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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024169309
(43)【公開日】2024-12-05
(54)【発明の名称】接続構造体の製造方法、及び接続構造体
(51)【国際特許分類】
H05K 3/34 20060101AFI20241128BHJP
【ＦＩ】
H05K3/34 505B
【審査請求】未請求
【請求項の数】14
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2024050937
(22)【出願日】2024-03-27
(31)【優先権主張番号】P 2023084414
(32)【優先日】2023-05-23
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(71)【出願人】
【識別番号】000108410
【氏名又は名称】デクセリアルズ株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100113424
【弁理士】
【氏名又は名称】野口 信博
(74)【代理人】
【識別番号】100185845
【弁理士】
【氏名又は名称】穂谷野 聡
(72)【発明者】
【氏名】柄木田 充宏
(72)【発明者】
【氏名】青木 和久
(72)【発明者】
【氏名】林 直樹
(72)【発明者】
【氏名】奥宮 秀昭
(72)【発明者】
【氏名】増渕 広和
(72)【発明者】
【氏名】柳谷 洋夢
【テーマコード（参考）】
5E319
【Ｆターム（参考）】
5E319AA03
5E319AC01
5E319BB05
5E319BB11
5E319BB20
5E319CC33
5E319CD25
5E319CD29
5E319GG03
(57)【要約】
【課題】半田粒子を電極上に効率的に配置させ、高い導通信頼性を得ることができる接続構造体の製造方法、及び接続構造体を提供する。
【解決手段】複数の端子列を備える表面実装部品を、端子列毎に対応する矩形部を有する膜状半田接続材料を介して配線基板に配置する配置工程と、表面実装部品を配線基板に接合させる接合工程とを有する。接合工程後の表面実装部品の端子配線基板の端子との間における半田厚みの相対標準偏差が、２５％未満である。
【選択図】図１
【解決手段】複数の端子列を備える表面実装部品を、端子列毎に対応する矩形部を有する膜状半田接続材料を介して配線基板に配置する配置工程と、表面実装部品を配線基板に接合させる接合工程とを有する。接合工程後の表面実装部品の端子配線基板の端子との間における半田厚みの相対標準偏差が、２５％未満である。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
複数の端子列を備える表面実装部品を、前記端子列毎に対応する矩形部を有する膜状半田接続材料を介して配線基板に配置する配置工程と、
前記表面実装部品を前記配線基板に接合させる接合工程と
を有する接続構造体の製造方法。
前記表面実装部品を前記配線基板に接合させる接合工程と
を有する接続構造体の製造方法。
【請求項2】
前記接合工程後の前記表面実装部品の端子と前記配線基板の端子との間における半田厚みの相対標準偏差が、２５％未満である請求項１記載の接続構造体の製造方法。
【請求項3】
前記表面実装部品が、平行に配置された第１の端子列と第２の端子列とを備え、
前記配置工程では、前記第１の端子列に対応する第１の膜状半田接続材料と前記第２の端子列に対応する第２の膜状半田接続材料とを配置し、前記第１の膜状半田接続材料における矩形部と前記第２の膜状半田接続材料における矩形部との間の距離を０ｍｍ以上とする請求項１又は２記載の接続構造体の製造方法。
前記配置工程では、前記第１の端子列に対応する第１の膜状半田接続材料と前記第２の端子列に対応する第２の膜状半田接続材料とを配置し、前記第１の膜状半田接続材料における矩形部と前記第２の膜状半田接続材料における矩形部との間の距離を０ｍｍ以上とする請求項１又は２記載の接続構造体の製造方法。
【請求項4】
前記表面実装部品が、平行に配置された第１の端子列と第２の端子列とを備え、
前記配置工程では、前記第１の膜状半田接続材料における矩形部の幅Ｗ、及び前記第２の膜状半田接続材料における矩形部の幅Ｗが、下記（１）式を満たす請求項３記載の接続構造体の製造方法。
Ｗ≦（２Ｌ＋Ｓ）／２ （１）
上記（１）式において、Ｌは、前記第１の端子列及び前記第２の端子列における端子の長さであり、Ｓは、前記第１の端子列と前記第２の端子列との間の距離である。
前記配置工程では、前記第１の膜状半田接続材料における矩形部の幅Ｗ、及び前記第２の膜状半田接続材料における矩形部の幅Ｗが、下記（１）式を満たす請求項３記載の接続構造体の製造方法。
Ｗ≦（２Ｌ＋Ｓ）／２ （１）
上記（１）式において、Ｌは、前記第１の端子列及び前記第２の端子列における端子の長さであり、Ｓは、前記第１の端子列と前記第２の端子列との間の距離である。
【請求項5】
前記接合工程では、リフロー炉を用いて無荷重で前記表面実装部品を前記配線基板に接合させる請求項１又は２記載の接続構造体の製造方法。
【請求項6】
前記表面実装部品及び配線基板の端子列のピッチが、０．１ｍｍ～０．４ｍｍである請求項１又は２記載の接続構造体の製造方法。
【請求項7】
前記膜状半田接続材料における半田粒子の含有量が、前記表面実装部品及び配線基板の端子列のピッチ０．１ｍｍ～０．４ｍｍに対して、１０体積％～６０体積％である請求項１又は２記載の接続構造体の製造方法。
【請求項8】
前記表面実装部品が、平行に配置された第１の端子列と第２の端子列とを備え、
前記配置工程では、前記第１の端子列に対応する第１の膜状半田接続材料と前記第２の端子列に対応する第２の膜状半田接続材料とを配置し、
前記第１の膜状半田接続材料における矩形部の前記第１の端子列に対する幅方向のはみ出し量が、前記第１の端子列の端子長さの５０％以下であり、前記第２の膜状半田接続材料における矩形部の前記第２の端子列に対する幅方向のはみ出し量が、前記第２の端子列の端子長さの５０％以下である請求項１又は２記載の接続構造体の製造方法。
前記配置工程では、前記第１の端子列に対応する第１の膜状半田接続材料と前記第２の端子列に対応する第２の膜状半田接続材料とを配置し、
前記第１の膜状半田接続材料における矩形部の前記第１の端子列に対する幅方向のはみ出し量が、前記第１の端子列の端子長さの５０％以下であり、前記第２の膜状半田接続材料における矩形部の前記第２の端子列に対する幅方向のはみ出し量が、前記第２の端子列の端子長さの５０％以下である請求項１又は２記載の接続構造体の製造方法。
【請求項9】
前記表面実装部品が、平行に配置された第１の端子列と第２の端子列と、前記第１の端子列と前記第２の端子列と直交し、平行に配置された第３の端子列と第４の端子列とを備え、
前記第１の端子列、前記第２の端子列、前記第３の端子列又は前記第４の端子列に対応する矩形部の端子列に対する幅方向のはみ出し量が、対応する前記第１の端子列、前記第２の端子列、前記第３の端子列又は前記第４の端子列の端子長さの５０％以下である請求項１又は２記載の接続構造体の製造方法。
前記第１の端子列、前記第２の端子列、前記第３の端子列又は前記第４の端子列に対応する矩形部の端子列に対する幅方向のはみ出し量が、対応する前記第１の端子列、前記第２の端子列、前記第３の端子列又は前記第４の端子列の端子長さの５０％以下である請求項１又は２記載の接続構造体の製造方法。
【請求項10】
複数の端子列を備える表面実装部品と、配線基板と、前記端子列毎に設けられ、前記表面実装部品と前記配線基板とを接合させ、前記端子列毎に対応する矩形部を有する膜状半田接続材料の硬化膜とを備える接続構造体。
【請求項11】
前記表面実装部品の端子と前記配線基板の端子との間における半田厚みの相対標準偏差が、２５％未満である請求項１０記載の接続構造体。
【請求項12】
前記表面実装部品及び配線基板の端子列のピッチが、０．１ｍｍ～０．４ｍｍである請求項１０又は１１記載の接続構造体。
【請求項13】
前記表面実装部品が、平行に配置された第１の端子列と第２の端子列とを備え、
前記第１の膜状半田接続材料における矩形部の前記第１の端子列に対する幅方向のはみ出し量が、前記第１の端子列の端子長さの５０％以下であり、前記第２の膜状半田接続材料における矩形部の前記第２の端子列に対する幅方向のはみ出し量が、前記第２の端子列の端子長さの５０％以下である請求項１０又は１１記載の接続構造体。
前記第１の膜状半田接続材料における矩形部の前記第１の端子列に対する幅方向のはみ出し量が、前記第１の端子列の端子長さの５０％以下であり、前記第２の膜状半田接続材料における矩形部の前記第２の端子列に対する幅方向のはみ出し量が、前記第２の端子列の端子長さの５０％以下である請求項１０又は１１記載の接続構造体。
【請求項14】
前記表面実装部品が、平行に配置された第１の端子列と第２の端子列と、前記第１の端子列と前記第２の端子列と直交し、平行に配置された第３の端子列と第４の端子列とを備え、
前記第１の端子列、前記第２の端子列、前記第３の端子列又は前記第４の端子列に対応する矩形部の端子列に対する幅方向のはみ出し量が、対応する前記第１の端子列、前記第２の端子列、前記第３の端子列又は前記第４の端子列の端子長さの５０％以下である請求項１０又は１１記載の接続構造体。
前記第１の端子列、前記第２の端子列、前記第３の端子列又は前記第４の端子列に対応する矩形部の端子列に対する幅方向のはみ出し量が、対応する前記第１の端子列、前記第２の端子列、前記第３の端子列又は前記第４の端子列の端子長さの５０％以下である請求項１０又は１１記載の接続構造体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本技術は、例えば表面実装部品を、半田粒子を用いて接続する接続構造体の製造方法、及び接続構造体に関する。
【背景技術】
【0002】
リジッド基板やフレキシブル基板への表面実装部品（ＳＭＤ：Surface Mount Device）の実装は、一般的に半田ペースト若しくはフィルムを基板に印刷若しくは仮貼りし、その上に表面実装部品を搭載し、リフロー工程にて実装を行っている（例えば、特許文献１～３参照。）。
【0003】
特許文献１～３に記載された技術では、複数の端子列を備える表面実装部品を実装した場合、半田粒子の一部が端子列と端子列との間に配置され易く、半田粒子を電極（ライン）上に効率的に配置させることが困難であった。このため、隣接する端子間でショート（ブリッジ）が発生することがあり、高い導通信頼性を得ることが困難であった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開２０１７－０４１４４２号公報
【特許文献2】特開２０１６－２１９８０８号公報
【特許文献3】国際公開第２００８／０２３４５２号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
本技術は、前述した課題を解決するものであり、半田粒子を電極上に効率的に移動させ、高い導通信頼性を得ることができる接続構造体の製造方法、及び接続構造体を提供する。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本発明者らは、鋭意研究を進めた結果、下記接続構造体の製造方法、及び接続構造体が上記目的を達成できることを見出し、本技術を完成した。
【0007】
［１］
複数の端子列を備える表面実装部品を、前記端子列毎に対応する矩形部を有する膜状半田接続材料を介して配線基板に配置する配置工程と、
前記表面実装部品を前記配線基板に接合させる接合工程と
を有する接続構造体の製造方法。
［２］
前記接合工程後の前記表面実装部品の端子と前記配線基板の端子との間における半田厚みの相対標準偏差が、２５％未満である［１］記載の接続構造体の製造方法。
［３］
前記表面実装部品が、平行に配置された第１の端子列と第２の端子列とを備え、
前記配置工程では、前記第１の端子列に対応する第１の膜状半田接続材料と前記第２の端子列に対応する第２の膜状半田接続材料とを配置し、前記第１の膜状半田接続材料における矩形部と前記第２の膜状半田接続材料における矩形部との間の距離を０ｍｍ以上とする［１］又は［２］記載の接続構造体の製造方法。
［４］
前記表面実装部品が、平行に配置された第１の端子列と第２の端子列とを備え、
前記配置工程では、前記第１の膜状半田接続材料における矩形部の幅Ｗ、及び前記第２の膜状半田接続材料における矩形部の幅Ｗが、下記（１）式を満たす［３］記載の接続構造体の製造方法。
Ｗ≦（２Ｌ＋Ｓ）／２ （１）
上記（１）式において、Ｌは、前記第１の端子列及び前記第２の端子列における端子の長さであり、Ｓは、前記第１の端子列と前記第２の端子列との間の距離である。
［５］
前記接合工程では、リフロー炉を用いて無荷重で前記表面実装部品を前記配線基板に接合させる［１］又は［２］記載の接続構造体の製造方法。
［６］
前記表面実装部品及び配線基板の端子列のピッチが、０．１ｍｍ～０．４ｍｍである［１］又は［２］記載の接続構造体の製造方法。
［７］
前記膜状半田接続材料における半田粒子の含有量が、前記表面実装部品及び配線基板の端子列のピッチ０．１ｍｍ～０．４ｍｍに対して、１０体積％～６０体積％である［１］又は［２］記載の接続構造体の製造方法。
［８］
前記表面実装部品が、平行に配置された第１の端子列と第２の端子列とを備え、
前記配置工程では、前記第１の端子列に対応する第１の膜状半田接続材料と前記第２の端子列に対応する第２の膜状半田接続材料とを配置し、
前記第１の膜状半田接続材料における矩形部の前記第１の端子列に対する幅方向のはみ出し量が、前記第１の端子列の端子長さの５０％以下であり、前記第２の膜状半田接続材料における矩形部の前記第２の端子列に対する幅方向のはみ出し量が、前記第２の端子列の端子長さの５０％以下である［１］又は［２］記載の接続構造体の製造方法。
［９］
前記表面実装部品が、平行に配置された第１の端子列と第２の端子列と、前記第１の端子列と前記第２の端子列と直交し、平行に配置された第３の端子列と第４の端子列とを備え、
前記第１の端子列、前記第２の端子列、前記第３の端子列又は前記第４の端子列に対応する矩形部の端子列に対する幅方向のはみ出し量が、対応する前記第１の端子列、前記第２の端子列、前記第３の端子列又は前記第４の端子列の端子長さの５０％以下である［１］又は［２］記載の接続構造体の製造方法。
［１０］
複数の端子列を備える表面実装部品と、配線基板と、前記端子列毎に設けられ、前記表面実装部品と前記配線基板とを接合させ、前記端子列毎に対応する矩形部を有する膜状半田接続材料の硬化膜とを備える接続構造体。
［１１］
前記表面実装部品の端子と前記配線基板の端子との間における半田厚みの相対標準偏差が、２５％未満である［１０］記載の接続構造体。
［１２］
前記表面実装部品及び配線基板の端子列のピッチが、０．１ｍｍ～０．４ｍｍである［１０］又は［１１］記載の接続構造体。
［１３］
前記表面実装部品が、平行に配置された第１の端子列と第２の端子列とを備え、
前記第１の膜状半田接続材料における矩形部の前記第１の端子列に対する幅方向のはみ出し量が、前記第１の端子列の端子長さの５０％以下であり、前記第２の膜状半田接続材料における矩形部の前記第２の端子列に対する幅方向のはみ出し量が、前記第２の端子列の端子長さの５０％以下である［１０］又は［１１］記載の接続構造体。
［１４］
前記表面実装部品が、平行に配置された第１の端子列と第２の端子列と、前記第１の端子列と前記第２の端子列と直交し、平行に配置された第３の端子列と第４の端子列とを備え、
