特開 2024-170090 キャパシタおよびキャパシタの製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024170090

(43)【公開日】2024-12-06

(54)【発明の名称】キャパシタおよびキャパシタの製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01G 4/33 20060101AFI20241129BHJP

   H01G 4/30 20060101ALI20241129BHJP

【ＦＩ】

H01G4/33 102

H01G4/30 541

H01G4/30 547

【審査請求】未請求

【請求項の数】15

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023087057

(22)【出願日】2023-05-26

(71)【出願人】

【識別番号】000116024

【氏名又は名称】ローム株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110002310

【氏名又は名称】弁理士法人あい特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】畑野 舞子

【テーマコード（参考）】

5E001

5E082

【Ｆターム（参考）】

5E001AC05

5E082EE17

5E082EE23

5E082EE26

5E082EE37

5E082EE39

5E082FF05

5E082FG25

5E082FG44

5E082GG10

5E082GG11

(57)【要約】

【課題】ディッシング発生の影響を抑制または回避できる、キャパシタおよびキャパシタの製造方法を提供する。
【解決手段】キャパシタ１は、第１主面３および第２主面４を有する基材２と、基材２を厚さ方向Ｚに貫通する複数の貫通電極６と、貫通電極６の周囲において第１主面３および第２主面４を形成する第１絶縁膜１６、ならびに第１絶縁膜１６を被覆する第１絶縁膜１６とは膜質の異なる第２絶縁膜１７の積層構造１８とを含む。キャパシタ１は、隣り合う貫通電極６の間の容量部７を利用している。
【選択図】図２

【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１主面およびその反対側の第２主面を有する基材と、
前記基材を厚さ方向に貫通する複数の貫通電極と、
前記貫通電極の周囲において少なくとも前記第１主面および前記第２主面の一方を形成する第１絶縁膜、ならびに前記第１絶縁膜を被覆する前記第１絶縁膜とは膜質の異なる第２絶縁膜の積層構造とを含み、
隣り合う前記貫通電極の間の容量部を利用した、キャパシタ。

【請求項2】

前記第２絶縁膜の表面から前記第２絶縁膜と前記貫通電極との境界を横切って前記貫通電極へ向かって下り傾斜する凹面を有する凹部が形成されており、
前記凹部の周囲において前記第２絶縁膜の前記表面は、研磨により形成された平滑面である、請求項１に記載のキャパシタ。

【請求項3】

前記凹部の底部が、前記基材の厚さ方向に前記第１絶縁膜と間隔を空けて形成されている、請求項２に記載のキャパシタ。

【請求項4】

前記第２絶縁膜が、前記第１絶縁膜を被覆して前記第１主面および前記第２主面の前記一方を形成しており、
前記第１絶縁膜が前記貫通電極に接しており、
前記第２絶縁膜が、前記第１絶縁膜と前記貫通電極との境界よりも外側において、前記貫通電極に接している、請求項１～３のいずれか一項に記載のキャパシタ。

【請求項5】

前記第２絶縁膜が、前記第１絶縁膜を被覆して前記第１主面および前記第２主面の前記一方を形成する第１領域と、前記第１絶縁膜と前記貫通電極とによって前記第１主面に沿う方向に挟まれた第２領域とを含む、請求項１～３のいずれか一項に記載のキャパシタ。

【請求項6】

前記第２領域の膜厚が、前記第１領域の膜厚よりも薄い、請求項５に記載のキャパシタ。

【請求項7】

前記基材が、導電部を有し、
前記第１絶縁膜が、前記基材において前記導電部を被覆する、請求項１～３のいずれか一項に記載のキャパシタ。

【請求項8】

前記基材が前記第１絶縁膜によって形成されている、請求項１～３のいずれか一項に記載のキャパシタ。

【請求項9】

前記第２絶縁膜の膜厚が、５００ｎｍ以上である、請求項１～３のいずれか一項に記載のキャパシタ。

【請求項10】

前記第１絶縁膜が、熱酸化膜によって形成されている、請求項１～３のいずれか一項に記載のキャパシタ。

【請求項11】

前記第２絶縁膜が、堆積膜によって形成されている、請求項１～３のいずれか一項に記載のキャパシタ。

【請求項12】

複数の前記貫通電極が、第１貫通電極と第２貫通電極とを含み、
前記第１主面に配置され、前記第１貫通電極が電気的に接続された第１外部電極と、
前記第２主面に配置され、前記第２貫通電極が電気的に接続された第２外部電極とをさらに含み、
前記第１絶縁膜が、隣り合う前記第１貫通電極および前記第２貫通電極によって前記第１主面に沿う方向に挟まれている、請求項１～３のいずれか一項に記載のキャパシタ。

【請求項13】

複数の前記貫通電極が、平面視でストライプ状に形成されている、請求項１～３のいずれか一項に記載のキャパシタ。

【請求項14】

複数の前記貫通電極が、平面視で格子状に形成されている、請求項１～３のいずれか一項に記載のキャパシタ。

【請求項15】

一方側の第１主面および他方側の第２主面を有する基板に、前記基板を厚さ方向に貫通する複数の貫通穴を形成する第１工程と、
複数の前記貫通穴が形成されている前記基板を熱酸化して、前記基板における前記貫通穴の周囲の部分に第１絶縁膜を形成する第２工程と、
少なくとも前記第１主面および前記第２主面の一方において、前記第１絶縁膜と膜質の異なる第２絶縁膜であって前記第１絶縁膜を被覆する第２絶縁膜を形成し、前記第１絶縁膜および前記第２絶縁膜の積層構造を形成する第３工程と、
前記第１主面および前記第２主面の前記一方において前記第２絶縁膜を覆う導電膜を形成し、前記導電膜によって複数の前記貫通穴の内部を埋める第４工程と、
前記第１主面および前記第２主面の前記一方が露出するまで前記導電膜を研磨する第５工程とを含む、キャパシタの製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、キャパシタおよびキャパシタの製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１は、複数の貫通孔を有する基板と、貫通孔に充填された貫通電極と、基板の第１主面上に形成された絶縁性カバー膜と、絶縁性カバー膜の上に形成されたキャパシタ構造と、キャパシタ構造を覆う保護絶縁膜と、キャパシタ構造と電気的に接続され、かつ対応する貫通電極と電気的に接続される複数の接続パッドとを備える、貫通電極付きキャパシタを開示している。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】国際公開第２００９／１１０２８８号

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

本開示の一実施形態は、ディッシング発生の影響を抑制または回避できる、キャパシタおよびキャパシタの製造方法を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本開示の一実施形態は、第１主面およびその反対側の第２主面を有する基材と、前記基材を厚さ方向に貫通する複数の貫通電極と、前記貫通電極の周囲において少なくとも前記第１主面および前記第２主面の一方を形成する第１絶縁膜、ならびに前記第１絶縁膜を被覆する前記第１絶縁膜とは膜質の異なる第２絶縁膜の積層構造とを含む、キャパシタを提供する。前記キャパシタが、隣り合う前記貫通電極の間の容量部を利用している。

【0006】

本開示の一実施形態は、一方側の第１主面および他方側の第２主面を有する基板に、前記基板を厚さ方向に貫通する複数の貫通穴を形成する第１工程と、複数の前記貫通穴が形成されている前記基板を熱酸化して、前記基板における前記貫通穴の周囲の部分に第１絶縁膜を形成する第２工程と、少なくとも前記第１主面および前記第２主面の一方において、前記第１絶縁膜と膜質の異なる第２絶縁膜であって前記第１絶縁膜を被覆する第２絶縁膜を形成し、前記第１絶縁膜および前記第２絶縁膜の積層構造を形成する第３工程と、前記第１主面および前記第２主面の前記一方において前記第２絶縁膜を覆う導電膜を形成し、前記導電膜によって複数の前記貫通穴の内部を埋める第４工程と、少なくとも前記第１主面および前記第２主面の前記一方が露出するまで前記導電膜を研磨する第５工程とを含む、キャパシタの製造方法を提供する。

【発明の効果】

【0007】

本開示の一実施形態によれば、ディッシング発生の影響を抑制または回避できる。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】図１は、本開示の第１実施形態に係るキャパシタの模式的な平面図である。

【図2】図２は、図１のII-II線に沿う模式的な断面図である。

【図3】図３は、図２の一点鎖線IIIで囲まれた部分の拡大図である。

【図4】図４は、図２の一点鎖線IVで囲まれた部分の拡大図である。

【図5A】図５Ａは、本開示の第１実施形態に係るキャパシタの製造工程の一部を示す断面図であって、図２に対応する図である。

【図5B】図５Ｂは、図５Ａの次の工程を示す断面図である。

【図5C】図５Ｃは、図５Ｂの次の工程を示す断面図である。

【図5D】図５Ｄは、図５Ｃの次の工程を示す断面図である。

【図5E】図５Ｅは、図５Ｄの次の工程を示す断面図である。

【図5F】図５Ｆは、図５Ｅの次の工程を示す断面図である。

【図5G】図５Ｇは、図５Ｆの次の工程を示す断面図である。

【図5H】図５Ｈは、図５Ｇの次の工程を示す断面図である。

【図5I】図５Ｉは、図５Ｈの次の工程を示す断面図である。

【図5J】図５Ｊは、図５Ｉの次の工程を示す断面図である。

【図5K】図５Ｋは、図５Ｊの次の工程を示す断面図である。

【図6】図６は、参考形態に係るキャパシタの模式的な断面図であって、図３に対応する図である。

【図7】図７は、本開示の第２実施形態に係るキャパシタの模式的な断面図であって、図２に対応する図である。

【図8】図８は、図７の一点鎖線VIIIで囲まれた部分の拡大図である。

【図9A】図９Ａは、本開示の第２実施形態に係るキャパシタの製造工程の一部を示す断面図であって、図７に対応する図である。

【図9B】図９Ｂは、図９Ａの次の工程を示す断面図である。

【図9C】図９Ｃは、図９Ｂの次の工程を示す断面図である。

【図9D】図９Ｄは、図９Ｃの次の工程を示す断面図である。

【図10】図１０は、本開示の第３実施形態に係るキャパシタの模式的な平面図である。

【図11】図１１は、図１０のXI-XI線に沿う模式的な断面図である。

【図12】図１２は、図１０のXII-XII線に沿う模式的な断面図である。

【図13】図１３は、図１１の一点鎖線XIIIで囲まれた部分の拡大図である。

【図14】図１４は、図１１の一点鎖線XIVで囲まれた部分の拡大図である。

【図15】図１５は、本開示の変形例を示す断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0009】

図１は、本開示の第１実施形態に係るキャパシタ１の模式的な平面図である。図２は、図１のII-II線に沿う模式的な断面図である。

【0010】

キャパシタ１は、直方体形状の基材２を含む。基材２は、一方側の第１主面３、他方側の第２主面４、ならびに第１主面３および第２主面４を接続する側面５Ａ，５Ｂ，５Ｃ，５Ｄを有している。キャパシタ１は、ディスクリートキャパシタとも称される。

