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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024171405
(43)【公開日】2024-12-12
(54)【発明の名称】半導体装置の製造方法および半導体製造装置
(51)【国際特許分類】
H01L 21/66 20060101AFI20241205BHJP
H01L 21/301 20060101ALI20241205BHJP
【ＦＩ】
H01L21/66 A
H01L21/78 Q
H01L21/78 L
【審査請求】未請求
【請求項の数】17
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023088382
(22)【出願日】2023-05-30
(71)【出願人】
【識別番号】000006013
【氏名又は名称】三菱電機株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100088672
【弁理士】
【氏名又は名称】吉竹 英俊
(74)【代理人】
【識別番号】100088845
【弁理士】
【氏名又は名称】有田 貴弘
(72)【発明者】
【氏名】中嶋 一敬
(72)【発明者】
【氏名】野尻 祐二
(72)【発明者】
【氏名】野口 貴也
【テーマコード（参考）】
4M106
5F063
【Ｆターム（参考）】
4M106AA01
4M106AA02
4M106AA07
4M106AB01
4M106AB06
4M106AB11
4M106BA01
4M106BA14
4M106DA15
4M106DD01
4M106DJ27
4M106DJ38
5F063AA28
5F063AA35
5F063BA03
5F063BA31
5F063BA41
5F063BA43
5F063BA45
5F063CA04
5F063CA06
5F063DD25
5F063DD67
5F063DD85
5F063DD97
5F063DE11
5F063DE19
5F063DE23
5F063DE33
5F063EE21
(57)【要約】
【課題】良品半導体チップと不良品半導体チップとを容易に正しく選別することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】データ取得工程において、複数の半導体チップに対して行われた電気的試験の試験結果を取得する。その試験結果は、複数の半導体チップの配置情報に関連付けられている。切断工程において、半導体ウエハ内に設定される基点を基準に、半導体ウエハを切断する。識別工程において、切断加工済み半導体ウエハの外観情報と、切断加工前の半導体ウエハの試験結果とに基づいて、切断加工済み半導体ウエハにおける良品半導体チップまたは不良品半導体チップを識別する。切断加工済み半導体ウエハは、２以上の半導体チップを含む。外観情報は、基点を含む領域の画像である。
【選択図】図１
【解決手段】データ取得工程において、複数の半導体チップに対して行われた電気的試験の試験結果を取得する。その試験結果は、複数の半導体チップの配置情報に関連付けられている。切断工程において、半導体ウエハ内に設定される基点を基準に、半導体ウエハを切断する。識別工程において、切断加工済み半導体ウエハの外観情報と、切断加工前の半導体ウエハの試験結果とに基づいて、切断加工済み半導体ウエハにおける良品半導体チップまたは不良品半導体チップを識別する。切断加工済み半導体ウエハは、２以上の半導体チップを含む。外観情報は、基点を含む領域の画像である。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
半導体ウエハに形成された複数の半導体チップに対して行われた電気的試験の試験結果であって、前記複数の半導体チップの配置情報に関連付けられた前記試験結果を取得するデータ取得工程と、
前記半導体ウエハ内に設定される基点を基準に、前記半導体ウエハを切断して、切断加工済み半導体ウエハを形成する切断工程と、
前記切断加工済み半導体ウエハの外観情報と、切断加工前の前記半導体ウエハの前記試験結果とに基づいて、前記切断加工済み半導体ウエハにおける良品半導体チップおよび不良品半導体チップのうち少なくとも一方を識別する識別工程と、を備え、
前記切断加工済み半導体ウエハは、２以上の半導体チップを含み、
前記外観情報は、前記基点を含む領域の画像である、半導体装置の製造方法。
前記半導体ウエハ内に設定される基点を基準に、前記半導体ウエハを切断して、切断加工済み半導体ウエハを形成する切断工程と、
前記切断加工済み半導体ウエハの外観情報と、切断加工前の前記半導体ウエハの前記試験結果とに基づいて、前記切断加工済み半導体ウエハにおける良品半導体チップおよび不良品半導体チップのうち少なくとも一方を識別する識別工程と、を備え、
前記切断加工済み半導体ウエハは、２以上の半導体チップを含み、
前記外観情報は、前記基点を含む領域の画像である、半導体装置の製造方法。
【請求項2】
前記画像は、前記切断加工済み半導体ウエハにおける前記基点の周辺の半導体チップと、前記基点を基準にして切断された切断区画と、を含む、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項3】
前記複数の半導体チップは、前記半導体ウエハの表面における第１方向および前記第１方向に対して直交する第２方向に沿って行列状に配置されており、
前記切断加工済み半導体ウエハにおける切断面は、前記基点から前記第１方向および前記第２方向に形成されている、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
前記切断加工済み半導体ウエハにおける切断面は、前記基点から前記第１方向および前記第２方向に形成されている、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項4】
前記切断工程は、前記基点から前記半導体ウエハの端部までを切断することを含む、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項5】
前記半導体ウエハは、リム付き半導体ウエハであり、
前記リム付き半導体ウエハは、前記リム付き半導体ウエハの外周に沿って設けられたリム部と前記リム部よりも内側に設けられた中央部とを含み、
前記リム部の厚さは、前記中央部の厚さよりも厚く、
前記切断工程は、
前記中央部内に位置しかつ前記基点に隣接している領域である切断区画を切り抜く切断区画形成工程と、
前記リム部を切断するリム切断工程と、を含む、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
前記リム付き半導体ウエハは、前記リム付き半導体ウエハの外周に沿って設けられたリム部と前記リム部よりも内側に設けられた中央部とを含み、
前記リム部の厚さは、前記中央部の厚さよりも厚く、
前記切断工程は、
前記中央部内に位置しかつ前記基点に隣接している領域である切断区画を切り抜く切断区画形成工程と、
前記リム部を切断するリム切断工程と、を含む、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項6】
前記切断工程は、前記基点に基づいて、前記複数の半導体チップが形成された有効領域と前記複数の半導体チップが形成されていない無効領域との境界で切断することを含む、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項7】
