知財求人 - 知財ポータルサイト「IP Force」
特開2024-173694電子デバイスの接合方法と大量の電子デバイスの移転方法
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024173694
(43)【公開日】2024-12-12
(54)【発明の名称】電子デバイスの接合方法と大量の電子デバイスの移転方法
(51)【国際特許分類】
H01L 21/607 20060101AFI20241205BHJP
H01L 21/60 20060101ALI20241205BHJP
【ＦＩ】
H01L21/607 B
H01L21/60 311Q
【審査請求】有
【請求項の数】37
【出願形態】ＯＬ
【外国語出願】
(21)【出願番号】P 2024069602
(22)【出願日】2024-04-23
(31)【優先権主張番号】112120755
(32)【優先日】2023-06-02
(33)【優先権主張国・地域又は機関】TW
(71)【出願人】
【識別番号】524101641
【氏名又は名称】コアテック オプト コーポレーション
(74)【代理人】
【識別番号】110000877
【氏名又は名称】弁理士法人ＲＹＵＫＡ国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】ティン－ピ イェ
【テーマコード（参考）】
5F044
【Ｆターム（参考）】
5F044KK02
5F044KK03
5F044KK04
5F044KK05
5F044KK06
5F044LL15
5F044MM03
5F044NN03
5F044PP15
5F044PP17
5F044PP19
(57)【要約】 （修正有）
【課題】発光ダイオードなどの多数の部品を基板に接合する電子デバイスの接合方法及び大量の電子デバイスの移転方法を提供する。
【解決手段】レーザ溶接プロセスを利用して電子デバイス２００の電極２２０をターゲット基板１００のパッド１２０に接合させる接合方法であって、加熱装置２０及び／又は超音波振動装置３０を導入し、レーザ溶接時に加熱装置及び／又は超音波振動装置を作動させ、パッドを、３０℃～３００℃に加熱するか、及び／又はこのパッドを２Ｗ～７５０Ｗのパワー及び１５ＫＨｚ～２ＭＨｚの周波数を有する超音波で振動させ、電子デバイスとパッド表面との間に高速摩擦を発生させる。これにより、良好なレーザ溶接を達成するための限界時間を効果的に低減する。
【選択図】図１Ａ
【解決手段】レーザ溶接プロセスを利用して電子デバイス２００の電極２２０をターゲット基板１００のパッド１２０に接合させる接合方法であって、加熱装置２０及び／又は超音波振動装置３０を導入し、レーザ溶接時に加熱装置及び／又は超音波振動装置を作動させ、パッドを、３０℃～３００℃に加熱するか、及び／又はこのパッドを２Ｗ～７５０Ｗのパワー及び１５ＫＨｚ～２ＭＨｚの周波数を有する超音波で振動させ、電子デバイスとパッド表面との間に高速摩擦を発生させる。これにより、良好なレーザ溶接を達成するための限界時間を効果的に低減する。
【選択図】図１Ａ
【特許請求の範囲】
【請求項1】
電子デバイスの接合方法であって、
加熱装置及び／又は超音波振動装置を備える載置台を提供し、
ターゲット基板を提供し、前記ターゲット基板を前記載置台に載置し、前記ターゲット基板は、対向する第１上面と第１下面とを有し、前記第１上面は、接合領域を含み、前記接合領域は、少なくとも１つのパッドを含み、前記載置台の前記加熱装置は作動して前記ターゲット基板の前記接合領域の少なくとも１つのパッドを３０℃～３００℃に加熱し、前記超音波振動装置は作動して前記ターゲット基板の前記接合領域の少なくとも１つのパッドを２Ｗ～７５０Ｗのパワーと１５ＫＨｚ～２ＭＨｚの周波数を有する超音波で振動させ、
電子デバイス本体と少なくとも１つの電極とを備える電子デバイスを提供し、前記電子デバイス本体は、対向する第２上面と第２下面とを有し、前記少なくとも１つの電極は、前記電子デバイス本体の第２下面に形成されて前記電子デバイス本体と電気的に接続され、前記電子デバイスは、前記ターゲット基板の前記接合領域に位置合わせされ、前記少なくとも１つの電極は、前記接合領域内の少なくとも１つのパッドに位置合わせされ、
レーザ光を提供し、前記載置台の前記加熱装置及び／又は前記超音波振動装置は作動して前記電子デバイスを、前記少なくとも１つの電極によって前記レーザ光で、前記ターゲット基板の接合領域の少なくとも１つのパッドに溶接させる、
ステップを含む、電子デバイスの接合方法。
加熱装置及び／又は超音波振動装置を備える載置台を提供し、
ターゲット基板を提供し、前記ターゲット基板を前記載置台に載置し、前記ターゲット基板は、対向する第１上面と第１下面とを有し、前記第１上面は、接合領域を含み、前記接合領域は、少なくとも１つのパッドを含み、前記載置台の前記加熱装置は作動して前記ターゲット基板の前記接合領域の少なくとも１つのパッドを３０℃～３００℃に加熱し、前記超音波振動装置は作動して前記ターゲット基板の前記接合領域の少なくとも１つのパッドを２Ｗ～７５０Ｗのパワーと１５ＫＨｚ～２ＭＨｚの周波数を有する超音波で振動させ、
電子デバイス本体と少なくとも１つの電極とを備える電子デバイスを提供し、前記電子デバイス本体は、対向する第２上面と第２下面とを有し、前記少なくとも１つの電極は、前記電子デバイス本体の第２下面に形成されて前記電子デバイス本体と電気的に接続され、前記電子デバイスは、前記ターゲット基板の前記接合領域に位置合わせされ、前記少なくとも１つの電極は、前記接合領域内の少なくとも１つのパッドに位置合わせされ、
レーザ光を提供し、前記載置台の前記加熱装置及び／又は前記超音波振動装置は作動して前記電子デバイスを、前記少なくとも１つの電極によって前記レーザ光で、前記ターゲット基板の接合領域の少なくとも１つのパッドに溶接させる、
ステップを含む、電子デバイスの接合方法。
【請求項2】
前記ターゲット基板は、半導体基板、セラミック基板、金属基板、ガラス基板、プリント配線板、またはフレキシブルプリント配線板である、請求項１に記載の電子デバイスの接合方法。
【請求項3】
前記フレキシブルプリント配線板は、
フレキシブル絶縁基材と、
前記フレキシブル絶縁基材の表面に形成された回路と、
前記回路を覆う絶縁層と
を含み、
前記パッドは、前記絶縁層の表面に形成され、前記回路と電気的に接続される、
請求項２に記載の電子デバイスの接合方法。
フレキシブル絶縁基材と、
前記フレキシブル絶縁基材の表面に形成された回路と、
前記回路を覆う絶縁層と
を含み、
前記パッドは、前記絶縁層の表面に形成され、前記回路と電気的に接続される、
請求項２に記載の電子デバイスの接合方法。
【請求項4】
前記電子デバイスは、発光ダイオード、レーザダイオード及び半導体素子からなる１つ以上の群から選択される、請求項１に記載の電子デバイスの接合方法。
【請求項5】
前記発光ダイオードが発する光は、赤色光、緑色光、青色光、黄色光、白色光、赤外光または紫外光である、請求項４に記載の電子デバイスの接合方法。
【請求項6】
前記レーザダイオードの波長は３９０ｎｍ～１７００ｎｍである、請求項４に記載の電子デバイスの接合方法。
【請求項7】
前記半導体素子は、プロセッサ、メモリＩＣ、マイクロ素子ＩＣ、論理ＩＣ及びアナログＩＣからなる１つ以上の群から選択される、請求項４に記載の電子デバイスの接合方法。
【請求項8】
前記少なくとも１つの電極及び／又は前記少なくとも１つのパッドの材料は、それぞれ金属、金属合金又は金属酸化物である、請求項１に記載の電子デバイスの接合方法。
【請求項9】
前記少なくとも１つのパッド上および／または前記少なくとも１つの電極上に半田を形成するステップをさらに含み、
前記半田によって、前記電子デバイスの前記少なくとも１つの電極と前記ターゲット基板の少なくとも１つの電極とを間接的に接触させ、前記レーザ光によって前記半田を直接または間接的に加熱して加熱された半田を得、前記加熱された半田によって、前記電子デバイスの少なくとも１つの電極を、前記ターゲット基板の前記接合領域の少なくとも１つのパッドに接合させる、
請求項１に記載の電子デバイスの接合方法。
前記半田によって、前記電子デバイスの前記少なくとも１つの電極と前記ターゲット基板の少なくとも１つの電極とを間接的に接触させ、前記レーザ光によって前記半田を直接または間接的に加熱して加熱された半田を得、前記加熱された半田によって、前記電子デバイスの少なくとも１つの電極を、前記ターゲット基板の前記接合領域の少なくとも１つのパッドに接合させる、
請求項１に記載の電子デバイスの接合方法。
【請求項10】
前記レーザ光の波長は、１９０ｎｍ～１１０００ｎｍである、請求項１に記載の電子デバイスの接合方法。
【請求項11】
前記電子デバイス本体の第２上面に透明または半透明の誘電体層を設けるステップをさらに含み、
前記レーザ光は、前記透明又は半透明の誘電体層を介して前記電子デバイスの上方から前記電子デバイス本体に向けて照射される、
請求項１～１０のいずれか一項に記載の電子デバイスの接合方法。
前記レーザ光は、前記透明又は半透明の誘電体層を介して前記電子デバイスの上方から前記電子デバイス本体に向けて照射される、
請求項１～１０のいずれか一項に記載の電子デバイスの接合方法。
【請求項12】
前記ターゲット基板の第１下面上に透明または半透明の誘電体層を設けるステップをさらに含み、
前記レーザ光は、前記透明又は半透明媒体層を介して前記ターゲット基板の下方から前記ターゲット基板に向けて照射される、
請求項１～１０のいずれか一項に記載の電子デバイスの接合方法。
前記レーザ光は、前記透明又は半透明媒体層を介して前記ターゲット基板の下方から前記ターゲット基板に向けて照射される、
請求項１～１０のいずれか一項に記載の電子デバイスの接合方法。
【請求項13】
大量の電子デバイスの移転方法であって、
加熱装置及び／又は超音波振動装置を備える載置台を提供し、
ターゲット基板を提供し、前記ターゲット基板を載置台に載置し、前記ターゲット基板は、対向する第１上面と第１下面とを有し、前記第１上面は、複数の接合領域を含み、前記接合領域のそれぞれは、少なくとも１つのパッドを含み、前記載置台の前記加熱装置は作動して前記ターゲット基板の前記接合領域のそれぞれの前記少なくとも１つのパッドを３０℃～３００℃に加熱し、前記超音波振動装置は作動して前記ターゲット基板の前記接合領域のそれぞれの前記少なくとも１つのパッドを２Ｗ～７５０Ｗのパワーと１５ＫＨｚ～２ＭＨｚの周波数を有する超音波で振動させ、
前記ターゲット基板の上方に一時的基板を提供し、前記一時的基板上には複数の電子デバイスが形成され、前記電子デバイスのそれぞれは、電子デバイス本体及び少なくとも１つの電極を含み、前記電子デバイス本体は、対向する第２上面と第２下面とを有し、前記少なくとも１つの電極は、前記電子デバイス本体の第２下面に形成されて前記電子デバイス本体と電気的に接続され、前記電子デバイス本体の前記第２下面は、前記ターゲット基板の前記第１上面に向いており、前記電子デバイスは、前記ターゲット基板の前記接合領域にそれぞれ位置合わせされ、前記電子デバイスの前記少なくとも１つの電極は、前記接合領域の前記少なくとも１つのパッドにそれぞれ位置合わせされ、
レーザ光を提供し、前記載置台の前記加熱装置及び／又は前記超音波振動装置は、作動して前記電子デバイスを、前記少なくとも１つの電極によって前記レーザ光で、前記ターゲット基板の前記接合領域の前記少なくとも１つのパッドにそれぞれ溶接させる、
ステップを含む、大量の電子デバイスの移転方法。
加熱装置及び／又は超音波振動装置を備える載置台を提供し、
ターゲット基板を提供し、前記ターゲット基板を載置台に載置し、前記ターゲット基板は、対向する第１上面と第１下面とを有し、前記第１上面は、複数の接合領域を含み、前記接合領域のそれぞれは、少なくとも１つのパッドを含み、前記載置台の前記加熱装置は作動して前記ターゲット基板の前記接合領域のそれぞれの前記少なくとも１つのパッドを３０℃～３００℃に加熱し、前記超音波振動装置は作動して前記ターゲット基板の前記接合領域のそれぞれの前記少なくとも１つのパッドを２Ｗ～７５０Ｗのパワーと１５ＫＨｚ～２ＭＨｚの周波数を有する超音波で振動させ、
前記ターゲット基板の上方に一時的基板を提供し、前記一時的基板上には複数の電子デバイスが形成され、前記電子デバイスのそれぞれは、電子デバイス本体及び少なくとも１つの電極を含み、前記電子デバイス本体は、対向する第２上面と第２下面とを有し、前記少なくとも１つの電極は、前記電子デバイス本体の第２下面に形成されて前記電子デバイス本体と電気的に接続され、前記電子デバイス本体の前記第２下面は、前記ターゲット基板の前記第１上面に向いており、前記電子デバイスは、前記ターゲット基板の前記接合領域にそれぞれ位置合わせされ、前記電子デバイスの前記少なくとも１つの電極は、前記接合領域の前記少なくとも１つのパッドにそれぞれ位置合わせされ、
レーザ光を提供し、前記載置台の前記加熱装置及び／又は前記超音波振動装置は、作動して前記電子デバイスを、前記少なくとも１つの電極によって前記レーザ光で、前記ターゲット基板の前記接合領域の前記少なくとも１つのパッドにそれぞれ溶接させる、
ステップを含む、大量の電子デバイスの移転方法。
【請求項14】
前記ターゲット基板は、半導体基板、セラミック基板、金属基板、ガラス基板、プリント配線板、またはフレキシブルプリント配線板である、請求項１３に記載の大量の電子デバイスの移転方法。
【請求項15】
前記フレキシブルプリント配線板は、
フレキシブル絶縁基材と、
前記フレキシブル絶縁基材の表面に形成された回路と、
前記回路を覆う絶縁層と
を含み、
