特開 2024-171198 磁気センサ

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024171198

(43)【公開日】2024-12-11

(54)【発明の名称】磁気センサ

(51)【国際特許分類】

   G01R 33/02 20060101AFI20241204BHJP

   G01R 33/09 20060101ALI20241204BHJP

   G01D 5/14 20060101ALI20241204BHJP

   H10N 50/20 20230101ALI20241204BHJP

   G03B 5/00 20210101ALI20241204BHJP

   G02B 7/04 20210101ALI20241204BHJP

   G02B 7/08 20210101ALI20241204BHJP

   G03B 17/02 20210101ALI20241204BHJP

【ＦＩ】

G01R33/02 W

G01R33/09

G01D5/14 F

H10N50/20

G03B5/00 J

G02B7/04 E

G02B7/08 Z

G03B17/02

【審査請求】未請求

【請求項の数】15

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023088152

(22)【出願日】2023-05-29

(71)【出願人】

【識別番号】000003067

【氏名又は名称】ＴＤＫ株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100079108

【弁理士】

【氏名又は名称】稲葉 良幸

(74)【代理人】

【識別番号】100108213

【弁理士】

【氏名又は名称】阿部 豊隆

(74)【代理人】

【識別番号】100127177

【弁理士】

【氏名又は名称】伊藤 貴子

(72)【発明者】

【氏名】小林 尚史

【テーマコード（参考）】

2F077

2G017

2H044

2K005

5F092

【Ｆターム（参考）】

2F077AA21

2F077JJ09

2F077TT11

2F077UU26

2G017AA02

2G017AA03

2G017AA10

2G017AC01

2G017AC07

2G017AD55

2G017AD63

2G017AD65

2G017BA09

2H044BE10

2H044BE18

2H044DB02

2H044DE06

2K005CA23

2K005CA40

2K005CA53

5F092AA20

5F092AB01

5F092AC11

5F092BB16

5F092BB21

5F092BB29

5F092BB41

5F092FA09

(57)【要約】

【課題】強いＺ磁場が印加された場合であっても検知磁場範囲が低下しにくい磁気センサを提供することを目的とする。
【解決手段】磁気検出素子を有する磁界検出部と、第１方向において前記磁界検出部を挟むように位置する第１磁気シールド及び第２磁気シールドと、前記第１方向と直交する第２方向において、前記磁界検出部の側方に位置する第３磁気シールドと、を有する、磁気センサ。
【選択図】図１Ａ

【特許請求の範囲】

【請求項1】

磁気検出素子を有する磁界検出部と、
第１方向において前記磁界検出部を挟むように位置する第１磁気シールド及び第２磁気シールドと、
前記第１方向と直交する第２方向において、前記磁界検出部の側方に位置する第３磁気シールドと、を有する、
磁気センサ。

【請求項2】

磁気検出素子を有する磁界検出部と、
第１方向において前記磁界検出部を挟むように位置する第１磁気シールド及び第２磁気シールドと、
前記第１方向の磁束を収束し、前記磁界検出部に印加される磁束を減少する第３磁気シールドと、を有する、
磁気センサ。

【請求項3】

前記第３磁気シールドの一部又は全部が、前記第１磁気シールドと前記第２磁気シールドとの間に位置する、
請求項１又は２に記載の磁気センサ。

【請求項4】

前記第３磁気シールドが、前記第１方向と直交する前記第２方向において扁平な形状を有する、
請求項１又は２に記載の磁気センサ。

【請求項5】

前記磁界検出部を複数有し、
前記第３磁気シールドが、前記複数の磁界検出部毎に形成される、
請求項１又は２に記載の磁気センサ。

【請求項6】

前記第１方向の磁界成分を前記第１方向に直交する第２方向の磁界成分に変換して、前記磁界検出部に印加する磁界変換部をさらに有する、
請求項１又は２に記載の磁気センサ。

【請求項7】

前記磁界変換部の位置が、前記第１方向と直行する方向から見たときに、前記第３磁気シールドの位置と重なる、
請求項６に記載の磁気センサ。

【請求項8】

前記磁気検出素子が、前記第１方向に直交する前記第２方向に対して、傾斜して位置する、
請求項１又は２に記載の磁気センサ。

【請求項9】

前記磁界検出部を複数有し、
前記複数の磁界検出部が、ブリッジ回路で接続されている、
請求項１又は２に記載の磁気センサ。

【請求項10】

前記磁界検出部の位置が、前記第１方向と直行する方向から見たときに、前記第３磁気シールドの位置と重なる、
請求項１又は２に記載の磁気センサ。

【請求項11】

前記磁界検出部の位置が、前記第１方向と直行する方向から見たときに、前記第３磁気シールドの前記第１方向の中心位置と重なる、
請求項１０に記載の磁気センサ。

【請求項12】

前記第３磁気シールドが、前記第１磁気シールド及び前記第２磁気シールドの一方又は両方と接する、
請求項１又は２に記載の磁気センサ。

【請求項13】

前記第３磁気シールドが、前記第１磁気シールド及び前記第２磁気シールドの一方又は両方と離間する、
請求項１又は２に記載の磁気センサ。

【請求項14】

前記第３磁気シールドが、前記第１方向に直交する前記第２方向において、前記磁界検出部を囲う、
請求項１又は２に記載の磁気センサ。

【請求項15】

請求項１又は２に記載の磁気センサを備えたオートフォーカス機構及び／又は光学式手振れ補正機構を含む、
カメラモジュール。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、磁気センサに関する。

【背景技術】

【0002】

近年、種々の用途において、物理量（例えば、移動体の回転移動や直線的移動による位置や移動量（変化量）等）を検出するための物理量検出装置（位置検出装置）が用いられている。この物理量検出装置としては、外部磁場の変化を検出可能な磁気センサと、磁気センサに対する相対的な位置を変化させ得る磁界発生部（例えば磁石）とを備えるものが知られており、外部磁場の変化に応じたセンサ信号が磁気センサから出力される。

【0003】

磁気センサとしては、被検出磁界を検出する磁気センサ素子が基板上に設けられているものが知られており、かかる磁気センサ素子としては、外部磁場の変化に応じて抵抗が変化する磁気抵抗効果素子（ＧＭＲ素子、ＴＭＲ素子等）等が用いられている。

