知財求人 - 知財ポータルサイト「IP Force」
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024172418
(43)【公開日】2024-12-12
(54)【発明の名称】高周波モジュール
(51)【国際特許分類】
H04B 1/04 20060101AFI20241205BHJP
H03F 1/02 20060101ALI20241205BHJP
H03F 3/24 20060101ALI20241205BHJP
H03F 3/213 20060101ALI20241205BHJP
【ＦＩ】
H04B1/04 A
H03F1/02 144
H03F3/24
H03F3/213
【審査請求】未請求
【請求項の数】20
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023090125
(22)【出願日】2023-05-31
(71)【出願人】
【識別番号】000006231
【氏名又は名称】株式会社村田製作所
(74)【代理人】
【識別番号】100189430
【弁理士】
【氏名又は名称】吉川 修一
(74)【代理人】
【識別番号】100190805
【弁理士】
【氏名又は名称】傍島 正朗
(72)【発明者】
【氏名】大前 佑貴
【テーマコード（参考）】
5J500
5K060
【Ｆターム（参考）】
5J500AA01
5J500AA12
5J500AA22
5J500AA41
5J500AC46
5J500AF15
5J500AF16
5J500AF18
5J500AH06
5J500AH12
5J500AH29
5J500AH33
5J500AH37
5J500AH39
5J500AK29
5J500AK49
5J500AK66
5J500AM22
5J500AQ04
5J500AQ05
5J500AQ06
5J500AS14
5J500AT01
5J500RG07
5J500RU06
5K060BB07
5K060HH06
5K060HH11
5K060JJ03
5K060JJ04
5K060JJ21
5K060JJ23
5K060JJ24
5K060MM00
(57)【要約】
【課題】特性の劣化を抑制することができる高周波モジュールを提供する。
【解決手段】高周波モジュール１は、モジュール基板９０と、電力増幅器１１及び１２を含む集積回路１０と、整合回路３０と、電力増幅器１１及び１２の出力端の間に接続される一次コイル２１と整合回路３０及びグランドの間に接続される二次コイル２２とを含むバラン２０と、一次コイル２１の接続部２１３に切り替え可能に接続される電源端子６１及び６２と、電源端子６１及び６２と一次コイル２１との間に接続されるスイッチ回路４０と、スイッチ回路４０の出力端子４０３と一次コイル２１の接続部２１３との間を接続する電源ライン５００と、を備え、モジュール基板９０の平面視において、電源ライン５００と整合回路３０との間のｙ方向に沿った距離Ｄ１は、電源ライン５００とバラン２０の外縁上の点７２との間のｙ方向に沿った距離Ｄ２よりも長い。
【選択図】図４
【解決手段】高周波モジュール１は、モジュール基板９０と、電力増幅器１１及び１２を含む集積回路１０と、整合回路３０と、電力増幅器１１及び１２の出力端の間に接続される一次コイル２１と整合回路３０及びグランドの間に接続される二次コイル２２とを含むバラン２０と、一次コイル２１の接続部２１３に切り替え可能に接続される電源端子６１及び６２と、電源端子６１及び６２と一次コイル２１との間に接続されるスイッチ回路４０と、スイッチ回路４０の出力端子４０３と一次コイル２１の接続部２１３との間を接続する電源ライン５００と、を備え、モジュール基板９０の平面視において、電源ライン５００と整合回路３０との間のｙ方向に沿った距離Ｄ１は、電源ライン５００とバラン２０の外縁上の点７２との間のｙ方向に沿った距離Ｄ２よりも長い。
【選択図】図４
【特許請求の範囲】
【請求項1】
モジュール基板と、
前記モジュール基板に配置され、第１電力増幅器及び第２電力増幅器を含む集積回路と、
前記モジュール基板に配置された整合回路と、
前記モジュール基板に配置され、前記第１電力増幅器の出力端及び前記第２電力増幅器の出力端の間に接続される一次コイルと前記整合回路及びグランドの間に接続される二次コイルとを含むバランと、
前記モジュール基板に配置され、前記一次コイルの両端部の間の接続部に切り替え可能に接続される第１電源端子及び第２電源端子と、
前記モジュール基板に配置され、前記第１電源端子及び前記第２電源端子と前記一次コイルとの間に接続されるスイッチ回路と、
前記モジュール基板に配置され、前記スイッチ回路と前記一次コイルの前記接続部との間を電気的に接続する電源ラインと、を備え、
前記モジュール基板の平面視において、前記電源ラインと前記整合回路との間の所定方向と垂直な方向に沿った第１距離は、前記電源ラインと前記バランの外縁上の所定点との間の前記所定方向と垂直な方向に沿った第２距離よりも長く、
前記所定方向と垂直な方向は、前記一次コイルの両端部を結ぶ線分と平行な方向であり、
前記所定点は、前記線分の垂直二等分線から最も離れた前記バランの外縁上の点である、
高周波モジュール。
前記モジュール基板に配置され、第１電力増幅器及び第２電力増幅器を含む集積回路と、
前記モジュール基板に配置された整合回路と、
前記モジュール基板に配置され、前記第１電力増幅器の出力端及び前記第２電力増幅器の出力端の間に接続される一次コイルと前記整合回路及びグランドの間に接続される二次コイルとを含むバランと、
前記モジュール基板に配置され、前記一次コイルの両端部の間の接続部に切り替え可能に接続される第１電源端子及び第２電源端子と、
前記モジュール基板に配置され、前記第１電源端子及び前記第２電源端子と前記一次コイルとの間に接続されるスイッチ回路と、
前記モジュール基板に配置され、前記スイッチ回路と前記一次コイルの前記接続部との間を電気的に接続する電源ラインと、を備え、
前記モジュール基板の平面視において、前記電源ラインと前記整合回路との間の所定方向と垂直な方向に沿った第１距離は、前記電源ラインと前記バランの外縁上の所定点との間の前記所定方向と垂直な方向に沿った第２距離よりも長く、
前記所定方向と垂直な方向は、前記一次コイルの両端部を結ぶ線分と平行な方向であり、
前記所定点は、前記線分の垂直二等分線から最も離れた前記バランの外縁上の点である、
高周波モジュール。
【請求項2】
前記バランは、前記整合回路と前記スイッチ回路との間に配置されている、
請求項１に記載の高周波モジュール。
請求項１に記載の高周波モジュール。
【請求項3】
前記バランは、前記集積回路と前記スイッチ回路との間に配置されている、
請求項１に記載の高周波モジュール。
請求項１に記載の高周波モジュール。
【請求項4】
前記第１電源端子及び前記第２電源端子の各々は、前記モジュール基板の平面視において、前記スイッチ回路と少なくとも部分的に重なっている、
請求項１～３のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
請求項１～３のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
【請求項5】
前記高周波モジュールは、さらに、前記モジュール基板に配置され、前記電源ラインとグランドとの間に接続されるキャパシタを備える、
請求項１～３のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
請求項１～３のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
【請求項6】
前記キャパシタは、前記モジュール基板の平面視において、前記一次コイル及び前記二次コイルの内部に配置されている、
請求項５に記載の高周波モジュール。
請求項５に記載の高周波モジュール。
【請求項7】
前記一次コイル及び前記二次コイルは、前記モジュール基板のパターン配線によって構成されている、
請求項１～３のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
請求項１～３のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
【請求項8】
前記二次コイルは、前記モジュール基板の複数のレイヤに形成されている、
請求項７に記載の高周波モジュール。
請求項７に記載の高周波モジュール。
【請求項9】
前記高周波モジュールは、さらに、前記整合回路と前記スイッチ回路との間に配置された金属壁を備える、
請求項１～３のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
請求項１～３のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
【請求項10】
前記モジュール基板は、互いに対向する第１主面及び第２主面を有し、
前記整合回路は、前記第１主面に配置され、
前記スイッチ回路は、前記第２主面に配置されている、
請求項１～３のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
前記整合回路は、前記第１主面に配置され、
前記スイッチ回路は、前記第２主面に配置されている、
請求項１～３のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
【請求項11】
モジュール基板と、
前記モジュール基板に配置され、第１電力増幅器及び第２電力増幅器を含む集積回路と、
前記モジュール基板に配置された整合回路と、
前記モジュール基板に配置され、前記第１電力増幅器の出力端及び前記第２電力増幅器の出力端の間に接続される一次コイルと前記整合回路及びグランドの間に接続される二次コイルとを含むバランと、
前記モジュール基板に配置され、前記一次コイルの両端部の間の接続部に切り替え可能に接続される第１電源端子及び第２電源端子と、
前記モジュール基板に配置され、前記第１電源端子及び前記第２電源端子と前記一次コイルとの間に接続されるスイッチ回路と、
前記モジュール基板に配置され、前記スイッチ回路の出力端子と前記一次コイルの前記接続部との間を電気的に接続する電源ラインと、を備え、
