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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024170181
(43)【公開日】2024-12-06
(54)【発明の名称】転写用基板および電子装置の製造方法
(51)【国際特許分類】
H01L 21/60 20060101AFI20241129BHJP
G09F 9/00 20060101ALI20241129BHJP
H01L 33/48 20100101ALI20241129BHJP
H01L 25/07 20060101ALI20241129BHJP
H01L 23/12 20060101ALI20241129BHJP
H01L 21/50 20060101ALI20241129BHJP
【ＦＩ】
H01L21/60 311T
G09F9/00 342
H01L33/48
H01L25/08 B
H01L23/12 Z
H01L21/50 C
【審査請求】未請求
【請求項の数】5
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023087200
(22)【出願日】2023-05-26
(71)【出願人】
【識別番号】502356528
【氏名又は名称】株式会社ジャパンディスプレイ
(74)【代理人】
【識別番号】110002066
【氏名又は名称】弁理士法人筒井国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】武政 健一
(72)【発明者】
【氏名】山田 一幸
(72)【発明者】
【氏名】浅田 圭介
(72)【発明者】
【氏名】磯野 大樹
【テーマコード（参考）】
5F044
5F142
5G435
【Ｆターム（参考）】
5F044RR01
5F142AA52
5F142BA32
5F142CA13
5F142CD02
5F142CD17
5F142CD18
5F142CD25
5F142DB24
5F142FA32
5F142GA02
5G435AA16
5G435AA17
5G435BB04
5G435CC09
5G435KK05
5G435KK10
(57)【要約】
【課題】複数の素子を備える電子装置の性能を向上させる。
【解決手段】転写用基板７０は、支持基板７１と、支持基板７１の一方の表面に連続的に設けられ、素子２０を粘着保持する複数の保持領域を有する粘着樹脂層７２と、粘着樹脂層７２の支持基板７１とは反対側の表面に、粘着樹脂層７２の保持領域の外側の領域を覆って設けられ、表面の粘着力が粘着樹脂層７２よりも低い被覆膜７３と、を備える。
【選択図】図１２
【解決手段】転写用基板７０は、支持基板７１と、支持基板７１の一方の表面に連続的に設けられ、素子２０を粘着保持する複数の保持領域を有する粘着樹脂層７２と、粘着樹脂層７２の支持基板７１とは反対側の表面に、粘着樹脂層７２の保持領域の外側の領域を覆って設けられ、表面の粘着力が粘着樹脂層７２よりも低い被覆膜７３と、を備える。
【選択図】図１２
【特許請求の範囲】
【請求項1】
支持基板と、
前記支持基板の一方の表面に連続的に設けられ、素子を粘着保持する複数の保持領域を有する粘着樹脂層と、
前記粘着樹脂層の前記支持基板とは反対側の表面に、前記粘着樹脂層の前記保持領域の外側の領域を覆って設けられ、表面の粘着力が前記粘着樹脂層の粘着力よりも弱い被覆膜と、を備える、
転写用基板。
前記支持基板の一方の表面に連続的に設けられ、素子を粘着保持する複数の保持領域を有する粘着樹脂層と、
前記粘着樹脂層の前記支持基板とは反対側の表面に、前記粘着樹脂層の前記保持領域の外側の領域を覆って設けられ、表面の粘着力が前記粘着樹脂層の粘着力よりも弱い被覆膜と、を備える、
転写用基板。
【請求項2】
請求項１に記載の転写用基板において、
前記被覆膜は、前記保持領域の周縁を囲って設けられ、前記保持領域のそれぞれに対向する位置に開口部を有する、
転写用基板。
前記被覆膜は、前記保持領域の周縁を囲って設けられ、前記保持領域のそれぞれに対向する位置に開口部を有する、
転写用基板。
【請求項3】
請求項２に記載の転写用基板において、
前記開口部は、前記保持領域に保持される前記素子の平面形状に沿った開口形状を有する、
転写用基板。
前記開口部は、前記保持領域に保持される前記素子の平面形状に沿った開口形状を有する、
転写用基板。
【請求項4】
請求項１に記載の転写用基板において、
前記被覆膜の厚さは、前記素子の高さよりも薄い、
転写用基板。
前記被覆膜の厚さは、前記素子の高さよりも薄い、
転写用基板。
【請求項5】
（ａ）請求項１から５の何れか一項に記載の転写用基板を準備する工程、
（ｂ）前記転写用基板を構成する前記粘着樹脂層の前記複数の保持領域に前記素子を粘着保持する工程、
（ｃ）複数のバンプ電極が配列された回路基板を準備し、前記複数の保持領域に前記素子を粘着保持した前記転写用基板を前記回路基板に対して押し付け、前記複数のバンプ電極と、前記複数の保持領域に粘着保持された前記素子の電極と、をそれぞれ接触させる工程、
（ｄ）前記複数のバンプ電極と前記複数の保持領域に粘着保持された前記素子の電極とがそれぞれ接触した状態で、加熱により前記バンプ電極と前記素子の電極とを接合する工程、
を有する、
電子装置の製造方法。
（ｂ）前記転写用基板を構成する前記粘着樹脂層の前記複数の保持領域に前記素子を粘着保持する工程、
（ｃ）複数のバンプ電極が配列された回路基板を準備し、前記複数の保持領域に前記素子を粘着保持した前記転写用基板を前記回路基板に対して押し付け、前記複数のバンプ電極と、前記複数の保持領域に粘着保持された前記素子の電極と、をそれぞれ接触させる工程、
（ｄ）前記複数のバンプ電極と前記複数の保持領域に粘着保持された前記素子の電極とがそれぞれ接触した状態で、加熱により前記バンプ電極と前記素子の電極とを接合する工程、
を有する、
電子装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、転写用基板および電子装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
回路基板上に配列された複数の電極に電子部品（素子）を実装する電子装置の製造方法がある。例えば、特開２０２２－１５８６１２号公報（特許文献１）には、サファイア基板に設けられる発光素子を、回路基板が備える端子部に実装する電子部品の実装方法が記載されている。また、例えば、特開２０２１－５６３２号公報（特許文献２）には、回路基板上にマイクロＬＥＤ素子を転写するための転写用基板として、弾性体の第１面から突出した複数の突起部を備えた転写用基板が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０２２－１５８６１２号公報
【特許文献2】特開２０２１－５６３２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
上記のように転写用基板の粘着樹脂層によって素子を粘着保持し、複数の素子を回路基板上に一度に実装して電子装置を製造することがある。このように複数の素子を回路基板に実装する際、例えば、回路基板または転写用基板に反りが生じていると、転写用基板を回路基板に対して強く押し付ける必要がある。それに伴い、粘着樹脂層が回路基板側に固着されてしまうことがある。