【0004】

上記磁気抵抗効果素子は、外部磁場に応じて磁化方向を変化させ得るフリー層と、磁化方向が固定されている磁化固定層と、フリー層及び磁化固定層の間に介在する非磁性層とを少なくとも有する積層構造により構成される。このような構造を有する磁気抵抗効果素子においては、フリー層の磁化方向と磁化固定層の磁化方向との角度により当該磁気抵抗効果素子の抵抗値が定まる。そして、外部磁場に応じてフリー層の磁化方向が変化し、それによるフリー層及び磁化固定層の磁化方向の角度が変化することで、磁気抵抗効果素子の抵抗値が変化する。この抵抗値の変化により、外部磁場の変化に応じたセンサ信号が出力される。基板上に設けられている磁気抵抗効果素子は、基板の面に平行な方向の磁界に対して感度を有するように構成される場合が多い。

【0005】

一方で、磁気センサにおいては、基板上に設けられている磁気抵抗効果素子によって、基板の面に垂直な方向の磁界を検出するような要求もある。例えば、特許文献１には、基板の面方向に沿った外部磁界を遮蔽する磁気シールドと、磁界検出部と、基板面に対する垂直方向の磁界成分を基板の面方向の磁界成分に変換し磁界検出部に印加する磁界変換部と、を有する磁気センサが開示されている。

【0006】

なお、特許文献２には、垂直に配向した磁気抵抗ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）などの磁気デバイスに対して、垂直及び面方向の外部磁場からの干渉を最小限とするための磁気シールドが開示されている。しかしながら、特許文献２に記載されるような技術はＭＲＡＭに対する外部磁界の干渉を遮蔽するための技術であり、外部磁界を検出する磁気センサに用いる磁気シールド技術とは根本的に異なる。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0007】

【特許文献1】特開2022-123321号公報

【特許文献2】米国特許出願公開第2023/0014296号明細書

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0008】

近年では、光学式手ブレ補正（ＯＩＳ）などのカメラモジュールにおいて、レンズの大型化などを背景に、強い駆動力が必要とされている。そのため、モジュールの駆動磁石から発生する磁場がより強力になってきている。そうした環境では検知磁場強度もより強力となり、使用される磁気センサにおいては、より広い磁場検知範囲が求められる。

【0009】

しかしながら、基板の面に垂直な方向の磁場が強い場合には、基板の面に垂直な方向の磁界を検出する磁気センサ（以下、「Ｚ軸磁気センサ」ともいう。）の磁場検知範囲が低下するという問題が生じる。これは、Ｚ軸磁気センサに対して、強い基板の面に垂直な方向の磁場（以下、「Ｚ磁場」ともいう。）が印加された場合、例えばＴＭＲ素子のフリー層磁化がＺ方向に回転し始めることで出力が低下してしまうこと等に由来する。このようなフリー層磁化の回転は、Ｚ磁場の検知範囲を広げる上での障害となる。

【0010】

特に、基板の面方向に沿った外部磁界を遮蔽する磁気シールドがＴＭＲ素子の上下に配置される場合、Ｚ方向の磁束がその磁気シールドにより収束され、ＴＭＲ素子により強いＺ磁場が印加される。その結果、検知磁場範囲がさらに低下しやすくなるという問題がある。

【0011】

本開示は、このような事情に鑑みてなされたものであり、強いＺ磁場が印加された場合であっても検知磁場範囲が低下しにくい磁気センサを提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0012】

本開示の一態様に係る磁気センサは、磁気検出素子を有する磁界検出部と、第１方向において前記磁界検出部を挟むように位置する第１磁気シールド及び第２磁気シールドと、前記第１方向と直交する第２方向において、前記磁界検出部の側方に位置する第３磁気シールドと、を有する。

【0013】

また、本開示の一態様に係る磁気センサは、磁気検出素子を有する磁界検出部と、第１方向において前記磁界検出部を挟むように位置する第１磁気シールド及び第２磁気シールドと、前記第１方向の磁束を収束し、前記磁界検出部に印加される磁束を減少する第３磁気シールドと、を有する。

【0014】

本開示の一態様に係る磁気センサにおいて、前記第３磁気シールドの一部又は全部が、前記第１磁気シールドと前記第２磁気シールドとの間に位置してもよい。また、第３磁気シールドは、前記第１方向と直交する前記第２方向において扁平な形状を有してもよい。

【0015】

本開示の一態様に係る磁気センサは、前記磁界検出部を複数有し、前記第３磁気シールドが、複数の前記磁界検出部毎に形成されてもよい。

【0016】

本開示の一態様に係る磁気センサは、前記第１方向の磁界成分を前記第１方向に直交する第２方向の磁界成分に変換して、前記磁界検出部に印加する磁界変換部をさらに有してもよい。

【0017】

本開示の一態様に係る磁気センサは、第１方向と直行する方向から見たときに、前記磁界変換部の位置が、前記第３磁気シールドの位置と重ってもよい。また、第１方向と直行する方向から見たときに、前記磁界検出部の位置は、前記第３磁気シールドの位置と重なってもよく、第１方向において、前記磁界検出部の位置が、前記第３磁気シールドの中心位置と重なってもよい。

【0018】

本開示の一態様に係る磁気センサにおいて、磁気検出素子は、前記第１方向に直交する前記第２方向に対して、傾斜して位置してもよい。

【0019】

本開示の一態様に係る磁気センサは、前記磁界検出部を複数有し、複数の前記磁界検出部が、ブリッジ回路で接続されていてもよい。

【0020】

本開示の一態様に係る磁気センサは、前記第３磁気シールドが、前記第１磁気シールド及び前記第２磁気シールドの一方又は両方と接していてもよいし、前記第３磁気シールドが、前記第１磁気シールド及び前記第２磁気シールドの一方又は両方と離間していてもよい。

【0021】

本開示の一態様に係る磁気センサは、前記第３磁気シールドが、前記第１方向に直交する前記第２方向において、前記磁界検出部を囲っていてもよい。

【0022】

本開示の一態様に係るカメラモジュールは、上記磁気センサを備えたオートフォーカス機構及び／又は光学式手振れ補正機構を含む。

【発明の効果】

【0023】

本開示によれば、強いＺ磁場が印加された場合であっても検知磁場範囲が低下しにくい磁気センサを提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0024】

