特開 2024-169597 機能パネル

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024169597

(43)【公開日】2024-12-05

(54)【発明の名称】機能パネル

(51)【国際特許分類】

   G09F 9/30 20060101AFI20241128BHJP

   H10K 77/10 20230101ALI20241128BHJP

   H10K 59/82 20230101ALI20241128BHJP

   H10K 59/131 20230101ALI20241128BHJP

   H10K 59/179 20230101ALI20241128BHJP

【ＦＩ】

G09F9/30 308Z

H10K77/10

H10K59/82

H10K59/131

H10K59/179

【審査請求】有

【請求項の数】2

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2024162277

(22)【出願日】2024-09-19

(62)【分割の表示】P 2020106709の分割

【原出願日】2020-06-22

(31)【優先権主張番号】P 2019121280

(32)【優先日】2019-06-28

(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP

(71)【出願人】

【識別番号】000153878

【氏名又は名称】株式会社半導体エネルギー研究所

(72)【発明者】

【氏名】中村 太紀

(72)【発明者】

【氏名】安達 広樹

(72)【発明者】

【氏名】谷中 順平

(57)【要約】

【課題】利便性、有用性または信頼性に優れた新規な機能パネルを提供する。
【解決手段】第１の領域と、第２の領域と、第３の領域と、を有する機能パネルであって
、第３の領域は第１の領域および第２の領域の間に挟まれ、第３の領域は屈曲することが
でき、第３の領域は機能層、接合層および第１の導電膜を備える。接合層は機能層および
第１の導電膜の間に挟まれる領域を備え、機能層は回路および絶縁膜を含み、回路は第２
の導電膜を含む。絶縁膜は第１の導電膜および第２の導電膜の間に挟まれる領域を備え、
第１の導電膜は第２の導電膜との間に容量を形成する。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１の領域と、第２の領域と、第３の領域と、第４の領域と、第５の領域と、を有し、
前記第３の領域は、前記第１の領域および前記第２の領域の間に挟まれ、
前記第１の領域は、前記第３の領域および前記第５の領域の間に挟まれ、
前記第５の領域は、前記第１の領域および前記第４の領域の間に挟まれ、
前記第３の領域および前記第５の領域は、屈曲することができ、
前記第３の領域は、第１の基材、機能層、接合層および第１の導電膜を備え、
前記第１の導電膜は、前記第１の基材および前記接合層との間に挟まれる領域を備え、
前記接合層は、前記機能層および前記第１の導電膜の間に挟まれる領域を備え、
前記機能層は、回路および絶縁膜を含み、
前記回路は、第２の導電膜を含み、
前記絶縁膜は、前記第１の導電膜および前記第２の導電膜の間に挟まれる領域を備え、
前記第１の導電膜は、前記第２の導電膜との間に容量を形成し、
前記第５の領域は、第１の曲げ剛性を備え、
前記第３の領域は、第２の曲げ剛性を備え、
前記第２の曲げ剛性は、前記第１の曲げ剛性に比べて高い、機能パネル。

【請求項2】

請求項１において、
前記第３の領域は、屈曲に伴って現れる曲率円の中心を基準にして、前記機能層より前記第１の導電膜が外側になるように屈曲することができ、
前記第５の領域は、前記第３の領域とは逆向きに屈曲することができる、機能パネル。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明の一態様は、機能パネル、表示装置、入出力装置、情報処理装置または半導体装置
に関する。

【0002】

なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明の
一態様の技術分野は、物、方法、または、製造方法に関するものである。または、本発明
の一態様は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション・
オブ・マター）に関するものである。そのため、より具体的に本明細書で開示する本発明
の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、
それらの駆動方法、または、それらの製造方法、を一例として挙げることができる。

【背景技術】

【0003】

第１の領域と、第２の領域と、表示領域と、を有する表示パネルが知られている（特許文
献１）。第２の領域は表示領域の一部を含み、第２の領域は第１の部材を備え、第２の領
域は第１の部材を外側に向けて湾曲することができ、第１の部材は第１の弾性体および第
２の弾性体を備え、第２の弾性体は第１の弾性体に一部または全部が覆われる端部を備え
、第２の弾性体は第１の弾性体より大きい弾性率を備える。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】国際公開第２０１９／１０６４８０号

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

本発明の一態様は、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な機能パネルを提供するこ
とを課題の一とする。または、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な半導体装置を
提供することを課題の一とする。または、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な入
出力装置を提供することを課題の一とする。または、利便性、有用性または信頼性に優れ
た新規な情報処理装置を提供することを課題の一とする。または、新規な機能パネル、新
規な入出力装置、新規な情報処理装置または新規な半導体装置を提供することを課題の一
とする。

【0006】

なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一
態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課題
は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図
面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。

【課題を解決するための手段】

【0007】

（１）本発明の一態様は、第１の領域と、第２の領域と、第３の領域と、を有する機能パ
ネルである。

【0008】

第３の領域は第１の領域および第２の領域の間に挟まれ、第３の領域は屈曲することがで
き、第３の領域は機能層、接合層および第１の導電膜を備える。

【0009】

接合層は機能層および第１の導電膜の間に挟まれる領域を備え、機能層は回路および絶縁
膜を含む。

【0010】

回路は第２の導電膜を含み、絶縁膜は第１の導電膜および第２の導電膜の間に挟まれる領
域を備える。

【0011】

第１の導電膜は第２の導電膜との間に容量を形成する。

【0012】

これにより、第１の導電膜を用いて、ノイズから回路を遮蔽できる。または、回路が安定
に動作することができる。その結果、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な機能パ
ネルを提供することができる。なお、本明細書等において、静電気放電などにより発生す
る電磁ノイズを単にノイズとして記載する。

【0013】

（２）また、本発明の一態様は、第１の基材を有する上記の機能パネルである。なお、第
１の基材は、接合層との間に、第１の導電膜を挟む領域を備える。

【0014】

これにより、第１の基材を用いて、第１の導電膜を外力などから保護することができる。
その結果、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な機能パネルを提供することができ
る。

【0015】

（３）また、本発明の一態様は、第４の領域と、第５の領域と、を有する上記の機能パネ
ルである。

【0016】

第５の領域は、第１の領域および第４の領域の間に挟まれ、第５の領域は、第１の曲げ剛
性を備える。

【0017】

第３の領域は第２の基材を備え、第２の基材は接合層との間に、前記第１の導電膜を挟む
領域を備え、第３の領域は、第２の曲げ剛性を備える。

【0018】

第２の曲げ剛性は、第１の曲げ剛性に比べて高い。

【0019】

これにより、第３の領域の中立面を第２の基材に近づけることができる。または、第５の
領域の中立面より第３の領域の中立面を第２の基材に近づけることができる。または、屈
曲に伴って現れる曲率円の中心を基準にして、機能層より導電膜が外側になるように、第
３の領域を屈曲することができる。または、当該方向への屈曲に伴い、例えば、第２の導
電膜に加わる引っ張り応力を軽減できる。または、例えば、当該方向への屈曲に伴う圧縮
応力を、第２の導電膜に加えることができる。または、当該方向への屈曲に伴う、例えば
、機能層の破壊を防ぐことができる。その結果、利便性、有用性または信頼性に優れた新
規な機能パネルを提供することができる。

【0020】

（４）また、本発明の一態様は、屈曲に伴って現れる曲率円の中心を基準にして、第３の
領域が機能層より導電膜が外側になるように屈曲し、第５の領域が第３の領域とは逆向き
に屈曲することができる、上記の機能パネルである。

【0021】

これにより、第３の領域および第５の領域を互い違いに屈曲することができる。または、
機能パネルを、例えば、ジグザグに屈曲することができる。または、ジグザグの屈曲に伴
う、例えば、機能層の破壊を防ぐことができる。または、例えば、屈曲に伴って現れる曲
率円の中心を基準にして、機能層より導電膜が内側になるように、第５の領域を屈曲する
ことができる。その結果、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な機能パネルを提供
することができる。

【0022】

（５）また、本発明の一態様は、画素を有し、回路が第１の画素回路を含む上記の機能パ
ネルである。

【0023】

画素は発光素子および第１の画素回路を備え、発光素子は第１の画素回路と電気的に接続
される。

【0024】

これにより、第１の導電膜を用いて、画素を遮蔽し、ノイズの伝搬を防ぐことができる。
または、表示に対するノイズの影響を軽減することができる。または、屈曲に伴う表示の
乱れを軽減することができる。または、指などの近接に伴う表示の乱れを軽減することが
できる。その結果、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な機能パネルを提供するこ
とができる。

【0025】

（６）また、本発明の一態様の機能パネルは、一組の画素を有する上記の機能パネルであ
る。

【0026】

一組の画素は上記の画素および他の画素を備え、他の画素は第２の画素回路および光電変
換素子を備える。

【0027】

光電変換素子は第２の画素回路と電気的に接続される。

【0028】

（７）また、本発明の一態様は、機能層を有する上記の機能パネルである。

【0029】

機能層は第１の画素回路を備え、第１の画素回路は第１のトランジスタを含み、機能層は
第２の画素回路を備え、第２の画素回路は第２のトランジスタを含み、機能層は駆動回路
を備え、駆動回路は第３のトランジスタを含む。

【0030】

第１のトランジスタは半導体膜を備え、第２のトランジスタは第１のトランジスタの半導
体膜を形成する工程で作製することができる半導体膜を備え、第３のトランジスタは第１
のトランジスタ半導体膜を形成する工程で作製することができる半導体膜を備える。

【0031】

これにより、画素回路を機能層に形成することができる。または、駆動回路を機能層に形
成することができる。または、例えば、画素回路に用いる半導体膜を形成する工程におい
て、駆動回路に用いる半導体膜を形成することができる。または、機能パネルの作製工程
を簡略化することができる。その結果、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な機能
パネルを提供することができる。

【0032】

（８）また、本発明の一態様は、上記の機能パネルと、筐体を有する半導体装置である。

【0033】

筐体は第１の面、第２の面および第３の面を備える。

【0034】

第３の面は第１の面および前記第２の面の間に挟まれ、第１の面は第１の領域と重なり、
第２の面は第２の領域と重なり、第３の面は第３の領域との間に距離を備える。なお、当
該距離は、第３の領域の屈曲に伴い変化する。

【0035】

これにより、例えば、第３の領域の屈曲に伴い、筐体および回路の間の距離が変化しても
、回路は安定して動作することができる。または、第１の基材を用いて、第１の導電膜を
外力などから保護することができる。その結果、利便性、有用性または信頼性に優れた新
規な半導体装置を提供することができる。

【0036】

（９）また、本発明の一態様は、上記の機能パネルと、制御部と、を有する表示装置であ
る。

【0037】

制御部は画像情報および制御情報を供給され、制御部は画像情報に基づいて情報を生成し
、制御部は制御情報に基づいて制御信号を生成し、制御部は情報および制御信号を供給す
る。

【0038】

機能パネルは情報および制御信号を供給され、画素は情報に基づいて発光する。

【0039】

これにより、発光素子を用いて画像情報を表示することができる。その結果、利便性、有
用性または信頼性に優れた新規な表示装置を提供することができる。

【0040】

（１０）また、本発明の一態様は、入力部と、表示部と、を有する入出力装置である。

【0041】

表示部は上記の機能パネルを備え、入力部は検知領域を備え、入力部は検知領域に近接す
るものを検知し、検知領域は画素と重なる領域を備える。

【0042】

これにより、表示部を用いて画像情報を表示しながら、表示部と重なる領域に近接するも
のを検知することができる。または、表示部に近接させる指などをポインタに用いて、位
置情報を入力することができる。または、位置情報を表示部に表示する画像情報に関連付
けることができる。その結果、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な入出力装置を
提供することができる。

【0043】

（１１）また、本発明の一態様は、演算装置と、入出力装置と、を有する情報処理装置で
ある。

【0044】

演算装置は入力情報または検知情報を供給され、演算装置は入力情報または検知情報に基
づいて、制御情報および画像情報を生成し、演算装置は制御情報および画像情報を供給す
る。

【0045】

入出力装置は入力情報および検知情報を供給し、入出力装置は制御情報および画像情報を
供給され、入出力装置は表示部、入力部および検知部を備える。

【0046】

表示部は上記の機能パネルを備え、表示部は制御情報に基づいて、画像情報を表示する。

【0047】

入力部は入力情報を生成し、検知部は検知情報を生成する。

【0048】

これにより、入力情報または検知情報に基づいて、制御情報を生成することができる。ま
たは、入力情報または検知情報に基づいて、画像情報を表示することができる。その結果
、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供することができる。

【0049】

（１２）また、本発明の一態様は、キーボード、ハードウェアボタン、ポインティングデ
バイス、タッチセンサ、照度センサ、撮像装置、音声入力装置、視線入力装置、姿勢検出
装置、のうち一以上と、上記の機能パネルと、を含む、情報処理装置である。

【0050】

これにより、さまざまな入力装置を用いて供給する情報に基づいて、画像情報または制御
情報を演算装置に生成させることができる。その結果、利便性、有用性または信頼性に優
れた新規な情報処理装置を提供することができる。

【0051】

本明細書に添付した図面では、構成要素を機能ごとに分類し、互いに独立したブロックと
してブロック図を示しているが、実際の構成要素は機能ごとに完全に切り分けることが難
しく、一つの構成要素が複数の機能に係わることもあり得る。

【0052】

本明細書においてトランジスタが有するソースとドレインは、トランジスタの極性及び各
端子に与えられる電位の高低によって、その呼び方が入れ替わる。一般的に、ｎチャネル
型トランジスタでは、低い電位が与えられる端子がソースと呼ばれ、高い電位が与えられ
る端子がドレインと呼ばれる。また、ｐチャネル型トランジスタでは、低い電位が与えら
れる端子がドレインと呼ばれ、高い電位が与えられる端子がソースと呼ばれる。本明細書
では、便宜上、ソースとドレインとが固定されているものと仮定して、トランジスタの接
続関係を説明する場合があるが、実際には上記電位の関係に従ってソースとドレインの呼
び方が入れ替わる。

【0053】

本明細書においてトランジスタのソースとは、活性層として機能する半導体膜の一部であ
るソース領域、或いは上記半導体膜に接続されたソース電極を意味する。同様に、トラン
ジスタのドレインとは、上記半導体膜の一部であるドレイン領域、或いは上記半導体膜に
接続されたドレイン電極を意味する。また、ゲートはゲート電極を意味する。

【0054】

本明細書においてトランジスタが直列に接続されている状態とは、例えば、第１のトラン
ジスタのソースまたはドレインの一方のみが、第２のトランジスタのソースまたはドレイ
ンの一方のみに接続されている状態を意味する。また、トランジスタが並列に接続されて
いる状態とは、第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方が第２のトランジスタ
のソースまたはドレインの一方に接続され、第１のトランジスタのソースまたはドレイン
の他方が第２のトランジスタのソースまたはドレインの他方に接続されている状態を意味
する。

【0055】

本明細書において接続とは、電気的な接続を意味しており、電流、電圧または電位が、供
給可能、或いは伝送可能な状態に相当する。従って、接続している状態とは、直接接続し
ている状態を必ずしも指すわけではなく、電流、電圧または電位が、供給可能、或いは伝
送可能であるように、配線、抵抗、ダイオード、トランジスタなどの回路素子を介して間
接的に接続している状態も、その範疇に含む。

【0056】

本明細書において回路図上は独立している構成要素どうしが接続されている場合であって
も、実際には、例えば配線の一部が電極として機能する場合など、一の導電膜が、複数の
構成要素の機能を併せ持っている場合もある。本明細書において接続とは、このような、
一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合も、その範疇に含める。

【0057】

また、本明細書中において、トランジスタの第１の電極または第２の電極の一方がソース
電極を、他方がドレイン電極を指す。

【発明の効果】

【0058】

本発明の一態様によれば、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な機能パネルを提供
することができる。または、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な半導体装置を提
供することができる。または、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な入出力装置を
提供することができる。または、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な情報処理装
置を提供することができる。または、新規な機能パネル、新規な入出力装置、新規な情報
処理装置または新規な半導体装置を提供することができる。

【0059】

なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一
態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は
、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面
、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。

【図面の簡単な説明】

【0060】

【図1】図１（Ａ）乃至（Ｃ）は、実施の形態に係る機能パネルの構成を説明する図である。

【図2】図２（Ａ）および（Ｂ）は実施の形態に係る機能パネルの構成を説明する断面図である。

【図3】図３は、実施の形態に係る機能パネルの構成を説明する断面図である。

【図4】図４（Ａ）乃至（Ｃ）は、実施の形態に係る機能パネルの構成を説明する断面図である。

【図5】図５（Ａ）乃至（Ｃ）は、実施の形態に係る表示装置の構成を説明する図である。

【図6】図６（Ａ）乃至（Ｃ）は、実施の形態に係る表示装置の構成を説明する図である。

【図7】図７（Ａ）および（Ｂ）は、実施の形態に係る表示装置の構成を説明する断面図である。

【図8】図８（Ａ）および（Ｂ）は、実施の形態に係る機能パネルの構成を説明する図である。

【図9】図９（Ａ）乃至（Ｃ）は、実施の形態に係る機能パネルの構成を説明する図である。

【図10】図１０は、実施の形態に係る機能パネルの構成を説明する回路図である。

【図11】図１１は、実施の形態に係る機能パネルの構成を説明する回路図である。

【図12】図１２は、実施の形態に係る機能パネルの構成を説明する断面図である。

【図13】図１３（Ａ）および（Ｂ）は、実施の形態に係る機能パネルの構成を説明する断面図である。

【図14】図１４（Ａ）および（Ｂ）は、実施の形態に係る機能パネルの構成を説明する断面図である。

【図15】図１５（Ａ）および（Ｂ）は、実施の形態に係る機能パネルの構成を説明する断面図である。

【図16】図１６は、実施の形態に係る機能パネルの構成を説明する図である。

【図17】図１７（Ａ）および（Ｂ）は、実施の形態に係る機能パネルの構成を説明する回路図である。

【図18】図１８は、実施の形態に係る機能パネルの動作を説明する図である。

【図19】図１９（Ａ）乃至（Ｄ）は、実施の形態に係る表示装置の構成を説明する図である。

【図20】図２０は、実施の形態に係る入出力装置の構成を説明するブロック図である。

【図21】図２１（Ａ）乃至（Ｄ）は、実施の形態に係る入出力装置の構成を説明する図である。

【図22】図２２（Ａ）乃至（Ｄ）は、実施の形態に係る入出力装置の構成を説明する図である。

【図23】図２３（Ａ）乃至（Ｃ）は、実施の形態に係る情報処理装置の構成を説明するブロック図および投影図である。

【図24】図２４（Ａ）および（Ｂ）は、実施の形態に係る情報処理装置の駆動方法を説明するフローチャートである。

【図25】図２５（Ａ）乃至（Ｃ）は、実施の形態に係る情報処理装置の駆動方法を説明する図である。

【図26】図２６（Ａ）乃至（Ｃ）は、実施の形態に係る情報処理装置の駆動方法を説明する図である。

【図27】図２７（Ａ）乃至（Ｅ）は、実施の形態に係る情報処理装置の構成を説明する図である。

【図28】図２８（Ａ）乃至（Ｅ）は、実施の形態に係る情報処理装置の構成を説明する図である。

【図29】図２９（Ａ）および（Ｂ）は、実施の形態に係る情報処理装置の構成を説明する図である。

【図30】図３０は、実施の形態に係る機能パネルの構成を説明する断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0061】

本発明の一態様の機能パネルは、第１の領域と、第２の領域と、第３の領域と、を有する
。第３の領域は第１の領域および第２の領域の間に挟まれ、第３の領域は屈曲することが
でき、第３の領域は機能層、接合層および第１の導電膜を備える。接合層は機能層および
第１の導電膜の間に挟まれる領域を備え、機能層は回路および絶縁膜を含み、回路は第２
の導電膜を含む。絶縁膜は第１の導電膜および第２の導電膜の間に挟まれる領域を備え、
第１の導電膜は第２の導電膜との間に容量を形成する。

【0062】

これにより、第１の導電膜を用いて、ノイズから回路を遮蔽できる。または、回路が安定
に動作することができる。その結果、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な機能パ
ネルを提供することができる。

【0063】

実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定さ
れず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し
得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の
記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する発明の構成において
、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、
その繰り返しの説明は省略する。

【0064】

（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の機能パネルの構成について、図１乃至図４および図
３０を参照しながら説明する。

