特開 2024-172402 部品内蔵基板及びその製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024172402

(43)【公開日】2024-12-12

(54)【発明の名称】部品内蔵基板及びその製造方法

(51)【国際特許分類】

   H05K 3/46 20060101AFI20241205BHJP

   H05K 3/00 20060101ALI20241205BHJP

   H01L 23/12 20060101ALI20241205BHJP

【ＦＩ】

H05K3/46 Q

H05K3/00 J

H01L23/12 N

【審査請求】未請求

【請求項の数】8

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023090102

(22)【出願日】2023-05-31

(71)【出願人】

【識別番号】000000158

【氏名又は名称】イビデン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100112472

【弁理士】

【氏名又は名称】松浦 弘

(74)【代理人】

【識別番号】100202223

【弁理士】

【氏名又は名称】軸見 可奈子

(72)【発明者】

【氏名】清水 敬介

(72)【発明者】

【氏名】渡辺 裕之

【テーマコード（参考）】

5E316

【Ｆターム（参考）】

5E316AA02

5E316AA32

5E316AA43

5E316CC04

5E316CC09

5E316CC32

5E316DD22

5E316EE06

5E316EE07

5E316EE09

5E316FF15

5E316GG15

5E316GG17

5E316GG22

5E316HH31

5E316JJ13

5E316JJ26

(57)【要約】

【課題】キャビティ内への電子部品の搭載作業性が向上した部品内蔵基板を提供する。
【解決手段】本開示の部品内蔵基板には、平面形状が四角形の複数のキャビティが備えられ、キャビティ内に電子部品が収容されると共に、キャビティと電子部品との隙間に樹脂が充填されている。複数のキャビティには、その四角形の角部に、四角形の隣り合う２辺に跨って外側に膨出する膨出縁部がそれぞれ設けられる第１キャビティと第２キャビティが含まれ、第１キャビティの長辺が第２キャビティの長辺より長く、第１キャビティの膨出縁部の幅が第２キャビティの膨出縁部の幅より大きくなっている。
【選択図】図２

【特許請求の範囲】

【請求項1】

平面形状が四角形の複数のキャビティを備え、前記キャビティ内に電子部品が収容されると共に、前記キャビティと前記電子部品との隙間に樹脂が充填される部品内蔵基板であって、
前記複数のキャビティには、前記四角形の角部に、前記四角形の隣り合う２辺に跨って外側に膨出する膨出縁部がそれぞれ設けられる第１キャビティと第２キャビティが含まれ、
前記第１キャビティの長辺が前記第２キャビティの長辺より長く、前記第１キャビティの膨出縁部の幅が前記第２キャビティの膨出縁部の幅より大きい。

【請求項2】

請求項１に記載の部品内蔵基板であって、
前記膨出縁部は、円弧状をなしている。

【請求項3】

請求項２に記載の部品内蔵基板であって、
前記第１キャビティの方が前記第２キャビティよりも前記膨出縁部の円弧の半径が大きくなっている。

【請求項4】

請求項１に記載の部品内蔵基板であって、
前記膨出縁部は、前記四角形の全ての角部に配されている。

【請求項5】

請求項１から４の何れか１の請求項に記載の部品内蔵基板であって、
前記部品内蔵基板は、コア基板と、前記コア基板の表裏の両面に積層されるビルドアップ層とを有し、前記第１キャビティと前記第２キャビティは前記コア基板に形成され、前記樹脂は前記ビルドアップ層に含まれる層間絶縁層から染み出た樹脂である。

【請求項6】

ルータ加工によって平面形状が四角形の複数のキャビティが形成されることと、前記キャビティ内に電子部品が収容されることと、前記キャビティと前記電子部品との隙間に樹脂が充填されることと、を含む部品内蔵基板の製造方法であって、
前記キャビティの形成が、
前記四角形の角部に、前記四角形の隣り合う２辺に跨って外側に膨出する膨出縁部が形成されることと、
前記複数のキャビティに含まれる第１キャビティと第２キャビティとを、前記第１キャビティの長辺が前記第２キャビティの長辺より長くかつ、前記第１キャビティの膨出縁部の幅が前記第２キャビティの膨出縁部の幅より大きくなるように形成されることと、を含む。

【請求項7】

請求項６に記載の部品内蔵基板の製造方法であって、
前記膨出縁部の形成は、ルータが前記四角形の一辺に沿って動かされる工程と、その隣の辺に沿って動かされる工程との間に行われて、前記ルータが外側に膨らむように動かされる。

