特開 2024-169362 気相堆積装置及び基板処理方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024169362

(43)【公開日】2024-12-05

(54)【発明の名称】気相堆積装置及び基板処理方法

(51)【国際特許分類】

   C23C 16/455 20060101AFI20241128BHJP

   H01L 21/318 20060101ALI20241128BHJP

   C23C 16/44 20060101ALI20241128BHJP

【ＦＩ】

C23C16/455

H01L21/318 B

C23C16/44 J

【審査請求】有

【請求項の数】21

【出願形態】ＯＬ

【外国語出願】

(21)【出願番号】P 2024082532

(22)【出願日】2024-05-21

(31)【優先権主張番号】202310581853.8

(32)【優先日】2023-05-23

(33)【優先権主張国・地域又は機関】CN

(31)【優先権主張番号】202310582413.4

(32)【優先日】2023-05-23

(33)【優先権主張国・地域又は機関】CN

(71)【出願人】

【識別番号】524155884

【氏名又は名称】中微半導体設備（上海）股▲フン▼有限公司

【氏名又は名称原語表記】Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｍｉｃｒｏ－Ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ Ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ Ｉｎｃ． Ｃｈｉｎａ

【住所又は居所原語表記】１８８ Ｔａｉｈｕａ Ｒｏａｄ， Ｊｉｎｑｉａｏ Ｅｘｐｏｒｔ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｚｏｎｅ （Ｓｏｕｔｈ Ａｒｅａ）， Ｐｕｄｏｎｇ， Ｓｈａｎｇｈａｉ ２０１２０１， Ｃｈｉｎａ

(74)【代理人】

【識別番号】110002468

【氏名又は名称】弁理士法人後藤特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】許 燦

(72)【発明者】

【氏名】▲ゴン▼岳俊

(72)【発明者】

【氏名】庄 宇峰

(72)【発明者】

【氏名】呂 術亮

(72)【発明者】

【氏名】董 維

(72)【発明者】

【氏名】謝 忠帥

(72)【発明者】

【氏名】李 遠

【テーマコード（参考）】

4K030

5F058

【Ｆターム（参考）】

4K030AA03

4K030AA13

4K030DA06

4K030EA03

4K030EA11

4K030JA02

4K030JA03

4K030JA09

4K030KA41

4K030KA45

4K030LA15

5F058BA20

5F058BC09

5F058BF04

5F058BF07

5F058BF24

5F058BF30

5F058BF37

5F058BG01

5F058BG02

5F058BG04

(57)【要約】      （修正有）

【課題】ガス分布とクリーニング効率のバランスをとることができる、気相堆積装置及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】反応チャンバー１００と、基板を載置するための中央領域Ｘとエッジ領域Ｙとを含み、高い位置と低い位置の間で移動可能なベースコンポーネント１１０と、反応チャンバーの上部にベースコンポーネントに対向して設けられており、その下面とベースコンポーネントの中央領域の上面との間に反応空間があるガススプレーヘッド１０１とを備え、ベースコンポーネントが高い位置に設けられる場合、ベースコンポーネントのエッジ領域とガススプレーヘッドの下面は、反応空間を取り囲む第１抽気チャネルｄ１を形成し、第２抽気チャネルｄ２は、第１抽気チャネルを取り囲んでおり、そのコンダクタンスが第１抽気チャネルのコンダクタンスよりも大きく、処理ガスは、第１抽気チャネルと第２抽気チャネルの２段の障害を通過した後に排出される。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

気相堆積装置であって、
気相堆積プロセスを実行するための反応チャンバーと、
前記反応チャンバーの底部に設けられており、基板を載置するための中央領域と前記中央領域を取り囲むエッジ領域とを含み、高い位置と低い位置の間で移動可能なベースコンポーネントと、
前記反応チャンバーの上部に前記ベースコンポーネントに対向して設けられており、様々な処理ガスを導入するために使用され、その下面と前記ベースコンポーネントの中央領域の上面との間に反応空間があるガススプレーヘッドとを備え、
前記ベースコンポーネントが前記高い位置に設置される場合、前記ベースコンポーネントのエッジ領域と前記ガススプレーヘッドの下面は、前記反応空間を取り囲む第１抽気チャネルを形成し、
第２抽気チャネルは、前記第１抽気チャネルを取り囲んでおり、そのコンダクタンスが前記第１抽気チャネルのコンダクタンスよりも大きく、前記処理ガスは、第１抽気チャネルと第２抽気チャネルという２段の障害を通過した後に排出され、
前記ベースコンポーネントが前記低い位置に設置される場合、前記処理ガスは、前記第２抽気チャネルの１段の障害を通過後に排出されることを特徴とする、気相堆積装置。

【請求項2】

前記ベースコンポーネントが前記高い位置にあるときの前記反応空間内の気圧は、前記ベースコンポーネントが前記低い位置にあるときの前記反応空間内の気圧よりも大きいことを特徴とする、請求項１に記載の気相堆積装置。

【請求項3】

前記高い位置及び前記低い位置は、少なくとも１つの高さ値にそれぞれ対応し、前記高い位置の最小高さ値は、前記低い位置の最大高さ値よりも大きいことを特徴とする、請求項１に記載の気相堆積装置。

【請求項4】

前記ベースコンポーネントは、基板搬送位置まで下降させることができ、前記低い位置にあるときの前記ベースコンポーネントの上面の高さは、前記基板搬送位置にあるときの前記ベースコンポーネントの上面の高さよりも高く、且つ前記第２抽気チャネルの下縁の高さよりも低いことを特徴とする、請求項１に記載の気相堆積装置。

【請求項5】

前記処理ガスは、プロセスガス及びパージガスを含み、前記ベースコンポーネントが前記高い位置に移動する場合、前記プロセスガスは、前記ガススプレーヘッドから前記反応空間に入り、前記反応空間内のガスは、前記第１抽気チャネルを通って前記第２抽気チャネルから排出され、前記ベースコンポーネントが前記低い位置に移動する場合、前記パージガスは、前記ガススプレーヘッドから前記反応空間に入り、前記反応空間内のガスは、前記第２抽気チャネルから排出されることを特徴とする、請求項１に記載の気相堆積装置。

【請求項6】

前記ベースコンポーネントは、前記ベースコンポーネントのエッジ領域に位置するエッジリングを含み、前記第１抽気チャネルは、前記エッジリングの上面と前記ガススプレーヘッドのエッジ領域の下面との間の隙間から構成されることを特徴とする、請求項１に記載の気相堆積装置。

