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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024171834
(43)【公開日】2024-12-12
(54)【発明の名称】電力変換システム
(51)【国際特許分類】
H02M 3/155 20060101AFI20241205BHJP
【ＦＩ】
H02M3/155 W
H02M3/155 H
【審査請求】未請求
【請求項の数】12
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023089084
(22)【出願日】2023-05-30
(71)【出願人】
【識別番号】314012076
【氏名又は名称】パナソニックＩＰマネジメント株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110002527
【氏名又は名称】弁理士法人北斗特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】田村 秀樹
(72)【発明者】
【氏名】大堀 貴大
【テーマコード（参考）】
5H730
【Ｆターム（参考）】
5H730AA02
5H730AA14
5H730AS04
5H730AS05
5H730AS08
5H730AS17
5H730BB13
5H730BB14
5H730BB57
5H730BB89
5H730DD03
5H730DD04
5H730DD16
5H730FD41
5H730FG01
5H730FG10
(57)【要約】
【課題】 リアクトル電流のリプル成分を抑制しながら、スイッチング損失を抑えることができる電力変換システムを提供する。
【解決手段】 電力変換システムＡ１では、結合リアクトル１は、互いに磁気結合された複数の個別リアクトルＬ１１、Ｌ１２を有する。第１レグ２１及び第２レグ２２は、複数の個別リアクトルＬ１１、Ｌ１２にそれぞれ対応し、複数の個別リアクトルＬ１１、Ｌ１２のうち対応する個別リアクトルを流れるリアクトル電流ＩＬ１１、ＩＬ１２を導通、遮断するスイッチング素子Ｑ１－Ｑ４をそれぞれ有する。共通リアクトルＬ２は、複数の個別リアクトルＬ１１、Ｌ１２の接続点Ｐａに接続する。共通リアクトルＬ２のインダクタンス値は、複数の個別リアクトルＬ１１、Ｌ１２のそれぞれのインダクタンス値よりも大きい。
【選択図】図１
【解決手段】 電力変換システムＡ１では、結合リアクトル１は、互いに磁気結合された複数の個別リアクトルＬ１１、Ｌ１２を有する。第１レグ２１及び第２レグ２２は、複数の個別リアクトルＬ１１、Ｌ１２にそれぞれ対応し、複数の個別リアクトルＬ１１、Ｌ１２のうち対応する個別リアクトルを流れるリアクトル電流ＩＬ１１、ＩＬ１２を導通、遮断するスイッチング素子Ｑ１－Ｑ４をそれぞれ有する。共通リアクトルＬ２は、複数の個別リアクトルＬ１１、Ｌ１２の接続点Ｐａに接続する。共通リアクトルＬ２のインダクタンス値は、複数の個別リアクトルＬ１１、Ｌ１２のそれぞれのインダクタンス値よりも大きい。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
互いに磁気結合された複数の個別リアクトルを有し、前記複数の個別リアクトルのそれぞれの端部が互いに接続した結合リアクトルと、
前記複数の個別リアクトルにそれぞれ対応し、前記複数の個別リアクトルのうち対応する個別リアクトルを流れるリアクトル電流を導通、遮断するスイッチング素子をそれぞれ有する複数のレグと、
前記複数の個別リアクトルの接続点に接続した共通リアクトルと、を備え、
前記共通リアクトルのインダクタンス値は、前記複数の個別リアクトルのそれぞれのインダクタンス値よりも大きい
電力変換システム。
前記複数の個別リアクトルにそれぞれ対応し、前記複数の個別リアクトルのうち対応する個別リアクトルを流れるリアクトル電流を導通、遮断するスイッチング素子をそれぞれ有する複数のレグと、
前記複数の個別リアクトルの接続点に接続した共通リアクトルと、を備え、
前記共通リアクトルのインダクタンス値は、前記複数の個別リアクトルのそれぞれのインダクタンス値よりも大きい
電力変換システム。
【請求項2】
前記スイッチング素子を制御する制御部を更に備える
請求項１の電力変換システム。
請求項１の電力変換システム。
【請求項3】
前記制御部は、前記スイッチング素子を電流臨界モードでターンオンさせる
請求項２の電力変換システム。
請求項２の電力変換システム。
【請求項4】
前記制御部は、
前記複数のレグのそれぞれを介して供給される出力電力を検出し、
前記複数のレグのうち前記出力電力が電力閾値以下となるレグにおいて、前記スイッチング素子を前記電流臨界モードでターンオンさせる
請求項３の電力変換システム。
前記複数のレグのそれぞれを介して供給される出力電力を検出し、
前記複数のレグのうち前記出力電力が電力閾値以下となるレグにおいて、前記スイッチング素子を前記電流臨界モードでターンオンさせる
請求項３の電力変換システム。
【請求項5】
前記制御部は、
前記複数のレグのそれぞれを介して供給される出力電力を検出し、
前記複数のレグのうち前記出力電力が電力閾値以上となるレグにおいて、前記スイッチング素子を前記電流臨界モードでターンオンさせる
請求項３の電力変換システム。
前記複数のレグのそれぞれを介して供給される出力電力を検出し、
前記複数のレグのうち前記出力電力が電力閾値以上となるレグにおいて、前記スイッチング素子を前記電流臨界モードでターンオンさせる
請求項３の電力変換システム。
【請求項6】
前記制御部は、前記スイッチング素子のゼロボルトスイッチングを行う
請求項２の電力変換システム。
請求項２の電力変換システム。
【請求項7】
前記制御部は、
前記複数のレグのそれぞれを介して供給される出力電力を検出し、
前記複数のレグのうち前記出力電力が電力閾値以下となるレグにおいて、前記スイッチング素子をターンオンさせるときに前記ゼロボルトスイッチングを行う
請求項６の電力変換システム。
前記複数のレグのそれぞれを介して供給される出力電力を検出し、
前記複数のレグのうち前記出力電力が電力閾値以下となるレグにおいて、前記スイッチング素子をターンオンさせるときに前記ゼロボルトスイッチングを行う
請求項６の電力変換システム。
【請求項8】
前記制御部は、
前記複数のレグのそれぞれを介して供給される出力電力を検出し、
前記複数のレグのうち前記出力電力が電力閾値以上となるレグにおいて、前記スイッチング素子をターンオンさせるときに前記ゼロボルトスイッチングを行う
請求項６の電力変換システム。
前記複数のレグのそれぞれを介して供給される出力電力を検出し、
前記複数のレグのうち前記出力電力が電力閾値以上となるレグにおいて、前記スイッチング素子をターンオンさせるときに前記ゼロボルトスイッチングを行う
請求項６の電力変換システム。
【請求項9】
前記制御部は、前記スイッチング素子のスイッチング周波数を制御する
請求項３乃至８のいずれか１つの電力変換システム。
請求項３乃至８のいずれか１つの電力変換システム。
【請求項10】
前記複数の個別リアクトルの互いの結合係数は１である
請求項１の電力変換システム。
請求項１の電力変換システム。
【請求項11】
前記複数のレグのそれぞれは、前記結合リアクトル及び前記共通リアクトルとともに電圧変換回路を構成し、
前記電圧変換回路のそれぞれは、蓄電池の直流電圧を電圧変換する
請求項１の電力変換システム。
前記電圧変換回路のそれぞれは、蓄電池の直流電圧を電圧変換する
請求項１の電力変換システム。
【請求項12】
前記スイッチング素子を制御する制御部を更に備え、
前記制御部は、前記蓄電池の充電時及び放電時の少なくとも一方において、前記直流電圧の変動の傾きが一定範囲に収まっていれば、前記スイッチング素子をターンオンさせるときにゼロボルトスイッチングを行う
請求項１１の電力変換システム。
前記制御部は、前記蓄電池の充電時及び放電時の少なくとも一方において、前記直流電圧の変動の傾きが一定範囲に収まっていれば、前記スイッチング素子をターンオンさせるときにゼロボルトスイッチングを行う
請求項１１の電力変換システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、電力変換システムに関する。
【背景技術】
【0002】
特許文献１のＤＣ－ＤＣコンバータは、昇圧用インダクタ、密結合インダクタ、出力調整回路を備えて、マルチフェーズ動作を行うＤＣ－ＤＣコンバータである。マルチフェーズ動作では、ＤＣ－ＤＣコンバータの各相のスイッチを、各相の位相を互いにずらして駆動する。
【0003】
