部電極１３０は、第２接続部１３１、第２バンド部１３３および第２角部１３５をそれぞれ含む。
【0071】
第２接続部１３１は、セラミック本体１１０の第２面Ｓ２を覆い、複数の第２内部電極１６０の露出された端部と接続されて電気的に連結される部分である。
【0072】
他の実施形態で、第２接続部１３１は、セラミック本体１１０の第２面Ｓ２の一部分を覆うことができる。
【0073】
第２バンド部１３３は、第２接続部１３１から延長してセラミック本体１１０の第３面Ｓ３、第４面Ｓ４、第５面Ｓ５、および第６面Ｓ６の少なくとも一部を覆う。第２バンド部１３３は、第２外部電極１３０がセラミック本体１１０にさらに強く固着されるようにすることができる。
【0074】
第２角部１３５は、第２接続部１３１と第２バンド部１３３とを連結する部分であってもよい。
【0075】
積層セラミックキャパシタ１０００の幅方向（Ｗ）中央部での長さ方向（Ｌ）－厚さ方向（Ｔ）断面（ｃｒｏｓｓ ｓｅｃｔｉｏｎ）に対する光学顕微鏡または走査電子顕微鏡（ＳＥＭ、Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）写真を基準にして、前述の断面写真に示された積層セラミックキャパシタ１０００で、第１接続部１２１および第２接続部１３１は概ね厚さ方向（Ｔ軸方向）に平行な形状を有することができ、第１バンド部１２３および第２バンド部１３３は概ね長さ方向（Ｌ軸方向）に平行な形状を有することができ、第１角部１２５および第２角部１３５は曲線形状を有することができる。前述の曲線形状は、厚さ方向（Ｔ軸方向）に平行な方向から長さ方向（Ｌ軸方向）に平行な方向に（またはその反対方向に）傾きが変わる接線（ｔａｎｇｅｎｔ）を有する曲線形状であってもよい。
【0076】
第１および第２バンド部１２３、１３３と第１および第２接続部１２１、１２３に比べて、第１および第２角部１２５、１３５に応力がより集中し得る。したがって、第１および第２角部１２５、１３５が破損するか第１および第２角部１２５、１３５に亀裂が発生する場合、破損するか亀裂が発生した部分は水分が浸透する経路になることがある。このような問題を予防するためには、第１および第２角部１２５、１３５の厚さを増加させて機械的物性を強化する必要がある。本実施形態によれば、導電性カーボン層をメッキ成長用シード層として用いてメッキ層を形成することによって第１および第２角部１２５、１３５の厚さを増加させ機械的および電気的特性を向上させることができる。これについては以下でさらに詳しく説明する。
【0077】
図４は、図１の積層セラミックキャパシタの外部電極が形成される過程を概略的に示した図である。説明の便宜上、積層セラミックキャパシタの片側の外部電極が形成される過程のみ図４に示したが、他の側の外部電極もこれと同一の過程で形成できる。
【0078】
図１、図２および図４を参照すれば、第１外部電極１２０は第１導電性カーボン層１７１および第１メッキ層１８０を含み、第２外部電極１３０は第２導電性カーボン層１７３および第２メッキ層１９０を含むことができる。
【0079】
第１外部電極１２０は、第１導電性カーボン層１７１と第１導電性カーボン層１７１を覆う第１メッキ層１８０とを含むことができる。第１導電性カーボン層１７１はセラミック本体１１０に直接接触する。例えば、第１導電性カーボン層１７１は、セラミック本体１１０の第１面Ｓ１、第３面Ｓ３、第４面Ｓ４、第５面Ｓ５、および第６面Ｓ６の少なくとも一部を覆うことができる。
【0080】
第２外部電極１３０は、第２導電性カーボン層１７３と第２導電性カーボン層１７３を覆う第２メッキ層１９０とを含むことができる。第２導電性カーボン層１７３はセラミック本体１１０に直接接触する。第２導電性カーボン層１７３は、セラミック本体１１０の第２面Ｓ２、第３面Ｓ３、第４面Ｓ４、第５面Ｓ５、および第６面Ｓ６の少なくとも一部を覆うことができる。
【0081】
第１導電性カーボン層１７１および第２導電性カーボン層１７３は導電性炭素材料を含むことができる。例えば、第１導電性カーボン層１７１および第２導電性カーボン層１７３は、黒鉛（ｇｒａｐｈｉｔｅ）、グラフェン（ｇｒａｐｈｅｎｅ）、カーボンナノチューブ（ｃａｒｂｏｎ ｎａｎｏｔｕｂｅ）、フラーレン（ｆｕｌｌｅｒｅｎｅ）、およびカーボンブラック（ｃａｒｂｏｎ ｂｌａｃｋ）のうちの一つ以上を含むことができる。
【0082】
