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▶ ＣＩＧ Ｐｈｏｔｏｎｉｃｓ Ｊａｐａｎ株式会社の特許一覧
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024172315
(43)【公開日】2024-12-12
(54)【発明の名称】光モジュール
(51)【国際特許分類】
G02B 6/30 20060101AFI20241205BHJP
【ＦＩ】
G02B6/30
【審査請求】未請求
【請求項の数】26
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023089947
(22)【出願日】2023-05-31
(71)【出願人】
【識別番号】519283819
【氏名又は名称】ＣＩＧ Ｐｈｏｔｏｎｉｃｓ Ｊａｐａｎ株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110000154
【氏名又は名称】弁理士法人はるか国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】坂 卓磨
【テーマコード（参考）】
2H137
【Ｆターム（参考）】
2H137AA01
2H137AA05
2H137AB01
2H137AB05
2H137AB09
2H137AC02
2H137BA12
2H137BA15
2H137BA31
2H137BB12
2H137CA13A
2H137CA15A
2H137CA22A
2H137CA25A
2H137CA34
2H137CA74
2H137CA78
2H137CB06
2H137CC03
2H137DA07
2H137DA39
(57)【要約】
【課題】伝送特性の低下の防止を目的とする。
【解決手段】光モジュールは、光ファイバ２２の先端面が露出する前面２８を有するブロック２６と、前面２８の上部が側面４６から上方に突出し、光ファイバ２２および光導波路４４の光軸が一致する導波路基板４２と、導波路基板４２の下面が固定される上面を有し、導波路基板４２からブロック２６の下に突出する突出部分を有し、上面はブロック２６の下面に対向するベース基板５６と、ブロック２６を導波路基板４２およびベース基板５６に接着する接着剤４８と、を有し、接着剤４８は、ブロック２６の前面２８の上部と導波路基板４２の上面で区画される隅部にある上方部分５２と、ブロック２６の前面２８および導波路基板４２の側面４６の間に介在する中間部分５０と、ブロック２６の下面およびベース基板５６の上面の間に介在する下方部分５４と、を含む。
【選択図】図３
【解決手段】光モジュールは、光ファイバ２２の先端面が露出する前面２８を有するブロック２６と、前面２８の上部が側面４６から上方に突出し、光ファイバ２２および光導波路４４の光軸が一致する導波路基板４２と、導波路基板４２の下面が固定される上面を有し、導波路基板４２からブロック２６の下に突出する突出部分を有し、上面はブロック２６の下面に対向するベース基板５６と、ブロック２６を導波路基板４２およびベース基板５６に接着する接着剤４８と、を有し、接着剤４８は、ブロック２６の前面２８の上部と導波路基板４２の上面で区画される隅部にある上方部分５２と、ブロック２６の前面２８および導波路基板４２の側面４６の間に介在する中間部分５０と、ブロック２６の下面およびベース基板５６の上面の間に介在する下方部分５４と、を含む。
【選択図】図３
【特許請求の範囲】
【請求項1】
光ファイバの端部に取り付けられ、前記光ファイバの先端面が露出する前面を有するブロックと、
光導波路が作り込まれ、前記光導波路の先端面が露出する側面を有し、前記側面と前記ブロックの前記前面が対向し、前記前面の上部が前記側面から上方に突出し、前記光ファイバおよび前記光導波路の光軸が一致する導波路基板と、
前記導波路基板の下面が固定される上面を有し、前記導波路基板から前記ブロックの下に突出する突出部分を有し、前記上面は前記ブロックの下面に対向するベース基板と、
前記ブロックを前記導波路基板および前記ベース基板に接着する接着剤と、
を有し、
前記接着剤は、前記ブロックの前記前面の前記上部と前記導波路基板の上面で区画される隅部にある上方部分と、前記ブロックの前記前面および前記導波路基板の前記側面の間に介在する中間部分と、前記ブロックの前記下面および前記ベース基板の上面の間に介在する下方部分と、を含む光モジュール。
光導波路が作り込まれ、前記光導波路の先端面が露出する側面を有し、前記側面と前記ブロックの前記前面が対向し、前記前面の上部が前記側面から上方に突出し、前記光ファイバおよび前記光導波路の光軸が一致する導波路基板と、
前記導波路基板の下面が固定される上面を有し、前記導波路基板から前記ブロックの下に突出する突出部分を有し、前記上面は前記ブロックの下面に対向するベース基板と、
前記ブロックを前記導波路基板および前記ベース基板に接着する接着剤と、
を有し、
前記接着剤は、前記ブロックの前記前面の前記上部と前記導波路基板の上面で区画される隅部にある上方部分と、前記ブロックの前記前面および前記導波路基板の前記側面の間に介在する中間部分と、前記ブロックの前記下面および前記ベース基板の上面の間に介在する下方部分と、を含む光モジュール。
【請求項2】
請求項１に記載された光モジュールであって、
前記ブロックの前記下面および前記ベース基板の前記上面の間隔は、前記導波路基板の前記下面および前記ベース基板の前記上面の間隔よりも大きい光モジュール。
前記ブロックの前記下面および前記ベース基板の前記上面の間隔は、前記導波路基板の前記下面および前記ベース基板の前記上面の間隔よりも大きい光モジュール。
【請求項3】
請求項２に記載された光モジュールであって、
前記ブロックの前記下面は、前記導波路基板の前記下面よりも、高い位置にある光モジュール。