【0011】

第１主面３および第２主面４は、それらの法線方向Ｚから見た平面視（以下、単に「平面視」という。）において四角形状に形成されている。側面５Ａおよび側面５Ｃは、第１方向Ｘに沿って延び、第１方向Ｘに交差する第２方向Ｙに対向している。側面５Ｂおよび側面５Ｄは、第２方向Ｙに沿って延び、第１方向Ｘに対向している。第２方向Ｙは、具体的には、第１方向Ｘに直交している（垂直である）。

【0012】

この実施形態では、基材２は、平面視において正方形状である。この実施形態では、基材２の一辺の長さＬは、たとえば１ｍｍ以上１０ｍｍ以下であり、この実施形態ではたとえば１０ｍｍである。また、基材２の厚さＴ（図２参照）は、たとえば１００μｍ以上１ｍｍ以下であり、この実施形態ではたとえば５００μｍである。基材２のサイズをこのようなサイズにすることにより、キャパシタ１をいわゆるチップ部品として構成できる。そのため、キャパシタ１を多種の用途に適用できる。基材２の平面形状が長方形であってもよい。また、基材２の平面形状は四角形状に限られず、たとえば円形状であってもよい。

【0013】

図１および図２を参照して、キャパシタ１は、複数の貫通電極６をさらに含む。複数の貫通電極６は、基材２を厚さ方向（法線方向Ｚ）に貫通する電極であり、互いに間隔を空けて形成されている。複数の貫通電極６は、平面視において第１方向Ｘに間隔を空けて配列され、第２方向Ｙに延びる帯状にそれぞれ形成されている。つまり、複数の貫通電極６は、第２方向Ｙに延びるストライプ状に配列されている。

【0014】

複数の貫通電極６は、第１貫通電極８と、第２貫通電極９とを含む。図１および図２の例では、貫通電極６の個数は３つである。複数の貫通電極６は、２つの第１貫通電極８と、１つの第２貫通電極９とを含む。図１および図２の例では、２つの第１貫通電極８によって１つの第２貫通電極９が、第１方向Ｘに挟まれている。複数の貫通電極６は、基材２を厚さ方向（法線方向Ｚ）に貫通する複数（この実施形態では、３つ）の貫通穴１０に埋め込まれた導電体によって形成されている。図１において、第１貫通電極８と第２貫通電極９とを識別し易くするために、第１貫通電極８および第２貫通電極９は、互いに異なるハッチングを用いて示されている。

【0015】

複数の貫通穴１０は、平面視において、第２方向Ｙに延びるストライプ状に形成されている。貫通穴１０は、第１方向Ｘに等間隔に並んでいる。貫通穴１０の第１方向Ｘの幅Ｗ１は、たとえば５μｍ以上２００μｍ以下であり、この実施形態ではたとえば１００μｍである。貫通穴１０の幅Ｗ１は、基材２の厚さ方向に均一である。貫通穴１０の内面１０ａ（図２参照）は、第１主面に直交な平坦面である。隣り合う貫通穴１０の間隔Ｗ２は、たとえば１μｍ以上４００μｍ以下であり、この実施形態ではたとえば２００μｍである。間隔Ｗ２は、隣り合う貫通電極６の電極間距離である。

【0016】

貫通電極６は、貫通穴１０の内部に埋め込まれた導電体である。貫通電極６は、貫通穴１０の内面１０ａを覆う薄い導電層１１と、導電層１１を挟んで貫通穴１０の内部に埋め込まれた電極層１２とを含む。導電層１１は、たとえばＣｕである。導電層１１は、Ｎｉ、ＮｉＣｒ、Ｃｏ等であってもよい。電極層１２は、たとえばＣｕである。電極層１２は、たとえばＮｉ等であってもよい。

【0017】

貫通電極６のうち第１貫通電極８は、後述する第１外部電極２３に電気的に接続されており、後述する第２外部電極２６から絶縁されている。貫通電極６のうち第２貫通電極９は、第２外部電極２６に電気的に接続されており、第１外部電極２３から絶縁されている。

【0018】

キャパシタ１は、第１絶縁膜１６と第２絶縁膜１７との積層構造１８をさらに含む。基材２の内部には、複数のシリコン部（導電部）１９が形成されている。複数のシリコン部１９は、基材２において隣り合う貫通電極６の間、および貫通電極６と側面５Ｂ，５Ｄとの間に形成されている。なお、基材２のベース材料がシリコン基板以外の導電材料である場合、シリコン部１９は、導電部と称されてもよい。

【0019】

第１絶縁膜１６は、複数のシリコン部１９の周囲を包囲している。第１絶縁膜１６は、基材２の第１主面３、第２主面４、側面５Ａ，５Ｂ，５Ｃ，５Ｄおよび貫通穴１０の内面１０ａを形成している。これにより、複数のシリコン部１９は、それぞれ、第１絶縁膜１６により完全に被覆され、外部との導通が第１絶縁膜１６により遮断されている。第１絶縁膜１６は、熱酸化膜である。第１絶縁膜１６は酸化シリコン（ＳｉＯ_２）である。第１絶縁膜１６の膜厚ｔ１は、０．５μｍ以上２μｍ以下であり、この実施形態ではたとえば１．２μｍである。

【0020】

基材２において、各貫通電極６は、第１絶縁膜１６によって第１方向Ｘに挟まれている。つまり、第１貫通電極８および第２貫通電極９は、第１絶縁膜１６によって第１方向Ｘに挟まれている。貫通電極６は、第１境界６ｃにおいて第１絶縁膜１６に接している。第１境界６ｃは、たとえば平坦面からなる境界面である。

【0021】

第２絶縁膜１７は、堆積膜により形成されている。第２絶縁膜１７は、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）である。つまり、積層構造１８は、第１絶縁膜１６と、第１絶縁膜１６を被覆し、第１絶縁膜１６と異なる膜質の第２絶縁膜１７との積層構造である。ここで、異なる膜質とは、たとえば、第１絶縁膜１６および第２絶縁膜１７の緻密性が互いに異なっていてもよい。この形態では、第１絶縁膜１６が、相対的に高い緻密性を有し、第２絶縁膜１７が、第１絶縁膜１６よりも相対的に低い緻密性を有している。

【0022】

第１絶縁膜１６と第２絶縁膜１７との間には、図２に示すように明確に定義できる膜界面が存在していてもよいし、存在していなくてもよい。膜の緻密性は、たとえば、共通のエッチングガスまたはエッチング液で第１絶縁膜１６および第２絶縁膜１７をエッチングし、そのときのエッチングレートの差に基づいて比較することができる。たとえば、共通のエッチングガスまたはエッチング液で第１絶縁膜１６および第２絶縁膜１７をエッチングしたときに、相対的に高い緻密性を有する第１絶縁膜１６のエッチングレートが、第２絶縁膜１７のエッチングレートよりも遅くてもよい。なお、第１絶縁膜１６および第２絶縁膜１７が共に酸化シリコンからなる場合、共通のエッチングガスとして、フッ酸（ＨＦ）を使用することができる。

【0023】

第２絶縁膜１７は、ＳｉＮ、ＳｉＯＮであってもよい。第２絶縁膜１７の膜厚ｔ２は、５００ｎｍ以上２μｍ以下である。第２絶縁膜１７（第１膜１７１および第２膜１７２）の膜厚ｔ２は、次に述べるディッシングによる凹部３１，４１の最深部３１ｃ，３２ｃ（図３および図４参照）が第１絶縁膜１６に達しない程度の厚さに設定されている。

【0024】

第２絶縁膜１７は、第１絶縁膜１６の第１主面３を形成する第１表面１６ａを被覆する第１膜１７１と、第１絶縁膜１６の第２主面４を形成する第２表面１６ｂを被覆する第２膜１７２とを備えている。この実施形態では、第２絶縁膜１７は、貫通電極６と第１絶縁膜１６とによって第１方向Ｘに挟まれていない。

【0025】

図３は、図２の一点鎖線IIIで囲まれた部分の拡大図である。

【0026】

図２および図３を参照して、第１膜１７１は、第１絶縁膜１６の第１表面１６ａの全域に形成されている。第１膜１７１の表面１７１ａは、貫通電極６の第１主面３側の第１端面６ａ（第１貫通電極８の第１端面６ａおよび第２貫通電極９の第１端面６ａ）と面一である。第１膜１７１は、第１境界６ｃよりも第２主面４側と反対側（外側）に位置する第２境界６ｄにおいて、それぞれ貫通電極６（第１貫通電極８および第２貫通電極９）に接している。

【0027】

図２および図３を参照して、第１主面３には、凹部３１が形成されている。具体的には、凹部３１は、貫通電極６の第１主面３側の第１端面６ａと、第１膜１７１の表面１７１ａのうち第１端面６ａの周囲の部分とに跨って形成されている。凹部３１は、いわゆるディッシングにより発生した凹部である。

【0028】

図３を参照して、凹部３１は、第１方向Ｘの中央部が第２主面４側に凹む凹面３２を有している。凹面３２の最深部（底部）３２ｃは、第１端面６ａにおいて第１方向Ｘの中央部に形成されている。凹面３２は、貫通電極６に対し第１方向Ｘの両側に隣接する第１膜１７１の表面１７１ａから、第１膜１７１と貫通電極６との第２境界６ｄを横切って、最深部３２ｃへ向かって下り傾斜している。

