特開 2024-172103 記憶装置およびリサイクル方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024172103

(43)【公開日】2024-12-12

(54)【発明の名称】記憶装置およびリサイクル方法

(51)【国際特許分類】

   B41J 29/38 20060101AFI20241205BHJP

   B41J 2/175 20060101ALI20241205BHJP

【ＦＩ】

B41J29/38 204

B41J2/175 175

B41J2/175 119

【審査請求】未請求

【請求項の数】8

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023089624

(22)【出願日】2023-05-31

(71)【出願人】

【識別番号】000002369

【氏名又は名称】セイコーエプソン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100179475

【弁理士】

【氏名又は名称】仲井 智至

(74)【代理人】

【識別番号】100216253

【弁理士】

【氏名又は名称】松岡 宏紀

(74)【代理人】

【識別番号】100225901

【弁理士】

【氏名又は名称】今村 真之

(72)【発明者】

【氏名】中野 修一

【テーマコード（参考）】

2C056

2C061

【Ｆターム（参考）】

2C056EB44

2C056KC02

2C056KC22

2C061AQ05

2C061AR01

2C061BB10

2C061BB11

2C061BB19

2C061BB37

2C061CF05

2C061CG03

2C061HH03

2C061HJ10

2C061KK07

2C061KK31

(57)【要約】

【課題】リサイクルが不可能であるか否かを適切に判断できる記憶装置を提供すること。
【解決手段】第２メモリー領域群のいずれかのメモリー領域には、第１メモリー領域群のそれぞれのメモリー領域に対応付けられた使用可能情報であって、メモリー領域が使用可能状態である場合には第１値に設定され、メモリー領域が使用不可能状態である場合には第２値に設定される使用可能情報が記憶されており、メモリー制御部は、第１メモリー領域群のいずれかのメモリー領域が使用不可能であると判断した場合、使用不可能であると判断したメモリー領域に対応する使用可能情報の値を第１値から第２値に変更する、液体収容容器に搭載される記憶装置。
【選択図】図６

【特許請求の範囲】

【請求項1】

液体収容容器に搭載される記憶装置であって、
複数のメモリー領域を有する書き換え可能なメモリーと、
前記メモリーを制御するメモリー制御部と、を有し、
前記複数のメモリー領域は、論理ページに対応付けられた第１メモリー領域群と、前記論理ページに対応付けられていない第２メモリー領域群とを有し、
前記第２メモリー領域群のいずれかのメモリー領域には、前記第１メモリー領域群のそれぞれのメモリー領域に対応付けられた使用可能情報であって、前記メモリー領域が使用可能状態である場合には第１値に設定され、前記メモリー領域が使用不可能状態である場合には第２値に設定される使用可能情報が記憶されており、
前記メモリー制御部は、
前記メモリーへの書き込み動作と前記メモリーからの読み出し動作とのいずれかを行う場合、前記第１メモリー領域群の前記複数のメモリー領域のうち、前記使用可能情報の値が前記第１値である前記メモリー領域に対して書き込みと読み出しとのいずれかを行い、
前記第１メモリー領域群のいずれかのメモリー領域が使用不可能であると判断した場合、使用不可能であると判断した前記メモリー領域に対応する前記使用可能情報の値を前記第１値から前記第２値に変更する、記憶装置。

【請求項2】

請求項１に記載の記憶装置であって、
前記第２メモリー領域群のいずれかのメモリー領域には、前記論理ページと前記第１メモリー領域群とを対応づけるためのバンク情報が記憶されており、
前記バンク情報は、前記論理ページに対応付けられた複数のバンクのそれぞれのバンク番号と、前記第１メモリー領域群のそれぞれのメモリー領域を特定する物理アドレスとの１対１の対応関係を示す情報である、記憶装置。

【請求項3】

請求項２に記載の記憶装置であって、
前記使用可能情報は、前記バンク番号と対応付けられており、
前記使用可能情報と前記バンク情報の前記物理アドレスとは、前記バンク番号毎に記憶されている、記憶装置。

【請求項4】

請求項１に記載の記憶装置であって、
前記メモリーはフラッシュメモリーであり、
前記使用可能情報はメモリーセルに記憶されており、前記使用可能情報の値は初期状態において前記第１値に設定されており、
前記メモリー制御部は、前記メモリーセルに対して書き込み動作を行うことによって、前記第１値から前記第２値に変更する、記憶装置。

【請求項5】

請求項２に記載の記憶装置であって、
前記第２メモリー領域群のいずれかのメモリー領域には、前記バンク情報の書き換えを禁止する禁止フラグが記憶されており、
前記メモリー制御部は、前記禁止フラグが記憶されている場合、前記バンク情報の変更を行わない、記憶装置。

【請求項6】

請求項２または３に記載の記憶装置であって、
前記メモリー制御部は、前記メモリーに書き込む情報と、前記メモリーから読み出す情報とのいずれかの情報の通信を外部装置と行う場合に、前記バンク番号と対応付けられた前記論理ページを複数用い、前記複数の論理ページの番号順に通信する、記憶装置。

【請求項7】

請求項２に記載の記憶装置のリサイクル方法であって、
前記使用可能情報は、前記バンク番号と対応付けられており、
前記バンク情報について、前記使用可能情報の値が前記第２値である前記バンク番号に対応する前記物理アドレスを前記第２メモリー領域群の未使用である前記メモリー領域に対応する前記物理アドレスに変更するとともに、対応する前記使用可能情報の値を前記第２値から前記第１値に変更する情報変更ステップを備える、リサイクル方法。

【請求項8】

請求項７に記載のリサイクル方法であって、
前記情報変更ステップは、第１情報変更ステップであり、
前記バンク情報について、前記使用可能情報の値が前記第１値である前記バンク番号に対応する前記物理アドレスのうち、リサイクル前に書き込み動作と読み出し動作との少なくともいずれか一方が行われた前記メモリー領域に対応する前記物理アドレスを前記第２メモリー領域群の未使用である前記メモリー領域に対応する前記物理アドレスに変更するとともに、対応する前記使用可能情報の値を前記第２値から前記第１値に変更する第２情報変更ステップをさらに備える、リサイクル方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、記憶装置およびリサイクル方法に関する。

【背景技術】

【0002】

書き換え可能なメモリーは、リサイクルの対象となる。ただし、メモリーの書き換え回数には上限があるため、上限を超えて使用することはできない。そこで、メモリーを適切にリサイクルできるようにするための技術がある（例えば、特許文献１）。特許文献１のフラッシュＲＯＭは、リサイクル時に参照するための、プログラムが書き換えられた回数を格納する領域を有している。

【0003】

ところで、書き換え可能なメモリーにおいて、複数のメモリー領域を備えるメモリーがある。１つのメモリー領域が寿命により書き換えが不可能となった場合には、別のメモリー領域を使用することにより、メモリーの寿命を長くすることができる。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開２００１－１０９６７０号

