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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024171320
(43)【公開日】2024-12-11
(54)【発明の名称】ピッチ調整可能な大量の電子デバイスの移転方法
(51)【国際特許分類】
H01L 21/60 20060101AFI20241204BHJP
H01L 33/48 20100101ALI20241204BHJP
H01L 33/00 20100101ALI20241204BHJP
【ＦＩ】
H01L21/60 311S
H01L33/48
H01L33/00 Z
【審査請求】有
【請求項の数】41
【出願形態】ＯＬ
【外国語出願】
(21)【出願番号】P 2024069514
(22)【出願日】2024-04-23
(31)【優先権主張番号】112119959
(32)【優先日】2023-05-29
(33)【優先権主張国・地域又は機関】TW
(71)【出願人】
【識別番号】524101641
【氏名又は名称】コアテック オプト コーポレーション
(74)【代理人】
【識別番号】110000877
【氏名又は名称】弁理士法人ＲＹＵＫＡ国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】ティン－ピ イェ
【テーマコード（参考）】
5F044
5F142
5F241
【Ｆターム（参考）】
5F044KK03
5F044KK08
5F044LL11
5F044RR12
5F142CB13
5F142CB14
5F142CB23
5F142FA32
5F142GA02
5F241CA77
5F241FF06
(57)【要約】 （修正有）
【課題】ピッチ調整可能な大量の電子デバイスの移転方法を提供する。
【解決手段】移転方法は、以下ステップを含む：Ｍ行の電子デバイス×Ｎ列の電子デバイスによる第１電子デバイスマトリックスを含む第１基板を提供し、ここで、Ｍ、Ｎは、１より大きい自然数であり、前記第１電子デバイスマトリックスの行ピッチ、列ピッチは、それぞれＸ１、Ｙ１であり、Ｘ１、Ｙ１＞０である；第２基板を提供し、第２基板を第１基板の下方に配置する；第１基板に位置する電子デバイスの全部または一部を第２基板に移転して、第２基板の第２上面に第２電子デバイスマトリックスを形成し、第２電子デバイスマトリックスの行ピッチ、列ピッチは、それぞれＸ２、Ｙ２であり、Ｘ２、Ｙ２＞０、Ｘ１≠Ｘ２、Ｙ１≠Ｙ２である。
【選択図】図２Ｄ
【解決手段】移転方法は、以下ステップを含む：Ｍ行の電子デバイス×Ｎ列の電子デバイスによる第１電子デバイスマトリックスを含む第１基板を提供し、ここで、Ｍ、Ｎは、１より大きい自然数であり、前記第１電子デバイスマトリックスの行ピッチ、列ピッチは、それぞれＸ１、Ｙ１であり、Ｘ１、Ｙ１＞０である；第２基板を提供し、第２基板を第１基板の下方に配置する；第１基板に位置する電子デバイスの全部または一部を第２基板に移転して、第２基板の第２上面に第２電子デバイスマトリックスを形成し、第２電子デバイスマトリックスの行ピッチ、列ピッチは、それぞれＸ２、Ｙ２であり、Ｘ２、Ｙ２＞０、Ｘ１≠Ｘ２、Ｙ１≠Ｙ２である。
【選択図】図２Ｄ
【特許請求の範囲】
【請求項1】
ピッチ調整可能な大量の電子デバイスの移転方法であって、
対向する第１上面と第１下面とを有する第１基板を提供し、前記第１基板の第１上面は、複数の電子デバイスを有し、前記電子デバイスは、それぞれ第１軸方向と第２軸方向に沿って配列され、Ｍ行の電子デバイス×Ｎ列の電子デバイスによる第１電子デバイスマトリックスを形成し、ここで、前記第１軸方向は、前記第２軸方向と実質的に直交し、Ｍ、Ｎは、１より大きい自然数であり、前記第１電子デバイスマトリックスの行ピッチ、列ピッチは、それぞれＸ１、Ｙ１であり、Ｘ１、Ｙ１＞０であり、
対向する第２上面と第２下面とを有する第２基板を提供し、前記第２基板を前記第１基板の下方に配置し、前記第１基板の第１上面は、前記第２基板の第２上面に向いており、
前記第１基板に位置する電子デバイスの全部または一部を前記第２基板に移転して、前記第２基板の第２上面に第２電子デバイスマトリックスを形成し、前記第２電子デバイスマトリックスの行ピッチ、列ピッチは、それぞれＸ２、Ｙ２であり、Ｘ２、Ｙ２＞０、且つＸ１≠Ｘ２、Ｙ１≠Ｙ２である
ステップを含むピッチ調整可能な大量の電子デバイスの移転方法。
対向する第１上面と第１下面とを有する第１基板を提供し、前記第１基板の第１上面は、複数の電子デバイスを有し、前記電子デバイスは、それぞれ第１軸方向と第２軸方向に沿って配列され、Ｍ行の電子デバイス×Ｎ列の電子デバイスによる第１電子デバイスマトリックスを形成し、ここで、前記第１軸方向は、前記第２軸方向と実質的に直交し、Ｍ、Ｎは、１より大きい自然数であり、前記第１電子デバイスマトリックスの行ピッチ、列ピッチは、それぞれＸ１、Ｙ１であり、Ｘ１、Ｙ１＞０であり、
対向する第２上面と第２下面とを有する第２基板を提供し、前記第２基板を前記第１基板の下方に配置し、前記第１基板の第１上面は、前記第２基板の第２上面に向いており、
前記第１基板に位置する電子デバイスの全部または一部を前記第２基板に移転して、前記第２基板の第２上面に第２電子デバイスマトリックスを形成し、前記第２電子デバイスマトリックスの行ピッチ、列ピッチは、それぞれＸ２、Ｙ２であり、Ｘ２、Ｙ２＞０、且つＸ１≠Ｘ２、Ｙ１≠Ｙ２である
ステップを含むピッチ調整可能な大量の電子デバイスの移転方法。
【請求項2】
前記第２電子デバイスマトリックスの形成するステップは、
第１波長を有する第１光を前記第１基板の上方に供給し、第１波長を有する第１光を前記第１電子デバイスマトリックスの第Ｊ行、第Ｋ列における電子デバイスが位置する前記第１基板に照射して、熱分解又は光分解させて粘性を失わせて、第Ｊ行、第Ｋ列における電子デバイスを選択的に剥離させて前記第２基板の第２上面に接合させて、前記第１基板を前記第２基板に対して前記第１軸方向に沿って（Ｘ２－Ｘ１）という距離で変位させて、第１波長を有する第１光を前記第１電子デバイスマトリックスの第（Ｊ＋１）行、第Ｋ列における電子デバイスが位置する前記第１基板に照射して、熱分解又は光分解させて粘着性を失わせて、第（Ｊ＋１）行、第Ｋ列における電子デバイスを選択的に剥離させて前記第２基板の第２上面に接合させ、ここで、Ｊ、Ｋ、Ｘ２は、すべて自然数であり、かつ１≦Ｊ≦（Ｍ－１）、１≦Ｋ≦（Ｎ－１）であり、
前記第１電子デバイスマトリックスの第Ｋ列における電子デバイスの全部または一部が選択的に剥離されて前記第２基板の第２上面に接合された後、まず前記第１基板を前記第２基板に再度に位置合わせして、次に前記第１基板を前記第２基板に対して前記第２軸方向に沿って（Ｙ２－Ｙ１）という距離で変位させて、第１波長を有する第１光を前記第１電子デバイスマトリックスの第Ｊ行、第（Ｋ＋１）における電子デバイスが位置する前記第１基板に照射して、熱分解または光分解させて粘性を失わせて、第Ｊ行、第（Ｋ＋１）列１における電子デバイスを選択的に剥離させて、前記第２基板の第２上面に接合させて、前記第１基板を前記第２基板に対して前記第１軸方向に沿って（Ｘ２－Ｘ１）という距離で変位させて、第１波長を有する第１光を、前記第１電子デバイスマトリックスの第（Ｊ＋１）行、第（Ｋ＋１）列における電子デバイスが位置する前記第１基板に照射して、熱分解又は光分解させて粘性を失わせて、第（Ｊ＋１）行、第（Ｋ＋１）列における電子デバイスを選択的に剥離させて、前記第２基板の第２上面に接合させて、ここで、Ｙ２は、自然数であり、
ここで、前記第１基板に位置する電子デバイスの全部または一部が選択的に剥離されて前記第２基板の第２上面に接合された後、前記第２基板の第２上面に前記第２電子デバイスマトリックスを形成することができる、
ステップを含む、請求項１に記載のピッチ調整可能な大量の電子デバイスの移転方法。
第１波長を有する第１光を前記第１基板の上方に供給し、第１波長を有する第１光を前記第１電子デバイスマトリックスの第Ｊ行、第Ｋ列における電子デバイスが位置する前記第１基板に照射して、熱分解又は光分解させて粘性を失わせて、第Ｊ行、第Ｋ列における電子デバイスを選択的に剥離させて前記第２基板の第２上面に接合させて、前記第１基板を前記第２基板に対して前記第１軸方向に沿って（Ｘ２－Ｘ１）という距離で変位させて、第１波長を有する第１光を前記第１電子デバイスマトリックスの第（Ｊ＋１）行、第Ｋ列における電子デバイスが位置する前記第１基板に照射して、熱分解又は光分解させて粘着性を失わせて、第（Ｊ＋１）行、第Ｋ列における電子デバイスを選択的に剥離させて前記第２基板の第２上面に接合させ、ここで、Ｊ、Ｋ、Ｘ２は、すべて自然数であり、かつ１≦Ｊ≦（Ｍ－１）、１≦Ｋ≦（Ｎ－１）であり、
前記第１電子デバイスマトリックスの第Ｋ列における電子デバイスの全部または一部が選択的に剥離されて前記第２基板の第２上面に接合された後、まず前記第１基板を前記第２基板に再度に位置合わせして、次に前記第１基板を前記第２基板に対して前記第２軸方向に沿って（Ｙ２－Ｙ１）という距離で変位させて、第１波長を有する第１光を前記第１電子デバイスマトリックスの第Ｊ行、第（Ｋ＋１）における電子デバイスが位置する前記第１基板に照射して、熱分解または光分解させて粘性を失わせて、第Ｊ行、第（Ｋ＋１）列１における電子デバイスを選択的に剥離させて、前記第２基板の第２上面に接合させて、前記第１基板を前記第２基板に対して前記第１軸方向に沿って（Ｘ２－Ｘ１）という距離で変位させて、第１波長を有する第１光を、前記第１電子デバイスマトリックスの第（Ｊ＋１）行、第（Ｋ＋１）列における電子デバイスが位置する前記第１基板に照射して、熱分解又は光分解させて粘性を失わせて、第（Ｊ＋１）行、第（Ｋ＋１）列における電子デバイスを選択的に剥離させて、前記第２基板の第２上面に接合させて、ここで、Ｙ２は、自然数であり、
ここで、前記第１基板に位置する電子デバイスの全部または一部が選択的に剥離されて前記第２基板の第２上面に接合された後、前記第２基板の第２上面に前記第２電子デバイスマトリックスを形成することができる、
ステップを含む、請求項１に記載のピッチ調整可能な大量の電子デバイスの移転方法。
【請求項3】
前記第２電子デバイスマトリックスを形成するステップは、
第１波長を有する第１光を前記第１基板の上方に供給し、第１波長を有する第１光を前記第１電子デバイスマトリックスの第Ｊ行、第Ｋ列における電子デバイスが位置する前記第１基板に照射して、熱分解又は光分解させて粘性を失わせて、第Ｊ行、第Ｋ列における電子デバイスを選択的に解離させて前記第２基板の第２上面に接合させて、前記第１基板を第２基板に対して前記第２軸方向に沿って（Ｙ２－Ｙ１）という距離で変位させて、第１波長を有する第１光を前記第１電子デバイスマトリックスの第Ｊ行、第（Ｋ＋１）列における電子デバイスが位置する前記第１基板に照射して、熱分解又は光分解させて粘着性を失わせて、第Ｊ行、第（Ｋ＋１）列における電子デバイスを選択的に分離させて前記第２基板の第２上面に接合させ、ここで、Ｊ、Ｋ、Ｙ２は、すべて自然数であり、且つ１≦Ｊ≦（Ｍ－１）、１≦Ｋ≦（Ｎ－１）であり、
前記第１電子デバイスマトリックスの第Ｊ行における電子デバイスの全部または一部が選択的に剥離されて前記第２基板の第２上面に接合された後、まず前記第１基板を第２基板に再度に位置合わせして、次に前記第１基板を前記第２基板に対して前記第１軸方向に沿って（Ｘ２－Ｘ１）という距離で変位させて、第１波長を有する第１光を第１電子デバイスマトリックスの第（Ｊ＋１）行、第Ｋ列における電子デバイスが位置する第１基板に照射して、熱分解または光分解させて粘性を失わせて、第（Ｊ＋１）行、第Ｋ列における電子デバイスを選択的に剥離させて、前記第２基板の第２上面に接合させて、前記第１基板を前記第２基板に対して第２軸方向に沿って（Ｙ２－Ｙ１）という距離で変位させて、第１波長の第１光を前記第１電子デバイスマトリックスの第（Ｊ＋１）行、第（Ｋ＋１）列における電子デバイスが位置する前記第１基板に照射して、熱分解または光分解させて粘性を失わせて、第（Ｊ＋１）行、第（Ｋ＋１）列における電子デバイスを選択的に剥離させて前記第２基板の第２上面に接合させ、ここで、Ｘ２は、自然数であり、
ここで、前記第１基板の電子デバイスの全部または一部が選択的に剥離されて前記第２基板の第２上面に接合された後、前記第２基板の第２上面に前記第２電子デバイスマトリックスを形成することができる、
ことを含む、請求項１に記載のピッチ調整可能な大量の電子デバイスの移転方法。
第１波長を有する第１光を前記第１基板の上方に供給し、第１波長を有する第１光を前記第１電子デバイスマトリックスの第Ｊ行、第Ｋ列における電子デバイスが位置する前記第１基板に照射して、熱分解又は光分解させて粘性を失わせて、第Ｊ行、第Ｋ列における電子デバイスを選択的に解離させて前記第２基板の第２上面に接合させて、前記第１基板を第２基板に対して前記第２軸方向に沿って（Ｙ２－Ｙ１）という距離で変位させて、第１波長を有する第１光を前記第１電子デバイスマトリックスの第Ｊ行、第（Ｋ＋１）列における電子デバイスが位置する前記第１基板に照射して、熱分解又は光分解させて粘着性を失わせて、第Ｊ行、第（Ｋ＋１）列における電子デバイスを選択的に分離させて前記第２基板の第２上面に接合させ、ここで、Ｊ、Ｋ、Ｙ２は、すべて自然数であり、且つ１≦Ｊ≦（Ｍ－１）、１≦Ｋ≦（Ｎ－１）であり、
前記第１電子デバイスマトリックスの第Ｊ行における電子デバイスの全部または一部が選択的に剥離されて前記第２基板の第２上面に接合された後、まず前記第１基板を第２基板に再度に位置合わせして、次に前記第１基板を前記第２基板に対して前記第１軸方向に沿って（Ｘ２－Ｘ１）という距離で変位させて、第１波長を有する第１光を第１電子デバイスマトリックスの第（Ｊ＋１）行、第Ｋ列における電子デバイスが位置する第１基板に照射して、熱分解または光分解させて粘性を失わせて、第（Ｊ＋１）行、第Ｋ列における電子デバイスを選択的に剥離させて、前記第２基板の第２上面に接合させて、前記第１基板を前記第２基板に対して第２軸方向に沿って（Ｙ２－Ｙ１）という距離で変位させて、第１波長の第１光を前記第１電子デバイスマトリックスの第（Ｊ＋１）行、第（Ｋ＋１）列における電子デバイスが位置する前記第１基板に照射して、熱分解または光分解させて粘性を失わせて、第（Ｊ＋１）行、第（Ｋ＋１）列における電子デバイスを選択的に剥離させて前記第２基板の第２上面に接合させ、ここで、Ｘ２は、自然数であり、
ここで、前記第１基板の電子デバイスの全部または一部が選択的に剥離されて前記第２基板の第２上面に接合された後、前記第２基板の第２上面に前記第２電子デバイスマトリックスを形成することができる、
ことを含む、請求項１に記載のピッチ調整可能な大量の電子デバイスの移転方法。
【請求項4】
前記第１基板は、熱分解ゴム膜であり、第１波長を有する第１光は、１００ｎｍ～１２０００ｎｍの波長を有する光である、請求項２または３に記載のピッチ調整可能な大量の電子デバイスの移転方法。
【請求項5】
前記第１基板は、光分解ゴム膜であり、第１波長を有する第１光は、１００ｎｍ～１２０００ｎｍの波長を有する光である、請求項２または３に記載のピッチ調整可能な大量の電子デバイスの移転方法。
【請求項6】
前記電子デバイスは、発光ダイオード、レーザダイオード及び半導体素子からなる１つ以上の群から選択される、請求項１に記載のピッチ調整可能な大量の電子デバイスの移転方法。
【請求項7】
前記発光ダイオードが発光する光は、赤色光、緑色光、青色光、黄色光、白色光、赤外光又は紫外光である、請求項６に記載のピッチ調整可能な大量の電子デバイスの移転方法。
【請求項8】
前記レーザダイオードの波長は、３９０ｎｍ～１７００ｎｍである、請求項６に記載のピッチ調整可能な大量の電子デバイスの移転方法。
【請求項9】
前記半導体素子は、プロセッサ、メモリＩＣ、マイクロ素子ＩＣ、論理ＩＣ及びアナログＩＣからなる１つ以上の群から選択される、請求項６に記載のピッチ調整可能な大量の電子デバイスの移転方法。
【請求項10】
ピッチ調整可能な大量の電子デバイスの移転方法であって、
対向する第１上面と第１下面とを有する第１基板を提供し、前記第１基板の第１上面は、複数の電子デバイスを有し、前記電子デバイスは、それぞれ第１軸方向と第２軸方向に沿って配列され、Ｍ行の電子デバイス×Ｎ列の電子デバイスによる第１電子デバイスマトリックスを形成し、前記第１軸方向は、前記第２軸方向と実質的に直交し、Ｍ、Ｎは、１より大きい自然数であり、前記第１電子デバイスマトリックスの行ピッチ、列ピッチは、それぞれＸ１、Ｙ１であり、且つＸ１、Ｙ１＞０であり、
対向する第２上面と第２下面とを有する第２基板を提供し、前記第２基板を前記第１基板の下方に配置し、前記第１基板の第１上面は、前記第２基板の第２上面に向いており、
前記第１基板に位置する電子デバイスの全部または一部を第２基板に移転して、前記第２基板に第２電子デバイスマトリックスを形成し、前記第２電子デバイスマトリックスの行ピッチと列ピッチは、それぞれＸ１、Ｙ２またはＸ２、Ｙ１であり、Ｘ２、Ｙ２＞０であり、且つＸ１≠Ｘ２、Ｙ１≠Ｙ２である、
ステップを含む、ピッチ調整可能な大量の電子デバイスの移転方法。
対向する第１上面と第１下面とを有する第１基板を提供し、前記第１基板の第１上面は、複数の電子デバイスを有し、前記電子デバイスは、それぞれ第１軸方向と第２軸方向に沿って配列され、Ｍ行の電子デバイス×Ｎ列の電子デバイスによる第１電子デバイスマトリックスを形成し、前記第１軸方向は、前記第２軸方向と実質的に直交し、Ｍ、Ｎは、１より大きい自然数であり、前記第１電子デバイスマトリックスの行ピッチ、列ピッチは、それぞれＸ１、Ｙ１であり、且つＸ１、Ｙ１＞０であり、
対向する第２上面と第２下面とを有する第２基板を提供し、前記第２基板を前記第１基板の下方に配置し、前記第１基板の第１上面は、前記第２基板の第２上面に向いており、
前記第１基板に位置する電子デバイスの全部または一部を第２基板に移転して、前記第２基板に第２電子デバイスマトリックスを形成し、前記第２電子デバイスマトリックスの行ピッチと列ピッチは、それぞれＸ１、Ｙ２またはＸ２、Ｙ１であり、Ｘ２、Ｙ２＞０であり、且つＸ１≠Ｘ２、Ｙ１≠Ｙ２である、
ステップを含む、ピッチ調整可能な大量の電子デバイスの移転方法。
【請求項11】
前記第２電子デバイスマトリックスの行ピッチと列ピッチは、それぞれＸ１、Ｙ２であり、前記第２電子デバイスマトリックスを形成ステップは、
第１波長を有する第１光を前記第１基板の上方に供給し、第１波長を有する第１光を前記第１電子デバイスマトリックスの第Ｋ列における電子デバイスが位置する前記第１基板に照射して、熱分解又は光分解させて粘性を失わせて、第Ｋ列における電子デバイスの全てを剥離させて前記第２基板の第２上面に接合させ、
前記第１基板を前記第２基板に対して第２軸方向に沿って（Ｙ２－Ｙ１）という距離で変位させて、第１波長を有する第１光を前記第１電子デバイスマトリックスの第（Ｋ＋１）列における電子デバイスが位置する前記第１基板に照射して、熱分解又は光分解させて粘性を失わせて、第（Ｋ＋１）列における電子デバイスの全部又は一部を剥離させて前記第２基板の第２上面に接合させ、ここで、Ｋは、自然数であり、且つ１≦Ｋ≦（Ｎ－１）であり、
ここで、前記第１基板の電子デバイスの全部または一部が選択的に剥離されて前記第２基板の第２上面に接合された後、前記第２基板に前記第２電子デバイスマトリックスを形成することができる、
ことを含む、請求項１０に記載のピッチ調整可能な大量の電子デバイスの移転方法。