【0029】

凹面３２は、第１凹面部３２ａと、第１凹面部３２ａの両端に連続する２つの第２凹面部３２ｂとを含む。第１凹面部３２ａは、貫通電極６の第１端面６ａに形成されている。第１凹面部３２ａは、貫通電極６の第１端面６ａの全域に形成されている。第２凹面部３２ｂは、第２絶縁膜１７の第１膜１７１の表面１７１ａにおいて、貫通電極６の第１端面６ａの周囲の部分に形成されている。

【0030】

図３を参照して、第１膜１７１の表面１７１ａは、平滑面１７１ｂと、第２凹面部３２ｂとを含む。平滑面１７１ｂと第２凹面部３２ｂとは連続している。平滑面１７１ｂは、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）法等による研磨後の平坦かつ滑らかな面である。第１膜１７１は、第２境界６ｄにおいて最小膜厚ｔ３を有している。第１膜１７１の最小膜厚ｔ３は、２００ｎｍ以上４００ｎｍ以下である。第１膜１７１の最小膜厚ｔ３は、第２凹面部３２ｂの第１方向Ｘの幅Ｗ３よりも小さくてもよい。第１膜１７１の最小膜厚ｔ３は、第２凹面部３２ｂの最大深さＤ１よりも小さくてもよい。

【0031】

第２凹面部３２ｂは、第１絶縁膜１６の表面１６ａに達していない。別の言い方では、凹部３１の最深部３２ｃが、基材２の厚さ方向（法線方向Ｚ）に第１絶縁膜１６と間隔を空けて形成されている。さらに別の言い方では、第２凹面部３２ｂと第１絶縁膜１６との間に第２絶縁膜１７の第１膜１７１がある。

【0032】

図４は、図２の一点鎖線IVで囲まれた部分の拡大図である。

【0033】

図２および図４を参照して、第２膜１７２は、第１絶縁膜１６の第２表面１６ｂの全域に形成されている。第２膜１７２の表面１７２ａは、貫通電極６の第２主面４側の第２端面６ｂ（第１貫通電極８の第２端面６ｂおよび第２貫通電極９の第２端面６ｂ）と面一である。第２膜１７２は、第１境界６ｃよりも第１主面３側と反対側（外側）に位置する第３境界６ｅにおいて、それぞれ貫通電極６（第１貫通電極８および第２貫通電極９）に接している。

【0034】

図２および図４を参照して、第２主面４には、凹部４１が形成されている。具体的には、凹部４１は、貫通電極６の第２主面４側の第２端面６ｂと、第２膜１７２の表面１７２ａのうち第２端面６ｂの周囲の部分とに跨って形成されている。凹部４１は、いわゆるディッシングにより発生した凹部である。

【0035】

図４を参照して、凹部４１は、第１方向Ｘの中央部が第１主面３側に凹む凹面４２を有している。凹面４２の最深部（底部）４２ｃは、第２端面６ｂにおいて第１方向Ｘの中央部に形成されている。凹面４２は、貫通電極６に対し第１方向Ｘの両側に隣接する第２膜１７２の表面１７２ａから、第２膜１７２と貫通電極６との第３境界６ｅを横切って、最深部４２ｃへ向かって下り傾斜している。

【0036】

凹面４２は、第３凹面４２ａと、第３凹面４２ａの両端に連続する２つの第４凹面４２ｂとを含む。第３凹面４２ａは、貫通電極６の第２端面６ｂに形成されている。第３凹面４２ａは、貫通電極６の第２端面６ｂの全域に形成されている。第４凹面４２ｂは、第２絶縁膜１７の第２膜１７２の表面１７２ａにおいて、貫通電極６の第２端面６ｂの周囲の部分に形成されている。

【0037】

図４を参照して、第２膜１７２の表面１７２ａは、平滑面１７２ｂと、第４凹面４２ｂとを含む。平滑面１７２ｂと第４凹面４２ｂとは連続している。平滑面１７２ｂは、ＣＭＰ法等による研磨後の平坦かつ滑らかな面である。第２膜１７２は、第３境界６ｅにおいて最小膜厚ｔ４を有している。第２膜１７２の最小膜厚ｔ４は、２００ｎｍ以上４００ｎｍ以下である。第２膜１７２の最小膜厚ｔ４は、第４凹面４２ｂの第１方向Ｘの幅Ｗ４よりも小さくてもよい。第２膜１７２の最小膜厚ｔ４は、第４凹面４２ｂの最大深さＤ２よりも小さくてもよい。

【0038】

第４凹面４２ｂは、第１絶縁膜１６の第２表面１６ｂに達していない。別の言い方では、凹部４１の最深部４２ｃが、基材２の厚さ方向（法線方向Ｚ）に第１絶縁膜１６と間隔を空けて形成されている。さらに別の言い方では、第４凹面４２ｂと第１絶縁膜１６との間に第２絶縁膜１７の第２膜１７２がある。

【0039】

図２を参照して、基材２の第１主面３上には、第２貫通電極９の第１端面６ａを被覆するように、第３絶縁膜２１が形成されている。第３絶縁膜２１には、第１貫通電極８の第１端面６ａを露出させる第１コンタクト穴２２が形成されている。第３絶縁膜２１は、たとえば酸化シリコン（ＳｉＯ_２）である。第３絶縁膜２１は、ＳｉＮ、ＳｉＯＮであってもよい。第３絶縁膜２１によって、第２貫通電極９と次に述べる第１外部電極２３とが絶縁される。

【0040】

図２を参照して、第３絶縁膜２１上には、第１外部電極２３が形成されている。第１外部電極２３は、全ての第１貫通電極８の第１端面６ａを被覆するように、かつ第３絶縁膜２１の露出面のうち、第３絶縁膜２１の表面周縁部および外側面以外の露出面を被覆するように形成されている。この実施形態では、第１外部電極２３は、平面視で、基材２の第１主面３において周端縁を除くほぼ全域に形成されている。第１外部電極２３は、第３絶縁膜２１の第１コンタクト穴２２の内部に入り込み、第１コンタクト穴２２の内部で第１貫通電極８の第１端面６ａに接している。これにより、第１外部電極２３は、第１貫通電極８に電気的に接続されている。

【0041】

第１外部電極２３は、この実施形態では、Ｃｕである。第１外部電極２３が、Ａｌ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ｎｉ等であってもよい。

【0042】

図２を参照して、基材２の第２主面４上には、第１貫通電極８の第２端面６ｂを被覆するように、第４絶縁膜２４が形成されている。第４絶縁膜２４には、第２貫通電極９の第２端面６ｂを露出させる第２コンタクト穴２５が形成されている。第４絶縁膜２４は、たとえば酸化シリコン（ＳｉＯ_２）である。第４絶縁膜２４は、ＳｉＮ、ＳｉＯＮであってもよい。第４絶縁膜２４によって、第１貫通電極８と次に述べる第２外部電極２６とが絶縁される。

【0043】

図２を参照して、第４絶縁膜２４上には、第２外部電極２６が形成されている。第２外部電極２６は、全ての第２貫通電極９の第２端面６ｂを被覆するように、かつ第４絶縁膜２４の露出面のうち、第４絶縁膜２４の表面周縁部および外側面以外の露出面を被覆するように形成されている。この実施形態では、第２外部電極２６は、平面視で、基材２の第２主面４において周端縁を除くほぼ全域に形成されている。第２外部電極２６は、第４絶縁膜２４の第２コンタクト穴２５の内部に入り込み、第２コンタクト穴２５の内部で第２貫通電極９の第２端面６ｂに接している。これにより、第２外部電極２６は、第２貫通電極９に電気的に接続されている。

【0044】

第２外部電極２６は、この実施形態では、Ｃｕである。第２外部電極２６が、Ａｌ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ｎｉ等であってもよい。

【0045】

図２を参照して、隣り合う第１貫通電極８および第２貫通電極９において、第１貫通電極８に含まれる貫通穴１０の内面１０ａと、第２貫通電極９に含まれる貫通穴１０の内面１０ａとは第１方向Ｘに対向している。そして、これら互いに対向する内面１０ａ同士によって挟まれた部分にある第１絶縁膜１６が、容量部７を構成している。容量部７は、容量膜と称されてもよい。キャパシタ１の容量が所定になるように、第１絶縁膜１６の寸法が設定されている。すなわち、第１絶縁膜１６の寸法によって、キャパシタ１の容量が規定される。

【0046】

第１方向Ｘに対向する一組の第１貫通電極８および第２貫通電極９と、それらの間の容量部７とによって、一つのキャパシタ要素が構成されている。そして、第１貫通電極８が第１外部電極２３に電気的に接続され、かつ第２貫通電極９が第２外部電極２６に電気的に接続されているため、全てのキャパシタ要素が並列に接続されたキャパシタ１を得ることができる。これにより、キャパシタ１の小型化および大容量化を図ることができる。

【0047】

図５Ａ～図５Ｋは、本開示の第１実施形態に係るキャパシタ１の製造工程を説明するための断面図であり、図２に対応する図である。

【0048】

図５Ａを参照して、キャパシタ１を製造するには、基材２のベースになるシリコン基板（基板）１００が用意される。シリコン基板１００は、第１主面１０１と、第１主面１０１と反対側の第２主面１０２と、第１主面１０１と第２主面１０２とを連結する４つの側面１０３とを含む。

【0049】

次に、図５Ｂを参照して、シリコン基板１００が選択的に除去されることにより、第１主面１０１と第２主面１０２とを貫通する貫通穴１０が、シリコン基板１００に複数個（この実施形態では３つ）形成される（第１工程）。複数の貫通穴１０は、第２方向Ｙに沿って帯状に延びている。複数の貫通穴１０は、電気化学エッチング（Electrochemical Etching）法によって形成される。複数の貫通穴１０は、レーザー加工、ドライエッチング法等によって形成されてもよい。

【0050】

次に、図５Ｃを参照して、熱酸化法により、シリコン基板１００が酸化される。具体的には、シリコン基板１００の第１主面１０１、第２主面１０２、４つの側面１０３および複数の貫通穴１０の内面１０ａから、酸化膜が成長する。これにより、シリコン基板１００に、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）からなる第１絶縁膜１６が形成される（第２工程）。シリコン基板１００の内部のうち酸化膜が形成されなかった部分が、シリコン部１９になる。

