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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024169962
(43)【公開日】2024-12-06
(54)【発明の名称】表示装置
(51)【国際特許分類】
H10K 50/824 20230101AFI20241129BHJP
H10K 50/10 20230101ALI20241129BHJP
H10K 59/122 20230101ALI20241129BHJP
G09F 9/30 20060101ALI20241129BHJP
【ＦＩ】
H10K50/824
H10K50/10
H10K59/122
G09F9/30 349Z
G09F9/30 365
G09F9/30 348A
【審査請求】未請求
【請求項の数】12
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023086843
(22)【出願日】2023-05-26
(71)【出願人】
【識別番号】502356528
【氏名又は名称】株式会社ジャパンディスプレイ
(74)【代理人】
【識別番号】110001737
【氏名又は名称】弁理士法人スズエ国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】羽成 淳
(72)【発明者】
【氏名】三宅 秀和
【テーマコード（参考）】
3K107
5C094
【Ｆターム（参考）】
3K107AA01
3K107BB01
3K107BB08
3K107CC33
3K107DD37
3K107DD89
3K107FF15
5C094BA27
5C094DA13
5C094DA15
5C094EA10
5C094EC04
(57)【要約】
【課題】 改善された配線構造を有する表示装置を提供する。
【解決手段】 概して、実施形態によれば、表示装置は、下電極、前記下電極に対向する上電極、および、前記下電極と前記上電極の間に配置され、前記下電極と前記上電極の電位差に応じて発光する有機層をそれぞれ含む複数の副画素と、下部および前記下部の側面から突出した上部を含み、前記複数の副画素の各々を囲う隔壁と、を備えている。前記隔壁は、前記下部が互いに積層された第１導電層および第２導電層を含む第１隔壁と、前記下部が絶縁層および当該絶縁層の上に配置された前記第２導電層を含む第２隔壁と、を備えている。さらに、前記第２隔壁の少なくとも一部にスリットが設けられている。
【選択図】 図５
【解決手段】 概して、実施形態によれば、表示装置は、下電極、前記下電極に対向する上電極、および、前記下電極と前記上電極の間に配置され、前記下電極と前記上電極の電位差に応じて発光する有機層をそれぞれ含む複数の副画素と、下部および前記下部の側面から突出した上部を含み、前記複数の副画素の各々を囲う隔壁と、を備えている。前記隔壁は、前記下部が互いに積層された第１導電層および第２導電層を含む第１隔壁と、前記下部が絶縁層および当該絶縁層の上に配置された前記第２導電層を含む第２隔壁と、を備えている。さらに、前記第２隔壁の少なくとも一部にスリットが設けられている。
【選択図】 図５
【特許請求の範囲】
【請求項1】
下電極、前記下電極に対向する上電極、および、前記下電極と前記上電極の間に配置され、前記下電極と前記上電極の電位差に応じて発光する有機層をそれぞれ含む複数の副画素と、
下部および前記下部の側面から突出した上部を含み、前記複数の副画素の各々を囲う隔壁と、
を備え、
前記隔壁は、
前記下部が互いに積層された第１導電層および第２導電層を含む第１隔壁と、
前記下部が絶縁層および当該絶縁層の上に配置された前記第２導電層を含む第２隔壁と、
を備え、
前記第２隔壁の少なくとも一部にスリットが設けられている、表示装置。
下部および前記下部の側面から突出した上部を含み、前記複数の副画素の各々を囲う隔壁と、
を備え、
前記隔壁は、
前記下部が互いに積層された第１導電層および第２導電層を含む第１隔壁と、
前記下部が絶縁層および当該絶縁層の上に配置された前記第２導電層を含む第２隔壁と、
を備え、
前記第２隔壁の少なくとも一部にスリットが設けられている、表示装置。
【請求項2】
前記スリットは、前記第２隔壁の前記上部および前記第２導電層を分断し、前記絶縁層を分断していない、
請求項１に記載の表示装置。
請求項１に記載の表示装置。
【請求項3】
前記スリットは、前記第２隔壁の前記上部、前記第２導電層および前記絶縁層を分断している、
請求項１に記載の表示装置。
請求項１に記載の表示装置。
【請求項4】
下電極、前記下電極に対向する上電極、および、前記下電極と前記上電極の間に配置され、前記下電極と前記上電極の電位差に応じて発光する有機層をそれぞれ含む複数の副画素と、
下部および前記下部の側面から突出した上部を含み、前記複数の副画素の各々を囲う隔壁と、
を備え、
前記隔壁は、
前記下部が第１高さを有する第１隔壁と、
前記下部が前記第１高さよりも小さい第２高さを有する第２隔壁と、
を備え、
前記第２隔壁の少なくとも一部にスリットが設けられている、表示装置。
下部および前記下部の側面から突出した上部を含み、前記複数の副画素の各々を囲う隔壁と、
を備え、
前記隔壁は、
前記下部が第１高さを有する第１隔壁と、
前記下部が前記第１高さよりも小さい第２高さを有する第２隔壁と、
を備え、
前記第２隔壁の少なくとも一部にスリットが設けられている、表示装置。
【請求項5】
前記複数の副画素の各々において、少なくとも１辺が前記第１隔壁に面している、
請求項１乃至４のうちいずれか１項に記載の表示装置。
請求項１乃至４のうちいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項6】
前記複数の副画素の各々の前記上電極は、前記第１隔壁の前記下部の側面に接触している、
請求項５に記載の表示装置。
請求項５に記載の表示装置。
【請求項7】
前記第２隔壁は、前記スリットによって分断された第１部分と第２部分を有し、
前記第１部分と前記第２部分の間の空間に前記有機層および前記上電極が配置されていない、
請求項１乃至４のうちいずれか１項に記載の表示装置。
前記第１部分と前記第２部分の間の空間に前記有機層および前記上電極が配置されていない、
請求項１乃至４のうちいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項8】
前記複数の副画素の各々において画素開口を有するリブをさらに備え、
前記隔壁は、前記リブの上に配置され、
前記リブのうち前記スリットが設けられた前記第２隔壁の下方に位置する部分の幅は、前記リブのうち前記第１隔壁の下方に位置する部分の幅よりも大きい、
請求項１乃至４のうちいずれか１項に記載の表示装置。
前記隔壁は、前記リブの上に配置され、
前記リブのうち前記スリットが設けられた前記第２隔壁の下方に位置する部分の幅は、前記リブのうち前記第１隔壁の下方に位置する部分の幅よりも大きい、
請求項１乃至４のうちいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項9】
前記隔壁は、互いに平行に延びる複数の第２隔壁を含み、
前記スリットは、前記複数の第２隔壁の少なくとも１つに対して設けられ、前記第２隔壁の延出方向に延びている、
請求項１乃至４のうちいずれか１項に記載の表示装置。
前記スリットは、前記複数の第２隔壁の少なくとも１つに対して設けられ、前記第２隔壁の延出方向に延びている、
請求項１乃至４のうちいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項10】
前記複数の副画素は、第１色を表示する複数の第１副画素と、第２色を表示する複数の第２副画素と、第３色を表示する複数の第３副画素とを含み、
前記第１副画素の開口率は、前記第２副画素の開口率および前記第３副画素の開口率よりも大きく、
前記第１副画素の少なくとも１辺が前記第２隔壁に面している、
請求項１乃至４のうちいずれか１項に記載の表示装置。
前記第１副画素の開口率は、前記第２副画素の開口率および前記第３副画素の開口率よりも大きく、
前記第１副画素の少なくとも１辺が前記第２隔壁に面している、
請求項１乃至４のうちいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項11】
前記複数の第１副画素は、前記第１隔壁および前記第２隔壁の間で直線状に並び、
隣り合う前記第１副画素の間に前記隔壁が配置されていない、
請求項１０に記載の表示装置。
隣り合う前記第１副画素の間に前記隔壁が配置されていない、
請求項１０に記載の表示装置。
【請求項12】
前記複数の第１副画素は、前記第１隔壁および前記第２隔壁の間で直線状に並び、
前記第２隔壁は、隣り合う前記第１副画素の間で前記第１隔壁に向けて延びる突出部を有し、
前記突出部の先端は、前記第１隔壁と離間している、
請求項１０に記載の表示装置。
前記第２隔壁は、隣り合う前記第１副画素の間で前記第１隔壁に向けて延びる突出部を有し、
前記突出部の先端は、前記第１隔壁と離間している、
請求項１０に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明の実施形態は、表示装置に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を適用した表示装置が実用化されている。この表示素子は、下電極と、下電極を覆う有機層と、有機層を覆う上電極とを備えている。各表示素子の上電極には、表示領域に配置された配線を通じて共通電圧が印加される。これら上電極および配線は、表示領域と全体的に重なる共通電極を構成する。
【0003】
