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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024172524
(43)【公開日】2024-12-12
(54)【発明の名称】基板処理装置
(51)【国際特許分類】
H01L 21/304 20060101AFI20241205BHJP
H01L 21/027 20060101ALI20241205BHJP
【ＦＩ】
H01L21/304 643C
H01L21/304 647Z
H01L21/304 651M
H01L21/30 572B
【審査請求】未請求
【請求項の数】23
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023090301
(22)【出願日】2023-05-31
(71)【出願人】
【識別番号】000207551
【氏名又は名称】株式会社ＳＣＲＥＥＮホールディングス
(74)【代理人】
【識別番号】110002310
【氏名又は名称】弁理士法人あい特許事務所
(74)【代理人】
【識別番号】100168583
【弁理士】
【氏名又は名称】前井 宏之
(72)【発明者】
【氏名】太田 喬
(72)【発明者】
【氏名】村元 僚
(72)【発明者】
【氏名】福本 将也
(72)【発明者】
【氏名】根本 脩平
【テーマコード（参考）】
5F146
5F157
【Ｆターム（参考）】
5F146MA07
5F157AB02
5F157AB14
5F157AB33
5F157AB45
5F157AB48
5F157AB51
5F157AB64
5F157AB90
5F157BB23
5F157BB24
5F157BB32
5F157BB33
5F157BB35
5F157BB45
5F157BB53
5F157BB73
5F157BB79
5F157BD33
5F157BE12
5F157BE43
5F157CF16
5F157CF22
5F157CF34
5F157CF40
5F157CF92
5F157DB02
5F157DB03
5F157DB18
(57)【要約】
【課題】基板から効率よく異物を除去できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１００は、基板保持部２と、圧壊部４とを備える。基板保持部２は、基板Ｗを保持する。圧壊部４は、基板保持部２に保持された基板Ｗ上の微細気泡含有液膜ＬＭに含有されている微細気泡を圧壊する。ある実施形態において、圧壊部４は、負圧発生部４Ａを含む。負圧発生部４Ａは、基板Ｗの上方空間を負圧にして微細気泡を圧壊する。また、ある実施形態において、負圧発生部４Ａは、ノズル４１ａを含む。ノズル４１ａは、複数の液噴出口４１２ａを有する。ノズル４１ａは、複数の液噴出口４１２ａから微細気泡含有処理液を噴出して、複数の液噴出口４１２ａの間の空間を負圧にする。
【選択図】図２
【解決手段】基板処理装置１００は、基板保持部２と、圧壊部４とを備える。基板保持部２は、基板Ｗを保持する。圧壊部４は、基板保持部２に保持された基板Ｗ上の微細気泡含有液膜ＬＭに含有されている微細気泡を圧壊する。ある実施形態において、圧壊部４は、負圧発生部４Ａを含む。負圧発生部４Ａは、基板Ｗの上方空間を負圧にして微細気泡を圧壊する。また、ある実施形態において、負圧発生部４Ａは、ノズル４１ａを含む。ノズル４１ａは、複数の液噴出口４１２ａを有する。ノズル４１ａは、複数の液噴出口４１２ａから微細気泡含有処理液を噴出して、複数の液噴出口４１２ａの間の空間を負圧にする。
【選択図】図２
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板を保持する基板保持部と、
前記基板保持部に保持された前記基板上の微細気泡含有液膜に含有されている微細気泡を圧壊する圧壊部と
を備える、基板処理装置。
前記基板保持部に保持された前記基板上の微細気泡含有液膜に含有されている微細気泡を圧壊する圧壊部と
を備える、基板処理装置。
【請求項2】
前記圧壊部は、前記基板の上方空間を負圧にして前記微細気泡を圧壊する負圧発生部を含む、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項3】
前記負圧発生部は、前記微細気泡を含有する処理液である微細気泡含有処理液を、前記基板保持部に保持された前記基板に向けて噴出して、前記微細気泡含有液膜を形成するノズルを含み、
前記ノズルは、前記微細気泡含有処理液を噴出する複数の液噴出口を有し、
前記ノズルは、前記複数の液噴出口から前記微細気泡含有処理液を噴出して、前記複数の液噴出口の間の空間を負圧にする、請求項２に記載の基板処理装置。
前記ノズルは、前記微細気泡含有処理液を噴出する複数の液噴出口を有し、
前記ノズルは、前記複数の液噴出口から前記微細気泡含有処理液を噴出して、前記複数の液噴出口の間の空間を負圧にする、請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項4】
前記ノズルは、前記基板に対向して、前記基板との間に隙間を形成する対向面を有し、
前記複数の液噴出口は、前記対向面に設けられて、前記隙間の一部である負圧形成領域を囲み、前記負圧形成領域の外側に向かう斜め方向へ前記微細気泡含有処理液を噴出して、前記負圧形成領域を負圧にする、請求項３に記載の基板処理装置。
前記複数の液噴出口は、前記対向面に設けられて、前記隙間の一部である負圧形成領域を囲み、前記負圧形成領域の外側に向かう斜め方向へ前記微細気泡含有処理液を噴出して、前記負圧形成領域を負圧にする、請求項３に記載の基板処理装置。
【請求項5】
前記負圧発生部は、前記基板保持部に保持された前記基板に対向する対向部材を含み、
前記対向部材は、前記基板に向けて気体を噴出する複数の気体噴出口を有し、
前記対向部材は、前記複数の気体噴出口から前記気体を噴出して、前記複数の気体噴出口の間の空間を負圧にする、請求項２に記載の基板処理装置。
前記対向部材は、前記基板に向けて気体を噴出する複数の気体噴出口を有し、
前記対向部材は、前記複数の気体噴出口から前記気体を噴出して、前記複数の気体噴出口の間の空間を負圧にする、請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項6】
前記対向部材は、前記基板に対向して、前記基板との間に隙間を形成する対向面を有し、
前記複数の気体噴出口は、前記対向面に設けられて、前記隙間の一部である負圧形成領域を囲み、前記負圧形成領域の外側に向かう斜め方向へ前記気体を噴出して、前記負圧形成領域を負圧にする、請求項５に記載の基板処理装置。
前記複数の気体噴出口は、前記対向面に設けられて、前記隙間の一部である負圧形成領域を囲み、前記負圧形成領域の外側に向かう斜め方向へ前記気体を噴出して、前記負圧形成領域を負圧にする、請求項５に記載の基板処理装置。
【請求項7】
前記対向部材は、前記微細気泡を含有する処理液である微細気泡含有処理液を、前記基板保持部に保持された前記基板に向けて吐出して、前記微細気泡含有液膜を形成する液吐出口を有する、請求項５に記載の基板処理装置。
【請求項8】
前記負圧発生部は、前記微細気泡を含有する処理液である微細気泡含有処理液を、前記基板保持部に保持された前記基板に向けて噴出して、前記微細気泡含有液膜を形成するラインノズルを含み、
前記ラインノズルは、前記基板保持部に保持された前記基板に対して略平行に延び、
前記ラインノズルは、前記基板に向けて前記微細気泡含有処理液を噴出する複数の液噴出口を有し、
前記複数の液噴出口は、前記ラインノズルが延びる方向に沿って、前記ラインノズルの両側に配置され、
前記ラインノズルは、前記複数の液噴出口から前記微細気泡含有処理液を噴出して、前記複数の液噴出口の間の空間を負圧にする、請求項２に記載の基板処理装置。
前記ラインノズルは、前記基板保持部に保持された前記基板に対して略平行に延び、
前記ラインノズルは、前記基板に向けて前記微細気泡含有処理液を噴出する複数の液噴出口を有し、
前記複数の液噴出口は、前記ラインノズルが延びる方向に沿って、前記ラインノズルの両側に配置され、
前記ラインノズルは、前記複数の液噴出口から前記微細気泡含有処理液を噴出して、前記複数の液噴出口の間の空間を負圧にする、請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項9】
前記ラインノズルは、前記基板に対向して、前記基板との間に隙間を形成する対向面を有し、
前記複数の液噴出口は、前記対向面に設けられて、前記隙間の一部である負圧形成領域の両側に、前記ラインノズルが延びる方向に沿って配置され、前記負圧形成領域の外側に向かう斜め方向へ前記微細気泡含有処理液を噴出して、前記負圧形成領域を負圧にする、請求項８に記載の基板処理装置。
前記複数の液噴出口は、前記対向面に設けられて、前記隙間の一部である負圧形成領域の両側に、前記ラインノズルが延びる方向に沿って配置され、前記負圧形成領域の外側に向かう斜め方向へ前記微細気泡含有処理液を噴出して、前記負圧形成領域を負圧にする、請求項８に記載の基板処理装置。
【請求項10】
前記負圧発生部は、前記基板保持部に保持された前記基板に対向する対向部材を含み、
前記対向部材は、前記基板保持部に保持された前記基板に対して略平行に延び、
前記対向部材は、前記基板に向けて気体を噴出する複数の気体噴出口を有し、
前記複数の気体噴出口は、前記対向部材が延びる方向に沿って、前記対向部材の両側に配置され、
前記対向部材は、前記複数の気体噴出口から前記気体を噴出して、前記複数の気体噴出口の間の空間を負圧にする、請求項２に記載の基板処理装置。
前記対向部材は、前記基板保持部に保持された前記基板に対して略平行に延び、
前記対向部材は、前記基板に向けて気体を噴出する複数の気体噴出口を有し、
前記複数の気体噴出口は、前記対向部材が延びる方向に沿って、前記対向部材の両側に配置され、
前記対向部材は、前記複数の気体噴出口から前記気体を噴出して、前記複数の気体噴出口の間の空間を負圧にする、請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項11】
前記対向部材は、前記基板に対向して、前記基板との間に隙間を形成する対向面を有し、
前記複数の気体噴出口は、前記対向面に設けられ、前記隙間の一部である負圧形成領域を挟み、前記負圧形成領域の外側に向かう斜め方向へ前記気体を噴出して、前記負圧形成領域を負圧にする、請求項１０に記載の基板処理装置。
前記複数の気体噴出口は、前記対向面に設けられ、前記隙間の一部である負圧形成領域を挟み、前記負圧形成領域の外側に向かう斜め方向へ前記気体を噴出して、前記負圧形成領域を負圧にする、請求項１０に記載の基板処理装置。
【請求項12】
前記対向部材は、前記微細気泡を含有する処理液である微細気泡含有処理液を、前記基板保持部に保持された前記基板に向けて吐出して、前記微細気泡含有液膜を形成する複数の液吐出口を有し、
前記複数の液吐出口は、前記対向部材が延びる方向に沿って、前記複数の気体噴出口の間に配置される、請求項１０に記載の基板処理装置。
前記複数の液吐出口は、前記対向部材が延びる方向に沿って、前記複数の気体噴出口の間に配置される、請求項１０に記載の基板処理装置。
【請求項13】
前記負圧発生部は、対向部材と、対向部材回転部とを含み、
前記対向部材は、前記基板保持部に保持された前記基板に対向し、
前記対向部材回転部は、前記対向部材を回転させて、前記基板と前記対向部材との間の空間を負圧にする、請求項２に記載の基板処理装置。
前記対向部材は、前記基板保持部に保持された前記基板に対向し、
前記対向部材回転部は、前記対向部材を回転させて、前記基板と前記対向部材との間の空間を負圧にする、請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項14】
前記対向部材は、前記微細気泡を含有する処理液である微細気泡含有処理液を、前記基板保持部に保持された前記基板に向けて吐出して、前記微細気泡含有液膜を形成する液吐出口を有する、請求項１３に記載の基板処理装置。
【請求項15】
前記圧壊部は、前記基板上の前記微細気泡含有液膜に向けて流体を噴出して前記微細気泡を圧壊する流体噴出部を含む、請求項１又は請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項16】
前記圧壊部は、前記微細気泡含有液膜を加熱して前記微細気泡を圧壊する加熱部を含む、請求項１又は請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項17】
前記微細気泡含有液膜は、前記基板の上面に形成され、
前記加熱部は、前記基板の下面を加熱して、前記微細気泡含有液膜を加熱する第１加熱部を含む、請求項１６に記載の基板処理装置。
前記加熱部は、前記基板の下面を加熱して、前記微細気泡含有液膜を加熱する第１加熱部を含む、請求項１６に記載の基板処理装置。
【請求項18】
前記加熱部は、前記微細気泡含有液膜又は前記基板に光を照射して、前記微細気泡含有液膜を加熱する第２加熱部を含む、請求項１６に記載の基板処理装置。
【請求項19】
前記第２加熱部は、温度放射により前記光を発生させる、請求項１８に記載の基板処理装置。
【請求項20】
前記第２加熱部は、前記光として、放電により閃光を発生させる、請求項１８に記載の基板処理装置。
【請求項21】
前記基板保持部及び前記基板を収容する処理室を更に備え、
前記圧壊部は、前記処理室の内側空間を減圧して前記微細気泡を圧壊する減圧部を含む、請求項１又は請求項２に記載の基板処理装置。
前記圧壊部は、前記処理室の内側空間を減圧して前記微細気泡を圧壊する減圧部を含む、請求項１又は請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項22】
前記微細気泡は、オゾンガスの気泡を含む、請求項１又は請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項23】
前記微細気泡含有液膜は、前記微細気泡と、液体とを含み、
前記液体は、純水又は硫酸を含む、請求項１又は請求項２に記載の基板処理装置。
前記液体は、純水又は硫酸を含む、請求項１又は請求項２に記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、基板処理装置に関する。
【背景技術】
【0002】
微細気泡を含有する洗浄液を用いて基板を洗浄する装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。微細気泡は、ナノバブルと、マイクロバブルとを含む。ナノバブルは、直径が１ｎｍ以上１μｍ未満の気泡である。マイクロバブルは、直径が１μｍ以上１ｍｍ未満の気泡である。
【0003】
特許文献１の微細気泡洗浄装置は、微細気泡を含有する気泡洗浄液を用いて、半導体基板を洗浄する。より具体的には、特許文献１の微細気泡洗浄装置は、気泡洗浄液に含有されている微細気泡の寿命を短くした短寿命気泡洗浄液を生成して、短寿命気泡洗浄液を半導体基板に供給する。短寿命気泡洗浄液中の微細気泡は、半導体基板に接触又は衝突することによって圧壊する。この圧壊の際に発生するエネルギーによって、半導体基板から異物が除去される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】国際公開第２０１８／０２１５６２号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
しかしながら、微細気泡の寿命を短くした短寿命気泡洗浄液を用いて基板を洗浄する場合、短寿命気泡洗浄液中の微細気泡は、半導体基板に接触又は衝突することによって圧壊する。したがって、例えば、基板の表面に複雑な構造のパターンが形成されている場合、パターンの隙間の奥に微細気泡が到達する前に微細気泡が圧壊して、パターンの隙間の奥から異物を除去できない可能性がある。一方、パターンの隙間の奥に到達できる程度に微細気泡の寿命をコントロールした場合、パターンの隙間の入り口付近では微細気泡が圧壊しないため、パターンの隙間の入り口付近から異物を除去できない可能性がある。
【0006】
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、基板から効率よく異物を除去できる基板処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本発明の一局面によれば、基板処理装置は、基板保持部と、圧壊部とを備える。前記基板保持部は、基板を保持する。前記圧壊部は、前記基板保持部に保持された前記基板上の微細気泡含有液膜に含有されている微細気泡を圧壊する。
【0008】
ある実施形態において、前記圧壊部は、負圧発生部を含む。前記負圧発生部は、前記基板の上方空間を負圧にして前記微細気泡を圧壊する。
【0009】
