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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024171015
(43)【公開日】2024-12-11
(54)【発明の名称】基板処理装置
(51)【国際特許分類】
H01L 21/304 20060101AFI20241204BHJP
H01L 21/306 20060101ALI20241204BHJP
H01L 21/027 20060101ALN20241204BHJP
【ＦＩ】
H01L21/304 648G
H01L21/304 643A
H01L21/304 643C
H01L21/304 651B
H01L21/304 643Z
H01L21/304 647Z
H01L21/306 R
H01L21/30 572B
【審査請求】未請求
【請求項の数】25
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023087850
(22)【出願日】2023-05-29
(71)【出願人】
【識別番号】000207551
【氏名又は名称】株式会社ＳＣＲＥＥＮホールディングス
(74)【代理人】
【識別番号】110002310
【氏名又は名称】弁理士法人あい特許事務所
(74)【代理人】
【識別番号】100168583
【弁理士】
【氏名又は名称】前井 宏之
(72)【発明者】
【氏名】▲高▼木 圭将
(72)【発明者】
【氏名】東 克栄
(72)【発明者】
【氏名】竹松 佑介
【テーマコード（参考）】
5F043
5F146
5F157
【Ｆターム（参考）】
5F043CC16
5F043DD13
5F043EE07
5F043EE08
5F043EE09
5F043EE27
5F146MA06
5F157AB02
5F157AB14
5F157AB33
5F157AB45
5F157AB49
5F157AB51
5F157AB64
5F157AB90
5F157AC01
5F157AC26
5F157BB23
5F157BB33
5F157BB45
5F157BB66
5F157BE23
5F157BE43
5F157CC11
5F157CE07
5F157CE23
5F157CF16
5F157CF22
5F157CF62
5F157CF70
5F157CF92
5F157DB02
5F157DB37
5F157DB41
(57)【要約】
【課題】処理液の消費量を低減できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置（１００）は、基板保持部（２）と、処理液供給部（４）と、液膜保持部（７１）と、移動部（８）と、制御部（１０２）とを備える。基板保持部（２）は、基板（Ｗ）を保持する。処理液供給部（４）は、基板保持部（２）に保持された基板（Ｗ）に処理液を供給する。液膜保持部（７１）は、基板保持部（２）に保持された基板（Ｗ）の上方に位置して基板（Ｗ）に対向し、基板（Ｗ）上に形成された処理液の液膜（ＬＭ１、ＬＭ２）を囲み、処理液の液膜（ＬＭ１、ＬＭ２）を保持する。移動部（８）は、基板（Ｗ）の上方において液膜保持部（７１）を上下方向に移動させる。制御部（１０２）は、移動部（８）を制御して液膜保持部（７１）の上下方向の位置を変化させる。
【選択図】図２
【解決手段】基板処理装置（１００）は、基板保持部（２）と、処理液供給部（４）と、液膜保持部（７１）と、移動部（８）と、制御部（１０２）とを備える。基板保持部（２）は、基板（Ｗ）を保持する。処理液供給部（４）は、基板保持部（２）に保持された基板（Ｗ）に処理液を供給する。液膜保持部（７１）は、基板保持部（２）に保持された基板（Ｗ）の上方に位置して基板（Ｗ）に対向し、基板（Ｗ）上に形成された処理液の液膜（ＬＭ１、ＬＭ２）を囲み、処理液の液膜（ＬＭ１、ＬＭ２）を保持する。移動部（８）は、基板（Ｗ）の上方において液膜保持部（７１）を上下方向に移動させる。制御部（１０２）は、移動部（８）を制御して液膜保持部（７１）の上下方向の位置を変化させる。
【選択図】図２
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板を処理する基板処理装置であって、
前記基板を保持する基板保持部と、
前記基板保持部に保持された前記基板に処理液を供給する処理液供給部と、
前記基板保持部に保持された前記基板の上方に位置して前記基板に対向し、前記基板上に形成された前記処理液の液膜を囲み、前記処理液の液膜を保持する液膜保持部と、
前記基板の上方において前記液膜保持部を上下方向に移動させる移動部と、
前記移動部を制御して前記液膜保持部の上下方向の位置を変化させる制御部と
を備える、基板処理装置。
前記基板を保持する基板保持部と、
前記基板保持部に保持された前記基板に処理液を供給する処理液供給部と、
前記基板保持部に保持された前記基板の上方に位置して前記基板に対向し、前記基板上に形成された前記処理液の液膜を囲み、前記処理液の液膜を保持する液膜保持部と、
前記基板の上方において前記液膜保持部を上下方向に移動させる移動部と、
前記移動部を制御して前記液膜保持部の上下方向の位置を変化させる制御部と
を備える、基板処理装置。
【請求項2】
前記液膜保持部は、前記処理液に接する接液面を有し、
前記接液面は、前記処理液に対して撥水性を有する、請求項１に記載の基板処理装置。
前記接液面は、前記処理液に対して撥水性を有する、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項3】
前記基板保持部に保持された前記基板を回転させる基板回転部を更に備え、
前記処理液は、薬液を含み
前記制御部は、前記液膜保持部により前記薬液の液膜が保持されている際に、前記基板回転部を制御して、前記基板の回転を停止させるパドル処理、又は、前記薬液が前記基板の外部へ排出されない回転速度で前記基板を回転させるパドル処理を実行する、請求項１又は請求項２に記載の基板処理装置。
前記処理液は、薬液を含み
前記制御部は、前記液膜保持部により前記薬液の液膜が保持されている際に、前記基板回転部を制御して、前記基板の回転を停止させるパドル処理、又は、前記薬液が前記基板の外部へ排出されない回転速度で前記基板を回転させるパドル処理を実行する、請求項１又は請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項4】
前記薬液は、第１薬液と、第２薬液とを含み、
前記制御部は、
前記パドル処理時に、前記処理液供給部を制御して、前記第１薬液と前記第２薬液との混合液を前記基板上に生成させ、
前記パドル処理後に、前記移動部を制御して、前記混合液の液膜を保持するパドル位置から、前記パドル位置より上方の位置であって前記混合液の液膜を囲まない退避位置へ前記液膜保持部を移動させ、
前記液膜保持部を前記退避位置へ移動させた後、前記処理液供給部を制御して、前記基板に前記第２薬液を供給し、前記混合液を前記基板から排出させて、前記基板上に前記第２薬液の液膜を形成する、請求項３に記載の基板処理装置。
前記制御部は、
前記パドル処理時に、前記処理液供給部を制御して、前記第１薬液と前記第２薬液との混合液を前記基板上に生成させ、
前記パドル処理後に、前記移動部を制御して、前記混合液の液膜を保持するパドル位置から、前記パドル位置より上方の位置であって前記混合液の液膜を囲まない退避位置へ前記液膜保持部を移動させ、
前記液膜保持部を前記退避位置へ移動させた後、前記処理液供給部を制御して、前記基板に前記第２薬液を供給し、前記混合液を前記基板から排出させて、前記基板上に前記第２薬液の液膜を形成する、請求項３に記載の基板処理装置。
【請求項5】
前記制御部は、前記液膜保持部を前記退避位置へ移動させた後、前記基板回転部を制御して、前記基板上の前記混合液の量を減少させる回転速度で前記基板を回転させる、請求項４に記載の基板処理装置。
【請求項6】
前記第２薬液は、前記第１薬液より温度が低い、請求項４に記載の基板処理装置。
【請求項7】
前記処理液供給部は、前記基板に向けて前記第２薬液をシャワー状に吐出するシャワーノズルを含む、請求項４に記載の基板処理装置。
【請求項8】
前記処理液供給部は、前記シャワーノズルから前記第１薬液を吐出させる、請求項７に記載の基板処理装置。
【請求項9】
前記処理液供給部は、
前記基板に向けて前記第２薬液を吐出する吐出ノズルと、
前記基板保持部に保持された前記基板の上方で前記吐出ノズルを移動させるノズル移動部と
を含み
前記制御部は、前記パドル処理時に、前記ノズル移動部を制御して、前記吐出ノズルを移動させつつ、前記処理液供給部を制御して、前記吐出ノズルから前記第２薬液を吐出させる、請求項４に記載の基板処理装置。
前記基板に向けて前記第２薬液を吐出する吐出ノズルと、
前記基板保持部に保持された前記基板の上方で前記吐出ノズルを移動させるノズル移動部と
を含み
前記制御部は、前記パドル処理時に、前記ノズル移動部を制御して、前記吐出ノズルを移動させつつ、前記処理液供給部を制御して、前記吐出ノズルから前記第２薬液を吐出させる、請求項４に記載の基板処理装置。
【請求項10】
前記処理液供給部は、前記吐出ノズルから前記第１薬液を吐出させる、請求項９に記載の基板処理装置。
【請求項11】
前記基板保持部は、前記基板を支持する支持部材を含み、
前記制御部は、前記パドル処理の実行時に、前記支持部材に前記基板を支持させる、請求項３に記載の基板処理装置。
前記制御部は、前記パドル処理の実行時に、前記支持部材に前記基板を支持させる、請求項３に記載の基板処理装置。
【請求項12】
前記基板保持部は、前記基板を支持する支持部材を含み、
前記制御部は、前記基板から前記混合液を排出させる際に、前記支持部材に前記基板を支持させる、請求項４に記載の基板処理装置。
前記制御部は、前記基板から前記混合液を排出させる際に、前記支持部材に前記基板を支持させる、請求項４に記載の基板処理装置。
【請求項13】
前記処理液供給部は、前記基板保持部に保持された前記基板にリンス液を更に供給し、
前記制御部は、前記移動部を制御して、前記退避位置から、前記退避位置より下方の位置である洗浄位置へ前記液膜保持部を移動させ、
前記液膜保持部は、前記リンス液の供給時に前記洗浄位置に位置し、
前記洗浄位置は、前記パドル位置よりも上方の位置であって、前記リンス液の液膜を囲む位置である、請求項４に記載の基板処理装置。
前記制御部は、前記移動部を制御して、前記退避位置から、前記退避位置より下方の位置である洗浄位置へ前記液膜保持部を移動させ、
前記液膜保持部は、前記リンス液の供給時に前記洗浄位置に位置し、
前記洗浄位置は、前記パドル位置よりも上方の位置であって、前記リンス液の液膜を囲む位置である、請求項４に記載の基板処理装置。
【請求項14】
前記液膜保持部を乾燥させる乾燥部を更に備え、
前記制御部は、前記移動部を制御して、前記洗浄位置から、前記洗浄位置より上方の乾燥位置へ前記液膜保持部を移動させた後、前記乾燥部を制御して、前記液膜保持部を乾燥させる、請求項１３に記載の基板処理装置。
前記制御部は、前記移動部を制御して、前記洗浄位置から、前記洗浄位置より上方の乾燥位置へ前記液膜保持部を移動させた後、前記乾燥部を制御して、前記液膜保持部を乾燥させる、請求項１３に記載の基板処理装置。
【請求項15】
前記処理液供給部は、前記基板保持部に保持された前記基板にリンス液を更に供給し、
前記制御部は、前記移動部を制御して、前記薬液の液膜を保持するパドル位置から、前記パドル位置より上方の位置である洗浄位置へ前記液膜保持部を移動させ、
前記液膜保持部は、前記リンス液の供給時に前記洗浄位置に位置し、
前記洗浄位置は、前記リンス液の液膜を囲む位置である、請求項３に記載の基板処理装置。
前記制御部は、前記移動部を制御して、前記薬液の液膜を保持するパドル位置から、前記パドル位置より上方の位置である洗浄位置へ前記液膜保持部を移動させ、
前記液膜保持部は、前記リンス液の供給時に前記洗浄位置に位置し、
前記洗浄位置は、前記リンス液の液膜を囲む位置である、請求項３に記載の基板処理装置。
【請求項16】
前記処理液供給部は、前記基板保持部に保持された前記基板にリンス液を更に供給し、
前記制御部は、
前記移動部を制御して、前記薬液の液膜を保持するパドル位置から、前記パドル位置より上方の位置であって前記薬液の液膜を囲まない退避位置へ前記液膜保持部を移動させた後、前記処理液供給部を制御して前記基板に前記リンス液を供給させ、
前記リンス液の供給中に、前記移動部を制御して、前記退避位置から、前記パドル位置より上方の位置である洗浄位置へ前記液膜保持部を移動させ、
前記洗浄位置は、前記リンス液の液膜を囲む位置である、請求項３に記載の基板処理装置。
前記制御部は、
前記移動部を制御して、前記薬液の液膜を保持するパドル位置から、前記パドル位置より上方の位置であって前記薬液の液膜を囲まない退避位置へ前記液膜保持部を移動させた後、前記処理液供給部を制御して前記基板に前記リンス液を供給させ、
前記リンス液の供給中に、前記移動部を制御して、前記退避位置から、前記パドル位置より上方の位置である洗浄位置へ前記液膜保持部を移動させ、
前記洗浄位置は、前記リンス液の液膜を囲む位置である、請求項３に記載の基板処理装置。
【請求項17】
前記基板保持部は、前記基板を支持する支持部材を含み、
前記制御部は、前記リンス液の供給時に、前記支持部材に前記基板を支持させる、請求項１５に記載の基板処理装置。
前記制御部は、前記リンス液の供給時に、前記支持部材に前記基板を支持させる、請求項１５に記載の基板処理装置。
【請求項18】
前記リンス液は、前記処理液より温度が低い、請求項１５に記載の基板処理装置。
【請求項19】
前記基板保持部に保持された前記基板の上方を遮断する遮断部材を更に備え、
前記遮断部材は、前記液膜保持部を含み、
前記移動部は、前記遮断部材を移動させる、請求項１又は請求項２に記載の基板処理装置。
前記遮断部材は、前記液膜保持部を含み、
前記移動部は、前記遮断部材を移動させる、請求項１又は請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項20】
前記基板保持部に保持された前記基板の上方を遮断する遮断部材を更に備え、
前記遮断部材は、前記液膜保持部と、前記液膜保持部を支持する支持部とを含み、
前記支持部は、前記基板に対向して、前記基板の上方を遮断し、
前記移動部は、前記遮断部材を移動させ、
前記処理液供給部は、前記支持部に設けられたシャワーノズルを含み、
前記シャワーノズルは、前記基板に向けて前記第２薬液をシャワー状に吐出する、請求項４に記載の基板処理装置。
前記遮断部材は、前記液膜保持部と、前記液膜保持部を支持する支持部とを含み、
前記支持部は、前記基板に対向して、前記基板の上方を遮断し、
前記移動部は、前記遮断部材を移動させ、
前記処理液供給部は、前記支持部に設けられたシャワーノズルを含み、
前記シャワーノズルは、前記基板に向けて前記第２薬液をシャワー状に吐出する、請求項４に記載の基板処理装置。
【請求項21】
前記基板保持部に保持された前記基板を囲み、前記基板から排出される前記第１薬液及び前記第２薬液を受け止めるカップ部と、
前記基板保持部に保持された前記基板の上方を遮断する遮断部材と
を更に備え、
前記遮断部材は、前記液膜保持部を含み、
前記移動部は、前記遮断部材を移動させ、
前記退避位置は、前記カップ部の内側の位置である、請求項４に記載の基板処理装置。
前記基板保持部に保持された前記基板の上方を遮断する遮断部材と
を更に備え、
前記遮断部材は、前記液膜保持部を含み、
前記移動部は、前記遮断部材を移動させ、
前記退避位置は、前記カップ部の内側の位置である、請求項４に記載の基板処理装置。
【請求項22】
前記遮断部材と前記基板との間の空間から気体を排気させる排気部を更に備える、請求項１９に記載の基板処理装置。
【請求項23】
前記基板保持部に保持された前記基板の上方を遮断する遮断部材を更に備え、
前記移動部は、前記遮断部材を移動させ、
前記遮断部材は、前記液膜保持部と、前記液膜保持部を支持する支持部とを含み、
前記支持部は、前記基板に対向して、前記基板の上方を遮断し、
前記支持部は、ノズル挿入穴を有し、
前記処理液供給部は、前記ノズル挿入穴に挿入される挿入ノズルを含み、
前記挿入ノズルは、前記ノズル挿入穴に挿入された状態で、前記基板に向けて前記第１薬液及び前記第２薬液の少なくとも一方を吐出する、請求項４に記載の基板処理装置。
前記移動部は、前記遮断部材を移動させ、
前記遮断部材は、前記液膜保持部と、前記液膜保持部を支持する支持部とを含み、
前記支持部は、前記基板に対向して、前記基板の上方を遮断し、
前記支持部は、ノズル挿入穴を有し、
前記処理液供給部は、前記ノズル挿入穴に挿入される挿入ノズルを含み、
前記挿入ノズルは、前記ノズル挿入穴に挿入された状態で、前記基板に向けて前記第１薬液及び前記第２薬液の少なくとも一方を吐出する、請求項４に記載の基板処理装置。
【請求項24】
前記遮断部材と前記基板との間の空間から気体を排気させる排気部を更に備え、
前記排気部は、前記ノズル挿入穴に挿入される吸引ノズルを含み、
前記吸引ノズルは、前記ノズル挿入穴に挿入された状態で、前記遮断部材と前記基板との間の空間から気体を吸引する、請求項２３に記載の基板処理装置。
前記排気部は、前記ノズル挿入穴に挿入される吸引ノズルを含み、
前記吸引ノズルは、前記ノズル挿入穴に挿入された状態で、前記遮断部材と前記基板との間の空間から気体を吸引する、請求項２３に記載の基板処理装置。
【請求項25】
前記基板保持部に保持された前記基板を囲み、前記基板から排出される前記第１薬液及び前記第２薬液を受け止めるカップ部と、
前記カップ部と共に、前記基板保持部に保持された前記基板の周囲の空間を形成する空間形成部と、
前記基板保持部に保持された前記基板の上方を遮断する遮断部材と
を更に備え、
前記遮断部材は、前記液膜保持部を含み、
前記液膜保持部は、前記空間形成部の内側において上下方向に移動する、請求項４に記載の基板処理装置。
前記カップ部と共に、前記基板保持部に保持された前記基板の周囲の空間を形成する空間形成部と、
前記基板保持部に保持された前記基板の上方を遮断する遮断部材と
を更に備え、
前記遮断部材は、前記液膜保持部を含み、
前記液膜保持部は、前記空間形成部の内側において上下方向に移動する、請求項４に記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、基板処理装置に関する。
【背景技術】
【0002】
処理液により基板を処理する枚葉式の基板処理装置が知られている。この種の基板処理装置は、スピンチャックと、ノズルとを備える（例えば、特許文献１参照。）。基板は、スピンチャックによって水平な姿勢で保持される。スピンチャックは、基板の中心を回転中心として、基板を回転させる。ノズルは、回転している基板の中央部に向けて処理液を吐出する。この結果、処理液が遠心力により基板の上面に沿って拡がり、基板の上面に処理液の液膜が形成されて、基板が処理される。
【0003】
しかしながら、基板の表面が疎水性である場合、基板の上面周縁部の一部が液膜で覆われないことがある。これに対し、特許文献１の基板処理装置は、基板の上面周縁部に環状部材を対向させて、基板の上面全面が液膜で覆われるようにしている。詳しくは、環状部材の下面は、親水性である。この結果、基板の表面が疎水性であっても、環状部材の親水性の下面によって基板の上面周縁部を液膜で覆うことができる。よって、基板の上面全面を液膜で覆うことができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開２０１２－９４８３６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
しかしながら、特許文献１の基板処理装置では、処理液により基板を処理している際に、基板の上面周縁部と環状部材の下面との間を処理液が通過して、処理液が基板の外部に排出される。そのため、処理液の消費量を削減し難い。よって、処理液の消費量を考慮すると、更なる改善の余地がある。
【0006】