表示装置を備える電子機器に対し、近距離無線通信（ＮＦＣ）のための電波を送受信するアンテナが表示装置に重ねた状態で組み込まれることがある。この場合においては、アンテナが発する磁界に起因した渦電流が共通電極に発生し得る。共通電極が低抵抗であると、渦電流により生じる磁界が強まり、アンテナによる通信を阻害する一因となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開２０００－１９５６７７号公報
【特許文献2】特開２００４－２０７２１７号公報
【特許文献3】特開２００８－１３５３２５号公報
【特許文献4】特開２００９－３２６７３号公報
【特許文献5】特開２０１０－１１８１９１号公報
【特許文献6】国際公開第２０１８／１７９３０８号
【特許文献7】米国特許出願公開第２０２２／００７７２５１号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
本発明は、改善された配線構造を有する表示装置を提供することを目的の一つとする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
概して、実施形態によれば、表示装置は、下電極、前記下電極に対向する上電極、および、前記下電極と前記上電極の間に配置され、前記下電極と前記上電極の電位差に応じて発光する有機層をそれぞれ含む複数の副画素と、下部および前記下部の側面から突出した上部を含み、前記複数の副画素の各々を囲う隔壁と、を備えている。
【0007】
一実施形態において、前記隔壁は、前記下部が互いに積層された第１導電層および第２導電層を含む第１隔壁と、前記下部が絶縁層および当該絶縁層の上に配置された前記第２導電層を含む第２隔壁と、を備えている。さらに、前記第２隔壁の少なくとも一部にスリットが設けられている。
【0008】
他の実施形態において、前記隔壁は、前記下部が第１高さを有する第１隔壁と、前記下部が前記第１高さよりも小さい第２高さを有する第２隔壁と、を備えている。さらに、前記第２隔壁の少なくとも一部にスリットが設けられている。
【図面の簡単な説明】
【0009】
【発明を実施するための形態】
【0010】
いくつかの実施形態について図面を参照しながら説明する。
開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一または類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。
開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一または類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。
【0011】
なお、図面には、必要に応じて理解を容易にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を記載する。Ｘ軸に沿った方向を第１方向Ｘと称し、Ｙ軸に沿った方向を第２方向Ｙと称し、Ｚ軸に沿った方向を第３方向Ｚと称する。第３方向Ｚは、第１方向Ｘと第２方向Ｙを含む平面に対して法線方向である。また、第３方向Ｚと平行に各種要素を見ることを平面視という。Ｚ軸の矢印が指す方向を上と称し、その反対方向を下と称すことがある。また、上、上方あるいは対向などの２つ以上の構成要素の相互の位置関係を示す用語により規定される状態は、これら構成要素が直接接する状態のみならず、空隙や他の構成要素を挟んで相互に離間している状態も含み得る。
【0012】
各実施形態に係る表示装置は、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を備える有機エレクトロルミネッセンス表示装置であり、テレビ、パーソナルコンピュータ、車載機器、タブレット端末、スマートフォン、携帯電話端末、ウェアラブル端末等の各種の電子機器に搭載され得る。
【0013】
［第１実施形態］
図１は、第１実施形態に係る表示装置ＤＳＰの構成例を示す図である。表示装置ＤＳＰは、絶縁性の基板１０を備えている。基板１０は、画像を表示する表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡの周辺の周辺領域ＳＡとを有している。基板１０は、ガラスであってもよいし、可撓性を有する樹脂フィルムであってもよい。
図１は、第１実施形態に係る表示装置ＤＳＰの構成例を示す図である。表示装置ＤＳＰは、絶縁性の基板１０を備えている。基板１０は、画像を表示する表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡの周辺の周辺領域ＳＡとを有している。基板１０は、ガラスであってもよいし、可撓性を有する樹脂フィルムであってもよい。
【0014】
本実施形態においては、平面視における基板１０の形状が長方形である。ただし、基板１０の平面視における形状は長方形に限られず、正方形、円形あるいは楕円形などの他の形状であってもよい。
【0015】
表示領域ＤＡは、第１方向Ｘおよび第２方向Ｙにマトリクス状に配列された複数の画素ＰＸを備えている。画素ＰＸは、異なる色を表示する複数の副画素ＳＰを含む。本実施形態においては、画素ＰＸが青色の副画素ＳＰ１と、緑色の副画素ＳＰ２と、赤色の副画素ＳＰ３とを含む場合を想定する。ここで、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３は、第１副画素、第２副画素および第３副画素の一例である。また、青色、緑色および赤色は、第１色、第２色および第３色の一例である。画素ＰＸは、白色や黄色などの他の色の副画素ＳＰを含んでもよい。また、画素ＰＸを構成する副画素ＳＰの数は３つに限定されない。
【0016】
副画素ＳＰは、画素回路１と、画素回路１によって駆動される表示素子ＤＥとを備えている。画素回路１は、画素スイッチ２と、駆動トランジスタ３と、キャパシタ４とを備えている。画素スイッチ２および駆動トランジスタ３は、例えば薄膜トランジスタにより構成されたスイッチング素子である。
【0017】
表示領域ＤＡには、各副画素ＳＰの画素回路１に走査信号を供給する複数の走査線Ｇと、各副画素ＳＰの画素回路１に映像信号を供給する複数の信号線Ｓと、複数の電源線ＰＬとが配置されている。図１の例においては、走査線Ｇおよび電源線ＰＬが第１方向Ｘに延び、信号線Ｓが第２方向Ｙに延びている。
【0018】
画素スイッチ２のゲート電極は、走査線Ｇに接続されている。画素スイッチ２のソース電極およびドレイン電極の一方は信号線Ｓに接続され、他方は駆動トランジスタ３のゲート電極およびキャパシタ４に接続されている。駆動トランジスタ３において、ソース電極およびドレイン電極の一方は電源線ＰＬおよびキャパシタ４に接続され、他方は表示素子ＤＥに接続されている。
【0019】
なお、画素回路１の構成は図示した例に限られない。例えば、画素回路１は、より多くの薄膜トランジスタおよびキャパシタを備えてもよい。
【0020】
図２は、本実施形態に係る表示領域ＤＡの概略的な平面図である。表示領域ＤＡには、導電性の隔壁６が配置されている。隔壁６は、表示素子ＤＥに共通電圧を供給する配線として機能する。隔壁６は、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３を囲う格子状である。
【0021】
図２の例においては、複数の副画素ＳＰ１を含む画素列Ｃ１と、複数の副画素ＳＰ２，ＳＰ３を含む画素列Ｃｍとが表示領域ＤＡに形成されている。画素列Ｃ１と画素列Ｃｍは、第１方向Ｘに交互に並んでいる。画素列Ｃ１においては、複数の副画素ＳＰ１が第２方向Ｙに並んでいる。画素列Ｃｍにおいては、副画素ＳＰ２と副画素ＳＰ３が第２方向Ｙに交互に並んでいる。
【0022】
本実施形態において、隔壁６は、複数の第１隔壁６Ａと、互いに平行に延びる複数の第２隔壁６Ｂ（斜線を付した部分）とを有している。これら隔壁６Ａ，６Ｂの詳細な構造については、図５を用いて後述する。
【0023】
複数の第２隔壁６Ｂは、第２方向Ｙに直線状に延び、第１方向Ｘに間隔をあけて並んでいる。複数の第２隔壁６Ｂの少なくとも１つには、スリットＳＬが設けられている。図２においては全ての第２隔壁６ＢにスリットＳＬが設けられているが、この例に限られない。スリットＳＬは、第２隔壁６Ｂの延出方向（図２においては第２方向Ｙ）に延びている。
【0024】
隣り合う２つの第２隔壁６Ｂの間には、画素列Ｃｍと画素列Ｃ１が１つずつ配置されている。第１隔壁６Ａは、隣り合う２つの第２隔壁６Ｂの間に位置する副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３の境界に沿って形成されている。
【0025】
図３は、図２において鎖線枠で囲った画素ＰＸを拡大した概略的な平面図である。表示領域ＤＡには、リブ５が配置されている。隔壁６は、全体的にリブ５と重なっている。リブ５は、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３においてそれぞれ画素開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３を有している。
【0026】
図３の例においては、画素開口ＡＰ１が画素開口ＡＰ２よりも大きく、画素開口ＡＰ２が画素開口ＡＰ３よりも大きい。すなわち、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のうちで副画素ＳＰ１の開口率が最も大きく、副画素ＳＰ３の開口率が最も小さい。
【0027】