ＤＣ－ＤＣコンバータの入力端子には、電池などから直流電圧が入力されている。入力端子には、昇圧用インダクタのコイルが接続されている。このコイルの出力側は、密結合インダクタの入力側に接続されている。密結合インダクタは、複数の調整用コイルを備えている。複数の調整用コイルの出力側は、出力調整回路の複数のスイッチング素子にそれぞれ接続されている。さらに、複数の調整用コイルの出力側は、ダイオードを介して出力端子に接続されている。そして、スイッチング素子がオン、オフすることで、入力端子の直流電圧は、昇圧用コイルで昇圧され、更に調整用コイルで昇圧され、昇圧された直流電圧が出力端子から出力される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開２０１７－１９５７２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
特許文献１のような電力変換システムでは、電流のリプル成分は、コンデンサ及び負荷などの短寿命化の要因になる。そこで、リアクトルのインダクタンス値を大きくして、リアクトル電流のリプル成分を抑制することが考えられる。しかしながら、リアクトルのインダクタンス値を大きくすると、リアクトル電流の減少時の傾きが小さくなり、リアクトル電流を導通、遮断するスイッチング素子のハードスイッチングによってスイッチング損失が増大する可能性がある。
【0006】
本開示の目的は、リアクトル電流のリプル成分を抑制しながら、スイッチング損失を抑えることができる電力変換システムを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本開示の一態様に係る電力変換システムは、結合リアクトルと、複数のレグと、共通リアクトルと、を備える。前記結合リアクトルは、互いに磁気結合された複数の個別リアクトルを有し、前記複数の個別リアクトルのそれぞれの端部が互いに接続する。前記複数のレグは、前記複数の個別リアクトルにそれぞれ対応し、前記複数の個別リアクトルのうち対応する個別リアクトルを流れるリアクトル電流を導通、遮断するスイッチング素子をそれぞれ有する。前記共通リアクトルは、前記複数の個別リアクトルの接続点に接続する。前記共通リアクトルのインダクタンス値は、前記複数の個別リアクトルのそれぞれのインダクタンス値よりも大きい。
【発明の効果】
【0008】
本開示では、リアクトル電流のリプル成分を抑制しながら、スイッチング損失を抑えることができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【0009】
【発明を実施するための形態】
【0010】
以下の実施形態は、一般に、電力変換システムに関する。より詳細には、インタリーブ（interleave）方式の電力変換システムに関する。
【0011】
なお、以下の実施形態は、本開示の実施形態の一例にすぎない。本開示は、以下の実施形態に限定されず、本開示の効果を奏することができれば、設計等に応じて種々の変更が可能である。なお、以下の説明における「接続」は、「電気的に接続」を含み得る。
【0012】
（１）電力変換システムの概略
本実施形態の電力変換システムＡ１は、図１に示す構成を備えて双方向の電力変換を行うインタリーブ方式の電力変換システムである。
本実施形態の電力変換システムＡ１は、図１に示す構成を備えて双方向の電力変換を行うインタリーブ方式の電力変換システムである。
【0013】
電力変換システムＡ１は、結合リアクトル１と、複数のレグ２１、２２と、共通リアクトルＬ２と、を備える。
【0014】
結合リアクトル１は、互いに磁気結合された複数の個別リアクトルＬ１１、Ｌ１２を有し、複数の個別リアクトルＬ１１、Ｌ１２のそれぞれの端部が互いに接続している。複数のレグ２１、２２は、複数の個別リアクトルＬ１１、Ｌ１２にそれぞれ対応し、複数の個別リアクトルＬ１１、Ｌ１２のうち対応する個別リアクトルを流れる個別リアクトル電流ＩＬ１１、ＩＬ１２を導通、遮断するスイッチング素子Ｑ１、Ｑ２及びスイッチング素子Ｑ３、Ｑ４をそれぞれ有する。共通リアクトルＬ２は、複数の個別リアクトルＬ１１、Ｌ１２の接続点Ｐａに接続する。そして、共通リアクトルＬ２のインダクタンス値［Ｌ２］は、複数の個別リアクトルＬ１１、Ｌ１２のそれぞれのインダクタンス値［Ｌ１１］、［Ｌ１２］よりも大きい。
【0015】
電力変換システムＡ１では、共通リアクトルＬ２のインダクタンス値［Ｌ２］が、複数の個別リアクトルＬ１１、Ｌ１２のそれぞれのインダクタンス値［Ｌ１１］、［Ｌ１２］よりも大きい。この結果、電力変換システムＡ１は、共通リアクトル電流ＩＬ２のリプル成分を抑制しながら、スイッチング損失を抑えることができる。
【0016】
（２）詳細
（２．１）電力変換システムの構成
電力変換システムＡ１は、図１に示すように、一対の第１端子Ｔ１１、Ｔ１２と、一対の第２端子Ｔ２１、Ｔ２２と、を備える。第１端子Ｔ１１、Ｔ１２は、蓄電池Ｂ１と接続され、第１端子Ｔ１１、Ｔ１２には、蓄電池Ｂ１の電池電圧である直流電圧Ｖ１が印加される。第１端子Ｔ１１は、蓄電池Ｂ１の正極に接続される。第１端子Ｔ１２は、蓄電池Ｂ１の負極に接続される。第２端子Ｔ２１、Ｔ２２は、一対の導体からなる電路Ｗ１と接続される。電路Ｗ１は直流電力を伝送する一対の導体であり、第２端子Ｔ２１、Ｔ２２には、電路Ｗ１の直流電圧Ｖ２が印加される。第２端子Ｔ２１は、電路Ｗ１の正極に接続される。第２端子Ｔ２２は、電路Ｗ１の負極に接続される。
（２．１）電力変換システムの構成
電力変換システムＡ１は、図１に示すように、一対の第１端子Ｔ１１、Ｔ１２と、一対の第２端子Ｔ２１、Ｔ２２と、を備える。第１端子Ｔ１１、Ｔ１２は、蓄電池Ｂ１と接続され、第１端子Ｔ１１、Ｔ１２には、蓄電池Ｂ１の電池電圧である直流電圧Ｖ１が印加される。第１端子Ｔ１１は、蓄電池Ｂ１の正極に接続される。第１端子Ｔ１２は、蓄電池Ｂ１の負極に接続される。第２端子Ｔ２１、Ｔ２２は、一対の導体からなる電路Ｗ１と接続される。電路Ｗ１は直流電力を伝送する一対の導体であり、第２端子Ｔ２１、Ｔ２２には、電路Ｗ１の直流電圧Ｖ２が印加される。第２端子Ｔ２１は、電路Ｗ１の正極に接続される。第２端子Ｔ２２は、電路Ｗ１の負極に接続される。
【0017】
直流電圧Ｖ２は、直流電圧Ｖ１より大きい。電力変換システムＡ１は、蓄電池Ｂ１によって第１端子Ｔ１１、Ｔ１２に印加された直流電圧Ｖ１を直流電圧Ｖ２へ昇圧し、昇圧した直流電圧Ｖ２を第２端子Ｔ２１、Ｔ２２から電路Ｗ１へ出力する。すなわち、電力変換システムＡ１は、蓄電池Ｂ１から供給される直流電力を昇圧して電路Ｗ１に供給する。また、電力変換システムＡ１は、第２端子Ｔ２１、Ｔ２２に印加された直流電圧Ｖ２を直流電圧Ｖ１へ降圧し、降圧した直流電圧Ｖ１を第１端子Ｔ１１、Ｔ１２から蓄電池Ｂ１へ出力する。すなわち、電力変換システムＡ１は、電路Ｗ１から供給される直流電力を降圧することで蓄電池Ｂ１を充電する。
【0018】
電力変換システムＡ１は、結合リアクトル１、第１レグ２１、第２レグ２２、制御部３、第１電流センサ４１、第２電流センサ４２、共通リアクトルＬ２、第１コンデンサＣ１、及び第２コンデンサＣ２を備える。
【0019】
第１コンデンサＣ１は、第１端子Ｔ１１、Ｔ１２の間に接続される。第２コンデンサＣ２は、第２端子Ｔ２１、Ｔ２２の間に接続される。第１コンデンサＣ１及び第２コンデンサＣ２は、平滑コンデンサとして機能し、例えば電解コンデンサで構成される。
【0020】
第１レグ２１及び第２レグ２２は、一対の第２端子Ｔ２１、Ｔ２２に対して並列接続されている。
【0021】
第１レグ２１は、ハイサイドの第１スイッチング素子Ｑ１と、ローサイドの第２スイッチング素子Ｑ２と、を備えている。第１スイッチング素子Ｑ１及び第２スイッチング素子Ｑ２はそれぞれ、エンハンスメント形のｎチャネルＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）である。ｎチャネルＭＯＳＦＥＴである第１スイッチング素子Ｑ１及び第２スイッチング素子Ｑ２のそれぞれのドレイン・ソース間には、寄生ダイオードが形成されている。そして、第１スイッチング素子Ｑ１のドレインは、正極の第２端子Ｔ２１に接続されている。第１スイッチング素子Ｑ１のソースは、第２スイッチング素子Ｑ２のドレインに接続されている。第２スイッチング素子Ｑ２のソースは、負極の第１端子Ｔ１２及び負極の第２端子Ｔ２２に接続されている。ただし、第１スイッチング素子Ｑ１及び第２スイッチング素子Ｑ２はそれぞれ、バイポーラトランジスタ、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）などの半導体スイッチング素子であっても構わない。
【0022】