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

特許文献１の技術を複数のメモリー領域を備えるメモリーに適用した場合、使用可能なメモリー領域があるにもかかわらず、リサイクルが不可能であると判断されるおそれがある。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本開示の一形態によれば、液体収容容器に搭載される記憶装置が提供される。この記憶装置は、複数のメモリー領域を有する書き換え可能なメモリーと、前記メモリーを制御するメモリー制御部と、を有し、前記複数のメモリー領域は、論理ページに対応付けられた第１メモリー領域群と、前記論理ページに対応付けられていない第２メモリー領域群とを有し、前記第２メモリー領域群のいずれかのメモリー領域には、前記第１メモリー領域群のそれぞれのメモリー領域に対応付けられた使用可能情報であって、前記メモリー領域が使用可能状態である場合には第１値に設定され、前記メモリー領域が使用不可能状態である場合には第２値に設定される使用可能情報が記憶されており、前記メモリー制御部は、前記メモリーへの書き込み動作と前記メモリーからの読み出し動作とのいずれかを行う場合、前記第１メモリー領域群の前記複数のメモリー領域のうち、前記使用可能情報の値が前記第１値である前記メモリー領域に対して書き込みと読み出しとのいずれかを行い、前記第１メモリー領域群のいずれかのメモリー領域が使用不可能であると判断した場合、使用不可能であると判断した前記メモリー領域に対応する前記使用可能情報の値を前記第１値から前記第２値に変更する。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】印刷システムの概略構成を示す説明図。

【図2】カートリッジの斜視図。

【図3】電気信号の波形図。

【図4】論理ページと、バンクと、物理アドレスとの対応関係を示す図。

【図5】バンク制御情報におけるバンクの割り当てについて説明する図。

【図6】値が格納された状態のバンク制御情報を説明する図。

【図7】読み出し処理のフローチャート。

【図8】書き込み処理のフローチャート。

【図9】リサイクルシステムの概略構成を示す説明図。

【図10】情報変更処理のフローチャート。

【図11】情報変更処理における物理アドレスの変更を説明する図。

【図12】リサイクル後の論理ページと、バンクと、物理アドレスとの対応関係を示す図。

【図13】リサイクル方法の比較例における論理ページと、バンクと、物理アドレスとの対応関係を示す図。

【図14】リサイクル方法の比較例のバンクカウンタ情報を説明する図。

【発明を実施するための形態】

【0008】

Ａ．実施形態：
Ａ１．印刷システムの構成：
図１は、印刷システム１概略構成を示す説明図である。図２は、液体収容容器としてのカートリッジ１００の斜視図である。印刷システム１は、外部装置としての印刷装置２０と、印刷装置２０に着脱可能に装着される複数のカートリッジ１００とを備えている。印刷装置２０は、液体としてのインクを印刷媒体に吐出して印刷を行うインクジェットプリンターである。印刷装置２０は、装置側制御部３０と、搬送部３２と、吐出ヘッド３４と、装置側Ｉ／Ｆ部３６とを有する。搬送部３２は、印刷媒体を搬送する。吐出ヘッド３４は、搬送部３２により搬送された印刷媒体にインクを吐出する。装置側Ｉ／Ｆ部３６は、装着されたカートリッジ１００の後述する端子１２１ａと接触する、図示しない端子を有する。装置側制御部３０は、搬送部３２、吐出ヘッド３４などを制御する。また、装置側制御部３０は、装置側Ｉ／Ｆ部３６を介して、カートリッジ１００の後述する回路基板１２０と通信する。

【0009】

カートリッジ１００は、液体収容部１５０を有する。カートリッジ１００には、記憶装置としての回路基板１２０が搭載されている。図２に示すように、カートリッジ１００は、さらに、カートリッジ筐体１００ａを有する。カートリッジ筐体１００ａの中に液体収容部１５０が収容されている。液体収容部１５０に収容されているインクは、図示しない流路を通じて、印刷装置２０に提供される。

【0010】

Ａ２．回路基板の構成：
図１に示すように、回路基板１２０は、メモリーＩＣ１３０を有する。メモリーＩＣ１３０は、ＩＣ(Integrated Circuit)で実現され、Ｉ／Ｆ部１３１と、メモリー制御部１３２と、不揮発性メモリー１４０とを有する。図２に示すように、回路基板１２０は、カートリッジ筐体１００ａの外面に取り付けられている。回路基板１２０は、さらに、基板１２０ａを有する。基板１２０ａは、例えばプリント基板である。基板１２０ａの表面には、メモリーＩＣ１３０のＩ／Ｆ部１３１に接続される複数の端子１２１ａが形成されている。基板１２０ａの裏面には、メモリーＩＣ１３０が実装されている。複数の端子１２１ａと、メモリーＩＣ１３０とは、互いに、プリント配線およびスルーホールなどにより電気的に接続されている。

【0011】

カートリッジ１００が印刷装置２０に装着された場合に、複数の端子１２１ａは、印刷装置２０の装置側Ｉ／Ｆ部３６が備える端子と接触する。これにより、装置側制御部３０は、回路基板１２０と電気信号の送受信、すなわち通信を行うことができる。

【0012】

メモリーＩＣ１３０のＩ／Ｆ部１３１は、印刷装置２０から出力された電気信号をメモリー制御部１３２に入力し、メモリー制御部１３２から出力された電気信号を印刷装置２０に入力する。電気信号は、詳細には、ＸＲＳＴ信号と、ＳＣＫ信号と、ＳＤＡ信号とを含む。なお、印刷装置２０から、回路基板１２０に、図示しない電源電圧が供給される。

【0013】

メモリー制御部１３２は、不揮発性メモリー１４０の動作を制御する。具体的には、メモリー制御部１３２は、印刷装置２０から送信されたコマンドに応じて不揮発性メモリー１４０に情報を書き込む書き込み動作を行う。また、メモリー制御部１３２は、印刷装置２０から送信されたコマンドに応じて、不揮発性メモリー１４０から情報を読み出す読み出し動作を行う。

【0014】

本実施形態において、不揮発性メモリー１４０は、ＮＡＮＤ型のフラッシュメモリーである。なお、他の実施形態として、不揮発性メモリー１４０は、ＮＯＲ型のフラッシュメモリーやＥＥＰＲＯＭなどのメモリーであってもよい。ＮＡＮＤ型のフラッシュメモリーは、ＭＯＮＯＳ(Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon)型でもよい。

【0015】

不揮発性メモリー１４０は、複数のメモリー領域を有する。複数のメモリー領域のそれぞれには、各メモリー領域を一義に特定するための物理アドレスが付与されている。

【0016】

不揮発性メモリー１４０は、第１メモリー領域群としての消費量領域１４１と、第２メモリー領域群としての制御領域１４２とを有する。消費量領域１４１は、カートリッジ１００の情報が記憶される領域である。具体的には、液体収容部１５０に収容されている液体の消費量などが記憶される。制御領域１４２には、メモリー制御部１３２が消費量領域１４１に記憶されている情報を適切に読み出すためと、メモリー制御部１３２が消費量領域１４１に情報を適切に書き込むための情報であるバンク制御情報１４２ａが記憶されている。消費量領域１４１は、後述する論理ページに対応付けられている。対して、制御領域１４２は、論理ページに対応付けられていない。