【図1A】図１Ａは、本実施形態に係る磁気センサの概略構成を示す斜視図である。

【図1B】図１Ｂは、図１Ａにおける磁気センサの平面図である。

【図2A】図２Ａは、第１磁気シールド及び第２磁気シールドによるＺ方向の磁束の収束を示す概略図である。

【図2B】図２Ｂは、第３磁気シールドが磁路を形成し、磁界検出部に印加される第１磁界成分を低減する態様を示す概略図である。

【図2C】図２Ｃは、Ｚ方向磁場５００ｍＴを印加したときのＺ磁場シミュレーションを示す図である。

【図3A】図３Ａは、本実施形態に係る磁気センサの概略構成を示す斜視図である。

【図3B】図３Ｂは、本実施形態に係る磁気センサの概略構成を示す側面図である。

【図3C】図３Ｃは、本実施形態に係る磁気センサの概略構成を示す側面図である。

【図3D】図３Ｄは、本実施形態に係る磁気センサの概略構成を示す側面図である。

【図3E】図３Ｅは、本実施形態に係る磁気センサの概略構成を示す側面図である。

【図3F】図３Ｆは、本実施形態に係る磁気センサの概略構成を示す側面図である。

【図3G】図３Ｇは、本実施形態に係る磁気センサの概略構成を示す側面図である。

【図3H】図３Ｈは、本実施形態に係る磁気センサの概略構成を示す側面図である。

【図3I】図３Ｉは、図３Ｈにおける範囲Ｓの部分拡大図である。

【図3J】図３Ｊは、磁気抵抗効果素子の抵抗Ｒの算出式を示す概略図である。

【図3K】図３Ｋは、磁気抵抗効果素子の抵抗Ｒの算出式を示す概略図である。

【図4A】図４Ａは、本実施形態に係る磁気センサの概略構成を示す平面図である。

【図4B】図４Ｂは、本実施形態に係る磁気センサの概略構成を示す平面図である。

【図4C】図４Ｃは、本実施形態に係る磁気センサの概略構成を示す平面図である。

【図4D】図４Ｄは、本実施形態に係る磁気センサの概略構成を示す平面図である。

【図5】図５は、磁気コンパスとして構成された磁気センサの一例を示す平面図である。

【図6A】図６Ａは、カメラモジュールのオートフォーカス機構及び光学式手振れ補正機構の一部として用いられた磁気センサの一例を示す斜視図である。

【図6B】図６Ｂは、図６Ａに示されたカメラモジュールの内部構造を示す断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0025】

以下、図面を参照して本開示の一実施形態（以下、「本実施形態」ともいう。）について説明する。なお、本明細書に添付する図面においては、図示と理解のしやすさの便宜上、適宜縮尺及び縦横の寸法比等を、実物のそれらから変更し誇張してある場合がある。

【0026】

必要に応じて、「Ｘ方向」、「Ｙ方向」、「Ｚ方向」、「ＸＹ面方向」を規定している。ここで、「ＸＹ面方向」は、磁気センサが構成される基板の面方向であり、本開示の一実施形態における第１磁気シールド又は第２磁気シールドの面方向でもある。「Ｘ方向」及び「Ｙ方向」は、ＸＹ面内における互いに直交する方向である。さらに、「Ｚ方向」は、磁気センサが構成される基板の厚さ方向であり、ＸＹ面方向に対して垂直な方向でもある。

【0027】

なお、本開示における「第１方向」はＺ方向であってよく、「第２方向」はＸＹ面の任意方向であってよい。

【0028】

形状及び／又は幾何学的条件を意味する用語及び／又は数値は、厳密な意味に縛られる必要はなく、同様の機能を期待してもよい程度の範囲を含むものと解釈してもよい。例えば、「平行」及び／又は「直交」等が上記の用語に該当する。また、「長さの値」及び／又は「角度の値」等が上記の数値に該当する。

【0029】

ある構成が他の構成の「上に」、「下に」、「上側に」、「下側に」、「上方に」、又は「下方に」あると表現する場合には、ある構成が他の構成に直接的に接している態様と、ある構成と他の構成との間に別の構成が含まれている態様が含まれてもよい。ある構成と他の構成との間に別の構成が含まれている態様とは、言い換えると、ある構成が他の構成に間接的に接していると表現してもよい。また、「上」、「上側」、又は「上方」という表現は、「下」、「下側」、又は「下方」という表現と交換可能である。言い換えると、上下方向が逆転してもよい。また、左右においても同様である。

【0030】

同一部分及び／又は同様な機能を有する部分に、同一の符号又は類似の符号を付す際に、繰り返しの記載は省略する場合がある。また、図面の寸法比率は、実際の比率とは異なる場合がある。また、実施形態の構成の一部が、図面から省略される場合がある。

【0031】

矛盾の生じない範囲で、実施形態の一つ以上の形態と変形例の一つ以上の形態とを組み合わせてもよい。また、矛盾の生じない範囲で、実施形態の一つ以上の形態同士を組み合わせてもよい。また、矛盾の生じない範囲で、変形例の一つ以上の形態同士を組み合わせてもよい。

【0032】

製造方法などの方法に関して複数の工程を開示する場合に、開示されている工程の間に、開示されていないその他の工程が実施されてもよい。また、矛盾の生じない範囲で、工程の順序は、限定されない。

【0033】

図１Ａは、本開示の一実施形態に係る磁気センサ１００の概略構成を示す斜視図である。また、図１Ｂは、図１Ａにおける磁気センサ１００の第１磁気シールド１３１側からの平面図を示す。図１Ｂにおいては、第１磁気シールド１３１は表現していない。

【0034】

図１Ａ及び図１Ｂに示すように、磁気センサ１００は、磁界変換部１１０と、磁界検出部１２０と、磁気シールド１３０と、を有する。図１Ａに示すように、磁気シールド１３０は、磁界検出部１２０のＺ方向の上下に位置する第１磁気シールド１３１及び第２磁気シールド１３２と、磁界検出部１２０のＸ方向の左右に位置する第３磁気シールド１３３を有する。以下、各構成について詳説する。

【0035】

磁界変換部１１０は、Ｚ方向の磁界成分（以下、「第１磁界成分Ｈ１」ともいう）をＸＹ面の任意方向の磁界成分（以下、「第２磁界成分Ｈ２」ともいう）に変換し、磁界検出部１２０に対して第２磁界成分Ｈ２を印加する。これにより、磁界検出部１２０は、第１磁界成分Ｈ１の変化に応じた信号を出力することができる。

【0036】

磁界変換部１１０と磁界検出部１２０の位置関係は、特に制限されないが、磁界検出部１２０は磁界変換部１１０からの出力磁界が印加され得る位置に設けられてよい。また、一つの磁界検出部１２０に対して一つの磁界変換部１１０が設けられていてもよいし、複数の磁界検出部１２０に対して一つの磁界変換部１１０が設けられていてもよい。

