ホーム > 特許ランキング > 株式会社ジャパンディスプレイ
知財求人 - 知財ポータルサイト「IP Force」
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024174451
(43)【公開日】2024-12-17
(54)【発明の名称】表示装置及び表示装置の製造方法
(51)【国際特許分類】
H10K 59/122 20230101AFI20241210BHJP
H10K 50/844 20230101ALI20241210BHJP
H10K 71/20 20230101ALI20241210BHJP
H10K 71/16 20230101ALI20241210BHJP
H10K 50/81 20230101ALI20241210BHJP
G09F 9/30 20060101ALI20241210BHJP
G09F 9/00 20060101ALI20241210BHJP
【ＦＩ】
H10K59/122
H10K50/844
H10K71/20
H10K71/16
H10K50/81
G09F9/30 365
G09F9/30 349Z
G09F9/00 342
【審査請求】未請求
【請求項の数】12
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023092277
(22)【出願日】2023-06-05
(71)【出願人】
【識別番号】502356528
【氏名又は名称】株式会社ジャパンディスプレイ
(74)【代理人】
【識別番号】110001737
【氏名又は名称】弁理士法人スズエ国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】石田 有親
【テーマコード（参考）】
3K107
5C094
5G435
【Ｆターム（参考）】
3K107AA01
3K107BB01
3K107BB08
3K107CC23
3K107CC33
3K107CC45
3K107DD10
3K107DD37
3K107DD89
3K107DD90
3K107DD95
3K107DD96
3K107EE21
3K107EE48
3K107FF15
3K107GG04
3K107GG12
3K107GG28
5C094AA31
5C094BA27
5C094DA15
5C094EA04
5C094EA07
5C094EC04
5C094FA02
5C094HA05
5C094HA08
5G435AA14
5G435BB05
5G435KK05
5G435LL07
5G435LL08
5G435LL17
(57)【要約】
【課題】信頼性の低下を抑制する。
【解決手段】一実施形態によれば、表示装置は、基板と、前記基板の上方に配置された有機絶縁層と、前記有機絶縁層の上に配置された下電極と、前記有機絶縁層の上に配置され、前記下電極の側面に接触する平坦化層と、前記平坦化層を覆うとともに、前記下電極の周縁部を覆う無機絶縁層と、前記無機絶縁層の上に配置され導電材料で形成された下部と、前記下部の上に配置され前記下部の側面から突出した上部と、を有する隔壁と、前記隔壁で囲まれ、前記下電極の上に配置され、発光層を含む有機層と、前記隔壁で囲まれ、前記有機層の上に配置され、前記隔壁の前記下部に接触する上電極と、を備える。
【選択図】図３
【解決手段】一実施形態によれば、表示装置は、基板と、前記基板の上方に配置された有機絶縁層と、前記有機絶縁層の上に配置された下電極と、前記有機絶縁層の上に配置され、前記下電極の側面に接触する平坦化層と、前記平坦化層を覆うとともに、前記下電極の周縁部を覆う無機絶縁層と、前記無機絶縁層の上に配置され導電材料で形成された下部と、前記下部の上に配置され前記下部の側面から突出した上部と、を有する隔壁と、前記隔壁で囲まれ、前記下電極の上に配置され、発光層を含む有機層と、前記隔壁で囲まれ、前記有機層の上に配置され、前記隔壁の前記下部に接触する上電極と、を備える。
【選択図】図３
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板と、
前記基板の上方に配置された有機絶縁層と、
前記有機絶縁層の上に配置された下電極と、
前記有機絶縁層の上に配置され、前記下電極の側面に接触する平坦化層と、
前記平坦化層を覆うとともに、前記下電極の周縁部を覆う無機絶縁層と、
前記無機絶縁層の上に配置され導電材料で形成された下部と、前記下部の上に配置され前記下部の側面から突出した上部と、を有する隔壁と、
前記隔壁で囲まれ、前記下電極の上に配置され、発光層を含む有機層と、
前記隔壁で囲まれ、前記有機層の上に配置され、前記隔壁の前記下部に接触する上電極と、
を備える、表示装置。
前記基板の上方に配置された有機絶縁層と、
前記有機絶縁層の上に配置された下電極と、
前記有機絶縁層の上に配置され、前記下電極の側面に接触する平坦化層と、
前記平坦化層を覆うとともに、前記下電極の周縁部を覆う無機絶縁層と、
前記無機絶縁層の上に配置され導電材料で形成された下部と、前記下部の上に配置され前記下部の側面から突出した上部と、を有する隔壁と、
前記隔壁で囲まれ、前記下電極の上に配置され、発光層を含む有機層と、
前記隔壁で囲まれ、前記有機層の上に配置され、前記隔壁の前記下部に接触する上電極と、
を備える、表示装置。
【請求項2】
平面視において、前記平坦化層は、格子状に形成されている、請求項１に記載の表示装置。
【請求項3】
前記平坦化層の上面の少なくとも一部は、前記下電極の上面よりも突出している、請求項１に記載の表示装置。
【請求項4】
前記平坦化層の上面の少なくとも一部は、前記下電極の上面よりもくぼんでいる、請求項１に記載の表示装置。
【請求項5】
前記平坦化層は、ポジ型の感光性樹脂によって形成されている、請求項１に記載の表示装置。
【請求項6】
さらに、前記上電極の上に配置されたキャップ層と、
前記キャップ層の上に配置され、無機絶縁材料で形成された封止層と、を備え、
前記封止層は、前記下電極の直上の前記キャップ層を覆い、且つ、前記隔壁に接触している、請求項１に記載の表示装置。
前記キャップ層の上に配置され、無機絶縁材料で形成された封止層と、を備え、
前記封止層は、前記下電極の直上の前記キャップ層を覆い、且つ、前記隔壁に接触している、請求項１に記載の表示装置。
【請求項7】
基板の上方に有機絶縁層を形成し、
前記有機絶縁層の上に下電極を形成し、
前記有機絶縁層及び前記下電極を覆うポジ型の感光性樹脂を塗布し、
前記感光性樹脂をパターニングして、前記下電極の側面に接触する平坦化層を形成し、
前記平坦化層を覆うとともに、前記下電極の周縁部を覆う無機絶縁層を形成し、
前記無機絶縁層の上に位置し導電材料で形成された下部と、前記下部の上に位置し前記下部の側面から突出した上部と、を有する隔壁を形成し、
前記隔壁をマスクとした蒸着により、前記下電極の上に位置し、発光層を含む有機層を形成し、
前記隔壁をマスクとした蒸着により、前記有機層の上に位置し、前記隔壁の前記下部に接触する上電極を形成する、表示装置の製造方法。
前記有機絶縁層の上に下電極を形成し、
前記有機絶縁層及び前記下電極を覆うポジ型の感光性樹脂を塗布し、
前記感光性樹脂をパターニングして、前記下電極の側面に接触する平坦化層を形成し、
前記平坦化層を覆うとともに、前記下電極の周縁部を覆う無機絶縁層を形成し、
前記無機絶縁層の上に位置し導電材料で形成された下部と、前記下部の上に位置し前記下部の側面から突出した上部と、を有する隔壁を形成し、
前記隔壁をマスクとした蒸着により、前記下電極の上に位置し、発光層を含む有機層を形成し、
前記隔壁をマスクとした蒸着により、前記有機層の上に位置し、前記隔壁の前記下部に接触する上電極を形成する、表示装置の製造方法。
