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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024173372
(43)【公開日】2024-12-12
(54)【発明の名称】トランスチップおよび信号伝達装置
(51)【国際特許分類】
H01L 21/822 20060101AFI20241205BHJP
【ＦＩ】
H01L27/04 L
H01L27/04 A
【審査請求】未請求
【請求項の数】20
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023091747
(22)【出願日】2023-06-02
(71)【出願人】
【識別番号】000116024
【氏名又は名称】ローム株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100105957
【弁理士】
【氏名又は名称】恩田 誠
(74)【代理人】
【識別番号】100068755
【弁理士】
【氏名又は名称】恩田 博宣
(72)【発明者】
【氏名】山下 宜久
【テーマコード（参考）】
5F038
【Ｆターム（参考）】
5F038AZ04
5F038BE07
5F038CA09
5F038CA10
5F038EZ01
5F038EZ02
5F038EZ20
(57)【要約】
【課題】第１コイルと第２コイルとの間の寄生容量を低減すること。
【解決手段】トランスチップ５０は、第１コイル２１と、第１コイル２１と対向する第２コイル２２と、第１パッド５７Ａと、第１パッド５７ＡとＸ方向に離隔した位置に形成された第２パッド５８Ａと、第１コイル２１と第１パッド５７Ａとを電気的に接続する第１接続部８０Ａと、第２コイル２２と第２パッド５８Ａとを電気的に接続する第２接続部９０Ａと、を備える。第１コイル２１および第２コイル２２の各々は、その全体がＸ方向における第１パッド５７Ａと第２パッド５８Ａとの間に位置するように配置されている。第１接続部８０Ａは、平面視において第１コイル２１の第１内周端部から第１コイルと交差するように延びる第１配線層８１を含む。第２接続部９０Ａは、平面視において第２コイル２２の第２内周端部から第２コイル２２と交差するように延びる第２配線層９１を含む。
【選択図】図８
【解決手段】トランスチップ５０は、第１コイル２１と、第１コイル２１と対向する第２コイル２２と、第１パッド５７Ａと、第１パッド５７ＡとＸ方向に離隔した位置に形成された第２パッド５８Ａと、第１コイル２１と第１パッド５７Ａとを電気的に接続する第１接続部８０Ａと、第２コイル２２と第２パッド５８Ａとを電気的に接続する第２接続部９０Ａと、を備える。第１コイル２１および第２コイル２２の各々は、その全体がＸ方向における第１パッド５７Ａと第２パッド５８Ａとの間に位置するように配置されている。第１接続部８０Ａは、平面視において第１コイル２１の第１内周端部から第１コイルと交差するように延びる第１配線層８１を含む。第２接続部９０Ａは、平面視において第２コイル２２の第２内周端部から第２コイル２２と交差するように延びる第２配線層９１を含む。
【選択図】図８
【特許請求の範囲】
【請求項1】
厚さ方向において互いに反対側を向く表面および裏面を含む絶縁層と、
前記絶縁層内において前記裏面寄りに配置され、前記厚さ方向から視て環状に形成された第１コイルと、
前記絶縁層内において前記表面寄りに配置され、前記厚さ方向から視て環状に形成され、前記第１コイルと対向する第２コイルと、
前記表面に形成された第１パッドと、
前記厚さ方向から視て前記表面のうち前記第１コイルと第１方向に離隔した位置に形成された第２パッドと、
前記第１コイルと前記第１パッドとを電気的に接続する第１接続部と、
前記第２コイルと前記第２パッドとを電気的に接続する第２接続部と、
を備え、
前記厚さ方向から視て、前記第１コイルおよび前記第２コイルの各々は、その全体が前記第１方向における前記第１パッドと前記第２パッドとの間に位置するように配置され、
前記第１接続部は、前記厚さ方向から視て、前記第１コイルの第１内周端部から前記第１コイルと交差するように延びる第１配線層を含み、
前記第２接続部は、前記厚さ方向から視て、前記第２コイルの第２内周端部から前記第２コイルと交差するように延びる第２配線層を含む
トランスチップ。
前記絶縁層内において前記裏面寄りに配置され、前記厚さ方向から視て環状に形成された第１コイルと、
前記絶縁層内において前記表面寄りに配置され、前記厚さ方向から視て環状に形成され、前記第１コイルと対向する第２コイルと、
前記表面に形成された第１パッドと、
前記厚さ方向から視て前記表面のうち前記第１コイルと第１方向に離隔した位置に形成された第２パッドと、
前記第１コイルと前記第１パッドとを電気的に接続する第１接続部と、
前記第２コイルと前記第２パッドとを電気的に接続する第２接続部と、
を備え、
前記厚さ方向から視て、前記第１コイルおよび前記第２コイルの各々は、その全体が前記第１方向における前記第１パッドと前記第２パッドとの間に位置するように配置され、
前記第１接続部は、前記厚さ方向から視て、前記第１コイルの第１内周端部から前記第１コイルと交差するように延びる第１配線層を含み、
前記第２接続部は、前記厚さ方向から視て、前記第２コイルの第２内周端部から前記第２コイルと交差するように延びる第２配線層を含む
トランスチップ。
【請求項2】
前記厚さ方向から視た前記第１コイルおよび前記第２コイルの各々の前記第１方向の寸法は、前記第１パッドと前記第２パッドとの前記第１方向の間の距離の２／３以下である
請求項１に記載のトランスチップ。
請求項１に記載のトランスチップ。
【請求項3】
前記第１配線層は、前記第１コイルよりも前記裏面寄りに配置されており、
前記第２配線層は、前記厚さ方向において前記第１配線層と同じ位置に配置されている
請求項１に記載のトランスチップ。
前記第２配線層は、前記厚さ方向において前記第１配線層と同じ位置に配置されている
請求項１に記載のトランスチップ。
【請求項4】
前記第２接続部は、
前記厚さ方向から視て前記第２配線層と重なる部分を有し、前記第２内周端部に接続される第２接続配線層と、
前記第２接続配線層と前記第２配線層とを接続する第２内周ビアと、
前記第２パッドと前記第２配線層とを接続する第２外周ビアと、
を含む
請求項１に記載のトランスチップ。
前記厚さ方向から視て前記第２配線層と重なる部分を有し、前記第２内周端部に接続される第２接続配線層と、
前記第２接続配線層と前記第２配線層とを接続する第２内周ビアと、
前記第２パッドと前記第２配線層とを接続する第２外周ビアと、
を含む
請求項１に記載のトランスチップ。
【請求項5】
前記厚さ方向から視て前記第１方向と直交する方向を第２方向として、
前記第２接続配線層は、
前記第２内周ビアが接続される第２内周接続部と、
前記第２内周接続部から前記第２内周端部に向けて前記第１方向に延びる第２延設部と、
を含み、
前記第２内周接続部の前記第２方向の寸法は、前記第２延設部の前記第２方向の寸法と等しい
請求項４に記載のトランスチップ。
前記第２接続配線層は、
前記第２内周ビアが接続される第２内周接続部と、
前記第２内周接続部から前記第２内周端部に向けて前記第１方向に延びる第２延設部と、
を含み、
前記第２内周接続部の前記第２方向の寸法は、前記第２延設部の前記第２方向の寸法と等しい
請求項４に記載のトランスチップ。
【請求項6】
前記厚さ方向から視て、前記第２内周接続部の前記第１方向の寸法は、前記第２パッドの前記第１方向の寸法よりも小さい
請求項５に記載のトランスチップ。
請求項５に記載のトランスチップ。
【請求項7】
前記第１接続部は、
前記厚さ方向から視て前記第１配線層と重なる部分を有し、前記第１内周端部に接続される第１接続配線層と、
前記第１接続配線層と前記第１配線層とを接続する第１内周ビアと、
前記第１パッドと前記第１配線層とを接続する第１外周ビアと、
を含む
請求項５に記載のトランスチップ。
前記厚さ方向から視て前記第１配線層と重なる部分を有し、前記第１内周端部に接続される第１接続配線層と、
前記第１接続配線層と前記第１配線層とを接続する第１内周ビアと、
前記第１パッドと前記第１配線層とを接続する第１外周ビアと、
を含む
請求項５に記載のトランスチップ。
【請求項8】
前記第１接続配線層は、
前記第１内周ビアが接続される第１内周接続部と、
前記第１内周接続部から前記第１内周端部に向けて前記第１方向に延びる第１延設部と、
を含み、
前記第１内周接続部の前記第２方向の寸法は、前記第１延設部の前記第２方向の寸法と等しい
請求項７に記載のトランスチップ。
前記第１内周ビアが接続される第１内周接続部と、
前記第１内周接続部から前記第１内周端部に向けて前記第１方向に延びる第１延設部と、
を含み、
前記第１内周接続部の前記第２方向の寸法は、前記第１延設部の前記第２方向の寸法と等しい
請求項７に記載のトランスチップ。
【請求項9】
前記厚さ方向から視て、前記第１内周接続部の前記第１方向の寸法は、前記第１パッドの前記第１方向の寸法よりも小さい
請求項８に記載のトランスチップ。
請求項８に記載のトランスチップ。
【請求項10】
前記厚さ方向から視て、前記第１接続部および前記第２接続部は、前記第１方向において並んでいる
請求項８に記載のトランスチップ。
請求項８に記載のトランスチップ。
【請求項11】
前記第１方向における前記第１接続部と前記第２接続部との間の最短距離は、前記厚さ方向における前記第１コイルと前記第２コイルとの間の距離以上である
請求項１０に記載のトランスチップ。
請求項１０に記載のトランスチップ。
【請求項12】
前記第１配線層は、前記厚さ方向において前記第１コイルに対して前記第２コイルとは反対側に配置されており、
前記第２配線層は、前記厚さ方向において前記第１配線層と同じ位置に配置されている
請求項１に記載のトランスチップ。
前記第２配線層は、前記厚さ方向において前記第１配線層と同じ位置に配置されている
請求項１に記載のトランスチップ。
【請求項13】
前記表面上において前記第１パッドとは別に設けられ、前記第１コイルと電気的に接続された第３パッドと、
前記表面上において前記第２パッドとは別に設けられ、前記第２コイルと電気的に接続された第４パッドと、
を備え、
前記第３パッドおよび前記第４パッドの双方は、前記厚さ方向から視て前記第１コイルおよび前記第２コイルよりも外方に配置されている
請求項１に記載のトランスチップ。
前記表面上において前記第２パッドとは別に設けられ、前記第２コイルと電気的に接続された第４パッドと、
を備え、
前記第３パッドおよび前記第４パッドの双方は、前記厚さ方向から視て前記第１コイルおよび前記第２コイルよりも外方に配置されている
請求項１に記載のトランスチップ。
【請求項14】
前記厚さ方向から視て前記第１方向と直交する方向を第２方向として、
前記第３パッドは、前記第１方向において前記第１パッドと同じ位置であって前記第２方向において前記第１パッドから離隔して配置されており、
前記第４パッドは、前記第１方向において前記第２パッドと同じ位置であって前記第２方向において前記第２パッドから離隔して配置されている
請求項１３に記載のトランスチップ。
前記第３パッドは、前記第１方向において前記第１パッドと同じ位置であって前記第２方向において前記第１パッドから離隔して配置されており、
前記第４パッドは、前記第１方向において前記第２パッドと同じ位置であって前記第２方向において前記第２パッドから離隔して配置されている
請求項１３に記載のトランスチップ。
【請求項15】
前記絶縁層内に設けられ、前記第３パッドと前記第１コイルとを電気的に接続する第３接続部と、
前記絶縁層内に設けられ、前記第４パッドと前記第２コイルとを電気的に接続する第４接続部と、
を含む
請求項１３に記載のトランスチップ。
前記絶縁層内に設けられ、前記第４パッドと前記第２コイルとを電気的に接続する第４接続部と、
を含む
請求項１３に記載のトランスチップ。
【請求項16】
前記厚さ方向から視て前記第１方向と直交する方向を第２方向として、
前記第４接続部は、
前記厚さ方向において前記第２コイルと同じ位置であって、前記第２コイルの第２外周端部から前記第２方向に延びる第３外周配線層と、
前記第２方向において前記第４パッドと同じ位置であって、前記第１方向に延びるとともに前記厚さ方向において前記第３外周配線層および前記第４パッドのそれぞれと対向する部分を含む第４外周配線層と、
前記第３外周配線層と前記第４外周配線層とを接続する第３外周ビアと、
前記第４外周配線層と前記第４パッドとを接続する第４外周ビアと、
を含む
請求項１５に記載のトランスチップ。
前記第４接続部は、
前記厚さ方向において前記第２コイルと同じ位置であって、前記第２コイルの第２外周端部から前記第２方向に延びる第３外周配線層と、
前記第２方向において前記第４パッドと同じ位置であって、前記第１方向に延びるとともに前記厚さ方向において前記第３外周配線層および前記第４パッドのそれぞれと対向する部分を含む第４外周配線層と、
前記第３外周配線層と前記第４外周配線層とを接続する第３外周ビアと、
前記第４外周配線層と前記第４パッドとを接続する第４外周ビアと、
を含む
請求項１５に記載のトランスチップ。
【請求項17】
前記厚さ方向から視て前記第１方向と直交する方向を第２方向として、
前記第３接続部は、
前記厚さ方向において前記第１コイルと同じ位置であって、前記第１コイルの第１外周端部から前記第２方向に延びる第１外周配線層と、
前記第１外周配線層から前記第１方向に延び、前記厚さ方向において前記第３パッドと対向する部分を含む第２外周配線層と、
前記第１外周配線層と前記第２外周配線層とを接続する第１外周ビアと、
前記第２外周配線層と前記第３パッドとを接続する第２外周ビアと、
を含む
請求項１５に記載のトランスチップ。
前記第３接続部は、
前記厚さ方向において前記第１コイルと同じ位置であって、前記第１コイルの第１外周端部から前記第２方向に延びる第１外周配線層と、
前記第１外周配線層から前記第１方向に延び、前記厚さ方向において前記第３パッドと対向する部分を含む第２外周配線層と、
前記第１外周配線層と前記第２外周配線層とを接続する第１外周ビアと、
前記第２外周配線層と前記第３パッドとを接続する第２外周ビアと、
を含む
請求項１５に記載のトランスチップ。
【請求項18】
前記厚さ方向から視て前記第１方向と直交する方向を第２方向として、
前記第１パッドおよび前記第２パッドの各々は、複数設けられており、
複数の前記第１パッドは、前記第１方向または前記第２方向に並んで配置されており、
複数の前記第２パッドは、前記第１方向または前記第２方向に並んで配置されている
請求項１に記載のトランスチップ。
前記第１パッドおよび前記第２パッドの各々は、複数設けられており、
複数の前記第１パッドは、前記第１方向または前記第２方向に並んで配置されており、
複数の前記第２パッドは、前記第１方向または前記第２方向に並んで配置されている
請求項１に記載のトランスチップ。
【請求項19】
前記厚さ方向から視て、前記第１コイル、前記第２コイル、前記第１パッド、および前記第２パッドを囲む環状に形成された導電性のシールリングを備え、
前記厚さ方向から視て、前記第２パッドと前記シールリングとの間の最短距離は、前記第１パッドと前記シールリングとの間の最短距離よりも大きい
請求項１に記載のトランスチップ。
前記厚さ方向から視て、前記第２パッドと前記シールリングとの間の最短距離は、前記第１パッドと前記シールリングとの間の最短距離よりも大きい
請求項１に記載のトランスチップ。
【請求項20】
請求項１～１９のいずれか一項に記載のトランスチップと、
第１回路と、
前記第１回路と前記トランスチップを介して接続された第２回路と、
を備え、
前記第１回路と前記第２回路とは、前記トランスチップを介して信号を伝達するように構成されている
信号伝達装置。
第１回路と、
前記第１回路と前記トランスチップを介して接続された第２回路と、
を備え、
前記第１回路と前記第２回路とは、前記トランスチップを介して信号を伝達するように構成されている
信号伝達装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、トランスチップおよび信号伝達装置に関する。
【背景技術】
【0002】
信号伝達装置の一例として、トランジスタ等のスイッチング素子のゲート電極にゲート電圧を印加する絶縁型のゲートドライバが知られている。このようなゲートドライバに用いられるトランスチップの一例として、素子絶縁層内において、素子絶縁層の厚さ方向に対向配置された第１コイルおよび第２コイルを含む構造が知られている（例えば特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０１６－２８４０７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
ところで、上記のように構成されるトランスチップでは、第１コイルと第２コイルとの間の寄生容量が小さいことが好ましい。
【課題を解決するための手段】
【0005】
上記課題を解決するトランスチップは、厚さ方向において互いに反対側を向く表面および裏面を含む絶縁層と、前記絶縁層内において前記裏面寄りに配置され、前記厚さ方向から視て環状に形成された第１コイルと、前記絶縁層内において前記表面寄りに配置され、前記厚さ方向から視て環状に形成され、前記第１コイルと対向する第２コイルと、前記表面に形成された第１パッドと、前記厚さ方向から視て前記表面のうち前記第１コイルと第１方向に離隔した位置に形成された第２パッドと、前記第１コイルと前記第１パッドとを電気的に接続する第１接続部と、前記第２コイルと前記第２パッドとを電気的に接続する第２接続部と、を備え、前記厚さ方向から視て、前記第１コイルおよび前記第２コイルの各々は、その全体が前記第１方向における前記第１パッドと前記第２パッドとの間に位置するように配置され、前記第１接続部は、前記厚さ方向から視て、前記第１コイルの第１内周端部から前記第１コイルと交差するように延びる第１配線層を含み、前記第２接続部は、前記厚さ方向から視て、前記第２コイルの第２内周端部から前記第２コイルと交差するように延びる第２配線層を含む。
【0006】
上記課題を解決する信号伝達装置は、上記トランスチップと、第１回路と、前記第１回路と前記絶縁チップを介して接続された第２回路と、を備え、前記第１回路と前記第２回路とは、前記トランスチップを介して信号を伝達するように構成されている。
【発明の効果】
【0007】
上記トランスチップおよび信号伝達装置によれば、第１コイルと第２コイルとの間の寄生容量を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【0008】
【発明を実施するための形態】
【0009】
以下、添付図面を参照して本開示における絶縁チップおよび信号伝達装置のいくつかの実施形態について説明する。なお、説明を簡単かつ明確にするために、図面に示される構成要素は必ずしも一定の縮尺で描かれていない。また、理解を容易にするために、断面図では、ハッチング線が省略されている場合がある。添付の図面は、本開示の実施形態を例示するに過ぎず、本開示を制限するものとみなされるべきではない。
【0010】
以下の詳細な記載は、本開示の例示的な実施形態を具体化する装置、システム、および方法を含む。この詳細な記載は本来説明のためのものに過ぎず、本開示の実施形態またはこのような実施形態の適用および使用を限定することを意図していない。
【0011】
以下の説明において、「Ａ部品の寸法がＢ部品の寸法と等しい」との記載は、Ａ部品の寸法がＢ部品の寸法と誤差なく等しいものに限られない。Ａ部品の寸法とＢ部品の寸法との差が例えばＡ部品の寸法の１０％以内であれば、「Ａ部品の寸法がＢ部品の寸法と等しい」といえる。
【0012】
［信号伝達装置の構成］
図１～図３を参照して、一実施形態の信号伝達装置１０の概略構成について説明する。図１は一実施形態の信号伝達装置１０の回路構成の一例を簡略化して示している。図２は一実施形態の信号伝達装置１０内部の概略平面構造を示している。図３は図２の信号伝達装置１０の一部の内部構造を簡略化して示している。なお、図３では、図面の理解を容易にするため、ハッチング線を省略している。
図１～図３を参照して、一実施形態の信号伝達装置１０の概略構成について説明する。図１は一実施形態の信号伝達装置１０の回路構成の一例を簡略化して示している。図２は一実施形態の信号伝達装置１０内部の概略平面構造を示している。図３は図２の信号伝達装置１０の一部の内部構造を簡略化して示している。なお、図３では、図面の理解を容易にするため、ハッチング線を省略している。
【0013】
図１に示すように、信号伝達装置１０は、１次側端子１１と２次側端子１２との間を電気的に絶縁しつつパルス信号を伝達するように構成されている。信号伝達装置１０は、例えばデジタルアイソレータである。デジタルアイソレータの一例はＤＣ／ＤＣコンバータである。信号伝達装置１０は、１次側端子１１に電気的に接続された１次側回路１３と、２次側端子１２に電気的に接続された２次側回路１４と、１次側回路１３と２次側回路１４とを電気的に絶縁するトランス１５と、を有する信号伝達回路１０Ａを含む。ここで、本開示においては、１次側回路１３は「第１回路」に対応し、２次側回路１４は「第２回路」に対応している。
【0014】
１次側回路１３は、第１電圧Ｖ１が印加されることによって動作するように構成されている。１次側回路１３は、例えば外部の制御装置（図示略）に電気的に接続されている。
２次側回路１４は、第１電圧Ｖ１とは異なる第２電圧Ｖ２が印加されることによって動作するように構成されている。第１電圧Ｖ１および第２電圧Ｖ２は直流電圧である。２次側回路１４は、例えば制御装置の制御対象となる駆動回路（図示略）に電気的に接続されている。駆動回路の一例は、スイッチング素子を含むスイッチング回路である。スイッチング素子としては、例えばＳｉＭＯＳＦＥＴ、ＳｉＣＭＯＳＦＥＴ、ＩＧＢＴ等が挙げられる。２次側回路１４は、スイッチング素子のゲートに電気的に接続されている。そして、２次側回路１４は、スイッチング素子のゲートにゲート駆動信号を供給する。
２次側回路１４は、第１電圧Ｖ１とは異なる第２電圧Ｖ２が印加されることによって動作するように構成されている。第１電圧Ｖ１および第２電圧Ｖ２は直流電圧である。２次側回路１４は、例えば制御装置の制御対象となる駆動回路（図示略）に電気的に接続されている。駆動回路の一例は、スイッチング素子を含むスイッチング回路である。スイッチング素子としては、例えばＳｉＭＯＳＦＥＴ、ＳｉＣＭＯＳＦＥＴ、ＩＧＢＴ等が挙げられる。２次側回路１４は、スイッチング素子のゲートに電気的に接続されている。そして、２次側回路１４は、スイッチング素子のゲートにゲート駆動信号を供給する。
【0015】
信号伝達回路１０Ａにおいては、制御装置からの制御信号が１次側端子１１を介して１次側回路１３に入力されると、１次側回路１３からトランス１５を介して２次側回路１４に信号が伝達される。そして、２次側回路１４に伝達された信号は、２次側回路１４から２次側端子１２を介して駆動回路に出力される。
【0016】
１次側回路１３から２次側回路１４に向けて伝達される信号、すなわち１次側回路１３から出力される信号としては、例えばスイッチング素子を駆動させるための信号である。この信号の一例は、セット信号（ＳＥＴ）およびリセット信号（ＲＥＳＥＴ）が挙げられる。セット信号は制御装置からの制御信号の立上りを伝達する信号であり、リセット信号は制御装置からの制御信号の立下りを伝達する信号である。セット信号およびリセット信号は、スイッチング素子のゲート駆動信号を生成するための信号であるといえる。
【0017】
より詳細には、１次側回路１３は、制御装置から入力された制御信号に基づいてセット信号およびリセット信号を生成する。一例では、１次側回路１３は、制御信号の立上りに応答することによってセット信号を生成する一方、制御信号の立下りに応答することによってリセット信号を生成する。そして、１次側回路１３は、生成したセット信号およびリセット信号を２次側回路１４に向けて送信する。
【0018】
２次側回路１４は、１次側回路１３から受信したセット信号およびリセット信号に基づいて、スイッチング素子を駆動するためのゲート駆動信号を生成する。そして、２次側回路１４は、ゲート駆動信号をスイッチング素子のゲートに供給する。つまり、２次側回路１４は、１次側回路１３から出力された信号に基づいてスイッチング素子のゲートに供給するゲート駆動信号を生成するともいえる。より詳細には、２次側回路１４は、セット信号に基づいてスイッチング素子をオンするゲート駆動信号を生成した後、そのゲート駆動信号をスイッチング素子のゲートに供給する。一方、２次側回路１４は、リセット信号に基づいてスイッチング素子をオフするゲート駆動信号を生成した後、そのゲート駆動信号をスイッチング素子のゲートに供給する。このように、信号伝達装置１０によってスイッチング素子のオンオフが制御される。
【0019】
２次側回路１４は、例えばセット信号およびリセット信号が入力されるＲＳ型フリップフロップ回路と、ＲＳ型フリップフロップ回路の出力信号に基づいてゲート駆動信号を生成するドライバ部と、を含む。ただし、２次側回路１４の具体的な回路構成は任意に変更可能である。
【0020】
上述のとおり、１次側回路１３と２次側回路１４とは、トランス１５によって電気的に絶縁されている。より詳細には、トランス１５によって１次側回路１３と２次側回路１４との間で直流電圧が伝達されることが規制されている一方、セット信号およびリセット信号等の各種信号の伝達は可能となっている。
【0021】
すなわち、１次側回路１３と２次側回路１４とが絶縁されている状態とは、１次側回路１３と２次側回路１４との間において、直流電圧の伝達が遮断されている状態を意味し、１次側回路１３と２次側回路１４との間における信号の伝達については許容している。
【0022】
