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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024172910
(43)【公開日】2024-12-12
(54)【発明の名称】基板処理装置
(51)【国際特許分類】
H01L 21/3065 20060101AFI20241205BHJP
H01L 21/31 20060101ALI20241205BHJP
【ＦＩ】
H01L21/302 101H
H01L21/31 B
H01L21/302 104H
【審査請求】未請求
【請求項の数】10
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023090964
(22)【出願日】2023-06-01
(71)【出願人】
【識別番号】000207551
【氏名又は名称】株式会社ＳＣＲＥＥＮホールディングス
(74)【代理人】
【識別番号】100088672
【弁理士】
【氏名又は名称】吉竹 英俊
(74)【代理人】
【識別番号】100088845
【弁理士】
【氏名又は名称】有田 貴弘
(72)【発明者】
【氏名】中野 佑太
(72)【発明者】
【氏名】屋敷 啓之
(72)【発明者】
【氏名】田鎖 学
(72)【発明者】
【氏名】谷川 紘太
【テーマコード（参考）】
5F004
5F045
【Ｆターム（参考）】
5F004AA15
5F004BA19
5F004BB18
5F004BB25
5F004BB26
5F004BB29
5F004BC03
5F004CA01
5F004DA27
5F004EA34
5F045AA06
5F045BB14
5F045DP03
5F045EE04
5F045EG01
5F045EG07
5F045EJ02
5F045EK07
(57)【要約】
【課題】基板の金属汚染および排出管の有機物汚染を抑制する技術を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、チャンバ１０と、供給管５０と、排出管６０とを備える。チャンバ１０は、基板Ｗを処理する処理室を形成する。供給管５０は、チャンバ１０に接続された下流端を有している。供給管５０には、酸素ガスおよびオゾンガスの少なくともいずれか一方がチャンバ１０に向かって流れる。排出管６０は、チャンバ１０に接続された上流端を有している。排出管６０には、チャンバ１０からのガスが流れる。排出管６０の内壁の少なくとも一部は、マンガンを含む合金によって形成される。供給管５０の内壁の少なくとも一部におけるマンガンの含有比率は、排出管６０の内壁の少なくとも一部におけるマンガンの含有比率よりも低い。
【選択図】図２
【解決手段】基板処理装置は、チャンバ１０と、供給管５０と、排出管６０とを備える。チャンバ１０は、基板Ｗを処理する処理室を形成する。供給管５０は、チャンバ１０に接続された下流端を有している。供給管５０には、酸素ガスおよびオゾンガスの少なくともいずれか一方がチャンバ１０に向かって流れる。排出管６０は、チャンバ１０に接続された上流端を有している。排出管６０には、チャンバ１０からのガスが流れる。排出管６０の内壁の少なくとも一部は、マンガンを含む合金によって形成される。供給管５０の内壁の少なくとも一部におけるマンガンの含有比率は、排出管６０の内壁の少なくとも一部におけるマンガンの含有比率よりも低い。
【選択図】図２
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板処理装置であって、
基板を処理する処理室を形成するチャンバと、
前記チャンバに接続された下流端を有しており、酸素ガスおよびオゾンガスの少なくともいずれか一方が前記チャンバに向かって流れる供給管と、
前記チャンバに接続された上流端を有しており、前記チャンバからのガスが流れる排出管と
を備え、
前記排出管の内壁の少なくとも一部は、マンガンを含む合金によって形成され、
前記供給管の内壁の少なくとも一部におけるマンガンの含有比率は、前記排出管の前記内壁の前記少なくとも一部におけるマンガンの含有比率よりも低い、基板処理装置。
基板を処理する処理室を形成するチャンバと、
前記チャンバに接続された下流端を有しており、酸素ガスおよびオゾンガスの少なくともいずれか一方が前記チャンバに向かって流れる供給管と、
前記チャンバに接続された上流端を有しており、前記チャンバからのガスが流れる排出管と
を備え、
前記排出管の内壁の少なくとも一部は、マンガンを含む合金によって形成され、
前記供給管の内壁の少なくとも一部におけるマンガンの含有比率は、前記排出管の前記内壁の前記少なくとも一部におけるマンガンの含有比率よりも低い、基板処理装置。
【請求項2】
請求項１に記載の基板処理装置であって、
前記供給管の前記内壁の前記少なくとも一部は、ステンレス合金によって形成される、基板処理装置。
前記供給管の前記内壁の前記少なくとも一部は、ステンレス合金によって形成される、基板処理装置。
【請求項3】
請求項１に記載の基板処理装置であって、
前記供給管の前記内壁の前記少なくとも一部は、アルミニウム、アルミニウム合金、チタン、チタン合金または石英によって形成される、基板処理装置。
前記供給管の前記内壁の前記少なくとも一部は、アルミニウム、アルミニウム合金、チタン、チタン合金または石英によって形成される、基板処理装置。
【請求項4】
請求項１から請求項３のいずれか一つに記載の基板処理装置であって、
前記チャンバの内壁のうち、前記基板よりも上流側の上流部分の少なくとも一部におけるマンガンの含有比率は、前記排出管の前記内壁の前記少なくとも一部におけるマンガンの含有比率よりも低い、基板処理装置。
前記チャンバの内壁のうち、前記基板よりも上流側の上流部分の少なくとも一部におけるマンガンの含有比率は、前記排出管の前記内壁の前記少なくとも一部におけるマンガンの含有比率よりも低い、基板処理装置。
【請求項5】
請求項１から請求項３のいずれか一つに記載の基板処理装置であって、
前記基板を加熱するヒータをさらに備える、基板処理装置。
前記基板を加熱するヒータをさらに備える、基板処理装置。
【請求項6】
基板処理装置であって、
基板を処理する処理室を形成するチャンバと、
前記チャンバに接続された下流端を有しており、酸素ガスおよびオゾンガスの少なくともいずれか一方が前記チャンバに向かって流れる供給管と、
前記チャンバに接続された上流端を有しており、前記チャンバからのガスが流れる排出管と、
前記基板を加熱するヒータと
を備え、
前記排出管の内壁の少なくとも一部は、マンガンを含有する合金によって形成され、
前記チャンバの内壁のうちの少なくとも一部におけるマンガンの含有比率は、前記排出管の前記内壁の前記少なくとも一部におけるマンガンの含有比率よりも低い、基板処理装置。
基板を処理する処理室を形成するチャンバと、
前記チャンバに接続された下流端を有しており、酸素ガスおよびオゾンガスの少なくともいずれか一方が前記チャンバに向かって流れる供給管と、
前記チャンバに接続された上流端を有しており、前記チャンバからのガスが流れる排出管と、
前記基板を加熱するヒータと
を備え、
前記排出管の内壁の少なくとも一部は、マンガンを含有する合金によって形成され、
前記チャンバの内壁のうちの少なくとも一部におけるマンガンの含有比率は、前記排出管の前記内壁の前記少なくとも一部におけるマンガンの含有比率よりも低い、基板処理装置。
【請求項7】
請求項１から請求項３、請求項６のいずれか一つに記載の基板処理装置であって、
前記チャンバの内部において前記供給管の前記下流端と前記基板との間に設けられた整流板と、
前記整流板を前記チャンバに固定する第１固定部材と
を備え、
前記チャンバ内に露出した前記整流板の表面および前記第１固定部材の表面におけるマンガンの含有比率は、前記排出管の前記内壁の前記少なくとも一部におけるマンガンの含有比率よりも低い、基板処理装置。
前記チャンバの内部において前記供給管の前記下流端と前記基板との間に設けられた整流板と、
前記整流板を前記チャンバに固定する第１固定部材と
を備え、
前記チャンバ内に露出した前記整流板の表面および前記第１固定部材の表面におけるマンガンの含有比率は、前記排出管の前記内壁の前記少なくとも一部におけるマンガンの含有比率よりも低い、基板処理装置。
【請求項8】
請求項１から請求項３、請求項６のいずれか一つに記載の基板処理装置であって、
前記チャンバの内部において前記基板を載置する載置面に設けられ、前記基板の平面視の位置を決める位置決め用のピンと、
前記ピンを前記載置面に固定する第２固定部材と
をさらに備え、
前記チャンバ内に露出した前記ピンの表面および前記第２固定部材の表面におけるマンガンの含有比率は、前記排出管の前記内壁の前記少なくとも一部におけるマンガンの含有比率よりも低い、基板処理装置。
前記チャンバの内部において前記基板を載置する載置面に設けられ、前記基板の平面視の位置を決める位置決め用のピンと、
前記ピンを前記載置面に固定する第２固定部材と
をさらに備え、
前記チャンバ内に露出した前記ピンの表面および前記第２固定部材の表面におけるマンガンの含有比率は、前記排出管の前記内壁の前記少なくとも一部におけるマンガンの含有比率よりも低い、基板処理装置。
【請求項9】
請求項１から請求項３、請求項６のいずれか一つに記載の基板処理装置であって、
前記チャンバの前記内壁のうち、前記基板よりも下流側の下流部分の少なくとも一部は、マンガンを含む合金によって形成され、
前記下流部分の前記少なくとも一部におけるマンガンの含有比率は、前記排出管の前記内壁の前記少なくとも一部におけるマンガンの含有比率よりも低い、基板処理装置。
前記チャンバの前記内壁のうち、前記基板よりも下流側の下流部分の少なくとも一部は、マンガンを含む合金によって形成され、
前記下流部分の前記少なくとも一部におけるマンガンの含有比率は、前記排出管の前記内壁の前記少なくとも一部におけるマンガンの含有比率よりも低い、基板処理装置。
【請求項10】
請求項１から請求項３、請求項６のいずれか一つに記載の基板処理装置であって、