【請求項8】

請求項６に記載の部品内蔵基板の製造方法であって、
前記膨出縁部は、ルータにより前記四角形が形成された後、前記四角形の角部にドリルを差し込んで形成され、
前記第１キャビティの前記膨出縁部の形成において、前記第２キャビティの前記膨出縁部の形成時よりも径が大きいドリルが使用される。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、部品内蔵基板及びその製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

従来から電子部品が収容されるキャビティを有する部品内蔵基板が知られている（例えば、特許文献１参照）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２００３－３０９２０７号公報（段落［００１３］、［００１４］、図１及び図２）

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

上述した従来の部品内蔵基板に対して、キャビティ内に電子部品を搭載する際、電子部品の角部がキャビティの隅部に干渉しやすく、搭載作業性の向上が求められている。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本開示の部品内蔵基板は、平面形状が四角形の複数のキャビティを備え、前記キャビティ内に電子部品が収容されると共に、前記キャビティと前記電子部品との隙間に樹脂が充填される部品内蔵基板であって、前記複数のキャビティには、前記四角形の角部に、前記四角形の隣り合う２辺に跨って外側に膨出する膨出縁部がそれぞれ設けられる第１キャビティと第２キャビティが含まれ、前記第１キャビティの長辺が前記第２キャビティの長辺より長く、前記第１キャビティの膨出縁部の幅が前記第２キャビティの膨出縁部の幅より大きい。

【0006】

本開示の部品内蔵基板の製造方法は、ルータ加工によって平面形状が四角形の複数のキャビティが形成されることと、前記キャビティ内に電子部品が収容されることと、前記キャビティと前記電子部品との隙間に樹脂が充填されることと、を含む部品内蔵基板の製造方法であって、前記キャビティの形成が、前記四角形の角部に、前記四角形の隣り合う２辺に跨って外側に膨出する膨出縁部が形成されることと、前記複数のキャビティに含まれる第１キャビティと第２キャビティとを、前記第１キャビティの長辺が前記第２キャビティの長辺より長くかつ、前記第１キャビティの膨出縁部の幅が前記第２キャビティの膨出縁部の幅より大きくなるように形成されることと、を含む。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】本開示の一実施形態に係る部品内蔵基板の断面図

【図2】コア基板の拡大正断面図

【図3】部品内蔵基板の製造工程を示す側断面図

【図4】部品内蔵基板の製造工程を示す平面図

【図5】部品内蔵基板の製造工程を示す側断面図

【図6】部品内蔵基板の製造工程を示す側断面図

【図7】部品内蔵基板の製造工程を示す側断面図

【図8】部品内蔵基板の製造工程を示す側断面図

【図9】部品内蔵基板の製造工程を示す側断面図

【図10】（Ａ）隅部が直角のキャビティに電子部品が収容されている状態を示す平面図、（Ｂ）隅部に膨出縁部を備えるキャビティに電子部品が収容されている状態を示す平面図

【図11】電子部品の長辺の長さによってキャビティ内で電子部品が傾けられる許容角度が変化することを示す平面図

【図12】膨出縁部の膨出幅の大きさによりキャビティ内で電子部品が傾けられる許容角度が変化することを示す平面図

【図13】第２実施形態に係る部品内蔵基板の製造工程を示す拡大平面図

【図14】他の実施形態に係る部品内蔵基板の製造工程を示す拡大平面図

【図15】他の実施形態に係る部品内蔵基板の側断面図

【発明を実施するための形態】

【0008】

［第１実施形態］
以下、図１～図１２を参照して本開示の一実施形態について説明する。本実施形態の部品内蔵基板１０は、例えば、平面形状が四角形をなし、図１に示すように、コア基板１１と、その表裏の両面（第１面１１Ｆ、第２面１１Ｓ）に積層されるビルドアップ層１２とを有する。

【0009】

コア基板１１は、絶縁性基材１１Ｋと、その表裏の両面に積層される導電層１３とを備え、表裏の導電層１３は、絶縁性基材１１Ｋを貫通するスルーホール導体１４によって接続されている。絶縁性基材１１Ｋには、電子部品９０，９１が収容される第１と第２のキャビティ２０，３０が形成されている。第１と第２のキャビティ２０，３０については、後で詳説する。

