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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024017186
(43)【公開日】2024-02-08
(54)【発明の名称】磁気コアおよび磁性部品
(51)【国際特許分類】
H01F 1/26 20060101AFI20240201BHJP
H01F 27/255 20060101ALI20240201BHJP
H01F 1/24 20060101ALI20240201BHJP
【ＦＩ】
H01F1/26 ZNM
H01F27/255
H01F1/24
【審査請求】未請求
【請求項の数】5
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022119670
(22)【出願日】2022-07-27
(71)【出願人】
【識別番号】000003067
【氏名又は名称】ＴＤＫ株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110001494
【氏名又は名称】前田・鈴木国際特許弁理士法人
(72)【発明者】
【氏名】吉留 和宏
(72)【発明者】
【氏名】荒 健輔
【テーマコード（参考）】
5E041
【Ｆターム（参考）】
5E041AA11
5E041BB05
5E041BD12
5E041BD13
5E041NN05
(57)【要約】 （修正有）
【課題】低いコアロスと良好な直流重畳特性とを両立させた磁気コアおよび磁性部品を提供すること。
【解決手段】断面の７５％以上９０％以下の面積を金属磁性粒子が占める磁気コアであって、金属磁性粒子は、磁気コアの断面におけるヘイウッド径が３μｍ以上でありナノ結晶構造を有する第１大粒子１１ａと、ヘイウッド径が３μｍ以上でありアモルファス構造を有する第２大粒子１１ｂと、を含み、第１大粒子の絶縁被膜４ａが、第２大粒子の絶縁被膜４ｂよりも厚い。
【選択図】図３Ａ
【解決手段】断面の７５％以上９０％以下の面積を金属磁性粒子が占める磁気コアであって、金属磁性粒子は、磁気コアの断面におけるヘイウッド径が３μｍ以上でありナノ結晶構造を有する第１大粒子１１ａと、ヘイウッド径が３μｍ以上でありアモルファス構造を有する第２大粒子１１ｂと、を含み、第１大粒子の絶縁被膜４ａが、第２大粒子の絶縁被膜４ｂよりも厚い。
【選択図】図３Ａ
【特許請求の範囲】
【請求項1】
金属磁性粒子を含む磁気コアであり、
前記磁気コアの断面において前記金属磁性粒子が占める合計面積割合が、７５％以上９０％以下であり、
前記金属磁性粒子は、
前記磁気コアの断面におけるヘイウッド径が３μｍ以上であり、ナノ結晶構造を有する第１大粒子と、
前記磁気コアの断面におけるヘイウッド径が３μｍ以上であり、アモルファス構造を有する第２大粒子と、を含み、
前記第１大粒子の絶縁被膜が、前記第２大粒子の絶縁被膜よりも厚い磁気コア。
前記磁気コアの断面において前記金属磁性粒子が占める合計面積割合が、７５％以上９０％以下であり、
前記金属磁性粒子は、
前記磁気コアの断面におけるヘイウッド径が３μｍ以上であり、ナノ結晶構造を有する第１大粒子と、
前記磁気コアの断面におけるヘイウッド径が３μｍ以上であり、アモルファス構造を有する第２大粒子と、を含み、
前記第１大粒子の絶縁被膜が、前記第２大粒子の絶縁被膜よりも厚い磁気コア。
【請求項2】
前記第１大粒子の前記絶縁被膜の平均厚みをＴ１とし、
前記第２大粒子の前記絶縁被膜の平均厚みをＴ２として、
Ｔ１／Ｔ２が、１．３以上、２０以下である請求項１に記載の磁気コア。
前記第２大粒子の前記絶縁被膜の平均厚みをＴ２として、
Ｔ１／Ｔ２が、１．３以上、２０以下である請求項１に記載の磁気コア。
【請求項3】
前記第２大粒子の前記絶縁被膜の平均厚みＴ２が、５ｎｍ以上、５０ｎｍ以下である請求項１または２に記載の磁気コア。
【請求項4】
前記金属磁性粒子は、前記磁気コアの断面におけるヘイウッド径が３μｍ未満である粒子群を含み、
ヘイウッド径が３μｍ未満である前記粒子群は、被膜の組成が異なる２種以上の小粒子を含む請求項１または２に記載の磁気コア。
ヘイウッド径が３μｍ未満である前記粒子群は、被膜の組成が異なる２種以上の小粒子を含む請求項１または２に記載の磁気コア。
【請求項5】
請求項１または２に記載の磁気コアを有する磁性部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、金属磁性粉末を含む磁気コア、および、当該磁気コアを有する磁性部品に関する。
【背景技術】
【0002】
金属磁性粉末および樹脂を含む磁気コア（圧粉磁心）を有する、インダクタ、トランス、チョークコイルなどの磁性部品が知られている。このような磁性部品に関して、透磁率などの諸特性を向上させるために、様々な試みがなされてきた。
【0003】
たとえば、特許文献１および２では、結晶質の合金粉末と非晶質の合金粉末とを混合した金属磁性粉末を用いることで、磁気コアにおける金属磁性粉末の充填率が向上し、透磁率やコアロス（磁気損失）を改善できることが開示されている。
【0004】
また、特許文献３では、粒径が異なる２種類の金属磁性粉末を用い、２種類の金属磁性粉末の粒径比を所定の範囲に調整することで、金属磁性粉末が高密度で充填された磁気コアが得られ、透磁率が向上する旨が開示されている。
【0005】
近年、磁性部品の小型化、高効率化、および省エネルギー化の要求が高まっており、コアロスと直流重畳特性とを両立して向上させることが求められている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0006】
【特許文献1】特開２００４－１９７２１８号公報
【特許文献2】特開２００４－３６３４６６号公報
【特許文献3】特開２０１１－１９２７２９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
本開示は、上記の実情を鑑みてなされ、本開示の例示的な実施形態の目的は、低いコアロスと良好な直流重畳特性とを両立させた磁気コア、および、当該磁気コアを有する磁性部品を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0008】
上記の目的を達成するために、本開示に係る磁気コアは、
金属磁性粒子を含み、
前記磁気コアの断面において前記金属磁性粒子が占める合計面積割合が、７５％以上９０％以下であり、
前記金属磁性粒子は、
前記磁気コアの断面におけるヘイウッド径が３μｍ以上でありナノ結晶構造を有する第１大粒子と、
前記磁気コアの断面におけるヘイウッド径が３μｍ以上でありアモルファス構造を有する第２大粒子と、を含み、
前記第１大粒子の絶縁被膜が、前記第２大粒子の絶縁被膜よりも厚い。
金属磁性粒子を含み、
前記磁気コアの断面において前記金属磁性粒子が占める合計面積割合が、７５％以上９０％以下であり、
前記金属磁性粒子は、
前記磁気コアの断面におけるヘイウッド径が３μｍ以上でありナノ結晶構造を有する第１大粒子と、
前記磁気コアの断面におけるヘイウッド径が３μｍ以上でありアモルファス構造を有する第２大粒子と、を含み、
前記第１大粒子の絶縁被膜が、前記第２大粒子の絶縁被膜よりも厚い。
【0009】
磁気コアが上記の特徴を有することで、低いコアロスと良好な直流重畳特性とを両立させることができる。
【0010】
前記第１大粒子の前記絶縁被膜の平均厚みをＴ１とし、前記第２大粒子の前記絶縁被膜の平均厚みをＴ２として、
好ましくは、Ｔ１／Ｔ２が、１．３以上、２０以下である。
好ましくは、Ｔ１／Ｔ２が、１．３以上、２０以下である。
【0011】
好ましくは、前記第２大粒子の前記絶縁被膜の平均厚みＴ２が、５ｎｍ以上、５０ｎｍ以下である。
【0012】
好ましくは、前記金属磁性粒子が、前記磁気コアの断面におけるヘイウッド径が３μｍ未満である粒子群を含み、
ヘイウッド径が３μｍ未満である前記粒子群は、被膜の組成が異なる２種以上の小粒子を含む。
ヘイウッド径が３μｍ未満である前記粒子群は、被膜の組成が異なる２種以上の小粒子を含む。
【0013】
本開示の磁気コアは、インダクタ、トランス、チョークコイルなどの各種磁性部品に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【0014】
【発明を実施するための形態】
【0015】
以下、本開示を、図面に示す実施形態に基づき詳細に説明する。
【0016】
第１実施形態
本実施形態に係る磁気コア２は、所定の形状を保持していればよく、その外形寸法や形状は特に限定されない。図１の断面図に示すように、磁気コア２は、少なくとも金属磁性粒子１０と樹脂２０とを含み、金属磁性粒子１０が樹脂２０中に分散している。すなわち、金属磁性粒子１０が樹脂２０を介して結着することにより、磁気コア２が所定の形状を成している。
本実施形態に係る磁気コア２は、所定の形状を保持していればよく、その外形寸法や形状は特に限定されない。図１の断面図に示すように、磁気コア２は、少なくとも金属磁性粒子１０と樹脂２０とを含み、金属磁性粒子１０が樹脂２０中に分散している。すなわち、金属磁性粒子１０が樹脂２０を介して結着することにより、磁気コア２が所定の形状を成している。
【0017】
磁気コア２の断面において金属磁性粒子１０が占める合計面積割合Ａ０は、７５％以上９０％以下である。この金属磁性粒子１０の合計面積割合Ａ０は、磁気コア２における金属磁性粒子１０の充填率に相当し、ＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）やＳＴＥＭ（走査透過型電子顕微鏡）などの電子顕微鏡を用いて、磁気コア２の断面を解析することで算出すればよい。
【0018】
たとえば、磁気コア２の任意の断面を、連続する複数の視野に分割して観察し、各視野に含まれる各金属磁性粒子１０の面積を計測する。そして、金属磁性粒子１０の面積の合計を、観察した視野の合計面積で割ることで、金属磁性粒子１０の合計面積割合Ａ０（％）を算出する。この断面解析において、視野の合計面積は、少なくとも１００００００μｍ2とすることが好ましい。また、断面解析において、観察試料の切断面（磁気コア２を切断し研磨した面）が上記の視野の合計面積に満たない場合、所定の切断面を解析した後、当該切断面を再度１００μｍ以上研磨等行い、再度断面解析を行うことで、視野の合計面積を１００００００μｍ2以上としてもよい。
【0019】