副画素ＳＰ１は、画素開口ＡＰ１とそれぞれ重なる下電極ＬＥ１、上電極ＵＥ１および有機層ＯＲ１を備えている。副画素ＳＰ２は、画素開口ＡＰ２とそれぞれ重なる下電極ＬＥ２、上電極ＵＥ２および有機層ＯＲ２を備えている。副画素ＳＰ３は、画素開口ＡＰ３とそれぞれ重なる下電極ＬＥ３、上電極ＵＥ３および有機層ＯＲ３を備えている。下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３、上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３および有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３の端部は、全体的にリブ５および隔壁６と重なっている。
【0028】
下電極ＬＥ１、上電極ＵＥ１および有機層ＯＲ１のうち画素開口ＡＰ１と重なる部分は、副画素ＳＰ１の表示素子ＤＥ１を構成する。下電極ＬＥ２、上電極ＵＥ２および有機層ＯＲ２のうち画素開口ＡＰ２と重なる部分は、副画素ＳＰ２の表示素子ＤＥ２を構成する。下電極ＬＥ３、上電極ＵＥ３および有機層ＯＲ３のうち画素開口ＡＰ３と重なる部分は、副画素ＳＰ３の表示素子ＤＥ３を構成する。表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３は、後述するキャップ層をさらに含んでもよい。リブ５および隔壁６は、これら表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３の各々を囲っている。
【0029】
例えば、上電極ＵＥ１および有機層ＯＲ１は、第２方向Ｙに並ぶ複数の副画素ＳＰ１にわたって形成されている。他の例として、隣り合う副画素ＳＰ１の上電極ＵＥ１および有機層ＯＲ１が隔壁６の上で分割されてもよい。
【0030】
副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３（表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３）は、いずれも矩形状である。副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３の各々において、４辺のうちの少なくとも１辺が第１隔壁６Ａに面している。図３の例においては、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３の各々の３辺が第１隔壁６Ａに面し、残りの１辺が第２隔壁６Ｂに面している。
【0031】
第１隔壁６Ａは幅Ｗ１ａを有し、第２隔壁６Ｂは幅Ｗ２ａを有している。リブ５のうち第１隔壁６Ａの下方に位置する部分は幅Ｗ１ｂを有し、第２隔壁６Ｂの下方に位置する部分は幅Ｗ２ｂを有している。幅Ｗ１ｂは幅Ｗ１ａよりも大きく（Ｗ１ａ＜Ｗ１ｂ）、幅Ｗ２ｂは幅Ｗ２ａよりも大きい（Ｗ２ａ＜Ｗ２ｂ）。図３の例においては、幅Ｗ２ａが幅Ｗ１ａよりも大きい（Ｗ１ａ＜Ｗ２ａ）。また、幅Ｗ２ｂが幅Ｗ１ｂよりも大きい（Ｗ１ｂ＜Ｗ２ｂ）。なお、隔壁６Ａ，６Ｂおよびリブ５の幅の関係は、ここで例示したものに限られない。
【0032】
第２隔壁６Ｂは、スリットＳＬによって第１部分Ｐ１と第２部分Ｐ２に分断されている。第１部分Ｐ１および第２部分Ｐ２の幅は、例えば同等であるが、互いに異なってもよい。図３の例においては、スリットＳＬの幅が第１部分Ｐ１および第２部分Ｐ２のそれぞれの幅よりも小さい。上述の幅Ｗ２ａは、第１部分Ｐ１、第２部分Ｐ２およびスリットＳＬの合計幅に相当する。
【0033】
図４は、図３中のＩＶ－ＩＶ線に沿う表示装置ＤＳＰの概略的な断面図である。上述の基板１０の上に回路層１１が配置されている。回路層１１は、図１に示した画素回路１、走査線Ｇ、信号線Ｓおよび電源線ＰＬなどの各種回路や配線を含む。回路層１１は、有機絶縁層１２により覆われている。有機絶縁層１２は、回路層１１により生じる凹凸を平坦化する平坦化膜として機能する。
【0034】
下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３は、有機絶縁層１２の上に配置されている。リブ５は、有機絶縁層１２および下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の上に配置されている。下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の端部は、リブ５により覆われている。図４の断面には表れていないが、下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３は、それぞれ有機絶縁層１２に設けられたコンタクトホールを通じて回路層１１の画素回路１に接続されている。
【0035】
隔壁６は、リブ５の上に配置された導電性を有する下部６１と、下部６１の上に配置された上部６２とを含む。上部６２は、下部６１よりも大きい幅を有している。これにより、上部６２の両端部が下部６１の側面よりも突出している。このような隔壁６の形状は、オーバーハング状と呼ばれる。
【0036】
有機層ＯＲ１は、画素開口ＡＰ１を通じて下電極ＬＥ１を覆っている。上電極ＵＥ１は、有機層ＯＲ１を覆い、下電極ＬＥ１と対向している。有機層ＯＲ２は、画素開口ＡＰ２を通じて下電極ＬＥ２を覆っている。上電極ＵＥ２は、有機層ＯＲ２を覆い、下電極ＬＥ２と対向している。有機層ＯＲ３は、画素開口ＡＰ３を通じて下電極ＬＥ３を覆っている。上電極ＵＥ３は、有機層ＯＲ３を覆い、下電極ＬＥ３と対向している。上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３は、隔壁６の下部６１の側面に接触している。
【0037】
表示素子ＤＥ１は、上電極ＵＥ１の上に配置されたキャップ層ＣＰ１を含む。表示素子ＤＥ２は、上電極ＵＥ２の上に配置されたキャップ層ＣＰ２を含む。表示素子ＤＥ３は、上電極ＵＥ３の上に配置されたキャップ層ＣＰ３を含む。キャップ層ＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３は、それぞれ有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３が発する光の取り出し効率を向上させる光学調整層としての役割を有している。
【0038】
以下の説明においては、有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１およびキャップ層ＣＰ１を含む多層体を積層膜ＦＬ１と呼び、有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２およびキャップ層ＣＰ２を含む多層体を積層膜ＦＬ２と呼び、有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３およびキャップ層ＣＰ３を含む多層体を積層膜ＦＬ３と呼ぶ。
【0039】
積層膜ＦＬ１の一部は、上部６２の上に位置している。当該一部は、積層膜ＦＬ１のうち隔壁６の下に位置する部分（表示素子ＤＥ１を構成する部分）と離間している。同様に、積層膜ＦＬ２の一部は上部６２の上に位置し、当該一部は積層膜ＦＬ２のうち隔壁６の下に位置する部分（表示素子ＤＥ２を構成する部分）と離間している。さらに、積層膜ＦＬ３の一部は上部６２の上に位置し、当該一部は積層膜ＦＬ３のうち隔壁６の下に位置する部分（表示素子ＤＥ３を構成する部分）と離間している。
【0040】
副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３には、それぞれ封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３が配置されている。封止層ＳＥ１は、積層膜ＦＬ１や副画素ＳＰ１の周囲の隔壁６を連続的に覆っている。封止層ＳＥ２は、積層膜ＦＬ２や副画素ＳＰ２の周囲の隔壁６を連続的に覆っている。封止層ＳＥ３は、積層膜ＦＬ３や副画素ＳＰ３の周囲の隔壁６を連続的に覆っている。
【0041】
図４の例においては、副画素ＳＰ１，ＳＰ２の間の隔壁６上の積層膜ＦＬ１および封止層ＳＥ１が、当該隔壁６上の積層膜ＦＬ２および封止層ＳＥ２と離間している。また、副画素ＳＰ１，ＳＰ３の間の隔壁６上の積層膜ＦＬ１および封止層ＳＥ１が、当該隔壁６上の積層膜ＦＬ３および封止層ＳＥ３と離間している。
【0042】
隔壁６は、上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３に給電するための配線としての役割を有するとともに、表示装置ＤＳＰの製造時に蒸着で形成される積層膜ＦＬ１，ＦＬ２，ＦＬ３を分断する役割も有している。このように積層膜ＦＬ１，ＦＬ２，ＦＬ３を分断することで、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３により個別に封止された表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３を得ることができる。
【0043】
封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、樹脂層１３により覆われている。樹脂層１３により、隔壁６などに起因して生じる凹凸が平坦化される。樹脂層１３は、封止層１４により覆われている。樹脂層１３および封止層１４は、少なくとも表示領域ＤＡの全体に連続的に設けられ、その一部が周辺領域ＳＡにも及んでいる。図４の例においては、接着層１５により封止層１４にカバー部材１６が貼り付けられている。他の例として、封止層１４の上にさらに樹脂層が設けられてもよい。
【0044】
有機絶縁層１２は、ポリイミドなどの有機絶縁材料で形成されている。リブ５および封止層１４，ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）または酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）などの無機絶縁材料で形成されている。一例では、リブ５がシリコン酸窒化物で形成され、封止層１４，ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３がシリコン窒化物で形成されている。樹脂層１３は、例えばエポキシ樹脂やアクリル樹脂などの樹脂材料（有機絶縁材料）で形成されている。