一例として、導電性炭素材料が含まれている分散液にセラミック本体を部分的にディッピング（ｄｉｐｐｉｎｇ）して溶液の希釈程度によって塗布した後１７０℃で１０分間熱乾燥し硬化することによって固相の導電性カーボン層を大略０．０５μｍ以上２０μｍ以下の厚さで形成することができる。ここで、導電性炭素材料が含まれている溶液の固形物（ｓｏｌｉｄ ｃｏｎｔｅｎｔｓ）の含量が大略１ｗｔ％から２０ｗｔ％の水準になるように希釈比率を設定することによって、そしてディッピング（ｄｉｐｐｉｎｇ）し乾燥する工程の反復回数を調整することによって、導電性カーボン層の厚さを調整することができる。
【0083】
第１メッキ層１８０は第１導電性カーボン層１７１を覆い、第２メッキ層１９０は第２導電性カーボン層１７３を覆う。
【0084】
第１メッキ層１８０は、導電性金属を第１導電性カーボン層１７１に直接メッキして形成することができる。即ち、第１導電性カーボン層１７１はメッキ用シード（ｓｅｅｄ）層としての役割を果たすことができる。第２メッキ層１９０は、導電性金属を第２導電性カーボン層１７３に直接メッキして形成することができる。即ち、第２導電性カーボン層１７３はメッキ用シード層としての役割を果たすことができる。ここで、導電性金属はニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、スズ（Ｓｎ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）または鉛（Ｐｂ）などの単独またはこれらの合金を含むことができるが、本実施形態はこれに限定されない。
【0085】
第１メッキ層１８０と第２メッキ層１９０は全て複数の層からなり得る。例えば、第１メッキ層１８０は、第１導電性カーボン層１７１を覆う第１層１８１、第１層１８１を覆う第２層１８３、および第２層１８３を覆う第３層１８５を含むことができる。第１層１８１は銅（Ｃｕ）を含むことができ、第２層１８３はニッケル（Ｎｉ）を含むことができ、第３層１８５はスズ（Ｓｎ）を含むことができるが、本実施形態はこれに限定されない。
【0086】
また、第２メッキ層１９０は、第２導電性カーボン層１７３を覆う第１層１９１、第１層１９１を覆う第２層１９３、および第２層１９３を覆う第３層１９５を含むことができる。第１層１９１は銅（Ｃｕ）を含むことができ、第２層１９３はニッケル（Ｎｉ）を含むことができ、第３層１９５はスズ（Ｓｎ）を含むことができるが、本実施形態はこれに限定されない。
【0087】
第１導電性カーボン層１７１の厚さおよび第２導電性カーボン層１７３の厚さはどちらも０．１μｍ以上２０μｍ以下であってもよい。
【0088】
第１導電性カーボン層１７１の厚さおよび第２導電性カーボン層１７３の厚さは、積層セラミックキャパシタ１０００の幅方向（Ｗ）中央部での長さ方向（Ｌ）－厚さ方向（Ｔ）断面（ｃｒｏｓｓ ｓｅｃｔｉｏｎ）に対する光学顕微鏡または走査電子顕微鏡（ＳＥＭ、Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）写真を基準にして測定する。第１導電性カーボン層１７１の厚さは、前述の断面写真に示されたセラミック本体１１０の測定位置上の同一間隔で離れた５地点で測定した第１導電性カーボン層１７１の厚さの算術平均値であってもよい。前述の測定位置は、セラミック本体１１０の第１面Ｓ１、第３面Ｓ３、第４面Ｓ４、第５面Ｓ５、第６面Ｓ６、第３面Ｓ３と第１面Ｓ１とが接する角、第４面Ｓ４と第１面Ｓ１とが接する角、第５面Ｓ５と第１面Ｓ１とが接する角、第６面Ｓ６と第１面Ｓ１とが接する角であってもよい。第２導電性カーボン層１７３の厚さもこれと同様の方法で測定した値であってもよい。
【0089】
第１導電性カーボン層１７１の厚さおよび第２導電性カーボン層１７３の厚さが全て０．１μｍ未満であれば、第１および第２メッキ層１８０、１９０が安定的に形成されにくい。即ち、部分的な核形成（ｎｕｃｌｅａｔｉｏｎ）のみが起こり全体的に連続的なメッキ層が形成されないことがある。例えば、第１導電性カーボン層１７１の厚さおよび第２導電性カーボン層１７３の厚さが全て０．１μｍ未満であれば、銅（Ｃｕ）を含む第１層１８１、１９１が導電性カーボン層１７１、１７３に十分に形成されないことがある。
【0090】
第１導電性カーボン層１７１の厚さまたは第２導電性カーボン層１７３の厚さが２０μｍを超過すれば、第１外部電極１２０または第２外部電極１３０の厚さが過度に厚くなって本実施形態による厚さ減少効果を期待しにくい。