磁気コア２に含まれる金属磁性粒子１０は、ヘイウッド径（Ｈｅｙｗｏｏｄ ｄｉａｍｅｔｅｒ）が３μｍ以上である第１の粒子群１０ａを含み、さらに、ヘイウッド径が３μｍ未満である第２の粒子群１０ｂを含むことが好ましい。ここで、本実施形態における「ヘイウッド径」とは、磁気コア２の断面で観測される各金属磁性粒子１０の円相当径を意味する。具体的に、磁気コア２の断面における各金属磁性粒子１０の面積をＳとして、各金属磁性粒子１０のヘイウッド径は、（４Ｓ／π）1/2で表される。
【0020】
金属磁性粒子１０が第１の粒子群１０ａと第２の粒子群１０ｂとを含む場合、磁気コア２では、第１の粒子群１０ａの含有率が、第２の粒子群１０ｂの含有率よりも多いことが好ましい。つまり、磁気コア２の断面において、第１粒子１０ａが占める合計面積割合をＡ１とし、第２粒子１０ｂが占める合計面積割合をＡ２とすると、金属磁性粒子１０の面積割合は、Ａ１＞Ａ２を満たすことが好ましい。第２粒子１０ｂよりも第１粒子１０ａの含有率を多くすることで、磁気コア２の透磁率を向上させることができる。なお、Ａ１とＡ２の合計が金属磁性粒子１０の合計面積割合Ａ０となり（Ａ１＋Ａ２＝Ａ０）、Ａ１およびＡ２についても、Ａ０と同様の方法で測定すればよい。
【0021】
また、金属磁性粒子１０は、平均粒径が異なる２以上の粒子群を含むことが好ましい。たとえば、金属磁性粒子１０は、少なくとも、第１の粒子群１０ａに該当する大粒子１１を含んでいればよいが、大粒子１１と小粒子１２とを含むことが好ましく、その他に中粒子１３を含んでいてもよい。大粒子１１、小粒子１２、および中粒子１３は、金属磁性粒子１０の粒度分布に基づいて区別することができる。金属磁性粒子１０の粒度分布は、磁気コア２の任意の断面において、少なくとも１０００個の金属磁性粒子１０のヘイウッド径を計測することで特定すればよい。
【0022】
たとえば、図２Ａ～図２Ｃで例示しているグラフが、金属磁性粒子１０の粒度分布である。図２Ａ～図２Ｃの各グラフにおいて、縦軸は面積基準の頻度（％）であり、横軸はヘイウッド径換算の粒子径（μｍ）を示す対数軸である。なお、図２Ａ～図２Ｃに示す粒度分布は例示であり、金属磁性粒子１０の粒度分布は図２Ａ～図２Ｃに限定されない。
【0023】
金属磁性粒子１０が平均粒径の異なる２つの粒子群（大粒子および小粒子）で構成してある場合には、図２Ａに示すように、金属磁性粒子１０の粒度分布が、２つのピークを有する。また、金属磁性粒子１０が平均粒径の異なる３つの粒子群（大粒子、中粒子、および小粒子）で構成してある場合には、図２Ｂに示すように、金属磁性粒子１０の粒度分布が、３つのピークを有する。
【0024】
図２Ａおよび図２Ｂに示すように、金属磁性粒子１０の粒度分布を一連の分布曲線で表した場合、最も大径側に位置するピーク（横軸の最右側に位置するピーク）に属し、かつ、Ｄ２０が３μｍ以上である粒子群を大粒子１１とし、最も小径側に位置するピーク（横軸の最左側に位置するピーク）に属し、かつ、Ｄ８０が３μｍ未満である粒子群を小粒子１２とする。また、大粒子１１および小粒子１２以外の粒子を、中粒子１３とする。
【0025】
ここで、「最も大径側に位置するピークに属する粒子群」とは、分布曲線を大径側（グラフ右側）から辿った際に、分布曲線の裾部（最右端）からピークトップを経由して局所極小点にいたるまでの範囲に含まれる粒子群を意味する。すなわち、図２Ａに示す粒度分布の場合、ＥＰ１からＰｅａｋ１を経由してＬＰに至るまでの範囲に含まれる粒子群が、「最も大径側に位置するピークに属する粒子群」に該当する。図２Ｂに示す粒度分布の場合、ＥＰ１からＰｅａｋ１を経由してＬＰ１に至るまでの範囲に含まれる粒子群が、「最も大径側に位置するピークに属する粒子群」に該当する。
【0026】
また、Ｄ２０は、面積基準の累積頻度が２０％となるヘイウッド径を意味する。図２Ａおよび図２Ｂの粒度分布では、Ｐｅａｋ１に属する粒子群のＤ２０が３μｍ以上であり、このＰｅａｋ１に属する粒子群が大粒子１１である。
【0027】
「最も小径側に位置するピークに属する粒子群」とは、分布曲線を小径側（グラフ左側）から辿った際に、分布曲線の裾部（最左端）からピークトップを経由して局所極小点にいたるまでの範囲に含まれる粒子群を意味する。すなわち、図２Ａに示す粒度分布の場合、ＥＰ２からＰｅａｋ２を経由してＬＰに至るまでの範囲に含まれる粒子群が、「最も小径側に位置するピークに属する粒子群」に該当する。また、図２Ｂに示す粒度分布の場合、ＥＰ２からＰｅａｋ２を経由してＬＰ２に至るまでの範囲に含まれる粒子群が、「最も小径側に位置するピークに属する粒子群」に該当する。
【0028】
また、Ｄ８０は、面積基準の累積頻度が８０％となるヘイウッド径を意味する。図２Ａおよび図２Ｂの粒度分布では、Ｐｅａｋ２に属する粒子群のＤ８０が３μｍ未満であり、このＰｅａｋ２に属する粒子群が小粒子１２である。
【0029】
なお、図２Ｂに示す粒度分布では、ＬＰ１からＰｅａｋ３を経由してＬＰ２に至るまでの粒子群が、Ｐｅａｋ３に属する粒子群である。このＰｅａｋ３に属する粒子群では、Ｄ２０が３μｍ未満であり、Ｄ８０が３μｍ以上である。つまり、Ｐｅａｋ３に属する粒子群は、大粒子１１と小粒子１２のいずれにも該当しない中粒子１３である。
【0030】
金属磁性粒子１０が平均粒径の異なる２以上の粒子群を含む場合、小粒子１２または／および中粒子１３は、大粒子１１と同じ粒子組成を有していてもよいし、大粒子１１とは異なる粒子組成を有していてもよい。なお、「粒子組成が異なる」とは、粒子本体に含まれる構成元素の種類が異なる場合、もしくは、構成元素の種類が一致していたとしても、各構成元素の含有比率が異なる場合を意味する。構成元素は、粒子本体において１ａｔ％以上含まれる元素を意味する。つまり、粒子本体に含まれる元素のうち不純物元素以外の元素を構成元素と称することとする。
【0031】
小粒子１２または／および中粒子１３が、大粒子１１とは異なる粒子組成を有している場合には、組成分析と粒度解析とを併用して、金属磁性粒子１０を分類してもよい。具体的に、電子顕微鏡による磁気コア２の断面観察時に、ＥＤＸ装置（エネルギー分散型Ｘ線分析装置）もしくはＥＰＭＡ（電子プローブマイクロアナライザ）を用いて、観察視野中に含まれる各金属磁性粒子１０の組成を分析し、組成に基づいて金属磁性粒子１０を分類する。そして、各組成に属する金属磁性粒子１０のヘイウッド径を計測することで、複数の分布曲線が得られる。
【0032】
たとえば、金属磁性粒子１０が粒子組成の異なる４つの粒子群で構成してある場合には、図２Ｃに示すように、４つの分布曲線が得られる。図２Ｃの粒度分布では、組成Ａを有する粒子群の分布曲線を実線で示し、組成Ｂを有する粒子群の分布曲線を点線で示し、組成Ｃを有する粒子群の分布曲線を一点鎖線で示し、組成Ｄを有する粒子群の分布曲線を二点鎖線で示している。
【0033】
図２Ｃに示すように、金属磁性粒子１０の粒度分布を組成に応じた複数の分布曲線で表した場合、Ｄ２０が３μｍ以上である粒子群を大粒子１１とし、Ｄ８０が３μｍ未満である粒子群を小粒子１２とし、大粒子１１および小粒子１２以外の粒子群を中粒子１３とする。すなわち、図２Ｃでは、組成Ａを有する粒子群および組成Ｂを有する粒子群が大粒子１１であり、組成Ｃを有する粒子群が小粒子１２であり、組成Ｄを有する粒子群が中粒子１３である。
【0034】
前述のとおり、大粒子１１のＤ２０は３μｍ以上であり、大粒子１１のヘイウッド径は、いずれも３μｍ以上であることが好ましい。また、大粒子１１のヘイウッド径の平均値（算術平均径）は、特に限定されず、たとえば、５μｍ以上４０μｍ以下であることが好ましく、１０μｍ以上３５μｍ以下であることが好ましい。小粒子１２のＤ８０は３μｍ未満であり、小粒子１２のヘイウッド径は、いずれも３μｍ未満であることが好ましい。また、小粒子１２のヘイウッド径の平均値（算術平均径）は、特に限定されず、たとえば、２μｍ以下であることが好ましく、０．２μｍ以上２μｍ未満であることがより好ましい。
【0035】
磁気コア２の断面において大粒子１１が占める合計面積割合をＡＬとし、磁気コア２の断面において小粒子１２が占める合計面積割合をＡＳとすると、ＡＬがＡＳよりも大きいことが好ましい（ＡＬ＞ＡＳ）。具体的に、金属磁性粒子１０の合計面積に対する大粒子１１の合計面積の比率（ＡＬ／Ａ０）は、５０％超過９０％以下であることが好ましく、６０％以上８２％以下であることがより好ましい。また、金属磁性粒子１０の合計面積に対する小粒子１２の合計面積の比率（ＡＳ／Ａ０）は、８％以上５０％未満であることが好ましく、１０％以上４０％以下であることがより好ましい。磁気コア２が大粒子１１と共に上記の比率で小粒子１２を含むことで、透磁率を向上させることができる。なお、上記のＡＬおよびＡＳは、Ａ０と同様の方法で測定すればよい。
【0036】
金属磁性粒子１０が中粒子１３を含む場合、中粒子１３のヘイウッド径の平均値（算術平均径）は、特に限定されず、たとえば、３μｍ以上５μｍ以下であることが好ましい。また、金属磁性粒子１０の合計面積に対する中粒子１３の合計面積の比率（ＡＭ／Ａ０）は、５％以上３０％以下であることが好ましい。
【0037】
また、磁気コア２の断面における大粒子１１の平均円形度は、０．９０以上であることが好ましく、０．９５以上であることがより好ましい。大粒子１１の平均円形度が高いほど、耐電圧と直流重畳特性とをより向上させることができる。なお、各大粒子１１の円形度は、磁気コア２の断面における各大粒子１１の面積をＳL、各大粒子１１の周囲長をＬとして、２（πＳL）1/2／Ｌで表される。真円の円形度は１であり、円形度が１に近いほど、粒子の球形度が高くなる。大粒子１１の平均円形度は、少なくとも１００個の大粒子１１の円形度を測定することで、算出することが好ましい。
【0038】
なお、小粒子１２の平均円形度、および、中粒子１３の平均円形度については、特に限定されないが、大粒子１１と同様に、高い平均円形度を有することが好ましい。具体的に、小粒子１２の平均円形度、および、中粒子１３の平均円形度は、いずれも、０．８０以上であることが好ましい。
【0039】
なお、本実施形態では、金属磁性粒子１０を大粒子１１および小粒子１２などに分類する方法として、図２Ａ～図２Ｃに示す方法を提示しているが、小粒子１２が、大粒子１１と同じ粒子組成を有する場合には、図２Ａまたは図２Ｂに示す分類方法を採用することが好ましく、小粒子１２が、大粒子１１と異なる粒子組成を有する場合には、図２Ｃに示す分類方法を採用することが好ましい。
【0040】
本実施形態の磁気コア２において、大粒子１１は、粒内の物質状態が異なる２種類の粒子群に細別することができる。具体的に、大粒子１１は、ナノ結晶構造を有する第１大粒子１１ａと、アモルファス構造を有する第２大粒子１１ｂと、を含む。
【0041】
