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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024171686
(43)【公開日】2024-12-12
(54)【発明の名称】配線基板及び配線基板の製造方法
(51)【国際特許分類】
H05K 3/46 20060101AFI20241205BHJP
【ＦＩ】
H05K3/46 Q
H05K3/46 N
H05K3/46 T
H05K3/46 E
【審査請求】未請求
【請求項の数】14
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023088835
(22)【出願日】2023-05-30
(71)【出願人】
【識別番号】000003193
【氏名又は名称】ＴＯＰＰＡＮホールディングス株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110003708
【氏名又は名称】弁理士法人鈴榮特許綜合事務所
(72)【発明者】
【氏名】梅村 優樹
【テーマコード（参考）】
5E316
【Ｆターム（参考）】
5E316AA12
5E316AA13
5E316AA15
5E316AA16
5E316AA32
5E316AA33
5E316AA43
5E316CC09
5E316CC10
5E316CC16
5E316CC32
5E316DD17
5E316DD23
5E316DD24
5E316EE32
5E316EE33
5E316FF13
5E316FF14
5E316FF17
5E316GG15
5E316GG17
5E316GG22
5E316GG23
5E316HH01
5E316JJ13
(57)【要約】
【課題】 電気特性を向上できる配線基板を提供する。
【解決手段】 配線基板は、絶縁性の表面を有する基板と、前記基板の前記表面上に設けられた下部電極と、前記下部電極上に設けられた誘電体膜と、前記誘電体膜上に設けられた上部電極とを有し、前記下部電極は第１導電性厚膜及び前記第１導電性厚膜より薄い第１導電性薄膜とを含む、キャパシタと、前記基板の前記表面上に設けられ、第２導電性厚膜及び前記第２導電性厚膜より薄い第２導電性薄膜を含む、配線部と、を備え、前記第１導電性厚膜と前記第２導電性厚膜とは、同一の材料から構成され、前記第１導電性薄膜と前記第２導電性薄膜とは、同一の材料から構成されている。
【選択図】 図２
【解決手段】 配線基板は、絶縁性の表面を有する基板と、前記基板の前記表面上に設けられた下部電極と、前記下部電極上に設けられた誘電体膜と、前記誘電体膜上に設けられた上部電極とを有し、前記下部電極は第１導電性厚膜及び前記第１導電性厚膜より薄い第１導電性薄膜とを含む、キャパシタと、前記基板の前記表面上に設けられ、第２導電性厚膜及び前記第２導電性厚膜より薄い第２導電性薄膜を含む、配線部と、を備え、前記第１導電性厚膜と前記第２導電性厚膜とは、同一の材料から構成され、前記第１導電性薄膜と前記第２導電性薄膜とは、同一の材料から構成されている。
【選択図】 図２
【特許請求の範囲】
【請求項1】
絶縁性の表面を有する基板と、
前記基板の前記表面上に設けられた下部電極と、前記下部電極上に設けられた誘電体膜と、前記誘電体膜上に設けられた上部電極とを有し、前記下部電極は第１導電性厚膜及び前記第１導電性厚膜より薄い第１導電性薄膜とを含む、キャパシタと、
前記基板の前記表面上に設けられ、第２導電性厚膜及び前記第２導電性厚膜より薄い第２導電性薄膜を含む、配線部と、
を備え、
前記第１導電性厚膜と前記第２導電性厚膜とは、同一の材料から構成され、
前記第１導電性薄膜と前記第２導電性薄膜とは、同一の材料から構成されている、
配線基板。
前記基板の前記表面上に設けられた下部電極と、前記下部電極上に設けられた誘電体膜と、前記誘電体膜上に設けられた上部電極とを有し、前記下部電極は第１導電性厚膜及び前記第１導電性厚膜より薄い第１導電性薄膜とを含む、キャパシタと、
前記基板の前記表面上に設けられ、第２導電性厚膜及び前記第２導電性厚膜より薄い第２導電性薄膜を含む、配線部と、
を備え、
前記第１導電性厚膜と前記第２導電性厚膜とは、同一の材料から構成され、
前記第１導電性薄膜と前記第２導電性薄膜とは、同一の材料から構成されている、
配線基板。
【請求項2】
前記第１導電性薄膜及び前記第２導電性薄膜の材料と前記第１導電性厚膜及び前記第２導電性厚膜の材料との密着性、並びに前記第１導電性薄膜及び前記第２導電性薄膜の前記材料と前記誘電体膜の材料との密着性は、前記第１導電性厚膜及び前記第２導電性厚膜の前記材料と前記誘電体膜の材料との密着性より高い、
請求項１に記載の配線基板。
請求項１に記載の配線基板。
【請求項3】
前記第１導電性薄膜及び前記第２導電性薄膜の結晶粒径の平均値は、前記第１導電性薄膜及び前記第２導電性薄膜の厚さより小さい、
請求項１に記載の配線基板。
請求項１に記載の配線基板。
【請求項4】
前記第１導電性薄膜及び前記第２導電性薄膜の導電率は、前記第１導電性厚膜及び前記第２導電性厚膜の導電率の２％以上３０％以下である、
請求項１又は請求項３に記載の配線基板。
請求項１又は請求項３に記載の配線基板。
【請求項5】
前記第１導電性薄膜及び前記第２導電性薄膜の熱膨張係数は、前記第１導電性厚膜及び前記第２導電性厚膜の熱膨張係数より小さく、前記誘電体膜の熱膨張係数より大きい、
請求項１又は請求項３に記載の配線基板。
請求項１又は請求項３に記載の配線基板。
【請求項6】
前記第１導電性薄膜及び前記第２導電性薄膜の熱膨張係数は、前記第１導電性厚膜及び前記第２導電性厚膜の熱膨張係数より小さく、前記誘電体膜の熱膨張係数より大きい、
請求項４に記載の配線基板。
請求項４に記載の配線基板。
【請求項7】
前記第１導電性薄膜及び前記第２導電性薄膜の弾性率は、前記第１導電性厚膜及び前記第２導電性厚膜の弾性率より大きい、
請求項１又は請求項３に記載の配線基板。
請求項１又は請求項３に記載の配線基板。
【請求項8】
前記第１導電性薄膜及び前記第２導電性薄膜の弾性率は、前記第１導電性厚膜及び前記第２導電性厚膜の弾性率より大きい、
請求項４に記載の配線基板。
請求項４に記載の配線基板。
【請求項9】
前記第１導電性薄膜及び前記第２導電性薄膜の弾性率は、前記第１導電性厚膜及び前記第２導電性厚膜の弾性率より大きい、
請求項６に記載の配線基板。
請求項６に記載の配線基板。
【請求項10】
前記第１導電性薄膜上及び前記第２導電性薄膜上の少なくとも一部に設けられた無機絶縁膜をさらに備える、
請求項１又は請求項３に記載の配線基板。
請求項１又は請求項３に記載の配線基板。
【請求項11】
前記無機絶縁膜は、点在する複数の部分を含む、
請求項１０に記載の配線基板。
請求項１０に記載の配線基板。
【請求項12】
前記基板の前記表面上に設けられ、前記第１導電性厚膜及び前記第２導電性厚膜、並びに前記第１導電性薄膜及び前記第２導電性薄膜を覆う第１絶縁膜をさらに備え、
前記無機絶縁膜の誘電正接は、前記第１絶縁膜の誘電正接より小さい、
請求項１１に記載の配線基板。
前記無機絶縁膜の誘電正接は、前記第１絶縁膜の誘電正接より小さい、
請求項１１に記載の配線基板。
【請求項13】
基板上に、部分的に、導電性厚膜を形成する工程と、
前記導電性厚膜上に、前記導電性厚膜より厚さの薄い導電性薄膜を形成する工程と、
前記導電性薄膜上に誘電体膜を形成する工程と、
前記誘電体膜上に、部分的に、上部電極を形成する工程と、
前記上部電極と、前記誘電体膜の一部とを覆う第１レジスト層を形成する工程と、
前記誘電体膜のうちの前記第１レジスト層で覆われていない部分をドライエッチングによって除去する工程と、
を備える配線基板の製造方法。
前記導電性厚膜上に、前記導電性厚膜より厚さの薄い導電性薄膜を形成する工程と、
前記導電性薄膜上に誘電体膜を形成する工程と、
前記誘電体膜上に、部分的に、上部電極を形成する工程と、
前記上部電極と、前記誘電体膜の一部とを覆う第１レジスト層を形成する工程と、
前記誘電体膜のうちの前記第１レジスト層で覆われていない部分をドライエッチングによって除去する工程と、
を備える配線基板の製造方法。
【請求項14】
前記第１レジスト層が除去された後に、前記導電性薄膜上に、前記導電性薄膜に達する開口を有する第２レジスト層を形成する工程と、
前記導電性薄膜のうちの前記開口中の部分上に無機絶縁膜を形成する工程と、
をさらに備える、
請求項１３に記載の配線基板の製造方法。
前記導電性薄膜のうちの前記開口中の部分上に無機絶縁膜を形成する工程と、
をさらに備える、
請求項１３に記載の配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、配線基板、及び配線基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
電子機器の高機能化及び小型化に伴って、半導体装置を構成する配線基板の高密度化の要求が高まっている。その中で、回路配線の微細化に合わせて、抵抗、キャパシタ、及びインダクタなどの受動素子も更なる小型化が求められている。更なる小型化要求は非常に高いレベルで求められており、これら受動素子の小型化と基板表面への高密度実装のみでは限界がある。そこでこのような問題を解決すべく、実装基板に受動素子を内蔵化する技術が提案されている（例えば、特許文献１）。特許文献１の方法では、受動素子を印刷や真空成膜法などで形成することで多層基板内に内蔵するため、電子機器の小型化が可能となる。
【0003】
配線付の基板上にＭＩＭ（Metal-Insulator-Metal）キャパシタが形成される場合がある。ＭＩＭキャパシタは、２つの導電層によって絶縁層を挟んだ構造を有する。ＭＩＭキャパシタに対して、用途や設計に応じて求められる容量及び（又は）設計が異なる。例えば、高周波領域での周波数フィルタ機能を有する電子部品や、受動素子を内蔵する配線基板においては、小型及び（又は）低容量のキャパシタの形成が求められる。キャパシタの誘電体の膜厚を厚くすることは、キャパシタの小型化及び（又は）低容量化の実現の解となり得る。しかしながら、キャパシタの誘電体の膜厚を単に厚くすると、キャパシタを含んだ電子部品及び（又は）配線基板の電気特性が悪化する場合がある（例えば、特許文献２）
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開２０００－１５１１１４号公報
【特許文献2】特許第６７２５０９５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
電気特性を向上できる配線基板及び配線基板の製造方法を提供しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本発明の一側面によると、絶縁性の表面を有する基板と、前記基板の前記表面上に設けられた下部電極と、前記下部電極上に設けられた誘電体膜と、前記誘電体膜上に設けられた上部電極とを有し、前記下部電極は第１導電性厚膜及び前記第１導電性厚膜より薄い第１導電性薄膜とを含む、キャパシタと、前記基板の前記表面上に設けられ、第２導電性厚膜及び前記第２導電性厚膜より薄い第２導電性薄膜を含む、配線部と、を備え、前記第１導電性厚膜と前記第２導電性厚膜とは、同一の材料から構成され、前記第１導電性薄膜と前記第２導電性薄膜とは、同一の材料から構成されている、配線基板が提供される。
【0007】
本発明の他の側面によると、前記第１導電性薄膜及び前記第２導電性薄膜の材料と前記第１導電性厚膜及び前記第２導電性厚膜の材料との密着性、並びに前記第１導電性薄膜及び前記第２導電性薄膜の前記材料と前記誘電体膜の材料との密着性は、前記第１導電性厚膜及び前記第２導電性厚膜の前記材料と前記誘電体膜の前記材料との密着性より高い、上記側面に係る配線基板が提供される。
【0008】
本発明のさらに他の側面によると、前記第１導電性薄膜及び前記第２導電性薄膜の結晶粒径の平均値は、前記第１導電性薄膜及び前記第２導電性薄膜の厚さより小さい、上記側面のいずれかに係る配線基板が提供される。
【0009】