【0037】

磁界変換部１１０は、軟磁性体により構成される一又は複数のヨーク１１１により構成されてもよい。図１Ａ及び図１Ｂには、ヨーク１１１をＹ方向に延伸した直方体形状として示すが、ヨーク１１１の形状は、磁界検出部１２０に対して第２磁界成分Ｈ２を印加することのできる形状であれば特に制限されない。

【0038】

ヨーク１１１を構成する材料としては、特に制限されないが、例えば、パーマロイ（ＮｉＦｅ）などの軟磁性材料が挙げられる。

【0039】

磁界検出部１２０は、第２磁界成分Ｈ２に応じた信号を出力する。ここで、第２磁界成分Ｈ２は、第１磁界成分Ｈ１が磁界変換部１１０によって変換されたものである。また、後述する第１磁気シールド１３１及び第２磁気シールド１３２により、磁界検出部１２０がＸＹ面方向の外部磁場から遮蔽される。そのため、磁界検出部１２０が出力する信号は、第１磁界成分Ｈ１の変化に応じた信号となる。

【0040】

磁界検出部１２０は、一又は複数の磁気検出素子１２１を有してもよい。磁気検出素子としては、磁場を検出する機能を有する素子であればよく、例えば、トンネル磁気抵抗効果素子（ＴＭＲ素子）、巨大磁気抵抗効果素子（ＧＭＲ素子）、異方性磁気抵抗素子（ＡＭＲ素子）、ホール素子、その他種の磁気検出素子が挙げられる。このなかでも、ＴＭＲ素子は、他種のＭＲ素子と比べて接合面積が小さくセンサチップを小型化でき、ＭＲ比が大きくセンサチップの出力を大きくできるため、磁気検出素子１２１に特に好適である。

【0041】

図１Ａ及び図１Ｂに示すように、磁界検出部１２０における磁気検出素子１２１の個数や配置は例示であってこれに限定されるものではない。例えば、磁界検出部１２０は、１つの磁気検出素子１２１を有してもよいし、マトリクス状に配置された複数の磁気検出素子１２１が直列に電気的に接続された素子列を有してもよい。図１Ａ及び図１Ｂにおいては、磁界検出部１２０として複数の磁気検出素子１２１が直列に電気的に接続された素子列の態様を示す。

【0042】

また、磁気センサ１００は、複数の磁界検出部１２０を有してもよい。例えば、磁気センサ１００は４つの磁界検出部１２０を有し、４つの磁界検出部１２０は、互いにブリッジ接続してなるホイートストンブリッジ回路などのブリッジ回路を構成してもよい。また、磁気センサ１００が複数の磁界検出部１２０が１組となった磁界検出部群を４組有し、４組の磁界検出部群が、互いにブリッジ接続してなるホイートストンブリッジ回路を構成してもよい。なお、磁界検出部群では、複数の磁界検出部１２０が、直列に接続されてもよいし、並列に接続されてもよい。

【0043】

例えば、図１Ｂでは、磁気センサ１００が、４つの第１磁界検出部群Ｒ１、第２磁界検出部群Ｒ２、第３磁界検出部群Ｒ３及び第４磁界検出部群Ｒ４を有する態様を例示する。図１Ｂに示すホイートストンブリッジ回路は、電源ポートＶと、グランドポートＧと、第１出力ポートＥ１と、第２出力ポートＥ２と、電源ポートＶ及び第１出力ポートＥ１の間に設けられている第１磁界検出部Ｒ１と、第１出力ポートＥ１及びグランドポートＧの間に設けられている第２磁界検出部Ｒ２と、電源ポートＶ及び第２出力ポートＥ２の間に設けられている第３磁界検出部Ｒ３と、第２出力ポートＥ２及びグランドポートＧの間に設けられている第４磁界検出部Ｒ４とを含む。電源ポートＶには、定電流源が接続されることで所定の大きさの電源電圧（定電流）が印加され、グランドポートＧはグランドに接続される。電源ポートＶに供給される定電流は、図示しないドライバＩＣにより所定の電流値に制御されている。なお、電源ポートＶには定電圧が印加されてもよい。

【0044】

図１Ｂに示すブリッジ構成では、出力を得るためにヨークによって曲げられた磁場の方向と磁化固定層の方向の組み合わせを以下のようにしてもよい。例えば、第２磁気シールド１３２側から第１磁気シールド１３１側へ向かうＺ方向の磁場が印加されたときは、各磁界検出部群の抵抗は以下のように変化する。第１磁界検出部群Ｒ１は、フリー層磁化が磁化固定層磁化と反平行となる方向に変化し、抵抗が上昇する。第２磁界検出部群Ｒ２は、フリー層磁化が磁化固定層磁化と平行となる方向に変化し、抵抗が減少する。第３磁界検出部群Ｒ３は、フリー層磁化が磁化固定層磁化と平行となる方向に変化し、抵抗が減少する。第４磁界検出部群Ｒ４は、フリー層磁化が磁化固定層磁化と反平行となる方向に変化し、抵抗が上昇する。この時のフリー層磁化と磁化固定層磁化との相対角度の大きさは、印加されたＺ磁場の強度によって変化するため、結果的に、Ｚ磁場の大きさを磁界検出部群の抵抗変化によるホイートストンブリッジ回路における差動電位（Ｅ１－Ｅ２）という形で得ることができる。

【0045】

磁界検出部１２０は、図１Ａ及び図１Ｂに示すように、ＸＹ面方向に対して平行に位置してもよいし、図３Ｈに示すように、ＸＹ面方向に対して傾斜して位置してもよい。磁界検出部１２０がＸＹ面方向に対して平行に位置する場合には、ＸＹ面方向に対して傾斜して位置する場合に比較して、製造効率がより向上する傾向にある。また、磁界検出部１２０がＸＹ面方向に対して傾斜して位置する場合には、磁界変換部１１０は必須の構成としなくともよい。

【0046】

より具体的には、図３Ｉに示すように、図３Ｈにおける範囲Ｓの部分拡大図では、角度θ傾斜して位置する磁界検出部１２０は、Ｚ方向の磁界成分Ｂｚを、Ｂｚｓｉｎθとして検知することができる。そのため、角度θ傾斜して位置する磁界検出部１２０に対しては、磁界変換部１１０を用いて、Ｚ方向の磁界成分をＸＹ面の任意方向の磁界成分に変換する必要がない。