前記基点は、前記複数の半導体チップが形成された有効領域と前記複数の半導体チップが形成されていない無効領域との境界のうち、前記第１方向に延伸する第１境界部を仮想的に延長した第１仮想線と、前記第２方向に延伸する第２境界部を仮想的に延長した第２仮想線との、交点に設定されており、
前記第１仮想線に含まれる前記第１境界部は、前記複数の半導体チップのうち、前記第２方向において前記半導体ウエハの外周に最も近い半導体チップと前記無効領域との間に位置しており、
前記第２仮想線に含まれる前記第２境界部は、前記複数の半導体チップのうち、前記第１方向において前記半導体ウエハの前記外周に最も近い半導体チップと前記無効領域との間に位置しており、
前記切断工程は、前記第１仮想線および前記第２仮想線に沿って前記半導体ウエハを切断することを含む、請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
前記第１仮想線に含まれる前記第１境界部は、前記複数の半導体チップのうち、前記第２方向において前記半導体ウエハの外周に最も近い半導体チップと前記無効領域との間に位置しており、
前記第２仮想線に含まれる前記第２境界部は、前記複数の半導体チップのうち、前記第１方向において前記半導体ウエハの前記外周に最も近い半導体チップと前記無効領域との間に位置しており、
前記切断工程は、前記第１仮想線および前記第２仮想線に沿って前記半導体ウエハを切断することを含む、請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項8】
前記切断工程は、前記試験結果に基づいて、前記不良品半導体チップのみを切断することを含む、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項9】
前記切断加工済み半導体ウエハをダイシングシートにマウントするマウント工程と、
前記マウント工程後に、前記切断加工済み半導体ウエハをダイシングして、前記複数の半導体チップを互いに分離させる個片化工程と、をさらに備え、
前記識別工程は、前記マウント工程と前記個片化工程との間、または、前記個片化工程の後に実行される、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
前記マウント工程後に、前記切断加工済み半導体ウエハをダイシングして、前記複数の半導体チップを互いに分離させる個片化工程と、をさらに備え、
前記識別工程は、前記マウント工程と前記個片化工程との間、または、前記個片化工程の後に実行される、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項10】
前記識別工程は、
前記画像と、前記試験結果における前記複数の半導体チップの前記配置情報とに基づいて、前記基点の周辺の予め定められた範囲における半導体チップの有無を照合し、前記予め定められた範囲における基準チップを特定する第１識別工程と、
前記基準チップを基準として、前記切断加工済み半導体ウエハにおける前記良品半導体チップおよび前記不良品半導体チップのうち少なくとも一方の位置を識別する第２識別工程と、を含む、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
前記画像と、前記試験結果における前記複数の半導体チップの前記配置情報とに基づいて、前記基点の周辺の予め定められた範囲における半導体チップの有無を照合し、前記予め定められた範囲における基準チップを特定する第１識別工程と、
前記基準チップを基準として、前記切断加工済み半導体ウエハにおける前記良品半導体チップおよび前記不良品半導体チップのうち少なくとも一方の位置を識別する第２識別工程と、を含む、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項11】
前記試験結果は、前記良品半導体チップおよび前記不良品半導体チップのうち少なくとも一方についての前記半導体ウエハにおける位置情報を有するウエハマップデータを含む、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項12】
半導体ウエハに形成された複数の半導体チップに対して行われた電気的試験の試験結果であって、前記複数の半導体チップの配置情報に関連付けられた前記試験結果を取得するデータ取得部と、
前記半導体ウエハ内に設定される基点を基準に、前記半導体ウエハを切断して、切断加工済み半導体ウエハを形成する切断部と、
前記切断加工済み半導体ウエハの外観情報と、切断加工前の前記半導体ウエハの前記試験結果とに基づいて、前記切断加工済み半導体ウエハにおける良品半導体チップおよび不良品半導体チップのうち少なくとも一方を識別する識別部と、を備え、
前記切断加工済み半導体ウエハは、２以上の半導体チップを含み、
前記外観情報は、前記基点を含む領域の画像である、半導体製造装置。
前記半導体ウエハ内に設定される基点を基準に、前記半導体ウエハを切断して、切断加工済み半導体ウエハを形成する切断部と、
前記切断加工済み半導体ウエハの外観情報と、切断加工前の前記半導体ウエハの前記試験結果とに基づいて、前記切断加工済み半導体ウエハにおける良品半導体チップおよび不良品半導体チップのうち少なくとも一方を識別する識別部と、を備え、
前記切断加工済み半導体ウエハは、２以上の半導体チップを含み、
前記外観情報は、前記基点を含む領域の画像である、半導体製造装置。
【請求項13】
前記画像は、前記切断加工済み半導体ウエハにおける前記基点の周辺の半導体チップと、前記基点を基準にして切断された切断区画と、を含む、請求項１２に記載の半導体製造装置。
【請求項14】
前記複数の半導体チップは、前記半導体ウエハの表面における第１方向および前記第１方向に対して直交する第２方向に沿って行列状に配置されており、
前記切断加工済み半導体ウエハにおける切断面は、前記基点から前記第１方向および前記第２方向に形成されている、請求項１２に記載の半導体製造装置。
前記切断加工済み半導体ウエハにおける切断面は、前記基点から前記第１方向および前記第２方向に形成されている、請求項１２に記載の半導体製造装置。
【請求項15】
前記識別部は、
前記画像と、前記試験結果における前記複数の半導体チップの前記配置情報とに基づいて、前記基点の周辺の予め定められた範囲における半導体チップの有無を照合し、前記予め定められた範囲における基準チップを特定する第１識別部と、
前記基準チップを基準として、前記切断加工済み半導体ウエハにおける前記良品半導体チップおよび前記不良品半導体チップのうち少なくとも一方の位置を識別する第２識別部と、を含む、請求項１２に記載の半導体製造装置。
前記画像と、前記試験結果における前記複数の半導体チップの前記配置情報とに基づいて、前記基点の周辺の予め定められた範囲における半導体チップの有無を照合し、前記予め定められた範囲における基準チップを特定する第１識別部と、
前記基準チップを基準として、前記切断加工済み半導体ウエハにおける前記良品半導体チップおよび前記不良品半導体チップのうち少なくとも一方の位置を識別する第２識別部と、を含む、請求項１２に記載の半導体製造装置。
【請求項16】
前記試験結果は、前記良品半導体チップおよび前記不良品半導体チップのうち少なくとも一方についての前記半導体ウエハにおける位置情報を有するウエハマップデータを含む、請求項１２に記載の半導体製造装置。
【請求項17】
プローブを含み、前記複数の半導体チップの各々に対して、前記プローブを介して電流または電圧を印加して電気特性を評価することにより、前記電気的試験を行うウエハテスト部と、
前記半導体ウエハを、前記ウエハテスト部と前記切断部との間で移動させる移載部と、をさらに備え、