第２レグ２２は、ハイサイドの第３スイッチング素子Ｑ３と、ローサイドの第４スイッチング素子Ｑ４と、を備えている。第３スイッチング素子Ｑ３及び第４スイッチング素子Ｑ４はそれぞれ、エンハンスメント形のｎチャネルＭＯＳＦＥＴである。ｎチャネルＭＯＳＦＥＴである第３スイッチング素子Ｑ３及び第４スイッチング素子Ｑ４のそれぞれのドレイン・ソース間には、寄生ダイオードが形成されている。そして、第３スイッチング素子Ｑ３のドレインは、正極の第２端子Ｔ２１に接続されている。第３スイッチング素子Ｑ３のソースは、第４スイッチング素子Ｑ４のドレインに接続されている。第４スイッチング素子Ｑ４のソースは、負極の第１端子Ｔ１２及び負極の第２端子Ｔ２２に接続されている。ただし、第３スイッチング素子Ｑ３及び第４スイッチング素子Ｑ４はそれぞれ、バイポーラトランジスタ、ＩＧＢＴなどの半導体スイッチング素子であっても構わない。
【0023】
結合リアクトル１は、互いに磁気結合した個別リアクトルＬ１１及び個別リアクトルＬ１２を備える。結合リアクトル１では、個別リアクトルＬ１１と個別リアクトルＬ１２とが互いに逆極性に磁気結合している。例えば、個別リアクトルＬ１１及び個別リアクトルＬ１２のそれぞれの巻線は、１つの鉄心に対して互いに逆極性となるように巻回されている。具体的に、個別リアクトルＬ１１の第１端（巻き終わり）は、第１スイッチング素子Ｑ１及び第２スイッチング素子Ｑ２の接続点Ｐ１に接続する。接続点Ｐ１は、第１スイッチング素子Ｑ１のソースと第２スイッチング素子Ｑ２のドレインとの接続点である。個別リアクトルＬ１２の第１端（巻き始め）は、第３スイッチング素子Ｑ３及び第４スイッチング素子Ｑ４の接続点Ｐ２に接続する。接続点Ｐ２は、第３スイッチング素子Ｑ３のソースと第４スイッチング素子Ｑ４のドレインとの接続点である。個別リアクトルＬ１１と個別リアクトルＬ１２との結合係数は、１又は略１であることが好ましい。すなわち、結合係数が１に近い程好ましい。結合係数が１に近い程、結合リアクトル１の小型化を図ることができる。
【0024】
結合リアクトル１では、個別リアクトルＬ１１の第２端（巻き始め）と個別リアクトルＬ１２の第２端（巻き終わり）とは、接続点Ｐａにおいて互いに接続されている。さらに、個別リアクトルＬ１１及び個別リアクトルＬ１２のそれぞれの第２端は、接続点Ｐａにおいて共通リアクトルＬ２の第１端に接続されている。共通リアクトルＬ２の第２端は、正極の第１端子Ｔ１１に接続されている。この個別リアクトルＬ１１、個別リアクトルＬ１２、及び共通リアクトルＬ２の構成は、密結合方式である。
【0025】
制御部３は、第１スイッチング素子Ｑ１、第２スイッチング素子Ｑ２、第３スイッチング素子Ｑ３、及び第４スイッチング素子Ｑ４をそれぞれ制御する駆動信号Ｙｇ１－Ｙｇ４を出力する。駆動信号Ｙｇ１は、第１スイッチング素子Ｑ１をオンオフ駆動するための信号である。駆動信号Ｙｇ２は、第２スイッチング素子Ｑ２をオンオフ駆動するための信号である。駆動信号Ｙｇ３は、第３スイッチング素子Ｑ３をオンオフ駆動するための信号である。駆動信号Ｙｇ４は、第４スイッチング素子Ｑ４をオンオフ駆動するための信号である。例えば、制御部３は、第１スイッチング素子Ｑ１及び第３スイッチング素子Ｑ３を駆動するハイサイドドライバと、第２スイッチング素子Ｑ２及び第４スイッチング素子Ｑ４を駆動するローサイドドライバと、ハイサイドドライバ及びローサイドドライバを制御するマイクロコントローラと、を有している。
【0026】
なお、制御部３は、プログラムを実行することによって、制御部３の機能の少なくとも一部を実現するコンピュータシステムを備えることが好ましい。コンピュータシステムは、プログラムに従って動作するプロセッサを主なハードウェア構成として備える。プロセッサは、プログラムを実行することによって機能を実現することができれば、その種類は問わない。プロセッサは、半導体集積回路（ＩＣ）、又はＬＳＩ（Large Scale Integration）を含む一つ又は複数の電子回路で構成される。ここでは、ＩＣやＬＳＩと呼んでいるが、集積の度合いによって呼び方が変わり、システムＬＳＩ、ＶＬＳＩ（Very Large Scale Integration）、若しくはＵＬＳＩ（Ultra Large Scale Integration）と呼ばれるものであってもよい。ＬＳＩの製造後にプログラムされる、フィールド・プログラマブル・ゲート・アレイ（FPGA）、又はＬＳＩ内部の接合関係の再構成又はＬＳＩ内部の回路区画のセットアップができる再構成可能な論理デバイスも同じ目的で使うことができる。複数の電子回路は、一つのチップに集積されてもよいし、複数のチップに設けられてもよい。複数のチップは一つの装置に集約されていてもよいし、複数の装置に備えられていてもよい。プログラムは、コンピュータシステムが読み取り可能なＲＯＭ、光ディスク、ハードディスクドライブなどの非一時的記録媒体に記録される。プログラムは、非一時的記録媒体に予め格納されていてもよいし、インターネット等を含む広域通信網を介して非一時的記録媒体に供給されてもよい。
【0027】
第１電流センサ４１は、変流器（Current transformer）又はシャント抵抗などを有する。第１電流センサ４１は、個別リアクトルＬ１１の第１端と第１レグ２１の接続点Ｐ１との間に設けられて、個別リアクトル電流ＩＬ１１の瞬時値を測定する。第１電流センサ４１は、個別リアクトル電流ＩＬ１１の瞬時値を電圧又は電流の大きさで表すアナログ信号を、第１センサ信号Ｙｓ１として生成する。個別リアクトル電流ＩＬ１１は、個別リアクトルＬ１１を流れる電流である。そして、第１電流センサ４１は、第１センサ信号Ｙｓ１を制御部３へ出力する。なお、第１電流センサ４１は、個別リアクトルＬ１１から接続点Ｐ１に向かって流れる個別リアクトル電流ＩＬ１１の瞬時値を正値とする。
【0028】
第２電流センサ４２は、変流器又はシャント抵抗などを有する。第２電流センサ４２は、個別リアクトルＬ１２の第１端と第２レグ２２の接続点Ｐ２との間に設けられて、個別リアクトル電流ＩＬ１２の瞬時値を測定する。第２電流センサ４２は、個別リアクトル電流ＩＬ１２の瞬時値を電圧又は電流の大きさで表すアナログ信号を、第２センサ信号Ｙｓ２として生成する。個別リアクトル電流ＩＬ１２は、個別リアクトルＬ１２を流れる電流である。そして、第２電流センサ４２は、第２センサ信号Ｙｓ２を制御部３へ出力する。なお、第２電流センサ４２は、個別リアクトルＬ１２から接続点Ｐ２に向かって流れる個別リアクトル電流ＩＬ１２の瞬時値を正値とする。
【0029】
制御部３は、第１センサ信号Ｙｓ１及び第２センサ信号Ｙｓ２に基づいて、第１スイッチング素子Ｑ１、第２スイッチング素子Ｑ２、第３スイッチング素子Ｑ３、及び第４スイッチング素子Ｑ４をそれぞれスイッチング制御する。すなわち、制御部３は、個別リアクトル電流ＩＬ１１及び個別リアクトル電流ＩＬ１２の各瞬時値に基づいて、第１スイッチング素子Ｑ１、第２スイッチング素子Ｑ２、第３スイッチング素子Ｑ３、及び第４スイッチング素子Ｑ４を制御する。例えば、制御部３は、第１センサ信号Ｙｓ１に基づいて個別リアクトル電流ＩＬ１１の平均値を取得し、第２センサ信号Ｙｓ２に基づいて個別リアクトル電流ＩＬ１２の平均値を取得する。そして、制御部３は、個別リアクトル電流ＩＬ１１、及び個別リアクトル電流ＩＬ１２の各平均値をそれぞれの目標値に一致させるように、第１スイッチング素子Ｑ１、第２スイッチング素子Ｑ２、第３スイッチング素子Ｑ３、及び第４スイッチング素子Ｑ４をそれぞれスイッチング制御する。すなわち、制御部３は、第１スイッチング素子Ｑ１、第２スイッチング素子Ｑ２、第３スイッチング素子Ｑ３、及び第４スイッチング素子Ｑ４の制御として、個別リアクトル電流ＩＬ１１及び個別リアクトル電流ＩＬ１２の各平均値をそれぞれの目標値に一致させる平均値制御を行う。
【0030】
（２．２）電力変換システムの電力変換動作
電力変換システムＡ１は、昇圧モード又は降圧モードで動作する２相のインタリーブ方式の電力変換システムである。
電力変換システムＡ１は、昇圧モード又は降圧モードで動作する２相のインタリーブ方式の電力変換システムである。
【0031】
電力変換システムＡ１では、第１レグ２１、個別リアクトルＬ１１、及び共通リアクトルＬ２は電圧変換回路ＶＴ１を構成し、第２レグ２２、個別リアクトルＬ１２、及び共通リアクトルＬ２は電圧変換回路ＶＴ２を構成する。すなわち、電力変換システムＡ１は、２相の電圧変換回路ＶＴ１、ＶＴ２を備える。電圧変換回路ＶＴ１、ＶＴ２は、昇圧動作又は降圧動作をそれぞれ行う。昇圧動作を行う電圧変換回路ＶＴ１、ＶＴ２は、蓄電池Ｂ１によって第１端子Ｔ１１、Ｔ１２に印加された直流電圧Ｖ１を直流電圧Ｖ２へ昇圧し、昇圧した直流電圧Ｖ２を第２端子Ｔ２１、Ｔ２２から電路Ｗ１へ出力する。降圧動作を行う電圧変換回路ＶＴ１、ＶＴ２は、第２端子Ｔ２１、Ｔ２２に印加された直流電圧Ｖ２を直流電圧Ｖ１へ降圧し、降圧した直流電圧Ｖ１を第１端子Ｔ１１、Ｔ１２から蓄電池Ｂ１へ出力する。
【0032】
制御部３は、第１レグ２１の第１スイッチング素子Ｑ１及び第２スイッチング素子Ｑ２、並びに第２レグ２２の第３スイッチング素子Ｑ３及び第４スイッチング素子Ｑ４をそれぞれオンオフ駆動することで、電力変換システムＡ１をインタリーブ方式で動作させる。
【0033】