【請求項8】
前記感光性樹脂のパターニングする工程は、
マスクを用いることなく前記感光性樹脂の全面を露光し、
前記感光性樹脂を現像し、
前記感光性樹脂を焼成する工程を含む、請求項７に記載の表示装置の製造方法。
マスクを用いることなく前記感光性樹脂の全面を露光し、
前記感光性樹脂を現像し、
前記感光性樹脂を焼成する工程を含む、請求項７に記載の表示装置の製造方法。
【請求項9】
前記感光性樹脂のパターニングする工程は、
前記下電極に重なる領域の露光量が前記下電極に重ならない領域の露光量より大きい露光条件で前記感光性樹脂を露光し、
前記感光性樹脂を現像し、
前記感光性樹脂を焼成する工程を含む、請求項７に記載の表示装置の製造方法。
前記下電極に重なる領域の露光量が前記下電極に重ならない領域の露光量より大きい露光条件で前記感光性樹脂を露光し、
前記感光性樹脂を現像し、
前記感光性樹脂を焼成する工程を含む、請求項７に記載の表示装置の製造方法。
【請求項10】
前記感光性樹脂のパターニングする工程は、
マスクを用いることなく前記感光性樹脂の全面を露光し、
前記下電極に重なる領域に開口を有し前記下電極に重ならない領域を遮光するマスクを用いて前記感光性樹脂を露光し、
前記感光性樹脂を現像し、
前記感光性樹脂を焼成する工程を含む、請求項７に記載の表示装置の製造方法。
マスクを用いることなく前記感光性樹脂の全面を露光し、
前記下電極に重なる領域に開口を有し前記下電極に重ならない領域を遮光するマスクを用いて前記感光性樹脂を露光し、
前記感光性樹脂を現像し、
前記感光性樹脂を焼成する工程を含む、請求項７に記載の表示装置の製造方法。
【請求項11】
さらに、前記上電極を形成した後に、
前記上電極の上にキャップ層を形成し、
前記キャップ層の上に、無機絶縁材料で封止層を形成し、
前記封止層は、前記下電極の直上の前記キャップ層を覆い、且つ、前記隔壁に接触している、請求項７に記載の表示装置の製造方法。
前記上電極の上にキャップ層を形成し、
前記キャップ層の上に、無機絶縁材料で封止層を形成し、
前記封止層は、前記下電極の直上の前記キャップ層を覆い、且つ、前記隔壁に接触している、請求項７に記載の表示装置の製造方法。
【請求項12】
さらに、前記封止層を形成した後に、前記封止層の上にパターニングしたレジストを形成し、
前記レジストから露出した前記封止層、前記キャップ層、前記上電極、及び、前記有機層を順次エッチングにより除去する、請求項１１に記載の表示装置の製造方法。
前記レジストから露出した前記封止層、前記キャップ層、前記上電極、及び、前記有機層を順次エッチングにより除去する、請求項１１に記載の表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明の実施形態は、表示装置及び表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を適用した表示装置が実用化されている。この表示素子は、薄膜トランジスタを含む画素回路と、画素回路に接続された下電極と、下電極を覆う有機層と、有機層を覆う上電極と、を備えている。有機層は、発光層の他に、正孔輸送層や電子輸送層などの機能層を含んでいる。
表示素子において、信頼性の低下を抑制する技術が必要とされている。
表示素子において、信頼性の低下を抑制する技術が必要とされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０００－１９５６７７号公報
【特許文献2】特開２００４－２０７２１７号公報
【特許文献3】特開２００８－１３５３２５号公報
【特許文献4】特開２００９－３２６７３号公報
【特許文献5】特開２０１０－１１８１９１号公報
【特許文献6】国際公開第２０１８／１７９３０８号
【特許文献7】米国特許出願公開第２０２２／００７７２５１号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本発明の目的は、信頼性の低下を抑制することが可能な表示装置及び表示装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0005】
一実施形態によれば、表示装置は、
基板と、前記基板の上方に配置された有機絶縁層と、前記有機絶縁層の上に配置された下電極と、前記有機絶縁層の上に配置され、前記下電極の側面に接触する平坦化層と、前記平坦化層を覆うとともに、前記下電極の周縁部を覆う無機絶縁層と、前記無機絶縁層の上に配置され導電材料で形成された下部と、前記下部の上に配置され前記下部の側面から突出した上部と、を有する隔壁と、前記隔壁で囲まれ、前記下電極の上に配置され、発光層を含む有機層と、前記隔壁で囲まれ、前記有機層の上に配置され、前記隔壁の前記下部に接触する上電極と、を備える。
基板と、前記基板の上方に配置された有機絶縁層と、前記有機絶縁層の上に配置された下電極と、前記有機絶縁層の上に配置され、前記下電極の側面に接触する平坦化層と、前記平坦化層を覆うとともに、前記下電極の周縁部を覆う無機絶縁層と、前記無機絶縁層の上に配置され導電材料で形成された下部と、前記下部の上に配置され前記下部の側面から突出した上部と、を有する隔壁と、前記隔壁で囲まれ、前記下電極の上に配置され、発光層を含む有機層と、前記隔壁で囲まれ、前記有機層の上に配置され、前記隔壁の前記下部に接触する上電極と、を備える。
【0006】
一実施形態によれば、表示装置の製造方法は、
基板の上方に有機絶縁層を形成し、前記有機絶縁層の上に下電極を形成し、前記有機絶縁層及び前記下電極を覆うポジ型の感光性樹脂を塗布し、前記感光性樹脂をパターニングして、前記下電極の側面に接触する平坦化層を形成し、前記平坦化層を覆うとともに、前記下電極の周縁部を覆う無機絶縁層を形成し、前記無機絶縁層の上に位置し導電材料で形成された下部と、前記下部の上に位置し前記下部の側面から突出した上部と、を有する隔壁を形成し、前記隔壁をマスクとした蒸着により、前記下電極の上に位置し、発光層を含む有機層を形成し、前記隔壁をマスクとした蒸着により、前記有機層の上に位置し、前記隔壁の前記下部に接触する上電極を形成する。
基板の上方に有機絶縁層を形成し、前記有機絶縁層の上に下電極を形成し、前記有機絶縁層及び前記下電極を覆うポジ型の感光性樹脂を塗布し、前記感光性樹脂をパターニングして、前記下電極の側面に接触する平坦化層を形成し、前記平坦化層を覆うとともに、前記下電極の周縁部を覆う無機絶縁層を形成し、前記無機絶縁層の上に位置し導電材料で形成された下部と、前記下部の上に位置し前記下部の側面から突出した上部と、を有する隔壁を形成し、前記隔壁をマスクとした蒸着により、前記下電極の上に位置し、発光層を含む有機層を形成し、前記隔壁をマスクとした蒸着により、前記有機層の上に位置し、前記隔壁の前記下部に接触する上電極を形成する。
【図面の簡単な説明】
【0007】
【発明を実施するための形態】
【0008】
一実施形態について図面を参照しながら説明する。
開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一または類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。
開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一または類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。
【0009】
