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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024171123
(43)【公開日】2024-12-11
(54)【発明の名称】表示装置及び表示装置の製造方法
(51)【国際特許分類】
H10K 71/16 20230101AFI20241204BHJP
H10K 50/10 20230101ALI20241204BHJP
H10K 50/844 20230101ALI20241204BHJP
H10K 50/858 20230101ALI20241204BHJP
H10K 59/122 20230101ALI20241204BHJP
H10K 71/12 20230101ALI20241204BHJP
H10K 71/20 20230101ALI20241204BHJP
G09F 9/30 20060101ALI20241204BHJP
G09F 9/00 20060101ALI20241204BHJP
【ＦＩ】
H10K71/16
H10K50/10
H10K50/844
H10K50/858
H10K59/122
H10K71/12
H10K71/20
G09F9/30 309
G09F9/30 365
G09F9/00 338
G09F9/30 349Z
【審査請求】未請求
【請求項の数】11
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023088024
(22)【出願日】2023-05-29
(71)【出願人】
【識別番号】502356528
【氏名又は名称】株式会社ジャパンディスプレイ
(74)【代理人】
【識別番号】110001737
【氏名又は名称】弁理士法人スズエ国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】平田 教行
(72)【発明者】
【氏名】水越 寛文
(72)【発明者】
【氏名】小亀 平章
【テーマコード（参考）】
3K107
5C094
5G435
【Ｆターム（参考）】
3K107AA01
3K107BB01
3K107BB08
3K107CC23
3K107CC45
3K107DD23
3K107DD27
3K107DD90
3K107DD95
3K107DD96
3K107EE21
3K107EE48
3K107EE49
3K107EE50
3K107FF16
3K107FF17
3K107GG04
3K107GG06
3K107GG12
3K107GG28
5C094AA43
5C094AA44
5C094BA27
5C094CA19
5C094DA07
5C094DA13
5C094FA02
5C094FB01
5C094FB04
5C094FB05
5C094FB15
5C094HA05
5C094HA08
5C094JA20
5G435AA17
5G435BB05
5G435CC09
5G435HH14
5G435KK05
5G435LL04
5G435LL07
5G435LL08
5G435LL17
(57)【要約】
【課題】表示装置の製造コストを削減する。
【解決手段】一実施形態によれば、表示装置の製造方法は、基板の上方に下電極を形成し、前記下電極と重なる開口を有する無機絶縁層を形成し、前記無機絶縁層の上に位置する下部及び前記下部の上に位置し前記下部の側面から突出した上部を含む隔壁を形成した処理基板を用意し、前記開口において前記下電極の上に、発光層を含む有機層を形成し、前記有機層の上に上電極を形成し、前記上電極の上にキャップ層を形成し、前記キャップ層及び前記隔壁を覆う第１封止層を形成し、前記第１封止層を覆う樹脂層を形成し、前記有機層、前記上電極、及び、前記キャップ層を形成する工程は、真空環境下で前記隔壁をマスクとした蒸着工程であり、前記樹脂層を形成する工程は、大気雰囲気下で樹脂材料を塗布する工程を含む。
【選択図】図７
【解決手段】一実施形態によれば、表示装置の製造方法は、基板の上方に下電極を形成し、前記下電極と重なる開口を有する無機絶縁層を形成し、前記無機絶縁層の上に位置する下部及び前記下部の上に位置し前記下部の側面から突出した上部を含む隔壁を形成した処理基板を用意し、前記開口において前記下電極の上に、発光層を含む有機層を形成し、前記有機層の上に上電極を形成し、前記上電極の上にキャップ層を形成し、前記キャップ層及び前記隔壁を覆う第１封止層を形成し、前記第１封止層を覆う樹脂層を形成し、前記有機層、前記上電極、及び、前記キャップ層を形成する工程は、真空環境下で前記隔壁をマスクとした蒸着工程であり、前記樹脂層を形成する工程は、大気雰囲気下で樹脂材料を塗布する工程を含む。
【選択図】図７
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板の上方に下電極を形成し、前記下電極と重なる開口を有する無機絶縁層を形成し、前記無機絶縁層の上に位置する下部及び前記下部の上に位置し前記下部の側面から突出した上部を含む隔壁を形成した処理基板を用意し、
前記開口において前記下電極の上に、発光層を含む有機層を形成し、
前記有機層の上に上電極を形成し、
前記上電極の上にキャップ層を形成し、
前記キャップ層及び前記隔壁を覆う第１封止層を形成し、
前記第１封止層を覆う樹脂層を形成し、
前記有機層、前記上電極、及び、前記キャップ層を形成する工程は、真空環境下で前記隔壁をマスクとした蒸着工程であり、
前記樹脂層を形成する工程は、大気雰囲気下で樹脂材料を塗布する工程を含む、表示装置の製造方法。
前記開口において前記下電極の上に、発光層を含む有機層を形成し、
前記有機層の上に上電極を形成し、
前記上電極の上にキャップ層を形成し、
前記キャップ層及び前記隔壁を覆う第１封止層を形成し、
前記第１封止層を覆う樹脂層を形成し、
前記有機層、前記上電極、及び、前記キャップ層を形成する工程は、真空環境下で前記隔壁をマスクとした蒸着工程であり、
前記樹脂層を形成する工程は、大気雰囲気下で樹脂材料を塗布する工程を含む、表示装置の製造方法。
【請求項2】
前記樹脂層を形成する工程は、前記樹脂材料を塗布する工程の後に、大気雰囲気よりも減圧した環境下で前記樹脂材料を乾燥する工程を含む、請求項１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項3】
前記樹脂層を形成する工程は、前記樹脂材料を乾燥する工程の後に、大気雰囲気下で前記樹脂材料に紫外線を照射する工程を含む、請求項２に記載の表示装置の製造方法。
【請求項4】
前記樹脂層を形成する工程は、大気雰囲気下で前記樹脂材料に紫外線を照射する工程を含む、請求項１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項5】
さらに、前記樹脂層を形成した後に、前記処理基板を加熱する、請求項３に記載の表示装置の製造方法。
【請求項6】
さらに、前記樹脂層を覆う第２封止層を形成し、
前記第２封止層の上にオーバーコート層を形成する、請求項４または５に記載の表示装置の製造方法。
前記第２封止層の上にオーバーコート層を形成する、請求項４または５に記載の表示装置の製造方法。
【請求項7】
前記樹脂材料を塗布する工程は、温度が２０℃乃至３０℃の範囲であり、湿度が４０％乃至７０％の範囲であり、酸素濃度が２０％以上の範囲に調整された大気雰囲気下で行う、請求項１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項8】
前記樹脂層を形成する前に、前記第１封止層の上にパターニングしたレジストを形成し、
前記レジストから露出した前記第１封止層、前記キャップ層、前記上電極、及び、前記有機層を順次エッチングにより除去する、請求項１に記載の表示装置の製造方法。
前記レジストから露出した前記第１封止層、前記キャップ層、前記上電極、及び、前記有機層を順次エッチングにより除去する、請求項１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項9】
基板と、
前記基板の上方に配置された下電極と、
前記下電極に重なる開口を有する無機絶縁層と、
前記開口において前記下電極の上に配置され、発光層を含む有機層と、
前記有機層の上に配置された上電極と、
前記上電極の上に配置されたキャップ層と、
前記無機絶縁層の上に配置され前記上電極に接触し導電材料で形成された下部と、前記下部の上に配置され前記下部の側面から突出した上部と、を有し、前記有機層、前記上電極、及び、前記キャップ層を囲む隔壁と、
前記隔壁で囲まれた前記キャップ層の上に配置され、前記隔壁の前記側面に接触し、無機絶縁材料で形成された第１封止層と、を備え、
前記第１封止層は、前記隔壁の上方に延出し、前記隔壁の前記上部から離間している、表示装置。
前記基板の上方に配置された下電極と、
前記下電極に重なる開口を有する無機絶縁層と、
前記開口において前記下電極の上に配置され、発光層を含む有機層と、
前記有機層の上に配置された上電極と、
前記上電極の上に配置されたキャップ層と、