ここで、「ナノ結晶構造」とは、非晶質化度Ｘが８５％未満であり、かつ、平均結晶子径が０．５ｎｍ以上３０ｎｍ以下である物質状態を意味する。ナノ結晶構造における結晶子の最大径は、１００ｎｍ以下であることが好ましい。一方、「アモルファス構造」とは、非晶質化度Ｘが８５％以上である物質状態を意味し、アモルファス構造には、アモルファスのみを有する構造、および、ヘテロアモルファスからなる構造が含まれる。ヘテロアモルファスからなる構造とは、初期微結晶がアモルファス中に存在する構造を意味し、ヘテロアモルファス構造における初期微結晶の平均径は、０．１ｎｍ以上１０ｎｍ以下であることが好ましい。なお、本実施形態において、「結晶質構造」とは、非晶質化度Ｘが８５％未満であり、かつ、平均結晶子径が１００ｎｍ以上である物質状態を意味する。
【0042】
粒内の物質状態（すなわち非晶質化度Ｘや結晶子サイズ）は、ＳＥＭ、ＴＥＭ、およびＳＴＥＭなどの各種電子顕微鏡、電子線回折、ＸＲＤ（Ｘ線回折）、もしくはＥＢＳＤ（電子後方散乱回折）などを用いた構造解析により特定することができる。たとえば、ＥＢＳＤの方位マッピング像や、電子顕微鏡の明視野像などでは、結晶部分とアモルファス部分とを視覚的に識別することができ、このような画像を解析することで、非晶質化度Ｘおよび平均結晶子径を計測することができる。また、電子線回折で結晶起因のスポットが確認されない場合には、測定対象粒子がアモルファス構造を有すると特定することができる。
【0043】
なお、非晶質化度Ｘ（単位％）は、結晶の割合をＰC、アモルファスの割合をＰAとして、Ｘ＝（ＰA／（ＰC＋ＰA））×１００で表される。ＸＲＤを用いて非晶質化度Ｘを算出する場合は、結晶の割合ＰCは結晶性散乱積分強度Ｉｃとして測定し、アモルファスの割合ＰAは非晶質性散乱積分強度Ｉａとして測定すればよい。ＥＢＳＤや電子顕微鏡を用いて非晶質化度Ｘを算出する場合は、ＰCは粒内における結晶部分の面積割合、ＰAはアモルファス部分の面積割合として測定すればよい。
【0044】
電子顕微鏡で大粒子１１を分類する場合、上述したとおり、観測視野内に含まれる大粒子１１に対して、物質状態を特定するための構造解析を実施するが、この構造解析は、観測視野内から一部の大粒子１１を任意に選定して実施してもよい。この場合、物質状態を特定した大粒子１１を解析粒子として、当該解析粒子と同じ組成を有する他の大粒子１１は、解析粒子と同じ物質状態を有すると見なすことができる。
【0045】
たとえば、大粒子１１として、Ｆｅ－Ｓｉ－Ｂ－Ｎｂ－Ｃｕ系の第１大粒子１１ａと、Ｆｅ－Ｃｏ－Ｂ－Ｐ－Ｓｉ－Ｃｒ系の第２大粒子１１ｂとが存在している場合、ＥＤＸを用いた面分析により、Ｆｅ－Ｓｉ－Ｂ－Ｎｂ－Ｃｕ系の粒子群と、Ｆｅ－Ｃｏ－Ｂ－Ｐ－Ｓｉ－Ｃｒ系の粒子群とを識別することができる。そして、Ｆｅ－Ｓｉ－Ｂ－Ｎｂ－Ｃｕ系の粒子群から任意の解析対象粒子を選定して構造解析を実施し、当該解析対象粒子がナノ結晶構造を有することが特定できれば、Ｆｅ－Ｓｉ－Ｂ－Ｎｂ－Ｃｕ系の粒子群はいずれもナノ結晶構造を有すると見なすことができる。同様に、Ｆｅ－Ｃｏ－Ｂ－Ｐ－Ｓｉ－Ｃｒ系の粒子群から任意の解析対象粒子を選定して構造解析を実施し、当該解析対象粒子がアモルファス構造を有することが特定できれば、Ｆｅ－Ｃｏ－Ｂ－Ｐ－Ｓｉ－Ｃｒ系の粒子群はいずれもアモルファス構造を有すると見なすことができる。
【0046】
ナノ結晶系の第１大粒子１１ａと、アモルファス系の第２大粒子１１ｂとは、いずれも軟磁性合金からなり、その合金組成は特に限定されない。第１大粒子１１ａと第２大粒子１１ｂとは、互いに異なる物質状態を有するものの同じ合金組成を有していてもよく、異なる合金組成を有していてもよい。ナノ結晶構造を有する軟磁性合金または非晶質構造を有する軟磁性合金としては、Ｆｅ－Ｓｉ－Ｂ系合金、Ｆｅ－Ｓｉ－Ｂ－Ｃ系合金、Ｆｅ－Ｓｉ－Ｂ－Ｃ―Ｃｒ系合金、Ｆｅ－Ｎｂ－Ｂ系合金、Ｆｅ－Ｎｂ－Ｂ－Ｐ系合金、Ｆｅ－Ｎｂ－Ｂ－Ｓｉ系合金、Ｆｅ－Ｃｏ－Ｐ－Ｃ系合金、Ｆｅ－Ｃｏ－Ｂ系合金、Ｆｅ－Ｃｏ－Ｂ－Ｓｉ系合金、Ｆｅ－Ｓｉ－Ｂ－Ｎｂ－Ｃｕ系合金、Ｆｅ－Ｓｉ－Ｂ－Ｎｂ－Ｐ系合金、Ｆｅ－Ｃｏ－Ｂ－Ｐ－Ｓｉ系合金、Ｆｅ－Ｃｏ－Ｂ－Ｐ－Ｓｉ－Ｃｒ系合金などが挙げられる。
【0047】
磁気コア２の断面においてナノ結晶系の第１大粒子１１ａが占める合計面積割合をＡＬ1とし、金属磁性粒子１０合計面積に対する第１大粒子１１ａの合計面積の比をＡＬ1／Ａ０で表す。同様に、磁気コア２の断面においてアモルファス系の第２大粒子１１ｂが占める合計面積割合をＡＬ2とし、金属磁性粒子１０合計面積に対する第２大粒子１１ｂの合計面積の比をＡＬ2／Ａ０で表す。ＡＬ1／Ａ０およびＡＬ2／Ａ０は、いずれも３％以上であることが好ましく、７％～４２％であることがより好ましい。
【0048】
また、ＡＬ1／（ＡＬ1＋ＡＬ2）およびＡＬ2／（ＡＬ1＋ＡＬ2）は、４％～９６％の範囲内とすることが好ましく、コアロスを低くする観点では、ＡＬ1／（ＡＬ1＋ＡＬ2）が５０％～９０％であることがより好ましく、より優れた直流重畳特性を得る観点では、ＡＬ2／（ＡＬ1＋ＡＬ2）が５０％～９０％であることがより好ましい。コアロスと直流重畳特性をバランスよく向上させるためには、ＡＬ1／（ＡＬ1＋ＡＬ2）およびＡＬ2／（ＡＬ1＋ＡＬ2）は、２０％～８０％であることが好ましく、４０％～６０％であることがより好ましい。なお、ＡＬ1およびＡＬ2については、金属磁性粒子１０の合計面積割合Ａ０と同様の方法で測定すればよい。
【0049】
金属磁性粒子１０が小粒子１２を含む場合、小粒子１２の組成は、特に限定されない。小粒子１２は、非晶質構造もしくはナノ結晶構造を有していてもよいが、飽和磁束の観点から、結晶質構造を有することが好ましい。結晶質構造を有する軟磁性金属としては、カルボニル鉄などの純鉄、Ｃｏ、Ｆｅ－Ｎｉ系合金、Ｆｅ－Ｓｉ系合金、Ｆｅ－Ｓｉ－Ｃｒ系合金、Ｆｅ－Ｓｉ－Ａｌ系合金、Ｆｅ－Ｓｉ－Ａｌ－Ｎｉ系合金、Ｆｅ－Ｎｉ－Ｓｉ－Ｃｏ系合金、Ｆｅ－Ｃｏ系合金、Ｆｅ－Ｃｏ－Ｖ系合金、Ｆｅ－Ｃｏ－Ｓｉ系合金、Ｆｅ－Ｃｏ－Ｓｉ－Ａｌ系合金、もしくは、Ｃｏ系合金などが挙げられる。小粒子１２は、特に、純鉄粒子、Ｆｅ－Ｎｉ系合金粒子、Ｆｅ－Ｃｏ系合金粒子、Ｆｅ－Ｓｉ系合金粒子、もしくは、Ｃｏ粒子、であることが好ましい。
【0050】
また、金属磁性粒子１０が中粒子１３を含む場合、中粒子１３の組成は、特に限定されない。たとえば、中粒子１３は、結晶質構造を有していてもよいが、保磁力を低くする観点から、ナノ結晶構造もしくは非晶質構造を有することが好ましい。
【0051】
なお、金属磁性粒子１０の組成は、たとえば、電子顕微鏡に付随のＥＤＸ装置もしくはＥＰＭＡを用いて分析することができる。第１大粒子１１ａと第２大粒子１１ｂとが互いに異なる粒子組成を有する場合には、ＥＤＸ装置もしくはＥＰＭＡを用いた面分析により、第１大粒子１１ａと第２大粒子１１ｂとを識別できる場合がある。また、３ＤＡＰ（３次元アトムプローブ）を用いて金属磁性粒子１０の組成を分析してもよい。３ＤＡＰを用いる場合には、測定対象の金属磁性粒子の内部において小さな領域（例えばΦ２０ｎｍ×１００ｎｍの領域）を設定して平均組成を測定することができ、磁気コア２に含まれる樹脂成分や粒子表面の酸化などの影響を除外して粒子本体の組成を特定することができる。
【0052】
図３Ａに示すように、各第１大粒子１１ａは、粒子表面を覆う絶縁被膜４ａを有しており、各第２大粒子１１ｂは、粒子表面を覆う絶縁被膜４ｂを有している。絶縁被膜４ａおよび絶縁被膜４ｂは、いずれも、粒子表面の全体を覆っていてもよいし、粒子表面の一部のみを覆っていてもよい。各絶縁被膜４ａおよび各絶縁被膜４ｂは、磁気コア２の断面で観測される粒子表面の８０％以上を覆っていることが好ましい。
【0053】
また、各絶縁被膜４ａおよび各絶縁被膜４ｂは、いずれも、単一の粒子において、厚みの偏りを有していてもよいが、なるべく均等な厚みを有することが好ましい。たとえば、被膜表面の輪郭曲線における算術平均高さＲａは０．５ｎｍ以上１００ｎｍ以下であることが好ましい。上記のＲａは、線粗さパラメータの１種であり、磁気コア２の断面で観測される絶縁被膜（４ａ，４ｂ）の最表面部分を輪郭曲線として特定し、ＪＩＳ規格Ｂ６０１に規定する方法に準じて、Ｒａを算出すればよい。
【0054】
絶縁被膜４ａの材質、および、絶縁被膜４ｂの材質は、特に限定されず、絶縁被膜４ａおよび絶縁被膜４ｂは、同じ組成を有していてもよいし、互いに異なる組成を有していてもよい。たとえば、絶縁被膜４ａおよび絶縁被膜４ｂは、粒子表面の酸化による被膜、または／および、ＢＮ、ＳｉＯ2、ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ3、リン酸塩、ケイ酸塩、ホウケイ酸塩、ビスマス酸塩、各種ガラスなどの無機材料を含む被膜を含むことができる。
【0055】
磁気コア２の抵抗率の低下を抑制する観点では、絶縁被膜４ａおよび絶縁被膜４ｂは、いずれも、Ｐ、Ｓｉ、Ｂｉ、およびＺｎから選択される１種以上の元素を含む酸化物ガラスの被膜を有することが好ましい。酸化物ガラスの被膜では、被膜に含まれる元素のうち、酸素を除いた元素の合計量を１００ｗｔ％とした場合に、Ｐ、Ｓｉ、Ｂｉ、およびＺｎから選択される１種以上の元素の合計量が、最も多いことが好ましく、５０ｗｔ％以上であることがより好ましく、６０ｗｔ％以上であることがさらに好ましい。
【0056】
上記のような酸化物ガラスの被膜としては、たとえば、リン酸塩（Ｐ2Ｏ5）系ガラス被膜、ビスマス酸塩（Ｂｉ2Ｏ3）系ガラス被膜、および、ホウケイ酸塩（Ｂ2Ｏ3－ＳｉＯ2）系ガラス被膜などが例示される。リン酸塩系ガラスとしては、たとえば、Ｐ－Ｚｎ－Ａｌ－Ｏ系ガラス、Ｐ－Ｚｎ－Ａｌ－Ｒ－Ｏ系ガラス（「Ｒ」は、アルカリ金属から選択される１種以上の元素）などが例示され、リン酸塩系ガラス被膜ではＰ2Ｏ5が５０ｗｔ％以上含まれることが好ましい。ビスマス酸塩系ガラスとしては、Ｂｉ－Ｚｎ－Ｂ－Ｓｉ－Ｏ系ガラス、Ｂｉ－Ｚｎ－Ｂ－Ｓｉ－Ａｌ－Ｏ系ガラスなどが例示され、ビスマス酸塩系ガラス被膜では、Ｂｉ2Ｏ3が５０ｗｔ％以上含まれることが好ましい。ホウケイ酸塩系ガラスとしては、Ｂａ－Ｚｎ－Ｂ－Ｓｉ－Ａｌ－Ｏ系ガラスなどが例示され、ホウケイ酸塩系ガラス被膜では、Ｂ2Ｏ3が１０ｗｔ％以上含まれることが好ましい。
【0057】
なお、絶縁被膜４ａおよび絶縁被膜４ｂは、いずれも、単層構造を有していてもよいし、多層構造を有していてもよい。多層構造としては、たとえば、粒子表面の酸化層と、当該酸化層を覆う酸化物ガラス層と、を含む積層構造が挙げられる。絶縁被膜（４ａまたは／および４ｂ）が多層構造を有する場合は、各層の合計厚みを、絶縁被膜の厚みとする。また、絶縁被膜４ａおよび絶縁被膜４ｂの組成は、たとえば、ＥＤＸ、ＥＰＭＡ、もしくはＥＥＬＳ（電子エネルギー損失分光）などにより分析することができる。
【0058】