信号伝達装置１０の絶縁耐圧は、例えば２５００Ｖｒｍｓ以上７５００Ｖｒｍｓ以下である。一例では、信号伝達装置１０の絶縁耐圧は、５０００Ｖｒｍｓ程度である。ただし、信号伝達装置１０の絶縁耐圧の具体的な数値はこれに限られず任意に変更可能である。
【0023】
図１に示す例では、１次側回路１３のグランドＧＮＤ１と２次側回路１４のグランドＧＮＤ２とが独立して設けられている。以下、１次側回路１３のグランドＧＮＤ１の電位を第１基準電位とし、２次側回路１４のグランドＧＮＤ２の電位を第２基準電位とする。この場合、第１電圧Ｖ１は第１基準電位からの電圧であり、第２電圧Ｖ２は第２基準電位からの電圧である。第１電圧Ｖ１は例えば４．５Ｖ以上５．５Ｖ以下であり、第２電圧Ｖ２は例えば９Ｖ以上２４Ｖ以下である。
【0024】
次に、信号伝達装置１０の詳細な構成について説明する。
信号伝達装置１０は、１次側回路１３から２次側回路１４に向けてセット信号およびリセット信号の２種類の信号を伝達させることに対応させて、トランス１５を２つ含む。より詳細には、信号伝達装置１０は、１次側回路１３から２次側回路１４へのセット信号の伝達に用いられるトランス１５と、１次側回路１３から２次側回路１４へのリセット信号の伝達に用いられるトランス１５と、を含む。以下、説明の便宜上、セット信号の伝達に用いられるトランス１５を「トランス１５Ａ」とし、リセット信号の伝達に用いられるトランス１５を「トランス１５Ｂ」とする。
信号伝達装置１０は、１次側回路１３から２次側回路１４に向けてセット信号およびリセット信号の２種類の信号を伝達させることに対応させて、トランス１５を２つ含む。より詳細には、信号伝達装置１０は、１次側回路１３から２次側回路１４へのセット信号の伝達に用いられるトランス１５と、１次側回路１３から２次側回路１４へのリセット信号の伝達に用いられるトランス１５と、を含む。以下、説明の便宜上、セット信号の伝達に用いられるトランス１５を「トランス１５Ａ」とし、リセット信号の伝達に用いられるトランス１５を「トランス１５Ｂ」とする。
【0025】
信号伝達装置１０は、１次側回路１３とトランス１５Ａとを接続する１次側信号線１６Ａと、１次側回路１３とトランス１５Ｂとを接続する１次側信号線１６Ｂと、を含む。このため、１次側信号線１６Ａは、セット信号を１次側回路１３からトランス１５Ａに伝達する。１次側信号線１６Ｂは、リセット信号を１次側回路１３からトランス１５Ｂに伝達する。
【0026】
信号伝達装置１０は、トランス１５Ａと２次側回路１４とを接続する２次側信号線１７Ａと、トランス１５Ｂと２次側回路１４とを接続する２次側信号線１７Ｂと、を含む。このため、２次側信号線１７Ａは、セット信号をトランス１５Ａから２次側回路１４に伝達する。２次側信号線１７Ｂは、リセット信号をトランス１５Ｂから２次側回路１４に伝達する。
【0027】
トランス１５Ａは、１次側回路１３と２次側回路１４とを電気的に絶縁する一方、１次側回路１３から２次側回路１４にセット信号を伝達するように構成されている。トランス１５Ｂは、１次側回路１３と２次側回路１４とを電気的に絶縁する一方、１次側回路１３から２次側回路１４にリセット信号を伝達するように構成されている。
【0028】
トランス１５Ａ，１５Ｂは、第１コイル２１および第２コイル２２を含む。第１コイル２１と第２コイル２２とは、互いに電気的に絶縁されており、かつ磁気結合可能に構成されている。
【0029】
トランス１５Ａ，１５Ｂの第１コイル２１は、１次側回路１３に電気的に接続されている。一例では、トランス１５Ａの第１コイル２１の第１端は１次側信号線１６Ａによって１次側回路１３に電気的に接続され、トランス１５Ａの第１コイル２１の第２端は１次側回路１３のグランドＧＮＤ１に電気的に接続されている。トランス１５Ｂの第１コイル２１の第１端は１次側信号線１６Ｂによって１次側回路１３に電気的に接続され、トランス１５Ｂの第１コイル２１の第２端は１次側回路１３のグランドＧＮＤ１に電気的に接続されている。したがって、トランス１５Ａ，１５Ｂの第１コイル２１の第２端の電位は、第１基準電位となる。第１基準電位は例えば０Ｖである。
【0030】
トランス１５Ａ，１５Ｂの第２コイル２２は、２次側回路１４に電気的に接続されている。一例では、トランス１５Ａの第２コイル２２の第１端は２次側信号線１７Ａによって２次側回路１４に電気的に接続され、トランス１５Ａの第２コイル２２の第２端は２次側回路１４のグランドＧＮＤ２に電気的に接続されている。トランス１５Ｂの第２コイル２２の第１端は２次側信号線１７Ｂによって２次側回路１４に電気的に接続され、トランス１５Ｂの第２コイル２２の第２端は２次側回路１４のグランドＧＮＤ２に電気的に接続されている。したがって、トランス１５Ａ，１５Ｂの第２コイル２２の第２端の電位は、第２基準電位となる。２次側回路１４のグランドＧＮＤ２は、例えば２次側回路１４に電気的に接続されたスイッチング回路におけるスイッチング素子のソースに電気的に接続されている。
【0031】
ところで、スイッチング回路の使用態様によっては、スイッチング回路の動作にともないスイッチング素子のソースが変動する。この場合、スイッチング素子のソースは、例えば６００Ｖ以上となる場合がある。したがって、２次側回路１４のグランドＧＮＤ２、つまり第２基準電位は、６００Ｖ以上となる場合がある。このため、トランス１５Ａ，１５Ｂは、第１基準電位および第２基準電位に応じた絶縁耐圧が求められる。
【0032】
このように、第２基準電位が６００Ｖ以上となる場合、２次側回路１４は１次側回路１３よりも高い電位で動作するため、換言すると第２電圧Ｖ２が第１電圧Ｖ１よりも高くなるため、「高圧回路」と称することができる。一方、１次側回路１３は２次側回路１４よりも低い電位で動作するため、換言すると第１電圧Ｖ１が第２電圧Ｖ２よりも低くなるため、「低圧回路」と称することができる。このため、トランス１５Ａ，１５Ｂのうち１次側回路１３（低圧回路）に電気的に接続された第１コイル２１は「低圧コイル」と称することができる。また、トランス１５Ａ，１５Ｂのうち２次側回路１４（高圧回路）に電気的に接続された第２コイル２２は「高圧コイル」と称することができる。
【0033】
図２は、信号伝達装置１０の内部構成を示す平面図の一例を示している。なお、図１では、信号伝達装置１０の回路構成を簡略化して示しているため、図２の信号伝達装置１０の外部端子（１次側端子１１および２次側端子１２）の数は、図１の信号伝達装置１０の外部端子の数よりも多い。また、図２の信号伝達装置１０における１次側回路１３から２次側回路１４に信号を伝達する信号線の数（後述するワイヤＷ１～Ｗ４の数）は、図１の信号伝達装置１０の信号線の数よりも多い。
【0034】
図３は、信号伝達装置１０の内部構成を示す断面図の一例を示している。なお、図３は、信号伝達装置１０の内部構成を簡略化して示しているため、後述する第１チップ３０、第２チップ４０、およびトランスチップ５０の断面構造は簡略化されている。このため、図３に示すトランスチップ５０の断面構造は、図８～図１３のトランスチップ５０の断面構造とは異なっている。
【0035】
図２に示すように、信号伝達装置１０は、複数の半導体チップが１パッケージ化された半導体装置である。信号伝達装置１０のパッケージ形式は、ＳＯ（Small Outline）系であり、図２の例ではＳＯＰ（Small Outline Package）である。信号伝達装置１０は、半導体チップとして、第１チップ３０、第２チップ４０、およびトランスチップ５０を含む。また、信号伝達装置１０は、第１チップ３０が配置された第１リードフレーム６０と、第２チップ４０が配置された第２リードフレーム７０と、各チップ３０，４０，５０および各リードフレーム６０，７０の一部を封止する封止樹脂１３０と、を含む。なお、信号伝達装置１０のパッケージ形式は任意に変更可能である。また、図２において、封止樹脂１３０は、信号伝達装置１０の内部構造を説明する都合上、二点鎖線で示されている。
【0036】
封止樹脂１３０は、電気絶縁性を有する材料によって形成されている。一例では、封止樹脂１３０は、例えばエポキシ樹脂を含む樹脂によって形成されている。封止樹脂１３０は、Ｚ方向を厚さ方向とする矩形板状に形成されている。封止樹脂１３０は、４つの樹脂側面１３１～１３４を有する。樹脂側面１３１，１３２は、封止樹脂１３０のＸ方向の両端面を構成している。樹脂側面１３３，１３４は、封止樹脂１３０のＹ方向の両端面を構成している。なお、以降の説明において、Ｚ方向から信号伝達装置１０およびその構成要素を視ることを「平面視」という。またＸ方向およびＹ方向は、平面視においてＺ方向と交差する方向であり、互いに直交している。一例では、Ｘ方向およびＹ方向の双方はＺ方向と直交する方向である。本開示では、Ｘ方向は「第１方向」の一例であり、Ｙ方向は「第２方向」の一例である。このため、第２方向は平面視において第１方向と直交する方向となる。
【0037】
第１リードフレーム６０および第２リードフレーム７０の各々は、導体であり、例えばＣｕ（銅）、Ｆｅ（鉄）等を含む材料によって形成されている。各リードフレーム６０，７０は、封止樹脂１３０の内外に跨って設けられている。
【0038】
第１リードフレーム６０は、封止樹脂１３０内に配置された第１ダイパッド６１と、封止樹脂１３０の内外に跨って配置された複数の第１リード６２と、を含む。各第１リード６２は、１次側端子１１（図１参照）を構成している。
【0039】
図２の例では、第１ダイパッド６１には、第１チップ３０およびトランスチップ５０の双方が配置されている。平面視において、第１ダイパッド６１は、そのＸ方向の中央が封止樹脂１３０のＸ方向の中央よりも樹脂側面１３１の近くとなるように配置されている。一例では、第１ダイパッド６１は、封止樹脂１３０から露出されていない。第１ダイパッド６１は、Ｚ方向を厚さ方向とする矩形平板状に形成されている。平面視における第１ダイパッド６１の形状は、Ｙ方向が長手方向となり、Ｘ方向が短手方向となる矩形状である。
【0040】
複数の第１リード６２は、Ｙ方向において互いに離隔して配列されている。複数の第１リード６２のうちＹ方向の両端に配置された第１リード６２の各々は、第１ダイパッド６１と一体化されている。各第１リード６２の一部は、樹脂側面１３１から封止樹脂１３０の外方に向けて突出している。
【0041】
第２リードフレーム７０は、封止樹脂１３０内に配置された第２ダイパッド７１と、封止樹脂１３０の内外に跨って配置された複数の第２リード７２と、を含む。各第２リード７２は、２次側端子１２（図１参照）を構成している。
【0042】
図２の例では、第２ダイパッド７１には、第２チップ４０が配置されている。平面視において、第２ダイパッド７１は、第１ダイパッド６１よりも樹脂側面１３２寄りに第１ダイパッド６１に対してＸ方向に離隔して配置されている。このように、Ｘ方向において第１ダイパッド６１および第２ダイパッド７１が配列されているため、Ｘ方向は第１ダイパッド６１および第２ダイパッド７１の配列方向であるといえる。
【0043】
一例では、第２ダイパッド７１は、封止樹脂１３０から露出されていない。第２ダイパッド７１は、Ｚ方向を厚さ方向とする矩形平板状に形成されている。平面視における第２ダイパッド７１の形状は、Ｙ方向が長手方向となり、Ｘ方向が短手方向となる矩形状である。第１ダイパッド６１および第２ダイパッド７１のＸ方向の寸法は、配置される半導体チップのサイズや数に応じて設定される。このため、第１チップ３０およびトランスチップ５０が配置された第１ダイパッド６１のＸ方向の寸法は、第２チップ４０が配置された第２ダイパッド７１のＸ方向の寸法よりも大きい。
【0044】
複数の第２リード７２は、Ｙ方向において互いに離隔して配列されている。図２に示す例では、複数の第２リード７２のうち一対の第２リード７２は、第２ダイパッド７１と一体化されている。一対の第２リード７２は、Ｙ方向の両端に配置された第２リード７２の各々とＹ方向に隣り合う第２リード７２である。各第２リード７２の一部は、樹脂側面１３２から封止樹脂１３０の外方に向けて突出している。
【0045】
一例では、第２リード７２の数は、第１リード６２の数と同じである。図２に示すとおり、平面視において、複数の第１リード６２は、第１ダイパッド６１および第２ダイパッド７１の配列方向（Ｘ方向）と直交する方向（Ｙ方向）に配列されている。複数の第２リード７２も同様に、第１ダイパッド６１および第２ダイパッド７１の配列方向（Ｘ方向）と直交する方向（Ｙ方向）に配列されている。なお、第１リード６２の数および第２リード７２の数はそれぞれ任意に変更可能である。
【0046】
図２の例では、第１ダイパッド６１は、第１ダイパッド６１と一体化された一対の第１リード６２によって支持されている。第２ダイパッド７１は、第２ダイパッド７１と一体化された一対の第２リード７２によって支持されている。このため、各ダイパッド６１，７１には、樹脂側面１３３，１３４から露出する吊りリードが設けられていない。このため、第１リードフレーム６０と第２リードフレーム７０との間の絶縁距離を大きくとることができる。
【0047】
第１チップ３０およびトランスチップ５０は、第１ダイパッド６１上においてＸ方向に互いに離隔して配列されている。第２チップ４０は、Ｘ方向においてトランスチップ５０に対して第１チップ３０とは反対側に配置されている。このように、第１チップ３０、第２チップ４０、およびトランスチップ５０は、Ｘ方向において互いに離隔して配列されている。第１チップ３０、第２チップ４０、およびトランスチップ５０は、第１ダイパッド６１および第２ダイパッド７１の配列方向と同じ方向に配列されているといえる。Ｘ方向において第１リード６２から第２リード７２に向けて、第１チップ３０、トランスチップ５０、および第２チップ４０の順に配列されている。つまり、トランスチップ５０は、Ｘ方向において第１チップ３０と第２チップ４０との間に配置されているといえる。
【0048】
第１チップ３０は、図１に示す１次側回路１３を含む。第１チップ３０は、Ｚ方向が厚さ方向となる矩形板状に形成されている。平面視における第１チップ３０の形状は、Ｘ方向が短手方向となり、Ｙ方向が長手方向となる矩形状である。図３に示すように、第１チップ３０は、Ｚ方向において互いに反対側を向くチップ表面３１およびチップ裏面３２を有する。第１チップ３０のチップ裏面３２は、導電性接合材ＳＤによって第１ダイパッド６１に接合されている。導電性接合材ＳＤは、例えばはんだペーストやＡｇ（銀）ペーストが用いられている。
【0049】
第１チップ３０のチップ表面３１には、複数の第１電極パッド３３、複数の第２電極パッド３４、および複数の第３電極パッド３５が形成されている。第１電極パッド３３、第２電極パッド３４、および第３電極パッド３５は、１次側回路１３と電気的に接続されている。
【0050】
複数の第１電極パッド３３は、チップ表面３１のうちチップ表面３１のＸ方向の中央よりも第１リード６２寄りに配置されている。複数の第１電極パッド３３はＹ方向において互いに離隔して配列されている。複数の第２電極パッド３４は、チップ表面３１のＸ方向の両端部のうちトランスチップ５０に近い方の端部に配置されている。複数の第２電極パッド３４はＹ方向において互いに離隔して配列されている。複数の第３電極パッド３５は、チップ表面３１のＹ方向の両端部に分散して配置されている。
【0051】
図３に示すように、第１チップ３０は、１次側回路１３が形成された基板３６を含む。基板３６は、例えば半導体基板である。半導体基板の一例は、Ｓｉを含む材料によって形成された基板である。基板３６上には、配線層３７が形成されている。基板３６は、チップ裏面３２を構成し、配線層３７はチップ表面３１を構成している。
【0052】
配線層３７は、例えばＺ方向に積層された複数の絶縁膜と、絶縁膜に埋め込まれた金属層と、を含む。金属層は、第１チップ３０の配線パターンを構成している。金属層は、例えば１次側回路１３と各電極パッド３３～３５とを電気的に接続している。つまり、各電極パッド３３～３５は、配線層３７を介して１次側回路１３に電気的に接続されている。金属層は、例えばＴｉ（チタン）、ＴｉＮ（窒化チタン）、Ａｕ（金）、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ（アルミニウム）、およびＷ（タングステン）のうち１つまたは複数が適宜選択されたものを含む材料によって形成されている。
【0053】
図２に示すように、第２チップ４０は、図１に示す２次側回路１４を含む。第２チップ４０は、Ｚ方向が厚さ方向となる矩形板状に形成されている。平面視における第２チップ４０の形状は、Ｘ方向が短手方向となり、Ｙ方向が長手方向となる矩形状である。図３に示すように、第２チップ４０は、Ｚ方向において互いに反対側を向くチップ表面４１およびチップ裏面４２を有する。第２チップ４０のチップ裏面４２は、導電性接合材ＳＤによって第２ダイパッド７１に接合されている。
【0054】
第２チップ４０のチップ表面４１には、複数の第１電極パッド４３、複数の第２電極パッド４４、および複数の第３電極パッド４５が形成されている。第１電極パッド４３、第２電極パッド４４、および第３電極パッド４５は、２次側回路１４と電気的に接続されている。
【0055】
複数の第１電極パッド４３は、チップ表面４１のＸ方向の両端部のうちトランスチップ５０に近い方の端部に形成されている。複数の第１電極パッド４３は、Ｙ方向において互いに離隔して配列されている。複数の第２電極パッド４４は、チップ表面４１のＸ方向の両端部のうち第２リード７２に近い方の端部に形成されている。複数の第２電極パッド４４は、Ｙ方向において互いに離隔して配列されている。複数の第３電極パッド４５は、チップ表面４１のＹ方向の両端部に分散して配置されている。
【0056】
図３に示すように、第２チップ４０は、２次側回路１４が形成された基板４６を含む。基板４６は、例えば半導体基板である。半導体基板の一例は、Ｓｉを含む材料によって形成された基板である。基板４６上には、配線層４７が形成されている。基板４６は、チップ裏面４２を構成し、配線層４７はチップ表面４１を構成している。
【0057】
配線層４７は、例えばＺ方向に積層された複数の絶縁膜と、絶縁膜に埋め込まれた金属層と、を含む。金属層は、第２チップ４０の配線パターンを構成している。金属層は、例えば２次側回路１４と各電極パッド４３～４５とを電気的に接続している。つまり、各電極パッド４３～４５は、配線層４７を介して２次側回路１４に電気的に接続されている。金属層は、例えばＴｉ、ＴｉＮ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、およびＷのうち１つまたは複数が適宜選択されたものを含む材料によって形成されている。
【0058】
トランスチップ５０は、図１に示すトランス１５Ａ，１５Ｂを含んで１チップ化されたものである。つまり、トランスチップ５０は、第１チップ３０および第２チップ４０とは別のトランス１５Ａ，１５Ｂ専用のチップである。トランスチップ５０は、チップ表面５０Ａと、このチップ表面５０Ａとは反対側を向くチップ裏面５０Ｂと、を有する。チップ表面５０Ａは例えば第１チップ３０のチップ表面３１と同じ側を向き、チップ裏面５０Ｂは例えば第１チップ３０のチップ裏面３２と同じ側を向いている。トランスチップ５０のチップ裏面５０Ｂは、導電性接合材ＳＤによって第１ダイパッド６１に接合されている。
【0059】
図２および図３に示すように、トランスチップ５０のチップ表面５０Ａには、複数の第１電極パッド５７が形成されている。複数の第１電極パッド５７は、チップ表面５０ＡのＸ方向の両端部のうち第１チップ３０に近い方の端部に形成されている。複数の第１電極パッド５７は、Ｙ方向において互いに離隔して配列されている。トランスチップ５０のチップ表面５０Ａには、複数の第２電極パッド５８が形成されている。複数の第２電極パッド５８は、Ｙ方向において互いに離隔して配列されている。
【0060】
信号伝達装置１０の絶縁耐圧を予め設定された絶縁耐圧とするため、各リードフレーム６０，７０が最も接近する第１ダイパッド６１と第２ダイパッド７１とを互いに離隔させる必要がある。このため、平面視においてトランスチップ５０と第２チップ４０とのＸ方向の間の距離は、トランスチップ５０と第１チップ３０とのＸ方向の間の距離よりも大きくなる。一方、トランスチップ５０と第１チップ３０とは第１ダイパッド６１上に配置されているため、互いに近づけてもよい。このため、トランスチップ５０は、第２チップ４０よりも第１チップ３０寄りに配置されているといえる。
【0061】
第１チップ３０、トランスチップ５０、および第２チップ４０の各々には、複数のワイヤＷ１～Ｗ４が接続されている。各ワイヤＷ１～Ｗ４は、ワイヤボンディング装置によって形成されたボンディングワイヤであり、例えばＡｕ、Ａｌ、Ｃｕ等を含む導体によって形成されている。
【0062】
第１チップ３０は、ワイヤＷ１によって第１リードフレーム６０と電気的に接続されている。より詳細には、第１チップ３０の複数の第１電極パッド３３および複数の第３電極パッド３５と、複数の第１リード６２とがワイヤＷ１によって個別に電気的に接続されている。複数の第３電極パッド３５は、複数の第１リード６２のうち第１ダイパッド６１と一体化された一対の第１リード６２とワイヤＷ１によって個別に電気的に接続されている。これにより、１次側回路１３と複数の第１リード６２（１次側端子１１）とが電気的に接続されている。図２の例では、第１ダイパッド６１と一体化された一対の第１リード６２がグランド端子を構成し、かつワイヤＷ１によって１次側回路１３と第１ダイパッド６１とが電気的に接続されている。このため、第１ダイパッド６１が１次側回路１３のグランドＧＮＤ１と同じ電位となる。
【0063】
第２チップ４０は、ワイヤＷ４によって第２リードフレーム７０と電気的に接続されている。より詳細には、第２チップ４０の複数の第２電極パッド４４および複数の第３電極パッド４５と、複数の第２リード７２とがワイヤＷ４によって個別に電気的に接続されている。複数の第３電極パッド４５は、複数の第２リード７２のうち第２ダイパッド７１と一体化された一対の第２リード７２とワイヤＷ４によって個別に電気的に接続されている。これにより、２次側回路１４と複数の第２リード７２（２次側端子１２）とが電気的に接続されている。図２の例では、第２ダイパッド７１と一体化された一対の第２リード７２がグランド端子を構成し、かつワイヤＷ４によって２次側回路１４と第２ダイパッド７１とが電気的に接続されている。このため、第２ダイパッド７１が２次側回路１４のグランドＧＮＤ２と同じ電位となる。
【0064】
トランスチップ５０は、第１チップ３０とワイヤＷ２によって電気的に接続されている。また、トランスチップ５０は、第２チップ４０とワイヤＷ３によって電気的に接続されている。より詳細には、トランスチップ５０の複数の第１電極パッド５７は、第１チップ３０の複数の第２電極パッド３４とワイヤＷ２によって個別に電気的に接続されている。トランスチップ５０の複数の第２電極パッド５８は、第２チップ４０の複数の第１電極パッド３３とワイヤＷ３によって個別に電気的に接続されている。
【0065】
なお、トランス１５Ａ，１５Ｂの第１コイル２１（図３参照）は、ワイヤＷ２および第１チップ３０等を介して１次側回路１３のグランドＧＮＤ１に電気的に接続されている。トランス１５Ａ，１５Ｂの第２コイル２２（図３参照）は、ワイヤＷ３および第２チップ４０等を介して２次側回路１４のグランドＧＮＤ２に電気的に接続されている。
【0066】
［トランスチップの構成］
図３～図１３を参照して、トランスチップ５０の構成の一例について説明する。
図４は、トランスチップ５０の平面構造の一例を模式的に示している。図５は、トランスチップ５０のうちトランス１５Ａおよびその周辺を拡大した平面構造の一例を模式的に示している。図６は、図３のＦ６－Ｆ６線でトランスチップ５０を切断した断面構造であり、トランス１５Ａ，１５Ｂの第１コイル２１を主に示している。図７は、図３のＦ７－Ｆ７線でトランスチップ５０を切断した断面構造であり、トランス１５Ａ，１５Ｂの第２コイル２２を主に示している。図８は、図４のＦ８－Ｆ８線でトランスチップ５０を切断した断面構造であり、トランス１５Ａを主に示している。図９は、図８の第１コイル２１および第２コイル２２ならびにその周辺を拡大した断面構造を示している。図１０は、図４のＦ１０－Ｆ１０線でトランスチップ５０を切断した断面構造であり、後述する第１接続部８０Ａ，８０Ｂおよび第３接続部１００を主に示している。図１１は、図４のＦ１１－Ｆ１１線でトランスチップ５０を切断した断面構造であり、後述する第２接続部９０Ａ，９０Ｂおよび第４接続部１１０の断面構造を主に示している。図１２は、図４のＦ１２－Ｆ１２線でトランスチップ５０を切断した断面構造であり、第１電極パッド５７およびその周辺の断面構造を主に示している。図１３は、図４のＦ１３－Ｆ１３線でトランスチップ５０を切断した断面構造であり、第２電極パッド５８およびその周辺の断面構造を主に示している。
図３～図１３を参照して、トランスチップ５０の構成の一例について説明する。
図４は、トランスチップ５０の平面構造の一例を模式的に示している。図５は、トランスチップ５０のうちトランス１５Ａおよびその周辺を拡大した平面構造の一例を模式的に示している。図６は、図３のＦ６－Ｆ６線でトランスチップ５０を切断した断面構造であり、トランス１５Ａ，１５Ｂの第１コイル２１を主に示している。図７は、図３のＦ７－Ｆ７線でトランスチップ５０を切断した断面構造であり、トランス１５Ａ，１５Ｂの第２コイル２２を主に示している。図８は、図４のＦ８－Ｆ８線でトランスチップ５０を切断した断面構造であり、トランス１５Ａを主に示している。図９は、図８の第１コイル２１および第２コイル２２ならびにその周辺を拡大した断面構造を示している。図１０は、図４のＦ１０－Ｆ１０線でトランスチップ５０を切断した断面構造であり、後述する第１接続部８０Ａ，８０Ｂおよび第３接続部１００を主に示している。図１１は、図４のＦ１１－Ｆ１１線でトランスチップ５０を切断した断面構造であり、後述する第２接続部９０Ａ，９０Ｂおよび第４接続部１１０の断面構造を主に示している。図１２は、図４のＦ１２－Ｆ１２線でトランスチップ５０を切断した断面構造であり、第１電極パッド５７およびその周辺の断面構造を主に示している。図１３は、図４のＦ１３－Ｆ１３線でトランスチップ５０を切断した断面構造であり、第２電極パッド５８およびその周辺の断面構造を主に示している。