前記チャンバの前記内壁のうち、前記基板よりも下流側の下流部分の少なくとも一部は、マンガンを含む合金によって形成され、
前記下流部分の前記少なくとも一部におけるマンガンの含有比率は、前記供給管の前記内壁の前記少なくとも一部におけるマンガンの含有比率よりも高い、基板処理装置。
前記チャンバの前記内壁のうち、前記基板よりも下流側の下流部分の少なくとも一部は、マンガンを含む合金によって形成され、
前記下流部分の前記少なくとも一部におけるマンガンの含有比率は、前記供給管の前記内壁の前記少なくとも一部におけるマンガンの含有比率よりも高い、基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、基板処理装置に関する。
【背景技術】
【0002】
従来から、オゾンガスを用いて基板を処理する基板処理装置が提案されている（例えば特許文献１）。特許文献１では、基板処理装置は、熱処理チャンバと、オゾンガスを熱処理チャンバに供給するためのオゾンガス供給ラインと、熱処理チャンバからのガスを外部に排出するための排気ラインとを含んでいる。熱処理チャンバ内には基板が搬入され、基板が水平姿勢で載置される。オゾンガスはオゾンガス供給ラインを通じて熱処理チャンバ内に供給され、基板の主面に作用する。オゾンガスは例えば基板の主面上の有機膜を酸化分解することができる。オゾンガスは熱処理チャンバから排気ラインを通じて外部に排出される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０２２－１８７１６５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
供給ライン（つまり、供給管）の内壁を構成する材料には、例えば、ステンレス合金（ステンレス鋼とも呼ばれる）を適用することができる。ステンレス合金には主成分としての鉄が含まれ、また、炭素、シリコン、マンガン、リン、硫黄、ニッケル、クロム、モリブデン、銅および窒素等の種々の化学成分が副成分として含まれる。ステンレス合金の表面には、主としてクロム酸化物を含む不働態膜が形成される。マンガンの拡散速度はクロムの２倍程度と高いので、ステンレス合金におけるマンガンの比率が高い場合には、不働態膜において、マンガン酸化物がクロム酸化物の上層に形成され得る（例えばBin Hua, Yonghong Kong, Wenying Zhang, Jian Pu, Bo Chi, Li Jian, ”The effect of Mn on the oxidation behavior and electrical conductivity of Fe-17Cr alloys in solid oxide fuel cell cathode atmosphere”, 196, Journal of Power Sources, 2011, p7627-7638：以下、文献１と呼ぶ）。
【0005】
この供給管の内壁におけるマンガン酸化物が、供給管内を流れるオゾンガスと反応すると、マンガンが内壁から供給管内に流出する。具体的には、マンガンが蒸発し得る。このマンガンが供給管を通じてチャンバ内に流入すると、チャンバ内の基板に付着するおそれがある。つまり、基板に金属汚染が生じるおそれがある。近年では、このような金属汚染は厳しく制限される。
【0006】
また、供給管の内壁におけるマンガンの量が低減しても、ステンレス合金内のマンガンが拡散して再び内壁に移動し得る。このため、供給管にオゾンガスを流し続けても、基板に対する金属汚染のおそれはあまり低減されない。
【0007】
一方、チャンバ内においてオゾンガスが基板上の有機物を酸化分解することにより、有機物ガスが生成される。この有機物ガスはオゾンガスとともに、ガス排気ライン（つまり、排出管）を通じて外部に排出される。有機物ガスが排出管の内壁に固体として付着すると、排出管が有機物によって汚染される。つまり、排出管に有機物汚染が生じる。
【0008】
そこで、本開示は、基板の金属汚染および排出管の有機物汚染を抑制することができる技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0009】
第１の態様は、基板処理装置であって、基板を処理する処理室を形成するチャンバと、前記チャンバに接続された下流端を有しており、酸素ガスおよびオゾンガスの少なくともいずれか一方が前記チャンバに向かって流れる供給管と、前記チャンバに接続された上流端を有しており、前記チャンバからのガスが流れる排出管とを備え、前記排出管の内壁の少なくとも一部は、マンガンを含む合金によって形成され、前記供給管の内壁の少なくとも一部におけるマンガンの含有比率は、前記排出管の前記内壁の前記少なくとも一部におけるマンガンの含有比率よりも低い。
【0010】
第２の態様は、第１の態様にかかる基板処理装置であって、前記供給管の前記内壁の前記少なくとも一部は、ステンレス合金によって形成される。
【0011】
第３の態様は、第１の態様にかかる基板処理装置であって、前記供給管の前記内壁の前記少なくとも一部は、アルミニウム、アルミニウム合金、チタン、チタン合金または石英によって形成される。
【0012】
第４の態様は、第１から第３のいずれか一つの態様にかかる基板処理装置であって、前記チャンバの内壁のうち、前記基板よりも上流側の上流部分の少なくとも一部におけるマンガンの含有比率は、前記排出管の前記内壁の前記少なくとも一部におけるマンガンの含有比率よりも低い。
【0013】
第５の態様は、第１から第４のいずれか一つの態様にかかる基板処理装置であって、前記基板を加熱するヒータをさらに備える。
【0014】
第６の態様は、基板処理装置であって、基板を処理する処理室を形成するチャンバと、前記チャンバに接続された下流端を有しており、酸素ガスおよびオゾンガスの少なくともいずれか一方が前記チャンバに向かって流れる供給管と、前記チャンバに接続された上流端を有しており、前記チャンバからのガスが流れる排出管と、前記基板を加熱するヒータとを備え、前記排出管の内壁の少なくとも一部は、マンガンを含有する合金によって形成され、前記チャンバの内壁のうちの少なくとも一部におけるマンガンの含有比率は、前記排出管の前記内壁の前記少なくとも一部におけるマンガンの含有比率よりも低い。
【0015】
第７の態様は、第１から第６のいずれか一つの態様にかかる基板処理装置であって、前記チャンバの内部において前記供給管の前記下流端と前記基板との間に設けられた整流板と、前記整流板を前記チャンバに固定する第１固定部材とを備え、前記チャンバ内に露出した前記整流板の表面および前記第１固定部材の表面におけるマンガンの含有比率は、前記排出管の前記内壁の前記少なくとも一部におけるマンガンの含有比率よりも低い。
【0016】
第８の態様は、第１から第７のいずれか一つの態様にかかる基板処理装置であって、前記チャンバの内部において前記基板を載置する載置面に設けられ、前記基板の平面視の位置を決める位置決め用のピンと、前記ピンを前記載置面に固定する第２固定部材とをさらに備え、前記チャンバ内に露出した前記ピンの表面および前記第２固定部材の表面におけるマンガンの含有比率は、前記排出管の前記内壁の前記少なくとも一部におけるマンガンの含有比率よりも低い。
【0017】
第９の態様は、第１から第８のいずれか一つの態様にかかる基板処理装置であって、前記チャンバの前記内壁のうち、前記基板よりも下流側の下流部分の少なくとも一部は、マンガンを含む合金によって形成され、前記下流部分の前記少なくとも一部におけるマンガンの含有比率は、前記排出管の前記内壁の前記少なくとも一部におけるマンガンの含有比率よりも低い。
【0018】
第１０の態様は、第１から第８のいずれか一つの態様にかかる基板処理装置であって、前記チャンバの前記内壁のうち、前記基板よりも下流側の下流部分の少なくとも一部は、マンガンを含む合金によって形成され、前記下流部分の前記少なくとも一部におけるマンガンの含有比率は、前記供給管の前記内壁の前記少なくとも一部におけるマンガンの含有比率よりも高い。
【発明の効果】
【0019】
第１の態様によれば、供給管の内壁におけるマンガンの含有比率が低いので、酸素ガスおよびオゾンガスの少なくともいずれか一方が供給管を流れても、マンガンが供給管の内壁から管内に流出する可能性を低減させることができる。このため、マンガンによる基板に対する金属汚染を抑制することができる。
【0020】
排出管の内壁は、マンガンの含有比率が高い合金によって形成されるので、排出管の内壁には、マンガン酸化物を含む不働態膜が形成される。マンガン酸化物を含む不働態膜は、基板上の有機物の酸化分解により生じた有機物ガスを分解する触媒として機能することができる。このため、排出管に対する有機物汚染を抑制することができる。
【0021】
第２の態様によれば、基板処理装置として信頼性の高い供給管を実現できる。
【0022】
第３の態様によれば、供給管の内壁にマンガンがほとんど含有されないので、マンガンによる基板の金属汚染をさらに低減させることができる。
【0023】
第４の態様によれば、基板に対する金属汚染をさらに抑制することができる。
【0024】
第５の態様によれば、基板の主面上の有機物の酸化分解に適した温度に基板を加熱することができる。
【0025】
第６の態様によれば、ヒータによって基板が加熱されるので、チャンバ内の温度も上昇する。このため、温度環境という観点では、オゾンガスの作用により、チャンバの内壁からマンガンが流出しやすい。このような環境下でも、チャンバの内壁におけるマンガンの含有比率は低いので、チャンバからのマンガンの流出量を低減させることができる。したがって、基板に対する金属汚染を抑制することができる。
【0026】
一方、排出管の内壁は、マンガンの含有比率が高い合金によって形成されるので、排出管の内壁には、マンガン酸化物を含む不働態膜が形成される。マンガン酸化物を含む不働態膜は、基板上の有機物の酸化分解により生じた有機物ガスを分解する触媒として機能することができる。このため、排出管に対する有機物汚染を抑制することができる。
【0027】
第７から第９の態様によれば、基板に対する金属汚染をさらに抑制することができる。
【0028】