第１波長を有する第１光を前記第１基板の上方に供給し、第１波長を有する第１光を前記第１電子デバイスマトリックスの第Ｋ列における電子デバイスが位置する前記第１基板に照射して、熱分解又は光分解させて粘性を失わせて、第Ｋ列における電子デバイスの全てを剥離させて前記第２基板の第２上面に接合させ、
前記第１基板を前記第２基板に対して第２軸方向に沿って（Ｙ２－Ｙ１）という距離で変位させて、第１波長を有する第１光を前記第１電子デバイスマトリックスの第（Ｋ＋１）列における電子デバイスが位置する前記第１基板に照射して、熱分解又は光分解させて粘性を失わせて、第（Ｋ＋１）列における電子デバイスの全部又は一部を剥離させて前記第２基板の第２上面に接合させ、ここで、Ｋは、自然数であり、且つ１≦Ｋ≦（Ｎ－１）であり、
ここで、前記第１基板の電子デバイスの全部または一部が選択的に剥離されて前記第２基板の第２上面に接合された後、前記第２基板に前記第２電子デバイスマトリックスを形成することができる、
ことを含む、請求項１０に記載のピッチ調整可能な大量の電子デバイスの移転方法。
【請求項12】
対向する第３上面と第３下面とを有する第３基板を提供し、前記第３基板を前記第２基板の下方に配置し、前記第２基板の第２上面は、前記第３基板の第３上面に向いており、
前記第２基板に位置する電子デバイスの全部または一部を第３基板に移転して、前記第３基板に第３電子デバイスマトリックスを形成し、前記第３電子デバイスマトリックスの行ピッチと列ピッチは、それぞれＸ２、Ｙ２である、
ステップをさらに含む、請求項１１に記載のピッチ調整可能な大量の電子デバイスの移転方法。
前記第２基板に位置する電子デバイスの全部または一部を第３基板に移転して、前記第３基板に第３電子デバイスマトリックスを形成し、前記第３電子デバイスマトリックスの行ピッチと列ピッチは、それぞれＸ２、Ｙ２である、
ステップをさらに含む、請求項１１に記載のピッチ調整可能な大量の電子デバイスの移転方法。
【請求項13】
前記第３電子デバイスマトリックスを形成するステップは、
第２波長を有する第２光を前記第２基板の上方に供給し、第２波長を有する第２光を前記第２電子デバイスマトリックスの第Ｊ行における電子デバイスが位置する前記第２基板に照射して、前記第２基板を熱分解又は光分解させて粘性を失わせて、第Ｊ行における電子デバイスの全部又は一部を剥離させて前記第３基板の第３上面に接合させ、
前記第２基板を前記第３基板に対して第１軸方向に沿って（Ｘ２－Ｘ１）という距離で変位させて、第２波長の第２光を前記第２電子デバイスマトリックスの第（Ｊ＋１）行における電子デバイスが位置する前記第２基板に照射して、前記第２基板を熱分解又は光分解させて粘性を失わせて、前記第（Ｊ＋１）行における電子デバイスの全部又は一部を剥離させて前記第３基板の第３上面に接合させ、ここで、Ｊは、自然数であり、且つ１≦Ｊ≦（Ｍ－１）であり、
ここで、前記第２基板の電子デバイスの全部または一部が選択的に剥離されて前記第３基板の第３上面に接合された後、前記第３基板に第３電子デバイスマトリックスを形成することができる、
ことを含む、請求項１２に記載のピッチ調整可能な大量の電子デバイスの移転方法。
第２波長を有する第２光を前記第２基板の上方に供給し、第２波長を有する第２光を前記第２電子デバイスマトリックスの第Ｊ行における電子デバイスが位置する前記第２基板に照射して、前記第２基板を熱分解又は光分解させて粘性を失わせて、第Ｊ行における電子デバイスの全部又は一部を剥離させて前記第３基板の第３上面に接合させ、
前記第２基板を前記第３基板に対して第１軸方向に沿って（Ｘ２－Ｘ１）という距離で変位させて、第２波長の第２光を前記第２電子デバイスマトリックスの第（Ｊ＋１）行における電子デバイスが位置する前記第２基板に照射して、前記第２基板を熱分解又は光分解させて粘性を失わせて、前記第（Ｊ＋１）行における電子デバイスの全部又は一部を剥離させて前記第３基板の第３上面に接合させ、ここで、Ｊは、自然数であり、且つ１≦Ｊ≦（Ｍ－１）であり、
ここで、前記第２基板の電子デバイスの全部または一部が選択的に剥離されて前記第３基板の第３上面に接合された後、前記第３基板に第３電子デバイスマトリックスを形成することができる、
ことを含む、請求項１２に記載のピッチ調整可能な大量の電子デバイスの移転方法。
【請求項14】
前記第２電子デバイスマトリックスの行ピッチと列ピッチは、それぞれＸ２、Ｙ１であり、前記第２電子デバイスマトリックスを形成するステップは、
第１波長を有する第１光を前記第１基板の上方に供給し、第１波長を有する第１光を前記第１電子デバイスマトリックスの第Ｊ行における電子デバイスが位置する前記第１基板に照射して、熱分解又は光分解させて粘性を失わせて、第Ｊ行目における電子デバイスの全部又は一部を剥離させて前記第２基板の第２上面に接合させ、
前記第１基板を前記第２基板に対して第１軸方向に沿って（Ｘ２－Ｘ１）という距離で変位させて、第１波長を有する第１光を前記第１電子デバイスマトリックスの第（Ｊ＋１）行における電子デバイスが位置する前記第１基板に照射して、熱分解又は光分解させて粘性を失わせて、第（Ｊ＋１）行における電子デバイスの全部又は一部を剥離させて前記第２基板の第２上面に接合させ、ここで、Ｊは、自然数であり、且つ１≦Ｊ≦（Ｍ－１）であり、
ここで、前記第１基板の電子デバイスの全部または一部が選択的に剥離されて前記第２基板の第２上面に接合された後、前記第２基板に前記第２電子デバイスマトリックスを形成することができる、
ことを含む、請求項１０に記載のピッチ調整可能な大量の電子デバイスの移転方法。
第１波長を有する第１光を前記第１基板の上方に供給し、第１波長を有する第１光を前記第１電子デバイスマトリックスの第Ｊ行における電子デバイスが位置する前記第１基板に照射して、熱分解又は光分解させて粘性を失わせて、第Ｊ行目における電子デバイスの全部又は一部を剥離させて前記第２基板の第２上面に接合させ、
前記第１基板を前記第２基板に対して第１軸方向に沿って（Ｘ２－Ｘ１）という距離で変位させて、第１波長を有する第１光を前記第１電子デバイスマトリックスの第（Ｊ＋１）行における電子デバイスが位置する前記第１基板に照射して、熱分解又は光分解させて粘性を失わせて、第（Ｊ＋１）行における電子デバイスの全部又は一部を剥離させて前記第２基板の第２上面に接合させ、ここで、Ｊは、自然数であり、且つ１≦Ｊ≦（Ｍ－１）であり、
ここで、前記第１基板の電子デバイスの全部または一部が選択的に剥離されて前記第２基板の第２上面に接合された後、前記第２基板に前記第２電子デバイスマトリックスを形成することができる、
ことを含む、請求項１０に記載のピッチ調整可能な大量の電子デバイスの移転方法。
【請求項15】
対向する第３上面と第３下面とを有する第３基板を提供し、前記第３基板を前記第２基板の下方に配置し、前記第２基板の第２上面は、前記第３基板の第３上面に向いており、
前記第２基板に位置する電子デバイスの全部または一部を前記第３基板に移転して、前記第３基板に第３電子デバイスマトリックスを形成し、前記第３電子デバイスマトリックスの行ピッチと列ピッチは、それぞれＸ２、Ｙ２である、
ステップを更に含む、請求項１４に記載のピッチ調整可能な大量の電子デバイスの移転方法。
前記第２基板に位置する電子デバイスの全部または一部を前記第３基板に移転して、前記第３基板に第３電子デバイスマトリックスを形成し、前記第３電子デバイスマトリックスの行ピッチと列ピッチは、それぞれＸ２、Ｙ２である、
ステップを更に含む、請求項１４に記載のピッチ調整可能な大量の電子デバイスの移転方法。
【請求項16】
前記第３電子デバイスマトリックスを形成するステップは、
第２波長を有する第２光を前記第２基板の上方に供給し、第２波長を有する第２光を前記第２電子デバイスマトリックスの第Ｋ列における前記電子デバイスが位置する前記第２基板に照射して、前記第２基板を熱分解又は光分解させて粘性を失わせて、第Ｊ行における電子デバイスの全部又は一部を剥離させて前記第３基板の該第３上面に接合させ、
前記第２基板を前記第３基板に対して第２軸方向に沿って（Ｙ２－Ｙ１）という距離で変位させて、第２波長の第２光を前記第２電子デバイスマトリックスの第（Ｋ＋１）列における電子デバイスが位置する前記第２基板に照射して、前記第２基板を熱分解又は光分解させて粘性を失わせて、第（Ｋ＋１）列における電子デバイスの全部又は一部を剥離させて前記第３基板の第３上面に接合させ、ここで、Ｋは、自然数であり、且つ１≦Ｋ≦（Ｎ－１）であり、
ここで、前記第２基板の電子デバイスの全部または一部が選択的に剥離されて前記第３基板の第３上面に接合された後、前記第３基板に第３電子デバイスマトリックスを形成することができる、
ことを含む、請求項１５に記載のピッチ調整可能な大量の電子デバイスの移転方法。
第２波長を有する第２光を前記第２基板の上方に供給し、第２波長を有する第２光を前記第２電子デバイスマトリックスの第Ｋ列における前記電子デバイスが位置する前記第２基板に照射して、前記第２基板を熱分解又は光分解させて粘性を失わせて、第Ｊ行における電子デバイスの全部又は一部を剥離させて前記第３基板の該第３上面に接合させ、
前記第２基板を前記第３基板に対して第２軸方向に沿って（Ｙ２－Ｙ１）という距離で変位させて、第２波長の第２光を前記第２電子デバイスマトリックスの第（Ｋ＋１）列における電子デバイスが位置する前記第２基板に照射して、前記第２基板を熱分解又は光分解させて粘性を失わせて、第（Ｋ＋１）列における電子デバイスの全部又は一部を剥離させて前記第３基板の第３上面に接合させ、ここで、Ｋは、自然数であり、且つ１≦Ｋ≦（Ｎ－１）であり、
ここで、前記第２基板の電子デバイスの全部または一部が選択的に剥離されて前記第３基板の第３上面に接合された後、前記第３基板に第３電子デバイスマトリックスを形成することができる、
ことを含む、請求項１５に記載のピッチ調整可能な大量の電子デバイスの移転方法。
【請求項17】
前記第１基板は、熱分解ゴム膜であり、第１波長を有する第１光は、１００ｎｍ～１２０００ｎｍの波長を有する光である、請求項１１又は１４に記載のピッチ調整可能な大量の電子デバイスの移転方法。
【請求項18】
前記第１基板は光分解ゴム膜であり、第１波長を有する第１光は１００ｎｍ～１２０００ｎｍの波長を有する光である、請求項１１または１４に記載のピッチ調整可能な大量の電子デバイスの移転方法。
【請求項19】
前記第２基板は、熱分解ゴム膜であり、前記第２波長を有する第２光は、１００ｎｍ～１２０００ｎｍの波長を有する光である、請求項１３又は１６に記載のピッチ調整可能な大量の電子デバイスの移転方法。
【請求項20】
前記第２基板は、光分解ゴム膜であり、前記第２波長を有する第２光は、１００ｎｍ～１２０００ｎｍの波長を有する光である、請求項１３又は１６に記載のピッチ調整可能な大量の電子デバイスの移転方法。
【請求項21】
前記電子デバイスは、発光ダイオード、レーザダイオード及び半導体素子からなる１つ以上の群から選択される、請求項１０に記載のピッチ調整可能なバルク転送電子デバイスの方法。
【請求項22】
前記発光ダイオードが発する光は、赤色光、緑色光、青色光、黄色光、白色光、赤外光または紫外光である、請求項２１に記載のピッチ調整可能な大量の電子デバイスの移転方法。
【請求項23】
前記レーザダイオードの波長は、３９０ｎｍ～１７００ｎｍである、請求項２１に記載のピッチ調整可能な大量の電子デバイスの移転方法。
【請求項24】
前記半導体素子は、プロセッサ、メモリＩＣ、マイクロ素子ＩＣ、論理ＩＣ及びアナログＩＣからなる１つ以上の群から選択される、請求項２１に記載のピッチ調整可能な大量の電子デバイスの移転方法。
【請求項25】
ピッチ調整可能な大量の電子デバイスの移転方法であって、
対向する第１上面と第１下面とを有する第１基板を提供し、前記第１基板の前記第１上面は、複数の電子デバイスを有し、前記電子デバイスは、それぞれ第１軸方向と第２軸方向に沿って配列されて、Ｍ行の電子デバイス×Ｎ列の電子デバイスによる第１電子デバイスマトリックスを形成し、ここで、前記第１軸方向は、前記第２軸方向と実質的に直交し、Ｍ、Ｎは、１より大きい自然数であり、前記第１電子デバイスマトリックスの行ピッチ、列ピッチは、それぞれＸ１、Ｙ１であり、Ｘ１、Ｙ１＞０であり、
対向する第２上面と第２下面とを有する第２基板を提供し、前記第２基板を前記第１基板の下方に配置し、前記第１基板の第１上面は、第２基板の第２上面に向いており、
前記第１基板に位置する電子デバイスを前記第２基板に移転して、第２基板の第２上面にＰ行の電子デバイス×Ｑ列の電子デバイスによる第２電子デバイスマトリックスを形成し、ここで、Ｐ、Ｑは、１より大きい自然数であり、Ｐ≠Ｍおよび／またはＱ≠Ｎ（請求項１０と区別するために使用され）である、
ステップを含む、ピッチ調整可能な大量の電子デバイスの移転方法。
対向する第１上面と第１下面とを有する第１基板を提供し、前記第１基板の前記第１上面は、複数の電子デバイスを有し、前記電子デバイスは、それぞれ第１軸方向と第２軸方向に沿って配列されて、Ｍ行の電子デバイス×Ｎ列の電子デバイスによる第１電子デバイスマトリックスを形成し、ここで、前記第１軸方向は、前記第２軸方向と実質的に直交し、Ｍ、Ｎは、１より大きい自然数であり、前記第１電子デバイスマトリックスの行ピッチ、列ピッチは、それぞれＸ１、Ｙ１であり、Ｘ１、Ｙ１＞０であり、
対向する第２上面と第２下面とを有する第２基板を提供し、前記第２基板を前記第１基板の下方に配置し、前記第１基板の第１上面は、第２基板の第２上面に向いており、
前記第１基板に位置する電子デバイスを前記第２基板に移転して、第２基板の第２上面にＰ行の電子デバイス×Ｑ列の電子デバイスによる第２電子デバイスマトリックスを形成し、ここで、Ｐ、Ｑは、１より大きい自然数であり、Ｐ≠Ｍおよび／またはＱ≠Ｎ（請求項１０と区別するために使用され）である、
ステップを含む、ピッチ調整可能な大量の電子デバイスの移転方法。
【請求項26】
前記第２電子デバイスマトリックスの列ピッチは、Ｙ２、Ｙ２＞０且つＹ１≠Ｙ２である、請求項２４に記載のピッチ調整可能な大量の電子デバイスの移転方法。
【請求項27】
前記第２電子デバイスマトリックスを形成するステップは、
前記第１基板に位置する第Ｒ１列における電子デバイスを前記第１基板の第１軸方向に沿った第１ベースラインとし、前記第２基板に位置する第Ｒ２列における電子デバイスを前記第２基板の第１軸方向に沿った第２ベースラインとし、前記第１ベースラインを前記第２ベースラインに位置合わせし、
第１波長を有する第１光を前記第１基板の上方に供給し、第１波長を有する第１光を前記第１電子デバイスマトリックスの第Ｎ１列における電子デバイスが位置する前記第１基板に照射して、熱分解又は光分解させて粘性を失わせて、前記第１基板に位置する第Ｎ１列における電子デバイスを選択的に剥離させて前記第２基板の第２上面に接合させて、前記第２電子デバイスマトリックスの第Ｎ２列に位置させ、ここで、Ｒ１、Ｒ２、Ｎ１、Ｎ２は、自然数であり、Ｎ１≦Ｎ、Ｎ２≦Ｑ、且つ１≦ＲＲ１≦Ｎ１、１≦Ｒ２≦Ｎ２であり、
前記第１基板に位置する第１電子デバイスマトリックスの第Ｎ１列における電子デバイスが前記第２基板の第２電子デバイスマトリックスの第Ｎ２列に移転された後、前記第２軸方向に沿った相対移動距離は、〔（Ｎ２－Ｒ２）＊Ｙ２－（Ｎ１－Ｒ１）＊Ｙ１〕である、
ことを含む、請求項２６に記載のピッチ調整可能な大量の電子デバイスの移転方法。
前記第１基板に位置する第Ｒ１列における電子デバイスを前記第１基板の第１軸方向に沿った第１ベースラインとし、前記第２基板に位置する第Ｒ２列における電子デバイスを前記第２基板の第１軸方向に沿った第２ベースラインとし、前記第１ベースラインを前記第２ベースラインに位置合わせし、
第１波長を有する第１光を前記第１基板の上方に供給し、第１波長を有する第１光を前記第１電子デバイスマトリックスの第Ｎ１列における電子デバイスが位置する前記第１基板に照射して、熱分解又は光分解させて粘性を失わせて、前記第１基板に位置する第Ｎ１列における電子デバイスを選択的に剥離させて前記第２基板の第２上面に接合させて、前記第２電子デバイスマトリックスの第Ｎ２列に位置させ、ここで、Ｒ１、Ｒ２、Ｎ１、Ｎ２は、自然数であり、Ｎ１≦Ｎ、Ｎ２≦Ｑ、且つ１≦ＲＲ１≦Ｎ１、１≦Ｒ２≦Ｎ２であり、
前記第１基板に位置する第１電子デバイスマトリックスの第Ｎ１列における電子デバイスが前記第２基板の第２電子デバイスマトリックスの第Ｎ２列に移転された後、前記第２軸方向に沿った相対移動距離は、〔（Ｎ２－Ｒ２）＊Ｙ２－（Ｎ１－Ｒ１）＊Ｙ１〕である、
ことを含む、請求項２６に記載のピッチ調整可能な大量の電子デバイスの移転方法。
【請求項28】
対向する第３上面と第３下面とを有する第３基板を提供し、前記第３基板を前記第２基板の下方に配置し、前記第２基板の第２上面は、前記第３基板の第３上面に向いており、
前記第２基板に位置する第２電子デバイスマトリックスを前記第３基板に移転して、第３基板にＵ行の電子デバイス×Ｖ列の電子デバイスによる第３電子デバイスマトリックスを形成し、ここで、Ｕ、Ｖは、１より大きい自然数であり、前記第３電子デバイスマトリックスの行ピッチと列ピッチは、それぞれＸ２、Ｙ２である、
ステップをさらに含む、請求項２７に記載のピッチ調整可能な大量の電子デバイスの移転方法。
前記第２基板に位置する第２電子デバイスマトリックスを前記第３基板に移転して、第３基板にＵ行の電子デバイス×Ｖ列の電子デバイスによる第３電子デバイスマトリックスを形成し、ここで、Ｕ、Ｖは、１より大きい自然数であり、前記第３電子デバイスマトリックスの行ピッチと列ピッチは、それぞれＸ２、Ｙ２である、
ステップをさらに含む、請求項２７に記載のピッチ調整可能な大量の電子デバイスの移転方法。
【請求項29】
前記第３電子デバイスマトリックスを形成するステップは、
前記第２基板に位置する第Ｓ１行における電子デバイスを前記第２基板の第２軸方向に沿った第３ベースラインとし、前記第３基板に位置する第Ｓ２行における電子デバイスを前記第３基板の第２軸方向に沿った第４ベースラインとし、前記第３ベースラインを前記第４ベースラインに位置合わせし、
第２波長を有する第２光を前記第２基板の上方に供給し、第２波長を有する第２光を前記第２電子デバイスマトリックスの第Ｍ１行における電子デバイスが位置する前記第２基板に照射して、熱分解又は光分解させて粘性を失わせて、前記第２基板に位置する第Ｍ１行における電子デバイスを選択的に剥離させて前記第３基板の第３上面に接合させて、前記第３電子デバイスマトリックスの第Ｍ２列に位置させ、ここで、Ｓ１、Ｓ２、Ｍ１、Ｍ２は、自然数であり、Ｍ１≦Ｍ、Ｍ２≦Ｕ、かつ１≦Ｓ１≦Ｍ１、１≦Ｓ２≦Ｍ２であり、
ここで、前記第２基板に位置する第２電子デバイスマトリックスの第Ｍ１行における電子デバイスが前記第３基板の第３電子デバイスマトリックスの第Ｍ２行に移転された後、前記第１軸方向に沿った相対移動距離は、［（Ｍ２－Ｓ２）＊Ｘ２－（Ｍ１－Ｓ１）＊Ｘ１］である、
ことを含む、請求項２８に記載のピッチ調整可能な大量の電子デバイスの移転方法。
前記第２基板に位置する第Ｓ１行における電子デバイスを前記第２基板の第２軸方向に沿った第３ベースラインとし、前記第３基板に位置する第Ｓ２行における電子デバイスを前記第３基板の第２軸方向に沿った第４ベースラインとし、前記第３ベースラインを前記第４ベースラインに位置合わせし、
第２波長を有する第２光を前記第２基板の上方に供給し、第２波長を有する第２光を前記第２電子デバイスマトリックスの第Ｍ１行における電子デバイスが位置する前記第２基板に照射して、熱分解又は光分解させて粘性を失わせて、前記第２基板に位置する第Ｍ１行における電子デバイスを選択的に剥離させて前記第３基板の第３上面に接合させて、前記第３電子デバイスマトリックスの第Ｍ２列に位置させ、ここで、Ｓ１、Ｓ２、Ｍ１、Ｍ２は、自然数であり、Ｍ１≦Ｍ、Ｍ２≦Ｕ、かつ１≦Ｓ１≦Ｍ１、１≦Ｓ２≦Ｍ２であり、