【0047】

また、このように、磁界変換部１１０を設けない構成とすることで、磁界変換部１１０を設ける場合と比較して、相対的に均一な磁場を印加できる。例えば、Ｚ方向の磁界成分は、ヨーク１１１によってＸＹ面の任意方向の磁界成分に変換される。このとき、磁界検出部１２０に印加されるＸＹ面の任意方向の磁界成分の強度は、ヨーク１１１からのＸＹ面方向の距離に応じて変化する。そのため、磁界検出部１２０にはＸＹ面方向において不均一な面内磁場が印加される。より具体的には、例えばヨーク１１１の端部近傍では面内に変換された磁場成分が大きく、一方でヨーク１１１の端部から外側に離れるほど面内磁場成分は減少する。そのため、ヨーク１１１の端部に近い磁界検出部１２０の端部と、ヨーク１１１の端部から遠い磁界検出部１２０の端部を比較すると、前者は大きい面内磁場を受け、後者は相対的に弱い面内磁場を受ける。これに対し、磁界検出部１２０がＸＹ面方向に対して傾斜して配置し、磁界変換部１１０を設けない構成とすることで、このようなヨーク１１１からの距離による面内磁場の不均一性の問題を回避でき、面内磁場の不均一性による磁界検出部１２０の抵抗変化の線形性の影響を回避することができる。

【0048】

第１磁気シールド１３１と第２磁気シールド１３２は、Ｚ方向に沿ってみたときに、磁界検出部１２０を間に挟むように位置する。すなわち、第１磁気シールド１３１と第２磁気シールド１３２は、Ｚ方向において磁界検出部１２０と重なっている。これにより、ＸＹ面方向の磁束は第１磁気シールド１３１と第２磁気シールド１３２により収束され、磁界検出部１２０がＸＹ面方向の外部磁場から遮蔽される。そのため、磁界検出部１２０には、Ｚ方向の磁場が効果的に印加される。

【0049】

なお、本実施形態における磁気センサ１００が有する効果を奏する態様であれば、第１磁気シールド１３１と第２磁気シールド１３２は、Ｚ方向において、磁界検出部１２０の一部に重なっていてもよいし、磁界検出部１２０の全部に重なっていてもよい。また、第１磁気シールド１３１は、Ｚ方向において、第２磁気シールド１３２の一部に重なっていてもよいし、第２磁気シールド１３２の全部に重なっていてもよい。

【0050】

第１磁気シールド１３１及び第２磁気シールド１３２のＸＹ面方向の形状としては、特に制限されないが、例えば、正方形状、４つの角の角度が８９～９１°の四角形状、４つの角が丸められた角丸長方形状、長方形の４つの角が面取りされた形状（八角形状）、楕円状を含む長円形状、長方形の対向する２つの短辺を円弧状にした形状、台形、平行四辺形、菱形等の形状が挙げられる。なお、第１磁気シールド１３１と第２磁気シールド１３２が四角形状を有する場合において、２組の対向する２辺のうちの少なくとも１組の対向する２辺は平行であってもよいし、２組の対向する２辺が非平行であってもよい。第１磁気シールド１３１及び第２磁気シールド１３２のＸＹ面方向の形状は、同一であっても異なっていてもよい。

【0051】

また、第１磁気シールド１３１及び第２磁気シールド１３２は、図１Ａ及び図１Ｂに示すように１つの磁気シールドにより構成される態様であってもよいし、ＸＹ面方向において複数の磁気シールドが並列した態様であってもよい。

【0052】

上述のとおり、第１磁気シールド１３１及び第２磁気シールド１３２により、磁界検出部１２０に対するＸＹ面方向の磁場が遮蔽されるが、その一方で、第１磁気シールド１３１及び第２磁気シールド１３２はＺ方向の磁束を収束する。そのため、図２Ａに示すように、第１磁気シールド１３１と第２磁気シールド１３２の間に位置する磁界検出部１２０にはより強いＺ方向の磁場が印加されることとなる。

【0053】

上述したように、図３Ｊ及び図３Ｋを用いて、第１磁界成分Ｈ１が大きくなるにつれてＴＭＲのＺ方向の磁場の検知磁場範囲が低下するメカニズムについてより具体的に説明する。一般にＴＭＲの抵抗Ｒは、フリー層の磁化角度θｆｒｅｅと磁化固定層の磁化角度θｐｉｎの差、及び、ＴＭＲのコンダクタンスＧとコンダクタンス変動の振幅ｄＧを用いて表すことができる。図３Ｊでは、簡単のため磁化角度θｐｉｎが０である場合を示す。本実施形態においては、磁界変換部１１０により、Ｚ方向の第１磁界成分Ｈ１の一部が、ＸＹ面の任意方向の第２磁界成分Ｈ２に変換されて磁界検出部１２０に印加される。第２磁界成分Ｈ２のみが印加された場合には、フリー層の磁化が面内に回転し磁化角度θｆｒｅｅが変化する。この時の抵抗Ｒの計算式を図３Ｊに示す。

【0054】

これに対して、Ｚ方向の磁場が強くなる、すなわち第１磁界成分Ｈ１が大きくなるにつれて、フリー層の磁化は、図３Ｋに示すように、第２磁界成分Ｈ２により面内に回転すると同時に、第１磁界成分Ｈ１によってＸＹ面に対して磁界角度Φｆｒｅｅだけ回転する。これにより、図３Ｋに示すように、第１磁界成分Ｈ１が小さいとき、すなわちΦｆｒｅｅがゼロに近いときには、Ｃｏｓ（Φｆｒｅｅ）はほぼ１であり、抵抗Ｒの変動にほとんど寄与しない。しかしながら、第１磁界成分Ｈ１が大きくなるにつれて、磁界角度Φｆｒｅｅが９０度に近づき、その結果としてＣｏｓ（Φｆｒｅｅ）はゼロに近づく。これにより、抵抗Ｒの変動幅が小さくなり、結果として、Ｚ方向の磁場の検知磁場範囲の低下をもたらす。

【0055】

そのため、本開示の一実施形態に係る磁気センサ１００においては、図２Ｂに示すように、第３磁気シールド１３３を用いる。これにより、第３磁気シールド１３３が、磁路を形成し、磁界検出部１２０に印加される第１磁界成分Ｈ１を低減することができる。その結果、Ｚ方向の磁場が強い場合でも、フリー層の磁化が面直方向に回転することによって引き起こされる出力低下を抑制することができ、検知磁場範囲の向上を図ることができる。なお、図２Ｂにおいては、磁界変換部１１０及び磁界検出部１２０を省略して示している。

