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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024171533
(43)【公開日】2024-12-12
(54)【発明の名称】弾性波デバイス
(51)【国際特許分類】
H03H 9/25 20060101AFI20241205BHJP
H01L 23/34 20060101ALI20241205BHJP
【ＦＩ】
H03H9/25 A
H01L23/34 A
【審査請求】未請求
【請求項の数】8
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023088591
(22)【出願日】2023-05-30
(71)【出願人】
【識別番号】518453730
【氏名又は名称】三安ジャパンテクノロジー株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100098202
【弁理士】
【氏名又は名称】中村 信彦
(72)【発明者】
【氏名】門川 裕
(72)【発明者】
【氏名】中村 浩
(72)【発明者】
【氏名】塩井 伸一
【テーマコード（参考）】
5F136
5J097
【Ｆターム（参考）】
5F136BB13
5F136DA11
5J097AA24
5J097BB02
5J097BB11
5J097DD19
5J097DD28
5J097EE08
5J097FF04
5J097HA04
5J097JJ06
5J097JJ09
5J097KK10
(57)【要約】
【課題】ＷＬＰ構造の弾性波デバイスにおいて、これを構成するデバイスチップ２の放熱性を合理的に向上可能な新しい構造を提供する。
【解決手段】デバイスチップ２の一面２ａ上に形成された第１メタルパターン３と、第１メタルパターン３よりも大きい厚みを持った第２メタルパターン４と、第２メタルパターン４上に形成されてデバイスチップ２の一面２ａ及び第２メタルパターン４と共働して共振器１１の封止空間１０を形成させる樹脂製の第１ルーフ部分５と、第１ルーフ部分５上に形成されたルーフ内金属層７と、ルーフ内金属層７を第１ルーフ部分５との間に位置させるようにして第１ルーフ部分５上に形成された樹脂製の第２ルーフ部分６と、第２ルーフ部分６を貫通する放熱用通過穴６ｃを利用して形成されると共に、ルーフ内金属層７に接合させた内端部９ａと第２ルーフ部分６から突き出す外端部９ｂとを備えた放熱用半田バンプ９とを備える。
【選択図】図２
【解決手段】デバイスチップ２の一面２ａ上に形成された第１メタルパターン３と、第１メタルパターン３よりも大きい厚みを持った第２メタルパターン４と、第２メタルパターン４上に形成されてデバイスチップ２の一面２ａ及び第２メタルパターン４と共働して共振器１１の封止空間１０を形成させる樹脂製の第１ルーフ部分５と、第１ルーフ部分５上に形成されたルーフ内金属層７と、ルーフ内金属層７を第１ルーフ部分５との間に位置させるようにして第１ルーフ部分５上に形成された樹脂製の第２ルーフ部分６と、第２ルーフ部分６を貫通する放熱用通過穴６ｃを利用して形成されると共に、ルーフ内金属層７に接合させた内端部９ａと第２ルーフ部分６から突き出す外端部９ｂとを備えた放熱用半田バンプ９とを備える。
【選択図】図２
【特許請求の範囲】
【請求項1】
デバイスチップと、
前記デバイスチップの一面上に形成されると共に、共振器となるパターンを含む第１メタルパターンと、
前記デバイスチップの前記一面上に形成されると共に、いずれの位置でも前記第１メタルパターンよりも大きい所定の厚みを持つように形成され、かつ、信号入出力用端子、前記信号入出力端子と前記共振器を接続する配線、前記複数の共振器同士を接続する配線およびグランド配線となるパターンを含む第２メタルパターンと、
前記第２メタルパターン上に形成されて、前記デバイスチップの前記一面及び前記第２メタルパターンと共働して前記共振器の封止空間を形成させる樹脂製の第１ルーフ部分と、
前記第１ルーフ部分上に形成されたルーフ内金属層と、
前記ルーフ内金属層を前記第１ルーフ部分との間に位置させるようにして前記第１ルーフ部分上に形成された樹脂製の第２ルーフ部分と、
前記第２ルーフ部分を貫通する放熱用通過穴を利用して形成されると共に、前記ルーフ内金属層に接合させた内端部と前記第２ルーフ部分から突き出す外端部とを備えた二以上の放熱用半田バンプとを備えてなる、弾性波デバイス。
前記デバイスチップの一面上に形成されると共に、共振器となるパターンを含む第１メタルパターンと、
前記デバイスチップの前記一面上に形成されると共に、いずれの位置でも前記第１メタルパターンよりも大きい所定の厚みを持つように形成され、かつ、信号入出力用端子、前記信号入出力端子と前記共振器を接続する配線、前記複数の共振器同士を接続する配線およびグランド配線となるパターンを含む第２メタルパターンと、
前記第２メタルパターン上に形成されて、前記デバイスチップの前記一面及び前記第２メタルパターンと共働して前記共振器の封止空間を形成させる樹脂製の第１ルーフ部分と、
前記第１ルーフ部分上に形成されたルーフ内金属層と、
前記ルーフ内金属層を前記第１ルーフ部分との間に位置させるようにして前記第１ルーフ部分上に形成された樹脂製の第２ルーフ部分と、
前記第２ルーフ部分を貫通する放熱用通過穴を利用して形成されると共に、前記ルーフ内金属層に接合させた内端部と前記第２ルーフ部分から突き出す外端部とを備えた二以上の放熱用半田バンプとを備えてなる、弾性波デバイス。
【請求項2】
前記第１ルーフ部分を、非感光性で、かつ、前記第２ルーフ部分を構成する樹脂よりも熱伝導率が高い樹脂から構成させてなる、請求項１に記載の弾性波デバイス。
【請求項3】
前記第１ルーフ部分の厚みを、前記第２ルーフ部分の厚みよりも小さくさせてなる、請求項１に記載の弾性波デバイス。
【請求項4】
前記グランド配線を、前記第１メタルパターン、前記信号入出力用端子、前記信号入出力端子と前記共振器を接続する配線、および、前記複数の共振器同士を接続する配線を囲うように配置させてなる、請求項１に記載の弾性波デバイス。
【請求項5】
前記ルーフ内金属層の一部は、前記信号入出力用端子に対し前記第１ルーフ部分を貫通するビアを通じて電気的に接続されており、
前記第２ルーフ部分を貫通する接続用通過穴を利用して形成されると共に、前記ルーフ内金属層の前記一部に接合させた内端部と前記第２ルーフ部分から突き出す外端部とを備えた外部接続用半田バンプを備えてなる、請求項１に記載の弾性波デバイス。