ここで、前記第２基板に位置する第２電子デバイスマトリックスの第Ｍ１行における電子デバイスが前記第３基板の第３電子デバイスマトリックスの第Ｍ２行に移転された後、前記第１軸方向に沿った相対移動距離は、［（Ｍ２－Ｓ２）＊Ｘ２－（Ｍ１－Ｓ１）＊Ｘ１］である、
ことを含む、請求項２８に記載のピッチ調整可能な大量の電子デバイスの移転方法。
【請求項30】
前記第２電子デバイスマトリックスの行ピッチは、Ｘ２であり、Ｘ２＞０且つＸ１≠Ｘ２である、請求項２３に記載のピッチ調整可能な大量の電子デバイスの移転方法。
【請求項31】
前記第２電子デバイスマトリックスを形成するステップは、
前記第１基板に位置する第Ｓ１行における電子デバイスを前記第１基板の第２軸方向に沿った第１ベースラインとし、前記第２基板に位置する第Ｓ２行における電子デバイスを前記第２基板の第２軸方向に沿った第２ベースラインとし、前記第１ベースラインを前記第２ベースラインに位置合わせし、
第１波長を有する第１光を前記第１基板の上方に供給し、第１波長を有する第１光を前記第１電子デバイスマトリックスの第Ｍ１行における電子デバイスが位置する前記第１基板に照射して、熱分解又は光分解させて粘性を失わせて、前記第１基板に位置する第Ｍ１行における電子デバイスを選択的に剥離させて、前記第２基板の第２上面に接合させて、前記第２電子デバイスマトリックスの第Ｍ２列に位置させ、ここで、Ｓ１、Ｓ２、Ｍ１、Ｍ２、Ｍ２は、自然数であり、Ｍ１≦Ｍ、Ｍ２≦Ｐ、且つ１≦Ｓ２１≦Ｍ１、１≦Ｓ２≦Ｍ２であり、
ここで、前記第１基板に位置する第１電子デバイスマトリックスの第Ｍ１行における電子デバイスが前記第２基板の第２電子デバイスマトリックスの第Ｍ２行に移転された後、前記第１軸方向に沿った相対移動距離は、［（Ｍ２－Ｓ２）＊Ｘ２－（Ｍ１－Ｓ１）＊Ｘ１］である、
ことを含む、請求項３０に記載のピッチ調整可能な大量の電子デバイスの移転方法。
前記第１基板に位置する第Ｓ１行における電子デバイスを前記第１基板の第２軸方向に沿った第１ベースラインとし、前記第２基板に位置する第Ｓ２行における電子デバイスを前記第２基板の第２軸方向に沿った第２ベースラインとし、前記第１ベースラインを前記第２ベースラインに位置合わせし、
第１波長を有する第１光を前記第１基板の上方に供給し、第１波長を有する第１光を前記第１電子デバイスマトリックスの第Ｍ１行における電子デバイスが位置する前記第１基板に照射して、熱分解又は光分解させて粘性を失わせて、前記第１基板に位置する第Ｍ１行における電子デバイスを選択的に剥離させて、前記第２基板の第２上面に接合させて、前記第２電子デバイスマトリックスの第Ｍ２列に位置させ、ここで、Ｓ１、Ｓ２、Ｍ１、Ｍ２、Ｍ２は、自然数であり、Ｍ１≦Ｍ、Ｍ２≦Ｐ、且つ１≦Ｓ２１≦Ｍ１、１≦Ｓ２≦Ｍ２であり、
ここで、前記第１基板に位置する第１電子デバイスマトリックスの第Ｍ１行における電子デバイスが前記第２基板の第２電子デバイスマトリックスの第Ｍ２行に移転された後、前記第１軸方向に沿った相対移動距離は、［（Ｍ２－Ｓ２）＊Ｘ２－（Ｍ１－Ｓ１）＊Ｘ１］である、
ことを含む、請求項３０に記載のピッチ調整可能な大量の電子デバイスの移転方法。
【請求項32】
対向する第３上面と第３下面とを有する第３基板を提供し、前記第３基板を前記第２基板の下方に配置し、前記第２基板の第２上面は、前記第３基板の第３上面に向いており、
前記第２基板に位置する第２電子デバイスマトリックスを前記第３基板に移転して、前記第３基板にＵ行の電子デバイス×Ｖ列の電子デバイスによる第３電子デバイスマトリックスを形成し、ここで、Ｕ、Ｖは、１より大きい自然数であり、前記第３電子デバイスマトリックスの行ピッチと列ピッチは、それぞれＸ２、Ｙ２である、
ステップを更に含む、請求項３１に記載のピッチ調整可能な大量の電子デバイスの移転方法。
前記第２基板に位置する第２電子デバイスマトリックスを前記第３基板に移転して、前記第３基板にＵ行の電子デバイス×Ｖ列の電子デバイスによる第３電子デバイスマトリックスを形成し、ここで、Ｕ、Ｖは、１より大きい自然数であり、前記第３電子デバイスマトリックスの行ピッチと列ピッチは、それぞれＸ２、Ｙ２である、
ステップを更に含む、請求項３１に記載のピッチ調整可能な大量の電子デバイスの移転方法。
【請求項33】
前記第３電子デバイスマトリックスを形成するステップは、
前記第２基板に位置する第Ｒ１列における電子デバイスを前記第２基板の第１軸方向に沿った第３ベースラインとし、前記第３基板に位置する第Ｒ２列における電子デバイスを前記第３基板の第１軸方向に沿った第４ベースラインとし、前記第３ベースラインを前記第４ベースラインに位置合わせし、
第２波長を有する第２光を前記第２基板の上方に供給し、第２波長を有する第２光を前記第２電子デバイスマトリックスの第Ｎ１列における電子デバイスが位置する前記第２基板に照射して、熱分解又は光分解させて粘性を失わせて、前記第２基板に位置する第Ｎ１列における電子デバイスを選択的に剥離させて、前記第３基板の第３上面に接合させて、前記第３電子デバイスマトリックスの第Ｎ２列に位置させ、ここで、Ｒ１、Ｒ２、Ｎ１、Ｎ２は、自然数であり、Ｎ１≦Ｎ、ＮＮ２≦Ｖ、且つ１≦Ｒ１≦Ｎ１、１≦Ｒ２≦Ｎ２であり、
ここで、前記第２基板に位置する第２電子デバイスマトリックスの第Ｎ１列における電子デバイスが前記第３基板の第３電子デバイスマトリックスの第Ｎ２列に移転された後、前記第２軸方向に沿った相対移動距離は、〔（Ｎ２－Ｒ２）＊Ｙ２－（Ｎ１－Ｒ１）＊Ｙ１〕である、
ことを含む、請求項３２に記載のピッチ調整可能な大量の電子デバイスの移転方法。
前記第２基板に位置する第Ｒ１列における電子デバイスを前記第２基板の第１軸方向に沿った第３ベースラインとし、前記第３基板に位置する第Ｒ２列における電子デバイスを前記第３基板の第１軸方向に沿った第４ベースラインとし、前記第３ベースラインを前記第４ベースラインに位置合わせし、
第２波長を有する第２光を前記第２基板の上方に供給し、第２波長を有する第２光を前記第２電子デバイスマトリックスの第Ｎ１列における電子デバイスが位置する前記第２基板に照射して、熱分解又は光分解させて粘性を失わせて、前記第２基板に位置する第Ｎ１列における電子デバイスを選択的に剥離させて、前記第３基板の第３上面に接合させて、前記第３電子デバイスマトリックスの第Ｎ２列に位置させ、ここで、Ｒ１、Ｒ２、Ｎ１、Ｎ２は、自然数であり、Ｎ１≦Ｎ、ＮＮ２≦Ｖ、且つ１≦Ｒ１≦Ｎ１、１≦Ｒ２≦Ｎ２であり、
ここで、前記第２基板に位置する第２電子デバイスマトリックスの第Ｎ１列における電子デバイスが前記第３基板の第３電子デバイスマトリックスの第Ｎ２列に移転された後、前記第２軸方向に沿った相対移動距離は、〔（Ｎ２－Ｒ２）＊Ｙ２－（Ｎ１－Ｒ１）＊Ｙ１〕である、
ことを含む、請求項３２に記載のピッチ調整可能な大量の電子デバイスの移転方法。
【請求項34】
前記第１基板は、熱分解ゴム膜であり、第１波長を有する第１光は、１００ｎｍ～１２０００ｎｍの波長を有する光である、請求項２７又は３１に記載のピッチ調整可能な大量の電子デバイスの移転方法。
【請求項35】
前記第１基板は、光分解ゴム膜であり、第１波長を有する第１光は、１００ｎｍ～１２０００ｎｍの波長を有する光である、請求項２７または３１に記載のピッチ調整可能な大量の電子デバイスの移転方法。
【請求項36】
前記第２基板は、熱分解ゴム膜であり、第２波長を有する第２光は、１００ｎｍ～１２０００ｎｍの波長を有する光である、請求項２９又は３３に記載のピッチ調整可能な大量の電子デバイスの移転方法。
【請求項37】
前記第２基板は、光分解ゴム膜であり、第２波長を有する第２光は、１００ｎｍ～１２０００ｎｍの波長を有する光である、請求項２９または３３に記載のピッチ調整可能な大量の電子デバイスの移転方法。
【請求項38】
前記電子デバイスは、発光ダイオード、レーザダイオード及び半導体素子からなる１つ以上の群から選択される、請求項２５に記載のピッチ調整可能な大量の電子デバイスの移転方法。
【請求項39】
前記発光ダイオードが発する光は、赤色光、緑色光、青色光、黄色光、白色光、赤外光または紫外光である、請求項３８に記載のピッチ調整可能な大量の電子デバイスの移転方法。
【請求項40】
前記レーザダイオードの波長は、３９０ｎｍ～１７００ｎｍである、請求項３８に記載のピッチ調整可能な大量の電子デバイスの移転方法。
【請求項41】
前記半導体素子は、プロセッサ、メモリＩＣ、マイクロ素子ＩＣ、論理ＩＣ及びアナログＩＣからなる１つ以上の群から選択される請求項３８に記載のピッチ調整可能な大量の電子デバイスの移転方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、大量の電子デバイスを移転する方法に関し、特にピッチ調整可能な大量の電子デバイスの移転方法に関する。
【背景技術】
【0002】
発光ダイオードは、能動発光、高輝度、省エネルギーなどの利点を備えているため、照明、ディスプレイ、プロジェクタなどの技術分野に広く応用されている。また、マイクロ発光ダイオードディスプレイ（Ｍｉｃｒｏ ＬＥＤ ｄｉｓｐｌａｙ）は、段々に新世代の表示技術となっている。ただし、高密度（ＦＨＤ：Ｆｕｌｌ Ｈｉｇｈ Ｄｅｎｓｉｔｙ）ディスプレイは、１９２０行×１０８０列による約２００万個の画素を有する。それぞれの画素は、赤、緑、青という３つのサブピクセル（Ｓｕｂｐｉｘｅｌ）にさらに分けられる。そのため、高密度発光ダイオードディスプレイ（ＦＨＤ ＬＥＤ Ｄｉｓｐｌａｙ）には、約６００万個のＬＥＤダイ（Ｄｉｅ）がある。６００万個のダイを切断してディスプレイパネルの基板に貼り付けるには、大量のマイクロ発光ダイオードをディスプレイパネルの基板に正確に移転して、固定接合させる方法が重要な技術である。
【0003】
図１Ａ～１Ｄの上面図は、大量の電子デバイスを移転する既知方法を示している。これは以下のステップを含む。図１Ａに示すような一時的基板１０を提供する。この一時的基板は、対向する第１上面１０Ａと第１下面１０Ｂとを有する。この第１上面１０Ａには複数の電子デバイス１２が形成されている。これらの電子デバイス１２は、互いに間隔を置いて配列され、電子デバイスマトリックス（図示せず）を形成する。この電子デバイスマトリクスの行ピッチと列ピッチは、それぞれＸ１、Ｙ１であり、Ｘ１、Ｙ１＞０である。ここで、一時的基板１０は、熱分解ゴム膜または光分解ゴム膜である。図１Ｂに示すようなターゲット基板２０を提供する。このターゲット基板２０は、対向する第２上面２０Ａと第２下面２０Ｂとを有する。一時的基板１０の第１上面１０Ａをターゲット基板２０の第２上面２０Ａに向けるように、一時的基板１０をターゲット基板２０の上方に配置する。その後、第１波長を有する光（図示せず）を一時的基板１０の上方に供給し、第１波長を有する光を一時的基板２０に照射して熱分解または光分解させて粘性を失わせる。図１Ｃに示すように、それらの電子デバイス１２を全て剥離させて、ターゲット基板２０の第２上面２０Ａに接合させる。このような大量の電子デバイスを移転する既知方法によっては、複数の電子デバイス１２を一時的基板の第１上面１０Ａからターゲット基板２０の第２上面２０Ａに迅速に大量に移転できるものの、図１Ｄに示すように、第２上面２０Ａに位置するそれらの電子デバイス１２による電子デバイスマトリックス（図示せず）は、その行ピッチと列ピッチが依然としてＸ１、Ｙ１のままであり、必要に応じて電子デバイス間のピッチが調整できず、応用がかなり制限されている。
【0004】
上記に鑑み、ピッチ調整可能な大量の電子デバイスの移転方法は、業界で切実に期待されている。
【発明の概要】
【0005】
本発明は、ピッチ調整可能な大量の電子デバイスの移転方法を開示し、以下のステップを含む：対向する第１上面と第１下面とを有する第１基板を提供し、当該第１基板の第１上面は、複数の電子デバイスを有し、当該電子デバイスは、それぞれ第１軸方向と第２軸方向に沿って配列され、Ｍ行の電子デバイス×Ｎ列の電子デバイスによる第１電子デバイスマトリックスを形成し、ここで、当該第１軸方向は、当該第２軸方向と実質的に直交し、Ｍ、Ｎは、１より大きい自然数であり、当該第１電子デバイスマトリックスの行ピッチ、列ピッチは、それぞれＸ１、Ｙ１であり、Ｘ１、Ｙ１＞０である；対向する第２上面と第２下面とを有する第２基板を提供し、当該第２基板を当該第１基板の下方に配置し、当該第１基板の第１上面は、当該第２基板の第２上面に向いている；当該第１基板に位置する電子デバイスの全部または一部を当該第２基板に移転して、当該第２基板の第２上面に第２電子デバイスマトリックスを形成し、当該第２電子デバイスマトリックスの行ピッチ、列ピッチは、それぞれＸ２、Ｙ２であり、Ｘ２、Ｙ２＞０、且つＸ１≠Ｘ２、Ｙ１≠Ｙ２である。
【0006】
上記のピッチ調整可能な大量の電子デバイスの転送方法において、当該第２電子デバイスマトリックスの形成するステップは、以下を含む：第１波長を有する第１光を当該第１基板の上方に供給し、第１波長を有する第１光を当該第１電子デバイスマトリックスの第Ｊ行、第Ｋ列における電子デバイスが位置する当該第１基板に照射して、熱分解又は光分解させて粘性を失わせて、第Ｊ行、第Ｋ列における電子デバイスを選択的に剥離させて当該第２基板の第２上面に接合させて、当該第１基板を当該第２基板に対して第１軸方向に沿って（Ｘ２－Ｘ１）という距離で変位させて、第１波長を有する第１光を当該第１電子デバイスマトリックスの第（Ｊ＋１）行、第Ｋ列における電子デバイスが位置する当該第１基板に照射して、熱分解又は光分解させて粘着性を失わせて、第（Ｊ＋１）行、第Ｋ列における電子デバイスを選択的に剥離させて当該第２基板の第２上面に接合させ、ここで、Ｊ、Ｋ、Ｘ２は、すべて自然数であり、かつ１≦Ｊ≦（Ｍ－１）、１≦Ｋ≦（Ｎ－１）である；当該第１電子デバイスマトリックスの第Ｋ列における電子デバイスの全部または一部が選択的に剥離されて当該第２基板の第２上面に接合された後、まず当該第１基板を当該第２基板に再度に位置合わせして、次に当該第１基板を当該第２基板に対して当該第２軸方向に沿って（Ｙ２－Ｙ１）という距離で変位させて、第１波長を有する第１光を当該第１電子デバイスマトリックスの第Ｊ行、第（Ｋ＋１）における電子デバイスが位置する当該第１基板に照射して、熱分解または光分解させて粘性を失わせて、第Ｊ行、第（Ｋ＋１）列１における電子デバイスを選択的に剥離させて、当該第２基板の第２上面に接合させて、当該第１基板を当該第２基板に対して当該第１軸方向に沿って（Ｘ２－Ｘ１）という距離で変位させて、第１波長を有する第１光を、当該第１電子デバイスマトリックスの第（Ｊ＋１）行、第（Ｋ＋１）列における電子デバイスが位置する当該第１基板に照射して、熱分解又は光分解させて粘性を失わせて、第（Ｊ＋１）行、第（Ｋ＋１）列における電子デバイスを選択的に剥離させて、当該第２基板の第２上面に接合させて、ここで、Ｙ２は、自然数である；ここで、当該第１基板に位置する電子デバイスの全部または一部が選択的に剥離されて当該第２基板の第２上面に接合された後、当該第２基板の第２上面に当該第２電子デバイスマトリックスを形成することができる。
【0007】
上記のピッチ調整可能な大量の電子デバイスの転送方法において、当該第２電子デバイスマトリックスを形成するステップは、以下を含む：第１波長を有する第１光を当該第１基板の上方に供給し、第１波長を有する第１光を当該第１電子デバイスマトリックスの第Ｊ行、第Ｋ列における電子デバイスが位置する当該第１基板に照射して、熱分解又は光分解させて粘性を失わせて、第Ｊ行、第Ｋ列における電子デバイスを選択的に解離させて当該第２基板の第２上面に接合させて、当該第１基板を第２基板に対して当該第２軸方向に沿って（Ｙ２－Ｙ１）という距離で変位させて、第１波長を有する第１光を当該第１電子デバイスマトリックスの第Ｊ行、第（Ｋ＋１）列における電子デバイスが位置する当該第１基板に照射して、熱分解又は光分解させて粘着性を失わせて、第Ｊ行、第（Ｋ＋１）列における電子デバイスを選択的に分離させて当該第２基板の第２上面に接合させ、ここで、Ｊ、Ｋ、Ｙ２は、すべて自然数であり、且つ１≦Ｊ≦（Ｍ－１）、１≦Ｋ≦（Ｎ－１）である；当該第１電子デバイスマトリックスの第Ｊ行における電子デバイスの全部または一部が選択的に剥離されて当該第２基板の第２上面に接合された後、まず当該第１基板を第２基板に再度に位置合わせして、次に当該第１基板を当該第２基板に対して当該第１軸方向に沿って（Ｘ２－Ｘ１）という距離で変位させて、第１波長を有する第１光を第１電子デバイスマトリックスの第（Ｊ＋１）行、第Ｋ列における電子デバイスが位置する第１基板に照射して、熱分解または光分解させて粘性を失わせて、第（Ｊ＋１）行、第Ｋ列における電子デバイスを選択的に剥離させて、当該第２基板の第２上面に接合させて、当該第１基板を当該第２基板に対して第２軸方向に沿って（Ｙ２－Ｙ１）という距離で変位させて、第１波長の第１光を当該第１電子デバイスマトリックスの第（Ｊ＋１）行、第（Ｋ＋１）列における電子デバイスが位置する当該第１基板に照射して、熱分解または光分解させて粘性を失わせて、第（Ｊ＋１）行、第（Ｋ＋１）列における電子デバイスを選択的に剥離させて当該第２基板の第２上面に接合させ、ここで、Ｘ２は、自然数である；ここで、当該第１基板の電子デバイスの全部または一部が選択的に剥離されて当該第２基板の第２上面に接合された後、当該第２基板の第２上面に当該第２電子デバイスマトリックスを形成することができる。
【0008】
上記のピッチ調整可能な大量の電子デバイスの転送方法において、当該第１基板は、熱分解ゴム膜であり、第１波長を有する第１光は、１００ｎｍ～１２０００ｎｍの波長を有する光である。
【0009】
上記のピッチ調整可能な大量の電子デバイスの転送方法において、当該第１基板は、光分解ゴム膜であり、第１波長を有する第１光は、１００ｎｍ～１２０００ｎｍの波長を有する光である。
【0010】
上記のピッチ調整可能な大量の電子デバイスの転送方法において、当該電子デバイスは、発光ダイオード、レーザダイオード及び半導体素子からなる１つ以上の群から選択される；当該発光ダイオードが発光する光は、赤色光、緑色光、青色光、黄色光、白色光、赤外光又は紫外光である；当該レーザダイオードの波長は、３９０ｎｍ～１７００ｎｍである；当該半導体素子は、プロセッサ、メモリＩＣ、マイクロ素子ＩＣ、論理ＩＣ及びアナログＩＣからなる１つ以上の群から選択される。
【0011】
本発明は、別のピッチ調整可能な大量の電子デバイスの移転方法を開示し、以下のステップを含む：対向する第１上面と第１下面とを有する第１基板を提供し、当該第１基板の第１上面は、複数の電子デバイスを有し、当該電子デバイスは、それぞれ第１軸方向と第２軸方向に沿って配列され、Ｍ行の電子デバイス×Ｎ列の電子デバイスによる第１電子デバイスマトリックスを形成し、当該第１軸方向は、当該第２軸方向と実質的に直交し、Ｍ、Ｎは、１より大きい自然数であり、当該第１電子デバイスマトリックスの行ピッチ、列ピッチは、それぞれＸ１、Ｙ１であり、且つＸ１、Ｙ１＞０である；対向する第２上面と第２下面とを有する第２基板を提供し、当該第２基板を当該第１基板の下方に配置し、当該第１基板の第１上面は、当該第２基板の第２上面に向いている；当該第１基板に位置する電子デバイスの全部または一部を第２基板に移転して、当該第２基板に第２電子デバイスマトリックスを形成し、当該第２電子デバイスマトリックスの行ピッチと列ピッチは、それぞれＸ１、Ｙ２またはＸ２、Ｙ１であり、Ｘ２、Ｙ２＞０であり、且つＸ１≠Ｘ２、Ｙ１≠Ｙ２である。