【0091】
セラミック本体１１０の第１面Ｓ１上の第１導電性カーボン層１７１の厚さ（ｔ１）は、セラミック本体１１０の第５面Ｓ５上の第１導電性カーボン層１７１の厚さ（ｔ２）の１０倍以下であってもよく、セラミック本体１１０の第１面Ｓ１上の第１導電性カーボン層１７１の厚さ（ｔ１）は、セラミック本体１１０の第６面Ｓ６上の第１導電性カーボン層１７１の厚さ（ｔ３）の１０倍以下であってもよい。
【0092】
言い換えれば、０＜ｔ１≦１０＊ｔ２であり０＜ｔ１≦１０＊ｔ３であってもよい。
【0093】
これと同様に、セラミック本体１１０の第２面Ｓ２上の第２導電性カーボン層１７３の厚さ（ｔ１’）は、セラミック本体１１０の第５面Ｓ５上の第２導電性カーボン層１７３の厚さ（ｔ２’）の１０倍以下であってもよく、セラミック本体１１０の第２面Ｓ２上の第２導電性カーボン層１７３の厚さ（ｔ１’）は、セラミック本体１１０の第６面Ｓ６上の第２導電性カーボン層１７３の厚さ（ｔ３’）の１０倍以下であってもよい。
【0094】
言い換えれば、０＜ｔ１’≦１０＊ｔ２’であり０＜ｔ１’≦１０＊ｔ３’であってもよい。
【0095】
即ち、セラミック本体１１０の第１面Ｓ１に配置された第１導電性カーボン層１７１は第５面Ｓ５または第６面Ｓ６に配置された第１導電性カーボン層１７１より厚くてもよいが、その厚さの比（ｔ１／ｔ２またはｔ１／ｔ３）は１０を超えないものであってもよい。これと同様に、セラミック本体１１０の第２面Ｓ２に配置された第２導電性カーボン層１７３は第５面Ｓ５または第６面Ｓ６に配置された第２導電性カーボン層１７３より厚くてもよいが、その厚さの比（ｔ１’／ｔ２’またはｔ１’／ｔ３’）は１０を超えないものであってもよい。
【0096】
積層セラミックキャパシタ１０００がその長さと幅を基準にして分類されるので、セラミック本体１１０の第１面Ｓ１に配置される第１導電性カーボン層１７１および第１メッキ層１８０と第２面Ｓ２に配置される第２導電性カーボン層１７３および第２メッキ層１９０の厚さを増加させるには限界があることがある。この点を考慮する時、セラミック本体１１０の第１面Ｓ１および第２面Ｓ２に配置された導電性カーボン層１７１、１７３と第５面Ｓ５（または第６面Ｓ６）に配置された導電性カーボン層１７１、１７３の厚さの比（ｔ１／ｔ２またはｔ１／ｔ３）が１０を超えるということは、セラミック本体１１０の第５面Ｓ５または第６面Ｓ６に配置された導電性カーボン層１７１、１７３の絶対的な厚さが非常に薄いということを意味することができる。セラミック本体１１０の第５面Ｓ５または第６面Ｓ６に配置された導電性カーボン層１７１、１７３が過度に薄ければメッキ層１８０、１９０が均一に形成されにくい。特に、その場合、セラミック本体１１０の第５面Ｓ５または第６面Ｓ６が第１面Ｓ１および第２面Ｓ２と接する角領域にメッキ層が十分に形成されないことがある。
【0097】
本実施形態のように、導電性カーボン層をメッキ成長用シード層として使用してメッキ層を形成すると、外部電極を均一な厚さで形成できる。即ち、外部電極の接続部、バンド部および角部間の厚さ偏差が減少し、積層セラミックキャパシタの形状が改善されて長さ方向（Ｌ軸方向）の設計自由度が増加し得る。
【0098】
また、本実施形態によれば、外部電極のバンド部にも導電性カーボン層が配置されることができる。これにより水分が積層セラミックキャパシタの内部に浸透することが防止されるので、耐湿特性が保障され寿命が延長され得る。さらに、積層セラミックキャパシタを基板に実装した後曲げ発生によるクラック（ｆｌｅｘ ｃｒａｃｋ）に対する抵抗性が増加し得る。
【0099】
本実施形態とは異なり、外部電極形成用ペーストにセラミック本体をディッピング（ｄｉｐｐｉｎｇ）しブロッティング（ｂｌｏｔｔｉｎｇ）して外部電極を形成する場合、セラミック本体の厚さ方向（Ｔ軸方向）中央部の外部電極の厚さは厚い反面、厚さ方向（Ｔ軸方向）両端の外部電極の厚さは薄い問題が発生することがある。即ち、外部電極が均一な厚さで形成されないことがあるので、前述の多様な問題が発生することがある。
【0100】
図５は他の実施形態による積層セラミックキャパシタを概略的に示した斜視図であり、図６は図５のＶＩ－ＶＩ’線による断面図である。図７は、図５の積層セラミックキャパシタの外部電極が形成される過程を概略的に示した図である。説明の便宜上、積層セラミックキャパシタの片側の外部電極が形成される過程のみ図７に示したが、他の側の外部電極もこれと同一の過程で形成できる。