本実施形態の磁気コア２では、第１大粒子１１ａの絶縁被膜４ａが、第２大粒子１１ｂの絶縁被膜４ｂよりも厚い。ナノ結晶構造を有する第１大粒子１１ａが、アモルファス構造の第２大粒子１１ｂよりも厚い絶縁被膜を有することで（換言するとアモルファス構造の第２大粒子１１ｂが、ナノ結晶構造の第１大粒子１１ａよりも薄い絶縁被膜を有することで）、コアロスを低減しつつ、直流重畳特性を向上させることができる。
【0059】
第１大粒子１１ａの絶縁被膜４ａの平均厚みをＴ１とし、第２大粒子１１ｂの絶縁被膜４ｂの平均厚みをＴ２とすると、Ｔ１／Ｔ２は、１．０超過であり、１．３以上であることが好ましく、１．３以上２０以下であることがより好ましい。また、Ｔ１は２００ｎｍ以下であることが好ましく、Ｔ２は５ｎｍ以上、５０ｎｍ以下であることが好ましい。
【0060】
Ｔ１は、磁気コア２の断面を各種電子顕微鏡で観察することで算出すればよく、少なくとも１０個の第１大粒子１１ａについて絶縁被膜４ａの厚みを計測することでＴ１を算出することが好ましい。Ｔ２についても、Ｔ１と同様の方法で算出すればよい。
【0061】
なお、磁気コア２には、絶縁被膜４を有していない大粒子１１が含まれていてもよい。
【0062】
金属磁性粒子１０が小粒子１２を含む場合、小粒子１２は必ずしも絶縁被膜を有していなくともよいが、各小粒子１２が、粒子表面を覆う絶縁被膜６を有することが好ましい。絶縁被膜６の材質は、特に限定されず、たとえば、絶縁被膜６は、小粒子１２の表面の酸化による被膜（酸化被膜）、もしくは、ＢＮ、ＳｉＯ2、ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ3、リン酸塩、ケイ酸塩、ホウケイ酸塩、ビスマス酸塩、または各種ガラスなどの無機材料を含む被膜とすることができ、酸化物ガラスの被膜を含むことが好ましい。また、絶縁被膜６は、単層構造を有していてもよく、２種以上の被膜を積層した構造を有していてもよい。絶縁被膜６の平均厚みは、特に限定されず、たとえば、５ｎｍ以上１００ｎｍ以下であることが好ましく、５ｎｍ以上５０ｎｍ以下であることがより好ましい。
【0063】
金属磁性粒子１０が中粒子１３を含む場合、中粒子１３についても、他の粒子群と同様に、粒子表面を覆う絶縁被膜を有することが好ましい。中粒子１３の絶縁被膜の組成は、特に限定されず、大粒子１１の絶縁被膜（４ａまたは４ｂ）と同じ組成を有していてもよく、大粒子１１の絶縁被膜（４ａまたは４ｂ）とは異なる組成を有していてもよい。中粒子１３の絶縁被膜の平均厚みは、特に限定されず、たとえば、５ｎｍ以上２００ｎｍ以下であることが好ましく、１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下であることがより好ましい。
【0064】
小粒子１２の絶縁被膜６および中粒子１３の絶縁被膜についても、絶縁被膜４と同様に、粒子表面の全体を覆っていてもよいし、粒子表面の一部のみを覆っていてもよく、磁気コア２の断面で観測される粒子表面の８０％以上を覆っていることが好ましい。なお、磁気コア２には、絶縁被膜を有していない小粒子１２や中粒子１３が含まれていてもよい。
【0065】
樹脂２０は、金属磁性粒子１０を所定の分散状態で固定する絶縁性の結着材として機能する。樹脂２０の材質は、特に限定されず、樹脂２０には、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂が含まれることが好ましい。
【0066】
なお、磁気コア２は、軟磁性金属粒子同士の接触を抑制するための改質剤を含んでいてもよい。改質剤としては、ポリエチレングリコール（ＰＥＧ）、ポリプロピレングリコール（ＰＰＧ）、ポリカプロラクトン（ＰＣＬ）などの高分子材料を用いることができ、ポリカプロラクトン構造を有する高分子材料を用いることが好ましい。ポリカプロラクトン構造を有する高分子としては、たとえば、ポリカプロラクトンジオール、ポリカプロラクトンテトラオールなどのウレタンの原料、もしくは、ポリエステルの一部が挙げられる。改質剤の含有量は、磁気コア２の総量に対して０．０２５ｗｔ％以上０．５００ｗｔ％以下であることが好ましい。上記のような改質剤は、金属磁性粒子１０の表面をコーティングするように吸着して存在すると考えられる。
【0067】
以下、本実施形態に係る磁気コア２の製造方法の一例について説明する。
【0068】
まず、金属磁性粒子１０の原料粉として、第１大粒子１１ａを含む原料粉、および、第２大粒子１１ｂを含む原料粉を製造する。また、磁気コア２に小粒子１２や中粒子１３を添加する場合には、小粒子１２を含む原料粉および中粒子１３を含む原料粉を準備する。各原料粉の製造方法は、特に限定されず、所望の粒子組成に応じて、適する製造方法を採用すればよい。たとえば、水アトマイズ法やガスアトマイズ法などのアトマイズ法により原料粉を作製してもよい。もしくは、金属塩の蒸発、還元、熱分解のうち少なくとも１種以上を用いたＣＶＤ法などの合成法により原料粉を作製してもよい。また、電解法やカルボニル法を用いて原料粉を作製してもよく、薄帯状や薄板上の出発合金を粉砕することで原料粉を作製してもよい。特に、第１大粒子１１ａを含む原料粉および第２大粒子１１ｂを含む原料粉については、急冷ガスアトマイズ法にて製造することが好ましい。
【0069】
各原料粉の粒度は、粉末の製造条件や各種分級法により調整することができる。また、第１大粒子１１ａを含む原料粉に関しては、第１大粒子１１ａの結晶構造を制御するための熱処理を施すことが好ましい。
【0070】
なお、小粒子１２の組成を、大粒子１１（第１大粒子１１ａまたは／および第２大粒子１１ｂ）と同じ組成とする場合には、幅の広い粒度分布を有する原料粉を製造し、当該原料粉を分級することで、大粒子１１を含む原料粉と、小粒子１２を含む原料粉と、を得てもよい。
【0071】
次に、各原料粉に対して被膜形成処理を施す。複数の粒子群を含む金属磁性粉を用いて磁気コアを製造する場合、製造工程を簡素化するために、複数の原料粉を混合した後に、その混合粉に対して一度に被膜形成処理を施すことが通常である。ただし、混合粉に対して被膜形成処理を施すと、各粒子群の絶縁被膜が同程度の厚みになる（すなわちＴ１≒Ｔ２となる）。本実施形態では、第１大粒子１１ａの絶縁被膜４ａを、第２大粒子１１ｂの絶縁被膜４ｂよりも厚くするために（すなわちＴ１＞Ｔ２を実現するために）、第１大粒子１１ａと第２大粒子１１ｂとに対して個別に被膜形成処理を施す。
【0072】
被膜形成処理の方法としては、熱処理、リン酸塩処理、メカニカルアロイング、シランカップリング処理、もしくは、水熱合成などが例示され、形成する絶縁被膜の種類に応じて、適する被膜形成処理を選択すればよい。
【0073】
たとえば、絶縁被膜４ａまたは／および絶縁被膜４ｂが酸化物ガラスの被膜を含む場合、酸化物ガラスの被膜は、メカノフュージョン装置を用いたメカノケミカル法によって形成することが好ましい。具体的に、メカノケミカル法による被膜形成処理では、大粒子を含む原料粉と、絶縁被膜の構成元素を含む粉末状のコーティング材とを、メカノフュージョン装置の回転ロータ内に導入し、回転ロータを回転させる。回転ロータの内部には、プレスヘッドが設置されており、回転ロータを回転させると、原料粉とコーティング材との混合物が、回転ロータの内壁面とプレスヘッドとの隙間で圧縮され、摩擦熱が発生する。この摩擦熱により、コーティング材が軟化し、圧縮作用によって大粒子の表面に固着し、酸化物ガラスの被膜が形成される。
【0074】
なお、絶縁被膜４ａの厚みおよび絶縁被膜４ｂの厚みは、コーティング材の混合比や、回転速度、および処理時間などに基づいて制御すればよい。
【0075】
小粒子１２に対して絶縁被膜６を形成する場合、絶縁被膜６は、小粒子１２を含む原料粉と、絶縁被膜６の構成元素を含む粉末状のコーティング材とを、機械的衝撃エネルギーを加えながら混合することで形成することが好ましく、衝撃、圧縮、および、せん断のエネルギーを加えながら混合することで形成することがより好ましい。このような被膜形成処理では、粉末に対して機械的エネルギーを加えることができる装置として、遊星型ボールミルやホソカワミクロン株式会社製のノビルタなどの粉末処理装置を用いることができる。たとえば、小粒子１２への被膜形成処理では、高い回転速度で混合できる、図４に示すような粉末処理装置６０を使用することができる。
【0076】
粉末処理装置６０は、円筒状の断面を有し、チャンバ６１を備え、このチャンバ６１の内部に回転可能な羽根６２が設置してある。小粒子１２を含む原料粉とコーティング材とをチャンバ６１内に投入し、羽根６２を、２０００～６０００ｒｐｍの回転速度で回転させることで、原料粉とコーティング材との混合物６３に対して、機械的衝撃、圧縮、および、せん断のエネルギーを加えることができる。このような粉末処理装置６０を用いることで、粒径が小さい小粒子１２であっても、その粒子表面に絶縁被膜６を形成することができる。
【0077】
絶縁被膜を有する中粒子１３を使用する場合、中粒子１３を、第１大粒子１１ａまたは第２大粒子１１ｂと混ぜ合わせて、第１大粒子１１ａまたは第２大粒子１１ｂと共に被膜形成処理を施すことで、中粒子１３の表面に絶縁被膜を形成してもよい。もしくは、中粒子１３の原料粉のみに対して、個別に被膜形成処理を施してもよい。
【0078】
以下、金属磁性粒子１０の各原料粉を用いて磁気コア２を製造する方法について説明する。まず、絶縁被膜を形成した各原料粉および樹脂原料（熱硬化性樹脂など）を混練して、樹脂コンパウンドを得る。この混練工程では、ニーダー、プラネタリーミキサー、自転・公転ミキサーまたは二軸押出機などの各種混練機を用いればよく、樹脂コンパウンドには、改質剤、防腐剤、分散剤、非磁性粉末などを添加してもよい。
【0079】
次に、樹脂コンパウンドを金型に充填し、圧縮成形することで、成形体を得る。この際の成形圧は、特に限定されず、たとえば、５０ＭＰａ以上、１２００ＭＰａ以下とすることが好ましい。なお、磁気コア２における金属磁性粒子１０の合計面積割合は、樹脂２０の添加量によっても制御できるが、成形圧によっても制御可能である。樹脂２０として熱硬化性樹脂を用いた場合には、上記の成形体を、１００℃～２００℃で１時間～５時間保持して、熱硬化性樹脂を硬化させる。以上の工程により、図１に示すような磁気コア２が得られる。
【0080】
本実施形態に係る磁気コア２は、インダクタ、トランス、チョークコイルなどの各種磁性部品に適用することができる。たとえば、図５に示す磁性部品１００が、磁気コア２を有する磁性部品の一例である。
【0081】