なお、図面には、必要に応じて理解を容易にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を記載する。Ｘ軸に沿った方向を第１方向Ｘと称し、Ｙ軸に沿った方向を第２方向Ｙと称し、Ｚ軸に沿った方向を第３方向Ｚと称する。第３方向Ｚと平行に各種要素を見ることを平面視という。
【0010】
本実施形態に係る表示装置は、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を備える有機エレクトロルミネッセンス表示装置であり、テレビ、パーソナルコンピュータ、車載機器、タブレット端末、スマートフォン、携帯電話端末等に搭載され得る。
【0011】
図１は、表示装置ＤＳＰの構成例を示す図である。
表示装置ＤＳＰは、絶縁性の基板１０の上に、画像を表示する表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡよりも外側の周辺領域ＳＡと、を有する表示パネルＰＮＬを備えている。基板１０は、ガラスであってもよいし、可撓性を有する樹脂フィルムであってもよい。
表示装置ＤＳＰは、絶縁性の基板１０の上に、画像を表示する表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡよりも外側の周辺領域ＳＡと、を有する表示パネルＰＮＬを備えている。基板１０は、ガラスであってもよいし、可撓性を有する樹脂フィルムであってもよい。
【0012】
本実施形態においては、平面視における基板１０の形状が長方形である。ただし、基板１０の平面視における形状は長方形に限らず、正方形、円形あるいは楕円形などの他の形状であってもよい。
【0013】
表示領域ＤＡは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙにマトリクス状に配列された複数の画素ＰＸを備えている。画素ＰＸは、複数の副画素ＳＰを含む。一例では、画素ＰＸは、第１色の副画素ＳＰ１、第２色の副画素ＳＰ２、及び、第３色の副画素ＳＰ３を含む。第１色、第２色、及び、第３色は、互いに異なる色である。なお、画素ＰＸは、副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３とともに、あるいは副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３のいずれかに代えて、白色などの他の色の副画素ＳＰを含んでもよい。
【0014】
副画素ＳＰは、画素回路１と、画素回路１によって駆動される表示素子２０と、を備えている。画素回路１は、画素スイッチ２と、駆動トランジスタ３と、キャパシタ４と、を備えている。画素スイッチ２及び駆動トランジスタ３は、例えば薄膜トランジスタにより構成されたスイッチング素子である。
【0015】
画素スイッチ２のゲート電極は、走査線ＧＬに接続されている。画素スイッチ２のソース電極及びドレイン電極の一方は信号線ＳＬに接続され、他方は駆動トランジスタ３のゲート電極及びキャパシタ４に接続されている。駆動トランジスタ３において、ソース電極及びドレイン電極の一方は電源線ＰＬ及びキャパシタ４に接続され、他方は表示素子２０のアノードに接続されている。
【0016】
なお、画素回路１の構成は図示した例に限らない。例えば、画素回路１は、より多くの薄膜トランジスタ及びキャパシタを備えてもよい。
【0017】
表示素子２０は、発光素子としての有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）であり、有機ＥＬ素子と称する場合がある。
【0018】
周辺領域ＳＡには、ＩＣチップやフレキシブルプリント回路基板を接続するための端子ＴＥが設けられている。
【0019】
図２は、副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３のレイアウトの一例を示す図である。
図２の例においては、副画素ＳＰ２及び副画素ＳＰ３が第２方向Ｙに並んでいる。副画素ＳＰ１及び副画素ＳＰ２が第１方向Ｘに並び、副画素ＳＰ１及び副画素ＳＰ３が第１方向Ｘに並んでいる。
図２の例においては、副画素ＳＰ２及び副画素ＳＰ３が第２方向Ｙに並んでいる。副画素ＳＰ１及び副画素ＳＰ２が第１方向Ｘに並び、副画素ＳＰ１及び副画素ＳＰ３が第１方向Ｘに並んでいる。
【0020】
副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３がこのようなレイアウトである場合、表示領域ＤＡには、副画素ＳＰ２及び副画素ＳＰ３が第２方向Ｙに交互に配置された列と、複数の副画素ＳＰ１が第２方向Ｙに配置された列とが形成される。これらの列は、第１方向Ｘに交互に並んでいる。
【0021】
なお、副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３のレイアウトは図２の例に限られない。他の一例として、各画素ＰＸにおける副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３が第１方向Ｘに順に並んでいてもよい。
【0022】
表示領域ＤＡには、無機絶縁層５及び隔壁６が配置されている。無機絶縁層５は、副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３においてそれぞれ開口ＡＰ１、ＡＰ２、ＡＰ３を有している。これらの開口ＡＰ１、ＡＰ２、ＡＰ３を有する無機絶縁層５は、リブと称する場合がある。
隔壁６は、平面視において無機絶縁層５と重なっている。隔壁６は、開口ＡＰ１、ＡＰ２、ＡＰ３を囲む格子状に形成されている。隔壁６は、無機絶縁層５と同様に副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３において開口を有するということもできる。
隔壁６は、平面視において無機絶縁層５と重なっている。隔壁６は、開口ＡＰ１、ＡＰ２、ＡＰ３を囲む格子状に形成されている。隔壁６は、無機絶縁層５と同様に副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３において開口を有するということもできる。
【0023】
副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３は、表示素子２０として、それぞれ表示素子２０１、２０２、２０３を備えている。
【0024】
副画素ＳＰ１の表示素子２０１は、開口ＡＰ１とそれぞれ重なる下電極ＬＥ１、上電極ＵＥ１、及び、有機層ＯＲ１を備えている。下電極ＬＥ１の周縁部は、無機絶縁層５で覆われている。下電極ＬＥ１、有機層ＯＲ１、及び、上電極ＵＥ１を備える表示素子２０１は、平面視において隔壁６で囲まれている。有機層ＯＲ１及び上電極ＵＥ１のそれぞれの周縁部は、平面視において無機絶縁層５に重なっている。有機層ＯＲ１は、例えば青波長域の光を放つ発光層を含む。
【0025】
副画素ＳＰ２の表示素子２０２は、開口ＡＰ２とそれぞれ重なる下電極ＬＥ２、上電極ＵＥ２、及び、有機層ＯＲ２を備えている。下電極ＬＥ２の周縁部は、無機絶縁層５で覆われている。下電極ＬＥ２、有機層ＯＲ２、及び、上電極ＵＥ２を備える表示素子２０２は、平面視において隔壁６で囲まれている。有機層ＯＲ２及び上電極ＵＥ２のそれぞれの周縁部は、平面視において無機絶縁層５に重なっている。有機層ＯＲ２は、例えば緑波長域の光を放つ発光層を含む。
【0026】
副画素ＳＰ３の表示素子２０３は、開口ＡＰ３とそれぞれ重なる下電極ＬＥ３、上電極ＵＥ３、及び、有機層ＯＲ３を備えている。下電極ＬＥ３の周縁部は、無機絶縁層５で覆われている。下電極ＬＥ３、有機層ＯＲ３、及び、上電極ＵＥ３を備える表示素子２０３は、平面視において隔壁６で囲まれている。有機層ＯＲ３及び上電極ＵＥ３のそれぞれの周縁部は、平面視において無機絶縁層５に重なっている。有機層ＯＲ３は、例えば赤波長域の光を放つ発光層を含む。