【0065】

図１は本発明の一態様の機能パネルの構成を説明する図である。図１（Ａ）は本発明の一
態様の機能パネルの斜視図であり、図１（Ｂ）および図１（Ｃ）は図１（Ａ）に示す機能
パネルの一部を屈曲した状態を説明する図である。

【0066】

図２は本発明の一態様の機能パネルの構成を説明する図である。図２（Ａ）は図１（Ｂ）
に示す本発明の一態様の機能パネルの断面図であり、図２（Ｂ）は図２（Ａ）の一部を説
明する図である。

【0067】

図３は本発明の一態様の機能パネルの構成を説明する図である。図３は図１（Ｂ）に示す
本発明の一態様の機能パネルの断面図であり、図２（Ａ）の一部を説明する図である。

【0068】

図４は本発明の一態様の機能パネルの構成を説明する図である。図４（Ａ）は図２（Ｂ）
に示す本発明の一態様の機能パネルの断面図であり、図４（Ｂ）および図４（Ｃ）は、図
４（Ａ）とは異なる構成を説明する図である。

【0069】

図３０は本発明の一態様の機能パネルの構成を説明する図である。図３０は図４（Ａ）乃
至（Ｃ）とは異なる構成を説明する図である。

【0070】

なお、本明細書において、１以上の整数を値にとる変数を符号に用いる場合がある。例え
ば、１以上の整数の値をとる変数ｐを含む（ｐ）を、最大ｐ個の構成要素のいずれかを特
定する符号の一部に用いる場合がある。また、例えば、１以上の整数の値をとる変数ｍお
よび変数ｎを含む（ｍ，ｎ）を、最大ｍ×ｎ個の構成要素のいずれかを特定する符号の一
部に用いる場合がある。

【0071】

＜機能パネル７００の構成例１＞
本実施の形態で説明する機能パネルは、領域２３１（１）と、領域２３１（２）と、領域
２３１（３）と、を有する（図１（Ａ）乃至図１（Ｃ）参照）。

【0072】

《領域２３１（３）の構成例１》
領域２３１（３）は、領域２３１（１）および領域２３１（２）の間に挟まれる（図１（
Ｂ）および図２（Ａ）参照）。また、領域２３１（３）は屈曲することができる。

【0073】

領域２３１（３）は、機能層５２０、接合層５０５および導電膜５１０Ｍを備える（図２
（Ｂ）参照）。

【0074】

［接合層５０５の構成例］
接合層５０５は、機能層５２０および導電膜５１０Ｍの間に挟まれる領域を備える。例え
ば、接合層５０５は機能層５２０および導電膜５１０Ｍを貼り合わせる機能を備える。具
体的には、機能層５２０と、あらかじめ他の基材に成膜した導電膜５１０Ｍを、接合層５
０５を用いて、貼り合わせることができる。

【0075】

無機材料、有機材料または無機材料と有機材料の複合材料等を接合層５０５に用いること
ができる。

【0076】

例えば、熱溶融性の樹脂または硬化性の樹脂等の有機材料を、接合層５０５に用いること
ができる。

【0077】

例えば、反応硬化型接着剤、光硬化型接着剤、熱硬化型接着剤または／および嫌気型接着
剤等の有機材料を接合層５０５に用いることができる。

【0078】

具体的には、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミ
ド樹脂、イミド樹脂、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラ
ル）樹脂、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂等を含む接着剤を接合層５０５に用
いることができる。

【0079】

《機能層５２０の構成例１》
機能層５２０は、回路５３０および絶縁膜５０１Ｃを含む。

【0080】

《回路５３０の構成例１》
回路５３０は、導電膜５２４（１）を含む。例えば、トランジスタを回路５３０に用いる
ことができる。また、トランジスタのゲート電極、ソース電極またはドレイン電極に導電
膜を用いることができる。具体的には、ゲート電極に導電膜５２４（１）を用いることが
できる。

【0081】

《絶縁膜５０１Ｃの構成例１》
絶縁膜５０１Ｃは、導電膜５１０Ｍおよび導電膜５２４（１）の間に挟まれる領域を備え
る。例えば、シリコンおよび酸素を含む材料またはポリイミドなどを絶縁膜５０１Ｃに用
いることができる。これにより、例えば、回路５３０と導電膜５１０Ｍの間の短絡を防ぐ
ことができる。

【0082】

《導電膜５１０Ｍの構成例１》
導電膜５１０Ｍは、導電膜５２４（１）との間に容量ＣＳを形成する。例えば、無機導電
性材料、有機導電性材料、金属または導電性セラミックスなどを導電膜５１０Ｍに用いる
ことができる。具体的には、アルミニウムまたはチタンなど、配線に用いることができる
材料を用いることができる。また、蒸着法または印刷法を用いて膜状に成形することがで
きる。

【0083】

これにより、導電膜５１０Ｍを用いて、ノイズから回路５３０を遮蔽できる。その結果、
利便性、有用性または信頼性に優れた新規な機能パネルを提供することができる。

【0084】

＜機能パネル７００の構成例２＞
また、本発明の一態様の機能パネル７００は、基材５１０を有する。

【0085】

《基材５１０の構成例１》
基材５１０は、接合層５０５との間に、導電膜５１０Ｍを挟む領域を備える。例えば、可
撓性を有する材料を基材５１０に用いることができる。

【0086】

これにより、基材５１０を用いて、導電膜５１０Ｍを外力などから保護することができる
。または、屈曲に伴う摩擦から、導電膜５１０Ｍを保護することができる。その結果、利
便性、有用性または信頼性に優れた新規な機能パネルを提供することができる。

【0087】

＜機能パネル７００の構成例３＞
また、本発明の一態様の機能パネル７００は、領域２３１（４）と、領域２３１（５）と
、を有する。

【0088】

《領域２３１（５）の構成例１》
領域２３１（５）は、領域２３１（１）および領域２３１（４）の間に挟まれる（図１（
Ａ）、図１（Ｂ）および図２（Ａ）参照）。

【0089】

領域２３１（５）は、曲げ剛性ＥＩ（５）を備える。

【0090】

《領域２３１（３）の構成例２》
領域２３１（３）は基材４１０を備え、基材４１０は接合層５０５との間に、導電膜５１
０Ｍを挟む領域を備える（図２（Ｂ）、図４（Ａ）および図３０参照）。例えば、接合層
４１０Ａを基材４１０および基材５１０の貼り合わせに用いることができる。

【0091】

また、領域２３１（３）が、導電膜５１０Ｍおよび基材５１０の間に基材４１０を挟む領
域を備えてもよい（図４（Ｂ）または図４（Ｃ）参照）。

【0092】

領域２３１（３）は曲げ剛性ＥＩ（３）を備え、曲げ剛性ＥＩ（３）は曲げ剛性ＥＩ（５
）に比べて高い。

【0093】

これにより、領域２３１（３）の中立面を基材４１０に近づけることができる。または、
領域２３１（５）の中立面より領域２３１（３）の中立面を基材４１０に近づけることが
できる。または、屈曲に伴って現れる曲率円の中心を基準にして、機能層５２０より導電
膜５１０Ｍが外側になるように、領域２３１（３）を屈曲することができる。または、当
該方向への屈曲に伴い、例えば、導電膜５２４（１）に加わる引っ張り応力を軽減できる
。または、例えば、当該方向への屈曲に伴う圧縮応力を、導電膜５２４（１）に加えるこ
とができる。または、当該方向への屈曲に伴う、例えば、機能層５２０の破壊を防ぐこと
ができる。その結果、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な機能パネルを提供する
ことができる。

【0094】

《領域２３１の構成例１》
領域２３１（３）は、屈曲に伴って現れる曲率円の中心を基準にして、機能層５２０より
導電膜５１０Ｍが外側になるように屈曲する。また、領域２３１（５）は、領域２３１（
３）とは逆向きに屈曲することができる（図２（Ａ）、図２（Ｂ）および図３参照）。

【0095】

これにより、方向が互い違いになるように、領域２３１（３）および領域２３１（５）を
屈曲することができる。または、機能パネルを、例えば、ジグザグに屈曲することができ
る。または、ジグザグの屈曲に伴う、例えば、機能層５２０の破壊を防ぐことができる。
または、例えば、屈曲に伴って現れる曲率円の中心を基準にして、機能層５２０より導電
膜５１０Ｍが内側になるように、領域２３１（５）を屈曲することができる。その結果、
利便性、有用性または信頼性に優れた新規な機能パネルを提供することができる。

【0096】

＜機能パネル７００の構成例４＞
また、本発明の一態様の機能パネル７００は、画素７０２Ｇ（ｉ，ｊ）、を有する。なお
、機能パネル７００は画素７０３（ｉ，ｊ）を有し、画素７０３（ｉ，ｊ）は画素７０２
Ｇ（ｉ，ｊ）を備える（図１（Ａ）、図８（Ａ）および図８（Ｂ）参照）。

【0097】

回路５３０は、画素回路５３０Ｇ（ｉ，ｊ）を含む（図１２参照）。

【0098】

《画素７０２Ｇ（ｉ，ｊ）の構成例１》
画素７０２Ｇ（ｉ，ｊ）は、発光素子５５０Ｇ（ｉ，ｊ）および画素回路５３０Ｇ（ｉ，
ｊ）を備える。

【0099】

発光素子５５０Ｇ（ｉ，ｊ）は、画素回路５３０Ｇ（ｉ，ｊ）と電気的に接続される。

【0100】

これにより、導電膜５１０Ｍを用いて、画素７０２Ｇ（ｉ，ｊ）を遮蔽し、ノイズの伝搬
を防ぐことができる。または、表示に対するノイズの影響を軽減することができる。また
は、屈曲に伴う表示の乱れを軽減することができる。または、指などの近接に伴う表示の
乱れを軽減することができる。その結果、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な機
能パネルを提供することができる。

【0101】

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる
。

【0102】

（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の一態様の機能パネルの構成について、図８乃至図１１を参照
しながら説明する。

【0103】

図８は本発明の一態様の機能パネルの構成を説明する図である。図８（Ａ）は本発明の一
態様の機能パネルの構成を説明する上面図であり、図８（Ｂ）は図８（Ａ）の一部を説明
する図である。

【0104】

図９（Ａ）は図８（Ａ）の一部を説明する図であり、図９（Ｂ）は図９（Ａ）の一部を説
明する図であり、図９（Ｃ）は図９（Ａ）の他の一部を説明する図である。

【0105】

図１０は本発明の一態様の機能パネルの構成を説明する図である。図１０は画素回路の構
成を説明する回路図である。

【0106】

図１１は本発明の一態様の機能パネルの構成を説明する図である。図１１は画素回路の構
成を説明する回路図である。

【0107】

＜機能パネル７００の構成例１＞
機能パネル７００は一組の画素７０３（ｉ，ｊ）を有する（図８（Ａ）参照）。

【0108】

《画素７０３（ｉ，ｊ）の構成例１》
一組の画素７０３（ｉ，ｊ）は、画素７０２Ｇ（ｉ，ｊ）を備える（図８（Ｂ）参照）。
画素７０２Ｇ（ｉ，ｊ）は、画素回路５３０Ｇ（ｉ，ｊ）および発光素子５５０Ｇ（ｉ，
ｊ）を備え、発光素子５５０Ｇ（ｉ，ｊ）は画素回路５３０Ｇ（ｉ，ｊ）と電気的に接続
される（図９（Ａ）参照）。

【0109】

《画素回路５３０Ｇ（ｉ，ｊ）の構成例１》
画素回路５３０Ｇ（ｉ，ｊ）は、スイッチＳＷ２１、スイッチＳＷ２２、トランジスタＭ
２１、容量Ｃ２１およびノードＮ２１を備える（図１０参照）。

【0110】

トランジスタＭ２１は、ノードＮ２１と電気的に接続されるゲート電極と、発光素子５５
０Ｇ（ｉ，ｊ）と電気的に接続される第１の電極と、導電膜ＡＮＯと電気的に接続される
第２の電極と、を備える。

【0111】

スイッチＳＷ２１は、ノードＮ２１と電気的に接続される第１の端子と、導電膜Ｓ１ｇ（
ｊ）と電気的に接続される第２の端子と、導電膜Ｇ１（ｉ）の電位に基づいて、導通状態
または非導通状態を制御する機能を備える。

【0112】

スイッチＳＷ２２は、導電膜Ｓ２ｇ（ｊ）と電気的に接続される第１の端子と、導電膜Ｇ
２（ｉ）の電位に基づいて、導通状態または非導通状態を制御する機能を備える。

【0113】

容量Ｃ２１は、ノードＮ２１と電気的に接続される導電膜と、スイッチＳＷ２２の第２の
電極と電気的に接続される導電膜を備える。

【0114】

これにより、画像信号をノードＮ２１に格納することができる。または、ノードＮ２１の
電位を、スイッチＳＷ２２を用いて、変更することができる。または、発光素子５５０Ｇ
（ｉ，ｊ）が射出する光の強度を、ノードＮ２１の電位を用いて、制御することができる
。その結果、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な機能パネルを提供することがで
きる。

【0115】

《発光素子５５０Ｇ（ｉ，ｊ）の構成例１》
例えば、有機エレクトロルミネッセンス素子、無機エレクトロルミネッセンス素子、発光
ダイオードまたはＱＤＬＥＤ（Ｑｕａｎｔｕｍ Ｄｏｔ ＬＥＤ）等を、発光素子５５０
Ｇ（ｉ，ｊ）に用いることができる。

【0116】

《画素７０３（ｉ，ｊ）の構成例２》
画素７０３（ｉ，ｊ）は、画素７０２Ｓ（ｉ，ｊ）を備える（図８（Ｂ）参照）。画素７
０２Ｓ（ｉ，ｊ）は、画素回路５３０Ｓ（ｉ，ｊ）および光電変換素子ＰＤ（ｉ，ｊ）を
備え、光電変換素子ＰＤ（ｉ，ｊ）は画素回路５３０Ｓ（ｉ，ｊ）と電気的に接続される
（図９（Ａ）参照）。

【0117】

《画素回路５３０Ｓ（ｉ，ｊ）の構成例１》
画素回路５３０Ｓ（ｉ，ｊ）は、スイッチＳＷ３１、スイッチＳＷ３２、スイッチＳＷ３
３、トランジスタＭ３１、容量Ｃ３１およびノードＦＤを備える（図１１参照）。

【0118】

スイッチＳＷ３１は、光電変換素子ＰＤ（ｉ，ｊ）と電気的に接続される第１の端子と、
ノードＦＤと電気的に接続される第２の端子と、導電膜ＴＸ（ｉ）の電位に基づいて、導
通状態または非導通状態を制御する機能を備える。

【0119】

スイッチＳＷ３２は、ノードＦＤと電気的に接続される第１の端子と、導電膜ＶＲと電気
的に接続される第２の端子と、導電膜ＲＳ（ｉ）の電位に基づいて、導通状態または非導
通状態を制御する機能を備える。

【0120】

容量Ｃ３１は、ノードＦＤと電気的に接続される導電膜と、導電膜ＶＣＰと電気的に接続
される導電膜を備える。

【0121】

トランジスタＭ３１は、ノードＦＤと電気的に接続されるゲート電極と、導電膜ＶＰＩと
電気的に接続される第１の電極と、を備える。

【0122】

スイッチＳＷ３３は、トランジスタＭ３１の第２の電極と電気的に接続される第１の端子
と、導電膜ＷＸ（ｊ）と電気的に接続される第２の端子と、導電膜ＳＥ（ｉ）の電位に基
づいて、導通状態または非導通状態を制御する機能を備える。

【0123】

これにより、光電変換素子ＰＤ（ｉ，ｊ）が生成した撮像信号を、スイッチＳＷ３１を用
いて、ノードＦＤに転送することができる。または、光電変換素子ＰＤ（ｉ，ｊ）が生成
した撮像信号を、スイッチＳＷ３１を用いて、ノードＦＤに格納することができる。また
は、画素回路５３０Ｓ（ｉ，ｊ）および光電変換素子ＰＤ（ｉ，ｊ）の間を、スイッチＳ
Ｗ３１を用いて、非導通状態にすることができる。または、相関二重サンプリング法を適
用することができる。または、撮像信号に含まれるノイズを低減することができる。その
結果、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な機能パネルを提供することができる。

【0124】

《光電変換素子ＰＤ（ｉ，ｊ）の構成例１》
例えば、ヘテロ接合型の光電変換素子、バルクヘテロ接合型の光電変換素子等を、光電変
換素子ＰＤ（ｉ，ｊ）に用いることができる。

【0125】

《画素７０３（ｉ，ｊ）の構成例３》
複数の画素を画素７０３（ｉ，ｊ）に用いることができる。例えば、色相が互いに異なる
色を表示する複数の画素を用いることができる。なお、複数の画素のそれぞれを副画素と
言い換えることができる。または、複数の副画素を一組にして、画素と言い換えることが
できる。

【0126】

これにより、当該複数の画素が表示する色を加法混色または減法混色することができる。
または、個々の画素では表示することができない色相の色を、表示することができる。

【0127】

具体的には、青色を表示する画素７０２Ｂ（ｉ，ｊ）、緑色を表示する画素７０２Ｇ（ｉ
，ｊ）および赤色を表示する画素７０２Ｒ（ｉ，ｊ）を画素７０３（ｉ，ｊ）に用いるこ
とができる。また、画素７０２Ｂ（ｉ，ｊ）、画素７０２Ｇ（ｉ，ｊ）および画素７０２
Ｒ（ｉ，ｊ）のそれぞれを副画素と言い換えることができる（図８（Ｂ）参照）。

【0128】

また、例えば、白色等を表示する画素を上記の一組に加えて、画素７０３（ｉ，ｊ）に用
いることができる。また、シアンを表示する画素、マゼンタを表示する画素およびイエロ
ーを表示する画素を、画素７０３（ｉ，ｊ）に用いることができる。

【0129】

また、例えば、赤外線を射出する画素を上記の一組に加えて、画素７０３（ｉ，ｊ）に用
いることができる。具体的には、６５０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下の波長を備える光を含
む光を射出する画素を、画素７０３（ｉ，ｊ）に用いることができる。

【0130】

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる
。

【0131】

（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様の機能パネルの構成について、図１２乃至図１５を参
照しながら説明する。

【0132】

図１２は本発明の一態様の機能パネルの構成を説明する図である。図１２は図８（Ａ）の
切断線Ｘ１－Ｘ２、Ｘ３－Ｘ４、Ｘ９－Ｘ１０、Ｘ１１－Ｘ１２および画素における断面
図である。

【0133】

図１３は本発明の一態様の機能パネルの構成を説明する図である。図１３（Ａ）は図８（
Ｂ）に示す画素７０２Ｇ（ｉ，ｊ）の断面図であり、図１３（Ｂ）は図１３（Ａ）の一部
を説明する断面図である。

【0134】

図１４は本発明の一態様の機能パネルの構成を説明する図である。図１４（Ａ）は図８（
Ｂ）に示す画素７０２Ｓ（ｉ，ｊ）の断面図であり、図１４（Ｂ）は図１４（Ａ）の一部
を説明する断面図である。

【0135】

図１５は本発明の一態様の機能パネルの構成を説明する図である。図１５（Ａ）は図８（
Ａ）の切断線Ｘ１－Ｘ２および切断線Ｘ３－Ｘ４における断面図であり、図１５（Ｂ）は
図１５（Ａ）の一部を説明する図である。

【0136】

＜機能パネル７００の構成例１＞
本発明の一態様の機能パネルは、機能層５２０を有する（図１２参照）。

【0137】

《機能層５２０の構成例１》
機能層５２０は、画素回路５３０Ｇ（ｉ，ｊ）を備える（図１２参照）。機能層５２０は
、例えば、画素回路５３０Ｇ（ｉ，ｊ）に用いるトランジスタＭ２１を含む（図１０およ
び図１３（Ａ）参照）。

【0138】

機能層５２０は開口部５９１Ｇを備える。画素回路５３０Ｇ（ｉ，ｊ）は開口部５９１Ｇ
において、発光素子５５０Ｇ（ｉ，ｊ）と電気的に接続される（図１２および図１３（Ａ
）参照）。

【0139】

《機能層５２０の構成例２》
機能層５２０は、画素回路５３０Ｓ（ｉ，ｊ）を備える（図１２参照）。機能層５２０は
、例えば、画素回路５３０Ｓ（ｉ，ｊ）のスイッチＳＷ３１に用いるトランジスタを含む
（図１２および図１４（Ａ）参照）。

【0140】

機能層５２０は開口部５９１Ｓを備え、画素回路５３０Ｓ（ｉ，ｊ）は、開口部５９１Ｓ
において、光電変換素子ＰＤ（ｉ，ｊ）と電気的に接続される（図１２および図１４（Ａ
）参照）。