【0067】
図３に示すように、トランスチップ５０は、基板５１と、基板５１上に形成された素子絶縁層５２と、を含む。素子絶縁層５２は、「絶縁層」の一例である。
基板５１は、例えば半導体基板によって構成されている。基板５１は、例えばＳｉ（シリコン）を含む材料によって形成された基板である。基板５１に用いられるＳｉ基板としては、単結晶の真性半導体材料によって構成される半導体基板、アクセプタ型不純物を含むｐ型半導体基板、ドナー型不純物を含むｎ型半導体基板等が挙げられる。
基板５１は、例えば半導体基板によって構成されている。基板５１は、例えばＳｉ（シリコン）を含む材料によって形成された基板である。基板５１に用いられるＳｉ基板としては、単結晶の真性半導体材料によって構成される半導体基板、アクセプタ型不純物を含むｐ型半導体基板、ドナー型不純物を含むｎ型半導体基板等が挙げられる。
【0068】
なお、基板５１は、半導体基板として、ワイドバンドギャップ半導体または化合物半導体が用いられてもよい。また、基板５１は、半導体基板に代えて、ガラスを含む材料で形成された絶縁基板が用いられてもよい。ワイドバンドギャップ半導体は、２．０ｅＶ以上のバンドギャップを有する半導体基板である。ワイドバンドギャップ半導体は、ＳｉＣ（炭化シリコン）、ＧａＮ（窒化ガリウム）、Ｇａ２Ｏ３（酸化ガリウム）等であってもよい。化合物半導体は、ＩＩＩ－Ｖ族化合物半導体であってもよい。化合物半導体は、ＡｌＮ（窒化アルミニウム）、ＩｎＮ（窒化インジウム）、ＧａＮ、およびＧａＡｓ（ヒ化ガリウム）のうち少なくとも１つを含んでいてもよい。
【0069】
基板５１は、Ｚ方向を厚さ方向とする矩形平板状に形成されている。一例では、基板５１は、平面視においてＸ方向が短手方向となり、Ｙ方向が長手方向となる長方形状である。基板５１は、Ｚ方向において互いに反対側を向く基板表面５１Ａおよび基板裏面５１Ｂを含む。基板裏面５１Ｂは、トランスチップ５０のチップ裏面５０Ｂを構成している。基板表面５１Ａは、素子絶縁層５２と接する面である。
【0070】
基板表面５１Ａ上に形成された素子絶縁層５２は、Ｚ方向において互いに反対側を向く表面５２Ａおよび裏面５２Ｂを含む。裏面５２Ｂは、基板表面５１Ａに接している。ここで、Ｚ方向は「素子絶縁層の厚さ方向」の一例である。このため、平面視は、「素子絶縁層の厚さ方向から視て」と言い換えることができる。
【0071】
素子絶縁層５２は、素子側面５２Ｃ～５２Ｆを含む。素子側面５２Ｃ～５２Ｆは、素子絶縁層５２の表面５２Ａと裏面５２ＢとのＺ方向の間に設けられており、かつ表面５２Ａと裏面５２Ｂとを繋いでいる。素子側面５２Ｃおよび素子側面５２Ｄは、素子絶縁層５２のＸ方向の両端面を構成している。素子側面５２Ｅおよび素子側面５２Ｆは、素子絶縁層５２のＹ方向の両端面を構成している。素子側面５２Ｃは、素子絶縁層５２に対して第１チップ３０（図３参照）寄りの素子側面を構成している。素子側面５２Ｄは、素子絶縁層５２に対して第２チップ４０（図３参照）寄りの素子側面を構成している。素子側面５２Ｅは封止樹脂１３０の樹脂側面１３３（図２参照）寄りの素子側面を構成している。素子側面５２Ｆは封止樹脂１３０の樹脂側面１３４（図２参照）寄りの素子側面を構成している。
【0072】
図８に示すように、素子絶縁層５２は、複数の絶縁膜の積層構造によって構成されている。より詳細には、図９に示すように、素子絶縁層５２は、複数の第１絶縁膜５２Ｐおよび複数の第２絶縁膜５２Ｑを含む。複数の第１絶縁膜５２Ｐおよび複数の第２絶縁膜５２Ｑは、Ｚ方向において１つずつ交互に積層されている。
【0073】
第１絶縁膜５２Ｐは、エッチングストッパ膜であり、例えばＳｉＮ（窒化シリコン）、ＳｉＣ、ＳｉＣＮ（窒素添加炭化シリコン）のうち少なくとも１つを含む材料によって形成されている。また、第１絶縁膜５２Ｐは、例えばＣｕの拡散防止の機能を有してよい。つまり、第１絶縁膜５２Ｐは、Ｃｕの拡散防止膜であってよい。
【0074】
第２絶縁膜５２Ｑは、層間絶縁膜であり、例えばＳｉＯ２（酸化シリコン）を含む材料によって形成された酸化膜である。第２絶縁膜５２Ｑは、第１絶縁膜５２Ｐよりも厚い膜厚を有する。第１絶縁膜５２Ｐは、例えば５０ｎｍ以上１０００ｎｍ未満の膜厚を有する。第２絶縁膜５２Ｑは、例えば５００ｎｍ以上５０００ｎｍ以下の膜厚を有する。この実施形態では、第１絶縁膜５２Ｐは３００ｎｍ程度の膜厚を有し、第２絶縁膜５２Ｑは２０００ｎｍ程度の膜厚を有する。なお、図面を容易に理解するため、図面における第１絶縁膜５２Ｐの膜厚と第２絶縁膜５２Ｑの膜厚との比率は、実際の第１絶縁膜５２Ｐの膜厚と第２絶縁膜５２Ｑの膜厚との比率とは異なる。
【0075】
素子絶縁層５２の複数の絶縁膜のうち最上層の絶縁膜は、例えば第１絶縁膜５２Ｐによって形成されている。素子絶縁層５２の複数の絶縁膜のうち最下層の絶縁膜は、例えば第２絶縁膜５２Ｑによって形成されている。このため、素子絶縁層５２の表面５２Ａは第１絶縁膜５２Ｐによって形成されており、素子絶縁層５２の裏面５２Ｂは第２絶縁膜５２Ｑによって形成されている。
【0076】
図８～図１３に示すように、トランス１５Ａ，１５Ｂの第１コイル２１および第２コイル２２の各々は、素子絶縁層５２に設けられている。第１コイル２１および第２コイル２２の各々は、例えばＴｉ、ＴｉＮ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、およびＷのうち１つまたは複数が適宜選択されたものを含む材料によって構成されている。一例では、第１コイル２１はＣｕを含む材料によって形成されていてよい。一例では、第２コイル２２はＣｕを含む材料によって形成されていてよい。つまり、第１コイル２１および第２コイル２２は、同じ材料によって形成されていてよい。
【0077】
トランス１５Ａ，１５Ｂの第１コイル２１は、素子絶縁層５２内において裏面５２Ｂ寄りに配置されている。図９に示す例では、トランス１５Ａ，１５Ｂの第１コイル２１は、素子絶縁層５２の複数の絶縁膜のうち最下層の絶縁膜上においてその絶縁膜に接するように形成されている。
【0078】
トランス１５Ａ，１５Ｂの第２コイル２２は、素子絶縁層５２内において表面５２Ａ寄りに配置されている。図９に示す例では、トランス１５Ａ，１５Ｂの第２コイル２２は、素子絶縁層５２の複数の絶縁膜のうち最上層の絶縁膜の直下においてその絶縁膜に接するように形成されている。つまり、第２コイル２２は、最上層の絶縁膜によって覆われている。トランス１５Ａ，１５Ｂの第２コイル２２は、Ｚ方向においてトランス１５Ａ，１５Ｂの第１コイル２１と対向している。
【0079】
図６に示すように、平面視において、トランス１５Ａの第１コイル２１とトランス１５Ｂの第１コイル２１とは、Ｘ方向において互いに同じ位置であってＹ方向において互いに離隔して配列されている。図４および図７に示すように、平面視において、トランス１５Ａの第２コイル２２とトランス１５Ｂの第２コイル２２とは、Ｘ方向において互いに同じ位置であってＹ方向において互いに離隔して配列されている。トランス１５Ａ，１５Ｂの第２コイル２２とＺ方向に対向配置されたトランス１５Ａの第１コイル２１およびトランス１５Ｂの第１コイル２１は、平面視においてトランス１５Ａの第２コイル２２とトランス１５Ｂの第２コイル２２と同じ位置に配置されている。
【0080】
図６および図７に示すとおり、トランス１５Ｂの第１コイル２１および第２コイル２２の各々の構成および配置態様は、トランス１５Ａの第１コイル２１および第２コイル２２と同じであるため、以降では、トランス１５Ａの第１コイル２１および第２コイル２２について詳細に説明し、トランス１５Ｂの第１コイル２１および第２コイル２２について詳細な説明は省略する。
【0081】
図６に示すように、トランス１５Ａの第１コイル２１は、環状に形成されている。一例では、第１コイル２１は、平面視において導線を同心状に巻き回すことによって渦巻き状に形成されている。第１コイル２１は、第１コイル２１の内周側の端部を構成する第１内周端部２１Ａと、第１コイル２１の外周側の端部を構成する第１外周端部２１Ｂと、を含む。第１内周端部２１Ａは、第１コイル２１を構成するように巻き回された導線の長さ方向の両端部のうち内周側の端部である。第１外周端部２１Ｂは、第１コイル２１を構成するように巻き回された導線の長さ方向の両端部のうち外周側の端部である。ここで、導線の長さ方向の両端部は、第１コイル２１を構成するように巻き回された導線の巻き始めの端部および巻き終わりの端部である。
【0082】
一例では、第１コイル２１は、平面視において長手方向および短手方向を有する環状に形成されている。図６に示す例では、第１コイル２１は、平面視においてＸ方向が長手方向となり、Ｙ方向が短手方向となる環状（渦巻き状）に形成されている。
【0083】
一例では、第１コイル２１のＸ方向の寸法ＬＸ１は、例えば素子絶縁層５２のＸ方向の寸法ＬＸ３の１／２よりも小さくてよい。第１コイル２１のＸ方向の寸法ＬＸ１は、第１コイル２１のＸ方向の寸法ＬＸ１は、例えば素子絶縁層５２のＸ方向の寸法ＬＸ３の１／３よりも小さくてよい。第１コイル２１のＸ方向の寸法ＬＸ１は、例えば素子絶縁層５２のＸ方向の寸法ＬＸ３の１／４よりも大きくてよい。
【0084】
図７に示すように、トランス１５Ａの第２コイル２２は、環状に形成されている。一例では、第２コイル２２は、平面視において導線を同心状に巻き回すことによって渦巻き状に形成されている。第２コイル２２は、第２コイル２２の内周側の端部を構成する第２内周端部２２Ａと、第２コイル２２の外周側の端部を構成する第２外周端部２２Ｂと、を含む。第２内周端部２２Ａは、第２コイル２２を構成するように巻き回された導線の長さ方向の両端部のうち内周側の端部である。第２外周端部２２Ｂは、第２コイル２２を構成するように巻き回された導線の長さ方向の両端部のうち外周側の端部である。ここで、導線の長さ方向の両端部は、第２コイル２２を構成するように巻き回された導線の巻き始めの端部および巻き終わりの端部である。
【0085】
一例では、第２コイル２２は、平面視において長手方向および短手方向を有する環状に形成されている。図７に示す例では、第２コイル２２は、平面視においてＸ方向が長手方向となり、Ｙ方向が短手方向となる環状（渦巻き状）に形成されている。図７に示す例では、第２コイル２２は、平面視においてトラック形状である。
【0086】
一例では、第２コイル２２のＸ方向の寸法ＬＸ２は、例えば素子絶縁層５２のＸ方向の寸法ＬＸ３の１／２よりも小さくてよい。第２コイル２２のＸ方向の寸法ＬＸ２は、例えば素子絶縁層５２のＸ方向の寸法ＬＸ３の１／３よりも小さくてよい。第２コイル２２のＸ方向の寸法ＬＸ２は、例えば素子絶縁層５２のＸ方向の寸法ＬＸ３の１／４よりも大きくてよい。
【0087】
一例では、第２コイル２２の導線による巻回数は、例えば第１コイル２１の導線による巻回数よりも多い。このため、第２コイル２２のＸ方向の寸法ＬＸ２は、第１コイル２１のＸ方向の寸法ＬＸ１よりも大きい。第２コイル２２のＹ方向の寸法は、第１コイル２１のＹ方向の寸法よりも大きい。なお、平面視における第２コイル２２のサイズは任意に変更可能である。一例では、平面視における第２コイル２２のサイズは第１コイル２１と同じであってもよい。つまり、第２コイル２２の導線による巻回数は、第１コイル２１の導線による巻回数と同じであってもよい。
【0088】
図４に示すように、素子絶縁層５２は、平面視において第１コイル２１（図６参照）および第２コイル２２によって囲まれた領域である内側領域２３を含む。内側領域２３は、平面視において長手方向および短手方向を有する長円状に形成されている。図４の例では、内側領域２３は、Ｘ方向が長手方向となり、Ｙ方向が短手方向となる長円状に形成されている。つまり、内側領域２３の長手方向は第２コイル２２（第１コイル２１）の長手方向と一致し、内側領域２３の短手方向は第２コイル２２（第１コイル２１）の短手方向と一致している。
【0089】
複数の第１電極パッド５７は、平面視においてトランス１５Ａ，１５Ｂの第１コイル２１および第２コイル２２よりも素子側面５２Ｃ寄りに配置されている。複数の第１電極パッド５７は、第１パッド５７Ａ，５７Ｂおよび第３パッド５７Ｃを含む。第１パッド５７Ａ，５７Ｂおよび第３パッド５７Ｃは、素子絶縁層５２の表面５２Ａ上に形成されている。第１パッド５７Ａ，５７Ｂおよび第３パッド５７Ｃは、Ｘ方向において互いに同じ位置であってＹ方向において互いに離隔して配列されている。
【0090】
第１パッド５７Ａは、トランス１５Ａの第１コイル２１に電気的に接続された電極パッドである。第１パッド５７Ａは、トランス１５Ａの第１コイル２１の第１内周端部２１Ａ（図６参照）と電気的に接続されている。第１パッド５７Ａは、Ｙ方向においてトランス１５Ａの第１コイル２１（第２コイル２２）と同じ位置に配置されている。第１パッド５７Ａは、Ｙ方向においてトランス１５Ａの内側領域２３と同じ位置に配置されている。
【0091】
第１パッド５７Ｂは、トランス１５Ｂの第１コイル２１に電気的に接続された電極パッドである。第１パッド５７Ｂは、トランス１５Ｂの第１コイル２１の第１内周端部２１Ａ（図６参照）と電気的に接続されている。第１パッド５７Ｂは、Ｙ方向においてトランス１５Ｂの第１コイル２１（第２コイル２２）と同じ位置に配置されている。第１パッド５７Ｂは、Ｙ方向においてトランス１５Ｂの内側領域２３と同じ位置に配置されている。
【0092】
第３パッド５７Ｃは、トランス１５Ａの第１コイル２１およびトランス１５Ｂの第１コイル２１の双方に電気的に接続された電極パッドである。第３パッド５７Ｃは、トランス１５Ａの第１コイル２１の第１外周端部２１Ｂおよびトランス１５Ｂの第１コイル２１の第１外周端部２１Ｂ（ともに図６参照）の双方と電気的に接続されている。
【0093】
第３パッド５７Ｃは、平面視において第１コイル２１および第２コイル２２よりも外方に配置されている。一例では、第３パッド５７Ｃは、Ｙ方向において第１パッド５７Ａと第１パッド５７Ｂとの間に配置されている。一例では、第３パッド５７Ｃは、Ｙ方向においてトランス１５Ａの第１コイル２１（第２コイル２２）とトランス１５Ｂの第１コイル２１（第２コイル２２）との間に配置されている。
【0094】
複数の第２電極パッド５８は、平面視においてトランス１５Ａ，１５Ｂの第１コイル２１および第２コイル２２よりも素子側面５２Ｄ寄りに配置されている。複数の第２電極パッド５８は、第２パッド５８Ａ，５８Ｂおよび第４パッド５８Ｃを含む。第２パッド５８Ａ，５８Ｂおよび第４パッド５８Ｃは、素子絶縁層５２の表面５２Ａ上に形成されている。第２パッド５８Ａ，５８Ｂおよび第４パッド５８Ｃは、Ｘ方向において互いに同じ位置であってＹ方向において互いに離隔して配列されている。図４に示す例では、平面視において、第２パッド５８Ａとトランス１５Ａの第２コイル２２とのＸ方向の間の距離は、第１パッド５７Ａとトランス１５Ａの第２コイル２２とのＸ方向の間の距離よりも小さい。図４に示す例では、平面視において、第２パッド５８Ｂとトランス１５Ｂの第２コイル２２とのＸ方向の間の距離は、第１パッド５７Ｂとトランス１５Ｂの第２コイル２２とのＸ方向の間の距離よりも小さい。
【0095】
第２パッド５８Ａは、トランス１５Ａの第２コイル２２に電気的に接続された電極パッドである。第２パッド５８Ａは、トランス１５Ａの第２コイル２２の第２内周端部２２Ａと電気的に接続されている。第２パッド５８Ａは、Ｙ方向においてトランス１５Ａの第２コイル２２（第１コイル２１）と同じ位置に配置されている。図４の例では、第２パッド５８Ａは、Ｙ方向において第１パッド５７Ａと同じ位置に配置されている。平面視において、第２パッド５８Ａは、表面５２Ａのうち第１パッド５７ＡとＸ方向に離隔した位置に形成されている。第２パッド５８Ａは、Ｙ方向においてトランス１５Ａの内側領域２３と同じ位置に配置されている。
【0096】
第２パッド５８Ｂは、トランス１５Ｂの第２コイル２２に電気的に接続された電極パッドである。第２パッド５８Ｂは、トランス１５Ｂの第２コイル２２の第２内周端部２２Ａと電気的に接続されている。第２パッド５８Ａは、Ｙ方向においてトランス１５Ｂの第２コイル２２（第１コイル２１）と同じ位置に配置されている。第２パッド５８Ｂは、Ｙ方向においてトランス１５Ｂの内側領域２３と同じ位置に配置されている。図４の例では、第２パッド５８Ｂは、Ｙ方向において第１パッド５７Ｂと同じ位置に配置されている。平面視において、第２パッド５８Ｂは、表面５２Ａのうち第１パッド５７ＢとＸ方向に離隔した位置に形成されている。
【0097】
第４パッド５８Ｃは、トランス１５Ａの第２コイル２２およびトランス１５Ｂの第２コイル２２の双方に電気的に接続された電極パッドである。第４パッド５８Ｃは、トランス１５Ａの第２コイル２２の第２外周端部２２Ｂおよびトランス１５Ｂの第２コイル２２の第２外周端部２２Ｂ（ともに図７参照）の双方と電気的に接続されている。
【0098】
第４パッド５８Ｃは、平面視において第１コイル２１および第２コイル２２よりも外方に配置されている。一例では、第４パッド５８Ｃは、Ｙ方向において第２パッド５８Ａと第２パッド５８Ｂとの間に配置されている。平面視において、第４パッド５８Ｃは、Ｙ方向においてトランス１５Ａの第２コイル２２（第１コイル２１）とトランス１５Ｂの第２コイル２２（第１コイル２１）との間に配置されている。図４の例では、第４パッド５８Ｃは、Ｙ方向において第３パッド５７Ｃと同じ位置に配置されている。
【0099】
平面視において、第１コイル２１および第２コイル２２の各々は、その全体がＸ方向における第１パッド５７Ａ（５７Ｂ）と第２パッド５８Ａ（５８Ｂ）との間に位置するように配置されている。このため、第１パッド５７Ａ（５７Ｂ）と第２パッド５８Ａ（５８Ｂ）とのＸ方向の間の距離ＤＰは、第１コイル２１および第２コイル２２のＸ方向の寸法ＬＸ１，ＬＸ２よりも大きい。一例では、第１コイル２１のＸ方向の寸法ＬＸ１は、第１パッド５７Ａと第２パッド５８ＡとのＸ方向の間の距離ＤＰの２／３以下であってよい。一例では、第２コイル２２のＸ方向の寸法ＬＸ２は、第１パッド５７Ａと第２パッド５８ＡとのＸ方向の間の距離ＤＰの２／３以下であってよい。第１コイル２１のＸ方向の寸法ＬＸ１は、第１パッド５７Ａと第２パッド５８ＡとのＸ方向の間の距離ＤＰの１／２よりも大きくてもよい。第２コイル２２のＸ方向の寸法ＬＸ２は、第１パッド５７Ａと第２パッド５８ＡとのＸ方向の間の距離ＤＰの１／２よりも大きくてもよい。
【0100】
なお、第１コイル２１のＸ方向の寸法ＬＸ１および第２コイル２２のＸ方向の寸法ＬＸ２の各々は任意に変更可能である。一例では、第１コイル２１のＸ方向の寸法ＬＸ１を小さくすることによって、第１コイル２１のＸ方向の寸法ＬＸ１が第１パッド５７Ａと第２パッド５８ＡとのＸ方向の間の距離ＤＰの１／２以下になってもよい。また一例では、第２コイル２２のＸ方向の寸法ＬＸ２を小さくすることによって、第２コイル２２のＸ方向の寸法ＬＸ２が第１パッド５７Ａと第２パッド５８ＡとのＸ方向の間の距離ＤＰの１／２以下になってもよい。
【0101】
図８に示すように、トランスチップ５０は、素子絶縁層５２上に形成された表面側絶縁層５３を含む。表面側絶縁層５３は、保護層５４およびパッシベーション層５５を含む。
保護層５４は、素子絶縁層５２を保護する膜である。保護層５４は、素子絶縁層５２上に形成されている。一例では、保護層５４は、平面視において素子絶縁層５２よりも一回り小さく形成されている。保護層５４は、素子絶縁層５２の表面５２Ａに接している。保護層５４は、例えばＳｉＯ２を含む材料によって形成されている。保護層５４は、例えば複数の絶縁膜の積層構造によって形成されていてよい。
保護層５４は、素子絶縁層５２を保護する膜である。保護層５４は、素子絶縁層５２上に形成されている。一例では、保護層５４は、平面視において素子絶縁層５２よりも一回り小さく形成されている。保護層５４は、素子絶縁層５２の表面５２Ａに接している。保護層５４は、例えばＳｉＯ２を含む材料によって形成されている。保護層５４は、例えば複数の絶縁膜の積層構造によって形成されていてよい。
【0102】
パッシベーション層５５は、トランスチップ５０の表面保護膜である。パッシベーション層５５は、保護層５４上に形成されている。一例では、パッシベーション層５５は、平面視において保護層５４の全面にわたり形成されている。パッシベーション層５５は、保護層５４の表面に接している。パッシベーション層５５は、例えばＳｉＮ、ＳｉＯ２のうち少なくとも１つを含む材料によって形成されている。一例では、パッシベーション層５５は、ＳｉＮを含む材料によって形成されている。
【0103】
図１２および図１３に示すように、表面側絶縁層５３は、複数の第１開口部５３Ａ、複数の第２開口部５３Ｂ、および複数の第３開口部５３Ｃを含む。この実施形態では、第１パッド５７Ａ，５７Ｂ、第２パッド５８Ａ，５８Ｂ、第３パッド５７Ｃおよび第４パッド５８Ｃの数に応じて、第１～第３開口部５３Ａ～５３Ｃの各々が２つ形成されている。第１～第３開口部５３Ａ～５３Ｃは、保護層５４およびパッシベーション層５５の双方をその厚さ方向に貫通する貫通孔である。
【0104】
図１２に示すように、２つの第１開口部５３Ａのうち１つの第１開口部５３Ａは、トランス１５Ａに対応する第１パッド５７Ａを露出するように形成されている。２つの第１開口部５３Ａのうち別の１つの第１開口部５３Ａは、トランス１５Ｂに対応する第１パッド５７Ｂを露出するように形成されている。
【0105】
図１３に示すように、２つの第２開口部５３Ｂのうち１つの第２開口部５３Ｂは、トランス１５Ａに対応する第２パッド５８Ａを露出するように形成されている。２つの第２開口部５３Ｂのうち別の１つの第２開口部５３Ｂは、トランス１５Ｂに対応する第２パッド５８Ｂを露出するように形成されている。
【0106】
図１２に示すように、２つの第３開口部５３Ｃのうち１つの第３開口部５３Ｃは、第３パッド５７Ｃを露出するように形成されている。図１３に示すように、２つの第３開口部５３Ｃのうち別の１つの第３開口部５３Ｃは、第４パッド５８Ｃを露出するように形成されている。
【0107】
図８～図１１に示すように、トランスチップ５０は、パッシベーション層５５上に形成された樹脂層５６を含む。樹脂層５６は、パッシベーション層５５の上面に対して部分的に形成されている。一例では、樹脂層５６は、平面視において第２コイル２２と重なる位置に形成されている。樹脂層５６は、例えばポリイミド（ＰＩ）を含む材料によって形成されている。
【0108】
図４、図６、および図７に示すように、トランスチップ５０は、第１接続部８０Ａ，８０Ｂおよび第２接続部９０Ａ，９０Ｂを備える。
図４および図６に示すように、第１接続部８０Ａは、トランス１５Ａの第１コイル２１と第１パッド５７Ａとを電気的に接続している。より詳細には、第１接続部８０Ａは、トランス１５Ａの第１コイル２１の第１内周端部２１Ａと第１パッド５７Ａとを電気的に接続している。図８に示すように、第１接続部８０Ａは、素子絶縁層５２および表面側絶縁層５３内に設けられている。つまり、トランス１５Ａの第１コイル２１と第１パッド５７Ａとは、トランスチップ５０内において互いに電気的に接続されている。
図４および図６に示すように、第１接続部８０Ａは、トランス１５Ａの第１コイル２１と第１パッド５７Ａとを電気的に接続している。より詳細には、第１接続部８０Ａは、トランス１５Ａの第１コイル２１の第１内周端部２１Ａと第１パッド５７Ａとを電気的に接続している。図８に示すように、第１接続部８０Ａは、素子絶縁層５２および表面側絶縁層５３内に設けられている。つまり、トランス１５Ａの第１コイル２１と第１パッド５７Ａとは、トランスチップ５０内において互いに電気的に接続されている。
【0109】
第１接続部８０Ａは、第１配線層８１、第１接続配線層８２、第１内周ビア８３、および第１外周ビア８４を含む。
第１配線層８１は、Ｚ方向において第１コイル２１よりも素子絶縁層５２の裏面５２Ｂ寄りに配置されている。第１配線層８１は、平面視において、第１コイル２１の第１内周端部２１Ａから第１コイル２１の外側にまで延びている。第１配線層８１は、平面視において第１コイル２１の第１内周端部２１Ａから第１コイル２１と交差するように延びている。図８に示す例では、第１配線層８１は、平面視においてＸ方向に沿って延びている。
第１配線層８１は、Ｚ方向において第１コイル２１よりも素子絶縁層５２の裏面５２Ｂ寄りに配置されている。第１配線層８１は、平面視において、第１コイル２１の第１内周端部２１Ａから第１コイル２１の外側にまで延びている。第１配線層８１は、平面視において第１コイル２１の第１内周端部２１Ａから第１コイル２１と交差するように延びている。図８に示す例では、第１配線層８１は、平面視においてＸ方向に沿って延びている。
【0110】
第１配線層８１は、第１内周ビア８３が接続される第１内周ビア接続部８１Ａと、第１外周ビア８４が接続される第１外周ビア接続部８１Ｂと、第１内周ビア接続部８１Ａと第１外周ビア接続部８１ＢとをＸ方向に接続する第１パッド延設部８１Ｃと、を含む。一例では、第１内周ビア接続部８１Ａ、第１外周ビア接続部８１Ｂ、および第１パッド延設部８１Ｃは一体化されている。
【0111】
図５に示すように、第１内周ビア接続部８１Ａは、例えば第１配線層８１のＸ方向の両端部のうち第１パッド５７Ａ（図４参照）から遠い方の端部として構成されている。第１内周ビア接続部８１Ａは、平面視において内側領域２３に配置されている。一例では、第１内周ビア接続部８１ＡのＹ方向の寸法ＨＡ１は、第１パッド延設部８１ＣのＹ方向の寸法ＨＡ３と等しい。
【0112】