【0005】
本開示の目的は、複数の素子を備える電子装置の性能を向上させる技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本開示の一態様である転写用基板は、支持基板と、前記支持基板の一方の表面に連続的に設けられ、複数の保持領域のそれぞれに素子を粘着保持する粘着樹脂層と、前記粘着樹脂層の前記支持基板とは反対側の表面に、前記粘着樹脂層の前記保持領域の外側の領域を覆って設けられ、表面の粘着力が前記粘着樹脂層の粘着力よりも弱い被覆膜と、を備える。
【図面の簡単な説明】
【0007】
【発明を実施するための形態】
【0008】
以下に、本発明の各実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例にすぎない。当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更であって容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一または関連する符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。
【0009】
以下の実施の形態では、複数の電子部品が搭載された電子装置の例として、複数のマイクロＬＥＤ素子が搭載されたマイクロＬＥＤ表示装置を取り上げて説明する。なお、以下では、マイクロＬＥＤ表示装置を、単に、表示装置と称する場合がある。
【0010】
＜電子装置＞
まず、本実施の形態の電子装置であるマイクロＬＥＤ表示装置の構成例について説明する。図１は、電子装置の一実施形態であるマイクロＬＥＤ表示装置の構成例を示す平面図である。図１では、表示領域ＤＡと周辺領域ＰＦＡとの境界、制御回路５、駆動回路６、および複数の画素ＰＩＸのそれぞれを二点鎖線で示している。図２は、図１に示す画素周辺の回路の構成例を示す回路図である。
まず、本実施の形態の電子装置であるマイクロＬＥＤ表示装置の構成例について説明する。図１は、電子装置の一実施形態であるマイクロＬＥＤ表示装置の構成例を示す平面図である。図１では、表示領域ＤＡと周辺領域ＰＦＡとの境界、制御回路５、駆動回路６、および複数の画素ＰＩＸのそれぞれを二点鎖線で示している。図２は、図１に示す画素周辺の回路の構成例を示す回路図である。
【0011】
図１に示すように、本実施の形態の表示装置ＤＳＰ１は、表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡの周囲を枠状に囲む周辺領域ＰＦＡと、表示領域ＤＡ内に行列状に配列された複数の画素ＰＩＸと、を有している。また、表示装置ＤＳＰ１は、平面形状が矩形である回路基板１０と、回路基板１０上に形成された制御回路５と、回路基板１０上に形成された駆動回路６と、を有している。回路基板１０はガラスまたは樹脂からなる。
【0012】
制御回路５は、表示装置ＤＳＰ１の表示機能の駆動を制御する制御回路である。例えば、制御回路５は、回路基板１０上に実装されたドライバＩＣ（Integrated Circuit）である。図１に示す例では、制御回路５は、回路基板１０が備える４辺のうち、一つの短辺に沿って、すなわち図中に示すＸ方向に沿って配置されている。なお、以下の説明では、回路基板１０の短辺方向をＸ方向、回路基板１０の長辺方向をＹ方向、回路基板１０の厚さ方向をＺ方向と称する場合がある。
【0013】
また、本実施の形態では、制御回路５は、複数の画素ＰＩＸに接続される配線（映像信号配線）ＶＬ（図２参照）を駆動する信号線駆動回路を含んでいる。ただし、制御回路５の位置および構成は、図１に示す例には限定されず、種々の変形例がある。例えば、図１において、制御回路５として示す位置に、フレキシブル基板などの配線基板が接続され、上記のドライバＩＣが、この配線基板上に搭載されている場合がある。また例えば、配線ＶＬを駆動する信号線駆動回路は、制御回路５とは別に形成されている場合がある。
【0014】
駆動回路６は、複数の画素ＰＩＸが備える走査信号線ＧＬ（図２参照）を駆動する回路を含む。また、駆動回路６は、複数の画素ＰＩＸのそれぞれに搭載されたＬＥＤ素子に基準電位を供給する回路を含む。駆動回路６は、制御回路５からの制御信号に基づいて、複数の走査信号線ＧＬを駆動する。図１に示す例では、駆動回路６は、回路基板１０が備える４辺のうち、二つの長辺のそれぞれに沿って配置されている。ただし、駆動回路６の位置および構成例は、図１に示す例には限定されず、種々の変形例がある。例えば、図１において、制御回路５として示す位置に、フレキシブル基板などの配線基板が接続され、駆動回路６が配線基板上に搭載されている場合がある。
【0015】
次に、図２を用いて画素ＰＩＸの回路構成例について説明する。なお、図２では、４個の画素ＰＩＸを図示しているが、図１に示す複数の画素ＰＩＸのそれぞれが、図２に示す画素ＰＩＸと同様の回路を備えている。以下では、画素ＰＩＸが備えるスイッチング素子ＳＷ、およびＬＥＤ素子２０を含む回路について、画素回路と呼称する場合がある。画素回路は、制御回路５（図１参照）から供給される映像信号Ｖｓｇに応じてＬＥＤ素子２０の発光状態を制御する電圧信号方式の回路である。
【0016】
図２に示すように、画素ＰＩＸのそれぞれは、ＬＥＤ素子２０を備えている。ＬＥＤ素子２０は、上記のマイクロ発光ダイオードである。ＬＥＤ素子２０はアノード電極２１ＥＡおよびカソード電極２１ＥＫを有している。ＬＥＤ素子２０のカソード電極２１ＥＫは、基準電位（固定電位）ＰＶＳが供給される配線ＶＳＬに接続されている。ＬＥＤ素子２０のアノード電極２１ＥＡは、配線３１を介してスイッチング素子ＳＷのドレイン電極ＥＤと電気的に接続されている。
【0017】
画素ＰＩＸのそれぞれは、スイッチング素子ＳＷを備えている。スイッチング素子ＳＷは、制御信号Ｇｓに応答して画素回路と配線ＶＬとの接続状態（オンまたはオフの状態）を制御するトランジスタである。スイッチング素子ＳＷは、例えば、薄膜トランジスタである。スイッチング素子ＳＷがオン状態の時、画素回路には、配線ＶＬから映像信号Ｖｓｇが入力される。
【0018】
駆動回路６は、図示しないシフトレジスタ回路、出力バッファ回路等を含んでいる。駆動回路６は、制御回路５（図１参照）から伝送される水平走査スタートパルスに基づいてパルスを出力し、制御信号Ｇｓを出力する。
【0019】
複数の走査信号線ＧＬのそれぞれは、Ｘ方向に延びている。走査信号線ＧＬは、スイッチング素子ＳＷのゲート電極ＥＧに接続されている。走査信号線ＧＬに制御信号Ｇｓが供給されると、スイッチング素子ＳＷがオン状態となり、ＬＥＤ素子２０に映像信号Ｖｓｇが供給される。
【0020】
＜ＬＥＤ素子の周辺構造＞
次に、図１に示す複数の画素ＰＩＸのそれぞれに配置されるＬＥＤ素子２０の周辺構造について説明する。図３は、図１に示す表示装置の複数の画素のそれぞれに配置されるＬＥＤ素子の周辺構造の一例を示す透過拡大平面図である。図３では、図４に示す無機絶縁層１４を省略している。図３では、半導体層、電極、および走査信号線の輪郭を点線で示している。図４は、図３のＡ－Ａ線に沿った拡大断面図である。図５は、図３に示すＬＥＤ素子を取り除いた状態の基板構造体を示す拡大平面図である。