【0017】

上記したように、装置側制御部３０と回路基板１２０との通信では、ＸＲＳＴ信号と、ＳＣＫ信号と、ＳＤＡ信号とが用いられる。図３は、ＸＲＳＴ信号と、ＳＣＫ信号と、ＳＤＡ信号との波形図である。図３に示すように、ＳＣＫ信号は、クロック信号である。ＸＲＳＴ信号は、メモリー制御部１３２に対して動作の許可と禁止とを制御する信号である。本実施形態では、ＸＲＳＴ信号がハイレベルの場合に、メモリー制御部１３２の動作が許可される。ＳＤＡ信号は、不揮発性メモリー１４０へ書き込む情報または、不揮発性メモリー１４０から読み出された情報を含む信号である。ＳＤＡ信号に含まれる情報の順番は予め定められている。ＳＤＡ信号に含まれる情報の順番は、先頭から順に、カートリッジ１００の識別子であるＩＤ、読み出しと書き込みとのいずれかを指定するコマンド、論理アドレスに割り当てられた情報、である。ＳＤＡ信号は、「１」を示すハイレベルと、「０」を示すローレベルとからなるパルス信号である。本実施形態では、ＳＤＡ信号の波形は、ＳＣＫ信号の立ち上がりエッジで、「１」と「０」とのいずれかが確定されるように設定されている。

【0018】

図４は、論理ページと、バンクと、物理アドレスとの対応を示す図である。図４に示すように、不揮発性メモリー１４０は、複数の論理ページに区分けされている。論理ページは、装置側制御部３０が不揮発性メモリー１４０に対する書き込み動作または読み込み動作を行う場合の最小単位である。１つの論理ページは、４つの論理アドレスにて構成されている。例えば、論理アドレス「Ａ１」から「Ａ４」までは、論理ページ「Ｐ１」に対応している。図３に示すように、ＳＤＡ信号に含まれる論理アドレスに割り当てられた情報は、論理アドレスの番号順、詳細には、アルファベット「Ａ」に付加された数字の昇順に書き込み動作または読み込み動作が行われる。

【0019】

図４に示すように、本実施形態では、消費量情報は、論理ページ「Ｐ１」と論理ページ「Ｐ２」とに記憶されることが予め定められている。

【0020】

図１に示す不揮発性メモリー１４０は、所謂バンク方式のメモリーである。不揮発性メモリー１４０は、書き換え回数に上限がある。そこで、不揮発性メモリー１４０には、１つの論理ページに対して、複数のバンクが予め割り当てられている。本実施形態の不揮発性メモリー１４０は、１つの論理ページに対して、８つのバンクが予め用意されている。例えば、図４に示すように、論理ページ「Ｐ４」には、バンク番号「Ｐ４_ＢＡＮＫ１」からバンク番号「Ｐ４_ＢＡＮＫ８」までの８つのバンクが割り当てられている。

【0021】

なお、バンクの数は、見積もられた情報の書き換え回数の最大値に従って、決定されるとよい。本実施形態では、液体収容部１５０に収容されているインクが使用されて空となるまでに、数万回程度の書き換えが必要である。また、メモリー領域の書き換えの上限は数千回で程度である。従って、本実施形態では、バンクの数が「８」に決められている。

【0022】

本実施形態では８つのバンクが用意されており、読み書きを行うバンクとして、８つのバンクのうち、１つのバンクが使用される。使用中の１つのバンクの書き換え回数が上限を上回った場合、すなわち使用不可能状態となった場合には、使用不可能状態となったバンクを除く７つのバンクのうちの１つのバンクが、読み書きを行うバンクとして使用される。このように、予め複数のバンクが用意されていることにより、不揮発性メモリー１４０の寿命を延ばすことができる。なお、使用可能であるか否かは、実際には、メモリー制御部１３２が、所謂ベリファイ動作を行うことによって判断される。具体的に、ベリファイ動作とは、メモリー制御部１３２が、対象のバンクに情報を書き込み、その後、対象のバンクから読み出した情報と、書き込んだ情報とを比較する動作である。書き込んだ情報と読み出した情報とが一致する場合には、使用可能状態であると判断される。対して、書き込んだ情報と読み出した情報とが一致しない場合には、使用不可能状態であると判断される。

【0023】

本実施形態では、上記のように、１つの論理ページに対して、８つのバンクが割り当てられている。対象の論理ページに対して、現在、どのバンクが割り当てられているかを示す情報を「ビットアサイン」と呼ぶ。バンク情報としてのビットアサインには、対応付けられている物理アドレスが使用可能状態であるか否かの情報が対応付けられている。使用可能情報か否かを示す情報を「バンクカウンタ」と呼ぶ。そして、ビットアサインと使用可能情報としてのバンクカウンタとを含む情報がバンク制御情報１４２ａである。バンク制御情報１４２ａは、論理ページが割り当てられていない物理アドレスに記憶されている。本実施形態では、物理アドレス「８０ｈ」と物理アドレス「８１ｈ」とに記憶されている。

【0024】

図５は、バンク制御情報１４２ａにおけるバンクの割り当てについて説明する図である。図６は、値が格納された状態のバンク制御情報１４２ａを説明する図である。図５と図６とを比較することにより、各バンクが、どの物理アドレスに対応付けられているかを知ることができる。例えば、図５に示すように、物理アドレス「８０ｈ」の「行０」の「ビット０」から「ビット７」は、バンク「Ｐ１＿ＢＡＮＫ１」に対応付けられている。そして、図６に示すように、バンク「Ｐ１＿ＢＡＮＫ１」に対応付けられているビットのうち「ビット０」から「ビット６」には、「４０ｈ」を示す値が格納されている。よって、バンク「Ｐ１＿ＢＡＮＫ１」は、物理アドレス「４０ｈ」に対応していることがわかる。

【0025】

図５を用いて、バンク制御情報１４２ａにおけるバンクの割り当てについて詳述する。上記のように、バンク制御情報１４２ａは、物理アドレス「８０ｈ」と物理アドレス「８１ｈ」とに記憶されている。１つの物理アドレスは、「行０」から「行３」までの行番号が付された４行で構成されている。そして、１行は、「ビット０」から「ビット３１」までのビット番号が付された３２ビットで構成されている。なお、バンク制御情報１４２ａにおける１つのビットは、不揮発性メモリー１４０の１つのメモリーセルに対応する。

【0026】

物理アドレス「８０ｈ」と物理アドレス「８１ｈ」とのそれぞれの物理アドレスの４行×３２ビットのうち、８ビットが１つのバンクに割り当てられている。物理アドレス「８０ｈ」と物理アドレス「８１ｈ」とのそれぞれのビットと、バンクとの対応関係は、図５に示す通りに、予め定められている。

【0027】

なお、バンク番号は、対応する論理ページを示す「Ｐ１」から「Ｐ４」までのいずれかの文字列と、８つのバンクのいずれかを示す「ＢＡＮＫ１」から「ＢＡＮＫ８」までのいずれかの文字列との組み合わせで表記されている。

【0028】

図６を用いて、値が格納されている状態のバンク制御情報１４２ａについて説明する。上記のように、各バンクに対応する８ビットのうち、７ビットは、ビットアサインのために使用される。ビットアサインとして使用される７ビットには、物理アドレスの値が格納される。そして、各バンクに対応する８ビットのうち、１ビットは、バンクカウンタのために使用される。バンクカウンタとして使用される１ビットには、使用可能状態であることを示す第１値としての「１」と、使用不可能状態であることを示す第２値としての「０」とのいずれかの値が格納される。このように、１つのバンクに対応する８ビットには、バンクアサインと、バンクカウンタとが互いに対応付けられた情報が格納されている。