【0051】

次に、図５Ｄを参照して、シリコン基板１００の第１主面１０１上に、第１ベース絶縁膜１０５が堆積される。第１ベース絶縁膜１０５によって第１主面１０１が被覆される。この工程では、貫通穴１０の内面１０ａに堆積膜が形成されないように、成膜時の温度や流量等が調整される。第１ベース絶縁膜１０５は、堆積膜である。第１ベース絶縁膜１０５は、ＣＶＤ法によって形成されてもよい。第１ベース絶縁膜１０５は、スパッタ法によって形成されてもよい。第１ベース絶縁膜１０５は、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）であってよいし、ＳｉＮ、ＳｉＯＮであってもよい。

【0052】

また、シリコン基板１００の第２主面１０２上に、第２ベース絶縁膜１０６が堆積される。第２ベース絶縁膜１０６によって第２主面１０２が被覆される。この工程では、貫通穴１０の内面１０ａに堆積膜が形成されないように、成膜時の温度や流量等が調整される。第２ベース絶縁膜１０６は、堆積膜である。第２ベース絶縁膜１０６は、ＣＶＤ法によって形成されてもよい。第２ベース絶縁膜１０６は、スパッタ法によって形成されてもよい。第２ベース絶縁膜１０６は、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）であってよいし、ＳｉＮ、ＳｉＯＮであってもよい。

【0053】

第１ベース絶縁膜１０５が、第１絶縁膜１６の第１表面１６ａの上に積層される第１膜１７１になる。第２ベース絶縁膜１０６が、第１絶縁膜１６の第２表面１６ｂの上に積層される第２膜１７２になる。第１ベース絶縁膜１０５および第２ベース絶縁膜１０６は堆積膜である。第１膜１７１および第２膜１７２は、第２絶縁膜１７に含まれる。これにより、第１絶縁膜１６と、第１絶縁膜１６を被覆し、第１絶縁膜１６と異なる膜質の第２絶縁膜１７との積層構造１８が形成される（第３工程）。

【0054】

第１膜１７１の表面１７１ａが、基材２の第１主面３とされる。第２膜１７２の表面１７２ａが、基材２の第２主面４とされる。シリコン基板１００の４つの側面１０３が、基材２の側面５Ａ，５Ｂ，５Ｃ，５Ｄとされる（図１を併せて参照）。

【0055】

次に、図５Ｅを参照して、複数の貫通穴１０の内面１０ａ、基材２の第１主面３および第２主面４に、導電層１１（図２参照）のベースとなるシード層（導電膜）１０７が形成される。シード層１０７は、たとえばＣｕ層、Ｎｉ層等である。シード層１０７は、たとえば、原子層堆積法（ＡＬＤ：Atomic Layer Deposition）、ＣＶＤ法、めっき法等によって形成される。

【0056】

次に、図５Ｆを参照して、シード層１０７上に、電極層１２（図２参照）の材料層である導電膜１０８が形成される。導電膜１０８は、たとえばＣｕ層、Ｎｉ層等である。導電膜１０８は、たとえばめっき法によって形成される。導電膜１０８によって、複数の貫通穴１０の内部が埋められる（第４工程）。導電膜１０８の形成は、複数の貫通穴１０の内部が導電膜１０８によって埋め尽くされるまで続けられる。導電膜１０８は、ＣＶＤ法によって形成されてもよい。

【0057】

次に、図５Ｇを参照して、第１主面１０１上および第２主面１０２上のシード層１０７および導電膜１０８が除去される。この工程は、研磨法によって第１主面３および第２主面４においてそれぞれ第１膜１７１の表面１７１ａおよび第２膜１７２の表面１７２ａが露出するまで続行される（第５工程）。研磨法は、ＣＭＰ法であってもよい。これにより、貫通穴１０の内部に、導電層１１および電極層１２を含む第１貫通電極８（貫通電極６）が埋め込まれた構成が得られる。また、貫通穴１０の内部に、導電層１１および電極層１２を含む第２貫通電極９（貫通電極６）が埋め込まれた構成が得られる。

【0058】

このとき、導電膜（シード層１０７および導電膜１０８）の研磨レートと、絶縁膜（第１ベース絶縁膜１０５および第２ベース絶縁膜１０６）の研磨レートとの間に差がある。そのため、導電膜の表面や絶縁膜の表面の一部が平坦化されずに凹む、いわゆるディッシングが生じるおそれがある。この場合、研磨後において、第１主面３を構成する第１膜１７１の表面１７１ａ、および第２主面４を構成する第２膜１７２の表面１７２ａに、図５Ｇに示すように凹部３１，４１が形成されることがある。

【0059】

次に、図５Ｈを参照して、たとえばスパッタ法により、基材２の第１主面３上に、第１主面３と、第１貫通電極８の第１主面３側の第１端面６ａと、第２貫通電極９の第１主面３側の第１端面６ａとを覆うように、第３絶縁膜２１が形成される。第３絶縁膜２１は、ＣＶＤ法によって形成されてもよい。第３絶縁膜２１は、たとえば酸化シリコン（ＳｉＯ_２）である。

【0060】

次に、たとえばスパッタ法により、基材２の第２主面４上に、第２主面４と、第２貫通電極９の第２主面４側の第２端面６ｂと、第２貫通電極９の第２主面４側の第２端面６ｂとを覆うように、第４絶縁膜２４が形成される。第４絶縁膜２４は、ＣＶＤ法によって形成されてもよい。第４絶縁膜２４は、たとえば酸化シリコン（ＳｉＯ_２）である。

【0061】

次に、図５Ｉを参照して、第３絶縁膜２１の上に、第１マスク１０９が積層される。第１マスク１０９は、第３絶縁膜２１において第１コンタクト穴２２を形成すべき領域を露出させ、それら以外の領域を被覆している。

【0062】

次に、第１マスク１０９を介するエッチング法によって、第３絶縁膜２１が選択的に除去される。これにより、第１コンタクト穴２２が形成される。エッチング法は、ウェットエッチング法であってよい。第１コンタクト穴２２の形成後、第１マスク１０９は除去される。

【0063】

次に、図５Ｊを参照して、第４絶縁膜２４の上に、第２マスク１１０が積層される。第２マスク１１０は、第４絶縁膜２４において第２コンタクト穴２５を形成すべき領域を露出させ、それら以外の領域を被覆している。

【0064】

次に、第２マスク１１０を介するエッチング法によって、第４絶縁膜２４が選択的に除去される。これにより、第２コンタクト穴２５が形成される。エッチング法は、ウェットエッチング法であってよい。第２コンタクト穴２５の形成後、第２マスク１１０は除去される。

【0065】

次に、図５Ｋに示すように、たとえばめっき法によって、基材２の第１主面３を覆う第１外部電極２３が形成される。また、たとえばめっき法によって、基材２の第２主面４を覆う第２外部電極２６が形成される。第１外部電極２３は、第３絶縁膜２１の露出面（外側面を除く）および全ての第１貫通電極８の第１端面６ａを覆うように形成される。第２外部電極２６は、第４絶縁膜２４の露出面（外側面を除く）および全ての第２貫通電極９の第１端面６ａを覆うように形成される。以上を含む工程によって、図１および図２に示されるキャパシタ１が得られる。

【0066】

以上により、第１絶縁膜１６および第２絶縁膜１７の積層構造１８を有するキャパシタ１を容易に製造できる。

【0067】

図６は、参考形態に係るキャパシタ１５１の模式的な断面図であって、図３に対応する図である。図６に示すキャパシタ１５１は、第２絶縁膜１７（第１膜１７１および第２膜１７２）を形成していない点において、図１および図２に示すキャパシタ１と相違している。図６では、参考のため、キャパシタ１５１において、図３に示すキャパシタ１の各部に対応する構成に同一の参照符号を付している。

【0068】

キャパシタ１５１では、第１絶縁膜１６の第１表面１６ａが第１主面３に露出しているので、ディッシングによる凹部１３１が第１絶縁膜１６の第１表面１６ａに形成されるおそれがある。第１絶縁膜１６は容量膜であり、第１絶縁膜１６によってキャパシタ１５１の容量は設計されている。そのため、ディッシングによる凹部（凹部１３１）が第１絶縁膜１６に形成されると、キャパシタ１５１の容量が所期の容量値から変化するおそれがある。

【0069】

また、ディッシングによる凹部（凹部１３１）が深く形成されて、仮にシリコン部１９（導電部）に達する場合、貫通電極６（第１貫通電極８および第２貫通電極９）がシリコン部１９に電気的に接続してしまい、その結果、キャパシタ１５１が短絡するおそれもある。

【0070】

これに対し、この実施形態では、第１絶縁膜１６および第１絶縁膜１６を被覆する第２絶縁膜１７の積層構造１８が基材２に形成されている。この積層構造１８にディッシングが発生しても、ディッシングによる凹部３１，４１は第２絶縁膜１７に形成される。そのため、容量部７として機能する第１絶縁膜１６においてディッシングによる凹部の発生を抑制または防止できる。そのため、キャパシタ１の容量が所期の容量値から変化したり、キャパシタ１に短絡が発生したりすることを防止できる。これにより、ディッシング発生の影響を抑制または回避できる。

【0071】

そして、凹部３１，４１の最深部（底部）３１ｃ，３２ｃと第１絶縁膜１６とが、基材２の厚さ方向（法線方向Ｚ）に間隔を空けて形成されている。そのため、凹部３１，４１の底部が、第１絶縁膜１６の表面１６ａ，１６ｂに達していない。すなわち、ディッシングによる凹部３１，４１が第１絶縁膜１６に形成されない。これにより、ディッシングによる影響を確実に回避できる。

【0072】

また、第１絶縁膜１６が熱酸化膜により形成されている。第１絶縁膜１６を第１絶縁膜１６が高品質の熱酸化膜で形成されているので、容量膜として機能する第１絶縁膜１６の容量値を適当な値に設定できる。

【0073】

一方、第２絶縁膜１７（第１膜１７１および第２膜１７２）は、堆積膜により形成されている。堆積膜として設けるので、第２絶縁膜１７を所定の厚みに設定することができる。これにより、第２絶縁膜１７（第１膜１７１および第２膜１７２）の膜厚ｔ２を、ディッシングによる凹部３１，４１の最深部３１ｃ，３２ｃが第１絶縁膜１６に達しない程度の厚さに設定できる。