【0027】
図２の例においては、下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３の外形は点線で示し、有機層ＯＲ１、ＯＲ２、ＯＲ３、及び、上電極ＵＥ１、ＵＥ２、ＵＥ３の外形は一点鎖線で示している。なお、図示した下電極、有機層、上電極のそれぞれの外形は、正確な形状を反映したものとは限らない。
【0028】
下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３は、例えば、表示素子のアノードに相当する。上電極ＵＥ１、ＵＥ２、ＵＥ３は、表示素子のカソード、あるいは、共通電極に相当する。
【0029】
下電極ＬＥ１は、コンタクトホールＣＨ１を通じて副画素ＳＰ１の画素回路１（図１参照）に接続されている。下電極ＬＥ２は、コンタクトホールＣＨ２を通じて副画素ＳＰ２の画素回路１に接続されている。下電極ＬＥ３は、コンタクトホールＣＨ３を通じて副画素ＳＰ３の画素回路１に接続されている。
【0030】
図２の例においては、開口ＡＰ１の面積、開口ＡＰ２の面積、及び、開口ＡＰ３の面積は、互いに異なる。開口ＡＰ１の面積が開口ＡＰ２の面積よりも大きく、開口ＡＰ２の面積が開口ＡＰ３の面積よりも大きい。換言すると、開口ＡＰ１から露出した下電極ＬＥ１の面積は開口ＡＰ２から露出した下電極ＬＥ２の面積よりも大きく、開口ＡＰ２から露出した下電極ＬＥ２の面積は開口ＡＰ３から露出した下電極ＬＥ３の面積よりも大きい。
【0031】
【0032】
回路層１１は、基板１０の上に配置されている。回路層１１は、図１に示した画素回路１などの各種回路と、走査線ＧＬ、信号線ＳＬ、電源線ＰＬなどの各種配線と、を含む。回路層１１は、絶縁層１２により覆われている。絶縁層１２は、回路層１１により生じる凹凸を平坦化する有機絶縁層である。
【0033】
下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３は、絶縁層１２の上に配置され、互いに離間している。下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３は、絶縁層１２に設けられたコンタクトホールを通じて副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３のそれぞれの画素回路１に接続されている。なお、絶縁層１２のコンタクトホールは、図３では省略するが、図２のＣＨ１、ＣＨ２、ＣＨ３に相当する。
【0034】
平坦化層１３は、絶縁層１２の上に配置され、下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３の各々の上面を露出するとともに、下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３の各々の側面に接触している。平坦化層１３は、下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３の各々と同等の厚さを有している。一例では、平坦化層１３の厚さは、５０～１００ｎｍである。
【0035】
無機絶縁層５は、平坦化層１３を覆うとともに、下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３の周縁部を覆っている。無機絶縁層５の開口ＡＰ１は下電極ＬＥ１に重なり、開口ＡＰ２は下電極ＬＥ２に重なり、開口ＡＰ３は下電極ＬＥ３に重なっている。
【0036】
隔壁６は、無機絶縁層５の上に配置された導電性を有する下部（茎）６１と、下部６１の上に配置された上部（笠）６２と、を有している。図の右側に示した隔壁６の下部６１は、開口ＡＰ１と開口ＡＰ２との間に位置している。図の左側に示した隔壁６の下部６１は、開口ＡＰ２と開口ＡＰ３との間に位置している。上部６２は、下部６１よりも大きい幅を有している。上部６２の両端部は、下部６１の側面よりも突出している。このような隔壁６の形状は、オーバーハング状と呼ばれる。
【0037】
有機層ＯＲ１は、開口ＡＰ１を通じて下電極ＬＥ１に接触し、開口ＡＰ１から露出した下電極ＬＥ１を覆うとともに、その周縁部が無機絶縁層５の上に位置している。上電極ＵＥ１は、有機層ＯＲ１を覆い、下部６１に接触している。
【0038】
有機層ＯＲ２は、開口ＡＰ２を通じて下電極ＬＥ２に接触し、開口ＡＰ２から露出した下電極ＬＥ２を覆うとともに、その周縁部が無機絶縁層５の上に位置している。上電極ＵＥ２は、有機層ＯＲ２を覆い、下部６１に接触している。
【0039】
有機層ＯＲ３は、開口ＡＰ３を通じて下電極ＬＥ３に接触し、開口ＡＰ３から露出した下電極ＬＥ３を覆うとともに、その周縁部が無機絶縁層５の上に位置している。上電極ＵＥ３は、有機層ＯＲ３を覆い、下部６１に接触している。
【0040】
図３の例においては、副画素ＳＰ１はキャップ層ＣＰ１及び封止層ＳＥ１を有し、副画素ＳＰ２はキャップ層ＣＰ２及び封止層ＳＥ２を有し、副画素ＳＰ３はキャップ層ＣＰ３及び封止層ＳＥ３を有している。キャップ層ＣＰ１、ＣＰ２、ＣＰ３は、それぞれ有機層ＯＲ１、ＯＲ２、ＯＲ３から放たれた光の取り出し効率を向上させる光学調整層としての役割を有している。
【0041】
キャップ層ＣＰ１は、上電極ＵＥ１の上に配置されている。
キャップ層ＣＰ２は、上電極ＵＥ２の上に配置されている。
キャップ層ＣＰ３は、上電極ＵＥ３の上に配置されている。なお、キャップ層ＣＰ１、ＣＰ２、ＣＰ３は、省略してもよい。
キャップ層ＣＰ２は、上電極ＵＥ２の上に配置されている。
キャップ層ＣＰ３は、上電極ＵＥ３の上に配置されている。なお、キャップ層ＣＰ１、ＣＰ２、ＣＰ３は、省略してもよい。
【0042】
封止層ＳＥ１は、キャップ層ＣＰ１の上に配置され、隔壁６に接触し、副画素ＳＰ１の各部材を連続的に覆っている。
封止層ＳＥ２は、キャップ層ＣＰ２の上に配置され、隔壁６に接触し、副画素ＳＰ２の各部材を連続的に覆っている。
封止層ＳＥ３は、キャップ層ＣＰ３の上に配置され、隔壁６に接触し、副画素ＳＰ３の各部材を連続的に覆っている。
封止層ＳＥ２は、キャップ層ＣＰ２の上に配置され、隔壁６に接触し、副画素ＳＰ２の各部材を連続的に覆っている。
封止層ＳＥ３は、キャップ層ＣＰ３の上に配置され、隔壁６に接触し、副画素ＳＰ３の各部材を連続的に覆っている。
【0043】
図３の例においては、有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、及び、キャップ層ＣＰ１のそれぞれの一部は、副画素ＳＰ１の周囲の隔壁６の上に位置している。これらの部分は、有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、及び、キャップ層ＣＰ１のうち開口ＡＰ１に位置する部分（表示素子２０１を構成する部分）から離間している。
同様に、有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２、及び、キャップ層ＣＰ２のそれぞれの一部は、副画素ＳＰ２の周囲の隔壁６の上に位置し、これらの部分は、有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２、及び、キャップ層ＣＰ２のうち開口ＡＰ２に位置する部分（表示素子２０２を構成する部分）から離間している。
同様に、有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３、及び、キャップ層ＣＰ３のそれぞれの一部は、副画素ＳＰ３の周囲の隔壁６の上に位置し、これらの部分は、有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３、及び、キャップ層ＣＰ３のうち開口ＡＰ３に位置する部分（表示素子２０３を構成する部分）から離間している。