図５に示す磁性部品１００では、素体が、図１に示すような磁気コア２で構成してある。素体である磁気コア２の内部には、コイル５が埋設してあり、コイル５の端部５ａ，５ｂは、それぞれ、磁気コア２の端面に引き出されている。また、磁気コア２の端面には、一対の外部電極７，９が形成してあり、一対の外部電極７，９は、それぞれ、コイル５の端部５ａ，５ｂと電気的に接続してある。なお、磁性部品１００のように、磁気コア２の内部にコイル５が埋設してある場合には、Ａ０，Ａ１，Ａ２，ＡＬ，ＡＳなどの金属磁性粒子１０の面積割合は、コイル５が映らない視野で解析することとする。
【0082】
図５に示す磁性部品１００の用途は、特に限定されないが、たとえば、電源回路に用いられるパワーインダクタなどに好適である。なお、磁気コア２を含む磁性部品は、図５に示すような様態に限定されず、所定形状の磁気コア２の表面にワイヤが所定の巻き数だけ巻回されてなる磁性部品であってもよい。
【0083】
（第１実施形態のまとめ）
本実施形態の磁気コア２は、金属磁性粒子１０と樹脂２０とを含み、磁気コア２の断面に示す金属磁性粒子１０の合計面積割合Ａ０が、７５％以上９０％以下である。金属磁性粒子１０は、ナノ結晶構造を有する第１大粒子１１ａと、アモルファス構造を有する第２大粒子１１ｂと、を含み、第１大粒子１１ａの絶縁被膜４ａが、第２大粒子１１ｂの絶縁被膜４ｂよりも厚い。
本実施形態の磁気コア２は、金属磁性粒子１０と樹脂２０とを含み、磁気コア２の断面に示す金属磁性粒子１０の合計面積割合Ａ０が、７５％以上９０％以下である。金属磁性粒子１０は、ナノ結晶構造を有する第１大粒子１１ａと、アモルファス構造を有する第２大粒子１１ｂと、を含み、第１大粒子１１ａの絶縁被膜４ａが、第２大粒子１１ｂの絶縁被膜４ｂよりも厚い。
【0084】
磁気コア２が上記の特徴を有することで、コアロス特性と直流重畳特性とを両立して向上させることができる。具体的に、本開示の発明者等の実験によって以下に示す事実が明らかとなった。
【0085】
ナノ結晶構造の粒子を主粉として含む磁気コア（以下、ナノ結晶系の磁気コアと称する）と、アモルファス構造の粒子を主粉として含む磁気コア（以下、アモルファス系の磁気コアと称する）と、を比較すると、コアロスは、アモルファス系の磁気コアよりもナノ結晶系の磁気コアの方が低く、直流重畳特性は、ナノ結晶系の磁気コアよりもアモルファス系の磁気コアの方が優れる。そのため、ナノ結晶構造の粒子とアモルファス構造の粒子との混合粉を主粉として用いることで、アモルファス系の磁気コアよりもコアロスを低減させることができる。ただし、ナノ結晶構造の粒子とアモルファス構造の粒子とを単に混ぜ合わせるだけでは、ナノ結晶構造の粒子の特性に起因して、直流重畳特性が低下してしまう（直流磁界の印加に伴う透磁率の変化率（％）が大きくなってしまう）。
【0086】
本実施形態の磁気コア２では、相対的に厚い絶縁被膜４ａを有するナノ結晶構造の第１大粒子１１ａと、相対的に薄い絶縁被膜４ｂを有するアモルファス構造の第２大粒子１１ｂと、を混在させることで、ナノ結晶構造の粒子に起因して直流重畳特性が低下することを抑制できる。その結果、本実施形態の磁気コア２では、コアロスをアモルファス系の磁気コアよりも低減させつつ、優れた直流重畳特性を得ることができる。
【0087】
第２大粒子１１ｂの絶縁被膜４ｂの平均厚みＴ２に対する第１大粒子１１ａの絶縁被膜４ａの平均厚みＴ２の比（Ｔ１／Ｔ２）は、１．３以上２０以下であることが好ましい。Ｔ１／Ｔ２を上記の範囲に設定することで、低いコアロスと優れた直流重畳特性とをより好適に両立させることができる。
【0088】
また、第２大粒子１１ｂの絶縁被膜４ｂの平均厚みＴ２は、５ｎｍ以上５０ｎｍ以下であることが好ましい。通常、絶縁被膜を厚くすると、金属磁性粒子の充填率を確保するために成形圧を高くする必要がある。ただし、成形圧を高くすると磁歪の影響によりコアロスが上昇することがある。本実施形態の磁気コア２では、Ｔ２を上記の範囲に設定することで、高い透磁率を確保しつつコアロスをより低減することができる。
【0089】
第２実施形態
第２実施形態では、図３Ｂに示す磁気コア２ａについて説明する。なお、第２実施形態において、第１実施形態と共通する構成に関しては、説明を省略し、第１実施形態と同様の符号を使用する。
第２実施形態では、図３Ｂに示す磁気コア２ａについて説明する。なお、第２実施形態において、第１実施形態と共通する構成に関しては、説明を省略し、第１実施形態と同様の符号を使用する。
【0090】
図３Ｂに示すように、第２実施形態の磁気コア２ａでは、ナノ結晶構造を有する第１大粒子１１ａと、アモルファス構造を有する第２大粒子１１ｂと、が混在しており、第１大粒子１１ａの絶縁被膜４ａが、第２大粒子１１ｂの絶縁被膜４ｂよりも厚くなっている。そのため、第２実施形態の磁気コア２ａにおいても、第１実施形態の磁気コア２と同様の作用効果が得られる。
【0091】
磁気コア２ａには、絶縁被膜６の組成が異なる２種以上の小粒子１２が含まれる。換言すると、金属磁性粒子１０に含まれる小粒子１２は、被膜組成に基づいて、２種以上の小粒子群に細別することができる。具体的に、小粒子１２には、少なくとも、第１絶縁被膜６ａを有する第１小粒子１２ａ、および、第１絶縁被膜６ａとは組成が異なる第２絶縁被膜６ｂを有する第２小粒子１２ｂが含まれ、さらに、他の小粒子群とは被膜組成が異なる第３小粒子１２ｃ～第ｎ小粒子１２ｘが含まれていてもよい。ｎは、被膜組成に基づいて小粒子１２を細別した場合の小粒子群の数を意味し、ｎの上限は特に限定されない。製造工程を簡素化する観点では、ｎは４以下であることが好ましい。
【0092】
ここで、「被膜組成が異なる」とは、絶縁被膜６に含まれる構成元素の種類が異なることを意味し、絶縁被膜６の構成元素とは、絶縁被膜６に含まれる元素のうち、酸素および炭素以外の元素の合計含有率を１００ａｔ％として、絶縁被膜６において１ａｔ％以上含まれる元素を意味する。絶縁被膜６の組成は、ＥＤＸ装置もしくはＥＰＭＡを用いた面分析や点分析により解析すればよい。
【0093】
小粒子１２が有する各絶縁被膜６（第１絶縁被膜６ａ、第２絶縁被膜６ｂ、および、第３絶縁被膜６ｃ～第ｎ絶縁被膜６ｘ）の材質は、特に限定されない。たとえば、各絶縁被膜６は、小粒子１２の表面の酸化による被膜（酸化被膜）、もしくは、ＢＮ、ＳｉＯ2、ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ3、リン酸塩、ケイ酸塩、ホウケイ酸塩、ビスマス酸塩、または、各種ガラスなどの無機材料を含む被膜とすることができ、酸化物ガラスの被膜を含むことが好ましい。酸化物ガラスとしては、たとえば、ケイ酸塩（ＳｉＯ2）系ガラス、リン酸塩（Ｐ2Ｏ5）系ガラス、ビスマス酸塩（Ｂｉ2Ｏ3）系ガラス、および、ホウケイ酸塩（Ｂ2Ｏ3－ＳｉＯ2）系ガラスなどが例示される。
【0094】
第１絶縁被膜６ａと第２絶縁被膜６ｂとは、互いに異なる組成を有していればよく、被膜組成の組合せは、特に限定されない。たとえば、第１絶縁被膜６ａと第２絶縁被膜６ｂの組合せとしては、Ｐ－Ｏ系ガラス被膜とＰ－Ｚｎ－Ａｌ－Ｏ系ガラス被膜の組合せ、Ｂｉ－Ｚｎ－Ｂ－Ｓｉ－Ｏ系ガラス被膜とＳｉ－Ｏ系ガラス被膜の組合せ、もしくは、Ｂａ－Ｚｎ－Ｂ－Ｓｉ－Ａｌ－Ｏ系ガラス被膜とＳｉ－Ｏ系ガラス被膜の組合せが好ましく、Ｂａ－Ｚｎ－Ｂ－Ｓｉ－Ａｌ－Ｏ系ガラス被膜とＳｉ－Ｏ系ガラス被膜の組合せがより好ましい。小粒子１２が、第１小粒子１２ａおよび第２小粒子１２ｂに加えて、第３小粒子１２ｃ～第ｎ小粒子１２ｘを含む場合においても、被膜組成の組合せは、特に限定されず、第３小粒子１２ｃ～第ｎ小粒子１２ｘについても、他の小粒子群とは組成が異なる酸化物ガラスの被膜を有していることが好ましい。
【0095】
絶縁被膜６の平均厚みは、特に限定されず、たとえば、５ｎｍ以上１００ｎｍ以下であることが好ましく、５ｎｍ以上５０ｎｍ以下であることがより好ましい。第１絶縁被膜６ａ～第ｎ絶縁被膜６ｘは、同程度の平均厚みを有していてもよいし、それぞれ、異なる平均厚みを有していてもよい。
【0096】
なお、第１絶縁被膜６ａや第２絶縁被膜６ｂなどの絶縁被膜６は、複数の被覆層を積層した積層構造を有していてもよい。たとえば、絶縁被膜６が、粒子表面の酸化層と、当該酸化層を覆う酸化物ガラス層と、を含む積層構造を有していてもよい。第１小粒子１２ａ～第ｎ絶縁被膜６ｘのうちのいずれか１種以上の絶縁被膜６が積層構造を有する場合には、最外層（最も表面側に位置する被覆層）の組成が、第１絶縁被膜６ａ～第ｎ絶縁被膜６ｘでそれぞれ異なっていればよく、最外層と粒子表面との間に位置する他の被覆層の組成は、第１絶縁被膜６ａ～第ｎ絶縁被膜６ｘで一致していてもよいし、異なっていてもよい。
【0097】
また、第１小粒子１２ａ～第ｎ小粒子１２ｘは、いずれも同じ粒子組成を有していてもよいし、それぞれ異なる粒子組成を有していてもよい。第１小粒子１２ａ～第ｎ小粒子１２ｘの物質状態は、特に限定されず、第１小粒子１２ａ～第ｎ小粒子１２ｘのうちのいずれか１種以上の小粒子群が、非晶質もしくはナノ結晶であってもよいが、前述したように、第１小粒子１２ａ～第ｎ小粒子１２ｘは、いずれも結晶質であることが好ましい。
【0098】
磁気コア２ａの断面において第１小粒子１２ａ～第ｎ小粒子１２ｘが占める合計面積割合を、それぞれ、ＡＳ1～ＡＳnとする。この場合、磁気コア２ａの断面に占める小粒子１２の合計面積割合ＡＳは、ＡＳ1～ＡＳnの合計で表すことができる。また、小粒子１２の合計面積割合ＡＳに対する各小粒子群の合計面積割合の比は、それぞれ、ＡＳ1／ＡＳ～ＡＳn／ＡＳで表すことができる。ＡＳ1／ＡＳ～ＡＳn／ＡＳは、いずれも、１％以上であることが好ましく、６％以上であることがより好ましく、１０％以上であることがさらに好ましい。
【0099】
磁気コア２ａの製造時には、各小粒子群（第１小粒子１２ａ～第ｎ小粒子１２ｘ）に対して個別に被膜形成処理を施し、各小粒子群への被膜形成処理では、第１実施形態で述べたとおり、図４に示すような粉末処理装置６０を使用することが好ましい。また、各絶縁被膜６（第１絶縁被膜６ａ、第２絶縁被膜６ｂ、および、第３絶縁被膜６ｃ～第ｎ絶縁被膜６ｘ）の組成は、原料粉に混ぜ合わせるコーティング材の種類や組成によって制御すればよい。なお、上記以外の製造条件は、第１実施形態と同様とすればよい。
【0100】
（第２実施形態のまとめ）
第２実施形態の磁気コア２ａでは、ヘイウッド径が３μｍ未満である第２の粒子群１０ｂが、被膜の組成が異なる２種以上の小粒子１２（第１小粒子１２ａおよび第２小粒子１２ｂなど）を含む。
第２実施形態の磁気コア２ａでは、ヘイウッド径が３μｍ未満である第２の粒子群１０ｂが、被膜の組成が異なる２種以上の小粒子１２（第１小粒子１２ａおよび第２小粒子１２ｂなど）を含む。
【0101】
上記のように、金属磁性粒子１０が、被膜組成の異なる２種以上の小粒子１２を含むことで、樹脂との混練時において金属磁性粒子間の電気的な反発力が向上し、金属磁性粒子１０の磁気的凝集が抑制されていると考えられる。その結果、磁気コア２ａでは、直流重畳特性をさらに向上させることができる。