前記パッドは、前記絶縁層の表面に形成されて前記回路と電気的に接続される、
請求項１４に記載の大量の電子デバイスの移転方法。
フレキシブル絶縁基材と、
前記フレキシブル絶縁基材の表面に形成された回路と、
前記回路を覆う絶縁層と
を含み、
前記パッドは、前記絶縁層の表面に形成されて前記回路と電気的に接続される、
請求項１４に記載の大量の電子デバイスの移転方法。
【請求項16】
前記電子デバイスは、発光ダイオード、レーザダイオード及び半導体素子からなる１つ以上の群から選択される群である、請求項１３に記載の大量の電子デバイスの移転方法。
【請求項17】
前記発光ダイオードが発する光は、赤色光、及び／又は緑色光、及び／又は青色光、及び／又は黄色光、及び／又は白色光、及び／又は赤外光、及び／又は紫外光である、請求項１６に記載の大量の電子デバイスの移転方法。
【請求項18】
前記レーザダイオードの波長は、３９０ｎｍ～１７００ｎｍである、請求項１６に記載の大量の電子デバイスの移転方法。
【請求項19】
前記半導体素子は、プロセッサ、メモリＩＣ、マイクロ素子ＩＣ、論理ＩＣ及びアナログＩＣからなる１つ以上の群から選択される、請求項１６に記載の大量の電子デバイスの移転方法。
【請求項20】
前記電子デバイスの前記少なくとも１つの電極及び／又は前記接合領域の前記少なくとも１つのパッドの材料は、それぞれ、金属、金属合金又は金属酸化物である、請求項１３に記載の大量の電子デバイスの移転方法。
【請求項21】
前記ターゲット基板の接合領域の前記少なくとも１つのパッド上および／または前記電子デバイスの前記少なくとも１つの電極上にそれぞれ半田を形成するステップをさらに含み、
前記半田によって、前記電子デバイスの前記少なくとも１つの電極と前記ターゲット基板の前記接合領域の前記少なくとも１つのパッドとをそれぞれ間接的に接触させ、前記レーザ光によって、前記半田を直接または間接的に加熱して加熱された半田を得、前記加熱された半田にって、前記電子デバイスの前記少なくとも１つの電極を前記ターゲット基板の前記接合領域の前記少なくとも１つのパッドにそれぞれ接合させる、
請求項１３に記載の大量の電子デバイスの移転方法。
前記半田によって、前記電子デバイスの前記少なくとも１つの電極と前記ターゲット基板の前記接合領域の前記少なくとも１つのパッドとをそれぞれ間接的に接触させ、前記レーザ光によって、前記半田を直接または間接的に加熱して加熱された半田を得、前記加熱された半田にって、前記電子デバイスの前記少なくとも１つの電極を前記ターゲット基板の前記接合領域の前記少なくとも１つのパッドにそれぞれ接合させる、
請求項１３に記載の大量の電子デバイスの移転方法。
【請求項22】
前記レーザ光の波長は、１９０ｎｍ～１１０００ｎｍである、請求項１３に記載の大量の電子デバイスの移転方法。
【請求項23】
前記一時的基板は、前記レーザ光が前記一時的基板の上方から前記一時的基板に向けて照射されると同時に、光分解又は熱分解されて除去され、或いは、前記電子デバイスの少なくとも１つの電極が前記ターゲット基板の前記接合領域の前記少なくとも１つのパッドにそれぞれ接合された後、直接剥離されて除去される、
請求項１３に記載の大量の電子デバイスの移転方法。
請求項１３に記載の大量の電子デバイスの移転方法。
【請求項24】
前記一時的基板上に透明または半透明の誘電体層を設けるステップをさらに含み、
前記レーザ光は、前記透明又は半透明の誘電体層を介して前記電子デバイスの上方から前記一時的基板及び前記電子デバイス本体にそれぞれ照射される、
請求項１３～２３のいずれか一項に記載の大量の電子デバイスの移転方法。
前記レーザ光は、前記透明又は半透明の誘電体層を介して前記電子デバイスの上方から前記一時的基板及び前記電子デバイス本体にそれぞれ照射される、
請求項１３～２３のいずれか一項に記載の大量の電子デバイスの移転方法。
【請求項25】
大量の電子デバイスの移転方法であって、
加熱装置及び／又は超音波振動装置を備える載置台を提供し、
ターゲット基板を提供し、前記ターゲット基板を前記載置台に載置し、前記ターゲット基板は、対向する第１上面と第１下面とを有し、前記第１上面は、複数の接合領域を含み、前記接合領域のそれぞれは、少なくとも１つのパッドを含み、前記載置台の前記加熱装置は、作動して前記載置台によって前記ターゲット基板の前記接合領域のそれぞれの少なくとも１つのパッドを３０℃～３００℃に加熱し、前記超音波振動装置は、作動して前記ターゲット基板の前記接合領域のそれぞれ少なくとも１つのパッドを、２Ｗ～７５０Ｗのパワーと１５ＫＨｚ～２ＭＨｚの周波数を有する超音波で振動させ、
前記ターゲット基板の上方に一時的基板を提供し、前記一時的基板上には、複数の電子デバイスが形成され、前記電子デバイスは、電子デバイス本体及び少なくとも１つの電極をそれぞれ含み、前記電子デバイス本体は、対向する第２上面と第２下面とを有し、前記少なくとも１つの電極は、前記電子デバイス本体の第２下面に形成されて前記電子デバイス本体と電気的に接続され、前記電子デバイス本体の前記第２下面は、前記ターゲット基板の前記第１上面に向いており、前記電子デバイスは、前記ターゲット基板の前記接合領域にそれぞれ位置合わせされ、前記電子デバイスの少なくとも１つの電極は、前記接合領域の前記少なくとも１つのパッドにそれぞれ位置合わせされ、
第１レーザ光を提供し、前記載置台の前記加熱装置及び／又は前記超音波振動装置は、作動して前記電子デバイスを前記少なくとも１つの電極によって前記第１レーザ光で前記ターゲット基板の前記接合領域の少なくとも１つのパッドにそれぞれ溶接させる、
ステップを含む、大量の電子デバイスの移転方法。
加熱装置及び／又は超音波振動装置を備える載置台を提供し、
ターゲット基板を提供し、前記ターゲット基板を前記載置台に載置し、前記ターゲット基板は、対向する第１上面と第１下面とを有し、前記第１上面は、複数の接合領域を含み、前記接合領域のそれぞれは、少なくとも１つのパッドを含み、前記載置台の前記加熱装置は、作動して前記載置台によって前記ターゲット基板の前記接合領域のそれぞれの少なくとも１つのパッドを３０℃～３００℃に加熱し、前記超音波振動装置は、作動して前記ターゲット基板の前記接合領域のそれぞれ少なくとも１つのパッドを、２Ｗ～７５０Ｗのパワーと１５ＫＨｚ～２ＭＨｚの周波数を有する超音波で振動させ、
前記ターゲット基板の上方に一時的基板を提供し、前記一時的基板上には、複数の電子デバイスが形成され、前記電子デバイスは、電子デバイス本体及び少なくとも１つの電極をそれぞれ含み、前記電子デバイス本体は、対向する第２上面と第２下面とを有し、前記少なくとも１つの電極は、前記電子デバイス本体の第２下面に形成されて前記電子デバイス本体と電気的に接続され、前記電子デバイス本体の前記第２下面は、前記ターゲット基板の前記第１上面に向いており、前記電子デバイスは、前記ターゲット基板の前記接合領域にそれぞれ位置合わせされ、前記電子デバイスの少なくとも１つの電極は、前記接合領域の前記少なくとも１つのパッドにそれぞれ位置合わせされ、
第１レーザ光を提供し、前記載置台の前記加熱装置及び／又は前記超音波振動装置は、作動して前記電子デバイスを前記少なくとも１つの電極によって前記第１レーザ光で前記ターゲット基板の前記接合領域の少なくとも１つのパッドにそれぞれ溶接させる、
ステップを含む、大量の電子デバイスの移転方法。
【請求項26】
前記ターゲット基板は、半導体ターゲット基板、セラミックターゲット基板、金属ターゲット基板、ガラスターゲット基板、プリント配線板、またはフレキシブルプリント配線板である、請求項２５に記載の大量の電子デバイスの移転方法。
【請求項27】
前記フレキシブルプリント配線板は、
フレキシブル絶縁基材と、
前記フレキシブル絶縁基材の表面に形成された回路と、
前記回路を覆う絶縁層と
を含み、
前記パッドは、前記絶縁層の表面に形成されて前記回路と電気的に接続される、
請求項２６に記載の大量の電子デバイスの移転方法。
フレキシブル絶縁基材と、
前記フレキシブル絶縁基材の表面に形成された回路と、
前記回路を覆う絶縁層と
を含み、
前記パッドは、前記絶縁層の表面に形成されて前記回路と電気的に接続される、
請求項２６に記載の大量の電子デバイスの移転方法。
【請求項28】
前記電子デバイスは、発光ダイオード、レーザダイオード及び半導体素子からなる１つ以上の群から選択される、請求項２５に記載の大量の電子デバイスの移転方法。
【請求項29】
前記発光ダイオードが発する光は、赤色光、及び／又は緑色光、及び／又は青色光、及び／又は黄色光、及び／又は白色光、及び／又は赤外光、及び／又は紫外光である、請求項２８に記載の大量の電子デバイスの移転方法。
【請求項30】
前記レーザダイオードの波長は、３９０ｎｍ～１７００ｎｍである、請求項２８に記載の大量の電子デバイスの移転方法。
【請求項31】
前記半導体素子は、プロセッサ、メモリＩＣ、マイクロ素子ＩＣ、論理ＩＣ及びアナログＩＣからなる１つ以上の群から選択される、請求項２８に記載の大量の電子デバイスの移転方法。
【請求項32】
前記電子デバイスのそれぞれの前記少なくとも１つの電極及び／又は前記接合領域のそれぞれの前記少なくとも１つのパッドの材料は、それぞれ、金属、金属合金又は金属酸化物である、請求項２５に記載の大量の電子デバイスの移転方法。
【請求項33】
前記ターゲット基板の前記接合領域のそれぞれの前記少なくとも１つのパッド上および／または前記電子デバイスのそれぞれの前記少なくとも１つの電極上に半田を形成するステップをさらに含み、
前記半田によって、前記電子デバイスのそれぞれの前記少なくとも１つの電極と前記ターゲット基板の前記接合領域のそれぞれの前記少なくとも１つのパッドとを間接的に接触させ、前記第１レーザ光によって前記半田を直接または間接的に加熱して加熱された半田を得、前記加熱された半田によって、前記電子デバイスのそれぞれの前記少なくとも１つの電極を、前記ターゲット基板の前記接合領域のそれぞれの前記少なくとも１つのパッドに接合させる、
請求項２５に記載の大量の電子デバイスの移転方法。
前記半田によって、前記電子デバイスのそれぞれの前記少なくとも１つの電極と前記ターゲット基板の前記接合領域のそれぞれの前記少なくとも１つのパッドとを間接的に接触させ、前記第１レーザ光によって前記半田を直接または間接的に加熱して加熱された半田を得、前記加熱された半田によって、前記電子デバイスのそれぞれの前記少なくとも１つの電極を、前記ターゲット基板の前記接合領域のそれぞれの前記少なくとも１つのパッドに接合させる、
請求項２５に記載の大量の電子デバイスの移転方法。
【請求項34】
前記一時的基板は、前記電子デバイスが前記少なくとも１つの電極によって前記ターゲット基板の前記接合領域の前記少なくとも１つのパッドにそれぞれ接合された後、第２レーザ光が前記一時的基板の上方から前記一時的基板に照射されて前記一時的基板が光分解または熱分解されて除去され、或いは、前記一時的基板が直接剥離されて除去される、
請求項２５に記載の大量の電子デバイスの移転方法。
請求項２５に記載の大量の電子デバイスの移転方法。
【請求項35】
前記第１レーザ光の波長は、１９０ｎｍ～１１０００ｎｍである、請求項２５に記載の大量の電子デバイスの移転方法。
【請求項36】
前記第２レーザ光の波長は、１９０ｎｍ～１１０００ｎｍである、請求項３４に記載の大量の電子デバイスの移転方法。
【請求項37】
前記ターゲット基板の第１下面上に透明または半透明の誘電体層を設けるステップをさらに含み、
前記第１レーザ光は、前記透明又は半透明の誘電体層を介して前記ターゲット基板の下方から前記ターゲット基板に向けて照射される、請求項２５～３６のいずれか一項に記載の大量の電子デバイスの移転方法。
前記第１レーザ光は、前記透明又は半透明の誘電体層を介して前記ターゲット基板の下方から前記ターゲット基板に向けて照射される、請求項２５～３６のいずれか一項に記載の大量の電子デバイスの移転方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、電子デバイスの接合方法と大量の電子デバイスの移転方法を開示する。
【背景技術】
【0002】
発光ダイオードは、能動発光、高輝度、省エネルギーなどの利点を備えているため、照明、ディスプレイ、プロジェクタなどの技術分野に広く応用されている。マイクロ発光ダイオードディスプレイ（Ｍｉｃｒｏ ＬＥＤ Ｄｉｓｐｌａｙ）は、段々新世代の表示技術となっている。ただ、高密度（ＦＨＤ：Ｆｕｅｌ Ｈｉｇｈ Ｄｅｎｓｉｔｙ）のディスプレイは、１９２０行×１０８０列の約２００万個の画素を有し、各画素は、赤、緑、青という３つのサブピクセル（Ｓｕｂｐｉｘｅｌ）にさらに分けられているため、高密度発光ダイオードディスプレイ（ＦＨＤ ＬＥＤ Ｄｉｓｐｌａｙ）には、合計約６００万個のＬＥＤダイ（Ｄｉｅ）がある。６００万個のダイを切断してディスプレイパネルの基板に貼り付けるには、どのように大量のマイクロ発光ダイオードをディスプレイパネルの基板に正確に移転して固定接合させるという重要な技術が必要となる。
【0003】
従来の電子デバイスの接合方法は、主にリフロー溶接方式を利用して、電子デバイスを錫ペーストで加熱してリフローした後、ターゲット基板に溶接させる。ただし、リフロー溶接方式には、リフロー過程において、熱ムラによる電子デバイスのドリフトや、錫ペースト量の多さによる電子デバイスの短絡や、錫ペースト量の少なさによる空溶接や、リフロー温度の低さによる冷溶接などの欠点がある。
【0004】
また、従来の大量に電子デバイスを移転する方法は、主に静電転送、磁力転送、マイクロ転写及び流体組み立てなどの方法がある。ただし、これらの大量に電子デバイスを移転する方法は、移転速度と良率をさらに向上させる必要がある。