前記ブロックの前記下面は、前記導波路基板の前記下面よりも、高い位置にある光モジュール。
【請求項4】
請求項３に記載された光モジュールであって、
前記ベース基板の前記上面は、前記ブロックおよび前記導波路基板の下でフラットである光モジュール。
前記ベース基板の前記上面は、前記ブロックおよび前記導波路基板の下でフラットである光モジュール。
【請求項5】
請求項２に記載された光モジュールであって、
前記ブロックの前記下面は、前記導波路基板の前記下面よりも低い位置にある光モジュール。
前記ブロックの前記下面は、前記導波路基板の前記下面よりも低い位置にある光モジュール。
【請求項6】
請求項５に記載された光モジュールであって、
前記ベース基板の前記上面は、前記導波路基板の下よりも、前記ブロックの下において、低くなっている光モジュール。
前記ベース基板の前記上面は、前記導波路基板の下よりも、前記ブロックの下において、低くなっている光モジュール。
【請求項7】
請求項１に記載された光モジュールであって、
前記導波路基板および前記ベース基板の間に介在する接着層をさらに有し、
前記ベース基板の前記上面は、溝を有し、
前記接着層の端部が前記溝の内側に位置する光モジュール。
前記導波路基板および前記ベース基板の間に介在する接着層をさらに有し、
前記ベース基板の前記上面は、溝を有し、
前記接着層の端部が前記溝の内側に位置する光モジュール。
【請求項8】
請求項７に記載された光モジュールであって、
前記溝は、前記導波路基板の前記側面の下端に沿って延びる光モジュール。
前記溝は、前記導波路基板の前記側面の下端に沿って延びる光モジュール。
【請求項9】
請求項８に記載された光モジュールであって、
前記溝は、前記導波路基板の前記下面に対向する光モジュール。
前記溝は、前記導波路基板の前記下面に対向する光モジュール。
【請求項10】
請求項８に記載された光モジュールであって、
前記溝は、前記ブロックの前記下面に対向する光モジュール。
前記溝は、前記ブロックの前記下面に対向する光モジュール。
【請求項11】
請求項８に記載された光モジュールであって、
前記溝は、前記導波路基板の前記側面の直下にある光モジュール。
前記溝は、前記導波路基板の前記側面の直下にある光モジュール。
【請求項12】
請求項１に記載された光モジュールであって、
前記ブロックは、複数のブロックであり、
前記導波路基板に作り込まれた前記光導波路は、複数の光導波路であり、
前記複数のブロックのそれぞれが取り付けられる前記光ファイバは、１つまたはそれ以上の光ファイバである光モジュール。
前記ブロックは、複数のブロックであり、
前記導波路基板に作り込まれた前記光導波路は、複数の光導波路であり、
前記複数のブロックのそれぞれが取り付けられる前記光ファイバは、１つまたはそれ以上の光ファイバである光モジュール。
【請求項13】
請求項１２に記載された光モジュールであって、
前記ベース基板の前記上面は、隣同士の前記ブロックの間に凸部を有する光モジュール。
前記ベース基板の前記上面は、隣同士の前記ブロックの間に凸部を有する光モジュール。
【請求項14】
請求項１３に記載された光モジュールであって、
前記接着剤は、前記凸部の上に至らない光モジュール。
前記接着剤は、前記凸部の上に至らない光モジュール。
【請求項15】
請求項１２に記載された光モジュールであって、
前記ベース基板の前記上面は、隣同士の前記ブロックの間に凹部を有する光モジュール。
前記ベース基板の前記上面は、隣同士の前記ブロックの間に凹部を有する光モジュール。
【請求項16】
請求項１５に記載された光モジュールであって、
前記ベース基板の前記上面は、前記凹部に隣接するエッジを有し、
前記接着剤の底面の先端は、前記エッジに揃っている光モジュール。
前記ベース基板の前記上面は、前記凹部に隣接するエッジを有し、
前記接着剤の底面の先端は、前記エッジに揃っている光モジュール。
【請求項17】
請求項１２に記載された光モジュールであって、
前記ベース基板は、前記導波路基板が固定される本体を有し、
前記ベース基板は、前記本体から突出する複数の突出部を有し、
前記ベース基板は、隣同士の前記突出部の間に切り欠きを有し、
前記複数のブロックは、前記複数の突出部にそれぞれ接着されている光モジュール。
前記ベース基板は、前記導波路基板が固定される本体を有し、
前記ベース基板は、前記本体から突出する複数の突出部を有し、
前記ベース基板は、隣同士の前記突出部の間に切り欠きを有し、
前記複数のブロックは、前記複数の突出部にそれぞれ接着されている光モジュール。
【請求項18】
請求項１７に記載された光モジュールであって、
前記ベース基板の前記上面は、前記切り欠きに隣接するエッジを有し、
前記接着剤の底面の先端は、前記エッジに揃っている光モジュール。
前記ベース基板の前記上面は、前記切り欠きに隣接するエッジを有し、
前記接着剤の底面の先端は、前記エッジに揃っている光モジュール。
【請求項19】
請求項１７に記載された光モジュールであって、
前記複数のブロックのそれぞれは、前記複数の突出部が並ぶ方向で、前記複数の突出部の対応する１つの中央にある光モジュール。
前記複数のブロックのそれぞれは、前記複数の突出部が並ぶ方向で、前記複数の突出部の対応する１つの中央にある光モジュール。
【請求項20】
請求項１に記載された光モジュールであって、
前記ブロックは、前記ベース基板に接着される下基板と、前記下基板の上にある上基板と、を含み、
前記下基板および前記上基板の間に前記光ファイバが挟まれ、
前記下基板は、前記上基板よりも薄くなっている光モジュール。
前記ブロックは、前記ベース基板に接着される下基板と、前記下基板の上にある上基板と、を含み、
前記下基板および前記上基板の間に前記光ファイバが挟まれ、
前記下基板は、前記上基板よりも薄くなっている光モジュール。
【請求項21】
請求項２０に記載された光モジュールであって、