【0045】
接着層１５としては、例えばＯＣＡ（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｃｌｅａｒ Ａｄｈｅｓｉｖｅ）を用いることができる。カバー部材１６としては、例えば偏光板、タッチパネル、保護フィルムまたはカバーガラスを用いることができる。カバー部材１６は、これら偏光板、タッチパネル、保護フィルムおよびカバーガラスの少なくとも２つの積層構造を有してもよい。
【0046】
下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３は、例えば銀（Ａｇ）で形成された反射層と、この反射層の上面および下面をそれぞれ覆う一対の導電性酸化物層とを有している。各導電性酸化物層は、例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）またはＩＧＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｇａｌｌｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）などの透明な導電性酸化物で形成することができる。
【0047】
上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３は、例えばマグネシウムと銀の合金（ＭｇＡｇ）などの金属材料で形成されている。例えば、下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３はアノードに相当し、上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３はカソードに相当する。
【0048】
有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３は、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロッキング層、発光層、正孔ブロッキング層、電子輸送層および電子注入層の積層構造を有している。有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３は、複数の発光層を含むいわゆるタンデム構造を有してもよい。
【0049】
キャップ層ＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３は、例えば透明な複数の薄膜が重ねられた積層構造を有している。当該複数の薄膜は、無機材料によって形成された薄膜および有機材料によって形成された薄膜を含んでもよい。また、当該複数の薄膜は、互いに異なる屈折率を有している。例えば、これら薄膜の屈折率は、上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３の屈折率および封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３の屈折率と異なる。なお、キャップ層ＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３の少なくとも１つが省略されてもよい。
【0050】
隔壁６には、共通電圧が供給されている。この共通電圧は、第１隔壁６Ａの下部６１の側面に接触した上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３にそれぞれ供給される。下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３には、それぞれ副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３の画素回路１を通じて信号線Ｓの映像信号に応じた画素電圧が供給される。
【0051】
有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３は、電圧の印加に応じて発光する。具体的には、下電極ＬＥ１と上電極ＵＥ１の間に電位差が形成されると、有機層ＯＲ１の発光層が青色の波長域の光を放つ。下電極ＬＥ２と上電極ＵＥ２の間に電位差が形成されると、有機層ＯＲ２の発光層が緑色の波長域の光を放つ。下電極ＬＥ３と上電極ＵＥ３の間に電位差が形成されると、有機層ＯＲ３の発光層が赤色の波長域の光を放つ。
【0052】
他の例として、有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３の発光層が同一色（例えば白色）の光を放ってもよい。この場合において、表示装置ＤＳＰは、発光層が放つ光を副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３に対応する色の光に変換するカラーフィルタを備えてもよい。また、表示装置ＤＳＰは、発光層が放つ光により励起して副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３に応じた色の光を生成する量子ドットを含んだ層を備えてもよい。
【0053】
【0054】
第１隔壁６Ａの下部６１は、リブ５の上に配置された第１導電層６３と、第１導電層６３の上に配置された第２導電層６４とを有している。一方、第２隔壁６Ｂの下部６１は、リブ５の上に配置された絶縁層６５と、絶縁層６５の上に配置された第２導電層６４とを有し、第１導電層６３を有していない。
【0055】
スリットＳＬは、第２隔壁６Ｂの上部６２および第２導電層６４を分断している。すなわち、第１部分Ｐ１の上部６２および第２導電層６４と、第２部分Ｐ２の上部６２および第２導電層６４とがスリットＳＬを介して離間している。第１部分Ｐ１および第２部分Ｐ２の各々において、上部６２の両端部が第２導電層６４の側面から突出している。
【0056】
絶縁層６５は、スリットＳＬによって分断されていない。すなわち、第１部分Ｐ１の第２導電層６４および第２部分Ｐ２の第２導電層６４は、第２隔壁６Ｂの幅方向（図５においては第１方向Ｘ）に連続的に形成された絶縁層６５の上に配置されている。例えば、絶縁層６５の両端部は、それぞれ第１部分Ｐ１および第２部分Ｐ２の上部６２の下方に位置している。
【0057】
図５の例においては、第１隔壁６Ａの第１導電層６３の側面と第２導電層６４の側面とが揃っている。一方、第２隔壁６Ｂにおいては、絶縁層６５の両端部がそれぞれ第１部分Ｐ１および第２部分Ｐ２の第２導電層６４の側面から突出している。
【0058】
図５の例においては、第１導電層６３の厚さと、絶縁層６５の厚さとが同等である。また、第１隔壁６Ａおよび第２隔壁６Ｂの第２導電層６４の厚さも同等である。したがって、第１隔壁６Ａの下部６１の高さＨＡ（リブ５の上面から第１隔壁６Ａの上部６２までの距離）と、第２隔壁６Ｂの下部６１の高さＨＢ（リブ５の上面から第１部分Ｐ１および第２部分Ｐ２の上部６２までの距離）とが同等である。
【0059】
図中左方のリブ５の上方において、上電極ＵＥ１，ＵＥ２は、いずれも第１隔壁６Ａの第１導電層６３の側面に接触している。図５の断面には表れていないが、上電極ＵＥ３も副画素ＳＰ３に面した第１隔壁６Ａの第１導電層６３の側面に接触している。上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３は、第１隔壁６Ａの第２導電層６４の側面にさらに接触してもよい。
【0060】
図中右方のリブ５の上方において、上電極ＵＥ１，ＵＥ２は、いずれも第２隔壁６Ｂの絶縁層６５の側面に接触している。図５の断面には表れていないが、上電極ＵＥ３も副画素ＳＰ３に面した第２隔壁６Ｂの絶縁層６５の側面に接触している。上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３は、第２隔壁６Ｂの第２導電層６４の側面に接触していない。
【0061】
このような隔壁６の構成においては、主に第１隔壁６Ａから上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３に共通電圧が供給される。上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３と第２隔壁６Ｂは、第１隔壁６Ａを介して電気的に接続されているものの、直接は導通していない。
【0062】
不所望なリーク電流を抑制する観点からは、有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３が第１隔壁６Ａの第１導電層６３に接触していないことが好ましい。図５の例においては、有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３が絶縁層６５と離間している。ただし、有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３が絶縁層６５と接触してもよい。
【0063】
第１部分Ｐ１と第２部分Ｐ２の間の空間には、積層膜ＦＬ１，ＦＬ２，ＦＬ３および封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３が配置されていない。例えば、当該空間は、樹脂層１３により満たされている。他の例として、当該空間に積層膜ＦＬ１，ＦＬ２，ＦＬ３および封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３の一部が配置されてもよい。ただし、この場合においては、第１部分Ｐ１および第２部分Ｐ２が上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３を介して導通しないことが好ましい。