【0005】
本出願人の中華民国特許出願第ＴＷ１１２１２７３７号の明細書には、従来の電子デバイスの接合方法と従来の大量の電子デバイスの移転方法に存在する欠点を改善するために、レーザ溶接を利用した新規な電子デバイスの接合方法と大量の電子デバイスの移転方法が開示されている。しかしながら、レーザ溶接では、通常、一定の温度環境下で行われ、良好なレーザ溶接を達成するには限界時間がある。この限界時間をいかに短縮して生産能力を増加させるかが業界の切実な期待である。
【発明の概要】
【0006】
本発明は、電子デバイスの接合方法を開示し、そのステップは、以下を含む：加熱装置及び／又は超音波振動装置を備える載置台を提供する；ターゲット基板を提供し、当該ターゲット基板を当該載置台に載置し、当該ターゲット基板は、対向する第１上面と第１下面とを有し、当該第１上面は、接合領域を含み、当該接合領域は、少なくとも１つのパッドを含み、当該載置台の当該加熱装置は作動して当該ターゲット基板の当該接合領域の少なくとも１つのパッドを３０℃～３００℃に加熱し、当該超音波振動装置は作動して当該ターゲット基板の当該接合領域の少なくとも１つのパッドを２Ｗ～７５０Ｗのパワーと１５ＫＨｚ～２ＭＨｚの周波数を有する超音波で振動させる；電子デバイス本体と少なくとも１つの電極とを備える電子デバイスを提供し、当該電子デバイス本体は、対向する第２上面と第２下面とを有し、当該少なくとも１つの電極は、当該電子デバイス本体の第２下面に形成されて当該電子デバイス本体と電気的に接続され、当該電子デバイスは、当該ターゲット基板の当該接合領域に位置合わせされ、当該少なくとも１つの電極は、当該接合領域内の少なくとも１つのパッドに位置合わせされる；レーザ光を提供し、当該載置台の当該加熱装置及び／又は当該超音波振動装置は作動して当該電子デバイスを、当該少なくとも１つの電極によって当該レーザ光で、当該ターゲット基板の接合領域の少なくとも１つのパッドに溶接させる。
【0007】
上記の電子デバイスの接合方法において、当該ターゲット基板は、半導体基板、セラミック基板、金属基板、ガラス基板、プリント配線板、またはフレキシブルプリント配線板である。
【0008】
上記の電子デバイスの接合方法において、当該フレキシブルプリント配線板は、フレキシブル絶縁基材と、当該フレキシブル絶縁基材の表面に形成された回路と、当該回路を覆う絶縁層と、を含み、当該パッドは、当該絶縁層の表面に形成され、当該回路と電気的に接続される。
【0009】
上記の電子デバイスの接合方法において、当該電子デバイスは、発光ダイオード、レーザダイオード及び半導体素子からなる１つ以上の群から選択される。
【0010】
上記の電子デバイスの接合方法において、当該発光ダイオードが発する光は、赤色光、緑色光、青色光、黄色光、白色光、赤外光または紫外光である。
【0011】
上記の電子デバイスの接合方法において、当該レーザダイオードの波長は３９０ｎｍ～１７００ｎｍである。
【0012】
上記の電子デバイスの接合方法において、当該半導体素子は、プロセッサ、メモリＩＣ、マイクロ素子ＩＣ、論理ＩＣ及びアナログＩＣからなる１つ以上の群から選択される。
【0013】
上記の電子デバイスの接合方法において、当該少なくとも１つの電極及び／又は当該少なくとも１つのパッドの材料は、それぞれ金属、金属合金又は金属酸化物である。
【0014】
上記の電子デバイスの接合方法において、当該少なくとも１つのパッド上および／または当該少なくとも１つの電極上に半田を形成するステップをさらに含み、当該半田によって、当該電子デバイスの当該少なくとも１つの電極と当該ターゲット基板の少なくとも１つの電極とを間接的に接触させ、当該レーザ光によって当該半田を直接または間接的に加熱して加熱された半田を得、当該加熱された半田によって、当該電子デバイスの少なくとも１つの電極を、当該ターゲット基板の当該接合領域の少なくとも１つのパッドに接合させる。
【0015】
上記の電子デバイスの接合方法において、当該レーザ光の波長は、１９０ｎｍ～１１０００ｎｍである。
【0016】
上記の半導体の接合方法において、当該電子デバイス本体の第２上面に透明または半透明の誘電体層を設けるステップをさらに含み、当該レーザ光は、当該透明又は半透明の誘電体層を介して当該電子デバイスの上方から当該電子デバイス本体に向けて照射される。
【0017】
上記の半導体の接合方法において、当該ターゲット基板の第１下面上に透明または半透明の誘電体層を設けるステップをさらに含み、当該レーザ光は、当該透明又は半透明媒体層を介して当該ターゲット基板の下方から当該ターゲット基板に向けて照射される。
【0018】
本発明は、大量の電子デバイスの移転方法を開示し、そのステップは、以下を含む：加熱装置及び／又は超音波振動装置を備える載置台を提供する；ターゲット基板を提供し、当該ターゲット基板を載置台に載置し、当該ターゲット基板は、対向する第１上面と第１下面とを有し、当該第１上面は、複数の接合領域を含み、当該接合領域は、少なくとも１つのパッドをそれぞれ含み、当該載置台の当該加熱装置は作動して当該ターゲット基板の当該接合領域の当該少なくとも１つのパッドをそれぞれ３０℃～３００℃に加熱し、当該超音波振動装置は作動して当該ターゲット基板の当該接合領域の当該少なくとも１つのパッドのそれぞれを２Ｗ～７５０Ｗのパワーと１５ＫＨｚ～２ＭＨｚの周波数を有する超音波で振動させる；当該ターゲット基板の上方に一時的基板を提供し、当該一時的基板上には複数の電子デバイスが形成され、当該電子デバイスは、電子デバイス本体及び少なくとも１つの電極をそれぞれ含み、当該電子デバイス本体は、対向する第２上面と第２下面とを有し、当該少なくとも１つの電極は、当該電子デバイス本体の第２下面に形成されて当該電子デバイス本体と電気的に接続され、当該電子デバイス本体の当該第２下面は、当該ターゲット基板の当該第１上面に向いており、当該電子デバイスは、当該ターゲット基板の当該接合領域にそれぞれ位置合わせされ、当該電子デバイスの当該少なくとも１つの電極は、当該接合領域の当該少なくとも１つのパッドに位置合わせされる；レーザ光を提供し、当該載置台の当該加熱装置及び／又は当該超音波振動装置は、作動して当該電子デバイスのそれぞれを、当該少なくとも１つの電極によって当該レーザ光で、当該ターゲット基板の当該接合領域の当該少なくとも１つのパッドにそれぞれ溶接させる。
【0019】
上記の大量の電子デバイスの移転方法において、当該ターゲット基板は、半導体基板、セラミック基板、金属基板、ガラス基板、プリント配線板、またはフレキシブルプリント配線板である。
【0020】
上記の大量の電子デバイスの移転方法において、当該フレキシブルプリント配線板は、フレキシブル絶縁基材と、当該フレキシブル絶縁基材の表面に形成された回路と、当該回路を覆う絶縁層と、を含む；当該パッドは、当該絶縁層の表面に形成されて当該回路と電気的に接続される。
【0021】
上記の大量の電子デバイスの移転方法において、当該電子デバイスは、発光ダイオード、レーザダイオード及び半導体素子からなる１つ以上の群から選択される群である。
【0022】
上記の大量の電子デバイスの移転方法において、当該発光ダイオードが発する光は、赤色光、及び／又は緑色光、及び／又は青色光、及び／又は黄色光、及び／又は白色光、及び／又は赤外光、及び／又は紫外光である。
【0023】
上記の大量の電子デバイスの移転方法において、当該レーザダイオードの波長は、３９０ｎｍ～１７００ｎｍである。
【0024】
上記の大量の電子デバイスの移転方法において、当該半導体素子は、プロセッサ、メモリＩＣ、マイクロ素子ＩＣ、論理ＩＣ及びアナログＩＣからなる１つ以上の群から選択される。
【0025】
上記の大量の電子デバイスの移転方法において、当該電子デバイスのそれぞれの当該少なくとも１つの電極及び／又は当該接合領域のそれぞれの当該少なくとも１つのパッドの材料は、それぞれ、金属、金属合金又は金属酸化物である。
【0026】
上記の大量の電子デバイスの移転方法において、当該ターゲット基板の接合領域のそれぞれの当該少なくとも１つのパッド上および／または当該電子デバイスのそれぞれの当該少なくとも１つの電極上に半田を形成するステップをさらに含みる；当該半田によって、当該電子デバイスのそれぞれの当該少なくとも１つの電極と当該ターゲット基板の当該接合領域のそれぞれの当該少なくとも１つのパッドとを間接的に接触させ、当該レーザ光によって、当該半田を直接または間接的に加熱して加熱された半田を得、当該加熱された半田にって、当該電子デバイスのそれぞれの当該少なくとも１つの電極を当該ターゲット基板の当該接合領域のそれぞれの当該少なくとも１つのパッドに接合させる。
【0027】
上記の大量の電子デバイスの移転方法において、当該レーザ光の波長は、１９０ｎｍ～１１０００ｎｍである。
【0028】
上記の大量の電子デバイスの移転方法において、当該一時的基板は、当該レーザ光が当該一時的基板の上方から当該一時的基板に向けて照射されると同時に、光分解又は熱分解されて除去され、或いは、当該電子デバイスの少なくとも１つの電極が当該ターゲット基板の当該接合領域の当該少なくとも１つのパッドにそれぞれ接合された後、直接剥離されて除去される。
【0029】
上記の大量の電子デバイスの移転方法において、当該一時的基板上に透明または半透明の誘電体層を設けるステップをさらに含む；当該レーザ光は、当該透明又は半透明の誘電体層を介して当該電子デバイスの上方から当該一時的基板及び当該電子デバイス本体にそれぞれ照射される。
【0030】
本発明は、別の大量の電子デバイスの移転方法を開示し、そのステップは、以下を含む：加熱装置及び／又は超音波振動装置を備える載置台を提供する；ターゲット基板を提供し、当該ターゲット基板を当該載置台に載置し、当該ターゲット基板は、対向する第１上面と第１下面とを有し、当該第１上面は、複数の接合領域を含み、当該接合領域はそれぞれ、少なくとも１つのパッドを含む；当該ターゲット基板の上方に一時的基板を提供し、当該一時的基板上には、複数の電子デバイスが形成され、当該電子デバイスはそれぞれ、電子デバイス本体及び少なくとも１つの電極を含み、当該電子デバイス本体は、対向する第２上面と第２下面とを有し、当該少なくとも１つの電極は、当該電子デバイス本体の第２下面に形成されて当該電子デバイス本体と電気的に接続され、当該電子デバイス本体の当該第２下面は、当該ターゲット基板の当該第１上面に向いており、当該電子デバイスは、当該ターゲット基板の当該接合領域にそれぞれ位置合わせされ、当該電子デバイスの当該少なくとも１つの電極は、当該接合領域の当該少なくとも１つのパッドにそれぞれ位置合わせされる；当該載置台の当該加熱装置は、作動して当該載置台によって当該ターゲット基板の当該接合領域の少なくとも１つのパッドをそれぞれ３０℃～３００℃に加熱し、当該超音波振動装置は、作動して当該ターゲット基板の当該接合領域の少なくとも１つのパッドをそれぞれ、２Ｗ～７５０Ｗのパワーと１５ＫＨｚ～２ＭＨｚの周波数を有する超音波で振動させる；第１レーザ光を提供し、当該載置台の当該加熱装置及び／又は当該超音波振動装置は、作動して当該電子デバイスを当該少なくとも１つの電極によって当該レーザ光で当該ターゲット基板の当該接合領域の少なくとも１つのパッドにそれぞれ溶接させる。
【0031】
上記の別の大量の電子デバイスの移転方法において、当該ターゲット基板は、半導体ターゲット基板、セラミックターゲット基板、金属ターゲット基板、ガラスターゲット基板、プリント配線板、またはフレキシブルプリント配線板である。
【0032】
上記の別の大量の電子デバイスの移転方法において、当該フレキシブルプリント配線板は、フレキシブル絶縁基材と、当該フレキシブル絶縁基材の表面に形成された回路と、当該回路を覆う絶縁層と、を含む；当該パッドは、当該絶縁層の表面に形成されて当該回路と電気的に接続される。
【0033】
上記の別の大量の電子デバイスの移転方法において、当該電子デバイスは、発光ダイオード、レーザダイオード及び半導体素子からなる１つ以上の群から選択される。
【0034】
上記の別の大量の電子デバイスの移転方法において、当該発光ダイオードが発する光は、赤色光、及び／又は緑色光、及び／又は青色光、及び／又は黄色光、及び／又は白色光、及び／又は赤外光、及び／又は紫外光である。
【0035】
上記の別の大量の電子デバイスの移転方法において、当該レーザダイオードの波長は、３９０ｎｍ～１７００ｎｍである。
【0036】
上記の別の大量の電子デバイスの移転方法において、当該半導体素子は、プロセッサ、メモリＩＣ、マイクロ素子ＩＣ、論理ＩＣ及びアナログＩＣからなる１つ以上の群から選択される。
【0037】
上記の別の大量の電子デバイスの移転方法において、当該電子デバイスのそれそれの当該少なくとも１つの電極及び／又は当該接合領域のそれぞれの当該少なくとも１つのパッドの材料は、それぞれ、金属、金属合金又は金属酸化物である。
【0038】
上記の別の大量の電子デバイスの移転方法において、当該ターゲット基板の当該接合領域のそれそれの当該少なくとも１つのパッド上および／または当該電子デバイスのそれぞれの当該少なくとも１つの電極上に半田を形成するステップをさらに含む；当該半田によって、当該電子デバイスのそれぞれの当該少なくとも１つの電極と当該ターゲット基板の当該接合領域のそれぞれの当該少なくとも１つのパッドとを間接的に接触させ、当該第１レーザ光によって当該半田を直接または間接的に加熱して加熱された半田を得、当該加熱された半田によって、当該電子デバイスのそれぞれの当該少なくとも１つの電極を、当該ターゲット基板の当該接合領域のそれぞれの当該少なくとも１つのパッドに接合させる。
【0039】