【0141】

これにより、画素回路５３０Ｇ（ｉ，ｊ）を機能層５２０に形成することができる。また
は、画素回路５３０Ｓ（ｉ，ｊ）を機能層５２０に形成することができる。または、例え
ば、画素回路５３０Ｇ（ｉ，ｊ）に用いる半導体膜を形成する工程において、画素回路５
３０Ｓ（ｉ，ｊ）に用いる半導体膜を形成することができる。または、機能パネルの作製
工程を簡略化することができる。その結果、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な
機能パネルを提供することができる。

【0142】

《機能層５２０の構成例３》
機能層５２０は駆動回路ＧＤを備える（図８（Ａ）および図１２参照）。機能層５２０は
、例えば、駆動回路ＧＤに用いるトランジスタＭＤを含む（図１２および図１５（Ａ）参
照）。

【0143】

機能層５２０は駆動回路ＲＤおよび読み出し回路ＲＣを備える（図１２参照）。

【0144】

これにより、例えば、画素回路５３０Ｇ（ｉ，ｊ）に用いる半導体膜を形成する工程にお
いて、駆動回路ＧＤに用いる半導体膜を形成することができる。または、例えば、画素回
路５３０Ｇ（ｉ，ｊ）に用いる半導体膜を形成する工程において、駆動回路ＲＤおよび読
み出し回路ＲＣに用いる半導体膜を形成することができる。または、機能パネルの作製工
程を簡略化することができる。その結果、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な機
能パネルを提供することができる。

【0145】

《トランジスタの構成例》
ボトムゲート型のトランジスタまたはトップゲート型のトランジスタなど、機能層５２０
に用いることができる。具体的には、トランジスタをスイッチに用いることができる。

【0146】

トランジスタは、半導体膜５０８、導電膜５０４、導電膜５１２Ａおよび導電膜５１２Ｂ
を備える（図１３（Ｂ）参照）。

【0147】

半導体膜５０８は、導電膜５１２Ａと電気的に接続される領域５０８Ａ、導電膜５１２Ｂ
と電気的に接続される領域５０８Ｂを備える。半導体膜５０８は、領域５０８Ａおよび領
域５０８Ｂの間に領域５０８Ｃを備える。

【0148】

導電膜５０４は領域５０８Ｃと重なる領域を備え、導電膜５０４はゲート電極の機能を備
える。

【0149】

絶縁膜５０６は、半導体膜５０８および導電膜５０４の間に挟まれる領域を備える。絶縁
膜５０６はゲート絶縁膜の機能を備える。

【0150】

導電膜５１２Ａはソース電極の機能またはドレイン電極の機能の一方を備え、導電膜５１
２Ｂはソース電極の機能またはドレイン電極の機能の他方を備える。

【0151】

また、導電膜５２４をトランジスタに用いることができる。導電膜５２４は、導電膜５０
４との間に半導体膜５０８を挟む領域を備える。導電膜５２４は、第２のゲート電極の機
能を備える。

【0152】

なお、画素回路のトランジスタに用いる半導体膜を形成する工程において、駆動回路のト
ランジスタに用いる半導体膜を形成することができる。

【0153】

《半導体膜５０８の構成例１》
例えば、１４族の元素を含む半導体を半導体膜５０８に用いることができる。具体的には
、シリコンを含む半導体を半導体膜５０８に用いることができる。

【0154】

［水素化アモルファスシリコン］
例えば、水素化アモルファスシリコンを半導体膜５０８に用いることができる。または、
微結晶シリコンなどを半導体膜５０８に用いることができる。これにより、例えば、ポリ
シリコンを半導体膜５０８に用いる機能パネルより、表示ムラが少ない機能パネルを提供
することができる。または、機能パネルの大型化が容易である。

【0155】

［ポリシリコン］
例えば、ポリシリコンを半導体膜５０８に用いることができる。これにより、例えば、水
素化アモルファスシリコンを半導体膜５０８に用いるトランジスタより、トランジスタの
電界効果移動度を高くすることができる。または、例えば、水素化アモルファスシリコン
を半導体膜５０８に用いるトランジスタより、駆動能力を高めることができる。または、
例えば、水素化アモルファスシリコンを半導体膜５０８に用いるトランジスタより、画素
の開口率を向上することができる。

【0156】

または、例えば、水素化アモルファスシリコンを半導体膜５０８に用いるトランジスタよ
り、トランジスタの信頼性を高めることができる。

【0157】

または、トランジスタの作製に要する温度を、例えば、単結晶シリコンを用いるトランジ
スタより、低くすることができる。

【0158】

または、駆動回路のトランジスタに用いる半導体膜を、画素回路のトランジスタに用いる
半導体膜と同一の工程で形成することができる。または、画素回路を形成する基板と同一
の基板上に駆動回路を形成することができる。または、電子機器を構成する部品数を低減
することができる。

【0159】

［単結晶シリコン］
例えば、単結晶シリコンを半導体膜５０８に用いることができる。これにより、例えば、
水素化アモルファスシリコンを半導体膜５０８に用いる機能パネルより、精細度を高める
ことができる。または、例えば、ポリシリコンを半導体膜５０８に用いる機能パネルより
、表示ムラが少ない機能パネルを提供することができる。または、例えば、スマートグラ
スまたはヘッドマウントディスプレイを提供することができる。

【0160】

《半導体膜５０８の構成例２》
例えば、金属酸化物を半導体膜５０８に用いることができる。これにより、アモルファス
シリコンを半導体膜に用いたトランジスタを利用する画素回路と比較して、画素回路が画
像信号を保持することができる時間を長くすることができる。具体的には、フリッカーの
発生を抑制しながら、選択信号を３０Ｈｚ未満、好ましくは１Ｈｚ未満、より好ましくは
一分に一回未満の頻度で供給することができる。その結果、情報処理装置の使用者に蓄積
する疲労を低減することができる。また、駆動に伴う消費電力を低減することができる。

【0161】

また、アモルファスシリコンを半導体膜に用いたトランジスタを利用する画素回路と比較
して、画素回路が撮像信号を保持することができる時間を長くすることができる。具体的
には、選択信号を３０Ｈｚ未満、好ましくは１Ｈｚ未満、より好ましくは一分に一回未満
の頻度で供給することができる。その結果、グローバルシャッター方式で撮影することが
できる。また、運動する被写体を、歪みを抑えて撮影することができる。

【0162】

例えば、酸化物半導体を用いるトランジスタを利用することができる。具体的には、イン
ジウムを含む酸化物半導体またはインジウムとガリウムと亜鉛を含む酸化物半導体を半導
体膜に用いることができる。

【0163】

一例を挙げれば、オフ状態におけるリーク電流が、半導体膜にアモルファスシリコンを用
いたトランジスタより小さいトランジスタを用いることができる。具体的には、酸化物半
導体を半導体膜に用いたトランジスタをスイッチ等に利用することができる。これにより
、アモルファスシリコンを用いたトランジスタをスイッチに利用する回路より長い時間、
フローティングノードの電位を保持することができる。

【0164】

例えば、インジウム、ガリウムおよび亜鉛を含む厚さ２５ｎｍの膜を、半導体膜５０８に
用いることができる。

【0165】

例えば、タンタルおよび窒素を含む厚さ１０ｎｍの膜と、銅を含む厚さ３００ｎｍの膜と
、を積層した導電膜を導電膜５０４に用いることができる。なお、銅を含む膜は、絶縁膜
５０６との間に、タンタルおよび窒素を含む膜を挟む領域を備える。

【0166】

例えば、シリコンおよび窒素を含む厚さ４００ｎｍの膜と、シリコン、酸素および窒素を
含む厚さ２００ｎｍの膜と、を積層した積層膜を、絶縁膜５０６に用いることができる。
なお、シリコンおよび窒素を含む膜は、半導体膜５０８との間に、シリコン、酸素および
窒素を含む膜を挟む領域を備える。

【0167】

例えば、タングステンを含む厚さ５０ｎｍの膜と、アルミニウムを含む厚さ４００ｎｍの
膜と、チタンを含む厚さ１００ｎｍの膜と、をこの順で積層した導電膜を、導電膜５１２
Ａまたは導電膜５１２Ｂに用いることができる。なお、タングステンを含む膜は、半導体
膜５０８と接する領域を備える。

【0168】

ところで、例えば、アモルファスシリコンを半導体に用いるボトムゲート型のトランジス
タの製造ラインは、酸化物半導体を半導体に用いるボトムゲート型のトランジスタの製造
ラインに容易に改造できる。また、例えばポリシリコンを半導体に用いるトップゲート型
のトランジスタの製造ラインは、酸化物半導体を半導体に用いるトップゲート型のトラン
ジスタの製造ラインに容易に改造できる。いずれの改造も、既存の製造ラインを有効に活
用することができる。

【0169】

これにより、表示のチラツキを抑制することができる。または、消費電力を低減すること
ができる。または、動きの速い動画を滑らかに表示することができる。または、豊かな階
調で写真等を表示することができる。その結果、利便性、有用性または信頼性に優れた新
規な機能パネルを提供することができる。

【0170】

《半導体膜５０８の構成例３》
例えば、化合物半導体をトランジスタの半導体に用いることができる。具体的には、ガリ
ウムヒ素を含む半導体を用いることができる。

【0171】

例えば、有機半導体をトランジスタの半導体に用いることができる。具体的には、ポリア
セン類またはグラフェンを含む有機半導体を半導体膜に用いることができる。

【0172】

《容量の構成例》
容量は、一の導電膜、他の導電膜および絶縁膜を備える。当該絶縁膜は一の導電膜および
他の導電膜の間に挟まれる領域を備える。

【0173】

例えば、トランジスタのソース電極またはドレイン電極に用いる導電膜と、ゲート電極に
用いる導電膜と、ゲート絶縁膜に用いる絶縁膜と、を容量に用いることができる。

【0174】

《機能層５２０の構成例２》
機能層５２０は、絶縁膜５２１、絶縁膜５１８、絶縁膜５１６、絶縁膜５０６および絶縁
膜５０１Ｃ等を備える（図１３（Ａ）および図１３（Ｂ）参照）。

【0175】

絶縁膜５２１は、画素回路５３０Ｇ（ｉ，ｊ）および発光素子５５０Ｇ（ｉ，ｊ）の間に
挟まれる領域を備える。

【0176】

絶縁膜５１８は、絶縁膜５２１および絶縁膜５０１Ｃの間に挟まれる領域を備える。

【0177】

絶縁膜５１６は絶縁膜５１８および絶縁膜５０１Ｃの間に挟まれる領域を備える。

【0178】

絶縁膜５０６は絶縁膜５１６および絶縁膜５０１Ｃの間に挟まれる領域を備える。

【0179】

［絶縁膜５２１］
例えば、絶縁性の無機材料、絶縁性の有機材料または無機材料と有機材料を含む絶縁性の
複合材料を、絶縁膜５２１に用いることができる。

【0180】

具体的には、無機酸化物膜、無機窒化物膜または無機酸化窒化物膜等またはこれらから選
ばれた複数を積層した積層材料を、絶縁膜５２１に用いることができる。

【0181】

例えば、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等
またはこれらから選ばれた複数を積層した積層材料を含む膜を、絶縁膜５２１に用いるこ
とができる。なお、窒化シリコン膜は緻密な膜であり、不純物の拡散を抑制する機能に優
れる。

【0182】

例えば、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート、
ポリシロキサン若しくはアクリル樹脂等またはこれらから選択された複数の樹脂の積層材
料もしくは複合材料などを絶縁膜５２１に用いることができる。ところで、ポリイミドは
熱的安定性、絶縁性、靱性、低誘電率、低熱膨張率、耐薬品性などの特性において他の有
機材料に比べて優れた特性を備える。これにより、特にポリイミドを絶縁膜５２１等に好
適に用いることができる。

【0183】

また、感光性を有する材料を用いて、絶縁膜５２１を形成してもよい。具体的には、感光
性のポリイミドまたは感光性のアクリル樹脂等を用いて形成された膜を絶縁膜５２１に用
いることができる。

【0184】

これにより、絶縁膜５２１は、例えば、絶縁膜５２１と重なるさまざまな構造に由来する
段差を平坦化することができる。

【0185】

［絶縁膜５１８］
例えば、絶縁膜５２１に用いることができる材料を絶縁膜５１８に用いることができる。

【0186】

例えば、酸素、水素、水、アルカリ金属、アルカリ土類金属等の拡散を抑制する機能を備
える材料を絶縁膜５１８に用いることができる。具体的には、窒化物絶縁膜を絶縁膜５１
８に用いることができる。例えば、窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化アルミニウム
、窒化酸化アルミニウム等を絶縁膜５１８に用いることができる。これにより、トランジ
スタの半導体膜への不純物の拡散を抑制することができる。

【0187】

［絶縁膜５１６］
例えば、絶縁膜５２１に用いることができる材料を絶縁膜５１６に用いることができる。

【0188】

具体的には、絶縁膜５１８とは作製方法が異なる膜を絶縁膜５１６に用いることができる
。

【0189】

［絶縁膜５０６］
例えば、絶縁膜５２１に用いることができる材料を絶縁膜５０６に用いることができる。

【0190】

具体的には、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、窒化シリコン
膜、酸化アルミニウム膜、酸化ハフニウム膜、酸化イットリウム膜、酸化ジルコニウム膜
、酸化ガリウム膜、酸化タンタル膜、酸化マグネシウム膜、酸化ランタン膜、酸化セリウ
ム膜または酸化ネオジム膜を含む膜を絶縁膜５０６に用いることができる。

【0191】

［絶縁膜５０１Ｄ］
絶縁膜５０１Ｄは、絶縁膜５０１Ｃおよび絶縁膜５１６の間に挟まれる領域を備える。

【0192】

例えば、絶縁膜５０６に用いることができる材料を絶縁膜５０１Ｄに用いることができる
。

【0193】

［絶縁膜５０１Ｃ］
例えば、絶縁膜５２１に用いることができる材料を絶縁膜５０１Ｃに用いることができる
。具体的には、シリコンおよび酸素を含む材料を絶縁膜５０１Ｃに用いることができる。
これにより、画素回路、発光素子または光電変換素子等への不純物の拡散を抑制すること
ができる。

【0194】

《機能層５２０の構成例３》
機能層５２０は、導電膜、配線および端子を備える。導電性を備える材料を配線、電極、
端子、導電膜等に用いることができる。

【0195】

［配線等］
例えば、無機導電性材料、有機導電性材料、金属または導電性セラミックスなどを配線等
に用いることができる。

【0196】

具体的には、アルミニウム、金、白金、銀、銅、クロム、タンタル、チタン、モリブデン
、タングステン、ニッケル、鉄、コバルト、パラジウムまたはマンガンから選ばれた金属
元素などを、配線等に用いることができる。または、上述した金属元素を含む合金などを
、配線等に用いることができる。特に、銅とマンガンの合金がウエットエッチング法を用
いた微細加工に好適である。

【0197】

具体的には、アルミニウム膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にチタン
膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、窒化タン
タル膜または窒化タングステン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、チタン膜と、
そのチタン膜上にアルミニウム膜を積層し、さらにその上にチタン膜を形成する三層構造
等を配線等に用いることができる。

【0198】

具体的には、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、
ガリウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物を、配線等に用いることができる。

【0199】

具体的には、グラフェンまたはグラファイトを含む膜を配線等に用いることができる。

【0200】

例えば、酸化グラフェンを含む膜を形成し、酸化グラフェンを含む膜を還元することによ
り、グラフェンを含む膜を形成することができる。還元する方法としては、熱を加える方
法や還元剤を用いる方法等を挙げることができる。

【0201】

例えば、金属ナノワイヤーを含む膜を配線等に用いることができる。具体的には、銀を含
むナノワイヤーを用いることができる。

【0202】

具体的には、導電性高分子を配線等に用いることができる。

【0203】

なお、例えば、導電材料を用いて、端子５１９Ｂをフレキシブルプリント基板ＦＰＣ１と
電気的に接続することができる（図１２参照）。具体的には、導電材料ＣＰを用いて、端
子５１９Ｂをフレキシブルプリント基板ＦＰＣ１と電気的に接続することができる。

【0204】

＜機能パネル７００の構成例２＞
また、機能パネル７００は、基材５１０、基材７７０および封止材７０５を備える（図１
３（Ａ）参照）。また、機能パネル７００は構造体ＫＢを備える。

【0205】

《基材５１０、基材７７０》
透光性を備える材料を、基材５１０または基材７７０に用いることができる。

【0206】

例えば、可撓性を有する材料を基材５１０または基材７７０に用いることができる。これ
により、可撓性を備える機能パネルを提供することができる。

【0207】

例えば、厚さ０．７ｍｍ以下厚さ０．１ｍｍ以上の材料を用いることができる。具体的に
は、厚さ０．１ｍｍ程度まで研磨した材料を用いることができる。これにより、重量を低
減することができる。

【0208】

ところで、第６世代（１５００ｍｍ×１８５０ｍｍ）、第７世代（１８７０ｍｍ×２２０
０ｍｍ）、第８世代（２２００ｍｍ×２４００ｍｍ）、第９世代（２４００ｍｍ×２８０
０ｍｍ）、第１０世代（２９５０ｍｍ×３４００ｍｍ）等のガラス基板を基材５１０また
は基材７７０に用いることができる。これにより、大型の表示装置を作製することができ
る。

【0209】

有機材料、無機材料または有機材料と無機材料等の複合材料等を基材５１０または基材７
７０に用いることができる。

【0210】

例えば、ガラス、セラミックス、金属等の無機材料を用いることができる。具体的には、
無アルカリガラス、ソーダ石灰ガラス、カリガラス、クリスタルガラス、アルミノ珪酸ガ
ラス、強化ガラス、化学強化ガラス、石英またはサファイア等を、基材５１０または基材
７７０に用いることができる。または、アルミノ珪酸ガラス、強化ガラス、化学強化ガラ
スまたはサファイア等を、機能パネルの使用者に近い側に配置される基材５１０または基
材７７０に好適に用いることができる。これにより、使用に伴う機能パネルの破損や傷付
きを防止することができる。

【0211】

具体的には、無機酸化物膜、無機窒化物膜または無機酸窒化物膜等を用いることができる
。例えば、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜
等を用いることができる。ステンレス・スチールまたはアルミニウム等を基材５１０また
は基材７７０に用いることができる。

【0212】

例えば、シリコンや炭化シリコンからなる単結晶半導体基板、多結晶半導体基板、シリコ
ンゲルマニウム等の化合物半導体基板、ＳＯＩ基板等を基材５１０または基材７７０に用
いることができる。これにより、半導体素子を基材５１０または基材７７０に形成するこ
とができる。

【0213】

例えば、樹脂、樹脂フィルムまたはプラスチック等の有機材料を基材５１０または基材７
７０に用いることができる。具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド（
ナイロン、アラミド等）、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリウレタンまたはアクリル
樹脂、エポキシ樹脂またはシリコーンなどのシロキサン結合を有する樹脂を含む材料を基
材５１０または基材７７０に用いることができる。例えば、これらの材料を含む樹脂フィ
ルム、樹脂板または積層材料等を用いることができる。これにより、重量を低減すること
ができる。または、例えば、落下に伴う破損等の発生頻度を低減することができる。

【0214】

具体的には、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥ
Ｎ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）または
シクロオレフィンコポリマー（ＣＯＣ）等を基材５１０または基材７７０に用いることが
できる。

【0215】

例えば、金属板、薄板状のガラス板または無機材料等の膜と樹脂フィルム等を貼り合わせ
た複合材料を基材５１０または基材７７０に用いることができる。例えば、繊維状または
粒子状の金属、ガラスもしくは無機材料等を樹脂に分散した複合材料を基材５１０または
基材７７０に用いることができる。例えば、繊維状または粒子状の樹脂もしくは有機材料
等を無機材料に分散した複合材料を基材５１０または基材７７０に用いることができる。

【0216】

また、単層の材料または複数の層が積層された材料を、基材５１０または基材７７０に用
いることができる。例えば、絶縁膜等が積層された材料を用いることができる。具体的に
は、酸化シリコン層、窒化シリコン層または酸化窒化シリコン層等から選ばれた一または
複数の膜が積層された材料を用いることができる。これにより、例えば、基材に含まれる
不純物の拡散を防ぐことができる。または、ガラスまたは樹脂に含まれる不純物の拡散を
防ぐことができる。または、樹脂を透過する不純物の拡散を防ぐことができる。