【0056】

続いて、第３磁気シールド１３３について詳説する。第３磁気シールド１３３は、磁界検出部１２０のＸＹ面方向の側方に位置する。すなわち、第３磁気シールド１３３は、Ｚ方向において磁界検出部１２０と重なっていない。この第３磁気シールド１３３は、第１磁気シールド１３１と第２磁気シールド１３２の間におけるＺ方向の磁束を収束し、Ｚ方向の磁路を形成する。そのため、磁界検出部１２０に印加される第１磁界成分Ｈ１の一部は、第３磁気シールド１３３によって収束され、磁界検出部１２０に印加される第１磁界成分Ｈ１の磁場強度が減少する。これにより、検知磁場範囲の低下が抑制され、Ｚ方向の検知磁場範囲の広い磁気センサ１００を実現できる。

【0057】

図２Ｃに、Ｚ方向磁場を印加したときのＺ磁場シミュレーションを示す。図２Ｃの縦軸は、外部Ｚ磁場Ｂｚ＿ｅｘｔに対する、測定位置におけるＺ方向磁場Ｂｚの比率を示す。図２Ｃに示すように、第１磁気シールド１３１、第２磁気シールド１３２、及び第３磁気シールド１３３を組み合わせて用いたＭｏｄｅｌ １は、第１磁気シールド１３１、第２磁気シールド１３２、及び第３磁気シールド１３３のいずれかを欠くＭｏｄｅｌ ２～４と比較して、Ｚ方向の磁路形成が安定化し、優れたＺ方向の検知磁場範囲の低下抑制効果が得られる。

【0058】

さらに、図２Ｃに示すように、第１磁気シールド１３１、第２磁気シールド１３２、及び第３磁気シールド１３３を組み合わせて用いるＭｏｄｅｌ １は、例えば、第１磁気シールド１３１及び第２磁気シールド１３２の一方又は両方が存在しないＭｏｄｅｌ ２，４などに比べて、ＸＹ面方向の任意の位置においてより均一なＺ方向の磁場強度が得られる。そのため、磁界検出部１２０のＸＹ面方向の配置位置の違いによる感度の変動を低減できる。これにより、製造プロセスにおいて、磁気検出素子１２１のＸＹ面方向の設置位置がずれたとしても、当該ずれによる感度変動を抑えることができる。また、図１Ｂに示すように、複数の磁気検出素子１２１を広く配置される場合において、磁気検出素子１２１の配置位置の違いによる感度変動も抑えられる。

【0059】

第１磁気シールド１３１、第２磁気シールド１３２、及び第３磁気シールド１３３は、一体化されてもよいし、一体化されなくとも磁気的に結合されたものでもよい。

【0060】

第１磁気シールド１３１、第２磁気シールド１３２、及び第３磁気シールド１３３の構成材料としては、特に制限されないが、例えば、パーマロイ（ＮｉＦｅ）などの軟磁性材料が挙げられる。

【0061】

続いて、第３磁気シールド１３３の態様についてさらに説明する。図３Ａ～図３Ｈに、Ｚ方向における第３磁気シールド１３３の態様を示す。図３Ａ～図３Ｈは、磁気センサ１００の概略構成を示す側面図である。また、図４Ａ～図４Ｄに、ＸＹ面方向に平行な断面における第３磁気シールド１３３の態様を示す。図４Ａ～図４Ｄは、磁気センサ１００の第１磁気シールド１３１側からの平面図を示す。なお、図４Ａ～図４Ｄにおいては、第１磁気シールド１３１は表現していない。

【0062】

図３Ａに示すように、第３磁気シールド１３３の全部が、第１磁気シールド１３１と第２磁気シールド１３２との間に位置してもよい。また、図３Ｂに示すように、第３磁気シールド１３３の一部が、第１磁気シールド１３１と第２磁気シールド１３２との間に位置してもよい。言い換えれば、第３磁気シールド１３３の一部は、第１磁気シールド１３１と第２磁気シールド１３２との間に位置しなくてもよい。

【0063】

図３Ｃに示すように、本実施形態における磁気センサ１００が有する効果を奏する態様であれば、第３磁気シールド１３３が、第１磁気シールド１３１と第２磁気シールド１３２との間に位置しなくてもよい。図３Ｃにおいては、第３磁気シールド１３３が第１磁気シールド１３１及び第２磁気シールド１３２とＸ方向に離間しているが、第３磁気シールド１３３は第１磁気シールド１３１及び第２磁気シールド１３２と接していてもよい。

【0064】

図３Ａ～図３Ｃのなかでも、図３Ｃに示すように、第３磁気シールド１３３の全部が、第１磁気シールド１３１と第２磁気シールド１３２との間に位置しない場合には、第３磁気シールド１３３が、ＸＹ面内磁場に対してヨークの様に作用して、第１磁気シールド１３１と第２磁気シールド１３２のＸＹ磁場に対する飽和が促進される傾向にある。一方で、図３Ａに示すように、第３磁気シールド１３３の全部が、第１磁気シールド１３１と第２磁気シールド１３２との間に位置する場合には、第１磁気シールド１３１と第２磁気シールド１３２のＸＹ磁場に対する飽和が促進されにくい傾向にある。また、第３磁気シールド１３３もＸＹ磁場に対して飽和しにくい傾向にある。

【0065】

図３Ｄに示すように、第３磁気シールド１３３は、第１磁気シールド１３１と第２磁気シールド１３２との間に位置し、かつ、第１磁気シールド１３１に接していてもよい。また、図３Ｅに示すように、第３磁気シールド１３３は、第１磁気シールド１３１と第２磁気シールド１３２との間に位置し、かつ、第２磁気シールド１３２に接していてもよい。さらに、図３Ｆに示すように、第３磁気シールド１３３は、第１磁気シールド１３１と第２磁気シールド１３２との間に位置し、かつ、第１磁気シールド１３１と第２磁気シールド１３２の両方に接していてもよい。

【0066】

あるいは、図３Ａに示すように、第３磁気シールド１３３は、第１磁気シールド１３１と第２磁気シールド１３２との間に位置し、かつ、第１磁気シールド１３１と第２磁気シールド１３２の両方と離間していてもよい。