前記第２ルーフ部分を貫通する接続用通過穴を利用して形成されると共に、前記ルーフ内金属層の前記一部に接合させた内端部と前記第２ルーフ部分から突き出す外端部とを備えた外部接続用半田バンプを備えてなる、請求項１に記載の弾性波デバイス。
【請求項6】
前記第１ルーフ部分及び前記第２ルーフ部分を貫通する接続用通過穴を利用して形成されると共に、前記信号入出力用端子に接合させた内端部と前記第２ルーフ部分から突き出す外端部とを備えた外部接続用半田バンプを備えてなる、請求項１に記載の弾性波デバイス。
【請求項7】
前記ルーフ内金属層を、複数の貫通穴を持つように形成させてなる、請求項１に記載の弾性波デバイス。
【請求項8】
前記ルーフ内金属層を、メッシュ状をなすように形成させてなる、請求項１に記載の弾性波デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
この発明は、モバイル通信機器などにおいて周波数フィルタなどとして使用するのに適した弾性波デバイスの改良に関する。
【背景技術】
【0002】
ＷＬＰ（Wafer Level Package）構造を有する弾性波(Surface Acoustic Wave/SAW)デバイスは、特許文献１に示される構造を持つ。
この特許文献１のものは、デバイスチップの一面上にカバーを設けると共に、このカバーにより形成された内部空間内に前記一面に形成させたＩＤＴ電極が位置されるようになっている。
ここで、弾性波デバイスへの信号の入力によりデバイスチップには熱が生じるが、デバイスチップを構成する圧電体は熱伝導率が低く放熱性が悪い。圧電体として利用されるタンタル酸リチウムやニオブ酸リチウムの熱伝導率は約４から６Ｗ／ｍＫ程度である。
この特許文献１のものは、デバイスチップの一面上にカバーを設けると共に、このカバーにより形成された内部空間内に前記一面に形成させたＩＤＴ電極が位置されるようになっている。
ここで、弾性波デバイスへの信号の入力によりデバイスチップには熱が生じるが、デバイスチップを構成する圧電体は熱伝導率が低く放熱性が悪い。圧電体として利用されるタンタル酸リチウムやニオブ酸リチウムの熱伝導率は約４から６Ｗ／ｍＫ程度である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２００２－２１７６７３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
この発明が解決しようとする主たる問題点は、この種のＷＬＰ構造の弾性波デバイスにおいて、これを構成するデバイスチップの放熱性を合理的に向上可能な新しい構造を提供する点にある。
【課題を解決するための手段】
【0005】
前記課題を達成するために、この発明にあっては、第一の観点から、弾性波デバイスを、
デバイスチップと、
前記デバイスチップの一面上に形成されると共に、共振器となるパターンを含む第１メタルパターンと、
前記デバイスチップの前記一面上に形成されると共に、いずれの位置でも前記第１メタルパターンよりも大きい所定の厚みを持つように形成され、かつ、信号入出力用端子、前記信号入出力端子と前記共振器を接続する配線、前記複数の共振器同士を接続する配線およびグランド配線となるパターンを含む第２メタルパターンと、
前記第２メタルパターン上に形成されて、前記デバイスチップの前記一面及び前記第２メタルパターンと共働して前記共振器の封止空間を形成させる樹脂製の第１ルーフ部分と、
前記第１ルーフ部分上に形成されたルーフ内金属層と、
前記ルーフ内金属層を前記第１ルーフ部分との間に位置させるようにして前記第１ルーフ部分上に形成された樹脂製の第２ルーフ部分と、
前記第２ルーフ部分を貫通する放熱用通過穴を利用して形成されると共に、前記ルーフ内金属層に接合させた内端部と前記第２ルーフ部分から突き出す外端部とを備えた二以上の放熱用半田バンプとを備えてなる、ものとした。
デバイスチップと、
前記デバイスチップの一面上に形成されると共に、共振器となるパターンを含む第１メタルパターンと、
前記デバイスチップの前記一面上に形成されると共に、いずれの位置でも前記第１メタルパターンよりも大きい所定の厚みを持つように形成され、かつ、信号入出力用端子、前記信号入出力端子と前記共振器を接続する配線、前記複数の共振器同士を接続する配線およびグランド配線となるパターンを含む第２メタルパターンと、
前記第２メタルパターン上に形成されて、前記デバイスチップの前記一面及び前記第２メタルパターンと共働して前記共振器の封止空間を形成させる樹脂製の第１ルーフ部分と、
前記第１ルーフ部分上に形成されたルーフ内金属層と、
前記ルーフ内金属層を前記第１ルーフ部分との間に位置させるようにして前記第１ルーフ部分上に形成された樹脂製の第２ルーフ部分と、
前記第２ルーフ部分を貫通する放熱用通過穴を利用して形成されると共に、前記ルーフ内金属層に接合させた内端部と前記第２ルーフ部分から突き出す外端部とを備えた二以上の放熱用半田バンプとを備えてなる、ものとした。
【0006】
前記第１ルーフ部分を、非感光性で、かつ、前記第２ルーフ部分を構成する樹脂よりも熱伝導率が高い樹脂から構成させることが、この発明の態様の一つとされる。
【0007】
また、前記第１ルーフ部分の厚みを、前記第２ルーフ部分の厚みよりも小さくさせることが、この発明の態様の一つとされる。
【0008】
また、前記グランド配線を、前記第１メタルパターン、前記信号入出力用端子、前記信号入出力端子と前記共振器を接続する配線、および、前記複数の共振器同士を接続する配線を囲うように配置させるようにすることが、この発明の態様の一つとされる。
【0009】
また、前記ルーフ内金属層の一部は、前記信号入出力用端子に対し前記第１ルーフ部分を貫通するビアを通じて電気的に接続されており、
前記第２ルーフ部分を貫通する接続用通過穴を利用して形成されると共に、前記ルーフ内金属層の前記一部に接合させた内端部と前記第２ルーフ部分から突き出す外端部とを備えた外部接続用半田バンプを備えさせるようにすることが、この発明の態様の一つとされる。
前記第２ルーフ部分を貫通する接続用通過穴を利用して形成されると共に、前記ルーフ内金属層の前記一部に接合させた内端部と前記第２ルーフ部分から突き出す外端部とを備えた外部接続用半田バンプを備えさせるようにすることが、この発明の態様の一つとされる。
【0010】