【0010】

ビルドアップ層１２は、層間絶縁層１５と導電層１６とを有する。また、ビルドアップ層１２の上には、ソルダーレジスト層１７が積層されている。なお、層間絶縁層１５は、絶縁性基材１１Ｋよりも厚みが薄くなっている。導電層１６は、層間絶縁層１５を貫通する複数のビア導体１５Ｄによって、コア基板１１の導電層１３、電子部品９０，９１の電極に接続される。

【0011】

ソルダーレジスト層１７には、ビルドアップ層１２の導電層１６を露出させる複数の開口１７Ａが形成されている。そして、導電層１６のうち開口１７Ａから露出する部分がパッド１８を構成する。

【0012】

さて、第１と第２のキャビティ２０，３０は、上述したように、絶縁性基材１１Ｋに形成されている。第１と第２のキャビティ２０，３０は、コア基板１１を厚さ方向に貫通し、その内側面２１，３１は、コア基板１１の表裏の両面に対して略垂直に形成され、図２に示すように、第１と第２のキャビティ２０，３０は、どちらも平面形状が四角形をなしており、長辺の長さは、第１キャビティ２０の方が第２キャビティ３０よりも長くなっている。

【0013】

第１と第２のキャビティ２０，３０の四隅には、外側に膨出する膨出縁部２３，３３が備えられている。膨出縁部２３，３３は、第１と第２のキャビティ２０，３０の隣り合う内側面２１，３１に跨って膨出する円弧状の内面２３Ａ，３３Ａを有している。本実施形態では、円弧状内面２３Ａの円弧の半径の方が、円弧状内面３３Ａの円弧の半径よりも大きくなっている。

【0014】

第１と第２のキャビティ２０，３０内に収容される電子部品９０，９１は、平面形状が四角形をなし、角部は略直角に形成されている。電子部品９０，９１は、例えば、積層セラミックコンデンサ（ＭＬＣＣ）である。第１と第２のキャビティ２０，３０の内面と電子部品９０，９１との間の隙間には樹脂５０が充填される。本実施形態では、樹脂５０は、層間絶縁層１５を構成する樹脂と同じである。

【0015】

以下、図３～図９を参照して部品内蔵基板１０の製造方法を説明する。

【0016】

（１）絶縁性基材１１Ｋの両面に銅箔１１Ｃが積層されている銅張積層板１１Ｚが用意される。図３（Ａ）に示すように、銅張積層板１１Ｚの両面にレーザーが照射されて複数のスルーホール１４Ｈが形成される。絶縁性基材１１Ｋは、例えば、エポキシ樹脂又はＢＴ（ビスマレイドトリアジン）樹脂とガラスクロスなどの補強材からなる。

【0017】

（２）銅張積層板１１Ｚの表裏の両面に、公知の製造方法により、導電層１３が形成されると共に、スルーホール１４Ｈにスルーホール導体１４が形成される（図３（Ｂ）参照）。これにより、コア基板１１が形成される。

【0018】

（３）図３（Ｃ）に示すように、切削加工によって、コア基板１１に第１と第２のキャビティ２０，３０が形成される。第１と第２のキャビティ２０，３０の形成工程として、内側面形成工程と、膨出縁部形成工程が順に行われる。

【0019】

内側面形成工程では、コア基板１１にルータＲを突入させ、ルータ加工により第１と第２のキャビティ２０，３０の内側面２１，３１が形成される。具体的には、ルータＲを、回転軸方向がコア基板１１の厚み方向と平行となるように配置させ、四角形の枠状に反時計回りに走らせる。これにより、図４に示すように、四隅が丸みを帯び、直線部分が第１と第２のキャビティ２０，３０の内側面２１，３１となる四角形が形成される。

【0020】

膨出縁部形成工程では、内側面形成工程で形成された四角形の四隅に上方からそれぞれドリルＤ１，Ｄ２が差し込まれ、ドリル加工により膨出縁部２３，３３が形成される。具体的には、図４に示すように、隣り合う内側面２１，３１の仮想延長面同士が交差する交差部分、即ち、上方から見て、内側面形成工程で形成された四角形の隣り合う二辺の仮想延長線が交差する仮想交点２０Ｋ，３０Ｋに、それぞれドリルＤ１，Ｄ２の回転軸を突入させる。また、本実施形態では、ドリルＤ１，Ｄ２は、ドリルＤ１の方が径が大きいものが使用される。これにより、四隅に外側に膨出する膨出縁部２３，３３を備えた第１と第２のキャビティ２０，３０が形成される。