【0064】
第１導電層６３および第２導電層６４は、例えば金属材料によって形成されている。この金属材料としては、例えばアルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム－ネオジム合金（ＡｌＮｄ）、アルミニウム－イットリウム合金（ＡｌＹ）またはアルミニウム－シリコン合金（ＡｌＳｉ）を用いることができる。第１導電層６３および第２導電層６４は、同じ材料で形成されてもよいし、異なる材料で形成されてもよい。
【0065】
上部６２は、例えば金属材料によって形成されている。この金属材料としては、例えばチタン（Ｔｉ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン－タングステン合金（ＭｏＷ）またはモリブデン－ニオブ合金（ＭｏＮｂ）を用いることができる。上部６２は、これらの金属材料で形成された下層と、導電性酸化物で形成された上層との積層構造を有してもよい。この導電性酸化物としては、例えばＩＴＯまたはＩＺＯを用いることができる。なお、上部６２は、絶縁材料で形成された層を含んでもよい。
【0066】
絶縁層６５は、例えばシリコン窒化物、シリコン酸化物またはシリコン酸窒化物のような無機絶縁材料で形成されている。絶縁層６５は、有機絶縁材料で形成されてもよい。
【0067】
図６は、図３中のＶＩ－ＶＩ線に沿う表示装置ＤＳＰの概略的な断面図であり、第１隔壁６Ａと第２隔壁６Ｂの境界付近の構造を示している。第１隔壁６Ａの第２導電層６４と、第２隔壁６Ｂの第２導電層６４（図６においては第２部分Ｐ２の第２導電層６４）は、互いに連続している。また、第１隔壁６Ａの上部６２と、第２隔壁６Ｂの上部６２（図６においては第２部分Ｐ２の上部６２）も互いに連続している。
【0068】
図６の例においては、第１導電層６３の端部Ｅが絶縁層６５の上に位置している。これにより、端部Ｅの上方において、第２導電層６４および上部６２が盛り上がった隆起部ＲＰが形成されている。この例に限られず、端部Ｅが絶縁層６５とリブ５の間に位置してもよい。
【0069】
続いて、表示装置ＤＳＰの製造方法について説明する。
表示装置ＤＳＰを製造するにあたっては、基板１０の上に回路層１１、有機絶縁層１２および下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３が順に形成される。その後、リブ５、隔壁６および表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３を形成するための工程が実施される。
表示装置ＤＳＰを製造するにあたっては、基板１０の上に回路層１１、有機絶縁層１２および下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３が順に形成される。その後、リブ５、隔壁６および表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３を形成するための工程が実施される。
【0070】
【0071】
先ず、図７Ａに示すように、リブ５に加工するためのリブ層５ａが形成される。リブ層５ａは、下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３を全体的に覆っている。
【0072】
【0073】
絶縁層６５および第１導電層６３の形成後、図７Ｄに示すように、第２導電層６４に加工するための第１層Ｌ１と、上部６２に加工するための第２層Ｌ２とが形成される。第１層Ｌ１は、第１導電層６３、絶縁層６５およびリブ層５ａを全体的に覆っている。第２層Ｌ２は、第１層Ｌ１を全体的に覆っている。
【0074】
その後、図７Ｅに示すように、第１層Ｌ１および第２層Ｌ２がパターニングされ、第２導電層６４および上部６２が形成される。このとき、絶縁層６５の上方において第２導電層６４および上部６２が分断され、第１部分Ｐ１、第２部分Ｐ２およびこれらの間のスリットＳＬが形成される。これにより、第１隔壁６Ａおよび第２隔壁６Ｂが完成する。
【0075】
上部６２は、例えばウェットエッチングによってパターニングされる。第１層Ｌ１は、例えばドライエッチングとウェットエッチングによってパターニングされる。すなわち、先ずドライエッチングにより、第１層Ｌ１のうち上部６２から露出した部分が除去される。次に、ウェットエッチングにより、上部６２の下方に位置する第１層Ｌ１の幅が低減される。これらドライエッチングおよびウェットエッチングにおいては、第１導電層６３も侵食され得る。そこで、第１層Ｌ１のパターニング前の第１導電層６３の幅を、最終的な第１隔壁６Ａに求められる第１導電層６３の幅よりも大きくしておくことが好ましい。
【0076】
第１隔壁６Ａおよび第２隔壁６Ｂの形成後、図７Ｆに示すようにリブ層５ａがパターニングされ、画素開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３を有するリブ５が形成される。
【0077】
続いて、表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３を形成するための工程が実施される。表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３の形成順は特に限定されないが、一例では表示素子ＤＥ１が最初に形成され、表示素子ＤＥ２が２番目に形成され、表示素子ＤＥ３が最後に形成される。
【0078】
表示素子ＤＥ１の形成にあたっては、図７Ｇに示すように、製造途中の基板の全体に積層膜ＦＬ１および封止層ＳＥ１が形成される。積層膜ＦＬ１を構成する有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１およびキャップ層ＣＰ１は、いずれも蒸着によって形成される。封止層ＳＥ１は、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）によって形成される。
【0079】
積層膜ＦＬ１は、オーバーハング状の第１隔壁６Ａ、第２隔壁６Ｂの第１部分Ｐ１および第２部分Ｐ２によって分断される。封止層ＳＥ１は、分断さることなく積層膜ＦＬ１、第１隔壁６Ａ、第１部分Ｐ１および第２部分Ｐ２を連続的に覆う。積層膜ＦＬ１および封止層ＳＥ１は、第１部分Ｐ１と第２部分Ｐ２の間の空間にも形成される。
【0080】
次に、図７Ｈに示すように、積層膜ＦＬ１および封止層ＳＥ１がパターニングされる。このパターニングにおいては、積層膜ＦＬ１および封止層ＳＥ１のうち副画素ＳＰ１に位置する部分が残され、他の部分が除去される。これにより、副画素ＳＰ１に表示素子ＤＥ１が形成された基板を得ることができる。なお、このパターニングにおいては、第１部分Ｐ１と第２部分Ｐ２の間の空間に形成された積層膜ＦＬ１および封止層ＳＥ１も除去される。
【0081】
表示素子ＤＥ２，ＤＥ３は、表示素子ＤＥ１と同様の工程によって形成される。表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３の形成後、樹脂層１３および封止層１４が形成される。さらに、接着層１５を介してカバー部材１６が貼り付けられ、表示装置ＤＳＰが完成する。
【0082】
図８は、上電極ＵＥ１を形成する工程を示す概略的な断面図である。上電極ＵＥ１を形成する際には、蒸着源から上電極ＵＥ１の蒸着材料が第３方向Ｚに対する拡がり角θをもって放射される。拡がり角θは、例えば最大で４５度程度である。第２隔壁６Ｂの形状は、この蒸着材料が第２導電層６４に付着しないように定められる。
【0083】
具体的には、第２導電層６４への蒸着材料の付着を抑制するためには、第１部分Ｐ１および第２部分Ｐ２のそれぞれにおける上部６２の突出長さＬｐと、第２導電層６４の厚さＴ１との関係を適切に定めなければならない。突出長さＬｐは、第２導電層６４の側面から上部６２の端部までの距離に相当する。例えば、拡がり角θが４５度の場合を想定すると、第２導電層６４への蒸着材料の付着を抑制するためには、厚さＴ１を突出長さＬｐ以下にする必要がある。
【0084】
一例では、突出長さＬｐが０．５μｍである場合、厚さＴ１は０．５μｍ以下であることが好ましい。絶縁層６５の厚さＴ２は、例えば厚さＴ１と同等の０．５μｍである。この場合においては、高さＨＢが１．０μｍである。
【0085】
図８の例のように絶縁層６５の両端部が第２導電層６４の側面から突出した構造においては、第２導電層６４の厚さＴ１が小さすぎると、第２導電層６４の側面を良好に覆うように封止層ＳＥ１を形成することが困難な場合があり得る。そこで、厚さＴ１を０．２μｍ以上確保することが好ましい。
【0086】
図８においては上電極ＵＥ１に着目したが、上電極ＵＥ２，ＵＥ３も上電極ＵＥ１と同様の蒸着によって形成される。突出長さＬｐ以下となるように厚さＴ１を定めることで、上電極ＵＥ２，ＵＥ３の第２導電層６４への付着を抑制することができる。また、厚さＴ１を例えば０．２μｍ以上とすることで、第２導電層６４の側面を良好に覆うように封止層ＳＥ２，ＳＥ３を形成することができる。
【0087】
図９および図１０は、本実施形態に係る表示装置ＤＳＰの効果を説明するための図である。表示装置ＤＳＰが搭載される電子機器は、近距離無線通信（ＮＦＣ）のためのアンテナＡＴ１を備えることがある。アンテナＡＴ１は、例えば表示装置ＤＳＰの裏面（図４に示す基板１０の下面）に対向するように配置され、表示装置ＤＳＰを通じて他の電子機器のアンテナＡＴ２と無線通信する。
【0088】