また、前記第１ルーフ部分及び前記第２ルーフ部分を貫通する接続用通過穴を利用して形成されると共に、前記信号入出力用端子に接合させた内端部と前記第２ルーフ部分から突き出す外端部とを備えた外部接続用半田バンプを備えさせるようにすることが、この発明の態様の一つとされる。
【0011】
また、前記ルーフ内金属層を、複数の貫通穴を持つように形成させることが、この発明の態様の一つとされる。
【0012】
また、前記ルーフ内金属層を、メッシュ状をなすように形成させることが、この発明の態様の一つとされる。
【発明の効果】
【0013】
この発明にあっては、前記放熱用半田バンプを利用して、前記デバイスチップの放熱性を合理的に向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【0014】
【発明を実施するための形態】
【0015】
以下、図１～図１９に基づいて、この発明の典型的な実施の形態について、説明する。この実施の形態にかかる弾性波デバイス１は、モバイル通信機器などにおいて周波数フィルタなどとして使用するのに適したものである。
【0016】
かかる弾性波デバイス１は、デバイスチップ２と、 第１メタルパターン３と、第２メタルパターン４と、第１ルーフ部分５と、ルーフ内金属層７と、第２ルーフ部分６と、外部接続用半田バンプ８と、放熱用半田バンプ９とを備えたものとなっている。
デバイスチップ２の一面２ａ上に、 第１メタルパターン３が形成されている。また、デバイスチップ２の一面２ａ上には、第１メタルパターン３以上の厚みの第２メタルパターン４が形成されている。
第２メタルパターン４は、デバイスチップ２の一面２ａと側面２ｂとが接し合うデバイスチップ２の外縁部２ｃに形成されてデバイスチップ２の一面２ａにおけるこの外縁部２ｃの内方をデバイスチップ２の主要面部２ｄ（弾性波デバイス１としての機能を発揮する面部）として囲繞する外側部分４ａ（図１及び図２参照）と、主要面部２ｄにおける第１メタルパターン３の形成領域以外の領域に形成されて主として配線１３として機能する仕切り壁状の内側部分４ｂとを備えている。
第２メタルパターン４の内側部分４ｂの一部は第１メタルパターン３の一部に重ね合わされるように形成されて、第１メタルパターン３に接続されるようにする場合もある。
第１ルーフ部分５は、その内面５ａを、第２メタルパターン４におけるデバイスチップ２の一面２ａに固着された第一端４ｃと反対の第二端４ｄに固着させて、第２メタルパターン４上に支持されている。
デバイスチップ２の一面２ａ上には、前記主要面部２ｄと、第２メタルパターン４の外側部分４ａと、第１ルーフ部分５とによって、封止空間１０（キャビティ、中空構造部）が形成され、この封止空間１０内に第１メタルパターン３によって形成される後述の共振器１１が配される。
デバイスチップ２の一面２ａ上に、 第１メタルパターン３が形成されている。また、デバイスチップ２の一面２ａ上には、第１メタルパターン３以上の厚みの第２メタルパターン４が形成されている。
第２メタルパターン４は、デバイスチップ２の一面２ａと側面２ｂとが接し合うデバイスチップ２の外縁部２ｃに形成されてデバイスチップ２の一面２ａにおけるこの外縁部２ｃの内方をデバイスチップ２の主要面部２ｄ（弾性波デバイス１としての機能を発揮する面部）として囲繞する外側部分４ａ（図１及び図２参照）と、主要面部２ｄにおける第１メタルパターン３の形成領域以外の領域に形成されて主として配線１３として機能する仕切り壁状の内側部分４ｂとを備えている。
第２メタルパターン４の内側部分４ｂの一部は第１メタルパターン３の一部に重ね合わされるように形成されて、第１メタルパターン３に接続されるようにする場合もある。
第１ルーフ部分５は、その内面５ａを、第２メタルパターン４におけるデバイスチップ２の一面２ａに固着された第一端４ｃと反対の第二端４ｄに固着させて、第２メタルパターン４上に支持されている。
デバイスチップ２の一面２ａ上には、前記主要面部２ｄと、第２メタルパターン４の外側部分４ａと、第１ルーフ部分５とによって、封止空間１０（キャビティ、中空構造部）が形成され、この封止空間１０内に第１メタルパターン３によって形成される後述の共振器１１が配される。
【0017】
典型的には、前記デバイスチップ２は、一辺を０．５ないし１ｍｍとし、厚さを０．１５ないし０．２ｍｍとする四角形（図示の例では長方形）の板状をなすように構成される。
また、典型的には、第１メタルパターン３は、前記デバイスチップ２の一面２ａに直交する向きの厚さ（デバイスチップ２の一面２ａを基準とした第１メタルパターン３の高さ）を０．１ないし０．５μｍとするように構成される。
また、典型的には、第２メタルパターン４は、前記デバイスチップ２の一面２ａに直交する向きの厚さを３ないし５μｍとするように構成される。
また、典型的には、第１ルーフ部分５は、厚さを１５ないし３５μｍとするように構成される。
また、この第１ルーフ部分５上に後述のルーフ内金属層７を挟んで形成される後述の第２ルーフ部分６は、厚さを１５ないし３５μｍとするように構成される。
これらから構成される弾性波デバイス１は、典型的には、厚さを０．２５ないし０．３５ｍｍ程度とする。
また、典型的には、第１メタルパターン３は、前記デバイスチップ２の一面２ａに直交する向きの厚さ（デバイスチップ２の一面２ａを基準とした第１メタルパターン３の高さ）を０．１ないし０．５μｍとするように構成される。
また、典型的には、第２メタルパターン４は、前記デバイスチップ２の一面２ａに直交する向きの厚さを３ないし５μｍとするように構成される。
また、典型的には、第１ルーフ部分５は、厚さを１５ないし３５μｍとするように構成される。
また、この第１ルーフ部分５上に後述のルーフ内金属層７を挟んで形成される後述の第２ルーフ部分６は、厚さを１５ないし３５μｍとするように構成される。
これらから構成される弾性波デバイス１は、典型的には、厚さを０．２５ないし０．３５ｍｍ程度とする。
【0018】
かかる弾性波デバイス１は、前記デバイスチップ２の前記一面２ａに直交する向きから見た状態において正方形又は長方形の四角形状の輪郭を持つようなっている。
すなわち、かかる弾性波デバイス１は、前記四角形状の二つの面１ａと、この二つの面１ａ間に亘る四つの側面１ｂとを備えた扁平の六面体状を呈する。
なお、各図においては、弾性波デバイス１の構成を理解しやすいように、その構成要素の厚さは誇張して表している。