制御部３は、第１レグ２１及び第２レグ２２の各動作を、予め決められたスイッチング周期に同期させる。スイッチング周期を３６０度（２π）とすると、第１レグ２１と第２レグ２２とは、１８０度（π）の位相差が生じるようにそれぞれ動作する。
【0034】
そして、制御部３は、昇圧モードで動作するときは、電圧変換回路ＶＴ１、ＶＴ２を昇圧チョッパ回路として動作させる。また、制御部３は、降圧モードで動作するときは、電圧変換回路ＶＴ１、ＶＴ２を降圧チョッパ回路として動作させる。
【0035】
例えば、第１レグ２１の第１スイッチング素子Ｑ１及び第２スイッチング素子Ｑ２は交互にオン、オフし、第２レグ２２の第３スイッチング素子Ｑ３及び第４スイッチング素子Ｑ４は交互にオン、オフしてもよい。この場合、第１レグ２１の第１スイッチング素子Ｑ１と第２レグ２２の第３スイッチング素子Ｑ３とは、１８０度（π）の位相差が生じるようにそれぞれ動作する。第１レグ２１の第２スイッチング素子Ｑ２と第２レグ２２の第４スイッチング素子Ｑ４とは、１８０度（π）の位相差が生じるようにそれぞれ動作する。
【0036】
なお、第１スイッチング素子Ｑ１と第２スイッチング素子Ｑ２とが同時にオンしないように、第１スイッチング素子Ｑ１がターンオンするタイミングと第２スイッチング素子Ｑ２がターンオンするタイミングとの間には、第１スイッチング素子Ｑ１と第２スイッチング素子Ｑ２との両方がオフするデッドタイムが設けられる。また、第３スイッチング素子Ｑ３と第４スイッチング素子Ｑ４と同時にオンしないように、第３スイッチング素子Ｑ３がターンオンするタイミングと第４スイッチング素子Ｑ４がターンオンするタイミングとの間には、第３スイッチング素子Ｑ３と第４スイッチング素子Ｑ４との両方がオフするデッドタイムが設けられる。
【0037】
あるいは、昇圧モードで動作する場合、第１スイッチング素子Ｑ１及び第３スイッチング素子Ｑ３をオフ状態に維持し、第２スイッチング素子Ｑ２及び第４スイッチング素子Ｑ４をオンオフ駆動してもよい。この場合、第２スイッチング素子Ｑ２と第４スイッチング素子Ｑ４とは、１８０度（π）の位相差が生じるようにそれぞれ動作する。降圧モードで動作する場合、第２スイッチング素子Ｑ２及び第４スイッチング素子Ｑ４をオフ状態に維持し、第１スイッチング素子Ｑ１及び第３スイッチング素子Ｑ３をオンオフ駆動してもよい。この場合、第１スイッチング素子Ｑ１と第３スイッチング素子Ｑ３とは、１８０度（π）の位相差が生じるようにそれぞれ動作する。
【0038】
また、電力変換システムＡ１は、昇圧動作及び降圧動作の両方を行う双方向の電力変換システム以外に、昇圧動作及び降圧動作のいずれか一方のみを行う単方向の電力変換システムであってもよい。
【0039】
上述の電力変換システムＡ１では、共通リアクトルＬ２を流れる共通リアクトル電流ＩＬ２に含まれるリプル成分は、共通リアクトルＬ２のインダクタンス値［Ｌ２］に依存する。具体的に、インダクタンス値［Ｌ２］が大きい程、共通リアクトル電流ＩＬ２のリプル成分は低減し、インダクタンス値［Ｌ２］が小さい程、共通リアクトル電流ＩＬ２のリプル成分は増大する。
【0040】
また、個別リアクトルＬ１１を流れる個別リアクトル電流ＩＬ１１の変化時の傾き（単位時間当たりの変化量の絶対値）は、個別リアクトルＬ１１のインダクタンス値［Ｌ１１］に依存する。個別リアクトルＬ１２を流れる個別リアクトル電流ＩＬ１２の変化時の傾きは、個別リアクトルＬ１２のインダクタンス値［Ｌ１２］に依存する。具体的に、インダクタンス値［Ｌ１１］が大きい程、個別リアクトル電流ＩＬ１１の変化時の傾きは小さくなり、インダクタンス値［Ｌ１１］が小さい程、個別リアクトル電流ＩＬ１１の変化時の傾きは大きくなる。また、インダクタンス値［Ｌ１２］が大きい程、個別リアクトル電流ＩＬ１２の変化時の傾きは小さくなり、インダクタンス値［Ｌ１２］が小さい程、個別リアクトル電流ＩＬ１２の変化時の傾きは大きくなる。
【0041】
そこで、電力変換システムＡ１では、共通リアクトルＬ２のインダクタンス値［Ｌ２］を、個別リアクトルＬ１１、Ｌ１２のそれぞれのインダクタンス値［Ｌ１１］、［Ｌ１２］よりも大きくする。言い換えると、個別リアクトルＬ１１、Ｌ１２のそれぞれのインダクタンス値［Ｌ１１］、［Ｌ１２］を、共通リアクトルＬ２のインダクタンス値［Ｌ２］より小さくする。この結果、電力変換システムＡ１は、共通リアクトル電流ＩＬ２のリプル成分を抑制しながら、スイッチング損失を抑えることができる。
【0042】
図２は、共通リアクトルＬ２のインダクタンス値［Ｌ２］を、個別リアクトルＬ１１、Ｌ１２のそれぞれのインダクタンス値［Ｌ１１］、［Ｌ１２］よりも大きくしたときの各部の波形を示す。具体的に、図２は、昇圧モードにおける個別リアクトル電流ＩＬ１１、ＩＬ１２、共通リアクトル電流ＩＬ２、スイッチ電流Ｉｑ２、スイッチ電圧Ｖｑ２、及び励磁電流Ｉｅの各波形を示す。個別リアクトル電流ＩＬ１１は、個別リアクトルＬ１１を流れるリアクトル電流である。共通リアクトル電流ＩＬ２は、共通リアクトルＬ２を流れるリアクトル電流である。スイッチ電流Ｉｑ２は、スイッチング素子Ｑ２を流れる電流である。スイッチ電圧Ｖｑ２は、スイッチング素子Ｑ２のドレイン－ソース間の電圧である。励磁電流Ｉｅは、結合リアクトル１の励磁電流であり、図１では個別リアクトルＬ１１側から見た（接続点Ｐａから接続点Ｐ１に向かって流れる）励磁電流である。
【0043】
第２スイッチング素子Ｑ２がターンオンするタイミングをタイミングｔ１とする。第４スイッチング素子Ｑ４がターンオフするタイミングをタイミングｔ２とする。第４スイッチング素子Ｑ４がターンオンするタイミングをタイミングｔ３とする。第２スイッチング素子Ｑ２がターンオフするタイミングをタイミングｔ４とする。そして、タイミングｔ１－ｔ４は、ｔ１→ｔ２→ｔ３→ｔ４→ｔ１→………の順に繰り返される。例えばタイミングｔ１から次のタイミングｔ１までの期間が、スイッチング周期３６０度（２π）に相当する。タイミングｔ１とタイミングｔ３との間の位相差は１８０度（π）、タイミングｔ２とタイミングｔ４との間の位相差は１８０度（π）である。なお、第１スイッチング素子Ｑ１は、第２スイッチング素子Ｑ２と交互にオンオフしてもよいし、オフ状態を維持してもよい。第３スイッチング素子Ｑ３は、第４スイッチング素子Ｑ４と交互にオンオフしてもよいし、オフ状態を維持してもよい。
【0044】
個別リアクトル電流ＩＬ１１は、第２スイッチング素子Ｑ２がターンオンするタイミングｔ１から徐々に増加し、第２スイッチング素子Ｑ２がターンオフするタイミングｔ４から徐々に減少する。
【0045】
個別リアクトル電流ＩＬ１２は、第４スイッチング素子Ｑ４がターンオンするタイミングｔ３から徐々に増加し、第４スイッチング素子Ｑ４がターンオフするタイミングｔ２から徐々に減少する。
【0046】
スイッチ電流Ｉｑ２は、第２スイッチング素子Ｑ２がターンオンするタイミングｔ１から徐々に増加し、第２スイッチング素子Ｑ２がターンオフするタイミングｔ４で急峻に減少する。第２スイッチング素子Ｑ２がオフされると、次のタイミングｔ１までスイッチ電流Ｉｑ２は０（ゼロ）Ａ（又は略０Ａ）を維持する。
【0047】
スイッチ電圧Ｖｑ２は、第２スイッチング素子Ｑ２がターンオンするタイミングｔ１で直流電圧Ｖ２から略０（ゼロ）Ｖまで急峻に低下する。第２スイッチング素子Ｑ２がオンすると、スイッチ電圧Ｖｑ２は、次のタイミングｔ４まで略０Ｖを維持する。スイッチ電圧Ｖｑ２は、第２スイッチング素子Ｑ２がターンオフするタイミングｔ４で急峻に上昇する。第２スイッチング素子Ｑ２がオフすると、スイッチ電圧Ｖｑ２は、次のタイミングｔ１まで直流電圧Ｖ２を維持する。
【0048】
共通リアクトル電流ＩＬ２は、第２スイッチング素子Ｑ２がターンオンするタイミングｔ１から徐々に増加し、第４スイッチング素子Ｑ４がターンオフするタイミングｔ２から徐々に減少する。そして、共通リアクトル電流ＩＬ２は、第４スイッチング素子Ｑ４がターンオンするタイミングｔ３から徐々に増加し、第２スイッチング素子Ｑ２がターンオフするタイミングｔ４から徐々に減少する。共通リアクトル電流ＩＬ２の変動が、共通リアクトル電流ＩＬ２のリプル成分に相当する。そこで、電力変換システムＡ１では、共通リアクトル電流ＩＬ２のリプル成分が仕様値（設計値）以下となるように、共通リアクトルＬ２のインダクタンス値［Ｌ２］を決めている。
【0049】
励磁電流Ｉｅは、タイミングｔ２からタイミングｔ３までの期間で増加し、タイミングｔ３からタイミングｔ４までの期間ではほぼ一定値となる。そして、励磁電流Ｉｅは、タイミングｔ４からタイミングｔ１までの期間で減少し、タイミングｔ１からタイミングｔ２までの期間ではほぼ一定値となる。
【0050】
なお、スイッチング素子Ｑ４を流れるスイッチ電流Ｉｑ４（図１参照）は、スイッチ電流Ｉｑ２の波形を１８０度（π）すらした波形とほぼ同じになる。また、スイッチング素子Ｑ２のドレイン－ソース間の電圧であるスイッチ電圧Ｖｑ４（図１参照）は、スイッチ電圧Ｖｑ２の波形を１８０度（π）すらした波形とほぼ同じになる。