本発明のさらに他の側面によると、前記第１導電性薄膜及び前記第２導電性薄膜の導電率は、前記第１導電性厚膜及び前記第２導電性厚膜の導電率の２％以上３０％以下である、上記側面のいずれかに係る配線基板が提供される。
【0010】
本発明のさらに他の側面によると、前記第１導電性薄膜及び前記第２導電性薄膜の熱膨張係数は、前記第１導電性厚膜及び前記第２導電性厚膜の熱膨張係数より小さく、前記誘電体膜の熱膨張係数より大きい、上記側面のいずれかに係る配線基板が提供される。
【0011】
本発明のさらに他の側面によると、前記第１導電性薄膜及び前記第２導電性薄膜の弾性率は、前記第１導電性厚膜及び前記第２導電性厚膜の弾性率より大きい、上記側面のいずれかに係る配線基板が提供される。
【0012】
本発明のさらに他の側面によると、前記第１導電性薄膜上及び前記第２導電性薄膜上の少なくとも一部に設けられた無機絶縁膜をさらに備える、上記側面のいずれかに係る配線基板が提供される。
【0013】
本発明のさらに他の側面によると、前記無機絶縁膜は、点在する複数の部分を含む、上記側面のいずれかに係る配線基板が提供される。
【0014】
本発明のさらに他の側面によると、前記第１導電性厚膜及び前記第２導電性厚膜、並びに前記第１導電性薄膜及び前記第２導電性薄膜を覆う第１絶縁膜をさらに備え、前記無機絶縁膜の誘電正接は、前記第１絶縁膜の誘電正接より小さい、上記側面のいずれかに係る配線基板が提供される。
【0015】
本発明のさらに他の側面によると、基板上に、部分的に、導電性厚膜を形成する工程と、前記導電性厚膜上に、前記導電性厚膜より厚さの薄い導電性薄膜を形成する工程と、前記導電性薄膜上に誘電体膜を形成する工程と、前記誘電体膜上に、部分的に、上部電極を形成する工程と、前記上部電極と、前記誘電体膜の一部とを覆う第１レジスト層を形成する工程と、前記誘電体膜のうちの前記第１レジスト層で覆われていない部分をドライエッチングによって除去する工程と、を備える配線基板の製造方法が提供される。
【0016】
本発明のさらに他の側面によると、前記第１レジスト層が除去された後に、前記導電性薄膜上に、前記導電性薄膜に達する開口を有する第２レジスト層を形成する工程と、前記導電性薄膜のうちの前記開口中の部分上に無機絶縁膜を形成する工程と、をさらに備える、上記側面のいずれかに係る配線基板の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【0017】
本発明によれば、電気特性を向上できる配線基板及び配線基板の製造方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【0018】
【発明を実施するための形態】
【0019】
以下に実施形態が図面を参照しながら記載される。図面は模式的なものであり、厚みと平面寸法との関係、各層の厚みの比率等は現実のものとは異なり得る。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれ得る。或る図に示されている構成要素が、図面を見やすくする目的で別の図では省略されている場合がある。
【0020】
以下、ＸＹＺ直交座標系が用いられて、実施形態が記載される。以下の記載において、「下」との記載及びその派生語並びに関連語は、Ｚ軸上のより小さい座標の位置を指し、「上」との記載及びその派生語並びに関連語は、Ｚ軸上のより大きい座標の位置を指す。
【0021】
１．第１実施形態
１．１．配線基板の構成（構造）
図１は、本発明の第１実施形態に係る配線基板の概略的な断面図である。配線基板１０は、平面に沿って広がる。配線基板１０が広がる平面をＸＹ平面とする。ＸＹ平面内で互いに交差する方向をＸ方向及びＹ方向とする。ＸＹ平面と交差する方向をＺ方向とする。
１．１．配線基板の構成（構造）
図１は、本発明の第１実施形態に係る配線基板の概略的な断面図である。配線基板１０は、平面に沿って広がる。配線基板１０が広がる平面をＸＹ平面とする。ＸＹ平面内で互いに交差する方向をＸ方向及びＹ方向とする。ＸＹ平面と交差する方向をＺ方向とする。
【0022】
配線基板１０は、例えば、配線のデザインルールが互いに異なる集積回路（ＩＣ）チップとプリント配線基板との組のように、互いに端子の距離が異なる２つの部品を中継するインターポーザとして利用されることが可能である。
【0023】
配線基板１０は、基板１１（図示せず）に設けられたキャパシタ１００及び配線部１０１を含む。キャパシタ１００は、ＭＩＭキャパシタとも呼ばれる。キャパシタ１００は、導電性厚膜１２を含む下部電極１６（図示せず）、誘電体膜１３、及び上部電極１４を含む。誘電体膜１３は導電性厚膜１２と重なっており、上部電極１４は誘電体膜１３と重なっている。
【0024】
配線部１０１の一部は、キャパシタ１００に接続されている。配線部１０１は、インダクタ部１０２及び１０３、並びに配線部１０４を含む。インダクタ部１０２は、Ｚ方向にらせん状に形成されるインダクタの一例である。インダクタ部１０３は、Ｘ方向にらせん状に形成されるインダクタの一例である。配線部１０４は、直線の形状を有する配線の一例である。配線部１０１は、導電性厚膜１２を含む。
【0025】
配線基板１０は、さらに、接続部２５を含む。接続部２５は、上部電極１４と重なっている。
【0026】
図２は、図１に示されているＩＩ－ＩＩ´線に沿った構造の概略的な断面図である。配線基板１０は、さらに、基板１１、貫通孔内導電層２１、導電層２２、絶縁層２３、接続部２５、導電層２６、絶縁層３１、接続部３３、及び導電層３４を含む。
【0027】
基板１１は、第１面１１ａと、第２面１１ｂと、を有する。第２面１１ｂは、第１面１１ａと対向する。基板１１は、絶縁性の表面を有し、一例では、無アルカリガラスである。基板１１は、ガラス以外の無機絶縁材料、有機材料、又は半導体材料から構成されてもよい。基板１１は、絶縁性材料であることが好ましい。
【0028】
基板１１の厚さは、５０μｍ以上７００μｍ以下であることが好ましい。一例では、基板１１の厚さは、１００μｍである。また、基板１１の第１面１１ａの表面粗さ（算術平均粗さ）は、基板１１の第１面１１ａ上に設けられている導電性厚膜１２及び第２面１１ｂ上に設けられている導電層２２において高周波信号の伝送損失が生じるのを防ぐ観点から、小さいことが好ましい。この観点から、基板１１の第１面１１ａの表面粗さは、５０ｎｍ以下、特に０．１ｎｍ以上３０ｎｍ以下であることが好ましい。本明細書において算術平均粗さは、ＪＩＳ規格ＪＩＳ Ｂ ０４０１：２００１による定義に従う。以下、本明細書において、表面粗さは、算術平均粗さを指す。
【0029】
基板１１は、第１面１１ａと第２面１１ｂとを貫通する貫通孔２０を有する。貫通孔内導電層２１は、貫通孔２０の内部に形成されており、貫通孔２０を貫通する貫通電極である。貫通孔内導電層２１は、貫通孔２０の内側の側面から順に外周部分２１１及び内周部分２１２を含む。外周部分２１１と貫通孔２０の内側面との間に、密着層のような別の膜がさらに配置されてもよい。密着層としては、酸化亜鉛（ＺｎＯ）が挙げられる。酸化亜鉛を含む密着層は、例えば、ゾルゲル法によって形成される。
【0030】
貫通孔２０の開口幅は、４０μｍ以上１１０μｍ以下であることが好ましい。一例では、貫通孔２０の開口幅は、８０μｍである。本明細書において、貫通孔２０の開口幅は、第１面１１ａと第２面１１ｂとの間において、これらの面に沿った貫通孔２０の断面が形成する形状を規定し、当該形状の外縁の任意の２点間の最大距離を指す。外縁によって形成される形状が円形である場合、貫通孔２０の開口幅は、円の直径を指す。
【0031】
貫通孔２０は、図２では、例として、第１面１１ａと第２面１１ｂとの間でいずれも開口幅が同じ、すなわち円柱形状を有するが、他の形状を有してもよい。例えば、第１面１１ａと第２面１１ｂとの間で開口幅の大きさが変化してもよい。例えば、開口幅は、極小値を有してもよいし、極大値を有してもよいし、極小値及び極大値を有してもよい。また、開口幅が第１面１１ａから第２面１１ｂにかけて徐々に大きくなってもよいし、徐々に小さくなってもよい。
【0032】
貫通孔２０は、基板１１に対して、例えば、エッチング加工、レーザ加工、レーザ加工とエッチング加工との組合せによる加工、サンドブラスト加工、放電加工、又はドリル加工を行うことによって形成される。
【0033】
貫通孔内導電層２１は、図２に示されるように貫通孔２０の内側面に沿って導電材料の層を有する形態に限らず、貫通孔２０内に導電材料が充填された形態を有してもよい。
【0034】
キャパシタ１００は、基板１１の第１面１１ａ上に設けられている。キャパシタ１００において、下部電極１６、誘電体膜１３、及び上部電極１４は、この順に積層されている。
【0035】
配線部１０１は、基板１１の第１面１１ａ上に設けられている。
【0036】
下部電極１６は、基板１１の第１面１１ａ上に設けられている。下部電極１６は、基板１１の第１面１１ａ上に直接配置されてもよいし、導電材料又は絶縁材料の層を少なくとも１層介して基板１１の第１面１１ａ上に配置されてもよい。例えば、基板１１の第１面１１ａ上に絶縁性樹脂を配置することにより、導電性厚膜１２と基板１１の熱膨張率の差により発生する応力を緩和できる。絶縁性樹脂としては、エポキシ、ポリイミド、ポリベンゾオキサゾール、又はポリアミドが挙げられる。
【0037】
下部電極１６は、図１を参照しながら上記されているように導電性厚膜１２を含むことに加え、導電性薄膜１５を含む。キャパシタ１００の導電性厚膜１２と配線部１０１の導電性厚膜１２は、同じ材料から構成され、ＸＹ平面に沿った形状が異なる点を除いて、同じ構造を有する。すなわち、配線部１０１も、導電性厚膜１２及び導電性薄膜１５を含む。キャパシタ１００、及びこのキャパシタ１００と接続されている配線部１０１において、導電性厚膜１２及び導電性薄膜１５からなる構造は連続しており、一体となっている。
【0038】
配線基板１０は、基板１１の第１面１１ａと導電性厚膜１２との間にシード層１２１を含んでいてもよい。シード層１２１は、下部電極１６と膜質又は膜種の異なる導電層である。シード層１２１は、導電性厚膜１２を電解めっき法で形成するときの電極として機能する。シード層１２１は、貫通孔内導電層２１の外周部分２１１と連続している。
【0039】
一例では、シード層１２１は、銅（Ｃｕ）から構成される。シード層１２１は、クロム（Ｃｒ）又はチタン（Ｔｉ）から構成されてもよい。また、シード層１２１は、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）、及びチタン（Ｔｉ）の２つ以上の膜から構成されてもよい。シード層１２１の厚さは、２０ｎｍ以上８００ｎｍ以下であることが好ましい。一例では、シード層１２１の厚さは、３００ｎｍである。シード層１２１は、例えば、無電解めっき法、又はスパッタ法により形成される。
【0040】
導電性厚膜１２と第１面１１ａとの間に、さらに別の膜が設けられてもよい。例えば、シード層１２１と基板１１の間に、シード層１２１が基板１１から剥がれにくくするための密着層が設けられてもよい。密着層としては、酸化亜鉛（ＺｎＯ）が挙げられる。酸化亜鉛を含む密着層は、例えば、ゾルゲル法によって形成される。また、貫通孔２０が形成される際のエッチングストップ層が形成されていてもよい。エッチングストップ層としては、スパッタ法によって形成された（Ｃｒ）が挙げられる。
【0041】
導電性厚膜１２は、例えば、シード層１２１を給電に用いて、電解めっき法により形成される。導電性厚膜１２は、一例では、銅（Ｃｕ）から構成される。導電性厚膜１２は、他の導電材料から構成されてもよいし、複数の膜から構成されてもよい。導電性厚膜１２の厚さは、０．５μｍ以上３０μｍ以下であることが好ましい。一例では、導電性厚膜１２の厚さは、８μｍである。導電性厚膜１２を厚くすることによって、導電性厚膜１２の抵抗を小さくすることができ、配線基板１０の電気特性が向上する。一方、導電性厚膜１２が厚いと、導電性厚膜１２中の結晶の粒形が大きくなりやすく、粒界や欠陥も深くなる。キャパシタ１００を製造するプロセスにおいては、イオン、特にハロゲンイオンもしくはハロゲン化物が、導電性厚膜１２の粒界や欠陥の深くに残留しやすい。この残留物がキャパシタ１００を含む配線基板１０の電気特性の劣化の一因となっており、その解決策として、導電性薄膜１５が設けられる。