【0029】

図６に示すように、バンク制御情報１４２ａにおいて、バンクカウンタと、物理アドレスとはバンク番号毎に記憶されている。ここで、「バンク番号毎に記憶されている」とは、バンクカウンタと、物理アドレスとが、同じ物理アドレスの連続するビットに記憶されていることをいう。このように、バンクカウンタと、物理アドレスとがバンク番号毎に記憶されていることにより、後述するリサイクルのための情報変更処理において、バンク制御情報１４２ａの情報を効率的に変更することができる。

【0030】

上記のように、バンクカウンタの値が「１」の場合には、対応する物理アドレスは、使用可能状態であることを示す。バンクカウンタの値が「０」の場合には、対応する物理アドレスは、使用不可能状態であることを示す。従って、回路基板１２０が新品であり、未使用の初期状態では、図６に示すように、全てのバンクカウンタの値は「１」に設定されている。

【0031】

メモリー制御部１３２は、バンク制御情報１４２ａを読み出す場合に、行については、行番号の昇順に、１行においては、ビット番号の昇順に読み出すように予め定められている。具体的には、メモリー制御部１３２は、「行０」の「ビット０」から「ビット３１」に向かって読み出し、次に「行１」の「ビット０」から「ビット３１」に向かって読み出し、次に「行２」の「ビット０」から「ビット３１」に向かって読み出し、次に「行３」の「ビット０」から「ビット３１」に向かって読み出す。

【0032】

メモリー制御部１３２は、バンク制御情報１４２ａを読み出した場合に、バンクカウンタの値が「１」である、対応する物理アドレスのうち、最初に読み出した物理アドレスを、現在使用している物理アドレスであると判断する。初期状態では、バンクカウンタは全て「１」であるため、論理ページ「Ｐ１」の現在使用しているバンクは、「Ｐ１＿ＢＡＮＫ１」であり、使用する物理アドレスは「４０ｈ」であると判断される。

【0033】

各バンクと、物理アドレスとの対応関係は、ビットアサインで規定されている。このため、ビットアサインの物理アドレスを書き換えることにより、バンク単位で、対応する物理アドレスを変更することができる。よって、後に詳述するように、回路基板１２０をリサイクルする場合に、未使用の物理アドレスを無駄なく使用することができる。

【0034】

Ａ３．読み出し処理：
図７は、メモリー制御部１３２が、不揮発性メモリー１４０から情報を読み出す読み出し動作の手順を示す、読み出し処理のフローチャートである。装置側制御部３０は、例えばカートリッジ１００の液体収容部１５０の現在の消費量を取得したい場合に、メモリー制御部１３２に、不揮発性メモリー１４０の消費量領域１４１に記憶されている消費量の情報を読み出すように命令する。具体的には、消費量領域１４１の読み出しを指示するコマンドをメモリー制御部１３２に出力する。メモリー制御部１３２は、コマンドを受け取ると、読み出し処理を行う。

【0035】

ステップＳ１において、メモリー制御部１３２は、バンク制御情報１４２ａを読み出す。具体的には、物理アドレス「８０ｈ」と物理アドレス「８１ｈ」との値を読み出す。ステップＳ３において、メモリー制御部１３２は、各論理ページにおいて、バンクカウンタが「１」である物理アドレスのうち、最初に読み出した物理アドレスを取得する。

【0036】

次のステップＳ１３は、各論理ページについて実行される。ステップＳ１３において、メモリー制御部１３２は、取得した物理アドレスから情報を読み出す。メモリー制御部１３２は、全ての論理ページについて、読み出しを終了すると、本処理ルーチンを終了する。

【0037】

Ａ４．書き込み処理：
図８は、メモリー制御部１３２が、消費量領域１４１を書き込む書き込み動作の手順を示す、書き込み処理のフローチャートである。装置側制御部３０は、例えばインクを消費する印刷処理を実行した後、カートリッジ１００の液体収容部１５０に収容されているインクの現在の消費量を推定する。そして、メモリー制御部１３２に、不揮発性メモリー１４０の消費量領域１４１に記憶されている消費量を、推定した、現在の消費量に書き換えるように命令する。具体的には、消費量領域１４１の書き換えを指示するコマンドと、書き込むインク量とをメモリー制御部１３２に出力する。メモリー制御部１３２は、コマンドを受け取ると、書き込み処理を行う。上記の読み出し処理と同じ処理ステップについては、同一の符号を付し、詳細な説明は、適宜省略する。

【0038】

ステップＳ１において、メモリー制御部１３２は、バンク制御情報１４２ａを読み出す。ステップＳ３において、メモリー制御部１３２は、各論理ページにおいて、バンクカウンタが「１」である物理アドレスのうち、最初に読み出した物理アドレスを取得する。

【0039】

次に実行するステップＳ１１からステップＳ１５は、上記したベリファイ動作である。ステップＳ１１からステップＳ１９の処理ステップは、各論理ページについて実行される。

【0040】

ステップＳ１１において、メモリー制御部１３２は、対象の論理ページについて、ステップＳ３にて取得した物理アドレスに情報を書き込む。書き込む情報とは、装置側制御部３０から入力された消費量の情報である。ステップＳ１３において、メモリー制御部１３２は、ステップＳ３にて取得した物理アドレス、すなわち、ステップＳ１１にて書き込んだ物理アドレスから情報を読み出す。ステップＳ１５において、メモリー制御部１３２は、ステップＳ１３にて読み出した情報は、ステップ１１にて書き込んだ情報と一致しているか否かを判断する。情報が一致していないと判断した場合、ステップＳ１１にて書き込んだ物理アドレスは、使用不可能状態であるため、メモリー制御部１３２は、ステップＳ１７において、バンクカウンタの値を、「１」から「０」に書き換える。具体的には、メモリー制御部１３２は、バンク制御情報１４２ａのステップＳ３にて取得した物理アドレスに対応するバンクカウンタを「０」に書き換える。なお、バンクカウンタは、不揮発性メモリー１４０のメモリーセルに記憶されている。そして、メモリーセルに書き込み動作を行うことによって、メモリーセルの値は、「１」から「０」に書き換えられる。

【0041】

ステップＳ１９において、メモリー制御部１３２は、ステップＳ３にて取得した物理アドレスの、ステップＳ１で読み出した読み出し順における次の物理アドレスに情報を書き込む。

【0042】

ステップＳ１５において、読み出した情報は、書き込んだ情報と一致していると判断した場合、ステップＳ１１にて書き込んだ物理アドレスは使用可能状態であり、情報の書き込みに成功しているため、メモリー制御部１３２は、ステップＳ１７とステップＳ１９とをスキップする。