上記の別の大量の電子デバイスの移転方法において、当該一時的基板は、当該電子デバイスのそれぞれが当該少なくとも１つの電極によって当該ターゲット基板の当該接合領域のそれぞれの当該少なくとも１つのパッドに接合された後、第２レーザ光が当該一時的基板の上方から当該一時的基板に照射されて当該一時的基板が光分解または熱分解されて除去され、或いは、当該一時的基板が直接剥離されて除去される。
【0040】
上記の別の大量の電子デバイスの移転方法において、当該第１レーザ光の波長は、１９０ｎｍ～１１０００ｎｍである。
【0041】
上記の別の大量の電子デバイスの移転方法において、当該第２レーザ光の波長は、１９０ｎｍ～１１０００ｎｍである。
【0042】
上記の別の大量の電子デバイスの移転方法において、当該ターゲット基板の第１下面上に透明または半透明の誘電体層を設けるステップをさらに含む；当該第１レーザ光は、当該透明又は半透明の誘電体層を介して当該ターゲット基板の下方から当該ターゲット基板に向けて照射される。
【図面の簡単な説明】
【0043】
【0044】
【0045】
【0046】
【0047】
【0048】
【0049】
【0050】
【0051】
【0052】
【0053】
【0054】
【0055】
【0056】
【0057】
【0058】
【0059】
【0060】
【図18A】本発明の実施例１８に係る大量の電子デバイスの移転プロセスの断面概略図である。
【図18B】本発明の実施例１８に係る大量の電子デバイスの移転プロセスの断面概略図である。
【図18C】本発明の実施例１８に係る大量の電子デバイスの移転プロセスの断面概略図である。
【0061】
【図19A】本発明の実施例１９に係る大量の電子デバイスの移転プロセスの断面概略図である。
【図19B】本発明の実施例１９に係る大量の電子デバイスの移転プロセスの断面概略図である。
【図19C】本発明の実施例１９に係る大量の電子デバイスの移転プロセスの断面概略図である。
【0062】
【図20A】本発明の実施例２０に係る大量の電子デバイスの移転プロセスの断面概略図である。
【図20B】本発明の実施例２０に係る大量の電子デバイスの移転プロセスの断面概略図である。
【図20C】本発明の実施例２０に係る大量の電子デバイスの移転プロセスの断面概略図である。
【図20D】本発明の実施例２０に係る大量の電子デバイスの移転プロセスの断面概略図である。
【0063】
【図21A】本発明の実施例２１に係る大量の電子デバイスの移転プロセスの断面概略図である。
【図21B】本発明の実施例２１に係る大量の電子デバイスの移転プロセスの断面概略図である。
【図21C】本発明の実施例２１に係る大量の電子デバイスの移転プロセスの断面概略図である。
【図21D】本発明の実施例２１に係る大量の電子デバイスの移転プロセスの断面概略図である。
【発明を実施するための形態】
【0064】
本発明の開示内容の記述をより詳細かつ完全にするために、以下に本発明の実施形態と具体的な実施例について説明的な説明を提供する。しかし、これは、本発明の具体的な実施例を実施または運用する唯一の形態ではない。以下に開示される各実施例は、有益な場合には互いに組み合わされてもよいし、代替されてもよいし、さらなる記載や説明を必要とせずに、一実施例に他の実施例を付加してもよい。
【0065】
以下の説明では、読者が以下の実施例を十分に理解できるように、多くの特定の詳細を詳細に述べる。しかしながら、本発明に係る実施例は、このような特定の詳細なしで実施することができる。他の場合、図面を簡略化するために、周知の構成や装置は図面に概略的にのみ図示される。
【0066】
実施例
【0067】
実施例１
【0068】
まず、図１Ａを参照する。図１Ａに示すように、加熱装置２０及び／又は超音波振動装置３０を備える載置台１０を提供し、ターゲット基板１００を提供し、このターゲット基板をこの載置台上に載置し、電子デバイス２００を提供する。ターゲット基板１００は、対向する第１上面１００Ａと第１下面１００Ｂとを有する。第１上面１００Ａは、接合領域１１０を含む。この接合領域は、少なくとも１つのパッド１２０を含む。電子デバイス２００は、電子デバイス本体２１０と、少なくとも１つの電極２２０とを有する。この電子デバイス本体２１０は、対向する第２上面２１０Ａと第２下面２１０Ｂを有する。少なくとも１つの電極２２０は、電子デバイス本体２１０の第２下面２１０Ｂ上に形成されて電子デバイス本体２１０と電気的に接続される。電子デバイス２００は、ターゲット基板１００の接合領域１１０に位置合わせされる。少なくとも１つの電極２２０は、接合領域１１０の少なくとも１つのパッド１２０に位置合わせされる。
【0069】
本実施例によれば、ターゲット基板１００は、例えば、半導体基板、セラミック基板、金属基板、ガラス基板、プリント配線板、またはフレキシブルプリント配線板であってもよいが、これらに限定されない。
【0070】
本実施形態によれば、ターゲット基板１００は、フレキシブルプリント配線板を例にして説明される。フレキシブルプリント配線板は、フレキシブル絶縁基材と、このフレキシブル絶縁基材の表面に形成された回路と、この回路を覆う絶縁層とを含んでよい。このパッドは、絶縁層の表面に形成されてこの回路と電気的に接続される。
【0071】
本実施例によれば、電子デバイス２００は、例えば、発光ダイオード、レーザダイオード、または半導体素子であるが、これらに限定されない。ここで、発光ダイオードが発する光は、例えば、赤色光、緑色光、青色光、黄色光、白色光、赤外光または紫外光であるが、これらに限定されない。レーザダイオードの波長は、例えば、３９０ｎｍ～１７００ｎｍであるが、これらに限定されない。半導体素子は、例えば、プロセッサ、メモリＩＣ、マイクロ素子ＩＣ、論理ＩＣ、またはアナログＩＣであるが、これらに限定されない。本実施例１の電子デバイス２００は、発光ダイオードを例に説明される。
【0072】
本実施例によれば、少なくとも１つの電極２２０および／または少なくとも１つのパッド１２０の材料は、それぞれ、例えば、金属、金属合金、または金属酸化物であるが、これらに限定されない。
【0073】
次に、図１Ａ～１Ｂを参照する。図１Ａ～１Ｂに示すように、レーザ光を提供する。このレーザ光の波長は、例えば、１９０ｎｍ～１１０００ｎｍであるが、これらに限定されない。そして、載置台１０の加熱装置２０及び／又は超音波振動装置３０が作動して、電子デバイス２００の上方から電子デバイス本体２１０に向けてレーザ光を照射して、レーザ光を電子デバイス本体２１０の第２上面２１０Ａ、電子デバイス本体２１０内、電子デバイス本体２１０の第２下面２１０Ｂ、少なくとも１つの電極２２０、または少なくとも１つのパッド１２０に集中させて、電子デバイス２００の少なくとも１つの電極２２０とターゲット基板１００の接合領域１１０の少なくとも１つのパッド１２０との間に共晶層（図示せず）を生成させる。さらに、電子デバイス２００を、少なくとも１つの電極２２０によってレーザ光でターゲット基板１００の接合領域１１０の少なくとも１つのパッド１２０に溶接させる。ここで、載置台１０の加熱装置２０と超音波振動装置３０は、単独で又は同時に作動を開始することができる。載置台１０の加熱装置２０は、作動してターゲット基板１００の接合領域１１０の少なくとも１つのパッド１２０を３０℃～３００℃に加熱する。よって、良好なレーザ溶接を達成するための限界時間を効果的に低減する。例えば、１４ｍｓから８ｍｓに低減するが、これに限定されない。一方、超音波発振装置３０は、作動して載置台１０からターゲット基板１００の接合領域１１０の少なくとも１つのパッド１２０に向けて２Ｗ～７５０Ｗのパワーと１５ＫＨｚ～２ＭＨｚの周波数を有する超音波を発信して、この少なくとも１つのパッド１２０を、２Ｗ～７５０Ｗのパワーと１５ＫＨｚ～２ＭＨｚの周波数を有する超音波で振動させる。そして、レーザ溶接プロセスを支援するように、電子デバイス２００とパッド１２０表面との間に高速摩擦を発生させる。よって、良好なレーザ溶接を達成するための限界時間を効果的に低減する。例えば、１４ｍｓから７ｍｓ以下に低減するが、これに限定されない。
【0074】
実施例２
【0075】
まず、図２Ａを参照する。図２Ａに示すように、載置台１０を提供する。載置台１０は、加熱装置２０及び／又は超音波振動装置３０を備えている。そして、ターゲット基板１００を提供する。このターゲット基板１００を載置台１０上に載置する。電子デバイス２００を提供する。このターゲット基板１００と電子デバイス２００の構成は、実施例１で説明したものと同様であるので、ここではこれ以上説明しない。
【0076】
次に、図２Ａ～２Ｂを参照する。図２Ａ～２Ｂに示すように、レーザ光を提供する。このレーザ光の波長は、例えば、１９０ｎｍ～１１０００ｎｍであるが、これらに限定されない。載置台１０の加熱装置２０及び／又は超音波振動装置３０が作動して、ターゲット基板１００の下方からターゲット基板１００に向けてレーザ光を照射して、このレーザ光を、ターゲット基板１００の第１上面１００Ａ、ターゲット基板１００内、ターゲット基板１００の第１下面１００Ｂ、少なくとも１つのパッド１２０、又は少なくとも１つの電極２２０に集中させて、電子デバイス２００の少なくとも１つの電極２２０とターゲット基板１００の接合領域１１０の少なくとも１つのパッド１２０との間に共晶層（図示せず）を生成させる。そして、電子デバイス２００を、少なくとも１つの電極２２０によってレーザ光で、ターゲット基板１００の接合領域１１０の少なくとも１つのパッド１２０に溶接させる。載置台１０の加熱装置２０と音波発振装置３０は、単独でまたは同時に作動を開始することができる。載置台１０の加熱装置２０は、作動してターゲット基板１００の接合領域１１０の少なくとも１つのパッド１２０を３０℃～３００℃に加熱する。よって、良好なレーザ溶接を達成するための限界時間を効果的に低減する。例えば、１４ｍｓから８ｍｓに低減するが、これに限定されない。一方、超音波発振装置３０は、作動して載置台１０からターゲット基板１００の接合領域１１０の少なくとも１つのパッド１２０に向けて２Ｗ～７５０Ｗのパワーと１５ＫＨｚ～２ＭＨｚの周波数を有する超音波を発信して、少なくとも１つのパッド１２０を、２Ｗ～７５０Ｗのパワーと１５ＫＨｚ～２ＭＨｚの周波数を有する超音波で振動させる。そして、レーザ溶接プロセスを支援するように、電子デバイス２００とパッド１２０の表面との間に高速摩擦を発生させる。よって、良好なレーザ溶接を達成するための限界時間を効果的に低減する。例えば、１４ｍｓから７ｍｓ以下に低減するが、これに限定されない。
【0077】
実施例３
【0078】
まず、図３Ａを参照する。図３Ａに示すように、載置台１０を提供する。載置台１０は、加熱装置２０及び／又は超音波振動装置３０を備える。ターゲット基板１００を提供する。このターゲット基板１００を載置台１０上に載置する。電子デバイス２００を提供する。このターゲット基板１００とこの電子デバイス２００の構成は、実施例１で説明したものと同様であり、ここではこれ以上説明しない。また、図３Ａに示すように、少なくとも１つのパッド１２０上および／または少なくとも１つの電極２２０上に半田３００を形成する。この半田３００によって、電子デバイス２００の少なくとも１つの電極２２０とターゲット基板１００の少なくとも１つの電極１２０とを間接的に接触させる。
【0079】
次に、図３Ａ～３Ｂを参照する。図３Ａ～３Ｂに示すように、レーザ光を提供する。このレーザ光の波長は、例えば、１９０ｎｍ～１１０００ｎｍであるが、これらに限定されない。そして、載置台１０の加熱装置２０及び／又は該超音波振動装置３０が作動して、電子デバイス２００の上方から電子デバイス本体２１０に向けてレーザ光を照射して、レーザ光を電子デバイス本体２１０の第２上面２１０Ａ、電子デバイス本体２１０内、電子デバイス本体２１０の第２下面２１０Ｂ、少なくとも１つの電極２２０、半田３００、または少なくとも１つのパッド１２０に集中させて、レーザ光によって半田３００を直接または間接的に加熱して加熱された半田３００'を得る。加熱された半田３００'によって、電子デバイス２００の少なくとも１つの電極２２０をターゲット基板１００の接合領域１１０の少なくとも１つのパッド１２０に接合させる。載置台１０の加熱装置２０と超音波振動装置３０は、単独で又は同時に作動を開始することができる。載置台１０の加熱装置２０は、作動してターゲット基板１００の接合領域１１０の少なくとも１つのパッド１２０を３０℃～３００℃に加熱する。よって、良好なレーザ溶接を達成するための限界時間を効果的に低減する。例えば、１４ｍｓから８ｍｓに低減するが、これに限定されない。一方、超音波発振装置３０は、作動して載置台１０からターゲット基板１００の接合領域１１０の少なくとも１つのパッド１２０に向けて２Ｗ～７５０Ｗのパワーと１５ＫＨｚ～２ＭＨｚの周波数を有する超音波を発信して、少なくとも１つのパッド１２０を、２Ｗ～７５０Ｗのパワーと１５ＫＨｚ～２ＭＨｚの周波数を有する超音波で振動させる。さらに、レーザ溶接プロセスを支援するように、電子デバイス２００と、加熱された半田３００'と、パッド１２０の表面との間に高速摩擦を発生させる。よって、良好なレーザ溶接を達成するための限界時間を効果的に低減する。例えば、１４ｍｓから７ｍｓ以下に低減するが、これに限定されない。
【0080】
実施例４
【0081】
まず、図４Ａを参照する。図４Ａに示すように、載置台１０を提供する。載置台１０は、加熱装置２０及び／又は超音波振動装置３０を備える。ターゲット基板１００を提供する。ターゲット基板１００を載置台１０上に載置する。電子デバイス２００を提供する。ターゲット基板１００と電子デバイス２００の構成は、実施例１で説明したものと同様であり、ここではこれ以上説明しない。また、図４Ａに示すように、少なくとも１つのパッド１２０上及び／又は少なくとも１つの電極２２０上に半田３００を形成する。半田３００によって、電子デバイス２００の少なくとも１つの電極２２０とターゲット基板１００の少なくとも１つの電極１２０とを間接的に接触させる。