【0012】
上記の別のピッチ調整可能な大量の電子デバイスの移転方法において、当該第２電子デバイスマトリックスの行ピッチと列ピッチは、それぞれＸ１、Ｙ２であり、当該第２電子デバイスマトリックスを形成ステップは、以下を含む：第１波長を有する第１光を当該第１基板の上方に供給し、第１波長を有する第１光を当該第１電子デバイスマトリックスの第Ｋ列における電子デバイスが位置する当該第１基板に照射して、熱分解又は光分解させて粘性を失わせて、第Ｋ列における電子デバイスの全てを剥離させて当該第２基板の第２上面に接合させる；当該第１基板を当該第２基板に対して第２軸方向に沿って（Ｙ２－Ｙ１）という距離で変位させて、第１波長を有する第１光を当該第１電子デバイスマトリックスの第（Ｋ＋１）列における電子デバイスが位置する当該第１基板に照射して、熱分解又は光分解させて粘性を失わせて、第（Ｋ＋１）列における電子デバイスの全部又は一部を剥離させて当該第２基板の第２上面に接合させ、ここで、Ｋは、自然数であり、且つ１≦Ｋ≦（Ｎ－１）である；ここで、当該第１基板の電子デバイスの全部または一部が選択的に剥離されて当該第２基板の第２上面に接合された後、当該第２基板に当該第２電子デバイスマトリックスを形成することができる。
【0013】
上記の別のピッチ調整可能な大量の電子デバイスの移転方法において、更に以下のステップを含む：対向する第３上面と第３下面とを有する第３基板を提供し、当該第３基板を当該第２基板の下方に配置し、当該第２基板の第２上面は、当該第３基板の第３上面に向いている；当該第２基板に位置する電子デバイスの全部または一部を第３基板に移転して、当該第３基板に第３電子デバイスマトリックスを形成し、当該第３電子デバイスマトリックスの行ピッチと列ピッチは、それぞれＸ２、Ｙ２である。
【0014】
上記の別のピッチ調整可能な大量の電子デバイスの移転方法において、当該第３電子デバイスマトリックスを形成するステップは、以下含む：第２波長を有する第２光を当該第２基板の上方に供給し、第２波長を有する第２光を当該第２電子デバイスマトリックスの第Ｊ行における電子デバイスが位置する当該第２基板に照射して、当該第２基板を熱分解又は光分解させて粘性を失わせて、第Ｊ行における電子デバイスの全部又は一部を剥離させて当該第３基板の第３上面に接合させる；当該第２基板を当該第３基板に対して第１軸方向に沿って（Ｘ２－Ｘ１）という距離で変位させて、第２波長の第２光を当該第２電子デバイスマトリックスの第（Ｊ＋１）行における電子デバイスが位置する当該第２基板に照射して、当該第２基板を熱分解又は光分解させて粘性を失わせて、当該第（Ｊ＋１）行における電子デバイスの全部又は一部を剥離させて当該第３基板の第３上面に接合させ、ここで、Ｊは自然数であり、且つ１≦Ｊ≦（Ｍ－１）である；ここで、当該第２基板の電子デバイスの全部または一部が選択的に剥離されて当該第３基板の第３上面に接合された後、当該第３基板に第３電子デバイスマトリックスを形成することができる。
【0015】
上記の別のピッチ調整可能な大量の電子デバイスの移転方法において、当該第２電子デバイスマトリックスの行ピッチと列ピッチは、それぞれＸ２、Ｙ１であり、当該第２電子デバイスマトリックスを形成するステップは、以下を含む：第１波長を有する第１光を当該第１基板の上方に供給し、第１波長を有する第１光を当該第１電子デバイスマトリックスの第Ｊ行における電子デバイスが位置する当該第１基板に照射して、熱分解又は光分解させて粘性を失わせて、第Ｊ行目における電子デバイスの全部又は一部を剥離させて当該第２基板の第２上面に接合させる；当該第１基板を当該第２基板に対して第１軸方向に沿って（Ｘ２－Ｘ１）という距離で変位させて、第１波長を有する第１光を当該第１電子デバイスマトリックスの第（Ｊ＋１）行における電子デバイスが位置する当該第１基板に照射して、熱分解又は光分解させて粘性を失わせて、第（Ｊ＋１）行における電子デバイスの全部又は一部を剥離させて当該第２基板２００の第２上面２００Ａに接合させ、ここで、Ｊは、自然数であり、且つ１≦Ｊ≦（Ｍ－１）である；ここで、当該第１基板の電子デバイスの全部または一部が選択的に剥離されて当該第２基板２００の第２上面２００Ａに接合された後、当該第２基板に当該第２電子デバイスマトリックスを形成することができる。
【0016】
上記の別のピッチ調整可能な大量の電子デバイスの移転方法において、更に以下のステップを含む：対向する第３上面と第３下面とを有する第３基板を提供し、当該第３基板を当該第２基板の下方に配置し、当該第２基板の第２上面は、当該第３基板の第３上面に向いている；当該第２基板に位置する電子デバイスの全部または一部を当該第３基板に移転して、当該第３基板に第３電子デバイスマトリックスを形成し、当該第３電子デバイスマトリックスの行ピッチと列ピッチは、それぞれＸ２、Ｙ２である。
【0017】
上記の別のピッチ調整可能な大量の電子デバイスの移転方法において、当該第３電子デバイスマトリックスを形成するステップは、以下を含む：第２波長を有する第２光を当該第２基板の上方に供給し、第２波長を有する第２光を当該第２電子デバイスマトリックスの第Ｋ列における当該電子デバイスが位置する当該第２基板に照射して、当該第２基板を熱分解又は光分解させて粘性を失わせて、第Ｊ行における電子デバイスの全部又は一部を剥離させて当該第３基板の該第３上面に接合させる；当該第２基板を当該第３基板に対して第２軸方向に沿って（Ｙ２－Ｙ１）という距離で変位させて、第２波長の第２光を当該第２電子デバイスマトリックスの第（Ｋ＋１）列における電子デバイスが位置する当該第２基板に照射して、当該第２基板を熱分解又は光分解させて粘性を失わせて、第（Ｋ＋１）列における電子デバイスの全部又は一部を剥離させて当該第３基板の第３上面に接合させ、ここで、Ｋは、自然数であり、且つ１≦Ｋ≦（Ｎ－１）である；ここで、当該第２基板の電子デバイスの全部または一部が選択的に剥離されて当該第３基板の第３上面に接合された後、当該第３基板に第３電子デバイスマトリックスを形成することができる。
【0018】
上記の別のピッチ調整可能な大量の電子デバイスの移転方法において、当該第１基板は、熱分解ゴム膜であり、第１波長を有する第１光は、１００ｎｍ～１２０００ｎｍの波長を有する光である。
【0019】
上記の別のピッチ調整可能な大量の電子デバイスの移転方法において、当該第１基板は光分解ゴム膜であり、第１波長を有する第１光は１００ｎｍ～１２０００ｎｍの波長を有する光である。
【0020】
上記の別のピッチ調整可能な大量の電子デバイスの移転方法において、当該第２基板は、熱分解ゴム膜であり、当該第２波長を有する第２光は、１００ｎｍ～１２０００ｎｍの波長を有する光である。
【0021】
上記の別のピッチ調整可能な大量の電子デバイスの移転方法において、当該第２基板は、光分解ゴム膜であり、当該第２波長を有する第２光は、１００ｎｍ～１２０００ｎｍの波長を有する光である。
【0022】
上記の別のピッチ調整可能な大量の電子デバイスの移転方法において、当該電子デバイスは、発光ダイオード、レーザダイオード及び半導体素子からなる１つ以上の群から選択される；当該発光ダイオードが発する光は、赤色光、緑色光、青色光、黄色光、白色光、赤外光または紫外光である；当該レーザダイオードの波長は、３９０ｎｍ～１７００ｎｍである；当該半導体素子は、プロセッサ、メモリＩＣ、マイクロ素子ＩＣ、論理ＩＣ及びアナログＩＣからなる１つ以上の群から選択される。
【0023】
本発明は、更なるピッチ調整可能な大量の電子デバイスの移転方法を開示し、以下のステップを含む：対向する第１上面と第１下面とを有する第１基板を提供し、当該第１基板の当該第１上面は、複数の電子デバイス（１２１１～１２ＮＭ）を有し、当該電子デバイスは、それぞれ第１軸方向と第２軸方向に沿って配列されて、Ｍ行の電子デバイス×Ｎ列の電子デバイスによる第１電子デバイスマトリックスを形成し、ここで、当該第１軸方向は、当該第２軸方向と実質的に直交し、Ｍ、Ｎは、１より大きい自然数であり、当該第１電子デバイスマトリックスの行ピッチ、列ピッチは、それぞれＸ１、Ｙ１であり、Ｘ１、Ｙ１＞０である；対向する第２上面と第２下面とを有する第２基板を提供し、当該第２基板を当該第１基板の下方に配置し、当該第１基板の第１上面は、第２基板の第２上面に向いている；当該第１基板に位置する電子デバイスを当該第２基板に移転して、第２基板の第２上面にＰ行の電子デバイス×Ｑ列の電子デバイスによる第２電子デバイスマトリックスを形成し、ここで、Ｐ、Ｑは、１より大きい自然数であり、Ｐ≠Ｍおよび／またはＱ≠Ｎである。
【0024】
上記の更なるピッチ調整可能な大量の電子デバイスの移転方法において、当該第２電子デバイスマトリックスの列ピッチは、Ｙ２、Ｙ２＞０且つＹ１≠Ｙ２である。
【0025】
上記の更なるピッチ調整可能な大量の電子デバイスの移転方法において、当該第２電子デバイスマトリックスを形成するステップは、以下を含む：当該第１基板に位置する第Ｒ１列における電子デバイスを当該第１基板の第１軸方向に沿った第１ベースラインとし、当該第２基板に位置する第Ｒ２列における電子デバイスを当該第２基板の第１軸方向に沿った第２ベースラインとし、当該第１ベースラインを当該第２ベースラインに位置合わせする；第１波長を有する第１光を当該第１基板の上方に供給し、第１波長を有する第１光を当該第１電子デバイスマトリックスの第Ｎ１列における電子デバイスが位置する当該第１基板に照射して、熱分解又は光分解させて粘性を失わせて、当該第１基板に位置する第Ｎ１列における電子デバイスを選択的に剥離させて当該第２基板の第２上面に接合させて、当該第２電子デバイスマトリックスの第Ｎ２列に位置させ、ここで、Ｒ１、Ｒ２、Ｎ１、Ｎ２は、自然数であり、Ｎ１≦Ｎ、Ｎ２≦Ｑ、且つ１≦Ｒ１≦Ｎ１、１≦Ｒ２≦Ｎ２である；当該第１基板に位置する第１電子デバイスマトリックスの第Ｎ１列における電子デバイスが当該第２基板の第２電子デバイスマトリックスの第Ｎ２列に移転された後、当該第２軸方向に沿った相対移動距離は、［（Ｎ２－Ｒ２）＊Ｙ２－（Ｎ１－Ｒ１）＊Ｙ１］である。
【0026】
上記の更なるピッチ調整可能な大量の電子デバイスの移転方法において、更に以下のステップ含む：対向する第３上面と第３下面とを有する第３基板を提供し、当該第３基板を当該第２基板の下方に配置し、当該第２基板の第２上面は、当該第３基板の第３上面に向いている；当該第２基板に位置する第２電子デバイスマトリックスを当該第３基板に移転して、第３基板にＵ行の電子デバイス×Ｖ列の電子デバイスによる第３電子デバイスマトリックスを形成し、当該第３電子デバイスマトリックスの行ピッチと列ピッチは、それぞれＸ２、Ｙ２であり、ここで、Ｕ、Ｖは、１より大きい自然数である。
【0027】
上記の更なるピッチ調整可能な大量の電子デバイスの移転方法において、当該第３電子デバイスマトリックスを形成するステップは、以下を含む：当該第２基板に位置する第Ｓ１行における電子デバイスを当該第２基板の第２軸方向に沿った第３ベースラインとし、当該第３基板位置する第Ｓ２行における電子デバイスを当該第３基板の第２軸方向に沿った第４ベースラインとし、当該第３ベースラインを当該第４ベースラインに位置合わせする；第２波長を有する第２光を当該第２基板の上方に供給し、第２波長を有する第２光を当該第２電子デバイスマトリックスの第Ｍ１行における電子デバイスが位置する当該第２基板に照射して、熱分解又は光分解させて粘性を失わせて、当該第２基板に位置する第Ｍ１行における電子デバイスを選択的に剥離させて当該第３基板の第３上面に接合させて、当該第３電子デバイスマトリックスの第Ｍ２列に位置させ、ここで、Ｓ１、Ｓ２、Ｍ１、Ｍ２は、自然数であり、Ｍ１≦Ｍ、Ｍ２≦Ｕ、かつ１≦Ｓ１≦Ｍ１、１≦Ｓ２≦Ｍ２である；ここで、当該第２基板に位置する第２電子デバイスマトリックスの第Ｍ１行における電子デバイスが当該第３基板の第３電子デバイスマトリックスの第Ｍ２行に移転された後、当該第１軸方向に沿った相対移動距離は、［（Ｍ２－Ｓ２）＊Ｘ２－（Ｍ１－Ｓ１）＊Ｘ１］である。
【0028】
上記の更なるピッチ調整可能な大量の電子デバイスの移転方法において、当該第２電子デバイスマトリックスの行ピッチは、Ｘ２であり、Ｘ２＞０且つＸ１≠Ｘ２である。
【0029】
上記の更なるピッチ調整可能な大量の電子デバイスの移転方法において、当該第２電子デバイスマトリックスを形成するステップは、以下を含む：当該第１基板に位置する第Ｓ１行における電子デバイスを当該第１基板の第２軸方向に沿った第１ベースラインとし、当該第２基板に位置する第Ｓ２行における電子デバイスを当該第２基板の第２軸方向に沿った第２ベースラインとし、当該第１ベースラインを当該第２ベースラインに位置合わせする；第１波長を有する第１光を当該第１基板の上方に供給し、第１波長を有する第１光を当該第１電子デバイスマトリックスの第Ｍ１行における電子デバイスが位置する当該第１基板に照射して、熱分解又は光分解させて粘性を失わせて、当該第１基板に位置する第Ｍ１行における電子デバイスを選択的に剥離させて、当該第２基板の第２上面に接合させて、当該第２電子デバイスマトリックスの第Ｍ２列に位置させ、ここで、Ｓ１、Ｓ２、Ｍ１、Ｍ２、Ｍ２は、自然数であり、Ｍ１≦Ｍ、Ｍ２≦Ｐ、且つ１≦Ｓ２１≦Ｍ１、１≦Ｓ２≦Ｍ２である；ここで、当該第１基板に位置する第１電子デバイスマトリックスの第Ｍ１行における電子デバイスが当該第２基板の第２電子デバイスマトリックスの第Ｍ２行に移転された後、当該第１軸方向に沿った相対移動距離は、［（Ｍ２－Ｓ２）＊Ｘ２－（Ｍ１－Ｓ１）＊Ｘ１］である。
【0030】
上記の更なるピッチ調整可能な大量の電子デバイスの移転方法において、更に、以下のステップを含む：対向する第３上面と第３下面とを有する第３基板を提供し、当該第３基板を当該第２基板の下方に配置し、当該第２基板の第２上面は、当該第３基板の第３上面に向いている；当該第２基板に位置する第２電子デバイスマトリックスを当該第３基板に移転して、当該第３基板にＵ行の電子デバイス×Ｖ列の電子デバイスによる第３電子デバイスマトリックスを形成し、当該第３電子デバイスマトリックスの行ピッチと列ピッチはそれぞれＸ２、Ｙ２であり、ここで、Ｕ、Ｖは、１より大きい自然数である。
【0031】
上記の更なるピッチ調整可能な大量の電子デバイスの移転方法において、当該第３電子デバイスマトリックスを形成するステップは、以下を含む：当該第２基板に位置する第Ｒ１列における電子デバイスを当該第２基板の第１軸方向に沿った第３ベースラインとし、当該第３基板に位置する第Ｒ２列における電子デバイスを当該第３基板の第１軸方向に沿った第４ベースラインとし、当該第３ベースラインを当該第４ベースラインに位置合わせする；第２波長を有する第２光を当該第２基板の上方に供給し、第２波長を有する第２光を当該第２電子デバイスマトリックスの第Ｎ１列における電子デバイスが位置する当該第２基板に照射して、熱分解又は光分解させて粘性を失わせて、当該第２基板に位置する第Ｎ１列における電子デバイスを選択的に剥離させて、当該第３基板の第３上面に接合させて、当該第３電子デバイスマトリックスの第Ｎ２列に位置させ、ここで、Ｒ１、Ｒ２、Ｎ１、Ｎ２は、自然数であり、Ｎ１≦Ｎ、ＮＮ２≦Ｖ、且つ１≦Ｒ１≦Ｎ１、１≦Ｒ２≦Ｎ２である；ここで、当該第２基板に位置する第２電子デバイスマトリックスの第Ｎ１列における電子デバイスが当該第３基板の第３電子デバイスマトリックスの第Ｎ２列に移転された後、当該第２軸方向に沿った相対移動距離は、［（Ｎ２－Ｒ２）＊Ｙ２－（Ｎ１－Ｒ１）＊Ｙ１］である。
【0032】
上記の更なるピッチ調整可能な大量の電子デバイスの移転方法において、当該第１基板は、熱分解ゴム膜であり、第１波長を有する第１光は、１００ｎｍ～１２０００ｎｍの波長を有する光である。
【0033】
上記の更なるピッチ調整可能な大量の電子デバイスの移転方法において、当該第１基板は、光分解ゴム膜であり、第１波長を有する第１光は、１００ｎｍ～１２０００ｎｍの波長を有する光である。
【0034】
上記の更なるピッチ調整可能な大量の電子デバイスの移転方法において、当該第２基板は、熱分解ゴム膜であり、第２波長を有する第２光は、１００ｎｍ～１２０００ｎｍの波長を有する光である。
【0035】
上記の更なるピッチ調整可能な大量の電子デバイスの移転方法において、当該第２基板２００は、光分解ゴム膜であり、第２波長を有する第２光は、１００ｎｍ～１２０００ｎｍの波長を有する光である。
【0036】
上記の更なるピッチ調整可能な大量の電子デバイスの移転方法において、当該電子デバイスは、発光ダイオード、レーザダイオード及び半導体素子からなる１つ以上の群から選択される。
【0037】
上記の更なるピッチ調整可能な大量の電子デバイスの移転方法において、当該発光ダイオードが発する光は、赤色光、緑色光、青色光、黄色光、白色光、赤外光または紫外光である。
【0038】
上記の更なるピッチ調整可能な大量の電子デバイスの移転方法において、当該レーザダイオードの波長は、３９０ｎｍ～１７００ｎｍである。
【0039】
上記の更なるピッチ調整可能な大量の電子デバイスの移転方法において、当該半導体素子は、プロセッサ、メモリＩＣ、マイクロ素子ＩＣ、論理ＩＣ及びアナログＩＣからなる１つ以上の群から選択される。
【図面の簡単な説明】
【0040】
【図1A】大量の電子デバイスを移転する既知方法を示す上面図である。
【図1B】大量の電子デバイスを移転する既知方法を示す上面図である。
【図1C】大量の電子デバイスを移転する既知方法を示す上面図である。
【図1D】大量の電子デバイスを移転する既知方法を示す上面図である。
【0041】
【図2A】本発明の実施例１に従って図示されたピッチ調整可能な大量の電子デバイスの転送方法である上面図である。
【図2B】本発明の実施例１に従って図示されたピッチ調整可能な大量の電子デバイスの転送方法である上面図である。
【図2C】本発明の実施例１に従って図示されたピッチ調整可能な大量の電子デバイスの転送方法である上面図である。
【図2D】本発明の実施例１に従って図示されたピッチ調整可能な大量の電子デバイスの転送方法である上面図である。
【図2E】本発明の実施例１に従って図示されたピッチ調整可能な大量の電子デバイスの転送方法である上面図である。
【図2F】本発明の実施例１に従って図示されたピッチ調整可能な大量の電子デバイスの転送方法である上面図である。
【図2G】本発明の実施例１に従って図示されたピッチ調整可能な大量の電子デバイスの転送方法である上面図である。
【図2H】本発明の実施例１に従って図示されたピッチ調整可能な大量の電子デバイスの転送方法である上面図である。
【0042】
【図2A-1】本発明の実施例２に従って図示されたピッチ調整可能な大量の電子デバイスの転送方法である上面図である。
【図2B-1】本発明の実施例２に従って図示されたピッチ調整可能な大量の電子デバイスの転送方法である上面図である。
【図2C-1】本発明の実施例２に従って図示されたピッチ調整可能な大量の電子デバイスの転送方法である上面図である。
【図2D-1】本発明の実施例２に従って図示されたピッチ調整可能な大量の電子デバイスの転送方法である上面図である。
【図2E-1】本発明の実施例２に従って図示されたピッチ調整可能な大量の電子デバイスの転送方法である上面図である。
【0043】
【図3A】本発明の実施例３に従って図示されたピッチ調整可能な大量の電子デバイスの転送方法である上面図である。
【図3B】本発明の実施例３に従って図示されたピッチ調整可能な大量の電子デバイスの転送方法である上面図である。
【図3C】本発明の実施例３に従って図示されたピッチ調整可能な大量の電子デバイスの転送方法である上面図である。