前記切断部は、
前記半導体ウエハを切断するＹＡＧレーザと、
前記外観情報として、前記画像を撮影するカメラと、を含む、請求項１２に記載の半導体製造装置。
前記半導体ウエハを、前記ウエハテスト部と前記切断部との間で移動させる移載部と、をさらに備え、
前記切断部は、
前記半導体ウエハを切断するＹＡＧレーザと、
前記外観情報として、前記画像を撮影するカメラと、を含む、請求項１２に記載の半導体製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、半導体装置の製造方法および半導体製造装置に関する。
【背景技術】
【0002】
良品半導体チップと不良品半導体チップとを正しく選別するためには、半導体素子の電気的試験の結果として出力されるマップデータにおける半導体チップの位置情報と、実際に半導体ウエハに形成されている多数の半導体チップの位置情報とを正確に一致させる技術が重要である。特許文献１には、半導体素子が形成されていない非形成領域にインクマークを施した基準ペレットを準備し、その基準ペレットに基づく座標によって、良品および不良品ペレットの検査を行う技術が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２００２－１８４８１９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
上記のようなインクによるマーキング技術は、半導体装置の製造工程における管理を難しくする。例えば、インクの乾燥およびインクの剥離などマーキングに適切なインクの選定およびプロセス開発の管理が必要である。インクを使用することなく、良品半導体チップと不良品半導体チップとを容易に正しく選別することが求められる。
【0005】
本開示は、上記の課題を解決するため、良品半導体チップと不良品半導体チップとを容易に正しく選別することが可能な半導体装置の製造方法の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本開示に係る半導体装置の製造方法は、データ取得工程、切断工程および識別工程を含む。データ取得工程は、半導体ウエハに形成された複数の半導体チップに対して行われた電気的試験の試験結果を取得する。その試験結果は、複数の半導体チップの配置情報に関連付けられている。切断工程は、半導体ウエハ内に設定される基点を基準に、その半導体ウエハを切断して、切断加工済み半導体ウエハを形成する。識別工程は、切断加工済み半導体ウエハの外観情報と、切断加工前の半導体ウエハの試験結果とに基づいて、切断加工済み半導体ウエハにおける良品半導体チップおよび不良品半導体チップのうち少なくとも一方を識別する。切断加工済み半導体ウエハは、２以上の半導体チップを含む。外観情報は、基点を含む領域の画像である。
【発明の効果】
【0007】
本開示によれば、良品半導体チップと不良品半導体チップとを容易に正しく選別することが可能な半導体装置の製造方法が提供される。
【0008】
本開示の目的、特徴、局面、および利点は、以下の詳細な説明と添付図面とによって、より明白になる。
【図面の簡単な説明】
【0009】
【図1】実施の形態１における半導体製造装置の構成を示す図である。
【図2】試験対象の半導体ウエハの構成を示す図である。
【図3】実施の形態１における切断加工済み半導体ウエハの構成を示す図である。
【図4】実施の形態１における半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。
【図5】マトリクスサーチの一例を示す図である。
【図6】実施の形態２における切断加工済み半導体ウエハの構成を示す図である。
【図7】実施の形態３における切断加工済み半導体ウエハの構成を示す図である。
【図8】実施の形態４における切断加工済み半導体ウエハの構成を示す図である。
【図9】実施の形態５における切断加工済み半導体ウエハの構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【0010】
＜実施の形態１＞
図１は、実施の形態１における半導体製造装置１００の構成を示す図である。図２は、実施の形態１における半導体ウエハ１０の構成を示す図である。半導体製造装置１００は、半導体ウエハ１０に形成された複数の半導体チップ１に対して電気的試験を行う。
図１は、実施の形態１における半導体製造装置１００の構成を示す図である。図２は、実施の形態１における半導体ウエハ１０の構成を示す図である。半導体製造装置１００は、半導体ウエハ１０に形成された複数の半導体チップ１に対して電気的試験を行う。
【0011】
複数の半導体チップ１は、半導体ウエハ１０の表面における第１方向および第２方向に沿って行列状に配置されている。その第２方向は、第１方向に対して直交する方向である。複数の半導体チップ１の間には、第１方向および第２方向に延伸するダイシングライン２が定められている。後述する個片化工程において、複数の半導体チップ１はダイシングライン２に沿って互いに分離される。各半導体チップ１の平面形状は矩形である。半導体ウエハ１０は、有効領域３と無効領域４とを含む。有効領域３は、半導体チップ１が形成されている領域に対応する。無効領域４は、有効領域３の外側に位置し、半導体チップ１が形成されていない領域に対応する。
【0012】
半導体チップ１は、例えば、Ｓｉ等の半導体によって形成されている。半導体チップ１は、ＳｉＣ、ＧａＮ、Ｇａ２Ｏ３、ダイヤモンド等のいわゆるワイドバンドギャップ半導体で形成されていることが好ましい。半導体チップ１は、半導体素子（図示せず）として、ダイオード素子またはスイッチング素子を含む。ダイオード素子は、例えば、ショットキーバリアダイオードである。スイッチング素子は、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）またはＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）である。
【0013】
半導体製造装置１００は、ウエハテスト部２０、データ取得部３０、移載部４０、設定部５０、切断部６０および識別部７０を含む。
【0014】
ウエハテスト部２０は、テストプローバ２１を含む。ウエハテスト部２０は、複数の半導体チップ１の各々に対して、電流または電圧を印加し、それら半導体チップ１の電気特性を評価して、電気的試験を行う。その電流または電圧は、テストプローバ２１のプローブ（図示せず）を介して印加される。ウエハテスト部２０は、その評価結果を、半導体チップ１の電気的試験の試験結果として出力する。
【0015】
試験結果は、複数の半導体チップ１の配置情報に関連付けられている。例えば、試験結果は、ウエハマップデータである。ウエハマップデータは、良品半導体チップおよび不良品半導体チップのうち少なくとも一方についての半導体ウエハ１０における位置情報を含む。言い換えると、試験結果は、良品半導体チップおよび不良品半導体チップうち少なくとも一方の判定情報と位置情報とを含む。不良品半導体チップの判定情報は、例えば、ウエハマップデータにおいて「×」で表示される。また、試験結果は、良品半導体チップまたは不良品半導体チップの位置情報だけでなく、複数の半導体チップ１の配置情報つまり全体の配置情報も格納している。位置情報および配置情報は、例えば、半導体チップ１の座標データである。
【0016】
データ取得部３０は、半導体ウエハ１０に形成された複数の半導体チップ１に対して行われた電気的試験の試験結果を取得する。
【0017】
移載部４０は、例えば、半導体ウエハ１０を保持するキャリアと、そのキャリアを高精度に運搬する移動ステージと、を含む。移載部４０は、ウエハテスト部２０と切断部６０との間を移動する。