前記上基板は、前記下基板との対向面に、前記光ファイバが配置されるＶ溝を有する光モジュール。
前記上基板は、前記下基板との対向面に、前記光ファイバが配置されるＶ溝を有する光モジュール。
【請求項22】
請求項２０に記載された光モジュールであって、
前記下基板は、前記ブロックの前面からの長さにおいて、前記上基板よりも短い光モジュール。
前記下基板は、前記ブロックの前面からの長さにおいて、前記上基板よりも短い光モジュール。
【請求項23】
請求項２２に記載された光モジュールであって、
前記上基板および前記下基板を接着する接着材料をさらに有し、
前記上基板は、前記下基板から突出する突出下面を有し、
前記下基板は、前記前面とは反対の後端面を有し、
前記接着材料の一部は、前記突出下面および前記後端面で区画された隅部にある光モジュール。
前記上基板および前記下基板を接着する接着材料をさらに有し、
前記上基板は、前記下基板から突出する突出下面を有し、
前記下基板は、前記前面とは反対の後端面を有し、
前記接着材料の一部は、前記突出下面および前記後端面で区画された隅部にある光モジュール。
【請求項24】
請求項２３に記載された光モジュールであって、
前記ベース基板は、前記接着材料の前記一部に重ならない長さになっている光モジュール。
前記ベース基板は、前記接着材料の前記一部に重ならない長さになっている光モジュール。
【請求項25】
請求項１から２４のいずれか１項に記載された光モジュールであって、
前記ブロックは、光透過性材料から構成され、
前記接着剤は、光硬化型接着剤である光モジュール。
前記ブロックは、光透過性材料から構成され、
前記接着剤は、光硬化型接着剤である光モジュール。
【請求項26】
請求項１から２４のいずれか１項に記載された光モジュールであって、
前記接着剤は、熱膨張係数において、前記ベース基板よりも大きい光モジュール。
前記接着剤は、熱膨張係数において、前記ベース基板よりも大きい光モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、光モジュールに関する。
【背景技術】
【0002】
光モジュールには、光ファイバおよび光導波路の光軸の一致が要求される。光ファイバの先端にはファイバブロックが固定される（特許文献１及び２）。光導波路は導波路基板に取り付けられ、ファイバブロックおよび導波路基板が固定される（特許文献３）。両者の固定には接着剤が使用される（特許文献４）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２００７－１６３６０４号公報
【特許文献2】特開２０１６－２０６３０８号公報
【特許文献3】特開２０１２－５８４０９号公報
【特許文献4】特開２０１６－２１８２８０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
接着剤は、ファイバブロックおよび導波路基板の間に介在し、導波路基板の上にも盛り上がる。この盛り上がった部分が熱で膨張すると、ファイバブロックが傾き、光ファイバおよび光導波路の光軸が一致しなくなり、伝送特性が低下する。
【0005】
本発明は、伝送特性の低下の防止を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
光モジュールは、光ファイバの端部に取り付けられ、前記光ファイバの先端面が露出する前面を有するブロックと、光導波路が作り込まれ、前記光導波路の先端面が露出する側面を有し、前記側面と前記ブロックの前記前面が対向し、前記前面の上部が前記側面から上方に突出し、前記光ファイバおよび前記光導波路の光軸が一致する導波路基板と、前記導波路基板の下面が固定される上面を有し、前記導波路基板から前記ブロックの下に突出する突出部分を有し、前記上面は前記ブロックの下面に対向するベース基板と、前記ブロックを前記導波路基板および前記ベース基板に接着する接着剤と、を有し、前記接着剤は、前記ブロックの前記前面の前記上部と前記導波路基板の上面で区画される隅部にある上方部分と、前記ブロックの前記前面および前記導波路基板の前記側面の間に介在する中間部分と、前記ブロックの前記下面および前記ベース基板の上面の間に介在する下方部分と、を含む。
【図面の簡単な説明】
【0007】
【図1】第１の実施形態に係る光モジュールの全体断面図である。
【図6A】従来のブロックおよび導波路基板の熱応力を計算したシミュレーションのモデル断面図である。
【図6B】本実施形態のブロックおよび導波路基板の熱応力を計算したシミュレーションのモデル断面図である。
【図6C】従来のブロックおよび導波路基板の熱応力を計算したシミュレーションの結果図である。
【図6D】本実施形態のブロックおよび導波路基板の熱応力を計算したシミュレーションの結果図である。
【図7】光モジュールの製造プロセスの説明図である。
【図8】第１の実施形態の変形例１に係る光モジュールの内部構造の部分平面図である。
【図10】第１の実施形態の変形例２に係る光モジュールの内部構造の部分断面図である。
【図11】第１の実施形態の変形例３に係る光モジュールの内部構造の部分断面図である。
【図12】第２の実施形態に係る光モジュールの内部構造の部分断面図である。
【図13】第３の実施形態に係る光モジュールの内部構造の部分平面図である。
【図15】第３の実施形態の変形例に係る光モジュールの内部構造の部分平面図である。
【図17】第４の実施形態に係る光モジュールの内部構造の部分平面図である。
【図19】第４の実施形態の変形例に係る光モジュールの内部構造の部分平面図である。
【発明を実施するための形態】
【0008】
以下、図面を参照して、本発明の実施形態を具体的かつ詳細に説明する。全図において同一の符号を付した部材は同一又は同等の機能を有するものであり、その繰り返しの説明を省略する。なお、図形の大きさは倍率に必ずしも一致するものではない。
【0009】
［第１の実施形態］