前記無機絶縁層の上に配置され前記上電極に接触し導電材料で形成された下部と、前記下部の上に配置され前記下部の側面から突出した上部と、を有し、前記有機層、前記上電極、及び、前記キャップ層を囲む隔壁と、
前記隔壁で囲まれた前記キャップ層の上に配置され、前記隔壁の前記側面に接触し、無機絶縁材料で形成された第１封止層と、を備え、
前記第１封止層は、前記隔壁の上方に延出し、前記隔壁の前記上部から離間している、表示装置。
【請求項10】
さらに、前記第１封止層を覆う樹脂層を備え、
前記樹脂層は、前記上部と前記第１封止層とで囲まれた隙間に充填されている、請求項９に記載の表示装置。
前記樹脂層は、前記上部と前記第１封止層とで囲まれた隙間に充填されている、請求項９に記載の表示装置。
【請求項11】
さらに、前記樹脂層を覆い、無機絶縁材料で形成された第２封止層と、
前記第２封止層の上に配置されたオーバーコート層と、を備えている、請求項１０に記載の表示装置。
前記第２封止層の上に配置されたオーバーコート層と、を備えている、請求項１０に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明の実施形態は、表示装置及び表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を適用した表示装置が実用化されている。この表示素子は、薄膜トランジスタを含む画素回路と、画素回路に接続された下電極と、下電極を覆う有機層と、有機層を覆う上電極と、を備えている。有機層は、発光層の他に、正孔輸送層や電子輸送層などの機能層を含んでいる。
表示装置の製造コストを削減することが要求されている。
表示装置の製造コストを削減することが要求されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０００－１９５６７７号公報
【特許文献2】特開２００４－２０７２１７号公報
【特許文献3】特開２００８－１３５３２５号公報
【特許文献4】特開２００９－３２６７３号公報
【特許文献5】特開２０１０－１１８１９１号公報
【特許文献6】国際公開第２０１８／１７９３０８号
【特許文献7】米国特許出願公開第２０２２／００７７２５１号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本発明の目的は、製造コストを削減することが可能な表示装置及び表示装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0005】
一実施形態によれば、表示装置の製造方法は、
基板の上方に下電極を形成し、前記下電極と重なる開口を有する無機絶縁層を形成し、前記無機絶縁層の上に位置する下部及び前記下部の上に位置し前記下部の側面から突出した上部を含む隔壁を形成した処理基板を用意し、前記開口において前記下電極の上に、発光層を含む有機層を形成し、前記有機層の上に上電極を形成し、前記上電極の上にキャップ層を形成し、前記キャップ層及び前記隔壁を覆う第１封止層を形成し、前記第１封止層を覆う樹脂層を形成し、前記有機層、前記上電極、及び、前記キャップ層を形成する工程は、真空環境下で前記隔壁をマスクとした蒸着工程であり、前記樹脂層を形成する工程は、大気雰囲気下で樹脂材料を塗布する工程を含む。
基板の上方に下電極を形成し、前記下電極と重なる開口を有する無機絶縁層を形成し、前記無機絶縁層の上に位置する下部及び前記下部の上に位置し前記下部の側面から突出した上部を含む隔壁を形成した処理基板を用意し、前記開口において前記下電極の上に、発光層を含む有機層を形成し、前記有機層の上に上電極を形成し、前記上電極の上にキャップ層を形成し、前記キャップ層及び前記隔壁を覆う第１封止層を形成し、前記第１封止層を覆う樹脂層を形成し、前記有機層、前記上電極、及び、前記キャップ層を形成する工程は、真空環境下で前記隔壁をマスクとした蒸着工程であり、前記樹脂層を形成する工程は、大気雰囲気下で樹脂材料を塗布する工程を含む。
【0006】
一実施形態によれば、表示装置は、
基板と、前記基板の上方に配置された下電極と、前記下電極に重なる開口を有する無機絶縁層と、前記開口において前記下電極の上に配置され、発光層を含む有機層と、前記有機層の上に配置された上電極と、前記上電極の上に配置されたキャップ層と、前記無機絶縁層の上に配置され前記上電極に接触し導電材料で形成された下部と、前記下部の上に配置され前記下部の側面から突出した上部と、を有し、前記有機層、前記上電極、及び、前記キャップ層を囲む隔壁と、前記隔壁で囲まれた前記キャップ層の上に配置され、前記隔壁の前記側面に接触し、無機絶縁材料で形成された第１封止層と、を備え、前記第１封止層は、前記隔壁の上方に延出し、前記隔壁の前記上部から離間している。
基板と、前記基板の上方に配置された下電極と、前記下電極に重なる開口を有する無機絶縁層と、前記開口において前記下電極の上に配置され、発光層を含む有機層と、前記有機層の上に配置された上電極と、前記上電極の上に配置されたキャップ層と、前記無機絶縁層の上に配置され前記上電極に接触し導電材料で形成された下部と、前記下部の上に配置され前記下部の側面から突出した上部と、を有し、前記有機層、前記上電極、及び、前記キャップ層を囲む隔壁と、前記隔壁で囲まれた前記キャップ層の上に配置され、前記隔壁の前記側面に接触し、無機絶縁材料で形成された第１封止層と、を備え、前記第１封止層は、前記隔壁の上方に延出し、前記隔壁の前記上部から離間している。
【図面の簡単な説明】
【0007】
【発明を実施するための形態】
【0008】
一実施形態について図面を参照しながら説明する。
開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一または類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。
開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一または類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。
【0009】
なお、図面には、必要に応じて理解を容易にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を記載する。Ｘ軸に沿った方向を第１方向Ｘと称し、Ｙ軸に沿った方向を第２方向Ｙと称し、Ｚ軸に沿った方向を第３方向Ｚと称する。第３方向Ｚと平行に各種要素を見ることを平面視という。
【0010】
本実施形態に係る表示装置は、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を備える有機エレクトロルミネッセンス表示装置であり、テレビ、パーソナルコンピュータ、車載機器、タブレット端末、スマートフォン、携帯電話端末等に搭載され得る。
【0011】
図１は、表示装置ＤＳＰの構成例を示す図である。
表示装置ＤＳＰは、絶縁性の基板１０の上に、画像を表示する表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡよりも外側の周辺領域ＳＡと、を有する表示パネルＰＮＬを備えている。基板１０は、ガラスであってもよいし、可撓性を有する樹脂フィルムであってもよい。
表示装置ＤＳＰは、絶縁性の基板１０の上に、画像を表示する表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡよりも外側の周辺領域ＳＡと、を有する表示パネルＰＮＬを備えている。基板１０は、ガラスであってもよいし、可撓性を有する樹脂フィルムであってもよい。
【0012】
本実施形態においては、平面視における基板１０の形状が長方形である。ただし、基板１０の平面視における形状は長方形に限らず、正方形、円形あるいは楕円形などの他の形状であってもよい。
【0013】
表示領域ＤＡは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙにマトリクス状に配列された複数の画素ＰＸを備えている。画素ＰＸは、複数の副画素ＳＰを含む。一例では、画素ＰＸは、第１色の副画素ＳＰ１、第２色の副画素ＳＰ２、及び、第３色の副画素ＳＰ３を含む。第１色、第２色、及び、第３色は、互いに異なる色である。なお、画素ＰＸは、副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３とともに、あるいは副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３のいずれかに代えて、白色などの他の色の副画素ＳＰを含んでもよい。
【0014】
副画素ＳＰは、画素回路１と、画素回路１によって駆動される表示素子２０と、を備えている。画素回路１は、画素スイッチ２と、駆動トランジスタ３と、キャパシタ４と、を備えている。画素スイッチ２及び駆動トランジスタ３は、例えば薄膜トランジスタにより構成されたスイッチング素子である。
【0015】
画素スイッチ２のゲート電極は、走査線ＧＬに接続されている。画素スイッチ２のソース電極及びドレイン電極の一方は信号線ＳＬに接続され、他方は駆動トランジスタ３のゲート電極及びキャパシタ４に接続されている。駆動トランジスタ３において、ソース電極及びドレイン電極の一方は電源線ＰＬ及びキャパシタ４に接続され、他方は表示素子２０のアノードに接続されている。