同様に、有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２、及び、キャップ層ＣＰ２のそれぞれの一部は、副画素ＳＰ２の周囲の隔壁６の上に位置し、これらの部分は、有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２、及び、キャップ層ＣＰ２のうち開口ＡＰ２に位置する部分（表示素子２０２を構成する部分）から離間している。
同様に、有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３、及び、キャップ層ＣＰ３のそれぞれの一部は、副画素ＳＰ３の周囲の隔壁６の上に位置し、これらの部分は、有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３、及び、キャップ層ＣＰ３のうち開口ＡＰ３に位置する部分（表示素子２０３を構成する部分）から離間している。
【0044】
封止層ＳＥ１、ＳＥ２、ＳＥ３の端部は、隔壁６の上に位置している。図３の例においては、副画素ＳＰ１、ＳＰ２間の隔壁６の上に位置する封止層ＳＥ１、ＳＥ２の端部同士が離間し、副画素ＳＰ２、ＳＰ３間の隔壁６の上に位置する封止層ＳＥ２、ＳＥ３の端部同士が離間している。
【0045】
封止層ＳＥ１、ＳＥ２、ＳＥ３は、樹脂層ＲＬ１によって覆われている。樹脂層ＲＬ１は、封止層１４によって覆われている。封止層１４は、樹脂層ＲＬ２によって覆われている。
【0046】
無機絶縁層５、封止層ＳＥ１、ＳＥ２、ＳＥ３、及び、封止層１４は、例えば、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）、または、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）などの無機絶縁材料で形成されている。
【0047】
絶縁層１２は、樹脂によって形成されている。平坦化層１３は、ポジ型の感光性樹脂によって形成されている。平坦化層１３は、絶縁層１２とは異なる材料で形成されてもよいし、絶縁層１２と同一材料で形成されてもよい。
【0048】
隔壁６の下部６１は、導電材料で形成され、上電極ＵＥ１、ＵＥ２、ＵＥ３と電気的に接続されている。隔壁６の上部６２は、例えば導電材料によって形成されているが、絶縁材料で形成されもよい。下部６１は、上部６２とは異なる材料で形成されている。
【0049】
下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３は、例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）などの酸化物導電材料で形成された透明電極と、銀などの金属材料で形成された金属電極（反射電極）とを含む多層体である。
【0050】
有機層ＯＲ１は、発光層ＥＭ１を含む。有機層ＯＲ２は、発光層ＥＭ２を含む。有機層ＯＲ３は、発光層ＥＭ３を含む。発光層ＥＭ１、発光層ＥＭ２、及び、発光層ＥＭ３は、互いに異なる材料で形成されている。一例では、発光層ＥＭ１は、青波長域の光を放つ材料によって形成され、発光層ＥＭ２は、緑波長域の光を放つ材料によって形成され、発光層ＥＭ３は、赤波長域の光を放つ材料によって形成されている。
また、有機層ＯＲ１、ＯＲ２、ＯＲ３の各々は、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層、正孔ブロック層、電子輸送層、電子注入層などの複数の機能層を含む。
また、有機層ＯＲ１、ＯＲ２、ＯＲ３の各々は、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層、正孔ブロック層、電子輸送層、電子注入層などの複数の機能層を含む。
【0051】
上電極ＵＥ１、ＵＥ２、ＵＥ３は、例えば、マグネシウム及び銀の合金（ＭｇＡｇ）などの金属材料で形成されている。
【0052】
キャップ層ＣＰ１、ＣＰ２、ＣＰ３は、複数の薄膜の多層体である。複数の薄膜は、いずれも透明であり、しかも、互いに異なる屈折率を有している。
【0053】
図４は、平坦化層１３の一例を示す平面図である。
平坦化層１３は、平面視において、格子状に形成されている。下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３の各々は、平坦化層１３で囲まれている。つまり、下電極ＬＥ１の側面は、全周に亘って平坦化層１３に接触している。同様に、下電極ＬＥ２の側面は、全周に亘って平坦化層１３に接触し、下電極ＬＥ３の側面も、全周に亘って平坦化層１３に接触している。これにより、互いに隣接する下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３の間の段差が平坦化層１３によって緩和される。
平坦化層１３は、平面視において、格子状に形成されている。下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３の各々は、平坦化層１３で囲まれている。つまり、下電極ＬＥ１の側面は、全周に亘って平坦化層１３に接触している。同様に、下電極ＬＥ２の側面は、全周に亘って平坦化層１３に接触し、下電極ＬＥ３の側面も、全周に亘って平坦化層１３に接触している。これにより、互いに隣接する下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３の間の段差が平坦化層１３によって緩和される。
【0054】
このように、平坦化層１３が下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３の間の段差を緩和することにより、平坦化層１３及び下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３に重なる無機絶縁層５の上面が平坦化される。これにより、下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３の段差に起因した無機絶縁層５におけるクラックの発生が抑制される。
【0055】
無機絶縁層５のクラックは、絶縁層１２に含まれる水分の発散経路となり得る。このため、クラックが無機絶縁層５を貫通している場合、絶縁層１２に含まれる水分が下電極ＬＥの端部を伝わり、クラックを透過する恐れがある。この場合、無機絶縁層５の上に位置する有機層ＯＲは、クラックを透過した水分によってダメージを受け、発光性能の低下を招く。
【0056】
上記の通り、本実施形態によれば、無機絶縁層５のクラックの発生が抑制されるため、絶縁層１２に含まれる水分の発散経路が遮断される。これにより、無機絶縁層５の上に位置する有機層ＯＲの水分による劣化が抑制される。したがって、信頼性の低下を抑制することができる。
【0057】
また、隔壁６の下地となる無機絶縁層５の表面が平坦化されるため、所望の形状の隔壁６を形成することができる。
【0058】
また、無機絶縁層５にクラックが生じることを想定して、クラックを覆うように隔壁６の下部６１の幅を拡張した場合と比較して、各副画素の表示に寄与する面積を拡大することができる。
【0059】
また、無機絶縁層５にクラックが生じることを想定して、隣接する下電極ＬＥを接近して配置し、各下電極ＬＥの端部が下部６１の直下に位置する場合と比較して、隣接する下電極ＬＥの間での電気的な絶縁を確保することができる。
【0060】