【0042】
導電性厚膜１２の上面の表面粗さは、導電性厚膜１２の側面の表面粗さよりも小さく設定される。導電性厚膜１２の厚さ方向においては、隣り合う配線との間の距離が比較的短く、導電性厚膜１２のＸＹ面に沿った方向においては、隣り合う配線との間の距離が比較的長い。配線間距離の比較的短い上面の表面粗さを小さくすることによって、導電性厚膜１２による信号を伝送する特性のばらつきや配線部１０１の一部として形成されるインダクタ部１０２及び（又は）１０３のインダクタンス値のばらつきを抑制できる。また、配線間距離の比較的長い側面の表面粗さを粗くすることによって、導電性厚膜１２の周囲に設けられる絶縁層２３との密着性を得ることができ、繰り返し熱負荷の印加後の密着性のばらつきを抑制できる。例えば、導電性厚膜１２の上面上に導電性薄膜１５を形成し、露出している導電性厚膜１２の側面のみをエッチングすることによって、導電性厚膜１２の上面と側面との間で表面粗さの差を形成できる。上面の表面粗さは、５０ｎｍ以下であり、０．１ｎｍ以上３０ｎｍ以下であることが好ましい。側面の表面粗さは、５０ｎｍ以上であり、４０ｎｍ以上４００ｎｍ以下であることが好ましい。
【0043】
導電性厚膜１２は、貫通孔内導電層２１の内周部分２１２と連続している。さらに、導電性厚膜１２、貫通孔内導電層２１、及び導電層２２は、少なくとも一部において、互いに一体になっていてもよい。これにより、導電性厚膜１２、貫通孔内導電層２１、及び導電層２２は、電気的に接続される。図２は、そのような例を示す。
【0044】
導電性薄膜１５を設けることによって、ハロゲンイオンが導電性厚膜１２に侵入したり、ハロゲンイオンもしくはハロゲン化物が導電性厚膜１２の内部又は表面に残留することを抑制できる。ハロゲンイオンは、例えば、誘電体膜１３のパターニングの際に広く用いられるドライエッチングのハロゲンガス、例えばＣＦ４やＣｌ２によって生じる。
【0045】
詳細なプロセスは後述するが、誘電体膜１３は、化学気相蒸着（ＣＶＤ）によって、製造途中の配線基板１０の全面に誘電体膜が形成され、形成された誘電体膜の不要な部分がドライエッチングにより除去されることにより形成される。このとき、導電性薄膜１５がないと、導電性厚膜１２は、エッチングガスにさらされる。誘電体膜１３となる誘電体膜の面内に亘って、パターンに応じて、また、基板１１の内外で、ドライエッチングのエッチングレートが異なる。ドライエッチングにおけるエッチング反応は直進性が強く、生成されるハロゲン化物は、エッチングされる対象の上面に発生することが多い。このため、導電性厚膜１２の上面を導電性薄膜１５によって保護することにより、導電性厚膜１２でのハロゲン化物の生成を抑制できる。
【0046】
また、導電性薄膜１５を形成し、導電性厚膜１２の側面をエッチングによって粗化することによって、配線部１０１の上面の表面粗さを維持しつつ配線部１０１の側面を粗化できる。こうすることにより、導電性厚膜１２の周囲に設けられる絶縁層２３との密着性を得られる。
【0047】
導電性薄膜１５がない場合に、ドライエッチング後に、別のガス又はウエットエッチングによって配線部１０１の表面をエッチングすることによって、導電性厚膜１２中のハロゲン化物を除去することも可能である。しかしながら、導電性厚膜１２のような厚膜中の欠陥や粒界中に生成されたハロゲン化物を除去することは困難な場合がある。また、導電性厚膜１２の表面粗さ、特にその側面の表面粗さを確保しつつエッチングを実施するのも困難である。
【0048】
導電性薄膜１５は、下部電極１６と誘電体膜１３との密着性の向上の機能も有する。このため、導電性薄膜１５を設けることにより、導電性厚膜１２と誘電体膜１３が直接接する場合の密着性よりも、導電性厚膜１２と誘電体膜１３との密着性は高い。すなわち、導電性薄膜１５と誘電体膜１３との密着性は、導電性厚膜１２と誘電体膜１３との密着性より高い。これに代えて、又はこれに加えて、導電性薄膜１５と導電性厚膜１２との密着性は、導電性厚膜１２と誘電体膜１３との密着性より高い。
【0049】
このように、導電性薄膜１５は、導電性厚膜１２のハロゲンイオンからの保護の機能と、導電性厚膜１２と誘電体膜１３との密着性の向上の機能とを有する。このような目的で、導電性薄膜１５は、２つの機能を両立する特性を有する。
【0050】
導電性薄膜１５は、例えば、電解めっき法、又はスパッタ法により形成される。ハロゲンイオンからの保護の観点では、導電性薄膜１５の厚さは、導電性薄膜１５の結晶粒径の平均値よりも大きい方が好ましい。こうすることにより、導電性薄膜１５中に、導電性薄膜１５の上面から下面に亘る孔が形成されることを抑制できる。一方、導電性薄膜１５が厚すぎると、導電性薄膜１５の導電率が導電性厚膜１２のように高くないことに起因して配線基板１０の電気特性が劣化する。導電性薄膜１５がその結晶粒径の平均よりも厚い範囲において、結晶粒径の平均が１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下の導電性薄膜１５を形成し、誘電体膜１３の厚さを２０ｎｍ以上１００ｎｍ以下とすることにより、厚い誘電体膜１３を含んだキャパシタ１００を形成できる。こうすることにより、電気特性に優れた配線基板１０を提供できる。
【0051】
導電性薄膜１５は、例えば、２％以上３０％以下の導電率を有する材料から構成される。こうすることにより、導電性薄膜１５の内部又は表面にハロゲン化物が残留したとしても下部電極１６及び配線部１０１を流れる信号の大部分は導電性厚膜１２中を流れる。このため、導電性薄膜１５による、信号の劣化及び配線基板１０の電気特性への影響は限定的となる。
【0052】
導電性薄膜１５の熱膨張係数は、導電性厚膜１２の熱膨張係数より小さく、誘電体膜１３の熱膨張係数より大きいことが好ましい。こうすることにより、誘電体膜１３にかかる応力が緩和され、誘電体膜１３のクラック及び（又は）剥離を抑制できる。よって、キャパシタ１００の電気特性の劣化を低減できる。
【0053】
導電性薄膜１５の弾性率は、導電性厚膜１２の弾性率よりも大きいことが好ましい。こうすることにより、導電性薄膜１５が薄い場合においても十分に応力を緩和できる。
【0054】
導電性薄膜１５としては、例えば、スパッタ法によって形成されたチタン（Ｔｉ）、白金（Ｐｔ）、イリジウム（Ｉｒ）、ルテニウム（Ｒｕ）、又はクロム（Ｃｒ）の膜が使用できる。導電性薄膜１５の形成の方法及び（又は）条件により、導電性薄膜１５の材料の結晶粒形、導電率、弾性率、及び（又は）熱膨張係数が或る範囲において変動する。よって、導電性薄膜１５の形成方法及び（又は）条件を制御することで、所望の特性を有する導電性薄膜１５を得られる。
【0055】
誘電体膜１３は、一例では、窒化シリコン（ＳｉＮ）から構成される。誘電体膜１３は、酸化シリコン（ＳｉＯ）、又は酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの無機材料から構成されてもよいし、複数の膜から構成されてもよい。
【0056】
誘電体膜１３の比誘電率は、キャパシタ１００の周囲に位置する絶縁層２３よりも高いことが好ましい。誘電体膜１３の比誘電率は、例えば、２．０以上９．０以下であり、より好ましくは３．０以上８．０以下である。誘電体膜１３の厚さは、５０ｎｍ以上３０００ｎｍ以下であることが好ましい。より好ましくは、誘電体膜１３の厚さは、５００ｎｍ超である。一例では、誘電体膜１３の厚さは、１２００ｎｍである。誘電体膜１３は、例えば、ＣＶＤで形成される。
【0057】
誘電体膜１３は、パターニングによって、所望の位置にのみ設けられている。誘電体膜１３の厚さが厚いほど、誘電体膜１３のパターニングのためにエッチングの際に、下部電極１６及び配線部１０１が長くエッチングガスにさらされ、ハロゲン化物が生成されやすい。
【0058】
【0059】
さらに、誘電体膜１３の端部は、１０度以上８０度以下の傾斜角度θで順テーパー形状を有すると、なお良い。順テーパー形状とすることで、誘電体膜１３は、導電性薄膜１５と高い密着性を有し、誘電体膜１３の端部への応力集中も起こりにくい。また、絶縁層２３の充填性が向上し、絶縁層２３中に気泡や空隙の発生することを抑制でき、絶縁層２３中のクラックの発生による抵抗成分の増加及びばらつき、並びに（又は）空隙自体による抵抗成分の増加及びばらつきを抑制できる。これにより、電気特性に優れた配線基板１０を提供できる。クラック及び（又は）空隙は、誘電体膜１３が厚い場合に発生しやすい。このような場合、クラック及び（又は）空隙の抑制の効果が大きい。一方、傾斜角度θが小さすぎると、誘電体膜１３の面積が大きくなり、配線基板１０の小型化及び小面積化が阻害される。
【0060】
図２に示されるように、上部電極１４は、一例では、銅（Ｃｕ）から構成される。上部電極１４は、他の導電材料から構成されてもよいし、複数の膜から構成されてもよい。上部電極１４は、例えば、後述のシード層１４１を給電に用いて、電解めっき法により形成される。上部電極１４の厚さは、０．５μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましい。一例では、上部電極１４の厚さは、５μｍである。上部電極１４は、スパッタ法、又は電解銅箔がエッチングによってパターニングされることによって形成されてもよい。
【0061】
図３に示されるように、配線基板１０は、上部電極１４と誘電体膜１３との間にシード層１４１を含んでもよい。シード層１４１は、上部電極１４を電解めっき法で形成するときの電極として機能する。一例では、シード層１４１は、銅（Ｃｕ）から構成される。シード層１４１は、クロム（Ｃｒ）又はチタン（Ｔｉ）から構成されてもよい。また、シード層１４１は、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）、及びチタン（Ｔｉ）の２つ以上の膜から構成されてもよい。シード層１４１の厚さは、２０ｎｍ以上４００ｎｍ以下であることが好ましい。一例では、シード層１４１の厚さは、３００ｎｍである。シード層１４１は、例えば、無電解めっき法、又はスパッタ法により形成される。
【0062】
図２に示されるように、導電層２２は、基板１１の第２面１１ｂ上に設けられている。導電層２２は、貫通孔内導電層２１の内周部分２１２と連続している。導電層２２は、貫通孔内導電層２１を介して導電性厚膜１２に電気的に接続されている。一例では、貫通孔内導電層２１は、導電性厚膜１２から連続的に延びている。導電層２２は、導電性厚膜１２と同じ材料から構成され、実質的に同じ厚さを有してもよい。こうすることにより、導電層２２が導電性厚膜１２と接続している部分において、導電層２２の抵抗値と導電性厚膜１２の抵抗値の差が生じにくい。これにより、導電層２２と導電性厚膜１２とを流れる信号の伝送損失を軽減できる。
【0063】
導電層２２、貫通孔内導電層２１、及び導電性厚膜１２のうち、少なくとも２つが同じ材料から構成されてもよい。
【0064】
配線基板１０は、導電層２２と基板１１の第２面１１ｂとの間にシード層２２１を含んでもよい。シード層２２１は、貫通孔内導電層２１の外周部分２１１と連続している。シード層２２１と第２面１１ｂとの間に、さらに別の層が設けられてもよい。例えば、シード層２２１と第２面１１ｂとの間に、導電性厚膜１２と第１面１１ａとの間に設けられ得る密着層と同様の密着層が設けられてもよい。
【0065】
絶縁層２３は、基板１１の第１面１１ａ上に設けられている。絶縁層２３は、一例では、有機材料である樹脂を含む層である。絶縁層２３は、シード層１２１、導電性厚膜１２、導電性薄膜１５、誘電体膜１３、及び上部電極１４を覆う。
【0066】
絶縁層２３中の上部電極１４と接する位置にビアホール２４が形成されている。ビアホール２４には、接続部２５が設けられている。接続部２５は、導電材料から構成されている。
【0067】
導電層２６は、配線基板１０の表面において接続部２５と接する位置に設けられている。導電層２６は、接続部２５と電気的に接続されている。
【0068】