【0016】
なお、画素回路１の構成は図示した例に限らない。例えば、画素回路１は、より多くの薄膜トランジスタ及びキャパシタを備えてもよい。
【0017】
表示素子２０は、発光素子としての有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）であり、有機ＥＬ素子と称する場合がある。
【0018】
周辺領域ＳＡには、詳述しないが、ＩＣチップやフレキシブルプリント回路基板を接続するための端子が設けられている。
【0019】
図２は、副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３のレイアウトの一例を示す図である。
図２の例においては、副画素ＳＰ２及び副画素ＳＰ３が第２方向Ｙに並んでいる。副画素ＳＰ１及び副画素ＳＰ２が第１方向Ｘに並び、副画素ＳＰ１及び副画素ＳＰ３が第１方向Ｘに並んでいる。
図２の例においては、副画素ＳＰ２及び副画素ＳＰ３が第２方向Ｙに並んでいる。副画素ＳＰ１及び副画素ＳＰ２が第１方向Ｘに並び、副画素ＳＰ１及び副画素ＳＰ３が第１方向Ｘに並んでいる。
【0020】
副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３がこのようなレイアウトである場合、表示領域ＤＡには、副画素ＳＰ２及び副画素ＳＰ３が第２方向Ｙに交互に配置された列と、複数の副画素ＳＰ１が第２方向Ｙに配置された列とが形成される。これらの列は、第１方向Ｘに交互に並ぶ。
【0021】
なお、副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３のレイアウトは図２の例に限られない。他の一例として、各画素ＰＸにおける副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３が第１方向Ｘに順に並んでいてもよい。
【0022】
表示領域ＤＡには、無機絶縁層５及び隔壁６が配置されている。無機絶縁層５は、副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３においてそれぞれ開口ＡＰ１、ＡＰ２、ＡＰ３を有している。これらの開口ＡＰ１、ＡＰ２、ＡＰ３を有する無機絶縁層５は、リブと称する場合がある。
隔壁６は、平面視において無機絶縁層５と重なっている。隔壁６は、開口ＡＰ１、ＡＰ２、ＡＰ３を囲む格子状に形成されている。隔壁６は、無機絶縁層５と同様に副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３において開口を有するということもできる。
隔壁６は、平面視において無機絶縁層５と重なっている。隔壁６は、開口ＡＰ１、ＡＰ２、ＡＰ３を囲む格子状に形成されている。隔壁６は、無機絶縁層５と同様に副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３において開口を有するということもできる。
【0023】
副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３は、表示素子２０として、それぞれ表示素子２０１、２０２、２０３を備えている。
【0024】
副画素ＳＰ１の表示素子２０１は、開口ＡＰ１とそれぞれ重なる下電極ＬＥ１、上電極ＵＥ１、及び、有機層ＯＲ１を備えている。下電極ＬＥ１の周縁部は、無機絶縁層５で覆われている。下電極ＬＥ１、有機層ＯＲ１、及び、上電極ＵＥ１を備える表示素子２０１は、平面視において隔壁６で囲まれている。有機層ＯＲ１及び上電極ＵＥ１のそれぞれの周縁部は、平面視において無機絶縁層５に重なっている。有機層ＯＲ１は、例えば青波長域の光を放つ発光層を含む。
【0025】
副画素ＳＰ２の表示素子２０２は、開口ＡＰ２とそれぞれ重なる下電極ＬＥ２、上電極ＵＥ２、及び、有機層ＯＲ２を備えている。下電極ＬＥ２の周縁部は、無機絶縁層５で覆われている。下電極ＬＥ２、有機層ＯＲ２、及び、上電極ＵＥ２を備える表示素子２０２は、平面視において隔壁６で囲まれている。有機層ＯＲ２及び上電極ＵＥ２のそれぞれの周縁部は、平面視において無機絶縁層５に重なっている。有機層ＯＲ２は、例えば緑波長域の光を放つ発光層を含む。
【0026】
副画素ＳＰ３の表示素子２０３は、開口ＡＰ３とそれぞれ重なる下電極ＬＥ３、上電極ＵＥ３、及び、有機層ＯＲ３を備えている。下電極ＬＥ３の周縁部は、無機絶縁層５で覆われている。下電極ＬＥ３、有機層ＯＲ３、及び、上電極ＵＥ３を備える表示素子２０３は、平面視において隔壁６で囲まれている。有機層ＯＲ３及び上電極ＵＥ３のそれぞれの周縁部は、平面視において無機絶縁層５に重なっている。有機層ＯＲ３は、例えば赤波長域の光を放つ発光層を含む。
【0027】
図２の例においては、下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３の外形は点線で示し、有機層ＯＲ１、ＯＲ２、ＯＲ３、及び、上電極ＵＥ１、ＵＥ２、ＵＥ３の外形は一点鎖線で示している。なお、図示した下電極、有機層、上電極のそれぞれの外形は、正確な形状を反映したものとは限らない。
【0028】
下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３は、例えば、表示素子のアノードに相当する。上電極ＵＥ１、ＵＥ２、ＵＥ３は、表示素子のカソード、あるいは、共通電極に相当する。
【0029】
下電極ＬＥ１は、コンタクトホールＣＨ１を通じて副画素ＳＰ１の画素回路１（図１参照）に接続されている。下電極ＬＥ２は、コンタクトホールＣＨ２を通じて副画素ＳＰ２の画素回路１に接続されている。下電極ＬＥ３は、コンタクトホールＣＨ３を通じて副画素ＳＰ３の画素回路１に接続されている。
【0030】
図２の例においては、開口ＡＰ１の面積、開口ＡＰ２の面積、及び、開口ＡＰ３の面積は、互いに異なる。開口ＡＰ１の面積が開口ＡＰ２の面積よりも大きく、開口ＡＰ２の面積が開口ＡＰ３の面積よりも大きい。換言すると、開口ＡＰ１から露出した下電極ＬＥ１の面積は開口ＡＰ２から露出した下電極ＬＥ２の面積よりも大きく、開口ＡＰ２から露出した下電極ＬＥ２の面積は開口ＡＰ３から露出した下電極ＬＥ３の面積よりも大きい。
【0031】
【0032】
回路層１１は、基板１０の上に配置されている。回路層１１は、図１に示した画素回路１などの各種回路と、走査線ＧＬ、信号線ＳＬ、電源線ＰＬなどの各種配線と、を含む。回路層１１は、絶縁層１２により覆われている。絶縁層１２は、回路層１１により生じる凹凸を平坦化する有機絶縁層である。
【0033】
下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３は、絶縁層１２の上に配置され、互いに離間している。無機絶縁層５は、絶縁層１２及び下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３の上に配置されている。無機絶縁層５の開口ＡＰ１は下電極ＬＥ１に重なり、開口ＡＰ２は下電極ＬＥ２に重なり、開口ＡＰ３は下電極ＬＥ３に重なっている。下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３の周縁部は、無機絶縁層５で覆われている。下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３のうち、互いに隣接する下電極の間では、絶縁層１２が無機絶縁層５により覆われている。下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３は、絶縁層１２に設けられたコンタクトホールを通じて副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３のそれぞれの画素回路１に接続されている。なお、絶縁層１２のコンタクトホールは、図３では省略するが、図２のＣＨ１、ＣＨ２、ＣＨ３に相当する。
【0034】
隔壁６は、無機絶縁層５の上に配置された導電性を有する下部（茎）６１と、下部６１の上に配置された上部（笠）６２と、を含む。図の右側に示した隔壁６の下部６１は、開口ＡＰ１と開口ＡＰ２との間に位置している。図の左側に示した隔壁６の下部６１は、開口ＡＰ２と開口ＡＰ３との間に位置している。上部６２は、下部６１よりも大きい幅を有している。上部６２の両端部は、下部６１の側面よりも突出している。このような隔壁６の形状は、オーバーハング状と呼ばれる。
【0035】
有機層ＯＲ１は、開口ＡＰ１を通じて下電極ＬＥ１に接触し、開口ＡＰ１から露出した下電極ＬＥ１を覆うとともに、その周縁部が無機絶縁層５の上に位置している。上電極ＵＥ１は、有機層ＯＲ１を覆い、下部６１に接触している。
【0036】
有機層ＯＲ２は、開口ＡＰ２を通じて下電極ＬＥ２に接触し、開口ＡＰ２から露出した下電極ＬＥ２を覆うとともに、その周縁部が無機絶縁層５の上に位置している。上電極ＵＥ２は、有機層ＯＲ２を覆い、下部６１に接触している。
【0037】
有機層ＯＲ３は、開口ＡＰ３を通じて下電極ＬＥ３に接触し、開口ＡＰ３から露出した下電極ＬＥ３を覆うとともに、その周縁部が無機絶縁層５の上に位置している。上電極ＵＥ３は、有機層ＯＲ３を覆い、下部６１に接触している。