【0043】

メモリー制御部１３２は、すべての論理ページについて、情報の書き込みを終了すると、本処理ルーチンを終了する。

【0044】

ステップＳ１５からステップＳ１９について、図６を用いて説明を追加する。例えば、論理ページ「Ｐ１」に情報を書き込む場合、バンク番号「Ｐ１＿ＢＡＮＫ１」に対応するバンクカウンタの値は「１」である。このため、メモリー制御部１３２は、ステップＳ１１において、物理アドレス「４０ｈ」に情報を書き込む。仮に、メモリー制御部１３２が、ステップＳ１５において、物理アドレス「４０ｈ」は使用不可能状態であると判断した場合には、物理アドレス「４０ｈ」に対応するバンクカウンタの値を「０」に書き換える。次に、メモリー制御部１３２は、次の物理アドレスである物理アドレス「４４ｈ」に情報を書き込む。ステップＳ１７にて、バンクカウンタの値は「０」に書き換えられるため、次回の書き込み処理では、読み出し順で、最初にバンクカウンタの値が「１」である、物理アドレス「４４ｈ」に情報が書き込まれることになる。

【0045】

Ａ５．リサイクル工程：
図９は回路基板１２０のリサイクル工程に使用されるリサイクルシステム２００を説明する図である。リサイクルシステム２００は、情報処理装置２１０と、回路基板１２０とを備える。カートリッジ１００は、市場で使用された後、リサイクルのために回収される。リサイクル工程において、回収されたカートリッジ１００から、回路基板１２０は取り外される。リサイクル工程において、取り外された回路基板１２０の不揮発性メモリー１４０の情報は、情報処理装置２１０によって書き換えられる。

【0046】

情報処理装置２１０は、ＣＰＵ２１１と、メモリー２１２と、基板Ｉ／Ｆ部２１３とを備えるコンピューターとして構成されている。メモリー２１２は、ＲＡＭやＲＯＭである。メモリー２１２には、後述する情報変更処理のプログラムを含む種々のプログラムが記憶されている。ＣＰＵ２１１は、メモリー２１２に記憶されているプログラムを実行して種々の機能を発揮する。ＣＰＵ２１１は、機能部である情報変更部２１４を有する。情報変更部２１４は、ＣＰＵ２１１が後述する情報変更処理のプログラムを実行することにより実現される。基板Ｉ／Ｆ部２１３は、回路基板１２０が有する端子１２１ａと接触可能な複数の端子を備える。基板Ｉ／Ｆ部２１３に回路基板１２０が装着されることにより、端子１２１ａと基板Ｉ／Ｆ部２１３の端子とを通じて電気信号が入出力されることにより、ＣＰＵ２１１は、基板Ｉ／Ｆ部２１３を介して、回路基板１２０と通信する。

【0047】

図１０は、回路基板１２０をリサイクルするために行われる、情報変更方法を実現する情報変更処理の手順を示すフローチャートである。上記のように、図１に示す回路基板１２０の不揮発性メモリー１４０の消費量領域１４１は、複数の物理アドレスに対応する複数のバンクに区分けされている。そして、バンク制御情報１４２ａによって、使用すべき物理アドレスが指定されている。市場において、使用不可能状態であると判断された物理アドレスに対応するバンクカウンタの値は「０」と設定されている。そこで、次に説明する情報変更処理において、対応するバンクカウンタの値が「０」と設定されているバンクについては、新たな物理アドレスを割り当てることにより、リサイクル品である回路基板１２０についても、各論理ページに対して、８つのバンクを割り当てる。

【0048】

図１０のステップＳ２１において、情報変更部２１４は、基板Ｉ／Ｆ部２１３に装着されている回路基板１２０のバンク制御情報１４２ａを読み出す。ステップＳ２３において、情報変更部２１４は、読み出したバンク制御情報１４２ａのバンクカウンタの値は全て「１」か否かを判断する。バンクカウンタの値がすべて「１」でないと判断した場合、情報変更部２１４は、ステップＳ２５において、バンクカウンタの値が「０」である物理アドレスに未使用の物理アドレスを割り当てる。具体的には、情報変更部２１４は、予め定められて規則に従って、バンクカウンタの値が「０」である物理アドレスを、未使用の複数の物理アドレスのうち、いずれの物理アドレスに変更するかを決定する。ステップＳ２７において、情報変更部２１４は、バンク制御情報１４２ａのビットアサインを、新しく割り当てた物理アドレスに書き換えるとともに、対応するバンクカウンタの値を「１」に書き換えて、本処理ルーチンを終了する。

【0049】

バンクカウンタの値がすべて「１」であると判断した場合、バンク制御情報１４２ａを書き換える必要はないため、情報変更部２１４は、ステップＳ２５とステップＳ２７とをスキップして、本処理ルーチンを終了する。

【0050】

ステップＳ２５について、図１１を用いて説明する。図１１は、情報変更処理における物理アドレスの変更を説明する図である。図１１に例示するバンク制御情報１４２ａは、対応するバンクカウンタの値が「０」である物理アドレスは、バンク番号「Ｐ１＿ＢＡＮＫ１」に対応する物理アドレス「４０ｈ」と、バンク番号「Ｐ２＿ＢＡＮＫ１」に対応する物理アドレス「４１ｈ」である。そこで、ステップＳ２７にて、バンク番号「Ｐ１＿ＢＡＮＫ１」に対応する物理アドレスは「６０ｈ」に、バンク番号「Ｐ２＿ＢＡＮＫ１」に対応する物理アドレス「６２ｈ」にそれぞれ書き換えられる。このように、バンク番号と物理アドレスとの対応関係は、バンク制御情報１４２ａにて、バンク毎に規定されているため、未使用の物理アドレスを無駄なく使用することができる。

【0051】

情報変更処理が実行された回路基板１２０は、再び、カートリッジ筐体１００ａに取り付けられる。情報変更処理が実行された回路基板１２０が取り付けられた、リサイクル品のカートリッジ１００は、市場で使用される。

【0052】

図１２は、論理ページと、バンクと、物理アドレスとの対応関係を説明する図である。リサイクル品のカートリッジ１００が使用される場合、新品の場合と同様に、装置側制御部３０は、論理アドレスの番号に従って、回路基板１２０の読み出し動作または書き込み動作を行う。メモリー制御部１３２は、バンク制御情報１４２ａに従って、論理ページ「Ｐ１」については、バンク番号「Ｐ１＿ＢＡＮＫ１」に対応する物理アドレス「６０ｈ」に対して、読み出しまたは書き込みを行う。また、メモリー制御部１３２は、バンク制御情報１４２ａに従って、論理ページ「Ｐ２」については、バンク番号「Ｐ２＿ＢＡＮＫ１」に対応する物理アドレス「６２ｈ」に対して、読み出し動作または書き込み動作を行う。そして、装置側制御部３０は、カートリッジ１００が新品であるかリサイクル品かに拘わらず、論理アドレス「Ａ１」から順番に読み出し動作または書き込み動作を行う。

【0053】

Ａ６．比較するリサイクル方法：
図１３は、上記したリサイクル方法とは異なる、比較するリサイクル方法である、比較例としての比較方法を説明する図である。比較方法は、新品だけではなく、リサイクル品における論理ページとバンクに対応する物理アドレスとが、予め定められている点が、上記した実施形態とは異なる。

【0054】

図１３に示すように、新品にて使用される論理ページは、実施形態と同様に、論理ページ「Ｐ１」および論理ページ「Ｐ２」である。そして、リサイクル品にて使用される論理ページは、論理ページ「Ｐ３」および論理ページ「Ｐ４」である。なお、理解を容易にするために、リサイクルが複数回行われる場合についての詳細な説明は省略するが、２回目以降のリサイクル品では、論理ページ「Ｐ５」以降が使用される。