絶縁層３１は、基板１１の第２面１１ｂ上に設けられている。絶縁層３１は、一例では、有機材料である樹脂を含む層である。絶縁層３１は、導電層２２及びシード層２２１を覆う。
【0069】
絶縁層３１中の導電層２２と接する位置にビアホール３２が形成されている。ビアホール３２には、接続部３３が設けられている。接続部３３は、導電材料から構成されている。
【0070】
導電層３４は、配線基板１０の表面において接続部３３と接する位置に設けられている。導電層３４は、接続部３３と電気的に接続されている。
【0071】
１．２．半導体装置の構成
図４は、本発明の第１実施形態に係る配線基板を含んだ半導体装置の概略的な断面である。半導体装置４０は、第１実施形態に係る配線基板１０、半導体チップ４１、はんだボール４２、回路基板４３、及びはんだボール４４を含む。配線基板１０は、インターポーザとして用いられる。
図４は、本発明の第１実施形態に係る配線基板を含んだ半導体装置の概略的な断面である。半導体装置４０は、第１実施形態に係る配線基板１０、半導体チップ４１、はんだボール４２、回路基板４３、及びはんだボール４４を含む。配線基板１０は、インターポーザとして用いられる。
【0072】
半導体チップ４１は、配線基板１０に含まれる基板１１の第１面１１ａ側に設けられている。半導体チップ４１の接続端子は、はんだボール４２を介して配線基板１０の導電層２６と接続されている。こうして、半導体チップ４１は、はんだボール４２を介して配線基板１０と電気的に接続されている。
【0073】
回路基板４３は、例えば、マザーボードである。回路基板４３は、配線基板１０に含まれる基板１１の第２面１１ｂ側に設けられる。回路基板４３の導電材料からなるパターンは、はんだボール４４を介して配線基板１０の導電層２２と接続されている。こうして、回路基板４３は、はんだボール４４を介して配線基板１０と電気的に接続されている。
【0074】
半導体装置４０によれば、半導体チップ４１、配線基板１０、及び回路基板４３を互いに電気的に接続するとともに、これらを積層することが可能である。また、接続端子のピッチが小さい半導体チップ４１を、マザーボードなどの大型の回路基板４３へ実装することが可能である。
【0075】
基板１１の第１面１１ａ側に回路基板４３を配置するとともに基板１１の第２面１１ｂ側に半導体チップ４１を配置してもよい。半導体装置４０は、配線基板１０に加えて、半導体チップ４１のみ、又は、回路基板４３のみを含んでいてもよい。
【0076】
１．３．配線基板の製造方法
図５乃至図１１、図１２Ａ、図１２Ｂ、図１３Ａ、図１３Ｂ、図１４Ａ、図１４Ｂ、及び図１５乃至図１９は、本発明の第１実施形態に係る配線基板の製造工程の間の概略的な断面図である。図５乃至図１１、図１２Ａ、図１２Ｂ、図１３Ａ、図１３Ｂ、図１４Ａ、図１４Ｂ、及び図１５乃至図１９は、いずれも図２に示される部分の断面形状を示す。
図５乃至図１１、図１２Ａ、図１２Ｂ、図１３Ａ、図１３Ｂ、図１４Ａ、図１４Ｂ、及び図１５乃至図１９は、本発明の第１実施形態に係る配線基板の製造工程の間の概略的な断面図である。図５乃至図１１、図１２Ａ、図１２Ｂ、図１３Ａ、図１３Ｂ、図１４Ａ、図１４Ｂ、及び図１５乃至図１９は、いずれも図２に示される部分の断面形状を示す。
【0077】
１．３．１．第１工程
まず、図５に示されるように、基板１１の第２面１１ｂに、接着層５１を介して支持体５０が貼り合わされる。基板１１に支持体５０を貼り合わせる工程には、例えば、ラミネータ、真空加圧プレス、又は減圧貼り合わせ機が用いられる。
まず、図５に示されるように、基板１１の第２面１１ｂに、接着層５１を介して支持体５０が貼り合わされる。基板１１に支持体５０を貼り合わせる工程には、例えば、ラミネータ、真空加圧プレス、又は減圧貼り合わせ機が用いられる。
【0078】
接着層５１は、基板１１に支持体５０を仮固定するための接着層である。接着層５１としては、樹脂、又は支持体５０に形成された官能基が用いられる。樹脂としては、ＵＶ光等の光を吸収して発熱、昇華、又は変質することにより剥離が可能となる樹脂、又は、熱によって発泡することにより剥離が可能となる樹脂が挙げられる。一例によれば、接着層５１は、第２面１１ｂ上に形成された官能基である。接着層５１として用いられる官能基としては、例えば、水酸基（ヒドロキシル基）が挙げられる。
【0079】
図５、及び後続の図６乃至図１１、図１２Ａ、図１２Ｂ、図１３Ａ、図１３Ｂ、図１４Ａ、図１４Ｂ、図１５、及び図１６では、図による理解の促進のために、接着層５１は厚さを有する層として示されている。しかしながら、接着層５１として第２面１１ｂに形成された官能基が用いられる場合、接着層５１の厚さは、基板１１及び支持体５０と比較して無視できるほど小さい。このため、接着層５１は、基板１１と支持体５０との間の界面と表現することもできる。この場合、支持体５０は、基板１１と直接貼り合わされていると表現することもできる。
【0080】
支持体５０は、薄板状のキャリアである。接着性の観点から、支持体５０は、基板１１と同一の材料で構成されることが好ましい。すなわち、基板１１が無アルカリガラスである場合、支持体５０も無アルカリガラスであることが好ましい。支持体５０の厚さは、基板１１の厚さに応じて適宜設定される。支持体５０の厚さは、基板１１の搬送性を鑑み、３００μｍ以上１５００μｍ以下であることが好ましい。
【0081】
一例では、貼り合わせられた基板１１、接着層５１、及び支持体５０を含む積層構造体として、日本電気硝子社製 Ｇｌａｓｓ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ（ＧＯＧ）が使用される。この場合、支持体５０はガラスであり、接着層５１は水酸基（ヒドロキシル基）及び複数の官能基を含む。
【0082】
次に、基板１１に対してレーザ光が照射され、これによって、基板１１に１つ以上の改質部５２が形成される。レーザ光は、第１面１１ａから第２面１１ｂへ向かう方向に照射されてもよいし、第２面１１ｂから第１面１１ａへ向かう方向に照射されてもよい。図５は、レーザ光が第１面１１ａから第２面１１ｂへ向かう方向に照射される例を示す。改質部５２は、例えば、レーザ光の照射によって加熱されることにより、レーザ光が照射されていない部との間で結晶性に相違を生じた部分である。改質部５２は、基板１１に形成される貫通孔２０が形成される予定の位置に形成される。改質部５２は、例えば、第１面１１ａ及び第２面１１ｂと交差する方向に延びる。第１面１１ａから第２面１１ｂに向かってレーザ光が照射される場合、改質部５２は、接着層５１及び支持体５０まで到達するように形成されてもよい。
【0083】
１．３．２．第２工程
図６に示されるように、基板１１の第１面１１ａ上に、無電解めっき法、又はスパッタ法によって、エッチングバリア層（図示せず）及びシード層１２１が形成される。一例では、スパッタ法によって、エッチングバリア層としてクロム（Ｃｒ）が形成され、シード層１２１として銅（Ｃｕ）が形成された。図２を参照しながら上記されているように、シード層１２１と第１面１１ａとの間に、シード層１２１の形成前に密着層が形成されてもよい。
図６に示されるように、基板１１の第１面１１ａ上に、無電解めっき法、又はスパッタ法によって、エッチングバリア層（図示せず）及びシード層１２１が形成される。一例では、スパッタ法によって、エッチングバリア層としてクロム（Ｃｒ）が形成され、シード層１２１として銅（Ｃｕ）が形成された。図２を参照しながら上記されているように、シード層１２１と第１面１１ａとの間に、シード層１２１の形成前に密着層が形成されてもよい。
【0084】
１．３．３．第３工程
図７に示されるように、シード層１２１の上面上にレジスト層５３が形成される。レジスト層５３は、導電性厚膜１２が形成される予定の領域において、上面から下面に亘って開口している。次に、電解めっき法により、シード層１２１のうちレジスト層５３で覆われていない部分に導電性厚膜１２の材料が形成される。これにより、第１面１１ａ上に導電性厚膜１２が形成される。一例において、導電性厚膜１２として、銅（Ｃｕ）の膜が形成された。電解銅めっきとして硫酸銅めっき浴が用いられ、２００ｇ／Ｌ、硫酸２００ｇ／Ｌ、添加剤適量、塩素イオン３０ｍｇ／Ｌを含むめっき浴にて、温度２５℃、及び陰極の電流密度１Ａ／ｄｍ２の条件で、銅が形成された。導電性厚膜１２の弾性率は９０ＧＰａであり、導電性厚膜１２の熱膨張係数は１６ｐｐｍ／℃であった。導電性厚膜１２の厚さは８μｍとされた。
図７に示されるように、シード層１２１の上面上にレジスト層５３が形成される。レジスト層５３は、導電性厚膜１２が形成される予定の領域において、上面から下面に亘って開口している。次に、電解めっき法により、シード層１２１のうちレジスト層５３で覆われていない部分に導電性厚膜１２の材料が形成される。これにより、第１面１１ａ上に導電性厚膜１２が形成される。一例において、導電性厚膜１２として、銅（Ｃｕ）の膜が形成された。電解銅めっきとして硫酸銅めっき浴が用いられ、２００ｇ／Ｌ、硫酸２００ｇ／Ｌ、添加剤適量、塩素イオン３０ｍｇ／Ｌを含むめっき浴にて、温度２５℃、及び陰極の電流密度１Ａ／ｄｍ２の条件で、銅が形成された。導電性厚膜１２の弾性率は９０ＧＰａであり、導電性厚膜１２の熱膨張係数は１６ｐｐｍ／℃であった。導電性厚膜１２の厚さは８μｍとされた。
【0085】
１．３．４．第４工程
図８に示されるように、導電性厚膜１２の上面上及びレジスト層５３の上面上に、導電性薄膜１５が形成される。導電性薄膜１５は、例えば、スパッタ法によって形成される。一例において、導電性薄膜１５として、５０ｎｍの膜厚のチタン（Ｔｉ）が、チタン（Ｔｉ）の結晶の粒形の平均が２０ｎｍとなる条件で形成された。スパッタ法による導電性薄膜１５の形成は、アルゴン雰囲気中で実施されるのが好ましく、導電性薄膜１５の形成の間の被処理基板（図８の段階の製造途中の配線基板１０）の温度は５０℃以上１５０℃未満であることが好ましい。導電性薄膜１５の形成の時の圧力は０．０５Ｐａ以上５．０Ｐａ以下であることが好ましく、０．０５Ｐａ以上１．０Ｐａ以下であることがさらに好ましい。また、出力は１．０ｋＷ以上１０．０ｋＷ以下であることが好ましく、２．０ｋＷ以上５．０ｋＷ以下であることがさらに好ましい。一例において、導電率が銅の３％であり、ＣＴＥ（Coefficient of Linear Thermal Expansion）が８ｐｐｍ／℃であり、弾性率が１２０ＧＰａのチタン（Ｔｉ）の膜が被処理基板の全面に形成された。形成される導電性薄膜１５の導電率は導電性厚膜１２の導電率の２％以上３０％以下であることが好ましく、導電性薄膜１５のＣＴＥは誘電体膜１３及び導電性厚膜１２のＣＴＥよりも小さいことが好ましい。導電性薄膜１５を形成する方法としては、他に、電解めっき法、又は無電解めっき法が挙げられる。導電性薄膜１５の材料は、チタン（Ｔｉ）に限定されず、図２を参照して上記されているように、白金（Ｐｔ）、イリジウム（Ｉｒ）、ルテニウム（Ｒｕ）、又はクロム（Ｃｒ）が用いられてもよい。この場合、成膜条件によって、上記の特性の導電性薄膜１５を得られる。
図８に示されるように、導電性厚膜１２の上面上及びレジスト層５３の上面上に、導電性薄膜１５が形成される。導電性薄膜１５は、例えば、スパッタ法によって形成される。一例において、導電性薄膜１５として、５０ｎｍの膜厚のチタン（Ｔｉ）が、チタン（Ｔｉ）の結晶の粒形の平均が２０ｎｍとなる条件で形成された。スパッタ法による導電性薄膜１５の形成は、アルゴン雰囲気中で実施されるのが好ましく、導電性薄膜１５の形成の間の被処理基板（図８の段階の製造途中の配線基板１０）の温度は５０℃以上１５０℃未満であることが好ましい。導電性薄膜１５の形成の時の圧力は０．０５Ｐａ以上５．０Ｐａ以下であることが好ましく、０．０５Ｐａ以上１．０Ｐａ以下であることがさらに好ましい。また、出力は１．０ｋＷ以上１０．０ｋＷ以下であることが好ましく、２．０ｋＷ以上５．０ｋＷ以下であることがさらに好ましい。一例において、導電率が銅の３％であり、ＣＴＥ（Coefficient of Linear Thermal Expansion）が８ｐｐｍ／℃であり、弾性率が１２０ＧＰａのチタン（Ｔｉ）の膜が被処理基板の全面に形成された。形成される導電性薄膜１５の導電率は導電性厚膜１２の導電率の２％以上３０％以下であることが好ましく、導電性薄膜１５のＣＴＥは誘電体膜１３及び導電性厚膜１２のＣＴＥよりも小さいことが好ましい。導電性薄膜１５を形成する方法としては、他に、電解めっき法、又は無電解めっき法が挙げられる。導電性薄膜１５の材料は、チタン（Ｔｉ）に限定されず、図２を参照して上記されているように、白金（Ｐｔ）、イリジウム（Ｉｒ）、ルテニウム（Ｒｕ）、又はクロム（Ｃｒ）が用いられてもよい。この場合、成膜条件によって、上記の特性の導電性薄膜１５を得られる。