【0217】

また、紙または木材などを基材５１０または基材７７０に用いることができる。

【0218】

例えば、作製工程中の熱処理に耐えうる程度の耐熱性を有する材料を基材５１０または基
材７７０に用いることができる。具体的には、トランジスタまたは容量等を直接形成する
作成工程中に加わる熱に耐熱性を有する材料を、基材５１０または基材７７０に用いるこ
とができる。

【0219】

例えば、作製工程中に加わる熱に耐熱性を有する工程用基板に絶縁膜、トランジスタまた
は容量等を形成し、形成された絶縁膜、トランジスタまたは容量等を、例えば、基材５１
０または基材７７０に転置する方法を用いることができる。これにより、例えば、可撓性
を有する基板に絶縁膜、トランジスタまたは容量等を形成できる。

【0220】

《封止材７０５》
封止材７０５は、機能層５２０および基材７７０の間に挟まれる領域を備え、機能層５２
０および基材７７０を貼り合わせる機能を備える（図１３（Ａ）参照）。

【0221】

無機材料、有機材料または無機材料と有機材料の複合材料等を封止材７０５に用いること
ができる。

【0222】

例えば、熱溶融性の樹脂または硬化性の樹脂等の有機材料を、封止材７０５に用いること
ができる。

【0223】

例えば、反応硬化型接着剤、光硬化型接着剤、熱硬化型接着剤または／および嫌気型接着
剤等の有機材料を封止材７０５に用いることができる。

【0224】

具体的には、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミ
ド樹脂、イミド樹脂、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラ
ル）樹脂、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂等を含む接着剤を封止材７０５に用
いることができる。

【0225】

《構造体ＫＢ》
構造体ＫＢは、機能層５２０および基材７７０の間に挟まれる領域を備える。また、構造
体ＫＢは、機能層５２０および基材７７０の間に所定の間隙を設ける機能を備える。

【0226】

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる
。

【0227】

（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の一態様の機能パネルの構成について、図１３乃至図１５を参
照しながら説明する。

【0228】

＜機能パネル７００の構成例１＞
機能パネル７００は、発光素子５５０Ｇ（ｉ，ｊ）を備える（図１３参照）。

【0229】

《発光素子５５０Ｇ（ｉ，ｊ）の構成例２》
電極５５１Ｇ（ｉ，ｊ）、電極５５２および発光性の材料を含む層５５３Ｇ（ｊ）を、発
光素子５５０Ｇ（ｉ，ｊ）に用いることができる。また、発光性の材料を含む層５５３Ｇ
（ｊ）は、電極５５１Ｇ（ｉ，ｊ）および電極５５２に挟まれる領域を備える。

【0230】

［発光性の材料を含む層５５３Ｇ（ｊ）の構成例１］
例えば、積層材料を発光性の材料を含む層５５３Ｇ（ｊ）に用いることができる。

【0231】

例えば、青色の光を発する材料、緑色の光を発する材料、赤色の光を発する材料、赤外線
を発する材料または紫外線を発する材料を、発光性の材料を含む層５５３Ｇ（ｊ）に用い
ることができる。

【0232】

［発光性の材料を含む層５５３Ｇ（ｊ）の構成例２］
例えば、白色の光を射出するように積層された積層材料を、発光性の材料を含む層５５３
Ｇ（ｊ）に用いることができる。

【0233】

具体的には、色相が互いに異なる光を発する複数の材料を、発光性の材料を含む層５５３
Ｇ（ｊ）に用いることができる。

【0234】

例えば、青色の光を射出する蛍光材料を含む発光性の材料を含む層と、緑色および赤色の
光を射出する蛍光材料以外の材料を含む層を積層した積層材料を、発光性の材料を含む層
５５３Ｇ（ｊ）に用いることができる。または、青色の光を射出する蛍光材料を含む発光
性の材料を含む層と、黄色の光を射出する蛍光材料以外の材料を含む層と、を積層した積
層材料を、発光性の材料を含む層５５３Ｇ（ｊ）に用いることができる。

【0235】

なお、発光性の材料を含む層５５３Ｇ（ｊ）に、例えば、着色膜を重ねて用いることがで
きる。これにより、白色の光から、所定の色相の光を取り出すことができる。

【0236】

［発光性の材料を含む層５５３Ｇ（ｊ）の構成例３］
例えば、青色の光または紫外線を射出するように積層された積層材料を、発光性の材料を
含む層５５３Ｇ（ｊ）に用いることができる。また、例えば、色変換層を重ねて用いるこ
とができる。

【0237】

［発光性の材料を含む層５５３Ｇ（ｊ）の構成例４］
発光性の材料を含む層５５３Ｇ（ｊ）は、発光ユニットを備える。発光ユニットは、一方
から注入された電子が他方から注入された正孔と再結合する領域を１つ備える。また、発
光ユニットは発光性の材料を含み、発光性の材料は電子と正孔の再結合により生じるエネ
ルギーを光として放出する。なお、正孔輸送層および電子輸送層を発光ユニットに用いる
ことができる。正孔輸送層は電子輸送層より正極側に配置され、正孔輸送層は電子輸送層
より正孔の移動度が高い。

【0238】

例えば、複数の発光ユニットおよび中間層を発光性の材料を含む層５５３Ｇ（ｊ）に用い
ることができる。中間層は、二つの発光ユニットの間に挟まれる領域を備える。中間層は
電荷発生領域を備え、中間層は陰極側に配置された発光ユニットに正孔を供給し、陽極側
に配置された発光ユニットに電子を供給する機能を備える。なお、複数の発光ユニットお
よび中間層を備える構成をタンデム型の発光素子という場合がある。

【0239】

これにより、発光に係る電流効率を高めることができる。または、同じ輝度において、発
光素子を流れる電流密度を下げることができる。または、発光素子の信頼性を高めること
ができる。

【0240】

例えば、一の色相の光を発する材料を含む発光ユニットを、他の色相の光を発する材料を
含む発光ユニットと重ねて、発光性の材料を含む層５５３Ｇ（ｊ）に用いることができる
。または、一の色相の光を発する材料を含む発光ユニットを、同一の色相の光を発する材
料を含む発光ユニットと重ねて、発光性の材料を含む層５５３Ｇ（ｊ）に用いることがで
きる。具体的には、青色の光を発する材料を含む二つの発光ユニットを重ねて用いること
ができる。

【0241】

ところで、例えば、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）、中分子化
合物（低分子と高分子の中間領域の化合物：分子量４００以上４０００以下）等を、発光
性の材料を含む層５５３Ｇ（ｊ）に用いることができる。

【0242】

［電極５５１Ｇ（ｉ，ｊ）、電極５５２］
例えば、配線等に用いることができる材料を電極５５１Ｇ（ｉ，ｊ）または電極５５２に
用いることができる。具体的には、可視光について透光性を有する材料を電極５５１Ｇ（
ｉ，ｊ）または電極５５２に用いることができる。

【0243】

例えば、導電性酸化物またはインジウムを含む導電性酸化物、酸化インジウム、インジウ
ム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などを用い
ることができる。または、光が透過する程度に薄い金属膜を用いることができる。または
、可視光について透光性を有する材料を用いることができる。

【0244】

例えば、光の一部を透過し、光の他の一部を反射する金属膜を電極５５１Ｇ（ｉ，ｊ）ま
たは電極５５２に用いることができる。例えば、発光性の材料を含む層５５３Ｇ（ｊ）な
どを用いて、電極５５１Ｇ（ｉ，ｊ）および電極５５２の間の距離を調整する。

【0245】

これにより、微小共振器構造を発光素子５５０Ｇ（ｉ，ｊ）に設けることができる。また
は、所定の波長の光を他の光より効率よく取り出すことができる。または、スペクトルの
半値幅が狭い光を取り出すことができる。または、鮮やかな色の光を取り出すことができ
る。

【0246】

例えば、効率よく光を反射する膜を、電極５５１Ｇ（ｉ，ｊ）または電極５５２に用いる
ことができる。具体的には、銀およびパラジウム等を含む材料または銀および銅等を含む
材料を金属膜に用いることができる。

【0247】

また、電極５５１Ｇ（ｉ，ｊ）は、開口部５９１Ｇにおいて、画素回路５３０Ｇ（ｉ，ｊ
）と電気的に接続される（図１４（Ａ）参照）。電極５５１Ｇ（ｉ，ｊ）は、例えば、絶
縁膜５２８に形成される開口部と重なり、電極５５１Ｇ（ｉ，ｊ）は周縁に絶縁膜５２８
を備える。

【0248】

これにより、電極５５１Ｇ（ｉ，ｊ）および電極５５２の短絡を防止することができる。

【0249】

《光電変換素子ＰＤ（ｉ，ｊ）の構成例２》
光電変換素子ＰＤ（ｉ，ｊ）は、電極５５１Ｓ（ｉ，ｊ）、電極５５２および光電変換材
料を含む層５５３Ｓ（ｊ）を備える（図１４（Ａ）参照）。

【0250】

例えば、ヘテロ接合型の光電変換素子、バルクヘテロ接合型の光電変換素子等を、光電変
換素子ＰＤ（ｉ，ｊ）に用いることができる。

【0251】

［光電変換材料を含む層５５３Ｓ（ｊ）の構成例１］
例えば、ｐ型の半導体膜とｎ型の半導体膜が互いに接するように積層した積層膜を、光電
変換材料を含む層５５３Ｓ（ｊ）に用いることができる。なお、光電変換材料を含む層５
５３Ｓ（ｊ）にこのような構造の積層膜を用いる光電変換素子ＰＤ（ｉ，ｊ）を、ＰＮ型
のフォトダイオードということができる。

【0252】

例えば、ｐ型の半導体膜およびｎ型の半導体膜の間にｉ型の半導体膜を挟むように、ｐ型
の半導体膜、ｉ型の半導体膜およびｎ型の半導体膜を積層した積層膜を、光電変換材料を
含む層５５３Ｓ（ｊ）に用いることができる。なお、光電変換材料を含む層５５３Ｓ（ｊ
）にこのような構造の積層膜を用いる光電変換素子ＰＤ（ｉ，ｊ）を、ＰＩＮ型のフォト
ダイオードということができる。

【0253】

例えば、ｐ＋型の半導体膜およびｎ型の半導体膜の間にｐ－型の半導体膜を挟み、当該ｐ
－型の半導体膜および当該ｎ型の半導体膜の間にｐ型の半導体膜を挟むように、ｐ＋型の
半導体膜、ｐ－型の半導体膜、ｐ型の半導体膜およびｎ型の半導体膜を積層した積層膜を
、光電変換材料を含む層５５３Ｓ（ｊ）に用いることができる。なお、光電変換材料を含
む層５５３Ｓ（ｊ）にこのような構造の積層膜を用いる光電変換素子ＰＤ（ｉ，ｊ）を、
アバランシェフォトダイオードということができる。

【0254】

［光電変換材料を含む層５５３Ｓ（ｊ）の構成例２］
例えば、１４族の元素を含む半導体を、光電変換材料を含む層５５３Ｓ（ｊ）に用いるこ
とができる。具体的には、シリコンを含む半導体を、光電変換材料を含む層５５３Ｓ（ｊ
）に用いることができる。例えば、水素化アモルファスシリコン、微結晶シリコン、ポリ
シリコンまたは単結晶シリコン等を、光電変換材料を含む層５５３Ｓ（ｊ）に用いること
ができる。

【0255】

例えば、有機半導体を、光電変換材料を含む層５５３Ｓ（ｊ）に用いることができる。具
体的には、発光性の材料を含む層５５３Ｇ（ｊ）に用いる層の一部を、光電変換材料を含
む層５５３Ｓ（ｊ）の一部に用いることができる。

【0256】

具体的には、発光性の材料を含む層５５３Ｇ（ｊ）に用いる正孔輸送層を、光電変換材料
を含む層５５３Ｓ（ｊ）に用いることができる。または、発光性の材料を含む層５５３Ｇ
（ｊ）に用いる電子輸送層を、光電変換材料を含む層５５３Ｓ（ｊ）に用いることができ
る。または、正孔輸送層および電子輸送層を、光電変換材料を含む層５５３Ｓ（ｊ）に用
いることができる。これにより、発光性の材料を含む層５５３Ｇ（ｊ）に用いる正孔輸送
層を形成する工程において、光電変換材料を含む層５５３Ｓ（ｊ）に用いる正孔輸送層を
形成することができる。または、発光性の材料を含む層５５３Ｇ（ｊ）に用いる電子輸送
層を形成する工程において、光電変換材料を含む層５５３Ｓ（ｊ）に用いる電子輸送層を
形成することができる。または、作製工程を簡略化することができる。

【0257】

また、例えば、フラーレン（例えばＣ_６０、Ｃ_７０等）またはその誘導体等の電子受容性
の有機半導体材料をｎ型の半導体膜に用いることができる。

【0258】

また、例えば、銅（ＩＩ）フタロシアニン（Ｃｏｐｐｅｒ（ＩＩ） ｐｈｔｈａｌｏｃｙ
ａｎｉｎｅ；ＣｕＰｃ）またはテトラフェニルジベンゾペリフランテン（Ｔｅｔｒａｐｈ
ｅｎｙｌｄｉｂｅｎｚｏｐｅｒｉｆｌａｎｔｈｅｎｅ；ＤＢＰ）等の電子供与性の有機半
導体材料をｐ型の半導体膜に用いることができる。

【0259】

また、例えば、電子受容性の半導体材料と電子供与性の半導体材料とを共蒸着した膜をｉ
型の半導体膜に用いることができる。

【0260】

＜機能パネル７００の構成例２＞
機能パネル７００は、絶縁膜５２８および絶縁膜５７３を有する（図１３（Ａ）参照）。

【0261】

《絶縁膜５２８》
絶縁膜５２８は機能層５２０および基材７７０の間に挟まれる領域を備え、絶縁膜５２８
は発光素子５５０Ｇ（ｉ，ｊ）と重なる領域に開口部を備える（図１３（Ａ）参照）。

【0262】

例えば、絶縁膜５２１に用いることができる材料を、絶縁膜５２８に用いることができる
。具体的には、酸化珪素膜、アクリル樹脂を含む膜またはポリイミドを含む膜等を絶縁膜
５２８に用いることができる。

【0263】

《絶縁膜５７３》
絶縁膜５７３は、機能層５２０との間に発光素子５５０Ｇ（ｉ，ｊ）を挟む領域を備える
（図１３（Ａ）参照）。

【0264】

例えば、単数の膜または複数の膜を積層した積層膜を絶縁膜５７３に用いることができる
。具体的には、発光素子５５０Ｇ（ｉ，ｊ）を損傷し難い方法で形成することができる絶
縁膜５７３Ａと、欠陥の少ない緻密な絶縁膜５７３Ｂと、を積層した積層膜を、絶縁膜５
７３に用いることができる。

【0265】

これにより、発光素子５５０Ｇ（ｉ，ｊ）への不純物の拡散を抑制することができる。ま
たは、発光素子５５０Ｇ（ｉ，ｊ）の信頼性を高めることができる。

【0266】

＜機能パネル７００の構成例３＞
機能パネル７００は、機能層７２０を備える（図１３（Ａ）参照）。

【0267】

《機能層７２０》
機能層７２０は、遮光膜ＢＭ、着色膜ＣＦ（Ｇ）および絶縁膜７７１を備える。また、色
変換層を用いることができる。

【0268】

《遮光膜ＢＭ》
遮光膜ＢＭは画素７０２Ｇ（ｉ，ｊ）と重なる領域に開口部を備える。また、遮光膜ＢＭ
は画素７０２Ｓ（ｉ，ｊ）と重なる領域に開口部を備える。

【0269】

例えば、暗色の材料を遮光膜ＢＭに用いることができる。これにより、表示のコントラス
トを向上することができる。

【0270】

《着色膜ＣＦ（Ｇ）》
着色膜ＣＦ（Ｇ）は、基材７７０および発光素子５５０Ｇ（ｉ，ｊ）の間に挟まれる領域
を備える。例えば、所定の色の光を選択的に透過する材料を着色膜ＣＦ（Ｇ）に用いるこ
とができる。具体的には、赤色の光、緑色の光または青色の光を透過する材料を着色膜Ｃ
Ｆ（Ｇ）に用いることができる。

【0271】

《絶縁膜７７１の構成例》
絶縁膜７７１は、基材７７０および発光素子５５０Ｇ（ｉ，ｊ）の間に挟まれる領域を備
える。

【0272】

絶縁膜７７１は、基材７７０との間に、遮光膜ＢＭ、着色膜ＣＦ（Ｇ）または色変換層を
挟む領域を備える。これにより、遮光膜ＢＭ、着色膜ＣＦ（Ｇ）または色変換層の厚さに
由来する凹凸を平坦にすることができる。

【0273】

《色変換層》
色変換層は、基材７７０および発光素子５５０Ｇ（ｉ，ｊ）の間に挟まれる領域を備える
。

【0274】

例えば、入射する光の波長より長い波長を有する光を射出する材料を色変換層に用いるこ
とができる。例えば、青色の光または紫外線を吸収して緑色の光に変換して放出する材料
、青色の光または紫外線を吸収して赤色の光に変換して放出する材料、または紫外線を吸
収して青色の光に変換して放出する材料を色変換層に用いることができる。具体的には、
直径数ｎｍの量子ドットを色変換層に用いることができる。これにより、半値幅が狭いス
ペクトルを有する光を放出できる。または、彩度の高い光を放出することができる。

【0275】

＜機能パネル７００の構成例４＞
機能パネル７００は、遮光膜ＫＢＭを備える（図１３（Ａ）参照）。

【0276】

《遮光膜ＫＢＭ》
遮光膜ＫＢＭは画素７０２Ｓ（ｉ，ｊ）と重なる領域に開口部を備える。また、遮光膜Ｋ
ＢＭは、機能層５２０および基材７７０の間に挟まれる領域を備え、機能層５２０および
基材７７０の間に所定の間隙を設ける機能を備える。例えば、暗色の材料を遮光膜ＫＢＭ
に用いることができる。これにより、画素７０２Ｓ（ｉ，ｊ）に進入する迷光を抑制する
ことができる。

【0277】

＜機能パネル７００の構成例５＞
機能パネル７００は、機能膜７７０Ｐなどを備える（図１３（Ａ）参照）。

【0278】

《機能膜７７０Ｐ等》
機能膜７７０Ｐは、発光素子５５０Ｇ（ｉ，ｊ）と重なる領域を備える。

【0279】

例えば、反射防止フィルム、偏光フィルム、位相差フィルム、光拡散フィルムまたは集光
フィルム等を機能膜７７０Ｐに用いることができる。

【0280】

例えば、厚さ１μｍ以下の反射防止膜を、機能膜７７０Ｐに用いることができる。具体的
には、誘電体を３層以上、好ましくは５層以上、より好ましくは１５層以上積層した積層
膜を機能膜７７０Ｐに用いることができる。これにより、反射率を０．５％以下好ましく
は０．０８％以下に抑制することができる。

【0281】

例えば、円偏光フィルムを機能膜７７０Ｐに用いることができる。

【0282】

また、ゴミの付着を抑制する帯電防止膜、汚れを付着しにくくする撥水性の膜、汚れを付
着しにくくする撥油性の膜、反射防止膜（アンチ・リフレクション膜）、非光沢処理膜（
アンチ・グレア膜）、使用に伴う傷の発生を抑制するハードコート膜、発生した傷が修復
する自己修復性のフィルムなどを、機能膜７７０Ｐに用いることができる。

【0283】

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる
。

【0284】

（実施の形態５）
本実施の形態では、本発明の一態様の機能パネルの構成について、図１６乃至図１８を参
照しながら説明する。

【0285】

図１６は、本発明の一態様の機能パネルの構成を説明する図である。

【0286】

図１７は、本発明の一態様の機能パネルの構成を説明する回路図である。図１７（Ａ）は
、本発明の一態様の機能パネルに用いることができる増幅回路の一部を説明する回路図で
あり、図１７（Ｂ）は、本発明の一態様の機能パネルに用いることができるサンプリング
回路の一部を説明する回路図である。

【0287】

図１８は、本発明の一態様の機能パネルの動作を説明する図である。

【0288】

＜機能パネル７００の構成例１＞
本実施の形態で説明する機能パネル７００は、領域２３１を有する（図１６参照）。

【0289】

《領域２３１の構成例１》
領域２３１は、一群の画素７０３（ｉ，１）乃至画素７０３（ｉ，ｎ）および他の一群の
画素７０３（１，ｊ）乃至画素７０３（ｍ，ｊ）を備える。また、領域２３１は、導電膜
Ｇ１（ｉ）、導電膜ＴＸ（ｉ）、導電膜Ｓ１ｇ（ｊ）および導電膜ＷＸ（ｊ）を備える。