図８に示すように、第１外周ビア接続部８１Ｂは、例えば第１配線層８１のＸ方向の両端部のうち第１パッド５７Ａに近い方の端部として構成されている。第１外周ビア接続部８１Ｂは、平面視において第１コイル２１および第２コイル２２よりも外方に配置されている。より詳細には、第１外周ビア接続部８１Ｂは、平面視において第１コイル２１および第２コイル２２よりも素子側面５２Ｃ寄りに配置されている。第１外周ビア接続部８１Ｂは、平面視において第１パッド５７Ａと重なる位置に配置されている。図示していないが、第１外周ビア接続部８１ＢのＹ方向の寸法は、第１パッド延設部８１ＣのＹ方向の寸法ＨＡ３よりも大きい。第１外周ビア接続部８１ＢのＸ方向の寸法は、第１内周ビア接続部８１ＡのＸ方向の寸法ＨＡ４よりも大きい。換言すると、第１内周ビア接続部８１ＡのＸ方向の寸法ＨＡ４は、第１外周ビア接続部８１ＢのＸ方向の寸法よりも小さい。また一例では、第１内周ビア接続部８１ＡのＹ方向の寸法ＨＡ１は、第１パッド５７ＡのＹ方向の寸法ＰＹ１（図４参照）よりも小さい。一例では、第１内周ビア接続部８１ＡのＸ方向の寸法ＨＡ４は、第１パッド５７ＡのＸ方向の寸法ＰＸ１（図４参照）よりも小さい。
【0113】
第１パッド延設部８１Ｃは、平面視において、第１コイル２１の第１内周端部２１Ａから第１コイル２１の外側にまで延びている。第１パッド延設部８１Ｃは、平面視において第１コイル２１の第１内周端部２１Ａから第１コイル２１と交差するように延びている。一例では、第１パッド延設部８１Ｃは、Ｘ方向に沿って延びている。
【0114】
第１内周ビア接続部８１Ａ、第１外周ビア接続部８１Ｂ、および第１パッド延設部８１Ｃは、例えばＴｉ、ＴｉＮ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、およびＷのうち１つまたは複数が適宜選択されたものを含む材料によって構成されている。第１内周ビア接続部８１Ａ、第１外周ビア接続部８１Ｂ、および第１パッド延設部８１Ｃは、例えば互いに同じ材料によって形成されている。一例では、第１内周ビア接続部８１Ａ、第１外周ビア接続部８１Ｂ、および第１パッド延設部８１Ｃは、例えば第１コイル２１（第２コイル２２）と同じ材料によって形成されている。
【0115】
図９に示すように、第１接続配線層８２は、Ｚ方向において第１コイル２１と同じ位置に配置されている。第１接続配線層８２は、第１コイル２１の第１内周端部２１Ａに接続されている。第１接続配線層８２は、第１内周端部２１ＡからＸ方向に延びている。より詳細には、第１接続配線層８２は、Ｘ方向において第１内周端部２１Ａから第１パッド５７Ａとは反対側に向けて延びている。このため、第１接続配線層８２は、平面視において内側領域２３に配置されている。第１接続配線層８２は、第１内周ビア８３が接続される第１内周接続部８２Ａと、第１内周接続部８２Ａから第１コイル２１の第１内周端部２１Ａに向けてＸ方向に延びる第１延設部８２Ｂと、を含む。一例では、第１内周接続部８２Ａおよび第１延設部８２Ｂは一体化されている。
【0116】
第１内周接続部８２Ａは、平面視において第１内周ビア接続部８１Ａと重なる位置に配置されている。図５に示すように、第１内周接続部８２ＡのＹ方向の寸法ＨＢ１は、第１内周ビア接続部８１ＡのＹ方向の寸法ＨＡ１と等しい。第１内周接続部８２ＡのＹ方向の寸法ＨＢ１は、第１延設部８２ＢのＹ方向の寸法ＨＢ３と等しい。一例では、平面視において、第１内周接続部８２ＡのＹ方向の寸法ＨＢ１は、第１パッド５７ＡのＹ方向の寸法ＰＹ１（図４参照）よりも小さい。平面視において、第１内周接続部８２ＡのＸ方向の寸法ＨＢ４は、第１パッド５７ＡのＸ方向の寸法ＰＸ１（図４参照）よりも小さい。
【0117】
図９に示すように、第１延設部８２Ｂは、平面視において第１配線層８１の第１パッド延設部８１Ｃと重なる位置に配置されている。図５に示すように、第１延設部８２ＢのＹ方向の寸法ＨＢ３は、第１パッド延設部８１ＣのＹ方向の寸法ＨＡ３と等しい。
【0118】
第１内周接続部８２Ａおよび第１延設部８２Ｂは、例えばＴｉ、ＴｉＮ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、およびＷのうち１つまたは複数が適宜選択されたものを含む材料によって構成されている。第１内周接続部８２Ａおよび第１延設部８２Ｂは、例えば互いに同じ材料によって形成されている。一例では、第１内周接続部８２Ａおよび第１延設部８２Ｂは、第１コイル２１（第２コイル２２）と同じ材料によって形成されている。
【0119】
図９に示すように、第１内周ビア８３は、平面視において内側領域２３に配置されている。第１内周ビア８３は、平面視において第１配線層８１の第１内周ビア接続部８１Ａと第１接続配線層８２の第１内周接続部８２Ａとの双方と重なる位置に配置されている。第１内周ビア８３は、第１内周ビア接続部８１Ａと第１内周接続部８２Ａとを電気的に接続している。
【0120】
第１内周ビア８３は、例えばＴｉ、ＴｉＮ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、およびＷのうち１つまたは複数が適宜選択されたものを含む材料によって構成されている。一例では、第１内周ビア８３は、第１コイル２１（第２コイル２２）と同じ材料によって形成されている。
【0121】
図９および図１０に示す例では、第１内周ビア８３は、１つ設けられている。なお、第１内周ビア８３は、複数設けられていてもよい。この場合、複数の第１内周ビア８３は、例えばＹ方向において互いに離隔して配列されている。つまり、複数の第１内周ビア８３は、Ｙ方向から視て１列となるように配列されている。この場合、例えば第１内周ビア接続部８１ＡのＹ方向の寸法を第１パッド延設部８１ＣのＹ方向の寸法よりも大きくしてもよい。また、第１内周接続部８２ＡのＹ方向の寸法を第１延設部８２ＢのＹ方向の寸法よりも大きくしてもよい。
【0122】
図８に示すように、第１外周ビア８４は、平面視において第１コイル２１および第２コイル２２よりも外方に配置されている。第１外周ビア８４は、平面視において第１配線層８１の第１外周ビア接続部８１Ｂと第１パッド５７Ａとの双方と重なる位置に配置されている。第１外周ビア８４は、第１外周ビア接続部８１Ｂと第１パッド５７Ａとを電気的に接続している。
【0123】
第１外周ビア８４は、第１ビア８４Ａ、第１中間配線層８４Ｂ、第２ビア８４Ｃ、第２中間配線層８４Ｄ、および第３ビア８４Ｅを含む。
第１ビア８４Ａは、第１外周ビア接続部８１Ｂ上において第１外周ビア接続部８１Ｂと接している。第１ビア８４Ａは、Ｘ方向およびＹ方向の双方において互いに離隔して複数設けられている。一例では、第１ビア８４Ａのサイズは、第１内周ビア８３のサイズと同じである。第１ビア８４Ａの数は、第１内周ビア８３の数よりも多い。このため、平面視において、複数の第１ビア８４Ａが配置される領域は、複数の第１内周ビア８３が配置される領域よりも大きくなる。換言すると、複数の第１内周ビア８３が配置される領域は、複数の第１ビア８４Ａが配置される領域よりも小さい。
第１ビア８４Ａは、第１外周ビア接続部８１Ｂ上において第１外周ビア接続部８１Ｂと接している。第１ビア８４Ａは、Ｘ方向およびＹ方向の双方において互いに離隔して複数設けられている。一例では、第１ビア８４Ａのサイズは、第１内周ビア８３のサイズと同じである。第１ビア８４Ａの数は、第１内周ビア８３の数よりも多い。このため、平面視において、複数の第１ビア８４Ａが配置される領域は、複数の第１内周ビア８３が配置される領域よりも大きくなる。換言すると、複数の第１内周ビア８３が配置される領域は、複数の第１ビア８４Ａが配置される領域よりも小さい。
【0124】
第１中間配線層８４Ｂは、Ｚ方向において第１配線層８１の第１外周ビア接続部８１Ｂと対向している。第１中間配線層８４Ｂは、複数の第１ビア８４Ａ上において複数の第１ビア８４Ａと接している。第１中間配線層８４Ｂは、平面視において複数の第１ビア８４Ａの全てを覆っている。第１中間配線層８４Ｂは、Ｚ方向において第１コイル２１と同じ位置に配置されている。
【0125】
第１中間配線層８４ＢのＹ方向の寸法は、例えば第１外周ビア接続部８１ＢのＹ方向の寸法と等しい。第１中間配線層８４ＢのＹ方向の寸法は、第１配線層８１の第１内周ビア接続部８１ＡのＹ方向の寸法よりも大きい。換言すると、第１内周ビア接続部８１ＡのＹ方向の寸法は、第１中間配線層８４ＢのＹ方向の寸法よりも小さい。
【0126】
第１中間配線層８４ＢのＸ方向の寸法は、例えば第１外周ビア接続部８１ＢのＸ方向の寸法と等しい。つまり、第１配線層８１のうちＺ方向において第１中間配線層８４Ｂと対向する部分が第１外周ビア接続部８１Ｂを構成しているといえる。
【0127】
第１中間配線層８４ＢのＸ方向の寸法は、第１配線層８１の第１内周ビア接続部８１ＡのＸ方向の寸法よりも大きい。換言すると、第１内周ビア接続部８１ＡのＸ方向の寸法は、第１中間配線層８４ＢのＸ方向の寸法よりも小さい。
【0128】
第２ビア８４Ｃは、第１中間配線層８４Ｂ上において第１中間配線層８４Ｂと接している。第２ビア８４Ｃは、Ｘ方向およびＹ方向の双方において互いに離隔して複数設けられている。このため、第２ビア８４Ｃの数は、第１内周ビア８３の数よりも多い。第２ビア８４Ｃの数は、例えば第１ビア８４Ａの数と同じであってよい。平面視における第２ビア８４Ｃのサイズは、平面視における第１ビア８３Ａのサイズと同じである。このように、平面視において、複数の第２ビア８４Ｃが配置される領域は、複数の第１内周ビア８３が配置される領域よりも大きくなる。換言すると、複数の第１内周ビア８３が配置される領域は、複数の第２ビア８４Ｃが配置される領域よりも小さい。
【0129】
第２中間配線層８４Ｄは、複数の第２ビア８４Ｃ上において複数の第２ビア８４Ｃと接している。第２中間配線層８４Ｄは、平面視において複数の第２ビア８４Ｃの全てを覆っている。第２中間配線層８４Ｄは、Ｚ方向において第２コイル２２と同じ位置に配置されている。
【0130】
第２中間配線層８４Ｄは、Ｚ方向において第１中間配線層８４Ｂと対向している。第２中間配線層８４ＤのＸ方向の寸法は第１中間配線層８４ＢのＸ方向の寸法と等しく、第２中間配線層８４ＤのＹ方向の寸法は第１中間配線層８４ＢのＹ方向の寸法と等しい。また、第２中間配線層８４Ｄは、例えば平面視において第１パッド５７Ａよりも一回り小さい矩形状に形成されている。なお、第２中間配線層８４Ｄは、平面視において第１パッド５７Ａよりも大きくてもよい。
【0131】
第３ビア８４Ｅは、第２中間配線層８４Ｄ上において第２中間配線層８４Ｄと接している。第３ビア８４Ｅは、Ｘ方向およびＹ方向の双方において互いに離隔して複数設けられている。第３ビア８４Ｅの数は、第１内周ビア８３の数よりも多い。第３ビア８４Ｅの数は、例えば第１ビア８４Ａの数よりも多くてよい。複数の第３ビア８４Ｅは、第１パッド５７Ａと接している。複数の第３ビア８４Ｅは、第２中間配線層８４Ｄと第１パッド５７ＡとのＺ方向の間に介在する絶縁層をＺ方向に貫通している。具体的には、複数の第３ビア８４Ｅは、素子絶縁層５２のうち最上層の絶縁膜、保護層５４、およびパッシベーション層５５をＺ方向に貫通している。平面視における各第３ビア８４ＥのＸ方向の寸法およびＹ方向の寸法はそれぞれ、各第１ビア８４ＡのＸ方向の寸法およびＹ方向の寸法よりも小さい。第３ビア８４Ｅの数は、第１ビア８４Ａの数よりも多い。なお、第３ビア８４Ｅ、第２ビア８４Ｃ、および第１ビア８４Ａの各々のサイズおよび数は任意に変更可能である。
【0132】
第１ビア８４Ａ、第１中間配線層８４Ｂ、第２ビア８４Ｃ、第２中間配線層８４Ｄ、および第３ビア８４Ｅは、例えばＴｉ、ＴｉＮ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、およびＷのうち１つまたは複数が適宜選択されたものを含む材料によって構成されている。一例では、第１ビア８４Ａ、第１中間配線層８４Ｂ、第２ビア８４Ｃ、および第２中間配線層８４Ｄは、第１コイル２１（第２コイル２２）と同じ材料によって形成されている。一例では、第３ビア８４Ｅは、第１コイル２１（第２コイル２２）とは異なる材料によって形成されている。
【0133】
第１接続部８０Ｂは、トランス１５Ｂの第１コイル２１と第１パッド５７Ｂとを電気的に接続している。より詳細には、第１接続部８０Ｂは、トランス１５Ｂの第１コイル２１の第１内周端部２１Ａと第１パッド５７Ｂとを電気的に接続している。第１接続部８０Ｂは、素子絶縁層５２および表面側絶縁層５３内に設けられている。つまり、トランス１５Ｂの第１コイル２１と第１パッド５７Ｂとは、トランスチップ５０内において互いに電気的に接続されている。第１接続部８０Ｂの構成は、第１接続部８０Ａの構成と同じである。このため、第１接続部８０Ｂの各構成要素は、第１接続部８０Ａの各構成要素と同じ符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【0134】
図８に示すように、第２接続部９０Ａは、トランス１５Ａの第２コイル２２と第２パッド５８Ａとを電気的に接続している。より詳細には、第２接続部９０Ａは、トランス１５Ａの第２コイル２２の第２内周端部２２Ａと第２パッド５８Ａとを電気的に接続している。第２接続部９０Ａは、素子絶縁層５２および表面側絶縁層５３内に設けられている。つまり、トランス１５Ａの第２コイル２２と第２パッド５８Ａとは、トランスチップ５０内において互いに電気的に接続されている。
【0135】
第２接続部９０Ａは、第１接続部８０Ａに対してＹ方向において同じ位置であってＸ方向において離隔して配置されている。つまり、第２接続部９０Ａおよび第１接続部８０Ａは、Ｘ方向に並んでいる。第２接続部９０Ａは、第２配線層９１、第２接続配線層９２、第２内周ビア９３、および第２外周ビア９４を含む。
【0136】
第２配線層９１は、Ｚ方向において第１コイル２１よりも素子絶縁層５２の裏面５２Ｂ寄りに配置されている。第２配線層９１は、Ｚ方向において第１配線層８１と同じ位置に配置されている。第２配線層９１は、平面視において、第２コイル２２の第２内周端部２２Ａから第２コイル２２の外側にまで延びている。第２配線層９１は、平面視において第２コイル２２の第２内周端部２２Ａから第２コイル２２と交差するように延びている。図８に示す例では、第２配線層９１は、平面視においてＸ方向に沿って延びている。平面視において、第２配線層９１は、Ｙ方向において第１配線層８１と同じ位置に配置されている。第２配線層９１は、Ｘ方向において第１配線層８１に対して素子側面５２Ｄ寄りに第１配線層８１から離隔して配置されている。
【0137】
第２配線層９１は、第２内周ビア９３が接続される第２内周ビア接続部９１Ａと、第２外周ビア９４が接続される第２外周ビア接続部９１Ｂと、第２内周ビア接続部９１Ａと第２外周ビア接続部９１ＢとをＸ方向に接続する第２パッド延設部９１Ｃと、を含む。一例では、第２内周ビア接続部９１Ａ、第２外周ビア接続部９１Ｂ、および第２パッド延設部９１Ｃは一体化されている。
【0138】
図９に示すように、第２内周ビア接続部９１Ａは、平面視において内側領域２３に配置されている。第２内周ビア接続部９１Ａは、第２配線層９１のＸ方向の両端部のうち第１配線層８１に近い方の端部を構成している。第１配線層８１の第１内周ビア接続部８１Ａは、第１配線層８１のうち第２配線層９１に最も近い部分である。このため、第２配線層９１と第１配線層８１とのＸ方向の間の距離ＤＨは、第２内周接続部９２Ａと第１内周接続部８２Ａとの最短距離となる。この距離ＤＨは、第１コイル２１と第２コイル２２とのＺ方向の間の距離ＤＣ以上である。
【0139】
図５に示すように、第２内周ビア接続部９１ＡのＹ方向の寸法ＨＣ１は、第２パッド延設部９１ＣのＹ方向の寸法ＨＣ３と等しい。一例では、第２内周ビア接続部９１ＡのＹ方向の寸法ＨＣ１は、第１内周ビア接続部８１ＡのＹ方向の寸法ＨＡ１と等しい。一例では、第２内周ビア接続部９１ＡのＹ方向の寸法ＨＣ１は、第２パッド５８ＡのＹ方向の寸法ＰＹ２よりも小さい。一例では、第２内周ビア接続部９１ＡのＸ方向の寸法ＨＣ４は、第２パッド５８ＡのＸ方向の寸法ＰＸ２よりも小さい。
【0140】
図８に示すように、第２外周ビア接続部９１Ｂは、第２配線層９１のＸ方向の両端部のうち第２パッド５８Ａに近い方の端部を構成している。第２外周ビア接続部９１Ｂは、平面視において第２コイル２２よりも外方に配置されている。より詳細には、第２外周ビア接続部９１Ｂは、平面視において第１コイル２１および第２コイル２２よりも素子側面５２Ｄ寄りに配置されている。第２外周ビア接続部９１Ｂは、平面視において第２パッド５８Ａと重なる位置に配置されている。図示していないが、第２外周ビア接続部９１ＢのＹ方向の寸法は、第２パッド延設部９１ＣのＹ方向の寸法ＨＣ３（図５参照）よりも大きい。第２外周ビア接続部９１ＢのＸ方向の寸法は、第２内周ビア接続部９１ＡのＸ方向の寸法ＨＣ４（図５参照）よりも大きい。換言すると、第２内周ビア接続部９１ＡのＸ方向の寸法ＨＣ４は、第２外周ビア接続部９１ＢのＸ方向の寸法よりも小さい。
【0141】
第２パッド延設部９１Ｃは、平面視において、第２コイル２２の第２内周端部２２Ａから第２コイル２２の外側にまで延びている。第２パッド延設部９１Ｃは、平面視において第２コイル２２の第２内周端部２２Ａから第２コイル２２と交差するように延びている。一例では、第２パッド延設部９１Ｃは、Ｘ方向に沿って延びている。
【0142】
第２内周ビア接続部９１Ａ、第２外周ビア接続部９１Ｂ、および第２パッド延設部９１Ｃは、例えばＴｉ、ＴｉＮ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、およびＷのうち１つまたは複数が適宜選択されたものを含む材料によって構成されている。第２内周ビア接続部９１Ａ、第２外周ビア接続部９１Ｂ、および第２パッド延設部９１Ｃは、例えば互いに同じ材料によって形成されている。一例では、第２内周ビア接続部９１Ａ、第２外周ビア接続部９１Ｂ、および第２パッド延設部９１Ｃは、例えば第１コイル２１（第２コイル２２）と同じ材料によって形成されている。
【0143】
図９に示すように、第２接続配線層９２は、第２コイル２２の第２内周端部２２Ａに接続されている。第２接続配線層９２は、第２内周端部２２ＡからＸ方向に延びている。このため、第２接続配線層９２は、平面視において内側領域２３に配置されている。第２接続配線層９２は、平面視において第２配線層９１と重なる部分を有する。
【0144】
第２接続配線層９２は、第２内周ビア９３が接続される第２内周接続部９２Ａと、第２内周接続部９２Ａから第２コイル２２の第２内周端部２２Ａに向けてＸ方向に延びる第２延設部９２Ｂと、を含む。一例では、第２内周接続部９２Ａおよび第２延設部９２Ｂは一体化されている。
【0145】
第２内周接続部９２Ａは、平面視において第２内周ビア接続部９１Ａと重なる位置に配置されている。第２内周接続部９２Ａは、Ｚ方向において第１内周接続部８２Ａとは異なる位置に配置されている。第２内周接続部９２Ａは、Ｙ方向において第１内周接続部８２Ａと同じ位置に配置されている。つまり、平面視において第１内周接続部８２Ａおよび第２内周接続部９２ＡはＸ方向に並んでいる。
【0146】
図５に示すように、第２内周接続部９２ＡのＹ方向の寸法ＨＤ１は、第２内周ビア接続部９１ＡのＹ方向の寸法ＨＣ１と等しい。一例では、第２内周接続部９２ＡのＹ方向の寸法ＨＤ１は、第２延設部９２ＢのＹ方向の寸法ＨＤ３と等しい。
【0147】
一例では、第２内周接続部９２ＡのＹ方向の寸法ＨＤ１は、第２パッド５８ＡのＹ方向の寸法ＰＹ２よりも小さい。また一例では、第２内周接続部９２ＡのＹ方向の寸法ＨＤ１は、第２パッド延設部９１ＣのＹ方向の寸法ＨＣ３と等しい。第２内周接続部９２ＡのＸ方向の寸法ＨＤ４は、第２パッド５８ＡのＸ方向の寸法ＰＸ２（図４参照）よりも小さい。
【0148】
第２延設部９２Ｂは、平面視において第２配線層９１の第２パッド延設部９１Ｃと重なる位置に配置されている。一例では、第２延設部９２ＢのＹ方向の寸法ＨＤ３は、第２パッド延設部９１ＣのＹ方向の寸法ＨＣ３と等しい。
【0149】
第２内周接続部９２Ａおよび第２延設部９２Ｂは、例えばＴｉ、ＴｉＮ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、およびＷのうち１つまたは複数が適宜選択されたものを含む材料によって構成されている。第２内周接続部９２Ａおよび第２延設部９２Ｂは、例えば互いに同じ材料によって形成されている。一例では、第２内周接続部９２Ａおよび第２延設部９２Ｂは、第１コイル２１（第２コイル２２）と同じ材料によって形成されている。
【0150】
第２内周ビア９３は、平面視において内側領域２３に配置されている。第２内周ビア９３は、平面視において第２配線層９１の第２内周ビア接続部９１Ａと第２接続配線層９２の第２内周接続部９２Ａとの双方と重なる位置に配置されている。第２内周ビア９３は、第２内周ビア接続部９１Ａと第２内周接続部９２Ａとを電気的に接続している。
【0151】
図９に示すように、第２内周ビア９３は、第１ビア９３Ａ、中間配線層９３Ｂ、および第２ビア９３Ｃを含む。
第１ビア９３Ａは、第２内周ビア接続部９１Ａ上において第２内周ビア接続部９１Ａと接している。図９および図１１に示すように、第１ビア９３Ａは、１つ設けられている。なお、第１ビア９３Ａは、複数設けられていてもよい。この場合、複数の第１ビア９３Ａは、例えばＹ方向において互いに離隔して配列されている。Ｙ方向から視て、複数の第１ビア９３Ａは、１列に配列されている。この場合、例えば第２内周ビア接続部９１ＡのＹ方向の寸法を第２パッド延設部９１ＣのＹ方向の寸法よりも大きくしてもよい。また、中間配線層９３ＢのＹ方向の寸法を中間配線層９３ＢのＸ方向の寸法よりも大きくしてもよい。一例では、中間配線層９３ＢのＹ方向の寸法は、第２内周ビア接続部９１ＡのＹ方向の寸法と等しくてもよい。
第１ビア９３Ａは、第２内周ビア接続部９１Ａ上において第２内周ビア接続部９１Ａと接している。図９および図１１に示すように、第１ビア９３Ａは、１つ設けられている。なお、第１ビア９３Ａは、複数設けられていてもよい。この場合、複数の第１ビア９３Ａは、例えばＹ方向において互いに離隔して配列されている。Ｙ方向から視て、複数の第１ビア９３Ａは、１列に配列されている。この場合、例えば第２内周ビア接続部９１ＡのＹ方向の寸法を第２パッド延設部９１ＣのＹ方向の寸法よりも大きくしてもよい。また、中間配線層９３ＢのＹ方向の寸法を中間配線層９３ＢのＸ方向の寸法よりも大きくしてもよい。一例では、中間配線層９３ＢのＹ方向の寸法は、第２内周ビア接続部９１ＡのＹ方向の寸法と等しくてもよい。
【0152】
中間配線層９３Ｂは、複数の第１ビア９３Ａ上において複数の第１ビア８３Ａと接している。中間配線層９３Ｂは、平面視において複数の第１ビア９３Ａを覆っている。中間配線層９３Ｂは、Ｚ方向において第１コイル２１と同じ位置に配置されている。中間配線層９３Ｂは、Ｚ方向において第２配線層９１の第２内周ビア接続部９１Ａと対向している。中間配線層９３ＢのＹ方向の寸法は、第２配線層９１の第２内周ビア接続部９１ＡのＹ方向の寸法ＨＣ１（図５参照）と等しい。
【0153】
第２ビア９３Ｃは、中間配線層９３Ｂ上において中間配線層９３Ｂと接している。第２ビア９３Ｃは、第２内周接続部９２Ａと接している。図９および図１１に示すように、第２ビア９３Ｃは、１つ設けられている。なお、第２ビア９３Ｃは、複数設けられていてもよい。この場合、第２ビア９３Ｃは、例えばＹ方向において互いに離隔して配列されている。Ｙ方向から視て、複数の第２ビア９３Ｃは、１列に配列されている。第２ビア９３Ｃの数は、例えば第１ビア９３Ａの数と同じである。この場合、例えば中間配線層９３ＢのＹ方向の寸法を中間配線層９３ＢのＸ方向の寸法よりも大きくしてもよい。また、第２内周接続部９２ＡのＹ方向の寸法を第２延設部９２ＢのＹ方向の寸法よりも大きくしてもよい。一例では、中間配線層９３ＢのＹ方向の寸法は、第２内周接続部９２ＡのＹ方向の寸法と等しくてもよい。
【0154】
第１ビア９３Ａ、中間配線層９３Ｂ、および第２ビア９３Ｃは、例えばＴｉ、ＴｉＮ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、およびＷのうち１つまたは複数が適宜選択されたものを含む材料によって構成されている。一例では、第１ビア９３Ａ、中間配線層９３Ｂ、および第２ビア９３Ｃは、互いに同じ材料によって形成されている。一例では、第１ビア９３Ａ、中間配線層９３Ｂ、および第２ビア９３Ｃは、第１コイル２１（第２コイル２２）と同じ材料によって形成されている。
【0155】
図８に示すように、第２外周ビア９４は、平面視において第１コイル２１および第２コイル２２よりも外方に配置されている。第２外周ビア９４は、平面視において第２配線層９１の第２外周ビア接続部９１Ｂと第２パッド５８Ａとの双方と重なる位置に配置されている。第２外周ビア９４は、第２外周ビア接続部９１Ｂと第２パッド５８Ａとを電気的に接続している。
【0156】
第２外周ビア９４は、第１ビア９４Ａ、第１中間配線層９４Ｂ、第２ビア９４Ｃ、第２中間配線層９４Ｄ、および第３ビア９４Ｅを含む。第１ビア９４Ａ、第１中間配線層９４Ｂ、第２ビア９４Ｃ、第２中間配線層９４Ｄ、および第３ビア９４Ｅの構成および材料は、第１外周ビア８４の第１ビア８４Ａ、第１中間配線層８４Ｂ、第２ビア８４Ｃ、第２中間配線層８４Ｄ、および第３ビア８４Ｅと同じであるため、その詳細な説明を省略する。
【0157】
第２接続部９０Ｂは、トランス１５Ｂの第２コイル２２と第２パッド５８Ｂとを電気的に接続している。より詳細には、第２接続部９０Ｂは、トランス１５Ｂの第２コイル２２の第２内周端部２２Ａと第２パッド５８Ｂとを電気的に接続している。第２接続部９０Ｂは、素子絶縁層５２および表面側絶縁層５３内に設けられている。つまり、トランス１５Ｂの第２コイル２２と第２パッド５８Ｂとは、トランスチップ５０内において互いに電気的に接続されている。第２接続部９０Ｂの構成は、第２接続部９０Ａの構成と同じである。このため、第２接続部９０Ｂの各構成要素は、第２接続部９０Ａの各構成要素と同じ符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【0158】
図６および図７に示すように、トランスチップ５０は、第３接続部１００および第４接続部１１０を備える。
図６に示すように、第３接続部１００は、トランス１５Ａ，１５Ｂの第１コイル２１の各々と第３パッド５７Ｃとを電気的に接続している。第３接続部１００は、平面視において第１コイル２１および第２コイル２２（図７参照）よりも外方に設けられている。