前記第１の端子列、前記第２の端子列、前記第３の端子列又は前記第４の端子列に対応する矩形部の端子列に対する幅方向のはみ出し量が、対応する前記第１の端子列、前記第２の端子列、前記第３の端子列又は前記第４の端子列の端子長さの５０％以下である［１０］又は［１１］記載の接続構造体。
複数の端子列を備える表面実装部品を、前記端子列毎に対応する矩形部を有する膜状半田接続材料を介して配線基板に配置する配置工程と、
前記表面実装部品を前記配線基板に接合させる接合工程と
を有する接続構造体の製造方法。
［２］
前記接合工程後の前記表面実装部品の端子と前記配線基板の端子との間における半田厚みの相対標準偏差が、２５％未満である［１］記載の接続構造体の製造方法。
［３］
前記表面実装部品が、平行に配置された第１の端子列と第２の端子列とを備え、
前記配置工程では、前記第１の端子列に対応する第１の膜状半田接続材料と前記第２の端子列に対応する第２の膜状半田接続材料とを配置し、前記第１の膜状半田接続材料における矩形部と前記第２の膜状半田接続材料における矩形部との間の距離を０ｍｍ以上とする［１］又は［２］記載の接続構造体の製造方法。
［４］
前記表面実装部品が、平行に配置された第１の端子列と第２の端子列とを備え、
前記配置工程では、前記第１の膜状半田接続材料における矩形部の幅Ｗ、及び前記第２の膜状半田接続材料における矩形部の幅Ｗが、下記（１）式を満たす［３］記載の接続構造体の製造方法。
Ｗ≦（２Ｌ＋Ｓ）／２ （１）
上記（１）式において、Ｌは、前記第１の端子列及び前記第２の端子列における端子の長さであり、Ｓは、前記第１の端子列と前記第２の端子列との間の距離である。
［５］
前記接合工程では、リフロー炉を用いて無荷重で前記表面実装部品を前記配線基板に接合させる［１］又は［２］記載の接続構造体の製造方法。
［６］
前記表面実装部品及び配線基板の端子列のピッチが、０．１ｍｍ～０．４ｍｍである［１］又は［２］記載の接続構造体の製造方法。
［７］
前記膜状半田接続材料における半田粒子の含有量が、前記表面実装部品及び配線基板の端子列のピッチ０．１ｍｍ～０．４ｍｍに対して、１０体積％～６０体積％である［１］又は［２］記載の接続構造体の製造方法。
［８］
前記表面実装部品が、平行に配置された第１の端子列と第２の端子列とを備え、
前記配置工程では、前記第１の端子列に対応する第１の膜状半田接続材料と前記第２の端子列に対応する第２の膜状半田接続材料とを配置し、
前記第１の膜状半田接続材料における矩形部の前記第１の端子列に対する幅方向のはみ出し量が、前記第１の端子列の端子長さの５０％以下であり、前記第２の膜状半田接続材料における矩形部の前記第２の端子列に対する幅方向のはみ出し量が、前記第２の端子列の端子長さの５０％以下である［１］又は［２］記載の接続構造体の製造方法。
［９］
前記表面実装部品が、平行に配置された第１の端子列と第２の端子列と、前記第１の端子列と前記第２の端子列と直交し、平行に配置された第３の端子列と第４の端子列とを備え、
前記第１の端子列、前記第２の端子列、前記第３の端子列又は前記第４の端子列に対応する矩形部の端子列に対する幅方向のはみ出し量が、対応する前記第１の端子列、前記第２の端子列、前記第３の端子列又は前記第４の端子列の端子長さの５０％以下である［１］又は［２］記載の接続構造体の製造方法。
［１０］
複数の端子列を備える表面実装部品と、配線基板と、前記端子列毎に設けられ、前記表面実装部品と前記配線基板とを接合させ、前記端子列毎に対応する矩形部を有する膜状半田接続材料の硬化膜とを備える接続構造体。
［１１］
前記表面実装部品の端子と前記配線基板の端子との間における半田厚みの相対標準偏差が、２５％未満である［１０］記載の接続構造体。
［１２］
前記表面実装部品及び配線基板の端子列のピッチが、０．１ｍｍ～０．４ｍｍである［１０］又は［１１］記載の接続構造体。
［１３］
前記表面実装部品が、平行に配置された第１の端子列と第２の端子列とを備え、
前記第１の膜状半田接続材料における矩形部の前記第１の端子列に対する幅方向のはみ出し量が、前記第１の端子列の端子長さの５０％以下であり、前記第２の膜状半田接続材料における矩形部の前記第２の端子列に対する幅方向のはみ出し量が、前記第２の端子列の端子長さの５０％以下である［１０］又は［１１］記載の接続構造体。
［１４］
前記表面実装部品が、平行に配置された第１の端子列と第２の端子列と、前記第１の端子列と前記第２の端子列と直交し、平行に配置された第３の端子列と第４の端子列とを備え、
前記第１の端子列、前記第２の端子列、前記第３の端子列又は前記第４の端子列に対応する矩形部の端子列に対する幅方向のはみ出し量が、対応する前記第１の端子列、前記第２の端子列、前記第３の端子列又は前記第４の端子列の端子長さの５０％以下である［１０］又は［１１］記載の接続構造体。
【発明の効果】
【0008】
本技術によれば、半田粒子を電極上に効率的に移動させ、高い導通信頼性を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【0009】
【図12】図１２（Ａ）は、実施例１について、プリント配線板に対して半田接続フィルムを仮貼りした状態を示す写真であり、図１２（Ｂ）は、実施例１について、プリント基板上にコネクタを搭載した状態を示す写真であり、図１２（Ｃ）は、実施例１について、リフロー後の接続構造体を示すＸ線写真である。
【図13】図１３（Ａ）は、比較例１について、プリント配線板に対して半田接続フィルムを仮貼りした状態を示す写真であり、図１３（Ｂ）は、比較例１について、プリント基板上にコネクタを搭載した状態を示す写真であり、図１３（Ｃ）は、比較例１について、リフロー後の接続構造体を示すＸ線写真である。
【図18】図１８（Ａ１）は、比較例９として、プラグコネクタ用配線基板に対して所定形状の異方性導電フィルムを仮貼りした状態を示す写真であり、図１８（Ａ２）は、異方性導電フィルムの形状を模式的に示す平面図であり、図１８（Ｂ）は、プラグコネクタ用配線基板上にプラグコネクタをリフロー実装した状態を示す写真であり、図１８（Ｃ）は、実装後のプラグコネクタ構造体を示すＸ線写真である。
【図19】図１９（Ａ１）は、実施例１６として、プラグコネクタ用配線基板に対して所定形状の異方性導電フィルムを仮貼りした状態を示す写真であり、図１９（Ａ２）は、異方性導電フィルムの形状を模式的に示す平面図であり、図１９（Ｂ）は、プラグコネクタ用配線基板上にプラグコネクタをリフロー実装した状態を示す写真であり、図１９（Ｃ）は、実装後のプラグコネクタ構造体を示すＸ線写真である。
【図20】図２０（Ａ１）は、実施例１７として、プラグコネクタ用配線基板に対して所定形状の異方性導電フィルムを仮貼りした状態を示す写真であり、図２０（Ａ２）は、異方性導電フィルムの形状を模式的に示す平面図であり、図２０（Ｂ）は、プラグコネクタ用配線基板上にプラグコネクタをリフロー実装した状態を示す写真であり、図２０（Ｃ）は、実装後のプラグコネクタ構造体を示すＸ線写真である。
【図21】図２１（Ａ１）は、実施例１８として、プラグコネクタ用配線基板に対して所定形状の異方性導電フィルムを仮貼りした状態を示す写真であり、図２１（Ａ２）は、異方性導電フィルムの形状を模式的に示す平面図であり、図２１（Ｂ）は、プラグコネクタ用配線基板上にプラグコネクタをリフロー実装した状態を示す写真であり、図２１（Ｃ）は、実装後のプラグコネクタ構造体を示すＸ線写真である。
【図22】図２２（Ａ１）は、比較例１０として、レセプタクルコネクタ用配線基板に対して所定形状の異方性導電フィルムを仮貼りした状態を示す写真であり、図２２（Ａ２）は、異方性導電フィルムの形状を模式的に示す平面図であり、図２２（Ｂ）は、レセプタクルコネクタ用配線基板上にレセプタクルコネクタをリフロー実装した状態を示す写真であり、図２２（Ｃ）は、実装後のレセプタクルコネクタ構造体を示すＸ線写真である。
【発明を実施するための形態】
【0010】
以下、本技術の実施の形態について、図面を参照しながら下記順序にて詳細に説明する。
１．接続構造体の製造方法及び接続構造体
２．半田接続フィルム
３．第１の実施例
４．第２の実施例
５．第３の実施例
６．第４の実施例
１．接続構造体の製造方法及び接続構造体
２．半田接続フィルム
３．第１の実施例
４．第２の実施例
５．第３の実施例
６．第４の実施例
【0011】
＜１．接続構造体の製造方法及び接続構造体＞
本実施の形態に係る接続構造体の製造方法は、複数の端子列を備える表面実装部品を、端子列の列方向を長手方向とする矩形部を有する膜状半田接続材料を介して配線基板に配置する配置工程と、表面実装部品を配線基板に接合させる接合工程とを有する。ここで、表面実装部品が、平行に配置された第１の端子列と第２の端子列とを備える場合、第１の端子列と第２の端子列との間に配置される第１の端子列又は第２の端子列の半田接続フィルムのはみ出し量は、第１の端子列又は第２の端子列の列方向に直交する方向の端子長さの５０％以下であることが好ましい。また、表面実装部品が、平行に配置された第１の端子列と第２の端子列と、第１の端子列と第２の端子列と直交し、平行に配置された第３の端子列と第４の端子列とを備える場合、第１の端子列と第２の端子列との間に配置される第１の端子列、第２の端子列、第３の端子列又は第４の端子列の半田接続フィルムのはみ出し量は、第１の端子列、第２の端子列、第３の端子列又は第４の端子列の列方向に直交する方向の端子長さの５０％以下であることが好ましい。これにより、第１の端子列と第２の端子列との間に半田粒子が凝集せずに残るのを防ぐことができる。
本実施の形態に係る接続構造体の製造方法は、複数の端子列を備える表面実装部品を、端子列の列方向を長手方向とする矩形部を有する膜状半田接続材料を介して配線基板に配置する配置工程と、表面実装部品を配線基板に接合させる接合工程とを有する。ここで、表面実装部品が、平行に配置された第１の端子列と第２の端子列とを備える場合、第１の端子列と第２の端子列との間に配置される第１の端子列又は第２の端子列の半田接続フィルムのはみ出し量は、第１の端子列又は第２の端子列の列方向に直交する方向の端子長さの５０％以下であることが好ましい。また、表面実装部品が、平行に配置された第１の端子列と第２の端子列と、第１の端子列と第２の端子列と直交し、平行に配置された第３の端子列と第４の端子列とを備える場合、第１の端子列と第２の端子列との間に配置される第１の端子列、第２の端子列、第３の端子列又は第４の端子列の半田接続フィルムのはみ出し量は、第１の端子列、第２の端子列、第３の端子列又は第４の端子列の列方向に直交する方向の端子長さの５０％以下であることが好ましい。これにより、第１の端子列と第２の端子列との間に半田粒子が凝集せずに残るのを防ぐことができる。
【0012】
本実施の形態に係る接続構造体は、複数の端子列を備える表面実装部品と、配線基板と、端子列毎に設けられ、表面実装部品と前記配線基板とを接合させ、端子列毎に端子列の列方向を長手方向とする矩形部を有する膜状半田接続材料の硬化膜とを備える。ここで、表面実装部品が、平行に配置された第１の端子列と第２の端子列とを備える場合、第１の端子列と第２の端子列との間に配置される第１の端子列又は第２の端子列の半田接続フィルムの硬化膜のはみ出し量は、第１の端子列又は第２の端子列の列方向に直交する方向の端子長さの５０％以下であることが好ましい。また、表面実装部品が、平行に配置された第１の端子列と第２の端子列と、第１の端子列と第２の端子列と直交し、平行に配置された第３の端子列と第４の端子列とを備える場合、第１の端子列と第２の端子列との間に配置される第１の端子列、第２の端子列、第３の端子列又は第４の端子列の半田接続フィルムの硬化膜のはみ出し量は、第１の端子列、第２の端子列、第３の端子列又は第４の端子列の列方向に直交する方向の端子長さの５０％以下であることが好ましい。これにより、第１の端子列～第４の端子列の内部に半田粒子が凝集せずに残るのを防ぐことができる。
【0013】
本実施の形態では、端子列毎に端子列の列方向を長手方向とする矩形部を有する膜状半田接続材料を設けることにより、接合工程においてセルフアライメント効果による半田粒子の端子列間の移動を制限する。これにより、所定の端子列に対して所定の矩形部内の半田粒子を凝集させることができ、高い導通信頼性を得ることができる。膜状半田接続材料は、後述するように、半田接続フィルムであっても、半田ペーストが印刷された半田ペーストフィルムであってもよい。
【0014】
また、膜状半田接続材料は、端子列に対応する矩形部以外の部分で連続していてもよい。例えば、例えば、平行に配置された第１の端子列と第２の端子列とを備えるコネクタを接続させる場合、平行する２つの矩形部の長手方向の両端を連続部で連続させた膜状半田接続材料を用いてもよい。このような膜状半田接続材料によれば、両端の連続部により、接着強度をさらに向上させることができる。
【0015】
ここで、接続構造体とは、二つの材料または部材が電気的に接続されたものをいう。また、接合とは、二つの材料または部材をつなぎ合わせることをいう。また、端子列とは、端子（電極）が所定方向に所定間隔（ピッチ）で並んだものを呼ぶ。また、端子が並んだ所定方向を端子列の列方向と呼び、列方向に直交する方向を端子列の幅方向と呼ぶ。
【0016】
表面実装部品としては、複数の端子列を備えるものであれば特に限定されるものではなく、例えば、平行に配置された第１の端子列と第２の端子列とを備えるもの、平行に配置された第１の端子列と第２の端子列と、第１の端子列と第２の端子列と直交し、平行に配置された第３の端子列と第４の端子列とを備えるものなどが挙げられる。
【0017】
表面実装部品の具体例としては、コネクタ、ＩＣ（Integrated Circuit）やＬＳＩ（Large Scale Integration）のパッケージ、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）、スイッチなどが挙げられる。例えば、コネクタとしては、短手方向の一方の外側に延びるピン（リードフレーム）が長手方向に複数の並べられた第１の端子列と、短手方向の他方の外側に延びるピン（リードフレーム）が長手方向に複数の並べられた第２の端子列を備えるＳＭＴ（Surface Mount type）タイプのものが挙げられる。また、例えば、ＩＣパッケージとしては、矩形の対向する２辺に端子列を備えるＳＯＰ（Small Outline Package）、ＳＯＪ（Small Outline J-leaded）、矩形の４辺に端子列を備えるＱＦＰ（Quad Flat Package）、ＱＦＮ（Quad Flat No-leaded package）などの表面実装型リードタイプのものが挙げられる。
【0018】
配線基板としては、配線が設けられたものであれば特に限定はなく、表面実装部品を搭載できる電極が設けられた、所謂プリント配線板（ＰＷＢ）として広義に定義できるものであればよく、リジット基板であっても、フレキシブル基板（ＦＰＣ：Flexible Printed Circuits）であってもよい。基材種類による基板例としては、例えば、ガラス基板、セラミック基板、プラスチック基板などが挙げられる。
【0019】
表面実装部品及び配線基板の端子列のピッチの上限は、好ましくは２ｍｍ以下、より好ましくは１ｍｍ以下、さらに好ましくは０．５ｍｍ以下であり、端子列のピッチの下限は、好ましくは０．０６ｍｍ以上、より好ましくは０．０８ｍｍ以上、さらに好ましくは０．１ｍｍ以上である。
【0020】