【0038】
図３の例においては、副画素ＳＰ１はキャップ層ＣＰ１及び封止層ＳＥ１を有し、副画素ＳＰ２はキャップ層ＣＰ２及び封止層ＳＥ２を有し、副画素ＳＰ３はキャップ層ＣＰ３及び封止層ＳＥ３を有している。キャップ層ＣＰ１、ＣＰ２、ＣＰ３は、それぞれ有機層ＯＲ１、ＯＲ２、ＯＲ３から放たれた光の取り出し効率を向上させる光学調整層としての役割を有している。
【0039】
キャップ層ＣＰ１は、上電極ＵＥ１の上に配置されている。
キャップ層ＣＰ２は、上電極ＵＥ２の上に配置されている。
キャップ層ＣＰ３は、上電極ＵＥ３の上に配置されている。
キャップ層ＣＰ２は、上電極ＵＥ２の上に配置されている。
キャップ層ＣＰ３は、上電極ＵＥ３の上に配置されている。
【0040】
封止層ＳＥ１は、キャップ層ＣＰ１の上に配置され、隔壁６に接触し、副画素ＳＰ１の各部材を連続的に覆っている。
封止層ＳＥ２は、キャップ層ＣＰ２の上に配置され、隔壁６に接触し、副画素ＳＰ２の各部材を連続的に覆っている。
封止層ＳＥ３は、キャップ層ＣＰ３の上に配置され、隔壁６に接触し、副画素ＳＰ３の各部材を連続的に覆っている。
封止層ＳＥ２は、キャップ層ＣＰ２の上に配置され、隔壁６に接触し、副画素ＳＰ２の各部材を連続的に覆っている。
封止層ＳＥ３は、キャップ層ＣＰ３の上に配置され、隔壁６に接触し、副画素ＳＰ３の各部材を連続的に覆っている。
【0041】
封止層ＳＥ１、ＳＥ２、ＳＥ３は、いずれも隔壁６の上方に延出し、隔壁６の上部６２から離間している。つまり、封止層ＳＥ１、ＳＥ２、ＳＥ３と上部６２との間に隙間ＧＰが形成されている。封止層ＳＥ１、ＳＥ２、ＳＥ３の端部は、上部６２から離間している。つまり、隙間ＧＰは、封止層ＳＥ１、ＳＥ２、ＳＥ３のそれぞれの端部の下方で開放されている。
【0042】
なお、有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、及び、キャップ層ＣＰ１のそれぞれの一部が、副画素ＳＰ１の周囲の隔壁６の上に位置していてもよい。但し、これらの部分は、有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、及び、キャップ層ＣＰ１のうち開口ＡＰ１に位置する部分（表示素子２０１を構成する部分）から離間している。
同様に、有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２、及び、キャップ層ＣＰ２のそれぞれの一部が、副画素ＳＰ２の周囲の隔壁６の上に位置していてもよいが、これらの部分は、有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２、及び、キャップ層ＣＰ２のうち開口ＡＰ２に位置する部分（表示素子２０２を構成する部分）から離間している。
同様に、有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３、及び、キャップ層ＣＰ３のそれぞれの一部が、副画素ＳＰ３の周囲の隔壁６の上に位置していてもよいが、これらの部分は、有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３、及び、キャップ層ＣＰ３のうち開口ＡＰ３に位置する部分（表示素子２０３を構成する部分）から離間している。
同様に、有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２、及び、キャップ層ＣＰ２のそれぞれの一部が、副画素ＳＰ２の周囲の隔壁６の上に位置していてもよいが、これらの部分は、有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２、及び、キャップ層ＣＰ２のうち開口ＡＰ２に位置する部分（表示素子２０２を構成する部分）から離間している。
同様に、有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３、及び、キャップ層ＣＰ３のそれぞれの一部が、副画素ＳＰ３の周囲の隔壁６の上に位置していてもよいが、これらの部分は、有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３、及び、キャップ層ＣＰ３のうち開口ＡＰ３に位置する部分（表示素子２０３を構成する部分）から離間している。
【0043】
封止層ＳＥ１、ＳＥ２、ＳＥ３の端部は、隔壁６の上に位置している。図３の例においては、副画素ＳＰ１、ＳＰ２間の隔壁６の上に位置する封止層ＳＥ１、ＳＥ２の端部同士が離間し、副画素ＳＰ２、ＳＰ３間の隔壁６の上に位置する封止層ＳＥ２、ＳＥ３の端部同士が離間している。
【0044】
封止層ＳＥ１、ＳＥ２、ＳＥ３は、樹脂層１３によって覆われている。樹脂層１３は、隔壁６の上部６２と封止層ＳＥ１とで囲まれた隙間ＧＰ、上部６２と封止層ＳＥ２とで囲まれた隙間ＧＰ、上部６２と封止層ＳＥ３とで囲まれた隙間ＧＰにそれぞれ充填されている。なお、隙間ＧＰが完全に樹脂層１３で満たされずに、隙間ＧＰの一部に空隙が存在する場合があり得る。
樹脂層１３は、封止層１４によって覆われている。
封止層１４は、オーバーコート層１５の上に配置されている。
樹脂層１３は、封止層１４によって覆われている。
封止層１４は、オーバーコート層１５の上に配置されている。
【0045】
無機絶縁層５、封止層ＳＥ１、ＳＥ２、ＳＥ３、及び、封止層１４は、例えば、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）、または、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）などの無機絶縁材料で形成されている。
樹脂層１３及びオーバーコート層１５は、同様の樹脂材料で形成されている。
樹脂層１３及びオーバーコート層１５は、同様の樹脂材料で形成されている。
【0046】
隔壁６の下部６１は、導電材料で形成され、上電極ＵＥ１、ＵＥ２、ＵＥ３と電気的に接続されている。隔壁６の上部６２は、例えば導電材料によって形成されているが、絶縁材料で形成されもよい。下部６１は、上部６２とは異なる材料で形成されている。
【0047】
下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３は、例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）などの酸化物導電材料で形成された透明電極と、銀などの金属材料で形成された金属電極とを含む多層体である。
【0048】
有機層ＯＲ１は、発光層ＥＭ１を含む。有機層ＯＲ２は、発光層ＥＭ２を含む。有機層ＯＲ３は、発光層ＥＭ３を含む。発光層ＥＭ１、発光層ＥＭ２、及び、発光層ＥＭ３は、互いに異なる材料で形成されている。一例では、発光層ＥＭ１は、青波長域の光を放つ材料によって形成され、発光層ＥＭ２は、緑波長域の光を放つ材料によって形成され、発光層ＥＭ３は、赤波長域の光を放つ材料によって形成されている。
また、有機層ＯＲ１、ＯＲ２、ＯＲ３の各々は、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層、正孔ブロック層、電子輸送層、電子注入層などの複数の機能層を含む。
また、有機層ＯＲ１、ＯＲ２、ＯＲ３の各々は、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層、正孔ブロック層、電子輸送層、電子注入層などの複数の機能層を含む。
【0049】
上電極ＵＥ１、ＵＥ２、ＵＥ３は、例えば、マグネシウム及び銀の合金（ＭｇＡｇ）などの金属材料で形成されている。
【0050】
キャップ層ＣＰ１、ＣＰ２、ＣＰ３は、複数の薄膜の多層体である。複数の薄膜は、いずれも透明であり、しかも、互いに異なる屈折率を有している。
【0051】
上記の構成例において、例えば、封止層ＳＥ１は第１封止層に相当し、封止層１４は第２封止層に相当する。
【0052】
次に、表示素子２０の構成例について説明する。
【0053】
図４は、表示素子２０の一構成例を示す図である。
図４に示す表示素子２０は、上記の表示素子２０１、２０２、２０３のいずれにも相当し得るものである。
なお、ここでは、下電極ＬＥがアノードに相当し、上電極ＵＥがカソードに相当する場合を例に説明する。
図４に示す表示素子２０は、上記の表示素子２０１、２０２、２０３のいずれにも相当し得るものである。
なお、ここでは、下電極ＬＥがアノードに相当し、上電極ＵＥがカソードに相当する場合を例に説明する。
【0054】
表示素子２０は、下電極ＬＥ（ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３）と上電極ＵＥ（ＵＥ１、ＵＥ２、ＵＥ３）との間に有機層ＯＲ（ＯＲ１、ＯＲ２、ＯＲ３）を備えている。
【0055】
有機層ＯＲにおいて、正孔注入層ＨＩＬ、正孔輸送層ＨＴＬ、電子ブロック層ＥＢＬ、発光層ＥＭＬ、正孔ブロック層ＨＢＬ、電子輸送層ＥＴＬ、及び、電子注入層ＥＩＬは、この順に積層されている。
なお、有機層ＯＲは、上記した機能層の他に、必要に応じてキャリア発生層などの他の機能層を含んでいてもよいし、上記した機能層の少なくとも１つが省略されてもよい。