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、処理液の消費量を低減できる基板処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本発明の一局面によれば、基板処理装置は、基板を処理する。当該基板処理装置は、基板保持部と、処理液供給部と、液膜保持部と、移動部と、制御部とを備える。前記基板保持部は、前記基板を保持する。前記処理液供給部は、前記基板保持部に保持された前記基板に処理液を供給する。前記液膜保持部は、前記基板保持部に保持された前記基板の上方に位置して前記基板に対向し、前記基板上に形成された前記処理液の液膜を囲み、前記処理液の液膜を保持する。前記移動部は、前記基板の上方において前記液膜保持部を上下方向に移動させる。前記制御部は、前記移動部を制御して前記液膜保持部の上下方向の位置を変化させる。
【0008】
ある実施形態において、前記液膜保持部は、前記処理液に接する接液面を有する。前記接液面は、前記処理液に対して撥水性を有する。
【0009】
ある実施形態において、上記基板処理装置は、前記基板保持部に保持された前記基板を回転させる基板回転部を更に備える。前記処理液は、薬液を含む。前記制御部は、前記液膜保持部により前記薬液の液膜が保持されている際に、前記基板回転部を制御して、前記基板の回転を停止させるパドル処理、又は、前記薬液が前記基板の外部へ排出されない回転速度で前記基板を回転させるパドル処理を実行する。
【0010】
ある実施形態において、前記薬液は、第１薬液と、第２薬液とを含む。前記制御部は、前記パドル処理時に、前記処理液供給部を制御して、前記第１薬液と前記第２薬液との混合液を前記基板上に生成させる。前記制御部は、前記パドル処理後に、前記移動部を制御して、前記混合液の液膜を保持するパドル位置から、前記パドル位置より上方の位置であって前記混合液の液膜を囲まない退避位置へ前記液膜保持部を移動させる。前記制御部は、前記液膜保持部を前記退避位置へ移動させた後、前記処理液供給部を制御して、前記基板に前記第２薬液を供給し、前記混合液を前記基板から排出させて、前記基板上に前記第２薬液の液膜を形成する。
【0011】
ある実施形態において、前記制御部は、前記液膜保持部を前記退避位置へ移動させた後、前記基板回転部を制御して、前記基板上の前記混合液の量を減少させる回転速度で前記基板を回転させる。
【0012】
ある実施形態において、前記第２薬液は、前記第１薬液より温度が低い。
【0013】
ある実施形態において、前記処理液供給部は、前記基板に向けて前記第２薬液をシャワー状に吐出するシャワーノズルを含む。
【0014】
ある実施形態において、前記処理液供給部は、前記シャワーノズルから前記第１薬液を吐出させる。
【0015】
ある実施形態において、前記処理液供給部は、吐出ノズルと、ノズル移動部とを含む。前記吐出ノズルは、前記基板に向けて前記第２薬液を吐出する。前記ノズル移動部は、前記基板保持部に保持された前記基板の上方で前記吐出ノズルを移動させる。前記制御部は、前記パドル処理時に、前記ノズル移動部を制御して、前記吐出ノズルを移動させつつ、前記処理液供給部を制御して、前記吐出ノズルから前記第２薬液を吐出させる。
【0016】
ある実施形態において、前記処理液供給部は、前記吐出ノズルから前記第１薬液を吐出させる。
【0017】
ある実施形態において、前記基板保持部は、前記基板を支持する支持部材を含む。前記制御部は、前記パドル処理の実行時に、前記支持部材に前記基板を支持させる。
【0018】
ある実施形態において、前記基板保持部は、前記基板を支持する支持部材を含む。前記制御部は、前記基板から前記混合液を排出させる際に、前記支持部材に前記基板を支持させる。
【0019】
ある実施形態において、前記処理液供給部は、前記基板保持部に保持された前記基板にリンス液を更に供給する。前記制御部は、前記移動部を制御して、前記退避位置から、前記退避位置より下方の位置である洗浄位置へ前記液膜保持部を移動させる。前記液膜保持部は、前記リンス液の供給時に前記洗浄位置に位置する。前記洗浄位置は、前記パドル位置よりも上方の位置であって、前記リンス液の液膜を囲む位置である。
【0020】
ある実施形態において、上記基板処理装置は、前記液膜保持部を乾燥させる乾燥部を更に備える。前記制御部は、前記移動部を制御して、前記洗浄位置から、前記洗浄位置より上方の乾燥位置へ前記液膜保持部を移動させた後、前記乾燥部を制御して、前記液膜保持部を乾燥させる。
【0021】
ある実施形態において、前記処理液供給部は、前記基板保持部に保持された前記基板にリンス液を更に供給する。前記制御部は、前記移動部を制御して、前記薬液の液膜を保持するパドル位置から、前記パドル位置より上方の位置である洗浄位置へ前記液膜保持部を移動させる。前記液膜保持部は、前記リンス液の供給時に前記洗浄位置に位置する。前記洗浄位置は、前記リンス液の液膜を囲む位置である。
【0022】
ある実施形態において、前記処理液供給部は、前記基板保持部に保持された前記基板にリンス液を更に供給する。前記制御部は、前記移動部を制御して、前記薬液の液膜を保持するパドル位置から、前記パドル位置より上方の位置であって前記薬液の液膜を囲まない退避位置へ前記液膜保持部を移動させた後、前記処理液供給部を制御して前記基板に前記リンス液を供給させる。前記制御部は、前記リンス液の供給中に、前記移動部を制御して、前記退避位置から、前記パドル位置より上方の位置である洗浄位置へ前記液膜保持部を移動させる。前記洗浄位置は、前記リンス液の液膜を囲む位置である。
【0023】
ある実施形態において、前記基板保持部は、前記基板を支持する支持部材を含む。前記制御部は、前記リンス液の供給時に、前記支持部材に前記基板を支持させる。
【0024】
ある実施形態において、前記リンス液は、前記処理液より温度が低い。
【0025】
ある実施形態において、上記基板処理装置は、前記基板保持部に保持された前記基板の上方を遮断する遮断部材を更に備える。前記遮断部材は、前記液膜保持部を含む。前記移動部は、前記遮断部材を移動させる。
【0026】
ある実施形態において、上記基板処理装置は、前記基板保持部に保持された前記基板の上方を遮断する遮断部材を更に備える。前記遮断部材は、前記液膜保持部と、前記液膜保持部を支持する支持部とを含む。前記支持部は、前記基板に対向して、前記基板の上方を遮断する。前記移動部は、前記遮断部材を移動させる。前記処理液供給部は、前記支持部に設けられたシャワーノズルを含む。前記シャワーノズルは、前記基板に向けて前記第２薬液をシャワー状に吐出する。
【0027】
ある実施形態において、上記基板処理装置は、カップ部と、遮断部材とを更に備える。前記カップ部は、前記基板保持部に保持された前記基板を囲み、前記基板から排出される前記第１薬液及び前記第２薬液を受け止める。前記遮断部材は、前記基板保持部に保持された前記基板の上方を遮断する。前記遮断部材は、前記液膜保持部を含む。前記移動部は、前記遮断部材を移動させる。前記退避位置は、前記カップ部の内側の位置である。
【0028】
ある実施形態において、上記基板処理装置は、前記遮断部材と前記基板との間の空間から気体を排気させる排気部を更に備える。
【0029】
ある実施形態において、上記基板処理装置は、前記基板保持部に保持された前記基板の上方を遮断する遮断部材を更に備える。前記移動部は、前記遮断部材を移動させる。前記遮断部材は、前記液膜保持部と、前記液膜保持部を支持する支持部とを含む。前記支持部は、前記基板に対向して、前記基板の上方を遮断する。前記支持部は、ノズル挿入穴を有する。前記処理液供給部は、前記ノズル挿入穴に挿入される挿入ノズルを含む。前記挿入ノズルは、前記ノズル挿入穴に挿入された状態で、前記基板に向けて前記第１薬液及び前記第２薬液の少なくとも一方を吐出する。
【0030】
ある実施形態において、上記基板処理装置は、前記遮断部材と前記基板との間の空間から気体を排気させる排気部を更に備える。前記排気部は、前記ノズル挿入穴に挿入される吸引ノズルを含む。前記吸引ノズルは、前記ノズル挿入穴に挿入された状態で、前記遮断部材と前記基板との間の空間から気体を吸引する。
【0031】
ある実施形態において、上記基板処理装置は、カップ部と、空間形成部と、遮断部材とを更に備える。前記カップ部は、前記基板保持部に保持された前記基板を囲み、前記基板から排出される前記第１薬液及び前記第２薬液を受け止める。前記空間形成部は、前記カップ部と共に、前記基板保持部に保持された前記基板の周囲の空間を形成する。前記遮断部材は、前記基板保持部に保持された前記基板の上方を遮断する。前記遮断部材は、前記液膜保持部を含む。前記液膜保持部は、前記空間形成部の内側において上下方向に移動する。
【発明の効果】
【0032】
本発明に係る基板処理装置によれば、処理液の消費量を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【0033】
【図1】本発明の実施形態１に係る基板処理装置の模式的な平面図である。
【図2】本発明の実施形態１に係る基板処理装置に含まれる基板処理部の内部の構成を模式的に示す図である。
【図3】（ａ）は、パドル位置に位置するリング部材を示す図である。（ｂ）は、本発明の実施形態１に係る基板処理装置に含まれる吐出ノズルの移動軌跡を示す図である。
【図4】（ａ）は、パドル位置に位置するリング部材を拡大して示す模式図である。（ｂ）は、退避位置に位置するリング部材を拡大して示す模式図である。（ｃ）は、洗浄位置に位置するリング部材を拡大して示す模式図である。
【図5】（ａ）は、本発明の実施形態１に係る基板処理装置に含まれる基板保持部の第１状態を示す図である。（ｂ）は、本発明の実施形態１に係る基板処理装置に含まれる基板保持部の第２状態を示す図である。
【図6】本発明の実施形態１に係る基板処理装置に含まれる基板保持部の動作を示す図である。
【図7】本発明の実施形態１に係る基板処理装置の動作の一例を示すフローチャートである。
【図8】本発明の実施形態１に係る基板処理装置の動作の一例を示すフローチャートである。
【図9】本発明の実施形態１に係る基板処理装置の動作の一例を示すフローチャートである。
【図10】本発明の実施形態１に係る基板処理装置の動作の他例を示すフローチャートである。
【図11】本発明の実施形態１に係る基板処理装置の動作の他例を示すフローチャートである。
【図12】本発明の実施形態２に係る基板処理装置に含まれる基板処理部の内部の構成を模式的に示す図である。
【図13】本発明の実施形態３に係る基板処理装置に含まれる基板処理部の内部の構成を模式的に示す図である。
【図14】本発明の実施形態３に係る基板処理装置の動作の一例を示すフローチャートである。
【図15】本発明の実施形態３に係る基板処理装置の動作の一例を示すフローチャートである。
【図16】本発明の実施形態４に係る基板処理装置に含まれる基板処理部の内部の構成を模式的に示す図である。
【図17】本発明の実施形態４に係る基板処理装置に含まれる基板処理部の内部の構成を模式的に示す図である。
【図18】（ａ）は、パドル位置に位置する遮断部を拡大して示す模式図である。（ｂ）は、遮断部の底面図である。
【図19】（ａ）は、退避位置に位置する遮断部を拡大して示す模式図である。（ｂ）は、洗浄位置に位置する遮断部を拡大して示す模式図である。
【図20】本発明の実施形態４に係る基板処理装置の動作の一例を示すフローチャートである。
【図21】本発明の実施形態４に係る基板処理装置の動作の一例を示すフローチャートである。
【図22】本発明の実施形態４に係る基板処理装置の動作の一例を示すフローチャートである。
【図23】遮断部の他例を示す図である。
【図24】本発明の実施形態５に係る基板処理装置に含まれる基板処理部の内部の構成を模式的に示す図である。
【図25】本発明の実施形態５に係る基板処理装置に含まれる基板処理部の構成を示す図である。
【図26】本発明の実施形態５に係る基板処理装置の動作の一例を示すフローチャートである。
【図27】本発明の実施形態５に係る基板処理装置の動作の一例を示すフローチャートである。
【図28】本発明の実施形態５に係る基板処理装置の動作の一例を示すフローチャートである。
【図29】本発明の実施形態５に係る基板処理装置の動作の一例を示すフローチャートである。
【図30】本発明の実施形態５に係る基板処理装置に含まれる基板処理部の他例１の内部の構成を模式的に示す図である。
【図31】本発明の実施形態５に係る基板処理装置に含まれる基板処理部の他例２の内部の構成を模式的に示す図である。
【図32】本発明の実施形態６に係る基板処理装置に含まれる基板処理部の内部の構成を模式的に示す図である。
【発明を実施するための形態】
【0034】
以下、図面（図１～図３２）を参照して本発明の基板処理装置に係る実施形態を説明する。但し、本発明は以下の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の態様において実施することが可能である。なお、説明が重複する箇所については、適宜説明を省略する場合がある。また、図中、同一又は相当部分については同一の参照符号を付して説明を繰り返さない。
【0035】
本発明に係る基板処理装置において基板処理の対象となる「基板」には、半導体ウエハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス基板、プラズマ表示用ガラス基板、ＦＥＤ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、及び光磁気ディスク用基板などの各種の基板を適用可能である。以下では主として、円盤状の半導体ウエハを基板処理の対象とする場合を例に本発明の実施形態を説明するが、本発明に係る基板処理装置は、上記した半導体ウエハ以外の各種の基板に対しても同様に適用可能である。また、基板の形状についても、円盤状に限定されず、本発明に係る基板処理装置は、各種の形状の基板に対して適用可能である。
【0036】
［実施形態１］
まず、図１～図１１を参照して、本発明の実施形態１を説明する。図１は、本実施形態の基板処理装置１００の模式的な平面図である。基板処理装置１００は、基板Ｗを処理する。より具体的には、基板処理装置１００は、枚葉式の装置であり、処理液を用いて１枚ずつ基板Ｗを処理する。以下、処理液による基板Ｗの処理を「基板処理」と記載する場合がある。
まず、図１～図１１を参照して、本発明の実施形態１を説明する。図１は、本実施形態の基板処理装置１００の模式的な平面図である。基板処理装置１００は、基板Ｗを処理する。より具体的には、基板処理装置１００は、枚葉式の装置であり、処理液を用いて１枚ずつ基板Ｗを処理する。以下、処理液による基板Ｗの処理を「基板処理」と記載する場合がある。
【0037】
図１に示すように、基板処理装置１００は、複数の基板処理部２００と、複数のロードポートＬＰと、インデクサーロボットＩＲと、センターロボットＣＲと、制御装置１０１とを備える。
【0038】
ロードポートＬＰの各々は、複数枚の基板Ｗを積層して収容する。インデクサーロボットＩＲは、ロードポートＬＰとセンターロボットＣＲとの間で基板Ｗを搬送する。センターロボットＣＲは、インデクサーロボットＩＲと基板処理部２００との間で基板Ｗを搬送する。なお、インデクサーロボットＩＲとセンターロボットＣＲとの間に、基板Ｗを一時的に載置する載置台（パス）を設けて、インデクサーロボットＩＲとセンターロボットＣＲとの間で載置台を介して間接的に基板Ｗを受け渡しする装置構成としてもよい。
【0039】
複数の基板処理部２００は、複数のタワーＴＷ（図１では４つのタワーＴＷ）を形成している。複数のタワーＴＷは、平面視においてセンターロボットＣＲを取り囲むように配置される。各タワーＴＷは、上下に積層された複数の基板処理部２００（図１では３つの基板処理部２００）によって形成される。
【0040】
基板処理部２００の各々は、処理液を基板Ｗの上面に供給する。この結果、基板Ｗが処理される。処理液は、薬液と、リンス液とを含む。本実施形態では、処理液は、硫酸（Ｈ2ＳＯ4）と、過酸化水素水（Ｈ2Ｏ2）とを含む。リンス液は、例えば、純水（例えば、脱イオン水（ＤＩＷ：Ｄｅｉｏｎｚｉｅｄ Ｗａｔｅｒ））、炭酸水、電解イオン水、水素水、オゾン水、アンモニア水、又は希釈された塩酸水（例えば、濃度が１０ｐｐｍ～１００ｐｐｍ程度の塩酸水）を含む。より具体的には、基板処理部２００は、パドル処理と、ＳＰＭ処理と、液膜置換処理と、リンス処理と、基板乾燥処理と、リング乾燥処理とを実行する。
【0041】
本実施形態において、パドル処理は、硫酸の液膜ＬＭ１が基板Ｗの上面に支持されたパドル状態を形成する処理を示す。パドル処理により、パドル状態の硫酸の液膜ＬＭ１が基板Ｗ上で維持される。より具体的には、基板処理部２００は、図２に示すリング部材７１を用いて、パドル状態の硫酸の液膜ＬＭ１を保持する。
【0042】
ＳＰＭ処理は、基板Ｗの上面において硫酸過酸化水素混合液（ＳＰＭ：Ｓｕｌｆｕｒｉｃ Ａｃｉｄ Ｈｙｄｒｏｇｅｎ Ｐｅｒｏｘｉｄｅ Ｍｉｘｔｕｒｅ）を生成して、基板Ｗの上面に付着しているレジスト膜を除去する処理を示す。ＳＰＭ処理により、基板Ｗの上面にＳＰＭの液膜ＬＭ２が形成される。ＳＰＭは、硫酸と過酸化水素水とを混合した混合液である。ＳＰＭ処理は、パドル処理中に実行される。
【0043】
液膜置換処理は、基板Ｗの上面に形成されている処理液の液膜を、ＳＰＭの液膜ＬＭ２から過酸化水素水の液膜ＬＭ３に置換する処理を示す。
【0044】
リンス処理は、基板Ｗの上面から薬液を洗い流す処理を示す。リンス処理により、基板Ｗの上面にリンス液の液膜ＬＭ４が形成される。更に、リンス処理により、図２に示すリング部材７１が洗浄される。
【0045】
基板乾燥処理は、基板Ｗを乾燥させる処理を示す。具体的には、基板乾燥処理により、基板Ｗの上面からリンス液を排出させて、基板Ｗを乾燥させる。リング乾燥処理は、図２に示すリング部材７１を乾燥させる処理を示す。
【0046】
制御装置１０１は、基板処理装置１００の各部の動作を制御する。例えば、制御装置１０１は、ロードポートＬＰ、インデクサーロボットＩＲ、センターロボットＣＲ、及び基板処理部２００を制御する。制御装置１０１は、制御部１０２と、記憶部１０３とを含む。
【0047】
制御部１０２は、記憶部１０３に記憶されている各種情報に基づいて基板処理装置１００の各部の動作を制御する。制御部１０２は、例えば、プロセッサを有する。制御部１０２は、プロセッサとして、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）、又は、ＭＰＵ（Ｍｉｃｒｏ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）を含む。あるいは、制御部１０２は、汎用演算機又は専用演算器を有してもよい。
【0048】
記憶部１０３は、基板処理装置１００の動作を制御するための各種情報を記憶する。例えば、記憶部１０３は、データ及びコンピュータプログラムを記憶する。データは、種々のレシピデータを含む。レシピデータは、プロセスレシピを含む。プロセスレシピは、基板処理の手順を規定するデータである。
【0049】
記憶部１０３は、主記憶装置を有する。主記憶装置は、例えば、半導体メモリを含む。記憶部１０３は、補助記憶装置を更に有してもよい。補助記憶装置は、例えば、半導体メモリ及びハードディスクドライブの少なくも一方を含む。記憶部１０３はリムーバブルメディアを含んでもよい。
【0050】
【0051】
図２に示すように、基板処理部２００は、処理室２００ａと、基板保持部２と、基板回転部３と、ノズル移動部５と、カップ部６と、パドル形成部７と、リング移動部８と、排気部２０１とを有する。基板処理装置１００は、処理液供給部４と、乾燥部９とを更に備える。
【0052】
基板Ｗは、処理室２００ａ内に搬入されて、処理室２００ａ内で処理される。処理室２００ａは、略箱形状を有する。処理室２００ａは、基板保持部２と、基板回転部３と、ノズル移動部５と、カップ部６と、パドル形成部７と、リング移動部８と、排気部２０１の一部と、処理液供給部４の一部と、乾燥部９の一部とを収容する。処理室２００ａは、例えば、チャンバーである。
【0053】
基板保持部２は、基板Ｗを保持する。基板保持部２の動作は、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。より具体的には、基板保持部２は、基板Ｗを水平な姿勢で保持する。本実施形態において、基板保持部２は、スピンチャックである。基板保持部２は、複数の把持部材２１と、スピンベース２２とを有する。
【0054】