【0018】
設定部５０は、後述する切断工程において半導体ウエハ１０を切断する際の基準となる基点５を、半導体ウエハ１０内に設定する。基点５は切断区画の基準である。基点５は、例えば、ダイシングライン２上に設定される。または、基点５は、フォトリソグラフィー（写真製版）時の重ね合わせに用いられる複数の位置合わせマークを接続するライン上に設定されてもよい。基点５は、それらのラインが交差する点に対応する。基点５は、有効領域３内に形成された複数の半導体チップ１のうち、半導体ウエハ１０の外周側に形成されている半導体チップの角部に設定されることが好ましい。基点５は、有効領域３において最も外側に形成されている半導体チップの角部に設定されることが好ましい。基点５がそのような位置に設定されることにより、有効領域３内の良品半導体チップが切断工程で切断されることがない。また、切断区画が最小限に設定される。半導体ウエハ１０が８インチ、１２インチ等の大口径のサイズを有する場合であっても、切断区画は最小化される。
【0019】
切断部６０は、切断工程および個片化工程を行う。切断工程においては、切断部６０は、半導体ウエハ１０内に設定される基点５を基準にして、半導体ウエハ１０を切断する。その切断された半導体ウエハ１０を、以下、切断加工済み半導体ウエハという。図３は、実施の形態１における切断加工済み半導体ウエハ１１の構成を示す図である。切断加工済み半導体ウエハ１１は、２以上の半導体チップ１を含む。切断加工済み半導体ウエハ１１は、切断前の半導体ウエハ１０に形成されていた複数の半導体チップ１の全てを含んでいることが好ましい。また、実施の形態１における切断部６０は、基点５から半導体ウエハ１０の端部までを切断する。切断加工済み半導体ウエハ１１における切断面は、基点５から第１方向および第２方向に形成されている。実施の形態１における切断方向は、半導体チップ１の配列方向である第１方向および第２方向に沿っていることが好ましいが、切断方向はそれらに限定されるものではない。個片化工程においては、切断部６０は、切断加工済み半導体ウエハ１１をダイシングして、複数の半導体チップ１を互いに分離させる。
【0020】
切断部６０は、レーザ発振器６１およびカメラ６２を含む。レーザ発振器６１は、上記のように半導体ウエハ１０または切断加工済み半導体ウエハ１１をレーザで切断する。レーザ発振器６１は、例えば、ＹＡＧレーザである。切断部６０は、ブレード（図示せず）を備えていてもよい。半導体ウエハ１０はそのブレードによって切断されてもよい。ただし、ブレードによる切断は、切削幅に限界を有する。この限界は、ブレードに含まれるダイヤモンド粒子のサイズおよびブレードの機械的強度に起因している。また、ブレードが半導体ウエハ１０に直接触れるため切断時の振動および衝撃で半導体チップ１に欠けが生じ得る。そのため、非接触で切断でき、かつ、切削幅が可能な限り小さくできるレーザによる切断が好ましい。カメラ６２は、切断加工済み半導体ウエハ１１における基点５を含む画像を撮影する。例えば、カメラ６２は、その基点５の周辺の少なくとも１つの半導体チップ１と、基点５を基準にして切断された切断区画６と、を含む画像を撮影する。この際、カメラ６２は、切断区画６をカメラ６２で自動認識してその基点５と半導体チップ１とを含む領域を撮影してもよいし、設定部５０から基点５の情報を取得してその基点５と半導体チップ１とを含む領域を撮影してもよい。
【0021】
識別部７０は、切断加工済み半導体ウエハ１１の外観情報と、切断加工前の半導体ウエハ１０の試験結果とに基づいて、切断加工済み半導体ウエハ１１における良品半導体チップおよび不良品半導体チップのうち少なくとも一方を識別する。外観情報は、上記の画像である。実施の形態１における識別部７０は、第１識別部７１および第２識別部７２を含む。
【0022】
第１識別部７１は、外観情報である上記の画像と、試験結果における複数の半導体チップ１の配置情報とに基づいて、基点５の周辺の予め定められた範囲における半導体チップ１の有無を照合する。予め定めれた範囲は、任意の範囲であり変更可能である。画像における半導体チップ１の有無の判定は、画像解析によって行われる。画像解析は、例えば、半導体チップ１の形状情報、面積情報、ダイシングシートおよび半導体チップ１の色情報等に基づいて行われる。そして、識別部７０は、予め定められた範囲における基準チップ７を特定する。基準チップ７は、半導体チップ１であってもよいし、無効領域４のチップであってもよい。無効領域４のチップとは、無効領域４に延伸する複数のダイシングライン２によって定められる領域に対応する。
【0023】
第２識別部７２は、その基準チップ７を基準として、切断加工済み半導体ウエハ１１における良品半導体チップおよび不良品半導体チップのうち少なくとも一方の位置を識別する。
【0024】
データ取得部３０、設定部５０、第１識別部７１および第２識別部７２の各機能は、半導体製造装置１００が備える処理回路（図示せず）によって実現される。処理回路は、例えば、プロセッサとメモリとを含む。プロセッサがメモリに格納されたプログラムを実行することにより、データ取得部３０、設定部５０、第１識別部７１および第２識別部７２の各機能が実現される。
【0025】
図４は、実施の形態１における半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。
【0026】
ステップＳ１は、形成工程である。ステップＳ１において、複数の半導体チップ１が半導体ウエハ１０に形成される。半導体チップ１は、第１方向および第２方向に沿って行列状に配置されている。
【0027】
ステップＳ２は、検査工程である。ウエハテスト部２０は、半導体ウエハ１０に形成された複数の半導体チップ１の各々に対して、電気的試験を行う。この際、テストプローバ２１のプローブを介して、各半導体チップ１に電流または電圧が印加される。ウエハテスト部２０は、良品半導体チップまたは不良品半導体チップを検出する。
【0028】
ステップＳ３は、データ取得工程である。データ取得部３０は、電気的試験の試験結果を取得する。その試験結果は、複数の半導体チップ１の配置情報に関連付けられている。試験結果は、ウエハマップデータである。ウエハマップデータは、不良品半導体チップの判定情報と位置情報とを含む。ウエハマップデータは、複数の半導体チップ１の配置情報も格納している。
【0029】
ステップＳ４は、設定工程である。設定部５０は、次の切断工程において半導体ウエハ１０を切断する際の基準となる基点５を、半導体ウエハ１０内に設定する。実施の形態１における基点５は、２本のダイシングライン２が交差する点に設定される。図２に示されるように、基点５は、有効領域３内の複数の半導体チップ１のうち、半導体ウエハ１０の外周側に形成されている半導体チップの角部に設定される。
【0030】
ステップＳ５は、切断工程である。切断部６０は、半導体ウエハ１０内に設定される基点５を基準に、半導体ウエハ１０を切断して、切断加工済み半導体ウエハ１１を形成する。切断加工済み半導体ウエハ１１は、２以上の半導体チップ１を含む。実施の形態１においては、図３に示されるように、切断部６０は、基点５から半導体ウエハ１０の端部まで切断する。その際、切断部６０は、第１方向および第２方向に沿って半導体ウエハ１０を切断する。半導体ウエハ１０は、例えば、ＹＡＧレーザによって切断される。切断面は、基点５から第１方向および第２方向に形成される。この切断工程により、半導体ウエハ１０の一部である切断区画６が分離され、切断加工済み半導体ウエハ１１が形成される。
【0031】