【0021】

（４）図５（Ａ）に示すように、コア基板１１の第１面１１Ｆ上にテープ８０が貼り付けられて第１と第２のキャビティ２０，３０が塞がれ、次いで、図５（Ｂ）に示すように、図示しないマウンターによって、電子部品９０，９１が第１と第２のキャビティ２０，３０内に収められる。

【0022】

（５）図５（Ｃ）に示すように、コア基板１１の第２面１１Ｓ上に層間絶縁層１５と銅箔４０が積層され、加熱プレスが行われる。層間絶縁層１５としては、無機フィラーを含有するプリプレグ（心材に無機フィラーを含有する樹脂を含浸してなるＢステージの樹脂シート）が用いられる。このとき、コア基板１１の第２面１１Ｓ側の導体層１３同士の間の隙間がプリプレグにて埋められる。また、プリプレグから染み出た熱硬化性樹脂が、第１と第２のキャビティ２０，３０の内面と電子部品９０，９１との間の隙間に入り込み、樹脂５０となる。

【0023】

（６）図６（Ａ）に示すように、テープ８０が剥離され、続いて図６（Ｂ）に示すように、コア基板１１の第１面１１Ｆ上に層間絶縁層１５としてのプリプレグと銅箔４０が積層され、加熱プレスが行われる。このとき、コア基板１１の第１面１１Ｆ側の導体層１３同士の間の隙間がプリプレグにて埋められる。

【0024】

（７）第１面１１Ｆ側の銅箔４０及び層間絶縁層１５と第２面１１Ｓ側の銅箔４０及び層間絶縁層１５とにレーザーが照射されて、複数のビアホール１５Ｈが形成され、次いで、無電解めっき処理が行われ、銅箔４０上とビアホール１５Ｈ内とに無電解めっき膜４１が形成される（図６（Ｃ）参照）。

【0025】

（８）図７（Ａ）に示すように、無電解めっき膜４１上に所定パターンのめっきレジスト４２が形成され、次いで、図７（Ｂ）に示されるように、電解めっき処理が行われ、電解めっきがビアホール１５Ｈ内に充填されてビア導体１５Ｄが形成されると共に、無電解めっき膜４１のうちめっきレジスト４２から露出する部分の上に電解めっき膜４３が形成される。

【0026】

（９）めっきレジスト４２が剥離されると共に、めっきレジスト４２の下方の無電解めっき膜４１及び銅箔４０が除去される。すると、図８（Ａ）に示すように、銅箔４０、無電解めっき膜４１及び電解めっき膜４３からなる導電層１６が層間絶縁層１５の上に形成される。導電層１６は、ビア導体１５Ｄによって、導電層１３、電子部品９０，９１の電極に接続される。

【0027】

なお、層間絶縁層１５として、プリプレグの代わりに、心材を含まないで無機フィラーを含有する樹脂フィルムが用いられてもよい。この場合には、銅箔４０が積層されず、セミアディティブ法によって、樹脂フィルムの上に導電層１６が形成される。

【0028】

（１０）図８（Ｂ）に示すように、導電層１６上にソルダーレジスト層１７が積層される。露光・現象によってソルダーレジスト層１７の所定箇所に開口１７Ａが形成される。そして、導電層１６のうち開口１７Ａから露出する部分によってパッド１８が形成される。以上により、図１に示される部品内蔵基板１０が完成する（図９参照）。

【0029】

次に部品内蔵基板１０の作用効果について説明する。本実施形態の部品内蔵基板１０には、平面形状が四角形をなす第１と第２のキャビティ２０，３０が形成されており、第１と第２のキャビティ２０，３０の四隅には、それぞれ、外側に円弧状に膨出する円弧状内面２３Ａ，３３Ａを有する膨出縁部２３，３３が備えられている。この構成によれば、第１と第２のキャビティ２０，３０内に、第１と第２のキャビティ２０，３０の四辺と略同じ長さの四角形をなしてその四隅が略直角の電子部品９０，９１を収容することができる。即ち、第１と第２のキャビティ２０，３０の寸法を電子部品９０，９１の寸法に近づけることが可能になる。これにより、電子部品９０，９１が搭載された第１と第２のキャビティ２０，３０内に充填される樹脂５０の厚みを小さくして、ボイドの発生を抑えることができる。