【0051】
また、タイミングｔ１－ｔ４の順序、及び個別リアクトル電流ＩＬ１１、ＩＬ１２、共通リアクトル電流ＩＬ２、スイッチ電流Ｉｑ２、スイッチ電圧Ｖｑ２、及び励磁電流Ｉｅなどの各波形は、昇圧比によって変動することがある。
【0052】
電力変換システムＡ１では、共通リアクトルＬ２のインダクタンス値［Ｌ２］は、個別リアクトルＬ１１、Ｌ１２のそれぞれのインダクタンス値［Ｌ１１］、［Ｌ１２］よりも大きい。すなわち、個別リアクトルＬ１１、Ｌ１２のそれぞれのインダクタンス値［Ｌ１１］、［Ｌ１２］を、共通リアクトルＬ２のインダクタンス値［Ｌ２］よりも小さくしている。したがって、タイミングｔ４以降において個別リアクトル電流ＩＬ１１が減少する傾き（減少傾き：単位時間当たりの減少量の絶対値）は比較的大きくなり、タイミングｔ１における個別リアクトル電流ＩＬ１１の値を小さくできる。この結果、タイミングｔ１においてターンオンする第２スイッチング素子Ｑ２のスイッチング損失を抑えることができる。同様に、タイミングｔ２以降において個別リアクトル電流ＩＬ１２が減少する傾き（減少傾き：単位時間当たりの減少量の絶対値）は比較的大きくなり、タイミングｔ３における個別リアクトル電流ＩＬ１２の値を小さくできる。この結果、タイミングｔ３においてターンオンする第４スイッチング素子Ｑ４のスイッチング損失を抑えることができる。
【0053】
一方、図３は、個別リアクトルＬ１１、Ｌ１２のそれぞれのインダクタンス値［Ｌ１１］、［Ｌ１２］を、共通リアクトルＬ２のインダクタンス値［Ｌ２］よりも大きくした比較例の各部の波形を示す。なお、図３のタイミングｔ１１－ｔ１４は、図２のタイミングｔ１－ｔ４にそれぞれ対応する。
【0054】
図３では、タイミングｔ１４以降における個別リアクトル電流ＩＬ１１の減少傾きは、図２のタイミングｔ４以降における個別リアクトル電流ＩＬ１１の減少傾きよりも小さくなっている。この結果、図３のタイミングｔ１１における個別リアクトル電流ＩＬ１１の値は、図２のタイミングｔ１における個別リアクトル電流ＩＬ１１の値よりも大きくなる。この結果、タイミングｔ１１においてターンオンする第２スイッチング素子Ｑ２のスイッチング損失が増大してしまう。なお、図３では、個別リアクトル電流ＩＬ１２の波形を図示していないが、タイミングｔ１３においてターンオンする第４スイッチング素子Ｑ４のスイッチング損失も同様に増大してしまう。なお、図３における共通リアクトル電流ＩＬ２のリプル成分は、図２における共通リアクトル電流ＩＬ２のリプル成分とほぼ同じである。
【0055】
このように、電力変換システムＡ１では、インダクタンス値［Ｌ１１］、［Ｌ１２］をインダクタンス値［Ｌ２］よりも小さくすることで、共通リアクトル電流ＩＬ２のリプル成分を抑制しながら、昇圧モードにおける第２スイッチング素子Ｑ２及び第４スイッチング素子Ｑ４の各スイッチング損失を抑えることができる。
【0056】
なお、電力変換システムＡ１は、降圧モードで動作するとき、直流電圧Ｖ２を直流電圧Ｖ１に降圧して、直流電圧Ｖ１で蓄電池Ｂ１を充電する。この場合、電力変換システムＡ１は、共通リアクトルＬ２のインダクタンス値［Ｌ２］を、個別リアクトルＬ１１、Ｌ１２のそれぞれのインダクタンス値［Ｌ１１］、［Ｌ１２］よりも大きくすることで、降圧モードにおいてターンオンする第１スイッチング素子Ｑ１のスイッチング損失、及びターンオンする第３スイッチング素子Ｑ３のスイッチング損失を抑えることができる。すなわち、電力変換システムＡ１は、共通リアクトル電流ＩＬ２のリプル成分を抑制しながら、降圧モードにおける第１スイッチング素子Ｑ１及び第３スイッチング素子Ｑ３の各スイッチング損失を抑えることができる。
【0057】
（２．３）臨界モード
図２では、制御部３は、第２スイッチング素子Ｑ２、第４スイッチング素子Ｑ４を電流臨界モードでターンオンさせている。
図２では、制御部３は、第２スイッチング素子Ｑ２、第４スイッチング素子Ｑ４を電流臨界モードでターンオンさせている。
【0058】
具体的に、制御部３は、タイミングｔ４において第２スイッチング素子Ｑ２をターンオフさせた後、個別リアクトル電流ＩＬ１１が０（ゼロ）Ａにまで減少したタイミングをタイミングｔ１とする。すなわち、制御部３は、個別リアクトル電流ＩＬ１１が０Ａにまで低下したタイミングｔ１において、第２スイッチング素子Ｑ２をターンオンさせる（電流臨界モード）。したがって、タイミングｔ１においてターンオンする第２スイッチング素子Ｑ２のスイッチング損失は更に抑えられる。
【0059】
また、制御部３は、タイミングｔ２において第４スイッチング素子Ｑ４をターンオフさせた後、個別リアクトル電流ＩＬ１２が０（ゼロ）Ａにまで減少したタイミングをタイミングｔ３とする（電流臨界モード）。すなわち、制御部３は、個別リアクトル電流ＩＬ１２が０Ａにまで減少したタイミングｔ３において、第４スイッチング素子Ｑ４をターンオンさせる。したがって、タイミングｔ３においてターンオンする第４スイッチング素子Ｑ４のスイッチング損失は更に抑えられる。
【0060】
また、電力変換システムＡ１は、降圧モードで動作するとき、第１スイッチング素子Ｑ１、第３スイッチング素子Ｑ３を電流臨界モードでターンオンさせる。この結果、ターンオンする第１スイッチング素子Ｑ１のスイッチング損失、及びターンオンする第３スイッチング素子Ｑ３のスイッチング損失を抑えることができる。
【0061】
制御部３は、電流臨界モードで動作するために、第１スイッチング素子Ｑ１、第２スイッチング素子Ｑ２、第３スイッチング素子Ｑ３、及び第４スイッチング素子Ｑ４のスイッチング周波数を制御することが好ましい。具体的に、制御部３は、出力電力が増加するにつれてスイッチング周波数を低下させ、出力電力が減少するにつれてスイッチング周波数を上昇させる。例えば、制御部３は、第１レグ２１を介して供給可能な出力電力の全範囲に亘ってスイッチング周波数を制御することで、第１レグ２１を電流臨界モードで動作させる。制御部３は、第２レグ２２を介して供給可能な出力電力の全範囲に亘ってスイッチング周波数を制御することで、第２レグ２２を電流臨界モードで動作させる。このように、制御部３がスイッチング周波数を制御することで、電流臨界モードでの動作を容易に実現することができる。
【0062】
（２．４）ゼロボルトスイッチング
制御部３は、昇圧モードにおいて、第２スイッチング素子Ｑ２、第４スイッチング素子Ｑ４のゼロボルトスイッチングを行うことが好ましい。制御部３は、降圧モードにおいて、第１スイッチング素子Ｑ１、第３スイッチング素子Ｑ３のゼロボルトスイッチングを行うことが好ましい。
制御部３は、昇圧モードにおいて、第２スイッチング素子Ｑ２、第４スイッチング素子Ｑ４のゼロボルトスイッチングを行うことが好ましい。制御部３は、降圧モードにおいて、第１スイッチング素子Ｑ１、第３スイッチング素子Ｑ３のゼロボルトスイッチングを行うことが好ましい。
【0063】
なお、以下のゼロボルトスイッチングの説明では、第１スイッチング素子Ｑ１と第２スイッチング素子Ｑ２とは交互にオン、オフし、第３スイッチング素子Ｑ３と第４スイッチング素子Ｑ４とは交互にオン、オフするものとする。
【0064】
図４は、昇圧モードにおいて第２スイッチング素子Ｑ２のゼロボルトスイッチングを行ったときの各部の波形を示す。図４は、共通リアクトル電流ＩＬ２、個別リアクトル電流ＩＬ１１、スイッチ電流Ｉｑ１、スイッチ電流Ｉｑ２、スイッチ電圧Ｖｑ２、駆動信号Ｙｇ１、駆動信号Ｙｇ２の各波形を示す。なお、スイッチ電流Ｉｑ１は、スイッチング素子Ｑ１を流れる電流である（図１参照）。
【0065】
タイミングｔ４において駆動信号Ｙｇ２がＨレベルからＬレベルに遷移すると、デッドタイムが経過した後に、駆動信号Ｙｇ１がＬレベルからＨレベルに遷移する。駆動信号Ｙｇ２がＨレベルからＬレベルに遷移すると第２スイッチング素子Ｑ２はオフし、駆動信号Ｙｇ１がＬレベルからＨレベルに遷移すると第１スイッチング素子Ｑ１はオンする。第２スイッチング素子Ｑ２がオフすると、デッドタイムでは個別リアクトル電流ＩＬ１１が第１スイッチング素子Ｑ１の寄生ダイオードを流れ、デッドタイムが経過した後では個別リアクトル電流ＩＬ１１が第１スイッチング素子Ｑ１を流れる。第１スイッチング素子Ｑ１を流れる個別リアクトル電流ＩＬ１１は、スイッチ電流Ｉｑ１に相当する。スイッチ電流Ｉｑ１は、タイミングｔ４で急峻に上昇した後、徐々に減少する。
【0066】
そして、電流臨界モードでは、個別リアクトル電流ＩＬ１１（スイッチ電流Ｉｑ１）が０Ａ以下に減少すると、駆動信号Ｙｇ１がＨレベルからＬレベルに遷移して（タイミングｔａ）、第１スイッチング素子Ｑ１がオフする。第１スイッチング素子Ｑ１がオフしたとき、スイッチ電流Ｉｑ１は負値になっているので、第２スイッチング素子Ｑ２のドレインに蓄積された電荷が放電され、スイッチ電圧Ｖｑ２は直流電圧Ｖ２から急峻に低下する（図４のエリア８１内を参照）。そして、制御部３は、スイッチ電圧Ｖｑ２が０Ｖになるタイミングをタイミングｔ１とし、タイミングｔ１で第２スイッチング素子Ｑ２をターンオンさせる。このように、制御部３は、第２スイッチング素子Ｑ２をターンさせるときに、ゼロボルトスイッチングを行うことができる。