ある実施形態において、前記負圧発生部は、ノズルを含む。前記ノズルは、前記微細気泡を含有する処理液である微細気泡含有処理液を、前記基板保持部に保持された前記基板に向けて噴出して、前記微細気泡含有液膜を形成する。前記ノズルは、前記微細気泡含有処理液を噴出する複数の液噴出口を有する。前記ノズルは、前記複数の液噴出口から前記微細気泡含有処理液を噴出して、前記複数の液噴出口の間の空間を負圧にする。
【0010】
ある実施形態において、前記ノズルは、対向面を有する。前記対向面は、前記基板に対向して、前記基板との間に隙間を形成する。前記複数の液噴出口は、前記対向面に設けられて、前記隙間の一部である負圧形成領域を囲む。前記複数の液噴出口は、前記負圧形成領域の外側に向かう斜め方向へ前記微細気泡含有処理液を噴出して、前記負圧形成領域を負圧にする。
【0011】
ある実施形態において、前記負圧発生部は、対向部材を含む。前記対向部材は、前記基板保持部に保持された前記基板に対向する。前記対向部材は、前記基板に向けて気体を噴出する複数の気体噴出口を有する。前記対向部材は、前記複数の気体噴出口から前記気体を噴出して、前記複数の気体噴出口の間の空間を負圧にする。
【0012】
ある実施形態において、前記対向部材は、対向面を有する。前記対向面は、前記基板に対向して、前記基板との間に隙間を形成する。前記複数の気体噴出口は、前記対向面に設けられて、前記隙間の一部である負圧形成領域を囲む。前記複数の気体噴出口は、前記負圧形成領域の外側に向かう斜め方向へ前記気体を噴出して、前記負圧形成領域を負圧にする。
【0013】
ある実施形態において、前記対向部材は、液吐出口を有する。前記液吐出口は、前記微細気泡を含有する処理液である微細気泡含有処理液を、前記基板保持部に保持された前記基板に向けて吐出して、前記微細気泡含有液膜を形成する。
【0014】
ある実施形態において、前記負圧発生部は、ラインノズルを含む。前記ラインノズルは、前記微細気泡を含有する処理液である微細気泡含有処理液を、前記基板保持部に保持された前記基板に向けて噴出して、前記微細気泡含有液膜を形成する。前記ラインノズルは、前記基板保持部に保持された前記基板に対して略平行に延びる。前記ラインノズルは、前記基板に向けて前記微細気泡含有処理液を噴出する複数の液噴出口を有する。前記複数の液噴出口は、前記ラインノズルが延びる方向に沿って、前記ラインノズルの両側に配置される。前記ラインノズルは、前記複数の液噴出口から前記微細気泡含有処理液を噴出して、前記複数の液噴出口の間の空間を負圧にする。
【0015】
ある実施形態において、前記ラインノズルは、対向面を有する。前記対向面は、前記基板に対向して、前記基板との間に隙間を形成する。前記複数の液噴出口は、前記対向面に設けられて、前記隙間の一部である負圧形成領域の両側に、前記ラインノズルが延びる方向に沿って配置される。前記複数の液噴出口は、前記負圧形成領域の外側に向かう斜め方向へ前記微細気泡含有処理液を噴出して、前記負圧形成領域を負圧にする。
【0016】
ある実施形態において、前記負圧発生部は、対向部材を含む。前記対向部材は、前記基板保持部に保持された前記基板に対向する。前記対向部材は、前記基板保持部に保持された前記基板に対して略平行に延びる。前記対向部材は、前記基板に向けて気体を噴出する複数の気体噴出口を有する。前記複数の気体噴出口は、前記対向部材が延びる方向に沿って、前記対向部材の両側に配置される。前記対向部材は、前記複数の気体噴出口から前記気体を噴出して、前記複数の気体噴出口の間の空間を負圧にする。
【0017】
ある実施形態において、前記対向部材は、対向面を有する。前記対向面は、前記基板に対向して、前記基板との間に隙間を形成する。前記複数の気体噴出口は、前記対向面に設けられ、前記隙間の一部である負圧形成領域を挟む。前記複数の気体噴出口は、前記負圧形成領域の外側に向かう斜め方向へ前記気体を噴出して、前記負圧形成領域を負圧にする。
【0018】
ある実施形態において、前記対向部材は、複数の液吐出口を有する。前記複数の液吐出口は、前記微細気泡を含有する処理液である微細気泡含有処理液を、前記基板保持部に保持された前記基板に向けて吐出して、前記微細気泡含有液膜を形成する。前記複数の液吐出口は、前記対向部材が延びる方向に沿って、前記複数の気体噴出口の間に配置される。
【0019】
ある実施形態において、前記負圧発生部は、対向部材と、対向部材回転部とを含む。前記対向部材は、前記基板保持部に保持された前記基板に対向する。前記対向部材回転部は、前記対向部材を回転させて、前記基板と前記対向部材との間の空間を負圧にする。
【0020】
ある実施形態において、前記対向部材は、液吐出口を有する。前記液吐出口は、前記微細気泡を含有する処理液である微細気泡含有処理液を、前記基板保持部に保持された前記基板に向けて吐出して、前記微細気泡含有液膜を形成する。
【0021】
ある実施形態において、前記圧壊部は、流体噴出部を含む。前記流体噴出部は、前記基板上の前記微細気泡含有液膜に向けて流体を噴出して前記微細気泡を圧壊する。
【0022】
ある実施形態において、前記圧壊部は、加熱部を含む。前記加熱部は、前記微細気泡含有液膜を加熱して前記微細気泡を圧壊する。
【0023】
ある実施形態において、前記微細気泡含有液膜は、前記基板の上面に形成される。前記加熱部は、第１加熱部を含む。前記第１加熱部は、前記基板の下面を加熱して、前記微細気泡含有液膜を加熱する。
【0024】
ある実施形態において、前記加熱部は、第２加熱部を含む。前記第２加熱部は、前記微細気泡含有液膜又は前記基板に光を照射して、前記微細気泡含有液膜を加熱する。
【0025】
ある実施形態において、前記第２加熱部は、温度放射により前記光を発生させる。
【0026】
ある実施形態において、前記第２加熱部は、前記光として、放電により閃光を発生させる。
【0027】
ある実施形態において、上記の基板処理装置は、前記基板保持部及び前記基板を収容する処理室を更に備える。前記圧壊部は、減圧部を含む。前記減圧部は、前記処理室の内側空間を減圧して前記微細気泡を圧壊する。
【0028】
ある実施形態において、前記微細気泡は、オゾンガスの気泡を含む。
【0029】
ある実施形態において、前記微細気泡含有液膜は、前記微細気泡と、液体とを含む。前記液体は、純水又は硫酸を含む。
【発明の効果】
【0030】
本発明に係る基板処理装置によれば、基板から効率よく異物を除去することができる。
【図面の簡単な説明】
【0031】
【図1】本発明の実施形態１に係る基板処理装置の模式的な平面図である。
【図2】本発明の実施形態１に係る基板処理装置に含まれる基板処理部の内部の構成を模式的に示す側面図である。
【図3】本発明の実施形態１に係る基板処理装置に含まれる基板処理部の内部の構成を模式的に示す平面図である。
【図4】（ａ）は、本発明の実施形態１に係る基板処理装置に含まれる第１負圧発生部の構成を示す図である。（ｂ）は、第１ノズルの先端面を示す底面図である。
【図5】基板処理時の第１負圧発生部、基板、及び微細気泡含有液膜を示す図である。
【図6】本発明の実施形態１に係る基板処理装置の動作を示すフローチャートである。
【図7】本発明の実施形態２に係る基板処理装置に含まれる第２負圧発生部の構成を示す図である。
【図8】本発明の実施形態３に係る基板処理装置に含まれる基板処理部の内部の構成を模式的に示す側面図である。
【図9】本発明の実施形態３に係る基板処理装置に含まれる第３負圧発生部の構成を示す図である。
【図10】本発明の実施形態４に係る基板処理装置に含まれる基板処理部の内部の構成を模式的に示す側面図である。
【図11】本発明の実施形態４に係る基板処理装置に含まれる基板処理部の内部の構成を模式的に示す平面図である。
【図12】（ａ）は、第１ラインノズルの上面の一部と、保持部の上面と、アームの上面の一部とを示す図である。（ｂ）は、第１ラインノズルの底面の一部を示す図である。
【図13】本発明の実施形態４に係る基板処理装置に含まれる第４負圧発生部の構成を示す図である。
【図14】本発明の実施形態４に係る基板処理装置に含まれる第４負圧発生部の構成を示す他の図である。
【図15】（ａ）は、第２ラインノズルの上面の一部と、保持部の上面と、アームの上面の一部とを示す図である。（ｂ）は、第２ラインノズルの底面の一部を示す図である。
【図16】本発明の実施形態５に係る基板処理装置に含まれる第５負圧発生部の構成を示す図である。
【図17】本発明の実施形態５に係る基板処理装置に含まれる第５負圧発生部の構成を示す他の図である。
【図18】本発明の実施形態６に係る基板処理装置に含まれる基板処理部の内部の構成を模式的に示す側面図である。
【図19】本発明の実施形態７に係る基板処理装置に含まれる基板処理部の内部の構成を模式的に示す側面図である。
【図20】（ａ）は、吐出ノズルの移動軌跡を示す平面図である。（ｂ）は、流体噴出部の移動軌跡を示す平面図である。
【図21】本発明の実施形態８に係る基板処理装置に含まれる基板処理部の内部の構成を模式的に示す側面図である。
【図22】本発明の実施形態９に係る基板処理装置に含まれる基板処理部の内部の構成を模式的に示す側面図である。
【発明を実施するための形態】
【0032】
以下、図面（図１～図２２）を参照して本発明の基板処理装置に係る実施形態を説明する。但し、本発明は以下の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の態様において実施することが可能である。なお、説明が重複する箇所については、適宜説明を省略する場合がある。また、図中、同一又は相当部分については同一の参照符号を付して説明を繰り返さない。
【0033】
本発明に係る基板処理装置において基板処理の対象となる「基板」には、半導体ウエハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス基板、プラズマ表示用ガラス基板、ＦＥＤ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、及び光磁気ディスク用基板などの各種の基板を適用可能である。以下では主として、円盤状の半導体ウエハを基板処理の対象とする場合を例に本発明の実施形態を説明するが、本発明に係る基板処理装置は、上記した半導体ウエハ以外の各種の基板に対しても同様に適用可能である。また、基板の形状についても、円盤状に限定されず、本発明に係る基板処理装置は、各種の形状の基板に対して適用可能である。
【0034】
［実施形態１］
まず、図１～図６を参照して、本発明の実施形態１を説明する。図１は、本実施形態の基板処理装置１００の模式的な平面図である。基板処理装置１００は、基板Ｗを処理する。より具体的には、基板処理装置１００は、枚葉式の装置であり、処理液を用いて１枚ずつ基板Ｗを処理する。以下、処理液による基板Ｗの処理を「基板処理」と記載する場合がある。本実施形態において、処理液には、微細気泡含有処理液が含まれる。
まず、図１～図６を参照して、本発明の実施形態１を説明する。図１は、本実施形態の基板処理装置１００の模式的な平面図である。基板処理装置１００は、基板Ｗを処理する。より具体的には、基板処理装置１００は、枚葉式の装置であり、処理液を用いて１枚ずつ基板Ｗを処理する。以下、処理液による基板Ｗの処理を「基板処理」と記載する場合がある。本実施形態において、処理液には、微細気泡含有処理液が含まれる。
【0035】
微細気泡含有処理液は、微細気泡を含有する処理液である。微細気泡は、例えば、ナノバブル又はマイクロバブルを含む。微細気泡は、ナノバブル及びマイクロバブルの両者を含んでもよい。ナノバブルは、直径が１ｎｍ以上１μｍ未満の気泡である。マイクロバブルは、直径が１μｍ以上１ｍｍ未満の気泡である。例えば、微細気泡は、直径が１ｎｍ以上１００μｍ以下の気泡を含んでもよい。
【0036】
図１に示すように、基板処理装置１００は、複数の基板処理部２００と、複数のロードポートＬＰと、インデクサーロボットＩＲと、センターロボットＣＲと、制御装置１０１とを備える。
【0037】
ロードポートＬＰの各々は、複数枚の基板Ｗを積層して収容する。インデクサーロボットＩＲは、ロードポートＬＰとセンターロボットＣＲとの間で基板Ｗを搬送する。センターロボットＣＲは、インデクサーロボットＩＲと基板処理部２００との間で基板Ｗを搬送する。なお、インデクサーロボットＩＲとセンターロボットＣＲとの間に、基板Ｗを一時的に載置する載置台（パス）を設けて、インデクサーロボットＩＲとセンターロボットＣＲとの間で載置台を介して間接的に基板Ｗを受け渡しする装置構成としてもよい。
【0038】
複数の基板処理部２００は、複数のタワーＴＷ（図１では４つのタワーＴＷ）を形成している。複数のタワーＴＷは、平面視においてセンターロボットＣＲを取り囲むように配置される。各タワーＴＷは、上下に積層された複数の基板処理部２００（図１では３つの基板処理部２００）を含む。
【0039】
基板処理部２００の各々は、微細気泡含有処理液を基板Ｗの上面に供給して、基板Ｗの上面に微細気泡含有液膜ＬＭを形成する。微細気泡含有液膜ＬＭは、微細気泡を含有する液膜である。基板処理部２００の各々は、微細気泡含有液膜ＬＭを形成した後に、微細気泡含有液膜ＬＭに含有されている微細気泡を圧壊して、基板Ｗから異物を除去する。すなわち、基板処理部２００は、基板Ｗを洗浄する。具体的には、微細気泡が圧壊される際に発生するエネルギーにより異物が除去される。異物は、例えば、パーティクル又はレジスト膜を含む。異物は、パーティクル及びレジスト膜の両者を含んでもよい。
【0040】
制御装置１０１は、基板処理装置１００の各部の動作を制御する。例えば、制御装置１０１は、ロードポートＬＰ、インデクサーロボットＩＲ、センターロボットＣＲ、及び基板処理部２００を制御する。制御装置１０１は、制御部１０２と、記憶部１０３とを含む。
【0041】
制御部１０２は、記憶部１０３に記憶されている各種情報に基づいて基板処理装置１００の各部の動作を制御する。制御部１０２は、例えば、プロセッサを有する。制御部１０２は、プロセッサとして、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）、又は、ＭＰＵ（Ｍｉｃｒｏ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）を有してもよい。あるいは、制御部１０２は、汎用演算機又は専用演算器を有してもよい。
【0042】
記憶部１０３は、基板処理装置１００の動作を制御するための各種情報を記憶する。例えば、記憶部１０３は、データ及びコンピュータプログラムを記憶する。データは、種々のレシピデータを含む。レシピデータは、プロセスレシピを含む。プロセスレシピは、基板処理の手順を規定するデータである。具体的には、プロセスレシピは、基板処理に含まる一連の処理の実行順序、各処理の内容、及び各処理の条件（パラメータの設定値）を規定する。
【0043】
記憶部１０３は、主記憶装置を有する。主記憶装置は、例えば、半導体メモリである。記憶部１０３は、補助記憶装置を更に有してもよい。補助記憶装置は、例えば、半導体メモリ及びハードディスクドライブの少なくも一方を含む。記憶部１０３はリムーバブルメディアを含んでもよい。
【0044】
続いて、図１～図３を参照して、本実施形態の基板処理装置１００を説明する。図２は、本実施形態の基板処理装置１００に含まれる基板処理部２００の内部の構成を模式的に示す側面図である。図３は、本実施形態の基板処理装置１００に含まれる基板処理部２００の内部の構成を模式的に示す平面図である。
【0045】
図２に示すように、基板処理部２００は、処理室２００ａと、基板保持部２と、基板回転部３と、圧壊部４と、リンスノズル６と、カップ１０とを有する。基板処理装置１００は、リンス液供給部６１を更に備える。
【0046】
基板Ｗは、処理室２００ａ内に搬入されて、処理室２００ａ内で処理される。処理室２００ａは、略箱形状を有する。処理室２００ａは、基板保持部２と、基板回転部３と、圧壊部４の一部と、リンスノズル６と、カップ１０と、リンス液供給部６１の一部とを収容する。処理室２００ａは、例えば、チャンバーである。
【0047】
基板保持部２は、基板Ｗを保持する。基板保持部２の動作は、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。より具体的には、基板保持部２は、基板Ｗを水平な姿勢で保持する。基板保持部２は、例えば、スピンチャックである。本実施形態において、基板保持部２は、複数のチャック部材２１と、スピンベース２２とを有する。
【0048】
図３に示すように、スピンベース２２は、略円板状であり、水平な姿勢で複数のチャック部材２１を支持する。複数のチャック部材２１は、スピンベース２２の周縁部に配置される。複数のチャック部材２１は、基板Ｗの端部ＥＧを挟持する。複数のチャック部材２１により、基板Ｗが水平な姿勢で保持される。複数のチャック部材２１の動作は、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。複数のチャック部材２１は、基板Ｗの中心位置ＣＴがスピンベース２２の中心と一致するように配置されている。