接続構造体の端子間の半田の平均の厚み（高さ）は、配線基板及び表面実装部品の電極面積、膜状半田接続材料の半田粒子の含有量などによるが、厚みの下限は好ましくは５μｍ以上、より好ましくは２０μｍ以上、さらに好ましくは４０μｍ以上である。厚みの上限は好ましくは２００μｍ以下、より好ましくは１００μｍ以下、さらに好ましくは８０μｍ以下である。これにより、熱衝撃による表面実装部品と配線基板との線膨張差のストレスに耐えることでき、高い導通信頼性を得ることができる。
【0021】
また、リフロー後の端子間の半田の厚み（高さ）の相対標準偏差（変動係数、ＲＳＤ（Relative Standard deviation）は、好ましくは２５％未満、より好ましくは２０％以下、さらに好ましくは１５％以下である。端子間の半田の厚み（高さ）のばらつきの割合が小さいことにより、高い導通信頼性を得ることができる。また、接続構造体の端子間の半田の厚み（高さ）の標準偏差（σ）は、端子間の半田の平均の厚み（高さ）などによるが、例えば端子間の半田の平均の厚み（高さ）が５μｍ以上２００μｍの場合、好ましくは２０μｍ以下、より好ましくは１２μｍ以下、さらに好ましくは１０μｍ以下である。端子間の半田の厚みのばらつきが小さいことにより、高い導通信頼性を得ることができる。
【0022】
以下、図１～図４を参照して、配線基板の複数の端子列上に半田接続フィルムを設ける工程（Ａ）、半田接続フィルム上に表面実装部品を固定する工程（Ｂ）、及び、リフロー炉を用いて、配線基板の複数の端子列と表面実装部品の複数の端子列とを接合させる工程（Ｃ）について説明する。
【0023】
［工程（Ａ）］
図１は、配線基板の平行する第１の端子列及び第２の端子列上に、それぞれ半田接続フィルムを設けた状態を模式的に示す平面図であり、図２は、配線基板の第１の端子列上に半田接続フィルムを設けた状態を模式的に示す断面図である。図１及び図２に示すように、工程（Ａ）では、配線基板１０の第１の端子列１１及び第２の端子列１２上にそれぞれ半田粒子２０を含有し、端子列の列方向を長手方向とする矩形の第１の半田接続フィルム２１及び第２の半田接続フィルム２２を設ける。
図１は、配線基板の平行する第１の端子列及び第２の端子列上に、それぞれ半田接続フィルムを設けた状態を模式的に示す平面図であり、図２は、配線基板の第１の端子列上に半田接続フィルムを設けた状態を模式的に示す断面図である。図１及び図２に示すように、工程（Ａ）では、配線基板１０の第１の端子列１１及び第２の端子列１２上にそれぞれ半田粒子２０を含有し、端子列の列方向を長手方向とする矩形の第１の半田接続フィルム２１及び第２の半田接続フィルム２２を設ける。
【0024】
工程（Ａ）は、第１の半田接続フィルム２１及び第２の半田接続フィルム２２をそれぞれ配線基板１０の第１の端子列１１及び第２の端子列１２上に低温低圧で貼着する仮貼り工程であってもよく、第１の半田接続フィルム２１及び第２の半田接続フィルム２２をそれぞれ配線基板１０の第１の端子列１１及び第２の端子列１２上にラミネートするラミネート工程であってもよい。
【0025】
第１及び第２の半田接続フィルム２１、２２の幅Ｗは、端子１１ａ、１２ａの長さＬの５０％以上１５０％以下であることが好ましく、７５％以上１２５％以下であることがより好ましい。これにより、端子列の端子上に半田粒子を凝集させ、端子列の端子上の半田高さのばらつきを小さくすることができる。
【0026】
また、第１及び第２の半田接続フィルム２１、２２は、第１の端子列１１及び第２の端子列１２の幅方向の外側端部に揃えて設けられることが好ましい。また、第１及び第２の端子列１１、１２との間に配置される第１又は第２の半田接続フィルムの矩形部の幅方向のはみ出し量（Ｗ－Ｌ）は、端子１１ａ、１２ａの長さＬの５０％以下であることが好ましく、２５％以下であることがより好ましい。これにより、第１の端子列１１と第２の端子列１２との間に半田粒子２０が凝集せずに残るのを防ぐことができる。
【0027】
また、第１及び第２の半田接続フィルム２１、２２の幅Ｗは、下記（１）式を満たすことが好ましい。
Ｗ≦（２Ｌ＋Ｓ）／２ （１）
上記（１）式において、Ｌは、端子１１ａ、１２ａの長さであり、Ｓは、第１の端子列１１と第２の端子列１２との間の距離である。第１の半田接続フィルム２１と第２の半田接続フィルム２２との間には境界があればよく、その距離（隙間）ＳＦはゼロであってもよい。
Ｗ≦（２Ｌ＋Ｓ）／２ （１）
上記（１）式において、Ｌは、端子１１ａ、１２ａの長さであり、Ｓは、第１の端子列１１と第２の端子列１２との間の距離である。第１の半田接続フィルム２１と第２の半田接続フィルム２２との間には境界があればよく、その距離（隙間）ＳＦはゼロであってもよい。
【0028】
第１の端子列１１と第２の端子列１２との間の距離Ｓは、好ましくは１０ｍｍ以下、より好ましくは１ｍｍ以下、さらに好ましくは０．５ｍｍ以下である。第１の端子列１１と第２の端子列１２との間の距離Ｓが短い場合であっても、第１の半田接続フィルム２１と第２の半田接続フィルム２２との間に境界があることが好ましく、その距離（隙間）ＳＦは、好ましくは０ｍｍ以上、好ましくは０．１ｍｍ以上、より好ましくは０．２ｍｍ以上である。第１の半田接続フィルム２１と第２の半田接続フィルム２２との間に境界があることにより、半田粒子の移動を制限することができ、端子列の端子上の半田高さのばらつきを小さくすることができる。
【0029】
［工程（Ｂ）］
図３は、配線基板の第１の端子列と表面実装部品の第１の端子列とを位置合わせした状態を模式的に示す断面図である。図３に示すように、工程（Ｂ）では、配線基板１０の第１及び第２の端子列１１、１２と表面実装部品３０の第１及び第２の端子列３１、３２とを位置合わせし、第１の半田接続フィルム２１上に表面実装部品３０を固定する。
図３は、配線基板の第１の端子列と表面実装部品の第１の端子列とを位置合わせした状態を模式的に示す断面図である。図３に示すように、工程（Ｂ）では、配線基板１０の第１及び第２の端子列１１、１２と表面実装部品３０の第１及び第２の端子列３１、３２とを位置合わせし、第１の半田接続フィルム２１上に表面実装部品３０を固定する。
【0030】
工程（Ｂ）では、例えばツールを用いて第１及び第２の端子列１１、１２と表面実装部品３０の第１及び第２の端子列３１、３２とを位置合わせする。ツールは、表面実装部品を吸着する吸着機構を備えることが好ましい。また、工程（Ｂ）では、ツールにて表面実装部品３０側から押圧する仮圧着であってもよい。
【0031】
［工程（Ｃ）］
図４は、配線基板及び表面実装部品をリフロー炉にて加熱した状態を模式的に示す断面図である。図４に示すように、工程（Ｃ）では、半田粒子２０の融点以上に設定されたリフロー炉を用いて、配線基板１０の第１及び第２の端子列１１、１２と表面実装部品３０の第１及び第２の端子列３１、３２とを半田４１により接合させるとともに、配線基板１０と表面実装部品３０とを半田接続フィルムのバインダー４０により接着させる。ここで、配線基板１０の第１及び第２の端子列１１、１２上にそれぞれ半田粒子２０を含有する第１及び第２の半田接続フィルム２１、２２を設けているため、リフローにおいて、セルフアライメント効果による半田粒子の端子列間の移動を制限する。これにより、第１及び第２の端子列１１、１２に対してそれぞれ第１及び第２の半田接続フィルム２１、２２内の半田粒子２０のみを凝集させることができる。
図４は、配線基板及び表面実装部品をリフロー炉にて加熱した状態を模式的に示す断面図である。図４に示すように、工程（Ｃ）では、半田粒子２０の融点以上に設定されたリフロー炉を用いて、配線基板１０の第１及び第２の端子列１１、１２と表面実装部品３０の第１及び第２の端子列３１、３２とを半田４１により接合させるとともに、配線基板１０と表面実装部品３０とを半田接続フィルムのバインダー４０により接着させる。ここで、配線基板１０の第１及び第２の端子列１１、１２上にそれぞれ半田粒子２０を含有する第１及び第２の半田接続フィルム２１、２２を設けているため、リフローにおいて、セルフアライメント効果による半田粒子の端子列間の移動を制限する。これにより、第１及び第２の端子列１１、１２に対してそれぞれ第１及び第２の半田接続フィルム２１、２２内の半田粒子２０のみを凝集させることができる。
【0032】
リフロー炉としては、大気圧リフロー、真空リフロー、大気圧オーブン、オートクレーブ（加圧オーブン）などが挙げられ、これらの中でも、接合部に内包する気泡を排除することができる真空リフロー、オートクレーブなどを用いることが好ましい。リフロー炉は、機械的な加圧をせずに無荷重で加熱接合させることができるため、配線基板１０及び表面実装部品３０のダメージを抑制することができる。ここで、無荷重とは、機械的な加圧がない状態をいう。
【0033】
リフロー炉におけるピーク温度（最高到達温度）の下限は、半田粒子が溶融する温度以上であって、半田接続フィルムが硬化を始める温度以上であれば良く、好ましくは１５０℃以上、より好ましくは１８０℃以上、さらに好ましくは２００℃以上である。また、リフロー炉におけるピーク温度の上限は、３００℃以下、より好ましくは２９０℃以下、さらに好ましくは２８０℃以下である。これにより、配線基板１０の第１の端子列１１と表面実装部品３０の第１の端子列３１とが半田接合される。また、半田接続フィルムが熱硬化性バインダーを用いた場合、端子内の半田接合箇所以外は、熱硬化性バインダーにより接着される。ここで、半田接合とは、対向した電子部品のそれぞれの端子（電極）を、半田を溶融させて繋ぐことをいう。
【0034】
リフロー後の端子間の半田４１の平均の厚み（高さ）Ｔは、配線基板及び表面実装部品の電極面積、半田接続フィルムの半田粒子の含有量などによるが、厚みの下限は好ましくは５μｍ以上、より好ましくは２０μｍ以上、さらに好ましくは４０μｍ以上である。厚みＴの上限は好ましくは２００μｍ以下、より好ましくは１００μｍ以下、さらに好ましくは８０μｍ以下である。これにより、熱衝撃による表面実装部品と配線基板との線膨張差のストレスに耐えることでき、高い導通信頼性を得ることができる。
【0035】
また、リフロー後の端子間の半田の厚み（高さ）の相対標準偏差（変動係数、ＲＳＤ（Relative Standard deviation）は、好ましくは２５％未満、より好ましくは２０％以下、さらに好ましくは１５％以下である。端子間の半田の厚み（高さ）のばらつきの割合が小さいことにより、高い導通信頼性を得ることができる。また、接続構造体の端子間の半田の厚み（高さ）の標準偏差（σ）は、端子間の半田の平均の厚み（高さ）などによるが、例えば端子間の半田の平均の厚み（高さ）が５μｍ以上２００μｍの場合、好ましくは２０μｍ以下、より好ましくは１２μｍ以下、さらに好ましくは１０μｍ以下である。端子間の半田４１の厚みのばらつきが小さいことにより、高い導通信頼性を得ることができる。
【0036】
上述した接続構造体の製造方法によれば、端子列毎に半田接続フィルムを設けることにより、加熱時のセルフアライメント効果による半田粒子の端子列間の移動を制限することができる。このため、所定の端子列に対して所定の半田接続フィルム内の半田粒子のみを凝集させることができ、高い導通信頼性を得ることができる。
【0037】
なお、上述した接続構造体の製造方法では、工程（Ｃ）において、リフロー炉を用いて、配線基板の複数の端子列と表面実装部品の複数の端子列とを接合させたが、これに限られるものではなく、例えば半田粒子の端子上への凝集を妨げない範囲で加熱加圧ツールを用いて接合させてもよい。
【0038】
また、半田接続フィルムは、配線基板の電極パターンに応じて形状が加工されていてもよい。例えば、半田接続フィルムは、所定の端子列に対応する略矩形の第１形状部と、第１形状部の一端と連続させ、所定の端子列の一端の電極に対応する第２形状部と、第１形状部の他端と連続させ、所定の端子列の他端の電極に対応する第３形状部とを有し、第１形状部～第３形状部とを合体させた形状であってもよい。また、例えば、半田接続フィルムは、第１の端子列に対応する略矩形の第１形状部と、第２の端子列に対応する略矩形の第２形状部と、第１形状部の一端と第２の形状部の一端とを連続させ、第１の端子列及び第２の端子列の一端の１対の電極に対応する第３形状部と、第１形状部の他端と第２の形状部の他端とを連続させ、第１の端子列及び第２の端子列の他端の１対の電極に対応する第４形状部とを有し、第１形状部～第４形状部とを合体させた形状であってもよい。
【0039】
また、前述と同様、隣接する端子列に対応する形状部間の距離（隙間）は、好ましくは０ｍｍ以上、好ましくは０．１ｍｍ以上、より好ましくは０．２ｍｍ以上である。隣接する端子列に対応する形状部間に境界があることにより、半田粒子の移動を制限することができ、端子列の端子上の半田高さのばらつきを小さくすることができる。このような形状の半田接続フィルムは、打ち抜き加工、切り込み（スリット）加工などによって得ることができる。
【0040】
［変形例］
上述した接続構造体の製造方法では、工程（Ａ）において、端子列上に半田接続フィルムを設けることとしたが、これに限られるものではなく、例えば、メタルマスク（ステンシル）を用いて半田ペーストを印刷し、端子列上に半田ペーストフィルムを設けてもよい。半田ペーストとしては、例えば後述する半田接続フィルムのバインダーの配合から高分子成分を除き、粘度を低下させたものが挙げられる。
上述した接続構造体の製造方法では、工程（Ａ）において、端子列上に半田接続フィルムを設けることとしたが、これに限られるものではなく、例えば、メタルマスク（ステンシル）を用いて半田ペーストを印刷し、端子列上に半田ペーストフィルムを設けてもよい。半田ペーストとしては、例えば後述する半田接続フィルムのバインダーの配合から高分子成分を除き、粘度を低下させたものが挙げられる。
【0041】
以下、図５～図８を参照して、メタルマスクを用いた半田ペーストの印刷について説明する。図５は、配線基板の一例を模式的に示す平面図である。図５に示すように、配線基板５０は、複数の端子５１ａ、５１ｂ、５１ｃ、５１ｄが所定間隔で並んだ第１の端子列５１と、複数の端子５２ａ、５２ｂ、５２ｃ、５２ｄが所定間隔で並んだ第２の端子列５２とを備える。第１の端子列５１の列方向と第２の端子列５２の列方向とは平行であり、第１の端子列５１と第２の端子列５２との間の距離は、前述と同様、好ましくは１０ｍｍ以下、より好ましくは１ｍｍ以下、さらに好ましくは０．５ｍｍ以下である。
【0042】
図６（Ａ）は、実施例としてのメタルマスクの一例を模式的に示す平面図であり、図６（Ｂ）は、図６（Ａ）に示すメタルマスクを用いて印刷した半田ペーストフィルムの一例を模式的に示す平面図である。図６（Ａ）に示すメタルマスク５３は、第１の端子列５１に対応する第１の開口部５４と、第２の端子列５２に対応する第２の開口部５５とを備える。
【0043】
半田ペーストの印刷方法は、メタルマスク５３の下に配線基板５０上を位置合わせしてセットし、メタルマスク５３の上からスキージを下方に押し付けながら移動させ、メタルマスク５３の開口部から半田ペーストを所定の箇所に塗付し、セットしていた配線基板５０を離す。これにより、配線基板５０にメタルマスク５３の開口部と同じ形状の半田ペーストフィルムを転写させることができる。
【0044】
図６（Ｂ）に示すように、配線基板５０には、第１の開口部５４と同形状の第１の半田ペーストフィルム５６が第１の端子列５１上に設けられ、第２の開口部５５と同形状の第２の半田ペーストフィルム５７が第２の端子列５２上に設けられ、第１の半田ペーストフィルム５６と第２の半田ペーストフィルム５７との間には空隙が設けられる。これにより、加熱時のセルフアライメント効果による半田粒子の端子列間の移動を制限することができるため、所定の端子列に対して所定の半田接続フィルム内の半田粒子のみを凝集させることができ、高い導通信頼性を得ることができる。
【0045】