【0086】
１．３．５．第５工程
図９に示されるように、例えば、リフトオフプロセスによって、レジスト層５３が剥離によって除去されるとともに、レジスト層５３の上面上の導電性薄膜１５が除去される。この時、レジスト層５３を微細に粉砕し剥離する機能を有するウエット系の剥離方式及び剥離液を用いることが好ましい。こうすることにより、レジスト層５３、導電性薄膜１５の残留が少なく、簡易に、導電性薄膜１５の所望のパターンを形成できる。一例において、アミン系の剥離液が用いられた。剥離方式として、ディップによる剥離の他、スプレー方式又は超音波洗浄方式など剥離を補助する方法が使用されてもよい。
図９に示されるように、例えば、リフトオフプロセスによって、レジスト層５３が剥離によって除去されるとともに、レジスト層５３の上面上の導電性薄膜１５が除去される。この時、レジスト層５３を微細に粉砕し剥離する機能を有するウエット系の剥離方式及び剥離液を用いることが好ましい。こうすることにより、レジスト層５３、導電性薄膜１５の残留が少なく、簡易に、導電性薄膜１５の所望のパターンを形成できる。一例において、アミン系の剥離液が用いられた。剥離方式として、ディップによる剥離の他、スプレー方式又は超音波洗浄方式など剥離を補助する方法が使用されてもよい。
【0087】
１．３．６．第６工程
図１０に示されるように、シード層１２１の上面上、導電性薄膜１５の上面上、導電性厚膜１２の側面上、及び導電性薄膜１５の側面上に亘って、誘電体膜１３が形成される。一例において、誘電体膜１３はＣＶＤによって形成され、１２００ｎｍの窒化シリコン（ＳｉＮ）の膜が形成された。
図１０に示されるように、シード層１２１の上面上、導電性薄膜１５の上面上、導電性厚膜１２の側面上、及び導電性薄膜１５の側面上に亘って、誘電体膜１３が形成される。一例において、誘電体膜１３はＣＶＤによって形成され、１２００ｎｍの窒化シリコン（ＳｉＮ）の膜が形成された。
【0088】
１．３．７．第７工程
図１１に示されるように、上部電極１４が形成される。すなわち、まず、スパッタ法によって、誘電体膜１３の上面上にシード層１４１が形成される。次に、フォトリソグラフィによって、シード層１４１の上面上に、パターンを有するレジスト層（図示せず）が形成される。レジスト層のパターンは、誘電体膜１３が形成される予定の領域の上方に位置する。次いで、シード層１４１が、レジスト層を使用してパターニングされる。次に、シード層１４１をシードとして用いて、電界めっき法によって、上部電極１４が形成される。次に、レジスト層が剥離によって除去され、さらに、不要なシード層１４１が除去される。
図１１に示されるように、上部電極１４が形成される。すなわち、まず、スパッタ法によって、誘電体膜１３の上面上にシード層１４１が形成される。次に、フォトリソグラフィによって、シード層１４１の上面上に、パターンを有するレジスト層（図示せず）が形成される。レジスト層のパターンは、誘電体膜１３が形成される予定の領域の上方に位置する。次いで、シード層１４１が、レジスト層を使用してパターニングされる。次に、シード層１４１をシードとして用いて、電界めっき法によって、上部電極１４が形成される。次に、レジスト層が剥離によって除去され、さらに、不要なシード層１４１が除去される。
【0089】
１．３．８．第８工程
次に、図１２Ａ、図１２Ｂ、図１３Ａ、図１３Ｂ、図１４Ａ、及び図１４Ｂに示されるように、誘電体膜１３のパターニングが行われる。図１２Ｂは図１２Ａ中のＣ部を拡大して示し、図１３Ｂは図１３Ａ中のＣ部を拡大して示し、図１４Ｂは図１４Ａ中のＣ部を拡大して示す。
次に、図１２Ａ、図１２Ｂ、図１３Ａ、図１３Ｂ、図１４Ａ、及び図１４Ｂに示されるように、誘電体膜１３のパターニングが行われる。図１２Ｂは図１２Ａ中のＣ部を拡大して示し、図１３Ｂは図１３Ａ中のＣ部を拡大して示し、図１４Ｂは図１４Ａ中のＣ部を拡大して示す。
【0090】
【0091】
次に、図１３Ａ及び図１３Ｂに示されるように、ドライエッチングによって、誘電体膜１３のうち、レジスト層５４によって覆われていない部分が除去される。一例において、ドライエッチングにＣＦ４ガスが用いられた。ドライエッチングのガスは、ＣＦ４に限定されず、ＣＨＦ３、ＣＨ２Ｆ２、ＣＨ３Ｆ、又はＳＦ６などの弗素系ガス、Ｃｌ２などの塩素系ガス、或いはＨＢｒなどの臭素系ガスが用いられてもよい。弗素系ガスを用いることによって、導電性薄膜１５と誘電体膜１３のエッチング選択比を取りやすく、誘電体膜１３の所望の構造を安定的に得られる。レジスト層５４の材料の選択、並びにドライエッチングのガス種、量、温度、及び（又は）処理時間を制御することにより、レジスト層５４の近傍のエッチングが阻害され、誘電体膜１３の端部の傾斜角度θを制御できる。一例において、レジスト層５４としてアクリル系のレジストが用いられ、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）によって、ＣＦ４、流量５０ｓｃｃｍ、被処理基板温度２５度、処理時間４００秒の条件でドライエッチング処理を行うことによって、誘電体膜１３の端部の傾斜角５０°が得られた。
【0092】
【0093】
１．３．９．第９工程
図１５に示されるように、シード層１２１の不要な部分、すなわち、シード層１２１のうちの導電性厚膜１２によって覆われていない部分がエッチングによって除去される。例えば、シード層１２１の不要な部分は、ウエットエッチングによってエッチングされる。この時、導電性薄膜１５がエッチングされず、シード層１２１がエッチングされる液を用いることが好ましい。一例において、シード層１２１は銅（Ｃｕ）とクロム（Ｃｒ）の積層構造を有するとともに導電性薄膜１５がチタン（Ｔｉ）から構成されているため、まず、硫酸－過酸化水素系の液を用いて、銅がエッチングされ、次いで、フェリシアン化カリウム系のエッチング液を用いて、クロムがエッチングされた。こうすることにより、導電性薄膜１５を侵すことなく不要なシード層１２１を除去できる。また、銅がエッチングされる際に導電性厚膜１２の側面がエッチングされることで側面に所望の粗さを形成でき、導電性薄膜１５で覆われている上面は平滑な面を得られる。このとき、導電性厚膜１２の側面の粗さは４０ｎｍであり、上面の粗さは３０ｎｍであった。
図１５に示されるように、シード層１２１の不要な部分、すなわち、シード層１２１のうちの導電性厚膜１２によって覆われていない部分がエッチングによって除去される。例えば、シード層１２１の不要な部分は、ウエットエッチングによってエッチングされる。この時、導電性薄膜１５がエッチングされず、シード層１２１がエッチングされる液を用いることが好ましい。一例において、シード層１２１は銅（Ｃｕ）とクロム（Ｃｒ）の積層構造を有するとともに導電性薄膜１５がチタン（Ｔｉ）から構成されているため、まず、硫酸－過酸化水素系の液を用いて、銅がエッチングされ、次いで、フェリシアン化カリウム系のエッチング液を用いて、クロムがエッチングされた。こうすることにより、導電性薄膜１５を侵すことなく不要なシード層１２１を除去できる。また、銅がエッチングされる際に導電性厚膜１２の側面がエッチングされることで側面に所望の粗さを形成でき、導電性薄膜１５で覆われている上面は平滑な面を得られる。このとき、導電性厚膜１２の側面の粗さは４０ｎｍであり、上面の粗さは３０ｎｍであった。
【0094】
１．３．１０．第１０工程
図１６に示されるように、基板１１の第１面１１ａ上に、絶縁層２３が形成される。絶縁層２３が液状樹脂の場合、絶縁層２３は、例えば、スピンコート法により形成される。絶縁層２３がフィルム状樹脂の場合、絶縁層２３は、例えば、真空ラミネータを用いて真空下で加熱及び加圧することにより形成される。一例において、絶縁層２３として、味の素ファインテクノ社製の絶縁樹脂フィルムであるＡＢＦ－ＧＸＴ３１（厚さ３２．５μｍ）が第１面１１ａ上にラミネートされ、次いで、絶縁樹脂フィルムがプリキュアされた。
図１６に示されるように、基板１１の第１面１１ａ上に、絶縁層２３が形成される。絶縁層２３が液状樹脂の場合、絶縁層２３は、例えば、スピンコート法により形成される。絶縁層２３がフィルム状樹脂の場合、絶縁層２３は、例えば、真空ラミネータを用いて真空下で加熱及び加圧することにより形成される。一例において、絶縁層２３として、味の素ファインテクノ社製の絶縁樹脂フィルムであるＡＢＦ－ＧＸＴ３１（厚さ３２．５μｍ）が第１面１１ａ上にラミネートされ、次いで、絶縁樹脂フィルムがプリキュアされた。
【0095】
次に、基板１１と絶縁層２３とを含んだ複合体が、支持体５５に支持される。例えば、絶縁層２３が支持体５５と向き合うように、複合体と支持体５５とが接着層５６を介して貼り合わされる。
【0096】
接着層５６としては、例えば、樹脂、又は支持体５５に形成された官能基が用いられる。樹脂としては、ＵＶ光等の光を吸収して発熱、昇華、又は変質することにより剥離が可能となる樹脂、又は、熱によって発泡することにより剥離が可能となる樹脂が挙げられる。接着層５６は、接着層５１とは異なる材料で構成されることが好ましい。一例において、接着層５６として、日東電工社製のリバアルファ（登録商標）が使用される。
【0097】
支持体５５は、薄板状のキャリアである。支持体５５は、接着性の観点から、基板１１と同一の材料で構成されることが好ましい。すなわち、基板１１が無アルカリガラスである場合、支持体５５も無アルカリガラスであることが好ましい。支持体５５の厚さは、基板１１の厚さに応じて適宜設定される。支持体５５の厚さは、基板１１の搬送性を鑑み、３００μｍ以上１５００μｍ以下であることが好ましい。
【0098】
１．３．１１．第１１工程
図１７に示されるように、基板１１から、接着層５１及び支持体５０が分離される。基板１１からの接着層５１及び支持体５０の分離の際、接着層５１に使用した材料に応じて、ＵＶ光の照射、加熱処理、又は物理剥離から剥離方式が選択される。接着層５１及び支持体５０の剥離処理後に基板１１に接着層５１の残渣が生じる場合、プラズマ洗浄、超音波洗浄、水洗浄、又はアルコールを使用した溶剤洗浄が行われてもよい。
図１７に示されるように、基板１１から、接着層５１及び支持体５０が分離される。基板１１からの接着層５１及び支持体５０の分離の際、接着層５１に使用した材料に応じて、ＵＶ光の照射、加熱処理、又は物理剥離から剥離方式が選択される。接着層５１及び支持体５０の剥離処理後に基板１１に接着層５１の残渣が生じる場合、プラズマ洗浄、超音波洗浄、水洗浄、又はアルコールを使用した溶剤洗浄が行われてもよい。
【0099】
次に、基板１１の第２面１１ｂが、弗化水素を含んだエッチング液でエッチングされる。これにより、貫通孔２０が形成される。基板１１のうち、改質部５２のエッチングレートは、他の部分のエッチングレートより高い。このため、エッチング処理によって、基板１１に貫通孔２０が形成される。
【0100】
当該エッチング処理によるエッチング量は、基板１１の厚さに応じて、適宜設定される。例えば、エッチング処理前の基板１１の厚さが２００μｍである場合、基板１１のエッチング量は、５０μｍ以上１７５μｍ以下であることが好ましい。これにより、エッチング処理後の基板１１の厚さは、２５μｍ以上１５０μｍ以下とすることができる。
【0101】
弗化水素を含んだエッチング液は、例えば、弗化水素水溶液である。エッチング液は、硝酸、塩酸、及び硫酸のうちの１種以上の無機酸をさらに含んでいてもよい。
【0102】