次に、図１に示す複数の画素ＰＩＸのそれぞれに配置されるＬＥＤ素子２０の周辺構造について説明する。図３は、図１に示す表示装置の複数の画素のそれぞれに配置されるＬＥＤ素子の周辺構造の一例を示す透過拡大平面図である。図３では、図４に示す無機絶縁層１４を省略している。図３では、半導体層、電極、および走査信号線の輪郭を点線で示している。図４は、図３のＡ－Ａ線に沿った拡大断面図である。図５は、図３に示すＬＥＤ素子を取り除いた状態の基板構造体を示す拡大平面図である。
【0021】
図３に示すように、表示装置ＤＳＰ１は、複数の画素ＰＩＸ（図３に示す例では画素ＰＩＸ１，ＰＩＸ２，ＰＩＸ３）を有している。複数の画素ＰＩＸのそれぞれは、スイッチング素子ＳＷと、ＬＥＤ素子（発光素子）２０と、配線３１と、配線３２と、を有している。なお、画素ＰＩＸ１，ＰＩＸ２，ＰＩＸ３のそれぞれには、例えば、赤、緑、および青のうち、いずれか一色の可視光を出射するＬＥＤ素子２０が搭載され、ＬＥＤ素子２０を駆動するスイッチング素子ＳＷが形成されている。
【0022】
画素ＰＩＸ１，ＰＩＸ２，ＰＩＸ３のＬＥＤ素子２０から上記各色の可視光が出射される場合、画素ＰＩＸ１，ＰＩＸ２，ＰＩＸ３のＬＥＤ素子２０から出射される可視光の出力およびタイミングを制御することにより、表示装置ＤＳＰ１においてカラー表示が可能となる。このように互いに異なる色の可視光を出射する複数の画素ＰＩＸを組み合わせる場合、各色用の画素ＰＩＸを副画素と呼び、複数の画素ＰＩＸのセットを画素と呼ぶ場合がある。
【0023】
配線３１は、スイッチング素子ＳＷのドレイン電極ＥＤおよびＬＥＤ素子２０のアノード電極２１ＥＡのそれぞれに電気的に接続されている。配線３２は、スイッチング素子ＳＷのソース電極ＥＳに接続されている。図３に示す例では、配線３２は屈曲した構造を備え、一方の端部がスイッチング素子ＳＷのソース電極ＥＳに接続され、他方の端部は、配線ＶＬに接続されている。走査信号線ＧＬは、スイッチング素子ＳＷのゲート電極ＥＧとして利用される。
【0024】
表示装置ＤＳＰ１は、配線ＶＬと、配線ＶＳＬと、をさらに有している。配線ＶＬは、Ｙ方向に沿って複数の画素ＰＩＸ（図２参照）に亘って延び、かつ、配線３２と電気的に接続される。配線ＶＳＬは、Ｙ方向に交差（図３では直交）するＸ方向に沿って複数の画素ＰＩＸに亘って延び、かつ、ＬＥＤ素子２０のカソード電極２１ＥＫに電気的に接続される。配線ＶＬと配線ＶＳＬとは、図３に示す配線交差部ＬＸＰにおいて、絶縁層４１を介して交差している。配線ＶＬと配線ＶＳＬとの間に絶縁層４１が介在しているので、配線ＶＬと配線ＶＳＬとは電気的に離間されている。
【0025】
図４に示すように、表示装置ＤＳＰ１は、ＬＥＤ素子２０と、基板構造体ＳＵＢ１と、を有する電子装置である。基板構造体ＳＵＢ１は、ガラスまたは樹脂からなる回路基板１０と、回路基板１０上に積層された複数の絶縁層と、を含んで構成される。基板構造体ＳＵＢ１が有する複数の絶縁層は、回路基板１０上に積層される無機絶縁層１１、無機絶縁層１２、無機絶縁層１３、および無機絶縁層１４を含む。回路基板１０は、面１０ｆおよび面１０ｆの反対側の面１０ｂを有している。無機絶縁層１１，１２，１３，１４のそれぞれは、回路基板１０の面１０ｆ上に積層されている。
【0026】
スイッチング素子ＳＷは、回路基板１０上に形成された無機絶縁層１２と、無機絶縁層１２上に形成された半導体層５０と、半導体層５０のドレイン領域に接続されたドレイン電極ＥＤと、半導体層５０のソース領域に接続されたソース電極ＥＳと、半導体層５０を覆う無機絶縁層１３と、を含んでいる。配線３１および配線３２のそれぞれは、例えば、チタンまたはチタン合金からなる導体層と、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる導体層と、の積層膜である。チタン層の間にアルミニウム層が挟まれた積層膜は、ＴＡＴ積層膜と呼ばれる。
【0027】
図４に示す例は、ゲート電極ＥＧが半導体層５０と回路基板１０との間にある、ボトムゲート方式の例である。ボトムゲート方式の場合、無機絶縁層１２のうち、ゲート電極ＥＧと半導体層５０との間にある部分がゲート絶縁層として機能する。また、無機絶縁層１２は、半導体層５０を形成するための下地層としても機能する。なお、ゲート電極ＥＧの位置は、図４に示す例には限定されず、例えば、トップゲート方式であってもよい。
【0028】
無機絶縁層１１，１２，１３，１４のそれぞれを構成する材料は、特に限定されないが、例えば、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）や窒化ケイ素（ＳｉＮ）などが挙げられる。また、半導体層５０は、例えば、ケイ素からなるシリコン膜にＰ型またはＮ型の導電型の不純物がドープされた半導体膜である。
【0029】
ソース電極ＥＳおよびドレイン電極ＥＤのそれぞれは、半導体層５０のソース領域およびドレイン領域のいずれか一方との電気的なコンタクトをとるためのコンタクトプラグである。コンタクトプラグの材料としては、例えば、タングステンなどが挙げられる。なお、図４に対する変形例として、無機絶縁層１３に半導体層５０のソース領域およびドレイン領域を露出させるコンタクトホールが形成され、コンタクトホール内に配線３１の一部分および配線３２の一部分がそれぞれ埋め込まれている場合がある。この場合、配線３１および配線３２のうち、コンタクトホール内に埋め込まれた部分が半導体層５０に接触し、配線３１および配線３２と半導体層５０との接触界面を、ドレイン電極ＥＤおよびソース電極ＥＳと、みなすことができる。
【0030】
また、図５に示すように、基板構造体ＳＵＢ１は、平面視において規則的に配列された複数のバンプ電極３３を備えている。バンプ電極３３は、回路基板１０（図４参照）上に電子部品を実装するための端子である。本実施の形態の場合、バンプ電極３３は、図４に示すＬＥＤ素子２０を搭載するための端子である。このため、複数のバンプ電極３３は、ＬＥＤ素子２０（図３参照）の実装予定領域に２個隣り合って配列されている。２個のバンプ電極３３の一方は、ＬＥＤ素子２０のアノード電極２１ＥＡに接続され、他方はＬＥＤ素子２０のカソード電極２１ＥＫに接続される。
【0031】
図４に示すように、バンプ電極３３は、無機絶縁層１４に形成された開口１４Ｈと重なる位置で配線３１に接続され、かつ、無機絶縁層１４から突出している。また、バンプ電極３３は、例えば、錫を含む半田からなる。あるいは、バンプ電極３３は、銅など、半田よりも電気伝導度が高い金属材料からなる金属層と、半田層との積層体である場合がある。
【0032】
＜電子装置の製造方法＞
次に、図３に示す表示装置ＤＳＰ１の製造方法を代表例として、本実施の形態の電子装置の製造方法について説明する。図６は、電子装置の一実施態様である表示装置の製造方法の工程フローの一例を示す説明図である。
次に、図３に示す表示装置ＤＳＰ１の製造方法を代表例として、本実施の形態の電子装置の製造方法について説明する。図６は、電子装置の一実施態様である表示装置の製造方法の工程フローの一例を示す説明図である。
【0033】
図６に示すように、本実施の形態の電子装置の製造方法は、基板構造体準備工程Ｓ１と、転写用基板準備工程Ｓ２と、素子保持工程Ｓ３と、素子押付工程Ｓ４と、レーザ照射工程Ｓ５と、素子剥離工程Ｓ６と、を有している。
【0034】
＜基板構造体準備工程＞