また、配線基板５０に印刷された半田ペーストフィルムの厚みは、後述する半田接続フィルムと同様、その下限は、半田粒子の平均粒径に対して好ましくは０．６以上、より好ましくは０．８以上、さらに好ましくは０．９以上である。また、厚みの上限は、半田粒子の平均粒径に対して好ましくは３．０以下、より好ましくは２．０以下、さらに好ましくは１．５以下である。半田ペーストフィルムの厚みに対する半田粒子の平均粒径の比が大きい場合、メタルマスクを用いた印刷の難易度が高くなる虞がある。
【0046】
ここで、半田ペーストフィルムの厚みとは、バインダー樹脂層のみの厚みであり、粒子径は含まない。フィルム状の半田ペーストの厚みは、１μｍ以下、好ましくは０．１μｍ以下を測定できる公知のマイクロメータやデジタルシックネスゲージ（例えば、株式会社ミツトヨ：ＭＤＥ－２５Ｍ、最小表示量０．０００１ｍｍ）を用いて測定することができる。フィルム厚みは、１０箇所以上を測定し、平均して求めればよい。
【0047】
図７（Ａ）は、比較例としてのメタルマスクの一例を模式的に示す平面図であり、図７（Ｂ）は、図７（Ａ）に示すメタルマスクを用いて印刷した半田ペーストフィルムの一例を模式的に示す平面図である。図７（Ａ）に示すメタルマスク５８は、第１の端子列５１及び第２の端子列５２の両者に対応する開口部５９を備える。
【0048】
配線基板５０にメタルマスク５８の開口部と同じ形状の半田ペーストフィルムを転写させた場合、図７（Ｂ）に示すように、配線基板５０には、開口部５９と同形状の半田ペーストフィルム６０が第１の端子列５１上及び第２の端子列５２上に設けられる。この場合、加熱時に半田粒子が端子列間を移動し、半田粒子が不均一に分布してしまうため、上下端子間の半田の厚み（高さ）のばらつきの割合が大きくなり、高い導通信頼性を得ることが困難となる。
【0049】
図８（Ａ）は、比較例としてのメタルマスクの一例を模式的に示す平面図であり、図８（Ｂ）は、図８（Ａ）に示すメタルマスクを用いて印刷した半田ペーストフィルムの一例を模式的に示す平面図である。図８（Ａ）に示すメタルマスク６１は、第１の端子列５１の端子にそれぞれ対応する開口部６２ａ、６２ｂ、６２ｃ、６２ｄと、第２の端子列５２の端子にそれぞれ対応する開口部６３ａ、６３ｂ、６３ｃ、６３ｄとを備える。
【0050】
配線基板５０にメタルマスク６１の開口部と同じ形状の半田ペーストフィルムを転写させた場合、図８（Ｂ）に示すように、配線基板５０には、開口部６２ａ、６２ｂ、６２ｃ、６２ｄ、６３ａ、６３ｂ、６３ｃ、６３ｄと同形状の半田ペーストフィルム６４ａ、６４ｂ、６４ｃ、６４ｄ、６５ａ、６５ｂ、６５ｃ、６５ｄがそれぞれ第１の端子列５１の端子５１ａ、５１ｂ、５１ｃ、５１ｄ上及び第２の端子列５２の端子５２ａ、５２ｂ、５２ｃ、５２ｄ上に設けられる。この場合、ファインパターン化に伴いメタルマスクの開口部が小さくなると、半田ペーストが開口部に残ってしまい、例えば、図８（Ｂ）に示す端子５２ｂのように、半田ペーストが配線基板５０に転写されない事態が発生してしまう。
【0051】
［コネクタ実装体］
以下では、表面実装部品の具体例として、垂直嵌合タイプのコネクタを用いたコネクタ実装体について詳細に説明する。コネクタは、嵌合部を有する主に樹脂成型品であり、例えば、樹脂成形物に電極が複数長手方向に突き出ているもの（所謂、ムカデ型のコネクタ）であっても、突き出ていないもの（フリップチップ型のコネクタ）であってよい。
以下では、表面実装部品の具体例として、垂直嵌合タイプのコネクタを用いたコネクタ実装体について詳細に説明する。コネクタは、嵌合部を有する主に樹脂成型品であり、例えば、樹脂成形物に電極が複数長手方向に突き出ているもの（所謂、ムカデ型のコネクタ）であっても、突き出ていないもの（フリップチップ型のコネクタ）であってよい。
【0052】
図９は、垂直嵌合タイプのコネクタにおけるプラグとレセプタクルとの短手方向の一例を示す断面図である。図９示すコネクタの一例は、レセプタクル端子７１Ａ、７１Ｂが絶縁樹脂により固定されたレセプタクル７０と、プラグ端子８１Ａ、８１Ｂが絶縁樹脂により固定されたプラグ８０から構成される。また、レセプタクル７０の長手方向には、レセプタクル端子７１Ａ、７１Ｂが、所定のピッチで形成され、プラグ８０の長手方向には、プラグ端子８１Ａ、８１Ｂが、所定のピッチで形成される。
【0053】
図１０は、コネクタのプラグと配線基板とを接続させた接続構造体の長手方向を模式的に示す断面図であり、図１１は、コネクタのプラグと配線基板とを接続させた接続構造体の短手方向を模式的に示す断面図である。すなわち、図１０に示す長手方向の断面は、図１１に示す短手方向の断面に対して垂直方向のＹ断面であり、図１１に示す短手方向の断面は、図１０に示す長手方向の断面に対して垂直方向のＸ断面である。
【0054】
図１０及び図１１に示すように、コネクタ実装体は、第１の端子列としてのプラグ端子８１Ａと、第２の端子列としてのプラグ端子８１Ｂを有するプラグ８０と、プラグ端子８１Ａ、８１Ｂに対応する基板端子９１Ａ、９１Ｂを有する配線基板９０と、プラグ端子８１Ａ、８１Ｂと基板端子９１Ａ、９１Ｂとを半田１０１により接合した接着層１００とを備える。
【0055】
プラグ８０は、プラグ端子８１Ａ、８１Ｂと、プラグ端子８１Ａ、８１Ｂに連続する導電金属が折り曲げられた接続ピン８２Ａ、８２Ｂと、プラグ端子８１Ａ、８１Ｂ及び接続ピン８２Ａ、８２Ｂを固定する絶縁樹脂８３とを備える。
【0056】
絶縁樹脂８３は、例えばポリアミド、ＬＣＰ（Liquid Crystal Polymer）などからなり、例えば樹脂成形により、プラグ端子８１Ａ、８１Ｂ及び接続ピン８２Ａ、８２Ｂを固定する。また、プラグ端子８１Ａ、８１Ｂの端部には、それぞれリードが形成され、プラグ端子８１Ａ、８１Ｂは、表面実装型のリードアレイを構成する。
【0057】
プラグ端子８１Ａ、８１Ｂ及び基板端子９１Ａ、９１Ｂにおける隣接端子間距離（スペース間距離）の最小値の上限は、好ましくは０．８ｍｍ以下、より好ましくは０．３ｍｍ以下、さらに好ましくは０．２ｍｍ以下である。また、プラグ端子８１Ａ、８１Ｂ及び基板端子９１Ａ、９１Ｂにおける隣接端子間の距離の最小値の下限は、好ましくは５０μｍ以上、より好ましくは６０μｍ以上、さらに好ましくは７０μｍ以上である。また、プラグ端子８１Ａ、８１Ｂの表面は、金メッキされていることが好ましい。
【0058】
配線基板９０は、基材上にプラグ端子８１Ａ、８１Ｂに対応する基板端子９１Ａ、９１Ｂを備える。配線基板７０は、所謂プリント配線板（ＰＷＢ）として広義に定義できるものであればよく、リジット基板であっても、フレキシブル基板（ＦＰＣ：Flexible Printed Circuits）であってもよい。基材種類による基板例としては、例えば、ガラス基板、セラミック基板、プラスチック基板などが挙げられる。また、基板端子９１Ａ、９１Ｂの表面は、金メッキされていることが好ましい。
【0059】
接着層１００は、プラグ端子８１Ａ、８１Ｂと基板端子９１Ａ、９１Ｂとを接合する半田１０１と、バインダー硬化物１０２とを備える。接着層８０は、後述する半田接続フィルムが硬化したものであり、プラグ端子８１Ａ、８１Ｂと基板端子９１Ａ、９１Ｂとを半田８１により接合するとともに、プラグ８０と配線基板９０との間の半田接続フィルムのバインダーが硬化したものである。
【0060】
＜２．半田接続フィルム＞
本実施の形態に係る半田接続フィルムは、バインダーと、半田粒子と、フラックス化合物とを含有する。半田接続フィルムの形状がフィルムであることにより、半田粒子の量を均一化することができるだけでなく、取り扱い易いので作業効率を高くすることができる。
本実施の形態に係る半田接続フィルムは、バインダーと、半田粒子と、フラックス化合物とを含有する。半田接続フィルムの形状がフィルムであることにより、半田粒子の量を均一化することができるだけでなく、取り扱い易いので作業効率を高くすることができる。
【0061】
半田接続フィルムの厚みの下限は、半田粒子の平均粒径に対して好ましくは０．６以上、より好ましくは０．８以上、さらに好ましくは０．９以上である。また、半田接続フィルムの厚みの上限は、半田粒子の平均粒径に対して好ましくは３．０以下、より好ましくは２．０以下、さらに好ましくは１．５以下である。半田接続フィルムの厚みに対する半田粒子の平均粒径の比が大きい場合、半田接続フィルムの取り扱い性の難易度が高くなる虞がある。ここで、半田接続フィルムの厚みとは、バインダー樹脂層のみの厚みであり、粒子径は含まない。
【0062】
半田接続フィルムフィルムの厚みは、１μｍ以下、好ましくは０．１μｍ以下を測定できる公知のマイクロメータやデジタルシックネスゲージ（例えば、株式会社ミツトヨ：ＭＤＥ－２５Ｍ、最小表示量０．０００１ｍｍ）を用いて測定することができる。フィルム厚みは、１０箇所以上を測定し、平均して求めればよい。但し、粒子径よりもフィルム厚みが薄い場合には、接触式の厚み測定器は適さないので、レーザー変位計（例えば、株式会社キーエンス、分光干渉変位タイプＳＩ－Ｔシリーズなど）を用いることが好ましい。
【0063】
半田接続フィルムのバインダーは、熱硬化性であっても、熱可塑性であってもよいが、リフロー工程による温度制御により溶融・硬化可能な熱硬化性であることが好ましい。以下では、熱硬化性バインダー（絶縁性バインダー）について説明する。
【0064】
［熱硬化型バインダー］
熱硬化性バインダーは、半田粒子の融点よりも高い発熱ピーク温度を有することが好ましく、また、半田粒子の融点よりも低い最低溶融粘度到達温度を有することが好ましい。これにより、加熱により熱硬化性バインダーを溶融さえ、半田粒子を端子上に凝集させた後、熱硬化性バインダーを硬化させることができる。ここで、発熱ピーク温度及び最低溶融粘度到達温度は、例えば回転式レオメーター（サーモフィッシャー社製）を用い、測定圧力１Ｎ温度範囲３０～２００℃、昇温速度１０℃／分、測定周波数１Ｈｚ、測定プレート直径８ｍｍの条件で測定することができる。
熱硬化性バインダーは、半田粒子の融点よりも高い発熱ピーク温度を有することが好ましく、また、半田粒子の融点よりも低い最低溶融粘度到達温度を有することが好ましい。これにより、加熱により熱硬化性バインダーを溶融さえ、半田粒子を端子上に凝集させた後、熱硬化性バインダーを硬化させることができる。ここで、発熱ピーク温度及び最低溶融粘度到達温度は、例えば回転式レオメーター（サーモフィッシャー社製）を用い、測定圧力１Ｎ温度範囲３０～２００℃、昇温速度１０℃／分、測定周波数１Ｈｚ、測定プレート直径８ｍｍの条件で測定することができる。
【0065】
熱硬化型バインダーとしては、（メタ）アクリレート化合物と熱ラジカル重合開始剤とを含む熱ラジカル重合型樹脂組成物、エポキシ化合物と熱カチオン重合開始剤とを含む熱カチオン重合型樹脂組成物、エポキシ化合物と熱アニオン重合開始剤とを含む熱アニオン重合型樹脂組成物などが挙げられる。また、公知の粘着剤組成物を用いてもよい。なお、（メタ）アクリルモノマーとは、アクリルモノマー、及びメタクリルモノマーのいずれも含む意味である。
【0066】
以下では、具体例として、固形エポキシ樹脂と、液状エポキシ樹脂と、エポキシ樹脂硬化剤とを含有する熱重合型樹脂組成物を例に挙げて説明する。
【0067】
固形エポキシ樹脂は、常温で固形であり、分子内に１つ以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂であれば、特に限定されるものではなく、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂等であってもよい。これらの中でも、低溶融粘度である結晶性のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂を用いることが好ましい。市場で入手可能な結晶性のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂の具体例としては、ガードナー・ホルト法の粘度が４０～５５Ｐである三菱ケミカル（株）の商品名「ＹＬ６８１０」（結晶性ＢＰＡ型エポキシ樹脂）等を挙げることができる。また、固形エポキシ樹脂は、ビスフェノール類とエピクロルヒドリンより合成されるフェノキシ樹脂であってもよい。フェノキシ樹脂としては、例えば日鉄ケミカル＆マテリアル社製「ＹＰ－５０」等が挙げられる。これにより、フィルム形状を維持することができる。なお、常温とは、ＪＩＳ Ｚ ８７０３で規定する２０℃±１５℃（５℃～３５℃）の範囲である。
【0068】
液状エポキシ樹脂は、常温で液状であれば、特に限定されるものではなく、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、水素添加ビスフェノールＡグリシジルエーテル等であってもよく、ウレタン変性のエポキシ樹脂であっても構わない。ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂としては、例えば三菱ケミカル社製「ＹＬ９８３Ｕ」等が挙げられ、水素添加ビスフェノールＡグリシジルエーテルとしては、例えば三菱ケミカル社製「ＹＸ８０００」等が挙げられる。
【0069】
液状エポキシ樹脂の配合量は、固形エポキシ樹脂１００質量部に対し、好ましくは１６０質量部以下、より好ましくは１４０質量部以下、さらに好ましくは１２０質量部以下である。液状エポキシ樹脂の配合量が多くなると、フィルム形状を維持することが困難となる。また、液状エポキシ樹脂の配合量が多くなると、熱硬化後の硬化物性が一般的に高架橋密度による高弾性となるため、ストレス緩和能力が小さくなる。
【0070】
エポキシ樹脂硬化剤は、熱で硬化が開始する熱硬化剤であれば、特に限定されるものではなく、例えば、アミン、イミダゾール等のアニオン系硬化剤、スルホニウム塩等のカチオン系硬化剤が挙げられる。また、硬化剤は、フィルム化させる際に使用される溶剤に対して耐性が得られるようにマイクロカプセル化されていてもよい。アニオン系硬化剤としては、例えば四国化成社製「２Ｐ４ＭＨＺ－ＰＷ」等のイミダゾール系エポキシ樹脂硬化剤が挙げられる。
【0071】
［半田粒子］
半田粒子は、例えばＪＩＳ Ｚ ３２８２－１９９９に規定されている、Ｓｎ－Ｐｂ系、Ｐｂ－Ｓｎ－Ｓｂ系、Ｓｎ－Ｓｂ系、Ｓｎ－Ｐｂ－Ｂｉ系、Ｂｉ－Ｓｎ系、Ｓｎ－Ｃｕ系、Ｓｎ－Ｐｂ－Ｃｕ系、Ｓｎ－Ｉｎ系、Ｓｎ－Ａｇ系、Ｓｎ－Ｐｂ－Ａｇ系、Ｐｂ－Ａｇ系などから、電極材料や接続条件などに応じて適宜選択することができる。これらの中でも、半田粒子は、Ｓｎ－Ｂｉ－Ｃｕ合金、Ｓｎ－Ｂｉ－Ａｇ合金、Ｓｎ－Ｂｉ合金、Ｓｎ－Ｐｂ－Ｂｉ合金、及びＳｎ－Ｉｎ合金からなる群より選択される１種以上であることが好ましい。半田粒子の具体例としては、Ｓｎ５９．９Ｂｉ４０Ｃｕ０．１、Ｓｎ３０Ｂｉ０．５Ｃｕ、Ｓｎ３０Ｂｉ、Ｓｎ４０Ｂｉ、Ｓｎ５０Ｂｉ、Ｓｎ５８Ｂｉ、Ｓｎ４０Ｂｉ０．１Ｃｕ、Ｓｎ４３Ｐｂ１４Ｂｉ、Ｓｎ２０Ｉｎなどが挙げられる。これにより、優れた接続信頼性を得ることができる。
半田粒子は、例えばＪＩＳ Ｚ ３２８２－１９９９に規定されている、Ｓｎ－Ｐｂ系、Ｐｂ－Ｓｎ－Ｓｂ系、Ｓｎ－Ｓｂ系、Ｓｎ－Ｐｂ－Ｂｉ系、Ｂｉ－Ｓｎ系、Ｓｎ－Ｃｕ系、Ｓｎ－Ｐｂ－Ｃｕ系、Ｓｎ－Ｉｎ系、Ｓｎ－Ａｇ系、Ｓｎ－Ｐｂ－Ａｇ系、Ｐｂ－Ａｇ系などから、電極材料や接続条件などに応じて適宜選択することができる。これらの中でも、半田粒子は、Ｓｎ－Ｂｉ－Ｃｕ合金、Ｓｎ－Ｂｉ－Ａｇ合金、Ｓｎ－Ｂｉ合金、Ｓｎ－Ｐｂ－Ｂｉ合金、及びＳｎ－Ｉｎ合金からなる群より選択される１種以上であることが好ましい。半田粒子の具体例としては、Ｓｎ５９．９Ｂｉ４０Ｃｕ０．１、Ｓｎ３０Ｂｉ０．５Ｃｕ、Ｓｎ３０Ｂｉ、Ｓｎ４０Ｂｉ、Ｓｎ５０Ｂｉ、Ｓｎ５８Ｂｉ、Ｓｎ４０Ｂｉ０．１Ｃｕ、Ｓｎ４３Ｐｂ１４Ｂｉ、Ｓｎ２０Ｉｎなどが挙げられる。これにより、優れた接続信頼性を得ることができる。