ステップＳ６は、マウント工程である。切断加工済み半導体ウエハ１１がダイシングシート（図示せず）にマウントされる。切断加工済み半導体ウエハ１１の一方の主面には、リングフレーム（図示せず）に支持されたテープ（図示せず）が貼り付けられる。
【0032】
ステップＳ７は、第１識別工程である。カメラ６２は、切断加工済み半導体ウエハ１１における基点５の周辺の少なくとも１つの半導体チップ１と、基点５を基準にして切断された切断区画６と、を含む画像を撮影する。
【0033】
第１識別部７１は、その画像と、半導体チップ１の配置情報とに基づいて、基点５の周辺の予め定められた範囲における半導体チップ１の有無を照合する。第１識別部７１は、その照合結果に基づいて、予め定められた範囲における基準チップ７を特定する。以下、第１識別工程の一例を説明する。
【0034】
第１識別部７１は、基点５の周辺の予め定められた範囲に対してマトリクスサーチを行う。図５は、マトリクスサーチの一例を示す図である。一例として、その予め定められた範囲は、横方向および縦方向に３つの半導体チップ１が配置される領域と同じ大きさである。この際、第１識別部７１は、基点５に隣接する半導体チップ１を仮基準チップ７Ａに定める。第１識別部７１は、その仮基準チップ７Ａを中心とする予め定められた範囲を設定し、マトリクスサーチを実行する。具体的には、第１識別部７１は、その範囲における半導体チップ１の有無に関する情報を、画像解析によって取得する。図５に示されるように、その領域の中央部の上側および右上側には、半導体チップ１が設けられていない。その他の領域には、半導体チップ１が設けられている。また、第１識別部７１が試験結果として取得するウエハマップデータには、電気的試験の際の複数の半導体チップ１の配置情報が格納されている。第１識別部７１は、マトリクスサーチの結果とその配置情報とを照合する。マトリクスサーチの結果と配置情報とが一致した場合に、そのサーチ範囲における中心の仮基準チップ７Ａを基準チップ７として特定する。
【0035】
ステップＳ８は、第２識別工程である。第２識別部７２は、その基準チップ７を基準として、切断加工済み半導体ウエハ１１における良品半導体チップの位置を識別する。例えば、第２識別部７２は、基準チップ７の位置とウエハマップデータにおける配置情報とを重ね合わせて、不良品半導体チップ以外の半導体チップ１を識別し、それらの位置を特定する。
【0036】
ステップＳ９は、個片化工程である。切断部６０は、切断加工済み半導体ウエハ１１をダイシングして、複数の半導体チップ１を互いに分離させる。
【0037】
ステップＳ１０は、ピックアップ工程である。良品半導体チップの位置情報に基づいて、複数の半導体チップ１から良品半導体チップが正確にピックアップされる。不良品半導体チップは、このピックアップ工程において脱落する。
【0038】
以上の半導体装置の製造方法によれば、インクを使用することなく、良品半導体チップと不良品半導体チップとを容易に正しく選別することが可能になる。
【0039】
上記の製造方法では、データ取得部３０は、不良品半導体チップの情報を取得し、第２識別部７２はその不良品半導体チップの情報に基づいて良品半導体チップを識別していた。データ取得部３０で取得される試験結果は、良品半導体チップの情報であってもよいし、不良品および良品半導体チップの両方の情報であってもよい。また、第２識別部７２で識別される半導体チップ１は、不良品半導体チップであってもよいし、不良品および良品半導体チップの両方であってもよい。
【0040】
第１識別工程および第２識別工程は、マウント工程と個片化工程との間に実行されているが、個片化工程の後に実行されてもよい。その場合、識別工程は、個片化された複数の半導体チップ１に対して実行される。その場合であっても、複数の半導体チップ１から良品半導体チップが正確にピックアップされる。
【0041】
また第１識別工程および第２識別工程は、識別部７０が実行する機能および動作の一例であり、上記に限定されるものではない。識別部７０は、切断加工済み半導体ウエハ１１の外観情報と、切断加工前の半導体ウエハ１０の試験結果とに基づいて、良品半導体チップおよび不良品半導体チップのうち少なくとも一方を識別する。外観情報は基点５を含む領域の画像であればよく、好ましくは、基点５の周辺の半導体チップ１と切断区画６とを含む画像である。識別部７０は、その画像を解析することにより、画像内の半導体チップ１の位置情報と、試験の際の配置情報とを照合することができる。その照合結果に基づいて、良品半導体チップまたは不良品半導体チップの位置は識別される。
【0042】
以上をまとめると、実施の形態１における半導体装置の製造方法は、データ取得工程、切断工程および識別工程を含む。データ取得工程は、半導体ウエハ１０に形成された複数の半導体チップ１に対して行われた電気的試験の試験結果を取得する。その試験結果は、複数の半導体チップ１の配置情報に関連付けられている。切断工程は、半導体ウエハ１０内に設定される基点５を基準に、その半導体ウエハ１０を切断して、切断加工済み半導体ウエハ１１を形成する。識別工程は、切断加工済み半導体ウエハ１１の外観情報と、切断加工前の半導体ウエハ１０の試験結果とに基づいて、切断加工済み半導体ウエハ１１における良品半導体チップおよび不良品半導体チップのうち少なくとも一方を識別する。切断加工済み半導体ウエハ１１は、２以上の半導体チップ１を含む。外観情報は、基点５を含む領域の画像である。
【0043】
このような半導体装置の製造方法によれば、良品半導体チップと不良品半導体チップとを容易に正しく選別することが可能となる。
【0044】
良品半導体チップと不良品半導体チップとの選別工程がインクレス化されるため、インクの管理が不要となる。例えば、インクの乾燥プロセスが不要となる他、ダイシング時のインク剥離の問題が生じない。また、インクの生産終了に伴う新インクの選定作業も不要である。半導体ウエハ１０の大口径化および半導体チップ１の小型化が進行しているため、１つの半導体ウエハ１０に形成される半導体チップ１の個数は増加している。実施の形態１の製造方法によれば、基準チップ７または不良品半導体チップにインクを打つプロセスが不要であるため、プローバの負荷が軽減する。また、隣接する半導体チップ１へインクが流出する事態も発生しない。
【0045】
マウント工程において、半導体ウエハ１０をダイシングシートにマウントする際、ダイシングシートはエキスパンドする。半導体ウエハ１０の中心部に比べて外周部はエキスパンドの影響で伸びやすい。半導体ウエハ１０のセンターずれおよびθずれが意図せず発生する。事前登録されていた半導体チップ１の位置情報と実際の位置情報とにずれが生じる。そのようなずれは、良品半導体チップと不良品半導体チップとの選別精度に影響する。しかし、実施の形態１の製造方法では、ダイシングシート上の半導体チップ１の位置の認識精度が向上するため、良品半導体チップと不良品半導体チップとを容易に正しく選別することが可能となる。そのため、半導体装置の製造工程における生産性が向上する。
【0046】
＜実施の形態２＞
実施の形態２において、実施の形態１と同様の構成要素には、同一の参照符号を付し、それらの詳細な説明は省略する。
実施の形態２において、実施の形態１と同様の構成要素には、同一の参照符号を付し、それらの詳細な説明は省略する。
【0047】
図６は、実施の形態２における切断加工済み半導体ウエハ１２の構成を示す図である。半導体ウエハ１０は、リム付き半導体ウエハである。リム付き半導体ウエハは、リム部１０Ａと中央部１０Ｂとを含む。リム部１０Ａは、リム付き半導体ウエハの外周に沿って設けられている。中央部１０Ｂは、そのリム部１０Ａよりも内側に設けられている。リム部１０Ａの厚さは、中央部１０Ｂの厚さよりも厚い。
【0048】