図１は、第１の実施形態に係る光モジュールの全体断面図である。光モジュールは、光トランシーバである。光トランシーバは、ルータまたはスイッチなどの光通信機器や、装置の信号入出力ポートとして使われる。電気的入出力には、プリント基板１０に取り付けられた図示しないコネクタが使用される。ケース１２の内部には、電子部品１４（例えば集積回路チップ）があり、電気的および物理的な接続には、はんだ１６が使用される。伝送線路と他の伝送線路の電気的接続には、ワイヤ１８が使用される。
図１は、第１の実施形態に係る光モジュールの全体断面図である。光モジュールは、光トランシーバである。光トランシーバは、ルータまたはスイッチなどの光通信機器や、装置の信号入出力ポートとして使われる。電気的入出力には、プリント基板１０に取り付けられた図示しないコネクタが使用される。ケース１２の内部には、電子部品１４（例えば集積回路チップ）があり、電気的および物理的な接続には、はんだ１６が使用される。伝送線路と他の伝送線路の電気的接続には、ワイヤ１８が使用される。
【0010】
ケース１２にはアダプタ２０が取り付けられており、アダプタ２０には、光ファイバ２２の端部に固定されたフェルール２４が挿入されている。アダプタ２０には、図示しない外部の光ファイバのフェルールを挿入することで、光学的入出力が図られる。光のインタフェースとして、ＭＰＯ（Multi-Fiber Push On）コネクタが使われる。
【0011】
【0012】
光ファイバ２２は、コア、クラッドおよび被覆を含む。クラッドは、コアより屈折率において低い。光ファイバ２２は、端部では、被覆が取り除かれてコアおよびクラッドからなる。光ファイバ２２の端部に、ブロック２６が取り付けられている。複数の光ファイバ２２の端部に、１つのブロック２６が取り付けられている。ブロック２６の前面２８から、光ファイバ２２の先端面が露出する。
【0013】
図４は、図１に示すブロック２６および光ファイバ２２のIV-IV線断面図である。ブロック２６は、下基板３０を含む。下基板３０は、前面２８とは反対の後端面３２を有する。ブロック２６は、下基板３０の上にある上基板３４を含む。下基板３０および上基板３４の間に光ファイバ２２が挟まれている。下基板３０は、上基板３４よりも薄いことが多い。上基板３４は、下基板３０との対向面にＶ溝３６を有する。Ｖ溝３６に光ファイバ２２が配置される。
【0014】
図３に示すように、上基板３４は、下基板３０から突出する突出下面３８を有する。下基板３０は、ブロック２６の前面２８からの長さにおいて、上基板３４よりも短い。上基板３４および下基板３０は、接着材料４０で接着されている。接着材料４０の一部は、上基板３４の突出下面３８および下基板３０の後端面３２で区画された隅部にある。
【0015】
光モジュールは、導波路基板４２を有する。導波路基板４２の上には、図１に示すように、電気的な伝送線路が形成されてその上に電子部品１４が搭載されていることが多い。導波路基板４２には、図示しない光電素子、例えばフォトダイオードや光変調器なども作り込まれることもあり、電気信号および光信号の一方から他方への変換を行うようになっている。
【0016】
図５は、図１に示す導波路基板４２のＶ-Ｖ線断面図である。導波路基板４２には光導波路４４が作り込まれている。光導波路４４は、コアおよびクラッドからなる。クラッドの厚みはせいぜい数十ミクロンである。コアの幅や厚みは、シングルモード伝搬用であれば数μｍが一般的である。
【0017】
導波路基板４２の側面４６から、光導波路４４の先端面が露出する。導波路基板４２の側面４６とブロック２６の前面２８が対向する。光ファイバ２２および光導波路４４の光軸が一致している。ブロック２６の前面２８の上部が、導波路基板４２の側面４６から上方に突出する。ブロック２６は、接着剤４８で導波路基板４２に接着される。接着剤４８の中間部分５０は、ブロック２６の前面２８および導波路基板４２の側面４６の間に介在する。接着剤４８の上方部分５２は、ブロック２６の前面２８の上部と導波路基板４２の上面で区画される隅部にある。
【0018】
図３に示すように、光モジュールは、ベース基板５６を有する。ベース基板５６は、プリント基板１０に接着されている（図１）。導波路基板４２の下面は、ベース基板５６の上面に固定される。導波路基板４２およびベース基板５６の間に接着層５８が介在する。ベース基板５６は、導波路基板４２からブロック２６の下に突出する突出部分を有する。ベース基板５６の上面はブロック２６の下面に対向する。ベース基板５６は、接着材料４０に重ならない短さになっている。
【0019】
ブロック２６の下面およびベース基板５６の上面の間隔は、導波路基板４２の下面およびベース基板５６の上面の間隔よりも大きい。つまり、接着剤４８の下方部分５４は、厚みにおいて接着層５８よりも大きい。ブロック２６の下面は、導波路基板４２の下面よりも、高い位置にある。ベース基板５６の上面は、ブロック２６および導波路基板４２の下でフラットである。
【0020】
ブロック２６は、接着剤４８でベース基板５６に接着される。下基板３０がベース基板５６に接着される。接着剤４８の下方部分５４は、ブロック２６の下面およびベース基板５６の上面の間に介在する。接着剤４８は、熱膨張係数において、ベース基板５６よりも大きい。
【0021】
図６Ａは、従来のブロックおよび導波路基板の熱応力を計算したシミュレーションのモデル断面図であり、図６Ｂは、本実施形態のブロックおよび導波路基板の熱応力を計算したシミュレーションのモデル断面図である。図６Ｃは、従来のブロックおよび導波路基板の熱応力を計算したシミュレーションの結果図であり、図６Ｄは、本実施形態のブロックおよび導波路基板の熱応力を計算したシミュレーションの結果図である。
【0022】