【0072】
半田粒子の融点の下限は、好ましくは１１０℃以上、より好ましくは１２０℃以上、さらに好ましくは１３０℃以上。半田粒子の融点の上限は、２５０℃以下でもよく、好ましくは２００℃以下、より好ましくは１８０℃以下、さらに好ましくは１６０℃以下である。また、半田粒子は、表面を活性化させる目的でフラックス化合物が直接表面に結合されていても構わない。表面を活性化させることで電極部との金属結合を促進することができる。
【0073】
半田粒子の平均粒径は、表面実装部品の端子列及び配線基板の端子列における端子間距離（スペース間距離）の最小値の０．５倍以下であることが好ましく、０．３倍以下であることがより好ましく、０．２倍以下であることがさらに好ましい。このようなスペース間距離及び半田粒子の平均粒径との関係より、リフロー炉を用いて、表面実装部品の端子列と配線基板の端子列とを接合させることができる。半田粒子の平均粒径が表面実装部品の端子列及び配線基板の端子列における端子間距離の最小値の０．５倍より大きくなると、ショートが発生する可能性が高くなる。
【0074】
半田粒子の平均粒径の下限は、好ましくは０．５μｍ以上、より好ましくは３μｍ以上、より好ましくは５μｍ以上であり、半田粒子の平均粒径の上限は、５０μｍ以下であってもよく、３０μｍ以下、好ましくは２５μｍ以下、さらに好ましくは２０μｍ以下である。これにより、良好な半田接合状態を得ることができ、高い信頼性を得ることができる。
【0075】
平均粒径は、金属顕微鏡、光学顕微鏡、ＳＥＭ（Scanning Electron Microscope）等の電子顕微鏡などを用いた観察画像において、例えばＮ＝２０以上、好ましくはＮ＝５０以上、さらに好ましくはＮ＝２００以上で測定した粒子の長軸径の平均値であり、粒子が球形の場合は、粒子の直径の平均値である。また、観察画像を公知の画像解析ソフト（「ＷｉｎＲＯＯＦ」：三谷商事（株）、「Ａ像くん（登録商標）」：旭化成エンジニアリング株式会社など）を用いて計測された測定値、画像型粒度分布測定装置（例として、ＦＰＩＡ－３０００（マルバーン社））を用いて測定した測定値（Ｎ＝１０００以上）であってもよい。観察画像や画像型粒度分布測定装置から求めた平均粒径は、粒子の最大長の平均値とすることができる。なお、半田接続フィルムを作製する際には、簡易的にレーザー回折・散乱法によって求めた粒度分布における頻度の累積が５０％になる粒径（Ｄ５０）、算術平均径（体積基準であることが好ましい）などのメーカー値を用いてもよい。
【0076】
半田粒子は、バインダー中に分散されていることが好ましく、半田粒子はランダム配置であっても、一定の規則で配置されていてもよい。また、半田粒子は、複数個が凝集した凝集体であってもよい。
【0077】
半田接続フィルムにおける半田粒子の含有量は、表面実装部品及び配線基板の端子列のピッチに基づいて適宜決定することができ、例えば、表面実装部品及び配線基板の端子列のピッチ０．１ｍｍ～０．４ｍｍに対して、１０体積％～６０体積％であることが好ましい。例えばピッチが０．４ｍｍの場合２０体積％～５８体積％、ピッチが０．３５ｍｍの場合２０体積％～５８体積％、ピッチが０．２ｍｍの場合２０体積％～４８体積％、ピッチが０．１５ｍｍの場合１５体積％～４８体積％、ピッチが０．１ｍｍの場合１０体積％～３８体積％であることが好ましい。半田粒子の含有量が少なすぎると優れた導通性、放熱性、及び接着性が得られなくなり、含有量が多すぎると異方性が損なわれ易くなり、優れた導通信頼性が得られ難くなる。
【0078】
［フラックス化合物］
フラックス化合物は、電極表面の異物や酸化膜を取り除いたり、電極表面の酸化を防止したり、溶融半田の表面張力を低下させたりする。フラックス化合物としては、例えば、レブリン酸、マレイン酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、セバシン酸等のカルボン酸が挙げられる。これらの中でも、酸化膜の除去に優れるグルタル酸を用いることが好ましい。
フラックス化合物は、電極表面の異物や酸化膜を取り除いたり、電極表面の酸化を防止したり、溶融半田の表面張力を低下させたりする。フラックス化合物としては、例えば、レブリン酸、マレイン酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、セバシン酸等のカルボン酸が挙げられる。これらの中でも、酸化膜の除去に優れるグルタル酸を用いることが好ましい。
【0079】
［他の添加剤］
半田接続フィルムには、上述したバインダー、半田粒子及びフラックス化合物に加えて、本技術の効果を損なわない範囲で、従来、接着剤として使われている種々の添加剤を配合することができる。添加剤の粒子径は、半田粒子の平均粒子径よりも小さいことが望ましいが、電極間接合を阻害しない大きさであれば特に限定はない。
半田接続フィルムには、上述したバインダー、半田粒子及びフラックス化合物に加えて、本技術の効果を損なわない範囲で、従来、接着剤として使われている種々の添加剤を配合することができる。添加剤の粒子径は、半田粒子の平均粒子径よりも小さいことが望ましいが、電極間接合を阻害しない大きさであれば特に限定はない。
【0080】
前述の半田接続フィルムは、例えば、絶縁性バインダー、半田粒子及びフラックス化合物を溶剤中で混合し、この混合物を、バーコーターにより、剥離処理フィルム上に所定厚みとなるように塗布した後、乾燥させて溶媒を揮発させることにより得ることができる。また、混合物をバーコーターにより剥離処理フィルム上に塗布した後、加圧により所定厚みとしてもよい。また、半田粒子の分散性を高くするために、溶媒を含んだ状態で高シェアをかけることが好ましい。例えば、公知のバッチ式遊星攪拌装置を用いることができる。また、半田接続フィルムの残溶剤量は、好ましくは２％以下、より好ましくは１％以下である。
【0081】
本実施の形態に係る半田接続フィルムによれば、フラックス化合物による酸化膜除去が適度に抑制され、半田が適度に残り易くなるため、半田残存面積を適度な範囲とすることができる。また、半田残存面積が適度な範囲であることにより、耐透湿性能及び機械的強度が向上し、接合強度の低下及び抵抗値の上昇を抑制することができる。
【実施例0082】
＜３．第１の実施例＞
第１の実施例では、半田接続フィルムの一形態として半田粒子を含有する異方性導電フィルムを作製した。そして、異方性導電フィルムを用いて第１の端子列と第２の端子列とを備える基板上にコネクタを搭載し、リフロー後の接続構造体について、ブリッジ発生、導通抵抗、半田残り、及び半田高さについて評価した。
第１の実施例では、半田接続フィルムの一形態として半田粒子を含有する異方性導電フィルムを作製した。そして、異方性導電フィルムを用いて第１の端子列と第２の端子列とを備える基板上にコネクタを搭載し、リフロー後の接続構造体について、ブリッジ発生、導通抵抗、半田残り、及び半田高さについて評価した。
【0083】
［異方性導電フィルムの作製］
フェノキシ樹脂（ＹＰ－５０、日鉄ケミカル&マテリアル（株））を４５質量部、水素添加ビスフェノールＡグリシジルエーテル（ＹＸ８０００、三菱ケミカル（株））を１０質量部、結晶性ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（ＹＬ６８１０、三菱ケミカル（株））を４５質量部、イミダゾール系エポキシ樹脂硬化剤（２Ｐ４ＭＨＺ－ＰＷ（２－フェニル－４－メチル－５－ヒドロキシメチルイミダゾール）、四国化成工業（株））を１０質量部、及びグルタル酸（１，３－プロパンジカルボン酸、東京化成（株））を８質量部配合し、バインダーを作製した。バインダー１１８質量部に対し、平均粒子径２０μｍの半田粒子（Ｓｎ５９．９Ｂｉ４０Ｃｕ０．１）を所定量配合し、所定厚みの異方性導電フィルムを作製した。
フェノキシ樹脂（ＹＰ－５０、日鉄ケミカル&マテリアル（株））を４５質量部、水素添加ビスフェノールＡグリシジルエーテル（ＹＸ８０００、三菱ケミカル（株））を１０質量部、結晶性ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（ＹＬ６８１０、三菱ケミカル（株））を４５質量部、イミダゾール系エポキシ樹脂硬化剤（２Ｐ４ＭＨＺ－ＰＷ（２－フェニル－４－メチル－５－ヒドロキシメチルイミダゾール）、四国化成工業（株））を１０質量部、及びグルタル酸（１，３－プロパンジカルボン酸、東京化成（株））を８質量部配合し、バインダーを作製した。バインダー１１８質量部に対し、平均粒子径２０μｍの半田粒子（Ｓｎ５９．９Ｂｉ４０Ｃｕ０．１）を所定量配合し、所定厚みの異方性導電フィルムを作製した。
【0084】
［接続構造体の作製］
基板として、プリント配線板〔第１の端子列と第２の端子列とを備え、第１の端子列と第２の端子列との間が０．８ｍｍである。第１の端子列及び第２の端子列は０．３５ｍｍピッチ（ライン／スペース＝０．１８／０．１７ｍｍ、端子長さ０．８ｍｍ）、ガラスエポキシ基材厚み１．５ｍｍ、銅パターン厚み１８μｍ、表面ＯＳＰ処理〕を準備した。
基板として、プリント配線板〔第１の端子列と第２の端子列とを備え、第１の端子列と第２の端子列との間が０．８ｍｍである。第１の端子列及び第２の端子列は０．３５ｍｍピッチ（ライン／スペース＝０．１８／０．１７ｍｍ、端子長さ０．８ｍｍ）、ガラスエポキシ基材厚み１．５ｍｍ、銅パターン厚み１８μｍ、表面ＯＳＰ処理〕を準備した。
【0085】
コネクタとして、プラグコネクタ（ヒロセ製ＢＭ２３ＦＲ０．６－２０ＤＰ、片側１０ピン（両側２０ピン）、０．３５ｍｍＰ、ライン／スペース＝０．１２／０．２３ｍｍ、端子表面Ａｕメッキ）及び、レセプタクルコネクタ（ヒロセ製ＢＭ２３ＦＲ０．６－２０ＤＳ、片側１０ピン（両側２０ピン）、０．３５ｍｍＰ、ライン／スペース＝０．１２／０．２３ｍｍ、端子表面Ａｕメッキ）を準備した。
【0086】
基板の端子上に、異方性導電フィルムを所定の大きさにカットして、４５℃、１ＭＰａ、１秒間の条件で仮圧着を行い、異方性導電フィルムを基板の端子上に仮貼りした。続いて、異方性導電フィルム上に、コネクタ（プラグコネクタ及びレセプタクルコネクタ）を配置し、下記リフロー条件にてリフローを行い、接続構造体を作製した。
リフロー条件：１５０℃～２６０℃－１００ｓｅｃ、ピークトップ２６０℃設定
リフロー条件：１５０℃～２６０℃－１００ｓｅｃ、ピークトップ２６０℃設定
【0087】
［ブリッジ発生の評価］
リフロー後の接続構造体について、デジタルマルチメーターを用いて隣接端子間に電圧２０Ｖを印加した時の絶縁抵抗値を測定した。１０６Ω以下を半田のブリッジ発生としてカウントした。
リフロー後の接続構造体について、デジタルマルチメーターを用いて隣接端子間に電圧２０Ｖを印加した時の絶縁抵抗値を測定した。１０６Ω以下を半田のブリッジ発生としてカウントした。
【0088】
［導通抵抗の評価］
リフロー後の接続構造体について、デジタルマルチメーターを用いて、４端子法にてＤＣ１０ｍＡを流した時の接続構造体の導通抵抗値を測定し、抵抗値の最大値により評価した。Ａ～Ｃの評価基準は下記の通りとした。
Ａ：抵抗値の最大値が５０ｍΩ以下
Ｂ：抵抗値の最大値が５０ｍΩ超９０ｍΩ以下
Ｃ：抵抗値の最大値が９０ｍΩ超
リフロー後の接続構造体について、デジタルマルチメーターを用いて、４端子法にてＤＣ１０ｍＡを流した時の接続構造体の導通抵抗値を測定し、抵抗値の最大値により評価した。Ａ～Ｃの評価基準は下記の通りとした。
Ａ：抵抗値の最大値が５０ｍΩ以下
Ｂ：抵抗値の最大値が５０ｍΩ超９０ｍΩ以下
Ｃ：抵抗値の最大値が９０ｍΩ超
【0089】
［半田残りの評価］
リフロー後の接続構造体について、Ｘ線撮影装置を用いてＸ線写真を撮影し、端子以外に存在する半田残りの有無を判別した。
リフロー後の接続構造体について、Ｘ線撮影装置を用いてＸ線写真を撮影し、端子以外に存在する半田残りの有無を判別した。
【0090】
［半田高さの評価］
リフロー後の接続構造体について、第１の電子部品の端子と第２の部品のピンとの断面を電子顕微鏡で観察し、半田の高さ（厚み）を測定し、平均値、標準偏差σ、及び相対標準偏差（ＲＳＤ、Relative Standard Deviation）を算出した。
リフロー後の接続構造体について、第１の電子部品の端子と第２の部品のピンとの断面を電子顕微鏡で観察し、半田の高さ（厚み）を測定し、平均値、標準偏差σ、及び相対標準偏差（ＲＳＤ、Relative Standard Deviation）を算出した。
【0091】
＜実施例１＞
バインダー１１８質量部に対し、半田粒子を４６０質量部配合し、厚み４０μｍの異方性導電フィルムを作製し、幅が０．８ｍｍになるようにカットした。
バインダー１１８質量部に対し、半田粒子を４６０質量部配合し、厚み４０μｍの異方性導電フィルムを作製し、幅が０．８ｍｍになるようにカットした。
【0092】
図１２（Ａ）は、実施例１について、プリント配線板に対して異方性導電フィルムを仮貼りした状態を示す写真であり、図１２（Ｂ）は、実施例１について、プリント基板上にコネクタを搭載した状態を示す写真であり、図１２（Ｃ）は、実施例１について、リフロー後の接続構造体を示すＸ線写真である。第１の端子列と第２の端子列とにそれぞれ幅０．８ｍｍの異方性導電フィルムを仮貼りし、第１の端子列と第２の端子列との間に幅０．８ｍｍの空隙を設け、コネクタを実装した。
【0093】
表１に示すように、実施例１の接続構造体は、ブリッジの発生はなく、導通抵抗の評価はＡであり、図１２（Ｃ）に示すＸ線写真のように半田残りも無かった。また、半田高さの平均値は５１μｍ、標準偏差は６μｍ、相対標準偏差は１２％であった。
【0094】
＜実施例２＞
バインダー１１８質量部に対し、半田粒子を６９０質量部配合し、厚み４０μｍの異方性導電フィルムを作製した以外は、実施例１と同様に接続構造体を作製した。表１に示すように、実施例２の接続構造体は、ブリッジの発生はなく、導通抵抗の評価はＡであり、半田残りも無かった。また、半田高さの平均値は６０μｍ、標準偏差は７μｍ、相対標準偏差は１２％であった。
バインダー１１８質量部に対し、半田粒子を６９０質量部配合し、厚み４０μｍの異方性導電フィルムを作製した以外は、実施例１と同様に接続構造体を作製した。表１に示すように、実施例２の接続構造体は、ブリッジの発生はなく、導通抵抗の評価はＡであり、半田残りも無かった。また、半田高さの平均値は６０μｍ、標準偏差は７μｍ、相対標準偏差は１２％であった。
【0095】
＜実施例３＞
バインダー１１８質量部に対し、半田粒子を１０４０質量部配合し、厚み４０μｍの異方性導電フィルムを作製した以外は、実施例１と同様に接続構造体を作製した。表１に示すように、実施例３の接続構造体は、ブリッジの発生はなく、導通抵抗の評価はＡであり、半田残りも無かった。また、半田高さの平均値は７１μｍ、標準偏差は８μｍ、相対標準偏差は１１％であった。
バインダー１１８質量部に対し、半田粒子を１０４０質量部配合し、厚み４０μｍの異方性導電フィルムを作製した以外は、実施例１と同様に接続構造体を作製した。表１に示すように、実施例３の接続構造体は、ブリッジの発生はなく、導通抵抗の評価はＡであり、半田残りも無かった。また、半田高さの平均値は７１μｍ、標準偏差は８μｍ、相対標準偏差は１１％であった。
【0096】
＜比較例１＞
バインダー１１８質量部に対し半田粒子を３００質量部配合し、厚み４０μｍの異方性導電フィルムを作製、幅が２．４ｍｍになるようにカットした。
バインダー１１８質量部に対し半田粒子を３００質量部配合し、厚み４０μｍの異方性導電フィルムを作製、幅が２．４ｍｍになるようにカットした。
【0097】