【0055】

そして、比較方法では、バンク番号と物理アドレスとの対応関係も予め定められており、リサイクル工程において、対応関係を示す情報が書き換えられることはない。詳述すると、実施形態では、制御領域１４２にバンク制御情報１４２ａが記憶されており、リサイクル工程において、バンク制御情報１４２ａは書き換えられる。これに対して、比較方法では、制御領域１４２にバンク制御情報１４２ａは記憶されていない。

【0056】

比較方法でも、実施形態と同様に、論理ページに対して、８つのバンクが用意されている。そして、使用しているバンクが使用不可能状態であると判断され場合には、使用可能状態であるバンクが使用される点も実施形態と同じである。ただし、実施形態では、バンクが使用可能であるか否かの判断がバンク制御情報１４２ａを参照して行われるのに対して、比較方法では、図１４に示す形態のバンクカウンタ情報を用いて行われる点が異なる。

【0057】

図１４は、比較方法における、バンクカウンタ情報を説明する図である。図１４に示すように、バンクカウンタ情報は、物理アドレス「８０ｈ」の１行に格納されている。３２ビットのうち、「ビット０」から「ビット７」が、論理ページ「Ｐ１」のバンクに対応する。３２ビットのうち、「ビット８」から「ビット１５」が、論理ページ「Ｐ２」のバンクに対応する。３２ビットのうち、「ビット１６」から「ビット２３」が、論理ページ「Ｐ３」のバンクに対応する。３２ビットのうち、「ビット２４」から「ビット３１」が、論理ページ「Ｐ４」のバンクに対応する。８ビットのそれぞれのビットは、１つの論理ページに対応する８つのバンクのいずれかのバンクに対応付けられている。具体的には、「ビット０」は、論理ページ「Ｐ１」の１番目のバンクであるバンク番号「Ｐ１＿ＢＡＮＫ１」に対応し、「ビット１」は、２番目のバンクであるバンク番号「Ｐ１＿ＢＡＮＫ２」に対応し、「ビット７」は、８番目のバンクであるバンク番号「Ｐ１＿ＢＡＮＫ８」に対応する。

【0058】

メモリー制御部１３２は、実施形態と同様に、「ビット０」から「ビット３１」に向かって順に値を読み出す。また、ビットの値が「１」である場合に、対応する物理アドレスが使用可能状態であることを示し、ビットの値が「０」である場合に、対応する物理アドレスが使用不可能状態であることを示す点も、実施形態と同様である。そして、各論理ページついて、メモリー制御部１３２は、読み出し順において、値が「１」であるビットのうち、最初に読み出したビットに対応するバンク番号に対応する物理アドレスを使用する。なお、バンク番号と物理アドレスとの対応関係は、図１３に示す通りである。具体的に説明すると、図１４では、論理ページ「Ｐ１」に対応する８ビットの値のすべてが「１」であるので、「ビット０」に対応するバンク番号「Ｐ１＿ＢＡＮＫ１」に対応する物理アドレス「４０ｈ」が使用される。図１４に示す場合と異なり、仮に、バンク番号「Ｐ１＿ＢＡＮＫ１」に対応する「ビット０」の値が「０」であり、バンク番号「Ｐ１＿ＢＡＮＫ２」に対応する「ビット１」の値が「１」である場合には、バンク番号「Ｐ１＿ＢＡＮＫ２」に対応する物理アドレス「４４ｈ」が使用される。

【0059】

比較方法では、回路基板１２０をリサイクルする場合には、図１３に示す論理ページ「Ｐ３」および論理ページ「Ｐ４」が使用される。具体的には、回路基板１２０が新品であるか、リサイクル品であるかを示すリサイクル情報が、使用されていない論理アドレスに記憶されている。そして、装置側制御部３０が、回路基板１２０に対して、の書き込み動作または読み出し動作を行う場合には、リサイクル情報が参照されて、リサイクル情報が示す論理ページが使用される。

【0060】

比較方法と実施形態とを比較する。比較方法では、論理ページと、バンクおよび物理アドレスとの対応関係が予め定められており、リサイクル品では、新品に対応する物理アドレスが使用可能状態であるか否かに拘わらず、１つの論理ページにつき、新品に対応付けられた８つの物理アドレスは、リサイクル品では使用されない。この点、実施形態では、新品に対応する物理アドレスのうち、使用不可能状態である物理アドレスについては、リサイクル品では使用されない。つまり、比較方法では、新品にて使用されていた１６つの物理アドレスは、リサイクル品では、常に使用されない。なお、新品にて１６つの物理アドレスが使用されるのは、新品について、論理ページ「Ｐ１」と論理ページ「Ｐ２」との２つの論理ページが使用され、１つの論理ページにつき、８つの物理アドレスが用意されているため、２×８で１６の物理アドレスが割り当てられているためである。これに対して、実施形態では、１つの論理ページについて、新品にて使用されていた８つの物理アドレスのうち、使用不可能状態となった物理アドレスが使用されない。よって、実施形態では、物理アドレスを無駄なく使用することができる。

【0061】

また、比較方法では、装置側制御部３０が、回路基板１２０に対して、読み出し動作、または書き込み動作を行う場合に、新品かリサイクル品かに応じて、使用する論理ページを変更する必要が生じる。この点、本実施形態では、新品かリサイクル品か拘わらず、論理ページ「Ｐ１」および論理ページ「Ｐ２」を使用すればよいため、装置側制御部３０は制御を変更する必要がない。さらに、比較方法では、リサイクル品の場合には、装置側制御部３０は、論理ページ「Ｐ３」および論理ページ「Ｐ４」を使用すれば良いが、図３を用いて説明したように、通信における情報の順番は予め定められているため、論理ページの読み出しを行う場合に、装置側制御部３０が論理ページ「Ｐ３」および論理ページ「Ｐ４」だけを読み出したい場合であっても、論理ページ「Ｐ１」および論理ページ「Ｐ２」を読み出す必要がある。このため、読み出し動作に時間がかかる。書き換え動作の場合も同様である。この点、本実施形態では、リサイクル品についても、装置側制御部３０は、論理ページ「Ｐ１」および論理ページ「Ｐ２」を使用するため、リサイクル品の場合に、新品の場合よりも読み出し動作および書き込み動作に時間がかかることがない。

【0062】

ステップＳ２７を情報変更ステップまたは第１情報変更ステップと呼ぶ。

【0063】

以上説明した実施形態によれば、メモリー制御部１３２は、ステップＳ１５において、物理アドレスが使用不可能状態であると判断した場合に、ステップＳ１７において、バンクカウンタの値を、使用不可能状態であることを示す「０」に書き換えて変更する。これにより、バンク制御情報１４２ａのバンクカウンタによって、各物理アドレスについて、使用可能状態であるか否かを管理することができる。よって、複数のメモリー領域を有する不揮発性メモリー１４０において、複数のメモリー領域のいずれかが使用可能状態である場合に、使用可能状態であるメモリー領域を有する回路基板１２０をリサイクル品として使用することができる。このように、不揮発性メモリー１４０の書き換え回数ではなく、複数のメモリー領域のそれぞれの使用可能情報を管理することにより、不揮発性メモリー１４０をリサイクルできるか否かを適切に判断することができる。