導波路基板１４２はシリコン、ブロック１２６は石英、ベース基板１５６はコバールを基材とする。これらの熱膨張率は、６×１０－６／Ｋ以下という小ささである。一方、接着剤１４８は、有機物であり、その熱膨張率は、２×１０－５／Ｋ以上という大きさである。環境温度が２５度Ｃから８５度Ｃまで変化すると、従来の構造の場合は図６Ｃの様に接着剤１４８の上方部分１５２の熱膨張によって、ブロック１２６は導波路基板１４２に対して傾く。その結果、光ファイバと光導波路の光軸がずれてしまう。
【0023】
これに対して、本実施形態では、接着剤１４８の上方部分１５２の膨張圧を、下方部分１５４の膨張圧が押し返す。これにより、図６Ｄに示す様にブロック１２６と導波路基板１４２の角度変位αが抑制され、従来例と比較して約１／１８に軽減されるため、光結合効率の変動も少ない。これにより、光結合は安定する。従来例と本実施形態の熱応力シミュレーション結果について、特にＡ点のＺ軸方向の変位と光導波路基板に対するブロックの角度変位αに着目して比較した表は次の通り。
【0024】
【表1】
【0025】
図７は、光モジュールの製造プロセス例の説明図である。光ファイバ２２にはブロック２６を固定し、ベース基板５６には導波路基板４２を固定する。その後、光ファイバ２２と光導波路４４の調芯を行う。調芯は、光出力をモニタしながらの位置決めであり、これにより光結合がなされる。その後、ブロック２６を、導波路基板４２およびベース基板５６に接着する。接着剤４８は、光硬化型接着剤であり、紫外線ライト６０から紫外線を照射して硬化される。ブロック２６が光透過性材料から構成されていると、紫外線の照射が容易である。
【0026】
［第１の実施形態の変形例１］
図８は、第１の実施形態の変形例１に係る光モジュールの内部構造の部分平面図である。図９は、図８に示す内部構造のIX-IX線断面図である。ベース基板５６の上面は、溝６２Ａを有する。溝６２Ａは、導波路基板４２の側面４６の下端に沿って延びる。溝６２Ａは、導波路基板４２の下面に対向する。導波路基板４２およびベース基板５６の間に接着層５８が介在する。接着層５８の端部は、溝６２Ａの内側に位置する。これにより、接着剤４８が接着層５８に接触しないので、両者の接触による悪影響を避けられる。また、接着層５８が側面４６よりもブロック２６側に流れ出るのを防いでおり、これは、ブロック２６を導波路基板４２に接着する際に生じる悪影響を防いでいる。
図８は、第１の実施形態の変形例１に係る光モジュールの内部構造の部分平面図である。図９は、図８に示す内部構造のIX-IX線断面図である。ベース基板５６の上面は、溝６２Ａを有する。溝６２Ａは、導波路基板４２の側面４６の下端に沿って延びる。溝６２Ａは、導波路基板４２の下面に対向する。導波路基板４２およびベース基板５６の間に接着層５８が介在する。接着層５８の端部は、溝６２Ａの内側に位置する。これにより、接着剤４８が接着層５８に接触しないので、両者の接触による悪影響を避けられる。また、接着層５８が側面４６よりもブロック２６側に流れ出るのを防いでおり、これは、ブロック２６を導波路基板４２に接着する際に生じる悪影響を防いでいる。
【0027】
［第１の実施形態の変形例２］
図１０は、第１の実施形態の変形例２に係る光モジュールの内部構造の部分断面図である。ベース基板５６の上面は、溝６２Ｂを有する。溝６２Ｂは、導波路基板４２の側面４６の下端に沿って延びる。溝６２Ｂは、ブロック２６の下面に対向する。導波路基板４２およびベース基板５６の間に接着層５８が介在する。接着層５８の端部は、溝６２Ｂの内側に位置する。これは、ブロック２６を導波路基板４２に接着する際に、側面４６よりもブロック２６側に出た接着層５８が高さ方向に盛り上がったりするなど、組み立て上の悪影響が生じてしまうのを防いでいる。接着剤４８が接着層５８に接触しても問題ない場合に適用することができる。
図１０は、第１の実施形態の変形例２に係る光モジュールの内部構造の部分断面図である。ベース基板５６の上面は、溝６２Ｂを有する。溝６２Ｂは、導波路基板４２の側面４６の下端に沿って延びる。溝６２Ｂは、ブロック２６の下面に対向する。導波路基板４２およびベース基板５６の間に接着層５８が介在する。接着層５８の端部は、溝６２Ｂの内側に位置する。これは、ブロック２６を導波路基板４２に接着する際に、側面４６よりもブロック２６側に出た接着層５８が高さ方向に盛り上がったりするなど、組み立て上の悪影響が生じてしまうのを防いでいる。接着剤４８が接着層５８に接触しても問題ない場合に適用することができる。
【0028】
［第１の実施形態の変形例３］
図１１は、第１の実施形態の変形例３に係る光モジュールの内部構造の部分断面図である。ベース基板５６の上面は、溝６２Ｃを有する。溝６２Ｃは、導波路基板４２の側面４６の下端に沿って延びる。溝６２Ｃは、導波路基板４２の側面４６の直下にある。導波路基板４２およびベース基板５６の間に接着層５８が介在する。接着層５８の端部が溝６２Ｃの内側に位置する。これにより、接着剤４８が接着層５８に接触しないので、材料混合などの悪影響を避けられ、前述したような組み立て上の悪影響を防ぐことができる。
図１１は、第１の実施形態の変形例３に係る光モジュールの内部構造の部分断面図である。ベース基板５６の上面は、溝６２Ｃを有する。溝６２Ｃは、導波路基板４２の側面４６の下端に沿って延びる。溝６２Ｃは、導波路基板４２の側面４６の直下にある。導波路基板４２およびベース基板５６の間に接着層５８が介在する。接着層５８の端部が溝６２Ｃの内側に位置する。これにより、接着剤４８が接着層５８に接触しないので、材料混合などの悪影響を避けられ、前述したような組み立て上の悪影響を防ぐことができる。
【0029】
［第２の実施形態］