エッチング液の弗化水素濃度は、例えば、１．０質量％以上４０質量％以下であり、好ましくは２．０質量％以上５．０質量％以下である。無機酸濃度は、例えば、１．０質量％以上２０．０質量％以下であり、好ましくは、３．０質量％以上１４０質量％以下である。各成分について上記範囲内の濃度を有するエッチング液を使用して、１．０μｍ／ｍｉｎ以下のエッチングレートでエッチング処理を行うことが好ましい。エッチング処理の際のエッチング液の温度は、１０℃以上４０℃以下であることが好ましい。
【0103】
１．３．１２．第１２工程
図１８に示されるように、基板１１の第２面１１ｂ面上及び貫通孔２０内に、シード層（図示せず）が形成される。シード層は、例えば、スパッタ法、又は無電解めっき法によって形成される。次に、シード層が露光及び現像によってパターンを有するレジスト層によって覆われ、電解銅めっきが行われ、レジスト層及びシード層のレジスト層によって覆われている部分が除去される。これにより、導電層２２及び貫通孔内導電層２１が形成される。
図１８に示されるように、基板１１の第２面１１ｂ面上及び貫通孔２０内に、シード層（図示せず）が形成される。シード層は、例えば、スパッタ法、又は無電解めっき法によって形成される。次に、シード層が露光及び現像によってパターンを有するレジスト層によって覆われ、電解銅めっきが行われ、レジスト層及びシード層のレジスト層によって覆われている部分が除去される。これにより、導電層２２及び貫通孔内導電層２１が形成される。
【0104】
次に、導電層２２の下面上、及び貫通孔内導電層２１の表面上に、絶縁層２３が形成される。一例において、貫通孔２０は、絶縁層２３によって埋め込まれる。
【0105】
１．３．１３．第１３工程
図１９に示されるように、基板１１から、接着層５６及び支持体５５が分離される。基板１１からの接着層５６及び支持体５５の分離の際、接着層５６に使用した材料に応じて、ＵＶ光の照射、加熱処理、又は物理剥離から剥離方式が選択される。接着層５６及び支持体５５の剥離処理後に基板１１に接着層５６の残渣が生じる場合、プラズマ洗浄、超音波洗浄、水洗浄、又はアルコールを使用した溶剤洗浄が行われてもよい。
図１９に示されるように、基板１１から、接着層５６及び支持体５５が分離される。基板１１からの接着層５６及び支持体５５の分離の際、接着層５６に使用した材料に応じて、ＵＶ光の照射、加熱処理、又は物理剥離から剥離方式が選択される。接着層５６及び支持体５５の剥離処理後に基板１１に接着層５６の残渣が生じる場合、プラズマ洗浄、超音波洗浄、水洗浄、又はアルコールを使用した溶剤洗浄が行われてもよい。
【0106】
次に、例えば、レーザ加工により、絶縁層２３にビアホール２４が形成される。次に、デスミア処理、スパッタ法、又は無電解めっき法によって、絶縁層２３の上面上及びビアホール２４内にシード層（図示せず）が形成される。次に、シード層が露光及び現像によってパターンを有するレジスト層によって覆われ、電解銅めっきが行われ、レジスト層及びシード層のうちのレジスト層によって覆われていない部分が除去される。これにより、接続部２５及び導電層２６が形成される。
【0107】
次に、例えば、レーザ加工により、絶縁層３１にビアホール３２が形成される。次に、デスミア処理、スパッタ法、又は無電解めっき法により、絶縁層２３の上面上及びビアホール３２内にシード層（図示せず）が形成される。次に、シード層が露光及び現像によってパターンを有するレジスト層によって覆われ、電解銅めっきが行われ、レジスト層及びシード層のうちのレジスト層によって覆われていない部分が除去される。これにより、接続部３３及び導電層３４が形成される。
【0108】
２．第２実施形態
２．１．配線基板の構成（構造）
図２０及び図２１は、本発明の第２実施形態に係る配線基板の概略的な断面図である。図２０は、第１実施形態の図２と同じ領域を示す。図２１は、第１実施形態の図３と同じ領域を示す。
２．１．配線基板の構成（構造）
図２０及び図２１は、本発明の第２実施形態に係る配線基板の概略的な断面図である。図２０は、第１実施形態の図２と同じ領域を示す。図２１は、第１実施形態の図３と同じ領域を示す。
【0109】
第２実施形態に係る配線基板１０は、配線部１０１において、第１実施形態に係る配線基板１０と異なる。第２実施形態に係る配線基板１０は、配線部１０１において以下に記載される構成を有し、それ以外の部分の構成については、第１実施形態に係る配線基板１０と同じである。
【0110】
第２実施形態に係る配線基板１０は、無機絶縁膜６１をさらに含む。無機絶縁膜６１は、配線部１０１において、導電性薄膜１５の上面上に設けられている。無機絶縁膜６１は誘電体膜１３と同じでもよいし、異なってもよい。無機絶縁膜６１の厚さは誘電体膜１３の厚さよりも小さく、５ｎｍ以上であることが好ましい。無機絶縁膜６１は、例えば、配線部１０１の導電性薄膜１５の上面の全面に設けられる。又は、５μｍ２以下のサイズの無機絶縁膜６１が点在していることが好ましい。配線部１０１の導電性薄膜１５の上面の面積に占める無機絶縁膜６１の面積は３％以上５０％以下が好ましく、さらに好ましくは３％以上３０％以下である。こうすることにより、絶縁層２３に防湿性に乏しい材料が用いられる場合に、絶縁層２３による吸湿に起因する電気特性の変化を抑制できる。さらに、無機絶縁膜６１を導電性薄膜１５の上面に点在させることで、配線部１０１の上面に凹凸を形成でき、導電性薄膜１５と絶縁層２３との密着性が向上し、導電性薄膜１５と絶縁層２３の界面での剥離を抑制できる。また、無機絶縁膜６１の誘電正接を、絶縁層２３の誘電正接よりも小さくすることによって、絶縁層２３の影響による信号の伝送損失を抑制でき、電気特性に優れた配線基板１０を提供できる。
【0111】
２．１．配線基板の製造方法
第２実施形態に係る配線基板１０は、以下に記載される方法によって無機絶縁膜６１を形成すること以外は、第１実施形態において図５乃至図１１、図１２Ａ、図１２Ｂ、図１３Ａ、図１３Ｂ、図１４Ａ、図１４Ｂ、及び図１５乃至図１９を参照しながら説明したのと同様の方法により製造できる。
第２実施形態に係る配線基板１０は、以下に記載される方法によって無機絶縁膜６１を形成すること以外は、第１実施形態において図５乃至図１１、図１２Ａ、図１２Ｂ、図１３Ａ、図１３Ｂ、図１４Ａ、図１４Ｂ、及び図１５乃至図１９を参照しながら説明したのと同様の方法により製造できる。
【0112】
図２２Ａ、図２２Ｂ、図２３Ａ、及び図２３Ｂは、本発明の第２実施形態に係る配線基板の製造方法の製造工程の間の断面図である。図２２Ａ、図２２Ｂ、図２３Ａ、及び図２３Ｂは、いずれも図２０に示される部分の断面形状を示す。図２２Ｂは図２２Ａ中のＣ部を拡大して示し、図２３Ｂは図２３Ａ中のＣ部を拡大して示す。無機絶縁膜６１は、例えば、以下の方法により形成できる。
【0113】
まず、第１実施形態において図１１を参照しながら上記されている構造が形成される。
【0114】
次に、図２２Ａ及び図２２Ｂに示されるように、第１実施形態において図１２を参照して上記されている工程によって、レジスト層５４が形成される。次に、レジスト層６２が形成される。レジスト層６２は、無機絶縁膜６１が形成される予定の領域の上方において部分的に残存している。レジスト層５４が形成される前にレジスト層６２が形成されてもよい。レジスト層５４とレジスト層６２は同じでもよいし、別でもよい。
【0115】
レジスト層６２は、レジスト層５４より薄く形成される。こうすることにより、後続のドライエッチングの途中でレジスト層６２が消失し、レジスト層６２の消失後に、無機絶縁膜６１のうちのレジスト層６２によって覆われていた部分のエッチングが進み、微小な無機絶縁膜６１のパターンを形成しやすい。
【0116】
図２３Ａ及び図２３Ｂに示されるように、ドライエッチングが行われ、次に、レジスト層５４が除去される。ドライエッチングは、例えば、第１実施形態において図１３Ａ及び図１３Ｂを参照しながら上記されているドライエッチングと同じである。こうして、点在する無機絶縁膜６１が得られる。レジスト層６２を導電性薄膜１５の上面の全体に形成することによって、導電性薄膜１５の上面の全体に所望の厚みを有する無機絶縁膜６１を形成してもよい。
【0117】
２．１．１．配線基板の製造方法の変形例
図２４Ａ、図２４Ｂ、図２５Ａ、及び図２５Ｂは、本発明の第２実施形態に係る配線基板の製造工程の変形例の間の断面図である。図２４Ａ、図２４Ｂ、図２５Ａ、及び図２５Ｂは、いずれも図２０に示される部分の断面形状を示す。図２４Ｂは図２４Ａ中のＣ部を拡大して示し、図２５Ｂは図２５Ａ中のＣ部を拡大して示す。無機絶縁膜６１は、例えば、以下の方法により形成できる
まず、第１実施形態において図１４を参照しながら上記されている構造が形成される。
図２４Ａ、図２４Ｂ、図２５Ａ、及び図２５Ｂは、本発明の第２実施形態に係る配線基板の製造工程の変形例の間の断面図である。図２４Ａ、図２４Ｂ、図２５Ａ、及び図２５Ｂは、いずれも図２０に示される部分の断面形状を示す。図２４Ｂは図２４Ａ中のＣ部を拡大して示し、図２５Ｂは図２５Ａ中のＣ部を拡大して示す。無機絶縁膜６１は、例えば、以下の方法により形成できる
まず、第１実施形態において図１４を参照しながら上記されている構造が形成される。
【0118】
次に、図２４Ａ及び図２４Ｂに示されるように、被処理基板の上面にレジスト層６４が形成される。レジスト層６４は、無機絶縁膜６１が形成される予定の領域の上方において、レジスト層６４の上面と下面に亘る開口を有する。開口の底において、導電性薄膜１５が露出している。
【0119】
次に、被処理基板の上面の全体に無機絶縁膜６１が形成される。これにより、レジスト層６４の上面上、及びレジスト層６４の開口の底、すなわち、導電性薄膜１５の上面上の一部に無機絶縁膜６１が形成される。無機絶縁膜６１の形成方法としては、例えば、ＣＶＤ、又はスパッタ法が挙げられる。中でも、無機絶縁膜６１は、直進性の高いスパッタ法で形成するのが好ましい。無機絶縁膜６１は、誘電体膜１３と同じでもよいし、別でもよい。
【0120】
次に、レジスト層６４、及びレジスト層６４の上面上の無機絶縁膜６１が、例えば、リフトオフプロセスによって、除去される。こうして、点在する無機絶縁膜６１が得られる。
【0121】
変形例によれば、誘電体膜１３とは別の、所望の無機絶縁膜６１を形成できる。
【0122】
３．実施例
以下に、本発明に関連して行った試験について記載する。図２６に試験の結果が示されている。
以下に、本発明に関連して行った試験について記載する。図２６に試験の結果が示されている。
【0123】
（実施例１）
実施例１として、第１実施形態に示されたキャパシタ（キャパシタ１００に相当）、配線部（配線部１０１に相当）、及びインダクタ（インダクタ部１０２又は１０３に相当）を有するフィルタ部品１が製造された。誘電体膜（誘電体膜１３に相当）の厚さは１２００ｎｍ、誘電体膜のＣＴＥは３ｐｐｍ／℃とされた。導電性厚膜（導電性厚膜１２に相当）のＣＴＥは、１６．２ｐｐｍ／℃、導電性厚膜の弾性率は９０ＧＰａであった。フィルタ部品１は、導電性薄膜（導電性薄膜１５に相当）を有し、導電性薄膜の厚さ／粒径の比は２．５倍、導電性薄膜導電率／導電性厚膜導電率の比は３．１％、導電性薄膜のＣＴＥは８．１ｐｐｍ／℃、導電性薄膜の弾性率は１１０ＧＰａとされた。誘電体膜端部の傾斜角度（傾斜角度θに相当）は５０°とされた。
実施例１として、第１実施形態に示されたキャパシタ（キャパシタ１００に相当）、配線部（配線部１０１に相当）、及びインダクタ（インダクタ部１０２又は１０３に相当）を有するフィルタ部品１が製造された。誘電体膜（誘電体膜１３に相当）の厚さは１２００ｎｍ、誘電体膜のＣＴＥは３ｐｐｍ／℃とされた。導電性厚膜（導電性厚膜１２に相当）のＣＴＥは、１６．２ｐｐｍ／℃、導電性厚膜の弾性率は９０ＧＰａであった。フィルタ部品１は、導電性薄膜（導電性薄膜１５に相当）を有し、導電性薄膜の厚さ／粒径の比は２．５倍、導電性薄膜導電率／導電性厚膜導電率の比は３．１％、導電性薄膜のＣＴＥは８．１ｐｐｍ／℃、導電性薄膜の弾性率は１１０ＧＰａとされた。誘電体膜端部の傾斜角度（傾斜角度θに相当）は５０°とされた。
【0124】
実施例１のフィルタ部品１が１００個製造され、完成品評価、ＴＣＴ後評価、及び恒温恒湿試験後評価が行われた。完成品評価として、ネットワークアナライザを用いて、ＳパラメータのうちのＳ２１（透過特性）が測定され、Ｓ２１を使用する或る基準に基づいて良品の数が評価された。