前記モジュール基板は、所定方向に沿って第１領域、第２領域及び第３領域に分割され、前記第２領域は、前記第１領域及び前記第３領域の間に位置し、
前記所定方向は、前記モジュール基板の平面視において、前記一次コイルの両端部を結ぶ線分と垂直な方向であり、
前記バランは、前記第２領域に配置され、前記第１領域及び前記第３領域に配置されず、
前記スイッチ回路の前記出力端子は、前記第２領域又は前記第３領域に配置され、
前記整合回路は、前記第１領域に配置され、前記第２領域に配置されていない、
高周波モジュール。
前記モジュール基板に配置され、第１電力増幅器及び第２電力増幅器を含む集積回路と、
前記モジュール基板に配置された整合回路と、
前記モジュール基板に配置され、前記第１電力増幅器の出力端及び前記第２電力増幅器の出力端の間に接続される一次コイルと前記整合回路及びグランドの間に接続される二次コイルとを含むバランと、
前記モジュール基板に配置され、前記一次コイルの両端部の間の接続部に切り替え可能に接続される第１電源端子及び第２電源端子と、
前記モジュール基板に配置され、前記第１電源端子及び前記第２電源端子と前記一次コイルとの間に接続されるスイッチ回路と、
前記モジュール基板に配置され、前記スイッチ回路の出力端子と前記一次コイルの前記接続部との間を電気的に接続する電源ラインと、を備え、
前記モジュール基板は、所定方向に沿って第１領域、第２領域及び第３領域に分割され、前記第２領域は、前記第１領域及び前記第３領域の間に位置し、
前記所定方向は、前記モジュール基板の平面視において、前記一次コイルの両端部を結ぶ線分と垂直な方向であり、
前記バランは、前記第２領域に配置され、前記第１領域及び前記第３領域に配置されず、
前記スイッチ回路の前記出力端子は、前記第２領域又は前記第３領域に配置され、
前記整合回路は、前記第１領域に配置され、前記第２領域に配置されていない、
高周波モジュール。
【請求項12】
前記スイッチ回路は、前記第３領域に配置され、
前記バランは、前記整合回路と前記スイッチ回路との間に配置されている、
請求項１１に記載の高周波モジュール。
前記バランは、前記整合回路と前記スイッチ回路との間に配置されている、
請求項１１に記載の高周波モジュール。
【請求項13】
前記第１電源端子及び前記第２電源端子は、前記第３領域に配置されている、
請求項１２に記載の高周波モジュール。
請求項１２に記載の高周波モジュール。
【請求項14】
前記スイッチ回路は、前記第２領域に配置され、
前記バランは、前記集積回路及び前記スイッチ回路の間に配置されている、
請求項１１に記載の高周波モジュール。
前記バランは、前記集積回路及び前記スイッチ回路の間に配置されている、
請求項１１に記載の高周波モジュール。
【請求項15】
前記第１電源端子及び前記第２電源端子は、前記第２領域に配置されている、
請求項１４に記載の高周波モジュール。
請求項１４に記載の高周波モジュール。
【請求項16】
前記整合回路に接続される前記二次コイルの端部は、前記二次コイルのうち前記第３領域の最も遠くに位置する、
請求項１１～１５のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
請求項１１～１５のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
【請求項17】
前記高周波モジュールは、さらに、前記第２領域に配置され、前記電源ラインとグランドとの間に接続されるキャパシタを備える、
請求項１１～１５のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
請求項１１～１５のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
【請求項18】
前記キャパシタは、前記モジュール基板の平面視において、前記一次コイル及び前記二次コイルの内部に配置されている、
請求項１７に記載の高周波モジュール。
請求項１７に記載の高周波モジュール。
【請求項19】
前記一次コイル及び前記二次コイルは、前記モジュール基板のパターン配線によって構成されている、
請求項１１～１５のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
請求項１１～１５のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
【請求項20】
前記二次コイルは、前記モジュール基板の複数のレイヤに形成されている、
請求項１９に記載の高周波モジュール。
請求項１９に記載の高周波モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、高周波モジュールに関する。
【背景技術】
【0002】
特許文献１には、高周波信号の増幅に差動増幅器が図られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０２２－１７０２２４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
しかしながら、上記従来の技術において、差動増幅器に供給される電源電圧を切り替え可能に構成すると、電源ラインにノイズが侵入しやすくなる。そのような電源ラインが整合回路と結合して整合回路にノイズが漏洩することで、高周波モジュールの特性が劣化する場合がある。
【0005】
そこで、本発明は、差動増幅器に供給される電源電圧を切り替え可能に構成する場合であっても特性の劣化を抑制することができる高周波モジュールを提供する。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本発明の一態様に係る高周波モジュールは、モジュール基板と、モジュール基板に配置され、第１電力増幅器及び第２電力増幅器を含む集積回路と、モジュール基板に配置された整合回路と、モジュール基板に配置され、第１電力増幅器の出力端及び第２電力増幅器の出力端の間に接続される一次コイルと整合回路及びグランドの間に接続される二次コイルとを含むバランと、モジュール基板に配置され、一次コイルの両端部の間の接続部に切り替え可能に接続される第１電源端子及び第２電源端子と、モジュール基板に配置され、第１電源端子及び第２電源端子と一次コイルとの間に接続されるスイッチ回路と、モジュール基板に配置され、スイッチ回路と一次コイルの接続部との間を電気的に接続する電源ラインと、を備え、モジュール基板の平面視において、電源ラインと整合回路との間の所定方向と垂直な方向に沿った第１距離は、電源ラインとバランの外縁上の所定点との間の所定方向と垂直な方向に沿った第２距離よりも長く、所定方向と垂直な方向は、一次コイルの両端部を結ぶ線分と平行な方向であり、所定点は、線分の垂直二等分線から最も離れたバランの外縁上の点である。
【0007】
本発明の一態様に係る高周波モジュールは、モジュール基板と、モジュール基板に配置され、第１電力増幅器及び第２電力増幅器を含む集積回路と、モジュール基板に配置された整合回路と、モジュール基板に配置され、第１電力増幅器の出力端及び第２電力増幅器の出力端の間に接続される一次コイルと整合回路及びグランドの間に接続される二次コイルとを含むバランと、モジュール基板に配置され、一次コイルの両端部の間の接続部に切り替え可能に接続される第１電源端子及び第２電源端子と、モジュール基板に配置され、第１電源端子及び第２電源端子と一次コイルとの間に接続されるスイッチ回路と、モジュール基板に配置され、スイッチ回路の出力端子と一次コイルの接続部との間を電気的に接続する電源ラインと、を備え、モジュール基板は、所定方向に沿って第１領域、第２領域及び第３領域に分割され、第２領域は、第１領域及び第３領域の間に位置し、所定方向は、モジュール基板の平面視において、一次コイルの両端部を結ぶ線分と垂直な方向であり、バランは、第２領域に配置され、第１領域及び第３領域に配置されず、スイッチ回路の出力端子は、第２領域又は第３領域に配置され、整合回路は、第１領域に配置され、第２領域に配置されていない。
【発明の効果】
【0008】
本発明によれば、差動増幅器に供給される電源電圧を切り替え可能に構成する場合であっても高周波モジュールの特性の劣化を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【0009】
【発明を実施するための形態】
【0010】
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。なお、以下で説明する実施の形態は、いずれも包括的又は具体的な例を示すものである。以下の実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置及び接続形態などは、一例であり、本発明を限定する主旨ではない。
【0011】
なお、各図は、本発明を示すために適宜強調、省略、又は比率の調整を行った模式図であり、必ずしも厳密に図示されたものではなく、実際の形状、位置関係、及び比率とは異なる場合がある。各図において、実質的に同一の構成に対しては同一の符号を付しており、重複する説明は省略又は簡素化される場合がある。
【0012】
以下の各図において、ｘ軸及びｙ軸は、モジュール基板の主面と平行な平面上で互いに直交する軸である。具体的には、平面視においてモジュール基板が矩形状を有する場合、ｘ軸は、モジュール基板の第１辺に平行であり、ｙ軸は、モジュール基板の第１辺と直交する第２辺に平行である。また、ｚ軸は、モジュール基板の主面に垂直な軸であり、その正方向は上方向を示し、その負方向は下方向を示す。
【0013】
以下の説明において、「接続される」とは、接続端子及び／又は配線導体で直接接続される場合だけでなく、他の回路素子を介して電気的に接続される場合も含む。「直接接続される」とは、他の回路素子を介さずに接続端子及び／又は配線導体で直接接続されることを意味する。「ＣがＡ及びＢの間に接続される」とは、Ｃの一端がＡに接続され、Ｃの他端がＢに接続されることを意味し、Ａ及びＢの間を結ぶ経路にＣが直列配置されることを意味する。「Ａ及びＢの間を結ぶ経路」とは、ＡをＢに電気的に接続する導体で構成された経路を意味する。
