特開 2024-170026 プリント配線板

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024170026

(43)【公開日】2024-12-06

(54)【発明の名称】プリント配線板

(51)【国際特許分類】

   H05K 3/46 20060101AFI20241129BHJP

【ＦＩ】

H05K3/46 G

H05K3/46 Z

H05K3/46 N

【審査請求】未請求

【請求項の数】6

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023086941

(22)【出願日】2023-05-26

(71)【出願人】

【識別番号】000000158

【氏名又は名称】イビデン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110003096

【氏名又は名称】弁理士法人第一テクニカル国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】黒田 展久

【テーマコード（参考）】

5E316

【Ｆターム（参考）】

5E316AA32

5E316AA35

5E316AA38

5E316AA43

5E316BB13

5E316CC08

5E316CC31

5E316CC37

5E316CC38

5E316EE31

5E316FF01

5E316GG15

5E316GG28

5E316HH11

5E316JJ02

(57)【要約】

【課題】高い信頼性を有するプリント配線板の提供。
【解決手段】プリント配線板は、第１面と前記第１面と反対側の第２面を有し、前記第１面と前記第２面の間に交互に積層されている複数の第３導体層と複数の第３樹脂絶縁層を有するコア基板と、前記コア基板の前記第１面上に形成されている第１ビルドアップ層と、前記コア基板の前記第２面上に形成されている第２ビルドアップ層、とを有する。前記第１ビルドアップ層は、再配線部を含む。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１面と前記第１面と反対側の第２面を有し、前記第１面と前記第２面の間に交互に積層されている複数の第３導体層と複数の第３樹脂絶縁層を有するコア基板と、
前記コア基板の前記第１面上に形成されている第１ビルドアップ層と、
前記コア基板の前記第２面上に形成されている第２ビルドアップ層、とを有するプリント配線板であって、
前記第１ビルドアップ層は、再配線部を含む。

【請求項2】

請求項１のプリント配線板であって、隣接する前記第３導体層は、前記隣接する前記第３導体層で挟まれる第３ビア導体で接続される。

【請求項3】

請求項１のプリント配線板であって、前記再配線部の第１配線密度（Ｌ／Ｓ）は前記再配線部以外に形成されている導体層の第２配線密度（Ｌ／Ｓ）より高い。

【請求項4】

請求項３のプリント配線板であって、前記第２配線密度（Ｌ／Ｓ）は７／７～３０／３０であり、前記第１配線密度（Ｌ／Ｓ）は１／１～５／５である。

【請求項5】

請求項４のプリント配線板であって、前記第１配線密度（Ｌ／Ｓ）は１．５／１．５～３．５／３．５である。

【請求項6】

請求項３のプリント配線板であって、前記第１配線密度は前記再配線部の最小のＬ／Ｓで代表され、前記第２配線密度は前記再配線部以外に形成されている導体層の最小のＬ／Ｓで代表され、る。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本明細書によって開示される技術は、プリント配線板に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１は、ベース配線基板とベース配線基板上に積層されている再配線部とからなる配線基板を開示している。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１４－１５４８００号公報

【発明の概要】

【0004】

特許文献１は、ベース配線基板の一方側にのみ再配線部を積層している。そのため、特許文献１の配線基板がヒートサイクルを受けると、反りが発生しやすいと考えられる。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本発明のプリント配線板は、第１面と前記第１面と反対側の第２面を有し、前記第１面と前記第２面の間に交互に積層されている複数の第３導体層と複数の第３樹脂絶縁層を有するコア基板と、前記コア基板の前記第１面上に形成されている第１ビルドアップ層と、前記コア基板の前記第２面上に形成されている第２ビルドアップ層、とを有する。前記第１ビルドアップ層は、再配線部を含む。

【0006】

本発明の実施形態のプリント配線板では、コア基板が、複数の第３樹脂絶縁層と複数の第３導体層を有する。第３導体層と樹脂絶縁層は交互に積層される。コア基板は、多層基板で形成されている。そのため、コア基板は、強度が高い。実施形態のプリント配線板では、ヒートサイクルを受けるときの反りの発生が抑制される。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】実施形態のプリント配線板を模式的に示す断面図。

【発明を実施するための形態】

【0008】

＜実施形態＞
図１は、実施形態のプリント配線板１０の断面図である。図１に示されるように、プリント配線板１０は、コア基板３０と、上側のビルドアップ層Ｂｕ１と、下側のビルドアップ層Ｂｕ２と、第１ソルダーレジスト層９０Ｆと、第２ソルダーレジスト層９０Ｓ、とを有する。コア基板３０は、第１面Ｆと第１面Ｆと反対側の第２面Ｓを有する。上側のビルドアップ層Ｂｕ１はコア基板３０の第１面Ｆ上に形成されている。下側のビルドアップ層Ｂｕ２はコア基板３０の第２面Ｓ上に形成されている。第１ソルダーレジスト層９０Ｆは上側のビルドアップ層Ｂｕ１上に形成されている。第２ソルダーレジスト層９０Ｓは下側のビルドアップ層Ｂｕ２上に形成されている。