【0101】
【0102】
第１外部電極１１２０は、セラミック本体１１０の第１面Ｓ１に配置され第５面Ｓ５および第６面Ｓ６まで延長することができる。即ち、第１外部電極１１２０は、セラミック本体１１０の第１面Ｓ１、第５面Ｓ５、および第６面Ｓ６に配置されることができる。但し、本実施形態はこれに限定されないので、第１外部電極１１２０はセラミック本体１１０の第１面Ｓ１と第５面Ｓ５に配置されるか、第１面Ｓ１と第６面Ｓ６に配置されてもよい。第１外部電極１１２０はセラミック本体１１０の第３面Ｓ３と第４面Ｓ４には配置されない。
【0103】
第２外部電極１１３０は、セラミック本体１１０の第２面Ｓ２に配置され第５面Ｓ５および第６面Ｓ６まで延長することができる。即ち、第２外部電極１１３０は、セラミック本体１１０の第２面Ｓ２、第５面Ｓ５、および第６面Ｓ６に配置されることができる。但し、本実施形態はこれに限定されないので、第２外部電極１１３０はセラミック本体１１０の第２面Ｓ２と第５面Ｓ５に配置されるか、第２面Ｓ２と第６面Ｓ６に配置されてもよい。第２外部電極１１３０はセラミック本体１１０の第３面Ｓ３と第４面Ｓ４には配置されない。
【0104】
第１外部電極１１２０は第１導電性カーボン層１１７１、第１金属層１２１０、第３金属層１２３０、および第３メッキ層１１８０を含むことができる。
【0105】
第１導電性カーボン層１１７１は、セラミック本体１１０の第１面Ｓ１に配置される。第１導電性カーボン層１１７１はセラミック本体１１０の第１面Ｓ１から他の面まで延長しない。即ち、第１導電性カーボン層１１７１はセラミック本体１１０の第３面Ｓ３、第４面Ｓ４、第５面Ｓ５、および第６面Ｓ６には配置されない。
【0106】
第１導電性カーボン層１１７１は複数の第１内部電極１５０の片側端部に連結できる。
【0107】
第１金属層１２１０はセラミック本体１１０の第５面Ｓ５に配置され、第３金属層１２３０はセラミック本体１１０の第６面Ｓ６に配置される。
【0108】
第１金属層１２１０は、セラミック本体１１０の第５面Ｓ５の中央部から第１面Ｓ１方向に離隔した地点で第５面Ｓ５の一部分を覆うことができる。例えば、第１金属層１２１０は、セラミック本体１１０の第５面Ｓ５の第１面Ｓ１側の縁、第３面Ｓ３側の縁、および第４面Ｓ４側の縁に接し第５面Ｓ５の一部分を覆うことができる。
【0109】
第３金属層１２３０は、セラミック本体１１０の第６面Ｓ６の中央部から第１面Ｓ１方向に離隔した地点で第６面Ｓ６の一部分を覆うことができる。例えば、第３金属層１２３０はセラミック本体１１０の第６面Ｓ６の第１面Ｓ１側の縁、第３面Ｓ３側の縁、および第４面Ｓ４側の縁に接し第６面Ｓ６の一部分を覆うことができる。
【0110】
第１金属層１２１０および第３金属層１２３０は例えば以下のような方法で形成できる。
【0111】
表面に内部電極が形成されたセラミックグリーンシート（ｃｅｒａｍｉｃ ｇｒｅｅｎ ｓｈｅｅｔ）を互いに重ねてシート積層体を形成した後、シート積層体の表面に導電性ペーストを印刷して金属パターンを形成する。例えば、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）合金または銅（Ｃｕ）合金を含む導電性ペーストをスクリーン印刷法（ｓｃｒｅｅｎ ｐｒｉｎｔｉｎｇ）やグラビア印刷法（ｇｒａｖｕｒｅ ｐｒｉｎｔｉｎｇ）でシート積層体の表面に印刷して金属パターンを形成することができる。但し、本実施形態はこれに限定されない。金属パターンが形成されたシート積層体を切断（ｄｉｃｉｎｇ）してグリーンチップ（ｇｒｅｅｎ ｃｈｉｐ）を製造する。この切断過程で金属パターンは切断されてそれぞれ第１金属層と第３金属層になり得る。
【0112】
第１金属層１２１０の第１面Ｓ１側の縁は第１導電性カーボン層１１７１に接していてもよい。ここで、第１金属層１２１０と第１導電性カーボン層１１７１は連続した界面を有することができる。したがって、第１金属層１２１０と第１導電性カーボン層１１７１との間でセラミック本体１１０の表面が露出されないことになる。
【0113】
第１金属層１２１０と第１導電性カーボン層１１７１との界面はセラミック本体１１０の第１面Ｓ１と第５面Ｓ５との間の第１角部１１２５に存在し得るが、これに限定されない。例えば、第１金属層１２１０と第１導電性カーボン層１１７１の境界は第１角部１１２５と第５面Ｓ５との界面上にあり得る。但し、第１導電性カーボン層１１７１がセラミック本体１１０の第１面Ｓ１に配置されるので、第１金属層１２１０と第１導電性カーボン層１１７１との界面はセラミック本体１１０の第１面Ｓ１に形成されない。