【0049】
図２に戻る。基板回転部３は、基板保持部２を回転させることにより、基板保持部２に保持されている基板Ｗを回転させる。具体的には、基板回転部３は、鉛直方向に延びる第１回転軸線ＡＸ１を中心として、基板Ｗと基板保持部２とを一体に回転させる。基板回転部３の動作は、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。
【0050】
詳しくは、第１回転軸線ＡＸ１は、スピンベース２２の中心を通る。したがって、スピンベース２２は、スピンベース２２の中心を回転中心として回転する。また、既に説明したように、基板保持部２は、基板Ｗの中心位置ＣＴがスピンベース２２の中心と一致するように基板Ｗを保持する。したがって、基板Ｗは、基板Ｗの中心を回転中心として回転する。
【0051】
基板回転部３は、例えば、シャフト３２と、モータ本体３１とを有する。シャフト３２はスピンベース２２に結合される。モータ本体３１は、シャフト３２を回転させる。その結果、スピンベース２２が回転する。モータ本体３１の動作は、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。モータ本体３１は、例えば、電動モータである。
【0052】
圧壊部４は、基板保持部２に保持された基板Ｗ上の微細気泡含有液膜ＬＭに含有されている微細気泡を圧壊する。圧壊部４は、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。本実施形態において、圧壊部４は、第１負圧発生部４Ａを含む。第１負圧発生部４Ａは、基板Ｗの上方空間を負圧にして、微細気泡含有液膜ＬＭに含有されている微細気泡を圧壊する。具体的には、第１負圧発生部４Ａは、第１ノズル４１ａを含む。本実施形態では更に、第１負圧発生部４Ａは、ノズル移動部５Ａを含む。
【0053】
第１ノズル４１ａは、基板処理時に基板Ｗに対向する。詳しくは、第１ノズル４１ａは、基板処理時に基板Ｗの上方に位置する。第１ノズル４１ａは、基板処理時に、基板保持部２に保持された基板Ｗの上面に向けて微細気泡含有処理液を噴出して、基板Ｗの上面に微細気泡含有液膜ＬＭを形成する。より詳しくは、第１ノズル４１ａは、回転中の基板Ｗに向けて微細気泡含有処理液を噴出する。図３に示すように、基板処理時に、ノズル移動部５Ａは、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御されて、第１ノズル４１ａを円弧状の軌跡ＴＪ１に沿って移動させる。
【0054】
具体的には、軌跡ＴＪ１は、基板Ｗの中心位置ＣＴに対向する位置（中心位置ＣＴの上方の位置）と待機位置ＰＳ１とを通過する軌跡である。待機位置ＰＳ１は、平面視において基板保持部２の外側の位置である。本実施形態において、待機位置ＰＳ１は、平面視においてカップ１０の外側の位置である。軌跡ＴＪ１は更に、基板Ｗの端部ＥＧに対向する位置のうちの２か所通過する。以下、基板Ｗの端部ＥＧに対向する位置を、「端部対向位置」と記載する場合がある。端部対向位置には、待機位置ＰＳ１に近い位置と、待機位置ＰＳ１から遠い位置との２か所が含まれる。
【0055】
ノズル移動部５Ａは、軌跡ＴＪ１に沿って、２か所の端部対向位置の間で第１ノズル４１ａを移動させてもよい。例えば、第１ノズル４１ａは、待機位置ＰＳ１に近い側の端部対向位置において微細気泡含有処理液の噴出を開始し、待機位置ＰＳ１から遠い側の端部対向位置へ移動するまでの間に微細気泡含有処理液の噴出を継続し、待機位置ＰＳ１から遠い側の端部対向位置に到達したタイミングで、微細気泡含有処理液の噴出を停止してもよい。又は、ノズル移動部５Ａは、待機位置ＰＳ１から基板Ｗの中心位置ＣＴに対向する位置まで第１ノズル４１ａを移動させた後に、軌跡ＴＪ１に沿って、２か所の端部対向位置の間で第１ノズル４１ａを移動させてもよい。この場合、第１ノズル４１ａは、基板Ｗの中心位置ＣＴに対向する位置において微細気泡含有処理液の噴出を開始してもよい。以下、２か所の端部対向位置の間で第１ノズル４１ａが移動する動作を、「フルスキャン」と記載する場合がある。第１ノズル４１ａは、フルスキャン時に微細気泡含有処理液の噴出を継続する。
【0056】
なお、ノズル移動部５Ａは、２か所の端部対向位置の間で第１ノズル４１ａを複数回往復させてもよい。つまり、ノズル移動部５Ａは、第１ノズル４１ａを複数回フルスキャンさせてもよい。
【0057】
あるいは、ノズル移動部５Ａは、軌跡ＴＪ１に沿って、基板Ｗの中心位置ＣＴに対向する位置と、２か所の端部対向位置の一方との間で第１ノズル４１ａを移動させてもよい。例えば、第１ノズル４１ａは、基板Ｗの中心位置ＣＴに対向する位置において微細気泡含有処理液の噴出を開始し、待機位置ＰＳ１に近い側の端部対向位置へ移動するまでの間に微細気泡含有処理液の噴出を継続し、待機位置ＰＳ１に近い側の端部対向位置に到達したタイミングで、微細気泡含有処理液の噴出を停止してもよい。以下、基板Ｗの中心位置ＣＴに対向する位置と、２か所の端部対向位置の一方との間で第１ノズル４１ａが移動する動作を、「ハーフスキャン」と記載する場合がある。第１ノズル４１ａは、ハーフスキャン時に微細気泡含有処理液の噴出を継続する。
【0058】
なお、ノズル移動部５Ａは、基板Ｗの中心位置ＣＴに対向する位置と、２か所の端部対向位置の一方との間で第１ノズル４１ａを複数回往復させてもよい。つまり、ノズル移動部５Ａは、第１ノズル４１ａを複数回ハーフスキャンさせてもよい。
【0059】
【0060】
アーム５１Ａは水平方向に沿って延びる。アーム５１Ａは第１ノズル４１ａを支持する。例えば、第１ノズル４１ａは、アーム５１Ａの先端部に結合される。アーム５１Ａは基台５２Ａに結合される。基台５２Ａは、鉛直方向に沿って延びる。
【0061】
駆動部５３Ａは、鉛直方向及び水平方向にアーム５１Ａを移動させる。この結果、第１ノズル４１ａが鉛直方向及び水平方向に移動する。駆動部５３Ａは、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。
【0062】
具体的には、駆動部５３Ａは、ノズル揺動機構５３１Ａと、ノズル昇降機構５３２Ａとを含む。ノズル揺動機構５３１Ａは、鉛直方向に延びる第２回転軸線ＡＸ２を中心として基台５２Ａを揺動させて、アーム５１Ａを水平面に沿って揺動させる。この結果、第１ノズル４１ａが水平面に沿って移動する。詳しくは、第１ノズル４１ａは、第２回転軸線ＡＸ２を中心とする円弧状の軌跡（図３に示す軌跡ＴＪ１）に沿って移動する。また、ノズル昇降機構５３２Ａは、基台５２Ａを鉛直方向に沿って昇降させて、アーム５１Ａを昇降させる。この結果、第１ノズル４１ａが鉛直方向に沿って移動する。ノズル揺動機構５３１Ａは、例えば、ボールねじ機構と、正逆回転可能な電動モータとを含む。電動モータは、ボールねじ機構を駆動する。ノズル昇降機構５３２Ａも同様に、例えば、ボールねじ機構と、正逆回転可能な電動モータとを含んでもよい。
【0063】
リンスノズル６は固定ノズルであり、静止した状態で、基板Ｗの上方から回転中の基板Ｗにリンス液を供給する。リンス液供給部６１は、リンスノズル６にリンス液を供給する。リンス液供給部６１は、リンス液供給配管６１１と、リンス液開閉弁６１２とを含む。処理室２００ａは、リンス液供給配管６１１の一部を収容する。リンス液は、例えば、純水（例えば、脱イオン水）のような水、炭酸水、電解イオン水、水素水、オゾン水、又は、希釈濃度（例えば、１０ｐｐｍ～１００ｐｐｍ程度）の塩酸水であってもよい。
【0064】
詳しくは、リンス液は、リンス液供給配管６１１を介してリンスノズル６に供給される。その結果、リンスノズル６からリンス液が吐出される。リンス液供給配管６１１は、リンス液が流通する管状部材である。リンス液開閉弁６１２は、リンス液供給配管６１１に設けられて、リンス液供給配管６１１を介したリンス液の供給開始及び供給停止を制御する。リンス液開閉弁６１２の開閉動作は、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。リンス液開閉弁６１２は、例えば、電磁弁であってもよい。
【0065】
具体的には、リンス液開閉弁６１２が開くと、リンス液供給配管６１１におけるリンス液の流通が開始され、リンス液開閉弁６１２が閉じると、リンス液供給配管６１１におけるリンス液の流通が停止する。したがって、リンス液開閉弁６１２が開くと、リンスノズル６にリンス液供給配管６１１を介してリンス液が供給されて、リンスノズル６からリンス液が吐出される。リンス液開閉弁６１２が閉じると、リンスノズル６へのリンス液供給配管６１１を介したリンス液の供給が停止して、リンスノズル６からのリンス液の吐出が停止する。
【0066】
なお、リンスノズル６は、移動ノズルであってもよい。この場合、基板処理装置１００は、リンスノズル６を水平方向及び上下方向に移動させるリンス移動部を更に備える。リンス移動部の構成は、ノズル移動部５Ａと略同様であってもよい。
【0067】
カップ１０は、回転する基板Ｗから飛散する処理液を受け止めて、微細気泡含有処理液及びリンス液が処理室２００ａの内部に飛散することを防止する。具体的には、カップ１０は、基板保持部２及び基板回転部３の外方に配置される。カップ１０は、略筒形状を有する。換言すると、カップ１０は、基板保持部２及び基板回転部３を取り囲んでいる。
【0068】
詳しくは、カップ１０は、図示しない昇降部により、上位置と下位置との間で昇降する。上位置は、下位置よりも上方の位置である。例えば、センターロボットＣＲ（図１）により基板Ｗが処理室２００ａ内部に搬入される際、あるいは、センターロボットＣＲ（図１）により基板Ｗが処理室２００ａ内部から搬出される際に、カップ１０は下位置に退避している。カップ１０は、微細気泡含有処理液又はリンス液を受け止める際に、上位置に配置される。換言すると、カップ１０は、基板処理時に上位置に配置される。なお、昇降部は、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。昇降部は、例えば、ボールねじ機構と、正逆回転可能な電動モータとを含む。電動モータは、ボールねじ機構を駆動する。
【0069】
続いて、図４を参照して、第１負圧発生部４Ａを説明する。図４（ａ）は、本実施形態の基板処理装置１００に含まれる第１負圧発生部４Ａの構成を示す図である。詳しくは、図４（ａ）は、基板処理時に基板Ｗの中心位置ＣＴ（図３参照）に対向する第１ノズル４１ａを示す。なお、図４（ａ）は、第１ノズル４１ａの断面を示している。図４（ｂ）は、第１ノズル４１ａの先端面を示す底面図である。第１ノズル４１ａの先端面は、基板Ｗ側の面である。換言すると、第１ノズル４１ａの先端面は、基板Ｗに対向する面である。
【0070】
図４（ａ）に示すように、第１ノズル４１ａは、複数の液噴出口４１２ａを有する。複数の液噴出口４１２ａはそれぞれ、微細気泡含有処理液を噴出する。具体的には、回転中の基板Ｗに向けて複数の液噴出口４１２ａから微細気泡含有処理液が噴出される。第１ノズル４１ａは、複数の液噴出口４１２ａから微細気泡含有処理液を噴出して、複数の液噴出口４１２ａの間の空間を負圧にする。本実施形態において、第１ノズル４１ａは、対向面４１１ａと、複数の流路４１３ａと、貫通孔４１４ａと、凹部４１５ａと、流入口４１７ａとを更に有する。また、第１負圧発生部４Ａは、処理液供給部７と、補助ガス供給部８とを更に有する。
【0071】
対向面４１１ａは、基板処理中に、基板保持部２に保持された基板Ｗに対向して、対向面４１１ａと基板Ｗとの間に隙間Ｇを形成する。すなわち、対向面４１１ａは、第１ノズル４１ａの先端面を示す。図２に示すノズル移動部５Ａは、基板処理時に、隙間Ｇにおいてベルヌーイ効果が発生し得る位置まで第１ノズル４１ａを基板Ｗに接近させる。例えば、基板処理時に、隙間Ｇの大きさは１ｍｍ程度であってもよい。ここで、隙間Ｇの大きさは、基板Ｗの上面と対向面４１１ａとの間の距離を示す。
【0072】
複数の流路４１３ａ及び流入口４１７ａは、第１ノズル４１ａの内部に形成される。流入口４１７ａは、複数の流路４１３ａに連通する。処理液供給部７は、流入口４１７ａに微細気泡含有処理液を供給する。この結果、流入口４１７ａを介して複数の流路４１３ａに微細気泡含有処理液が流入する。
【0073】
複数の流路４１３ａは複数の液噴出口４１２ａに連通する。複数の流路４１３ａは複数の液噴出口４１２ａまで微細気泡含有処理液を流通させる。つまり、複数の流路４１３ａは複数の液噴出口４１２ａに微細気泡含有処理液を供給する。この結果、回転中の基板Ｗに向けて、複数の液噴出口４１２ａから微細気泡含有処理液が噴出して、基板Ｗの上面に微細気泡含有液膜ＬＭが形成される。また、複数の液噴出口４１２ａから微細気泡含有処理液が噴出することで、複数の液噴出口４１２ａの間の空間がベルヌーイ効果によって負圧になる。
【0074】
詳しくは、図４（ａ）に示すように、複数の液噴出口４１２ａは、対向面４１１ａに設けられて、隙間Ｇの一部である負圧形成領域ＳＰを囲む。換言すると、隙間Ｇのうち、複数の液噴出口４１２ａによって囲まれる空間が、負圧形成領域ＳＰである。例えば、図４（ｂ）に示すように、複数の液噴出口４１２ａは、円周方向に沿って配置される。
【0075】
図４（ａ）に示すように、複数の液噴出口４１２ａは、負圧形成領域ＳＰの外側に向かう斜め方向へ微細気泡含有処理液を噴出して、負圧形成領域ＳＰを負圧にする。具体的には、液噴出口４１２ａは、対向面４１１ａの外方に向けて傾斜している。複数の液噴出口４１２ａから噴出された微細気泡含有処理液は、基板Ｗの上面で流れの向きが側方に変えられ、基板Ｗの上面と対向面４１１ａとの間の狭い空間（隙間Ｇ）を、負圧形成領域ＳＰの外側に向かって高速で流れる。これらの高速な流れがベルヌーイ効果を生じさせ、負圧形成領域ＳＰを負圧にする。
【0076】
凹部４１５ａは、対向面４１１ａに設けられる。複数の液噴出口４１２ａは、凹部４１５ａを囲むように配置される。したがって、凹部４１５ａは、負圧形成領域ＳＰに面する。例えば、凹部４１５ａは、対向面４１１ａの中央部に設けられてもよい。
【0077】
貫通孔４１４ａは、凹部４１５ａに連通する。つまり、貫通孔４１４ａの一端が凹部４１５ａに接続する。貫通孔４１４ａは、第１ノズル４１ａを貫通する。例えば、貫通孔４１４ａは、鉛直方向に延びる。この場合、貫通孔４１４ａの一端は対向面４１１ａ（凹部４１５ａ）で開口し、貫通孔４１４ａの他端は、第１ノズル４１ａの上面で開口する。
【0078】
本実施形態によれば、貫通孔４１４ａが負圧形成領域ＳＰを負圧形成領域ＳＰの外部と連通させる。よって、負圧形成領域ＳＰの負圧が大きくなり過ぎることを回避できる。また、対向面４１１ａに凹部４１５ａを設けることで、負圧形成領域ＳＰの負圧が大きくなり過ぎることをより確実に回避することができる。
【0079】
なお、凹部４１５ａは省略されてもよい。また、貫通孔４１４ａが延びる方向は、負圧形成領域ＳＰを負圧形成領域ＳＰの外部と連通できる限り、特に限定されない。
【0080】
続いて、図４（ａ）を参照して、処理液供給部７を更に説明する。図４（ａ）に示すように、処理液供給部７は、微細気泡生成部７１と、処理液供給配管７２と、第１配管７３ａと、第２配管７３ｂと、第１開閉弁７４ａと、第２開閉弁７４ｂと、第１流量調整弁７５ａと、第２流量調整弁７５ｂとを有する。
【0081】
第１配管７３ａは、気体を流通させる管状部材であり、微細気泡生成部７１まで気体を流通させる。つまり、第１配管７３ａは、微細気泡生成部７１に気体を供給する。
【0082】
第１開閉弁７４ａは、第１配管７３ａに設けられて、第１配管７３ａを介した気体の供給開始及び供給停止を制御する。第１開閉弁７４ａの開閉動作は、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。第１開閉弁７４ａの構成は、リンス液開閉弁６１２（図２）と同様であるため、その詳細な説明は割愛する。
【0083】
第１流量調整弁７５ａは、第１配管７３ａに設けられて、第１配管７３ａを流通する気体の流量を調整する。第１流量調整弁７５ａの動作は、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。例えば、第１流量調整弁７５ａは開度の調整が可能であってもよい。この場合、気体は、第１流量調整弁７５ａの開度に対応する流量で第１配管７３ａを流通する。第１流量調整弁７５ａの開度は、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。第１流量調整弁７５ａは、例えば、モーターニードルバルブであってもよい。
【0084】
第１配管７３ａを介して微細気泡生成部７１に供給する気体の種類は、後工程や、基板Ｗを用いて製造される最終製品の性能に影響しない気体である限り、特に限定されない。例えば、気体の種類は、基板Ｗから除去する対象の異物の種類に応じて決定されてもよい。例えば、基板Ｗから除去する対象の異物がレジスト膜である場合、気体はオゾンガスであってもよい。オゾンガスを使用することにより、基板Ｗからレジスト膜を効率よく除去することができる。