図６に示すように、第３接続部１００は、トランス１５Ａ，１５Ｂの第１コイル２１の各々と第３パッド５７Ｃとを電気的に接続している。第３接続部１００は、平面視において第１コイル２１および第２コイル２２（図７参照）よりも外方に設けられている。
【0159】
図１０および図１２に示すように、第３接続部１００は、第１外周配線層１０１、第２外周配線層１０２、第１外周ビア１０３、および第２外周ビア１０４を含む。
第１外周配線層１０１は、Ｚ方向において第１コイル２１と同じ位置に配置されている。第１外周配線層１０１は、トランス１５Ａの第１コイル２１の第１外周端部２１Ｂと、トランス１５Ｂの第１コイル２１の第１外周端部２１Ｂとを接続している。第１外周配線層１０１は、Ｙ方向に延びている。
第１外周配線層１０１は、Ｚ方向において第１コイル２１と同じ位置に配置されている。第１外周配線層１０１は、トランス１５Ａの第１コイル２１の第１外周端部２１Ｂと、トランス１５Ｂの第１コイル２１の第１外周端部２１Ｂとを接続している。第１外周配線層１０１は、Ｙ方向に延びている。
【0160】
第２外周配線層１０２は、Ｚ方向において第１コイル２１よりも素子絶縁層５２の裏面５２Ｂ寄りに配置されている。一例では、第２外周配線層１０２は、Ｚ方向において第１配線層８１（第２配線層９１）と同じ位置に配置されている。第２外周配線層１０２は、平面視においてＸ方向に延びている。第２外周配線層１０２は、平面視において第１外周配線層１０１と重なる部分および第３パッド５７Ｃと重なる部分を含む。第２外周配線層１０２は、平面視において一定の幅寸法（Ｙ方向の寸法）を有する帯状の配線層であるといえる。図６に示す例では、第２外周配線層１０２の幅寸法は、第１外周配線層１０１の幅寸法（Ｘ方向の寸法）と等しい。なお、第１外周配線層１０１および第２外周配線層１０２の幅寸法はそれぞれ任意に変更可能である。一例では、第１外周配線層１０１の幅寸法が第２外周配線層１０２の幅寸法と異なっていてもよい。
【0161】
第１外周ビア１０３は、第１外周配線層１０１と第２外周配線層１０２とを電気的に接続している。第１外周ビア１０３は、平面視において第２外周配線層１０２と第１外周配線層１０１との双方と重なる位置に配置されている。第１外周ビア１０３は、例えばＹ方向に離隔して複数設けられている。つまり、複数の第１外周ビア１０３は、Ｙ方向に離隔して配列された１列によって構成されている。
【0162】
第１外周配線層１０１、第２外周配線層１０２、および第１外周ビア１０３は、例えばＴｉ、ＴｉＮ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、およびＷのうち１つまたは複数が適宜選択されたものを含む材料によって構成されている。一例では、第１外周配線層１０１、第２外周配線層１０２、および第１外周ビア１０３は、互いに同じ材料によって構成されている。一例では、第１外周配線層１０１および第２外周配線層１０２は、第１コイル２１（第２コイル２２）と同じ材料によって構成されている。
【0163】
図１２に示すように、第２外周ビア１０４は、第２外周配線層１０２と第３パッド５７Ｃとを電気的に接続している。第２外周ビア１０４は、平面視において第２外周配線層１０２と第３パッド５７Ｃとの双方と重なる位置に配置されている。第２外周ビア１０４は、第１ビア１０４Ａ、第１中間配線層１０４Ｂ、第２ビア１０４Ｃ、第２中間配線層１０４Ｄ、および第３ビア１０４Ｅを含む。第１ビア１０４Ａ、第１中間配線層１０４Ｂ、第２ビア１０４Ｃ、第２中間配線層１０４Ｄ、および第３ビア１０４Ｅの構成および材料は、第１外周ビア８４の第１ビア８４Ａ、第１中間配線層８４Ｂ、第２ビア８４Ｃ、第２中間配線層８４Ｄ、および第３ビア８４Ｅ（ともに図８参照）と同じであるため、その詳細な説明を省略する。このため、第１ビア１０４Ａの数、第２ビア１０４Ｃの数、および第３ビア１０４Ｅの数の各々は、第１外周ビア１０３の数よりも多い。なお、第１ビア１０４Ａの数、第２ビア１０４Ｃの数、第３ビア１０４Ｅの数、および第１外周ビア１０３の数の各々は、個別に任意に変更可能である。
【0164】
素子絶縁層５２には、第２外周配線層１０２と基板５１とを電気的に接続するビア１０５が設けられている。これにより、第３パッド５７Ｃは、基板５１と電気的に接続されている。ビア１０５は、第２外周配線層１０２と基板５１とのＺ方向の間に設けられている。図１２に示す例では、ビア１０５は、素子絶縁層５２のうち最下層の絶縁膜をＺ方向に貫通している。ビア１０５は、Ｘ方向およびＹ方向の双方に離隔して複数設けられている。ビア１０５は、例えばＴｉ、ＴｉＮ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、およびＷのうち１つまたは複数が適宜選択されたものを含む材料によって構成されている。一例では、ビア１０５は、第１コイル２１（第２コイル２２）とは異なる材料によって構成されている。
【0165】
図７に示すように、第４接続部１１０は、トランス１５Ａ，１５Ｂの第２コイル２２の各々と第４パッド５８Ｃとを電気的に接続している。第４接続部１１０は、平面視において第１コイル２１および第２コイル２２よりも外方に設けられている。
【0166】
図１１および図１３に示すように、第４接続部１１０は、第３外周配線層１１１、第４外周配線層１１２、第３外周ビア１１３、および第４外周ビア１１４を含む。第３外周配線層１１１、第４外周配線層１１２、および第４外周ビア１１４の構成および材料は、第３接続部１００の第１外周配線層１０１、第２外周配線層１０２、および第２外周ビア１０４と同じであるため、その詳細な説明を省略する。
【0167】
第３外周ビア１１３は、第１ビア１１３Ａ、中間配線層１１３Ｂ、および第２ビア１１３Ｃを含む。
図１１に示すように、中間配線層１１３Ｂは、Ｚ方向において第１コイル２１と同じ位置に配置されている。中間配線層１１３Ｂは、Ｚ方向において第４外周配線層１１２と対向している。一例では、中間配線層１１３ＢのＹ方向の寸法は、第４外周配線層１１２の幅寸法（Ｙ方向の寸法）と等しい。
図１１に示すように、中間配線層１１３Ｂは、Ｚ方向において第１コイル２１と同じ位置に配置されている。中間配線層１１３Ｂは、Ｚ方向において第４外周配線層１１２と対向している。一例では、中間配線層１１３ＢのＹ方向の寸法は、第４外周配線層１１２の幅寸法（Ｙ方向の寸法）と等しい。
【0168】
第１ビア１１３Ａは、中間配線層１１３Ｂと第４外周配線層１１２とを接続している。第１ビア１１３Ａは、例えばＹ方向に離隔して複数設けられている。一例では、複数の第１ビア１１３Ａは、Ｙ方向から視て１列に配列されている。
【0169】
第２ビア１１３Ｃは、中間配線層１１３Ｂと第３外周配線層１１１とを接続している。第２ビア１１３Ｃは、例えばＹ方向に離隔して複数設けられている。一例では、複数の第２ビア１１３Ｃは、Ｙ方向から視て１列に配列されている。一例では、第２ビア１１３Ｃの数は、第１ビア１１３Ａの数と同じである。
【0170】
図１３に示すように、第４外周ビア１１４は、第２外周ビア１０４と同様に、第１ビア１１４Ａ、第１中間配線層１１４Ｂ、第２ビア１１４Ｃ、第２中間配線層１１４Ｄ、および第３ビア１１４Ｅを含む。ただし、第４接続部１１０は、基板５１と電気的に接続されていない。このため、第４接続部１１０は、第３接続部１００のビア１０５に相当するビアを含んでいない。
【0171】
図８および図１０～図１３に示すように、トランスチップ５０は、素子絶縁層５２に設けられた導電性のシールリング５９を備える。シールリング５９は、平面視において素子絶縁層５２の外周部に設けられている。シールリング５９は、平面視においてトランス１５Ａ，１５Ｂ、第１接続部８０Ａ，８０Ｂ、第２接続部９０Ａ，９０Ｂ、第３接続部１００、第４接続部１１０、複数の第１電極パッド５７、および複数の第２電極パッド５８を囲む環状に形成されている。一例では、シールリング５９は、平面視においてＹ方向が長手方向となり、Ｘ方向が短手方向となる長方形状に形成されている。シールリング５９は、トランスチップ５０の外部から素子絶縁層５２内に進入した異物がトランス１５Ａ，１５Ｂ、第１接続部８０Ａ，８０Ｂ、第２接続部９０Ａ，９０Ｂ、第３接続部１００、および第４接続部１１０に付着することを抑制するように構成されている。シールリング５９は、例えばＴｉ、ＴｉＮ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、およびＷのうち１つまたは複数が適宜選択されたものを含む材料によって構成されている。一例では、シールリング５９は、第１コイル２１および第２コイル２２と同じ材料によって形成されている。
【0172】
シールリング５９は、素子絶縁層５２のうち最上層の絶縁膜および最下層の絶縁膜を除く絶縁膜をＺ方向に貫通している。このため、シールリング５９は、基板５１からＺ方向に離隔して設けられているといえる。シールリング５９と基板５１とのＺ方向の間には、複数のビア５９Ａが設けられている。各ビア５９Ａは、シールリング５９と基板５１とをＺ方向において接続している。これにより、シールリング５９と基板５１とが電気的に接続されている。
【0173】
シールリング５９が基板５１と電気的に接続されているため、シールリング５９は第１パッド５７Ａと同電位となる一方、第２パッド５８Ａとは異なる電位となる。このため、シールリング５９と第２パッド５８Ａとの距離を大きくとることによってシールリング５９と第２パッド５８Ａとの間の耐圧を確保する必要がある。そこで、この実施形態では、図４に示すように、平面視における第２パッド５８Ａとシールリング５９とのＸ方向の間の距離ＤＳ２は、平面視における第１パッド５７Ａとシールリング５９とのＸ方向の間の距離ＤＳ１よりも大きい。
【0174】
［作用］
この実施形態のトランスチップ５０の作用について説明する。
図１４は、比較例のトランスチップ５０Ｘの平面構造を模式的に示している。図１５は、図１４のＦ１５－Ｆ１５線でトランスチップ５０Ｘを切断した断面構造を模式的に示している。比較例のトランスチップ５０Ｘでは、トランスチップ５０と比較して、第１電極パッド５７の位置と、第１コイル２１および第２コイル２２の形状とが主に異なる。以下のトランスチップ５０Ｘの説明において、トランスチップ５０と共通する構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する場合がある。
この実施形態のトランスチップ５０の作用について説明する。
図１４は、比較例のトランスチップ５０Ｘの平面構造を模式的に示している。図１５は、図１４のＦ１５－Ｆ１５線でトランスチップ５０Ｘを切断した断面構造を模式的に示している。比較例のトランスチップ５０Ｘでは、トランスチップ５０と比較して、第１電極パッド５７の位置と、第１コイル２１および第２コイル２２の形状とが主に異なる。以下のトランスチップ５０Ｘの説明において、トランスチップ５０と共通する構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する場合がある。
【0175】
図１４に示すように、比較例のトランスチップ５０Ｘでは、平面視における第２コイル２２Ｘの形状はＹ方向が長手方向となり、Ｘ方向が短手方向となる環状に形成されている。なお、図示していないが、平面視における第１コイル２１Ｘの形状は第２コイル２２Ｘと同じである。このため、内側領域２３Ｘは、Ｙ方向が長手方向となり、Ｘ方向が短手方向となる長円状に形成されている。
【0176】
１つの第２電極パッド５８は平面視においてトランス１５Ａの内側領域２３Ｘ内に配置されており、別の１つの第２電極パッド５８は平面視においてトランス１５Ｂの内側領域２３Ｘ内に配置されている。一方、第１電極パッド５７は、平面視において第１コイル２１Ｘおよび第２コイル２２Ｘよりも素子側面５２Ｃ寄りに配置されている。
【0177】
図１５に示すように、第１コイル２１Ｘの第１内周端部２１Ａ（図１５では図示略）と第１電極パッド５７とを電気的に接続する第１接続部８０ＡＸは、第１配線層８１Ｘ、第１接続配線層８２Ｘ、および第１外周接続部８６Ｘを含む。なお、第１接続部８０ＢＸも第１接続部８０ＡＸと同じ構成である。
【0178】
第２コイル２２Ｘの第２内周端部２２Ａ（図１５では図示略）と第２電極パッド５８とを電気的に接続する第２接続配線層９２Ｘは、第２電極パッド５８の直下に配置されている。また、第２接続配線層９２Ｘは、Ｚ方向において第２コイル２２Ｘと同じ位置に配置されている。
【0179】
ところで、例えばワイヤボンディング装置を用いて第２電極パッド５８にワイヤＷ３（図３参照）を形成する場合、第２電極パッド５８から基板５１に向けて力が加えられる。第２電極パッド５８を支持するため、第２接続配線層９２Ｘは、平面視において第２電極パッド５８と概ね同じ大きさ、または平面視において第２電極パッド５８よりも大きく形成する必要がある。このため、第２コイル２２の小型化を図ることが困難である。
【0180】
この実施形態のトランスチップ５０は、図４に示すように、第１パッド５７Ａおよび第２パッド５８Ａがともに平面視において第１コイル２１および第２コイル２２よりも外方に配置されている。このため、第１接続部８０Ａの第１接続配線層８２および第２接続部９０Ａの第２接続配線層９２の各々は、平面視において第１パッド５７Ａおよび第２パッド５８Ａとは異なる位置に配置されている。このため、例えばワイヤボンディング装置を用いて第１パッド５７Ａおよび第２パッド５８ＡにワイヤＷ２，Ｗ３を形成する場合、第１接続配線層８２および第２接続配線層９２の各々に第１パッド５７Ａおよび第２パッド５８Ａを介して力が加わることが抑制される。したがって、第１接続配線層８２および第２接続配線層９２の各々を平面視において第１パッド５７Ａおよび第２パッド５８Ａよりも小さくすることができる。したがって、第２コイル２２の小型化を図ることができる。
【0181】
［効果］
この実施形態のトランスチップ５０によれば、以下の効果が得られる。
（１）トランスチップ５０は、Ｚ方向において互いに反対側を向く表面５２Ａおよび裏面５２Ｂを含む素子絶縁層５２と、素子絶縁層５２内において裏面５２Ｂ寄りに配置され、平面視において環状に形成された第１コイル２１と、素子絶縁層５２内において表面５２Ａ寄りに配置され、平面視において環状に形成され、第１コイル２１と対向する第２コイル２２と、表面５２Ａに形成された第１パッド５７Ａと、平面視において表面５２Ａのうち第１パッド５７ＡとＸ方向に離隔した位置に形成された第２パッド５８Ａと、第１コイル２１と第１パッド５７Ａとを電気的に接続する第１接続部８０Ａと、第２コイル２２と第２パッド５８Ａとを電気的に接続する第２接続部９０Ａと、を備える。平面視において第１コイル２１および第２コイル２２の各々は、その全体がＸ方向における第１パッド５７Ａと第２パッド５８Ａとの間に位置するように配置されている。第１接続部８０Ａは、平面視において第１コイル２１の第１内周端部２１Ａから第１コイル２１と交差するように延びる第１配線層８１を含む。第２接続部９０Ａは、平面視において第２コイル２２の第２内周端部２２Ａから第２コイル２２と交差するように延びる第２配線層９１を含む。
この実施形態のトランスチップ５０によれば、以下の効果が得られる。
（１）トランスチップ５０は、Ｚ方向において互いに反対側を向く表面５２Ａおよび裏面５２Ｂを含む素子絶縁層５２と、素子絶縁層５２内において裏面５２Ｂ寄りに配置され、平面視において環状に形成された第１コイル２１と、素子絶縁層５２内において表面５２Ａ寄りに配置され、平面視において環状に形成され、第１コイル２１と対向する第２コイル２２と、表面５２Ａに形成された第１パッド５７Ａと、平面視において表面５２Ａのうち第１パッド５７ＡとＸ方向に離隔した位置に形成された第２パッド５８Ａと、第１コイル２１と第１パッド５７Ａとを電気的に接続する第１接続部８０Ａと、第２コイル２２と第２パッド５８Ａとを電気的に接続する第２接続部９０Ａと、を備える。平面視において第１コイル２１および第２コイル２２の各々は、その全体がＸ方向における第１パッド５７Ａと第２パッド５８Ａとの間に位置するように配置されている。第１接続部８０Ａは、平面視において第１コイル２１の第１内周端部２１Ａから第１コイル２１と交差するように延びる第１配線層８１を含む。第２接続部９０Ａは、平面視において第２コイル２２の第２内周端部２２Ａから第２コイル２２と交差するように延びる第２配線層９１を含む。
【0182】
この構成によれば、平面視において環状の第１コイル２１および第２コイル２２よりも外方に第１パッド５７Ａおよび第２パッド５８Ａが配置されている。つまり、平面視において環状の第１コイル２１および第２コイル２２の内側に第１パッド５７Ａおよび第２パッド５８Ａが配置されていない。これにより、第１コイル２１および第２コイル２２の双方の小型化を図ることができる。したがって、第１コイル２１と第２コイル２２との対向面積が低減されるため、この面積に起因する寄生容量を低減することができる。その結果、信号伝達装置１０の駆動時において、第１コイル２１と第２コイル２２との間の寄生容量に起因する信号のノイズを低減することができる。
【0183】
加えて、第１パッド５７Ａおよび第２パッド５８Ａが第１コイル２１および第２コイル２２のＸ方向の両側に分散して配置されているため、第１パッド５７Ａと第２パッド５８Ａとの間の耐圧に起因するトランスチップ５０の耐圧の低下を抑制することができる。
【0184】
（２）平面視における第１コイル２１および第２コイル２２の各々のＸ方向の寸法ＬＸ１，ＬＸ２は、第１パッド５７Ａと第２パッド５８ＡとのＸ方向の間の距離ＤＰの１／２以下である。
【0185】
この構成によれば、平面視において第１コイル２１および第２コイル２２のＸ方向の寸法が小さくなることによって第１コイル２１および第２コイル２２の対向面積が低減される。このため、この面積に起因する寄生容量を低減することができる。
【0186】
（３）第１配線層８１は、第１コイル２１よりも素子絶縁層５２の裏面５２Ｂ寄りに配置されている。第２配線層９１は、Ｚ方向において第１配線層８１と同じ位置に配置されている。
【0187】
この構成によれば、第１コイル２１と第２コイル２２とのＺ方向の間に第１配線層８１および第２配線層９１が配置されていないため、第１コイル２１と第２コイル２２との間の磁界への影響を低減することができる。
【0188】
（４）第２接続部９０Ａは、平面視において第２配線層９１と重なる部分を有し、第２コイル２２の第２内周端部２２Ａに接続される第２接続配線層９２と、第２接続配線層９２と第２配線層９１とを接続する第２内周ビア９３と、第２パッド５８Ａと第２配線層９１とを接続する第２外周ビア９４と、を含む。第２接続配線層９２は、第２内周ビア９３が接続される第２内周接続部９２Ａと、第２内周接続部９２Ａから第２内周端部２２Ａに向けてＸ方向に延びる第２延設部９２Ｂと、を含む。第２内周接続部９２ＡのＹ方向の寸法ＨＤ１は、第２延設部９２ＢのＹ方向の寸法ＨＣ３と等しい。
【0189】
この構成によれば、第２内周接続部９２Ａにおいて第２内周ビア９３が接続される領域を確保しつつも第２内周接続部９２ＡのＹ方向の寸法ＨＤ１を小さくすることができる。したがって、第２コイル２２のＹ方向の寸法を小さくすることができる。
【0190】
（５）平面視において、第２内周接続部９２ＡのＸ方向の寸法ＨＤ４は、第２パッド５８ＡのＸ方向の寸法ＰＸ２よりも小さい。
この構成によれば、第２内周接続部９２ＡのＸ方向の寸法ＨＤ４が小さくなることによって第２コイル２２のＸ方向の寸法を小さくすることができる。
この構成によれば、第２内周接続部９２ＡのＸ方向の寸法ＨＤ４が小さくなることによって第２コイル２２のＸ方向の寸法を小さくすることができる。
【0191】
（６）第１接続部８０Ａは、平面視において第１配線層８１と重なる部分を有し、第１コイル２１の第１内周端部２１Ａに接続される第１接続配線層８２と、第１接続配線層８２と第１配線層８１とを接続する第１内周ビア８３と、第１パッド５７Ａと第１配線層８１とを接続する第１外周ビア８４と、を含む。第１接続配線層８２は、第１内周ビア８３が接続される第１内周接続部８２Ａと、第１内周接続部８２Ａから第１内周端部２１Ａに向けてＸ方向に延びる第１延設部８２Ｂと、を含む。第１内周接続部８２ＡのＹ方向の寸法ＨＢ１は、第１延設部８２ＢのＹ方向の寸法ＨＢ３と等しい。
【0192】
この構成によれば、第１内周接続部８２Ａにおいて第１内周ビア８３が接続される領域を確保しつつも第１内周接続部８２ＡのＹ方向の寸法ＨＢ１を小さくすることができる。したがって、第１コイル２１のＹ方向の寸法を小さくすることができる。
【0193】
（７）平面視において、第１内周接続部８２ＡのＸ方向の寸法ＨＢ４は、第１パッド５７ＡのＸ方向の寸法ＰＸ１よりも小さい。
この構成によれば、第１内周接続部８２ＡのＸ方向の寸法ＨＢ４が小さくなることによって第１コイル２１のＸ方向の寸法を小さくすることができる。
この構成によれば、第１内周接続部８２ＡのＸ方向の寸法ＨＢ４が小さくなることによって第１コイル２１のＸ方向の寸法を小さくすることができる。
【0194】
（８）平面視において、第１内周接続部８２Ａおよび第２内周接続部９２Ａは、Ｘ方向において並んでいる。
この構成によれば、第１内周接続部８２Ａおよび第２内周接続部９２ＡがＹ方向に並んだ構成と比較して、第１コイル２１および第２コイル２２のＹ方向の寸法を小さくすることができる。
この構成によれば、第１内周接続部８２Ａおよび第２内周接続部９２ＡがＹ方向に並んだ構成と比較して、第１コイル２１および第２コイル２２のＹ方向の寸法を小さくすることができる。
【0195】
（９）Ｘ方向における第１内周接続部８２Ａと第２内周接続部９２Ａとの間の最短距離は、Ｚ方向における第１コイル２１と第２コイル２２との間の距離ＤＣ以上である。
この構成によれば、Ｘ方向における第１内周接続部８２Ａと第２内周接続部９２Ａとの間の距離に起因するトランスチップ５０の耐圧の低下を抑制することができる。
この構成によれば、Ｘ方向における第１内周接続部８２Ａと第２内周接続部９２Ａとの間の距離に起因するトランスチップ５０の耐圧の低下を抑制することができる。
【0196】
（１０）トランスチップ５０は、平面視において、第１コイル２１、第２コイル２２、第１パッド５７Ａ，５７Ｂ、および第２パッド５８Ａ，５８Ｂを囲む環状に形成された導電性のシールリング５９を備える。平面視において、第２パッド５８Ａ（５８Ｂ）とシールリング５９との間の最短距離は、第１パッド５７Ａ（５７Ｂ）とシールリング５９との間の最短距離よりも大きい。この構成によれば、第２パッド５８Ａとシールリング５９との間の耐圧に起因してトランスチップ５０の耐圧が低下することを抑制することができる。ここで、第２パッド５８Ａ（５８Ｂ）とシールリング５９との間の最短距離は、第２パッド５８Ａ（５８Ｂ）とシールリング５９とのＸ方向の間の距離によって定義できる。第１パッド５７Ａ（５７Ｂ）とシールリング５９との間の最短距離は、第１パッド５７Ａ（５７Ｂ）とシールリング５９とのＸ方向の間の距離によって定義できる。
【0197】
（１１）第１コイル２１は、素子絶縁層５２のうち素子絶縁層５２のＺ方向の中央よりも裏面５２Ｂ寄りに配置されている。
この構成によれば、素子絶縁層５２内に設けられた第１コイル２１と第２コイル２２とのＺ方向の間の距離を大きくとることができる。したがって、トランスチップ５０の耐圧の向上を図ることができる。
この構成によれば、素子絶縁層５２内に設けられた第１コイル２１と第２コイル２２とのＺ方向の間の距離を大きくとることができる。したがって、トランスチップ５０の耐圧の向上を図ることができる。
【0198】
（１２）第２コイル２２は、複数の絶縁膜のうち表面５２Ａを構成する最上層の絶縁膜に接した状態で当該絶縁膜によって覆われている。
この構成によれば、素子絶縁層５２内に設けられた第１コイル２１と第２コイル２２とのＺ方向の間の距離を大きくとることができる。したがって、トランスチップ５０の耐圧の向上を図ることができる。
この構成によれば、素子絶縁層５２内に設けられた第１コイル２１と第２コイル２２とのＺ方向の間の距離を大きくとることができる。したがって、トランスチップ５０の耐圧の向上を図ることができる。
【0199】
＜変更例＞
上記各実施形態は例えば以下のように変更することができる。上記各実施形態と以下の各変更例は、技術的な矛盾が生じない限り、互いに組み合わせることができる。なお、以下の変更例において、上記各実施形態と共通する部分については、上記各実施形態と同一符号を付し、その説明を省略する。
上記各実施形態は例えば以下のように変更することができる。上記各実施形態と以下の各変更例は、技術的な矛盾が生じない限り、互いに組み合わせることができる。なお、以下の変更例において、上記各実施形態と共通する部分については、上記各実施形態と同一符号を付し、その説明を省略する。
【0200】
［トランスチップの変更例］
・第１パッド５７Ａ，５７Ｂ、第２パッド５８Ａ，５８Ｂ、第３パッド５７Ｃ、および第４パッド５８Ｃの数はそれぞれ任意に変更可能である。一例では、第１パッド５７Ａは複数設けられていてよい。第１パッド５７Ｂは複数設けられていてよい。第２パッド５８Ａは複数設けられていてよい。第２パッド５８Ｂは複数設けられていてよい。第３パッド５７Ｃは複数設けられていてよい。第４パッド５８Ｃは複数設けられていてよい。
・第１パッド５７Ａ，５７Ｂ、第２パッド５８Ａ，５８Ｂ、第３パッド５７Ｃ、および第４パッド５８Ｃの数はそれぞれ任意に変更可能である。一例では、第１パッド５７Ａは複数設けられていてよい。第１パッド５７Ｂは複数設けられていてよい。第２パッド５８Ａは複数設けられていてよい。第２パッド５８Ｂは複数設けられていてよい。第３パッド５７Ｃは複数設けられていてよい。第４パッド５８Ｃは複数設けられていてよい。
【0201】