【0114】
第３金属層１２３０の第１面Ｓ１側の縁は第１導電性カーボン層１１７１に接していてもよい。ここで、第３金属層１２３０と第１導電性カーボン層１１７１は連続した界面を有することができる。したがって、第３金属層１２３０と第１導電性カーボン層１１７１との間でセラミック本体１１０の表面が露出されないことになる。
【0115】
第３金属層１２３０と第１導電性カーボン層１１７１との界面はセラミック本体１１０の第１面Ｓ１と第６面Ｓ６との間の第３角部１１２７に存在し得るが、これに限定されない。例えば、第３金属層１２３０と第１導電性カーボン層１１７１との界面は第３角部１１２７と第６面Ｓ６との界面上にあり得る。但し、第１導電性カーボン層１１７１がセラミック本体１１０の第１面Ｓ１に配置されるので、第３金属層１２３０と第１導電性カーボン層１１７１との界面はセラミック本体１１０の第１面Ｓ１に形成されない。
【0116】
第１導電性カーボン層１１７１、第１金属層１２１０および第３金属層１２３０は第３メッキ層１１８０によって覆われてもよい。即ち、セラミック本体１１０の第１面Ｓ１上の第１導電性カーボン層１１７１、第５面Ｓ５上の第１金属層１２１０および第６面Ｓ６上の第３金属層１２３０が第３メッキ層１１８０によって一度に覆われてもよい。
【0117】
第３メッキ層１１８０は導電性金属を第１導電性カーボン層１１７１、第１金属層１２１０および第３金属層１２３０上に直接メッキして形成できる。即ち、第１導電性カーボン層１１７１、第１金属層１２１０および第３金属層１２３０はメッキ用シード（ｓｅｅｄ）層としての役割を果たすことができる。ここで、導電性金属はニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、スズ（Ｓｎ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）または鉛（Ｐｂ）などの単独またはこれらの合金を含むことができるが、本実施形態はこれに限定されない。
【0118】
第３メッキ層１１８０は複数の層からなり得る。例えば、第３メッキ層１１８０は第１導電性カーボン層１１７１、第１金属層１２１０および第３金属層１２３０を全て覆う第１層１１８１、第１層１１８１を覆う第２層１１８３、および第２層１１８３を覆う第３層１１８５を含むことができる。
【0119】
第１層１１８１は銅（Ｃｕ）を含むことができ、第２層１１８３はニッケル（Ｎｉ）を含むことができ、第３層１１８５はスズ（Ｓｎ）を含むことができるが、本実施形態はこれに限定されない。
【0120】
第２外部電極１１３０は、第２導電性カーボン層１１７３、第２金属層１２２０、第４金属層１２４０、および第４メッキ層１１９０を含むことができる。第２外部電極１１３０はその位置を除けばその構造および構成要素は第１外部電極１１２０の構造および構成要素と同一なので、第２外部電極１１３０に対する重複する説明は省略する。
【0121】
図７を参照すれば、金属パターンが印刷されたシート積層体を切断してグリーンチップを製造し、グリーンチップを焼成することによってセラミック本体１１０の第５面Ｓ５（および／または第６面Ｓ６）に第１金属層１２１０（および／または第３金属層１２３０）を形成した後、セラミック本体１１０の第１面Ｓ１（および第２面Ｓ２）に第１導電性カーボン層１１７１（および第２導電性カーボン層１１７３）を形成することができる。一例として、導電性炭素材料が含まれている分散液にセラミック本体を部分的にディッピング（ｄｉｐｐｉｎｇ）して溶液の希釈程度によって塗布した後１７０℃で１０分間熱乾燥し硬化することによって固相の導電性カーボン層を大略０．０５μｍ以上２０μｍ以下の厚さで形成することができる。ここで、導電性炭素材料が含まれている溶液の固形物（ｓｏｌｉｄ ｃｏｎｔｅｎｔｓ）の含量が大略１ｗｔ％から２０ｗｔ％の水準になるように希釈比率を設定することによって、そしてディッピング（ｄｉｐｐｉｎｇ）し乾燥する工程の反復回数を調整することによって、導電性カーボン層の厚さを調整することができる。その次に、導電性金属を第１導電性カーボン層１１７１、第１金属層１２１０および第３金属層１２３０に直接メッキして第３メッキ層１１８０を形成することができる。