【0085】
第２配管７３ｂは、液体を流通させる管状部材であり、微細気泡生成部７１まで液体を流通させる。つまり、第２配管７３ｂは、微細気泡生成部７１に液体を供給する。
【0086】
第２開閉弁７４ｂは、第２配管７３ｂに設けられて、第２配管７３ｂを介した液体の供給開始及び供給停止を制御する。第２開閉弁７４ｂの開閉動作は、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。第２開閉弁７４ｂの構成は、リンス液開閉弁６１２（図２）と同様であるため、その詳細な説明は割愛する。
【0087】
第２流量調整弁７５ｂは、第２配管７３ｂに設けられて、第２配管７３ｂを流通する液体の流量を調整する。第２流量調整弁７５ｂの動作は、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。第２流量調整弁７５ｂの構成は、第１流量調整弁７５ａと同様であるため、その詳細な説明は割愛する。
【0088】
第２配管７３ｂを介して微細気泡生成部７１に供給する液体の種類は、後工程や、基板Ｗを用いて製造される最終製品の性能に影響しない液体である限り、特に限定されない。例えば、液体は、基板処理に用いられる液体であってもよいし、リンス処理に用いられる液体であってもよい。液体の種類は、基板Ｗから除去する対象の異物の種類に応じて決定されてもよい。例えば、基板Ｗから除去する対象の異物がレジスト膜である場合、液体は、純水又は硫酸であってもよい。純水又は硫酸を使用することにより、基板Ｗからレジスト膜を効率よく除去することができる。なお、純水は、例えば、脱イオン水（ＤＩＷ：Ｄｅｉｏｎｚｉｅｄ Ｗａｔｅｒ）であってもよい。
【0089】
微細気泡生成部７１は、第２配管７３ｂを介して微細気泡生成部７１に供給される液体中に、第１配管７３ａを介して微細気泡生成部７１に供給される気体からなる微細気泡を発生させて、微細気泡含有処理液を生成する。微細気泡生成部７１の動作は、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。
【0090】
微細気泡生成部７１の構成は、液体中に微細気泡を発生させることができる限り、特に限定されない。例えば、微細気泡生成部７１は、高速旋回液流式、又は加圧溶解式であってもよいし、超音波キャビテーション式であってもよい。高速旋回液流式及び加圧溶解式により、液体中にマイクロバブルとナノバブルとを同時に発生させることができる。超音波キャビテーション式により、液体中にナノバブルを発生させることができる。
【0091】
なお、微細気泡生成部７１の構成は、基板Ｗに形成されているパターン（構造体）の隙間の寸法に応じて選択又は設計されてもよい。例えば、基板Ｗに形成されているパターン（構造体）の隙間の寸法が１ｎｍ以上１μｍ未満である場合、超音波キャビテーション式の微細気泡生成部７１を用いてもよい。これにより、パターン（構造体）の隙間の内部に微細気泡（ナノバブル）を侵入させることができる。よって、パターン（構造体）の奥から異物を除去することができる。
【0092】
処理液供給配管７２は、微細気泡含有処理液を流通させる管状部材であり、微細気泡生成部７１において生成された微細気泡含有処理液を第１ノズル４１ａの流入口４１７ａまで流通させる。つまり、処理液供給配管７２は、微細気泡含有処理液を第１ノズル４１ａの流入口４１７ａに供給する。この結果、複数の流路４１３ａに微細気泡含有処理液が流入して、複数の液噴出口４１２ａから微細気泡含有処理液が噴出する。
【0093】
続いて、第１ノズル４１ａ及び補助ガス供給部８を説明する。補助ガス供給部８は、複数の流路４１３ａに補助ガスを供給する。具体的には、補助ガス供給部８は、補助ガス供給配管８ａと、補助ガス開閉弁８ｂと、流量調整弁８ｃとを有する。
【0094】
補助ガス供給配管８ａは、補助ガスを流通させる管状部材であり、複数の流路４１３ａまで補助ガスを流通させる。つまり、補助ガス供給配管８ａは、複数の流路４１３ａに補助ガスを供給する。なお、補助ガス供給配管８ａは、複数の流路４１３ａの一部に補助ガスを供給してもよい。この場合、第１ノズル４１ａは、補助ガス供給配管８ａから供給された補助ガスを他の流路４１３ａまで流通させる流路を更に有する。
【0095】
補助ガス開閉弁８ｂは、補助ガス供給配管８ａに設けられて、補助ガス供給配管８ａを介した補助ガスの供給開始及び供給停止を制御する。補助ガス開閉弁８ｂの開閉動作は、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。補助ガス開閉弁８ｂの構成は、リンス液開閉弁６１２（図２）と同様であるため、その詳細な説明は割愛する。
【0096】
流量調整弁８ｃは、補助ガス供給配管８ａに設けられて、補助ガス供給配管８ａを流通する補助ガスの流量を調整する。流量調整弁８ｃの動作は、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。流量調整弁８ｃの構成は、第１流量調整弁７５ａと同様であるため、その詳細な説明は割愛する。
【0097】
複数の流路４１３ａに補助ガスが供給されることにより、複数の流路４１３ａを流通する微細気泡含有処理液の流速が増加して、複数の液噴出口４１２ａから噴出する微細気泡含有処理液の流速が増加する。よって、隙間Ｇを流れる微細気泡含有処理液の流速が増加するので、負圧形成領域ＳＰに、より確実に負圧を発生させることができる。
【0098】
詳しくは、補助ガスは、流路４１３ａに微細気泡含有処理液が流入する流入箇所よりも上流側から流路４１３ａに供給される。流路４１３ａに流入する微細気泡含有処理液に対し、補助ガスによる圧力が作用して、微細気泡含有処理液の流速が増加する。例えば、補助ガス供給部８は、第１ノズル４１ａの上面から複数の流路４１３ａに補助ガスを供給してもよい。なお、補助ガスを供給することにより、微細気泡含有処理液が液噴出口４１２ａからスプレー状に噴出されてもよい。本実施形態によれば、補助ガスの流量を調整することで、微細気泡の圧壊度を調整することができる。
【0099】
補助ガスの種類は、後工程や、基板Ｗを用いて製造される最終製品の性能に影響しない気体である限り、特に限定されない。例えば、補助ガスは、不活性ガスであってもよい。不活性ガスは、例えば、窒素ガスであってもよい。あるいは、補助ガスは、微細気泡生成部７１に供給する気体と同じ種類の気体であってもよい。なお、補助ガス供給部８は、省略されてもよい。
【0100】
続いて、図５を参照して、第１負圧発生部４Ａを説明する。図５は、基板処理時の第１負圧発生部４Ａ、基板Ｗ、及び微細気泡含有液膜ＬＭを示す図である。既に説明したように、第１負圧発生部４Ａは、基板Ｗの上方空間を負圧にする。具体的には、第１負圧発生部４Ａは、基板Ｗと第１ノズル４１ａとの間の空間（隙間Ｇ）の一部（負圧形成領域ＳＰ）を負圧にする。図５に示すように、負圧形成領域ＳＰが負圧になると、微細気泡含有液膜ＬＭの厚みが負圧形成領域ＳＰにおいて薄くなり、負圧形成領域ＳＰ内の微細気泡含有液膜ＬＭに含有されている微細気泡が膨張して圧壊する。この結果、微細気泡が圧壊される際に発生するエネルギーにより、負圧形成領域ＳＰ内の異物が基板Ｗから除去される。具体的には、基板Ｗに付着している異物が基板Ｗから離れて、微細気泡含有液膜ＬＭ中に混入する。
【0101】
続いて、図１～図６を参照して、本実施形態の基板処理装置１００の動作を説明する。図６は、本実施形態の基板処理装置１００の動作を示すフローチャートである。詳しくは、図６は、本実施形態の基板処理装置１００に含まれる制御装置１０１（制御部１０２）が実行する処理の流れを示す。図６に示す処理は、工程Ｓ１～工程Ｓ５を含む。
【0102】
図６に示すように、制御装置１０１（制御部１０２）は、基板処理を実行する際に、まずセンターロボットＣＲを制御して、処理室２００ａ内に基板Ｗを搬入させる（工程Ｓ１）。そして、制御装置１０１（制御部１０２）は、基板保持部２に基板Ｗを保持させる。基板保持部２が基板Ｗを保持すると、制御装置１０１（制御部１０２）は、カップ１０を下位置から上位置へ移動させる。
【0103】
カップ１０を下位置から上位置へ移動させた後、制御装置１０１（制御部１０２）は、基板回転部３を制御して、基板Ｗを回転させる。また、制御装置１０１（制御部１０２）は、ノズル移動部５Ａを制御して、第１ノズル４１ａを待機位置ＰＳ１から基板Ｗに対向する位置へ移動させる。
【0104】
基板Ｗの回転速度が既定の回転速度に達すると、制御装置１０１（制御部１０２）は、処理液供給部７及び補助ガス供給部８を制御して、回転中の基板Ｗに向けて第１ノズル４１ａの複数の液噴出口４１２ａから微細気泡含有処理液を噴出させる。このとき、制御装置１０１（制御部１０２）は、ノズル移動部５Ａを制御して、図３を参照して説明したように、第１ノズル４１ａをフルスキャン又はハーフスキャンさせる。この結果、基板Ｗが処理される（工程Ｓ２）。具体的には、基板Ｗから異物が除去される。
【0105】
詳しくは、第１ノズル４１ａを移動させながら、複数の液噴出口４１２ａから微細気泡含有処理液を噴出させることにより、微細気泡含有処理液を基板Ｗの上面に拡げて、微細気泡含有液膜ＬＭを形成することができる。そして、微細気泡含有液膜ＬＭが形成された領域に負圧形成領域ＳＰを移動させて、負圧形成領域ＳＰの範囲内の微細気泡含有液膜ＬＭに含有されている微細気泡を圧壊することができる。
【0106】
更に、本実施形態によれば、回転中の基板Ｗに対して複数の液噴出口４１２ａから微細気泡含有処理液を噴出させつつ、第１ノズル４１ａをフルスキャン又はハーフスキャンさせるため、基板Ｗの上面の略全面を、異物除去の対象領域とすることができる。したがって、基板Ｗの上面の略全面から異物を除去することができる。
【0107】
制御装置１０１（制御部１０２）は、フルスキャン処理又はハーフスキャン処理が終了すると、処理液供給部７及び補助ガス供給部８を制御して、微細気泡含有処理液の噴出を停止させる。その後、制御装置１０１（制御部１０２）は、ノズル移動部５Ａを制御して、第１ノズル４１ａを待機位置ＰＳ１へ移動させる。
【0108】
制御装置１０１（制御部１０２）は、第１ノズル４１ａを待機位置ＰＳ１へ移動させた後、リンス液供給部６１を制御して、リンスノズル６から回転中の基板Ｗにリンス液を供給させる（工程Ｓ３）。この結果、基板Ｗの上面にリンス液の液膜が形成される。換言すると、基板Ｗの上面の液膜が、微細気泡含有液膜ＬＭからリンス液の液膜に置換される。これにより、基板Ｗから除去されて微細気泡含有液膜ＬＭに混入した異物が、微細気泡含有液膜ＬＭと共に基板Ｗの外部へ排出される。
【0109】
制御装置１０１（制御部１０２）は、リンス液の供給を開始してから第１既定時間が経過すると、基板回転部３を制御して、基板Ｗの回転速度を増加させる。この結果、基板Ｗが乾燥する（工程Ｓ４）。基板Ｗの回転速度を増加させてから第２既定時間が経過すると、制御装置１０１（制御部１０２）は、基板回転部３を制御して、基板Ｗの回転を停止させる。
【0110】
制御装置１０１（制御部１０２）は、基板Ｗの回転を停止させると、カップ１０を上位置から下位置へ移動させる。カップ１０が下位置へ移動すると、制御装置１０１（制御部１０２）は、基板保持部２を制御して、基板Ｗの保持を解除させる。そして、制御装置１０１（制御部１０２）は、センターロボットＣＲを制御して、処理室２００ａの外部に基板Ｗを搬出させる（工程Ｓ５）。この結果、図６に示す処理が終了する。
【0111】
以上、図１～図６を参照して説明したように、本実施形態によれば、基板Ｗに微細気泡含有液膜ＬＭを形成した後に、微細気泡含有液膜ＬＭに含有されている微細気泡を圧壊させることができる。この結果、基板Ｗから効率よく異物を除去することができる。
【0112】
例えば、基板Ｗの表面に複雑な構造のパターン（構造体）が形成されている場合であっても、パターン（構造体）の隙間の奥まで微細気泡含有処理液を侵入させた後に微細気泡を圧壊させることができる。したがって、パターン（構造体）の隙間の入り口付近だけではなく、パターン（構造体）の隙間の奥からも異物を除去することができる。
【0113】
また、寿命が短い微細気泡を使用する構成では、微細気泡が基板に接触又は衝突することによって圧壊するため、液膜中の微細気泡の量が少ない。換言すると、液膜中の微細気泡の密度が小さい。これに対し、本実施形態によれば、基板Ｗに微細気泡含有液膜ＬＭを形成した後に、微細気泡含有液膜ＬＭに含有されている微細気泡を圧壊させることができるため、寿命が短い微細気泡を使用する構成と比べて、液膜中の微細気泡の量が多い状態で微細気泡を一気に圧壊することができる。したがって、寿命が短い微細気泡を使用する構成と比べて、異物除去に寄与するエネルギーが大きくなるため、基板Ｗから効率よく異物を除去することができる。
【0114】
また、寿命が短い微細気泡を使用する構成では、基板に接触又は衝突しなかった微細気泡が、圧壊しないままの状態で液膜中に残存する。これに対し、本実施形態によれば、基板Ｗに微細気泡含有液膜ＬＭを形成した後に、微細気泡含有液膜ＬＭに含有されている微細気泡を圧壊させることができる。したがって、寿命が短い微細気泡を使用する構成と比べて、液膜中に残存する微細気泡を少なくできる。よって、効率よく異物を除去することができる。
【0115】
また、本実施形態によれば、微細気泡が圧壊する際に発生するエネルギーを利用して異物を除去できるため、処理液のみを用いて異物を除去する構成と比べて、処理液の使用量を削減することができる。
【0116】
また、本実施形態によれば、オゾンガスからなる微細気泡を生成することにより、純水を用いてレジスト膜を剥離することができる。具体的には、オゾンガスからなる微細気泡を用いた場合、微細気泡が圧壊する際に発生するエネルギーと、微細気泡の気液界面の高濃度なオゾンとにより、レジスト膜を剥離することができる。更に、オゾンガスからなる微細気泡を用いることで、オゾン水を用いてレジスト膜を剥離する構成と比べてオゾンの使用量を削減することができる。
【0117】
また、本実施形態によれば、微細気泡含有処理液の液体に硫酸以外の液体（例えば、純水）を用いることで、硫酸を用いることなくレジスト膜を剥離することができる。よって、環境への負荷を軽減できる。
【0118】
［実施形態２］
続いて図７を参照して本発明の実施形態２について説明する。但し、実施形態１と異なる事項を説明し、実施形態１と同じ事項についての説明は割愛する。実施形態２は、実施形態１と異なり、ベルヌーイ効果を発生させるために第２ノズル４１ｂから気体を噴出する。
続いて図７を参照して本発明の実施形態２について説明する。但し、実施形態１と異なる事項を説明し、実施形態１と同じ事項についての説明は割愛する。実施形態２は、実施形態１と異なり、ベルヌーイ効果を発生させるために第２ノズル４１ｂから気体を噴出する。
【0119】
図７は、本実施形態の基板処理装置１００に含まれる第２負圧発生部４Ｂの構成を示す図である。詳しくは、図７は、基板処理時に基板Ｗの中心位置ＣＴ（図３参照）に対向する第２ノズル４１ｂを示す。なお、図７は、第２ノズル４１ｂの断面を示している。
【0120】
図７に示すように、本実施形態において、圧壊部４は第２負圧発生部４Ｂを含む。第２負圧発生部４Ｂは、第２ノズル４１ｂと、処理液供給部７と、ガス供給部８１とを有する。
【0121】
第２ノズル４１ｂは、基板処理時に、基板保持部２に保持された基板Ｗに対向する。第２ノズル４１ｂは、対向部材の一例である。第２ノズル４１ｂは、複数の気体噴出口４１２ｂを有する。複数の気体噴出口４１２ｂはそれぞれ、基板保持部２に保持された基板Ｗに向けて気体を噴出する。具体的には、回転中の基板Ｗに向けて複数の気体噴出口４１２ｂから気体が噴出される。第２ノズル４１ｂは、第１ノズル４１ａと同様に、複数の気体噴出口４１２ｂから気体を噴出して、複数の気体噴出口４１２ｂの間の空間を負圧にする。本実施形態において、第２ノズル４１ｂは、対向面４１１ｂと、複数の第１流路４１３ｂと、第２流路４１４ｂと、液吐出口４１６ｂとを更に有する。
【0122】
対向面４１１ｂは、対向面４１１ａと同様に、基板保持部２に保持された基板Ｗに対向して、対向面４１１ｂと基板Ｗとの間に隙間Ｇを形成する。図２を参照して説明したように、ノズル移動部５Ａは、基板処理時に、隙間Ｇにおいてベルヌーイ効果が発生し得る位置まで第２ノズル４１ｂを基板Ｗに接近させる。
【0123】
液吐出口４１６ｂは、対向面４１１ｂに設けられる。液吐出口４１６ｂは、基板保持部２に保持された基板Ｗに向けて微細気泡含有処理液を吐出して、微細気泡含有液膜ＬＭを形成する。具体的には、回転中の基板Ｗに向けて液吐出口４１６ｂから微細気泡含有処理液が吐出される。この結果、微細気泡含有液膜ＬＭが基板Ｗの上面に形成される。本実施形態において、液吐出口４１６ｂは、複数の気体噴出口４１２ｂによって囲まれる位置に設けられる。例えば、液吐出口４１６ｂは、対向面４１１ｂの中央に設けられてもよい。