図６に示す基板構造体準備工程Ｓ１では、図７に示す基板構造体ＳＵＢ１を準備する。図７は、基板構造体準備工程を説明する図であり、図５のＢ－Ｂ線に沿った基板構造体の拡大断面図である。基板構造体準備工程Ｓ１では、図７に示すように、ガラスまたは樹脂からなる回路基板１０と、回路基板１０上に形成された配線３１と、配線３１を覆う無機絶縁層１４と、を備えた基板構造体ＳＵＢ１を準備する。回路基板１０上には、無機絶縁層１１、無機絶縁層１２、無機絶縁層１３、および無機絶縁層１４が積層され、配線３１は、無機絶縁層１３と無機絶縁層１４との間に配置されている。基板構造体ＳＵＢ１の大部分は無機絶縁層１４によって覆われている。無機絶縁層１４には、配線３１と重なる位置および配線ＶＳＬと重なる位置に開口１４Ｈが形成されている。開口１４Ｈの底部において、配線３１および配線ＶＳＬのそれぞれは、無機絶縁層１４から露出している。
図６に示す基板構造体準備工程Ｓ１では、図７に示す基板構造体ＳＵＢ１を準備する。図７は、基板構造体準備工程を説明する図であり、図５のＢ－Ｂ線に沿った基板構造体の拡大断面図である。基板構造体準備工程Ｓ１では、図７に示すように、ガラスまたは樹脂からなる回路基板１０と、回路基板１０上に形成された配線３１と、配線３１を覆う無機絶縁層１４と、を備えた基板構造体ＳＵＢ１を準備する。回路基板１０上には、無機絶縁層１１、無機絶縁層１２、無機絶縁層１３、および無機絶縁層１４が積層され、配線３１は、無機絶縁層１３と無機絶縁層１４との間に配置されている。基板構造体ＳＵＢ１の大部分は無機絶縁層１４によって覆われている。無機絶縁層１４には、配線３１と重なる位置および配線ＶＳＬと重なる位置に開口１４Ｈが形成されている。開口１４Ｈの底部において、配線３１および配線ＶＳＬのそれぞれは、無機絶縁層１４から露出している。
【0035】
複数のバンプ電極３３のそれぞれは、開口１４Ｈ内に埋め込まれ、開口１４Ｈの底部において、配線３１または配線ＶＳＬに接続されている。図５に示すように、基板構造体ＳＵＢ１の平面視において、複数のバンプ電極３３のそれぞれは、電子部品（図３に示すＬＥＤ素子２０）を搭載する予定領域に、規則的に配置されている。
【0036】
バンプ電極３３は、図７に示すように、無機絶縁層１４の上方に突出するように形成されている。上記のように、配線３１の一部分および配線ＶＳＬの一部分が開口１４Ｈにおいて無機絶縁層１４から部分的に露出しているので、バンプ電極３３は、例えば、電気メッキ法により選択的に形成することができる。なお、バンプ電極３３の突出高さを高くするために、レジスト膜を用いてバンプ電極３３を形成する場合もある。
【0037】
＜転写用基板準備工程＞
図６に示す転写用基板準備工程Ｓ２では、図８から図１０に示す転写用基板を準備する。図８は、転写用基板準備工程で準備する転写用基板の斜視図である。図９は、転写用基板の一部を示す拡大平面図であり、図１０は、図９のＣ－Ｃ線に沿った拡大断面図である。
図６に示す転写用基板準備工程Ｓ２では、図８から図１０に示す転写用基板を準備する。図８は、転写用基板準備工程で準備する転写用基板の斜視図である。図９は、転写用基板の一部を示す拡大平面図であり、図１０は、図９のＣ－Ｃ線に沿った拡大断面図である。
【0038】
図８から図１０に示す転写用基板７０は、支持基板７１と、この支持基板７１の一方の表面に設けられる粘着樹脂層７２と、粘着樹脂層７２の支持基板７１とは反対側の表面に設けられる被覆膜７３と、を有する。支持基板７１は、転写用基板７０の剛性を確保するための平面形状が略矩形の基板である。支持基板７１は、例えば、石英、ガラスなど、酸化ケイ素を主成分とする合成基板である。なお、転写用基板７０として、平面形状が矩形であるものを例示しているが、あくまで一例であり、転写用基板７０の形状は、特に限定されるものではない。
【0039】
粘着樹脂層７２は、後述する素子保持工程Ｓ３において、複数のＬＥＤ素子２０を粘着保持するための層であり、支持基板７１の表面に連続的に設けられる。より詳しくは、樹脂粘着層７２（転写用基板７０）は、ＬＥＤ素子２０がそれぞれ粘着保持される複数の保持領域７４を行列状に有している。粘着樹脂層７２は、支持基板７１上に、これら複数の保持領域７４を含む範囲に亘って設けられている。
【0040】
なお、粘着樹脂層７２（転写用基板７０）が有する保持領域７４の数は、特に限定されるものではない。保持領域７４の数は、例えば、表示装置ＤＳＰ１が備えるＬＥＤ素子２０の数などに応じて適宜決定されればよい。
【0041】
粘着樹脂層７２は、ＬＥＤ素子２０を粘着保持可能な粘着性を有する樹脂材料で形成され、支持基板７１とは反対側の面７２ｆ（図１０参照）に、ＬＥＤ素子２０を粘着保持可能な粘着力を有している。ただし、粘着樹脂層７２によって粘着保持したＬＥＤ素子２０は、基板構造体ＳＵＢ１に実装された後、粘着樹脂層７２から剥離させる。このため、粘着樹脂層７２の粘着力は、この点を考慮して適宜調整する必要がある。粘着樹脂層７２の厚さは、特に限定されないが、数十μｍ程度であることが好ましく、本実施の形態では、２０μｍ程度としている。
【0042】
粘着樹脂層７２に用いる樹脂材料としては、例えば、アクリル系樹脂、ポリエステル系樹脂、塩化ビニル・酢酸ビニル共重合体樹脂、エチレン・アクリル酸エステル共重合体樹脂、エチレン・メタクリル酸エステル共重合体樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、塩素化ポリオレフィン系樹脂、エポキシ系樹脂、またはウレタン系樹脂などが挙げられる。勿論、粘着樹脂層７２として用いる樹脂材料は、これらに限定されるものではない。
【0043】
被覆膜７３は、後述する素子押付工程Ｓ４において、粘着樹脂層７２が回路基板１０を含む基板構造体ＳＵＢ１に付着することを抑制するための膜であり、被覆膜７３の表面の粘着力は、粘着樹脂層７２の表面の粘着力よりも低い。言い換えれば、被覆膜７３は、粘着樹脂層７２を形成する樹脂材料よりも粘着性が低い材料で形成されている。上述のように、粘着樹脂層７２はＬＥＤ素子２０を粘着可能な粘着力を面７２ｆに有している。結果的に、粘着樹脂層７２は、基板構造体ＳＵＢ１に付着する粘着力を面７２ｆに有している。被覆膜７３の表面の粘着力は、このような粘着樹脂層７２の表面７２ｆの粘着力よりも低い。
【0044】
また、被覆膜７３は、表面の粘着力が極力低いことが好ましく、特に、表面に粘着力を有していないことが好ましい。つまり、表面の粘着力が粘着樹脂層７２よりも低い被覆膜７３には、表面に粘着樹脂層７２よりも低い粘着力を有するものだけでなく、表面に粘着力を有していないものも含まれる。
【0045】
被覆膜７３は、粘着樹脂層７２に一方側の面、この例では、粘着樹脂層７２の支持基板７１とは反対側の面７２ｆに設けられる。また、被覆膜７３は、粘着樹脂層７２の面７２ｆのうち、保持領域７４の外側の領域を覆って設けられる。一例として、被覆膜７４は、各保持領域７４の周縁を囲って設けられている。言い換えれば、被覆膜７３は、各保持領域７４に対応する部分を除いて、粘着樹脂層７２の面７２ｆの略全面に亘って設けられている。さらに別の言い方をすれば、被覆膜７３は、粘着樹脂層７２の面７２ｆの略全面に亘って設けられ、各保持領域７４に対応する位置に開口部７３ａを備えている。
【0046】