実施の形態２における切断工程は、切断区画形成工程およびリム切断工程を含む。切断区画形成工程において、切断部６０は、中央部１０Ｂに位置しかつ基点５に隣接している領域である切断区画６を切り抜く。その基点５は、実施の形態１と同様に、設定工程で設定される。切断区画６は、半導体チップ１が形成されている有効領域３の外側に設けられた無効領域４に位置することが好ましい。また、その切断区画６は、ダイシングライン２に沿って切断され、半導体チップ１と同じチップ形状を有していてもよい。リム切断工程においては、切断部６０は、リム部１０Ａを切断する。その他の工程は、実施の形態１と同様である。
【0049】
リム付き半導体ウエハにおいては、リム部１０Ａの厚さが中央部１０Ｂよりも厚い。そのため、切断部６０が基点５から半導体ウエハ１０の端部までを切断することは難しい。実施の形態２の半導体装置の製造方法によれば、基点５周辺の切断区画６が切り抜かれることで、基準チップ７が実施の形態１と同様に特定される。不良品半導体チップの識別時に、ウエハマップデータと実物の位置情報とがずれることが防止される。そのため、半導体装置の製造工程における生産性が向上する。
【0050】
＜実施の形態３＞
実施の形態３において、実施の形態１または２と同様の構成要素には、同一の参照符号を付し、それらの詳細な説明は省略する。
実施の形態３において、実施の形態１または２と同様の構成要素には、同一の参照符号を付し、それらの詳細な説明は省略する。
【0051】
図７は、実施の形態３における切断加工済み半導体ウエハ１３の構成を示す図である。切断工程において、切断部６０は、基点５に基づいて、有効領域３と無効領域４との境界で切断する。つまり、切断工程において、半導体チップ１が形成されていない全ての無効領域４が切り抜かれる。
【0052】
実施の形態３の半導体装置の製造方法によれば、ピックアップ工程において、無効領域４のチップがピックアップされる現象が起こり得ない。無効領域４のチップの流出が防止される。この製造方法においては、有効領域３外のチップつまり無効領域４のチップを基準チップ７に設定することは不可能である。有効領域３に基準チップ７が特定される。そのため、ピックアップ工程において良品半導体チップをピックアップする際、その基準チップ７は最後にピックアップされることが好ましい。
【0053】
＜実施の形態４＞
実施の形態４において、実施の形態１から３のいずれかと同様の構成要素には、同一の参照符号を付し、それらの詳細な説明は省略する。
実施の形態４において、実施の形態１から３のいずれかと同様の構成要素には、同一の参照符号を付し、それらの詳細な説明は省略する。
【0054】
図８は、実施の形態４における切断加工済み半導体ウエハ１４の構成を示す図である。半導体ウエハ１０は、有効領域３と無効領域４とを含む。
【0055】
有効領域３と無効領域４との境界は、第１方向に延伸する第１境界部８Ａと第２方向に延伸する第２境界部８Ｂとを含む。その第１境界部８Ａは、複数の半導体チップ１のうち、第２方向において半導体ウエハ１０の外周に最も近い半導体チップと無効領域４との間に位置している。第２境界部８Ｂは、複数の半導体チップ１のうち、第１方向において半導体ウエハ１０の外周に最も近い半導体チップと無効領域４との間に位置している。
【0056】
実施の形態４における基点５は、第１境界部８Ａを仮想的に延長した第１仮想線９Ａと、第２境界部８Ｂを仮想的に延長した第２仮想線９Ｂとの、交点に設定される。
【0057】
設定工程において、設定部５０は、カメラ６２で撮影された半導体ウエハ１０の画像に基づいて、第１境界部８Ａおよび第２境界部８Ｂを検出し、第１仮想線９Ａと第２仮想線９Ｂとの交点を基点５に自動で設定してもよい。
【0058】
切断工程において、切断部６０は、第１仮想線９Ａおよび第２仮想線９Ｂに沿って半導体ウエハ１０を切断する。切断工程は、第１切断工程と第２切断工程とを含む。第１切断工程においては、切断部６０は、基点５を基準にして、第１仮想線９Ａに沿って半導体ウエハ１０を切断する。それにより、半導体ウエハ１０の端部である第１切断区画６Ａが切り分けられる。第２切断工程においては、第２仮想線９Ｂに沿って半導体ウエハ１０を切断する。それにより、半導体ウエハ１０の端部である第２切断区画６Ｂが切り分けられる。
【0059】
第１識別工程において、第１識別部７１は、外観情報の画像として、基点５を中心とした第１切断区画６Ａ、第２切断区画６Ｂおよびその周辺の半導体チップ１を含む画像に基づいて、基準チップ７を特定する。その際、第１識別部７１は、実施の形態１と同様に、ウエハマップデータと画像との照合結果に基づいて、予め定められた範囲における基準チップ７を特定する。または、実施の形態４においては、第１識別部７１は、基点５から予め定められた距離内に位置する半導体チップ１を基準チップ７として特定してもよい。この方法の方が、基準チップ７の特定が簡易であり、半導体装置の製造工程における生産性が向上する。
【0060】
このような半導体装置の製造方法によれば、複雑な切断経路が必要ない。２回の切断工程で切断加工済み半導体ウエハ１４が実現される。第１境界部８Ａおよび第２境界部８Ｂは、境界のなかでも長い直線を有する。そのような長い直線から座標系が認識されるため、より高い精度で良品半導体チップまたは不良品半導体チップの位置が認識される。
【0061】
＜実施の形態５＞
実施の形態５において、実施の形態１から４のいずれかと同様の構成要素には、同一の参照符号を付し、それらの詳細な説明は省略する。
実施の形態５において、実施の形態１から４のいずれかと同様の構成要素には、同一の参照符号を付し、それらの詳細な説明は省略する。
【0062】
図９は、実施の形態５における切断加工ずみ半導体ウエハ１５の構成を示す図である。切断工程において、切断部６０は、試験結果に基づいて、少なくとも１つの不良品半導体チップ１Ａのみを切断する。より詳細には、切断部６０は、検査工程で不良と判定され、ウエハマップデータにおいて「×」等の目印が付与された不良品半導体チップ１Ａを切り抜く。この際、切断部６０は、事前登録されているウエハ情報と、データ取得工程で取得したウエハマップとを重ね合わせて照合し、不良品半導体チップ１Ａを特定する。
【0063】
仮にマウント工程後に基準チップ７の位置ずれが起きたとしても、既に不良品半導体チップ１Ａは切り抜かれている。ピックアップ工程の際に、不良品半導体チップ１Ａがピックアップされるおそれがなく、不良品半導体チップ１Ａの流出が防止される。
【0064】
本開示は、各実施の形態を自由に組み合わせたり、各実施の形態を適宜、変形、省略したりすることが可能である。
【0065】
以下、本開示の諸態様を付記としてまとめて記載する。
【0066】
（付記１）
半導体ウエハに形成された複数の半導体チップに対して行われた電気的試験の試験結果であって、前記複数の半導体チップの配置情報に関連付けられた前記試験結果を取得するデータ取得工程と、
前記半導体ウエハ内に設定される基点を基準に、前記半導体ウエハを切断して、切断加工済み半導体ウエハを形成する切断工程と、
前記切断加工済み半導体ウエハの外観情報と、切断加工前の前記半導体ウエハの前記試験結果とに基づいて、前記切断加工済み半導体ウエハにおける良品半導体チップおよび不良品半導体チップのうち少なくとも一方を識別する識別工程と、を備え、
前記切断加工済み半導体ウエハは、２以上の半導体チップを含み、
前記外観情報は、前記基点を含む領域の画像である、半導体装置の製造方法。
半導体ウエハに形成された複数の半導体チップに対して行われた電気的試験の試験結果であって、前記複数の半導体チップの配置情報に関連付けられた前記試験結果を取得するデータ取得工程と、