【0064】

また、制御領域１４２には、バンク番号と物理アドレスとの１対１の対応関係を示す情報であるビットアサインが記憶されている。よって、回路基板１２０をリサイクルするため情報変更処理において、ビットアサインの使用不可能状態である物理アドレスを未使用の物理アドレスに変更することにより、未使用の物理アドレスを無駄なく利用することができる。

【0065】

また、バンクカウンタは、バンク番号と対応付けられている。そして、バンク制御情報１４２ａにおいて、バンクカウンタとバンクアサインの物理アドレスとは、バンク番号毎に記憶されている。具体的には、同じバンク番号に対応する、バンクカウンタとバンクアサインの物理アドレスとは、バンク制御情報１４２ａの連続するビットに記憶されている。よって、リサイクルするための情報変更処理のステップＳ２７において、互いに連続するバンクカウンタと、物理アドレスとを効率的に書き換えることができる。

【0066】

また、不揮発性メモリー１４０はフラッシュメモリーであり、ステップＳ１７では、書き込み動作を行うことによって、バンクカウンタの値を「１」から「０」に変更する。一般に、フラッシュメモリーは、値「０」から値「１」に変更する消去動作よりも、書き込み動作の方が、劣化が進む。よって、市場では、バンク制御情報１４２ａの情報を変更する場合に、書き込み動作のみ行われるため、劣化を抑制することができる。

【0067】

また、装置側制御部３０は、回路基板１２０と通信する場合に、複数の論理ページを使用して、論理ページの番号順に通信を行う。このような場合に、リサイクルのための情報変更処理では、バンク制御情報１４２ａの物理アドレスが変更されることにより、論理ページに対応付けられる物理アドレスが変更されるため、装置側制御部３０は、新品かリサイクル品かに拘わらず、同じ論理ページを使用することができる。

【0068】

また、情報変更処理では、情報変更ステップおよび第１情報変更ステップとしてのステップＳ２７において、バンクカウンタの値が「１」に変更されるとともに、物理アドレスが未使用の物理アドレスに変更される。これにより、未使用の物理アドレスを無駄なく利用することができる。

【0069】

Ｂ．他の実施形態：
（Ｂ１）上記実施形態では、リサイクル工程の情報変更処理において、バンクアサインの情報が変更される。また、上記実施形態では、不揮発性メモリー１４０には、バンクアサインの情報の変更を禁止する禁止フラグは記憶されていない。他の実施形態として、不揮発性メモリー１４０に、バンクアサインの情報の変更を禁止する禁止フラグを記憶させてもよい。そして、メモリー制御部１３２は、禁止フラグが記憶されている場合には、バンクアサインの情報の変更する書き込み動作を禁止するようにしてもよい。これにより、市場におけるバンクアサインの情報の誤った変更を抑制することができる。

【0070】

（Ｂ２）上記実施形態では、情報変更処理において、バンクカウンタの値が「０」である物理アドレスが未使用の物理アドレスに変更される。これに加えて、リサイクル前に書き込み動作と読み出し動作との少なくとも何れか一方が行われた物理アドレスについても、未使用の物理アドレスに変更してもよい。具体的には、情報変更処理において、バンク制御情報１４２ａの読み出し順において、バンクカウンタの値が「０」である物理アドレスの次に読み出された、バンクカウンタの値が「１」である物理アドレスを未使用の物理アドレスに変更する第２情報変更ステップを行ってもよい。なお、バンクカウンタの値が「０」の物理アドレスが無い場合には、１番目のバンク番号に対応する物理アドレスを未使用の物理アドレスに変更する。これにより、リサイクル品の回路基板１２０にて、消費量領域１４１として、使用済みの物理アドレスが使用されることがないため、リサイクル後の不揮発性メモリー１４０における消費量などの情報の書き換え回数を適切に確保することができる。

【0071】

上記の第２情報変更ステップについて、より具体的に説明する。上記実施形態における情報変更処理のＳ２７では、図１１に例示された場合では、バンク番号「Ｐ１＿ＢＡＮＫ１」に対応する物理アドレスが物理アドレス「６０ｈ」に変更される。読み出し動作の読み出し順において、次の物理アドレスである物理アドレス「４４ｈ」のバンクカウンタの値は「１」であるため、使用可能状態であるが、市場において使用済みの物理アドレスである。そこで、第２情報変更ステップでは、バンク番号「Ｐ１＿ＢＡＮＫ２」に対応する物理アドレス「４４ｈ」を未使用の物理アドレスに変更する。これにより、リサイクル品の回路基板１２０にて、消費量領域１４１として使用される物理アドレスは、すべて未使用の物理アドレスとなるため、消費量領域１４１の書き換え回数を適切に確保することができる。

【0072】

（Ｂ３）上記実施形態では、リサイクルシステム２００において、回路基板１２０は、カートリッジ１００から取り外された状態で不揮発性メモリー１４０に記憶されている情報の書き換えが行われる。他の実施形態として、回路基板１２０は、カートリッジ１００に取り付けられた状態で、不揮発性メモリー１４０の情報の書き換えが行われてもよい。

【0073】

（Ｂ４）本開示は、インクジェットプリンター及びそのインクカートリッジに限らず、インク以外の他の液体を噴射する任意の印刷装置及びそのカートリッジにも適用することができる。例えば、以下のような各種の印刷装置及びそのカートリッジに適用可能である。
（１）ファクシミリ装置等の画像記録装置
（２）液晶ディスプレイ等の画像表示装置用のカラーフィルターの製造に用いられる色材を噴射する印刷装置
（３）有機ＥＬ（Electro Luminescence）ディスプレイや、面発光ディスプレイ（Field Emission Display、ＦＥＤ）等の電極形成に用いられる電極材を噴射する印刷装置
（４）バイオチップ製造に用いられる生体有機物を含む液体を噴射する印刷装置
（５）精密ピペットとしての試料印刷装置
（６）潤滑油の印刷装置
（７）樹脂液の印刷装置
（８）時計やカメラ等の精密機械にピンポイントで潤滑油を噴射する印刷装置
（９）光通信素子等に用いられる微小半球レンズ（光学レンズ）などを形成するために紫外線硬化樹脂液等の透明樹脂液を基板上に噴射する印刷装置
（１０）基板などをエッチングするために酸性又はアルカリ性のエッチング液を噴射する印刷装置
（１１）他の任意の微小量の液滴を吐出させる液体噴射ヘッドを備える印刷装置

【0074】

なお、「液滴」とは、印刷装置から吐出される液体の状態をいい、粒状、涙状、糸状に尾を引くものも含むものとする。また、ここでいう「液体」とは、印刷装置が噴射させることができるような材料であれば良い。例えば、「液体」は、物質が液相であるときの状態の材料であれば良く、粘性の高い又は低い液状態の材料、及び、ゾル、ゲル水、その他の無機溶剤、有機溶剤、溶液、液状樹脂、液状金属のような液状態の材料も「液体」に含まれる。また、物質の一状態としての液体のみならず、顔料や金属粒子などの固形物からなる機能材料の粒子が溶媒に溶解、分散または混合されたものなども「液体」に含まれる。また、液体の代表的な例としては上記実施形態で説明したようなインクや液晶等が挙げられる。ここで、インクとは一般的な水性インクおよび油性インク並びにジェルインク、ホットメルトインク等の各種の液体状組成物を包含するものとする。