開口部７３ａの開口形状（平面形状）は、特に限定されないが、保持領域７４の平面形状に沿った開口形状であることが好ましい。各保持領域７４は、ＬＥＤ素子２０を粘着保持する領域である。一例として、保持領域７４の形状は、ＬＥＤ素子２０の平面形状と一致する。このため、開口部７３ａは、ＬＥＤ素子２０の平面形状に沿った形状であることが好ましいとも言える。本実施の形態では、ＬＥＤ素子２０の平面形状は矩形であるため、各保持領域７４の形状も矩形となっている。このため、開口部７３ａの開口形状も、保持領域７４の形状に沿って矩形となっていることが好ましい。
【0047】
被覆膜７３の開口部７３ａは、ＬＥＤ素子２０を粘着樹脂層７２で粘着保持する際の位置決め精度を考慮して、各保持領域７４よりも若干大きく形成されていることが好ましい。例えば、ＬＥＤ素子２０の平面形状（保持領域７４の形状）が２０～３０μｍ角程度の矩形である場合、開口部７３ａの一辺の長さは、保持領域７４の一辺の長さよりも、２～５μｍ程度長くなっていることが好ましい。言い換えれば、例えば、図９に示すように、保持領域７４の周囲には、粘着樹脂層７２との間に１～２．５μｍ程度の所定幅Ｗ１を有する隙間８０が存在していることが好ましい。
【0048】
また、被覆膜７３は、例えば、銅、アルミニウム等の金属薄膜からなる。ただし、被覆膜７３の材料は、金属材料に限定されるものではない。被覆膜７３の材料としては、無機材料が好適に用いられるが、基板構造体ＳＵＢ１への粘着樹脂層７２の付着を抑制でき、後述するレーザ照射工程で受ける熱に耐え得る材料であればよい。また、被覆膜７３の材料は、基板構造体ＳＵＢ１に付着しない材料、特に、粘着性を有していない材料であることが好ましい。
【0049】
金属薄膜からなる被覆膜７３の形成方法は、特に限定されないが、例えば、蒸着法、スパッタリング法等が挙げられる。さらに、例えば、転写用基板７０とは別の基板に金属薄膜を形成後、この金属薄膜を粘着樹脂層７２上に転写することによって、被覆膜７３を形成してもよい。
【0050】
＜素子保持工程＞
次に、図６に示す素子保持工程Ｓ３では、図１１に示すように、転写用基板７０の複数の保持領域７４のそれぞれに、粘着樹脂層７２によってＬＥＤ素子２０を粘着保持する。図１１は、素子保持工程を説明する図である。より詳しくは、図１１は、図１０に示す転写用基板の各保持領域に、粘着樹脂層によってＬＥＤ素子を保持した状態を示す拡大断面図である。
次に、図６に示す素子保持工程Ｓ３では、図１１に示すように、転写用基板７０の複数の保持領域７４のそれぞれに、粘着樹脂層７２によってＬＥＤ素子２０を粘着保持する。図１１は、素子保持工程を説明する図である。より詳しくは、図１１は、図１０に示す転写用基板の各保持領域に、粘着樹脂層によってＬＥＤ素子を保持した状態を示す拡大断面図である。
【0051】
本工程では、転写用基板７０の粘着樹脂層７２に、複数のＬＥＤ素子２０を接触させることで、転写用基板７０によって複数のＬＥＤ素子２０を粘着保持する。詳しくは、ＬＥＤ素子２０のうち、電極２１（アノード電極２１ＥＡおよびカソード電極２１ＥＫ）が形成された面とは反対側の面が、粘着樹脂層７２の一方の面７２ｆに粘着保持される。言い換えれば、ＬＥＤ素子２０は、アノード電極２１ＥＡおよび複数のカソード電極２１ＥＫが形成された面が基板構造体ＳＵＢ１と対向するように、転写用基板７０に粘着保持される。なお、ＬＥＤ素子２０のアノード電極２１ＥＡおよびカソード電極２１ＥＫを総称して電極２１と呼ぶ場合がある。
【0052】
このように転写用基板７０に粘着保持されるＬＥＤ素子２０のそれぞれは、まずは、例えば、サファイア基板上に形成される。サファイア基板上で完成した複数のＬＥＤ素子２０のそれぞれは、一旦、第１転写基板に転写された後、第１転写基板から転写用基板７０に転写される。図１１は、複数のＬＥＤ素子２０が、第１転写基板から転写用基板７０に転写された後の状態を示している。サファイア基板上に形成された複数のＬＥＤ素子２０のそれぞれを、第１転写基板を介して転写用基板７０に転写することで、ＬＥＤ素子２０は、電極２１側が基板構造体ＳＵＢ１と対向する向きで転写用基板７０に保持される。
【0053】
＜素子押付工程＞
次に、図６に示す素子押付工程Ｓ４では、図１２に示すように、複数のＬＥＤ素子２０を粘着保持した転写用基板７０を、基板構造体準備工程Ｓ１で準備した基板構造体ＳＵＢ１に対して押し付ける。図１２、および図１３Ａから図１３Ｃは、素子押付工程を説明する図である。より詳しくは、図１２は、素子押付工程において、転写用基板を基板構造体に押し付けた状態を示す拡大断面図である。また、図１３Ａから図１３Ｃは、基板構造体ＳＵＢ１に反りが生じている場合の素子押付工程を説明する模式図である。また、図１４は、転写用基板の変形例を説明する断面図である。
次に、図６に示す素子押付工程Ｓ４では、図１２に示すように、複数のＬＥＤ素子２０を粘着保持した転写用基板７０を、基板構造体準備工程Ｓ１で準備した基板構造体ＳＵＢ１に対して押し付ける。図１２、および図１３Ａから図１３Ｃは、素子押付工程を説明する図である。より詳しくは、図１２は、素子押付工程において、転写用基板を基板構造体に押し付けた状態を示す拡大断面図である。また、図１３Ａから図１３Ｃは、基板構造体ＳＵＢ１に反りが生じている場合の素子押付工程を説明する模式図である。また、図１４は、転写用基板の変形例を説明する断面図である。
【0054】
本工程では、転写用基板７０が備える粘着樹脂層７２の複数の保持領域７４に粘着保持されたＬＥＤ素子２０の電極２１を、基板構造体ＳＵＢ１に形成された複数のバンプ電極３３にそれぞれ対向させ、この状態で、転写用基板７０を基板構造体ＳＵＢ１に向かって押し付ける。これにより、転写用基板７０に保持された複数のＬＥＤ素子２０の電極２１と複数のバンプ電極３３とがそれぞれ接触する。
【0055】
ここで、例えば、基板構造体ＳＵＢ１を構成する回路基板１０に反りが生じているとする。この場合、複数のＬＥＤ素子２０の電極２１を対応する各バンプ電極３３に接触させるためには、回路基板１０に反りが生じていない場合よりも、転写用基板７０を基板構造体ＳＵＢ１側に強く押し付ける必要がある。それに伴い、粘着樹脂層７２が、回路基板１０を含む基板構造体ＳＵＢ１側に付着してしまう虞がある。しかしながら、転写用基板７０を構成する粘着樹脂層７２の表面に被覆膜７３が設けられていることで、粘着樹脂層７２の基板構造体ＳＵＢ１への付着を抑制することができる。
【0056】
具体的には、例えば、図１３Ａに示すように、基板構造体ＳＵＢ１に転写用基板７０側を凸とする反りが生じ、基板構造体ＳＵＢ１のＸ方向の中央部において反りが最も大きいとする。この場合、転写用基板７０を基板構造体ＳＵＢ１に向かって押し付けると、図１３Ｂに示すように、まずは、反りが最も大きい基板構造体ＳＵＢ１のＸ方向中央部で、ＬＥＤ素子２０の電極２１がバンプ電極３３に接触する。これに対し、基板構造体ＳＵＢ１のＸ方向両端部では、ＬＥＤ素子２０の電極２１はバンプ電極３３に接触しない。
【0057】
全てのＬＥＤ素子２０の電極２１をバンプ電極３３に接触させるためには、転写用基板７０を基板構造体ＳＵＢ１側に、より強く押し付ける必要がある。これにより、図１３Ｃに示すように、全てのＬＥＤ素子２０の電極２１を基板構造体ＳＵＢ１のバンプ電極３３に接触させることができる。ただし、例えば、基板構造体ＳＵＢ１のＸ方向の中央部において、粘着樹脂層７２がＬＥＤ素子２０によって押しつぶされた状態となる。言い換えれば、ＬＥＤ素子２０が粘着樹脂層７２内に押し込まれた状態となってしまう。