なお、有機層ＯＲは、上記した機能層の他に、必要に応じてキャリア発生層などの他の機能層を含んでいてもよいし、上記した機能層の少なくとも１つが省略されてもよい。
【0056】
発光層ＥＭＬは、図３に示した発光層ＥＭ１、ＥＭ２、ＥＭ３のいずれかに相当する。
【0057】
キャップ層ＣＰ（ＣＰ１、ＣＰ２、ＣＰ３）は、第１透明層ＴＬ１と、第２透明層ＴＬ２と、を含む。第１透明層ＴＬ１は、上電極ＵＥの上に配置されている。第１透明層ＴＬ１は、上電極ＵＥよりも高い屈折率を有する高屈折率層である。第２透明層ＴＬ２は、第１透明層ＴＬ１の上に配置されている。第２透明層ＴＬ２は、第１透明層ＴＬ１よりも小さい屈折率を有する低屈折率層である。封止層ＳＥ（ＳＥ１、ＳＥ２、ＳＥ３）は、第２透明層ＴＬ２の上に配置されている。なお、キャップ層ＣＰは、省略されてもよい。
【0058】
なお、有機層ＯＲの構成については、図示したように有機層ＯＲが１層の発光層ＥＭＬを備える構成に限らず、有機層ＯＲが複数の発光層を備える構成であってもよい。
【0059】
次に、表示装置ＤＳＰを製造するための装置について、概略的に説明する。
【0060】
図５は、製造装置の概要を説明するための図である。
【0061】
基板ストッカー２００は、大気雰囲気下で複数の処理基板を収容している。ここでの処理基板とは、表示装置用マザー基板であり、大型の基板の上に複数のパネル部を備えている。パネル部の各々は、処理基板を割断することで取り出される。取り出されたパネル部の各々は、図１に示した表示パネルＰＮＬに相当し、表示領域ＤＡと、周辺領域ＳＡと、を備えている。
【0062】
インライン型の蒸着装置１００は、前処理部１０１と、加熱部１０２と、蒸着部１０３と、を備えている。蒸着装置１００については、後に詳述するが、高真空環境下で処理基板の上に蒸着層を形成するように構成されている。
【0063】
ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ－Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置２１０は、真空環境下で処理基板の上に無機絶縁材料を堆積して封止層ＳＥ１、ＳＥ２、ＳＥ３、及び、封止層１４を形成するように構成されている。なお、ＣＶＤ装置２１０の真空度は、蒸着装置１００の真空度より低い場合がある。
【0064】
レジスト形成装置２２０は、大気雰囲気下で封止層ＳＥ１、ＳＥ２、ＳＥ３の上に所定の形状を有するレジストを形成するように構成されている。
【0065】
ウエットエッチング装置２３０は、大気雰囲気下でレジストをマスクとして蒸着層の一部を除去するように構成されている。
【0066】
ドライエッチング装置２４０は、真空環境下でレジストをマスクとして蒸着層の一部、封止層ＳＥ１、ＳＥ２、ＳＥ３の一部、及び、封止層１４の一部を除去するように構成されている。なお、ドライエッチング装置２４０の真空度は、蒸着装置１００の真空度より低い場合がある。
【0067】
樹脂形成装置２５０は、樹脂層１３及びオーバーコート層１５を形成するように構成されている。樹脂形成装置２５０は、塗布装置２５１と、乾燥装置２５２と、硬化装置２５３と、を備えている。塗布装置２５１は、大気環境下で樹脂材料を塗布するように構成されている。乾燥装置２５２は、大気雰囲気よりも減圧された低真空環境下で樹脂材料を乾燥するように構成されている。なお、乾燥装置２５２は、省略されてもよい。硬化装置２５３は、樹脂材料の硬化処理を行うように構成されている。一例として、樹脂材料が紫外線硬化型樹脂材料である場合には、硬化装置２５３は、樹脂材料に紫外線を照射するように構成されている。
【0068】
蒸着装置１００、ＣＶＤ装置２１０、レジスト形成装置２２０、ウエットエッチング装置２３０、ドライエッチング装置２４０、及び、樹脂形成装置２５０は、それぞれ詳述しない搬送機構を介して基板ストッカー２００に接続されている。
【0069】
【0070】
蒸着装置１００は、例えば、図４に示した有機層ＯＲ、上電極ＵＥ、及び、キャップ層ＣＰを連続的に形成する工程で適用される。蒸着装置１００に搬入される処理基板ＳＵＢは、基板１０の上に、回路層１１と、絶縁層１２と、下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３と、無機絶縁層５と、隔壁６と、を有している。
【0071】
蒸着装置１００は、前処理部１０１と、加熱部１０２と、蒸着部１０３と、を備えている。蒸着装置１００は、詳述しないが搬送機構を介して基板ストッカー２００に接続されている。また、蒸着装置１００は、搬送機構の一部として、姿勢変換部１０４を備えている。
【0072】
前処理部１０１は、搬入された処理基板ＳＵＢに対して、プラズマ処理などの各種の前処理を行う機構を備えている。加熱部１０２は、処理基板ＳＵＢに対して加熱処理を行う機構を備えている。
【0073】
姿勢変換部１０４は、処理基板ＳＵＢの姿勢を変換する機構、静電チャックにより処理基板ＳＵＢを専用のキャリアに固定する機構、静電チャックによる固定を解除してキャリアから処理基板ＳＵＢを取り外す機構などを備えている。一例では、前処理部１０１及び加熱部１０２に搬入される処理基板ＳＵＢの姿勢は水平姿勢である。前処理部１０１及び加熱部１０２から搬出された処理基板ＳＵＢの姿勢は、姿勢変換部１０４において水平姿勢から垂直姿勢に変換される。蒸着部１０３に搬入される処理基板ＳＵＢの姿勢は垂直姿勢である。蒸着部１０３から搬出された処理基板ＳＵＢの姿勢は、姿勢変換部１０４において垂直姿勢から水平姿勢に変換される。
【0074】
蒸着部１０３は、複数の蒸着チャンバーＥＶ１１乃至ＥＶ２０と、ローテーションチャンバーＲ１１と、を備えている。前処理部１０１、加熱部１０２、姿勢変換部１０４、複数の蒸着チャンバーＥＶ１１乃至ＥＶ２０、及び、ローテーションチャンバーＲ１１は、互いに接続され、高真空に維持されている。
【0075】
蒸着チャンバーＥＶ１１乃至ＥＶ１５は、一列に並んでいる。蒸着チャンバーＥＶ１１は、姿勢変換部１０４に接続されている。蒸着チャンバーＥＶ１５は、ローテーションチャンバーＲ１１に接続されている。搬送路Ｔ１１は、蒸着チャンバーＥＶ１１乃至ＥＶ１５に亘って設けられている。
【0076】
蒸着チャンバーＥＶ１６乃至ＥＶ２０は、一列に並んでいる。蒸着チャンバーＥＶ１６は、ローテーションチャンバーＲ１１に接続されている。蒸着チャンバーＥＶ２０は、姿勢変換部１０４に接続されている。搬送路Ｔ１２は、蒸着チャンバーＥＶ１６乃至ＥＶ２０に亘って設けられている。
【0077】
蒸着チャンバーＥＶ１１は、蒸着源Ｓ１１を備えている。蒸着源Ｓ１１は、搬送路Ｔ１１に向けて、正孔注入層ＨＩＬを形成するための材料を放射するように構成されている。
蒸着チャンバーＥＶ１２は、蒸着源Ｓ１２を備えている。蒸着源Ｓ１２は、搬送路Ｔ１１に向けて、正孔輸送層ＨＴＬを形成するための材料を放射するように構成されている。
蒸着チャンバーＥＶ１３は、蒸着源Ｓ１３を備えている。蒸着源Ｓ１３は、搬送路Ｔ１１に向けて、電子ブロック層ＥＢＬを形成するための材料を放射するように構成されている。
蒸着チャンバーＥＶ１４は、蒸着源Ｓ１４を備えている。蒸着源Ｓ１４は、搬送路Ｔ１１に向けて、発光層ＥＭＬを形成するための材料を放射するように構成されている。
蒸着チャンバーＥＶ１５は、蒸着源Ｓ１５を備えている。蒸着源Ｓ１５は、搬送路Ｔ１１に向けて、正孔ブロック層ＨＢＬを形成するための材料を放射するように構成されている。
蒸着チャンバーＥＶ１２は、蒸着源Ｓ１２を備えている。蒸着源Ｓ１２は、搬送路Ｔ１１に向けて、正孔輸送層ＨＴＬを形成するための材料を放射するように構成されている。
蒸着チャンバーＥＶ１３は、蒸着源Ｓ１３を備えている。蒸着源Ｓ１３は、搬送路Ｔ１１に向けて、電子ブロック層ＥＢＬを形成するための材料を放射するように構成されている。
蒸着チャンバーＥＶ１４は、蒸着源Ｓ１４を備えている。蒸着源Ｓ１４は、搬送路Ｔ１１に向けて、発光層ＥＭＬを形成するための材料を放射するように構成されている。
蒸着チャンバーＥＶ１５は、蒸着源Ｓ１５を備えている。蒸着源Ｓ１５は、搬送路Ｔ１１に向けて、正孔ブロック層ＨＢＬを形成するための材料を放射するように構成されている。
【0078】
蒸着チャンバーＥＶ１６は、蒸着源Ｓ１６を備えている。蒸着源Ｓ１６は、搬送路Ｔ１２に向けて、電子輸送層ＥＴＬを形成するための材料を放射するように構成されている。
蒸着チャンバーＥＶ１７は、蒸着源Ｓ１７を備えている。蒸着源Ｓ１７は、搬送路Ｔ１２に向けて、電子注入層ＥＩＬを形成するための材料を放射するように構成されている。
蒸着チャンバーＥＶ１８は、蒸着源Ｓ１８を備えている。蒸着源Ｓ１８は、搬送路Ｔ１２に向けて、上電極ＵＥを形成するための材料を放射するように構成されている。
蒸着チャンバーＥＶ１９は、蒸着源Ｓ１９を備えている。蒸着源Ｓ１９は、搬送路Ｔ１２に向けて、第１透明層ＴＬ１を形成するための材料を放射するように構成されている。
蒸着チャンバーＥＶ２０は、蒸着源Ｓ２０を備えている。蒸着源Ｓ２０は、搬送路Ｔ１２に向けて、第２透明層ＴＬ２を形成するための材料を放射するように構成されている。
蒸着チャンバーＥＶ１７は、蒸着源Ｓ１７を備えている。蒸着源Ｓ１７は、搬送路Ｔ１２に向けて、電子注入層ＥＩＬを形成するための材料を放射するように構成されている。