表示領域ＤＡに配置された隔壁６および上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３は、共通電圧が印加される共通電極ＣＥを構成する。アンテナＡＴ１，ＡＴ２間の無線通信時には、アンテナＡＴ１が形成する磁界Ｍ１により共通電極ＣＥに渦電流Ｉが発生する。渦電流Ｉにより、磁界Ｍ１を打ち消す方向の磁界Ｍ２が形成され、信号強度が減衰する。そのため、表示装置ＤＳＰを介して無線通信を行う場合には通信感度が低下し得る。特に、主に金属材料で形成された格子状の隔壁６が表示領域ＤＡの全体に形成されている場合には、共通電極ＣＥが低抵抗となる。これにより、大きい渦電流Ｉとそれに伴う強い磁界Ｍ２が生じ、通信感度が低下しやすい。
【0089】
これに対し、本実施形態においては、隔壁６が第１隔壁６Ａと第２隔壁６Ｂを有しており、上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３への給電は下部６１が全体的に導電層で形成された第１隔壁６Ａが担う。これに対し、第２隔壁６Ｂは、上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３と直接は導通していない。共通電極ＣＥの抵抗は、副画素ＳＰ１と副画素ＳＰ２、副画素ＳＰ１と副画素ＳＰ３、副画素ＳＰ２と副画素ＳＰ３のそれぞれの副画素間に略網目状に配置された隔壁６の上部６２と第１隔壁６Ａと第２隔壁６Ｂの抵抗、および、上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３と隔壁６との接続状態で規定される。このうち、第２隔壁６Ｂ部分の抵抗は、第１隔壁６Ａ部分の抵抗に対して、例えば、半分程度になるため、このような第２隔壁６Ｂを表示領域ＤＡに設けることにより、共通電極ＣＥの抵抗が増加する。結果として、共通電極ＣＥの渦電流を抑制することになるので、通信感度の低下を緩和することができる。
【0090】
さらに、本実施形態においては、第２隔壁６ＢがスリットＳＬによって第１部分Ｐ１と第２部分Ｐ２に分断されている。これにより、共通電極ＣＥの抵抗、特にスリットＳＬを横切る方向の抵抗が一層増加し、通信感度の低下を抑制する効果が高まる。
【0091】
第２隔壁６Ｂは、第１隔壁６Ａと同じく積層膜ＦＬ１，ＦＬ２，ＦＬ３を分断する機能を発揮する。そのため、第２隔壁６Ｂを設けた場合でも、積層膜ＦＬ１，ＦＬ２，ＦＬ３を副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３の周囲で分断し、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３により良好に封止することが可能である。
【0092】
第１部分Ｐ１と第２部分Ｐ２の導通をより確実に抑制する観点からは、表示素子ＤＥ１の形成時に第１部分Ｐ１と第２部分Ｐ２の間の空間に形成される上電極ＵＥ１（図８参照）がその後のパターニングの工程におけるエッチングで除去されることが好ましい。本実施形態においては、スリットＳＬによって絶縁層６５が分断されていないので、当該空間が浅く形成されている。そのため、当該空間の上電極ＵＥ１の除去が容易である。なお、仮に上電極ＵＥ１が完全には除去されない場合であっても、上電極ＵＥ１は第１部分Ｐ１および第２部分Ｐ２の第２導電層６４に接触していないために、第１部分Ｐ１および第２部分Ｐ２の導通は抑制される。上電極ＵＥ２，ＵＥ３に関しても同様の効果を得ることができる。
【0093】
本実施形態にて開示した構成は、種々の態様に変形し得る。
図１１は、本実施形態に係る第２隔壁６Ｂの他の一例を示す概略的な断面図である。この図の例においては、絶縁層６５の両端部が、第１部分Ｐ１および第２部分Ｐ２の第２導電層６４の側面から突出していない。これにより、絶縁層６５と第２導電層６４の側面が揃っている。このような構成であっても上述の効果を得ることができる。
図１１は、本実施形態に係る第２隔壁６Ｂの他の一例を示す概略的な断面図である。この図の例においては、絶縁層６５の両端部が、第１部分Ｐ１および第２部分Ｐ２の第２導電層６４の側面から突出していない。これにより、絶縁層６５と第２導電層６４の側面が揃っている。このような構成であっても上述の効果を得ることができる。
【0094】
図１２Ａ乃至図１２Ｅは、本実施形態に係る表示装置ＤＳＰの製造方法の他の一例を示す概略的な断面図である。図１２Ａにおいては、図７Ａと同じく下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３を全体的に覆うリブ層５ａが形成されている。
【0095】
【0096】
リブ５の形成後、図１２Ｃに示すように、第２隔壁６Ｂを形成すべき位置に絶縁層６５が形成され、第１隔壁６Ａを形成すべき位置に第１導電層６３が形成される。さらに、図１２Ｄに示すように、第２導電層６４に加工するための第１層Ｌ１と、上部６２に加工するための第２層Ｌ２とが形成される。
【0097】
続いて、図１２Ｅに示すように、第１層Ｌ１および第２層Ｌ２がパターニングされ、第２導電層６４および上部６２が形成される。これにより、第１隔壁６Ａおよび第２隔壁６Ｂが完成する。以降の工程は、本実施形態において上述したものと同様である。
【0098】
［第２実施形態］
第２実施形態について説明する。特に言及しない構成および効果は第１実施形態と同様である。
第２実施形態について説明する。特に言及しない構成および効果は第１実施形態と同様である。
【0099】
図１３は、第２実施形態に係る表示装置ＤＳＰの概略的な断面図であり、図５と同じく図３中のＶ－Ｖ線に沿う構造を示している。本実施形態においては、第２隔壁６Ｂの絶縁層６５がスリットＳＬにおいて分断されている。これにより、第１部分Ｐ１および第２部分Ｐ２それぞれの下部６１が全体的に離間している。
【0100】
第１実施形態と同じく、第１部分Ｐ１と第２部分Ｐ２の間の空間には積層膜ＦＬ１，ＦＬ２，ＦＬ３および封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３が配置されていない。例えば、当該空間は、樹脂層１３により満たされている。
【0101】
【0102】
【0103】
リブ層５ａの形成後、図１４Ｂに示すように、第２隔壁６Ｂの第１部分Ｐ１と第２部分Ｐ２を形成すべき位置にそれぞれ絶縁層６５が形成される。さらに、図１４Ｃに示すように、第１隔壁６Ａを形成すべき位置に第１導電層６３が形成される。
【0104】
次に、図１４Ｄに示すように、第２導電層６４に加工するための第１層Ｌ１と、上部６２に加工するための第２層Ｌ２とが形成される。その後、図１４Ｅに示すように、第１層Ｌ１および第２層Ｌ２がパターニングされ、第２導電層６４および上部６２が形成される。これにより、第１隔壁６Ａおよび第２隔壁６Ｂが完成する。
【0105】
第１隔壁６Ａおよび第２隔壁６Ｂの形成後、図１４Ｆに示すようにリブ層５ａがパターニングされ、画素開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３を有するリブ５が形成される。以降の工程は、第１実施形態において上述したものと同様である。
【0106】
【0107】
図１５は、本実施形態に係る第２隔壁６Ｂの他の一例を示す概略的な断面図である。この図の例においては、第１部分Ｐ１および第２部分Ｐ２の各々において、絶縁層６５の両端部が第２導電層６４の側面から突出していない。これにより、絶縁層６５と第２導電層６４の側面が揃っている。
以上説明した本実施形態の構成であっても、第１実施形態と同様の効果を得ることができる。
以上説明した本実施形態の構成であっても、第１実施形態と同様の効果を得ることができる。
【0108】
［第３実施形態］
第３実施形態について説明する。特に言及しない構成および効果は第１実施形態と同様である。
第３実施形態について説明する。特に言及しない構成および効果は第１実施形態と同様である。
【0109】
図１６は、第３実施形態に係る表示装置ＤＳＰの概略的な断面図であり、図５と同じく図３中のＶ－Ｖ線に沿う構造を示している。本実施形態においては、第２隔壁６Ｂの下部６１が第２導電層６４によって構成され、第１導電層６３および絶縁層６５を有していない。一方で、第１隔壁６Ａは、第１実施形態と同じく第１導電層６３および第２導電層６４を有している。これにより、第２隔壁６Ｂの高さＨＢは、第１隔壁６Ａの高さＨＡよりも小さい。
【0110】
図中右方のリブ５の上方において、上電極ＵＥ１，ＵＥ２は、いずれも第２隔壁６Ｂの第１部分Ｐ１および第２部分Ｐ２の下部６１（第２導電層６４）に接触していない。図１６の断面には表れていないが、上電極ＵＥ３も副画素ＳＰ３に面した第２隔壁６Ｂの下部６１の側面に接触していない。
【0111】
図１７は、第３実施形態に係る表示装置ＤＳＰの他の概略的な断面図であり、図６と同じく図３中のＶＩ－ＶＩ線に沿う構造を示している。第１隔壁６Ａの第２導電層６４と、第２隔壁６Ｂの第２導電層６４（図１７においては第２部分Ｐ２の第２導電層６４）は、互いに連続している。また、第１隔壁６Ａの上部６２と、第２隔壁６Ｂの上部６２（図１７においては第２部分Ｐ２の上部６２）も互いに連続している。
【0112】
図１７の例においては、第１隔壁６Ａと第２隔壁６Ｂ（第２部分Ｐ２）の境界において、第１導電層６３の端部Ｅに起因した段差ＳＴが上部６２の表面に形成されている。
【0113】
【0114】
【0115】
リブ層５ａの形成後、図１８Ｂに示すように、第１隔壁６Ａを形成すべき位置に第１導電層６３が形成される。さらに、図１８Ｃに示すように、第２導電層６４に加工するための第１層Ｌ１と、上部６２に加工するための第２層Ｌ２とが形成される。第１層Ｌ１は、第１導電層６３およびリブ層５ａを全体的に覆っている。第２層Ｌ２は、第１層Ｌ１を全体的に覆っている。
【0116】
その後、図１８Ｄに示すように、第１層Ｌ１および第２層Ｌ２がパターニングされ、第２導電層６４および上部６２が形成される。これにより、第１隔壁６Ａおよび第２隔壁６Ｂが完成する。