【0058】
基板構造体ＳＵＢ１の面積が比較的小さい場合、反り量は比較的小さく抑えられるため、ＬＥＤ素子２０は粘着樹脂層７２に押し込まれ難い。一方、基板構造体ＳＵＢ１の面積が比較的大きい場合、反り量も大きくなり易く、それに伴い、ＬＥＤ素子２０が粘着樹脂層７２に押し込まれた状態になり易い。そして、このようにＬＥＤ素子２０が粘着樹脂層７２内に押し込まれることで、粘着樹脂層７２が基板構造体ＳＵＢ１の表面に付着し易くなる。
【0059】
しかしながら、粘着樹脂層７２の表面に被覆膜７３が設けられていることで、粘着樹脂層７２の基板構造体ＳＵＢ１への付着を抑制することができる。より詳しくは、ＬＥＤ素子２０が粘着樹脂層７２内に押し込まれた場合でも、粘着樹脂層７２と基板構造体ＳＵＢ１との間には被覆膜７３が存在する。このため、粘着樹脂層７２が基板構造体ＳＵＢ１の表面に直接的に接触することはない。したがって、粘着樹脂層７２の基板構造体ＳＵＢ１への付着を抑制することができる。
【0060】
特に、粘着樹脂層７２の厚さが、ＬＥＤ素子２０の高さよりも厚い場合、ＬＥＤ素子２０が粘着樹脂層７２内に押し込まれることで、粘着樹脂層７２が基板構造体ＳＵＢ１に付着し易い。このような場合でも、粘着樹脂層７２の表面に被覆膜７３が設けられていることで、粘着樹脂層７２の基板構造体ＳＵＢ１への付着を効果的に抑制することができる。
【0061】
なお、ＬＥＤ素子２０により粘着樹脂層７２が押しつぶされると、基板構造体ＳＵＢ１の表面が被覆膜７３に当接する場合がある。この場合、粘着樹脂層７２は被覆膜７３からも圧力を受けることになる。しかしながら、被覆膜７３は、転写用基板７０の保持領域７４の外側領域に連続的に形成されており、その面積は比較的広い。より具体的には、被覆膜７３の粘着樹脂層７２との接触面積は、各ＬＥＤ素子２０の粘着樹脂層７２との接触面積に比べて広い。このため、被覆膜７３は、ＬＥＤ素子２０に比べて、粘着樹脂層７２内には押し込まれ難い。
【0062】
また、この被覆膜７３の厚さは、特に限定されないが、ＬＥＤ素子２０の高さよりも薄いことが好ましい。言い換えれば、ＬＥＤ素子２０が粘着樹脂層７２により粘着保持された際、ＬＥＤ素子２０の先端部は、Ｚ方向において被覆膜７３の表面よりも外側に位置していることが好ましい。これにより、上述した素子保持工程Ｓ３において、ＬＥＤ素子２０を、転写用基板７０の粘着樹脂層７２に粘着保持させ易くなる。
【0063】
一方で、基板構造体ＳＵＢ１への粘着樹脂層７２の付着をより抑制するという観点では、例えば、図１４に示すように、被覆膜７３の厚さは、ＬＥＤ素子２０の高さよりも厚いことが好ましい。さらに言えば、被覆膜７３の厚さは、ＬＥＤ素子２０の高さと基板構造体ＳＵＢ１のバンプ電極３３の高さとの合計と同一あるいはそれよりも若干厚いことが好ましい。
【0064】
これにより、ＬＥＤ素子２０が粘着樹脂層７２内に押し込まれた場合でも、粘着樹脂層７２と基板構造体ＳＵＢ１との間には十分な隙間が確保される。これにより、粘着樹脂層７２の基板構造体ＳＵＢ１への付着がより確実に抑制される。粘着樹脂層７２と基板構造体ＳＵＢ１との間には十分な隙間が確保されていることで、例えば、ＬＥＤ素子２０が粘着樹脂層７２内に押し込まれた際に、ＬＥＤ素子２０と被覆膜７３との隙間を介して粘着樹脂層７２が基板構造体ＳＵＢ１に付着することも抑制される。
【0065】
なお、被覆膜７３の厚さをＬＥＤ素子２０の高さよりも厚くする場合、素子保持工程Ｓ３において、ＬＥＤ素子２０を、転写用基板７０の粘着樹脂層７２に粘着保持させ難くはなる。しかしながら、例えば、上述した第１転写基板の形状を工夫することで、第１転写基板に保持されたＬＥＤ素子２０を、転写用基板７０の粘着樹脂層７２に粘着保持させ易くできる。一例としては、第１転写基板の保持領域７４に対向する部分に、保持領域７４よりも小さい面積の突出部を設け、この突出部上にＬＥＤ素子２０を保持することが挙げられる。
【0066】
また、本実施の形態では、基板構造体ＳＵＢ１に、転写用基板７０とは反対側を中心とする曲面となる反りが生じ、基板構造体ＳＵＢ１のＸ方向の中央部において反りが最も大きい場合について説明しているが、反りの状態はこれに限定されない。例えば、基板構造体ＳＵＢ１に、転写用基板７０側を中心とする曲面となる反りが生じている場合にも、同様の効果が得られる。さらには、転写用基板７０に上記のような反りが生じている場合にも同様の効果が得られる。
【0067】
＜レーザ照射工程＞
次に、図６に示すレーザ照射工程Ｓ５では、図１５に示すように、複数のバンプ電極３３と、複数のＬＥＤ素子２０の電極２１とバンプ電極３３とがそれぞれ接触した複数の接触部分に、レーザ光源ＬＺＳからレーザＬＺを照射する。これにより、各ＬＥＤ素子２０の電極２１とバンプ電極３３とが接合される。図１５は、レーザ照射工程を説明する図である。より詳しくは、図１５は、ＬＥＤ素子２０の電極２１とバンプ電極３３との接触部分にレーザを照射した状態を模式的に示す拡大断面図である。
次に、図６に示すレーザ照射工程Ｓ５では、図１５に示すように、複数のバンプ電極３３と、複数のＬＥＤ素子２０の電極２１とバンプ電極３３とがそれぞれ接触した複数の接触部分に、レーザ光源ＬＺＳからレーザＬＺを照射する。これにより、各ＬＥＤ素子２０の電極２１とバンプ電極３３とが接合される。図１５は、レーザ照射工程を説明する図である。より詳しくは、図１５は、ＬＥＤ素子２０の電極２１とバンプ電極３３との接触部分にレーザを照射した状態を模式的に示す拡大断面図である。
【0068】
本工程では、各ＬＥＤ素子２０の電極２１とバンプ電極３３との接触部分にレーザＬＺを照射することで、上記接触部分を加熱する。より具体的には、バンプ電極３３に熱を印加し、バンプ電極３３に含まれる半田を溶融させ、半田によりバンプ電極３３と各ＬＥＤ素子２０の電極２１とを接合する。
【0069】
なお、本工程の前に、ＬＥＤ素子２０のアノード電極２１ＥＡおよびカソード電極２１ＥＫのそれぞれに、予め半田膜を形成する工程を有する場合もある。半田を含むバンプ電極３３と、アノード電極２１ＥＡおよびカソード電極２１ＥＫに形成された半田膜とは容易に一体化させることができる。このため、アノード電極２１ＥＡおよびカソード電極２１ＥＫのそれぞれに半田膜を形成することで、本工程において、バンプ電極３３とＬＥＤ素子２０の各電極２１とをより接合し易くなる。
【0070】
＜素子剥離工程＞
次に、図６に示す素子剥離工程Ｓ６では、図１６に示すように、複数のＬＥＤ素子２０と、転写用基板７０の粘着樹脂層７２とを剥離させる。図１６は、素子剥離工程を説明する図である。より詳しくは、図１６は、転写用基板７０の粘着樹脂層７２と複数のＬＥＤ素子２０とを剥離させた状態を示す拡大断面図である。
次に、図６に示す素子剥離工程Ｓ６では、図１６に示すように、複数のＬＥＤ素子２０と、転写用基板７０の粘着樹脂層７２とを剥離させる。図１６は、素子剥離工程を説明する図である。より詳しくは、図１６は、転写用基板７０の粘着樹脂層７２と複数のＬＥＤ素子２０とを剥離させた状態を示す拡大断面図である。
【0071】