【0102】
以上、本開示の実施形態について説明してきたが、本開示は上述した実施形態に限定されるものではなく、本開示の要旨を逸脱しない範囲内で種々に改変することができる。
【0103】
たとえば、磁性部品の構造は、図５に示す様態に限定されず、複数の磁気コア２を組み合わせて、磁性部品を製造してもよい。また、磁気コアの製造方法については、上記の実施形態で示す製造方法に限定されず、磁気コア２および磁気コア２ａは、シート法や射出成型により製造してもよく、２段階圧縮により製造してもよい。２段階圧縮による製造方法では、たとえば、樹脂コンパウンドを仮圧縮して複数の予備成形体を作製した後、これら予備成形体を組み合わせて本圧縮することで磁気コアが得られる。
【実施例0104】
以下、具体的な実施例に基づいて、本開示をさらに詳細に説明する。ただし、本開示は以下の実施例に限定されるものではない。
【0105】
（実験１）
実験１では、１種類の大粒子と１種類の小粒子とを混合した金属磁性粉末を用いて、ナノ結晶系の磁気コア試料（試料Ａ１～試料Ａ６）と、アモルファス系の磁気コア試料（試料Ａ７～試料Ａ１２）とを製造した。なお、実験１で示す試料Ａ１～Ａ１２の磁気コアは、本開示の比較例に相当する。
実験１では、１種類の大粒子と１種類の小粒子とを混合した金属磁性粉末を用いて、ナノ結晶系の磁気コア試料（試料Ａ１～試料Ａ６）と、アモルファス系の磁気コア試料（試料Ａ７～試料Ａ１２）とを製造した。なお、実験１で示す試料Ａ１～Ａ１２の磁気コアは、本開示の比較例に相当する。
【0106】
まず、金属磁性粒子の原料粉として、ナノ結晶構造を有する大径粉、アモルファス構造（非晶質構造）を有する大径粉、および、純鉄の小粒子からなる小径粉を準備した。ナノ結晶構造の大径粉は、Ｆｅ－Ｓｉ－Ｂ－Ｎｂ－Ｃｕ系合金粉末であり、急冷ガスアトマイズ法で得られた粉末に対して熱処理を施すことで製造した。当該Ｆｅ－Ｓｉ－Ｂ－Ｎｂ－Ｃｕ系合金粉末の平均粒径は２０μｍ、非晶質化度は８５％未満、平均結晶子径は０．５ｎｍ～３０ｎｍの範囲内であった。アモルファス構造の大径粉は、Ｆｅ－Ｃｏ－Ｂ－Ｐ－Ｓｉ－Ｃｒ系合金粉末であり、急冷ガスアトマイズ法により製造した。当該Ｆｅ－Ｃｏ－Ｂ－Ｐ－Ｓｉ－Ｃｒ系合金粉末の平均粒径は２０μｍ、非晶質化度は８５％以上であった。また、小径粉である純鉄粉末の平均粒径は、１μｍであった。
【0107】
実験１の試料Ａ１～試料Ａ６では、ナノ結晶構造の大径粉に対して、メカノフュージョン装置（ホソカワミクロン株式会社製：ＡＭＳ－Ｌａｂ）を用いた被膜形成処理を施し、大粒子の表面にＰ－Ｚｎ－Ａｌ－Ｏ系酸化物ガラスの絶縁被膜を形成した。一方、実験１の試料Ａ７～試料Ａ１２では、アモルファス構造の大径粉に対して、メカノフュージョン装置を用いた被膜形成処理を施し、大粒子の表面にＰ－Ｚｎ－Ａｌ－Ｏ系酸化物ガラスの絶縁被膜を形成した。なお、上記の被膜形成処理では、絶縁被膜の平均厚みが表１に示す値となるようにコーティング材の添加量を制御した。
【0108】
実験１で使用した小径粉に対しては、図４に示すような粉末処理装置（ホソカワミクロン株式会社製：ノビルタ）を用いて被膜形成処理を施し、小粒子の表面にＢａ－Ｚｎ－Ｂ－Ｓｉ－Ａｌ－Ｏ系酸化物ガラスの絶縁被膜を形成した。小粒子に形成した絶縁被膜の平均厚みは、いずれの試料においても、１５±１０ｎｍの範囲内であった。
【0109】
次に、金属磁性粒子の原料粉（大径粉および小径粉）と、エポキシ樹脂とを、混練することで、樹脂コンパウンドを得た。より具体的に、試料Ａ１～試料Ａ６では、ナノ結晶構造の大粒子と小粒子とを混ぜ合わせて樹脂コンパウンドを得た。一方、試料Ａ７～試料Ａ１２では、アモルファス構造の大粒子と小粒子とを混ぜ合わせて樹脂コンパウンドを得た。なお、樹脂コンパウンドにおけるエポキシ樹脂の添加量（樹脂量）は、実験１のいずれの試料においても、金属磁性粒子１００質量部に対して２．５質量部とした。また、大径粉と小径粉は、実験１のいずれの試料においても、面積比率が「大粒子：小粒子＝８：２」となるように配合した。
【0110】
次に、樹脂コンパウンドを、金型に充填し加圧することで、トロイダル形状の成形体を得た。この際の成形圧は、磁気コアの透磁率（μｉ）が３０となるように、制御した。そして、上記の成形体を１８０℃で６０分間、加熱処理することで、成形体中のエポキシ樹脂を硬化させ、トロイダル形状（外形１１ｍｍ、内径６．５ｍｍ、厚み２．５ｍｍ）の磁気コアを得た。
【0111】
実験１の各試料では、作製した磁気コアに対して、以下に示す評価を実施した。
【0112】
磁気コアの断面観察
磁気コアの断面をＳＥＭで観察し、観察視野の合計面積（１００００００μｍ2）に対する金属磁性粒子の合計面積の比（金属磁性粒子の合計面積割合Ａ０）を算出した。実験１の各試料では、いずれも、金属磁性粒子の合計面積割合Ａ０が、８０±２％の範囲内であった。
磁気コアの断面をＳＥＭで観察し、観察視野の合計面積（１００００００μｍ2）に対する金属磁性粒子の合計面積の比（金属磁性粒子の合計面積割合Ａ０）を算出した。実験１の各試料では、いずれも、金属磁性粒子の合計面積割合Ａ０が、８０±２％の範囲内であった。
【0113】
また、ＳＥＭ観察時には、各金属磁性粒子のヘイウッド径を測定すると共に、ＥＤＸによる面分析を実施して各金属磁性粒子の組成系を特定し、磁気コアの断面で観測された各金属磁性粒子を、大粒子と小粒子に分類した。実験１の各試料では、大粒子のＤ２０が３μｍ以上、大粒子の平均粒径（ヘイウッド径の算術平均値）が１０μｍ～３０μｍの範囲内、小粒子のＤ８０が３μｍ未満、小粒子の平均粒径が０．５μｍ～１．５μｍの範囲内であった。また、観測視野内に含まれる大粒子の合計面積と、小粒子の合計面積とを測定し、金属磁性粒子の合計面積に対する大粒子の合計面積の比（ＡＬ／Ａ０）、および、金属磁性粒子の合計面積に対する小粒子の合計面積の比（ＡＳ／Ａ０）を算出した。
【0114】
また、上記のＳＥＭ観察において、観察視野内に存在する各大粒子の絶縁被膜の厚みを計測し、その平均厚みを算出した。
【0115】
透磁率および直流重畳特性の評価
透磁率および直流重畳特性の評価では、まず、トロイダル形状の磁気コアに対して、ポリウレタン銅線（ＵＥＷ線）を巻回した。そして、ＬＣＲメータ（アジレント・テクノロジー社製４２８４Ａ）および直流バイアス電源（アジレント・テクノロジー社製４２８４１Ａ）を用いて、周波数１ＭＨｚにおける磁気コアのインダクタンスを測定した。より具体的に、直流磁界を印加していない条件（０ｋＡ／ｍ）でのインダクタンスと、８ｋＡ／ｍの直流磁界を印加した条件でのインダクタンスと、を測定し、これらインダクタンスからμｉ（０Ａ／ｍでの透磁率）およびμＨｄｃ（８ｋＡ／ｍでの透磁率）を算出した。
透磁率および直流重畳特性の評価では、まず、トロイダル形状の磁気コアに対して、ポリウレタン銅線（ＵＥＷ線）を巻回した。そして、ＬＣＲメータ（アジレント・テクノロジー社製４２８４Ａ）および直流バイアス電源（アジレント・テクノロジー社製４２８４１Ａ）を用いて、周波数１ＭＨｚにおける磁気コアのインダクタンスを測定した。より具体的に、直流磁界を印加していない条件（０ｋＡ／ｍ）でのインダクタンスと、８ｋＡ／ｍの直流磁界を印加した条件でのインダクタンスと、を測定し、これらインダクタンスからμｉ（０Ａ／ｍでの透磁率）およびμＨｄｃ（８ｋＡ／ｍでの透磁率）を算出した。
【0116】
直流重畳特性は、直流磁界を印加した際の透磁率の変化率に基づいて評価した。つまり、透磁率の変化率（単位％）は、（μｉ－μＨｄｃ）／μｉで表され、この透磁率の変化率が小さいほど、直流重畳特性が良好であると判断できる。
【0117】
コアロスの評価
各磁気コアのコアロス（単位：ｋＷ／ｍ3）は、ＢＨアナライザ（岩通計測社製ＳＹ－８２１８）を用いて、測定した。コアロスを測定した際の磁束密度は、１０ｍＴに設定し、周波数は３ＭＨｚに設定した。
各磁気コアのコアロス（単位：ｋＷ／ｍ3）は、ＢＨアナライザ（岩通計測社製ＳＹ－８２１８）を用いて、測定した。コアロスを測定した際の磁束密度は、１０ｍＴに設定し、周波数は３ＭＨｚに設定した。
【0118】
実験１の評価結果を表１に示す。
【表1】
【0119】
表１に示すように、ナノ結晶構造の大粒子を主粉とする試料Ａ１～試料Ａ６の磁気コア（以下、ナノ結晶系の磁気コアと称する）は、アモルファス構造の大粒子を主粉とする試料Ａ７～試料Ａ１２の磁気コア（以下、アモルファス系の磁気コアと称する）に比べて、コアロスが低くいものの、直流重畳特性が劣る傾向であった。反対に、試料Ａ７～試料Ａ１２のアモルファス系の磁気コアは、ナノ結晶系の磁気コアに比べて、直流重畳特性が優れるものの、コアロスが高い傾向であった。すなわち、直流重畳特性とコアロスとは、主粉の物質状態に応じて、相反する関係を示すことがわかった。
【0120】
なお、ナノ結晶系の磁気コアおよびアモルファス系の磁気コアの両方において、大粒子が有する絶縁被膜を薄くすることで、コアロスが低くなったが、直流重畳特性は絶縁被膜を薄くしてもほとんど改善しなかった。これらの結果から、磁気コアの主粉が１種類の大粒子のみからなる場合には、低いコアロスと、良好な直流重畳特性とを両立させることが容易ではないことがわかった。
【0121】
（実験２）
実験２では、ナノ結晶構造の第１大粒子とアモルファス構造の第２大粒子とを混ぜ合わせた金属磁性粉末を用いて、表２に示す３６種類の磁気コアを製造した。
実験２では、ナノ結晶構造の第１大粒子とアモルファス構造の第２大粒子とを混ぜ合わせた金属磁性粉末を用いて、表２に示す３６種類の磁気コアを製造した。
【0122】
実験２においても、金属磁性粒子の原料粉として、実験１と同じ仕様のＦｅ－Ｓｉ－Ｂ－Ｎｂ－Ｃｕ系合金粉末（ナノ結晶構造の第１大粒子）、Ｆｅ－Ｃｏ－Ｂ－Ｐ－Ｓｉ－Ｃｒ系合金粉末（アモルファス構造の第２大粒子）、および、純鉄粉末（小粒子）を準備した。
【0123】
次に、メカノフュージョン装置を用いて、Ｆｅ－Ｓｉ－Ｂ－Ｎｂ－Ｃｕ系合金粉末の粒子表面に、Ｐ－Ｚｎ－Ａｌ－Ｏ系酸化物ガラスの絶縁被膜を形成した。この際、コーティング材の添加量や処理時間を制御して絶縁被膜の厚みを調整し、平均厚みＴ１が異なる６種類の第１大粒子を得た。同様に、Ｆｅ－Ｃｏ－Ｂ－Ｐ－Ｓｉ－Ｃｒ系合金粉末に対して、メカノフュージョン装置による被膜形成処理を施し（Ｐ－Ｚｎ－Ａｌ－Ｏ系酸化物ガラスの絶縁被膜を形成）、平均厚みＴ２が異なる６種類の第２大粒子を得た。また、図４に示すような粉末処理装置を用いて、純鉄粉末に対して被膜形成処理を施し、小粒子の表面に、Ｂａ－Ｚｎ－Ｂ－Ｓｉ－Ａｌ－Ｏ系酸化物ガラスの絶縁被膜を形成した。小粒子の絶縁被膜の平均厚みは、１５±１０ｎｍの範囲内であった。
【0124】