【0067】

第３磁気シールド１３３は、図３Ａに示すように、ＸＹ面方向に扁平な形状を有してもよい。ＸＹ面方向に扁平な形状を有する場合、Ｚ方向において、第３磁気シールド１３３のＺ方向の長さは、ＸＹ面方向の長さよりも短い。これにより、Ｚ方向が形状磁気異方性の困難軸となるため、第３磁気シールド１３３のＺ方向の磁化が飽和しにくい。そのため、磁界検出部１２０に印加される第１磁界成分Ｈ１の磁場強度がより強い磁場まで効果的に減少する傾向にある。

【0068】

Ｚ方向において、第３磁気シールド１３３の位置ｈ１は、図３Ａに示すように、磁界変換部１１０の位置ｈ２と重なってもよいし、図３Ｅに示すように、重なってなくてもよい。このなかで、第３磁気シールド１３３のＺ方向の位置ｈ１は磁界変換部１１０のＺ方向の位置ｈ２と重なっていることが好ましい。これにより、第３磁気シールド１３３によるＸＹ面方向の磁界成分が磁界変換部１１０に印加されにくくなる。そのため、磁界検出部１２０の検出精度がより向上する傾向にある。なお、第３磁気シールド１３３のＺ方向の位置ｈ１は、第３磁気シールド１３３における、第１磁気シールド１３１側の面１３３ａと第２磁気シールド１３２側の面１３３ｂで挟まれる部分である。また、磁界変換部１１０のＺ方向の位置ｈ２は、磁界変換部１１０における、第１磁気シールド１３１側の面１１０ａと第２磁気シールド１３２側の面１１０ｂで挟まれる部分である。位置ｈ１と位置ｈ２とが重なるとは、面１３３ａ及び面１３３ｂの少なくとも一方が、面１１０ａ及び面１１０ｂの間に位置することを意味する。

【0069】

Ｚ方向において、第３磁気シールド１３３の位置ｈ１は、図３Ａに示すように、磁界検出部１２０の位置ｈ３と重なってもよいし、図３Ｄに示すように、重なってなくてもよい。このなかで、第３磁気シールド１３３のＺ方向の位置ｈ１は、Ｚ方向と直交する方向から見たときに、磁界検出部１２０のＺ方向の位置ｈ３と重なることが好ましい。なかでも、図３Ａに示すように、Ｚ方向において、第３磁気シールド１３３のＺ方向の中心位置ｈ１’が、Ｚ方向と直交する方向から見たときに、磁界検出部１２０のＺ方向の位置ｈ３と重なることが好ましい。これにより、Z磁場が印加された際に第３磁気シールド１３３によりＸＹ面方向に変換された磁界成分が磁界検出部１２０により印加されにくくなる。そのため、磁界検出部１２０の検出精度がより向上する傾向にある。なお、磁界検出部１２０のＺ方向の位置ｈ３は、磁界検出部１２０における、第１磁気シールド１３１側の面１２０ａと第２磁気シールド１３２側の面１２０ｂで挟まれる部分である。中心位置ｈ１’が位置ｈ３と重なるとは、中心位置ｈ１’における面１３３ｃが、面１２０ａ及び面１２０ｂの間に位置することを意味する。

【0070】

第３磁気シールド１３３は、図３Ａ～図３Ｆに示すように、第１磁気シールド１３１と第２磁気シールド１３２の縁に位置する態様のほか、図３Ｇに示すように、第１磁気シールド１３１と第２磁気シールド１３２の縁よりも奥、例えば中央に位置してもよい。

【0071】

図４Ａに示すように、第３磁気シールド１３３は、第１磁気シールド１３１及び第２磁気シールド１３２のすべての縁を囲うように位置してもよい。言い換えると、第３磁気シールド１３３は、磁界検出部１２０を囲うように位置してもよい。また、図４Ｂに示すように、第３磁気シールド１３３は、第１磁気シールド１３１及び第２磁気シールド１３２の一部の縁を囲うように位置してもよい。言い換えると、第３磁気シールド１３３は、磁界検出部１２０を部分的に囲うように位置してもよい。

【0072】

図４Ｃに示すように、第３磁気シールド１３３は、第１磁気シールド１３１及び第２磁気シールド１３２の縁に形成される必要はなく、縁よりも奥、例えば中央に位置してもよい。

【0073】

図４Ｄに示すように、第３磁気シールド１３３は、本実施形態における磁気センサ１００が有する効果を奏する態様であれば、第３磁気シールド１３３の全部が、第１磁気シールド１３１と第２磁気シールド１３２との間に位置しなくてもよい。図４Ｄにおいては、第３磁気シールド１３３が第１磁気シールド１３１及び第２磁気シールド１３２とX方向に離間しているが、第３磁気シールド１３３は第１磁気シールド１３１及び第２磁気シールド１３２と接していてもよい。

【0074】

磁気センサ１００が磁界検出部１２０を複数有するときは、第３磁気シールド１３３は磁界検出部１２０毎に位置してもよい。また、第１磁気シールド１３１及び第２磁気シールド１３２がＸＹ面方向において複数の磁気シールドが並列した態様である場合には、第３磁気シールド１３３は、複数の第１磁気シールド１３１及び第２磁気シールド１３２の組み合わせ毎に位置してもよい。

【0075】

次に、磁気センサ１００の製造方法について簡単に説明する。磁気検出素子１２１を形成する工程では、まず、後に複数の磁気検出素子１２１となる複数の初期磁気検出素子を形成する。複数の初期磁気検出素子の各々は、後に磁化固定層となる初期磁化固定層と、フリー層と、ギャップ層と、反強磁性層とを含んでいる。

【0076】

次に、レーザ光と、所定の方向の外部磁界とを用いて、初期磁化固定層の磁化の方向を、所定の方向に固定する。これにより、初期磁化固定層は磁化固定層５２になり、初期磁気検出素子は磁気検出素子１２１となる。

【0077】

次いで、このようにして磁気検出素子１２１が形成された磁気センサチップを、支持基板に接着剤等で固定する。そして、磁気センサチップを覆うように支持基板面上に樹脂層を形成する。次いで、樹脂層の電極の位置にビアのための貫通孔を開口し、支持基板と磁気センサチップとを電気的に接続して磁気センサ１００を得てもよい。