スピンベース２２は、略円板状であり、水平な姿勢で複数の把持部材２１を支持する。複数の把持部材２１は、スピンベース２２の周縁部に配置される。複数の把持部材２１は、基板Ｗを把持する。より具体的には、複数の把持部材２１は、基板Ｗの周縁部を挟持する。複数の把持部材２１により、基板Ｗが水平な姿勢で保持される。複数の把持部材２１は、基板Ｗの中心がスピンベース２２の中心と一致するように配置されている。
【0055】
基板回転部３は、基板保持部２を回転させることにより、基板保持部２に保持されている基板Ｗを回転させる。具体的には、基板回転部３は、鉛直方向に延びる第１回転軸線ＡＸ１を中心として、基板Ｗと基板保持部２とを一体に回転させる。基板回転部３の動作は、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。
【0056】
詳しくは、第１回転軸線ＡＸ１は、スピンベース２２の中心を通る。したがって、スピンベース２２は、スピンベース２２の中心を回転中心として回転する。また、既に説明したように、基板保持部２は、基板Ｗの中心がスピンベース２２の中心と一致するように基板Ｗを保持する。したがって、基板Ｗは、基板Ｗの中心を回転中心として回転する。
【0057】
基板回転部３は、例えば、シャフト３１と、モータ本体３２とを有する。シャフト３１はスピンベース２２に結合される。モータ本体３２は、シャフト３１を回転させる。その結果、スピンベース２２が回転する。モータ本体３２の動作は、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。モータ本体３２は、例えば、電動モータである。
【0058】
処理液供給部４は、基板保持部２に保持された基板Ｗの上面に処理液を供給する。本実施形態では、処理液供給部４は、第１処理液供給部４１と、第２処理液供給部４２とを含む。第１処理液供給部４１は、基板保持部２に保持された基板Ｗの上面に、硫酸と過酸化水素とを排他的に供給する。第２処理液供給部４２は、基板保持部２に保持された基板Ｗの上面にリンス液を供給する。本実施形態において、硫酸は「第１薬液」の一例であり、過酸化水素水は「第２薬液」の一例である。
【0059】
詳しくは、第１処理液供給部４１は、吐出ノズル４１ａと、第１供給配管４１１と、第２供給配管４１２と、第１開閉弁４１３と、第２開閉弁４１４と、流量調整弁４１５とを有する。吐出ノズル４１ａは、処理室２００ａに収容される。したがって、基板処理部２００は、吐出ノズル４１ａを有する。第１供給配管４１１の一部は、処理室２００ａに収容される。第１供給配管４１１の残りの部分は、処理室２００ａの外部に配置される。第２供給配管４１２、第１開閉弁４１３、第２開閉弁４１４、及び流量調整弁４１５は、処理室２００ａの外部に配置される。
【0060】
第１供給配管４１１及び第２供給配管４１２は、処理液が流通する管状の部材である。第１供給配管４１１の下流端は、吐出ノズル４１ａに接続している。第１開閉弁４１３は、第１供給配管４１１に設けられる。第２供給配管４１２の下流端は、第１開閉弁４１３の下流側において第１供給配管４１１に接続する。第２開閉弁４１４は、第２供給配管４１２に設けられる。第１開閉弁４１３及び第２開閉弁４１４は開閉可能である。第１開閉弁４１３及び第２開閉弁４１４の開閉動作は、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。
【0061】
第１供給配管４１１の上流端には、硫酸が供給される。第２供給配管４１２の上流端には、過酸化水素水が供給される。吐出ノズル４１ａは、基板Ｗの上面に向けて硫酸及び過酸化水素水を排他的に吐出する。
【0062】
詳しくは、制御装置１０１（制御部１０２）は、吐出ノズル４１ａから硫酸を吐出させる際に、第１開閉弁４１３を開状態にし、第２開閉弁４１４を閉状態にして、第１供給配管４１１を介して硫酸を流通させる。この結果、吐出ノズル４１ａに硫酸が供給されて、吐出ノズル４１ａから硫酸が吐出される。
【0063】
制御装置１０１（制御部１０２）は、吐出ノズル４１ａから過酸化水素水を吐出させる際に、第１開閉弁４１３を閉状態にし、第２開閉弁４１４を開状態にして、第２供給配管４１２から第１供給配管４１１へ過酸化水素水を流入させる。この結果、過酸化水素水が第１供給配管４１１を流通して、吐出ノズル４１ａに過酸化水素水が供給され、吐出ノズル４１ａから過酸化水素水が吐出される。
【0064】
制御装置１０１（制御部１０２）は、吐出ノズル４１ａからの処理液（硫酸及び過酸化水素）の吐出を停止させる際に、第１開閉弁４１３及び第２開閉弁４１４を閉状態にする。
【0065】
流量調整弁４１５は、第２供給配管４１２に設けられて、第２供給配管４１２を流通する過酸化水素水の流量を調整する。具体的には、流量調整弁４１５は、開度の制御が可能であり、第２供給配管４１２を流通する過酸化水素水の流量は、流量調整弁４１５の開度に応じた大きさになる。流量調整弁４１５は、例えば、モーターニードルバルブを含む。流量調整弁４１５の開度は、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。制御装置１０１（制御部１０２）は、流量調整弁４１５の開度を制御して、吐出ノズル４１ａから基板Ｗに吐出される過酸化水素水の流量を制御する。
【0066】
例えば、制御装置１０１（制御部１０２）は、ＳＰＭ処理から液膜置換処理に移行する際に、過酸化水素水の流量を増加させる。液膜置換処理時における過酸化水素水の流量を増加させることで、ＳＰＭ処理と液膜置換処理との間で過酸化水素水の流量が一定である場合と比べて、液膜置換処理に要する時間を短縮させることができる。
【0067】
ノズル移動部５は、基板Ｗの上方において、鉛直方向及び水平方向に吐出ノズル４１ａを移動させる。具体的には、ノズル移動部５は、ノズルアーム５１と、ノズル基台５２と、ノズル移動機構５３とを有する。
【0068】
ノズルアーム５１は、ノズル基台５２に結合されて、ノズル基台５２から水平方向に延びる。ノズルアーム５１は吐出ノズル４１ａを支持する。例えば、吐出ノズル４１ａは、ノズルアーム５１の先端部に結合される。ノズル基台５２は、鉛直方向に延びる。
【0069】
ノズル移動機構５３は、鉛直方向及び水平方向にノズルアーム５１を移動させる。この結果、吐出ノズル４１ａが鉛直方向及び水平方向に移動する。ノズル移動機構５３は、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。
【0070】
詳しくは、ノズル移動機構５３は、鉛直方向に延びる第２回転軸線ＡＸ２を中心にノズル基台５２を揺動させて、ノズルアーム５１を水平面に沿って揺動させる。この結果、吐出ノズル４１ａが水平面に沿って移動する。また、ノズル移動機構５３は、ノズル基台５２を鉛直方向に昇降させて、ノズルアーム５１を昇降させる。この結果、吐出ノズル４１ａが鉛直方向に移動する。ノズル移動機構５３は、例えば、ボールねじ機構と、正逆回転可能な電動モータとを含む。電動モータは、ボールねじ機構を駆動する。
【0071】
第２処理液供給部４２は、リンスノズル４２ａと、リンス供給配管４２１と、リンス開閉弁４２２とを有する。リンスノズル４２ａは、処理室２００ａに収容される。したがって、基板処理部２００は、リンスノズル４２ａを有する。リンス供給配管４２１の一部は、処理室２００ａに収容される。リンス供給配管４２１の残りの部分は、処理室２００ａの外部に配置される。リンス開閉弁４２２は、処理室２００ａの外部に配置される。
【0072】
リンス供給配管４２１は、処理液が流通する管状の部材である。リンス供給配管４２１の下流端は、リンスノズル４２ａに接続している。リンス開閉弁４２２は、リンス供給配管４２１に設けられる。リンス開閉弁４２２は開閉可能である。リンス開閉弁４２２の開閉動作は、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。
【0073】
リンス供給配管４２１の上流端には、リンス液が供給される。リンスノズル４２ａは、基板Ｗの上面に向けてリンス液を吐出する。本実施形態において、リンスノズル４２ａは、固定ノズルであり、一定の位置からリンス液を吐出する。詳しくは、制御装置１０１（制御部１０２）は、リンスノズル４２ａからリンス液を吐出させる際に、リンス開閉弁４２２を開状態にして、リンス供給配管４２１を介してリンス液を流通させる。この結果、リンスノズル４２ａにリンス液が供給されて、リンスノズル４２ａからリンス液が吐出される。
【0074】
カップ部６は、基板保持部２に保持された基板Ｗを囲み、基板Ｗから排出される処理液（硫酸、過酸化水素水、及びリンス液）を受け止める。具体的には、カップ部６は、基板保持部２に保持されている基板Ｗよりも外方に配置される。カップ部６は略筒形状を有する。カップ部６は、鉛直方向に移動可能である。
【0075】
詳しくは、基板処理部２００は、図示しないカップ移動部を有する。カップ移動部は、カップ部６を昇降させる。カップ移動部は、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。例えば、カップ部６は、基板Ｗが処理室２００ａ内に搬入される際に、下位置に位置する。このとき、カップ部６の上端６ａはスピンベース２２の上面より下方に位置する。制御装置１０１（制御部１０２）は、基板保持部２によって基板Ｗが保持されると、カップ移動部を制御して、カップ部６を上位置に移動させる。この結果、カップ部６の上端６ａが基板Ｗの上面よりも上方へ移動する。このように、カップ部６の上端６ａを基板Ｗの上面よりも上方へ移動させることにより、基板Ｗから排出される処理液（硫酸、過酸化水素水、及びリンス液）をカップ部６によって受け止めることが可能になる。制御装置１０１（制御部１０２）は、処理室２００ａから基板Ｗが搬出される際に、カップ移動部を制御して、カップ部６を上位置から下位置へ移動させる。
【0076】
パドル形成部７は、基板Ｗ上に形成された処理液の液膜を保持する。具体的には、パドル形成部７は、リング部材７１と、２つのリング支持部７２と、接続部７３とを有する。
【0077】
リング部材７１は、環状の部材である。リング部材７１は、基板保持部２に保持された基板Ｗの上方に位置し、基板Ｗに対向する。リング支持部７２はそれぞれ、リング部材７１を支持する。リング支持部７２は、棒状の部材である。リング部材７１は、リング支持部７２の下端部に接続する。リング支持部７２はそれぞれ、リング部材７１から上方向へ延びる。接続部７３は、２つのリング支持部７２に接続する棒状の部材である。例えば、接続部７３は、２つのリング支持部７２の上端部に接続してもよい。
【0078】
リング移動部８は、基板Ｗの上方においてパドル形成部７を上下方向に移動させる。具体的には、リング移動部８は、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御されて、パドル形成部７を昇降させる。制御装置１０１（制御部１０２）は、リング移動部８を制御して、リング部材７１の上下方向の位置を変化させる。リング移動部８は、リングアーム８１と、リング基台８２と、リング移動機構８３とを有する。
【0079】
リングアーム８１は、リング基台８２に結合されて、リング基台８２から水平方向に延びる。リングアーム８１はパドル形成部７を支持する。例えば、リングアーム８１の先端部がパドル形成部７の接続部７３に結合される。リング基台８２は、鉛直方向に延びる。
【0080】
リング移動機構８３は、鉛直方向にリングアーム８１を移動させる。この結果、パドル形成部７が鉛直方向に移動する。つまり、パドル形成部７が昇降する。リング移動機構８３は、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。
【0081】
詳しくは、リング移動機構８３は、リング基台８２を鉛直方向に昇降させて、リングアーム８１を昇降させる。この結果、パドル形成部７が鉛直方向に移動する。リング移動機構８３は、例えば、ボールねじ機構と、正逆回転可能な電動モータとを含む。電動モータは、ボールねじ機構を駆動する。
【0082】
リング部材７１は、例えば、処理室２００ａ内に基板Ｗが搬入される際に待機位置Ｐ１に位置する。図２は、待機位置Ｐ１に位置するリング部材７１を示す。待機位置Ｐ１は、基板保持部２の上方の位置である。制御装置１０１（制御部１０２）は、パドル処理を実行する前に、リング移動部８を制御して、リング部材７１を待機位置Ｐ１からパドル位置Ｐ２まで移動させる。パドル位置Ｐ２は、待機位置Ｐ１よりも下方の位置である。パドル位置Ｐ２については、図３（ａ）及び図４（ａ）を参照して後述する。また、制御装置１０１（制御部１０２）は、リング移動部８を制御して、リング部材７１を、退避位置Ｐ３及び洗浄位置Ｐ４へ移動させる。退避位置Ｐ３については、図４（ｂ）を参照して後述する。洗浄位置Ｐ４については、図４（ｃ）を参照して後述する。
【0083】
乾燥部９は、リング部材７１を乾燥させる。本実施形態では、乾燥部９は、リング部材７１に気体を吹き付けてリング部材７１を乾燥させる。気体は、例えば、窒素ガスのような不活性ガスを含む。
【0084】
具体的には、乾燥部９は、リング部材７１が乾燥位置に位置する際にリング部材７１を乾燥させる。乾燥位置は、パドル位置Ｐ２よりも上方の位置である。本実施形態では、乾燥位置は、待機位置Ｐ１と同じ位置である。但し、乾燥位置は、待機位置Ｐ１と異なる位置であってもよい。
【0085】
詳しくは、乾燥部９は、乾燥ノズル９ａと、ガス供給配管９ｂと、ガス開閉弁９ｃとを有する。乾燥ノズル９ａは、処理室２００ａに収容される。したがって、基板処理部２００は、乾燥ノズル９ａを有する。ガス供給配管９ｂの一部は、処理室２００ａに収容される。ガス供給配管９ｂの残りの部分は、処理室２００ａの外部に配置される。ガス開閉弁９ｃは、処理室２００ａの外部に配置される。
【0086】
ガス供給配管９ｂは、気体が流通する管状の部材である。ガス供給配管９ｂの下流端は、乾燥ノズル９ａに接続している。ガス開閉弁９ｃは、ガス供給配管９ｂに設けられる。ガス開閉弁９ｃは開閉可能である。ガス開閉弁９ｃの開閉動作は、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。
【0087】
ガス供給配管９ｂの上流端には、気体が供給される。乾燥ノズル９ａは、リング部材７１に向けて気体を吐出して、リング部材７１を乾燥させる。具体的には、制御装置１０１（制御部１０２）は、リング部材７１を乾燥させる際に、ガス開閉弁９ｃを開状態にして、ガス供給配管９ｂを介して気体を流通させる。この結果、乾燥ノズル９ａに気体が供給されて、乾燥ノズル９ａから気体が吐出される。
【0088】
排気部２０１は、処理室２００ａの下部に配置される。排気部２０１は、処理室２００ａ内の気体を排気する。排気部２０１は、排気ダクト２０２と、排気ファン２０３とを有する。排気ファン２０３は、排気ダクト２０２に配置される。排気ファン２０３は、処理室２００ａから気体を排気する。具体的には、排気ファン２０３が駆動することにより、処理室２００ａ内の気体が排気ダクト２０２に流入する。この結果、処理室２００ａから排気される気体が排気ダクト２０２を流れる。
【0089】
排気ダクト２０２は、基板処理装置１００が設置される工場に設けられた排気設備に気体を案内する。したがって、排気ファン２０３が駆動することにより、処理室２００ａ内の気体が排気ダクト２０２を介して排気設備に案内される。
【0090】
図３（ａ）は、パドル位置Ｐ２に位置するリング部材７１を示す図である。図３（ａ）に示すように、リング部材７１は、パドル位置Ｐ２に位置するとき、基板保持部２に保持された基板Ｗの上面に近接する。詳しくは、パドル位置Ｐ２は、基板Ｗ上に形成された処理液の液膜をリング部材７１が囲む位置である。リング部材７１は、パドル位置Ｐ２へ移動することで、基板Ｗの上面に形成された処理液の液膜を囲み、処理液の液膜を保持する。本実施形態において、リング部材７１は、パドル処理の実行時にパドル位置Ｐ２に位置して、硫酸の液膜ＬＭ１を囲む。また、リング部材７１は、ＳＰＭ処理の実行時にパドル位置Ｐ２に位置して、ＳＰＭの液膜ＬＭ２を囲む。リング部材７１は「液膜保持部」の一例である。
【0091】
図３（ｂ）は、本実施形態の基板処理装置１００に含まれる吐出ノズル４１ａの移動軌跡ＴＪを示す図である。図３（ｂ）に示すように、ノズル移動部５は、基板Ｗの中心位置ＣＴに対向する位置を通る円弧状の移動軌跡ＴＪに沿って吐出ノズル４１ａを水平に移動させる。
【0092】
制御装置１０１（制御部１０２）は、吐出ノズル４１ａから硫酸を吐出させる際に、ノズル移動部５を制御して、基板保持部２に保持された基板Ｗの中心位置ＣＴに対向する位置へ吐出ノズル４１ａを移動させる。そして、制御装置１０１（制御部１０２）は、第１処理液供給部４１を制御して、吐出ノズル４１ａから硫酸を吐出させる。この結果、吐出ノズル４１ａが基板Ｗの中心位置ＣＴに対向する位置から基板Ｗの中央部に向けて硫酸を吐出する。
【0093】
制御装置１０１（制御部１０２）は、吐出ノズル４１ａから過酸化水素水を吐出させる際に、ノズル移動部５を制御して、基板保持部２に保持された基板Ｗの上方で吐出ノズル４１ａで移動させつつ、第１処理液供給部４１を制御して、吐出ノズル４１ａから過酸化水素水を吐出させる。その結果、吐出ノズル４１ａは、基板Ｗの上方を水平方向に移動しながら過酸化水素水を吐出する。
【0094】
詳しくは、吐出ノズル４１ａは、ＳＰＭ処理時に、基板Ｗの上方を水平方向に移動しながら過酸化水素水を連続流で吐出する。具体的には、移動軌跡ＴＪは、基板Ｗの端部ＥＧに対向する位置のうちの２か所通過する。以下、基板Ｗの端部ＥＧに対向する位置を、「端部対向位置」と記載する場合がある。制御装置１０１（制御部１０２）は、２か所の端部対向位置の間で吐出ノズル４１ａを移動させながら、吐出ノズル４１ａから過酸化水素水を吐出させてもよい。つまり、制御装置１０１（制御部１０２）は、吐出ノズル４１ａをフルスキャンさせてもよい。あるいは、制御装置１０１（制御部１０２）は、２か所の端部対向位置のうちの一方と、基板Ｗの中心位置ＣＴに対向する位置との間で吐出ノズル４１ａを移動させながら、吐出ノズル４１ａから過酸化水素水を吐出させてもよい。つまり、制御装置１０１（制御部１０２）は、吐出ノズル４１ａをハーフスキャンさせてもよい。
【0095】
吐出ノズル４１ａは、液膜置換処理時に、基板Ｗの中心位置ＣＴに対向する位置から過酸化水素水を連続流で吐出する。具体的には、制御装置１０１（制御部１０２）が、ノズル移動部５を制御して、基板保持部２に保持された基板Ｗの中心位置ＣＴに対向する位置へ吐出ノズル４１ａを移動させた後、第１処理液供給部４１を制御して、吐出ノズル４１ａから過酸化水素水を連続流で吐出させる。なお、制御装置１０１（制御部１０２）は、液膜置換処理の実行時に、吐出ノズル４１ａをフルスキャン又はハーフスキャンさせてもよい。
【0096】
続いて、図３（ａ）及び図３（ｂ）を参照して、パドル形成部７を説明する。図３（ａ）及び図３（ｂ）に示すように、リング部材７１は、基板Ｗの周縁部に対向する。詳しくは、リング部材７１の直径は、基板Ｗの直径より小さい。より詳しくは、リング部材７１がパドル位置Ｐ２へ移動したとき、リング部材７１は、図２を参照して説明した複数の把持部材２１の内側に位置する。
【0097】
２つのリング支持部７２は、移動軌跡ＴＪに沿って移動する吐出ノズル４１ａと干渉しない位置に配置される。本実施形態では、リングアーム８１は、接続部７３の中央部に結合する。接続部７３の中央部は、基板Ｗの中心位置ＣＴに対向する。
【0098】
続いて、図４（ａ）を参照して、パドル位置Ｐ２を説明する。図４（ａ）は、パドル位置Ｐ２に位置するリング部材７１を拡大して示す模式図である。なお、図４（ａ）～図４（ｃ）は、リング部材７１の断面を示している。
【0099】
図４（ａ）に示すように、パドル位置Ｐ２は、基板Ｗの上方の位置であって、リング部材７１が基板Ｗに接触しない位置であるとともに、処理液がリング部材７１の下面７１ｂと基板Ｗの上面との隙間から漏れ出さない位置である。
【0100】
制御装置１０１（制御部１０２）は、パドル処理を実行する際に、リング移動部８を制御して、リング部材７１をパドル位置Ｐ２へ移動させた後、第１処理液供給部４１を制御して、基板Ｗの上面を覆う量の硫酸を吐出ノズル４１ａから吐出させる。この結果、リング部材７１により硫酸の液膜ＬＭ１が保持される。詳しくは、リング部材７１によって硫酸が堰き止められる。したがって、硫酸は基板Ｗから排出されない。
【0101】