【図3D】本発明の実施例３に従って図示されたピッチ調整可能な大量の電子デバイスの転送方法である上面図である。
【図3E】本発明の実施例３に従って図示されたピッチ調整可能な大量の電子デバイスの転送方法である上面図である。
【図3F】本発明の実施例３に従って図示されたピッチ調整可能な大量の電子デバイスの転送方法である上面図である。
【図3G】本発明の実施例３に従って図示されたピッチ調整可能な大量の電子デバイスの転送方法である上面図である。
【図3H】本発明の実施例３に従って図示されたピッチ調整可能な大量の電子デバイスの転送方法である上面図である。
【図3I】本発明の実施例３に従って図示されたピッチ調整可能な大量の電子デバイスの転送方法である上面図である。
【0044】
【図3A-1】本発明の実施例４に従って図示されたピッチ調整可能な大量の電子デバイスの転送方法である上面図である。
【図3B-1】本発明の実施例４に従って図示されたピッチ調整可能な大量の電子デバイスの転送方法である上面図である。
【図3C-1】本発明の実施例４に従って図示されたピッチ調整可能な大量の電子デバイスの転送方法である上面図である。
【図3D-1】本発明の実施例４に従って図示されたピッチ調整可能な大量の電子デバイスの転送方法である上面図である。
【図3E-1】本発明の実施例４に従って図示されたピッチ調整可能な大量の電子デバイスの転送方法である上面図である。
【図3F-1】本発明の実施例４に従って図示されたピッチ調整可能な大量の電子デバイスの転送方法である上面図である。
【図3G-1】本発明の実施例４に従って図示されたピッチ調整可能な大量の電子デバイスの転送方法である上面図である。
【図3H-1】本発明の実施例４に従って図示されたピッチ調整可能な大量の電子デバイスの転送方法である上面図である。
【0045】
【図4A】本発明の実施例５に従って図示されたピッチ調整可能な大量の電子デバイスの転送方法である上面図である。
【図4B】本発明の実施例５に従って図示されたピッチ調整可能な大量の電子デバイスの転送方法である上面図である。
【図4C】本発明の実施例５に従って図示されたピッチ調整可能な大量の電子デバイスの転送方法である上面図である。
【図4D】本発明の実施例５に従って図示されたピッチ調整可能な大量の電子デバイスの転送方法である上面図である。
【図4E】本発明の実施例５に従って図示されたピッチ調整可能な大量の電子デバイスの転送方法である上面図である。
【0046】
【図4A-1】本発明の実施例６に従って図示されたピッチ調整可能な大量の電子デバイスの転送方法である上面図である。
【図4B-1】本発明の実施例６に従って図示されたピッチ調整可能な大量の電子デバイスの転送方法である上面図である。
【図4C-1】本発明の実施例６に従って図示されたピッチ調整可能な大量の電子デバイスの転送方法である上面図である。
【図4D-1】本発明の実施例６に従って図示されたピッチ調整可能な大量の電子デバイスの転送方法である上面図である。
【図4E-1】本発明の実施例６に従って図示されたピッチ調整可能な大量の電子デバイスの転送方法である上面図である。
【発明を実施するための形態】
【0047】
本発明の開示内容の記述をより詳細かつ完全にするために、以下に本発明の実施形態と具体的な実施例について説明的な説明を提供する。しかし、これは本発明の具体的な実施例を実施または運用する唯一の形態ではない。以下に開示される各実施例は、有益な場合には互いに組み合わされてもよいし、代替されてもよいし、さらなる記載や説明を必要とせずに、一実施例に他の実施例を付加してもよい。
【0048】
以下の説明では、読者が以下の実施例を十分に理解できるように、多くの特定の詳細を詳細に述べる。しかし、本発明の実施例は、この特定の詳細なしで実施することができる。他の場合、図面を簡略化するために、周知の構造や装置は図面に概略的にのみ図示される。
【0049】
実施例
【0050】
実施例１
【0051】
以下、図２Ａ～２Ｈの上面図を参照して、本実施例１に係るピッチ調整可能な大量の電子デバイスの移転方法を詳細に説明する。
【0052】
まず、図２Ａを参照する。図２Ａに示すように、第１基板１００を提供する。この第１基板１００は、対向する第１上面１００Ａと第１下面１００Ｂとを有する。ここで、第１基板１００の第１上面１００Ａは、複数の電子デバイス１２１１～１２ＮＭを有する。これらの電子デバイス１２１１～１２ＮＭは、それぞれ第１軸方向と第２軸方向に沿って配列されて、Ｍ行の電子デバイス×Ｎ列の電子デバイスによる第１電子デバイスマトリックス（図示せず）を形成する。ここで、第１基板１００は、熱分解ゴム膜または光分解ゴム膜であり、第１軸方向および第２軸方向は、実質的に互いに直交し、Ｍ、Ｎは１より大きい自然数である。第１電子デバイスマトリックスの行ピッチ、列ピッチは、それぞれＸ１、Ｙ１であり、Ｘ１、Ｙ１＞０である。本実施例では、第１軸方向をＸ軸方向、第２軸方向をＹ軸方向として例示的に説明されるが、本発明に係る他の実施例では、必要に応じて、第１軸方向をＹ軸方向、第２軸方向をＸ軸方向とする場合もある。
【0053】
本実施例１における電子デバイス１２１１～１２ＮＭは、例えば、発光ダイオード、レーザダイオード及び半導体素子からなる1つ以上の群から選択されるが、これらに限定されない。ここで、発光ダイオードにより発光される光は、例えば、赤色光、緑色光、青色光、黄色光、白色光、赤外光または紫外光であるが、これらに限定されない。レーザダイオードの波長は、例えば、３９０ｎｍ～１７００ｎｍであるが、これらに限定されない。半導体素子は、例えば、プロセッサ、メモリＩＣ、マイクロ素子ＩＣ、論理ＩＣ及びアナログＩＣからなる1つ以上の群から選択されるが、これらに限定されない。
【0054】
次に、図２Ｂを参照する。第２基板２００を提供し、この第２基板２００を第１基板１００の下方に配置する。この第２基板２００は、対向する第２上面２００Ａと第２下面２００Ｂとを有する。この第１基板１００の第１上面１００Ａは、第２基板２００の第２上面２００Ａに向いている。
【0055】
次に、図２Ｂ～２Ｄを参照する。第１波長を有する第１光を第１基板１００の上方に提供する。第１波長を有する第１光は、例えば、１００ｎｍ～１２０００ｎｍの波長を有する光であるが、これに限定されない。そして、第１波長を有する第１光を、第１電子デバイスマトリックスの第Ｊ行、第Ｋ列における電子デバイス１２ＫＪが位置する第１基板１００に照射して熱分解または光分解させて粘性を失わせる。そして、第Ｊ行、第Ｋ列における電子デバイス１２ＫＪを選択的に剥離させて、第２基板２００の第２上面２００Ａに接合させる。その後、第１基板１００を第２基板２００に対して第１軸方向に沿って（Ｘ２－Ｘ１）という距離で変位させる。第１波長を有する第１光を、第１電子デバイスマトリックスの第（Ｊ＋１）行、第Ｋ列における電子デバイス１２（Ｋ＋１）Ｊが位置する第１基板１００に照射して熱分解又は光分解させて粘性を失わせる。第（Ｊ＋１）行、第Ｋ列における電子デバイスを選択的に剥離させて第２基板２００の第２上面２００Ａに接合させる。ここで、Ｊ、Ｋ、Ｘ２は、すべて自然数であり、Ｘ１≠Ｘ２であり、かつ１≦Ｊ≦（Ｍ－１）、１≦Ｋ≦（Ｎ－１）である。本実施例１は、第Ｋ列における電子デバイス１２Ｋ１～１２ＫＭの全てが選択的に剥離されて第２基板２００の第２上面２００Ａに接合されることを例示として説明したが、本発明に係る他の実施例では、必要に応じて、第Ｋ列における電子デバイス１２Ｋ１～１２ＫＭの一部を選択的に剥離させて第２基板２００の第２上面２００Ａに接合させることも可能である。
【0056】
図２Ｂに示すように、Ｊ＝１、Ｋ＝１である場合、第１波長を有する第１光を第１軸方向（Ｘ軸方向）に沿って第１電子デバイスマトリックスの第１行、第１列における電子デバイス１２１１が位置する第１基板１００に照射して熱分解または光分解して粘性を失わせる。第１行、第１列における電子デバイス１２１１を選択的に剥離させて第２基板２００の第２上面２００Ａに接合させる。
【0057】
次に、図２Ｃ～２Ｄに示すように、第１基板１００を第２基板２００に対して第１軸方向（Ｘ軸方向）に沿って（Ｘ２－Ｘ１）という距離で変位させて、第１波長の第１光を第１軸方向（Ｘ軸方向）に沿って第１電子デバイスマトリックスの第２行、第１列における電子デバイスが位置する第１基板１００に照射して熱分解や光分解させて粘性を失わせる。第２行、第１列における電子デバイス１２１２を選択的に剥離させて第２基板２００の第２上面２００Ａに接合させる。同様に、第１列における他の電子デバイス１２１３～１２１Ｍも、前述した同様の方法により、選択的に剥離されて、第２基板２００の第２上面２００Ａに接合されてもよい。
【0058】
その後、図２Ｅ～２Ｇを参照する。第１電子デバイスマトリックスの第Ｋ列における電子デバイス１２Ｋ１～１２ＫＭが選択的に剥離されて第２基板２００の第２上面２００Ａに接合された後、まず第１基板１００を第２基板２００に再度に位置合わせし、次に第１基板１００を第２基板２００に対して第２軸方向（Ｙ軸方向）に沿って（Ｙ２－Ｙ１）という距離で再度変位させる。Ｙ２＞０、Ｙ１≠Ｙ２である。そして、第１波長を有する第１光を、第１電子デバイスマトリックスの第Ｊ行、第（Ｋ＋１）列における電子デバイス１２（Ｋ＋１）Ｊが位置する第１基板１００に照射して熱分解または光分解させて粘性を失わせる。第１波長を有する第１光は、例えば１００ｎｍ～１２０００ｎｍの波長を有する光であるが、これに限定されない。そして、第Ｊ行、第（Ｋ＋１）列における電子デバイス１２（Ｋ＋１）Ｋを選択的に剥離させて第２基板２００の第２上面２００Ａに接合させる。そして、第１基板１００を第２基板２００に対して第１軸方向（Ｘ軸方向）に沿って（Ｘ２－Ｘ１）という距離で変位させる。そして、第１波長を有する第１光を第１電子デバイスマトリックスの第（Ｊ＋１）行、第（Ｋ＋１）列における電子デバイス１２（Ｋ＋１）（Ｊ＋１）が位置する第１基板１００に照射して熱分解又は光分解させて粘性を失わせる。第（Ｊ＋１）行、第（Ｋ＋１）列における電子デバイス１２（Ｋ＋１）（Ｊ＋１）を選択的に剥離させて第２基板２００の第２上面２００Ａに接合させる。ここで、Ｙ２は、自然数である。第１基板１００に位置する電子デバイス１２１１～１２ＮＭが選択的に剥離されて第２基板２００の第２上面２００Ａに接合された後、第２基板２００の第２上面２００Ａに第２電子デバイスマトリックス（図示せず）を形成することができる。本実施例１では、第１基板１００に位置する第１電子デバイスマトリックス（図示せず）における電子デバイス１２１１～１２１Ｍの全てが選択的に剥離されて第２基板２００の第２上面２００Ａに接合されたが、本発明に係る他の実施例では、必要に応じて、第１基板１００に位置する第１電子デバイスマトリックス（図示せず）における電子デバイス１２１１～１２１Ｍの一部を選択的に剥離させて第２基板２００の第２上面２００Ａに接合させることも可能である。
【0059】
図２Ｅに示すように、Ｋ＝１である場合、第１列における電子デバイス１２１３～１２１Ｍが選択的に剥離されて第２基板２００の第２上面２００Ａに接合された後、先ず第１基板１００を第２基板２００に再度に位置合わせする。次に、第１基板１００を第２基板２００に対して第２軸方向（Ｙ軸方向）に沿って（Ｙ２－Ｙ１）という距離で変位させる。その後、第１波長を有する第１光を第１電子デバイスマトリックスの第２列、第１行における電子デバイス１２２１が位置する第１基板１００に照射して熱分解又は光分解させて粘性を失わせる。第２列、第１行における電子デバイス１２２１を選択的に剥離させて第２基板２００の第２上面２００Ａに接合させる。そして、図２Ｆに示すように、第１基板１００を第２基板２００に対して第１軸方向（Ｘ軸方向）に沿って（Ｘ２－Ｘ１）という距離で変位させて、第１波長を有する第１光を第１電子デバイスマトリックスの第２列、第２行における電子デバイス１２２２が位置する第１基板１００に照射して熱分解又は光分解させて粘性を失わせて、第２列、第２行における電子デバイス１２２２を選択的に剥離させて第２基板２００の第２上面２００Ａに接合させる。同様に、図２Ｇに示すように、第３～Ｍ行における他の電子デバイス１２２３～１２２Ｍも、前述した同様の方法により、選択的に剥離されて第２基板２００の第２上面２００Ａに接合されてもよい。
【0060】
図２Ｈに示すように、第１基板１００に位置する電子デバイス１２１１～１２ＮＭが上記方法により選択的に剥離されて第２基板２００の第２上面２００Ａに接合された後、第２基板２００の第２上面２００Ａに第２電子デバイスマトリックス（図示せず）を形成することができる。そして、第２電子デバイスマトリックスの行ピッチ、列ピッチは、それぞれＸ２、Ｙ２である。ここで、Ｘ２＞Ｘ１の場合、すなわち、第２電子デバイスマトリックスの行ピッチＸ２は、第１電子デバイスマトリックスの行ピッチＸ１よりも大きい。Ｘ２＜Ｘ１の場合、すなわち、第２電子デバイスマトリックスの行ピッチＸ２は、第１電子デバイスマトリックスの行ピッチＸ１よりも小さい。また、Ｙ２＞Ｙ１の場合、すなわち、第２電子デバイスマトリックスの列ピッチＹ２は、第１電子デバイスマトリックスの列ピッチＹ１よりも大きい。Ｙ２＜Ｙ１の場合、すなわち、第２電子デバイスマトリックスの列ピッチＹ２は、第１電子デバイスマトリックスの列ピッチＹ１よりも小さい。
【0061】
実施例２
【0062】
以下、図２Ａ－１～２Ｅ－１の上面図を参照して、本実施例２に係る別のピッチ調整可能な大量の電子デバイスの移転方法を詳細に説明する。
【0063】
まず、図２Ａ－１を参照する。図２Ａ－１に示すように、対向する第１上面１００Ａと第１下面１００Ｂとを有する第１基板１００を提供する。ここで、第１基板１００の第１上面１００Ａは、複数の電子デバイス１２１１～１２ＮＭを有する。そして、電子デバイス１２１１～１２ＮＭは、それぞれ第１軸方向と第２軸方向に沿って配列され、Ｍ行の電子デバイス×Ｎ列の電子デバイスによる第１電子デバイスマトリックス（図示せず）を形成する。ここで、第１基板１００は、熱分解ゴム膜または光分解ゴム膜である。第１軸方向と第２軸方向とは、実質的に互いに直交する。ここで、Ｍ、Ｎは、１より大きい自然数である。第１電子デバイスマトリックスの行ピッチ、列ピッチは、それぞれＸ１、Ｙ１であり、Ｘ１、Ｙ１＞０である。本実施例１では、第１軸方向をＸ軸方向、第２軸方向をＹ軸方向として例示的に説明したが、本発明に係る他の実施例では、必要に応じて、第１軸方向をＹ軸方向、第２軸方向をＸ軸方向とする場合もある。
【0064】
本実施例２における電子デバイス１２１１～１２ＮＭは、例えば、発光ダイオード、レーザダイオード及び半導体素子からなる１つ以上の群から選択されるが、これらに限定されない。これらの発光ダイオードにより発光される光は、例えば、赤色光、緑色光、青色光、黄色光、白色光、赤外光または紫外光であるが、これらに限定されない。レーザダイオードの波長は、例えば３９０ｎｍ～１７００ｎｍであるが、これらに限定されない。半導体素子は、例えば、プロセッサ、メモリＩＣ、マイクロ素子ＩＣ、論理ＩＣ及びアナログＩＣからなる1つ以上の群から選択されるが、これらに限定されない。
【0065】
次に、図２Ｂ－１を参照する。第２基板２００を提供する。第２基板２００を第１基板１００の下方に配置する。第２基板２００は、対向する第２上面２００Ａと第２下面２００Ｂとを有する。第１基板１００の第１上面１００Ａは、第２基板２００の第２上面２００Ａに向いている。
【0066】
次に、図２Ｂ－１～２Ｅ－１を参照する。第１波長を有する第１光を第１基板１００の上方に供給する。第１波長を有する第１光を第１電子デバイスマトリックスの第Ｊ行、第Ｋ列における電子デバイス１２ＫＪが位置する第１基板１００に照射して熱分解または光分解させて粘性を失わせる。第１波長を有する第１光は、例えば、１００ｎｍ～１２０００ｎｍの波長を有する光であるが、これらに限定されない。第Ｊ行、第Ｋ列における電子デバイス１２ＫＪを選択的に剥離させて第２基板２００の第２上面２００Ａに接合させる。図２Ｃ－１に示すように、まず、第１基板１００を第２基板２００に対して第２軸方向（Ｙ軸方向）に沿って（Ｙ２－Ｙ１）という距離で変位させる。Ｙ２＞０且つＹ１≠Ｙ２である。第１波長を有する第１光を第１電子デバイスマトリックスの第Ｊ行、第（Ｋ＋１）列における電子デバイス１２（Ｋ＋１）Ｊが位置する第１基板１００に照射して熱分解又は光分解させて粘性を失わせる。第Ｊ行、第（Ｋ＋１）列における電子デバイス１２（Ｋ＋１）Ｊを選択的に剥離させて第２基板２００の第２上面に接合させる。ここで、Ｊ、Ｋ、Ｙ２は、すべて自然数であり、且つ１≦Ｊ≦（Ｍ－１）、１≦Ｋ≦（Ｎ－１）である。本実施例２では、第Ｊ行における電子デバイス１２１Ｊ～１２ＮＪの全てが選択的に剥離されて第２基板２００の第２上面２００Ａに接合されることを例示として説明したが、本発明の他の実施例では、必要に応じて、第Ｊ行における電子デバイス１２１Ｊ～１２ＮＪの一部を選択的に剥離させて第２基板２００の第２上面２００Ａに接合させることも可能である。
【0067】
図２Ｂ－１に示すように、Ｊ＝１、Ｋ＝１の場合、第１波長を有する第１光を第１基板１００の上方に供給する。第１波長を有する第１光を第１電子デバイスマトリックスの第１列、第１行における電子デバイス１２１１が位置する第１基板１００に照射して熱分解または光分解されて粘性を失わせる。第１波長を有する第１光は、例えば、１００ｎｍ～１２０００ｎｍの波長を有する光であるが、これらに限定されない。第１列、第１行における電子デバイス１２１１を選択的に剥離させて第２基板２００の第２上面２００Ａに接合させる。図２Ｃ－１に示すように、まず、第１基板１００を第２基板２００に対して第２軸方向（Ｙ軸方向）に沿って（Ｙ２－Ｙ１）という距離で変位させる。第１波長を有する第１光を第１電子デバイスマトリックスの第２列、第１行における電子デバイス１２２１が位置する第１基板１００に照射して熱分解または光分解させて粘性を失わせる。第２列、第１行における電子デバイス１２２１を選択的に剥離させて第２基板２００の第２上面に接合させる。同様に、第１行における他の電子デバイス１２３１～１２Ｎ１も、前述した同様の方法により、選択的に剥離されて第２基板２００の第２上面２００Ａに接合されてもよい。
【0068】
図２Ｄ－１～２Ｅ－１を参照する。第１電子デバイスマトリックスの第Ｊ行における電子デバイス１２１Ｊ～１２ＮＪが選択的に剥離されて第２基板２００の第２上面２００Ａに接合された後、まず第１基板１００を第２基板２００に再度に位置合わせする。次に、第１基板１００を第２基板２００に対して第１軸方向（Ｘ軸方向）に沿って（Ｘ２－Ｘ１）という距離で変位させる。Ｘ２＞０かつＸ１≠Ｘ２である。第１波長を有する第１光を第１電子デバイスマトリックスの第（Ｊ＋１）行、第Ｋ列における電子デバイス１２Ｋ（Ｊ＋１）が位置する第１基板１００に照射して熱分解または光分解させて粘性を失わせる。第（Ｊ＋１）行、第Ｋ列における電子デバイス１２Ｋ（Ｊ＋１）を選択的に剥離させて第２基板２００の第２上面２００Ａに接合させる。第１基板を第２基板に対して第２軸方向に沿って（Ｙ２－Ｙ１）という距離で変位させる。第１波長を有する第１光を第１電子デバイスマトリックスの第（Ｊ＋１）行、第（Ｋ＋１）列における電子デバイス１２（Ｋ＋１）（Ｊ＋１）が位置する第１基板１００に照射して熱分解または光分解させて粘性を失わせる。第（Ｊ＋１）行、第（Ｋ＋１）列における電子デバイス１２（Ｋ＋１）（Ｊ＋１）を選択的に剥離させて第２基板２００の第２上面２００Ａに接合させる。ここで、Ｘ２は、自然数である。第１基板における電子デバイスの全部または一部が選択的に剥離されて第２基板２００の第２上面２００Ａに接合された後、第２基板２００の第２上面２００Ａに第２電子デバイスマトリックス（図示せず）を形成することができる。