【0030】

ここで、電子部品は、キャビティに接触させないようにして搭載される必要があるが、電子部品がキャビティの各辺に対して傾いた状態で搭載されると、その傾けられる角度の大きさによってはキャビティに接触してしまうことがあるため、搭載作業に手間がかかる。これに対して、例えば、図１０（Ａ）、（Ｂ）に示すように、四隅が直角のキャビティ７０と、四隅が膨出縁部７３Ｓにより拡大されるキャビティ７０Ｓに、電子部品９２を搭載させる場合を比較すると、四隅が直角のキャビティ７０に対しては電子部品９２が接触してしまう傾きであっても、キャビティ７０Ｓに対しては電子部品９２との接触が防がれていることが分かる。換言すれば、キャビティ７０Ｓの四隅を拡大する膨出縁部７３Ｓによって、電子部品９２がキャビティ７０Ｓ内で傾けられる許容角度を大きくすることができる。つまり、本実施形態の第１と第２のキャビティ２０，３０には、四隅に膨出縁部２３，３３が備えられているので、搭載される電子部品９０，９１が傾けられる許容角度が大きくすることができ、搭載作業が容易になる。

【0031】

また、第１と第２のキャビティ２０，３０内で電子部品９０，９１が傾けられる許容角度は、各キャビティ２０，３０の長辺の長さ、及び、膨出縁部２３，３３のうち各キャビティ２０，３０の一辺上の幅（以下、膨出幅Ｗという）の大きさによって異なる。ここで、平面形状が正方形で辺の長さが異なる電子部品９３，９４を例に挙げて説明する。まず、これら電子部品９３，９４を、図１１に示すように、それぞれ、四隅が直角のキャビティ７１Ａ，７１Ｂに搭載させる。この例において、電子部品９３，９４を、その中心をキャビティ７１Ａ，７１Ｂの中心と一致させて、キャビティ７１Ａ，７１Ｂ内に傾かないように配置される場合（この位置を正規位置とする）、キャビティ７１Ａ，７１Ｂと電子部品９３，９４との隙間はどちらも同じとする。そして、電子部品９３，９４を正規位置から回転させてキャビティ７１Ａ，７１Ｂに接触させると、正規位置からの傾きは電子部品９３の方が大きくなっていることが分かる。つまり、電子部品の辺の長さが長くなると、キャビティ内で電子部品が正規位置から傾けられる許容角度の範囲が小さくなる。

【0032】

次に、キャビティ７１Ｂの四隅に、膨出幅Ｗ１の膨出縁部７３Ｔが備えられると、上述したように、四隅が直角の場合よりも電子部品９４が傾けられる許容角度が大きくなるので、図１２に示すように、電子部品９４を正規位置から回転させてキャビティ７１Ｂに接触させたときの正規位置からの傾きは、四隅が直角の場合よりも大きくなっている。さらに、キャビティ７１の四隅に、膨出幅Ｗ１よりも大きい膨出幅Ｗ２の膨出縁部７３Ｕが備えられると、電子部品９４を正規位置から回転させてキャビティ７１Ｂに接触させたときの正規位置からの傾きは、膨出縁部７３Ｔの場合よりも大きくなっていることが分かる。つまり、膨出縁部の膨出幅Ｗを大きくすると、電子部品のキャビティ内で傾けられる許容角度の範囲を大きくすることができる。

【0033】

これに対し、本実施形態では、第１キャビティ２０の膨出縁部２３の円弧状内面２３Ａの円弧の半径が、第２キャビティ３０の膨出縁部３３の円弧状内面３３Ａの円弧の半径よりも大きく構成されている。つまり、長辺の長さが長い電子部品９０が搭載される第１キャビティ２０の膨出縁部２３の膨出幅Ｗを、長辺の長さが短い電子部品９１が搭載される第２キャビティ３０の膨出縁部３３の膨出幅Ｗよりも大きくしている。これにより、電子部品９１と比較してキャビティ内で傾けられる許容角度の範囲が小さい電子部品９０に対して、第１キャビティ２０内で傾けられる許容角度の範囲を大きくすることができる。