【0117】
第１隔壁６Ａおよび第２隔壁６Ｂの形成後、図１８Ｅに示すようにリブ層５ａがパターニングされ、画素開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３を有するリブ５が形成される。以降の工程は、第１実施形態において上述したものと同様である。
【0118】
【0119】
図１９は、上電極ＵＥ１を形成する工程を示す概略的な断面図である。上述のとおり、上電極ＵＥ１を形成する際には、蒸着源から上電極ＵＥ１の蒸着材料が第３方向Ｚに対する拡がり角θをもって放射される。上部６２の突出長さＬｐおよび第２隔壁６Ｂの高さＨＢ（第２導電層６４の厚さＴ１）は、この蒸着材料が第２導電層６４に付着しないように定められる。
【0120】
例えば、拡がり角θが４５度の場合を想定すると、第２導電層６４への蒸着材料の付着を抑制するためには、高さＨＢ（厚さＴ１）を突出長さＬｐ以下にする必要がある。一例では、突出長さＬｐが０．５μｍである場合、高さＨＢは０．５μｍ以下であることが好ましい。
【0121】
また、高さＨＢが小さすぎると、第２導電層６４の側面を良好に覆うように封止層ＳＥ１を形成することが困難な場合があり得る。さらに、高さＨＢが小さすぎると、積層膜ＦＬ１が第２隔壁６Ｂによって分断されない可能性がある。そこで、高さＨＢを０．２μｍ以上確保することが好ましい。
【0122】
図１９においては上電極ＵＥ１に着目したが、突出長さＬｐ以下となるように高さＨＢを定めることで、上電極ＵＥ２，ＵＥ３の第２導電層６４への付着を抑制することができる。また、高さＨＢを例えば０．２μｍ以上とすることで、第２隔壁６Ｂにより積層膜ＦＬ２，ＦＬ３を分断するとともに、第２導電層６４の側面を良好に覆うように封止層ＳＥ２，ＳＥ３を形成することができる。
【0123】
本実施形態においては、第２隔壁６Ｂが低いために、第１部分Ｐ１と第２部分Ｐ２の間の空間が浅い。そのため、第１実施形態と同じく、当該空間に形成された上電極ＵＥ１の除去が容易である。なお、仮に上電極ＵＥ１が完全には除去されない場合であっても、上電極ＵＥ１は第１部分Ｐ１および第２部分Ｐ２の第２導電層６４に接触していないために、第１部分Ｐ１および第２部分Ｐ２の導通は抑制される。上電極ＵＥ２，ＵＥ３に関しても同様の効果を得ることができる。
【0124】
本実施形態においても、第２隔壁６Ｂは、上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３と直接は通電していない。このような第２隔壁６Ｂを表示領域ＤＡに設けることにより、第１実施形態と同じく共通電極ＣＥの抵抗が増加するため、近距離無線通信の通信感度の低下を抑制することができる。
【0125】
［変形例］
以下に、第１隔壁６Ａおよび第２隔壁６Ｂの平面形状に関するいくつかの変形例を示す。各変形例における第２隔壁６Ｂには、第１乃至第３実施形態にて開示した構成を適用できる。また、各変形例における第１隔壁６Ａの平面形状と第２隔壁６Ｂの平面形状は、互いに入れ替えてもよい。
以下に、第１隔壁６Ａおよび第２隔壁６Ｂの平面形状に関するいくつかの変形例を示す。各変形例における第２隔壁６Ｂには、第１乃至第３実施形態にて開示した構成を適用できる。また、各変形例における第１隔壁６Ａの平面形状と第２隔壁６Ｂの平面形状は、互いに入れ替えてもよい。
【0126】
図２０は、第１変形例に係る第１隔壁６Ａおよび第２隔壁６Ｂの概略的な平面図である。第１変形例においては、図２の例に比べて第２隔壁６Ｂの数が減らされている。これにより、表示領域ＤＡには、第２隔壁６Ｂに面しない副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３が生じている。
【0127】
図２１は、第２変形例に係る第１隔壁６Ａおよび第２隔壁６Ｂの概略的な平面図である。第２変形例においては、第２方向Ｙに隣り合う副画素ＳＰ１の間にも第２隔壁６Ｂが配置されている。これにより、副画素ＳＰ１の３辺が第２隔壁３Ｂに面している。
【0128】
第２隔壁６Ｂのうち第２方向Ｙに隣り合う副画素ＳＰ１の間に位置する部分には、スリットＳＬが設けられていない。他の例として、この部分にスリットＳＬが設けられてもよい。
【0129】
図２２は、第３変形例に係る第１隔壁６Ａおよび第２隔壁６Ｂの概略的な平面図である。第３変形例における第２隔壁６Ｂの形状は、第２変形例と同様である。ただし、第３変形例においては、第２変形例に比べて第２隔壁６Ｂの数が減らされている。これにより、表示領域ＤＡには、第２隔壁６Ｂに面しない副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３が生じている。
【0130】
図２３は、第４変形例に係る第１隔壁６Ａおよび第２隔壁６Ｂの概略的な平面図である。第４変形例においては、第２方向Ｙに隣り合う副画素ＳＰ１の間に第１隔壁６Ａおよび第２隔壁６Ｂの双方が配置されていない。すなわち、画素列Ｃ１を構成する複数の副画素ＳＰ１は、第１方向Ｘに隣り合う第１隔壁６Ａおよび第２隔壁６Ｂの間で隔壁６を介さずに直線状に並んでいる。なお、第２方向Ｙに隣り合う副画素ＳＰ１の間には、リブ５が配置されている。
【0131】
このような構成においては、隔壁６が画素列Ｃ１に沿って分断される。これにより、隔壁６および上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３で構成される共通電極ＣＥ（図９参照）の抵抗を一層高めることができる。
【0132】
図２４は、第４変形例に係る第１隔壁６Ａおよび第２隔壁６Ｂの他の概略的な平面図であり、表示領域ＤＡと周辺領域ＳＡの境界付近を示している。隔壁６は、画素列Ｃ１を介して隣り合う第１隔壁６Ａおよび第２隔壁６Ｂを接続する接続部ＣＮを有している。接続部ＣＮは、例えば表示領域ＤＡの第２方向Ｙにおける端部に位置している。このような接続部ＣＮにより、画素列Ｃ１の第２方向Ｙにおける端部が閉じられる。
【0133】
図２４の例においては、接続部ＣＮが第２隔壁６Ｂによって構成されている。また、接続部ＣＮにはスリットＳＬが設けられていない。他の例として、接続部ＣＮにスリットＳＬが設けられてもよい。また、接続部ＣＮは、第１隔壁６Ａによって構成されてもよい。図２４に示したものとは反対側に位置する画素列Ｃ１の第２方向Ｙにおける端部も接続部ＣＮによって閉じられている。
【0134】
画素列Ｃ１においては、積層膜ＦＬ１（有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１およびキャップ層ＣＰ）および封止層ＳＥ１が複数の副画素ＳＰ１にわたって連続している。仮に、画素列Ｃ１の端部が隔壁６により閉じられていないと、積層膜ＦＬ１の端部を封止層ＳＥ１により封止することが困難である。これに対し、接続部ＣＮが設けられていれば、画素列Ｃ１の端部においても積層膜ＦＬ１を良好に封止することができる。
【0135】
図２５は、第４変形例に係る接続部ＣＮの他の例を示す概略的な平面図である。この図の例においては、第２隔壁６Ｂによって構成された接続部ＣＮが周辺領域ＳＡに突出し、Ｕ字型に折り返されて第１隔壁６Ａに接続されている。その他にも、接続部ＣＮには種々の構成を適用し得る。
【0136】
図２６は、第５変形例に係る第１隔壁６Ａおよび第２隔壁６Ｂの概略的な平面図である。第５変形例においては、第４変形例に比べて第２隔壁６Ｂの数が減らされている。これにより、表示領域ＤＡには、第２隔壁６Ｂに面しない副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３が生じている。
【0137】
さらに、第２隔壁６Ｂに面しない副画素ＳＰ１により構成される画素列Ｃ１においては、第２方向Ｙに隣り合う副画素ＳＰ１の間に第１隔壁６Ａが配置されている。この例に限られず、当該画素列Ｃ１において第２方向Ｙに隣り合う副画素ＳＰ１の間に隔壁６が配置されなくてもよい。
【0138】
図２７は、第６変形例に係る第１隔壁６Ａおよび第２隔壁６Ｂの概略的な平面図である。第６変形例の基本的な構成は第５変形例と同様である。ただし、第２隔壁６Ｂは、第１隔壁６Ａに向けて突出する複数の突出部ＰＴを有している。突出部ＰＴは、第２方向Ｙに隣り合う副画素ＳＰ１の間に位置している。突出部ＰＴの先端は、第１隔壁６Ａと離間している。
【0139】
このような突出部ＰＴを設けることで、第１隔壁６Ａと第２隔壁６Ｂの間に位置する画素列Ｃ１と、第１隔壁６Ａによって全周を囲われた画素列Ｃ１の見栄えを均一化することができる。
【0140】
図２７においては、突出部ＰＴにスリットＳＬが設けられていない。他の例として、突出部ＰＴにスリットＳＬが設けられてもよい。
【0141】
図２８は、第６変形例に係る第１隔壁６Ａおよび第２隔壁６Ｂの他の概略的な平面図であり、表示領域ＤＡと周辺領域ＳＡの境界付近を示している。第６変形例においても、画素列Ｃ１の第２方向Ｙにおける端部が接続部ＣＮにより閉じられている。接続部ＣＮは、図２８に示すように第２隔壁６Ｂによって構成されてもよいし、第１隔壁６Ａによって構成されてもよい。図２８に示したものとは反対側に位置する画素列Ｃ１の第２方向Ｙにおける端部も接続部ＣＮによって閉じられている。
【0142】
図２９は、第６変形例に係る接続部ＣＮの他の例を示す概略的な平面図である。この図の例においては、第２隔壁６Ｂによって構成された接続部ＣＮが周辺領域ＳＡに突出し、Ｕ字型に折り返されて第１隔壁６Ａに接続されている。その他にも、接続部ＣＮには種々の構成を適用し得る。
【0143】