本工程では、Ｚ方向において転写用基板７０を移動させて、転写用基板７０と基板構造体ＳＵＢ１との距離を遠ざける。この時、複数のＬＥＤ素子２０の電極２１は、基板構造体ＳＵＢ１のバンプ電極３３に接合されている。言い換えれば、複数のＬＥＤ素子２０は、基板構造体ＳＵＢ１に実装されており、ＬＥＤ素子２０の電極２１とバンプ電極３３の固定強度は、各ＬＥＤ素子２０と粘着樹脂層７２との接着強度よりも高くなっている。このため、転写用基板７０を、基板構造体ＳＵＢから離れる方向に移動させることで、粘着樹脂層７２とＬＥＤ素子２０との界面が剥離する。本工程により、基板構造体ＳＵＢ１上に複数のＬＥＤ２０が実装された表示装置ＤＰＳ１が得られる。
【0072】
以上説明したように、本開示の転写用基板７０は、粘着樹脂層７２の支持基板７１とは反対側に、表面の粘着力が粘着性樹脂層７２の粘着力よりも弱い被覆膜７３が、粘着樹脂層７２の保持領域７４の外側の領域を覆って設けられている。これにより、基板構造体ＳＵＢ１への粘着樹脂層７２の固着が抑えられる。
【0073】
上述のように素子押付工程Ｓ４では、粘着樹脂層７２の一部が基板構造体ＳＵＢ１の表面に付着してしまう虞がある。また、この状態で、レーザ照射工程Ｓ５においてレーザＬＺの照射を行うと、基板構造体ＳＵＢ１に付着した粘着樹脂層７２の一部（粘着性の樹脂）が、基板構造体ＳＵＢ１に固着されてしまう虞がある。
【0074】
より詳しくは、レーザ照射工程Ｓ５においてバンプ電極３３に熱が印加されると、基板構造体ＳＵＢ１の温度も上昇する。このため、基板構造体ＳＵＢ１の表面に粘着樹脂層７２が付着していると、付着している粘着樹脂層７２が熱により固まってしまうことがある。この状態で、素子剥離工程Ｓ６において、転写用基板７０を基板構造体ＳＵＢ１から引き離すと、固まった粘着樹脂層７２が基板構造体ＳＵＢ１の表面に残ってしまう虞がある。
【0075】
しかしながら、本開示の転写用基板７０は、粘着樹脂層７２の表面に設けられ、表面の粘着力が粘着樹脂層７２の粘着力よりも弱い被覆膜７３を有し、素子押付工程Ｓ４における粘着樹脂層７２の基板構造体ＳＵＢ１への付着が抑制されている。このため、レーザ照射工程Ｓ５においてレーザＬＺの照射を行っても、基板構造体ＳＵＢ１への粘着樹脂層７２の固着が抑えられる。これにより、表示装置ＤＰＳ１における光の乱反射等が抑制され、表示装置ＤＰＳ１の性能を向上させることができる。
【0076】
以上、実施の形態および代表的な変形例について説明したが、上記した技術は、例示した変形例以外の種々の変形例に適用可能である。例えば、上記した変形例同士を組み合わせてもよい。
【0077】
本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。例えば、前述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除若しくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
【0078】
例えば、上述の実施の形態では、転写用基板準備工程Ｓ２において、粘着樹脂層７２の表面に設けられる被覆膜７３を有する転写用基板７０を準備するようにしたが、被覆膜７３は、必ずしも転写用基板準備工程Ｓ２において準備されていなくてもよい。すなわち、被覆膜７３は、素子押付工程Ｓ４の前に、粘着樹脂層７２の表面に設けられていればよい。言い換えれば、素子押付工程Ｓ４において、転写用基板７０が上述のような被覆膜７３を備えていればよい。
【0079】
＜付記＞
なお、本技術は、以下のような構成をとることが可能である。
なお、本技術は、以下のような構成をとることが可能である。
【0080】
（付記１）
支持基板と、
前記支持基板の一方の表面に連続的に設けられ、素子を粘着保持する複数の保持領域を有する粘着樹脂層と、
前記粘着樹脂層の前記支持基板とは反対側の表面に、前記粘着樹脂層の前記保持領域の外側の領域を覆って設けられ、表面の粘着力が前記粘着樹脂層の粘着力よりも弱い被覆膜と、を備える、
転写用基板。
支持基板と、
前記支持基板の一方の表面に連続的に設けられ、素子を粘着保持する複数の保持領域を有する粘着樹脂層と、
前記粘着樹脂層の前記支持基板とは反対側の表面に、前記粘着樹脂層の前記保持領域の外側の領域を覆って設けられ、表面の粘着力が前記粘着樹脂層の粘着力よりも弱い被覆膜と、を備える、
転写用基板。
【0081】
（付記２）
付記１に記載の転写用基板において、
前記被覆膜は、前記保持領域の周縁を囲って設けられ、前記保持領域のそれぞれに対向する位置に開口部を有する、
転写用基板。
付記１に記載の転写用基板において、
前記被覆膜は、前記保持領域の周縁を囲って設けられ、前記保持領域のそれぞれに対向する位置に開口部を有する、
転写用基板。
【0082】
（付記３）
付記２に記載の転写用基板において、
前記開口部は、前記保持領域に保持される前記素子の平面形状に沿った開口形状を有する、
転写用基板。
付記２に記載の転写用基板において、
前記開口部は、前記保持領域に保持される前記素子の平面形状に沿った開口形状を有する、
転写用基板。
【0083】
（付記４）
付記２または３に記載の転写用基板において、
平面視での前記開口部と前記保持領域との隙間が１～２．５μｍである、
転写用基板。
付記２または３に記載の転写用基板において、
平面視での前記開口部と前記保持領域との隙間が１～２．５μｍである、
転写用基板。
【0084】
（付記５）
付記１から４の何れか一つに記載の転写用基板において、
前記被覆膜の厚さは、前記素子の高さよりも薄い、
転写用基板。
付記１から４の何れか一つに記載の転写用基板において、
前記被覆膜の厚さは、前記素子の高さよりも薄い、
転写用基板。
【0085】
（付記６）
付記１から４の何れか一つに記載の転写用基板において、
前記被覆膜の厚さは、前記素子の高さよりも厚い、
転写用基板。
付記１から４の何れか一つに記載の転写用基板において、
前記被覆膜の厚さは、前記素子の高さよりも厚い、
転写用基板。
【0086】
（付記７）
付記１から６の何れか一つに記載の転写用基板において、
前記粘着樹脂層の厚さが、前記素子の高さよりも厚い、
転写用基板。
付記１から６の何れか一つに記載の転写用基板において、
前記粘着樹脂層の厚さが、前記素子の高さよりも厚い、
転写用基板。
【0087】
（付記８）
付記１から７の何れか一つに記載の転写用基板において、
前記被覆膜が、金属材料からなる金属薄膜である、
転写用基板。
付記１から７の何れか一つに記載の転写用基板において、
前記被覆膜が、金属材料からなる金属薄膜である、
転写用基板。
【0088】
（付記９）
（ａ）付記１から８の何れか一つに記載の転写用基板を準備する工程、
（ｂ）前記転写用基板を構成する前記粘着樹脂層の前記複数の保持領域に前記素子を粘着保持する工程、
（ｃ）複数のバンプ電極が配列された回路基板を準備し、前記複数の保持領域に前記素子を粘着保持した前記転写用基板を前記回路基板に対して押し付け、前記複数のバンプ電極と、前記複数の保持領域に粘着保持された前記素子の電極と、をそれぞれ接触させる工程、
（ｄ）前記複数のバンプ電極と前記複数の保持領域に粘着保持された前記素子の電極とがそれぞれ接触した状態で、加熱により前記バンプ電極と前記素子の電極とを接合する工程、
を有する、
電子装置の製造方法。
（ａ）付記１から８の何れか一つに記載の転写用基板を準備する工程、
（ｂ）前記転写用基板を構成する前記粘着樹脂層の前記複数の保持領域に前記素子を粘着保持する工程、