制御装置１０１（制御部１０２）は、パドル処理の実行中に、第１処理液供給部４１を制御して、基板Ｗに過酸化水素水を供給させる。この結果、パドル処理中にＳＰＭ処理が実行される。制御装置１０１（制御部１０２）は、ＳＰＭ処理の終了時までリング部材７１をパドル位置Ｐ２に位置させる。この結果、リング部材７１によりＳＰＭの液膜ＬＭ２が保持される。
【0102】
続いて、図４（ｂ）を参照して、退避位置Ｐ３を説明する。図４（ｂ）は、退避位置Ｐ３に位置するリング部材７１を拡大して示す模式図である。図４（ｂ）に示すように、退避位置Ｐ３は、図４（ａ）に示すパドル位置Ｐ２より上方の位置であって、ＳＰＭの液膜ＬＭ２を囲まない位置を示す。より詳しくは、退避位置Ｐ３は、図２に示す待機位置Ｐ１よりも下方の位置を示す。ＳＰＭは、「混合液」の一例である。
【0103】
制御装置１０１（制御部１０２）は、リング移動部８を制御して、パドル位置Ｐ２と退避位置Ｐ３との間でリング部材７１を移動させる。具体的には、制御装置１０１（制御部１０２）は、ＳＰＭ処理後に、リング移動部８を制御して、リング部材７１をパドル位置Ｐ２から退避位置Ｐ３へ移動させる。この結果、ＳＰＭの液膜ＬＭ２が基板Ｗの上面に支持されたパドル状態が解除される。
【0104】
制御装置１０１（制御部１０２）は、リング部材７１を退避位置Ｐ３へ移動させた後、液膜置換処理を実行する。具体的には、制御装置１０１（制御部１０２）は、第１処理液供給部４１を制御して、過酸化水素水を基板Ｗに供給させる。この結果、基板ＷからＳＰＭが排出されて、基板Ｗ上の処理液の液膜が、ＳＰＭの液膜ＬＭ２から過酸化水素水の液膜ＬＭ３へ置換される。
【0105】
なお、液膜置換処理時に、過酸化水素水は基板Ｗから排出される。制御装置１０１（制御部１０２）は、第１処理液供給部４１を制御して、基板Ｗから過酸化水素水を排出させつつ、基板Ｗ上に過酸化水素水の液膜ＬＭ３を形成する。
【0106】
続いて、図４（ｃ）を参照して、洗浄位置Ｐ４を説明する。図４（ｃ）は、洗浄位置Ｐ４に位置するリング部材７１を拡大して示す模式図である。図４（ｃ）に示すように、洗浄位置Ｐ４は、リンス液の液膜ＬＭ４を囲む位置である。詳しくは、洗浄位置Ｐ４は、図４（ｂ）に示す退避位置Ｐ３より下方の位置であるとともに、図４（ａ）に示すパドル位置Ｐ２よりも上方の位置である。より詳しくは、洗浄位置Ｐ４は、リング部材７１の下面７１ｂと基板Ｗの上面との隙間から処理液が漏れ出る位置である。
【0107】
制御装置１０１（制御部１０２）は、液膜置換処理の後にリンス処理を実行する。具体的には、制御装置１０１（制御部１０２）は、液膜置換処理の実行後、第２処理液供給部４２を制御して、基板Ｗの上面にリンス液を供給させる。この結果、基板Ｗの上面にリンス液の液膜ＬＭ４が形成される。詳しくは、基板Ｗ上の処理液の液膜が、過酸化水素水の液膜ＬＭ３からリンス液の液膜ＬＭ４に置換される。
【0108】
リング部材７１は、リンス処理時に洗浄位置Ｐ４に位置する。つまり、リング部材７１は、基板Ｗにリンス液が供給される際に洗浄位置Ｐ４に位置する。リング部材７１は、リンス液の供給開始前に退避位置Ｐ３から洗浄位置Ｐ４へ移動してもよい。あるいは、リング部材７１は、リンス液の供給開始後に退避位置Ｐ３から洗浄位置Ｐ４へ移動してもよい。つまり、リング部材７１は、基板Ｗ上にリンス液の液膜ＬＭ４が形成された後に退避位置Ｐ３から洗浄位置Ｐ４へ移動してもよい。例えば、制御装置１０１（制御部１０２）は、リング移動部８を制御して、リング部材７１を退避位置Ｐ３から洗浄位置Ｐ４へ移動させた後、第２処理液供給部４２を制御して、基板Ｗの上面にリンス液を供給させてもよい。
【0109】
本実施形態によれば、リンス処理時にリング部材７１が洗浄位置Ｐ４に位置することにより、リング部材７１をリンス液によって洗浄することができる。具体的には、リング部材７１に付着した薬液をリンス液によって洗い流すことができる。
【0110】
なお、図４（ｃ）に示すリンス液の液膜ＬＭ４の液面位置は、リング部材７１の上面７１ｃを越えていないが、リンス液の液膜ＬＭ４の液面位置は、リング部材７１の上面７１ｃを越えてもよい。この場合、リンス液は、リング部材７１の下面７１ｂと基板Ｗの上面との隙間を流れて基板Ｗから排出されるとともに、リング部材７１の上面７１ｃを越えて基板Ｗから排出される。その結果、リンス液により、リング部材７１の内周面７１ａ、下面７１ｂ、上面７１ｃ、及び外周面７１ｄが洗浄される。
【0111】
続いて、図４（ａ）及び図４（ｃ）を参照して、リング部材７１を説明する。図４（ａ）及び図４（ｃ）に示すように、リング部材７１の内周面７１ａ及び下面７１ｂは、処理液に接する接液面である。本実施形態において、リング部材７１の内周面７１ａ及び下面７１ｂは、疎水面を含む。疎水面は、処理液に対して撥水性を有する。
【0112】
本実施形態によれば、リング部材７１の接液面が疎水面であるため、リング部材７１の接液面が親水性である場合と比べて、リング部材７１を乾燥させる処理に要する時間を短縮できる。また、リング部材７１の接液面が疎水面であるため、リング部材７１の接液面が親水性である場合と比べて、リング部材７１の接液面に処理液が付着し難い。この結果、図２に示す待機位置Ｐ１に位置するリング部材７１から基板Ｗに処理液が落ちる不具合が発生する可能性を低減できる。なお、リング部材７１の表面の全部分（内周面７１ａ、下面７１ｂ、上面７１ｃ、及び外周面７１ｄ）が疎水面であってもよい。
【0113】
続いて、図５（ａ）、図５（ｂ）及び図６を参照して、基板保持部２を説明する。図５（ａ）は、本実施形態の基板処理装置１００に含まれる基板保持部２の第１状態を示す図である。図５（ｂ）は、本実施形態の基板処理装置１００に含まれる基板保持部２の第２状態を示す図である。図６は、本実施形態の基板処理装置１００に含まれる基板保持部２の動作を示す図である。
【0114】
図５（ａ）に示すように、基板保持部２は、複数の把持部材２１と、スピンベース２２とに加えて、複数の支持部材２３と、複数の台座２５と、把持部回転機構２７とを更に有する。
【0115】
複数の台座２５は、スピンベース２２の周縁部に配置される。台座２５はそれぞれ、複数の把持部材２１のうちの１つと、複数の支持部材２３のうちの１つとを支持する。支持部材２３はそれぞれ、対応する台座２５から上方向に突出する。
【0116】
基板保持部２は、支持位置と把持位置との２つの位置で基板Ｗを水平に保持する。支持位置は、把持位置より下方の位置である。具体的には、複数の支持部材２３が基板Ｗの周縁部を支持する。複数の支持部材２３が基板Ｗを支持することにより、基板Ｗが支持位置で保持される。既に説明したように、複数の把持部材２１は、基板Ｗの周縁部を把持する。複数の把持部材２１が基板Ｗの把持することにより、基板Ｗが把持位置で保持される。図５（ａ）に示すように、第１状態の基板保持部２は、支持位置で基板Ｗを保持する。図５（ｂ）に示すように、第２状態の基板保持部２は、把持位置で基板Ｗを保持する。
【0117】
把持部材２１はそれぞれ、水平方向に開いたＶ字状の保持溝２６を有している。保持溝２６はそれぞれ、内方（基板Ｗの中心位置ＣＴ側）に向けられている。把持部材２１はそれぞれ、台座２５に対して、対応する第３回転軸線ＡＸ３を中心に回転自在である。支持部材２３はそれぞれ、対応する第３回転軸線ＡＸ３より内方（基板Ｗの中心位置ＣＴ側）に配置される。なお、第３回転軸線ＡＸ３はそれぞれ鉛直方向に延びる。
【0118】
把持部回転機構２７は、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御されて、各第３回転軸線ＡＸ３を中心に各把持部材２１を同期させて回転させる。把持部回転機構２７は、例えばスピンベース２２内に収容される。把持部回転機構２７は、各把持部材２１が基板Ｗの周端面に接触する把持接触位置と、各把持部材２１が基板Ｗの周端面から離れる把持退避位置との間で、各把持部材２１を同期させて回転させる。
【0119】
具体的には、図６に示すように、把持部回転機構２７は、各把持部材２１を第１回転方向Ｒ１及び第２回転方向Ｒ２に回転させる。第１回転方向Ｒ１は、第２回転方向Ｒ２とは反対の回転方向である。第１回転方向Ｒ１及び第２回転方向Ｒ２は、対応する第３回転軸線ＡＸ３を回転中心とする回転方向を示す。複数の支持部材２３が基板Ｗを支持している状態で、各把持部材２１が第１回転方向Ｒ１へ回転すると、各把持部材２１が基板Ｗの周端面に接触する。その結果、複数の把持部材２１によって基板Ｗが把持される。すなわち、基板保持部２の状態が第１状態から第２状態へ遷移する。複数の把持部材２１が基板Ｗを把持している状態で、各把持部材２１が第２回転方向Ｒ２へ回転すると、各把持部材２１が基板Ｗの周端面から離れる。その結果、複数の支持部材２３によって基板Ｗが支持される。すなわち、基板保持部２の状態が第２状態から第１状態へ遷移する。
【0120】
例えば、処理室２００ａ内に基板Ｗが搬入される際の基板保持部２の状態は第１状態であり、図１に示すセンターロボットＣＲは、基板Ｗを複数の支持部材２３に載置する。この結果、各支持部材２３の上端部が基板Ｗの下面の周縁部に点接触し、基板Ｗが支持位置で水平に保持される。
【0121】
基板Ｗが支持位置で水平に保持された状態で、把持部回転機構２７が複数の把持部材２１を把持退避位置から把持接触位置へ第１回転方向Ｒ１に回転させることにより、基板Ｗの周縁部が各保持溝２６内に入り込むとともに、各保持溝２６の傾斜によって基板Ｗが上方に持ち上げられる。この結果、基板Ｗの下面が複数の支持部材２３から離れて、基板Ｗが把持位置で水平に保持される。
【0122】
続いて、図１～図９を参照して、本実施形態の基板処理装置１００の動作を説明する。図７～図９は、本実施形態の基板処理装置１００の動作の一例を示すフローチャートである。詳しくは、図７～図９は、制御装置１０１（制御部１０２）が実行する処理の流れの一例を示す。図７～図９に示す処理は、ステップＳ１～ステップＳ２３を含む。
【0123】
図７に示すように、制御装置１０１（制御部１０２）は、基板Ｗを処理する際に、まず、センターロボットＣＲを制御して、処理室２００ａ内へ基板Ｗを搬入させる（ステップＳ１）。詳しくは、センターロボットＣＲは、基板保持部２の複数の支持部材２３に基板Ｗを載置する。この結果、基板Ｗが支持位置で保持される。
【0124】
制御装置１０１（制御部１０２）は、基板Ｗが支持位置で支持されると、把持部回転機構２７を制御して、把持部材２１をそれぞれ把持退避位置から把持接触位置へ第１回転方向Ｒ１に回転させる。この結果、複数の把持部材２１によって基板Ｗが把持されて、基板Ｗが把持位置で保持される（ステップＳ２）。
【0125】
複数の把持部材２１によって基板Ｗが把持されると、制御装置１０１（制御部１０２）は、基板回転部３を制御して、第１回転速度で基板を回転させる（ステップＳ３）。第１回転速度は、基板Ｗの中央部に吐出された処理液を、遠心力によって基板Ｗの周縁部まで拡げる回転速度を示す。第１回転速度は、例えば、５０ｒｐｍである。
【0126】
基板Ｗの回転速度が第１回転速度に達すると、制御装置１０１（制御部１０２）は、リング移動部８を制御して、リング部材７１を待機位置Ｐ１からパドル位置Ｐ２まで下降させる（ステップＳ４）。
【0127】
リング部材７１がパドル位置Ｐ２に移動すると、制御装置１０１（制御部１０２）は、吐出ノズル４１ａから硫酸を吐出させる（ステップＳ５）。詳しくは、制御装置１０１（制御部１０２）は、ノズル移動部５を制御して、基板Ｗの中心位置ＣＴに対向する位置へ吐出ノズル４１ａを移動させる。なお、吐出ノズル４１ａは、移動する前にノズル待機位置に位置する。ノズル待機位置は、例えば、カップ部６の外側の位置であってもよい。基板Ｗの中心位置ＣＴに対向する位置に吐出ノズル４１ａが移動すると、制御装置１０１（制御部１０２）は、第１処理液供給部４１を制御して、吐出ノズル４１ａから硫酸を吐出させる。この結果、基板Ｗの上面に硫酸の液膜ＬＭ１が形成される。また、リング部材７１により、硫酸の液膜ＬＭ１が基板Ｗ上で保持される。
【0128】
制御装置１０１（制御部１０２）は、リング部材７１によって硫酸の液膜ＬＭ１が保持されている際に、基板回転部３を制御して、パドル処理を実行する。換言すると、制御装置１０１（制御部１０２）は、基板Ｗの上面に硫酸の液膜ＬＭ１が形成された後にパドル処理を実行する。本実施形態では、制御装置１０１（制御部１０２）は、基板Ｗの回転を停止させる（ステップＳ６）。この結果、硫酸の液膜ＬＭ１がパドル状態となる。
【0129】
制御装置１０１（制御部１０２）は、基板Ｗの回転を停止させた後、ＳＰＭ処理を実行する。詳しくは、制御装置１０１（制御部１０２）は、ノズル移動部５を制御して、吐出ノズル４１ａを移動させつつ、第１処理液供給部４１を制御して、吐出ノズル４１ａから過酸化水素水を吐出させる（ステップＳ７）。具体的には、吐出ノズル４１ａは、ハーフスキャン又はフルスキャンしながら過酸化水素水を基板Ｗの上面に向けて吐出する。この結果、基板Ｗの上面にＳＰＭの液膜ＬＭ２が形成されて、基板Ｗが処理される。
【0130】
なお、制御装置１０１（制御部１０２）は、ＳＰＭ処理時に流量調整弁４１５を制御して、硫酸と過酸化水素水との混合比が所定の範囲内に収まるように、過酸化水素水の流量を調整する。
【0131】
ＳＰＭ処理は、吐出ノズル４１ａがハーフスキャン又はフルスキャンを既定回数実行することによって終了する。具体的には、制御装置１０１（制御部１０２）は、吐出ノズル４１ａがハーフスキャン又はフルスキャンを実行した回数が既定回数に達すると、第１処理液供給部４１を制御して、基板Ｗへの過酸化水素水の吐出を停止させる。この結果、ＳＰＭ処理が終了する。制御装置１０１（制御部１０２）は、ＳＰＭ処理を終了させた後、ノズル移動部５を制御して、基板Ｗの中心位置ＣＴに対向する位置へ吐出ノズル４１ａを移動させる。なお、既定回数は、記憶部１０３に予め記憶されている。
【0132】
制御装置１０１（制御部１０２）は、ＳＰＭ処理の終了後、リング移動部８を制御して、リング部材７１をパドル位置Ｐ２から退避位置Ｐ３へ上昇させる（ステップＳ８）。この結果、ＳＰＭの液膜ＬＭ２のパドル状態が解除される。
【0133】
制御装置１０１（制御部１０２）は、リング部材７１をパドル位置Ｐ２から退避位置Ｐ３へ移動させた後、ＳＰＭ減少処理を実行する。具体的には、図８に示すように、制御装置１０１（制御部１０２）は、基板回転部３を制御して、基板Ｗを第２回転速度で回転させる（ステップＳ９）。第２回転速度は、基板Ｗ上のＳＰＭの量を減少させる回転速度を示す。詳しくは、第２回転速度は、基板Ｗ上のＳＰＭを基板Ｗの周縁部から基板Ｗの外部に排出させる回転速度を示す。第２回転速度は、例えば、２００ｒｐｍである。
【0134】
制御装置１０１（制御部１０２）は、ＳＰＭ減少処理を開始してから経過した時間が第１既定時間に達すると、基板Ｗの回転を停止させる（ステップＳ１０）。第１既定時間は、記憶部１０３に予め記憶されている。第１既定時間は、基板Ｗ上のＳＰＭのうちの一部のみを基板Ｗから排出させる時間の長さを示す。換言すると、第１既定時間は、基板Ｗ上のＳＰＭの全部が排出されないようにする時間の長さに設定される。ＳＰＭ減少処理により、基板Ｗ上のＳＰＭの量が減少する。詳しくは、ＳＰＭの液膜ＬＭ２の厚みが薄くなる。
【0135】
制御装置１０１（制御部１０２）は、基板Ｗの回転を停止させた後、複数の把持部材２１による基板Ｗの把持を解除する（ステップＳ１１）。具体的には、制御装置１０１（制御部１０２）は、把持部回転機構２７を制御して、把持部材２１をそれぞれ把持接触位置から把持退避位置へ第２回転方向Ｒ２に回転させる。この結果、複数の支持部材２３によって基板Ｗが支持されて、基板Ｗが支持位置で保持される。
【0136】
基板Ｗが支持位置で保持された後、制御装置１０１（制御部１０２）は、液膜置換処理を実行する。具体的には、制御装置１０１（制御部１０２）は、まず、基板回転部３を制御して、基板Ｗを第３回転速度で回転させる（ステップＳ１２）。制御装置１０１（制御部１０２）は、基板Ｗの回転速度が第３回転速度に達すると、第１処理液供給部４１を制御して、吐出ノズル４１ａから過酸化水素水を連続流で吐出させる（ステップＳ１３）。この結果、基板Ｗ上の処理液の液膜が、ＳＰＭの液膜ＬＭ２から過酸化水素水の液膜ＬＭ３に置換される。
【0137】
詳しくは、第３回転速度は、基板Ｗの中央部に吐出された処理液を遠心力によって基板Ｗの周縁部まで拡げる回転速度であって、複数の支持部材２３によって支持された基板Ｗの位置がずれない回転速度を示す。第３回転速度は、例えば、３００ｒｐｍである。
【0138】
制御装置１０１（制御部１０２）は、基板Ｗを第３回転速度で回転させつつ、過酸化水素水を連続流で基板Ｗに供給させる。この結果、基板Ｗ上で過酸化水素水の液膜ＬＭ３が拡がるとともに、ＳＰＭの液膜ＬＭ２が過酸化水素水の液膜ＬＭ３によって押し流されて、基板ＷからＳＰＭが排出され、基板Ｗ上の処理液の液膜が、ＳＰＭの液膜ＬＭ２から過酸化水素水の液膜ＬＭ３に置換される。
【0139】
なお、液膜置換処理では、過酸化水素水の液膜ＬＭ３によってＳＰＭの液膜ＬＭ２を基板Ｗの外部に押し出す必要があるため、ＳＰＭ処理と比べて大量の過酸化水素水が必要となる。したがって、制御装置１０１（制御部１０２）は、液膜置換処理時に流量調整弁４１５を制御して、ＳＰＭ処理時よりも過酸化水素水の流量を増加させる。
【0140】
本実施形態によれば、制御装置１０１（制御部１０２）は、液膜置換処理時に複数の支持部材２３に基板Ｗを支持させる。したがって、液膜置換処理時に、基板Ｗは複数の把持部材２１によって把持されていない。その結果、液膜処理時に、応力に起因する不具合が基板Ｗに発生することを回避できる。
【0141】
詳しくは、ＳＰＭ処理で使用する硫酸の温度は１００℃以上である。例えば、硫酸の温度は１２０℃又は１７０℃である。更に、ＳＰＭ処理時には、硫酸と過酸化水素水とが反応して、反応熱が発生する。このため、ＳＰＭ処理により基板Ｗは高温となる。一方、過酸化水素の温度は、硫酸の温度より低い。例えば、過酸化水素の温度は室温に略等しい。したがって、液膜置換処理時には、高温の基板Ｗの上面に、基板Ｗより低温の過酸化水素が供給される。その結果、基板Ｗに反りが発生するおそれがある。液膜置換処理時に複数の把持部材２１によって基板Ｗの周縁部を把持している状態で基板Ｗに反りが発生すると、基板Ｗの内部に応力が発生して、応力に起因する不具合が基板Ｗに発生する可能性がある。これに対し、本実施形態によれば、液膜置換処理時に基板Ｗを把持しないため、応力に起因する不具合が基板Ｗに発生することを回避できる。
【0142】
また、本実施形態によれば、液膜置換処理時にリング部材７１が退避位置Ｐ３に退避している。したがって、基板Ｗに反りが発生して基板Ｗの周縁部が持ち上がったとしても、リング部材７１は基板Ｗと干渉しない。よって、リング部材７１が基板Ｗと干渉することに起因する不具合が基板Ｗに発生することを回避できる。
【0143】
更に、液膜置換処理時には、ＳＰＭ処理時と比べて大量の過酸化水素水を基板Ｗに供給するため、基板Ｗから大量のヒューム（煙のような気体）が発生する。ヒュームは、硫酸と過酸化水素水とが反応することに起因して発生する。本実施形態によれば、液膜置換処理の前に基板Ｗ上のＳＰＭの量を減らすことができる。換言すると、液膜置換処理の前に基板Ｗ上の硫酸の量を減らすことができる。したがって、基板Ｗから発生するヒュームの量を減らすことができる。また、液膜置換処理の前に基板Ｗ上のＳＰＭの量を減らすことにより、液膜置換処理に要する時間を短くすることができる。
【0144】
なお、液膜置換処理時に、吐出ノズル４１ａは、ハーフスキャン又はフルスキャンしながら過酸化水素水を基板Ｗの上面に向けて吐出してもよい。
【0145】
制御装置１０１（制御部１０２）は、液膜置換処理を開始してから経過した時間が第２既定時間に達すると、第１処理液供給部４１を制御して、過酸化水素の吐出を停止させる。この結果、液膜置換処理が終了する。制御装置１０１（制御部１０２）は、過酸化水素の吐出を停止させた後、ノズル移動部５を制御して、吐出ノズル４１ａをノズル待機位置へ移動させる。更に、制御装置１０１（制御部１０２）は、第２既定時間が経過した後、基板回転部３を制御して、基板Ｗの回転を停止させる（ステップＳ１４）。基板Ｗの回転が停止すると、制御装置１０１（制御部１０２）は、ステップＳ２と同様に、複数の把持部材２１に基板Ｗを把持させる（ステップＳ１５）。なお、第２既定時間は、記憶部１０３に予め既定されている。第２既定時間は、例えば、基板Ｗの温度が室温に略等しい温度に戻って基板Ｗの反りが解消されるのに要する時間の長さに基づいて設定してもよい。