【0074】

また、第１膜１７１は、第１境界６ｃよりも第２主面４側と反対側（外側）に位置する第２境界６ｄにおいて、貫通電極６（第１貫通電極８および第２貫通電極９）に接している。また、第２膜１７２は、第１境界６ｃよりも第１主面３側と反対側（外側）に位置する第３境界６ｅにおいて、貫通電極６（第１貫通電極８および第２貫通電極９）に接している。すなわち、第２絶縁膜１７が、第１絶縁膜１６と貫通電極６とによって第１方向Ｘに挟まれていない。そのため、第２絶縁膜１７がキャパシタ１の容量にほとんど影響を及ぼさない。これにより、キャパシタ１の容量の設計を容易にできる。

【0075】

図７は、本開示の第２実施形態に係るキャパシタ２０１の断面図であって、図２に対応する図である。図８は、図７の一点鎖線VIIIで囲まれた部分の拡大図である。第２実施形態では、第１実施形態と異なる部分のみを主として説明し、今まで説明した構成と同じ構成には同じ参照符号を付して、その説明を省略する。

【0076】

第２実施形態に係るキャパシタ２０１が第１実施形態に係るキャパシタ１と相違する点は、第２絶縁膜２１７が、第１膜（第１領域）１７１および第２膜（第１領域）１７２に加え、第３膜２７３（第２領域。図８参照）を含む点である。第２絶縁膜２１７は、堆積膜により形成されている。つまり、キャパシタ２０１は、第１絶縁膜１６と、第１絶縁膜１６を被覆し、第１絶縁膜１６と異なる膜質の第２絶縁膜２１７との積層構造２１８を有している。

【0077】

図８を参照して、第３膜２７３は、貫通穴１０の内面１０ａに形成されている。第３膜２７３は、キャパシタ２０１の深さ方向（法線方向Ｚ）の中央部に向かうに従って、膜厚が薄くなっている。そのため、第３膜２７３の表面２７３ａは、キャパシタ２０１の深さ方向（法線方向Ｚ）の中央部に向かうに従ってシリコン部１９に接近するような傾斜面である。第３膜２７３は、貫通穴１０の開口端付近において最大膜厚ｔ５を有している。第３膜２７３の最大膜厚ｔ５は、第２膜１７２の膜厚ｔ２よりも薄い。

【0078】

貫通電極６の導電層１１は、第２絶縁膜２１７の第３膜２７３の表面２７３ａに沿う形状である。すなわち、貫通電極６の導電層１１は、キャパシタ２０１の深さ方向（法線方向Ｚ）の中央部に向かうに従ってシリコン部１９に接近するような傾斜状である。

【0079】

図９Ａ～図９Ｄは、本開示の第２実施形態に係るキャパシタ２０１の製造工程を説明するための断面図であり、図７に対応する図である。

【0080】

キャパシタ２０１の製造工程は、キャパシタ１の製造工程と一部共通している。キャパシタ２０１の製造工程においては、まず、キャパシタ１の製造工程のうち、図５Ａ～図５Ｃに示す工程が行われる。図５Ａ～図５Ｃを用いて説明した工程の説明は既に終了しているので、これらの工程の説明を省略する。

【0081】

図５Ａ～図５Ｃを用いて説明した工程の後、図９Ａに示すように、シリコン基板１００の第１主面１０１上に、第３ベース絶縁膜１１５が堆積される。第３ベース絶縁膜１１５は第１主面１０１を被覆する。この工程では、第３ベース絶縁膜１１５は、第１主面１０１上だけでなく、貫通穴１０の内面１０ａにも堆積される。第３ベース絶縁膜１１５は、貫通穴１０の内面１０ａを被覆する。第３ベース絶縁膜１１５は、堆積膜である。第３ベース絶縁膜１１５は、ＣＶＤ法によって形成されてもよい。第３ベース絶縁膜１１５は、スパッタ法によって形成されてもよい。第３ベース絶縁膜１１５は、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）であってよいし、ＳｉＮ、ＳｉＯＮであってもよい。

【0082】

第３ベース絶縁膜１１５のうち貫通穴１０の内面１０ａに形成される第２領域１１５ｂの膜厚は、第１主面１０１上に形成される第１領域１１５ａの膜厚よりも薄い。また、第２領域１１５ｂの膜厚は、第２主面１０２に向かうに従って薄くなる。

【0083】

次に、図９Ｂを参照して、シリコン基板１００の第２主面１０２上に、第４ベース絶縁膜１１６が堆積される。第４ベース絶縁膜１１６は第２主面１０２を被覆する。この工程では、第４ベース絶縁膜１１６は、第２主面１０２上だけでなく、貫通穴１０の内面１０ａにも堆積される。第４ベース絶縁膜１１６は、貫通穴１０の内面１０ａを被覆する。第４ベース絶縁膜１１６は、堆積膜である。第４ベース絶縁膜１１６は、ＣＶＤ法によって形成されてもよい。第４ベース絶縁膜１１６は、スパッタ法によって形成されてもよい。第４ベース絶縁膜１１６は、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）であってよいし、ＳｉＮ、ＳｉＯＮであってもよい。

【0084】

第４ベース絶縁膜１１６のうち貫通穴１０の内面１０ａに形成される第４領域１１６ｂの膜厚は、第１主面１０１上に形成される第３領域１１６ａの膜厚よりも薄い。また、第４領域１１６ｂの膜厚は、第１主面１０１に向かうに従って薄くなる。

【0085】

第３ベース絶縁膜１１５の第１領域１１５ａが、第１絶縁膜１６の第１表面１６ａの上に積層される第１膜１７１になる。第４ベース絶縁膜１１６の第３領域１１６ａが、第１絶縁膜１６の第２表面１６ｂの上に積層される第２膜１７２になる。第３ベース絶縁膜１１５の第２領域１１５ｂおよび第４ベース絶縁膜１１６の第４領域１１６ｂが、貫通穴１０の内面１０ａに積層される第３膜２７３になる。第３ベース絶縁膜１１５および第４ベース絶縁膜１１６は堆積膜である。第１膜１７１、第２膜１７２および第３膜２７３は、第２絶縁膜２１７に含まれる。これにより、第１絶縁膜１６と、第１絶縁膜１６を被覆し、第１絶縁膜１６と異なる膜質の第２絶縁膜２１７との積層構造２１８が形成される（第３工程）。

【0086】

第１膜１７１の表面１７１ａが、基材２の第１主面３とされる。第２膜１７２の表面１７２ａが、基材２の第２主面４とされる。シリコン基板１００の４つの側面１０３が、基材２の側面５Ａ，５Ｂ，５Ｃ，５Ｄとされる（図１を併せて参照）。

【0087】

次に、図９Ｃを参照して、複数の貫通穴１０の内面１０ａ、基材２の第１主面３および第２主面４に、導電層１１（図７参照）のベースとなるシード層１０７が形成される。シード層１０７は、たとえばＣｕ層、Ｎｉ層等である。シード層１０７は、たとえば、原子層堆積法（ＡＬＤ：Atomic Layer Deposition）、ＣＶＤ法、めっき法等によって形成される。シード層１０７は、基材２の深さ方向の中央部に向かうに従ってシリコン部１９に接近するような傾斜状である。

【0088】

その後の工程は、図５Ｆ～図５Ｊを用いて説明した工程と同じである。図５Ｆ～図５Ｊを用いて説明した工程の説明は既に終了しているので、これらの工程の説明を省略する。

【0089】

図５Ｆ～図５Ｊを用いて説明した工程の後、図９Ｄを参照して、たとえばめっき法によって、基材２の第１主面３を覆う第１外部電極２３が形成される。また、たとえばめっき法によって、基材２の第２主面４を覆う第２外部電極２６が形成される。第１外部電極２３は、第３絶縁膜２１の露出面（外側面を除く）および全ての第１貫通電極８の第１端面６ａを覆うように形成される。第２外部電極２６は、第４絶縁膜２４の露出面（外側面を除く）および全ての第２貫通電極９の第２端面６ｂを覆うように形成される。以上を含む工程によって、図７に示されるキャパシタ２０１が得られる。

【0090】

本開示の第２実施形態に係るキャパシタ２０１によれば、第１実施形態に関連して説明した作用効果と同等の作用効果を奏する。

【0091】

図１０は、本開示の第３実施形態に係るキャパシタ３０１の模式的な平面図である。図１１は、図１０のXI-XI線に沿う模式的な断面図である。図１２は、図１０のXII-XII線に沿う模式的な断面図である。第３実施形態では、第１実施形態と異なる部分のみを主として説明し、今まで説明した構成と同じ構成には同じ参照符号を付して、その説明を省略する。

【0092】

第３実施形態に係るキャパシタ３０１が第１実施形態に係るキャパシタ１と相違する点は、複数の貫通電極３０６が、平面視で行列状（格子状）に形成されている点である。

【0093】

図１０～図１２を参照して、キャパシタ３０１は、複数の貫通電極３０６を含む。複数の貫通電極３０６は、基材２を厚さ方向（法線方向Ｚ）に貫通する電極であり、互いに間隔を空けて形成されている。複数の貫通電極３０６は、平面視において第１方向Ｘおよび第２方向Ｙに間隔を空けて形成されている。複数の貫通電極３０６は、第１方向Ｘおよび第２方向Ｙに沿う行列状に配列されている。

【0094】

複数の貫通電極３０６は、第１貫通電極３０８と、第２貫通電極３０９とを含む。図１０～図１２の例では、貫通電極３０６の個数は９つである。複数の貫通電極３０６は、５つの第１貫通電極３０８と、４つの第２貫通電極３０９とを含む。複数の第１貫通電極３０８および複数の第２貫通電極３０９は、平面視において、第１方向Ｘおよび第２方向Ｙに関して交互に並んでいる。基材２には、基材２を厚さ方向（法線方向Ｚ）に貫通する複数（この実施形態では、９つ）の貫通穴３１０に埋め込まれた導電体によって形成されている。図１０において、第１貫通電極３０８と第２貫通電極３０９とを識別し易くするために、第１貫通電極３０８および第２貫通電極３０９は、互いに異なるハッチングを用いて示されている。