【0069】
図２Ｄ－１に示すように、Ｊ＝１、Ｋ＝１の場合、第１電子デバイスマトリックスの第１行における電子デバイス１２１１～１２Ｎ１が選択的に剥離されて第２基板２００の第２上面２００Ａに接合された後、まず第１基板１００を第２基板２００に再度に位置合わせする。次に、第１基板１００を第２基板２００に対して第１軸方向（Ｘ軸方向）に沿って（Ｘ２－Ｘ１）という距離で変位させる。第１波長を有する第１光を第１電子デバイスマトリックスの第２行、第１列における電子デバイス１２１２が位置する第１基板１００に照射して熱分解または光分解させて粘性を失わせる。第２行、第１列における電子デバイス１２１２を選択的に剥離させて第２基板２００の第２上面２００Ａに接合させる。図２Ｅ－１に示すように、まず第１基板１００を第２基板２００に対して第２軸方向（Ｙ軸方向）に沿って（Ｙ２－Ｙ１）という距離で変位させる。そして、第１波長を有する第１光を第１電子デバイスマトリックスの第２行、第２列における電子デバイス１２２２が位置する第１基板１００に照射して熱分解または光分解させて粘性を失わせる。第２行、第２列における電子デバイス１２２２を選択的に剥離させて第２基板２００の第２上面２００Ａに接合させる。同様に、第２行における他の電子デバイス１２３２～１２Ｎ２も、前述した同様の方法により、選択的に剥離されて第２基板２００の第２上面２００Ａに接合されてもよい。
【0070】
図２Ｅ－１に示すように、第１基板１００に位置する電子デバイス１２１１～１２ＮＭが上述の方法により選択的に剥離されて第２基板２００の第２上面２００Ａに接合された後、第２基板２００の第２上面２００Ａに第２電子デバイスマトリックス（図示せず）を形成することができる。第２電子デバイスマトリックスの行ピッチ、列ピッチは、それぞれＸ２、Ｙ２である。Ｘ２＞Ｘの場合、すなわち、第２電子デバイスマトリックスの行ピッチＸ２は、第１電子デバイスマトリックスの行ピッチＸ１よりも大きい。Ｘ２＜Ｘ１の場合、すなわち、第２電子デバイスマトリックスの行ピッチＸ２は、第１電子デバイスマトリックスの行ピッチＸ１よりも小さい。Ｙ２＞Ｙ１の場合、すなわち、第２電子デバイスマトリックスの列ピッチＹ２は、第１電子デバイスマトリックスの列ピッチＹ１よりも大きい。Ｙ２＜Ｙ１の場合、すなわち、第２電子デバイスマトリックスの列ピッチＹ２は、第１電子デバイスマトリックスの列ピッチＹ１よりも小さい。
【0071】
実施例３
【0072】
【0073】
まず、図３Ａを参照する。図３Ａに示すように、第１基板１００を提供する。第１基板１００は、対向する第１上面１００Ａと第１下面１００Ｂとを有する。第１基板１００の第１上面１００Ａは、複数の電子デバイス１２１１～１２ＮＭを有する。電子デバイス１２１１～１２ＮＭは、それぞれ第１軸方向と第２軸方向に沿って配列され、Ｍ行の電子デバイス×Ｎ列の電子デバイスによる第１電子デバイスマトリックス（図示せず）を形成する。第１基板１００は、熱分解ゴム膜または光分解ゴム膜であり、第１軸方向と第２軸方向は、実質的に直交し、Ｍ、Ｎは、１より大きい自然数であり、第１電子デバイスマトリックスの行ピッチ、列ピッチは、それぞれＸ１、Ｙ１であり、Ｘ１、Ｙ１＞０である。本実施例１では、第１軸方向をＸ軸方向、第２軸方向をＹ軸方向として例示的に説明したが、必要に応じて、本発明の他の実施例では、第１軸方向をＹ軸方向、第２軸方向をＸ軸方向とする場合もある。
【0074】
本実施例３における電子デバイス１２１１～１２ＮＭは、例えば、発光ダイオード、レーザダイオード及び半導体素子からなる1つ以上の群から選択されるが、これらに限定されない。発光ダイオードにより発光される光は、例えば、赤色光、緑色光、青色光、黄色光、白色光、赤外光又は紫外光である。レーザダイオードの波長は、例えば、３９０ｎｍ～１７００ｎｍであるが、これらに限定されない。半導体素子は、例えば、プロセッサ、メモリＩＣ、マイクロ素子ＩＣ、論理ＩＣ及びアナログＩＣからなる1つ以上の群から選択されるが、これらに限定されない。
【0075】
次に、図３Ｂを参照する。第２基板２００を提供し、第２基板２００を第１基板１００の下方に配置する。第２基板２００は、対向する第２上面２００Ａと第２下面２００Ｂとを有する。第１基板１００の第１上面１００Ａは、第２基板２００の第２上面２００Ａに向いている。第２基板２００は、熱分解ゴム膜または光分解ゴム膜である。
【0076】
次に、図３Ｂ～３Ｄを参照する。第１波長を有する第１光を第１基板１００の上方に提供する。第１波長を有する第１光は、例えば、１００ｎｍ～１２０００ｎｍの波長を有する光であるが、これらに限定されない。第１波長を有する第１光を第１電子デバイスマトリックスの第Ｋ列における電子デバイス１２Ｋ１～１２ＫＭが位置する第１基板１００に照射して熱分解または光分解させて粘性を失わせる。第Ｋ列における電子デバイスのすべてを剥離させて第２基板２００の第２上面２００Ａに接合させる。本実施例３では、第Ｋ列における電子デバイス１２Ｋ１～１２ＫＭの全てが選択的に剥離されて第２基板２００の第２上面２００Ａに接合されることを例示として説明したが、本発明の他の実施例では、必要に応じて、第Ｋ列における電子デバイス１２Ｋ１～１２ＫＭの一部を選択的に剥離させて第２基板２００の第２上面２００Ａに接合させることも可能である。そして、第１基板１００を第２基板２００に対して第２軸方向（Ｙ軸方向）に沿って（Ｙ２－Ｙ１）という距離で変位させる。Ｙ２＞０且つＹ１≠Ｙ２である。第１波長を有する第１光を第１電子デバイスマトリックスの第（Ｋ＋１）列における電子デバイス１２（Ｋ＋１）１～１２（Ｋ＋１）Ｍが位置する第１基板１００に照射して熱分解または光分解されて粘性を失わせる。第１波長を有する第１光は、例えば１００ｎｍ～１２０００ｎｍの波長を有する光であるが、これらに限定されない。第（Ｋ＋１））列における電子デバイス１２（Ｋ＋１）１～１２（Ｋ＋１）Ｍの全部または一部を剥離させて第２基板２００の第２上面２００Ａに接合させる。Ｋは、自然数であり、かつ１≦Ｋ≦（Ｎ－１）、Ｙ２＞０、かつＹ１≠Ｙ２である。本実施例３では、第（Ｋ＋１）列における電子デバイス１２（Ｋ＋１）１～１２（Ｋ＋１）Ｍの全てが選択的に剥離されて第２基板２００の第２上面２００Ａに接合されることを例示として説明したが、本発明の他の実施例では、必要に応じて、第（Ｋ＋１）列における電子デバイス１２（Ｋ＋１）１～１２（Ｋ＋１）Ｍの一部を選択的に剥離させて第２基板２００の第２上面２００Ａに接合させることも可能である。
【0077】
図３Ｂに示すように、Ｋ＝１の場合、第１波長を有する第１光を第１基板１００の上方に供給する。第１波長を有する第１光は、例えば、１００ｎｍ～１２０００ｎｍの波長を有する光であるが、これらに限定されない。第１波長を有する第１光を第１電子デバイスマトリックスの第１列における電子デバイス１２１１～１２１Ｍが位置する第１基板１００に照射して熱分解または光分解させて粘性を失わせる。第１列における電子デバイス１２１１～１２１Ｍの全てを剥離させて第２基板２００の第２上面２００Ａに接合させる。本実施例３では、第１列における電子デバイス１２１１～１２１Ｍの全てが選択的に剥離されて第２基板２００の第２上面２００Ａに接合されることを例示として説明したが、本発明の他の実施例では、必要に応じて、第１列における電子デバイス１２１１～１２１Ｍの一部を選択的に剥離させて第２基板２００の第２上面２００Ａに接合させることも可能である。また、図３Ｃに示すように、第１基板１００を第２基板２００に対して第２軸方向（Ｙ軸方向）に沿って（Ｙ２－Ｙ１）という距離で変位させる。その後、第１波長を有する第１光を第１電子デバイスマトリックスの第２列における電子デバイス１２２１～１２２Ｍが位置する第１基板１００に照射して熱分解または光分解させて粘性を失わせる。第１波長を有する第１光は、例えば、１００ｎｍ～１２０００ｎｍの波長を有する光であるが、これらに限定されない。第２列における電子デバイス１２２１～１２２Ｍのすべてを剥離させて第２基板２００の第２上面２００Ａに接合させる。Ｙ２＞０、Ｙ１≠Ｙ２である。本実施例３では、第２列における電子デバイス１２（２１～１２２Ｍの全てが選択的に剥離されて第２基板２００の第２上面２００Ａに接合されることを例示として説明したが、本発明の他の実施例では、必要に応じて、第２列における電子デバイス１２２１～１２２Ｍの一部を選択的に剥離させて第２基板２００の第２上面２００Ａに接合させることも可能である。同様に、図３Ｄに示すように、第３～Ｎ列における他の電子デバイス１２３１～１２ＮＭも、前述の同様の方法により、全部または一部が選択的に剥離されて第２基板２００の第２上面２００Ａに接合されてもよい。
【0078】
図３Ｅに示すように、第１基板１００に位置する電子デバイス１２１１～１２ＮＭが上記方法により全て選択的に剥離されて第２基板２００の第２上面２００Ａに接合された後、第２基板２００の第２上面２００Ａに第２電子デバイスマトリックス（図示せず）を形成することができる。第２電子デバイスマトリックスの行ピッチ、列ピッチは、それぞれＸ１、Ｙ２である。Ｙ２＞Ｙ１の場合、すなわち、第２電子デバイスマトリックスの列ピッチは、第１電子デバイスマトリックスの列ピッチよりも大きい。Ｙ２＜Ｙ１の場合、すなわち、第２電子デバイスマトリックスの列ピッチは、第１電子デバイスマトリックスの列ピッチよりも小さい。
【0079】
図３Ｆ～３Ｉに示すように、本実施例３では、第２基板２００に位置する電子デバイス１２１１～１２ＮＭの全部または一部を第３基板３００に移転して、第３基板３００に第３電子デバイスマトリックス（図示せず）を形成する。第３電子デバイスマトリックスの行ピッチと列ピッチは、それぞれＸ２、Ｙ２であり、Ｘ１≠Ｘ２、Ｙ１≠Ｙ２である。
【0080】
図３Ｆ～３Ｉに示すように、第３基板３００を提供し、第２基板２００の下方に設置する。第３基板３００は、対向する第３上面３００Ａと第３下面３００Ｂとを有する。第２基板２００の第２上面２００Ａは、第３基板３００の第３上面３００Ａに向いている。第２波長を有する第２光を第２基板２００の上方に供給し、第２波長を有する第２光を第２電子デバイスマトリックスの第Ｊ行における電子デバイスが位置する第２基板２００に照射して第２基板２００を熱分解または光分解させて粘性を失わせる。第２波長を有する第２光は、例えば、１００ｎｍ～１２０００ｎｍの波長の光であるが、これらに限定されない。第Ｊ行における電子デバイス１２１Ｊ～１２ＮＪのすべてを剥離させて第３基板３００の第３上面３００Ａに接合させる。次に、第２基板２００を第３基板３００に対して第１軸方向に沿って（Ｘ２－Ｘ１）という距離で変位させる。ここで、Ｘ２＞０、かつＸ１≠Ｘ２である。その後、第２波長を有する第２光を第２電子デバイスマトリックスの第（Ｊ＋１）行における電子デバイス１２１（Ｊ＋１）～１２Ｎ（Ｊ＋１）が位置する第２基板２００に照射して第２基板２００を熱分解または光分解させて粘性を失わせる。第（Ｊ＋１）行における電子デバイス１２１（Ｊ＋１）～１２Ｎ（Ｊ＋１）の全部または一部を剥離させて第３基板３００の第３上面３００Ａに接合させる。Ｊは、自然数であり、１≦Ｊ≦（Ｍ－１）である。第２基板２００に位置する電子デバイス１２１１～１２ＮＭの全てが選択的に剥離されて第３基板３００の第３上面３００Ａに接合された後、第３基板３００に第３電子デバイスマトリックス（図示せず）を形成することができる。第３電子デバイスマトリックス（図示せず）の行ピッチと列ピッチは、それぞれＸ２、Ｙ２である。本実施例３では、第Ｊ行における電子デバイス１２１Ｊ～１２ＮＪ、第（Ｊ＋１）行における電子デバイス１２１（Ｊ＋１）～１２Ｎ（Ｊ＋１）の全てが選択的に剥離されて第３基板３００の第３上面３００Ａに接合されることを例示として説明したが、本発明の他の実施例では、必要に応じて、第Ｊ行における電子デバイス１２１Ｊ～１２ＮＪ、第（Ｊ＋１）行における電子デバイス１２１（Ｊ＋１）～１２Ｎ（Ｊ＋１）の一部を選択的に剥離させて第３基板３００の第３上面３００Ａに接合させることも可能である。
【0081】
図３Ｆに示すように、Ｊ＝１の場合、第２波長を有する第２光を第２基板の上方に供給する。第２波長を有する第２光を第２電子デバイスマトリックスの第１行における電子デバイスが位置する第２基板２００に照射して第２基板２００を熱分解または光分解させて粘性を失わせる。第２波長を有する第２光は、例えば１００ｎｍ～１２０００ｎｍの波長を有する光であるが、これらに限定されない。第１行における電子デバイス１２１１～１２Ｎ１の全部または一部を剥離させて第３基板３００の第３上面３００Ａに接合させる。
【0082】
次に、図３Ｇに示すように、第２基板２００を第３基板３００に対して第１軸方向に沿って（Ｘ２－Ｘ１）という距離で変位させる。第２波長を有する第２光を第２電子デバイスマトリックスの第２行における電子デバイス１２１２～１２Ｎ２が位置する第２基板２００に照射して第２基板２００を熱分解または光分解させて粘性を失わせる。第２行における電子デバイス１２１２～１２Ｎ２の全部または一部を剥離させて第３基板３００の第３上面３００Ａに接合させる。
【0083】
次に、図３Ｈに示すように、第２基板２００を第３基板３００に対して第１軸方向に沿って（Ｘ２－Ｘ１）という距離で再度変位させる。その後、第２波長を有する第２光を第２電子デバイスマトリックスの第３行における電子デバイス１２１３～１２Ｎ３が位置する第２基板２００に照射して第２基板２００を熱分解または光分解させて粘性を失わせる。第３行における電子デバイス１２１３～１２Ｎ３の全部または一部を剥離させて第３基板３００の第３上面３００Ａに接合させる。同様に、第４行～第Ｍ行における他の電子デバイス１２１４～１２ＮＭも、前述した同様の方法により、選択的に剥離されて第３基板３００の第３上面３００Ａに接合されてもよい。
【0084】
図３Ｉに示すように、第２基板２００に位置する電子デバイス１２１１～１２ＮＭのすべてが選択的に剥離されて第３基板３００の第３上面３００Ａに接合された後、第３基板３００に第３電子デバイスマトリックス（図示せず）を形成することができる。第３電子デバイスマトリックスの行ピッチと列ピッチは、それぞれＸ２、Ｙ２である。Ｘ２＞Ｘ１の場合、すなわち、第３電子デバイスマトリックスの行ピッチは、第２電子デバイスマトリックスの行ピッチよりも大きい。Ｘ２＜Ｘ１の場合、すなわち、第３電子デバイスマトリックスの行ピッチは、第２電子デバイスマトリックスの行ピッチよりも小さい。
【0085】
本実施例３では、第２基板２００に位置する第２電子デバイスマトリックスの電子デバイス１２１１～１２ＮＭの全てが選択的に剥離されて第３基板３００の第３上面３００Ａに接合されることを例示として説明したが、本発明の他の実施例では、必要に応じて、第２基板２００に位置する第２電子デバイスマトリックス電子デバイス１２１１～１２ＮＭの一部を選択的に剥離させて第３基板３００の第３上面３００Ａに接合させることも可能である。
【0086】
実施例４
【0087】
【0088】
まず、図３Ａ－１を参照する。図３Ａ－１に示すように、第１基板１００を提供する。第１基板１００は、対向する第１上面１００Ａと第１下面１００Ｂとを有る。第１基板１００の第１上面１００Ａは、複数の電子デバイス１２１１～１２ＮＭを有する。電子デバイス１２１１～１２ＮＭは、それぞれ第１軸方向と第２軸方向に沿って配列され、Ｍ行の電子デバイス×Ｎ列における電子デバイスによる第１電子デバイスマトリックス（図示せず）を形成する。第１基板１００は熱分解ゴム膜または光分解ゴム膜であり、第１軸方向と第２軸方向は、実質的に互いに直交し、Ｍ、Ｎは、１より大きい自然数であり、第１電子デバイスマトリックスの行ピッチ、列ピッチは、それぞれＸ１、Ｙ１であり、Ｘ１、Ｙ１＞０である。本実施例１では、第１軸方向をＸ軸方向、第２軸方向をＹ軸方向として例示的に説明したが、本発明による他の実施例では、必要に応じて、第１軸方向をＹ軸方向、第２軸方向をＸ軸方向とする場合もある。
【0089】
本実施例４の電子デバイス１２１１～１２ＮＭは、例えば、発光ダイオード、レーザダイオード及び半導体素子からなる1つ以上の群から選択されるが、これらに限定されない。発光ダイオードにより発光される光は、例えば、赤色光、緑色光、青色光、黄色光、白色光、赤外光又は紫外光であるが、これらに限定されない。レーザダイオードの波長は、例えば３９０ｎｍ～１７００ｎｍであるが、これらに限定されない。半導体素子は、例えば、プロセッサ、メモリＩＣ、マイクロ素子ＩＣ、論理ＩＣ及びアナログＩＣからなる1つ以上の群から選択されるが、これらに限定されない。
【0090】
次に、図３Ｂ－１を参照する。第２基板２００を提供し、第２基板２００を第１基板１００の下方に設置する。第２基板２００は、対向する第２上面２００Ａと第２下面２００Ｂとを有する。第１基板１００の第１上面１００Ａは、第２基板２００の第２上面２００Ａに向いている。第２基板２００は、熱分解ゴム膜または光分解ゴム膜である。
【0091】
次に、図３Ｂ－１～３Ｄ－１を参照する。第１波長を有する第１光を第１基板１００の上方に提供する。第１波長を有する第１光は、例えば、１００ｎｍ～１２０００ｎｍの波長を有する光である。第１波長を有する第１光を第１電子デバイスマトリックスの第Ｊ行における電子デバイス１２１Ｊ～１２ＮＪが位置する第１基板１００に照射して熱分解または光分解させて粘性を失わせる。第Ｊ行における電子デバイス１２１Ｊ～１２ＮＪのすべてを剥離させて第２基板２００の第２上面２００Ａに接合させる。本実施例４では、第Ｊ行における電子デバイス１２１Ｊ～１２ＮＪの全てが選択的に剥離されて第２基板２００の第２上面２００Ａに接合されることを例示として説明したが、本発明の他の実施例では、必要に応じて、第Ｊ行における電子デバイス１２１Ｊ～１２ＮＪの一部を選択的に剥離させて第２基板２００の第２上面２００Ａに接合させることも可能である。次に、第１基板１００を第２基板２００に対して第１軸方向に沿って（Ｘ２－Ｘ１）という距離で変位させる。ここで、Ｘ２＞０かつＸ１≠Ｘ２である。第１波長を有する第１光を第１電子デバイスマトリックスの第（Ｊ＋１）行における電子デバイス１２１（Ｊ＋１）～１２Ｎ（Ｊ＋１）が位置する第１基板２００に照射して熱分解または光分解させて粘性を失わせる。第（Ｊ＋１）行における電子デバイス１２１（Ｊ＋１）～１２Ｎ（Ｊ＋１）のすべてを剥離させて第２基板２００の第２上面２００Ａに接合させる。Ｊは、自然数であり、１≦Ｊ≦（Ｍ－１）である。本実施例４では、第（Ｊ＋１）行における電子デバイス１２１（Ｊ＋１）～１２Ｎ（Ｊ＋１）の全てが選択的に剥離されて第２基板２００の第２上面２００Ａに接合されることを例示として説明したが、本発明の他の実施例では、必要に応じて、第（Ｊ＋１）行における電子デバイス１２１（Ｊ＋１）～１２Ｎ（Ｊ＋１）の一部を選択的に剥離させて第２基板２００の第２上面２００Ａに接合させることも可能である。
【0092】