【請求項7】

前記ガススプレーヘッドのエッジ領域の下面は、前記ガススプレーヘッドの中央領域の下面よりも低いことを特徴とする、請求項６に記載の気相堆積装置。

【請求項8】

前記ガススプレーヘッドのエッジ領域の下面には、環状のボスが設けられることを特徴とする、請求項７に記載の気相堆積装置。

【請求項9】

前記エッジリングの上面は、前記ベースコンポーネントの中央領域の上面よりも高いことを特徴とする、請求項６に記載の気相堆積装置。

【請求項10】

前記エッジリングは、第１カバーリングと、前記第１カバーリングの上面に設けられた第２カバーリングとを含むことを特徴とする、請求項９に記載の気相堆積装置。

【請求項11】

前記第１カバーリングの内径は、前記基板の外径よりも小さく、前記反応チャンバーの側壁には、基板搬送口が設けられ、前記ベースコンポーネントが基板搬送位置まで下降すると、前記ベースコンポーネントの中央領域の上面は、前記基板搬送口がある水平面よりも低く、前記第１カバーリングの下面は、前記基板搬送口がある水平面よりも高いことを特徴とする、請求項１０に記載の気相堆積装置。

【請求項12】

前記反応チャンバーの側壁には、抽気リングが設けられ、前記抽気リングは、環状の抽気空間を含み、前記第２抽気チャネルは、前記環状の抽気空間の吸気口を含み、前記反応空間内の処理ガスは、前記環状の抽気空間の吸気口を通って前記環状の抽気空間に入ることができ、前記環状の抽気空間の排気口は、外部抽気装置と連通することを特徴とする、請求項１に記載の気相堆積装置。

【請求項13】

前記環状の抽気空間の吸気口は、前記抽気リングの内壁の円周方向に沿って均一又は不均一に分布した複数の穴であることを特徴とする、請求項１２に記載の気相堆積装置。

【請求項14】

前記穴の直径は、４ｍｍよりも大きいことを特徴とする、請求項１３に記載の気相堆積装置。

【請求項15】

前記穴の数は、６０よりも多いことを特徴とする、請求項１３に記載の気相堆積装置。

【請求項16】

前記第１抽気チャネルの径方向幅は、３０ｍｍ以上であることを特徴とする、請求項１に記載の気相堆積装置。

【請求項17】

前記第１抽気チャネルの上面と下面の間の距離は、２ｍｍ以下であることを特徴とする、請求項１に記載の気相堆積装置。

【請求項18】

ガス輸送パイプラインを介して前記ガススプレーヘッドと連通している、第１プロセスガス、第２プロセスガス及びパージガスをそれぞれ輸送するための第１プロセスガス源、第２プロセスガス源及びパージガス源と、
前記ベースコンポーネントが前記高い位置に移動し、前記第１プロセスガスが前記反応空間に入るように第１ステップを実行し、前記ベースコンポーネントが前記低い位置に移動し、前記パージガスが前記反応空間に入るように第２ステップを実行し、前記ベースコンポーネントが前記高い位置に移動し、前記第２プロセスガスが前記反応空間に入るように第３ステップを実行するように構成されるコントローラとをさらに備えることを特徴とする、請求項１に記載の気相堆積装置。

【請求項19】

前記高い位置は、薄膜の堆積に使用され、前記低い位置は、反応空間のクリーニング及びパージに使用されることを特徴とする、請求項１に記載の気相堆積装置。

【請求項20】

請求項１－１９のいずれか１項に記載の気相堆積装置に適用される基板処理方法であって、
前記ベースコンポーネントが前記高い位置に移動するように制御するステップであって、前記ガススプレーヘッドは、前記反応空間に第１プロセスガスを導入し、前記ベースコンポーネント上の基板を化学的に吸着し、前記反応空間内のガスは、前記第１抽気チャネルを通って前記第２抽気チャネルから排出されるステップと、
前記ベースコンポーネントが前記低い位置に移動するように制御するステップであって、前記ガススプレーヘッドは、前記反応空間にパージガスを導入してパージを行い、前記反応空間内のガスは、前記第２抽気チャネルから排出されるステップと、
前記ベースコンポーネントが前記高い位置に移動するように制御するステップであって、前記ガススプレーヘッドは、前記反応空間に第２プロセスガスを導入し、前記ベースコンポーネント上の基板を化学的に反応させ、前記反応空間内のガスは、前記第１抽気チャネルを通って前記第２抽気チャネルから排出されるステップと、
前記ベースコンポーネントが前記低い位置に移動するように制御するステップであって、前記ガススプレーヘッドは、前記反応空間にパージガスを導入してパージを行い、前記反応空間内のガスは、前記第２抽気チャネルから排出されるステップと、
前記基板の表面に堆積された薄膜が要件を満たすまで上記のステップを繰り返すステップとを含むことを特徴とする、基板処理方法。

【請求項21】

前記ベースコンポーネントが基板搬送位置まで下降するように制御し、処理待ち基板を前記反応チャンバーに搬入し、又は、処理された基板を前記反応チャンバーから搬出するステップをさらに含むことを特徴とする、請求項２０に記載の基板処理方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、半導体機器の技術分野に関し、特に気相堆積装置及び基板処理方法に関する。

【背景技術】

【0002】

半導体デバイスの製造過程では、大量の微細加工を行う必要がある。通常、原子層堆積プロセス（ＡＬＤ）、又は化学気相堆積プロセス（ＣＶＤ）、又はプラズマ処理プロセスを採用し、反応チャンバーの原理を利用して基板を処理加工する。半導体デバイスのフィーチャサイズの日々の縮小及びデバイスの集積度の日々の向上に伴い、原子層堆積及び化学気相堆積などのプロセスが益々広く使用されている。例えば、幾つかの場合では、原子層堆積プロセスにより、ウェーハの表面に薄膜を堆積する。原子層堆積プロセスは、秩序ある自己飽和表面反応に基づく化学気相薄膜堆積技術であり、物質を基板の表面に単一原子膜の形で層ごとにめっきすることができ、様々なプロセスガスを反応チャンバーに交互にパルス状に導入し、基板の表面に気相－固相化学吸着反応を発生させることにより、薄膜が形成される。原子堆積過程では、新しい層の原子膜の化学反応は、前の層に直接関連するため、１回の反応では１層の原子だけが堆積される。

【0003】

気相堆積装置は、何度もアップグレードされ、性能が大幅に向上したが、薄膜の堆積の均一性には、依然として多くの課題があり、特に、基板のサイズの日々の増大に伴い、既存の気相堆積装置は、薄膜の均一性要件を満たすことが困難になる。薄膜堆積過程では、抽気コンダクタンスという制御条件などの様々なプロセス条件が、基板の表面への薄膜の堆積の均一性に影響を与える。抽気コンダクタンスを増加させるとクリーニング効率が向上するが、反応チャンバー内のプロセスガスの分布が不均一になり、基板の表面に堆積された薄膜の厚さが不均一になり、基板の製造の歩留まりが低くなり、抽気コンダクタンスを減らすとプロセスガスの分布がより均一になるが、クリーニング効率が低くなる。