図３０は、第７変形例に係る第１隔壁６Ａおよび第２隔壁６Ｂの概略的な平面図である。この図に示す第２隔壁６Ｂは、図２９に示したものと同様の平面形状を有している。ただし、第１方向Ｘにおける第２隔壁６Ｂの配置間隔が図２９に比べて大きい。例えば、１．４型の表示装置ＤＳＰにおいて、第１方向Ｘの画素数が４５０である場合、第２隔壁６Ｂは、画面を８乃至１６分割する程度の間隔（５６乃至２８画素程度）で配置し得る。なお、第２隔壁６Ｂの配置間隔は、表示装置ＤＳＰに重ねられるアンテナの特性などの他の要因を考慮して適宜に定めればよい。
【0144】
図３１は、第８変形例に係る第１隔壁６Ａおよび第２隔壁６Ｂの概略的な平面図である。第８変形例においては、複数の第２隔壁６Ｂが第１方向Ｘに延び、第２方向Ｙに一定の間隔で並んでいる。スリットＳＬも第１方向Ｘに延びている。
【0145】
副画素ＳＰ１においては、２辺が第２隔壁６Ｂに面している。一方、副画素ＳＰ２，ＳＰ３においては、１辺が第２隔壁６Ｂに面している。なお、第２隔壁６Ｂは、より広い間隔で配置されてもよい。他の変形例に係る構成においても同様に、第２隔壁６Ｂが第１方向Ｘに延びてもよい。
【0146】
図３２は、第９変形例に係る第１隔壁６Ａおよび第２隔壁６Ｂの概略的な平面図である。第９変形例においては、第２隔壁６Ｂが格子状である。第２隔壁６Ｂによって囲われた各領域には、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３が１つずつ配置されている。さらに、これら副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３の境界に第１隔壁６Ａが配置されている。なお、第２隔壁６Ｂは、より多くの副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３を１つの閉領域に囲う形状であってもよい。
【0147】
図３２においては、第２隔壁６Ｂのうち第２方向Ｙに延びる部分に対してスリットＳＬが設けられている。第２隔壁６Ｂのうち第１方向Ｘに延びる部分に対してはスリットＳＬが設けられていない。
【0148】
図３３は、第１０変形例に係る第１隔壁６Ａおよび第２隔壁６Ｂの概略的な平面図である。この図に示す第２隔壁６Ｂは、図３２に示したものと同様の格子状である。ただし、第１０変形例においては、第２隔壁６Ｂのうち第１方向Ｘに延びる部分に対してスリットＳＬが設けられている。第２隔壁６Ｂのうち第２方向Ｙに延びる部分に対してはスリットＳＬが設けられていない。
【0149】
図３４は、第１１変形例に係る第１隔壁６Ａおよび第２隔壁６Ｂの概略的な平面図である。第１１変形例においては、画素ＰＸを構成する副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３が第１方向Ｘに並んでいる。これにより、表示領域ＤＡには、第２方向Ｙに並ぶ複数の副画素ＳＰ１を含む画素列Ｃ１と、第２方向Ｙに並ぶ複数の副画素ＳＰ２を含む画素列Ｃ２と、第２方向Ｙに並ぶ複数の副画素ＳＰ３を含む画素列Ｃ３とが形成されている。
【0150】
図３４の例においては、第２方向Ｙに延びる複数の第２隔壁６Ｂが第１方向Ｘに間隔を空けて配置され、各第２隔壁６Ｂに対してスリットＳＬが設けられている。隣り合う第２隔壁６Ｂの間には、画素列Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３が１つずつ配置されている。第１隔壁６Ａは、隣り合う第２隔壁６Ｂの間で副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３の境界に配置されている。
【0151】
なお、第１１変形例において、隣り合う第２隔壁６Ｂの間により多くの画素列Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３が配置されてもよい。また、第２隔壁６ＢおよびスリットＳＬは、第１方向Ｘに延びてもよい。
【0152】
図３５は、第１２変形例に係る第１隔壁６Ａおよび第２隔壁６Ｂの概略的な平面図である。第１２変形例においては、画素ＰＸが第４色を表示する副画素ＳＰ４をさらに含んでいる。例えば、第４色は白色である。表示領域ＤＡには、画素列Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３に加え、第２方向Ｙに並ぶ複数の副画素ＳＰ４を含む画素列Ｃ４が形成されている。
【0153】
図３５の例においては、第２方向Ｙに延びる複数の第２隔壁６Ｂが第１方向Ｘに間隔を空けて配置され、各第２隔壁６Ｂに対してスリットＳＬが設けられている。隣り合う第２隔壁６Ｂの間には、画素列Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４が１つずつ配置されている。第１隔壁６Ａは、隣り合う第２隔壁６Ｂの間で副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３，ＳＰ４の境界に配置されている。
【0154】
なお、第１２変形例において、隣り合う第２隔壁６Ｂの間により多くの画素列Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４が配置されてもよい。また、第２隔壁６ＢおよびスリットＳＬは、第１方向Ｘに延びてもよい。
【0155】
図３６は、第１３変形例に係る第１隔壁６Ａおよび第２隔壁６Ｂの概略的な平面図である。第１３変形例においては、第１２変形例と同じく、画素ＰＸが副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３，ＳＰ４を含んでいる。画素ＰＸにおいて、副画素ＳＰ１，ＳＰ２が第１方向Ｘに並び、副画素ＳＰ３，ＳＰ４が第１方向Ｘに並んでいる。さらに、副画素ＳＰ１，ＳＰ４が第２方向Ｙに並び、副画素ＳＰ２，ＳＰ３が第２方向Ｙに並んでいる。これにより、表示領域ＤＡには、副画素ＳＰ１，ＳＰ４が第２方向Ｙに交互に並ぶ画素列Ｃｍ１と、副画素ＳＰ２，ＳＰ３が第２方向Ｙに交互に並ぶ画素列Ｃｍ２とが形成されている。なお、画素ＰＸにおける副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３，ＳＰ４の配置は適宜に変更し得る。
【0156】
図３６の例においては、第２方向Ｙに延びる複数の第２隔壁６Ｂが第１方向Ｘに間隔を空けて配置され、各第２隔壁６Ｂに対してスリットＳＬが設けられている。隣り合う第２隔壁６Ｂの間には、画素列Ｃｍ１，Ｃｍ２が１つずつ配置されている。第１隔壁６Ａは、隣り合う第２隔壁６Ｂの間で副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３，ＳＰ４の境界に配置されている。
【0157】
なお、第１３変形例において、隣り合う第２隔壁６Ｂの間により多くの画素列Ｃｍ１，Ｃｍ２が配置されてもよい。また、第２隔壁６ＢおよびスリットＳＬは、第１方向Ｘに延びてもよい。
【0158】
以上、本発明の実施形態として説明した表示装置を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての表示装置も、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に属する。
【0159】
本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変形例に想到し得るものであり、それら変形例についても本発明の範囲に属するものと解される。例えば、上述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除、もしくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
【0160】
また、上述の各実施形態において述べた態様によりもたらされる他の作用効果について、本明細書の記載から明らかなもの、または当業者において適宜想到し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。
【符号の説明】
【0161】
ＤＳＰ…表示装置、ＤＡ…表示領域、ＳＡ…周辺領域、ＰＸ…画素、ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３…副画素、ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３…下電極、ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３…有機層、ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３…上電極、ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３…封止層、５…リブ、６…隔壁、６Ａ…第１隔壁、６Ｂ…第２隔壁、６１…下部、６２…上部、６３…第１導電層、６４…第２導電層、６５…絶縁層、ＳＬ…スリット、Ｐ１…第１部分、Ｐ２…第２部分。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7A】
【図7B】
【図7C】
【図7D】
【図7E】
【図7F】
【図7G】
【図7H】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12A】
【図12B】
【図12C】
【図12D】
【図12E】
【図13】
【図14A】
【図14B】
【図14C】
【図14D】
【図14E】
【図14F】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18A】
【図18B】
【図18C】
【図18D】
【図18E】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】
【図28】
【図29】
【図30】
【図31】
【図32】
【図33】
【図34】
【図35】
【図36】