【0009】

上側のビルドアップ層Ｂｕ１は、ビルドアップ層５０Ｆとビルドアップ層６０Ｆとビルドアップ層７０Ｆで形成されている。ビルドアップ層５０Ｆはコア基板３０の第１面Ｆ上に形成されている。ビルドアップ層６０Ｆはビルドアップ層５０Ｆ上に形成されている。ビルドアップ層７０Ｆはビルドアップ層６０Ｆ上に形成されている。ビルドアップ層６０Ｆとビルドアップ層７０Ｆにより再配線部１００が形成されている。

【0010】

コア基板３０は、多層基板である。第１面Ｆと第２面Ｓとの間に、複数の導体層（第３導体層）２０と複数の樹脂絶縁層（第３樹脂絶縁層）１２が交互に積層されている。図１の例では、樹脂絶縁層１２の数は５であり、導体層２０の数は５である。

【0011】

各樹脂絶縁層１２は開口を有する。各開口内にビア導体２０Ａが形成されている。ビア導体２０Ａは、樹脂絶縁層１２を貫通する。樹脂絶縁層１２を挟んで隣接する導体層２０は、当該隣接する導体層２０に挟まれるビア導体２０Ａで接続される。

【0012】

ビルドアップ層５０Ｆは、第１樹脂絶縁層１５０Ｆと、第１導体層１５８Ｆと、第１ビア導体１５６Ｆ、とを有する。第１樹脂絶縁層１５０Ｆは、コア基板３０の第１面Ｆと導体層４２上に形成されている。第１導体層１５８Ｆは第１樹脂絶縁層１５０Ｆ上に形成されている。第１ビア導体１５６Ｆは、第１樹脂絶縁層１５０Ｆを貫通し、第１導体層１５８Ｆに接続する。

【0013】

第１導体層１５８Ｆは、第１ビアランド１５６ＦＬを有する。第１ビアランド１５６ＦＬは、第１ビア導体１５６Ｆの直上と第１ビア導体１５６Ｆの周りに形成されている。第１ビアランド１５６ＦＬと第１ビア導体１５６Ｆは一体的に形成されている。第１ビア導体１５６Ｆ用の開口１５６ＦＯは、第１樹脂絶縁層１５０Ｆを貫通する。第１ビア導体１５６Ｆは開口１５６ＦＯ内に形成されている。

【0014】

図１の例では、第１樹脂絶縁層１５０Ｆの数と第１導体層１５８Ｆの数は複数である。第１樹脂絶縁層１５０Ｆの数は６であり、第１導体層１５８Ｆの数は６である。第１樹脂絶縁層１５０Ｆと第１導体層１５８Ｆは交互に積層されている。第１樹脂絶縁層１５０Ｆの数が複数の場合、第１ビア導体１５６Ｆは各第１樹脂絶縁層１５０Ｆ内に形成されている。第１樹脂絶縁層１５０Ｆを挟んでいる導体層は第１ビア導体１５６Ｆで接続される。

【0015】

第１樹脂絶縁層の数が複数である場合、ビルドアップ層５０Ｆはコア基板３０の直上に形成されている第１樹脂絶縁層１５０ＦＢとそれ以外の第１樹脂絶縁層１５０ＦＵを有する。第１樹脂絶縁層１５０ＦＵは第１導体層１５８Ｆで挟まれている。第１樹脂絶縁層１５０ＦＢは第１導体層１５８Ｆと導体層２０で挟まれている。第１樹脂絶縁層１５０ＦＵを貫通する第１ビア導体１５６Ｆは隣接する第１導体層１５８Ｆを接続する。第１樹脂絶縁層１５０ＦＢを貫通する第１ビア導体１５６Ｆは第１導体層１５８Ｆと導体層２０を接続する。

【0016】

ビルドアップ層６０Ｆは、第２樹脂絶縁層２５０Ｆと、第２導体層２５８Ｆと、第２ビア導体２５６Ｆ、とを有する。第２樹脂絶縁層２５０Ｆは、ビルドアップ層５０Ｆを形成している第１樹脂絶縁層１５０Ｆと第１導体層１５８Ｆ上に形成されている。第２導体層２５８Ｆは、第２樹脂絶縁層２５０Ｆ上に形成されている。第２ビア導体２５６Ｆは、第２樹脂絶縁層２５０Ｆを貫通し、第２導体層２５８Ｆと接続する。