【発明の概要】

【0004】

本発明は、抽気コンダクタンスを変化させ、ガス分布とクリーニング効率のバランスをとることができる、気相堆積装置及び基板処理方法を提供することを目的とする。

【0005】

上記目的を達成するために、本発明は、次の技術的解決手段によって実現される。

【0006】

気相堆積装置は、
気相堆積プロセスを実行するための反応チャンバーと、
前記反応チャンバーの底部に設けられており、基板を載置するための中央領域と前記中央領域を取り囲むエッジ領域とを含み、高い位置と低い位置の間で移動可能なベースコンポーネントと、
前記反応チャンバーの上部に前記ベースコンポーネントに対向して設けられており、様々な処理ガスを導入するために使用され、その下面と前記ベースコンポーネントの中央領域の上面との間に反応空間があるガススプレーヘッドとを備え、
前記ベースコンポーネントが前記高い位置に設置される場合、前記ベースコンポーネントのエッジ領域と前記ガススプレーヘッドの下面は、前記反応空間を取り囲む第１抽気チャネルを形成し、
第２抽気チャネルは、前記第１抽気チャネルを取り囲んでおり、そのコンダクタンスは前記第１抽気チャネルのコンダクタンスよりも大きく、前記処理ガスは、前記第１抽気チャネルと前記第２抽気チャネルという２段の障害を通過した後に排出され、
前記ベースコンポーネントが前記低い位置に設置される場合、前記処理ガスは、前記第２抽気チャネルの１段の障害を通過後に排出される。

【0007】

任意選択で、前記ベースコンポーネントが前記高い位置にあるときの前記反応空間内の気圧は、前記ベースコンポーネントが前記低い位置にあるときの前記反応空間内の気圧よりも大きい。

【0008】

任意選択で、前記高い位置及び前記低い位置は、少なくとも１つの高さ値にそれぞれ対応し、前記高い位置の最小高さ値は、前記低い位置の最大高さ値よりも大きい。

【0009】

任意選択で、前記ベースコンポーネントは、基板搬送位置まで下降させることができ、前記低い位置にあるときの前記ベースコンポーネントの上面の高さは、前記フ基板搬送位置にあるときの前記ベースコンポーネントの上面の高さよりも高く、前記第２抽気チャネルの下縁の高さよりも低い。

【0010】

任意選択で、前記処理ガスは、プロセスガス及びパージガスを含み、前記ベースコンポーネントが前記高い位置に移動する場合、前記プロセスガスは、前記ガススプレーヘッドから前記反応空間に入り、前記反応空間内のガスは、前記第１抽気チャネルを通って前記第２抽気チャネルから排出され、前記ベースコンポーネントが前記低い位置に移動する場合、前記パージガスは、前記ガススプレーヘッドから前記反応空間に入り、前記反応空間内のガスは、前記第２抽気チャネルから排出される。

【0011】

任意選択で、前記ベースコンポーネントは、前記ベースコンポーネントのエッジ領域に位置するエッジリングを含み、前記第１抽気チャネルは、前記エッジリングの上面と前記ガススプレーヘッドのエッジ領域の下面との間の隙間から構成される。

【0012】

任意選択で、前記ガススプレーヘッドのエッジ領域の下面は、前記ガススプレーヘッドの中央領域の下面よりも低い。

【0013】

任意選択で、前記ガススプレーヘッドのエッジ領域の下面には、環状のボスが設けられる。

【0014】

任意選択で、前記エッジリングの上面は、前記ベースコンポーネントの中央領域の上面よりも高い。

【0015】

任意選択で、前記エッジリングは、第１カバーリングと、前記第１カバーリングの上面に設けられた第２カバーリングとを含む。

【0016】

任意選択で、前記第１カバーリングの内径は、前記基板の外径よりも小さく、前記反応チャンバーの側壁には、基板搬送口が設けられ、前記ベースコンポーネントが基板搬送位置まで下降すると、前記ベースコンポーネントの中央領域の上面は、前記基板搬送口がある水平面よりも低く、前記第１カバーリングの下面は、前記基板搬送口がある水平面よりも高い。

【0017】

任意選択で、前記反応チャンバーの側壁には、抽気リングが設けられ、前記抽気リングは、環状の抽気空間を含み、前記第２抽気チャネルは、前記環状の抽気空間の吸気口を含み、前記反応空間内の処理ガスは、前記環状の抽気空間の吸気口を通って前記環状の抽気空間に入ることができ、前記環状の抽気空間の排気口は、外部抽気装置と連通する。

【0018】

任意選択で、前記環状の抽気空間の吸気口は、前記抽気リングの内壁の円周方向に沿って均一又は不均一に分布した複数の穴である。

【0019】

任意選択で、前記穴の直径は、４ｍｍよりも大きい。

【0020】

任意選択で、前記穴の数は、６０よりも多い。

【0021】

任意選択で、前記第１抽気チャネルの径方向幅は、３０ｍｍ以上である。

【0022】

任意選択で、前記第１抽気チャネルの上面と下面の間の距離は、２ｍｍ以下である。

【0023】

任意選択で、前記気相堆積装置は、
ガス輸送パイプラインを介して前記ガススプレーヘッドと連通している、第１プロセスガス、第２プロセスガス及びパージガスをそれぞれ輸送するための第１プロセスガス源、第２プロセスガス源及びパージガス源と、
前記ベースコンポーネントが前記高い位置に移動し、前記第１プロセスガスが前記反応空間に入るように第１ステップを実行し、前記ベースコンポーネントが前記低い位置に移動し、前記パージガスが前記反応空間に入るように第２ステップを実行し、前記ベースコンポーネントが前記高い位置に移動し、前記第２プロセスガスが前記反応空間に入るように第３ステップを実行するように構成されるコントローラとをさらに備える。