図１２は、第２の実施形態に係る光モジュールの内部構造の部分断面図である。ブロック２２６の下面は、導波路基板２４２の下面よりも低い位置にある。しかし、ベース基板２５６の上面が、導波路基板２４２の下よりも、ブロック２２６の下において、低くなっている。これにより、ブロック２２６の下面とベース基板２５６の上面との間にスペースを確保することができ、接着剤２４８を配置することができる。スペースの確保は、導波路基板２４２が薄く、ブロック２２６の下基板２３０が厚くても可能である。ベース基板２５６の上面において、高低差の境目で接着層２５８の底面が止まるようになっている。これにより、接着層２５８と接着剤２４８の接触を防止することができる。その他の詳細には、第１の実施形態の内容を適用可能である。
図１２は、第２の実施形態に係る光モジュールの内部構造の部分断面図である。ブロック２２６の下面は、導波路基板２４２の下面よりも低い位置にある。しかし、ベース基板２５６の上面が、導波路基板２４２の下よりも、ブロック２２６の下において、低くなっている。これにより、ブロック２２６の下面とベース基板２５６の上面との間にスペースを確保することができ、接着剤２４８を配置することができる。スペースの確保は、導波路基板２４２が薄く、ブロック２２６の下基板２３０が厚くても可能である。ベース基板２５６の上面において、高低差の境目で接着層２５８の底面が止まるようになっている。これにより、接着層２５８と接着剤２４８の接触を防止することができる。その他の詳細には、第１の実施形態の内容を適用可能である。
【0030】
［第３の実施形態］
図１３は、第３の実施形態に係る光モジュールの内部構造の部分平面図である。図１４は、図１３に示す内部構造のXIV-XIV線断面図である。ブロック３２６は、複数のブロック３２６である。導波路基板３４２に作り込まれた光導波路３４４は、複数の光導波路３４４である。複数のブロック３２６のそれぞれが取り付けられる光ファイバ３２２は、１つまたはそれ以上の光ファイバ３２２である。
図１３は、第３の実施形態に係る光モジュールの内部構造の部分平面図である。図１４は、図１３に示す内部構造のXIV-XIV線断面図である。ブロック３２６は、複数のブロック３２６である。導波路基板３４２に作り込まれた光導波路３４４は、複数の光導波路３４４である。複数のブロック３２６のそれぞれが取り付けられる光ファイバ３２２は、１つまたはそれ以上の光ファイバ３２２である。
【0031】
ベース基板３５６の上面は、隣同士のブロック３２６の間に凸部３６４を有し、全てのブロック３２６の外側に凸部３４６を有する。接着剤３４８は、凸部３４６，３６４の上に至らない。つまり、凸部３４６，３６４は、硬化前に接着剤３４８の横方向の流動を止めることができ、より接着剤３４８の形状を制御できる。複数のブロック３２６の接着は１つずつ行ってもよい。その場合、凸部３６４は、先の接着に使用した接着剤３４８が、隣の接着領域に流れ込むことを防止し、次の適切な接着を可能にする。ブロック３２６の両側に凸部３４６，３６４があれば、接着剤３４８を区画することができるのでその量を適切に管理可能である。その他の詳細には、第１の実施形態の内容を適用可能である。
【0032】
［第３の実施形態の変形例］
図１５は、第３の実施形態の変形例に係る光モジュールの内部構造の部分平面図である。図１６は、図１５に示す内部構造のXVI-XVI線断面図である。ベース基板３５６の上面は、ブロック３２６の両サイドに凹部３６６を有する。ベース基板３５６の上面は、凹部３６６に隣接するエッジを有する。接着剤３４８の底面の先端は、エッジに揃っている。つまり、凹部３６６は、硬化前に接着剤３４８の流動を止める。複数のブロック３２６の接着は１つずつ行ってもよい。その場合、凹部３６６は、先の接着に使用した接着剤３４８が、隣の接着領域に流れ込むことを防止し、次の適切な接着を可能にする。ブロック３２６の両側に凹部３６６があれば、接着剤３４８を区画することができるのでその量を適切に管理可能である。
図１５は、第３の実施形態の変形例に係る光モジュールの内部構造の部分平面図である。図１６は、図１５に示す内部構造のXVI-XVI線断面図である。ベース基板３５６の上面は、ブロック３２６の両サイドに凹部３６６を有する。ベース基板３５６の上面は、凹部３６６に隣接するエッジを有する。接着剤３４８の底面の先端は、エッジに揃っている。つまり、凹部３６６は、硬化前に接着剤３４８の流動を止める。複数のブロック３２６の接着は１つずつ行ってもよい。その場合、凹部３６６は、先の接着に使用した接着剤３４８が、隣の接着領域に流れ込むことを防止し、次の適切な接着を可能にする。ブロック３２６の両側に凹部３６６があれば、接着剤３４８を区画することができるのでその量を適切に管理可能である。
【0033】
［第４の実施形態］
図１７は、第４の実施形態に係る光モジュールの内部構造の部分平面図である。図１８は、図１７に示す内部構造のXVIII-XVIII線断面図である。ブロック４２６は、複数のブロック４２６である。導波路基板４４２に作り込まれた光導波路４４４は、複数の光導波路４４４である。複数のブロック４２６のそれぞれが取り付けられる光ファイバ４２２は、１つまたはそれ以上の光ファイバ４２２である。ベース基板４５６は、導波路基板４４２が固定される本体を有する。ベース基板４５６は、本体から突出する複数の突出部４６８を有する。複数のブロック４２６は、複数の突出部４６８にそれぞれ接着されている。
図１７は、第４の実施形態に係る光モジュールの内部構造の部分平面図である。図１８は、図１７に示す内部構造のXVIII-XVIII線断面図である。ブロック４２６は、複数のブロック４２６である。導波路基板４４２に作り込まれた光導波路４４４は、複数の光導波路４４４である。複数のブロック４２６のそれぞれが取り付けられる光ファイバ４２２は、１つまたはそれ以上の光ファイバ４２２である。ベース基板４５６は、導波路基板４４２が固定される本体を有する。ベース基板４５６は、本体から突出する複数の突出部４６８を有する。複数のブロック４２６は、複数の突出部４６８にそれぞれ接着されている。
【0034】