【0014】
「端子」とは、要素内の導体が終了するポイントを意味する。なお、要素間の導体のインピーダンスが十分に低い場合には、端子は、単一のポイントだけでなく、要素間の導体上の任意のポイント又は導体全体と解釈される。
【0015】
「部品が基板に配置される」とは、部品が基板の主面に配置されること、及び、部品が基板内に配置されることを含む。「部品が基板の主面に配置される」とは、部品が基板の主面に接触して配置されることに加えて、部品が主面と接触せずに当該主面の上方に配置されること（例えば、部品が主面と接触して配置された他の部品上に積層されること）を含む。また、「部品が基板の主面に配置される」は、主面に形成された凹部に部品が配置されることを含んでもよい。「部品が基板内に配置される」とは、部品がモジュール基板内にカプセル化されることに加えて、部品の全部が基板の両主面の間に配置されているが部品の一部が基板に覆われていないこと、及び、部品の一部のみが基板内に配置されていることを含む。
【0016】
「ＡがＢ及びＣの間に配置される」とは、Ｂ内の任意の点とＣ内の任意の点とを結ぶ複数の線分のうちの少なくとも１つがＡを通ることを意味する。「Ａ及びＢの間の距離」とは、Ａ及びＢの間の最短距離を意味する。つまり、「Ａ及びＢの間の距離」とは、Ａの表面上の任意の点とＢの表面上の任意の点とを結ぶ複数の線分のうち最も短い線分の長さを意味する。
【0017】
「モジュール基板の平面視」とは、ｚ軸正側からｘｙ平面に物体を正投影して見ることを意味する。「Ａは平面視においてＢと重なる」とは、ｘｙ平面に正投影されたＡの領域が、ｘｙ平面に正投影されたＢの領域と重なることを意味する。また、「ＡがＢ及びＣの間に配置される」とは、Ｂ内の任意の点とＣ内の任意の点とを結ぶ複数の線分のうちの少なくとも１つがＡを通ることを意味する。
【0018】
また、「平行」及び「垂直」などの要素間の関係性を示す用語、及び、「矩形」などの要素の形状を示す用語、並びに、数値範囲は、厳格な意味のみを表すのではなく、実質的に同等な範囲、例えば数％程度の誤差をも含むことを意味する。
【0019】
（実施の形態１）
実施の形態１について説明する。本実施の形態に係る通信装置５は、無線接続を提供するために使用することができる。例えば、携帯電話、スマートフォン、タブレットコンピュータ、ウェアラブル・デバイスなどのセルラーネットワーク（モバイルネットワークともいう）におけるユーザ端末（ＵＥ：User Equipment）に通信装置５を実装することができる。別の例では、通信装置５を実装することで、ＩｏＴ（Internet of Things）センサ・デバイス、医療／ヘルスケア・デバイス、車、無人航空機（ＵＡＶ：Unmanned Aerial Vehicle）（いわゆるドローン）、無人搬送車（ＡＧＶ：Automated Guided Vehicle）に無線接続を提供することができる。さらに別の例では、通信装置５を実装することで、無線アクセスポイント又は無線ホットスポットで無線接続を提供することもできる。
実施の形態１について説明する。本実施の形態に係る通信装置５は、無線接続を提供するために使用することができる。例えば、携帯電話、スマートフォン、タブレットコンピュータ、ウェアラブル・デバイスなどのセルラーネットワーク（モバイルネットワークともいう）におけるユーザ端末（ＵＥ：User Equipment）に通信装置５を実装することができる。別の例では、通信装置５を実装することで、ＩｏＴ（Internet of Things）センサ・デバイス、医療／ヘルスケア・デバイス、車、無人航空機（ＵＡＶ：Unmanned Aerial Vehicle）（いわゆるドローン）、無人搬送車（ＡＧＶ：Automated Guided Vehicle）に無線接続を提供することができる。さらに別の例では、通信装置５を実装することで、無線アクセスポイント又は無線ホットスポットで無線接続を提供することもできる。
【0020】
【0021】
なお、図１は、例示的な回路構成であり、通信装置５及び高周波モジュール１は、多種多様な回路実装及び回路技術のいずれかを使用して実装され得る。したがって、以下に提供される通信装置５及び高周波モジュール１の説明は、限定的に解釈されるべきではない。
【0022】
［１．１ 通信装置５の回路構成］
まず、本実施の形態に係る通信装置５の回路構成について図１を参照しながら説明する。通信装置５は、ＵＥに実装され、高周波モジュール１と、アンテナ２と、ＲＦＩＣ（Radio Frequency Integrated Circuit）３と、ＢＢＩＣ（Baseband Integrated Circuit）４と、を備える。
まず、本実施の形態に係る通信装置５の回路構成について図１を参照しながら説明する。通信装置５は、ＵＥに実装され、高周波モジュール１と、アンテナ２と、ＲＦＩＣ（Radio Frequency Integrated Circuit）３と、ＢＢＩＣ（Baseband Integrated Circuit）４と、を備える。
【0023】
高周波モジュール１は、アンテナ２とＲＦＩＣ３との間で高周波信号を伝送することができる。高周波モジュール１の回路構成については後述する。
【0024】
アンテナ２は、高周波モジュール１のアンテナ接続端子６５に接続される。アンテナ２は、高周波モジュール１から高周波信号を受けて通信装置５の外部に送信することができる。また、アンテナ２は、通信装置５の外部から高周波信号を受信して高周波モジュール１へ供給してもよい。なお、アンテナ２は、通信装置５に含まれなくてもよい。また、通信装置５は、アンテナ２に加えて、さらに１以上のアンテナを備えてもよい。
【0025】
ＲＦＩＣ３は、高周波信号を処理する信号処理回路の一例である。具体的には、ＲＦＩＣ３は、ＢＢＩＣ４から供給された送信信号をアップコンバート等により信号処理し、当該信号処理して生成された高周波送信信号を、高周波モジュール１に供給することができる。さらに、ＲＦＩＣ３は、高周波モジュール１を介して受けた高周波受信信号を、ダウンコンバート等により信号処理し、当該信号処理して生成された受信信号をＢＢＩＣ４へ供給してもよい。また、ＲＦＩＣ３は、高周波モジュール１が有するスイッチ及び電力増幅器等を制御する制御部を有してもよい。なお、ＲＦＩＣ３の制御部としての機能の一部又は全部は、ＲＦＩＣ３の外部に含まれてもよく、例えば、ＢＢＩＣ４又は高周波モジュール１に含まれてもよい。
【0026】
ＢＢＩＣ４は、高周波モジュール１が伝送する高周波信号よりも低周波の中間周波数帯域を用いて信号処理するベースバンド信号処理回路である。ＢＢＩＣ４で処理される信号としては、例えば、画像表示のための画像信号、及び／又は、スピーカを介した通話のために音声信号が用いられる。なお、ＢＢＩＣ４は、通信装置５に含まれなくてもよい。
【0027】
［１．２ 高周波モジュール１の回路構成］
次に、本実施の形態に係る高周波モジュール１の回路構成について図１を参照しながら説明する。高周波モジュール１は、電力増幅器１１及び１２と、バラン２０と、整合回路（整合ネットワーク（ＭＮ））３０と、スイッチ回路４０と、インダクタ５１と、キャパシタ５２と、電源端子６１及び６２と、高周波入力端子６３及び６４と、アンテナ接続端子６５と、を備える。
次に、本実施の形態に係る高周波モジュール１の回路構成について図１を参照しながら説明する。高周波モジュール１は、電力増幅器１１及び１２と、バラン２０と、整合回路（整合ネットワーク（ＭＮ））３０と、スイッチ回路４０と、インダクタ５１と、キャパシタ５２と、電源端子６１及び６２と、高周波入力端子６３及び６４と、アンテナ接続端子６５と、を備える。
【0028】
電力増幅器１１及び１２は、それぞれ第１電力増幅器及び第２電力増幅器の一例であり、集積回路１０に含まれる。電力増幅器１１の入力端は、高周波入力端子６３に接続され、電力増幅器１１の出力端は、集積回路１０の出力端子１０１を介してバラン２０の一次コイル２１の端部２１１に接続される。電力増幅器１２の入力端は、高周波入力端子６４に接続され、電力増幅器１２の出力端は、集積回路１０の出力端子１０２を介してバラン２０の一次コイル２１の端部２１２に接続される。
【0029】
電力増幅器１１及び１２は、差動増幅器を構成することができる。具体的には、電力増幅器１１及び１２は、電源回路（図示せず）から電源端子６１又は６２を介して供給される電源電圧Ｖｃｃ１又はＶｃｃ２を用いて、高周波入力端子６３及び６４を介してＲＦＩＣ３から供給される差動信号を増幅することができる。
【0030】
バラン２０は、トランスフォーマと呼ばれる場合もあり、差動信号（平衡信号）をシングルエンド信号（不平衡信号）に合成することができる。差動信号とは、互いに１８０度位相が異なる２つの信号であって異なる信号線を介して伝送される２つの信号を意味し、平衡信号と呼ばれる場合もある。シングルエンド信号とは、単一の信号線を介して伝送される単一の信号を意味し、不平衡信号と呼ばれる場合もある。バラン２０は、一次コイル２１及び二次コイル２２を含む。
【0031】
一次コイル２１は、電力増幅器１１の出力端及び電力増幅器１２の出力端の間に接続される。具体的には、一次コイル２１の端部２１１は、集積回路１０の出力端子１０１を介して電力増幅器１１の出力端に接続される。一次コイル２１の端部２１２は、集積回路１０の出力端子１０２を介して電力増幅器１２の出力端に接続される。さらに、一次コイル２１の端部２１１及び２１２の間の接続部２１３は、電源端子６１及び６２に切り替え可能に接続される。接続部２１３は、一次コイル２１の中点に位置してもよい。
【0032】
二次コイル２２は、整合回路３０及びグランドの間に接続される。具体的には、二次コイル２２の端部２２１は、整合回路３０に接続され、二次コイル２２の端部２２２は、グランドに接続される。
【0033】
整合回路３０は、バラン２０とアンテナ接続端子６５との間に接続され、バラン２０とアンテナ２との間のインピーダンス整合をとることができる。整合回路３０は、キャパシタ３１及び３２を含む。キャパシタ３１は、二次コイル２２の端部２２１とアンテナ接続端子６５との間に接続される。キャパシタ３２は、二次コイル２２及びキャパシタ３１の間の経路とグランドとの間に接続される。なお、整合回路３０の回路構成は、図１の構成に限定されない。例えば、整合回路３０は、インダクタを含んでもよく、キャパシタ３１及び／又は３２を含まなくてもよい。