第１０の態様によれば、チャンバのうちの下流部分に対する有機物汚染を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【0029】
【図1】基板処理装置の構成の一例を概略的に示す平面図である。
【図2】有機物除去ユニット、および、その周囲の配管構造の一例を模式的に示す図である。
【図3】合金のＳＥＭ（走査電子顕微鏡）による断面図を示す図である。
【図4】各合金のＳＥＭ（走査電子顕微鏡）による断面図を示す図である。
【図5】マンガン－クロム混合酸化物によるトルエンの分解メカニズムを示す図である。
【図6】有機物除去ユニットに接続される配管構造のより詳細な一例を概略的に示す図である。
【図7】有機物除去ユニットの構成のより詳細な一例を概略的に示す図である。
【図8】ピンの構成の一例を概略的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0030】
以下、図面を参照しつつ実施の形態について詳細に説明する。なお図面においては、理解容易の目的で、必要に応じて各部の寸法や数を誇張または簡略化して描いている。また同様な構成及び機能を有する部分については同じ符号が付されており、下記説明では重複説明が省略される。
【0031】
また、以下に示される説明では、同様の構成要素には同じ符号を付して図示し、それらの名称と機能とについても同様のものとする。したがって、それらについての詳細な説明を、重複を避けるために省略する場合がある。
【0032】
また、以下に記載される説明において、「第１」または「第２」などの序数が用いられる場合があっても、これらの用語は、実施の形態の内容を理解することを容易にするために便宜上用いられるものであり、これらの序数によって生じ得る順序に限定されるものではない。
【0033】
相対的または絶対的な位置関係を示す表現（例えば「一方向に」「一方向に沿って」「平行」「直交」「中心」「同心」「同軸」など）が用いられる場合、該表現は、特に断らない限り、その位置関係を厳密に表すのみならず、公差もしくは同程度の機能が得られる範囲で相対的に角度または距離に関して変位された状態も表すものとする。等しい状態であることを示す表現（例えば「同一」「等しい」「均質」など）が用いられる場合、該表現は、特に断らない限り、定量的に厳密に等しい状態を表すのみならず、公差もしくは同程度の機能が得られる差が存在する状態も表すものとする。形状を示す表現（例えば、「四角形状」または「円筒形状」など）が用いられる場合、該表現は、特に断らない限り、幾何学的に厳密にその形状を表すのみならず、同程度の効果が得られる範囲で、例えば凹凸や面取りなどを有する形状も表すものとする。一の構成要素を「備える」「具える」「具備する」「含む」または「有する」という表現が用いられる場合、該表現は、他の構成要素の存在を除外する排他的表現ではない。「Ａ，ＢおよびＣの少なくともいずれか一つ」という表現が用いられる場合、該表現は、Ａのみ、Ｂのみ、Ｃのみ、Ａ，ＢおよびＣのうち任意の２つ、ならびに、Ａ，ＢおよびＣの全てを含む。
【0034】
＜基板処理装置の全体構成＞
図１は、基板処理装置１００の構成の一例を概略的に示す平面図である。基板処理装置１００は、基板Ｗを１枚ずつ処理する枚葉式の処理装置である。
図１は、基板処理装置１００の構成の一例を概略的に示す平面図である。基板処理装置１００は、基板Ｗを１枚ずつ処理する枚葉式の処理装置である。
【0035】
基板Ｗは、例えば、半導体ウエハ、液晶ディスプレイ用基板、有機ＥＬ(Electroluminescence)用基板、ＦＰＤ(Flat Panel Display)用基板、光ディスプレイ用基板、磁気ディスク用基板、光ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、太陽電池用基板である。基板Ｗは、薄い平板形状を有する。以下では、基板Ｗが半導体ウエハであるものとする。基板Ｗは例えば円板形状を有している。基板Ｗの直径は例えば３００ｍｍ程度であり、基板Ｗの膜厚は例えば０．５ｍｍ程度以上かつ３ｍｍ程度以下である。
【0036】
図１の例では、基板処理装置１００は、インデクサブロック１１０と、処理ブロック１２０と、制御部９０とを含んでいる。処理ブロック１２０は、主として基板Ｗの処理を行う部分であり、インデクサブロック１１０は、主として、基板処理装置１００の外部と処理ブロック１２０との間での基板Ｗの搬送を行う部分である。
【0037】
インデクサブロック１１０は、ロードポート１１１と、第１搬送部１１２とを含む。ロードポート１１１には、外部から搬入された基板収容器（以下、キャリアと呼ぶ）Ｃが載置される。キャリアＣには、複数の基板Ｗが、例えば鉛直方向において互いに間隔を空けて並んだ状態で、収容される。図１の例では、複数のロードポート１１１が配列される。
【0038】
第１搬送部１１２は搬送ロボットであって、各ロードポート１１１に載置されたキャリアＣから未処理の基板Ｗを取り出すことができる。第１搬送部１１２はインデクサロボットとも呼ばれ得る。第１搬送部１１２は、キャリアＣから取り出した未処理の基板Ｗを処理ブロック１２０に搬送する。処理ブロック１２０は該未処理の基板Ｗに処理を行うことができる。また、第１搬送部１１２は、処理済みの基板Ｗを処理ブロック１２０から受け取り、処理済みの基板Ｗをロードポート１１１のキャリアＣに搬送することができる。
【0039】
図１の例では、処理ブロック１２０は、複数の処理ユニット１２１と、第２搬送部１２２と、第３搬送部１２３とを含んでいる。第２搬送部１２２はシャトル搬送ユニットであって、第１搬送部１１２と第３搬送部１２３との間で基板Ｗを搬送する。第３搬送部１２３は搬送ロボットであって、第２搬送部１２２と複数の処理ユニット１２１との間で基板Ｗを搬送する。
【0040】
図１の例では、複数（例えば４つ）の処理ユニット１２１は平面視において第３搬送部１２３の周りを囲むように設けられている。この第３搬送部１２３はセンターロボットとも呼ばれ得る。平面視上の各位置において、複数の処理ユニット１２１が鉛直方向に積層されていてもよい。つまり、鉛直方向に積層された複数の処理ユニット１２１によって構成されるタワーＴＷの複数（図では４つ）が、第３搬送部１２３を囲むように設けられてもよい。
【0041】
図１の例では、複数の処理ユニット１２１には、ウェット処理ユニット１２１Ｗと、ドライ処理ユニット１２１Ｄとが含まれている。
【0042】
ウェット処理ユニット１２１Ｗは基板Ｗに対して種々のウェット処理を行う。例えば、ウェット処理ユニット１２１Ｗは、薬液を基板Ｗの主面に供給する薬液処理と、リンス液を基板Ｗの主面に供給するリンス処理とをこの順に行う。薬液処理としては、例えば、洗浄処理およびエッチング処理を適用することができる。また、ウェット処理ユニット１２１Ｗはリンス処理の後に、基板を乾燥させる乾燥処理も行う。
【0043】
ウェット処理ユニット１２１Ｗに搬入される直前の基板Ｗの主面にパターンが形成されている場合がある。この場合、ウェット処理ユニット１２１Ｗは、リンス処理と乾燥処理との間で、疎水処理およびリンス処理をこの順に行ってもよい。疎水処理は、シリル化液等の疎水化液を基板Ｗの主面に供給して基板Ｗの主面に疎水化膜を形成する処理である。疎水処理の後のリンス処理は、疎水化液をリンス液で押し流す処理である。基板Ｗに疎水化膜が形成されることにより、リンス液の表面張力を低減させることができる。このため、次の乾燥処理でのパターンの倒壊を抑制することができる。
【0044】
あるいは、ウェット処理ユニット１２１Ｗに搬入される直前の基板Ｗの主面に、硬化層を含むレジスト膜が形成されている場合がある。この場合、ウェット処理ユニット１２１Ｗは、薬液処理として、レジスト膜の硬化層を除去する除去処理を行ってもよい。この場合には、薬液として、例えば、硫酸および過酸化水素水の混合液（ＳＰＭ）を適用することができる。
【0045】
ウェット処理ユニット１２１Ｗによる処理後の基板Ｗの主面には、レジスト膜および疎水化膜等の有機膜が形成されている。
【0046】
ドライ処理ユニット１２１Ｄは有機物除去ユニット１を含んでいる。有機物除去ユニット１は、基板Ｗの主面に例えばオゾンガスを供給して、基板Ｗの主面上の有機物を除去する処理ユニットである。有機物は、例えば、上述の有機膜（例えばレジスト膜または疎水化膜）である。有機物除去ユニット１は、酸化性ガスにより基板Ｗの主面上の有機物を酸化分解することから、ドライ酸化処理ユニットであるともいえる。
【0047】
有機物除去ユニット１の構成の一例については後述するものの、有機物除去ユニット１は、基板Ｗを加熱する加熱機能を有してもよい。この場合、図１に示されるように、ドライ処理ユニット１２１Ｄは、基板Ｗを冷却する冷却ユニット１２４と、冷却ユニット１２４と有機物除去ユニット１との間で基板Ｗを搬送するローカル搬送部１２５とを含んでいてもよい。図１の例では、第３搬送部１２３が基板Ｗを冷却ユニット１２４に搬送し、ローカル搬送部１２５が基板Ｗを冷却ユニット１２４と有機物除去ユニット１との間で搬送する。冷却ユニット１２４は、有機物除去ユニット１から搬送された処理済みの高温の基板Ｗを冷却する。
【0048】
制御部９０は、基板処理装置１００を統括的に制御する。より具体的には、制御部９０は第１搬送部１１２、第２搬送部１２２、第３搬送部１２３および処理ユニット１２１を制御する。制御部９０は電子回路であって、例えばデータ処理部および記憶部を有する。データ処理部と記憶部とはバスを介して相互に接続され得る。データ処理部は例えばＣＰＵ（Central Processor Unit）などの演算処理装置であってもよい。記憶部は非一時的な記憶部（例えばＲＯＭ（Read Only Memory））および一時的な記憶部（例えばＲＡＭ（Random Access Memory））を有していてもよい。非一時的な記憶部には、例えば制御部９０が実行する処理を規定するプログラムが記憶されていてもよい。データ処理部がこのプログラムを実行することにより、制御部９０が、プログラムに規定された処理を実行することができる。もちろん、制御部９０が実行する処理の一部または全部が専用の論理回路などのハードウェアによって実行されてもよい。