【0067】
電力変換システムＡ１では、インダクタンス値［Ｌ１１］、［Ｌ１２］をインダクタンス値［Ｌ２］よりも小さくしたことで、個別リアクトル電流ＩＬ１１の減少傾きが大きくなり、第２スイッチング素子Ｑ２のゼロボルトスイッチングを容易に実現できる。
【0068】
また、制御部３は、昇圧モードにおいて第４スイッチング素子Ｑ４をターンさせるときにも、第２スイッチング素子Ｑ２と同様にゼロボルトスイッチングを行う。このときも、電力変換システムＡ１では、インダクタンス値［Ｌ１１］、［Ｌ１２］をインダクタンス値［Ｌ２］よりも小さくしたことで、個別リアクトル電流ＩＬ１２の減少傾きが大きくなり、第４スイッチング素子Ｑ４のゼロボルトスイッチングを容易に実現できる。
【0069】
一方、図５は、比較例の各部の波形を示す。比較例では、個別リアクトルＬ１１、Ｌ１２のそれぞれのインダクタンス値［Ｌ１１］、［Ｌ１２］を、共通リアクトルＬ２のインダクタンス値［Ｌ２］よりも大きくして、ハードスイッチングを行う。なお、図５のタイミングｔ１１、ｔ１４は、図４のタイミングｔ１、ｔ４にそれぞれ対応する。
【0070】
図５では、タイミングｔ１４以降における個別リアクトル電流ＩＬ１１の減少傾きは、図４のタイミングｔ４以降における個別リアクトル電流ＩＬ１１の減少傾きよりも小さくなっている。そこで、第２スイッチング素子Ｑ２は、タイミングｔ１１において個別リアクトル電流ＩＬ１１が流れているにも関わらずターンオンするハードスイッチングを行う。図５では、タイミングｔ１１より前のタイミングｔｂにおいて駆動信号Ｙｇ１がＨレベルからＬレベルに遷移して、第１スイッチング素子Ｑ１がオフする。第１スイッチング素子Ｑ１がオフしたとき、スイッチ電流Ｉｑ１は正値であるので、第２スイッチング素子Ｑ２のドレインに蓄積された電荷が放電されず、スイッチ電圧Ｖｑ２は低下せずに直流電圧Ｖ２をほぼ維持する（図５のエリア８２内を参照）。制御部３は、スイッチ電圧Ｖｑ２が直流電圧Ｖ２を維持しているときに第２スイッチング素子Ｑ２をターンオンさせるハードスイッチングを行う。この結果、タイミングｔ１１においてターンオンする第２スイッチング素子Ｑ２のスイッチング損失が増大してしまう。なお、制御部３は、第４スイッチング素子Ｑ４のターンオンも同様にハードスイッチングを行い、ターンオンする第４スイッチング素子Ｑ４のスイッチング損失も同様に増大する。
【0071】
上述のように、電力変換システムＡ１では、昇圧モードにおいて第２スイッチング素子Ｑ２、第４スイッチング素子Ｑ４をターンオンさせるときにゼロボルトスイッチングを行うことで、第２スイッチング素子Ｑ２、第４スイッチング素子Ｑ４の各スイッチング損失は更に抑えられる。
【0072】
また、電力変換システムＡ１は、降圧モードで動作する場合、第１スイッチング素子Ｑ１、第３スイッチング素子Ｑ３をターンオンさせるときにゼロボルトスイッチングを行う。この結果、ターンオンする第１スイッチング素子Ｑ１のスイッチング損失、及びターンオンする第３スイッチング素子Ｑ３のスイッチング損失を抑えることができる。
【0073】
制御部３は、ゼロボルトスイッチングを行うために、第１スイッチング素子Ｑ１、第２スイッチング素子Ｑ２、第３スイッチング素子Ｑ３、及び第４スイッチング素子Ｑ４のスイッチング周波数を制御することが好ましい。具体的に、制御部３は、出力電力が増加するにつれてスイッチング周波数を低下させ、出力電力が減少するにつれてスイッチング周波数を上昇させる。例えば、制御部３は、第１レグ２１を介して供給可能な出力電力の全範囲に亘ってスイッチング周波数を制御することで、第１レグ２１においてゼロボルトスイッチングを行う。制御部３は、第２レグ２２を介して供給可能な出力電力の全範囲に亘ってスイッチング周波数を制御することで、第２レグ２２においてゼロボルトスイッチングを行う。このように、制御部３がスイッチング周波数を制御することで、ゼロボルトスイッチングを容易に実現することができる。
【0074】
（３）第１変形例
制御部３は、第１レグ２１及び第２レグ２２のそれぞれを介して供給される出力電力を検出し、第１レグ２１及び第２レグ２２のうち出力電力が電力閾値以下となるレグにおいて、スイッチング素子を電流臨界モードでターンオンさせることが好ましい。
制御部３は、第１レグ２１及び第２レグ２２のそれぞれを介して供給される出力電力を検出し、第１レグ２１及び第２レグ２２のうち出力電力が電力閾値以下となるレグにおいて、スイッチング素子を電流臨界モードでターンオンさせることが好ましい。
【0075】
また、制御部３は、第１レグ２１及び第２レグ２２のそれぞれを介して供給される出力電力を検出し、第１レグ２１及び第２レグ２２のうち出力電力が電力閾値以下となるレグにおいて、スイッチング素子をターンオンさせるときにゼロボルトスイッチングを行うことが好ましい。
【0076】
具体的に、制御部３は、第１センサ信号Ｙｓ１に基づく個別リアクトル電流ＩＬ１１の代表値（平均値、又は実効値など）を、第１レグ２１の出力電力の検出値とする。また、制御部３は、第２センサ信号Ｙｓ２に基づく個別リアクトル電流ＩＬ１２の代表値（平均値、又は実効値など）を、第２レグ２２の出力電力の検出値とする。
【0077】
図６は、昇圧モードにおける個別リアクトル電流ＩＬ１１の波形Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３を示す。波形Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３は、第１レグ２１における互いに異なる３つの出力電力にそれぞれ対応する。波形Ｙ１は、出力電力が小さい軽負荷時の個別リアクトル電流ＩＬ１１の波形である。波形Ｙ２は、出力電力が中程度の中負荷時の個別リアクトル電流ＩＬ１１の波形である。波形Ｙ３は、出力電力が大きい重負荷時の個別リアクトル電流ＩＬ１１の波形である。すなわち、第１レグ２１の出力電力が大きくなるにつれて、個別リアクトル電流ＩＬ１１の波形はＹ１→Ｙ２→Ｙ３の順に変化し、個別リアクトル電流ＩＬ１１は徐々に増大する。
【0078】
そこで、制御部３は、昇圧モードにおいて、第１レグ２１の出力電力の検出値を予め決められた電力閾値と比較し、第１レグ２１の出力電力の検出値が電力閾値以下であれば、第２スイッチング素子Ｑ２を電流臨界モードでターンオンさせ、第２スイッチング素子Ｑ２をターンオンさせるときにゼロボルトスイッチングを行う。
【0079】
制御部３は、昇圧モードにおいて、第２レグ２２の出力電力の検出値を予め決められた電力閾値と比較し、第２レグ２２の出力電力の検出値が電力閾値以下であれば、第４スイッチング素子Ｑ４を電流臨界モードでターンオンさせ、第４スイッチング素子Ｑ４をターンオンさせるときにゼロボルトスイッチングを行う。
【0080】
また、制御部３は、降圧モードにおいて、第１レグ２１の出力電力の検出値が電力閾値以下であれば、第１スイッチング素子Ｑ１を電流臨界モードでターンオンさせ、第１スイッチング素子Ｑ１をターンオンさせるときにゼロボルトスイッチングを行う。
【0081】
制御部３は、降圧モードにおいて第２レグ２２の出力電力の検出値が電力閾値以下であれば、第３スイッチング素子Ｑ３を電流臨界モードでターンオンさせ、第３スイッチング素子Ｑ３をターンオンさせるときにゼロボルトスイッチングを行う。
【0082】
上述のように、制御部３は、出力電力の小さな領域で電流臨界モードでの動作、及びゼロボルトスイッチングを行うことで、軽負荷時の効率改善を図ることができる。
【0083】
また、全電力範囲において電流臨界モードでの動作、及びゼロボルトスイッチングを行う構成に比べて、スイッチング制御の簡易化を図ることができる。例えば、制御部３は、出力電力が増加するにつれてスイッチング周波数を低下させ、出力電力が減少するにつれてスイッチング周波数を上昇させる。そこで、制御部３は、スイッチング周波数が下限周波数以上であれば、軽負荷であると判断して、スイッチング周波数を下限周波数以上、上限周波数以下の範囲内で可変とすることで電流臨界モードでの動作、及びゼロボルトスイッチングを行う。制御部３は、スイッチング周波数が下限周波数にまで低下すると、スイッチング周波数を下限周波数に固定する。
【0084】
（４）第２変形例
制御部３は、第１レグ２１及び第２レグ２２のそれぞれを介して供給される出力電力を検出し、第１レグ２１及び第２レグ２２のうち出力電力が電力閾値以上となるレグにおいて、スイッチング素子を電流臨界モードでターンオンさせることが好ましい。