【0095】

複数の貫通穴３１０は、平面視において、第１方向Ｘおよび第２方向Ｙに沿う行列状に形成されている。貫通穴３１０は、第１方向Ｘおよび第２方向Ｙに等間隔に並んでいる。各貫通穴３１０の平面形状は、この実施形態では、正方形である。その一辺の長さＬ１は、たとえば５μｍ以上２００μｍ以下であり、この実施形態ではたとえば１００μｍである。各貫通穴３１０の横断面形状は、基材２の厚さ方向に均一である。貫通穴３１０の内面３１０ａ（図１１および図１２参照）は、第１主面３に垂直な平坦面である。隣り合う貫通穴３１０の第１方向Ｘの間隔Ｗ１２は、たとえば１μｍ以上４００μｍ以下であり、この実施形態ではたとえば２００μｍである。図１１に示すように、間隔Ｗ１２は、第１方向Ｘに隣り合う貫通電極３０６の電極間距離である。図１２に示すように、間隔Ｗ１２は、第２方向Ｙに隣り合う貫通電極３０６の電極間距離である。

【0096】

貫通電極３０６は、貫通穴３１０の内部に埋め込まれた導電体である。貫通電極３０６は、貫通穴３１０の内面３１０ａを覆う導電層３１１と、導電層３１１を挟んで貫通穴３１０の内部に埋め込まれた電極層３１２とを含む。導電層３１１は、たとえばＣｕである。導電層３１１は、Ｎｉ、ＮｉＣｒ、Ｃｏ等であってもよい。電極層３１２は、たとえばＣｕである。電極層３１２は、たとえばＮｉ等であってもよい。

【0097】

貫通電極３０６のうち第１貫通電極３０８は、第１外部電極２３に電気的に接続されており、第２外部電極２６から絶縁されている。貫通電極３０６のうち第２貫通電極３０９は、第２外部電極２６に電気的に接続されており、第１外部電極２３から絶縁されている。

【0098】

キャパシタ３０１は、第１絶縁膜３１６と第２絶縁膜３１７との積層構造３１８をさらに含む。基材２の内部には、複数のシリコン部３１９が形成されている。複数のシリコン部３１９は、基材２において隣り合う貫通電極３０６の間、および貫通電極３０６と側面５Ａ，５Ｂ，５Ｃ，５Ｄとの間に形成されている。複数のシリコン部３１９は、基材２において隣り合う貫通電極３０６の間、および貫通電極３０６と側面５Ａ，５Ｂ，５Ｃ，５Ｄとの間に形成されている。

【0099】

第１絶縁膜３１６は、複数のシリコン部３１９の周囲を包囲している。第１絶縁膜３１６は、基材２の第１主面３、第２主面４、側面５Ａ，５Ｂ，５Ｃ，５Ｄおよび貫通穴３１０の内面３１０ａを形成している。第１絶縁膜３１６は、熱酸化膜である。第１絶縁膜３１６は酸化シリコン（ＳｉＯ_２）である。第１絶縁膜３１６の膜厚ｔ１は、０．５μｍ以上２μｍ以下であり、この実施形態ではたとえば１．２μｍである。

【0100】

基材２において、各貫通電極３０６は、第１絶縁膜３１６によって第１方向Ｘおよび第２方向Ｙに挟まれている。つまり、第１貫通電極３０８および第２貫通電極３０９は、第１絶縁膜３１６によって第１方向Ｘおよび第２方向Ｙに挟まれている。貫通電極３０６は、第１境界３０６ｃにおいて第１絶縁膜３１６に接している。第１境界３０６ｃは、たとえば平坦面からなる境界面である。

【0101】

第２絶縁膜３１７は、堆積膜により形成されている。つまり、積層構造３１８は、第１絶縁膜３１６と、第１絶縁膜３１６を被覆し、第１絶縁膜３１６と異なる膜質の第２絶縁膜３１７との積層構造である。第２絶縁膜３１７は、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）である。第２絶縁膜３１７は、ＳｉＮ、ＳｉＯＮであってもよい。第２絶縁膜３１７の膜厚ｔ２は、５００ｎｍ以上２μｍ以下である。第２絶縁膜３１７（第１膜３７１および第２膜３７２）の膜厚ｔ２は、ディッシングによる凹部３３１，３４１の最深部３３１ｃ，３３２ｃ（図１３および図１４参照）が第１絶縁膜３１６に達しない程度の厚さに設定されている。

【0102】

第２絶縁膜３１７は、第１絶縁膜３１６の第１主面３を形成する第１表面３１６ａを被覆する第１膜３７１と、第１絶縁膜３１６の第２主面４を形成する第２表面３１６ｂを被覆する第２膜３７２とを備えている。この実施形態では、第２絶縁膜３１７は、貫通電極３０６と第１絶縁膜３１６とによって第１方向Ｘおよび第２方向Ｙに挟まれていない。

【0103】

図１３は、図１１の一点鎖線XIIIで囲まれた部分の拡大図である。

【0104】

図１１～図１３を参照して、第１膜３７１は、第１絶縁膜３１６の第１表面３１６ａの全域に形成されている。第１膜３７１の表面３７１ａは、貫通電極３０６の第１主面３側の第１端面３０６ａ（第１貫通電極３０８の第１端面３０６ａおよび第２貫通電極３０９の第１端面３０６ａ）と面一である。第１膜３７１は、第１境界３０６ｃよりも第２主面４側と反対側（外側）に位置する第２境界３０６ｄにおいて、それぞれ貫通電極３０６（第１貫通電極３０８および第２貫通電極３０９）に接している。

【0105】

図１１～図１３を参照して、第１主面３には、凹部３３１が形成されている。具体的には、凹部３３１は、貫通電極３０６の第１主面３側の第１端面３０６ａと、第１膜３７１の表面３７１ａのうち第１端面３０６ａの周囲の部分とに跨って形成されている。凹部３３１は、いわゆるディッシングにより発生した凹部である。

【0106】

図１３を参照して、凹部３３１は、中央部が第２主面４側に凹む凹面３３２を有している。凹面３３２の最深部（底部）３３２ｃは、第１端面３０６ａにおいて第１方向Ｘおよび第２方向Ｙの中央部に形成されている。凹面３３２は、貫通電極３０６に対し第１方向Ｘおよび第２方向Ｙに隣接する第１膜３７１の表面３７１ａから、第１膜３７１と貫通電極３０６との平面視円状の第２境界３０６ｄを横切って、最深部３３２ｃへ向かって下り傾斜している。

【0107】

凹面３３２は、第１凹面部３３２ａと、第１凹面部３３２ａの周端に連続する第２凹面部３３２ｂとを含む。第１凹面部３３２ａは、貫通電極３０６の第１端面３０６ａに形成されている。第１凹面部３３２ａは、貫通電極３０６の第１端面３０６ａの全域に形成されている。第２凹面部３３２ｂは、第２絶縁膜３１７の第１膜３７１の表面３７１ａにおいて、貫通電極３０６の第１端面３０６ａの周囲の部分に形成されている。

【0108】

図１３を参照して、第１膜３７１の表面３７１ａは、平滑面３７１ｂと、第２凹面部３３２ｂとを含む。平滑面３７１ｂと第２凹面部３３２ｂとは連続している。平滑面３７１ｂは、ＣＭＰ法等による研磨後の平坦かつ滑らかな面である。第１膜３７１は、第２境界３０６ｄにおいて最小膜厚ｔ３を有している。第１膜３７１の最小膜厚ｔ３は、２００ｎｍ以上４００ｎｍ以下である。第１膜３７１の最小膜厚ｔ３は、第２凹面部３３２ｂの第１方向Ｘの幅Ｗ５および第２方向Ｙの幅Ｗ５よりも小さくてもよい。第１膜３７１の最小膜厚ｔ３は、第２凹面部３３２ｂの最大深さＤ３よりも小さくてもよい。

【0109】

第２凹面部３３２ｂは、第１絶縁膜３１６の第１表面３１６ａに達していない。別の言い方では、凹部３３１の最深部３３２ｃが、基材２の厚さ方向（法線方向Ｚ）に第１絶縁膜３１６と間隔を空けて形成されている。さらに別の言い方では、第２凹面部３３２ｂと第１絶縁膜３１６との間に第２絶縁膜３１７の第１膜３７１がある。

【0110】

図１４は、図１１の一点鎖線XIVで囲まれた部分の拡大図である。

【0111】

図１１、図１２および図１４を参照して、第２膜３７２は、第１絶縁膜３１６の第２表面３１６ｂの全域に形成されている。第２膜３７２の表面３７２ａは、貫通電極３０６の第２主面４側の第２端面３０６ｂ（第１貫通電極３０８の第２端面３０６ｂおよび第２貫通電極３０９の第２端面３０６ｂ）と面一である。第２膜３７２は、第１境界３０６ｃよりも第１主面３側と反対側（外側）に位置する第３境界３０６ｅにおいて、それぞれ貫通電極３０６（第１貫通電極３０８および第２貫通電極３０９）に接している。

【0112】

図１１、図１２および図１４を参照して、第２主面４には、凹部３４１が形成されている。具体的には、凹部３４１は、貫通電極３０６の第２主面４側の第２端面３０６ｂと、第２膜３７２の表面３７２ａのうち第２端面３０６ｂの周囲の部分とに跨って形成されている。凹部３４１は、いわゆるディッシングにより発生した凹部である。

【0113】

図１４を参照して、凹部３４１は、中央部が第１主面３側に凹む凹面３４２を有している。凹面３４２の最深部（底部）３４２ｃは、第２端面３０６ｂにおいて第１方向Ｘおよび第２方向Ｙの中央部に形成されている。凹面３４２は、貫通電極３０６に対し第１方向Ｘおよび第２方向Ｙに隣接する第２膜３７２の表面３７２ａから、第２膜３７２と貫通電極３０６との平面視円状の第３境界３０６ｅを横切って、最深部３４２ｃへ向かって下り傾斜している。

【0114】

凹面３４２は、第３凹面部３４２ａと、第３凹面部３４２ａの両端に連続する第４凹面部３４２ｂとを含む。第３凹面部３４２ａは、貫通電極３０６の第２端面３０６ｂに形成されている。第３凹面部３４２ａは、貫通電極３０６の第２端面３０６ｂの全域に形成されている。第４凹面部３４２ｂは、第２絶縁膜３１７の第２膜３７２の表面３７２ａにおいて、貫通電極３０６の第２端面３０６ｂの周囲の部分に形成されている。