すなわち、かかる弾性波デバイス１は、前記四角形状の二つの面１ａと、この二つの面１ａ間に亘る四つの側面１ｂとを備えた扁平の六面体状を呈する。
なお、各図においては、弾性波デバイス１の構成を理解しやすいように、その構成要素の厚さは誇張して表している。
【0019】
デバイスチップ２は、弾性波を伝搬させる機能を持つ。デバイスチップ２には、典型的には、圧電体としてタンタル酸リチウムやニオブ酸リチウムが用いられ、また、デバイスチップ２は、これらにサファイア、シリコン、アルミナ、スピネル、水晶またはガラスなどを積層させて、構成される場合もある。
【0020】
第１メタルパターン３は、前記デバイスチップ２の一面２ａ上に形成されると共に、いずれの位置でも所定の厚みを持つように形成され、かつ、共振器１１となるパターンを含む。
図４に共振器１１の構成の一例を示す。共振器１１はＩＤＴ電極１１ｃと、ＩＤＴ電極１１ｃを挟むようにして形成される反射器１１ｄとを有する。ＩＤＴ電極１１ｃは、電極対からなり、各電極対は弾性波の伝搬方向ｘに長さ方向を交叉させるように平行配列された複数の電極指１１ｅ同士をこれらの一端側においてバスバー１１ｆで接続させてなる。反射器１１ｄは、弾性波の伝搬方向ｘに長さ方向を交叉させるように平行配列された複数の電極指１１ｇの端部間をバスバー１１ｈで接続させてなる。
第１メタルパターン３は、典型的には、フォトリソグラフィ技術により形成された導電性金属膜によって構成される。
図４に共振器１１の構成の一例を示す。共振器１１はＩＤＴ電極１１ｃと、ＩＤＴ電極１１ｃを挟むようにして形成される反射器１１ｄとを有する。ＩＤＴ電極１１ｃは、電極対からなり、各電極対は弾性波の伝搬方向ｘに長さ方向を交叉させるように平行配列された複数の電極指１１ｅ同士をこれらの一端側においてバスバー１１ｆで接続させてなる。反射器１１ｄは、弾性波の伝搬方向ｘに長さ方向を交叉させるように平行配列された複数の電極指１１ｇの端部間をバスバー１１ｈで接続させてなる。
第１メタルパターン３は、典型的には、フォトリソグラフィ技術により形成された導電性金属膜によって構成される。
【0021】
第２メタルパターン４は、図１および図２に示されるように、前記デバイスチップ２の前記一面２ａ上に形成されると共に、いずれの位置でも前記第１メタルパターン３よりも大きい所定の厚みを持つように形成され、かつ、信号入出力用端子１２、前記信号入出力用端子１２と前記共振器１１とを接続する配線１３ａ、前記複数の共振器１１同士を接続する配線１３ｂおよびグランド配線１３ｃとなるパターンを含む。
図示の例では、第２メタルパターン４の外側部分４ａは、デバイスチップ２の外縁部２ｃのやや内側にあって、この外縁部２ｃに実質的に平行をなす外壁面４ｅを有している。この外壁面４ｅより内側が前記主要面部２ｄとなる。
図示の例では、デバイスチップ２の四隅においてそれぞれ、第２メタルパターン４によって前記信号入出力用端子１２として機能する第一部分４ｆが形成されている。
また、この第一部分４ｆと共振器１１との間に前記配線１３ａとして機能する第二部分４ｇが形成されている。
また、隣り合う共振器１１間に前記配線１３ｂとして機能する第三部分４ｈが形成されている。
かかる第２メタルパターン４も、典型的には、フォトリソグラフィ技術により形成された導電性金属膜によって構成される。
図示の例では、第２メタルパターン４の外側部分４ａは、デバイスチップ２の外縁部２ｃのやや内側にあって、この外縁部２ｃに実質的に平行をなす外壁面４ｅを有している。この外壁面４ｅより内側が前記主要面部２ｄとなる。
図示の例では、デバイスチップ２の四隅においてそれぞれ、第２メタルパターン４によって前記信号入出力用端子１２として機能する第一部分４ｆが形成されている。
また、この第一部分４ｆと共振器１１との間に前記配線１３ａとして機能する第二部分４ｇが形成されている。
また、隣り合う共振器１１間に前記配線１３ｂとして機能する第三部分４ｈが形成されている。
かかる第２メタルパターン４も、典型的には、フォトリソグラフィ技術により形成された導電性金属膜によって構成される。
【0022】
図５に、前記第１メタルパターン３及び第２メタルパターン４によって一つのデバイスチップ２上に備えられる回路の一例の概念を示す。符号１１ａは信号入出力用端子１２間に直列に接続された共振器１１、符号１１ｂは信号入出力用端子１２間に並列に接続された共振器１１、符号１４はインダクタ、符号１５はグランドを示す。共振器１１の数や配置は必要に応じて変更される。すなわち、図５の回路によってラダー型フィルタが構成されるようになっている。
【0023】
図示の例では、前記のような回路におけるグランド１５に接続されるグランド配線１３ｃを、前記第１メタルパターン３、前記信号入出力用端子１２、前記信号入出力用端子１２と前記共振器１１を接続する配線１３ａ、および、前記複数の共振器１１同士を接続する配線１３ｂを囲うように配置させている。
前記グランド配線１３ｃは、前記のような回路における共振器１１とグランド１５とを間に他の共振器１１を介在させることなく結ぶ配線１３である。
図示の例では、図１に示されるように、第２メタルパターン４の外側部分４ａをグランド配線１３ｃとして機能させるようにしている。
前記グランド配線１３ｃは、前記のような回路における共振器１１とグランド１５とを間に他の共振器１１を介在させることなく結ぶ配線１３である。
図示の例では、図１に示されるように、第２メタルパターン４の外側部分４ａをグランド配線１３ｃとして機能させるようにしている。
【0024】
また、後述のルーフ内金属層７の少なくとも一部を前記インダクタ１４として機能させるようにしておくこともある。この場合、前記インダクタ１４の一端は、共振器１１とインダクタ１４とを結ぶ配線に対し前記第１ルーフ部分５を貫通するビア５ｃおよび配線体１７を通じて電気的に接続され、前記インダクタ１４の他端は前記付随部７ｂのうちのグランド１５と接続される部分（図示は省略する。）に接続されるようにする。
【0025】
前記第１ルーフ部分５は、絶縁性の樹脂から構成される。前記第１ルーフ部分５は、前記第２メタルパターン４上に形成されて、前記デバイスチップ２の前記一面２ａ及び前記第２メタルパターン４と共働して前記共振器１１の封止空間１０を形成させる。
前記第１ルーフ部分５は、非感光性で、かつ、前記第２ルーフ部分６を構成する樹脂よりも熱伝導率が高い樹脂から構成することが好ましい。このような樹脂としては、熱伝導率の高い物質からなるフィラーを、基材となる樹脂に対して７０ｗｔ％ないし９０ｗｔ％の範囲で含ませるようにしたものが用いられる。かかるフィラーは典型的には直径１０μｍ前後の粒状体として構成される。