【0034】
スイッチ回路４０は、電源端子６１及び６２と一次コイル２１との間に接続され、一次コイル２１の接続を電源端子６１及び６２の間で切り替えることができる。具体的には、スイッチ回路４０は、電源端子６１に接続される入力端子４０１と、電源端子６２に接続される入力端子４０２と、インダクタ５１を介して一次コイル２１の接続部２１３に接続される出力端子４０３と、を含む。この接続構成において、スイッチ回路４０は、例えばＲＦＩＣ３からの制御信号に基づいて、出力端子４０３を入力端子４０１及び４０２に排他的に接続することができる。スイッチ回路４０は、例えば、ＳＰＤＴ（Single-Pole Double-Throw）型のスイッチ回路で構成される。
【0035】
インダクタ５１は、いわゆるチョークインダクタであり、電源端子６１及び６２とバラン２０との間に接続される。具体的には、インダクタ５１の一端は、スイッチ回路４０を介して電源端子６１及び６２に切り替え可能に接続される。インダクタ５１の他端は、一次コイル２１の接続部２１３に接続される。なお、インダクタ５１は、高周波モジュール１に含まれなくてもよい。
【0036】
キャパシタ５２は、いわゆるバイパスキャパシタ又はデカップリングキャパシタであり、電源端子６１及び６２とバラン２０との間を接続する経路とグランドとの間に接続される。具体的には、キャパシタ５２の一端は、一次コイル２１の接続部２１３とインダクタ５１の他端との間を結ぶ経路に接続され、キャパシタ５２の他端は、グランドに接続される。なお、キャパシタ５２は、高周波モジュール１に含まれなくてもよい。
【0037】
電源端子６１及び６２は、高周波モジュール１の外部接続端子であり、高周波モジュール１外で電源回路（図示せず）に接続され、高周波モジュール１内でスイッチ回路４０の入力端子４０１及び４０２にそれぞれ接続される。
【0038】
高周波入力端子６３及び６４は、高周波モジュール１の外部接続端子であり、高周波モジュール１外でＲＦＩＣ３に接続され、高周波モジュール１内で電力増幅器１１及び１２の入力端にそれぞれ接続される。高周波入力端子６３及び６４は、ＲＦＩＣ３から差動信号を受けることができる。なお、高周波入力端子６３及び６４の一方は、ＲＦＩＣ３からシングルエンド信号を受けてもよい。この場合、高周波モジュール１は、高周波入力端子６３及び６４の他方を備えなくてもよく、シングルエンド信号を差動信号に変換するバランを備えてもよい。
【0039】
アンテナ接続端子６５は、高周波モジュール１の外部接続端子であり、高周波モジュール１外でアンテナ２に接続され、高周波モジュール１内で整合回路３０に接続される。
【0040】
なお、高周波モジュール１の回路構成は、例示であり、図１の回路構成に限定されない。例えば、高周波モジュール１は、さらに、フィルタを備えてもよい。この場合、フィルタは、例えば整合回路３０及びアンテナ接続端子６５の間に接続されてもよい。
【0041】
［１．３ 高周波モジュール１の実装例］
次に、以上のような回路構成を有する高周波モジュール１の実装例について、図２～図６を参照しながら説明する。図２は、本実施の形態に係る高周波モジュール１の平面図である。図３は、本実施の形態に係る高周波モジュール１の平面図であり、ｚ軸正側からモジュール基板９０の主面９０ｂ側を透視した図である。図４は、本実施の形態に係る高周波モジュール１の配線図である。図５は、本実施の形態に係るバラン２０の分解斜視図である。図６は、本実施の形態に係る高周波モジュール１の断面図である。図６における高周波モジュール１の断面は、図２～図４のｖｉ－ｖｉ線における断面である。
次に、以上のような回路構成を有する高周波モジュール１の実装例について、図２～図６を参照しながら説明する。図２は、本実施の形態に係る高周波モジュール１の平面図である。図３は、本実施の形態に係る高周波モジュール１の平面図であり、ｚ軸正側からモジュール基板９０の主面９０ｂ側を透視した図である。図４は、本実施の形態に係る高周波モジュール１の配線図である。図５は、本実施の形態に係るバラン２０の分解斜視図である。図６は、本実施の形態に係る高周波モジュール１の断面図である。図６における高周波モジュール１の断面は、図２～図４のｖｉ－ｖｉ線における断面である。
【0042】
図２及び図４において、各部品の配置関係が容易に理解されるように、各部品にはそれを表すラベル（例えば「ＭＮ」など）が付されているものがあるが、実際の各部品には、当該ラベルは付されなくてもよい。また、図２において、複数の回路部品を覆う樹脂部材９４と、樹脂部材９４の表面を覆うシールド電極層９５の図示が省略されている。
【0043】
なお、図２～図６は、高周波モジュール１の一実装例を示し、高周波モジュール１は、多種多様な回路実装及び回路技術のいずれかを使用して実装され得る。したがって、以下に提供される高周波モジュール１の説明は、限定的に解釈されるべきではない。
【0044】
モジュール基板９０は、互いに対向する主面９０ａ及び９０ｂを有する。主面９０ａは、第１主面の一例であり、上面又は表面と呼ばれる場合もある。主面９０ｂは、第２主面の一例であり、下面又は裏面と呼ばれる場合もある。モジュール基板９０内並びに主面９０ａ及び９０ｂ上には、配線及びビア導体などが形成されている。
【0045】
モジュール基板９０は、ｘ方向に沿って領域９１～９３に分割される。ここで、ｘ方向は、所定方向の一例であり、一次コイル２１の端部２１１及び２１２を結ぶ線分７１と垂直な方向である。具体的には、モジュール基板９０は、ｘ方向に延びる境界線９１２によって領域９１及び９２に分割され、ｘ方向に延びる境界線９２３によって領域９２及び９３に分割される。なお、境界線９１２及び９２３は、仮想的な線であり、モジュール基板９０に実際に表されなくてもよい。
【0046】
一次コイル２１の端部２１１及び２１２を結ぶ線分７１は、端部２１１の表面上の任意の点と端部２１２の表面上の任意の点とを結ぶ複数の線分のうち最も短い線分である。つまり、線分７１は、端部２１１及び２１２を最短距離で結ぶ線分である。
【0047】
領域９１～９３は、それぞれ第１領域、第２領域及び第３領域の一例であり、平面視において矩形状の領域である。領域９２は、平面視において領域９１及び９３の間に位置する。なお、本実施の形態では、モジュール基板９０及びその領域９１～９３は、平面視において矩形状を有するが、モジュール基板９０及びその領域９１～９３の形状は矩形状に限定されない。
【0048】
モジュール基板９０としては、例えば、複数の誘電体層の積層構造を有する低温同時焼成セラミックス（ＬＴＣＣ：Low Temperature Co-fired Ceramics）基板もしくは高温同時焼成セラミックス（ＨＴＣＣ：High Temperature Co-fired Ceramics）基板、部品内蔵基板、再配線層（ＲＤＬ：Redistribution Layer）を有する基板、又は、プリント基板等を用いることができるが、これらに限定されない。
【0049】
集積回路１０（ＰＡＩＣ）は、モジュール基板９０の主面９０ａ上に配置され、モジュール基板９０の領域９２に配置されている。なお、集積回路１０は、領域９１又は９３に配置されてもよい。
【0050】
集積回路１０は、電力増幅器１１及び１２を構成するヘテロ接合バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ：Heterojunction Bipolar Transistor）を含み、半導体材料を用いて製造することができる。集積回路１０の半導体材料としては、例えばシリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）又はガリウムヒ素（ＧａＡｓ）を用いることができる。
【0051】
なお、電力増幅器１１及び１２の増幅トランジスタはＨＢＴに限定されない。例えば、電力増幅器１１及び／又は１２は、ＨＥＭＴ（High Electron Mobility Transistor）又はＭＥＳＦＥＴ（Metal-Semiconductor Field Effect Transistor）で構成されてもよい。この場合、集積回路１０の半導体材料としては、窒化ガリウム（ＧａＮ）又は炭化シリコン（ＳｉＣ）が用いられてもよい。
【0052】
バラン２０（ＢＡＬＵＮ）は、その巻回軸（winding axis）がモジュール基板９０と交差するように、本実施の形態では直交するように、モジュール基板９０に配置されている。具体的には、バラン２０は、モジュール基板９０の複数のレイヤ９０１～９０４にパターン配線によって構成されている。また、バラン２０は、モジュール基板９０の領域９２に配置されており、モジュール基板９０の領域９１及び９３に配置されていない。本実施の形態では、バラン２０は、整合回路３０及びスイッチ回路４０の間に配置されている。
【0053】
一次コイル２１は、図５に示すように、レイヤ９０１及び９０４に形成されている。一次コイル２１の端部２１１及び２１２は、レイヤ９０１及び９０４に配置され、集積回路１０の出力端子１０１及び１０２に電気的に接続される。一次コイル２１の接続部２１３は、レイヤ９０１に配置され、電源ライン５００を介してスイッチ回路４０の出力端子４０３に電気的に接続される。
【0054】
二次コイル２２は、図５に示すように、レイヤ９０２及び９０３に形成されている。二次コイル２２の端部２２１は、レイヤ９０３に配置され、二次コイル２２のうち領域９３の最も遠くに位置する。逆に言えば、端部２２１は、二次コイル２２のうち領域９１の最も近くに位置する。端部２２１は、整合回路３０に電気的に接続される。二次コイル２２の端部２２２は、レイヤ９０２に配置され、グランドに電気的に接続される。レイヤ９０２及び９０３に配置された接続部２２３は、図６に示すように、ビア導体を介して互いに電気的に接続されている。
【0055】