図１６に示すように、第１例では、トランスチップ５０は、２つの第１パッド５７Ａを構成する第１電極層１２１を含む。第１電極層１２１は、Ｚ方向を厚さ方向とする矩形平板状に形成されている。平面視において第１電極層１２１は、Ｙ方向が長手方向となり、Ｘ方向が短手方向となる長方形状に形成されている。第１電極層１２１は、素子絶縁層５２上に設けられている。第１電極層１２１は、表面側絶縁層５３によって覆われている。表面側絶縁層５３は、第１電極層１２１を露出するように設けられた２つの第１開口部５３Ａを含む。２つの第１開口部５３Ａは、Ｘ方向において互いに揃った位置でＹ方向において互いに離隔して形成されている。このように、第１電極層１２１のうち２つの第１開口部５３Ａから露出した部分がそれぞれ第１パッド５７Ａを構成している。つまり、２つの第１パッド５７Ａは、Ｘ方向において互いに揃った位置でＹ方向において互いに離隔して形成されている。
【0202】
トランスチップ５０は、２つの第２パッド５８Ａを構成する第２電極層１２２を含む。第２電極層１２２は、Ｚ方向を厚さ方向とする矩形平板状に形成されている。平面視において第２電極層１２２は、Ｙ方向が長手方向となり、Ｘ方向が短手方向となる長方形状に形成されている。第２電極層１２２は、素子絶縁層５２上に設けられている。第２電極層１２２は、表面側絶縁層５３によって覆われている。表面側絶縁層５３は、第２電極層１２２を露出するように設けられた２つの第２開口部５３Ｂを含む。２つの第２開口部５３Ｂは、Ｘ方向において互いに揃った位置でＹ方向において互いに離隔して形成されている。このように、第２電極層１２２のうち２つの第２開口部５３Ｂから露出した部分がそれぞれ第２パッド５８Ａを構成している。つまり、２つの第２パッド５８Ａは、Ｘ方向において互いに揃った位置でＹ方向において互いに離隔して形成されている。
【0203】
トランスチップ５０は、２つの第３パッド５７Ｃを構成する第３電極層１２３を含む。第３電極層１２３は、Ｚ方向を厚さ方向とする矩形平板状に形成されている。平面視において第３電極層１２３は、Ｙ方向が長手方向となり、Ｘ方向が短手方向となる長方形状に形成されている。第３電極層１２３は、素子絶縁層５２上に設けられている。第３電極層１２３は、表面側絶縁層５３によって覆われている。表面側絶縁層５３は、第３電極層１２３が露出するように設けられた２つの第３開口部５３Ｃを含む。２つの第３開口部５３Ｃは、Ｘ方向において互いに揃った位置でＹ方向において互いに離隔して形成されている。このように、第３電極層１２３のうち２つの第３開口部５３Ｃから露出した部分がそれぞれ第３パッド５７Ｃを構成している。つまり、２つの第３パッド５７Ｃは、Ｘ方向において互いに揃った位置でＹ方向において互いに離隔して形成されている。
【0204】
トランスチップ５０は、２つの第４パッド５８Ｃを構成する第４電極層１２４を含む。第４電極層１２４は、Ｚ方向を厚さ方向とする矩形平板状に形成されている。平面視において第４電極層１２４は、Ｙ方向が長手方向となり、Ｘ方向が短手方向となる長方形状に形成されている。第４電極層１２４は、素子絶縁層５２上に設けられている。第４電極層１２４は、表面側絶縁層５３によって覆われている。表面側絶縁層５３は、第４電極層１２４が露出するように設けられた２つの第３開口部５３Ｃを含む。２つの第３開口部５３Ｃは、Ｘ方向において互いに揃った位置でＹ方向において互いに離隔して形成されている。このように、第４電極層１２４のうち２つの第３開口部５３Ｃから露出した部分がそれぞれ第４パッド５８Ｃを構成している。つまり、２つの第４パッド５８Ｃは、Ｘ方向において互いに揃った位置でＹ方向において互いに離隔して形成されている。なお、２つの第１パッド５７Ｂおよび２つの第２パッド５８Ｂの構成は、２つの第１パッド５７Ａおよび２つの第２パッド５８Ａの構成と同じである。
【0205】
・第１パッド５７ＡのＸ方向の位置は任意に変更可能である。一例では、図１７に示すように、第１パッド５７Ａは、平面視における第１パッド５７Ａとシールリング５９とのＸ方向の間の距離ＤＳ１が平面視における第２パッド５８Ａとシールリング５９とのＸ方向の間の距離ＤＳ２と等しくなるような位置に配置されていてもよい。
【0206】
・第１接続部８０Ａ，８０Ｂの構成は任意に変更可能である。一例では、図１８に示すように、第１接続部８０Ａの第１配線層８１は、Ｚ方向において第２コイル２２に対して第１コイル２１とは反対側に配置されている。一例では、第１配線層８１は、素子絶縁層５２の表面５２Ａ上に配置されている。図１８の例では、第１配線層８１は、Ｚ方向において第１パッド５７Ａと同じ位置に配置されている。また、図１８の例では、第１配線層８１は、第１パッド５７Ａと一体化されている。
【0207】
第１接続部８０Ａは、上記実施形態と同様に第１接続配線層８２および第１内周ビア８３を含む一方、上記実施形態とは異なり、第１外周ビア８４を含んでいない。第１接続配線層８２の構成は、上記実施形態の第１接続配線層８２と同じである。第１内周ビア８３は、上記実施形態の第１内周ビア８３とは異なり、Ｚ方向において第１接続配線層８２から素子絶縁層５２の表面５２Ａに向けて延びている。第１内周ビア８３は、第１接続配線層８２と表面５２ＡとのＺ方向の間の素子絶縁層５２をＺ方向に貫通している。第１内周ビア８３は、第１配線層８１と第１接続配線層８２とをＺ方向において接続している。
【0208】
第１内周ビア８３は、第１ビア８３Ａ、中間配線層８３Ｂ、および第２ビア８３Ｃを含む。中間配線層８３Ｂは、Ｚ方向において第２コイル２２と同じ位置に配置されている。第１ビア８３Ａは、第１接続配線層８２と中間配線層８３Ｂとを電気的に接続している。第２ビア８３Ｃは、中間配線層８３Ｂと第１配線層８１とを電気的に接続している。第１ビア８３Ａは、例えばＹ方向において互いに離隔して複数配列されている。第２ビア８３Ｃは、例えばＹ方向において互いに離隔して複数配列されている。
【0209】
・第２接続部９０Ａ，９０Ｂの構成は任意に変更可能である。一例では、図１８に示すように、第２接続部９０Ａの第２配線層９１は、Ｚ方向において第２コイル２２に対して第１コイル２１とは反対側に配置されている。一例では、第２配線層９１は、素子絶縁層５２の表面５２Ａ上に配置されている。一例では、第２配線層９１は、Ｚ方向において第１配線層８１と同じ位置に配置されている。一例では、第２配線層９１は、Ｚ方向において第２パッド５８Ａと同じ位置に配置されている。また、図１８の例では、第２配線層９１は、第２パッド５８Ａと一体化されている。
【0210】
第２接続部９０Ａは、上記実施形態と同様に第２接続配線層９２および第２内周ビア９３を含む一方、上記実施形態とは異なり、第１外周ビア８４を含んでいない。第２接続配線層９２の構成は、上記実施形態の第２接続配線層９２と同じである。第２内周ビア９３は、上記実施形態の第２内周ビア９３とは異なり、Ｚ方向において第２接続配線層９２から保護層５４に向けて延びている。第２内周ビア９３は、第２接続配線層９２と第２配線層９１とをＺ方向において接続している。
【0211】
・第１コイル２１は、Ｘ方向が短手方向となり、Ｙ方向が長手方向となる環状に形成されていてもよい。
・第２コイル２２は、Ｘ方向が短手方向となり、Ｙ方向が長手方向となる環状に形成されていてもよい。
・第２コイル２２は、Ｘ方向が短手方向となり、Ｙ方向が長手方向となる環状に形成されていてもよい。
【0212】
・平面視における第１コイル２１および第２コイル２２の形状は任意に変更可能である。一例では、第１コイル２１は、平面視において円環状に形成されていてもよい。第２コイル２２は、平面視において円環状に形成されていてもよい。また別の例では、第１コイル２１は、平面視において矩形環状に形成されていてもよい。第２コイル２２は、平面視において矩形環状に形成されていてもよい。
【0213】
・Ｚ方向における第２コイル２２の配置位置は任意に変更可能である。一例では、第２コイル２２は、素子絶縁層５２の複数の絶縁膜のうち最上層の絶縁膜を貫通するように設けられていてもよい。この場合、第２コイル２２は、表面側絶縁層５３によって覆われている。より詳細には、第２コイル２２は、保護層５４によって覆われている。
【0214】
・Ｘ方向における第３パッド５７Ｃの配置位置は任意に変更可能である。一例では、第３パッド５７Ｃは、Ｘ方向において第１パッド５７Ａ，５７Ｂと異なる位置に配置されていてもよい。
【0215】
・Ｘ方向における第４パッド５８Ｃの配置位置は任意に変更可能である。一例では、第４パッド５８Ｃは、Ｘ方向において第２パッド５８Ａ，５８Ｂと異なる位置に配置されていてもよい。
【0216】
・Ｘ方向における第３パッド５７Ｃと第４パッド５８Ｃとの間の距離ＤＱ（図４参照）は、任意に変更可能である。一例では、距離ＤＱは、Ｘ方向における第１パッド５７Ａと第２パッド５８Ａとの間の距離ＤＰよりも小さくてもよい。また、距離ＤＱは、Ｘ方向における第１パッド５７Ｂと第２パッド５８Ｂとの間の距離ＤＰよりも小さくてもよい。
【0217】
・複数の第１内周ビア８３の配置態様は任意に変更可能である。一例では、複数の第１内周ビア８３は、Ｘ方向において互いに離隔して配列されていてもよい。また一例では、複数の第１内周ビア８３は、Ｘ方向およびＹ方向の双方において互いに離隔して配列されていてもよい。
【0218】
・複数の第２内周ビア９３の配置態様は任意に変更可能である。一例では、複数の第２内周ビア９３は、Ｘ方向において互いに離隔して配列されていてもよい。また一例では、複数の第２内周ビア９３は、Ｘ方向およびＹ方向の双方において互いに離隔して配列されていてもよい。
【0219】
・第３接続部１００の構成は任意に変更可能である。一例では、第２外周配線層１０２は、Ｚ方向において第１外周配線層１０１と同じ位置であってもよい。この場合、第２外周配線層１０２は、第１外周配線層１０１に直接的に接続されてもよい。これにより、第３接続部１００から第１外周ビア１０３が省略される。
【0220】
・第４接続部１１０の構成は任意に変更可能である。一例では、第４外周配線層１１２は、Ｚ方向において第３外周配線層１１１と同じ位置であってもよい。この場合、第４外周配線層１１２は、第３外周配線層１１１に直接的に接続されてもよい。これにより、第４接続部１１０から第３外周ビア１１３が省略される。
【0221】
・表面側絶縁層５３から保護層５４およびパッシベーション層５５のいずれかを省略してもよい。一例では、表面側絶縁層５３から保護層５４が省略された場合、パッシベーション層５５は素子絶縁層５２と接するように素子絶縁層５２上に形成される。一例では、表面側絶縁層５３からパッシベーション層５５が省略された場合、樹脂層５６は保護層５４と接するように保護層５４上に形成される。
【0222】
・第１パッド５７Ａ，５７Ｂの構成は任意に変更可能である。一例では、第１パッド５７Ａ，５７Ｂは、第１接続部８０Ａ，８０Ｂの第２中間配線層８４Ｄと接するように形成されていてもよい。この場合、第１接続部８０Ａ，８０Ｂから第３ビア８４Ｅが省略される。
【0223】
・第２パッド５８Ａ，５８Ｂの構成は任意に変更可能である。一例では、第２パッド５８Ａ，５８Ｂは、第２接続部９０Ａ，９０Ｂの第２中間配線層９４Ｄと接するように形成されていてもよい。この場合、第２接続部９０Ａ，９０Ｂの第３ビア９４Ｅが省略される。
【0224】
・第３パッド５７Ｃの構成は任意に変更可能である。一例では、第３パッド５７Ｃは、第３接続部１００の第２中間配線層１０４Ｄと接するように形成されていてもよい。この場合、第３接続部１００から第３ビア１０４Ｅが省略される。
【0225】
・第４パッド５８Ｃの構成は任意に変更可能である。一例では、第４パッド５８Ｃは、第４接続部１１０の第２中間配線層１１４Ｄと接するように形成されていてもよい。この場合、第４接続部１１０から第３ビア１１４Ｅが省略される。
【0226】
・シールリング５９と基板５１とを電気的に接続するビア５９Ａを省略してもよい。この場合、シールリング５９は、例えば電気的にフローティング状態となる。
・第３接続部１００と基板５１とを電気的に接続するビア１０５を省略してもよい。
・第３接続部１００と基板５１とを電気的に接続するビア１０５を省略してもよい。
【0227】
・トランスチップ５０から表面側絶縁層５３を省略してもよい。
・トランスチップ５０から樹脂層５６を省略してもよい。
・トランスチップ５０からシールリング５９を省略してもよい。
・トランスチップ５０から樹脂層５６を省略してもよい。
・トランスチップ５０からシールリング５９を省略してもよい。
【0228】
［信号伝達装置の変更例］
・トランスチップ５０の配置構成は任意に変更可能である。一例では、トランスチップ５０は、第２ダイパッド７１に配置されていてもよい。この場合、第２ダイパッド７１には、トランスチップ５０および第２チップ４０の双方が配置されている。
・トランスチップ５０の配置構成は任意に変更可能である。一例では、トランスチップ５０は、第２ダイパッド７１に配置されていてもよい。この場合、第２ダイパッド７１には、トランスチップ５０および第２チップ４０の双方が配置されている。
【0229】
・図１９に示すように、トランスチップ５０が１次側回路１３を含んでいてもよい。より詳細には、１次側回路１３は、例えば基板５１に設けられている。図１９に示すトランスチップ５０は、第１接続部８０Ａ（図８参照）に代えて、第１回路接続部１４０および第２回路接続部１５０を含む。第１回路接続部１４０は、第１パッド５７Ａと１次側回路１３とを電気的に接続している。第２回路接続部１５０は、トランス１５Ａの第１コイル２１の第１内周端部２１Ａ（図６参照）と１次側回路１３とを電気的に接続している。
【0230】
図示していないが、トランスチップ５０は、第１接続部８０Ｂ（図４参照）に代えて、第１回路接続部１４０および第２回路接続部１５０を含む。第１回路接続部１４０は、第１パッド５７Ｂ（図４参照）と１次側回路１３とを電気的に接続している。第２回路接続部１５０は、トランス１５Ｂの第１コイル２１の第１内周端部２１Ａ（図６参照）と１次側回路１３とを電気的に接続している。
【0231】
２つの第１回路接続部１４０および２つの第２回路接続部１５０は、例えば素子絶縁層５２に設けられている。トランス１５Ａ，１５Ｂに対応する第１回路接続部１４０は、平面視においてトランス１５Ａ，１５Ｂの第１コイル２１および第２コイル２２よりも外方に配置されている。トランス１５Ａに対応する第２回路接続部１５０は、平面視においてトランス１５Ａの内側領域２３に配置されている。トランス１５Ｂに対応する第２回路接続部１５０は、平面視においてトランス１５Ｂの内側領域２３に配置されている。各第１回路接続部１４０および各第２回路接続部１５０は、例えば配線層およびビアを含む。この場合、複数の第１電極パッド５７は、第１リードフレーム６０の複数の第１リード６２（図２参照）に複数のワイヤＷ５によって個別に電気的に接続されている。
【0232】
・図２０に示すように、トランスチップ５０が２次側回路１４を含んでいてもよい。より詳細には、２次側回路１４は、例えば基板５１に設けられている。図２０に示すトランスチップ５０は、第１接続部８０Ａ（図８参照）に代えて、第３回路接続部１６０および第４回路接続部１７０を含む。第３回路接続部１６０は、第１パッド５７Ａと２次側回路１４とを電気的に接続している。第４回路接続部１７０は、トランス１５Ａの第１コイル２１の第１内周端部２１Ａ（図６参照）と２次側回路１４とを電気的に接続している。つまり、図２０に示すトランスチップ５０は、上記実施形態とは異なり、トランス１５Ａの第２コイル２２が１次側回路１３と電気的に接続されており、トランス１５Ａの第１コイル２１が２次側回路１４と電気的に接続されている。
【0233】
図示していないが、トランスチップ５０は、第１接続部８０Ｂ（図４参照）に代えて、第３回路接続部１６０および第４回路接続部１７０を含む。第３回路接続部１６０は、第１パッド５７Ｂ（図４参照）と２次側回路１４とを電気的に接続している。第４回路接続部１７０は、トランス１５Ｂの第１コイル２１の第１内周端部２１Ａ（図６参照）と２次側回路１４とを電気的に接続している。このため、トランスチップ５０は、トランス１５Ｂの第２コイル２２が１次側回路１３と電気的に接続されており、トランス１５Ｂの第１コイル２１が２次側回路１４と電気的に接続されている。
【0234】
２つの第３回路接続部１６０および２つの第４回路接続部１７０は、例えば素子絶縁層５２に設けられている。トランス１５Ａ，１５Ｂに対応する第３回路接続部１６０は、平面視においてトランス１５Ａ，１５Ｂの第１コイル２１および第２コイル２２よりも外方に配置されている。トランス１５Ａに対応する第４回路接続部１７０は、平面視においてトランス１５Ａの内側領域２３に配置されている。トランス１５Ｂに対応する第４回路接続部１７０は、平面視においてトランス１５Ｂの内側領域２３に配置されている。この場合、複数の第２電極パッド５８は、第２リードフレーム７０の複数の第２リード７２（図２参照）に複数のワイヤＷ６によって個別に電気的に接続されている。複数の第２電極パッド５８は、第１チップ３０の複数の第２電極パッド３４に複数のワイヤＷ２によって個別に電気的に接続されている。
【0235】
・信号伝達装置１０は、例えば複数のトランスチップを備えていてよい。一例では、図２１に示すように、信号伝達装置１０は、２つのトランスチップ５０を備えていてよい。ここで、便宜上、２つのトランスチップ５０を「第１トランスチップ５０Ｐ」および「第２トランスチップ５０Ｑ」とする。第１トランスチップ５０Ｐは、第１リードフレーム６０の第１ダイパッド６１に配置されている。第２トランスチップ５０Ｑは、第２リードフレーム７０の第２ダイパッド７１に配置されている。このように、第１ダイパッド６１には第１トランスチップ５０Ｐおよび第１チップ３０の双方が配置され、第２ダイパッド７１には第２トランスチップ５０Ｑおよび第２チップ４０の双方が配置されている。
【0236】
第１トランスチップ５０Ｐは、第１チップ３０に対して第２チップ４０寄りに配置されている。第２トランスチップ５０Ｑは、第２チップ４０に対して第１チップ３０寄りに配置されている。このため、第１リードフレーム６０の第１リード６２から第２リードフレーム７０の第２リード７２に向けて、第１チップ３０、第１トランスチップ５０Ｐ、第２トランスチップ５０Ｑ、および第２チップ４０の順に配置されている。
【0237】
第１チップ３０と第１トランスチップ５０Ｐとは複数のワイヤＷ２によって電気的に接続されている。第２チップ４０と第２トランスチップ５０Ｑとは複数のワイヤＷ３によって電気的に接続されている。複数のワイヤＷ２による第１チップ３０と第１トランスチップ５０Ｐとの接続態様は上記実施形態の複数のワイヤＷ２による第１チップ３０とトランスチップ５０の接続態様と同じである。複数のワイヤＷ３は、第２トランスチップ５０Ｑの複数の第１電極パッド５７と第２チップ４０の複数の第１電極パッド４３とを個別に電気的に接続している。このため、第２トランスチップ５０Ｑの第１コイル２１は、第２チップ４０の２次側回路１４と電気的に接続されている。
【0238】
第１トランスチップ５０Ｐと第２トランスチップ５０Ｑとは、複数のワイヤＷ７によって電気的に接続されている。より詳細には、第１トランスチップ５０Ｐの複数の第２電極パッド５８は、第２トランスチップ５０Ｑの複数の第２電極パッド５８と複数のワイヤＷ７によって個別に接続されている。これにより、第１トランスチップ５０Ｐの第２コイル２２と第２トランスチップ５０Ｑの第２コイル２２とが電気的に接続されている。
【0239】
この構成によれば、第１チップ３０と第２チップ４０との間を、第１トランスチップ５０Ｐおよび第２トランスチップ５０Ｑによる二重絶縁構造によって絶縁しているため、１つのトランスチップによって第１チップ３０と第２チップ４０とを絶縁する構成と比較して、信号伝達装置１０の絶縁耐圧の向上を図ることができる。
【0240】
加えて、第１チップ３０および第２チップ４０とは別に第１トランスチップ５０Ｐおよび第２トランスチップ５０Ｑがそれぞれ設けられているため、異なる第１チップ３０および第２チップ４０に対して共通のトランスチップを用いることができる。これにより、第１チップ３０および第２チップ４０の少なくとも一方が異なる複数種類の信号伝達装置１０を製造する場合に製造コストを低減することができる。
【0241】
・トランスチップ５０は、各実施形態の信号伝達装置１０以外にも適用可能である。
第１例では、トランスチップ５０は、例えば１次側回路モジュールに適用されてもよい。１次側回路モジュールは、第１チップ３０と、トランスチップ５０と、これらチップ３０，５０を封止する封止樹脂と、を備える。また１次側回路モジュールは、第１チップ３０およびトランスチップ５０の双方が配置された第１ダイパッド６１を備える。この場合、１次側回路モジュールは「絶縁モジュール」に対応している。なお、図１９に示すように、トランスチップ５０が１次側回路１３を含む構成であってもよい。この場合、第１チップ３０は省略される。
第１例では、トランスチップ５０は、例えば１次側回路モジュールに適用されてもよい。１次側回路モジュールは、第１チップ３０と、トランスチップ５０と、これらチップ３０，５０を封止する封止樹脂と、を備える。また１次側回路モジュールは、第１チップ３０およびトランスチップ５０の双方が配置された第１ダイパッド６１を備える。この場合、１次側回路モジュールは「絶縁モジュール」に対応している。なお、図１９に示すように、トランスチップ５０が１次側回路１３を含む構成であってもよい。この場合、第１チップ３０は省略される。
【0242】
第２例では、トランスチップ５０は、例えば２次側回路モジュールに適用されてもよい。２次側回路モジュールは、第２チップ４０と、トランスチップ５０と、これらチップ４０，５０を封止する封止樹脂と、を備える。また２次側回路モジュールは、第２チップ４０およびトランスチップ５０が配置された第２ダイパッド７１を備える。この場合、２次側回路モジュールは「絶縁モジュール」に対応している。
【0243】
第３例では、トランスチップ５０がモジュール化されてもよい。つまり、絶縁モジュールは、トランスチップ５０と、トランスチップ５０を封止する封止樹脂と、を備える。また、絶縁モジュールは、トランスチップ５０が配置されたダイパッドを備える。
【0244】
・上記第１例～第３例に基づいて、信号伝達装置１０の構成は以下のように変更してもよい。
一例では、信号伝達装置１０は、上記１次側回路モジュールと第２チップ４０とを備えていてもよい。この場合、第２チップ４０が第２ダイパッド７１に配置され、第２ダイパッド７１および第２チップ４０の双方が封止樹脂によって封止されたモジュールによって構成されていてもよい。つまり、このモジュールは、１次側回路モジュールとは別に設けられている。信号伝達装置１０は、１次側回路モジュールと上記モジュールとを備える。
一例では、信号伝達装置１０は、上記１次側回路モジュールと第２チップ４０とを備えていてもよい。この場合、第２チップ４０が第２ダイパッド７１に配置され、第２ダイパッド７１および第２チップ４０の双方が封止樹脂によって封止されたモジュールによって構成されていてもよい。つまり、このモジュールは、１次側回路モジュールとは別に設けられている。信号伝達装置１０は、１次側回路モジュールと上記モジュールとを備える。
【0245】
また一例では、信号伝達装置１０は、上記２次側回路モジュールと第１チップ３０とを備えていてもよい。この場合、第１チップ３０が第１ダイパッド６１に配置され、第１ダイパッド６１および第１チップ３０の双方が封止樹脂によって封止されたモジュールによって構成されていてもよい。つまり、このモジュールは、２次側回路モジュールとは別に設けられている。信号伝達装置１０は、２次側回路モジュールと上記モジュールとを備える。
【0246】
また一例では、信号伝達装置１０は、絶縁モジュールと、第１チップ３０と、第２チップ４０と、を備えていてもよい。この場合、第１チップ３０が第１ダイパッド６１に配置され、第１ダイパッド６１および第１チップ３０の双方が封止樹脂によって封止された第１モジュールによって構成されていてもよい。第２チップ４０が第２ダイパッド７１に配置され、第２ダイパッド７１および第２チップ４０の双方が封止樹脂によって封止された第２モジュールによって構成されていてもよい。つまり、第１モジュール、第２モジュール、および絶縁モジュールは、互いに個別に設けられている。信号伝達装置１０は、第１モジュール、第２モジュール、および絶縁モジュールを備える。
【0247】
・上記各実施形態では、信号伝達装置１０は、１次側回路１３から２次側回路１４にセット信号およびリセット信号が伝達されたが、これに限られない。一例では、信号伝達装置１０は、２次側回路１４から１次側回路１３に信号が伝達されてもよい。一例では、信号伝達装置１０は、１次側回路１３から２次側回路１４に信号が伝達され、２次側回路１４から１次側回路１３から信号が伝達されるような双方向に信号が伝達されてもよい。
【0248】
本明細書に記載の様々な例のうち１つまたは複数を、技術的に矛盾しない範囲で組み合わせることができる。
本開示における「第１」、「第２」、「第３」等の用語は、単に対象物を区別するために用いられており、対象物を順位づけするものではない。
本開示における「第１」、「第２」、「第３」等の用語は、単に対象物を区別するために用いられており、対象物を順位づけするものではない。
【0249】
本明細書において、「ＡおよびＢのうち少なくとも１つ」とは、「Ａのみ、または、Ｂのみ、またはＡおよびＢの両方」を意味するものとして理解されるべきである。
本開示で使用される「～上に」という用語は、文脈によって明らかにそうでないことが示されない限り、「～上に」と「～の上方に」の意味を含む。したがって、例えば「第１要素が第２要素上に配置される」という表現は、或る実施形態では第１要素が第２要素に接触して第２要素上に直接配置され得るが、他の実施形態では第１要素が第２要素に接触することなく第２要素の上方に配置され得ることが意図される。すなわち、「～上に」という用語は、第１要素と第２要素との間に他の要素が形成される構造を排除しない。