【0146】
図９に示すように、制御装置１０１（制御部１０２）は、複数の把持部材２１に基板Ｗを把持させた後、リンス処理を実行する（ステップＳ１６）。具体的には、制御装置１０１（制御部１０２）は、複数の把持部材２１に基板Ｗを把持させた後、基板回転部３を制御して、基板Ｗを第４回転速度で回転させる。基板Ｗの回転速度が第４回転速度に達すると、制御装置１０１（制御部１０２）は、第２処理液供給部４２を制御して、リンスノズル４２ａから基板Ｗの中央部に向けてリンス液を連続流で吐出させる。この結果、リンス液により基板Ｗ上の薬液（過酸化水素水）が洗い流されて、基板Ｗ上にリンス液の液膜ＬＭ４が形成される。
【0147】
なお、第４回転速度は、基板Ｗの中央部に吐出された処理液を、遠心力によって基板Ｗの外周部から基板Ｗの外部へ排出させる回転速度を示す。詳しくは、第４回転速度は、第３回転速度より速い回転速度を示す。例えば、第４回転速度は、５００ｒｐｍである。
【0148】
制御装置１０１（制御部１０２）は、リンス処理中に、リング移動部８を制御して、リング部材７１を退避位置Ｐ３から洗浄位置Ｐ４へ下降させる（ステップＳ１７）。この結果、リンス液によってリング部材７１が洗浄される。
【0149】
本実施形態によれば、リンス処理時にリング部材７１を洗浄位置Ｐ４へ移動させて、リンス液によってリング部材７１を洗浄することができる。更に、本実施形態によれば、リンス処理時に基板Ｗを第４回転速度で回転させることにより、リンス処理に要する時間を短くすることができる。
【0150】
なお、制御装置１０１（制御部１０２）は、リング部材７１を退避位置Ｐ３から洗浄位置Ｐ４へ下降させる前に、基板回転部３を制御して、基板Ｗを第５回転速度で回転させてもよい。この場合、基板Ｗの回転速度が第５回転速度に達すると、制御装置１０１（制御部１０２）は、リング移動部８を制御して、リング部材７１を退避位置Ｐ３から洗浄位置Ｐ４へ下降させる。第５回転速度は、第４回転速度より遅い回転速度を示す。より詳しくは、第５回転速度は、第１回転速度より遅い回転速度を示す。例えば、第５回転速度は、１０ｒｐｍである。
【0151】
具体的には、リング部材７１を洗浄する際に基板Ｗを第４回転速度で回転させた場合、リンス液がリング部材７１によって液跳ねする可能性がある。また、リング部材７１を洗浄する際に基板Ｗを第４回転速度で回転させた場合、リング部材７１の外周面７１ｄが十分に洗浄されない可能性がある。本実施形態によれば、リング部材７１の洗浄時に基板Ｗを第５回転速度で回転させることにより、リンス液の液跳ねを抑制することができる。また、リング部材７１の洗浄時に基板Ｗを第５回転速度で回転させることにより、リング部材７１の外周面７１ｄを十分に洗浄することができる。
【0152】
なお、リング部材７１の洗浄時における基板Ｗの回転速度（第５回転速度）は、可変であってもよい。具体的には、制御装置１０１（制御部１０２）は、リング部材７１の洗浄中に基板回転部３を制御して、基板Ｗの回転速度（第５回転速度）を変化させてもよい。
【0153】
制御装置１０１（制御部１０２）は、リンス液の吐出を開始してから経過した時間が第３既定時間に達すると、第２処理液供給部４２を制御して、リンス液の吐出を停止させる。この結果、リンス処理が終了する。制御装置１０１（制御部１０２）は、リンス処理の終了後、リング移動部８を制御して、リング部材７１を乾燥位置へ上昇させる（ステップＳ１８）。第３既定時間は、記憶部１０３に予め記憶されている。なお、図２を参照して説明したように、本実施形態では、乾燥位置は待機位置Ｐ１と等しい。
【0154】
制御装置１０１（制御部１０２）は、リング部材７１を乾燥位置（待機位置Ｐ１）へ移動させた後、リング乾燥処理を実行する（ステップＳ１９）。具体的には、制御装置１０１（制御部１０２）は、乾燥部９を制御して、リング部材７１を乾燥させる。制御装置１０１（制御部１０２）は、例えば、リング乾燥処理を開始してから経過した時間が第４既定時間に達すると、乾燥部９を制御して、乾燥ノズル９ａからの気体の吐出を停止させてもよい。第４既定時間は、記憶部１０３に予め記憶されている。
【0155】
また、制御装置１０１（制御部１０２）は、リング部材７１を乾燥位置（待機位置Ｐ１）へ移動させた後、基板乾燥処理を実行する（ステップＳ２０）。具体的には、制御装置１０１（制御部１０２）は、基板回転部３を制御して、基板Ｗの回転速度をリンス処理時の回転速度よりも増大させる。この結果、基板Ｗ上のリンス液に大きな遠心力が付与され、基板Ｗに付着しているリンス液が基板Ｗの周囲に振り切られる。このようにして、基板Ｗからリンス液を除去し、基板Ｗを乾燥させる。
【0156】
制御装置１０１（制御部１０２）は、基板乾燥処理を開始してから経過した時間が第５既定時間に達すると、基板回転部３を制御して、基板Ｗの回転を停止させる（ステップＳ２１）。第５既定時間は、記憶部１０３に予め記憶されている。
【0157】
制御装置１０１（制御部１０２）は、基板Ｗの回転を停止させた後、ステップＳ１１と同様に、複数の把持部材２１による基板Ｗの把持を解除する（ステップＳ２２）。この結果、複数の支持部材２３によって基板Ｗが支持される。
【0158】
制御装置１０１（制御部１０２）は、複数の支持部材２３によって基板Ｗが支持された後、センターロボットＣＲを制御して、処理室２００ａから基板Ｗを搬出させる（ステップＳ２３）。
【0159】
【0160】
続いて、図１０及び図１１を参照して、本実施形態の基板処理装置１００の動作の他例を説明する。図１０及び図１１は、本実施形態の基板処理装置１００の動作の他例を示すフローチャートである。詳しくは、図１０及び図１１は、制御装置１０１（制御部１０２）が実行する処理の流れの他例の一部を示す。
【0161】
図１０に示すように、図７に示すステップＳ２の処理は省略されてもよい。つまり、制御装置１０１（制御部１０２）は、センターロボットＣＲが基板Ｗを処理室２００ａ内に搬入した後、複数の把持部材２１に基板Ｗを把持させなくてもよい。また、図１１に示すように、ＳＰＭ減少処理は省略されてもよい。つまり、図８に示すステップＳ９～ステップＳ１１は省略されてもよい。この結果、複数の支持部材２３によって基板Ｗが支持された状態で、ステップＳ３～ステップＳ８及びステップＳ１２～ステップＳ１４の各処理が行われる。つまり、リンス処理の実行前まで、複数の支持部材２３によって基板Ｗが支持される。換言すると、リンス処理の実行前まで、複数の把持部材２１が基板Ｗを把持しない。
【0162】
図１０及び図１１に示す処理によれば、制御装置１０１（制御部１０２）は、パドル処理時に複数の支持部材２３に基板Ｗを支持させる。したがって、パドル処理時に複数の把持部材２１が基板Ｗを把持しないため、薬液（硫酸）が把持部材２１に付着し難い。したがって、把持部材２１に残った薬液（硫酸）により、次に処理される基板Ｗが汚染される可能性を低減することがきる。よって、基板処理後の基板Ｗの品質を向上させることができる。
【0163】
以上、図１～図１１を参照して、本発明の実施形態１を説明した。本実施形態によれば、処理液の消費量を低減することができる。詳しくは、硫酸の液膜ＬＭ１及びＳＰＭの液膜ＬＭ２を形成する際に、基板Ｗの上面周縁部とリング部材７１の下面７１ｂとの間を硫酸及びＳＰＭが通過しない。したがって、硫酸の液膜ＬＭ１が基板Ｗの上面全面を覆う量の硫酸を使用すればよく、硫酸を基板Ｗから排出させつつ、硫酸の液膜ＬＭ１を基板Ｗ上に形成する構成と比べて、硫酸の消費量を削減することができる。
【0164】
また、本実施形態によれば、硫酸をリング部材７１の内周面７１ａによって堰き止めることができるため、リング部材７１の上面を越えない量である限り、吐出ノズル４１ａから吐出させる硫酸の量を増加させることができる。したがって、基板Ｗの上面の一部が硫酸の液膜ＬＭ１で覆われない不具合が発生する可能性を低減することができる。
【0165】
更に、本実施形態によれば、硫酸の液膜ＬＭ１及びＳＰＭの液膜ＬＭ２をリング部材７１によって囲むため、排気部２０１による気体の排気処理に起因してカップ部６の内側に乱流が発生しても、硫酸の液膜ＬＭ１及びＳＰＭの液膜ＬＭ２が乱流に晒され難いため、乱流に起因する硫酸及びＳＰＭの温度低下を抑制することができる。
【0166】
なお、本実施形態では、吐出ノズル４１ａが硫酸と過酸化水素水とを排他的に吐出したが、基板処理部２００は、硫酸を吐出する吐出ノズルと、過酸化水素水を吐出する吐出ノズルとを有してもよい。
【0167】
また、本実施形態において、リンスノズル４２ａは固定ノズルであったが、リンスノズル４２ａは、吐出ノズル４１ａと同様に、水平方向及び鉛直方向に移動可能なノズルであってもよい。
【0168】
［実施形態２］
続いて図１２を参照して本発明の実施形態２について説明する。但し、実施形態１と異なる事項を説明し、実施形態１と同じ事項についての説明は割愛する。実施形態２は、実施形態１と異なり、過酸化水素水がシャワーノズル４４ａにより基板Ｗに供給される。
続いて図１２を参照して本発明の実施形態２について説明する。但し、実施形態１と異なる事項を説明し、実施形態１と同じ事項についての説明は割愛する。実施形態２は、実施形態１と異なり、過酸化水素水がシャワーノズル４４ａにより基板Ｗに供給される。
【0169】
図１２は、本実施形態の基板処理装置１００に含まれる基板処理部２００の内部の構成を模式的に示す図である。図１２に示すように、基板処理部２００は、処理室２００ａと、基板保持部２と、基板回転部３と、第１ノズル移動部５Ａと、第２ノズル移動部５Ｂと、カップ部６と、パドル形成部７と、リング移動部８と、排気部２０１とを有する。基板処理装置１００は、処理液供給部４と、乾燥部９とを備える。
【0170】
本実施形態において、処理液供給部４は、第２処理液供給部４２と、第３処理液供給部４３と、第４処理液供給部４４とを含む。第３処理液供給部４３は、基板保持部２に保持された基板Ｗの上面に硫酸を供給する。第４処理液供給部４４は、基板保持部２に保持された基板Ｗの上面に過酸化水素水を供給する。
【0171】
詳しくは、第３処理液供給部４３は、吐出ノズル４３ａと、第１供給配管４１１と、第１開閉弁４１３とを有する。第４処理液供給部４４は、シャワーノズル４４ａと、第２供給配管４１２と、第２開閉弁４１４と、流量調整弁４１５とを有する。吐出ノズル４３ａ及びシャワーノズル４４ａは、処理室２００ａに収容される。したがって、基板処理部２００は、吐出ノズル４３ａと、シャワーノズル４４ａとを有する。
【0172】
本実施形態において、第１供給配管４１１の下流端は、吐出ノズル４３ａに接続している。吐出ノズル４３ａは、基板Ｗの上面に向けて硫酸を吐出する。第２供給配管４１２の下流端は、シャワーノズル４４ａに接続している。シャワーノズル４４ａは、基板Ｗの上面に向けてシャワー状に過酸化水素水を吐出する。第２供給配管４１２の一部は、処理室２００ａに収容される。第２供給配管４１２の残りの部分は、処理室２００ａの外部に配置される。
【0173】
第１ノズル移動部５Ａは、基板Ｗの上方において、鉛直方向及び水平方向に吐出ノズル４３ａを移動させる。具体的には、第１ノズル移動部５Ａは、第１ノズルアーム５１Ａと、第１ノズル基台５２Ａと、第１ノズル移動機構５３Ａとを有する。第１ノズル移動部５Ａは、吐出ノズル４３ａから硫酸を吐出させる際に、第１ノズル待機位置から、基板Ｗの中心位置ＣＴに対向する位置に吐出ノズル４３ａを移動させる。第１ノズル移動部５Ａの構成は、図２を参照して説明したノズル移動部５と同様であるため、その説明は割愛する。
【0174】
第２ノズル移動部５Ｂは、基板Ｗの上方において、鉛直方向及び水平方向にシャワーノズル４４ａを移動させる。具体的には、第２ノズル移動部５Ｂは、第２ノズルアーム５１Ｂと、第２ノズル基台５２Ｂと、第２ノズル移動機構５３Ｂとを有する。
【0175】
第２ノズルアーム５１Ｂは、第２ノズル基台５２Ｂに結合されて、第２ノズル基台５２Ｂから水平方向に延びる。第２ノズルアーム５１Ｂはシャワーノズル４４ａを支持する。例えば、シャワーノズル４４ａは、第２ノズルアーム５１Ｂの先端部に結合される。第２ノズル基台５２Ｂは、鉛直方向に延びる。
【0176】
第２ノズル移動機構５３Ｂは、鉛直方向及び水平方向に第２ノズルアーム５１Ｂを移動させる。この結果、シャワーノズル４４ａが鉛直方向及び水平方向に移動する。第２ノズル移動機構５３Ｂは、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。
【0177】
詳しくは、第２ノズル移動機構５３Ｂは、鉛直方向に延びる第４回転軸線ＡＸ４を中心として第２ノズル基台５２Ｂを揺動させて、第２ノズルアーム５１Ｂを水平面に沿って揺動させる。この結果、シャワーノズル４４ａが水平面に沿って移動する。また、第２ノズル移動機構５３Ｂは、第２ノズル基台５２Ｂを鉛直方向に昇降させて、第２ノズルアーム５１Ｂを昇降させる。この結果、シャワーノズル４４ａが鉛直方向に移動する。第２ノズル移動機構５３Ｂは、例えば、ボールねじ機構と、正逆回転可能な電動モータとを含む。電動モータは、ボールねじ機構を駆動する。
【0178】
シャワーノズル４４ａは、過酸化水素水を吐出する際に、第２ノズル待機位置から基板Ｗの上方へ移動する。具体的には、第２ノズル移動部５Ｂは、ＳＰＭ処理時に、シャワーノズル４４ａをフルスキャン又はハーフスキャンさせる。第２ノズル移動部５Ｂは、液膜置換処理時に、基板Ｗの中心位置ＣＴに対向する位置へシャワーノズル４４ａを移動させる。なお、第２ノズル移動部５Ｂは、液膜置換処理時に、シャワーノズル４４ａをフルスキャン又はハーフスキャンさせてもよい。
【0179】
以上、図１２を参照して、本発明の実施形態２を説明した。実施形態２によれば、実施形態１と同様に、処理液の消費量を低減することができる。更に、実施形態２によれば、過酸化水素水をシャワーノズル４４ａから供給するため、ＳＰＭ処理時に、より確実に基板Ｗの上面の略全面に過酸化水素水を供給することができる。
【0180】
なお、本実施形態において、基板処理装置１００は硫酸を吐出ノズル４３ａから吐出させたが、基板処理装置１００はシャワーノズル４４ａから硫酸と過酸化水素水とを排他的に吐出させてもよい。
【0181】
［実施形態３］
続いて図１３～図１５を参照して本発明の実施形態３について説明する。但し、実施形態１、２と異なる事項を説明し、実施形態１、２と同じ事項についての説明は割愛する。実施形態３は、実施形態１、２と異なり、基板Ｗに薬液を供給した後にリンス処理を実行する。薬液は、例えば、フッ酸（ＨＦ）又はリン酸である。
続いて図１３～図１５を参照して本発明の実施形態３について説明する。但し、実施形態１、２と異なる事項を説明し、実施形態１、２と同じ事項についての説明は割愛する。実施形態３は、実施形態１、２と異なり、基板Ｗに薬液を供給した後にリンス処理を実行する。薬液は、例えば、フッ酸（ＨＦ）又はリン酸である。
【0182】
図１３は、本実施形態の基板処理装置１００に含まれる基板処理部２００の内部の構成を模式的に示す図である。本実施形態において、基板処理部２００は、パドル処理と、リンス処理と、基板乾燥処理と、リング乾燥処理とを実行する。ここで、パドル処理は、薬液の液膜が基板Ｗの上面に支持されたパドル状態を形成する処理を示す。パドル処理により、パドル状態の薬液の液膜が基板Ｗ上で維持される。より具体的には、基板処理部２００は、リング部材７１を用いて、パドル状態の薬液の液膜を保持する。
【0183】
図１３に示すように、基板処理部２００は、処理室２００ａと、基板保持部２と、基板回転部３と、ノズル移動部５と、カップ部６と、パドル形成部７と、リング移動部８と、排気部２０１とを有する。基板処理装置１００は、処理液供給部４と、乾燥部９とを備える。
【0184】
本実施形態において、処理液供給部４は、第２処理液供給部４２と、第５処理液供給部４５とを含む。第５処理液供給部４５は、基板保持部２に保持された基板Ｗの上面に薬液を供給する。詳しくは、第５処理液供給部４５は、薬液吐出ノズル４５ａと、薬液供給配管４５１と、薬液開閉弁４５２とを有する。薬液吐出ノズル４５ａは、処理室２００ａに収容される。したがって、基板処理部２００は、薬液吐出ノズル４５ａを有する。薬液供給配管４５１の一部は、処理室２００ａに収容される。薬液供給配管４５１の残りの部分は、処理室２００ａの外部に配置される。薬液開閉弁４５２は、処理室２００ａの外部に配置される。
【0185】
薬液供給配管４５１は、薬液が流通する管状の部材である。薬液供給配管４５１の下流端は、薬液吐出ノズル４５ａに接続している。薬液開閉弁４５２は、薬液供給配管４５１に設けられる。薬液開閉弁４５２は開閉可能である。薬液開閉弁４５２の開閉動作は、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。薬液供給配管４５１の上流端には、薬液が供給される。薬液開閉弁４５２が開くと、薬液が薬液供給配管４５１を介して薬液吐出ノズル４５ａまで流通する。この結果、薬液吐出ノズル４５ａに薬液が供給されて、薬液吐出ノズル４５ａから薬液吐出される。薬液開閉弁４５２が閉じると、薬液供給配管４５１を介した薬液の流通が停止する。
【0186】
ノズル移動部５は、基板Ｗの上方において、鉛直方向及び水平方向に薬液吐出ノズル４５ａを移動させる。ノズル移動部５は、薬液吐出ノズル４５ａから薬液を吐出させる際に、基板Ｗの中心位置ＣＴに対向する位置に薬液吐出ノズル４５ａを移動させる。
【0187】
続いて、図１３～図１５を参照して、本実施形態の基板処理装置１００の動作を説明する。図１４及び図１５は、本実施形態の基板処理装置１００の動作の一例を示すフローチャートである。詳しくは、図１４及び図１５は、制御装置１０１（制御部１０２）が実行する処理の流れの一例を示す。図１４及び図１５に示す処理は、ステップＳ３１～ステップＳ４３を含む。
【0188】
図１４に示すように、制御装置１０１（制御部１０２）は、基板Ｗを処理する際に、まず、センターロボットＣＲを制御して、処理室２００ａ内へ基板Ｗを搬入させる（ステップＳ３１）。詳しくは、センターロボットＣＲは、基板保持部２の複数の支持部材２３に基板Ｗを載置する。この結果、基板Ｗが支持位置で保持される。
【0189】
本実施形態では、図１０及び図１１を参照して説明した処理と同様に、制御装置１０１（制御部１０２）は、センターロボットＣＲが基板Ｗを処理室２００ａ内に搬入した後に、複数の把持部材２１に基板Ｗを把持させない。
【0190】
制御装置１０１（制御部１０２）は、複数の支持部材２３によって基板Ｗが支持されると、基板回転部３を制御して、第３回転速度で基板Ｗを回転させる（ステップＳ３２）。既に説明したように、第３回転速度は、基板Ｗの中央部に吐出された処理液を、遠心力によって基板Ｗの周縁部まで拡げる回転速度であって、複数の支持部材２３によって支持された基板Ｗの位置がずれない回転速度を示す。
【0191】
基板Ｗの回転速度が第３回転速度に達すると、制御装置１０１（制御部１０２）は、リング移動部８を制御して、リング部材７１を待機位置Ｐ１からパドル位置Ｐ２まで下降させる（ステップＳ３３）。
【0192】
リング部材７１がパドル位置Ｐ２に移動すると、制御装置１０１（制御部１０２）は、図７を参照して説明したステップＳ５と同様に、薬液吐出ノズル４５ａから薬液を吐出させる（ステップＳ３４）。この結果、基板Ｗの上面に薬液の液膜が形成される。また、リング部材７１により、薬液の液膜が基板Ｗ上で保持される。
【0193】
制御装置１０１（制御部１０２）は、リング部材７１によって薬液の液膜が保持されている際に、基板回転部３を制御して、パドル処理を実行する。換言すると、制御装置１０１（制御部１０２）は、基板Ｗの上面に薬液の液膜が形成された後にパドル処理を実行する。本実施形態では、制御装置１０１（制御部１０２）は、基板Ｗの回転を停止させる（ステップＳ３５）。この結果、薬液の液膜がパドル状態となる。なお、制御装置１０１（制御部１０２）は、基板Ｗ上に薬液の液膜が形成された後、ノズル移動部５を制御して、薬液吐出ノズル４５ａをノズル待機位置へ移動させる。
【0194】
制御装置１０１（制御部１０２）は、基板Ｗの回転を停止させてから経過した時間が第６既定時間に達すると、リング移動部８を制御して、リング部材７１をパドル位置Ｐ２から洗浄位置Ｐ４へ上昇させる（ステップＳ３６）。第６既定時間は、記憶部１０３に予め記憶されている。
【0195】