図１３（Ａ）は、比較例１について、プリント配線板に対して異方性導電フィルムを仮貼りした状態を示す写真であり、図１３（Ｂ）は、比較例１について、プリント基板上にコネクタを搭載した状態を示す写真であり、図１３（Ｃ）は、比較例１について、リフロー後の接続構造体を示すＸ線写真である。第１の端子列と第２の端子列とを含む全面に幅２．４ｍｍの異方性導電フィルムを仮貼りし、コネクタを実装した。
【0098】
表１に示すように、比較例１の接続構造体は、ブリッジの発生はなく、導通抵抗の評価はＢであり、図１３（Ｃ）に示すＸ線写真のように半田残りが有った。また、半田高さの平均値は４８μｍ、標準偏差は１７μｍ、相対標準偏差は３５％であった。
【0099】
＜比較例２＞
バインダー１１８質量部に対し、半田粒子を４６０質量部配合し、厚み４０μｍの異方性導電フィルムを作製した以外は、比較例１と同様に接続構造体を作製した。表１に示すように、比較例２の接続構造体は、ブリッジの発生が有り（３ｃｈ）、導通抵抗の評価はＣであり、半田残りが有った。また、半田高さの平均値は７４μｍ、標準偏差は２１μｍ、相対標準偏差は２８％であった。
バインダー１１８質量部に対し、半田粒子を４６０質量部配合し、厚み４０μｍの異方性導電フィルムを作製した以外は、比較例１と同様に接続構造体を作製した。表１に示すように、比較例２の接続構造体は、ブリッジの発生が有り（３ｃｈ）、導通抵抗の評価はＣであり、半田残りが有った。また、半田高さの平均値は７４μｍ、標準偏差は２１μｍ、相対標準偏差は２８％であった。
【0100】
＜比較例３＞
バインダー１１８質量部に対し、半田粒子を４６０質量部配合し、厚み３０μｍの異方性導電フィルムを作製した以外は、比較例１と同様に接続構造体を作製した。表１に示すように、比較例３の接続構造体は、ブリッジの発生が無く、導通抵抗の評価はＢであり、半田残りが有った。また、半田高さの平均値は５９μｍ、標準偏差は２３μｍ、相対標準偏差は３９％であった。
バインダー１１８質量部に対し、半田粒子を４６０質量部配合し、厚み３０μｍの異方性導電フィルムを作製した以外は、比較例１と同様に接続構造体を作製した。表１に示すように、比較例３の接続構造体は、ブリッジの発生が無く、導通抵抗の評価はＢであり、半田残りが有った。また、半田高さの平均値は５９μｍ、標準偏差は２３μｍ、相対標準偏差は３９％であった。
【0101】
＜比較例４＞
バインダー１１８質量部に対し、半田粒子を６９０質量部配合し、厚み４０μｍの異方性導電フィルムを作製した以外は、比較例１と同様に接続構造体を作製した。表１に示すように、比較例４の接続構造体は、ブリッジの発生が有り（２ｃｈ）、導通抵抗の評価はＣであり、半田残りが有った。また、半田高さの平均値は８７μｍ、標準偏差は２５μｍ、相対標準偏差は２９％であった。
バインダー１１８質量部に対し、半田粒子を６９０質量部配合し、厚み４０μｍの異方性導電フィルムを作製した以外は、比較例１と同様に接続構造体を作製した。表１に示すように、比較例４の接続構造体は、ブリッジの発生が有り（２ｃｈ）、導通抵抗の評価はＣであり、半田残りが有った。また、半田高さの平均値は８７μｍ、標準偏差は２５μｍ、相対標準偏差は２９％であった。
【0102】
【表1】
【0103】
比較例１～４は、第１の端子列と第２の端子列とを含む全面に異方性導電フィルムを仮貼りしたため、第１の端子列と第２の端子列との間に半田残りが生じ、半田高さの標準偏差及び相対標準偏差が高かった。これは、第１の端子列と第２の端子列との間で半田粒子の移動が起こり、半田粒子の端子への凝集が効率的ではないためだと考えられる。
【0104】
一方、実施例１～３は、第１の端子列と第２の端子列とにそれぞれ異方性導電フィルムを仮貼りしたため、第１の端子列と第２の端子列との間に半田残りが生じず、半田高さの標準偏差及び相対標準偏差が低かった。これは、第１の端子列と第２の端子列との間で半田粒子の移動が起こらず、半田粒子の端子への凝集が効率的であったためだと考えられる。
【0105】
＜４．第２の実施例＞
第２の実施例では、異方性導電フィルムを第１の端子列と第２の端子列とを備える基板上に仮貼りしてリフローを行い、ブリッジ発生、及び半田高さについて評価した。
第２の実施例では、異方性導電フィルムを第１の端子列と第２の端子列とを備える基板上に仮貼りしてリフローを行い、ブリッジ発生、及び半田高さについて評価した。
【0106】
基板として、プリント配線板〔第１の端子列と第２の端子列とを備え、第１の端子列と第２の端子列との間が０．８ｍｍである。第１の端子列及び第２の端子列は０．３５ｍｍピッチ（ライン／スペース＝０．１８／０．１７ｍｍ、端子長さ０．８ｍｍ）、ガラスエポキシ基材厚み１．５ｍｍ、銅パターン厚み１８μｍ、表面ＯＳＰ処理〕を準備した。
【0107】
基板の端子上に、異方性導電フィルムを所定の大きさにカットして、４５℃、１ＭＰａ、１秒間の条件で仮圧着を行い、異方性導電フィルムを基板の端子上に仮貼りし、下記リフロー条件にてリフローを行い、サンプルを作製した。
リフロー条件：１５０℃～２６０℃－１００ｓｅｃ、ピークトップ２６０℃設定
リフロー条件：１５０℃～２６０℃－１００ｓｅｃ、ピークトップ２６０℃設定
【0108】
［ブリッジ発生の評価］
リフロー後のサンプルについて、デジタルマルチメーターを用いて隣接端子間に電圧２０Ｖを印加した時の絶縁抵抗値を測定した。１０６Ω以下を半田のブリッジ発生としてカウントし、ブリッジ発生がなかった場合を「ＯＫ」と評価し、ブリッジ発生があった場合を「ＮＧ」と評価した。
リフロー後のサンプルについて、デジタルマルチメーターを用いて隣接端子間に電圧２０Ｖを印加した時の絶縁抵抗値を測定した。１０６Ω以下を半田のブリッジ発生としてカウントし、ブリッジ発生がなかった場合を「ＯＫ」と評価し、ブリッジ発生があった場合を「ＮＧ」と評価した。
【0109】
［半田高さの評価］
リフロー後のサンプルの配線上の半田高さ（厚み）について、３Ｄ測定レーザー顕微鏡（オリンパス社製、ＬＥＸＴ ＯＬＳ５０００）を用いて測定し、平均値、標準偏差σ、及び相対標準偏差（ＲＳＤ、Relative Standard Deviation）を算出した。
リフロー後のサンプルの配線上の半田高さ（厚み）について、３Ｄ測定レーザー顕微鏡（オリンパス社製、ＬＥＸＴ ＯＬＳ５０００）を用いて測定し、平均値、標準偏差σ、及び相対標準偏差（ＲＳＤ、Relative Standard Deviation）を算出した。
【0110】
［異方性導電フィルムの作製］
フェノキシ樹脂（ＹＰ－５０、日鉄ケミカル&マテリアル（株））を４５質量部、水素添加ビスフェノールＡグリシジルエーテル（ＹＸ８０００、三菱ケミカル（株））を１０質量部、結晶性ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（ＹＬ６８１０、三菱ケミカル（株））を４５質量部、イミダゾール系エポキシ樹脂硬化剤（２Ｐ４ＭＨＺ－ＰＷ（２－フェニル－４－メチル－５－ヒドロキシメチルイミダゾール）、四国化成工業（株））を１０質量部、及びグルタル酸（１，３－プロパンジカルボン酸、東京化成（株））を８質量部配合し、バインダーを作製した。バインダー１１８質量部に対し、平均粒子径２０μｍの半田粒子（Ｓｎ５９．９Ｂｉ４０Ｃｕ０．１）を所定量配合し、所定厚みの異方性導電フィルムを作製した。
フェノキシ樹脂（ＹＰ－５０、日鉄ケミカル&マテリアル（株））を４５質量部、水素添加ビスフェノールＡグリシジルエーテル（ＹＸ８０００、三菱ケミカル（株））を１０質量部、結晶性ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（ＹＬ６８１０、三菱ケミカル（株））を４５質量部、イミダゾール系エポキシ樹脂硬化剤（２Ｐ４ＭＨＺ－ＰＷ（２－フェニル－４－メチル－５－ヒドロキシメチルイミダゾール）、四国化成工業（株））を１０質量部、及びグルタル酸（１，３－プロパンジカルボン酸、東京化成（株））を８質量部配合し、バインダーを作製した。バインダー１１８質量部に対し、平均粒子径２０μｍの半田粒子（Ｓｎ５９．９Ｂｉ４０Ｃｕ０．１）を所定量配合し、所定厚みの異方性導電フィルムを作製した。
【0111】
＜実施例４＞
バインダー１１８質量部に対し、半田粒子を４６０質量部配合し、厚み４０μｍの異方性導電フィルムを作製し、幅が１．２ｍｍになるようにカットした。第１の端子列と第２の端子列とにそれぞれ幅１．２ｍｍの異方性導電フィルムを仮貼りし、第１の端子列と第２の端子列との間に幅０ｍｍの空隙を設けた。表２に示すように、実施例４のサンプルは、ブリッジ発生の評価はＯＫ、半田高さの平均値は５８．８μｍ、標準偏差は８．４μｍ、相対標準偏差は１４％であった。
バインダー１１８質量部に対し、半田粒子を４６０質量部配合し、厚み４０μｍの異方性導電フィルムを作製し、幅が１．２ｍｍになるようにカットした。第１の端子列と第２の端子列とにそれぞれ幅１．２ｍｍの異方性導電フィルムを仮貼りし、第１の端子列と第２の端子列との間に幅０ｍｍの空隙を設けた。表２に示すように、実施例４のサンプルは、ブリッジ発生の評価はＯＫ、半田高さの平均値は５８．８μｍ、標準偏差は８．４μｍ、相対標準偏差は１４％であった。
【0112】
＜実施例５＞
バインダー１１８質量部に対し、半田粒子を４６０質量部配合し、厚み４０μｍの異方性導電フィルムを作製し、幅が１．０ｍｍになるようにカットした。第１の端子列と第２の端子列とにそれぞれ幅１．０ｍｍの異方性導電フィルムを仮貼りし、第１の端子列と第２の端子列との間に幅０．４ｍｍの空隙を設けた。表２に示すように、実施例５のサンプルは、ブリッジ発生の評価はＯＫ、半田高さの平均値は５６．８μｍ、標準偏差は５．８μｍ、相対標準偏差は１０％であった。
バインダー１１８質量部に対し、半田粒子を４６０質量部配合し、厚み４０μｍの異方性導電フィルムを作製し、幅が１．０ｍｍになるようにカットした。第１の端子列と第２の端子列とにそれぞれ幅１．０ｍｍの異方性導電フィルムを仮貼りし、第１の端子列と第２の端子列との間に幅０．４ｍｍの空隙を設けた。表２に示すように、実施例５のサンプルは、ブリッジ発生の評価はＯＫ、半田高さの平均値は５６．８μｍ、標準偏差は５．８μｍ、相対標準偏差は１０％であった。
【0113】
＜実施例６＞
バインダー１１８質量部に対し、半田粒子を４６０質量部配合し、厚み４０μｍの異方性導電フィルムを作製し、幅が０．８ｍｍになるようにカットした。第１の端子列と第２の端子列とにそれぞれ幅０．８ｍｍの異方性導電フィルムを仮貼りし、第１の端子列と第２の端子列との間に幅０．８ｍｍの空隙を設けた。表２に示すように、実施例６のサンプルは、ブリッジ発生の評価はＯＫ、半田高さの平均値は４４．３μｍ、標準偏差は５．３μｍ、相対標準偏差は１４％であった。
バインダー１１８質量部に対し、半田粒子を４６０質量部配合し、厚み４０μｍの異方性導電フィルムを作製し、幅が０．８ｍｍになるようにカットした。第１の端子列と第２の端子列とにそれぞれ幅０．８ｍｍの異方性導電フィルムを仮貼りし、第１の端子列と第２の端子列との間に幅０．８ｍｍの空隙を設けた。表２に示すように、実施例６のサンプルは、ブリッジ発生の評価はＯＫ、半田高さの平均値は４４．３μｍ、標準偏差は５．３μｍ、相対標準偏差は１４％であった。
【0114】
＜実施例７＞
バインダー１１８質量部に対し、半田粒子を４６０質量部配合し、厚み４０μｍの異方性導電フィルムを作製し、幅が０．６ｍｍになるようにカットした。第１の端子列と第２の端子列とにそれぞれ幅０．６ｍｍの異方性導電フィルムを仮貼りし、第１の端子列と第２の端子列との間に幅１．２ｍｍの空隙を設けた。表２に示すように、実施例７のサンプルは、ブリッジ発生の評価はＯＫ、半田高さの平均値は４２．８μｍ、標準偏差は３．８μｍ、相対標準偏差は９％であった。
バインダー１１８質量部に対し、半田粒子を４６０質量部配合し、厚み４０μｍの異方性導電フィルムを作製し、幅が０．６ｍｍになるようにカットした。第１の端子列と第２の端子列とにそれぞれ幅０．６ｍｍの異方性導電フィルムを仮貼りし、第１の端子列と第２の端子列との間に幅１．２ｍｍの空隙を設けた。表２に示すように、実施例７のサンプルは、ブリッジ発生の評価はＯＫ、半田高さの平均値は４２．８μｍ、標準偏差は３．８μｍ、相対標準偏差は９％であった。
【0115】
＜実施例８＞
バインダー１１８質量部に対し、半田粒子を４６０質量部配合し、厚み４０μｍの異方性導電フィルムを作製し、幅が０．４ｍｍになるようにカットした。第１の端子列と第２の端子列とにそれぞれ幅０．４ｍｍの異方性導電フィルムを仮貼りし、第１の端子列と第２の端子列との間に幅１．６ｍｍの空隙を設けた。表２に示すように、実施例８のサンプルは、ブリッジ発生の評価はＯＫ、半田高さの平均値は４２．２μｍ、標準偏差は８．５μｍ、相対標準偏差は２０％であった。
バインダー１１８質量部に対し、半田粒子を４６０質量部配合し、厚み４０μｍの異方性導電フィルムを作製し、幅が０．４ｍｍになるようにカットした。第１の端子列と第２の端子列とにそれぞれ幅０．４ｍｍの異方性導電フィルムを仮貼りし、第１の端子列と第２の端子列との間に幅１．６ｍｍの空隙を設けた。表２に示すように、実施例８のサンプルは、ブリッジ発生の評価はＯＫ、半田高さの平均値は４２．２μｍ、標準偏差は８．５μｍ、相対標準偏差は２０％であった。
【0116】
＜比較例５＞
バインダー１１８質量部に対し、半田粒子を４６０質量部配合し、厚み４０μｍの異方性導電フィルムを作製し、幅が２．４ｍｍになるようにカットした。第１の端子列と第２の端子列とを含む全面に幅２．４ｍｍの異方性導電フィルムを仮貼りした。表２に示すように、比較例５のサンプルは、ブリッジ発生の評価はＮＧ、半田高さの平均値は５７．０μｍ、標準偏差は１４．０μｍ、相対標準偏差は２５％であった。
バインダー１１８質量部に対し、半田粒子を４６０質量部配合し、厚み４０μｍの異方性導電フィルムを作製し、幅が２．４ｍｍになるようにカットした。第１の端子列と第２の端子列とを含む全面に幅２．４ｍｍの異方性導電フィルムを仮貼りした。表２に示すように、比較例５のサンプルは、ブリッジ発生の評価はＮＧ、半田高さの平均値は５７．０μｍ、標準偏差は１４．０μｍ、相対標準偏差は２５％であった。
【0117】
【表2】
【0118】
比較例５は、第１の端子列と第２の端子列とを含む全面に異方性導電フィルムを仮貼りしたため、ブリッジが発生し、半田高さの標準偏差及び相対標準偏差が高かった。これは、第１の端子列と第２の端子列との間で半田粒子の移動が起こり、半田粒子の端子への凝集が効率的ではないためだと考えられる。
【0119】
一方、実施例４～８は、第１の端子列と第２の端子列とにそれぞれ異方性導電フィルムを仮貼りしたため、ブリッジが発生せず、半田高さの標準偏差及び相対標準偏差が低かった。また、実施例５～７は、第１及び第２の端子列との間にそれぞれ配置される第１及び第２の異方性導電フィルムの幅方向の矩形部のはみ出し量が２５％以下であることにより、半田高さの標準偏差及び相対標準偏差をさらに低くすることができた。これは、半田粒子の端子への凝集が効率的であったためだと考えられる。
【0120】
＜実施例９＞
バインダー１１８質量部に対し、半田粒子を６９０質量部配合し、厚み４０μｍの異方性導電フィルムを作製し、幅が１．２ｍｍになるようにカットした。第１の端子列と第２の端子列とにそれぞれ幅１．２ｍｍの異方性導電フィルムを仮貼りし、第１の端子列と第２の端子列との間に幅０ｍｍの空隙を設けた。表３に示すように、実施例９のサンプルは、ブリッジ発生の評価はＯＫ、半田高さの平均値は６７．５μｍ、標準偏差は９．７μｍ、相対標準偏差は１４％であった。
バインダー１１８質量部に対し、半田粒子を６９０質量部配合し、厚み４０μｍの異方性導電フィルムを作製し、幅が１．２ｍｍになるようにカットした。第１の端子列と第２の端子列とにそれぞれ幅１．２ｍｍの異方性導電フィルムを仮貼りし、第１の端子列と第２の端子列との間に幅０ｍｍの空隙を設けた。表３に示すように、実施例９のサンプルは、ブリッジ発生の評価はＯＫ、半田高さの平均値は６７．５μｍ、標準偏差は９．７μｍ、相対標準偏差は１４％であった。