【0124】
複数の第１流路４１３ｂ及び第２流路４１４ｂは、第２ノズル４１ｂの内部に形成される。本実施形態において、処理液供給部７は、第２流路４１４ｂに微細気泡含有処理液を供給する。ガス供給部８１は、複数の第１流路４１３ｂに気体を供給する。
【0125】
第２流路４１４ｂは、液吐出口４１６ｂに連通する。第２流路４１４ｂは、液吐出口４１６ｂまで微細気泡含有処理液を流通させる。つまり、第２流路４１４ｂは、液吐出口４１６ｂに微細気泡含有処理液を供給する。この結果、回転中の基板Ｗに向けて、液吐出口４１６ｂから微細気泡含有処理液が吐出される。
【0126】
複数の第１流路４１３ｂは複数の気体噴出口４１２ｂに連通する。複数の第１流路４１３ｂは複数の気体噴出口４１２ｂまで気体を流通させる。つまり、複数の第１流路４１３ｂは複数の気体噴出口４１２ｂに気体を供給する。この結果、回転中の基板Ｗに向けて、複数の気体噴出口４１２ｂから気体が噴出して、複数の気体噴出口４１２ｂの間の空間がベルヌーイ効果によって負圧になる。
【0127】
詳しくは、複数の気体噴出口４１２ｂは、複数の液噴出口４１２ａと同様に、対向面４１１ｂに設けられて、隙間Ｇの一部である負圧形成領域ＳＰを囲む。複数の気体噴出口４１２ｂは、負圧形成領域ＳＰの外側に向かう斜め方向へ気体を噴出して、負圧形成領域ＳＰを負圧にする。具体的には、気体噴出口４１２ｂは、対向面４１１ｂの外方に向けて傾斜している。複数の気体噴出口４１２ｂから噴出された気体は、基板Ｗの上面と対向面４１１ｂとの間の狭い空間（隙間Ｇ）を、負圧形成領域ＳＰの外側に向かって高速で流れる。これらの高速な流れがベルヌーイ効果を生じさせ、負圧形成領域ＳＰを負圧にする。
【0128】
本実施形態において、制御装置１０１（制御部１０２）は、処理液供給部７を制御して、液吐出口４１６ｂから微細気泡含有処理を吐出させ、基板Ｗの上面に微細気泡含有液膜ＬＭを形成する。例えば、第２ノズル４１ｂは、基板Ｗの中心位置ＣＴに対向する位置から、回転する基板Ｗに向けて微細気泡含有処理液を吐出してもよい。
【0129】
制御装置１０１（制御部１０２）は、微細気泡含有液膜ＬＭを形成した後、処理液供給部７を制御して、微細気泡含有処理液の吐出を停止させる。そして、制御装置１０１（制御部１０２）は、ノズル移動部５Ａを制御して、第２ノズル４１ｂをフルスキャン又はハーフスキャンさせつつ、ガス供給部８１を制御して、気体噴出口４１２ｂから気体を噴出させる。この結果、負圧になった負圧形成領域ＳＰが、回転する基板Ｗに対して移動する。
【0130】
なお、処理液供給部７の構成は、処理液供給配管７２が微細気泡含有処理液を第２流路４１４ｂに供給する点を除いて、図４に示す処理液供給部７と同様であるため、その詳細な説明は割愛する。
【0131】
ガス供給部８１は、ガス供給配管８１ａと、ガス開閉弁８１ｂと、流量調整弁８１ｃとを有する。ガス供給部８１の構成は、図４に示す補助ガス供給部８と略同様であるため、その詳細な説明は割愛する。
【0132】
ガス供給部８１が供給する気体の種類は、補助ガスと同様に、後工程や、基板Ｗを用いて製造される最終製品の性能に影響しない気体である限り、特に限定されない。例えば、ガス供給部８１が供給する気体は、不活性ガスであってもよい。不活性ガスは、例えば、窒素ガスであってもよい。あるいは、ガス供給部８１が供給する気体は、微細気泡生成部７１に供給する気体と同じ種類の気体であってもよい。
【0133】
以上、図７を参照して本発明の実施形態２を説明した。実施形態２によれば、実施形態１と同様に、基板Ｗに微細気泡含有液膜ＬＭを形成した後に、微細気泡含有液膜ＬＭに含有されている微細気泡を圧壊させることができる。よって、基板Ｗから効率よく異物を除去することができる。
【0134】
また、本実施形態によれば、ガス供給部８１の流量調整弁８１ｃを制御して、気体噴出口４１２ｂから噴出する気体の流量を調整することができる。したがって、負圧形成領域ＳＰの負圧の大きさを調整して、微細気泡の圧壊度を制御することができる。
【0135】
［実施形態３］
続いて図８及び図９を参照して本発明の実施形態３について説明する。但し、実施形態１、２と異なる事項を説明し、実施形態１、２と同じ事項についての説明は割愛する。実施形態３は、実施形態１、２と異なり、基板処理装置１００が第１遮断部材４２を備える。
続いて図８及び図９を参照して本発明の実施形態３について説明する。但し、実施形態１、２と異なる事項を説明し、実施形態１、２と同じ事項についての説明は割愛する。実施形態３は、実施形態１、２と異なり、基板処理装置１００が第１遮断部材４２を備える。
【0136】
図８は、本実施形態の基板処理装置１００に含まれる基板処理部２００の内部の構成を模式的に示す側面図である。図８に示すように、基板処理部２００は、処理室２００ａと、基板保持部２と、基板回転部３と、圧壊部４と、リンスノズル６と、カップ１０とを有する。基板処理装置１００は、リンス液供給部６１を備える。
【0137】
本実施形態において、圧壊部４は、第３負圧発生部４Ｃを含む。第３負圧発生部４Ｃは、基板Ｗの上方空間を負圧にして、微細気泡含有液膜ＬＭに含有されている微細気泡を圧壊する。具体的には、第３負圧発生部４Ｃは、第１遮断部材４２と、遮断部材移動部５Ｃと、処理液供給部７と、ガス供給部８１とを含む。
【0138】
第１遮断部材４２は、基板保持部２の上方に位置する。第１遮断部材４２は、基板処理時に、基板保持部２に保持された基板Ｗに対向する。第１遮断部材４２は、対向部材の一例である。
【0139】
遮断部材移動部５Ｃは、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御されて、近接位置と退避位置との間で第１遮断部材４２を移動させる。第１遮断部材４２が近接位置に位置する場合、第１遮断部材４２は、下降して基板Ｗの上面に隙間Ｇ（図９参照）をあけて近接する。詳しくは、遮断部材移動部５Ｃは、隙間Ｇ（図９参照）においてベルヌーイ効果が発生し得る位置まで第１遮断部材４２を基板Ｗに接近させる。図８は、退避位置に位置する第１遮断部材４２を示す。第１遮断部材４２が退避位置に位置する場合、第１遮断部材４２は近接位置よりも鉛直上方に離れた場所に位置する。第１遮断部材４２が近接位置から退避位置に変化するとき、第１遮断部材４２は上昇して基板Ｗから離間する。具体的には、遮断部材移動部５Ｃは、アーム５１Ｃと、基台５２Ｃと、駆動部５３Ｃとを有し、第１遮断部材４２を鉛直方向に移動させる。
【0140】
アーム５１Ｃは水平方向に沿って延びる。アーム５１Ｃは第１遮断部材４２を支持する。例えば、第１遮断部材４２は、アーム５１Ｃの先端部に結合される。アーム５１Ｃは基台５２Ｃに結合される。基台５２Ｃは、鉛直方向に沿って延びる。
【0141】
駆動部５３Ｃは、基台５２Ｃを鉛直方向に移動させる。この結果、第１遮断部材４２が鉛直方向に移動する。駆動部５３Ｃは、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。具体的には、駆動部５３Ｃは、昇降機構を含む。昇降機構は、基台５２Ｃを鉛直方向に沿って昇降させて、アーム５１Ｃを昇降させる。この結果、第１遮断部材４２が鉛直方向に沿って移動する。昇降機構は、例えば、ボールねじ機構と、正逆回転可能な電動モータとを含む。電動モータは、ボールねじ機構を駆動する。
【0142】
処理液供給部７は、基板処理時に、第１遮断部材４２に微細気泡含有処理液を供給する。その結果、第１遮断部材４２が、近接位置から基板Ｗの上面に向けて微細気泡含有処理液を吐出して、基板Ｗの上面に微細気泡含有液膜ＬＭを形成する。より詳しくは、第１遮断部材４２は、回転中の基板Ｗに向けて微細気泡含有処理液を吐出する。その結果、基板Ｗの上面に微細気泡含有液膜ＬＭが形成される。
【0143】
また、基板処理時に、ガス供給部８１が第１遮断部材４２に気体を供給する。その結果、第１遮断部材４２が、近接位置から基板Ｗの上面に向けて気体を噴出して、ベルヌーイ効果により基板Ｗの上方空間を負圧にする。
【0144】
具体的には、基板処理時に、制御装置１０１（制御部１０２）が、処理液供給部７を制御して、第１遮断部材４２から微細気泡含有処理を吐出させ、基板Ｗの上面に微細気泡含有液膜ＬＭを形成する。制御装置１０１（制御部１０２）は、微細気泡含有液膜ＬＭを形成した後、処理液供給部７を制御して、微細気泡含有処理液の吐出を停止させる。そして、制御装置１０１（制御部１０２）は、ガス供給部８１を制御して、第１遮断部材４２から気体を噴出させ、基板Ｗの上方空間を負圧にする。この結果、微細気泡含有液膜ＬＭに含有されている微細気泡が圧壊する。
【0145】
続いて、図８及び図９を参照して、第３負圧発生部４Ｃを説明する。図９は、本実施形態の基板処理装置１００に含まれる第３負圧発生部４Ｃの構成を示す図である。詳しくは、図９は、近接位置に位置する第１遮断部材４２を示す。なお、図９は、第１遮断部材４２の断面を示している。
【0146】
図９に示すように、第１遮断部材４２は、複数の気体噴出口４２２を有する。複数の気体噴出口４２２はそれぞれ、基板保持部２に保持された基板Ｗに向けて気体を噴出する。具体的には、回転中の基板Ｗに向けて複数の気体噴出口４２２から気体が噴出される。第１遮断部材４２は、複数の気体噴出口４２２から気体を噴出して、複数の気体噴出口４２２の間の空間を負圧にする。
【0147】
詳しくは、第１遮断部材４２は、対向面４２１を有する。対向面４２１は、水平面に拡がる形状を有している。対向面４２１は、第１遮断部材４２が近接位置に位置するとき、基板保持部２に保持された基板Ｗに対向して、対向面４２１と基板Ｗとの間に隙間Ｇを形成する。
【0148】
具体的には、対向面４２１は、第１遮断部材４２が近接位置に位置するとき、基板Ｗの上面の全部分を覆って、基板Ｗの上方空間を周辺雰囲気から遮断する。例えば、対向面４２１の外形は円形状であり、基板Ｗの直径以上の直径を有する。図８を参照して説明したように、遮断部材移動部５Ｃは、基板処理時に、隙間Ｇにおいてベルヌーイ効果が発生し得る位置まで第１遮断部材４２を基板Ｗに接近させる。
【0149】
複数の気体噴出口４２２は、対向面４２１に設けられて、隙間Ｇの一部である負圧形成領域ＳＰを囲む。具体的には、複数の気体噴出口４２２は、対向面４２１の周縁部に設けられる。気体噴出口４２２の数は、負圧形成領域ＳＰを負圧にできる限り、特に限定されない。例えば、第２ノズル４１ｂは、８つの気体噴出口４２２を有してもよい。
【0150】
複数の気体噴出口４２２は、負圧形成領域ＳＰの外側に向かう斜め方向へ気体を噴出して、負圧形成領域ＳＰを負圧にする。具体的には、気体噴出口４２２は、対向面４２１の外方に向けて傾斜しており、基板Ｗの上面の端部ＥＧに向けて気体を噴出する。したがって、基板Ｗの上面の略全部分が、負圧形成領域ＳＰとなる。
【0151】
複数の気体噴出口４２２から噴出された気体は、対向面４２１の周縁部と、基板Ｗの上面の端部ＥＧとの間の狭い空間（隙間Ｇ）を、基板Ｗの外側に向かって高速で流れる。これらの高速な流れがベルヌーイ効果を生じさせ、負圧形成領域ＳＰ（基板Ｗの上方空間の略全部分）を負圧にする。
【0152】
図９に示すように、第１遮断部材４２は、液吐出口４２４を更に有する。液吐出口４２４は、対向面４２１に設けられる。液吐出口４２４は、基板保持部２に保持された基板Ｗに向けて微細気泡含有処理液を吐出して、微細気泡含有液膜ＬＭを形成する。例えば、液吐出口４２４は、対向面４２１の中央に設けられてもよい。
【0153】
図９に示すように、第１遮断部材４２は、複数の第１流路４２３と、第２流路４２５とを更に有する。複数の第１流路４２３及び第２流路４２５は、第１遮断部材４２の内部に形成される。本実施形態において、処理液供給部７は、第２流路４２５に微細気泡含有処理液を供給する。ガス供給部８１は、複数の第１流路４２３に気体を供給する。
【0154】
第２流路４２５は、液吐出口４２４に連通する。第２流路４２５は、液吐出口４２４まで微細気泡含有処理液を流通させる。つまり、第２流路４２５は、液吐出口４２４に微細気泡含有処理液を供給する。この結果、回転中の基板Ｗに向けて、液吐出口４２４から微細気泡含有処理液が吐出される。
【0155】
複数の第１流路４２３は複数の気体噴出口４２２に連通する。複数の第１流路４２３は複数の気体噴出口４２２まで気体を流通させる。つまり、複数の第１流路４２３は複数の気体噴出口４２２に気体を供給する。この結果、回転中の基板Ｗに向けて、複数の気体噴出口４２２から気体が噴出され、複数の気体噴出口４２２の間の空間がベルヌーイ効果によって負圧になる。
【0156】
本実施形態において、制御装置１０１（制御部１０２）は、処理液供給部７を制御して、液吐出口４２４から微細気泡含有処理を吐出させ、基板Ｗの上面に微細気泡含有液膜ＬＭを形成した後に、微細気泡含有処理液の吐出を停止させる。制御装置１０１（制御部１０２）は、微細気泡含有処理液の吐出を停止させた後に、ガス供給部８１を制御して、気体噴出口４２２から気体を噴出させ、負圧形成領域ＳＰを負圧にする。
【0157】
なお、処理液供給部７の構成は、図７に示す処理液供給部７と同様であるため、その詳細な説明は割愛する。同様に、ガス供給部８１の構成は、図７に示すガス供給部８１と略同様であるため、その詳細な説明は割愛する。
【0158】
以上、図８及び図９を参照して本発明の実施形態３を説明した。実施形態３によれば、実施形態１、２と同様に、基板Ｗに微細気泡含有液膜ＬＭを形成した後に、微細気泡含有液膜ＬＭに含有されている微細気泡を圧壊させることができる。よって、基板Ｗから効率よく異物を除去することができる。
【0159】
なお、微細気泡含有処理液に含有されている液体が硫酸である場合、第１遮断部材４２は、微細気泡含有液膜ＬＭを形成した後に、液吐出口４２４から水蒸気を吐出して、第１遮断部材４２と基板Ｗとの間の隙間Ｇに水蒸気を供給してもよい。水蒸気を供給することにより、硫酸の温度を昇温させることができる。あるいは、水蒸気を供給することにより、第１遮断部材４２と基板Ｗとの間の隙間Ｇを硫酸の温度が低下し難い環境とすることができる。その結果、基板Ｗからレジスト膜を効率よく除去することができる。
【0160】
具体的には、基板処理装置１００は、第２流路４２５に水蒸気を供給する水蒸気供給部を更に備えてもよい。制御装置１０１（制御部１０２）は、微細気泡含有液膜ＬＭが形成された後に、処理液供給部７を制御して、微細気泡含有処理液の吐出を停止させる。制御装置１０１（制御部１０２）は、微細気泡含有処理液の吐出を停止させた後に、水蒸気供給部を制御して、第１遮断部材４２（液吐出口４２４）から水蒸気を吐出させる。
【0161】
［実施形態４］
続いて図１０～図１４を参照して本発明の実施形態４について説明する。但し、実施形態１～３と異なる事項を説明し、実施形態１～３と同じ事項についての説明は割愛する。実施形態４は、実施形態１～３と異なり、基板処理装置１００が第１ラインノズル４３ａを備える。
続いて図１０～図１４を参照して本発明の実施形態４について説明する。但し、実施形態１～３と異なる事項を説明し、実施形態１～３と同じ事項についての説明は割愛する。実施形態４は、実施形態１～３と異なり、基板処理装置１００が第１ラインノズル４３ａを備える。
【0162】
図１０は、本実施形態の基板処理装置１００に含まれる基板処理部２００の内部の構成を模式的に示す側面図である。図１１は、本実施形態の基板処理装置１００に含まれる基板処理部２００の内部の構成を模式的に示す平面図である。
【0163】
図１０に示すように、基板処理部２００は、処理室２００ａと、基板保持部２と、基板回転部３と、圧壊部４と、リンスノズル６と、カップ１０とを有する。基板処理装置１００は、リンス液供給部６１を更に備える。
【0164】
本実施形態において、圧壊部４は、第４負圧発生部４Ｄを含む。第４負圧発生部４Ｄは、基板Ｗの上方空間を負圧にして、微細気泡含有液膜ＬＭに含有されている微細気泡を圧壊する。具体的には、第４負圧発生部４Ｄは、第１ラインノズル４３ａを含む。本実施形態では、第４負圧発生部４Ｄは、ラインノズル移動部５Ｄを更に含む。
【0165】
第１ラインノズル４３ａは、基板保持部２に保持された基板Ｗに対して略平行に延びる。例えば、第１ラインノズル４３ａは、略水平方向に延びる。第１ラインノズル４３ａは、基板処理時に基板Ｗに対向する。詳しくは、第１ラインノズル４３ａは、基板処理時に基板Ｗの上方に位置する。第１ラインノズル４３ａは、基板処理時に、基板保持部２に保持された基板Ｗの上面に向けて微細気泡含有処理液を噴出して、基板Ｗの上面に微細気泡含有液膜ＬＭを形成する。より詳しくは、第１ラインノズル４３ａは、回転中の基板Ｗに向けて微細気泡含有処理液を噴出する。
【0166】
本実施形態において、第１ラインノズル４３ａの長さは、基板Ｗの直径と略等しい。図１１に示すように、基板処理時に、ラインノズル移動部５Ｄは、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御されて、第１ラインノズル４３ａを円弧状の軌跡ＴＪ２に沿って移動させる。