図１５に示すように、制御装置１０１（制御部１０２）は、リング部材７１をパドル位置Ｐ２から洗浄位置Ｐ４へ移動させた後、リンス処理を実行する（ステップＳ３７）。具体的には、制御装置１０１（制御部１０２）は、基板回転部３を制御して、基板Ｗを第３回転速度で回転させる。基板Ｗの回転速度が第３回転速度に達すると、制御装置１０１（制御部１０２）は、第２処理液供給部４２を制御して、リンスノズル４２ａから基板Ｗの中央部に向けてリンス液を連続流で吐出させる。この結果、リンス液により基板Ｗ上の薬液が洗い流されて、基板Ｗ上にリンス液の液膜ＬＭ４が形成される。
【0196】
本実施形態によれば、リンス処理時にリング部材７１を洗浄位置Ｐ４へ移動させて、リンス液によってリング部材７１を洗浄することができる。
【0197】
また、本実施形態によれば、リンス処理時に基板Ｗが把持されていない。その結果、リンス処理時に、応力に起因する不具合が基板Ｗに発生することを回避できる。詳しくは、基板処理で使用するフッ酸又はリン酸の温度は１００℃以上である。このため、パドル処理により基板Ｗは高温となる。一方、リンス液の温度は、フッ酸及びリン酸の温度より低い。例えば、リンス液の温度は室温に略等しい。したがって、リンス処理時には、高温の基板Ｗの上面に、基板Ｗより低温のリンス液が供給される。その結果、基板Ｗに反りが発生するおそれがある。リンス処理時に複数の把持部材２１によって基板Ｗの周縁部を把持している状態で基板Ｗに反りが発生すると、基板Ｗの内部に応力が発生して、応力に起因する不具合が基板Ｗに発生する可能性がある。これに対し、本実施形態によれば、リンス処理時に基板Ｗを把持しないため、応力に起因する不具合が基板Ｗに発生することを回避できる。
【0198】
また、本実施形態によれば、リンス処理時にリング部材７１が洗浄位置Ｐ４に位置している。したがって、基板Ｗに反りが発生して基板Ｗの周縁部が持ち上がったとしても、リング部材７１は基板Ｗと干渉しない。よって、リング部材７１が基板Ｗと干渉することに起因する不具合が基板Ｗに発生することを回避できる。
【0199】
リンス処理後の各処理（ステップＳ３８～Ｓ４３）は、図９を参照して説明したステップＳ１８～ステップＳ２３と同様であるため、それらの説明は割愛する。但し、本実施形態では、リンス処理の終了後、把持部材２１をそれぞれ把持退避位置から把持接触位置へ第１回転方向Ｒ１に回転させて、複数の把持部材２１に基板Ｗを把持させる。そして、複数の把持部材２１によって基板Ｗを把持した状態で、基板乾燥処理を実行する（ステップＳ４０）。
【0200】
以上、図１３～図１５を参照して、本発明の実施形態３を説明した。実施形態３によれば、実施形態１、２と同様に、処理液の消費量を低減することができる。更に、本実施形態によれば、パドル処理時に複数の把持部材２１が基板Ｗを把持しないため、薬液が把持部材２１に付着し難い。したがって、把持部材２１に残った薬液により、次に処理される基板Ｗが汚染される可能性を低減することがきる。よって、基板処理後の基板Ｗの品質を向上させることができる。但し、図７～図９を参照して説明した処理と同様に、パドル処理の実行時に、複数の把持部材２１に基板Ｗを把持させてもよい。
【0201】
なお、本実施形態では、リンス処理の開始前にリング部材７１をパドル位置Ｐ２から洗浄位置Ｐ４へ移動させたが、リンス処理の開始前にリング部材７１をパドル位置Ｐ２から退避位置Ｐ３へ移動させてもよい。この場合、制御装置１０１（制御部１０２）は、リンス処理の実行中にリング部材７１を退避位置Ｐ３から洗浄位置Ｐ４へ移動させる。具体的には、制御装置１０１（制御部１０２）は、リンス液により基板Ｗの温度が低下して基板Ｗの反りが解消した後に、リング部材７１を退避位置Ｐ３から洗浄位置Ｐ４へ移動させる。このように、基板Ｗの反りが解消した後に、リング部材７１を洗浄位置Ｐ４へ移動させることで、リング部材７１が基板Ｗと干渉することに起因する不具合が基板Ｗに発生することを回避できる。
【0202】
また、本実施形態では、リンス液によってリング部材７１を洗浄する際に基板Ｗが第３回転速度で回転したが、上記したようにリンス処理の実行中にリング部材７１を退避位置Ｐ３から洗浄位置Ｐ４へ移動させる場合、制御装置１０１（制御部１０２）は、リング部材７１を退避位置Ｐ３から洗浄位置Ｐ４へ移動させる前に、基板回転部３を制御して、基板Ｗの回転速度を第３回転速度から第５回転速度へ変化させてもよい。つまり、リング部材７１の洗浄時における基板Ｗの回転速度は、第５回転速度であってもよい。
【0203】
［実施形態４］
続いて図１６～図２３を参照して本発明の実施形態４について説明する。但し、実施形態１～３と異なる事項を説明し、実施形態１～３と同じ事項についての説明は割愛する。実施形態４は、実施形態１～３と異なり、基板処理部２００が遮断部１０Ａを有する。本実施形態では、遮断部１０Ａに含まれる側壁部１１２が「液膜保持部」に相当する。
続いて図１６～図２３を参照して本発明の実施形態４について説明する。但し、実施形態１～３と異なる事項を説明し、実施形態１～３と同じ事項についての説明は割愛する。実施形態４は、実施形態１～３と異なり、基板処理部２００が遮断部１０Ａを有する。本実施形態では、遮断部１０Ａに含まれる側壁部１１２が「液膜保持部」に相当する。
【0204】
図１６及び図１７は、本実施形態の基板処理装置１００に含まれる基板処理部２００の内部の構成を模式的に示す図である。詳しくは、図１６は、待機位置Ｐ１に位置する側壁部１１２を示す。図１７は、パドル位置Ｐ２に位置する側壁部１１２を示す。なお、図１６及び図１７は、遮断部１０Ａの断面を示している。
【0205】
基板処理部２００は、実施形態１の基板処理装置１００に含まれる基板処理部２００と同様に、パドル処理と、ＳＰＭ処理と、液膜置換処理と、リンス処理と、基板乾燥処理と、リング乾燥処理とを実行する。図１６に示すように、基板処理部２００は、処理室２００ａと、基板保持部２と、基板回転部３と、カップ部６と、遮断部１０Ａと、移動部１６と、第１排気部２０１Ａとを有する。基板処理装置１００は、処理液供給部４と、乾燥部９とを備える。
【0206】
遮断部１０Ａは、基板保持部２に保持された基板Ｗの上方を遮断する（図１７参照）。具体的には、遮断部１０Ａは、トッププレート１１を有する。トッププレート１１は、基板保持部２に保持された基板Ｗに対向して、基板Ｗの上方を遮断する（図１７参照）。換言すると、トッププレート１１は、基板Ｗの上方に位置して、基板Ｗを覆う。トッププレート１１は、「遮断部材」の一例である。トッププレート１１は、天蓋部１１１と、側壁部１１２とを有する。
【0207】
天蓋部１１１は、略円形状である。天蓋部１１１の下面は、基板保持部２に保持された基板Ｗの上面に対向する。側壁部１１２は、略円筒状である。側壁部１１２は、天蓋部１１１の外周部から下方に突出する。したがって、側壁部１１２は、天蓋部１１１により支持される。天蓋部１１１は「支持部」の一例である。
【0208】
詳しくは、側壁部１１２は、基板保持部２に保持された基板Ｗの上方に位置し、基板Ｗに対向する。側壁部１１２の直径は、基板Ｗの直径より小さい。より具体的には、側壁部１１２がパドル位置Ｐ２へ移動したとき、側壁部１１２は、複数の把持部材２１の内側に位置する（図１７参照）。
【0209】
遮断部１０Ａは、第１流路１２１と、第２流路１２２とを有する。第１流路１２１及び第２流路１２２は処理液を流通させる。第１流路１２１の下端は、天蓋部１１１の下面１１１ａに開口する。同様に、第２流路１２２の下端は、天蓋部１１１の下面１１１ａに開口する。第１流路１２１の下端は、処理液を吐出する吐出口１２１ａ（図１８（ｂ）参照）を構成する。第２流路１２２の下端は、処理液が吐出する吐出口１２２ａ（図１８（ｂ）参照）を構成する。
【0210】
移動部１６は、基板Ｗの上方において遮断部１０Ａを上下方向に移動させる。具体的には、移動部１６は、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御されて、遮断部１０Ａを昇降させる。制御装置１０１（制御部１０２）は、移動部１６を制御して、遮断部１０Ａに含まれる側壁部１１２の上下方向の位置を変化させる。詳しくは、移動部１６は、トッププレート１１の側壁部１１２が、待機位置Ｐ１、パドル位置Ｐ２、退避位置Ｐ３、及び洗浄位置Ｐ４の間で移動するように、遮断部１０Ａを昇降させる。移動部１６は、支持アーム１６１と、基台１６２と、移動機構１６３とを含む。移動部１６の構成は、図２を参照して説明したリング移動部８と略同様であるため、その説明は割愛する。
【0211】
本実施形態では、処理液供給部４は、第４処理液供給部４４と、第６処理液供給部４６とを含む。第６処理液供給部４６は、基板保持部２に保持された基板Ｗの上面に、硫酸とリンス液とを排他的に供給する。
【0212】
具体的には、第６処理液供給部４６は、第１供給配管４１１と、第１開閉弁４１３と、リンス供給配管４２１と、リンス開閉弁４２２とを有する。第１供給配管４１１の下流端は、遮断部１０Ａの第１流路１２１に接続している。リンス供給配管４２１の下流端は、遮断部１０Ａの第２流路１２２に接続している。したがって、第６処理液供給部４６は、遮断部１０Ａの第１流路１２１に硫酸を供給し、遮断部１０Ａの第２流路１２２にリンス液を供給する。
【0213】
詳しくは、第１開閉弁４１３が開くと、第１供給配管４１１から第１流路１２１に硫酸が流入する。その結果、硫酸が第１流路１２１を流通して、第１流路１２１の下端（吐出口１２１ａ）から硫酸が吐出される。同様に、リンス開閉弁４２２が開くと、リンス供給配管４２１から第２流路１２２にリンス液が流入する。その結果、リンス液が第２流路１２２を流通して、第２流路１２２の下端（吐出口１２２ａ）からリンス液が吐出される。
【0214】
第４処理液供給部４４は、基板保持部２に保持された基板Ｗの上面に過酸化水素水を供給する。詳しくは、第４処理液供給部４４は、第２供給配管４１２と、第２開閉弁４１４と、流量調整弁４１５とを有する。第２供給配管４１２は、図１８（ａ）を参照して後述するように、遮断部１０Ａに含まれるシャワー流路４１６に過酸化水素水を供給する。
【0215】
本実施形態において、乾燥部９は、遮断部１０Ａに含まれる側壁部１１２を乾燥させる。具体的には、乾燥部９は、乾燥ノズル９ａから側壁部１１２に向けて気体を吐出して、側壁部１１２を乾燥させる。
【0216】
第１排気部２０１Ａは、処理室２００ａ内の気体を排気する。第１排気部２０１Ａの構成は、図２を参照して説明した排気部２０１と同様であるため、その説明は割愛する。
【0217】
続いて、図１８（ａ）及び図１８（ｂ）を参照して、本実施形態の基板処理装置１００を説明する。図１８（ａ）は、パドル位置Ｐ２に位置する遮断部１０Ａを拡大して示す模式図である。図１８（ｂ）は、遮断部１０Ａの底面図である。なお、図１８（ａ）は、遮断部１０Ａの断面を示している。
【0218】
図１８（ａ）に示すように、第４処理液供給部４４は、遮断部１０Ａに設けられたシャワー流路４１６を更に含む。シャワー流路４１６は、例えば、天蓋部１１１の内部に設けられる。第２供給配管４１２は、シャワー流路４１６まで過酸化水素水を流通させる。したがって、第２供給配管４１２は、シャワー流路４１６に過酸化水素水を供給する。シャワー流路４１６は、過酸化水素水を流通させる。
【0219】
図１８（ｂ）に示すように、第４処理液供給部４４は、複数のシャワー吐出口４４ｃを更に含む。複数のシャワー吐出口４４ｃは、天蓋部１１１の下面１１１ａに設けられる。詳しくは、複数のシャワー吐出口４４ｃは、天蓋部１１１の下面１１１ａの略全面に設けられる。複数のシャワー吐出口４４ｃは、シャワー状に過酸化水素水を吐出する。したがって、第４処理液供給部４４は、天蓋部１１１に設けられたシャワーノズルを更に含む。
【0220】
具体的には、図１８（ａ）に示すシャワー流路４１６は、複数のシャワー吐出口４４ｃに連通する。したがって、過酸化水素水がシャワー流路４１６を流通することにより、複数のシャワー吐出口４４ｃから過酸化水素水がシャワー状に吐出される。
【0221】
なお、図１８（ｂ）に示すように、第１流路１２１の吐出口１２１ａ、及び第２流路１２２の吐出口１２２ａは、天蓋部１１１の下面１１１ａの中央部に開口する。詳しくは、吐出口１２１ａ及び吐出口１２２ａは、基板保持部２に保持された基板Ｗの中央部に対向する。したがって、吐出口１２１ａから基板Ｗの中央部に向けて硫酸が吐出される。また、吐出口１２２ａから基板Ｗの中央部に向けてリンス液が吐出される。
【0222】
続いて、図１８（ａ）を参照して、パドル位置Ｐ２を説明する。図１８（ａ）に示すように、パドル位置Ｐ２は、基板Ｗの上方の位置であって、トッププレート１１の側壁部１１２が基板Ｗに接触しない位置であるとともに、処理液がトッププレート１１の側壁部１１２の下面１１２ｂと基板Ｗの上面との隙間から漏れ出さない位置である。したがって、図２を参照して説明したリング部材７１と同様に、トッププレート１１の側壁部１１２により硫酸の液膜ＬＭ１及びＳＰＭの液膜ＬＭ２を保持することができる。
【0223】
【0224】
図１９（ａ）に示すように、退避位置Ｐ３は、パドル位置Ｐ２より上方の位置であって、ＳＰＭの液膜ＬＭ２及び過酸化水素の液膜ＬＭ３を囲まない位置であり、図１６に示す待機位置Ｐ１よりも下方の位置を示す。より詳しくは、退避位置Ｐ３は、カップ部６の内側の位置である。具体的には、退避位置Ｐ３は、トッププレート１１の側壁部１１２の下面１１２ｂがカップ部６の上端６ａよりも下方となる位置である。
【0225】
本実施形態によれば、液膜置換処理時にトッププレート１１の側壁部１１２の下面１１２ｂがカップ部６の内側に位置するため、基板Ｗから発生したヒュームが、第１排気部２０１Ａによる排気処理によってカップ部６の内側を流れる。その結果、処理室２００ａ内にヒュームが拡散し難くなる。
【0226】
【0227】
図１９（ａ）に示すように、第２排気部２０１Ｂは、吸引機構２１１と、吸引配管２１２と、吸引流路２１４とを含む。第２排気部２０１Ｂは、基板保持部２に保持されている基板Ｗの上方の空間から気体を吸引する。詳しくは、第２排気部２０１Ｂは、トッププレート１１と基板Ｗとの間の空間から気体を吸引して、トッププレート１１と基板Ｗとの間の空間に存在する気体を排気する。
【0228】
吸引流路２１４は、遮断部１０Ａに設けられる。例えば、吸引流路２１４は、天蓋部１１１の内部に設けられる。吸引流路２１４は、気体を流通させる。吸引流路２１４の上流端は、例えば、天蓋部１１１の下面１１１ａに開口する。
【0229】
吸引配管２１２の上流端は、吸引流路２１４の下流端に接続する。吸引配管２１２の一部は処理室２００ａに収容される。吸引配管２１２の他の一部は処理室２００ａの外部に配置される。吸引配管２１２は、気体を流通させる。
【0230】
吸引機構２１１は、処理室２００ａの外部に配置される。吸引機構２１１は、吸引配管２１２の下流端に接続する。吸引機構２１１を、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御されて、気体を吸引する吸引動作を実行する。
【0231】
吸引機構２１１が吸引動作を実行すると、吸引流路２１４の上流端から気体が吸い込まれる。具体的には、基板Ｗの上方の空間から吸引流路２１４の上流端に気体が吸い込まれる。吸引流路２１４に吸い込まれた気体は、吸引流路２１４及び吸引配管２１２を介して、吸引機構２１１に吸引される。吸引機構２１１に吸引された気体は、例えば、基板処理装置１００が設置される工場に設けられた排気設備に案内される。
【0232】
本実施形態によれば、例えば液膜置換処理時に基板Ｗから発生したヒュームを第２排気部２０１Ｂによって吸引して、処理室２００ａの外部に排気させることができる。よって、処理室２００ａ内にヒュームが拡散し難くなる。
【0233】
続いて、図１９（ｂ）を参照して、洗浄位置Ｐ４を説明する。図１９（ｂ）は、洗浄位置Ｐ４に位置する遮断部１０Ａを拡大して示す模式図である。図１９（ｂ）に示すように、洗浄位置Ｐ４は、リンス液の液膜ＬＭ４を囲む位置である。詳しくは、洗浄位置Ｐ４は、退避位置Ｐ３より下方の位置であるとともに、パドル位置Ｐ２よりも上方の位置である。より詳しくは、洗浄位置Ｐ４は、遮断部１０Ａに含まれる側壁部１１２の下面１１２ｂと基板Ｗの上面との隙間から処理液が漏れ出る位置である。
【0234】
続いて、図１８（ａ）、図１９（ａ）及び図１９（ｂ）を参照して、遮断部１０Ａを説明する。図１８（ａ）、図１９（ａ）及び図１９（ｂ）に示すように、トッププレート１１の側壁部１１２の内周面１１２ａ及び下面１１２ｂは、処理液に接する接液面である。本実施形態において、トッププレート１１の側壁部１１２の内周面１１２ａ及び下面１１２ｂは、リング部材７１と同様に、疎水面を含む。
【0235】
本実施形態によれば、側壁部１１２の接液面が疎水面であるため、側壁部１１２の接液面が親水性である場合と比べて、側壁部１１２を乾燥させる処理に要する時間を短縮できる。また、側壁部１１２の接液面が疎水面であるため、側壁部１１２の接液面が親水性である場合と比べて、側壁部１１２の接液面に処理液が付着し難い。この結果、図１６に示す待機位置Ｐ１に位置する側壁部１１２から基板Ｗに処理液が落ちる不具合が発生する可能性を低減できる。
【0236】
続いて、図１６～図２２を参照して、本実施形態の基板処理装置１００の動作を説明する。図２０～図２２は、本実施形態の基板処理装置１００の動作の一例を示すフローチャートである。詳しくは、図２０～図２２は、制御装置１０１（制御部１０２）が実行する処理の流れの一例を示す。図２０～図２２に示す処理は、ステップＳ５１～ステップＳ７３を含む。
【0237】
図２０に示すステップＳ５１～ステップＳ５３の各処理は、図７を参照して説明したステップＳ１～ステップＳ３と同様であるため、それらの説明は割愛する。図２０に示すように、制御装置１０１（制御部１０２）は、基板Ｗの回転速度が第１回転速度に達すると、移動部１６を制御して、トッププレート１１の側壁部１１２を待機位置Ｐ１からパドル位置Ｐ２まで下降させる（ステップＳ５４）。
【0238】
側壁部１１２がパドル位置Ｐ２に移動すると、制御装置１０１（制御部１０２）は、遮断部１０Ａから硫酸を吐出させる（ステップＳ５５）。詳しくは、制御装置１０１（制御部１０２）は、第６処理液供給部４６を制御して、天蓋部１１１の吐出口１２１ａから硫酸を吐出させる。この結果、基板Ｗの上面に硫酸の液膜ＬＭ１が形成される。また、トッププレート１１の側壁部１１２により、硫酸の液膜ＬＭ１が基板Ｗ上で保持される。
【0239】
ステップＳ５６の処理は、図７を参照して説明したステップＳ６と同様であるため、その説明は割愛する。制御装置１０１（制御部１０２）は、基板Ｗの回転を停止させた後、ＳＰＭ処理を実行する。詳しくは、制御装置１０１（制御部１０２）は、第４処理液供給部４４を制御して、複数のシャワー吐出口４４ｃからシャワー状に過酸化水素水を吐出させる（ステップＳ５７）。この結果、基板Ｗの上面にＳＰＭの液膜ＬＭ２が形成されて、基板Ｗが処理される。なお、制御装置１０１（制御部１０２）は、図７を参照して説明したステップＳ７と同様に、ＳＰＭ処理時に流量調整弁４１５を制御して、硫酸と過酸化水素水との混合比が所定の範囲内に収まるように、過酸化水素水の流量を調整する。
【0240】
制御装置１０１（制御部１０２）は、過酸化水素水の吐出を開始してから第７既定時間が経過すると、第４処理液供給部４４を制御して、過酸化水素の吐出を停止させる。この結果、ＳＰＭ処理が終了する。なお、第７既定時間は、記憶部１０３に予め記憶されている。制御装置１０１（制御部１０２）は、ＳＰＭ処理の終了後、移動部１６を制御して、トッププレート１１の側壁部１１２をパドル位置Ｐ２から退避位置Ｐ３へ上昇させる（ステップＳ５８）。この結果、ＳＰＭの液膜ＬＭ２のパドル状態が解除される。
【0241】
図２１に示すステップＳ５９～ステップＳ６２の各処理は、図８を参照して説明したステップＳ９～ステップＳ１２と同様であるため、それらの説明は割愛する。図２１に示すように、制御装置１０１（制御部１０２）は、基板Ｗの回転速度が第３回転速度に達すると、第４処理液供給部４４を制御して、複数のシャワー吐出口４４ｃからシャワー状に過酸化水素水を吐出させる（ステップＳ６３）。この結果、基板Ｗ上の処理液の液膜が、ＳＰＭの液膜ＬＭ２から過酸化水素水の液膜ＬＭ３に置換される。なお、制御装置１０１（制御部１０２）は、図８を参照して説明したステップＳ１３と同様に、液膜置換処理時に流量調整弁４１５を制御して、ＳＰＭ処理時よりも過酸化水素水の流量を増加させる。