また、樹脂で形成した平坦化層１３は、無機絶縁層５によって覆われており、無機絶縁層５から露出していない。このため、有機層ＯＲと平坦化層１３との接触が回避される。これにより、平坦化層１３に含まれる水分による有機層ＯＲの劣化を抑制することができる。
【0061】
【0062】
まず、図５に示すように、処理基板ＳＵＢを用意する。処理基板ＳＵＢを用意する工程は、絶縁層１２を形成する工程と、絶縁層１２の上に、副画素ＳＰ１の下電極ＬＥ１、副画素ＳＰ２の下電極ＬＥ２、副画素ＳＰ３の下電極ＬＥ３を形成する工程と、を含んでいる。下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３を形成する工程は、透明な導電層を形成する工程と、金属層を形成する工程と、これらの導電層及び金属層を一括してパターニングする工程と、を含んでいる。
【0063】
続いて、図６に示すように、絶縁層１２の上に平坦化層１３を形成する。平坦化層１３を形成する工程については、後に詳述するが、絶縁層１２及び下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３を覆う感光性樹脂を塗布する工程と、この感光性樹脂をパターニングする工程と、を含んでいる。
【0064】
続いて、図７に示すように、下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３及び平坦化層１３を覆う無機絶縁層５を形成する。一例では、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ－Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により、シリコン酸窒化物を表示領域ＤＡの全域に堆積する。
【0065】
続いて、図８に示すように、無機絶縁層５の上に隔壁６を形成する。隔壁６を形成する工程は、無機絶縁層５の上に金属層を形成する工程と、金属層の上に薄膜を形成する工程と、薄膜の上に隔壁６の形状に対応したレジストを形成する工程と、レジストをマスクとして薄膜及び金属層を順次エッチングする工程と、レジストを除去する工程と、を含んでいる。金属層をパターニングすることにより、無機絶縁層５の上に位置する下部６１が形成される。また、薄膜をパターニングすることにより、下部６１の上に位置し下部６１の側面から突出した上部６２が形成される。
【0066】
続いて、図９に示すように、無機絶縁層５に開口ＡＰ１、ＡＰ２、ＡＰ３を形成する。開口ＡＰ１は下電極ＬＥ１に重なり、開口ＡＰ２は下電極ＬＥ２に重なり、開口ＡＰ３は下電極ＬＥ３に重なる。このようにして形成された無機絶縁層５は、平坦化層１３を覆い、下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３の各々の周縁部を覆っている。
なお、上記の例では、隔壁６を形成した後に、開口ＡＰ１、ＡＰ２、ＡＰ３を形成したが、この例に限らず、開口ＡＰ１、ＡＰ２、ＡＰ３を有する無機絶縁層５を形成した後に、隔壁６を形成してもよい。
なお、上記の例では、隔壁６を形成した後に、開口ＡＰ１、ＡＰ２、ＡＰ３を形成したが、この例に限らず、開口ＡＰ１、ＡＰ２、ＡＰ３を有する無機絶縁層５を形成した後に、隔壁６を形成してもよい。
【0067】
続いて、表示素子２０１を形成する。
まず、図１０に示すように、隔壁６をマスクとして、下電極ＬＥ１の上に、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層、発光層（ＥＭ１）、正孔ブロック層、電子輸送層、電子注入層などの各層を形成するための材料を順次蒸着して、有機層ＯＲ１を形成する。
その後、隔壁６をマスクとして、有機層ＯＲ１の上に、マグネシウム及び銀の混合物を蒸着して、上電極ＵＥ１を形成する。上電極ＵＥ１は、有機層ＯＲ１を覆い、下部６１に接触している。
その後、隔壁６をマスクとして、上電極ＵＥ１の上に、第１透明層ＴＬ１を形成するための高屈折率材料及び第２透明層ＴＬ２を形成するための低屈折率材料を順次蒸着して、キャップ層ＣＰ１を形成する。
これらの有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、及び、キャップ層ＣＰ１は、真空環境を維持した状態で連続して形成される。
まず、図１０に示すように、隔壁６をマスクとして、下電極ＬＥ１の上に、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層、発光層（ＥＭ１）、正孔ブロック層、電子輸送層、電子注入層などの各層を形成するための材料を順次蒸着して、有機層ＯＲ１を形成する。
その後、隔壁６をマスクとして、有機層ＯＲ１の上に、マグネシウム及び銀の混合物を蒸着して、上電極ＵＥ１を形成する。上電極ＵＥ１は、有機層ＯＲ１を覆い、下部６１に接触している。
その後、隔壁６をマスクとして、上電極ＵＥ１の上に、第１透明層ＴＬ１を形成するための高屈折率材料及び第２透明層ＴＬ２を形成するための低屈折率材料を順次蒸着して、キャップ層ＣＰ１を形成する。
これらの有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、及び、キャップ層ＣＰ１は、真空環境を維持した状態で連続して形成される。
【0068】
その後、ＣＶＤ法により、キャップ層ＣＰ１及び隔壁６を連続的に覆うように、封止層ＳＥ１を形成する。
【0069】
有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、キャップ層ＣＰ１、及び、封止層ＳＥ１は、少なくとも表示領域ＤＡの全体に形成され、副画素ＳＰ１だけでなく副画素ＳＰ２、ＳＰ３にも配置されている。有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、及び、キャップ層ＣＰ１は、オーバーハング状の隔壁６によって分断される。
【0070】
有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、及び、キャップ層ＣＰ１がそれぞれ蒸着によって形成される際に、蒸着源から放たれた材料は、上部６２によって遮られる。このため、上部６２の上には、有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、及び、キャップ層ＣＰ１のそれぞれの一部が積層される。上部６２の上に位置する有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、及び、キャップ層ＣＰ１の各々は、下電極ＬＥ１の直上に位置する有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、及び、キャップ層ＣＰ１から離間している。
封止層ＳＥ１は、隔壁６の直上のキャップ層ＣＰ１を覆うとともに、下電極ＬＥ１の直上のキャップ層ＣＰ１を覆い、かつ、隔壁６に接触している。
封止層ＳＥ１は、隔壁６の直上のキャップ層ＣＰ１を覆うとともに、下電極ＬＥ１の直上のキャップ層ＣＰ１を覆い、かつ、隔壁６に接触している。
【0071】
続いて、図１１に示すように、封止層ＳＥ１の上に、所定の形状にパターニングされたレジストＲＳを形成する。レジストＲＳは、副画素ＳＰ１とその周囲の隔壁６の一部に重なっている。
【0072】
続いて、図１２に示すように、レジストＲＳをマスクとしてエッチングを行うことにより、レジストＲＳから露出した封止層ＳＥ１、キャップ層ＣＰ１、上電極ＵＥ１、及び、有機層ＯＲ１を順次除去する。これにより、副画素ＳＰ２の下電極ＬＥ２及び副画素ＳＰ３の下電極ＬＥ３が露出する。