図３Ｂ－１に示すように、Ｊ＝１の場合、第１波長を有する第１光を第１基板１００の上方に供給する。第１波長を有する第１光は、例えば１００ｎｍ～１２０００ｎｍの波長を有する光であるが、これらに限定されないが、第１波長を有する第１光を第１電子デバイスマトリックスの第１行における電子デバイス１２１１～１２Ｎ１が位置する第１基板１００に照射して熱分解または光分解させて粘性を失わせる。第１行における電子デバイス１２１１～１２Ｎ１のすべてを剥離させて第２基板２００の第２上面２００Ａに接合させる。本実施例４では、第１行における電子デバイス１２１１～１２Ｎ１の全てが選択的に剥離されて第２基板２００の第２上面２００Ａに接合されることを例示として説明したが、本発明の他の実施例では、必要に応じて、第１行における電子デバイス１２１１～１２Ｎ１の一部を選択的に剥離させて第２基板２００の第２上面２００Ａに接合させることも可能である。次に、図３Ｃ－１に示すように、まず第１基板１００を第２基板２００に対して第１軸方向に沿って（Ｘ２－Ｘ１）という距離で変位させる。ここで、Ｘ２＞０かつＸ１≠Ｘ２である。次に第１波長を有する第１光を第１電子デバイスマトリックスの第２行における電子デバイス１２１２～１２Ｎ２が位置する第１基板２００に照射して熱分解または光分解させて粘性を失わせる。第２行における電子デバイス１２１２～１２Ｎ２のすべてを剥離させて第２基板２００の第２上面２００Ａに接合させる。本実施例４では、第２行における電子デバイス１２１２～１２Ｎ２の全てが選択的に剥離されて第２基板２００の第２上面２００Ａに接合されることを例示として説明したが、本発明の他の実施例では、必要に応じて、第２行における電子デバイス１２１２～１２Ｎ２の一部を選択的に剥離させて第２基板２００の第２上面２００Ａに接合させることも可能である。同様に、図３Ｄ－１に示すように、第３～Ｍ行における他の電子デバイス１２１３～１２ＮＭも、前述した同様の方法により、すべてが選択的に剥離されて第２基板２００の第２上面２００Ａに接合されてもよい。
【0093】
図３Ｅ－１に示すように、上述の方法により、第１基板１００に位置する電子デバイス１２１１～１２ＮＭの全てが選択的に剥離されて第２基板２００の第２上面２００Ａに接合された後、第２基板２００の第２上面２００Ａに第２電子デバイスマトリックス（図示せず）を形成することができる。第２電子デバイスマトリックスの行ピッチ、列ピッチは、それぞれＸ２、Ｙ１である。Ｘ２＞Ｘ１の場合、すなわち、第２電子デバイスマトリックスの行ピッチＸ２は、第１電子デバイスマトリックスの行ピッチＸ１よりも大きい。Ｘ２＜Ｘ１の場合、すなわち、第２電子デバイスマトリックスの行ピッチＸ２は、第１電子デバイスマトリックスの行ピッチＸ１よりも小さい。
【0094】
図３Ｆ－１～３Ｈ－１に示すように、本実施例４では、第２基板２００に位置する電子デバイス１２１１～１２ＮＭの全部または一部を第３基板３００に移転して、第３基板３００に第３電子デバイスマトリックス（図示せず）を形成することができる。第３電子デバイスマトリックス（図示せず）の行ピッチと列ピッチは、それぞれＸ２、Ｙ２である。
【0095】
図３Ｆ－１～３Ｈ－１に示すように、第３基板３００を提供し、第３基板３００を第２基板２００の下方に配置する。第３基板３００は、対向する第３上面３００Ａと第３下面３００Ｂとを有する。第２基板２００の第２上面２００Ａは、第３基板３００の第３上面３００Ａに向いている。第２波長を有する第２光を第２基板２００の上方に提供する。第２波長を有する第２光は、例えば、１００ｎｍ～１２０００ｎｍの波長を有する光であるが、これらに限定されない。第２波長を有する第２光を第２電子デバイスマトリックスの第Ｋ列における電子デバイス１２Ｋ１～１２ＫＭが位置する第２基板２００に照射して第２基板２００を熱分解または光分解させて粘性を失わせる。Ｋは、自然数であり、かつ１≦Ｋ≦（Ｎ－１）である。第Ｋ列における電子デバイス１２Ｋ１～１２ＫＭの全部または一部を剥離させて第３基板の第３上面に接合させる。本実施例４では、第Ｋ列における電子デバイス１２Ｋ１～１２ＫＭの全てが選択的に剥離されて第２基板２００の第２上面２００Ａに接合されることを例示として説明したが、本発明の他の実施例では、必要に応じて、第Ｋ列における電子デバイス１２Ｋ１～１２ＫＭ部を選択的に剥離させて第２基板２００の第２上面２００Ａに接合させることも可能である。第２基板２００を第３基板３００に対して第２軸方向に沿って（Ｙ２＞Ｙ１）という距離で変位させる。ここで、Ｙ２＞０かつＹ１≠Ｙ２である。その後、第２波長を有する第２光を第２電子デバイスマトリックスの第（Ｋ＋１）列における電子デバイス１２（Ｋ＋１）１～１２（Ｋ＋１）Ｍが位置する第２基板２００に照射して第２基板２００を熱分解または光分解させて粘性を失わせる。第（Ｋ＋１）列における電子デバイス１２（Ｋ＋１）１～１２（Ｋ＋１）Ｍの全部または一部を剥離させて第３基板３００の第３上面３００Ａに接合させる。第２基板２００の電子デバイス１２１１～１２ＮＭの全部または一部が選択的に剥離されて第３基板３００の第３上面３００Ａに接合された後、第３基板３００に第３電子デバイスマトリックス（図示せず）を形成することができる。第３電子デバイスマトリックス（図示せず）の行ピッチと列ピッチは、それぞれＸ２、Ｙ２である。
【0096】
図３Ｆ－１に示すように、Ｋ＝１の場合、第２波長を有する第２光を第２基板２００の上方に供給する。第２波長を有する第２光は、例えば、１００ｎｍ～１２０００ｎｍの波長を有する光であるが、これらに限定されない。第２波長を有する第２光を第２電子デバイスマトリックスの第１列における電子デバイス１２１１～１２１Ｍが位置する第２基板２００に照射して第２基板２００を熱分解又は光分解させて粘性を失わせる。第１列における電子デバイス１２１１～１２１Ｍのすべてを剥離させて第３基板の第３上面に接合させる。本実施例４では、第１列における電子デバイス１２１１～１２１Ｍの全てが選択的に剥離されて第２基板２００の第２上面２００Ａに接合されることを例示として説明したが、本発明の他の実施例では、必要に応じて、第１列における電子デバイス１２１１～１２１Ｍの一部を選択的に剥離させて第２基板２００の第２上面２００Ａに接合させることも可能である。
【0097】
次に、図３Ｇ－１に示すように、第２基板２００を第３基板３００に対して第３軸方向に沿って（Ｙ２＞Ｙ１）という距離で変位させる。ここで、Ｙ２＞０かつＹ１≠Ｙ２である。第２波長を有する第２光を第２電子デバイスマトリックスの第２列における電子デバイス１２２１～１２２Ｍが位置する第２基板２００に照射して第２基板２００を熱分解または光分解させて粘性を失わせる。第２列における電子デバイス１２２１～１２２Ｍのすべてを剥離させて第３基板３００の第３上面３００Ａに接合させる。本実施例４では、第２列における電子デバイス１２２１～１２２Ｍの全てが選択的に剥離されて第２基板２００の第２上面２００Ａに接合されることを例示として説明したが、本発明の他の実施例では、必要に応じて、第２列における電子デバイス１２２１～１２２Ｍの一部を選択的に剥離させて第２基板２００の第２上面２００Ａに接合させることも可能である。同様に、第３～Ｎ列における他の電子デバイス１２３１～１２ＮＭも、前述した同様の方法により、全部または一部が選択的に剥離されて第３基板３００の第３上面３００Ａにて接合されてもよい。
【0098】
図３Ｈ－１に示すように、第２基板２００に位置する電子デバイス１２１１～１２ＮＭの全てが選択的に剥離されて第３基板３００の第３上面３００Ａに接合された後、第３基板３００に第３電子デバイスマトリックス（図示せず）を形成することができる。第３電子デバイスマトリックス（図示せず）の行ピッチと列ピッチは、それぞれＸ２、Ｙ２である。Ｙ２＞Ｙ１の場合、すなわち、第３電子デバイスマトリックスの列ピッチは、第２電子デバイスマトリックスの列ピッチよりも大きい。Ｙ２＜Ｙ１の場合、すなわち、第３電子デバイスマトリックスの列ピッチは、第２電子デバイスマトリックスの列ピッチよりも小さい。
【0099】
本実施例４では、第２基板２００に位置する第２電子デバイスマトリックスの電子デバイス１２１１～１２ＮＭの全てが選択されて第３基板３００の第３上面３００Ａに接合されることを例示して説明したが、本発明の他の実施例では、必要に応じて、第２基板２００に位置する第２電子デバイスマトリックスの電子デバイス１２１１～１２ＮＭの一部を選択的に剥離させて第３基板３００の第３上面３００Ａに接合させることも可能である。
【0100】
実施例５
【0101】
以下、図４Ａ～４Ｅを参照して、本実施例５に係るピッチ調整可能な大量の電子デバイスの移転方法について詳細に説明する。
【0102】
まず、図４Ａを参照する。図４Ａに示すように、第１基板１００を提供する。第１基板１００は、対向する第１上面１００Ａと第１下面１００Ｂとを有する。第１基板１００の第１上面１００Ａは、複数の電子デバイス１２１１～１２ＮＭを有する。電子デバイス１２１１～１２ＮＭは、それぞれ第１軸方向と第２軸方向に沿って配列され、Ｍ行の電子デバイス×Ｎ列の電子デバイスによる第１電子デバイスマトリックス（図示せず）を形成する。第１基板１００は、熱分解ゴム膜または光分解ゴム膜であり、第１軸方向と第２軸方向は、実質的に直交し、Ｍ、Ｎは１より大きい自然数であり、第１電子デバイスマトリックスの行ピッチ、列ピッチは、それぞれＸ１、Ｙ１であり、Ｘ１、Ｙ１＞０である。本実施例１では、第１軸方向をＸ軸方向、第２軸方向をＹ軸方向として例示的に説明したが、必要に応じて、本発明の他の実施例では、第１軸方向をＹ軸方向、第２軸方向をＸ軸方向とする場合もある。
【0103】
本実施例５における電子デバイス１２１１～１２ＮＭは、例えば、発光ダイオード、レーザダイオード及び半導体素子からなる１つ以上の群から選択されるが、これらに限定されない。発光ダイオードにより発光される光は、例えば、赤色光、緑色光、青色光、黄色光、白色光、赤外光又は紫外光であるが、これらに限定されない。レーザダイオードの波長は、例えば、３９０ｎｍ～１７００ｎｍであるが、これらに限定されない。半導体素子は、例えば、プロセッサ、メモリＩＣ、マイクロ素子ＩＣ、論理ＩＣ及びアナログＩＣからなる１つ以上の群から選択されるが、これらに限定されない。
【0104】
次に、図４Ｂ～４Ｃを参照する。図４Ｂ～４Ｃに示すように、第２基板２００を提供し、第２基板２００を第１基板１００の下方に配置する。第２基板２００は、対向する第２上面２００Ａと第２下面２００Ｂとを有する。第１基板１００の第１上面１００Ａは、第２基板２００の第２上面２００Ａに向いている。第２基板２００は、熱分解ゴム膜または光分解ゴム膜である。
【0105】
次に、第１基板に位置する第Ｒ１列における電子デバイスを第１基板１００の第１軸方向に沿った第１ベースライン１１０とし、第２基板２００に位置する第Ｒ２列における電子デバイスを第２基板２００の第１軸方向に沿った第２ベースライン２１０とし、第１ベースライン１１０を第２ベースライン２１０に位置合わせする。次に、第１波長を有する第１光を第１基板１００の上方に提供する。第１波長を有する第１光は、例えば、１００ｎｍ～１２０００ｎｍの波長を有する光であるが、これらに限定されない。第１波長を有する第１光を、第１電子デバイスマトリックスの第Ｎ１列における電子デバイス１２（Ｎ１）Ｊまたは電子デバイス１２（Ｎ１）１～１２（Ｎ１）Ｍが位置する第１基板１００に照射して、熱分解または光分解させて粘性を失わせて、第１基板に位置する第Ｎ１列における電子デバイス１２（Ｎ１）Ｊまたは電子デバイス１２（Ｎ１）１～１２（Ｎ１））Ｍを選択的に剥離させて、第２基板２００の第２上面２００Ａに接合させる。そうすると、第２基板２００の第２上面２００Ａに位置する第２電子デバイスマトリックの第Ｎ２列における電子デバイス２２（Ｎ２）（ｊ）又は電子デバイス２２（Ｎ２）１～２２（Ｎ２）Ｐとなる。ここで、Ｒ１、Ｒ２、Ｎ１、Ｎ２、Ｊ、ｊは、自然数であり、Ｎ１≦Ｎ、Ｎ２≦Ｑ、１≦Ｒ１≦Ｎ１、１≦Ｒ２≦Ｎ２、１≦Ｊ≦Ｍ、１≦ｊ≦Ｐ、Ｐは１より大きい自然数であり、Ｐ≠Ｍである。図４Ｃに示すように、第１基板１００の電子デバイス１２１１～１２ＮＭの全部または一部が第２基板２００に移転された後、第２基板２００の第２上面２００にＰ行の電子デバイス×Ｑ列の電子デバイスによる第２電子デバイスマトリックス（図示せず）を形成することができる。Ｐ、Ｑは１より大きい自然数、Ｐ≠Ｍおよび／またはＱ≠Ｎであり、第２電子デバイスマトリックスの列ピッチは、Ｙ２であり、Ｙ２＞０、Ｙ１≠Ｙ２である。
【0106】
第１基板１００に位置する第Ｎ１列における電子デバイス１２（Ｎ１）Ｊ又は電子デバイス１２（Ｎ１）１～１２（Ｎ１）Ｍと、第１基板１００の第１ベースライン１１０とのピッチは、ΔＹ１＝（Ｎ１－Ｒ１）＊Ｙ１である。第２基板２００に位置する第Ｎ２列における電子デバイス２２（Ｎ２）Ｊ又は電子デバイス２２（Ｎ２）１～１２（Ｎ２）Ｐと、第２基板２００の第２ベースライン２１０とのピッチは、ΔＹ２＝（Ｎ１－Ｒ２）＊Ｙ２である。そのため、第１基板１００に位置する第１電子デバイスマトリックスの第Ｎ１列における電子デバイス１２（Ｎ１）Ｊまたは電子デバイス１２（Ｎ１）１～１２（Ｎ１）Ｍが第２基板２００に移転されて、第２電子デバイスマトリックスの第Ｎ２列における電子デバイス２２（Ｎ２）Ｊまたは電子デバイス２２（Ｎ２）１～１２（Ｎ２）Ｐとなった場合、第２軸方向（Ｙ軸方向）に沿った相対移動距離ΔＹは、［（Ｎ２－Ｒ２）＊Ｙ２－（Ｎ１－Ｒ１）＊Ｙ１］である。
【0107】
図４Ｂ～４Ｃに示すように、Ｒ１＝１、Ｒ２＝２の場合、すなわち、第１基板の第１列における電子デバイスを第１基板１００の第１軸方向に沿った第１ベースライン１１０とし、第２基板２００に位置する第２列における電子デバイスを第２基板２００の第１軸方向に沿った第２ベースライン２１０とし、第１ベースライン１１０を第２ベースライン２１０に位置合わせする。そして、第１波長を有する第１光を第１基板１００の上方に提供する。第１波長を有する第１光は、例えば、１００ｎｍから１２０００ｎｍの波長を有する光であるが、これらに限定されない。第１波長を有する第１光を、第１電子デバイスマトリックスのＮ１列における電子デバイス１２（Ｎ１）Ｊ又は電子デバイス１２（Ｎ１）１～１２（Ｎ１）Ｍが位置する第１基板１００に照射して、熱分解又は光分解させて粘性を失わせて、第１基板の第Ｎ１列における電子デバイス１２（Ｎ１）Ｊ又は電子デバイス１２（Ｎ１）１～１２（Ｎ１）Ｍを選択的に剥離させて、第２基板２００の第２上面２００Ａに接合させて、第２電子デバイスマトリックスの第Ｎ２列における電子デバイス２２（Ｎ２）Ｊまたは電子デバイス２２（Ｎ２）１～１２（Ｎ２）Ｐとなる。ここで、Ｎ１、Ｎ２は、自然数であり、Ｎ１≦Ｎ、Ｎ２≦Ｑである。
【0108】
図４Ｃに示すように、第１基板１００に位置する第Ｎ１列における電子デバイス１２（Ｎ１）Ｊまたは電子デバイス１２（Ｎ１）１～１２（Ｎ１）Ｍと、第１基板１００の第１ベースライン１１０とのピッチは、ΔＹ１＝（Ｎ１－１）＊Ｙ１である。第２基板２００に位置する第Ｎ２列における電子デバイス２２（Ｎ２）Ｊ又は電子デバイス２２（Ｎ２）１～２２（Ｎ２）Ｐと、第２基板２００の第２ベースライン１１０とのピッチは、ΔＹ２＝（Ｎ２－２）＊Ｙ２である。そして、第１基板１００に位置する第１電子デバイスマトリックスの第Ｎ１列における電子デバイス１２（Ｎ１）Ｊまたは電子デバイス１２（Ｎ１）１～１２（Ｎ１）Ｍが第２基板２００に移転されて、第２電子デバイスマトリックスの第Ｎ２列における電子デバイス２２（Ｎ２）Ｊまたは電子デバイス２２（Ｎ２）１～１２（Ｎ２）Ｐとなった場合、第２軸方向に沿った相対移動距離は、ΔＹ＝ΔＹ２－ΔＹ１であり、すなわちΔＹは［（Ｎ２－２）＊Ｙ２－（Ｎ１－１）＊Ｙ１］である。
【0109】
本実施例５では、さらに、第２基板２００に位置する第２マトリックスを第３基板３００に移転して、第３基板３００にＵ行の電子デバイス×Ｖ列の電子デバイスによる第３電子デバイスマトリックス（図示せず）を形成する。第３電子デバイスマトリックスの行ピッチと列ピッチは、それぞれＸ２、Ｙ２であり、Ｕ、Ｖは、１より大きい自然数、Ｘ２、Ｙ２＞０、Ｘ１≠Ｘ２、Ｙ１≠Ｙ２である。
【0110】
図４Ｄ～４Ｅに示すように、本実施例５では、第３基板３００を提供し、第３基板３００を第２基板２００の下方に設置する。第３基板３００は、対向する第３上面３００Ａと第３下面３００Ｂとを有する。第２基板２００の第２上面２００Ａは、第３基板３００の第３上面３００Ａに向いている。第２基板２００に位置する第２電子デバイスマトリックスを第３基板３００に移転して、第３基板３００の第３上面３００ＡにＵ行の電子デバイス×Ｖ列の電子デバイスによる第３電子デバイスマトリックス（図示せず）を形成する。第３電子デバイスマトリックスの行ピッチと列ピッチは、それぞれＸ２、Ｙ２であり、Ｕ、Ｖは１より大きい自然数である。
【0111】
第２基板２００位置する第Ｓ１行における電子デバイス２２１（Ｓ１）～２２Ｑ（Ｓ１）を第２基板２００の第２軸方向に沿った第３ベースライン２５０とし、第３基板３００位置する第Ｓ２行における電子デバイス２２１（Ｓ２）～２２Ｖ（Ｓ２）を第３基板３００の第２軸方向に沿った第４ベースライン３５０とし、第３ベースライン２５０を第４ベースライン３５０に位置合わせする。そして、第２波長を有する第２光を第２基板上に供給する。第２波長を有する第２光は、１００ｎｍ～１２０００ｎｍの波長を有する光であるが、これらに限定されない。第２波長を有する第２光を、第２電子デバイスマトリックスの第Ｍ１行における電子デバイス２２Ｋ（Ｍ１）または電子デバイス２２１（Ｍ１）～２２Ｑ（Ｍ１）が位置する第２基板２００に照射して、熱分解または光分解させて粘性を失わせて、第２基板に位置する第Ｍ１行における電子デバイス２２Ｋ（Ｍ１）または電子デバイス２２１（Ｍ１）～２２Ｑ（Ｍ１）を選択的に剥離させて、第３基板３００の第３上面３００Ａに接合させて、第３電子デバイスマトリックスの第Ｍ２行における電子デバイス３２ｋ（Ｍ２）または電子デバイス３２１（Ｍ２）～３２Ｖ（Ｍ２）となる。ここで、Ｓ１、Ｓ２、Ｍ１、Ｍ２、Ｋ、ｋは、自然数であり、Ｍ１≦Ｍ、Ｍ２≦Ｕ、１≦Ｓ１≦Ｍ１、１≦Ｓ２≦Ｍ２、１≦Ｋ≦Ｑ、１≦ｋ≦Ｖである。
【0112】
第２基板２００に位置する第Ｍ１行における電子デバイス２２Ｋ（Ｍ１）または電子デバイス２２１（Ｍ１）～２２Ｑ（Ｍ１）と、第２基板２００の第３ベースライン２５０とのピッチは、ΔＸ１＝（Ｍ１－Ｓ１）＊Ｘ１である。第３基板３００位置する第Ｍ２行における電子デバイス３２ｋ（Ｍ２）または電子デバイス３２１（Ｍ２）～３２Ｖ（Ｍ２）と、第３基板３００の第４ベースライン３５０とのピッチは、ΔＸ２＝（Ｍ１－Ｓ２）＊Ｘ２。そして、第２基板２００に位置する第Ｍ１行における電子デバイス２２Ｋ（Ｍ１）または電子デバイス２２１（Ｍ１）～２２Ｑ（Ｍ１）が第３基板３００に移転されて、第３電子デバイスマトリックスの第Ｍ２列における電子デバイス３２ｋ（Ｍ２）または電子デバイス３２１（Ｍ２）～３２Ｖ（Ｍ２）となった場合、第１軸方向（Ｘ軸方向）に沿った相対移動距離ΔＸは、［（Ｍ２－Ｓ２）＊Ｘ２－（Ｍ１－Ｓ１）＊Ｘ１］である。
【0113】
図４Ｄに示すように、Ｓ１＝１、Ｓ２＝２の場合、第２基板２００に位置する第１行における電子デバイス２２１１～２２Ｑ１を第２基板２００の第２軸方向に沿った第１第３ベースライン２５０とし、第３基板３００に位置する第２行における電子デバイス２２１２～２２Ｖ２を第３基板３００の第２軸方向に沿った第４ベースライン３５０とし、第３ベースライン２５０を第４ベースライン３５０に位置合わせする。そして、第２波長を有する第２光を第２基板の上方に供給する。第２波長を有する第２光は、１００ｎｍ～１２０００ｎｍの波長を有する光であるが、これらに限定されない。第２波長を有する第２光を、第２電子デバイスマトリックスの第Ｍ１行における電子デバイス２２Ｋ（Ｍ１）または電子デバイス２２１（Ｍ１）～２２Ｑ（Ｍ１）が位置する第２基板２００に照射して、熱分解または光分解させて粘性を失わせて、第２基板の第Ｍ１行における電子デバイス２２Ｋ（Ｍ１）または電子デバイス２２１（Ｍ１）～２２２Ｑ（Ｍ１）を選択的に剥離させて、第３基板３００の第３上面３００Ａに接合させて、第３電子デバイスマトリックスの第Ｍ２行における電子デバイス３２ｋ（Ｍ２）または電子デバイス３２１（Ｍ２）～３２Ｖ（Ｍ２）となる。ここで、Ｍ１、Ｍ２、Ｋ、ｋは、自然数であり、Ｍ１≦Ｍ、Ｍ２≦Ｕ、且つ１≦Ｋ≦Ｑ、１≦ｋ≦Ｖである。