【0167】
具体的には、軌跡ＴＪ２は、図３に示す軌跡ＴＪ１と同様に、基板Ｗの中心位置ＣＴに対向する位置（中心位置ＣＴの上方の位置）と、２か所の端部対向位置（基板Ｗの端部ＥＧに対向する位置）と、待機位置ＰＳ２とを通過する軌跡である。待機位置ＰＳ２は、待機位置ＰＳ１と同様に、平面視において基板保持部２の外側の位置である。本実施形態において、待機位置ＰＳ２は、平面視においてカップ１０の外側の位置である。ラインノズル移動部５Ｄは、ノズル移動部５Ａと同様に、第１ラインノズル４３ａをフルスキャン又はハーフスキャンさせる。第１ラインノズル４３ａは、軌跡ＴＪ２に沿って移動しつつ、基板Ｗに向けて微細気泡含有処理液を噴出する。
【0168】
なお、第１ラインノズル４３ａが端部対向位置に位置する際に、第１ラインノズル４３ａの一部はカップ１０の内側に進入し、平面視したとき、カップ１０の上端で囲まれた開口から露出しない状態となる。
【0169】
図１０に戻る。図１０に示すように、ラインノズル移動部５Ｄは、保持部５１Ｄと、アーム５２Ｄと、基台５３Ｄと、駆動部５４Ｄとを有し、第１ラインノズル４３ａを鉛直方向及び水平方向に移動させる。駆動部５４Ｄは、ラインノズル揺動機構５４１Ｄと、ラインノズル昇降機構５４２Ｄとを含む。
【0170】
保持部５１Ｄは、鉛直方向に延びる。第１ラインノズル４３ａは保持部５１Ｄの下端に結合して、保持部５１Ｄによって保持される。例えば、保持部５１Ｄは、第１ラインノズル４３ａの中央部に結合する。アーム５２Ｄは水平方向に延びる。アーム５２Ｄの先端に、保持部５１Ｄの上端部が結合する。したがって、保持部５１Ｄは、アーム５２Ｄの先端から鉛直下方に延びる。
【0171】
ラインノズル揺動機構５３１Ｄは、鉛直方向に延びる第３回転軸線ＡＸ３を中心として基台５３Ｄを揺動させる。この結果、第１ラインノズル４３ａが水平面に沿って移動する。詳しくは、第１ラインノズル４３ａは、第３回転軸線ＡＸ３を中心とする円弧状の軌跡（図１１に示す軌跡ＴＪ２）に沿って移動する。ラインノズル移動部５Ｄの他の構成は、図２を参照して説明したノズル移動部５Ａと略同様であるため、その詳細な説明は割愛する。
【0172】
図１２（ａ）は、第１ラインノズル４３ａの上面の一部と、保持部５１Ｄの上面と、アーム５２Ｄの上面の一部とを示す図である。図１２（ｂ）は、第１ラインノズル４３ａの底面の一部を示す図である。図１３は、本実施形態の基板処理装置１００に含まれる第４負圧発生部４Ｄの構成を示す図である。詳しくは、図１３は、図１２（ａ）のＸＩＩＩ－ＸＩＩＩ線に沿って切断した第１ラインノズル４３ａの断面及び保持部５１Ｄの断面を示す。図１４は、本実施形態の基板処理装置１００に含まれる第４負圧発生部４Ｄの構成を示す他の図である。詳しくは、図１４は、図１２（ａ）のＸＩＶ－ＸＩＶ線に沿って切断した第１ラインノズル４３ａの断面と、保持部５１Ｄの側面とを示す。なお、図１３及び図１４は、基板処理時に基板Ｗの中心位置ＣＴ（図１１参照）に対向する第１ラインノズル４３ａを示している。
【0173】
図１２（ｂ）、図１３及び図１４に示すように、第１ラインノズル４３ａは、複数の液噴出口４３２ａを有する。図１２（ｂ）に示すように、複数の液噴出口４３２ａは、第１ラインノズル４３ａが延びる方向に沿って、第１ラインノズル４３ａの両側に配置される。複数の液噴出口４３２ａはそれぞれ、微細気泡含有処理液を噴出する。具体的には、回転中の基板Ｗに向けて複数の液噴出口４３２ａから微細気泡含有処理液が噴出される。第１ラインノズル４３ａは、複数の液噴出口４３２ａから微細気泡含有処理液を噴出して、複数の液噴出口４３２ａの間の空間を負圧にする。
【0174】
より詳しくは、第１ラインノズル４３ａは、図１２（ｂ）、図１３及び図１４に示すように、対向面４３１ａを有する。図１３及び図１４に示すように、対向面４３１ａは、基板処理中に、基板保持部２に保持された基板Ｗに対向して、対向面４３１ａと基板Ｗとの間に隙間Ｇを形成する。図１０に示すラインノズル移動部５Ｄは、基板処理時に、隙間Ｇにおいてベルヌーイ効果が発生し得る位置まで第１ラインノズル４３ａを基板Ｗに接近させる。
【0175】
図１２（ｂ）、図１３及び図１４に示すように、複数の液噴出口４３２ａは、対向面４３１ａに設けられる。複数の液噴出口４３２ａは、隙間Ｇの一部である負圧形成領域ＳＰの両側に、第１ラインノズル４３ａが延びる方向に沿って配置される。本実施形態では、負圧形成領域ＳＰは、第１ラインノズル４３ａが延びる方向に沿って延びる。複数の液噴出口４３２ａは、負圧形成領域ＳＰの外側に向かう斜め方向へ微細気泡含有処理液を噴出して、負圧形成領域ＳＰを負圧にする。
【0176】
【0177】
複数の流路４３３ａ及び流入口４３７ａは、第１ラインノズル４３ａの内部に形成される。流入口４３７ａは、複数の流路４３３ａに連通する。処理液供給部７は、流入口４３７ａに微細気泡含有処理液を供給する。この結果、流入口４３７ａを介して複数の流路４３３ａに微細気泡含有処理液が流入する。
【0178】
複数の流路４３３ａは複数の液噴出口４３２ａに連通する。複数の流路４３３ａは、複数の液噴出口４３２ａまで微細気泡含有処理液を流通させる。つまり、複数の流路４３３ａは、複数の液噴出口４３２ａに微細気泡含有処理液を供給する。この結果、回転中の基板Ｗに向けて、複数の液噴出口４３２ａから微細気泡含有処理液が噴出して、基板Ｗの上面に微細気泡含有液膜ＬＭが形成される。また、液噴出口４３２ａは、対向面４３１ａの外方に向けて傾斜している。したがって、複数の液噴出口４３２ａから微細気泡含有処理液が噴出することで、複数の液噴出口４３２ａの間の空間がベルヌーイ効果によって負圧になる。
【0179】
図１２（ｂ）、図１３及び図１４に示すように、第１ラインノズル４３ａは、凹部４３５ａを更に有する。また、図１２（ａ）、図１２（ｂ）、図１３及び図１４に示すように、第１ラインノズル４３ａは、複数の貫通孔４３４ａを有する。図１２（ａ）及び図１３に示すように、保持部５１Ｄは、貫通孔５ａを有する。
【0180】
図１２（ｂ）、図１３及び図１４に示すように、凹部４３５ａは、対向面４３１ａに設けられる。図１２（ｂ）に示すように、凹部４３５ａは、第１ラインノズル４３ａが延びる方向に沿って延びる。複数の液噴出口４３２ａは、凹部４３５ａの両側に、第１ラインノズル４３ａが延びる方向に沿って配置される。したがって、凹部４３５ａは、負圧形成領域ＳＰに面する。例えば、凹部４３５ａは、対向面４３１ａの中央部に設けられてもよい。
【0181】
複数の貫通孔４３４ａは、凹部４３５ａに連通する。つまり、複数の貫通孔４３４ａのそれぞれの一端は凹部４３５ａに接続する。複数の貫通孔４３４ａはそれぞれ、第１ラインノズル４３ａを貫通する。例えば、複数の貫通孔４３４ａはそれぞれ、鉛直方向に延びる。この場合、複数の貫通孔４３４ａの各々の一端は、対向面４３１ａ（凹部４３５ａ）で開口し、複数の貫通孔４３４ａの各々の他端は、第１ラインノズル４３ａの上面で開口する。
【0182】
保持部５１Ｄの貫通孔５ａは、保持部５１Ｄを貫通する。貫通孔５ａの一端は、複数の貫通孔４３４ａのうちの一つに接続する。つまり、貫通孔５ａは、複数の貫通孔４３４ａのうちの一つに連通する。したがって、複数の貫通孔４３４ａのうちの一つは、貫通孔５ａを介して外部と連通する。貫通孔５ａは、例えば、鉛直方向に延びる。この場合、貫通孔５ａの一端は、保持部５１Ｄの下面で開口し、貫通孔５ａの他端は、保持部５１Ｄの上面で開口する。
【0183】
本実施形態によれば、複数の貫通孔４３４ａと貫通孔５ａとが負圧形成領域ＳＰを負圧形成領域ＳＰの外部と連通させる。よって、負圧形成領域ＳＰの負圧が大きくなり過ぎることを回避できる。また、対向面４３１ａに凹部４３５ａを設けることで、負圧形成領域ＳＰの負圧が大きくなり過ぎることをより確実に回避することができる。
【0184】
なお、凹部４３５ａは省略されてもよい。また、複数の貫通孔４３４ａが延びる方向、及び貫通孔５ａが延びる方向は、負圧形成領域ＳＰを負圧形成領域ＳＰの外部と連通できる限り、特に限定されない。
【0185】
続いて、図１２（ａ）、図１２（ｂ）、図１３、及び図１４を参照して、第１ラインノズル４３ａ及び補助ガス供給部８を説明する。補助ガス供給部８は、複数の流路４３３ａに補助ガスを供給する。詳しくは、補助ガス供給部８は、複数の流路４３３ａの一部に補助ガスを供給する。第１ラインノズル４３ａは、補助ガス供給配管８ａから供給された補助ガスを他の流路４３３ａまで流通させる流路を更に有する。本実施形態によれば、複数の流路４３３ａに補助ガスを供給することで、実施形態１と同様に、負圧形成領域ＳＰに、より確実に負圧を発生させることができる。
【0186】
なお、処理液供給部７の構成は、図４（ａ）に示す処理液供給部７と同様であるため、その詳細な説明は割愛する。同様に、補助ガス供給部８の構成は、図４（ａ）に示す補助ガス供給部８と略同様であるため、その詳細な説明は割愛する。
【0187】
本実施形態において、制御装置１０１（制御部１０２）は、実施形態１と同様に、第１ラインノズル４３ａをフルスキャン又はハーフスキャンさせつつ、第１ラインノズル４３ａから微細気泡含有処理液を噴出させる。
【0188】
以上、図１０～図１４を参照して本発明の実施形態４を説明した。実施形態４によれば、実施形態１～３と同様に、基板Ｗに微細気泡含有液膜ＬＭを形成した後に、微細気泡含有液膜ＬＭに含有されている微細気泡を圧壊させることができる。よって、基板Ｗから効率よく異物を除去することができる。
【0189】
なお、本実施形態では、第１ラインノズル４３ａはフルスキャン又はハーフスキャンしたが、第１ラインノズル４３ａは基板Ｗの上方において回転してもよい。例えば、第１ラインノズル４３ａは、第１回転軸線ＡＸ１を回転中心として回転してもよい。
【0190】
また、本実施形態では、第１ラインノズル４３ａはフルスキャン又はハーフスキャンしたが、第１ラインノズル４３ａは直線移動してもよい。
【0191】
また、本実施形態では、第１ラインノズル４３ａはフルスキャン又はハーフスキャンしたが、基板処理中の第１ラインノズル４３ａの位置は固定されてもよい。
【0192】
また、第１ラインノズル４３ａの長さは、基板Ｗの直径より短くてもよい。例えば、第１ラインノズル４３ａの長さは、基板Ｗの半径と略等しくてもよい。
【0193】
また、本実施形態では、第４負圧発生部４Ｄは補助ガス供給部８を含んだが、実施形態１と同様に、補助ガス供給部８は省略されてもよい。
【0194】
［実施形態５］
続いて図１５～図１７を参照して本発明の実施形態５について説明する。但し、実施形態１～４と異なる事項を説明し、実施形態１～４と同じ事項についての説明は割愛する。実施形態５は、実施形態１～４と異なり、ベルヌーイ効果を発生させるために第２ラインノズル４３ｂから気体を噴出する。
続いて図１５～図１７を参照して本発明の実施形態５について説明する。但し、実施形態１～４と異なる事項を説明し、実施形態１～４と同じ事項についての説明は割愛する。実施形態５は、実施形態１～４と異なり、ベルヌーイ効果を発生させるために第２ラインノズル４３ｂから気体を噴出する。
【0195】
図１５（ａ）は、第２ラインノズル４３ｂの上面の一部と、保持部５１Ｄの上面と、アーム５２Ｄの上面の一部とを示す図である。図１５（ｂ）は、第２ラインノズル４３ｂの底面の一部を示す図である。図１６は、本実施形態の基板処理装置１００に含まれる第５負圧発生部４Ｅの構成を示す図である。詳しくは、図１６は、図１５（ａ）のＸＶＩ－ＸＶＩ線に沿って切断した第２ラインノズル４３ｂの断面及び保持部５１Ｄの断面を示す。図１７は、本実施形態の基板処理装置１００に含まれる第５負圧発生部４Ｅの構成を示す他の図である。詳しくは、図１７は、図１５（ａ）のＸＶＩＩ－ＸＶＩＩ線に沿って切断した第２ラインノズル４３ｂの断面と、保持部５１Ｄの側面とを示す。なお、図１６及び図１７は、基板処理時に基板Ｗの中心位置ＣＴ（図１１参照）に対向する第２ラインノズル４３ｂを示している。
【0196】
図１５（ａ）、図１５（ｂ）、図１６及び図１７に示すように、本実施形態において、圧壊部４は第５負圧発生部４Ｅを含む。第５負圧発生部４Ｅは、第２ラインノズル４３ｂと、処理液供給部７と、ガス供給部８１とを有する。圧壊部４は、更に、図１０を参照して説明したラインノズル移動部５Ｄを有する。
【0197】
第２ラインノズル４３ｂは、基板処理時に、基板保持部２に保持された基板Ｗに対向する。本実施形態において、第２ラインノズル４３ｂは、対向部材の一例である。第２ラインノズル４３ｂは、基板保持部２に保持された基板Ｗに対して略平行に延びる。例えば、第２ラインノズル４３ｂは、略水平方向に延びてもよい。
【0198】
第２ラインノズル４３ｂは、複数の気体噴出口４３２ｂを有する。図１５（ｂ）に示すように、複数の気体噴出口４３２ｂは、第２ラインノズル４３ｂが延びる方向に沿って、第２ラインノズル４３ｂの両側に配置される。複数の気体噴出口４３２ｂはそれぞれ、気体を噴出する。具体的には、回転中の基板Ｗに向けて複数の気体噴出口４３２ｂから気体が噴出される。第２ラインノズル４３ｂは、第１ラインノズル４３ａと同様に、複数の気体噴出口４３２ｂから気体を噴出して、複数の気体噴出口４３２ｂの間の空間を負圧にする。
【0199】
より詳しくは、図１５（ｂ）、図１６及び図１７に示すように、第２ラインノズル４３ｂは対向面４３１ｂを有する。図１６及び図１７に示すように、対向面４３１ｂは、対向面４３１ａと同様に、基板処理中に、基板保持部２に保持された基板Ｗに対向して、対向面４３１ｂと基板Ｗとの間に隙間Ｇを形成する。図１０を参照して説明したラインノズル移動部５Ｄは、基板処理時に、隙間Ｇにおいてベルヌーイ効果が発生し得る位置まで第２ラインノズル４３ｂを基板Ｗに接近させる。
【0200】
図１５（ｂ）、図１６及び図１７に示すように、複数の気体噴出口４３２ｂは、対向面４３１ｂに設けられる。複数の気体噴出口４３２ｂは、隙間Ｇの一部である負圧形成領域ＳＰの両側に、第２ラインノズル４３ｂが延びる方向に沿って配置される。負圧形成領域ＳＰは、第２ラインノズル４３ｂが延びる方向に沿って延びる。したがって、負圧形成領域ＳＰは、複数の気体噴出口４３２ｂによって挟まれる。換言すると、負圧形成領域ＳＰは、複数の気体噴出口４３２ｂの間に形成される。複数の気体噴出口４３２ｂは、負圧形成領域ＳＰの外側に向かう斜め方向へ気体を噴出して、負圧形成領域ＳＰを負圧にする。
【0201】
更に、図１５（ｂ）、図１６及び図１７に示すように、第２ラインノズル４３ｂは、複数の液吐出口４３６ｂを有する。複数の液吐出口４３６ｂは、対向面４３１ｂに設けられる。複数の液吐出口４３６ｂはそれぞれ、基板保持部２に保持された基板Ｗに向けて微細気泡含有処理液を吐出して、微細気泡含有液膜ＬＭを形成する。図１５（ｂ）に示すように、複数の液吐出口４３６ｂは、第２ラインノズル４３ｂが延びる方向に沿って配置される。複数の液吐出口４３６ｂは、複数の気体噴出口４３２ｂによって挟まれる位置に設けられる。換言すると、複数の液吐出口４３６ｂは、複数の気体噴出口４３２ｂの間に設けられる。例えば、複数の液吐出口４３６ｂは、第２ラインノズル４３ｂの中央に配置される。
【0202】
より具体的には、図１６及び図１７に示すように、第２ラインノズル４３ｂは、複数の第１流路４３３ｂと、複数の第２流路４３４ｂとを更に有する。図１６に示すように、保持部５１Ｄは、流路５ｂを有する。複数の第１流路４３３ｂ及び複数の第２流路４３４ｂは、第２ラインノズル４３ｂの内部に形成される。流路５ｂは、保持部５１Ｄの内部に形成されて、第２ラインノズル４３ｂの複数の第２流路４３４ｂのうちの一つに連通する。
【0203】
本実施形態において、処理液供給部７は、複数の第２流路４３４ｂに微細気泡含有処理液を供給する。ガス供給部８１は、複数の第１流路４３３ｂに気体を供給する。
【0204】
具体的には、処理液供給部７は、保持部５１Ｄの流路５ｂに微細気泡含有処理液を供給する。第２ラインノズル４３ｂは、複数の第２流路４３４ｂを連通させる流路を更に有する。この結果、処理液供給部７から流路５ｂを介して第２ラインノズル４３ｂに供給された微細気泡含有処理液が、複数の第２流路４３４ｂを流通する。
【0205】
ガス供給部８１は、複数の第１流路４３３ｂの一部に気体を供給する。第２ラインノズル４３ｂは、複数の第１流路４３３ｂを連通させる流路を更に有する。この結果、ガス供給部８１から第２ラインノズル４３ｂに供給された気体が、複数の第１流路４３３ｂを流通する。
【0206】
複数の第２流路４３４ｂは、複数の液吐出口４３６ｂに連通する。複数の第２流路４３４ｂは、複数の液吐出口４３６ｂまで微細気泡含有処理液を流通させる。つまり、複数の第２流路４３４ｂは、複数の液吐出口４３６ｂに微細気泡含有処理液を供給する。この結果、回転中の基板Ｗに向けて、複数の液吐出口４３６ｂから微細気泡含有処理液が吐出される。
【0207】