その後、レジストＲＳを除去する。これにより、副画素ＳＰ１に表示素子２０１が形成される。
その後、レジストＲＳを除去する。これにより、副画素ＳＰ１に表示素子２０１が形成される。
【0073】
続いて、図１３に示すように、表示素子２０２を形成する。表示素子２０２を形成する手順は、表示素子２０１を形成する手順と同様である。すなわち、下電極ＬＥ２の上に、発光層ＥＭ２を含む有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２、キャップ層ＣＰ２、及び、封止層ＳＥ２を順に形成する。その後、封止層ＳＥ２の上にレジストを形成し、このレジストをマスクとしたエッチングにより、封止層ＳＥ２、キャップ層ＣＰ２、上電極ＵＥ２、及び、有機層ＯＲ２が順次パターニングされる。このパターニングの後、レジストを除去する。これにより、副画素ＳＰ２に表示素子２０２が形成され、副画素ＳＰ３の下電極ＬＥ３が露出する。
【0074】
続いて、図１４に示すように、表示素子２０３を形成する。表示素子２０３を形成する手順は、表示素子２０１を形成する手順と同様である。すなわち、下電極ＬＥ３の上に、発光層ＥＭ３を含む有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３、キャップ層ＣＰ３、及び、封止層ＳＥ３を順に形成する。その後、封止層ＳＥ３の上にレジストを形成し、このレジストをマスクとしたエッチングにより、封止層ＳＥ３、キャップ層ＣＰ３、上電極ＵＥ３、及び、有機層ＯＲ３が順次パターニングされる。このパターニングの後、レジストを除去する。これにより、副画素ＳＰ３に表示素子２０３が形成される。
【0075】
その後、図３に示した樹脂層ＲＬ１、封止層１４、及び、樹脂層ＲＬ２を順に形成する。これにより、表示装置ＤＳＰが完成する。
【0076】
なお、以上の製造工程においては、最初に表示素子２０１が形成され、次に表示素子２０２が形成され、最後に表示素子２０３が形成される場合を想定したが、表示素子２０１、２０２、２０３の形成順はこの例に限られない。
【0077】
次に、平坦化層１３を形成するためのいくつかの手法について説明する。
【0078】
図１５は、平坦化層１３を形成する一手法を説明するための図である。
【0079】
まず、上段に示すように、絶縁層１２及び複数の下電極ＬＥを覆うポジ型の感光性樹脂ＰＲを塗布する。ここでの複数の下電極ＬＥは、図３に示した下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３のいずれかに相当する。下電極ＬＥの各々は、第１層Ｌ１、第２層Ｌ２、及び、第３層Ｌ３の多層体である。第１層Ｌ１及び第３層は、いずれも透明電極である。第２層Ｌ２は、銀等の金属電極である。つまり、下電極ＬＥの各々は、一対の透明電極の間に反射電極となり得る金属電極を有している。
【0080】
続いて、中段に示すように、マスクを用いることなく感光性樹脂ＰＲの全面を露光する。感光性樹脂ＰＲのうち、下電極ＬＥに重なる領域は、露光装置の光源から照射された光で露光されるとともに下電極ＬＥの第２層Ｌ２で反射された光でも露光される。感光性樹脂ＰＲのうち、下電極ＬＥに重ならない領域（あるいは、隣接する下電極ＬＥの間に重なる領域）は、光源から照射された光で露光される。したがって、感光性樹脂ＰＲの表層が露光され、現像液に対して可溶性を呈するように変化する。
【0081】
続いて、下段に示すように、感光性樹脂ＰＲを現像する。感光性樹脂ＰＲを現像することにより、感光性樹脂ＰＲの表層が除去され、下電極ＬＥの上面が露出し、また、下電極ＬＥの間に感光性樹脂ＰＲが残留する。
その後、感光性樹脂ＰＲを焼成する。これにより、感光性樹脂ＰＲから水分が除去され、平坦化層１３が形成される。
その後、感光性樹脂ＰＲを焼成する。これにより、感光性樹脂ＰＲから水分が除去され、平坦化層１３が形成される。
【0082】
【0083】
まず、絶縁層１２及び複数の下電極ＬＥを覆うポジ型の感光性樹脂ＰＲを塗布する。
【0084】
続いて、マスクＭ１を用いて感光性樹脂ＰＲを露光する。マスクＭ１は、開口部ＯＰと、開口部ＯＰよりも低い透過率を有する低透過部ＬＴと、を有している。開口部ＯＰは、下電極ＬＥに対応した形状を有している。低透過部ＬＴは、平坦化層１３を形成すべき領域（下電極ＬＥに重ならない領域）に対応した形状を有している。なお、低透過部ＬＴは、隣接する下電極ＬＥの間隔よりも大きい幅を有し、下電極ＬＥの端部に重なる。このようなマスクＭ１を介して感光性樹脂ＰＲを露光した場合、下電極ＬＥに重なる領域の露光量は、下電極ＬＥに重ならない領域の露光量より大きい露光条件が実現される。
感光性樹脂ＰＲのうち、下電極ＬＥに重なる領域は、開口部ＯＰを透過した光で露光されるとともに、下電極ＬＥの第２層Ｌ２で反射された光でも露光される。感光性樹脂ＰＲのうち、下電極ＬＥに重ならない領域は、低透過部ＬＴを透過した光で露光されるとともに、下電極ＬＥの第２層Ｌ２で反射された拡散光でも露光される。したがって、感光性樹脂ＰＲの表層が露光され、現像液に対して可溶性を呈するように変化する。
感光性樹脂ＰＲのうち、下電極ＬＥに重なる領域は、開口部ＯＰを透過した光で露光されるとともに、下電極ＬＥの第２層Ｌ２で反射された光でも露光される。感光性樹脂ＰＲのうち、下電極ＬＥに重ならない領域は、低透過部ＬＴを透過した光で露光されるとともに、下電極ＬＥの第２層Ｌ２で反射された拡散光でも露光される。したがって、感光性樹脂ＰＲの表層が露光され、現像液に対して可溶性を呈するように変化する。
【0085】
続いて、感光性樹脂ＰＲを現像した後、感光性樹脂ＰＲを焼成する。これにより、平坦化層１３が形成される。
【0086】
【0087】
まず、絶縁層１２及び複数の下電極ＬＥを覆うポジ型の感光性樹脂ＰＲを塗布する。
【0088】
続いて、マスクを用いることなく感光性樹脂ＰＲの全面を露光する。
【0089】
続いて、マスクＭ２を用いて感光性樹脂ＰＲを露光する。マスクＭ２は、開口部ＯＰと、遮光部ＬＳと、を有している。開口部ＯＰは、下電極ＬＥに対応した形状を有している。遮光部ＬＳは、平坦化層１３を形成すべき領域（下電極ＬＥに重ならない領域）に対応した形状を有している。なお、遮光部ＬＳは、隣接する下電極ＬＥの間隔よりも大きい幅を有し、下電極ＬＥの端部に重なる。
感光性樹脂ＰＲのうち、下電極ＬＥに重なる領域は、先の全面露光工程で露光されるとともに、マスクＭ２を介した露光工程により開口部ＯＰを透過した光で露光される。感光性樹脂ＰＲのうち、下電極ＬＥに重ならない領域は、先の全面露光工程で露光される一方で、マスクＭ２を介した露光工程では遮光部ＬＳによって遮光される。このような露光量の差を形成することにより、下電極ＬＥに重なる領域の感光性樹脂ＰＲは確実に除去可能となるように露光され、また、下電極ＬＥに重ならない領域の感光性樹脂ＰＲは表層が除去可能となりまた底部が残留するように露光される。
感光性樹脂ＰＲのうち、下電極ＬＥに重なる領域は、先の全面露光工程で露光されるとともに、マスクＭ２を介した露光工程により開口部ＯＰを透過した光で露光される。感光性樹脂ＰＲのうち、下電極ＬＥに重ならない領域は、先の全面露光工程で露光される一方で、マスクＭ２を介した露光工程では遮光部ＬＳによって遮光される。このような露光量の差を形成することにより、下電極ＬＥに重なる領域の感光性樹脂ＰＲは確実に除去可能となるように露光され、また、下電極ＬＥに重ならない領域の感光性樹脂ＰＲは表層が除去可能となりまた底部が残留するように露光される。
【0090】
続いて、感光性樹脂ＰＲを現像した後、感光性樹脂ＰＲを焼成する。これにより、平坦化層１３が形成される。
【0091】
次に、平坦化層１３の形成され得る断面形状について説明する。