【0082】
次に、図４Ａ～４Ｂを参照する。図４Ａ～４Ｂに示すように、レーザ光を提供する。レーザ光の波長は、例えば、１９０ｎｍ～１１０００ｎｍであるが、これらに限定されない。載置台１０の加熱装置２０及び／又は超音波振動装置３０が作動して、ターゲット基板１００の下方からターゲット基板１００に向けてレーザ光を照射して、レーザ光をターゲット基板１００の第１上面１００Ａ、ターゲット基板１００内、ターゲット基板１００の第１下面１００Ｂ、少なくとも１つのパッド１２０、半田３００、又は少なくとも１つの電極２２０に集中させて、レーザ光によって半田３００を直接または間接的に加熱して加熱された半田３００'を得る。加熱された半田３００'によって、電子デバイス２００の少なくとも１つの電極２２０を、ターゲット基板１００の接合領域１１０の少なくとも１つのパッド１２０に接合させる。載置台１０の加熱装置２０と超音波振動装置３０は、単独で又は同時に作動を開始することができる。載置台１０の加熱装置２０は、作動してターゲット基板１００の接合領域１１０の少なくとも１つのパッド１２０を３０℃～３００℃に加熱する。よって、良好なレーザ溶接を達成する限界時間を効果的に低減する。例えば、１４ｍｓから８ｍｓに低減するが、これに限定されない。一方、超音波発振装置３０は、作動して載置台１０からターゲット基板１００の接合領域１１０の少なくとも１つのパッド１２０に向けて２Ｗ～７５０Ｗのパワーと１５ＫＨｚ～２ＭＨｚの周波数を有する超音波を発信して、少なくとも１つのパッド１２０を、２Ｗ～７５０Ｗのパワーと１５ＫＨｚ～２ＭＨｚの周波数を有する超音波で振動させる。さらに、レーザ溶接プロセスを支援するように、電子デバイス２００と、加熱された半田３００'と、パッド１２０の表面との間に高速摩擦を発生させる。よって、良好なレーザ溶接を達成するための限界時間を効果的に低減する。例えば、１４ｍｓから７ｍｓ以下に低減するが、これに限定されない。
【0083】
実施例５
【0084】
図５Ａ～５Ｂを参照する。本実施例５に係る電子デバイスの接合プロセスは、概ね実施例１に係るものと同様であり、差異としては、本実施例５において、さらに、電子デバイス本体２１０の第２上面２１０Ａ上に透明または半透明の誘電体層４００を設けることである。透明又は半透明の誘電体層４００とターゲット基板１００は、載置台１０上に順次載置される。載置台１０の加熱装置２０及び／又は超音波振動装置３０が作動して、電子デバイス２００の上方から電子デバイス本体２１０に向けて透明又は半透明誘電体層４００を介してレーザ光を照射して、レーザ光を、電子デバイス本体２１０の第２上面２１０Ａ、電子デバイス本体２１０内、電子デバイス本体２１０の第２下面２１０Ｂ、少なくとも１つの電極２２０、又は少なくとも１つのパッド１２０に集中させて、電子デバイス２００の少なくとも１つの電極２２０とターゲット基板１００の接合領域１１０の少なくとも１つのパッド１２０との間に共晶層（図示せず）を形成させる。さらに、電子デバイス２００を、少なくとも１つの電極２２０によってレーザ光で、ターゲット基板１００の接合領域１１０の少なくとも１つのパッド１２０に溶接させる。載置台１０の加熱装置２０と超音波振動装置３０は、単独で又は同時に作動を開始することができる。載置台１０の加熱装置２０は、作動してターゲット基板１００の接合領域１１０の少なくとも１つのパッド１２０を３０℃～３００℃に加熱する。よって、良好なレーザ溶接を達成するための限界時間を効果的に低減する。例えば、１４ｍｓから８ｍｓに低減するが、これに限定されない。超音波発振装置３０は、作動して載置台１０からターゲット基板１００の接合領域１１０の少なくとも１つのパッド１２０に向けて２Ｗ～７５０Ｗのパワーと１５ＫＨｚ～２ＭＨｚの周波数を有する超音波を発信して、少なくとも１つのパッド１２０を、２Ｗ～７５０Ｗのパワーと１５ＫＨｚ～２ＭＨｚの周波数を有する超音波で振動させる。さらに、レーザ溶接プロセスを支援するように、電子デバイス２００とパッド１２０の表面との間に高速摩擦を発生させる。よって、良好なレーザ溶接を達成する限界時間を効果的に低減する。例えば、１４ｍｓから７ｍｓ以下に低減するが、これに限定されない。
【0085】
実施例６
【0086】
図６Ａ～６Ｂを参照する。本実施例６に係る電子デバイスの接合プロセスは、概ね実施例２に係るものと同様であり、差異としては、本実施例６において、ターゲット基板１００の第１下面１００Ｂ上に透明または半透明の誘電体層４００を設けるステップをさらに含むことである。透明または半透明の誘電体層４００とターゲット基板１００は、載置台１０上に順次載置される。載置台１０の加熱装置２０及び／又は超音波振動装置３０が作動して、ターゲット基板１００の下方からターゲット基板１００に向けて透明又は半透明誘電体層４００を介してレーザ光を照射して、レーザ光をターゲット基板１００の第１上面１００Ａ、ターゲット基板１００内、ターゲット基板１００の第１下面１００Ｂ、少なくとも１つのパッド１２０、又は少なくとも１つの電極２２０に集中させて、電子デバイス２００の少なくとも１つの電極２２０とターゲット基板１００の接合領域１１０の少なくとも１つのパッド１２０との間に共晶層（図示せず）を生成させる。さらに、電子デバイス２００を、少なくとも１つの電極２２０によってレーザ光で、ターゲット基板１００の接合領域１１０の少なくとも１つのパッド１２０に溶接させる。載置台１０の加熱装置２０と超音波振動装置３０は、単独で又は同時に作動を開始することができる。載置台１０の加熱装置２０は、作動してターゲット基板１００の接合領域１１０の少なくとも１つのパッド１２０を３０℃～３００℃に加熱する。よって、良好なレーザ溶接を達成するための限界時間を効果的に低減する。例えば、１４ｍｓから８ｍｓに低減するが、これに限定されない。超音波発振装置３０は、作動して載置台１０からターゲット基板１００の接合領域１１０の少なくとも１つのパッド１２０に向けて２Ｗ～７５０Ｗのパワーと１５ＫＨｚ～２ＭＨｚの周波数を有する超音波を発信して、少なくとも１つのパッド１２０を、２Ｗ～７５０Ｗのパワーと１５ＫＨｚ～２ＭＨｚの周波数を有する超音波で振動させる。さらに、レーザ溶接プロセスを支援するように、電子デバイス２００とパッド１２０の表面との間に高速摩擦を発生させる。よって、良好なレーザ溶接を達成するための限界時間を効果的に低減する。例えば、１４ｍｓから７ｍｓ以下に低減するが、これに限定されない。
【0087】
実施例７
【0088】
図７Ａ～７Ｂを参照する。本実施例７に係る電子デバイスの接合プロセスは、概ね実施例３に係るものと同様であり、その差異としては、本実施例７において、さらに、電子デバイス本体２１０の第２上面２１０Ａ上に透明または半透明の誘電体層４００を設けることである。透明または半透明の誘電体層４００とターゲット基板１００は、載置台１０上に順位載置される。載置台１０の加熱装置２０及び／又は超音波振動装置３０が作動して、レーザ光を透明または半透明の誘電体層４００を介して電子デバイス２００の上方から電子デバイス本体２１０に照射して、レーザ光を電子デバイス本体２１０の第２上面２１０Ａ、電子デバイス本体２１０内、電子デバイス本体２１０の第２下面２１０Ｂ、半田３００、少なくとも１つの電極２２０、または少なくとも１つのパッド１２０に集中させて、レーザ光によって半田３００を直接または間接的に加熱して加熱された半田３００'を得る。さらに、加熱された半田３００'によって、電子デバイス２００の少なくとも１つの電極２２０を、ターゲット基板１００の接合領域１１０の少なくとも１つのパッド１２０に接合させる。載置台１０の加熱装置２０と超音波振動装置３０は、単独でまたは同時に作動を開始することができる。載置台１０の加熱装置２０は、作動してターゲット基板１００の接合領域１１０の少なくとも１つのパッド１２０を３０℃～３００℃に加熱する。よって、良好なレーザ溶接を達成するための限界時間を効果的に低減する。例えば、１４ｍｓから８ｍｓに低減するが、これに限定されない。そして、超音波振動装置３０は、作動して載置台１０からターゲット基板１００の接合領域１１０の少なくとも１つのパッド１２０に向けて２Ｗ～７５０Ｗのパワーと１５ＫＨｚ～２ＭＨｚの周波数を有する超音波を発信して、少なくとも１つのパッド１２０を、２Ｗ～７５０Ｗのパワーと１５ＫＨｚ～２ＭＨｚの周波数を有する超音波で振動させる。さらに、レーザ溶接プロセスを支援するように、電子デバイス２００とパッド１２０の表面との間に高速摩擦を発生させる。よって、良好なレーザ溶接を達成するための限界時間を効果的に低減する。例えば、１４ｍｓから７ｍｓ以下に低減するが、これに限定されない。
【0089】
実施例８
【0090】
図８Ａ～８Ｂを参照する。本実施例８に係る電子デバイスの接合プロセスは、概ね実施例４に係るものと同様であり、その差異としては、本実施例８において、ターゲット基板１００の第１下面１００Ｂ上に透明または半透明の誘電体層４００を設けるステップをさらに含むことである。透明または半透明の誘電体層４００とターゲット基板１００は、載置台１０上に順位載置される。載置台１０の加熱装置２０及び／又は超音波振動装置３０が作動して、レーザ光を透明又は半透明の誘電体層４００を介してターゲット基板１００の下方からターゲット基板１００に照射して、レーザ光を、ターゲット基板１００の第１上面１００Ａ、ターゲット基板１００内、ターゲット基板１００の第１下面１００Ｂ、少なくとも１つのパッド１２０、半田３００、又は該少なくとも１つの電極２２０に集中させる。レーザ光によって、半田３００を直接または間接的に加熱して加熱された半田３００'を得る。さらに、加熱された半田３００'によって、電子デバイス２００の少なくとも１つの電極２２０を、ターゲット基板１００の接合領域１１０の少なくとも１つのパッド１２０に接合させる。載置台１０の加熱装置２０と超音波振動装置３０は、単独で又は同時に作動を開始することができる。載置台１０の加熱装置２０は、作動してターゲット基板１００の接合領域１１０の少なくとも１つのパッド１２０を３０℃～３００℃に加熱する。よって、良好なレーザ溶接を達成するための限界時間を効果的に低減する。例えば、１４ｍｓから８ｍｓに低減するが、これに限定されない。超音波振動装置３０は、作動して載置台１０からターゲット基板１００の接合領域１１０の少なくとも１つのパッド１２０に向けて２Ｗ～７５０Ｗのパワーと１５ＫＨｚ～２ＭＨｚの周波数を有する超音波を発信して、少なくとも１つのパッド１２０を、２Ｗ～７５０Ｗのパワーと１５ＫＨｚ～２ＭＨｚの周波数を有する超音波で振動させる。さらに、レーザ溶接プロセスを支援するように、電子デバイス２００とパッド１２０の表面との間に高速摩擦を発生させる。よって、良好なレーザ溶接を達成するための限界時間を効果的に低減する。例えば、１４ｍｓから７ｍｓ以下に低減するが、これに限定されない。
【0091】
実施例９
【0092】
まず、図９Ａを参照する。図９Ａに示すように、載置台１０を提供する。載置台１０は、加熱装置２０及び／又は超音波振動装置３０を備える。次に、ターゲット基板１００を提供する。このターゲット基板１００を載置台１０上に載置する。電子デバイス２００及び半田３００を提供する。ターゲット基板１００、電子デバイス２００、半田の構成は、実施例３で説明したものと同じであるので、ここではこれ以上説明ない。
【0093】
続いて、図９Ａ～９Ｂを参照する。図９Ａ～９Ｂに示すように、レーザ光を提供する。レーザ光の波長は、例えば、１９０ｎｍ～１１０００ｎｍであるが、これらに限定されない。載置台１０の加熱装置２０及び／又は超音波振動装置３０が作動して、レーザ光を横方向から半田３００に直接照射して、レーザ光によって半田３００を直接加熱して加熱された半田３００'を得る。加熱された半田３００'によって、電子デバイス２００の少なくとも１つの電極２２０を、ターゲット基板１００の接合領域１１０の少なくとも１つのパッド１２０に接合させる。載置台１０の加熱装置２０と超音波振動装置３０は、単独でまたは同時に作動を開始することができる。載置台１０の加熱装置２０は、作動してターゲット基板１００の接合領域１１０の少なくとも１つのパッド１２０を３０℃～３００℃に加熱する。よって、良好なレーザ溶接を達成するための限界時間を効果的に低減する。例えば、１４ｍｓから８ｍｓに低減するが、これに限定されない。超音波振動装置３０は、作動して載置台１０からターゲット基板１００の接合領域１１０の少なくとも１つのパッド１２０に向けて２Ｗ～７５０Ｗのパワーと１５ＫＨｚ～２ＭＨｚの周波数を有する超音波を発信して、少なくとも１つのパッド１２０を、２Ｗ～７５０Ｗのパワーと１５ＫＨｚ～２ＭＨｚの周波数を有する超音波で振動させる。さらに、レーザ溶接プロセスを支援するように、電子デバイス２００とパッド１２０の表面との間に高速摩擦を発生させる。よって、良好なレーザ溶接を達成するための限界時間を効果的に低減する。例えば、１４ｍｓから７ｍｓ以下に低減するが、ことに限定されない。
【0094】
実施例１０
【0095】