制御部３は、第１レグ２１及び第２レグ２２のそれぞれを介して供給される出力電力を検出し、第１レグ２１及び第２レグ２２のうち出力電力が電力閾値以上となるレグにおいて、スイッチング素子を電流臨界モードでターンオンさせることが好ましい。
【0085】
また、制御部３は、第１レグ２１及び第２レグ２２のそれぞれを介して供給される出力電力を検出し、第１レグ２１及び第２レグ２２のうち出力電力が電力閾値以上となるレグにおいて、スイッチング素子をターンオンさせるときにゼロボルトスイッチングを行うことが好ましい。
【0086】
具体的に、制御部３は、第１センサ信号Ｙｓ１に基づく個別リアクトル電流ＩＬ１１の代表値（平均値、又は実効値など）を、第１レグ２１の出力電力の検出値とする。また、制御部３は、第２センサ信号Ｙｓ２に基づく個別リアクトル電流ＩＬ１２の代表値（平均値、又は実効値など）を、第２レグ２２の出力電力の検出値とする。
【0087】
そして、制御部３は、昇圧モードにおいて、第１レグ２１の出力電力の検出値を予め決められた電力閾値と比較し、第１レグ２１の出力電力の検出値が電力閾値以上であれば、スイッチング素子Ｑ２を電流臨界モードでターンオンさせ、スイッチング素子Ｑ２をターンオンさせるときにゼロボルトスイッチングを行う。
【0088】
制御部３は、昇圧モードにおいて、第２レグ２２の出力電力の検出値を予め決められた電力閾値と比較し、第２レグ２２の出力電力の検出値が電力閾値以上であれば、スイッチング素子Ｑ４を電流臨界モードでターンオンさせ、スイッチング素子Ｑ４をターンオンさせるときにゼロボルトスイッチングを行う。
【0089】
また、制御部３は、降圧モードにおいて、第１レグ２１の出力電力の検出値が電力閾値以上であれば、第１スイッチング素子Ｑ１を電流臨界モードでターンオンさせ、第１スイッチング素子Ｑ１をターンオンさせるときにゼロボルトスイッチングを行う。
【0090】
制御部３は、降圧モードにおいて、第２レグ２２の出力電力の検出値が電力閾値以上であれば、第３スイッチング素子Ｑ３を電流臨界モードでターンオンさせ、第３スイッチング素子Ｑ３をターンオンさせるときにゼロボルトスイッチングを行う。
【0091】
上述のように、出力電力の大きな領域で電流臨界モードでの動作、及びゼロボルトスイッチングを行うことで、重負荷時の効率改善を図ることができる。
【0092】
また、全電力範囲において電流臨界モードでの動作、及びゼロボルトスイッチングを行う構成に比べて、スイッチング制御の簡易化を図ることができる。例えば、制御部３は、出力電力が増加するにつれてスイッチング周波数を低下させ、出力電力が減少するにつれてスイッチング周波数を上昇させる。そこで、制御部３は、スイッチング周波数が上限周波数以下であれば、重負荷であると判断して、スイッチング周波数を下限周波数以上、上限周波数以下の範囲内で可変とすることで電流臨界モードでの動作、及びゼロボルトスイッチングを行う。制御部３は、スイッチング周波数が上限周波数にまで上昇すると、スイッチング周波数を上限周波数に固定する。
【0093】
また、第２変形例における電力閾値は、最大電力点における出力電力であってもよい。
【0094】
（５）第３変形例
制御部３は、蓄電池Ｂ１の充電時及び放電時の少なくとも一方において、直流電圧Ｖ１の変動の傾きが一定範囲に収まっていれば、スイッチング素子をターンオンさせるときにゼロボルトスイッチングを行うことが好ましい。
制御部３は、蓄電池Ｂ１の充電時及び放電時の少なくとも一方において、直流電圧Ｖ１の変動の傾きが一定範囲に収まっていれば、スイッチング素子をターンオンさせるときにゼロボルトスイッチングを行うことが好ましい。
【0095】
直流電圧Ｖ１は、充電時及び放電時には時間経過に伴って変動する。図７は、放電時における蓄電池Ｂ１の直流電圧Ｖ１の時間変化を示す放電曲線を示す。直流電圧Ｖ１は、放電開始直後及び放電終了前に急激に低下し、放電開始直後と放電終了前の間の期間Ｔｂは比較的平坦な特性となる。すなわち、期間Ｔｂにおける直流電圧Ｖ１の変動の傾きは、期間Ｔｂの前後における直流電圧Ｖ１の変動の傾きよりも小さくなる。すなわち、期間Ｔｂにおける直流電圧Ｖ１の変動の傾きは一定範囲に収まっている。蓄電池Ｂ１の充電時も同様に、直流電圧Ｖ１は、充電開始直後と充電終了前の間では、比較的平坦な特性となる。
【0096】
第３変形例の制御部３は、蓄電池Ｂ１の直流電圧Ｖ１を検出する電圧検出部の検出結果に基づいて、直流電圧Ｖ１の変動の傾きが予め決められた一定範囲に収まっているか否かを判定する。
【0097】
そして、制御部３は、昇圧モードで動作して蓄電池Ｂ１を放電させるとき、直流電圧Ｖ１の変動の傾きが一定範囲に収まっていれば、第２スイッチング素子Ｑ２及び第４スイッチング素子Ｑ４をターンオンさせるときに上述のゼロボルトスイッチングを行い、直流電圧Ｖ１の変動の傾きが一定範囲に収まっていなければ、ゼロボルトスイッチングを行わない。
【0098】
また、制御部３は、降圧モードで動作して蓄電池Ｂ１を充電するとき、直流電圧Ｖ１の変動の傾きが一定範囲に収まっていれば、第１スイッチング素子Ｑ１及び第３スイッチング素子Ｑ３をターンオンさせるときに上述のゼロボルトスイッチングを行い、直流電圧Ｖ１の変動の傾きが一定範囲に収まっていなければ、ゼロボルトスイッチングを行わない。
【0099】
すなわち、直流電圧Ｖ１の時間変化が比較的平坦な特性となる期間にゼロボルトスイッチングが行われ、直流電圧Ｖ１の時間変化が大きくなる期間にはゼロボルトスイッチングが行われない。この結果、ゼロボルトスイッチングを行うためのスイッチング制御を安定して行うことができる。
【0100】
（６）電力変換システムの周辺構成
電力変換システムＡ１は、例えば図８に示す電力システムＰＳ１に用いられる。
電力変換システムＡ１は、例えば図８に示す電力システムＰＳ１に用いられる。
【0101】
電力システムＰＳ１は、太陽電池モジュール９１、パワーコンディショナ９２、蓄電コンバータ９３、及び蓄電池ユニット９４を備えて、商用の電力系統９５に接続している。パワーコンディショナ９２は、太陽電池モジュール９１、蓄電コンバータ９３、及び電力系統９５に接続している。蓄電池ユニット９４は、蓄電コンバータ９３に接続している。
【0102】
太陽電池モジュール９１は、太陽光によって発電する太陽電池セルを有し、直流の発電電力をパワーコンディショナ９２へ供給する。パワーコンディショナ９２は、太陽電池モジュール９１から供給される発電電力、及び電力系統９５から供給される交流の商用電力を直流電力（以降、中間電力と称す）に変換し、中間電力を蓄電コンバータ９３に供給する。蓄電コンバータ９３は、中間電力を直流の充電電力に変換し、充電電力を蓄電池ユニット９４に供給する。蓄電池ユニット９４は蓄電池を有し、蓄電池は、蓄電コンバータ９３から供給される充電電力によって充電される。また、蓄電コンバータ９３は、蓄電池ユニット９４の放電電力を直流の中間電力に変換し、中間電力をパワーコンディショナ９２に供給する。パワーコンディショナ９２は、中間電力を交流の逆潮流電力に変換し、逆潮流電力を電力系統９５に供給する。電力系統９５には負荷９６が接続されており、負荷９６には、電力系統９５の商用電力、及びパワーコンディショナ９２の逆潮流電力が供給される。
【0103】
上述の電力変換システムＡ１は、蓄電コンバータ９３としてそれぞれ機能する。すなわち、電力変換システムＡ１は、パワーコンディショナ９２から供給される中間電力を充電電力に変換したり、蓄電池ユニット９４の放電電力を中間電力に変換したりする。この場合、電力変換システムＡ１の第１端子Ｔ１１、Ｔ１２は蓄電池ユニット９４に接続され、第２端子Ｔ２１、Ｔ２２はパワーコンディショナ９２に接続される。すなわち、電力変換システムＡ１は、蓄電池ユニット９４の直流電圧Ｖ１を昇圧した直流電圧Ｖ２をパワーコンディショナ９２へ出力する。また、電力変換システムＡ１は、パワーコンディショナ９２から出力された直流電圧Ｖ２を降圧した直流電圧Ｖ１を蓄電池ユニット９４へ出力する。
【0104】
（７）他の変形例
電力変換システムＡ１は、降圧モードで動作するときも、上述の昇圧モードで動作しているときと同様の効果を奏し得る。
電力変換システムＡ１は、降圧モードで動作するときも、上述の昇圧モードで動作しているときと同様の効果を奏し得る。
【0105】
制御部３は、第１スイッチング素子Ｑ１、第２スイッチング素子Ｑ２、第３スイッチング素子Ｑ３、及び第４スイッチング素子Ｑ４の制御として、個別リアクトル電流ＩＬ１１及び個別リアクトル電流ＩＬ１２の各実効値をそれぞれの目標値に一致させる実効値制御を行ってもよい。
【0106】
制御部３は、第１スイッチング素子Ｑ１、第２スイッチング素子Ｑ２、第３スイッチング素子Ｑ３、及び第４スイッチング素子Ｑ４の制御として、個別リアクトル電流ＩＬ１１及び個別リアクトル電流ＩＬ１２の各ピーク値をそれぞれの目標値に一致させるピーク値制御を行ってもよい。
【0107】