【0024】

任意選択で、前記高い位置は、薄膜の堆積に使用され、前記低い位置は、反応空間のクリーニング及びパージに使用される。

【0025】

上記のいずれか１項に記載の気相堆積装置に適用される基板処理方法は、
前記ベースコンポーネントが前記高い位置に移動するように制御するステップであて、前記ガススプレーヘッドは、前記反応空間に第１プロセスガスを導入し、前記ベースコンポーネント上の基板を化学的に吸着させ、前記反応空間内のガスは、前記第１抽気チャネルを通って前記第２抽気チャネルから排出されるステップと、
前記ベースコンポーネントが前記低い位置に移動するように制御するステップであって、前記ガススプレーヘッドは、前記反応空間にパージガスを導入してパージを行い、前記反応空間内のガスは、前記第２抽気チャネルから排出されるステップと、
前記ベースコンポーネントが前記高い位置に移動するように制御するステップであって、前記ガススプレーヘッドは、前記反応空間に第２プロセスガスを導入し、前記ベースコンポーネント上の基板を化学的に反応させ、前記反応空間内のガスは、前記第１抽気チャネルを通って前記第２抽気チャネルから排出されるステップと、
前記ベースコンポーネントが前記低い位置に移動するように制御するステップであって、前記ガススプレーヘッドは、前記反応空間にパージガスを導入してパージを行い、前記反応空間内のガスは、前記第２抽気チャネルから排出されるステップと、
前記基板の表面に堆積された薄膜が要件を満たすまで上記のステップを繰り返すステップとを含む。

【0026】

任意選択で、前記基板処理方法は、
前記ベースコンポーネントが基板搬送位置まで下降するように制御し、処理待ち基板を前記反応チャンバーに搬入し、又は、処理された基板を前記反応チャンバーから搬出するステップをさらに含む。

【0027】

従来技術と比べて、本発明は、少なくとも次の利点の一つを有する。

【0028】

本発明によって提供される気相堆積装置は、前記ベースコンポーネントが前記高い位置に移動する場合、前記反応チャンバーには、２段の抽気チャネルがあり、第１段が第１抽気チャネルであり、第２段が第２抽気チャネルであり、第２抽気チャネルのコンダクタンスが第１抽気チャネルのコンダクタンスよりも大きい。前記第１抽気チャネルが反応空間に隣接し、且つコンダクタンスが小さいため、前記反応空間内は抽気流束が小さく、前記反応空間内にプロセスガスを迅速且つ均一に分布させることができ、それによって基板表面の薄膜の均一性がより高くなる。前記ベースコンポーネントが前記低い位置に移動する場合、前記基板のエッジ領域の上面と前記ガススプレーヘッドの下面の間の距離が大きく、反応空間内のガスの流出に対して基本的に影響を与えない。従って、前記第１抽気チャネルは無くなる、または無視することができ、前記反応空間では、前記第２抽気チャネルのみによって抽気されるため、抽気流束が大きい。これにより、ガスを迅速に排出し、パージガスのクリーニング効率を向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【0029】

本発明の技術的解決手段をより明確に説明するために、以下で説明に必要な図面を簡単に紹介する。但し、以下に説明される図面は、本発明の１つの実施例であり、当業者であれば、創造的な労力をせずに、これらの図面に基づいて他の図面を得ることができることは明らかである。

【0030】

【図1】本発明の一実施例によって提供される高い位置にあるときの気相堆積装置の断面構造図である。

【図2】本発明の一実施例によって提供される低い位置にあるときの気相堆積装置の断面構造図である。

【図3】本発明の一実施例によって提供される基板搬送位置にあるときの気相堆積装置の断面構造図である。

【図4】本発明の一実施例によって提供される高い位置にあるときの気相堆積装置の別の断面構造図である。

【図5a】本発明の別の実施例によって提供される高い位置にあるときの気相堆積装置の断面構造図である。

【図5b】本発明の別の実施例によって提供される低い位置にあるときの気相堆積装置の断面構造図である。

【図5c】本発明の別の実施例によって提供される基板搬送位置にあるときの気相堆積装置の断面構造図である。

【図6】本発明の一実施例によって提供される基板処理方法のフローチャートである。

【発明を実施するための形態】

【0031】

以下に図面と具体的な実施形態を組み合わせて、本発明によって提供される解決手段をさらに詳しく説明する。本発明の利点及び特徴は、以下の説明からより明らかになる。なお、当該図面は、非常に簡略化された形態を示すものであり、且つ不正確な比率を使用しており、本発明の実施形態の目的を容易かつ明確に補助的に説明するためのものである。即ち、本発明の目的、特徴及び利点をより明確かつ容易に理解するために、添付の図面を参照する。なお、本明細書の添付の図面に示される構造、比率、サイズ等は、本技術に精通した者が理解し読みやすいように、本明細書に開示された内容と組み合わせて用いているだけであり、本発明で実施される条件を限定するためのものではない。従って、技術的に実質的意義がない、いかなる構造的変更、比率関係の変更又はサイズの調整も、本発明が奏する効果及び目的に影響を与えず、本発明で開示される技術内容の範囲内に含まれるものである。

【0032】

薄膜堆積プロセスでは、プロセス条件である抽気コンダクタンスは、非常に重要である。図１及び図２に示すように、本実施例で提供される気相堆積装置は、気相堆積プロセスを実行するための反応チャンバー１００を備え、前記反応チャンバー１００の底部には、上下に移動可能なベースコンポーネント１１０が設けられている。前記ベースコンポーネント１１０の上面は、基板（図示せず）を載置するための中央領域Ｘと、前記中央領域Ｘを取り囲むエッジ領域Ｙとで構成され、前記中央領域Ｘの上面には、１つ又は複数の基板を置くことができる。前記反応チャンバー１００の上部には、様々な処理ガスを導入し、基板を加工処理するためのガススプレーヘッド１０１が設けられる。前記ベースコンポーネント１１０は、前記ガススプレーヘッド１０１に対向して設けられ、前記ガススプレーヘッド１０１の下面と前記ベースコンポーネント１１０の中央領域Ｘの上面との間には反応空間があり、様々な処理ガスは、前記ガススプレーヘッド１０１を通って前記反応空間に交互に導入されてもよい。プロセスにおける反応の必要性に応じて、前記処理ガスの種類が変わると、前記ベースコンポーネント１１０の上面の高さを高い位置と低い位置との間で切り替えることができ、それによって反応空間のサイズ及び反応空間の排気口のサイズが変わる。前記ベースコンポーネント１１０が高い位置に移動する場合、そのエッジ領域Ｙの上面と前記ガススプレーヘッド１０１の下面は、前記反応空間を取り囲む第１抽気チャネルｄ１を形成する。