【0075】

Ｃ．他の形態：
本開示は、上述の実施形態に限られるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲において種々の構成で実現することができる。例えば、以下に記載する各形態中の技術的特徴に対応する実施形態の技術的特徴は、上述の課題の一部又は全部を解決するために、あるいは、上述の効果の一部又は全部を達成するために、適宜、差し替えや、組み合わせを行うことが可能である。また、その技術的特徴が本明細書中に必須なものとして説明されていなければ、適宜、削除することが可能である。

【0076】

（１）本開示の一形態によれば、液体収容容器に搭載される記憶装置が提供される。この記憶装置は、複数のメモリー領域を有する書き換え可能なメモリーと、前記メモリーを制御するメモリー制御部と、を有し、前記複数のメモリー領域は、論理ページに対応付けられた第１メモリー領域群と、前記論理ページに対応付けられていない第２メモリー領域群とを有し、前記第２メモリー領域群のいずれかのメモリー領域には、前記第１メモリー領域群のそれぞれのメモリー領域に対応付けられた使用可能情報であって、前記メモリー領域が使用可能状態である場合には第１値に設定され、前記メモリー領域が使用不可能状態である場合には第２値に設定される使用可能情報が記憶されており、前記メモリー制御部は、前記メモリーへの書き込み動作と前記メモリーからの読み出し動作とのいずれかを行う場合、前記第１メモリー領域群の前記複数のメモリー領域のうち、前記使用可能情報の値が前記第１値である前記メモリー領域に対して書き込みと読み出しとのいずれかを行い、前記第１メモリー領域群のいずれかのメモリー領域が使用不可能であると判断した場合、使用不可能であると判断した前記メモリー領域に対応する前記使用可能情報の値を前記第１値から前記第２値に変更する。この形態によれば、各メモリー領域について、使用可能であるか否かを使用可能情報にて管理することができるため、メモリーをリサイクルできるか否かを適切に判断することができる。

【0077】

（２）上記形態の記憶装置において、前記第２メモリー領域群のいずれかのメモリー領域には、前記論理ページと前記第１メモリー領域群とを対応づけるためのバンク情報が記憶されており、前記バンク情報は、前記論理ページに対応付けられた複数のバンクのそれぞれのバンク番号と、前記第１メモリー領域群のそれぞれのメモリー領域を特定する物理アドレスとの１対１の対応関係を示す情報であってもよい。この形態によれば、記憶装置をリサイクルする場合に、バンク情報の物理アドレスを使用済みの物理アドレスから未使用の物理アドレスに変更することによって、未使用のメモリー領域を無駄なく利用することができる。

【0078】

（３）上記形態の記憶装置において、前記使用可能情報は、前記バンク番号と対応付けられており、前記使用可能情報と前記バンク情報の前記物理アドレスとは、前記バンク番号毎に記憶されていてもよい。この形態によれば、記憶装置をリサイクルする場合に、バンク番号を用いて、使用可能情報とバンク情報の物理アドレスとを効率的に書き換えできる。

【0079】

（４）上記形態の記憶装置において、前記メモリーはフラッシュメモリーであり、前記使用可能情報はメモリーセルに記憶されており、前記使用可能情報の値は初期状態において前記第１値に設定されており、前記メモリー制御部は、前記メモリーセルに対して書き込み動作を行うことによって、前記第１値から前記第２値に変更してもよい。この形態によれば、メモリー領域が使用可能か否かを管理するために必要な使用可能情報の更新を、書き込み動作を行って達成できるため、消去動作を行う場合よりもメモリーセルの寿命を長くすることができる。

【0080】

（５）上記形態の記憶装置において、前記第２メモリー領域群のいずれかのメモリー領域には、前記バンク情報の書き換えを禁止する禁止フラグが記憶されており、前記メモリー制御部は、前記禁止フラグが記憶されている場合、前記バンク情報の変更を行わなくてもよい。この形態によれば、バンク情報の不要な書き換えを抑制することができる。

【0081】

（６）上記形態の記憶装置において、前記メモリー制御部は、前記メモリーに書き込む情報と、前記メモリーから読み出す情報とのいずれかの情報の通信を外部装置と行う場合に、前記論理ページを複数用い、前記バンク番号と対応付けられた前記複数の論理ページの番号順に通信してもよい。この形態によれば、論理ページとバンク番号とを対応付け、記憶装置をリサイクルする場合には、バンク情報のバンク番号に対応付けられている物理アドレスを変更することにより、外部装置は、記憶装置が新品かリサイクル品かに拘わらず、同じ手順で、所望の情報を読み出しまたは書き込みすることができる。また、頻繁に情報の通信が行われる情報を論理ページの最初のページに対応付けることにより、外部装置による、読み出し動作または書き込み動作の所要時間が長くなることを抑制することができる。

【0082】

（７）上記形態の記憶装置のリサイクル方法であって、前記使用可能情報は、前記バンク番号と対応付けられており、前記バンク情報について、前記使用可能情報の値が前記第２値である前記バンク番号に対応する前記物理アドレスを前記第２メモリー領域群の未使用である前記メモリー領域に対応する前記物理アドレスに変更するとともに、対応する前記使用可能情報の値を前記第２値から前記第１値に変更する情報変更ステップを備えていてもよい。この形態によれば、メモリー領域毎に物理アドレスを変更できるため、使用済みの物理アドレスを未使用の物理アドレスに変更することにより、未使用のメモリー領域を無駄なく利用することができる。

【0083】

（８）上記形態のリサイクル方法において、前記情報変更ステップは、第１情報変更ステップであり、前記バンク情報について、前記使用可能情報の値が前記第１値である前記バンク番号に対応する前記物理アドレスのうち、リサイクル前に書き込み動作と読み出し動作との少なくともいずれか一方が行われた前記メモリー領域に対応する前記物理アドレスを前記第２メモリー領域群の未使用である前記メモリー領域に対応する前記物理アドレスに変更するとともに、対応する前記使用可能情報の値を前記第２値から前記第１値に変更する第２情報変更ステップをさらに備えてもよい。この形態によれば、市場において使用されていたメモリー領域を、リサイクル後に使用しないことにより、リサイクル後の記憶装置における情報の書き換え回数を適切に確保することができる。

【0084】

本開示は、上記形態の他に、カートリッジ、カートリッジのリサイクル方法などの形態で実現することができる。

【符号の説明】

【0085】

１…印刷システム、２０…印刷装置、３０…装置側制御部、３２…搬送部、３４…吐出ヘッド、３６…装置側Ｉ／Ｆ部、１００…カートリッジ、１００ａ…カートリッジ筐体、１２０…回路基板、１２０ａ…基板、１２１ａ…端子、１３０…メモリーＩＣ、１３１…Ｉ／Ｆ部、１３２…メモリー制御部、１４０…不揮発性メモリー、１４１…消費量領域、１４２…制御領域、１４２ａ…バンク制御情報、１５０…液体収容部、２００…リサイクルシステム、２１０…情報処理装置、２１１…ＣＰＵ、２１２…メモリー、２１３…基板Ｉ／Ｆ部、２１４…情報変更部

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】