【0290】

一群の画素７０３（ｉ，１）乃至画素７０３（ｉ，ｎ）は、行方向（図中に矢印Ｒ１で示
す方向）に配設され、一群の画素７０３（ｉ，１）乃至画素７０３（ｉ，ｎ）は、画素７
０３（ｉ，ｊ）を含む。

【0291】

また、一群の画素７０３（ｉ，１）乃至画素７０３（ｉ，ｎ）は、導電膜Ｇ１（ｉ）と電
気的に接続され、一群の画素７０３（ｉ，１）乃至画素７０３（ｉ，ｎ）は、導電膜ＴＸ
（ｉ）と電気的に接続される。

【0292】

他の一群の画素７０３（１，ｊ）乃至画素７０３（ｍ，ｊ）は、行方向と交差する列方向
（図中に矢印Ｃ１で示す方向）に配設され、他の一群の画素７０３（１，ｊ）乃至画素７
０３（ｍ，ｊ）は、画素７０３（ｉ，ｊ）を含む。

【0293】

また、他の一群の画素７０３（１，ｊ）乃至画素７０３（ｍ，ｊ）は、導電膜Ｓ１ｇ（ｊ
）と電気的に接続され、他の一群の画素７０３（１，ｊ）乃至画素７０３（ｍ，ｊ）は、
導電膜ＷＸ（ｊ）と電気的に接続される。

【0294】

これにより、複数の画素から撮像情報を取得することができる。または、複数の画素に画
像情報を供給することができる。その結果、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な
機能パネルを提供することができる。

【0295】

《領域２３１の構成例２》
領域２３１は、１インチあたり６００個以上の複数の画素を備える。なお、複数の画素は
画素７０３（ｉ，ｊ）を含む。

【0296】

《領域２３１の構成例３》
領域２３１は、複数の画素を行列状に備える。例えば、領域２３１は、７６００個以上の
画素を行方向に備え、領域２３１は４３００個以上の画素を列方向に備える。具体的には
、７６８０個の画素を行方向に備え、４３２０個の画素を列方向に備える。

【0297】

これにより、精細な画像を表示することができる。その結果、利便性、有用性または信頼
性に優れた新規な機能パネルを提供することができる。

【0298】

《領域２３１の構成例４》
領域２３１は、対角線の長さが４０インチ以上、好ましくは６０インチ以上、より好まし
くは８０インチ以上である。また、領域２３１は、対角線の長さが例えば１５０インチ以
下であると、パネルの重量を軽くできるため好ましい。

【0299】

これにより、臨場感のある画像を表示することができる。その結果、利便性、有用性また
は信頼性に優れた新規な機能パネルを提供することができる。

【0300】

また、図示しないが、領域２３１は、導電膜ＶＣＯＭ２および導電膜ＡＮＯを有する。

【0301】

＜機能パネル７００の構成例２＞
本実施の形態で説明する機能パネルは、駆動回路ＧＤを有する（図１６参照）。

【0302】

《駆動回路ＧＤの構成例１》
駆動回路ＧＤは第１の選択信号を供給する。

【0303】

《画素回路５３０Ｇ（ｉ，ｊ）の構成例１》
画素回路５３０Ｇ（ｉ，ｊ）は、第１の選択信号を供給され、画素回路５３０Ｇ（ｉ，ｊ
）は、第１の選択信号に基づいて、画像信号を取得する。例えば、導電膜Ｇ１（ｉ）を用
いて、第１の選択信号を供給することができる（図９（Ｂ）参照）。または、導電膜Ｓ１
ｇ（ｊ）を用いて画像信号を供給することができる。なお、第１の選択信号を供給し、画
像信号を画素回路５３０Ｇ（ｉ，ｊ）に取得させる動作を「書き込み」ということができ
る（図１８参照）。

【0304】

発光素子５５０Ｇ（ｉ，ｊ）は画像信号に基づいて、発光する（図９（Ｂ）参照）。

【0305】

なお、発光素子５５０Ｇ（ｉ，ｊ）は、画素回路５３０Ｇ（ｉ，ｊ）と電気的に接続され
る電極５５１Ｇ（ｉ，ｊ）と、導電膜ＶＣＯＭ２と電気的に接続される電極５５２を備え
る（図１０および図１３（Ａ）参照）。

【0306】

＜機能パネル７００の構成例３＞
本発明の一態様の機能パネルは、読み出し回路ＲＣ（ｊ）と、導電膜ＶＬＥＮと、導電膜
ＶＩＶと、導電膜ＣＬと、を有する（図１６、図１１、図１７（Ａ）および図１７（Ｂ）
参照）。

【0307】

《読み出し回路ＲＣ（ｊ）の構成例》
読み出し回路ＲＣ（ｊ）は、増幅回路およびサンプリング回路ＳＣ（ｊ）を備える（図１
６参照）。

【0308】

《増幅回路の構成例》
増幅回路は、トランジスタＭ３２（ｊ）を含む（図１７（Ａ）参照）。

【0309】

トランジスタＭ３２（ｊ）は、導電膜ＶＬＥＮと電気的に接続されるゲート電極と、導電
膜ＷＸ（ｊ）と電気的に接続される第１の電極と、導電膜ＶＩＶと電気的に接続される第
２の電極と、備える。

【0310】

なお、スイッチＳＷ３３が導通状態のとき、導電膜ＷＸ（ｊ）は、トランジスタＭ３１（
ｊ）およびトランジスタＭ３２（ｊ）を接続する（図１１および図１７（Ａ）参照）。こ
れにより、トランジスタＭ３１（ｊ）およびトランジスタＭ３２（ｊ）を用いて、ソース
フォロワ回路を構成することができる。または、ノードＦＤの電位に基づいて、導電膜Ｗ
Ｘ（ｊ）の電位を変化することができる。

【0311】

《サンプリング回路ＳＣ（ｊ）の構成例》
サンプリング回路ＳＣ（ｊ）は、第１の端子ＩＮ（ｊ）、第２の端子および第３の端子Ｏ
ＵＴ（ｊ）を備える（図１７（Ｂ）参照）。

【0312】

第１の端子ＩＮ（ｊ）は導電膜ＷＸ（ｊ）と電気的に接続され、第２の端子は導電膜ＣＬ
と電気的に接続され、第３の端子ＯＵＴ（ｊ）は第１の端子ＩＮ（ｊ）の電位に基づいて
変化する信号を供給する機能を備える。

【0313】

これにより、画素回路５３０Ｓ（ｉ，ｊ）から撮像信号を取得することができる。または
、例えば、相関二重サンプリング法を適用することができる。または、サンプリング回路
ＳＣ（ｊ）を導電膜ＷＸ（ｊ）ごとに設けることができる。または、画素回路５３０Ｓ（
ｉ，ｊ）の差分信号を、導電膜ＷＸ（ｊ）ごとに取得することができる。または、サンプ
リング回路ＳＣ（ｊ）の動作周波数を抑制することができる。または、ノイズを低減する
ことができる。その結果、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な機能パネルを提供
することができる。

【0314】

＜機能パネル７００の構成例４＞
機能パネル７００は、駆動回路ＲＤを有する（図１６参照）。

【0315】

《駆動回路ＲＤの構成例１》
駆動回路ＲＤは、第２の選択信号および第３の選択信号を供給する。

【0316】

《画素回路５３０Ｓ（ｉ，ｊ）の構成例１》
画素回路５３０Ｓ（ｉ，ｊ）は、第１の選択信号を供給されていない期間に、第２の選択
信号および第３の選択信号を供給される（図１８参照）。また、画素回路５３０Ｓ（ｉ，
ｊ）は、第２の選択信号に基づいて、撮像信号を取得し、第３の選択信号に基づいて、撮
像信号を供給する。例えば、導電膜ＴＸ（ｉ）を用いて、第２の選択信号を供給し、導電
膜ＳＥ（ｉ）を用いて、第３の選択信号を供給することができる（図１１参照）。

【0317】

なお、第２の選択信号を供給し、撮像信号を画素回路５３０Ｓ（ｉ，ｊ）に取得させる動
作を「撮像」ということができる（図１８参照）。また、画素回路５３０Ｓ（ｉ，ｊ）か
ら撮像信号を読み出す動作を「読み出し」ということができる。また、所定の電圧を光電
変換素子ＰＤ（ｉ，ｊ）に供給する動作を「初期化」と、所定の期間、初期化後の光電変
換素子ＰＤ（ｉ，ｊ）を光にさらす動作を「露光」と、露光にともない変化した電圧を画
素回路５３０Ｓ（ｉ，ｊ）に反映する動作を「転送」ということができる。また、図中の
ＳＲＳは相関二重サンプリング法に用いる参照信号を供給する動作に、「出力」は撮像信
号を供給する動作に相当する。

【0318】

例えば、１フレームの画像情報を、１６．７ｍｓで書き込むことができる。具体的には、
６０Ｈｚのフレームレートで動作することができる。なお、画像信号を、画素回路５３０
Ｇ（ｉ，ｊ）に１５．２μｓで書き込むことができる。

【0319】

例えば、１フレームの画像情報を、１６フレームに相当する期間、保持することができる
。または、１フレームの撮像情報を、１６フレームに相当する期間で撮影および読み出す
ことができる。

【0320】

具体的には、１５μｓで初期化し、１ｍｓ以上５ｍｓ以下で露光し、１５０μｓで転送す
ることができる。または、２５０ｍｓで読み出すことができる。

【0321】

なお、光電変換素子ＰＤ（ｉ，ｊ）は、画素回路５３０Ｓ（ｉ，ｊ）と電気的に接続され
る電極５５１Ｓ（ｉ，ｊ）と、導電膜ＶＰＤと電気的に接続される電極５５２を備える（
図１１および図１４（Ａ）参照）。また、発光素子５５０Ｇ（ｉ，ｊ）に用いる電極５５
２を、光電変換素子ＰＤ（ｉ，ｊ）に用いることができる。これにより、機能パネルの構
成および作製工程を簡略化することができる。

【0322】

これにより、第１の選択信号が供給されていない期間に撮像することができる。または、
撮像時のノイズを抑制することができる。または、第１の選択信号が供給されていない期
間に、撮像信号を読み取ることができる。または、読み取り時のノイズを抑制することが
できる。その結果、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な機能パネルを提供するこ
とができる。

【0323】

《画素７０３（ｉ，ｊ）の構成例３》
画素７０３（ｉ，ｊ）は、一の画像信号を保持している期間に、第２の選択信号を供給さ
れる。例えば、画素回路５３０Ｇ（ｉ，ｊ）が一の画像信号を保持している期間に、画素
７０３（ｉ，ｊ）は、発光素子５５０Ｇ（ｉ，ｊ）を用いて、当該画像信号に基づいて、
光を射出することができる（図１８参照）。または、画素回路５３０Ｇ（ｉ，ｊ）が、第
１の選択信号に基づいて、一の画像信号を取得したのちに、再び第１の選択信号を供給さ
れるまでの間に、画素回路５３０Ｓ（ｉ，ｊ）は第２の選択信号を供給される。

【0324】

これにより、画像信号を用いて、発光素子５５０Ｇ（ｉ，ｊ）が射出する光の強度を制御
することができる。または、強度が制御された光を、被写体に照射することができる。ま
たは、光電変換素子ＰＤ（ｉ，ｊ）を用いて、被写体を撮像することができる。または、
照射する光の強度を制御しながら、光電変換素子ＰＤ（ｉ，ｊ）を用いて、被写体を撮像
することができる。または、画素回路５３０Ｇ（ｉ，ｊ）が保持する信号の、一の画像信
号から他の画像信号への変化がもたらす、撮像信号への影響をなくすことができる。その
結果、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な機能パネルを提供することができる。

【0325】

＜機能パネル７００の構成例５＞
また、本発明の一態様の機能パネル７００は、マルチプレクサＭＵＸと、増幅回路ＡＭＰ
と、アナログデジタル変換回路ＡＤＣと、を有する（図１６参照）。

【0326】

《マルチプレクサＭＵＸの構成例》
マルチプレクサＭＵＸは、複数のサンプリング回路ＳＣから一つを選んで撮像信号を取得
し、例えば増幅回路ＡＭＰに供給する機能を備える。

【0327】

例えば、マルチプレクサＭＵＸは、サンプリング回路ＳＣ（ｊ）の第３の端子ＯＵＴ（ｊ
）と電気的に接続される（図１７（Ｂ）参照）。具体的には、マルチプレクサＭＵＸは、
サンプリング回路ＳＣ（１）乃至サンプリング回路ＳＣ（９）と電気的に接続され、所定
のサンプリング回路から撮像信号を取得し、増幅回路ＡＭＰに供給することができる。

【0328】

これにより、行方向に配設される複数の画素から所定の画素を選択して撮像情報を取得す
ることができる。または、同時に取得する撮像信号の数を所定の数に抑制することができ
る。または、入力チャンネル数が、行方向に配設される画素の数より少ないアナログデジ
タル変換回路ＡＤＣを用いることができる。その結果、利便性、有用性または信頼性に優
れた新規な機能パネルを提供することができる。

【0329】

《増幅回路ＡＭＰの構成例》
増幅回路ＡＭＰは撮像信号を増幅し、アナログデジタル変換回路ＡＤＣに供給することが
できる。

【0330】

なお、機能層５２０はマルチプレクサＭＵＸおよび増幅回路ＡＭＰを備える。

【0331】

これにより、例えば、画素回路５３０Ｇ（ｉ，ｊ）に用いる半導体膜を形成する工程にお
いて、マルチプレクサＭＵＸおよび増幅回路ＡＭＰに用いる半導体膜を形成することがで
きる。または、機能パネルの作製工程を簡略化することができる。その結果、利便性、有
用性または信頼性に優れた新規な機能パネルを提供することができる。

【0332】

《アナログデジタル変換回路ＡＤＣの構成例》
アナログデジタル変換回路ＡＤＣは、アナログの撮像信号をデジタル信号に変換する機能
を備える。これにより、伝送に伴う撮像信号の劣化を抑制できる。

【0333】

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる
。

【0334】

（実施の形態６）
本実施の形態では、本発明の一態様の半導体装置の構成について、図５乃至図７を参照し
ながら説明する。

【0335】

図５は本発明の一態様の半導体装置の構成を説明する図である。図５（Ａ）は本発明の一
態様の半導体装置の斜視図であり、図５（Ｂ）および図５（Ｃ）は図５（Ａ）に示す半導
体装置の一部を屈曲した状態を説明する図である。

【0336】

図６は本発明の一態様の半導体装置に用いることができる筐体の構成を説明する図である
。図６（Ａ）は本発明の一態様の半導体装置の筐体の斜視図であり、図６（Ｂ）および図
６（Ｃ）は図６（Ａ）に示す半導体装置の筐体の一部を屈曲した状態を説明する図である
。

【0337】

図７は本発明の一態様の半導体装置の構成を説明する図である。図７（Ａ）は図５（Ｂ）
に示す本発明の一態様の半導体装置の断面図であり、図７（Ｂ）は、図７（Ａ）の一部を
説明する図である。

【0338】

＜半導体装置の構成例１＞
本実施の形態で説明する半導体装置は、機能パネルと、筐体２０１を有する（図５（Ａ）
乃至図５（Ｃ）参照）。例えば、実施の形態１乃至実施の形態５において説明する機能パ
ネルを、半導体装置に用いることができる。

【0339】

《筐体２０１の構成例１》
筐体２０１は、面２０１Ａ（１）、面２０１Ａ（２）および面２０１Ａ（３）を備える（
図６（Ａ）および図６（Ｂ）参照）。

【0340】

面２０１Ａ（３）は、面２０１Ａ（１）および面２０１Ａ（２）の間に挟まれる（図６（
Ｂ）および図７（Ａ）参照）。

【0341】

面２０１Ａ（１）は領域２３１（１）と重なり、面２０１Ａ（２）は領域２３１（２）と
重なり、面２０１Ａ（３）は領域２３１（３）との間に距離Ｄ３を備える（図７（Ｂ）参
照）。また、距離Ｄ３は、屈曲に伴い変化する。

【0342】

これにより、例えば、第３の領域２３１（３）の屈曲に伴い、筐体２０１および回路５３
０の間の距離Ｄ３が変化しても、回路５３０は安定して動作することができる。または、
第１の基材５１０を用いて、第１の導電膜５１０Ｍを外力などから保護することができる
。その結果、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な半導体装置を提供することがで
きる。

【0343】

なお、領域２３１（３）は面２０１Ａ（３）から着脱可能であり、領域２３１（２）は面
２０１Ａ（２）に固定される。例えば、接合層２０１Ｂを領域２３１（２）および面２０
１Ａ（２）の固定に用いることができる。また、接合層２０１Ｂは、基材４１０の厚さと
同じ厚さを備える。これにより、領域２３１（２）および領域２３１（３）の間に生じる
段差を、小さくすることができる。または、例えば、指などで、領域２３１（２）および
領域２３１（３）の間を触っても、違和感を覚えにくい。

【0344】

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる
。

【0345】

（実施の形態７）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置の構成について、図１９を参照しながら説
明する。

【0346】

図１９は本発明の一態様の表示装置の構成を説明する図である。図１９（Ａ）は本発明の
一態様の表示装置のブロック図であり、図１９（Ｂ）乃至図１９（Ｄ）は本発明の一態様
の表示装置の外観を説明する投影図である。

【0347】

＜表示装置の構成例＞
本実施の形態で説明する表示装置は、機能パネル７００と、制御部２３８と、を有する（
図１９（Ａ）参照）。

【0348】

《制御部２３８の構成例１》
制御部２３８は、画像情報ＶＩおよび制御情報ＣＩを供給される。例えば、クロック信号
またはタイミング信号などを制御情報ＣＩに用いることができる。

【0349】

制御部２３８は画像情報ＶＩに基づいて情報Ｖ１１を生成し、制御情報ＣＩに基づいて制
御信号を生成する。また、制御部２３８は情報Ｖ１１および制御信号を供給する。

【0350】

例えば、情報Ｖ１１は、８ｂｉｔ以上好ましくは１２ｂｉｔ以上の階調を含む。また、例
えば、駆動回路に用いるシフトレジスタのクロック信号またはスタートパルスなどを、制
御信号に用いることができる。

【0351】

《制御部２３８の構成例２》
例えば、伸張回路２３４および画像処理回路２３５を制御部２３８に用いることができる
。

【0352】

《伸張回路２３４》
伸張回路２３４は、圧縮された状態で供給される画像情報ＶＩを伸張する機能を備える。
伸張回路２３４は、記憶部を備える。記憶部は、例えば伸張された画像情報を記憶する機
能を備える。

【0353】

《画像処理回路２３５》
画像処理回路２３５は、例えば、記憶領域を備える。記憶領域は、例えば、画像情報ＶＩ
に含まれる情報を記憶する機能を備える。

【0354】

画像処理回路２３５は、例えば、所定の特性曲線に基づいて画像情報ＶＩを補正して情報
を生成する機能と、情報を供給する機能を備える。

【0355】

《機能パネルの構成例１》
機能パネル７００は情報および制御信号を供給される。例えば、実施の形態１乃至実施の
形態５において説明する機能パネル７００を用いることができる。

【0356】

《画素７０３（ｉ，ｊ）の構成例５》
画素７０３（ｉ，ｊ）は、情報に基づいて表示する。

【0357】

これにより、表示素子を用いて画像情報を表示することができる。その結果、利便性、有
用性または信頼性に優れた新規な表示装置を提供することができる。または、例えば、情
報機器端末（図１９（Ｂ）参照）、映像表示システム（図１９（Ｃ）参照）またはコンピ
ュータ（図１９（Ｄ）参照）などを提供することができる。

【0358】

《機能パネルの構成例２》
例えば、機能パネル７００は駆動回路および制御回路を備える（図１９（Ａ）参照）。

【0359】

《駆動回路》
駆動回路は制御信号に基づいて動作する。制御信号を用いることにより、複数の駆動回路
の動作を同期することができる。

【0360】

例えば、駆動回路ＧＤを機能パネル７００に用いることができる。駆動回路ＧＤは、制御
信号を供給され、第１の選択信号を供給する機能を備える。

【0361】

また、例えば、駆動回路ＳＤを機能パネル７００に用いることができる。駆動回路ＳＤは
、制御信号および情報を供給され、画像信号を供給することができる。

【0362】

また、例えば、駆動回路ＲＤを機能パネル７００に用いることができる。駆動回路ＲＤは
制御信号を供給され、第２の選択信号を供給することができる。

【0363】

また、例えば、読み出し回路ＲＣを機能パネル７００に用いることができる。読み出し回
路ＲＣは制御信号を供給され、例えば、相関二重サンプリング法を用いて、撮像信号を読
み出すことができる。