【0017】

第２導体層２５８Ｆは第２ビアランド２５６ＦＬを有する。第２ビアランド２５６ＦＬは第２ビア導体２５６Ｆの直上と第２ビア導体２５６Ｆの周りに形成されている。第２ビア導体２５６Ｆと第２ビアランド２５６ＦＬは一体的に形成されている。第２ビア導体２５６Ｆ用の開口２５６ＦＯは、第２樹脂絶縁層２５０Ｆを貫通する。第２ビア導体２５６Ｆは開口２５６ＦＯ内に形成されている。第２ビア導体２５６Ｆにより第１導体層１５８Ｆと第２導体層２５８Ｆが接続される。

【0018】

ビルドアップ層６０Ｆは、ビルドアップ層５０Ｆとビルドアップ層７０Ｆで挟まれている。ビルドアップ層６０Ｆは、ビルドアップ層５０Ｆ上に直接積層されている。ビルドアップ層６０Ｆを形成する第２樹脂絶縁層２５０Ｆの数は１であることが好ましい。ビルドアップ層６０Ｆを形成する第２導体層２５８Ｆの数は１であることが好ましい。この場合、第１導体層１５８Ｆと第２導体層２５８Ｆは第２ビア導体２５６Ｆで直接接続される。

【0019】

ビルドアップ層７０Ｆは、第３樹脂絶縁層１７０Ｆと、第３導体層１７８Ｆと、第３ビア導体３７６Ｆ、とを有する。第３樹脂絶縁層１７０Ｆは、ビルドアップ層６０Ｆを形成する第２樹脂絶縁層２５０Ｆと第２導体層２５８Ｆ上に形成されている。第３導体層１７８Ｆは、第３樹脂絶縁層１７０Ｆ上に形成されている。第３ビア導体３７６Ｆは、第３樹脂絶縁層１７０Ｆを貫通し第３導体層１７８Ｆに接続する。

【0020】

第３導体層１７８Ｆは、第３ビアランド３７６ＦＬを有する。第３ビアランド３７６ＦＬは、第３ビア導体３７６Ｆの直上と第３ビア導体３７６Ｆの周りに形成されている。第３ビア導体３７６Ｆと第３ビアランド３７６ＦＬは一体的に形成されている。第３ビア導体３７６Ｆ用の開口３７６ＦＯは、第３樹脂絶縁層１７０Ｆを貫通する。第３ビア導体３７６Ｆは開口３７６ＦＯ内に形成されている。第３樹脂絶縁層１７０Ｆの数と第３導体層１７８Ｆの数は複数であることが好ましい。

【0021】

図１の例では、第３樹脂絶縁層１７０Ｆの数と第３導体層１７８Ｆの数は複数である。第３樹脂絶縁層１７０Ｆの数は６であり、第３導体層１７８Ｆの数は６である。第３樹脂絶縁層１７０Ｆと第３導体層１７８Ｆは交互に積層されている。第３樹脂絶縁層１７０Ｆの数が複数の場合、第３ビア導体３７６Ｆは各第３樹脂絶縁層１７０Ｆに形成されている。第３樹脂絶縁層１７０Ｆを挟んでいる導体層は第３ビア導体３７６Ｆで接続される。ビルドアップ層７０Ｆは、ビルドアップ層６０Ｆ上に直接積層されている。

【0022】

第３樹脂絶縁層の数が複数である場合、ビルドアップ層７０Ｆはビルドアップ層６０Ｆの直上に形成されている第３樹脂絶縁層１７０ＦＢとそれ以外の第３樹脂絶縁層１７０ＦＵを有する。第３樹脂絶縁層１７０ＦＵは第３導体層１７８Ｆで挟まれている。第３樹脂絶縁層１７０ＦＢは第３導体層１７８Ｆと第２導体層２５８Ｆで挟まれる。第３樹脂絶縁層１７０ＦＵを貫通する第３ビア導体３７６Ｆは隣接する第３導体層１７８Ｆを接続する。第３樹脂絶縁層１７０ＦＢを貫通する第３ビア導体３７６Ｆは第２導体層２５８Ｆと第３導体層１７８Ｆを接続する。

【0023】

ビルドアップ層７０Ｆ上に第１ソルダーレジスト層９０Ｆが形成されている。第１ソルダーレジスト層９０Ｆは、第３導体層１７８Ｆを露出する第１開口９２Ｆを有する。

【0024】

プリント配線板１０は、金属ポスト９８Ｆを有する。金属ポスト９８Ｆは、第１開口９２Ｆから露出する第３導体層１７８Ｆ上に形成されている。金属ポスト９８Ｆ上にＩＣチップ等の電子部品が実装されている。金属ポスト９８Ｆの上面にＮｉ／Ｐｄ／Ａｕから成る金属膜９４Ｆが形成されている。