また、電力変換システムは、電圧変換回路ＶＴ１、ＶＴ２の組を複数備えて、インタリーブ方式で動作してもよい。この場合、複数の電力変換回路は、互いに位相差が生じるようにそれぞれ動作する。
【0108】
電力変換システムは、図８に示す電力システムＰＳ１に用いられる構成に限定されず、例えば電動車両などの他のシステムに用いられてもよい。
【0109】
（８）まとめ
以上のように、実施形態に係る第１の態様の電力変換システム（Ａ１）は、結合リアクトル（１）と、複数のレグ（２１、２２）と、共通リアクトル（Ｌ２）と、を備える。結合リアクトル（１）は、互いに磁気結合された複数の個別リアクトル（Ｌ１１、Ｌ１２）を有し、複数の個別リアクトル（Ｌ１１、Ｌ１２）のそれぞれの端部が互いに接続する。複数のレグ（２１、２２）は、複数の個別リアクトル（Ｌ１１、Ｌ１２）にそれぞれ対応し、複数の個別リアクトル（Ｌ１１、Ｌ１２）のうち対応する個別リアクトルを流れるリアクトル電流（ＩＬ１１、ＩＬ１２）を導通、遮断するスイッチング素子（Ｑ１－Ｑ４）をそれぞれ有する。共通リアクトル（Ｌ２）は、複数の個別リアクトル（Ｌ１１、Ｌ１２）の接続点（Ｐａ）に接続する。共通リアクトル（Ｌ２）のインダクタンス値（［Ｌ２］）は、複数の個別リアクトル（Ｌ１１、Ｌ１２）のそれぞれのインダクタンス値（［Ｌ１１］、［Ｌ１２］）よりも大きい。
以上のように、実施形態に係る第１の態様の電力変換システム（Ａ１）は、結合リアクトル（１）と、複数のレグ（２１、２２）と、共通リアクトル（Ｌ２）と、を備える。結合リアクトル（１）は、互いに磁気結合された複数の個別リアクトル（Ｌ１１、Ｌ１２）を有し、複数の個別リアクトル（Ｌ１１、Ｌ１２）のそれぞれの端部が互いに接続する。複数のレグ（２１、２２）は、複数の個別リアクトル（Ｌ１１、Ｌ１２）にそれぞれ対応し、複数の個別リアクトル（Ｌ１１、Ｌ１２）のうち対応する個別リアクトルを流れるリアクトル電流（ＩＬ１１、ＩＬ１２）を導通、遮断するスイッチング素子（Ｑ１－Ｑ４）をそれぞれ有する。共通リアクトル（Ｌ２）は、複数の個別リアクトル（Ｌ１１、Ｌ１２）の接続点（Ｐａ）に接続する。共通リアクトル（Ｌ２）のインダクタンス値（［Ｌ２］）は、複数の個別リアクトル（Ｌ１１、Ｌ１２）のそれぞれのインダクタンス値（［Ｌ１１］、［Ｌ１２］）よりも大きい。
【0110】
上述の電力変換システム（Ａ１）は、リアクトル電流のリプル成分を抑制しながら、スイッチング損失を抑えることができる。
【0111】
実施形態に係る第２の態様の電力変換システム（Ａ１）は、第１の態様において、スイッチング素子（Ｑ１－Ｑ４）を制御する制御部（３）を更に備えることが好ましい。
【0112】
上述の電力変換システム（Ａ１）は、スイッチング素子（Ｑ１－Ｑ４）を制御することができる。
【0113】
実施形態に係る第３の態様の電力変換システム（Ａ１）では、第２の態様において、制御部（３）は、スイッチング素子（Ｑ１－Ｑ４）を電流臨界モードでターンオンさせることが好ましい。
【0114】
上述の電力変換システム（Ａ１）は、ターンオンするスイッチング素子（Ｑ１－Ｑ４）のスイッチング損失を更に抑えることができる。
【0115】
実施形態に係る第４の態様の電力変換システム（Ａ１）では、第３の態様において、制御部（３）は、複数のレグ（２１、２２）のそれぞれを介して供給される出力電力を検出する。制御部（３）は、複数のレグ（２１、２２）のうち出力電力が電力閾値以下となるレグ（２１、２２）において、スイッチング素子（Ｑ１－Ｑ４）を電流臨界モードでターンオンさせることが好ましい。
【0116】
上述の電力変換システム（Ａ１）は、軽負荷時の効率改善を図ることができる。
【0117】
実施形態に係る第５の態様の電力変換システム（Ａ１）では、第３の態様において、制御部（３）は、複数のレグ（２１、２２）のそれぞれを介して供給される出力電力を検出する。制御部（３）は、複数のレグ（２１、２２）のうち出力電力が電力閾値以上となるレグ（２１、２２）において、スイッチング素子（Ｑ１－Ｑ４）を電流臨界モードでターンオンさせることが好ましい。
【0118】
上述の電力変換システム（Ａ１）は、重負荷時の効率改善を図ることができる。
【0119】
実施形態に係る第６の態様の電力変換システム（Ａ１）では、第２乃至第５の態様のいずれか１つにおいて、制御部（３）は、スイッチング素子（Ｑ１－Ｑ４）のゼロボルトスイッチングを行うことが好ましい。
【0120】
上述の電力変換システム（Ａ１）は、ターンオンするスイッチング素子（Ｑ１－Ｑ４）のスイッチング損失を更に抑えることができる。
【0121】
実施形態に係る第７の態様の電力変換システム（Ａ１）では、第６の態様において、制御部（３）は、複数のレグ（２１、２２）のそれぞれを介して供給される出力電力を検出する。制御部（３）は、複数のレグ（２１、２２）のうち出力電力が電力閾値以下となるレグ（２１、２２）において、スイッチング素子（Ｑ１－Ｑ４）をターンオンさせるときにゼロボルトスイッチングを行うことが好ましい。
【0122】
上述の電力変換システム（Ａ１）は、軽負荷時の効率改善を図ることができる。
【0123】
実施形態に係る第８の態様の電力変換システム（Ａ１）では、第６の態様において、制御部（３）は、複数のレグ（２１、２２）のそれぞれを介して供給される出力電力を検出する。制御部（３）は、複数のレグ（２１、２２）のうち出力電力が電力閾値以上となるレグ（２１、２２）において、スイッチング素子（Ｑ１－Ｑ４）をターンオンさせるときにゼロボルトスイッチングを行うことが好ましい。
【0124】
上述の電力変換システム（Ａ１）は、重負荷時の効率改善を図ることができる。
【0125】
実施形態に係る第９の態様の電力変換システム（Ａ１）では、第３乃至第８の態様のいずれか１つにおいて、制御部（３）は、スイッチング素子（Ｑ１－Ｑ４）のスイッチング周波数を制御することが好ましい。
【0126】
上述の電力変換システム（Ａ１）は、電流臨界モードでの動作及びゼロボルトスイッチングの少なくとも一方を容易に実現することができる。
【0127】
実施形態に係る第１０の態様の電力変換システム（Ａ１）では、第１乃至第９の態様のいずれか１つにおいて、複数の個別リアクトル（Ｌ１１、Ｌ１２）の互いの結合係数は１であることが好ましい。
【0128】
上述の電力変換システム（Ａ１）は、結合リアクトル（１）の小型化を図ることができる。
【0129】
実施形態に係る第１１の態様の電力変換システム（Ａ１）では、第１乃至第１０の態様のいずれか１つにおいて、複数のレグ（２１、２２）のそれぞれは、結合リアクトル（１）及び共通リアクトル（Ｌ２）とともに電圧変換回路（ＶＴ１、ＶＴ２）を構成することが好ましい。電圧変換回路（ＶＴ１、ＶＴ２）のそれぞれは、蓄電池（Ｂ１）の直流電圧（Ｖ１）を電圧変換する。
【0130】
上述の電力変換システム（Ａ１）は、蓄電池Ｂ１の充電及び放電の少なくとも一方を行うことができる。
【0131】
実施形態に係る第１２の態様の電力変換システム（Ａ１）では、第１１の態様において、スイッチング素子（Ｑ１－Ｑ４）を制御する制御部（３）を更に備えることが好ましい。制御部（３）は、蓄電池（Ｂ１）の充電時及び放電時の少なくとも一方において、直流電圧（Ｖ１）の変動の傾きが一定範囲に収まっていれば、スイッチング素子（Ｑ１－Ｑ４）をターンオンさせるときにゼロボルトスイッチングを行う。
【0132】
上述の電力変換システム（Ａ１）は、ゼロボルトスイッチングを行うためのスイッチング制御を安定して行うことができる。
【符号の説明】
【0133】
Ａ１ 電力変換システム
１ 結合リアクトル
２１ 第１レグ（レグ）
２２ 第２レグ（レグ）
３ 制御部
Ｌ１１、Ｌ１２ 個別リアクトル
Ｌ２ 共通リアクトル
Ｑ１ 第１スイッチング素子（スイッチング素子）
Ｑ２ 第２スイッチング素子（スイッチング素子）
Ｑ３ 第３スイッチング素子（スイッチング素子）
Ｑ４ 第４スイッチング素子（スイッチング素子）
Ｐａ 接続点
ＶＴ１、ＶＴ２ 電圧変換回路
Ｂ１ 蓄電池
ＩＬ１１、ＩＬ１２ 個別リアクトル電流（リアクトル電流）
Ｖ１ 直流電圧
［Ｌ２］ 共通リアクトルのインダクタンス値
［Ｌ１１］、［Ｌ１２］ 個別リアクトルのインダクタンス値
１ 結合リアクトル
２１ 第１レグ（レグ）
２２ 第２レグ（レグ）
３ 制御部
Ｌ１１、Ｌ１２ 個別リアクトル
Ｌ２ 共通リアクトル
Ｑ１ 第１スイッチング素子（スイッチング素子）
Ｑ２ 第２スイッチング素子（スイッチング素子）
Ｑ３ 第３スイッチング素子（スイッチング素子）
Ｑ４ 第４スイッチング素子（スイッチング素子）
Ｐａ 接続点
ＶＴ１、ＶＴ２ 電圧変換回路
Ｂ１ 蓄電池
ＩＬ１１、ＩＬ１２ 個別リアクトル電流（リアクトル電流）
Ｖ１ 直流電圧
［Ｌ２］ 共通リアクトルのインダクタンス値
［Ｌ１１］、［Ｌ１２］ 個別リアクトルのインダクタンス値
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】