【0049】
＜有機物除去ユニットの概要＞
図２は、有機物除去ユニット１、および、その周囲の配管構造の一例を模式的に示す図である。図２に示されるように、有機物除去ユニット１はチャンバ１０を含んでいる。チャンバ１０は内部空間１０ｓを形成する。内部空間１０ｓは、基板Ｗを処理する処理室に相当する。なお、図２では、チャンバ１０の形状を模式的に示している。
図２は、有機物除去ユニット１、および、その周囲の配管構造の一例を模式的に示す図である。図２に示されるように、有機物除去ユニット１はチャンバ１０を含んでいる。チャンバ１０は内部空間１０ｓを形成する。内部空間１０ｓは、基板Ｗを処理する処理室に相当する。なお、図２では、チャンバ１０の形状を模式的に示している。
【0050】
チャンバ１０は、基板Ｗの搬出入のための開閉構造を有する。チャンバ１０は基板Ｗの搬出入時において開状態となり、基板Ｗの処理時において閉状態となる。開状態とは、内部空間１０ｓを、ローカル搬送部１２５が存在する外部空間と連通させた状態であり、閉状態とは、内部空間１０ｓを当該外部空間から遮断させた状態である。ローカル搬送部１２５は、チャンバ１０が開状態であるときに、チャンバ１０の内部空間１０ｓに基板Ｗを搬入したり、内部空間１０ｓから基板Ｗを搬出したりすることができる。有機物除去ユニット１は、チャンバ１０が閉状態であるときに、オゾンガスを用いて基板Ｗを処理することができる。
【0051】
図２の例では、チャンバ１０は下部材２０と上部材３０とを含んでいる。下部材２０および上部材３０は鉛直方向において向かい合っている。上部材３０は下部材２０よりも鉛直上方に位置しており、開閉駆動部４０によって変位可能に設けられる。開閉駆動部４０は制御部９０によって制御され、上部材３０を、次に説明する開位置と閉位置との間で昇降させる。開位置は、上部材３０が下部材２０から離れた位置である。図２の例では、開位置に位置する上部材３０が示されている。上部材３０が開位置に位置することにより、チャンバ１０が開状態となる。一方、閉位置は、上部材３０が下部材２０と密着し、下部材２０および上部材３０によって内部空間１０ｓを密閉させる位置である。上部材３０が閉位置に位置することにより、チャンバ１０は閉状態となる。開閉駆動部４０は例えばエアシリンダまたはリニアモータ等の直動機構を含んでいてもよい。あるいは、開閉駆動部４０は、モータと、モータの回転を直線移動に変換する動力伝達部（例えばラックピニオン機構またはボールねじ機構）とを含んでいてもよい。
【0052】
基板Ｗはチャンバ１０内において例えば水平姿勢で保持または載置される。ここでいう水平姿勢とは、基板Ｗの厚み方向が鉛直方向に沿う姿勢である。具体的な一例として、基板Ｗはチャンバ１０の底部によって支持されてもよい（後に説明する図９も参照）。この場合、チャンバ１０の底部が基板Ｗを支持する載置台として機能する。
【0053】
有機物除去ユニット１は、チャンバ１０内の基板Ｗを加熱するヒータ（後に説明する図９のヒータ４４も参照）を含んでいてもよい。ヒータ４４は例えば制御部９０によって制御される。ヒータ４４は、基板Ｗの主面上の有機物の酸化分解に適した温度まで、基板Ｗを加熱することができる。当該温度は例えば摂氏１００度以上である。
【0054】
図２に示されるように、チャンバ１０には供給管５０の下流端が接続されている。図２の例では、チャンバ１０のうち天井部に供給管５０の下流端が接続されている。供給管５０の上流端はオゾン発生器７０に接続されている。オゾン発生器７０はオゾンガスを発生させる。オゾン発生器７０によるオゾン発生方式は特に制限されないものの、例えば、無声放電方式、電気分解方式および紫外線ランプ方式の少なくともいずれか一つを適用できる。オゾン発生器７０はオゾンガスを供給管５０の上流端に供給する。
【0055】
供給管５０には供給弁５２ａが介挿されている。供給弁５２ａは供給管５０の流路の開閉を切り換える。供給弁５２ａが開くと、オゾン発生器７０からのオゾンガスは供給管５０の内部をチャンバ１０に向かって流れ、チャンバ１０の内部空間１０ｓに流入する。供給弁５２ａが閉じると、チャンバ１０へのオゾンガスの供給が停止する。図２の例では、供給管５０には、流量調整弁の一例であるマスフローコントローラ５３ａも介挿されている。マスフローコントローラ５３ａは、供給管５０を流れるオゾンガスの流量を調整する。供給弁５２ａおよびマスフローコントローラ５３ａは制御部９０によって制御される。
【0056】
図２に示されるように、チャンバ１０には排出管６０の上流端も接続されている。図２の例では、排出管６０の上流端はチャンバ１０の底部に接続され、排出管６０の下流端は外部の排気部７１に接続される。排気部７１は工場ユーティリティであってもよい。排出管６０には排出弁６２ａが介挿されている。排出弁６２ａは制御部９０によって制御され、排出管６０の流路の開閉を切り換える。
【0057】
供給管５０を通じてチャンバ１０内に供給されたオゾンガスは、基板Ｗの主面と反応して、基板Ｗの主面上の有機物を酸化分解する。酸化分解により生じた有機物ガスおよび水蒸気等の反応物はオゾンガスとともに、排出管６０を通じてチャンバ１０の外部の排気部７１に排出される。
【0058】
＜供給管および排出管の材料＞
このオゾンガスの流路において、チャンバ１０よりも上流側の供給管５０の内壁の少なくとも一部におけるマンガンの含有比率は、チャンバ１０よりも下流側の排出管６０の内壁の少なくとも一部におけるマンガンの含有比率よりも低い。ここでいうマンガンの含有比率とは、例えば、マンガンの重量パーセント濃度である。
このオゾンガスの流路において、チャンバ１０よりも上流側の供給管５０の内壁の少なくとも一部におけるマンガンの含有比率は、チャンバ１０よりも下流側の排出管６０の内壁の少なくとも一部におけるマンガンの含有比率よりも低い。ここでいうマンガンの含有比率とは、例えば、マンガンの重量パーセント濃度である。
【0059】
例えば、供給管５０の内壁のうち長手方向の少なくとも一部はステンレス合金（ステンレス鋼とも呼ばれる）によって形成される。供給管５０のステンレス合金におけるマンガンの含有比率は例えば０．５質量パーセント濃度未満である。より具体的な一例として、供給管５０のステンレス合金はフェライト系ステンレス合金であってもよい。あるいは、供給管５０のステンレス合金は、オーステナイト系のダブルメルト材によって構成されてもよい。ステンレス合金の表面には、クロム酸化物（例えばＣｒ２Ｏ３）を含む不働態膜が形成される。また、マンガンが含有される場合には、不働態膜にはマンガン酸化物（ＭｎＯｘ）およびクロム酸マンガン（例えばＭｎＣｒ２Ｏ４）も含まれ得る。このような不働態膜によって、ステンレス合金の内部を外部から保護することができる。
【0060】
供給管５０のうちの長手方向の他の一部は、フレキシブル配管によって構成されてもよい。例えば、供給管５０のうちの下流端から長手方向の所定範囲内の下流部分が、フレキシブル配管によって構成されてもよい。当該フレキシブル配管には、例えば、テトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体等のフッ素系樹脂によって構成されてもよい。当該フレキシブル配管におけるマンガンの含有比率も０．５質量パーセント濃度未満である。供給管５０のうちの長手方向の一部がフレキシブル配管であれば、上部材３０が移動したときに供給管５０に生じる応力を低減させることができる。
【0061】
供給管５０の内壁のうち、マンガンの含有比率の小さな材料（例えば上述のステンレス合金またはフッ素系樹脂）によって構成された部分は、供給管５０の長手方向の全部のうちの８割以上であってもよく、９割以上であってもよく、１０割であってもよい。
【0062】
一方、排出管６０の内壁のうち長手方向の少なくとも一部は、マンガンを含む合金によって形成される。当該合金は例えばステンレス合金である。排出管６０のステンレス合金におけるマンガンの含有比率（つまり、組成比）は例えば０．５質量パーセント濃度以上である。排出管６０のステンレス合金は、マンガンの含有比率の高いステンレス合金、例えば、オーステナイト系ステンレス合金であってもよい。より具体的な一例として、ＪＩＳ（Japanese Industrial Standards）で規定されたＳＵＳ３１６ＬあるいはＡＩＳＩ（American Iron and Steel Institute）で規定された３１６Ｌを適用することができる。排出管６０のステンレス合金の表面には、マンガン酸化物（ＭｎＯｘ）、クロム酸化物（Ｃｒ２Ｏ３）およびクロム酸マンガン（ＭｎＣｒ２Ｏ４）等の酸化物を含む不働態膜が形成される。これにより、ステンレス合金の内部を保護することができる。
【0063】
排出管６０の内壁のうち、マンガンの含有比率の大きなステンレス合金によって構成された部分は、排出管６０の長手方向の全部のうちの８割以上であってもよく、９割以上であってもよく、１０割であってもよい。
【0064】
以上のように、本実施の形態では、供給管５０の内壁に存在するマンガンの含有比率は低い。このため、供給管５０の内部をオゾンガスが通過しても、供給管５０の内壁から管内へのマンガンの流出量は小さい。具体的には、オゾンガスの作用によるマンガンの流出量は小さい。したがって、チャンバ１０内に流入するマンガンの量を低減させることができ、基板Ｗの主面に対する金属汚染を抑制することができる。
【0065】
ところで、文献１には、合金の不働態膜の組成と合金におけるマンガンの含有比率との関係についての検討結果が記載されている。文献１では、合金におけるマンガンの含有比率がそれぞれ０．０，０．５，１．０，３．０重量パーセント濃度のＦｅ－Ｃｒ基合金が記載されている。図３および図４は、各合金のＳＥＭ（走査電子顕微鏡）による断面図を示す図である。図３（ａ）は０．０重量パーセント濃度に対する結果を示し、図３（ｂ）は０．５重量パーセント濃度に対する結果を示し、図４（ａ）は１．０重量パーセント濃度に対する結果を示し、図４（ｂ）は３．０重量パーセント濃度に対する結果を示している。文献１によれば、長期酸化時において、マンガンの含有比率が０．０重量パーセント濃度である合金における酸化物（不働態膜）に含まれる相はＣｒ２Ｏ３のみである。また、マンガンの含有比率が０．５重量パーセント濃度における酸化物では、Ｃｒ２Ｏ３および（Ｍｎ，Ｃｒ）２Ｏ３が含まれ、マンガンの含有比率が１．０重量パーセント濃度である合金およびマンガンの含有比率が３．０重量パーセント濃度である合金の各々における酸化物では、Ｃｒ２Ｏ３および（Ｍｎ，Ｃｒ）２Ｏ３の他に、Ｍｎ2Ｏ３が多く含まれる。