例えば、銅（Ｃｕ）を電解メッキして第３メッキ層１１８０を形成することができる。ここで、第１導電性カーボン層１１７１、第１金属層１２１０および第３金属層１２３０はメッキ用シード（ｓｅｅｄ）層としての役割を果たすことができる。第１導電性カーボン層１１７１はセラミック本体１１０の第１面Ｓ１に配置され、第１金属層１２１０は第５面Ｓ５に配置され、第３金属層１２３０は第６面Ｓ６に配置されるので、セラミック本体１１０の第３面Ｓ３と第４面Ｓ４には第３メッキ層１１８０が形成されない。結局、第１外部電極１１２０および第２外部電極１１３０はセラミック本体１１０の第３面Ｓ３と第４面Ｓ４には配置されない。
【0122】
本実施形態では第１外部電極１１２０がセラミック本体１１０の第３面Ｓ３と第４面Ｓ４には配置されないので、セラミック本体１１０の幅をそれだけ増加させることができる。セラミック本体１１０の幅が増加すれば、静電容量に影響を与える内部電極の幅もそれだけ増加させることができるので、積層セラミックキャパシタの容量を増加させることができる。
【0123】
以下では発明の具体的な実施例を提示する。但し、下記に記載された実施例は発明を具体的に例示するか説明するためのものに過ぎず、これによって発明の範囲が限定されてはならない。
【実施例0124】
［製造例：積層セラミックキャパシタの製造］
（実施例）
チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）粉末を含むペーストをキャリアフィルム（ｃａｒｒｉｅｒ ｆｉｌｍ）の上に塗布した後、乾燥して誘電体グリーンシートを複数個製造する。
（実施例）
チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）粉末を含むペーストをキャリアフィルム（ｃａｒｒｉｅｒ ｆｉｌｍ）の上に塗布した後、乾燥して誘電体グリーンシートを複数個製造する。
【0125】
ニッケル（Ｎｉ）を含む導電性ペーストをスクリーン印刷を用いて誘電体グリーンシートの上に塗布して導電性ペースト層を形成する。
【0126】
導電性ペースト層の少なくとも一部が重畳するようにしながら誘電体グリーンシートを複数層積層して誘電体グリーンシート積層体を製造する。
【0127】
誘電体グリーンシート積層体を個別チップの形態に切断した後、大気雰囲気で３５０℃、６６時間維持して脱バインダーを行い、１１６５℃で焼成してセラミック本体を製造する。
【0128】
その次に、カーボンブラック（ｃａｒｂｏｎ ｂｌａｃｋ）が１０ｗｔ％分散した導電性炭素材料分散液にセラミック本体を部分的に１分間ディッピング（ｄｉｐｐｉｎｇ）し１７０℃で１０分間熱乾燥することによって大略３μｍ厚さの導電性カーボン層を形成する。
【0129】
その次に、導電性カーボン層をシード層にして銅（Ｃｕ）電解メッキを行って銅（Ｃｕ）メッキ層を形成する。
【0130】
その後、ニッケル（Ｎｉ）およびスズ（Ｓｎ）メッキを行い、１６０℃で１時間熱処理して、積層セラミックキャパシタを製造する。
【0131】
（比較例）
チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）粉末を含むペーストをキャリアフィルム（ｃａｒｒｉｅｒ ｆｉｌｍ）の上に塗布した後、乾燥して誘電体グリーンシートを複数個製造する。
チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）粉末を含むペーストをキャリアフィルム（ｃａｒｒｉｅｒ ｆｉｌｍ）の上に塗布した後、乾燥して誘電体グリーンシートを複数個製造する。
【0132】
ニッケル（Ｎｉ）を含む導電性ペーストをスクリーン印刷を用いて誘電体グリーンシートの上に塗布して導電性ペースト層を形成する。
【0133】
導電性ペースト層の少なくとも一部が重畳するようにしながら誘電体グリーンシートを複数層積層して誘電体グリーンシート積層体を製造する。
【0134】
誘電体グリーンシート積層体を個別チップの形態に切断した後、大気雰囲気で３５０℃、６６時間維持して脱バインダーを行い、１１６５℃で焼成してセラミック本体を製造する。
【0135】
その次に、ガラスフリット（ｇｌａｓｓ ｆｒｉｔ）と銅（Ｃｕ）を含むスラリーにセラミック本体をディッピング（ｄｉｐｐｉｎｇ）しブロッティング（ｂｌｏｔｔｉｎｇ）して大略４０μｍ以下の厚さで塗布し熱乾燥した後、８２０℃で６０分間焼結して金属層を形成する。