【0121】
＜実施例１０＞
バインダー１１８質量部に対し、半田粒子を６９０質量部配合し、厚み４０μｍの異方性導電フィルムを作製し、幅が１．０ｍｍになるようにカットした。第１の端子列と第２の端子列とにそれぞれ幅１．０ｍｍの異方性導電フィルムを仮貼りし、第１の端子列と第２の端子列との間に幅０．４ｍｍの空隙を設けた。表３に示すように、実施例１０のサンプルは、ブリッジ発生の評価はＯＫ、半田高さの平均値は６６．０μｍ、標準偏差は７．９μｍ、相対標準偏差は１２％であった。
バインダー１１８質量部に対し、半田粒子を６９０質量部配合し、厚み４０μｍの異方性導電フィルムを作製し、幅が１．０ｍｍになるようにカットした。第１の端子列と第２の端子列とにそれぞれ幅１．０ｍｍの異方性導電フィルムを仮貼りし、第１の端子列と第２の端子列との間に幅０．４ｍｍの空隙を設けた。表３に示すように、実施例１０のサンプルは、ブリッジ発生の評価はＯＫ、半田高さの平均値は６６．０μｍ、標準偏差は７．９μｍ、相対標準偏差は１２％であった。
【0122】
＜実施例１１＞
バインダー１１８質量部に対し、半田粒子を６９０質量部配合し、厚み４０μｍの異方性導電フィルムを作製し、幅が０．８ｍｍになるようにカットした。第１の端子列と第２の端子列とにそれぞれ幅０．８ｍｍの異方性導電フィルムを仮貼りし、第１の端子列と第２の端子列との間に幅０．８ｍｍの空隙を設けた。表３に示すように、実施例１１のサンプルは、ブリッジ発生の評価はＯＫ、半田高さの平均値は５０．５μｍ、標準偏差は６．４μｍ、相対標準偏差は１３％であった。
バインダー１１８質量部に対し、半田粒子を６９０質量部配合し、厚み４０μｍの異方性導電フィルムを作製し、幅が０．８ｍｍになるようにカットした。第１の端子列と第２の端子列とにそれぞれ幅０．８ｍｍの異方性導電フィルムを仮貼りし、第１の端子列と第２の端子列との間に幅０．８ｍｍの空隙を設けた。表３に示すように、実施例１１のサンプルは、ブリッジ発生の評価はＯＫ、半田高さの平均値は５０．５μｍ、標準偏差は６．４μｍ、相対標準偏差は１３％であった。
【0123】
＜実施例１２＞
バインダー１１８質量部に対し、半田粒子を６９０質量部配合し、厚み４０μｍの異方性導電フィルムを作製し、幅が０．６ｍｍになるようにカットした。第１の端子列と第２の端子列とにそれぞれ幅０．６ｍｍの異方性導電フィルムを仮貼りし、第１の端子列と第２の端子列との間に幅１．２ｍｍの空隙を設けた。表３に示すように、実施例１２のサンプルは、ブリッジ発生の評価はＯＫ、半田高さの平均値は４８．４μｍ、標準偏差は４．７μｍ、相対標準偏差は１０％であった。
バインダー１１８質量部に対し、半田粒子を６９０質量部配合し、厚み４０μｍの異方性導電フィルムを作製し、幅が０．６ｍｍになるようにカットした。第１の端子列と第２の端子列とにそれぞれ幅０．６ｍｍの異方性導電フィルムを仮貼りし、第１の端子列と第２の端子列との間に幅１．２ｍｍの空隙を設けた。表３に示すように、実施例１２のサンプルは、ブリッジ発生の評価はＯＫ、半田高さの平均値は４８．４μｍ、標準偏差は４．７μｍ、相対標準偏差は１０％であった。
【0124】
＜実施例１３＞
バインダー１１８質量部に対し、半田粒子を６９０質量部配合し、厚み４０μｍの異方性導電フィルムを作製し、幅が０．４ｍｍになるようにカットした。第１の端子列と第２の端子列とにそれぞれ幅０．４ｍｍの異方性導電フィルムを仮貼りし、第１の端子列と第２の端子列との間に幅１．６ｍｍの空隙を設けた。表３に示すように、実施例１３のサンプルは、ブリッジ発生の評価はＯＫ、半田高さの平均値は４９．０μｍ、標準偏差は８．１μｍ、相対標準偏差は１７％であった。
バインダー１１８質量部に対し、半田粒子を６９０質量部配合し、厚み４０μｍの異方性導電フィルムを作製し、幅が０．４ｍｍになるようにカットした。第１の端子列と第２の端子列とにそれぞれ幅０．４ｍｍの異方性導電フィルムを仮貼りし、第１の端子列と第２の端子列との間に幅１．６ｍｍの空隙を設けた。表３に示すように、実施例１３のサンプルは、ブリッジ発生の評価はＯＫ、半田高さの平均値は４９．０μｍ、標準偏差は８．１μｍ、相対標準偏差は１７％であった。
【0125】
図１４は、実施例１３について、リフロー後のサンプルを示す写真である。図１４に示す写真から、空隙部分に半田残りがなく、ブリッジ発生のない半田接合部が形成されていることが分かる。また、異方性導電フィルムを貼り付けた端子の一部に半田接合部が形成されていることが分かる。
【0126】
＜比較例６＞
バインダー１１８質量部に対し、半田粒子を６９０質量部配合し、厚み４０μｍの異方性導電フィルムを作製し、幅が２．４ｍｍになるようにカットした。第１の端子列と第２の端子列とを含む全面に幅２．４ｍｍの異方性導電フィルムを仮貼りした。表３に示すように、比較例６のサンプルは、ブリッジ発生の評価はＮＧ、半田高さの平均値は８８．２μｍ、標準偏差は２８．５μｍ、相対標準偏差は３２％であった。
バインダー１１８質量部に対し、半田粒子を６９０質量部配合し、厚み４０μｍの異方性導電フィルムを作製し、幅が２．４ｍｍになるようにカットした。第１の端子列と第２の端子列とを含む全面に幅２．４ｍｍの異方性導電フィルムを仮貼りした。表３に示すように、比較例６のサンプルは、ブリッジ発生の評価はＮＧ、半田高さの平均値は８８．２μｍ、標準偏差は２８．５μｍ、相対標準偏差は３２％であった。
【0127】
図１５は、比較例６について、リフロー後のサンプルを示す写真である。図１５に示す写真から、ブリッジ発生のある半田接合部が形成されていることが分かる。また、異方性導電フィルムを貼り付けた端子の全部に半田接合部が形成されていることが分かる。
【0128】
【表3】
【0129】
比較例６は、第１の端子列と第２の端子列とを含む全面に異方性導電フィルムを仮貼りしたため、ブリッジが発生し、半田高さの標準偏差及び相対標準偏差が高かった。これは、第１の端子列と第２の端子列との間で半田粒子の移動が起こり、半田粒子の端子への凝集が効率的ではないためだと考えられる。
【0130】
一方、実施例９～１３は、第１の端子列と第２の端子列とにそれぞれ異方性導電フィルムを仮貼りしたため、ブリッジが発生せず、半田高さの標準偏差及び相対標準偏差が低かった。また、実施例１０～２１は、第１及び第２の端子列との間にそれぞれ配置される第１及び第２の異方性導電フィルムの幅方向の矩形部のはみ出し量が２５％以下であることにより、半田高さの標準偏差及び相対標準偏差をさらに低くすることができた。これは、半田粒子の端子への凝集が効率的であったためだと考えられる。
【0131】
＜５．第３の実施例＞
第３の実施例では、異方性導電フィルムを第１の端子列～第４の端子列を備える基板上に仮貼りしてリフローを行い、ブリッジ発生、及び半田高さについて評価した。
第３の実施例では、異方性導電フィルムを第１の端子列～第４の端子列を備える基板上に仮貼りしてリフローを行い、ブリッジ発生、及び半田高さについて評価した。
【0132】
基板として、プリント配線板〔第１の端子列～第４の端子列が矩形状に配置されて外側に配線され、矩形内部には端子がない。第１の端子列～第４の端子列はそれぞれ０．２ｍｍピッチ（ライン／スペース＝０．１／０．１ｍｍ、端子長さ０．６ｍｍ）、４０ピン（８ｍｍ）、ガラスエポキシ基材厚み１．５ｍｍ、銅パターン厚み１８μｍ、表面ＯＳＰ処理〕を準備した。
【0133】
基板の端子上に、異方性導電フィルムを所定の大きさにカットして、４５℃、１ＭＰａ、１秒間の条件で仮圧着を行い、異方性導電フィルムを基板の端子上に仮貼りし、下記リフロー条件にてリフローを行い、サンプルを作製した。
リフロー条件：１５０℃～２６０℃－１００ｓｅｃ、ピークトップ２６０℃設定
リフロー条件：１５０℃～２６０℃－１００ｓｅｃ、ピークトップ２６０℃設定
【0134】
［ブリッジ発生の評価］
リフロー後のサンプルについて、デジタルマルチメーターを用いて隣接端子間に電圧２０Ｖを印加した時の絶縁抵抗値を測定した。１０６Ω以下を半田のブリッジ発生としてカウントし、ブリッジ発生がなかった場合を「ＯＫ」と評価し、ブリッジ発生があった場合を「ＮＧ」と評価した。
リフロー後のサンプルについて、デジタルマルチメーターを用いて隣接端子間に電圧２０Ｖを印加した時の絶縁抵抗値を測定した。１０６Ω以下を半田のブリッジ発生としてカウントし、ブリッジ発生がなかった場合を「ＯＫ」と評価し、ブリッジ発生があった場合を「ＮＧ」と評価した。
【0135】
［半田高さの評価］
リフロー後のサンプルの配線上の半田高さ（厚み）について、３Ｄ測定レーザー顕微鏡（オリンパス社製、ＬＥＸＴ ＯＬＳ５０００）を用いて測定し、平均値、標準偏差σ、及び相対標準偏差（ＲＳＤ、Relative Standard Deviation）を算出した。
リフロー後のサンプルの配線上の半田高さ（厚み）について、３Ｄ測定レーザー顕微鏡（オリンパス社製、ＬＥＸＴ ＯＬＳ５０００）を用いて測定し、平均値、標準偏差σ、及び相対標準偏差（ＲＳＤ、Relative Standard Deviation）を算出した。
【0136】
［異方性導電フィルムの作製］
フェノキシ樹脂（ＹＰ－５０、日鉄ケミカル&マテリアル（株））を４５質量部、水素添加ビスフェノールＡグリシジルエーテル（ＹＸ８０００、三菱ケミカル（株））を１０質量部、結晶性ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（ＹＬ６８１０、三菱ケミカル（株））を４５質量部、イミダゾール系エポキシ樹脂硬化剤（２Ｐ４ＭＨＺ－ＰＷ（２－フェニル－４－メチル－５－ヒドロキシメチルイミダゾール）、四国化成工業（株））を１０質量部、及びグルタル酸（１，３－プロパンジカルボン酸、東京化成（株））を８質量部配合し、バインダーを作製した。バインダー１１８質量部に対し、平均粒子径２０μｍの半田粒子（Ｓｎ５９．９Ｂｉ４０Ｃｕ０．１）を所定量配合し、所定厚みの異方性導電フィルムを作製した。
フェノキシ樹脂（ＹＰ－５０、日鉄ケミカル&マテリアル（株））を４５質量部、水素添加ビスフェノールＡグリシジルエーテル（ＹＸ８０００、三菱ケミカル（株））を１０質量部、結晶性ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（ＹＬ６８１０、三菱ケミカル（株））を４５質量部、イミダゾール系エポキシ樹脂硬化剤（２Ｐ４ＭＨＺ－ＰＷ（２－フェニル－４－メチル－５－ヒドロキシメチルイミダゾール）、四国化成工業（株））を１０質量部、及びグルタル酸（１，３－プロパンジカルボン酸、東京化成（株））を８質量部配合し、バインダーを作製した。バインダー１１８質量部に対し、平均粒子径２０μｍの半田粒子（Ｓｎ５９．９Ｂｉ４０Ｃｕ０．１）を所定量配合し、所定厚みの異方性導電フィルムを作製した。
【0137】
＜実施例１４＞
バインダー１１８質量部に対し、半田粒子を２０４質量部配合し、厚み４０μｍの異方性導電フィルムを作製し、幅が０．６ｍｍ、長さ８ｍｍになるようにカットした。第１の端子列～第４の端子列にそれぞれ幅０．６ｍｍの異方性導電フィルムを仮貼りした。表４に示すように、実施例１４のサンプルは、ブリッジ発生の評価はＯＫ、半田高さの平均値は２４．５μｍ、標準偏差は４．０μｍ、相対標準偏差は１７％であった。
バインダー１１８質量部に対し、半田粒子を２０４質量部配合し、厚み４０μｍの異方性導電フィルムを作製し、幅が０．６ｍｍ、長さ８ｍｍになるようにカットした。第１の端子列～第４の端子列にそれぞれ幅０．６ｍｍの異方性導電フィルムを仮貼りした。表４に示すように、実施例１４のサンプルは、ブリッジ発生の評価はＯＫ、半田高さの平均値は２４．５μｍ、標準偏差は４．０μｍ、相対標準偏差は１７％であった。
【0138】
＜比較例７＞
バインダー１１８質量部に対し、半田粒子を２０４質量部配合し、厚み４０μｍの異方性導電フィルムを作製し、幅が９．２ｍｍ、長さが９．２ｍｍになるようにカットした。第１の端子列～第４の端子列を含む全面に９．２ｍｍ×９．２ｍｍの異方性導電フィルムを仮貼りした。表４に示すように、比較例７のサンプルは、ブリッジ発生の評価はＮＧ、半田高さの平均値は１７．７μｍ、標準偏差は６．０μｍ、相対標準偏差は３４％であった。
バインダー１１８質量部に対し、半田粒子を２０４質量部配合し、厚み４０μｍの異方性導電フィルムを作製し、幅が９．２ｍｍ、長さが９．２ｍｍになるようにカットした。第１の端子列～第４の端子列を含む全面に９．２ｍｍ×９．２ｍｍの異方性導電フィルムを仮貼りした。表４に示すように、比較例７のサンプルは、ブリッジ発生の評価はＮＧ、半田高さの平均値は１７．７μｍ、標準偏差は６．０μｍ、相対標準偏差は３４％であった。
【0139】
＜実施例１５＞
バインダー１１８質量部に対し、半田粒子を２２５質量部配合し、厚み４０μｍの異方性導電フィルムを作製し、幅が０．６ｍｍ、長さ８ｍｍになるようにカットした。第１の端子列～第４の端子列にそれぞれ幅０．６ｍｍの異方性導電フィルムを仮貼りした。表４に示すように、実施例１５のサンプルは、ブリッジ発生の評価はＯＫ、半田高さの平均値は２６．３μｍ、標準偏差は４．４μｍ、相対標準偏差は１７％であった。
バインダー１１８質量部に対し、半田粒子を２２５質量部配合し、厚み４０μｍの異方性導電フィルムを作製し、幅が０．６ｍｍ、長さ８ｍｍになるようにカットした。第１の端子列～第４の端子列にそれぞれ幅０．６ｍｍの異方性導電フィルムを仮貼りした。表４に示すように、実施例１５のサンプルは、ブリッジ発生の評価はＯＫ、半田高さの平均値は２６．３μｍ、標準偏差は４．４μｍ、相対標準偏差は１７％であった。
【0140】
【0141】
＜比較例８＞
バインダー１１８質量部に対し、半田粒子を２２５質量部配合し、厚み４０μｍの異方性導電フィルムを作製し、幅が９．２ｍｍ、長さが９．２ｍｍになるようにカットした。第１の端子列～第４の端子列を含む全面に９．２ｍｍ×９．２ｍｍの異方性導電フィルムを仮貼りした。表４に示すように、比較例８のサンプルは、ブリッジ発生の評価はＮＧ、半田高さの平均値は２８．１μｍ、標準偏差は１６．１μｍ、相対標準偏差は５７％であった。
バインダー１１８質量部に対し、半田粒子を２２５質量部配合し、厚み４０μｍの異方性導電フィルムを作製し、幅が９．２ｍｍ、長さが９．２ｍｍになるようにカットした。第１の端子列～第４の端子列を含む全面に９．２ｍｍ×９．２ｍｍの異方性導電フィルムを仮貼りした。表４に示すように、比較例８のサンプルは、ブリッジ発生の評価はＮＧ、半田高さの平均値は２８．１μｍ、標準偏差は１６．１μｍ、相対標準偏差は５７％であった。
【0142】
【0143】
【表4】
【0144】
比較例７、８は、第１の端子列～第４の端子列を含む全面に異方性導電フィルムを仮貼りしたため、ブリッジが発生し、半田高さの標準偏差及び相対標準偏差が高かった。これは、第１の端子列と第２の端子列との間で半田粒子の移動が起こり、半田粒子の端子への凝集が効率的ではないためだと考えられる。
【0145】
一方、実施例１４、１５は、第１の端子列～第４の端子列にそれぞれ異方性導電フィルムを仮貼りしたため、ブリッジが発生せず、半田高さの標準偏差及び相対標準偏差が低かった。
【0146】
＜６．第４の実施例＞
第４の実施例では、所定形状の異方性導電フィルムを用いて接続構造体を作製し、Ｘ線写真により端子部分以外に半田粒子が存在する半田残りを観察し、評価した。
第４の実施例では、所定形状の異方性導電フィルムを用いて接続構造体を作製し、Ｘ線写真により端子部分以外に半田粒子が存在する半田残りを観察し、評価した。
【0147】
［異方性導電フィルムの作製］