【0125】
温度サイクル試験（ＴＣＴ）後評価として、ＴＣＴ後の挿入損失が取得され、挿入損失を使用した或る基準に基づいて良品の数が評価された。温度サイクル試験条件として、－５５℃⇔１２５℃が使用された。
【0126】
恒温恒湿試験後評価として、恒温恒湿試験後の挿入損失が取得され、挿入損失を使用した或る基準に基づいて良品の数が評価された。恒温恒湿試験の条件として、温度８５℃及び湿度８５％が使用された。
【0127】
フィルタ部品１についての完成品評価、ＴＣＴ後評価、及び恒温恒湿試験後評価による良品の数は、それぞれ、９６、９２、及び９２であった。
【0128】
（実施例２）
実施例２として、第１実施形態に示されたキャパシタ（キャパシタ１００に相当）、配線部（配線部１０１に相当）、及びインダクタ（インダクタ部１０２又は１０３に相当）を有するフィルタ部品２が製造された。誘電体膜（誘電体膜１３に相当）の厚さは１２００ｎｍ、誘電体膜のＣＴＥは３ｐｐｍ／℃とされた。導電性厚膜（導電性厚膜１２に相当）のＣＴＥは、１６．２ｐｐｍ／℃、導電性厚膜の弾性率は９０ＧＰａであった。フィルタ部品２は、導電性薄膜（導電性薄膜１５に相当）を有し、導電性薄膜の厚さ／粒径の比は２．５倍、導電性薄膜導電率／導電性厚膜導電率の比は３．１％、導電性薄膜のＣＴＥは８．１ｐｐｍ／℃、導電性薄膜の弾性率は１１０ＧＰａとされた。誘電体膜端部の傾斜角度（傾斜角度θに相当）は９０°とされた。
実施例２として、第１実施形態に示されたキャパシタ（キャパシタ１００に相当）、配線部（配線部１０１に相当）、及びインダクタ（インダクタ部１０２又は１０３に相当）を有するフィルタ部品２が製造された。誘電体膜（誘電体膜１３に相当）の厚さは１２００ｎｍ、誘電体膜のＣＴＥは３ｐｐｍ／℃とされた。導電性厚膜（導電性厚膜１２に相当）のＣＴＥは、１６．２ｐｐｍ／℃、導電性厚膜の弾性率は９０ＧＰａであった。フィルタ部品２は、導電性薄膜（導電性薄膜１５に相当）を有し、導電性薄膜の厚さ／粒径の比は２．５倍、導電性薄膜導電率／導電性厚膜導電率の比は３．１％、導電性薄膜のＣＴＥは８．１ｐｐｍ／℃、導電性薄膜の弾性率は１１０ＧＰａとされた。誘電体膜端部の傾斜角度（傾斜角度θに相当）は９０°とされた。
【0129】
実施例１についての評価と同じく、フィルタ部品２が１００個製造され、実施例１に対する評価の方法と同じ方法で評価が行われた。フィルタ部品２についての完成品評価、ＴＣＴ後評価、及び恒温恒湿試験後評価による良品の数は、それぞれ、９５、８７、及び９０であった。
【0130】
（実施例３）
実施例３として、第１実施形態に示されたキャパシタ（キャパシタ１００に相当）、配線部（配線部１０１に相当）、及びインダクタ（インダクタ部１０２又は１０３に相当）を有するフィルタ部品３が製造された。誘電体膜（誘電体膜１３に相当）の厚さは１２００ｎｍ、誘電体膜のＣＴＥは３ｐｐｍ／℃とされた。導電性厚膜（導電性厚膜１２に相当）のＣＴＥは、１６．２ｐｐｍ／℃、導電性厚膜の弾性率は９０ＧＰａであった。フィルタ部品３は、導電性薄膜（導電性薄膜１５に相当）を有し、導電性薄膜の厚さ／粒径の比は２．５倍、導電性薄膜導電率／導電性厚膜導電率の比は３．１％、導電性薄膜のＣＴＥは１４．２ｐｐｍ／℃、導電性薄膜の弾性率は８０ＧＰａとされた。誘電体膜端部の傾斜角度（傾斜角度θに相当）は９０°とされた。
実施例３として、第１実施形態に示されたキャパシタ（キャパシタ１００に相当）、配線部（配線部１０１に相当）、及びインダクタ（インダクタ部１０２又は１０３に相当）を有するフィルタ部品３が製造された。誘電体膜（誘電体膜１３に相当）の厚さは１２００ｎｍ、誘電体膜のＣＴＥは３ｐｐｍ／℃とされた。導電性厚膜（導電性厚膜１２に相当）のＣＴＥは、１６．２ｐｐｍ／℃、導電性厚膜の弾性率は９０ＧＰａであった。フィルタ部品３は、導電性薄膜（導電性薄膜１５に相当）を有し、導電性薄膜の厚さ／粒径の比は２．５倍、導電性薄膜導電率／導電性厚膜導電率の比は３．１％、導電性薄膜のＣＴＥは１４．２ｐｐｍ／℃、導電性薄膜の弾性率は８０ＧＰａとされた。誘電体膜端部の傾斜角度（傾斜角度θに相当）は９０°とされた。
【0131】
実施例１についての評価と同じく、フィルタ部品３が１００個製造され、実施例１に対する評価の方法と同じ方法で評価が行われた。フィルタ部品３についての完成品評価、ＴＣＴ後評価、及び恒温恒湿試験後評価による良品の数は、それぞれ、９０、８１、及び８２であった。
【0132】
（実施例４）
実施例４として、第１実施形態に示されたキャパシタ（キャパシタ１００に相当）、配線部（配線部１０１に相当）、及びインダクタ（インダクタ部１０２又は１０３に相当）を有するフィルタ部品４が製造された。誘電体膜（誘電体膜１３に相当）の厚さは１２００ｎｍ、誘電体膜のＣＴＥは３ｐｐｍ／℃とされた。導電性厚膜（導電性厚膜１２に相当）のＣＴＥは、１６．２ｐｐｍ／℃、導電性厚膜の弾性率は９０ＧＰａであった。フィルタ部品４は、導電性薄膜（導電性薄膜１５に相当）を有し、導電性薄膜の厚さ／粒径の比は４．０倍、導電性薄膜導電率／導電性厚膜導電率の比は２２．１％、導電性薄膜のＣＴＥは１９．３ｐｐｍ／℃、導電性薄膜の弾性率は７６ＧＰａとされた。誘電体膜端部の傾斜角度（傾斜角度θに相当）は９０°とされた。
実施例４として、第１実施形態に示されたキャパシタ（キャパシタ１００に相当）、配線部（配線部１０１に相当）、及びインダクタ（インダクタ部１０２又は１０３に相当）を有するフィルタ部品４が製造された。誘電体膜（誘電体膜１３に相当）の厚さは１２００ｎｍ、誘電体膜のＣＴＥは３ｐｐｍ／℃とされた。導電性厚膜（導電性厚膜１２に相当）のＣＴＥは、１６．２ｐｐｍ／℃、導電性厚膜の弾性率は９０ＧＰａであった。フィルタ部品４は、導電性薄膜（導電性薄膜１５に相当）を有し、導電性薄膜の厚さ／粒径の比は４．０倍、導電性薄膜導電率／導電性厚膜導電率の比は２２．１％、導電性薄膜のＣＴＥは１９．３ｐｐｍ／℃、導電性薄膜の弾性率は７６ＧＰａとされた。誘電体膜端部の傾斜角度（傾斜角度θに相当）は９０°とされた。
【0133】
実施例１についての評価と同じく、フィルタ部品４が１００個製造され、実施例１に対する評価の方法と同じ方法で評価が行われた。フィルタ部品４についての完成品評価、ＴＣＴ後評価、及び恒温恒湿試験後評価による良品の数は、それぞれ、８８、７８、及び７８であった。
【0134】
（実施例５）
実施例５として、第１実施形態に示されたキャパシタ（キャパシタ１００に相当）、配線部（配線部１０１に相当）、及びインダクタ（インダクタ部１０２又は１０３に相当）を有するフィルタ部品５が製造された。誘電体膜（誘電体膜１３に相当）の厚さは１２００ｎｍ、誘電体膜のＣＴＥは３ｐｐｍ／℃とされた。導電性厚膜（導電性厚膜１２に相当）のＣＴＥは、１６．２ｐｐｍ／℃、導電性厚膜の弾性率は９０ＧＰａであった。フィルタ部品５は、導電性薄膜（導電性薄膜１５に相当）を有し、導電性薄膜の厚さ／粒径の比は１．５倍、導電性薄膜導電率／導電性厚膜導電率の比は６３％、導電性薄膜のＣＴＥは２７．１ｐｐｍ／℃、導電性薄膜の弾性率は６４．５ＧＰａとされた。誘電体膜端部の傾斜角度（傾斜角度θに相当）は９０°とされた。
実施例５として、第１実施形態に示されたキャパシタ（キャパシタ１００に相当）、配線部（配線部１０１に相当）、及びインダクタ（インダクタ部１０２又は１０３に相当）を有するフィルタ部品５が製造された。誘電体膜（誘電体膜１３に相当）の厚さは１２００ｎｍ、誘電体膜のＣＴＥは３ｐｐｍ／℃とされた。導電性厚膜（導電性厚膜１２に相当）のＣＴＥは、１６．２ｐｐｍ／℃、導電性厚膜の弾性率は９０ＧＰａであった。フィルタ部品５は、導電性薄膜（導電性薄膜１５に相当）を有し、導電性薄膜の厚さ／粒径の比は１．５倍、導電性薄膜導電率／導電性厚膜導電率の比は６３％、導電性薄膜のＣＴＥは２７．１ｐｐｍ／℃、導電性薄膜の弾性率は６４．５ＧＰａとされた。誘電体膜端部の傾斜角度（傾斜角度θに相当）は９０°とされた。
【0135】
実施例１についての評価と同じく、フィルタ部品５が１００個製造され、実施例１に対する評価の方法と同じ方法で評価が行われた。フィルタ部品５についての完成品評価、ＴＣＴ後評価、及び恒温恒湿試験後評価による良品の数は、それぞれ、７５、７０、及び７０であった。
【0136】
（実施例６）
実施例６として、第１実施形態に示されたキャパシタ（キャパシタ１００に相当）、配線部（配線部１０１に相当）、及びインダクタ（インダクタ部１０２又は１０３に相当）を有するフィルタ部品６が製造された。誘電体膜（誘電体膜１３に相当）の厚さは１２００ｎｍ、誘電体膜のＣＴＥは３ｐｐｍ／℃とされた。導電性厚膜（導電性厚膜１２に相当）のＣＴＥは、１６．２ｐｐｍ／℃、導電性厚膜の弾性率は９０ＧＰａであった。フィルタ部品６は、導電性薄膜（導電性薄膜１５に相当）を有し、導電性薄膜の厚さ／粒径の比は０．９倍、導電性薄膜導電率／導電性厚膜導電率の比は３．１％、導電性薄膜のＣＴＥは８．１ｐｐｍ／℃、導電性薄膜の弾性率は１１０ＧＰａとされた。誘電体膜端部の傾斜角度（傾斜角度θに相当）は９０°とされた。
実施例６として、第１実施形態に示されたキャパシタ（キャパシタ１００に相当）、配線部（配線部１０１に相当）、及びインダクタ（インダクタ部１０２又は１０３に相当）を有するフィルタ部品６が製造された。誘電体膜（誘電体膜１３に相当）の厚さは１２００ｎｍ、誘電体膜のＣＴＥは３ｐｐｍ／℃とされた。導電性厚膜（導電性厚膜１２に相当）のＣＴＥは、１６．２ｐｐｍ／℃、導電性厚膜の弾性率は９０ＧＰａであった。フィルタ部品６は、導電性薄膜（導電性薄膜１５に相当）を有し、導電性薄膜の厚さ／粒径の比は０．９倍、導電性薄膜導電率／導電性厚膜導電率の比は３．１％、導電性薄膜のＣＴＥは８．１ｐｐｍ／℃、導電性薄膜の弾性率は１１０ＧＰａとされた。誘電体膜端部の傾斜角度（傾斜角度θに相当）は９０°とされた。
【0137】
実施例１についての評価と同じく、フィルタ部品６が１００個製造され、実施例１に対する評価の方法と同じ方法で評価が行われた。フィルタ部品６についての完成品評価、ＴＣＴ後評価、及び恒温恒湿試験後評価による良品の数は、それぞれ、７０、６１、及び６３であった。
【0138】
（実施例７）
実施例７として、第２実施形態に示されたキャパシタ（キャパシタ１００に相当）、配線部（配線部１０１に相当）、及びインダクタ（インダクタ部１０２又は１０３に相当）を有するフィルタ部品７が製造された。誘電体膜（誘電体膜１３に相当）の厚さは１２００ｎｍ、誘電体膜のＣＴＥは３ｐｐｍ／℃とされた。導電性厚膜（導電性厚膜１２に相当）のＣＴＥは、１６．２ｐｐｍ／℃、導電性厚膜の弾性率は９０ＧＰａであった。フィルタ部品７は、導電性薄膜（導電性薄膜１５に相当）を有し、導電性薄膜の厚さ／粒径の比は２．５倍、導電性薄膜導電率／導電性厚膜導電率の比は３．１％、導電性薄膜のＣＴＥは８．１ｐｐｍ／℃、導電性薄膜の弾性率は１１０ＧＰａとされた。誘電体膜端部の傾斜角度（傾斜角度θに相当）は５０°とされた。フィルタ部品７は、無機絶縁膜（無機絶縁膜６１に相当）を有する。無機絶縁膜は変形例の方法で形成され、無機絶縁膜の誘電正接は０．０００１（１ＧＨｚでの測定）とされた。絶縁層（絶縁層２３に相当）の誘電正接は０．０１４（１ＧＨｚでの測定）であった。
実施例７として、第２実施形態に示されたキャパシタ（キャパシタ１００に相当）、配線部（配線部１０１に相当）、及びインダクタ（インダクタ部１０２又は１０３に相当）を有するフィルタ部品７が製造された。誘電体膜（誘電体膜１３に相当）の厚さは１２００ｎｍ、誘電体膜のＣＴＥは３ｐｐｍ／℃とされた。導電性厚膜（導電性厚膜１２に相当）のＣＴＥは、１６．２ｐｐｍ／℃、導電性厚膜の弾性率は９０ＧＰａであった。フィルタ部品７は、導電性薄膜（導電性薄膜１５に相当）を有し、導電性薄膜の厚さ／粒径の比は２．５倍、導電性薄膜導電率／導電性厚膜導電率の比は３．１％、導電性薄膜のＣＴＥは８．１ｐｐｍ／℃、導電性薄膜の弾性率は１１０ＧＰａとされた。誘電体膜端部の傾斜角度（傾斜角度θに相当）は５０°とされた。フィルタ部品７は、無機絶縁膜（無機絶縁膜６１に相当）を有する。無機絶縁膜は変形例の方法で形成され、無機絶縁膜の誘電正接は０．０００１（１ＧＨｚでの測定）とされた。絶縁層（絶縁層２３に相当）の誘電正接は０．０１４（１ＧＨｚでの測定）であった。