次に、ナノ結晶構造の第１大粒子、アモルファス構造の第２大粒子、小粒子、および、エポキシ樹脂を混錬することで、樹脂コンパウンドを得た。この際、大粒子と小粒子は、実験２のいずれの試料においても、面積比率が「第１大粒子：第２大粒子：小粒子＝４：４：２」となるように配合した。また、樹脂コンパウンドにおけるエポキシ樹脂の添加量（樹脂量）は、実験２のいずれの試料においても、金属磁性粒子１００質量部に対して２．５質量部とした。
【0125】
次に、樹脂コンパウンドを、金型に充填し加圧することで、トロイダル形状の成形体を得た。この際の成形圧は、磁気コアの透磁率（μｉ）が３０となるように、制御した。そして、上記の成形体を１８０℃で６０分間、加熱処理することで、成形体中のエポキシ樹脂を硬化させ、トロイダル形状（外形１１ｍｍ、内径６．５ｍｍ、厚み２．５ｍｍ）の磁気コアを得た。
【0126】
実験２においても、実験１と同様の評価（磁気コアの断面観察、透磁率、直流重畳特性、およびコアロスの測定）を実施した。磁気コアの断面観察では、いずれの試料においても、第１大粒子および第２大粒子のＤ２０が３μｍ以上、第１大粒子および第２大粒子の平均粒径が１０μｍ～３０μｍの範囲内、小粒子のＤ８０が３μｍ未満、小粒子の平均粒径が０．５μｍ～１．５μｍの範囲内であることが確認できた。また、ナノ結晶構造の第１大粒子が有する絶縁被膜の平均厚みＴ１、アモルファス構造の第２大粒子が有する絶縁被膜の平均厚みＴ２、および、金属磁性粒子の合計面積に対する各粒子群の合計面積の比（ＡＬ1／Ａ０、ＡＬ2／Ａ０、およびＡＳ／Ａ０）は、表２に示す結果となった。なお、実験２の各試料では、いずれも、金属磁性粒子の合計面積割合Ａ０が、８０±２％の範囲内であった。
【0127】
実験２では、第１大粒子と第２大粒子の配合比に基づいて直流重畳特性の期待値（配合比から算出される直流重畳特性の計算値）を算出し、当該期待値を基準として各試料における直流重畳特性の良否を判定した。たとえば、試料Ｂ１における直流重畳特性の期待値は、以下の式により算出した。
期待値＝〔（β1／α1）×Ｃ1〕＋〔（β2／α7）×Ｃ7〕
α1：試料Ａ１におけるナノ結晶系大粒子の割合（ＡＬ／Ａ０）
Ｃ1：試料Ａ１の直流重畳特性（透磁率の変化率）
α7：試料Ａ７におけるアモルファス系大粒子の割合（ＡＬ／Ａ０）
Ｃ7：試料Ａ７の直流重畳特性（透磁率の変化率）
β1：試料Ｂ１におけるナノ結晶系大粒子の割合（ＡＬ1／Ａ０）
β2：試料Ｂ１におけるアモルファス系大粒子の割合（ＡＬ2／Ａ０）
上記のとおり、期待値を算出する際には、表１を参照し、各試料（試料Ｂ１～Ｂ３６）で使用した大粒子と同じ仕様（粒子組成、被膜組成、および、被膜の平均厚みが同じ）の大粒子を含む磁気コア（試料Ａ１～試料Ａ１２）の特性値を使用した。
期待値＝〔（β1／α1）×Ｃ1〕＋〔（β2／α7）×Ｃ7〕
α1：試料Ａ１におけるナノ結晶系大粒子の割合（ＡＬ／Ａ０）
Ｃ1：試料Ａ１の直流重畳特性（透磁率の変化率）
α7：試料Ａ７におけるアモルファス系大粒子の割合（ＡＬ／Ａ０）
Ｃ7：試料Ａ７の直流重畳特性（透磁率の変化率）
β1：試料Ｂ１におけるナノ結晶系大粒子の割合（ＡＬ1／Ａ０）
β2：試料Ｂ１におけるアモルファス系大粒子の割合（ＡＬ2／Ａ０）
上記のとおり、期待値を算出する際には、表１を参照し、各試料（試料Ｂ１～Ｂ３６）で使用した大粒子と同じ仕様（粒子組成、被膜組成、および、被膜の平均厚みが同じ）の大粒子を含む磁気コア（試料Ａ１～試料Ａ１２）の特性値を使用した。
【0128】
上記の方法で直流重畳特性の期待値を算出した後、期待値と実測した直流重畳特性との差（期待値－測定値）を計算した。この「期待値との差」が０％よりも大きくなるほど、透磁率の変化率（（μｉ－μＨｄｃ）／μｉ）が小さく、直流重畳特性が向上していることを意味する。本実験では、この期待値との差が１％未満である試料の直流重畳特性を「不合格（Ｆ）」と判定し、期待値との差が１％以上である試料の直流重畳特性を「合格（Ｇ）」と判定した。
【0129】
また、コアロスに関しては、表１に示すアモルファス系の磁気コア（試料Ａ７～試料Ａ１２）よりコアロスが低減された試料を「合格（Ｇ）」と判定した。実験２の評価結果を表２に示す。
【0130】
【表2】
【0131】
表２に示すように、実験２の各試料では、アモルファス系の磁気コア（実験１の試料Ａ７～Ａ１２）よりも、コアロスを低くすることができた。すなわち、ナノ結晶構造の第１大粒子と、アモルファス構造の第２大粒子とを混在させることで、アモルファス系の磁気コアよりもコアロスを低減させることができた。
【0132】
Ｔ１／Ｔ２が１．０以下である比較例では、直流重畳特性が、配合比から算出される期待値と同程度か、期待値よりも悪い結果となった。これに対して、Ｔ１／Ｔ２が１．０よりも大きい実施例では、期待値よりも良好な直流重畳特性が得られた。Ｔ１＞Ｔ２を満たす実施例では、ナノ結晶構造の第１大粒子に起因して透磁率の変化率が上昇することを抑制できたと考えられる。
【0133】
上記のとおり、相対的に厚い絶縁被膜を有するナノ結晶構造の第１大粒子と、相対的に薄い絶縁被膜を有するアモルファス構造の第２大粒子とを混在させることで、低いコアロスと、良好な直流重畳特性とを両立させることができた。特に、Ｔ１＞Ｔ２を満たす磁気コア（実施例）では、第２大粒子の絶縁被膜の平均厚みＴ２を５ｎｍ以上５０ｎｍ以下とすることが好ましく、これにより、コアロスをより低くできることがわかった。また、Ｔ１／Ｔ２を１．３以上２０以下とすることが好ましく、これにより、期待値よりも直流重畳特性の実測値がより小さくなる傾向となり、直流重畳特性の改善効果がより高まることがわかった。
【0134】
（実験３）
実験３では、第１大粒子および第２大粒子が有する絶縁被膜の組成を変えて、表３に示す８種類の磁気コア（試料Ｃ１～試料Ｃ８）を製造した。実験３の全ての試料において、第１大粒子の絶縁被膜の平均厚みＴ１は、１００ｎｍとし、第２大粒子の絶縁被膜の平均厚みＴ２は、１５ｎｍとした。絶縁被膜の組成以外の製造条件は、実験２の試料Ｂ２０の製造条件と同様（すなわち第１大粒子、第２大粒子、および小粒子の仕様（粒子組成や平均粒径など）は試料Ｂ２０と同じ）とし、実験３の各試料に対して実験１と同様の評価を実施した。
実験３では、第１大粒子および第２大粒子が有する絶縁被膜の組成を変えて、表３に示す８種類の磁気コア（試料Ｃ１～試料Ｃ８）を製造した。実験３の全ての試料において、第１大粒子の絶縁被膜の平均厚みＴ１は、１００ｎｍとし、第２大粒子の絶縁被膜の平均厚みＴ２は、１５ｎｍとした。絶縁被膜の組成以外の製造条件は、実験２の試料Ｂ２０の製造条件と同様（すなわち第１大粒子、第２大粒子、および小粒子の仕様（粒子組成や平均粒径など）は試料Ｂ２０と同じ）とし、実験３の各試料に対して実験１と同様の評価を実施した。
【0135】
実験３における断面観察結果と、透磁率、直流重畳特性（（μｉ－μＨｄｃ）／μｉ）、およびコアロスの測定結果と、を表３に示す。
【表3】
【0136】
実験３の各試料では、直流重畳特性およびコアロスが、実験２の試料Ｂ２０と同程度であり、良好な直流重畳特性と低いコアロスとを両立することができた。この結果から、各大粒子に形成する絶縁被膜の組成は、任意に設定可能であることがわかった。
【0137】
（実験４）
実験４では、ナノ結晶構造の第１大粒子の比率（ＡＬ1／Ａ０）と、アモルファス構造の第２大粒子の比率（ＡＬ2／Ａ０）と、を変えて、表４に示す磁気コア試料（試料Ｄ１～試料Ｄ１８）を製造した。実験４の各試料では、磁気コアの断面における金属磁性粒子の合計面積割合Ａ０が、いずれも、８０±２％の範囲内であり、小粒子の比率（ＡＳ／Ａ０）が２０±１％の範囲内であった。
実験４では、ナノ結晶構造の第１大粒子の比率（ＡＬ1／Ａ０）と、アモルファス構造の第２大粒子の比率（ＡＬ2／Ａ０）と、を変えて、表４に示す磁気コア試料（試料Ｄ１～試料Ｄ１８）を製造した。実験４の各試料では、磁気コアの断面における金属磁性粒子の合計面積割合Ａ０が、いずれも、８０±２％の範囲内であり、小粒子の比率（ＡＳ／Ａ０）が２０±１％の範囲内であった。
【0138】
比較例である試料Ｄ１～試料Ｄ６では、Ｔ１を１５ｎｍ、Ｔ２を１００ｎｍとし、試料Ｄ１～試料Ｄ６における大粒子の比率以外の製造条件は、実験２の試料Ｂ１０と同様とした。比較例である試料Ｄ７～試料Ｄ１２では、Ｔ１およびＴ２を１５ｎｍとし、試料Ｄ７～試料Ｄ１２における大粒子の比率以外の製造条件は、実験２の試料Ｂ８と同様とした。一方、実施例である試料Ｄ１３～試料Ｄ１８では、Ｔ１を１００ｎｍ、Ｔ２を１５ｎｍとし、試料Ｄ１３～試料Ｄ１８における大粒子の比率以外の製造条件は、実験２の試料Ｂ２０と同様とした。
【0139】
実験４では、実験２と同様の評価を実施した。評価結果を表４に示す。
【表4】
【0140】
表４に示すように、Ｔ１＞Ｔ２を満たす実施例では、第１大粒子と第２大粒子の混在比を変更したとしても、アモルファス系の磁気コアよりもコアロスを低減させることができ、かつ、期待値よりも良好な直流重畳特性が得られた。この結果から、ＡＬ1／Ａ０およびＡＬ2／Ａ０は特に限定されず、任意に設定可能であることがわかった。
【0141】
また、ナノ結晶構造の第１大粒子の比率を高くするとコアロスがより低くなる傾向が確認でき、アモルファス構造の第２大粒子の比率を高くすると直流重畳特性がより向上する傾向が確認できた。低いコアロスと良好な直流重畳特性とをより好適に両立させるためには、ＡＬ1／（ＡＬ1＋ＡＬ2）が２０％以上８０％以下であることが好ましいことがわかった。
【0142】
（実験５）
実験５では、小粒子の比率（ＡＳ／Ａ０）を変えて、表５に示す磁気コア試料（試料Ｅ１～試料Ｅ１５）を製造した。実験５の各試料では、ナノ結晶構造の第１大粒子とアモルファス構造の第２大粒子とを、「１：１」の比率で配合した。小粒子の比率以外の製造条件は、実験２と同様として、透磁率、直流重畳特性（（μｉ－μＨｄｃ）／μｉ）、およびコアロスを測定した。評価結果を表５に示す。
実験５では、小粒子の比率（ＡＳ／Ａ０）を変えて、表５に示す磁気コア試料（試料Ｅ１～試料Ｅ１５）を製造した。実験５の各試料では、ナノ結晶構造の第１大粒子とアモルファス構造の第２大粒子とを、「１：１」の比率で配合した。小粒子の比率以外の製造条件は、実験２と同様として、透磁率、直流重畳特性（（μｉ－μＨｄｃ）／μｉ）、およびコアロスを測定した。評価結果を表５に示す。
【0143】
【表5】
【0144】
表５に示すように、小粒子の比率を変えた場合であっても、Ｔ１／Ｔ２が１．０よりも大きい実施例は、Ｔ１≦Ｔ２である比較例よりも良好な直流重畳特性が得られた。なお、実験５の試料Ｅ１～Ｅ１５では、アモルファス系の磁気コアよりも低いコアロスが得られた。
【0145】