【0364】

《制御回路》
制御回路は制御信号を生成し、供給する機能を備える。例えば、クロック信号またはタイ
ミング信号などを制御信号に用いることができる。

【0365】

具体的には、リジッド基板上に形成された制御回路を機能パネルに用いることができる。
または、フレキシブルプリント基板を用いて、リジッド基板上に形成された制御回路およ
び制御部２３８を電気的に接続することができる。

【0366】

例えば、タイミングコントローラ２３３を制御回路に用いることができる。また、制御回
路２４３を用いて、駆動回路ＲＤおよび読み出し回路ＲＣの動作を同期することができる
。

【0367】

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる
。

【0368】

（実施の形態８）
本実施の形態では、本発明の一態様の入出力装置の構成について、図２０乃至図２２を参
照しながら説明する。

【0369】

図２０は本発明の一態様の入出力装置の構成を説明するブロック図である。

【0370】

図２１は本発明の一態様の入出力装置の構成を説明する図である。図２１（Ａ）は本発明
の一態様の入出力装置の斜視図であり、図２１（Ｂ）および図２１（Ｃ）は図２１（Ａ）
の一部を説明する断面図であり、図２１（Ｄ）は、検知器の特性を模式的に説明する電気
抵抗－応力曲線である。

【0371】

図２２は本発明の一態様の入出力装置の構成を説明する図である。図２２（Ａ）は本発明
の一態様の入出力装置に用いる部材の斜視図であり、図２２（Ｂ）および図２２（Ｃ）は
図２１（Ａ）の一部を説明する断面図であり、図２２（Ｄ）は、飛び移り座屈をする構造
の特性を模式的に説明する応力－ひずみ曲線である。

【0372】

＜入出力装置の構成例１＞
本実施の形態で説明する入出力装置は、入力部２４０と、表示部２３０と、を有する（図
２０参照）。

【0373】

《表示部２３０》
表示部２３０は機能パネルを備える。例えば、実施の形態１乃至実施の形態５において説
明する機能パネル７００を表示部２３０に用いることができる。なお、入力部２４０およ
び表示部２３０を有する構成を入出力パネル７００ＴＰということができる。

【0374】

《入力部２４０の構成例１》
入力部２４０は検知領域２４１を備える。入力部２４０は検知領域２４１に近接するもの
を検知する機能を備える。

【0375】

検知領域２４１は、画素７０２Ｇ（ｉ，ｊ）と重なる領域を備える。

【0376】

これにより、表示部を用いて画像情報を表示しながら、表示部と重なる領域に近接するも
のを検知することができる。または、表示部に近接させる指などをポインタに用いて、位
置情報を入力することができる。または、位置情報を表示部に表示する画像情報に関連付
けることができる。その結果、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な入出力装置を
提供することができる。

【0377】

《検知領域２４１の構成例１》
検知領域２４１は、例えば、単数または複数の検知器を備える（図２０参照）。

【0378】

検知領域２４１は、一群の検知器８０２（ｇ，１）乃至検知器８０２（ｇ，ｑ）と、他の
一群の検知器８０２（１，ｈ）乃至検知器８０２（ｐ，ｈ）と、を有する。なお、ｇは１
以上ｐ以下の整数であり、ｈは１以上ｑ以下の整数であり、ｐおよびｑは１以上の整数で
ある。

【0379】

一群の検知器８０２（ｇ，１）乃至検知器８０２（ｇ，ｑ）は、検知器８０２（ｇ，ｈ）
を含み、行方向（図中に矢印Ｒ２で示す方向）に配設される。なお、矢印Ｒ２で示す方向
は、矢印Ｒ１で示す方向と同じであっても良いし、異なっていてもよい。

【0380】

また、他の一群の検知器８０２（１，ｈ）乃至検知器８０２（ｐ，ｈ）は、検知器８０２
（ｇ，ｈ）を含み、行方向と交差する列方向（図中に矢印Ｃ２で示す方向）に配設される
。

【0381】

《検知器》
検知器は近接するポインタを検知する機能を備える。例えば、指やスタイラスペン等をポ
インタに用いることができる。例えば、金属片またはコイル等を、スタイラスペンに用い
ることができる。

【0382】

具体的には、静電容量方式の近接センサ、電磁誘導方式の近接センサ、光学方式の近接セ
ンサ、抵抗膜方式の近接センサなどを、検知器に用いることができる。

【0383】

また、複数の方式の検知器を併用することもできる。例えば、指を検知する検知器と、ス
タイラスペンを検知する検知器とを、併用することができる。

【0384】

これにより、ポインタの種類を判別することができる。または、判別したポインタの種類
に基づいて、異なる命令を検知情報に関連付けることができる。具体的には、ポインタに
指を用いたと判別した場合は、検知情報をジェスチャーと関連付けることができる。また
は、ポインタにスタイラスペンを用いたと判別した場合は、検知情報を描画処理と関連付
けることができる。

【0385】

具体的には、静電容量方式、感圧方式または光学方式の近接センサを用いて、指を検知す
ることができる。または、電磁誘導方式または光学方式の近接センサを用いて、スタイラ
スペンを検知することができる。

【0386】

《入力部２４０の構成例２》
入力部２４０は発振回路ＯＳＣおよび検知回路ＤＣを備える（図２０参照）。

【0387】

発振回路ＯＳＣは探索信号を検知器８０２（ｇ，ｈ）に供給する。例えば、矩形波、のこ
ぎり波、三角波、サイン波等を、探索信号に用いることができる。

【0388】

検知器８０２（ｇ，ｈ）は、検知器８０２（ｇ，ｈ）に近接するポインタまでの距離およ
び探索信号に基づいて変化する検知信号を生成し供給する。

【0389】

検知回路ＤＣは検知信号に基づいて入力情報を供給する。

【0390】

これにより、近接するポインタから検知領域２４１までの距離を検知することができる。
または、検知領域２４１内においてポインタが最も近接する位置を検知することができる
。

【0391】

《検知器の構成例１》
領域２３１は検知領域２４１よりポインタが近接する側に配設され、領域２３１は可撓性
を備える（図２１（Ａ）および図２１（Ｂ）参照）。また、例えば、キーボードの配置を
示す画像を領域２３１に表示することができる（図２１（Ａ）参照）。

【0392】

《検知器の構成例２》
検知器８０２（ｇ，ｈ）は押し込み量を検知する機能を備え、検知器８０２（ｇ，ｈ）は
領域２３１を介してポインタを検知する（図２１（Ｂ）参照）。

【0393】

例えば、ポインタが検知器８０２（ｇ，ｈ）に向けて押し込まれる量を、検知器８０２（
ｇ，ｈ）は検知する。具体的には、領域２３１を含む平面から検知領域２４１を含む平面
に向けて、指やスタイラスペンが押し込まれる量を、検知器８０２（ｇ，ｈ）は検知する
（図２１（Ｃ）参照）。

【0394】

例えば、圧力センサを検知器８０２（ｇ，ｈ）に用いることができる。具体的には、圧力
（σ）に応じて電気抵抗（ρ）が変化する素子を検知器８０２（ｇ，ｈ）に用いることが
できる（図２１（Ｄ）参照）。これにより、検知器８０２（ｇ，ｈ）は押し込み量を検知
することができる。

【0395】

＜入出力装置の構成例２＞
また、本実施の形態で説明する入出力装置は、部材２４９を有する（図２１（Ａ）および
図２２（Ａ）参照）。

【0396】

《部材２４９の構成例》
部材２４９は検知領域２４１と重なり、弾性を備える。

【0397】

例えば、弾性体を部材２４９に用いることができる。具体的には、ばね、板バネ、ゴムま
たはスポンジなどを用いることができる。

【0398】

これにより、検知器８０２（ｇ，ｈ）は押し込み量を検知することができる。または、使
用者はポインタを押し込む量に応じた力を感触として得ることができる。

【0399】

また、例えば、飛び移り座屈をする構造を部材２４９に用いることができる。具体的には
、ドーム状などの構造を部材２４９に用いることができる（図２２（Ｂ）参照）。

【0400】

部材２４９は、ひずみεが小さい領域において安定なモードｍｏｄｅ１と、ひずみεが大
きい領域において安定なモードｍｏｄｅ２を備える（図２２（Ｃ）および図２２（Ｄ）参
照）。また、部材２４９は、座屈点において、モードｍｏｄｅ１から、モードｍｏｄｅ２
に飛び移る（図２２（Ｄ）参照）。また、ひずみを取り除くことにより、モードｍｏｄｅ
２からモードｍｏｄｅ１に可逆的に飛び移る。

【0401】

これにより、座屈点までの押し込み量において、検知器８０２（ｇ，ｈ）は押し込み量に
応じた力を検知することができる。または、使用者は力を感触として得ることができる。
または、座屈点を超える際に、使用者はクリック感を得ることができる。または、いわゆ
るタクタイルスイッチを設けることができる。または、使用者が押し込んだポインタを解
放することにより、飛び移り座屈をする構造は、もとのモードに復帰することができる。

【0402】

なお、飛び移り座屈をする構造に重ねて検知領域２４１を設け、検知領域２４１に重ねて
領域２３１を設け、操作の用に供する画像を、飛び移り座屈をする構造と重なる位置に表
示することができる。例えば、キーボードに好適に用いられる配置を、飛び移り座屈をす
る構造の配置に用いることができる。または、ホームボタンに好適に用いられる配置を、
飛び移り座屈をする構造の配置に用いることができる。

【0403】

これにより、表示された操作の用に供する画像を押し込むことができる。または、押し込
みに伴い、使用者はクリック感を得ることができる。

【0404】

または、飛び移り座屈をする複数の構造が全面にわたって設けられた領域を備える部材２
４９を用いることができる。当該領域に重ねて検知領域２４１を設け、検知領域２４１に
重ねて領域２３１を設け、操作の用に供する画像を、構造が全面にわたって設けられた領
域と重なる位置に表示することができる。

【0405】

これにより、押し込みに伴いクリック感を得ることができる操作の用に供する画像を、自
由に配置することができる。

【0406】

なお、本実施の形態で説明する入出力装置に重ねて、検知部２５０を配設してもよい。例
えば、感圧スイッチを検知部２５０に用いることができる。具体的には、導電性の材料を
飛び移り座屈をするドーム状の構造に用いて、当該ドーム状の構造を感圧スイッチの接点
に用いることができる。これにより、いわゆるメンブレンスイッチを設けることができる
。または、クリック感を伴うスイッチを設けることができる。または、いわゆるタクタイ
ルスイッチを設けることができる。

【0407】

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる
。

【0408】

（実施の形態９）
本実施の形態では、本発明の一態様の情報処理装置の構成について、図２３乃至図２５を
参照しながら説明する。

【0409】

図２３（Ａ）は本発明の一態様の情報処理装置の構成を説明するブロック図である。図２
３（Ｂ）および図２３（Ｃ）は、情報処理装置の外観の一例を説明する投影図である。

【0410】

図２４は、本発明の一態様のプログラムを説明するフローチャートである。図２４（Ａ）
は、本発明の一態様のプログラムの主の処理を説明するフローチャートであり、図２４（
Ｂ）は、割り込み処理を説明するフローチャートである。

【0411】

図２５は、本発明の一態様のプログラムを説明する図である。図２５（Ａ）は、本発明の
一態様のプログラムの割り込み処理を説明するフローチャートである。また、図２５（Ｂ
）は、本発明の一態様の情報処理装置の操作を説明する模式図であり、図２５（Ｃ）は、
本発明の一態様の情報処理装置の動作を説明するタイミングチャートである。

【0412】

＜情報処理装置の構成例１＞
本実施の形態で説明する情報処理装置は、演算装置２１０と、入出力装置２２０と、を有
する（図２３（Ａ）参照）。なお、入出力装置２２０は、演算装置２１０と電気的に接続
される。また、情報処理装置２００は筐体を備えることができる（図２３（Ｂ）および図
２３（Ｃ）参照）。

【0413】

《演算装置２１０の構成例１》
演算装置２１０は入力情報ＩＩまたは検知情報ＤＳを供給される。演算装置２１０は入力
情報ＩＩまたは検知情報ＤＳに基づいて、制御情報ＣＩおよび画像情報ＶＩを生成し、制
御情報ＣＩおよび画像情報ＶＩを供給する。

【0414】

演算装置２１０は、演算部２１１および記憶部２１２を備える。また、演算装置２１０は
、伝送路２１４および入出力インターフェース２１５を備える。

【0415】

伝送路２１４は、演算部２１１、記憶部２１２、および入出力インターフェース２１５と
電気的に接続される。

【0416】

《演算部２１１》
演算部２１１は、例えばプログラムを実行する機能を備える。

【0417】

《記憶部２１２》
記憶部２１２は、例えば演算部２１１が実行するプログラム、初期情報、設定情報または
画像等を記憶する機能を有する。

【0418】

具体的には、ハードディスク、フラッシュメモリまたは酸化物半導体を含むトランジスタ
を用いたメモリ等を用いることができる。

【0419】

《入出力インターフェース２１５、伝送路２１４》
入出力インターフェース２１５は端子または配線を備え、情報を供給し、情報を供給され
る機能を備える。例えば、伝送路２１４と電気的に接続することができる。また、入出力
装置２２０と電気的に接続することができる。

【0420】

伝送路２１４は配線を備え、情報を供給し、情報を供給される機能を備える。例えば、入
出力インターフェース２１５と電気的に接続することができる。また、演算部２１１、記
憶部２１２または入出力インターフェース２１５と電気的に接続することができる。

【0421】

《入出力装置２２０の構成例》
入出力装置２２０は、入力情報ＩＩおよび検知情報ＤＳを供給する。入出力装置２２０は
、制御情報ＣＩおよび画像情報ＶＩを供給される（図２３（Ａ）参照）。

【0422】

例えば、キーボードのスキャンコード、位置情報、ボタンの操作情報、音声情報または画
像情報等を入力情報ＩＩに用いることができる。または、例えば、情報処理装置２００が
使用される環境等の照度情報、姿勢情報、加速度情報、方位情報、圧力情報、温度情報ま
たは湿度情報等を検知情報ＤＳに用いることができる。

【0423】

例えば、画像情報ＶＩを表示する輝度を制御する信号、彩度を制御する信号、色相を制御
する信号を、制御情報ＣＩに用いることができる。または、画像情報ＶＩの一部の表示を
変化する信号を、制御情報ＣＩに用いることができる。

【0424】

入出力装置２２０は、表示部２３０、入力部２４０および検知部２５０を備える。例えば
、実施の形態８において説明する入出力装置を入出力装置２２０に用いることができる。
また、入出力装置２２０は通信部２９０を備えることができる。

【0425】

《表示部２３０の構成例》
表示部２３０は制御情報ＣＩに基づいて、画像情報ＶＩを表示する。

【0426】

表示部２３０は、制御部２３８と、駆動回路ＧＤと、駆動回路ＳＤと、機能パネル７００
と、を有する（図１９（Ａ）参照）。例えば、実施の形態７において説明する表示装置を
表示部２３０に用いることができる。

【0427】

《入力部２４０の構成例》
入力部２４０は入力情報ＩＩを生成する。例えば、入力部２４０は、位置情報Ｐ１を供給
する機能を備える。

【0428】

例えば、ヒューマンインターフェイス等を入力部２４０に用いることができる（図２３（
Ａ）参照）。具体的には、キーボード、マウス、タッチセンサ、マイクまたはカメラ等を
入力部２４０に用いることができる。

【0429】

また、表示部２３０に重なる領域を備えるタッチセンサを用いることができる。なお、表
示部２３０と表示部２３０に重なる領域を備えるタッチセンサを備える入出力装置を、タ
ッチパネルまたはタッチスクリーンということができる。

【0430】

例えば、使用者は、タッチパネルに触れた指をポインタに用いて様々なジェスチャー（タ
ップ、ドラッグ、スワイプまたはピンチイン等）をすることができる。

【0431】

例えば、演算装置２１０は、タッチパネルに接触する指の位置または軌跡等の情報を解析
し、解析結果が所定の条件を満たすとき、所定のジェスチャーが供給されたとすることが
できる。これにより、使用者は、所定のジェスチャーにあらかじめ関連付けられた所定の
操作命令を、当該ジェスチャーを用いて供給できる。

【0432】

一例を挙げれば、使用者は、画像情報の表示位置を変更する「スクロール命令」を、タッ
チパネルに沿ってタッチパネルに接触する指を移動するジェスチャーを用いて供給できる
。

【0433】

また、使用者は、領域２３１の端部にナビゲーションパネルＮＰを引き出して表示する「
ドラッグ命令」を、領域２３１の端部に接する指を移動するジェスチャーを用いて供給で
きる（図２３（Ｃ）参照）。また、使用者は、ナビゲーションパネルＮＰにインデックス
画像ＩＮＤ、他のページの一部または他のページのサムネイル画像ＴＮを、所定の順番で
パラパラ表示する「リーフスルー命令」を、指を強く押し付ける位置を移動するジェスチ
ャーを用いて供給できる。または、指を押し付ける圧力を用いて供給できる。これにより
、紙の書籍のページをパラパラめくるように、電子書籍のページをめくることができる。
または、サムネイル画像ＴＮまたはインデックス画像ＩＮＤを頼りに、所定のページを探
すことができる。

【0434】

《検知部２５０の構成例》
検知部２５０は検知情報ＤＳを生成する。例えば、検知部２５０は、情報処理装置２００
が使用される環境の照度を検出する機能を備え、照度情報を供給する機能を備える。

【0435】

検知部２５０は、周囲の状態を検知して検知情報を供給する機能を備える。具体的には、
照度情報、姿勢情報、加速度情報、方位情報、圧力情報、温度情報または湿度情報等を供
給できる。

【0436】

例えば、光検出器、姿勢検出器、加速度センサ、方位センサ、ＧＰＳ（Ｇｌｏｂａｌ ｐ
ｏｓｉｔｉｏｎｉｎｇ Ｓｙｓｔｅｍ）信号受信回路、感圧スイッチ、圧力センサ、温度
センサ、湿度センサまたはカメラ等を、検知部２５０に用いることができる。

【0437】

《通信部２９０》
通信部２９０は、ネットワークに情報を供給し、ネットワークから情報を取得する機能を
備える。

【0438】

《筐体》
なお、筐体は入出力装置２２０または演算装置２１０を収納する機能を備える。または、
筐体は表示部２３０または演算装置２１０を支持する機能を備える。

【0439】

これにより、入力情報または検知情報に基づいて、制御情報を生成することができる。ま
たは、入力情報または検知情報に基づいて、画像情報を表示することができる。または、
情報処理装置は、情報処理装置が使用される環境において、情報処理装置の筐体が受ける
光の強さを把握して動作することができる。または、情報処理装置の使用者は、表示方法
を選択することができる。その結果、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な情報処
理装置を提供することができる。

【0440】

なお、これらの構成は明確に分離できず、一つの構成が他の構成を兼ねる場合や他の構成
の一部を含む場合がある。例えばタッチセンサが表示パネルに重ねられたタッチパネルは
、表示部であるとともに入力部でもある。

【0441】

《演算装置２１０の構成例２》
演算装置２１０は人工知能部２１３を備える（図２３（Ａ）参照）。

【0442】

人工知能部２１３は入力情報ＩＩまたは検知情報ＤＳを供給され、人工知能部２１３は入
力情報ＩＩまたは検知情報ＤＳに基づいて、制御情報ＣＩを推論する。また、人工知能部
２１３は制御情報ＣＩを供給する。

【0443】

これにより、好適であると感じられるように表示する制御情報ＣＩを生成することができ
る。または、好適であると感じられるように表示することができる。または、快適である
と感じられるように表示する制御情報ＣＩを生成することができる。または、快適である
と感じられるように表示することができる。その結果、利便性、有用性または信頼性に優
れた新規な情報処理装置を提供することができる。

【0444】

［入力情報ＩＩに対する自然言語処理］
具体的には、人工知能部２１３は入力情報ＩＩを自然言語処理して、入力情報ＩＩ全体か
ら１つの特徴を抽出することができる。例えば、人工知能部２１３は、入力情報ＩＩに込
められた感情等を推論し特徴にすることができる。また、当該特徴に好適であると経験的
に感じられる色彩、模様または書体等を推論することができる。また、人工知能部２１３
は、文字の色、模様または書体を指定する情報、背景の色または模様を指定する情報を生
成し、制御情報ＣＩに用いることができる。