【0115】

図１４を参照して、第２膜３７２の表面３７２ａは、平滑面３７２ｂと、第４凹面部３４２ｂとを含む。平滑面３７２ｂと第４凹面部３４２ｂとは連続している。平滑面３７２ｂは、ＣＭＰ法等による研磨後の平坦かつ滑らかな面である。第２膜３７２は、第３境界３０６ｅにおいて最小膜厚ｔ４を有している。第２膜３７２の最小膜厚ｔ４は、２００ｎｍ以上４００ｎｍ以下である。第２膜３７２の最小膜厚ｔ４は、第４凹面部３４２ｂの第１方向Ｘの幅Ｗ６および第２方向Ｙの幅Ｗ６よりも小さくてもよい。第２膜３７２の最小膜厚ｔ３は、第４凹面部３４２ｂの最大深さＤ４よりも小さくてもよい。

【0116】

第４凹面部３４２ｂは、第１絶縁膜３１６の第２表面３１６ｂに達していない。別の言い方では、凹部３４１の最深部３４２ｃが、基材２の厚さ方向（法線方向Ｚ）に第１絶縁膜３１６と間隔を空けて形成されている。さらに別の言い方では、第４凹面部３４２ｂと第１絶縁膜３１６との間に第２膜３７２がある。

【0117】

図１１および図１２を参照して、基材２の第１主面３上には、第２貫通電極３０９の第１端面３０６ａを被覆するように、第３絶縁膜２１が形成されている。第３絶縁膜２１には、第１貫通電極３０８の第１端面３０６ａを露出させる第１コンタクト穴３２２が形成されている。図１１および図１２の例では、第１コンタクト穴３２２の平面形状は、第１貫通電極８の平面形状の大きさとほぼ等しい正方形状である。第１コンタクト穴３２２の平面形状は、第１貫通電極３０８の平面形状の大きさよりも若干小さな正方形状であってもよい。第１外部電極２３は、第３絶縁膜２１の第１コンタクト穴３２２の内部に入り込み、第１コンタクト穴３２２の内部で第１貫通電極３０８の第１端面３０６ａに接している。これにより、第１外部電極２３は、第１貫通電極３０８に電気的に接続されている。

【0118】

図１１および図１２を参照して、基材２の第２主面４上には、第１貫通電極３０８の第２端面３０６ｂを被覆するように、第４絶縁膜２４が形成されている。第４絶縁膜２４には、第２貫通電極３０９の第２端面３０６ｂを露出させる第２コンタクト穴３２５が形成されている。図１１および図１２の例では、第２コンタクト穴３２５の平面形状は、第１貫通電極３０８の平面形状の大きさとほぼ等しい正方形状である。第２コンタクト穴３２５の平面形状は、第２貫通電極３０９の平面形状の大きさよりも若干小さな正方形状であってもよい。第２外部電極２６は、第４絶縁膜２４の第２コンタクト穴３２５の内部に入り込み、第２コンタクト穴３２５の内部で第２貫通電極３０９の第２端面３０６ｂに接している。これにより、第２外部電極２６は、第２貫通電極３０９に電気的に接続されている。

【0119】

図１１を参照して、第１方向Ｘに隣り合う第１貫通電極３０８および第２貫通電極３０９において、第１貫通電極３０８に含まれる貫通穴３１０の内面３１０ａと第２貫通電極３０９に含まれる貫通穴３１０の内面３１０ａとは、第１方向Ｘに対向している。そして、これら互いに対向する内面３１０ａ同士によって挟まれた部分にある第１絶縁膜３１６が、容量部３０７Ａを構成している。容量部３０７Ａは、容量膜と称されてもよい。第１方向Ｘに対向する一組の第１貫通電極３０８および第２貫通電極３０９と、それらの間の容量部３０７Ａとによって、一つのキャパシタ要素が構成されている。

【0120】

図１２を参照して、第２方向Ｙに隣り合う第１貫通電極３０８および第２貫通電極３０９において、第１貫通電極３０８に含まれる貫通穴３１０の内面３１０ａと第２貫通電極３０９に含まれる貫通穴３１０の内面３１０ａとは、第２方向Ｙに対向している。そして、これら互いに対向する内面３１０ａ同士によって挟まれた部分にある第１絶縁膜３１６が、容量部３０７Ｂを構成している。容量部３０７Ｂは、容量膜と称されてもよい。第２方向Ｙに対向する一組の第１貫通電極３０８および第２貫通電極３０９と、それらの間の容量部３０７Ｂとによって、一つのキャパシタ要素が構成されている。

【0121】

そして、第１貫通電極３０８が第１外部電極２３に電気的に接続され、かつ第２貫通電極３０９が第２外部電極２６に電気的に接続されているため、全てのキャパシタ要素が並列に接続されたキャパシタ３０１を得ることができる。これにより、キャパシタ３０１の小型化および大容量化を図ることができる。

【0122】

本開示の第３実施形態に係るキャパシタ３０１は、第１実施形態に係るキャパシタ１の製造方法（図５Ａ～図５Ｋに示す製造方法）と、同等の製造方法を用いて製造される。

【0123】

本開示の第３実施形態に係るキャパシタ３０１によれば、第１実施形態に関連して説明した作用効果と同等の作用効果を奏する。

【0124】

第３実施形態は、第２実施形態と組み合わされていてもよい。すなわち、第３実施形態のキャパシタ３０１の第２絶縁膜３１７に、第２実施形態の第２絶縁膜２１７の特徴が組み合わされてもよい。すなわち、第２絶縁膜３１７の一部が、貫通電極３０６と第１絶縁膜３１６とによって第１方向Ｘおよび第２方向Ｙに挟まれていてもよい。

【0125】

本開示は、さらに他の形態で実施することもできる。

【0126】

第１実施形態において、３つの貫通電極６が、１つの第１貫通電極８と、２つの第２貫通電極９とを含む構成であってもよい。すなわち、１つの第１貫通電極８が、２つの第２貫通電極９によって第１方向Ｘに挟まれてもよい。

【0127】

第１実施形態において、貫通電極６の個数を４つ以上としてもよい。

【0128】

第３実施形態において、貫通電極３０６の平面形状が、円形状であってもよい。この場合、貫通穴３１０の横断面形状は、円形状である。また、貫通電極３０６の平面形状が、正六角形状であってもよい。この場合、貫通穴３１０の横断面形状は、正六角形状である。

【0129】

また、第３実施形態において、９つの貫通電極３０６を３行３列に配列した構成を示しているが、行数および列数の数は、任意に変更できる。

【0130】

また、第３実施形態において、複数の貫通電極３０６が、平面視において、千鳥状（格子状）に配列されていてもよい。

【0131】

第１実施形態では、基材２がシリコン部（導電部）１９を有し、第１絶縁膜１６，３１６が、基材２においてシリコン部１９を被覆する構成を例に挙げて説明した。図１５に示す変形例のように、基材４０２にシリコン部（導電部）１９が形成されていなくてもよい。すなわち、基材４０２が、第１絶縁膜１６によって形成されていてもよい。図１５に示す変形例は、第２実施形態および第３実施形態に組み合わせていてもよい。図１５に示す変形例が第３実施形態に組み合わされる場合、図１１および図１２において、基材（基材２）からシリコン部３１９が省略された構成になる。すなわち、基材（基材２）が、第１絶縁膜３１６によって形成されていてもよい。

【0132】

この明細書および図面の記載から以下に付記する特徴が抽出され得る。

【0133】

［付記１－１］
第１主面（３）およびその反対側の第２主面（４）を有する基材（２，４０２）と、
前記基材（２，４０２）を厚さ方向（Ｚ）に貫通する複数の貫通電極（６，３０６）と、
前記貫通電極（６，３０６）の周囲において少なくとも前記第１主面（３）および前記第２主面（４）の一方を形成する第１絶縁膜（１６，３１６）、ならびに前記第１絶縁膜（１６，３１６）を被覆する前記第１絶縁膜（１６，３１６）とは膜質の異なる第２絶縁膜（１７，２１７，３１７）の積層構造（１８，２１８，３１８）とを含み、
隣り合う前記貫通電極（６，３０６）の間の容量部（７，３０７Ａ，３０７Ｂ）を利用した、キャパシタ（１，２０１，３０１，４０１）。

【0134】

この構成によれば、第１絶縁膜（１６，３１６）および第１絶縁膜（１６，３１６）を被覆する第２絶縁膜（１７，２１７，３１７）の積層構造（１８，２１８，３１８）が基材（２，４０２）に形成されている。この積層構造（１８，２１８，３１８）にディッシングが発生しても、ディッシングによる凹部（３１，４１，３３１，３４１）は第２絶縁膜（１７，２１７，３１７）に形成される。そのため、容量部（７，３０７Ａ，３０７Ｂ）として機能する第１絶縁膜（１６，３１６）においてディッシングによる凹部の発生を抑制または防止できる。これにより、ディッシング発生の影響を抑制または回避できる。

【0135】

［付記１－２］
前記第２絶縁膜（１７，２１７，３１７）の表面（１７１ａ，１７２ａ，３７１ａ，３７２ａ）から前記第２絶縁膜（１７，３１７）と前記貫通電極（６，３０６）との境界（６ｄ，６ｅ，３０６ｄ，３０６ｅ）を横切って前記貫通電極（６，３０６）へ向かって下り傾斜する凹面（３２，４２，３３２，３４２）を有する凹部（３１，４１，３３１，３４１）が形成されており、
前記凹部（３１，４１，３３１，３４１）の周囲において前記第２絶縁膜（１７，２１７，３１７）の前記表面（１７１ａ，１７２ａ，３７１ａ，３７２ａ）は、研磨により形成された平滑面（１７１ｂ，３７１ｂ）である、付記１－１に記載のキャパシタ（１，２０１，３０１，４０１）。

【0136】

［付記１－３］
前記凹部（３１，４１，３３１，３４１）の底部（３２ｃ，４２ｃ，３３２ｃ，３４２ｃ）が、前記基材（２，４０２）の厚さ方向（Ｚ）に前記第１絶縁膜（１６，３１６）と間隔を空けて形成されている、付記１－２に記載のキャパシタ（１，２０１，３０１，４０１）。