【0025】

下側のビルドアップ層Ｂｕ２は、ビルドアップ層５０Ｓで形成されている。ビルドアップ層５０Ｓは、コア基板３０の第２面Ｓ上に形成されている。

【0026】

ビルドアップ層５０Ｓは、第４樹脂絶縁層１５０Ｓと、第４導体層１５８Ｓと、ビア導体１５６Ｓ、とを有する。第４樹脂絶縁層１５０Ｓは、コア基板３０の第２面Ｓと導体層４０上に形成されている。第４導体層１５８Ｓは第４樹脂絶縁層１５０Ｓ上に形成されている。第４ビア導体１５６Ｓは第４樹脂絶縁層１５０Ｓを貫通し、第４導体層１５８Ｓに接続する。

【0027】

図１の例では、第４樹脂絶縁層１５０Ｓの数と第４導体層１５８Ｓの数は複数である。第４樹脂絶縁層１５０Ｓの数は６であり、第４導体層１５８Ｓの数は６である。ビルドアップ層５０Ｆを形成する樹脂絶縁層１５０Ｆの数と下側のビルドアップ層Ｂｕ２を形成する樹脂絶縁層１５０Ｓの数は同じである。ビルドアップ層５０Ｆを形成する導体層１５８Ｆの数と下側のビルドアップ層Ｂｕ２を形成する導体層１５８Ｓの数は同じである。第４樹脂絶縁層１５０Ｓと第４導体層１５８Ｓは交互に積層されている。第４樹脂絶縁層１５０Ｓの数が複数の場合、第４ビア導体１５６Ｓは各第４樹脂絶縁層１５０Ｓに形成されている。第４樹脂絶縁層１５０Ｓを挟んでいる導体層は第４ビア導体１５６Ｓで接続される。第４樹脂絶縁層１５０Ｓと第１樹脂絶縁層１５０Ｆは同じ組成である。

【0028】

下側のビルドアップ層Ｂｕ２上に第２ソルダーレジスト層９０Ｓが形成されている。

【0029】

再配線部１００の導体層１７８Ｆ，２５８Ｆの第１配線密度(Ｌ／Ｓ）は、再配線部１００以外に形成されている導体層２０，４２，１５８Ｆ，１５８Ｓの第２配線密度（Ｌ／Ｓ）より高い。第１配線密度(Ｌ／Ｓ）は、再配線部１００の導体層１７８Ｆ，２５８Ｆのうち最小のＬ／Ｓで代表される。第２配線密度(Ｌ／Ｓ）は、再配線部１００以外に形成されている導体層２０，４２，１５８Ｆ，１５８Ｓのうち最小のＬ／Ｓで代表される。第２配線密度（Ｌ／Ｓ）は７／７～３０／３０であり、前記第１配線密度（Ｌ／Ｓ）は１／１～５／５である。あるいは、第１配線密度（Ｌ／Ｓ）は１．５／１．５～３．５／３．５である。

【0030】

プリント配線板１０が製造される時、加圧される。プリント配線板１０は複数回加熱処理される。それら加熱処理の都度、プリント配線板１０はヒートサイクルを受ける。実施形態のプリント配線板１０では、コア基板３０が多層基板で形成されている。複数の導体層２０と樹脂絶縁層１２が交互に積層されている。そのため、コア基板３０は、強度が高い。実施形態のプリント配線板１０によれば、ヒートサイクルを受けるときの反りの発生が抑制される。信頼性が低下し難い。

【符号の説明】

【0031】

１０ ：プリント配線板
１２ ：第３樹脂絶縁層
２０ ：第３導体層
２０Ａ ：ビア導体
３０ ：コア基板
４０ ：導体層
４２ ：導体層
５０Ｆ ：ビルドアップ層
５０Ｓ ：ビルドアップ層
６０Ｆ ：ビルドアップ層
７０Ｆ ：ビルドアップ層
９０Ｆ ：第１ソルダーレジスト層
９０Ｓ ：第２ソルダーレジスト層
９２Ｆ ：第１開口
９４Ｆ ：金属膜
９８Ｆ ：金属ポスト
１００ ：再配線部
１５０Ｆ：第１樹脂絶縁層
１５０Ｓ：第４樹脂絶縁層
１５６Ｆ：第１ビア導体
１５６Ｓ：ビア導体
１５６Ｓ：第４ビア導体
１５８Ｆ：第１導体層
１５８Ｓ：第４導体層
１７０Ｆ：第３樹脂絶縁層
１７８Ｆ：第３導体層
２５０Ｆ：第２樹脂絶縁層
２５６Ｆ：第２ビア導体
２５８Ｆ：第２導体層
３７６Ｆ：第３ビア導体
Ｂｕ１ ：上側のビルドアップ層
Ｂｕ２ ：下側のビルドアップ層
Ｆ ：第１面
Ｓ ：第２面

【図1】