【0078】

本開示の磁気センサ１００は、カメラモジュールのオートフォーカス機構や光学式手振れ補正機構の一部として用いてもよい。

【0079】

図５は、地磁気の角度に対応した検出値を生成する磁気コンパスとして構成された磁気センサ１００の一例を示す図である。図５に示すように、磁気センサ１００は、三つのセンサチップ３（第１～第３センサチップ３１，３２，３３）を備え、外部磁界の互いに直交する三方向の成分を第１～第３センサチップ３１，３２，３３がそれぞれ検出するように構成されている。

【0080】

図６Ａは、カメラモジュール２００のオートフォーカス機構及び光学式手振れ補正機構の一部として用いられた磁気センサ１００の一例を示す斜視図である。図６Ｂは、図６Ａに示されたカメラモジュール２００の内部構造を示す側面図である。カメラモジュール２００のオートフォーカス機構及び光学式手振れ補正機構は、レンズ２２０を移動させる駆動装置２３０を備え、複数の磁気センサ１００が検出したレンズ２２０の位置情報に基づいて駆動装置２３０を制御する。

【0081】

詳しく述べると、オートフォーカス機構は、イメージセンサやオートフォーカスセンサ等によって被写体に焦点が合った状態を検出し、レンズをイメージセンサに対してＺ方向に移動させる。光学式手振れ補正機構は、ジャイロセンサ等によって手振れを検出し、レンズをイメージセンサに対してＵ方向及び／又はＶ方向に移動させる。

【0082】

図６Ａに示されたカメラモジュール２００は、ＣＭＯＳ等のイメージセンサ２１０、イメージセンサ２１０に対して位置合わせされるレンズ２２０、イメージセンサ２１０に対してＵ方向及びＶ方向に移動可能な第１保持部材２４１、第１保持部材２４１に対してＺ方向に移動可能な第２保持部材２４２、第１保持部材２４１及び第２保持部材２４２を支持する弾性変形可能な複数のワイヤ２４４、第１保持部材２４１及び第２保持部材２４２を移動させる駆動装置２３０、それらを収容する筐体２５０等を備えている。

【0083】

カメラモジュール２００のオートフォーカス機構及び光学式手振れ補正機構は、駆動装置２３０、複数の磁気センサ１００に加え、駆動装置２３０を制御するプロセッサ、被写体に焦点が合った状態を検出するオートフォーカスセンサ、手振れを検出するジャイロセンサ等を備えている。図示しないプロセッサ、オートフォーカスセンサ、ジャイロセンサ等は、筐体の外部に配置されている。

【0084】

レンズ２２０は、筒状に形成された第２保持部材２４２の内部に固定されている。第２保持部材２４２は、箱状に形成された第１保持部材２４１にレンズ２２０ごと収容されている。第２保持部材２４２には、少なくとも一つの磁気センサ１００が第２保持部材２４２の位置情報を検出するために、少なくとも一つの第２磁石２４３が固定されている。

【0085】

駆動装置２３０は、複数の第１コイル２３１、複数の第２コイル２３２、複数の第１磁石２３３等を備えている。筐体２５０には、複数の第１コイル２３１が固定されている。第２保持部材２４２には、複数の第２コイル２３２が固定されている。第１保持部材２４１には、複数の第１磁石２３３が固定されている。複数の第１コイル２３１の各々は、対応する第１磁石２３３に対向している。複数の第２コイル２３２の各々は、対応する第１磁石２３３に対向している。

【0086】

オートフォーカス機構の場合、プロセッサからの指令で任意の第２コイル２３２に電流が流れると、第１磁石２３３から発生する磁界と第２コイル２３２から発生する磁界との相互作用によって、第２コイル２３２に固定されている第２保持部材２４２が、Ｚ方向に移動する。少なくとも一つの磁気センサ１００は、第２保持部材２４２に固定された少なくとも一つの第２磁石２４３から発生する磁界と第１保持部材２４１に固定された第１磁石２３３から発生する磁界とが合成された合成磁界に基づいて検出信号を生成し、プロセッサに送信する。プロセッサは、検出信号からＺ方向におけるレンズ２２０の位置情報を検出し、被写体に焦点が合うように駆動装置２３０を制御する。

【0087】

光学式手振れ補正機構の場合、プロセッサからの指令で任意の第１コイル２３１に電流が流れると、第１磁石２３３から発生する磁界と第１コイル２３１から発生する磁界との相互作用により、第１磁石２３３に固定されている第１保持部材２４１がＵ方向及び／又はＶ方向に移動する。複数の磁気センサ１００の各々は、対応する第１磁石２３３の位置に基づいて 検出信号を生成し、プロセッサに送信する。プロセッサは、検出信号からＵ方向及びＶ方向におけるレンズ２２０の位置情報を検出し、手振れを補正するように駆動装置２３０を制御する。

【0088】

以上説明した実施形態は、本開示の理解を容易にするためのものであり、本開示を限定して解釈するためのものではない。実施形態が備える各要素並びにその配置、材料、条件、形状及びサイズ等は、例示したものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。また、異なる実施形態で示した構成同士を部分的に置換し又は組み合わせることが可能である。

【0089】

例えば、本実施形態における磁気センサはＸＹ面内における位置変化やＺ方向における位置変化をＺ方向の磁場の変化から検知する用途に用いてもよい。当該磁気センサを備えるアプリケーションとしては、例えば、ロボットの関節機構等に用いられるアクチュエータ、ノートパソコンの開閉検知機構、ジョイスティック、ブラシレスモータ、磁気エンコーダ等の電子機器が挙げられる。

【符号の説明】

【0090】

３…センサチップ、３０…磁気検出素子、３１…第１センサチップ、３２…第２センサチップ、３３…第３センサチップ、５２…磁化固定層、１００…磁気センサ、１１０…磁界変換部、１１１…ヨーク、１２０…磁界検出部、１２１…磁気検出素子、１３０…磁気シールド、１３１…第１磁気シールド、１３２…第２磁気シールド、１３３…第３磁気シールド、２００…カメラモジュール、２１０…イメージセンサ、２２０…レンズ、２３０…駆動装置、２３１…第１コイル、２３２…第２コイル、２３３…第１磁石、２４１…第１保持部材、２４２…第２保持部材、２４３…第２磁石、２４４…ワイヤ、２５０…筐体、３００…磁石。

【図1A】

【図1B】

【図2A】

【図2B】

【図2C】

【図3A】

【図3B】

【図3C】

【図3D】

【図3E】

【図3F】

【図3G】

【図3H】

【図3I】

【図3J】

【図3K】

【図4A】

【図4B】

【図4C】

【図4D】

【図5】

【図6A】

【図6B】