【0034】

以上のことから、本実施形態の部品内蔵基板１０は、第１と第２のキャビティ２０，３０の四隅に膨出縁部２３，３３を設けることで、第１と第２のキャビティ２０，３０の寸法を電子部品９０，９１の寸法に近づけて充填される樹脂５０の厚みを減らしてボイドの発生を抑えつつ、長辺の長さが長い電子部品９０が搭載される第１キャビティ２０の膨出縁部２３の膨出幅Ｗを、長辺の長さが短い電子部品９１が搭載される第２キャビティ３０の膨出縁部３３の膨出幅Ｗよりも大きくすることで、長辺の長さが短い電子部品９１と比較して搭載作業性が劣る電子部品９０の搭載作業性を向上することができる。また、長辺の長さが短い電子部品９１が搭載される第２キャビティ３０を不必要に大きくすることも防がれる。

【0035】

［第２実施形態］
本実施形態の部品内蔵基板１０Ｘ（図示しない）では、第１と第２のキャビティ２０Ｘ，３０Ｘの膨出縁部２３Ｘ，３３Ｘの形成方法が第１実施形態と異なる。即ち、第１実施形態では、第１と第２のキャビティ２０，３０の内側面２１，３１を有する四角形がルータＲを周回させて形成された後で、その四角形の四隅にドリルＤが差し込まれて膨出縁部２３，３３が形成される構成であったが、本実施形態では、ルータＲを周回させて内側面２１，３１を有する四角形が形成される途中で膨出縁部２３Ｘ，３３Ｘも形成される。つまり、ルータ加工により内側面２１，３１と膨出縁部２３Ｘ，３３Ｘの両方が形成される。以下の説明では、上記第１実施形態との相違点のみを説明し、共通する構成については重複した説明は省略する。

【0036】

まず、第２キャビティ３０Ｘの内側面３１Ｘの形成方法について説明する。図１３（Ａ）に示すように、第２キャビティ３０Ｘの四辺となる内側面３１を、例えば、反時計回りに、第１内側面３１Ａ、第２内側面３１Ｂ、第３内側面３１Ｃ、第４内側面３１Ｄということとし、これら第１～第４の内側面３１Ａ～３１Ｄを、それぞれ、第１～第４の内側面形成工程によって順に形成されるとすると、第１と第２の内側面形成工程の間、第２と第３の内側面形成工程の間、第３と第４の内側面形成工程の間、第４の内側面形成工程の後に、それぞれ第１～第４の膨出縁部形成工程が行われる。以下、第１の膨出縁部形成工程について説明する。

【0037】

図１３（Ａ）にルータＲの回転軸の軌道が矢印で示されるように、ルータＲが第１内側面３１Ａの一端部である第１位置６１から他端部である第２位置６２を向く第１方向Ｈ１に沿って移動して第１内側面３１Ａが形成された後、ルータＲの回転軸の軌道が第２位置６２で第１方向Ｈ１から９０度外方を向く第２方向Ｈ２に変更され、ルータＲが第２方向Ｈ２に沿って第３位置６３まで動かされる。そして、第３位置６３に到達すると、ルータＲの回転軸の軌道が第１方向Ｈ１に変更されて第４位置６４まで動かされる。なお、第３位置６３は、第１内側面３１Ａ上であり、第４位置６４は、隣り合う二辺である第１内側面３１Ａと第２内側面３１Ｂの仮想延長線が交差する仮想交点３０Ｋ（図４参照）と同一である。

【0038】

そして、ルータＲの回転軸の軌道が第４位置６４に到達すると、ルータＲの回転軸の軌道が第２方向Ｈ２を折り返す方向に変更されて第５位置６５まで動かされ、さらに、ルータＲの回転軸の軌道が第１方向Ｈ１を折り返す方向に変更されて第２位置６２に戻される。これにより、第１内側面３１Ａと第２内側面３１Ｂとの間に膨出縁部３３Ｘが形成される。なお、第５位置６５は、第２内側面３１Ｂ上にある。

【0039】

第１キャビティ２０Ｘの膨出縁部２３Ｘの形成方法においても、ルータＲの移動のさせ方は、上述した第２キャビティ３０Ｘの膨出縁部３３Ｘの形成方法と略同じであるが、図１３（Ｂ）に示すように、膨出縁部３３Ｘよりも膨出幅Ｗが大きくなるように動かされる。

【0040】

本実施形態によっても、長辺の長さが長い電子部品９０が搭載される第１キャビティ２０Ｘの膨出縁部２３Ｘの膨出幅Ｗを、長辺の長さが短い電子部品９１が搭載される第２キャビティ３０Ｘの膨出縁部３３Ｘの膨出幅Ｗよりも大きくすることができ、長辺の長さが短い電子部品９１と比較して搭載作業性が劣る電子部品９０の搭載作業性を向上することができる。