【0242】
図２１に示すステップＳ６４及びステップＳ６５の各処理は、図８を参照して説明したステップＳ１４及びステップＳ１５と同様であるため、それらの説明は割愛する。制御装置１０１（制御部１０２）は、複数の把持部材２１に基板Ｗを把持させた後、図２２に示すように、リンス処理を実行する（ステップＳ６６）。具体的には、制御装置１０１（制御部１０２）は、複数の把持部材２１に基板Ｗを把持させた後、基板回転部３を制御して、基板Ｗを第４回転速度で回転させる。基板Ｗの回転速度が第４回転速度に達すると、制御装置１０１（制御部１０２）は、第６処理液供給部４６を制御して、遮断部１０Ａからリンス液を連続流で吐出させる。詳しくは、制御装置１０１（制御部１０２）は、第６処理液供給部４６を制御して、天蓋部１１１の吐出口１２２ａからリンス液を連続流で吐出させる。この結果、リンス液により基板Ｗ上の薬液（過酸化水素水）が洗い流されて、基板Ｗ上にリンス液の液膜ＬＭ４が形成される。
【0243】
制御装置１０１（制御部１０２）は、リンス処理中に、移動部１６を制御して、トッププレート１１の側壁部１１２を退避位置Ｐ３から洗浄位置Ｐ４へ下降させる（ステップＳ６７）。この結果、リンス液によってトッププレート１１の側壁部１１２が洗浄される。なお、制御装置１０１（制御部１０２）は、トッププレート１１の側壁部１１２を退避位置Ｐ３から洗浄位置Ｐ４へ下降させる前に、基板回転部３を制御して、基板Ｗの回転速度を第４回転速度から第５回転速度へ変化させてもよい。つまり、トッププレート１１の側壁部１１２を洗浄する際の基板Ｗの回転速度は、第５回転速度であってもよい。
【0244】
制御装置１０１（制御部１０２）は、リンス処理の終了後、移動部１６を制御して、トッププレート１１の側壁部１１２を乾燥位置へ上昇させる（ステップＳ６８）。なお、図２を参照して説明したように、本実施形態では、乾燥位置は待機位置Ｐ１と等しい。
【0245】
制御装置１０１（制御部１０２）は、トッププレート１１の側壁部１１２を乾燥位置（待機位置Ｐ１）へ移動させた後、遮断部乾燥処理を実行する（ステップＳ６９）。具体的には、制御装置１０１（制御部１０２）は、乾燥部９を制御して、トッププレート１１の側壁部１１２を乾燥させる。
【0246】
【0247】
続いて、図２３を参照して、遮断部１０Ａの他例を説明する。図２３は、遮断部１０Ａの他例を示す図である。図２３に示すように、過酸化水素水は、硫酸及びリンス液と同様に、トッププレート１１（天蓋部１１１）の中央部から吐出されてもよい。
【0248】
具体的には、図２３に示す遮断部１０Ａは、第３流路１２３を更に有する。第３流路１２３の下端は、天蓋部１１１の下面１１１ａに開口して、吐出口１２３ａを構成する。吐出口１２３ａは、天蓋部１１１の下面１１１ａの中央部に開口する。詳しくは、吐出口１２３ａは、基板保持部２に保持された基板Ｗの中央部に対向する。
【0249】
図２３に示す例において、第２供給配管４１２の下流端は、第３流路１２３に接続する。したがって、過酸化水素水が第２供給配管４１２を介して第３流路１２３に供給される。詳しくは、第２開閉弁４１４が開くと、第２供給配管４１２から第３流路１２３に過酸化水素水が流入する。第３流路１２３は、過酸化水素水を吐出口１２３ａに向けて流通させる。その結果、吐出口１２３ａから過酸化水素水が吐出される。具体的には、吐出口１２３ａから基板Ｗの中央部に向けて過酸化水素水が吐出される。
【0250】
以上、図１６～図２３を参照して本発明の実施形態４を説明した。実施形態４によれば、実施形態１～３と同様に、処理液の消費量を低減することができる。更に、実施形態４によれば、基板処理時に遮断部１０Ａが基板Ｗの上方を遮断するため、処理室２００ａ内にヒュームが拡散し難い。
【0251】
なお、本実施形態において、基板処理装置１００は硫酸を吐出口１２１ａから吐出させたが、基板処理装置１００は複数のシャワー吐出口４４ｃから硫酸と過酸化水素水とを排他的に吐出させてもよい。
【0252】
［実施形態５］
続いて図２４～図３１を参照して本発明の実施形態５について説明する。但し、実施形態１～４と異なる事項を説明し、実施形態１～４と同じ事項についての説明は割愛する。実施形態５は、実施形態１～４と異なり、基板処理部２００が、遮断部１０Ｂと、第１挿入ノズル４３ｂと、第２挿入ノズル４２ｂとを有する。本実施形態では、遮断部１０Ｂに含まれる側壁部１７２が「液膜保持部」に相当する。
続いて図２４～図３１を参照して本発明の実施形態５について説明する。但し、実施形態１～４と異なる事項を説明し、実施形態１～４と同じ事項についての説明は割愛する。実施形態５は、実施形態１～４と異なり、基板処理部２００が、遮断部１０Ｂと、第１挿入ノズル４３ｂと、第２挿入ノズル４２ｂとを有する。本実施形態では、遮断部１０Ｂに含まれる側壁部１７２が「液膜保持部」に相当する。
【0253】
図２４は、本実施形態の基板処理装置１００に含まれる基板処理部２００の内部の構成を模式的に示す図である。詳しくは、図２４は、パドル位置Ｐ２に位置する側壁部１７２を示す。なお、図２４は、遮断部１０Ｂの断面を示している。
【0254】
基板処理部２００は、実施形態４の基板処理装置１００に含まれる基板処理部２００と同様に、パドル処理と、ＳＰＭ処理と、液膜置換処理と、リンス処理と、基板乾燥処理と、リング乾燥処理とを実行する。図２４に示すように、基板処理部２００は、処理室２００ａと、基板保持部２と、基板回転部３と、カップ部６と、遮断部１０Ｂと、移動部１８と、第１排気部２０１Ａと、第２排気部２０１Ｂとを有する。基板処理装置１００は、処理液供給部４と、乾燥部９とを備える。
【0255】
遮断部１０Ｂは、基板保持部２に保持された基板Ｗの上方を遮断する。具体的には、遮断部１０Ｂは、トッププレート１７を有する。トッププレート１７は、基板保持部２に保持された基板Ｗに対向して、基板Ｗの上方を遮断する。換言すると、トッププレート１７は、基板Ｗの上方に位置して、基板Ｗを覆う。トッププレート１７は、「遮断部材」の一例である。トッププレート１７は、天蓋部１７１と、側壁部１７２とを有する。
【0256】
天蓋部１７１は、略円環板状である。具体的には、天蓋部１７１は、ノズル挿入穴１７３を有する。ノズル挿入穴１７３は、天蓋部１７１の中央部に設けられて、天蓋部１７１を鉛直方向に貫通する。天蓋部１７１の下面は、基板保持部２に保持された基板Ｗの上面に対向する。側壁部１７２は、略円筒状である。側壁部１７２は、天蓋部１７１の外周部から下方に突出する。したがって、側壁部１７２は、天蓋部１７１により支持される。天蓋部１７１は「支持部」の一例である。
【0257】
詳しくは、側壁部１７２は、基板保持部２に保持された基板Ｗの上方に位置し、基板Ｗに対向する。側壁部１７２の直径は、基板Ｗの直径より小さい。より具体的には、側壁部１７２がパドル位置Ｐ２へ移動したとき、側壁部１７２は、複数の把持部材２１の内側に位置する。
【0258】
トッププレート１７は、図１８（ａ）及び図１８（ｂ）に示すトッププレート１１と同様に、シャワー流路４１６と、複数のシャワー吐出口４４ｃとを有する。更に、トッププレート１７は、図１９（ａ）を参照して説明したトッププレート１１と同様に、吸引流路２１４を有する。
【0259】
移動部１８は、基板Ｗの上方において遮断部１０Ｂを上下方向に移動させる。具体的には、移動部１８は、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御されて、遮断部１０Ｂを昇降させる。制御装置１０１（制御部１０２）は、移動部１８を制御して、遮断部１０Ｂに含まれる側壁部１７２の上下方向の位置を変化させる。詳しくは、移動部１８は、トッププレート１７の側壁部１７２が、待機位置Ｐ１、パドル位置Ｐ２、退避位置Ｐ３、及び洗浄位置Ｐ４の間で移動するように、遮断部１０Ｂを昇降させる。
【0260】
移動部１８は、接続部１８１と、支持アーム１８２と、基台１８３と、移動機構１８４とを含む。接続部１８１は、支持アーム１８２とトッププレート１７（遮断部１０Ｂ）とを接続して、支持アーム１８２とトッププレート１７（遮断部１０Ｂ）とを連結する。接続部１８１は、例えば、支持アーム１８２の先端部に結合して、支持アーム１８２の先端部から鉛直下方に延びてもよい。トッププレート１７（遮断部１０Ｂ）は、接続部１８１の先端部に結合してもよい。支持アーム１８２は、接続部１８１を介してトッププレート１７（遮断部１０Ｂ）を支持する。支持アーム１８２、基台１８３、及び移動機構１８４の構成は、図２を参照して説明したノズル移動部５のノズルアーム５１、ノズル基台５２及びノズル移動機構５３と同様であるため、それらの詳しい説明は割愛する。
【0261】
本実施形態では、処理液供給部４は、第２処理液供給部４２と、第３処理液供給部４３と、第４処理液供給部４４とを含む。第３処理液供給部４３は、第１供給配管４１１と、第１開閉弁４１３と、第１挿入ノズル４３ｂとを含む。第４処理液供給部４４は、図１８（ａ）及び図１８（ｂ）を参照して説明した第４処理液供給部４４と同様に、第２供給配管４１２と、第２開閉弁４１４と、流量調整弁４１５と、シャワー流路４１６と、複数のシャワー吐出口４４ｃとを含む。第２処理液供給部４２は、リンス供給配管４２１と、リンス開閉弁４２２と、第２挿入ノズル４２ｂとを含む。第１挿入ノズル４３ｂ及び第２挿入ノズル４２ｂは、処理室２００ａに収容される。したがって、基板処理部２００は、第１挿入ノズル４３ｂ及び第２挿入ノズル４２ｂを有する。
【0262】
第３処理液供給部４３は、第１供給配管４１１を介して、第１挿入ノズル４３ｂに硫酸を供給する。第１挿入ノズル４３ｂは、第１供給配管４１１を介して硫酸が供給されることにより、硫酸を吐出する。第２処理液供給部４２は、リンス供給配管４２１を介して、第２挿入ノズル４２ｂにリンス液を供給する。第２挿入ノズル４２ｂは、リンス供給配管４２１を介してリンス液が供給されることにより、リンス液を吐出する。第４処理液供給部４４の構成は、図１８（ａ）及び図１８（ｂ）を参照して説明した第４処理液供給部４４と同様であるため、その説明は割愛する。
【0263】
本実施形態において、乾燥部９は、遮断部１０Ｂに含まれる側壁部１７２を乾燥させる。具体的には、乾燥部９は、乾燥ノズル９ａから側壁部１７２に向けて気体を吐出して、側壁部１７２を乾燥させる。
【0264】
第１排気部２０１Ａは、処理室２００ａ内の気体を排気する。第１排気部２０１Ａの構成は、図２を参照して説明した排気部２０１と同様であるため、その説明は割愛する。
【0265】
第２排気部２０１Ｂは、トッププレート１７と基板Ｗとの間の空間から気体を吸引して、トッププレート１７と基板Ｗとの間の空間に存在する気体を排気する。第２排気部２０１Ｂの構成は、図１９（ａ）を参照して説明した第２排気部２０１Ｂと同様であるため、その説明は割愛する。
【0266】
続いて、図２５を参照して、本実施形態の基板処理装置１００を説明する。図２５は、本実施形態の基板処理装置１００に含まれる基板処理部２００の構成を示す図である。図２５に示すように、基板処理部２００は、第３ノズル移動部５Ｃと、第４ノズル移動部５Ｄとを更に有する。
【0267】
第３ノズル移動部５Ｃは、鉛直方向及び水平方向に第１挿入ノズル４３ｂを移動させる。具体的には、第３ノズル移動部５Ｃは、第３ノズル待機位置から、遮断部１０Ｂ（トッププレート１７）のノズル挿入穴１７３へ第１挿入ノズル４３ｂを移動させて、ノズル挿入穴１７３に第１挿入ノズル４３ｂを挿入させる。第１挿入ノズル４３ｂは、ノズル挿入穴１７３に挿入された状態で、基板Ｗの上面に向けて硫酸を吐出する。詳しくは、第１挿入ノズル４３ｂは、ノズル挿入穴１７３に挿入されると、基板Ｗの中心位置ＣＴに対向する。したがって、第１挿入ノズル４３ｂは、基板Ｗの中央部に向けて硫酸を吐出する。
【0268】
第３ノズル移動部５Ｃは、接続部５１Ｃと、第３ノズルアーム５２Ｃと、第３ノズル基台５３Ｃと、第３ノズル移動機構５４Ｃとを有する。接続部５１Ｃは、第３ノズルアーム５２Ｃと第１挿入ノズル４３ｂとに接続して、第３ノズルアーム５２Ｃと第１挿入ノズル４３ｂとを連結する。接続部５１Ｃは、例えば、第３ノズルアーム５２Ｃの先端部に結合して、第３ノズルアーム５２Ｃの先端部から鉛直下方に延びてもよい。第１挿入ノズル４３ｂは、接続部５１Ｃの先端部に結合してもよい。第３ノズルアーム５２Ｃは、接続部５１Ｃを介して第１挿入ノズル４３ｂを支持する。
【0269】
第３ノズル移動機構５４Ｃは、鉛直方向に延びる第５回転軸線ＡＸ５を回転中心として第３ノズル基台５３Ｃを揺動させて、第３ノズルアーム５２Ｃを水平面に沿って揺動させる。また、第３ノズル移動機構５４Ｃは、第３ノズル基台５３Ｃを鉛直方向に昇降させて、第３ノズルアーム５２Ｃを昇降させる。第３ノズルアーム５２Ｃ、第３ノズル基台５３Ｃ、及び第３ノズル移動機構５４Ｃの構成は、図２を参照して説明したノズル移動部５のノズルアーム５１、ノズル基台５２及びノズル移動機構５３と同様であるため、それらの詳しい説明は割愛する。
【0270】
第４ノズル移動部５Ｄは、第３ノズル移動部５Ｃと同様に、第４ノズル待機位置からノズル挿入穴１７３へ第２挿入ノズル４２ｂを移動させて、ノズル挿入穴１７３に第２挿入ノズル４２ｂを挿入させる。第２挿入ノズル４２ｂは、第１挿入ノズル４３ｂと同様に、ノズル挿入穴１７３に挿入されると、基板Ｗの中心位置ＣＴに対向する。したがって、第２挿入ノズル４２ｂは、基板Ｗの中央部に向けてリンス液を吐出する。
【0271】
第４ノズル移動部５Ｄは、第３ノズル移動部５Ｃと同様に、接続部５１Ｄと、第４ノズルアーム５２Ｄと、第４ノズル基台５３Ｄと、第４ノズル移動機構５４Ｄとを有する。第４ノズル移動機構５４Ｄは、鉛直方向に延びる第６回転軸線ＡＸ６を回転中心として第４ノズル基台５３Ｄを揺動させて、第４ノズルアーム５２Ｄを水平面に沿って揺動させる。また、第４ノズル移動機構５４Ｄは、第４ノズル基台５３Ｄを鉛直方向に昇降させて、第４ノズルアーム５２Ｄを昇降させる。第４ノズル移動部５Ｄの構成は、第３ノズル移動部５Ｃと同様であるため、その詳しい説明は割愛する。
【0272】
続いて、図２４～図２９を参照して、本実施形態の基板処理装置１００の動作を説明する。図２６～図２９は、本実施形態の基板処理装置１００の動作の一例を示すフローチャートである。詳しくは、図２６～図２９は、制御装置１０１（制御部１０２）が実行する処理の流れの一例を示す。図２６～図２９に示す処理は、ステップＳ１１１～ステップＳ１３７を含む。
【0273】
図２６に示すステップＳ１１１～ステップＳ１１３の各処理は、図７を参照して説明したステップＳ１～３と同様であるため、その説明は割愛する。図２６に示すように、制御装置１０１（制御部１０２）は、基板Ｗの回転速度が第１回転速度に達すると、移動部１８を制御して、トッププレート１７の側壁部１７２を待機位置Ｐ１からパドル位置Ｐ２まで下降させる（ステップＳ１１４）。
【0274】
制御装置１０１（制御部１０２）は、トッププレート１７の側壁部１７２を待機位置Ｐ１からパドル位置Ｐ２まで移動させた後、図２５を参照して説明したように、第３ノズル移動部５Ｃを制御して、第１挿入ノズル４３ｂをトッププレート１７のノズル挿入穴１７３に挿入させる（ステップＳ１１５）。
【0275】
第１挿入ノズル４３ｂをトッププレート１７のノズル挿入穴１７３に挿入させた後、制御装置１０１（制御部１０２）は、第３処理液供給部４３を制御して、第１挿入ノズル４３ｂから硫酸を吐出させる（ステップＳ１１６）。この結果、基板Ｗの上面に硫酸の液膜ＬＭ１が形成される。また、トッププレート１７の側壁部１７２により、硫酸の液膜ＬＭ１が基板Ｗ上で保持される。
【0276】
ステップＳ１１７の処理は、図７を参照して説明したステップＳ６と同様であるため、その説明は割愛する。図２７に示すように、制御装置１０１（制御部１０２）は、基板Ｗの回転を停止させた後、図２０を参照して説明したステップＳ５７と同様に、第４処理液供給部４４を制御して、複数のシャワー吐出口４４ｃからシャワー状に過酸化水素水を吐出させる（ステップＳ１１８）。この結果、基板Ｗの上面にＳＰＭの液膜ＬＭ２が形成されて、基板Ｗが処理される。
【0277】
制御装置１０１（制御部１０２）は、ＳＰＭ処理の終了後、移動部１８及び第４ノズル移動部５Ｄを制御して、トッププレート１７の側壁部１７２がパドル位置Ｐ２から退避位置Ｐ３へ上昇するように、トッププレート１７及び第２挿入ノズル４２ｂを上昇させる（ステップＳ１１９）。この結果、ＳＰＭの液膜ＬＭ２のパドル状態が解除される。
【0278】
ステップＳ１２０～ステップＳ１２３の各処理は、図８を参照して説明したステップＳ９～ステップＳ１２と同様であるため、それらの説明は割愛する。制御装置１０１（制御部１０２）は、基板Ｗの回転速度が第３回転速度に達すると、図２１を参照して説明したステップＳ６３と同様に、第４処理液供給部４４を制御して、複数のシャワー吐出口４４ｃからシャワー状に過酸化水素水を吐出させる（ステップＳ１２４）。この結果、基板Ｗ上の処理液の液膜が、ＳＰＭの液膜ＬＭ２から過酸化水素水の液膜ＬＭ３に置換される。
【0279】
図２７に示すステップＳ１２５及び図２８に示すステップＳ１２６の各処理は、図８を参照して説明したステップＳ１４及びステップＳ１５と同様であるため、それらの説明は割愛する。図２８に示すように、制御装置１０１（制御部１０２）は、複数の把持部材２１に基板Ｗを把持させた後、第３ノズル移動部５Ｃを制御して、第１挿入ノズル４３ｂをノズル挿入穴１７３から第３ノズル待機位置へ退避させる（ステップＳ１２７）。制御装置１０１（制御部１０２）は、第１挿入ノズル４３ｂを第３ノズル待機位置へ移動させた後、図２５を参照して説明したように、第４ノズル移動部５Ｄを制御して、第２挿入ノズル４２ｂをノズル挿入穴１７３に挿入させる（ステップＳ１２８）。
【0280】
第２挿入ノズル４２ｂをノズル挿入穴１７３に挿入した後、制御装置１０１は、リンス処理を実行する（ステップＳ１２９）。具体的には、制御装置１０１（制御部１０２）は、基板回転部３を制御して、基板Ｗを第４回転速度で回転させる。基板Ｗの回転速度が第４回転速度に達すると、制御装置１０１（制御部１０２）は、第２処理液供給部４２を制御して、第２挿入ノズル４２ｂからリンス液を連続流で吐出させる。この結果、リンス液により基板Ｗ上の薬液（過酸化水素水）が洗い流されて、基板Ｗ上にリンス液の液膜ＬＭ４が形成される。
【0281】
制御装置１０１（制御部１０２）は、リンス処理中に、移動部１８を制御して、トッププレート１７の側壁部１７２を退避位置Ｐ３から洗浄位置Ｐ４へ下降させる（ステップＳ１３０）。この結果、リンス液によってトッププレート１７の側壁部１７２が洗浄される。なお、制御装置１０１（制御部１０２）は、トッププレート１７の側壁部１７２を退避位置Ｐ３から洗浄位置Ｐ４へ下降させる前に、基板回転部３を制御して、基板Ｗの回転速度を第４回転速度から第５回転速度へ変化させてもよい。つまり、トッププレート１７の側壁部１７２を洗浄する際の基板Ｗの回転速度は、第５回転速度であってもよい。
【0282】
制御装置１０１（制御部１０２）は、リンス処理の終了後、第４ノズル移動部５Ｄを制御して、第２挿入ノズル４２ｂをノズル挿入穴１７３から第４ノズル待機位置へ退避させる（ステップＳ１３１）。制御装置１０１（制御部１０２）は、第２挿入ノズル４２ｂを第４ノズル待機位置へ移動させた後、移動部１８を制御して、トッププレート１１の側壁部１１２を乾燥位置へ上昇させる（ステップＳ１３２）。なお、図２を参照して説明したように、本実施形態では、乾燥位置は待機位置Ｐ１と等しい。
【0283】
図２９に示すように、制御装置１０１（制御部１０２）は、トッププレート１７の側壁部１７２を乾燥位置（待機位置Ｐ１）へ移動させた後、遮断部乾燥処理を実行する（ステップＳ１３３）。具体的には、制御装置１０１（制御部１０２）は、乾燥部９を制御して、トッププレート１７の側壁部１７２を乾燥させる。
【0284】
【0285】
【0286】
図３０に示す構成において、第２排気部２０１Ｂは、吸引機構２１１と、吸引配管２１２と、第３挿入ノズル２１５とを含む。第３挿入ノズル２１５は、処理室２００ａに収容される。したがって、基板処理部２００は、第３挿入ノズル２１５を有する。
【0287】
第３挿入ノズル２１５は、第１挿入ノズル４３ｂ及び第２挿入ノズル４２ｂと同様に、第５ノズル待機位置とノズル挿入穴１７３との間で移動可能である。詳しくは、基板処理部２００は、図示しない第５ノズル移動部を更に有する。第５ノズル移動部は、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御されて、第３ノズル移動部５Ｃ及び第４ノズル移動部５Ｄと同様に、第３挿入ノズル２１５を移動させる。