本開示で使用される「～上に」という用語は、文脈によって明らかにそうでないことが示されない限り、「～上に」と「～の上方に」の意味を含む。したがって、例えば「第１要素が第２要素上に配置される」という表現は、或る実施形態では第１要素が第２要素に接触して第２要素上に直接配置され得るが、他の実施形態では第１要素が第２要素に接触することなく第２要素の上方に配置され得ることが意図される。すなわち、「～上に」という用語は、第１要素と第２要素との間に他の要素が形成される構造を排除しない。
【0250】
本開示で使用されるＺ方向は必ずしも鉛直方向である必要はなく、鉛直方向に完全に一致している必要もない。したがって、本開示による種々の構造は、本明細書で説明されるＺ方向の「上」および「下」が鉛直方向の「上」および「下」であることに限定されない。例えばＸ方向が鉛直方向であってもよく、またはＹ方向が鉛直方向であってもよい。
【0251】
＜付記＞
本開示から把握できる技術的思想を以下に記載する。なお、限定する意図ではなく理解の補助のため、付記に記載される構成要素には、上記実施形態中の対応する構成要素の参照符号が付されている。参照符号は、理解の補助のために例として示すものであり、各付記に記載された構成要素は、参照符号で示される構成要素に限定されるべきではない。
本開示から把握できる技術的思想を以下に記載する。なお、限定する意図ではなく理解の補助のため、付記に記載される構成要素には、上記実施形態中の対応する構成要素の参照符号が付されている。参照符号は、理解の補助のために例として示すものであり、各付記に記載された構成要素は、参照符号で示される構成要素に限定されるべきではない。
【0252】
［付記１］
厚さ方向（Ｚ方向）において互いに反対側を向く表面（５２Ａ）および裏面（５２Ｂ）を含む絶縁層（５２）と、
前記絶縁層（５２）内において前記裏面（５２Ｂ）寄りに配置され、前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て環状に形成された第１コイル（２１）と、
前記絶縁層（５２）内において前記表面（５２Ａ）寄りに配置され、前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て環状に形成され、前記第１コイル（２１）と対向する第２コイル（２２）と、
前記表面（５２Ａ）に形成された第１パッド（５７Ａ）と、
前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て前記表面（５２Ａ）のうち前記第１パッド（５７Ａ）と第１方向（Ｘ方向）に離隔した位置に形成された第２パッド（５８Ａ）と、
前記第１コイル（２１）と前記第１パッド（５７Ａ）とを電気的に接続する第１接続部（８０Ａ）と、
前記第２コイル（２２）と前記第２パッド（５８Ａ）とを電気的に接続する第２接続部（９０Ａ）と、
を備え、
前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て、前記第１コイル（２１）および前記第２コイル（２２）の各々は、その全体が前記第１方向（Ｘ方向）における前記第１パッド（５７Ａ）と前記第２パッド（５８Ａ）との間に位置するように配置され、
前記第１接続部（８０Ａ）は、前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て、前記第１コイル（２１）の第１内周端部（２１Ａ）から前記第１コイル（２１）と交差するように延びる第１配線層（８１）を含み、
前記第２接続部（９０Ａ）は、前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て、前記第２コイル（２２）の第２内周端部（２２Ａ）から前記第２コイル（２２）と交差するように延びる第２配線層（９１）を含む
トランスチップ（５０）。
厚さ方向（Ｚ方向）において互いに反対側を向く表面（５２Ａ）および裏面（５２Ｂ）を含む絶縁層（５２）と、
前記絶縁層（５２）内において前記裏面（５２Ｂ）寄りに配置され、前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て環状に形成された第１コイル（２１）と、
前記絶縁層（５２）内において前記表面（５２Ａ）寄りに配置され、前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て環状に形成され、前記第１コイル（２１）と対向する第２コイル（２２）と、
前記表面（５２Ａ）に形成された第１パッド（５７Ａ）と、
前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て前記表面（５２Ａ）のうち前記第１パッド（５７Ａ）と第１方向（Ｘ方向）に離隔した位置に形成された第２パッド（５８Ａ）と、
前記第１コイル（２１）と前記第１パッド（５７Ａ）とを電気的に接続する第１接続部（８０Ａ）と、
前記第２コイル（２２）と前記第２パッド（５８Ａ）とを電気的に接続する第２接続部（９０Ａ）と、
を備え、
前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て、前記第１コイル（２１）および前記第２コイル（２２）の各々は、その全体が前記第１方向（Ｘ方向）における前記第１パッド（５７Ａ）と前記第２パッド（５８Ａ）との間に位置するように配置され、
前記第１接続部（８０Ａ）は、前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て、前記第１コイル（２１）の第１内周端部（２１Ａ）から前記第１コイル（２１）と交差するように延びる第１配線層（８１）を含み、
前記第２接続部（９０Ａ）は、前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て、前記第２コイル（２２）の第２内周端部（２２Ａ）から前記第２コイル（２２）と交差するように延びる第２配線層（９１）を含む
トランスチップ（５０）。
【0253】
［付記２］
前記厚さ方向（Ｚ方向）から視た前記第１コイル（２１）および前記第２コイル（２２）の各々の前記第１方向（Ｘ方向）の寸法（ＬＸ１，ＬＸ２）は、前記第１パッド（５７Ａ）と前記第２パッド（５８Ａ）との前記第１方向（Ｘ方向）の間の距離（ＤＰ）の２／３以下である
付記１に記載のトランスチップ。
前記厚さ方向（Ｚ方向）から視た前記第１コイル（２１）および前記第２コイル（２２）の各々の前記第１方向（Ｘ方向）の寸法（ＬＸ１，ＬＸ２）は、前記第１パッド（５７Ａ）と前記第２パッド（５８Ａ）との前記第１方向（Ｘ方向）の間の距離（ＤＰ）の２／３以下である
付記１に記載のトランスチップ。
【0254】
［付記３］
前記第１配線層（８１）は、前記第１コイル（２１）よりも前記裏面（５２Ｂ）寄りに配置されており、
前記第２配線層（９１）は、前記厚さ方向（Ｚ方向）において前記第１配線層（８１）と同じ位置に配置されている
付記１または２に記載のトランスチップ。
前記第１配線層（８１）は、前記第１コイル（２１）よりも前記裏面（５２Ｂ）寄りに配置されており、
前記第２配線層（９１）は、前記厚さ方向（Ｚ方向）において前記第１配線層（８１）と同じ位置に配置されている
付記１または２に記載のトランスチップ。
【0255】
［付記４］
前記第２接続部（９０Ａ）は、
前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て前記第２配線層（９１）と重なる部分を有し、前記第２内周端部（２２Ａ）に接続される第２接続配線層（９２）と、
前記第２接続配線層（９２）と前記第２配線層（９１）とを接続する第２内周ビア（９３）と、
前記第２パッド（５８Ａ）と前記第２配線層（９１）とを接続する第２外周ビア（９４）と、
を含む、付記１～３のいずれか１つに記載のトランスチップ。
前記第２接続部（９０Ａ）は、
前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て前記第２配線層（９１）と重なる部分を有し、前記第２内周端部（２２Ａ）に接続される第２接続配線層（９２）と、
前記第２接続配線層（９２）と前記第２配線層（９１）とを接続する第２内周ビア（９３）と、
前記第２パッド（５８Ａ）と前記第２配線層（９１）とを接続する第２外周ビア（９４）と、
を含む、付記１～３のいずれか１つに記載のトランスチップ。
【0256】
［付記５］
前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て前記第１方向（Ｘ方向）と直交する方向を第２方向（Ｙ方向）として、
前記第２接続配線層（９２）は、
前記第２内周ビア（９３）が接続される第２内周接続部（９２Ａ）と、
前記第２内周接続部（９２Ａ）から前記第２内周端部（２２Ａ）に向けて前記第１方向（Ｘ方向）に延びる第２延設部（９２Ｂ）と、
を含み、
前記第２内周接続部（９２Ａ）の前記第２方向（Ｙ方向）の寸法（ＨＤ１）は、前記第２延設部（９２Ｂ）の前記第２方向（Ｙ方向）の寸法（ＨＤ３）と等しい
付記４に記載のトランスチップ。
前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て前記第１方向（Ｘ方向）と直交する方向を第２方向（Ｙ方向）として、
前記第２接続配線層（９２）は、
前記第２内周ビア（９３）が接続される第２内周接続部（９２Ａ）と、
前記第２内周接続部（９２Ａ）から前記第２内周端部（２２Ａ）に向けて前記第１方向（Ｘ方向）に延びる第２延設部（９２Ｂ）と、
を含み、
前記第２内周接続部（９２Ａ）の前記第２方向（Ｙ方向）の寸法（ＨＤ１）は、前記第２延設部（９２Ｂ）の前記第２方向（Ｙ方向）の寸法（ＨＤ３）と等しい
付記４に記載のトランスチップ。
【0257】
［付記６］
前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て、前記第２内周接続部（９２Ａ）の前記第１方向（Ｘ方向）の寸法（ＨＤ４）は、前記第２パッド（５８Ａ）の前記第１方向（Ｘ方向）の寸法（ＰＸ２）よりも小さい
付記５に記載のトランスチップ。
前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て、前記第２内周接続部（９２Ａ）の前記第１方向（Ｘ方向）の寸法（ＨＤ４）は、前記第２パッド（５８Ａ）の前記第１方向（Ｘ方向）の寸法（ＰＸ２）よりも小さい
付記５に記載のトランスチップ。
【0258】
［付記７］
前記第１接続部（８０Ａ）は、
前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て前記第１配線層（８１）と重なる部分を有し、前記第１内周端部（２１Ａ）に接続される第１接続配線層（８２）と、
前記第１接続配線層（８２）と前記第１配線層（８１）とを接続する第１内周ビア（８３）と、
前記第１パッド（５７Ａ）と前記第１配線層（８１）とを接続する第１外周ビア（８４）と、
を含む、付記５または６に記載のトランスチップ。
前記第１接続部（８０Ａ）は、
前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て前記第１配線層（８１）と重なる部分を有し、前記第１内周端部（２１Ａ）に接続される第１接続配線層（８２）と、
前記第１接続配線層（８２）と前記第１配線層（８１）とを接続する第１内周ビア（８３）と、
前記第１パッド（５７Ａ）と前記第１配線層（８１）とを接続する第１外周ビア（８４）と、
を含む、付記５または６に記載のトランスチップ。
【0259】
［付記８］
前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て前記第１方向（Ｘ方向）と直交する方向を第２方向（Ｙ方向）として、
前記第１接続配線層（８２）は、
前記第１内周ビア（８３）が接続される第１内周接続部（８２Ａ）と、
前記第１内周接続部（８２Ａ）から前記第１内周端部（２１Ａ）に向けて前記第１方向（Ｘ方向）に延びる第１延設部（８２Ｂ）と、
を含み、
前記第１内周接続部（８２Ａ）の前記第２方向（Ｙ方向）の寸法（ＨＢ１）は、前記第１延設部（８２Ｂ）の前記第２方向（Ｙ方向）の寸法（ＨＢ３）と等しい
付記７に記載のトランスチップ。
前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て前記第１方向（Ｘ方向）と直交する方向を第２方向（Ｙ方向）として、
前記第１接続配線層（８２）は、
前記第１内周ビア（８３）が接続される第１内周接続部（８２Ａ）と、
前記第１内周接続部（８２Ａ）から前記第１内周端部（２１Ａ）に向けて前記第１方向（Ｘ方向）に延びる第１延設部（８２Ｂ）と、
を含み、
前記第１内周接続部（８２Ａ）の前記第２方向（Ｙ方向）の寸法（ＨＢ１）は、前記第１延設部（８２Ｂ）の前記第２方向（Ｙ方向）の寸法（ＨＢ３）と等しい
付記７に記載のトランスチップ。
【0260】
［付記９］
前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て、前記第１内周接続部（８２Ａ）の前記第１方向（Ｘ方向）の寸法（ＨＢ４）は、前記第１パッド（５７Ａ）の前記第１方向（Ｘ方向）の寸法（ＰＸ１）よりも小さい
付記８に記載のトランスチップ。
前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て、前記第１内周接続部（８２Ａ）の前記第１方向（Ｘ方向）の寸法（ＨＢ４）は、前記第１パッド（５７Ａ）の前記第１方向（Ｘ方向）の寸法（ＰＸ１）よりも小さい
付記８に記載のトランスチップ。
【0261】
［付記１０］
前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て、前記第１接続部（８０Ａ）および前記第２接続部（９０Ａ）は、前記第１方向（Ｘ方向）において並んでいる
付記８または９に記載のトランスチップ。
前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て、前記第１接続部（８０Ａ）および前記第２接続部（９０Ａ）は、前記第１方向（Ｘ方向）において並んでいる
付記８または９に記載のトランスチップ。
【0262】
［付記１１］
前記第１方向（Ｘ方向）における前記第１接続部（８０Ａ）と前記第２接続部（９０Ａ）との間の最短距離（ＤＨ）は、前記厚さ方向（Ｚ方向）における前記第１コイル（２１）と前記第２コイル（２２）との間の距離（ＤＣ）以上である
付記１０に記載のトランスチップ。
前記第１方向（Ｘ方向）における前記第１接続部（８０Ａ）と前記第２接続部（９０Ａ）との間の最短距離（ＤＨ）は、前記厚さ方向（Ｚ方向）における前記第１コイル（２１）と前記第２コイル（２２）との間の距離（ＤＣ）以上である
付記１０に記載のトランスチップ。
【0263】
［付記１２］
前記第１配線層（８１）は、前記厚さ方向（Ｚ方向）において前記第１コイル（２１）に対して前記第２コイル（２２）とは反対側に配置されており、
前記第２配線層（９１）は、前記厚さ方向（Ｚ方向）において前記第１配線層（８１）と同じ位置に配置されている
付記１～１１のいずれか１つに記載のトランスチップ。
前記第１配線層（８１）は、前記厚さ方向（Ｚ方向）において前記第１コイル（２１）に対して前記第２コイル（２２）とは反対側に配置されており、
前記第２配線層（９１）は、前記厚さ方向（Ｚ方向）において前記第１配線層（８１）と同じ位置に配置されている
付記１～１１のいずれか１つに記載のトランスチップ。
【0264】
［付記１３］
前記表面（５２Ａ）上において前記第１パッド（５７Ａ）とは別に設けられ、前記第１コイル（２１）と電気的に接続された第３パッド（５７Ｃ）と、
前記表面（５２Ａ）上において前記第２パッド（５８Ａ）とは別に設けられ、前記第２コイル（２２）と電気的に接続された第４パッド（５８Ｃ）と、
を備え、
前記第３パッド（５７Ｃ）および前記第４パッド（５８Ｃ）の双方は、前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て前記第１コイル（２１）および前記第２コイル（２２）よりも外方に配置されている
付記１～１２のいずれか１つに記載のトランスチップ。
前記表面（５２Ａ）上において前記第１パッド（５７Ａ）とは別に設けられ、前記第１コイル（２１）と電気的に接続された第３パッド（５７Ｃ）と、
前記表面（５２Ａ）上において前記第２パッド（５８Ａ）とは別に設けられ、前記第２コイル（２２）と電気的に接続された第４パッド（５８Ｃ）と、
を備え、
前記第３パッド（５７Ｃ）および前記第４パッド（５８Ｃ）の双方は、前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て前記第１コイル（２１）および前記第２コイル（２２）よりも外方に配置されている
付記１～１２のいずれか１つに記載のトランスチップ。
【0265】
［付記１４］
前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て前記第１方向（Ｘ方向）と直交する方向を第２方向（Ｙ方向）として、
前記第３パッド（５７Ｃ）は、前記第１方向（Ｘ方向）において前記第１パッド（５７Ａ）と同じ位置であって前記第２方向（Ｙ方向）において前記第１パッド（５７Ａ）から離隔して配置されており、
前記第４パッド（５８Ｃ）は、前記第１方向（Ｘ方向）において前記第２パッド（５８Ａ）と同じ位置であって前記第２方向（Ｙ方向）において前記第２パッド（５８Ａ）から離隔して配置されている
付記１３に記載のトランスチップ。
前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て前記第１方向（Ｘ方向）と直交する方向を第２方向（Ｙ方向）として、
前記第３パッド（５７Ｃ）は、前記第１方向（Ｘ方向）において前記第１パッド（５７Ａ）と同じ位置であって前記第２方向（Ｙ方向）において前記第１パッド（５７Ａ）から離隔して配置されており、
前記第４パッド（５８Ｃ）は、前記第１方向（Ｘ方向）において前記第２パッド（５８Ａ）と同じ位置であって前記第２方向（Ｙ方向）において前記第２パッド（５８Ａ）から離隔して配置されている
付記１３に記載のトランスチップ。
【0266】
［付記１５］
前記絶縁層（５２）内に設けられ、前記第３パッド（５７Ｃ）と前記第１コイル（２１）とを電気的に接続する第３接続部（１００）と、
前記絶縁層（５２）内に設けられ、前記第４パッド（５８Ｃ）と前記第２コイル（２２）とを電気的に接続する第４接続部（１１０）と、
を含む
付記１３または１４に記載のトランスチップ。
前記絶縁層（５２）内に設けられ、前記第３パッド（５７Ｃ）と前記第１コイル（２１）とを電気的に接続する第３接続部（１００）と、
前記絶縁層（５２）内に設けられ、前記第４パッド（５８Ｃ）と前記第２コイル（２２）とを電気的に接続する第４接続部（１１０）と、
を含む
付記１３または１４に記載のトランスチップ。
【0267】
［付記１６］
前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て前記第１方向（Ｘ方向）と直交する方向を第２方向（Ｙ方向）として、
前記第４接続部（１１０）は、
前記厚さ方向（Ｚ方向）において前記第２コイル（２２）と同じ位置であって、前記第２コイル（２２）の第２外周端部（２２Ｂ）から前記第２方向（Ｙ方向）に延びる第３外周配線層（１１１）と、
前記第２方向（Ｙ方向）において前記第４パッド（５８Ｃ）と同じ位置であって、前記第１方向（Ｘ方向）に延びるとともに前記厚さ方向（Ｚ方向）において前記第３外周配線層（１１１）および前記第４パッド（５８Ｃ）のそれぞれと対向する部分を含む第４外周配線層（１１２）と、
前記第３外周配線層（１１１）と前記第４外周配線層（１１２）とを接続する第３外周ビア（１１３）と、
前記第４外周配線層（１１２）と前記第４パッド（５８Ｃ）とを接続する第４外周ビア（１１４）と、
を含む、付記１５に記載のトランスチップ。
前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て前記第１方向（Ｘ方向）と直交する方向を第２方向（Ｙ方向）として、
前記第４接続部（１１０）は、
前記厚さ方向（Ｚ方向）において前記第２コイル（２２）と同じ位置であって、前記第２コイル（２２）の第２外周端部（２２Ｂ）から前記第２方向（Ｙ方向）に延びる第３外周配線層（１１１）と、
前記第２方向（Ｙ方向）において前記第４パッド（５８Ｃ）と同じ位置であって、前記第１方向（Ｘ方向）に延びるとともに前記厚さ方向（Ｚ方向）において前記第３外周配線層（１１１）および前記第４パッド（５８Ｃ）のそれぞれと対向する部分を含む第４外周配線層（１１２）と、
前記第３外周配線層（１１１）と前記第４外周配線層（１１２）とを接続する第３外周ビア（１１３）と、
前記第４外周配線層（１１２）と前記第４パッド（５８Ｃ）とを接続する第４外周ビア（１１４）と、
を含む、付記１５に記載のトランスチップ。
【0268】
［付記１７］
前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て前記第１方向（Ｘ方向）と直交する方向を第２方向（Ｙ方向）として、
前記第３接続部（１００）は、
前記厚さ方向（Ｚ方向）において前記第１コイル（２１）と同じ位置であって、前記第１コイル（２１）の第１外周端部（２１Ｂ）から前記第２方向（Ｙ方向）に延びる第１外周配線層（１０１）と、
前記第１方向（Ｘ方向）に延び、前記厚さ方向において前記第１外周配線層（１０１）および前記第３パッド（５７Ｃ）のそれぞれと対向する部分を含む第２外周配線層（１０２）と、
前記第１外周配線層（１０１）と前記第２外周配線層（１０２）とを接続する第１外周ビア（１０３）と、
前記第２外周配線層（１０２）と前記第３パッド（５７Ｃ）とを接続する第２外周ビア（１０４）と、
を含む、付記１５または１６に記載のトランスチップ。
前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て前記第１方向（Ｘ方向）と直交する方向を第２方向（Ｙ方向）として、
前記第３接続部（１００）は、
前記厚さ方向（Ｚ方向）において前記第１コイル（２１）と同じ位置であって、前記第１コイル（２１）の第１外周端部（２１Ｂ）から前記第２方向（Ｙ方向）に延びる第１外周配線層（１０１）と、
前記第１方向（Ｘ方向）に延び、前記厚さ方向において前記第１外周配線層（１０１）および前記第３パッド（５７Ｃ）のそれぞれと対向する部分を含む第２外周配線層（１０２）と、
前記第１外周配線層（１０１）と前記第２外周配線層（１０２）とを接続する第１外周ビア（１０３）と、
前記第２外周配線層（１０２）と前記第３パッド（５７Ｃ）とを接続する第２外周ビア（１０４）と、
を含む、付記１５または１６に記載のトランスチップ。
【0269】
［付記１８］
前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て前記第１方向（Ｘ方向）と直交する方向を第２方向（Ｙ方向）として、
前記第１パッド（５７Ａ）および前記第２パッド（５８Ａ）の各々は、複数設けられており、
複数の前記第１パッド（５７Ａ）は、前記第１方向（Ｘ方向）または前記第２方向（Ｙ方向）に並んで配置されており、
複数の前記第２パッド（５８Ａ）は、前記第１方向（Ｘ方向）または前記第２方向（Ｙ方向）に並んで配置されている
付記１～１７のいずれか１つに記載のトランスチップ。
前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て前記第１方向（Ｘ方向）と直交する方向を第２方向（Ｙ方向）として、
前記第１パッド（５７Ａ）および前記第２パッド（５８Ａ）の各々は、複数設けられており、
複数の前記第１パッド（５７Ａ）は、前記第１方向（Ｘ方向）または前記第２方向（Ｙ方向）に並んで配置されており、
複数の前記第２パッド（５８Ａ）は、前記第１方向（Ｘ方向）または前記第２方向（Ｙ方向）に並んで配置されている
付記１～１７のいずれか１つに記載のトランスチップ。
【0270】
［付記１９］
前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て、前記第１コイル（２１）、前記第２コイル（２２）、前記第１パッド（５７Ａ，５７Ｂ）、および前記第２パッド（５８Ａ，５８Ｂ）を囲む環状に形成された導電性のシールリング（５９）を備え、
前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て、前記第２パッド（５８Ａ）と前記シールリング（５９）との間の最短距離（ＤＳ２）は、前記第１パッド（５７Ａ）と前記シールリング（５９）との間の最短距離（ＤＳ１）よりも大きい
付記１～１８のいずれか１つに記載のトランスチップ。
前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て、前記第１コイル（２１）、前記第２コイル（２２）、前記第１パッド（５７Ａ，５７Ｂ）、および前記第２パッド（５８Ａ，５８Ｂ）を囲む環状に形成された導電性のシールリング（５９）を備え、
前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て、前記第２パッド（５８Ａ）と前記シールリング（５９）との間の最短距離（ＤＳ２）は、前記第１パッド（５７Ａ）と前記シールリング（５９）との間の最短距離（ＤＳ１）よりも大きい
付記１～１８のいずれか１つに記載のトランスチップ。
【0271】
［付記２０］
付記１～１９のいずれか１つに記載のトランスチップ（５０）と、
第１回路（１３）と、
前記第１回路（１３）と前記トランスチップ（５０）を介して接続された第２回路（１４）と、
を備え、
前記第１回路（１３）と前記第２回路（１４）とは、前記トランスチップ（５０）を介して信号を伝達するように構成されている
信号伝達装置。
付記１～１９のいずれか１つに記載のトランスチップ（５０）と、
第１回路（１３）と、
前記第１回路（１３）と前記トランスチップ（５０）を介して接続された第２回路（１４）と、
を備え、
前記第１回路（１３）と前記第２回路（１４）とは、前記トランスチップ（５０）を介して信号を伝達するように構成されている
信号伝達装置。