【0041】

さらに、本実施形態によれば、膨出縁部２３Ｘ，３３Ｘを形成させる工程が、第１と第２のキャビティ２０Ｘ，３０Ｘの内側面２１，３１を形成させる工程に組み込まれて、ルータＲを四角形の枠状に周回させる過程で内側面２１，３１と膨出縁部２３Ｘ，３３Ｘの両方を形成させることができるので、第１と第２のキャビティ２０Ｘ，３０Ｘの形成工程を効率化することができる。

【0042】

［他の実施形態］
（１）前記第１実施形態では、膨出縁部２３，３３の円弧状内面２３Ａ，３３Ａの円弧の中心は、第１と第２のキャビティ２０，３０の隣り合う二辺の仮想延長線が交差する仮想交点２０Ｋ，３０Ｋ（図６参照）に配置されるが、円弧の中心は、仮想交点２０Ｋ，３０Ｋよりも第１と第２のキャビティ２０，３０の内側に配置されてもよく、例えば、仮想交点２０Ｋ，３０Ｋが円弧状内面２３Ａ，３３Ａ上に配置されてもよい。

【0043】

（２）前記第１実施形態では、膨出縁部２３，３３は、内側面２１，３１が形成された後で、ドリル加工によって形成されているが、切り欠き加工により形成されてもよい。この場合、膨出縁部２３，３３の内面は、円弧状に限られず、平坦であってもよい。

【0044】

（３）前記第２実施形態では、膨出縁部２３Ｘ，３３Ｘが形成される際に、ルータＲを四角形状に移動させるが、これに限らず、例えば、円軌道を描くように移動させてもよい。

【0045】

また、以下のようにルータＲを移動させてもよい。図１４に示すように、第１内側面３１Ａが形成された後、ルータＲの回転軸の軌道を第２位置６２で第１方向Ｈ１から４５度外側を向く第３方向Ｈ３に変更させて、ルータＲを第３方向Ｈ３に沿って往復させることで膨出縁部３３Ｘが形成されてもよい。このとき、ルータＲは、その外周が、隣り合う二辺である第１内側面３１Ａと第２内側面３１Ｂの仮想延長線が交差する仮想交点３０Ｋ（図６参照）と重なる位置まで動かされてもよい。この構成によれば、第２キャビティ３０Ｘに充填される樹脂５０の厚みを一層小さくすることができる。

【0046】

（４）前記実施形態において、ビルドアップ層１２が複数の層間絶縁層１５と複数の導電層１６が交互に積層されてなる構成であってもよい。

【0047】

（５）前記実施形態では、第１と第２のキャビティ２０，２０Ｘ，３０，３０Ｘは、コア基板１１に形成されていたが、図１５に示す部品内蔵基板１０Ｙのように、ビルドアップ層１２に形成されていてもよい。このとき、第１と第２のキャビティ２０Ｙ，３０Ｙは、コア基板１１にビルドアップ層１２を積層した後で、例えば、ビルドアップ層１２の第１面１１Ｆ側又は第２面１１Ｓ側のソルダーレジスト層１７上からルータＲ又はドリルＤ１，Ｄ２を突入させて形成することができる。この場合、キャビティ２０Ｙ，３０Ｙの底面となる部分に予め剥離フィルムを敷設しておき、例えば、ルータＲを周回させた後にルータＲによる切削部分に工具等を差し込んで、ルータＲの周回部分に囲まれた部分を除去することで第１と第２のキャビティ２０Ｙ，３０Ｙを形成することができる。

【0048】

また、第１と第２のキャビティ２０，２０Ｘ，２０Ｙ，３０，３０Ｘ，３０Ｙは、互いに厚みが異なっていてもよいし、異なる層に形成されていてもよい。

【0049】

なお、本明細書及び図面には、特許請求の範囲に含まれる技術の具体例が開示されているが、特許請求の範囲に記載の技術は、これら具体例に限定されるものではなく、具体例を様々に変形、変更したものも含み、また、具体例から一部を単独で取り出したものも含む。

【符号の説明】

【0050】

１０ 部品内蔵基板
２０，２０Ｘ 第１キャビティ
２３，２３Ｘ 膨出縁部
３０、３０Ｘ 第２キャビティ
３３，３３Ｘ 膨出縁部
Ｄ ドリル
Ｒ ルータ
Ｗ，Ｗ１，Ｗ２ 膨出幅

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】