【0092】
図１８は、平坦化層１３の断面形状の一例を示す図である。
平坦化層１３の上面ＵＳ１３は、下電極ＬＥ１の上面ＵＳ１及び下電極ＬＥ２の上面ＵＳ２よりも突出している。図示した例では、上面ＵＳ１３の全体が上面ＵＳ１などよりも突出し、凸面を形成している。上面ＵＳ１３の一部が上面ＵＳ１などよりも突出している場合もあり得る。なお、図１８では、下電極ＬＥ３の図示を省略しているが、上面ＵＳ１３の少なくとも一部は、下電極ＬＥ１、ＬＥ２、Ｌ３の各上面よりも突出している。一例では、隣接する下電極ＬＥからほぼ等距離の中間地点において、平坦化層１３の厚さが最大となる。
平坦化層１３の上面ＵＳ１３は、下電極ＬＥ１の上面ＵＳ１及び下電極ＬＥ２の上面ＵＳ２よりも突出している。図示した例では、上面ＵＳ１３の全体が上面ＵＳ１などよりも突出し、凸面を形成している。上面ＵＳ１３の一部が上面ＵＳ１などよりも突出している場合もあり得る。なお、図１８では、下電極ＬＥ３の図示を省略しているが、上面ＵＳ１３の少なくとも一部は、下電極ＬＥ１、ＬＥ２、Ｌ３の各上面よりも突出している。一例では、隣接する下電極ＬＥからほぼ等距離の中間地点において、平坦化層１３の厚さが最大となる。
【0093】
図１９は、平坦化層１３の断面形状の他の例を示す図である。
平坦化層１３の上面ＵＳ１３は、下電極ＬＥ１の上面ＵＳ１及び下電極ＬＥ２の上面ＵＳ２よりもくぼんでいる。図示した例では、上面ＵＳ１３の全体が上面ＵＳ１などよりもくぼんでおり、凹面を形成している。上面ＵＳ１３の一部が上面ＵＳ１などよりもくぼんでいる場合もあり得る。なお、図１９では、下電極ＬＥ３の図示を省略しているが、上面ＵＳ１３の少なくとも一部は、下電極ＬＥ１、ＬＥ２、Ｌ３の各上面よりもくぼんでいる。一例では、隣接する下電極ＬＥからほぼ等距離の中間地点において、平坦化層１３の厚さが最小となる。
平坦化層１３の上面ＵＳ１３は、下電極ＬＥ１の上面ＵＳ１及び下電極ＬＥ２の上面ＵＳ２よりもくぼんでいる。図示した例では、上面ＵＳ１３の全体が上面ＵＳ１などよりもくぼんでおり、凹面を形成している。上面ＵＳ１３の一部が上面ＵＳ１などよりもくぼんでいる場合もあり得る。なお、図１９では、下電極ＬＥ３の図示を省略しているが、上面ＵＳ１３の少なくとも一部は、下電極ＬＥ１、ＬＥ２、Ｌ３の各上面よりもくぼんでいる。一例では、隣接する下電極ＬＥからほぼ等距離の中間地点において、平坦化層１３の厚さが最小となる。
【0094】
図２０は、平坦化層１３を表示領域ＤＡに選択的に形成する工程を説明するための図である。
【0095】
まず、上段に示すように、絶縁層１２及び複数の下電極ＬＥを覆うポジ型の感光性樹脂ＰＲを塗布する。このとき、感光性樹脂ＰＲは、表示領域ＤＡのみならず、周辺領域ＳＡにも塗布される。
【0096】
続いて、中段に示すように、マスクＭ１を用いて感光性樹脂ＰＲを露光する。マスクＭ１は、開口部ＯＰと、開口部ＯＰよりも低い透過率を有する低透過部ＬＴと、を有している。開口部ＯＰは、下電極ＬＥに対応した形状を有するとともに、周辺領域ＳＡに対応した形状を有している。低透過部ＬＴは、平坦化層１３を形成すべき領域（下電極ＬＥに重ならない領域）に対応した形状を有している。このようなマスクＭ１を介して感光性樹脂ＰＲを露光した場合、下電極ＬＥに重なる領域及び周辺領域ＳＡの露光量は、表示領域ＤＡにおいて下電極ＬＥに重ならない領域の露光量より大きい露光条件が実現される。
感光性樹脂ＰＲのうち、下電極ＬＥに重なる領域及び周辺領域ＳＡは、開口部ＯＰを透過した光で露光される。感光性樹脂ＰＲのうち、表示領域ＤＡの下電極ＬＥに重ならない領域は、低透過部ＬＴを透過した光で露光される。したがって、表示領域ＤＡに位置する感光性樹脂ＰＲの表層が露光され、また、周辺領域ＳＡに位置する感光性樹脂ＰＲの全体が露光される。感光性樹脂ＰＲのうち、露光された領域は、現像液に対して可溶性を呈するように変化する。
感光性樹脂ＰＲのうち、下電極ＬＥに重なる領域及び周辺領域ＳＡは、開口部ＯＰを透過した光で露光される。感光性樹脂ＰＲのうち、表示領域ＤＡの下電極ＬＥに重ならない領域は、低透過部ＬＴを透過した光で露光される。したがって、表示領域ＤＡに位置する感光性樹脂ＰＲの表層が露光され、また、周辺領域ＳＡに位置する感光性樹脂ＰＲの全体が露光される。感光性樹脂ＰＲのうち、露光された領域は、現像液に対して可溶性を呈するように変化する。
【0097】
続いて、下段に示すように、感光性樹脂ＰＲを現像した後、感光性樹脂ＰＲを焼成する。これにより、平坦化層１３が形成される。また、周辺領域ＳＡにおいては、感光性樹脂ＰＲが除去される。これにより、周辺領域ＳＡにおいて、図１に示した端子ＴＥ等が平坦化層１３から露出する。
【0098】
図２０では、図１６に示したマスクＭ１を用いて周辺領域ＳＡの感光性樹脂ＰＲを除去する場合について説明したが、図１７に示したマスクＭ２を用いて周辺領域ＳＡの感光性樹脂ＰＲを除去することもできるし、図１５に示した全面露光工程を適用しても周辺領域ＳＡの感光性樹脂ＰＲを除去することができる。
【0099】
以上説明したように、本実施形態によれば、信頼性の低下を抑制することが可能な表示装置及び表示装置の製造方法を提供することができる。
【0100】
以上、本発明の実施形態として説明した表示装置及びその製造方法を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての表示装置及びその製造方法も、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に属する。
【0101】
本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変形例に想到し得るものであり、それら変形例についても本発明の範囲に属するものと解される。例えば、上述の実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除、もしくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
【0102】
また、上述の実施形態において述べた態様によりもたらされる他の作用効果について、本明細書の記載から明らかなもの、または当業者において適宜想到し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。
【符号の説明】
【0103】
ＤＳＰ…表示装置 １０…基板
５…無機絶縁層 ＡＰ１、ＡＰ２、ＡＰ３…開口
６…隔壁 ６１…下部 ６２…上部
１２…絶縁層（有機絶縁層） １３…平坦化層
ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３…副画素
２０、２０１、２０２、２０３…表示素子（有機ＥＬ素子）
ＬＥ、ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３…下電極
ＵＥ、ＵＥ１、ＵＥ２、ＵＥ３…上電極
ＯＲ、ＯＲ１、ＯＲ２、ＯＲ３…有機層
５…無機絶縁層 ＡＰ１、ＡＰ２、ＡＰ３…開口
６…隔壁 ６１…下部 ６２…上部
１２…絶縁層（有機絶縁層） １３…平坦化層
ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３…副画素
２０、２０１、２０２、２０３…表示素子（有機ＥＬ素子）
ＬＥ、ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３…下電極
ＵＥ、ＵＥ１、ＵＥ２、ＵＥ３…上電極
ＯＲ、ＯＲ１、ＯＲ２、ＯＲ３…有機層
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】