【0137】

［付記１－４］
前記第２絶縁膜（１７，３１７）が、前記第１絶縁膜（１６，３１６）を被覆して前記第１主面（３）および前記第２主面（４）の前記一方を形成しており、
前記第１絶縁膜（１６，３１６）が前記貫通電極（６，３０６）に接しており、
前記第２絶縁膜（１７，３１７）が、前記第１絶縁膜（１６，３１６）と前記貫通電極（６，３０６）との境界（６ｃ，３０６ｃ）よりも外側において、前記貫通電極（６，３０６）に接している、付記１－１～付記１－３のいずれか一項に記載のキャパシタ（１，３０１，４０１）。

【0138】

［付記１－５］
前記第２絶縁膜（１７，３１７）が、前記第１絶縁膜（１６，３１６）を被覆して前記第１主面（３）および前記第２主面（４）の前記一方を形成する第１領域（１７１，１７２）と、前記第１絶縁膜（１６，３１６）と前記貫通電極（６，３０６）とによって前記第１主面（３）に沿う方向に挟まれた第２領域（２７３）とを含む、付記１－１～付記１－３のいずれか一項に記載のキャパシタ（２０１，４０１）。

【0139】

［付記１－６］
前記第２領域（２７３）の膜厚（ｔ５）が、前記第１領域（１７１，１７２）の膜厚（ｔ２）よりも薄い、付記１－５に記載のキャパシタ（１，２０１，３０１，４０１）。

【0140】

［付記１－７］
前記基材（２）が、導電部（１９）を有し、
前記第１絶縁膜（１６，３１６）が、前記基材（２）において前記導電部（１９）を被覆する、付記１－１～付記１－６のいずれか一項に記載のキャパシタ。

【0141】

［付記１－８］
前記基材（４０２）が前記第１絶縁膜（１６，３１６）によって形成されている、付記１－１～付記１－６のいずれか一項に記載のキャパシタ（４０１）。

【0142】

［付記１－９］
前記第２絶縁膜（１７，３１７）の膜厚（ｔ２）が、５００ｎｍ以上である、付記１－１～付記１－８のいずれか一項に記載のキャパシタ（１，２０１，３０１，４０１）。

【0143】

［付記１－１０］
前記第１絶縁膜（１６，３１６）が、熱酸化膜によって形成されている、付記１－１～付記１－９に記載のキャパシタ（１，２０１，３０１，４０１）。

【0144】

［付記１－１１］
前記第２絶縁膜（１７，３１７）が、堆積膜によって形成されている、付記１－１～付記１－９のいずれか一項に記載のキャパシタ（１，２０１，３０１，４０１）。

【0145】

［付記１－１２］
複数の前記貫通電極（６，３０６）が、第１貫通電極（８，３０８）と第２貫通電極（９，３０９）とを含み、
前記第１主面（３）に配置され、前記第１貫通電極（８，３０８）が電気的に接続された第１外部電極（２３）と、
前記第２主面（４）に配置され、前記第２貫通電極（９，３０９）が電気的に接続された第２外部電極（２６）とをさらに含み、
前記第１絶縁膜（１６，３１６）が、隣り合う前記第１貫通電極（８，３０８）および前記第２貫通電極（９，３０９）によって前記第１主面（３）に沿う方向に挟まれている、付記１－１～付記１－１１のいずれか一項に記載のキャパシタ（１，２０１，３０１，４０１）。

【0146】

［付記１－１３］
複数の前記貫通電極（６，３０６）が、平面視でストライプ状に形成されている、付記１－１～付記１－１２のいずれか一項に記載のキャパシタ（１，２０１，４０１）。

【0147】

［付記１－１４］
複数の前記貫通電極（６，３０６）が、平面視で格子状に形成されている、付記１－１～付記１－１３のいずれか一項に記載のキャパシタ（３０１）。

【0148】

［付記１－１５］
一方側の第１主面（１０１）および他方側の第２主面（１０２）を有する基板（１００）に、前記基板（１００）を厚さ方向（Ｚ）に貫通する複数の貫通穴（１０，３１０）を形成する第１工程と、
複数の前記貫通穴（１０，３１０）が形成されている前記基板（１００）を加熱して、前記基板（１００）における前記貫通穴（１０，３１０）の周囲の部分に第１絶縁膜（１６，３１６）を形成する第２工程と、
少なくとも前記第１主面（３）および前記第２主面（４）の一方において、前記第１絶縁膜（１６，３１６）と膜質の異なる第２絶縁膜（１７，２１７，３１７）であって前記第１絶縁膜（１６，３１６）を被覆する第２絶縁膜（１７，２１７，３１７）を形成し、前記第１絶縁膜（１６，３１６）および前記第２絶縁膜（１７，２１７，３１７）の積層構造（１８，２１８，３１８）を形成する第３工程と、
前記第１主面（３）および前記第２主面（４）の前記一方において前記第２絶縁膜（１７，３１７）を覆う導電膜（１０８）を形成し、前記導電膜（１０８）によって複数の前記貫通穴（１０，３１０）の内部を埋める第４工程と、
前記第１主面（３）および前記第２主面（４）の前記一方が露出するまで前記導電膜（１０８）を研磨する第５工程とを含む、キャパシタ（１，２０１，３０１，４０１）の製造方法。

【0149】

この方法によれば、第１絶縁膜（１６，３１６）および第２絶縁膜（１７，２１７，３１７）の積層構造（１８，２１８，３１８）を有するキャパシタ（１，２０１，３０１，４０１）を製造できる。

【符号の説明】

【0150】

１ ：キャパシタ
２ ：基材
３ ：第１主面
４ ：第２主面
５Ａ ：側面
５Ｂ ：側面
５Ｃ ：側面
５Ｄ ：側面
６ ：貫通電極
６ａ ：第１端面
６ｂ ：第２端面
６ｃ ：第１境界（第１絶縁膜と貫通電極との境界）
６ｄ ：第２境界（第２絶縁膜と貫通電極との境界）
６ｅ ：第３境界（第２絶縁膜と貫通電極との境界）
７ ：容量部
８ ：第１貫通電極
９ ：第２貫通電極
１０ ：貫通穴
１０ａ ：内面
１１ ：導電層
１２ ：電極層
１６ ：第１絶縁膜
１６ａ ：第１表面
１６ｂ ：第２表面
１７ ：第２絶縁膜
１８ ：積層構造
１９ ：シリコン部（導電部）
２１ ：第３絶縁膜
２２ ：第１コンタクト穴
２３ ：第１外部電極
２４ ：第４絶縁膜
２５ ：第２コンタクト穴
２６ ：第２外部電極
３１ ：凹部
３１ｃ ：最深部
３２ ：凹面
３２ａ ：第１凹面部
３２ｂ ：第２凹面部
３２ｃ ：最深部（底部）
４１ ：凹部
４２ ：凹面
４２ａ ：第３凹面
４２ｂ ：第４凹面
４２ｃ ：最深部（底部）
１００ ：シリコン基板（基板）
１０１ ：第１主面
１０２ ：第２主面
１０３ ：側面
１０５ ：第１ベース絶縁膜
１０６ ：第２ベース絶縁膜
１０７ ：シード層（導電膜）
１０８ ：導電膜
１０９ ：第１マスク
１１０ ：第２マスク
１１５ ：第３ベース絶縁膜
１１５ａ ：第１領域
１１５ｂ ：第２領域
１１６ ：第４ベース絶縁膜
１１６ａ ：第３領域
１１６ｂ ：第４領域
１３１ ：凹部
１５１ ：キャパシタ
１７１ ：第１膜
１７１ａ ：表面
１７１ｂ ：平滑面
１７２ ：第２膜
１７２ａ ：表面
１７２ｂ ：平滑面
２０１ ：キャパシタ
２１０ａ ：内面
２１７ ：第２絶縁膜
２１８ ：積層構造
２７３ ：第３膜
３０１ ：キャパシタ
３０６ ：貫通電極
３０６ａ ：第１端面
３０６ｂ ：第２端面
３０６ｃ ：第１境界（第１絶縁膜と貫通電極との境界）
３０６ｄ ：第２境界（第２絶縁膜と貫通電極との境界）
３０６ｅ ：第３境界（第２絶縁膜と貫通電極との境界）
３０７Ａ ：容量部
３０７Ｂ ：容量部
３０８ ：第１貫通電極
３０９ ：第２貫通電極
３１０ ：貫通穴
３１０ａ ：内面
３１１ ：導電層
３１２ ：電極層
３１６ ：第１絶縁膜
３１６ａ ：第１表面
３１６ｂ ：第２表面
３１７ ：第２絶縁膜
３１８ ：積層構造
３２２ ：第１コンタクト穴
３２５ ：第２コンタクト穴
３３１ ：凹部
３３１ｃ ：最深部（底部）
３３２ ：凹面
３３２ａ ：第１凹面部
３３２ｂ ：第２凹面部
３３２ｃ ：最深部（底部）
３４１ ：凹部
３４２ ：凹面
３４２ａ ：第３凹面部
３４２ｂ ：第４凹面部
３４２ｃ ：最深部（底部）
３７１ ：第１膜
３７１ａ ：表面
３７１ｂ ：平滑面
３７２ ：第２膜
３７２ａ ：表面
３７２ｂ ：平滑面
４０１ ：キャパシタ
４０２ ：基材
Ｄ１ ：最大深さ
Ｄ２ ：最大深さ
Ｄ３ ：最大深さ
Ｄ４ ：最大深さ
Ｔ ：厚さ
Ｗ１ ：幅
Ｗ２ ：幅
Ｗ３ ：幅
Ｗ４ ：幅
Ｗ５ ：幅
Ｗ６ ：幅
Ｗ１２ ：幅
Ｘ ：第１方向
Ｙ ：第２方向
Ｚ ：法線方向
ｔ１ ：膜厚
ｔ２ ：膜厚
ｔ３ ：最小膜厚
ｔ４ ：最小膜厚
ｔ５ ：最大膜厚

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5A】

【図5B】

【図5C】

【図5D】

【図5E】

【図5F】

【図5G】

【図5H】

【図5I】

【図5J】

【図5K】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9A】

【図9B】

【図9C】

【図9D】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】