蒸着チャンバーＥＶ１８は、蒸着源Ｓ１８を備えている。蒸着源Ｓ１８は、搬送路Ｔ１２に向けて、上電極ＵＥを形成するための材料を放射するように構成されている。
蒸着チャンバーＥＶ１９は、蒸着源Ｓ１９を備えている。蒸着源Ｓ１９は、搬送路Ｔ１２に向けて、第１透明層ＴＬ１を形成するための材料を放射するように構成されている。
蒸着チャンバーＥＶ２０は、蒸着源Ｓ２０を備えている。蒸着源Ｓ２０は、搬送路Ｔ１２に向けて、第２透明層ＴＬ２を形成するための材料を放射するように構成されている。
【0079】
ローテーションチャンバーＲ１１は、搬送路Ｔ１１から搬出された処理基板ＳＵＢを搬送路Ｔ１２に搬出するように構成されている。ローテーションチャンバーＲ１１は、回転機構ＲＭ１１を備えている。回転機構ＲＭ１１は、搬送路Ｔ１１を介して搬入された処理基板ＳＵＢを保持し、回転軸Ａ１１を中心として回転可能に構成されている。
【0080】
なお、蒸着装置１００の構成については、図示した例に限定されるものではない。
【0081】
【0082】
【0083】
蒸着装置１００の蒸着部１０３において、蒸着チャンバーＥＶ１１、ＥＶ１２、ＥＶ１３、ＥＶ１４１、ＥＶ１４２、ＥＶ１４３は、一列に並んでいる。蒸着チャンバーＥＶ１１は、姿勢変換部１０４に接続されている。蒸着チャンバーＥＶ１４３は、ローテーションチャンバーＲ１１に接続されている。
蒸着チャンバーＥＶ１５乃至ＥＶ２０は、一列に並んでいる。蒸着チャンバーＥＶ１５は、ローテーションチャンバーＲ１１に接続されている。蒸着チャンバーＥＶ２０は、姿勢変換部１０４に接続されている。
蒸着チャンバーＥＶ１５乃至ＥＶ２０は、一列に並んでいる。蒸着チャンバーＥＶ１５は、ローテーションチャンバーＲ１１に接続されている。蒸着チャンバーＥＶ２０は、姿勢変換部１０４に接続されている。
【0084】
蒸着チャンバーＥＶ１１の蒸着源Ｓ１１は、正孔注入層ＨＩＬを形成するための材料を放射するように構成されている。
蒸着チャンバーＥＶ１２の蒸着源Ｓ１２は、正孔輸送層ＨＴＬを形成するための材料を放射するように構成されている。
蒸着チャンバーＥＶ１３の蒸着源Ｓ１３は、電子ブロック層ＥＢＬを形成するための材料を放射するように構成されている。
蒸着チャンバーＥＶ１２の蒸着源Ｓ１２は、正孔輸送層ＨＴＬを形成するための材料を放射するように構成されている。
蒸着チャンバーＥＶ１３の蒸着源Ｓ１３は、電子ブロック層ＥＢＬを形成するための材料を放射するように構成されている。
【0085】
蒸着チャンバーＥＶ１４１の蒸着源Ｓ１４１は、発光層ＥＭ１を形成するための材料を放射するように構成されている。
蒸着チャンバーＥＶ１４２の蒸着源Ｓ１４２は、発光層ＥＭ２を形成するための材料を放射するように構成されている。
蒸着チャンバーＥＶ１４３の蒸着源Ｓ１４３は、発光層ＥＭ３を形成するための材料を放射するように構成されている。
蒸着源Ｓ１４１、Ｓ１４２、Ｓ１４３の各々から放射される材料は、互いに異なる色を放つ発光材料である。
蒸着チャンバーＥＶ１４２の蒸着源Ｓ１４２は、発光層ＥＭ２を形成するための材料を放射するように構成されている。
蒸着チャンバーＥＶ１４３の蒸着源Ｓ１４３は、発光層ＥＭ３を形成するための材料を放射するように構成されている。
蒸着源Ｓ１４１、Ｓ１４２、Ｓ１４３の各々から放射される材料は、互いに異なる色を放つ発光材料である。
【0086】
蒸着チャンバーＥＶ１５の蒸着源Ｓ１５は、正孔ブロック層ＨＢＬを形成するための材料を放射するように構成されている。
【0087】
蒸着チャンバーＥＶ１６の蒸着源Ｓ１６は、電子輸送層ＥＴＬを形成するための材料を放射するように構成されている。
蒸着チャンバーＥＶ１７の蒸着源Ｓ１７は、電子注入層ＥＩＬを形成するための材料を放射するように構成されている。
蒸着チャンバーＥＶ１７の蒸着源Ｓ１７は、電子注入層ＥＩＬを形成するための材料を放射するように構成されている。
【0088】
蒸着チャンバーＥＶ１８の蒸着源Ｓ１８は、上電極ＵＥを形成するための材料を放射するように構成されている。
蒸着チャンバーＥＶ１９の蒸着源Ｓ１９は、第１透明層ＴＬ１を形成するための材料を放射するように構成されている。
蒸着チャンバーＥＶ２０の蒸着源Ｓ２０は、第２透明層ＴＬ２を形成するための材料を放射するように構成されている。
蒸着チャンバーＥＶ１９の蒸着源Ｓ１９は、第１透明層ＴＬ１を形成するための材料を放射するように構成されている。
蒸着チャンバーＥＶ２０の蒸着源Ｓ２０は、第２透明層ＴＬ２を形成するための材料を放射するように構成されている。
【0089】
このような蒸着装置１００において、表示素子２０１を形成する場合には、処理基板ＳＵＢが垂直姿勢で搬送されながら、蒸着チャンバーＥＶ１１、ＥＶ１２、ＥＶ１３、ＥＶ１４１において各材料が順次蒸着される。その後、蒸着チャンバーＥＶ１４２、ＥＶ１４３においては、処理基板ＳＵＢは、材料が蒸着されることなく搬送される。その後、蒸着チャンバーＥＶ１５～ＥＶ２０おいて各材料が順次蒸着される。
【0090】
表示素子２０２を形成する場合には、処理基板ＳＵＢが垂直姿勢で搬送されながら、蒸着チャンバーＥＶ１１、ＥＶ１２、ＥＶ１３において各材料が順次蒸着される。その後、蒸着チャンバーＥＶ１４１においては、処理基板ＳＵＢは、材料が蒸着されることなく搬送される。その後、蒸着チャンバーＥＶ１４２においては、材料が蒸着される。その後、蒸着チャンバーＥＶ１４３においては、処理基板ＳＵＢは、材料が蒸着されることなく搬送される。その後、蒸着チャンバーＥＶ１５～ＥＶ２０において各材料が順次蒸着される。
【0091】
表示素子２０３を形成する場合には、処理基板ＳＵＢが垂直姿勢で搬送されながら、蒸着チャンバーＥＶ１１、ＥＶ１２、ＥＶ１３において各材料が順次蒸着される。その後、蒸着チャンバーＥＶ１４１、ＥＶ１４２においては、処理基板ＳＵＢは、材料が蒸着されることなく搬送される。その後、蒸着チャンバーＥＶ１４３、ＥＶ１５～ＥＶ２０において各材料が順次蒸着される。
【0092】
【0093】
蒸着装置１０３は、ローテーションチャンバーＲ１１が省略され、処理基板ＳＵＢを一方向に搬送するように構成されてもよい。この場合、例えば、図６Ａに示す構成例では、蒸着チャンバーＥＶ１１、ＥＶ１２、ＥＶ１３、ＥＶ１４、ＥＶ１５、ＥＶ１６、ＥＶ１７、ＥＶ１８、ＥＶ１９、ＥＶ２０は、この順に一方向に沿って並んでいる。また、図６Ｂに示す構成例では、蒸着チャンバーＥＶ１１、ＥＶ１２、ＥＶ１３、ＥＶ１４１、ＥＶ１４２、ＥＶ１４３、ＥＶ１５、ＥＶ１６、ＥＶ１７、ＥＶ１８、ＥＶ１９、ＥＶ２０は、この順に一方向に沿って並んでいる。
【0094】
【0095】
まず、処理基板ＳＵＢを用意する（ＳＴ１）。処理基板ＳＵＢを用意する工程は、絶縁層１２の上に、副画素ＳＰ１の下電極ＬＥ１、副画素ＳＰ２の下電極ＬＥ２、副画素ＳＰ３の下電極ＬＥ３を形成する工程と、下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３の各々と重なる開口ＡＰ１、ＡＰ２、ＡＰ３を有する無機絶縁層５を形成する工程と、無機絶縁層５の上に位置する下部６１及び下部６１の上に位置し下部６１の側面から突出した上部６２を有する隔壁６を形成する工程と、を含む。なお、開口ＡＰ１、ＡＰ２、ＡＰ３を有する無機絶縁層５を形成した後に、隔壁６を形成してもよいし、隔壁６を形成した後に、開口ＡＰ１、ＡＰ２、ＡＰ３を形成してもよい。
図８は、用意した処理基板ＳＵＢの断面を示している。
図８は、用意した処理基板ＳＵＢの断面を示している。
【0096】
続いて、表示素子２０１を形成する。
【0097】
まず、蒸着装置１００に処理基板ＳＵＢを搬入し、前処理部１０１において処理基板ＳＵＢに対して所定の前処理を行う（ＳＴ１１）。その後、必要に応じて、加熱部１０２において処理基板ＳＵＢに対して加熱処理を行い、姿勢変換部１０４において処理基板ＳＵＢを垂直姿勢に変換し、処理基板ＳＵＢを蒸着部１０３に搬入する。
【0098】
そして、蒸着部１０３において、隔壁６をマスクとした蒸着を行い、処理基板ＳＵＢの上に第１蒸着層を形成する（ＳＴ１２）。すなわち、蒸着チャンバーＥＶ１１において下電極ＬＥ１の上に正孔注入層ＨＩＬを形成し、蒸着チャンバーＥＶ１２において正孔注入層ＨＩＬの上に正孔輸送層ＨＴＬを形成し、蒸着チャンバーＥＶ１３において正孔輸送層ＨＴＬの上に電子ブロック層ＥＢＬを形成し、蒸着チャンバーＥＶ１４において電子ブロック層ＥＢＬの上に発光層ＥＭＬを形成し、蒸着チャンバーＥＶ１５において発光層ＥＭＬの上に正孔ブロック層ＨＢＬを形成し、蒸着チャンバーＥＶ１６において正孔ブロック層ＨＢＬの上に電子輸送層ＥＴＬを形成し、蒸着チャンバーＥＶ１７において電子輸送層ＥＴＬの上に電子注入層ＥＩＬを形成する。これにより、下電極ＬＥ１の上に、発光層ＥＭ１を含む有機層ＯＲ１が形成される。そして、蒸着チャンバーＥＶ１８において電子注入層ＥＩＬの上に上電極ＵＥを形成する。これにより、有機層ＯＲ１の上の上電極ＵＥ１が形成される。そして、蒸着チャンバーＥＶ１９において上電極ＵＥの上に第１透明層ＴＬ１を形成し、蒸着チャンバーＥＶ２０において第１透明層ＴＬ１の上に第２透明層ＴＬ２を形成する。これにより、上電極ＵＥ１の上のキャップ層ＣＰ１が形成される。