具体的には、前記第１ルーフ部分５を構成する樹脂としては、フィラーを含有するエポキシ系樹脂や、フィラーを含有するフェノール系樹脂を用いることができる。フィラーとしては、典型的には、アルミナ、窒化アルミ、粉末ダイヤモンドを用いることができる。
前記第１ルーフ部分５は、デバイスチップ２の一面２ａに実質的に平行な内面５ａ及びこれに対向する外面５ｂを有する。図示の例では、第１ルーフ部分５はデバイスチップ２と実質的に同じ形状と大きさを持った板状をなしている。第１ルーフ部分５の内面５ａとデバイスチップ２の一面２ａとの間には前記第２メタルパターン４の厚さ分のギャップが形成され、このギャップは第２メタルパターン４の外側部分４ａによって気密封止されて前記封止空間１０が形成される。
前記第１ルーフ部分５は、非感光性で、かつ、前記第２ルーフ部分６を構成する樹脂よりも熱伝導率が高い樹脂から構成することが好ましい。このような樹脂としては、熱伝導率の高い物質からなるフィラーを、基材となる樹脂に対して７０ｗｔ％ないし９０ｗｔ％の範囲で含ませるようにしたものが用いられる。かかるフィラーは典型的には直径１０μｍ前後の粒状体として構成される。
具体的には、前記第１ルーフ部分５を構成する樹脂としては、フィラーを含有するエポキシ系樹脂や、フィラーを含有するフェノール系樹脂を用いることができる。フィラーとしては、典型的には、アルミナ、窒化アルミ、粉末ダイヤモンドを用いることができる。
前記第１ルーフ部分５は、デバイスチップ２の一面２ａに実質的に平行な内面５ａ及びこれに対向する外面５ｂを有する。図示の例では、第１ルーフ部分５はデバイスチップ２と実質的に同じ形状と大きさを持った板状をなしている。第１ルーフ部分５の内面５ａとデバイスチップ２の一面２ａとの間には前記第２メタルパターン４の厚さ分のギャップが形成され、このギャップは第２メタルパターン４の外側部分４ａによって気密封止されて前記封止空間１０が形成される。
【0026】
前記ルーフ内金属層７は、前記第１ルーフ部分５の外面５ｂ上に形成されている。
図３に示されるように、ルーフ内金属層７は、前記共振器１１の形成領域上に形成されてこの形成領域の全体を実質的に覆う大きさの主要部７ａと、前記信号入出力用端子１２上に形成された付随部７ｂとを備える。
図示の例では、主要部７ａと付随部７ｂとは分断されている。図５に示されるような回路においては付随部７ｂの一部をインダクタ１４とすることとなる。また、ルーフ内金属層７は第１ルーフ部分５及び第２ルーフ部分６より薄く膜状をなしている。
ルーフ内金属層７は、典型的には、リフトオフによって形成される。
図３に示されるように、ルーフ内金属層７は、前記共振器１１の形成領域上に形成されてこの形成領域の全体を実質的に覆う大きさの主要部７ａと、前記信号入出力用端子１２上に形成された付随部７ｂとを備える。
図示の例では、主要部７ａと付随部７ｂとは分断されている。図５に示されるような回路においては付随部７ｂの一部をインダクタ１４とすることとなる。また、ルーフ内金属層７は第１ルーフ部分５及び第２ルーフ部分６より薄く膜状をなしている。
ルーフ内金属層７は、典型的には、リフトオフによって形成される。
【0027】
前記第２ルーフ部分６は、前記ルーフ内金属層７を前記第１ルーフ部分５との間に位置させるようにして前記第１ルーフ部分５上に形成されている。第２ルーフ部分６は絶縁性の樹脂から構成される。
また、第２ルーフ部分６は感光性樹脂から構成することが好ましい。
第２ルーフ部分６は、第１ルーフ部分５の外面５ｂに固着された内面６ａとこれに対向する外面６ｂとを有し、ルーフ内金属層７を覆い隠し、かつ、第１ルーフ部分５の外面５ｂの全体を被覆するように形成されている。
また、第２ルーフ部分６は感光性樹脂から構成することが好ましい。
第２ルーフ部分６は、第１ルーフ部分５の外面５ｂに固着された内面６ａとこれに対向する外面６ｂとを有し、ルーフ内金属層７を覆い隠し、かつ、第１ルーフ部分５の外面５ｂの全体を被覆するように形成されている。
【0028】
前記第１ルーフ部分５、ルーフ内金属層７、および、第２ルーフ部分６の三者から、ルーフ１６が形成される。
なお、前記第１ルーフ部分５の厚みは、前記第２ルーフ部分６の厚みよりも小さくさせておくことが好ましい。このようにしておけば、第２ルーフ部分６によってルーフ１６の厚さを大きくさせてその剛性を確保しつつ、デバイスチップの一面とルーフ内金属層７との間の距離を最小化して後述の第１経路Ｌ１及び第２経路Ｌ２を通じた放熱効率を向上させることができる。
なお、前記第１ルーフ部分５の厚みは、前記第２ルーフ部分６の厚みよりも小さくさせておくことが好ましい。このようにしておけば、第２ルーフ部分６によってルーフ１６の厚さを大きくさせてその剛性を確保しつつ、デバイスチップの一面とルーフ内金属層７との間の距離を最小化して後述の第１経路Ｌ１及び第２経路Ｌ２を通じた放熱効率を向上させることができる。
【0029】
図１ないし図５に示される第一例にあっては、前記ルーフ内金属層７の一部としての前記付随部７ｂは、前記信号入出力用端子１２に対し前記第１ルーフ部分５を貫通するビア５ｃを通じて電気的に接続されている。
第一例では、第１ルーフ部分５に信号入出力用端子１２を穴底に位置させるビア５ｃが形成されており、このビア５ｃ内に形成される配線体１７がこのビア５ｃ上に位置される付随部７ｂに接続されている。
第一例にあっては、外部接続用半田バンプ８は、前記第２ルーフ部分６を貫通する接続用通過穴６ｃを利用して形成されると共に、前記ルーフ内金属層７の前記一部としての付随部７ｂに接合させた内端部８ａと前記第２ルーフ部分６から突き出す外端部８ｂとを備えている。
前記接続用通過穴６ｃは、ルーフ内金属層７の付随部７ｂの直上において、前記第２ルーフ部分６に形成されており、接続用通過穴６ｃの穴底は前記付随部７ｂとなっている。
図示の例では、接続用通過穴６ｃは、第２ルーフ部分６の内面６ａ側に向かうにつれて穴径を漸減させるように構成されており、穴壁を傾斜させている。
外部接続用半田バンプ８は、接続用通過穴６ｃ内に位置されて接続用通過穴６ｃと相補となる形状を持った軸部８ｃと、第２ルーフ部分６の外面６ｂ上に位置される頭部８ｄとを有し、両者の間には第２ルーフ部分６の外面６ｂに固着する周回顎部８ｅが形成されている。頭部８ｄは半球状を呈し、頭部８ｄによって前記外端部８ｂが形成されている。