【0033】

具体的には、前記処理ガスが変わる場合、前記ベースコンポーネント１１０のエッジ領域Ｙの上面と前記ガススプレーヘッド１０１の下面との間の距離を変え、それによって前記反応空間内の前記処理ガスの流出速度を変え、実際のニーズに応じて均一性と排気効率の間の傾向を調整することができる。前記ベースコンポーネント１１０が前記高い位置に移動する場合、エッジ領域Ｙの上面が前記ガススプレーヘッド１０１の下面に近いため、前記反応空間内のガスの排出に対する抵抗が生じる。即ち、エッジ領域Ｙの上面と前記ガススプレーヘッド１０１の下面は、前記第１抽気チャネルｄ１を形成し、処理ガスが前記第１抽気チャネルから排出される際のコンダクタンスが生成される。前記気相堆積装置は、前記第１抽気チャネルｄ１を取り囲む第２抽気チャネルｄ２をさらに備え、前記第２抽気チャネルｄ２の口径を抽気圧力に合わせることにより、前記処理ガスが前記第２抽気チャネルｄ２を通る時のコンダクタンスが生成される。前記第２抽気チャネルｄ２のコンダクタンスは、前記第１抽気チャネルｄ１のコンダクタンスよりも大きく、前記処理ガスは、前記第１抽気チャネルｄ１と前記第２抽気チャネルｄ２という２段の障害を通過した後に排出される。

【0034】

図１及び図２から分かるように、前記ベースコンポーネント１１０が前記高い位置に移動する場合、前記反応チャンバー１００は、２段の抽気チャネルを有する。第１段が第１抽気チャネルｄ１であり、第２段が第２抽気チャネルｄ２であり、前記第２抽気チャネルｄ２のコンダクタンスは前記第１抽気チャネルｄ１のコンダクタンスよりも大きい。前記第１抽気チャネルｄ１は、前記反応空間に隣接し、コンダクタンスが小さいため、前記反応空間内は抽気流束が小さく、前記反応空間内にプロセスガスを迅速かつ均一に分布させることができ、これにより、基板の表面の薄膜の均一性がより高くなる。前記ベースコンポーネント１１０が前記低い位置に移動する場合、前記ベースコンポーネント１１０のエッジ領域の上面と前記ガススプレーヘッド１０１の下面の間の距離が大きく、前記反応空間内のガスの流出に対して基本的に影響を与えない。従って、前記第１抽気チャネルｄ１は無くなる、または、無視することができ、前記反応空間では、前記第２抽気チャネルｄ２のみによって抽気され。即ち、前記処理ガスは、前記第２抽気チャネルｄ２の１段の障害を通過した後に排出されるため、抽気流束が大きい。このため、ガスを迅速に排出し、パージガスのクリーニング効率を向上させることができる。幾つかの実施例では、前記ベースコンポーネント１１０が前記低い位置に移動する場合、前記ベースコンポーネント１１０のエッジ領域Ｙの上面の高さは、処理ガスの抽出に対する前記ガススプレーヘッド１０１及び前記ベースコンポーネント１１０のエッジ領域Ｙの影響を低減させるために、前記第２抽気チャネルｄ２の高さｄ２よりも低い（即ち、前記第２抽気チャネルｄ２の吸気口の下縁の高さよりも低い）。

【0035】

前記処理ガスは、プロセスガス（原料ガスＴｉＣｌ_４、反応活性ガスＮＨ_３など）とパージガス（Ｎ_２など）とを含む。前記気相堆積装置に対して、前記高い位置は、薄膜の堆積に使用され、前記ベースコンポーネント１１０が前記高い位置に移動する場合、前記反応チャンバー１００での前記プロセスガスの流れ方向が図１の点線の矢印で示され、前記プロセスガスは、前記ガススプレーヘッド１０１から前記反応空間に入る。即ち、前記第１抽気チャネルｄ１を通ってすぐにすべてが排出されないため、前記反応空間内に滞留効果が生じる。これにより、ガスの分布がより均一になり、基板の表面の薄膜の均一性が向上する。反応過程で前記反応空間内のガスは、前記第１抽気チャネルｄ１を通った後に前記第２抽気チャネルｄ２から排出される必要があるが、前記低い位置は、反応空間のクリーニング及びパージに使用され、前記ベースコンポーネント１１０が前記低い位置に移動する場合、前記反応チャンバー１００での前記パージガスの流れ方向が図２の点線の矢印で示され、前記パージガスは、前記ガススプレーヘッド１０１から前記反応チャンバー１００に入る。このとき、前記反応空間内のガスは、抽気流束が小さい第１抽気チャネルｄ１を通ることなく、抽気流束が大きい第２抽気チャネルｄ２から直接排出される。これにより、クリーニング効率が向上し、クリーニングを迅速に完了させて後のステップを実行することができる。また、前記第２抽気チャネルｄ２は、同様に、前記反応チャンバー内のガスに前記第１抽気チャネルｄ１よりも小さい滞留効果を発生させ、前記反応空間内の部材の表面の前のステップでの処理ガスをより完全にパージすることができ、クリーニング効果がより高い。

【0036】

１つの実施形態では、前記気相堆積装置は、前記ベースコンポーネント１１０が上下に移動するように自動的に制御し、前記プロセスガス又はパージガスを導入するように協働的に制御するためのコントローラをさらに備えることができる。前記ベースコンポーネント１１０は、ベースプラットフォーム１１１を含み、前記ベースプラットフォーム１１１の中央領域は、基板を載置するために使用され、前記ベースプラットフォーム１１１は、モータドライバなどの第１昇降駆動機構１１３に接続されてもよく、前記第１昇降駆動機構１１３は、前記ベースコンポーネント１１０を駆動して上下に移動させる。プロセスガスを導入する必要がある場合、前記コントローラは、前記ベースコントローラ１１０を駆動して前記高い位置に移動させるように前記第１昇降駆動機構１１３を制御し、前記ガススプレーヘッド１０１から前記反応チャンバー１００に導入するように前記プロセスガスを制御する。パージガスを導入する必要がある場合、前記コントローラは、前記ベースコントローラ１１０を駆動して前記低い位置に移動させるように前記第１昇降駆動機構１１３を制御し、前記ガススプレーヘッド１０１から前記反応チャンバー１００に導入するように前記パージガスを制御する。

【0037】

さらに、図１から図４に示すように、前記ベースコントローラ１１０が前記高い位置に移動する場合、前記第１抽気チャネルｄ１の上面と下面の間に第１距離ｈ１があり、反応空間で滞留効果を生じさせるために、前記第１距離ｈ１は、２ｍｍ以下であってもよい。第１距離ｈ１が大きすぎると、前記プロセスガスが前記反応空間から速く逃げてしまい、基板の表面に均一に拡散する効果を奏することができない。