整合回路３０（ＭＮ）は、モジュール基板９０の主面９０ａ上に配置されている。また、整合回路３０は、モジュール基板９０の領域９１に配置され、モジュール基板９０の領域９２及び９３に配置されない。整合回路３０に含まれるキャパシタ３１及び３２は、チップキャパシタとして実装されている。チップキャパシタとは、キャパシタを構成する表面実装デバイス（ＳＭＤ：Surface Mount Device）を意味する。なお、キャパシタ３１及び３２の実装は、チップキャパシタに限定されない。例えば、キャパシタ３１及び３２の一部又は全部は、集積型受動デバイス（ＩＰＤ：Integrated Passive Device）として実装されてもよく、モジュール基板９０のパターン配線で実装されてもよい。
【0056】
スイッチ回路４０（ＶＣＣ－ＳＷ）は、モジュール基板９０の主面９０ａ上に配置されている。また、スイッチ回路４０は、モジュール基板９０の領域９３に配置されており、モジュール基板９０の領域９１及び９２に配置されていない。スイッチ回路４０の入力端子４０１及び４０２並びに出力端子４０３も、モジュール基板９０の領域９３に配置されており、モジュール基板９０の領域９１及び９２に配置されていない。スイッチ回路４０としては、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ：Field Effect Transistor）を含む半導体集積回路を用いることができる。このとき、半導体材料としては、例えばシリコン（Ｓｉ）が用いられる。なお、半導体材料として、ＧａＡｓ、ＳｉＧｅ、ＧａＮ又はＳｉＣが用いられてもよい。
【0057】
インダクタ５１は、スイッチ回路４０とバラン２０との間を電気的に接続する電源ライン５００によって構成されている。インダクタ５１、つまり電源ライン５００は、モジュール基板９０の領域９２及び９３に配置されており、モジュール基板９０の領域９１に配置されていない。
【0058】
キャパシタ５２は、モジュール基板９０の主面９０ａ上に配置されている。また、キャパシタ５２は、モジュール基板９０の領域９２に配置されており、モジュール基板９０の領域９１及び９３に配置されていない。キャパシタ５２は、電源ライン５００とグランドとの間に接続される。具体的には、キャパシタ５２の端子５２１は、電源ライン５００に接続され、キャパシタ５２の端子５２２は、グランドに接続される。
【0059】
モジュール基板９０の主面９０ｂには、電源端子６１及び６２、高周波入力端子６３、６４、並びに、アンテナ接続端子６５を含む複数の外部接続端子が配置されている。複数の外部接続端子は、例えば銅電極又ははんだ電極で構成され、高周波モジュール１のｚ軸負方向に配置されたマザー基板（図示せず）上の入出力端子及び／又はグランド端子等に電気的に接続される。
【0060】
電源端子６１及び６２は、モジュール基板９０の領域９３に配置され、モジュール基板９０の平面視においてスイッチ回路４０と少なくとも部分的に重なっている。電源端子６１及び６２は、モジュール基板９０を貫通するビア導体（図示せず）などを介してスイッチ回路４０の入力端子４０１及び４０２にそれぞれ電気的に接続される。
【0061】
高周波入力端子６３及び６４は、モジュール基板９０の領域９２に配置され、モジュール基板９０の平面視において集積回路１０と少なくとも部分的に重なっている。高周波入力端子６３及び６４は、モジュール基板９０のレイヤ間を電気的に接続するビア導体（図示せず）などを介して集積回路１０の入力端子に電気的に接続される。
【0062】
アンテナ接続端子６５は、モジュール基板９０の領域９１に配置されている。アンテナ接続端子６５は、モジュール基板９０を貫通するビア導体（図示せず）などを介して整合回路３０に電気的に接続される。
【0063】
樹脂部材９４は、モジュール基板９０の主面９０ａ上に配置された部品を覆っている。樹脂部材９４は、例えばエポキシ樹脂で構成され、主面９０ａ上の複数の電子部品の機械強度及び耐湿性等の信頼性を確保する機能を有する。なお、樹脂部材９４は、高周波モジュール１に含まれなくてもよい。
【0064】
シールド電極層９５は、例えばスパッタ法により形成された金属薄膜である。シールド電極層９５は、樹脂部材９４の表面（上面及び側面）を覆うように形成されている。シールド電極層９５は、グランドに接続され、外来ノイズが高周波モジュール１を構成する電子部品に侵入すること、及び、高周波モジュール１で発生したノイズが他のモジュール又は他の機器に干渉することを抑制する。なお、シールド電極層９５は、高周波モジュール１に含まれなくてもよい。
【0065】
金属壁９６（ＳＣＷ）は、銅シールド壁であり、モジュール基板９０の主面９０ａ上で整合回路３０とスイッチ回路４０との間に配置されている。金属壁９６は、モジュール基板９０の主面９０ａからｚ方向に向けて立設されている。金属壁９６の先端は、シールド電極層９５に接合されてもよく、グランドに接続されている。
【0066】
なお、金属壁９６の材料は、銅に限定されない。例えば、金属壁９６の材料はアルミニウムであってもよい。また、金属壁９６の形状は、板に限定されない。例えば、金属壁９６は、複数のポスト電極で構成されてもよい。また、金属壁９６に加えて、又は、金属壁９６の代わりに、モジュール基板９０のグランドパターン電極が、整合回路３０とスイッチ回路４０との間に配置されてもよい。また、金属壁９６は、高周波モジュール１に含まれなくてもよい。
【0067】
図４に示すように、モジュール基板９０の平面視において、電源ライン５００と整合回路３０との間のｙ方向に沿った距離Ｄ１（第１距離の一例）は、電源ライン５００とバラン２０の外縁上の点７２との間のｙ方向に沿った距離Ｄ２（第２距離の一例）よりも長い。ここで、ｙ方向は、所定方向と垂直な方向の一例であり、一次コイル２１の端部２１１及び２１２を結ぶ線分７１と平行な方向である。点７２は、所定点の一例であり、線分７１の垂直二等分線から最も離れたバラン２０の外縁上の点である。
【0068】
［１．４ 効果など］
以上のように、本実施の形態に係る高周波モジュール１は、モジュール基板９０と、モジュール基板９０に配置され、電力増幅器１１及び１２を含む集積回路１０と、モジュール基板９０に配置された整合回路３０と、モジュール基板９０に配置され、電力増幅器１１の出力端及び電力増幅器１２の出力端の間に接続される一次コイル２１と整合回路３０及びグランドの間に接続される二次コイル２２とを含むバラン２０と、モジュール基板９０に配置され、一次コイル２１の端部２１１及び２１２の間の接続部２１３に切り替え可能に接続される電源端子６１及び６２と、モジュール基板９０に配置され、電源端子６１及び６２と一次コイル２１との間に接続されるスイッチ回路４０と、モジュール基板９０に配置され、スイッチ回路４０と一次コイル２１の接続部２１３との間を電気的に接続する電源ライン５００と、を備え、モジュール基板９０は、所定方向に沿って領域９１～９３に分割され、領域９２は、領域９１及び９３の間に位置し、所定方向は、モジュール基板９０の平面視において、一次コイル２１の端部２１１及び２１２を結ぶ線分７１と垂直なｘ方向であり、バラン２０は、領域９２に配置され、領域９１及び９３に配置されず、スイッチ回路４０の出力端子４０３は、領域９３に配置され、整合回路３０は、領域９１に配置され、領域９２に配置されていない。
以上のように、本実施の形態に係る高周波モジュール１は、モジュール基板９０と、モジュール基板９０に配置され、電力増幅器１１及び１２を含む集積回路１０と、モジュール基板９０に配置された整合回路３０と、モジュール基板９０に配置され、電力増幅器１１の出力端及び電力増幅器１２の出力端の間に接続される一次コイル２１と整合回路３０及びグランドの間に接続される二次コイル２２とを含むバラン２０と、モジュール基板９０に配置され、一次コイル２１の端部２１１及び２１２の間の接続部２１３に切り替え可能に接続される電源端子６１及び６２と、モジュール基板９０に配置され、電源端子６１及び６２と一次コイル２１との間に接続されるスイッチ回路４０と、モジュール基板９０に配置され、スイッチ回路４０と一次コイル２１の接続部２１３との間を電気的に接続する電源ライン５００と、を備え、モジュール基板９０は、所定方向に沿って領域９１～９３に分割され、領域９２は、領域９１及び９３の間に位置し、所定方向は、モジュール基板９０の平面視において、一次コイル２１の端部２１１及び２１２を結ぶ線分７１と垂直なｘ方向であり、バラン２０は、領域９２に配置され、領域９１及び９３に配置されず、スイッチ回路４０の出力端子４０３は、領域９３に配置され、整合回路３０は、領域９１に配置され、領域９２に配置されていない。
【0069】
別の見地によれば、本実施の形態に係る高周波モジュール１は、モジュール基板９０と、モジュール基板９０に配置され、電力増幅器１１及び１２を含む集積回路１０と、モジュール基板９０に配置された整合回路３０と、モジュール基板９０に配置され、電力増幅器１１の出力端及び電力増幅器１２の出力端の間に接続される一次コイル２１と整合回路３０及びグランドの間に接続される二次コイル２２とを含むバラン２０と、モジュール基板９０に配置され、一次コイル２１の端部２１１及び２１２の間の接続部２１３に切り替え可能に接続される電源端子６１及び６２と、モジュール基板９０に配置され、電源端子６１及び６２と一次コイル２１との間に接続されるスイッチ回路４０と、モジュール基板９０に配置され、スイッチ回路４０と一次コイル２１の接続部２１３との間を電気的に接続する電源ライン５００と、を備え、モジュール基板９０の平面視において、電源ライン５００と整合回路３０との間の所定方向と垂直な方向に沿った距離Ｄ１は、電源ライン５００とバラン２０の外縁上の所定点との間の所定方向と垂直な方向に沿った距離Ｄ２よりも長く、所定方向と垂直な方向は、一次コイル２１の端部２１１及び２１２を結ぶ線分７１と平行なｙ方向であり、所定点は、線分７１の垂直二等分線から最も離れたバラン２０の外縁上の点７２である。
【0070】
これらによれば、整合回路３０が領域９２に配置される場合よりも、整合回路３０を一次コイル２１の接続部２１３及びスイッチ回路４０の出力端子４０３から離すことができ、整合回路３０を電源ライン５００から離すことができる。したがって、電源ライン５００から整合回路３０へのノイズの漏洩を抑制することができ、高周波モジュール１の特性の劣化を抑制することができる。特に、差動増幅器（電力増幅器１１及び１２）に供給される電源電圧を切り替えるためのスイッチ回路４０によって電源ライン５００に流入するノイズが増加しても、電源ライン５００と整合回路３０との間の結合を抑制することができ、高周波モジュール１の特性の劣化を効果的に抑制することができる。