【0136】
その後、ニッケル（Ｎｉ）およびスズ（Ｓｎ）メッキを行って、積層セラミックキャパシタを製造する。
【0137】
［実験例：積層セラミックキャパシタの性能］
実施例および比較例で製造された積層セラミックキャパシタの外部電極の厚さ、耐湿性、静電容量（Ｃ、ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ）および損失係数（Ｄｆ、ｄｉｓｓｉｐａｔｉｏｎ ｆａｃｔｏｒ）を測定する。
実施例および比較例で製造された積層セラミックキャパシタの外部電極の厚さ、耐湿性、静電容量（Ｃ、ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ）および損失係数（Ｄｆ、ｄｉｓｓｉｐａｔｉｏｎ ｆａｃｔｏｒ）を測定する。
【0138】
１）外部電極の厚さ測定方法
製造された積層セラミックキャパシタ各５つをエポキシモールドに実装し、Ｌ軸方向およびＴ軸方向面をＷ軸方向に沿って約１／２程度深さで研磨しダイヤモンドペースト（ｄｉａｍｏｎｄ ｐａｓｔｅ）で仕上げて断面サンプルを準備する。
製造された積層セラミックキャパシタ各５つをエポキシモールドに実装し、Ｌ軸方向およびＴ軸方向面をＷ軸方向に沿って約１／２程度深さで研磨しダイヤモンドペースト（ｄｉａｍｏｎｄ ｐａｓｔｅ）で仕上げて断面サンプルを準備する。
【0139】
準備された断面サンプルで、第１または第２外部電極とセラミック本体の界面からメッキ層方向に７０μｍ程度で第１または第２電極が全て見える位置を、金属光学顕微鏡（ＯＭ、Ｍｅｔａｌｌｕｒｇｉｃａｌ Ｏｐｔｉｃａｌ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）で、Ｂｒｉｇｈｔ Ｆｉｅｌｄモード、分析倍率５００倍で測定する。
【0140】
２）耐湿性測定方法
４０チャンネル（ｃｈａｎｎｅｌ）の耐湿特性専用ＰＣＢボードにステンシルマスク（ｓｔｅｎｃｉｌ ｍａｓｋ）を用いてソルダクリーム（ｓｏｌｄｅｒ ｃｒｅａｍ）をパターニングする。その後、最高温度２６０℃でリフロー（ｒｅｆｌｏｗ）工程を行って準備された試片をＰＣＢボードに実装する。準備されたＰＣＢボードを電位差および電流を測定することができるスロット（ｓｌｏｔ）に装着して温度８５℃、湿度８５％ＲＨのチャンバー（ｃｈａｍｂｅｒ）に投入する。その後、１６Ｖの電位差を試片両端に印加して１時間ずつ２回のステップ（ｓｔｅｐ）で絶縁抵抗（ＩＲ、ｉｎｓｕｌａｔｉｏｎ ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）が低下する水準を確認して耐湿性を測定する。
４０チャンネル（ｃｈａｎｎｅｌ）の耐湿特性専用ＰＣＢボードにステンシルマスク（ｓｔｅｎｃｉｌ ｍａｓｋ）を用いてソルダクリーム（ｓｏｌｄｅｒ ｃｒｅａｍ）をパターニングする。その後、最高温度２６０℃でリフロー（ｒｅｆｌｏｗ）工程を行って準備された試片をＰＣＢボードに実装する。準備されたＰＣＢボードを電位差および電流を測定することができるスロット（ｓｌｏｔ）に装着して温度８５℃、湿度８５％ＲＨのチャンバー（ｃｈａｍｂｅｒ）に投入する。その後、１６Ｖの電位差を試片両端に印加して１時間ずつ２回のステップ（ｓｔｅｐ）で絶縁抵抗（ＩＲ、ｉｎｓｕｌａｔｉｏｎ ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）が低下する水準を確認して耐湿性を測定する。
【0141】
３）静電容量および損失係数測定方法
製造された積層セラミックキャパシタの静電容量および損失係数はＫｅｙｓｉｇｈｔ ４２６８Ａ ＬＣＲメーターで別途のエイジング時間（ａｇｉｎｇ ｔｉｍｅ）無く５００ｍＶ、１２０Ｈｚの入力電圧条件で測定する。
製造された積層セラミックキャパシタの静電容量および損失係数はＫｅｙｓｉｇｈｔ ４２６８Ａ ＬＣＲメーターで別途のエイジング時間（ａｇｉｎｇ ｔｉｍｅ）無く５００ｍＶ、１２０Ｈｚの入力電圧条件で測定する。
【0142】
実施例および比較例で製造された積層セラミックキャパシタの外部電極の厚さ、耐湿性、静電容量（Ｃ、ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ）および損失係数（Ｄｆ、ｄｉｓｓｉｐａｔｉｏｎ ｆａｃｔｏｒ）を測定した結果を表１に示す。
【0143】
【表1】
【0144】