【0066】
このため、供給管５０のステンレス合金におけるマンガンの含有比率は上述のように、０．５重量パーセント濃度未満であるとよい。これにより、供給管５０の内壁（不働態膜）におけるマンガンの量を好適に低減させることができ、基板Ｗに対する金属汚染を抑制することができる。より好ましくは、供給管５０のステンレス合金におけるマンガンの含有比率は０．０３重量パーセント濃度以下であり、例えば０．０１重量パーセント濃度以上かつ０．０２重量パーセント濃度以下に設定され得る。これにより、基板Ｗの金属汚染をより確実に抑制することができる。
【0067】
また、供給管５０の材料としてステンレス合金を適用すれば、オゾンガスに対して高い信頼性で供給管５０を実現することができる。
【0068】
さて、供給管５０からチャンバ１０内に流入したオゾンガスは基板Ｗの主面上の有機物と反応する。これにより、有機物が酸化分解される。酸化分解により生成された有機物ガスおよび水蒸気等のガスはオゾンガスとともに、排出管６０を通じて外部の排気部７１に排出される。このため、排出管６０の内壁は炭素環境（つまり有機物環境）に曝される。本実施の形態では、排出管６０のステンレス合金におけるマンガンの含有比率は高いので、不働態膜におけるマンガン酸化物の含有比率も高く、同様に、マンガン－クロム混合酸化物の含有比率も高い。マンガン酸化物およびマンガン－クロム混合酸化物は、有機物ガスを分解する触媒として機能することができる（例えば、Xi Chen, Xi Chen, Songcai Cai, Enqi Yu, Jing Chen, Hongpeng Jia, ”MnOx/Cr2O3 composites prepared by pyrolysis of Cr-MOF precursors containing in situ assembly of MnOx as high stable catalyst for toluene oxidation”, 475, Applied Surface Science, 2019, pp312-324）。図５は、マンガン－クロム混合酸化物によるトルエンの分解メカニズムを示す図である。図５から理解できるように、トルエン等の有機物ガスが二酸化炭素および水に分解される。このため、排出管６０の内壁が炭素環境に曝されても、排出管６０の内壁に有機物が堆積する可能性を低減させることができる。つまり、排出管６０に対する有機物汚染を抑制することができる。
【0069】
また、クロム酸マンガンはクロム酸化物に比べて耐浸炭性に優れている（例えば、Hao Li, Weixing Chen, ”Stability of MnCr2O4 spinel and Cr2O3 in high temperature carbonaceous environments with varied oxygen partial pressures”, 52, Corrosion Science, 2010, pp2481-2488）。このため、排出管６０の内壁が炭素環境に曝されても、排出管６０の内壁に対する浸炭を抑制することができる。
【0070】
なお、オゾンガスも排出管６０の内部を流れるので、排出管６０の内壁からマンガンが流出し得る。しかしながら、マンガンはガスの流れに沿って排気部７１側に向かって排出管６０の内部を流れる。このため、マンガンは排出管６０よりも上流側に位置する基板Ｗには付着しにくく、基板Ｗに対する金属汚染をほとんど招かない。
【0071】
また、排出管６０の材料にマンガンの含有比率の高いステンレス合金、例えば、ＳＵＳ３１６Ｌおよび３１６Ｌ等のオーステナイト系ステンレス合金を適用すれば、製造コストを低減させることができる。
【0072】
供給管５０および排出管６０の両方においてステンレス合金を適用すれば、オゾンガスに対して高い信頼性で供給管５０および排出管６０を実現することができる。つまり、供給管５０および排出管６０において互いに同種類のステンレス合金を用いつつも、ステンレス合金の組成を供給管５０および排出管６０で異ならせることにより、金属汚染および有機物汚染の両方を抑制しつつ、高い信頼性で供給管５０および排出管６０を実現することができる。
【0073】
なお、供給管５０は必ずしもステンレス合金によって形成される必要はない。例えば、アルミニウム、アルミニウム合金、チタン、チタン合金、ニッケル合金、石英または樹脂（例えばフッ素系樹脂）を供給管５０の材料に適用することができる。これらの材料において、マンガンの含有比率は例えば０．５重量パーセントよりも十分に小さく、マンガンはほとんど含まれていない。このため、基板Ｗに対する金属汚染をさらに抑制することができる。
【0074】
また、供給管５０の内壁は、マンガンの含有比率が低いコーティング材料によってコーティングされてもよい。つまり、供給管５０は、筒状部材と、筒状部材の内壁に形成されたコーティン材とを含んでいてもよい。コーティング材料には、例えば、アルミニウム、アルミニウム合金、チタン、チタン合金または石英を適用することができる。
【0075】
＜配管構造のより詳細な一例＞
次に、有機物除去ユニット１に接続される配管構造のより詳細な一例を説明する。図６は、有機物除去ユニット１に接続される配管構造のより詳細な一例を概略的に示す図である。
次に、有機物除去ユニット１に接続される配管構造のより詳細な一例を説明する。図６は、有機物除去ユニット１に接続される配管構造のより詳細な一例を概略的に示す図である。
【0076】
＜不活性ガス供給＞
図６の例では、チャンバ１０に不活性ガスを供給するための不活性ガス供給管５１ｂ（以下、単に供給管５１ｂと呼ぶ）が設けられている。図６の例では、供給管５１ｂの下流端は供給管５０の途中に接続されている。以下では、供給管５０のうち、供給管５０の下流端と供給管５１ｂの下流端との間の部分を共通管５１とよび、共通管５１よりも上流側の部分をオゾン供給管５１ａと呼ぶ。供給管５１ｂの上流端は不活性ガス供給源に接続されている。不活性ガス供給源は、不活性ガスを貯留する貯留部を有し、供給管５１ｂの上流端に不活性ガスを供給する。不活性ガスは例えば窒素ガスおよび希ガスの少なくともいずれか一つを含む。希ガスは例えばアルゴンガスを含む。
図６の例では、チャンバ１０に不活性ガスを供給するための不活性ガス供給管５１ｂ（以下、単に供給管５１ｂと呼ぶ）が設けられている。図６の例では、供給管５１ｂの下流端は供給管５０の途中に接続されている。以下では、供給管５０のうち、供給管５０の下流端と供給管５１ｂの下流端との間の部分を共通管５１とよび、共通管５１よりも上流側の部分をオゾン供給管５１ａと呼ぶ。供給管５１ｂの上流端は不活性ガス供給源に接続されている。不活性ガス供給源は、不活性ガスを貯留する貯留部を有し、供給管５１ｂの上流端に不活性ガスを供給する。不活性ガスは例えば窒素ガスおよび希ガスの少なくともいずれか一つを含む。希ガスは例えばアルゴンガスを含む。
【0077】
図６の例では、供給管５１ｂには、供給弁５２ｂ、流量調整弁５３ｂ、フィルタ５４ｂおよび逆止弁５５ｂが介挿されている。供給弁５２ｂは供給管５１ｂの流路の開閉を切り替える。流量調整弁５３ｂは、供給管５１ｂを流れる不活性ガスの流量を調整する。供給弁５２ｂおよび流量調整弁５３ｂは例えば制御部９０によって制御される。フィルタ５４ｂは、不活性ガスに含まれる異物を補足する。これにより、より清浄な不活性ガスをチャンバ１０に供給することができる。逆止弁５５ｂは、不活性ガス供給源からチャンバ１０に向かって流れる不活性ガスを通過させ、チャンバ１０から不活性ガス供給源へ向かって流れる不活性ガスを阻止する。
【0078】
制御部９０はオゾンガスによる基板Ｗの処理後に供給弁５２ｂを開く。これにより、不活性ガス供給源からの不活性ガスが供給管５１ｂおよび共通管５１を通じてチャンバ１０内に供給される。このため、不活性ガスでチャンバ１０内のオゾンガスを排出管６０側に押し出すことができる。そして、制御部９０はオゾンガスが十分に排出された後に、開閉駆動部４０を制御して上部材３０を上位置に上昇させる。これにより、チャンバ１０の外部へのオゾンガスの流出を抑制することができる。
【0079】
供給管５１ｂの材料は適宜に選定され得る。例えば、供給管５１ｂの材料は供給管５０と同じであってもよく、排出管６０と同じであってもよい。
【0080】
＜オゾンガス供給＞
図６の例では、オゾン供給管５１ａ（以下、単に供給管５１ａと呼ぶ）のうち供給弁５２ａよりも上流側の部分に供給弁５５ａが介挿されている。供給弁５５ａも供給管５１ａの流路の開閉を切り換える。また、供給管５１ａのうちの供給弁５２ａと供給弁５５ａの間の部分には、配管５６ａの上流端が接続されている。配管５６ａの下流端は排出管６９に接続されている。排出管６９の下流端は排気部７１（図２）に接続される。配管５６ａには、圧力調整弁の一例であるオートプレッシャコントローラ５７ａが介挿されている。供給弁５５ａおよびオートプレッシャコントローラ５７ａは例えば制御部９０によって制御される。供給管５１ａ内の一部のオゾンガスが、オートプレッシャコントローラ５７ａによって制御された流量で、配管５６ａを流れることにより、供給管５１ａ内の圧力を所定範囲内に調整することができる。
図６の例では、オゾン供給管５１ａ（以下、単に供給管５１ａと呼ぶ）のうち供給弁５２ａよりも上流側の部分に供給弁５５ａが介挿されている。供給弁５５ａも供給管５１ａの流路の開閉を切り換える。また、供給管５１ａのうちの供給弁５２ａと供給弁５５ａの間の部分には、配管５６ａの上流端が接続されている。配管５６ａの下流端は排出管６９に接続されている。排出管６９の下流端は排気部７１（図２）に接続される。配管５６ａには、圧力調整弁の一例であるオートプレッシャコントローラ５７ａが介挿されている。供給弁５５ａおよびオートプレッシャコントローラ５７ａは例えば制御部９０によって制御される。供給管５１ａ内の一部のオゾンガスが、オートプレッシャコントローラ５７ａによって制御された流量で、配管５６ａを流れることにより、供給管５１ａ内の圧力を所定範囲内に調整することができる。