【0445】

具体的には、人工知能部２１３は入力情報ＩＩを自然言語処理して、入力情報ＩＩに含ま
れる一部の言葉を抽出することができる。例えば、人工知能部２１３は文法的な誤り、事
実誤認または感情を含む表現等を抽出することができる。また、人工知能部２１３は、抽
出した一部を他の一部とは異なる色彩、模様または書体等で表示する制御情報ＣＩを生成
し、用いることができる。

【0446】

［入力情報ＩＩに対する画像処理］
具体的には、人工知能部２１３は入力情報ＩＩを画像処理して、入力情報ＩＩから１つの
特徴を抽出することができる。例えば、人工知能部２１３は、入力情報ＩＩが撮影された
年代、屋内または屋外、昼または夜等を推論し特徴にすることができる。また、当該特徴
に好適であると経験的に感じられる色調を推論し、当該色調を表示に用いるための制御情
報ＣＩを生成することができる。具体的には、濃淡の表現に用いる色（例えば、フルカラ
ー、白黒または茶褐色等）を指定する情報を制御情報ＣＩに用いることができる。

【0447】

具体的には、人工知能部２１３は入力情報ＩＩを画像処理して、入力情報ＩＩに含まれる
一部の画像を抽出することができる。例えば、抽出した画像の一部と他の一部の間に境界
を表示する制御情報ＣＩを生成することができる。具体的には、抽出した画像の一部を囲
む矩形を表示する制御情報ＣＩを生成することができる。

【0448】

［検知情報ＤＳを用いる推論］
具体的には、人工知能部２１３は検知情報ＤＳを用いて、推論ＲＩを生成することができ
る。または、推論ＲＩに基づいて、情報処理装置２００の使用者が快適であると感じられ
るように制御情報ＣＩを生成することができる。

【0449】

具体的には、環境の照度等に基づいて、人工知能部２１３は、表示の明るさが快適である
と感じられるように、表示の明るさを調整する制御情報ＣＩを生成することができる。ま
たは、人工知能部２１３は環境の騒音等に基づいて大きさが快適であると感じられるよう
に、音量を調整する制御情報ＣＩを生成することができる。

【0450】

なお、表示部２３０が備える制御部２３８に供給するクロック信号またはタイミング信号
などを制御情報ＣＩに用いることができる。または、入力部２４０が備える制御部に供給
するクロック信号またはタイミング信号などを制御情報ＣＩに用いることができる。

【0451】

＜情報処理装置の構成例２＞
本発明の一態様の情報処理装置の別の構成について、図２４（Ａ）および図２４（Ｂ）を
参照しながら説明する。

【0452】

《プログラム》
本発明の一態様のプログラムは、下記のステップを有する（図２４（Ａ）参照）。

【0453】

［第１のステップ］
第１のステップにおいて、設定を初期化する（図２４（Ａ）（Ｓ１）参照）。

【0454】

例えば、起動時に表示する所定の画像情報と、当該画像情報を表示する所定のモードと、
当該画像情報を表示する所定の表示方法を特定する情報と、を記憶部２１２から取得する
。具体的には、一の静止画像情報または他の動画像情報を所定の画像情報に用いることが
できる。また、第１のモードまたは第２のモードを所定のモードに用いることができる。

【0455】

［第２のステップ］
第２のステップにおいて、割り込み処理を許可する（図２４（Ａ）（Ｓ２）参照）。なお
、割り込み処理が許可された演算装置は、主の処理と並行して割り込み処理を行うことが
できる。割り込み処理から主の処理に復帰した演算装置は、割り込み処理をして得た結果
を主の処理に反映することができる。

【0456】

なお、カウンタの値が初期値であるとき、演算装置に割り込み処理をさせ、割り込み処理
から復帰する際に、カウンタを初期値以外の値としてもよい。これにより、プログラムを
起動した後に常に割り込み処理をさせることができる。

【0457】

［第３のステップ］
第３のステップにおいて、第１のステップまたは割り込み処理において選択された、所定
のモードまたは所定の表示方法を用いて画像情報を表示する（図２４（Ａ）（Ｓ３）参照
）。なお、所定のモードは画像情報を表示するモードを特定し、所定の表示方法は画像情
報を表示する方法を特定する。また、例えば、画像情報ＶＩを表示する情報に用いること
ができる。

【0458】

例えば、画像情報ＶＩを表示する一の方法を、第１のモードに関連付けることができる。
または、画像情報ＶＩを表示する他の方法を第２のモードに関連付けることができる。こ
れにより、選択されたモードに基づいて表示方法を選択することができる。

【0459】

《第１のモード》
具体的には、３０Ｈｚ以上、好ましくは６０Ｈｚ以上の頻度で一の走査線に選択信号を供
給し、選択信号に基づいて表示をする方法を、第１のモードに関連付けることができる。

【0460】

例えば、３０Ｈｚ以上、好ましくは６０Ｈｚ以上の頻度で選択信号を供給すると、動画像
の動きを滑らかに表示することができる。

【0461】

例えば、３０Ｈｚ以上、好ましくは６０Ｈｚ以上の頻度で画像を更新すると、使用者の操
作に滑らかに追従するように変化する画像を、使用者が操作中の情報処理装置２００に表
示することができる。

【0462】

《第２のモード》
具体的には、３０Ｈｚ未満、好ましくは１Ｈｚ未満、より好ましくは１分に１回未満の頻
度で一の走査線に選択信号を供給し、選択信号に基づいて表示をする方法を、第２のモー
ドに関連付けることができる。

【0463】

３０Ｈｚ未満、好ましくは１Ｈｚ未満、より好ましくは１分に１回未満の頻度で選択信号
を供給すると、フリッカーまたはちらつきが抑制された表示をすることができる。また、
消費電力を低減することができる。

【0464】

例えば、情報処理装置２００を時計に用いる場合、１秒に１回の頻度または１分に１回の
頻度等で表示を更新することができる。

【0465】

ところで、例えば、発光素子を表示素子に用いる場合、発光素子をパルス状に発光させて
、画像情報を表示することができる。具体的には、パルス状に有機ＥＬ素子を発光させて
、その残光を表示に用いることができる。有機ＥＬ素子は優れた周波数特性を備えるため
、発光素子を駆動する時間を短縮し、消費電力を低減することができる場合がある。また
は、発熱が抑制されるため、発光素子の劣化を軽減することができる場合がある。

【0466】

［第４のステップ］
第４のステップにおいて、終了命令が供給された場合は第５のステップに進み、終了命令
が供給されなかった場合は第３のステップに進むように選択する（図２４（Ａ）（Ｓ４）
参照）。

【0467】

例えば、割り込み処理において供給された終了命令を判断に用いてもよい。

【0468】

［第５のステップ］
第５のステップにおいて、終了する（図２４（Ａ）（Ｓ５）参照）。

【0469】

《割り込み処理》
割り込み処理は以下の第６のステップ乃至第８のステップを備える（図２４（Ｂ）参照）
。

【0470】

［第６のステップ］
第６のステップにおいて、例えば、検知部２５０を用いて、情報処理装置２００が使用さ
れる環境の照度を検出する（図２４（Ｂ）（Ｓ６）参照）。なお、環境の照度に代えて環
境光の色温度や色度を検出してもよい。

【0471】

［第７のステップ］
第７のステップにおいて、検出した照度情報に基づいて表示方法を決定する（図２４（Ｂ
）（Ｓ７）参照）。例えば、表示の明るさを暗すぎないように、または明るすぎないよう
に決定する。

【0472】

なお、第６のステップにおいて環境光の色温度や環境光の色度を検出した場合は、表示の
色味を調節してもよい。

【0473】

［第８のステップ］
第８のステップにおいて、割り込み処理を終了する（図２４（Ｂ）（Ｓ８）参照）。

【0474】

＜情報処理装置の構成例３＞
本発明の一態様の情報処理装置の別の構成について、図２５を参照しながら説明する。

【0475】

図２５（Ａ）は、本発明の一態様のプログラムを説明するフローチャートである。図２５
（Ａ）は、図２４（Ｂ）に示す割り込み処理とは異なる割り込み処理を説明するフローチ
ャートである。

【0476】

なお、情報処理装置の構成例３は、供給された所定のイベントに基づいて、モードを変更
するステップを割り込み処理に有する点が、図２４（Ｂ）を参照しながら説明する割り込
み処理とは異なる。ここでは、異なる部分について詳細に説明し、同様の構成を用いるこ
とができる部分について上記の説明を援用する。

【0477】

《割り込み処理》
割り込み処理は以下の第６のステップ乃至第８のステップを備える（図２５（Ａ）参照）
。

【0478】

［第６のステップ］
第６のステップにおいて、所定のイベントが供給された場合は、第７のステップに進み、
所定のイベントが供給されなかった場合は、第８のステップに進む（図２５（Ａ）（Ｕ６
）参照）。例えば、所定の期間に所定のイベントが供給されたか否かを条件に用いること
ができる。具体的には、５秒以下、１秒以下または０．５秒以下好ましくは０．１秒以下
であって０秒より長い期間を所定の期間とすることができる。

【0479】

［第７のステップ］
第７のステップにおいて、モードを変更する（図２５（Ａ）（Ｕ７）参照）。具体的には
、第１のモードを選択していた場合は、第２のモードを選択し、第２のモードを選択して
いた場合は、第１のモードを選択する。

【0480】

例えば、表示部２３０の一部の領域について、表示モードを変更することができる。具体
的には、駆動回路ＧＤＡ、駆動回路ＧＤＢおよび駆動回路ＧＤＣを備える表示部２３０の
一の駆動回路が選択信号を供給する領域について、表示モードを変更することができる（
図２５（Ｂ）参照）。

【0481】

例えば、駆動回路ＧＤＢが選択信号を供給する領域と重なる領域にある入力部２４０に、
所定のイベントが供給された場合に、駆動回路ＧＤＢが選択信号を供給する領域の表示モ
ードを変更することができる（図２５（Ｂ）および図２５（Ｃ）参照）。具体的には、指
等を用いてタッチパネルに供給する「タップ」イベントに応じて、駆動回路ＧＤＢが供給
する選択信号の頻度を変更することができる。

【0482】

なお、信号ＧＣＬＫは駆動回路ＧＤＢの動作を制御するクロック信号であり、信号ＰＷＣ
１および信号ＰＷＣ２は駆動回路ＧＤＢの動作を制御するパルス幅制御信号である。駆動
回路ＧＤＢは、信号ＧＣＬＫ、信号ＰＷＣ１および信号ＰＷＣ２等に基づいて、選択信号
を導電膜Ｇ２（ｍ＋１）乃至導電膜Ｇ２（２ｍ）に供給する。

【0483】

これにより、例えば、駆動回路ＧＤＡおよび駆動回路ＧＤＣが選択信号を供給することな
く、駆動回路ＧＤＢが選択信号を供給することができる。または、駆動回路ＧＤＡおよび
駆動回路ＧＤＣが選択信号を供給する領域の表示を変えることなく、駆動回路ＧＤＢが選
択信号を供給する領域の表示を更新することができる。または、駆動回路が消費する電力
を抑制することができる。

【0484】

［第８のステップ］
第８のステップにおいて、割り込み処理を終了する（図２５（Ａ）（Ｕ８）参照）。なお
、主の処理を実行している期間に割り込み処理を繰り返し実行してもよい。

【0485】

《所定のイベント》
例えば、マウス等のポインティング装置を用いて供給する、「クリック」や「ドラッグ」
等のイベント、指等をポインタに用いてタッチパネルに供給する、「タップ」、「ドラッ
グ」または「スワイプ」等のイベントを用いることができる。

【0486】

また、例えば、ポインタが指し示すスライドバーの位置、スワイプの速度、ドラッグの速
度等を用いて、所定のイベントに関連付けられた命令の引数を与えることができる。

【0487】

例えば、検知部２５０が検知した情報をあらかじめ設定された閾値と比較して、比較結果
をイベントに用いることができる。

【0488】

具体的には、筐体に押し込むことができるように配設されたボタン等に接する感圧検知器
等を検知部２５０に用いることができる。

【0489】

《所定のイベントに関連付ける命令》
例えば、終了命令を、所定のイベントに関連付けることができる。

【0490】

例えば、表示されている一の画像情報から他の画像情報に表示を切り替える「ページめく
り命令」を、所定のイベントに関連付けることができる。なお、「ページめくり命令」を
実行する際に用いるページをめくる速度などを決定する引数を、所定のイベントを用いて
与えることができる。

【0491】

例えば、一の画像情報の表示されている一部分の表示位置を移動して、一部分に連続する
他の部分を表示する「スクロール命令」などを、所定のイベントに関連付けることができ
る。なお、「スクロール命令」を実行する際に用いる表示位置を移動する速度などを決定
する引数を、所定のイベントを用いて与えることができる。

【0492】

例えば、表示方法を設定する命令または画像情報を生成する命令などを、所定のイベント
に関連付けることができる。なお、生成する画像の明るさを決定する引数を所定のイベン
トに関連付けることができる。また、生成する画像の明るさを決定する引数を、検知部２
５０が検知する環境の明るさに基づいて決定してもよい。

【0493】

例えば、プッシュ型のサービスを用いて配信される情報を、通信部２９０を用いて取得す
る命令などを、所定のイベントに関連付けることができる。

【0494】

なお、情報を取得する資格の有無を、検知部２５０が検知する位置情報を用いて判断して
もよい。具体的には、所定の教室、学校、会議室、企業、建物等の内部または領域にいる
場合に、情報を取得する資格を有すると判断してもよい。これにより、例えば、学校また
は大学等の教室で配信される教材を受信して、情報処理装置２００を教科書等に用いるこ
とができる（図２３（Ｃ）参照）。または、企業等の会議室で配信される資料を受信して
、会議資料に用いることができる。

【0495】

＜情報処理装置の構成例４＞
本発明の一態様の情報処理装置の別の構成について、図２６を参照しながら説明する。

【0496】

図２６（Ａ）は、本発明の一態様のプログラムを説明するフローチャートである。図２６
（Ａ）は、図２４（Ｂ）に示す割り込み処理とは異なる割り込み処理を説明するフローチ
ャートである。図２６（Ｂ）は、図２６（Ａ）に示すプログラムの動作を説明する模式図
であり、図２６（Ｃ）は、撮影した指紋の模式図である。

【0497】

なお、図２６（Ａ）を参照しながら説明する情報処理装置の構成例４は、図２４（Ｂ）を
参照しながら説明する構成例とは、割り込み処理が異なる。具体的には、供給された所定
のイベントに基づいて、領域を特定するステップ、画像を生成するステップ、画像を表示
するステップ、撮像するステップを、割り込み処理が有する。ここでは、異なる部分につ
いて詳細に説明し、同様の構成を用いることができる部分について上記の説明を援用する
。

【0498】

《割り込み処理》
割り込み処理は、第６のステップ乃至第１１のステップを備える（図２６（Ａ）参照）。

【0499】

［第６のステップ］
第６のステップにおいて、所定のイベントが供給された場合は、第７のステップに進み、
所定のイベントが供給されなかった場合は、第１１のステップに進む（図２６（Ａ）（Ｖ
６）参照）。

【0500】

例えば、検知部２５０を用いて、所定のイベントを供給することができる。具体的には、
情報処理装置を持ち上げる等の運動を所定のイベントに用いることができる。例えば、角
加速度センサまたは加速度センサを用いて、情報処理装置の運動を検知することができる
。または、タッチセンサを用いて、指などの被写体の接触または近接を検知することがで
きる。

【0501】

［第７のステップ］
第７のステップにおいて、第１の領域ＳＨを特定する（図２６（Ａ）（Ｖ７）参照）。

【0502】

例えば、本発明の一態様の入出力装置２２０に、指などの被写体が接触または近接した領
域を、第１の領域ＳＨにすることができる。または、使用者等があらかじめ設定した領域
を第１の領域ＳＨに用いることができる。

【0503】

具体的には、本発明の一態様の機能パネルに接触または近接する指ＴＨＭなどを、画素７
０３（ｉ，ｊ）を用いて撮影し、画像処理をして、第１の領域ＳＨを特定することができ
る（図２６（Ｂ）参照）。

【0504】

例えば、指ＴＨＭなどの被写体の接触または近接により、外光が遮られて生じた影を、本
発明の一態様の機能パネルの画素７０３（ｉ，ｊ）を用いて撮影し、画像処理をして、第
１の領域ＳＨを特定することができる。

【0505】

または、本発明の一態様の機能パネルの画素７０３（ｉ，ｊ）を用いて、接触または近接
する指ＴＨＭなどの被写体に光を照射し、当該被写体が反射する光を、画素７０３（ｉ，
ｊ）を用いて撮影し、画像処理をして、第１の領域ＳＨを特定することができる。

【0506】

または、タッチセンサを用いて、指ＴＨＭなどの被写体が触れた領域を第１の領域ＳＨに
特定することができる。

【0507】

［第８のステップ］
第８のステップにおいて、第１の領域ＳＨに基づいて、第２の領域および第３の領域を含
む画像ＦＩを生成する（図２６（Ａ）（Ｖ８）および図２６（Ｂ）参照）。例えば、第１
の領域ＳＨの形状を第２の領域の形状に用い、第１の領域ＳＨを除く領域を、第３の領域
に用いる。

【0508】

［第９のステップ］
第９のステップにおいて、第２の領域が第１の領域ＳＨに重なるように、画像ＦＩを表示
する（図２６（Ａ）（Ｖ９）および図２６（Ｂ）参照）。

【0509】

例えば、画像ＦＩから画像信号を生成し、領域２３１に供給し、画素７０３（ｉ，ｊ）か
ら光を射出する。または、第１の選択信号を導電膜Ｇ１（ｉ）に供給している期間に、生
成した画像信号を導電膜Ｓ１ｇ（ｊ）に供給し、画素７０３（ｉ，ｊ）に画像信号を書き
込むことができる。または、生成した画像信号を導電膜Ｓ１ｇ（ｊ）および導電膜Ｓ２ｇ
（ｊ）に供給し、画素７０３（ｉ，ｊ）に強調された画像信号を書き込むことができる。
または、強調された画像信号を用いて、輝度を高めて表示することができる。

【0510】

これにより、指などの被写体が触れた領域２３１または近接した第１の領域ＳＨに重ねて
、画像ＦＩを表示することができる。または、指などの被写体が触れた領域に、画素７０
３（ｉ，ｊ）を用いて光を照射することができる。または、接触または近接する指ＴＨＭ
などの被写体に照明を当てることができる。または、使用者等があらかじめ設定した領域
に、指などの被写体を接触または近接するように、促すことができる。

【0511】

［第１０のステップ］
第１０のステップにおいて、画像ＦＩを表示しながら、第１の領域ＳＨに接触または近接
する被写体を撮像する（図２６（Ａ）（Ｖ１０）および図２６（Ｂ）参照）。

【0512】

例えば、領域２３１に近接する指ＴＨＭなどに光を照射しながら、当該指などを撮影する
。具体的には、領域２３１に接する指ＴＨＭの指紋ＦＰを撮影することができる（図２６
（Ｃ）参照）。

【0513】

例えば、画素７０３（ｉ，ｊ）に画像を表示した状態で、第１の選択信号の供給を停止す
ることができる。例えば、画素回路５３０Ｇ（ｉ，ｊ）に対する第１の選択信号の供給を
停止した状態で、画素７０３（ｉ，ｊ）を用いて撮像することができる。

【0514】

これにより、接触または近接する指などの被写体を、照明しながら撮像することができる
。または、第１の選択信号が供給されていない期間に撮像することができる。または、撮
像時のノイズを抑制することができる。または、指紋の鮮明な画像を取得することができ
る。または、使用者の認証に用いることができる画像を取得することができる。または、
領域２３１のどこであっても、領域２３１に触れる指の指紋を、鮮明に撮影することがで
きる。その結果、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供するこ
とができる。

【0515】

［第１１のステップ］
第１１のステップにおいて、割り込み処理を終了する（図２６（Ａ）（Ｖ１１）参照）。

【0516】

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる
。

【0517】

（実施の形態１０）
本実施の形態では、本発明の一態様の情報処理装置の構成について、図２７乃至図２９を
参照しながら説明する。

【0518】

図２７乃至図２９は、本発明の一態様の情報処理装置の構成を説明する図である。図２７
（Ａ）は情報処理装置のブロック図であり、図２７（Ｂ）乃至図２７（Ｅ）は情報処理装
置の構成を説明する斜視図である。また、図２８（Ａ）乃至図２８（Ｅ）は情報処理装置
の構成を説明する斜視図である。また、図２９（Ａ）および図２９（Ｂ）は情報処理装置
の構成を説明する斜視図である。