有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、及び、キャップ層ＣＰ１は、第１蒸着層に相当し、蒸着装置１００において、真空環境下で連続して形成される。
有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、及び、キャップ層ＣＰ１は、第１蒸着層に相当し、蒸着装置１００において、真空環境下で連続して形成される。
【0099】
そして、第１蒸着層の上に封止層ＳＥ１を形成する（ＳＴ１３）。すなわち、蒸着部１０３から処理基板ＳＵＢを搬出し、姿勢変換部１０４において処理基板ＳＵＢを水平姿勢に変換し、処理基板ＳＵＢをＣＶＤ装置２１０に搬入する。ＣＶＤ装置２１０においては、処理基板ＳＵＢの上に無機絶縁材料を堆積する。これにより、キャップ層ＣＰ１及び隔壁６を連続的に覆う封止層ＳＥ１が形成される。
【0100】
図９は、有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、キャップ層ＣＰ１、及び、封止層ＳＥ１が形成された処理基板ＳＵＢの断面を示している。
【0101】
有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、キャップ層ＣＰ１、及び、封止層ＳＥ１は、少なくとも表示領域ＤＡの全体に形成され、副画素ＳＰ１だけでなく副画素ＳＰ２、ＳＰ３にも配置されている。有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、及び、キャップ層ＣＰ１は、オーバーハング状の隔壁６によって分断される。
【0102】
有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、及び、キャップ層ＣＰ１がそれぞれ蒸着によって形成される際に、蒸着源から放たれた材料は、上部６２によって遮られる。このため、上部６２の上には、有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、及び、キャップ層ＣＰ１のそれぞれの一部が積層される。上部６２の上に位置する有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、及び、キャップ層ＣＰ１の各々は、下電極ＬＥ１の直上に位置する有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、及び、キャップ層ＣＰ１から離間している。
封止層ＳＥ１は、隔壁６の直上のキャップ層ＣＰ１を覆うとともに、下電極ＬＥ１の直上のキャップ層ＣＰ１を覆い、かつ、隔壁６に接している。
封止層ＳＥ１は、隔壁６の直上のキャップ層ＣＰ１を覆うとともに、下電極ＬＥ１の直上のキャップ層ＣＰ１を覆い、かつ、隔壁６に接している。
【0103】
続いて、封止層ＳＥ１の上に、所定の形状にパターニングされたレジストＲＳを形成する（ＳＴ１４）。レジストＲＳは、レジスト形成装置２２０で形成される。
図１０は、レジストＲＳが形成された処理基板ＳＵＢの断面を示している。
レジストＲＳは、副画素ＳＰ１とその周囲の隔壁６の一部に重なっている。
図１０は、レジストＲＳが形成された処理基板ＳＵＢの断面を示している。
レジストＲＳは、副画素ＳＰ１とその周囲の隔壁６の一部に重なっている。
【0104】
続いて、レジストＲＳをマスクとしたパターニングを行う（ＳＴ１５）。パターニングは、ウエットエッチング装置２３０及びドライエッチング装置２４０で行われる。レジストＲＳをマスクとして各種エッチングを行うことにより、レジストＲＳから露出した封止層ＳＥ１、キャップ層ＣＰ１、上電極ＵＥ１、及び、有機層ＯＲ１を順次除去する。
図１１は、パターニングを行った処理基板ＳＵＢの断面を示している。
このようなパターニングにより、副画素ＳＰ２の下電極ＬＥ２及び副画素ＳＰ３の下電極ＬＥ３が露出する。また、図示した例では、隔壁６の上に積層した有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、及び、キャップ層ＣＰ１は、パターニングの際に除去されている。このため、封止層ＳＥ１と隔壁６との間に隙間ＧＰが形成されている。
図１１は、パターニングを行った処理基板ＳＵＢの断面を示している。
このようなパターニングにより、副画素ＳＰ２の下電極ＬＥ２及び副画素ＳＰ３の下電極ＬＥ３が露出する。また、図示した例では、隔壁６の上に積層した有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、及び、キャップ層ＣＰ１は、パターニングの際に除去されている。このため、封止層ＳＥ１と隔壁６との間に隙間ＧＰが形成されている。
【0105】
続いて、レジストＲＳを剥離する（ＳＴ１６）。これにより、副画素ＳＰ１に表示素子２０１が形成される。
【0106】
続いて、表示素子２０２を形成する。表示素子２０２を形成する手順は、表示素子２０１を形成する手順と同様である。すなわち、表示素子２０１を形成した処理基板ＳＵＢの前処理を行う（ＳＴ２１）。そして、下電極ＬＥ２の上に第２蒸着層を形成する（ＳＴ２２）。第２蒸着層は、発光層ＥＭ２を含む有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２、及び、キャップ層ＣＰ２を有している。そして、封止層ＳＥ２を形成する（ＳＴ２３）。そして、封止層ＳＥ２の上にレジストを形成する（ＳＴ２４）。そして、このレジストをマスクとしたパターニングを行う（ＳＴ２５）。これにより、レジストから露出した封止層ＳＥ２、キャップ層ＣＰ２、上電極ＵＥ２、及び、有機層ＯＲ２が順次除去される。そして、レジストを剥離する（ＳＴ２６）。
図１２は、パターニングを行った処理基板ＳＵＢの断面を示している。
このようなパターニングにより、副画素ＳＰ２に表示素子２０２が形成され、副画素ＳＰ３の下電極ＬＥ３が露出する。また、図示した例では、隔壁６の上に積層した有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２、及び、キャップ層ＣＰ２がパターニングの際に除去されるため、封止層ＳＥ２と隔壁６との間に隙間ＧＰが形成されている。
図１２は、パターニングを行った処理基板ＳＵＢの断面を示している。
このようなパターニングにより、副画素ＳＰ２に表示素子２０２が形成され、副画素ＳＰ３の下電極ＬＥ３が露出する。また、図示した例では、隔壁６の上に積層した有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２、及び、キャップ層ＣＰ２がパターニングの際に除去されるため、封止層ＳＥ２と隔壁６との間に隙間ＧＰが形成されている。
【0107】
続いて、表示素子２０３を形成する。表示素子２０３を形成する手順は、表示素子２０１を形成する手順と同様である。すなわち、表示素子２０１及び表示素子２０２を形成した処理基板ＳＵＢの前処理を行う（ＳＴ３１）。そして、下電極ＬＥ３の上に第３蒸着層を形成する（ＳＴ３２）。第３蒸着層は、発光層ＥＭ３を含む有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３、及び、キャップ層ＣＰ３を有している。そして、封止層ＳＥ３を形成する（ＳＴ３３）。そして、封止層ＳＥ３の上にレジストを形成する（ＳＴ３４）。そして、このレジストをマスクとしたパターニングを行う（ＳＴ３５）。これにより、レジストから露出した封止層ＳＥ３、キャップ層ＣＰ３、上電極ＵＥ３、及び、有機層ＯＲ３が順次除去される。そして、レジストを剥離する（ＳＴ３６）。
図１３は、パターニングを行った処理基板ＳＵＢの断面を示している。
このようなパターニングにより、副画素ＳＰ３に表示素子２０３が形成される。また、図示した例では、隔壁６の上に積層した有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３、及び、キャップ層ＣＰ３がパターニングの際に除去されるため、封止層ＳＥ３と隔壁６との間に隙間ＧＰが形成されている。
図１３は、パターニングを行った処理基板ＳＵＢの断面を示している。
このようなパターニングにより、副画素ＳＰ３に表示素子２０３が形成される。また、図示した例では、隔壁６の上に積層した有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３、及び、キャップ層ＣＰ３がパターニングの際に除去されるため、封止層ＳＥ３と隔壁６との間に隙間ＧＰが形成されている。
【0108】
なお、以上の製造工程においては、最初に表示素子２０１が形成され、次に表示素子２０２が形成され、最後に表示素子２０３が形成される場合を想定したが、表示素子２０１、２０２、２０３の形成順はこの例に限られない。
【0109】
続いて、樹脂形成装置２５０において樹脂層１３を形成する。
【0110】
まず、塗布装置２５１に処理基板ＳＵＢを搬入する。塗布装置２５１では、大気雰囲気下で、封止層ＳＥ１、ＳＥ２、ＳＥ３の上に樹脂材料を塗布する（ＳＴ４１）。