【0081】
配管５６ａの材料は適宜に選定され得る。例えば、配管５６ａの材料は供給管５０と同じであってもよく、排出管６０と同じであってもよい。排出管６９は後の説明から理解できるように、排出管６０の一部であるので、排出管６９の材料は例えば排出管６０と同じである。
【0082】
図６の例では、供給管５１ａにはフィルタ５４ａが介挿されている。図６の例では、フィルタ５４ａは供給弁５２ａおよびマスフローコントローラ５３ａの両方よりも下流側に設けられている。フィルタ５４ａは、オゾンガスに含まれる異物（例えば金属）を補足する。これにより、より清浄なオゾンガスをチャンバ１０内に供給することができる。
【0083】
図６の例では、フィルタ５４ａに補足された異物を、排出管６９に排出させる配管系統が設けられている。具体的には、供給管５１ａのうちフィルタ５４ａの直前の部分には、排出管５６ｂの上流端が接続されている。排出管５６ｂには排出弁５７ｂが介挿されている。排出弁５７ｂは例えば制御部９０によって制御され、排出管５６ｂの流路の開閉を切り換える。排出管５６ｂの下流端はエジェクタ５９ｂの吸引口に接続されている。エジェクタ５９ｂの流入口は不図示のガス供給源に接続されており、エジェクタ５９ｂの流出口は排出管５８ｂの上流端に接続されている。排出管５８ｂの下流端は排出管６９に接続される。
【0084】
制御部９０はオゾンガスによる基板Ｗの処理後に排出弁５７ｂを開く。より具体的な一例として、制御部９０は上部材３０の上位置への移動と並行して、排出弁５７ｂを開いてもよい。排出弁５７ｂが開いた状態でガス供給源から高圧のガス（例えば空気）がエジェクタ５９ｂを通じて排出管５８ｂを流れると、当該ガスの流れによって排出管５６ｂ内の圧力が負圧となる。これにより、チャンバ１０内のガスが、共通管５１、供給管５１ａの一部および排出管５６ｂを通じてエジェクタ５９ｂに吸引され、排出管５８ｂを通じて排出管６９に排出される。このガスの流れによってフィルタ５４ａ内の異物の一部が押し流されるので、フィルタ５４ａ内の異物の量を低減させることができる。
【0085】
排出管５６ｂおよび排出管５８ｂの材料は例えば排出管６０と同じであってもよい。これにより、チャンバ１０内に有機物ガスが残留していても、有機物ガスによる排出管５６ｂおよび排出管５８ｂに対する有機物汚染を抑制することができる。
【0086】
なお、フィルタ５４ａが設けられない場合には、排出管５６ｂ、排出弁５７ｂ、エジェクタ５９ｂおよび排出管５８ｂも設けられない。
【0087】
＜排出＞
図６の例では、排出管６０の第１例として、排出管６１ａ、排出管６４ａおよび排出管６５ａが示されている。図６の例では、排出管６１ａの上流端はチャンバ１０の底部に接続されている。排出管６１ａには排出弁６２ａが介挿されている。排出弁６２ａは例えば制御部９０によって制御され、排出管６１ａの流路の開閉を切り換える。排出管６１ａの下流端はエジェクタ６３ａの吸引口に接続されている。エジェクタ６３ａの流出口は排出管６４ａの上流端に接続されている。排出管６４ａの下流端は排出管６９に接続されている。エジェクタ６３ａの流入口は不図示のガス供給源に接続される。ガス供給源は高圧のガス（例えば空気）をエジェクタ６３ａの流入口に供給する。
図６の例では、排出管６０の第１例として、排出管６１ａ、排出管６４ａおよび排出管６５ａが示されている。図６の例では、排出管６１ａの上流端はチャンバ１０の底部に接続されている。排出管６１ａには排出弁６２ａが介挿されている。排出弁６２ａは例えば制御部９０によって制御され、排出管６１ａの流路の開閉を切り換える。排出管６１ａの下流端はエジェクタ６３ａの吸引口に接続されている。エジェクタ６３ａの流出口は排出管６４ａの上流端に接続されている。排出管６４ａの下流端は排出管６９に接続されている。エジェクタ６３ａの流入口は不図示のガス供給源に接続される。ガス供給源は高圧のガス（例えば空気）をエジェクタ６３ａの流入口に供給する。
【0088】
図６の例では、排出管６１ａの途中部分には排出管６５ａの上流端が接続されている。図６の例では、当該途中部分は、排出管６１ａのうちのチャンバ１０と排出弁６２ａとの間の部分である。排出管６５ａの下流端は排出管６９に接続されている。排出管６５ａには排出弁６６ａが介挿されている。排出弁６６ａは例えば制御部９０によって制御され、排出管６５ａの流路の開閉を切り換える。
【0089】
制御部９０はオゾンガスによる基板Ｗの処理後に排出弁６２ａを開き、排出弁６６ａを閉じる。この状態で、エジェクタ６３ａに高圧のガスが供給されると、チャンバ１０内のガスは排出管６１ａおよび排出管６４ａを通じて比較的に大きな流量で排出される。オゾンガスの処理後には、チャンバ１０には不活性ガスが供給されるので、初期的にはチャンバ１０からのオゾンガスおよび不活性ガスが排出される。これらのガスは大きな流量で排出されるので、チャンバ１０内のオゾンガスをより短時間で排出することができる。
【0090】
オゾンガスが十分に排出されると、制御部９０は排出弁６２ａを閉じ、排出弁６６ａを開く。この状態では、チャンバ１０内のガスは排出管６１ａの一部および排出管６５ａを通じて、比較的に小さな流量で排出される。チャンバ１０には不活性ガスが供給されるので、チャンバ１０内の圧力が陽圧となり、開閉駆動部４０は上部材３０を容易に上昇させることができる。
【0091】
図６の例では、排出管６０の第２例として、排出管６１ｂ、排出管６４ｂおよび排出管６５ｂが示されている。図６の例では、排出管６１ｂの上流端は、チャンバ１０の下部材２０の側壁の上面に連通している。排出管６１ｂには排出弁６２ｂが介挿されている。排出弁６２ｂは例えば制御部９０によって制御され、排出管６１ｂの流路の開閉を切り換える。排出管６１ｂの下流端はエジェクタ６３ｂの吸引口に接続されている。エジェクタ６３ｂの流出口は排出管６４ｂの上流端に接続されている。排出管６４ｂの下流端は排出管６９に接続されている。エジェクタ６３ｂの流入口は不図示のガス供給源に接続される。ガス供給源は高圧のガス（例えば空気）をエジェクタ６３ｂの流入口に供給する。
【0092】
図６の例では、排出管６１ｂの途中部分には排出管６５ｂの上流端が接続されている。図６の例では、当該途中部分は、排出管６１ｂのうちのチャンバ１０と排出弁６２ｂとの間の部分である。排出管６５ｂの下流端は排出管６９に接続されている。排出管６５ｂには排出弁６６ｂが介挿されている。排出弁６６ｂは例えば制御部９０によって制御され、排出管６５ｂの流路の開閉を切り換える。
【0093】
排出弁６２ｂが開き、かつ、排出弁６６ｂが閉じた状態で、エジェクタ６３ｂに高圧のガスが供給されると、チャンバ１０内のガスは排出管６１ｂおよび排出管６４ｂを通じて比較的に大きな流量で排出される。これにより、上部材３０の側壁の下面が下部材２０の側壁の上面に向かって押圧される。一方で、排出弁６２ｂが閉じ、かつ、排出弁６６ｂが開いた状態では、チャンバ１０内のガスは排出管６１ｂおよび排出管６５ｂを通じて、比較的に小さな流量で排出される。これにより、開閉駆動部４０は上部材３０をより容易に上昇させることができる。
【0094】
排出管６１ａ、排出管６４ａ、排出管６５ａ、排出管６１ｂ、排出管６４ｂおよび排出管６５ｂは排出管６０の一例である。よって、これらの配管の内壁におけるマンガンの含有比率は、供給管５０の内壁におけるマンガンの含有比率よりも高く設定され得る。
【0095】
＜チャンバ１０＞
次にチャンバ１０の構成の一例について詳述する。
次にチャンバ１０の構成の一例について詳述する。
【0096】
＜チャンバ１０の材料の第１例＞
チャンバ１０の内壁の少なくとも一部におけるマンガンの含有比率は排出管６０の内壁におけるマンガンの含有比率よりも低くても良い。チャンバ１０の内壁は、例えば、ステンレス合金によって形成されてもよく、アルミニウムまたはアルミニウム合金によって形成されてもよく、チタンまたはチタン合金によって形成されてもよく、石英によって形成されてもよい。これらによれば、チャンバ１０内のオゾンガスがチャンバ１０の内壁と反応したとしても、マンガンの蒸発はあまり生じない。このため、基板Ｗに対する金属汚染をさらに抑制することができる。
チャンバ１０の内壁の少なくとも一部におけるマンガンの含有比率は排出管６０の内壁におけるマンガンの含有比率よりも低くても良い。チャンバ１０の内壁は、例えば、ステンレス合金によって形成されてもよく、アルミニウムまたはアルミニウム合金によって形成されてもよく、チタンまたはチタン合金によって形成されてもよく、石英によって形成されてもよい。これらによれば、チャンバ１０内のオゾンガスがチャンバ１０の内壁と反応したとしても、マンガンの蒸発はあまり生じない。このため、基板Ｗに対する金属汚染をさらに抑制することができる。
【0097】
【0098】
チャンバ１０は下部材２０と上部材３０とを含んでいる。図７では、下部材２０は、中央部２１と、内側環状部２２と、環状板部２３と、外側環状部２４と、複数の筒状部２５と、複数のベローズ２６と、支持部２７とを含んでいる。
【0099】
図７の例では、中央部２１は板状の形状を有しており、その厚み方向が鉛直方向に沿う姿勢で設けられている。図７の例では、中央部２１の上面２１ａには基板Ｗが載置される。つまり、上面２１ａは、基板Ｗが載置される載置面として機能する。言い換えれば、中央部２１は、基板Ｗが載置される載置台として機能する。中央部２１は平面視において例えば基板Ｗと同心状の円形状を有する。
【0100】
図７の例では、中央部２１は板状部２１１および複数の位置決め用のピン２１２を含んでいる。板状部２１１は板状の形状を有し、その厚み方向が鉛直方向に沿う姿勢で設けられる。板状部２１１は平面視において、例えば基板Ｗと同心状の円形状を有する。複数のピン２１２は板状部２１１の上面に設けられ、板状部２１１の上面から鉛直上方に突出する。複数のピン２１２は基板Ｗの周縁に沿って等間隔で設けられ得る。ピン２１２は基板Ｗの周縁と当接して基板Ｗの平面視の位置を決める。