【0038】

図１及び図４に示すように、前記ベースコンポーネント１１０は、前記ベースコンポーネント１１０のエッジ領域Ｙにあるエッジリング１１２を含み、前記エッジリング１１２は、前記ベースコンポーネント１１０のベースプラットフォーム１１１のエッジを覆い、前記ベースプラットフォーム１１１のエッジへの堆積物を回避し、前記ベースプラットフォーム１１１のメンテナンスコストを削減するために使用される。本実施例では、前記第１抽気チャネルｄ１は、前記エッジリング１１２の上面と前記ガススプレーヘッド１０１のエッジ領域の下面との間の隙間から構成される。即ち、前記ベースコンポーネント１１０が前記高い位置に上昇する場合、前記エッジリング１１２の上面と前記ガススプレーヘッド１０１のエッジ領域の下面が相互に近づき、両者の間に前記第１抽気チャネルｄ１が形成される。

【0039】

前記反応空間が処理ガスを収容するための十分な容積を有することを確保するために、一実施形態では、図４に示すように、前記エッジリング１１２の上面を前記ベースコンポーネント１１０の中央領域Ｘの上面よりも高くすることができる。これにより、前記ベースコンポーネント１１０が前記高い位置に上昇する場合、前記エッジリング１１２の上面と前記ガススプレーヘッド１０１の下面との間の距離が小さく、それによって上記第１距離ｈ１の要件を満たす。別の実施形態では、図１に示すように、前記ガススプレーヘッド１０１のエッジ領域の下面を前記ガススプレーヘッド１０１の中央領域の下面よりも低くすることもできる。即ち、前記ガススプレーヘッド１０１のエッジ領域の下面に環状のボス１０１１を設けることもでき、これにより、前記ベースコンポーネント１１０が前記高い位置に上昇する場合、前記ガススプレーヘッド１０１の環状のボス１０１１の下面と前記ベースコンポーネント１１０のエッジ領域Ｙの上面との間の距離が小さく、それによって上記第１距離ｈ１の要件を満たす。

【0040】

別の気相堆積装置では、図５ａ、図５ｂ及び図５ｃに示すように、前記エッジリング１１２は、第１カバーリング１１２１と、前記第１カバーリング１１２１の上面に設けられた第２カバーリング１１２２とを含み、これにより、２つのカバーリングは、別々に容易に交換でき、メンテナンスが容易である。前記第１カバーリング１１２１の内径が前記基板の外径よりも小さいため、前記第１カバーリング１1２１は、処理過程での前記基板の反りなどの欠陥を回避するために、基板（図示せず）の上面に押圧されてもよい。図５ａ及び図５ｂは、ベースコンポーネント１１０が高い位置及び低い位置にあるときに、基板の上面のエッジ領域に押圧された前記第１カバーリング１１２１の構造図を概略的に示している。図５ａに示すように、ベースコンポーネント１１０が高い位置にあるとき、前記第２カバーリング１１２２の上面と前記ガススプレーヘッド１０１の下面との間の距離が小さく、それによって上記第１距離ｈ１の要件を満たし、前記第２カバーリング１１２２と前記ガススプレーヘッド１０１の下面との間の隙間は、第１抽気チャネルｄ１を形成する。

【0041】

前記反応チャンバー１００の側壁には、基板搬送口１０３１が設けられ、前記ベースコンポーネント１１０が前記基板搬送口１０３１の位置（即ち基板搬送位置）まで下降すると、図５ｃに示すように、前記ベースコンポーネント１１０の中央領域Ｘは、前記基板搬送口１０３１がある水平面よりも低く、前記第１カバーリング１１２１の下面は、前記基板搬送口１０３１がある水平面よりも高い。任意選択で、前記反応チャンバー１００の側壁上の、前記基板搬送口１０３１の上方の位置にカバーリング支持部材１０３２を設けることができる。前記ベースコンポーネント１１０の下降過程では、前記エッジリング１１２は、前記カバーリング支持部材１０３２によって支持され、前記ベースコンポーネント１１０のベースプラットフォーム１１１は、前記基板搬送口１０３１の位置まで下降し続け、処理待ち基板を反応チャンバー１００内に搬入して前記ベースプラットフォーム１１１の上面に置く。前記ベースプラットフォーム１１１の上昇過程では、前記エッジリング１１２は、前記基板の上面のエッジ領域に押圧され、それと共に上昇し続けることができる。

【0042】

さらに、前記第１抽気チャネルｄ１の径方向幅は、３０ｍｍ以上であってもよい。前記第１抽気チャネルｄ１の上下の高さが小さい場合、径方向の幅が大きいことと相俟って、「細くて長い」前記第１抽気チャネルｄ１が形成されるため、前記反応空間によって形成された滞留効果がより高くなり、それによって基板の表面の薄膜の均一性がさらに向上する。

【0043】

以上のことから分かるように、本実施例の気相堆積装置は、プロセスガスを導入するときに前記ベースコンポーネント１１０を高い位置にするため、前記ベースコンポーネント１１０のエッジ領域Ｙの上面と前記ガススプレーヘッド１０１の下面が相互に近づいて前記第１抽気チャネルｄ１を形成する。前記第１抽気チャネルｄ１においては、抽気流束が小さいため、基板の表面の薄膜の均一性をよりよく向上させることができる。従って、本実施例では、前記第２抽気チャネルｄ２は、既存の気相堆積装置の抽気流束より大きく設計されてもよく、例えば、図２及び図５ｂに示すように、前記第２抽気チャネルｄ２の上面と下面の間に第２距離ｈ２があり、前記第２距離ｈ２は、４ｍｍ以上である。

【0044】

本実施例では、前記反応チャンバー１００の側壁には、前記反応チャンバー１００内のガス、即ち反応廃棄物を前記反応チャンバー１００の外に排出するための抽気リング１２０が設けられる。図１に示すように、前記抽気リング１２０は、前記ガススプレーヘッド１０１と前記反応チャンバー１００の側壁との間に設けられ、環状の抽気空間Ａを有し、前記第２抽気チャネルｄ２は、前記環状の抽気空間Ａの吸気口を含み、前記反応空間内の処理ガスは、前記環状の抽気空間Ａの吸気口を通って前記環状の抽気空間Ａに入ることができ、前記環状の抽気空間Ａの排気口は、外部抽気装置と連通する。前記環状の抽気空間Ａのコンダクタンスは、主に前記吸気口のコンダクタンスに依存する。これにより、前記外部抽気装置は、前記第２抽気チャネルｄ２を介して前記反応空間内の処理ガスを前記環状の抽気空間Ａに抽気し、前記排気口からチャンバの外に排出することができる。任意選択で、前記環状の抽気空間Ａの吸気口は、前記抽気リング１２０の内壁の円周方向に沿って均一又は不均一に分布した複数の穴であり、例えば、前記穴の数は、６０よりも多く、前記穴の直径は、４ｍｍ以上であり、これにより、抽気過程でガスの分布の均一性を維持し、迅速かつ均一な抽気の目的を達成することができる。幾つかの実施例では、実際のニーズに応じて、前記抽気リング１２０の内壁の円周方向に、不均一に分布した複数の穴を設けてガスの流れを調整することもできる。