【0071】
また例えば、本実施の形態に係る高周波モジュール１において、スイッチ回路４０は、領域９３に配置され、バラン２０は、整合回路３０とスイッチ回路４０との間に配置されてもよい。
【0072】
これよれば、スイッチ回路４０を領域９３に配置して、整合回路３０とスイッチ回路４０との間にバラン２０を介在させることで、整合回路３０をスイッチ回路４０から離すことができ、スイッチ回路４０から整合回路３０へのノイズの漏洩を抑制することができる。
【0073】
また例えば、本実施の形態に係る高周波モジュール１において、電源端子６１及び６２は、領域９３に配置されてもよい。
【0074】
また例えば、本実施の形態に係る高周波モジュール１において、電源端子６１及び６２の各々は、モジュール基板９０の平面視において、スイッチ回路４０と少なくとも部分的に重なってもよい。
【0075】
これらによれば、電源端子６１及び６２の各々とスイッチ回路４０との間の配線長を短くすることができ、電源端子６１及び６２の各々とスイッチ回路４０との間の配線からのノイズの影響を抑制することができる。
【0076】
また例えば、本実施の形態に係る高周波モジュール１において、整合回路３０に接続される二次コイル２２の端部２２１は、二次コイル２２のうち領域９３の最も遠くに位置してもよい。
【0077】
これによれば、整合回路３０に接続される二次コイル２２の端部２２１をスイッチ回路４０から離すことができ、スイッチ回路４０から整合回路３０へのノイズの漏洩を抑制することができる。
【0078】
また例えば、本実施の形態に係る高周波モジュール１は、さらに、領域９２に配置され、電源ライン５００とグランドとの間に接続されるキャパシタ５２を備えてもよい。
【0079】
これによれば、電源ライン５００上のノイズを低減することができる。
【0080】
また例えば、本実施の形態に係る高周波モジュール１において、一次コイル２１及び二次コイル２２は、モジュール基板９０のパターン配線によって構成されてもよい。
【0081】
これによれば、高周波モジュール１の部品数を削減することができる。
【0082】
また例えば、本実施の形態に係る高周波モジュール１において、二次コイル２２は、モジュール基板９０の複数のレイヤ９０２及び９０３に形成されてもよい。
【0083】
これによれば、二次コイル２２が単一のレイヤに形成される場合よりも、二次コイル２２の端部２２１の配置の自由度を増加させることができ、端部２２１をスイッチ回路４０から離すことを容易にすることができ、ノイズの低減に効果的である。
【0084】
また例えば、本実施の形態に係る高周波モジュール１は、さらに、整合回路３０とスイッチ回路４０との間に配置された金属壁９６を備えてもよい。
【0085】
これによれば、整合回路３０とスイッチ回路４０との間の結合を抑制することができ、スイッチ回路４０から整合回路３０へのノイズの漏洩を抑制することができる。
【0086】
（実施の形態２）
次に、実施の形態２について説明する。本実施の形態では、スイッチ回路４０及びキャパシタ５２の配置が実施の形態１と主として異なる。以下に、本実施の形態について、実施の形態１と異なる点を中心に図面を参照しながら具体的に説明する。
次に、実施の形態２について説明する。本実施の形態では、スイッチ回路４０及びキャパシタ５２の配置が実施の形態１と主として異なる。以下に、本実施の形態について、実施の形態１と異なる点を中心に図面を参照しながら具体的に説明する。
【0087】
なお、本実施の形態に係る高周波モジュール１Ａの回路構成は、インダクタ５１が省略される点を除いて実施の形態１に係る高周波モジュール１の回路構成と同様であるので、その図示及び説明を省略する。
【0088】
［２．１ 高周波モジュール１Ａの実装例］
本実施の形態に係る高周波モジュール１Ａの実装例について、図７～図９を参照しながら説明する。図７は、本実施の形態に係る高周波モジュール１Ａの平面図である。図８は、本実施の形態に係る高周波モジュール１Ａの平面図であり、ｚ軸正側からモジュール基板９０の主面９０ｂ側を透視した図である。図９は、本実施の形態に係る高周波モジュール１Ａの配線図である。
本実施の形態に係る高周波モジュール１Ａの実装例について、図７～図９を参照しながら説明する。図７は、本実施の形態に係る高周波モジュール１Ａの平面図である。図８は、本実施の形態に係る高周波モジュール１Ａの平面図であり、ｚ軸正側からモジュール基板９０の主面９０ｂ側を透視した図である。図９は、本実施の形態に係る高周波モジュール１Ａの配線図である。
【0089】
図７及び図９において、各部品の配置関係が容易に理解されるように、各部品にはそれを表すラベルが付されているものがあるが、実際の各部品には、当該ラベルは付されなくてもよい。また、図７において、複数の回路部品を覆う樹脂部材９４と、樹脂部材９４の表面を覆うシールド電極層９５の図示が省略されている。また、図７では、本発明に必須ではない任意の回路部品にハッチングが付されている。
【0090】
なお、図７～図９は、高周波モジュール１Ａの一実装例を示し、高周波モジュール１Ａは、多種多様な回路実装及び回路技術のいずれかを使用して実装され得る。したがって、以下に提供される高周波モジュール１Ａの説明は、限定的に解釈されるべきではない。
【0091】
スイッチ回路４０は、モジュール基板９０の領域９１～９３に配置され、主として領域９２に配置されている。本実施の形態では、スイッチ回路４０の入力端子４０１及び４０２並びに出力端子４０３は、モジュール基板９０の領域９２に配置されており、モジュール基板９０の領域９１及び９３に配置されていない。バラン２０は、集積回路１０及びスイッチ回路４０の間に配置されている。
【0092】
電源端子６１及び６２は、モジュール基板９０の領域９２に配置され、モジュール基板９０の平面視においてスイッチ回路４０と少なくとも部分的に重なっている。
【0093】
キャパシタ５２は、モジュール基板９０の領域９２に配置され、モジュール基板９０の平面視において一次コイル２１及び二次コイル２２の内部に配置されている。
【0094】
図９に示すように、本実施の形態においても、実施の形態１と同様に、モジュール基板９０の平面視において、電源ライン５００と整合回路３０との間のｙ方向に沿った距離Ｄ１（第１距離の一例）は、電源ライン５００とバラン２０の外縁上の点７２との間のｙ方向に沿った距離Ｄ２（第２距離の一例）よりも長い。
【0095】
なお、本実施の形態では、高周波モジュール１Ａは、金属壁９６を備えていないが、実施の形態１と同様に、整合回路３０とスイッチ回路４０との間に配置された金属壁９６を備えてもよい。
【0096】
［２．２ 効果など］
以上のように、本実施の形態に係る高周波モジュール１Ａは、モジュール基板９０と、モジュール基板９０に配置され、電力増幅器１１及び１２を含む集積回路１０と、モジュール基板９０に配置された整合回路３０と、モジュール基板９０に配置され、電力増幅器１１の出力端及び電力増幅器１２の出力端の間に接続される一次コイル２１と整合回路３０及びグランドの間に接続される二次コイル２２とを含むバラン２０と、モジュール基板９０に配置され、一次コイル２１の端部２１１及び２１２の間の接続部２１３に切り替え可能に接続される電源端子６１及び６２と、モジュール基板９０に配置され、電源端子６１及び６２と一次コイル２１との間に接続されるスイッチ回路４０と、モジュール基板９０に配置され、スイッチ回路４０の出力端子４０３と一次コイル２１の接続部２１３との間を電気的に接続する電源ライン５００と、を備え、モジュール基板９０は、所定方向に沿って領域９１～９３に分割され、領域９２は、領域９１及び９３の間に位置し、所定方向は、モジュール基板９０の平面視において、一次コイル２１の端部２１１及び２１２を結ぶ線分７１と垂直なｘ方向であり、バラン２０は、領域９２に配置され、領域９１及び９３に配置されず、スイッチ回路４０の出力端子４０３は、領域９２に配置され、整合回路３０は、領域９１に配置され、領域９２に配置されていない。
以上のように、本実施の形態に係る高周波モジュール１Ａは、モジュール基板９０と、モジュール基板９０に配置され、電力増幅器１１及び１２を含む集積回路１０と、モジュール基板９０に配置された整合回路３０と、モジュール基板９０に配置され、電力増幅器１１の出力端及び電力増幅器１２の出力端の間に接続される一次コイル２１と整合回路３０及びグランドの間に接続される二次コイル２２とを含むバラン２０と、モジュール基板９０に配置され、一次コイル２１の端部２１１及び２１２の間の接続部２１３に切り替え可能に接続される電源端子６１及び６２と、モジュール基板９０に配置され、電源端子６１及び６２と一次コイル２１との間に接続されるスイッチ回路４０と、モジュール基板９０に配置され、スイッチ回路４０の出力端子４０３と一次コイル２１の接続部２１３との間を電気的に接続する電源ライン５００と、を備え、モジュール基板９０は、所定方向に沿って領域９１～９３に分割され、領域９２は、領域９１及び９３の間に位置し、所定方向は、モジュール基板９０の平面視において、一次コイル２１の端部２１１及び２１２を結ぶ線分７１と垂直なｘ方向であり、バラン２０は、領域９２に配置され、領域９１及び９３に配置されず、スイッチ回路４０の出力端子４０３は、領域９２に配置され、整合回路３０は、領域９１に配置され、領域９２に配置されていない。
【0097】
別の見地によれば、本実施の形態に係る高周波モジュール１Ａは、モジュール基板９０と、モジュール基板９０に配置され、電力増幅器１１及び１２を含む集積回路１０と、モジュール基板９０に配置された整合回路３０と、モジュール基板９０に配置され、電力増幅器１１の出力端及び電力増幅器１２の出力端の間に接続される一次コイル２１と整合回路３０及びグランドの間に接続される二次コイル２２とを含むバラン２０と、モジュール基板９０に配置され、一次コイル２１の端部２１１及び２１２の間の接続部２１３に切り替え可能に接続される電源端子６１及び６２と、モジュール基板９０に配置され、電源端子６１及び６２と一次コイル２１との間に接続されるスイッチ回路４０と、モジュール基板９０に配置され、スイッチ回路４０と一次コイル２１の接続部２１３との間を電気的に接続する電源ライン５００と、を備え、モジュール基板９０の平面視において、電源ライン５００と整合回路３０との間の所定方向と垂直な方向に沿った距離Ｄ１は、電源ライン５００とバラン２０の外縁上の所定点との間の所定方向と垂直な方向に沿った距離Ｄ２よりも長く、所定方向と垂直な方向は、一次コイル２１の端部２１１及び２１２を結ぶ線分７１と平行なｙ方向であり、所定点は、線分７１の垂直二等分線から最も離れたバラン２０の外縁上の点７２である。