【0101】
図７の例では、板状部２１１には、リフトピン２８が貫通される複数のピン用の貫通穴２１ｂが形成されている。複数の貫通穴２１ｂは平面視において、例えば、基板Ｗと同心状の仮想円に沿って等間隔に配列されてもよい。貫通穴２１ｂは鉛直方向において板状部２１１を貫通する。
【0102】
板状部２１１のうち各貫通穴２１ｂを形成する周縁部は、筒状部２５の上端に接続されている。筒状部２５は筒状の形状を有し、その中心軸が鉛直方向に沿う姿勢で設けられている。各筒状部２５の内部空間は貫通穴２１ｂにつながっている。リフトピン２８は筒状部２５の内部空間に位置している。
【0103】
各筒状部２５の下端にはベローズ２６の上端が接続されている。ベローズ２６は筒状の形状を有し、その中心軸が鉛直方向に沿う姿勢で設けられている。ベローズ２６は蛇腹状に構成されており、鉛直方向のサイズが可変となるように変形可能である。互いに接続された筒状部２５およびベローズ２６は、リフトピン２８を収容する収容空間を形成する。
【0104】
ベローズ２６の下端には支持部２７が接続されている。図７の例では、支持部２７は板状の形状を有しており、その厚み方向が鉛直方向に沿う姿勢で設けられている。
【0105】
各リフトピン２８は、鉛直方向に長い棒状の形状を有しており、対応する筒状部２５およびベローズ２６内の収容空間に収容される。各リフトピン２８の下端は支持部２７に固定されている。
【0106】
各リフトピン２８は、ピン昇降駆動部２９によって、上位置と下位置との間で昇降可能である。上位置は、リフトピン２８の先端が中央部２１の上面２１ａよりも鉛直上方となる位置であり、下位置は、リフトピン２８の先端が中央部２１の上面２１ａよりも鉛直下方となる位置である。図７の例では、ピン昇降駆動部２９は支持部２７を昇降させる。これにより、支持部２７に固定されたリフトピン２８が昇降する。ピン昇降駆動部２９は例えばエアシリンダまたはリニアモータを有する直動機構を含んでいてもよく、あるいは、モータと、モータの回転を直線移動に変換する動力伝達部とを含んでいてもよい。ピン昇降駆動部２９は例えば制御部９０によって制御される。
【0107】
内側環状部２２は中央部２１の周縁から鉛直下方に沿って延びている。内側環状部２２は、例えば基板Ｗと同心状の筒状形状を有する。外側環状部２４は、例えば内側環状部２２と同心状の筒状形状を有している。外側環状部２４は内側環状部２２よりも径方向外側に位置しており、内側環状部２２と間隔を空けて径方向において向かい合っている。つまり、外側環状部２４の内径は内側環状部２２の外径よりも大きい。環状板部２３は板状の円環形状を有しており、その厚み方向が鉛直方向に沿う姿勢で設けられている。環状板部２３の内周縁は内側環状部２２の下端に接続されており、環状板部２３の外周縁は外側環状部２４の下端に接続されている。このような構造において、外側環状部２４は下部材２０の側壁であるともいえる。
【0108】
環状板部２３には１つ以上の排気口２３ａが形成されている。図７の例では、複数の排気口２３ａが形成されている。複数の排気口２３ａは例えば環状板部２３の周方向において等間隔に形成され得る。各排気口２３ａには排出管６１ａの上流端が接続される。つまり、図７の例では、複数の排出管６１ａが設けられている。複数の排出管６２は合流してエジェクタ６３ａの吸引口に接続され得る。
【0109】
チャンバ１０の内部空間１０ｓのうち、内側環状部２２、環状板部２３および外側環状部２４によって囲まれた空間を、排出空間１０ｓ２とも呼ぶ。排出空間１０ｓ２は基板Ｗと同心状の円筒形状を有する。
【0110】
ヒータ４４は下部材２０の中央部２１の下面２１ｃに取り付けられている。ヒータ４４は中央部２１を加熱し、中央部２１を通じて基板Ｗに加熱させる。ヒータ４４は例えば熱源４４１と伝熱部材４４２とを含む。伝熱部材４４２は板状の形状を有しており、その厚み方向が鉛直方向に沿う姿勢で設けられる。伝熱部材４４２の上面は中央部２１の下面２１ｃに密着してもよい。伝熱部材４４２は、筒状部２５によって貫通される貫通穴を有している。伝熱部材４４２は平面視において例えば基板Ｗと同心状の円形状を有し、例えばその直径は基板Ｗの直径よりも大きい。熱源４４１は例えば電熱線であり、伝熱部材４４２の内部に設けられている。熱源４４１によって生じた熱は伝熱部材４４２および中央部２１を通じて基板Ｗに伝達され、基板Ｗが加熱される。伝熱部材４４２は熱伝導率の高い材料（例えばアルミニウムまたはアルミニウム合金）によって形成され得る。
【0111】
上部材３０は板状部３１と側壁３２とを含んでいる。板状部３１は板状の形状を有しており、その厚み方向が鉛直方向に沿う姿勢で設けられている。板状部３１は中央部２１と鉛直方向において向かい合っている。板状部３１は中央部２１よりも鉛直上方に位置している。板状部３１は平面視において例えば基板Ｗと同心状の円形状を有する。側壁３２は板状部３１の周縁から鉛直下方に沿って延びている。側壁３２は平面視において例えば基板Ｗと同心状の筒状形状を有する。側壁３２は、下部材２０の側壁である外側環状部２４と鉛直方向において向かい合っている。
【0112】
図７の例では、外側環状部２４の上面（つまり、下部材２０の側壁の上面）にはシール部材８０が設けられている。シール部材８０は外側環状部２４の上面の全周にわたって設けられており、平面視において例えば基板Ｗと同心状の円環形状を有している。シール部材８０はオーリングであってもよい。図７の例では、２つのシール部材８０が設けられている。一方のシール部材８０は他方のシール部材８０に対して径方向内側に設けられている。
【0113】
上部材３０が開位置に位置する状態において、上部材３０の側壁３２の下面は下部材２０の外側環状部２４上のシール部材８０と離れている。上部材３０が閉位置に位置する状態において、上部材３０の側壁３２の下面はシール部材８０と接する。シール部材８０は閉状態において、下部材２０と上部材３０との間を封止する。これにより、チャンバ１０の内部空間１０ｓが外部からより確実に遮断される。
【0114】
図７の例では、外側環状部２４の上面のうち、一対のシール部材８０の間の部分において、排出管６１ｂの上流端に連通する吸引口が形成されている。チャンバ１０が閉状態となるときに、排出管６１ｂからガスが吸引されることにより、上部材３０の側壁３２を下部材２０の側壁（つまり外側環状部２４）に押圧することができる。
【0115】
板状部３１には給気口３１ａが形成されている。図７の例では、給気口３１ａは板状部３１の中央部に形成されている。給気口３１ａが供給管５０の下流口とつながるように、供給管５０の下流端が板状部３１に接続される。
【0116】
図７の例では、チャンバ１０の内部空間１０ｓには、整流板４２が設けられている。整流板４２は板状の形状を有し、その厚み方向が鉛直方向に沿う姿勢で設けられる。整流板４２は鉛直方向において給気口３１ａと離れた状態で設けられる。また、整流板４２は基板Ｗと鉛直方向において離れた状態で設けられており、基板Ｗと向かい合う。つまり、整流板４２はチャンバ１０の内部空間１０ｓにおいて供給管５０の下流端と基板Ｗとの間に設けられる。整流板４２は平面視において例えば基板Ｗと同心状の形状を有しており、その直径は基板Ｗの直径よりも大きい。整流板４２には複数の貫通穴４２ａが形成されている。複数の貫通穴４２ａは平面視において二次元的に配列され、例えば、マトリックス状に配列される。複数の貫通穴４２ａは整流板４２を鉛直方向において貫通する。
【0117】
整流板４２は上部材３０に取り付けられている。図７の例では、整流板４２は第１固定部材４３によって上部材３０に取り付けられている。第１固定部材４３は例えば締結部材であり、より具体的な一例として、ネジである。この場合、整流板４２にはネジ用の貫通穴４２ｂが形成され、上部材３０の板状部３１の下面にはネジ穴３１ｂが形成される。そして、第１固定部材４３が整流板４２の貫通穴４２ｂを貫通しつつ、第１固定部材４３の先端部がネジ穴３１ｂにネジ作用により結合される。複数の第１固定部材４３が整流板４２の周縁部に沿って等間隔に設けられてもよい。
【0118】
供給管５０の下流端からチャンバ１０の内部空間１０ｓに流入したガスは、整流板４２の複数の貫通穴４２ａを通過する。ガスが複数の貫通穴４２ａを通過することにより、ガスが整流され、より均一にガスが基板Ｗの上面に供給される。ガスは基板Ｗよりも径方向外側の排出空間１０ｓ２を通じて排出管６１ａの上流端に流入する。
【0119】
このような有機物除去ユニット１において、チャンバ１０の内壁のうち、内部空間１０ｓに露出する部材の露出表面の少なくとも一部におけるマンガンの含有比率は、排出管６０の内壁におけるマンガンの含有比率よりも低くてもよい。例えば、上部材３０の内面（つまり板状部３１の下面および側壁３２の内面）は内部空間１０ｓに露出するので、上部材３０の内面におけるマンガンの含有比率は、排出管６０の内壁におけるマンガンの含有比率よりも低くてもよい。例えば、上部材３０の板状部３１および側壁３２は、マンガンの含有比率が低い低マンガン材料（例えば、マンガンの含有比率の低いステンレス合金、アルミニウム、アルミニウム合金、チタン、チタン合金または石英）によって形成され得る。より具体的な一例として、上部材３０の板状部３１および側壁３２はアルミニウムまたはアルミニウム合金によって形成される。
【0120】
整流板４２もチャンバ１０の内部空間１０ｓにおいて露出するので、整流板４２の露出表面も低マンガン材料によって形成されてもよい。具体的な一例として、整流板４２はアルミニウムまたはアルミニウム合金によって形成される。第１固定部材４３の一部（例えばネジ頭）もチャンバ１０の内部空間１０ｓにおいて露出するので、第１固定部材４３の露出表面（少なくともネジ頭の表面）も低マンガン材料によって形成されてもよい。具体的な一例として、第１固定部材４３は、フェライト系ステンレス合金またはオーステナイト系のダブルメルト材によって形成される。
【0121】