ベース基板４５６は、隣同士の突出部４６８の間に切り欠き４７０を有する。切り欠き４７０が無ければ、ベース基板４５６の平面形状は矩形である。ベース基板４５６の上面は、切り欠き４７０に隣接するエッジを有する。接着剤４４８の底面の先端は、エッジに揃っている。つまり、切り欠き４７０は、硬化前に接着剤４４８の流動を止める。これにより、接着剤４４８を区画することができるのでその量を適切に管理可能である。複数のブロック４２６の接着は１つずつ行ってもよい。その場合、切り欠き４７０は、先の接着に使用した接着剤４４８が、隣の接着領域に流れ込むことを防止し、次の適切な接着を可能にする。その他の詳細には、第１の実施形態の内容を適用可能である。
【0035】
［第４の実施形態の変形例］
図１９は、第４の実施形態の変形例に係る光モジュールの内部構造の部分平面図である。図２０は、図１９に示す内部構造のXX-XX線断面図である。複数のブロック４２６のそれぞれは、複数の突出部４６８Ａが並ぶ方向で、複数の突出部４６８Ａの対応する１つの中央にある。突出部４６８Ａは、図１８に示す突出部４６８Ａよりも幅において狭い。そのため、接着剤４４８の底面の先端は、突出部４６８Ａの両側のエッジに揃っている。したがって、接着剤４４８の量をさらに適切に管理可能である。
図１９は、第４の実施形態の変形例に係る光モジュールの内部構造の部分平面図である。図２０は、図１９に示す内部構造のXX-XX線断面図である。複数のブロック４２６のそれぞれは、複数の突出部４６８Ａが並ぶ方向で、複数の突出部４６８Ａの対応する１つの中央にある。突出部４６８Ａは、図１８に示す突出部４６８Ａよりも幅において狭い。そのため、接着剤４４８の底面の先端は、突出部４６８Ａの両側のエッジに揃っている。したがって、接着剤４４８の量をさらに適切に管理可能である。
【0036】
本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく種々の変形が可能である。例えば、実施形態を説明した構成は、実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成で置き換えることができる。
【0037】
［実施形態の概要］
（１）光ファイバ２２の端部に取り付けられ、前記光ファイバ２２の先端面が露出する前面２８を有するブロック２６と、光導波路４４が作り込まれ、前記光導波路４４の先端面が露出する側面４６を有し、前記側面４６と前記ブロック２６の前記前面２８が対向し、前記前面２８の上部が前記側面４６から上方に突出し、前記光ファイバ２２および前記光導波路４４の光軸が一致する導波路基板４２と、前記導波路基板４２の下面が固定される上面を有し、前記導波路基板４２から前記ブロック２６の下に突出する突出部分を有し、前記上面は前記ブロック２６の下面に対向するベース基板５６と、前記ブロック２６を前記導波路基板４２および前記ベース基板５６に接着する接着剤４８と、を有し、前記接着剤４８は、前記ブロック２６の前記前面２８の前記上部と前記導波路基板４２の上面で区画される隅部にある上方部分５２と、前記ブロック２６の前記前面２８および前記導波路基板４２の前記側面４６の間に介在する中間部分５０と、前記ブロック２６の前記下面および前記ベース基板５６の上面の間に介在する下方部分５４と、を含む光モジュール。
（１）光ファイバ２２の端部に取り付けられ、前記光ファイバ２２の先端面が露出する前面２８を有するブロック２６と、光導波路４４が作り込まれ、前記光導波路４４の先端面が露出する側面４６を有し、前記側面４６と前記ブロック２６の前記前面２８が対向し、前記前面２８の上部が前記側面４６から上方に突出し、前記光ファイバ２２および前記光導波路４４の光軸が一致する導波路基板４２と、前記導波路基板４２の下面が固定される上面を有し、前記導波路基板４２から前記ブロック２６の下に突出する突出部分を有し、前記上面は前記ブロック２６の下面に対向するベース基板５６と、前記ブロック２６を前記導波路基板４２および前記ベース基板５６に接着する接着剤４８と、を有し、前記接着剤４８は、前記ブロック２６の前記前面２８の前記上部と前記導波路基板４２の上面で区画される隅部にある上方部分５２と、前記ブロック２６の前記前面２８および前記導波路基板４２の前記側面４６の間に介在する中間部分５０と、前記ブロック２６の前記下面および前記ベース基板５６の上面の間に介在する下方部分５４と、を含む光モジュール。
【0038】
接着剤４８の上方部分５２の膨張によって、ブロック２６に傾く力が加えられるが、下方部分５４の膨張によって反対方向の力がブロック２６に加えられる。これにより、ブロック２６の傾きが防止され、光ファイバ２２と光導波路４４の光結合が安定する。
【0039】
（２）（１）に記載された光モジュールであって、前記ブロック２６の前記下面および前記ベース基板５６の前記上面の間隔は、前記導波路基板４２の前記下面および前記ベース基板５６の前記上面の間隔よりも大きい光モジュール。
【0040】
（３）（２）に記載された光モジュールであって、前記ブロック２６の前記下面は、前記導波路基板４２の前記下面よりも、高い位置にある光モジュール。
【0041】
（４）（３）に記載された光モジュールであって、前記ベース基板５６の前記上面は、前記ブロック２６および前記導波路基板４２の下でフラットである光モジュール。
【0042】
（５）（２）に記載された光モジュールであって、前記ブロック２２６の前記下面は、前記導波路基板２４２の前記下面よりも低い位置にある光モジュール。
【0043】
（６）（５）に記載された光モジュールであって、前記ベース基板２５６の前記上面は、前記導波路基板２４２の下よりも、前記ブロック２２６の下において、低くなっている光モジュール。
【0044】
（７）（１）から（６）のいずれか１項に記載された光モジュールであって、前記導波路基板４２および前記ベース基板５６の間に介在する接着層５８をさらに有し、前記ベース基板５６の前記上面は、溝６２Ａを有し、前記接着層５８の端部が前記溝６２Ａの内側に位置する光モジュール。