【0288】
吸引配管２１２の上流端は第３挿入ノズル２１５に接続する。制御装置１０１（制御部１０２）は、第５ノズル移動部を制御して、第３挿入ノズル２１５をノズル挿入穴１７３に挿入させた後、吸引機構２１１を駆動させる。この結果、トッププレート１７と基板Ｗとの間の空間から第３挿入ノズル２１５に気体が吸引されて、トッププレート１７と基板Ｗとの間の空間に存在する気体が排気される。
【0289】
詳しくは、制御装置１０１（制御部１０２）は、液膜置換処理後に第３挿入ノズル２１５をノズル挿入穴１７３に挿入させ、吸引機構２１１を駆動させる。この結果、液膜置換処理によって基板Ｗから発生したヒュームが第２排気部２０１Ｂによって吸引されて、処理室２００ａの外部に排気される。第３挿入ノズル２１５は、「吸引ノズル」の一例である。
【0290】
【0291】
図３１に示す構成において、トッププレート１７は、第１ノズル挿入穴１７３ａと、第２ノズル挿入穴１７３ｂとを有する。第４処理液供給部４４は、第２供給配管４１２と、第２開閉弁４１４と、流量調整弁４１５と、第４挿入ノズル４４ｄを含む。第２排気部２０１Ｂは、図３０に示す第２排気部２０１Ｂと同様に、吸引機構２１１と、吸引配管２１２と、第３挿入ノズル２１５とを含む。第３挿入ノズル２１５及び第４挿入ノズル４４ｄは、処理室２００ａに収容される。したがって、基板処理部２００は、第３挿入ノズル２１５及び第４挿入ノズル４４ｄを有する。
【0292】
第１ノズル挿入穴１７３ａは、図２４及び図２５を参照して説明したノズル挿入穴１７３と同様に、トッププレート１７の中央部を鉛直方向に貫通する。第２ノズル挿入穴１７３ｂは、第１ノズル挿入穴１７３ａと異なる位置で、トッププレート１７を鉛直方向に貫通する。
【0293】
第１挿入ノズル４３ｂは、第３待機位置と第１ノズル挿入穴１７３ａとの間で移動可能である。第２挿入ノズル４２ｂは、第４待機位置と第１ノズル挿入穴１７３ａとの間で移動可能である。図２５を参照して説明した第３ノズル移動部５Ｃは、第１挿入ノズル４３ｂを第３待機位置と第１ノズル挿入穴１７３ａとの間で移動させる。図２５を参照して説明した第４ノズル移動部５Ｄは、第２挿入ノズル４２ｂを第４待機位置と第１ノズル挿入穴１７３ａとの間で移動させる。
【0294】
第３挿入ノズル２１５は、第５ノズル待機位置と第２ノズル挿入穴１７３ｂとの間で移動可能である。詳しくは、基板処理部２００は、図示しない第５ノズル移動部を更に有する。第５ノズル移動部は、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御されて、第５ノズル待機位置と第２ノズル挿入穴１７３ｂとの間で第３挿入ノズル２１５を移動させる。
【0295】
第４挿入ノズル４４ｄは、第６ノズル待機位置と第１ノズル挿入穴１７３ａとの間で移動可能である。詳しくは、基板処理部２００は、図示しない第６ノズル移動部を更に有する。第６ノズル移動部は、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御されて、第６ノズル待機位置と第１ノズル挿入穴１７３ａとの間で第４挿入ノズル４４ｄを移動させる。
【0296】
第２供給配管４１２の上流端は第４挿入ノズル４４ｄに接続する。制御装置１０１（制御部１０２）は、第６ノズル移動部を制御して、第４挿入ノズル４４ｄを第１ノズル挿入穴１７３ａに挿入させた後、第４処理液供給部４４を制御して、第４挿入ノズル４４ｄに過酸化水素水を供給する。この結果、第４挿入ノズル４４ｄから基板Ｗの中央部に向けて過酸化水素水が吐出される。
【0297】
制御装置１０１（制御部１０２）は、第５ノズル移動部を制御して、第３挿入ノズル２１５を第２ノズル挿入穴１７３ｂに挿入させた後、吸引機構２１１を駆動させる。この結果、基板Ｗの上方の空間から吸引流路２１４の上流端に気体が吸い込まれる。
【0298】
詳しくは、制御装置１０１（制御部１０２）は、基板Ｗに過酸化水素水を供給する際に、吸引機構２１１を駆動させる。この結果、基板Ｗから発生したヒュームが第２排気部２０１Ｂによって吸引されて、処理室２００ａの外部に排気される。
【0299】
以上、図２４～図３１を参照して本発明の実施形態５を説明した。実施形態５によれば、実施形態１～４と同様に、処理液の消費量を低減させることができる。更に、実施形態５によれば、基板処理時に遮断部１０Ｂが基板Ｗの上方を遮断するため、処理室２００ａ内にヒュームが拡散し難い。
【0300】
［実施形態６］
続いて図３２を参照して本発明の実施形態６について説明する。但し、実施形態１～５と異なる事項を説明し、実施形態１～５と同じ事項についての説明は割愛する。実施形態６は、実施形態１～５と異なり、基板処理部２００が、遮断部１０Ｄを有する。本実施形態では、遮断部１０Ｄに含まれるトッププレート１９の側壁部１９２が「液膜保持部」に相当する。
続いて図３２を参照して本発明の実施形態６について説明する。但し、実施形態１～５と異なる事項を説明し、実施形態１～５と同じ事項についての説明は割愛する。実施形態６は、実施形態１～５と異なり、基板処理部２００が、遮断部１０Ｄを有する。本実施形態では、遮断部１０Ｄに含まれるトッププレート１９の側壁部１９２が「液膜保持部」に相当する。
【0301】
図３２は、本実施形態の基板処理装置１００に含まれる基板処理部２００の内部の構成を模式的に示す図である。詳しくは、図３２は、パドル位置Ｐ２に位置する側壁部１９２を示す。なお、図３２は、遮断部１０Ｄの断面を示している。
【0302】
基板処理部２００は、実施形態４の基板処理装置１００に含まれる基板処理部２００と同様に、パドル処理と、ＳＰＭ処理と、液膜置換処理と、リンス処理と、基板乾燥処理と、リング乾燥処理とを実行する。図３２に示すように、基板処理部２００は、処理室２００ａと、基板保持部２と、基板回転部３と、カップ部６と、遮断部１０Ｄと、第１移動部９２と、第２移動部１９４と、排気部２０１とを有する。基板処理装置１００は、処理液供給部４と、乾燥部９とを備える。
【0303】
処理液供給部４は、第７処理液供給部４７を含む。第７処理液供給部４７は、基板保持部２に保持された基板Ｗに、硫酸と、過酸化水素水と、リンス液とを排他的に供給する。具体的には、第７処理液供給部４７は、吐出ノズル４７ａと、第１供給配管４１１と、第２供給配管４１２と、第１開閉弁４１３と、第２開閉弁４１４と、流量調整弁４１５と、リンス供給配管４２１と、リンス開閉弁４２２とを含む。
【0304】
吐出ノズル４７ａは、鉛直方向に延びる。吐出ノズル４７ａは、鉛直方向に移動可能である。詳しくは、吐出ノズル４７ａは、遮断部１０Ｄの中央部を貫通する。吐出ノズル４７ａの下端面（吐出面）は、基板保持部２に保持された基板Ｗに対向する。更に、吐出ノズル４７ａは、処理室２００ａの上壁を貫通して、処理室２００ａの内部から外部へ延出している。処理室２００ａの上壁には、吐出ノズル４７ａが挿通される貫通穴が形成されている。
【0305】
吐出ノズル４７ａは、基板保持部２に保持された基板Ｗに向けて硫酸、過酸化水素水、及びリンス液を排他的に吐出する。詳しくは、吐出ノズル４７ａに、第１供給配管４１１の下流端、及びリンス供給配管４２１の下流端が接続している。第２供給配管４１２の下流端は、図２を参照して説明した第２供給配管４１２と同様に、第１供給配管４１１に接続している。
【0306】
例えば、第１開閉弁４１３、第２開閉弁４１４、及びリンス開閉弁４２２が閉じた状態から、第１開閉弁４１３のみが開いた状態へ変化すると、第１供給配管４１１から吐出ノズル４７ａまで硫酸が流通する。その結果、吐出ノズル４７ａに第１供給配管４１１を介して硫酸が供給されて、吐出ノズル４７ａから硫酸が吐出される。
【0307】
また、第１開閉弁４１３、第２開閉弁４１４、及びリンス開閉弁４２２が閉じた状態から、第２開閉弁４１４のみが開いた状態へ変化すると、過酸化水素水が第２供給配管４１２から第１供給配管４１１へ流入する。第１供給配管４１１は、第２供給配管４１２から流入した過酸化水素水を吐出ノズル４７ａまで流通させる。その結果、吐出ノズル４７ａに第１供給配管４１１を介して過酸化水素水が供給されて、吐出ノズル４７ａから過酸化水素水が吐出される。
【0308】
同様に、第１開閉弁４１３、第２開閉弁４１４、及びリンス開閉弁４２２が閉じた状態から、リンス開閉弁４２２のみが開いた状態へ変化すると、リンス供給配管４２１から吐出ノズル４７ａまでリンス液が流通する。その結果、吐出ノズル４７ａにリンス供給配管４２１を介してリンス液が供給されて、吐出ノズル４７ａからリンス液が吐出される。
【0309】
遮断部１０Ｄは、基板保持部２に保持された基板Ｗの上方を遮断する。具体的には、遮断部１０Ｄは、トッププレート１９と、空間形成部９１と、第１伸縮部材９３と、第２伸縮部材９４と、連結部１９３とを有する。
【0310】
空間形成部９１は、遮断部１０Ｄが下位置に位置するとき、カップ部６と共に、基板保持部２に保持された基板Ｗの周囲の空間を形成する。具体的には、空間形成部９１は、カップ部６と共に、基板Ｗの周囲に略密閉空間を形成する。略密閉空間は、空間形成部９１とカップ部６との内側の空間を示す。図３２は、下位置に位置する遮断部１０Ｄを示す。
【0311】
ここで、略密閉空間とは、空間形成部９１とカップ部６とにより形成される空間が外部と連通していることを示す。例えば、略密閉空間は、空間形成部９１とカップ部６との間の隙間、及び、カップ部６の隙間を介して外部と連通する。
【0312】
具体的には、空間形成部９１は、天蓋部９１１と、側壁部９１２とを有する。天蓋部９１１は、略円環板状である。具体的には、天蓋部９１１は、貫通穴を有する。貫通穴は、天蓋部９１１の中央部に設けられて、天蓋部９１１を鉛直方向に貫通する。側壁部９１２は、略筒状であり、天蓋部９１１の外周部から下方に突出する。側壁部９１２の直径はスピンベース２２の直径より大きく、側壁部９１２は、カップ部６の上端６ａに対向する。
【0313】
トッププレート１９は、空間形成部９１の内側に配置される。トッププレート１９は、遮断部１０Ｄが下位置に位置するとき、略密閉空間内に位置する。トッププレート１９は、基板保持部２に保持された基板Ｗに対向して、基板Ｗの上方を遮断する。換言すると、トッププレート１９は、基板Ｗの上方に位置して、基板Ｗを覆う。トッププレート１９は、「遮断部材」の一例である。トッププレート１９は、天蓋部１９１と、側壁部１９２とを有する。
【0314】
天蓋部１９１は、略円環板状である。具体的には、天蓋部１９１は、貫通穴を有する。貫通穴は、天蓋部１９１の中央部に設けられて、天蓋部１９１を鉛直方向に貫通する。天蓋部１９１の貫通穴には、吐出ノズル４７ａの下部が挿通される。天蓋部１９１は、天蓋部１９１の貫通穴に挿通された吐出ノズル４７ａに固定される。
【0315】
天蓋部１９１の下面は、基板保持部２に保持された基板Ｗの上面に対向する。側壁部１９２は、略円筒状である。側壁部１９２は、天蓋部１９１の外周部から下方に突出する。したがって、側壁部１９２は、天蓋部１９１により支持される。天蓋部１９１は「支持部」の一例である。
【0316】
詳しくは、側壁部１９２は、基板保持部２に保持された基板Ｗの上方に位置し、基板Ｗに対向する。側壁部１９２の直径は、基板Ｗの直径より小さい。より具体的には、側壁部１９２がパドル位置Ｐ２へ移動したとき、側壁部１９２は、複数の把持部材２１の内側に位置する。
【0317】
連結部１９３は、略円環板状である。具体的には、連結部１９３は、貫通穴を有する。貫通穴は、連結部１９３の中央部に設けられて、連結部１９３を鉛直方向に貫通する。連結部１９３の直径は、空間形成部９１の天蓋部９１１に設けられた貫通穴の直径より小さい。連結部１９３は、吐出ノズル４７ａに固定される。具体的には、連結部１９３は、連結部１９３の貫通穴に挿通された吐出ノズル４７ａに固定される。連結部１９３は、吐出ノズル４７ａが上下動する際に、空間形成部９１の天蓋部９１１に設けられた貫通穴を通過する。
【0318】
第１伸縮部材９３は、上下方向に伸縮自在である。第１伸縮部材９３は、例えば、ベローズである。第１伸縮部材９３は、上下方向に延びる円筒状である。第１伸縮部材９３の下端部は、空間形成部９１の天蓋部９１１に設けられた貫通穴の縁部に接続される。第１伸縮部材９３は、空間形成部９１の天蓋部９１１から上方向に延びる。第１伸縮部材９３の上端部は、処理室２００ａの上壁に接続している。
【0319】
第２伸縮部材９４は、上下方向に伸縮自在である。第２伸縮部材９４は、例えば、ベローズである。第２伸縮部材９４は、上下方向に延びる円筒状である。第２伸縮部材９４の下端部は、連結部１９３の周縁部に接続される。第２伸縮部材９４は、連結部１９３から上方向に延びる。第２伸縮部材９４の上端部は、処理室２００ａの上壁に接続している。
【0320】
第１移動部９２は、遮断部１０Ｄを上位置と下位置との間で昇降させる。上位置は、下位置よりも上方の位置を示す。具体的には、第１移動部９２は、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御されて、空間形成部９１を上位置と下位置との間で移動させる。制御装置１０１（制御部１０２）は、第１移動部９２を制御して、遮断部１０Ｄ（空間形成部９１）の上下方向の位置を変化させる。詳しくは、第１移動部９２は、支持アーム９２１と、基台９２２と、移動機構９２３とを有する。第１移動部９２の構成は、図２を参照して説明したリング移動部８と略同様であるため、その説明は割愛する。
【0321】
第２移動部１９４は、例えば、処理室２００ａの外部に配置される。第２移動部１９４は、遮断部１０Ａ（空間形成部９１）が下位置に位置するとき、吐出ノズル４７ａを上下方向に移動させる。この結果、基板Ｗの上方においてトッププレート１９が上下方向に移動する。
【0322】
具体的には、第２移動部１９４は、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御されて、トッププレート１９を昇降させる。制御装置１０１（制御部１０２）は、第２移動部１９４を制御して、トッププレート１９の側壁部１９２の上下方向の位置を変化させる。詳しくは、第２移動部１９４は、遮断部１０Ａ（空間形成部９１）が下位置に位置するとき、トッププレート１９の側壁部１９２がパドル位置Ｐ２、退避位置Ｐ３、及び洗浄位置Ｐ４の間で移動するようにトッププレート１９を昇降させる。例えば、第２移動部１９４は、第１移動部９２と同様に、支持アームと、基台と、移動機構とを含んでもよい。
【0323】
また、制御装置１０１（制御部１０２）は、遮断部１０Ａ（空間形成部９１）が上位置に位置するとき、第２移動部１９４を制御して、トッププレート１９の側壁部１９２を待機位置Ｐ１に位置させる。
【0324】
以上、図３２を参照して本発明の実施形態６を説明した。実施形態６によれば、実施形態１～５と同様に、処理液の消費量を低減することができる。更に、実施形態６によれば、基板Ｗの周囲に略密閉された空間を形成した状態を保ちつつ、トッププレート１９の側壁部１１２の位置をパドル位置Ｐ２、退避位置Ｐ３、及び洗浄位置Ｐ４の間で変化させることができる。したがって、処理室２００ａ内にヒュームが拡散し難い。
【0325】
以上、図面（図１～図３２）を参照して本発明の実施形態について説明した。ただし、本発明は、上記の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の態様において実施できる。また、上記の実施形態に開示される複数の構成要素は適宜改変可能である。例えば、ある実施形態に示される全構成要素のうちのある構成要素を別の実施形態の構成要素に追加してもよく、又は、ある実施形態に示される全構成要素のうちのいくつかの構成要素を実施形態から削除してもよい。
【0326】
図面は、発明の理解を容易にするために、それぞれの構成要素を主体に模式的に示しており、図示された各構成要素の厚さ、長さ、個数、間隔等は、図面作成の都合上から実際とは異なる場合もある。また、上記の実施形態で示す各構成要素の構成は一例であって、特に限定されるものではなく、本発明の効果から実質的に逸脱しない範囲で種々の変更が可能であることは言うまでもない。
【0327】
例えば、図１～図３２を参照して説明した実施形態では、パドル処理時に基板Ｗの回転を停止させたが、パドル処理時に、基板Ｗの外部へ処理液が排出されない回転速度で基板Ｗを回転させてもよい。例えば、パドル処理時に、基板Ｗを１０ｒｐｍで回転させてもよい。
【産業上の利用可能性】
【0328】
本発明は、基板を処理する装置に有用である。
【符号の説明】
【0329】
２ ：基板保持部
３ ：基板回転部
４ ：処理液供給部
５ ：ノズル移動部
５Ａ ：第１ノズル移動部
５Ｂ ：第２ノズル移動部
５Ｃ ：第３ノズル移動部
５Ｄ ：第４ノズル移動部
６ ：カップ部
６ａ ：上端
８ ：リング移動部
９ ：乾燥部
１０Ａ ：遮断部
１０Ｂ ：遮断部
１０Ｄ ：遮断部
１１ ：トッププレート
１６ ：移動部
１７ ：トッププレート
１８ ：移動部
１９ ：トッププレート
２１ ：把持部材
２３ ：支持部材
４１ ：第１処理液供給部
４１ａ ：吐出ノズル
４２ ：第２処理液供給部
４２ａ ：リンスノズル
４２ｂ ：第２挿入ノズル
４３ ：第３処理液供給部
４３ａ ：吐出ノズル
４３ｂ ：第１挿入ノズル
４４ ：第４処理液供給部
４４ａ ：シャワーノズル
４４ｃ ：シャワー吐出口
４４ｄ ：第４挿入ノズル
４５ ：第５処理液供給部
４５ａ ：薬液吐出ノズル
４６ ：第６処理液供給部
４７ ：第７処理液供給部
４７ａ ：吐出ノズル
７１ ：リング部材
７１ａ ：内周面
７１ｂ ：下面
７１ｃ ：上面
７１ｄ ：外周面
９１ ：空間形成部
９２ ：第１移動部
１００ ：基板処理装置
１０１ ：制御装置
１０２ ：制御部
１１１ ：天蓋部
１１２ ：側壁部
１１２ａ ：内周面
１１２ｂ ：下面
１７１ ：天蓋部
１７２ ：側壁部
１７３ ：ノズル挿入穴
１７３ａ ：第１ノズル挿入穴
１７３ｂ ：第２ノズル挿入穴
１９１ ：天蓋部
１９２ ：側壁部
１９４ ：第２移動部
２００ ：基板処理部
２０１ ：排気部
２０１Ａ ：第１排気部
２０１Ｂ ：第２排気部
２１５ ：第３挿入ノズル
ＬＭ１ ：液膜
ＬＭ２ ：液膜
ＬＭ３ ：液膜
ＬＭ４ ：液膜
Ｐ１ ：待機位置
Ｐ２ ：パドル位置
Ｐ３ ：退避位置
Ｐ４ ：洗浄位置
Ｗ ：基板
３ ：基板回転部
４ ：処理液供給部
５ ：ノズル移動部
５Ａ ：第１ノズル移動部
５Ｂ ：第２ノズル移動部
５Ｃ ：第３ノズル移動部
５Ｄ ：第４ノズル移動部
６ ：カップ部
６ａ ：上端
８ ：リング移動部
９ ：乾燥部
１０Ａ ：遮断部
１０Ｂ ：遮断部
１０Ｄ ：遮断部
１１ ：トッププレート
１６ ：移動部
１７ ：トッププレート
１８ ：移動部
１９ ：トッププレート
２１ ：把持部材
２３ ：支持部材
４１ ：第１処理液供給部
４１ａ ：吐出ノズル
４２ ：第２処理液供給部
４２ａ ：リンスノズル
４２ｂ ：第２挿入ノズル
４３ ：第３処理液供給部
４３ａ ：吐出ノズル
４３ｂ ：第１挿入ノズル
４４ ：第４処理液供給部
４４ａ ：シャワーノズル
４４ｃ ：シャワー吐出口
４４ｄ ：第４挿入ノズル
４５ ：第５処理液供給部
４５ａ ：薬液吐出ノズル
４６ ：第６処理液供給部
４７ ：第７処理液供給部
４７ａ ：吐出ノズル
７１ ：リング部材
７１ａ ：内周面
７１ｂ ：下面
７１ｃ ：上面
７１ｄ ：外周面
９１ ：空間形成部
９２ ：第１移動部
１００ ：基板処理装置
１０１ ：制御装置
１０２ ：制御部
１１１ ：天蓋部
１１２ ：側壁部
１１２ａ ：内周面
１１２ｂ ：下面
１７１ ：天蓋部
１７２ ：側壁部
１７３ ：ノズル挿入穴
１７３ａ ：第１ノズル挿入穴
１７３ｂ ：第２ノズル挿入穴
１９１ ：天蓋部
１９２ ：側壁部
１９４ ：第２移動部
２００ ：基板処理部
２０１ ：排気部
２０１Ａ ：第１排気部
２０１Ｂ ：第２排気部
２１５ ：第３挿入ノズル
ＬＭ１ ：液膜
ＬＭ２ ：液膜
ＬＭ３ ：液膜
ＬＭ４ ：液膜
Ｐ１ ：待機位置
Ｐ２ ：パドル位置
Ｐ３ ：退避位置
Ｐ４ ：洗浄位置
Ｗ ：基板
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】
【図28】
【図29】
【図30】
【図31】
【図32】