第一例では、第１ルーフ部分５に信号入出力用端子１２を穴底に位置させるビア５ｃが形成されており、このビア５ｃ内に形成される配線体１７がこのビア５ｃ上に位置される付随部７ｂに接続されている。
第一例にあっては、外部接続用半田バンプ８は、前記第２ルーフ部分６を貫通する接続用通過穴６ｃを利用して形成されると共に、前記ルーフ内金属層７の前記一部としての付随部７ｂに接合させた内端部８ａと前記第２ルーフ部分６から突き出す外端部８ｂとを備えている。
前記接続用通過穴６ｃは、ルーフ内金属層７の付随部７ｂの直上において、前記第２ルーフ部分６に形成されており、接続用通過穴６ｃの穴底は前記付随部７ｂとなっている。
図示の例では、接続用通過穴６ｃは、第２ルーフ部分６の内面６ａ側に向かうにつれて穴径を漸減させるように構成されており、穴壁を傾斜させている。
外部接続用半田バンプ８は、接続用通過穴６ｃ内に位置されて接続用通過穴６ｃと相補となる形状を持った軸部８ｃと、第２ルーフ部分６の外面６ｂ上に位置される頭部８ｄとを有し、両者の間には第２ルーフ部分６の外面６ｂに固着する周回顎部８ｅが形成されている。頭部８ｄは半球状を呈し、頭部８ｄによって前記外端部８ｂが形成されている。
【0030】
図１２に示される第二例にあっては、外部接続用半田バンプ８は、前記第１ルーフ部分５及び前記第２ルーフ部分６を貫通する接続用通過穴１８を利用して形成されると共に、前記信号入出力用端子１２に接合させた内端部８ａと前記第２ルーフ部分６から突き出す外端部８ｂとを備えた構成となっている。
この第二例にあっては、ルーフ内金属層７を介さずにデバイスチップ２に形成された回路と外部とを外部接続用半田バンプ８によって接続できるようにしている。
この第二例にあっては、ルーフ内金属層７を介さずにデバイスチップ２に形成された回路と外部とを外部接続用半田バンプ８によって接続できるようにしている。
【0031】
前記放熱用半田バンプ９は、前記第２ルーフ部分６を貫通する放熱用通過穴６ｄを利用して形成されると共に、前記ルーフ内金属層７に接合させた内端部９ａと前記第２ルーフ部分６から突き出す外端部９ｂとを備えている。
前記放熱用通過穴６ｄは、前記第２ルーフ部分６の外面６ｂ側に穴口を有し、穴底にルーフ内金属層７を位置させた有底穴状を呈している。
図示の例では、放熱用通過穴６ｄは、第２ルーフ部分６の内面６ａ側に向かうにつれて穴径を漸減させるように構成されており、穴壁を傾斜させている。
放熱用半田バンプ９は、放熱用通過穴６ｄ内に位置されて放熱用通過穴６ｄと相補となる形状を持った軸部９ｃと、第２ルーフ部分６の外面６ｂ上に位置される頭部９ｄとを有し、両者の間には第２ルーフ部分６の外面６ｂに固着する周回顎部９ｅが形成されている。頭部９ｄは半球状を呈し、頭部９ｄによって前記外端部９ｂが形成されている。
前記放熱用通過穴６ｄは、前記第２ルーフ部分６の外面６ｂ側に穴口を有し、穴底にルーフ内金属層７を位置させた有底穴状を呈している。
図示の例では、放熱用通過穴６ｄは、第２ルーフ部分６の内面６ａ側に向かうにつれて穴径を漸減させるように構成されており、穴壁を傾斜させている。
放熱用半田バンプ９は、放熱用通過穴６ｄ内に位置されて放熱用通過穴６ｄと相補となる形状を持った軸部９ｃと、第２ルーフ部分６の外面６ｂ上に位置される頭部９ｄとを有し、両者の間には第２ルーフ部分６の外面６ｂに固着する周回顎部９ｅが形成されている。頭部９ｄは半球状を呈し、頭部９ｄによって前記外端部９ｂが形成されている。
【0032】
弾性波デバイスは、二以上の放熱用半田バンプ９を備えている。
また、図３に示されるように、放熱用半田バンプ９は、前記デバイスチップ２の前記一面２ａに直交する向きから見た状態において、前記共振器１１の形成領域上となる箇所に形成されている。図示の例では、二以上の放熱用半田バンプ９の全てが共振器１１の形成領域上に少なくともその一部を位置させるように形成されている。
また、図３に示されるように、放熱用半田バンプ９は、前記デバイスチップ２の前記一面２ａに直交する向きから見た状態において、前記共振器１１の形成領域上となる箇所に形成されている。図示の例では、二以上の放熱用半田バンプ９の全てが共振器１１の形成領域上に少なくともその一部を位置させるように形成されている。
【0033】
この実施の形態にかかる弾性波デバイス１によれば、第一に、共振器１１の封止空間１０を前記第２メタルパターン４と前記第１ルーフ部分５とによって形成することから、弾性波デバイス１の厚さを最小化することができ、この種のデバイスの低背化の要請に資する。
また、第二に、デバイスチップ２に生じた熱を、第２メタルパターン４と第１ルーフ部分５とルーフ内金属層７と放熱用半田バンプ９とを通じた直線的な第一経路Ｌ１（図２参照）を通じて外部に効率的に逃がすことができる。第１ルーフ部分５を熱伝導率が高い樹脂から構成させることで、この第一経路Ｌ１を通じた放熱効率は向上される。
また、第三に、第２メタルパターン４を通じて第１ルーフ部分５に伝達した熱を、第１ルーフ部分５とルーフ内金属層７と放熱用半田バンプ９とを通じた第二経路Ｌ２（図２参照）を通じて外部に効率的に逃がすことができる。第１ルーフ部分５を熱伝導率が高い樹脂から構成させることで、この第二経路Ｌ２を通じた放熱効率は向上される。
また、第四に、デバイスチップ２に生じた熱を、第２メタルパターン４と外部接続用半田バンプ８とを通じた第三経路Ｌ３（図２参照）を通じて外部に効率的に逃がすことができる。
また、第二に、デバイスチップ２に生じた熱を、第２メタルパターン４と第１ルーフ部分５とルーフ内金属層７と放熱用半田バンプ９とを通じた直線的な第一経路Ｌ１（図２参照）を通じて外部に効率的に逃がすことができる。第１ルーフ部分５を熱伝導率が高い樹脂から構成させることで、この第一経路Ｌ１を通じた放熱効率は向上される。
また、第三に、第２メタルパターン４を通じて第１ルーフ部分５に伝達した熱を、第１ルーフ部分５とルーフ内金属層７と放熱用半田バンプ９とを通じた第二経路Ｌ２（図２参照）を通じて外部に効率的に逃がすことができる。第１ルーフ部分５を熱伝導率が高い樹脂から構成させることで、この第二経路Ｌ２を通じた放熱効率は向上される。
また、第四に、デバイスチップ２に生じた熱を、第２メタルパターン４と外部接続用半田バンプ８とを通じた第三経路Ｌ３（図２参照）を通じて外部に効率的に逃がすことができる。
【0034】