【0519】

＜情報処理装置＞
本実施の形態で説明する情報処理装置５２００Ｂは、演算装置５２１０と、入出力装置５
２２０と、を有する（図２７（Ａ）参照）。

【0520】

演算装置５２１０は、操作情報を供給される機能を備え、操作情報に基づいて画像情報を
供給する機能を備える。

【0521】

入出力装置５２２０は、表示部５２３０、入力部５２４０、検知部５２５０、通信部５２
９０、操作情報を供給する機能および画像情報を供給される機能を備える。また、入出力
装置５２２０は、検知情報を供給する機能、通信情報を供給する機能および通信情報を供
給される機能を備える。

【0522】

入力部５２４０は操作情報を供給する機能を備える。例えば、入力部５２４０は、情報処
理装置５２００Ｂの使用者の操作に基づいて操作情報を供給する。

【0523】

具体的には、キーボード、ハードウェアボタン、ポインティングデバイス、タッチセンサ
、照度センサ、撮像装置、音声入力装置、視線入力装置、姿勢検出装置などを、入力部５
２４０に用いることができる。

【0524】

表示部５２３０は機能パネルおよび画像情報を表示する機能を備える。例えば、実施の形
態１乃至実施の形態５において説明する機能パネルを表示部５２３０に用いることができ
る。

【0525】

検知部５２５０は検知情報を供給する機能を備える。例えば、情報処理装置が使用されて
いる周辺の環境を検知して、検知情報として供給する機能を備える。

【0526】

具体的には、照度センサ、撮像装置、姿勢検出装置、圧力センサ、人感センサなどを検知
部５２５０に用いることができる。

【0527】

通信部５２９０は通信情報を供給される機能および供給する機能を備える。例えば、無線
通信または有線通信により、他の電子機器または通信網と接続する機能を備える。具体的
には、無線構内通信、電話通信、近距離無線通信などの機能を備える。

【0528】

《情報処理装置の構成例１》
例えば、円筒状の柱などに沿った外形を表示部５２３０に適用することができる（図２７
（Ｂ）参照）。また、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える。また
、人の存在を検知して、表示内容を変更する機能を備える。これにより、例えば、建物の
柱に設置することができる。または、広告または案内等を表示することができる。または
、デジタル・サイネージ等に用いることができる。

【0529】

《情報処理装置の構成例２》
例えば、使用者が使用するポインタの軌跡に基づいて画像情報を生成する機能を備える（
図２７（Ｃ）参照）。具体的には、対角線の長さが２０インチ以上、好ましくは４０イン
チ以上、より好ましくは５５インチ以上の機能パネルを用いることができる。または、複
数の機能パネルを並べて１つの表示領域に用いることができる。または、複数の機能パネ
ルを並べてマルチスクリーンに用いることができる。これにより、例えば、電子黒板、電
子掲示板、電子看板等に用いることができる。

【0530】

《情報処理装置の構成例３》
他の装置から情報を受信して、表示部５２３０に表示することができる（図２７（Ｄ）参
照）。または、いくつかの選択肢を表示できる。または、使用者は選択肢からいくつかを
選択し、当該情報の送信元に返信できる。または、例えば、使用環境の照度に応じて、表
示方法を変更する機能を備える。これにより、例えば、スマートウオッチの消費電力を低
減することができる。または、例えば、晴天の屋外等の外光の強い環境においても好適に
使用できるように、画像をスマートウオッチに表示することができる。

【0531】

《情報処理装置の構成例４》
表示部５２３０は、例えば、筐体の側面に沿って緩やかに曲がる曲面を備える（図２７（
Ｅ）参照）。または、表示部５２３０は機能パネルを備え、機能パネルは、例えば、前面
、側面、上面および背面に表示する機能を備える。これにより、例えば、携帯電話の前面
だけでなく、側面、上面および背面に情報を表示することができる。

【0532】

《情報処理装置の構成例５》
例えば、インターネットから情報を受信して、表示部５２３０に表示することができる（
図２８（Ａ）参照）。または、作成したメッセージを表示部５２３０で確認することがで
きる。または、作成したメッセージを他の装置に送信できる。または、例えば、使用環境
の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える。これにより、スマートフォンの消費
電力を低減することができる。または、例えば、晴天の屋外等の外光の強い環境において
も好適に使用できるように、画像をスマートフォンに表示することができる。

【0533】

《情報処理装置の構成例６》
リモートコントローラーを入力部５２４０に用いることができる（図２８（Ｂ）参照）。
または、例えば、放送局またはインターネットから情報を受信して、表示部５２３０に表
示することができる。または、検知部５２５０を用いて使用者を撮影できる。または、使
用者の映像を送信できる。または、使用者の視聴履歴を取得して、クラウド・サービスに
提供できる。または、クラウド・サービスから、レコメンド情報を取得して、表示部５２
３０に表示できる。または、レコメンド情報に基づいて、番組または動画を表示できる。
または、例えば、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える。これによ
り、晴天の日に屋内に差し込む強い外光が当たっても好適に使用できるように、映像をテ
レビジョンシステムに表示することができる。

【0534】

《情報処理装置の構成例７》
例えば、インターネットから教材を受信して、表示部５２３０に表示することができる（
図２８（Ｃ）参照）。または、入力部５２４０を用いて、レポートを入力し、インターネ
ットに送信することができる。または、クラウド・サービスから、レポートの添削結果ま
たは評価を取得して、表示部５２３０に表示できる。または、評価に基づいて、好適な教
材を選択し、表示できる。

【0535】

例えば、他の情報処理装置から画像信号を受信して、表示部５２３０に表示することがで
きる。または、スタンドなどに立てかけて、表示部５２３０をサブディスプレイに用いる
ことができる。これにより、例えば、晴天の屋外等の外光の強い環境においても好適に使
用できるように、画像をタブレットコンピュータに表示することができる。

【0536】

《情報処理装置の構成例８》
情報処理装置は、例えば、複数の表示部５２３０を備える（図２８（Ｄ）参照）。例えば
、検知部５２５０で撮影しながら表示部５２３０に表示することができる。または、撮影
した映像を検知部に表示することができる。または、入力部５２４０を用いて、撮影した
映像に装飾を施せる。または、撮影した映像にメッセージを添付できる。または、インタ
ーネットに送信できる。または、使用環境の照度に応じて、撮影条件を変更する機能を備
える。これにより、例えば、晴天の屋外等の外光の強い環境においても好適に閲覧できる
ように、被写体をデジタルカメラに表示することができる。

【0537】

《情報処理装置の構成例９》
例えば、他の情報処理装置をスレイブに用い、本実施の形態の情報処理装置をマスターに
用いて、他の情報処理装置を制御することができる（図２８（Ｅ）参照）。または、例え
ば、画像情報の一部を表示部５２３０に表示し、画像情報の他の一部を他の情報処理装置
の表示部に表示することができる。他の情報処理装置に画像信号を供給することができる
。または、通信部５２９０を用いて、他の情報処理装置の入力部から書き込む情報を取得
できる。これにより、例えば、携帯可能なパーソナルコンピュータを用いて、広い表示領
域を利用することができる。

【0538】

《情報処理装置の構成例１０》
情報処理装置は、例えば、加速度または方位を検知する検知部５２５０を備える（図２９
（Ａ）参照）。または、検知部５２５０は、使用者の位置または使用者が向いている方向
に係る情報を供給することができる。または、情報処理装置は、使用者の位置または使用
者が向いている方向に基づいて、右目用の画像情報および左目用の画像情報を生成するこ
とができる。または、表示部５２３０は、右目用の表示領域および左目用の表示領域を備
える。これにより、例えば、没入感を得られる仮想現実空間の映像を、ゴーグル型の情報
処理装置に表示することができる。

【0539】

《情報処理装置の構成例１１》
情報処理装置は、例えば、撮像装置、加速度または方位を検知する検知部５２５０を備え
る（図２９（Ｂ）参照）。または、検知部５２５０は、使用者の位置または使用者が向い
ている方向に係る情報を供給することができる。または、情報処理装置は、使用者の位置
または使用者が向いている方向に基づいて、画像情報を生成することができる。これによ
り、例えば、現実の風景に情報を添付して表示することができる。または、拡張現実空間
の映像を、めがね型の情報処理装置に表示することができる。

【0540】

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる
。

【0541】

例えば、本明細書等において、ＸとＹとが接続されている、と明示的に記載されている場
合は、ＸとＹとが電気的に接続されている場合と、ＸとＹとが機能的に接続されている場
合と、ＸとＹとが直接接続されている場合とが、本明細書等に開示されているものとする
。したがって、所定の接続関係、例えば、図または文章に示された接続関係に限定されず
、図または文章に示された接続関係以外のものも、図または文章に開示されているものと
する。

【0542】

ここで、Ｘ、Ｙは、対象物（例えば、装置、素子、回路、配線、電極、端子、導電膜、層
、など）であるとする。

【0543】

ＸとＹとが直接的に接続されている場合の一例としては、ＸとＹとの電気的な接続を可能
とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイ
オード、表示素子、発光素子、負荷など）が、ＸとＹとの間に接続されていない場合であ
り、ＸとＹとの電気的な接続を可能とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容量
素子、インダクタ、抵抗素子、ダイオード、表示素子、発光素子、負荷など）を介さずに
、ＸとＹとが、接続されている場合である。

【0544】

ＸとＹとが電気的に接続されている場合の一例としては、ＸとＹとの電気的な接続を可能
とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイ
オード、表示素子、発光素子、負荷など）が、ＸとＹとの間に１個以上接続されることが
可能である。なお、スイッチは、オンオフが制御される機能を有している。つまり、スイ
ッチは、導通状態（オン状態）、または、非導通状態（オフ状態）になり、電流を流すか
流さないかを制御する機能を有している。または、スイッチは、電流を流す経路を選択し
て切り替える機能を有している。なお、ＸとＹとが電気的に接続されている場合は、Ｘと
Ｙとが直接的に接続されている場合を含むものとする。

【0545】

ＸとＹとが機能的に接続されている場合の一例としては、ＸとＹとの機能的な接続を可能
とする回路（例えば、論理回路（インバータ、ＮＡＮＤ回路、ＮＯＲ回路など）、信号変
換回路（ＤＡ変換回路、ＡＤ変換回路、ガンマ補正回路など）、電位レベル変換回路（電
源回路（昇圧回路、降圧回路など）、信号の電位レベルを変えるレベルシフタ回路など）
、電圧源、電流源、切り替え回路、増幅回路（信号振幅または電流量などを大きく出来る
回路、オペアンプ、差動増幅回路、ソースフォロワ回路、バッファ回路など）、信号生成
回路、記憶回路、制御回路など）が、ＸとＹとの間に１個以上接続されることが可能であ
る。なお、一例として、ＸとＹとの間に別の回路を挟んでいても、Ｘから出力された信号
がＹへ伝達される場合は、ＸとＹとは機能的に接続されているものとする。なお、ＸとＹ
とが機能的に接続されている場合は、ＸとＹとが直接的に接続されている場合と、ＸとＹ
とが電気的に接続されている場合とを含むものとする。

【0546】

なお、ＸとＹとが電気的に接続されている、と明示的に記載されている場合は、ＸとＹと
が電気的に接続されている場合（つまり、ＸとＹとの間に別の素子又は別の回路を挟んで
接続されている場合）と、ＸとＹとが機能的に接続されている場合（つまり、ＸとＹとの
間に別の回路を挟んで接続されている場合）と、ＸとＹとが直接接続されている場合（つ
まり、ＸとＹとの間に別の素子又は別の回路を挟まずに接続されている場合）とが、本明
細書等に開示されているものとする。つまり、電気的に接続されている、と明示的に記載
されている場合は、単に、接続されている、とのみ明示的に記載されている場合と同様な
内容が、本明細書等に開示されているものとする。

【0547】

なお、例えば、トランジスタのソース（又は第１の端子など）が、Ｚ１を介して（又は介
さず）、Ｘと電気的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）が、Ｚ
２を介して（又は介さず）、Ｙと電気的に接続されている場合や、トランジスタのソース
（又は第１の端子など）が、Ｚ１の一部と直接的に接続され、Ｚ１の別の一部がＸと直接
的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）が、Ｚ２の一部と直接的
に接続され、Ｚ２の別の一部がＹと直接的に接続されている場合では、以下のように表現
することが出来る。

【0548】

例えば、「ＸとＹとトランジスタのソース（又は第１の端子など）とドレイン（又は第２
の端子など）とは、互いに電気的に接続されており、Ｘ、トランジスタのソース（又は第
１の端子など）、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）、Ｙの順序で電気的に
接続されている。」と表現することができる。または、「トランジスタのソース（又は第
１の端子など）は、Ｘと電気的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子な
ど）はＹと電気的に接続され、Ｘ、トランジスタのソース（又は第１の端子など）、トラ
ンジスタのドレイン（又は第２の端子など）、Ｙは、この順序で電気的に接続されている
」と表現することができる。または、「Ｘは、トランジスタのソース（又は第１の端子な
ど）とドレイン（又は第２の端子など）とを介して、Ｙと電気的に接続され、Ｘ、トラン
ジスタのソース（又は第１の端子など）、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など
）、Ｙは、この接続順序で設けられている」と表現することができる。これらの例と同様
な表現方法を用いて、回路構成における接続の順序について規定することにより、トラン
ジスタのソース（又は第１の端子など）と、ドレイン（又は第２の端子など）とを、区別
して、技術的範囲を決定することができる。

【0549】

または、別の表現方法として、例えば、「トランジスタのソース（又は第１の端子など）
は、少なくとも第１の接続経路を介して、Ｘと電気的に接続され、前記第１の接続経路は
、第２の接続経路を有しておらず、前記第２の接続経路は、トランジスタを介した、トラ
ンジスタのソース（又は第１の端子など）とトランジスタのドレイン（又は第２の端子な
ど）との間の経路であり、前記第１の接続経路は、Ｚ１を介した経路であり、トランジス
タのドレイン（又は第２の端子など）は、少なくとも第３の接続経路を介して、Ｙと電気
的に接続され、前記第３の接続経路は、前記第２の接続経路を有しておらず、前記第３の
接続経路は、Ｚ２を介した経路である。」と表現することができる。または、「トランジ
スタのソース（又は第１の端子など）は、少なくとも第１の接続経路によって、Ｚ１を介
して、Ｘと電気的に接続され、前記第１の接続経路は、第２の接続経路を有しておらず、
前記第２の接続経路は、トランジスタを介した接続経路を有し、トランジスタのドレイン
（又は第２の端子など）は、少なくとも第３の接続経路によって、Ｚ２を介して、Ｙと電
気的に接続され、前記第３の接続経路は、前記第２の接続経路を有していない。」と表現
することができる。または、「トランジスタのソース（又は第１の端子など）は、少なく
とも第１の電気的パスによって、Ｚ１を介して、Ｘと電気的に接続され、前記第１の電気
的パスは、第２の電気的パスを有しておらず、前記第２の電気的パスは、トランジスタの
ソース（又は第１の端子など）からトランジスタのドレイン（又は第２の端子など）への
電気的パスであり、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）は、少なくとも第３
の電気的パスによって、Ｚ２を介して、Ｙと電気的に接続され、前記第３の電気的パスは
、第４の電気的パスを有しておらず、前記第４の電気的パスは、トランジスタのドレイン
（又は第２の端子など）からトランジスタのソース（又は第１の端子など）への電気的パ
スである。」と表現することができる。これらの例と同様な表現方法を用いて、回路構成
における接続経路について規定することにより、トランジスタのソース（又は第１の端子
など）と、ドレイン（又は第２の端子など）とを、区別して、技術的範囲を決定すること
ができる。

【0550】

なお、これらの表現方法は、一例であり、これらの表現方法に限定されない。ここで、Ｘ
、Ｙ、Ｚ１、Ｚ２は、対象物（例えば、装置、素子、回路、配線、電極、端子、導電膜、
層、など）であるとする。

【0551】

なお、回路図上は独立している構成要素同士が電気的に接続しているように図示されてい
る場合であっても、１つの構成要素が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合もあ
る。例えば配線の一部が電極としても機能する場合は、一の導電膜が、配線の機能、及び
電極の機能の両方の構成要素の機能を併せ持っている。したがって、本明細書における電
気的に接続とは、このような、一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場
合も、その範疇に含める。

【符号の説明】

【0552】

ＡＤＣ アナログデジタル変換回路
ＡＭＰ 増幅回路
ＡＮＯ 導電膜
Ｃ２１ 容量
Ｃ３１ 容量
ＣＩ 制御情報
ＣＬ 導電膜
ＣＰ 導電材料
ＣＳ 容量
Ｄ３ 距離
ＤＣ 検知回路
ＤＳ 検知情報
ＦＤ ノード
Ｇ１ 導電膜
Ｇ２ 導電膜
ＧＣＬＫ 信号
ＧＤ 駆動回路
ＧＤＡ 駆動回路
ＧＤＢ 駆動回路
ＧＤＣ 駆動回路
ＩＩ 入力情報
ＩＮ 端子
ＭＤ トランジスタ
Ｍ２１ トランジスタ
Ｍ３１ トランジスタ
Ｍ３２ トランジスタ
Ｎ２１ ノード
ＯＵＴ 端子
ＯＳＣ 発振回路
Ｐ１ 位置情報
ＰＷＣ１ 信号
ＰＷＣ２ 信号
ＲＣ 回路
ＲＤ 駆動回路
ＲＳ 導電膜
Ｓ１ｇ 導電膜
Ｓ２ｇ 導電膜
ＳＣ サンプリング回路
ＳＤ 駆動回路
ＳＥ 導電膜
ＳＨ 領域
ＳＷ２１ スイッチ
ＳＷ２２ スイッチ
ＳＷ３１ スイッチ
ＳＷ３２ スイッチ
ＳＷ３３ スイッチ
ＴＸ 導電膜
ＶＣＯＭ２ 導電膜
ＶＣＰ 導電膜
ＶＩ 画像情報
ＶＩＶ 導電膜
ＶＬＥＮ 導電膜
ＶＰＤ 導電膜
ＶＰＩ 導電膜
ＶＲ 導電膜
ＷＸ 導電膜
ＦＰＣ１ フレキシブルプリント基板
２００ 情報処理装置
２０１ 筐体
２０１Ａ 面
２０１Ｂ 接合層
２１０ 演算装置
２１１ 演算部
２１２ 記憶部
２１３ 人工知能部
２１４ 伝送路
２１５ 入出力インターフェース
２２０ 入出力装置
２３０ 表示部
２３１ 領域
２３３ タイミングコントローラ
２３４ 伸張回路
２３５ 画像処理回路
２３８ 制御部
２４０ 入力部
２４１ 検知領域
２４３ 制御回路
２４８ 制御部
２４９ 部材
２５０ 検知部
２９０ 通信部
４１０ 基材
４１０Ａ 接合層
５０１Ｃ 絶縁膜
５０１Ｄ 絶縁膜
５０４ 導電膜
５０５ 接合層
５０６ 絶縁膜
５０８ 半導体膜
５０８Ａ 領域
５０８Ｂ 領域
５０８Ｃ 領域
５１０ 基材
５１０Ｍ 導電膜
５１２Ａ 導電膜
５１２Ｂ 導電膜
５１６ 絶縁膜
５１８ 絶縁膜
５１９Ｂ 端子
５２０ 機能層
５２１ 絶縁膜
５２４ 導電膜
５２８ 絶縁膜
５３０ 回路
５３０Ｇ 画素回路
５３０Ｓ 画素回路
５５０Ｇ 発光素子
５５１Ｇ 電極
５５１Ｓ 電極
５５２ 電極
５５３Ｇ 発光性の材料を含む層
５５３Ｓ 光電変換材料を含む層
５７３ 絶縁膜
５７３Ａ 絶縁膜
５７３Ｂ 絶縁膜
５９１Ｇ 開口部
５９１Ｓ 開口部
７００ 機能パネル
７００ＴＰ 入出力パネル
７０２Ｂ 画素
７０２Ｇ 画素
７０２Ｒ 画素
７０２Ｓ 画素
７０３ 画素
７０５ 封止材
７２０ 機能層
７７０ 基材
７７０Ｐ 機能膜
７７１ 絶縁膜
８０２ 検知器
５２００Ｂ 情報処理装置
５２１０ 演算装置
５２２０ 入出力装置
５２３０ 表示部
５２４０ 入力部
５２５０ 検知部
５２９０ 通信部

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】

【図20】

【図21】

【図22】

【図23】

【図24】

【図25】

【図26】

【図27】

【図28】

【図29】

【図30】