【0045】

前記ガススプレーヘッド１０１は、外部のガス源に接続されており、プロセスガス又はパージガスをガス源から前記反応チャンバー１００内に均一に注入し、基板の上方の処理領域で薄膜堆積プロセス又はパージを実行し、薄膜堆積プロセスの正常な実行を確保するために使用される。前記ガス源は、第１プロセスガス源１３１、第２プロセスガス源１３２及びパージガス源１３３を含み、前記第１プロセスガス源１３１、前記第２プロセスガス源１３２及び前記パージガス源１３３は、ガス輸送パイプラインを介して前記ガススプレーヘッド１０１と連通している。ガス輸送パイプラインは、第１プロセスガス、第２プロセスガス及びパージガスをガススプレーヘッドにそれぞれ輸送するための分離された複数本のパイプラインであってもよいし、第１プロセスガス、第２プロセスガス及びパージガスを混合してからガススプレーヘッドに輸送するための多方向マニホールドであってもよい。本実施例では、前記ガススプレーヘッド１０１は、第１ガス輸送パイプラインを介して第１プロセスガス源１３１に接続され、第２ガス輸送パイプラインを介して第２プロセスガス源１３２に接続され、第３ガス輸送パイプラインを介してパージガス源１３３に接続され、第１プロセスガス、第２プロセスガス及びパージガスを含む処理ガスを前記反応空間にそれぞれ輸送する。本実施例で説明される気相堆積装置のコントローラは、処理ガスが変わるときに、前記ベースコンポーネント１１０の高さ位置を切り替える。例えば、前記ベースコンポーネント１１０を前記高い位置に移動して、前記第１プロセスガスが前記反応空間に入るように第１ステップを実行し、前記ベースコンポーネント１１０を前記低い位置に移動して、前記パージガスが前記反応空間に入るように第２ステップを実行し、前記ベースコンポーネント１１０を前記高い位置に移動し、前記第２プロセスガスが前記反応空間に入るように第３ステップを実行するように構成される。

【0046】

他の幾つかの実施例では、前記高い位置は、少なくとも１つの高さ値を含むことができ、前記低い位置は、少なくとも１つの高さ値を含むこともでき、前記高い位置の最小高さ値は、前記低い位置の最大高さ値よりも大きい。即ち、毎回高い位置に切り替えられる前記ベースコンポーネント１１０の位置は、第１抽気チャネルｄ１を形成するために十分である限り、変えることができ、これにより、異なるプロセスガスに応じて、それに対応する適切な滞留時間を形成することができる。同様に、毎回低い位置に切り替えられる前記ベースコンポーネント１１０の位置は、前記反応空間のガスの排出に対する抵抗が生じない限り、変えることができる。

【0047】

具体的には、前記第１ガス輸送パイプラインと前記第１プロセスガス源１３１及び前記ガススプレーヘッド１０１との接続部には、それぞれ第１ガスチャージバルブと第１ガス輸送バルブとが設けられ、前記第２ガス輸送パイプラインと前記第２プロセスガス源１３２及び前記ガススプレーヘッド１０１との接続部には、それぞれ第２ガスチャージバルブと第２ガス輸送バルブとが設けられ、前記第３ガス輸送パイプラインと前記パージガス源１３３及び前記ガススプレーヘッド１０１との接続部には、それぞれ第３ガスチャージバルブと第３ガス輸送バルブとが設けられる。前記コントローラは、前記ベースコンポーネント１１０が前記高い位置に移動するように制御し、前記第１ガスチャージバルブと前記第１ガス輸送バルブがオンになるように制御して、前記第１プロセスガスが前記反応空間に入るように制御する、第１ステップを実行する。第１ステップが実行された後、前記第１ガスチャージバルブと前記第１ガス輸送バルブがオフになるように制御し、前記ベースコンポーネント１１０が前記低い位置に移動するように制御し、前記第３ガスチャージバルブと前記第３ガス輸送バルブがオンになるように制御して、前記パージガスが前記反応空間に入るように制御する、第２ステップを実行する。第２ステップが実行された後、前記第３ガスチャージバルブと前記第３ガス輸送バルブがオフになるように制御し、前記ベースコンポーネント１１０が前記高い位置に移動するように制御し、前記第２ガスチャージバルブと前記第２ガス輸送バルブがオンになるように制御して、前記第２プロセスガスが前記反応空間に入るように制御する、第３ステップを実行するように構成される。任意選択で、前記第１プロセスガスを導入する前記第１ステップを実行し、前記パージガスを導入する前記第２ステップを実行する期間に、前記第２プロセスガスが前記第２ガス輸送パイプラインで供給されるように、前記第２ガスチャージバルブをオンにし、前記第２ガス輸送バルブをオフに制御することができる。これにより、前記第２プロセスガスを導入する前記第３ステップを実行するとき、前記第２ガス輸送バルブがオンになるように制御した後、前記反応空間内に導入される第２プロセスガスの流量が大きいため、前記反応空間内でより高い滞留効果を形成し、基板の表面の薄膜の均一性を向上させることができる。

【0048】

ベースコンポーネント１１０が高い位置にあるときの反応空間の容積がベースコンポーネント１１０が低い位置にあるときの反応空間の容積より小さいため、ベースコンポーネント１１０が高い位置にあるときの反応空間の気圧は、ベースコンポーネント１１０が低い位置にあるときの反応空間の気圧よりも大きい。従って、ベースコンポーネント１１０が高い位置にある場合、ガスは、反応空間内で迅速に拡散することができ、ガスの分布の均一性が向上する。ベースコンポーネント１１０が低い位置にあるとき、抽気の障害が小さく、ガスを急速に排出することができる。従って、本実施例の技術的解決手段は、同じプロセスの異なるステップでベースコンポーネント１１０に対する高い位置と低位置の切り替えを実現することに加えて、異なるプロセスでニーズに応じて高い位置と低い位置の切り替えを実行することもでき、例えば、反応チャンバー内でのプロセスガスの分布の均一性要件が高い場合、ベースコンポーネント１１０を高い位置に設けることができ、反応チャンバーでのプロセスガスの置換速度要件が高い場合、ベースコンポーネント１１０を低い位置に設けることができる。