そして、乾燥装置２５２に処理基板ＳＵＢを搬入する。乾燥装置２５２では、大気雰囲気よりも減圧した環境に維持される。処理基板ＳＵＢが減圧した環境下に置かれることにより、樹脂材料からの水分の発散を促進し、樹脂材料を乾燥する（ＳＴ４２）。また、同時に、隙間ＧＰに樹脂材料が充填される。
そして、硬化装置２５３に処理基板ＳＵＢを搬入する。そして、大気雰囲気下で、樹脂材料に紫外線を照射する（ＳＴ４３）。これにより、樹脂材料が硬化する。このような工程により、樹脂層１３が形成される。なお、樹脂材料を塗布する工程の後に、乾燥する工程（ＳＴ４２）を省略して、樹脂材料に紫外線を照射してもよい。
図１４は、樹脂層１３が形成された処理基板ＳＵＢの断面を示している。図示した例では、樹脂層１３は、隙間ＧＰに充填され、隙間ＧＰに空隙が存在していない。
そして、乾燥装置２５２に処理基板ＳＵＢを搬入する。乾燥装置２５２では、大気雰囲気よりも減圧した環境に維持される。処理基板ＳＵＢが減圧した環境下に置かれることにより、樹脂材料からの水分の発散を促進し、樹脂材料を乾燥する（ＳＴ４２）。また、同時に、隙間ＧＰに樹脂材料が充填される。
そして、硬化装置２５３に処理基板ＳＵＢを搬入する。そして、大気雰囲気下で、樹脂材料に紫外線を照射する（ＳＴ４３）。これにより、樹脂材料が硬化する。このような工程により、樹脂層１３が形成される。なお、樹脂材料を塗布する工程の後に、乾燥する工程（ＳＴ４２）を省略して、樹脂材料に紫外線を照射してもよい。
図１４は、樹脂層１３が形成された処理基板ＳＵＢの断面を示している。図示した例では、樹脂層１３は、隙間ＧＰに充填され、隙間ＧＰに空隙が存在していない。
【0111】
そして、蒸着装置１００の加熱部１０２に処理基板ＳＵＢを搬入する。加熱部１０２では、処理基板ＳＵＢを加熱する（ＳＴ４４）。これにより、樹脂層１３に含まれる水分が除去される。なお、加熱する工程（ＳＴ４４）は省略してもよい。
【0112】
そして、ＣＶＤ装置２１０に処理基板ＳＵＢを搬入する。ＣＶＤ装置２１０では、無機絶縁材料を堆積し、樹脂層１３を覆う封止層１４を形成する（ＳＴ４５）。
【0113】
そして、樹脂形成装置２５０に処理基板ＳＵＢを搬入する。樹脂形成装置２５０においては、樹脂層１３を形成するのと同様にして、封止層ＳＥ１４の上にオーバーコート層１５を形成する（ＳＴ４６）。
【0114】
そして、ドライエッチング装置２４０に処理基板ＳＵＢを搬入する。ドライエッチング装置２４０においては、オーバーコート層１５をマスクとして、封止層１４をパターニングする（ＳＴ４７）。
【0115】
以上の工程を経て、表示装置ＤＳＰが完成する。
【0116】
本実施形態によれば、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３の境界にオーバーハング状の隔壁６が設けられている。このような隔壁６は、蒸着によって形成される有機層ＯＲ１、ＯＲ２、ＯＲ３、上電極ＵＥ１、ＵＥ２、ＵＥ３、及び、キャップ層ＣＰ１、ＣＰ２、ＣＰ３を囲んでいる。また、副画素ＳＰ１の表示素子２０１、副画素ＳＰ２の表示素子２０２、及び、副画素ＳＰ３の表示素子２０３は、隔壁６によってそれぞれ個別に分断されている。このように分断された表示素子２０１、２０２、２０３は、それぞれ封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３で個別に封止されている。このため、いずれかの表示素子において水分浸入に起因した不具合が生じた場合であっても、浸入した水分の隣接する表示素子への拡散が抑制される。
【0117】
また、上記のように隣接する表示素子への水分の拡散が抑制される構造においては、隣接する表示素子において有機層が分断されていない構造（比較例）と比較して、許容される樹脂層１３の含水量を増大することができる。
【0118】
すなわち、比較例では、封止層にクラック等が生じた場合に、クラックから浸入した水分が複数の表示素子に亘って拡散し、多くの表示素子がダメージを受ける。このため、封止層を覆う樹脂層に関しては、含水量を極めて低くすることが要求される。このため、水分濃度が極めて低い窒素雰囲気、あるいは、クリーンドライエアの雰囲気下で樹脂層を形成する必要がある。一例では、比較例において樹脂層を形成する雰囲気に許容される水分濃度は、１００ｐｐｍ以下である。したがって、比較例においては、窒素雰囲気あるいはクリーンドライエアを生成するための設備が必要となる。
【0119】
一方、本実施形態においては、封止層ＳＥ１、ＳＥ２、ＳＥ３を覆う樹脂層１３には、多くの含水量が許容される。このため、樹脂層１３を形成するために樹脂材料を塗布する工程は、大気雰囲気下で行うことができる。一例では、樹脂材料を塗布する工程は、温度が２０℃乃至３０℃の範囲であり、湿度が４０％乃至７０％の範囲であり、酸素濃度が２０％以上の範囲に調整されたクリーンルームの大気雰囲気下で行うことができる。したがって、水分濃度が極めて低い雰囲気を生成するための設備が不要である。また、樹脂層１３は、オーバーコート層１５を形成する装置と共用化することができる。したがって、製造コストを削減することができる。加えて、製造装置の規模を小型することができ、設備の設置面積を削減することができる。
【0120】
また、樹脂材料を塗布した後に、樹脂材料を硬化させるまでの間に、樹脂材料を減圧乾燥する工程を追加することができる。一例では、減圧乾燥条件は、圧力が１００～１０００Ｐａの範囲であり、時間が１０～１５０秒の範囲である。これにより、樹脂材料を乾燥するのと同時に、隙間ＧＰに樹脂材料が充填され、隙間ＧＰにおける空隙（気泡）の形成を抑制することができる。なお、塗布する樹脂材料の粘度が小さく、樹脂材料を塗布した段階で樹脂材料が隙間ＧＰに十分に充填可能な場合には、減圧乾燥工程を省略してもよい。
【0121】
大気雰囲気下で塗布される樹脂材料が多くの水分を含むことが懸念される場合、樹脂層を形成した後に、処理基板ＳＵＢを加熱する工程を追加することができる。一例では、加熱条件は、温度が９０～１２０℃の範囲であり、圧力が１０００Ｐａ以下の範囲であり、時間が３～６０分の範囲である。これにより、樹脂層１３からの脱水を促進することができる。また、加熱工程は、蒸着装置１００に設けられた既存の設備（加熱部１０２）を利用することができるため、新たに加熱装置を追加する必要がない。このため、製造コストの増加が抑制される。なお、樹脂材料の含水量が十分に低い場合には、加熱工程を省略してもよい。
【0122】
以上説明したように、本実施形態によれば、製造コストを削減することが可能な表示装置及び表示装置の製造方法を提供することができる。
【0123】
以上、本発明の実施形態として説明した表示装置及びその製造方法を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての表示装置及びその製造方法も、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に属する。
【0124】
本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変形例に想到し得るものであり、それら変形例についても本発明の範囲に属するものと解される。例えば、上述の実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除、もしくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
【0125】
また、上述の実施形態において述べた態様によりもたらされる他の作用効果について、本明細書の記載から明らかなもの、または当業者において適宜想到し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。
【符号の説明】
【0126】
ＤＳＰ…表示装置 １０…基板
５…無機絶縁層 ＡＰ１、ＡＰ２、ＡＰ３…開口
６…隔壁 ６１…下部 ６２…上部
ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３…副画素
２０、２０１、２０２、２０３…表示素子（有機ＥＬ素子）
ＬＥ、ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３…下電極
ＵＥ、ＵＥ１、ＵＥ２、ＵＥ３…上電極
ＯＲ、ＯＲ１、ＯＲ２、ＯＲ３…有機層
１００…蒸着装置
２５０…樹脂形成装置 ２５１…塗布装置 ２５２…乾燥装置 ２５３…硬化装置
５…無機絶縁層 ＡＰ１、ＡＰ２、ＡＰ３…開口
６…隔壁 ６１…下部 ６２…上部
ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３…副画素
２０、２０１、２０２、２０３…表示素子（有機ＥＬ素子）
ＬＥ、ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３…下電極
ＵＥ、ＵＥ１、ＵＥ２、ＵＥ３…上電極
ＯＲ、ＯＲ１、ＯＲ２、ＯＲ３…有機層
１００…蒸着装置
２５０…樹脂形成装置 ２５１…塗布装置 ２５２…乾燥装置 ２５３…硬化装置
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6A】
【図6B】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】