前記半導体ウエハ内に設定される基点を基準に、前記半導体ウエハを切断して、切断加工済み半導体ウエハを形成する切断工程と、
前記切断加工済み半導体ウエハの外観情報と、切断加工前の前記半導体ウエハの前記試験結果とに基づいて、前記切断加工済み半導体ウエハにおける良品半導体チップおよび不良品半導体チップのうち少なくとも一方を識別する識別工程と、を備え、
前記切断加工済み半導体ウエハは、２以上の半導体チップを含み、
前記外観情報は、前記基点を含む領域の画像である、半導体装置の製造方法。
【0067】
（付記２）
前記画像は、前記切断加工済み半導体ウエハにおける前記基点の周辺の半導体チップと、前記基点を基準にして切断された切断区画と、を含む、付記１に記載の半導体装置の製造方法。
前記画像は、前記切断加工済み半導体ウエハにおける前記基点の周辺の半導体チップと、前記基点を基準にして切断された切断区画と、を含む、付記１に記載の半導体装置の製造方法。
【0068】
（付記３）
前記複数の半導体チップは、前記半導体ウエハの表面における第１方向および前記第１方向に対して直交する第２方向に沿って行列状に配置されており、
前記切断加工済み半導体ウエハにおける切断面は、前記基点から前記第１方向および前記第２方向に形成されている、付記１または付記２に記載の半導体装置の製造方法。
前記複数の半導体チップは、前記半導体ウエハの表面における第１方向および前記第１方向に対して直交する第２方向に沿って行列状に配置されており、
前記切断加工済み半導体ウエハにおける切断面は、前記基点から前記第１方向および前記第２方向に形成されている、付記１または付記２に記載の半導体装置の製造方法。
【0069】
（付記４）
前記切断工程は、前記基点から前記半導体ウエハの端部までを切断することを含む、付記１から付記３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
前記切断工程は、前記基点から前記半導体ウエハの端部までを切断することを含む、付記１から付記３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【0070】
（付記５）
前記半導体ウエハは、リム付き半導体ウエハであり、
前記リム付き半導体ウエハは、前記リム付き半導体ウエハの外周に沿って設けられたリム部と前記リム部よりも内側に設けられた中央部とを含み、
前記リム部の厚さは、前記中央部の厚さよりも厚く、
前記切断工程は、
前記中央部内に位置しかつ前記基点に隣接している領域である切断区画を切り抜く切断区画形成工程と、
前記リム部を切断するリム切断工程と、を含む、付記１から付記４のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
前記半導体ウエハは、リム付き半導体ウエハであり、
前記リム付き半導体ウエハは、前記リム付き半導体ウエハの外周に沿って設けられたリム部と前記リム部よりも内側に設けられた中央部とを含み、
前記リム部の厚さは、前記中央部の厚さよりも厚く、
前記切断工程は、
前記中央部内に位置しかつ前記基点に隣接している領域である切断区画を切り抜く切断区画形成工程と、
前記リム部を切断するリム切断工程と、を含む、付記１から付記４のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【0071】
（付記６）
前記切断工程は、前記基点に基づいて、前記複数の半導体チップが形成された有効領域と前記複数の半導体チップが形成されていない無効領域との境界で切断することを含む、付記１から付記５のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
前記切断工程は、前記基点に基づいて、前記複数の半導体チップが形成された有効領域と前記複数の半導体チップが形成されていない無効領域との境界で切断することを含む、付記１から付記５のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【0072】
（付記７）
前記基点は、前記複数の半導体チップが形成された有効領域と前記複数の半導体チップが形成されていない無効領域との境界のうち、前記第１方向に延伸する第１境界部を仮想的に延長した第１仮想線と、前記第２方向に延伸する第２境界部を仮想的に延長した第２仮想線との、交点に設定されており、
前記第１仮想線に含まれる前記第１境界部は、前記複数の半導体チップのうち、前記第２方向において前記半導体ウエハの外周に最も近い半導体チップと前記無効領域との間に位置しており、
前記第２仮想線に含まれる前記第２境界部は、前記複数の半導体チップのうち、前記第１方向において前記半導体ウエハの前記外周に最も近い半導体チップと前記無効領域との間に位置しており、
前記切断工程は、前記第１仮想線および前記第２仮想線に沿って前記半導体ウエハを切断することを含む、付記３に記載の半導体装置の製造方法。
前記基点は、前記複数の半導体チップが形成された有効領域と前記複数の半導体チップが形成されていない無効領域との境界のうち、前記第１方向に延伸する第１境界部を仮想的に延長した第１仮想線と、前記第２方向に延伸する第２境界部を仮想的に延長した第２仮想線との、交点に設定されており、
前記第１仮想線に含まれる前記第１境界部は、前記複数の半導体チップのうち、前記第２方向において前記半導体ウエハの外周に最も近い半導体チップと前記無効領域との間に位置しており、
前記第２仮想線に含まれる前記第２境界部は、前記複数の半導体チップのうち、前記第１方向において前記半導体ウエハの前記外周に最も近い半導体チップと前記無効領域との間に位置しており、
前記切断工程は、前記第１仮想線および前記第２仮想線に沿って前記半導体ウエハを切断することを含む、付記３に記載の半導体装置の製造方法。
【0073】
（付記８）
前記切断工程は、前記試験結果に基づいて、前記不良品半導体チップのみを切断することを含む、付記１から付記７のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
前記切断工程は、前記試験結果に基づいて、前記不良品半導体チップのみを切断することを含む、付記１から付記７のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【0074】
（付記９）
前記切断加工済み半導体ウエハをダイシングシートにマウントするマウント工程と、
前記マウント工程後に、前記切断加工済み半導体ウエハをダイシングして、前記複数の半導体チップを互いに分離させる個片化工程と、をさらに備え、
前記識別工程は、前記マウント工程と前記個片化工程との間、または、前記個片化工程の後に実行される、付記１から付記８のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
前記切断加工済み半導体ウエハをダイシングシートにマウントするマウント工程と、
前記マウント工程後に、前記切断加工済み半導体ウエハをダイシングして、前記複数の半導体チップを互いに分離させる個片化工程と、をさらに備え、
前記識別工程は、前記マウント工程と前記個片化工程との間、または、前記個片化工程の後に実行される、付記１から付記８のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【0075】
（付記１０）
前記識別工程は、
前記画像と、前記試験結果における前記複数の半導体チップの前記配置情報とに基づいて、前記基点の周辺の予め定められた範囲における半導体チップの有無を照合し、前記予め定められた範囲における基準チップを特定する第１識別工程と、