【0045】
（８）（７）に記載された光モジュールであって、前記溝６２Ａは、前記導波路基板４２の前記側面４６の下端に沿って延びる光モジュール。
【0046】
（９）（８）に記載された光モジュールであって、前記溝６２Ａは、前記導波路基板４２の前記下面に対向する光モジュール。
【0047】
（１０）（８）に記載された光モジュールであって、前記溝６２Ｂは、前記ブロック２６の前記下面に対向する光モジュール。
【0048】
（１１）（８）に記載された光モジュールであって、前記溝６２Ｃは、前記導波路基板４２の前記側面４６の直下にある光モジュール。
【0049】
（１２）（１）から（１１）のいずれか１項に記載された光モジュールであって、前記ブロック３２６は、複数のブロック３２６であり、前記導波路基板３４２に作り込まれた前記光導波路３４４は、複数の光導波路３４４であり、前記複数のブロック３２６のそれぞれが取り付けられる前記光ファイバ３２２は、１つまたはそれ以上の光ファイバ３２２である光モジュール。
【0050】
（１３）（１２）に記載された光モジュールであって、前記ベース基板３５６の前記上面は、隣同士の前記ブロック３２６の間に凸部３６４を有する光モジュール。
【0051】
（１４）（１３）に記載された光モジュールであって、前記接着剤３４８は、前記凸部３６４の上に至らない光モジュール。
【0052】
（１５）（１２）に記載された光モジュールであって、前記ベース基板３５６の前記上面は、隣同士の前記ブロック３２６の間に凹部３６６を有する光モジュール。
【0053】
（１６）（１５）に記載された光モジュールであって、前記ベース基板３５６の前記上面は、前記凹部３６６に隣接するエッジを有し、前記接着剤３４８の底面の先端は、前記エッジに揃っている光モジュール。
【0054】
（１７）（１２）に記載された光モジュールであって、前記ベース基板４５６は、前記導波路基板４４２が固定される本体を有し、前記ベース基板４５６は、前記本体から突出する複数の突出部４６８を有し、前記ベース基板４５６は、隣同士の前記突出部４６８の間に切り欠き４７０を有し、前記複数のブロック４２６は、前記複数の突出部４６８にそれぞれ接着されている光モジュール。
【0055】
（１８）（１７）に記載された光モジュールであって、前記ベース基板４５６の前記上面は、前記切り欠き４７０に隣接するエッジを有し、前記接着剤４４８の底面の先端は、前記エッジに揃っている光モジュール。
【0056】
（１９）（１７）又は（１８）に記載された光モジュールであって、前記複数のブロック４２６のそれぞれは、前記複数の突出部４６８Ａが並ぶ方向で、前記複数の突出部４６８の対応する１つの中央にある光モジュール。
【0057】
（２０）（１）から（１９）のいずれか１項に記載された光モジュールであって、前記ブロック２６は、前記ベース基板５６に接着される下基板３０と、前記下基板３０の上にある上基板３４と、を含み、前記下基板３０および前記上基板３４の間に前記光ファイバ２２が挟まれ、前記下基板３０は、前記上基板３４よりも薄くなっている光モジュール。
【0058】
（２１）（２０）に記載された光モジュールであって、前記上基板３４は、前記下基板３０との対向面に、前記光ファイバ２２が配置されるＶ溝３６を有する光モジュール。
【0059】
（２２）（２０）又は（２１）に記載された光モジュールであって、前記下基板３０は、前記ブロック２６の前面２８からの長さにおいて、前記上基板３４よりも短い光モジュール。
【0060】
（２３）（２２）に記載された光モジュールであって、前記上基板３４および前記下基板３０を接着する接着材料４０をさらに有し、前記上基板３４は、前記下基板３０から突出する突出下面３８を有し、前記下基板３０は、前記前面２８とは反対の後端面３２を有し、前記接着材料４０の一部は、前記突出下面３８および前記後端面３２で区画された隅部にある光モジュール。
【0061】
（２４）（２３）に記載された光モジュールであって、前記ベース基板５６は、前記接着材料４０の前記一部に重ならない長さになっている光モジュール。
【0062】
（２５）（１）から（２４）のいずれか１項に記載された光モジュールであって、前記ブロック２６は、光透過性材料から構成され、前記接着剤４８は、光硬化型接着剤である光モジュール。
【0063】
（２６）（１）から（２５）のいずれか１項に記載された光モジュールであって、前記接着剤４８は、熱膨張係数において、前記ベース基板５６よりも大きい光モジュール。
【符号の説明】
【0064】
１０ プリント基板、１２ ケース、１４ 電子部品、１６ はんだ、１８ ワイヤ、２０ アダプタ、２２ 光ファイバ、２４ フェルール、２６ ブロック、２８ 前面、３０ 下基板、３２ 後端面、３４ 上基板、３６ Ｖ溝、３８ 突出下面、４０ 接着材料、４２ 導波路基板、４４ 光導波路、４６ 側面、４８ 接着剤、５０ 中間部分、５２ 上方部分、５４ 下方部分、５６ ベース基板、５８ 接着層、６０ 紫外線ライト、６２Ａ 溝、６２Ｂ 溝、６２Ｃ 溝、１２６ ブロック、１４２ 導波路基板、１４８ 接着剤、１５２ 上方部分、１５６ ベース基板、２２６ ブロック、２３０ 下基板、２４２ 導波路基板、２４８ 接着剤、２５６ ベース基板、２５８ 接着層、３２２ 光ファイバ、３２６ ブロック、３４２ 導波路基板、３４４ 光導波路、３４６ 凸部、３４８ 接着剤、３５６ ベース基板、３６４ 凸部、３６６ 凹部、４２２ 光ファイバ、４２６ ブロック、４４２ 導波路基板、４４４ 光導波路、４４８ 接着剤、４５６ ベース基板、４６８ 突出部、４６８Ａ 突出部、４７０ 切り欠き。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6A】
【図6B】
【図6C】
【図6D】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