【0049】

上述したように、基板の処理が完了した後、前記ベースコンポーネント１１０は、基板搬送位置まで下降することができる。図３及び図５ｃに示すように、前記基板搬送位置は、処理された基板を前記基板搬送口１０３１を通って前記反応チャンバー１００から搬出し、処理待ち基板を搬入するように、前記側壁に設けられた基板搬送口１０３１の位置に対応する。これに基づき、前記低い位置にあるときの前記ベースコンポーネント１１０の上面の高さを前記基板搬送位置にあるときの前記ベースコンポーネント１１０の上面の高さよりも高く設定することができる。即ち、図２、図３及び図５ｂ、図５ｃに示すように、前記低い位置は、前記基板搬送位置よりも高く、これにより、前記ベースコンポーネント１１０が前記高い位置で第１ステップ又は第３ステップを実行した後、前記ベースコンポーネント１１０をより低い基板搬送位置まで下降させることなく、前記ベースコンポーネント１１０を前記高い位置と前記基板搬送位置との間の低い位置まで下降させることにより、パージガスを導入して前記反応チャンバー１００のクリーニングステップを実行することができる。これにより、前記反応チャンバー１００の基板の処理効率を向上させることができる。

【0050】

同じ発明概念に基づいて、本実施例は、上記気相堆積装置によって実現される基板処理方法をさらに提供する。図６に示すように、前記方法は、以下のステップを含む。

【0051】

Ｓ１、前記ベースコンポーネントが前記高い位置に移動するように制御し、前記ガススプレーヘッドは、前記反応空間に第１プロセスガスを導入し、前記ベースコンポーネント上の基板を化学的に吸着させ、前記反応空間内のガスは、前記第１抽気チャネルを通って前記第２抽気チャネルから排出される。

【0052】

第１抽気チャネルが設けられるため、反応空間は、圧縮されて小さくなり、第１プロセスガスは、反応空間を迅速に満たすことができる。前記第１プロセスガスは、反応空間内の各領域の基板に対する均一な処理を達成するために、数秒又は１秒未満の時間内で反応空間を均一に満たすことができる。

【0053】

Ｓ２、前記ベースコンポーネントが前記低い位置に移動するように制御し、前記ガススプレーヘッドは、前記反応空間にパージガスを導入してパージを行い、前記反応空間内のガスは、前記第２抽気チャネルから排出される。

【0054】

これにより、反応空間が引き伸ばされて拡大し、反応空間のエッジの拡大により、第１抽気チャネルは、ガス流に対する障害作用を失い、反応空間内のパージガスは、流れが有利な第２抽気チャネルを利用し、パージガスと前のステップのプロセスガスを最も速く排出し、プロセス要件を満たすレベルのクリーニングを達成することができる。ベースコンポーネントが低い位置に移動することにより、クリーニング要件を達成するパージを数秒で完了することができ、幾つかの実施例では、１秒未満の時間範囲でパージ過程を完了することができる。

【0055】

Ｓ３、前記ベースコンポーネントが前記高い位置に移動するように制御し、前記ガススプレーヘッドは、前記反応空間に第２プロセスガスを導入し、前記ベースコンポーネント上の基板を化学的に反応させ、前記反応空間内のガスは、前記第１抽気チャネルを通って前記第２抽気チャネルから排出される。

【0056】

これにより、反応空間が再び適切なサイズに圧縮され、第２プロセスガスは、反応空間を迅速に満たすことができ、２段の抽気チャネルにより、前記第２プロセスガスは、前記反応空間に十分な時間留まることができ、前記反応空間の各領域での均一な分布が最大化される。これにより、反応に関与するステップ２のガスの濃度及び分布は、プロセス要件を迅速に満たす。

【0057】

Ｓ４、前記ベースコンポーネントが前記低い位置に移動するように制御し、前記ガススプレーヘッドは、前記反応空間にパージガスを導入してパージを行い、前記反応空間内のガスは、前記第２抽気チャネルから排出される。

【0058】

前記基板の表面に堆積された薄膜が要件を満たすまで上記のステップＳ１～Ｓ４を繰り返す。

【0059】

また、前記基板処理方法は、前記ベースコンポーネントが基板搬送位置まで下降するように制御し、処理待ち基板を前記反応チャンバーに搬入し、又は、処理された基板を前記反応チャンバーから搬出するステップをさらに含む。

【0060】

本実施例で設けられたベースコンポーネントは、高い位置、低い位置及び基板搬送位置の間で切り替えることができ、ベースコンポーネントが高い位置にある場合、反応チャンバーに薄膜成長プロセスガスが導入され、第１抽出チャネルが設けられるため、反応空間のサイズが縮小され、薄膜成長プロセスガスは、反応空間全体を迅速かつ均一に満たすことができ、それによって基板の各領域に対して均一処理を実行する。ベースコンポーネントが低い位置にある場合、反応チャンバーにパージガスが導入され、ベースコンポーネントの位置が下降するため、ガススプレーヘッドの下面とベースコンポーネントのエッジ領域の間の距離が大きくなり、パージガスに対してより多くの障害を引き起こさず、第２抽気チャネルのコンダクタンスが大きいため、パージガスは、前の薄膜成長プロセスガスを迅速にクリーニングした後、反応チャンバーから迅速に排出される。本実施例に係る気相堆積装置は薄膜成長プロセスガスとパージガスの導入を数秒で周期的に切り替える必要があるため、本実施例で開示される技術的解決手段は、反応空間を薄膜成長プロセスガスで迅速に満たして基板の均一性を向上させるだけでなく、パージガスの排出時間を短縮し、それによって処理効率を大幅に向上させることができる。基板の処理が完了した後、ベースコンポーネントは、基板搬送位置まで下降し続け、基板の搬入及び搬出を実現する。

【0061】

なお、本明細書において、第一及び第二などの用語は、１つのエンティティ又は操作と別のエンティティ及び操作を区別するためのものだけであり、必ずしもこれらのエンティティ又は操作の間にいかなるこのような実際の関係又は順番が存在することを要求又は示唆するものではない。そして、用語「含む」、「備える」又はその他のいかなる変形も、非排他的に含まれるものであり、一連の要素を含む過程、方法、物品又は装置は、これらの要素だけでなく、明確に示されない他の要素を含み、又はこのような過程、方法、物品又は装置に固有な要素をさらに含む。更なる制限がない場合、「１つ．．．．．．を含む」という言葉によって限定された要素は、前記要素を含む過程、方法、物品又は装置に別の同じ要素がさらに存在することを排除するものではない。

【0062】

本発明の内容を上記の好ましい実施例を通じて詳細に説明したが、上記の説明が本発明を限定するものとみなされるべきではない。本発明は、上記の説明に限定されるものではない。当業者は、上述した内容を読んだ後、本発明に対する様々な変更及び置換を想到できる。従って、本発明の保護範囲は、添付の特許請求の範囲によって限定されるべきである。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5a】

【図5b】

【図5c】

【図6】

【外国語明細書】