【0098】
これらによれば、整合回路３０が領域９２に配置される場合よりも、整合回路３０を一次コイル２１の接続部２１３及びスイッチ回路４０の出力端子４０３から離すことができ、整合回路３０を電源ライン５００から離すことができる。したがって、電源ライン５００から整合回路３０へのノイズの漏洩を抑制することができ、高周波モジュール１の特性の劣化を抑制することができる。特に、差動増幅器（電力増幅器１１及び１２）に供給される電源電圧を切り替えるためのスイッチ回路４０によって電源ライン５００に流入するノイズが増加しても、電源ライン５００と整合回路３０との間の結合を抑制することができ、高周波モジュール１Ａの特性の劣化を効果的に抑制することができる。
【0099】
また例えば、本実施の形態に係る高周波モジュール１Ａにおいては、スイッチ回路４０は、領域９２に配置されてもよく、バラン２０は、集積回路１０及びスイッチ回路４０の間に配置されてもよい。
【0100】
これによれば、スイッチ回路４０が領域９２に配置され、集積回路１０とスイッチ回路４０との間にバラン２０が配置される。その結果、一次コイル２１の端部２２１及び２２２と逆側に位置する接続部２１３とスイッチ回路４０との間の電源ライン５００を短縮することができ、電源ライン５００からのノイズの影響を抑制することができる。
【0101】
また例えば、本実施の形態に係る高周波モジュール１Ａにおいて、電源端子６１及び６２は、第２領域９２に配置されてもよい。
【0102】
また例えば、本実施の形態に係る高周波モジュール１Ａにおいて、電源端子６１及び６２の各々は、モジュール基板９０の平面視において、スイッチ回路４０と少なくとも部分的に重なってもよい。
【0103】
これらによれば、電源端子６１及び６２の各々とスイッチ回路４０との間の配線長を短くすることができ、電源端子６１及び６２の各々とスイッチ回路４０との間の配線からのノイズの影響を抑制することができる。
【0104】
また例えば、本実施の形態に係る高周波モジュール１Ａは、さらに、領域９２に配置され、電源ライン５００とグランドとの間に接続されるキャパシタ５２を備えてもよい。
【0105】
これによれば、電源ライン５００上のノイズを低減することができる。
【0106】
また例えば、本実施の形態に係る高周波モジュール１Ａにおいて、キャパシタ５２は、モジュール基板９０の平面視において、一次コイル２１及び二次コイル２２の内部に配置されてもよい。
【0107】
これによれば、スイッチ回路４０とバラン２０との間にキャパシタ５２を配置しなくてもよいので、スイッチ回路４０及びバラン２０の間の電源ライン５００を短縮することができる。
【0108】
また例えば、本実施の形態に係る高周波モジュール１Ａにおいて、一次コイル２１及び二次コイル２２は、モジュール基板９０のパターン配線によって構成されてもよい。
【0109】
これによれば、高周波モジュール１Ａの部品数を削減することができる。
【0110】
また例えば、本実施の形態に係る高周波モジュール１Ａにおいて、二次コイル２２は、モジュール基板９０の複数のレイヤ９０２及び９０３に形成されてもよい。
【0111】
これによれば、二次コイル２２が単一のレイヤに形成される場合よりも、二次コイル２２の端部２２１の配置の自由度を増加させることができ、端部２２１をスイッチ回路４０から離すことを容易にすることができ、ノイズの低減に効果的である。
【0112】
（他の実施の形態）
以上、本発明に係る高周波モジュールについて、実施の形態に基づいて説明したが、本発明に係る高周波モジュールは、上記実施の形態に限定されるものではない。上記実施の形態における任意の構成要素を組み合わせて実現される別の実施の形態や、上記実施の形態に対して本発明の主旨を逸脱しない範囲で当業者が思いつく各種変形を施して得られる変形例や、上記高周波モジュールを内蔵した各種機器も本発明に含まれる。
以上、本発明に係る高周波モジュールについて、実施の形態に基づいて説明したが、本発明に係る高周波モジュールは、上記実施の形態に限定されるものではない。上記実施の形態における任意の構成要素を組み合わせて実現される別の実施の形態や、上記実施の形態に対して本発明の主旨を逸脱しない範囲で当業者が思いつく各種変形を施して得られる変形例や、上記高周波モジュールを内蔵した各種機器も本発明に含まれる。
【0113】
例えば、上記各実施の形態に係る高周波モジュールの回路構成において、図面に開示された各回路素子及び信号経路を接続する経路の間に、別の回路素子及び配線などが挿入されてもよい。例えば、整合回路３０とアンテナ接続端子６５との間にフィルタが挿入されてもよい。
【0114】
なお、上記各本実施の形態において、バラン２０は、モジュール基板９０のパターン配線によって構成されていたが、これに限定されない。例えば、バラン２０は、ＳＭＤによって構成されてもよい。
【0115】
また、上記各実施の形態において高周波モジュールの回路部品は、モジュール基板９０の片方の主面９０ａに配置されていたが、両方の主面９０ａ及び９０ｂに配置されてよい。例えば、図１０～図１２に示すように、高周波モジュール１において、整合回路３０は、主面９０ａに配置され、スイッチ回路４０は、主面９０ｂに配置されてもよい。これによれば、整合回路３０とスイッチ回路４０と間の結合を抑制することができ、スイッチ回路４０から整合回路３０へのノイズの漏洩を抑制することができる。また例えば、スイッチ回路４０に加えて、電源ライン５００及びキャパシタ５２も、主面９０ｂに配置されてもよい。これによれば、スイッチ回路４０、電源ライン５００及びキャパシタ５２の配置の自由度を向上させることができ、例えば、モジュール基板９０の平面視においてバラン２０と少なくとも部分的に重複するようにスイッチ回路４０を主面９０ｂに配置することができる。その結果、電源ライン５００の長さを短縮することができ、電源ライン５００からのノイズの影響を抑制することができる。また、主面９０ａに配置された整合回路３０を電源ライン５００から離すことができ、電源ライン５００から整合回路３０へのノイズの漏洩をさらに抑制することができる。
【0116】
以下に、上記各実施の形態に基づいて説明した高周波モジュールの特徴を示す。
【0117】
＜１＞
モジュール基板と、
前記モジュール基板に配置され、第１電力増幅器及び第２電力増幅器を含む集積回路と、
前記モジュール基板に配置された整合回路と、
前記モジュール基板に配置され、前記第１電力増幅器の出力端及び前記第２電力増幅器の出力端の間に接続される一次コイルと前記整合回路及びグランドの間に接続される二次コイルとを含むバランと、
前記モジュール基板に配置され、前記一次コイルの両端部の間の接続部に切り替え可能に接続される第１電源端子及び第２電源端子と、
前記モジュール基板に配置され、前記第１電源端子及び前記第２電源端子と前記一次コイルとの間に接続されるスイッチ回路と、
前記モジュール基板に配置され、前記スイッチ回路と前記一次コイルの前記接続部との間を電気的に接続する電源ラインと、を備え、
前記モジュール基板の平面視において、前記電源ラインと前記整合回路との間の所定方向と垂直な方向に沿った第１距離は、前記電源ラインと前記バランの外縁上の所定点との間の前記所定方向と垂直な方向に沿った第２距離よりも長く、
前記所定方向と垂直な方向は、前記一次コイルの両端部を結ぶ線分と平行な方向であり、
前記所定点は、前記線分の垂直二等分線から最も離れた前記バランの外縁上の点である、
高周波モジュール。
モジュール基板と、
前記モジュール基板に配置され、第１電力増幅器及び第２電力増幅器を含む集積回路と、
前記モジュール基板に配置された整合回路と、
前記モジュール基板に配置され、前記第１電力増幅器の出力端及び前記第２電力増幅器の出力端の間に接続される一次コイルと前記整合回路及びグランドの間に接続される二次コイルとを含むバランと、
前記モジュール基板に配置され、前記一次コイルの両端部の間の接続部に切り替え可能に接続される第１電源端子及び第２電源端子と、
前記モジュール基板に配置され、前記第１電源端子及び前記第２電源端子と前記一次コイルとの間に接続されるスイッチ回路と、
前記モジュール基板に配置され、前記スイッチ回路と前記一次コイルの前記接続部との間を電気的に接続する電源ラインと、を備え、
前記モジュール基板の平面視において、前記電源ラインと前記整合回路との間の所定方向と垂直な方向に沿った第１距離は、前記電源ラインと前記バランの外縁上の所定点との間の前記所定方向と垂直な方向に沿った第２距離よりも長く、
前記所定方向と垂直な方向は、前記一次コイルの両端部を結ぶ線分と平行な方向であり、
前記所定点は、前記線分の垂直二等分線から最も離れた前記バランの外縁上の点である、
高周波モジュール。
【0118】
＜２＞
前記バランは、前記整合回路と前記スイッチ回路との間に配置されている、
＜１＞に記載の高周波モジュール。
前記バランは、前記整合回路と前記スイッチ回路との間に配置されている、
＜１＞に記載の高周波モジュール。
【0119】
＜３＞
前記バランは、前記集積回路と前記スイッチ回路との間に配置されている、
＜１＞に記載の高周波モジュール。
前記バランは、前記集積回路と前記スイッチ回路との間に配置されている、
＜１＞に記載の高周波モジュール。
【0120】
＜４＞
前記第１電源端子及び前記第２電源端子の各々は、前記モジュール基板の平面視において、前記スイッチ回路と少なくとも部分的に重なっている、
＜１＞～＜３＞のいずれか１つに記載の高周波モジュール。
前記第１電源端子及び前記第２電源端子の各々は、前記モジュール基板の平面視において、前記スイッチ回路と少なくとも部分的に重なっている、
＜１＞～＜３＞のいずれか１つに記載の高周波モジュール。