磁気コアにおける小粒子の比率を高くすると、コアロスおよび直流重畳特性がより向上する一方で、透磁率が低下する傾向が確認できた。高透磁率を確保しつつ、コアロスおよび直流重畳特性を改善する観点では、小粒子の比率（ＡＳ／Ａ０）が１０％以上４０％以下であることが好ましいことがわかった。
【0146】
（実験６）
実験６では、金属磁性粒子の充填率（すなわちＡ０）を変えて、表６および表７に示す磁気コア試料を製造した。金属磁性粒子の充填率は、エポキシ樹脂の添加量に基づいて制御した。実験６の各試料における樹脂量（金属磁性粒子に対するエポキシ樹脂の含有量）、および、金属磁性粒子の合計面積割合Ａ０を表６および表７に示す。なお、表６に示す試料Ｆ１～試料Ｆ１２は、ナノ結晶構造の第１大粒子とアモルファス構造の第２大粒子のいずれか一方のみを使用した比較例であり、表７に示す試料Ｇ１～試料Ｇ９では、第１大粒子と第２大粒子とを混在させた。
実験６では、金属磁性粒子の充填率（すなわちＡ０）を変えて、表６および表７に示す磁気コア試料を製造した。金属磁性粒子の充填率は、エポキシ樹脂の添加量に基づいて制御した。実験６の各試料における樹脂量（金属磁性粒子に対するエポキシ樹脂の含有量）、および、金属磁性粒子の合計面積割合Ａ０を表６および表７に示す。なお、表６に示す試料Ｆ１～試料Ｆ１２は、ナノ結晶構造の第１大粒子とアモルファス構造の第２大粒子のいずれか一方のみを使用した比較例であり、表７に示す試料Ｇ１～試料Ｇ９では、第１大粒子と第２大粒子とを混在させた。
【0147】
上記以外の実験条件は、実験１および実験２と同様とし、各試料の透磁率、直流重畳特性、およびコアロスを評価した。
【0148】
【表6】
【表7】
【0149】
表７に示すように試料Ｇ３、試料Ｂ２０、および試料Ｇ６が、実験６の実施例であり、Ａ０が７５％以上９０％以下の範囲内で、かつ、Ｔ１／Ｔ２が１．０以上であった。これらの試料Ｇ３、試料Ｂ２０、および試料Ｇ６では、アモルファス系の磁気コアよりも低いコアロスと、Ｔ１≦Ｔ２である比較例よりも良好な直流重畳特性とが得られた。Ａ０が７５％未満である試料Ｇ９では、Ｔ１／Ｔ２が１．０以上であるものの、透磁率の変化率が比較例と同程度であり、直流重畳特性の改善が図れなかった。この結果から、金属磁性粒子の合計面積割合Ａ０は７５％以上９０％以下に設定すべきであることがわかった。
【0150】
なお、表６に示すように、金属磁性粒子の充填率を高くすると、透磁率μｉが高くなる一方で、コアロス特性や直流重畳特性が悪くなる傾向が確認できた。ナノ結晶構造の第１大粒子とアモルファス構造の第２大粒子とを混在させた試料（表７）においても、表６と同様の傾向が確認でき、高透磁率を確保する観点では、Ａ０が７８％以上であることが好ましいことわかった。
【0151】
（実験７）
実験７では、小粒子の仕様を変更して、表８および表９に示す磁気コア試料を製造した。具体的に、表８の試料Ｈ１では、小粒子として平均粒径が１μｍであるＦｅ－Ｎｉ系合金粒子を用い、試料Ｈ２では小粒子として平均粒径が１μｍであるＦｅ－Ｃｏ系合金粒子を用い、試料Ｈ３では小粒子として平均粒径が１μｍであるＦｅ－Ｓｉ系合金粒子を用い、試料Ｈ４では小粒子として平均粒径が１μｍであるＣｏ粒子を用いた。表８に示す各試料の小粒子には、平均厚みが１５±１０ｎｍであるＢａ－Ｚｎ－Ｂ－Ｓｉ－Ａｌ－Ｏ系酸化物ガラスの絶縁被膜を形成した。試料Ｈ１～試料Ｈ４における小粒子の組成以外の製造条件は、実験２の試料Ｂ２０と同様とした。
実験７では、小粒子の仕様を変更して、表８および表９に示す磁気コア試料を製造した。具体的に、表８の試料Ｈ１では、小粒子として平均粒径が１μｍであるＦｅ－Ｎｉ系合金粒子を用い、試料Ｈ２では小粒子として平均粒径が１μｍであるＦｅ－Ｃｏ系合金粒子を用い、試料Ｈ３では小粒子として平均粒径が１μｍであるＦｅ－Ｓｉ系合金粒子を用い、試料Ｈ４では小粒子として平均粒径が１μｍであるＣｏ粒子を用いた。表８に示す各試料の小粒子には、平均厚みが１５±１０ｎｍであるＢａ－Ｚｎ－Ｂ－Ｓｉ－Ａｌ－Ｏ系酸化物ガラスの絶縁被膜を形成した。試料Ｈ１～試料Ｈ４における小粒子の組成以外の製造条件は、実験２の試料Ｂ２０と同様とした。
【0152】
また、表９の試料Ｉ１および試料Ｉ２では、被膜組成が異なる２種類の小粒子を添加した。具体的に、試料Ｉ１では、Ｂａ－Ｚｎ－Ｂ－Ｓｉ－Ａｌ－Ｏ系酸化物ガラスの被膜を形成したＦｅ粒子（第１小粒子）と、Ｓｉ－Ｏ系の絶縁被膜を形成したＦｅ粒子（第２小粒子）とを混在させた。また、試料Ｉ２では、Ｓｉ－Ｂａ－Ｍｎ－Ｏ系酸化物ガラスの被膜を形成したＦｅ粒子（第１小粒子）と、Ｓｉ－Ｏ系の絶縁被膜を形成したＦｅ粒子（第２小粒子）とを混在させた。試料Ｉ１および試料Ｉ２において、小粒子の絶縁被膜の平均厚みは、いずれも、１５±１０ｎｍの範囲内であった。試料Ｉ１および試料Ｉ２における上記以外の製造条件は、実験２の試料Ｂ２０と同様とした。
【0153】
実験７の評価結果を表８および表９に示す。
【表8】
【表9】
【0154】
表８に示すように、小粒子の組成を変更した試料Ｈ１～試料Ｈ４においても、実験２のＢ２０と同様に、低いコアロスと良好な直流重畳特性とを両立させることができた。この結果から、磁気コアに小粒子を添加する場合、小粒子の組成は特に限定されず、任意に設定できることがわかった。
【0155】
表９に示すように、試料Ｉ１および試料Ｉ２では、実験２のＢ２０よりも直流重畳特性を向上させることができた。この結果から、被膜組成が異なる２種類の小粒子を磁気コア中に分散させることで、直流重畳特性の更なる向上が図れることがわかった。
【0156】
（実験８）
実験８では、第１大粒子、第２大粒子、および小粒子と共に、さらに中粒子を加えて、表１０に示す３種類の磁気コア試料（試料Ｊ１～試料Ｊ３）を製造した。具体的に、試料Ｊ１の磁気コアには、中粒子として、平均粒径が５μｍであるナノ結晶のＦｅ－Ｓｉ－Ｂ－Ｎｂ－Ｃｕ系合金粒子を添加し、試料Ｊ２の磁気コアには、平均粒径が５μｍである結晶質のＦｅ－Ｓｉ系合金粒子を添加し、試料Ｊ３の磁気コアには、中粒子として、平均粒径が５μｍである非晶質のＦｅ－Ｓｉ－Ｂ系合金粒子を添加した。なお、実験８で使用した中粒子は、いずれも、Ｄ２０が３μｍ未満であり、かつ、Ｄ８０が３μｍ以上であった。
実験８では、第１大粒子、第２大粒子、および小粒子と共に、さらに中粒子を加えて、表１０に示す３種類の磁気コア試料（試料Ｊ１～試料Ｊ３）を製造した。具体的に、試料Ｊ１の磁気コアには、中粒子として、平均粒径が５μｍであるナノ結晶のＦｅ－Ｓｉ－Ｂ－Ｎｂ－Ｃｕ系合金粒子を添加し、試料Ｊ２の磁気コアには、平均粒径が５μｍである結晶質のＦｅ－Ｓｉ系合金粒子を添加し、試料Ｊ３の磁気コアには、中粒子として、平均粒径が５μｍである非晶質のＦｅ－Ｓｉ－Ｂ系合金粒子を添加した。なお、実験８で使用した中粒子は、いずれも、Ｄ２０が３μｍ未満であり、かつ、Ｄ８０が３μｍ以上であった。
【0157】
上記以外の製造条件は、実験２の試料Ｂ２０と同様とし、試料Ｊ１～試料Ｊ２の透磁率、直流重畳特性、およびコアロスを測定した。評価結果を表１０に示す。
【0158】
【表10】
【0159】
表１０に示すように、中粒子を添加した試料Ｊ１～試料Ｊ３においても、実験２のＢ２０と同様に、低いコアロスと良好な直流重畳特性とを両立させることができた。実験８の評価結果から、磁気コアには中粒子を添加してもよいことがわかり、中粒子を添加する場合は、コアロスをより低くする観点から、ナノ結晶もしくはアモルファスの中粒子を使用することが好ましいことがわかった。
【0160】
（実験９）
実験９では、ナノ結晶構造を有する第１大粒子の組成、および、アモルファス構造を有する第２大粒子の組成を変更して、表１１および表１２に示す磁気コア試料を製造した。実験９で使用した第１大粒子の平均粒径は、いずれも２０μｍであり、第１大粒子における平均結晶子径は、０．５ｎｍ～３０ｎｍの範囲内であった。また、実験９で使用した第２大粒子の平均粒径は、いずれも２０μｍであり、第２大粒子の非晶質化度は８５％以上であった。
実験９では、ナノ結晶構造を有する第１大粒子の組成、および、アモルファス構造を有する第２大粒子の組成を変更して、表１１および表１２に示す磁気コア試料を製造した。実験９で使用した第１大粒子の平均粒径は、いずれも２０μｍであり、第１大粒子における平均結晶子径は、０．５ｎｍ～３０ｎｍの範囲内であった。また、実験９で使用した第２大粒子の平均粒径は、いずれも２０μｍであり、第２大粒子の非晶質化度は８５％以上であった。
【0161】
なお、表１１に示す試料Ｋ１～Ｋ９は、ナノ結晶構造の第１大粒子とアモルファス構造の第２大粒子のいずれか一方のみを使用した比較例であり、試料Ｋ１～Ｋ９における小粒子の比率ＡＳ／Ａ０は２０±１％であった。試料Ｋ１～試料Ｋ９の製造条件は、実験１のＡ４およびＡ８と同様とした。表１２に示す試料Ｌ１～試料Ｌ２７は、第１大粒子と第２大粒子とを混在させた実施例であり、試料Ｌ１～試料Ｌ２７におけるＡＬ1／Ａ０およびＡＬ2／Ａ０は、いずれも、４０±１％であり、ＡＳ／Ａ０は２０±１％であった。試料Ｌ１～試料Ｌ２７の製造条件は、実験２の試料Ｂ２０と同様とした。
【0162】
実験９の評価結果を表１１および表１２に示す。
【表11】
【表12】
【0163】
表１２に示す各実施例では、いずれも、アモルファス系の磁気コアよりも低いコアロスが得られ、かつ、直流重畳特性が期待値よりも１％以上改善していた。この実験９の結果から、第１大粒子および第２大粒子の組成は特に限定されず、任意に選択できることがわかった。
【符号の説明】
【0164】
２ … 磁気コア
１０ … 金属磁性粒子
１０ａ … 第１の粒子群
１１ … 大粒子
１１ａ … 第１大粒子
１１ｂ … 第２大粒子
４ … 大粒子の絶縁被膜
４ａ … 第１大粒子の絶縁被膜
４ｂ … 第２大粒子の絶縁被膜
１０ｂ … 第２の粒子群
１２ … 小粒子
１２ａ … 第１小粒子
１２ｂ … 第２小粒子
６ … 小粒子の絶縁被膜
６ａ … 第１絶縁被膜
６ｂ … 第２絶縁被膜
１３ … 中粒子
２０ … 樹脂
１００ … 磁性部品
５ … コイル
５ａ … 端部
５ｂ … 端部
７，９ … 外部電極
１０ … 金属磁性粒子
１０ａ … 第１の粒子群
１１ … 大粒子
１１ａ … 第１大粒子
１１ｂ … 第２大粒子
４ … 大粒子の絶縁被膜
４ａ … 第１大粒子の絶縁被膜
４ｂ … 第２大粒子の絶縁被膜
１０ｂ … 第２の粒子群
１２ … 小粒子
１２ａ … 第１小粒子
１２ｂ … 第２小粒子
６ … 小粒子の絶縁被膜
６ａ … 第１絶縁被膜
６ｂ … 第２絶縁被膜
１３ … 中粒子
２０ … 樹脂
１００ … 磁性部品
５ … コイル
５ａ … 端部
５ｂ … 端部
７，９ … 外部電極
【図1】
【図2A】
【図2B】
【図2C】
【図3A】
【図3B】
【図4】
【図5】