（ｃ）複数のバンプ電極が配列された回路基板を準備し、前記複数の保持領域に前記素子を粘着保持した前記転写用基板を前記回路基板に対して押し付け、前記複数のバンプ電極と、前記複数の保持領域に粘着保持された前記素子の電極と、をそれぞれ接触させる工程、
（ｄ）前記複数のバンプ電極と前記複数の保持領域に粘着保持された前記素子の電極とがそれぞれ接触した状態で、加熱により前記バンプ電極と前記素子の電極とを接合する工程、
を有する、
電子装置の製造方法。
【0089】
（付記１０）
（ａ）支持基板と、前記支持基板の一方の表面に連続的に設けられ、素子を粘着保持する複数の保持領域を有する粘着樹脂層と、を備える、転写用基板を準備する工程、
（ｂ）前記転写用基板を構成する前記粘着樹脂層の前記保持領域に前記素子を粘着保持する工程、
（ｃ）複数のバンプ電極が配列された回路基板を準備し、前記素子を粘着保持した前記転写用基板を前記回路基板に対して押し付け、前記複数のバンプ電極と、前記複数の保持領域に保持された前記素子の電極と、をそれぞれ接触させる工程、
（ｄ）前記複数のバンプ電極と、前記複数の保持領域に粘着保持された前記素子の電極と、がそれぞれ接触した状態で、加熱により前記バンプ電極と前記素子の電極とを接合する工程、
を有し、
前記（ｃ）の工程では、前記粘着樹脂層の前記保持領域の外側の領域を、表面の粘着力が前記粘着樹脂層の粘着力よりも弱い被覆膜によって覆った状態で、前記転写用基板を前記回路基板に対して押し付ける、
電子装置の製造方法。
（ａ）支持基板と、前記支持基板の一方の表面に連続的に設けられ、素子を粘着保持する複数の保持領域を有する粘着樹脂層と、を備える、転写用基板を準備する工程、
（ｂ）前記転写用基板を構成する前記粘着樹脂層の前記保持領域に前記素子を粘着保持する工程、
（ｃ）複数のバンプ電極が配列された回路基板を準備し、前記素子を粘着保持した前記転写用基板を前記回路基板に対して押し付け、前記複数のバンプ電極と、前記複数の保持領域に保持された前記素子の電極と、をそれぞれ接触させる工程、
（ｄ）前記複数のバンプ電極と、前記複数の保持領域に粘着保持された前記素子の電極と、がそれぞれ接触した状態で、加熱により前記バンプ電極と前記素子の電極とを接合する工程、
を有し、
前記（ｃ）の工程では、前記粘着樹脂層の前記保持領域の外側の領域を、表面の粘着力が前記粘着樹脂層の粘着力よりも弱い被覆膜によって覆った状態で、前記転写用基板を前記回路基板に対して押し付ける、
電子装置の製造方法。
【0090】
（付記１１）
付記１０に記載の電子装置の製造方法において、
前記被覆膜は、前記保持領域の周縁を囲って設けられ、前記保持領域のそれぞれに対向する位置に開口部を有する、
電子装置の製造方法。
付記１０に記載の電子装置の製造方法において、
前記被覆膜は、前記保持領域の周縁を囲って設けられ、前記保持領域のそれぞれに対向する位置に開口部を有する、
電子装置の製造方法。
【0091】
（付記１２）
付記１１に記載の電子装置の製造方法において、
前記開口部は、前記保持領域に保持される前記素子の平面形状に沿った開口形状を有する、
電子装置の製造方法。
付記１１に記載の電子装置の製造方法において、
前記開口部は、前記保持領域に保持される前記素子の平面形状に沿った開口形状を有する、
電子装置の製造方法。
【0092】
（付記１３）
付記１１または１２に記載の電子装置の製造方法において、
平面視での前記開口部と前記保持領域との隙間が、１～２．５μｍである、
電子装置の製造方法。
付記１１または１２に記載の電子装置の製造方法において、
平面視での前記開口部と前記保持領域との隙間が、１～２．５μｍである、
電子装置の製造方法。
【0093】
（付記１４）
付記１０から１３の何れか一つに記載の電子装置の製造方法において、
前記被覆膜の厚さは、前記素子の高さよりも薄い、
電子装置の製造方法。
付記１０から１３の何れか一つに記載の電子装置の製造方法において、
前記被覆膜の厚さは、前記素子の高さよりも薄い、
電子装置の製造方法。
【0094】
（付記１５）
付記１０から１３の何れか一つに記載の電子装置の製造方法において、
前記被覆膜の厚さは、前記素子の高さよりも厚い、
電子装置の製造方法。
付記１０から１３の何れか一つに記載の電子装置の製造方法において、
前記被覆膜の厚さは、前記素子の高さよりも厚い、
電子装置の製造方法。
【0095】
（付記１６）
付記１５に記載の電子装置の製造方法において、
前記被覆膜の厚さは、前記素子の高さと前記バンプ電極の高さとの合計よりも厚い、
電子装置の製造方法。
付記１５に記載の電子装置の製造方法において、
前記被覆膜の厚さは、前記素子の高さと前記バンプ電極の高さとの合計よりも厚い、
電子装置の製造方法。
【0096】
（付記１７）
付記１０から１６の何れか一つに記載の電子装置の製造方法において、
前記粘着樹脂層の厚さは、前記素子の高さよりも厚い、
電子装置の製造方法。
付記１０から１６の何れか一つに記載の電子装置の製造方法において、
前記粘着樹脂層の厚さは、前記素子の高さよりも厚い、
電子装置の製造方法。
【0097】
（付記１８）
付記１０から１７の何れか一つに記載の電子装置の製造方法において、
前記被覆膜が、金属材料からなる金属薄膜である、
電子装置の製造方法。
付記１０から１７の何れか一つに記載の電子装置の製造方法において、
前記被覆膜が、金属材料からなる金属薄膜である、
電子装置の製造方法。
【産業上の利用可能性】
【0098】
本発明は、電子部品（素子）を転写する際に用いられる転写用基板、および転写用基板を用いて電子部品を実装する電子装置の製造方法に利用可能である。
【符号の説明】
【0099】
５ 制御回路
６ 駆動回路
１０ 回路基板
１０ｆ，１０ｂ 面
１１，１２，１３，１４ 無機絶縁層
１４Ｈ 開口
２０ ＬＥＤ素子（発光素子，素子）
２１ 電極
２１ＥＡ アノード電極
２１ＥＫ カソード電極
３１，３２，ＶＬ，ＶＳＬ 配線
３３ バンプ電極
４１ 絶縁層
５０ 半導体層
７０ 転写用基板
７１ 支持基板
７２ 粘着樹脂層
７２ｆ 面
７３ 被覆膜
７３ａ 開口部
７４ 保持領域
８０ 隙間
ＤＳＰ１ 表示装置（電子装置）
ＥＤ ドレイン電極
ＥＧ ゲート電極
ＥＳ ソース電極
ＧＬ 走査信号線
Ｇｓ 制御信号
ＬＸＰ 配線交差部
ＬＺ レーザ（レーザ光）
ＬＺＳ レーザ光源
ＰＦＡ 周辺領域
ＰＩＸ 画素
ＰＶＳ 基準電位（固定電位）
ＳＵＢ１ 基板構造体
ＳＷ スイッチング素子
Ｖｓｇ 映像信号
６ 駆動回路
１０ 回路基板
１０ｆ，１０ｂ 面
１１，１２，１３，１４ 無機絶縁層
１４Ｈ 開口
２０ ＬＥＤ素子（発光素子，素子）
２１ 電極
２１ＥＡ アノード電極
２１ＥＫ カソード電極
３１，３２，ＶＬ，ＶＳＬ 配線
３３ バンプ電極
４１ 絶縁層
５０ 半導体層
７０ 転写用基板
７１ 支持基板
７２ 粘着樹脂層
７２ｆ 面
７３ 被覆膜
７３ａ 開口部
７４ 保持領域
８０ 隙間
ＤＳＰ１ 表示装置（電子装置）
ＥＤ ドレイン電極
ＥＧ ゲート電極
ＥＳ ソース電極
ＧＬ 走査信号線
Ｇｓ 制御信号
ＬＸＰ 配線交差部
ＬＺ レーザ（レーザ光）
ＬＺＳ レーザ光源
ＰＦＡ 周辺領域
ＰＩＸ 画素
ＰＶＳ 基準電位（固定電位）
ＳＵＢ１ 基板構造体
ＳＷ スイッチング素子
Ｖｓｇ 映像信号
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13A】
【図13B】
【図13C】
【図14】
【図15】
【図16】