【0121】
＜５＞
前記高周波モジュールは、さらに、前記モジュール基板に配置され、前記電源ラインとグランドとの間に接続されるキャパシタを備える、
＜１＞～＜４＞のいずれか１つに記載の高周波モジュール。
前記高周波モジュールは、さらに、前記モジュール基板に配置され、前記電源ラインとグランドとの間に接続されるキャパシタを備える、
＜１＞～＜４＞のいずれか１つに記載の高周波モジュール。
【0122】
＜６＞
前記キャパシタは、前記モジュール基板の平面視において、前記一次コイル及び前記二次コイルの内部に配置されている、
＜５＞に記載の高周波モジュール。
前記キャパシタは、前記モジュール基板の平面視において、前記一次コイル及び前記二次コイルの内部に配置されている、
＜５＞に記載の高周波モジュール。
【0123】
＜７＞
前記一次コイル及び前記二次コイルは、前記モジュール基板のパターン配線によって構成されている、
＜１＞～＜６＞のいずれか１つに記載の高周波モジュール。
前記一次コイル及び前記二次コイルは、前記モジュール基板のパターン配線によって構成されている、
＜１＞～＜６＞のいずれか１つに記載の高周波モジュール。
【0124】
＜８＞
前記二次コイルは、前記モジュール基板の複数のレイヤに形成されている、
＜７＞に記載の高周波モジュール。
前記二次コイルは、前記モジュール基板の複数のレイヤに形成されている、
＜７＞に記載の高周波モジュール。
【0125】
＜９＞
前記高周波モジュールは、さらに、前記整合回路と前記スイッチ回路との間に配置された金属壁を備える、
＜１＞～＜８＞のいずれか１つに記載の高周波モジュール。
前記高周波モジュールは、さらに、前記整合回路と前記スイッチ回路との間に配置された金属壁を備える、
＜１＞～＜８＞のいずれか１つに記載の高周波モジュール。
【0126】
＜１０＞
前記モジュール基板は、互いに対向する第１主面及び第２主面を有し、
前記整合回路は、前記第１主面に配置され、
前記スイッチ回路は、前記第２主面に配置されている、
＜１＞～＜９＞のいずれか１つに記載の高周波モジュール。
前記モジュール基板は、互いに対向する第１主面及び第２主面を有し、
前記整合回路は、前記第１主面に配置され、
前記スイッチ回路は、前記第２主面に配置されている、
＜１＞～＜９＞のいずれか１つに記載の高周波モジュール。
【0127】
＜１１＞
モジュール基板と、
前記モジュール基板に配置され、第１電力増幅器及び第２電力増幅器を含む集積回路と、
前記モジュール基板に配置された整合回路と、
前記モジュール基板に配置され、前記第１電力増幅器の出力端及び前記第２電力増幅器の出力端の間に接続される一次コイルと前記整合回路及びグランドの間に接続される二次コイルとを含むバランと、
前記モジュール基板に配置され、前記一次コイルの両端部の間の接続部に切り替え可能に接続される第１電源端子及び第２電源端子と、
前記モジュール基板に配置され、前記第１電源端子及び前記第２電源端子と前記一次コイルとの間に接続されるスイッチ回路と、
前記モジュール基板に配置され、前記スイッチ回路の出力端子と前記一次コイルの前記接続部との間を電気的に接続する電源ラインと、を備え、
前記モジュール基板は、所定方向に沿って第１領域、第２領域及び第３領域に分割され、前記第２領域は、前記第１領域及び前記第３領域の間に位置し、
前記所定方向は、前記モジュール基板の平面視において、前記一次コイルの両端部を結ぶ線分と垂直な方向であり、
前記バランは、前記第２領域に配置され、前記第１領域及び前記第３領域に配置されず、
前記スイッチ回路の前記出力端子は、前記第２領域又は前記第３領域に配置され、
前記整合回路は、前記第１領域に配置され、前記第２領域に配置されていない、
高周波モジュール。
モジュール基板と、
前記モジュール基板に配置され、第１電力増幅器及び第２電力増幅器を含む集積回路と、
前記モジュール基板に配置された整合回路と、
前記モジュール基板に配置され、前記第１電力増幅器の出力端及び前記第２電力増幅器の出力端の間に接続される一次コイルと前記整合回路及びグランドの間に接続される二次コイルとを含むバランと、
前記モジュール基板に配置され、前記一次コイルの両端部の間の接続部に切り替え可能に接続される第１電源端子及び第２電源端子と、
前記モジュール基板に配置され、前記第１電源端子及び前記第２電源端子と前記一次コイルとの間に接続されるスイッチ回路と、
前記モジュール基板に配置され、前記スイッチ回路の出力端子と前記一次コイルの前記接続部との間を電気的に接続する電源ラインと、を備え、
前記モジュール基板は、所定方向に沿って第１領域、第２領域及び第３領域に分割され、前記第２領域は、前記第１領域及び前記第３領域の間に位置し、
前記所定方向は、前記モジュール基板の平面視において、前記一次コイルの両端部を結ぶ線分と垂直な方向であり、
前記バランは、前記第２領域に配置され、前記第１領域及び前記第３領域に配置されず、
前記スイッチ回路の前記出力端子は、前記第２領域又は前記第３領域に配置され、
前記整合回路は、前記第１領域に配置され、前記第２領域に配置されていない、
高周波モジュール。
【0128】
＜１２＞
前記スイッチ回路は、前記第３領域に配置され、
前記バランは、前記整合回路と前記スイッチ回路との間に配置されている、
＜１１＞に記載の高周波モジュール。
前記スイッチ回路は、前記第３領域に配置され、
前記バランは、前記整合回路と前記スイッチ回路との間に配置されている、
＜１１＞に記載の高周波モジュール。
【0129】
＜１３＞
前記第１電源端子及び前記第２電源端子は、前記第３領域に配置されている、
＜１２＞に記載の高周波モジュール。
前記第１電源端子及び前記第２電源端子は、前記第３領域に配置されている、
＜１２＞に記載の高周波モジュール。
【0130】
＜１４＞
前記スイッチ回路は、前記第２領域に配置され、
前記バランは、前記集積回路及び前記スイッチ回路の間に配置されている、
＜１１＞に記載の高周波モジュール。
前記スイッチ回路は、前記第２領域に配置され、
前記バランは、前記集積回路及び前記スイッチ回路の間に配置されている、
＜１１＞に記載の高周波モジュール。
【0131】
＜１５＞
前記第１電源端子及び前記第２電源端子は、前記第２領域に配置されている、
＜１４＞に記載の高周波モジュール。
前記第１電源端子及び前記第２電源端子は、前記第２領域に配置されている、
＜１４＞に記載の高周波モジュール。
【0132】
＜１６＞
前記整合回路に接続される前記二次コイルの端部は、前記二次コイルのうち前記第３領域の最も遠くに位置する、
＜１１＞～＜１５＞のいずれか１つに記載の高周波モジュール。
前記整合回路に接続される前記二次コイルの端部は、前記二次コイルのうち前記第３領域の最も遠くに位置する、
＜１１＞～＜１５＞のいずれか１つに記載の高周波モジュール。
【0133】
＜１７＞
前記高周波モジュールは、さらに、前記第２領域に配置され、前記電源ラインとグランドとの間に接続されるキャパシタを備える、
＜１１＞～＜１６＞のいずれか１つに記載の高周波モジュール。
前記高周波モジュールは、さらに、前記第２領域に配置され、前記電源ラインとグランドとの間に接続されるキャパシタを備える、
＜１１＞～＜１６＞のいずれか１つに記載の高周波モジュール。
【0134】
＜１８＞
前記キャパシタは、前記モジュール基板の平面視において、前記一次コイル及び前記二次コイルの内部に配置されている、
＜１７＞に記載の高周波モジュール。
前記キャパシタは、前記モジュール基板の平面視において、前記一次コイル及び前記二次コイルの内部に配置されている、
＜１７＞に記載の高周波モジュール。
【0135】
＜１９＞
前記一次コイル及び前記二次コイルは、前記モジュール基板のパターン配線によって構成されている、
＜１１＞～＜１８＞のいずれか１つに記載の高周波モジュール。
前記一次コイル及び前記二次コイルは、前記モジュール基板のパターン配線によって構成されている、
＜１１＞～＜１８＞のいずれか１つに記載の高周波モジュール。
【0136】
＜２０＞
前記二次コイルは、前記モジュール基板の複数のレイヤに形成されている、
＜１９＞に記載の高周波モジュール。
前記二次コイルは、前記モジュール基板の複数のレイヤに形成されている、
＜１９＞に記載の高周波モジュール。
【産業上の利用可能性】
【0137】
本発明は、フロントエンド部に配置される高周波モジュールとして、携帯電話などの通信機器に広く利用できる。
【符号の説明】
【0138】
１、１Ａ 高周波モジュール
２ アンテナ
３ ＲＦＩＣ
４ ＢＢＩＣ
５ 通信装置
１０ 集積回路
１１、１２ 電力増幅器
２０ バラン
２１ 一次コイル
２２ 二次コイル
３０ 整合回路
３１、３２、５２ キャパシタ
４０ スイッチ回路
５１ インダクタ
６１、６２ 電源端子
６３、６４ 高周波入力端子
６５ アンテナ接続端子
７１ 線分
７２ 点
９０ モジュール基板
９０ａ、９０ｂ 主面
９１、９２、９３ 領域
９４ 樹脂部材
９５ シールド電極層
９６ 金属壁
１０１、１０２、４０３ 出力端子
２１１、２１２、２２１、２２２ 端部
２１３、２２３ 接続部
４０１、４０２ 入力端子
５００ 電源ライン
５２１、５２２ 端子
９０１、９０２、９０３、９０４ レイヤ
９１２、９２３ 境界線
Ｄ１、Ｄ２ 距離
Ｖｃｃ１、Ｖｃｃ２ 電源電圧
２ アンテナ
３ ＲＦＩＣ
４ ＢＢＩＣ
５ 通信装置
１０ 集積回路
１１、１２ 電力増幅器
２０ バラン
２１ 一次コイル
２２ 二次コイル
３０ 整合回路
３１、３２、５２ キャパシタ
４０ スイッチ回路
５１ インダクタ
６１、６２ 電源端子
６３、６４ 高周波入力端子
６５ アンテナ接続端子
７１ 線分
７２ 点
９０ モジュール基板
９０ａ、９０ｂ 主面
９１、９２、９３ 領域
９４ 樹脂部材
９５ シールド電極層
９６ 金属壁
１０１、１０２、４０３ 出力端子
２１１、２１２、２２１、２２２ 端部
２１３、２２３ 接続部
４０１、４０２ 入力端子
５００ 電源ライン
５２１、５２２ 端子
９０１、９０２、９０３、９０４ レイヤ
９１２、９２３ 境界線
Ｄ１、Ｄ２ 距離
Ｖｃｃ１、Ｖｃｃ２ 電源電圧
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】