フェノキシ樹脂（ＹＰ－５０、日鉄ケミカル&マテリアル（株））を４５質量部、水素添加ビスフェノールＡグリシジルエーテル（ＹＸ８０００、三菱ケミカル（株））を１０質量部、結晶性ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（ＹＬ６８１０、三菱ケミカル（株））を４５質量部、イミダゾール系エポキシ樹脂硬化剤（２Ｐ４ＭＨＺ－ＰＷ（２－フェニル－４－メチル－５－ヒドロキシメチルイミダゾール）、四国化成工業（株））を１０質量部、及びグルタル酸（１，３－プロパンジカルボン酸、東京化成（株））を８質量部配合し、バインダーを作製した。バインダー１１８質量部に対し、平均粒子径２０μｍの半田粒子（Ｓｎ５９．９Ｂｉ４０Ｃｕ０．１）を３００質量部配合し（２８Ｖｏｌ％）、厚み３０μｍの異方性導電フィルムを作製した。
フェノキシ樹脂（ＹＰ－５０、日鉄ケミカル&マテリアル（株））を４５質量部、水素添加ビスフェノールＡグリシジルエーテル（ＹＸ８０００、三菱ケミカル（株））を１０質量部、結晶性ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（ＹＬ６８１０、三菱ケミカル（株））を４５質量部、イミダゾール系エポキシ樹脂硬化剤（２Ｐ４ＭＨＺ－ＰＷ（２－フェニル－４－メチル－５－ヒドロキシメチルイミダゾール）、四国化成工業（株））を１０質量部、及びグルタル酸（１，３－プロパンジカルボン酸、東京化成（株））を８質量部配合し、バインダーを作製した。バインダー１１８質量部に対し、平均粒子径２０μｍの半田粒子（Ｓｎ５９．９Ｂｉ４０Ｃｕ０．１）を３００質量部配合し（２８Ｖｏｌ％）、厚み３０μｍの異方性導電フィルムを作製した。
【0148】
［接続構造体の作製］
（プラグコネクタ構造体）
基板として、プラグコネクタ用配線基板〔第１の端子列と第２の端子列とが平行に形成され、第１の端子列及び第２の端子列の両端部に、第１の端子列と第２の端子列との間隔よりも小さい間隔で一対の電極が形成されている。第１の端子列と第２の端子列との間隔は０．８ｍｍである。第１の端子列及び第２の端子列は０．３５ｍｍピッチ（ライン／スペース＝０．１８／０．１７ｍｍ、端子長さ０．８ｍｍ）、ガラスエポキシ基材厚み１．５ｍｍ、銅パターン厚み１８μｍ、表面ＯＳＰ処理〕を準備した。
（プラグコネクタ構造体）
基板として、プラグコネクタ用配線基板〔第１の端子列と第２の端子列とが平行に形成され、第１の端子列及び第２の端子列の両端部に、第１の端子列と第２の端子列との間隔よりも小さい間隔で一対の電極が形成されている。第１の端子列と第２の端子列との間隔は０．８ｍｍである。第１の端子列及び第２の端子列は０．３５ｍｍピッチ（ライン／スペース＝０．１８／０．１７ｍｍ、端子長さ０．８ｍｍ）、ガラスエポキシ基材厚み１．５ｍｍ、銅パターン厚み１８μｍ、表面ＯＳＰ処理〕を準備した。
【0149】
コネクタとして、プラグコネクタ（端子列片側１０ピン（両側２０ピン）、０．３５ｍｍＰ、ライン／スペース＝０．１２／０．２３ｍｍ、片側両端２ピン＋１ピン、端子表面Ａｕメッキ）を準備した。
【0150】
（レセプタクルコネクタ構造体）
基板として、レセプタクルコネクタ用配線基板〔第１の端子列と第２の端子列とが平行に形成され、第１の端子列及び第２の端子列の両端部に、第１の端子列と第２の端子列との間を跨ぐ電極が形成されている。第１の端子列と第２の端子列との間隔は０．８ｍｍである。第１の端子列及び第２の端子列は０．３５ｍｍピッチ（ライン／スペース＝０．１８／０．１７ｍｍ、端子長さ０．８ｍｍ）、ガラスエポキシ基材厚み１．５ｍｍ、銅パターン厚み１８μｍ、表面ＯＳＰ処理〕を準備した。
基板として、レセプタクルコネクタ用配線基板〔第１の端子列と第２の端子列とが平行に形成され、第１の端子列及び第２の端子列の両端部に、第１の端子列と第２の端子列との間を跨ぐ電極が形成されている。第１の端子列と第２の端子列との間隔は０．８ｍｍである。第１の端子列及び第２の端子列は０．３５ｍｍピッチ（ライン／スペース＝０．１８／０．１７ｍｍ、端子長さ０．８ｍｍ）、ガラスエポキシ基材厚み１．５ｍｍ、銅パターン厚み１８μｍ、表面ＯＳＰ処理〕を準備した。
【0151】
コネクタとして、レセプタクルコネクタ（片側１０ピン（両側２０ピン）、０．３５ｍｍＰ、ライン／スペース＝０．１２／０．２３ｍｍ、片側両端２ピン＋１ピン、端子表面Ａｕメッキ）を準備した。
【0152】
基板の端子上に、異方性導電フィルムを所定形状にカットして、４５℃、１ＭＰａ、１秒間の条件で仮圧着を行い、異方性導電フィルムを基板の端子上に仮貼りした。続いて、所定形状の異方性導電フィルム上に、コネクタ（プラグコネクタ又はレセプタクルコネクタ）を配置し、下記リフロー条件にてリフローを行い、接続構造体を作製した。
【0153】
リフロー条件：１５０℃～２５０℃－１００ｓｅｃ、ピークトップ２５０℃設定、昇温速度３．０℃／秒
【0154】
図１８（Ａ１）は、比較例９として、プラグコネクタ用配線基板に対して所定形状の異方性導電フィルムを仮貼りした状態を示す写真であり、図１８（Ａ２）は、異方性導電フィルムの形状を模式的に示す平面図であり、図１８（Ｂ）は、プラグコネクタ用配線基板上にプラグコネクタをリフロー実装した状態を示す写真であり、図１８（Ｃ）は、実装後のプラグコネクタ構造体を示すＸ線写真である。
【0155】
図１８（Ａ１）～図１８（Ｃ）に示すように、比較例９では、第１の端子列と第２の端子列と両端の１対の電極とを含む全面に矩形の異方性導電フィルムを仮貼りし、プラグコネクタを実装させた。図１８（Ａ１）及び図１８（Ａ２）に示すように、第１の端子列と第２の端子列との間に空隙がない異方性導電フィルムを用いた結果、図１８（Ｃ）に示すＸ線写真において、第１の端子列と第２の端子列との間に半田残りが観察され、また、端子幅よりも大きいブリッジ発生のある半田接合部が観察された。
【0156】
図１９（Ａ１）は、実施例１６として、プラグコネクタ用配線基板に対して所定形状の異方性導電フィルムを仮貼りした状態を示す写真であり、図１９（Ａ２）は、異方性導電フィルムの形状を模式的に示す平面図であり、図１９（Ｂ）は、プラグコネクタ用配線基板上にプラグコネクタをリフロー実装した状態を示す写真であり、図１９（Ｃ）は、実装後のプラグコネクタ構造体を示すＸ線写真である。
【0157】
図１９（Ａ１）～図１９（Ｃ）に示すように、実施例１６では、第１の端子列に対応する略矩形の第１形状部１６１と、第２の端子列に対応する略矩形の第２形状部１６２と、第１形状部の一端と第２の形状部１６２の一端とを連続させ、プラグコネクタの長手方向の一端を接着させる第３形状部１６３と、第１形状部の他端と第２の形状部の他端とを連続させ、プラグコネクタの長手方向の他端を接着させる第４形状部１６４とを有する異方性導電フィルムを仮貼りし、プラグコネクタを実装させた。
【0158】
図１９（Ａ１）及び図１９（Ａ２）に示すように、第１の端子列と第２の端子列との間に空隙がある異方性導電フィルムを用いた結果、比較例９に比べて半田残りが飛躍的に改善され、図１９（Ｃ）に示すＸ線写真において、ほとんど半田残りが観察されなかった。
【0159】
図２０（Ａ１）は、実施例１７として、プラグコネクタ用配線基板に対して所定形状の異方性導電フィルムを仮貼りした状態を示す写真であり、図２０（Ａ２）は、異方性導電フィルムの形状を模式的に示す平面図であり、図２０（Ｂ）は、プラグコネクタ用配線基板上にプラグコネクタをリフロー実装した状態を示す写真であり、図２０（Ｃ）は、実装後のプラグコネクタ構造体を示すＸ線写真である。
【0160】
図２０（Ａ１）～図２０（Ｃ）に示すように、実施例１７では、第１の端子列に対応する略矩形の第１形状部１７１と、第１形状部１７１の長手方向の一端と連続させ、プラグコネクタの長手方向の一端を接着させる第２形状部１７２と、第１形状部１７１の長手方向の他端と連続させ、プラグコネクタの長手方向の他端を接着させる第３形状部１７３とを有する第１の異方性導電フィルムを仮貼りし、また、第２の端子列に対応する略矩形の第４形状部１７４と、第４形状部１７４の長手方向の一端と連続させ、プラグコネクタの長手方向の一端を接着させる第５形状部１７５と、第４形状部１７４の長手方向の他端と連続させ、プラグコネクタの長手方向の他端を接着させる第６形状部１７６とを有する第２の異方性導電フィルムを仮貼りし、プラグコネクタを実装させた。第１の異方性導電フィルム及び第２の異方性導電フィルムを仮貼りした状態において、第１形状部１７１～第３形状部１７３と第４形状部１７４～第６形状部１７６との距離は略同じである。
【0161】
図２０（Ａ１）及び図２０（Ａ２）に示すように、プラグコネクタの長手方向の両端を接着させる形状の第１の異方性導電フィルム及び第２の異方性導電フィルムを用い、第１の異方性導電フィルムと第２の異方性導電フィルムとの間に空隙を設けた結果、図２０（Ｃ）に示すＸ線写真において、ほとんど半田残りが観察されず、特に、プラグコネクタの長手方向の両端部における半田残りを改善することができた。
【0162】
図２１（Ａ１）は、実施例１８として、プラグコネクタ用配線基板に対して所定形状の異方性導電フィルムを仮貼りした状態を示す写真であり、図２１（Ａ２）は、異方性導電フィルムの形状を模式的に示す平面図であり、図２１（Ｂ）は、プラグコネクタ用配線基板上にプラグコネクタをリフロー実装した状態を示す写真であり、図２１（Ｃ）は、実装後のプラグコネクタ構造体を示すＸ線写真である。
【0163】
図２１（Ａ１）～図２１（Ｃ）に示すように、実施例１８では、第１の端子列に対応する略矩形の第１形状部１８１と、第１形状部１８１の長手方向の一端と連続させ、プラグコネクタの長手方向の一端を接着させる第２形状部１８２と、第１形状部１８１の長手方向の他端と連続させ、プラグコネクタの長手方向の他端を接着させる第３形状部１８３とを有する第１の異方性導電フィルムを仮貼りし、また、第２の端子列に対応する略矩形の第４形状部１８４と、第４形状部１８４の長手方向の一端と連続させ、プラグコネクタの長手方向の一端を接着させる第５形状部１８５と、第４形状部１８４の他端と連続させ、プラグコネクタの長手方向の他端を接着させる第６形状部１８６とを有する第２の異方性導電フィルムを仮貼りし、プラグコネクタを実装させた。第１の異方性導電フィルム及び第２の異方性導電フィルムを仮貼りした状態において、第１形状部１８１と第４形状部１８４との距離は、第２形状部１８２と第５形状部１８５との間の距離及び第３形状部１８３と第６形状部１８６との間の距離よりも大きい。
【0164】
図２１（Ａ１）及び図２１（Ａ２）に示すように、プラグコネクタの長手方向の両端を接着させる形状の第１の異方性導電フィルム及び第２の異方性導電フィルムを用い、第１形状部１８１と第４形状部１８４との間の空隙の距離を実施例１７よりも大きくした結果、図２１（Ｃ）に示すＸ線写真において、ほとんど半田残りが観察されず、特に、第１の端子列及び第２の端子列における半田残りを改善することができた。
【0165】
図２２（Ａ１）は、比較例１０として、レセプタクルコネクタ用配線基板に対して所定形状の異方性導電フィルムを仮貼りした状態を示す写真であり、図２２（Ａ２）は、異方性導電フィルムの形状を模式的に示す平面図であり、図２２（Ｂ）は、レセプタクルコネクタ用配線基板上にレセプタクルコネクタをリフロー実装した状態を示す写真であり、図２２（Ｃ）は、実装後のレセプタクルコネクタ構造体を示すＸ線写真である。
【0166】
図２２（Ａ１）～図２２（Ｃ）に示すように、比較例１０では、レセプタクルコネクタの長手方向の両端を含む全面に矩形の異方性導電フィルムを仮貼りし、レセプタクルコネクタを実装させた。図２２（Ａ１）及び図２２（Ａ２）に示すように、第１の端子列と第２の端子列との間に空隙がない異方性導電フィルムを用いた結果、図２２（Ｃ）に示すＸ線写真において、第１の端子列と第２の端子列との間に半田残りが観察され、また、端子幅よりも大きいブリッジ発生のある半田接合部が観察された。
【0167】
図２３（Ａ１）は、実施例１９として、レセプタクルコネクタ用配線基板に対して所定形状の異方性導電フィルムを仮貼りした状態を示す写真であり、図２３（Ａ２）は、異方性導電フィルムの形状を模式的に示す平面図であり、図２３（Ｂ）は、レセプタクルコネクタ用配線基板上にレセプタクルコネクタをリフロー実装した状態を示す写真であり、図２３（Ｃ）は、実装後のレセプタクルコネクタ構造体を示すＸ線写真である。
【0168】
図２３（Ａ１）～図２３（Ｃ）に示すように、実施例１９では、レセプタクルコネクタの長手方向の両端を含む矩形の中心に、第１の端子列と第２の端子列との距離よりも大きい幅を有し、レセプタクルコネクタの端子列部の長さを有する矩形の空隙部を設けた異方性導電フィルムを仮貼りし、レセプタクルコネクタを実装させた。
【0169】
図２３（Ａ１）及び図２３（Ａ２）に示すように、第１の端子列と第２の端子列との間に空隙がある異方性導電フィルムを用いた結果、比較例１０に比べて半田残りが飛躍的に改善され、図２３（Ｃ）に示すＸ線写真において、ほとんど半田残りが観察されなかった。
【0170】
図２４（Ａ１）は、実施例２０として、レセプタクルコネクタ用配線基板に対して所定形状の異方性導電フィルムを仮貼りした状態を示す写真であり、図２４（Ａ２）は、異方性導電フィルムの形状を模式的に示す平面図であり、図２４（Ｂ）は、レセプタクルコネクタ用配線基板上にレセプタクルコネクタをリフロー実装した状態を示す写真であり、図２４（Ｃ）は、実装後のレセプタクルコネクタ構造体を示すＸ線写真である。
【0171】
図２４（Ａ１）～図２４（Ｃ）に示すように、実施例２０では、第１の端子列に対応する略矩形の第１形状部２０１と、第１形状部２０１の長手方向の一端と連続させ、レセプタクルコネクタの長手方向の一端を接着させる第２形状部２０２と、第１形状部２０１の長手方向の他端と連続させ、レセプタクルコネクタの長手方向の他端を接着させる第３形状部２０３とを有する第１の異方性導電フィルムを仮貼りし、また、第２の端子列に対応する略矩形の第４形状部２０４と、第４形状部２０４の長手方向の一端と連続させ、レセプタクルコネクタの長手方向の一端を接着させる第５形状部２０５と、第４形状部２０４の他端と連続させ、レセプタクルコネクタの長手方向の他端を接着させる第６形状部２０６とを有する第２の異方性導電フィルムを仮貼りし、レセプタクルコネクタを実装させた。第１の異方性導電フィルム及び第２の異方性導電フィルムを仮貼りした状態において、第１形状部２０１と第４形状部２０４との距離は、第２形状部２０２と第５形状部２０５との間の距離及び第３形状部２０３と第６形状部２０６との間の距離よりも大きい。
【0172】
【符号の説明】
【0173】
１０ 配線基板、１１ 第１の端子列、１１ａ 端子、１２ 第２の端子列、１２ａ 端子、２０ 半田粒子、 ２１ 第１の半田接続フィルム、２２ 第２の半田接続フィルム、 ３０ 表面実装部品、３１ 第１の端子列、３２ 第２の端子列、４０ バインダー、４１ 半田、 ５０ 配線基板、５１ 第１の端子列、５１ａ～５１ｄ 端子、５２ 第２の端子列、５２ａ～５２ｄ 端子、５３ メタルマスク、５４ 第１の開口部、５５ 第２の開口部、５５６ 第１の半田ペーストフィルム、５７ 第２の半田ペーストフィルム、５８ メタルマスク、５９ 開口部、６０ 半田ペーストフィルム、６１ メタルマスク、６２ａ～６２ｄ 開口部、６３ａ～６３ｄ 開口部、６４ａ～６４ｄ 半田ペーストフィルム、６５ａ～６５ｄ 半田ペーストフィルム ７０ レセプタクル、７１Ａ，７１Ｂ レセプタクル端子、８０ プラグ、８１Ａ，８１Ｂ プラグ端子、８２Ａ，８２Ｂ 接続ピン、８３ 絶縁樹脂、９０ 配線基板、９１Ａ，９１Ｂ 基板端子、１００ 接着層、１０１ 半田、１０２ バインダー硬化物
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