位置決め用のピン２１２もチャンバ１０の内部空間１０ｓにおいて露出するので、ピン２１２の露出表面も低マンガン材料によって形成されてもよい。具体的な一例として、ピン２１２はステンレス合金、アルミニウムまたはアルミニウム合金によって形成される。また、ピン２１２をチャンバ１０の載置面（上面２１ａ）に固定する固定部材がチャンバ１０の内部空間１０ｓで露出する場合もある。図８は、ピン２１２の構成の一例を概略的に示す断面図である。図８の例では、ピン２１２は第２固定部材２１３によって下部材２０の上面２１ａ（載置面）に固定される。図８の例では、第２固定部材２１３は締結部材であり、より具体的な一例として、ネジである。図８の例では、ピン２１２は凹形状を有しており、その凹形状の底部において貫通穴２１２ａが形成されている。貫通穴２１２ａはピン２１２を鉛直方向において貫通する。板状部２１１にはネジ穴２１ｄが形成されている。第２固定部材２１３はピン２１２の貫通穴２１２ａを貫通しつつ、第２固定部材２１３の先端部がネジ穴２１ｄにネジ作用により結合される。図８に示されるように、第２固定部材２１３の一部（ネジ頭）がチャンバ１０の内部空間１０ｓに露出するので、第２固定部材２１３の露出表面（少なくともネジ頭の表面）も低マンガン材料によって形成されてもよい。具体的な一例として、第２固定部材２１３は、フェライト系ステンレス合金またはオーステナイト系のダブルメルト材によって形成される。
【0122】
下部材２０の内面もチャンバ１０の内部空間１０ｓにおいて露出するので、下部材２０も低マンガン材料によって形成されてもよい。例えば、中央部２１、内側環状部２２、環状板部２３、外側環状部２４、筒状部２５、ベローズ２６および支持部２７は低マンガン材料によって形成されてもよく、具体的な一例として、アルミニウムまたはアルミニウム合金によって形成されてもよい。
【0123】
リフトピン２８もチャンバ１０の内部空間１０ｓにおいて露出するので、リフトピン２８も低マンガン材料によって形成されてもよい。具体的な一例として、リフトピン２８はフェライト系ステンレス合金またはオーステナイト系のダブルメルト材によって形成され得る。
【0124】
図７の例では、ヒータ４４が基板Ｗを加熱するので、チャンバ１０の内部空間１０ｓの温度も上昇する。このため、オゾンガスおよびチャンバ１０の温度も上昇する。したがって、温度という観点では、オゾンガスの作用によってチャンバ１０の内壁からマンガンが流出しやすい。しかるに、チャンバ１０の内壁のうちの基板Ｗよりも上流側の部分（例えば上部材３０）におけるマンガンの含有比率は、排出管６０におけるマンガンの含有比率よりも低い。したがって、マンガンが流出しやすい温度環境であっても、上部材３０の内壁からのマンガンの流出量を低減させることができ、基板Ｗに対する金属汚染を適切に抑制することができる。
【0125】
また、上述の例では、チャンバ１０の内部空間１０ｓにおいて基板Ｗよりも上流側に位置する整流板４２および第１固定部材４３も、低マンガン材料によって形成される。このため、オゾンガスが整流板４２および第１固定部材４３に作用しても、マンガンの流出量は小さい。したがって、マンガンが流出しやすい温度環境であっても、整流板４２および第１固定部材４３からのマンガンの流出量を低減させることができ、基板Ｗに対する金属汚染を適切に抑制することができる。
【0126】
また、上述の例では、チャンバ１０の内部空間１０ｓにおいて基板Ｗの周縁に接するピン２１２も、低マンガン材料によって形成される。また、ピン２１２を固定する第２固定部材２１３も低マンガン材料によって形成される。このため、オゾンガスがピン２１２および第２固定部材２１３に作用しても、マンガンの流出量は小さい。したがって、マンガンが流出しやすい温度環境であっても、ピン２１２および第２固定部材２１３からのマンガンの流出量を低減させることができ、基板Ｗに対する金属汚染を適切に抑制することができる。
【0127】
また、上述の例では、チャンバ１０の内壁のうちの基板Ｗよりも下流側の部分（例えば下部材２０）におけるマンガンの含有比率は、排出管６０におけるマンガンの含有比率よりも低い。このため、基板Ｗよりも下流側の部分においてオゾンガスがチャンバ１０の内壁に作用しても、マンガンの流出量は小さい。このため、例えば排出空間１０ｓ２内のガスのわずかな一部が基板Ｗ側に戻ったとしても、基板Ｗに対する金属汚染をより確実に抑制することができる。
【0128】
なお、チャンバ１０の内部空間１０ｓに露出する各部材の全体が低マンガン材料によって形成される必要はない。当該部材の露出表面の少なくとも一部（好ましくは露出表面の大部分、例えば９割以上）が低マンガン材料によって形成されていればよい。
【0129】
＜チャンバ１０の材料の第２例＞
上述のように、チャンバ１０の内壁の全体が低マンガン材料によって形成されてもよいものの、チャンバ１０の内壁のうち、基板Ｗよりも上流側の上流部分の少なくとも一部が低マンガン材料によって形成され、基板Ｗよりも下流側の下流部分の少なくとも一部が、高い含有比率でマンガンを含む合金によって形成されてもよい。ここで、上流部分とは、例えば、チャンバ１０内で載置された基板Ｗの上面と同じ平面を境界としてチャンバ１０を分割して得られた２つの部分のうち、供給管５０側の部分である。同様に、下流部分とは、例えば、チャンバ１０内で載置された基板Ｗの上面と同じ平面を境界としてチャンバ１０を分割して得られた２つの部分のうち、排出管６０側の部分である。
上述のように、チャンバ１０の内壁の全体が低マンガン材料によって形成されてもよいものの、チャンバ１０の内壁のうち、基板Ｗよりも上流側の上流部分の少なくとも一部が低マンガン材料によって形成され、基板Ｗよりも下流側の下流部分の少なくとも一部が、高い含有比率でマンガンを含む合金によって形成されてもよい。ここで、上流部分とは、例えば、チャンバ１０内で載置された基板Ｗの上面と同じ平面を境界としてチャンバ１０を分割して得られた２つの部分のうち、供給管５０側の部分である。同様に、下流部分とは、例えば、チャンバ１０内で載置された基板Ｗの上面と同じ平面を境界としてチャンバ１０を分割して得られた２つの部分のうち、排出管６０側の部分である。
【0130】
上部材３０は基板Ｗよりも上流側に位置するので、上部材３０の内面は低マンガン材料によって形成されてもよい。整流板４２および第１固定部材４３も鉛直方向において基板Ｗよりも上流側に位置するので、これらの表面も低マンガン材料によって形成されてもよい。
【0131】
一方、下部材２０は基板Ｗよりも下流側に位置するので、下部材２０の内面の一部が、マンガンを高い含有比率で含む合金によって形成されてもよい。例えば、内側環状部２２の外周面、環状板部２３の上面および外側環状部２４の内周面のうち少なくとも一部は高マンガンのステンレス合金によって形成されてもよい。これにより、排出空間１０ｓ２に露出する表面の当該一部には、マンガン酸化物を含む不働態膜、より具体的には、マンガン－クロム混合酸化物を含む不働態膜が形成される。このため、当該一部が有機物ガスを分解する触媒として機能することができる。したがって、当該一部に対する有機物汚染を抑制することができる。また、有機物汚染の原因となる有機物ガスの一部を分解させた状態で、ガスを排出管６１ａに流すことができる。
【0132】
図７の例では、中央部２１の上面２１ａには基板Ｗが載置されるので、その大部分は基板Ｗによって覆われる。したがって、オゾンガスおよび有機物ガスは中央部２１の上面２１ａにはあまり作用しない。つまり、中央部２１の上面２１ａからマンガンは流出しにくく、上面２１ａに対する有機物汚染は生じにくい。そのため、中央部２１の材料は任意に選定されてもよい。図７の例では、中央部２１はヒータ４４からの熱を基板Ｗに伝達させる機能も有する。このため、中央部２１は、熱伝導率が高いアルミニウムまたはアルミニウム合金によって形成されてもよい。
【0133】
図７の例では、中央部２１、内側環状部２２および環状板部２３は同一材料で一体に形成され、外側環状部２４はこれらと別体で形成される。このため、中央部２１、内側環状部２２および環状板部２３は、熱伝導率にも鑑みて、アルミニウムまたはアルミニウム合金によって形成され得る。一方、外側環状部２４は、有機物汚染に鑑みて、マンガンを高い含有比率で含む合金によって形成され得る。
【0134】
また、図７の例では、基板Ｗが中央部２１の上面に載置された状態で、中央部２１の貫通穴２１ｂは基板Ｗによって覆われる。このため、筒状部２５の内面、ベローズ２６の内面、支持部２７の上面およびリフトピン２８の表面には、オゾンガスおよび有機物ガスがあまり流れない。つまり、これらからマンガンは流出しにくく、また、これらに対する有機物汚染は生じにくい。このため、これらの材料は任意に選定されてもよい。
【0135】
なお、上述の例では、チャンバ１０の内部空間１０ｓにオゾンガスが供給されているものの、酸素ガスおよびオゾンガスの少なくともいずれか一方がチャンバ１０の内部空間１０ｓに供給されてもよい。
【0136】
以上のように、基板処理装置１００は詳細に説明されたが、上記した説明は、全ての局面において例示であって、この開示がそれに限定されるものではない。また、上述した各種変形例は、相互に矛盾しない限り組み合わせて適用可能である。そして、例示されていない多数の変形例が、この開示の範囲から外れることなく想定され得るものと解される。
【0137】
上述の例では、開閉駆動部４０は上部材３０を昇降させるものの、下部材２０を昇降させてもよい。また、上述の例では、チャンバ１０の底部（例えば中央部２１）が、基板Ｗを載置する載置台として機能するものの、チャンバ１０の内部にチャンバ１０とは別体の載置台が設けられてもよい。あるいは、チャンバ１０の内部において、基板Ｗを保持する保持部が設けられてもよい。要するに、有機物除去ユニット１は、チャンバ１０の内部空間１０ｓにおいて基板Ｗが配置されて、基板Ｗを保持または載置する基板被配置部を含んでいればよい。
【符号の説明】
【0138】
１０ チャンバ
１００ 基板処理装置
２１２ ピン
２１３ 第２固定部材
４２ 整流板
４３ 第１固定部材
４４ ヒータ
５０ 供給管
６０ 排出管
１００ 基板処理装置
２１２ ピン
２１３ 第２固定部材
４２ 整流板
４３ 第１固定部材
４４ ヒータ
５０ 供給管
６０ 排出管
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】