【0272】
［付記２１］
前記第１配線層（８１）は、
前記第１内周ビア（８３）が接続される第１内周ビア接続部（８１Ａ）と、
前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て、前記第１内周ビア接続部（８１Ａ）から前記第１パッド（５７Ａ）に向けて延びる第１パッド延設部（８１Ｃ）と、
を含み、
前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て前記第１方向（Ｘ方向）と直交する方向を第２方向（Ｙ方向）として、
前記第１内周ビア接続部（８１Ａ）の前記第２方向（Ｙ方向）の寸法（ＨＡ１）は、前記第１パッド延設部（８１Ｃ）の前記第２方向（Ｙ方向）の寸法（ＨＡ３）と等しい
付記７～１１のいずれか１つに記載のトランスチップ。
前記第１配線層（８１）は、
前記第１内周ビア（８３）が接続される第１内周ビア接続部（８１Ａ）と、
前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て、前記第１内周ビア接続部（８１Ａ）から前記第１パッド（５７Ａ）に向けて延びる第１パッド延設部（８１Ｃ）と、
を含み、
前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て前記第１方向（Ｘ方向）と直交する方向を第２方向（Ｙ方向）として、
前記第１内周ビア接続部（８１Ａ）の前記第２方向（Ｙ方向）の寸法（ＨＡ１）は、前記第１パッド延設部（８１Ｃ）の前記第２方向（Ｙ方向）の寸法（ＨＡ３）と等しい
付記７～１１のいずれか１つに記載のトランスチップ。
【0273】
［付記２２］
前記第２配線層（９１）は、
前記第２内周ビア（９３）が接続される第２内周ビア接続部（９１Ａ）と、
前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て、前記第２内周ビア接続部（９１Ａ）から前記第２パッド（５８Ａ）に向けて延びる第２パッド延設部（９１Ｃ）と、
を含み、
前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て前記第１方向（Ｘ方向）と直交する方向を第２方向（Ｙ方向）として、
前記第２内周ビア接続部（９１Ａ）の前記第２方向（Ｙ方向）の寸法（ＨＣ１）は、前記第２パッド延設部（９１Ｃ）の前記第２方向（Ｙ方向）の寸法（ＨＣ３）と等しい
付記４～１１のいずれか１つに記載のトランスチップ。
前記第２配線層（９１）は、
前記第２内周ビア（９３）が接続される第２内周ビア接続部（９１Ａ）と、
前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て、前記第２内周ビア接続部（９１Ａ）から前記第２パッド（５８Ａ）に向けて延びる第２パッド延設部（９１Ｃ）と、
を含み、
前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て前記第１方向（Ｘ方向）と直交する方向を第２方向（Ｙ方向）として、
前記第２内周ビア接続部（９１Ａ）の前記第２方向（Ｙ方向）の寸法（ＨＣ１）は、前記第２パッド延設部（９１Ｃ）の前記第２方向（Ｙ方向）の寸法（ＨＣ３）と等しい
付記４～１１のいずれか１つに記載のトランスチップ。
【0274】
［付記２３］
前記第１回路（１３）を含む第１チップ（３０）と、
前記第２回路（１４）を含む第２チップ（４０）と、
を含む、付記２０に記載の信号伝達装置。
前記第１回路（１３）を含む第１チップ（３０）と、
前記第２回路（１４）を含む第２チップ（４０）と、
を含む、付記２０に記載の信号伝達装置。
【0275】
［付記２４］
前記トランスチップ（５０）は、第１トランスチップ（５０Ｐ）および第２トランスチップ（５０Ｑ）を含み、
前記第１トランスチップ（５０Ｐ）の前記第２コイル（２２）は、前記第２トランスチップ（５０Ｑ）の前記第２コイル（２２）と電気的に接続されている
付記２０に記載の信号伝達装置。
前記トランスチップ（５０）は、第１トランスチップ（５０Ｐ）および第２トランスチップ（５０Ｑ）を含み、
前記第１トランスチップ（５０Ｐ）の前記第２コイル（２２）は、前記第２トランスチップ（５０Ｑ）の前記第２コイル（２２）と電気的に接続されている
付記２０に記載の信号伝達装置。
【0276】
［付記２５］
前記第１回路（１３）を含む第１チップ（３０）と、
前記第２回路（１４）を含む第２チップ（４０）と、
前記第１チップ（３０）および前記第１トランスチップ（５０Ｐ）の双方が配置された第１ダイパッド（６１）と、
前記第２チップ（４０）および前記第２トランスチップ（５０Ｑ）の双方が配置された第２ダイパッド（７１）と、
を備える、付記２４に記載の信号伝達装置。
前記第１回路（１３）を含む第１チップ（３０）と、
前記第２回路（１４）を含む第２チップ（４０）と、
前記第１チップ（３０）および前記第１トランスチップ（５０Ｐ）の双方が配置された第１ダイパッド（６１）と、
前記第２チップ（４０）および前記第２トランスチップ（５０Ｑ）の双方が配置された第２ダイパッド（７１）と、
を備える、付記２４に記載の信号伝達装置。
【0277】
［付記２６］
トランスチップ（５０）と、
第１回路（１３）と、
前記第１回路（１３）と前記トランスチップ（５０）を介して接続された第２回路（１４）と、
を備え、
前記第１回路（１３）と前記第２回路（１４）とは、前記トランスチップ（５０）を介して信号を伝達するように構成されており、
前記トランスチップ（５０）は、前記第１回路（１３）を含み、
前記第２回路（１４）は、前記トランスチップ（５０）とは別に設けられており、
前記トランスチップ（５０）は、
厚さ方向（Ｚ方向）において互いに反対側を向く表面（５２Ａ）および裏面（５２Ｂ）を含む絶縁層（５２）と、
前記絶縁層（５２）内において前記裏面（５２Ｂ）寄りに配置され、前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て環状に形成された第１コイル（２１）と、
前記絶縁層（５２）内において前記表面（５２Ａ）寄りに配置され、前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て環状に形成され、前記第１コイル（２１）と対向する第２コイル（２２）と、
前記表面（５２Ａ）に形成された第１パッド（５７Ａ）と、
前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て前記表面（５２Ａ）のうち前記第１パッド（５７Ａ）と第１方向（Ｘ方向）に離隔した位置に形成された第２パッド（５８Ａ）と、
前記第１回路（１３）と前記第１パッド（５７Ａ）とを電気的に接続する第１回路接続部（１４０）と、
前記第２コイル（２２）と前記第２パッド（５８Ａ）とを電気的に接続する第２接続部（８０Ｂ）と、
を備え、
前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て、前記第１コイル（２１）および前記第２コイル（２２）の各々は、その全体が前記第１方向（Ｘ方向）における前記第１パッド（５７Ａ）と前記第２パッド（５８Ａ）との間に位置するように配置され、
前記第２接続部（９０Ａ）は、前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て、前記第２コイル（２２）の第２内周端部（２２Ａ）から前記第２コイル（２２）と交差するように延びる第２配線層（９１）を含む
信号伝達装置（１０）。
トランスチップ（５０）と、
第１回路（１３）と、
前記第１回路（１３）と前記トランスチップ（５０）を介して接続された第２回路（１４）と、
を備え、
前記第１回路（１３）と前記第２回路（１４）とは、前記トランスチップ（５０）を介して信号を伝達するように構成されており、
前記トランスチップ（５０）は、前記第１回路（１３）を含み、
前記第２回路（１４）は、前記トランスチップ（５０）とは別に設けられており、
前記トランスチップ（５０）は、
厚さ方向（Ｚ方向）において互いに反対側を向く表面（５２Ａ）および裏面（５２Ｂ）を含む絶縁層（５２）と、
前記絶縁層（５２）内において前記裏面（５２Ｂ）寄りに配置され、前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て環状に形成された第１コイル（２１）と、
前記絶縁層（５２）内において前記表面（５２Ａ）寄りに配置され、前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て環状に形成され、前記第１コイル（２１）と対向する第２コイル（２２）と、
前記表面（５２Ａ）に形成された第１パッド（５７Ａ）と、
前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て前記表面（５２Ａ）のうち前記第１パッド（５７Ａ）と第１方向（Ｘ方向）に離隔した位置に形成された第２パッド（５８Ａ）と、
前記第１回路（１３）と前記第１パッド（５７Ａ）とを電気的に接続する第１回路接続部（１４０）と、
前記第２コイル（２２）と前記第２パッド（５８Ａ）とを電気的に接続する第２接続部（８０Ｂ）と、
を備え、
前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て、前記第１コイル（２１）および前記第２コイル（２２）の各々は、その全体が前記第１方向（Ｘ方向）における前記第１パッド（５７Ａ）と前記第２パッド（５８Ａ）との間に位置するように配置され、
前記第２接続部（９０Ａ）は、前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て、前記第２コイル（２２）の第２内周端部（２２Ａ）から前記第２コイル（２２）と交差するように延びる第２配線層（９１）を含む
信号伝達装置（１０）。
【0278】
［付記２７］
前記トランスチップ（５０）は、前記第１コイル（２１）の前記第１内周端部（２１Ａ）と前記第１回路（１３）とを電気的に接続する第２回路接続部（１５０）を含み、
前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て、前記第２回路接続部（１５０）は、前記第１コイル（２１）および前記第２コイル（２２）によって囲まれた内側領域（２３）に配置されている
付記２６に記載の信号伝達装置。
前記トランスチップ（５０）は、前記第１コイル（２１）の前記第１内周端部（２１Ａ）と前記第１回路（１３）とを電気的に接続する第２回路接続部（１５０）を含み、
前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て、前記第２回路接続部（１５０）は、前記第１コイル（２１）および前記第２コイル（２２）によって囲まれた内側領域（２３）に配置されている
付記２６に記載の信号伝達装置。
【0279】
［付記２８］
トランスチップ（５０）と、
第１回路（１３）と、
前記第１回路（１３）と前記トランスチップ（５０）を介して接続された第２回路（１４）と、
を備え、
前記第１回路（１３）と前記第２回路（１４）とは、前記トランスチップ（５０）を介して信号を伝達するように構成されており、
前記トランスチップ（５０）は、前記第２回路（１４）を含み、
前記第１回路（１３）は、前記トランスチップ（５０）とは別に設けられており、
前記トランスチップ（５０）は、
厚さ方向（Ｚ方向）において互いに反対側を向く表面（５２Ａ）および裏面（５２Ｂ）を含む絶縁層（５２）と、
前記絶縁層（５２）内において前記裏面（５２Ｂ）寄りに配置され、前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て環状に形成された第１コイル（２１）と、
前記絶縁層（５２）内において前記表面（５２Ａ）寄りに配置され、前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て環状に形成され、前記第１コイル（２１）と対向する第２コイル（２２）と、
前記表面（５２Ａ）に形成された第１パッド（５７Ａ）と、
前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て前記表面（５２Ａ）のうち前記第１パッド（５７Ａ）と第１方向（Ｘ方向）に離隔した位置に形成された第２パッド（５８Ａ）と、
前記第２回路（１４）と前記第１パッド（５７Ａ）とを電気的に接続する第３回路接続部（１６０）と、
前記第２コイル（２２）と前記第２パッド（５８Ａ）とを電気的に接続する第２接続部（９０Ａ）と、
を備え、
前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て、前記第１コイル（２１）および前記第２コイル（２２）の各々は、その全体が前記第１方向（Ｘ方向）における前記第１パッド（５７Ａ）と前記第２パッド（５８Ａ）との間に位置するように配置され、
前記第２接続部（９０Ａ）は、前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て、前記第２コイル（２２）の第２内周端部（２２Ａ）から前記第２コイル（２２）と交差するように延びる第２配線層（９１）を含む
信号伝達装置（１０）。
トランスチップ（５０）と、
第１回路（１３）と、
前記第１回路（１３）と前記トランスチップ（５０）を介して接続された第２回路（１４）と、
を備え、
前記第１回路（１３）と前記第２回路（１４）とは、前記トランスチップ（５０）を介して信号を伝達するように構成されており、
前記トランスチップ（５０）は、前記第２回路（１４）を含み、
前記第１回路（１３）は、前記トランスチップ（５０）とは別に設けられており、
前記トランスチップ（５０）は、
厚さ方向（Ｚ方向）において互いに反対側を向く表面（５２Ａ）および裏面（５２Ｂ）を含む絶縁層（５２）と、
前記絶縁層（５２）内において前記裏面（５２Ｂ）寄りに配置され、前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て環状に形成された第１コイル（２１）と、
前記絶縁層（５２）内において前記表面（５２Ａ）寄りに配置され、前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て環状に形成され、前記第１コイル（２１）と対向する第２コイル（２２）と、
前記表面（５２Ａ）に形成された第１パッド（５７Ａ）と、
前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て前記表面（５２Ａ）のうち前記第１パッド（５７Ａ）と第１方向（Ｘ方向）に離隔した位置に形成された第２パッド（５８Ａ）と、
前記第２回路（１４）と前記第１パッド（５７Ａ）とを電気的に接続する第３回路接続部（１６０）と、
前記第２コイル（２２）と前記第２パッド（５８Ａ）とを電気的に接続する第２接続部（９０Ａ）と、
を備え、
前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て、前記第１コイル（２１）および前記第２コイル（２２）の各々は、その全体が前記第１方向（Ｘ方向）における前記第１パッド（５７Ａ）と前記第２パッド（５８Ａ）との間に位置するように配置され、
前記第２接続部（９０Ａ）は、前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て、前記第２コイル（２２）の第２内周端部（２２Ａ）から前記第２コイル（２２）と交差するように延びる第２配線層（９１）を含む
信号伝達装置（１０）。
【0280】
［付記２９］
前記トランスチップ（５０）は、前記第１コイル（２１）の前記第１内周端部（２１Ａ）と前記第２回路（１４）とを電気的に接続する第４回路接続部（１７０）を含み、
前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て、前記第４回路接続部（１７０）は、前記第１コイル（２１）および前記第２コイル（２２）によって囲まれた内側領域（２３）に配置されている
付記２８に記載の信号伝達装置。
前記トランスチップ（５０）は、前記第１コイル（２１）の前記第１内周端部（２１Ａ）と前記第２回路（１４）とを電気的に接続する第４回路接続部（１７０）を含み、
前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て、前記第４回路接続部（１７０）は、前記第１コイル（２１）および前記第２コイル（２２）によって囲まれた内側領域（２３）に配置されている
付記２８に記載の信号伝達装置。
【0281】
以上の説明は単に例示である。本開示の技術を説明する目的のために列挙された構成要素および方法（製造プロセス）以外に、より多くの考えられる組み合わせおよび置換が可能であることを当業者は認識し得る。本開示は、特許請求の範囲を含む本開示の範囲内に含まれる全ての代替、変形、および変更を包含することが意図される。
【符号の説明】
【0282】
１０…信号伝達装置
１０Ａ…信号伝達回路
１１…１次側端子
１２…２次側端子
１３…１次側回路（第１回路）
１４…２次側回路（第２回路）
１５，１５Ａ，１５Ｂ…トランス
１６Ａ，１６Ｂ…１次側信号線
１７Ａ，１７Ｂ…２次側信号線
２１…第１コイル
２１Ａ…第１内周端部
２１Ｂ…第１外周端部
２２…第２コイル
２２Ａ…第２内周端部
２２Ｂ…第２外周端部
２３…内側領域
３０…第１チップ
３１…チップ表面
３２…チップ裏面
３３…第１電極パッド
３４…第２電極パッド
３５…第３電極パッド
３６…基板
３７…配線層
４０…第２チップ
４１…チップ表面
４２…チップ裏面
４３…第１電極パッド
４４…第２電極パッド
４５…第３電極パッド
４６…基板
４７…配線層
５０…トランスチップ
５０Ａ…チップ表面
５０Ｂ…チップ裏面
５０Ｐ…第１トランスチップ
５０Ｑ…第２トランスチップ
５１…基板
５１Ａ…基板表面
５１Ｂ…基板裏面
５２…素子絶縁層
５２Ａ…表面
５２Ｂ…裏面
５２Ｃ～５２Ｆ…素子側面
５２Ｐ…第１絶縁膜
５２Ｑ…第２絶縁膜
５３…表面側絶縁層
５３Ａ…第１開口部
５３Ｂ…第２開口部
５３Ｃ…第３開口部
５４…保護層
５５…パッシベーション層
５６…樹脂層
５７…第１電極パッド
５７Ａ，５７Ｂ…第１パッド
５７Ｃ…第３パッド
５８…第２電極パッド
５８Ａ，５８Ｂ…第２パッド
５８Ｃ…第４パッド
５９…シールリング
５９Ａ…ビア
６０…第１リードフレーム
６１…第１ダイパッド
６２…第１リード
７０…第２リードフレーム
７１…第２ダイパッド
７２…第２リード
８０Ａ，８０Ｂ…第１接続部
８１…第１配線層
８１Ａ…第１内周ビア接続部
８１Ｂ…第１外周ビア接続部
８１Ｃ…第１パッド延設部
８２…第１接続配線層
８２Ａ…第１内周接続部
８２Ｂ…第１延設部
８３…第１内周ビア
８３Ａ…第１ビア
８３Ｂ…中間配線層
８３Ｃ…第２ビア
８４…第１外周ビア
８４Ａ…第１ビア
８４Ｂ…第１中間配線層
８４Ｃ…第２ビア
８４Ｄ…第２中間配線層
８４Ｅ…第３ビア
９０Ａ，９０Ｂ…第２接続部
９１…第２配線層
９１Ａ…第２内周ビア接続部
９１Ｂ…第２外周ビア接続部
９１Ｃ…第２パッド延設部
９２…第２接続配線層
９２Ａ…第２内周接続部
９２Ｂ…第２延設部
９３…第２内周ビア
９３Ａ…第１ビア
９３Ｂ…中間配線層
９３Ｃ…第２ビア
９４…第２外周ビア
９４Ａ…第１ビア
９４Ｂ…第１中間配線層
９４Ｃ…第２ビア
９４Ｄ…第２中間配線層
９４Ｅ…第３ビア
１００…第３接続部
１０１…第１外周配線層
１０２…第２外周配線層
１０３…第１外周ビア
１０４…第２外周ビア
１０４Ａ…第１ビア
１０４Ｂ…第１中間配線層
１０４Ｃ…第２ビア
１０４Ｄ…第２中間配線層
１０４Ｅ…第３ビア
１０５…ビア
１１０…第４接続部
１１１…第３外周配線層
１１２…第４外周配線層
１１３…第３外周ビア
１１３Ａ…第１ビア
１１３Ｂ…中間配線層
１１３Ｃ…第２ビア
１１４…第４外周ビア
１１４Ａ…第１ビア
１１４Ｂ…第１中間配線層
１１４Ｃ…第２ビア
１１４Ｄ…第２中間配線層
１１４Ｅ…第３ビア
１２１～１２４…第１～第４電極層
１３０…封止樹脂
１３１～１３４…樹脂側面
１４０…第１回路接続部
１５０…第２回路接続部
１６０…第３回路接続部
１７０…第４回路接続部
Ｗ１～Ｗ７…ワイヤ
ＳＤ…導電性接合材
ＤＣ…第１コイルと第２コイルとの間の距離
ＤＨ…第１配線層と第２配線層との間の最短距離（第２接続部と第１接続部との最短距離）
ＤＰ…第１パッドと第２パッドとのＸ方向の間の距離
ＤＱ…第３パッドと第４パッドとのＸ方向の間の距離
ＤＳ１…第１パッドとシールリングとのＸ方向の間の距離
ＤＳ２…第２パッドとシールリングとのＸ方向の間の距離
ＬＸ１…第１コイルのＸ方向の寸法
ＬＸ２…第２コイルのＸ方向の寸法
ＬＸ３…素子絶縁層のＸ方向の寸法
ＨＡ１…第１内周ビア接続部のＹ方向の寸法
ＨＡ３…第１パッド延設部のＹ方向の寸法
ＨＡ４…第１内周ビア接続部のＸ方向の寸法
ＨＢ１…第１内周接続部のＹ方向の寸法
ＨＢ３…第１延設部のＹ方向の寸法
ＨＢ４…第１内周接続部のＸ方向の寸法
ＨＣ１…第２内周ビア接続部のＹ方向の寸法
ＨＣ３…第２パッド延設部のＹ方向の寸法
ＨＣ４…第２内周ビア接続部のＸ方向の寸法
ＨＤ１…第２内周接続部のＹ方向の寸法
ＨＤ３…第２延設部のＹ方向の寸法
ＨＤ４…第２内周接続部のＸ方向の寸法
ＰＸ１…第１パッドのＸ方向の寸法
ＰＹ１…第１パッドのＹ方向の寸法
ＰＸ２…第２パッドのＸ方向の寸法
ＰＹ２…第２パッドのＹ方向の寸法
１０Ａ…信号伝達回路
１１…１次側端子
１２…２次側端子
１３…１次側回路（第１回路）
１４…２次側回路（第２回路）
１５，１５Ａ，１５Ｂ…トランス
１６Ａ，１６Ｂ…１次側信号線
１７Ａ，１７Ｂ…２次側信号線
２１…第１コイル
２１Ａ…第１内周端部
２１Ｂ…第１外周端部
２２…第２コイル
２２Ａ…第２内周端部
２２Ｂ…第２外周端部
２３…内側領域
３０…第１チップ
３１…チップ表面
３２…チップ裏面
３３…第１電極パッド
３４…第２電極パッド
３５…第３電極パッド
３６…基板
３７…配線層
４０…第２チップ
４１…チップ表面
４２…チップ裏面
４３…第１電極パッド
４４…第２電極パッド
４５…第３電極パッド
４６…基板
４７…配線層
５０…トランスチップ
５０Ａ…チップ表面
５０Ｂ…チップ裏面
５０Ｐ…第１トランスチップ
５０Ｑ…第２トランスチップ
５１…基板
５１Ａ…基板表面
５１Ｂ…基板裏面
５２…素子絶縁層
５２Ａ…表面
５２Ｂ…裏面
５２Ｃ～５２Ｆ…素子側面
５２Ｐ…第１絶縁膜
５２Ｑ…第２絶縁膜
５３…表面側絶縁層
５３Ａ…第１開口部
５３Ｂ…第２開口部
５３Ｃ…第３開口部
５４…保護層
５５…パッシベーション層
５６…樹脂層
５７…第１電極パッド
５７Ａ，５７Ｂ…第１パッド
５７Ｃ…第３パッド
５８…第２電極パッド
５８Ａ，５８Ｂ…第２パッド
５８Ｃ…第４パッド
５９…シールリング
５９Ａ…ビア
６０…第１リードフレーム
６１…第１ダイパッド
６２…第１リード
７０…第２リードフレーム
７１…第２ダイパッド
７２…第２リード
８０Ａ，８０Ｂ…第１接続部
８１…第１配線層
８１Ａ…第１内周ビア接続部
８１Ｂ…第１外周ビア接続部
８１Ｃ…第１パッド延設部
８２…第１接続配線層
８２Ａ…第１内周接続部
８２Ｂ…第１延設部
８３…第１内周ビア
８３Ａ…第１ビア
８３Ｂ…中間配線層
８３Ｃ…第２ビア
８４…第１外周ビア
８４Ａ…第１ビア
８４Ｂ…第１中間配線層
８４Ｃ…第２ビア
８４Ｄ…第２中間配線層
８４Ｅ…第３ビア
９０Ａ，９０Ｂ…第２接続部
９１…第２配線層
９１Ａ…第２内周ビア接続部
９１Ｂ…第２外周ビア接続部
９１Ｃ…第２パッド延設部
９２…第２接続配線層
９２Ａ…第２内周接続部
９２Ｂ…第２延設部
９３…第２内周ビア
９３Ａ…第１ビア
９３Ｂ…中間配線層
９３Ｃ…第２ビア
９４…第２外周ビア
９４Ａ…第１ビア
９４Ｂ…第１中間配線層
９４Ｃ…第２ビア
９４Ｄ…第２中間配線層
９４Ｅ…第３ビア
１００…第３接続部
１０１…第１外周配線層
１０２…第２外周配線層
１０３…第１外周ビア
１０４…第２外周ビア
１０４Ａ…第１ビア
１０４Ｂ…第１中間配線層
１０４Ｃ…第２ビア
１０４Ｄ…第２中間配線層
１０４Ｅ…第３ビア
１０５…ビア
１１０…第４接続部
１１１…第３外周配線層
１１２…第４外周配線層
１１３…第３外周ビア
１１３Ａ…第１ビア
１１３Ｂ…中間配線層
１１３Ｃ…第２ビア
１１４…第４外周ビア
１１４Ａ…第１ビア
１１４Ｂ…第１中間配線層
１１４Ｃ…第２ビア
１１４Ｄ…第２中間配線層
１１４Ｅ…第３ビア
１２１～１２４…第１～第４電極層
１３０…封止樹脂
１３１～１３４…樹脂側面
１４０…第１回路接続部
１５０…第２回路接続部
１６０…第３回路接続部
１７０…第４回路接続部
Ｗ１～Ｗ７…ワイヤ
ＳＤ…導電性接合材
ＤＣ…第１コイルと第２コイルとの間の距離
ＤＨ…第１配線層と第２配線層との間の最短距離（第２接続部と第１接続部との最短距離）
ＤＰ…第１パッドと第２パッドとのＸ方向の間の距離
ＤＱ…第３パッドと第４パッドとのＸ方向の間の距離
ＤＳ１…第１パッドとシールリングとのＸ方向の間の距離
ＤＳ２…第２パッドとシールリングとのＸ方向の間の距離
ＬＸ１…第１コイルのＸ方向の寸法
ＬＸ２…第２コイルのＸ方向の寸法
ＬＸ３…素子絶縁層のＸ方向の寸法
ＨＡ１…第１内周ビア接続部のＹ方向の寸法
ＨＡ３…第１パッド延設部のＹ方向の寸法
ＨＡ４…第１内周ビア接続部のＸ方向の寸法
ＨＢ１…第１内周接続部のＹ方向の寸法
ＨＢ３…第１延設部のＹ方向の寸法
ＨＢ４…第１内周接続部のＸ方向の寸法
ＨＣ１…第２内周ビア接続部のＹ方向の寸法
ＨＣ３…第２パッド延設部のＹ方向の寸法
ＨＣ４…第２内周ビア接続部のＸ方向の寸法
ＨＤ１…第２内周接続部のＹ方向の寸法
ＨＤ３…第２延設部のＹ方向の寸法
ＨＤ４…第２内周接続部のＸ方向の寸法
ＰＸ１…第１パッドのＸ方向の寸法
ＰＹ１…第１パッドのＹ方向の寸法
ＰＸ２…第２パッドのＸ方向の寸法
ＰＹ２…第２パッドのＹ方向の寸法
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】