【0139】
実施例１についての評価と同じく、フィルタ部品７が１００個製造され、実施例１に対する評価の方法と同じ方法で評価が行われた。フィルタ部品７についての完成品評価、ＴＣＴ後評価、及び恒温恒湿試験後評価による良品の数は、それぞれ、９５、９４、及び９４であった。
【0140】
（実施例８）
実施例８として、第２実施形態に示されたキャパシタ（キャパシタ１００に相当）、配線部（配線部１０１に相当）、及びインダクタ（インダクタ部１０２又は１０３に相当）を有するフィルタ部品８が製造された。誘電体膜（誘電体膜１３に相当）の厚さは１２００ｎｍ、誘電体膜のＣＴＥは３ｐｐｍ／℃とされた。導電性厚膜（導電性厚膜１２に相当）のＣＴＥは、１６．２ｐｐｍ／℃、導電性厚膜の弾性率は９０ＧＰａであった。フィルタ部品８は、導電性薄膜（導電性薄膜１５に相当）を有し、導電性薄膜の厚さ／粒径の比は２．５倍、導電性薄膜導電率／導電性厚膜導電率の比は３．１％、導電性薄膜のＣＴＥは８．１ｐｐｍ／℃、導電性薄膜の弾性率は１１０ＧＰａとされた。誘電体膜端部の傾斜角度（傾斜角度θに相当）は２０°とされた。フィルタ部品８は、無機絶縁膜（無機絶縁膜６１に相当）を有する。無機絶縁膜は変形例の方法で形成され、無機絶縁膜の誘電正接は０．０００１（１ＧＨｚでの測定）とされた。絶縁層（絶縁層２３に相当）の誘電正接は０．０１４（１ＧＨｚでの測定）であった。
実施例８として、第２実施形態に示されたキャパシタ（キャパシタ１００に相当）、配線部（配線部１０１に相当）、及びインダクタ（インダクタ部１０２又は１０３に相当）を有するフィルタ部品８が製造された。誘電体膜（誘電体膜１３に相当）の厚さは１２００ｎｍ、誘電体膜のＣＴＥは３ｐｐｍ／℃とされた。導電性厚膜（導電性厚膜１２に相当）のＣＴＥは、１６．２ｐｐｍ／℃、導電性厚膜の弾性率は９０ＧＰａであった。フィルタ部品８は、導電性薄膜（導電性薄膜１５に相当）を有し、導電性薄膜の厚さ／粒径の比は２．５倍、導電性薄膜導電率／導電性厚膜導電率の比は３．１％、導電性薄膜のＣＴＥは８．１ｐｐｍ／℃、導電性薄膜の弾性率は１１０ＧＰａとされた。誘電体膜端部の傾斜角度（傾斜角度θに相当）は２０°とされた。フィルタ部品８は、無機絶縁膜（無機絶縁膜６１に相当）を有する。無機絶縁膜は変形例の方法で形成され、無機絶縁膜の誘電正接は０．０００１（１ＧＨｚでの測定）とされた。絶縁層（絶縁層２３に相当）の誘電正接は０．０１４（１ＧＨｚでの測定）であった。
【0141】
実施例１についての評価と同じく、フィルタ部品８が１００個製造され、実施例１に対する評価の方法と同じ方法で評価が行われた。フィルタ部品８についての完成品評価、ＴＣＴ後評価、及び恒温恒湿試験後評価による良品の数は、それぞれ、９４、９３、及び９４であった。
【0142】
（実施例９）
実施例９として、第２実施形態に示されたキャパシタ（キャパシタ１００に相当）、配線部（配線部１０１に相当）、及びインダクタ（インダクタ部１０２又は１０３に相当）を有するフィルタ部品９が製造された。誘電体膜（誘電体膜１３に相当）の厚さは１２００ｎｍ、誘電体膜のＣＴＥは３ｐｐｍ／℃とされた。導電性厚膜（導電性厚膜１２に相当）のＣＴＥは、１６．２ｐｐｍ／℃、導電性厚膜の弾性率は９０ＧＰａであった。フィルタ部品９は、導電性薄膜（導電性薄膜１５に相当）を有し、導電性薄膜の厚さ／粒径の比は２．５倍、導電性薄膜導電率／導電性厚膜導電率の比は３．１％、導電性薄膜のＣＴＥは８．１ｐｐｍ／℃、導電性薄膜の弾性率は１１０ＧＰａとされた。誘電体膜端部の傾斜角度（傾斜角度θに相当）は７０°とされた。フィルタ部品９は、無機絶縁膜（無機絶縁膜６１に相当）を有する。無機絶縁膜は変形例の方法で形成され、無機絶縁膜の誘電正接は０．０００１（１ＧＨｚでの測定）とされた。絶縁層（絶縁層２３に相当）の誘電正接は０．０１４（１ＧＨｚでの測定）であった。
実施例９として、第２実施形態に示されたキャパシタ（キャパシタ１００に相当）、配線部（配線部１０１に相当）、及びインダクタ（インダクタ部１０２又は１０３に相当）を有するフィルタ部品９が製造された。誘電体膜（誘電体膜１３に相当）の厚さは１２００ｎｍ、誘電体膜のＣＴＥは３ｐｐｍ／℃とされた。導電性厚膜（導電性厚膜１２に相当）のＣＴＥは、１６．２ｐｐｍ／℃、導電性厚膜の弾性率は９０ＧＰａであった。フィルタ部品９は、導電性薄膜（導電性薄膜１５に相当）を有し、導電性薄膜の厚さ／粒径の比は２．５倍、導電性薄膜導電率／導電性厚膜導電率の比は３．１％、導電性薄膜のＣＴＥは８．１ｐｐｍ／℃、導電性薄膜の弾性率は１１０ＧＰａとされた。誘電体膜端部の傾斜角度（傾斜角度θに相当）は７０°とされた。フィルタ部品９は、無機絶縁膜（無機絶縁膜６１に相当）を有する。無機絶縁膜は変形例の方法で形成され、無機絶縁膜の誘電正接は０．０００１（１ＧＨｚでの測定）とされた。絶縁層（絶縁層２３に相当）の誘電正接は０．０１４（１ＧＨｚでの測定）であった。
【0143】
実施例１についての評価と同じく、フィルタ部品９が１００個製造され、実施例１に対する評価の方法と同じ方法で評価が行われた。フィルタ部品９についての完成品評価、ＴＣＴ後評価、及び恒温恒湿試験後評価による良品の数は、それぞれ、９５、９２、及び９４であった。
【0144】
（比較例１）
比較例として、フィルタ部品１０が製造された。図２７に示されるように、比較例の配線基板は、基板１１、導電性厚膜１２、誘電体膜１３、上部電極１４、及び下部電極１６を含み、導電性薄膜１５及び無機絶縁膜６１を含まない。誘電体膜１３の厚さは１２００ｎｍ、誘電体膜のＣＴＥは３ｐｐｍ／℃とされた。導電性厚膜１２のＣＴＥは、１６．２ｐｐｍ／℃、導電性厚膜の弾性率は９０ＧＰａであった。
比較例として、フィルタ部品１０が製造された。図２７に示されるように、比較例の配線基板は、基板１１、導電性厚膜１２、誘電体膜１３、上部電極１４、及び下部電極１６を含み、導電性薄膜１５及び無機絶縁膜６１を含まない。誘電体膜１３の厚さは１２００ｎｍ、誘電体膜のＣＴＥは３ｐｐｍ／℃とされた。導電性厚膜１２のＣＴＥは、１６．２ｐｐｍ／℃、導電性厚膜の弾性率は９０ＧＰａであった。
【0145】
実施例１についての評価と同じく、フィルタ部品１０が１００個製造され、実施例１に対する評価の方法と同じ方法で評価が行われた。フィルタ部品１０についての完成品評価、ＴＣＴ後評価、及び恒温恒湿試験後評価による良品の数は、それぞれ、４２、３１、及び２９であった。
【0146】
（結果）
上記のように、実施例１乃至実施例９のフィルタ部品１乃至フィルタ部品９は、完成品評価、ＴＣＴ後評価、及び恒温恒湿試験後評価のいずれにおいても、比較例１のフィルタ部品１０よりも高い評価を示す。すなわち、実施例１乃至実施例９によれば、比較例よりも電気特性に優れるフィルタ部品を製造できた。
上記のように、実施例１乃至実施例９のフィルタ部品１乃至フィルタ部品９は、完成品評価、ＴＣＴ後評価、及び恒温恒湿試験後評価のいずれにおいても、比較例１のフィルタ部品１０よりも高い評価を示す。すなわち、実施例１乃至実施例９によれば、比較例よりも電気特性に優れるフィルタ部品を製造できた。
【0147】
４．実施形態の効果
実施形態では、キャパシタ１００の下部電極１６及び配線部１０１は、導電性厚膜１２及び導電性厚膜１２の上面上の導電性薄膜１５を含む。導電性薄膜１５を設けることで、配線基板１０の製造プロセスにおいて生じるハロゲンイオンが導電性厚膜１２に侵入したり、ハロゲンイオンもしくはハロゲン化物が導電性厚膜１２の内部又は表面に残留することを抑制できる。これにより、ハロゲンイオンもしくはハロゲン化物が導電性厚膜１２の内部又は表面に残留することによって起こる、導電性厚膜１２の電気特性の劣化を抑制できる。よって、電気特性に優れた配線基板１０を提供できる。
実施形態では、キャパシタ１００の下部電極１６及び配線部１０１は、導電性厚膜１２及び導電性厚膜１２の上面上の導電性薄膜１５を含む。導電性薄膜１５を設けることで、配線基板１０の製造プロセスにおいて生じるハロゲンイオンが導電性厚膜１２に侵入したり、ハロゲンイオンもしくはハロゲン化物が導電性厚膜１２の内部又は表面に残留することを抑制できる。これにより、ハロゲンイオンもしくはハロゲン化物が導電性厚膜１２の内部又は表面に残留することによって起こる、導電性厚膜１２の電気特性の劣化を抑制できる。よって、電気特性に優れた配線基板１０を提供できる。
【0148】
また、導電性薄膜１５を導電性厚膜１２の上面上に設けることで、導電性厚膜１２の上面の表面粗さを維持したままで、導電性厚膜１２の側面の表面粗さを祖化できる。これにより、導電性厚膜１２の伝送特性のばらつきや配線部１０１の一部として形成されるインダクタ部１０２及び（又は）１０３のインダクタンス値のばらつきを抑制しつつ、導電性厚膜１２の周囲に設けられる絶縁層２３との密着性を得られる。よって、電気特性に優れた配線基板１０を提供できる。
【0149】
また、導電性薄膜１５と誘電体膜１３との密着性は、導電性厚膜１２と誘電体膜１３との密着性より高い。これに代えて、又はこれに加えて、導電性薄膜１５と導電性厚膜１２との密着性は、導電性厚膜１２と誘電体膜１３との密着性より高い。このため、キャパシタ１００において、下部電極１６と誘電体膜１３の密着性は高い。このように、導電性薄膜１５は、キャパシタ１００での下部電極１６と誘電体膜１３との密着性の向上と、下部電極１６及び配線部１０１での導電性厚膜の電気特性の向上を両立できる。
【0150】
また、誘電体膜１３の端部に傾斜角度θを持たせることで、誘電体膜１３と導電性薄膜１５との密着性を向上し、誘電体膜１３の端部への応力集中を緩和し、絶縁層２３の充填性を向上できる。これにより、電気特性に優れた配線基板１０を提供できる。
【0151】
また、導電性薄膜１５の上面上に、点在する無機絶縁膜６１が設けられる。こうすることにより、絶縁層２３による吸湿性が低いことに起因する電気特性の変化を抑制でき、また、導電性薄膜１５と絶縁層２３との密着性を向上できる。さらに、無機絶縁膜６１の誘電正接を絶縁層２３の誘電正接よりも小さくすることで、絶縁層２３の影響による信号の伝送損失を抑制でき、電気特性に優れた配線基板１０を提供できる。
【0152】
本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で種々に変形することが可能である。また、各実施形態は適宜組み合わせて実施してもよく、その場合組み合わせた効果が得られる。更に、上記実施形態には種々の発明が含まれており、開示される複数の構成要件から選択された組み合わせにより種々の発明が抽出され得る。例えば、実施形態に示される全構成要件からいくつかの構成要件が削除されても、課題が解決でき、効果が得られる場合には、この構成要件が削除された構成が発明として抽出され得る。
【符号の説明】
【0153】
１０…配線基板、１１…基板、１００…キャパシタ、１０１…配線部、１０２…インダクタ部、１０３…インダクタ部、１０４…配線部、１１ａ…第１面、１１ｂ…第２面、１２…導電性厚膜、１３…誘電体膜、１４…上部電極、１１…基板、１６…下部電極、２０…貫通孔、２１…貫通孔内導電層、２１１…外周部分、２１２…内周部分、１２１…シード層、２２…導電層、１５…導電性薄膜、１２１…シード層、２３…絶縁層、２４…ビアホール、２５…接続部、２６…導電層、３１…絶縁層、３２…ビアホール、３３…接続部、３４…導電層、θ…傾斜角度、４０…半導体装置、４１…半導体チップ、４２…はんだボール、４３…回路基板、４４…はんだボール、５０…支持体、５１…接着層、５２…改質部、５３…レジスト層、５４…レジスト層、５５…支持体、５６…接着層、６１…無機絶縁膜、６２…レジスト層、６４…レジスト層
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12A】
【図12B】
【図13A】
【図13B】
【図14A】
【図14B】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22A】
【図22B】
【図23A】
【図23B】
【図24A】
【図24B】
【図25A】
【図25B】
【図26】
【図27】