典型的には、図２に示されるように、弾性波デバイス１は、前記外部接続用半田バンプ８、及び、放熱用半田バンプ９を、モジュール基板１９に形成された金属製の接続部１９ａに超音波接合により固着させることでモジュール基板１９に実装されてモジュールを構成する。デバイスチップ２に生じた熱はこのように弾性波デバイス１が実装されるモジュール基板１９側に逃がされることとなる。
【0035】
前記第一例にかかる弾性波デバイス１は、以下の各ステップを含む製造方法によって、適切且つ合理的に製造することができる。
【0036】
先ず、デバイスチップ２となるウエハ２０の一面に、第１メタルパターン３を形成する（第１ステップ／図示は省略する。）。
【0037】
次いで、デバイスチップ２となるウエハ２０の一面に、第２メタルパターン４を形成する（第２ステップ／図示は省略する。）。
【0038】
次いで、デバイスチップ２となるウエハ２０の一面に、第１ルーフ部分５を形成する（第３ステップ／図示は省略する。）。
第１ルーフ部分５は、前記ウエハ２０の一面上に、樹脂製の面状体（フィルム）を積層し、両者を一体化させることで、形成させることができる。
このように第１ルーフ部分５を形成させた後、第１ルーフ部分５を加圧することによって、第１ルーフ部分５の内面５ａと第２メタルパターン４とを隙間無く一体化させることで、前記第一経路Ｌ１を確実に成立させることができる。
第１ルーフ部分５は、前記ウエハ２０の一面上に、樹脂製の面状体（フィルム）を積層し、両者を一体化させることで、形成させることができる。
このように第１ルーフ部分５を形成させた後、第１ルーフ部分５を加圧することによって、第１ルーフ部分５の内面５ａと第２メタルパターン４とを隙間無く一体化させることで、前記第一経路Ｌ１を確実に成立させることができる。
【0039】
次いで、前記第３ステップにより形成された第１ルーフ部分５上に前記ビア５ｃを形成させるためのレジスト２１を形成し、このレジスト２１を利用して第１ルーフ部分５の一部を薬液処理によって取り除き前記ビア５ｃを形成させる（図６／第４ステップ）。
【0040】
次いで、第４ステップにおいて形成されたレジスト２１を除去した後、ビア５ｃ内に金属を充填するようにして配線体１７を形成させる（第５ステップ／図７）。この配線体１７は典型的には無電解メタルメッキによって形成させることができる。この配線体１７は一端を信号入出力用端子１２に固着させ、かつ、これに対向する他端を第１ルーフ部分５の外面５ｂと面一に位置させるように形成される。
【0041】
次いで、第１ルーフ部分５上にルーフ内金属層７としての主要部７ａと付随部７ｂを形成する（図８／第６ステップ）。ルーフ内金属層７は、典型的にはリフトオフによって形成させることができる。
【0042】
次いで、第１ルーフ部分５上に第２ルーフ部分６を形成する。
第２ルーフ部分６は、第１ルーフ部分５上に、樹脂製の面状体（フィルム）を積層し、両者を一体化させることで、形成させることができる。あるいはまた、第２ルーフ部分６は第１ルーフ部分５上に前記樹脂を塗布することによって形成させることができる。
このように第１ルーフ部分５上に第２ルーフ部分６となる樹脂層を形成させた後、その上に接続用通過穴６ｃと放熱用通過穴６ｄを形成させるためのレジスト（図示は省略する。）を形成し、このレジストを利用して第２ルーフ部分６となる樹脂層の一部を薬液処理によって取り除き接続用通過穴６ｃと放熱用通過穴６ｄを形成させる（図９／第７ステップ）。
第２ルーフ部分６は、第１ルーフ部分５上に、樹脂製の面状体（フィルム）を積層し、両者を一体化させることで、形成させることができる。あるいはまた、第２ルーフ部分６は第１ルーフ部分５上に前記樹脂を塗布することによって形成させることができる。
このように第１ルーフ部分５上に第２ルーフ部分６となる樹脂層を形成させた後、その上に接続用通過穴６ｃと放熱用通過穴６ｄを形成させるためのレジスト（図示は省略する。）を形成し、このレジストを利用して第２ルーフ部分６となる樹脂層の一部を薬液処理によって取り除き接続用通過穴６ｃと放熱用通過穴６ｄを形成させる（図９／第７ステップ）。
【0043】
次いで、接続用通過穴６ｃと放熱用通過穴６ｄとに、典型的には印刷機によりクリーム半田２２を塗布・充填する（図１０／第８ステップ）。
【0044】
第８ステップ後のリフロー処理により第２ルーフ部分６の外面から突き出す高さを持った外部接続用半田バンプ８及び放熱用半田バンプ９が形成される。
この後、前記ウエハ２０に対しダイシングを施すことで、前記ウエハ２０から複数の前記の構造を備えた弾性波デバイス１が生成される（図１１）。
この後、前記ウエハ２０に対しダイシングを施すことで、前記ウエハ２０から複数の前記の構造を備えた弾性波デバイス１が生成される（図１１）。
【0045】
また、前記第二例にかかる弾性波デバイス１は、以下の各ステップを含む製造方法によって、適切且つ合理的に製造することができる。
【0046】
先ず、デバイスチップ２となるウエハ２０の一面に、第１メタルパターン３を形成する（第１ステップ／図示は省略する。）。
【0047】
次いで、デバイスチップ２となるウエハ２０の一面に、第２メタルパターン４を形成する（第２ステップ／図示は省略する。）。
【0048】
次いで、デバイスチップ２となるウエハ２０の一面に、第１ルーフ部分５を形成する（第３ステップ／図示は省略する。）。
第１ルーフ部分５は、前記ウエハ２０の一面上に、樹脂製の面状体（フィルム）を積層し、両者を一体化させることで、形成させることができる。
このように第１ルーフ部分５を形成させた後、第１ルーフ部分５を加圧することによって、第１ルーフ部分５の内面５ａと第２メタルパターン４とを隙間無く一体化させることで、前記第一経路Ｌ１を確実に成立させることができる。
第１ルーフ部分５は、前記ウエハ２０の一面上に、樹脂製の面状体（フィルム）を積層し、両者を一体化させることで、形成させることができる。
このように第１ルーフ部分５を形成させた後、第１ルーフ部分５を加圧することによって、第１ルーフ部分５の内面５ａと第２メタルパターン４とを隙間無く一体化させることで、前記第一経路Ｌ１を確実に成立させることができる。
【0049】
次いで、前記第３ステップにより形成された第１ルーフ部分５上にルーフ内金属層７を形成させるためのレジスト２３を形成し、このレジスト２３を利用してリフトオフによってルーフ内金属層７を形成させる（図１３から図１４／第４ステップ）。
【0050】
次いで、第４ステップにおいて形成されたレジスト２３を除去する（第５ステップ／図１４）。
【0051】
次いで、第１ルーフ部分５上に第２ルーフ部分６を形成する。