前記基準チップを基準として、前記切断加工済み半導体ウエハにおける前記良品半導体チップおよび前記不良品半導体チップのうち少なくとも一方の位置を識別する第２識別工程と、を含む、付記１から付記９のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
前記識別工程は、
前記画像と、前記試験結果における前記複数の半導体チップの前記配置情報とに基づいて、前記基点の周辺の予め定められた範囲における半導体チップの有無を照合し、前記予め定められた範囲における基準チップを特定する第１識別工程と、
前記基準チップを基準として、前記切断加工済み半導体ウエハにおける前記良品半導体チップおよび前記不良品半導体チップのうち少なくとも一方の位置を識別する第２識別工程と、を含む、付記１から付記９のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【0076】
（付記１１）
前記試験結果は、前記良品半導体チップおよび前記不良品半導体チップのうち少なくとも一方についての前記半導体ウエハにおける位置情報を有するウエハマップデータを含む、付記１から付記１０のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
前記試験結果は、前記良品半導体チップおよび前記不良品半導体チップのうち少なくとも一方についての前記半導体ウエハにおける位置情報を有するウエハマップデータを含む、付記１から付記１０のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【0077】
（付記１２）
半導体ウエハに形成された複数の半導体チップに対して行われた電気的試験の試験結果であって、前記複数の半導体チップの配置情報に関連付けられた前記試験結果を取得するデータ取得部と、
前記半導体ウエハ内に設定される基点を基準に、前記半導体ウエハを切断して、切断加工済み半導体ウエハを形成する切断部と、
前記切断加工済み半導体ウエハの外観情報と、切断加工前の前記半導体ウエハの前記試験結果とに基づいて、前記切断加工済み半導体ウエハにおける良品半導体チップおよび不良品半導体チップのうち少なくとも一方を識別する識別部と、を備え、
前記切断加工済み半導体ウエハは、２以上の半導体チップを含み、
前記外観情報は、前記基点を含む領域の画像である、半導体製造装置。
半導体ウエハに形成された複数の半導体チップに対して行われた電気的試験の試験結果であって、前記複数の半導体チップの配置情報に関連付けられた前記試験結果を取得するデータ取得部と、
前記半導体ウエハ内に設定される基点を基準に、前記半導体ウエハを切断して、切断加工済み半導体ウエハを形成する切断部と、
前記切断加工済み半導体ウエハの外観情報と、切断加工前の前記半導体ウエハの前記試験結果とに基づいて、前記切断加工済み半導体ウエハにおける良品半導体チップおよび不良品半導体チップのうち少なくとも一方を識別する識別部と、を備え、
前記切断加工済み半導体ウエハは、２以上の半導体チップを含み、
前記外観情報は、前記基点を含む領域の画像である、半導体製造装置。
【0078】
（付記１３）
前記画像は、前記切断加工済み半導体ウエハにおける前記基点の周辺の半導体チップと、前記基点を基準にして切断された切断区画と、を含む、付記１２に記載の半導体製造装置。
前記画像は、前記切断加工済み半導体ウエハにおける前記基点の周辺の半導体チップと、前記基点を基準にして切断された切断区画と、を含む、付記１２に記載の半導体製造装置。
【0079】
（付記１４）
前記複数の半導体チップは、前記半導体ウエハの表面における第１方向および前記第１方向に対して直交する第２方向に沿って行列状に配置されており、
前記切断加工済み半導体ウエハにおける切断面は、前記基点から前記第１方向および前記第２方向に形成されている、付記１２または付記１３に記載の半導体製造装置。
前記複数の半導体チップは、前記半導体ウエハの表面における第１方向および前記第１方向に対して直交する第２方向に沿って行列状に配置されており、
前記切断加工済み半導体ウエハにおける切断面は、前記基点から前記第１方向および前記第２方向に形成されている、付記１２または付記１３に記載の半導体製造装置。
【0080】
（付記１５）
前記識別部は、
前記画像と、前記試験結果における前記複数の半導体チップの前記配置情報とに基づいて、前記基点の周辺の予め定められた範囲における半導体チップの有無を照合し、前記予め定められた範囲における基準チップを特定する第１識別部と、
前記基準チップを基準として、前記切断加工済み半導体ウエハにおける前記良品半導体チップおよび前記不良品半導体チップのうち少なくとも一方の位置を識別する第２識別部と、を含む、付記１２から付記１４のいずれか１項に記載の半導体製造装置。
前記識別部は、
前記画像と、前記試験結果における前記複数の半導体チップの前記配置情報とに基づいて、前記基点の周辺の予め定められた範囲における半導体チップの有無を照合し、前記予め定められた範囲における基準チップを特定する第１識別部と、
前記基準チップを基準として、前記切断加工済み半導体ウエハにおける前記良品半導体チップおよび前記不良品半導体チップのうち少なくとも一方の位置を識別する第２識別部と、を含む、付記１２から付記１４のいずれか１項に記載の半導体製造装置。
【0081】
（付記１６）
前記試験結果は、前記良品半導体チップおよび前記不良品半導体チップのうち少なくとも一方についての前記半導体ウエハにおける位置情報を有するウエハマップデータを含む、付記１２から付記１５のいずれか１項に記載の半導体製造装置。
前記試験結果は、前記良品半導体チップおよび前記不良品半導体チップのうち少なくとも一方についての前記半導体ウエハにおける位置情報を有するウエハマップデータを含む、付記１２から付記１５のいずれか１項に記載の半導体製造装置。
【0082】
（付記１７）
プローブを含み、前記複数の半導体チップの各々に対して、前記プローブを介して電流または電圧を印加して電気特性を評価することにより、前記電気的試験を行うウエハテスト部と、
前記半導体ウエハを、前記ウエハテスト部と前記切断部との間で移動させる移載部と、をさらに備え、
前記切断部は、
前記半導体ウエハを切断するＹＡＧレーザと、
前記外観情報として、前記画像を撮影するカメラと、を含む、付記１２から付記１６のいずれか１項に記載の半導体製造装置。
プローブを含み、前記複数の半導体チップの各々に対して、前記プローブを介して電流または電圧を印加して電気特性を評価することにより、前記電気的試験を行うウエハテスト部と、
前記半導体ウエハを、前記ウエハテスト部と前記切断部との間で移動させる移載部と、をさらに備え、
前記切断部は、
前記半導体ウエハを切断するＹＡＧレーザと、
前記外観情報として、前記画像を撮影するカメラと、を含む、付記１２から付記１６のいずれか１項に記載の半導体製造装置。
【符号の説明】
【0083】
１ 半導体チップ、１Ａ 不良品半導体チップ、２ ダイシングライン、３ 有効領域、４ 無効領域、５ 基点、６ 切断区画、６Ａ 第１切断区画、６Ｂ 第２切断区画、７ 基準チップ、７Ａ 仮基準チップ、８Ａ 第１境界部、８Ｂ 第２境界部、９Ａ 第１仮想線、９Ｂ 第２仮想線、１０ 半導体ウエハ、１０Ａ リム部、１０Ｂ 中央部、１１～１５ 切断加工済み半導体ウエハ、２０ ウエハテスト部、２１ テストプローバ、３０ データ取得部、４０ 移載部、５０ 設定部、６０ 切断部、６１ レーザ発振器、６２ カメラ、７０ 識別部、７１ 第１識別部、７２ 第２識別部、１００ 半導体製造装置。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】