【0114】
図４Ｅに示すように、第２基板２００位置する第Ｍ１行における電子デバイス２２Ｋ（Ｍ１）または電子デバイス２２１（Ｍ１）～２２Ｑ（Ｍ１）と、第２基板２００の第３ベースライン２５０とのピッチは、ΔＸ１＝（Ｍ１－１）＊Ｘ１である。第３基板３００に位置する第Ｍ２行における電子デバイス３２ｋ（Ｍ２）または電子デバイス３２１（Ｍ２）～３２Ｖ（Ｍ２）と、第３基板３００の第４ベースライン３５０とのピッチは、ΔＸ２＝（Ｍ１－２）＊Ｘ２である。そして、第２基板２００に位置する第Ｍ１行における電子デバイス２２Ｋ（Ｍ１）または電子デバイス２２１（Ｍ１）～２２Ｑ（Ｍ１）が第３基板３００に移転されて、第３電子デバイスマトリックスの第Ｍ２列における電子デバイス３２ｋ（Ｍ２）または電子デバイス３２１（Ｍ２）～３２Ｖ（Ｍ２）となった場合、第１軸方向（Ｘ軸方向）に沿った相対移動距離ΔＸは、ΔＸ２－ΔＸ１であり、すなわちΔＸ＝［（Ｍ２－２）＊Ｘ２－（Ｍ１－１）＊Ｘ１］である。
【0115】
図４Ｅに示すように、第２基板２００に位置する電子デバイス２２１１～１２ＱＰが選択的に剥離されて第３基板３００の第３上面３００Ａに接合された後、第３基板３００に第３電子デバイスマトリックス（図示せず）を形成することができる。第３電子デバイスマトリックス（図示せず）の行ピッチと列ピッチは、それぞれＸ２、Ｙ２である。
【0116】
実施例６
【0117】
以下、図４Ａ－１～４Ｅ－１を参照して、本実施例６に係るピッチ調整可能な大量の電子デバイスの移転方法を詳細に説明する。
【0118】
まず、図４Ａ－１を参照する。図４Ａ－１に示すように、第１基板１００を提供する。第１基板１００は、対向する第１上面１００Ａと第１下面１００Ｂとを有する。第１基板１００の第１上面１００Ａは、複数の電子デバイス１２１１～１２ＮＭを有する。電子デバイス１２１１～１２ＮＭは、それぞれ第１軸方向と第２軸方向に沿って配列され、Ｍ行の電子デバイス×Ｎ列の電子デバイスによる第１電子デバイスマトリックス（図示せず）を形成する。第１基板１００は、熱分解ゴム膜または光分解ゴム膜である。第１軸方向と第２軸方向は、実質的に直交し、Ｍ、Ｎは、１より大きい自然数であり、第１電子デバイスマトリックスの行ピッチ、列ピッチは、それぞれＸ１、Ｙ１であり、Ｘ１、Ｙ１＞０である。本実施例１では、第１軸方向をＸ軸方向、第２軸方向をＹ軸方向として例示的に説明したが、本発明による他の実施例では、必要に応じて、第１軸方向をＹ軸方向、第２軸方向をＸ軸方向とする場合もある。
【0119】
本実施例６における電子デバイス１２１１～１２ＮＭは、例えば、発光ダイオード、レーザダイオード及び半導体素子からなる1つ以上の群から選択されるが、これらに限定されない。発光ダイオードにより発光される光は、例えば、が赤色光、緑色光、青色光、黄色光、白色光、赤外光又は紫外光であるが、これらに限定されない。レーザダイオードの波長は、例えば３９０ｎｍ～１７００ｎｍであるが、これらに限定されない。半導体素子は、例えば、プロセッサ、メモリＩＣ、マイクロ素子ＩＣ、論理ＩＣ及びアナログＩＣからなる1つ以上の群から選択されるが、これらに限定されない。
【0120】
次に、図４Ｂ－１～４Ｃ－１を参照する。図４Ｂ－１～４Ｃ－１に示すように、第２基板２００を提供する。第２基板２００を第１基板１００の下方に配置する。第２基板２００は、対向する第２上面２００Ａと第２下面２００Ｂとを有する。第１基板１００の第１上面１００Ａは、第２基板２００の第２上面２００Ａに向いている。第２基板２００は、熱分解ゴム膜または光分解ゴム膜である。
【0121】
次に、第１基板１００に位置する第Ｓ１行における電子デバイスを第１基板１００の第２軸（Ｙ軸）方向に沿った第１ベースライン１１０'とし、第２基板２００に位置する第Ｓ２行における電子デバイスを第２基板２００の第２軸（Ｙ軸）方向に沿った第２ベースライン２１０'とし、第１ベースライン１１０'を第２ベースライン２１０'に位置合わせする。次に、第１波長を有する第１光を第１基板１００の上方に供給する。第１波長を有する第１光は、例えば、１００ｎｍ～１２０００ｎｍの波長を有する光であるが、これらに限定されない。第１波長を有する第１光を、第１電子デバイスマトリックスの第Ｍ１行における電子デバイス１２Ｋ（Ｍ１）または電子デバイス１２１（Ｍ１）～１２Ｎ（Ｍ１）が位置する第１基板１００に照射して、熱分解または光分解させて粘性を失わせて、第１基板１００に位置する第Ｍ１行における電子デバイス１２Ｋ（Ｍ１）または電子デバイス１２１（Ｍ１）～１２Ｎ（Ｍ１）を選択的に剥離させて、第２基板２００の第２上面２００Ａに接合させて、第２基板２００に位置する第２電子デバイスマトリックスの第Ｍ２列における電子デバイス２２ｋ（Ｍ２）または電子デバイス２２１（Ｍ２）～２２Ｑ（Ｍ２）となる。ここで、Ｓ１、Ｓ２、Ｍ１、Ｍ２は、自然数であり、Ｍ１≦Ｍ、Ｍ２≦Ｐ、かつ１≦Ｓ１≦Ｍ１、１≦Ｓ２≦Ｍ２である。図４Ｃ－１に示すように、第１基板１００に位置する電子デバイス１２１１～１２ＮＭの全部または一部が第２基板２００に移転された後、第２基板２００の第２上面２００に第Ｐ行の電子デバイス×第Ｑ列の電子デバイスによる第２電子デバイスマトリックス（図示せず）を形成することができる。ここで、Ｐ、Ｑは、１より大きい自然数であり、Ｐ≠Ｍおよび／またはＱ≠Ｎであり、第２電子デバイスマトリックスの行ピッチは、Ｘ２であり、Ｘ２＞０、Ｘ１≠Ｘ２である。
【0122】
第１基板１００に位置する第Ｍ１行における電子デバイス１２Ｋ（Ｍ１）または電子デバイス１２１（Ｍ１）～１２Ｎ（Ｍ１）と、第１基板１００の第１ベースライン１１０'とのピッチは、ΔＸ１＝（Ｍ１－Ｓ１）＊Ｘ１である。第２基板２００に位置する第Ｍ２行における電子デバイス２２ｋ（Ｍ２）または電子デバイス２２１（Ｍ２）～２２Ｑ（Ｍ２）と、第２基板２００の第２ベースライン２１０'とのピッチは、ΔＸ２＝（Ｍ２－Ｓ２）＊Ｘ２である。したがって、第１基板１００に位置する第１電子デバイスマトリックスの第Ｍ１行における電子デバイス１２Ｋ（Ｍ１）または電子デバイス１２１（Ｍ１）～１２Ｎ（Ｍ１）が第２基板２００に移転されて第２基板２００に位置する第２電子デバイスマトリックスの第Ｍ２列における電子デバイス２２ｋ（Ｍ２）または電子デバイス２２１（Ｍ２）～２２Ｑ（Ｍ２）となった場合、第１軸（Ｘ軸）方向に沿った相対移動距離ΔＸは、ΔＸ２－ΔＸ１であり、すなわちΔＸ＝［（Ｍ２－Ｓ２）＊Ｘ２－（Ｍ１－Ｓ１）＊Ｘ１］である。
【0123】
図４Ｂ－１に示すように、Ｓ１＝１、Ｓ２＝２の場合、第１基板１００に位置する第１行における電子デバイス１２１１～１２Ｎ１を第１基板１００の第２軸（Ｙ軸）方向に沿った第１ベースライン１１０'とし、第２基板２００に位置する第２行における電子デバイス２２１２～２２Ｖ２を第２基板２００の第２軸（Ｙ軸）方向に沿った第２ベースライン２１０'とし、第１ベースライン１１０を第２ベースライン２１０に位置合わせする。そして、第１波長を有する第１光を第１基板１００の上方に供給する。第１波長を有する第１光は、例えば、１００ｎｍ～１２０００ｎｍの波長を有する光であるが、これらに限定されない。第１波長を有する第１光を、第１電子デバイスマトリックスの第Ｍ１行における電子デバイス１２Ｋ（Ｍ１）または電子デバイス１２１（Ｍ１）～１２Ｎ（Ｍ１）が位置する第１基板１００に照射して熱分解または光分解させて粘性を失わせる。第１基板１００に位置する第Ｍ１行における電子デバイス１２Ｋ（Ｍ１）または電子デバイス１２１（Ｍ１）～１２Ｎ（Ｍ１）を選択的剥離させて第２基板２００の第２上面２００Ａに接合させて、第２基板２００に位置する第２電子デバイスマトリックスの第Ｍ２列における電子デバイス２２ｋ（Ｍ２）または電子デバイス２２１（Ｍ２）～２２Ｑ（Ｍ２）となる。ここで、Ｍ１、Ｍ２は、自然数であり、Ｍ１≦Ｍ、Ｍ２≦Ｐである。
【0124】
図４Ｃ－１に示すように、第１基板１００に位置する電子デバイス１２１１～１２ＮＭの全部または一部が第２基板２００に移転された後、第２基板２００の第２上面２００に、Ｐ行の電子デバイス×Ｑ列の電子デバイスによる第２電子デバイスマトリックス（図示せず）を形成することができる。ここで、Ｐ、Ｑは、１より大きい自然数であり、Ｐ≠Ｍおよび／またはＱ≠Ｎであり、第２電子デバイスマトリックスの行ピッチは、Ｘ２であり、Ｘ２＞０、Ｘ１≠Ｘ２である。
【0125】
第１基板１００に位置する第Ｍ１行における電子デバイス１２Ｋ（Ｍ１）または電子デバイス１２１（Ｍ１）～１２Ｎ（Ｍ１）と、第１基板１００の第１ベースライン１１０'とのピッチは、ΔＸ１＝（Ｍ１－１）＊Ｘ１である。第２基板２００に位置する第Ｍ２行における電子デバイス２２ｋ（Ｍ２）または電子デバイス２２１（Ｍ２）～２２Ｑ（Ｍ２）と、第２基板２００の第２ベースライン２１０'とのピッチは、ΔＸ２＝（Ｍ２－２）＊Ｘ２である。したがって、第１基板１００に位置する第１電子デバイスマトリックスの第Ｍ１行における電子デバイス１２Ｋ（Ｍ１）または電子デバイス１２１（Ｍ１）～１２Ｎ（Ｍ１）が第２基板２００に移転されて、第２基板２００に位置する第２電子デバイスマトリックスの第Ｍ２列における電子デバイス２２ｋ（Ｍ２）または電子デバイス２２１（Ｍ２）～２２Ｑ（Ｍ２）となった場合、第１軸（Ｘ軸）方向に沿った相対移動距離ΔＸは、ΔＸ２－ΔＸ１であり、すなわちΔＸ＝［（Ｍ２－２）＊Ｘ２－（Ｍ１－１）＊Ｘ１］である。
【0126】
本実施例６では、さらに、第２基板２００に位置する第２電子マトリックスを第３基板３００に移転して、第３基板３００にＵ行の電子デバイス×Ｖ列の電子デバイスによる第３電子デバイスマトリックス（図示せず）を形成する。第３電子デバイスマトリックスの行ピッチと列ピッチは、それぞれＸ２、Ｙ２であり、Ｕ、Ｖは、１より大きい自然数であり、Ｘ２、Ｙ２＞０、Ｘ１≠Ｘ２、Ｙ１≠Ｙ２である。
【0127】
図４Ｄ－１～４Ｅ－１に示すように、本実施例５では、第３基板３００を提供し、第３基板３００を第２基板２００の下方に配置する。第３基板３００は、対向する第３上面３００Ａと第３下面３００Ｂとを有する。第２基板２００の第２上面２００Ａは、第３基板３００の第３上面３００Ａに向いている。第２基板２００に位置する第２電子デバイスマトリックスを第３基板３００に移転して、第３基板３００の第３上面３００ＡにＵ行の電子デバイス×Ｖ列の電子デバイスによる第３電子デバイスマトリックス（図示せず）を形成する。第３電子デバイスマトリックスの行ピッチと列ピッチは、それぞれＸ２、Ｙ２であり、Ｕ、Ｖは、１より大きい自然数である。
【0128】
図４Ｄ－１～４Ｅ－１に示すように、第２基板に位置する第Ｒ１列における電子デバイスを第２基板２００の第１軸（Ｘ軸）方向に沿った第３ベースライン２５０'とし、第３基板３００に位置する第Ｒ２列における電子デバイスを第３基板３００の第１軸（Ｘ軸）方向に沿った第４ベースライン３５０'とし、第３ベースライン２５０'を第４ベースライン３５０'に位置合わせする。そして、第２波長を有する第２光を第２基板２００の上方に供給する。第２波長を有する第２光は、例えば、１００ｎｍ～１２０００ｎｍの波長を有する光であるが、これらに限定されない。第２波長を有する第２光を、第２電子デバイスマトリックスの第Ｍ１行における電子デバイス２２（Ｎ１）Ｊまたは電子デバイス２２（Ｎ１）１～２２（Ｎ１）Ｐが位置する第２基板２００に照射して、熱分解または光分解させて粘性を失わせる。第２基板に位置する第Ｎ１行における電子デバイス２２（Ｎ１）Ｊまたは電子デバイス２２（Ｎ１）１～２２（Ｎ１）Ｐを選択的に剥離させて、第３基板３００の第３上面３００Ａに接合させて、第３基板３００に位置する第３電子デバイスマトリックスの第Ｎ２列における電子デバイス３２（Ｎ２）ｊまたは電子デバイス３２（Ｎ２）１～３２（Ｎ２）Ｕとなる。ここで、Ｒ１、Ｒ２、Ｎ１、Ｎ２は、自然数であり、Ｎ１≦Ｐ、Ｎ２≦Ｕ、且つ１≦Ｒ１≦Ｎ１、１≦Ｒ２≦Ｎ２である。
【0129】
第２基板２００に位置する第Ｎ１行における電子デバイス２２（Ｎ１）Ｊ又は電子デバイス２２（Ｎ１）１～２２（Ｎ１）Ｐと、第３ベースライン２５０'とのピッチΔＹ１は（Ｎ１－Ｒ１）＊Ｙ１である。第３基板３００に位置するＮ２行における電子デバイス３２（Ｎ２）ｊ又は電子デバイス３２（Ｎ２）１～３２（Ｎ２）Ｕと、第４ベースライン３５０'とのピッチΔＹ２は（Ｎ２－Ｒ２）＊Ｙ２である。したがって、第２基板に位置する第２電子デバイスマトリックスの第Ｎ１行における電子デバイス２２（Ｎ１）Ｊまたは電子デバイス２２（Ｎ１）１～２２（Ｎ１）Ｐが、第３基板３００に位置する第３電子デバイスマトリックスの第Ｎ２行における電子デバイス３２（Ｎ２）ｊまたは電子デバイス３２（Ｎ２）１～３２（Ｎ２）Ｕに移転された場合、第２軸（Ｙ軸）方向に沿った相対移動距離ΔＹは、ΔＹ２－ΔＹ１であり、すなわちΔＹ＝［（Ｎ２－Ｒ２）＊Ｙ２－（Ｎ１－Ｒ１）＊Ｙ１］である。
【0130】
図４Ｄ－１に示すように、Ｒ１＝１、Ｒ２＝２の場合、第２基板に位置する第１列における電子デバイス２２１１～２２１Ｐを第２基板２００の第１軸（Ｘ軸）方向に沿った第３ベースライン２５０'とし、第３基板３００に位置する第２行における電子デバイス３２２１～３２２Ｕを第３基板３００の第１軸（Ｘ軸）方向に沿った第４ベースライン３５０'とし、第３ベースライン２５０'を第４ベースライン３５０'に位置合わせする。そして、第２波長を有する第２光を第２基板２００の上方に供給する。第２波長を有する第２光は、例えば、１００ｎｍ～１２０００ｎｍの波長を有する光であるが、これらに限定されない。第２波長を有する光を、第２電子デバイスマトリックスの第Ｍ１行における電子デバイス２２（Ｎ１）Ｊまたは電子デバイス２２（Ｎ１）１～２２（Ｎ１）Ｐが位置する第２基板２００に照射して、熱分解または光分解させて粘性を失わせて、第２基板に位置する第Ｎ１行における電子デバイス２２（Ｎ１）Ｊまたは電子デバイス２２（Ｎ１）１～２２（Ｎ１）Ｐを選択的に剥離させて、第３基板３００の第３上面３００Ａに接合させて、第３基板３００に位置する第３電子デバイスマトリックスの第Ｎ２列における電子デバイス３２（Ｎ２）ｊまたは電子デバイス３２（Ｎ２）１～３２（Ｎ２）Ｕとなる。ここで、Ｒ１、Ｒ２、Ｎ１、Ｎ２は、自然数であり、Ｎ１≦Ｐ、Ｎ２≦Ｕである。
【0131】
第２基板２００に位置する第Ｎ１行における電子デバイス２２（Ｎ１）Ｊ又は電子デバイス２２（Ｎ１）１～２２（Ｎ１）Ｐと、第３ベースライン２５０'とのピッチΔＹ１は、（Ｎ１－１）＊Ｙ１である。第３基板３００に位置する第Ｎ２行における電子デバイス３２（Ｎ２）ｊ又は電子デバイス３２（Ｎ２）１～３２（Ｎ２）Ｕと、第４ベースライン３５０'とのピッチΔＹ２は、（Ｎ２－２）＊Ｙ２である。したがって、第２基板２００に位置する第２電子デバイスマトリックスの第Ｎ１行における電子デバイス２２（Ｎ１）Ｊまたは電子デバイス２２（Ｎ１）１～２２（Ｎ１）Ｐが、第３基板３００に位置する第３電子デバイスマトリックスの第Ｎ２行における電子デバイス３２（Ｎ２）ｊまたは電子デバイス３２（Ｎ２）１～３２（Ｎ２）Ｕに移転された場合、第２軸（Ｙ軸）方向に沿った相対移動距離ΔＹは、ΔＹ２－ΔＹ１であり、すなわちΔＹ＝［（Ｎ２－２）＊Ｙ２－（Ｎ１－１）＊Ｙ１］である。
【0132】
図４Ｅ－１に示すように、第２基板２００に位置する電子デバイス２２１１～１２ＱＰが選択的に剥離されて第３基板３００の第３上面３００Ａに接合された後、第３基板３００に第３電子デバイスマトリックス（図示せず）を形成することができる。第３電子デバイスマトリックス（図示せず）の行ピッチと列ピッチは、それぞれＸ２、Ｙ２である。
【0133】
本発明は実施例で上述したように開示されているが、本発明を限定するために使用されるものではなく、この技術に精通しているいかなる者も、本発明の趣旨及び範囲を逸脱することなく、種々の変更及び仕上げを行うことができる。本発明の保護範囲は、後の特許請求の範囲によって規定されているものに準じている。
【符号の説明】
【0134】
１０ 一時的基板
１０Ａ 第１上面
１０Ｂ 第１下面
１２ 電子デバイス
２０ ターゲット基板
２０Ａ 第２上面
２０Ｂ 第２下面
１００ 第１基板
１００Ａ 第１上面
１００Ｂ 第１下面
１１０、１１０' 第１ベースライン
１２１１～１２１Ｊ、１２１Ｍ、１２２１～１２２Ｊ、１２２Ｍ、１２Ｋ１～１２ＫＪ、１２ＫＭ、１２Ｎ１～１２ＮＪ、１２ＮＭ、１２（Ｎ１）１～１２（Ｎ１）Ｊ、１２（Ｎ１）Ｍ、１２１（Ｍ１）～１２Ｎ（Ｍ１）、１２１（Ｍ１）～１２Ｋ（Ｍ１）、１２Ｎ（Ｍ１） 電子デバイス
２２１１～２２１（ｊ）、２２１（Ｍ２）～２２ｋ（Ｍ２）、２２Ｑ（Ｍ２）、２２１Ｐ～２２ｋＰ、２２２１～２２２（ｊ）、２２２Ｐ、２２（Ｎ２）１～２２（Ｎ２）ｊ、２２（Ｎ２）Ｐ、２２Ｑ１～２２Ｑ（Ｊ）、２２ＱＰ 電子デバイス
３２１１～３２１（Ｍ２）、３２１Ｕ～３２（Ｎ２）Ｕ、３２２１～３２２（Ｍ２）、３２２Ｕ、３２ｋ１～３２ｋ（Ｍ２）、３２ｋＵ、３２Ｖ１～３２Ｖ（Ｍ２）、３２１１～３２１Ｊ、３２１Ｕ、３３２２１～３２２ｊ、３２２Ｕ、２（Ｎ２）１～３２（Ｎ２）ｊ、３２（Ｎ２）Ｕ、３２Ｖｊ、３２ＶＵ 電子デバイス
２００ 第２基板
２００Ａ 第２上面
２００Ｂ 第２下面
２１０、２１０' 第２ベースライン
３００ 第３基板
３００Ａ 第３上面
３００Ｂ 第３下面
２５０、２５０' 第３ベースライン
３５０、３５０' 第４ベースライン
１０Ａ 第１上面
１０Ｂ 第１下面
１２ 電子デバイス
２０ ターゲット基板
２０Ａ 第２上面
２０Ｂ 第２下面
１００ 第１基板
１００Ａ 第１上面
１００Ｂ 第１下面
１１０、１１０' 第１ベースライン
１２１１～１２１Ｊ、１２１Ｍ、１２２１～１２２Ｊ、１２２Ｍ、１２Ｋ１～１２ＫＪ、１２ＫＭ、１２Ｎ１～１２ＮＪ、１２ＮＭ、１２（Ｎ１）１～１２（Ｎ１）Ｊ、１２（Ｎ１）Ｍ、１２１（Ｍ１）～１２Ｎ（Ｍ１）、１２１（Ｍ１）～１２Ｋ（Ｍ１）、１２Ｎ（Ｍ１） 電子デバイス
２２１１～２２１（ｊ）、２２１（Ｍ２）～２２ｋ（Ｍ２）、２２Ｑ（Ｍ２）、２２１Ｐ～２２ｋＰ、２２２１～２２２（ｊ）、２２２Ｐ、２２（Ｎ２）１～２２（Ｎ２）ｊ、２２（Ｎ２）Ｐ、２２Ｑ１～２２Ｑ（Ｊ）、２２ＱＰ 電子デバイス
３２１１～３２１（Ｍ２）、３２１Ｕ～３２（Ｎ２）Ｕ、３２２１～３２２（Ｍ２）、３２２Ｕ、３２ｋ１～３２ｋ（Ｍ２）、３２ｋＵ、３２Ｖ１～３２Ｖ（Ｍ２）、３２１１～３２１Ｊ、３２１Ｕ、３３２２１～３２２ｊ、３２２Ｕ、２（Ｎ２）１～３２（Ｎ２）ｊ、３２（Ｎ２）Ｕ、３２Ｖｊ、３２ＶＵ 電子デバイス
２００ 第２基板
２００Ａ 第２上面
２００Ｂ 第２下面
２１０、２１０' 第２ベースライン
３００ 第３基板
３００Ａ 第３上面
３００Ｂ 第３下面
２５０、２５０' 第３ベースライン
３５０、３５０' 第４ベースライン
【図1A】
【図1B】
【図1C】
【図1D】
【図2A】
【図2B】
【図2C】
【図2D】
【図2E】
【図2F】
【図2G】
【図2H】
【図2A-1】
【図2B-1】
【図2C-1】
【図2D-1】
【図2E-1】
【図3A】
【図3B】
【図3C】
【図3D】
【図3E】
【図3F】
【図3G】
【図3H】
【図3I】
【図3A-1】
【図3B-1】
【図3C-1】
【図3D-1】
【図3E-1】
【図3F-1】
【図3G-1】
【図3H-1】
【図4A】
【図4B】
【図4C】
【図4D】
【図4E】
【図4A-1】
【図4B-1】
【図4C-1】
【図4D-1】
【図4E-1】
【外国語明細書】