複数の第１流路４３３ｂは複数の気体噴出口４３２ｂに連通する。複数の第１流路４３３ｂは複数の気体噴出口４３２ｂまで気体を流通させる。つまり、複数の第１流路４３３ｂは複数の気体噴出口４３２ｂに気体を供給する。また、気体噴出口４３２ｂは、対向面４３１ｂの外方に向けて傾斜している。この結果、回転中の基板Ｗに向けて、複数の気体噴出口４３２ｂから気体が噴出して、複数の気体噴出口４３２ｂの間の空間がベルヌーイ効果によって負圧になる。
【0208】
本実施形態において、制御装置１０１（制御部１０２）は、処理液供給部７を制御して、液吐出口４３６ｂから微細気泡含有処理を吐出させ、基板Ｗの上面に微細気泡含有液膜ＬＭを形成する。制御装置１０１（制御部１０２）は、微細気泡含有液膜ＬＭを形成した後、処理液供給部７を制御して、微細気泡含有処理液の吐出を停止させる。そして、制御装置１０１（制御部１０２）は、ラインノズル移動部５Ｄを制御して、第２ラインノズル４３ｂをフルスキャン又はハーフスキャンさせつつ、ガス供給部８１を制御して、気体噴出口４３２ｂから気体を噴出させる。この結果、負圧になった負圧形成領域ＳＰが、回転する基板Ｗに対して移動する。
【0209】
【0210】
以上、図１５～図１７を参照して本発明の実施形態５を説明した。実施形態５によれば、実施形態１～４と同様に、基板Ｗに微細気泡含有液膜ＬＭを形成した後に、微細気泡含有液膜ＬＭに含有されている微細気泡を圧壊させることができる。よって、基板Ｗから効率よく異物を除去することができる。
【0211】
［実施形態６］
続いて図１８を参照して本発明の実施形態６について説明する。但し、実施形態１～５と異なる事項を説明し、実施形態１～５と同じ事項についての説明は割愛する。実施形態６は、実施形態１～５と異なり、ベルヌーイ効果を発生させるために第２遮断部材４４を高速で回転させる。
続いて図１８を参照して本発明の実施形態６について説明する。但し、実施形態１～５と異なる事項を説明し、実施形態１～５と同じ事項についての説明は割愛する。実施形態６は、実施形態１～５と異なり、ベルヌーイ効果を発生させるために第２遮断部材４４を高速で回転させる。
【0212】
図１８は、本実施形態の基板処理装置１００に含まれる基板処理部２００の内部の構成を模式的に示す側面図である。図１８に示すように、基板処理部２００は、処理室２００ａと、基板保持部２と、基板回転部３と、圧壊部４と、処理液供給部７と、リンスノズル６と、カップ１０と、吐出ノズル４４３とを有する。基板処理装置１００は、リンス液供給部６１を備える。
【0213】
本実施形態において、圧壊部４は、第６負圧発生部４Ｆを含む。第６負圧発生部４Ｆは、基板Ｗの上方空間を負圧にして、微細気泡含有液膜ＬＭに含有されている微細気泡を圧壊する。具体的には、第６負圧発生部４Ｆは、第２遮断部材４４と、遮断部材移動部５Ｆと、遮断部材回転部４４Ａとを含む。本実施形態において、遮断部材回転部４４Ａは、第２遮断部材４４を回転させて、基板Ｗと第２遮断部材４４との間の空間（隙間Ｇ）を負圧にする。
【0214】
第２遮断部材４４は、基板保持部２の上方に位置する。第２遮断部材４４は、基板処理時に、基板保持部２に保持された基板Ｗに対向する。第２遮断部材４４は、対向部材の一例である。
【0215】
遮断部材移動部５Ｆは、図８を参照して説明した遮断部材移動部５Ｃと同様に、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御されて、近接位置と退避位置との間で第２遮断部材４４を移動させる。遮断部材移動部５Ｆは、遮断部材移動部５Ｃと同様に、アーム５１Ｆと、基台５２Ｆと、駆動部５３Ｆとを有し、第２遮断部材４４を鉛直方向に移動させる。アーム５１Ｆは、第２遮断部材４４を回転可能に支持する。遮断部材移動部５Ｆの他の構成は、遮断部材移動部５Ｃと略同様であるため、その詳しい説明は割愛する。
【0216】
遮断部材回転部４４Ａは、鉛直方向に延びる第４回転軸線ＡＸ４を中心として、第２遮断部材４４を回転させる。その結果、基板Ｗと第２遮断部材４４との間の空間（隙間Ｇ）が負圧になる。遮断部材回転部４４Ａは、対向部材回転部の一例である。遮断部材回転部４４Ａの動作は、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。遮断部材回転部４４Ａは、例えば、電動モータを含む。第４回転軸線ＡＸ４は、スピンベース２２の中心を通る。したがって、第４回転軸線ＡＸ４は、基板処理時に、基板保持部２に保持された基板Ｗの中心を通る。
【0217】
吐出ノズル４４３は、アーム５１Ｆ及び第２遮断部材４４を鉛直方向に貫通する。吐出ノズル４４３は、アーム５１Ｆによって回転不能に支持される。吐出ノズル４４３は、第２遮断部材４４と共に鉛直方向に移動する。
【0218】
処理液供給部７は、基板処理時に、吐出ノズル４４３に微細気泡含有処理液を供給する。その結果、第２遮断部材４４が近接位置に位置する際に、吐出ノズル４４３から基板Ｗの上面に向けて微細気泡含有処理液が吐出されて、基板Ｗの上面に微細気泡含有液膜ＬＭが形成される。より詳しくは、吐出ノズル４４３は、回転中の基板Ｗに向けて微細気泡含有処理液を吐出する。その結果、基板Ｗの上面に微細気泡含有液膜ＬＭが形成される。
【0219】
制御装置１０１（制御部１０２）は、基板処理時に、処理液供給部７を制御して、吐出ノズル４４３から微細気泡含有処理を吐出させ、基板Ｗの上面に微細気泡含有液膜ＬＭを形成する。制御装置１０１（制御部１０２）は、微細気泡含有液膜ＬＭが形成されると、処理液供給部７を制御して、吐出ノズル４４３からの微細気泡含有処理液の吐出を停止させる。制御装置１０１（制御部１０２）は、微細気泡含有処理液の吐出を停止させた後、遮断部材回転部４４Ａを制御して、第２遮断部材４４を高速回転させる。この結果、基板Ｗの上方空間が負圧になり、微細気泡含有液膜ＬＭに含有されている微細気泡が圧壊する。例えば、制御装置１０１（制御部１０２）は、微細気泡含有液膜ＬＭが形成された後に、第２遮断部材４４の回転速度を１０００ｒｐｍに設定してもよい。本実施形態によれば、基板Ｗの回転速度を調整して、微細気泡の圧壊度を制御することができる。
【0220】
詳しくは、図１８に示すように、第２遮断部材４４は、遮断板４４１を有する。遮断板４４１は、対向面４４１ａを有する。対向面４４１ａは、水平面に拡がる形状を有している。対向面４４１ａは、第２遮断部材４４が近接位置に位置するとき、基板保持部２に保持された基板Ｗに対向して、対向面４４１ａと基板Ｗとの間に隙間Ｇを形成する。具体的には、対向面４４１ａは、第２遮断部材４４が近接位置に位置するとき、基板Ｗの上面の全部分を覆って、基板Ｗの上方空間を周辺雰囲気から遮断する。例えば、対向面４４１ａの外形は円形状であり、基板Ｗの直径以上の直径を有する。
【0221】
更に、遮断板４４１は、液吐出口４４２を有する。液吐出口４４２は、対向面４４１ａに設けられる。詳しくは、遮断板４４１は、鉛直方向に遮断板４４１を貫通する貫通孔を有する。貫通孔は、遮断板４４１の中央に設けられる。第４回転軸線ＡＸ４は、貫通孔の中心を通る。貫通孔の下端は、対向面４４１ａに位置する。貫通孔の下端により、液吐出口４４２が形成される。
【0222】
吐出ノズル４４３は、遮断板４４１の貫通孔に挿通されている。吐出ノズル４４３から微細気泡含有処理液が吐出されと、液吐出口４４２から基板保持部２に保持された基板Ｗに向けて、微細気泡含有処理液が吐出されて、基板Ｗの上面に微細気泡含有液膜ＬＭが形成される。詳しくは、液吐出口４４２は、回転中の基板Ｗに向けて微細気泡含有処理液を吐出する。この結果、微細気泡含有液膜ＬＭが形成される。
【0223】
第２遮断部材４４は、スピン軸４４４を更に有する。スピン軸４４４は、遮断板４４１に結合する。スピン軸４４４は、遮断板４４１から上方へ突出する。スピン軸４４４は、アーム５１Ｆによって回転可能に支持される。遮断部材回転部４４Ａは、スピン軸４４４を回転させる。この結果、スピン軸４４４と共に遮断板４４１が回転する。
【0224】
スピン軸４４４は、円筒状である。スピン軸４４４の内部空間は、遮断板４４１の貫通孔に連通する。第４回転軸線ＡＸ４は、スピン軸４４４の中心を通る。吐出ノズル４４３の一部は、アーム５１Ｆから下方へ突出して、スピン軸４４４の内部空間と遮断板４４１の貫通孔とに挿通されている。
【0225】
以上、図１８を参照して本発明の実施形態６を説明した。実施形態６によれば、実施形態１～５と同様に、基板Ｗに微細気泡含有液膜ＬＭを形成した後に、微細気泡含有液膜ＬＭに含有されている微細気泡を圧壊させることができる。よって、基板Ｗから効率よく異物を除去することができる。
【0226】
［実施形態７］
続いて図１９及び図２０を参照して本発明の実施形態７について説明する。但し、実施形態１～６と異なる事項を説明し、実施形態１～６と同じ事項についての説明は割愛する。実施形態７は、実施形態１～６と異なり、圧壊部４が、流体噴出部４Ｇと、第１加熱部４Ｈと、減圧部４Ｋとを含む。
続いて図１９及び図２０を参照して本発明の実施形態７について説明する。但し、実施形態１～６と異なる事項を説明し、実施形態１～６と同じ事項についての説明は割愛する。実施形態７は、実施形態１～６と異なり、圧壊部４が、流体噴出部４Ｇと、第１加熱部４Ｈと、減圧部４Ｋとを含む。
【0227】
図１９は、本実施形態の基板処理装置１００に含まれる基板処理部２００の内部の構成を模式的に示す側面図である。図２０（ａ）は、吐出ノズル９の移動軌跡を示す平面図である。図２０（ｂ）は、流体噴出部４Ｇの移動軌跡を示す平面図である。
【0228】
図１９に示すように、基板処理部２００は、処理室２００ａと、基板保持部２と、基板回転部３と、圧壊部４と、リンスノズル６と、吐出ノズル９と、ノズル移動部９１と、カップ１０とを有する。基板処理装置１００は、処理液供給部７と、リンス液供給部６１とを更に備える。
【0229】
吐出ノズル９は、基板処理時に基板Ｗに対向する。詳しくは、吐出ノズル９は、基板処理時に基板Ｗの上方に位置する。吐出ノズル９は、基板処理時に、基板保持部２に保持された基板Ｗの上面に向けて微細気泡含有処理液を吐出して、基板Ｗの上面に微細気泡含有液膜ＬＭを形成する。より詳しくは、吐出ノズル９は、回転中の基板Ｗに向けて微細気泡含有処理液を吐出する。その結果、基板Ｗの上面に微細気泡含有液膜ＬＭが形成される。
【0230】
図２０（ａ）に示すように、ノズル移動部９１は、円弧状の軌跡ＴＪ３に沿って、待機位置ＰＳ３と処理位置との間で吐出ノズル９を移動させる。待機位置ＰＳ３は、平面視において基板保持部２の外側の位置である。本実施形態において、待機位置ＰＳ３は、平面視においてカップ１０の外側の位置である。処理位置は、基板Ｗの上方の位置である。処理位置は、例えば、基板Ｗの中心位置ＣＴに対向する位置であってもよい。吐出ノズル９は、基板処理時に処理位置から微細気泡含有処理液を吐出する。なお、処理位置は、ベルヌーイ効果が発生し得る位置より上方の位置であってもよい。
【0231】
図１９に戻る。図１９に示すように、ノズル移動部９１は、ノズル移動部５Ａと同様に、アーム９１１と、基台９１２と、駆動部９１３とを有し、吐出ノズル９を鉛直方向及び水平方向に移動させる。駆動部９１３は、駆動部５３Ａと同様に、ノズル揺動機構９１４と、ノズル昇降機構９１５とを含む。
【0232】
ノズル揺動機構９１４は、鉛直方向に延びる第５回転軸線ＡＸ５を中心として基台９１２を揺動させる。この結果、吐出ノズル９が水平面に沿って移動する。詳しくは、吐出ノズル９は、第５回転軸線ＡＸ５を中心とする円弧状の軌跡（図２０（ａ）に示す軌跡ＴＪ３）に沿って移動する。ノズル移動部９１の他の構成は、ノズル移動部５Ａと略同様であるため、その詳細な説明は割愛する。
【0233】
本実施形態において、処理液供給部７は、吐出ノズル９に微細気泡含有処理液を供給する。処理液供給部７が吐出ノズル９に微細気泡含有処理液を供給することにより、吐出ノズル９が基板Ｗに微細気泡含有処理液を吐出する。
【0234】
本実施形態において、圧壊部４は、流体噴出部４Ｇと、第１加熱部４Ｈと、減圧部４Ｋとを含む。以下、流体噴出部４Ｇ、第１加熱部４Ｈ、減圧部４Ｋの順に説明する。
【0235】
流体噴出部４Ｇは、基板Ｗの上面に形成されている微細気泡含有液膜ＬＭに向けて流体を噴出して、微細気泡含有液膜ＬＭに含有されている微細気泡を圧壊する。流体噴出部４Ｇは、例えば、スプレーノズルである。具体的には、圧壊部４は、流体噴出部４Ｇに加えて、流体噴出移動部５Ｇと、流体供給部９２とを更に含む。
【0236】
図２０（ｂ）に示すように、流体噴出移動部５Ｇは、ノズル移動部５Ａと同様に、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御されて、流体噴出部４Ｇを円弧状の軌跡ＴＪ４に沿って移動させる。より具体的には、流体噴出移動部５Ｇは、ノズル移動部５Ａと同様に、流体噴出部４Ｇをフルスキャン又はハーフスキャンさせる。流体噴出移動部５Ｇは、軌跡ＴＪ４に沿って移動しつつ、基板Ｗに向けて流体を噴出する。なお、流体噴出部４Ｇから流体を噴出させる位置は、ベルヌーイ効果が発生し得る位置より上方の位置であってもよい。
【0237】
図１９に戻る。図１９に示すように、流体噴出移動部５Ｇは、ノズル移動部５Ａと同様に、アーム５１Ｇと、基台５２Ｇと、駆動部５３Ｇとを有し、流体噴出部４Ｇを鉛直方向及び水平方向に移動させる。駆動部５３Ｇは、駆動部５３Ａと同様に、揺動機構５３１Ｇと、昇降機構５３２Ｇとを含む。
【0238】
揺動機構５３１Ｇは、鉛直方向に延びる第６回転軸線ＡＸ６を中心として基台５２Ｇを揺動させる。この結果、流体噴出部４Ｇが水平面に沿って移動する。詳しくは、流体噴出部４Ｇは、第６回転軸線ＡＸ６を中心とする円弧状の軌跡（図２０（ｂ）に示す軌跡ＴＪ４）に沿って移動する。流体噴出移動部５Ｇの他の構成は、ノズル移動部５Ａと略同様であるため、その詳細な説明は割愛する。
【0239】
流体供給部９２は、流体噴出部４Ｇに流体を供給する。流体供給部９２が流体噴出部４Ｇに流体を供給することにより、流体噴出部４Ｇから流体が噴出する。流体供給部９２は、流体供給配管９２１と、流体開閉弁９２２と、流量調整弁９２３とを含む。
【0240】
流体は、流体供給配管９２１を介して流体噴出部４Ｇに供給される。その結果、流体噴出部４Ｇから流体が噴出する。流体供給配管９２１は、流体が流通する管状部材である。
【0241】
流体開閉弁９２２は、流体供給配管９２１に設けられて、流体供給配管９２１を介した流体の供給開始及び供給停止を制御する。流体開閉弁９２２の開閉動作は、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。流体開閉弁９２２の構成は、リンス液開閉弁６１２と同様であるため、その詳細な説明は割愛する。
【0242】
流量調整弁９２３は、流体供給配管９２１に設けられて、流体供給配管９２１を流通する流体の流量を調整する。流量調整弁９２３の動作は、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。流量調整弁９２３の構成は、第１流量調整弁７５ａと同様であるため、その詳細な説明は割愛する。
【0243】
流体供給配管９２１を介して流体噴出部４Ｇに供給する流体は、液体であってもよいし、気体であってもよい。流体の種類は、後工程や、基板Ｗを用いて製造される最終製品の性能に影響しない流体である限り、特に限定されない。例えば、流体として、基板処理に用いられる液体が使用されてもよいし、リンス処理に用いられる液体が使用されてもよい。あるいは、流体として、窒素ガス等の不活性ガスが使用されてもよい。
【0244】
制御装置１０１（制御部１０２）は、処理液供給部７を制御して、回転中の基板Ｗに向けて吐出ノズル９から微細気泡含有処理液を吐出させる。その結果、基板Ｗの上面に微細気泡含有液膜ＬＭが形成される。制御装置１０１（制御部１０２）は、微細気泡含有液膜ＬＭが形成された後、ノズル移動部９１を制御して、吐出ノズル９を処理位置から待機位置ＰＳ３へ移動させる。その後、制御装置１０１（制御部１０２）は、流体噴出移動部５Ｇを制御して、流体噴出部４Ｇを移動させつつ、流体供給部９２を制御して、回転中の基板Ｗに向けて流体噴出部４Ｇから流体を噴出させる。この結果、微細気泡含有液膜ＬＭに含有されている微細気泡が圧壊されて、基板Ｗから異物が除去される。
【0245】
続いて、第１加熱部４Ｈを説明する。第１加熱部４Ｈは、基板Ｗの上面に形成されている微細気泡含有液膜ＬＭを加熱して、微細気泡含有液膜ＬＭに含有されている微細気泡を圧壊する。本実施形態において、第１加熱部４Ｈは、基板Ｗの下面を加熱して、微細気泡含有液膜ＬＭを加熱する。
【0246】
詳しくは、図１９に示すように、第１加熱部４Ｈは、加熱部材４５１と、昇降軸４５２と、給電部４５３と、ヒータ昇降部４５４とを有してもよい。
【0247】
加熱部材４５１は、略円盤状であり、チャック部材２１に保持された基板Ｗとスピンベース２２との間に位置する。加熱部材４５１には、ヒータが埋め込まれている。ヒータは、例えば、抵抗体を含む。給電部４５３は、加熱部材４５１に埋め込まれたヒータに通電して、加熱部材４５１を加熱させる。給電部４５３は、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。