まず。図１０Ａを参照する。図１０Ａに示すように、載置台１０を提供する。載置台１０は、加熱装置２０及び／又は超音波振動装置３０を備える。次に、ターゲット基板１００を提供する。このターゲット基板１００を載置台１０上に載置する。電子デバイス２００を提供する。ターゲット基板１００の構成は、実施例１で説明したものと同様であるので、ここではこれ以上説明ない。電子デバイス２００の構成は、実施例１で説明したものと概ね同様であり、その差異としては、本実施例１０において、電子デバイス本体２１０は、第２上面２１０Ａと第２下面２１０Ｂとを貫通する貫通孔（図示せず）をさらに有することである。この貫通孔（図示せず）内には、熱伝導材２５０が埋め込まれている。熱伝導材２５０は、電子デバイス２００の少なくとも１つの電極２２０に接続されている。同様に、電子デバイス２００は、ターゲット基板１００の接合領域１１０に位置合わせされ、少なくとも１つの電極２２０は、接合領域１１０内の少なくとも１つのパッド１２０に位置合わせされる。
【0096】
続いて、図１０Ａ～１０Ｂを参照する。図１０Ａ～１０Ｂに示すように、レーザ光を提供する。レーザ光の波長は、例えば、１９０ｎｍ～１１０００ｎｍであるが、これらに限定されない。載置台１０の加熱装置２０及び／又は超音波振動装置３０が作動して、電子デバイス２００の上方から電子デバイス本体２１０に向けてレーザ光を照射して、レーザ光を、熱伝導材２５０の上面（図示せず）、熱伝導材２５０内、熱伝導材２５０の下面（図示せず）、少なくとも１つの電極２２０、または少なくとも１つのパッド１２０に集中させて、電子デバイス２００の少なくとも１つの電極２２０とターゲット基板１００の接合領域１１０の少なくとも１つのパッド１２０との間に共晶層（図示せず）を生成させて、電子デバイス２００を、少なくとも１つの電極２２０によってレーザ光で、ターゲット基板１００の接合領域１１０の少なくとも１つのパッド１２０に溶接させる。載置台１０の加熱装置２０と超音波振動装置３０は、単独でまたは同時に作動を開始することができる。載置台１０の加熱装置２０は、作動してターゲット基板１００の接合領域１１０の少なくとも１つのパッド１２０を３０℃～３００℃に加熱する。よって、良好なレーザ溶接を達成するための限界時間を効果的に低減する。例えば、１４ｍｓから８ｍｓに低減するが、これに限定されない。超音波振動装置３０は、作動して載置台１０からターゲット基板１００の接合領域１１０の少なくとも１つのパッド１２０に向けて２Ｗ～７５０Ｗのパワーと１５ＫＨｚ～２ＭＨｚの周波数を有する超音波を発信して、少なくとも１つのパッド１２０を、２Ｗ～７５０Ｗのパワーと１５ＫＨｚ～２ＭＨｚの周波数を有する超音波で振動させる。さらに、レーザ溶接プロセスを支援するように、電子デバイス２００とパッド１２０の表面との間に高速摩擦を発生させる。よって、良好なレーザ溶接を達成するための限界時間を効果的に低減する。例えば、１４ｍｓから７ｍｓ以下に低減するが、これに限定されない。
【0097】
実施例１１
【0098】
まず。図１１Ａを参照する。図１１Ａに示すように、載置台１０を提供する。載置台１０は、加熱装置２０及び／又は超音波振動装置３０を備える。次に、ターゲット基板１００を提供する。このターゲット基板１００を載置台１０上に載置する。電子デバイス２００を提供する。電子デバイス２００の構成は、実施例１で説明したものと同様であるので、ここではこれ以上説明ない。ターゲット基板１００の構成は、実施例１で説明したものと概ね同様であり、その差異としては、本実施例１１において、ターゲット基板１００は、第１上面１００Ａと第１下面１００Ｂとを貫通する貫通孔（図示せず）をさらに有することである。貫通孔（図示せず）内には、熱伝導材１５０が埋め込まれている。熱伝導材１５０は、ターゲット基板１００の接合領域１１０内の少なくとも１つのパッド１２０に接続されている。同様に、電子デバイス２００は、ターゲット基板１００の接合領域１１０に位置合わせされ、少なくとも１つの電極２２０は、接合領域１１０内の少なくとも１つのパッド１２０に位置合わせされる。
【0099】
続いて、図１１Ａ～１１Ｂを参照する。図１１Ａ～１１Ｂに示すように、レーザ光を提供する。レーザ光の波長は、例えば、１９０ｎｍ～１１０００ｎｍであるが、これらに限定されない。載置台１０の加熱装置２０及び／又は超音波振動装置３０が作動して、ターゲット基板１００の下方からターゲット基板１００に向けてレーザ光を照射して、レーザ光を、熱伝導材１５０の上面（図示せず）、熱伝導材１５０内、熱伝導材１５０の下面（図示せず）、少なくとも１つのパッド１２０、または少なくとも１つの電極２２０に集中させて、電子デバイス２００の少なくとも１つの電極２２０とターゲット基板１００の接合領域１１０の少なくとも１つのパッド１２０との間に共晶層（図示せず）を生成させて、電子デバイス２００を、少なくとも１つの電極２２０によってレーザ光で、ターゲット基板１００の接合領域１１０の少なくとも１つのパッド１２０に溶接させる。載置台１０の加熱装置２０と超音波振動装置３０は、単独でまたは同時に作動を開始することができる。載置台１０の加熱装置２０は、作動してターゲット基板１００の接合領域１１０の少なくとも１つのパッド１２０を３０℃～３００℃に加熱する。よって、良好なレーザ溶接を達成するための限界時間を効果的に低減する。例えば、１４ｍｓから８ｍｓに低減するが、これに限定されない。超音波振動装置３０は、作動して載置台１０からターゲット基板１００の接合領域１１０の少なくとも１つのパッド１２０に向けて２Ｗ～７５０Ｗのパワーと１５ＫＨｚ～２ＭＨｚの周波数を有する超音波を発信して、少なくとも１つのパッド１２０を、２Ｗ～７５０Ｗのパワーと１５ＫＨｚ～２ＭＨｚの周波数を有する超音波で振動させる。さらに、レーザ溶接プロセスを支援するように、電子デバイス２００とパッド１２０の表面との間に高速摩擦を発生させる。よって、良好なレーザ溶接を達成するための限界時間を効果的に低減する。例えば、１４ｍｓから７ｍｓ以下に低減するが、これに限定されない。
【0100】
実施例１２
【0101】
まず。図１２Ａを参照する。図１２Ａに示すように、載置台１０を提供する。載置台１０は、加熱装置２０及び／又は超音波振動装置３０を備えている。次に、ターゲット基板１００を提供する。このターゲット基板１００を載置台１０上に載置する。電子デバイス２００を提供する。ターゲット基板１００と電子デバイス２００の構成は、実施例１０で説明したものと同様であるので、ここではこれ以上説明ない。また、図１２Ａに示すように、少なくとも１つのパッド１２０上および／または少なくとも１つの電極２２０上には、半田３００がさらに形成される。この半田３００によって、電子デバイス２００の少なくとも１つの電極２２０とターゲット基板１００の少なくとも１つの電極１２０とを間接的に接触させる。
【0102】
続いて、図１２Ａ～１２Ｂを参照する。図１２Ａ～１２Ｂに示すように、レーザ光を提供する。レーザ光の波長は、例えば、１９０ｎｍ～１１０００ｎｍであるが、これらに限定されない。載置台１０の加熱装置２０及び／又は超音波振動装置３０が作動して、電子デバイス２００の上方から電子デバイス本体２１０に向けてレーザ光を照射して、レーザ光を、熱伝導材２５０の上面（図示せず）、熱伝導材２５０内、熱伝導材２５０の下面（図示せず）、少なくとも１つの電極２２０、半田３００、又は少なくとも１つのパッド１２０に集中させて、レーザ光によって、半田３００を直接または間接的に加熱して加熱された半田３００'を得る。さらに、加熱された半田３００'によって、電子デバイス２００の少なくとも１つの電極２２０を、ターゲット基板１００の接合領域１１０の少なくとも１つのパッド１２０に接合させる。載置台１０の加熱装置２０と超音波振動装置３０は、単独でまたは同時に作動を開始することができる。載置台１０の加熱装置２０は、作動してターゲット基板１００の接合領域１１０の少なくとも１つのパッド１２０を３０℃～３００℃に加熱する。よって、良好なレーザ溶接を達成するための限界時間を効果的に低減する。例えば、１４ｍｓから８ｍに低減する。超音波振動装置３０は、作動して載置台１０からターゲット基板１００の接合領域１１０の少なくとも１つのパッド１２０に向けて２Ｗ～７５０Ｗのパワーと１５ＫＨｚ～２ＭＨｚの周波数を有する超音波を発信して、少なくとも１つのパッド１２０を、２Ｗ～７５０Ｗのパワーと１５ＫＨｚ～２ＭＨｚの周波数を有する超音波で振動させる。さらに、レーザ溶接プロセスを支援するように、電子デバイス２００と、加熱された半田３００'と、パッド１２０の表面との間に高速摩擦を発生させる。よって、良好なレーザ溶接を達成するための限界時間を効果的に低減する。例えば、１４ｍｓから７ｍｓ以下に低減するが、これに限定されない。
【0103】
実施例１３
【0104】
まず、図１３Ａを参照する。図１３Ａに示すように、載置台１０を提供する。載置台１０は、加熱装置２０及び／又は超音波振動装置３０を備える。次に、ターゲット基板１００を提供する。ターゲット基板１００を載置台１０上に載置する。電子デバイス２００を提供する。ターゲット基板１００と電子デバイス２００の構成は、実施例１１で説明したものと同様であるので、ここではこれ以上説明ない。さらに、図１３Ａに示すように、少なくとも１つのパッド１２０上および／または少なくとも１つの電極２２０上には、半田３００がさらに形成される。半田３００によって、電子デバイス２００の少なくとも１つの電極２２０とターゲット基板１００の少なくとも１つの電極１２０とを間接的に接触させる。
【0105】
続いて、図１３Ａ～１３Ｂを参照する。図１３Ａ～１３Ｂに示すように、レーザ光を提供する。レーザ光の波長は、例えば、１９０ｎｍ～１１０００ｎｍであるが、これらに限定されない。載置台１０の加熱装置２０及び／又は超音波振動装置３０が作動して、ターゲット基板１００の下方からターゲット基板１００に向けてレーザ光を照射して、レーザ光を、熱伝導材１５０の上面（図示せず）、熱伝導材１５０内、熱伝導材１５０の下面（図示せず）、少なくとも１つのパッド１２０、又は少なくとも１つの電極２２０に集中させて、レーザ光によって、半田３００を直接または間接的に加熱して加熱された半田３００'を得る。さらに、加熱された半田３００'によって、電子デバイス２００の少なくとも１つの電極２２０を、ターゲット基板１００の接合領域１１０の少なくとも１つのパッド１２０に接合させる。載置台１０の加熱装置２０と超音波振動装置３０は、単独でまたは同時に作動を開始することができる。載置台１０の加熱装置２０は、作動してターゲット基板１００の接合領域１１０の少なくとも１つのパッド１２０を３０℃～３００℃に加熱する。よって、良好なレーザ溶接を達成するための限界時間を効果的に低減する。例えば、１４ｍｓから８ｍに低減する。超音波振動装置３０は、作動して載置台１０からターゲット基板１００の接合領域１１０の少なくとも１つのパッド１２０に向けて２Ｗ～７５０Ｗのパワーと１５ＫＨｚ～２ＭＨｚの周波数を有する超音波を発信して、少なくとも１つのパッド１２０を、２Ｗ～７５０Ｗのパワーと１５ＫＨｚ～２ＭＨｚの周波数を有する超音波で振動させる。さらに、レーザ溶接プロセスを支援するように、電子デバイス２００と、加熱された半田３００'と、パッド１２０表面との間に高速摩擦を発生させる。よって、良好なレーザ溶接を達成するための限界時間を効果的に低減する。例えば、１４ｍｓから７ｍｓ以下に低減するが、これに限定されない。
【0106】
実施例１４
【0107】
図１４Ａ～１４Ｂを参照する。本実施例１４に係る電子デバイスの接合プロセスは、概ね実施例１０に係るものと同様であし、その差異としては、本実施例１４において、電子デバイス本体２１０の第２上面２１０Ａ上に透明または半透明の誘電体層４００をさらに設けることである。透明または半透明の誘電体層４００とターゲット基板１００は、載置台１０上に順位載置される。載置台１０の加熱装置２０及び／又は超音波振動装置３０が作動して、透明または半透明の誘電体層４００を介して、電子デバイス２００の上方から電子デバイス本体２１０にレーザ光を照射して、レーザ光を、熱伝導材１５０の上面（図示せず）、熱伝導材１５０内、熱伝導材１５０の下面（図示せず）、少なくとも１つのパッド１２０、又は少なくとも１つの電極２２０に集中させて、電子デバイス２００の少なくとも１つの電極２２０とターゲット基板１００の接合領域１１０の少なくとも１つのパッド１２０との間に共晶層（図示せず）を生成させて、電子デバイス２００を、少なくとも１つの電極２２０によってレーザ光で、ターゲット基板１００の接合領域１１０の少なくとも１つのパッド１２０に溶接させる。載置台１０の加熱装置２０と超音波振動装置３０は、単独でまたは同時に作動を開始することができる。載置台１０の加熱装置２０は、作動してターゲット基板１００の接合領域１１０の少なくとも１つのパッド１２０を３０℃～３００℃に加熱する。よって、良好なレーザ溶接を達成するための限界時間を効果的に低減する。例えば、１４ｍｓから８ｍに低減する。超音波振動装置３０は、作動して載置台１０からターゲット基板１００の接合領域１１０の少なくとも１つのパッド１２０に向けて２Ｗ～７５０Ｗのパワーと１５ＫＨｚ～２ＭＨｚの周波数を有する超音波を発信して、少なくとも１つのパッド１２０を、２Ｗ～７５０Ｗのパワーと１５ＫＨｚ～２ＭＨｚの周波数を有する超音波で振動させる。さらに、レーザ溶接プロセスを支援するように、電子デバイス２００とパッド１２０表面との間に高速摩擦を発生させる。よって、良好なレーザ溶接を達成するための限界時間を効果的に低減する。例えば、１４ｍｓから７ｍｓ以下に低減するが、これに限定されない。
【0108】
実施例１５
【0109】