第２ルーフ部分６は、第１ルーフ部分５上に、樹脂製の面状体（フィルム）を積層し、両者を一体化させることで、形成させることができる。あるいはまた、第２ルーフ部分６は第１ルーフ部分５上に前記樹脂を塗布することによって形成させることができる。
このように第１ルーフ部分５上に第２ルーフ部分６となる樹脂層を形成させた後、その上に接続用通過穴１８と放熱用通過穴６ｄを形成させるためのレジスト（図示は省略する。）を形成する。そして、このレジストを利用して接続用通過穴１８の形成箇所にあっては第１ルーフ部分５及び第２ルーフ部分６となる樹脂層の一部を薬液処理によって取り除き、放熱用通過穴６ｄの形成箇所にあっては第２ルーフ部分６となる樹脂層の一部を薬液処理によって取り除き、接続用通過穴６ｃと放熱用接続用通過穴６ｄを形成させる（図１５／第７ステップ）。
第２ルーフ部分６は、第１ルーフ部分５上に、樹脂製の面状体（フィルム）を積層し、両者を一体化させることで、形成させることができる。あるいはまた、第２ルーフ部分６は第１ルーフ部分５上に前記樹脂を塗布することによって形成させることができる。
このように第１ルーフ部分５上に第２ルーフ部分６となる樹脂層を形成させた後、その上に接続用通過穴１８と放熱用通過穴６ｄを形成させるためのレジスト（図示は省略する。）を形成する。そして、このレジストを利用して接続用通過穴１８の形成箇所にあっては第１ルーフ部分５及び第２ルーフ部分６となる樹脂層の一部を薬液処理によって取り除き、放熱用通過穴６ｄの形成箇所にあっては第２ルーフ部分６となる樹脂層の一部を薬液処理によって取り除き、接続用通過穴６ｃと放熱用接続用通過穴６ｄを形成させる（図１５／第７ステップ）。
【0052】
次いで、第７ステップにおいて形成されたレジストを除去し、この後に接続用通過穴１８と放熱用通過穴６ｄとに、典型的には印刷機によりクリーム半田２２を塗布・充填する（図１６／第８ステップ）。
【0053】
第８ステップ後のリフロー処理により第２ルーフ部分６の外面から突き出す高さを持った外部接続用半田バンプ８及び放熱用半田バンプ９が形成される。
この後、前記ウエハ２０に対しダイシングを施すことで、前記ウエハ２０から複数の前記の構造を備えた弾性波デバイス１が生成される。
この後、前記ウエハ２０に対しダイシングを施すことで、前記ウエハ２０から複数の前記の構造を備えた弾性波デバイス１が生成される。
【0054】
図１７および図１８は、前記ルーフ内金属層７に、複数の貫通穴７ｃを持つように形成させた構成例（第三例）を示している。
このようにした場合、前記貫通穴７ｃの形成箇所において、前記貫通穴７ｃに第２ルーフ部分６を構成する樹脂を入り込ませることで、第２ルーフ部分６を第１ルーフ部分５に固着させることができる。
このようにした場合、前記貫通穴７ｃの形成箇所において、前記貫通穴７ｃに第２ルーフ部分６を構成する樹脂を入り込ませることで、第２ルーフ部分６を第１ルーフ部分５に固着させることができる。
【0055】
また、図１９は、前記ルーフ内金属層７を、メッシュ状をなすように形成させた構成例（第四例）を示している。
このようにした場合、前記メッシュ状をなすルーフ内金属層７の目開き箇所７ｄにおいて、前記目開き箇所７ｄに第２ルーフ部分６を構成する樹脂を入り込ませることで、第２ルーフ部分６を第１ルーフ部分５に固着させることができる。
このようにした場合、前記メッシュ状をなすルーフ内金属層７の目開き箇所７ｄにおいて、前記目開き箇所７ｄに第２ルーフ部分６を構成する樹脂を入り込ませることで、第２ルーフ部分６を第１ルーフ部分５に固着させることができる。
【0056】
なお、当然のことながら、本発明は以上に説明した実施態様に限定されるものではなく、本発明の目的を達成し得るすべての実施態様を含むものである。
【符号の説明】
【0057】
１ 弾性波デバイス
１ａ 面
１ｂ 側面
２ デバイスチップ
２ａ 一面
２ｂ 側面
２ｃ 外縁部
２ｄ 主要面部
３ 第１メタルパターン
４ 第２メタルパターン
４ａ 外側部分
４ｂ 内側部分
４ｃ 第一端
４ｄ 第二端
４ｅ 外壁面
４ｆ 第一部分
４ｇ 第二部分
４ｈ 第三部分
５ 第１ルーフ部分
５ａ 内面
５ｂ 外面
５ｃ ビア
６ 第２ルーフ部分
６ａ 内面
６ｂ 外面
６ｃ 接続用通過穴
６ｄ 放熱用通過穴
７ ルーフ内金属層
７ａ 主要部
７ｂ 付随部
７ｃ 貫通穴
７ｄ 目開き箇所
８ 外部接続用半田バンプ
８ａ 内端部
８ｂ 外端部
８ｃ 軸部
８ｄ 頭部
８ｅ 周回顎部
９ 放熱用半田バンプ
９ａ 内端部
９ｂ 外端部
９ｃ 軸部
９ｄ 頭部
９ｅ 周回顎部
１０ 封止空間
１１、１１ａ、１１ｂ 共振器
１１ｃ ＩＤＴ電極
１１ｄ 反射器
１１ｅ 電極指
１１ｆ バスバー
１１ｇ 電極指
１１ｈ バスバー
１２ 信号入出力用端子
１３、１３ａ、１３ｂ、１３ｃ 配線
１４ インダクタ
１５ グランド
１６ ルーフ
１７ 配線体
１８ 接続用通過穴
１９ モジュール基板
１９ａ 接続部
２０ ウエハ
２１ レジスト
２２ クリーム半田
２３ レジスト
ｘ 伝搬方向
Ｌ１ 第一経路
Ｌ２ 第二経路
Ｌ３ 第三経路
１ａ 面
１ｂ 側面
２ デバイスチップ
２ａ 一面
２ｂ 側面
２ｃ 外縁部
２ｄ 主要面部
３ 第１メタルパターン
４ 第２メタルパターン
４ａ 外側部分
４ｂ 内側部分
４ｃ 第一端
４ｄ 第二端
４ｅ 外壁面
４ｆ 第一部分
４ｇ 第二部分
４ｈ 第三部分
５ 第１ルーフ部分
５ａ 内面
５ｂ 外面
５ｃ ビア
６ 第２ルーフ部分
６ａ 内面
６ｂ 外面
６ｃ 接続用通過穴
６ｄ 放熱用通過穴
７ ルーフ内金属層
７ａ 主要部
７ｂ 付随部
７ｃ 貫通穴
７ｄ 目開き箇所
８ 外部接続用半田バンプ
８ａ 内端部
８ｂ 外端部
８ｃ 軸部
８ｄ 頭部
８ｅ 周回顎部
９ 放熱用半田バンプ
９ａ 内端部
９ｂ 外端部
９ｃ 軸部
９ｄ 頭部
９ｅ 周回顎部
１０ 封止空間
１１、１１ａ、１１ｂ 共振器
１１ｃ ＩＤＴ電極
１１ｄ 反射器
１１ｅ 電極指
１１ｆ バスバー
１１ｇ 電極指
１１ｈ バスバー
１２ 信号入出力用端子
１３、１３ａ、１３ｂ、１３ｃ 配線
１４ インダクタ
１５ グランド
１６ ルーフ
１７ 配線体
１８ 接続用通過穴
１９ モジュール基板
１９ａ 接続部
２０ ウエハ
２１ レジスト
２２ クリーム半田
２３ レジスト
ｘ 伝搬方向
Ｌ１ 第一経路
Ｌ２ 第二経路
Ｌ３ 第三経路
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】