【0248】
昇降軸４５２は略棒状の部材であり、略鉛直方向に延びる。昇降軸４５２は、加熱部材４５１に結合する。ヒータ昇降部４５４は、昇降軸４５２を昇降させることにより、加熱部材４５１を昇降させる。具体的には、ヒータ昇降部４５４は、チャック部材２１に保持された基板Ｗの下面とスピンベース２２の上面との間で加熱部材４５１を昇降させる。ヒータ昇降部４５４は、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。ヒータ昇降部４５４は、例えば、ボールねじ機構と、正逆回転可能な電動モータとを備えてもよい。
【0249】
制御装置１０１（制御部１０２）は、基板Ｗの上面に微細気泡含有液膜ＬＭが形成された後、給電部４５３を制御して加熱部材４５１を加熱させる。この結果、輻射熱により基板Ｗが加熱されて、微細気泡含有液膜ＬＭが加熱される。微細気泡含有液膜ＬＭが加熱されると、微細気泡含有液膜ＬＭに含有されている微細気泡が圧壊する。具体的には、微細気泡含有液膜ＬＭが加熱されると、微細気泡が膨張して圧壊する。この結果、基板Ｗから異物が除去される。
【0250】
続いて、減圧部４Ｋを説明する。減圧部４Ｋは、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。減圧部４Ｋは、処理室２００ａの内側空間２００ｂを減圧して、微細気泡含有液膜ＬＭに含有されている微細気泡を圧壊する。具体的には、制御装置１０１（制御部１０２）は、基板Ｗの上面に微細気泡含有液膜ＬＭが形成された後、減圧部４Ｋを駆動して、処理室２００ａの内側空間２００ｂを減圧する。この結果、処理室２００ａの内側空間２００ｂが負圧になり、微細気泡含有液膜ＬＭに含有されている微細気泡が圧壊する。詳しくは、処理室２００ａの内側空間２００ｂが負圧になると、微細気泡含有液膜ＬＭに含有されている微細気泡が膨張して圧壊する。この結果、基板Ｗから異物が除去される。
【0251】
以上、図１９及び図２０を参照して本発明の実施形態７を説明した。実施形態７によれば、実施形態１～６と同様に、基板Ｗに微細気泡含有液膜ＬＭを形成した後に、微細気泡含有液膜ＬＭに含有されている微細気泡を圧壊させることができる。よって、基板Ｗから効率よく異物を除去することができる。
【0252】
なお、圧壊部４は、流体噴出部４Ｇ、第１加熱部４Ｈ、及び減圧部４Ｋのうちの任意の一つ又は二つを含んでもよい。
【0253】
また、吐出ノズル９は、円弧状の軌跡に沿って移動しながら基板Ｗに向けて微細気泡含有処理液を吐出してもよい。すなわち、吐出ノズル９は、ハーフスキャン又はフルスキャンしながら微細気泡含有処理液を吐出してもよい。換言すると、吐出ノズル９は、スキャンノズルであってもよい。
【0254】
［実施形態８］
続いて図２１を参照して本発明の実施形態８について説明する。但し、実施形態１～７と異なる事項を説明し、実施形態１～７と同じ事項についての説明は割愛する。実施形態８は、実施形態１～７と異なり、圧壊部４が、第１加熱部４Ｈと、減圧部４Ｋと、第２加熱部４Ｌａとを含む。
続いて図２１を参照して本発明の実施形態８について説明する。但し、実施形態１～７と異なる事項を説明し、実施形態１～７と同じ事項についての説明は割愛する。実施形態８は、実施形態１～７と異なり、圧壊部４が、第１加熱部４Ｈと、減圧部４Ｋと、第２加熱部４Ｌａとを含む。
【0255】
図２１は、本実施形態の基板処理装置１００に含まれる基板処理部２００の内部の構成を模式的に示す側面図である。図２１に示すように、基板処理部２００は、処理室２００ａと、基板保持部２と、基板回転部３と、圧壊部４と、リンスノズル６と、吐出ノズル９と、ノズル移動部９１と、カップ１０とを有する。基板処理装置１００は、処理液供給部７と、リンス液供給部６１とを更に備える。
【0256】
本実施形態において、圧壊部４は、第１加熱部４Ｈと、減圧部４Ｋと、第２加熱部４Ｌａとを含む。第２加熱部４Ｌａは、微細気泡含有液膜ＬＭ又は基板Ｗに光を照射して、微細気泡含有液膜ＬＭを加熱する。その結果、微細気泡含有液膜ＬＭに含有されている微細気泡が圧壊されて、基板Ｗから異物が除去される。
【0257】
第２加熱部４Ｌａは、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御されて、温度放射により光を発生させる。以下、第２加熱部４Ｌａを、「ランプ加熱部４Ｌａ」と記載する場合がある。具体的には、ランプ加熱部４Ｌａは、光源を含む。制御装置１０１（制御部１０２）は、ランプ加熱部４Ｌａ（光源）を連続点灯させる。例えば、ランプ加熱部４Ｌａは、ハロゲンランプを含む。
【0258】
本実施形態において、ランプ加熱部４Ｌａは、基板処理時に基板Ｗに対向する。詳しくは、ランプ加熱部４Ｌａは、基板処理時に基板Ｗの上方に位置する。ランプ加熱部４Ｌａは、基板処理時に、基板Ｗの上面に形成されている微細気泡含有液膜ＬＭに向けて光を照射する。
【0259】
具体的には、圧壊部４は、ランプ加熱部４Ｌａに加えて、ランプ移動部５Ｌを更に含む。ランプ移動部５Ｌは、ノズル移動部５Ａと同様に、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御されて、ランプ加熱部４Ｌａを円弧状の軌跡に沿って移動させる。より具体的には、ランプ移動部５Ｌは、ノズル移動部５Ａと同様に、ランプ加熱部４Ｌａをフルスキャン又はハーフスキャンさせる。ランプ加熱部４Ｌａは、円弧状の軌跡に沿って移動しつつ、基板Ｗに向けて光を照射する。
【0260】
ランプ移動部５Ｌは、ノズル移動部５Ａと同様に、アーム５１Ｌと、基台５２Ｌと、駆動部５３Ｌとを有し、ランプ加熱部４Ｌａを鉛直方向及び水平方向に移動させる。駆動部５３Ｌは、駆動部５３Ａと同様に、揺動機構５３１Ｌと、昇降機構５３２Ｌとを含む。
【0261】
揺動機構５３１Ｌは、鉛直方向に延びる第７回転軸線ＡＸ７を中心として基台５２Ｌを揺動させる。この結果、ランプ加熱部４Ｌａが水平面に沿って移動する。詳しくは、ランプ加熱部４Ｌａは、第７回転軸線ＡＸ７を中心とする円弧状の軌跡に沿って移動する。ランプ移動部５Ｌの他の構成は、ノズル移動部５Ａと略同様であるため、その詳細な説明は割愛する。なお、ランプ加熱部４Ｌａから光を出射させる位置は、ベルヌーイ効果が発生し得る位置より上方の位置であってもよい。
【0262】
制御装置１０１（制御部１０２）は、処理液供給部７を制御して、回転中の基板Ｗに向けて吐出ノズル９から微細気泡含有処理液を吐出させる。その結果、基板Ｗの上面に微細気泡含有液膜ＬＭが形成される。制御装置１０１（制御部１０２）は、微細気泡含有液膜ＬＭが形成された後、ノズル移動部９１を制御して、吐出ノズル９を処理位置から待機位置ＰＳ３へ移動させる。その後、制御装置１０１（制御部１０２）は、ランプ移動部５Ｌを制御して、ランプ加熱部４Ｌａを移動させつつ、ランプ加熱部４Ｌａを制御して、回転中の基板Ｗに向けてランプ加熱部４Ｌａから光を照射させる。この結果、微細気泡含有液膜ＬＭに含有されている微細気泡が圧壊されて、基板Ｗから異物が除去される。
【0263】
以上、図２１を参照して本発明の実施形態８を説明した。実施形態８によれば、実施形態１～７と同様に、基板Ｗに微細気泡含有液膜ＬＭを形成した後に、微細気泡含有液膜ＬＭに含有されている微細気泡を圧壊させることができる。よって、基板Ｗから効率よく異物を除去することができる。
【0264】
なお、圧壊部４は、第１加熱部４Ｈと、減圧部４Ｋと、第２加熱部４Ｌａとのうちの任意の一つ又は二つを含んでもよい。また、本実施形態では、第２加熱部４Ｌａは基板Ｗの上面側から微細気泡含有液膜ＬＭに光を照射したが、第２加熱部４Ｌａは、基板Ｗの下面側から基板Ｗに光を照射してもよい。つまり、基板Ｗの下面側に、第１加熱部４Ｈに替えて第２加熱部４Ｌａが配置されてもよい。この場合、第２加熱部４Ｌａは、基板Ｗの下面の略全面に光を照射する。
【0265】
［実施形態９］
続いて図２２を参照して本発明の実施形態９について説明する。但し、実施形態１～８と異なる事項を説明し、実施形態１～８と同じ事項についての説明は割愛する。実施形態９は、実施形態１～８と異なり、圧壊部４が、第１加熱部４Ｈと、減圧部４Ｋと、第２加熱部４Ｌｂとを含む。
続いて図２２を参照して本発明の実施形態９について説明する。但し、実施形態１～８と異なる事項を説明し、実施形態１～８と同じ事項についての説明は割愛する。実施形態９は、実施形態１～８と異なり、圧壊部４が、第１加熱部４Ｈと、減圧部４Ｋと、第２加熱部４Ｌｂとを含む。
【0266】
図２２は、本実施形態の基板処理装置１００に含まれる基板処理部２００の内部の構成を模式的に示す側面図である。図２２に示すように、基板処理部２００は、処理室２００ａと、基板保持部２と、基板回転部３と、圧壊部４と、リンスノズル６と、吐出ノズル９と、ノズル移動部９１と、カップ１０とを有する。基板処理装置１００は、処理液供給部７と、リンス液供給部６１とを更に備える。
【0267】
本実施形態において、圧壊部４は、第１加熱部４Ｈと、減圧部４Ｋと、第２加熱部４Ｌｂとを含む。第２加熱部４Ｌｂは、微細気泡含有液膜ＬＭ又は基板Ｗに光を照射して、微細気泡含有液膜ＬＭを加熱する。その結果、微細気泡含有液膜ＬＭに含有されている微細気泡が圧壊されて、基板Ｗから異物が除去される。
【0268】
第２加熱部４Ｌｂは、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御されて、放電により閃光を発生させる。以下、第２加熱部４Ｌｂを、「フラッシュランプ加熱部４Ｌｂ」と記載する場合がある。具体的には、フラッシュランプ加熱部４Ｌｂは、パルス光を発光する光源を含む。制御装置１０１（制御部１０２）がフラッシュランプ加熱部４Ｌｂを駆動すると、１秒未満の極めて短い時間で瞬間的に光源が発光する。すなわち、フラッシュランプ加熱部４Ｌｂは、閃光を発生させる。例えば、フラッシュランプ加熱部４Ｌｂは、キセノンフラッシュランプを含む。
【0269】
本実施形態において、フラッシュランプ加熱部４Ｌｂは、基板処理時に基板Ｗに対向する。詳しくは、フラッシュランプ加熱部４Ｌｂは、基板処理時に基板Ｗの上方に位置する。フラッシュランプ加熱部４Ｌｂは、基板処理時に、基板Ｗの上面に形成されている微細気泡含有液膜ＬＭに向けて閃光を照射する。より詳しくは、フラッシュランプ加熱部４Ｌｂは、回転中の基板Ｗに向けて閃光を照射する。
【0270】
圧壊部４は、フラッシュランプ加熱部４Ｌｂに加えて、ランプ移動部５Ｌを更に含む。ランプ移動部５Ｌは、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御されて、フラッシュランプ加熱部４Ｌｂを円弧状の軌跡に沿って移動させる。具体的には、ランプ移動部５Ｌは、フラッシュランプ加熱部４Ｌｂをフルスキャン又はハーフスキャンさせる。フラッシュランプ加熱部４Ｌｂは、円弧状の軌跡に沿って移動しつつ、基板Ｗに向けて閃光を照射する。詳しくは、制御装置１０１（制御部１０２）は、フラッシュランプ加熱部４Ｌｂを間欠的に駆動して、間欠的に閃光を発生させる。なお、フラッシュランプ加熱部４Ｌｂから光を出射させる位置は、ベルヌーイ効果が発生し得る位置より上方の位置であってもよい。
【0271】
制御装置１０１（制御部１０２）は、処理液供給部７を制御して、回転中の基板Ｗに向けて吐出ノズル９から微細気泡含有処理液を吐出させる。その結果、基板Ｗの上面に微細気泡含有液膜ＬＭが形成される。制御装置１０１（制御部１０２）は、微細気泡含有液膜ＬＭが形成された後、ノズル移動部９１を制御して、吐出ノズル９を処理位置から待機位置ＰＳ３へ移動させる。その後、制御装置１０１（制御部１０２）は、ランプ移動部５Ｌを制御して、フラッシュランプ加熱部４Ｌｂを移動させつつ、フラッシュランプ加熱部４Ｌｂを制御して、回転中の基板Ｗに向けてフラッシュランプ加熱部４Ｌｂから閃光を間欠的に照射させる。この結果、微細気泡含有液膜ＬＭに含有されている微細気泡が圧壊されて、基板Ｗから異物が除去される。
【0272】
以上、図２２を参照して本発明の実施形態９を説明した。実施形態９によれば、実施形態１～８と同様に、基板Ｗに微細気泡含有液膜ＬＭを形成した後に、微細気泡含有液膜ＬＭに含有されている微細気泡を圧壊させることができる。よって、基板Ｗから効率よく異物を除去することができる。
【0273】
なお、圧壊部４は、第１加熱部４Ｈと、減圧部４Ｋと、第２加熱部４Ｌｂとのうちの任意の一つ又は二つを含んでもよい。また、本実施形態では、第２加熱部４Ｌｂは基板Ｗの上面側から微細気泡含有液膜ＬＭに閃光を照射したが、第２加熱部４Ｌｂは、基板Ｗの下面側から基板Ｗに閃光を照射してもよい。つまり、基板Ｗの下面側に、第１加熱部４Ｈに替えて第２加熱部４Ｌｂが配置されてもよい。この場合、第２加熱部４Ｌｂは、基板Ｗの下面の略全面に閃光を照射する。
【0274】
以上、図面（図１～図２２）を参照して本発明の実施形態について説明した。ただし、本発明は、上記の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の態様において実施できる。また、上記の実施形態に開示される複数の構成要素は適宜改変可能である。例えば、ある実施形態に示される全構成要素のうちのある構成要素を別の実施形態の構成要素に追加してもよく、又は、ある実施形態に示される全構成要素のうちのいくつかの構成要素を実施形態から削除してもよい。
【0275】
図面は、発明の理解を容易にするために、それぞれの構成要素を主体に模式的に示しており、図示された各構成要素の厚さ、長さ、個数、間隔等は、図面作成の都合上から実際とは異なる場合もある。また、上記の実施形態で示す各構成要素の構成は一例であって、特に限定されるものではなく、本発明の効果から実質的に逸脱しない範囲で種々の変更が可能であることは言うまでもない。
【0276】
例えば、図１～図１８を参照して説明した第１負圧発生部４Ａ～第６負圧発生部４Ｆのうちのいずれか１つと、図１９～図２２を参照して説明した流体噴出部４Ｇ、第１加熱部４Ｈ、減圧部４Ｋ、第２加熱部４Ｌａ、及び第２加熱部４Ｌｂのうちの１つ以上とを組み合わせてもよい。
【0277】
また、図１～図２２を参照して説明した実施形態において、基板保持部２は、複数のチャック部材２１を基板Ｗの周端面に接触させる挟持式のチャックであったが、基板Ｗを保持する方式は、基板Ｗを水平に保持できる限り、特に限定されない。例えば、基板保持部２は、バキューム式のチャックであってもよいし、ベルヌーイ式のチャックであってもよい。
【産業上の利用可能性】
【0278】
本発明は、基板を処理する装置に有用である。
【符号の説明】
【0279】
２ ：基板保持部
３ ：基板回転部
４ ：圧壊部
４Ａ ：第１負圧発生部
４Ｂ ：第２負圧発生部
４Ｃ ：第３負圧発生部
４Ｄ ：第４負圧発生部
４Ｅ ：第５負圧発生部
４Ｆ ：第６負圧発生部
４Ｇ ：流体噴出部
４Ｈ ：第１加熱部
４Ｋ ：減圧部
４Ｌａ ：第２加熱部
４Ｌｂ ：第２加熱部
４１ａ ：第１ノズル
４１ｂ ：第２ノズル
４２ ：第１遮断部材
４３ａ ：第１ラインノズル
４３ｂ ：第２ラインノズル
４４ ：第２遮断部材
１００ ：基板処理装置
１０１ ：制御装置
１０２ ：制御部
１０３ ：記憶部
２００ ：基板処理部
２００ａ ：処理室
２００ｂ ：内側空間
４１１ａ ：対向面
４１１ｂ ：対向面
４１２ａ ：液噴出口
４１２ｂ ：気体噴出口
４１６ｂ ：液吐出口
４２１ ：対向面
４２２ ：気体噴出口
４２４ ：液吐出口
４３１ａ ：対向面
４３１ｂ ：対向面
４３２ａ ：液噴出口
４３２ｂ ：気体噴出口
４３６ｂ ：液吐出口
４４１ａ ：対向面
４４２ ：液吐出口
Ｇ ：隙間
ＬＭ ：微細気泡含有液膜
ＳＰ ：負圧形成領域
Ｗ ：基板
３ ：基板回転部
４ ：圧壊部
４Ａ ：第１負圧発生部
４Ｂ ：第２負圧発生部
４Ｃ ：第３負圧発生部
４Ｄ ：第４負圧発生部
４Ｅ ：第５負圧発生部
４Ｆ ：第６負圧発生部
４Ｇ ：流体噴出部
４Ｈ ：第１加熱部
４Ｋ ：減圧部
４Ｌａ ：第２加熱部
４Ｌｂ ：第２加熱部
４１ａ ：第１ノズル
４１ｂ ：第２ノズル
４２ ：第１遮断部材
４３ａ ：第１ラインノズル
４３ｂ ：第２ラインノズル
４４ ：第２遮断部材
１００ ：基板処理装置
１０１ ：制御装置
１０２ ：制御部
１０３ ：記憶部
２００ ：基板処理部
２００ａ ：処理室
２００ｂ ：内側空間
４１１ａ ：対向面
４１１ｂ ：対向面
４１２ａ ：液噴出口
４１２ｂ ：気体噴出口
４１６ｂ ：液吐出口
４２１ ：対向面
４２２ ：気体噴出口
４２４ ：液吐出口
４３１ａ ：対向面
４３１ｂ ：対向面
４３２ａ ：液噴出口
４３２ｂ ：気体噴出口
４３６ｂ ：液吐出口
４４１ａ ：対向面
４４２ ：液吐出口
Ｇ ：隙間
ＬＭ ：微細気泡含有液膜
ＳＰ ：負圧形成領域
Ｗ ：基板
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】