図１５Ａ～１５Ｂを参照する。本実施例１５に係る電子デバイスの接合プロセスは、概ね実施例１１に係るものと同様であり、その差異としては、本実施例１５において、ターゲット基板１００の第１下面１００Ｂ上に透明または半透明の誘電体層４００を設けるステップをさらに含むことである。透明または半透明の誘電体層４００とターゲット基板１００は、載置台１０上に順位載置される。載置台１０の加熱装置２０及び／又は超音波振動装置３０が作動して、透明又は半透明誘電体層４００を介してターゲット基板１００の下方からターゲット基板１００に向けてレーザ光を照射して、レーザ光を、熱伝導材１５０の上面（図示せず）、熱伝導材１５０内、熱伝導材１５０の下面（図示せず）、少なくとも１つのパッド１２０、または少なくとも１つの電極２２０に集中させて、電子デバイス２００の少なくとも１つの電極２２０とターゲット基板１００の接合領域１１０の少なくとも１つのパッド１２０との間に共晶層（図示せず）を生成させて、電子デバイス２００を、少なくとも１つの電極２２０によってレーザ光で、ターゲット基板１００の接合領域１１０の少なくとも１つのパッド１２０に溶接させる。載置台１０の加熱装置２０と超音波振動装置３０は、単独でまたは同時に作動を開始することができる。載置台１０の加熱装置２０は、作動してターゲット基板１００の接合領域１１０の少なくとも１つのパッド１２０を３０℃～３００℃に加熱する。よって、良好なレーザ溶接を達成するための限界時間を効果的に低減する。例えば、１４ｍｓから８ｍに低減する。超音波振動装置３０は、作動して載置台１０からターゲット基板１００の接合領域１１０の少なくとも１つのパッド１２０に向けて２Ｗ～７５０Ｗのパワーと１５ＫＨｚ～２ＭＨｚの周波数を有する超音波を発信して、少なくとも１つのパッド１２０を、２Ｗ～７５０Ｗのパワーと１５ＫＨｚ～２ＭＨｚの周波数を有する超音波で振動させる。さらに、レーザ溶接プロセスを支援するように、電子デバイス２００とパッド１２０の表面との間に高速摩擦を発生させる。よって、良好なレーザ溶接を達成するための限界時間を効果的に低減する。例えば、１４ｍｓから７ｍｓ以下に低減するが、これに限定されない。
【0110】
実施例１６
【0111】
図１６Ａ～１６Ｂを参照する。本実施例１６に係る電子デバイスの接合プロセスは、概ね実施例１２に係るものと同様であり、その差異としては、本実施例１６において、電子デバイス本体２１０の第２上面２１０Ａ上に透明または半透明の誘電体層４００をさらに設けることである。載置台１０の加熱装置２０及び／又は超音波振動装置３０が作動して、透明または半透明の誘電体層４００を介して電子デバイス２００の上方から電子デバイス本体２１０に向けてレーザ光を照射して、レーザ光を、熱伝導材２５０の上面（図示せず）、熱伝導材２５０内、熱伝導材２５０の下面（図示せず）、少なくとも１つの電極２２０、半田３００、又は該少なくとも１つのパッド１２０に集中させて、レーザ光によって、半田３００を直接または間接的に加熱して加熱された半田３００'を得る。さらに、加熱された半田３００'によって、電子デバイス２００の少なくとも１つの電極２２０を、ターゲット基板１００の接合領域１１０の少なくとも１つのパッド１２０に接合させる。載置台１０の加熱装置２０と超音波振動装置３０は、単独でまたは同時に作動を開始することができる。載置台１０の加熱装置２０は、作動してターゲット基板１００の接合領域１１０の少なくとも１つのパッド１２０を３０℃～３００℃に加熱する。よって、良好なレーザ溶接を達成するための限界時間を効果的に低減する。例えば、１４ｍｓから８ｍに低減する。超音波振動装置３０は、作動して載置台１０からターゲット基板１００の接合領域１１０の少なくとも１つのパッド１２０に向けて２Ｗ～７５０Ｗのパワーと１５ＫＨｚ～２ＭＨｚの周波数を有する超音波を発信して、少なくとも１つのパッド１２０を、２Ｗ～７５０Ｗのパワーと１５ＫＨｚ～２ＭＨｚの周波数を有する超音波で振動させる。さらに、レーザ溶接プロセスを支援するように、電子デバイス２００と、加熱された半田３００'と、パッド１２０の表面との間に高速摩擦を発生させる。よって、良好なレーザ溶接を達成するための限界時間を効果的に低減する。例えば、１４ｍｓから７ｍｓ以下に低減するが、これに限定されない。
【0112】
実施例１７
【0113】
図１７Ａ～１７Ｂを参照する。本実施例１７に係る電子デバイスの接合プロセスは、概ね実施例１３に係るものと同様であり、その差異としては、本実施例１７において、ターゲット基板１００の第１下面１００Ｂ上に透明または半透明の誘電体層４００を設けるステップをさらに含むことである。載置台１０の加熱装置２０及び／又は超音波振動装置３０が作動して、透明又は半透明誘電体層４００を介してターゲット基板１００の下方からターゲット基板１００に向けてレーザ光を照射して、レーザ光を、熱伝導材１５０の上面（図示せず）、熱伝導材１５０内、熱伝導材１５０の下面（図示せず）、少なくとも１つのパッド１２０、又は該少なくとも１つの電極２２０に集中させて、レーザ光によって、半田３００を直接または間接的に加熱して加熱された半田３００'を得る。さらに、加熱された半田３００'によって、電子デバイス２００の少なくとも１つの電極２２０を、ターゲット基板１００の接合領域１１０の少なくとも１つのパッド１２０に接合させる。載置台１０の加熱装置２０と超音波振動装置３０は、単独でまたは同時に作動を開始することができる。載置台１０の加熱装置２０は、作動してターゲット基板１００の接合領域１１０の少なくとも１つのパッド１２０を３０℃～３００℃に加熱する。よって、良好なレーザ溶接を達成するための限界時間を効果的に低減する。例えば、１４ｍｓから８ｍに低減する。超音波振動装置３０は、作動して載置台１０からターゲット基板１００の接合領域１１０の少なくとも１つのパッド１２０に向けて２Ｗ～７５０Ｗのパワーと１５ＫＨｚ～２ＭＨｚの周波数を有する超音波を発信して、少なくとも１つのパッド１２０を、２Ｗ～７５０Ｗのパワーと１５ＫＨｚ～２ＭＨｚの周波数を有する超音波で振動させる。さらに、レーザ溶接プロセスを支援するように、電子デバイス２００と、加熱された半田３００'と、パッド１２０の表面との間に高速摩擦を発生させる。よって、良好なレーザ溶接を達成するための限界時間を効果的に低減する。例えば、１４ｍｓから７ｍｓ以下に低減するが、これに限定されない。
【0114】
実施例１８
【0115】
本実施例１８に係る大量の電子デバイスの移転方法は、図１８Ａ～１８Ｃを参照して以下のように説明する。
【0116】
まず、図１８Ａに示すように、載置台１０を提供する。載置台１０は、加熱装置２０及び／又は超音波振動装置３０を備える。次に、ターゲット基板１００を提供する。ターゲット基板１００を載置台１０上に載置する。ターゲット基板１００は、対向する第１上面１００Ａと第１下面１００Ｂとを有する。第１上面１００Ａは、複数の接合領域１１０を含む。これらの接合領域１１０はそれぞれ、少なくとも１つのパッド１２０を含む。また、図１８Ａに示すように、ターゲット基板１００の上方には、一時的基板５００が設けられる。この一時的基板５００には、複数の電子デバイス２００が形成される。電子デバイス２００はそれぞれ、電子デバイス本体２１０及び少なくとも１つの電極２２０を含む。電子デバイス本体２１０は、対向する第２上面２１０Ａと第２下面２１０Ｂとを有する。少なくとも１つの電極２２０は、電子デバイス本体２１０の第２下面２１０Ｂ上に形成されて電子デバイス本体２１０と電気的に接続される。電子デバイス本体２１０の第２下面２１０Ｂは、ターゲット基板１００の第１上面１００Ａに向いている。電子デバイス２００は、ターゲット基板１００の接合領域１１０にそれぞれ位置合わせされる。電子デバイス２００のそれぞれの少なくとも１つの電極２２０は、いずれも、接合領域１１０のそれぞれの少なくとも１つのパッド１２０に位置合わせされる。
【0117】
本実施例によれば、ターゲット基板１００は、例えば、半導体基板、セラミック基板、金属基板、ガラス基板、プリント配線板、またはフレキシブルプリント配線板であってもよいが、これらに限定されない。
【0118】
本実施形態によれば、ターゲット基板１００は、フレキシブルプリント配線板を例にして説明される。フレキシブルプリント配線板は、フレキシブル絶縁基材と、このフレキシブル絶縁基材の表面に形成された回路と、この回路を覆う絶縁層とを含んでよい。このパッドは、絶縁層の表面に形成されてこの回路と電気的に接続される。
【0119】
本実施例によれば、電子デバイス２００は、例えば、発光ダイオード、レーザダイオード、または半導体素子であるが、これらに限定されない。ここで、発光ダイオードが発する光は、例えば、赤色光、緑色光、青色光、黄色光、白色光、赤外光または紫外光であるが、これらに限定されない。レーザダイオードの波長は、例えば、３９０ｎｍ～１７００ｎｍであるが、これらに限定されない。半導体素子は、例えば、プロセッサ、メモリＩＣ、マイクロ素子ＩＣ、論理ＩＣ、またはアナログＩＣであるが、これらに限定されない。本実施例１の電子デバイス２００は、発光ダイオードを例に説明される。
【0120】
本実施例によれば、電子デバイス２００のそれぞれの少なくとも１つの電極２２０および／または接合領域１１０のそれぞれの少なくとも１つのパッド１２０の材料は、それぞれ、例えば、金属、金属合金、または金属酸化物であってもよいが、これらに限定されない。
【0121】
続いて、図１８Ｂに示すように、レーザ光を提供する。レーザ光の波長は、例えば、１９０ｎｍ～１１０００ｎｍであるが、これらに限定されない。載置台１０の加熱装置２０及び／又は超音波振動装置３０が作動して、一時的基板５００の上方から一時的基板５００及び電子デバイス本体２１０に向けてレーザ光を照射して、レーザ光を、電子デバイス本体２１０の第２上面２１０Ａ、電子デバイス本体２１０内、電子デバイス本体２１０の第２下面２１０Ｂ、電子デバイス２００のそれぞれの少なくとも１つの電極２２０又は接合領域１１０のそれぞれの少なくとも１つのパッド１２０に集中させて、電子デバイス２００のそれぞれの少なくとも１つの電極２２０とターゲット基板１００の接合領域１１０のそれぞれの少なくとも１つのパッド１２０との間に共晶層（図示せず）を発生させて、電子デバイス２００のそれぞれを、少なくとも１つの電極２２０によってレーザ光で、ターゲット基板１００の接合領域１１０のそれぞれの少なくとも１つのパッド１２０に溶接させる。載置台１０の加熱装置２０と超音波振動装置３０は、単独でまたは同時に動作を開始することができる。載置台１０の加熱装置２０は、作動してターゲット基板１００の接合領域１１０の少なくとも１つのパッド１２０を３０℃～３００℃に加熱する。よって、良好なレーザ溶接を達成するための限界時間を効果的に低減する。例えば、１４ｍｓから８ｍｓに低減する。超音波振動装置３０は、作動して載置台１０からターゲット基板１００の接合領域１１０の少なくとも１つのパッド１２０に向けて２Ｗ～７５０Ｗのパワーと１５ＫＨｚ～２ＭＨｚの周波数を有する超音波を発信して、少なくとも１つのパッド１２０を、２Ｗ～７５０Ｗのパワーと１５ＫＨｚ～２ＭＨｚの周波数を有する超音波で振動させる。さらに、レーザ溶接プロセスを支援するように、電子デバイス２００のそれぞれの少なくとも１つの電極２２０とパッド１２０の表面との間に高速摩擦を発生させる。よって、良好なレーザ溶接を達成するための限界時間を効果的に低減する。例えば、１４ｍｓから７ｍｓ以下に低減するが、これに限定されない。
【0122】
一時的基板５００を除去した後、図１８Ｃに示すよう、電子デバイス２００は、一時的基板５００からターゲット基板１００の接合領域１１０に大量に移転される。一時的基板５００は、レーザ光が一時的基板５００の上方から一時的基板５００に向けて照射されると同時に光分解または熱分解されて除去され、或いは、電子デバイス２００のそれぞれの少なくとも１つの電極２２０がターゲット基板１００の接合領域１１０のそれぞれの少なくとも１つのパッド１２０に接合された後、直接剥離されて除去される。
【0123】
また、本発明の他の実施例によれば、必要に応じて、実施例５、１０、１４などに係る電子デバイスの接合方法を、本実施例に係る大量の電子デバイスの移転方法に適用することもできる。電子デバイス２００のそれぞれを、少なくとも１つの電極２２０によってレーザ光で、ターゲット基板１００の接合領域１１０のそれぞれの少なくとも１つのパッド１２０に溶接させる。
【0124】
実施例１９
【0125】
本実施例１９に係る大量の電子デバイスの移転方法は、図１９Ａ～１９Ｃを参照して以下のように説明する。
【0126】
まず、図１９Ａに示すように、実施例１８に示すような載置台１０、ターゲット基板１００、および一時的基板５００を提供する。載置台１０は、加熱装置２０及び／又は超音波振動装置３０を備える。ターゲット基板１００を載置台１０上に載置する。載置台１０、ターゲット基板１００及び一時的基板５００の構成は、実施例１８で説明したものと同様であるので、ここではこれ以上説明ない。図１９Ａに示すように、パッド１２０上および／または電極２２０上には、半田３００がさらに形成される。半田３００によって、電子デバイス２００のそれぞれの少なくとも１つの電極２２０とターゲット基板１００の接合領域１１０のそれぞれの少なくとも１つの電極１２０とを間接的に接触させる。
【0127】