表１を参照すれば、実施例で製造された積層セラミックキャパシタの接続部での外部電極の厚さは最大１２．３μｍであり、バンド部での外部電極の厚さは最大１０．１μｍであり、角部での外部電極の厚さは最大７．２μｍであるのを確認することができる。反面、比較例で銅（Ｃｕ）ペースト（ｐａｓｔｅ）を基盤に製造された積層セラミックキャパシタの接続部での外部電極の厚さは最大４３．０８μｍであり、バンド部での外部電極の厚さは最大２９．０５μｍであり、角部での外部電極の厚さは最大４．６８μｍであるのを確認することができる。このように、実施例で製造された積層セラミックキャパシタの接続部、バンド部および角部での外部電極のそれぞれの厚さは、比較例で製造された積層セラミックキャパシタの接続部、バンド部および角部での外部電極のそれぞれの厚さより小さい。また、実施例で製造された積層セラミックキャパシタの接続部、バンド部および角部での外部電極の厚さは、比較例で製造された積層セラミックキャパシタの接続部、バンド部および角部での外部電極の厚さに比べて相対的に偏差が小さい。
【0145】
要するに、実施例で製造された積層セラミックキャパシタの外部電極は、比較例で製造された積層セラミックキャパシタの外部電極に比べて均一で薄い厚さを有する。
【0146】
また、実施例で製造された積層セラミックキャパシタの静電容量（Ｃ）と損失係数（Ｄｆ）は、比較例で製造された積層セラミックキャパシタの静電容量（Ｃ）と損失係数（Ｄｆ）と類似の水準であるのを確認することができる。
【0147】
したがって、積層セラミックキャパシタの大きさが同一である場合、実施例によれば、外部電極をさらに薄くすることができ、内部電極と誘電体層など静電容量に寄与する部分の体積をさらに大きくすることができる。即ち、実施例によれば、相対的に電気的損失無く外部電極の体積を減らすことによって静電容量に寄与する部分をさらに大きくすることができる。
【0148】
一方、実施例で製造された積層セラミックキャパシタの耐湿性は良好であり比較例で製造された積層セラミックキャパシタの耐湿性と同等である。これは、実施例で導電性カーボン層が湿気浸透の通路として作用しないということを示す。
【0149】
以上を通じて本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれに限定されず、特許請求の範囲と発明の詳細な説明および添付した図面の範囲内で多様に変形して実施することが可能であり、これも本発明の範囲に属するのは当然である。
【符号の説明】
【0150】
１０００、２０００：積層セラミックキャパシタ
１１０：セラミック本体
１２０、１１２０：第１外部電極
１２１、１１２１：第１接続部
１２３、１１２３：第１バンド部
１２５、１１２５：第１角部
１３０、１１３０：第２外部電極
１３１、１１３１：第２接続部
１３３、１１３３：第２バンド部
１３５、１１３５：第２角部
１４０：誘電体層
１４３：第１カバー層
１４５：第２カバー層
１５０：第１内部電極
１６０：第２内部電極
１７１、１１７１：第１導電性カーボン層
１７３、１１７３：第２導電性カーボン層
１８０：第１メッキ層
１９０：第２メッキ層
１８１、１１８１、１９１、１１９１：第１層
１８３、１１８３、１９３、１１９３：第２層
１８５、１１８５、１９５、１１９５：第３層
１２１０：第１金属層
１２２０：第２金属層
１２３０：第３金属層
１２４０：第４金属層
１１８０：第３メッキ層
１１９０：第４メッキ層
１１０：セラミック本体
１２０、１１２０：第１外部電極
１２１、１１２１：第１接続部
１２３、１１２３：第１バンド部
１２５、１１２５：第１角部
１３０、１１３０：第２外部電極
１３１、１１３１：第２接続部
１３３、１１３３：第２バンド部
１３５、１１３５：第２角部
１４０：誘電体層
１４３：第１カバー層
１４５：第２カバー層
１５０：第１内部電極
１６０：第２内部電極
１７１、１１７１：第１導電性カーボン層
１７３、１１７３：第２導電性カーボン層
１８０：第１メッキ層
１９０：第２メッキ層
１８１、１１８１、１９１、１１９１：第１層
１８３、１１８３、１９３、１１９３：第２層
１８５、１１８５、１９５、１１９５：第３層
１２１０：第１金属層
１２２０：第２金属層
１２３０：第３金属層
１２４０：第４金属層
１１８０：第３メッキ層
１１９０：第４メッキ層
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