続いて、図１９Ｂに示すように、レーザ光を提供する。レーザ光の波長は、例えば、１９０ｎｍ～１１０００ｎｍであるが、これらに限定されない。載置台１０の加熱装置２０及び／又は超音波振動装置３０が作動して、一時的基板５００の上方から一時的基板５００及び電子デバイス本体２１０に向けてレーザ光を照射して、レーザ光を、電子デバイス本体２１０の第２上面２１０Ａ、電子デバイス本体２１０内、電子デバイス本体２１０の第２下面２１０Ｂ、電子デバイス２００のそれぞれの少なくとも１つの電極２２０、半田３００又は接合領域１１０のそれぞれの少なくとも１つのパッド１２０に集中させて、レーザ光によって、半田３００を直接または間接的に加熱して加熱された半田３００'を得る。さらに、加熱された半田３００'によって、電子デバイス２００のそれぞれの少なくとも１つの電極２２０を、ターゲット基板１００の接合領域１１０のそれぞれの少なくとも１つのパッド１２０に接合させる。載置台１０の加熱装置２０と超音波振動装置３０は、単独でまたは同時に動作を開始することができる。載置台１０の加熱装置２０は、作動してターゲット基板１００の接合領域１１０の少なくとも１つのパッド１２０を３０℃～３００℃に加熱する。よって、良好なレーザ溶接を達成するための限界時間を効果的に低減する。例えば、１４ｍｓから８ｍｓに低減する。超音波振動装置３０は、作動して載置台１０からターゲット基板１００の接合領域１１０の少なくとも１つのパッド１２０に向けて２Ｗ～７５０Ｗのパワーと１５ＫＨｚ～２ＭＨｚの周波数を有する超音波を発信して、少なくとも１つのパッド１２０を、２Ｗ～７５０Ｗのパワーと１５ＫＨｚ～２ＭＨｚの周波数を有する超音波で振動させる。さらに、レーザ溶接プロセスを支援するように、電子デバイス２００のそれぞれの少なくとも１つの電極２２０と、加熱された半田３００'と、パッド１２０の表面との間に高速摩擦を発生させる。よって、良好なレーザ溶接を達成するための限界時間を効果的に低減する。例えば、１４ｍｓから７ｍｓ以下に低減するが、これに限定されない。
【0128】
本実施例１９におけるレーザ光は、一時的基板５００の上方から一時的基板５００及び電子デバイス本体２１０に照射される。レーザ光を、電子デバイス本体２１０の第２上面２１０Ａ、電子デバイス本体２１０内、電子デバイス本体２１０の第２下面２１０Ｂ、電子デバイス２００のそれぞれの少なくとも１つの電極２２０、半田３００又は接合領域１１０のそれぞれの少なくとも１つのパッド１２０に集中させる。レーザ光によって、半田３００を直接または間接的に加熱して加熱された半田３００'を得る。本発明の他の実施例によれば、必要に応じて、レーザ光を半田３００に直接照射してもよい。例えば、レーザ光を、ターゲット基板１００及び／又は一時的基板５００に実質的に平行に照射するが、これに限定されない。レーザ光によって、半田３００を直接加熱して加熱された半田３００'を得る。ここではこれ以上説明ない。
【0129】
一時的基板５００を除去した後、図１９Ｃに示すように、電子デバイス２００は、一時的基板５００からターゲット基板１００の接合領域１１０に大量に移転される。一時的基板５００は、レーザ光が一時的基板５００の上方から一時的基板５００に向けて照射されると同時に光分解または熱分解されて除去され、或いは、電子デバイス２００のそれぞれの少なくとも１つの電極２２０がターゲット基板１００の接合領域１１０のそれぞれの少なくとも１つのパッド１２０に接合された後、直接剥離されて除去される。
【0130】
また、本発明の他の実施例によれば、必要に応じて、実施例７、１２、１６などに係る電子デバイスの接合方法を本実施例に係る大量の電子デバイスの移転方法にも適用することができる。電子デバイス２００のそれぞれを、少なくとも１つの電極２２０によってレーザ光で、ターゲット基板１００の接合領域１１０のそれぞれの少なくとも１つのパッド１２０に溶接させる。
【0131】
実施例２０
【0132】
本実施例２０に係る大量の電子デバイスの移転方法は、図２０Ａ～２０Ｃを参照して以下のように説明する。
【0133】
まず、図２０Ａに示すように、実施例１８に示すような載置台１０、ターゲット基板１００、および一時的基板５００を提供する。載置台１０は、加熱装置２０及び／又は超音波振動装置３０を備える。ターゲット基板１００を載置台１０上に載置する。載置台１０、ターゲット基板１００及び一時的基板５００の構成は、実施例１８で説明したものと同様であるので、ここではこれ以上説明ない。
【0134】
次に、図２０Ｂに示すように、第１レーザ光を提供する。第１レーザ光の波長は、例えば、１９０ｎｍ～１１０００ｎｍであるが、これらに限定されない。載置台１０の加熱装置２０及び／又は超音波振動装置３０が作動して、ターゲット基板１００の下方からターゲット基板１００に向けて第１レーザ光を照射して、第１レーザ光を、ターゲット基板１００の第１上面１００Ａ、ターゲット基板１００内、ターゲット基板１００の第１下面１００Ｂ、接合領域１１０のそれぞれの少なくとも１つのパッド１２０又は電子デバイス２００のそれぞれの少なくとも１つの電極２２０に集中させて、電子デバイス２００のそれぞれの少なくとも１つの電極２２０とターゲット基板１００の接合領域１１０のそれぞれの少なくとも１つのパッド１２０との間に共晶層（図示せず）を生成させて、電子デバイス２００を、少なくとも１つの電極２２０によって第１レーザ光で、ターゲット基板１００の接合領域１１０の少なくとも１つのパッド１２０に溶接させる。載置台１０の加熱装置２０と超音波振動装置３０は、単独でまたは同時に作動を開始することができる。載置台１０の加熱装置２０は、作動してターゲット基板１００の接合領域１１０の少なくとも１つのパッド１２０を３０℃～３００℃に加熱する。よって、良好なレーザ溶接を達成するための限界時間を効果的に低減する。例えば、１４ｍｓから８ｍｓに低減する。超音波振動装置３０は、作動して載置台１０からターゲット基板１００の接合領域１１０の少なくとも１つのパッド１２０に向けて２Ｗ～７５０Ｗのパワーと１５ＫＨｚ～２ＭＨｚの周波数を有する超音波を発信して、少なくとも１つのパッド１２０を、２Ｗ～７５０Ｗのパワーと１５ＫＨｚ～２ＭＨｚの周波数を有する超音波で振動させる。さらに、レーザ溶接プロセスを支援するように、電子デバイス２００のそれぞれの少なくとも１つの電極２２０とパッド１２０の表面との間に高速摩擦を発生させる。よって、良好なレーザ溶接を達成するための限界時間を効果的に低減する。例えば、１４ｍｓから７ｍｓ以下に低減するが、これに限定されない。
【0135】
続いて、図２０Ｃに示すように、第２レーザ光を提供する。第２レーザ光の波長は、例えば、１９０ｎｍ～１１０００ｎｍであるが、これらに限定されない。第２レーザ光が一時的基板５００の上方から一時的基板５００に照射して、これを光分解または熱分解させて除去する。そして、図２０Ｄに示すように、電子デバイス２００は、一時的基板５００からターゲット基板１００の接合領域１１０に大量に移転される。
【0136】
また、本発明の他の実施例によれば、一時的基板５００は、電子デバイス２００のそれぞれの少なくとも１つの電極２２０がターゲット基板１００の接合領域１１０のそれぞれの少なくとも１つのパッド１２０に接合された後、直接剥離されて除去される。
【0137】
また、本発明の他の実施例によれば、必要に応じて、実施例６、１１、１５などに係る電子デバイスの接合方法を、本実施例に係る大量の電子デバイスの移転方法に適用することもできる。電子デバイス２００のそれぞれを、少なくとも１つの電極２２０によってレーザ光で、ターゲット基板１００の接合領域１１０のそれぞれの少なくとも１つのパッド１２０に溶接させる。
【0138】
実施例２１
【0139】
まず、図２１Ａに示すように、実施例１８に示すような載置台１０、ターゲット基板１００、および一時的基板５００を提供する。載置台１０は、加熱装置２０及び／又は超音波振動装置３０を備える。ターゲット基板１００を載置台１０上に載置する。載置台１０、ターゲット基板１００及び一時的基板５００の構成は、実施例１８で説明したものと同様であるのここではこれ以上説明ない。図２１Ａに示すように、パッド１２０上および／または電極２２０上には、さらに半田３００が形成される。半田３００によって、電子デバイス２００のそれぞれの少なくとも１つの電極２２０とターゲット基板１００の接合領域１１０のそれぞれの少なくとも１つの電極１２０とを間接的に接触させる。
【0140】
続いて、図２１Ｂに示すように、第１レーザ光を提供する。第１レーザ光の波長は、例えば、１９０ｎｍ～１１０００ｎｍであるが、これらに限定されない。載置台１０の加熱装置２０及び／又は超音波振動装置３０が作動して、ターゲット基板１００の下方からターゲット基板１００に向けて第１レーザ光を照射して、第１レーザ光を、ターゲット基板１００の第１上面１００Ａ、ターゲット基板１００内、ターゲット基板１００の第１下面１００Ｂ、接合領域１１０のそれぞれの少なくとも１つのパッド１２０、半田３００又は電子デバイス２００のそれぞれの少なくとも１つの電極２２０に集中させて、レーザ光によって、半田３００を直接または間接的に加熱して加熱された半田３００'を得る。さらに、加熱された半田３００'によって、電子デバイス２００のそれぞれの少なくとも１つの電極２２０を、ターゲット基板１００の接合領域１１０のそれぞれの少なくとも１つのパッド１２０に接合させる。載置台１０の加熱装置２０と超音波振動装置３０は、単独でまたは同時に作動を開始することができる。載置台１０の加熱装置２０は、作動してターゲット基板１００の接合領域１１０の少なくとも１つのパッド１２０を３０℃～３００℃に加熱する。よって、良好なレーザ溶接を達成するための限界時間を効果的に低減する。例えば、１４ｍｓから８ｍｓに低減するが、これに限定されない。超音波振動装置３０は、作動して載置台１０からターゲット基板１００の接合領域１１０の少なくとも１つのパッド１２０に向けて２Ｗ～７５０Ｗのパワーと１５ＫＨｚ～２ＭＨｚの周波数を有する超音波を発信して、少なくとも１つのパッド１２０を、２Ｗ～７５０Ｗのパワーと１５ＫＨｚ～２ＭＨｚの周波数を有する超音波で振動させる。さらに、レーザ溶接プロセスを支援するように、電子デバイス２００のそれぞれの少なくとも１つの電極２２０と、加熱された半田３００'と、パッド１２０の表面との間に高速摩擦を発生させる。よって、良好なレーザ溶接を達成するための限界時間を効果的に低減する。例えば、１４ｍｓから７ｓ以下に低減するが、これに限定されない。
【0141】
本実施例２１の第１レーザ光は、ターゲット基板１００の下方からターゲット基板１００に向けて照射される。第１レーザ光を、ターゲット基板１００の第１上面１００Ａ、ターゲット基板１００内、ターゲット基板１００の第１下面１００Ｂ、接合領域１１０のそれぞれの少なくとも１つのパッド１２０、半田３００又は電子デバイス２００のそれぞれの少なくとも１つの電極２２０に集中させる。第１レーザ光によって、半田３００を直接または間接的に加熱して加熱された半田３００'を得る。本発明の他の実施例では、必要に応じて、第１レーザ光を半田３００に直接照射してもよい。例えば、第１レーザ光を、ターゲット基板１００及び／又は一時的基板５００に実質的に平行に照射するが、これに限定されない。第１レーザ光によって、半田３００を直接加熱して加熱された半田３００'を得る。ここではこれ以上説明ない。
【0142】
続いて、図２１Ｃに示すように、第２レーザ光を提供する。第２レーザ光の波長は、例えば、１９０ｎｍ～１１０００ｎｍであるが、これらに限定されない。第２レーザ光が一時的基板５００の上方から一時的基板５００に照射されて、これを光分解または熱分解させて除去する。図２１Ｄに示すように、電子デバイス２００は、一時的基板５００からターゲット基板１００の接合領域１１０に大量に移転される。
【0143】
また、本発明の他の実施例によれば、一時的基板５００は、電子デバイス２００のそれぞれの少なくとも１つの電極２２０がターゲット基板１００の接合領域１１０のそれぞれの少なくとも１つのパッド１２０に接合された後、直接剥離されて除去される。
【0144】
また、本発明の他の実施例によれば、実施例８、１３、１７などに係る電子デバイスの接合方法は、必要に応じて、本実施例に係る大量の電子デバイスの移転方法に適用することもできる。電子デバイス２００のそれぞれを、少なくとも１つの電極２２０によってレーザ光で、ターゲット基板１００の接合領域１１０のそれぞれの少なくとも１つのパッド１２０に溶接させる。
【0145】
本発明は、上記のように実施例で開示されているが、本発明を限定するために使用されるものではない。この技術に精通している者は、本発明の趣旨及び範囲を逸脱しない限り、様々な変更及び仕上げを行うことができる。したがって、本発明の保護範囲は、後付けの特許出願の範囲によって規定されている者に準拠する。
【符号の説明】
【0146】
１０ 載置台
２０ 加熱装置
３０ 超音波振動装置
１００ ターゲット基板
１００Ａ 第１上面
１００Ｂ 第１下面
１１０ 接合領域
１２０ パッド
２００ 電子デバイス
２１０ 電子デバイス本体
２１０Ａ 第２上面
２１０Ｂ 第２下面
２２０ 電極
１５０、２５０ 熱伝導材
３００ 半田
３００' 加熱された半田
４００ 透明または半透明の誘電体層
５００ 一時的基板
２０ 加熱装置
３０ 超音波振動装置
１００ ターゲット基板
１００Ａ 第１上面
１００Ｂ 第１下面
１１０ 接合領域
１２０ パッド
２００ 電子デバイス
２１０ 電子デバイス本体
２１０Ａ 第２上面
２１０Ｂ 第２下面
２２０ 電極
１５０、２５０ 熱伝導材
３００ 半田
３００' 加熱された半田
４００ 透明または半透明の誘電体層
５００ 一時的基板
【図1A】
【図1B】
【図2A】
【図2B】
【図3A】
【図3B】
【図4A】
【図4B】
【図5A】
【図5B】
【図6A】
【図6B】
【図7A】
【図7B】
【図8A】
【図8B】
【図9A】
【図9B】
【図10A】
【図10B】
【図11A】
【図11B】
【図12A】
【図12B】
【図13A】
【図13B】
【図14A】
【図14B】
【図15A】
【図15B】
【図16A】
【図16B】
【図17A】
【図17B】
【図18A】
【図18B】
【図18C】
【図19A】
【図19B】
【図19C】
【図20A】
【図20B】
【図20C】
【図20D】
【図21A】
【図21B】
【図21C】
【図21D】
【外国語明細書】